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Tipos de Memrias

Memria Dram DRAM um tipo de memria RAM de acesso directo que armazena cada bit de dados num condensador ou Capacitor. O nmero de electres armazenados no condensador determina se o bit considerado 1 ou 0. Como vai havendo fuga de electres do condensador, a informao acaba por se perder, a no ser que a carga seja refrescada periodicamente. Embora perda de nas estticas esse fenmeno da carga no ocorra memrias RAM (SRAM), as

DRAM possuem a vantagem de terem custo muito menor e densidade de bits muito maior, possibilitando em um mesmo espao armazenar muito mais bits (o que em parte explica o menor custo) e a sua simplicidade estrutural com apenas um transstor e um capacitor necessrios para cada bit (ao contrrio dos 4 transstores da SRAM).

Memrias Sram

Memria SRAM (Static Random Access Memory, que significa memria esttica de acesso aleatrio em Portugus) um tipo de memria de acesso aleatrio que mantm os dados armazenados desde que seja mantida sua alimentao, no precisando que as clulas que armazenam os bits sejam refrescadas (actualizadas de tempo em tempo), como o caso das memrias DRAM.

Embora sejam mais caras e ocupem mais espao, quando comparadas s DRAM, possuem a vantagem de serem bem mais rpidas, justificando seu uso nas memrias cache L1 e L2. Alm disso, as memrias estticas consomem mais energia e aquecem mais que as DRAM. Memrias estticas usam circuitos no modelo flip-flop.

Memrias DDR2 DDR2 a sigla para Double Data Rate 2. Trata-se de uma espcie de "substituto natural" das memrias DDR, uma vez que, em comparao com esta ltima, a tecnologia DDR2 traz diversas melhorias. Seu desenvolvimento foi feito pela JEDEC, um grupo criado por fabricantes para definir padres de produtos da indstria de semi-condutores. Ao contrrio do que alguns pensam, a memria DDR2 no compatvel com placame que trabalham com memria DDR. Embora os pentes de memria de ambos os

tipos paream iguais numa primeira olhada (pois possuem o mesmo tamanho), na verdade, no so. Para comear, o tipo DDR tem 184 terminais e o DDR2 conta com 240 terminais. Alm disso, aquela pequena abertura que h entre os terminais est posicionada em um local diferente nos pentes de memria DDR2, como mostra a imagem a seguir.

Uma outra diferena visvel nos mdulos de memria DDR2 o tipo de encapsulamento usado: o FBGA (Fine pitch Ball Grid Array). Esse tipo derivado do padro BGA e sua principal caracterstica que os terminais do chip so pequenas soldas. A vantagem disso que o sinal elctrico flui mais facilmente e h menos chances de danos fsicos. A memria DDR usa um encapsulamento conhecido como TSOP (Thin Small Outline Package).

A memria DDR2 tambm merece destaque pelo seu menor consumo de energia elctrica. Enquanto o tipo DDR trabalha 2,5 V, a tecnologia DDR2 requer 1,8 V. Por causa disso, a memria DDR2 acaba tendo melhor desempenho no controle da temperatura.

Frequncias da memria DDR2 As memrias DDR so comummente encontradas nas frequncias de 266 MHz, 333 MHz e 400 MHz. Por sua vez, o padro DDR2 trabalha com as

frequncias de 400 MHz, 533 MHz, 667 MHz e 800 MHz (esses eram os tipos existentes at o fechamento deste artigo). Na verdade, tanto no caso da memria DDR quanto no caso da memria DDR2, esses valores correspondem metade. A explicao para isso que ambos os tipos podem realizar duas operaes por ciclo de clock. Grossa mente falando, como se a velocidade dobrasse. Em relao velocidade como um todo, necessrio tambm considerar o "CAS Latency" (latncia do CAS - Column Address Strobe). Em poucas palavras, trata-se do tempo que a memria leva para fornecer um dado solicitado. Assim, quanto menor o valor da latncia, mais rpida a "entrega". Nas memrias DDR, a latncia pode ser de 2, 2,5 e 3 ciclos por clock (saiba mais sobre clock aqui). Nas memrias DDR2, a latncia vai de 3 a 5 ciclos de clock. Isso significa que, nesse aspecto, a memria DDR2 mais lenta que a DDR? Na prtica no, pois as demais caractersticas do padro DDR2, especialmente seus valores de frequncia, compensam essa desvantagem. H ainda um recurso nas memrias DDR2 que deve ser citado: o Additional Latency (AL) ou "latncia adicional". Esta usada para permitir que os procedimentos ligados s operaes de leitura e escrita sejam feitos at "expirar" o tempo da latncia do CAS mais a latncia adicional. como se houvesse um aumento do prazo para tais operaes. Assim, a medio da latncia deve considerar a soma desses dois parmetros para se obter um total.

Memria DDR3 Podemos dizer que as memrias DDR2 atingiram seu pico evolutivo nos mdulos DDR2-1066, que o ltimo padro reconhecido pelo JEDEC. Naturalmente, possvel encontrar mdulos mais rpidos no mercado, como os mdulos DDR2-1200 SLI-Ready marquesados pela nVidia e os mdulos DDR2-1333 (produzidos em pequenos volumes por vrios fabricantes), mas eles so consideravelmente mais caros e o ganho de desempenho na prtica pequeno. Oficialmente, eles so apenas

mdulos DDR2-1066 overclocados, j que no existem padres para mdulos DDR2-1200 e DDR2-1333 certificados pelo JEDEC. Considerando que em um mdulo DDR2-1066 as clulas de memria operam a nada menos que 266 MHz (uma evoluo expressiva em relao aos mdulos PC-100 e PC-133 do comeo do milnio, onde as clulas operavam a apenas 100 ou 133 MHz), no de se estranhar que os fabricantes tenham enfrentado dificuldades a partir da. A soluo veio com as memrias DDR3, que mais uma vez duplicaram a frequncia efectiva dos mdulos, realizando agora 8 transferncias por ciclo de clock, contra as 4 transferncias do DDR2. A grande sacada que o aumento na frequncia (novamente) obtido atravs do acesso simultneo a endereos adjacentes e no atravs do aumento da frequncia real das clulas de memria, o que permitiu estender o uso das clulas de 133 a 266 MHz por mais uma gerao. Em um mdulo DDR3-1066, por exemplo, as clulas de memria operam a apenas 133 MHz, com os buffers de dados operando a 266 MHz e realizando 4 transferncias por ciclo, resultando em uma frequncia efectiva de 1066 MHz. Quando eventualmente forem produzidos mdulos DDR3 com clulas operando a 266 MHz, a frequncia efectiva ser de impressionantes 2133 MHz.

Inicialmente, os mdulos DDR3 foram lanados em verso DDR3-1066 (133 MHz x e DDR3-1333 (166 MHz x 8), seguidos pelo padro DDR3-1600 (200 MHz x 8). Os trs padres

so tambm chamados de (respectivamente) PC3-8500, PC3-10667 e PC3-12800, nesse caso dando nfase taxa de transferncia terica: DDR3-1066 (133 DDR3-1333 (166 DDR3-1666 (200 MHz) = PC3-12800 MHz) MHz) = = PC3-8500 PC3-10667

Apesar do aumento no nmero de transferncias por ciclo, os buffers de dados continuam trabalhando a apenas o dobro da frequncia das clulas de memria. Ou seja, a frequncia interna (das clulas de memria) de um mdulo DDR3-1600 de 200 MHz e a frequncia externa (dos buffers de dados) de 400 MHz. As clulas de memria realizam 8 transferncias por ciclo de clock (em vez de 4, como nas DDR2) e os buffers de dados (que operam ao dobro da frequncia) realizam 4 transferncias por ciclo de clock, em vez de apenas duas, como nos mdulos DDR2. Se as mudanas parassem por a, os mdulos DDR3 no ofereceriam ganhos muito grandes na prtica, pois o tempo de latncia inicial continuaria sendo o mesmo que nos mdulos DDR2 (j que no houve mudana na frequncia das clulas de memria). Se um mdulo DDR3 operasse com tempos de acesso 10-10-10-30, os ganhos seriam pequenos em relao a um DDR2 5-5-5-15, j que s haveria ganho nos acessos subsequentes. Para evitar isso, os mdulos DDR3 incluem um sistema integrado de calibragem do sinal, que melhora de forma considervel a estabilidade dos sinais, possibilitando o uso de tempos de latncia mais baixos, sem que a estabilidade seja comprometida. Os mdulos DDR3 utilizam tambm 8 bancos em vez de 4, o que ajuda a reduzir o tempo de latncia em mdulos de grande capacidade. Elas tambm trouxeram uma nova reduo na tenso usada, que caiu para apenas 1.5V, ao invs dos 1.8V usados pelas memrias DDR2. A reduo na tenso faz com que o consumo elctrico dos mdulos caia proporcionalmente, o que os torna mais atractivos para os fabricantes de notebooks. Somadas todas essas melhorias, os tempos de acesso reais dos mdulos foram sensivelmente reduzidos. Em vez de trabalharem com tempos de acesso 10-10-1030, a gerao inicial de mdulos DDR3 capaz de trabalhar com temporizao 9-99-24, ou mesmo 7-7-7-15. O primeiro chipset a incluir suporte s memrias DDR3 foi o Intel P35, lanado em 2007. Em vez em cometer o mesmo erro que cometeu ao lanar o Pentium 4, quando tentou forar o uso das memrias Rambus, a Intel adoptou uma postura conservadora, equipando o P35 com suporte simultneo a memrias DDR3 e DDR2 e deixando que os fabricantes de placas escolhessem qual das duas tecnologias utilizar. Como era de se imaginar, todas as placas ministram e de baixo custo passaram a suportar exclusivamente memrias DDR2 (que eram muito mais baratas), com as

memrias DDR3 ficando relegadas ao mercado de alto desempenho. Isso continuou ao longo de 2008 e 2009, com a mesma frmula sendo repetida no chipset P45 e nos lanamentos subsequentes. Isso fez com que a procura pelos mdulos DDR3 continuasse fraca e os preos continuassem altos. Para complicar, os primeiros mdulos DDR3 no ofereciam um ganho de desempenho tangvel em relao aos DDR2 na plataforma soquete 775. Embora a frequncia efectiva fosse mais baixa, os mdulos DDR2 trabalhavam com tempos de acesso mais baixos, o que fazia com que a competio fosse acirrada, com os DDR2 se saindo melhor em muitas situaes. Isso levou os fabricantes de memria a apostarem na produo de mdulos de alto desempenho, em uma corrida armamentista que deu origem a mdulos overclocados, capazes de trabalhar a 2000 MHz ou mais (frequncia efectiva), mas que em compensao utilizavam tenses de at 2.0V, muito acima dos 1.5V recomendados. Embora vendidos em pequenas quantidades, estes mdulos lideravam os benchmarks e por isso recebiam uma ateno desproporcional. Um bom exemplo dessa poca insana so estes mdulos DDR3-2000 (9-9-9-24) da G.Skill, que utilizam tenso de 1.9V e so equipados com um coo ler activo (ligado ao mdulo atravs de um heat-pipe) para manter a temperatura de operao em nveis aceitveis:

Eles no eram apenas caros (o kit com dois mdulos de 2 GB custava nada menos que US$ 300 na poca de lanamento), mas a tenso fazia com que a vida til fosse reduzida, com muitos mdulos apresentando defeitos prematuros depois de alguns meses de uso, um problema que atingiu tambm mdulos de outros fabricantes. A Intel resolveu colocar ordem no galinheiro com o lanamento do Core i7, limitando o suporte oficial aos mdulos DDR3-1066 e DDR3-1333 e advertindo que

o uso de tenses superiores a 1.65 poderia danificar o controlador de memria integrado ao processador. Isso obrigou os fabricantes a se concentrarem na fabricao de mdulos de baixa frequncia e baixa latncia, em vez de continuarem a investir no simples aumento das frequncias. Outra mudana positiva foi que os mdulos voltaram a utilizar tenses normais, variando de 1.5V nos mdulos valeu, a 1.65V nos mdulos de alto desempenho, dentro dos valores recomendados pela Intel para uso em conjunto com o i7. A AMD adoptou uma postura similar da Intel durante a fase de transio, lanando a plataforma AM3 (com o uso de memrias DDR3) mas equipando os processadores Phenom II com controladores hbridos, com suporte simultneo a memrias DDR2 e DDR3. Isso permitiu que os processadores continuassem compatveis com as placas AM2+, permitindo que voc decidisse entre usar memrias DDR2 ou DDR3 ao escolher a placa-me. As memrias DDR2 demoraram quase 3 anos para se popularizarem desde a introduo do chipset i915P, em 2004, ultrapassando as vendas das memrias DDR antigas apenas a partir de 2007.

Memrias PROM

Uma PROM (do ingls programmable read-only Memory, ou seja, memria programvel s de leitura) uma forma de memria digital onde o estado de cada bit est trancado por um fusvel ou antifusvel[1] A memria pode ser programada s uma vez depois do fabrico pelo "rebentamento" dos fusveis (usando um PROM blower), o que um processo irreversvel. O rebentamento de um fusvel abre uma ligao, enquanto o rebentamento de um antifusvel fecha uma ligao (da o nome). A programao feita pela aplicao de pulsos de alta voltagem, que no so encontrados durante a operao normal (tipicamente, de 12 a 21 volts). Read-only, ou s de leitura, significa que, ao contrrio do que acontece com a memria convencional, a programao no pode ser alterada (pelo menos pelo utilizador final). Uma PROM tpica sai da fbrica com todos os bits no estado 1. A queima de um fusvel durante a programao faz com que o seu bit passe a 0.

Estas PROM's so usadas para armazenar permanentemente os programas. So frequentemente encontradas em jogos de computador ou em produtos como dicionrios electrnicos, onde possvel substituir PROMs para diferentes lnguas. Actualmente muitos micro controladores utilizam PROMs internas, permitindo que sejam adquiridos limpos (sem dados) para que possam ser programados pelo utilizador ou pela fbrica que o esteja utilizando nos seus projectos. Esta tecnologia conhecida como One Time programmable (programvel uma nica vez).

Memrias EPROM As memrias EPROM (Erasable programmable Read Only Memory) so memrias do tipo semicondutoras programveis e apagveis pelo usurio, por isso de grande utilizao. Seus dados, uma vez gravados, no se apagam mesmo ao cortar a alimentao e como outra propriedade ela permite que seja apagada por meio de uma exposio aos raios Ultravioleta.

Uma EPROM no circuito normal s poder ser lida. Quando se faz necessrio, a programao s se faz com um aparelho dedicado chamado gravador de EPROM.

No nosso projecto, vamos aprender a construir um Gravador de EPROM, mas para isso ser de estrema importncia sabermos como funciona este incrvel Chip de Memria.

Memrias EEPROM

Uma EEPROM (de Electrically-Erasable programmable Read-only Memory) um chip de armazenamento no-voltil usado em computadores e outros aparelhos.

Ao contrrio de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada vrias vezes, electricamente. Pode ser lida um nmero ilimitado de vezes, mas s pode ser apagada e programado um nmero limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milho. Esse limite causado pela contnua deteriorao interna do chip durante o processo de apagamento que requer uma tenso elctrica mais elevada. Como cada novo dado gravado no chip requer o apagamento do anterior, considera-se apagamento e gravao como uma s operao, porm seria possvel gravar o mesmo endereo de memria um bit de cada vez, fazendo ento oito gravaes com um s prvio apagamento. Entregando a maioria das memrias EEPROM faz o apagamento do contedo do endereo automaticamente antes da gravao. A memria flash uma variao moderna da EEPROM, mas existe na indstria uma

conveno para reservar o termo EEPROM para as memrias de escrita bit a bit, no incluindo as memrias de escrita bloco a bloco, como as memrias flash. As EEPROM necessitam de maior rea que as memrias flash, porque cada clula geralmente necessita de um transstor de leitura e outro de escrita, ao passo que as clulas da memria flash s necessitam de um.

Tecnologias mais novas como FRAM e MRAM esto aos poucos substituindo as EEPROM em algumas aplicaes.