ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES

CIRCUITOS

ELECTRÓNICOS

DIEGO CARRERA CARLOS CONTRERAS MARCO JARA

Profesor Ing. Antonio Calderón

Octubre 2006 - Marzo 2007

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Ing. Antonio Calderón

TABLA DE CONTENIDO
INTRODUCCION: EL TRANSISTOR BIPOLAR Configuraciones del Transistor DISEÑO DE AMPLIFICADORES CON TBJ Diseño de Amplificador en Emisor Común Diseño de Amplificador en Base Común Diseño de Amplificador en Colector Común CIRCUITOS DE ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA Circuitos de Autoelevación Emisor Común con Autoelevación Colector Común con Autoelevación Circuito Darlington AMPLIFICADORES EN CASCADA Tipos De Acoplamiento Acoplamiento Capacitivo Acoplamiento Directo Amplificador Cascode Amplificador Diferencial Acoplamiento directo RESPUESTA DE FRECUENCIA Introducción Respuesta de frecuencia en amplificadores Respuesta de frecuencia en alta frecuencia REALIMENTACIÓN Realimentación Negativa Formas de Realimentación Realimentación Positiva (Circuitos Osciladores) Tipos de osciladores Oscilador RC Oscilador de puente de Wien FUENTES REGULADAS Fuente más sencilla Fuente con Transistor Fuente con Transistores en configuración Darlington Fuente con Realimentación Fuente con Realimentación y Fuente de Corriente Circuitos De Protección Protección con Diodos Protección con Diodos Zener Protección con transistor (limitador de corriente) Protección con SCR Fuente regulada con voltaje de salida variable 4 6 8 9 18 24 31 31 31 36 39 45 46 46 62 62 68 73 75 75 85 97 101 104 116 123 123 126 134 138 138 141 144 147 151 154 154 154 155 156 159

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Ing. Antonio Calderón

AMPLIFICADORES DE POTENCIA Clasificación de los Amplificadores Clase A Clase AB Clase B Clase C Amplificador Clase A Amplificador Clase B con salida con simetría complementaria BIBLIOGRAFÍA ANEXOS

161 161 162 163 166 167 170 173 181 182

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Ing. Antonio Calderón

INTRODUCCION EL TRANSISTOR BIPOLAR El transistor convencional o bipolar se denomina así porque en su funcionamiento intervienen corrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de carga negativa. Los terminales del transistor reciben el nombre de emisor, colector y base. La base es el terminal que está unido a la zona intermedia del transistor. Las tres partes del transistor se diferencian por el distinto nivel de dopaje; la zona de menor dopaje es la base, a continuación se encuentra el colector y por último el emisor. Estudio de las corrientes El análisis del transistor se realizará para una estructura NPN, y es análogo para el PNP. Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en contraposición, y no existen corrientes notables circulantes por él. Si se polariza, aparecen tres corrientes distintas, la corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por último la corriente de colector, IC. En la figura siguiente están dibujadas estas corrientes según convenio, positivas hacia adentro:

De estas tres corrientes, la del emisor es la más grande, puesto que éste se comporta como fuente de electrones. La corriente de base es muy pequeña, no suele llegar al 1% de la corriente de colector. Aplicando la ley de Kirchhoff se tiene la siguiente relación: IE = IB + IC Existen dos parámetros que relacionan las distintas corrientes, el coeficiente alfa para continua, α, y la ganancia de corriente beta, β. El factor Alfa. Es el cociente entre la intensidad de colector y la de emisor. Su valor nunca será superior a la unidad y da idea de hasta qué punto son iguales estas corrientes. α = IC / IE El factor Beta. La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la corriente de colector y la de base. β = IC / IB 4

5 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. solamente. La corriente de emisor y la tensión emisor-base con las magnitudes de entrada. la de base y la tensión emisor-colector son características de salida en configuración emisor-común. Las curvas que relacionan la corriente de colector. pero independientemente de ésta. a) Características de entrada La característica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de salida.emisor. La corriente de base y la tensión base-emisor son variables de entrada. bajo la acción de las voltajes continuos que se le aplican para polarizarle. Si se tiene una configuración en base común. Las tensiones y corrientes que se utilizan dependen de la configuración del transistor. mientras que la tensión colector-emisor es una magnitud de salida. Una forma de resumir este funcionamiento es utilizar las curvas características del transistor. la de colector y la tensión colector-base son las curvas correspondientes a una configuración en base común. b) Características de salida La característica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al circuito de salida. En el caso de la configuración en emisor común se tiene la corriente de base en función de la tensión base-emisor. que relacionan las tensiones y las corrientes. utilizando la tensión colector-base como parámetro. mientras que las que relacionan la corriente de emisor. para distintos valores de tensión colector. su característica de entrada relacionará la corriente del emisor con la tensión emisor-base. se distinguen dos tipos de curvas: la característica de entrada y la característica de salida. Antonio Calderón Curvas características Un transistor en régimen estático se encuentra. La figura muestra las diferentes características de entrada de dos transistores NPN de germanio y silicio respectivamente en función del voltaje base-emisor para dos valores del voltaje colector-emisor.

Región de corte.2 V).6 V ( para germanio 0. VBE es inferior a 0. ambas uniones están polarizadas en sentido inverso y las intensidades en los terminales se pueden considerar despreciables. la corriente inversa que circula en la unión de colector es β veces la corriente que circula en sentido directo base emisor. el voltaje de base no es lo suficientemente alto para que circule corriente por la juntura base emisor. CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR Configuración en emisor común OUT IN Q1 NPN Terminal de Entrada: Base Terminal de Salida: Colector Terminal Común: Emisor 6 . Estas zonas se pueden observar en la familia de curvas características de salida de un transistor como se muestra en la figura. están polarizadas en sentido directo. La unión base-emisor está polarizada en sentido directo ( VBE > 0. base-emisor y base-colector.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. base-emisor y base-colector. En otras palabras. Se dice que ha entrado en saturación si el voltaje del colector es inferior al voltaje base-emisor. La corriente base-emisor es muy grande. por lo que la corriente de colector es igualmente despreciable. Región Activa Normal. Antonio Calderón Regiones de trabajo Un transistor bipolar puede funcionar de tres formas diferentes dependiendo de la polarización que tengan las dos uniones. Región de saturación. puesto que el transistor funciona en ella cuando se utiliza para amplificar señales.6 V) y la unión colectora lo está en sentido inverso. Para un transistor de silicio. Ambas junturas. Esta zona es muy importante. por lo que la corriente de colector lo es igualmente grande.

Antonio Calderón Configuración en colector común OUT IN Q1 NPN Terminal de Entrada: Base Terminal de Salida: Emisor Terminal Común: Colector Configuración en base común Q1 NPN IN OUT Terminal de Entrada: Emisor Terminal de Salida: Colector Terminal Común: Base 7 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

Voltaje de salida (Vo): voltaje que deseamos obtener a la salida Para amplificadores de señal se manejan bajos voltajes (mV). Este posee una resistencia cuyo valor usualmente esta en las decenas de ohmios o unidades de kilo-ohmios. 8 . Impedancia de entrada (Rin): Es la impedancia del amplificador que va a observar el generador (por ejemplo un micrófono). El valor de β para TBJ de señal es alto. Antonio Calderón DISEÑO DE AMPLIFICADORES CON TBJ Consideraciones iniciales de diseño de amplificadores Los datos necesarios para el diseño que nosotros debemos proponernos puesto que si el diseño es orientado a un cliente. Frecuencia de trabajo (f): valor de frecuencia a la cual va a estar operando el circuito amplificador. es poco usual tener voltajes en el orden de decenas e incluso centenas de voltios para una sola etapa. este no nos va a proporcionar.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. a partir de esto nosotros debemos plantearnos los datos o indagar al mismo cliente para de alguna manera obtenerlos Entonces los datos necesarios para empezar con nuestro diseño son: Ganancia (A): Se refiere a la amplificación que se desea a la salida a partir de una señal de entrada. A= Vo Vin Son valores bajos y para el caso de diseño de una etapa de amplificación se considera como valor máximo una ganancia de 50 puesto que cuando mayor es la ganancia la probabilidad de inestabilidad es mayo (1 Etapa). Esta impedancia debe ser mayor o igual a más o menos diez veces la resistencia interna del generador para obtener todo el valor de la señal a las terminales de entrada del circuito ya que se desea amplificar toda la señal de entrada mas no obtener máxima transferencia de potencia. por ejemplo utilizamos 100 que es el valor típico del transistor 2N3904. Carga (RL): Es lo que se va a conectar al amplificador a su salida. sino únicamente nos va a decir hacia que aplicación esta orientado el circuito. β: Valor característico del transistor a ser utilizado obtenido en manuales del fabricante.

A este paralelo le podemos representar como RB. Además debemos mencionar que la señal de salida esta desfasada 180º con respecto a la señal de entrada La regla general para obtener la ganancia en un circuito de emisor común es: “Todo lo que está en colector para señal divido para todo lo que está en emisor para señal”. Por lo tanto se obtiene la expresión de ganancia del circuito mostrado inicialmente: A= RC || RL re + RE1 Dado que la señal ingresa en el Terminal de la base se obtiene la expresión de la impedancia de entrada: Rin = R1 || R2 || RinT Donde RinT es la impedancia de entrada en el transistor y es igual a (β+1) por todo lo que esta en emisor para señal.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Obteniendo la expresión final de la impedancia de entrada: Rin = RB || [( β + 1)(re + RE1 )] Para el diseño de un circuito en emisor común es necesario tener muy en cuenta que se cumpla la condición de impedancia de entrada por lo tanto: 9 . por lo tanto: RinT = ( β + 1)(re + RE1 ) R1 y R2 están en paralelo puesto que para señal Vcc es tierra. Antonio Calderón DISEÑO DE AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN Circuito En el circuito amplificador en emisor común podemos observar que la señal ingresa por la Terminal de base y la salida esta en e Terminal de colector.

Antonio Calderón Analizando la expresión de la impedancia de entrada obtenemos que la peor condición para que se cumpla esta es que RinT sea al menos Rin y reemplazando la ecuación de RinT obtenemos RinT ≥ Rin ( β + 1)(re + RE1 ) ≥ Rin (1) De la expresión de ganancia : A= RC || RL re + RE1 Req re + RE1 Req A sea Req = RC || RL A= ⇒ re + RE1 = (2) reemplazando la ec.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. 2 en la inecuación 1 R ( β + 1) eq ≥ Rin A De la que obtenemos la expresión : Req ≥ A Rin ( β + 1) De esta última expresión podemos obtener la condición de RC que nos ayudará a empezar con nuestro diseño Dentro del diseño también hay condiciones para evitar recortes en la señal de salida las cuales se especifican a continuación: Con la ayuda de las curvas características del transistor Obtenemos la inecuación que nos evita distorsiones en la señal de salida. En la inecuación el subíndice p indica el valor pico de la onda. 10 .

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.vop Si RC >> RL ( RC = 10 RL ) ⇒ VRC ≥ 10. Por lo tanto se obtiene: VE ≥ 1V + vinp 11 .vop Procedemos a graficar el eje vertical de voltajes Esta gráfica nos permite observar lo que nos expresa en la inecuación y como podemos observar el vop se refiere al del ciclo positivo El eje vertical de voltajes nos va a ayudar a la explicación de otras condiciones para que no exista distorsión. Antonio Calderón I C ≥ io p VRC Vop ≥ RC Req ∴VRC ≥ RC Vop Req La elección correcta del valor RC nos permitirá obtener valores bajos de Vcc pero corrientes altas y viceversa De la expresión de VRC podemos deducir: Si RC << RL ⇒ VRC ≥ vop Si RC = RL ⇒ VRC ≥ 2. Por ejemplo. para asumir el voltaje emisor se puede observar en el eje que debe ser mayor a vinp pero además se debe sumar 1 V que es por motivo de estabilidad térmica en el circuito.

Nos planteamos los siguientes datos: A = 50 vop = 10 V Rin ≥ 3 kΩ RL = 2 kΩ f= 1 kHz β = 90 Empezamos el diseño con la ecuación de Req para obtener la condición de RC. esto puede ocasionar que se produzca recortes en la señal de salida por lo que se multiplica los valores de VRC y VE por un factor de seguridad que va a depender de la tolerancia. Req ≥ A Rin ( β + 1) 50 RC || RL ≥ * 3kΩ 90 + 1 RC || RL ≥ 1.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.64 kΩ ∴ RC ≥ 9. asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc muy alto lo cual implica más gastos. VCE ≥ vop + vact + vinp A continuación se realizará un ejercicio en el que se explicará con más detalle el procedimiento de diseño para un amplificador en emisor común y se aclarará otros aspectos muy importantes a considerar para el correcto funcionamiento del circuito. en la siguiente tabla se muestra el factor de seguridad junto con la tolerancia: 12 .37 kΩ Asumo Rc = 12 kΩ . pero además se debe aumentar 2 V (vact) para garantizar que el transistor trabaje en la región activa como se observa en la curva característica del TBJ.714 kΩ Ya que las resistencias poseen una tolerancia los valores de las mismas van a oscilar. también el valor de corriente que me generaria Req = RC || RL = 12kΩ || 2kΩ = 1. Antonio Calderón Para el caso del voltaje colector – emisor en la grafica podemos observar que debe ser mayor a la suma de vinp y vop .

3 30 % 1. RE1 = 34. RE1 = 33Ω Antes de continuar con el diseño se recomienda terminar primero con el lado de salida y después con lado de entrada 13 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.4 En el presente ejercicio seleccionamos resistencias de tolerancia 10 % VRC ≥ VRC ≥ RC vop Req 12kΩ 10V ⇒ VRC ≥ 70V 1.714kΩ VRC ≥ 84V a este valor final le multiplicamos el factor de seguridad Asumimos VRC = 84V IC = VRC 84V = = 7 mA RC 12kΩ 25mV IE 25mV 25mV = = 3.2 20 % 1.28 Ω = Req Comparando este último valor con re .71Ω se puede seleccionar dos valores de resistencia estadar (33Ω y 27Ω) Seleccionamos la resistencia de 33Ω seleccionamos la resistencia ya que ayuda a aumentar Rin e incluso con la estabilidad del circuito.28 Ω − re = 34.714kΩ A 50 re + RE1 = 34. Antonio Calderón Tolerancia Factor de seguridad 10 % 1.28 − 3. observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que es estable termicamente.57 = 30.57 Ω 7mA IC Se procede a calcular el parámetro propio del transistor re mediante la fórmula re = Dado que el β es alto podemos realizar la aproximación de I E = I C por lo tanto re = el valor de re varia con la temperatura por lo que se pone R E1 para que el circuito sea estable termicamente A partir de la fórmula de ganancia y despejando re + RE1 re + RE1 = 1.

Hay que observar el valor característico del transistor de VCE . Si es el caso de que no se cumpla.85mA VR1 = VRC + VCE − VJBE = 84V + 12. La solución es seleccionar otro transistor de mayor VCE En este ejercicio no se asume el valor de VE con la inecuación que se dedujo ya que la condición de Rin no se va a cumplir ya que hay una estrecha relacion de lo que hay en el emisor y lo que hay en la base (R 1 y R 2 ) que son variables que estan dentro de la ecuación de Rin Ahora pasamos al diseño del lado de entrada para eso utilizamos la relación I 7mA = 77 μA IB = C = 90 β Sea I1 la corriente que circula por R 1 y I 2 la corriente que circula por R 2 I1 = I B + I 2 Como podemos observar.2V ⇒ VCE ≥ 12.2V − 0. ya que si en el calculo supera a este puede causar daños en el dispositivo.777mA I1 = I B + I 2 = 77 μA + 0.777mA = 0. Antonio Calderón vinp = VCE 10V = 0.2V vop = Este valor es opcional que se multiplique por el factor de seguridad. ya que si da menor a Rin no vamos a lograr la condición pedida. si I B es comparable con I 2 las variaciones de I B producirá cambios de I 2 haciendo que el voltaje de la base sea variable variando todas las características del lado de salida hecho que no nos combiene por lo tanto se hace : I 2 >> I B Estabilidad de polarización I 2 = 0. Ya que si se aumenta el valor de Vcc el sobrante se envia a VCE y ya se cumple el valor mínimo que especifica la condición.6V VR1 = = 112.6V R1 = 95. en nuestro caso da mayor por lo tanto si va a satisfacer para lograr la condición de impedancia.2V 50 A ≥ vop + vact + vinp . se asume un nuevo R 1 y se pro cede a calcular : VR1 = I1.85mA 120 kΩ 100 kΩ La selección depende de que si el valor de la resistencia calculada esta dentro de la toleracia de la resistencia escogida y ademas tengamos en cuenta la corriente que produce esto ya que puede afectar la estabilidad polarización .6V = 95.R1 Y se calcula el nuevo valor de VCE VCE = VR1 − VRC + VJBE 14 . VCE ≥ 10V + 2V + 0. ∴ R 1 = 120 KΩ Debemos obsevar si esta resistencia cumple con impedancia de entrada.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.47kΩ I1 0.

Calculo de Capacitores El objetivo de los capacitores es controlar el flujo y rechazo de voltajes alternos y voltajes continuos respectivamente (capacitor acopla señal y desacopla continua).33 kΩ De la condición inicial Rin ≥ 3kΩ R1 || R2 || RinT ≥ 3KΩ obtengo R2 ≥ 40.7 kΩ RE 2 = RET − RE1 = 5.92V RET = VE 35.77mA * 47kΩ = 36.92V = = 5.R2 = 0.12V Elijo Vcc = 135V el exceso envio a VCE Rin = R1 || R2 || RinT = 120kΩ || 47kΩ || 3.3kΩ = 3.44V ( Necesario) Como podemos observar VEmin cumple con el V ' E min necesario por lo tanto se procede a elegir el valor de R 2 inmediato superior para cumplir con Rin.09kΩ RE 2 = 4.13kΩ IE 7mA 5.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Si no se cumple los VEmin se parte el análisis desde VE necesario (VE ≥ 1V + vinp ) De la condición R2 ≥ 40.01kΩ La razón por la que da Vcc excesivamente alto es que los valores de Rc son mayores a RL.48kΩ Elegimos R2 = 47kΩ VB = I 2 .45V VEmin = VB min − VJBE = 31.52V VE = VB − VJBE = 36.48kΩ con el valor mínimo de R 2 calculo VBmin VB min = I 2 .2V ⇒ VE ≥ 1.85V Asumo VE VE ≥ 1V + vinp VE ≥ 1V + 0.π .44V V ' E min = 1. Antonio Calderón RinT = ( β + 1)(re + RE1 ) = (91)(3.2V multiplicando por factor de seguridad VE ≥ 1.48kΩ = 31.7kΩ Vcc = VE + VCE + VRC = 35.6V = 35.R2 = 0.2V + 84V = 132.77mA * 40. f min Rin Si X B << Rin ⇒ C B >> ∴Vo = Vin 15 .57Ω + 33Ω) = 3. Esta deducción de las fórmulas se aplica a cualquier configuración Capacitor de Base (capacitor de entrada) CB Vo Vo = + Vin Rin Rin Vin Rin + X B 1 2.6V = 30.52V − 0.45V − 0.92V + 12.6 kΩ 4.13kΩ − 33Ω = 5.

π . f min (re + R E 1 ) Si X E << R E 2 ⇒ A = Si X E << re + R E 1 ⇒ A = ∴ C E >> 1 2 .1kHz * 3.1kHz * 2kΩ C B >> 79.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. f min Rin 1 2.π . Antonio Calderón En el ejemplo C B >> C B >> 1 2.π .π . f min R E 2 ∧ C E >> En el ejemplo 16 .π .6nF C B = 1μF Capacitor de Emisor A= R eq re + R E 1 + ( X E || R E 2 ) R eq re + R E 1 + X E R eq re + R E 1 1 2 . f min RL 1 2.π .π .87nF C B = 1μF La deducción de la expresión de los capacitores se la puede realizar con la fórmula de la ganancia o con la de impedancia tomando en cuenta en la expresión la reactancia capacitiva Capacitor de Colector (capacitor de salida) A= RC || ( X C + RL ) re + RE1 RC || RL re + RE1 Si X C << RL ⇒ A = ∴ CC >> 1 2. f min RL En el ejemplo CC >> C B >> 1 2.01kΩ C B >> 52.

7kΩ 2.π . f min RE 2 ∧ C E >> 1 2.1kHz * 4.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.35μF C E = 47 μF 17 .π .1kHz (3. Antonio Calderón C E >> C E >> 1 2. f min (re + RE1 ) 1 1 ∧ C E >> 2.57Ω + 33Ω ) C E >> 33.86nF ∧ C E >> 4.π .π .

La característica de este circuito es que la señal de salida esta en fase a la señal de entrada. Por lo tanto se obtiene la expresión de ganancia del circuito mostrado inicialmente: RC || RL re + RE1 Como el capacitor CB es cortocircuito para señal las resistencias R1 y R2 no están en la fórmula de la ganancia A= Dado que la señal ingresa por el emisor se obtiene la expresión de la impedancia de entrada: Rin = RE 2 || (re + RE1 ) En el diseño de un amplificador en base común la impedancia de entrada no es un dato ya que es muy baja en estos circuitos y es difícil alcanzar altos niveles de este parámetro.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. La regla general para obtener la ganancia en un circuito en base común es: “Todo lo que está en colector para señal divido para todo lo que está en desde el punto de ingreso hacia emisor para señal”. 18 . Antonio Calderón DISEÑO DE AMPLIFICADOR EN BASE COMÚN Circuito En el circuito amplificador en base común podemos observar que la señal ingresa por la Terminal de emisor y la salida esta en el Terminal de colector.

el factor 1/(β+1) esta presente cuando se toma valores de la base vistos desde el emisor Por lo tanto la ganancia es igual a: A= RC || RL R || R re + 1 2 β +1 Para el caso de la impedancia de entrada observamos el circuito y obtenemos que: ⎛ R || R ⎞ Rin = RE || ⎜ re + 1 2 ⎟ ⎜ β +1 ⎟ ⎝ ⎠ Condiciones de diseño Siguiendo con el procedimiento de diseño para esta configuración. VRC ≥ RC vop Req siendo Req = RC || RL La elección correcta del valor RC nos permitirá obtener valores bajos de Vcc pero corrientes altas y viceversa 19 . se inicia asumiendo la resistencia RC y asumiendo el valor de VRC con la misma condición demostrada en el diseño de emisor común para evitar distorsiones en la señal de salida.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Recordemos la regla para obtener la ganancia “Todo lo que está en colector para señal divido para todo lo que está en desde el punto de ingreso hacia emisor para señal” Lo que esta en colector para señal: RC||RL Lo que esta desde el punto de ingreso hacia emisor para señal: re+[(R1||R2)/(β+1)]. Antonio Calderón Ejercicio En el siguiente circuito obtenga la ecuación de la ganancia e impedancia de entrada.

A = 10 vo = 5 V RL = 5. obtenemos las condiciones para asumir VRE2 que es el voltaje de ingreso en este circuito y el VCE. Antonio Calderón Con la ayuda del eje vertical de voltajes para esta configuración.6 kΩ f = 20 Hz – 20 kHz βmin = 80 El circuito a diseñar es el mostrado al inicio de este tema ya que ofrece mayor estabilidad que el mostrado en el ejercicio de ganancias e impedancias porque no depende de dos parámetros propios del transistor 20 . Por lo tanto VE ≥ 1V + vinp VCE ≥ vop + vact La presencia de 1V y vact en VE y VCE respectivamente son por las mismas razones expuestas en el circuito de emisor común Las condiciones a cumplir referentes a estabilidad térmica y de polarización son las mismas.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. En el siguiente ejercicio se explicará el procedimiento de diseño para un amplificador en base común con las siguientes condiciones.

6kΩ = 1.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.2 kΩ .96V 1. asumo este valor observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc muy alto y R L Req = RC || RL = 2. Asumo Rc = 2.81Ω IC 4. observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que es estable termicamente. RE1 = 158 Ω − re = 158 − 5.19Ω RE1 = 150Ω 21 .58 kΩ Asumimos resistencias de tolerancia 20 %.58kΩ 10 I C = I E ⇒ xq β es alto re = re + RE1 = A re + RE1 = 158 Ω Comparando este último valor con re . por lo tanto factor de seguridad de 1.2kΩ 25mV 25mV = = 5.5V IC = VRC 9.58kΩ Asumimos VRC = 9.3 VRC ≥ VRC ≥ RC vop Req multiplicado por el factor de seguridad VRC ≥ 9.05V 2.3 mA RC 2.2kΩ 5V ⇒ VRC ≥ 6. Antonio Calderón Como el diseño no contiene Rin el proceso es más sencillo.3mA Req = 1.5V = = 4.2kΩ || 5.81 = 152.

Antonio Calderón vinp = VCE 5V = 0.26V = = 28.12Ω IE 4.59mA 33 kΩ 27 kΩ 6.4kΩ I2 0.5V por el factor de seguridad VRE2 ≥ 1.5375mA I1 = I B + I 2 = 53.5375mA = 0.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.537 mA Vcc − VB 20V − 3.5V ⇒ VRE2 ≥ 1.75μA + 0.3mA(150Ω + 470Ω ) = 2.6kΩ R1 = ∴ R1 = 27 kΩ Los criterios de elección de las resistencias se basan en la influencia de la tolerancia y cual de ellas ofrece mayor estabilidad al circuito. f min Rin 22 .5V A 10 ≥ vop + vact .3mA VE = I E (RE1 + RE 2 ) = 4. La frecuencia utilizada para el calculo es la frecuencia de trabajo fijada en nuestro ejemplo como 1 kHz Capacitor de Emisor (capacitor de entrada) X E << Rin ⇒ C E >> 1 2.59mA R2 = VB VE + VJBE 2.75μA 80 Estabilidad de polarización I 2 >> I B I 2 = 0. Rin = RE 2 || (re + RE1 ) = 470Ω || (5.6V = = = 6kΩ I2 I2 0.6 kΩ ∴ R2 = 5.66V + 0.3mA = 53.5V = 19.81Ω + 150Ω ) = 117Ω Calculo de Capacitores Son las mismas condiciones para el caso de los capacitores de entrada y salida para el de base se realizará el respectivo análisis. activa Ahora pasamos al diseño del lado de entrada para eso utilizamos la relación IB = IC RE 2 = 470Ω β = 4.16V ∴Vcc = 20V el exceso envio a VCE para asegurar más que el TBJ este en la reg.95V VRE 2 = 2V RE 2 = VRE 2 2V = = 465.8 kΩ 5. Al inicio del ejercicio da un rango de frecuencia. VCE ≥ 5V + 2V ⇒ VCE ≥ 7V = vop VRE2 ≥ 1V + vinp ⇒ VRE2 ≥ 1V + 0.π .66V + 7V + 9.66V Vcc = VE + VCE + VRC = 2.

31nF ∧ C B >> 12.π .π .1kHz * 81 * (5.81Ω + 150Ω ) C B >> 34.1kHz * (27 kΩ || 5.36 μF C E = 18μF Capacitor de Colector (capacitor de salida) X C << RL ∴ CC >> 1 2.π .6kΩ C B >> 28.1kHz * 5.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.47 μF Capacitor de Base Para obtener la condición de este capacitor vamos a emplear la formula de impedancia considerando XB ⎛ R || X B ⎞ ⎟ Rin = RE 2 || ⎜ RE1 + re + B RB = R1 || R2 ⎜ β +1 ⎟ ⎝ ⎠ ⎛ X ⎞ Si X B << RB ⇒ Rin = RE 2 || ⎜ RE1 + re + B ⎟ ⎜ β +1⎟ ⎝ ⎠ XB << re + RE1 ⇒ Rin = RE 2 || (RE1 + re ) β +1 1 1 ∴ C B >> ∧ CB >> 2. f min RL 1 2.π . f min Rin 1 2. f min (re + RE1 )(β + 1) 1 1 ∧ C B >> 2. f min (re + RE1 )(β + 1) Si En el ejemplo C B >> C B >> 1 1 ∧ C B >> 2.42nF C B = 0.1kHz *117Ω C E >> 1.π .π .π . f min RB 2.61nF C B = 0. Antonio Calderón En el ejemplo C E >> C E >> 1 2.π . f min RL En el ejemplo CC >> C B >> 1 2.6kΩ ) 2.47 μF 23 .π .π . f min RB 2.π .

Este circuito también es conocido como seguidor emisor. La característica de este circuito es que la ganancia no es mayor que 1.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. La regla general para obtener la ganancia en un circuito en colector común es: “Todo lo que está en emisor desde el punto de salida a tierra dividido para todo lo que está en emisor”. Por lo tanto se obtiene la expresión de ganancia del circuito mostrado inicialmente: A= Req RE || RL = re + RE || RL re + Req Ejemplo de obtención de la ganancia: en la gráfica aparece solo la parte del circuito que corresponde al emisor. Antonio Calderón DISEÑO DE AMPLIFICADOR EN COLECTOR COMÚN Circuito En el circuito amplificador en base común podemos observar que la señal ingresa por la base y la salida esta en el emisor. 24 .

Antonio Calderón La fórmula de la ganancia entonces es: A= RE 2 || RL re + RE1 + RE 2 || RL Continuando con el diseño en colector común. Dado que la señal ingresa por la base se obtiene la expresión de la impedancia de entrada similar a la configuración en emisor común. Rin = R1 || R2 || RinT Donde RinT es la impedancia de entrada en el transistor y es igual a (β+1) por todo lo que esta en emisor para señal. por lo tanto: RinT = ( β + 1)(re + RE || RL ) El paralelo entre R1 y R2 denominamos RB y el paralelo entre RE y RL denominamos Req Obteniendo la expresión final de la impedancia de entrada: Rin = RB || ( β + 1)(re + Req ) [ ] Para el diseño de un circuito en colector común es necesario tener muy en cuenta que se cumpla la condición de impedancia de entrada por lo tanto: Analizando la expresión de la impedancia de entrada obtenemos que la peor condición para que se cumpla esta es que RinT sea al menos Rin y reemplazando la ecuación de RinT obtenemos 25 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

VCE ≥ vop + vact 26 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón RinT ≥ Rin ( β + 1)(re + Req ) ≥ Rin (1) De la expresión de ganancia : A= Req re + Req Req donde Req = RE || RL ( 2) A reemplazando la ec. Como en la configuración en emisor común a partir de las curvas características del transistor obtenemos lo siguiente: I E ≥ io p VRE Vop ≥ RE Req VRE = VE ∴ VE ≥ RE Vop Req Del eje vertical de voltajes obtenemos el VCE. 2 en la inecuación 1 ( β + 1) ≥ Rin A De la que obtenemos la expresión : Req ≥ Req re + Req = A Rin ( β + 1) La peor condición es que A = 1 por lo tanto Req ≥ Rin ( β + 1) De esta última expresión podemos obtener la condición de RE que nos ayudará a empezar con nuestro diseño Al igual que con la configuración en emisor común hay que evitar recortes de la señal.

94Ω Asumo RE = 390Ω .44Ω 10.9kΩ = 354.3V 354.25 mA RE 390Ω 25mV 25mV = = 2.25mA IE Se procede a calcular el parámetro propio del transistor re mediante la fórmula re = Para comprobar que hay estabilidad térmica comparamos R eq >> re lo cual si cumple en el presente ejercicio Del no cumplir la estabilidad térmica asumimos nuevo re tal que cumpla y recalculamos IE y VRE igual procedimiento se realiza en las anteriores configuraciones pero con IC y VRC 27 .96V 390Ω 3V ⇒ VE ≥ 3. Rin ( β + 1) 6kΩ RE || RL ≥ 100 + 1 RE || RL ≥ 60Ω Req ≥ ∴ RE ≥ 60. Nos planteamos los siguientes datos: vop = 3V Rin ≥ 6 kΩ RL = 3.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida y teniendo en cuenta que si selecciono el mínimo R B → ∞ y por lo tanto Vcc → ∞ pero tam bién si nos alejamos mucho Vcc sube Req = RE || RL = 390Ω || 3.5Ω Asumimos VRE = 4V IE = 4V VRE = = 10.5Ω En el presente ejercicio seleccionamos resistencias de tolerancia 10 % VRE ≥ VE ≥ RE vop Req por factor de seguridad VRE ≥ 3. Antonio Calderón A continuación se realizará un ejercicio en el que se explicará con más detalle el procedimiento de diseño para un amplificador en colector común.9 kΩ f= 1 kHz β = 100 Empezamos el diseño con la ecuación de Req para obtener la condición de RC.

25mA 18 kΩ 15 kΩ RB = R1 || R2 RB ≥ 7.49 μA 101 β +1 I 2 >> I B Estabilidad de polarización IB = I 2 = 1mA I1 = I B + I 2 = 101.44 + 354.6V = 17.8V = 37.2kΩ multiplicando este valor por el punto máximo de tolerancia por seguridad Para no volver a hacer los recalculos y dejar el mismo valor de R E calculado inicialmente la solución es aumentar al circuito original una resistencia en serie a R E y en paralelo conectamos un capacitor puesto las dos resistencias en serie solo funcionaran para DC y para AC solo la resistencia que consta en la fórmula de ganancia El cambio realizado es: 28 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.92kΩ Asumiendo que R 1 y R 2 son iguales y a partir de R B concluyo que R1 = R2 = 2 * RB = 15.1mA R2 = VB VE + VJBE 4V + 0.8V Vcc = 38V Con el cambio realizado de los valores de R1 y R2 calculo el nuevo valor de VE VE = VB − VJBE = 18V − 0.25mA = = 101.49 μA + 1mA = 1.5) = 36.1mA * 18kΩ = 19.69kΩ I E 10.4V ∴ RET = VE 17.6V = = = 4.4V = = 1.6kΩ I2 I2 1mA Pero tenemos que observar que las resistencias de la base cumplan con Rin por lo tanto RinT = ( β + 1)(re + Req ) = 101 * (2. Antonio Calderón IE 10.84kΩ ⇒ R1 = R2 = 18kΩ ∴VB = I 2 * R2 = 1mA * 18kΩ = 18V VR1 = I1 * R1 = 1.8V Vcc = VB + VR1 = 18V + 19.05kΩ Rin ≥ 6kΩ RB || RinT ≥ 6kΩ ⇒ RB ≥ 7.

1nF C B = 0. f min Rin C B >> C B >> 1 2.π .1kHz * 7.2kΩ ⇒ A= RE1 || RL 354. f min RL En el ejemplo C E1 >> C B >> 1 2.6V Tengo ∴ Cumplo con VCE necesario Rin = R1 || R2 || RinT = 18kΩ || 18kΩ || 36. f min RL 1 2.47 μF 29 .44Ω + 354.69kΩ − 390Ω = 1.993 re + RE1 || RL 2. f min Rin 1 2.4V = 20.3kΩ RE 2 = 1.2kΩ C B >> 22.π .9kΩ C B >> 40.π .π .05kΩ = 7.π .8nF C B = 0.1kHz * 3.2kΩ Calculo de Capacitores Capacitor de Base (capacitor de entrada) X B << Rin ⇒ C B >> En el ejemplo 1 2.5Ω VCE ≥ 3V + 2V VCE ≥ 5V Necesario VCE ≥ vop + vact VCE = Vcc − VE = 38V − 17.47 μF Capacitor de Emisor (1) (capacitor de salida) X E1 << RL ∴ C E1 >> 1 2.π . Antonio Calderón El valor de R E2 será RET = RE1 + RE 2 → RE 2 = RET − RE1 = 1.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.5Ω = = 0.

f min RE1 1 1 ∧ C E >> 2.π . f min RE 2 RL || RE1 re + RE1 || RL 1 2.1kHz *1.1kHz * 390Ω C E >> 132.π .π . f min RE 2 1 2.08nF C E = 4.63nF ∧ C E >> 408.2kΩ 2.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.7 μF 30 . Antonio Calderón Capacitor de Emisor (2) A= RL || (RE1 + (RE 2 || X E 2 )) re + RE1 || RL Si X E 2 << RE 2 ⇒ A = RL || (RE1 + X E 2 ) re + RE1 || RL Si X E 2 << RE1 ⇒ A = ∴ C E 2 >> 1 2.π .π . f min RE1 ∧ C E 2 >> En el ejemplo C E >> C E >> ∧ C E >> 1 2.π .

Antonio Calderón CIRCUITOS DE ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA Se crea la necesidad de tener circuitos que proporcionen una alta impedancia de entrada para poder ser conectados a generadores y que toda la señal sea amplificada. Entre los dispositivos electrónicos que proporcional alta impedancia de entrada están: • • • • FET’s (Rin = ∞ idealmente) Amplificador Operacional (Rin = ∞ idealmente) Tubos de vacío TBJ (dependiendo de la configuración) Entre los circuitos electrónicos que proporcional alta impedancia de entrada están: • • • Emisor y Colector común Circuitos de Autolevación (Emisor y Colector común) Circuitos Darlington En este tema vamos a estudiar los Circuitos de Autolevación (Emisor y Colector común) y Circuitos Darlington CIRCUITOS DE AUTOELEVACIÓN Emisor Común con Autoelevación Circuito Vcc +V R1 CB + R + C + Vin R2 RC CC + Q1 1 2 RE1 RL 3 RE2 + CE Tenemos el siguiente análisis del circuito considerando todos los capacitores en cortocircuito: 31 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

32 . Resulta más sencillo el diseño ya que se puede asumir VE y no va influir en la impedancia de entrada. Ejercicio A = 20 vop = 1V RL = 2. Una gran ventaja es que los voltajes Vcc son más bajos. A continuación se presenta un ejemplo de diseño. Desde el punto de vista teórico se puede asumir el valor mínimo de RC. Antonio Calderón Rin = ( R + R1 R 2 RE1 ) RinT = ( R + RB RE1 ) RinT RinT = ( β + 1)(re + RE1 R1 R2 ) = ( β + 1)(re + RE1 R B ) Para el análisis en seña l vamos a analizar el voltaje en los puntos 1.7 kΩ Rin ≥ 10kΩ f = 1 kHz β = 100 Vcc +V R1 CB + R + C + Vin R2 RC CC + Q1 RE1 RL RE2 + CE Empezamos el diseño con la ecuación de Req para obtener la condición de RC. como característica importante es que la impedancia de entrada ya no depende de RB subiendo los niveles de Rin. 2 y 3 del la gráfica v1 = vin v2 = v1 v3 = v2 ∴ v1 = v3 Entonces para señal tenemos que : → iR = 0 →R=∞ ∴ Rin = RinT C B cortocircuito Seguidor emisor C cortocircuito En este circuito.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc muy alto lo cual implica más gastos.03V 2.2kΩ || 2.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS ç Ing.2 kΩ .43 kΩ Asumo Rc = 8.2kΩ 1V ⇒ VRC ≥ 4.5Ω 20 33 .03kΩ por factor de seguridad VRC ≥ 4.84V VRC ≥ VRC ≥ Asumimos VRC = 5V IC = VRC 5V = = 0.609 mA RC 8. donde RB = R1 || R2 re = A= re + (RE1 || RB ) re + (RE1 || RB ) = Req A = 2. Antonio Calderón Req ≥ A Rin ( β + 1) 20 *10kΩ 101 RC || RL ≥ 1.2kΩ 25mV 25mV = = 41Ω IE 0.03kΩ = 101.98 kΩ RC || RL ≥ ∴ RC ≥ 7.7kΩ = 2.609mA Req . Req = RC || RL = 8.03 kΩ Asumimos resistencias de tolerancia 10 % RC vop Req 8.

7 kΩ 2. para corregir asumimos nuevo re re = 10Ω IC = 25mV 25mV = = 2.5mA * 8.2 kΩ ∴ R = 2.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.275mA Las variaciones del voltaje en la resistencia R deben ser despreciables para mantener el voltaje en el emisor constantes y no afecte al diseño previamente realizado. VE ≥ 1V + vinp ⇒ VE ≥ 1V + 0.05mA 2.06V Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R.5V = 25.5Ω vinp = 1V = 0.5Ω − 10Ω = 91.05V A 20 Ahora como estamos realizando con autoelevación podemos asumir el valor de VE sin que afecte = nuestro valor de Rin.025mA + 0.25mA I1 = I B + I 2 = 0.5mA VCE ≥ 1V + 2V + 0.26V VE = 2V RET = 2V VE = = 800Ω I E 2.025mA IB = C = β 100 I 2 >> I B Estabilidad de polarización I 2 = 0.25mA = 0.2kΩ se selecciona el menor para que VR sea aun mucho menor que VJBE 34 . Para lograr esto se plantea la siguiente condición VR << VJBE ∴VR = 0.5 Ω − re = 101.05V vop VCE ≥ vop + vact + vinp .5V RE1 || RB = 101. R= VR 0.5mA 10Ω re VRC = I C * RC = 2.05V ⇒ VE ≥ 1.05V por el factor de seguridad VE ≥ 1. Antonio Calderón Comparando este último valor con re .4kΩ I B 0.55V ∴Vcc = 26V el exceso envio a VCE para asegurar más que el TBJ este en la reg.2 KΩ = 20.05 ⇒ VCE ≥ 3. observamos que no es mucho mayor por lo que no es estable termicamente.5mA = 0.06V = = 2. activa Ahora pasamos al diseño del lado de entrada para eso utilizamos la relación I 2.05V + 20. Vcc = VE + VCE + VRC = 2V + 3.

44Ω ∴ RE1 = 91Ω RE 2 = RET − RE1 = 800Ω − 91Ω = 709Ω ∴ RE 2 = 680Ω Rin = RinT Autoelevación Rin = ( β + 1)(re + RE1 || RB ) = 101(10 + 91Ω || 8. f min (re + RE1 ) C E >> C E >> 1 1 ∧ C E >> 2. f min Rin X C << RL CC >> C B >> 1 2.π .94nF C B = 1μF X E << RE 2 ∧ X E << re + RE1 1 2.5Ω RE1 = 92.87 kΩ I1 0.91kΩ) = 10.π .RB re + (RE1 || RB ) Req 35 .25mA Vcc − VB 26V − 2. f min RE 2 ∧ C E >> 1 2.1kHz *10.275mA 91kΩ 82 kΩ ∴ R2 = 10kΩ R1 = ∴ R1 = 82kΩ RB = R1 || R2 = 82kΩ || 10kΩ = 8.75nF C B = 0.1kΩ C B >> 15.47 μF Capacitor de Emisor 1 2. Antonio Calderón R2 = VB VE + VJBE + VR 2V + 0.1kΩ Calculo de Capacitores Capacitor de entrada) Capacitor de salida 750 Ω 680 Ω X B << Rin C B >> C B >> 1 2.06V = = = 10.π .π .6V + 0.66V = = 84.58μF C E = 22 μF Capacitor de autoelevación (C) Req A= re + (RE1 || ( X + RB )) Si X << RB → A = C >> 1 2π .1kHz(10Ω + 91Ω ) C E >> 234nF ∧ C E >> 1.7kΩ C B >> 58.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. f min .1kHz * 680Ω 2.π .64kΩ I2 I2 0.π .91kΩ RE1 || RB = 91. f min RL 1 2.π .π .1kHz * 2.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón En el ejemplo X << RB C >> 1 2.22μF Colector Común con Autoelevación Circuito Vcc +V R1 CB + R Q1 CE + 1 3 + Vin R2 + C 2 RE RL Tenemos el siguiente análisis del circuito considerando todos los capacitores en cortocircuito: Rin = ( R + R1 R 2 RE RL ) RinT = ( R + RB Req ) RinT RinT = ( β + 1)(re + RE R L RB ) Para el análisis en señal vamos a analizar el voltaje en los puntos 1.91kΩ C B >> 17.1kHz * 8. 2 y 3 de la gráfica v1 = vin v2 = v1 v3 = v2 ∴ v1 = v3 Entonces para señal tenemos que : → iR = 0 →R=∞ ∴ Rin = RinT C B cortocircuito Seguidor emisor C cortocircuito Tenemos entonces las mismas características que en el circuito emisor común con autoelevación pero en este caso la ganancia de este circuito es menor o igual a 1.π . 36 . f min RB 1 2. Entonces este circuito lo podemos emplear como acoplador de impedancias.86nF C B >> C B = 0.π .

29V Req = RL || RE re + Req = 4. observamos que es mucho mayor por lo que es estable termicamente VCE ≥ vop + vact . VCE ≥ 1V + 2V ⇒ VCE ≥ 3V Vcc = VCE + VE = 2V + 3V = 5V 37 .13 mA RE 390Ω 25mV 25mV = = 4.7 kΩ Rin ≥ 10kΩ f = 1 kHz β = 100 Vcc +V R1 CB + R + C + Vin R2 RE RL Q1 CE + Rin ( β + 1) 10kΩ R 'eq ≥ 101 RE || RL || RB ≥ 99Ω R 'eq ≥ Si RB >> ( RL || RE ) → R'eq ≈ Req .875Ω + 360.13mA IE por factor de seguridad VRC ≥ 1.7kΩ = 360.11Ω Asumimos resistencias de tolerancia 10 % R VRE ≥ E vop Req VRC ≥ 390Ω 1V ⇒ VRC ≥ 1. ∴ Req ≥ 99kΩ ⇒ RE ≥ 101.11Ω = 394.08V 360. Antonio Calderón Ejercicio vop = 1V RL = 4.11Ω Asumimos VRE = VE = 2V IE = re = 2V VE = = 5.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.13Ω Asumo RE = 390Ω Req = RE || RL = 390Ω || 4.875Ω 5.99Ω Comparando este último valor con re .

6V + 0.051mA ∴ R = 1.875Ω + 360. f min RL 1 2.51mA = 0.06V Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R.7kΩ C B >> 33.2kΩ V + VJBE + VR 2V + 0.561mA Las variaciones del voltaje en la resistencia R deben ser despreciables para mantener el voltaje en el emisor constante y no afecte al diseño previamente realizado. Antonio Calderón Vcc = 6V el exceso envio a VCE para asegurar más que el TBJ este en la reg. f min Rin CC >> C B >> 1 2.π .1μF 1 2.π .051mA + 0.06V = = 1.8kΩ Rin = RinT Autoelevación Rin = ( β + 1)(re + Req || RB ) = 101(4.8kΩ) = 32.11Ω || 2.47 μF 38 .561mA I1 ∴ R1 = 5.51mA I1 = I B + I 2 = 0.7 kΩ Calculo de Capacitores Capacitor de entrada) X B << Rin Capacitor de salida X C << RL C B >> C B >> 1 2. activa Ahora pasamos al diseño del lado de entrada para eso utilizamos la relación 5.6kΩ R1 = Vcc − VB 6V − 2.6kΩ = 2.2kΩ R2 = B = E 0.13mA I IB = E = = 0. Para lograr esto se plantea la siguiente condición VR << VJBE ∴VR = 0.06V V = = 5.66V = = 5.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.51mA I2 I2 ∴ R2 = 5.7 kΩ C B >> 4.86nF C B = 0.6kΩ RB = R1 || R2 = 5.051mA β +1 101 I 2 >> I B Estabilidad de polarización I 2 = 0.65kΩ 0.1kHz * 32.π .18kΩ I B 0.π .1kHz * 4.6kΩ || 5.86nF C B = 0. R= VR 0.

Como por ejemplo el ECG268 (NPN) y el ECG269 (PNP) Fórmulas importantes para transistores Darlington C IB1 B Q1 NPN Q2 NPN IE1=IB2 IE2 E 39 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. La conexión Darlington de transistores proporciona un transistor que cuenta con una ganancia de corriente muy grande.68μF CIRCUITO DARLINGTON Una conexión muy popular de dos TBJ para operar como un transistor con “superbeta” es la conexión Darlington.8kΩ C B >> 56.π . C C B Q1 NPN Q2 NPN = B QD NPN E E La principal característica de la conexión Darlington es que el transistor compuesto actúa como una unidad simple con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de corriente de los transistores individuales. f min RB 1 2. mostrada en la siguiente figura.π .84nF C B >> C B = 0.1kHz * 2. Antonio Calderón Capacitor de autoelevación (C) X << RB C >> 1 2. por lo general en el orden de los miles Existen transistores Darlington encapsulados en el mercado en los cuales internamente ya esta realizada la conexión de los dos transistores.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Sea β D la beta del transistor Darlington y β1 y β 2 las de cada transistor βD = βD = (β 2 + 1)I E1 = (β 2 + 1)(β1 + 1)I B1 I B1 I B1 ∴ β D = (β1 + 1)(β 2 + 1) Desde el punto de vista práctico β D = β1.β 2 I E 2 (β 2 + 1)I B 2 = .re 2 ∴ reD = 50mV 50mV = IE2 IE re1 β2 + 1 25mV . I E1 = I B 2 I E1 (β 2 + 1) 25mV I B 2 (β 2 + 1) 25mV IE2 reD = re 2 + re 2 En el caso de transistores PNP la conexión es como muestra la siguiente figura: E IE2 IE1=IB2 Q2 PNP IB1 B Q1 PNP E = B Q3 PNP C C Ejercicio Realizar un circuito amplificador que cumpla con las siguientes condiciones A = 12 vop = 5V RL = 2. I B1 I B1 I B 2 = I E1 El transistor Darlington va a poseer un reD y va ser igual a : reD = re 2 + reD = re 2 + reD = re 2 + reD = re 2 + reD = 2.7 kΩ Rin ≥ 50kΩ f = 1 kHz β = 100 40 .

7 kΩ Ahora si se puede implementar el circuito Req ≥ ∴ RC ≥ 61. Antonio Calderón Planificación Diagrama de bloques A Rin ( β + 1) 12 * 50kΩ Req ≥ 101 RC || RL ≥ 6kΩ con RL = 2.36 Ω Por facilidad en el diseño también hago con autoelevación que incluso me ayudará a tener Vcc más bajos Vcc +V R1 CB + + C + Vin R2 R4 RC CC + R3 Q1 Q2 RE1 RL RE2 + CE La resistencia R4 es para descargar la juntura base – emisor de Q2 ya que hay capacidades en las junturas y hay que realizar la descarga para que no haya distorsión de la señal dentro del procedimiento de diseño se va a indicar la forma de calcular esta resistencia Asumimos resistencias de tolerancia 20 % 41 .7kΩ no se puede implementar el circuito Req ≥ Utilizo Darlington A Req ≥ Rin βD 12 * 50kΩ 100 * 100 RC || RL ≥ 60Ω con RL = 2.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

45Ω A 12 Comparando este último valor con reD .14V VE = 3. En la inecuación de VE ahora colocamos 2V para Darlington por la presen cia de dos junturas VE ≥ 2V + vinp ⇒ VE ≥ 2V + 0.45Ω − 1.8Ω = 18.145V 270Ω 5V ⇒ VRC ≥ 5.8 mA RC 270Ω 50mV 50mV = = 1.7kΩ = 245.5V = = 27.5V 245.42V + 7.8mA VCE ≥ 5V + 3V + 0.42V Para el caso de VCE ponemos al menos 3V para v sat VCE ≥ vop + vactD + vinp .5V = = 125.65Ω vinp = 5V = 0.42V por el factor de seguridad VE ≥ 3.9Ω I E 27.417V ⇒ VE ≥ 2.8Ω IC 27.45 Ω − re = 20.45Ω VRC ≥ VRC ≥ RC vop Req por factor de seguridad VRC ≥ 7.5V + 8. RE1 || RB = 20. observamos que es mucho mayor por lo que es estable reD + (RE1 || RB ) = termicamente. Vcc = VE + VCE + VRC = 3.417V A 12 Ahora como estamos realizando con autoelevación podemos asumir el valor de VE sin que afecte = vop nuestro valor de Rin.417V ⇒ VCE ≥ 8.8μA 42 .8mA Req = reD = 245.8mA = 2.78μA 10000 Estabilidad de polarización βD I 2 >> I B I 2 = 27.45Ω = 20.5V RET = VE 3.5V = 19.45Ω Asumimos VRC = 7.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Observando el v op y R L asumo R C RC = 270Ω Req = RC || RL = 270Ω || 2.5V IC = VRC 7.42V ∴Vcc = 20V El exceso es enviado a VCE Ahora pasamos al diseño del lado de entrada para eso utilizamos la relación IB = IC = 27.

9Ω 2 2 = (101)(0.65Ω ∴ RE1 = 18Ω RE 2 = RET − RE1 = 125. Antonio Calderón I1 = I B + I 2 = 2.65Ω RE1 = 18.7 kΩ 27.8μA I2 I2 Vcc − VB 20V − 4.15kΩ RE1 || RB = 18.1V = = = 172.15kΩ) = 197.1V R3 = R3 = = 35.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.9Ω − 18Ω = 107.91kΩ re 2 = al escoger el menor el tiempo de descarga va a disminuir 43 .9Ω ∴ RE 2 = 100Ω Rin = RinTD Autoelevación Rin = ( βD)(reD + RE1 || RB ) = 10000(1.1kΩ R4 = 18kΩ 18 kΩ 22 kΩ 100 Ω 120 Ω reD 1.2V + 0.97kΩ Para la resistencia R 4 hacemos que la corriente que va por esta sea muy pequeña para que no haya desvió de corriente y cambie el valor de I B variando todos los valores y afectando al diseño i 4 << ib 2 → R4 >> RinT 2 RinT 2 = (β 2 + 1)(re 2 + RE1 || RB ) RinT 2 R4 >> 1.1V Entonces con los datos I B y VR3 obtengo el valor de R.15kΩ ) = 1.2V por la presencia de dos junturas ∴ R3 = 33kΩ se selecciona el menor para que VR sea aún mucho menor que VJBE VB VE + VJBE + VR 3.78μA R2 = 33 kΩ 39 kΩ VJBED = 1.8V = = 497 kΩ 30.5V + 1.58μA I1 470 kΩ 560 kΩ ∴ R2 = 180kΩ R1 = ∴ R1 = 470kΩ RB = R1 || R2 = 470kΩ || 180kΩ = 130.97 kΩ IB 2.9 + 18Ω || 130.8μA = 30.58μA VR3 << VJBED ∴VR 3 = 0. V 0.8Ω + 18Ω || 130.78μA + 27.91kΩ R4 = 19.8Ω = = 0.

π .04μF C E = 100μF Capacitor de autoelevación (C) X << RB C >> 1 2.1kHz *130.1kHz *100Ω 2.15kΩ C B >> 1.π .22nF C B = 47nF 44 . f min RL 1 2.π .π .π . f min RB C B >> 1 2.1kHz (1. f min Rin CC >> C B >> 1 2. f min RE 2 ∧ C E >> 1 2. f min (reD + RE1 ) C E >> C E >> 1 1 ∧ C E >> 2.π .8Ω + 18Ω ) C E >> 1.9 pF C B = 10nF Capacitor de Emisor 1 2.94nF C B = 1μF X E << RE 2 ∧ X E << re + RE1 1 2.π .1kHz *197. Antonio Calderón Calculo de Capacitores Capacitor de entrada X B << Rin Capacitor de salida X C << RL C B >> C B >> 1 2.97kΩ C B >> 803.1kHz * 2.π .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.π .π .59 μF ∧ C E >> 8.7kΩ C B >> 58.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Ing. Antonio Calderón

AMPLIFICADORES EN CASCADA

El presente tema nos introduce a la necesidad de emplear dos o mas amplificadores conectados en cascada con el propósito de que nuestro sistema amplificador pueda reunir las características que con el empleo de un solo amplificador (con un solo elemento activo) no se podrían obtener: por ejemplo si el problema de diseño consiste en construir un amplificador que tenga una impedancia de entrada muy alta (por ejemplo 1 MΩ) y que a su vez nos proporcione una ganancia de voltaje considerable (por ejemplo 80) entonces podemos percatamos que ningún amplificador de una sola etapa resolvería el problema. Sin embargo, para este caso, si conectamos varias etapas de amplificación, entonces el propósito de diseño podría cumplirse. El siguiente gráfico muestra la forma esquemática de una conexión en cascada:

Para analizar la ganancia total de un amplificador en cascada vamos a hacerlo con dos etapas, este análisis sirva para n etapas. Sea el siguiente diagrama de bloques

A= A= A= A=

vo vin A2 vin 2 ; vin A2 vo1 vin A2 . A1vin vin vin 2 = vo1

A = A1. A2 ∴ A = A1 * A2 * A3 * .......... * An para n etapas conectadas en cascada

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CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Ing. Antonio Calderón

TIPOS DE ACOPLAMIENTO En cuanto al dispositivo que utilicemos para interconectar las etapas, nos permitirá definir el tipo de acoplamiento a utilizar. Los dispositivos usuales de acoplamiento son: Cable, condensador, y transformador. Acoplamiento Capacitivo Permite desacoplar los efectos de polarización entre las etapas. Permite dar una mayor libertad al diseño. Pues, la polarización de una etapa no afectará a la otra.

Acoplamiento Directo Consiste básicamente en interconectar directamente cada etapa mediante un cable. Presenta buena respuesta a baja frecuencia. Típicamente se utilizan para interconectar etapas de emisor común con otras de seguidor de emisor.

Acoplamiento Inductivo Muy popular en el dominio de las radiofrecuencias (RF). Seleccionando la razón de vueltas en el transformador permite lograr incrementos de tensión o de corriente.

ACOPLAMIENTO CAPACITIVO

El diseño de amplificadores se inicia desde las últimas etapas hacia la primera. Se debe colocar las mayores ganancias al principio y las menores en las últimas etapas para disminuir la distorsión no lineal o distorsión de amplitud. La distorsión no lineal es cuando el ciclo positivo de la señal no es igual al ciclo negativo. Hay que tener en cuenta que en el diseño la resistencia de carga que observa una etapa es la impedancia de entrada de la siguiente y así sucesivamente hasta llegar a la carga. El Vcc de la primera etapa que se diseña debe abastecer a todas las etapas subsiguientes. En realidad se puede hacer varias fuentes Vcc para cada etapa pero implica un gasto innecesario. Si el Vcc inicialmente calculado es muy grande para las otras etapas se recomienda enviar el exceso de voltaje a VCE y si es muy grande aun para las características del TBJ se puede implementar la siguiente conexión y enviar el exceso de voltaje DC a la resistencia que en la 46

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Ing. Antonio Calderón

gráfica es rotulada como RC3 y conectada con capacitor en paralelo para que su funcionamiento solo sea para la parte de polarización (DC) del TBJ
Vcc +V

RC3

C

RC2

CC

Q1 NPN

A continua se presenta un ejemplo de diseño de un amplificador en cascada con acoplamiento capacitivo con las siguientes condiciones. A = 120 vop = 3V RL = 1 kΩ β = 100 Como observamos en los datos tenemos una ganancia muy alta que debe realizarse con varias etapas. Para iniciar con el diseño procedemos a realizar la planificación en la que consta el número de etapas y en que configuración está cada una. Vamos a realizar un diseño de dos etapas; la primera en emisor común de ganancia de 12 y la segunda etapa en base común de ganancia 10. Graficamos el diagrama de bloques del circuito.

Realizamos el circuito a diseñar:

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CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Ing. Antonio Calderón

Diseño de la segunda etapa (configuración base común) Se la realiza normalmente como si fuese una sola etapa y considerando los voltajes de entrada y salida del bloque según el diagrama, por lo tanto
Asumo Rc2 = 1 kΩ ; asumo este valor observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc muy alto y RL Asumimos resistencias de tolerancia 10 %, por lo tanto factor de seguridad de 1.2 para ambas etapas Req = RC 2 || RL = 1kΩ || 1kΩ = 500Ω VRC 2 ≥ VRC 2 ≥ RC 2 vop Req multiplicado por el factor de seguridad VRC 2 ≥ 7.2V

1kΩ 3V ⇒ VRC 2 ≥ 6V 500Ω Asumimos VRC 2 = 7.5V IC 2 = VRC 2 7.5V = = 7.5 mA RC 2 1kΩ

I C 2 = I E 2 ⇒ xq β es alto re = 25mV 25mV = = 3.3Ω 7.5mA IC 2 Req A2 = 500Ω 10

re + RE 3 =

re + RE 3 = 50 Ω Comparando este último valor con re , observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que es estable termicamente.

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03kΩ I3 0. y finalmente el emisor común que ofrece ganancia y una 49 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Rin2 = RE 4 || (re + RE 3 ) = 220Ω || (47Ω + 3.5mA VE 2 = I E 2 (RE 3 + RE 4 ) = 7.3kΩ R3 = ∴ R1 = 15kΩ Los criterios de elección de las resistencias se basan en la influencia de la tolerancia y cual de ellas ofrece mayor estabilidad al circuito.47 kΩ I4 I2 0.75mA I 3 = I B 2 + I 4 = 0.3V por el factor de seguridad VRE2 ≥ 1.5V = 14. Pero en realidad no se debe hacer así ya que no es recomendable conectar la primera etapa en emisor común y la segunda en base común ya que el emisor común ve una impedancia muy baja generada por la etapa en base común.66Ω RE 3 = 47Ω VCE 2 ≥ vop + vact .6V = = = 3.33Ω ) = 40.3 = 46.5mA = 0.56V VRE 4 = 1.75mA = 0.075mA + 0.825mA R4 = VB 2 VE 2 + VJBE 2V + 0.56V = = 208Ω Al escoger el inmediato superior aseguro estab.002V Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 2V + 5V + 7.5mA(47Ω + 220Ω ) = 2.3V ⇒ VRE4 ≥ 1.825mA 3. térmica IE2 7. activa I B2 = IC2 = 7.6V = = 15.075mA 100 Estabilidad de polarización RE 2 = 220Ω β I 4 >> I B2 I 4 = 0.96Ω Diseño de la Primera etapa Para este diseño tengo como datos Rin2 que es el RL para esta etapa y Vcc Este ejemplo tiene como propósito el practicar.5V ∴Vcc = 15V el exceso envio a VCE2 para asegurar más que el TBJ este en la reg.75mA Vcc − VB1 15V − 2. Antonio Calderón RE 3 = 50Ω − re = 50 − 3. VCE 2 ≥ 3V + 2V ⇒ VCE 2 ≥ 5V VRE4 ≥ 1V + vinp ⇒ VRE2 ≥ 1V + 0.7 kΩ ∴ R4 = 3. Como conclusión podemos decir que toca hacer un análisis profundo si se desea hacer las etapas con distintas configuraciones y tener en cuenta las características de cada configuración como es el caso del colector común que tiene alta impedancia de entrada pero no amplifica la señal o en el caso del de base común que ofrece una ganancia pero su impedancia de entrada es muy baja.3 kΩ 4.56V RE 4 = VRE 4 1.

09Ω 12 re + RE1 = ∴ El circuito no es estable termicamente.84Ω RE1 = 2.25Ω VRC1 = I C1 * RC1 = 100mA * 390Ω = 39V I C1 = RE1 = 3.25mA I E1 Req1 A1 = 37.09 Ω − re = 3.09Ω − 0.78V 390Ω 0. VCE ≥ 0.3Ω ∴RE 2 = 18Ω Vcc = VE1 + VCE1 + VRC1 = 2V + 2. activa I B1 = I C1 = 100mA = 1mA 100 Estabilidad de polarización β I 2 >> I B I 2 = 10mA I1 = I B + I 2 = 10mA + 1mA = 11mA 50 . A más de esto podemos añadir los circuitos de alta impedancia en una o varias etapas Asumo RC1 = 390Ω Req1 = RC1 || Rin 2 = 390Ω || 40.3V + 2V + 25mV ⇒ VCE ≥ 2.325V ∴Vcc = 45V el exceso envio a VCE1 para asegurar más que el TBJ este en la reg.06Ω VRC1 ≥ VRC1 ≥ RC1 vop Req1 por factor de seguridad VRC ≥ 3.25 mA RC1 390Ω 25mV 25mV = = 2.7Ω VCE ≥ vop + vact + vinp .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.44Ω 10.23V VE = 2V RET = 2V VE = = 20Ω I E 100mA RE 2 = RET − RE1 = 20Ω − 2.25Ω = 2.325V + 39V = 43.96Ω = 37.325V VE ≥ 1V + vinp ⇒ VE ≥ 1V + 25mV ⇒ VE ≥ 1.16V 37. corregimos Asumo re = 0.7Ω = 17.06Ω Asumimos VRC1 = 4V I C1 = re = 4V VRC1 = = 10.025V por el factor de seguridad VE ≥ 1.3V ⇒ VRC1 ≥ 3.25Ω 25mV = 100mA 0.06kΩ = 3. Antonio Calderón alta impedancia de entrada.

39kΩ 0.1kHz * (2.07 nF C4 = 0.5V Hay que tener encuenta este voltaje ya que puede dañar al transistor seleccionado.85kΩ I1 11mA ∴ R2 = 270Ω R1 = ∴ R1 = 3.25Ω + 2.π . O se puede hacer lo que se indico anteriormente cuando se tiene mucho voltaje en VCE Si es el caso de que Rin depende de RB2 es necesario poner la nueva R3 con un capacitor en paralelo.7Ω )) = 136.165μF C2 = 47 μF C1 = 18μF 51 .6V = = = 260Ω I2 I2 10mA Vcc − VB 45V − 2.6Ω Para que la fuente de 45V abastezca los 15V de la segunda etapa se recalcula R 3 y el resto no cambia ya que la diferencia de voltaje sa va a VCE2 R3 = Vcc − VB 45V − 2.6Ω C2 >> 3.π .7Ω + 0.9kΩ RB = R1 || R2 = 3.π . f min RB 2 X 3 << RE1 + re C3 >> 1 2. Antonio Calderón R2 = VB1 VE1 + VJBE 2V + 0.9kΩ || 270Ω = 252.15nF C5 = 2.3kΩ ) C3 >> 53.π .9μF C4 >> 51.2μF 1 1 C3 >> 2. f min (RE1 + re ) 1 2.6V = = 3.1kHz * (56kΩ || 3.π .6V = = 51.96Ω 2.5Ω Rin = RB || RinT = RB || (( β + 1)(re + RE1 ) ) = 252.5Ω || (101(0.π .π .68μF C3 = 1000μF X 2 << Rin2 C2 >> C2 >> 1 2.825mA I3 47 kΩ 56 kΩ R3 = 56kΩ VCE 2 = Vcc − VRC 2 − VE 2 = 45V − 7.π . f min RL X 4 << RB 2 C4 >> C4 >> 1 2.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.1kHz * 40.π .88μF C1 >> 1.π .1kHz *1kΩ C5 >> 159. f min Rin2 X 1 << Rin1 C1 >> 1 2. f min Rin1 1 1 C1 >> 2.25Ω ) 2.5V − 2V = 35.1kHz *136. Cálculo de capacitores X 5 << RL C5 >> C5 >> 1 2.

( β + 1) Req 2 ≥ 10 *1.2kΩ RC1 || Rin2 ≥ 1.36Ω Haciendo la segunda etapa con autoelevación. A = 120 vop = 3V RL = 1 kΩ Rin ≥ 10kΩ β = 100 Planificación Haciendo la primera etapa con ganancia de 12 y la segunda con ganancia de 10 Req1 ≥ A1 Rin. ( β + 1) Req1 ≥ 12 * 10kΩ 100 ⇒ Req1 ≥ 1.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Como observamos en el ejercicio anterior hay valores exagerados de Vcc y de algunas resistencias. esto se debe a la incompatibilidad que existe al conectar la primera etapa en emisor común y la segunda en colector común.2kΩ peor condición Req 2 ≥ A2 Rin2 . Ahora vamos a hacer un ejercicio en que las dos etapas son en emisor común para observar la mejora.2kΩ → Rin2 ≥ 1. Vcc +V R1 RC1 C2 + R3 RC C4 + R5 + Q1 C1 + Q2 RE1 Vin1 + R2 RE2 + C3 R4 C5 RE3 RL RE4 + C6 Diseño de la segunda etapa Asumimos resistencias de tolerancia 10 % 52 . Los datos son los mismos que el ejercicio anterior pero añadimos una condición de impedancia de entrada.2kΩ 100 ⇒ Req 2 ≥ 120Ω RC 2 || RL ≥ 120Ω → RC 2 ≥ 136.

5 mA RC 2 1kΩ 25mV 25mV = = 3.5V = 14.075mA 100 Estabilidad de polarización β I 4 >> I B2 I 4 = 0.8V ∴Vcc = 15V el exceso envio a VCE2 para asegurar más que el TBJ este en la reg. activa I B2 = IC 2 = 7.3V por el factor de seguridad VE2 ≥ 1.06V Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R.075mA + 0.3 ⇒ VCE 2 ≥ 5.33Ω IE2 7.5mA Req A2 = re 2 = RB 2 = R3 || R4 re 2 + (RE 3 || RB 2 ) = 500Ω = 50Ω ∴ Estable termicamente 10 RE 3 || RB = 50Ω − re 2 = 50 − 3.3 = 46.075mA ∴ R = 820Ω 53 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.5mA Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 2V + 5. Antonio Calderón Asumo RC 2 = 1kΩ .67Ω I E 2 7.3V ⇒ VE2 ≥ 1.3V VE2 ≥ 1V + vinp ⇒ VE2 ≥ 1V + 0.3V + 7.825mA VR5 << VJBE ∴VR 5 = 0.5V = = 7.06V = = 800Ω I B 2 0.75mA = 0. R5 = VR5 0.75mA I 3 = I B 2 + I 4 = 0.66Ω VCE 2 ≥ vop + vact + vinp . VCE 2 ≥ 3V + 2V + 0.56V VE 2 = 2V RET = VE 2 2V = = 266. Req = RC || RL = 1kΩ || 1kΩ = 500Ω VRC 2 ≥ VRC 2 ≥ RC2 vop Req por factor de seguridad VRC ≥ 6V 1kΩ 1V ⇒ VRC 2 ≥ 5V 500Ω Asumimos VRC = 7.5V IC 2 = VRC 2 7.5mA = 0.

89Ω Entonces asumo re1 = 20Ω I C1 = 25mV 25mV = = 1.06V = = = 3.67Ω − 47Ω = 219.5Ω ∴ RE 3 = 47Ω RE 4 = RET − RE 3 = 266.3kΩ R3 = ∴ R3 = 15kΩ RB 2 = R3 || R4 = 15kΩ || 3.7kΩ 0.33 + 47Ω || 2.705kΩ) = 5kΩ Diseño de la primera etapa Req1 ≥ 1.213mA Req1 = re1 = re1 + RE1 = 2.213 mA RC1 4.7 kΩ = 5.825mA I3 ∴ R4 = 3.875V 54 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.3kΩ = 2.42kΩ 12 A re1 + RE1 = 201.54kΩ I4 I4 0.699V 4.5 Ω I C1 0.582V por factor de seguridad 2.2kΩ RC1 || Rin2 ≥ 1. Antonio Calderón R4 = VB 2 VE 2 + VJBE + VR 5 2V + 0.42 kΩ VRC1 ≥ VRC1 ≥ RC1 vop Req1 VRC1 ≥ 0.67Ω RE 3 = 47.58kΩ Asumo RC1 = 4.7kΩ 25mV 25mV = = 117.42kΩ Asumimos VRC = 1V I C1 = VRC1 1V = = 0.67Ω ∴RE 4 = 220Ω Rin2 = RinT Autoelevación Rin2 = ( β + 1)(re + RE1 || RB ) = 101(3.705kΩ RE 3 || RB 2 = 46.95kΩ 0. Req1 = RC1 || Rin2 = 4.25mA * 4.6V + 0.25mA re1 20 ∴ Por lo tanto no es estable termicamente VRC1 = I C1 * RC1 = 1.7kΩ || 5kΩ = 2.66V = = 14.75mA Vcc − VB 2 15V − 2.3V ⇒ VRC1 ≥ 0.7 kΩ .2kΩ → RC1 ≥ 1.

33V + 0. VCE1 ≥ 2.3V + 2V + 25mV ⇒ VCE1 ≥ 2.1375mA R2 = VB1 VE1 + VJBE 6.06kΩ I E1 1.π .π . Si se desea hacer sin autoelevación pero no se cumple con Rin basta añadir R y C de autoelevación.33V RET = VE1 6. VCE1 ≥ 0.22μF C2 = 0.73kΩ 2.25mA RE 2 = RET − RE1 = 5.875V − 2.π .125mA I1 = I B + I 2 = 0.π .93V = = 58.25mA = 0.4kΩ I2 I2 0.88kΩ RE 2 = 4. f min Rin1 1 1 C2 >> 2. Antonio Calderón RE1 = 201.8nF C1 = 0. seg.57nF C2 >> 31.1375mA I1 ∴ R2 = 56kΩ R1 = ∴ R1 = 56kΩ RB1 = R1 || R2 = 56kΩ || 56kΩ = 28kΩ Rin1 = RB1 || ( β + 1)(re + RE1 ) = 28kΩ || (101 * (20 + 180Ω) ) = 11. f min (RE1 + re ) C1 >> C1 >> 1 2.1kHz *11.06kΩ − 180Ω = 4.1kHz * 5kΩ C1 >> 13.6V = = = 55.0125mA + 0.47 μF 1 2.89 Ω − 20Ω = 181.79V = 6.325V x fact.π .0125mA 100 Estabilidad de polarización β I 2 >> I B I 2 = 0.π .89Ω RE1 = 180Ω VCE1 ≥ vop + vact + vinp .73kΩ Después de realizado este ejercicio se recomienda hacer ambas etapas con autoelevación.7kΩ 0.1kHz * (180Ω + 20Ω ) C3 >> 795nF C3 = 10μF 55 . f min Rin2 X 3 << RE1 + re C3 >> C3 >> 1 2.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.89 Ω − re 2 = 201. esto no varía los cálculos en nada.7 kΩ I B1 = I C1 = 1.125mA = 0.325V VE1 = Vcc − VRC − VCE1 = 15V − 5.33V = = 5.125mA Vcc − VB1 15V − 6. Calculo de capacitores X 1 << Rin1 X 2 << Rin2 C2 >> 1 2.

1kHz * (15kΩ || 3.π .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.π .π .3kΩ ) 2. f min RB 2 X 6 << re + RE 3 C6 >> 1 2. Probemos ahora con una etapa y utilizando Darlington 15 A *100kΩ Req ≥ Rin.15nF C4 = 2.π .π .π . ( β + 1) Req ≥ 15 * 100kΩ 100 ⇒ Req ≥ 15kΩ RC || RL ≥ 15kΩ Ya que el valor de R L es 100Ω es imposible realizar este cirucito de la forma planificada.33Ω + 47Ω ) C5 >> 58.16μF C5 = 1μF C6 = 47 μF Ejercicio Realizar el análisis inicial para un diseño con las siguientes condiciones: A = 15 vop = 4V RL = 100Ω Rin ≥ 100kΩ Ya que la ganancia es baja se puede realizar con una etapa Req ≥ A Rin.1kHz *1kΩ C4 >> 159.8nF C6 >> 3. f min RL X 5 << RB 2 C5 >> C5 >> 1 2. f min (re + RE 3 ) 1 2.1kHz * (3.2μF 1 1 C6 >> 2. Antonio Calderón X 4 << RL C4 >> C4 >> 1 2. Req ≥ ⇒ 100 *100 βD Tampoco se puede lograr con Darlington por el valor de R L Ahora se intenta resolver este ejercicio con 2 etapas Req ≥ 150Ω RC || RL ≥ 150Ω 56 .

Antonio Calderón Req1 ≥ A1 Rin. Otra opción en el ejercicio anterior es realizarlo con dos etapas.5Ω ∴ RC 2 ≥ 1. Req 2 ≥ ⇒ * 5kΩ 100 2 βD Req 2 ≥ 1. Ejercicio A = 150 vop = 5V RL = 1 kΩ Rin ≥ 100kΩ β = 100 Planificación Haciendo la primera etapa con ganancia de 15 y la segunda con ganancia de 10 57 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.52Ω Lo que intentamos demostrar en este ejercicio es que también al hacer con multietapa se tiene circuitos de alta impedancia de entrada. ( β + 1) Req1 ≥ 5 * 100kΩ 100 ⇒ Req1 ≥ 5kΩ → Rin2 ≥ 5kΩ peor condición RC1 || Rin2 ≥ 5kΩ Req 2 ≥ A2 Rin2 . ( β + 1) Req 2 ≥ 3 * 5kΩ 100 ⇒ Req 2 ≥ 150Ω RC 2 || RL ≥ 150Ω Ya que el valor de R L es 100Ω es imposible realizar este cirucito de la forma planificada. la primera etapa con emisor común y una ganancia de 15 y la segunda etapa realizar una configuración en colector común.5Ω RC 2 || RL ≥ 1. Probemos ahora con Darlington en la segunda etapa : A 3 Req 2 ≥ 2 Rin2 .

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.07Ω Haciendo ambas etapas con autoelevación. Req = RC 2 || RL = 100Ω || 1kΩ = 90. ( β + 1) Req 2 ≥ 10 *14.85kΩ RC1 || Rin2 ≥ 14.9Ω VRC 2 ≥ VRC 2 ≥ RC2 vop Req 100Ω 5V ⇒ VRC 2 ≥ 5. Vcc +V R1 C1 + R3 + C2 + Vin1 R2 RC1 C4 + Q3 NPN R4 RC2 C6 + R6 + Q1 NPN Q2NPN RE1 R5 + C5 R7 RE3 RL RE2 C3 RE4 + C7 Diseño de la segunda etapa Asumimos resistencias de tolerancia 10 % Asumo RC 2 = 100Ω .85kΩ 101 ⇒ Req 2 ≥ 1. ( β + 1) Req1 ≥ 15 *100kΩ 101 ⇒ Req1 ≥ 14.47 kΩ RC 2 || RL ≥ 1.85kΩ → Rin2 ≥ 14.6V 58 . Antonio Calderón Req1 ≥ A1 Rin.85Ω *14.5V 90.85kΩ βD 100 2 RC 2 || RL ≥ 14.85Ω → RC 2 ≥ 15.85kΩ peor condición Req 2 ≥ A2 Rin2 .47Ω Con esta planificación no se puede obtener la impedancia de entrada requerida Hacemos la segunda etapa con Darlington : A 10 Req 2 ≥ 2 Rin2 . Req 2 ≥ ⇒ Req 2 ≥ 14.9Ω por factor de seguridad VRC ≥ 6.

5V = = 50Ω I E 2 70mA Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 3. VCE 2 ≥ 5V + 3V + 0.5V VE2 ≥ 2V + vinp ⇒ VE2 ≥ 2V + 0.9Ω = 9.714Ω IE2 70mA Req A2 = 90.1V = = = 68.5V + 3.09 − 0.5V + 8.714 = 8.1V = = 14.8V = = 184.1V R6 = VR6 0.5V = 19V ∴Vcc = 19V I B2 = IC 2 = 70mA = 7 μA 100 2 Estabilidad de polarización βD I 5 >> I B2 I 5 = 70μA I 4 = I B 2 + I 5 = 7 μA + 70μA = 77 μA VR6 << VJBED ∴VR 6 = 0.3kΩ I B 2 7 μA VB 2 VE 2 + VJBED + VR 6 3.5V por el factor de seguridad VE2 ≥ 3V VE 2 = 3.376Ω VCE 2 ≥ vop + vact + vinp .4kΩ 77 μA I4 ∴ R6 = 12kΩ R5 = ∴ R5 = 68kΩ R4 = ∴ R4 = 180kΩ 59 .5V ⇒ VE2 ≥ 2.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.09Ω ∴ Estable termicamente 10 RB 2 = R4 || R5 reD + (RE 3 || RB 2 ) = RE 3 || RB = 9.5kΩ 70μA I5 I5 Vcc − VB 2 19V − 4.5V + 1.09Ω − re 2 = 9. Antonio Calderón Asumimos VRC = 7V IC 2 = re 2 = VRC 2 7V = = 70 mA RC 2 100Ω 50mV 50mV = = 0.5V RET 2 = VE 2 3.2V + 0.5V ⇒ VCE 2 ≥ 8.

5V RE1 || RB = 1.2Ω = 41.45μA Req1 = re1 = re1 + RE1 || RB = 17.2Ω RE 4 = RET − RE 3 = 50Ω − 8.623V por factor de seguridad 17.1Ω R7 = 8.64kΩ Asumimos VRC = 1V I C1 = VRC1 1V = = 45.357 + 8.64kΩ ∴ R7 = 8.714 + 82Ω || 49.45μA RC1 22kΩ 25mV 25mV = = 550 Ω I C1 45. Antonio Calderón RB 2 = R4 || R5 = 180kΩ || 68kΩ = 49.07kΩ 60 .17kΩ ∴ Por lo tanto no es estable termicamente Entonces asumo re1 = 100Ω I C1 = 25mV 25mV = = 250μA re1 100Ω VRC1 = I C1 * RC1 = 250μA * 22kΩ = 5.2Ω || 49.5V ⇒ VRC1 ≥ 0.17kΩ − re1 = 1.376Ω RE 3 = 8.81kΩ Asumo RC1 = 22 kΩ .17kΩ − 100Ω = 1.8Ω ∴RE 4 = 47Ω R7 >> RinT 2 RinT 2 = (β + 1)(re 2 + RE 3 || RB 2 ) = 101 * (0.64 kΩ VRC1 ≥ VRC1 ≥ RC1 vop Req1 VRC1 ≥ 0.37Ω ∴ RE 3 = 8.35kΩ) = 89.13kΩ 10 kΩ 8.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.35kΩ RE 3 || RB 2 = 8.85kΩ → RC1 ≥ 17.13kΩ = 17.2kΩ Rin2 = RinTD Autoelevación Rin2 = ( β D )(reD + RE 3 || RB 2 ) = 100 2 (0.2 kΩ Diseño de la primera etapa Req1 ≥ 14.748V 22kΩ 0.85kΩ RC1 || Rin2 ≥ 14.64kΩ A 15 re1 + RE1 || RB = 1.35kΩ ) = 864. Req1 = RC1 || Rin2 = 22kΩ || 89.

VRC = 19V − 5.08kΩ ∴ RE1 = 1kΩ RE 2 = RET − RE1 = 28kΩ − 1. VCE1 ≥ 0.5μA VB1 VE1 + VJBE + VR 3 7V + 0.6V + 0.5V ∴VCE1 = 6.06V = = 2.0333V VE1 ≥ 10333V por fact seg VE1 ≥ 1.5kΩ) = 110.06V = = = 306.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.07 kΩ RE1 = 1.47 kΩ 61 .5V VE1 = 7V RET = I B1 = VE1 7V = = 28kΩ I E1 250μA I C1 250 μA = = 2.5μA 390 kΩ 470 kΩ ∴ R1 = 390kΩ RB1 = R1 || R2 = 390kΩ || 270kΩ = 159.033V ⇒ VCE1 ≥ 2.5V + 2V + 0. Antonio Calderón VCE1 ≥ vop + vact + vinp .36kΩ I1 27.92kΩ RE 2 = 27 kΩ Rin1 = RinT 1 = ( β + 1)(re1 + RE1 || RB ) = 101 * (100 + 1kΩ || 159.533V ( Necesario) VE1 ≥ 1V + vinp .5V = 13.06V R3 = VR3 0.66V = = 412. VE1 ≥ 1V + 0.5μA VR3 << VJBE ∴VR 3 = 0.2kΩ R2 = ∴ R2 = 270kΩ R1 = Vcc − VB1 19V − 7.24V ( Necesario) Disponemos de Vcc .4kΩ I2 I2 25μA 270 kΩ 330 kΩ ∴ R3 = 2.5μA + 25μA = 27.08Ω = 26.5μA 100 β +1 Estabilidad de polarización I 2 >> I B I 2 = 25μA I1 = I B + I 2 = 2.5kΩ RE1 || RB1 = 1.4kΩ I B1 2.

35kΩ ) C6 >> 159.1kHz * (0. ventajoso en el manejo de señales de alta frecuencia.π . f min (RE1 + re ) C1 >> C1 >> 1 2. f min RB1 X 3 << RE1 + re C3 >> 1 2.π .1μF X 4 << Rin2 1 1 C3 >> 2.1kHz * (159.1μF 1 1 C6 >> 2.1kHz *1kΩ 2. f min RL C4 >> C4 >> 1 2.7nF C2 >> 0.99nF C2 = 10nF X 5 << RB 2 C3 = 2. f min Rin2 C5 >> C5 >> 1 2.π .π .8μF C7 = 220μF ACOPLAMIENTO DIRECTO Amplificador Cascode El amplificador cascode es un amplificador que mejora algunas características del amplificador de Base Común.5kΩ ) C3 >> 144. sin embargo su desventaja es su muy baja impedancia de entrada.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. El amplificador Base Común es la mejor opción en aplicaciones de altas frecuencias.1kHz * 89.2μF C5 = 0.π . Antonio Calderón Calculo de capacitores X 1 << Rin1 X 2 << RB1 C2 >> C2 >> 1 2. Para conseguir este propósito. f min RB 2 1 2. 62 .1μF X 7 << reD + RE 3 C7 >> C7 >> 1 2.2μF X 6 << RL C6 >> 1 2.π .714Ω + 8.π . El amplificador cascode se encarga de aumentar la impedancia de entrada pero manteniendo sobre todo la gran utilidad de la configuración Base Común.47kΩ C1 >> 1.1kHz * (49. f min Rin1 1 2.15nF C5 >> 3. el amplificador cascode tiene una entrada de Emisor Común y una salida de Base Común.π .22nF C6 = 2. a esta combinación de etapas se le conoce como configuración cascode.13kΩ C4 >> 1.44nF C1 = 0.π .2Ω ) C7 >> 17.8nF C4 = 0.1kHz * (1kΩ + 100Ω ) 2.π .π .π .π .π .1kHz *110. f min (reD + RE 3 ) 1 2.

Antonio Calderón Circuito Análisis Q1 ⇒ Emisor Común → A1 ⎫ ⎬ A = A1 * A2 Q2 ⇒ Base Común → A2 ⎭ ⎫ ⎪ R Req re 2 ⎪ .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. eq = ⎬ A = A1 * A2 = re1 + RE1 re 2 re1 + RE1 R || RL Req ⎪ A2 = C = re 2 re 2 ⎪ ⎭ El procedimiento de diseño se reduce ahora a un diseño de una sola etapa con ganancia Req A= re1 + RE1 A1 = re 2 <1 re1 + RE1 Las pricipales características son detallas en las siguientes fórmulas muy importantes en el procedimiento de diseño VRC ⎧ ⎪I C 2 = R C ⎪ IC 2 ⎪ ⎨I C 2 = β2 ⎪ ⎪I E 2 = I C 2 + I B 2 ⎪ ⎩ 63 .

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón ⎧ I C1 = I E 2 ⎪ I C1 ⎪ ⎨ I B1 = β1 ⎪ ⎪ I E1 = I C1 + I B1 ⎩ Para el calculo de re solo se toma la del transistor 1 re1 = 25mV I E1 Req A re1 + RE1 = Para que no haya distorsión en la onda nos ayudamos del eje vertical de voltajes para realizar el respectivo análisis: VCE 2 ≥ vop + vact VCE1 ≥ vop1 + vact + vinp VE1 ≥ 1V + vinp Vcc = VE1 + VCE1 + VCE 2 + VRC Para el calculo de corriente del lado de entrada ya que tienen que cumplir estabilidad de polarización en ambos TBJ se emplea las siguientes formulas I 3 >> I B1 Estabilida de polarización en Q1 I 2 = I 3 + I B1 I 2 >> I B 2 Estabilida de polarización en Q 2 I1 = I 2 + I B 2 VB 2 = VE1 + VCE1 + VJBE 2 ⎫ ⎬ ∴VB 2 − VB1 = VCE1 VB1 = VE1 + VJBE1 ⎭ V V − VB1 VCE1 = R3 = B1 R2 = B 2 I3 I2 I2 R1 = Vcc − VB 2 I1 64 .

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Ing. Antonio Calderón

Vamos a realizar un ejemplo de diseño de un amplificador Cascode. El circuito es el mismo indicado al inicio del tema y las condiciones a cumplir son: A = 120 vop = 3V RL = 1 kΩ Rin ≥ 10kΩ β = 100

Asumo RC = 270Ω ; Req = RC || RL = 270Ω || 2.7kΩ = 245.45Ω VRC RC vop Req por factor de seguridad VRC ≥ 6.6V

VRC ≥

270Ω 5V ⇒ VRC ≥ 5.5V 254.45Ω Asumimos VRC = 7V IC 2 = I B2 = IE2 7V VRC = = 25.92 mA RC 270Ω IC 2 =

25.92mA = 0.25mA 100 β = I C 2 + I B 2 = 25.92mA + 0.26mA = 26.18mA I C1 = IE2 =

I C1 = I E 2 26.18mA = 0.262mA 100 β β I E1 = I C1 + I B1 = 26.18mA + 0.262mA = 26.44mA I B1 = re1 = 25mV 25mV = = 0.955Ω 26.18mA I C1

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CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Ing. Antonio Calderón

re1 + RE1 =

245.45Ω = 8.18Ω 30 A RE1 = 8.18Ω − re1 = 8.18Ω − 0.955Ω = 7.23Ω =

Req

∴ RE1 = 7.5Ω I 3 >> I B1 Estabilida de polarizaci ón en Q 1

I 2 = I 3 + I B1 I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizaci ón en Q 2 I1 = I 2 + I B 2 V B 2 = V E 1 + VCE 1 + V JBE 2 ⎫ ⎬ ∴ V B 2 − V B1 = VCE 1 V B1 = V E 1 + V JBE 1 ⎭ V V − V B1 VCE 1 R3 = B 1 R2 = B 2 = I3 I2 I2 VCE 2 ≥ vop + vact ; VCE 2 ≥ 5V + 2V VCE 2 ≥ 7V
VCE1 ≥ vop1 + vact + vinp re 2 = 25mV 25mV = = 0.964Ω IC 2 25.92mA re 2 .vop 0.964Ω 5V = = 19mV . re1 + RE1 A 0.955Ω + 7.5Ω 30

R1 =

Vcc − V B 2 I1

vop1 = A1 * vinp = VE1 ≥ 19mV + 2V + VE1 ≥ 1V + vinp VE1 = 2V

5V VCE1 ≥ 2.19V ; 30 VE1 ≥ 1V + 0.166V VE1 ≥ 1.16V

por fact. seg. VE1 ≥ 1.39V

Vcc = VE1 + VCE1 + VCE 2 + VRC = 2V + 2.19V + 7V + 7V = 18.19V Vcc = 20V ΔVcc = 20V − 18.19V = 1.81V ΔVcc hay como enviar a VCE1 o VCE2 . Envio a VCE1 VCE1 = 4V RET = 2V VE1 = = 75.64Ω I E1 26.44mA

RE 2 = RET − RE1 = 75.64Ω − 7.5Ω = 68.14Ω RE 2 = 69Ω I 3 >> I B1 Estabilida de polarización en Q1 I 3 = 2.62mA I 2 = I 3 + I B1 = 2.62mA + 0.262mA = 2.88mA I 2 >> I B 2 Estabilida de polarización en Q 2 ; I1 = I 2 + I B 2 = 2.88mA + 0.226mA = 3.14mA 2.88mA >> 0.26mA Cumple

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CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Ing. Antonio Calderón

VB 2 = VE1 + VCE1 + VJBE 2 ⎫ ⎬ ∴VB 2 − VB1 = VCE1 VB1 = VE1 + VJBE1 ⎭ V V − VB1 VCE1 R3 = B1 R2 = B 2 = I3 I2 I2 R3 = R2 = R1 = VB1 2V + 0.6V = = 992Ω 2.62mA I3 VCE1 3V = = 1.042kΩ 2.88mA I2 R3 = 1kΩ R2 = 1kΩ

R1 =

Vcc − VB 2 I1

Rin = R2 || R3 || (β + 1)(re1 + RE1 ) = 1kΩ || 1KΩ || (101)(0.955Ω + 7.5Ω) = 315.4Ω
Calculo de capacitores X 1 << Rin

Vcc − VB 2 20V − 2V − 3V − 0.6V = = 4.58kΩ 3.14mA I1

R1 = 4.7kΩ

X 2 << re 2 ( β 2 + 1) C2 >> C2 >> 1 2.π . f min re 2 ( β 2 + 1)

C1 >> C1 >>

1 2.π . f min Rin

1 2.π .1kHz * 315.4Ω C1 >> 504.6nF C1 = 6.8μF X 3 << RL C3 >> C3 >> 1 2.π . f min RL

1 2.π .1kHz * 0.964Ω *101 C2 >> 1.6μF C2 = 18μF X 4 << RE1 + re1 C4 >> C4 >> 1 2.π . f min (RE1 + re )

1 2.π .1kHz * 2.7kΩ C3 >> 58.9nF C3 = 0.68μF

1 2.π .1kHz * (7.5Ω + 0.955Ω ) C4 >> 18μF C4 = 220μF

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CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Ing. Antonio Calderón

Amplificador Diferencial El circuito amplificador diferencial es una conexión extremadamente común utilizada en circuitos integrados. Esta conexión se puede describir al considerar el amplificador diferencia básico que se muestra en la figura. Este circuito posee dos entradas separadas y dos salidas separadas y los emisores están conectados entres sí. Mientras que la mayoría de los circuitos amplificadores diferenciales utilizan dos fuentes de voltaje, el circuito puede operar utilizando sólo una de ellas.

Es posible obtener un número de combinaciones de señales de entrada: • Si una señal de entrada se aplica a cualquier entrada con la otra entrada conectada a tierra, la operación se denomina “Terminal simple”. • • Si se aplican dos señales de entrada de polaridad opuesta, la operación se denomina “Terminal doble”. Si la mismas entrada se aplica a ambas entradas, la operación se denomina “modo común”

Análisis del amplificador diferencial

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CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. re1 = re 2 = re Vo Q1 → CC → A1 ⎫ ⎬ A = A1 · A2 Q2 → BC → A2 ⎭ A1 = re 2 || RE re1 + re 2 || RE 69 . Antonio Calderón Vin = Vin1 − Vin2 La salida se encuentra en cualquiera de los colectores. Vo Q1 → EC → A1 A1 = RC re1 + re 2 || RE pero si re 2 << RE ∴ → A1 = ∴ A1 = RC re1 + re 2 RC 2 re .

tenemos la misma señal de salida pero con fase distinta.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. re1 = re 2 = re (como sucede en la práctica) 70 . A= RC re1 + RE1 + RE 2 || ( RE1 + re 2 ) si RE 2 >> re2 + RE1 ∴ → A= A= RC re1 + RE1 + re2 + RE1 RC 2( re + RE1 ) . re1 = re 2 = re 1 2 RC RC = re 2 re A = A1 · A2 1 R = · C 2 re A= RC 2 re Es decir. Antonio Calderón si re 2 << RE ∴ → A1 = ∴ A1 = A2 = → re 2 re1 + re 2 .

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. 5. 2. 4. VCC = −VCC → RE 2 NO molesta y tenemos: Implementando la fuente de corriente 71 . es decir. Antonio Calderón Para el diseño - Asumimos RC Calculamos: 1. 6. VRC IC re re + RE1 VCE VE → comprobando estabilidad con A → VCC = VRC + VCE − VJBE VE se puede asumir para tener simetría VRE 2 = VCC − VJBE − VRE 1 RE 2 = VRE 2 2IE VE = −VCC + VJBE siendo VRE1 = I E ·RE1 Haciendo con simetría. 3.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. si se utiliza una sola fuente 72 . Antonio Calderón VCE al menos 3V → Vact VC 3 = VCC − VJBE − VRE1 VCE 3 ≥ 3V Primero se debe elegir un Zener tal que VZ < VCC Asumir VZ → VRE 2 = VZ − VJBE RE 2 = VRE 2 2IE Calculando VCC − VZ ⎧ ⎪R = I ⎪ ⎪ I >> I B ⎨ Z ⎪ I Z ≈ I ZT ⎪ ⎪I = IZ + I B ⎩ → dato que da el manual de tal forma que el Zener funcione al valor deseado Entonces.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Acoplamiento directo Es un circuito conectado en cascada pero la única diferencia es que no se utiliza capacitor para acoplar sino simplemente un cable V1 +V R1 IB2 RC1 IB2 IC Q1 VB2 RC1 CC1 + CB + Q2 RE1 Vin 1 KHz + R2 RE2 CE RE4 RL RE3 + + CE1 VB 2 >> VC1 VC1 = VCE1 + VE1 VCE1 >> vop1 + Vact + vinp VE1 >> 1v + vinp VRC 2 + VCE 2 − VJBE 2 >> VRC1 VRC1 >> RC1 vop1 RC1 Rin 2 ⎧ I C1 >> I B 2 ⎨ ⎩ I RC1 = I C1 + I B 2 73 .

En este circuito siempre se cumplen ⎨ I C1 = I RC1 + I B 2 ⎩ 74 . re. Antonio Calderón Si VB 2 < VC1 Entonces se recalcula VB 2 luego el nuevo VCC y el exceso se manda al voltaje VCE a la región activa.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Ic. VRc. RE2 y VE=1+ vinp En el siguiente circuito las condiciones a cumplir son: ⎧ ⎪V ⎪ B 2 = VE + VJBE 2 ⎪ ⎨VB 2 >> VRC1 ⎪ RC1 ⎪VRC1 ≥ vop1 RC1 Rin 2 ⎪ ⎩ ⎧VRC 2 + VCE 2 − VJBE 2 ≥ VC1 ⎪V = V + V CE1 E1 ⎪ C1 ⎨V ≥ v + V + v act inp1 ⎪ CE1 op1 ⎪VE1 ≥ 1V + vinp1 ⎩ ⎧ I RC1 >> I B 2 ⇒ Estas condiciones se deben verificar. Se realiza el diseño normalmente hasta el calculo de re + RE1 luego se calcula VC1 con lo que calculo RET El Q2 esta en emisor común con lo que se realiza los cálculos de Rc.

voltaje. corriente de salida del circuito o incluso las ganancias de potencia. La respuesta de frecuencia es la curva que se obtiene a la salida. permite ignorar los efectos de los elementos capacitivos.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. se revisarán los efectos de la frecuencia presentados por los elementos capacitivos mayores de la red en bajas frecuencias y por o elementos capacitivos menores del transistor para altas frecuencias. Ancho de Banda: Es un término muy utilizado en análisis de frecuencia y es el rango de frecuencias correspondiente a su utilización normal. voltaje o corriente. 75 . con lo que se reduce el análisis a uno que solamente incluye elementos resistivos y fuentes independientes o controladas. Antonio Calderón RESPUESTA DE FRECUENCIA INTRODUCCION El análisis hasta el momento se ha limitado a una frecuencia particular. Ahora. En la siguiente gráfica vamos a observar un ejemplo de característica de frecuencia sobre la carga. a partir de los diferentes valores que toma la señal de salida en función de la frecuencia de la señal de entrada. Para el análisis de frecuencia vamos a utilizar el diagrama de Bode y manejar valores en decibeles (dB). por lo regular. se trata de una frecuencia que. El análisis de la señal de salida la podemos hace con la potencia. Para el caso del amplificador.

Potencia de Salida Potencia → Po Sea Pomax el valor máximo Los puntos de media potencia estarán localizados en : Pomax 2 En Decibeles : 10 * log Pomax = 10 log Pomax − 10 log 2 2 = Pomax (dB) − 3dB 76 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón A continuación haremos el análisis de los puntos de media potencia para las opciones de la señal de salida.

Antonio Calderón Voltaje de Salida La relación que existe entre el voltaje y la potencia es : Po → Vo 2 Puntos de media potencia Pomax Vo ⎛ Vo ⎞ 2 → max = ⎜ max ⎟ = (0.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.707 * Vomax ) 2 2 ⎝ 2 ⎠ 2 2 En Decibeles : Vo 10 * log max 2 2 = 20 log Vomax 2 = 20 log Vomax − 20 log 2 = Vomax (dB) − 3dB 77 .

Antonio Calderón Ganancia de potencia Se tiene la relación de potencia : Gp = Po Pin Los puntos de media potencia estarán localizados en : Pomax Gpmax = 2 Pin 2 En Decibeles : 10 * log Gpmax = 10 log Gpmax − 10 log 2 2 = Gpmax (dB) − 3dB 78 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

707 * Gvmax ) 2 2 ⎝ 2 ⎠ 2 2 2 En Decibeles : Gv 10 * log max 2 2 = 20 log Gvmax 2 = 20 log Gvmax − 20 log 2 = Gvmax (dB) − 3dB 79 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. la relación que existe entre la ganancia voltaje y la ganancia de potencia es : Gp → Gv 2 puntos de de media potencia Gpmax Gv ⎛ Gv ⎞ 2 → max = ⎜ max ⎟ = (0. Antonio Calderón Ganancia de voltajes Al igual que en potencia.

. Para un término: 0 ± jkω 0 ± jkω = k 2ω 2 = k .ω Entonces realizamos una tabla que nos permitirá luego generar el gráfico.............CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing..(1 + jbmω ) En decibeles: GdB = 10 log1 + ja1ω + 10 log1 + ja2ω + . A partir de esta expresión en función de la frecuencia realizaremos el diagrama de Bode Función de transferencia ⇒ G = (1 + ja1ω )(1 + ja2ω )...... Antonio Calderón Respuesta de frecuencia Para determinar la característica de un circuito debemos obtener la función de transferencia del mismo en función de la frecuencia.......... − 10 log1 + jbmω Dada ya la función de transferencia tenemos que realizar la respectiva gráfica que representa dicha función (característica de magnitud)......................... + 10 log1 + janω − 10 log1 + jb1ω − 10 log1 + jb2ω − . Para: Para ω → 0 Para ω → ∞ Bajas frecuencias Alta frecuencia Función En dB transferencia G=0 −∞ ∞ 0 G=∞ G =1 Para ω = 1 / k Por lo tanto las gráficas para este término son: Para un término: 1 = 0 ± jkω 1 k 2ω 2 1 0 ± jkω = 1 kω 80 ....... para esto vamos a utilizar el modelo asintótico de ciertos términos que generalmente aparecen en estas funciones......(1 + janω ) (1 + jb1ω )(1 + jb2ω )....

Antonio Calderón Entonces realizamos una tabla que nos permitirá luego generar el gráfico.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Para: Para ω → 0 Para ω = 1 / k Para ω → ∞ Por lo tanto las gráficas para este término son: Función En dB transferencia G =1 0 3 G= 2 G=∞ ∞ 81 . Para: Para ω → 0 Para ω → ∞ Para ω = 1 / k Por lo tanto las gráficas para este término son: Función En dB transferencia G=∞ ∞ G=0 −∞ G =1 0 Para un término: 1 ± jkω 1 ± jkω = 1 + k 2ω 2 Entonces realizamos una tabla que nos permitirá luego generar el gráfico.

( ) ( ) sea ωC = 1 k ⎛ ⎧ω >> ωC ω2 ⎞ = 5 log⎜1 + 2 ⎟. sea ωC = k ⎛ ⎧ω >> ωC ω2 ⎞ = 10 log⎜1 + 2 ⎟. ⎨ ⎜ ω ⎟ ⎩ω = 10ωC C ⎠ ⎝ ⎛ ω2 ⎞ GpdB = 5 log⎜ 2 ⎟ = 10 log(10) = 10 dB / década ⎜ω ⎟ ⎝ C ⎠ Ahora si es una señal de ganancia de voltajes cuya función de transferencia sea igual a la anterior Gv = 1 + jkω 1 GvdB = 20 * log 1 + jkω = 20 log 1 + k 2ω 2 = 10 log 1 + k 2ω 2 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Para: Para ω → 0 Para ω = 1 / k Para ω → ∞ Función En dB transferencia G =1 0 −3 G = 1/ 2 G=0 −∞ La pendiente de las rectas se justifica mediante: Sea una señal de ganancia de potencias cuya función de transferencia sea Gp = 1 + jkω GpdB = 10 * log 1 + jkω = 10 log 1 + k 2ω 2 = 5 log 1 + k 2ω 2 . ⎨ ⎜ ω ⎟ ⎩ω = 10ωC C ⎠ ⎝ ( ) ( ) ⎛ ω2 ⎞ GpdB = 10 log⎜ 2 ⎟ = 20 log(10 ) = 20 dB / década ⎜ω ⎟ ⎝ C ⎠ 82 . Antonio Calderón Para un término: 1 1 ± jkω 1 1 = 1 ± jkω 1 + k 2ω 2 Entonces realizamos una tabla que nos permitirá luego generar el gráfico.

Antonio Calderón Frecuencia de corte Se denomina así al codo que está presente en algunos diagramas de bode por ejemplo en la gráfica la frecuencia de corte está indicada como ωC: La localización de la frecuencia de corte va depender de en que señal estemos trabajando por lo que se demostrará para potencias y para voltajes Sea G = Go(1 + jkω ) Si G = Gp ⇒ Ganancia de potencia En decibeles : GdB = 10 log Go + 10 * log 1 + jkω Para estar en los puntos de media potencia la expresión 10 * log 1 + jkω debe ser igual a 3dB 10 * log 1 + jkω = 3dB 1 + jkω = 10 0.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.15 1 + jkω = 2 1 + k 2ω 2 = 2 3 k si G = Gp 83 .3 1 + jkω = 2 1 + k 2ω 2 = 2 1 + k 2ω 2 = 4 k 2ω 2 = 3 → La frecuencia de corte es ω = ωC = Si G = Gv ⇒ Ganancia de voltaje En decibeles : GdB = 20 log Go + 20 * log 1 + jkω Para estar en los puntos de media potencia la expresión 20 * log 1 + jkω debe ser igual a 3dB 20 * log 1 + jkω = 3dB 1 + jkω = 10 0.

Para un término: 1 ± jkω ⎛ kω ⎞ 1 ± jkω ⇒ θ = arctg ⎜ ⎟ ⎝ 1 ⎠ Entonces realizamos una tabla que nos permitirá luego generar el gráfico. Antonio Calderón 1 + k 2ω 2 = 2 k 2ω 2 = 1 → La frecuencia de corte es ω = ωC = 1 k si G = Gv Característica de Fase Ahora vamos a observar las gráficas para las características de fase de cada uno de los términos detallados anteriormente.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Para: Para ω → 0 Para ω = ωC = 1 / k Para ω → ∞ θ θ = 0º θ = −45º θ = −90º 84 . Para: Para ω → 0 Para ω = ωC = 1 / k Para ω → ∞ Por lo tanto la gráfica para este término es: θ θ = 0º θ = 45º θ = 90º Para un término: 1 1 ± jkω 1 ⎛ kω ⎞ ⇒ θ = −arctg ⎜ ⎟ 1 ± jkω ⎝ 1 ⎠ Entonces realizamos una tabla que nos permitirá luego generar el gráfico.

Debemos tomar en cuenta las siguientes consideraciones: En caso de que el circuito produzca desfasamiento. deberá también añadirse la característica de desfasamiento que produce este. 0 ± jkω ⎝ 0 ⎠ θ = −90º Por lo tanto la gráfica para este término es: Respuesta de frecuencia en amplificadores Ahora ya conocida la forma de realizar los diagramas de Bode para distintas formas de la función de transferencia analizaremos la respuesta de frecuencia para los amplificadores con TBJ. Antonio Calderón Por lo tanto la gráfica para este término es: Para un término: 0 ± jkω ⎛ kω ⎞ 0 ± jkω ⇒ θ = arctg ⎜ ⎟. θ = 90º ⎝ 0 ⎠ Por lo tanto la gráfica para este término es: Para un término: 1 0 ± jkω 1 ⎛ kω ⎞ ⇒ θ = − arctg ⎜ ⎟.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. 85 .

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. CB Vo + Vin Rin Si Vin = constante ⇒ generador es ideal Rg = 0 Vo = Rin Vin X B + Rin Vo Rin = Gv = Vin X B + Rin 86 . Antonio Calderón - Los elementos reactivos son los que producen la parte imaginaria de la función de transferencia ⎧de entrada ⎪ Capacitores ⎨de salida ⎪de ajuste de ganancia ⎩ La metodología que se utiliza para demostrar la característica de frecuencia en la configuración de emisor común es igual para el resto de configuraciones Para sacar la característica de frecuencia total hay que sumar la característica de fase de cada capacitor - A continuación se va a realizar el análisis de la característica de fase de la configuración en emisor común en cada uno de los capacitores. Característica de frecuencia que produce un capacitor de entrada Se tiene el siguiente circuito equivalente de la parte de entrada del amplificador donde se ha considerado que el generador es ideal y lo que observa este es el capacitor de base CB y la impedancia de entrada.

Antonio Calderón Gv en función de ω ⇒ Gv = jω. Característica de frecuencia del Numerador y denominador De la gráfica total podemos concluir que a bajas frecuencias el capacitor de base es circuito abierto mientras que a altas frecuencias a partir de la frecuencia de corte ωb es corto circuito.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.C B Gv = Sea ωb la frecuencia de corte del capacitor de base ωb = 1 C B .Rin ω ωb → ω 1+ j ωb j Con nuestro conocimiento para realizar el diagrama de bode de la función de transferencia. graficamos el numerador y el denominador y después los sumamos las pendientes para obtener la gráfica total.Rin 1 + jω. 87 .C B .C B Rin Rin 1 + Rin jω.

⎝ (re + RE1 ) ⎛ ⎞ 1 ⎜ RC + + RL ⎟ ⎜ ⎟ jω.Rin 1 1 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.( X C + RL ) (re + RE1 )(RC + X C + RL ) ⎛ 1 ⎞ ⎜ ⎜ jω.(RC + RL ) Sea ωC1 y ωC2 las frecuencias de corte del capacitor de salida entonces ωC2 = ωC1 ⎫ ⎪ ⎪ ⎬ωC1 > ωC2 1 ⎪ = CC (RC + RL ) ⎪ ⎭ 1 C C RL 1+ j ω RC ωC2 . (re + RE1 ) 1 + jω.Rin ωX B ω= ωX B Rin X B = Rin Característica de frecuencia que produce un capacitor de salida A partir de la ganancia del circuito incluyendo la reactancia que produce el capacitor de salida obtenemos: Gv = A = A= RC || ( X C + RL ) re + RE1 RC .C + RL ⎟ ⎟ RC C ⎠ A= .CC .CC ⎝ ⎠ A= RC 1 + jω. Antonio Calderón Podemos concluir entonces que cuando: ω = ωb → ω = ω= 1 C B . ⇒ A= (re + RE1 ) 1 + j ω ωC1 Entonces realizamos la grafica del numerador y del denominador 88 .RL .CC .

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Baja frecuencia: max. . (re + RE1 ) 1 + j ω ωC1 Para ω → 0 baja frecuencia 1+ j A= RC (re + RE1 ) ( LQQD) Para ω → ∞ alta frecuencia ω RC RC CC . a partir de esta frecuencia la ganancia es constante pero baja. Vo A= RC re + RE1 RC || RL re + RE1 Capacitor abierto Carga en colector RC Alta frecuencia: A= Capacitor cortocircuito Carga en colector Req Comprobación ω ωC2 RC A= .(RC + RL ) (RC + RL ) (re + RE1 ) A= RC || RL (re + RE1 ) ( LQQD) 89 .RL 1 A= . Antonio Calderón Característica de frecuencia del Numerador y denominador Lo que se concluye de la gráfica es que a baja frecuencia se obtiene la ganancia máxima y hasta ωC2 va disminuyendo. = (re + RE1 ) ωC 2 (re + RE1 ) CC .RL RC . C1 = . A max.

RL ωX C ω= ω= ωX C RL X C = RL Del gráfico se observó que solo se va utilizar una frecuencia de corte (ωC2) y potemos decir que esta frecuencia es el punto de división en el que el capacitor o está en cortocircuito (altas frecuencias) o está en circuito abierto (bajas frecuencias) 90 .(R + RL ) ωX C C ω= (RC + RL ) ωX C X C = (RC + RL ) Cuando : ω = ωC 2 → ω = 1 CC .(RC + RL ) 1 ω= 1 1 .RL 1 1 . Antonio Calderón Característica de frecuencia sobre la carga (RL) El análisis anterior era en el Terminal del colector. ahora en la carga debemos tener una característica semejante a la característica del capacitor de entrada para poder conectarla a una siguiente etapa por lo tanto con las graficas anteriores hacemos un arreglo de tal manera que me genere el siguiente gráfica.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Del análisis del capacitor de salida hecho anteriormente obtenemos que: Cuando : ω = ωC1 → ω = CC .

C E re + RE1 + 1 + RE 2 jω. A partir de la ganancia del circuito incluyendo la reactancia que produce el capacitor de emisor obtenemos: A= A= Req re + RE1 + X CE || RE 2 Req 1 . re + RE1 + RE 2 1 + j ω ωE2 Del análisis anterior obtenemos que: 1 Cuando : ω = ω E1 → ω = C E .C E RE 2 . R (r + RE1 ) 1 + jω.R E 2 ωX E ω= ωX E RE 2 X E = RE 2 91 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.C E RE 2 1 + jω.C E RE 2 (re + RE1 ) 1 + jω. Antonio Calderón Característica de frecuencia del capacitor para ajuste de ganancia En el caso de la configuración en emisor común es el capacitor colocado en emisor.C E REeq RE 2 (re + RE1 ) = RE 2 || (re + RE1 ) re + RE1 + RE 2 A= ⋅ Sea ωE1 y ωE2 las frecuencias de corte del capacitor de salida entonces ωE1 = ωE2 1 ⎫ C E RE 2 ⎪ ⎪ ⎬ ω > ωE1 1 ⎪ E2 = CC REeq ⎪ ⎭ 1+ j ω Req ωE1 ⇒ A= .C E E 2 e re + RE1 + RE 2 1 + jω.R E 2 jω.C E RE 2 Sea REeq = A= 1 + jω.C E RE 2 ⋅ = Req re + RE1 + RE 2 + jω.R E 2 ω= 1 1 .C E Req re + RE1 + A= Req re + RE1 + RE 2 Req re + RE1 + RE 2 RE 2 1 + jω.

Antonio Calderón Cuando : ω = ω E 2 → ω = 1 C E .REeq 1 ω= 1 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. A baja frecuencia hasta ωE1 (capacitor circuito abierto) en el denominador de la fórmula de la ganancia se tiene re+RE1+RE2 y para al alta frecuencia (capacitor cortocircuito) a partir de ωE2 se tiene en el denominador re+RE1. En el intervalo desde ωE1 hasta ωE2 no hay ni circuito abierto ni cortocircuito hay la una reactancia. A= re + RE1 + RE 2 1 + j ω ωE2 Para ω → 0 baja frecuencia 1+ j A= Req re + RE1 + RE 2 ( LQQD) 92 . Comprobación del comportamiento del capacitor: ω Req ωE1 .R ωX E Eeq ω= ωX E REeq X E = REeq Característica de frecuencia del Numerador y denominador Graficando la función de transferencia y ubicando los valores de ωE1 y ωE1.

R ω A= . E2 = . A continuación se muestra un ejemplo. Finalmente realizar la respectiva suma de las pendientes de cada característica. Como observamos en las graficas los “y” están rotulados con una C. E E2 = . Antonio Calderón Para ω → ∞ alta frecuencia Req Req Req R (r + RE1 + RE 2 ) C . esta indica característica mas no capacitor por lo tanto en el eje que esta CE lo que señala es que es la característica del emisor.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. E2 e re + RE1 + RE 2 ωE1 re + RE1 + RE 2 C E .REeq re + RE1 + RE 2 RE 2 (re + RE1 ) A= Req re + RE1 ( LQQD) Cuando se vaya a resolver ejercicios que requieran cumplir con condición de frecuencia se recomienda graficar primero la característica del emisor y ubicar sus respectivas frecuencias de corte luego dibujar las características de base y colector haciendo que coincidan las frecuencias de corte de estos con la gráfica de las características de emisor según como se desee y no ubicar entre las frecuencias de corte (ωE1 < ω < ωE2). 93 .

4V 882.3Ω Asumimos VRC = 4.5 kΩ β = 100 Y tenga la siguiente característica de frecuencia Asumo Rc = 1 kΩ Req = RC || RL = 7.5mA IE Req = 882.5kΩ || 1kΩ = 882.5V = = 4. Antonio Calderón Ejercicio A = 20 vop = 3V RL = 7. re + RE1 = 94 .3Ω Asumimos resistencias de tolerancia 10 % VRC ≥ VRC ≥ RC vop Req por factor de seguridad VRC ≥ 4.08V 1kΩ 3V ⇒ VRC ≥ 3.3kΩ = 44.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.12Ω 20 A El objetivo del ejercicio es realizar la parte de respuesta de frecuencia por lo que se da poca importancia el hecho de que no sea estable termicamente.5V IC = re = VRC 4.5 mA 1kΩ RC 25mV 25mV = = 5.56Ω 4.

4Ω I E 4.56Ω = 38.12Ω − 5.6V = = = 5. VCE ≥ 3V + 2V + 0.5mA = 45μA 100 Estabilidad de polarización I 2 >> I B I 2 = 450 μA I1 = I B + I 2 = 45μA + 450 μA = 495μA R2 = VB VE + VJBE 2V + 0.4Ω − 39Ω = 405.15V ⇒ VE ≥ 1.12 Ω − re = 44.15V ⇒ VCE ≥ 5.5V = 11.4Ω ∴ RE 2 = 390Ω Vcc = VE + VCE + VRC = 2V + 5.6kΩ = 4.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.77 kΩ 450 μA I2 I2 Vcc − VB 12V − 2.56Ω RE1 = 39Ω vinp = VCE 3V = 0.27 kΩ Ahora para realizar el análisis de frecuencia para el cálculo de capacitores primero se realiza la planificación graficando cada una de las características.15V = vop VE ≥ 1V + vinp ⇒ VE ≥ 1V + 0.15V + 4.6V = = 18.38V VE = 2V RET = 2V VE = = 444.5mA RE 2 = RET − RE1 = 444.65V ∴Vcc = 12V el exceso envio a VCE para asegurar más que el TBJ este en la reg.6kΩ R1 = ∴ R1 = 18kΩ Rin = RB || RinT = RB || (( β + 1)(re + RE1 ) ) = 4.15V A 20 ≥ vop + vact + vinp .27 kΩ || (101(5.56Ω + 39Ω )) = 2.99kΩ 495μA I1 ∴ R2 = 5. 95 .15V por el factor de seguridad VE ≥ 1.2kΩ RB = R1 || R2 = 18kΩ || 5. Antonio Calderón RE1 = 44. activa Ahora pasamos al diseño del lado de entrada para eso utilizamos la relación IB = IC β = 4.

5kΩ CC = 1 1 = 2.1kHz * 7.π .π .7 μF 3.π * 2. C E = 4.π .π .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.7 μF CC = 22nF 96 . X B 2.C B 2.99Ω CE = X E = 390Ω || (5.π .3 μF C E = 3. f B .22nF Para calcular fE1 X E = RE 2 = 390Ω fE2 = 1 1 = 2. X E 2.1kHz * 39.54 Hz Queremos que el capacitor de base fije el codo C B = 68nF fB = 1 1 = = 1.06kHz 2.2kΩ CB = 1 1 = 2. Antonio Calderón Planificación Para f B = 1kHz X B = Rin X B = 2. f E 2 . X B .2kΩ 82 nF 68 nF C B = 72. f C .C E 2.π .98μF Para f C = 1kHz X C = RL X C = 7.2kΩ * 68nF ya que el capacitor de base fija el codo elejimos valores mayores al calculado para que estas frecuencias no varien a la de base.π .1kHz * 2.π * 390Ω * 43.34nF Para f E 2 = 1kHz X E = REeq X E = RE 2 || (re + RE1 ) X E = 39.5kΩ 22 nF 18 nF CC = 21.56Ω + 39Ω ) 1 1 = 2.π . X C 2.99Ω 4.98μF f E 2 = 102. X E .

la capacitancia de entrada se incrementará por una capacitancia de efecto Miller sensible a la ganancia del amplificador y a la capacitancia interelectródica (parásita) entre las terminales de entrada y salida del dispositivo activo. Antonio Calderón Respuesta de frecuencia en alta frecuencia En la región de alta frecuencia. Para el análisis en alta frecuencia se añade el concepto de efecto Miller y como regla tenemos que para cualquier amplificador inversor. A continuación se señala cada una de estas capacitancias en un grafico y su equivalencia por el efecto Miller.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Todos los capacitores grandes de la red que controlaron la repuesta de baja frecuencia se han reemplazado por su corto circuito equivalente debido a sus muy bajos niveles de reactancia. 97 . los elementos capacitivos de relevancia son las capacitancias interelectródicas (entre terminales) internas al dispositivo activo y la capacitancia de cableado entre las terminales de la red. Se tiene la configuración en emisor común con los capacitores de baja frecuencia en cortocircuito y considerando los capacitancias interelectródicas.

Co A= Req || X Co re + RE1 Req .Req ) re + RE1 A= Req re + RE1 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.Ce . E1 e re + RE1 Sea Re eq = RE1re = re || RE1 re + RE1 98 .RE1 jω. 1 jω. 1 ⇒ A= ωo X Co = Req Cuando ω = ωo → Por lo tanto la gráfica es Ce A= Req re + RE1 || X Ce = Req (1 + jω. 1 + jω.CO A= = (re + RE1 )(1 + jω.CO 1 Req + Req jω.Ce RE1 re + 1 + RE 1 jω.CO .Ce A= Req re + RE1 .Ce RE1 ) Req Req = = RE1 1 re + RE1 + jω. 1 1 + jω.Ce RE1re re + .Req Sea ωo la frecuencia de corte del capacitor ωo = 1 Co Req re + RE1 1 + j ω Req .Ce 1 + jω. Antonio Calderón Se realiza el análisis respectivo para obtener el diagrama de bode de cada capacitor.Ce RE1 R r 1 + jω.CO .

⇒ A= re + RE1 1 + j ω ωe2 Req 1+ j Cuando ω = ωe1 → X Ce = RE1 ω = ωe1 → X Ce = Re eq Graficando el numerador y el denominador Cin 99 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.Ce . Antonio Calderón A= Req re + RE1 . 1 + jω. Re eq Sea ωe1 y ωe2 las frecuencias de corte del capacitor ωe1 = 1 ⎫ Ce RE1 ⎪ ⎪ ⎬ ω > ωe1 1 ⎪ e2 ωe2 = Ce Re eq ⎪ ⎭ ω ωe1 .Ce RE1 1 + jω.

100 .Rin jω. si deseamos cambiar la frecuencia de corte en alta frecuencia se puede añadir un capacitor por ejemplo en paralelo a cualquier de los capacitores parásitos y luego se procede a diseñar con el valor de frecuencia que se desea.Rin → X Cin = Rin Cuando ω = ωi Ahora por efecto de las capacidades parásitas podemos diseñar un circuito que tenga tanto una codo en bajas frecuencia y otro en altas frecuencias según nuestras necesidades.Rin Rin jω. Antonio Calderón Zin = X Cin || Rin 1 .Cin = Zin = 1 + Rin 1 + jω.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. ω 1+ j ωi Sea ωi la frecuencia de corte del capacitor ωi = 1 Cin.Cin Rin ⇒ Zin = .Cin.

es decir: Vin + V f 101 - . Tipos de realimentación - Realimentación negativa (sinónimo de estabilidad) Realimentación positiva (sinónimo de inestabilidad) Sistema de lazo abierto Vo = AVin · Vo + ΔVo = ( A + ΔA)·Vin Vo + ΔVo = AVin + ΔAVin · · De (1) y (2) → ΔVo = ΔAVin · ΔVo ΔA (3) → = Vo A (1) (1) (2) (3) Sistema de lazo cerrado - Se producirá realimentación negativa cuando en el sumador se dé efectivamente la resta de las 2 señales. es decir: Vin − V f Se tendrá realimentación positiva cuando en el sumador se dé efectivamente la suma de las 2 señales.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón REALIMENTACIÓN Es tomar una parte (una muestra) de la señal de salida y realimentarla (sumarla) con la señal de entrada.

Antonio Calderón Realimentación Negativa Ve = Vin − V f V f desfasada 180º respecto a Vin Vin > V f Realimentación Positiva Ve = Vin + V f V f en fase respecto a Vin Ganancia el lazo cerrado G = Af = Vo = AVe · = A (Vin − V f ) = A (Vin − B·Vo ) = AVin − A·B·Vo · Vo Vin Vo (1 + A·B ) = AVin · Vo A =G = → Para Realimentación Negativa Vin 1 + A·B 102 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

Antonio Calderón Vo = AVe · = A (Vin + V f ) = A (Vin + B·Vo ) = AVin + A·B·Vo · Vo (1 − A·B ) = AVin · Vo A =G= → Para Realimentación Positiva Vin 1 − A·B Tomando en general G = A 1 − A·B Realimentación Negativa ⇒G = −A A =− 1 − ( − A) B 1 + AB El signo negativo indica únicamente el defasamiento entre la señal de salida y la señal de entrada Otra opción ⇒G = A A = 1 − A( − B ) 1 + AB 103 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

Estas suposiciones son: - La señal de entrada se transmite a la salida a través del amplificador básico y no a través de la red de realimentación. temperatura. Este problema se resuelve incrementando el número de etapas amplificadoras para compensar esa pérdida de ganancia con el consiguiente aumento de coste. la ganancia del amplificador disminuye en la misma proporción con el aumento de los anteriores beneficios. Antonio Calderón Realimentación Positiva ⇒G = A 1 − AB Otra opción ⇒G = −A A =− 1 − ( − A)( − B ) 1 − AB REALIMENTACIÓN NEGATIVA La realimentación (feedback en inglés) negativa es ampliamente utilizada en el diseño de amplificadores ya que presenta múltiples e importantes beneficios. presenta dos inconvenientes básicos. El segundo problema está asociado con la realimentación al tener tendencia a la oscilación lo que exige cuidadosos diseños de estos circuitos. Otro beneficio es el de permitir al diseñador ajustar la impedancia de entrada y salida del circuito sin tener que realizar apenas modificaciones. En primer lugar. Uno de estos beneficios es la estabilización de la ganancia del amplificador frente a variaciones de los dispositivos. 104 . La disminución de la distorsión y el aumento del ancho de banda hacen que la realimentación negativa sea imprescindible en amplificadores de audio y etapas de potencia. variaciones de la fuente de alimentación y envejecimiento de los componentes. Sin embargo. La teoría de realimentación exige considerar una serie de suposiciones para que sean válidas las expresiones que se van a obtener seguidamente.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

temperatura. y en algunos casos del ruido. Antonio Calderón - La señal de realimentación se transmite de la salida a la entrada únicamente a través de la red de realimentación y no a través del amplificador básico.. Sin embargo. hace que se produzca variaciones en el amplificador básico y. Si AB >> 1 A ∴→ G = B donde B es generalmente un divisor de tensión Para el divisor de tensión se recomienda usar resistencias de precisión. En las dos primeras suposiciones se aplica el criterio de unidireccionalidad a través de A y a través de B. respectivamente.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Estas suposiciones hacen que el análisis de circuitos aplicando teoría de realimentación y sin ella difieran mínimamente. Ventajas - Estabilización de la ganancia Cambio en las impedancias de entrada y salida Extensión de la respuesta de frecuencia (ampliación del Ancho de Banda) Disminución de la distorsión no lineal o de amplitud. la teoría de realimentación simplifica enormemente el análisis y diseño de amplificadores realimentados y nadie aborda directamente un amplificador realimentado por el enorme esfuerzo que exige. Estabilización de la ganancia Las variaciones debidas al envejecimiento. sustitución de componentes. al amplificador realimentado. etc. por consiguiente. El factor B es independiente de la resistencia de carga (RL) y de la resistencia de la fuente. Si AB >> 1 y B = 1 (V f = Vo ) ∴→ G = 1 Vo = Vin pero siempre Vo < Vin ⇒ Se cumple mejor mientras mayor sea A → Ve mínima ⇒ 105 .

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Ejercicio G=5 Vo = 3V RL = 1 K Ω ΔA = 20% A ΔG = 1% G f = 1 KHz −−−−−−−− β = 100 Empezamos por el análisis matemático 1 ΔA ΔG · = G 1 + AB A 1 1= ·20 1 + AB 1 + AB = 20 AB = 19 106 . Si la red de realimentación contiene solamente elementos pasivos estables se logra una alta estabilidad. Antonio Calderón Si AB >> 1 y B < 1 ∴→ G = 1 ⇒ Amplificador G= A 1 + AB 1 dG = ·dA 2 (1 + AB ) dG dA 1 = · 2 G (1 + AB ) G dG 1 dA = · G 1 + AB A ⇒ ΔG 1 ΔA = · G 1 + AB A Los peores enemigos de la estabilidad suelen ser los elementos activos (transistores).

19 Terminado el análisis matemático previo Circuito a implementarse Comenzando el diseño de la 2ª Etapa 107 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón G= A 1 + AB A = G (1 + AB ) = 5 × 20 A = 100 AB = 19 19 19 B= = A 100 B = 0.

Antonio Calderón Asumo RC 2 = 1K Ω VRC 2 ≥ ≥ VRC 2 RC 2 ·Vo p Re q2 1K ·3V 0.3 = 1.3 = 1.5K = = 50 A2 10 → existe estabilidad re 2 + RE 3 = RE 3 = 50 − re 2 = 50 − 3.3 VCC = 18V VE 2 2 = = 250 Ω I C 2 8m RET 2 = RE 4 = RET 2 − RE 3 = 250 − 47 = 203 RE 4 = 220 Ω 108 .3 → ×1.3 + 2 = 5.8V VRC 2 = 8V VRC 2 RC 2 IC 2 = = 8 1K I C 2 = 8 mA re 2 = 25 mV 25m = = 3.125 Ω IC 2 8m Re q2 0.69 VE 2 = 2V VCC = VRC 2 + VCE 2 + VE 2 = 8 + 5.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.3 = 7.875 RE 3 = 47 Ω VCE 2 ≥ Vo p + Vin p + Vact = 3 + 0.5K ≥ 6V → ×1.125 = 46.3V VE 2 = 1 + Vin p = 1 + 0.3 + 2 = 15.

5K I3 880μ R3 = 18 K Ω Rin 2 = ( β + 1)( re 2 + RE 3 ) || RB = ( β + 1)( re 2 + RE 3 ) || R3 || R4 Rin 2 = 101(3.578 VRC1 = 6V → Distribuyendo de una vez (para no poner solo 1V) I C1 = VRC1 6 = = 6 mA RC1 1K 25 mV 25m = = 4.3K = 1.798 K Ω Diseñando la 1ª Etapa Asumo RC1 = 1K Ω VRC 2 ≥ ≥ RC1 ·Vo p Re q1 1K ·0.6 = = 3.608V 641.6 = = 17.3 = 0.3 K Ω R3 = VCC − VE − VJBE 18 − 2 − 0.578 = = 64.3V → ×1.25K I4 800μ R4 = → R4 = 3.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.125 + 47) ||18 K || 3. Antonio Calderón IB2 = IC 2 β = 8m = 80 μ A 100 I 4 = 10 I B = 800μ A I 3 = I B 2 + I 4 = 80μ + 800μ = 880μ A VE 2 + VJBE 2 + 0.167 Ω I C1 6m Re q1 641.158 A1 10 → es estable 109 re1 = re1 + RE1 = .

33V (necesario) VE1 = 1 + Vin p = 1 + 0.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.158 − re1 = 64.167 = 59.03 → ×1. Antonio Calderón RE1 = 64.03 + 2 = 2.03 = 1.273K I1 330μ → R1 = 18 K Ω Para la realimentación: 110 .3 = 1.6 = = 11K I2 600μ R2 = → R2 = 10 K Ω R1 = VCC − VE − VJBE 18 − 6 − 0.6 = = 17.158 − 4.339V (necesario) Dispongo de 12 V → VCE1 = 6V y VE1 = 6V VE1 6 = = 1 KΩ I C 1 6m → RE 2 = 1 K Ω RET 1 = RE 2 = RET 1 − RE1 = 1K − 62 = 938 I B1 = I C1 β = 6m = 60 μ A 100 I 2 = 10 I B1 = 600μ A I1 = I B1 + I 2 = 60μ + 600μ = 660μ A VE1 + VJBE 6 + 0.991 RE1 = 62 Ω VCE1 ≥ Vo p + Vin p + Vact = 3 + 0.

19 R f + Rin A ⎛ R + R2 || Rg ⎞ Rin A = RE1 || ⎜ re + 1 β +1 ⎟ ⎝ ⎠ Rin A = RE1 (?!) →B= RE1 = 0.19 Ra + Rb || Rin A =B= Por facilidad hacemos: Vf = Vf Vo Rin A ·Vo R f + Rin A → Habiendo hecho Rb >> Rin A =B= Rin A = 0.19 R f + RE1 → VALOR REAL CON ERROR → R f = 264.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Vf = Vf Vo Rb || Rin A ·Vo p Ra + Rb || Rin A Rb || Rin A = 0. habríamos tenido que conectar la realimentación a BASE.3 Ω P = 500 Ω Potenciómetro del doble → corregir error Si hubiésemos hecho en una sola etapa. 111 .

R f + RE1 - 112 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Calculando el capacitor adicional tenemos que B = Teniendo que cumplirse que X Cf << R f + RE1 RE1 R f + X Cf + RE1 Para tener un comportamiento adecuado es necesario que: - El bloque B NO cargue al bloque A El bloque A NO cargue al bloque B Para que el bloque B NO cargue al bloque A: → Caso IDEAL ⎧ Rin B = ∞ ⎨ ⎩ Rin B >> Ro A → Caso PRÁCTICO Para que el bloque A NO cargue al bloque B: → Caso IDEAL ⎧ Rin A = ∞ ⎨ ⎩ Rin A >> RoB → Caso PRÁCTICO Pasos de Diseño - Asumimos Rf para que el bloque B no cargue el bloque A R f >> RL De la expresión para el bloque B. determinamos RE1. B = RE1 .

consideremos un amplificador básico que tiene una frecuencia de corte superior f C . A1 ≈ Siendo Req1 = RC1 || Rin2 → Rin2 ≥ Req1 → → Re q1 . RE1 obtenemos condición de Rin2 Para comenzar el diseño de la 2ª Etapa Impedancias de entrada y salida La realimentación negativa. ante variaciones de la carga. Por ejemplo para el caso de un amplificador de tensión.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. respecto del amplificador sin realimentar. tiende a idealizar el equivalente de thevenin de la salida del amplificador. evita la sobrecarga y la caída de tensión en la impedancia interna de la fuente de señal. Extensión de la respuesta en frecuencia Una de las características más importantes de la realimentación es el aumento del ancho de banda del amplificador que es directamente proporcional al factor de desensibilización 1 + AB . evitando las variaciones de tensión de la salida. 113 . por caída de tensión en esta impedancia. mejora las características de las impedancias de entrada y salida del amplificador realimentado. Antonio Calderón - Asumiendo la 1ª Etapa estable (re despreciable). es deseable que presente una alta impedancia de entrada para la fuente de señal y una baja impedancia de salida para la carga. Para demostrar esta característica. La alta impedancia de entrada. La baja impedancia de salida. de donde obtenemos Req1. La ganancia de este amplificador se puede expresar como: A= AO 1+ j f fC siendo AO la ganancia a frecuencias medias y f la frecuencia de la señal de entrada.

este aumento es proporcional a la disminución de la ganancia del amplificador. entonces su ƒ aumenta hasta 4 MHz aunque su ganancia disminuye a Ao = 50. Sin realimentación Vo = A2 ·Ve = A2 (Vo1 + Vd ) = A2 ( A1 ·Vin + Vd ) 114 . por consiguiente. Antonio Calderón Pasando a un sistema realimentado G= A 1 + AB Ao 1+ j f fC G= Ao·B 1+ f 1+ j fC G= Ao 1 + Ao·B + j G= f fC 1 f f C (1 + Ao·B ) Ao · 1 + Ao·B 1 + j Como se puede observar claramente en la ecuación obtenida y en el gráfico. Sin embargo. si a un amplificador con una Ao = 1000 con una ƒc =200 kHz se le introduce una realimentación tal que 1+AB = 20.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Por ejemplo. reduce su distorsión. Disminución de la dispersión no lineal o de amplitud La realimentación negativa en amplificadores reduce las características no lineales del amplificador básico y. se aumenta el ancho de banda.

si la realimentación es negativa. Antonio Calderón Vo = A1· A2 ·Vin + A2 ·Vd Con Realimentación Vo = A2 ·Ve2 = A2 (Vo1 + Vd ) = A2 ( A1·Ve1 + Vd ) = A1 · A2 ·Ve1 + A2 ·Vd = A1 · A2 (Vin − V f ) + A2 ·Vd = A1 · A2 (Vin − B·Vo ) + A2 ·Vd = A1 · A2 ·Vin − A1· A2 ·B·Vo + A2 ·Vd Vo(1 + A1· A2 ·B ) = A1 · A2 ·Vin + A2 ·Vd Vo = A1· A2 A2 ·Vin + ·Vd → Hemos bajado la distorsión 1 + A1 · A2 ·B 1 + A1 · A2 ·B Reducción del ruido En términos generales. Merced al circuito de realimentación. Igual fenómeno ocurre con la luz blanca. su densidad espectral de potencia es una constante. - Ruido Blanco: es una señal aleatoria que se caracteriza porque sus valores de señal en dos instantes de tiempo diferentes no guardan correlación estadística. Esto significa que la señal contiene todas las frecuencias y todas ellas tienen la misma potencia. 115 . respecto al ruido. El ruido y la distorsión presentes en la salida de un amplificador pueden considerarse como consecuencias de la introducción de una tensión espuria en alguna sección del amplificador y que es amplificada por la parte del amplificador comprendida entre el punto de inyección y la salida. esta tensión vuelve al punto de origen y.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. llega a este con fase opuesta a la original y tiende a anular la que le dio origen. Como consecuencia de ello. lo que motiva la denominación. podemos decir que la realimentación negativa reduce los niveles de estas tensiones eléctricas indeseables.

el tipo de señal muestreada a la salida (corriente o tensión) y el tipo de señal mezclada a la entrada (tensión o corriente) dan lugar a cuatro tipos de topologías: 1) Realimentación de tensión en serie 2) Realimentación de tensión en paralelo 3) Realimentación de corriente en serie. y.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. 4) Realimentación de corriente en paralelo Realimentación de Voltaje Desde el punto de vista ideal Vf = Rb ·Vo Ra + Rb Vf Rb =B= Vo Ra + Rb → en paralelo (divisor de voltaje) Modelo equivalente de voltaje 116 . En un amplificador realimentado. Antonio Calderón - Ruido periódico: es más fácil de eliminar (como el rizado) Formas de Realimentación Un amplificador es diseñado para responder a tensiones o corrientes a la entrada y para suministrar tensiones o corrientes a la salida.

Antonio Calderón Este modelo es adecuado cuando Z i >> RS Z O << RL Realimentación de Corriente → en serie 2 → Vf = Vf Vo io R f io RL Rf RL + R f ·Vo 1 →B= = → B= Rf Vf =B= Vo RL + R f Para que el bloque B no cargue al bloque A Si R f << RL ∴B= Rf RL Rf RL Modelo equivalente de corriente Este modelo es adecuado cuando Z i << RS Z O >> RL 117 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. 118 . la conexión con realimentación de corriente en serie. Al mismo tiempo que se estabiliza la ganancia del amplificador. incrementa la resistencia de entrada. Antonio Calderón Realimentación de Voltaje en serie · ⎧Vo = AVe ⎨ ⎩V f = B·Vo Realimentación de Voltaje en paralelo ⎧Vo = A·ie ⎨ ⎩i f = B·Vo Realimentación de Corriente en serie Otra configuración de realimentación consiste en seleccionar muestras de la corriente de salida y devolver un voltaje proporcional en serie con la entrada.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón · ⎧io = AVe ⎨ ⎩V f = B·io Realimentación de Corriente en paralelo ⎧io = A·ie ⎨ ⎩i f = B·io Impedancia de entrada Realimentaciones en serie (tanto de voltaje como de corriente) Zin f = (1 + AB ) Zin Realimentaciones en paralelo (tanto de voltaje como de corriente) Zin f = Zin (1 + AB ) Impedancia de salida 119 .

Antonio Calderón Realimentación de Voltaje Zo f = Zo (1 + AB ) Realimentación de Corriente Zo f = (1 + AB ) Zo Ejercicio G=5 Vo = 5V RL = 470 Ω ΔA = 15% A ΔG = 1% G Zin f ≥ 1 K Ω −−−−−−− β = 100 Análisis matemático ΔG 1 ΔA = · G 1 + AB A 1 1= ·15 1 + AB 1 + AB = 15 AB = 14 A 1 + AB A = G (1 + AB ) = 5 × 15 A = 75 G= 120 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

902 Ω RC1 || Rin2 ≥ 2.7 K ) B −1 0.08K → RE1 = 1 K Ω 121 .25 K Ω Haciendo que el bloque B no cargue al bloque A R f >> RL Asumo R f = 4.5 Rc2 ≥ 147.187)(4.187 Haciendo realimentación de voltaje en paralelo Zin f = Zin ≥ 1K 1 + AB Zin ≥ (1 + AB )·1K ≥ 15·1K Zin ≥ 15 K Ω Asumiendo ganancias A1 = 15 y A2 = 5 Req1 ≥ A1 ·Rin β +1 1 15 ≥ ·15K 100 Req1 ≥ 2.187 − 1 RE1 = 1.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.25K A2 ·Rin2 β +1 5 ≥ ·2.25K 100 Req2 ≥ 112. Antonio Calderón AB = 19 14 14 B= = A 75 B = 0.7 K Ω B= RE1 R f + RE1 B· R f =− RE1 = − (0.5 Req2 ≥ RC 2 || RL ≥ 112.

12 Ω 122 . Antonio Calderón A1 = Req1 re1 + RE1 Req1 RE1 Asumiendo estabilidad para esta etapa → re1 << RE1 A1 = Req1 = 15 × 1K = 15 K Ω RC1 || Rin2 = 15K → Rin2 ≥ 15K Ω A2 ·Rin2 β +1 5 ≥ ·15K 100 RC 2 || RL ≥ 750 Ω ↑ 470Ω Req2 ≥ Utilizando Darlington en la 2ª Etapa Req2 ≥ ≥ βD A2 ·Rin2 5 ·15K 10000 Req2 ≥ 7.9 Ω Recalculando con Darlington en A 2 → RC 2 ≥ 1.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.62 Ω Resumiendo Para: Zin f ≥ 1 K Ω → RC 2 ≥ 147.5 Ω RC 2 || RL ≥ 750 Ω ↑ 470Ω RC 2 ≥ 7.

sin embargo. a una frecuencia determinada. De hecho. que siempre está presente. El diseño de osciladores se realiza en dos fases: una lineal. En la práctica. provocará una operación de circuito oscilador. lo que cambia es la amplitud). La señal generada puede ser alterna o continua fluctuante (una sola dirección.) frente a los circuitos cuasi-lineales de los osciladores. A pesar de que en numerosas ocasiones se les denomina osciladores lineales. los osciladores son esencialmente no lineales lo que complica las técnicas de diseño y análisis de este tipo de circuitos. Las formas de onda resultantes nunca son exactamente senoidales. BA se hace mayor a 1 y el sistema comienza a oscilar mediante la aplicación de voltaje de ruido. 123 . y otra no lineal. la forma de onda será más cercana a una senoidal. Una diferencia fundamental respecto a los circuitos multivibradores es que estos últimos son circuitos no lineales (basados en comparadores. disparadores de Schmitt. Circuitos Osciladores Un circuito oscilador es aquel que genera una señal de salida. es preciso utilizar alguna característica no lineal para generar una onda de salida sinusoidal. mientras más cercano se encuentre el valor de BA a 1. que utiliza mecanismos no lineales para el control de amplitud.62 Ω ⇒ RC 2 ≥ 7. sin señal de entrada.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. etc. Antonio Calderón Para que B no cargue a A: → RC 2 ≥ 7. Tipos de osciladores Onda sinusoidal Los osciladores sinusoidales juegan un papel importante en los sistemas electrónicos que utilizan señales armónicas. basado en métodos en el dominio frecuencial que utilizan análisis de circuitos realimentados. Un circuito oscilador como tal ofrece una señal variante de salida. Los factores de saturación en el circuito práctico proporcionan un valor ‘promedio’ de BA de 1. Únicamente se debe satisfacer la condición BA = 1 para que se obtengan oscilaciones autosostenidas.62 Ω (A 2 con Darlington) (Cumpliendo Ambas Condiciones) REALIMENTACIÓN POSITIVA La utilización de realimentación positiva que da por resultado un amplificador con realimentación que cuenta con ganancia de lazo cerrado G mayor a uno y que satisface las condiciones de fase.

3. cuadrada. Condiciones básica de oscilación 1. Debe tener realimentación positiva. Antonio Calderón Onda no sinusoidal Dentro de este tipo se encuentran los osciladores de relajación. disparadores Schmitt. 2.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. La cantidad de realimentación debe ser suficiente para vencer las pérdidas del circuito de entrada. los cuales emplean dispositivos biestables tales como conmutadores. Aplicaciones - En transmisión y recepción de radio y TV (como oscilador local generador de señales portadoras). Vo = AVe · = A (Vin + V f ) = A (Vin + B·Vo ) = AVin + A·B·Vo · Vo (1 − A·B ) = AVin · Vo A =G= 1 − A·B Vin Para que el circuito oscile: 124 . exponencial o de pulso. comparadores y flip-flops que repetidamente cargan y descargan condensadores. En calentamiento dieléctrico o inductivo. Las formas de onda típicas que se obtiene con este método son de tipo triangular. En equipos de medida y/o laboratorio. puertas lógicas. El circuito básicamente debe ser un amplificador.

Antonio Calderón G=∞ ⎧( + A)( + B ) = 1 → AB = 1 ⎨ ⎩( − A)( − B ) = 1 ⎧ A = 0º ⇒ AB = 0º ⎨ ⎩ B = 0º ⎧ A = 180º ⇒ AB = 360º ⎨ ⎩ B = 180º Las condiciones de oscilación que tenemos son: ⎧ AB = 1 ⎪ ⎨ ⎪ AB = 0º ó 360º ⎩ 1 2 Las Funciones de Transferencia (FT) A = Ar + jAi B = Br + jBi tan α = Ai Ar tan β = Bi Br 1 AB = 1 A· B = 1 Ar 2 + Ai 2 + Br 2 + Bi 2 = 1 (A 2 r + Ai 2 )( Br 2 + Bi 2 ) = 1 125 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

Cada conjunto de RC produce un defasamiento de 60º 126 . se trata de evitar el uso de bobinas. así. surgiendo así los osciladores RC. Tenemos. Antonio Calderón 2 AB = 0º ó 360º ⎧ A = α = 0º tan α = 0 Para AB = 0º → ⎨ ⎩ B = β = 0 º tan β = 0 ⇒ ⎧ A = α = 180º tan α = 0 Para AB = 360º → ⎨ ⎩ B = β = 180º tan β = 0 tan α = 0 ⎫ Ai = 0 ⎬∴ tan β = 0 ⎭ Bi = 0 ∴ 1 → Ar ·Br = 1 Generalmente encontramos la FT del bloque B Circuito oscilador de desplazamiento de fase u oscilador RC Todos los osciladores involucran uno o más elementos almacenadores de energía. es decir. que utilizan capacitores e inductores. que utilizan capacitores y resistores. y los osciladores RC. Este tipo de oscilador sigue el desarrollo básico de un circuito realimentado. los osciladores LC.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. la ganancia de lazo AB es mayor que la unidad y el corrimiento de fase alrededor de la red de realimentación es de 180º (proporcionando realimentación positiva). En forma general se pueden clasificar según el tipo de almacenadores. Para frecuencias menores que 100 KHz.

Antonio Calderón Vo ⎧Vo = io ·Req ⎪ ⎨ Req = Rc || RL ⎪ R = R + Rin X ⎩ Vf Vo = B = Br + jBi = ? De este desarrollo tenemos B= R 2 ·Rin·ω 3 ·C 3 ( R 3 ·ω 3 ·C 3 + 3R 2 ·Req·ω 3 ·C 3 − 5R·ω·C + Req·ω·C ) 2 (1 − 6R 2 ·ω 2 ·C 2 − 4 R·Req·ω 2 ·C 2 ) + ( R3·ω 3·C 3 + 3R 2 ·Req·ω 3·C 3 − 5R·ω·C + Req·ω·C ) (1 − 6R ·ω ·C 2 2 2 − −j 2 − 4 R·Req·ω 2 ·C 2 ) + ( R 3 ·ω 3 ·C 3 + 3R 2 ·Req·ω 3 ·C 3 − 5R·ω·C + Req·ω·C ) 2 R 2 ·Rin·ω 3 ·C 3 (1 − 6 R 2 ·ω 2 ·C 2 − 4 R·Req·ω 2 ·C 2 ) 2 Para que el circuito oscile: Bi = 0 → f OSC = 1 2π RC 6 + 4 K .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. K= Req R Ar ·Br = 1 → Ar = 29 + 23K + 4 K 2 127 .

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón A = 29 + 23K + 4 K 2 4 K 2 + 23K + 29 − A = 0 −23 ± 232 − 4(4)(29 − A) 8 −23 ± 65 + 16 A K= como únicamente puede ser (+) 8 K= ⇒ K= −23 + 65 + 16 A 8 65 + 16 A > 23 65 + 16 A > 529 → A > 29 Ejercicio Vo = 3V RL ≥ 1 K Ω f OSC = 2KHz Asumo A=40 −23 + 65 + 16 A 8 −23 + 65 + 16(40) = 8 K = 0.444 K= Asumo RC = 1 K Ω Req = RC || RL = 1K ||1K = 500 Ω R= Req 500 = = 1.444 K → R = 1.2 K Ω Calculando C 128 .126 K 0.

asumo re = 1 Ω IC = 25 mV 25m = = 25 mA re 1 VRC = I C ·RC = (25m )(1K ) = 25V RE1 = 12.125 Ω iC 8m Req 500 = = 12.3 = 1.5 = 8V VRC 8 = = 8 mA RC 1K 25 mV 25m = = 3.3 = 7.5 Ω A 40 → No es estable IC = re = re + RE1 = Corrigiendo la estabilidad.781 nF Desde este punto se diseña como se ha venido haciendo Asumo resistencias de Tolerancia ≤ 20 % VRC ≥ VRC RC 1 ·Vop × 1.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón C= = 1 2π ·R· f OSC 6 + 4 K 1 2π (1.8V Req 0.3 = × 3 × 1.5 − re = 12.3V VE = 2V VCE = Vo p + 1 = 3 + 1 = 4 VCE = 4V → debe ser exacto .NO redondear 0 → RE1 = 12 Ω 129 .2 K )(2 K ) 6 + 4(0.444) C = 23.5 Vin p = 0 → debido a que es oscilador VE = 1 + Vin p = 1 → ×1.5 − 1 = 11.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón RET = VE 2 = = 80 Ω I C 25m VCC = VRC + VCE + VE VCC = 25 + 4 + 2 = 31V NOTA: Si realizamos algún redondeo en VCC debemos: - Mandar el voltaje sobrante a VE y. Recalcular RE2 130 .

4V R1 = VR1 28.2 KΩ 1.2 K Ω ↑ ↓ ? ↑ → Ya NO necesitamos RX Tenemos que calcular R2’ y cambiar el circuito de la siguiente manera: 131 . Antonio Calderón IB = IC β = 25m = 250 μ A 100 I 2 = 10 I B = 10 × 250μ = 2.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.5m → R1 = 10 K Ω R2 = R2 = 1 K Ω Rin = RB || RinT = R1 || R2 || RinT = 537.75 mA VR1 = VCC − VJBE − VE = 31 − 0.83 Ω 1.8 nF Ponemos potenciómetro del doble Rx = 662.2 KΩ Rin = 537.6 = = 1.75m VB 2 + 0.04 K I2 2.8 nF 23.5 mA I1 = 11I B = 11 × 250μ = 2.6 − 2 = 28.17 Ω Vo Si el valor de Rin saldría mayor a lo requerido tendríamos que realizar el siguiente procedimiento: Ejemplo Rin = R1 || R2 || RinT = 2 K Ω ⇒ R1 || R2′ || RinT = 1.17 Ω 23.327 K → I1 2.4 = = 10.8 nF 23.

para lograr que el bloque B no cargue al A. Hay que tener en cuenta que al elegir el valor de A (ganancia) debemos considerar la tolerancia de las resistencias a utilizarse y su respectivo factor de seguridad. Antonio Calderón Donde sería mejor utilizar un potenciómetro en R2’. debido a que para valores mayores el diseño funciona. NOTA: En el diseño RL ≥ 1 K Ω . Asumo R = 10 K Ω Comenzando el diseño del amplificador.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. asumo RC = 1 K Ω K= Req 1K ||1K = = 0.05 10 K R A = 29 + 23K + 4 K 2 = 29 + 23(0. El Vo es mayor.16 132 .05) + 4(0. Existe demasiada realimentación. Diseño para que el bloque B no cargue al bloque A Vo = 3V RL ≥ 1 K Ω f OSC = 2KHz En forma aproximada R >> RL .05) 2 A = 30. pero: - Oscila a una frecuencia distinta.

En este caso todas las resistencias a utilizarse deberían ser de una tolerancia < 4%. C= = 1 2π ·R· f OSC 6 + 4 K 1 2π (5.05) C = 3. En este ejemplo todas las resistencias a utilizarse deberían ser de una tolerancia < 7%.5K = = 0.085 Al igual que en la anterior opción.0893) C = 5.6 K )(2 K ) 6 + 4(0.5K Entonces.6 K R A = 29 + 23K + 4 K 2 = 29 + 23(0.196 nF El resto del diseño se realiza de manera similar a la que se ha venido utilizando. es necesario considerar la tolerancia requerida para las resistencias con las cuales vamos a trabajar.0893 5.0893) + 4(0.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.0893) 2 A = 31. C= = 1 2π ·R· f OSC 6 + 4 K 1 2π (10 K )(2 K ) 6 + 4(0. Antonio Calderón Obtenido este valor se debe hacer una consideración acerca de la tolerancia de las resistencias.6 K Ω K= Req 0. asumo R = 5. Otro diseño para que el bloque B no cargue al bloque A Vo = 3V RL ≥ 1 K Ω f OSC = 2KHz Para que el bloque B no cargue al A: R >> Req Asumo RC = 1 K Ω Req = RC || RL = 1K ||1K = 0.636 nF 133 .

Se puede sustituir la red de desplazamiento de fase por un circuito conocido como puente de Wien cuya aplicación más conocida es la medición de impedancias. pero también podría hacerse con TBJ’s. su estabilidad en frecuencia es más bien pobre.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. haciéndolo inviable para aplicaciones de precisión. Antonio Calderón Oscilador de puente de Wien El oscilador de desplazamiento de fase estudiado es muy sencillo y funciona con facilidad. Sin embargo. El amplificador operacional se constituye en el bloque A. Para la realimentación negativa (bloque B) tenemos: 134 .

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Vf = Vf Vo R2 || X C 2 ·Vo R1 + X C1 + R2 || X C 2 R2 || X C 2 R1 + X C1 + R2 || X C 2 =B= : : B = Br + jBi = ? Br = (1 − ω C C R R ) 2 1 2 1 2 ω 2C1R2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 ) 2 + ω 2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 ) 2 Br = (1 − ω C C R R ) 2 1 2 1 2 ωC1R2 (1 − ω 2C1C2 R1R2 ) 2 + ω 2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 ) 2 Bi = 0 → f OSC = 1 2π C1C2 R1R2 ∴ Br = C1R2 C1R1 + C2 R2 + C1R2 C1R1 + C2 R2 + C1R2 C1R2 Ar = ⎧ C = C2 = C El la práctica lo que se hace es ⎨ 1 ⎩ R1 = R2 = R Entonces f OSC = 1 2π ·C ·R Br = 1 3 ∴ ∧ Ar = 3 Br = B = Vf Vo = 1 3 Vf = Vo = V1 3 135 .

Para evitar inconvenientes el momento de elegir las resistencias observamos que se cumpla: R f + R1 ≥ 50 K Ω Para el diseño: - Comenzamos asumiendo R Tomamos en cuenta que todas las resistencias sean > 50 KΩ Con TBJ En 2 Etapas ⎧ R f = Ra Tomamos la consideración que ⎨ ⎩ RE1 = Rb - La realimentación negativa (–) se conecta a emisor La realimentación positiva (+) se conecta a base a la entrada Rin || R2 || C2 136 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Para que el puente esté equilibrado V1 = V2 Rb Vo ·Vo = Ra + Rb 3 3Rb = Ra + Rb Ra = 2 Rb Con amplificador operacional Un factor a considerar en este caso es que debido a que la corriente de salida (IO) está en unidades de mA vamos a requerir de un valor mínimo de RL.

Para solventar este problema se debe reajustar la ganancia. como los diodos. Esto es relativamente complejo y se suele recurrir a elementos no lineales. R2 = RE1 Consideraciones En la práctica resulta que la oscilación crece constantemente en amplitud ya que los amplificadores operacionales no son ideales. sino que alcanzarán la saturación al cabo de unos pocos ciclos. Rin = Rb La realimentación positiva (+) se conecta a emisor. Antonio Calderón Otra opción que tenemos es hacer que Rin haga de R2 En 1 Etapa - La realimentación negativa (–) se conecta a base. 137 . con una resistencia variable con la tensión.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón FUENTES REGULADAS (Regulación de Voltaje) IN VIN máx VIN mín t Fuente más sencilla Vz = Vo VIN > Vz 138 .

139 . .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. VIN = VR + VZ = I ·R + VZ ⎧VIN mín = ( I Z mín + I L máx ) R + VZ ⎪− − − − − − ⎪ ⇒⎨ 0 ⎪VIN máx = ( I Z máx + I Lmín ) R + VZ ⎪V máx = I máx·R + V ⎩ IN Z Z Para señal (para las variaciones) Vo = rZ || RL ·Vin R + rZ || RL Vo r || RL = Z Vin R + rZ || RL Vin R + rZ || RL = a = FR = → Atenuación o Factor de Regulación Vo rZ || RL Si RL >> rZ a = FR = R rZ y R >> rZ → Como sucede en la práctica El Factor de Regulación (FR) indica la calidad de la fuente y su valor depende de la aplicación para la cual se vaya a utilizar. Antonio Calderón ⎧ I = I Z mín + I L máx I = IZ + IL ⇒ ⎨ ⎩ I = I Z máx + I L mín . I Z mín ≥ I ZK I Z máx ≤ I ZM Para que el Diodo Zener funcione correctamente. la fuente se vuelve más costosa. Mientras mayor sea éste.

⎧ I ZK = 5mA ⎪I ⎪ ZT ≈⎨ ⎪ I ZM ⎪ rZ = 15Ω ⎩ Debemos caer en cuenta que mientras mayor es la potencia de Zener. Antonio Calderón Ejercicio Vo = 20V IL = 1 A FR ≥ 100 Vlínea = 80V − 130V → corresponde al valor máximo El Zener lo elegimos dependiendo de las características solicitadas. Pd Z ≈ I Z ·VZ ≈ I L ·VZ ≈ 1 A·20V Pd Z ≈ 20W → Pd Z va a ser mayor a 20 W Al azar elegimos un Zener de Pd = 40W y observamos sus características en el respectivo manual.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. 140 . De esta manera aumentamos el valor del FR. mayor es IZK y mayor es rZ.5K Ω Si el valor de la resistencia calculada no resulta un valor estándar elegimos el valor inmediato superior. R rZ R = rZ × FR FR = = 15 × 100 R = 1500Ω → R = 1. Para este caso un Zener de 20 V y que soporte 1 A sin carga.

de unos 150W ó 200W.5m → I ZK = 7mA = (7mA + 1 A)(1.5V ?! → Considerando la tolerancia cuando el Vlínea es mínimo Vlínea 80V 130V VIN 1530.5 × 130 = 2487.64 (para que no se queme) 2487V − 20V = 1. Entonces. y el diodo Zener proporciona el voltaje de referencia. un mayor voltaje base-emisor ocasionará que el transistor Q1 conduzca más. la resistencia a usarse debe ser de una potencia grandísima. Si el voltaje de salida disminuye. es decir. Antonio Calderón VIN mín = ( I Z mín + I L máx ) R + VZ ⎧ I Z mín ≥ I ZK ⎨ ⎩ I ZK × 1. este diseño presenta deficiencias y es usado para valores de ⎧ FR baja ⎨ ⎩ I L baja Es decir. Además. para cuando no se necesita Vo extremadamente fijo.5K Ω Pd Z = I ZVZ + I Z 2 rZ = 73. Fuente con Transistor El transistor Q1 es el elemento de control en serie.063V 80 → → Quitando R L I ZM > 1.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Esta operación de regulación puede describirse de la forma siguiente: 1.3 = 5m × 1. 141 . con lo que se eleva el voltaje de salida y se mantiene la salida constante. El Diodo Zener a utilizarse debe ser de al menos el doble para evitar inconvenientes.14W ⇔ 40W ?! (no sirvió el azar) Nos tocaría recalcular todo porque el valor elegido no funcionó.3 = 6.5K ) + 20 VIN mín = 1530.5V x x = VIN máx = I Z máx = 1530.64 A 1.

Al variar RL varía IZ ⎧I = IZ + IB ⎪ I ⎪IB = L ⎪ β +1 ⎨ ⎪debiendo ser ⎪ ⎪ ⎩ I Z >> I B I Z ≈ I ZT → para que I Z = cte ⎧VZ = Vo + VJBE ⎨ ⎩VIN = VR + VZ = I ·R + VZ ⎧VIN > Vo ⎨ ⎩VCE ≥ 3V → para que esté en la región activa Para señal (para las variaciones) RL′ = ( β + 1)( re + RL ) Vo = ′ rZ || RL ·Vin ′ R + rZ || RL ′ Vo r || RL = Z ′ Vin R + rZ || RL ′ Vin R + rZ || RL = a = FR = ′ Vo rZ || RL 142 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. de esta forma se reduce el voltaje de salida y se mantiene la salida constante. Si el voltaje de salida incrementa. Antonio Calderón 2. un menor voltaje base-emisor ocasionará que el transistor Q1 conduzca menos.

Antonio Calderón Si R RL′ >> rZ ⎫ ⎪ → más exacto que antes ⎬ → a = FR = rZ R >> rZ ⎪ ⎭ Ejercicio Vo = 20V IL = 1 A FR ≥ 100 Vlínea = 80V − 130V VZ = Vo + VJBE = 20 + 0.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.6V ⎧ rZ = 10Ω ⎪ Buscando las características del Zener en el respectivo manual ≈ ⎨ I ZK = 1mA ⎪ I = 10mA ⎩ ZT El transistor: β = 50 FR = R rZ → disminuye su valor al aumentar la potencia R = rZ × FR = 10 × 100 R = 1K Ω En el transistor P = V · I = 3V × 1 A = 3W → 6W → como sabemos que es mayor ⇒ P = 10W IB = IL = 1A = 20mA 50 β 143 .6 VZ = 20.

2V IB = IL = 1A 50 × 100 βD I B = 0. usamos Darlington QD. para bajar IB.2mA I Z >> I B ⎫ ⎬ I Z = 10mA I Z ≈ I ZT ⎭ 144 .2 VZ = 21.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Tenemos que Q1 ⇒ Pd1 = VCE1 × I C1 = VCE1 × I L Q2 ⇒ Pd 2 = VCE 2 × I C 2 = (VCE1 − VJBE1 )· ≈ VCE1· Pd 2 ≈ = Pd1 I C1 I C1 β1 β1 β1 ⎧ β1 = 50 10 → ya protegido → ⎨ ⇒ depende de la potencia 50 ⎩ β 2 = 100 Con Darlington VZ = Vo + VJBED = 20 + 1. Antonio Calderón Fuente con Transistores en configuración Darlington Al haber llegado a un valor de corriente que no cumple los requerimientos.

025V 80 → I = 10. Considerar VIN = VIN promedio = VIN máx − VIN mín 2 145 . 2.2 VIN = 31.185mW Esta alternativa necesariamente va a funcionar.825mA I ZM > I Z máx Pd Z = I ZVZ + I Z 2 rZ = (29.025 − 21.4 × 130 = 51.2mA La corriente va a cambiar I= ∴ VIN máx − VZ 51.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.2 = = 29.825m )2 (10) Pd Z = 641.2m )(1K ) + 21.825m )(21.4V Ya teniendo el VIN tenemos varias alternativas que podemos elegir para el diseño.825mA 1K R I Z máx = I = 29.2m I = 10.2) + (29. pero la potencia del Zener a usarse va a ser mayor. Antonio Calderón I = IZ + IB = 10m + 0.2mA VIN = I ·R + VZ = (10. Considerar que VIN = VIN mín VIN = VIN mín = 31.4V x = VIN máx = 31.4V 80V 130V → → 31. 1.

4V 2 → I = 10.68mA Pd Z = 377.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.88V ∴ I Z máx = I = 17.4 × 130 105 I= VIN máx − VZ = 17. pero podría suceder que I Z mín < I ZK .52m → → 105V 130V 31.92V → I= Si sacamos de la fuente 1 A (máxima corriente requerida).4V x = VIN máx = → 31.4V x = VIN mín = 31.68mA R → se verifica que se cumpla con la condición de I ZM VIN máx = 38. Antonio Calderón VIN = VIN promedio = VIN máx − VIN mín = 31. ∴ I Z mín = I − I B = 2. esto se llama ‘a plena carga’.2m = 2.924V 105 VIN mín − VZ = 2. con lo cual sería descartada esta opción. 146 .2mA Vlínea promedio = 130 + 80 = 105V 2 31.94mW Esta alternativa exige que la potencia del Zener sea de menor valor.72m − 0.72mA R 105V 80V → → VIN mín = 23.4 × 80 = 23.

Antonio Calderón Fuente con Realimentación ⎧ I = IC 3 + I B ⎪I = I Z ⎪ C3 ⎪ IL ⎪ I C 3 >> I B → para que el voltaje se mantenga cte . I B = β D ⎪ ⎪ I C 3 = I Z ≈ I ZT ⎪ ⎨ ⎪ ⎪ IC 3 ⎪ I B3 = β3 ⎪ ⎪ I 2 >> I B 3 ⎪ ⎪ I1 = I 2 + I B 3 ⎩ I ⎞ ⎧ ⎛ hay que verificar que se cumpla ⎜ I1 ≈ L ⎟ → ⎪ I1 <<< I L 100 ⎠ ⎝ ⎪ ⎪ para que el bloque B no cargue al boque A → ⎨ ⎪ I >> I (corriente de fuga) CO ⎪ 1 ⎪ ⎩ ⎧VZ = Vo + VJBED − VCE 3 ⎨ → para que siempre esté trabajando en la región activa ⎩VCE 3 ≥ 3V ⎧VIN = VZ + VCE 3 + VR ⎪ → ⎨VCED ≥ 3V ⎪ ⎩ voltaje de entrada AL MENOS 3V más que el voltaje de salida En este circuito no se necesita una resistencia de descarga para la configuración Darlington. Para señal (realimentación negativa) A G= 1 + AB 147 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

Antonio Calderón A ⇒ QD → ↓ A3 ∴A=1 B ⇒ ( R1 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. R2 y Q3 ) Vf 1 = R2 || RinT 3 ·Vo R1 + R2 || RinT 3 V f 2 = A3 ·V f 1 = A3 · Vf 2 R2 || RinT 3 ·Vo R1 + R2 || RinT 3 R2 || RinT 3 = B = A3 · Vo R1 + R2 || RinT 14 244 3 4 3 DT B = A3 ·DT A3 = R || RinD re 3 + rZ → debido que que B no carga a A RinD = β D ( reD + RL ) 1 1+ B 1 G= B G= → → menor que 1 para no amplificar señales B lo más gande posible B >> 1 Vin 1 = = B = a = FR Vo G ⎧ DT < 1 B = A3 ·DT → ⎨ ⎩ A3 >>> (siempre) lo más alto posible 148 .

2V → VZ = 18V 149 elegimos Zener de MENOR valor estándar (aumenta VCE3 ) .2mA 50 × 100 IB = βD = I C 3 >> I B IC 3 ⎫ ⎬ I C 3 = I Z = 10mA = I Z ≈ I ZT ⎭ I = I C 3 + I B = 10m + 0.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.2m = 10.1m I1 = 1.1mA ( I CO → μ A o nA) VZ = Vo + VJBED − VCE 3 = 20 + 1.2mA IC 3 10m = 0. Antonio Calderón Ejercicio Vo = 20V I L = 1A FR ≥ 100 ----------------β1 = 50 (de potencia ) β 2 = β 3 = 100 ----------------I ZK = 1mA I ZT = 10mA rZ = 10Ω IL 1 = 0.1mA 100 I B3 = β3 = I 2 >> I B 3 I 2 = 1mA Comprobando que se cumplan las condiciones I1 = I 2 + I B 3 = 1m + 0.2 − 3 VZ = 18.

27 K I1 1.56 K R = 2.2 K R = 2.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.2 K Ω FR = A3 ·DT DT = R2 || RinT 3 R1 + R2 || RinT 3 RinT 3 = ( β 3 + 1)( re 3 + rZ ) 25mV + 10Ω) 10mA RinT 3 = 1.5 R || RinD = 200 A3 = re 3 + rZ A3 = Vo 20 = = 20Ω → IL 1 DT = 0.263K Ω = 101( Reemplazando los valores FR 100 = = 200 DT 0.7 K Ω → elegimos el MAYOR para obtener un mayor A 3 150 . Antonio Calderón VB 3 = VZ + VVBE 3 = 18 + 0.25K Ω 2.6 = = 1.6 VB 3 = 18.1m → R1 = 1.6 K I2 1m R2 = → R2 = 18K Ω R1 = Vo − VB 3 20 − 18.6 = = 18.6V VB 3 18.7 K 2.5 RL = RL > 20Ω RinD = β D ( reD + RL ) ⎛ 50m ⎞ = (50 × 100) ⎜ + 20 ⎟ ⎝ 1 ⎠ RinD = 100.

47μF. Este capacitor puede tener un valor entre 0.7 K VIN = 48. Antonio Calderón VIN = VZ + VCE 3 + VR = 18 + 3.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Fuente con Realimentación y Fuente de Corriente Para subir la calidad de la fuente anterior (aumentar FR) la única opción que tenemos es subir el valor de R. Debido a que la ganancia es muy alta el circuito puede oscilar y por este motivo para evitar oscilaciones se coloca un capacitor adicional que sea cortocircuito a la frecuencia de oscilación.1μF y 0.2m × 2.74V Habiendo obtenido en valor de VIN tenemos las mismas alternativas que se expusieron anteriormente: - Considerar VINmín Considerar VINpromedio Teniendo previamente en cuenta que este diseño exige transistores más costosos. pero esto provoca que: - El voltaje de entrada VIN aumente VCE aumente El transistor de salida Q1 aumente su potencia (más costoso) Una opción que se presenta es poner una fuente de corriente en vez de R. consiguiendo que: R=∞ → A3 = RinD re 3 + rZ → máximo valor de ganancia y máximo FR 151 .2 + 10.

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Reemplazando

FR = A3 ·DT A3 = RinD re 3 + rZ

Con los valores con los cuales hemos venido trabajando tenemos: A3 = 100.25K = 8020 2.5 + 10 → FR = 4010

Implementando la fuente de corriente

Hacemos que a pesar que varíe el Voltaje de Entrada, I = cte. VIN = VZ 1 + VCE 3 + VCE 4 + VRE , VRE = I ·RE

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VCE 3 ≥ 3V VCE 4 ≥ 3V

para que estén en la región activa

VRE = VZ 2 − VJBE 4 = 2.2 − 0.6 = 1.6V VZ 2 conviene que sea lo más bajo posible y en la actualidad el menor valor que se puede conseguir es 2.2 V. VIN = 18 + 3.2 + 3 + 1.6 = 25.8V Nos damos cuenta que bajamos el VCE1 y de esta manera disminuye la potencia, y por consiguiente el costo. RE = IB4 = VRE VZ 2 − VJBE 4 2.2 − 0.6 = = = 156.863Ω I I 10.2m I

β4

=

10.2m = 102 μ A 100

I Z 2 >> I B 4 I3 = I Z 2 + I B4 R3 = VIN − VZ 2 I3

I Z 2 ≈ I ZT (según el manual)

Así acaba el diseño de la fuente de corriente.

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CIRCUITOS DE PROTECCIÓN Protección con Diodos

Con los diodos hemos hecho una fuente de corriente. Cuando el voltaje sobre la resistencia Rs < 0.6 V es como si los diodos no existieran, pero cuando por Rs pase una corriente mayor a la deseada hacemos que 0.6 V caigan en ella y los diodos comienzan a funcionar.

Para esta protección se usan tantos diodos como junturas más uno se tengan. RS = VD I L máx con esta protección incluso podríamos hacer cortocircuito

Tenemos que considerar que la potencia del transistor de salida Q1 va a aumentar y se puede calentar demasiado e incluso quemarse, por lo que es necesario usar un disipador de calor.
Protección con Diodos Zener

Otra opción que tenemos es usar un Zener en vez de los diodos, en este caso: 154

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RS =

VZ − VJBED I L máx

La resistencia Rs no es buena para la fuente y desde el punto de vista ideal tendría que ser Rs = 0, pero en la práctica se toma el valor más bajo posible. Teniendo ambas alternativas (Diodos y Zener) analizamos cuál nos entrega un valor de Rs más bajo y esa se convierte en la mejor opción.

Protección con transistor (limitador de corriente)

La limitación de corriente reduce el voltaje a través de la carga cuando la corriente se vuelve mayor al valor límite.

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Lo que se hace en este caso es que el transistor Qs se sature, es decir que entre base y emisor caiga un voltaje mayor a 0.6 V. Esto lo conseguimos haciendo que sobre la resistencia Rs caigan 0.8 V al pasar una corriente superior a la máxima deseada.

De esta forma, al detectarse una corriente mayor a la deseada, los transistores de salida se prenden y se apagan continuamente. Debido a esta situación los transistores de salida (Q1 y Q2) se van a calentar menos y van a ser de una potencia menor. RS = VJBEsat 0.8V = I L máx I L máx

Si aumentamos la resistencia Rb damos protección al transistor Qs. El exceso de voltaje sobre la resistencia Rs va a caer sobre Rb. El valor de la resistencia Rb va a estar entre 100 Ω y 1 KΩ y se la selecciona empíricamente hasta que el voltaje sobre Rs sea bajo.

Protección con SCR

El rectificador controlado de silicio (SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP.

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y puerta. La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se 156

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aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción y en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir. Una vez arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un tiristor, éste puede dispararse y entrar en conducción aún sin corriente de puerta. Por ello se da como característica la tasa máxima de subida de tensión que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parásito existente entre la puerta y el ánodo. Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia y de control. Podríamos decir que un SCR funciona como un interruptor electrónico. Características de la compuerta de los SCR Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la unión entre la compuerta y el cátodo, y sale del SCR por la terminal del cátodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayoría de los SCR requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unión pn estándar entre la compuerta y el cátodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V. En la figura 4 se muestran las condiciones que deben existir en la compuerta para que un SCR se dispare.

Voltaje de compuerta a cátodo (VGK) y corriente de compuerta (IG) necesarios para disparar un SCR.

Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de compuerta. Mientras la corriente continúe fluyendo a través de las terminales principales, de ánodo a cátodo, el SCR permanecerá en ON. Cuando la corriente de ánodo a cátodo (IAK) caiga por debajo de un valor mínimo, llamado corriente de retención, simbolizada IHO el SCR se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa por cero a su región negativa. Para la mayoría de los SCR de tamaño mediano, la IHO es alrededor de 10 mA.

Esta protección se constituye en la mejor de todas y se puede aplicar tanto a la fuente con resistencia o cuando dicha resistencia ha sido reemplazada por una fuente de corriente.

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Se usa un pulsante que normalmente esté cerrado para que de esta forma al pulsarlo el SCR deje de conducir. → VAK = 1V El SCR se dispara al haber un cortocircuito o una sobrecarga (sacar de la fuente una corriente mayor a la fijada, es decir, poner una resistencia de menor valor al límite establecido). Al estar el SCR disparado:
-

NO funciona el Darlington (no consumen potencia lo transistores de salida). NO existe Vo. NO existe IL.
VGKdisparo I L máx ≈ 0.8V I L máx

RS =

La resistencia Rg se coloca para que sobre ella caiga el exceso de voltaje y de esta forma proteger al SCR. El valor de Rg va a estar entre 100 Ω y 1 KΩ. Debido a los transitorios de alta frecuencia que ocurren en el transformador y que pueden activar el SCR, se coloca el capacitor C en paralelo con Rs para de esta forma eliminarlos.

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Fuente regulada con voltaje de salida variable

El VB = cte, sin importar la posición del potenciómetro.

1

Vo = Vomín I 2 >> I B 3 I1 = I 2 + I B 3 P + R2 = R1 =

( I 2mín → hacer cumplir I 2 >> I B 3 )

VB 3 VZ 1 + VJBE 3 = I2 I2

Vomín − VB 3 I1

2

Vo = Vomáx V I 2′ = B 3 R2 I1′ = I 2′ + I B 3 R1 + P = R1 =

;

( I 2′ > I 2 que teníamos antes)

Vomáx + VB 3 I1′

Vomín − VB 3 I1

Necesitamos emplear sistemas de ecuaciones para encontrar nuestras incógnitas.
159

VZ 1 = Vomín + VJBED − VCE 3 Si quisiéramos que esta fuente varíe desde 0V hasta 20V. la tierra debe reemplazarse por un valor de voltaje negativo (–). 160 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Para la elección del Diodo Zener consideramos el caso del VOmín.

sin incluir la fundamental de la entrada.1%. clase AB y clase C. Sin embargo. en la clase B la polarización DC es nula y sólo conduce en un semiperiodo de la señal de entrada (180º). la linealidad de una etapa es una medida que proporciona la calidad del diseño. Este parámetro es un valor eficaz o rms de las componentes armónicas de la señal de salida. muchas veces caracterizada a través de la distorsión armónica total (total harmonic distortion o THD). el transistor es polarizado con un corriente en continua de valor ICQ mayor que la corriente de alterna de amplitud IC de forma que el periodo de conducción es de 360º. Los equipos de sonido de alta fidelidad tienen un THD inferior a 0. Es por ello. Antonio Calderón AMPLIFICADORES DE POTENCIA Las etapas de salida. también denominadas etapas de potencia. Las etapas de salida son diseñadas para trabajar con niveles de tensión y corriente elevados. Clasificación de los Amplificadores - Clase A Clase AB Clase B Case C 161 . que indica el porcentaje de potencia entregada a la carga respecto de la potencia total disipada por la etapa.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. además de minimizar los problemas de disipación de potencia y coste del propio transistor de potencia. una etapa de salida debe ser independiente del propio valor de la carga. En la etapa clase C conduce ángulos inferiores a 180º y son empleadas usualmente en radiofrecuencia como por ejemplo teléfonos móviles y transmisores de radio y TV. que las etapas de salida utilizan transistores de potencia (> 1W) y el uso de aletas refrigeradoras resulta en algunos casos imprescindible. el transistor conduce un ángulo ligeramente superior a 180º y mucho menor que 360º. son configuraciones especiales localizadas a la salida de un amplificador utilizadas para proporcionar cierta cantidad de potencia a una carga con aceptables niveles de distorsión. Además. En la etapa clase A. En contraste. Las aproximaciones y modelos de pequeña señal no son aplicables o deben ser utilizados con mucho cuidado. La etapa clase AB. Un valor alto de eficiencia se traduce en una mayor duración del tiempo de vida de las baterÌas o en el uso de fuentes de alimentación de bajo coste. tener reducido consumo estático de potencia y no limitar la respuesta en frecuencia del amplificador completo. Otro parámetro importante de una etapa de potencia es su eficiencia. expresada a través del porcentaje en términos de rms respecto a la fundamental. Las etapas de salida tradicionalmente son clasificadas de acuerdo a la forma de onda de la corriente de colector del transistor de salida en clase A. clase B. intermedio entre la A y la B.

comprendida entre el corte y la saturación del dispositivo. dentro de la región activa. 162 . c) Clase AB y d) Clase C. Su desventaja es que aún con señal nula disipa una cantidad considerable de potencia. Clase A Un amplificador clase A se polariza de tal modo que conduce corriente de manera continua. Son amplificadores de potencia ineficaces que se usan como amplificadores de voltaje de señales pequeñas o para amplificadores de baja potencia.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. El punto de trabajo de reposo se fija en el punto medio entre los puntos de corte y saturación de la recta de carga. sin llegar a salirse de ella en ningún momento. Antonio Calderón Clasificación de las etapas de salida: a) clase A. b) clase B. La polarización se ajusta para que la entrada haga variar la corriente del colector (o de drenaje) en una región lineal de la característica del transistor. su salida es una reproducción lineal amplificada de la entrada. El funcionamiento en clase A se lleva a cabo. íntegramente. En consecuencia.

puede bajar hasta el 15%. Características - Ángulo de conducción: 360º Baja distorsión Bajo rendimiento (se desperdicia mucha potencia) Clase AB Un amplificador clase AB se polariza cerca del corte con cierto flujo de corriente continuo del colector. la ganancia es uno de los puntos fuertes de los transistores trabajando en clase A. y mucho mayor que en clase C. En teoría. No existe una línea de separación definida entre los amplificadores de potencia de clase A y los amplificadores de señal débil. incluso. es decir. El dispositivo activo se comporta como una fuente de corriente. Suele ser 3 a 6 dB mayor que operando en clase B. la eficacia instantánea es proporcional a la potencia de salida y la eficacia media es inversamente proporcional a la relación de potencia de pico a potencia media. pero la metodología de diseño es diferente. De cualquier manera la escasa importancia de los armónicos en las cuestiones de potencia hace que se consideren inexistentes en el cálculo de ésta y que se traten sólo en el estudio específico de distorsiones. según la exigencia de linealidad. o. la clase A puede alcanzar un rendimiento de hasta el 50%. pero. cuando se ponen es por asegurar una supresión adecuada de armónicos en la salida o por razones de adaptación. En cambio. En el caso teórico de 50% de rendimiento. Antonio Calderón Se caracteriza por presentar una corriente continua media de colector constante y suficientemente grande como para mantenerse en todo momento dentro de la región activa. El empleo de circuitos sintonizados o filtros de paso bajo en los colectores de este tipo de amplificadores (al igual que en los de clase B) no es inherente a su modo de operar y. queda alrededor del 25%. También se usa en amplificadores push-pull y proporciona una linealidad mejor que 163 . dado que no se puede apurar al máximo. es prácticamente lo que se ha venido haciendo.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

Características - Ángulo de conducción entre 180º y 360º Presenta distorsión (mayor que en el clase A) Mayor rendimiento que el clase A Para tener una señal de salida se 360º se necesita de un montaje en contrafase. dado el deficiente comportamiento a tales frecuencias de los transistores PNP. al igual que la clase A una señal de salida altamente lineal con respecto a la señal de entrada. Los montajes complementarios se circunscriben al audio y las frecuencias de radio bajas y medias. La operación en clase AB tiene. de modo que en su conjunto se comportan de manera lineal. Sin embargo. a cambio de evitar la zona muerta de respuesta. Precisamente. ambos transistores “se ceden el relevo”. por lo general. Esta clase sigue requiriendo de una conexión en contrafase. aunque cada transistor sólo conduce durante medio ciclo. pues. Esta configuración es una variante de la etapa de tipo B en la que se sacrifica la disipación de una pequeña cantidad de potencia cuando opera sin señal. pero con menos eficiencia. en el paso por cero. sin embargo. especialmente si ambos transistores son idénticos.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. pues. VHF). 164 . si se quiere paliar este problema en la zona de “relevo” se recurre a que cada transistor “saliente” acompañase al “entrante” durante algunos grados. En los amplificadores de clase A. En cuanto a la ganancia de potencia. En frecuencias elevadas puede obtenerse. aunque afectando. mediante estructura en push-pull. su origen en perfeccionamiento de circuitos amplificadores en contrafase. más cercano al nivel de corriente de base cero. para obtener un ciclo completo de salida. el nivel de polarización de DC es. Antonio Calderón un amplificador clase B. al rendimiento. un satisfactorio funcionamiento en banda ancha. para una mejor eficiencia de potencia. ligeramente. la cosa cambia cuando de clase B se trata. los amplificadores del tipo AB son algo intermedio entre los de tipo A y los de B. que mejora notablemente la distorsión. Su comportamiento irregular obedece a la existencia del mencionado crossover. Lo que da origen a la clase AB. Lamentablemente no pueden utilizarse topologías complementarias a esas frecuencias (HF. la distorsión no lineal disminuye monótonamente con la potencia de salida. Esta configuración proporciona. Las configuraciones más utilizadas para polarizar los transistores de salida son: con diodos y con un multiplicador VBE. El razonamiento con respecto al valor de la transconductancia efectiva es el mismo que se hizo en el caso de clase B.

vi = 0. es decir. ambos transistores conducen. el segundo término es despreciable frente al primero.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Clase AB con polarización por diodos En ausencia de señal. Clase AB con polarización por multiplicador VBE 165 . La polarización con diodos presenta una importante ventaja al proporcionar estabilización de la polarización con la temperatura. la caída de tensión en el diodo D1 hace que el transistor Q1 esté en la región lineal con una corriente de colector baja y lo mismo sucede a Q2 con el diodo D2. el VBE de los transistores disminuye pero a su vez la caída de tensión de los diodos también lo que permite mantener constante la corriente de polarización de los transistores de salida. Al aumentar la temperatura. Cuando se aplica una tensión a la entrada uno de los transistores estará en la región lineal y el otro cortado. funcionando de una manera similar a la etapa clase B pero con la ausencia de distorsión de cruce. En este caso la potencia promedio suministrada por una fuente de alimentación es PCC = VCC Vo · + I ·V π RL Q CC En general.

En segundo lugar. la tensión VCE3 se obtiene multiplicando la VBE3 por un factor ⎜ 1 + 1 ⎟ . En muchas aplicaciones prácticas existen largos tiempos muertos (standby) a la espera de señal de entrada o con señales intermitentes como es el caso de voz humana. Un amplificador clase B se polariza en corte de modo que cuando en el colector la entrada es cero no fluye corriente. mientras esté conduciendo el 166 . Este circuito consiste en un transistor (Q3) con dos resistencias (R1 y R2) conectadas entre su colector y emisor con la base. Si se desprecia la corriente de base (para ello R1 y R2 VBE 3 y la tensión deben ser de unos pocos KΩ) entonces la corriente que circula por R1 es R1 entre el colector y emisor de ese transistor es VCE 3 = ⎛ VBE 3 R ⎞ ( R1 + R2 ) = VBE 3 ⎜ 1 + 2 ⎟ R1 R1 ⎠ ⎝ ⎛ R ⎞ es decir. conduce en 180° de una entrada de onda senoidal. Puesto que la corriente de colector es proporcional a la amplitud de la señal de entrada. en una configuración push-pull se conectan dos amplificadores clase B de modo que la alternación positiva y la negativa se amplifican en forma simultánea. En otras palabras. R2 ⎠ ⎝ Clase B La mayor desventaja de la anterior etapa de salida es el consumo estático de potencia incluso en ausencia de señal de entrada. se reducen drásticamente el tiempo de duración de las baterías de los equipos electrónicos. Etapas de salida que desperdician potencia en períodos standby tienen efectos perniciosos importantes.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Otro procedimiento para obtener la diferencia de tensión 2VBE entre la base de los transistores necesaria para eliminar la distorsión de cruce es utilizar lo que se denomina un multiplicador de VBE. En primer lugar. ese consumo de potencia continuado provoca un incremento de temperatura en los dispositivos que limitan su tiempo medio de vida dando lugar a una mayor probabilidad de fallar con el tiempo el sistema electrónico. Esto significa que sólo se amplifica la mitad de la onda senoidal. Por lo común. la clase B proporciona amplificación sensiblemente lineal. En estas etapas no se produce disipación de potencia cuando la señal es nula. El transistor sólo conduce la mitad de la entrada de onda senoidal.

es decir. De esta forma se consiguen rendimientos máximos. La etapa de salida clase B tiene consumo estático de potencia en modo standby prácticamente cero. Clase C Se encuentra polarizado en una zona de respuesta no lineal. en contrafase que conducen alternativamente en función de si la señal de entrada es positiva o negativa. pueden hacer el sistema inservible.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. por tanto. en cambio. Otra ventaja adicional es su mejor eficiencia que puede alcanzar un valor máximo próximo al 78% muy superior al 25% de la etapa de salida clase A. el cual proporciona un ciclo completo de operación para la frecuencia sintonizada o resonante. Características - Ángulo de conducción: 180º Presenta mayor distorsión que el clase AB Mayor rendimiento que el clase AB Si se necesita que la señal de salida sea de 360º se requiere un montaje en contrafase. es decir. uno NPN y otro PNP. De ahí. Ésta componente lineal siempre está presente a la salida. operará solamente con un circuito de sintonización (resonante). Si estos armónicos están fuera de la banda de utilidad. el nombre de push-pull. pueden eliminarse por filtrado y el amplificador cumple perfectamente su cometido. aunque el hecho de que se produzca una interrupción de la señal durante el medio ciclo negativo provoca la aparición de fuertes componentes armónicos (en especial pares). utilizada en áreas especiales de circuitos de sintonización. de forma que los dispositivos activos sólo conducen en una fracción reducida del periodo de la señal. Antonio Calderón transistor. tales como radio o comunicaciones (amplificación de señales de banda muy estrecha). Esta clase de operación es. 167 . menos de 180° del ciclo. y será aprovechable como señal amplificada.. En otros casos. aunque se necesitan elementos reactivos que acumulen la energía durante la conducción y la liberen en el resto del ciclo en el que el dispositivo no conduce. Utiliza dos transistores.

esta clase no suele ser 168 . Polarización en clase C La clase C clásica es excelente en tubos de vacío pero resulta impracticable en amplificadores de estado sólido. teóricamente. en la medida que el ángulo de conducción se aproxima a cero. En efecto. El punto de trabajo ha de conseguirse polarizando inversamente la entrada del dispositivo activo. de este modo. deliberadamente. no generan tensiones correspondientes a los citados armónicos. En clase C el dispositivo activo es llevado. Antonio Calderón Esta modalidad tiene su auténtica razón de ser. Un buen compromiso es un ángulo de conducción de 150º. y su origen. incluso para el fundamental. en la amplificación de muy alta potencia con válvulas termoiónicas. la eficacia se estabiliza y la tensión de salida está determinada por la tensión de alimentación. a diferencia de la B unilateral. Desgraciadamente esto conlleva que la ganancia vaya disminuyendo de manera que la potencia de excitación necesaria tiende a infinito. El filtro de salida de un verdadero clase C es un circuito resonante paralelo que deriva a tierra los componentes armónicos de la señal pulsante. El dispositivo conduce durante un ángulo muy pequeño y el circuito sintonizado del colector se encarga de “reconstruir” (en realidad. sino que su respuesta es esencialmente no lineal. en particular con transistores bipolares. lo que permite la modulación lineal de amplitud a alto nivel (haciendo que la tensión se alimentación sea la señal moduladora).CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. como aquella. Una dificultad añadida para el verdadero funcionamiento en clase C con semiconductores es que se requiere una muy baja impedancia de salida y esto crea serios problemas para adaptar circuitos resonantes paralelos a estas salidas. que. que resulta en una eficacia de 85%. Cuando se lleva el amplificador a saturación. no sólo genera importantes armónicos. a un funcionamiento absolutamente no lineal. a las proximidades del 100%. “seleccionar”) la señal fundamental a partir de la señal periódica impulsiva que le entrega el amplificador. para reducir las pérdidas por resistencia. Se puede decir que casi funciona como un conmutador. La clase C. La eficacia puede llevarse.

En este tipo de amplificadores es muy importante tomar en cuenta: ⎧ Pdmáx ⎪ ⎨VCE máx ⎪ I máx ⎩ C ya que puede quemarse por cualquiera de ellos o en conjunto Existe una familia de curvas de disipación de potencia 169 . Características - Ángulo de conducción menor a 180º Presenta mayor distorsión que el clase B Mayor rendimiento que el clase B No es posible utilizar montaje en contrafase En la práctica se utiliza el Clase B. Antonio Calderón muy recomendable porque acorta su vida.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. El sistema se basa en la autopolarización que produce la rectificación de la propia señal de entrada al circular por el diodo que constituye la unión base-emisor del transistor de potencia. Solamente puede hacerse una excepción. La operación en C exige polarizar negativamente la base con respecto al emisor y la tensión de ruptura inversa base-emisor. En tal caso puede recurrirse a un procedimiento de autopolarización para conseguir la adecuada tensión continua inversa de polarización en la base.

Potencias Nos va a permitir elegir la curva adecuada Clase A Clase B Pd = 2 Po Pd = Po 2 Amplificador Clase A 170 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Metodología de diseño VCET = VCEM 2 I I CT = CM 2 Pd = VCET ·I CT Rac = VCEM I CM Rac es la carga que pide el transistor y se obtiene del inverso de la pendiente de carga.

y es mejor escoger una superior para evitar posibles recortes. En este caso las rectas de carga dinámica y estática son las mismas. Para 10 W de potencia de salida hay que elegir la curva de 20 W. Antonio Calderón No se pone capacitor con RL porque se desperdicia potencia. Q es el eje de la recta de carga dinámica. El pto.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. PCC = VCC · I CQ ⎛ Vo ⎞ 1 Po = ⎜ pr ⎟ · ⎝ 2 ⎠ Rac Pd r = VCET ·I CT = VCEQ ·I CQ 2 → Potencia eficaz R= Po × 100 [%] PCC → rendimiento 171 . No se usa en la práctica.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. 172 . Pd i = 2 Po Ahora con transformador Se pone η para compensar las pérdidas en el transformador. Antonio Calderón Rac = VCEM = n 2 RL I CM . n= n1 n2 Donde n1 es el número de vueltas del primario y n2 es el número de vueltas del secundario. ⎛ Vo ⎞ Pd r = η ·⎜ pi ⎟ ·Pd i ⎜ Vo pr ⎟ ⎝ ⎠ 2 .

2 ⎪M ⎩ → caso ideal → 10% pérdidas en el transformador → 20% pérdidas en el transformador Para el diseño - Se deben tener todos los datos. Asumir VCC Asumir VE y lo que queda es VCEM V VCET = CEM y también obtenemos Vo pi 2 De la fórmula VCET = Vo pr + Vact + Vin pi Obtengo Vo pr Calculo I CT de la potencia y.1 ⎪ η=⎨ ⎪1. Antonio Calderón ⎧1 ⎪1.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Vin pr = Vo pr A Amplificador Clase B con salida con simetría complementaria 173 . además. tengo I CM = 2 I CT Calculo Rac .

para calibrar el pto. sirve para descarga de la juntura base-emisor de Q1. 1 y 2. Antonio Calderón Montaje en contrafase Elementos R1 R2 Diodos C P1 P2 sirve para limitación de corriente de salida (funciona como Rs de las protecciones). VCC para que exista simetría en la señal de 2 Distorsión de cruce Se produce debido a que cada transistor conduce sólo un semiciclo.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. debe ser cortocircuito para señal. para mantener a los transistores de salida en clase B y se utiliza uno por juntura. 174 . 3 a salida. De esta manera el voltaje de salida de Q3 estará presente en los ptos. sirve para disminuir o eliminar la distorsión de cruce.

es decir. logrando una mínima distorsión y que los mismos sólo conduzcan con señal. es decir. Para el diseño ⎧ Po Datos ⎨ ⎩ RL (parlante) ⎛ Vo ⎞ 1 Po = ⎜ p ⎟ · ⎝ 2 ⎠ RL 2 ⎧Vo p = 2·Po·RL ⎪ →⎨ Vo p ⎪iop = RL ⎩ → ⎧ R1 << RL ⎪ R ⎪→ R1 ≈ L ⎪ 10 ⎨ ⎪ ⎪ ⎪VR1 = iop ·R1 ⎩ para que no sea carga → voltaje que se va a desperdiciar y que se debe compensar ⎧ R2 >> RinT 1 ⎨ ⎩ RinT 1 = ( β1 + 1)( re1 + R1 + RL ) Hay que tener en cuenta que la etapa de Q3 es la última etapa de amplificación de voltaje. que pueden existir etapas previas de amplificación en cascada.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. → para no desperdiciar voltaje ⎧ RC << RinD ⎨ ⎩ RinD = β D ( reD + R1 + RL ) ⎧ RC ⎪VRC ≥ R || Rin ·Vo p 3 C D ⎪ ⎪ ⎨Vo p 3 = Vo p + VR1 ⎪ ⎪ I C 3 = VRC RC ⎪ ⎩ En lo que respecta a los potenciómetros tenemos: 175 . Antonio Calderón Por este motivo en la práctica hay que calibrar los diodos de tal manera que estén a punto de conducir.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. VD = voltaje de los diodos → P = 2P′ 1 1 (para poder calibrar) R3 + P2′ = R3 ≈ P2′ VCC − VB 3 I3 → P2 = 2 P2′ VCC = VE 3 + VCE 3 + n·VD + VRC El resto del diseño se realiza de manera similar a lo que se ha venido realizando. Antonio Calderón P′ = 1 n·Vd IC 3 .75) = 1.58)(0.649 = 1.581 A 8 R1 = 0. Ejercicio Po = 10W RL = 8Ω Vo p = 2·Po·RL = 2(10)(8) = 12.649V iop = Vo p RL = 12.75Ω VR1 = iop ·R1 = (1.185V Asumo R2 >> RinT 1 re1 = Q1 : Q2 : β1 = 50 β 2 = 100 25mV 25mV ≈ IE I E med 176 .

01 + 0.75 + 8) RinT 1 = 448.9 K Ω Calculo el voltaje de entrada a la etapa de potencia Vo p 3 = Vo p + VR1 = 12.10Ω I E med 0.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.503 RinT 1 = ( β1 + 1)( re1 + R1 + RL ) = (50 + 1)(0.75 + 8) RinD = 44.8 R2 = 4.05 + 0.185 Vo p 3 = 13.503 reD = RinD = β D ( reD + R1 + RL ) = (50 × 100)(0.05Ω I E med 0.834V 177 .649 + 1.649 = 0.7 K Ω 50mV 50m = = 0.503 A π (8) I E med = π ·RL re1 = 25mV 25m = = 0. Antonio Calderón I E med = I op π Vop = Vop π ·RL = 12.25K Ω RC << RinD → RC = 3.

87Ω IC 3 5.834 + 2 + VCE 3 = 17.25K = = = 358.834 10 para este ejemplo asumimos un A3 .9 K || 44.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.411 − 4.411 A3 A3 10 → hay estabilidad RE1 = 358.541 RE1 = 330Ω VE 3 ≥ 1 + Vin p 3 = 1 + VE 3 = 3.128mA RC 3.1V 10 RET = VE 3 3.9 K n·VD 4(0.128m 178 .3 = 3.5V 13.57V 3.834 → ×1.87 = 353.6) = = 468Ω I C 3 5. pero en la práctica tendrá una ganancia propia determinada por los requerimientos = 13.527Ω I C 3 5.834 = 2.5 = = 682.128m P′ = 1 P = 1K Ω 1 VCE 3 = Vo p 3 + Vact + Vin3 = Vo p 3 + Vact + Vo p 3 A3 13.128m re 3 = re 3 + RE1 = Req RC || RinD 3. Antonio Calderón VRC ≥ ≥ VRC RC ·Vo p 3 RC || RinD 3.383 → ×1.9 K || 44.3 = 19.25K = 20V IC 3 = VRC 20 = = 5.217V 25mV 25m = = 4.9 K ·13.

507 K 564.5 + 17.527 − 330 = 352.1 = = 72.527Ω RE 2 = 330Ω VCC = VE 3 + VCE 3 + n·VD + VRC = 3.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.6 = 4.08μ I3 → P2 = 100 K Ω R3 + P2′ = R3 = 33K Ω P2′ = 39 K Para comprobar en 3 V3 = 23.28μ ) = 564.8μ R4 = R4 = 8. iop = 1.28μ A 100 I 4 = 10 I B 3 = 10(51.217 + 4(0.58 A → VR1 = iop ·R1 = 1.1 = = 8K I 4 512.2 K Ω VCC − VB 3 45 − 4.8μ A I 3 = 11I B 3 = 11(51.2V 179 .6) + 20 = 43. Antonio Calderón RE 2 = RET − RE1 = 682.58 × 0.1V VB 3 4.08μ A VB 3 = VE 3 + VJBE 3 = 3.28μ ) = 512.75 ≈ 1.8V → cercano a lo deseado Para poner la protección analizamos el número de junturas y el voltaje sobre la resistencia R1.5 + 0.128m = 51.117 = 45V VCC I B3 = IC 3 β3 = 5.

si desearíamos hacer una fuente regulada para una cadena de amplificadores en cascada que terminan en un amplificador de potencia.6 ⇒ n = 4 DIODOS Finalmente.5 + 0.1V VT = n·VD → n= VT 2.1 = = 3.5V VT = VR1 + VJBEQ1 = 1. Antonio Calderón Protegiendo para una io máx = 2 A .75 = 1.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.6 VT = 2.5 VD 0. 180 . I RC ) + iop ⎩ Y el diseño se efectúa de manera similar a como se explica en la parte referente a fuentes reguladas. tendríamos que considerar los siguientes requerimientos para la fuente: ⎧Vo = VCC ⎪ ⎨ ⎪ I L = ∑ ( I1 . entonces VR1 = io máx·R1 = 2·0.

1.frino.1. 2003.org/ http://www.ufro.htm http://www. Pearson Educación. México.com 181 .cl/apuntes/Circuitos_1_3012_3017/Capitulo3_ce1. Antonio Calderón BIBLIOGRAFÍA - BOYLESTAD.mx/muralmta/mrojas/cursos/elect/apuntesdefinitivos/UNIDA D2/2.udg.com.wikipedia. y NASHELSKY. 8va Edición.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. http://es.inele.pdf http://www.ar/resistor.datasheetarchive. Louis. Robert L.pdf http://iniciativapopular. “Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos”.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón ANEXOS 182 .

183 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón Características Transistores 2N3904 y 2N3906 Este dispositivo se diseña como propósito general como un amplificador y el de un interruptor. El rango dinámico útil se extiende a 100 mA como un interruptor y a 100 MHz como un amplificador. mientras que el transistor 2N3906 (NTE 159 ) de disposición PNP. El transistor 2N3904 (NTE 123AP) es de disposición NPN.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón 184 .

Antonio Calderón 185 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

Antonio Calderón 186 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

1 Resistores de montaje superficial SMD (Surface Mounted Device) Identificar el valor de un resistor SMD es más sencillo que para un resistor convencional ya que las bandas de colores son reemplazadas por sus equivalentes numéricos y así se estampan en la superficie del resistor. poseen 4 bandas de colores. Un número de cuatro dígitos indica en los cuatro 187 . o "números de ceros" a agregar -cuarta banda: porcentaje de tolerancia (la que habíamos identificado primero) Los colores corresponden a valores estandarizados como se detallan: Color 1º y 2º dígitos multiplicador tolerancia Negro 0 1 (x100) Marron 1 10 (x101) 1% Rojo 2 100 (x102) Naranja 3 1000 (x103) Amarillo 4 10000 (x104) Verde 5 100000 (x105) Azul 6 1000000 (x106) Violeta 7 10000000 (x107) Gris 8 100000000 (x108) Blanco 9 1000000000 (x109) Marron o nulo 1% Dorado 0. es decir: un número de tres dígitos nos indica en esos tres dígitos el valor del resistor. (literalmente a la derecha).1 (x10-1) 5% Plata 10% Esto nos da para el ejemplo de la fig. y la ausencia de otra indicación nos dice que se trata de un resistor con una tolerancia del 5%. que en la mayoría de los casos suele ser dorada (5%) o (algo más raro) plateada (10%). Antonio Calderón Identificar un resistor no es una tarea muy complicada. En primer lugar tratamos de identificar el extremo que corresponde a la banda de tolerancia del resistor. note que la mayoría. la banda indicadora de tolerancia desaparece y se la "presupone" en base al número de dígitos que se indica.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Código de colores Ing. vamos al otro extremo y leemos la secuencia: fig: 1 -primera banda: corresponde al primer dígito del valor -segunda banda: corresponde al segundo dígito del valor -tercera banda: representa al exponente. Estas bandas representan el valor real del resistor incluyendo su porcentaje de tolerancia o error siguiendo un código de colores estándar. Una vez localizada ésta la dejamos de lado. salvo los de montaje superficial. 3 de idénticas proporciones y una más alejada de éstas.

2) -cuarto dígito (1%): representa al exponente.CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. o "número de ceros" a agregar 188 .1 fig. Antonio Calderón dígitos su valor y nos dice que se trata de un resistor con una tolerancia de error del 1%. fig. o "números de ceros" a agregar (fig. 1) -tercer dígito (1%): corresponde al tercer dígito del valor (fig.2 -primer dígito: corresponde al primer dígito del valor -segundo dígito: corresponde al segundo dígito del valor -tercer dígito (5%): representa al exponente.

Antonio Calderón Valores Estándar de Resistencias y capacitores 189 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

Antonio Calderón 190 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

Antonio Calderón 191 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

Antonio Calderón 192 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing. Antonio Calderón 193 .

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Antonio Calderón 199 .CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Ing.

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