1. Fundamentos de semiconductores 1.

1 El estado cristalino, redes cristalinas y crecimiento de cristales en Semiconductores CRECIMIENTO DE CRISTALES Cuando los átomos se combinan para formar un solido pueden acomodarse siguiendo un patrón ordenado llamado cristal. El orden de los átomos en un material es importante en la determinación de sus propiedades especificas. La disposición atomica de un solido, se puede clasificar como: amorfo, policristalino o cristalino. Un solido amorfo es aquel en el que no se reconoce ningún orden en la ubicación de los átomos dentro del material. La disposición atomica en cualquier porción de un material amorfo es distinta de la de cualquier porción del mismo. En los solidos cristalinos los átomos estan distribuidos en un conjunto tridimencional ordenado. En cualquier sección de un material cristalino, se puede reproducir con facilidad la disposición de los atomos en otra sección del mismo. Los solidos policristalinos constituyen un caso intermedio, en el cual el solido está compuesto de subsecciones cristalinas que no son homogeneas o que no estan relacionados entre si. En electronica los materiales que son la base para la construcción de dispositivos electronicos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Los átomos de germanio o de silicio pueden agruparse en una estructura geometrica bien definida conocida como reticulo cristalino. Tanto el silicio (Si) como el germanio (Ge) son conocidos como átomos tetravalentes, porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia. Cada átomo tetravalente comparte sus electrones de valencia por medio de enlaces covalentes de tal manera que cada átomo tiene 8 electrones en su capa de valencia estos 8 electrones producen un cristal de germanio o de silicio una cierta estabilidad quimica se puede decir que el cristal se comparta como un aislante a bajas temperaturas. La temperatura provoca la exitación y el rompimiento de algunos enlaces covalentes. Algunos electrones adquieren energia para circular al azar, la salida de un electron de valencia deja vacio un electrón de valencia llamado hueco el cual se comporta como una carga positiva, está atraerá y captura cualquier electrón de su densidad inmediata. La energia que se requiere para romper un enlace covalente es 0,72 eV para el Ge y 1,1 eV para el Si. Cuanto más alta sea la temperatura mayor sera la cantidad de electrones libres y huecos que se generen. Cuando en electrón se aproxima a un hueco será atraido y caera hacia el, a esta unión electrón libre-hueco se le llama recombinación. El tiempo que transcurre entre la creación y desaparición de un electrón libre se denomina tiempo de vida. El tiempo de vida varia desde unos cuantos nanosegundos hasta varios microsegundos dependiendo de la perfección del cristal.

1.2 Materiales semiconductores Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente Los semiconductores más conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como veremos más adelante, el comportamiento del siliceo es más estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, será el primero (Si) el elemento semiconductor más utilizado en la fabricación de los componentes electrónicos de estado solido. A él nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente similar. Como todos los demás, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo, como electrones en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número es de 14). El interés del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparición de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrón se siente más ligado al núcleo cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atracción por parte del núcleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las órbitas exteriores. Estos electrónes pueden, según lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequeña energía. En estos recaerá nuestra atención y es así que en vez de utilizar el modelo completo del átomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representación simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro interés.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1

Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atracción del núcleo son cuatro

1.3 Modelo de Enlace Covalente En este enlace cada uno de los átomos aporta un electrón. Los orbitales de las capas de valencia de ambos átomos se combinan para formar uno solo que contiene a los 2 electrones. El enlace covalente se representa con una linea recta que une a los 2 átomos, por ejemplo: O-H Características del enlace covalente.
• •

Es muy fuerte y se rompe con dificultad. Si la diferencia de electronegatividades entre los 2 átomos es marcada, tenemos un enlace polar y se favorecerá la solubilidad de la substancia en solventes polares. Ejemplo: un enlace O-H Si la diferencia de electronegatividades es poca, tenemos un enlace no polar y se favorecerá la solubilidad de la substancia en solventes no polares. Ejemplo: un enlace C-H o C-C

ENLACE COVALENTE COORDINADO. En este enlace también se combinan los orbitales de las capas de valencia de ambos átomos para formar uno solo que contiene a los 2 electrones; la diferencia con el anterior es que sólo uno de los átomos aporta los 2 electrones y queda con carga positiva. El enlace covalente coordinado se representa con una flecha que sale del átomo que cedió el par de electrones: N->H

Características del enlace covalente coordinado.

Una vez formado es idéntico a los demás enlaces covalentes.

1.4 Materiales intrínsecos, materiales extrínsecos MATERIALES INTRINSECOS Los materiales intrínsecos son aquellos que han sido cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan puro como sepuede obtener a través de la tecnología moderna. A los electrones libres localizados en el material que se deben sólo a causas naturales, se les conoce como portadores intrínsecos. SEMICONDUCTOR INTRINSECO: Un semiconductor intrínseco es un semiconductor cuyas propiedades son innatas al material. La concentración de portadores en un semiconductor intrínseco es una de la propiedades intrínsecas que identifican al material más acusadas a medida que aumenta la temperatura.

ni=concentración de electrones por unidad de volumen de materiales intrínsecos pi=concentración de huecos por unidad de volumen de materiales intrínsecos

NOTA: Por efectos térmicos se generan electrones libres generando huecos en la banda de valencia, es decir, generación de pares electronhueco (ni=pi). MATERIALES EXTRINSECOS Una forma de aumentar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopado consiste en añadir impurezas a un cristal intrínseco. Un semiconductor puede doparse para que tenga un exceso de electrones o de huecos. Para que un semiconductor tenga exceso de electrones libres se contamina con átomos pentavalentes a esa impureza se le conoce como donadora y al cristal se le llama semiconductor tipo N.. En un cristal tipo N los portadores mayoritarios serán los electrones. A un semiconductor dopado con átomos pentavalentes se le llama extrínseco. Cuando un semiconductor extrinseco se le contamina con átomos trivalentes (impurezas aceptoras) este presenta un exceso de huecos donde estos serán los portadores mayoritarios, a este tipo de cristal se le conoce como semiconductor tipo P. EXISTEN DOS CLASES DE DOPANTES: TIPO n:

-Impurezas dadoras que son pentavalentes provenientes del grupo V de la tabla periódica, que les queda "libre" el quinto electrón. -Elementos pentavalentes como fósforo, arsénico y antimonio. -En el tipo n los portadores mayoritarios son los electrones (n>p) y los minoritarios los huecos. -Nd=concentración de dadores por unidad de volumen.

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TIPO p:

--Impurezas aceptoras que son trivalentes provenientes del grupo III de la tabla periódica, que les queda "libre" un hueco . -Elementos trivalentes como boro, aluminio y galio -En el tipo p los portadores mayoritarios son los huecos (p>n) y los minoritarios los electrones. -Na=concentración de aceptores por unidad de volumen.

 

1.5 Modelo de Bandas de energía La energía requerida para liberar los electrones de los conductores, los aislantes y los semiconductores, es lo que determina sus respectivas bandas de conducción y pueden representarse por medio de diagramas de bandas de energía. Dichos diagramas nos indican qué tan fácil o difícil es liberar un electrón para iniciar la conducció eléctrica. Los diagramas de bandas de energía mostrados en esta página sólo abarcan los niveles de energía que van desde la banda de valencia hasta la de conducción. En cada diagrama la banda de valencia representa el nivel de energía que poseen los electrones de valencia, mientras que la banda de conducción representa el nivel de energía que éstos deben alcanzar a fin de liberarse de su capa. Entre esta banda y la conducción puede haber una intermedia, llamada banda prohibida. Si la energía agregada a un electrón de valencia es limitada, de modo que su nivel de energía total quede en la banda prohibida, entonces este electrón no será liberado y permanecrá en la capa de valencia. Puede verse, que la altura de la banda prohibida indica que tan fácil o difícil es liberar un electrón de valencia e iniciar la conduccion. Observando los diagramas, los aislantes tienen una banda prohibida ancha; los semiconductores, una banda prohibida más estrecha; y los conductores no la tienen. 1.6 Distribución de Fermi Dirac y distribución de Maxwell- Boltzmann

la velocidad variara en gran manera.Una distribución que aumenta en el estudio de la integración de las partículas en física. desde las muy lentas partículas (de baja energía) hasta las partículas mas rápidas (de alta energía). La mayoría de las partículas se moverán a una velocidad muy cercana a la velocidad promedio. (1) Su integral esta dada por: (2) (3) Donde es la trascendental. es el polilogaritmo Distribución de Maxwell.Boltzmann Todas las moléculas de una química específica. así que su energía cinética es solo dependiente de la velocidad de las partículas Recordar que la energía cinética es igual a ½mv2 En cualquier mezcla de moléculas en movimiento. Si una partícula no se encuentra en el área de corte. La distribución de Mawell-Boltzmann muestra como la velocidad (desde la energía) de la mezcla de partículas varía en un temperatura específica Puntos a resaltar: • • • No hay moleculas sin energía Pocas moléculas se encuentra con gran energía No hay moléculas con el valor máximo de energí Para que la reacción. tienen la misma masa en sus elementos o compuestos. las partículas relacionadas necesitan una cantidad de energía – la energía de activación (Eact). entonces no tendrá la energía requerida y no será capaz de participar en la reacción .

La función de Fermi sólo representa una probabilidad de ocupación y no contiene información acerca de los estados disponibles para ser ocupados.e^(-EF-EV/KT) NIVEL DE FERMI EF=Ei=(Ev+Ec)/2 NOTA: El Nivel de Fermi del Material Intrínseco se encuentra ubicado en la Banda Prohibida . se llene por medio de un electron. Nivel de Fermi-Dirac intrínseco Debido a que los electrones que pasan de la banda de conducción. dejan huecos en la bandas de valencia.1. describe la probabilidad qe que un estado en la energia E. por lo tanto no especifica la población de electrones en una energia dada.7 Nivel de Fermi en materiales intrínsecos y extrínsecos Nivel de Fermi-Dirac La función de distribución de Fermi-Dirac f(E).e^(-EC-EF/KT) HUECOS P=Nv. la igualdad de los numeros volumétricos de los electrones libres y de huecos permite determinar el nivel de fermi en un semiconductor intrínseco: El Nivel de Fermi se obtuvo de las Concentraciones de Portadores: ELECTRONES n=Nc.

A temperaturas más elevadas en el intervalo extrínseco. Dicho de otra forma. NOTA: EF=se desplaza hacia la banda de conducción. se tendrián muy pocos electrones excitados para atravesar la banda de valencia hacia la de la conducción. varias veces kT debajo del nivel donador. En otras palabras. el nivel de Fermi se habrá movido a por lo menos. en el intervalo de tamperaturas bajas se le conoce como nivel de Fermi-Dirac extrínseco. 1. de manera que p seria despreciable en comparación con n. . en 2. el nivel de Fermi esta situado a varias veces kT arriba del nivel donador para que la mayoria de los estados donadores contenga electrones. El intervalo extrínseco de temperatura comprende otros dos intervalos los que el calculo de nivel de Fermi es sencillo. se ionizan sólo una pequeña fracción de los átomos donadores. se ionizan casi todos los átomos de impureza. por lo tanto. esto da como resultado sólo la probabilidad muy pequeña de que cualquier nivel donador este ocupado.= nD. A temperaturas muy bajas.NIVEL DE FERMI EN EL MATERIAL EXTRINSECO Si se tienen temperaturas bajas. de manera que nD . NIVEL DE FERMI DEL MATERIAL TIPO n EF=Ei+Er. Ei=el nivel de fermi de los materiales intrínsecos.

movilidad. la movilidad de los portadores varía en relación inversa con el número de centros dispersores que existen dentro del semiconductor. Ei=el nivel de fermi de los materiales intrínsecos. NOTA: EF=se desplaza hacia la banda de valencia. Er=(KT/2)*ln(p/n) n<<p NOTA: El Nivel de Fermi del Material Intrinseco se encuentra ubicado en la Banda Prohibida 1.8 Conductividad. La movilidad es una medida de la facilidad de movimiento de los portadores dentro de un cristal. En función de las cargas Movilidad La movilidad es un parámetro importante en el fenomeno del transporte de electrones y huecos por arrastre.Er=(KT/2)*ln(p/n) n>>p NIVEL DE FERMI DEL MATERIAL TIPO p EF=Ei-Er. Si se incrementan las colisiones que retardan el movimiento dentro de un cristal. proceso de difusión Conductividad La conductividad se define como la relación entre la densidad de corriente y la intensidad del campo electrico aplicado. . Dicho de otra forma. se reduce la movilidad de los portadores.

En los semiconductores. las partículas móviles. la causa del mecanismo es el movimiento térmico. no la repulsión entre partículas.proceso de difusión La difusión es un proceso por el cual las partículas tienden a dispersarse o redistribuirse como resultado de su movimiento erratico térmico. La idea básica de partida es que la diferencia entre el número de portadores que entra y salen de una región sin importar como lo hacen es igual a la variación del número de portadores minoritarios en la región.9 Ecuaciones de continuidad ECUACIONES DE CONTINUIDAD El objetivo de una ecuación de continuidad es describir la razón de un cambio en el tiempo de la densidad nemrica de partículas en un elemento de volumen del espacio. Esto lo expresa la condición de equilibrio dinámico de los portadores del semiconductor que se encuentran en una situación ligeramente de desequilibrio Donde la entrada y salida de los portadores están en el orden de la suma de las componentes de arrastre y de difusión. Debe haber una continuidad espacial y . los electrones y los huecos están cargados. puestos que la velocidad de generación y recombinación por unidad de volumen son G y U. a través de algún tipo de acción. 1. sino que deben ser transportados al punto dado o creados en él. Los electrones y los huecos no pueden aparecer y desaparecer misteriosamente en un punto determinado. y el transporte de portadores debido a la difusión da lugar a corrientes de partículas. Cabe señalar que la partícula que se mueve por difusión no necesita estar cargada.

las ecuaciones siguientes son conocidas como ecuaciones de continuidad..1 Semiconductor P y semiconductor N SEMICONDUCTOR TIPO N Si en una red cristalina de silicio (átomos de silicio enlazados entre sí) . Por esta razón.. Ecuación de continuidad para electrones en el material tipo p: µ n*(d(npE)/dx)+Dn*(d²(np)/dx²)+Gn-((np-npo)/τ n)=dnp/dt Para Huecos: -µ p*(d(pnE)/dx)+Dp*(d²(pn)/dx²)+Gp-((pn-pno)/τ p)=dpn/dt MODELO TRIDIMENSIONAL: dnp/dt =(1/q)*∇ Jn+Gn-((np-npo)/τ n) Huecos: dpn/dt = . Unión PN 2. ..temporal en las concentraciones de portadores..(1/q)*∇ Jp+Gp-((pn-pno)/τ p) 2.

. resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los átomos de la red y el quinto queda libre. .Enlace covalente de átomos de germanio.. obsérvese que cada átomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro átomos . sustituimos uno de sus átomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un átomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior..

Semiconductor dopado tipo N A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N" En esta situación hay mayor número de electrones que de huecos... las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicación de la misma tensión sobre un semiconductor intrínseco o puro. Por ello a estos últimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones Las Impurezas tipo N más utilizadas en el proceso de dopado son el arsénico. el antimonio y el fósforo Está claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensión en sus bornas.. SEMICONDUCTOR TIPO P Si en una red cristalina de silicio (átomos de silicio enlazados entre sí) . .

pero como son cuatro. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" serán los huecos y los electrones los portadores minoritarios.. Osea que ahora la sustitución de un átomo por otros provoca la aprición de huecos en el cristal de silicio. quedará un hueco por ocupar.. sustituimos uno de sus átomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un átomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior.Enlace covalente de átomos de germanio. obsérvese que cada átomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro átomos . A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P" .. resulta que estos tres electrones llenarán los huecos que dejaron los electrones del átomo de silicio.

se observa que a la zona N -provista de cargas fijas positivas.a la que asignaremos el potencial cero. establecemos en principio el diagrama de potenciales asociados a la unión P-N sin polarizar. Unión P-N Zona N. Se distinguen tres zonas perfectamente delimitadas: • • • Zona P. habida cuenta de que es precisamente el potencial de contacto entre ambos semicristales a través de la zona de transición La evolución de la curva en la zona de unión se ajusta a las siguientes consideraciones: .2 Unión P-N en estado de equilibrio 2.corresponde un potencial Vo. Para asimilar el comportamiento de la unión polarizada en directo.1 Potencial de contacto La unión P-N esta polarizada directamente cuando el borne positivo de la alimentación se aplica a la zona P y el negativo a la zona N. Tomando como referencia la zona P -provista de cargas fijas negativas.2.Semiconductor dopado tipo P 2.

Su trazado sería no lineal o lineal. Por consiguiente. A su vez. se establece la zona libre de cargas alrededor de la unión P-N. . circunstancia que depender el campo eléctrico E y anchura de zona de transición es provista de cargas. En equilibrio dinámico se verificaría la igualdad entre las corrientes de difusión de arrastre. definida por un plano.• • Los extremos del tramo intermedio coincidir con los puntos de potencial O y Vo al llegar a los lotes de las regiones P y N. – y +. 2.2. boro). procedentes de átomos del grupo V (fósforo). Cabe precisar que el campo eléctrico E se opone a la difusión. aunque no mostrar inflexiones pronunciadas.y + a través de la zona de carga de espacio. Este proceso se prolonga hasta que se establece el equilibrio cargas. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). E frena la corriente de difusión y da lugar a la aparición de una corriente de arrastre que se opone a la anterior.3 2. respectivamente. y se obtiene introduciendo átomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo. aunque en una concentración varios órdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).4 Zonas de vaciamiento Carga almacenada Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro. La zona N dispone de electrones en exceso. La zona P tiene un exceso de huecos.2. Se observa que a ambos lados de la unión en el campo eléctrico es igual a cero.2 Campo eléctrico A medida que se produce la recombinación o neutralización de pares. por lo que existe neutralidad de carga. .2. 2. dividido en dos zonas con una frontera nítida. En ambos casos se tienen también portadores de signo contrario. el campo eléctrico (E) en la unión tiende a aumentar paulatinamente.

es decir. 2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N. a ambos lados de la unión se va creando una zona de carga. con lo que también aparece una carga negativa. y por cada hueco un ion negativo.Figura 4: Impurificación del silicio para la obtención de diodos PN En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo. entra en juego el mecanismo de la difusión. a diferencia de lo que ocurre con los gases de aquel ejemplo. El mismo razonamiento. . En consecuencia. con una resistencia RP. los gases difunden completamente hasta llenar las dos estancias de la caja y formar una mezcla uniforme. La distribución de cargas formada en la región de la unión provoca un campo eléctrico desde la zona N a la zona P. ni campos eléctricos internos. Huecos de la zona P pasan a la zona N. Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Figura 5: Formación de la unión PN En el ejemplo del capítulo 5. aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria. Como se recordará. Centrémonos en la región de la zona P cercana a la unión: 1. no existen distribuciones de carga neta. Aparece una carga negativa. en este caso están difundiendo partículas cargadas. El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. es decir: • • Electrones de la zona N pasan a la zona P. semiconductora. que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5). Sin embargo. Este campo eléctrico se opone al movimiento de portadores según la difusión. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentración de portadores. y como resultado del proceso se ha obtenido: • Zona P. y va creciendo conforme pasan más cargas a la zona opuesta. este fenómeno tiende a llevar partículas de donde hay más a donde hay menos. En ese momento está ya formado el diodo de unión PN. provoca un defecto de carga positiva en la zona P. ya que antes de que llegara el electrón la carga total era nula.

Sin embargo. Los papeles que desempeñan los materiales tipo n y p pueden intercambiarse.7 V y en el Germanio de 0. y no necesita de ningún aporte de energía. semiconductora. Esto significa que circularían huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusión. V aproximadamente de 0. Después de rebanar.2. El resultado es una aleación que cuando se enfría produce una unión p-n en la frontera entre la aleación y el sustrato. 2. Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario más elemental. Aleación: el proceso de aleación dará como resultado un diodo semiconductor del tipo de unión que también tendrá un alto valor nominal de corriente y PIV grande. o bien entre los extremos actúa una barrera de potencial. Sin embargo. el campo eléctrico estará dirigido de la parte P a la parte N.5 Capacitancia Crecimiento de la unión: los diodos de este tipo se forman durante el proceso de estiramiento de cristal Czochralski. la corriente total de huecos es muy alta. Zona de agotamiento (deplección): No es conductora. La unión p-n se forma poniendo primero una impureza tipo p en un sustrato tipo n y calentando ambos hasta que sucede la licuefacción y los dos materiales se juntan. al área grande introducirá efectos capacitivos indeseables en la unión.• • Zona N. el dispositivo de área grande puede cortarse en grandes cantidades (a veces miles) de diodos semiconductores de área más pequeña. De esta forma. De esta forma. puesto que no posee portadores de carga libres. El área de los diodos de unión por crecimiento es lo suficientemente grande para manejar altas corriente (y por tanto tener valores nominales de potencia altos). .3 Condiciones de polarización 2. excepto el de la agitación térmica 2. y da como resultado una unión p-n cuando el cristal se estira. con una resistencia . Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P. ya que permite el paso de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma un valor elevado a partir de un determinado valor de tensión (tensión ) que depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es. porque el área de unión también es grande.1 Polarización directa Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensión más positiva que a la parte N.2 V). Se pueden añadir alternamente impurezas tipo p y n al material semiconductor fundido en el crisol.umbral. la capacitancia de la unión es también grande.3. En ella actúa un campo eléctrico. Un proceso análogo ocurre para la corriente de electrones.

En estas condiciones.4. La corriente total es la suma de la de huecos más la de electrones y se denominan Corriente inversa de saturación ( Is ). en la parte P existe mucha mayor concentración de huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario. la corriente de arrastre va en sentido contrario a la de difusión. contrarrestándose ambas y produciendo una corriente total Prácticamente nula. Existen dos posibilidades de aplicación de este campo: polarización inversa y polarización directa. si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran e incrementan su energía cinética.4.1 Ruptura por multiplicación o avalancha En polarización inversa se generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. el valor de esta corriente es muy pequeño (del orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar Ésta. el campo eléctrico estará dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tenderán a circular en ese sentido Mientras que los electrones tenderán a circular en sentido contrario.2.2 Polarización inversa El diodo de unión P-N es el dispositivo semiconductor más elemental.2 Ruptura Tener Cuanto más dopado está el material. En la práctica. Polarización inversa. 2. el campo eléctrico será grande. el propio campo puede ser capaz de arrancar .3. Este fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a 6 V en los diodos de silicio. de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar que salten a la banda de conducción. por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de difusión que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios (Parte N). Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V entre la distancia d. se aceleran por efecto de la tensión. del orden de 3·105 V/cm. cuando el semiconductor esté muy dopado. a su vez. y por tanto d sea pequeño. menor es la anchura de la zona de carga. La conductividad del diodo es diferente según sea el sentido en que se aplique un campo eléctrico externo. Consiste en el dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras (tipo P)De esta forma. la corriente global de huecos es prácticamente nula. Algo totalmente análogo ocurre con la corriente de electrones. De esta forma. Estos electrones liberados. 2. chocan con más electrones de valencia y los liberan también.4 Fenómenos de ruptura 2. Por consiguiente. Esto significa que circularían huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son mayoritarios). Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensión más positiva que a la parte P.

Este lado de la pureza con impurezas puede después cortarse y se repite el proceso completo hasta que se llega al nivel de pureza deseado. las impurezas "más fluidizas" "seguirán" a la región fundida. germanio y arseniuro de galio.1 Diodo rectificador Son circuitos que convierten señales alternas en señales de una sola polaridad (positiva o negativa) Según su configuración son de media onda o de onda completa y según la fuente AC usada son monofásicos o polifásicos. Las bobinas de inducción se mueven lentamente hacia la derecha para inducir la fusión de la región vecina. Las bobinas o el bote deben ser movibles a lo largo de la longitud del tubo de cuarzo. la cual induce un flujo de carga (corrientes parásitas) en el lingote de silicio. Luego se aplica la señal de radiofrecuencia a la bobina. El interior del tubo contenedor de cuarzo está lleno con un gas inerte (con poca o ninguna reacción química) o al vacío. mientras que en el cristal único.000) para la fabricación de la mayoría de los dispositivos semiconductores. Los átomos de un cristal policristalino están acomodados en forma aleatoria. como el silicio. simétrica y uniforme. En el proceso de refinación por zona se pone en el bote una barra de silicio con las bobinas en un extremo de la barra. El aparato para refinación por zona consiste en un recipiente de grafito o cuarzo. El primer paso en la fabricación de algún dispositivo es obtener materiales semiconductores del nivel de pureza deseado.000. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. aunque aquí se presenta el método de las bobinas movibles porque parece ser el más común. Se aumenta la magnitud de estas corrientes hasta que se desarrolla suficiente calor para fundir esa región del material semiconductor. . para tener la contaminación mínima. un tubo contenedor de cuarzo y un juego de bobinas de inducción de RF (radiofrecuencia). para reducir más la posibilidad de contaminación. 2. Para tensiones inversas de entre 4 y 6 V la ruptura del semiconductor se puede producir por ambos efectos. Dispositivos de unión 3. En la actualidad se requieren niveles de impureza de menos de una parte de mil millones (1 en 1.5 Técnicas de fabricación de dispositivos de unión. Se obtendrá el mismo resultado en cualquier caso. El resultado neto es que un gran porcentaje de las impureza aparecerán al extremo derecho del lingote cuando las bobinas de inducción hayan llegado a ese extremo. 3. Las materias primas se sujetan primero a una serie de reacciones químicas y aun proceso de refinación por zona para formar un cristal policristalino del nivel de pureza que se desea. Las impurezas del lingote entrarán en un estado más líquido que el material semiconductor que las rodea.electrones de valencia y aumentar la corriente. los átomos están acomodados en una red cristalina geométrica.000.

0 = VF (en inverso) Al aplicar una fuente AC el diodo conduce en el ciclo positivo (1er circuito) y se abre en el semiciclo negativo (2do circuito).7  VF I  VF/R Si VF = 100v .Para mirar los voltajes y corrientes en el diodo examinamos dos circuitos básicos a continuación.VR = VF . entonces: VD = 0. entonces: I = ID = 0 si I = 0  VR = R·I = 0 VD = VF . el diodo es polarizado en directo.5A   Como la fuente aplica polaridad negativa al ánodo y positiva a través de la resistencia hacia el cátodo el diodo es polarizado en inverso.7v VR = VF . .0.VD = VF . R = 200 VR  100v VD = 0.7 ID = I = 0. Como se aplica la polaridad positiva de la fuente al ánodo y negativa a través de la resistencia al cátodo.

es una señal llamada rectificada media onda.En la carga (R) aparece voltaje de una sola polaridad positiva. El voltaje pico en el diodo corresponde al valor pico negativo de la fuente: VDP = VFP La corriente pico en el diodo se produce cuando la fuente llega a su pico positivo y es: Por la forma de onda la corriente promedio es: .

Tal como si los portadores hubiese túneles en la barrera. los portadores pueden cruzar la unión o juntura mediante un proceso de mecánica cuántica. pero se trataba de corriente inversa. se desarrolla con rapidez para convertirse en un avalancha de corriente.2 Diodo zener DIODOS ZENER En 1934 un científico llamado Carlos Zener propuso una teoría de ruptura eléctrica en los sólidos. .Ejemplo: Sea VFef = 220 VRMS y R = 500 VDP =  VFef = 2*220v = 310VP 2* IM = 0. Puesto que el diodo Zener fue el primer dispositivo que funciona en estas condiciones. señalo que bajo cierta intensidad de campo. Una vez que se produce la juntura. dicho componente funciona con polarización inversa y la polarización operacional apropiada produce corriente en el centro de la zona de ruptura.18A Del manual ECG se puede tomar el diodo ECG 116 que soporta VPR = 600v y IMmax = 1A. Por supuesto se refería a corriente de unos cuantos µamperios. una parte de la curva de corriente inversa se conoce como región Zener. Para obtener una onda rectificada negativa se coloca el diodo en sentido contrario. El diodo Zener se diseño para que funcionara de acuerdo con esta premisa. 3.

. Evidentemente hay cambios muy bruscos de resistencia efectiva en la union p-n. En esta región. El proceso de conmutación del diodo entre sus estados de corriente Zener y de saturación puede ser repetido tantas veces como sea necesario sobre que se deteriore el elemento. La corriente directa aumenta con la tensión aplicada y esta limitada prácticamente por parámetros externos del circuito. Mientras la corriente esta limitada en el diodo por el circuito exterior hasta un nivel que no exceda la capacidad de potencia del diodo éste continua funcionando normalmente. se puede variar el nivel de tensión hasta restaurar el nivel de corriente de saturación. La ruptura Zener no origina necesariamente la destrucción de dispositivos. Por otra parte reduciendo la polarización inversa por debajo de la tensión Zener.Figura 4. esta permanece relativamente constante hasta que se alcanza la región de ruptura Zener en la proximidad de la tensión Zener del dispositivo. el diodo actúa como un interruptor cerrado (igual que un diodo de unión normal).13. pequeñas variaciones de tensión dan por resultado grandes variaciones de corrientes. Finalmente la ruptura Zener (caracterizada por un brusco cambio de corriente) tiene lugar cuando se alcanza la tensión Zener. Cuento el diodo está polarizado en sentido inverso. cuando un diodo Zener se polariza en modo inverso. produce una pequeña i inversa llamada de saturación. Región Zener De acuerdo con la curva característica anterior. A pesar del aumento de polarización inversa cerca de la tensión de ruptura la i inversa aumenta rápidamente a causa del efecto de avalancha.

. El diodo túnel está más contaminado que el diodo zener. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador).3 Diodo Túnel Diodo semiconductor que tiene una unión pn. la corriente aumenta con mucha rapidez hasta que se produce la ruptura.3. La región de resistencia negativa de un diodo túnel se desarrolla de manera característica en el intervalo de 50 mV a 250 mV. provocando que la zona desértica sea más pequeña. por lo que el diodo túnel es útil en aplicaciones de alta velocidad. En inversa la anchura de la "Zona de deplexión" aumenta con la tensión inversa y la capacidad disminuye.4 Diodo varactor El Varicap El Varicap (Epicap. Las regiones p y n se comportan como las placas de un condensador y la zona de deplexión es como el dieléctrico. Conforme aumenta la polarización directo. en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. 3. Esto aumenta la velocidad de operación. capacidad controlada por tensión o diodo de sintonía) es un diodo que se comporta como un condensador donde la capacidad esta controlada por la tensión. El diodo túnel es útil debido a esta cesión de resistencia negativa. Entonces la corriente cae rápidamente.

7 V de un diodo normal. Cuando se polariza en directo.1 Fotodiodo El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor común. Esta corriente eléctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga. por tanto.5 Diodo PIN Diodo PIN (Del inglés P region-Intrinsic region-N region) Unión pn semiconductora que posee dos regiones. El diodo Schottky es la solución ya que puede conmutar más rápido que un diodo normal. el diodo quien tiene baja capacitancia y.7 Dispositivos ópticos 3. Puede rectificar con facilidad a frecuencias superiores a 300 MHz. El diodo que tiene la región poco contaminada y casi intrínseca entre las regiones de y n se llama diodo Pinto.7. encuentra aplicación en frecuencias altas. una fuertemente dopada n.3. Debido a su construcción. y una zona intrínseca de dopado muy débil. y otra fuertemente dopada p. 3.25 V de barrera de potencial frente a los 0. . representada como n++.6 Diodo Schottky El diodo Schottky A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa. la inyección de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la región intrínseca. representada por p++. El nombre se deriva del material intrínseco entre las capas p y n. la región i se vacía totalmente de portadores y la intensidad del campo a través de la región es constante. 3. poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky con polarización directa tiene 0. Cuando se polariza en inverso. pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy alto. pero tiene una característica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente eléctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).

además tiene baja impedancia lo que les permite acoplarse a circuitos muy diversos en forma semejante a un diodo convencional. el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad. se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor. Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar. En cualquier semiconductor se produce una conexión de par hueco electrón al fusionarse un hueco y electrón intercambian energía En el intercambio de energía desprende luz visible y calor. pues convierte la luz en electricidad y esta variación de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminación sobre el fotodiodo. la luz que lo incide no tendría efecto sobre él y se comportaría como un diodo semiconductor normal. también tiene una larga y una gran rigidez mecánica de tiempo. esta pastilla se encarga en radiar los electrones. también tienen una larga y una gran rigidez mecánica. La mayoría de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo incide. El LED es una unión p-n hecho intencionalmente para aprovechar la luz. Si el fotodiodo quedara conectado. colocando el fotodiodo entre el colector y la base del transistor (con el cátodo del diodo apuntado al colector del transistor). En una mesa de material aislante se le pone una diminuta pastilla.2 LED´S LED (light Emitting Diode) o SSL (Solid State Lamp) lampara de estado sólido Ventajas del SSL 1. todas la uniones trabajan caliente. esto es el encendido y apagado que puede ser del orden de nseg o pocos µseg o inclusive pseg de tiempo. 3. y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta más pequeño. 2. de manera que por él circule la corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo). Tienen una respuesta sumamente rápida de tiempo. El LED es un dispositivo en el que intencionalmente se busca el aprovechamiento de luz. A diferencia del LDR o fotorresistencia. Cualquier diodo emite luz.Luz incidente Sentido de la corriente generada El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz. Diodo emisor de luz .7. La luz de salida es predominantemente monocromática. de manera que su reacción a la luz sea más evidente.

es un dispositivo de semiconductor que produce radiación coherente (en cuál todas las ondas son en la misma frecuencia y fase) en el espectro visible o infra-rojo (IR) cuando la corriente pasa a través de ella. y en la que aparecen fotones como consecuencia del proceso de recombinación . La luz es un factor muy importante para estos elementos. Siempre va haber un LED de entrada y en la salida puede haber un semi-conductor. impresoras de láser. .7. Otra de las aplicaciones de los LED´S es la transferencia de luz como datos. y sistemas de la detección de intrusión.Los LED'S pueden trabajar hasta 100000 horas lo cual es un tiempo muy grande de funcionamiento. Si los alimentas con corriente alterna y lo switcheas te da mas utilidad. Los diodos láser se utilizan en los sistemas de la fibra óptica.3 Diodo láser un diodo láser. Las capas de los materiales semiconductores están dispuestas de modo que se crea una región activa en la unión p-n . 3. Esto genera un acoplador óptico (optoacopladores). La información que se ponga en la fuente f va a hacer transmitida por luz (por el LED) y es recibida por el emisor que la convierte a una señal eléctrica. Las caras del semiconductor cristalino están cortadas de forma que se comportan como espejos de la cavidad óptica resonante. dispositivos teledirigidos. también conocido como un láser de inyección o láser de diodo. discos compactos (musica).24. Los colores estan dados por el tipo de agente contaminate." La construcción de un Diodo Láser Se enseña la estructura básica en capas de un láser de diodo simple en la figura 6. Una capa metálica superpuesta a las caras superior e inferior permite aplicar un voltaje externo al láser .

Sumario de los Láseres de Diodo hasta éste punto: Los portadores de carga en un láser de diodo son los electrones libres en la banda de conducción. La energía de un fotón es aproximadamente igual a la de la brecha de energía. los electrones "caen" en los agujeros . Los fotones serán emitidos aleatoriamente en todas las direcciones . y controlar así el perfil del haz láser conseguido.diodo emisor de luz . los fotones serán emitidos por emisión espontánea.25: Perfil de la radiación láser emitida por un diodo láser simple Más tarde describiremos unas estructuras y diseños especiales que permiten confinar la zonas activa en una región más pequeña . que corresponden a niveles de energía más bajos El flujo de corriente a través de la unión p-n del láser de diodo ocasiona que ambos tipos de portadores (agujeros y electrones ) se recombinen . La radiación láser tiene forma rectangular y se difunde a diferentes ángulos en dos direcciones. y los agujeros positivos en la banda de valencia. Curva I-V de un Diodo Láser Si la condición requerida para la acción láser de inversión de población no existe . . En la unión p-n . siendo liberada energía en forma de fotones de luz.25 describe la forma en que la radiación láser electromagnética es emitida para un láser simple de diodo. siendo ésta la base de los LED .Figura 6.24: Estructura básica de un láser de diodo La Figura 6. Figura 6. La brecha de energía viene determinada por los materiales que componen el diodo láser y por su estructura cristalina.

ta temperatura aumenta . medida en A/cm2 . Dependencia de los parámetros del diodo láser de la temperatura Uno de los problemas básicos de los diodos láser es el aumento del umbral de corriente con la temperatura . En la práctica . se alcanza el umbral de corriente necesario para conseguir la inversión de población . los cambios en temperatura afectan a la longitud de onda emitida por el diodo láser . Este cambio se ilustra en la figura 6. Además . Se aprecia enseguida que la pendiente correspondiente a la acción láser es mucho mayor que la correspondiente a un led.La inversión de población sólo se consigue con un bombeo externo.26 se muestra un ejemplo de la potencia emitida por un diodo láser en función de la corriente aplicada. se genera calor . Figura 6.26: Potencia de emisión de un diodo láser en función de la corriente aplicada.27. el parámetro importante es la densidad de corriente . En la figura 6. con lo que aumenta también el umbral de corriente . y se compone de dos partes : . El umbral e corriente para el efecto láser viene determinado por la intersección de la tangente de la curva con el eje X que indica la corriente ( esta es una buena aproximación ) Cuando el umbral de corriente es bajo . . Aumentando la intensidad de la corriente aplicada a la unión p-n . A medida que la corriente fluye por el diodo . se disipa menos energía en forma de calor . con lo que la eficiencia del láser aumenta. Los operativos a bajas temperaturas requieren bajas corrientes . Si la disipación no es la adecuada . de la sección transversal de la unión pn.

la segunda capa es de un material similar al de la primera .Todo el láser está constituido por un mismo material .28) El nombre de cada grupo o familia viene dado por el tipo de materiales existentes cerca de la capa activa : Homojunction laser .1. los fotones emitidos no están confinados en direcciones perpendiculares al eje del láser . Dicho confinamiento se acompaña por la deposición de distintos materiales cerca de la zona activa . normalmente GaAs . Se produce un salto a otro modo longitudinal de emisión Figura 6. En este tipo de estructura simple . . hasta que : 2. de modo que se pueden construir estructuras en guía de ondas que confinan a los fotones en un área determinada .Estructura heterogénea simple .En un lado de la capa activa existe otro material con una brecha de energía diferente .27: cambio de la longitud de onda emitida en función de la temperatura Debido a estas variaciones con la temperatura .Láser de unión homogénea . la primera clasificación de los láseres de diodo considera los tipos de estructura cercanos a la zona activa (ver fig. Normalmente . solo que con un índice de refracción menor . Confinamiento de la luz dentro de la zona activa Un factor importante en la construcción de un diodo láser es el confinamiento de la luz dentro del área activa . En consecuencia . se necesitan diseños especiales para poder conseguir una emisión continua de alta potencia. con lo que su eficiencia es muy baja . Esta diversidad de brechas de energía motiva un cambio en el índice de refracción de los materiales .Arsenuro de Galio . 6. Single Heterostructure . Un aumento gradual de la longitud de onda emitida proporcional al aumento de temperatura .

Este tipo de estructuras confinan la luz dentro de la capa activa .28: Ejemplos de distintos tipos de estructura de confinamiento Diodos Láser orientado a Ganancia . Como resultado .Un material distinto se coloca a ambos lados de la capa activa .Láseres orientados al índice En la figura 6.Ejemplo: El GaAs .Arsenuro de Galio . Esta familia de láseres se denomina Index Guided Lasers .y el GaAlAs .son materiales próximos utilizados habitualmente . confinada por todos los lados ( tanto por los lados como por arriba y abajo ) con otro material . Double Heterostructure . Distintas Estructuras de los Diodos Láser Hoy en día una estructura habitual es una tira estrecha de la capa activa ( Stripe Geometry . la inversión .Estructura heterogénea doble . por lo que son más eficientes . con un índice de refracción menor (mayor brecha de energía) .Geometría en tiras ).Gain Guided Aislando los electrodos metálicos en las partes superior e inferior . se limita la zona por donde pasa la corriente .28 se detallan distintas estructuras de confinamiento utilizadas . Ejemplo: Capa activa de GaAs confinada entre dos capas de GaAlAs. Figura 6.Arsenuro de Galio Aluminio .

y ésta sólo podrá existir en ésta zona . Un ejemplo está en la figura 6-28 (última figura) . pero quizás el más estándar es similar a un transistor .Es más difícil conseguir una emisión estable en frecuencia simple . 2. e incluye en la montura las ópticas necesarias para colimar el haz (ver figura 6. Monturas de los Láser de Diodo Se requieren monturas especiales para los láseres de diodo .29) Figura 6.29a: Montura de un láser de diodo comercial .La calidad del haz obtenido es menor que con los orientados al índice .de población sólo tiene lugar en la zona específica por donde pasa la corriente .Es relativamente fácil conseguir una potencia alta . debido a su tamaño miniaturizado . Existen muchos tipos de monturas . Las ventajas de este tipo de láseres de diodo son : 1. en donde un electrodo de tira delgada se sobrepone al material láser . La corriente limita el área en la zona activa en donde puede existir el efecto de amplificación . ya que al aumentar la corriente aumenta la zona activa Las desventajas son : 1. para poder ser operativos y cómodos.Fáciles de producir 2.

Son muy baratos ( se construyen con técnicas de producción en masa utilizadas en la industria electrónica ) Permiten la modulación directa de la radiación emitida . • • • • • • • Volumen y peso pequeños Umbral de corriente muy bajo Consumo de energía muy bajo .000 llamadas telefónicas en una fibra (cada llamada ocupa una banda de frecuencia de 64 [KB/s]). y utilizando fibras ópticas de modo simple . Ventajas de los diodos láser • Son muy eficientes ( más del 20% de la energía suministrada se consigue en forma de radiación láser ) Son muy fiables Tienen vidas medias muy largas ( ¡ estimadas en más de 100 años de operación continuada ! ).29b: Sección perpendicular Para poder obtener más potencia de los láseres de diodo . pudiéndose modular a décimas de GHz Ejemplo : En un sistema experimental . simplemente controlando la corriente eléctrica a través de la unión p-n .Figura 6. lo que es equivalente a la emisión simultánea de 50. La radiación emitida es función lineal de la corriente . que emiten sincronizadamente . y que están ópticamente acoplados . de modo que se alcanzan las décimas de vatio . se han desarrollado matrices de diodos láser . se transmite información a 4 [GHz].

30 ) : 1. en donde no circula corriente ( parte pasiva de la cavidad ) . de modo que es perpendicular al eje del láser. Existen dos tipos de estructura que utilizan redes de difracción en vez de capa espejada en un extremo de la cavidad ( ver figura 6.. Debido al alto índice de refracción (n» 3. Un tipo de capa es el 100% reflectante en uno de los lados del diodo láser .la red de difracción está fuera de la zona activa .Reflector de Bragg distribuido . En algún tipo de láser . Un tipo distinto y más complicado puede fabricarse integrando una red de difracción cerca de la capa activa del láser. Es posible cambiar esta reflexión utilizando técnicas de metalizado en capas . las pérdidas que atraviesan la capa trasera son utilizadas para controlar la potencia emitida por la parte delantera .Retroalimentación distribuida .DBR = Distributed Bragg Reflector . 2. en una línea muy fina del espectro. El pulido crea un plano perpendicular al plano del medio activo .6) de los materiales utilizados . obteniéndose una retro-alimentación en tiempo real . que puede llegar a ser de unos pocos kilo-Herz en diodos láser especiales Cavidades ópticas especiales en los diodos láser La cavidad óptica más simple es la creada al pulir los extremos del cristal de semiconductor del que se compone el láser. la reflexión de la cara pulida es de aproximadamente el 30%.DFB = Distributed FeedBack Laser .la red de difracción se distribuye a lo largo de todo el medio activo .• Banda del espectro estrecha . La longitud de onda de la red determina la longitud de onda emitida por el láser .

que es controlado por otra fuente de alimentación .7.31 Figura 6.4 Celda fotovoltaica Fotovoltaica es la conversión directa de luz en electricidad a nivel atómico. Un ejemplo puede verse en la figura 6. Algunos materiales presentan una propiedad conocida como efecto fotoeléctrico que hace que absorban .Figura 6.30: Cavidades ópticas especiales utilizadas para obtener líneas de emisión estrechas Diodos láser Acoplados Existen también estructuras especiales en donde dos láseres se acoplan ópticamente . La radiación emitida por el primer láser es transferida al segundo .31: Láser de diodo con acoplamiento óptico 3.

En la década de los 60's.fotones de luz y emitan electrones. Durante la crisis de energía en la década de los 70's. Cuando la energía luminosa llega hasta la celda solar. tales como el silicio. El primero en notar el efecto fotoeléctrico fué el físico francés Edmundo Bequerel. en electricidad. El diagrama ilustra la operación de una celda fotovoltáica. los electrones son golpeados y sacados de los átomos del material semiconductor. en 1839. formando un circuito eléctrico. la industria espacial comenzó por primera vez a hacer uso de esta tecnología para proveer la energía eléctrica a bordo de las naves espaciales. llamada también celda solar. En 1905. Fue descrito como una batería solar y era más que nada una curiosidad. ya que resultaba demasiado costoso como para justificar su utilización a gran escala. Si ponemos conductores eléctricos tanto del lado positivo como del negativo de la rejilla. los electrones pueden ser capturados en forma de una corriente eléctrica -. Las celdas solares están hechas de la misma clase de materiales semiconductores. Él encontró que ciertos materiales producían pequeñas cantidades de corriente eléctrica cuando eran expuestos a la luz. que se usan en la industria microelectrónica. Cuando estos electrones libres son capturados. la tecnología fotovoltaica empezó a ganar reconocimiento como una fuente de energía para aplicaciones no relacionadas con el espacio. . la tecnología avanzó.es decir. por ejemplo para encender una luz o energizar una herramienta. una delgada rejilla semiconductora es especialmente tratada para formar un campo eléctrico. se le otorgó más tarde el premio Nobel de física. Por este trabajo. La electricidad puede entonces ser usada para suministrar potencia a una carga. el resultado es una corriente eléctrica que puede ser utilizada como electricidad. A través de los programas espaciales. Para las celdas solares. alcanzó un alto grado de confiabilidad y se redujo su costo. El primer módulo fotovoltaico fue construido en los Laboratorios Bell en 1954. positivo en un lado y negativo en el otro. en el cual está basada la tecnología fotovoltaica. Albert Einstein describió la naturaleza de la luz y el efecto fotoeléctrico.

En general. se llama módulo fotovoltaico. como por ejemplo el de un sistema común de 12 voltios. cúanto más grande es el área de un módulo o arreglo. Los módulos y arreglos fotovoltaicos producen corriente directa (CC). La corriente producida depende directamente de cuánta luz llega hasta el módulo.Un arreglo de varias celdas solares conectadas eléctricamente unas con otras y montadas en una estructura de apoyo o un marco. Estos arreglos pueden ser . Varios módulos pueden ser conectados unos con otros para formar un arreglo. más electricidad será producida. Los módulos están diseñados para proveer un cierto nivel de voltaje.

Tales celdas han alcanzado eficiencias de alrededor del 35% bajo luz solar concentrada. Una manera de sortear esta limitación es usando dos (o más) celdas diferentes. la reacción fotovoltaica de las celdas de una sola juntura está limitada a la porción del espectro solar cuya energía esté por encima del espacio interbanda del material absorbente. solamente aquellos fotones cuya energía sea igual o mayor a la del espacio interbanda del material de la celda. Los dispositivos multijuntura pueden lograr una mayor eficiencia de conversión total porque pueden convertir una fracción más grande del espectro luminoso en electricidad. como por ejemplo una celda FV. pueden liberar un electrón para ser usado en un circuito eléctrico. el silicio amorfo y el diseleniuro de indio con cobre. Este tipo de celdas son conocidas como celdas "multijuntura" (también llamadas celdas "de cascada" o "tandem"). Como se muestra abajo. En otras palabras. con más de un espacio de banda y más de una juntura. La celda más alta captura los fotones de alta energía y deja pasar el resto de los fotones hacia abajo para ser absorbidos por las celdas con espacios de bandas más bajos. para generar un voltaje. Otros materiales estudiados para su uso en dispositivos multijuntura son por ejemplo. un dispositivo multijuntura es un conjunto de celdas individuales de una sola juntura.conectados tanto en serie como en paralelo para producir cualquier cantidad de voltaje o corriente que se requiera. . Muchas de las investigaciones que se realizan en la actualidad sobre celdas multijuntura están enfocadas al uso del arseniuro de galio en uno (o en todos) de los componentes de las celdas. Hoy en día. En una celda FV de una sola juntura. los dispositivos fotovoltaicos (FV) más comunes usan una sola juntura o interfase para crear un campo eléctrico dentro de un semiconductor. colocadas en orden descendente de acuerdo a su espacio de banda (Eg). y por tanto aquellos fotones con energías más bajas no son utilizados.

. una juntura "de túnel" para facilitar el flujo de electrones entre las celdas. Es por ello por lo que también se le llama resistencias dependientes de luz (light dependent resistors). Por lo tanto el número de portadores disminuirá y el valor de la resistencia será mayor. 3. utiliza una celda superior de fosfato de indio con galio. la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia de rayos luminosos. Figura 10: Fotogeneración de portadores Si dejamos de iluminar. control de circuitos con relés.7. Al haber un mayor número de portadores. se caracteriza por su disminución de resistencia a medida que aumenta la luz que incide sobre ellas. Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuya resistencia varia en función de la iluminación. el dispositivo multijuntura que se muestra abajo. el valor de la resistencia disminuye. De este modo. Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrón . etc. fotoconductores o células fotoconductoras. los portadores fotogenerados se recombinarán hasta volver hasta sus valores iniciales. en alarmas.Como ejemplo de esto. también conocidas como LDR.hueco. y una celda inferior de arseniuro de galio. Las principales aplicaciones de estos componentes están en controles de iluminación.5 Fotorresistencias Fotoresistencias Estas resistencias.

1 Dispositivos bipolares 4. GaAsP y GaP. Un transistor bipolar consiste fundamentalmente en dos uniones p-n contrapuestas.1. Esta longitud de onda depende del material y el dopado. base y colector. y deberá ser suministrada por el proveedor. Dispositivos bipolares y monopolares 4. la variación de resistencia en función de la longitud de onda presentan curvas como las de la figura siguiente.1 1Funcionamiento del transistor BJT Transistor Bipolar de Unión (BJT). contenidas en un solo cristal semiconductor. Figura 12: Variación de resistencia en función de la longitud de onda de la radiación. la variación de resistencia será máxima para una longitud de onda determinada. En general. Colector: Terminal que da la salida a la carga. El material mas utilizado como sensor es el CdS. pasando por un a regulación de la base. el material de la fotorresistencia responderá a unas longitudes de onda determinadas. está recoge los portadores que se dá por resultado de una anterior regulación de la base. • Emisor: Es la terminal encargada de dar a los portadores mayoritarios a el colector. • . Las dos uniones de un transistor dan lugar a tres regiones denominadas emisor.Figura 11: Estado de conducción sin fotogeneración Por supuesto. 4. aunque también puede utilizarse Silicio. Es decir.

mientras que en los del tipo npn los portadores más principales son los electrones. Funcionamiento del transistor Bipolar de Unión (BJT). la flecha indica la dirección del flujo convencional de corriente a través del dispositivo. Esta es la causa que obliga a polarizaciones distintas para cada tipo. . En función del tipo de impurezas de las tres regiones (dopado). la diferencia esencial es que en el tipo pnp los huecos son los portadores principales de la carga. el nivel de contaminación de la región base se hace mucho más bajo que el del emisor. la unión emisor-base está polarizado en directo y la unión colector-base está polarizada en inverso. La flecha sobre la terminal del emisor obedece a dos propósitos. y el nivel de inyección es controlado (en forma exponencial) por el potencial de polarización directa emisor-base (VBE). En el caso de la estructura esquemática npn. y permite discriminar entre el símbolo para el transistor npn y su contraparte pnp. prácticamente sólo fluye corriente de electrones a través de la unión emisor-base. al mismo tiempo. los transistores se dividen en dos tipos fundamentales: npn y pnp. establece la distinci&oacuten entre las terminales del colector y del emisor. Para mejorar la eficiencia del dispositivo. Segundo. se inyectan huecos de la base al emisor. los electrones se inyectan desde el emisor tipo n hacia la base y.• Base: Terminal encargada del corte o libre transito de la corriente de emisor a colector. El transistor en funcionamiento normal. El funcionamiento de los dos tipos es similar. Primero.

La corriente de electrones en el colector es casi toda la corriente inyectada desde el emisor. estos portadores minoritarios cruzan la base por difusión son llevados a través de la región de transición colector-base. Como los electrones requieren un tiempo finito para transitar a través de la región de base. Es un termino referente a la aplicación de fuentes de voltaje conectadas a un transistor.Los electrones inyectados desde el emisor se convierten en portadores minoritarios en la base tipo p y. El funcionamiento del transistor se puede resumir con ayuda de la siguiente figura(B). Figura B 4. Esta consideración desprecia la inyección de huecos de la base al emisor y a la fuga de huecos del colector a la base. algunos se recombinan con huecos. Cabe señalar que el transistor basa su funcionamiento utilizando corrientes. los huecos que participan en esta recombinación son reemplazados por un flujo de carga positiva hacia la base (por medio de su conexión a la fuente de polarización).1. Polarización del transistor bipolar BJT .2 Polarización. es decir se le adaptará al circuito original elementos que nos den como resultado diferentes corrientes circulantes dentro del circuito. disminuida por la que se ha perdido como corriente de base debido a la recombinación. lo que tiene como resultado una corriente de base (I B). procesos que contribuyen a la corriente del dispositivo y por ende degradan la eficiencia total. como la unión colector-base está polarizada en inversa. de tal forma qoe lo hagan trabajar y encontrar un punto optimo para su desempeño en su posterior configuración.

base.Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Esta región es usada raramente. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor pueden ser : • Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión emisor . Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor .base y a una polarización directa de la unión colector .base y a una polarización inversa de la unión colector . • • . Esta es la región de operación normal del transistor para amplificación. Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones.base. pues el transistor actúa como un interruptor abierto (IC 0). La operación en ésta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo apagado.

• Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. 4. Si se considerá que la corriente de base es muy pequeña con respecto a la corriente de colector. Emisor-común. Es la configuración más utilizada para los transistores PNP y NPN. . ya que si se usan varios transistores del mismo tipo. De la ecuación correspondiente a la corriente del colector se puede observar que la beta no influye tanto en el valor de la corriente del colector. En los circuitos de polarización fija tiene una desventaja. Las tres configuraciones útiles (en las que la entrada puede controlar la salida) se describen a continuación. Polarización fija.1. hay varias maneras de averiguar cuál par de terminales conforma el puerto de entrada y cuál el de salida. Polarización automatica. para controlar la corriente de base de tal manera que cone sto se logrará mantener fija la corriente de colector. como son dispositivos de tres terminales. y si se desea tener una corriente de colector constante entonces por cada transistor que se pruebe se tendrá que cambiar cada vez la resistencia de base. La operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido.3 Aplicaciones básicas TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR Los transitores bipolares de unión (BJT) se usan mucho como dispositivos amplificadores y. El circuito de la figura 3b servirá para determinar la corriente de base que circula por la resistencia de base y la figura 3c servirá para determinar el valor de la corriente de colector en función de beta. esta se puede despreciar de tal manera que nos queda el circuito de la figura 4 de donde se podrá determinar el valor del voltaje colectoremisor en el punto Q. Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común tanto a la terminal de base como a la del colector. El circuito de la figura 3a representa la polarización automatica del transistor y con este circuito se compensa las variaciones que pudiera tener la corriente de colector debido a las variaciones de beta por efecto de la temperatura. Para compensar o solucionar lo anterior se usa la polarización automatica (retroalimentada por colector). la beta de cada uno de ellos puede variar debido a la temperatura. En la región activa la unión colector-base estará polarizada inversamente y la unión base-emisor se encuentra polarizada directamente. pues el transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE 0).

Las curvas características se observan en la figura (2) donde esta dependerá de los incrementos que tenga la corriente de base. cuando I B=0 A ó Ic=ICEO. Las configuraciones correspondientes tanto para el transistor PNP y NPN pueden observarse en las figuras 1a) y 1b). En donde todas las direcciones de las corrientes se referirán a la dirección convencional.En la región de corte existirá para fines de conmutación. en donde el flujo es de los huecos en lugar de los electrones. En la región activa de la unión del colector estará polarizada inversamente. En la región de corte la unión del colector y el emisor ambos estarán polarizados inversamente y en la región de saturación la unión del colector y emisor estarán polarizados directamente. . Colector-común. Para los de germanio existira cuando Ic=ICBO. la dirección de las corrientes indican la dirección real del flujo en la región activa. pero sólo para los transistores de silicio. En esta configuración los potenciales aplicados se describen con respecto al potencial de la base que se produce entre VEB y VCB. Base-común. Por lo tanto la corriente de entrada tal como se puede observar será la misma para la configuración de emisor-común y la de colector-común. La configuración colector-común por lo regular se usa como un acoplador de impedancia devido a que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.

.2. esto es canal P o canal N tal como de puede observar en los simbolos correspondientes. La figura 1b es un FET de canal P y este se construye empleando un material tipo P dentro del cual se difunden dos regiones tipo N. y este se construye empleando una barra de material N.2 Dispositivos monopolares 4. Induce menos ruido. el cual opera controlado por un voltaje. El FET se diferencia de un transistor bipolar debido a que tiene las siguientes características : 1. Las flechas en las compuertas muestran de que tipo será. Las figuras 1a y 1b muestran la estructura fisica y simbolo del FET. la figura 1a representa al FET de canal tipo N. ya sea con corriente de electrones o con corrientes de huecos. No tiene voltaje de unión cuando se usan como interruptor no le afecta la radiación. 3. 2. 4. dentro del cual se difunden un par de regiones tipo P. Proporciona una mayor estabilidad termica.4.1 Estructura y construcción de los FET El transistor de efecto campo (FET: Field Effect Transistor) El FET es un dispositivo de estado solido. Su resistencia de entrada es muy alta (100 M ) y el BJT es de 2K.

2 FET de canal N. la cual proporcionara un voltaje a través de la fuente drenaje (VDS).G Compuerta Fuente S P Mat. De la figura 3 se observa que la corriente del drenaje através del material N . esta corriente atraviesa el canal establecido por la compuerta tipo P. Funcionamiento del FET Operación básica del FET El circuito de la figura 2 va a ser la fuente de alimentación. El efecto del voltaje compuerta-fuente creará una región de vaciamiento en el canal N por lo cual se reducirá el ancho de este. La polaridad de este voltaje (compuerta-fuente) polariza inversamente la unión interna entre la fuente y la compuerta por lo tanto no se produce ninguna corriente de compuerta. n P D Drenaje Figura 1a) Estructura del FET de canal N S D G Figura 1b) Simbolo del FET de canal N 4. de tal manera que se incrementa la resistencia drenbaje-fuente produciendose por lo tanto una corriente de drenaje menor. VDS producirá una corriente de drenaje a la fuente.2. También se observa una fuente entre la la compuerta y la fuente (VGS) la cual esta colocada devido al voltaje de (VGG).

Se dice que la coriente de drenaje se satura manteniendo contante su valor aun cuando se incremente el voltaje drenaje-fuente. 5b y 5c) muestran las características drenaje-fuente en donde se observa que cuando VGS=0 la curva muestra que la corriente de drenaje se incrementa conforme se aumenta el voltaje VDS (figura 5a). y si el voltaje de compuerta-fuente se incrementa a un valor mayor o igual al voltaje de oclusión más negativo que el necesario para ocluir el canal. Este voltaje de polarización inversa en la unión interna PN formará una región de vaciamiento tal como se observa en la figura 3a. Cuando se tiene esta condición la corriente de drenaje se especificará como (IDSS). Si el voltaje compuerta-fuente se le asigna un valor .. de tal manera que la región de vaciamiento se formará por completo a través del canal tal como se observa en la figura 3b. Las figuras 4a. existira una corriente de drenaje ID la cual será ajustada por el voltaje compuerta-fuente. La corriente de compuerta seguira siendo 0 Amp. y esto se debe a la región de vaciamiento que limita la corriente de drenaje. y aun cuando se sigue incrementando el voltaje llegará un punto en el cual la corriente permanecerá constante siempre con el voltaje compuerta-fuente = 0. lo anterior se puede observar en la figura 3c. De las figuras (5a. hasta que los niveles de coriente no aumenten más. También se tiene que cuando VGS=0 la corriente de drenaje se desina por IDSS (corriente de saturación).de (drenaje a fuente) producirá una caida de voltaje a lo largo del canal la cual será más positiva en la unión (drenaje-compuerta) que en la unión (fuente-compuerta). ya que esta polarizada inversamente. la corriente de drenaje se reduce a cero y el dispositivo en estas condiciones se comporta tal como se observa en la figura 4c. siendo la corriente de compuerta = 0 (figura 4a). Cualquier aumento adicional del voltaje de la fuente producirá un aumento en la corriente de drenaje. FET de canal P. Cuando el voltaje compuerta-fuente se igual a cero el nivel de la corriente de drenaje adquirirá un valor importante y se designará como IDSS. 4b y 4c muestran la operación del dispositivo de canal tipo P este opera de la siguiente manera. Si el voltaje de la fuente se sigue incrementado la corriente de drenaje aumentará produciendo una región de vaciamiento mayor. No pasará corriente alguna a través de la unión compuerta-fuente. Cuando el voltaje VGS (compuerta-fuente) se hace menor que cero volts pero mayor que el voltaje de oclución (VP).

con su respectiva terminal de conexion. alcanzando el punto de corte ( Id = 0 mA ). y debido a que queda dispuesta entre las tiras semiconductoras correspondientes al source y drain. Funcionamiento del MOSFET canal N ( modo de agotamiento ). una de las terminales del MOSFET. la cual actua como una especie de base o estructura para las partes principales del dispositivo y viene a constituir a la vez. cuando el gate recibe un potencial negativo con relacion al source. cuya intensidad en este caso queda detreminada por la resistencia del canal y el potencial de la bateria. en donde una corresponde al source y la sobrante al drain. Sin embargo.4.3 Funcionamiento del MOSFET Transistor por efecto de campo a semiconductor de oxido de metal (Metal oxide semiconductor field efect transistor-MOSFET).Agotamiento-crecimiento ( Depletionenhancement ) enhancement ) Los MOSFET o IGFET constituyen los transistores por efecto de campo de mayor aplicacion practica. Dentro de esa barra de silicio tipo P . la corriente del drain decrece. de hecho actua como un canal semiconductor de acoplamiento entre esos electrodos y es precisamente esta tira conductora. Se forma de una barra de silicio tipo P. la que determina el calificativo de MOSFET de canal N. cuya principal caracteristica de contruccion la representa la forma de ocupar el gate. MOSFET de canal N. . Tambien se conocen con el nombre de transitores por efecto de campo de gate aislado (insulated gate field efect transistor IGFET). la corriente de source a drain alcanza su maximo valor. tanto mas cunato mayor es la polarizacion aplicada.2. a la cual se le da el nombre se substrato (base). Estructura fisica. En la estructura de este MOSFET destaca tambien una capa semiconductora tipo N difundidad dentro del substrate . debido a que la anchura del canal es maxima ( minimo agotamiento de portadores ) y por la misma causa la resistencia es minima. Este tipo de FET se subclasifica en : MOSFET de canal N De agotamiento ( Depletion ) Crecimiento ( Enhancement ) MOSFET de canal P De agotamiento ( Depletion ) Crecimiento ( Enhancement ) Agotamiento-crecimiento ( Depletion. Considerando el potencial gate-source (VGS) igual a cero. se han difundido dos tiras semiconductoras separadas tipo N .

el substrate actua como canal acoplador entre source y drain. Funcionamiento del MOSFET canal P ( modo de agotamiento ). en consecuencia.cuando esa tension cierre de modo material el ancho del canal. La conduccion de corriente de source a drain es debida a portadores positivos. este canal se forma entre source y drain cuando el bias es aplicado al gate. se podria decir que en este tipo de MOSFET. Este tipo de MOSFET. posee una estructura similar al MOSFET en modo de agotamiento. Opera de forma similar al MOSFET canal N. con la diferencia de que los MOSFET para modo crecimiento carecen de canal difundido entre el source y el drain. El gate recibe potencial positivo con relacion al source (Bias). MOSFET de canal P. Sin embargo. lo que trae como consecuencia una alta resistencia del canal y obviamente minima o cero corriente del drain. salvo algunas diferencias dentro de las cuales destacan las siguientes : • • • El drain recibe un potencial negativo con relacion al source. . Funcionamiento del MOSFET canal P ( modo de crecimiento ). causando un agotamiento total de portadores. Funcionamiento del MOSFET canal N ( modo de crecimiento ).

La conduccion de corriente de source a drain es debida a portadores positivos. . El gate recibe un potencial negativo con relacion al source (Bias).Al igual que el MOSFET de canal N se diferencia por los siguiente: • • • El drain recibe un potencial negativo con relacion al source.

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