You are on page 1of 49

Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito

CHƯƠNG 1: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TRANZITO

GIỚI THIỆU CHUNG
Chương này cung cấp cho người học các kiến thức cơ bản về mạch khuếch đại, bao gồm các vấn đề sau: - Định nghĩa mạch khuếch đại, các chỉ tiêu và tham số chính của một bộ khuếch đại: Hệ số khuếch đại điện áp, hệ số khuếch đại dòng điện, hệ số khuếch đại công suất, trở kháng vào, trở kháng ra, méo tần số, méo phi tuyến, hiệu suất. - Nguyên tắc chung phân cực cho tranzito ở chế độ khuếch đại. Với tranzito lưỡng cực thuận PNP cần cung cấp điện áp một chiều UBE < 0, UCE < 0. Với tranzito ngược NPN cần cung cấp điện áp một chiều UBE > 0, UCE > 0. Mạch điện cung cấp nguồn một chiều phân cực cho tranzito có: bốn phương pháp: phương pháp định dòng cho cực gốc, phương pháp định áp cho cực gốc, phương pháp cung cấp và ổn định điểm làm việc dùng hồi tiếp âm điện áp một chiều, phương pháp cung cấp và ổn định điểm làm việc dùng hồi tiếp âm dòng điện. - Vấn đề hồi tiếp, hồi tíêp trong các tầng khuếch đại: hồi tiếp dương, hồi tiếp âm, hồi tiếp dòng điện, hồi tiếp điện áp, hồi tiếp mắc song song, hồi tiếp mắc nối tiếp. ảnh hưởng của hồi tiếp đến các chỉ tiêu kĩ thuật của mạch. - Các sơ đồ khuếch đại cơ bản dùng tranzito lưỡng cực: tầng khuếch đại phát chung, tầng khuếch đại góp chung và tầng khuếch đại gốc chung. - Các sơ đồ khuếch đại dùng tranzito trường xét hai loại: tầng khuếch đại cực nguồn chung, tầng khuếch đại cực máng chung. - Tầng khuếch đại đảo pha có: mạch khuếch đại đảo pha chia tải, mạch khuếch đại đảo pha ghép biến áp. - Phương pháp ghép tầng trong bộ khuếch đại: phương pháp ghép tầng bằng tụ điện, ghép tầng bằng biến áp, ghép tầng trực tiếp. - Một số mạch khuếch đại khác: mạch khuếch đại Darlingtơn, mạch khuếch đại Cascốt, mạch khuếch đại giải rộng, mạch khuếch đại cộng hưởng. - Mạch khuếch đại công suất: đặc điểm của mạch khuếch đại công suất, các chế độ làm việc của tầng khuếch đại A, B, AB, C. Yêu cầu của tầng khuếch đại công suất cho công suất ra lớn, méo nhỏ và hiệu suất cao. Mạch khuếch đại công suất đơn làm việc ở chế độ A để giảm méo nhưng có hiệu suất thấp. Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo dùng hai tranzito thường cho làm việc ở chế độ AB (gần B) để có công suất ra lớn, méo nhỏ mà hiệu suất cao. Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo dùng tranzito cùng loại có mạch ghép biến áp, mạch không dùng biến áp. Các mạch khuếch đại này cần có mạch khuếch đại đẩy pha phía

3

Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito trước. Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo dùng tranzito khác loại có ưu điểm không cần tầng khuếch đại đảo pha. Kết thúc chương 1 yêu cầu người học nắm được các mạch khuếch đại đã nêu. Hiểu được tác dụng các linh kiện trong mạch. Chế độ cấp điện một chiều và nguyên lý làm việc của mạch. Tính toán được một số chỉ tiêu kỹ thuật chủ yếu theo điều kiện cho trước. Khi phân tích tầng khuếch đại tín hiệu nhỏ, ta dùng phương pháp mạch điện tương đương xoay chiều, ở tần số trung bình. Phần mạch khuếch đại công suất, do tín hiệu vào lớn nên dùng phương pháp đồ thị có độ chính xác cao.

NỘI DUNG
1.1. ĐỊNH NGHĨA, CÁC CHỈ TIÊU VÀ CÁC THAM SỐ CƠ BẢN CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI
1.1.1. Định nghĩa mạch khuếch đại Một trong số những ứng dụng quan trọng nhất của tranzito là sử dụng nó trong các mạch để làm tăng cường độ điện áp hay dòng điện của tín hiệu mà thường gọi là mạch khuếch đại.Thực chất khuếch đại là một quá trình biến đổi năng lượng có điều khiển, ở đó năng lượng một chiều của nguồn cung cấp, không chứa thông tin, được biến đổi thành năng lượng xoay chiều theo tín hiệu điều khiển đầu vào, chứa đựng thông tin, làm cho tín hiệu ra lớn lên nhiều lần và không méo. Phần tử điều khiển đó là tranzito. Sơ đồ tổng quát của mạch khuếch đại như ở hình 1-1, trong đó En là nguồn tín hiệu vào, Rn là điện trở trong của nguồn tín hiệu, Rt tải nơi nhận tín hiệu ra.

Iv Uv t Rn En ~
Uv

Ir Mạch khuyếch đại Rt Ur

Ur

t

Nguồn cung cấp (EC)
Hình 1-1: Sơ đồ tổng quát của mạch khuếch đại. Hình 1-2 đưa ra cấu trúc nguyên lý để xây dựng một tầng khuếch đại. Phần tử cơ bản là phần tử điều khiển tranzito có điện trở thay đổi theo sự điều khiển của điện áp hay dòng điện đặt tới cực điều khiển (cực gốc) của nó, qua đó điều khiển quy luật biến đổi dòng điện của mạch ra bao gồm tranzito và điện trở RC. Tại lối ra giữa cực góp và cực phát, người ta nhận được một điện áp biến thiên cùng quy luật với tín hiệu vào nhưng độ lớn được tăng lên nhiều lần. Để đơn giản, giả thiết điện áp đặt vào cực gốc có dạng hình sin. Từ sơ đồ hình 1-2 ta thấy rằng dòng điện và điện áp xoay chiều ở mạch ra (tỷ lệ với dòng điện và điện áp tín hiệu vào) cần phải coi là tổng các thành phần xoay chiều dòng điện và điện áp trên nền của thành phần một chiều I0 và U0. Phải đảm bảo sao cho biên độ thành

4

Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito

) ) phần xoay chiều không vượt quá thành phần một chiều, nghĩa là I 0 ≥ I và U 0 ≥ U . Nếu
điều kiện đó không được thoả mãn thì dòng điện, điện áp ở mạch ra trong từng khoảng thời gian nhất định sẽ bằng không và sẽ làm méo dạng tín hiệu. Như vậy để đảm bảo công tác cho tầng khuếch đại (khi tín hiệu vào là xoay chiều) thì ở mạch ra của nó phải tạo nên thành phần dòng một chiều I0 và điện áp một chiều U0. Chính vì vậy, ở mạch vào của tầng, ngoài nguồn tín hiệu cần khuếch đại, người ta cũng phải đặt thêm điện áp một chiều UV0 (hay dòng điện một chiều IV0). Các thành phần dòng điện và điện áp một chiều đó xác định chế độ làm việc tĩnh của tầng khuếch đại. Tham số của chế độ tĩnh theo mạch vào (IV0, UV0) và theo mạch ra (I0, U0) đặc trưng cho trạng thái ban đầu của sơ đồ khi chưa có tín hiệu vào.

+E Uv t B Uv

i

i

RC C PĐK E

Ur t
0

ˆ I

I0
ura

t

R Ur

ˆ U
U0
0 a. Nguyên lý xây dựng một tầng khuếch đại. b. b. Biểu đồ thời gian.

Hình 1-2: a.

t

1.1.2. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại Để đánh giá chất lượng của một tầng khuếch đại người ta đưa ra các chỉ tiêu và tham số cơ bản sau: 1.1.2.1. Hệ số khuếch đại.

Đại lượng đầu ra (1-1) Đại lượng tương ứng đầu vào Nói chung vì tầng khuếch đại có chứa các phần tử điện kháng nên K là một số phức. K=

K = ⎢K ⎢exp(j.ϕk)
Phần mô đun |K| thể hiện quan hệ về cường độ (biên độ) giữa các đại lượng đầu ra và đầu vào, phần góc ϕk thể hiện độ dịch pha giữa chúng. Nhìn chung độ lớn của |K| và ϕk phụ thuộc vào tần số ω của tín hiệu vào. Nếu biểu diễn |K| = f1(ω) ta nhận được đường cong gọi là đặc tuyến biên độ - tần số của tầng khuếch đại. Đường biểu diễn ϕk=f2(ω) gọi là đặc tuyến pha - tần số của nó. Thường người ta tính |K| theo đơn vị logarit, gọi là đơn vị đề xi ben (dB)

5

Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito

K (dB) = 20 lg K

(1-2)

Khi ghép liên tiếp n tầng khuếch đại với các hệ số khuếch đại tương ứng là K1, K2,...Kn thì hệ số khuếch đại chung của bộ khuếch đại xác định theo: K = K1.K2...Kn. hay K(dB) = K1(dB) + K2(dB) +... + Kn(dB) (1-3) Đặc tuyến biên độ của tầng khuếch đại là đường biểu diễn quan hệ Ura=f3(Uv) lấy ở một tần số cố định của giải tần của tín hiệu vào. Dạng điển hình của ⎢K ⎢=f1(ω) và Ura=f3(Uv) đối với một bộ khuếch đại điện áp tần số thấp cho tại hình 1-3. 1.1.2.2. Trở kháng lối vào và lối ra Trở kháng vμo, trë kh¸ng ra của tầng khuếch đại được định nghĩa (theo hình 1-1a)

ZV =

UV ; IV

Zr =

Ur Ir

(1-4)

Nói chung chúng là các đại lượng phức: Z = R+jX. 1.1.2.3. Méo tần số Méo tần số là méo do độ khuếch đại của mạch khuếch đại bị giảm ở vùng hai đầu giải tần. ở vùng tần số thấp có méo thấp Mt, ở vùng tần số cao có méo tần số cao MC. Chúng được xác định theo biểu thức:

Mt =
Trong đó:

K0 ; Kt

MC =

K0 KC

(1-5)

K0 là hệ số khuếch đại ở vùng tần số trung bình. KC là hệ số khuếch đại ở vùng tần số cao. Kt là hệ số khuếch đại ở vùng tần số thấp.

Méo tần số cũng có thể được tính theo đơn vị đề xi ben. |K| Ura

(V)

K0 K0

f

Uvào 0

0 10

2

(a)

10 2.10

4

4

(Hz)

(b)

(mV)

Hình 1-3: a. Đặc tuyến biên độ - tần số b. Đặc tuyến biên độ6 = 1kHz) của một bộ khuếch đại tần số thấp (f

Nguyên tắc chung phân cực tranzito Muốn tranzito làm việc như là một phần tử tích cực thì các tham số của nó phải thoả mãn điều kiện thích hợp. Với tranzito p-n-p thì điều kiện phân cực có dấu ngược lại. Một cách tổng quát. Zvào<< Znguồn.) với các biên độ tương ứng là Ûn. chúng phụ thuộc rất nhiều vào điện áp phân cực các chuyển tiếp góp.. Zvào >> Znguồn và Zra << Ztải.2.1. bộ khuếch đại chọn lọc tần số. UC là điện thế các cực phát. muốn nó làm việc ở chế độ khuếch đại cần có các điều kiện sau: chuyển tiếp gốc-phát luôn phân cực thuận.UE > 0 UCE = UC .5.2.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 1. bộ khuếch đại dòng điện với Ki max. Méo không đường thẳng (méo phi tuyến). Cũng có thể phân loại theo dạng đặc tuyến tần số ⎢K ⎢= f1(ω). Zra ≈ Ztải. PHÂN CỰC VÀ CHẾ ĐỘ LÀM VIỆC MỘT CHIỀU 1.1.UE > 0 và UE < UB < UC (1-7) Trong đó UE. Méo không đường thẳng do tính chất phi tuyến của các phần tử như tranzito gây ra thể hiện trong tín hiệu đầu ra xuất hiện thành phần tần số mới (không có ở đầu vào). Lúc đó hệ số méo không đường thẳng do tầng khuếch đại gây ra được đánh giá là: ) 2 ) 2 ) 2 ( U 2 + U 3 + . + U n )1 / 2 (1-6) γ= % ) U1 1.. Đối với tranzito n-p-n điều kiện phân cực để nó làm việc ở chế độ khuếch đại là: UBE = UB .2. phát.2. Những tham số này của tranzito như ở phần cấu kiện điện tử đã nghiên cứu.v.góp luôn phân cực ngược. góp của tranzito như trên hình 1-3. Hiệu suất của tầng khuếch đại Hiệu suất của một tầng khuếch đại là đại lượng được tính bằng tỷ số giữa công suất tín hiệu xoay chiều đưa ra tải Pr với công suất một chiều của nguồn cung cấp P0.v. gốc. Ví dụ theo hệ số khuếch đại K có bộ khuếch đại điện áp. Nói một cách khác các giá trị tham số phụ thuộc vào điểm làm việc của tranzito.. chuyển tiếp gốc .. UB. Zvào ≈ Znguồn. Khi uvào chỉ có thành phần tần số ω thì ura nói chung có các thành phần nω (với n = 0. bộ khuếch đại tần số cao.1.. từ đó có bộ khuếch đại một chiều.2. 7 . Căn cứ vào các chỉ tiêu này người ta có thể phân loại các bộ khuếch đại với các tên gọi với đặc điểm khác nhau. Zra >> Ztải hay bộ khuếch đại công suất cần KPmax..4. 1.1. dù tranzito được mắc theo kiểu nào. Lúc này yêu cầu cơ bản là có KUmax. η= Pr P0 Trên đây đã nêu một số chỉ tiêu quan trọng của một tầng (hay một bộ khuếch đại gồm nhiều tầng). bộ khuếch đại tần số thấp.

Để cung cấp điện áp phân cực cho tranzito người ta thường dùng một nguồn chung. 8 . Điện áp UBE0 được lấy Hình 1-5: Mạch cấp điện cho tranzito từ nguồn EC dẫn qua điện trở RB vào cực gốc. Điện trở RB có trị số lớn hơn nhiều so với điện trở một chiều của mặt ghép gốc-phát. UCE0 = EC-IC0.2. 1. +EC RB CP1 IB0 CP2 UB UBE0 CP1 IP R2 RC IP+IB0 R1 IB0 CP2 RC +EC (a) (b) Hình 1-5a cấp điện áp cho cực gốc theo phương pháp định dòng. Mạch cung cấp điện áp phân cực cho tranzito b) Tranzito p-n-p.RC Mạch này đơn giản nhưng độ ổn định điểm làm việc kém. I B0 ≈ EC RB (1-8) Dòng điện một chiều ở đầu ra (dòng cực góp) IC0 và điện áp một chiều ở đầu ra UCE0: IC0 = β.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Hình 1-4 biểu diễn điện áp và dòng điện phân cực của tranzito ở chế độ khuếch đại IC IB UB U UBE>0 E U C UCE >0 IB UB IC U C UCE <0 U E UBE <0 (a) (b) Hình 1-4: a) Biểu diễn điện áp và dòng điện phân cực tranzito n-p-n. do đó dòng định thiên IB0 được xác định gần đúng.2.IB0. Hình 1-4 biểu thị các mạch cấp điện đó.

Thường chọn IP>>IB0. do đó có thể dùng cho mạch khuếch đại tín hiệu lớn (chế độ B). Thường chọn IP =(0. Điện áp tại điểm làm việc của cực gốc được xác định theo biểu thức: UBE0 = IP. nhưng khi đó R1.R2 = EC -(IP+IB0). Tuy nhiên khi trị số R1.IBmax (1-11) Trong đó IBmax là dòng xoay chiều trong mạch cực gốc với mức tín hiệu vào lớn nhất. ở đây RB vừa làm nhiệm vụ đưa điện áp vào cực gốc bằng phương pháp ổn định dòng cực gốc. Hình 1-6: Mạch cung cấp và ổn định điểm làm việc bằng hồi tiếp âm điện áp một chiều. vừa dẫn điện áp hồi tiếp về mạch vào.R1 (1-9) Trong đó IP là dòng phân áp chạy qua điện trở R1. Hình 1-6 là sơ đồ cung cấp và ổn định điểm làm việc bằng hồi tiếp âm điện áp một chiều. Rõ ràng dòng IP càng lớn UBE0 càng ổn định.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Hình 1-5b cung cấp điện cho cực gốc theo phương pháp định áp nhờ bộ phân áp R1. R2 nhỏ thì công suất tiêu thụ nguồn cũng tăng. RB IB Cp1 UBE0 RC Cp2 UCE0 +EC +EC R1 Hình 1-7: Sơ đồ cung cấp và ổn định điểm làm việc nhờ hồi tiếp âm dòng điện một chiều.R1 (1-10) Ta thấy UBE0 không phụ thuộc vào các tham số của tranzito và nhiệt độ nên ổn định. R2 phải có giá trị nhỏ. do đó biểu thức trên gần đúng: U BE ≈ E C − I p . Để nâng cao độ ổn định điểm làm việc người ta hay dùng các mạch cung cấp điện áp phân cực sau. Nguyên lý ổn định như sau: 9 . R2 mắc song song với nguồn cung cấp cực góp EC. RC Cp2 Cp1 UBE UR2 R2 UE RE CE Sơ đồ hình 1-6 chỉ khác sơ đồ hình 1-5a ở chỗ điện trở RB được nối lên cực góp.3÷3). Lúc này thiên áp UBE0 hầu như không phụ thuộc trị số dòng cực gốc IB0. R2.

dòng điện) của mạch ra bộ khuếch đại. nghĩa là dòng IC0 ban đầu được giữ nguyên.exp(jϕβ) Nghĩa là phải chú ý đến khả năng dịch pha ở miền tần số thấp và tần số cao do tồn tại các phần tử điện kháng trong mạch khuếch đại cũng như mạch hồi tiếp. làm cho IB0 giảm. 1.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Nếu có một nguyên nhân mất ổn định nào đó làm cho dòng một chiều IC0 trên cực góp tăng lên thì điện thế UCE0 giảm làm UBE giảm. Vì điện áp UR2 lấy trên điện trở R2 hầu như không đổi nên điện áp UBE0 = UR2 . Nếu điện áp hồi tiếp tỷ lệ với điện áp ra của bộ khuếch đại ta có hồi tiếp điện áp.UE0 giảm.3. Trong sơ đồ này RE làm nhiệm vụ hồi tiếp âm dòng điện một chiều. Nếu nhiệt độ giảm làm IC0 giảm thì nhờ mạch hồi tiếp âm dòng điện một chiều. Dưới đây ta sẽ phân tích những quy luật chung khi thực hiện hồi tiếp trong bộ khuếch đại. do đó IC0 không tăng lên được. I B 0 ). còn trong mạch hồi tiếp .exp(jϕK) β = β.RE) tăng. Hệ số khuếch đại K và hệ số truyền đạt của mạch hồi tiếp β nói chung là những số phức. UBE0 lại tăng. Hình 1-9: Một số mạch hồi tiếp thông dụng: Iht β Ir Rn . Điều này cũng đặc biệt cần thiết khi thiết kế bộ khuếch đại bằng IC tuyến tính.không có thành phần điện kháng thì hệ số K và β là những số thực. IC0 tăng giữ cho IC0 ổn định. làm cho IB0 tăng. Iv Ir Rn Iv Ir Rn It It Rt En • ~ uv uht uy K ur Rt En • ~ uv uy K ur uht β 10 β It a. nếu tỷ lệ với dòng điện ra ta có hồi tiếp dòng điện. Hình 1-7 là sơ đồ cung cấp và ổn định điểm làm việc nhờ hồi tiếp âm dòng điện một chiều. kéo theo dòng IB0 giảm làm cho IC0 giảm (vì IC0= β. HỒI TIẾP TRONG CÁC TẦNG KHUẾCH ĐẠI Hồi tiếp là việc thực hiện truyền tín hiệu từ đầu ra về đầu vào bộ khuếch đại. dòng điện) Hình 1-8: Sơ chỉ rõ bộ khuếch tham hồi tiếp của tín hiệu ra mạch đó với tham số (điện áp. Thực hiện hồi tiếp trong bộ khuếch đại sẽ cải thiện hầu hết các chỉ tiêu chất lượng của nó và làm cho bộ khuếch đại có một số tính chất đặc biệt. Có thể hồi tiếp hỗn hợp cả dòng điện và điện áp. Nếu bộ khuếch đại làm việc ở tần số trung bình. tức là IC0 được giữ ổn định.đồ khốiquan hệ giữađại có số (điện áp. Hình 1-8 là sơ đồ cấu trúc bộ khuếch đại có hồi tiếp Đầu vào K Đầu ra β Mạch hồi tiếp có hệ số truyền đạt β. Nguyên tắc ổn định như sau: khi IC0 tăng do nhiệt độ tăng hay do độ tạp tán tham số của tranzito thì điện áp hạ trên RE (UE0=IE0. K = K.

Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp: K ht = Ur UV (1-12) U Y = U V + U ht Chia cả hai vế của (1-12) cho Ura. Hồi tiếp âm cho phép cải thiện một số chỉ tiêu của bộ khuếch đại.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito b. Khi điện áp hồi tiếp đặt tới đầu vào bộ khuếch đại song song với điện áp nguồn tín hiệu thì có hồi tiếp song song. thì khi hồi tiếp song song sẽ ảnh hưởng đến trị số dòng điện vào bộ khuếch đại.π (n là số nguyên dương) tín hiệu tổng hợp ở đầu vào bộ khuếch đại được gọi là hồi tiếp dương và tương ứng gọi là hồi tiếp âm. khi điện áp đưa về hồi tiếp nối tiếp với nguồn tín hiệu vào thì ta có hồi tiếp nối tiếp. khi ϕK + ϕβ = 2nπ. Tác dụng của hồi tiếp có thể làm tăng. Để đánh giá ảnh hưởng của hồi tiếp đến các chỉ tiêu của bộ khuếch đại ta sẽ xét thí dụ hồi tiếp điện áp nối tiếp ở hình 1-9a. hồi tiếp dòng điện nối tiếp hoặc song song. vì thế nó được dùng rất rộng rãi. hoặc giảm khi ϕκ + ϕβ = (2n +1). Hai đặc điểm trên xác định một loại mạch hồi tiếp cụ thể: hồi tiếp điện áp nối tiếp hoặc song song. ur (1-13) Từ (1-13) ta tìm được: 11 . Nếu khi hồi tiếp nối tiếp ảnh hưởng đến trị số điện áp vào bản thân bộ khuếch đại uy. Xét ở đầu vào. Hình 1-9 minh hoạ một số thí dụ về những mạch hồi tiếp phổ biến nhất trong khuếch đại. ta có: U Y U V U ht = + Ur Ur Ur hay ở đây β = 1 1 = +β K K ht u ht là hệ số truyền đạt của mạch hồi tiếp. hồi tiếp hỗn hợp nối tiếp hoặc song song.

β > 0 thì hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại có hồi tiếp Kht lớn hơn hệ số khuếch đại của bản thân bộ khuếch đại K.β lần so với khi không hồi tiếp. Đó chính là hồi tiếp dương. Điện áp ra bộ khuếch đại khi có hồi tiếp dương là: Ur = K. Nếu hệ số khuếch đại K lớn và hồi tiếp âm sâu thì thực tế có thể loại trừ sự phụ 12 .β ≥ 1 (khi hồi tiếp dương) đặc trưng cho điều kiện tự kích của bộ khuếch đại. Lúc này đầu ra của bộ khuếch đại xuất hiện một phổ tần số không phụ thuộc vào tín hiệu đầu vào.β<0 thì K ht = K <K 1 + K .β (1-16) đó là hồi tiếp âm (Uht ngược pha với Uv) và Uy = Uv . tức là Uy = Uv +Uht.β ≥ 1 tương ứng với điều kiện tự kích ở một tần số cố định và tín hiệu ở đầu ra gần với dạng hình sin.β (1-14) Để đơn giản việc phân tích ta đưa vào trị số thực K và: K ht = (1-15) Theo (1-15) khi 1 > K. nghĩa là hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm Kht nhỏ hơn hệ số khuếch đại khi không có hồi tiếp.(Uv + Uht) > K.K K 1 − K .(1 + Kβ ) − dK . thực hiện vi phân biểu thức K ht = Có K 1 + K . Độ ổn định hệ số khuếch đại sẽ tăng khi tăng độ sâu hồi tiếp. Uht đưa tới đầu vào bộ khuếch đại cùng pha với điện áp vào Uv. = dK ht = dK (1 + K .Uv và do đó Kht >K Trường hợp K.2%. giả thiết sự thay đổi tương đối của hệ số khuếch đại dK/K = 20% và 1+K.Uht.β dK . Với trị số phức K và β bất đẳng thức K . Ví dụ.β ) 2 (1-17) Biến đổi (1-17) và chú ý đến (1-16) ta nhận được biểu thức đặc trưng cho sự thay đổi tương ứng của hệ số khuếch đại. dK ht dK / K = K ht 1 + K . Khi K.β (1-18) Từ (1-18) thấy sự thay đổi tương đối hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại khi có hồi tiếp âm nhỏ hơn 1 + K.β=100 thì sự thay đổi tương đối của hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại có hồi tiếp là dKht /Kht = 0. Bộ khuếch đại trong trường hợp này làm việc như một mạch tạo dao động hình sin.Tính chất này đặc biệt quý giá trong điều kiện hệ số khuếch đại thay đổi do sự thay đổi của tham số theo nhiệt độ nhất là đối với tranzito và sự hoá già của chúng. Để đánh giá độ ổn định hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp.Kβ (1 + Kβ ) 2 .Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito K ht = K 1 − β .

Tác dụng hồi tiếp âm ở miền tần số kể trên sẽ yếu vì hệ số khuếch đại K nhỏ và sẽ dẫn đến tăng độ khuếch đại ở giải biên tần và mở rộng giải thông f của bộ khuếch đại. U V = U Y + U ht . điện áp Uy = Uv Uht tăng dẫn đến Ur tăng. Khi đó trong mẫu số của (1-16) có thể bỏ qua 1 và hệ số khuếch đại của nó do hệ số truyền đạt của mạch hồi tiếp quyết định. K Ku 2 Hình 1-10: ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến đặc tuyến biên độ tần số Ku K uht 2 Kuht Δfht Hồi tiếp âm cũng làm giảm méo không đường thẳng của tín hiệu ra và giảm nhiễu (tạp âm) trong bộ khuếch đại. K ht ≈ 1 β (1-19) Nghĩa là thực tế không phụ thuộc vào K và mọi sự thay đổi của nó. Giả sử khi giảm K do sự thay đổi tham số bộ khuếch đại sẽ làm cho Uht giảm và Ur giảm. tần số (hình 1-10) của bộ khuếch đại nhiều tầng ghép điện dung.β . Tăng độ ổn định của hệ số khuếch đại bằng hồi tiếp âm được dùng rộng rãi để cải thiện đặc tuyến biên độ. chính là ngăn cản sự giảm của hệ số khuếch đại K (hình 1-9a). Vì vậy: 13 . 0 Δf f RV = UV IV Hình 1-9a thực hiện hồi tiếp âm nối tiếp. Vì ở miền tần số thấp và cao hệ số khuếch đại bị giảm. Mặt khác ta có U ht = K .Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito thuộc của hệ số khuếch đại vào sự thay đổi các tham số trong bộ khuếch đại.U Y .9a) theo hướng bù lại sự thay đổi điện áp ra của bộ khuếch đại. Dưới đây ta sẽ khảo sát ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến điện trở vào bộ khuếch đại. Ví dụ K = 104 và β = 10-2 thì K ht = 1 β = 100 Ý nghĩa vật lý của việc tăng độ ổn định của hệ số khuếch đại có hồi tiếp âm là ở chỗ khi thay đổi hệ số khuếch đại K thì điện áp hồi tiếp sẽ bị thay đổi dẫn đến thay đổi điện áp Uy (hình 1.

làm giảm điện trở vào Rvht. Dưới đây là các thí dụ về những mạch hồi tiếp âm thường gặp (hình 1-11) R1 CP1 Rn En Uv RC +E R1 CP1 Ur Rn 14 En Uv T1 R2 RC1 CP2 R RE1 R4 R3 C RC2 CP3 +E CP2 Ur RE2 ~ R2 RE ~ a) b) . có thể rút ra những quy luật chung ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến chỉ tiêu bộ khuếch đại là: Mọi loại hồi tiếp âm đều làm giảm tín hiệu trên đầu vào bộ khuếch đại (Uy hay Iy) và do đó làm giảm hệ số khuếch đại Kht. điện trở ra của bộ khuếch đại là: Rrht = Rr (1 + K . Hồi tiếp âm song song (hình 1-9c) làm tăng dòng điện vào. Điều này đảm bảo điện áp ra của bộ khuếch đại ít phụ thuộc vào sự thay đổi điện trở tải Rt. Còn hồi tiếp dòng điện nối tiếp (hình 1-9b) làm ổn định dòng điện ra It. Hồi tiếp điện áp nối tiếp (hình 1-9a) làm ổn định điện áp ra.β) lần. Ngoài ra hồi tiếp âm nối tiếp hình 1-9a. Hồi tiếp ký sinh làm thay đổi đặc tuyến biên độ . Điều này rất cần thiết khi bộ khuếch đại nhận tín hiệu từ bộ cảm biến có điện trở trong lớn hoặc bộ khuếch đại dùng tranzito lưỡng cực. bố trí mạch in và các linh kiện hợp lý.β ) (1-21) Nghĩa là giảm đi (1+K. tăng điện trở ra Rrht. Từ những phân tích trên.β ).b làm tăng điện trở vào.(1 + K . Để loại bỏ hiện tượng trên có thể dùng các bộ lọc thoát. giảm điện trở ra Rrht.β ) IV (1-20) Như vậy thực hiện hồi tiếp âm nối tiếp làm tăng điện trở vào của bộ khuếch đại lên (1+K.U Y = RV . làm tăng độ ổn định của hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại. Tương tự.tần số của bộ khuếch đại do làm tăng hệ số khuếch đại ở các đoạn riêng biệt của giải tần hoặc thậm chí có thể làm cho bộ khuếch đại bị tự kích nghĩa là xuất hiện dao động ở một tần số xác định. có thể xuất hiện qua nguồn cung cấp chung. qua điện cảm hoặc điện dung ký sinh giữa mạch ra và mạch vào của bộ khuếch đại. cũng như điện trở ra Rrht.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito RVht = (1 + K .β) lần. Cần nói thêm là hồi tiếp dương thường không dùng trong bộ khuếch đại nhưng nó có thể xuất hiện ngoài ý muốn do ghép về điện ở bên trong hay bên ngoài gọi là hồi tiếp ký sinh. dùng dây dẫn bọc kim.

1. còn ảnh hưởng điện dung ký sinh của sơ đồ và tranzito. Tụ Cp1 loại trừ tác dụng ảnh hưởng lẫn nhau của nguồn tín hiệu và mạch vào về dòng một chiều. Tầng khuếch đại phát chung (EC) Mạch điện nguyên lý một tầng khuếch đại EC cho trên hình 1-12. cũng như sự phụ thuộc về hệ số khuếch đại dòng α. Tụ CP2 ngăn thành phần một chiều và chỉ cho thành phần xoay chiều ra tải. Trong sơ đồ này CP1. RC: tải một chiều của tầng. CÁC SƠ ĐỒ CƠ BẢN DÙNG TRANZITO LƯỠNG CỰC (BJT). Giả thiết tín hiệu vào là hình sin ở miền tần số trung bình vì vậy trở kháng của tụ coi như bằng không. Trong mạch hình 1-11b ta thấy. CE tụ thoát thành phần xoay chiều xuống mát. Dưới đây sẽ trình bày phương pháp phân tích tầng khuếch đại dùng tranzito lưỡng cực theo ba cách mắc mạch: phát chung (EC).4. RE: điện trở ổn định nhiệt. CP2 là các tụ nối tầng. Rt: điện trở tải.1. góp chung (CC). b) Hồi tiếp điện áp nhờ khâu RC Ở hình 1-11a trên điện trở RE có hồi tiếp âm dòng điện mắc nối tiếp. Như vậy trên RE1 có cả hai loại hồi tiếp âm điện áp và dòng điện.4. cấp điện một chiÒu cho cực B. +EC R1 I B0 IV CP1 IC T U CE0 RC CP2 Hình 1-12: Tầng khuếch đại E chung Rn IP UBE IE0 It CE Rt Ur En ~ UV 15 R2 UE0 RE . a) Hồi tiếp dòng điện trên RE. nếu xét từng tầng riêng biệt thì trên RE1 . R2 để xác định chế độ tĩnh của tầng. RE 2 đều thực hiện hồi tiếp âm dòng điện mắc nối tiếp. En: nguồn tín hiệu vào. Ngoài ra còn có hồi tiếp âm điện áp nối tiếp lấy từ cực góp của tranzito T2 về cực phát của tranzito T1 qua C và R. R1. 1. và gốc chung (BC). Rn: điện trở trong của nguồn tín hiệu.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Hình 1-11: Sơ đồ các mạch hồi tiếp âm. β của tranzito vào tần số coi như không đáng kể.

Có thể thực hiện bằng hai phương pháp cơ bản là phương pháp đồ thị đối với chế độ một chiều và phương pháp giải tích dùng sơ đồ tương đương đối với chế độ xoay chiều tín hiệu nhỏ.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Nguyên lý làm việc của tầng EC như sau: khi đưa điện áp xoay chiều tới đầu vào xuất hiện dòng xoay chiều cực gốc của tranzito và do đó xuất hiện dòng xoay chiều cực góp ở mạch ra của tầng. Điện áp đó qua tụ CP2 đưa đến đầu ra của tầng tức là tới Rt.IC0. Sự phụ thuộc UCE0 = f(IC0) có thể tìm được từ phương trình cân bằng điện áp ở mạch ra của tầng: UCE0 = EC .IE0RE = EC . Dựa vào đặc tuyến vào IB = f(UBE) ta chọn dòng cực gốc tĩnh cần thiết IB0. chính là xác định được toạ độ điểm P là giao điểm của đường IB = IB0 với đường tải một chiều trên đặc tuyến ra ở hình 1-13a. Phương pháp đồ thị dựa vào đặc tuyến vào và ra của tranzito có ưu điểm là dễ dàng ) tìm được mối quan hệ giữa các giá trị biên độ của thành phần xoay chiều (điện áp ra U r và ) dòng điện ra I r ) và là số liệu ban đầu để tính toán.RE (1-22) IC D B PCCP IB P IB=IB0 IB2 IB1 IB=0 C IC0(E) A ˆ IB uC ˆ IC IC0 IB P uC 16 0 b) uBE a) ˆ uC uB ˆ uv uB0 UC0 Hình 1-13: Xác định chế độ tĩnh của tầng EC . Để xác định thành phần xoay chiều của điện áp ra và dòng ra cực góp của tranzito phải dùng đường tải xoay chiều của tầng. nên có thể viết UCE0 = EC . vẽ đường tải một chiều (A-B).RC . Trên đặc tuyến hình (1-13a). IC0 α . vì điện trở xoay chiều của tụ Cp2 rất nhỏ bỏ qua.IC0 (RC+RE) (1-23) Biểu thức (1-23) là phương trình đường tải một chiều của tầng. Dòng này gây hạ áp xoay chiều trên điện trở RC.IC0RC Vì hệ số α gần đúng 1. Chú ý rằng điện trở xoay chiều trong mạch cực phát của tranzito bằng không (vì có tụ CE mắc song song với điện trở RE) còn tải Rt được mắc vào mạch cực góp.

Xây dựng đường tải xoay chiều theo tỷ số số gia của điện áp và dòng điện ΔU CE = ΔI C . đường tải xoay chiều đi qua điểm tĩnh P. ) (1-24) U C 0 > U r + ΔU C 0 ) (1-25) I C0 > I C + I C0 (E) Ở đây ΔU C 0 là điện áp cực góp ứng với đoạn đầu của đặc tuyến ra (còn gọi là điện áp UCE bão hoà) I C 0 ( E ) là dòng cực góp ban đầu ứng với nhiệt độ cực đại. trong mạch cực góp cũng có thành phần dòng xoay chiều iC ∼ và điện áp xoay chiều Ura liên hệ với iC ∼ bằng đường tải xoay chiều. Để tín hiệu ra không bị méo dạng.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Nếu coi điện trở xoay chiều của nguồn cung cấp EC bằng không. Từ đó thấy rõ điện trở tải một chiều của tầng Rt==RC + RE lớn hơn điện trở tải xoay chiều Rt~.(RC // Rt). ) Quan hệ dòng I C với điện áp ra có dạng ) IC = Λ Λ Ur Ur = R C // R t Rt ~ 17 (1-26) . Việc chọn điểm làm việc tĩnh và tính toán sẽ được thực hiện theo một tầng khuếch đại cụ thể. công suất tải Pt và điện trở tải Rt. ) ) Những tham số ban đầu để tính toán là biên độ điện áp ra U r và dòng điện tải I t . điện áp và dòng điện là tổng của thành phần một chiều và xoay chiều. các tham số của chế độ tĩnh phải thoả mãn những điều kiện sau: (hình 1-13a).Vì dòng cực góp tỷ lệ với dòng cực gốc qua hệ số β. nghĩa là Rt~ =Rt//RC. Nếu chọn trị số tín hiệu vào thích hợp và chế độ tĩnh đúng thì tín hiệu ra của tấng khuếch đại không bị méo dạng. Giữa những tham số này có quan hệ chặt chẽ với nhau. Điểm làm việc dịch từ P đi lên ứng với 1/2 chu kỳ dương và dịch chuyển đi xuống ứng với 1/2 chu kỳ âm của tín hiệu vào. Khi có tín hiệu vào. Khi đó đường tải xoay chiều đặc trưng cho sự thay đổi giá trị tức thời dòng cực góp iC và điện áp trên tranzito UC hay người ta nói đó là sự dịch chuyển điểm làm việc. nên về nguyên tắc chỉ cần biết hai trong những tham số đó là đủ để tính các tham số còn lại. Khi cung cấp điện áp vào tới đầu vào của tầng thì trong mạch cực gốc xuất hiện thành phần dòng xoay chiều ib ∼ liên quan đến điện áp vào Uv theo đặc tuyến vào của tranzito. thì điện trở xoay chiều của tầng gồm hai điện trở RC và Rt mắc song song. Độ dốc của đường tải xoay chiều lớn hơn độ dốc đường tải một chiều. chính là độ cao của đường đặc tuyến ra tĩnh ứng với dòng IB=0.

Vì vậy mà UE0 thường chọn bằng (0.1÷0.phát (rV= ΔU BE / ΔI B ) Điện trở R1.3) EC Chú ý đến biểu thức (1-29) ta có: (1-29) EC = U C 0 + I C 0 . làm giảm điện trở vào của tầng khuếch đại.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Để tăng hệ số khuếch đại của tầng. đặc trưng cho điện trở xoay chiều mạch gốc . tính dòng cực gốc tĩnh: IB0 = I C0 − I C0 (E) β (1-27) từ đó dựa vào đặc tuyến vào của trazito tìm được điện áp U BE 0 ứng với I B 0 đã tìm được.9 (1-30) Điện trở RE có thể tính từ RE = U E0 I C0 (1-31) Khi tính các phần tử của bộ phân áp đầu vào cần lưu ý với quan điểm ổn định nhiệt cho chế độ tĩnh của tầng.7 ÷ 0. cần phải theo điều kiện: EC=UC0+IC0.I B 0 + I C 0 ( E ) = I C0 − I C0 (E) β .Muốn vậy thì dòng phân áp IP qua bộ phân áp R1 R2 phải lớn hơn dòng IB0 qua điện trở R1. trị số RC phải chọn lớn hơn Rt từ 3÷5 lần. Tuy nhiên với điều kiện IP >> IB0 thì R1. tuy nhiên lúc đó cần phải tăng điện áp nguồn cung cấp EC. (1-32) (1-33) ở đây rV là điện trở vào của tranzito.(1 + β ) + I C 0 ( E ) = I C 0 (1-28) Khi chọn EC (nếu như không cho trước). I P = (2 ÷ 5) I B 0 . sao cho sự thay đổi của dòng cực gốc tĩnh IB0 (do độ không ổn định nhiệt của điện áp UBE0) phải ít ảnh hưởng đến sự thay đổi điện áp UB0.Rc+UE0. I E 0 = (1 + β ). Dòng cực phát tĩnh có quan hệ với dòng I B 0 và IC0 theo biểu thức.RC 0. Dựa vào dòng IC0 đã chọn.RE Khi xác định trị số UE0 phải xuất phát từ quan điểm tăng điện áp UE0 sẽ làm tăng độ ổn định nhiệt cho chế độ tĩnh của tầng (vì khi RE lớn sẽ làm tăng độ sâu hồi tiếp âm một chiều của tầng). ở đây UE0 = IE0. Vì thế khi tính các phần tử của bộ phân áp vào ta phải hạn chế theo điều kiện: R B = R1 // R2 = (2 ÷ 5)rV . R2 sẽ phải nhỏ và chúng sẽ gây ra rẽ mạch tín hiệu vào.R2 có thể tính theo: 18 .

Dòng điện và điện áp trong sơ đồ tính theo trị số hiệu dụng.C. tín hiệu vào là hình sin và điện trở của nguồn cung cấp đối với dòng xoay chiều bằng không.14 rất lớn.C.CP. điện trở ra Rr là những chỉ tiêu quan trọng của tầng khuếch đại. Tóm lại việc tính chế độ của tầng khuếch đại là giải quyết nhiệm vụ chọn hợp lý các phần tử của sơ đồ để nhận được những tham số cần thiết của tín hiệu ra trên tải. Những chỉ tiêu đó có thể xác định được khi tính toán tầng khuếch đại theo dòng xoay chiều. rC điện trở vi phân của tiếp giáp góp. Về mặt điện áp người ta thường chọn tranzito theo UC0.CP.IC.rE ] 19 (1-37) .P phải lớn hơn trị số tức thời lớn nhất trong khi làm việc. Phương pháp giải tích dựa trên cơ sở thay thế tranzito và tầng khuếch đại bằng sơ đồ tương đương dòng xoay chiều ở chế độ tín hiệu nhỏ. I Công suất tiêu hao trên cực góp PC =UC0.IC0 phải nhỏ hơn công suất cực đại cho phép của tranzito PC.C. Đường cong công suất giới hạn cho phép là đường hypecbon. Sơ đồ thay thế tầng EC vẽ trên hình 1-14. U BE = I B . Cp2. còn rC(E) + RC//Rt >> rE nên: Hình 1-14: Sơ đồ thay thế tầng khuếch đại EC bằng tham số vật lý.C.P . nghĩa là I C max = I CO + ˆ C < I C.P > EC. Để đơn giản ta giả thiết tầng khuếch đại được tính ở miền tần số trung bình. trong đó rB là điện trở khối vùng cực gốc.P. xem như bằng không. Tính toán theo dòng xoay chiều có thể thực hiện được khi sử dụng sơ đồ thay thế tranzito với các tham số r . Các hệ số khuếch đại dòng điện Ki. rE là điện trở vi phân của tiếp giáp phát.rE hay là U BE = I B [ rB + (1 + β ). Điện trở vào của tầng: RV=R1//R2//rV (1-36) βIB IV Rn En ~ B IB UV rB << IC C It rC IE rE CC RC R1 ⁄⁄ R2 E Rt Ut Vì điện trở trong của nguồn dòng IB ở hình 1.rB + I E . điện áp và công suất. Đối với mỗi điểm của nó ta có UC0.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito R2 = R1 = U B 0 U BE + U E 0 = Ip Ip EC − U B 0 I p + I B0 (1-34) (1-35) Khi chọn tranzito cần chú ý đến các tham số giới hạn như: dải tần số công tác (theo tần số fα hay fβ) cũng như các tham số về dòng điện. ở đây tranzito được thay bằng sơ đồ thay thế tham số vật lý. CE có trở kháng rất bé. Dòng điện cực góp cho phép cực đại IC.CP=PC. Các tụ Cp1. điện áp Ku và công suất Kp cũng như điện trở vào RV.

các điện trở phân áp cấp điện một chiều ở cực gốc và điện trở RC. RV rC ( E ) // RC // Rt .Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Chia cả hai vế của phương trình (1-37) cho IB ta có: rV= rB + (1+β). Xác định hệ số khuếch đại điện áp của tầng Ku = Ur En − I t .Rt Rt = − Ki . Tính gần đúng bậc một của RV theo rV và giá trị có thể của rB. I V . Ki = β .rE. Nếu coi RV ≈ rV và rC(E) >>RC//Rt thì hệ số khuếch đại dòng gần đúng. rV Rt (1-40) và hệ số khuếch đại dòng xác định bởi: Ki = β . Rt. RV rC ( E ) // RC // Rt . rE với điều kiện R1//R2 ≥ (2÷3)rV ta sẽ có RV của tầng EC không vượt quá (1÷3)KΩ Xác định hệ số khuếch đại dòng điện của tầng: Ki = It/IV từ hình 1-14 có: I B = IV RV rV (1-38) Khi xác định dòng It qua IB thì không tính đến rE vì nó rất nhỏ so với điện trở của các phần tử mạch ra: I t = β . RC // Rt Rt (1-42) Như vậy tầng EC có hệ số khuếch đại dòng tương đối lớn. rV Rt (1-41) Hệ số khuếch đại dòng Ki tỷ lệ với hệ số β của tranzito. RC // Rt Rn + RV (1-44) 20 . r C ( E ) // RC // Rt Rt (1-39) Để ý đến biểu thức (1-38) ta có: I t = I V . Biểu thức (1-41) cho ta thấy cần chọn R1//R2 >>rV và RC > Rt.I B . β. và nếu như RC>> Rt thì nó gần bằng hệ số khuếch đại β của tranzito.( Rn + RV ) Rn + RV (1-43) Ku = Thay (1-42) vào (1-43) ta có: Ku = − β .β .

Tụ C có nhiệm vụ đưa tín hiệu ra tải Rt.(rE + R E // Rt ) ]. Tính toán chế độ một chiều tương tự như tính toán tầng EC. Sơ đồ tầng khuếch đại CC.15b) Điện trở vào của tầng: Ta có RV=R1//R2//rV. Pr = Ku . cần chuyển sang sơ đồ thay thế (hình 1. Việc tăng điện áp vào sẽ làm tăng dòng cực gốc và dòng cực góp của tranzito. Điện trở ra của tầng. Việc đảo pha trong tầng khuếch đại EC được biểu thị bằng dấu “-” trong biểu thức Ku Hệ số khuếch đại công suất K P = lần. Tầng khuếch đại EC thực hiện đảo pha của điện áp ra đối với điện áp vào.4. xác định chế độ tĩnh của tầng. U V = I B [ rB + (1 + β). Để khảo sát các tham số của tầng theo dòng xoay chiều. Đặc biệt. còn gọi là tầng lặp E vì điện áp ra của nó Hình 1-15: a.2. Điển trở R1. Tầng khuếch đại góp chung (CC) (1-45) R1 IV Rn En CP1 Ibo UBE + EC βIB IC0 T CP2 Rt IV Rn B rB << C IC ∼ Uv R2 IE RE It Ur En ∼ UV rE R1//R2 E IB IE rC RE D It Rt Ur a. hệ số khuếch đại điện áp sẽ tăng khi điện trở trong của nguồn tín hiệu giảm.103 PV Rr = RC // rC ( E ) Vì rC(E) >> RC nên Rr = RC 1.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Từ (1-44) ta thấy nếu β càng lớn và điện trở mạch ra của tầng càng lớn so với điện trở mạch vào thì hệ số khuếch đại càng lớn. Hình 1-15a là sơ đồ tầng khuếch đại CC. về trị số gần bằng điện áp vào ( U r = U V − U BE ≈ U V ) và trùng pha với điện áp vào. hạ áp trên Rc tăng làm giảm điện áp trên cực góp. 21 . Sơ đồ thay thế lấy ở cực E của tranzito. b. b. Điện trở RE trong sơ đồ đóng vai trò như RC trong EC. nghĩa là tạo nên một điện áp biến đổi ở đầu ra trên nó. R2 là bộ phân áp cấp điện một chiều cho cực gốc.Ki trong sơ đồ EC khoảng (0. Để tăng điện trở vào thường người ta không mắc điện trở R2.2 ÷ 5).

I B . R V R E // R t . Việc xác định hệ số khuếch đại dòng Ki cũng theo phương pháp giống như sơ đồ EC.(1 + β). Vì dòng It đây chỉ là một phần của dòng IE nên biểu thức (1-39) có dạng: I t = (1 + β). (1-46) Từ biểu thức (1-46) ta thấy rV của tranzito trong sơ đồ CC lớn hơn trong sơ đồ EC. Hệ số khuếch đại điện áp tính theo (1-43) ta có: K u = (1 + β). R V R E // R t . (1-47) Nếu chọn bộ phân áp đầu vào R1. RE và Rt. Vì Ku=1 nên hệ số khuếch đại Kp xấp xỉ bằng Ki về trị số. Công thức (1-38) đúng với tầng CC. rV Rt (1-50) Hệ số khuếch đại dòng trong sơ đồ CC: K i = (1 + β). nên điện trở vào phải tính: R V = R 1 // R 2 // [ (1 + β). R2 lớn thì điện trở vào sẽ lớn. Vì rE thường rất nhỏ hơn RE//Rt. Điện trở ra của tầng CC: 22 . Giả thiết RV=rV thì K i = (1 + β).(R E + R t ) thì Ku≈ 1. nên điện trở vào của tầng lặp cực phát E bằng: R V ≈ R 1 // R 2 //(1 + β). còn rB nhỏ hơn số hạng thứ hai của vế phải biểu thức (1-46).Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Chia UV cho IB ta có: rV = rB + (1 + β). dùng để làm tầng phối hợp với nguồn tín hiệu có điện trở trong lớn.(R E // R t ).(rE + R E // Rt ). Tuy nhiên khi đó không thể bỏ qua điện trở rC(E) mắc song song với mạch vào. rV Rt R E // R t Rt (1-51) nghĩa là nó phụ thuộc vào quan hệ RV và rV. R E // R t Rn + RV (1-53) Khi RV >> Rn và gần đúng RV ≈ (1 + β). Như vậy tầng khuếch đại góp chung để khuếch đại công suất tín hiệu trong khi giữ nguyên trị số điện áp của nó. (1-52) Khi RE = RC và điện trở Rt giống nhau thì hệ số khuếch đại dßng ®iÖn trong sơ đồ phát chung và góp chung gần bằng nhau. Và xét đến (1-39) ta có: R E // R t Rt (1-49) I t = I V .(R E // R t ) ]//rC(E) (1-48) Điện trở vào lớn là một trong những ưu điểm quan trọng của tầng góp chung.

rB ] (1-55) Từ (1-55) ta thấy điện trở vào của tầng được xác định chủ yếu bằng điện trở rE vào khoảng (10÷50)Ω. Điện trở vào nhỏ là nhược điểm cơ bản của tầng BC vì tầng đó sẽ là tải lớn đối với nguồn tín hiệu vào. Rn + RV a. Nó được dùng để phối hợp mạch ra của tầng khuếch đại với tải có điện trở nhỏ. Hệ số khuếch đại dòng của tầng là: IE K i = α.3 Tầng khuếch đại gốc chung (BC). 1. (1-57) Từ (1-57) ta thấy khi giảm điện trở trong của nguồn tín hiệu vào sẽ làm tăng hệ số khuếch đại điện áp. Các phần tử R1. IV E IE rE RE IB rB << C RE CB C rC IC RC I1 B Rt Ur T IB Rt R2 Hình 1-16: a. Sơ đồ khuyếch đại BC Hệ số khuếch đại điện áp: b. Để khảo sát các tham số của tầng khuếch đại BC theo dòng xoay chiều ta sử dụng sơ đồ tương đương hình 1-16b. R C // R t Rt +EC RC CP2 R1 Rn U Ur ∼ (1-56) IC IV R En ∼ uV α. khi đó tầng góp chung dùng làm tầng ra của bộ khuếch đại có vai trò như một tầng khuếch đại công suất đơn chế độ A không có biến áp ra. b. RV = R E //[ rE + (1 − α ). Điện trở ra của tầng BC là: 23 .4. RE dùng để xác định chế độ tĩnh IE.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito R r = R E //( rE + rB + R n // R 1 // R 2 ) = R E // rE 1+ β (1-54) Điện trở ra của tầng nhỏ cỡ (1 ÷ 50)Ω. Đối với thành phần xoay chiều thì hệ số khuếch đại dòng điện của tranzito là: α= IC và α <1. Sơ đồ thay thế R C // R t K u = α. Các phần tử còn lại cũng có chức năng giống sơ đồ EC. Hình (1-16a) là sơ đồ một tầng khuếch đại gốc chung. R2.

Sơ đồ tầng khuếch đại đảo pha chia tải vẽ ở hình 1-17a. Tín hiệu lấy ra từ cực phát và cực góp của tranzito. TẦNG KHUẾCH ĐẠI ĐẢO PHA Tầng đảo pha dùng để khuếch đại tín hiệu và cho ra hai tín hiệu có biên độ bằng nhau nhưng pha lệch nhau 1800 (hay ngược pha nhau). Tín hiệu ra U r 2 lấy từ cực phát đồng pha với tín hiệuvào UV còn tín hiệu ra U r1 lấy từ cực góp ngược pha với tín hiệu vào. R V = R 1 // R 2 //[ rB + (1 + β). còn ở đầu ra 2 t b) CC. Dạng tín hiệu vẽ trên hình 1-17b. 1. 24 . (R C // R t1 ) Rn + RV (R E // R t 2 ) Rn + RV (1-61) (1-62) K u 2 ≈ (1 + β). xác định tương tự như sơ đồ c) d) Biểu đồ thời gian 0 K u1 ≈ β. Chính vì vậy tầng khuếch đại BC được dùng khi cần có điện áp ở đầu ra lớn. d.5.(rE + R E // R t 2 ) ] hoặc tính gần đúng: (1-59) (1-60) R V ≈ (1 + β). Ta sẽ khảo sát chỉ tiêu của tầng tính tương tự như tầng CC.(rE + R E // R t 2 ) UV +EC R1 CP1 Rn En ∼ UV R2 RE Rt a) b) RC T t 0 Ur2 c) UC0 t CP2 CP3 Rt Ur2 Ur1 ˆ Ur 2 _ d) 0 Ur ˆ Ur1 UC0 Hình 1-17: a) Sơ đồ tầng đảo pha Hệ số khuếch đại điện áp ở đầu ra 1 xác định tương tự như sơ đồ EC.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Rr = RC // rC ( E ) ≈ RC (1-58) Cần chú ý rằng đặc tuyến tĩnh của tranzito mắc BC có độ tuyến tính lớn nên tranzito có thể dùng với điện áp cực góp lớn hơn sơ đồ EC. c.

Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Nếu chọn RC=RE và có R t1 = R t 2 thì giá trị hệ số khuếch đại K u1 gần đúng bằng K u 2 và sơ đồ này còn gọi là mạch đảo pha chia tải. Tải RD được mắc vào cực máng D. Nguyên tắc chọn chế độ tĩnh cũng giống như sơ đồ tranzito lưỡng cực hình 1-12. nặng nề và méo lớn nên hiện nay ít được dùng. ở đây có thể viết dưới dạng: U DS0 > U r + ΔU DS Λ (1-63) (1-64) I D0 > I D Λ Điểm làm việc tĩnh P dịch chuyển theo đường tải một chiều sẽ qua điểm A và B (hình 1-19b). 1. sơ đồ nguyên lý như hình 1-18. Đối với điểm A: IDS = 0. +EC R1 CP Rn ∼ L1 T L2 Ur1 Ura2 UV R2 RE En CE _ Hai tín hiệu lấy Hình hai nửa cuộn tầngcấp có pha lệch biến áp 0 so với điểm 0. các điện trở R1. CÁC SƠ ĐỒ CƠ BẢN DÙNG TRANZITO TRƯỜNG(FET).6. UDS = +ED. dễ dàng thay đổi cực tính của điện áp ra và còn có tác dụng phối hợp trở kháng nhưng cồng kềnh. Nguyên lý xây dựng tầng khuếch đại dùng tranzito trường cũng giống như tầng dùng tranzito lưỡng cực.1. Điện trở tải xoay chiều xác định theo Rt∼= RD//Rt. RG. Tầng khuếch đại cực nguồn chung (SC) Sơ đồ khuếch đại SC dùng MOSFET có kênh n đặt sẵn cho trên hình 1-19a. Tụ CS dùng để khử hồi tiếp âm dòng xoay chiều. Điện trở RS sẽ tạo ra hồi tiếp âm dòng điện một chiều để ổn định chế độ tĩnh khi thay đổi nhiệt độ và do tính tản mạn của tham số tranzito. RS dùng để xác lập UGS0 ở chế độ tĩnh. Công thức (1-24) và (1-25) dùng để chọn chế độ tĩnh. Điểm khác nhau là tranzito trường điều khiển bằng điện áp. Trong bộ khuếch đại nhiều tầng thì tải của tầng 25 ID +E PDMax IDMax D . đối với điểm B: UDS= 0. 1. ID = ED/(RD+RS).6. Mạch này có hệ số khuếch đại lớn. Khi chọn chế độ tĩnh của tầng dùng tranzito trường cần đưa tới đầu vào (cực cửa G) một điện áp một chiều có giá trị và cực tính cần thiết. Tầng đảo pha cũng có thể dùng biến áp. ra từ 1-18: Sơ đồ thứ đảo pha dùng nhau 180 Khi hai nửa cuộn thứ cấp có số vòng bằng nhau thì hai điện áp ra sẽ bằng nhau. Tụ CP1 để ghép tầng với nguồn tín hiệu vào.

nguồn tĩnh. Trong chế độ tĩnh: U DS0 = E D − I D 0 (R D + R S ) trong đó: ID0 là dòng máng tĩnh (1-65) U DS0 là điện áp cực máng . Điện trở RG phải chọn nhỏ hơn điện trở vào. Khảo sát trường hợp U GS0 < 0 Điện trở RS và RG để xác định điện áp U GS0 < 0 trong chế độ tĩnh. Điện áp U GS0 là tham số của đặc tuyến ra tĩnh đi qua điểm P (hình 1-19b). Trong những trường hợp như vậy thì tải xoay chiều của tầng xác định chủ yếu bằng điện trở RD được chọn tối thiểu cũng nhỏ hơn RV một bậc nữa. ta thấy ở chế độ tĩnh điện áp cực G có thể có cực tính dương hoặc âm đối với cực nguồn và thậm chí có thể bằng không. Điều này rất cần thiết để loại trừ ảnh hưởng của tính không 26 . Chính vì vậy đối với tầng tiền khuếch đại thì độ dốc của đường tải xoay chiều (đường C-D) không khác lắm so với đường tải một chiều và trong nhiều trường hợp người ta coi chúng như là một đường. Dựa vào đặc tuyến của FET.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito trước chính là mạch vào của tầng sau có điện trở vào RV đủ lớn. điện trở RS được xác định bởi: RS = U GS0 I D0 (1-66) Điện trở RG để dẫn điện áp U GS0 lấy trên RS lên cực cửa G của FET. Trị số và cực tính của điện áp trên điện trở RS là do dòng điện IS0=ID0 chảy qua nó quyết định.

05÷0.RG − RG U S 0 − U GS0 RG RG + R1 (1-67) (1-68) Điện áp nguồn cung cấp: E D = U DS 0 + U S 0 + I D 0 . Cũng tương tự (1-30) ta có: ED = U D 0 + I D 0 . ở đầu ra sẽ nhận được nửa chu kỳ điện áp cực tính âm. Chọn các phần tử dựa vào công thức (1-67) đến (1-70). 27 . khi đó (1-67). Vì thế U S0 thường chọn trong khoảng (0. Lúc đó bắt buộc phải mắc R1.Chế độ U GSO >0 là chế độ điển hình của MOSFET có kênh cảm ứng loại n. và công suất tiêu tán cực đại trong tranzito PDmax. tuy nhiên khi đó cần tăng ED. nghĩa là tăng điện áp U S0 sẽ làm tăng độ ổn định của điểm làm việc tĩnh do RS tăng.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito ổn định theo nhiệt độ và tính tản mạn của các tham số mạch vào đến điện trở vào của tầng.R D (1-69) Trị số RD có ảnh hưởng đến đặc tính tần số của tầng. Với quan điểm mở rộng dải tần thì phải giảm RD. Giống như sơ đồ EC dùng tranzito lưỡng cực. Việc chọn điện áp U S0 cũng theo những điều kiện giống như điện áp UE0 trong tầng EC. RG của tầng nguồn chung. Ví dụ đặt vào đầu vào nửa chu kỳ điện áp dương. (1-68) phải cho U GS0 = 0 hoặc là thay đổi dấu trước điện áp U GS0 .3)ED. Để tăng tính ổn định thì cần tăng RS nhưng phải bảo đảm U GS0 . ngăn cản sự thay đổi dòng ID0 do tác dụng của nhiệt độ và tính tản mạn tham số của tranzito và vì thế ổn định chế độ tĩnh của tầng.15). thì ta có thể chọn RD=(0. (1-68) có thể dùng chúng để tính mạch thiên áp R1.7 ÷ 0. điện áp máng cực đại U DS max. nó được tính theo tần số trên của giải tần. Chọn loại FET phải chú ý đến các tham số tương tự như trong tầng EC. R1 = E D . Dưới đây ta sẽ phân tích tầng khuếch đại về mặt xoay chiều. phải tính đến dòng máng cực đại IDmax.R D 0. Trị số RS thường chọn từ (1÷5)MΩ.ri. Sau khi đã chọn điện trở trong của tranzito ri.Vì thế nếu thực hiện đổi dấu trước UGSO trong công thức (1-67). điện trở RS còn tạo ra hồi tiếp âm dòng điện một chiều trong tầng. sẽ làm tăng dòng máng và giảm điện áp máng. U GS0 = U S 0 − U G 0 = I D 0 .RS − E D . tầng nguồn chung cũng làm đảo pha tín hiệu vào. Ngoài việc đảm bảo điện áp U GS0 yêu cầu.9 (1-70) Khi U GS0 ≥ 0 phải mắc điện trở RS để đạt yêu cầu về độ ổn định chế độ tĩnh. Trong trường hợp này phải bù điện áp U S0 bằng cách cung cấp cho cực cửa điện áp UG0 qua điện trở R1.1÷0.

song song ở mạch ra xác định tải xoay chiều Rt~thay//Rt.Nếu như tính R D << ri thì hệ số khuyếch đại điện áp của tầng được tính: K U = −S.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Sơ đồ tương đương thay thế tầng SC vẽ trên hình 1-20a có tính đến điện dung giữa các điện cực của tranzito.ri .U V .Thay μ = Sri và ta có: Ku = − μ .(ri // Rt ~ ) UV UV (1-71) (1-72) S.Rt ~ ri + Rt ~ (1-73) Dựa vào (1-73) có thể vẽ sơ đồ thay thế tầng SC với nguồn điện áp μ. Trong trường hợp nếu tầng SC là tầng khuyếch đại trong bộ khuyếch đại nhiều tầng thì R t ~ = R D // R V = R D .U v (hình 1-20b). Điện trở RD.Vì thế trong sơ đồ thay thế không vẽ những tụ đó. Hệ số khuyếch đại điện áp ở tầng tần số trung bình : Ku = Hay là: Ku= - Ut S. C p 2 và tụ CS khá lớn nên điện trở xoay chiều coi như bằng không. Rt mắc Hình 1-20: Sơ đồ tương đương =RD thế Điện trở R1. tầng S chungRG cũng được mắc song song. nên điện áp vào của tầng coi như bằng E n Tụ nối tầng C p1 .R D Điện trở vào của tầng SC là: (1-74) (1-75) (1-76) 28 R V = R 1 // R G Điện trở ra của tầng: R r = R D // ri ≈ R D . Vì điện trở vào thường lớn hơn điện trở Rn nhiều. CG UV a) CGS R1 // RG SU CG ∼ ri CDS RD Rt Ur UV b) CGS ri R1// RG μUV ∼ CDS RD Rt Ur Sơ đồ thay thế dựa trên cơ sở sử dụng nguồn dòng ở mạch ra.R t ~ ri + R t ~ Trị số Sri gọi là hệ số khuyếch đại tĩnh μ của FET.(ri // Rt ~ ) =− = − S.

nghĩa là cần chú ý đến điện dung giữa các điện cực C GS . Ở tần số cao những điện dung ký sinh kể trên sẽ tạo nên thành phần điện kháng của dòng điện mạch vào I Cv = I CGS + I CGD + I CL (1-77) Dòng ICGS. nên điện áp giữa cực cửa và cực máng sẽ bằng: u v + u r = (1 + K u )u v Dòng điện vào điện dung của tầng: I CV = j.C GD + CS Ku (1-79) 1.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Khi chuyển sang miền tần số cao thì phải chú ý đến điện dung vào và ra của tầng. cũng như điện dung lắp ráp mạch vào C L (Điện dung của linh kiện và dây dẫn mạch vào đối với cực âm của nguồn cung cấp).(1+Ku).CGD+CL]=j. ICL xác định bằng điện áp vào UV.UV hay I CV ≈ j. 29 .CL. C GD của tranzito.cửa.2.ω. Tải một chiều của tầng là RS. Vì điện áp cực máng ngược pha với điện áp vào.ω. CGD + ED CP1 Rn En ∼ UV UG R1 UGS CP2 US0 RS Rt Ur UV Ri // RG CGS ri 1+ μ RS RG _ ∼ μ Ur 1+ μ Rt Ur a) b) Hình 1-21: Tầng khuếch đại cực máng chung Việc chọn và tính toán a) Sơ đồbảo chế độ tĩnh đượctương đương.UV CV=CGS+(1+Ku). có kết quả: C r = C DS + 1+ Ku .UV+j.ω. Tính điện dung ra cũng theo phương pháp như đã tính điện dung vào. Hình 1-21a vẽ sơ đồ DC dùng FET có kênh đặt sẵn.UV[CGS+(1+Ku). cũng như điện dung lắp ráp mạch ra. Điện trở R1.ωCGD.cửa.CGS. còn dòng ICGD xác định bằng dòng cực máng .uv + j.CV. b) Sơ đồ tiến hành tương tự như tầng SC.ω. RG cùng RS dùng để xác định chế độ làm việc tĩnh của tranzito. còn tải xoay chiều là: Rt∼=RS//Rt. để đảm nguyên lý.CGD+CL (1-78) ở đây CV là điện dung vào của tầng: Điện dung ra của tầng phụ thuộc vào điện dung giữa các điện cực ở khoảng máng nguồn và máng .6. Tầng khuếch đại cực máng chung (DC) Sơ đồ tầng khuếch đại cực máng chung gần giống sơ đồ CC.

ta có: Ut = .(ri // R t ~ ) S. Mạch vào của sơ đồ thay thế hình 1-21b gồm ba phần tử giống nhau như sơ đồ thay thế SC.U V Với điện trở tương đương ri /(1 + μ) .R t ~ (1-82) Ku = (1-83) Hệ số khuếch đại Ku phụ thuộc vào độ hỗ dẫn của tranzito và tải xoay chiều Rt~ của tầng.U V .(ri // R t ~ ) = U V 1 + S. Vì vậy đối với tầng DC nên dùng tranzito có độ hỗ dẫn lớn. Hệ số khuếch đại tiến tới 1 khi tăng S và Rt~.Rt ~ μ 1+ μ (1-84) Chia cả tử số và mẫu số vế phải công thức (1-84) cho 1 + μ và thay Ku=Ut/UV.R t ~ 1 + S.(ri // Rt ~ ) (1-81) Hệ số khuếch đại điện áp của tầng tính theo: Ku = Vì ri >>Rt~ nên: Ut S.Rt ~ Rt ~ + ri Ku = μ . ở mạch ra của sơ đồ thay thế có nguồn điện áp tương đương μ μ +1 .Rt ~ ri + (1 + μ ). Dựa vào sơ đồ hình 1-21b xác định được điện trở ra của tầng DC 30 . Rt ~ ri /(1 + μ ) + Rt ~ (1-85) Dựa vào (1-85) ta sẽ được sơ đồ thay thế của tầng hình 1-21b.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Đối với tầng DC điện áp ra tải trùng pha với điện áp vào U t = U V − U GS U t = S. Để tìm được các tham số tương đương của sơ đồ thay thế ta sẽ biến đổi công thức (182) sau khi thay vào nó S=μ/ri và khai triển: ri // Rt ~ = Sau khi biến đổi ta có: ri .U GS (ri // Rt ~ ) hay (1-80) Theo sơ đồ thay thế thì Ut lại là hàm số của UGS tác dụng lên đầu vào của tranzito. U GS = Ut S.

(1 − Ku ) + C L ] từ đó: CV = C GD + C GS . Vì điện áp giữa cực cửa và cực nguồn của tranzito trong sơ đồ lặp lại cực nguồn bằng U V − U r nên dòng điện vào bản thân của tranzito sẽ nhỏ hơn trong sơ đồ SC. và vào khoảng (100÷3000) Ω .7. Do đó cho phép ta dùng R1. RG lớn. và độ không ổn định nhiệt độ của điện trở giữa cửa và nguồn nhỏ.máng và cửa . Vì điện áp cực máng không đổi. Đối với tầng DC thì cần thiết phải tính đến thành phần dòng điện dung vào mạch cửa . thành phần dòng điện dung CGD và C1 được xác định bằng điện áp vào.nguồn của tranzito. Rn En ∼ UV 1 Ur1=UV2 1 2 Ur 2 UV(NN-1 N Ur N Rt Hình 1-22: Sơ đồ khối bộ khuếch đại nhiều tầng Theo hệ thức (1-88) hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại nhiều tầng bằng tích hệ số khuếch đại của mỗi tầng (tính theo đơn vị số lần) hay bằng tổng của chúng (tính theo đơn vị dB) 31 . CÁC PHƯƠNG PHÁP GHÉP TẦNG TRONG BỘ KHUẾCH ĐẠI Một bộ khuếch đại thường gồm nhiều tầng mắc nối tiếp nhau như hình 1-22 (vì thực tế một tầng khuếch đại không đảm bảo đủ hệ số khuếch đại cần thiết). Vì vậy tầng DC có điện trở vào RV lớn (tới vài MΩ) hơn tầng SC. Điện trở vào và ra của bộ khuếch đại sẽ được tính theo tầng đầu và tầng cuối. Thành phần dòng điện dung CGS phụ thuộc vào điện áp U GS = U V − U t = (1 − K u ).U V [ C GD + C GS .ω.U V Dòng vào tổng là: I CV = j.(1 − Ku ) + C L (1-87) Như vậy điện dung vào của tầng DC nhỏ hơn của tầng SC. ở đây tín hiệu ra của tầng đầu hay tầng trung gian bất kỳ sẽ là tín hiệu vào cho tầng sau nó và tải của một tầng là điện trở vào của tầng sau nó. 1.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito R r =RS // 1 1 ≈ 1+ μ S (1-86) Điện trở ra của tầng DC nhỏ hơn tầng SC. Từ (1-87) ta thấy nếu Ku ≈1 trong tầng DC thì ảnh hưởng của điện dung CSG đến điện dung vào sẽ giảm nhiều. Điện dung vào của tầng DC sẽ nhỏ hơn của tầng SC. cũng như thành phần dòng điện dung lắp ráp ở mạch vào của tầng.

điều này sẽ làm cho điện áp đầu ra của bộ khuếch đại thay đổi cả biên độ lẫn pha khi tần số tín hiệu vào thay đổi. khi tải thuần trở thì những sự phụ thuộc kể trên là do tụ điện trong sơ đồ quyết định. suất tín tính 1-23: Sơ cùng. . Những giả thiết như vậy chỉ đúng ở tần số trung bình. Tầng này phải đảm bảo đưa điện Rt công hiệu yêu cầu. Trong (1-4) khi tính hệ số khuếch đại của tầng đơn đã giả thiết điện trở xoay chiều của tụ điện bằng không.ở miền tần số thấp.6. Các điều đã phân tích trong mục 1. = Ku1 .KuN En E n U V2 U VN Ku (dB) = Ku1 (dB) + . Dựa vào hệ số khuếch đại tầng cuối. Việc tính toán các tầng (chọn và đảm bảo chế độ làm việc tĩnh.. Trong trường hợp cần thiết phải chú ý đến đặc tính của tranzito và ảnh hưởng của tụ điện ở biên tần của tín hiệu cần khuếch đại.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito U t U ra 1 U r 2 U rN = .Ku2 .7. ta xác định các tham số tín hiệu vào của nó. tính toán chế độ xoay chiều) phải theo thứ tự từ tầng cuối cùng trở về tầng đầu tiên. Do đó có hạ áp trên tụ nên điện áp của nguồn tín hiệu đặt vào tầng đầu tiên hay điện áp ra tầng trước đặt vào tầng sau sẽ bị giảm. còn ở miền tần số cao thì chủ yếu là do các tham số của tranzito quyết định.. Ghép tầng bằng tụ điện (1-88) Bộ khuếch đại nhiều tầng ghép tụ điện vẽ trên hình 1-23. Trong thực tế người ta có thể nghiên cứu ảnh hưởng của các yếu tố trên một cách độc lập ở hai miền tần số thấp và cao. đúng cho một tầng trung gian bất kỳ nếu thay Rt cho RV. Dưới đây ta xét đặc điểm công tác của bộ khuếch đại ở miền tần số thấp. 1. + KuN (dB) Ku = Việc ghép giữa các tầng có thể dùng tụ điện. bỏ qua ảnh hưởng của tụ điện trong bộ khuếch đại và không tính đến sự phụ thuộc của các tham số của tranzito vào tần số... biến áp hay ghép trực tiếp. R2 R1 CP1 Rn En ~ UV R2 R4 CE1 R6 R8 CE2 R3 T1 CP2 C2 R5 T2 R7 CP3 R9 T3 R11 +EC Ur R10 R12 CE3 Trước hết taHình tầng cuối đồ bộ khuếch đại nhiều tầng ghép ra tải dung. 32 .1. Khi tần số giảm thì độ dẫn điện của các tụ nối tầng sẽ giảm. và tiếp tục cho đến tầng đầu tiên của bộ khuếch đại... Số tầng trong bộ khuếch đại nhiều tầng xác định theo công thức (1-88) xuất phát từ hệ số khuếch đại yêu cầu. Và đó chính là số liệu ban đầu để tính tầng trước cuối. Đầu tiên ta tính ở tần số trung bình f0.

Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Hạ áp trên tụ sẽ làm giảm biên độ tín hiệu ở đầu ra mỗi tầng của bộ khuếch đại nói chung tức là làm giảm hệ số khuếch đại ở miền tần số thấp (hình 1-24). Như vậy là trị số của tụ nối tầng có ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại ở miền tần thấp. Tương tự ta sẽ xác định được hằng số thời gian τ cho các tụ khác trong sơ đồ. R V1 là điện trở vào của tầng đầu tiên.(R n + R V1 ) trong đó Rn là điện trở của nguồn tín hiệu vào.. Ví dụ đối với bộ khuếch đại âm thanh thường chọn bằng 2. Vì khi tần số giảm sẽ làm giảm tác dụng rẽ mạch của tụ đối với điện trở RE và do đó làm tăng mức độ hồi tiếp âm dòng xoay chiều trên RE và do đó làm giảm hệ số khuếch đại..M t N Dải tần trung bình KU C''P > CP' > CP K UO M1 0 KUO ft fC f K UO Mt KU0 f''t f't ft b) f Dải thông a) Hình 1-24: a) Dạng tổng quát đặc tuyến biên độ tần số của bộ khuếch đại ghép điện dung. 33 .M t 2 . b) ảnh hưởng Hệ số méo tần số tính theo: của tụ nối tầng đến đặc tuyến ở tần thấp Mt = 1 + ( 1 2 ) ω t . Hệ số méo tần số ứng với tần số thấp của giải thông có giá trị tuỳ thuộc vào nhiệm vụ của bộ khuếch đại. Ảnh hưởng của tụ nối tầng thể hiện rất rõ trong bộ khuếch đại ghép tụ ở chỗ hệ số khuếch đại Ku→ 0 khi f→ 0. ở đây n là số tầng khuếch đại làm đảo pha tín hiệu. Việc giảm môđun hệ số khuếch đại ở tần số thấp Kt được đặc trưng bằng hệ số méo tần số thấp của bộ khuếch đại. Tần số thấp nhất của giải thông sẽ được chọn làm số liệu ban đầu khi tính bộ khuếch đại ở vùng tần số thấp.τ t (1-90) Đối với tụ CP1 hình 1-88 thì hằng số thời gian τ = C P1 . Tụ CE cũng ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại ở miền tần thấp.. M t = M t1 . Như trên đã giả thiết. ở miền tần số trung bình các tụ điện không gây ảnh hưởng gì và sự dịch pha của tín hiệu đầu ra của bộ khuếch đại đối với tín hiệu đầu vào sẽ là nπ. Mt = K0 Kt (1-89) đó chính là tích hệ số méo tần số của mỗi tụ trong bộ khuếch đại.

Như vậy sự dịch pha của điện áp ra bộ khuếch đại so với điện áp vào ở miền tần số thấp có đặc tính vượt trước. Góc dịch pha của bộ khuếch đại bằng tổng góc dịch pha của mỗi tụ. ω t .τ C ) 2 (1-92) ở đây τ C là hằng số thời gian tương đương của tầng ở miền tần số cao. Hệ số méo ở tần số cao xác định theo công thức: KU a) O 2 0 ϕt KU O f b) π/2 π/4 0 ft f Hình 1-25: Ảnh hưởng của tụ nối tầng đến đặc tuyến M C = 1 + (ωC . Những nhân tố này ảnh hưởng đến đặc tuyến tần số của bộ khuếch đại ở miền tần cao.. + ϕ Cn f b) 34 -π/4 -π/2 Hình 1-26: ảnh hưởng tính chất tần số củaTranzito đến đặc tuyến a) Biên độ -tần số. Góc dịch pha do một tầng khuếch đại gây ra là: ϕ C = −arctgω C . ở miền tần cao sự giảm môđun hệ số β của tranzito cũng như tác dụng rẽ mạch của điện dung CCE làm giảm hệ số khuếch đại.τ C Đặc tuyến biên độ tần số và pha tần số ở miền tần cao ở hình 1-26 Trong bộ khuếch đại có nhiều tầng thì: méo ở tần số cao bằng tích độ méo của các tầng.τ t (1-91) Đặc tuyến biên độ tần số và pha tần số của bộ khuếch đại ở miền tần thấp vẽ trên hình 1-25...M Cn (1-94) (1-95) ϕ C = ϕ C1 + ϕ C 2 + .M C 2 . còn méo pha bằng tổng méo phacủa từng tầng Tức là: (1-93) KU KU a) K 1UO MC 0 ϕC 0 K1U0 f M C = M C1 .Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Ở miền tần số thấp vì trong mạch có tụ điện nên dòng điện nhanh pha hơn so với điện áp. và góc dịch pha của mỗi tụ là: ϕ t = acrtg 1 . còn đường đứt nét là đặc tuyến xét khi ảnh hưởng của tất cả các tụ trong bộ khuếch đại.. . b) Pha-tần số. Đặc điểm công tác của bộ khuếch đại ở miền tần số cao là sự phụ thuộc hệ số khuếch đại β của tranzito vào tần số và sự tồn tại điện dung mặt ghép góp CCE.. Đường nét liền là đặc tuyến xét khi ảnh hưởng của một tụ.

8. Ghép tầng bằng biến áp cách ly điện áp một chiều giữa các tầng mà còn làm tăng hệ số khuếch đại chung về điện áp hay dòng điện tuỳ thuộc vào biến áp tăng hay giảm áp.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 1. Cách trực tiếp này làm giảm méo tần số thấp trong bộ khuếch đại. Mạch khuếch đại Đarlingtơn Khi cần trở kháng vào tầng khuếch đại lớn để dòng vào nhỏ. Ghép bằng biến áp Hình 1-27 là sơ đồ bộ khuếch đại ghép bằng biến áp. MỘT SỐ MẠCH KHUẾCH ĐẠI KHÁC 1. +EC R1 CP Rn En ∼ R2 T RE CE R4 +EC R3 R5 T2 W1 W2 CP2 T2 Ur R3 RC 1. hư hỏng sửa chữa thay thế phức tạp. cồng kềnh. Ngoài ra tầng ghép biến áp dễ dàng thực hiện phối hợp trở kháng và thay đổi cực tính điện áp tín hiệu trên các cuộn dây. Khi cấp nguồn thoả mãn để T1.3.8. cuộn thứ cấp W2 mắc vào cực gốc T2 qua tụ CP2. được dùng trong bộ khuếch đại tín hiệu có thành phần một chiều (tín hiệu biến thiên chậm). Ưu điểm của mạch này là điện áp nguồn cung cấp cho cực góp của tranzito lớn vì điện áp một chiều cuộn dây bé. Cuộn sơ cấp W1 mắc vào cực góp T1. R1 T1 R2 uV R4 R6 ur Hình 1-28: Mạch khuếch đại ghép trực tiếp 1.2. do đó cho phép nguồn có điện áp thấp. Mạch ghép trực tiếp 1-27: Tầng khuếch đại ghépbiến Hình Mạch ghép trực tiếp cho ở hình 1-28. hệ số khuếch đại lớn ta nối mạch khuếch đại theo Đarlingtơn. Nhược điểm của mạch là không tận dụng được độ khuếch đại của tranzito do chế độ cấp điện một chiều.7. ở mạch này cực góp của tranzito trước đấu trực tiếp vào cực gốc của tranzito sau. Mạch gồm hai tranzito T1 và T2 đấu như hình 1-29.T2 làm việc chế độ khuếch đại ta có: I C = I C1 + I C 2 còn I E1 = I B 2 35 . Kết cấu mạch nặng nề.7. Tuy nhiên nó có nhược điểm là đặc tuyến tần số không bằng phẳng trong giải tần.1.

I B1 Vì β1 . Ưu điểm cơ bản của mạch này là ngăn cách ảnh hưởng của mạch ra đến mạch vào của tầng khuếch đại. T1 mắc phát chung còn T2 mắc gốc chung.rV 2 .β 2 Ta tính được điện áp vào của mạch: (1-96) Hình 1-29: Mạch Đarlingtơn U BE = I B1 .Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Bỏ qua thành phần dòng ngược ban đầu ta có: I C = β1 . 1. Vậy hệ số khuếch đại dòng của sơ đồ Đarlingtơn: IC2 IE2 β = β1 .I B1 ≈ β1 . T2. tiếp T2 khuếch đại tiếp cho U ra 2 .I B1 + β 2 .8.(1 + β1 ).I B1 + β 2 .R C rV 2 β 2 . Để khuếch đại được giải tần rộng như vậy mạch khuếch đại thường dùng thêm một phần tử hiệu chỉnh.rV1 + I B1 .β 2 thứ tự là hệ số khuếch đại dòng của tranzito T1.I B1 + β 2 . Khi có tín hiệu vào T1 khuếch đại đặt tín hiệu ra U ra1 lên cực phát gốc T2 điều khiển Ta chứng minh được hệ số khuếch đại điện áp của T1: K u1 = −1 của T2: K u 2 ≈ β 2 . (1-97) CB CP1 R3 T1 Ura Ura1 UV Hình 1-30: Mạch khuếch đại Cascốt. Mạch Cascốt (Kaskode) Mạch gồm hai tranzito ghép với nhau.R C rV 2 nên hệ số khuếch đại chung: K = K u1 .3.I B1 + β1 .K u 2 = − (1-98) trong đó rv2 là điện trở vào của tranzito T2. Mạch khuếch đại giải rộng Tín hiệu có giải tần rộng điển hình là tín hiệu video.(1 + β). đặc biệt ở tần số cao. Mạch điện của một tầng có hình 1-31.rV 2 I B1 1.β 2 .2. β 2 >> 1 trong đó β1 .8.I B 2 = β1 .β 2 . Nên điện trở vào là: R1 R2 RC T2 CP2 U rV = BE 2 = rV1 + (1 + β1 ). Sơ đồ như hình 1-30.I B1 IC1 T1 IB1 T2 IE1=IB2 IC = β1 . 36 .

ở khoảng tần số cao fC có ωC.L <<. Ở tần số thấp ω t .C 2 R4 chọn nhỏ hơn các tầng khuếch đại khác. C2 là các phần tử hiệu chỉnh được chọn phù hợp sao cho ở khoảng 1 tần số trung bình của giải tần ω tb . R3. Mạch điển hình ở hình 1-32. R3 R1 CP1 uV +EC L 1 CP2 ura K/K0 C2 R4 1 2 f R2 a) RE ft ftb b) fC Hình 1-31: a) Tầng khuếch đại giải rộng 1. Tức là: 1 L1C 2 = 1 L 2C3 = f 0V . 1 đủ lớn nên tải của tầng là R4 và R3. Như vậy nhờ các ω t . Đường 1 biểu thị hệ số khuếch đại tương đối khi không có phần tử hiệu chỉnh. L2C3 cần phải điều chỉnh tần số cộng hưởng theo.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Ở mạch này L. << . Tải của tầng là mạch cộng hưởng song song.L <<. b) Đặc lọc) Mạch khuếch đại cộng hưởng dùng phổ biến ở các tầng khuếch đại có tần số cao. xem ≈ 0 nên tải của tầng là R4. Ở mạch này L1C2. L2C3 cộng hưởng ở tần số vào. +E C3 L2 L3 ur CP uv L1 C2 37 R C4 Hình 1-32: Tầng khuếch đại cộng hưởng dùng Tranzito trường . Khi tần số tín hiệu vào thay đổi các mạch L1C2. Mạch khuếch đại cộng hưởng (chọntuyến biên độ tần số. đường 2 là khi có các phần tử hiệu chỉnh. Thường ω tb .8.C 2 phần tử hiệu chỉnh làm tăng tải xoay chiều ở vùng tần số hai đầu của giải tần nhờ vậy điện áp ra tăng lên ở hai đầu vùng đó.L nên Ura tăng lên.L đủ lớn nên tải của tầng gồm R4 và ωC.4.

cảm ứng qua L3 cho điện áp ra. Dòng điện ra sụt áp trên khung L2C3. ở chế độ này góc cắt θ =1800. Kp = Pr PV . Các chế độ làm việc của tầng khuếch đại. có tín hiệu vào lớn.9. Các tham số cơ bản của tầng khuếch đại công suất là: . η= Pr P0 Hiệu suất càng lớn thì công suất tổn hao trên cực góp của tranzito càng nhỏ.1.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Đặc điểm của mạch.9.Hệ số khuếch đại công suất Kp là tỷ số giữa công suất ra và công suất vào. 1. Với độ méo cho phép vào bảo đảm hiệu suất cao. IC a) IC 0 0 UBE UBE t 0 2θ IC t Khu vực bão hoà 38 PCm A . Do khuếch đại tín hiệu lớn. tranzito làm việc trong miền không tuyến tính nên không thể dùng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ để nghiên cứu mà phải dùng phương pháp đồ thị. bị khung này chặn lại đưa vào tranzito khuếch đại. Khi có tín hiệu vào thì thành phần tín hiệu có tần số bằng và lân cận tần số cộng hưởng của khung C2L1.Hiệu suất là tỷ số công suất ra và công suất cung cấp một chiều P0. Chế độ A là chế độ tầng khuếch đại cả tín hiệu hình sin vào. Tầng khuếch đại có thể làm việc ở các chế độ A. AB. TẦNG KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT 1. Đặc điểm chung và yêu cầu của tầng khuếch đại công suất Tầng khuếch đại công suất là tầng khuếch đại cuối cùng của bộ khuếch đại. B và C tuỳ thuộc vào chế độ công tác của tranzito. ngoài tác dụng khuếch đại tớn hiệu nú cũn cú khả năng chọn lọc tín hiệu theo tần số. Nó có nhiệm vụ khuếch đại cho ra tải một công suất lớn nhất có thể được. dòng tĩnh luôn lớn hơn biên độ dòng điện ra nên méo nhỏ nhưng hiệu suất rất thấp chỉ dùng khi yêu cầu công suất ra nhỏ.

Điểm làm việc của chế độ AB gần khu vực tắt của tranzito. góc cắt 900< θ <1800. Để giảm méo phải dùng mạch khuếch đại kiểu đẩy kéo mà ta sẽ xét sau đây. Lúc này dòng tĩnh bé hơn chế độ A nên hiệu suất cao hơn. Dưới tác dụng của tín hiệu vào điều khiển khi tranzito thông bão hoà là khoá đóng. còn khoá mở khi tranzito tắt. Chế độ AB và B có hiệu suất cao nhưng gây méo lớn. ở chế độ này dòng tĩnh bằng không nên hiệu suất cao. dòng IC = 0. Chế độ D tranzito làm nhiệm vụ như một khoá điện tử đóng mở. Nó được dùng trong các mạch khuếch đại cao tần có tải là khung cộng hưởng để chọn lọc sóng hài mong muốn và để có hiệu suất cao. 39 . Chế độ C tầng khuếch đại tín hiệu ra bé hơn nửa hình sin. có góc cắt θ =900. góc cắt θ <900. Chế độ B tầng khuếch đại nửa tín hiệu hình sin vào. dòng IC đạt cực đại.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Chế độ AB tầng khuếch đại hơn nửa hình sin của tín hiệu vào.

Xét tầng khuếch đại đơn mắc phát chung vì có hệ số khuếch đại lớn và méo nhỏ.9. C PC.CP > E C = U C 0 + U C (1-100) (1-101) ) ) Từ hình 1-34 ta thấy công suất ra của tầng Pr = IC . sau đó xác định UB0 và RB.CP > PC = E C .Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Hình 1-33 minh hoạ chế độ công tác của tầng khuếch đại công suất. Tầng khuếch đại công suất chế độ A Trong tầng khuếch đại chế độ A.RC = EC.2.U Pr = C C 2 Công suất tiêu thụ của nguồn cung cấp: 40 C ˆ UC UC + IC. điểm làm việc thay đổi đối xứng xung quanh điểm tĩnh. nó chỉ khác là tín hiệu vào lớn nên IC0 phải lớn theo.U C / 2 chính là diện tích tam giác OPQ. Công suất ra của tầng: ) ) I . RC đã cho ta dựng đường tải theo phương trình. Theo giá trị IC0 tìm được IB0. từ đó xác định được U .I C 0 (1-102) . khuếch đại. Mạch điện tầng khuếch đại ở hình 1-34. IC EC RC O Q ˆ IC P IB0 +EC RC RB CB uV ur=uCE IC0 IB=0 0 UC0 EC UCE UCE Với nguồn EC đã chọn. So với tầng khuếch đại tín hiệu nhỏ. 1. Chọn điểm làm việc sao cho khi tín hiệu vào ttín hiệu ra chỉ biến đổi trong vùng ) Hình 1-34: Tầng khuếch đại . ˆ công suất chế độ A mắc phát chung I a) Sơ đồ b) Minh hoạ dạng tín hiệu trên họ đặc tuyến ra Chọn tranzito cần thoả mãn: ) (1-99) I CCP > I C max = I C 0 + IC ) U C.

hiệu suất cực đại có thể đạt 50%.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito P0 = I C 0 . IC Pr η= = P0 2.I C 0 . Tầng có thể làm việc ở chế độ B hay AB. Nếu dùng mạch ra ghép biến áp.+ EC W21 Wt W22 Rt T2 Hình 1-35: Tầng đẩy kéo ghép biến áp Sơ đồ tầng khuếch đại công suất đẩy kéo có biến áp ra vẽ trên hình (1-35) gồm hai tranzito T1.9. Trong chế độ B thiên áp ban đầu bằng không nên không cần R1.U C . Mạch cực góp của mỗi tranzito mắc với nửa cuộn sơ cấp biến áp. Tầng khuếch đại công suất đẩy kéo chế độ B hay AB có biến áp iC R T1 W11 R2 UV WV W12 .3. 2 (1-104) Từ 1-104 ta thấy công suất PC phụ thuộc vào tín hiệu ra. Khi không có tín hiệu PC=P0 nên chế độ nhiệt của tranzito phải tính theo công suất P0. T2.E C (1-103) ) E Từ hình vẽ ta thấy khi U C = U C 0 = C 2 ) và IC = I C 0 thì có η max =25%. Khi đó điện trở R2 được dùng để đảm bảo công tác cho mạch vào của tranzito trong chế độ gần với chế độ nguồn dòng. Đầu tiên xét sơ đồ làm việc ở chế độ B. Nếu không tính đến dòng điện ngược cực góp thì có thể 41 .E C − . Tải được mắc với tầng khuếch đại qua biến áp ra BA2.IC . R2. 1. Biến áp BA1 có hệ số biến áp là n1=WV/W11=WV/W12 đảm bảo cung cấp tín hiệu vào cực gốc của hai tranzito. Trong chế độ AB thiên áp lấy trên cực gốc của hai tranzito được lấy từ nguồn nuôi EC bằng bộ phân áp R1. Lúc không có tín hiệu vào điện áp trên cực gốc của hai tranzito bằng không. thực hiện được phối hợp trở kháng và tận dụng được nguồn nuôi EC.E C Hiệu suất của mạch cực góp: ) ) U C . Tỷ số biến áp là n2=W21/Wt=W22/Wt. Công suất tiêu hao trên mặt ghép góp: 1 ) ) PC = P0 − Pr = I C 0 .

R t ~ = I C1 . Đường tải xoay chiều cắt đường tải một chiều tại (IC0.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito coi dòng điện bằng không. Trên cuộn W21 sẽ tạo nên điện áp U 21 = I C1 . bắt đầu ở nửa chu kỳ dương. Khi có tín hiệu vào.I B1 . T2 khuếch đại đưa ra tải nửa chu kỳ tín hiệu sau. khi đó trên W11 của biến áp BA1 có nửa chu kỳ điện áp dương. Đường tải một chiều xuất phát từ điểm toạ độ (0.I 1-36: Đồ thị tính tầng công suất Pr = C C 2 Công suất đưa ra tải có tính đến hiệu suất của biến áp là: (1-105) Pt = Pr . T2 thay nhau làm việc theo cực tính của tín hiệu vào Quá trình làm việc mô tả trên hình (1-36).n 2 . Trên cực góp các tranzito có điện áp bằng EC. Lúc đó T1 tắt. n2 2 Khi tín hiệu vào chuyển sang nửa chu kỳ âm. Để tín hiệu ra không méo cần chọn β1=β2=β. T1 làm việc có dòng I C1 = β.R t Trên tải có nửa sóng điện áp dương U t = 2 U 21 . UC = EC) với R t ~ = n 2 . còn trên W12 có nửa chu kỳ điện áp âm đối với điểm chung. 2 IC ˆ IC iC ΔUCE 0 UCE IC0 EC UCE ˆ u Công suất ra của tầng tính được theo diện tích tamCgiác: ) ) Hình U . Điện áp trên tải bằng không. Kết quả là tranzito T2 tắt.η b / a 2 Trị số trung bình dòng tiêu thụ từ nguồn: (1-106) 42 . Do U BE 0 = 0 nên dòng cực góp xác định từ dòng điện ngược của nó. cực tính trên cuộn thứ cấp biến áp vào đổi dấu. EC) vì điện trở một chiều của cuộn dây không đáng kể.R t . Như vậy hai tranzito T1.

U C IC 2 π ) ˆ2 2. C 4 EC ˆ Nếu η b / a = 1 thì η = 78.8 nên η =0.7.U C EC 1 U C hay PC = − 2 Rt ~ π . đó là hiện tượng méo gốc như vẽ trên hình 1-37.6 ÷ 0. Công suất tiêu thụ trên mặt ghép góp: ) 2. xem hình 1-38. IC P0 = π Hiệu suất của mạch cực góp: (1-108) ηC = Hiệu suất của tầng: ˆ Pr π.U C = P0 4.E C .I C ∫ IC sin θ .64. ở chế độ này UBE0. IC0 bé nên các công thức dùng cho chế độ B vẫn đúng. . 2 EC Rt 2 (1-112) Để tránh méo do tính không đường thẳng đoạn đầu đặc tuyến vào tranzito khi dòng cực gốc bé.IC 1 ) ) PC = P0 − Pr = − . R2).E C (1-109) π U η = ηb / a 2 . IB0.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 1 I0 = π π ) ) 2.Ta cho tầng làm việc ở chế độ AB. ) PC max khi U C = 0.E C ) (1-110) (1-111) PC max = 2 π 2 .n 2 .E C . IB IB T1 UB ib1 0 UBE ib2 43 IB0 IB0 T1 ib1 t ib2 UB T2 T2 .Rt ~ ) PC phụ thuộc vào U C . Khi đó cần có điện áp UBE và IB0 ban đầu (nhờ có R1.5% khi U C = E C .dθ = 0 π (1-107) Công suất tiêu thụ từ nguồn cung cấp: ) 2. ˆ Thực tế U C < E C do vòng cong của đặc tuyến và ηb/a = 0.

9.4.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 1.1. Hình 1-39: Mạch đẩy kéo không biến _ R1 R1 T2 Rt EC1 T2 C Rt -EC CP ± EC2 UV CP UV T1 R2 T1 R2 UV + Hình 1-40: Mạch đẩy kéo không biến áp ra dùng tranzito khác loại 44 + . áp dùng tranzito cùng loại.2. Mạch 1-39a cấp nguồn xứng còn ở hình 1-39b cấp nguồn đơn.4. +EC R1 CP2 UV2 CP1 UV1 R2 R4 a) T1 iC1 _ R3 T2 iC2 Rt _ + UV1 R2 R4 b) UV2 CP1 T1 iC1 R1 CP2 R3 T2 iC2 +EC C Rt 1. Mạch dùng tranzito cùng loại: Cho trên hình 1-39. Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo không biến áp 1.4.Do tín hiệu có biên độ bằng nhau nhưng pha ngược nhau nên hai tranzito T1.9. b. T2 thay nhau làm việc khuếch đại tín hiệu ra tải.a. Mạch dùng tranzito khác loại trên hình 1-40. Để tầng làm việc ở chế độ AB cần chọn bộ phân áp R1 ÷ R4 phù hợp.9.

các tham số đặc trưng cho bộ khuếch đại: hệ số khuếch đại điện áp. méo tần số. b) Dùng tranzito Đarlington khác loại. tác dụng các linh kiện trong mạch.41a. Kết thúc chương yêu cầu người học hiểu và nắm được: Định nghĩa mạch khuếch đại. hiệu suất. Loại tranzito NPN cần cung cấp điện áp một chiều UBE > 0. hệ số khuếch đại dòng điện. Để tránh méo do tranzito làm việc ở chế độ B. so sánh được ưu nhược điểm của các phương pháp đó. Vấn đề phân cực cho tranzito ở chế độ khuếch đại. Mạch điện như ở hình 1. mắc hai điốt vào giữa các cực gốc tạo điện áp U BEO ban đầu.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Các tranzito T1. Với tranzito lưỡng cực thuận PNP cần cung cấp điện áp một chiều sao cho UBE <0. khi đó tranzito công suất làm việc sang chế độ AB. U D1 = U D 2 = U BE 0T1 = U EB0T2 . trở kháng ra. Mạch khuếch đại có nhiệm vụ khuếch đại tín hiệu lớn lên với độ méo cho phép. 45 . TÓM TẮT Vấn đề chính của chương là khuếch đại tín hiệu. UCE > 0. T2 khác loại: n-p-n và p-n-p nhưng phải cùng tham số. trở kháng vào. +EC R3 R1 D1 D2 CP1 T1 R1 R3 D1 D2 D3 +EC T1 T1' 2U BE 0 T2' T2 Ur Rt CP1 D4 R2 T3 T2 Ur Rt UV R2 a) -EC UV b) -EC Hình 1-41: Tầng khuyếch đại đẩy kéo nối tiếp và tầng kích a) Dùng tranzito khác loại. hệ số khuếch đại công suất. hình 1-41b dùng cho tranzito Đarlingtơn . tiếp giáp góp phân cực ngược. đặc biệt là hệ số β (β1 = β2). méo phi tuyến. Đặc điểm của mạch này chỉ cần một tín hiệu vào hai đèn thay nhau làm việc cho tín hiệu ra tải. Cần nắm được bốn kiểu mạch cung cấp điện áp một chiều phân cực cho tranzito. UCE < 0 để tiếp giáp phát phân cực thuận.

hai tầng đều có hệ số khuếch đại điện áp dương. Sơ đồ khuếch đại dùng tranzito trường nghiên cứu hai sơ đồ cực nguồn chung và cực máng chung. hệ số khuếch đại điện áp của các tầng. Cách chuyển về sơ đồ tương đương để xác định trở kháng vào. hệ số khuếch đại điện áp. tăng độ ổn định độ khuếch đại. tải xoay chiều RS//Rt. Có hai mạch cơ bản là mạch khuếch đại đảo pha chia 46 . Có hồi tiếp dương và hồi tiếp âm. Tầng này có hệ số khuếch đại điện áp âm có nghĩa là tín hiệu ra ngược pha với tín hiệu vào. giảm méo phi tuyến.RE. CE tại tần số làm việc rất nhỏ. Ở hình 1-11a có hồi tiếp âm dòng điện trên điện trở RE: Uht = IE. Tầng khuếch đại góp chung có tải một chiều RE. tải xoay chiều RD//Rt. tác dụng các linh kiện trong mạch. Xét ở đầu vào mạch khuếch đại có hồi tiếp có khái niệm hồi tiếp mắc nối tiếp. RE2 và hồi tiếp âm điện áp từ tầng sau đưa về trên RE1: Uht = Ur. tải xoay chiều của tầng RC // Rt. trở kháng ra. Tranzito được thay bằng điện trở rE. xem như bằng không. Hồi tiếp mắc nối tiếp là điện áp hồi tiếp mắc nối tiếp với tín hiệu vào. Hồi tiếp loại này làm giảm hệ số khuếch đại của mạch nhưng cải thiện được nhiều chỉ tiêu chất lượng của mạch khuếch đại: làm giảm tạp âm. Khi điện áp hồi tiếp tỷ lệ với dòng điện ra gọi là hồi tiếp dòng điện. Để minh hoạ phần hồi tiếp phân tích mạch điện hình 1-11. hồi tiếp song song là điện áp hồi tiếp mắc song song với tín hiệu vào. Các sơ đồ khuếch đại cơ bản dùng tranzito lưỡng cực: Tầng khuếch đại cực phát chung: mạch này có cực phát nối đất về xoay chiều chung cho đầu vào và đầu ra. Cần nắm được cách vẽ mạch. góp chung cũng phân tích tương tự để nắm được các vấn đề trên. Sơ đồ hình 1-14 có được khi các tụ Cp1. tải xoay chiều của tầng cũng như xác định được các thông số: trở kháng vào. hệ số khuếch đại dòng điện của tầng. giảm méo tần số.RE1 /(R + RE1). Cp2. tỷ lệ với điện áp ra gọi là hồi tiếp điện áp. Nguồn cung cấp EC có nội trở rất nhỏ xem như bằng không nên về xoay chiều điểm dương nguồn và đất là như nhau. rC và nguồn dòng βIB. Tầng khuếch đại cực máng chungcó tải một chiều RS. hồi tiếp dòng điện. Tầng khuếch đại cực nguồn chung có tải một chiều RS nối tiếp RD. trở kháng ra. tải một chiều. Hồi tiếp dương là điện áp hồi tiếp về cùng pha với tín hiệu vào. Ở hình 1-11b có hồi tiếp âm dòng điện trên RE1.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito Hồi tiếp: hồi tiếp là lấy một phần tín hiệu đầu ra đưa trở về đầu vào. pha ngược nhau. Tầng khuếch đại cực nguồn chung có cực nguồn nối đất về xoay chiều. Xét ở đầu ra của mạch khuếch đại có hồi tiếp có khái niệm hồi tiếp điện áp. Hồi tiếp âm là điện áp hồi tiếp về ngược pha với tín hiệu vào. tải xoay chiều RE //Rt. Cần hiểu được tác dụng các linh kiện trong mạch. tầng khuếch đại máng chung có cực máng nối đất về xoay chiều. rB. Tải một chiều của tầng RE nối tiếp với RC. Đặc điểm của hai tầng này là tín hiệu ra cùng pha với tín hiệu vào. loại hồi tiếp này dùng trong các mạch tạo dao động. Tầng khuếch đại gốc chung. Tầng khuếch đại đảo pha: tầng có nhiệm vụ khuếch đại và tạo ra hai tín hiệu đầu ra có biên độ bằng nhau. hồi tiếp mắc song song.

5. giảm méo tần số. Mạch này có hệ số khuếch đại dòng điện bằng tích hệ số khuếch đại của hai tranzito nên rất lớn. Các tầng ghép với nhau qua tụ điện để cách li điện áp một chiều. Tầng khuếch đại công suất dùng để khuếch đại công suất ra tải. tuy nhiên có nhược điểm không phối hợp được trở kháng ra tầng trước với trở kháng vào tầng sau. Một số mạch khuếch đại khác: Mạch khuếch đại Darlingtơn. xem như bằng không. hồi tiếp điện áp? 1. tận dụng được nguồn nuôi. Nêu các phương pháp cấp nguồn phân cực cho tranzito ở chế độ khuếch đại? Ưu nhược điểm của các phương pháp đó? 1. Tầng khuếch đại công suất đơn làm việc ở chế độ A cho công suất ra bé. CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP 1. Tuy nhiên mạch có nhược điểm là nặng.4. Thế nào là hồi tiếp dòng điện.Rt (hình 141a) . Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo dùng tranzito cùng loại có thể dùng mạch ghép biến áp hoặc mạch không dùng biến áp. dẫn tín hiệu xoay chiều qua. Nêu định nghĩa và các tham số của mạch khuếch đại? 1. Đặc điểm của tầng là biên độ tín hiệu vào lớn. Tầng khuếch đại công suất đẩy kéo cho công suất ra kém làm việc ở chế độ AB để giảm méo và có hiệu suất cao. Ưu điểm của phương pháp này là mạch gọn nhẹ. Khi phân tích và tính toán dùng phương pháp đồ thị trên đặc tuyến để có độ chính xác cao. hồi tiếp dương? 1. Mạch khuếch đại cộng hưởng có tải là mạch cộng hưởng song song. Phương pháp ghép tầng trong bộ khuếch đại: có ba phương pháp ghép tầng: phương pháp ghép bằng tụ điện. cồng kềnh vì biến áp có kích thước lớn khi làm việc ở tần số thấp. Phương pháp ghép tầng bằng biến áp: tầng trước ghép với tầng sao qua biến áp để cách li điện áp một chiều. hồi tiếp mắc nối tiếp? 47 . thường dùng làm mạch khuếch đại tín hiệu có tần số cao. Các tụ nối tầng được chọn sao cho đối với tín hiệu trở kháng của chúng rất nhỏ. Thế nào là hồi tiếp mắc song song. Thế nào là hồi tiếp trong mạch khuếch đại? hồi tiếp âm. Nhưng việc phân cực cho các tranzito khó khăn vì có sự ảnh hưởng lẫn nhau. Phương pháp ghép tầng trực tiếp giảm được linh kiện. Mạch khuếch đại công suất đây kéo dùng tranzito khác loại có ưu điểm đơn giản. Cần nắm được nguyên lý làm việc để thực hiện được nhiệm vụ trên. Mạch khuếch đại Cascốt gồm có hai tranzito đấu nối tiếp với nhau về mặt một chiều mạch này được dùng khuếch đại tín hiệu vùng tần số cao để tránh ghép ký sinh giữa đầu ra về đầu vào qua điện dung thông đường CBC.3. Ngoài nhiệm vụ khuếch đại mạch còn có nhiệm vụ chọn lọc tín hiệu theo tần số. Nó có thể cho dòng ra lớn khi dòng vào nhỏ. Khi dùng mạch khuếch đại công suất đẩy kéo không biến áp phía trước phải có tầng đảo pha chia tải.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito tải và mạch khuếch đại đảo pha ghép biến áp. Cần chú ý hai tranzito trong tầng khuếch đại công suất đẩy kéo có tham số giống nhau đặc biệt là hệ số khuếch đại dòng và kết cấu mạch đối xứng để có méo phi tuyến nhỏ. phía trước không cần tầng khuếch đại đảo pha và có hồi tiếp âm dòng điện toàn phần trên tải Rt: Uht = Ir. Mạch này cố ưư điểm là phối hợp được trở kháng giữa tầng trước với tầng sau. Yêu cầu mạch khuếch đại cho công suất ra lớn với độ méo cho phép và hiệu suất cao.2.1. Mạch chỉ thích hợp khi làm việc ở tần số cao.

7.9.25.22.29 biết các tham số của mạch Ec = +12v.6V. Trình bày tầng khuếch đại mắc cực nguồn chung? 1.16. Trình bày tầng khuếch đại mắc cực máng chung? 1. Tại sao khi phân tích tầng khuếch đại công suất phải dùng phương pháp đồ thị (trên đặc tuyến vào. Tại sao trong bộ khuếch đại ghép tụ.24.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 1. Phân tích các loại hồi tiếp ở hình 1-11? Xác định biểu thức tính các điện áp hồi tiếp đó? 1. Cho tầng khuếch đại hình P 1.27. Trình bày phương pháp ghép tầng bằng tụ.28. Trình bày tầng khuếch đại mắc cực góp chung? 1. ưu nhược điểm? 1.14. Trình bày phương pháp ghép tầng trực tiếp. Nêu các ưu điểm của hồi tiếp ẩmtong mạch khuếch đại? 1. Xác định các giá trị dòng điện và điện áp một chiều trên các cực của tranzito? 48 . đặc tuyến ra của tranzito)? 1.6.8. C của tầng khuếch đại? 1. B. Nguyên nhân gây méo tần số cao trong bộ khuếch đại? 1. Tại sao tầng khuyếch đại công suất đơn cho làm việc ở chế độ A. Trình bày tầng khuếch đại mắc cực gốc chung? 1. Thế nào là tầng khuếch đại đảo pha ? Nêu các loại mạch đảo pha đã học? 1. ưu nhược điểm? 1. Trình bày phương pháp ghép tầng bằng biến áp.21.18. tụ nối tầng gây méo tần số thấp? 1. Trình bày tầng khuếch đại mắc cực phát chung? 1.23.19.11. Thế nào là chế độ A. R2 = 2.7 k Ω. β = 99.29. Trong tầng khuếch đại công suất đẩy kéo dùng tranzito khác loại có hồi tiếp không? nếu có thuộc loại hồi tiếp gì? 1.17. a.15. ưu nhược điểm? 1.10. chọn Ube0 = 0.13. +Ec R1 Uv T C2 C1 Hình P1-29. Tại sao khi phân tích các tầng khuếch đại cơ bản ta dùng phương pháp mạch tương đương? 1.20. Đặc điểm của tầng khuếch đại cộng hưởng? 1. Đặc điểm của tầng khuếch đại giải rộng? 1. Nêu đặc điểm của tầng khuếch đại Cascốt? 1.12. AB. Nêu đặc điểm của tầng khuếch đại Darlingtơn? 1. R2 Rt R1 = 300k Ω.26. tầng đẩy kéo làm việc ở chế độ AB? 1. Nêu phương pháp nâng cao chất lượng của bộ khuếch đại? 1.

Cho tầng khuếch đại công suất đẩy kéo trên hình P1. xác định tải một chiều và tải xoay chiều của tầng khuếch đại ? Vẽ đường tải một chiều và xác định điểm làm việc tĩnh Q ? R2 1. Vẽ đường tải một chiều và xác định điểm làm việc Q? 1. Giải thích nguyên lý làm việc của sơ đồ? b. xác định giá trị tải một chiều.31. R1 R3 C2 C1 T Hình P1-30. Xác định chế độ dòng điện và điện áp một chiều trên các cực của tranzito ? b. Cho Rt = 100 Ω. β = 99.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito b. R1 = 20kΩ. Biết Ec = +12v. Biết Rt = 8kΩ.31. c. Giả thiết tranzito lý tưởng. Thiên áp cho tranzito được thực hiện sao cho đạt biên độ tín hiệu ra cực đại không méo. Rt R2 R4 C3 a. Cho tầng khuếch đại hình P1.32. b. Là méo làm xuất hiện thêm tần số mới ở đầu ra.30. Tính công suất ra cực đại và hiệu suất của tầng (bỏ qua công suất tổn hao trong mạch thiên áp)? +Ec R1 T1 Hình P1-31. tải xoay chiều của tầng khuếch đại.7k Ω. R4 = 1kΩ. Là méo mà hệ số khuếch đại không thay đổi theo tần số.33. Tụ C1. Biết Ube0 = Ud = 0. +Ec= 4kΩ. Là méo mà hệ số khuếch đại của mạch bị thay đổi ở khoảng tần số hai đầu của giải tần. 1. Biết Rt = 2. R2 sao cho dòng phân cực qua chúng là 1mA? c. Thế nào là méo tần số trong mạch khuếch đại? a. Thế nào là méo phi tuyến trong mạch khuếch đại? 49 .30. Tính R1.5v. Uv C1 D1 C2 D2 T2 Rt R2 1. C2 trở kháng xem như bằng không tại tần số làm việc. a. R3 = 4kΩ.

= Rt + RS. c. Rt~ = Rt + RC. c. 1.39.41 Xác định tải một chiều của tầng khuếch đại cực máng chung? a. b. 1. c. b. c. c. Là các điện trở mà dòng một chiều và xoay chiều đầu ra cùng chạy qua. Rt. Rt.= RS + RD. Rt~ = RD + Rt.= RS.= RE.37. Rt. Là các điện trở mà dòng xoay chiều đầu ra chạy qua. Là các điện trở mà dòng một chiều đầu ra chạy qua. b.35. Xác định tải xoay chiều của tầng khuếch đại cực phát chung? a. b.= RS. b. Là méo làm xuất hiện thêm thành phần tần số mới ở đầu ra.= RC + RE. c.40. Rt.= RE //Rt c. c. Là các điện trở mà dòng một chiều đầu ra chạy qua. b. Thế nào là tải một chiều của tầng khuếch đại? a. Rt.38. Rt~ = RE //Rt. 1. Rt. 1.= Rt + RC. Là méo làm giảm tín hiệu ra ở hai đầu giải tần. c. Rt. Rt. Xác định tải một chiều trong tầng khuếch đại cực phát chung? a.= RD. Là các điện trở mà dòng một chiều và xoay chiều đầu ra cùng chạy qua. Rt~ = RD //Rt. Rt~ = Rt + RE.= RE + Rt. b. 1. Rt~ = RE //Rt. 1. Rt~ = RE. Xác định tải một chiều của tầng khuếch đại cực nguồn chung? a. Là các điện trở mà dòng xoay chiều đầu ra chạy qua. 50 .= RE + Rt.42 Xác định tải xoay chiều của tầng khuếch đại cực nguồn chung? a.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito a. b. Rt. 1. Rt~ = RC //Rt. 1. Rt.36. Thế nào là tải xoay chiều của tầng khuếch đại? a. 1. c.= Rt //RS. Là méo làm tín hiệu ra ngược pha tín hiệu vào. b. b. Xác định tải xoay chiều của tầng khuếch đại cực góp chung? a. Rt. Rt~ = RS + Rt. Xác định tải một chiều trong tầng khuếch đại cực góp chung? a.34. Rt.

K = K1. K = K1 + K2 + …+ Kn. Có. 51 . Để cho các tranzito công suất làm việc ở chế độ A. hồi tiếp âm dòng điện. 1. b.K2 …. β = β2 . β = β1 +β2. β = β1. Nêu tác dụng của điốt D1. Tầng khuếch đại công suât đẩy kéo dùng tranzito khác loại có hồi tiếp âm không.47.Kn. 1. M = M1. b. c. c. Có. c. M2 …Mn? a. Để phân cực cho các tranzito công suất làm việc ở chế độ AB và ổn định điểm làm việc cho tầng. hồi tiếp âm điện áp. b. M = M1 + M2 + … + Mn.β2. Xác định độ méo tần số của bộ khuếch đại có n tầng khi độ méo tần số của các tầng thứ tự là M1.46. 1. b. Bằng tổng đại số các hệ số khuếch đại.44.Kn? a. K2 …. c. Không. β2? a.45.M2 …Mn. Xác định hệ số khuếch đại điện áp của bộ khuếch đại có n tầng khi hệ số khuếch đại từng tầng thứ tự là K1. Để ổn định điểm làm việc cho các tranzito công suất. D2 trong tầng khuếch đại công suất đẩy kéo dùng tranzito khác loại? a.β1. b. nếu có thuộc loại hồi tiếp gì? a. Bằng tổn đại số các độ méo. c.Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 1. Xác định hệ số khuếch đại dòng điện của cặp khuếch đai Darlingtơn khi hệ số khuếch đại của các tranzito là β1. 1.43.