CONVERSOR PWM La modulacin por ancho de pulsos (tambin conocida como PWM, siglas en ingls de pulse-width modulation) de una

seal o fuente de energa es una tcnica en la que se modifica el ciclo de trabajo de una seal, ya sea para transmitir informacin a travs de un canal de comunicaciones o para controlar la cantidad de energa que se enva a una carga. El ciclo de trabajo de una seal peridica es el ancho relativo de su parte positiva en relacin con el perodo. Expresado matemticamente:

D es el ciclo de trabajo es el tiempo en que la funcin es positiva (ancho del pulso) T es el perodo de la funcin

DESVENTAJAS La principal desventaja que presentan los circuitos PWM es la posibilidad de que haya interferencias generadas por radiofrecuencia PARMETROS IMPORTANTES Algunos parmetros importantes de un PWM son: La relacin de amplitudes entre la seal portadora y la moduladora, siendo recomendable que la ltima no supere el valor pico de la portadora y est centrada en el valor medio de sta. La relacin de frecuencias, donde en general se recomienda que la relacin entre la frecuencia de la portadora y la de seal sea de 10 a 1. APLICACIONES En la actualidad existen muchos circuitos integrados en los que se implementa la modulacin PWM, adems de otros muy particulares para lograr circuitos funcionales que puedan controlar fuentes conmutadas, controles de motores, controles de elementos termoelctricos, choppers para sensores en ambientes ruidosos y algunas otras aplicaciones.

EN LOS MOTORES La modulacin por ancho de pulsos es una tcnica utilizada para regular la velocidad de giro de los motores elctricos de induccin o asncronos. Mantiene el par motor constante y no supone un desaprovechamiento de la energa elctrica. La modulacin por ancho de pulsos tambin se usa para controlar servomotores, los cuales modifican su posicin de acuerdo al ancho del pulso enviado cada un cierto perodo que depende de cada servo motor

CONVERTIDOR ELEVADOR Un convertidor elevador (step-up convertidor) es un convertidor de potencia DC con un voltaje de salida mayor que la tensin de entrada DC. Es una clase de fuente de alimentacin conmutada-mode (SMPS) que contiene al menos dos semiconductores interruptores (un diodo y un transistor) y al menos una energa elemento de almacenamiento. Los filtros de condensadores (a veces en combinacin con inductores) se aaden normalmente a la salida del convertidor para reducir el rizado de la tensin de salida.

APLICACIONES Batera con sistema de alimentacin a menudo pila clulas en serie para conseguir un voltaje ms alto. Sin embargo, suficiente apilamiento de clulas no es posible en muchas aplicaciones de alta tensin debido a la falta de espacio. Convertidores de impulso puede aumentar la tensin y reducir el nmero de clulas. Dos bateras aplicaciones que utilizan convertidores de elevacin se los vehculos elctricos hbridos (HEV) y los sistemas de iluminacin.

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una seal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtindola en corriente directa de salida (Vo). Es el circuito ms sencillo que puede construirse con un diodo.

Rectificador de media onda con filtro RC Un circuito RC sirve como filtro para hacer que el voltaje alterno se vuelva directo casi como el de una batera, esto es gracias a las pequeas oscilaciones que tiene la salida del voltaje, las cuales son prcticamente nulas.

El circuito funciona de la siguiente manera: 1. Entra la seal alterna al circuito, la cual se rectifica con el diodo. (Solo permite pasar un semi-ciclo de la seal, que en este caso es el semi-ciclo positivo) 2. En el momento que el voltaje sale del diodo el condensador se empieza a cargar y la cada de voltaje se recibe en la resistencia. 3. En el semi-ciclo negativo no hay voltaje por que el diodo no permite que fluya nada, entonces el condensador se empieza a descargar (la velocidad con la que se descarga depende de la capacitancia). 4. El condensador no se descarga por completo, entonces en el momento que otra vez empieza el semi-ciclo positivo el condensador se vuelve a cargar. A esta diferencia que existe se le conoce como voltaje de rizo (Vr) y la idea es que sea muy pequea.

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una seal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la seal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la seal se convertir en negativa, segn se necesite una seal positiva o negativa de corriente continua. RECTIFICADOR CON DOS DIODOS. En el circuito, ambos diodos no pueden encontrarse simultneamente en directa o en inversa, ya que las diferencias de potencial a las que estn sometidos son de signo contrario; por tanto uno se encontrar polarizado inversamente y el otro directamente.

RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS Los Rectificadores Semicontrolados son un tipo de convertidor de un slo cuadrante y tiene una misma polaridad de voltaje y de corriente de salida. Emplean en sus configuraciones ramas rectificadoras con, cada una de ellas, un diodo y un tiristor. Estos convertidores no necesitarn, por lo tanto, de doble encendido en los tiristores, como ocurre en los rectificadores controlados, dando una caracterstica de salida con ms ondulacin que sus equivalentes montajes a tiristores.

Con los Convertidores Semicontrolados conseguiremos mayores potencias que las obtenidas para los Convertidores Controlados empleando el mismo ngulo de disparo a, sin embargo l rendimiento de stos. MODULACION DE AMPLITUD MEDIANTE MODULACION POR DURACION DE PULSOS (PWM o PDM) Introduccin La potencia total de la seal modulada en amplitud esta dada por:

En que m es el ndice de modulacin, que depende de la amplitud de la seal moduladora y Pc es la potencia de la portadora sin modulacin (m = 0). MODULACIN EN BAJO Y ALTO NIVEL En la modulacin en bajo nivel la salida del oscilador y la seal moduladora se aplican al modulador con bajo nivel del potencia, del orden de miliwatts o unos pocos watts. La salida del modulador es luego amplificada mediante amplificadores de potencia hasta alcanzar el nivel requerido a la salida del transmisor. Todos los amplificadores de potencia en este caso, deben ser lineales.

La portadora mediante amplificadores no lineales, generalmente clase C y la seal moduladora mediante amplificadores lineales. Con amplificadores clase C pueden alcanzarse eficiencias superiores al 80% en tanto que con amplificadores clase A la eficiencia suele ser del orden de 20% y con clase AB, poco ms de 30%.

En ambos casos, bajo o alto nivel, la eficiencia total es baja, lo que significa que buen parte de la potencia que se suministra al transmisor se pierde en forma de calor. Modulacin por duracin de pulsos La modulacin por duracin o anchura de pulsos (PWM1 o PDM2) es uno de los esquemas ms utilizados en la actualidad en transmisores de AM y permite conseguir eficiencias bastante superiores a las que se tienen con AM tradicional. En cierta forma puede considerarse como una modulacin de alto nivel. La seal moduladora o de informacin se convierte en un tren de pulsos de duracin variable que se amplifica al nivel suficiente para aplicarlo como seal moduladora al paso amplificador final del transmisor.

INVERSORES TRIFSICOS Los inversores trifsicos se emplean en la alimentacin de cargas trifsicas. As, aplicaciones tales como fuentes ininterrumpidas de tensin alterna trifsica, accionamientos de motores de corriente alterna trifsicos y conexin de fuentes que producen enega en continua (clulas fotovoltaicas) con las cargas trifsicas, utilizan este tipo de inversores. Aunque este montaje pueda resulta preferible en algunas aplicaciones, ofrece los siguientes inconvenientes:

Requiere un transformador trifsico a la salida, donde los arrollamientos del primario deben estar aislados entre s y los del secundario pueden estar conectados bien en estrella o bien en tringulo (ver figura 4.22). Inversor trifsico implementado como tres inversores monofsicos.

Inversor trifsico.

Formas de onda en un inversor PWM trifsico.

En los inversores trifsicos interesa analizar el contenido en armnicos de las tensiones de lnea. Los armnicos de las tensiones de fase o de salida de cada una de las patas del circuito.

VENTAJA La ventaja principal de utilizar un valor de ma menor o igual a la unidad reside en la relacin lineal entre la tensin eficaz de lnea a frecuencia fundamental y el ratio de modulacin de la amplitud ma. Sin embargo, la tensin eficaz de lnea no resulta tan elevada como puediera ser necesario Inversor trifsico de onda cuadrada Cuando el ratio de modulacin de la amplitud ma adquiere valores elevados, el inversor trifsico PWM sobremodulado degenera en uno de onda cuadrada. Aqu, cada interruptor se encuentra activado durante 180 de la frecuencia fundamental y nunca estarn cerrados ni abiertos simultneamente los dos interruptores de una misma pata. Adems, existe un desfase de 120 entre la activacin de un interruptor y el del mismo nivel de la pata consecutiva. Por tanto, siempre habr tres interruptores activados. Inversor trifsico de onda cuadrada.

Inversor PWM en modulacin Para calcular el factor de utilizacin total de los interruptores en un inversor trifsico, se aplica la expresin

que coincide con el factor de utilizacin de un inversor monofsico PWM lineal. RIZADO A LA SALIDA DE UN INVERSOR TRIFSICO

Considrese la figura, que muestra en diagrama de bloques un inversor trifsico alimentando a un motor de corriente alterna. Cada una de estas fases viene representada por medio de su esquema equivalente simplificado con respecto al neutro de la carga n. Las tres fem eA(t), eB(t) y eC(t) se suponen senoidales puras a la frecuencia f1. Inversor trifasico y motor trifsico.

En un inversor de onda cuadrada, cada interruptor est activado o cerrado durante 180. Sin embargo, no siempre que un interruptor est activado circula corriente por l. Para determinar qu porcentaje de este tiempo de activacin el interruptor se encuentra en estado de conduccin, supngase al inversor trifsico alimentando a una carga donde el ngulo de desfase de la intensidad respecto a la tensin es de 30. Formas de onda de la fase A en un inversor de onda cuadrada.

Inversor PWM

La onda de las tensiones vAN ,vBN y vCN, as como las intensidades iA, iB e iC de un inversor trifsico con conmutacin PWM, donde se ha supuesto que la intensidad est

retrasada 30 respecto de la tensin. Asimismo, se considera que las formas de onda de las corrientes consisten en senoidales puras. Formas de onda en un inversor trifsico PWM con un ngulo de desfase de 30.

CICLOCONVERSOR Un cicloconversor es un dispositivo elctrico que convierte un voltaje AC, como el suministro de conducto principal, a otro voltaje AC. La amplitud y la frecuencia del voltaje de entrada tienden a ser fijas, mientras que tanto la amplitud como la frecuencia del voltaje de salida tienden a ser la variable. Una aplicacin tpica de unconvertidor AC-AC es usarlo para controlar la velocidad de un motor de traccin AC (un tipo de motores elctricos utilizados en locomotoras) y la mayor parte de estos convertidores tienen una salida de potencia alta, de la orden unos megavatios y SCRs son usados en este recorrido

Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

Estructura Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.

Funcionamiento En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. NPN

El smbolo de un transistor NPN. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. PNP El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. MOSFET MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el

transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores MOSFET.

Funcionamiento Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. Estado de corte Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. Conduccin lineal Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (nMOS) o positiva (pMOS), se crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Saturacin Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece.

Aplicaciones La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Vase Tecnologa CMOS Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:

Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

Transistor IGBT El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia.

Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

Circuito equivalentede un IGBT. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

DEFINICIN. SCR. El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

ESTRUCTURA.

CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO. El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer cuadrante, en el cual el disparo se provoca por: tensin suficientemente elevada aplicada entre nodo y ctodo,

- intensidad en la puerta. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF ON, usando la corriente de puerta adecuada. CARACTERSTICAS GENERALES. Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez.

 Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria). rea de disparo seguro. En esta rea se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo. Curva C: tensin directa de pico admisible VGF.

Curva D: hiprbola de la potencia media mxima P GAV que no debemos sobrepasar.

Curva caractersticas de puerta del tiristor.

El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes puntos:

Una cada de tensin en sentido directo ms elevada. Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.

CARACTERSTICAS DINMICAS.

 Tensiones transitorias: - Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin. - Son breves y de gran amplitud. - La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores. Imulsos de corriente: - Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4). - A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos. - El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura media de la unin.

Figura 4. Curva de limitacin de impulsos de corriente. APLICACIONES DEL SCR. Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta.

Triac Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta. Aplicaciones ms comunes

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels. Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila. Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores elctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna.

Debido a su poca estabilidad en la actualidad su uso es muy reducido. Control de fase (potencia) GTO (Gate Turn-off Thyristor) Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal gate (como en el tiristor), pero en cambio puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en la terminal gate. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la terminal gate. El smbolo para el tiristor GTO usado ms frecuente, as como sus caractersticas de conmutacin se muestran en la figura. La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en el gate (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en el gate de 250 A para el apagado.

La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Como se muestra en la figura, existen 4 capas de silicn (pnpn), 3 uniones y tres terminales (nodo, ctodo y gate). La diferencia en la operacin, radica en que en que una seal negativa en el gate puede apagar el GTO.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ. La estructura del IGBT es similar al un MOSFET de canal n, una porcin de la estructura es la combinacin de regiones n+ , p y n- que forman el MOSFET entre el source S y el gate G con la regin de flujo n- que es el drain D del MOSFET.

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate.

El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW. MCT (MOS- Controlled Thyristor) El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del MOSFET y el tiristor. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado. El smbolo de ste dispositivo se muestra en la figura. Est integrado por 2 MOSFET's, uno de ellos enciende al tiristor y el otro lo apaga.

Existen diversos tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un tiristor pnpn que determina las propiedades de conduccin (y de bloqueo). Tambin, todos los MCT's tienen integrados dos dispositivos MOS para controlar las propiedades de conmutacin. Entre el nodo A y el ctodo K existe una estructura pnpn que como ya se mencion forma la estructura del tiristor del MCT. La regin gate - nodo est formada por ms de 105 celdas. Este largo nmero de celdas provee superficies cortas de largas secciones transversales para una rpida y uniforme conmutacin de corriente. Dentro de la regin nodo - gate existen dos MOSFET's. Uno de ellos es un canal p, tipo pnp que es usado para el encendido y el otro es un canal n, de tipo npn que es usado para el apagado. Existen otras regiones p-pn+ que producen el encendido y el apagado del MCT.

La estructura descrita aqu es muy general y no muestra que solo el 4 por ciento de las celdas que posee el MOSFET sirven para el encendido.

En su operacin, si el ctodo K es positivo con respecto al nodo, no importando la polarizacin del gate, el MCT va a caer a un voltaje muy bajo, sta situacin debe ser evitada.