MASTER PRO 2 EN TELECOMMUNICATIONS

DISPOSITIFS ET CIRCUITS MICRO-ONDE


INTRODUCTION AUX MICRO‐ONDES





Equipe des concepteurs :
- Olivier VIDEME










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commerciale, Partage des conditions initiales à l'identique)..
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INTRODUCTION AUX MICRO-ONDES

1) Définition
On appelle micro-onde (microwave en anglais) ou hyperfréquence la bande de
fréquences auxquelles les dimensions géométriques des objets utilisés sont de l’ordre de
grandeur de la longueur d’onde électromagnétique.
Ce sont en général des ondes électromagnétiques de longueur d’onde intermédiaire
entre l’infrarouge et les ondes de radiodiffusion.

2) Le spectre radiofréquence
Dans le spectre radiofréquence qui s’étend des fréquences extrêmement basses aux
fréquences extrêmement hautes (EHF) nous pouvons situer les micro-ondes entre les hautes
fréquences et les fréquences extrêmement hautes (EHF) qui évoluent par décade comme
l’indique le tableau 1 ci-dessous.

Ondes électromagnétiques fréquences
Extrêmement basses fréquences (ELF) 3Hz à 300Hz
Fréquences audio (VF) 0.3 à 3KHz
Très basses fréquences (VLF) 3 à 30KHz
Basses fréquences (LF) 30 à 300KHz
Fréquences moyennes (MF) 0.3 à 3MHz
Hautes fréquences (HF) 3 à 30MHz
Très hautes fréquences (VHF) 30 à 300MHz
Fréquences ultra hautes (UHF) 0.3 à 3GHz
Fréquences super hautes (SHF) 3 à 30GHz
Fréquences extrêmement hautes (EHF) 30 à 300GHz

Tableau 1 : Spectre radiofréquence et micro-onde

Les micro-ondes sont souvent réparties en gammes de fréquences correspondant à des bandes
normalisées d’utilisation de guides d’ondes comme le montre le tableau 2 ci-dessous :

Désignation Gammes de fréquences (GHz)
Bande L de 1 à 2
Bande S de 2 à 4
Bande C de 4 à 8
Bande X de 8 à 12
Bande K
u
de 12 à 18
Bande K de 18 à 26
Bande K
a
de 26 à 40
Bande Q de 30 à 50
Bande U de 40 à 60
Bande V de 46 à 56
Bande W de 56 à 100

Tableau 2 : Bandes de fréquences micro-ondes



2) Propriétés caractéristiques des micro-ondes
Les micro-ondes ont la principale propriété de pénétrer au cœur de matériaux de type
diélectriques à pertes entrainant ainsi la dissipation de l’énergie.

3) Historique
Les bases théoriques des micro-ondes sont l’œuvre de Maxwell théoricien fondateur
de l’électromagnétisme moderne qui formula dans les année 1860, les célèbres équations
connues aujourd'hui sous l’appellation « équation de Maxwell » publiées en 1873 dans son
traité sur l’électricité et le magnétisme.
En1888 Hertz fut le premier à démontrer l’existence des ondes électromagnétiques en
construisant un appareil produisant des ondes radios à une fréquence de l’ordre de 1GHz. A la
même période un groupe expérimental de chercheurs se forme « the Hertzians » et un membre
du groupe exposa sur les phénomènes électromagnétiques lors d’une conférence.
En 1897 Rayleigh démontra théoriquement la possibilité de faire propager des ondes
dans des tuyaux métalliques creux à section rectangulaire ou circulaire.
Les expériemence de Marconi dans les années 1890 montrerent qu’il était possible
d’établir une liaison entre deux points de la Terre par pe^ropagation d’onde radioélectrique en
espace libre.
Au début du 20
è
siècle, Bose a développé un détecteur semiconducteur à 60GHz, des
guides d’ondes rectangulaires, des cornets. Les radios ou télécommunications modernes
voient le jour avec les travaux de Kennelly et de Heaviside.
Durant ue bonne période le sujet disparaît. L’électronique micro-onde n’intéresse plus
personne et il faut attendre une trentaine d’années pour voir Schelkunoff et d’autres
redécouvrir et développer le sujet. Ce passage à vide est dû sans doute au succès des ondes
longues en radio qu’à la difficulté d’engendrer des ondes électromagnétiques micro-ondes.
En 1920 les premières émissions de radiodiffusion eurent lieu.
Dans les années 1939 le radar se développe rapidement avec la naissance du
magnétron tube générateur de haute puissance micro-onde.
Outre le radar, les communications par satellite ont été une étape majeure du
développement des micro-ondes et techniques associées.
Entre 1970 et 1980, l’usage de l’informatique et l’apparition des télécommunications
numériques a fait négliger les micro-ondes par d’aucuns.
Dès lors, le développement des micro-ondes fut considérable et les applications
nombreuses et importantes.


4) Evolution des technologies des circuits micro-ondes
Pendant longtemps le guide d’onde fermé (conventionnel) a fait l’objet d’une
utilisation courante en micro-onde. Actuellement la plupart des circuits de télécommunication
travaillant aux environs de 10GHz sont réalisés en technologie planaire. En bref nous disons
que la technologie des circuits micro-ondes a rapidement évolué durant la dernière décade
vers l’utilisation de circuits planaires.

4) Avantages et inconvénients de la technologie planaire
La technologie planaire consiste à graver les éléments de circuits sur un substrat
diélectrique approprié. Elle s’est développée en raison de nombreux avantages qu’elle offre :
réduction d’encombrement et de coût qui compense largement les coût de recherche et de
développement. Les circuits micro-ondes réalisés en technologie des circuits imprimés ont
cependant quelques limitations dont la plus fondamentale reste leur faible capacité de
dissipation de puissance vu la taille des dispositifs et la faible conductivité thermique des
semi-conducteurs par rapport aux métaux.

5) Applications
Les micro-ondes ne sont connues du grand public que par les fours qui ont pris place
dans les cuisines ces dernières années. Or ses applications sont aussi nombreuses que variées.
Citons entre autres
Dans l’industrie avec les télécommunications et des systèmes, tels que le radar, l’effet du
rayonnement micro-onde sur les pertes diélectriques de l’eau.
En médecine l’hyperthermie micro-onde permet le traitement des tumeurs cancereuses.
En radioastronomie avec la mise au point des radiotélescopes.
En électronique avec la réalisation des oscillateurs, amplificateurs, mélange et multiplication
de fréquences
En radiométrie avec l’évaluation des caractéristiques physiques ou naturelles de la zone
d’observation (télédétection) ; mesure des paramètres physiques divers tels que distance,
position, épaisseur, vitesse, déformation etc.
La navigation, la surveillance le guidage des armes.
Nous donnons dans le tableau 3 ci-dessous quelques applications micro-ondes en fonction de
leur bande de fréquence.

Ondes électromagnétiques Applications

Extrêmement basses fréquences (ELF)
Transport et distribution de
l'électricité ;
Electroménager


Fréquences audio (VF)
Transmission de données
vocales ;
Métallurgie ;
Chauffage par induction
Très basses fréquences (VLF) Radio-communications
Basses fréquences (LF) Radiodiffusion GO;
Fours à induction
Fréquences moyennes (MF) Radiodiffusion MO-PO;
Diathermie médicale
Hautes fréquences (HF) Soudage ;
Collage
Très hautes fréquences (VHF) Télévision ;
Radio FM


Fréquences ultra hautes (UHF)
Télévision ;
Radars ;
Téléphones mobiles ;
Fours à micro-ondes ;
Hyperthermie médicale
Fréquences super hautes (SHF) Radars ;
Alarmes anti-intrusion
Fréquences extrêmement hautes (EHF) Radars ;
Communication par satellite

Tableau 3 : Quelques applications micro-ondes et leur bande de fréquences.















MASTER PRO 2 EN TELECOMMUNICATIONS







DISPOSITIFS ET CIRCUITS MICRO-ONDE


Leçon 1 : LA DIODE A JONCTION PN





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Leçon 1 : LA DIODE A JONCTION PN


1. MISE EN CONTACT D’UN SEMI-CONDUCTEUR N AVEC UN SEMICONDUCTEUR
P : DESCRIPTION DES PHENOMENES

On considère un échantillon (barreau de monocristal) semi-conducteur dopé avec ND atomes
donneurs par cm
3
. Il est à l’équilibre à la température ordinaire (ne subit aucune excitation
électrique, lumineuse ou thermique) : il possède nno = ND électrons libres (ce sont ses
porteurs majoritaires) et pno = n
i
2
/ND trous (ses porteurs minoritaires) par cm
3
.
NB : L’indice n est utilisé pour signifier qu’on parle de l’échantillon dopé de type N, et le second indice
« zéro » pour signifier qu’on est à l ‘équilibre.

On considère d’autre part un échantillon du même monocristal semiconducteur dopé avec NA
atomes accepteurs par cm
3
, lui-aussi à l’équilibre à la température ordinaire : il possède ppo =
NA trous (qui sont ses porteurs majoritaires) et npo = ni
2
/NA électrons libres (ses porteurs
minoritaires) par cm
3
.
NB : L’indice p est utilisé pour signifier qu’on parle de l’échantillon dopé de type P.

Remarque : Dans chaque échantillon à l’équilibre, la loi d’action de masse s’applique et
permet, connaissant le nombre des porteurs majoritaires (apportés principalement par le
dopage), de calculer le nombre des porteurs minoritaires :
nno pno = ni
2
dans le barreau de type N
ppo npo = ni
2
dans le barreau de type P
ni (nombre de paires créées par cm
3
) étant connu pour le semi-conducteur considéré à une
température donnée.

La neutralité électrique est vérifiée dans chaque échantillon, non seulement de façon
globale, mais aussi de façon locale (c’est-à-dire dans n’importe quel petit élément de
volume).

Réalisons une jonction PN, c’est-à-dire : mettons les deux échantillons en contact parfait (on
entend par- là que ce contact permet aux porteurs de passer librement d’un barreau
monocristallin à l’autre). On admettra que la surface de contact entre les deux barreaux est
un plan, qu’on appellera plan de jonction. Comme il y a très peu d’électrons libres dans le
barreau P, les électrons libres du barreau N vont diffuser dans le barreau P. De même,
comme il y a très peu de trous dans le barreau N, les trous du barreau P vont diffuser dans
le barreau N.

Les porteurs qui changent de barreau perdent leur qualité de majoritaire. En franchissant le
plan de jonction pour entrer dans le barreau P, les électrons libres deviennent des porteurs
minoritaires. Par conséquent, dans une région du barreau P voisine du plan de jonction, les
électrons libres minoritaires sont en nombre excédentaire. Les électrons libres en excès
vont, on le sait, se recombiner avec des trous. Dans ce processus, l’électron libre et le trou
disparaissent tous les deux. L’invasion du barreau P par les électrons libres diffusant depuis
le barreau N (on dit plutôt : l’injection des électrons libres dans le barreau P) a pour
conséquence de faire disparaître un certain nombre de trous du barreau P dans la région
voisine du plan de jonction. La neutralité électrique est donc détruite dans cette région où,
avant l’injection, on avait :

somme des charges positives ppo = somme des charges négatives NA + npo

Après l’injection des électrons libres qui diffusent et leur recombinaison, on a, dans cette
région, un déficit de charges positives. On dit que la charge volumique (en coulomb par cm
3
)
est négative dans la région du barreau P qui est voisine du plan de jonction.

De la même façon, en franchissant le plan de jonction pour entrer dans le barreau N, les
trous deviennent des porteurs minoritaires. Par conséquent, dans une région du barreau N
voisine du plan de jonction, les trous minoritaires sont en nombre excédentaire. Les trous en
excès vont se recombiner avec des électrons libres (très nombreux du côté N). Dans ce
processus, l’électron libre et le trou disparaissent tous les deux. L’injection des trous dans le
barreau N a pour conséquence de faire disparaître un certain nombre d’électrons libres du
barreau N dans la région voisine du plan de jonction. La neutralité électrique est donc
détruite dans cette région où, avant l’injection, on avait :

somme des charges négatives nno = somme des charges positives ND + pno

Après l’injection des trous qui diffusent et leur recombinaison, on a, dans cette région, un
déficit de charges négatives.
On dit que la charge volumique (en coulomb par cm
3
) est positive dans la région du barreau
N qui est voisine du plan de jonction.

Cette distribution de charges (positives du côté N, négatives du côté P) est à l’origine du
champ électrique E qui règne au voisinage du plan de jonction. La région entourant le plan
de jonction est appelée zone de transition (en abrégé : ZT).

Un équilibre est atteint lorsque ce champ électrique est assez fort pour « contenir » la
diffusion (le champ, dirigé des charges + vers les charges -, c’est-à-dire de N vers P,
s’oppose au déplacement des porteurs qui diffusent).

Dans la jonction, le potentiel électrique V est plus élevé du côté N (où la densité de charge
d’espace est positive) que du côté P (où la densité de charge d’espace est négative). A ce
saut de potentiel correspond une variation de l’énergie potentielle W des porteurs. On parle à
ce propos de la barrière de potentiel qui, lorsque le nouvel équilibre est atteint, s’oppose à la
diffusion des porteurs.






CHAMP ELECTRIQUE DU AUX
CHARGES FIXES DECOUVERTES :
• Le cristal P, appauvri en trous,
s’est chargé négativement,
• Le cristal N, appauvri en
électrons, s’est chargé
positivement







Figure 1 : Un champ électrique E règne dans la ZT d’une jonction PN : il est toujours dirigé
de N vers P

2. CALCUL DE LA TENSION DE DIFFUSION D’UNE JONCTION

On peut calculer la valeur du saut de potentiel, appelé généralement tension de diffusion et
désigné par VD en écrivant que le courant dû aux électrons libres qui traversent la jonction
est nul. Ce courant peut être considéré comme la somme :
• d’un courant de diffusion jdn véhiculé par les électrons qui diffusent de N vers P ;
• d’un courant de conduction jn dont le champ électrique E est responsable
j
ntotal
= 0 = jdn + jn
soit encore :
E qn
dx
dn
qD
n n
µ + · 0

il vient :
nE
KT
q
dx
dn
− ·


On intègre les deux membres de l’équation précédente entre les limites –xp et xn de la zone
de transition, l’origine des x étant prise au plan de jonction :

∫ ∫
− −
− ·
n
p
n
p
x
x
x
x
Edx
KT
q
dx
dx
dn
n
1

[ ] ) ( ) ( ]) [ ln( ]) [ ln(
p n p n
x V x V
KT
q
x n x n − − · − −

D
A
i
D
V
N
n
N
q
KT
·
]
]
]
]
]
]

2
ln


]
]
]

·
2
ln
i
D A
D
n
N N
q
KT
V
(1)

La tension de diffusion (ainsi nommée parce qu’elle s’oppose à la diffusion des porteurs)
dépend des dopages N et P, et aussi de la température.

3. MODELE DE SHOCKLEY POUR LA BARRIERE DE POTENTIEL
3.1 Expression du champ électrique E

L’équation de POISSON, relie le nombre volumique de charges C(x) au champ :
ε
) ( x C
dx
dE
·
(2)

ε = permittivité diélectrique du semi-conducteur =
r
ε ε
0

0
ε = permittivité diélectrique du vide;
r
ε = constante diélectrique du semi-conducteur.

On intègre l’équation de POISSON en faisant l’hypothèse que la ZT est vide de porteurs.

La figure 2 montre la répartition des charges : les aires rectangulaires sont égales par raison
de neutralité, et la ZT s’étend davantage dans la région la moins dopée.

NA xp = ND xn (3)

Intégrons séparément dans les deux régions de la zone de transition :
Dans la ZT côté P (-X
p
<X<0) : dans la ZT côté N (0<X<X
n
):
C(x) = - qNA (4) C(x) = +qND (4b i s )
dE/dx = - q NA / ε dE/dx = + q ND/ ε
E(x) = (- qNA / ε ) x + C1 E(x) = (+ qND/ ε ) x + C2
Condition limite E(-xp) = 0 Condition limite E(xn) = 0
(champ nul dans les régions neutres)
d’où :
(5)
( )
p
A
x x
qN
x E + − ·
ε
) (

( )
n
D
x x
qN
x E − ·
ε
) (
(5
bis
)
La figure 3 montre la variation du champ électrique, qui est maximum en x=0, c’est-à-dire
dans le plan de jonction, où il prend la même valeur du côté P et du côté N :

EM = -qNAxp / ε = -qNDxn / ε (6)
(on retrouve l’équation 3).

3.2 Relation entre la hauteur de barrière et l’épaisseur de la ZT.

Ecrivons que la différence de potentiel existant entre les limites de la ZT est la tension de
diffusion VD (cf : figure 4) :
∫ ∫ ∫
− −
− − · − · − − ·
n
p p
n
x
x x
x
p n D
dx x E dx x E dx x E x V x V V
0
0
) ( ) ( ) ( ) ( ) (

VD = (q/2 ε )(NA xp
2
+ ND xn
2
)

- relation entre VD et xp :

ND xn
2
= (ND xn )
2
/ ND = (NA xp )
2
/ ND compte tenu de (3)

d’où : VD = (q xp
2
NA
2
/ 2 ε )[ (1/NA) + (1/ND) ] (6.a)
Il vient :
D
D A
D A
A
p
V
N N
N N
q N
x
+
·
ε 2 1
(6.b)

- relation entre VD et xn :

de même, en remplaçant NA
2
xp
2
par ND
2
xn
2
dans (6.a) :

D
D A
D A
D
n
V
N N
N N
q N
x
+
·
ε 2 1
(6.c)








Figure 2 : Répartition de la charge volumique (modèle de la jonction abrupte)

Figure 3 : Variation du champ électrique dans la ZT d’une jonction PN

Figure 4 : Variation du potentiel dans la ZT d’une jonction PN

D’où l’épaisseur totale de la ZT :
w
o
= x
n
+ x
p
= D
D A
V
N N q

,
`

.
|
+
1 1 2ε
(7)

En pratique une jonction PN est dissymétrique avec, par exemple, NA >> ND.
Dans ce cas, d’après (3) xp<<xn, et l’expression (7) se simplifie :

w
o
= x
n
= D
D
V
N q
1 2ε


Relation entre EM, VD et wo :

V
D
= ∫

n
p
x
x
dx x E ) (
= - (aire du triangle de champ) =
2
0 M
E w


2
0 M
D
E w
V ·

(8)

4. LA JONCTION PN EN TANT QUE DIODE
La propriété essentielle d’une jonction PN est de permettre le passage du courant électrique
dans un sens et pas dans l’autre : la jonction PN est une diode.

En polarisation inverse, c’est-à-dire lorsque le pôle + de la source de tension est connecté au
côté N de la jonction, les trous du côté P et les électrons libres du côté N sont écartés du
plan de jonction. Par suite, la zone de transition s’élargit : la région de charge d’espace
négative s’étend davantage dans la région P et la région de charge d’espace positive s’étend
davantage dans la région N. Le champ électrique régnant dans la zone de transition est
renforcé, et il fait circuler à travers la jonction des courants de conduction qui, tout en restant
très faibles, sont plus importants qu’en l’absence de tension appliquée. Un premier courant
est véhiculé par des électrons libres (minoritaires) provenant du côté P, et un second courant
par des trous (minoritaires) provenant du côté N. Ces courants de conduction sont plus
grands que les courants de diffusion qu.ils annulaient exactement en l’absence de tension
appliquée. Un courant résultant non nul (mais très faible) circule à travers la jonction : c’est le
courant de saturation inverse.

La polarisation est directe lorsque le pôle + de la source de tension est connecté au côté P
de la jonction. Dans ce cas, et si l’on admet que la tension appliquée se retrouve
intégralement appliquée aux limites de la zone de transition, le saut de potentiel est plus petit
qu’en l’absence de polarisation. Le champ électrique correspondant est plus faible, et les
courants de conduction sont moins grands. De ce fait, ils n’équilibrent plus les courants de
diffusion. Ces courants de diffusion de trous et d’électrons libres, qui peuvent être
relativement importants, sont les composantes du courant direct traversant la diode.

5. LE SCHEMA DES BANDES DANS LE CAS D’UNE JONCTION PN
5.1 Avant la mise en contact (figure 5)

Dans le semi-conducteur de type P, le niveau de Fermi est dans la moitié inférieure du gap,
alors qu’il est dans la moitié supérieure du gap pour le semi-conducteur de type N.

5.2 Une fois le contact réalisé

L’unicité du niveau de Fermi est une propriété générale des solides en contact parfait. Le
schéma des bandes pour la jonction PN à l’équilibre, non polarisée, est donc caractérisé par
un niveau EF unique qui sert de référence pour le dispositif.
La zone de transition qui entoure le plan de jonction est une zone « perturbée » pour ce qui
concerne le schéma des bandes, mais pour x < -xp du côté P et pour x > xn du côté N on
retrouve le schéma « normal », avec des bandes plates (figure 6).
Du fait de l’alignement des deux niveaux de Fermi initiaux, l’ensemble de la structure des
bandes du côté P se trouve décalée vers les énergies plus grandes par rapport à la structure
des bandes du côté N.
Ainsi, le niveau inférieur ECP de la bande de conduction du côté P est décalé vers le haut de
la quantité d’énergie +qVD par rapport au niveau inférieur ECN de la bande de conduction du
côté N.
Ceci veut dire qu’un électron libre qui se trouve du côté N et qui possède l’énergie ECN est
retenu du côté N par une barrière d’énergie potentielle de hauteur +qVD. La situation est
analogue pour un trou qui se trouve du côté P et qui possède l’énergie EVP : il est retenu du
côté P par la même barrière d’énergie potentielle de hauteur +qVD.
La figure 7 représente la variation du potentiel électrique, ainsi que la variation de l’énergie
potentielle des électrons et celle des trous dans une jonction PN à l’équilibre non polarisée.

5.3 Effet d’une polarisation "directe"

En appliquant une tension comme indiqué sur la figure 8 (côté N au - ) , on augmente
l’énergie potentielle des électrons du côté N, par rapport au côté P, de la quantité qVF , la
barrière d’énergie potentielle diminue (figure 9) : elle passe de qVD à q(VD-VF) . La diffusion
des porteurs à travers le plan de jonction s’en trouve facilitée : le circuit sera parcouru par un
courant d’intensité IF (courant direct). Le champ dans la ZT sera moins élevé, et l’épaisseur
de la ZT sera plus faible (figure 11) :
( )
F D
D A
V V
N N q
w −

,
`

.
|
+ ·
1 1 2
"
ε
(9)
w" = x"p + x"n < wo

Lorsque la jonction est polarisée en direct, la relation (8) est remplacée par :
VD - VF = w" (- E"M) / 2


Figure 5 : Schéma des bandes avant le contact

Figure 6 : schéma des bandes pour la jonction PN non polarisée

Figure 7 : Jonction PN non polarisée (a) le côté N de la jonction est à un potentiel plus élevé que le
côté P (b) l’énergie potentielle Wn des électrons est plus faible du côté N (c) l’énergie potentielle des
trous Wp est plus faible du côté P.

La valeur maximum du champ électrique interne est alors (comme en 6) :
E"M = - q ND x"n / ε

5.4 Effet d’une polarisation "inverse"

L’énergie potentielle des électrons du côté N est diminuée, par rapport à sa valeur du côté P,
de la quantité qVR.

La hauteur de la barrière d’énergie potentielle est augmentée (figure 10) : elle
passe de qVD à q(VD+VR ).

La diffusion des porteurs à travers le plan de jonction est entravée.
Le champ électrique dans la ZT est plus élevé (figure 11). Seul, un courant de conduction
traverse la ZT, autorisant la circulation dans le circuit d’un courant (dit courant inverse) de
très faible intensité IR.
L’épaisseur de la ZT est plus grande (figure 11) :
( )
R D
D A
V V
N N q
w +

,
`

.
|
+ ·
1 1 2
'
ε
(10)
w’ = x’
p
+ x’
n
> w
o

De la même façon qu’en (7), on a :
2
) ( '
'
M
R D
E w
V V

· +

(11)
La valeur maximum du champ électrique interne est alors (comme en 6) :
E’M = -q ND x’n / ε


Figure 8 : Polarisation directe


Figure 9 : Effet de la polarisation directe sur la barrière
(a) la ddp interne est abaissée de VF
(b) la barrière d’énergie potentielle vue par les électrons du côté N est abaissée de qVF
(c) la barrière d’énergie potentielle vue par les trous du côté P est abaissée de qVF



Figure 10 : Effet de la polarisation inverse sur la barrière
(a) la ddp interne est augmentée de VR
(b) la barrière d’énergie potentielle vue par les électrons du côté N est augmentée de qVR
(c) la barrière d’énergie potentielle vue par les trous du côté P est augmentée de qVR.


JONCTION PN
NON POLARISEE POLARISEE EN DIRECT POLARISEE EN
INVERSE
EPAISSEUR DE
LA ZT
wo = x
p
+ x
n

(wo = x
n
si NA >>
ND)
D
D A
o
V
N N q
w

,
`

.
|
+ ·
1 1 2ε

w = x
p
+ x
n

(w = x
n
si NA >> ND)
( )
F D
D A
V V
N N q
w −

,
`

.
|
+ ·
1 1 2
"
ε

w’ = x’
p
+ x’
n

(w’ = x’
n
si NA >> ND)
( )
R D
D A
V V
N N q
w +

,
`

.
|
+ ·
1 1 2
'
ε

BARRIERE DE
POTENTIEL
]
]
]

·
2
ln
i
D A
D
n
N N
q
KT
V

(tension de diffusion)
VD - VF
(VF = tension appliquée)
VD + VR
(-VR = tension
appliquée)
CHAMP
MAXIMUM
Emax = E(0)
= -q NA xp / ε
= -q ND xn / ε
E"max = -q NA x"p / ε
= -q ND x"n / ε
E’max = -q NA x’p / ε
= -q ND x’n / ε
AIRE DU
TRIANGLE DE
CHAMP

2
max
E w
V
o
D
·

2
"
max
"
E w
V V
F D
· −


2
'
'
max
E w
V V
R D
· +


Figure 11 : Répartition des charges, variation du potentiel et du champ électrique dans la ZT d’une
jonction PN.

6. CARACTERISTIQUE ELECTRIQUE DE LA JONCTION
6.1. Description
Si l'on applique une tension U à la jonction, cette tension se reporte presque
entièrement à la zone de déplétion qui présente une résistivité très grande vu la
quasi-absence de charges mobiles. Une tension U négative (voir figure 12) renforce
le champ de rétention de la diffusion et augmente, par conséquent, la hauteur de la
barrière de potentiel, de telle sorte qu'aucune charge libre ne traverse la zone de
charge spatiale.

Figure 12: polarisation de la jonction
Au contraire, si l'on applique une tension U positive (voir figure 12), le champ
électrique de rétention de la diffusion est diminué et les charges mobiles qui ont une
énergie supérieure à celle que représente la hauteur de la barrière de potentiel
peuvent traverser la zone de charge spatiale.
Il est utile, ici, de se rappeler que l'énergie moyenne des charges mobiles est liée à
la notion de température et qu'à température donnée, cette énergie est constante.
6.2. Définitions
L'application d'une tension qui diminue la hauteur de la barrière de potentiel par
rapport à l'équilibre est appelée polarisation directe par opposition à la polarisation
inverse qui augmente la hauteur de la barrière de potentiel par rapport à l'équilibre.
6.3. Propriété
Une polarisation directe permet le passage d'un courant électrique dans la jonction
alors qu'une polarisation inverse l'empêche. Cette propriété est traduite par les
relations:
(12)
(13)
soit
(14)

(15)
dont la dérivation sort du cadre de cette étude. La loi exprimée par la relation (14) est
représentée à la figure 13.
6.4. Définitions
Le courant I
s
est appelé courant inverse de saturation; c'est la valeur asymptotique
du courant I en polarisation inverse.
On appelle tension thermodynamique la tension U
T
qui vaut
(16)
où k est la constante de Boltzmann, T la température absolue et e la charge de
l'électron. A 25°C, U
T
= 25mV.
Le facteur n est appelé coefficient d'émission. Il est voisin de 1 dans les jonctions de
transistors au Si et dans les diodes au Ge. Il est compris entre 1 et 2 dans le cas de
diodes au Si.

Figure 13: caractéristique de la jonction

6.5. Commentaires
Le courant inverse de saturation des jonctions au Silicium est de l'ordre de grandeur
de 10
-12
à 10
-15
A de telle sorte qu'on peut généralement le considérer comme nul en
polarisation inverse.

Dans les cas pratiques, U >> nU
T
, la relation (14) peut se mettre sous la forme
approchée :
(17)

La représentation semi-logarithmique de la figure 14 fait apparaître l'erreur commise
en utilisant la relation (17) plutôt que (14).
A courant constant, la tension à la jonction décroît de 2 mV pour une augmentation
de température de 1°C (voir figure 13). On appelle coefficient de température la
grandeur γθ qui rend compte de ce phénomène :
(18)
où γθ = -2 mV / °C.
7. CAPACITE DE TRANSITION
7.1. Introduction
La largeur de la zone de déplétion dépend de la hauteur de la barrière de potentiel
et, par conséquent, de la tension appliquée. Or, pour varier les dimensions de cette
zone, on doit introduire ou retirer des charges mobiles qui neutralisent les charges
fixes des atomes ionisés. Dans la description de la jonction en régime dynamique, on
traduit ce comportement capacitif par la notion de capacité de transition.
7.2. Assertion
La largeur l de la zone de déplétion suit la loi:

(19)
dans laquelle le paramètre m est compris entre 1/3, pour une jonction progressive
linéaire, et 1/2, pour une jonction abrupte.
7.3. Définition
Soit Q
T
la charge de la zone de déplétion dans la région neutre n. Un accroissement
dU
B
de la hauteur de la barrière de potentiel, égal à l'accroissement dU de tension
appliqué à la jonction, provoque un accroissement dQ
T
de la charge Q
T
(voir figure
15).

Figure 15: capacité de transition

On appelle capacité de transition la capacité différentielle définie par la relation:
(20)
7.4. Description
Comme pour tout condensateur plan, la capacité de transition se calcule d'après la
relation:
(21)
où ε est la permittivité du semi-conducteur, A la section de la jonction et l la largeur
de la zone de déplétion.
Comme la largeur de la zone de déplétion dépend de la tension U appliquée (20), la
capacité de transition varie également en fonction de U selon la relation:
(22)
où C
T0
est la capacité de transition à tension nulle; elle a pour expression :
(23)
A la figure 16, on a représenté l'allure de la capacité de transition en fonction de la
tension appliquée à la jonction.

Figure 16: allure de la capacité de transition

7.5. Remarque
Dans les diodes dites VARICAP, on utilise la propriété de variation de la capacité de
transition en fonction de la tension moyenne appliquée. On a recours à de tels
éléments en radio, par exemple, pour réaliser des circuits oscillants dont la
fréquence de résonance est réglée au moyen d'une tension.
8. DIODES SPECIALES
8.1. Diode PIN

La figure 17 montre la structure schématisée d’une diode PIN réalisée en technologie mesa.
C’est une jonction PN ayant une zone intrinsèque (zone I) entre les couches P et N : en
pratique, cette zone est une zone à haute résistivité de type P (zone p) ou de type N (zone
?), de telle sorte que l’on a une diode PpN ou P?N.

Figure 17 – Structure d’une diode PIN
Cette structure est identique à celle des PIN utilisées en électronique de puissance en tant
que redresseurs (bonne tenue en tension) ; cependant, la propriété que l’on exploite en
hyperfréquence est totalement différente.
Par rapport à la diode P
+
N, la diode PIN possède une région centrale (W
I
) où le champ
électrique est constant. En l'absence de polarisation le champ électrique est trapézoïdal. La
hauteur de la barrière de potentiel est plus grande que dans une diode PIN (Figure 18).
W
i


Figure 18 – Répartition de la charge volumique et variation du champ électrique

La région intrinsèque, lorsque la diode est polarisée en direct, présente une résistance R
i

égale à :

R
i
= K I
d
–x

Avec x ˜ 0,9 et K un coefficient de proportionnalité.
En polarisation inverse la zone W
I
est désertée, la capacité de la jonction reste constante et
est égale à :
d
S
C
ε
·

Avec :
ε = permittivité électrique du diélectrique W
i
.
S = surface de la jonction.
d = épaisseur de la zone I.

Le schéma équivalent HF de la diode PIN est donc celui de la figure 19, où en polarisation
inverse R
i
= ∞ et en polarisation directe le condensateur C est court-circuité par une
résistance de faible valeur. La résistance R
s
est liée aux résistances de contact et de
substrat, l’inductance L
s
est due au boîtier et aux fils de connexion.


Figure 19 – Schéma équivalent d’une diode PIN

Utilisations de la diode PIN.
• Redresseurs de puissance en BF. La structure PIN peut tenir des tensions inverses
très grandes (10 kV) et la chute de tension en direct est de l'ordre du volt pour des
courants de 100 A/cm
2
.
• Applications hyperfréquences.
1. interrupteurs :
on utilise 2 propriétés de la structure : la capacité de la diode varie peu en
fonction de la tension appliquée; la résistance de la diode peut être 10000 fois
plus grande en inverse qu'en direct. on insère la structure sur le chemin de
propagation de l'onde hyperfréquence, en polarisation inverse le signal passe,
en polarisation directe il est réfléchi.
2. modulateurs, atténuateurs variables :
on utilise la variation de la résistance en fonction du courant direct, la
structure étant toujours insérée dans le chemin de propagation de l'onde
hyper.

Figure 20 – Atténuateur à diode PIN

8.2. Diode Tunnel

La diode tunnel ou diode Leo Esaki (scientifique japonais) est obtenue à partir d'une
couche P dégénérée (N
A
> 10
19
cm
-3
) et d'une couche N dégénérée (N
D
> 10
19
cm
-3
).
L'effet tunnel est une conséquence de la mécanique quantique. Son principe repose sur la
probabilité non nulle pour un électron en mouvement de franchir une barrière de potentiel
d’énergie supérieure à son énergie cinétique.
Cet effet est obtenu avec une jonction créée avec des semi-conducteurs fortement dopés. La
conséquence s’apparente à un effet d’avalanche en direct. Le courant qui augmente
rapidement puis décroît et reprend sa croissance exponentielle (comme pour une diode
classique).
Il en résulte la caractéristique représentée à la Figure 21. La portion où le courant décroît en
fonction de la tension est la partie utile (entre la tension de pic V
p
et la tension de vallée V
v
).
On y observe une conductance négative, linéarisée autour du point de repos (V
r
, I
r
).
L’utilisation de la zone autour de ce point nécessite une polarisation particulière qui permet
de travailler en variations.











Figure 21 : Caractéristique de la diode tunnel. Figure 22 : Symbole de la diode tunnel.

Cette résistance (ou conductance) dynamique est mise à profit dans les oscillateurs haute-
fréquence pour compenser la résistance d’un circuit LC due aux imperfections des éléments.

8.3. Diode Gunn
8.3.1. Introduction
Gunn a observé en 1963 que des oscillations de courant se produisaient dans un barreau de
GaAs de quelques dizaines de micromètres lorsqu’on le soumettait à des impulsions de
tension de grande amplitude et que ce système constituait un générateur hyperfréquence
dans la gamme du gigahertz.

La diode Gunn (Figure 23 - il ne s'agit pas à proprement parler d'une diode, mais bien d'un
barreau de semi-conducteur à deux accès), permet de construire des oscillateurs
hyperfréquences petits, légers et bon marché, et a permis aux hyperfréquences de se
répandre dans le publique (radars Doppler).

La diode GUNN (Figure 23) est basée sur le fait que dans certains semi-conducteurs la
caractéristique de vitesse de dérive des électrons en fonction du champ électrique présente
une effet de MOBILITE DIFFERENTIELLE NEGATIVE suite au transfert des électrons d’une
vallée à haute mobilité vers des vallées satellites à faible mobilité. Ce composant, présentant
cet effet de volume, appartient à la famille des dispositifs à transfert d’électrons.


Figure 23 : Diode gunn


8.3.2. Principe de fonctionnement
La diode Gunn fait partie de la famille des "TED" (Transfered Electronic Devices); elle utilise
en effet la mobilité différentielle négative des électrons dans le GaAs (Arsenure de Gallium).
Cette mobilité différentielle est causée par le transfert d'électrons d'une bande d'énergie à
haute mobilité à une bande d'énergie à basse mobilité (voir Figure 24).

Figure 24 : mobilité des porteurs dans le Si et le GaAs

Dans un barreau de GaAs polarisé dans la région de mobilité différentielle négative (voir
Figure 24), des charges de polarité identiques s'attirent et s'accumulent exponentiellement.
Toute une série de modes peuvent apparaître dans une diode Gunn;

Il existe quatre modes de fonctionnement en régime grand signal qui sont fonction des
paramètres du dispositif et des conditions électriques opératoires.





- Fréquence de résonance RLC fixée telle que :
f = 1/T
t
= f
t

- Amplitude champ variable toujours > ξ
p





Figure 25 : Oscillateur à diode Gunn

1. Mode à temps de transit
Ce mode correspond à l’extension grand signal :
l f = f
t

l rendement faible ~quelques pourcentage
2. Mode à domaine retardé : T > T
t

Dans ce mode, l’extension sinusoïdale peut descendre sous ξ
p
. On a ici :
l f < f
t

l rendement jusque 20 %
3. Mode à domaine étouffé : f
t
< f < f
d
(=1/t
d
)
Ici, la fréquence est supérieure à la fréquence de transit et pendant une partie de
l’alternance, le domaine s’effondre avant d’atteindre l’anode (peu utilisé...).
4. Mode LSA (Limited Space Charge Accumulation) :
On utilise une fréquence d’accord telle que les domaines n’ont plus le temps de se
former. La diode se comporte comme une IMPEDANCE A PARTIE REELLE
NEGATIVE pendant la majeure partie du cycle et le champ électrique est quasi-
uniforme.

1/t
d
= f = 1/ t
0
avec t
0
= ε /(qN
D µ 0
) - (constante de temps diélectrique à faibles
champs) (70 GHz : GaAs).
En effet, si la période d’excitation sinusoïdale devient plus faible que t
0
, le
porteurs n’ont plus le temps de transiter d’une vallée à une.


8.4. Diode IMPATT
La diode IMPATT (Figure 26 - IMPact ionization Avalanche Transit-Time) est une diode de
puissance utilisée comme composant électronique hautes fréquences et micro-onde.
Cette diode utilisée pour des fréquences allant de 3 à 100 GHz. Ces diodes sont utilisées
dans plusieurs applications des radars faible puissance aux alarmes. Leur inconvénient
majeur est qu’ils génèrent des bruits de phase d’un niveau non négligeable. Ce résultat
provient de la nature statistique de la procédure d’avalanche. Ces diodes sont d’excellents
générateurs micro-ondes pour plusieurs applications.


Figure 26 : Diode Impatt

8.5. Diode BARITT

C’est une diode qui nécessite une faible puissance d’alimentation et qui trouve son
application dans les oscillateurs locaux pour un système de communication et pour récepteur
radar.














MASTER PRO 2 EN TELECOMMUNICATIONS







DISPOSITIFS ET CIRCUITS MICRO-ONDE


Leçon 2 :   LE TRANSISTOR MESFET





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Leçon 2 : LE TRANSISTOR MESFET

I. INTRODUCTION

Ces dernières décennies, le développement de la téléphonie mobile a conduit
à un essor très important du secteur des télécommunications. Le téléphone portable
est devenu un outil de communication de plus en plus performant offrant de plus en
plus de fonctionnalités (texto, email, photo,...). Le besoin croissant de transmettre
des données et d'accéder à un volume important d'informations pour les hommes, où
qu'ils soient, a donné lieu à une réflexion sur de nouveaux systèmes et normes de
transmission. Ce développement spectaculaire a conduit à une recherche de
technologies robustes et fiables que ce soit pour la fabrication des composants, les
techniques de codage. Au niveau des composants, ces évolutions ont orienté les
recherches vers de nouveaux choix technologiques, entraînant une montée en
fréquence et autorisant des densités de puissance plus importantes.

L'industrie des technologies hyperfréquence travaille depuis de nombreuses
années avec le transistor MESFET (MEtal Semi Conductor Field Effect Tranistor).
Celui-ci était jusqu'à présent réalisé principalement en Arséniure de Gallium. Le
Silicium comme l'Arséniure de Gallium et d'autres matériaux sont utilisés beaucoup
trop près de leurs limites physiques, en particulier au niveau de la densité de
puissance fournie. Les semi-conducteurs grands gaps ont alors suscité un intérêt
important. Les propriétés physiques et électriques, que leur confère leur largeur de
bande interdite, sont très intéressantes pour un grand nombre d'applications de
fortes puissances et à très hautes températures.

II. PROPRIETES PHYSIQUES DU CARBURE DE SILICIUM

Le Carbure de Silicium (SiC) fut reconnu dès le début des années 1960 pour ses
qualités (champ électrique, vitesse de saturation et conductivité thermique). C'est un
semi-conducteur à grande largeur de bande interdite ayant un gap compris entre 2.2
et 3.3eV selon son polytype (6H ou 4H). De plus, le SiC a un champ de claquage huit
fois plus élevé et une conductivité thermique trois fois plus élevée que le Silicium, ce
qui permet de fabriquer des composants pouvant supporter des tensions
importantes ; ainsi le Carbure de Silicium présente des caractéristiques physiques
très intéressantes pour des applications à hautes températures et à fortes
puissances.

Le Tableau II-1 présente les principales propriétés du Silicium (Si), de l'Arséniure
de gallium (AsGa), de Nitrure de Gallium (GaN) et du Carbure de Silicium (SiC) pour
une densité de donneurs Nd de 10
17
atomes/cm
3
.

Tableau II-1 : Comparaison des propriétés du Si, de l'AsGa, du GaN et du SiC

Gap Eg (eV) Champ de
claquage
(MV.cm
-1
)
Mobilité
électronique µ
n

(cm
2
.V
-1
.s
-1
)
Vitesse de
saturation
(cm.s
-1
)
Conductivité
Thermique
(W.cm
-1
.K
-1
)
Si 1.12 0.25 800 1x10
7
1.5
AsGa 1.43 0.4 4900 1x10
7
0.54
GaN 3.4 3 1000 1.5x10
7
1.3
SiC 3.3 2.2 560 2x10
7
3.7

Les paramètres électroniques qui présentent le plus d'intérêt sont les
caractéristiques de transport de charges (trous et électrons). Dans le domaine des
faibles champs électriques, les porteurs libres sont en équilibre thermodynamique
avec le réseau et leur vitesse moyenne est proportionnelle au champ électrique.

En d'autres termes, la mobilité des porteurs est indépendante du champ
électrique et la vitesse de dérive s'écrit simplement :
E V
r r
0
µ t ·

Avec :
* 0
m

µ ·

τ : temps de relaxation et m* : masse effective.

La vitesse de dérive des porteurs présente une valeur maximale V
sat
obtenue
pour une valeur critique du champ électrique notée E
c
. La valeur du champ
électrique, pour laquelle se produit la saturation de la vitesse de dérive, est très
importante puisqu'elle traduit les phénomènes d'accélération des porteurs jusqu'au
régime de saturation. La vitesse de saturation pour les semi -conducteurs à grand
gap est considérablement plus élevée que celle du silicium ou de l'arséniure de
gallium. Ce qui permet d'obtenir de forts courants DC et RF pour les transistors
MESFETs SiC.

Lorsque le champ électrique devient important, les interactions des porteurs avec
les vibrations du réseau entraînent une diminution de la mobilité des porteurs. Cette
diminution de la mobilité se traduit par une variation non linéaire de la vitesse de
dérive des porteurs :
E E V
r r
) ( µ t ·

Avec :
sat
V
E
E
+
·
1
) (
0
µ
µ


La mobilité des électrons (µ
n
) et des trous (µ
p
) sont des paramètres physiques
prépondérants pour les dispositifs microondes. En particulier, ils influent sur les
performances RF, la transconductance (G
m
) et le gain en puissance des transistors
MESFETs de puissance.

Le champ électrique critique et la conductivité thermique sont les paramètres
physiques d'un semi-conducteur qui fixent les performances en termes de puissance
maximum d'un composant actif. De plus, le champ électrique d'avalanche fixe la
limite fondamentale de fonctionnement d'un composant de puissance.

Le Carbure de Silicium, de part sa grande largeur de bande interdite, présente un
fort champ électrique d'avalanche de l'ordre de 2.106 V/cm. Avec un tel champ de
claquage, il devient alors possible d'appliquer aux transistors MESFETs SiC de fortes
tensions de polarisation de drain, ce qui permet d'obtenir des puissances RF élevées
en sortie.

La caractéristique de vitesse des porteurs en fonction du champ électrique (figure
I-7) est fondamentale pour déterminer l'amplitude du courant qui peut circuler dans
un composant. En principe, on souhaite une forte mobilité associée à une forte
vitesse de saturation.


Figure I-7 : Caractéristique de la vitesse des électrons en fonction du champ
électrique pour plusieurs semi-conducteurs avec N
d
= 1017 atomes/cm
3


Les semi-conducteurs à grand gap ont une mobilité relativement faible malgré une
vitesse de saturation élevée. Pour une densité de dopage de l'ordre de
1017 atomes/cm
3
, la mobilité des électrons pour le SiC varie de 200 à 600 cm
2
/V.s.
La mobilité du polytype 4H-SiC est à peu près deux fois celle du polytype 6H-SiC . Le
polytype 6H-SiC a donc l'inconvénient de présenter une faible mobilité d'électrons :
c'est une des raisons pour laquelle on préférera utiliser le polytype 4H-SiC pour des
applications microondes.


III. LE TRANSISTOR MESFET SiC

III.1. Historique et Généralités

Le principe du transistor à effet de champ (FET ou TEC) a été inventé en 1952
par W. Shockley. Le Transistor à effet de champ est un dispositif unipolaire où seuls
les porteurs majoritaires interviennent dans le fonctionnement. Les électrons
présentant les propriétés de transport (mobilité, vitesse et coefficient de diffusion) les
plus intéressantes, les FETs fabriqués sont principalement de type N. W. Shockley a
imaginé trois structures principales de transistors à effets de champ correspondant à
différents contacts de grille qui sont :
• grille à jonction PN pour le transistor JFET (Junction Field Effect Transistor) ;
• grille métallique isolée pour le transistor MOSFET (Metal Oxyde Semi-
conductor Field Effect Transistor) ;
• grille métallique à barrière Schottky pour le transistor MESFET (MEtal Semi-
conductor Field Effect Transistor).

Le MESFET fut le premier composant à être fabriqué. Mead proposa en premier
lieu de remplacer le Silicium des premiers FETs par un semi-conducteur tel que
l'Arséniure de Gallium (AsGa). Cette évolution au niveau matériau a permis
l'utilisation des MESFETs aux fréquences microondes. Les premiers résultats en
puissance obtenus avec un MESFET datent de 1994. La structure d'un transistor à
effet de champ est représentée par la Figure III-1.



Figure III-1 : Vue en coupe d'un MESFET SiC

En partant du bas de la Figure III-1, il apparaît tout d'abord un substrat mono
cristallin en SiC qui doit être le moins conducteur possible. Il ne joue aucun rôle
électrique mais constitue essentiellement un support mécanique pour le reste du
composant. Sur ce substrat, une fine couche active dopée N est insérée, soit par
épitaxie, soit par implantation ionique. Deux zones fortement dopées N
+
, l'une sous
l'électrode de drain, l'autre sous l'électrode de source sont habituellement rajoutées à
la structure par une nouvelle implantation ou par un procédé de diffusion. Elles
permettent de réduire les résistances de contact, néfastes pour les performances du
composant. Les propriétés électriques de la structure sont généralement améliorées
par la présence d'une couche tampon faiblement dopée entre la couche active et le
substrat. Son épaisseur est de quelques microns. Elle évite la migration d'ions au
niveau de l'interface et préserve la valeur de la mobilité des porteurs dans cette
région. Enfin, trois contacts par dépôt de film métallique sous vide sont réalisés. Les
deux extrêmes forment les électrodes de source et de drain. Le contact est de nature
ohmique. Celui de l'électrode de grille est de type Schottky.

De plus, sur la Figure III-1, les principales dimensions géométriques sont
représentées. La petite dimension de contact de grille Lg est appelée par convention
longueur de grille du transistor. Elle détermine en grande partie la fréquence
maximale d'utilisation du transistor. Pour les composants hyperfréquences elle est
souvent inférieure à 1 µm. La deuxième dimension est la largeur de grille W et elle
rend compte de la taille du transistor. Sa dimension typique est de l'ordre de 50 à
1000 fois celle de Lg. L'épaisseur « a » de la couche active est généralement de 0.2
µm à 0.4 µm.

III.2. Principe de Fonctionnement du Transistor à Effet de Champ

La base du fonctionnement d'un MESFET est la possibilité de moduler
l'épaisseur du canal sous la grille (Figure III-1). Le contact de grille est de type
Schottky. Une couche dépeuplée d'électrons libres, appelée zone de charge
d'espace (ZCE), se crée sous la grille. Aucun courant ne peut traverser cette couche.
La région où le courant peut circuler est donc réduite à la fraction de la couche active
non dépeuplée. En régime de fonctionnement normal le drain est polarisé
positivement par rapport à la source, tandis que la grille est polarisée négativement,
toujours par rapport à la source (Figure III-2).


Figure III-2 : Vue en coupe et polarisation d'un MESFET SiC

A tension de drain fixée, la polarisation négative de la grille a pour effet
d'augmenter la pénétration de la zone de charge d'espace dans la couche active,
diminuant ainsi le passage du courant. Lorsque la tension de grille est suffisamment
négative, la ZCE vient complètement obstruer le canal (en pointillé sur la Figure III-
2), ne laissant plus passer le courant. Le transistor est alors dit « pincé » et la tension
appliquée sur la grille est alors appelée tension de pincement (V
p
).

A tension de grille fixée, l'augmentation de la tension positive de drain crée un
champ électrique dans le canal. Ce champ entraîne les électrons de la source vers la
grille, établissant ainsi un courant I
DS
(drain-source).



Figure III-3 : Graphes caractéristiques de polarisation d'un MESFET SiC


• Dans le canal, le champ longitudinal (parallèle au trajet source drain)
augmente d'abord linéairement jusqu'au voisinage du pincement puis il va
décroître rapidement.
• La vitesse de dérive des électrons augmente d'abord linéairement pour passer
par un maximum (E longitudinal = Epic du semi-conducteur) .
• L'amplitude du champ électrique continuant à croître (E longitudinal > Epic du
semi-conducteur) la vitesse de dérive va chuter pour tendre vers sa valeur
limite.
• Pour maintenir la valeur du courant dans le canal constante, un accroissement
de la densité des porteurs doit compenser une dimi nution de la vitesse
(produit n*v = constante).
• Cet appel d'électrons avant le pincement entraîne une diminution de leur
densité après le pincement.
• Près du drain, l'amplitude du champ électrique diminuant, la vitesse de dérive
des électrons repasse par une valeur pic avant de chuter brutalement au
voisinage du drain.

Malgré ce fonctionnement plus complexe, les MESFET en GaAs ou en InP, à
cause de leur grille très étroite, présentent des tensions de fonctionnement (donc des
puissances consommées) faibles, et des fréquences de coupure qui peuvent
atteindre les 100 GHz. Ils sont principalement utilisés dans l'amplification très haute
fréquence et faible bruit ainsi que pour les logiques ultra-rapides.


Figure III-4 : Structure d'un MESFET (longueur de grille L et d'épaisseur de
canal d).

La tension de seuil V
T
, d'un MESFET est égale à :
s
d
i T
d qN
V
ε
φ
2
2
− ·


i
φ est le potentiel interne et d l'épaisseur de la région dopée. Cette tension seuil
peut également être écrite en fonction de la tension de pincement V
P
:
p i T
V V − · φ

avec :
s
d
p
d qN
V
ε 2
2
·

Considérons une petite section du MESFET comprise entre y et y + dy. La densité de
courant en ce point peut être écrite en fonction du gradient de la tension du canal :
dy
y dV
qN qN qnv J
c
n d n d
) (
µ µ − ∈· · ·

Le courant de drain vaut :
)) ( ( y x d JW I
n D
− − ·


La largeur de la couche à la position y est liée à la tension de canal V
C
(y), par :
( )
d
c G i s
n
qN
y V V
y x
) ( 2
) (
+ −
·
φ ε


L'équation du courant peut maintenant être intégrée de la source vers le drain :
c
L
V
p
C G i
n d D
dV
V
V V
dW qN dy I
D
∫ ∫

,
`

.
|
+ −
− ·
0 0
1
φ
µ


Comme le courant à l’état stable est indépendant de la position, le terme de gauche
est égale au courant I
D
multiplié par L de sorte que :

[ ]
( )

,
`

.
|
]
]
]
]

+ −
− ·
D
D
V
p
C G i
V
c n d D
V
V V
V
L
W
d qN I
0
2 / 3
0
3
2 φ
µ

Ce qui nous donne :

( ) ( )
]
]
]
]

,
`

.
|


+ −
− ·
p
G i
p
D G i
D d n D
V
V
V
V V
V
L
W
d N q I
2 / 3 2 / 3
3
2 φ φ
µ

Ce résultat est valide tant que la largeur du canal non dépeuplé (d - x
n
(y)) est positif,
à savoir pour :
T G D
V V V − ≤


Cette condition définit également la région quadratique d'un MESFET. Pour une plus
grande tension de drain, le courant sature et nous avons :
sat D T G D
V V V V
,
· − ·

Le courant correspondant est le courant de saturation I
Dsat
:

( )
]
]
]
]

,
`

.
|

− − − ·
p
G i
p T G d n sat D
V
V
V V V
L
W
d N q I
2 / 3
,
3
2 φ
µ

Où :
W = Largeur du canal
L = Longueur du canal
µ
n
= mobilité du canal
N
d
= dopage du canal
d = épaisseur du canal
i
φ = Potentiel interne

La différence de potentiel entre la grille et le canal étant plus faible à l'extrémité
située prés de la source que du coté drain, le canal est plus resserré à proximité du
drain. La Figure III-5 représente l'évolution des caractéristiques typiques du courant
de sortie I
DS
en fonction de la tension V
DS
. Ce réseau est obtenu en faisant croître la
tension V
DS
pour plusieurs niveaux de la tension V
GS
.

L'observation du réseau de caractéristiques (Figure III-5) permet de distinguer
deux zones de fonctionnement du transistor à effet de champ. Une région appelée
zone ohmique dans laquelle le courant de drain varie linéairement en fonction de la
tension V
DS
. Une deuxième région appelée zone de fonctionnement saturé où le
courant de drain ne dépend quasiment que de la tension V
GS
.


Figure III-5 : Réseau de caractéristiques mesurés I
DS
= f (V
DS
) à V
GS
= C
ste
Polarisation V
DS0
= 40V, V
GS0
= -6.5V et I
DS0
= 145mA

Description de la zone linéaire
Cette zone est également appelée zone ohmique qui correspond à une évolution
quasi-linéaire du courant de drain (I
DS
) pour de faibles valeurs de la tension drain
source (V
DS
). En effet, pour de faibles valeurs de la tension de drain, le canal reste
de section sensiblement uniforme sous la grille. Le transistor est alors assimilable à
une résistance variable dont la valeur est contrôlée par la tension de grille. Le
courant varie proportionnellement à V
DS
. Certaines applications telles que les
mélangeurs ou les déphaseurs nécessitent en général ce régime de fonctionnement
linéaire ou le transistor est polarisé à froid (V
DS
= 0).

Description de la zone saturée
Avec l'accroissement de la tension de drain, la section de la zone dépeuplée
(zone de charge d'espace) commence à se déformer en devenant beaucoup plus
importante côté drain que côté source. Ce resserrement du canal provoque un
ralentissement de la croissance du courant de drain. Arrivé à un certain stade,
l'augmentation de la tension V
DS
n'a quasiment plus aucune influence sur le courant.
On nomme le courant de saturation (I
DSS
), lorsque le courant de drain (I
DS
) du
transistor commence à rentrer dans la zone de saturation pour une tension de
polarisation de grille V
GS
nulle.

IV. Polarisation du transistor

Le diagramme du circuit de polarisation est représenté à la Figure IV.6. Les valeurs
des résistances sont calculées en tenant compte du courant de grille désiré (I
G
= 0)
du courant de drain désiré (I
DS
), de la tension de polarisation (V
DS
) et de la tension
grille-source V
GS
de la façon suivante :

DS
GS G
S
I
V V
R

·
DS
S DS DD
D
I
V V V
R
− −
·

La résistance de R
G
augmente la stabilité de l'amplificateur aux basses fréquences.


Figure IV.6. Polarisation du transistor

V. Schéma équivalent du transistor

Aux fréquences élevées on utilise généralement le schéma équivalent du transistor
aux hautes fréquences.


Figure V.7. Schéma équivalent du transistor MESFET SiC


Les éléments extrinsèques L
G
, R
G
, C
PG
, L
S
, R
S
, L
D
, R
D
et C
PD
sont considérés
comme indépendants de la fréquence.

En première approximation nous pouvons considérer que la capacité C
GS
est
quasiment indépendante de la tension de drain. Dans cette hypothèse, la capacité
C
GS
ne dépend alors que de la tension présente à ses bornes.

Le modèle que nous avons choisi est le modèle non-linéaire d'Alaoui comportant
6 paramètres. Le modèle de la capacité d'Alaoui est décrit par les équations ci-
dessous :

B
n
B
eff
GS
eff
GS GS
C
V
V
V
V
C C +

,
`

.
|



· 1
0

GS B
n
B
eff
B
GS GS
V C
V
V
N
V
C Q +

,
`

.
|

+
− ·
+1
0
1
1

D’où
2 2
2 1 B T
eff
V V d d
V
+
+

·
Avec :
( )
2
1
D V V d
B GS
+ − ·
( )
2
2
D V V d
B GS
− − ·


Tableau V-2 : Exemple de valeurs des éléments constitutif de la capacité non-linéaire C
GS

C
GS0
C
B
V
B
V
T
D N
5.55 10-12 5.55 10-12 8.03 -9.79 -6.98 -1.57

Tableau V-3 : Exemple de valeurs des éléments extrinsèques d’un transistor SiC
R
G
(O) L
G
(pH) C
PG
(fF) R
S
(O) L
S
(pH) R
D
(O) L
D
(pH) C
PD
(fF)
3.25 981 512 6.55 650 5.9 178 107

Tableau V-4 : Exemple de valeurs des éléments intrinsèques d’un transistor SiC
R
I
(O) R
GD
(O) C
GD
(fF) C
DS
(fF)
0.01 147.9 127 509




















MASTER PRO 2 EN TELECOMMUNICATIONS







DISPOSITIFS ET CIRCUITS MICRO-ONDE


Leçon 3 :   LES CIRCUITS MICRO‐ONDES





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Leçon 3 : LES CIRCUITS MICRO-ONDES

I. Théorie de conception des amplificateurs

La figure 1 illustre la structure générale d'un amplificateur. Elle comprend un
dispositif actif (en général un transistor), caractérisée par ses paramètres S et
entouré de part et d'autre par des réseaux d'adaptation d'impédance. L'étude de ce
schéma nous permet de déterminer les grandeurs importantes permettant de
caractériser un amplificateur, notamment, le gain, le facteur de bruit, la stabilité.















Figure 1 : Configuration générale d'un amplificateur

I.1. Gain dans un amplificateur

I.1.1. Gain de transfert
Le gain de transfert ou encore gain transduscique correspond au rapport entre
la puissance délivrée à la charge P
L
et la puissance disponible d'une source P
AVS
.
2 0 1 2
2
2
21 2
11
2
1
1
1
1
G G G S
S
G
L out
L
S
S
T
=
Γ Γ −
Γ −
Γ −
Γ −
=
(1)

Avec :
2
21 0
S G =
2
11
2
1
1
1
S
S
S
G
Γ −
Γ −
=
2
2
2
1
1
L out
L
G
Γ Γ −
Γ −
=

out
Γ est le coefficient de réflexion à la sortie du quadripôle lorsque celui-ci est
terminé par une impédance Z
S
correspondant au coefficient de réflexion
S
Γ . Ces
coefficients sont donnés par :
L
L
in
S
S S
S
Γ −
Γ
+ = Γ
22
21 12
11
1

(2)

S
S
out
S
S S
S
Γ −
Γ
+ = Γ
11
21 12
22
1

(3)

Remarque :
Si Z
S
= Z
L
= R
0
, alors
2
21
S G
T
=

I.1.2. Gain disponible
Le gain disponible G
A
ou gain associé est égal au gain transduscique lorsque
la sortie du quadripôle est adaptée. Il est obtenu en posant
*
out L
Γ = Γ dans l'équation
(1).
2
2
21 2
11
2
1
1
1
1
out
S
S
A
S
S
G
Γ −
Γ −
Γ −
=
(4)


Ce gain est maximum lorsque l'entrée et la sortie sont adaptées
simultanément. On défi nit alors le gain maximum disponible (MAG, (Maximum
Available Gain)), obtenu en posant
*
out L
Γ = Γ et
*
in S
Γ = Γ dans l’équation (1).
( )
( )
( )
( )
2
2
*
22
2
21
2
2
2
*
11
2
21
2
1 1
1
1 1
1
in out
in
out in
in
S
S
S
S
MAG
Γ − Γ −
Γ −
=
Γ − Γ −
Γ −
=
(4)


Remarques :
Si Z
S
= Z
L
= R
0
, alors 0 = Γ
in
et le gain disponible devient :
2
*
22
2
21
1
out
S
S
MAG
Γ −
=
(6)


I.2. Stabilité d'un amplificateur

La stabilité dont il est question dans cette partie correspond à la stabilité
définie par rapport aux impédances de charges (Z
S
et Z
L

S
Γ → et
L
Γ ). En effet
l'adjonction des réseaux d'adaptation d’entrée et de sortie peut parfois introduire des
problèmes de stabilité et l'amplificateur peut se mettre à osciller, c'est pourquoi il est
important d'étudier la stabilité du système.

I.2.1. Définition
Un amplificateur est inconditionnellement stable si les parties réelles des
impédances d'entrée et de sortie de l'amplificateur sont supérieures à zéro à une
fréquence quelle que soit l'impédance de source et de charge. En termes de
coefficients de réflexion, cette condition revient à poser l'inégalité suivante :
1 < Γ ∀
S
et 1 < Γ ∀
L
, on a 1 < Γ
in
et 1 < Γ ∀
out

Un amplificateur est conditionnellement stable si :
1 < Γ ∀
S
et 1 < Γ ∀
L
, on a 1 > Γ
in
et 1 > Γ ∀
out

Pour définir le critère de stabilité, on étudie le lieu de la limite de stabilité
définie par 1 = Γ
in
et 1 = Γ
out
. Après analyse :
• Le lieu 1 = Γ
in
est un cercle de centre OC
L
et de rayon RC
L
;

( )
2 2
22
*
*
11 22
∆ −
∆ −
=
S
S S
OC
L

(6)

2 2
22
12 21
∆ −
=
S
S S
RC
L

(7)

• Le lieu 1 = Γ
out
est un cercle de centre OC
S
et de rayon RC
S
;
( )
2 2
11
*
*
22 11
∆ −
∆ −
=
S
S S
OC
S

(9)

2 2
11
12 21
∆ −
=
S
S S
RC
S

(10)

Avec
21 12 22 11
S S S S − = ∆ .

Le lieu de stabilité est ainsi défini soit à l'intérieur soit à l'extérieur de ces
cercles correspondants au domaine de stabilité. L'analyse graphique de la stabilité
se fait par le tracé des cercles de stabilité pour l'entrée de l'amplificateur. On
distingue quatre cas de figures correspondant à deux inégalités :

• 1
11
< S : La zone contenant le centre de l'abaque de Smith est stable (Figure
2).


Figure 2 : Zones de stabilité pour 1
11
< S
• 1
11
> S : La zone contenant le centre de l'abaque de Smith est instable
(Figure 3).

Figure 3 : Zones de stabilité pour 1
11
> S

I.2.2. Analyse de la stabilité inconditionnelle
Dans le fonctionnement inconditionnellement stable d'un amplificateur, on veut
que tout l'intérieur de l'abaque de Smith entraîne un comportement instable pour le
quadripôle (pour l'entrée et la sortie).
Les inégalités exprimées plus haut peuvent s'écrire en fonction des
paramètres S du quadripôle, à l'aide du facteur de Rollet K :
21 12
2 2
22
2
11
2
1
S S
S S
K
∆ + − −
=
(11)

On peut donc montrer que les conditions nécessaires pour assurer la stabilité
inconditionnelle d'un amplificateur sont celles-ci :
|S
11
| < 1, |S
22
| < 1 et K > 1
Si ces conditions ne sont pas vérifiées, l'amplificateur est conditionnellement
stable et il faut donc tracer les cercles de stabilité.

I.2.3. Adaptation en puissance simultanée entrée – sortie
Généralement, la puissance à l'entrée d'un système est fixée par le calcul du
bilan de liaison. Il est donc important de maximiser le gain de l'étage amplificateur
afin de minimiser le nombre d'étages de la chaîne amplificatrice.
Ceci revient à trouver les impédances Z
1
= Z
in
*
et Z
2
= Z
out
*
à présenter à
l'entrée et à la sortie du transistor afin de garantir le transfert maximum de puissance
de la source vers la charge et de la puissance disponible du quadripôle.
L'adaptation simultanée entrée-sortie n'est possible que si le quadripôle est
inconditionnellement stable (K>1). Le gain transduscique s'exprime alors par :
( ) 1
2
12
21
− + = K K
S
S
G
T

(12)

Dans le cas où le quadripôle est conditionnellement stable, le gain est
maximum pour des valeurs de
max _ S
Γ et
max _ L
Γ qui sont à l'extérieur de l'abaque de
Smith et donc qui ne sont pas réalisables à l'aide d'éléments passifs. Il est donc
inutile de chercher à obtenir le gain maximum par adaptation complexe conjugué.
Les terminaisons de sources et de charges permettant de satisfaire le critère de
stabilité conditionnel ne donneront qu'un gain inférieur au gain maximum absolu.
On définit alors les cercles à gains constants qui permettent de déterminer les lieux
des points dans le plan
S
Γ et
L
Γ pour lesquels les gains G
1
et G
2
sont constants,
lieux qui décrivent un cercle de centre O
S
et de rayon R
S
en entrée et un cercle de
centre O
L
et de rayon R
L
en sortie :
( )
2
11 1
2
11 1
1
1 1
S G
S G
R
S
+
− −
=
(12)

*
11 2
11 1
1
1
S
S G
G
O
S
+
=
(14)

( )
2
22 2
2
22 2
1
1 1
S G
S G
R
L
+
− −
=
(15)

*
22 2
22 2
2
1
S
S G
G
O
L
+
=
(16)


I.2.4. Cercles de bruit et adaptation en bruit
Il est possible de minimiser la contribution en bruit du transistor en lui
présentant à l'entrée une impédance de source telle que
opt S
Γ = Γ . Ceci est toujours
possible si le transistor est inconditionnellement stable (K>1). Dans ce cas, la sortie
peut être adaptée en puissance en choisissant
*
out L
Γ = Γ .
Dans le cas d'un transistor conditionnellement stable, il faut choisir
opt
Γ dans la
région stable de l'abaque de Smith. Si ce n'est pas le cas, il faut choisir
S
Γ dans la
région stable au prix d'un facteur de bruit supérieur au minimum. Ensuite la sortie est
adaptée en puissance en prenant une impédance de charge située dans la zone
stable du cercle de stabilité de la charge.
Le lieu des points pour lesquels le facteur de bruit F est constant correspond à
un cercle de centre C
fb
et de rayon R
fb
.
N
C
opt
fb
+
Γ
=
1

(17)

( )
N
N N
R
opt
fb
+
Γ − +
=
1
1
2
2

(18)

Avec :
2
min
1
4
opt
n
r
F F
N Γ +

=
Le tracé de ces cercles permet de chiffrer la dégradation du facteur de bruit
lorsque le coefficient de réflexion présenté à l'entrée s'éloigne de la charge optimale.

II. Amplificateur large bande

Cet amplificateur à un seul étage devra avoir un gain de transfert en
puissance aussi constant que possible dans la bande de fréquences à amplifier de
500 MHz à 900 MHz. Le transistor choisi est le BFR 90 (NPN au silicium) pour lequel
au point de polarisation (V
CE
= 8 volts, l
C
= 14 mA), les paramètres S en fonction de
la fréquence ont comme valeurs :

Fréquence en MHz S
11
S
22
S
21
S
12

300 0.267|-88.5° 0.57|-30.8° 11.61|112° 0.043|68°
500 0.178|-122° 0.52|-29° 7.37|99° 0.060|70°
700 0.122|-156° 0.49|-28° 5.45|89° 0.082|69°
900 0.111|-179° 0.46|-27° 3.75|77° 0.106|69°

Les calculs vont être menés graphiquement en utilisant l'abaque de Smith.

Il importe en premier lieu de tracer, au moins pour les quatre fréquences du
tableau ci-dessus, les cercles critiques d’instabilité C
2
en entrée et C
1
en sortie qui
détermineront, le cas échéant, les zones interdites respectivement pour les
impédances de charge (coefficient de réflexion
2
Γ ) et de source (coefficient de
réflexion
1
Γ ).
Le tableau suivant a été établi à partir des équations de (7) à (10) donnant les
rayons R
i
et les centres
i
Ω des cercles C
i
(i = 1,2) :
Cercles critiques d’instabilité
Fréq. Déterminant
C
1
en sortie C
2
en entrée
MHz ∆
2

R
1

1

R
2

2

300 0.44500|-17.35° 0.1980 3.940 3.19282|-53.7° 3.934 4.77429|41.86°
500 0.37603|-20.10° 0.1414 4.030 3.09751|-32.2° 3.428 4.38829|34.13°
700 0.39048|-24.71° 0.1525 3.248 2.24195|-11.3° 5.100 6.103915|29.80°
900 0.34701|-35.17° 0.1204 3.678 2.49619|4.4° 4.359 5.46122|27.71°

On en déduit immédiatement que les cercles C
1
contiennent le centre de
l'abaque puisque a ∆ > |S
11
| et que, par conséquent, leur surface intérieure est une
zone stable (|S
22
| < 1). Pour les cercles C
2
, c'est l'inverse qui se passe, étant donné
que cette fois on a ∆ < |S
22
|.
A partir des éléments calculés ci-dessus, les cercles d'instabilité ont été
reportés sur l'abaque de Smith - voir figures 4a et 4b. On constate qu'en-dessous de
700 MHz prend naissance une zone instable interférant avec l'abaque, et ce d'autant
plus que la fréquence est plus basse. Bien que pour la suite de l'étude nous allons
utiliser le modèle du transistor unilatéralisé qui, par essence, est inconditionnellement
stable, ces zones interdites, correspondant au transistor réel, seront à prendre en
considération lors du choix des coefficients de réflexion tant en entrée qu'en sortie.

Figure 4a : Lieux des coefficients de réflexion
1
Γ , présentés par la source qui rendent
la sortie critique

Figure 4b : Lieux des coefficients de réflexion
2
Γ , présentés par la charge, qui
rendent l'entrée critique

Pour le transistor supposé unilatéralisé nous avons calculé en fonction de la
fréquence le gain de transfert maximum en puissance G
TUmax
qui est la somme des
trois contributions entrée, transistor et sortie. Ce gain est comparé, lorsque |K| > 1, à
G
Tmax
(équation (11) et (12)). Les résultats sont regroupés ci-dessous. Les différents
gains sont exprimés en décibels.


Fréquence
(MHz)
Coef.
de
stabilité
K
Gain à
l’adaptation
G
Tmax

Entrée
2
11
1
1
S +

Transistor
S
21

Sortie
2
22
1
1
S +

Gain
unilatéralisé
max.
G
TUmax

300 0.8030 0.32 21.30 1.70 23.32
500 0.9490 0.14 17.35 1.37 18.86
700 1.0041 17.83 0.065 14.73 1.19 15.985
900 1.1277 13.315 0.055 11.48 1.03 12.57
Avec
2
22
2
21 2
11
max
1
1
1
1
S
S
S
G
TU
− −
=
(19)


On constate que la différence G
Tmax
moins G
TUmax
décroît avec la fréquence :
1.85 dB à 700 MHz et seulement 0.75 dB à 900 MHz, ce qui est intéressant dans la
mesure où on cherche à obtenir le maximum de gain de l'étage. Par ailleurs, le gain
apporté par l'adaptation en entrée, c'est-à-dire pour
*
11 1
S = Γ - ce qui donne
2
11
max 1
1
1
S
G
+
= - est particulièrement faible.
Il ne sera donc pas nécessaire, à priori, de réaliser une cellule d'adaptation en
entrée, on aura alors :
0
1
= Γ ; G
1
= 0 dB.
D’où à noter l'intérêt d'un transistor pour lequel |S
11
| est faible. Ainsi dans ce
cas, il vient :
A 900 MHz : G
TU
= 0 + 11.48 + 1.03 ˜ 12.5 dB
Et à 500 MHz : G
TU
= 0 + 17.35 + 1.37 ˜ 18,7 dB
Recherchant un gain constant dans la bande 500 - 900 MHz, il faudra donc
désadapter la sortie aux fréquences inférieures afin de faire chuter le gain à 500 MHz
de 18.7 – 12.5 = 6.2 dB ; à cette même fréquence le "gain" apporté par la cellule de
sortie devra donc être :
G
2
= 1.37 – 6.2 ˜ - 4.8 dB
Le problème est donc maintenant le suivant : réaliser une cellule d'adaptation
en sortie qui, à 500 MHz, ramènera un coefficient de réflexion ( ) 500
2
Γ tel que
G
2
(500) = - 4.8 dB et qui, à 900 MHz, ramènera alors ( ) 900
2
Γ de façon que G
2
(900) ˜
1,03 dB.
On a vu que le lieu des coefficients de réflexion
2
Γ tels que G
2
est constant
est un cercle. Afin de déterminer graphiquement la cellule, nous allons préciser les
cercles correspondant à :
G
2
(500) = - 3, - 4 et - 5 décibels
et à G
2
(900) = + 0.5 et 0.8 décibels.
Les éléments de ces cercles, rayons R
G2
et centres
2 G
Ω , figurent dans le
tableau calculé à partir des équations (19) et (20) :
Fréquence (MHz) G
2
(dB) R
G2

2 G

500 - 3 0.7014 0.2295|29°
500 - 4 0.7605 0.1868|29°
500 - 5 0.8081 0.1514|29°
900 0.5 0.2745 0.4171|27°
900 0.8 0.1824 0.4408|27°
Remarque :
Lieu de
2
Γ tel que G
2
= constante = cercle G
2
:
( )
2
22 2
2
22 2
2
1
1 1
S G
S G
R
G
+
− −
=
(20)

*
11 2
22 2
2
2
1
S
S G
G
G
+
= Ω
(20)


Ces cercles ont été ensuite tracés sur l’abaque de Smith constituant la figure 5. On
procède alors par approximations successives ; nous avons retenu les
cheminements suivants :
• Se plaçant à 900 MHz, on va de 0 à P’ en ajoutant un condensateur en série
dont la capacité C se déduit de l’égalité : 73 . 1
0
j
C R
j
− =

ω
; d’où C = 2.05 pF.

Figure 5 : Adaptation large bande en sortie de l’amplificateur

• A 500 MHz maintenant, cette valeur de capacité nous conduit au point P tel
que : jx
C R
j
− =

ω
0
, soit x = 3.11 ;
• Toujours à 500 MHz, mais cheminant cette fois sur l'abaque admittance, on
rejoint le cercle G
2
= -4.8 dB (en fait -5 dB sur la figure) au point d’affixe
( ) 500
2
Γ = 0.902 |77.5°. Pour ce faire, il faut rajouter une bobine en parallèle
dont la self inductance L est définie par : 285 . 0 80 . 0
0
j j
L
jR
− − =

ω
; d’où L =
14.67 nH.

• Repassant à 900 MHz, cette valeur d'inductance nous mène finalement au
point d'affixe ( ) 900
2
Γ = 0.613 |21°, cette valeur se déduisant de la relation
425 . 0
0
j jy
L
jR
− − =

ω
donnant y = 0.178.
La cellule d'adaptation large bande en sortie sera donc simplement constituée,
partant de la charge R
0
= 50 Ω, d'un condensateur série puis d’une bobine parallèle
selon le schéma de la figure 6 :






Figure 6 : Cellule en sortie réalisant l’adaptation large bande

III. Oscillateur

III.1. Rappels théoriques
Le transistor dont on connait la matrice de répartition [S] à la fréquence de
fonctionnement désirée est supposé chargé par l'impédance Z
L
dont le coefficient de
réflexion associé est :
0
0
R Z
R Z
L
L
L
+

= Γ
(22)

Le coefficient de réflexion S
11
vu à l'entrée du transistor ainsi chargé est donc :
L
L
S
S S
S S
Γ −
Γ
+ =
22
21 12
11
'
11
1

ce qu'illustre le schéma ci-dessous :

Figure 7 : Coefficient de réflexion ramené à l'entrée de l'oscillateur : condition
d'oscillation.

Tout se passe comme si on ramenait une impédance Z= R + jX telle que :
0
0
'
11
R Z
R Z
S
+

= ce qui en module donne :
( )
( )
2 2
0
2 2
0 '
11
X R R
X R R
S
+ +
+ −
=
(23)

La condition classique d'oscillation potentielle R < 0 se traduit donc en termes
de coefficients de réflexion par |S’
11
| > 1, sous une autre forme, si le module du
coefficient de réflexion vu à l'entrée du transistor est inférieur à l'unité, il sera alors
impossible de réaliser un oscillateur. C'est précisément le cas, quelle que soit la
valeur de
L
Γ pour un transistor inconditionnellement stable. En pratique on choisira
donc un transistor tel que |K| < 1.
) 500 (
2
Γ = 0.902 |77.5°
) 900 (
2
Γ = 0.613 |21°
Ce choix étant fait, la première étape consistera à tracer sur l'abaque de Smith
le lieu des coefficients de réflexion
L
Γ tels que |S'
11
| = 1 (on a vu du reste qu'il
s'agissait d'un cercle), et de déterminer la zone instable interférant avec cet abaque ;
c'est là que nous y sélectionnerons
L
Γ .
Au cours de la deuxième étape, nous en déduirons alors la valeur de
l'impédance Z
S
devant charger l'entrée. Pour cela, on peut partir du schéma :






Figure 8 : Choix de l’impédance de source réalisant l'accord

Lorsque la source E n'est pas éteinte, on a la relation suivante entre onde
incidente b
1
et onde réfléchie a
1
:
S S
b b a + Γ =
1 1

(24)

Avec :
0
0
R Z
R Z
S
S
S
+

= Γ et
0
0
R Z
R E
b
S
S
+
=
On déduit, par exemple en utilisant la règle de Mason que :
'
11
'
11 1
1 S
S
b
b
S S
Γ −
=
(25)


Il y aura donc oscillation, c'est-à-dire existence de l’onde réfléchie b
1
alors que
E = 0, pour un coefficient de réflexion à la fréquence désirée tel que
S
Γ S’
11
= 1, soit :
'
11
1
S
S
= Γ
(26)

Ainsi, ayant déterminé
L
Γ et
S
Γ , nous sommes maintenant à même de
calculer notre oscillateur …

Exemple d'investigation avec un transistor naturellement instable : recherche
du maximum d’instabilité.
Il est en fait difficile de trouver un transistor tel que |K| < 1, comme le montre
sur trois exemples le tableau ci-dessous :
Transistor Fréquence K émetteur commun
BFT 65 1.8 GHz 1.197
BFR 90 1.8 GHz 1.136
BFR 34 A 1.8 GHz 1.125

Même en base commune, ces transistors restent inconditionnellement stables. Il
existe cependant quelques composants que le constructeur a conçus spécialement
en vue d'applications comme oscillateurs. Citons le HXTR 4101. A 2 GHz, en base
commune, les paramètres de répartition ont pour valeurs :
S
11
= 0.964|144°
S
21
= 1.95|-59°
1
'
11
= Γ S
S

(E = 0)
S
12
= 0.039|120°
S
22
= 1.068|-45°
On déduit ∆ = 0.97075|101.8°
D’où
2
∆ = 0.94236
Et ainsi K = - 0,83865.
On a donc bien |K| < 1 ; aussi nous passons à la première étape qui consiste à
tracer le cercle d'i nstabilité en entrée défini par :
2 2
22
21 12
2
∆ −
=
S
S S
R ;
( )
2 2
22
*
*
11 22
2
∆ −
∆ −
= Ω
S
S S

L’application numérique donne : R
2
= 0.38358 ;
2
Ω = 0.71084|63.9°
On vérifie que
2
Ω - R
2
> 0; le cercle ne contient pas le centre de l'abaque de
Smith, ce qui était à prévoir étant donné que ∆ < |S
22
| ; et, comme par ailleurs |S11|
< 1, l'intérieur de ce cercle est donc zone instable ; c'est là, à condition de rester à
l'intérieur de l'abaque, qu'il conviendra de choisir
L
Γ .
Il semble naturel, supposant à priori l'unicité de la solution, de se placer en un
point rendant maximale l’instabilité, c'est-à-dire tel que |S'
11
| soit le plus grand
possible, sous réserve que ce point reste toujours à l'intérieur de l'abaque. Cela nous
a conduit à rechercher, d'une façon plus générale, le lieu des coefficients de réflexion
L
Γ ramenant en entrée un coefficient S
11

de module k supérieur à l'unité. Les calculs
conduisent au résultat suivant :
Le lieu des
L
Γ tels que |S
11

| = k est un cercle :
Rayon
2 2
22
2
21 12
) (
∆ −
=
S k
S S k
k R
(a1)

Centre
( )
2 2
22
2
*
*
11 22
2
) (
∆ −
∆ −
= Ω
S k
S S k
k
(a2)

On a montré par ailleurs :
O étant le centre de l'abaque de Smith
P le point représentatif ) 1 ( Ω
K le point représentatif de ) (k Ω - k > 1

que l'angle OPK reste constant et égal à
1
θ lorsque k varie. Ainsi, les centres sont
alignés et
1
θ se déduit de la relation :

22 21 12
2 2
22
2
21
2
12
2 2
22
2
22
2
11
2 2 2
22
) cos( ) 1 ( 2
S S S S
S S S S S S
∆ 





∆ −






∆ + + 





− ∆ 





∆ −
= Ω θ
(27)

L'application numérique pour le transistor considéré conduit au tableau ci-dessous :
k R(k) ) (k Ω
1 0.3836 0.7108|63.9°
1.05 0.2534 0.7838|55.7°
1.10 0.1911 0.8235|52.3°
1.20 0.1303 0.8641|49.3°
1.35 0.0903 0.8912|47.6°
1.5 0.0702 0.9045|46.8°
2 0.0420 0.9220|45.8°
3 0.0245 0.9307|45.3°
8 0.0 0.9363|45.0°

R(k) y décroît rapidement en fonction de k (
dk
dR
< 0) et tend vers zéro lorsque k tend
vers l'infini (figure 9).

Figure 9 : Décroissance en fonction du coefficient k du rayon des cercles d'instabilité

Les centres ) (k Ω ont été reportés sur l'abaque de Smith à la figure 10. Ils
se déplacent effectivement sur une droite. Le calcul utilisant l’équation (27)
donne
1
θ = 120.47°comme on peut le vérifier.


Figure 10 : Lieu des coefficients de réflexion
L
Γ de la charge ramenant en entrée une
instabilité k donnée

Notons le résultat important :
22
1
) (
S
= ∞ Ω et comme R( ∞) = 0, nous avons résolu
notre problème. Le point rendant maximale l'instabilité en entrée est celui la rendant
infinie ; son affixe ) (∞ Γ
L
est telle que :
22
1
) (
S
L
= ∞ Γ
(28)

La solution est bien sûr unique, elle pouvait se déduire du simple examen de S
'
11
.
Elle conduit à (deuxième étape) :
0 ) ( = ∞ Γ
S

(29)

Il n'y aura donc pas besoin de réaliser un circuit d'adaptation en "entrée". Rappelons
cependant que ces conclusions ne sont valables que parce que |S
22
| > 1 ; dans le
cas contraire, nous serions conduits à la configuration représentée sur la figure 11 ci-
après :


Figure 11 : Cercles d'instabilité dans le cas où |S
22
| < 1; cercle tangentiel d'instabilité

La valeur maximale de l'instabilité que l'on peut alors obtenir est celle pour
laquelle le cercle |S

11
| = constante tangente extérieurement l'abaque de Smith. Soit
k
t
cette valeur, il vient donc la relation :
1 ) ( ) ( + = Ω
t t
k R k
(30)

d'où on en déduit la valeur de k
t
. Les calculs conduisent à l’expression :
( )( )
2
22
2
11
2 2
22
2
21
2
12 21 12
1
1
S
S S S S S S
k
t

− ∆ − − +
=
(30)

Ainsi dans le cas où IS
22
I < 1, le coefficient de réflexion
L
Γ qu'il conviendra de
retenir sera :
L
Γ (k
t
) = 1 Ω(k
t
)
(32)


point T sur la figure 11.

Ces considérations dérivées de l'étude d'un oscillateur à partir du HXTR 4101
ne doivent pas faire oublier qu'il existe une autre configuration que l'on rencontrera
en pratique.

Réalisation utilisant un transistor pour lequel ∆ > |S
22
|. Il s'agit du LAE 2001
R. Dans la plage de fréquences centrée sur 1.9 GHz nous intéressant, ce transistor
est inconditionnellement stable, que ce soit en base commune ou en émetteur
commun. Cependant le fait de placer une capacité de faible valeur (1 picofarad)
entre collecteur et base du montage E.C. nous a permis de créer artificiellement une
zone de fonctionnement instable. En effet, passant du plan mesure au plan maquette
on a obtenu à 1.9 GHz les valeurs suivantes :

S
11
= 0.47315|-37°
S
22
= 0.1122|87°
S
21
= 1.2589|-117°
S
12
= 0.5309|-74°
d'où ∆ = 0.6956|-7.2°et on déduit donc :
K = 0.9332 < 1 ; ∆ > I S
22
I

Les cercles paramétrés en valeurs de k ont été représentés sur la figure 12 où
l'on remarquera les cercles critiques d'instabilité (k = 1) et tangentiel d'instabilité (k =
k
t
).


Figure 12 : Coefficient de réflexion
L
Γ de la charge déduit du cercle tangentiel
d’instabilité, cas où ∆ > |S
22
|.

Pour la valeur particulière k
t
= 1.1183, le cercle C
kt
est tangent à l'abaque de
Smith ; on calcule :
R(k
t
) = 1.5965 et Ω(k
t
) = 0.5965|-4.85°
Ces trois valeurs sont déduites des équations (a1), (a2) et (30). La relation
donnant k
t
reste en effet valable lorsque ∆ > |S
22
|.
La valeur du coefficient de réflexion qu'il serait souhaitable que la charge Z
L

ramène est donc :
L
Γ (k
t
) = 1|175.15°
Ce qui permet de calculer Z
L
= j 2.1175 Ω, puis L
L
= 0.1774 nH.
L'application numérique donne alors S
'
11
= 1.1182|-28.35°d'où l'on tire :
S
Γ (k
t
) = 0.8943|28.35°.
D’où Z
S
= 44.386 + j 188.19 Ω, R
S
= 44.386 Ω et L
S
= 15.764 nH.
Ce qui nous donne le schéma de la figure 13.

Figure 13 : Oscillateur à 1.9 GHz

INTRODUCTION AUX MICRO-ONDES 1) Définition On appelle micro-onde (microwave en anglais) ou hyperfréquence la bande de fréquences auxquelles les dimensions géométriques des objets utilisés sont de l’ordre de grandeur de la longueur d’onde électromagnétique. Ce sont en général des ondes électromagnétiques de longueur d’onde intermédiaire entre l’infrarouge et les ondes de radiodiffusion. 2) Le spectre radiofréquence Dans le spectre radiofréquence qui s’étend des fréquences extrêmement basses aux fréquences extrêmement hautes (EHF) nous pouvons situer les micro-ondes entre les hautes fréquences et les fréquences extrêmement hautes (EHF) qui évoluent par décade comme l’indique le tableau 1 ci-dessous. Ondes électromagnétiques Extrêmement basses fréquences (ELF) Fréquences audio (VF) Très basses fréquences (VLF) Basses fréquences (LF) Fréquences moyennes (MF) Hautes fréquences (HF) Très hautes fréquences (VHF) Fréquences ultra hautes (UHF) Fréquences super hautes (SHF) Fréquences extrêmement hautes (EHF) fréquences 3Hz à 300Hz 0.3 à 3KHz 3 à 30KHz 30 à 300KHz 0.3 à 3MHz 3 à 30MHz 30 à 300MHz 0.3 à 3GHz 3 à 30GHz 30 à 300GHz

Tableau 1 : Spectre radiofréquence et micro-onde Les micro-ondes sont souvent réparties en gammes de fréquences correspondant à des bandes normalisées d’utilisation de guides d’ondes comme le montre le tableau 2 ci-dessous : Désignation Bande L Bande S Bande C Bande X Bande Ku Bande K Bande Ka Bande Q Bande U Bande V Bande W Gammes de fréquences (GHz) de 1 à 2 de 2 à 4 de 4 à 8 de 8 à 12 de 12 à 18 de 18 à 26 de 26 à 40 de 30 à 50 de 40 à 60 de 46 à 56 de 56 à 100

Tableau 2 : Bandes de fréquences micro-ondes

2) Propriétés caractéristiques des micro-ondes Les micro-ondes ont la principale propriété de pénétrer au cœur de matériaux de type diélectriques à pertes entrainant ainsi la dissipation de l’énergie. 3) Historique Les bases théoriques des micro-ondes sont l’œuvre de Maxwell théoricien fondateur de l’électromagnétisme moderne qui formula dans les année 1860, les célèbres équations connues aujourd'hui sous l’appellation « équation de Maxwell » publiées en 1873 dans son traité sur l’électricité et le magnétisme. En1888 Hertz fut le premier à démontrer l’existence des ondes électromagnétiques en construisant un appareil produisant des ondes radios à une fréquence de l’ordre de 1GHz. A la même période un groupe expérimental de chercheurs se forme « the Hertzians » et un membre du groupe exposa sur les phénomènes électromagnétiques lors d’une conférence. En 1897 Rayleigh démontra théoriquement la possibilité de faire propager des ondes dans des tuyaux métalliques creux à section rectangulaire ou circulaire. Les expériemence de Marconi dans les années 1890 montrerent qu’il était possible d’établir une liaison entre deux points de la Terre par pe^ropagation d’onde radioélectrique en espace libre. Au début du 20è siècle, Bose a développé un détecteur semiconducteur à 60GHz, des guides d’ondes rectangulaires, des cornets. Les radios ou télécommunications modernes voient le jour avec les travaux de Kennelly et de Heaviside. Durant ue bonne période le sujet disparaît. L’électronique micro-onde n’intéresse plus personne et il faut attendre une trentaine d’années pour voir Schelkunoff et d’autres redécouvrir et développer le sujet. Ce passage à vide est dû sans doute au succès des ondes longues en radio qu’à la difficulté d’engendrer des ondes électromagnétiques micro-ondes. En 1920 les premières émissions de radiodiffusion eurent lieu. Dans les années 1939 le radar se développe rapidement avec la naissance du magnétron tube générateur de haute puissance micro-onde. Outre le radar, les communications par satellite ont été une étape majeure du développement des micro-ondes et techniques associées. Entre 1970 et 1980, l’usage de l’informatique et l’apparition des télécommunications numériques a fait négliger les micro-ondes par d’aucuns. Dès lors, le développement des micro-ondes fut considérable et les applications nombreuses et importantes.

4) Evolution des technologies des circuits micro-ondes Pendant longtemps le guide d’onde fermé (conventionnel) a fait l’objet d’une utilisation courante en micro-onde. Actuellement la plupart des circuits de télécommunication travaillant aux environs de 10GHz sont réalisés en technologie planaire. En bref nous disons que la technologie des circuits micro-ondes a rapidement évolué durant la dernière décade vers l’utilisation de circuits planaires. 4) Avantages et inconvénients de la technologie planaire La technologie planaire consiste à graver les éléments de circuits sur un substrat diélectrique approprié. Elle s’est développée en raison de nombreux avantages qu’elle offre : réduction d’encombrement et de coût qui compense largement les coût de recherche et de développement. Les circuits micro-ondes réalisés en technologie des circuits imprimés ont cependant quelques limitations dont la plus fondamentale reste leur faible capacité de

dissipation de puissance vu la taille des dispositifs et la faible conductivité thermique des semi-conducteurs par rapport aux métaux. 5) Applications Les micro-ondes ne sont connues du grand public que par les fours qui ont pris place dans les cuisines ces dernières années. Or ses applications sont aussi nombreuses que variées. Citons entre autres Dans l’industrie avec les télécommunications et des systèmes, tels que le radar, l’effet du rayonnement micro-onde sur les pertes diélectriques de l’eau. En médecine l’hyperthermie micro-onde permet le traitement des tumeurs cancereuses. En radioastronomie avec la mise au point des radiotélescopes. En électronique avec la réalisation des oscillateurs, amplificateurs, mélange et multiplication de fréquences En radiométrie avec l’évaluation des caractéristiques physiques ou naturelles de la zone d’observation (télédétection) ; mesure des paramètres physiques divers tels que distance, position, épaisseur, vitesse, déformation etc. La navigation, la surveillance le guidage des armes. Nous donnons dans le tableau 3 ci-dessous quelques applications micro-ondes en fonction de leur bande de fréquence. Ondes électromagnétiques Extrêmement basses fréquences (ELF) Applications Transport et distribution de l'électricité ; Electroménager Transmission de données vocales ; Métallurgie ; Chauffage par induction Radio-communications Radiodiffusion GO; Fours à induction Radiodiffusion MO-PO; Diathermie médicale Soudage ; Collage Télévision ; Radio FM Télévision ; Radars ; Téléphones mobiles ; Fours à micro-ondes ; Hyperthermie médicale Radars ; Alarmes anti-intrusion Radars ; Communication par satellite

Fréquences audio (VF) Très basses fréquences (VLF) Basses fréquences (LF) Fréquences moyennes (MF) Hautes fréquences (HF) Très hautes fréquences (VHF)

Fréquences ultra hautes (UHF)

Fréquences super hautes (SHF) Fréquences extrêmement hautes (EHF)

Tableau 3 : Quelques applications micro-ondes et leur bande de fréquences.

REPUBLIQUE DU CAMEROUN Paix - Travail – Patrie --------------------UNIVERSITE DE YAOUNDE I ---------------------ECOLE NATIONALE SUPERIEURE POLYTECHNIQUE

REPUBLIC OF CAMEROUN Peace - Work – Fatherland -------------------UNIVERSITY OF YAOUNDE I -------------------NATIONAL ADVANCED SCHOOL OF ENGENEERING

----------------------

--------------------

MASTER PRO 2 EN TELECOMMUNICATIONS

DISPOSITIFS ET CIRCUITS MICRO-ONDE

Leçon 1 : LA DIODE A JONCTION PN

Equipe des concepteurs : - Olivier VIDEME

Le contenu est placé sous licence /creative commons/ de niveau 5 (Paternité, Pas d'utilisation commerciale, Partage des conditions initiales à l'identique)..

de calculer le nombre des porteurs minoritaires : nno pno = ni2 dans le barreau de type N ppo npo = ni2 dans le barreau de type P ni (nombre de paires créées par cm 3) étant connu pour le semi-conducteur considéré à une température donnée. On admettra que la surface de contact entre les deux barreaux est un plan. un déficit de charges positives. l’électron libre et le trou disparaissent tous les deux. Réalisons une jonction PN. NB : L’indice n est utilisé pour signifier qu’on parle de l’échantillon dopé de type N. La neutralité électrique est donc détruite dans cette région où. dans cette région. qu’on appellera plan de jonction. Remarque : Dans chaque échantillon à l’équilibre. L’invasion du barreau P par les électrons libres diffusant depuis le barreau N (on dit plutôt : l’injection des électrons libres dans le barreau P) a pour conséquence de faire disparaître un certain nombre de trous du barreau P dans la région voisine du plan de jonction. on a. et le second indice « zéro » pour signifier qu’on est à l ‘équilibre. les trous du barreau P vont diffuser dans le barreau N. la loi d’action de masse s’applique et permet. MISE EN CONTACT D’UN SEMI-CONDUCTEUR N AVEC UN SEMICONDUCTEUR P : DESCRIPTION DES PHENOMENES On considère un échantillon (barreau de monocristal) semi-conducteur dopé avec ND atomes donneurs par cm3. on avait : somme des charges positives ppo = somme des charges négatives NA + npo Après l’injection des électrons libres qui diffusent et leur recombinaison. les électrons libres minoritaires sont en nombre excédentaire. En franchissant le plan de jonction pour entrer dans le barreau P. comme il y a très peu de trous dans le barreau N. mais aussi de façon locale (c’est-à-dire dans n’importe quel petit élément de volume). Il est à l’équilibre à la température ordinaire (ne subit aucune excitation électrique. on le sait. La neutralité électrique est vérifiée dans chaque échantillon. connaissant le nombre des porteurs majoritaires (apportés principalement par le dopage).Leçon 1 : LA DIODE A JONCTION PN 1. les électrons libres deviennent des porteurs minoritaires. . non seulement de façon globale. lumineuse ou thermique) : il possède nno = ND électrons libres (ce sont ses porteurs majoritaires) et pno = ni2/ND trous (ses porteurs minoritaires) par cm 3. Par conséquent. Comme il y a très peu d’électrons libres dans le barreau P. Les électrons libres en excès vont. les électrons libres du barreau N vont diffuser dans le barreau P. NB : L’indice p est utilisé pour signifier qu’on parle de l’échantillon dopé de type P. se recombiner avec des trous. On dit que la charge volumique (en coulomb par cm3) est négative dans la région du barreau P qui est voisine du plan de jonction. Les porteurs qui changent de barreau perdent leur qualité de majoritaire. lui-aussi à l’équilibre à la température ordinaire : il possède ppo = NA trous (qui sont ses porteurs majoritaires) et npo = ni2/NA électrons libres (ses porteurs minoritaires) par cm3. c’est-à-dire : mettons les deux échantillons en contact parfait (on entend par. dans une région du barreau P voisine du plan de jonction. avant l’injection.là que ce contact permet aux porteurs de passer librement d’un barreau monocristallin à l’autre). De même. On considère d’autre part un échantillon du même monocristal semiconducteur dopé avec NA atomes accepteurs par cm 3. Dans ce processus.

Dans la jonction. On dit que la charge volumique (en coulomb par cm3) est positive dans la région du barreau N qui est voisine du plan de jonction. s’oppose au déplacement des porteurs qui diffusent). L’injection des trous dans le barreau N a pour conséquence de faire disparaître un certain nombre d’électrons libres du barreau N dans la région voisine du plan de jonction. appauvri en trous. CHAMP ELECTRIQUE DU AUX CHARGES FIXES DECOUVERTES : • Le cristal P. un déficit de charges négatives. en franchissant le plan de jonction pour entrer dans le barreau N. on avait : somme des charges négatives nno = somme des charges positives ND + pno Après l’injection des trous qui diffusent et leur recombinaison. appauvri en électrons. on a. Cette distribution de charges (positives du côté N. le potentiel électrique V est plus élevé du côté N (où la densité de charge d’espace est positive) que du côté P (où la densité de charge d’espace est négative). Un équilibre est atteint lorsque ce champ électrique est assez fort pour « contenir » la diffusion (le champ. • Le cristal N.De la même façon. dans cette région. lorsque le nouvel équilibre est atteint. dans une région du barreau N voisine du plan de jonction. La région entourant le plan de jonction est appelée zone de transition (en abrégé : ZT). Les trous en excès vont se recombiner avec des électrons libres (très nombreux du côté N). dirigé des charges + vers les charges -. Par conséquent. A ce saut de potentiel correspond une variation de l’énergie potentielle W des porteurs. les trous deviennent des porteurs minoritaires. s’oppose à la diffusion des porteurs. avant l’injection. négatives du côté P) est à l’origine du champ électrique E qui règne au voisinage du plan de jonction. On parle à ce propos de la barrière de potentiel qui. Dans ce processus. La neutralité électrique est donc détruite dans cette région où. c’est-à-dire de N vers P. l’électron libre et le trou disparaissent tous les deux. s’est chargé négativement. les trous minoritaires sont en nombre excédentaire. CALCUL DE LA TENSION DE DIFFUSION D’UNE JONCTION . s’est chargé positivement Figure 1 : Un champ électrique E règne dans la ZT d’une jonction PN : il est toujours dirigé de N vers P 2.

ε r = constante diélectrique du semi-conducteur. 3. l’origine des x étant prise au plan de jonction : xn −x p ∫ 1 dn q dx = − n dx KT xn −xp ∫ Edx q V ( xn ) − V ( − x p ) KT ln( n[ x n ]) − ln( n [ − x p ]) =  N KT ln  D q  n i2 N  A    = VD    [ ] VD = KT  N A N D  ln q  ni2    (1) La tension de diffusion (ainsi nommée parce qu’elle s’oppose à la diffusion des porteurs) dépend des dopages N et P. On intègre l’équation de POISSON en faisant l’hypothèse que la ZT est vide de porteurs.On peut calculer la valeur du saut de potentiel. et la ZT s’étend davantage dans la région la moins dopée. La figure 2 montre la répartition des charges : les aires rectangulaires sont égales par raison de neutralité.1 Expression du champ électrique E L’équation de POISSON. • d’un courant de conduction jn dont le champ électrique E est responsable jntotal = 0 = jdn + jn soit encore : dn 0 = qD n + qn µ n E dx il vient : dn q =− nE dx KT On intègre les deux membres de l’équation précédente entre les limites –xp et x n de la zone de transition. Ce courant peut être considéré comme la somme : • d’un courant de diffusion jdn véhiculé par les électrons qui diffusent de N vers P . relie le nombre volumique de charges C(x) au champ : dE C ( x) = dx ε (2) ε = permittivité diélectrique du semi-conducteur = ε 0ε r ε 0 = permittivité diélectrique du vide. et aussi de la température. MODELE DE SHOCKLEY POUR LA BARRIERE DE POTENTIEL 3. appelé généralement tension de diffusion et désigné par VD en écrivant que le courant dû aux électrons libres qui traversent la jonction est nul. NA xp = ND xn (3) .

qNA (4) C(x) = +qND (4b i s ) dE/dx = . en remplaçant NA2xp2 par ND 2xn2 dans (6.relation entre VD et x n : de même.qNA / ε ) x + C1 E(x) = (+ qND / ε ) x + C2 Condition limite E(-xp) = 0 Condition limite E(xn) = 0 (champ nul dans les régions neutres) d’où : (5) E ( x) = − qN A (x + x p ) ε E ( x) = qN D (x − x n ) ε (5bis) La figure 3 montre la variation du champ électrique. Ecrivons que la différence de potentiel existant entre les limites de la ZT est la tension de diffusion VD (cf : figure 4) : xn (6) VD = V ( x n ) − V ( − x p ) = − VD = (q/2 ε )(NA xp2+ ND xn2) .a) xp = 1 NA 2ε N A N D V q N A + ND D (6.relation entre VD et x p : − xp ∫ E ( x ) dx = − − xp ∫ 0 xn E ( x ) dx − ∫ E ( x ) dx 0 ND xn2 = (ND xn )2 / ND = (NA xp )2 / ND d’où : VD = (q xp2NA 2/ 2 ε )[ (1/NA) + (1/ND ) ] Il vient : compte tenu de (3) (6.c) Figure 2 : Répartition de la charge volumique (modèle de la jonction abrupte) .2 Relation entre la hauteur de barrière et l’épaisseur de la ZT. 3. où il prend la même valeur du côté P et du côté N : EM = -qNAxp / ε = -qND xn / ε (on retrouve l’équation 3).Intégrons séparément dans les deux régions de la zone de transition : Dans la ZT côté P (-Xp<X<0) : dans la ZT côté N (0<X<Xn): C(x) = . c’est-à-dire dans le plan de jonction.a) : xn = 1 ND 2ε N A N D V q N A + ND D (6.b) .q NA / ε dE/dx = + q ND / ε E(x) = (. qui est maximum en x=0.

sont plus importants qu’en l’absence de tension appliquée. par exemple. NA >> ND .(aire du triangle de champ) = − w0 E M 2 w0 EM 2 (8) 4. Ces courants de conduction sont plus grands que les courants de diffusion qu. les trous du côté P et les électrons libres du côté N sont écartés du plan de jonction. d’après (3) xp<<xn. et l’expression (7) se simplifie : wo = xn = 2ε 1 VD q ND Relation entre EM . LA JONCTION PN EN TANT QUE DIODE La propriété essentielle d’une jonction PN est de permettre le passage du courant électrique dans un sens et pas dans l’autre : la jonction PN est une diode. Par suite. et un second courant par des trous (minoritaires) provenant du côté N. Dans ce cas. c’est-à-dire lorsque le pôle + de la source de tension est connecté au côté N de la jonction. la zone de transition s’élargit : la région de charge d’espace négative s’étend davantage dans la région P et la région de charge d’espace positive s’étend davantage dans la région N. et il fait circuler à travers la jonction des courants de conduction qui. En polarisation inverse. Le champ électrique régnant dans la zone de transition est renforcé.ils annulaient exactement en l’absence de tension . V D et wo : x VD = VD = − x ∫ E ( x ) dx p n = .Figure 3 : Variation du champ électrique dans la ZT d’une jonction PN Figure 4 : Variation du potentiel dans la ZT d’une jonction PN D’où l’épaisseur totale de la ZT : wo = xn + xp = 2ε  1 1    N + N  VD  q  A D  (7) En pratique une jonction PN est dissymétrique avec. Un premier courant est véhiculé par des électrons libres (minoritaires) provenant du côté P. tout en restant très faibles.

5. le saut de potentiel est plus petit qu’en l’absence de polarisation.VF = w" (.3 Effet d’une polarisation "directe" En appliquant une tension comme indiqué sur la figure 8 (côté N au .1 Avant la mise en contact (figure 5) Dans le semi-conducteur de type P. LE SCHEMA DES BANDES DANS LE CAS D’UNE JONCTION PN 5. Du fait de l’alignement des deux niveaux de Fermi initiaux. mais pour x < -xp du côté P et pour x > xn du côté N on retrouve le schéma « normal ». la barrière d’énergie potentielle diminue (figure 9) : elle passe de qVD à q(VD -VF ) . Ces courants de diffusion de trous et d’électrons libres. par rapport au côté P.2 Une fois le contact réalisé L’unicité du niveau de Fermi est une propriété générale des solides en contact parfait.appliquée. ils n’équilibrent plus les courants de diffusion. et les courants de conduction sont moins grands. est donc caractérisé par un niveau EF unique qui sert de référence pour le dispositif. non polarisée. La diffusion des porteurs à travers le plan de jonction s’en trouve facilitée : le circuit sera parcouru par un courant d’intensité IF (courant direct). Un courant résultant non nul (mais très faible) circule à travers la jonction : c’est le courant de saturation inverse. La polarisation est directe lorsque le pôle + de la source de tension est connecté au côté P de la jonction. Dans ce cas. sont les composantes du courant direct traversant la diode. Le champ dans la ZT sera moins élevé. Le champ électrique correspondant est plus faible. l’ensemble de la structure des bandes du côté P se trouve décalée vers les énergies plus grandes par rapport à la structure des bandes du côté N. le niveau inférieur ECP de la bande de conduction du côté P est décalé vers le haut de la quantité d’énergie +qVD par rapport au niveau inférieur ECN de la bande de conduction du côté N. La figure 7 représente la variation du potentiel électrique.E"M) / 2 . avec des bandes plates (figure 6).) . 5. 5. on augmente l’énergie potentielle des électrons du côté N. et si l’on admet que la tension appliquée se retrouve intégralement appliquée aux limites de la zone de transition. ainsi que la variation de l’énergie potentielle des électrons et celle des trous dans une jonction PN à l’équilibre non polarisée. La zone de transition qui entoure le plan de jonction est une zone « perturbée » pour ce qui concerne le schéma des bandes. Ceci veut dire qu’un électron libre qui se trouve du côté N et qui possède l’énergie ECN est retenu du côté N par une barrière d’énergie potentielle de hauteur +qVD . Le schéma des bandes pour la jonction PN à l’équilibre. alors qu’il est dans la moitié supérieure du gap pour le semi-conducteur de type N. la relation (8) est remplacée par : VD . Ainsi. De ce fait. le niveau de Fermi est dans la moitié inférieure du gap. La situation est analogue pour un trou qui se trouve du côté P et qui possède l’énergie EVP : il est retenu du côté P par la même barrière d’énergie potentielle de hauteur +qVD . et l’épaisseur de la ZT sera plus faible (figure 11) : w"= 2ε q  1 1    N + N (VD − VF )   A D (9) w" = x"p + x"n < wo Lorsque la jonction est polarisée en direct. qui peuvent être relativement importants. de la quantité qVF .

Figure 5 : Schéma des bandes avant le contact Figure 6 : schéma des bandes pour la jonction PN non polarisée Figure 7 : Jonction PN non polarisée (a) le côté N de la jonction est à un potentiel plus élevé que le côté P (b) l’énergie potentielle Wn des électrons est plus faible du côté N (c) l’énergie potentielle des trous Wp est plus faible du côté P.4 Effet d’une polarisation "inverse" L’énergie potentielle des électrons du côté N est diminuée.q ND x"n / ε 5. La valeur maximum du champ électrique interne est alors (comme en 6) : E"M = . de la quantité qVR. . par rapport à sa valeur du côté P.

un courant de conduction traverse la ZT. Le champ électrique dans la ZT est plus élevé (figure 11). on a : ' w' ( − E M ) VD + VR = 2 (10) (11) La valeur maximum du champ électrique interne est alors (comme en 6) : E’M = -q ND x’n / ε Figure 8 : Polarisation directe Figure 9 : Effet de la polarisation directe sur la barrière (a) la ddp interne est abaissée de VF (b) la barrière d’énergie potentielle vue par les électrons du côté N est abaissée de qV F (c) la barrière d’énergie potentielle vue par les trous du côté P est abaissée de qV F .La hauteur de la barrière d’énergie potentielle est augmentée (figure 10) : elle passe de qVD à q(VD+VR ). La diffusion des porteurs à travers le plan de jonction est entravée. autorisant la circulation dans le circuit d’un courant (dit courant inverse) de très faible intensité IR . L’épaisseur de la ZT est plus grande (figure 11) :  1 1    N + N  (V D + V R )   A D  w’ = x’p + x’n > wo w' = 2ε q De la même façon qu’en (7). Seul.

VF (VF = tension appliquée) VD + VR (-VR = tension appliquée) E’max = -q NA x’p / ε = -q ND x’n / ε CHAMP MAXIMUM AIRE DU TRIANGLE DE CHAMP (tension de diffusion) Emax = E(0) = -q NA xp / ε = -q ND xn / ε E"max = -q NA x"p / ε = -q ND x"n / ε VD w E = o max 2 V D − V F = w " E 2 " max V D + VR = ' w ' E max 2 . JONCTION PN NON POLARISEE EPAISSEUR DE LA ZT POLARISEE EN DIRECT POLARISEE EN INVERSE wo = xp + xn (wo = xn si NA >> ND) wo = 2ε q  1 1  N + N  A D  V D   w = xp + xn (w = xn si NA >> ND) w"= 2ε  1 1   (VD − VF ) + q  NA ND    w’ = x’p + x’n (w’ = x’n si NA >> ND) w'= 2ε q  1 1    N + N (V D + V R )   A D  BARRIERE DE POTENTIEL VD = KT  N A N D  ln q  ni2    VD .Figure 10 : Effet de la polarisation inverse sur la barrière (a) la ddp interne est augmentée de VR (b) la barrière d’énergie potentielle vue par les électrons du côté N est augmentée de qV R (c) la barrière d’énergie potentielle vue par les trous du côté P est augmentée de qV R.

de telle sorte qu'aucune charge libre ne traverse la zone de charge spatiale. . la hauteur de la barrière de potentiel. cette tension se reporte presque entièrement à la zone de déplétion qui présente une résistivité très grande vu la quasi-absence de charges mobiles. 6. Une tension U négative (voir figure 12) renforce le champ de rétention de la diffusion et augmente. CARACTERISTIQUE ELECTRIQUE DE LA JONCTION 6. par conséquent.1.Figure 11 : Répartition des charges. Description Si l'on applique une tension U à la jonction. variation du potentiel et du champ électrique dans la ZT d’une jonction PN.

2. 6. 6. de se rappeler que l'énergie moyenne des charges mobiles est liée à la notion de température et qu'à température donnée. si l'on applique une tension U positive (voir figure 12). cette énergie est constante. Définitions L'application d'une tension qui diminue la hauteur de la barrière de potentiel par rapport à l'équilibre est appelée polarisation directe par opposition à la polarisation inverse qui augmente la hauteur de la barrière de potentiel par rapport à l'équilibre.3. ici. le champ électrique de rétention de la diffusion est diminué et les charges mobiles qui ont une énergie supérieure à celle que représente la hauteur de la barrière de potentiel peuvent traverser la zone de charge spatiale. Il est utile. Cette propriété est traduite par les relations: (12) (13) .Figure 12: polarisation de la jonction Au contraire. Propriété Une polarisation directe permet le passage d'un courant électrique dans la jonction alors qu'une polarisation inverse l'empêche.

4.soit (14) où (15) dont la dérivation sort du cadre de cette étude. Il est compris entre 1 et 2 dans le cas de diodes au Si. Il est voisin de 1 dans les jonctions de transistors au Si et dans les diodes au Ge. Figure 13: caractéristique de la jonction . On appelle tension thermodynamique la tension U T qui vaut (16) où k est la constante de Boltzmann. Le facteur n est appelé coefficient d'émission. T la température absolue et e la charge de l'électron. A 25° C. UT = 25mV. c'est la valeur asymptotique du courant I en polarisation inverse. 6. La loi exprimée par la relation (14) est représentée à la figure 13. Définitions Le courant Is est appelé courant inverse de saturation.

3. On appelle coefficient de température la grandeur γθ qui rend compte de ce phénomène : (18) où γθ = -2 mV / °C. par conséquent. Or. Un accroissement dUB de la hauteur de la barrière de potentiel. de la tension appliquée. la tension à la jo nction décroît de 2 mV pour une augmentation de température de 1° C (voir figure 13). Commentaires Le courant inverse de saturation des jonctions au Silicium est de l'ordre de grandeur de 10-12 à 10-15 A de telle sorte qu'on peut généralement le considérer comme nul en polarisation inverse. égal à l'accroissement dU de tension . U >> nUT. pour une jonction abrupte.2. on traduit ce comportement capacitif par la notion de capacité de transition. Introduction La largeur de la zone de déplétion dépend de la hauteur de la barrière de potentiel et. 7. pour varier les dimensions de cette zone. CAPACITE DE TRANSITION 7. Dans la description de la jonction en régime dynamique. Assertion La largeur l de la zone de déplétion suit la loi: (19) dans laquelle le paramètre m est compris entre 1/3.6. pour une jonction progressive linéaire. 7. on doit introduire ou retirer des charges mobiles qui neutralisent les charges fixes des atomes ionisés. A courant constant. 7. et 1/2. la relation (14) peut se mettre sous la forme approchée : (17) La représentation semi-logarithmique de la figure 14 fait apparaître l'erreur commise en utilisant la relation (17) plutôt que (14).5. Dans les cas pratiques. Définition Soit QT la charge de la zone de déplétion dans la région neutre n.1.

A la section de la jonction et l la largeur de la zone de déplétion. Description Comme pour tout condensateur plan. provoque un accroissement d QT de la charge QT (voir figure 15). la capacité de transition varie également en fonction de U selon la relation: (22) où CT0 est la capacité de transition à tension nulle.4. la capacité de transition se calcule d'après la relation: (21) où ε est la permittivité du semi-conducteur. Comme la largeur de la zone de déplétion dépend de la tension U appliquée (20). elle a pour expression : .appliqué à la jonction. Figure 15: capacité de transition On appelle capacité de transition la capacité différentielle définie par la relation: (20) 7.

Diode PIN La figure 17 montre la structure schématisée d’une diode PIN réalisée en technologie mesa. Remarque Dans les diodes dites VARICAP. cependant. pour réaliser des circuits oscillants dont la fréquence de résonance est réglée au moyen d'une tension. par exemple. Par rapport à la diode P+ N.1. Figure 16: allure de la capacité de transition 7. la propriété que l’on exploite en hyperfréquence est totalement différente. On a recours à de tels éléments en radio. la diode PIN possède une région centrale (W I ) où le champ électrique est constant. de telle sorte que l’on a une diode PpN ou P?N. on utilise la propriété de variation de la capacité de transition en fonction de la tension moyenne appliquée. 8.5. DIODES SPECIALES 8. La hauteur de la barrière de potentiel est plus grande que dans une diode PIN (Figure 18). cette zone est une zone à haute résistivité de type P (zone p) ou de type N (zone ?). C’est une jonction PN ayant une zone intrinsèque (zone I) entre les couches P et N : en pratique. on a représenté l'allure de la capacité de transition en fonction de la tension appliquée à la jonction.(23) A la figure 16. En l'absence de polarisation le champ électrique est trapézoïdal. . Wi Figure 17 – Structure d’une diode PIN Cette structure est identique à celle des PIN utilisées en électronique de puissance en tant que redresseurs (bonne tenue en tension) .

lorsque la diode est polarisée en direct. . Le schéma équivalent HF de la diode PIN est donc celui de la figure 19. En polarisation inverse la zone W I est désertée. où en polarisation inverse Ri = ∞ et en polarisation directe le condensateur C est court-circuité par une résistance de faible valeur. d = épaisseur de la zone I. présente une résistance Ri égale à : Ri = K Id–x Avec x ˜ 0.9 et K un coefficient de proportionnalité. S = surface de la jonction. l’inductance Ls est due au boîtier et aux fils de connexion. la capacité de la jonction reste constante et est égale à : C= ε S d Avec : ε = permittivité électrique du diélectrique W i.Figure 18 – Répartition de la charge volumique et variation du champ électrique La région intrinsèque. La résistance Rs est liée aux résistances de contact et de substrat.

atténuateurs variables : on utilise la variation de la résistance en fonction du courant direct. L'effet tunnel est une conséquence de la mécanique quantique. en polarisation directe il est réfléchi. la structure étant toujours insérée dans le chemin de propagation de l'onde hyper. la résistance de la diode peut être 10000 fois plus grande en inverse qu'en direct. . Diode Tunnel La diode tunnel ou diode Leo Esaki (scientifique japonais) est obtenue à partir d'une couche P dégénérée (NA > 1019 cm -3) et d'une couche N dégénérée (ND > 1019 cm -3). 2. 1. Son principe repose sur la probabilité non nulle pour un électron en mouvement de franchir une barrière de potentiel d’énergie supérieure à son énergie cinétique. Applications hyperfréquences.2.Figure 19 – Schéma équivalent d’une diode PIN Utilisations de la diode PIN. en polarisation inverse le signal passe. interrupteurs : on utilise 2 propriétés de la structure : la capacité de la diode varie peu en fonction de la tension appliquée. Figure 20 – Atténuateur à diode PIN 8. • • Redresseurs de puissance en BF. on insère la structure sur le chemin de propagation de l'onde hyperfréquence. modulateurs. La structure PIN peut tenir des tensions inverses très grandes (10 kV) et la chute de tension en direct est de l'ordre du volt pour des courants de 100 A/cm2.

Cet effet est obtenu avec une jonction créée avec des semi-conducteurs fortement dopés. L’utilisation de la zone autour de ce point nécessite une polarisation particulière qui permet de travailler en variations. Ir). Il en résulte la caractéristique représentée à la Figure 21. Introduction Gunn a observé en 1963 que des oscillations de courant se produisaient dans un barreau de GaAs de quelques dizaines de micromètres lorsqu’on le soumettait à des impulsions de tension de grande amplitude et que ce système constituait un générateur hyperfréquence dans la gamme du gigahertz. Diode Gunn 8. On y observe une conductance négative. Ce composant. linéarisée autour du point de repos (Vr. La portion où le courant décroît en fonction de la tension est la partie utile (entre la tension de pic Vp et la tension de vallée Vv ). Cette résistance (ou conductance) dynamique est mise à profit dans les oscillateurs hautefréquence pour compenser la résistance d’un circuit LC due aux imperfections des éléments.3. appartient à la famille des dispositifs à transfert d’électrons.1. La conséquence s’apparente à un effet d’avalanche en direct. et a permis aux hyperfréquences de se répandre dans le publique (radars Doppler). permet de construire des oscillateurs hyperfréquences petits. Figure 22 : Symbole de la diode tunnel. La diode GUNN (Figure 23) est basée sur le fait que dans certains semi-conducteurs la caractéristique de vitesse de dérive des électrons en fonction du champ électrique présente une effet de MOBILITE DIFFERENTIELLE NEGATIVE suite au transfert des électrons d’une vallée à haute mobilité vers des vallées satellites à faible mobilité. Figure 21 : Caractéristique de la diode tunnel. légers et bon marché. présentant cet effet de volume. Le courant qui augmente rapidement puis décroît et reprend sa croissance exponentielle (comme pour une diode classique). mais bien d'un barreau de semi-conducteur à deux accès).3. 8.il ne s'agit pas à proprement parler d'une diode. La diode Gunn (Figure 23 . Figure 23 : Diode gunn .

la fréquence est supérieure à la fréquence de transit et pendant une partie de l’alternance. l’extension sinusoïdale peut descendre sous ξ p. des charges de polarité identiques s'attirent et s'accumulent exponentiellement.Amplitude champ variable toujours > ξ p Figure 25 : Oscillateur à diode Gunn 1. 4. elle utilise en effet la mobilité différentielle négative des électrons dans le GaAs (Arsenure de Gallium). On a ici : l f < ft l rendement jusque 20 % 3. . Il existe quatre modes de fonctionnement en régime grand signal qui sont fonction des paramètres du dispositif et des conditions électriques opératoires. La diode se comporte comme une IMPEDANCE A PARTIE REELLE NEGATIVE pendant la majeure partie du cycle et le champ électrique est quasiuniforme. Mode à domaine retardé : T > Tt Dans ce mode. Mode LSA (Limited Space Charge Accumulation) : On utilise une fréquence d’accord telle que les domaines n’ont plus le temps de se former.. Mode à temps de transit Ce mode correspond à l’extension grand signal : l f = ft l rendement faible ~quelques pourcentage 2.).3.. Mode à domaine étouffé : ft < f < fd (=1/t d) Ici.2. Toute une série de modes peuvent apparaître dans une diode Gunn. Figure 24 : mobilité des porteurs dans le Si et le GaAs Dans un barreau de GaAs polarisé dans la région de mobilité différentielle négative (voir Figure 24).Fréquence de résonance RLC fixée telle que : f = 1/Tt = ft . . Cette mobilité différentielle est causée par le transfert d'électrons d'une bande d'énergie à haute mobilité à une bande d'énergie à basse mobilité (voir Figure 24). le domaine s’effondre avant d’atteindre l’anode (peu utilisé.8. Principe de fonctionnement La diode Gunn fait partie de la famille des "TED" (Transfered Electronic Devices).

Leur inconvénient majeur est qu’ils génèrent des bruits de phase d’un niveau non négligeable. Ce résultat provient de la nature statistique de la procédure d’avalanche. Ces diodes sont d’excellents générateurs micro-ondes pour plusieurs applications.(constante de temps diélectrique à faibles champs) (70 GHz : GaAs).IMPact ionization Avalanche Transit-Time) est une diode de puissance utilisée comme composant électronique hautes fréquences et micro-onde. Figure 26 : Diode Impatt 8. Ces diodes sont utilisées dans plusieurs applications des radars faible puissance aux alarmes. Diode BARITT C’est une diode qui nécessite une faible puissance d’alimentation et qui trouve son application dans les oscillateurs locaux pour un système de communication et pour récepteur radar. Cette diode utilisée pour des fréquences allant de 3 à 100 GHz. En effet. si la période d’excitation sinusoïdale devient plus faible que t 0. Diode IMPATT La diode IMPATT (Figure 26 .4. le porteurs n’ont plus le temps de transiter d’une vallée à une.5. .1/t d = f = 1/ t 0 avec t 0 = ε /(qND µ 0) . 8.

. Partage des conditions initiales à l'identique). .REPUBLIQUE DU CAMEROUN Paix .Olivier VIDEME Le contenu est placé sous licence /creative commons/ de niveau 5 (Paternité.Work – Fatherland -------------------UNIVERSITY OF YAOUNDE I -------------------NATIONAL ADVANCED SCHOOL OF ENGENEERING ---------------------- -------------------- MASTER PRO 2 EN TELECOMMUNICATIONS DISPOSITIFS ET CIRCUITS MICRO-ONDE Leçon 2 :   LE TRANSISTOR MESFET Equipe des concepteurs : .Travail – Patrie --------------------UNIVERSITE DE YAOUNDE I ---------------------ECOLE NATIONALE SUPERIEURE POLYTECHNIQUE REPUBLIC OF CAMEROUN Peace . Pas d'utilisation commerciale.

de l'Arséniure de gallium (AsGa). a donné lieu à une réflexion sur de no uveaux systèmes et normes de transmission. ce qui permet de fabriquer des composants pouvant supporter des tensions importantes . Le Tableau II-1 présente les principales propriétés du Silicium (Si). vitesse de saturation et conductivité thermique).43 . que leur confère leur largeur de bande interdite.cm-1.4 Mobilité électronique µ n (cm2. INTRODUCTION Ces dernières décennies. du GaN et du SiC Gap Eg (eV) Champ de claquage (MV. le développement de la téléphonie mobile a conduit à un essor très important du secteur des télécommunications.V-1. Celui-ci était jusqu'à présent réalisé principalement en Arséniure de Gallium.54 Si 1.cm-1) 0.Leçon 2 : LE TRANSISTOR MESFET I. entraînant une montée en fréquence et autorisant des densités de puissance plus importantes.. Les semi-conducteurs grands gaps ont alors suscité un intérêt important. Le téléphone portable est devenu un outil de communication de plus en plus performant offrant de plus en plus de fonctionnalités (texto. De plus. ces évolutions ont orienté les recherches vers de nouveaux choix technologiques. Le besoin croissant de transmettre des données et d'accéder à un volume important d'informations pour les hommes.3eV selon son polytype (6H ou 4H).. L'industrie des technologies hyperfréquence travaille depuis de nombreuses années avec le transistor MESFET (MEtal Semi Conductor Field Effect Tranistor). photo. de Nitrure de Gallium (GaN) et du Carbure de Silicium (SiC) pour une densité de donneurs Nd de 1017 atomes/cm3 . les techniques de codage. Au niveau des composants. Les propriétés physiques et électriques. email. C'est un semi-conducteur à grande largeur de bande interdite ayant un gap compris entre 2.s -1) 1x107 1x107 Conductivité Thermique (W. sont très intéressantes pour un grand nombre d'applications de fortes puissances et à très hautes températures.. en particulier au niveau de la densité de puissance fournie.s-1) 800 4900 Vitesse de saturation (cm. Tableau II-1 : Comparaison des propriétés du Si. II.12 AsGa 1. où qu'ils soient. de l'AsGa. le SiC a un champ de claquage huit fois plus élevé et une conductivité thermique trois fois plus élevée que le Silicium. ainsi le Carbure de Silicium présente des caractéristiques physiques très intéressantes pour des applications à hautes températures et à fortes puissances. Ce développement spectaculaire a conduit à une recherche de technologies robustes et fiables que ce soit pour la fabrication des composants. PROPRIETES PHYSIQUES DU CARBURE DE SILICIUM Le Carbure de Silicium (SiC) fut reconnu dès le début des années 1960 pour ses qualités (champ électrique.2 et 3.K -1) 1.25 0.5 0.). Le Silicium comme l'Arséniure de Gallium et d'autres matériaux sont utilisés beaucoup trop près de leurs limites physiques.

La vitesse de saturation pour les semi-conducteurs à grand gap est considérablement plus élevée que celle du silicium ou de l'arséniure de gallium.106 V/cm.3 3.4 3. De plus. La valeur du champ électrique. pour laquelle se produit la saturation de la vitesse de dérive.GaN SiC 3. Cette diminution de la mobilité se traduit par une variation non linéaire de la vitesse de dérive des r porteurs : r V = ± µ(E )E Avec : µ0 µ(E ) = E 1+ Vsat La mobilité des électrons (µn) et des trous (µp) sont des paramètres physiques prépondérants pour les dispositifs microondes.2 1000 560 1.7 Les paramètres électroniques qui présentent le plus d'intérêt sont les caractéristiques de transport de charges (trous et électrons). En d'autres termes.5x107 2x107 1. il devient alors possible d'appliquer aux transistors MESFETs SiC de fortes . les interactions des porteurs avec les vibrations du réseau entraînent une diminution de la mobilité des porteurs. Lorsque le champ électrique devient important. ils influent sur les performances RF. la transconductance (G m) et le gain en puissance des transistors MESFETs de puissance. Dans le domaine des faibles champs électriques. la mobilité des porteurs est indépendante du champ électrique et la vitesse de dérive s'écrit simplement : r r V = ±µ 0 E Avec : qτ µ0 = * m τ : temps de relaxation et m* : masse effective. En particulier. Avec un tel champ de claquage.3 3 2. de part sa grande largeur de bande interdite. est très importante puisqu'elle traduit les phénomènes d'accélération des porteurs jusqu'au régime de saturation. les porteurs libres sont en équilibre thermodynamique avec le réseau et leur vitesse moyenne est proportionnelle au champ électrique. La vitesse de dérive des porteurs présente une valeur maximale V sat obtenue pour une valeur critique du champ électrique notée E c . Ce qui permet d'obtenir de forts courants DC et RF pour les transistors MESFETs SiC. Le Carbure de Silicium. présente un fort champ électrique d'avalanche de l'ordre de 2. Le champ électrique critique et la conductivité thermique sont les paramètres physiques d'un semi-conducteur qui fixent les performances en termes de puissance maximum d'un composant actif. le champ électrique d'avalanche fixe la limite fondamentale de fonctionnement d'un composant de puissance.

vitesse et coefficient de diffusion) les plus intéressantes.1. les FETs fabriqués sont principalement de type N. • grille métallique isolée pour le transistor MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor) . Figure I-7 : Caractéristique de la vitesse des électrons en fonction du champ électrique pour plusieurs semi-conducteurs avec N d = 1017 atomes/cm3 Les semi-conducteurs à grand gap ont une mobilité relativement faible malgré une vitesse de saturation élevée. ce qui permet d'obtenir des puissances RF élevées en sortie. III. Historique et Généralités Le principe du transistor à effet de champ (FET ou TEC) a été inventé en 1952 par W. . Le polytype 6H-SiC a donc l'inconvénient de présenter une faible mobilité d'électrons : c'est une des raisons pour laquelle on préférera utiliser le polytype 4H-SiC pour des applications microondes. En principe. La caractéristique de vitesse des porteurs en fonction du champ électrique (figure I-7) est fondamentale pour déterminer l'amplitude du courant qui peut circuler dans un composant. Les électrons présentant les propriétés de transport (mobilité.tensions de polarisation de drain. La mobilité du polytype 4H-SiC est à peu près deux fois celle du polytype 6H-SiC . Le Transistor à effet de champ est un dispositif unipolaire où seuls les porteurs majoritaires interviennent dans le fonctionnement.s. LE TRANSISTOR MESFET SiC III. la mobilité des électrons pour le SiC varie de 200 à 600 cm2 /V. on souhaite une forte mobilité associée à une forte vitesse de saturation. Shockley a imaginé trois structures principales de transistors à effets de champ correspondant à différents contacts de grille qui sont : • grille à jonction PN pour le transistor JFET (Junction Field Effect Transistor) . Pour une densité de dopage de l'ordre de 1017 atomes/cm3 . Shockley. W. • grille métallique à barrière Schottky pour le transistor MESFET (MEtal Semiconductor Field Effect Transistor).

Celui de l'électrode de grille est de type Schottky. une fine couche active dopée N est insérée. soit par implantation ionique.2 µm à 0. De plus. La petite dimension de contact de grille Lg est appelée par convention longueur de grille du transistor.Le MESFET fut le premier composant à être fabriqué. Enfin. il apparaît tout d'abord un substrat mono cristallin en SiC qui doit être le moins conducteur possible. néfastes pour les performances du composant. .4 µm. Elle évite la migration d'ions au niveau de l'interface et préserve la valeur de la mobilité des porteurs dans cette région. Sur ce substrat. les principales dimensions géométriques sont représentées. Mead proposa en premier lieu de remplacer le Silicium des premiers FETs par un semi-conducteur tel que l'Arséniure de Gallium (AsGa). Elle détermine en grande partie la fréquence maximale d'utilisation du transistor. Deux zones fortement dopées N+ . Pour les composants hyperfréquences elle est souvent inférieure à 1 µm. soit par épitaxie. Elles permettent de réduire les résistances de contact. Cette évolution a u niveau matériau a permis l'utilisation des MESFETs aux fréquences microondes. Son épaisseur est de quelques microns. La structure d'un transistor à effet de champ est représentée par la Figure III-1. Les deux extrêmes forment les électrodes de source et de drain. La deuxième dimension est la largeur de grille W et elle rend compte de la taille du transistor. L'épaisseur « a » de la couche active est généralement de 0. Le contact est de nature ohmique. l'une sous l'électrode de drain. Sa dimension typique est de l'ordre de 50 à 1000 fois celle de Lg. trois contacts par dépôt de film métallique sous vide sont réalisés. Les premiers résultats en puissance obtenus avec un MESFET datent de 1994. Figure III-1 : Vue en coupe d'un MESFET SiC En partant du bas de la Figure III-1. Il ne joue aucun rôle électrique mais constitue essentiellement un support mécanique pour le reste du composant. sur la Figure III-1. Les propriétés électriques de la structure sont généralement améliorées par la présence d'une couche tampon faiblement dopée entre la couche active et le substrat. l'autre sous l'électrode de source sont habituellement rajoutées à la structure par une nouvelle implantation ou par un procédé de diffusion.

l'augmentation de la tension positive de drain crée un champ électrique dans le canal. .III. Aucun courant ne peut traverser cette couche. appelée zone de charge d'espace (ZCE). diminuant ainsi le passage du courant. établissant ainsi un courant IDS (drain-source). Lorsque la tension de grille est suffisamment négative. Figure III-2 : Vue en coupe et polarisation d'un MESFET SiC A tension de drain fixée. toujours par rapport à la source (Figure III-2). Le transistor est alors dit « pincé » et la tension appliquée sur la grille est alors appelée tension de pincement (V p). A tension de grille fixée. Principe de Fonctionnement du Transistor à Effet de Champ La base du fonctionnement d'un MESFET est la possibilité de moduler l'épaisseur du canal sous la grille (Figure III-1). ne laissant plus passer le courant.2. se crée sous la grille. En régime de fonctionnement normal le drain est polarisé positivement par rapport à la source. la ZCE vient complètement obstruer le canal (en pointillé sur la Figure III2). Le contact de grille est de type Schottky. la polarisation négative de la grille a pour effet d'augmenter la pénétration de la zone de charge d'espace dans la couche active. Ce champ entraîne les électrons de la source vers la grille. tandis que la grille est polarisée négativement. La région où le courant peut circuler est donc réduite à la fraction de la couche active non dépeuplée. Une couche dépeuplée d'électrons libres.

un accroissement de la densité des porteurs doit compenser une diminution de la vitesse (produit n* v = constante). Pour maintenir la valeur du courant dans le canal constante. . La vitesse de dérive des électrons augmente d'abord linéairement pour passer par un maximum (E longitudinal = Epic du semi-conducteur) . le champ longitudinal (parallèle au trajet source drain) augmente d'abord linéairement jusqu'au voisinage du pincement puis il va décroître rapidement. L'amplitude du champ électrique continuant à croître (E longitudinal > Epic du semi-conducteur) la vitesse de dérive va chuter pour tendre vers sa valeur limite.Figure III-3 : Graphes caractéristiques de polarisation d'un MESFET SiC • • • • Dans le canal.

Malgré ce fonctionnement plus complexe. à cause de leur grille très étroite. présentent des tensions de fonctionnement (donc des puissances consommées) faibles. et des fréquences de coupure qui peuvent atteindre les 100 GHz. Figure III-4 : Structure d'un MESFET (longueur de grille L et d'épaisseur de canal d). Près du drain. La tension de seuil VT. Ils sont principalement utilisés dans l'amplification très haute fréquence et faible bruit ainsi que pour les logiques ultra-rapides. l'amplitude du champ électrique diminuant. d'un MESFET est égale à : qNd d 2 VT = φi − 2ε s où φ i est le potentiel interne et d l'épaisseur de la région dopée. Cette tension seuil peut également être écrite en fonction de la tension de pincement V P : VT = φi − Vp avec : qNd d 2 Vp = 2ε s Considérons une petite section du MESFET comprise entre y et y + dy. La densité de courant en ce point peut être écrite en fonction du gradient de la tension du canal : dV ( y ) J = qnv = qNd µ n ∈= −qN d µ n c dy Le courant de drain vaut : I D = − JW ( d − x n ( y )) La largeur de la couche à la position y est liée à la tension de canal VC (y). par : 2ε s (φ i − VG + Vc ( y ) ) xn ( y) = qN d .• • Cet appel d'électrons avant le pincement entraîne une diminution de leur densité après le pincement. la vitesse de dérive des électrons repasse par une valeur pic avant de chuter brutalement au voisinage du drain. les MESFET en GaAs ou en InP.

le terme de gauche est égale au courant ID multiplié par L de sorte que : VD   3/ 2 W  VD 2  (φi − VG + VC )   I D = qN d µn d  [Vc ]0 −    L 3 Vp 0      Ce qui nous donne : 3/ 2 W 2  (φ i − VG + VD ) (φi − VG )3 / 2     I D = qµ n N d d VD − −  L 3 Vp Vp    Ce résultat est valide tant que la largeur du canal non dépeuplé (d . . le canal est plus resserré à proximité du drain. La Figure III-5 représente l'évolution des caractéristiques typiques du courant de sortie IDS en fonction de la tension V DS . Pour une plus grande tension de drain. sat Le courant correspondant est le courant de saturation IDsat : W = qµn N d d L  2 (φ − VG )3 / 2   VG − VT −  Vp − i  3 Vp     I D. Une région appelée zone ohmique dans laquelle le courant de drain varie linéairement en fonction de la tension V DS. Une deuxième région appelée zone de fonctionnement saturé où le courant de drain ne dépend quasiment que de la tension V GS. sat Où : W = Largeur du canal L = Longueur du canal µn = mobilité du canal Nd = dopage du canal d = épaisseur du canal φ i = Potentiel interne La différence de potentiel entre la grille et le canal étant plus faible à l'extrémité située prés de la source que du coté drain.xn (y)) est positif. à savoir pour : VD ≤ VG − VT Cette condition définit également la région quadratique d'un MESFET. le courant sature et nous avons : VD = VG − VT = VD.L'équation du courant peut maintenant être intégrée de la source vers le drain : VD L  φ − VG + VC  dVc I Ddy = qN d µn dW ∫ 1 − i ∫   Vp 0 0  Comme le courant à l’état stable est indépendant de la position. L'observation du réseau de caractéristiques (Figure III-5) permet de distinguer deux zones de fonctionnement du transistor à effet de champ. Ce réseau est obtenu en faisant croître la tension V DS pour plusieurs niveaux de la tension V GS.

pour de faibles valeurs de la tension de drain. On nomme le courant de saturation (IDSS). l'augmentation de la tension V DS n'a quasiment plus aucune influence sur le courant. Arrivé à un certain stade. Certaines applications telles que les mélangeurs ou les déphaseurs nécessitent en général ce régime de fonctionnement linéaire ou le transistor est polarisé à froid (V DS = 0). lorsque le courant de drain (IDS) du transistor commence à rentrer dans la zone de saturation pour une tension de polarisation de grille V GS nulle. IV. Le courant varie proportionnellement à V DS.5V et I DS0 = 145mA Description de la zone linéaire Cette zone est également appelée zone ohmique qui correspond à une évolution quasi-linéaire du courant de drain (IDS) pour de faibles valeurs de la tension drain source (V DS ).Figure III-5 : Réseau de caractéristiques mesurés IDS = f (V DS ) à V GS = C ste Polarisation V DS0 = 40V. Polarisation du transistor Le diagramme du circuit de polarisation est représenté à la Figure IV. Description de la zone saturée Avec l'accroissement de la tension de drain.6. le canal reste de section sensiblement uniforme sous la grille. Les valeurs des résistances sont calculées en tenant compte du courant de grille désiré (IG = 0) du courant de drain désiré (IDS). Le transistor est alors assimilable à une résistance variable dont la valeur est contrôlée par la tension de grille. de la tension de polarisation (V DS) et de la tension grille-source VGS de la façon suivante : RS = VG − VGS I DS . En effet. la section de la zone dépeuplée (zone de charge d'espace) commence à se déformer en devenant beaucoup plus importante côté drain que côté source. V GS0 = -6. Ce resserrement du canal provoque un ralentissement de la croissance du courant de drain.

. C PG. R D et C PD sont considérés comme indépendants de la fréquence.RD = VDD − VDS − VS I DS La résistance de RG augmente la stabilité de l'amplificateur aux basses fréquences. L S. Figure V. RG.7. Schéma équivalent du transistor MESFET SiC Les éléments extrinsèques L G.6. RS . Polarisation du transistor V. L D. Figure IV. Schéma équivalent du transistor Aux fréquences élevées on utilise généralement le schéma équivalent du transistor aux hautes fréquences.

03 RS(O) 6.98 RD(O) 5.55 10-12 LG(pH) 981 CPG(fF) 512 RGD(O) 147.01 CB 5.9 LD(pH) 178 CDS(fF) 509 N -1.57 CPD(fF) 107 Tableau V-3 : Exemple de valeurs des éléments extrinsèques d’un transistor SiC Tableau V-4 : Exemple de valeurs des éléments intrinsèques d’un transistor SiC . Le modèle que nous avons choisi est le modèle non-linéaire d'Alaoui comportant 6 paramètres. Le modèle de la capacité d'Alaoui est décrit par les équations cidessous : CGS = CGS0 ∂Veff  Veff 1 − ∂VGS  VB    + CB       n +1 n QGS = −CGS 0 VB  Veff 1− N +1 VB  + CBVGS D’où d1 − d 2 VT + VB + 2 2 Avec : Veff = d1 = d2 = (VGS − VB ) + D 2 (VGS − VB ) − D2 Tableau V-2 : Exemple de valeurs des éléments constitutif de la capacité non-linéaire CGS CGS0 5. la capacité CGS ne dépend alors que de la tension présente à ses bornes.25 RI(O) 0.9 VB 8.79 LS(pH) 650 CGD(fF) 127 D -6.En première approximation nous pouvons considérer que la capacité C GS est quasiment indépendante de la tension de drain.55 10-12 RG(O) 3. Dans cette hypothèse.55 VT -9.

Work – Fatherland -------------------UNIVERSITY OF YAOUNDE I -------------------NATIONAL ADVANCED SCHOOL OF ENGENEERING ---------------------- -------------------- MASTER PRO 2 EN TELECOMMUNICATIONS DISPOSITIFS ET CIRCUITS MICRO-ONDE Leçon 3 :   LES CIRCUITS MICRO‐ONDES Equipe des concepteurs : . Pas d'utilisation commerciale. Partage des conditions initiales à l'identique).REPUBLIQUE DU CAMEROUN Paix ..Travail – Patrie --------------------UNIVERSITE DE YAOUNDE I ---------------------ECOLE NATIONALE SUPERIEURE POLYTECHNIQUE REPUBLIC OF CAMEROUN Peace .Olivier VIDEME Le contenu est placé sous licence /creative commons/ de niveau 5 (Paternité. .

caractérisée par ses paramètres S et entouré de part et d'autre par des réseaux d'adaptation d'impédance. Figure 1 : Configuration générale d'un amplificateur I. le gain.1. notamment. Théorie de conception des amplificateurs La figure 1 illustre la structure générale d'un amplificateur. Ces coefficients sont donnés par : S S Γ (2) Γin = S11 + 12 21 L 1 − S22ΓL .Leçon 3 : LES CIRCUITS MICRO-ONDES I. la stabilité.1.1. Gain de transfert Le gain de transfert ou encore gain transduscique correspond au rapport entre la puissance délivrée à la charge P L et la puissance disponible d'une source P AVS. Elle comprend un dispositif actif (en général un transistor). L'étude de ce schéma nous permet de déterminer les grandeurs importantes permettant de caractériser un amplificateur. Gain dans un amplificateur I. 1 − ΓS 2 1 − ΓL 2 2 (1) GT = S21 = G1G0G2 2 2 1 − S11ΓS 1 − ΓoutΓL Avec : 2 G0 = S 21 G1 = G2 = 1 − ΓS 2 1 − S11ΓS 1 − ΓL 2 1 − ΓoutΓL 2 2 Γout est le coefficient de réflexion à la sortie du quadripôle lorsque celui-ci est terminé par une impédance ZS correspondant au coefficient de réflexion ΓS . le facteur de bruit.

Stabilité d'un amplificateur La stabilité dont il est question dans cette partie correspond à la stabilité définie par rapport aux impédances de charges (ZS et ZL → ΓS et ΓL ).S12S21ΓS 1 − S11ΓS Remarque : Γout = S 22 + (3) Si ZS = ZL = R0 . alors GT = S 21 2 I. MAG = (1 − Γ )S 2 2 in * 2 21 1 − S11Γin (1 − Γ ) 2 out = (1 − Γ )S 2 in * 22 out 2 2 21 1− S Γ (1 − Γ ) 2 in (4) Remarques : Si ZS = ZL = R0 . on a Γin > 1 et ∀ Γout > 1 Pour définir le critère de stabilité. obtenu en posant ΓL = Γout et ΓS = Γin dans l’équation (1). En termes de coefficients de réflexion.2. c'est pourquoi il est important d'étudier la stabilité du système. . on a Γin < 1 et ∀ Γout < 1 Un amplificateur est conditionnellement stable si : ∀ ΓS < 1 et ∀ ΓL < 1 .1.1. Il est obtenu en posant ΓL = Γout dans l'équation (1).2. On défi nit alors le gain maximum disponible (MAG. on étudie le lieu de la limite de stabilité définie par Γin = 1 et Γout = 1 . Gain disponible Le gain disponible GA ou gain associé est égal au gain transduscique lorsque * la sortie du quadripôle est adaptée. Définition Un amplificateur est inconditionnellement stable si les parties réelles des impédances d'entrée et de sortie de l'amplificateur sont supérieures à zéro à une fréquence quelle que soit l'impédance de source et de charge. Après analyse : • Le lieu Γin = 1 est un cercle de centre OC L et de rayon RCL. I. (Maximum * * Available Gain)).2. 1 − ΓS 2 2 1 (4) GA = S 21 2 2 1 − Γout 1 − S11ΓS Ce gain est maximum lorsque l'entrée et la sortie sont adaptées simultanément. cette condition revient à poser l'inégalité suivante : ∀ ΓS < 1 et ∀ ΓL < 1 . En effet l'adjonction des réseaux d'adaptation d’entrée et de sortie peut parfois introduire des problèmes de stabilité et l'amplificateur peut se mettre à osciller. alors Γin = 0 et le gain disponible devient : MAG = S 21 2 *2 (6) 1 − S22Γout I.

L'analyse graphique de la stabilité se fait par le tracé des cercles de stabilité pour l'entrée de l'amplificateur. On distingue quatre cas de figures correspondant à deux inégalités : • S11 < 1 : La zone contenant le centre de l'abaque de Smith est stable (Figure 2).OCL (S = − ∆S11* 2 2 S 22 − ∆ 22 ) * (6) (7) RC L = S 21 S12 S22 − ∆ 2 2 • OCS (S = Le lieu Γout = 1 est un cercle de centre OC S et de rayon RCS. Le lieu de stabilité est ainsi défini soit à l'intérieur soit à l'extérieur de ces cercles correspondants au domaine de stabilité. Figure 2 : Zones de stabilité pour S11 < 1 . − ∆S22* 2 2 S11 − ∆ 11 ) * (9) (10) RC S = S21 S12 S11 − ∆ 2 2 Avec ∆ = S11S 22 − S12S 21 .

• S11 > 1 : La zone contenant le centre de l'abaque de Smith est instable (Figure 3). on veut que tout l'intérieur de l'abaque de Smith entraîne un comportement instable pour le quadripôle (pour l'entrée et la sortie). |S22 | < 1 et K > 1 Si ces conditions ne sont pas vérifiées. Figure 3 : Zones de stabilité pour S11 > 1 I. I. Les inégalités exprimées plus haut peuvent s'écrire en fonction des paramètres S du quadripôle.2. la puissance à l'entrée d'un système est fixée par le calcul du bilan de liaison. L'adaptation simultanée entrée-sortie n'est possible que si le quadripôle est inconditionnellement stable (K>1).2. Analyse de la stabilité inconditionnelle Dans le fonctionnement inconditionnellement stable d'un amplificateur. Il est donc important de maximiser le gain de l'étage amplificateur afin de minimiser le nombre d'étages de la chaîne amplificatrice. l'amplificateur est conditionnellement stable et il faut donc tracer les cercles de stabilité. Adaptation en puissance simultanée entrée – sortie Généralement. Le gain transduscique s'exprime alors par : .3.2. Ceci revient à trouver les impédances Z1 = Zin* et Z2 = Zout* à présenter à l'entrée et à la sortie du transistor afin de garantir le transfert maximum de puissance de la source vers la charge et de la puissance disponible du quadripôle. à l'aide du facteur de Rollet K : 2 2 2 1 − S11 − S 22 + ∆ (11) K= 2 S12 S 21 On peut donc montrer que les conditions nécessaires pour assurer la stabilité inconditionnelle d'un amplificateur sont celles-ci : |S11 | < 1.

4. Le lieu des points pour lesquels le facteur de bruit F est constant correspond à un cercle de centre C fb et de rayon Rfb. il faut choisir ΓS dans la région stable au prix d'un facteur de bruit supérieur au minimum. Cercles de bruit et adaptation en bruit Il est possible de minimiser la contribution en bruit du transistor en lui présentant à l'entrée une impédance de source telle que ΓS = Γopt . Il est donc inutile de chercher à obtenir le gain maximum par adaptation complexe conjugué . Ensuite la sortie est adaptée en puissance en p renant une impédance de charge située dans la zone stable du cercle de stabilité de la charge.GT = S 21 K + K 2 −1 S12 ( ) (12) Dans le cas o ù le quadripôle est conditionnellement stable. Dans ce cas. il faut choisir Γopt dans la région stable de l'abaque de Smith. . Si ce n'est pas le cas. Dans le cas d'un transistor conditionnellement stable. la sortie * peut être adaptée en puissance en choisissant ΓL = Γout .2. lieux qui décrivent un cercle de centre OS et de rayon RS en entrée et un cercle de centre OL et de rayon RL en sortie : RS = OS = 1 − G1 1 − S11 1 + G1 S11 G1 1 + G1 S11 2 ( 2 ) (12) (14) 2 S11 * RL = OL = 1 − G2 1 − S 22 1 + G2 S 22 G2 1 + G2 S 22 2 ( 2 ) (15) (16) 2 S22 * I. Γ (17) C fb = opt 1+ N R fb = N 2 + N 1 − Γopt 1+ N ( 2 ) (18) Avec : 2 F − Fmin N= 1 + Γopt 4rn Le tracé de ces cercles permet de chiffrer la dégradation du facteur de bruit lorsque le coefficient de réflexion présenté à l'entrée s'éloigne de la charge optimale. On définit alors les cercles à gains constants qui permettent de déterminer les lieux des points dans le plan ΓS et ΓL pour lesquels les gains G1 et G2 sont constants. Ceci est toujours possible si le transistor est inconditionnellement stable (K>1). Les terminaisons de sources et de charges permettant de satisfaire le critère de stabilité conditionnel ne donneront qu'un gain inférieur au gain maximum absolu. le gain est maximum pour des valeurs de ΓS _ max et ΓL _ max qui sont à l'extérieur de l'abaque de Smith et donc qui ne sont pas réalisables à l'aide d'élé ments passifs.

71° 0.52|-29° 0.4° 3. On constate qu'en-dessous de 700 MHz prend naissance une zone instable interférant avec l'abaque. les paramètres S en fonction de la fréquence ont comme valeurs : Fréquence en MHz 300 500 700 900 S11 0.122|-156° 0.17° 0.082|69° 0. seront à prendre en considération lors du choix des coefficients de réflexion tant en entrée qu'en sortie. . les cercles d'instabilité ont été reportés sur l'abaque de Smith .80° 5.19282|-53.10° 0.09751|-32. A partir des éléments calculés ci-dessus.II.49|-28° 0. ces zones interdites.57|-30.2) : Cercles critiques d’instabilité Fréq.2° 2. Le transistor choisi est le BFR 90 (NPN au silicium) pour lequel au point de polarisation (V CE = 8 volts. Il importe en premier lieu de tracer.34701|-35.44500|-17.77429|41.359 4.1525 0. Pour les cercles C 2.030 3. c'est l'inverse qui se passe. par essence.267|-88.45|89° 3. les zones interdites respectivement pour les impédances de charge (coefficient de réflexion Γ2 ) et de source (coefficient de réflexion Γ1 ). est inconditionnellement stable. et ce d'autant plus que la fréquence est plus basse. leur surface intérieure est une zone stable (|S22 | < 1).111|-179° S22 0.1980 0.37|99° 5.37603|-20.060|70° 0.7° 3.3° 2.13° 6.38829|34. lC = 14 mA).5° 0. Déterminant C1 en sortie C2 en entrée 2 MHz R1 R2 ∆ Ω1 Ω2 ∆ 300 500 700 900 0.voir figures 4a et 4b.248 3.46122|27. le cas échéant.428 5.71° On en déduit immédiatement que les cercles C 1 contiennent le centre de l'abaque p uisque a ∆ > |S11| et que. au moins pour les quatre fréquences du tableau ci-dessus.75|77° S12 0.46|-27° S21 11. Amplificateur large bande Cet amplificateur à un seul étage devra avoir un gain de transfert en puissance aussi constant que possible dans la bande de fréquences à amplifier de 500 MHz à 900 MHz.106|69° Les calculs vont être menés graphiquement en utilisant l'abaque de Smith.043|68° 0.934 3.940 4.49619|4.678 3.178|-122° 0.8° 0.103915|29. étant donné que cette fois on a ∆ < |S22|. Le tableau suivant a été établi à partir des équations de (7) à (10) donnant les rayons Ri et les centres Ω i des cercles C i (i = 1.35° 0. Bien que pour la suite de l'étude nous allons utiliser le modèle du transistor unilatéralisé qui. correspondant au transistor réel. les cercles critiques d’instabilité C2 en entrée et C1 en sortie qui détermineront.1414 0.61|112° 7.86° 4. par conséquent.100 4.24195|-11.1204 3.39048|-24.

. transistor et sortie. Ce gain est comparé. présentés par la source qui rendent la sortie critique Figure 4b : Lieux des coefficients de réflexion Γ2 . Les résultats sont regroupés ci-dessous. à GTmax (équation (11) et (12)). lorsque |K| > 1.Figure 4a : Lieux des coefficients de réflexion Γ1 . Les différents gains sont exprimés en décibels. qui rendent l'entrée critique Pour le transistor supposé unilatéralisé nous avons calculé en fonction de la fréquence le gain de transfert maximum en puissance GTUmax qui est la somme des trois contributions entrée. présentés par la charge.

ce qui donne 1 G1 max = . ramènera un coefficient de réflexion Γ2 (500 ) tel que G2(500) = . D’où à noter l'intérêt d'un transistor pour lequel |S11 | est faible.315 1 1 2 Avec GTU max = S21 2 2 1 − S11 1 − S 22 Entrée 1 1 + S11 2 Transistor Sortie S21 1 1 + S 22 2 0.2 dB . GTUmax 23.055 21.9490 700 1.1514|29° 900 0.5 0.37 ˜ 18.1277 13. Les éléments de ces cercles. Par ailleurs.19 1. il vient : A 900 MHz : G TU = 0 + 11.0041 17. .37 1.35 + 1.1868|29° 500 -5 0.5 décibels et à G2(900) = + 0. ce qui est intéressant dans la mesure où on cherche à obtenir le maximum de gain de l'étage. il faudra donc désadapter la sortie aux fréquences inférieures afin de faire chuter le gain à 500 MHz de 18.2295|29° 500 -4 0.900 MHz.37 – 6. à 900 MHz. à 500 MHz.48 + 1.7014 0.75 dB à 900 MHz.8 dB et qui.Fréquence Coef. On a vu que le lieu des coefficients de réflexion Γ2 tels que G2 est constant est un cercle.7 – 12. 2 1 + S11 Il ne sera donc pas nécessaire.5 et 0.14 0.48 1. c'est-à-dire pour Γ1 = S11* .8081 0.86 15. Ainsi dans ce cas.2 ˜ .985 12.8 0.4. G1 = 0 dB. rayons RG2 et centres Ω G 2 . à priori.03 dB.4 et . on aura alors : Γ1 = 0 .8 dB Le problème est donc maintenant le suivant : réaliser une cellule d'adaptation en sortie qui.70 1.57 (19) On constate que la différence G Tmax moins GTUmax décroît avec la fréquence : 1.3. de réaliser une cellule d'adaptation en entrée.2745 0. ramènera alors Γ2 (900 ) de façon que G2(900) ˜ 1.03 Gain unilatéralisé max.73 11.8030 500 0.03 ˜ 12.est particulièrement faible.5 dB Et à 500 MHz : G TU = 0 + 17.30 17.8 décibels.35 14.85 dB à 700 MHz et seulement 0. nous allons préciser les cercles correspondant à : G2(500) = .1824 0.5 = 6.83 900 1.065 0. à cette même fréquence le "gain" apporté par la cellule de sortie devra donc être : G2 = 1.7605 0.4.4408|27° . Afin de déterminer graphiquement la cellule.4171|27° 900 0. figurent dans le tableau calculé à partir des équations (19) et (20) : Fréquence (MHz) G2 (dB) RG2 ΩG 2 500 -3 0.32 0.32 18. Gain à (MHz) de l’adaptation stabilité GTm ax K 300 0.7 dB Recherchant un gain constant dans la bande 500 . le gain apporté par l'adaptation en entrée.

R0Cω Figure 5 : Adaptation large bande en sortie de l’amplificateur • A 500 MHz maintenant. nous avons retenu les cheminements suivants : • Se plaçant à 900 MHz. d’où C = 2.285 . R0Cω Toujours à 500 MHz. d’où L = Lω 14. Pour ce faire.8 dB (en fait -5 dB sur la figure) au point d’affixe Γ2 (500 ) = 0.5°.80 − j 0.67 nH. cette valeur de capacité nous conduit au point P tel −j que : = − jx . il faut rajouter une bobine en parallèle − jR0 dont la self inductance L est définie par : = − j 0.11 . on va de 0 à P’ en ajoutant un condensateur en série −j dont la capacité C se déduit de l’égalité : = − j1. mais cheminant cette fois sur l'abaque admittance.902 |77. soit x = 3. On procède alors par approximations successives .05 pF. on rejoint le cercle G2 = -4. • .Remarque : Lieu de Γ2 tel que G2 = constante = cercle G2 : RG 2 = ΩG 2 = 1 − G2 1 − S 22 1 + G2 S 22 G2 1 + G 2 S 22 2 ( 2 ) (20) (20) 2 S11 * Ces cercles ont été ensuite tracés sur l’abaque de Smith constituant la figure 5.73 .

Oscillateur III. il sera alors impossible de réaliser un oscillateur.178.5° Γ2 (900) = 0. cette valeur se déduisant de la relation − jR0 = − jy − j 0. quelle que soit la valeur de ΓL pour un transistor inconditionnellement stable. Tout se passe comme si on ramenait une impédance Z= R + jX telle que : Z − R0 S11 = ce qui en module donne : Z + R0 ' S ' 11 = (R − R0 )2 + X 2 ( R + R0 )2 + X 2 (23) La condition classique d'oscillation potentielle R < 0 se traduit donc en termes de coefficients de réflexion par |S’11| > 1.613 |21°. partant de la charge R0 = 50 Ω . si le module du coefficient de réflexion vu à l'entrée du transistor est inférieur à l'unité.1. sous une autre forme. En pratique on choisira donc un transistor tel que |K| < 1.902 |77.Repassant à 900 MHz.425 donnant y = 0. cette valeur d'inductance nous mène finale ment au point d'affixe Γ2 (900 ) = 0.613 |21° Figure 6 : Cellule en sortie réalisant l’adaptation large bande III. C'est précisément le cas. Lω La cellule d'adaptation large bande en sortie sera donc simplement constituée. d'un condensateur série puis d’une bobine parallèle selon le schéma de la figure 6 : • Γ2 (500) = 0. Rappels théoriques Le transistor dont on connait la matrice de répartition [S] à la fréque nce de fonctionnement désirée est supposé chargé par l'impédance ZL dont le coefficient de réflexion associé est : Z − R0 (22) ΓL = L Z L + R0 Le coefficient de réflexion S 11 vu à l'entrée du transistor ainsi chargé est donc : S S Γ ' S11 = S11 + 12 21 L 1 − S22ΓL ce qu'illustre le schéma ci-dessous : Figure 7 : Coefficient de réflexion ramené à l'entrée de l'oscillateur : condition d'oscillation. .

95|-59° .8 GHz 1.125 Même en base commune. ces transistors restent inconditionnellement stables. comme le montre sur trois exemples le tableau ci-dessous : Transistor Fréquence K émetteur commun BFT 65 1.964|144° S21 = 1. A 2 GHz. la première étape consistera à tracer sur l'abaque de Smith le lieu des coefficients de réflexion ΓL tels que |S'11 | = 1 (on a vu du reste qu'il s'agissait d'un cercle). Il est en fait difficile de trouver un transistor tel que |K| < 1. ayant déterminé ΓL et ΓS .8 GHz 1.8 GHz 1.Ce choix étant fait. Il existe cependant quelques composants que le constructeur a conçus spécialement en vue d'applications comme oscillateurs. par exemple en utilisant la règle de Mason que : ' b1 S11 = bS 1 − ΓS S11' (24) (25) Il y aura donc oscillation. soit : 1 (26) ΓS = ' S11 Ainsi. Pour cela. c'est-à-dire existence de l’onde réfléchie b1 alors que E = 0. Au cours de la deuxième étape. en base commune. on a la relation suivante entre onde incidente b 1 et onde réfléchie a 1 : a1 = ΓSb1 + bS Avec : E R0 Z − R0 ΓS = S et bS = Z S + R0 Z S + R0 On déduit. Citons le HXTR 4101. et de déterminer la zone instable interférant avec cet abaque . nous sommes maintenant à même de calculer notre oscillateur … Exemple d'investigation avec un transistor naturellement instable : recherche du maximum d’instabilité. c'est là que nous y sélectionnerons ΓL . les paramètres de répartition ont pour valeurs : S11 = 0. nous en déduirons alors la valeur de l'impédance ZS devant charger l'entrée.197 BFR 90 1. on peut partir du schéma : ΓS S11 = 1 (E = 0) ' Figure 8 : Choix de l’impédance de source réalisant l'accord Lorsque la source E n'est pas éteinte. pour un coefficient de réflexion à la fréquence désirée tel que ΓS S’11 = 1.136 BFR 34 A 1.

71084|63.k > 1 que l'angle OPK reste constant et égal à θ1 lorsque k varie.8235|52.1911 0.S12 = 0. Ω2 = 2 2 2 2 S 22 − ∆ S 22 − ∆ ( ) L’application numérique donne : R2 = 0. c'est-à-dire tel que |S'11 | soit le plus grand possible.9 ° On vérifie que Ω 2 . aussi nous passons à la première étape qui consiste à tracer le cercle d'i nstabilité en entrée défini par : * S12S 21 S 22 − ∆S11* R2 = . à condition de rester à l'intérieur de l'abaque.0.2534 0. sous réserve que ce point reste toujours à l'intérieur de l'abaque.38358 .R2 > 0.10 0. et.068|-45° On déduit ∆ = 0.05 0.7838|55.9 ° 1. les centres sont alignés et θ1 se déduit de la relation :  2 2  2 2 2  2 2 2 2  S22 − ∆  ∆ − S11 S 22  +  S 22 + ∆  S12 S 21 (27)     2 Ω (1) cos(θ ) =   2 2  S 22 − ∆  S12 S 21 ∆ S22   L'application numérique pour le transistor considéré conduit au tableau ci-dessous : Ω (k ) k R(k) 1 0.7108|63. comme par ailleurs |S11| < 1. Il semble naturel.94236 Et ainsi K = .039|120° S22 = 1.8° 2 D’où ∆ = 0. qu'il conviendra de choisir ΓL . de se placer en un point rendant maximale l’instabilité. le cercle ne contient pas le centre de l'abaque de Smith.3836 0. supposant à priori l'unicité de la solution. l'intérieur de ce cercle est donc zone instable . ce qui était à prévoir étant donné que ∆ < |S22 | .7 ° 1.83865. c'est là. Ainsi. Ω 2 = 0. d'une façon plus générale.97075|101. On a donc bien |K| < 1 . le lieu des coefficients de réflexion ΓL ramenant en entrée un coefficient S 11’ de module k supérieur à l'unité. Cela nous a conduit à rechercher. Les calculs conduisent au résultat suivant : Le lieu des ΓL tels que |S 11’ | = k est un cercle : kS S (a1) Rayon R( k ) = 2 122 21 2 k S 22 − ∆ (k S Centre Ω (k ) = 2 − ∆S11* 2 2 k 2 S 22 − ∆ 22 ) * (a2) On a montré par ailleurs : O étant le centre de l'abaque de Smith P le point représentatif Ω (1) K le point représentatif de Ω (k ) .3 ° .

0245 0.3 ° 0.0903 0.9363|45. Figure 9 : Décroissance e n fonction du coefficient k du rayon des cercles d'instabilité Les centres Ω (k ) ont été reportés sur l'abaque de Smith à la figure 10.9045|46.1303 0.0420 0.8912|47.8 ° 0.0 0. Le calcul utilisant l’équation (27) donne θ1 = 120.1.0702 0.47° comme on peut le vérifier.6 ° 0. Ils se déplacent effectivement sur une droite.8641|49.9220|45.5 2 3 8 0.35 1.0 ° dR < 0) et tend vers zéro lorsque k tend dk R(k) y décroît rapidement e n fonction de k ( vers l'infini (figure 9).8 ° 0.9307|45. Figure 10 : Lieu des coefficients de réflexion ΓL de la charge ramenant en entrée une instabilité k donnée .20 1.3 ° 0.

elle pouvait se déduire du simple examen de S '11. le coefficient de réflexion ΓL qu'il conviendra de retenir sera : (32) ΓL (kt) = 1 Ω (kt) . Rappelons cependant que ces conclusions ne sont valables que parce que |S22 | > 1 . cercle tangentiel d'instabilité La valeur maximale de l'instabilité que l'on peut alors obtenir est celle pour laquelle le cercle |S ’11 | = constante tangente extérieurement l'abaque de Smith. Soit kt cette valeur. son affixe ΓL (∞) est telle que : 1 (28) ΓL ( ∞) = S22 Notons le résultat important : Ω (∞ ) = La solution est bien sûr unique. Le point rendant maximale l'instabilité en entrée est celui la rendant infinie . nous avons résolu S22 notre problème. il vient donc la relation : (30) Ω (k t ) = R( kt ) + 1 d'où on en déduit la valeur de kt. Elle conduit à (deuxième étape) : (29) ΓS ( ∞) = 0 Il n'y aura donc pas besoin de réaliser un circuit d'adaptation en "entrée". Les calculs conduisent à l’expression : kt = S12 S 21 + S12 S21 − 1 − S22 2 2 ( 2 )(∆ 2 − S11 2 ) (30) 1 − S 22 2 Ainsi dans le cas où IS 22 I < 1. nous serions conduits à la configuration représentée sur la figure 11 ciaprès : Figure 11 : Cercles d'instabilité dans le cas où |S22 | < 1. dans le cas contraire.1 et comme R( ∞ ) = 0.

nous a permis de créer artificiellement une zone de fonctionnement instable.2° et on déduit donc : K = 0. cas où ∆ > |S22 |. Ces considérations dérivées de l'étude d'un oscillateur à partir du HXTR 4101 ne doivent pas faire oublier qu'il existe une autre configuration que l'on rencontrera en pratique. ce transistor est inconditionnellement stable. Cependant le fait de placer une capacité de faible valeur (1 picofarad) entre collecteur et base du montage E.9 GHz nous intéressant. Dans la plage de fréquences centrée sur 1.9 GHz les valeurs suivantes : S11 = 0.point T sur la figure 11. En effet. Réalisation utilisant un transistor pour lequel ∆ > |S22 |. .1122|87° S21 = 1.9332 < 1 . passant du plan mesure au plan maquette on a obte nu à 1.2589|-117° S12 = 0. ∆ > I S 22 I Les cercles paramétrés en valeurs de k ont été représentés sur la figure 12 où l'on remarquera les cercles critiques d'instabilité (k = 1) et tangentiel d'instabilité (k = kt).6956|-7.5309|-74° d'où ∆ = 0. que ce soit en base commune ou en émetteur commun. Figure 12 : Coefficient de réflexion ΓL de la charge déduit du cercle tangentiel d’instabilité.C.47315|-37° S22 = 0. Il s'agit du LAE 2001 R.

35° d'où l'on tire : ΓS (kt) = 0.15° Ce qui permet de calculer ZL = j 2.85° Ces trois valeurs sont déduites des équations (a1).764 nH. D’où ZS = 44.5965|-4.5965 et Ω (kt) = 0. puis L L = 0.19 Ω . Ce qui nous donne le schéma de la figure 13. on calcule : R(kt) = 1.1175 Ω .Pour la valeur particulière kt = 1. RS = 44. le cercle C kt est tangent à l'abaque de Smith .1182|-28. La valeur du coefficient de réflexion qu'il serait souhaitable que la charge ZL ramène est donc : ΓL (kt) = 1 |175.386 Ω et LS = 15. L'application numérique donne alors S '11 = 1. Figure 13 : Oscillateur à 1. La relation donnant kt reste en effet valable lorsque ∆ > |S22 |.386 + j 188.9 GHz .8943|28.1183.35°. (a2) et (30).1774 nH.

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