ESCOLA POLITÉCNICA DE MINAS GERAIS

VITAL BRASIL.



ELETRONICA PARA O CURSO TECNICO MECATRONICA





FÍSICA DOS SEMICONDUTORES E DISPOSITIVOS.




PRIMEIRO BIMESTRE




PROF. CENILIO
2


POLIMIG
VITAL BRASIL
01 de janeiro
2011
Materiais semicondutores três tipos ametais de
características isolantes, metais bons conduto-
res de eletricidade e os semimetais semicondu-
tores. Os dispositivos eletrônicos modernos –
diodos transistores e circuitos integrados – Es-
tes elementos especiais, chamados de semi-
condutores, especialmente o germânio e o silí-
cio. Como o nome sugere, um semicondutor
não é um bom condutor de corrente elétrica
nem um isolante. Contudo, não é a capacidade
de conduzir ou de isolar uma corrente que torna
os semicondutores tão úteis.
FÍSICA DOS SEMICONDU-
TORES E DISPOSITIVOS.
3

INTRODUÇÃO

Materiais semicondutores
Os elementos químicos se dividem logicamente em três tipos ametais de características
isolantes, metais bons condutores de eletricidade e os semimetais de características
intermediarias. Ou seja, semicondutores
Os dispositivos eletrônicos modernos – diodos transistores e circuitos integrados – Estes
elementos especiais, chamados de semicondutores, especialmente o germânio e o silício.
Como o nome sugere, um semicondutor não é um bom condutor de corrente elétrica nem
um isolante. Contudo, não é a capacidade de conduzir ou de isolar uma corrente que tor-
na os semicondutores tão úteis. Em vez disso, é a capacidade de formar cristais com pro-
priedades elétricas especiais que os torna tão valiosos.
O material silício é o elemento mais utilizado e a seguir vem o germânio.
Para entendermos estes elementos vamos recorrer a teoria eletrônica dos semiconduto-
res

Constituição da matéria

As substâncias encontradas na natureza sejam das sólidas liquidas ou gasosas, são
constituídas por um aglomerado de minúsculas partículas chamadas moléculas.
A molécula e a menor parte em que pode se dividir a matéria sem sofrer alterações.
Se dividir a molécula, encontra se o átomo que não mais conserva as propriedades da
matéria.
Você já sabe alguma coisa sobre átomos, elétrons prótons e nêutrons.
Está seção ampliará ainda mais seu conhecimento.
Você verá como os átomos de silício se combinam para formar novos cristais (esqueleto
dos dispositivos semicondutores).
ÁTOMO
O átomo é a menor partícula que compõe a molécula.
O átomo é composto de elétrons, próton e nêutron (prótons e nêutrons compõem o núcleo
do átomo).



Prótons positivos.
Elétrons negativos.
Os elétrons apresentam em níveis de energia a partir do núcleo em sete camadas Sendo
que o número máximo de elétrons por camada é:

4

De acordo com a teoria do octeto, os elementos adquirem estabilidade química ao assu-
mirem a configuração de u gás nobre, isto é; 8 elétrons na camada de Valencia.
A última camada também chamada camada de valência tem 08 elétrons quando comple-
ta.
Únicos elementos que possuem esta camada completa são os gases nobres
O átomo é considerado estável quando apresenta esta camada completa.

Ligações Químicas

A maneira pela qual os átomos se unem para formar a molécula recebe o nome de liga-
ção.
Um átomo poderá receber ou ceder elétrons.
Quando ganha um ou mais elétrons fica negativo íon negativo
Quando doa fica um átomo positivo

Tipos de ligações Químicas.

Valência
Covalência – quando os átomos usam em sociedade
seus elétrons

Eletro valência os átomos doa definitivamente um elé-
tron ao vizinho.
Cristal = Substância pura

CONDUTORES


Condutores são elementos que possuem elétrons
livres em grande quantidade dentro da sua estrutura e se
locomove com a aplicação de um potencial externo. (cobre
ouro alumínio), metais em geral. A estrutura atômica dos
condutores permite que os elétrons da última camada movimentem-se facilmente com um
mínimo de oposição. Em geral os bons condutores possuem apenas 1 elétron na última
órbita ou camada de valência



ISOLANTES.

Isolantes são elementos onde os elétrons estão presos em suas ligações, mesmo com a
aplicação de um potencial elétrico não se locomove Um material cujos átomos tendem a
permanecer em suas camadas de valência são denominados isolantes porque não podem
5

conduzir corrente elétrica com facilidade. No entanto, os isolantes são capazes de arma-
zenar eletricidade melhor do que os condutores.

Materiais como mica, vidro, borracha, papel, etc. são também denominados dielé-
tricos, muito utilizados na fabricação de capacitores. Desta forma, os isolantes são muito
úteis quando se deseja bloquear a passagem de corrente.

SEMICONDUTORES
Os semicondutores sem qualquer sombra de dúvida revolucionaram a tecnologia dos cir-
cuitos eletrônicos, por se tratarem de dispositivos de pequenas dimensões aliadas a uma
operação eficiente e confiável.

São elementos cuja resistëncia situa-se entre a dos condutores e a dos isolantes. (silício
(si) germânio. (ge)). Os semicondutores sem qualquer sombra de dúvida revolucionaram
a tecnologia dos circuitos eletrônicos, por se tratarem de dispositivos de pequenas dimen-
sões aliadas a uma operação eficiente e confiável.

O silício em estado puro apresenta sob forma cristalina, significando que seus átomos
acham-se dispostos uniformemente em uma configuração periódica.
A tabela a seguir mostra alguns tipos de condutores e semicondutores.


GRUPO

ELEMENTO

SÍMBO-
LO
Nº A-
TÔMICO
ELÉTRON
DE VALÊN-
CIA
Metais
conduto-
res, em
ordem de
condutân-
cia
Prata
Cobre
Ouro
Alumínio
Ferro
Ag
Cu
Au
Al
Fe
47
29
79
13
26
+1
+1
+1
+3
+2
Semicon-
dutores
Carbono
Silício
Germânio
C
Si
Ge
6
14
32
±4
±4
±4
Gases ati-
vos
Hidrogênio
Oxigênio
H
O
1
8
±1
-2
Gases i-
nertes
Hélio
Neon
He
Ne
2
10
0
0

ADENDO 1
UNIDADES DAS GRANDEZAS FUNDAMENTAIS.

GRANDEZA UNIDADE FUNDAMEN-
TAL
SÍMBOLO
Comprimento Metro M
Massa Quilograma Kg
6

Tempo Segundo S
Corrente elétrica Ampére A
temperatura Kelvin K
Termodinâmica
Intensidade luminosa Candela cd
Quantidade de matéria Mol mol

GRANDEZA UNIDADE FUNDAMEN-
TAL
SIMBOLO
Ângulo plano Radiano Rad
Ângulo sólido Esfereorradiano sr


Outras unidades usuais podem ser deduzidas apartir de unidades fundamentais e das
unidades suplementares (O Coulomb é deduzido das fundamentais segundo e ampé-
re)

GRANDEZA UNIDADE SIMBOLO
Energia Joule J
Força Newton N
Potencia Watt W
Carga elétrica Coulomb C
Tensão elétrica Volt V
Condutância elétrica Siemens S
Indutância elétrica Henry H
Freqüência Hertz Hz
Fluxo magnético Weber Wb
Densidade de fluxo magnético. Tesla T
Resistência elétrica OHM
O

Prefixo símbolo valor potencia 10

hexa
Peta
tera
giga
mega
kilo
hecto

E
P
T
G
M
K
h

100 000 000 000 000 000
1 00 000 000 000 000
1000 000 000 000
1000 000 000
1 000 000
1 000
100

10
18
10
15
10
12
10
9
10
6

10
3

10
2
7

deca
deci
centi
mili
micro
nano
pico
fento
atto
da
d
c
m
u
n
p
f
a
10
0,1
0,01
0.001
0.000 001
0.000 000 001
0,000 000 000 001
0.000000000000001
10
1
10
-1
10
-2
10
-3

10
-6

10
-9

10
-12
10
-15
10
-18



POTÊNCIA DE 10

Já vimos que freqüentemente é necessário converter uma unidade de medida
em outra unidade que pode ser maior ou menor.
Muitas vezes nos referimos às potências de 10 como notação de Engenheiro.
Regra 1. Para escrever um nº maior que 1 na forma de um nº pequeno, vezes uma
potencia 10, deslocam a vírgula para a esquerda tantos algarismos desejados. A se-
guir multiplica o nº pôr 10 elevado a uma potência igual ao número de casas deslo-
cadas.
Ex 3,000 = 3000, (A vírgula é deslocada três casas para a esquerda)
= 3 x 10
3
(Portanto, a potência ou o expoente é 3)

6,500 = 65,00 (A vírgula é deslocada duas casas para a esquerda)
= 65 x 10
2
(Portanto, o expoente é 2)
880,000 = 88,0000 (A vírgula é deslocada quatro casas para a esquerda)
= 88 x 10
4
(Isto é, o expoente é 4)
42,56 = 4,256 (A vírgula é deslocada uma casa para a esquerda)
= 4,256 x 10 (Portanto, o expoente é 1)

Regra 2 Para converter nºs menor do que 1 com um nº inteiro vezes uma potência de
10 desloca-se à vírgula para a direita. A seguir multiplica-se o nº pôr 10 e elevado a
uma potência negativa.
Ex 0,006 = 0006, (A vírgula é deslocada três casas para a direita)
= 6 x 10
-3
(Portanto, a potência ou o expoente é –3)

0,435 = 04,35 (A vírgula é deslocada uma casa para a direita)
= 4,35 x 10
-1
(Portanto, o expoente é –1)

0,00092 = 000092, (A vírgula é deslocada cinco casas para a direita)
= 92 x 10
-5
(Isto é, o expoente é –5)

8


Regra 3 Para converter um nº expresso em potência positiva de 10, em um nº deci-
mal desloca-se à casa decimal para a direita tantas casas ou posições igual ao valor do
expoente.
Ex 0,615 x 10
3
= 0615, (O expoente é 3. Portanto, desloca-se a vírgula três
casas para direita)
= 615

0,615 x 10
6
= 0615000 (Desloca-se a vírgula três casas para a direita)
= 615000

0,0049 x 10
3
= 0004,9 (Desloca-se a vírgula três casas para direita)
= 4,9

84 x 10
2
= 8400, (Desloca-se a vírgula duas casas para direita)
= 8400


Regra 4 Para converter um nº expresso em potencial negativa de 10 num nº inteiro
decimal, desloca-se à vírgula para a esquerda tantas casas o valor do expoente.
Ex 70 x 10
-3
= 0,070 (O expoente é –3. Portanto, desloca-se a vírgula três casas
para esquerda)
= 0,07

82,4 x 10
-2
= 0,824 (Desloca-se a vírgula seis casas para a esquerda)
= 0,824

60000 x 10
-6
= 0,060000 (Desloca-se a vírgula seis casas para a esquerda)
= 0,06

0,5 x 10
-3
= 0,0005 (Desloca-se a vírgula três casas para esquerda)
= 0,0005

Regra 5 Para multiplicar dois nº expressos em potência de 10 multiplica-se os coefi-
cientes e somam-se os expoentes.
Ex 10
2
x 10
4
= 10
2+4
= 10
6


10
-1
x 10
4
= 10
-1+4
= 10
3


(40 x 10
4
)(25 x 10
2
) = 40 x 25 x 10
3
x 10
2
(40 x 25 = 10000 e 2 + 3 =
5)
logo temos: = 1000 x 10
5
(mas 1000 = 10
3
)
9

= 10
3
x 10
5

= 10
8


(2 x 10
-2
)(50 x 10
2
) = 2 x 50 x 10
-2
x 10
2

= 100 x 10
0
(mas 100 = 10
2
)
= 10
2
x 1
= 10
2

(3 x 10
-4
)(6 x 10
6
) = 3 x 6 x 10
-4
x 10
6

= 18 x 10
2


Regra 6 Para dividir usa-se a formula.
1/10
n
= 1x10
-n
onde n, é o valor do expoente.
Podemos assim mover qualquer potência de 10 do numerador para o denominador ou
vice-versa simplesmente mudando-se o sinal do expoente.
150 10 15
10
15
1
1
= =
÷
x 15 , 0 10 1500
10
1500
4
4
= =
÷
x

15000 10 15
10
15
3
3
= =
÷
x 100 10 0 , 1
10
4 25 , 0
2
2
= =
÷
x
x



ELETRICIDADE
O homem consegue, hoje dominar perfeitamente a eletricidade. Consegue gerá-
la em grandes quantidades transportá-la através de fios ou cabos por distâncias enor-
mes.
Usamos a eletricidade em uma grande quantidade de aplicações sem nos preocupar-
mos com sua natureza ou origem.
Mas o que é eletricidade?
Todo o efeito da eletricidade está em uma partícula minúscula chamada elé-
tron. O Elétron é a unidade de carga elétrica.
Para lhe dar uma idéia melhor do que é um elétron teremos que recorrer a teo-
ria eletrônica.

MATÉRIA E SUBSTÂNCIA.
A matéria é algo que possui massa e ocupa lugar no espaço tudo aquilo que constitui
todos os corpos e pode ser percebido por qualquer um dos nossos sentidos.
A ela se relaciona com uma variedade grande de coisas. Cada tipo particular de maté-
ria é uma substância. E, portanto, existem milhares de substâncias diferentes.

10

MOLÉCULAS E ÁTOMOS.

Qualquer substância é formada por partículas muitíssimas pequenas e invisí-
veis chamadas moléculas.
A molécula é a menor parte em que se pode dividir uma substância, e que apresenta
toda a característica da mesma.
As moléculas são constituídas de átomos. O numero de átomos que compõem uma
molécula varia de acordo com a substância.

Estrutura de um átomo.


















Fig. 1-11

Um átomo é constituído de partículas subatômicas(elétrons,prótons e nêutrons) um
núcleo central, que contém prótons e nêutrons e em torno giram os elétrons.

13 P
K
L
M 2
8
3
3 elétrons numa camada in-
completa de 18 elétrons.
Camada eletrônica completa
Camada eletrônica completa
11

Os átomos de uma molécula podem ser iguais ou não, se iguais, é uma molécula
simples.
Ex. (ferro cobre alumínio).
Quando diferentes, é uma substância composta.
Ex. (água, ácidos).
Atualmente são conhecidos mais de 103 átomos diferentes.
Para nosso estudo inicial, é importante que não esqueçam:
O próton tem carga positiva
Elétron tem carga negativa.
Nêutron não tem carga.


ESTRUTURA DO CRISTAL
A figura abaixo ilustra um bloco de silício onde seus átomos estão ligados em co-
valência de tal forma a formar uma treliça cristalina pura, compartilhando seus elétrons
de valência.



Cada órbita possui um número máximo de elétrons, determinando assim as características do elemento.

A tabela abaixo mostra as órbitas de um átomo e a quantidade máxima de elétrons
por órbita.

ÓRBITA OU
CAMADA
Nº MÁXIMO DE ELÉ-
TRONS
K 2
L 8
M 8 ou 18
N 8, 18 ou 32
O 8 ou 18
P 8 ou 18
Q 8

Pode se notar que ambos possuem em sua camada de valência quatro elétrons.

Átomos com 8 elétrons na última camada apresentam uma
configuração estável, isto é, não tendem a doar e nem re-
ceber elétrons a não ser em condições especiais como
calor, luz, campo elétrico, etc
RESUMINDO:
12

Átomos estáveis: são átomos com a última camada saturada;
Átomo quimicamente ativo: são átomos que não possuem a última camada saturada;
Elétrons de valência: são os elétrons da última camada ou órbita de um átomo;
Elétrons livres: são os elétrons que participam da corrente eletrônica.

NÍVEIS DE ENERGIA
Você precisa imaginar que um elétron pode percorrer uma órbita de qualquer raio, desde
que sua velocidade tenha valor certo. Por outro lado, a Física Moderna afirma que so-
mente certas dimensões de órbitas são permitidas.
Lacunas.
Os elétrons livres são capazes de produzir correntes altas. Com a aplicação de uma e-
nergia externa a um cristal, força os elétrons a deslocar-se deixando uma lacuna. Ou se-
ja,quando um Elétron é elevado para um nível de energia mais alto deixa uma lacuna.

RECOMBINAÇÃO.
O desaparecimento de um elétron livre e de uma lacuna é chamado de recombinação a-
contece sempre no semicondutor

DOPAGEM

É o processo para introduzir átomos de Impurezas em um cristal puro de Silício (Si) ou
Germânio (Ge) para aumentar tanto o numera de elétrons como de lacunas. A finalidade
da dopagem é aumentar a quantidade de cargas livres (positivas ou negativas), que po-
dem mover-se mediante uma tensão externa O processo de dopagem em um cristal in-
trínseco cria no mesmo cargas livres (elétrons ou lacunas), dependendo do tipo de impu-
reza usada no processo; após a dopagem o cristal intrínseco recebe o nome de cristal
extrínseco.

No processo de dopagem são utilizadas impurezas do tipo trivalente e pentavalen-
te; as impurezas trivalentes possuem 3 elétrons de valência e as pentavalentes 5 elétrons
de valência.

IMPUREZAS
Entende-se por impureza todo elemento que não seja Si ou Ge (alumínio Borio, etc.)
Quando o cristal é puro é chamado de semicondutor Intrínseco
Quando dopado Semicondutor Extrínseco.


ELEMENTOS TRIVALENTES
Entende por trivalente todo elemento que possui três elétrons na sua ultima camada de
valência. diminuindo o número de elétrons livres o semicondutor torna-se do tipo P Desta
forma no semicondutor dopado do tipo P prevalecem as cargas positivas.





13



FORMAÇÃO DOS ELEMENTOS DO TIPO N e P.
Formação do elemento do tipo P
Para formação do material do tipo P, é adicionada
uma impureza trivalente no material de Si ou de Ge
deixando-os com falta de elétrons tornando-os posi-
tivos.(alumínio).



FORMAÇÃO DO ELEMENTO DO TIPO
N.
ELEMENTOS PENTAVALENTES.

Entende-se por pentavalente todo ele-
mento que possui cinco elétrons em sua
ultima camada dês valência
O processo é semelhante ao anterior me-
nos na impureza que deve ser pentava-
lente (fósforo), se no Si ou no Ge for introduzida uma impureza pentavalente a formação
de um cristal tipo N pode ser visualizada conforme a figura ao lado.
Os elementos que através do processo de dopagem fornecem elétrons são denominados
doadores.
Os elementos que através do processo de dopagem da origem a lacunas são chamados
receptores.
Quando o número de elétrons livres (cargas negativas) é aumentado, o semicondutor é do
tipo negativo ou tipo N
Desta forma no semicondutor dopado do tipo N prevalecem as cargas negativas
Todo material cujo processo de dopagem da origem a formação de elétrons excedentes
denomina-se material tipo n.
Ao material cujo processo de dopagem resulta na formação de lacunas denomina-se ma-
terial tipo p.
Nos condutores com o aumento da temperatura teremos um movimento desordenado de
elétrons > resistência.
CARACTERÍSTICAS DO SEMICONDUTOR

Nos semicondutores teremos < (menor) resistência devido às impurezas.
a) resistência maior do que dos condutores metálicos, porém menor do que isolantes;
b) coeficiente negativo, isto é, a resistência diminui com o aumento da temperatura;
c) a valência dos átomos que constituem esses semicondutores é ± 4; isto significa que
a última camada desses átomos possui 4 elétrons.



JUNÇÃO P N.
14

Se unirmos substancia do tipo p e n de maneira a fazer um único cristal esta combinação
será chamada de junção PN.
Os elementos tipo n (elétrons) serão denominados de portadores majoritários do lado n.
Os elementos do tipo P (lacunas) serão os portadores majoritários do lado p.

DIFUSÃO DE CARGA.
Difusão de carga pode ser entendido como sendo a distribuição regular e homogênea
dos átomos de uma impureza através dos cristais puros. Um semicondutor dopado ainda
possui resistência. Chamamos a esta resistência de resistência de corpo. Um semicondu-
tor levemente dopado possui uma resistência de corpo alta. À medida que a dopagem
aumenta a resistência de corpo diminui. A resistência de corpo também é chamada de
resistência ôhmica porque obedece a lei de ohm.
PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS
Em um cristal dopado os portadores majoritários ocorrem devido a adição de impu-
rezas, enquanto que os portadores minoritários são provenientes da quebra das ligações
covalentes, principalmente quando ocorre elevação da temperatura.
TIPO DE
CRISTAL
PORTADORES MA-
JORITÁRIOS
PORTADORES MINORI-
TÁRIOS
P Lacunas Elétrons
N Elétrons Lacunas

O aumento da temperatura provoca a quebra de mais ligações covalentes, aumentando a
quantidade de portadores minoritários cujo fluxo é contrário ao dos portadores majoritá-
rios, que neste caso irá interferir no fluxo dos portadores majoritários.
JUNÇÃO PN - DIODO DE JUNÇÃO
Ao se combinar um cristal do tipo P com um cristal do tipo N obtém-se um diodo.




DIODO NÃO POLARIZADO.
É possível produzir um Cristal metade do tipo p e metade do tipo n.
Junção é onde as duas regiões p e n se encontram.
Um cristal PN é comumente conhecido como diodo.

15


CAMADA DE DEPLEÇÃO. ANÁLISE DE UMA JUN-
ÇÃO PN.
Ao analisar uma junção encontramos três situações
diferentes.
1. Não polarização
2. Com polarização direta
3. Com polarização reversa.




Do lado n com o acumulo de material n apresenta um grande nº de Elétrons.
Do lado p apresenta um grande nº de lacunas. Com o deslocamento de elétrons de n para
p e lacunas de p para n haverá uma recombinação na área de difusão.
Com o acumulo de Íon positivo de um lado e de Íon negativo do outro cria uma barreira de
potencial (ddp) na junção.



O valor desta barreira é em torno de 0,7v para o
Silício e de 0,3v para o germânio. A temperatura
ambiente.
Id = corrente direta.

POLARIZAÇÃO DIRETA(Vd > 0)

A junção acha-se diretamente polarizada nesta
situação temos:
Uma alta corrente direta (Id) porque o pólo negati-
vo repele os elétrons, à medida que o elétron en-
contra uma lacuna torna um elétron de valência e
escoa pelo pólo positivo da bateria.
- Depois de sair do terminal negativo da bateria ele entra pela extremidade direita do cris-
tal.
-
Percorre a região n como elétron livre.
- Próximo à junção recombina-se, torna se um
elétron de valência.

-Passa pela região p como elétron de Valencia.
-Depois de sair pelo terminal esquerdo do cristal ele
segue para o terminal positivo da fonte ou bateria.
A barreira de potencial diminui. (cce).

Na polarização direta a resistência interna do diodo (junção) assume um valor extrema-
mente baixo e o diodo comporta-se como uma chave eletrônica fechada
16

a) os elétrons livres do cristal N são impelidos à junção pelo pólo negativo da bateria;

b) as lacunas do cristal P são impelidos à junção pelo pólo positivo da bateria;

c) na junção ocorre então a combinação dos portadores;

d) para cada lacuna do cristal P que se combinar com um elétron do cristal N, um
elétron de uma união das proximidades do terminal positivo da bateria deixa o cristal e
penetra no polo positivo da bateria, originando uma lacuna que também é impelida à jun-
ção;

e) simultaneamente um novo elétron penetra no cristal N através do terminal nega-
tivo da bateria e se difunde até a junção; como resultado, a região de transição torna-se
significativamente mais estreita;

f) com o aumento da tensão externa é gradualmente vencida a barreira de potenci-
al e a corrente aumenta; uma vez vencida a barreira de potencial a corrente aumenta
bruscamente;

g) essa corrente e denominada corrente direta (I
D
)

e seu sentido é do cristal N para
o cristal P (sentido real), ou seja, do catodo para o anodo.





POLARIZAÇÃO REVERSA (V
D
<0) Se um potencial externo
de V volt, é aplicado através da junção p-n tal que o material
positivo é conectado ao material tipo n e o terminal negativo
é ligado ao material tipo p, conforme a figura abaixo. Tere-
mos um aumento dos elétrons no lado n e de lacunas no
lado p, fazendo com que a barreira de potencial aumente.

- Na polarização reversa teremos:





- Aumento da barreira de depleção
- Diminuição dos elementos majoritários de carga através da junção.
- Aumento dos portadores minoritários que ira de negativo para positivo.
- A junção polarizada reversamente apresenta uma Z(impedância) muito alta.
- Surgimento da corrente sob polarização reversa é chamada de corrente de satura-
ção reversa e é representada por Is.

- A corrente Is raramente é maior do que poucos microamperes.

17

- A corrente Is dobra de valor a cada 10
°
graus de temperatura.
- Ex. se tem 5mA a 25
°
será de 10mA a 35
°
.
- Is é muito menor no diodo de Si, do que no diodo de germânio
-
Na polarização reversa a resistência interna do diodo assume valores elevadíssimos e o
mesmo comporta-se como uma chave eletrônica aberta

TENSÃO DE RUPTURA.
É a tensão máxima aplicada reversamente ao diodo. Não há um padrão para representar
a tensão de ruptura.
Temos alguns.
V(Br)= tensão de ruptura
Bv =tensão de ruptura
PRV= tensão reverá de pico.
PIV =tensão inversa de pico
VRWM= tensão reversa máxima de trabalho
VRM =tensão reversa máxima.
CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DIODO DE JUNÇÃO DE SILÍCIO


I
D
= corrente direta
I
R
= corrente reversa
V
D
= tensão direta
V
R
= tensão reversa

SÍMBOLO DE UM DIODO

GRÁFICO DO DIODO.
18


Ao aplicar uma tensão direta em um diodo este não conduz intensamente até esta tensão
não ultrapasse a barreira de potencial
A corrente é pequena para os 1º décimos de tensão.
Ao aproximar de 0,7v para o silício ou 0,3v para o germânio, os elétrons livres e as lacu-
nas começam a atravessar a barreira de potencial em grandes quantidades.
A tensão na qual a corrente I começa a aumentar rapidamente chama tensão de joelho.

Curva do diodo.
Na região de ruptura também conhecida como região zener (Vz) onde o diodo pode ser
destruído com o aumento de uma tensão reversa.

ESPECIFICAÇÃO DE POTÊNCIA.
Os limites máximos indicam a carga à qual o diodo pode ser submetido. São valores per-
missíveis de grandezas elétricas que não devem ser excedidos individualmente ou simul-
taneamente.
Um diodo é um condutor de uma única direção.Para destruí-lo basta:
- Aumentar sua tensão reversa.
- Aumentar sua potência.
são definidas duas classes de diodos.
- Diodos para pequenos sinais
- Diodos para retificação.



NÍVEIS DE RESISTÊNCIA DO DIODO.
À medida que o ponto de operação de um diodo move-se de uma região para outra, a
resistência do diodo também será alterada devido à forma não-linear da curva caracterís-
tica.

RESISTÊNCIA DC. OU ESTÁTICA
RD
VD
RD =
Os níveis de resistência DC no joelho e abaixo deste
serão maiores do que os níveis de resistência obtidos
para a região de aumento vertical da curva.

19

Pela lei de ohm temos que a corrente através de um resistor comum é proporcional à ten-
são aplicada ao resistor. Isto quer dizer que para um resistor, o gráfico da corrente versus
tensão é linear.
Ex.1 determine os níveis de resistência dc para o diodo com as seguintes características.
Id=2mA, 20mA ,1uA
Vd= -10V, 0,5V, 0,8V
Faça o gráfico.

A RESISTÊNCIA AC OU DINÂMICA (R
D
)
A resistência rd é calculada pela seguinte formula.

Id
mV
Id
Vd
Rd
26
= =

LINHAS DE CARGA OU RETA DE CARGA.
É uma ferramenta utilizada para determinar o valor exato da corrente e da tensão do dio-
do.

Equação para a reta de carga em um diodo.
Determinar a tensão e a corrente exata do diodo da figura abaixo.

Neste circuito temos uma fonte Vs ligada em série com um resistor limitador de
corrente Rs polarizando diretamente o diodo.
Onde temos:
Vs= tensão da fonte ou bateria
V = tensão do diodo 0,3v para o diodo de germânio e 0,7v para o diodo de silício.
Rs= resistor limitador de corrente
A diferença de potencial (ddp) através do resistor é Vs -V, e a corrente é
Rs
V Vs
I
÷
=
Pelo fato do circuito da figura ser se- rie, a corrente é
a mesma através de todo circuito.
Exemplo.
Determine o valor da corrente I.
dados. Vs=2V Rs=100O diodo de silício.
100
7 , 0 2 V V
Rs
V Vs
I
÷ ÷
= mA I 20 =
20

A representação deste ponto (I=20ma,V=0) dá o ponto no eixo vertical do gráfico este
ponto é chamado saturação porque ele representa a corrente máxima. Para determinar
outro ponto basta substituir os valores de V.

PONTO Q
Referimo-nos ao ponto Q como o ponto de operação
porque ele representa a corrente através do resistor do
diodo.
Fazendo a leitura das coordenadas do ponto Q temos
para uma tensão V= 0,75v uma corrente do diodo de a-
proximadamente de 12,5mA.
Para v = o temos que a corrente do diodo é máxima e
este esta na saturação.
Par V=Vs a corrente I=0V e o diodo esta no corte.
Obs. Uma forma de se lembrar dos extremos da linha de carga é o seguinte:
- Fazer V igual a zero ou colocar o diodo em curto circuito e determinar a corrente do
diodo que será Vs/Rs, esta será a corrente de saturação, no extremo superior da reta
de carga.
- Da mesma forma, fazer I igual a zero equivale abrir o diodo e determinar qual o valor
da tensão através do diodo a tensão do diodo será igual à tensão aplicada (Vs).


- DIODO IDEAL
- O que um diodo faz? Ele conduz muito bem quando polarizado diretamente e conduz
mal no sentido reverso.

- V
D
= 0V

-
- Um diodo ideal age como um condutor perfeito (tensão zero) quando polarizado dire-
tamente, e como um isolante perfeito (corrente zero) quando polarizado reversamente.



SEGUNDA APROXIMAÇÃO DO DIODO.
Precisamos de cerca de 0,7v de limiar antes que o diodo de silício comece a conduzir
No diodo ideal uma chave fechada representa o circuito equivalente.
21

Na segunda aproximação a chave em serie com a bateria forma o circuito equivalente.
2ª APROXIMAÇÃO

V
D
= 0,7V



TERCEIRA APROXIMAÇÃO DO DIODO.
Na terceira aproximação de um diodo, incluímos a resistência do corpo r
B
, ao ligarmos o
diodo aparece uma tensão de 0,7v em serie com uma tensão interna adicional através da
resistência interna r
B
de modo que a tensão total do diodo é maior do que 0,7v.


O circuito equivalente para a terceira aproximação é constituído por uma chave em série
com uma bateria de 0,7v e uma resistência de r
B.
Terceira aproximação.
3ª APROXIMAÇÃO - DIODO REAL

V
D
= 0,7V + V
rB

V
D
= 0,7V + I
D
.rB


Qual delas usar.
Na maioria dos casos vamos usar a segundo aproximação para resolver os problemas
com diodo, ou seja, considerar uma queda de 0,7v para os cálculos se o diodo for de silí-
cio e de 0,3v se de germânio.

Exemplo 2.0
Utilize a segunda aproximação para determinar a corrente do diodo na figura abai-
xo.


Solução.
O diodo será polarizado diretamente, portanto, há uma queda de 0,7V.a tensão
através do resistor é a diferença entre a tensão da fonte e a tensão do diodo(10v-0,7v),
que é igual a 9,3V. portanto a corrente no diodo é
I= mA
V V V
Rs
VD Vs
86 , 1
5000
3 , 9
5000
7 , 0 10
=
÷ ÷

22

Exemplo 2.1
Calcule a corrente através do resistor de 100O da figura abaixo.

Solução
Quando você encontrar um circuito com mais de uma malha pense no Thévenin ou pelo
menos pense na possibilidade de utilizar o teorema de Thévenin.a forma mais fácil de re-
solver este problema é utilizar Thévenin no divisor de tensão fazendo o circuito equivalen-
te abaixo.


I= mA
V V V
1 , 1
300
3 , 3
300
7 , 0 4
=
÷

REGIAO ZENER
O potencial de polarização reversa que resulta uma brusca mu-
dança na característica da curva é chamada potencial zener, e é
dado pelo símbolo V
Z.

A tensão máxima de polarização reversa permitida para que o
diodo não entre na região Zener, é chamado de tensão de pico
inversa (TPI) ou tensão de pico reversa (TPR).
Gráfico da região Zener.
Silício X germânio.
Diodos de silício apresentam, em geral, TPI, correntes nominais e faixas de temperatura
maiores do que os diodos de germânio.

Temp TPI TPD n
Silício 200
0
1000V 0,7V 2
germânio 100
o
C 400V 0,3V 1

Configurações série de diodos com entrada DC.

Para cada configuração, o estado de cada diodo deve ser inicialmente determinado.
Quais diodos estão ligados e quais diodos estão desligados
Em geral, um diodo esta no estado “ligado” se a corrente estabelecida pelas fontes é tal
que sua direção está no mesmo sentido que a seta do símbolo do diodo, e V
D
>0,7V para
o silício e de 0,3V para o germânio.
Exemplo.
Se no circuito anterior for aplicada uma tensão (E) de 8V e R=2,2KO. Determine os
valores de V
D
, V
R
, e I
D.
23



Solução.
Uma vez que a tensão aplicada estabelece uma corrente no sentido horário (dire-
to), de acordo com a seta do símbolo do diodo, o diodo esta no estado ligado.
V
D
= 0,7V Silício
V
R
= E – V
D
= 8V – 0,7V = 7,3V
I
D
= . 32 , 3
2200
3 , 7
mA
V
R
VR
= =

CONFIGURAÇÕES PARALELAS E SÉRIE/PARALELA.
Os métodos aplicados no item anterior podem ser estendidos à análise de configurações
paralela e série paralela. Para que cada situação adapte.as etapas seqüenciais utilizadas
nas configurações paralelas com diodo.

determine a corrente em R.


CIRCUITOS COM DIODOS.
A maioria dos circuitos eletrônica precisa de uma tensão
CC para poder trabalhar adequadamente. Como a tensão da
linha e alternada, a primeira coisa a ser feita em qualquer equi-
pamento eletrônico é converter a tensão AC em tensão CC.



A ONDA SENOIDAL.

A onda senoidal é o mais básico dos sinais elétricos.
Observando a gráfico abaixo temos.





V = V
p
sen u








Onde:
V = tensão instantânea
V
P
= tensão de pico
24

u = ângulo em graus ou radianos
Observe como a tensão aumenta de zero até um máximo positivo de 90
o
, diminui para
zero em 180
o
, atinge um máximo negativo em 270
o
e volta a zero em 360
o
.
VALORES DE UMA SENOIDE
u
V
0
o
0V
30
o
0,5V
P
45
o
0,707V
P
60
o
0,866V
P
90
o
V
P

VALOR DE PICO A PICO DE UM SINAL SENOIDAL..
Valor de pico a pico de qualquer sinal é a diferença entre o
seu valor máximo e valor mínimo algébrico.

V
PP
= V
MAX
- V
MIN




Para senoide o valor de pico a pico é

V
pp
= V
p
– (-V
p
) Ou seja,
V
pp
= 2 V
p
Em outras palavras, o valor de pico a pico de uma senoidal é o dobro do valor de pico.
Exemplo.
Uma senoide de 18V de pico o valor pico a pico é de 36V.

Vpp = 18Vp – (-18Vp)
Vpp = 36V

VALOR EFICAZ OU RMS.
O valor rms (raiz média quadrática) (root mean square) de uma onda senoidal,
também conhecida como valor eficaz, é a tensão que realmente executa um trabalho.


V
rms
= 0,707V
P.

TENSÃO DE LINHA

As companhias de energia elétrica geralmente fornecem uma tensão de linha de 115Vrms
com uma tolerância de ± 10% por cento
e com uma freqüência de 60 Hz. Com a equação Vrms=0,707V
P
pode se calcular o valor
de pico da seguinte forma.
115V = 0,707V
P
¬ V
P
=
707 , 0
115 V
¬ V
P
= 163Vac
25

VALOR MÉDIO
O valor médio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo é zero. Isto porque a onda se-
noidal é simétrica: cada valor positivo da primeira metade do ciclo é compensado por um
valor igual negativo da segunda metade.


TRANSFORMADOR.

Transformador

Relação transformação =
Vp
=
Np
e
P.saída = P.ent.
Vs Ns Vs x Is = Vp x Ip
Vp = Tensão primário (entrada)
Np = Número de espiras no primário
Ip = Corrente primário (entrada)

Vs = Tensão secundário (saída)
Ns = Número de espiras no secundário
Is = Corrente secundário (saída)
Tipos de transformadores
Transformador de alimentação
Transformador de áudio
Transformador de corrente
Transformador de RF:


RETIFICAÇÃO - PRINCÍPIOS BÁSICOS

Retificar encerra a idéia de converter uma tensão alternada em tensão contínua.
No processo de retificação deve-se levar em conta as características de chaveamento
eletrônico do diodo, ou seja, conduz corrente em apenas um sentido (quando diretamente
polarizado).

RETIFICAÇÃO DE ½ ONDA:

26

Tomemos como exemplo o circuito a seguir, destinado a retificar uma tensão alter-
nada.

A tensão a ser retificada é de 40Vrms, ou 40Vef. Como sabemos a corrente alter-
nada tem a propriedade de mudar de polaridade periodicamente, segundo uma determi-
nada freqüência.



Deduz-se então que durante o semiciclo positivo o diodo estará polarizado direta-
mente, atuando como uma chave eletrônica fechada e durante o semiciclo negativo, por
estar reversamente polarizado atuará como uma chave eletrônica aberta, conforme mos-
tra os circuitos equivalentes a seguir.


Como o diodo comporta-se como uma chave
eletrônica fechada, somente circulará corrente
pela carga durante o semiciclo positivo.

Logo, aparecerá na carga a tensão corres-
pondente ao semiciclo positivo.


Como o diodo comporta-se como uma chave
eletrônica aberta, não circulará corrente pela
carga.

Logo, não aparecerá nenhuma corrente na
carga.


Desta forma, circulará corrente na carga somente durante os semiciclos positivos,
caracterizando assim a retificação de ½ onda. Ao se ligar nos extremos da carga um osci-
loscópio, será visualizado uma tensão cuja forma de onda é mostrada na figura abaixo.


27



A tensão na carga é contínua pulsante e o valor medido dessa tensão é denomina-
do valor retificado médio (Vm ou Vdc), que pode ser calculado pela fórmula:

Vm ou Vdc = (Vp - V
D
) . 0,318

onde:
Vp = valor de pico da tensão ou valor máximo da tensão (Vmax)
Vm = Vdc = valor retificado médio
V
D
= queda de tensão direta no diodo (0,55 a 0,7V)
0,318 = constante = 1/t

Podemos calcular o valor médio retificado pela fórmula:

Vm ou Vdc =
Vp ou Vmax
t
( para V
D
= 0, diodo ideal)


EXEMPLO: Um retificador de ½ onda deve retificar uma tensão de 40Vrms para
alimentar uma carga de 500O.
Determine:
a) valor retificado médio na a carga;
b) corrente na carga;
c) valor máximo da tensão na carga.

Solução:
a) devemos calcular o valor máximo da tensão (Vp ou Vmax):

Vp = Vrms . 1,41
Vp = 40 . 1,41 = 56,4V

calculando o valor retificado médio na carga:

Vm = (Vp - V
D
) . 0,318
Vm = (56,4 - 0,7) . 0,318 = 17,71V

b) a corrente na carga será a corrente média:

Im ou Idc =
17,71V
500O
= 35,42mA

c) o valor máximo da tensão na carga: Vp - V
D
= 56,4 - 0,7 = 55,4V

28

TENSÃO DE TRABALHO DO DIODO:
Na retificação de ½ onda a tensão de trabalho do diodo é a própria tensão de pico
da tensão a ser retificada, na condição de polarização reversa, conforme ilustra a figura
abaixo.



A tensão de trabalho do diodo é normalmente defini-
da como tensão inversa de pico (TIP)



Como o diodo está reversamente polarizado, compor-
ta-se como uma chave aberta e nos seus extremos estará presente o valor de pico da
tensão a ser retificada, que no caso é: 40 . 1,41 = 56,4V.

Como não circula corrente pelo circuito, a tensão nos extremos de R será zero.

CAPACIDADE DE CORRENTE DIRETA:
Deve ser pelo menos igual a corrente média através do mesmo.

Im ou Idc =
Vm ou Vdc
R

RETIFICAÇÃO DE ONDA COMPLETA (COM PONTO DE NEUTRO):
Na retificação de onda completa com ponto de neutro, deve-se utilizar um trans-
formador com secundário dotado de tomada central (CT, do inglês center tap), de forma a
fornecer duas tensões de amplitudes iguais porém defasadas 180º entre si.



As tensões Es1 e Es2 são medidas a partir do CT (referencial). A tensão total do
secundário (Es) é a soma das mesmas.

No instante 1 o diodo D1 estará diretamente polarizado e conduzindo, enquanto
que D2 estará cortado e não conduzindo; no instante 2 ocorre o contrário, ou seja, D1 es-
tará cortado e D2 estará conduzindo.

29


A tensão retificada média na carga pode ser calculada pela fórmula:

Vm ou Vdc = (Vp - V
D
) . 0,637
Onde:
Vp = valor de pico da tensão ou valor máximo da tensão (Vmax


Vm = Vdc = valor retificado médio
V
D
= queda de tensão direta no diodo (0,55 a 0,7V)
0,637 = constante = 2/t

Podemos também calcular o valor médio retificado pela fórmula:

Vm ou Vdc =
2Vp ou 2Vmax
t
(para diodo ideal, onde V
D
= 0)

Circuito equivalente no instante 1



Na carga aparecerá uma tensão (semiciclo) devido a condução de D1, por estar
diretamente polarizado.

Circuito equivalente no instante 2

30



No instante 2 estará presente na carga uma tensão (semiciclo) devido a condução
de D2.

Desta forma, circulará corrente na carga durante os semiciclos positivos e negati-
vos, caracterizando assim a retificação de onda completa. Ao se ligar nos extremos da
carga um osciloscópio, será visualizada uma tensão cuja forma de onda é mostrada na
figura a seguir.


TENSÃO DE TRABALHO DOS DIODOS:
Na retificação de onda completa a tensão de trabalho De cada diodo (TIP) eqüivale
a duas vezes o valor de pico da tensão a ser retificada. Portanto:

TIP = 2Vp

CAPACIDADE DE CORRENTE DIRETA:
Deve ser pelo menos igual a corrente média através do mesmo. Como cada diodo
opera como um retificador de ½ onda teremos:

Im ou Idc =
Vm ou Vdc
R
2


CORRENTE DE PICO ATRAVÉS DO DIODO (Ip):
Deve ser menor do que a corrente de pico especificada pelo fabricante. Como cada
diodo opera como um retificador de ½ onda teremos:

31

Ip =
Vp ou Vmax
R


EXEMPLO: Dado o circuito abaixo, calcule:
a) tensão média na carga;
b) corrente média na carga;
c) tensão de pico na carga;
d) tensão de trabalho nos diodos;
e) corrente de pico nos diodos.



Solução:
a) tensão média na carga:
Como Es = 100V, teremos: Es1 = Es2 =
Es
2
= 50V
Vm = (Vp - V
D
). 0, 637
Vp = Vef. 1,41 = 70,5V
Vm = (70,5 - 0,7). 0, 637
Vm = 69,8. 0,637 = 44,46V

b) corrente média na carga:
Im =
Vm
R
=
44,46V
500O
= 88,92mA

c) tensão de pico na carga:

TIP = 2Vp = 2 . 69,8 = 139,6V


d) tensão de trabalho dos diodos:

cada diodo deve suportar no mínimo uma tensão reversa da ordem de 140V

e) corrente de pico nos diodos:

Ip =
Vp
500O
=
69,8V
500
= 139,6mA

RETIFICAÇÃO DE ONDA COMPLETA EM PONTE:
32

A grande vantagem da retificação de onda completa em ponte deve-se ao fato de
não ser necessário utilizar dois sinais de amplitudes iguais defasados 180º entre si; isto
significa que pode-se obter uma retificação de onda completa a partir da rede domiciliar.

O circuito básico é mostrado na figura abaixo.


A análise do funcionamento de um retificador de onda completa, baseia-se como
nos casos anteriores, no chaveamento eletrônicos dos diodos.

Devem ser levados em consideração os semiciclos positivo e negativo da tensão
alternada a ser retificada.

Durante o semiciclo positivo os diodos D1 e D4 estarão conduzindo por estarem
diretamente polarizados, enquanto que D2 e D3 estarão cortados.
Durante o semiciclo negativo os diodos D2 e D3 estarão conduzindo e D1 e D4 es-
tarão cortados.

Veja nas figuras abaixo as ilustrações do que foi dito acima, para uma melhor com-
preensão.

D1 e D4 conduzindo; D2 e D3 cortados.
Observa-se que os diodos D1 e D4 ficam em série
com a carga.

Então V
D
= V
D1
+ V
D4

TIP = Vp


D2 e D3 conduzindo; D1 e D4 cortados.
Neste caso, os diodos D2 e D3 estão em série
com a carga.

Então V
D
= V
D2
+ V
D3


TIP = Vp

A forma da tensão na carga é mostrada abaixo.



33



O valor retificado médio na carga pode ser calculado pela fórmula:

Vm ou Vdc = (Vp - 2V
D
) . 0,637

EXEMPLO: Calcule a tensão e potência médias em uma carga de 500O, em um
retificador de onda completa em ponte, cuja tensão de entrada é 50Vrms.

Solução:
valor de pico da tensão a ser retificada: 50 . 1,41 = 70,5V
Vm = (70,5 - 1,4) . 0,637 = 44,02V
Pm (carga) = 44,02
2
/ 500 = 3,88W
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA SIMÉTRICO:
O retificador de onda completa simétrico fornece duas tensões retificadas simétri-
cas com polaridades opostas, sendo muito útil quando deseja-se projetar retificadores
para alimentação de amplificadores operacionais que na sua maioria necessitam de ten-
sões positivas e negativas.

Para a obtenção de um retificador simétrico necessita-se de um transformador com
secundário dotado de ponto neutro (CT).

Seu circuito básico é mostrado na figura abaixo.


A análise de seu funcionamento é similar a do retificador de onda completa em
ponte. Note que o ponto B é o referencial e está ligado ao CT. Com isto a tensão de saída
terá polaridades opostas a partir desse referencial.

Veja a figura abaixo.
34

No instante 1, o ponto x torna-se positivo e o ponto y negativo. Isto fará os di-
odos D1 e D4 conduzirem enquanto que D2 e D3 estarão cortados.

No instante 2, o ponto x torna-se negativo e o ponto y positivo. Isto fará D2 e
D3 conduzir enquanto D1 e D4 estarão cortados.

Como resultado, em cada carga aparecerá uma tensão retificada de onda
completa de amplitudes iguais porém com polaridades opostas, devido ao referencial
representado pelo ponto B, o qual está interligado ao CT.

Entre os pontos A e C será medida uma tensão que é a soma das tensões
entre os pontos A - B e B -C.



Observe na figura acima que entre os pontos A e C a tensão é positiva, visto
que o ponto A é mais positivo do que o ponto C; evidentemente, esta tensão estaria
invertida se fosse tomada entre os pontos C e A.

A tensão retificada média na carga pode ser calculada pela fórmula:

Vm ou Vdc =
( )
| |
Es . 1,41 - 2V . 0,637 D
2
ou

Vm ou Vdc = [(Es1 . 1,41) - V
D
] . 0,637 ou ainda

35
Vm ou Vdc = [(Es2 . 1,41) - V
D
] . 0,637

É importante lembrar que a simetria das tensões na saída do retificador será
obtida somente se as tensões no secundário Es1 e Es2 forem iguais, mesmo que as
correntes não o sejam.


EXEMPLO:
Para o circuito abaixo, calcule a tensão e a corrente médias em cada uma das
cargas.



Solução:

tensão retificada média nas cargas:
Vm = [(50 . 1,41) - V
D
] . 0,637
Vm = [(50 . 1,41) - 0,7] . 0,637
Vm = 44,46V

teremos:
em R1 + 44,46V
em R2 - 44,46V
¦
´
¹


corrente média nas cargas:

Im
R1
=
44,46V
500O
= 88,92mA

Im
R2
=
44,46V
1,2kO
= 37,05mA

FORMULÁRIO AUXILIAR:
Cálculo de potência:
 P = E . I
36

 P =
E
R
2
 E = P . R
 P = R . I
2

 I =
P
R

Cálculo do valor de pico ou valor máximo de uma tensão:

Vp ou Vmax = Vef . 1,41


OBS: Vef = valor eficaz = Vrms

Cálculo do valor de pico a pico de uma tensão (Vpp):

Vpp = 2Vp ou
Vpp = Vef . 2,82

Cálculo do valor eficaz de uma tensão:

Vef = Vp . 0,707

Cálculo do valor instantâneo de uma tensão senoidal:

Vinst = Vp . senu



FORMULÁRIO AUXILIAR:
Cálculo de potência:
 P = E . I

 P =
E
R
2
 E = P . R
 P = R . I
2

 I =
P
R

Cálculo do valor de pico ou valor máximo de uma tensão:

Vp ou Vmax = Vef . 1,41

OBS: Vef = valor eficaz = Vrms

Cálculo do valor de pico a pico de uma tensão (Vpp):

37
Vpp = 2Vp ou
Vpp = Vef . 2,82

Cálculo do valor eficaz de uma tensão:

Vef = Vp . 0,707

Cálculo do valor instantâneo de uma tensão senoidal:

Vinst = Vp . senu

Resumo do formulário


















38
EXERCÍCIOS PROPOSTOS
1 - No circuito abaixo, calcule:

a) tensão retificada média na carga;
b) corrente média na carga;
c) potência na carga.



2 - No circuito abaixo sabe-se que o valor instantâneo de tensão em 60º é 186V. Cal-
cule o valor retificado médio na carga.



3 - No circuito abaixo, sabe-se que a tensão Es = 225V. Calcule:

a) tensão retificada média nas cargas;
b) corrente nas cargas;
c) potência nas cargas;
d) qual deve ser a tensão de trabalho (TIP) dos diodos.














39

Díodo Zener
O díodo zener quando polarizado inversamente (ânodo a um potencial negativo em
relação ao cátodo) permite manter uma tensão constante aos seus terminais (U
Z
)
sendo por isso muito utilizado na estabilização/regulação da tensão nos circuitos.

O gráfico de funcionamento do zener mostra-nos que, diretamente polarizado (1º
quadrante), ele conduz por volta de 0,7V, como um díodo comum. Porém, na ruptura
(3º quadrante), o díodo zener apresenta um joelho muito pronunciado, seguido de um
aumento de corrente praticamente vertical. A tensão é praticamente constante, apro-
ximadamente igual a Vz em quase toda a região de ruptura. As folhas de dados (data
sheet) geralmente especificam o valor de V
z
para uma determinada corrente I
ZT
;

A utilização do díodo zener é limitada pelos seguintes parâmetros:

V
z
– Tensão de zener (este valor é geralmente especificado para uma determinada
corrente de teste IZT)
40
I
zmáx
– Corrente de zener máxima
I
zmin
– Corrente de zener mínima
P
z
– Potência de dissipação (P
Z
= V
Z
x I
Z
)
Desde que a potência não seja ultrapassada, o díodo zener pode trabalhar dentro da
zona de ruptura sem ser destruído.
Algumas especificações do fabricante inclui-se também a corrente máxima que um
diodo pode suportar, em função da máxima potência que o mesmo pode suportar.
I
ZMax
= P
ZM
/ V
Z

I
ZMax
= máxima corrente de zener especificada
P
ZM
= potência especificada
V
Z
= tensão de zener
Impedância Zener Z
ZT

Quando um diodo zener opera na região de ruptura, um aumento na corrente produz
um ligeiro aumento na tensão. Isto significa que o diodo zener tem uma pequena
resistência, que também é denominada impedância zener (Z
ZT
), também
referenciada à corrente de teste I
ZT
para medir V
Z
. Assim por exemplo, para um diodo
fictício 1NZX45, com as especificações VZT = 12V; IZT = 20mA e ZZT = 5Ω, indica
que o diodo zener tem uma tensão de 12V e uma resistência de 5 Ω para uma
corrente de 20mA.
Regulação tensão
Para que ocorra o efeito regulador de tensão é necessário que o diodo zener
funcione dentro da região de ruptura, respeitando as especificações de corrente
máxima.

41
A corrente que circula por RS que é a corrente que circula pelo diodo zener é dada
pela fórmula:
I
RS
= (V
E
- V
Z
) / R
S

Para entender como funciona a regulação de tensão, suponha que a tensão VE varia
entre 9V e 12V respectivamente. Devemos então obter o ponto de saturação
(interseção vertical), fazendo com que VZ = 0.
q1 (V
Z
= 0), temos: I = 9/470 = 19mA
q2 (V
Z
= 0), temos: I = 12/470 = 25mA
Para obter o ponto de ruptura (interseção horizontal), IZ = 0.
q1 (IZ = 0), temos: VZ = 9V
q2 (IZ = 0), temos: VZ = 12V

Analisando o gráfico, observa-se que embora a tensão V
E
varie entre 9V e 12V
respectivamente, haverá mais corrente no díodo zener. Portanto embora a tensão V
E

tenha variado de 9 a 12V, a tensão zener ainda é aproximadamente igual a 6V.

Cálculo Componentes Díodo Zener

42



Exercício em casa.
individual
Dê o significado de cada elemento envolvido com os semicondutores.
Aceitador=
Anodo=
Átomos de impureza=
Avalanche=
Banda de condução=
Banda de energia=
Banda de Valência =
Banda proibida=
Barreira de potencial =
Camada de valência=
Carga espacial =
Cátodo =
Coeficiente de emissão
Condutividade
Constante= de Boltzmann
Contato ôhmico=
Corrente de deriva=
Corrente de difusão=
Corrente de Elétrons=
Corrente de fuga=
Corrente de lacunas=
Corrente de saturação
Corrente direta
Densidade de corrente
Densidade de elétrons
Densidade de lacunas
Densidade de portadores
Diodo de barreira
Diodo
Diodo zenner
Doador
Dopagem
43
Elétron de Valencia
Elétron livre
Eletronvolt
Equação do diodo
Extrínseco
Gap de energia
Ge
Intrínseco
Is.
Junçao MS.
Ligação covalente
Material N
Material P
Nêutron
Núcleo
N
+
Órbita
P
+
- P
i

Polarização direta
Polarização reversa
Portador minoritário
Polarização
Portador de carga
Portador majoritário
Potencial de difusão
Protons
Junçao PN
Kelvin
Lacuna
Tensão de barreira
Tensão de ruptura
Recombinação
Região de depleção
Tensão de barreira
Tensão de ruptura
Tensão térmica
Resistividade
Ruptura de uma ligação covalente
Semicondutor
Subcamada
44
Calcule a corrente em cada diodo dos circuitos abaixo.



Exemplo. 2
Determine V
o
, I1, ID1, Id2 para a configuração a-
baixo.





Exemplo3
Determine a corrente I para o circuito da fig abaixo



















45


SEGUNDO BIMESTRE

Transístor
O transistor bipolar é o transistor mais importante do ponto de vista histórico e o de
utilização mais corrente. No entanto, convém referir os transístores de efeito de cam-
po (FET, “Field Effect Transistor”), nomeadamente, os transístores FET de junção
unipolar, os transístores MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transis-
tor”), e os CMOS (“complementary MOSFET”), os quais são muito usados na elec-
trónica integrada de alta densidade.


O material semicondutor mais usado no fabrico de transístores é o silício. Contudo, o
primeiro transístor foi fabricado em germânio. O silício é preferível porque possibilita
o funcionamento a temperaturas mais elevadas (175 ºC, quando comparado com os
~75ºC dos transístores de germânio) e também porque apresenta correntes de fuga
menores. O transístor bipolar é formado por duas junções p-n em série, podendo a-
presentar as configurações p-n-p e n-p-n . Os transístores n-p-n são os mais co-
muns, basicamente porque a mobilidade dos elétrons é muito superior à das lacunas,
isto é, os elétrons movem-se mais facilmente ao longo da estrutura cristalina o que
traz vantagens significativas no processamento de sinais de alta frequência. E são
mais adequados à produção em massa. No entanto, deve-se referir que, em várias
46
situações, é muito útil ter os dois tipos de transístores num circuito.

O transístor de junção bipolar é um dos componentes mais importantes na Eletrôni-
ca. É um dispositivo com três terminais. Num elemento com três terminais é possível
usar a tensão entre dois dos terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro
terminal, i.e., obter uma fonte controlável. O transístor permite a amplificação e co-
mutação de sinais, tendo substituído as válvulas termo - iônicas na maior parte das
aplicações. A figura da página seguinte mostra, de forma esquemática, um transístor
bipolar p-n-p. Este transístor é formado por duas junções p-n que partilham a região
do tipo n (muito fina e não representada à escala). Neste aspecto, o dispositivo cor-
responde à sanduíche de um material
do tipo n, entre duas regiões do tipo p. Existe também a estrutura complementar
(npn). Dependendo da polarização de cada junções (direta ou inversa), o transístor
pode operar no modo ativo/linear, estar em corte ou em saturação. Verifique e simule
a polarização e funcionamento de um transístor bipolar .

Um transístor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) é constituído por duas junções
PN (junção base-emissor e junção base-coletor) de material semicondutor (silício ou
germânio) e por três terminais designados por Emissor (E), Base (B) e Coletor (C).

47
Símbolos Transístores

Zonas Funcionamento Transístores
Em cada transístor bipolar existem duas junções que irão apresentar zonas de
funcionamento diferentes, consoante as junções base-emissor e base-coletor se
encontram polarizadas direta ou inversamente.
Os transístores têm três zonas de funcionamento distintas:
Corte - Ambas as junções estão polarizadas inversamente
Ativa - Junção base-emissor polarizda diretamente e junção base coletor polarizada
inversamente
Saturação - Ambas as junções estão polarizadas diretamente










48

NPN PNP
Zona Condições Modelo Condições Modelo
Corte V
BE
< 0.7V
V
BC
< 0.7V
I
C
= 0, I
E
= 0,
I
B
= 0
V
EB
< 0.7V
V
CB
< 0.7V
I
C
= 0, I
E
= 0,
I
B
= 0
Ativa V
BE
=0.7V
V
BC
<0.7V
V
BE
=0.7V
I
C
= β* I
B

I
E
= I
C
+I
B
ou
I
E
= (β+1)*I
B

V
EB
= 0.7V
V
CB
< 0.7V
V
EB
=0.7V
I
C
= βx I
B

I
E
= I
C
+I
B
ou
I
E
= (β+1)*IB
Saturação V
BE
=
0.8V
V
BC
=
0.7V
V
BE
=0.8V
V
CE
=0.1V
I
E
= I
C
+I
B

V
EB
= 0.8V
V
CB
= 0.7V
V
EB
=0.8V
V
EC
=0.1V
I
E
= I
C
+I
B

Ganho de um transístor
O ganho de um transístor, é uma característica do transístor,é o fator de multiplica-
ção da corrente de base (I
b
)ou Beta ß ou hfe do transístor.
A formula matemática que permite efetuar o cálculo é :
I
c
= I
b
x ß

* I
c
: corrente de coletor
* I
b
: corrente de base
* ß : beta (ganho)
49

Existem algumas especificações definidas pelo fabricante:
Ref ou Tipo: é o nome do transistor.
VCEO: tensão entre coletor e emissor com a base aberta.
VCER: tensão entre coletor e emissor com uma resistência no emissor.
Pol: polarização; N=NPN e P=PNP.
PTOT: Potência máxima que o transistor pode dissipar
Ft: Frequência máxima.
Encapsulamento: Cápsula do transístor que define cada um dos terminais.
Determinar Tensões e Correntes TJB (Transístor Junção Bipolar)




Considerando o circuito da figura em que o transístor bipolar NPN é caracterizado
por β=100 (ganho)

Determinar tensões e correntes do transístor.
Considerando que o transístor está na zona ativa, consideramos o circuito seguinte
Circulando pela malha da base:
-V
1
+ R
B
* I
B
+ V
BE
= 0
ou
50
I
B
= (V
1
- V
BE
) / R
B

I
B
= (10-0,7)/220
I
B
= 42,27µA
I
C
=β*I
B
ou I
C
=4,23mA
para as tensões temos:
V
E
=0 V
B
=0,7 V
C
=10-R
C
*I
C
ou V
C
=5,7 onde V
BE
=0,7 e
V
BC
=-6,4 < 0,7
Podemos concluir que o transístor se encontra na zona
ativa.
Fórmulas e simulação de funcionamento de transístor

Transistor - Emissor Comum
A montagem de um transistor em emissor comum é um estágio baseado num
transistor bipolar em série com um elemento de carga. O termo "emissor comum"
refere-se ao fato de que o terminal do emissor do transistor tem uma ligação
"comum", tipicamente a referência de 0V ou Terra. O terminal do coletor é ligado à
carga da saída, e o terminal da base atua como a entrada de sinal.
O circuito do emissor comum é constituído por uma resistência de carga RC e um
transistor NPN; os outros elementos do circuito são usados para a polarização do
transistor e para o acoplamento do sinal.
Os circuitos emissor comum são utilizados para amplificar sinais de baixa voltagem,
como os sinais de rádios fracos captados por uma antena, para amplificação de um
sinal de áudio ou vídeo

51
Características de um amplificador com transístor em emissor comum:
IMPEDÂNCIA DE ENTRADA (Ze): É igual ao quociente entre a tensão de entrada
(Ee = tensão CA do sinal de entrada) e a corrente de entrada (Ie = corrente CA do
sinal de entrada). A impedância de entrada está compreendida entre 10KΩ e 100KΩ
Ze=Ee / Ie
IMPEDÂNCIA DE SAÍDA (Zs): É igual ao quociente entre a tensão CA do sinal de
saída (Es), quando a saída esta em vazio (isto é, Is = 0) e a corrente CA do sinal de
saída (Is), quando a saída está em curto-circuito (Es =0).A impedância de saída esta
situada entre 10KΩe 100KΩ.
Zs= Es (saída em vazio) / Is (saída em curto)

AMPLIFICAÇÃO DE CORRENTE (Ai): é o quociente entre a corrente CA do sinal de
saída e a corrente CA do sinal de entrada. A amplificação de corrente está compre-
endida entre 10 e 100 vezes.
Ai = Is / Ie
AMPLIFICAÇÃO DE TENSÃO (Av): é o quociente entre a tensão CA do sinal de
saída e a tensão CA do sinal de entrada. A amplificação de tensão está situada entre
100 e 1000 vezes.
Av = Es / Ee

AMPLIFICAÇÃO DE POTÊNCIA (Ap): é igual ao produto entre a amplificação de
corrente e a amplificação de tensão. A amplificação de potência está compreendida
entre 1.000 e 100.000 vezes.
Ap = Ai x Av

RELAÇÃO DE FASE: Ocorre uma defasamento de 18O°entre a tensão do sinal de
saída e a tensão do sinal de entrada (180°= 180 graus).
52
Transístor - Coletor Comum
O circuito com um transístor com coletor comum possui um ganho de tensão muito
próximo da unidade, significando que os sinais em CA que são inseridos na entrada
serão replicados quase igualmente na saída, assumindo que a carga de saída não
apresente dificuldades para ser controlada pelo transistor. O circuito possui um
ganho de corrente típico que depende em grande parte do hFE do transistor. Uma
pequena mudança na corrente de entrada resulta em uma mudança muito maior na
corrente de saída enviada à carga. Deste modo, um terminal de entrada com uma
fraca alimentação pode ser utilizado para alimentar uma resistência menor no
terminal de saída. Esta configuração é comumente utilizada nos estágios de saída
dos amplificadores Classe B e Classe AB, o circuito base é modificado para operar o
transístor no modo classe B ou AB. No modo classe A, muitas vezes uma fonte de
corrente ativa é utilizada em vez do RE para melhorar a linearidade ou eficiência.

Características de um amplificador com transístor em coletor comum:
IMPEDÂNCIA DE ENTRADA: de 100KΩ a 1MΩ .
IMPEDÂNCIA DE SAÍDA: de 50Ω a 5000Ω.
AMPLIFICAÇÃO DE CORRENTE: de 10 a 100 vezes.
AMPLIFICAÇÃO DE TENSÃO: é menor do que 1. Neste tipo de amplificador não há
amplificação de tensão.
53
AMPLIFICAÇÃO DE POTÊNCIA: de 10 a 100 vezes.
RELAÇÃO DE FASE: não há desfasamento entre a tensão do sinal de saída e a
tensão do sinal de entrada.
Transistor - Base Comum
A ligação de um transistor em base comum é uma configuração de um transístor na
qual sua base é ligada ao ponto comum do circuito.
Esta montagem é utilizada de forma menos frequente do que as outras configura-
ções em circuitos de baixa de baixa frequência, é utilizada para amplificadores que
necessitam de uma impedância de entrada baixa. Como exemplo temos o pré-
amplificador de microfones.
É utilizado para amplificadores VHF e UHF onde a baixa capacitância da saída à en-
trada é de importância crítica.

Características de um amplificador com transístor em base comum:
IMPEDÂNCIA DE ENTRADA: entre 10Ωe 100Ω .
IMPEDÂNCIA DE SAÍDA: entre 100 KΩ e 1MΩ .
AMPLIFICAÇÃO DE CORRENTE: é um pouco inferior à unidade (entre O,95 e
O,99).Portanto, neste tipo de circuito não há amplificação de corrente.
AMPLIFICAÇÃO DE TENSÃO: entre 500 e 5.000 vezes.
AMPLIFICAÇÃO DE POTÊNCIA: entre 100 e 1.000 vezes.
RELAÇÃO DE FASE: não há desfasamento entre a tensão do sinal de saída e a
tensão do sinal de entrada.
54

POLIMIG VITAL BRASIL

01 de janeiro 2011

Materiais semicondutores três tipos ametais de características isolantes, metais bons condutores de eletricidade e os semimetais semicondutores. Os dispositivos eletrônicos modernos – diodos transistores e circuitos integrados – Estes elementos especiais, chamados de semicondutores, especialmente o germânio e o silício. Como o nome sugere, um semicondutor não é um bom condutor de corrente elétrica nem um isolante. Contudo, não é a capacidade de conduzir ou de isolar uma corrente que torna os semicondutores tão úteis.

FÍSICA DOS SEMICONDUTORES E DISPOSITIVOS.

2

INTRODUÇÃO

Materiais semicondutores Os elementos químicos se dividem logicamente em três tipos ametais de características isolantes, metais bons condutores de eletricidade e os semimetais de características intermediarias. Ou seja, semicondutores Os dispositivos eletrônicos modernos – diodos transistores e circuitos integrados – Estes elementos especiais, chamados de semicondutores, especialmente o germânio e o silício. Como o nome sugere, um semicondutor não é um bom condutor de corrente elétrica nem um isolante. Contudo, não é a capacidade de conduzir ou de isolar uma corrente que torna os semicondutores tão úteis. Em vez disso, é a capacidade de formar cristais com propriedades elétricas especiais que os torna tão valiosos. O material silício é o elemento mais utilizado e a seguir vem o germânio. Para entendermos estes elementos vamos recorrer a teoria eletrônica dos semicondutores Constituição da matéria As substâncias encontradas na natureza sejam das sólidas liquidas ou gasosas, são constituídas por um aglomerado de minúsculas partículas chamadas moléculas. A molécula e a menor parte em que pode se dividir a matéria sem sofrer alterações. Se dividir a molécula, encontra se o átomo que não mais conserva as propriedades da matéria. Você já sabe alguma coisa sobre átomos, elétrons prótons e nêutrons. Está seção ampliará ainda mais seu conhecimento. Você verá como os átomos de silício se combinam para formar novos cristais (esqueleto dos dispositivos semicondutores). ÁTOMO O átomo é a menor partícula que compõe a molécula. O átomo é composto de elétrons, próton e nêutron (prótons e nêutrons compõem o núcleo do átomo).

Prótons positivos. Elétrons negativos. Os elétrons apresentam em níveis de energia a partir do núcleo em sete camadas Sendo que o número máximo de elétrons por camada é:

3

De acordo com a teoria do octeto, os elementos adquirem estabilidade química ao assumirem a configuração de u gás nobre, isto é; 8 elétrons na camada de Valencia. A última camada também chamada camada de valência tem 08 elétrons quando completa. Únicos elementos que possuem esta camada completa são os gases nobres O átomo é considerado estável quando apresenta esta camada completa. Ligações Químicas A maneira pela qual os átomos se unem para formar a molécula recebe o nome de ligação. Um átomo poderá receber ou ceder elétrons. Quando ganha um ou mais elétrons fica negativo íon negativo Quando doa fica um átomo positivo Tipos de ligações Químicas. Valência Covalência – quando os átomos usam em sociedade seus elétrons Eletro valência os átomos doa definitivamente um elétron ao vizinho. Cristal = Substância pura CONDUTORES

Condutores são elementos que possuem elétrons livres em grande quantidade dentro da sua estrutura e se locomove com a aplicação de um potencial externo. (cobre ouro alumínio), metais em geral. A estrutura atômica dos condutores permite que os elétrons da última camada movimentem-se facilmente com um mínimo de oposição. Em geral os bons condutores possuem apenas 1 elétron na última órbita ou camada de valência

ISOLANTES.

Isolantes são elementos onde os elétrons estão presos em suas ligações, mesmo com a aplicação de um potencial elétrico não se locomove Um material cujos átomos tendem a permanecer em suas camadas de valência são denominados isolantes porque não podem 4

conduzir corrente elétrica com facilidade. No entanto, os isolantes são capazes de armazenar eletricidade melhor do que os condutores. Materiais como mica, vidro, borracha, papel, etc. são também denominados dielétricos, muito utilizados na fabricação de capacitores. Desta forma, os isolantes são muito úteis quando se deseja bloquear a passagem de corrente. SEMICONDUTORES Os semicondutores sem qualquer sombra de dúvida revolucionaram a tecnologia dos circuitos eletrônicos, por se tratarem de dispositivos de pequenas dimensões aliadas a uma operação eficiente e confiável. São elementos cuja resistëncia situa-se entre a dos condutores e a dos isolantes. (silício (si) germânio. (ge)). Os semicondutores sem qualquer sombra de dúvida revolucionaram a tecnologia dos circuitos eletrônicos, por se tratarem de dispositivos de pequenas dimensões aliadas a uma operação eficiente e confiável. O silício em estado puro apresenta sob forma cristalina, significando que seus átomos acham-se dispostos uniformemente em uma configuração periódica. A tabela a seguir mostra alguns tipos de condutores e semicondutores.
Nº ATÔMICO ELÉTRON DE VALÊNCIA

GRUPO Metais condutores, em ordem de condutância Semicondutores

ELEMENTO Prata Cobre Ouro Alumínio Ferro

SÍMBOLO

Ag Cu Au Al Fe C Si Ge H O He Ne

47 29 79 13 26 6 14 32 1 8 2 10

+1 +1 +1 +3 +2 4 4 4 1 -2 0 0

Carbono Silício Germânio Gases ati- Hidrogênio vos Oxigênio Gases i- Hélio nertes Neon

ADENDO 1 UNIDADES DAS GRANDEZAS FUNDAMENTAIS. GRANDEZA Comprimento Massa UNIDADE TAL Metro Quilograma FUNDAMEN- SÍMBOLO M Kg

5

Resistência elétrica Prefixo hexa Peta tera giga mega kilo hecto símbolo E P T G M K h valor 100 000 000 000 000 000 1 00 000 000 000 000 1000 000 000 000 1000 000 000 1 000 000 1 000 100 UNIDADE Joule Newton Watt Coulomb Volt Siemens Henry Hertz Weber Tesla OHM potencia 10 1018 1015 1012 109 106 103 102 SIMBOLO J N W C V S H Hz Wb T  6 .Tempo Corrente elétrica temperatura Termodinâmica Intensidade luminosa Quantidade de matéria GRANDEZA Ângulo plano Ângulo sólido Segundo Ampére Kelvin Candela Mol S A K cd mol UNIDADE FUNDAMEN.SIMBOLO TAL Radiano Rad Esfereorradiano sr Outras unidades usuais podem ser deduzidas apartir de unidades fundamentais e das unidades suplementares (O Coulomb é deduzido das fundamentais segundo e ampére) GRANDEZA Energia Força Potencia Carga elétrica Tensão elétrica Condutância elétrica Indutância elétrica Freqüência Fluxo magnético Densidade de fluxo magnético.

000 000 001 0. A seguir multiplica-se o nº pôr 10 e elevado a uma potência negativa. vezes uma potencia 10.001 0.000 = 88.000 = 3000. (A vírgula é deslocada três casas para a direita) = 6 x 10-3 (Portanto.500 = 65. o expoente é 4) 42.56 = 4. o expoente é 2) = 65 x 10 880. a potência ou o expoente é 3) 6. deslocam a vírgula para a esquerda tantos algarismos desejados.0000 (A vírgula é deslocada quatro casas para a esquerda) 4 = 88 x 10 (Isto é. o expoente é –5) (A vírgula é deslocada cinco casas para a direita) = 92 x 10-5 7 .256 (A vírgula é deslocada uma casa para a esquerda) = 4.35 = 4.1 0. Ex 3.000 000 000 001 0.435 = 04.01 0. o expoente é –1) (Isto é. Ex 0. (A vírgula é deslocada uma casa para a direita) (Portanto.006 = 0006.00 (A vírgula é deslocada duas casas para a esquerda) 2 (Portanto. o expoente é 1) Regra 2 Para converter nºs menor do que 1 com um nº inteiro vezes uma potência de 10 desloca-se à vírgula para a direita.000000000000001 101 10-1 10-2 10-3 10-6 10-9 10-12 10-15 10-18 POTÊNCIA DE 10 Já vimos que freqüentemente é necessário converter uma unidade de medida em outra unidade que pode ser maior ou menor.00092 = 000092.35 x 10-1 0. Regra 1. A seguir multiplica o nº pôr 10 elevado a uma potência igual ao número de casas deslocadas. (A vírgula é deslocada três casas para a esquerda) = 3 x 103 (Portanto. Para escrever um nº maior que 1 na forma de um nº pequeno. Muitas vezes nos referimos às potências de 10 como notação de Engenheiro.000 001 0.deca deci centi mili micro nano pico fento atto da d c m  n p f a 10 0.256 x 10 (Portanto. a potência ou o expoente é –3) 0.

060000 = 0.5 x 10-3 = 0.824 = 0.Regra 3 Para converter um nº expresso em potência positiva de 10.07 82. Portanto. Portanto. desloca-se a vírgula três casas para esquerda) = 0.4 x 10-2 = 0.9 = 4. desloca-se a vírgula três casas para direita) = 615 0.615 x 106 = 0615000 = 615000 0. desloca-se à vírgula para a esquerda tantas casas o valor do expoente.070 (O expoente é –3.615 x 103 = 0615.0049 x 103 = 0004.0005 (Desloca-se a vírgula três casas para esquerda) Regra 5 Para multiplicar dois nº expressos em potência de 10 multiplica-se os coeficientes e somam-se os expoentes. Ex 102 x 104 = 102+4 = 106 10-1 x 104 = 10-1+4 = 103 (40 x 104)(25 x 102) 5) logo temos: = 40 x 25 x 103 x 102 = 1000 x 105 (40 x 25 = 10000 e 2 + 3 = (mas 1000 = 103) 8 .06 0. Ex 0. (O expoente é 3.824 (Desloca-se a vírgula seis casas para a esquerda) (Desloca-se a vírgula seis casas para a esquerda) 60000 x 10-6 = 0. Ex 70 x 10-3 = 0. em um nº decimal desloca-se à casa decimal para a direita tantas casas ou posições igual ao valor do expoente.9 (Desloca-se a vírgula três casas para a direita) (Desloca-se a vírgula três casas para direita) 84 x 102 = 8400.0005 = 0. (Desloca-se a vírgula duas casas para direita) = 8400 Regra 4 Para converter um nº expresso em potencial negativa de 10 num nº inteiro decimal.

portanto. é o valor do expoente.= 103 x 105 = 108 (2 x 10-2)(50 x 102) = 2 x 50 x 10-2 x 102 = 100 x 100 (mas 100 = 102) = 102 x 1 = 102 (3 x 10-4)(6 x 106) = 3 x 6 x 10-4 x 106 = 18 x 102 Regra 6 Para dividir usa-se a formula. hoje dominar perfeitamente a eletricidade. MATÉRIA E SUBSTÂNCIA. Para lhe dar uma idéia melhor do que é um elétron teremos que recorrer a teoria eletrônica. Consegue gerála em grandes quantidades transportá-la através de fios ou cabos por distâncias enormes. 9 . 0 x 10 2  100 ELETRICIDADE O homem consegue. O Elétron é a unidade de carga elétrica.15 15 10 3  15 x 10 3  15000 0 . existem milhares de substâncias diferentes. A matéria é algo que possui massa e ocupa lugar no espaço tudo aquilo que constitui todos os corpos e pode ser percebido por qualquer um dos nossos sentidos. Cada tipo particular de matéria é uma substância. E. A ela se relaciona com uma variedade grande de coisas. 15 10 1  15 x 10  150 1 1500 10 4  1500 x 10 4  0 . Mas o que é eletricidade? Todo o efeito da eletricidade está em uma partícula minúscula chamada elétron. 25 x 4 10 2  1. 1/10n = 1x10-n onde n. Podemos assim mover qualquer potência de 10 do numerador para o denominador ou vice-versa simplesmente mudando-se o sinal do expoente. Usamos a eletricidade em uma grande quantidade de aplicações sem nos preocuparmos com sua natureza ou origem.

A molécula é a menor parte em que se pode dividir uma substância. e que apresenta toda a característica da mesma. As moléculas são constituídas de átomos. Estrutura de um átomo. Camada eletrônica completa Fig. O numero de átomos que compõem uma molécula varia de acordo com a substância.MOLÉCULAS E ÁTOMOS. que contém prótons e nêutrons e em torno giram os elétrons. 10 . 1-11 Camada eletrônica completa Um átomo é constituído de partículas subatômicas(elétrons. Qualquer substância é formada por partículas muitíssimas pequenas e invisíveis chamadas moléculas.prótons e nêutrons) um núcleo central. 3 8 2 L K 13 P M 3 elétrons numa camada incompleta de 18 elétrons.

não tendem a doar e nem receber elétrons a não ser em condições especiais como calor. ESTRUTURA DO CRISTAL A figura abaixo ilustra um bloco de silício onde seus átomos estão ligados em covalência de tal forma a formar uma treliça cristalina pura. compartilhando seus elétrons de valência. etc RESUMINDO: 11 . determinando assim as características do elemento. isto é. Para nosso estudo inicial.Os átomos de uma molécula podem ser iguais ou não. é uma substância composta. luz. campo elétrico. é importante que não esqueçam: O próton tem carga positiva Elétron tem carga negativa. Átomos com 8 elétrons na última camada apresentam uma configuração estável. (água. é uma molécula simples. se iguais. Cada órbita possui um número máximo de elétrons. Ex. A tabela abaixo mostra as órbitas de um átomo e a quantidade máxima de elétrons por órbita. ácidos). Quando diferentes. (ferro cobre alumínio). Atualmente são conhecidos mais de 103 átomos diferentes. ÓRBITA OU CAMADA Nº MÁXIMO TRONS DE ELÉ- K L M N O P Q 2 8 8 ou 18 8. 18 ou 32 8 ou 18 8 ou 18 8 Pode se notar que ambos possuem em sua camada de valência quatro elétrons. Ex. Nêutron não tem carga.

A finalidade da dopagem é aumentar a quantidade de cargas livres (positivas ou negativas). ELEMENTOS TRIVALENTES Entende por trivalente todo elemento que possui três elétrons na sua ultima camada de valência.Átomos estáveis: são átomos com a última camada saturada. desde que sua velocidade tenha valor certo. Ou seja. dependendo do tipo de impureza usada no processo. RECOMBINAÇÃO. força os elétrons a deslocar-se deixando uma lacuna. Lacunas. Elétrons de valência: são os elétrons da última camada ou órbita de um átomo. O desaparecimento de um elétron livre e de uma lacuna é chamado de recombinação acontece sempre no semicondutor DOPAGEM É o processo para introduzir átomos de Impurezas em um cristal puro de Silício (Si) ou Germânio (Ge) para aumentar tanto o numera de elétrons como de lacunas. que podem mover-se mediante uma tensão externa O processo de dopagem em um cristal intrínseco cria no mesmo cargas livres (elétrons ou lacunas). após a dopagem o cristal intrínseco recebe o nome de cristal extrínseco. Com a aplicação de uma energia externa a um cristal. as impurezas trivalentes possuem 3 elétrons de valência e as pentavalentes 5 elétrons de valência. No processo de dopagem são utilizadas impurezas do tipo trivalente e pentavalente. Por outro lado. a Física Moderna afirma que somente certas dimensões de órbitas são permitidas.quando um Elétron é elevado para um nível de energia mais alto deixa uma lacuna. Os elétrons livres são capazes de produzir correntes altas. diminuindo o número de elétrons livres o semicondutor torna-se do tipo P Desta forma no semicondutor dopado do tipo P prevalecem as cargas positivas. Elétrons livres: são os elétrons que participam da corrente eletrônica. 12 . IMPUREZAS Entende-se por impureza todo elemento que não seja Si ou Ge (alumínio Borio. etc.) Quando o cristal é puro é chamado de semicondutor Intrínseco Quando dopado Semicondutor Extrínseco. NÍVEIS DE ENERGIA Você precisa imaginar que um elétron pode percorrer uma órbita de qualquer raio. Átomo quimicamente ativo: são átomos que não possuem a última camada saturada.

Os elementos que através do processo de dopagem fornecem elétrons são denominados doadores. a) resistência maior do que dos condutores metálicos. b) coeficiente negativo. 13 . Formação do elemento do tipo P Para formação do material do tipo P. o semicondutor é do tipo negativo ou tipo N Desta forma no semicondutor dopado do tipo N prevalecem as cargas negativas Todo material cujo processo de dopagem da origem a formação de elétrons excedentes denomina-se material tipo n. porém menor do que isolantes.FORMAÇÃO DOS ELEMENTOS DO TIPO N e P. Quando o número de elétrons livres (cargas negativas) é aumentado. a resistência diminui com o aumento da temperatura. isto significa que a última camada desses átomos possui 4 elétrons. c) a valência dos átomos que constituem esses semicondutores é  4. Entende-se por pentavalente todo elemento que possui cinco elétrons em sua ultima camada dês valência O processo é semelhante ao anterior menos na impureza que deve ser pentavalente (fósforo). é adicionada uma impureza trivalente no material de Si ou de Ge deixando-os com falta de elétrons tornando-os positivos. Nos condutores com o aumento da temperatura teremos um movimento desordenado de elétrons  resistência. CARACTERÍSTICAS DO SEMICONDUTOR Nos semicondutores teremos  (menor) resistência devido às impurezas.(alumínio). Ao material cujo processo de dopagem resulta na formação de lacunas denomina-se material tipo p. ELEMENTOS PENTAVALENTES. se no Si ou no Ge for introduzida uma impureza pentavalente a formação de um cristal tipo N pode ser visualizada conforme a figura ao lado. Os elementos que através do processo de dopagem da origem a lacunas são chamados receptores. FORMAÇÃO DO ELEMENTO DO TIPO N. isto é. JUNÇÃO P N.

DIODO NÃO POLARIZADO. Junção é onde as duas regiões p e n se encontram. que neste caso irá interferir no fluxo dos portadores majoritários. 14 . À medida que a dopagem aumenta a resistência de corpo diminui.Se unirmos substancia do tipo p e n de maneira a fazer um único cristal esta combinação será chamada de junção PN. enquanto que os portadores minoritários são provenientes da quebra das ligações covalentes. PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS Em um cristal dopado os portadores majoritários ocorrem devido a adição de impurezas. TIPO DE CRISTAL PORTADORES JORITÁRIOS MAPORTADORES TÁRIOS MINORI- P N Lacunas Elétrons Elétrons Lacunas O aumento da temperatura provoca a quebra de mais ligações covalentes. Os elementos do tipo P (lacunas) serão os portadores majoritários do lado p. JUNÇÃO PN . principalmente quando ocorre elevação da temperatura.DIODO DE JUNÇÃO Ao se combinar um cristal do tipo P com um cristal do tipo N obtém-se um diodo. Um semicondutor levemente dopado possui uma resistência de corpo alta. Um semicondutor dopado ainda possui resistência. É possível produzir um Cristal metade do tipo p e metade do tipo n. DIFUSÃO DE CARGA. aumentando a quantidade de portadores minoritários cujo fluxo é contrário ao dos portadores majoritários. Um cristal PN é comumente conhecido como diodo. Chamamos a esta resistência de resistência de corpo. Difusão de carga pode ser entendido como sendo a distribuição regular e homogênea dos átomos de uma impureza através dos cristais puros. Os elementos tipo n (elétrons) serão denominados de portadores majoritários do lado n. A resistência de corpo também é chamada de resistência ôhmica porque obedece a lei de ohm.

-Depois de sair pelo terminal esquerdo do cristal ele segue para o terminal positivo da fonte ou bateria. O valor desta barreira é em torno de 0. .Depois de sair do terminal negativo da bateria ele entra pela extremidade direita do cristal. . Percorre a região n como elétron livre. Com polarização direta 3.CAMADA DE DEPLEÇÃO. (cce). Com o deslocamento de elétrons de n para p e lacunas de p para n haverá uma recombinação na área de difusão. 1.7v para o Silício e de 0. A barreira de potencial diminui. Do lado n com o acumulo de material n apresenta um grande nº de Elétrons. Id = corrente direta. ANÁLISE DE UMA JUNÇÃO PN. POLARIZAÇÃO DIRETA(Vd > 0) A junção acha-se diretamente polarizada nesta situação temos: Uma alta corrente direta (Id) porque o pólo negativo repele os elétrons. Na polarização direta a resistência interna do diodo (junção) assume um valor extremamente baixo e o diodo comporta-se como uma chave eletrônica fechada 15 . Do lado p apresenta um grande nº de lacunas. torna se um elétron de valência. -Passa pela região p como elétron de Valencia. A temperatura ambiente. Ao analisar uma junção encontramos três situações diferentes.3v para o germânio. Não polarização 2.Próximo à junção recombina-se. à medida que o elétron encontra uma lacuna torna um elétron de valência e escoa pelo pólo positivo da bateria. Com o acumulo de Íon positivo de um lado e de Íon negativo do outro cria uma barreira de potencial (ddp) na junção. Com polarização reversa.

uma vez vencida a barreira de potencial a corrente aumenta bruscamente. g) essa corrente e denominada corrente direta (ID) e seu sentido é do cristal N para o cristal P (sentido real). e) simultaneamente um novo elétron penetra no cristal N através do terminal negativo da bateria e se difunde até a junção. fazendo com que a barreira de potencial aumente. Teremos um aumento dos elétrons no lado n e de lacunas no lado p. ou seja. a região de transição torna-se significativamente mais estreita. é aplicado através da junção p-n tal que o material positivo é conectado ao material tipo n e o terminal negativo é ligado ao material tipo p. A corrente Is raramente é maior do que poucos microamperes.a) os elétrons livres do cristal N são impelidos à junção pelo pólo negativo da bateria. - 16 . f) com o aumento da tensão externa é gradualmente vencida a barreira de potencial e a corrente aumenta. POLARIZAÇÃO REVERSA (VD<0) Se um potencial externo de V volt. um elétron de uma união das proximidades do terminal positivo da bateria deixa o cristal e penetra no polo positivo da bateria.Na polarização reversa teremos: - Aumento da barreira de depleção Diminuição dos elementos majoritários de carga através da junção. c) na junção ocorre então a combinação dos portadores. originando uma lacuna que também é impelida à junção. como resultado. Surgimento da corrente sob polarização reversa é chamada de corrente de saturação reversa e é representada por Is. Aumento dos portadores minoritários que ira de negativo para positivo. d) para cada lacuna do cristal P que se combinar com um elétron do cristal N. do catodo para o anodo. b) as lacunas do cristal P são impelidos à junção pelo pólo positivo da bateria. . conforme a figura abaixo. A junção polarizada reversamente apresenta uma Z(impedância) muito alta.

Ex. se tem 5mA a 25 será de 10mA a 35. CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DIODO DE JUNÇÃO DE SILÍCIO ID = corrente direta IR = corrente reversa VD = tensão direta VR = tensão reversa SÍMBOLO DE UM DIODO GRÁFICO DO DIODO. É a tensão máxima aplicada reversamente ao diodo. V(Br)= tensão de ruptura Bv =tensão de ruptura PRV= tensão reverá de pico. do que no diodo de germânio Na polarização reversa a resistência interna do diodo assume valores elevadíssimos e o mesmo comporta-se como uma chave eletrônica aberta TENSÃO DE RUPTURA. Is é muito menor no diodo de Si. 17 . PIV =tensão inversa de pico VRWM= tensão reversa máxima de trabalho VRM =tensão reversa máxima. Não há um padrão para representar a tensão de ruptura.- A corrente Is dobra de valor a cada 10 graus de temperatura. Temos alguns.

Aumentar sua potência. 18 . Um diodo é um condutor de uma única direção. Curva do diodo. ESPECIFICAÇÃO DE POTÊNCIA. são definidas duas classes de diodos. Os limites máximos indicam a carga à qual o diodo pode ser submetido. NÍVEIS DE RESISTÊNCIA DO DIODO.7v para o silício ou 0.Aumentar sua tensão reversa. Ao aproximar de 0. À medida que o ponto de operação de um diodo move-se de uma região para outra. RESISTÊNCIA DC.Para destruí-lo basta: . São valores permissíveis de grandezas elétricas que não devem ser excedidos individualmente ou simultaneamente.Ao aplicar uma tensão direta em um diodo este não conduz intensamente até esta tensão não ultrapasse a barreira de potencial A corrente é pequena para os 1º décimos de tensão. a resistência do diodo também será alterada devido à forma não-linear da curva característica. .Diodos para retificação. . A tensão na qual a corrente I começa a aumentar rapidamente chama tensão de joelho. Na região de ruptura também conhecida como região zener (Vz) onde o diodo pode ser destruído com o aumento de uma tensão reversa.Diodos para pequenos sinais . OU ESTÁTICA RD  VD RD Os níveis de resistência DC no joelho e abaixo deste serão maiores do que os níveis de resistência obtidos para a região de aumento vertical da curva. os elétrons livres e as lacunas começam a atravessar a barreira de potencial em grandes quantidades.3v para o germânio.

20mA . 0. Ex.7v para o diodo de silício. Exemplo. Determinar a tensão e a corrente exata do diodo da figura abaixo.1A Vd= -10V. 0. o gráfico da corrente versus tensão é linear. Vs=2V Rs=100 diodo de I  Vs  V 2V  0 .Pela lei de ohm temos que a corrente através de um resistor comum é proporcional à tensão aplicada ao resistor. Determine o valor da corrente I.3v para o diodo de germânio e 0.1 determine os níveis de resistência dc para o diodo com as seguintes características. Equação para a reta de carga em um diodo. É uma ferramenta utilizada para determinar o valor exato da corrente e da tensão do diodo. a corrente é silício.7V Rs 100 I  20 mA rie. Neste circuito temos uma fonte Vs ligada em série com um resistor limitador de corrente Rs polarizando diretamente o diodo. Rd  Vd Id  26 mV Id LINHAS DE CARGA OU RETA DE CARGA. Rs= resistor limitador de corrente A diferença de potencial (ddp) através do resistor é Vs -V. Onde temos: Vs= tensão da fonte ou bateria V = tensão do diodo 0.5V. A RESISTÊNCIA AC OU DINÂMICA (RD) A resistência rd é calculada pela seguinte formula. dados. Id=2mA. 19 .8V Faça o gráfico. Isto quer dizer que para um resistor. e a corrente é I  Vs  V Rs Pelo fato do circuito da figura ser sea mesma através de todo circuito.

7v de limiar antes que o diodo de silício comece a conduzir No diodo ideal uma chave fechada representa o circuito equivalente. Uma forma de se lembrar dos extremos da linha de carga é o seguinte: . - DIODO IDEAL O que um diodo faz? Ele conduz muito bem quando polarizado diretamente e conduz mal no sentido reverso.5mA. .Fazer V igual a zero ou colocar o diodo em curto circuito e determinar a corrente do diodo que será Vs/Rs. Par V=Vs a corrente I=0V e o diodo esta no corte.75v uma corrente do diodo de aproximadamente de 12. fazer I igual a zero equivale abrir o diodo e determinar qual o valor da tensão através do diodo a tensão do diodo será igual à tensão aplicada (Vs).V=0) dá o ponto no eixo vertical do gráfico este ponto é chamado saturação porque ele representa a corrente máxima. 20 .A representação deste ponto (I=20ma. Precisamos de cerca de 0. esta será a corrente de saturação. no extremo superior da reta de carga. Para determinar outro ponto basta substituir os valores de V. e como um isolante perfeito (corrente zero) quando polarizado reversamente. Fazendo a leitura das coordenadas do ponto Q temos para uma tensão V= 0. PONTO Q Referimo-nos ao ponto Q como o ponto de operação porque ele representa a corrente através do resistor do diodo. Obs. VD = 0V - - Um diodo ideal age como um condutor perfeito (tensão zero) quando polarizado diretamente. SEGUNDA APROXIMAÇÃO DO DIODO.Da mesma forma. Para v = o temos que a corrente do diodo é máxima e este esta na saturação.

incluímos a resistência do corpo r B.7v). Exemplo 2. Solução. 3ª APROXIMAÇÃO . há uma queda de 0.3V. Na maioria dos casos vamos usar a segundo aproximação para resolver os problemas com diodo.7V + ID.7V.7v e uma resistência de rB.Na segunda aproximação a chave em serie com a bateria forma o circuito equivalente.a tensão através do resistor é a diferença entre a tensão da fonte e a tensão do diodo(10v-0. considerar uma queda de 0. portanto a corrente no diodo é I= Vs  VD 10 V  0 . portanto.7V Rs 5000  9 . Na terceira aproximação de um diodo.7V TERCEIRA APROXIMAÇÃO DO DIODO.DIODO REAL VD = 0.3v se de germânio.3V 5000 1. O diodo será polarizado diretamente.7v. O circuito equivalente para a terceira aproximação é constituído por uma chave em série com uma bateria de 0. Terceira aproximação.86 mA 21 .0 Utilize a segunda aproximação para determinar a corrente do diodo na figura abaixo.7v para os cálculos se o diodo for de silício e de 0. 2ª APROXIMAÇÃO VD = 0. que é igual a 9. ao ligarmos o diodo aparece uma tensão de 0. ou seja.7V + VrB VD = 0.7v em serie com uma tensão interna adicional através da resistência interna rB de modo que a tensão total do diodo é maior do que 0.rB Qual delas usar.

VR. é chamado de tensão de pico inversa (TPI) ou tensão de pico reversa (TPR). Silício X germânio. Determine os valores de VD. e ID. 22 . TPI.7V 3 . um diodo esta no estado “ligado” se a corrente estabelecida pelas fontes é tal que sua direção está no mesmo sentido que a seta do símbolo do diodo.a forma mais fácil de resolver este problema é utilizar Thévenin no divisor de tensão fazendo o circuito equivalente abaixo.3V 300 300  1. I= 4V  0 . Se no circuito anterior for aplicada uma tensão (E) de 8V e R=2.1 Calcule a corrente através do resistor de 100 da figura abaixo.1mA REGIAO ZENER O potencial de polarização reversa que resulta uma brusca mudança na característica da curva é chamada potencial zener. Temp Silício 2000 germânio 100oC TPI 1000V 400V TPD 0. Diodos de silício apresentam. A tensão máxima de polarização reversa permitida para que o diodo não entre na região Zener. em geral.2K. e é dado pelo símbolo VZ. Quais diodos estão ligados e quais diodos estão desligados Em geral. correntes nominais e faixas de temperatura maiores do que os diodos de germânio. Exemplo. o estado de cada diodo deve ser inicialmente determinado. Solução Quando você encontrar um circuito com mais de uma malha pense no Thévenin ou pelo menos pense na possibilidade de utilizar o teorema de Thévenin.7V para o silício e de 0.Exemplo 2. Para cada configuração. e V D 0.7V 0. Gráfico da região Zener.3V  2 1 Configurações série de diodos com entrada DC.3V para o germânio.

A onda senoidal é o mais básico dos sinais elétricos. Observando a gráfico abaixo temos.7V Silício VR = E – VD = 8V – 0. A ONDA SENOIDAL. a primeira coisa a ser feita em qualquer equipamento eletrônico é converter a tensão AC em tensão CC. 3V 2200  3 .Solução. Os métodos aplicados no item anterior podem ser estendidos à análise de configurações paralela e série paralela.as etapas seqüenciais utilizadas nas configurações paralelas com diodo. CIRCUITOS COM DIODOS. Uma vez que a tensão aplicada estabelece uma corrente no sentido horário (direto). VD = 0. Como a tensão da linha e alternada.3V ID= VR R  7 . Para que cada situação adapte. A maioria dos circuitos eletrônica precisa de uma tensão CC para poder trabalhar adequadamente. 32 mA . V = Vp sen  Onde: V = tensão instantânea VP = tensão de pico 23 . CONFIGURAÇÕES PARALELAS E SÉRIE/PARALELA. determine a corrente em R.7V = 7. o diodo esta no estado ligado. de acordo com a seta do símbolo do diodo.

Com a equação Vrms=0. também conhecida como valor eficaz. TENSÃO DE LINHA As companhias de energia elétrica geralmente fornecem uma tensão de linha de 115Vrms com uma tolerância de  10% por cento e com uma freqüência de 60 Hz. Exemplo. = ângulo em graus ou radianos Observe como a tensão aumenta de zero até um máximo positivo de 90o.707VP VP = 115 V 0 . diminui para zero em 180o. O valor rms (raiz média quadrática) (root mean square) de uma onda senoidal.5VP 0. VALORES DE UMA SENOIDE  0o 30o 45o 60o 90o V 0V 0. 707  VP = 163Vac 24 .707VP 0. o valor de pico a pico de uma senoidal é o dobro do valor de pico. VPP = VMAX . 115V = 0. Valor de pico a pico de qualquer sinal é a diferença entre o seu valor máximo e valor mínimo algébrico. Vpp = 2 Vp Em outras palavras.866VP VP VALOR DE PICO A PICO DE UM SINAL SENOIDAL.707VP. Uma senoide de 18V de pico o valor pico a pico é de 36V.707V P pode se calcular o valor de pico da seguinte forma. é a tensão que realmente executa um trabalho..VMIN Para senoide o valor de pico a pico é Vpp = Vp – (-Vp) Ou seja. Vrms = 0. Vpp = 18Vp – (-18Vp) Vpp = 36V VALOR EFICAZ OU RMS. atinge um máximo negativo em 270o e volta a zero em 360o.

TRANSFORMADOR. ou seja. RETIFICAÇÃO DE ½ ONDA: 25 . No processo de retificação deve-se levar em conta as características de chaveamento eletrônico do diodo. Vs x Is = Vp x Ip Vs = Tensão secundário (saída) Vp = Tensão primário (entrada) Np = Número de espiras no primário Ip = Corrente primário (entrada) Tipos de transformadores Transformador de alimentação Transformador de áudio Transformador de corrente Transformador de RF: Ns = Número de espiras no secundário Is = Corrente secundário (saída) RETIFICAÇÃO .VALOR MÉDIO O valor médio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo é zero.saída = P.PRINCÍPIOS BÁSICOS Retificar encerra a idéia de converter uma tensão alternada em tensão contínua.ent. conduz corrente em apenas um sentido (quando diretamente polarizado). Isto porque a onda senoidal é simétrica: cada valor positivo da primeira metade do ciclo é compensado por um valor igual negativo da segunda metade. Transformador Vp Relação transformação = Vs = Np Ns e P.

por estar reversamente polarizado atuará como uma chave eletrônica aberta. caracterizando assim a retificação de ½ onda. ou 40Vef. Ao se ligar nos extremos da carga um osciloscópio. Logo. destinado a retificar uma tensão alternada. somente circulará corrente pela carga durante o semiciclo positivo. atuando como uma chave eletrônica fechada e durante o semiciclo negativo. Desta forma. Como sabemos a corrente alternada tem a propriedade de mudar de polaridade periodicamente. A tensão a ser retificada é de 40Vrms. Como o diodo comporta-se como uma chave eletrônica aberta. conforme mostra os circuitos equivalentes a seguir. não circulará corrente pela carga. 26 . aparecerá na carga a tensão correspondente ao semiciclo positivo. circulará corrente na carga somente durante os semiciclos positivos.Tomemos como exemplo o circuito a seguir. Deduz-se então que durante o semiciclo positivo o diodo estará polarizado diretamente. será visualizado uma tensão cuja forma de onda é mostrada na figura abaixo. não aparecerá nenhuma corrente na carga. Como o diodo comporta-se como uma chave eletrônica fechada. Logo. segundo uma determinada freqüência.

que pode ser calculado pela fórmula: Vm ou Vdc = (Vp .7) .55 a 0.4V calculando o valor retificado médio na carga: Vm = (Vp .42mA c) o valor máximo da tensão na carga: Vp .41 = 56.41 Vp = 40 . 0. Determine: a) valor retificado médio na a carga. 1.318 onde: Vp = valor de pico da tensão ou valor máximo da tensão (Vmax) Vm = Vdc = valor retificado médio VD = queda de tensão direta no diodo (0.7 = 55.VD = 56.0. diodo ideal) EXEMPLO: Um retificador de ½ onda deve retificar uma tensão de 40Vrms para alimentar uma carga de 500.71V b) a corrente na carga será a corrente média: Im ou Idc = 1 7 . Solução: a) devemos calcular o valor máximo da tensão (Vp ou Vmax): Vp = Vrms . 1.7V) 0. 0.4 .7 1 V 5 0 0 = 35.318 Vm = (56.318 = 17.4 .318 = constante = 1/ Podemos calcular o valor médio retificado pela fórmula: Vm ou Vdc = V p o u V m ax  ( para VD = 0.A tensão na carga é contínua pulsante e o valor medido dessa tensão é denominado valor retificado médio (Vm ou Vdc). b) corrente na carga.0. c) valor máximo da tensão na carga. 0.VD) .VD) .4V 27 .

A tensão de trabalho do diodo é normalmente definida como tensão inversa de pico (TIP) Como o diodo está reversamente polarizado. Im ou Idc = V m ou V dc R RETIFICAÇÃO DE ONDA COMPLETA (COM PONTO DE NEUTRO): Na retificação de onda completa com ponto de neutro. enquanto que D2 estará cortado e não conduzindo. do inglês center tap). As tensões Es1 e Es2 são medidas a partir do CT (referencial). 1. comporta-se como uma chave aberta e nos seus extremos estará presente o valor de pico da tensão a ser retificada. a tensão nos extremos de R será zero. que no caso é: 40 . A tensão total do secundário (Es) é a soma das mesmas. No instante 1 o diodo D1 estará diretamente polarizado e conduzindo. ou seja.41 = 56. Como não circula corrente pelo circuito.4V.TENSÃO DE TRABALHO DO DIODO: Na retificação de ½ onda a tensão de trabalho do diodo é a própria tensão de pico da tensão a ser retificada. conforme ilustra a figura abaixo. CAPACIDADE DE CORRENTE DIRETA: Deve ser pelo menos igual a corrente média através do mesmo. deve-se utilizar um transformador com secundário dotado de tomada central (CT. 28 . de forma a fornecer duas tensões de amplitudes iguais porém defasadas 180º entre si. no instante 2 ocorre o contrário. na condição de polarização reversa. D1 estará cortado e D2 estará conduzindo.

VD) . Circuito equivalente no instante 2 29 . onde VD = 0) Circuito equivalente no instante 1 Na carga aparecerá uma tensão (semiciclo) devido a condução de D1.A tensão retificada média na carga pode ser calculada pela fórmula: Vm ou Vdc = (Vp .7V) 0.637 = constante = 2/ Podemos também calcular o valor médio retificado pela fórmula: Vm ou Vdc = 2 V p o u 2 V m ax  (para diodo ideal.55 a 0. por estar diretamente polarizado.637 Onde: Vp = valor de pico da tensão ou valor máximo da tensão (Vmax Vm = Vdc = valor retificado médio VD = queda de tensão direta no diodo (0. 0.

Portanto: TIP = 2Vp CAPACIDADE DE CORRENTE DIRETA: Deve ser pelo menos igual a corrente média através do mesmo. Desta forma. circulará corrente na carga durante os semiciclos positivos e negativos. Como cada diodo opera como um retificador de ½ onda teremos: V m ou V dc R Im ou Idc = 2 CORRENTE DE PICO ATRAVÉS DO DIODO (Ip): Deve ser menor do que a corrente de pico especificada pelo fabricante. caracterizando assim a retificação de onda completa.No instante 2 estará presente na carga uma tensão (semiciclo) devido a condução de D2. será visualizada uma tensão cuja forma de onda é mostrada na figura a seguir. Como cada diodo opera como um retificador de ½ onda teremos: 30 . Ao se ligar nos extremos da carga um osciloscópio. TENSÃO DE TRABALHO DOS DIODOS: Na retificação de onda completa a tensão de trabalho De cada diodo (TIP) eqüivale a duas vezes o valor de pico da tensão a ser retificada.

Ip = V p o u V m ax R EXEMPLO: Dado o circuito abaixo. teremos: Es1 = Es2 = Vm = (Vp .41 = 70.8. d) tensão de trabalho nos diodos.6V d) tensão de trabalho dos diodos: cada diodo deve suportar no mínimo uma tensão reversa da ordem de 140V e) corrente de pico nos diodos: Ip = Vp 5 0 0 = 69.4 6 V 5 0 0 = 88.6mA RETIFICAÇÃO DE ONDA COMPLETA EM PONTE: 31 . e) corrente de pico nos diodos. c) tensão de pico na carga.0.5V Vm = (70. 637 Vm = 69.637 = 44.46V b) corrente média na carga: Im = Vm R Es 2 = 50V = 4 4 .92mA c) tensão de pico na carga: TIP = 2Vp = 2 . 69.5 . b) corrente média na carga. calcule: a) tensão média na carga.7). 637 Vp = Vef. Solução: a) tensão média na carga: Como Es = 100V. 0. 1. 0.8 = 139.8V 500 = 139. 0.VD).

32 . A análise do funcionamento de um retificador de onda completa. Durante o semiciclo positivo os diodos D1 e D4 estarão conduzindo por estarem diretamente polarizados. Neste caso. Então VD = VD2 + VD3 TIP = Vp A forma da tensão na carga é mostrada abaixo.A grande vantagem da retificação de onda completa em ponte deve-se ao fato de não ser necessário utilizar dois sinais de amplitudes iguais defasados 180º entre si. Observa-se que os diodos D1 e D4 ficam em série com a carga. enquanto que D2 e D3 estarão cortados. O circuito básico é mostrado na figura abaixo. D1 e D4 conduzindo. os diodos D2 e D3 estão em série com a carga. para uma melhor compreensão. D2 e D3 cortados. Durante o semiciclo negativo os diodos D2 e D3 estarão conduzindo e D1 e D4 estarão cortados. isto significa que pode-se obter uma retificação de onda completa a partir da rede domiciliar. no chaveamento eletrônicos dos diodos. Veja nas figuras abaixo as ilustrações do que foi dito acima. baseia-se como nos casos anteriores. Então VD = VD1 + VD4 TIP = Vp D2 e D3 conduzindo. Devem ser levados em consideração os semiciclos positivo e negativo da tensão alternada a ser retificada. D1 e D4 cortados.

5 . Com isto a tensão de saída terá polaridades opostas a partir desse referencial. Seu circuito básico é mostrado na figura abaixo. Para a obtenção de um retificador simétrico necessita-se de um transformador com secundário dotado de ponto neutro (CT).1.637 EXEMPLO: Calcule a tensão e potência médias em uma carga de 500. 0.5V Vm = (70.41 = 70.2VD) . 33 . 1.022 / 500 = 3. Veja a figura abaixo. cuja tensão de entrada é 50Vrms.88W RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA SIMÉTRICO: O retificador de onda completa simétrico fornece duas tensões retificadas simétricas com polaridades opostas.02V Pm (carga) = 44.O valor retificado médio na carga pode ser calculado pela fórmula: Vm ou Vdc = (Vp . sendo muito útil quando deseja-se projetar retificadores para alimentação de amplificadores operacionais que na sua maioria necessitam de tensões positivas e negativas. Solução: valor de pico da tensão a ser retificada: 50 .637 = 44. A análise de seu funcionamento é similar a do retificador de onda completa em ponte. Note que o ponto B é o referencial e está ligado ao CT. 0.4) . em um retificador de onda completa em ponte.

637 ou ainda 34 . No instante 2. Observe na figura acima que entre os pontos A e C a tensão é positiva. evidentemente. o ponto x torna-se negativo e o ponto y positivo. Entre os pontos A e C será medida uma tensão que é a soma das tensões entre os pontos A .2V D  . visto que o ponto A é mais positivo do que o ponto C. 0. A tensão retificada média na carga pode ser calculada pela fórmula: Vm ou Vdc =   E s . Como resultado. Isto fará D2 e D3 conduzir enquanto D1 e D4 estarão cortados.B e B -C.41 . Isto fará os diodos D1 e D4 conduzirem enquanto que D2 e D3 estarão cortados. 1. devido ao referencial representado pelo ponto B. em cada carga aparecerá uma tensão retificada de onda completa de amplitudes iguais porém com polaridades opostas.637 2 ou Vm ou Vdc = [(Es1 . esta tensão estaria invertida se fosse tomada entre os pontos C e A.41) . 1.VD] . 0.No instante 1. o qual está interligado ao CT. o ponto x torna-se positivo e o ponto y negativo.

EXEMPLO: Para o circuito abaixo.46V corrente média nas cargas: Im R1 = 44.637 Vm = [(50 .05mA FORMULÁRIO AUXILIAR: Cálculo de potência: P=E. 0.46V teremos:   em R 1 + 44.41) . Solução: tensão retificada média nas cargas: Vm = [(50 .46V  em R 2 .2k  4 4 .VD] .0. 1. mesmo que as correntes não o sejam.Vm ou Vdc = [(Es2 .7] . calcule a tensão e a corrente médias em cada uma das cargas. 1.637 É importante lembrar que a simetria das tensões na saída do retificador será obtida somente se as tensões no secundário Es1 e Es2 forem iguais.VD] .44.I 35 .46V 1.41) . 0. 1. 0.637 Vm = 44.92mA Im R2 = = 37.4 6 V 5 0 0 = 88.41) .

0.P= E2 R E= I= P . sen FORMULÁRIO AUXILIAR: Cálculo de potência: P=E.R P  P = R .R P  P = R .82 Cálculo do valor eficaz de uma tensão: Vef = Vp .41 OBS: Vef = valor eficaz = Vrms Cálculo do valor de pico a pico de uma tensão (Vpp): 36 .41 OBS: Vef = valor eficaz = Vrms Cálculo do valor de pico a pico de uma tensão (Vpp): Vpp = 2Vp ou Vpp = Vef . 1.I E2 P= R E= I= P . 2.707 Cálculo do valor instantâneo de uma tensão senoidal: Vinst = Vp . 1. I2 R Cálculo do valor de pico ou valor máximo de uma tensão: Vp ou Vmax = Vef . I2 R Cálculo do valor de pico ou valor máximo de uma tensão: Vp ou Vmax = Vef .

Vpp = 2Vp ou Vpp = Vef . sen Resumo do formulário 37 .82 Cálculo do valor eficaz de uma tensão: Vef = Vp . 0. 2.707 Cálculo do valor instantâneo de uma tensão senoidal: Vinst = Vp .

c) potência na carga.EXERCÍCIOS PROPOSTOS 1 . sabe-se que a tensão Es = 225V.No circuito abaixo sabe-se que o valor instantâneo de tensão em 60º é 186V. b) corrente média na carga. c) potência nas cargas. Calcule o valor retificado médio na carga. 3 . d) qual deve ser a tensão de trabalho (TIP) dos diodos. 2 .No circuito abaixo. Calcule: a) tensão retificada média nas cargas. 38 . b) corrente nas cargas.No circuito abaixo. calcule: a) tensão retificada média na carga.

As folhas de dados (data sheet) geralmente especificam o valor de Vz para uma determinada corrente IZT.Díodo Zener O díodo zener quando polarizado inversamente (ânodo a um potencial negativo em relação ao cátodo) permite manter uma tensão constante aos seus terminais (U Z) sendo por isso muito utilizado na estabilização/regulação da tensão nos circuitos. A tensão é praticamente constante. o díodo zener apresenta um joelho muito pronunciado. ele conduz por volta de 0. O gráfico de funcionamento do zener mostra-nos que. aproximadamente igual a Vz em quase toda a região de ruptura. na ruptura (3º quadrante). Porém. diretamente polarizado (1º quadrante).7V. como um díodo comum. seguido de um aumento de corrente praticamente vertical. A utilização do díodo zener é limitada pelos seguintes parâmetros: Vz – Tensão de zener (este valor é geralmente especificado para uma determinada corrente de teste IZT) 39 .

respeitando as especificações de corrente máxima. para um diodo fictício 1NZX45. também referenciada à corrente de teste IZT para medir VZ. um aumento na corrente produz um ligeiro aumento na tensão. indica que o diodo zener tem uma tensão de 12V e uma resistência de 5 Ω para uma corrente de 20mA. com as especificações VZT = 12V. IZMax = PZM / VZ IZMax = máxima corrente de zener especificada PZM = potência especificada VZ = tensão de zener Impedância Zener ZZT Quando um diodo zener opera na região de ruptura. Isto significa que o diodo zener tem uma pequena resistência. em função da máxima potência que o mesmo pode suportar. que também é denominada impedância zener (ZZT). o díodo zener pode trabalhar dentro da zona de ruptura sem ser destruído.Izmáx – Corrente de zener máxima Izmin – Corrente de zener mínima Pz – Potência de dissipação (PZ = VZ x IZ) Desde que a potência não seja ultrapassada. Assim por exemplo. IZT = 20mA e ZZT = 5Ω. Algumas especificações do fabricante inclui-se também a corrente máxima que um diodo pode suportar. Regulação tensão Para que ocorra o efeito regulador de tensão é necessário que o diodo zener funcione dentro da região de ruptura. 40 .

haverá mais corrente no díodo zener. IZ = 0. Devemos então obter o ponto de saturação (interseção vertical). temos: VZ = 12V Analisando o gráfico. observa-se que embora a tensão VE varie entre 9V e 12V respectivamente. q1 (IZ = 0). a tensão zener ainda é aproximadamente igual a 6V.A corrente que circula por RS que é a corrente que circula pelo diodo zener é dada pela fórmula: IRS = (VE . q1 (VZ = 0). Cálculo Componentes Díodo Zener 41 . fazendo com que VZ = 0. suponha que a tensão VE varia entre 9V e 12V respectivamente.VZ) / RS Para entender como funciona a regulação de tensão. temos: I = 9/470 = 19mA q2 (VZ = 0). temos: VZ = 9V q2 (IZ = 0). Portanto embora a tensão V E tenha variado de 9 a 12V. temos: I = 12/470 = 25mA Para obter o ponto de ruptura (interseção horizontal).

individual Dê o significado de cada elemento envolvido com os semicondutores. Aceitador= Anodo= Átomos de impureza= Avalanche= Banda de condução= Banda de energia= Banda de Valência = Banda proibida= Barreira de potencial = Camada de valência= Carga espacial = Cátodo = Coeficiente de emissão Condutividade Constante= de Boltzmann Contato ôhmico= Corrente de deriva= Corrente de difusão= Corrente de Elétrons= Corrente de fuga= Corrente de lacunas= Corrente de saturação Corrente direta Densidade de corrente Densidade de elétrons Densidade de lacunas Densidade de portadores Diodo de barreira Diodo Diodo zenner Doador Dopagem 42 .Exercício em casa.

Junçao MS.Pi Polarização direta Polarização reversa Portador minoritário Polarização Portador de carga Portador majoritário Potencial de difusão Protons Junçao PN Kelvin Lacuna Tensão de barreira Tensão de ruptura Recombinação Região de depleção Tensão de barreira Tensão de ruptura Tensão térmica Resistividade Ruptura de uma ligação covalente Semicondutor Subcamada 43 .Elétron de Valencia Elétron livre Eletronvolt Equação do diodo Extrínseco Gap de energia Ge Intrínseco Is. Ligação covalente Material N Material P Nêutron Núcleo N+ Órbita P+ .

I1. Exemplo. 2 Determine Vo. Id2 para a configuração abaixo. ID1.Calcule a corrente em cada diodo dos circuitos abaixo. Exemplo3 Determine a corrente I para o circuito da fig abaixo 44 .

quando comparado com os ~75ºC dos transístores de germânio) e também porque apresenta correntes de fuga menores. O material semicondutor mais usado no fabrico de transístores é o silício. No entanto. os transístores MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”). podendo apresentar as configurações p-n-p e n-p-n . os quais são muito usados na electrónica integrada de alta densidade. e os CMOS (“complementary MOSFET”). E são mais adequados à produção em massa. isto é. “Field Effect Transistor”). os transístores FET de junção unipolar. o primeiro transístor foi fabricado em germânio. deve-se referir que. Os transístores n-p-n são os mais comuns. O transístor bipolar é formado por duas junções p-n em série. em várias 45 . No entanto. nomeadamente. convém referir os transístores de efeito de campo (FET.SEGUNDO BIMESTRE Transístor O transistor bipolar é o transistor mais importante do ponto de vista histórico e o de utilização mais corrente. os elétrons movem-se mais facilmente ao longo da estrutura cristalina o que traz vantagens significativas no processamento de sinais de alta frequência. O silício é preferível porque possibilita o funcionamento a temperaturas mais elevadas (175 ºC. Contudo. basicamente porque a mobilidade dos elétrons é muito superior à das lacunas.

é muito útil ter os dois tipos de transístores num circuito. O transístor de junção bipolar é um dos componentes mais importantes na Eletrônica.situações. tendo substituído as válvulas termo . A figura da página seguinte mostra. Dependendo da polarização de cada junções (direta ou inversa). obter uma fonte controlável. 46 . o dispositivo corresponde à sanduíche de um material do tipo n. É um dispositivo com três terminais. de forma esquemática. Existe também a estrutura complementar (npn). o transístor pode operar no modo ativo/linear. i. Num elemento com três terminais é possível usar a tensão entre dois dos terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal. Verifique e simule a polarização e funcionamento de um transístor bipolar . estar em corte ou em saturação. Este transístor é formado por duas junções p-n que partilham a região do tipo n (muito fina e não representada à escala). um transístor bipolar p-n-p.iônicas na maior parte das aplicações. entre duas regiões do tipo p. Neste aspecto.. O transístor permite a amplificação e comutação de sinais. Base (B) e Coletor (C).e. Um transístor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) é constituído por duas junções PN (junção base-emissor e junção base-coletor) de material semicondutor (silício ou germânio) e por três terminais designados por Emissor (E).

consoante as junções base-emissor e base-coletor se encontram polarizadas direta ou inversamente.Junção base-emissor polarizda diretamente e junção base coletor polarizada inversamente Saturação .Ambas as junções estão polarizadas diretamente 47 .Símbolos Transístores Zonas Funcionamento Transístores Em cada transístor bipolar existem duas junções que irão apresentar zonas de funcionamento diferentes.Ambas as junções estão polarizadas inversamente Ativa . Os transístores têm três zonas de funcionamento distintas: Corte .

A formula matemática que permite efetuar o cálculo é : Ic = I b x ß * Ic: corrente de coletor * Ib: corrente de base * ß : beta (ganho) 48 .8V VCE =0.8V = VBE =0.7V VCB < 0.7V IC = β* IB IE = IC+IB ou IE = (β+1)*IB VEB = 0. IE = 0.é o fator de multiplicação da corrente de base (Ib)ou Beta ß ou hfe do transístor.7V VBE =0.8V VCB = 0.7V VBC <0.8V VEB =0. IB = 0 VBC< 0.1V IE = IC+IB VBC 0.7V VEB =0.7V VEC =0.7V IC = 0.7V = IE = IC+IB Ganho de um transístor O ganho de um transístor. VEB < 0. IE = 0. é uma característica do transístor.NPN Zona Condições Modelo PNP Condições Modelo Corte VBE< 0.7V IC = 0.7V IB = 0 Ativa VBE =0.7V VCB < 0.7V IC = βx IB IE = IC+IB ou IE = (β+1)*IB Saturação VBE 0.1V VEB = 0.

consideramos o circuito seguinte Circulando pela malha da base: -V1 + RB * IB + VBE = 0 ou 49 . VCEO: tensão entre coletor e emissor com a base aberta.Existem algumas especificações definidas pelo fabricante: Ref ou Tipo: é o nome do transistor. N=NPN e P=PNP. Determinar Tensões e Correntes TJB (Transístor Junção Bipolar) Considerando o circuito da figura em que o transístor bipolar NPN é caracterizado por β=100 (ganho) Determinar tensões e correntes do transístor. VCER: tensão entre coletor e emissor com uma resistência no emissor. PTOT: Potência máxima que o transistor pode dissipar Ft: Frequência máxima. Considerando que o transístor está na zona ativa. Encapsulamento: Cápsula do transístor que define cada um dos terminais. Pol: polarização.

O termo "emissor comum" refere-se ao fato de que o terminal do emissor do transistor tem uma ligação "comum".7 VC=10-RC*IC ou VC=5.7 e VBC=-6. Fórmulas e simulação de funcionamento de transístor Transistor . Os circuitos emissor comum são utilizados para amplificar sinais de baixa voltagem. os outros elementos do circuito são usados para a polarização do transistor e para o acoplamento do sinal.23mA para as tensões temos: VE=0 VB=0.27µA IC=β*IB ou IC=4. para amplificação de um sinal de áudio ou vídeo 50 .IB = (V1 .Emissor Comum A montagem de um transistor em emissor comum é um estágio baseado num transistor bipolar em série com um elemento de carga.4 < 0.7)/220 IB = 42.VBE) / RB IB = (10-0. O terminal do coletor é ligado à carga da saída.7 onde VBE=0.7 Podemos concluir que o transístor se encontra na zona ativa. tipicamente a referência de 0V ou Terra. O circuito do emissor comum é constituído por uma resistência de carga RC e um transistor NPN. e o terminal da base atua como a entrada de sinal. como os sinais de rádios fracos captados por uma antena.

Ap = Ai x Av RELAÇÃO DE FASE: Ocorre uma defasamento de 18O° entre a tensão do sinal de saída e a tensão do sinal de entrada (180° = 180 graus). Ai = Is / Ie AMPLIFICAÇÃO DE TENSÃO (Av): é o quociente entre a tensão CA do sinal de saída e a tensão CA do sinal de entrada. Is = 0) e a corrente CA do sinal de saída (Is). A amplificação de corrente está compreendida entre 10 e 100 vezes.000 vezes. quando a saída esta em vazio (isto é. 51 . A amplificação de tensão está situada entre 100 e 1000 vezes. A impedância de entrada está compreendida entre 10KΩ e 100KΩ Ze=Ee / Ie IMPEDÂNCIA DE SAÍDA (Zs): É igual ao quociente entre a tensão CA do sinal de saída (Es). quando a saída está em curto-circuito (Es =0).A impedância de saída esta situada entre 10KΩe 100KΩ. A amplificação de potência está compreendida entre 1.000 e 100. Av = Es / Ee AMPLIFICAÇÃO DE POTÊNCIA (Ap): é igual ao produto entre a amplificação de corrente e a amplificação de tensão.Características de um amplificador com transístor em emissor comum: IMPEDÂNCIA DE ENTRADA (Ze): É igual ao quociente entre a tensão de entrada (Ee = tensão CA do sinal de entrada) e a corrente de entrada (Ie = corrente CA do sinal de entrada). Zs= Es (saída em vazio) / Is (saída em curto) AMPLIFICAÇÃO DE CORRENTE (Ai): é o quociente entre a corrente CA do sinal de saída e a corrente CA do sinal de entrada.

Transístor . AMPLIFICAÇÃO DE CORRENTE: de 10 a 100 vezes. Uma pequena mudança na corrente de entrada resulta em uma mudança muito maior na corrente de saída enviada à carga. Deste modo. O circuito possui um ganho de corrente típico que depende em grande parte do hFE do transistor. Características de um amplificador com transístor em coletor comum: IMPEDÂNCIA DE ENTRADA: de 100KΩ a 1MΩ . muitas vezes uma fonte de corrente ativa é utilizada em vez do RE para melhorar a linearidade ou eficiência. AMPLIFICAÇÃO DE TENSÃO: é menor do que 1. 52 . No modo classe A. Esta configuração é comumente utilizada nos estágios de saída dos amplificadores Classe B e Classe AB. o circuito base é modificado para operar o transístor no modo classe B ou AB. assumindo que a carga de saída não apresente dificuldades para ser controlada pelo transistor. um terminal de entrada com uma fraca alimentação pode ser utilizado para alimentar uma resistência menor no terminal de saída. Neste tipo de amplificador não há amplificação de tensão. significando que os sinais em CA que são inseridos na entrada serão replicados quase igualmente na saída.Coletor Comum O circuito com um transístor com coletor comum possui um ganho de tensão muito próximo da unidade. IMPEDÂNCIA DE SAÍDA: de 50Ω a 5000Ω.

RELAÇÃO DE FASE: não há desfasamento entre a tensão do sinal de saída e a tensão do sinal de entrada.000 vezes. AMPLIFICAÇÃO DE CORRENTE: é um pouco inferior à unidade (entre O.Base Comum A ligação de um transistor em base comum é uma configuração de um transístor na qual sua base é ligada ao ponto comum do circuito. Características de um amplificador com transístor em base comum: IMPEDÂNCIA DE ENTRADA: entre 10Ωe 100Ω . neste tipo de circuito não há amplificação de corrente.AMPLIFICAÇÃO DE POTÊNCIA: de 10 a 100 vezes. AMPLIFICAÇÃO DE TENSÃO: entre 500 e 5. Como exemplo temos o préamplificador de microfones.000 vezes. É utilizado para amplificadores VHF e UHF onde a baixa capacitância da saída à entrada é de importância crítica.Portanto. RELAÇÃO DE FASE: não há desfasamento entre a tensão do sinal de saída e a tensão do sinal de entrada. IMPEDÂNCIA DE SAÍDA: entre 100 KΩ e 1MΩ .99).95 e O. Esta montagem é utilizada de forma menos frequente do que as outras configurações em circuitos de baixa de baixa frequência. 53 . é utilizada para amplificadores que necessitam de uma impedância de entrada baixa. AMPLIFICAÇÃO DE POTÊNCIA: entre 100 e 1. Transistor .

54 .

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