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TEORIA DE BANDAS La teora de bandas esta basada en la mecnica cuantica y procede de la teora de los orbitales moleculares (TOM).

En esta teora se considera el enlace metlico como un caso extremo del enlace covalente, en el que los electrones de valencia son compartidos en forma conjunta y simultanea por todos los cationes. Desaparecen los orbitales atmicos y se forman orbitales moleculares con energas muy parecidas, tan prximas entre ellas que todos en conjunto ocupan lo que de franja se denomina una banda de energa. Aunque los electrones van llenando los orbitales moleculares en orden creciente de energa, estas son las prximas que pueden ocupar cualquier posicin dentro de la banda. La banda ocupada por los orbitales moleculares con los electrones de valencia se llama banda de valencia, mientras que la banda formada por los orbitales moleculares vacos se llama banda de conduccin. A veces ambas bandas se solapan energticamente hablando. Este modelo explica bastante bien el comportamiento elctrico no solo de las sustancia conductoras sino tambin de las semiconductoras y las aislantes. En los metales, sustancias conductoras, la banda de valencia se solapa energticamente con la banda de conduccin que esta vaca, disponiendo de orbitales moleculares vacos que pueden ocupar con un mnimo aporte de energa, es decir, que los electrones estn casi libres pudiendo conducir la corriente elctrica. En los semiconductores y en los aislantes, la banda de valencia no se solapa con la de conduccin. Hay una zona intermedia llamada banda prohibida. En los semiconductores, como el Si y el Ge, la anchura de la banda prohibida no es muy grande y los electrones con suficiente energa cintica pueden pasar a la banda de conduccin, por esa razn, los semiconductores conducen la electricidad mejor en caliente. Sin embargo, en los aislantes, la banda prohibida es tan ancha que ningn electrn puede saltar. La banda de conduccin esta siempre vaca.

El nivel de Fermi
A la temperatura T = 0 K los electrones ocupan los orbitales moleculares que forman la banda siguiendo el principio de construccin citado en la leccin 2. Si cada tomo del modelo (distribucin lineal de tomos) contribuye a la banda s con 1 electrn entonces, a T = 0 K la mitad de los orbitales que forman la banda (1/2 N) estarn ocupados. El orbital molecular de mayor energa que se encuentra ocupado se conoce como el nivel de Fermi y, en este caso, estar situado en el centro de la banda. La banda de menor energa que se encuentra ocupada o semiocupada se conoce como banda de valencia. La banda de menor energa que se encuentra vaca se conoce como la banda de conduccin.

A una temperatura superior a 0 K, la poblacin de los orbitales moleculares que forman la banda, P, viene dada por la distribucin de Fermi-Dirac, que es una versin de la distribucin de Boltzmann, y que tiene en cuenta que cada nivel de energa de la banda slo puede estar ocupado por 2 electrones como mximo. Esta distribucin P tiene la siguiente forma: P = 1/(e(E-)/kT + 1) donde es el potencial qumico o energa del nivel para el cual P = 1/2. La forma de la distribucin de Fermi-Dirac se muestra en la Figura 7. Cuando la banda no est completamente ocupada los electrones que se encuentran prximos al nivel de Fermi pueden, fcilmente, promocionarse a niveles vacos que se encuentran inmediatamente por encima de ste. Como resultado, los electrones gozan de movilidad y pueden moverse libremente a travs del slido. Este fenmeno origina que la sustancia sea un buen conductor elctrico. Como se ha visto, en un metal la conductividad elctrica disminuye con la temperatura; este hecho se debe a las interferencias (los electrones se pueden describir como ondas) que se producen entre los electrones que se mueven por el slido y las vibraciones de la red cristalinas, provocadas por el movimiento de los tomos, vibraciones que aumentan al hacerlo la temperatura.

La densidad de estados.
El nmero de niveles de energa con un determinado valor de energa se conoce como la densidad de estados, N(E) o . Es posible representar la variacin de energa de una banda en funcin de la densidad de estados, tal como aparece en la Figura 8 para las bandas s y p. La densidad de estados no es uniforme a lo largo de toda la banda debido a que los niveles de energa se empaquetan ms a unos determinados valores de energa que a otros. Este hecho produce que la banda s, por ejemplo, presente la mayor densidad de estados en el centro y la menor densidad de estados en los extremos de la banda. La razn de este comportamiento est en la forma de las combinaciones lineales que originan los orbitales moleculares que constituyen la banda s. Existe una nica combinacin lineal que conduce al orbital molecular ms enlazante (el lmite inferior de la banda)y otra que conduce al ms antienlazante (el lmite energtico superior de la banda). Sin embargo hay varias combinaciones posibles, degeneradas en energa, que dan lugar a los orbitales moleculares que forman la parte central de la banda s. Entre dos bandas separadas por un espaciamiento energtico, la densidad de estados en el mismo es cero, pues no hay niveles energticos en dicha separacin. En algunos casos especiales puede ocurrir que la separacin entre la banda de valencia y la de conduccin sea nula, aunque la densidad de estados en el punto de conjuncin de ambas bandas sea cero. Esta es la estructura de bandas tpica de un semimetal. Slo algunos electrones pueden pasar de la banda llena a la banda vaca de forma que estos materiales poseen conductividades elctricas bajas. Un ejemplo importante de semimetal es el grafito.

BIBLIOGRAFIA * RAYMOND, CHANG QUIMICA 4ta edition * http://www.textoscientificos.com/quimica/ * http://www.100ciaquimica.net/

EDITORIAL Mc Graw Hill