You are on page 1of 17

UJT mempunyai resistansi negatif yang terletak antara titik puncak dan titik lembah.

Dimana nilai tegangan puncak UJT tergantung pada tegangan antar basis ( VBB ) sesuai
dengan persamaan berikut:

VP = η VBB + VD

Dimana : η = Eta/Intrinsic standoff ratio


VD = tegangan setara emitor dioda 0,5 V pada suhu 250 C, yang nilainya
tergantung pada type UJT dan temperatur kerjanya.

Pengujian pengukuran dengan menggunakan Ohm-meter antara lain :


1. Antara B1 dan B2 yaitu Rbnya.
2. Antara E dengan B1 dengan kondisi arah maju
3. Antara E dengan B1 dengan kondisi arah mundur (balik).
4. Antara E dengan B2 dengan kondisi arah maju.
5. Antara E dengan B2 dengan kondisi arah mundur (balik).
Dari hasil pengukuran di atas maka untuk kondisi arah balik mungkin menghasilkan
pengukuran nilai yang tak terhingga. Sedangkan untuk pengukuran arah maju
menhasilkan pengukuran tahanan yang relatif kecil dan pengukuran RB, yaitu tahanan
antara basis akan memberikan nilai tahanan yang cukup besar ( UJT berkisar 10.000
ohm atau 10 KΩ.

Elektronika Daya-Elektro S1 17
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
B1
B1

0 RB1 RB1
E
1 RB2
RB2
B2
B2
Rangkaian ekivalen UJT bekerja bila posisi 1 Rangkaian ekivalen dari UJT utk
Pada saklar dan tidak bekerja pada posisi 0 (nol) pengujian dgn OHM meter

B1

E P N

B2

Konstruksi dasar UJT


Konstruksi diatas menunjukkan bahwa Emitor dan Basis1 biasanya dipakai sebagai
Pengatur/Pengontrol. Sedangkan untuk Basis2 digunakan sebagai kompensasi suhu dan
sebagai terminal untuk tegangan muka maju
Antara B2 dan B1 terdapat suatu nilai tahanan yang biasa disebut tahanan antara basis
RB, yang merupakan jumlah dari dua buah tahanan yaitu RB1 dan RB2 disebut eta ( η )
atau biasa disebut Intrinsic Standoff Ratio ( 0,51 : 0,82 ).
Besarnya Eta biasanya 0,6.

RB1 RB1
η = ----------- = --------------
RB RB1 + R2

Elektronika Daya-Elektro S1 16
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
V. UJT ( Uni-Juntion Transistor )
Uni junction transistor adalah komponen yang dapat digunakan untuk mentrigger
thyristor. Komponen tersebut mempunyai 3 (tiga) terminal, yaitu Emitor (E), Basis satu
(B1) dan Basis Dua (B2) sebagaimana gambar di bawah ini.

VE B1
VP
E B1
VBB
VE B2 VV
IP IV
\ IE
Cut Off R-Neg Saturation region IE
Region

Simbol Kurva Karateristik UJT

Pada kurva karateristik tersebut antara B1 dan B2 terdapat resistansi antara basis (RBB)
Yang bernilai 7 K : 9,1 K Ohm pada suhu 250 C.
Jika tegangan VE lebih kecil dari tegangan acak emitor ( UJT ) yaitu VP, maka emitor
akan Reverse Bias dan hanya ada arus bocor IE0 yang harganya cukup kecil.
Juka VE sama dengan VP dan arus emitor IE lebih besar dari IP, maka UJT akan
Turn-ON. Pada kondisi ini resistansi antara Emitor dan Basis satu sangat rendah dan
arus emitor yang mengalir akan dibatasi oleh resistansi yang dipasangkan seri antara
Emitor dan Basis satu diluar rangkaian.
Rangkaian pengganti atau ekivalen dari UJT sebagaimana gambar berikut di bawah ini
yang dihubungkan dengan saklar sebagai pengatur kondisi bekerja atau tidak.

Elektronika Daya-Elektro S1 15
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
A1 A1

A2 A2
Simbol DIAC

Adakalanya kombinasi TRIAC dan DIAC dijadikan satu dalam satu IC (Integrated Circuit)
atau lebih terkenal dengan DI-TRIAC.
Sebagai contoh jenis TRIAC
Pabrik : BBC
Type : BS 6 – 02 A
UH12 , UH21 : 200 volt
IT (RMS) : 6 Amp ( at Tj 85 0 C )
IT SM : 48 Amp
ID : < 2 mA ( voltage forward current )
VT : 3,2 volt ( Conducting voltage drop ) pada IT = 17 A
VGT : 3 volt
IGT : 50 mA

Elektronika Daya-Elektro S1 14
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
juga terjadi. Rangkaian Snubber diperlukan disini untuk membatasi rangkaian dv/dt saat
arus TRIAC nol.

IV. DIAC ( Bilateral Trigger Dioda )


DIAC adalah merupakan dioda pentrigger dua arah yang terdiri dari 2 buah
thyristor yang dihubungkan saling bertolak belakang dan digunakan secara bersama-
sama TRIAC. Oleh karena itu DIAC memiliki 2 buah tegangan penyalaan yaitu disatu
pihak tegangan maju ( + VBO) dan dilain pihak lagi tegangan baliknya ( - VBO). Berikut ini
adalah simbol dan karateristik DIAC.

IG

IH
- VBO + VBO

- IG

Kurva Karateristik DIAC

Elektronika Daya-Elektro S1 13
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
Besaran-besaran pembatas (arus, tegangan, thermis dll) dari triac sama halnya dengan
SCR kecuali batas tegangan reverse yang tidak terdapat pada triac. Besaran Holding
Current ( IH) juga berlaku bagi triac.
Triac dapat dipandang sebagai saklar elektronis untuk tegangan dan arus bolak-balik.
Triac mampu membloking tegangan pada kedua arahnya dan mampu pula mengalirkan
arus pada kedua arahnya.
Daerah kerja triac dan polaritas Vg.
KUADRAN
TERMINAL
1 2 3 4
- H T1 + - - +
G + + - -

- H T2 Titik referensi
Pada gambar berikut ini menunjukkan karateristik statis dari komponen TRIAC.

IT

2 1 (Kwadran)

Ig2 Ig1 Ig0


IH

∆VF VAK

Ig0 Ig1 Ig2

3 - IT 4

Misalnya TRIAC bekerja pada kwadran 1 Î IT mengalir arah dari T1 ke T2. TRIAC akan
lebih baik dan sensitif bila dioperasikan pada kwadran 1 dan 3 dengan pulsa trigger
Positif dan Negatif.
Keadaan yang berbahaya bagi TRIAC adalah pada operasi beban induktif, arus
TRIAC akan = 0 tetapi VT - T2 ≠ 0 maka penyalaan kembali tanpa pulsa penyala dapat

Elektronika Daya-Elektro S1 12
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
Keterangan:
Vfbo = Tegangan forward ( Vak + ) minimum dimana scr dapat konduktif tanpa Ig
Vdsm = Tegangan lebih sesaat non periodik yang dapat ditahan oleh scr
Vdrm = Tegangan lebih sesaat periodik yang dapat ditahan oleh scr.
Vdwm = Tegangan kerja normal scr tanpa gejala transien.
Dalam operasinya scr bekerja pada tegangan jala-jala normal dan juga kemungkinan
tegangan-tegangan transien yang lebih tinggi. Adanya tegangan lebih tinggi itu tdk
dapat dihindarkan dan scr harus diperhitungkan untuk dapat terjadi dalam operasinya.
Untuk membantu mengamankan scr dari bahaya tegangan lebih maka dipasangkan
rangkaian snubber R-C seri yang dipasangkan paralel dengan scr.
C = kondensator bertugas utk meredam puncak dan kecuraman tegangan lebih saat scr
turn-off dengan cara menyerap muatan listrik, sehingga energinya terperangkap
pada kapasitansinya.
R = Resistor bertugas untuk membantasi arus discharge dari C ketika SCR dinyalakan
kembali.

III. TRIAC ( Trioda Alternating Current Switch )


TRIAC merupakan komponen thyristor dua arah atau analoginya sama dengan
penggabungan 2 (dua) buah SCR yang terhubung secara anti paralel. Dapat
dipergunakan untuk menggantikan SCR untuk daya arus bolak-balik, misalnya
pada pengaturan motor atau pada pengaturan cahaya dan lampu (Dimmer
lamps).TRIAC memiliki kemampuan di bawah 100 A dan kurang dari 1000 watt.

A
T1 Gate T2

P1 G
T1

T2 K
Elektronika Daya-Elektro S1 11
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
Struktur Ekivalen SCR Simbol
Keterangan:
Td : Time delay, waktu tunda terhitung dari Ig= 10 % hingga tegangan Vak sampai
harga 90 %.
Tr : Rise time, waktu terhitung dari Vak berharga 90 % menjadi 10 % kembali.
Ton : td + tr
Ton akan lebih singkat bila d Ig/dt dan Ig puncak +, serta temperatur junction
SCR makin tinggi. Pada saat turn-OFF setelah If=0. SCR memerlukan tegangan
negatif pada anoda-katodanya.
Tq : Waktu yang diperlukan oleh SCR untuk memperoleh sifat membloking tegangan
dIt
mundur (reverse recovery time ). Tq akan lebih lama apabila It : , Vak + dan
dt
juga bila Vak – terlalu rendah.
Dari besarnya tq yang diperlukan, terdapat 2 jenis SCR :
• SCR lambat ( phase control low speed SCR ) dengan tq > 100 us
• SCR Cepat ( High Speed SCR ) dengan tq < 100 us
Pada jenis SCR pertama di atas biasanya digunakan pada rangkaian/sirkuit penyearah
dan jenis kedua digunakan pada rangkaian converter SCR dengan komutasi paksa.
Pemaksaan pemadaman SCR itu bertujuan untuk menekan It hingga sama dengan 0
(nol). Kemudian memberikan tegangan Vak yang negatif selama t ≥ tq SCR.

5. Kemampuan Tegangan SCR


SCR harus mampu menahan tegangan pada kedua arahnya sebagaimana gambar
berikut ini.

VFBO VF

VDRM

VDWM

VRWM
VWSM
VRSM

VR
Kemampuan Tegangan SCR

Elektronika Daya-Elektro S1 10
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
Ig Ig Maks

Vg Maks

Daerah Penyalaan
Pasti

Daerah Penyalaan
Mungkin utk Tj = 240 C
Daerah Penyalaan tdk mungkin
menyala
Vg

Karateristik Penyalaan SCR

4. Karateristik Switching SCR


Setiap komponen semikonduktor mempunyai karateristik sendiri-sendiri dalam proses
switchingnya.
SCR yang bekerja sebagai elektronis switching, pemeriksaan apakah kerja switching
komponen ini sudah baik atau belum perlu untuk dilaksanakan.

90%
dVAK / dt
It
10%

td tr
Ig ton
AK (-)
Ig Vg
10 %

Karateristik Switching SCR

Elektronika Daya-Elektro S1 9
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
IF

Ig1 < Ig2 < Ig3


IH

VR ∆VF VBO3 VBO2 VBO1 VBO VF


Ig3 Ig2 Ig1

IR

Karateristik Statis SCR

3. Karateristik Penyalaan SCR


Dalam pengoperasian SCR harus dipastikan bahwa SCR bekerja sesuai dengan rencana.
Salah satu faktor yang sangat diperhitungkan adalah karateristik arus gate yang secara
pasti menyalakan SCR.
Beberapa kemungkinan sinyal pulsa yang masuk rangkaian gate SCR yaitu:
• Pulsa gate secara pasti menyalakan SCR.
• Pulsa gate mungkin menyalakan SCR.
• Pulsa gate pasti tidak menyalakan SCR.
• Pulsa gate terlalu besar dan mungkin dapat merusak SCR pada lintasan junction
G-K.
Setiap SCR akan mempunyai karateristik tersendiri dan berbeda untuk Tj yang lain.
Dengan mengetahui karateristik SCR melalui data sheetnya, harga Vg dan Ig yang tepat
dapat ditentukan, yaitu harga Vg dan Ig yang memberikan penyalaan yang pasti dan
aman untuk semua kondisi kerja SCR.

Elektronika Daya-Elektro S1 8
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
A
Ia
A
Ib1=Ic2

Q1 (PNP)
P
G N N
Ib Ic1 Q2 (NPN)
G P P
N G Ib2
K Ic2

Analogi SCR dengan 2 transistor ( NPN – PNP )


Struktur terbentuknya SCR adalah mirip dengan penyatuan 2 (dua) buah transistor,
dimana pada Gate diberikan pulsa trigger, maka transistor Q2 akan ON dengan Ic2 =
Ib1 dan ini akan meng-ON-kan Q1 pula. Q1 mencatu arus base Q2 dan Q2 mencatu
arus base Q1 dalam keadaan seperti ini. Q1 dan Q2 akan tetap ON meskipun pulsa
trigger pada gate (Ig) dihilangkan, asalkan Vak cukup besar sehingga I1 = Ic2 > Iff –
SCR.

2. Karateristik Statis SCR


Karateristik SCR pada gambar berikut ini menunjukkan hubungan antara tegangan dan
arus. Tanpa arus gate, SCR menahan tegangan pada dua arahnya. Dengan arus gate,
SCR mengalirkan arus pada input tegangan forward dan penyalaan SCR tersebut makin
cepat untuk harga Ig yang semakin besar.
Holding current ( Ih ) merupakan batas minimal arus SCR, dimana SCR akan tetap ON
ketika Ig dibuka.

Elektronika Daya-Elektro S1 7
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
II. SCR ( Silicon Controlled Rectifier )
SCR merupakan komponen power semiconductor yang memiki 4 lapis (four
layer) yaitu P-N-P-N dengan terminal ketiga dikenal sebagai GATE (gerbang)
yang berfungsi untuk menerima sinyal Trigger pengatur saat konduktif.

A A

P
P

G N
P G
N
K

Struktur dan Simbol SCR


1. Prinsip Kerja SCR
SCR mampu melakukan bloking terhadap kedua arah tegangan Vak (tegangan
maju Vf maupun tegangan reverse Vr). Bila arus gate tidak diberikan, untuk status
Turn-OFF ke status turn-ON.
• Vak pada SCR harus bernilai positif
• Ig (pulsa/trigger) diberikan cukup, baik dilihat dari segi lebar pulsa penyala
maupun daya penyalaannya.
SCR akan tetap dalam keadaan ON walaupun Ig di NOL-kan asalkan If > Ih (current
holding ). Bilamana If < Ih maka SCR akan bersifat non konduktif (OFF) lagi, penyalaan
gagal. Hal ini sering terjadi pada kondisi beban induktif, tentunya dengan pulsa penyala
yang terlalu pendek.
Untuk Turn ON ke OFF dengan syarat sebagai berikut :
• If harus NOL ampere terlebih dahulu.
• Vak harus negative selama waktu t minimal =tg – SCR
Analogi SCR yang terdiri dari susunan 2 (dua) buah transistor yang terbentuk
sebagaimana gambar di bawah ini.

Elektronika Daya-Elektro S1 6
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
IF
IFSM

IFRM
VL

IF (RMS)
IF (AV)

Bentuk Pembebanan Arus Pada Dioda


If (AV) : Arus rata-rata maksimum yang diijinkan setiap harga arus rata-rata akan
menghasilkan suatu harga temperatur akhir pada junction dioda. Batas If
(AV) ini juga tergantung pada temperatur ruang dan jenis sistem pendinginan
( Heat-sink).
If (RMS) : Harga effektif maksimum arus dioda. Harga rata-rata yang di bawah If ( ∆V )
maksimum, belum menjamin keamanan operasi dioda terutama arus beban
dioda dengan form factor yang tinggi. ( Rate Mean Square )
If (RM) : Harga puncak arus lebih periodik yang diijinkan.
If (SM) : Harga puncak arus lebih non periodik yang diijinkan.
T : Batas integral pembebanan arus dimana dioda masih mampu mengalaminya.
Besaran ini berlaku untuk ½ cycles atau 1 ms dan merupakan pedoman
dalam pemilihan pengaman arus.
Contoh data Fast Dioda Type MF 70
Maximum repetitive peak reverse voltage, Vdrm = 1200 Volt.
Mean forward current, If (AV) = 70 A
RMS forward current, Irms max = 110 A
Non repetitive forward current, If (ms) = 700 A
Forward V-Drop, Vfm=V, pada Ifm = 210 A
Peak reverse current, Irm = 5 mA
Reverse recovery time, trr = 200 ns
Stored, charger, Qrr = T µc (Qs)
Thermal resistance, Rth-jc = 0,37 0C/w

Elektronika Daya-Elektro S1 5
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
Qs : Jumlah muatan yang mengalirdalam arah reverse selama perpindahan statusdioda
ON ke OFF.
Dioda jenis lambat banyak digunakan pada rangkaian konverter dengan komutasi
lambat/natural, seperti rangkaian penyearah.
Sedangkan Dioda jenis Cepat dipergunakan pada konverter statis dengan komutasi
sendiri seperti misalnya pada DC Chopper, konverter komutasi sendiri dll.
Kemampuan Tegangan
Dioda bersifat memblokir tegangan reverse, ternyata mampu menahan tegangan
tersebut tergantung pada karateristik tegangan itu sendiri.

IF
VRWM
VRRM
VRSM

VR ∆VF VF

IR

Pembebanan Tegangan Pada Dioda


VRWM = Puncak tegangan kerja normal.
VRRM = Puncak tegangan lebih yang terjadi secara periodik.
VRSM = Puncak tegangan lebih tidak periodik.

Kemampuan Arus Dioda.


Adanya tegangan jatuh konduksi ∆ Vf menyebabkan rugi daya pada dioda yang keluar
dalam bentuk panas. Temperatur junction maksimum terletak antara 110 0C : 125 0C.
Panas lebih dari temperatur ini akan menyebabkan dioda akan rusak. Temperatur
maksimum ini dapat dicapai oleh bermacam-macam pembebanan arus terhadap dioda.

Elektronika Daya-Elektro S1 4
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
Karateristik Switching
Karateristik ini menggambarkan sifat kerja dioda dalam perpindahan keadaan ON ke
OFF dan sebaliknya.

∆ VS t

t
QS 10%

Tjr tbr
trr

Dioda akan segera melalukan arus jika Vr telah mencapai lebih dari Vf minimum dioda
kondusif dan pada saat OFF terjadi kelambatan dari dioda untuk kembali mempunyai
kemampuan memblokir tegangan reverse. Dari gambar diatas tgerlihat adanya arus
balik sesaat pada dioda, dimana arus balik ini terjadi pada saat peralihan keadaan dioda
dari kondisi ON ke kondisi membloking tegangan reverse.
Dengan adanya sifat arus balik, maka diperoleh dua jenis penggolongan dioda yaitu :
1. Dioda Cepat, yaitu dioda dengan kemapuan segera mampu membloking
tegangan reverse yang cepat, orde 200 ns terhitung sejak arus forward dioda
sama dengan 0 (nol).
2. Dioda Lambat, yaitu untuk hal yang sama dioda memerlukan waktu lebih lama,
Q32 > Qs1.

Terminologi karateristik dioda


Trr : Reverse Recovery Time, waktu yang diperlukan dioda untuk bersifat membloking
tegangan forward.
Tjr : Waktu yang diperlukan oleh Juction P-N untuk bersifat membloking.
tBR : Waktu yang diperlukan daerah perbatasan Junction untuk membentuk zone
bloking.

Elektronika Daya-Elektro S1 3
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
merupakan bagian yang penting dalam industri-industri, yaitu dalam pengontrolan daya
pada sistem, proses elektronika dan lain-lain.

I. DIODA
Dioda merupakan penyatuan dari lapisan P dan N sebagaimana gambar struktur dan
simbol lapisan.
- A A

P
N
+
K K
Syarat dioda dalam keadaan ON adalah Vak positip sedangkan untuk OFF adalah Vak
negatif.

IF

ON

OFF VF

IR

Karateristik Statis dioda

Karateristik tersebut menggambarkan hubungan antara arus dioda ( IR dan IF ) agar


Vak dalam kondisi menahan arus ( OFF ) maupun dalam keadaan mengalir ( ON ).
Dalam keadaan OFF, Vak = Vr = negatif, maka dioda menahan arus namun terdapat
arus bocor Ir yang kecil.
Dalam keadaan ON, Vak = Vf = positif, dioda mengalirkan arus namun terdapat
tegangan jatuh pada dioda = ∆ Vf, ∆ Vf ini makin besar untuk arus dioda yang makin
tinggi yang berarti pula rugi konduksi If * ∆ Vf naik. Terlihat pula pada karateristik dioda
diatas bahwa bila Vr terlalu tinggi dioda akan rusak.

Elektronika Daya-Elektro S1 2
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT
BAB I
PENDAHULUAN

Pada sistem tenaga listrik terdapat penggunaan komponen elektronika yang


umumnya dipakai dalam rangkaian pengaturan motor-motor listrik. Komponen-
komponen elektronika yang dipergunakan pada sistem tenaga listrik pada prinsipnya
harus mampu menghasilkan daya yang besar atau mampu menahan disipasi daya yang
besar.
Elektronika daya meliputi switching, pengontrolan dan pengubah ( konversi )
blok-blok yang besar dari daya listrik dengan menggunakan sarana peralatan
semikonduktor. Dengan demikian elektronika daya secara garis besar terbagi menjadi 2
(dua) bagian yaitu :
1. Rangkaian Daya
2. Rangkaian kontrol
Pada gambar berikut menunjukkan hubungan antara kedua rangkaian diatas yang
terintegrasi menjadi satu, dimana keduanya banyak memanfaatkan peralatan
semikonduktor

Supplai Daya

Rangk. Kontrol Rangk. Daya

Beban

Rangkaian daya terdiri dari komponen Dioda, Thyristor dan Transistor Daya. Sedangkan
rangkaian kontrol terdiri atas Dioda, Transistor dan rangkaian terpadu ( Integrated
Circuit / IC ).
Dengan menggunakan peralatan-peralatan yang serupa keandalan dan
kompatibilitas dari perlengkapan ( sistem ) akan dapat diperbaiki. Elektronika daya

Elektronika Daya-Elektro S1 1
Ir. A. Muid Fabanyo, MMT

You might also like