Detalhes Sobre a Nova Tecnologia de Fabricação de 45 nm da Intel

Na semana passada a Intel revelou detalhes sobre o novo processo de fabricação de 45

nm e alguns detalhes dos primeiros processadores de 45 nm, codinome Penryn. Neste
artigo explicaremos o que há de novo neste processo de 45 nm da Intel e sobre os
processadores Penryn.

O maior problema em migrar para uma tecnologia de fabricação menor – isto é, usando
transistores menores – é a corrente de fuga. Enquanto que em processadores antigos
utilizando tecnologias de fabricação maiores o problema de corrente de fuga não era tão
relevante, quando falamos de processadores com transistores muito pequenos a corrente
de fuga pode representar não apenas um grande desperdício de energia mas também
superaquecimento. Por outro lado, transistores menores significam uma maior
velocidade de chaveamento dos transistores – ou seja, maior desempenho.

Os transistores dentro do processador são tradicionalmente construídos usando um

eletrodo de polisilício e um dielétrico de óxido de silício em seu gate, que é um material
de baixa constante dielétrica (“low-K”), significando uma relativa alta corrente de fuga.

Durante anos o Santo Graal na indústria dos processadores tem sido o desenvolvimento
de material dielétrico de alta constante dielétrica (“high-K”) para ser usado no gate do
transistor. Este material apresenta uma corrente de fuga muito menor se comparado a
materiais dielétricos com baixa constante dielétrica (“low-K”) como o óxido de silício.

O que a Intel anunciou na semana passada foi que eles desenvolveram tal material
(usando Háfnio, um elemento químico na mesma coluna do Zircônio e Titânio na tabela
periódica) e está usando este material em seu processo de fabricação de 45 nm. Além
disso, o eletrodo do gate foi modificado para usar metal (a Intel não disse que metal é
usado) em vez de polisilício. A combinação de um eletrodo metálico e um material
dielétrico de alta constante dielétrica (“high-K”) no gate produz uma alta corrente
quando o transistor está “ligado” e uma baixa corrente quando o transistor está
“desligado” – o que resulta em baixa corrente de fuga.

O que é interessante é que esta tecnologia já vem sendo usada há um ano – os chips de
memória RAM estática de 45 nm da Intel usam esta tecnologia, mas a Intel não
divulgou isto quando lançaram chips de memória SRAM de 45 nm.
Figura 1: Comparação entre um transistor usado nos atuais processadores da Intel e um
novo transistor de alta constante dielétrica (“high-K”).

As principais vantagens da utilização de transistores com gate de metal e dielétrico com

alta constante dielétrica (“high-K”) no novo processo de fabricação de 45 nm da Intel
comparado ao atual processo de 65 nm são:

• Aproximadamente duas vezes o aumento na densidade dos transistores. Isto

significa que a Intel pode colocar mais transistores na mesma área. Dessa forma
eles podem construir chips menores ou manter o tamanho atual mas colocando
mais transistores.
• Aproximadamente 30% na redução da potência de chaveamento dos transistores.
• Mais de 20% na redução no tempo de chaveamento no transistor (isto é, os
transistores são pelo menos 20% mais rápidos, o que resulta em chips mais
rápidos) ou a diminuição em até cinco vezes da corrente de fuga entre a fonte
(source) e o dreno (drain) do transistor.
• Redução de mais de dez vezes da corrente de fuga no gate do transistor

A Intel também anunciou que continuará com seu cronograma e anunciará seu processo
de fabricação de 32 nm em 2009 e seu processo de fabricação de 22 nm em 2011.

A primeira geração de processadores usando o novo processo da fabricação de 45 nm é

chamado Penryn.

O Penryn não é o codinome de um processador específico, mas o codinome do núcleo

de 45 nm que será usado em processadores para os mercados de notebook, desktop e
servidores.
A Intel não revelou muitos detalhes sobre esses novos processadores. Tudo o que eles
disseram foi que eles já têm protótipos rodando vários sistemas operacionais e que terão
versões de dois e de quatro núcleos (com 410 milhões de transistores e 820 milhões de
transistores, respectivamente), usarão um novo conjunto de instruções SSE, chamado
SSE4 (que trará 47 novas instruções SSE ao processador), caches maiores e novos
aprimoramentos em sua microarquitetura.