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國 立 中 央 大 學

電 機 工 程 研 究 所
碩 士 論 文

超寬頻共平面波導帶通濾波器之研製

研 究 生:方國誌

指導教授:陳念偉 博士

中 華 民 國 九 十 五 年 六 月
國立中央大學圖書館

碩博士論文電子檔授權書
(93 年 5 月最新修正版)

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研究生簽名: 方 國 誌
論文名稱: 超寬頻共平面波導帶通濾波器之研製

指導教授姓名: 陳念偉

系所 : 電 機 所 †博士 ■碩士班
學號: 93521067

日期:民國 95 年 6 月 22 日

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摘要

因應現代無線通訊的發展,寬頻微波濾波器已日趨重要,傳統寬頻濾波器

設計方法是利用增加結構中電磁耦合的方式實現,最大的瓶頸在於濾波器結構的

耦合量因製程上的限制無法達到所需的要求。本論文提出一共平面波導結構的超

寬頻(2GHz 到 8GHz)帶通濾波器,其比例頻寬超過 120%。此帶通濾波器由高通及

低通濾波器串接而成,通帶範圍的頻寬分別由高通及低通濾波器的截止頻率來決

定,此種設計方法相較於傳統直接設計單一寬頻帶通濾波器的方法而言,不但設

計的自由度提高,且能達到更寬頻的要求。此濾波器的兩截止頻率可輕易地經由

分別調整高通及低通濾波器來實現,為一頻寬可調式的寬頻帶通濾波器。除此之

外此濾波器在高頻及低頻止帶的特性均相當不錯,且在通帶邊緣的選擇度相當

好。我們將此濾波器以 FR4 基板來實現,量測結果與模擬所得結果有相當好的一

致性。對於此三種共平面波導濾波器,本論文亦提出其分別對應的等效集總元件

電路,使得在設計上能更為簡便快速。

另外我們設計了一利用扇型短路截線的共平面波導至槽線寬頻轉接及寬頻

指數型漸進開槽式天線,並將濾波器與此二元件整合成為一寬頻無線通訊系統前

端天線模組,量測結果與模擬結果亦相當吻合。由於此天線模組的頻寬能經由濾

波器控制,且為單一平面結構,故非常適用於單一平面微波單晶積體電路之寬頻

收發系統。

i
Abstract

Wideband bandpass filters are essential to modern broadband wireless

communication systems. In the past, microstrip bandpass filter have been studied

extensively. In contrast, there is little work on coplanar-waveguide (CPW) bandpass

filters. The traditional design of wideband bandpass filter is realized via the

enhancement of the electromagnetic coupling in structures. However, the limitation

on fabrication processes renders the bandwidth somewhat limited. An ultra-broadband

(2GHz-8GHz) CPW bandpass filter is proposed in this thesis. The CPW bandpass

filter is designed via cascading CPW lowpass and highpass filters. The cascaded CPW

bandpass filter is of greater than 120% 3-dB fractional bandwidth. Indeed, the cutoff

frequencies of the passband are realized via separately adjusting the ones of the CPW

lowpass and highpass filters. This approach offers more design freedoms than the

traditional bandpass filter design. On the other hand, the proposed filter shows sharp

skirt selectivity at both the passband edges and high stopband rejection. The proposed

filter is fabricated for experimental verification. The measurement and simulation

results are in good agreement. Also, the corresponding lumped equivalent circuits are

demonstrated. Finally, the proposed filter is in conjunction with a broadband

exponentially tapered slot antenna through a CPW to slotline transition for application

demonstration.

ii
致謝

鳳凰花開、驪歌響起,二年研究所的學業,即將在此劃下一個句點。在中

央的這二年,在這兩年當中,首先要感謝我的指導教授陳念偉老師對於我知識的

啟發及在研究過程中幫助,使我在短短的兩年中學到了不少東西,並使論文能順

利的完成。另外要感謝中央電波組丘增杰老師及林祐生老師,在天線及微波電路

方面的指導,並感謝口試委員鄭瑞清老師,趙學永老師對於論文不足的地方提供

寶貴的意見,使本論文得以更加完善。

感謝實驗室中的每一個曾經在一起共事的人,包括同屆的肇堂、世勛,還

有博班學長勝雄在討論問題時都很用心的為我解答,學弟昆霖及議中,還有同實

驗室的威哥、飆哥、坤琳、還有其他的學弟們,大家的支持與鼓勵。並感謝很多

的朋友及親戚們對於我這個在外地求學的小孩給予關心。

最後,將此篇論文獻給我的父母慶祥先生與素環女士,沒有你們的栽培就

沒有今天的我,謝謝家裡的每一個人,爺爺跟奶奶還有弟弟跟妹妹。感謝麗秋在

這段日子的加油與打氣,讓我的生活充滿了開心。僅以此篇論文,獻給你們。

iii
目錄

摘要 i

致謝 iii

圖目錄 vi

表目錄 xi

第一章 簡介 1

1-1 研究動機.............................................1

1-2 章節介紹.............................................3

第二章 超寬頻串接式帶通濾波器 4

2-1 序論.................................................4

2-2 集總式濾波器理論與設計...............................6

2-2-1 濾波器介紹.....................................6

2-2-2 以植入損失法設計濾波器.........................9

2-3 分散式帶通濾波器設計................................14

2-3-1 理查轉換與黑田恆等式..........................14

2-3-2 傳輸線共振器..................................17

2-3-3 阻抗與導納反轉器..............................19

2-4 共平面波導寬頻帶通濾波器設計........................30

2-4-1 串接型濾波器..................................30

2-4-2 共平面波導週期性結構低通濾波器................30

2-4-3 共平面波導高通濾波器..........................39

2-4-4 新式串接型共平面波導帶通濾波器................49

iv
第三章 寬頻轉接器與天線 56

3-1 序論................................................56

3-2 共平面波導至槽線轉接器的型態........................57

3-2-1 型式 I........................................57

3-2-2 型式 II.......................................59

3-2-3 型式 III......................................60

3-2-4 其他型式之轉接器..............................61

3-2-5 共平面波導至槽線寬頻轉接器....................63

3-3 寬頻轉接器設計......................................65

3-4 寬頻漸進式開槽天線設計..............................71

3-4-1 漸進式開槽天線設計準則........................71

3-4-2 線性漸進式開槽天線設計........................73

第四章 寬頻天線模組 83

4-1 序論................................................83

4-2 寬頻無線通訊系統前端天線模組........................83

第五章 結論 89

參考文獻 91

附錄 95

v
圖目錄

圖 1-1 單一平面結構 (a)共平面波導(b)槽線(c)共平面帶線.............. 1

圖 1-2 共平面波導結構剖視圖........................................ 2

圖 1-3 共平面波導(a)偶模態及(b)奇模態電場分佈圖.................... 2

圖 2-1 濾波器設計流程圖............................................ 5

圖 2-2 四種濾波器類型的頻率響應.................................... 7

圖 2-3 柴比雪夫、巴特沃茲及橢圓的頻率響應.......................... 7

圖 2-4 濾波器常見的重要規格........................................ 7

圖 2-5 巴特沃茲濾波器原型電路對正規化頻率的衰減響應................ 8

圖 2-6 低通濾波器的原型電路(a)以並聯元件開頭的原型電路(b)以串聯

元件開頭的原型電路.......................................... 9

圖 2-7 元件値在頻率軸上的轉換關係圖 (a)低通濾波器原型電路的頻率

應(b)轉換成帶通濾波器之後的應.............................. 12

圖 2-8 經過轉換的帶通濾波器電路圖................................. 14

圖 2-9 理查轉換 (a)從電感到短路殘段(b)從電容到開路殘段........... 16

圖 2-10 四個黑田恆等式............................................. 17

圖 2-11 四分之ㄧ及二分之ㄧ波長短路、開路傳輸線之等效 LC 共振電路.....18

圖 2-12 (a)阻抗反轉器與四分之ㄧ波長傳輸線等效電路(b)導納反轉器與

四分之ㄧ波長傳輸線等效路................................... 20

圖 2-13 阻抗反轉器................................................. 21

圖 2-14 導納反轉器................................................. 21

圖 2-15 單一並聯共振器帶通濾波器電路之轉換......................... 26

圖 2-16 (a)由導納反轉器和 Lumped LC 共振器所組成之帶通濾波器(b)

導納反轉器和半波長傳輸線共振器所組成之帶通濾波器........... 27

圖 2-17 (a)導納反轉換器與分散式並聯共振器(b)阻抗反轉器與分散式

vi
串聯共振器................................................. 27

圖 2-18 共平面波導週期性結構低通濾波器及其等效電路圖............... 31

圖 2-19 共平面波導週期性結構低通濾波器模擬響應圖................... 32

圖 2-20 改變 d1 之低通濾波器模擬響應圖............................... 33

圖 2-21 改變 d 2 之低通濾波器模擬響應圖............................... 33

圖 2-22 增加中間導體寬度改善折返損耗之低通濾波器示意圖............. 33

圖 2-23 改變 w3 之低通濾波器模擬響應圖...............................34

圖 2-24 串接多級低通濾波器之模擬響應圖............................. 35

圖 2-25 共平面波導低通濾波器實體電路圖............................. 36

圖 2-26 共平面波導低通濾波器實做量測與模擬比較圖................... 37

圖 2-27 共平面波導低通濾波器等效電路圖............................. 38

圖 2-28 共平面波導上實現(a)串聯電容及(b)並聯電感................... 39

圖 2-29 共平面波導高通濾波器....................................... 40

圖 2-30 共平面波導高通濾波器串聯指叉式結構電容模擬響應圖........... 40

圖 2-31 共平面波導高通濾波器並聯截線模擬響應圖..................... 41

圖 2-32 共平面波導高通濾波器初步設計模擬響應圖..................... 41

圖 2-33 共平面波導高通濾波器-改變 w1 與 w2 相對位置之六種情況佈局

圖......................................................... 42

圖 2-34 共平面波導高通濾波器-改變 w1 與 w2 相對位置之頻率響應圖........43

圖 2-35 共平面波導高通濾波器-改變 d1 之頻率響應圖.................... 43

圖 2-36 共平面波導高通濾波器-將圖 2-33 中六種情況均放大 2.9 倍........44

圖 2-37 共平面波導高通濾波器-將圖 2-33 中情況三放大 3.3 及 3.5 倍..... 44

圖 2-38 共平面波導高通濾波器-指叉式電容部分間隙變窄( g3 )及增加中

間導體寬( w3 ).............................................. 45

圖 2-39 共平面波導高通濾波器模擬結果之頻率應....................... 45

圖 2-40 共平面波導高通濾波器實體電路圖............................. 46

vii
圖 2-41 共平面波導高通濾波器實做量測與模擬比較圖................... 47

圖 2-42 共平面波導高通濾波器等效電路圖............................. 48

圖 2-43 串接型共平面波導帶通濾波器佈局圖........................... 49

圖 2-44 新式串接型共平面波導帶通濾波器模擬與量測比較圖............. 50

圖 2-45 新式串接型共平面波導帶通濾波器-改變低通濾波器中 d 2 模擬響

應圖....................................................... 51

圖 2-46 新式串接型共平面波導帶通濾波器-改變距離 L 之模擬響應圖.......51

圖 2-47 新式串接型共平面波導帶通濾波器實體電路圖................... 51

圖 2-48 新式串接型共平面波導帶通濾波器加上漸進式寬度變化與原來型

式之比較................................................... 52

圖 2-49 新式串接型共平面波導帶通濾波器模擬與量測比較圖............. 53

圖 2-50 串接型帶通濾波器量測之群速度延遲........................... 54

圖 2-51 新式串接型帶通濾波器等效電路圖............................. 54

圖 2-52 改變低通濾波器中 d1 = 3mm 時模擬與量測比較圖................. 55

圖 3-1 共平面波導橫截面電場分布圖................................. 57

圖 3-2 槽線橫截面電場分布圖....................................... 57

圖 3-3 共平面波導至槽線轉接型式 I.................................. 59

圖 3-4 共平面波導至槽線轉接型式 II................................. 60

圖 3-5 共平面波導至槽線轉接型式 III................................ 61

圖 3-6 共平面波導至槽線轉接其他型式............................... 62

圖 3-7 共平面波導至槽線寬頻轉接型式 I 之改良版......................63

圖 3-8 共平面波導至槽線寬頻轉接利用槽線的扇型短路截線............. 63

圖 3-9 槽線扇形短路截線的等效電路模型............................. 63

圖 3-10 四種共平面波導至槽線寬頻轉接型態........................... 64

圖 3-11 共平面波導至槽線寬頻轉接設計電路佈局圖..................... 66

圖 3-12 九十度扇型短路截線輸入阻抗變化模擬響應..................... 66

viii
圖 3-13 (a)共平面波導至槽線寬頻轉接佈局圖- R = 8mm (b)S 參數模擬響

應圖....................................................... 68

圖 3-14 共平面波導至槽線寬頻轉接-改變扇型短路截線半徑之比較........ 68

圖 3-15 共平面波導至槽線寬頻轉接(單一轉接器)改變扇型短路截線半徑

之比較圖................................................... 68

圖 3-16 共平面波導至槽線寬頻轉接-改變背對背結構距離之比較圖........ 69

圖 3-17 共平面波導至槽線寬頻轉接實做電路圖......................... 69

圖 3-18 共平面波導至槽線寬頻轉接模擬與實做比較圖................... 70

圖 3-19 共平面波導至槽線寬頻轉接輸入阻抗加上漸進式阻抗轉換與未加

之前比較圖................................................. 70

圖 3-20 常見的三種漸進式開槽天線型態-(a)線性漸進式開槽天線(b)指

數漸進式開槽天線(c)常數寬度開槽天線........................ 72

圖 3-21 線性漸進式開槽天線設計結構尺寸圖........................... 73

圖 3-22 線性漸進式開槽天線模擬響應之 S11 與 VSWR ..................... 74

圖 3-23 線性漸進式開槽天線模擬響應之輸入阻抗....................... 74

圖 3-24 線性漸進式開槽天線模擬響應之輻射場型....................... 74

圖 3-25 轉接器+天線設結構尺寸圖.................................... 75

圖 3-26 轉接器+天線模擬響應之 S11 與 VSWR ............................ 76

圖 3-27 轉接器+天線模擬響應之輸入阻抗.............................. 76

圖 3-28 轉接器+天線模擬響應之遠場場型.............................. 76

圖 3-29 改變天線長度 L 之輻射場型模擬響應圖......................... 77

圖 3-30 改變天線長度 L 之 S11 模擬響應圖...............................78

圖 3-31 改變天線開口寬度 d1 之輻射場型模擬響應圖..................... 78

圖 3-32 改變天線開口寬度 d1 之 S11 模擬響應圖...........................79

圖 3-33 指數型漸進式開槽天線設計結構尺寸圖......................... 80

圖 3-34 指數型漸進式開槽天線模擬響應之 S11 與 VSWR ................... 80

ix
圖 3-35 指數型漸進式開槽天線模擬響應之輸入阻抗..................... 80

圖 3-36 指數型漸進式開槽天線模擬響應之輻射場型..................... 81

圖 3-37 指數型漸進式開槽天線實體電路圖............................. 81

圖 3-38 指數型漸進式開槽天線之 S 11 量測與模擬結果比較................ 82

圖 4-1 寬頻無線通訊系統前端天線模組之電路圖....................... 83

圖 4-2 寬頻無線通訊系統前端天線模組模擬響應之 S11 與 VSWR ........... 84

圖 4-3 寬頻無線通訊系統前端天線模組模擬響應之輸入阻抗............. 84

圖 4-4 寬頻無線通訊系統前端天線模組模擬響應之遠場場型............. 85

圖 4-5 寬頻無線通訊系統前端天線模組實體電路圖..................... 86

圖 4-6 寬頻無線通訊系統前端天線模組之 S 11 量測與模擬比較............ 86

圖 4-7 寬頻無線通訊系統前端天線模組之遠場場型量測與模擬比較-2GHz

(a)E 平面(b)H 平面.......................................... 87

圖 4-8 寬頻無線通訊系統前端天線模組之遠場場型量測與模擬比較-5GHz

(a)E 平面(b)H 平面.......................................... 87

圖 4-9 寬頻無線通訊系統前端天線模組之遠場場型量測與模擬比較-8GHz

(a)E 平面(b)H 平面.......................................... 88

圖 A-1 電路板雕刻機............................................... 94

圖 A-2 R&S ZVK 網路分析儀.......................................... 95

圖 A-3 HP 8510C 網路分析儀......................................... 96

圖 A-4 無反射實驗室............................................... 96

x
表目錄

表 2-1 巴特沃茲低通濾波器元件値對照表.............................. 9

表 2-2 濾波器原型電路的轉換....................................... 14

表 3-1 改變天線長度 L 之遠場各項參數比較............................78

表 3-2 改變天線開口寬度 d1 之遠場各項參數比較....................... 79

表 3-3 指數型漸進式開槽天線之遠場參數模擬結果..................... 82

表 4-1 寬頻無線通訊系統前端天線模組之遠場參數模擬結果............. 88

xi
第一章 簡介

1-1 研究動機

近年來,由於無線通訊的快速發展,許多相關產品如手機、GPS、無線網路

等通訊應用產品也如雨後春筍般快速發展,加上現今政府釋放出更多的頻段及全

球通訊的開放,使得世界各地的研發中心對無線通訊研究更是積極。在微波通訊

系統中,微帶線(microstrip line)以往是最廣泛被研究及使用的傳輸線結構,

但在近幾年來單一平面結構的傳輸線已逐漸受到重視,如圖 1-1(a)所示之共平

面波導(coplanar waveguide)、以下簡稱 CPW,圖 1-1(b)的槽線(slotline)及圖

1-1(c)的共平面帶線(coplanar stripline)等。這些單一平面結構傳輸線與傳統

微帶線比較起來最大的優點就是沒有背後金屬,所有金屬均在同一平面上,因此

省去了一些不必要背面的製程(backside process),如穿孔(via)及背面鍍金屬

(backside metallization)等,對於積體電路的整合上更為方便。

(a) (b) (c)

圖 1-1 單一平面結構 (a)共平面波導(b)槽線(c)共平面帶線。

共平面波導(CPW)最早由 C. P. Wen[1]在 1969 年時所提出,結構如圖 1-1(a)

及圖 1-2 所示,由三條金屬構成,中間導體為訊號線,兩邊導體則為接地面。當

然訊號在傳播時是時變的,所以訊號線與接地面隨時在變動,一般通稱中間導體

為訊號線,兩旁導體為接地面。共平面波導除了具一般單一平面結構傳輸線結構

能很容易實現串並聯電路、不需穿孔之特性外,尚有其他更多優點:如其特徵阻

抗主要是由訊號線及兩旁槽線寬度來決定,比較不受基板厚度的影響,因此能實

現比傳統微帶線範圍更寬的阻抗,另外亦具有較低的色散效應且很容易與主動電

1
路及一般集總元件整合。共平面波導結構主要傳播模態為偶模態(even mode)及

奇模態(odd mode/coupled slotline mode),其電場分佈分別如圖 1-3(a)與(b)

所示,由於奇模態輻射損耗較嚴重,且當與主動電路或 SMA 接頭連接時無法存

在,故一般電路設計中需避免奇模態的產生。然而,在不連續接面或轉角處易激

發寄生的奇模態,此時就需要加上額外的空氣橋(air bridge)使兩邊接地面維持

等電位來抑制此模態的產生,增加了製程上的複雜度,為共平面波導主要的缺點。

圖 1-2 共平面波導結構剖視圖。

圖 1-3 共平面波導(a)偶模態及(b)奇模態電場分佈圖。

由於現在各式各樣的通訊產品充斥我們周遭的環境當中,每個產品使用的

頻段皆不同,要同時使用這些頻帶,需要一寬頻的收發系統,如現在的第三代行

動通訊(3G)系統及正在發展中的第四代行動通訊(4G)系統等等。基於有限的成本

及設備之考量下,本論文提出一超寬頻的帶通濾波器(bandpass filter)的設計

方法,並透過實做的方式進行驗證。最後,將所設計之濾波器(filter)透過轉接

器(transition)與漸進式開槽槽天線(tapered slot antenna)整合成一寬頻無線

2
通訊系統前端天線模組。

1-2 章節介紹

本論文一共分為五章,第一章說明研究動機與簡介共平面波導特性。第二

章詳述一利用高通及低通濾波器所串接而成的超寬頻帶通濾波器原理與設計,並

提出一頻寬超過120 %的超寬頻帶通濾波器。第三章介紹共平面波導至槽線轉接

器的種類及特性並提出一寬頻共平面波導至槽線轉接設計。此外,在本章中也設

計了一寬頻的漸進式開槽天線。第四章將濾波器、轉接器及天線三個元件整合成

為一寬頻無線通訊系統前端天線模組,其工作頻寬為2GHz到8GHz。最後第五章為

本文的結論及未來研究方向。

3
第二章 超寬頻串接式帶通濾波器

2-1 序論

濾波器在許多 RF 及微波系統裡面扮演著非常重要的角色,一個理想濾波器

可使通帶內的訊號無損耗的通過並將通帶以外的訊號完全阻隔。由於現在的無線

通訊產品非常的多,在一個收發機裡面更加需要適當的濾波器來接收我們所要的

訊號並且避免被不想要的訊號所干擾,在一般的收發機裡面,通常有下列四種濾

波器:(1)band selection filter-bandpass filter:通常置於低雜訊放大器(low

noise amplifier)之前,用來選擇由天線接收進來的訊號。(2)image rejection

filter-bandpass filter : 置 於 混 波 器 (mixer) 的 輸 入 端 用 來 阻 隔 鏡 像 頻 率

(image frequency)。(3)channel selection filter-bandpass filter:置於

IF 的輸出端,其功能為通道選擇。(4)harmonic suppression filter-lowpass

filter:置於功率放大器(power amplifier)之輸出端,抑制 higher order

harmonic term 以符合輸出的頻譜限制。

一般濾波器的設計流程如圖2-1所示,在文獻上及實際的應用中,微帶線

(microstrip line)及帶線(stripline)型式的濾波器已經廣泛地被探討,並有深

入地研究和詳細的設計公式,相對而言,共平面波導型式的寬頻濾波器之相關研

究較少。共平面波導應用在濾波器方面上,最早發表於1976年的 M. Houdart[2]

及1978年的 P. Holder[3]的論文中,兩位作者提出利用長度為四分之一波長的

結構來設計濾波器,包含開路串聯截線(open series stub),短路串聯截線(short

series stub)、並聯開路截線(open shunt stub)及並聯短路截線(short shunt

stub),此四種截線的等效集總電路(equivalent lumped circuit)分別為串聯電

容、串聯電感、並聯電容及並聯電感,然而由於四分之一波長傳輸線之頻率相關

特性,故所設計出來的濾波器頻寬不大。

4
圖 2-1 濾波器設計流程圖[34]。

1983 年時,D. F. Walliams 和 S. E. Schwarz[4]提出利用共平面波導的

間 隙 (gap) 及 指 叉 式 電 容 (interdigital capacitor) 來 作 為 導 納 反 轉 器

(admitance Inverter),再串接上並聯共振器形成間隙電容耦合濾波器,由於此

種型式的濾波器利用電容耦合的方式,故耦合量並不大,無法達到寬頻的需求。

在寬頻濾波器的設計上,F. L. Lin 和 R. B. Wu 於 1995 年[5]提出一種新

型的帶狀磚壁型(ribbon of brick wall)濾波器,此種新型的共平面波導耦合線

具有較高之耦合量,其比例頻寬可達 60%。K. Hettak 及 N. Dib, A. F. Sheta

在 1998 年[6]及 1999 年[7]提出了新式的共平面波導串聯共振子結構及縮小化並

聯截線,將此二種結構分別應用於帶通濾波器上其頻寬可達 60%及 100%。Y. S.

Lin 與 C. H. Chen 於 2004 年時[8]提出利用高通濾波器及低通濾波器串接而成

的寬頻帶通濾波器,此結構的優點在於電路尺寸小,在通帶邊緣有很好的選擇度

且在截止區時 S 21 抑制得相當低,但其頻寬最大只到達 69%。

5
較新的一篇寬頻共平面波導濾波器的論文發表於 2006 年[9],是由 J. Gao

及 L. Zhu 等人所提出。主要是應用在超寬頻(ultra-wideband)系統上,作者提

出一共平面波導短路型的多模態共振器(shorted-circuited CPW multiple-

mode resonator),利用一段二分之一波長高阻抗及兩段四分之一波長低阻抗傳

輸線在所需的頻帶內產生三個共振點,此三個共振點分別落於通帶內的最高、最

低及中心頻率,其頻寬可達 110%。

在下列章節中,首先我們會介紹集總式濾波器的設計理論及如何在微波的

頻段去實現,最後提出一頻寬達 120%的超寬頻共平面波導帶通濾波器,本濾波

器的規格為通帶(passband)範圍在 2GHz 到 8GHz 之間,在通帶內植入損失

(insertion loss) S21 的值均在 −3dB 以上,折返損耗(return loss) S11 均在

−10dB 以下。

2-2 集總式濾波器理論與設計

2-2-1 濾波器介紹

首先介紹何謂集總式元件,ㄧ般定義元件(電路)尺寸在小於十分之ㄧ波長

時,因為在其上的電壓電流的大小及相位變化極小,可不考慮因長度造成的變

化,此元件稱為集總式元件(lumped element),但若元件(電路)尺寸大於十分之

ㄧ以上,則此時在電路上任相異兩點的電壓或電流大小及相位的變化則不可忽

略,稱為分散式電路元件(distributed circuit)。

集總式濾波器ㄧ般是由電感及電容組成,理想的濾波器其頻率響應在通帶

區(passband)內沒有植入損失(insertion loss),而於截止區(stopband)則有無

限大的衰減量以阻隔訊號的通過,但實際製作出來的電路並無法滿足上述的要

求,故在設計濾波器時,常依所需要的規格而選擇適當類型的濾波器。濾波器的

種類依照頻率響應可分為四種:低通濾波器(lowpass filter)、高通濾波器

6
(highpass filtr)、帶通濾波器(bandpass filter)以及帶止濾波器(bandstop

filter),如圖 2-2 所示。若依通帶區的頻率響應特性,則可分為柴比雪夫響應

(Chebyshev response),巴特沃茲響應(Butterworth response)以及橢圓響應

(Elliptic response),三種響應如圖 2-3 所示。

圖 2-2 四種濾波器類型的頻率響應[34]。 圖 2-3 柴比雪夫、巴特沃茲及橢圓的頻率響應[34]。

其中柴比雪夫響應的品質因素(quality factor)較高,且通帶內有等漣波

(equal-ripple)衰減及截止區內有較大衰減速率的特性,因此對頻率的選擇性

(selectivity)較佳。巴特沃茲響應在其通帶區內的頻率響應最為平坦且不具有

漣波衰減特性,但若在相同的共振電路數目條件下,巴特沃茲響應的衰減速率比

柴比雪夫響應小,即其選擇性較差。橢圓響應在通帶區及截止區內均有漣波,且

在截止區會有極點產生,因而造成較大的衰減。

圖 2-4 濾波器常見的重要規格。

7
濾波器的幾項重要參數(如圖 2-4 所示),分別如下所列:

1.通帶頻率範圍:由最低點頻率( f1 )及最高點頻率( f 2 )來決定,ㄧ般定義為 S 21

衰減至 −3dB (功率減少一半)時的頻率點。在此頻率範圍內,植入損耗( S 21 )需

為最小,而頻寬即為 f1 − f 2 。

2.帶通濾波器的中心頻率:中心頻率為帶通響應的頻率範圍內之中心點,數學表

示式為 f o = ( f1 + f 2 ) 2 。

3.植入損耗:若信號源與負載端之間沒有電路時,負載端可完全接收到信號源所

發射出的功率,但在加入濾波器之後,負載端的輸出功率會因為濾波器電路中元

件本身的寄生電阻影響,而產生損耗。故定義無損耗與有損耗功率兩者之間的比

值為植入損耗。

圖 2-5 巴特沃茲濾波器原型電路對正規化頻率的衰減響應[28]。

8
圖 2-6 低通濾波器的原型電路[28]
(a)以並聯元件開頭的原型電路。
(b)以串聯元件開頭的原型電路。

表 2-1 巴特沃茲低通濾波器元件値對照表[28]。

2-2-2 以植入損失法設計濾波器

設計濾波器最常使用的方法是“植入損失法",由低通濾波器的原型電路

出發,再轉成所需要的帶通、高通及帶止等濾波器。首先定出通帶區內最高截止

頻率點及止帶區內的最大衰減量,以巴特沃茲響應為例:巴特沃茲響應對低通濾

波器而言,其數學函氏表示式為

9
2N
⎛ω ⎞
PLR = 1 + k ⎜ ⎟
2
(2-1)
⎝ ωc ⎠

其中 N 為濾波器的階數,ω c 為截止頻率。濾波器的通帶從 ω = 0 到 ω = ω c ,通帶

邊緣的功率損失比為 1 + k 2 ,通常令此值為 3dB (即 k = 1 )。由截止頻率點及止帶

區內最大衰減量可決定出低通濾波器原型電路所需要的階數,如圖 2-5 所示。得

到低通濾波器原型電路的階數之後,經由表 2-1 便可得到原型電路中各元件的

值,而低通濾波器的原型電路如圖 2-6 所示。圖 2-6(a)中的 g 0 為訊號源的電阻

值,圖 2-6(b)中的 g 0 為訊號源的電導值, gi ( i=1,2, ⋅⋅⋅,n ) 為串聯電感値或並聯電

容值。當 g n 為並聯電容值時,則 g n +1 為負載電阻值;當 g n 為串聯電感値時,則 g n +1

為負載電導值。對 g 0 =1Ω及 ω , = ω ω0 =1 rad/s 做正規化之後,依照所需濾波器

的階數及漣波的大小(若為柴比雪夫響應)經由查表可得 g1 至 g N +1 的元件値,其

中 ω , 為低通濾波器原型電路之截止角頻率。藉由植入損失法,ㄧ個濾波器或雙

埠網路的響應可由其功率損耗比(power insertion loss ratio), PLR 來定義

Power available from source Pinc 1


PLR = = = (2-2)
Power delivered to load Pload 1 − Γ(ω ) 2

其中 Pinc 為入射至網路的功率, Pload 則為傳送至負載的功率。且網路的植入損失

IL (insertion loss)可定義為

IL = 10 log PLR (2-3)

對巴特沃斯響應而言,其植入損失可表示為

⎡ ⎛ ω ⎞2n ⎤
IL ( dB ) = 10 log ⎢1 + ⎜ ⎟ ⎥ (2-4)
⎢⎣ ⎝ ωc ⎠ ⎥⎦

,ωc 為截止角頻率。濾波器原型電路之元件值 gi
其中 n 為濾波器之階數(order)

可表示為

g 0 = 1.0 (2-5a)

10
⎡ 2i − 1 ⎤
gi = 2sin ⎢ π for i = 1 to n (2-5b)
⎣ 2n ⎥⎦

g n +1 = 1.0 (2-5c)

通常定義在截止區中最小的衰減量在 ω = ωs 時為 LAs dB,由此我們便可決定巴特

沃茲低通濾波器原型電路所需要的階數

n≥
(
log 100.1LAs − 1 ) (2-6)
2 log ωs

對柴比雪夫響應而言,植入損失可表示為


⎢⎣
(
Lr
) ⎛ω
IL ( dB ) = 10 log ⎢1 + 10 10 − 1 * Tn 2 ⎜
⎝ ωc
⎞⎤
⎟⎥
⎠ ⎥⎦
(2-7)

其中 Tn (ω ωc ) 為 N 階柴比雪夫多項式(Chebyshev polynomial of degree N),

Lr 為最大通帶漣波。其原型電路之元件值 g k 可表示為

g 0 = 1.0 (2-8a)

2 ⎛π ⎞
g1 = sin ⎜ ⎟ (2-8b)
γ ⎝ 2n ⎠

⎡ ( 2i − 1) π ⎤ ⎡ ( 2i − 3) π ⎤
4sin ⎢ ⎥ isin ⎢ ⎥
gi =
1 ⎣ 2n ⎦ ⎣ 2n ⎦ for i=2,3, ⋅⋅⋅ n (2-8c)
gi −1 ⎡ ( i − 1) π ⎤
γ 2 + sin 2 ⎢ ⎥
⎣ n ⎦

1.0 N odd

gi +1 = ⎨ 2⎛β ⎞
(2-8d)
⎩ coth ⎜ ⎟ N even
⎝4⎠
其中

⎛β ⎞
γ =sinh ⎜ ⎟ (2-9)
⎝ 2n ⎠
⎛ Lr ⎞ (2-10)
β = In⎜ coth ⎟
⎝ 17.372 ⎠

同樣的定義在通帶區內漣波大小為 L Ar dB,在截止區內在 ω = ωs 時最小的損耗為

LAs dB ,柴比雪夫低通濾波器原型電路的階數可表示成

11
100.1LAs − 1
cosh −1
n≥ 100.1LAr − 1 (2-11)
cosh −1 ω s

在表 1-1 中,各個元件值是經過正規化的值,因此必須還原成實際的元件值。在

實際電路中需依照終端阻抗及操作頻率進行轉換的工作。在阻抗轉換方面,如實

際的終端阻抗為 R0 ,則轉換後的元件値分別為

R ' = R0 ∗ R
L' = R0 ∗ L (2-12)
C
C' =
R0

其中 R , L , C 為表 1-1 中所查得之値。在頻率轉換方面帶通濾波器與低通濾波

器原型電路之間的轉換如圖 2-7 所示。

圖 2-7 元件値在頻率軸上的轉換關係圖[28]。
(a)低通濾波器原型電路的頻率響應。
(b)轉換成帶通濾波器之後的頻率響應。

欲滿足此種圖形間的映射(mapping)關係,則需做下列轉換:

ω0 ⎛ ω ω0 ⎞ 1 ⎛ ω ω0 ⎞ ω2 − ω1
ω← ⎜ − ⎟= ⎜ − ⎟ , Δ= (2-13)
ω1 − ω2 ⎝ ω0 ω ⎠ Δ ⎝ ω0 ω ⎠ ω0

ω1 與 ω2 分別為通帶區的兩邊截止頻率,且 ω0 = ω1 × ω2 。

1 ⎛ ω ω0 ⎞
當 ω = ω0 時, ⎜ − ⎟=0 ;
Δ ⎝ ω0 ω ⎠

12
1⎛ω ω ⎞
當 ω = ω1 時, ⎜ − 0 ⎟ = −1 ;
Δ ⎝ ω0 ω ⎠

1 ⎛ ω ω0 ⎞
當 ω = ω2 時, ⎜ − ⎟ =1 ;
Δ ⎝ ω0 ω ⎠

經過頻率轉換之後,圖 2-7(a)中低通響應的-1、0、1 三點對應至圖 2-7(b)中帶

通響應的 ω1 、 ω0 及 ω2 三點。原來的電感經頻率轉換後變成 LC 串聯,串聯的電

感與電容值分別為
Ln Δ
Ln ' = , Cn ' = (2-14)
Δω0 Lnω0

原來的電容經由頻率轉換後變成 LC 並聯,並聯的電感與電容值分別為
Δ Cn
Ln ' = , Cn ' = (2-15)
ω0 C n ω0 Δ
綜合阻抗與頻率轉換的效應,我們可以得到最後的帶通濾波器各元件値。若訊號

源阻抗值為 Z 0 ,則並聯 LC 共振電路的電感值 Ln ' 與電容值 C n ' 可分別表示為

ΔZ 0
Ln ' = (2-16)
ω0 Cn
Cn
Cn ' = (2-17)
Δω0 Z 0

另一方面,串聯 LC 共振電路的電感值 Ln ' 與電容值 Cn ' 可分別表示為

Ln Z 0
Ln ' = (2-18)
Δω0

Δ
Ck ' = (2-19)
ω0 Ln Z0
表 2-2 列出從低通原型電路到高通、帶通及帶止濾波器的元件値轉換公式。在低

通濾波器原型電路中的並聯電容轉換成帶通濾波器後變成並聯 LC 共振電路,串

聯電感則變成串聯 LC 共振電路。圖 2-8 即為一經轉換後的帶通濾波器電路圖。

13
表 2-2 濾波器原型電路的轉換[28]。

圖 2-8 經過轉換的帶通濾波器電路圖[28]。

2-3 分散式帶通濾波器設計

2-3-1 理 查 轉 換 (Richard’s Transformation) 與 黑 田 恆 等 式 (Kuroda

Identities)

前面所討論的集總元件濾波器設計方法,在低頻的時候相當適用,但是要

將這些方法用在微波頻段,至少會出現下列兩個問題。首先,集總元件如電感電

容在微波頻段通常只有某些特定的值,而設計電路時常需要比較精密的元件值

(如 0.597 pF ,至少需三位有效數字正確),不容易找到或做出來,因此必須用

分散式元件來近似。除此之外,在微波頻段中濾波器中各元件的尺寸及其之間的

相對距離並不能隨意忽略,所以元件位置的安排就可能造成電路佈局上的困擾。

針對這兩個問題,我們可以用理查轉換將集總元件轉成傳輸線段(即分佈式元

14
件),再利用黑田恆等式多加傳輸線線段,將濾波器的元件分開。因為這些多增

加的傳輸線線段並不會影響濾波器的頻率響應,所以此種設計方法又稱為多餘式

(redundant)的濾波器合成。

2-3-1(a) 理查轉換

利用如下的轉換

⎛ ωl ⎞
Ω = tan β l = tan ⎜ ⎟ (2-20)
⎜ vp ⎟
⎝ ⎠

將 ω 平面映射到 Ω 平面,此種映射會每 ωl = v p = 2π 自動重複一次。此種轉換是

由 Richard[10]首先提出。目的是以開路及短路的傳輸線段,合成網路中的 L 與

C 。我們將頻率變數 ω 改成 Ω 的同時,電感的電抗為

jX L = jΩL = jL tan β l (2-21)

電容的電納為

jBC = jΩC = jC tan β l (2-22)

(2-21)及(2-22)兩式說明:電感必須用電氣長度為 β l ,特性阻抗為 L 的短路傳

輸線殘段取代,而電容則必須用電氣長度為 β l ,特性阻抗為 1 C 的開路傳輸線殘

段來代替,此時濾波器的參考阻抗為 1 。

低通濾波器原型電路的截止頻率為 1 ,為使經過理查轉換後的濾波器也有

相同的截止頻率,由(2-20)可得

Ω = 1 = tan β l (2-23)

所以我們可以得知殘段的長度需為 l = λ 8 ,其中 λ 為截止頻率 ωC 時的傳輸線波

長。當頻率為 ω0 = 2ωC 時,該線長度為 λ 4 ,必產生一個衰減極點。若頻率遠離

ωC ,則此殘段所提供的阻抗就不再與原型電路的元件值相符,如此一來濾波器

的響應與想要的原型電路響應就不相同。集總元件濾波器的電感與電容,均可以

用短路及開路殘段來取代,如圖 2-9 所示。因為所有的殘段長度均相同(在 ωC 時

15
為 λ 8 ),所以這些傳輸線又稱為等長線(commensurate lines)。

圖 2-9 理查轉換[28] (a)從電感到短路殘段(b)從電容到開路殘段。

2-3-1(b) 黑田恆等式

黑田恆等式有四個,每一個等式均利用額外的傳輸線段,其作功能如下:

(1) 將傳輸線殘段分開。

(2) 將串聯殘段與並聯殘段彼此互換。

(3) 將不容易做到或不切實際的特性阻抗轉換成較可行且容易實現的阻抗。

所加上的額外傳輸線段稱為單元線(unit elements),其長度在 ωC 頻率點均為

λ 8 。所以在所有的單元線與原型電路設計中,用來做電感及電容的殘段均等

長。圖 2-10 為四個黑田恆等式所對應的圖。

16
圖 2-10 四個黑田恆等式[28]。

2-3-2 傳輸線共振器

由(2-16)式到(2-19)式可知,在微波及毫米波頻段時,共振電路的電容值

與電感值甚小,且在此頻段內的元件寄生效應頗大,利用集總式元件製作極為困

難,故利用分散式元件設計濾波器才能符合要求。此時帶通濾波器中的串聯或並

聯 LC 共振電路,可以二分之ㄧ波長或四分之ㄧ波長的短路或開路傳輸線取代,

如圖 2-11 所示。取中心頻率為 ω0 ,並考慮長度 L = λ 2 之無損耗(lossless)

傳輸線,其特性阻抗(characteristic impedance)為 Z 0 ,相位常數(phase

constant)為 β 及相速度(phase velocity)為 V p 。

17
Z in Z in

Z in Z in

Z in Z in

Z in Z in

圖 2-11 四分之ㄧ及二分之ㄧ波長短路、開路傳輸線之等效 LC 共振電路[31]。

當 ω = ω0 + Δω 時,

ωl ω0 l Δω l ⎛ Δω ⎞ λ π vp
βl = = + = π ⎜1 + l= = (2-24)
ω ⎟⎠
,
Vp Vp Vp ⎝ 2 ω0
二分之ㄧ波長短路傳輸線的輸入阻抗(input impedance)可表示為
Z 0 Δωπ
Z in = jZ 0 tan β l ≅ j (2-25)
ω0
對串聯 LC 共振電路而言,於共振頻率附近的串聯阻抗為

1 − ω 2 LC ω0 LC − ω 2 LC
2
1
Z in = jωL + = = ≅ j 2 LΔω (2-26)
jωC jωC jωC
比較(2-25)式與(2-26)式,得知二分之ㄧ波長短路傳輸線可等效為串聯 LC 共振

電路,亦即

18
Z 0π
L= (2-27)
2ω0

1 2
C= = (2-28)
ω0 L
2
ω0 Z 0π

同理可知,二分之ㄧ波長開路傳輸線可等效為並聯 LC 共振電路,亦即

2Z 0
L= (2-29)
ω0π

π
C= (2-30)
2Z 0ω0
四分之ㄧ波長開路傳輸線可等效為串聯 LC 共振電路,亦即

πZ 0
L= (2-31)
4ω0

4
C= (2-32)
πZ 0ω0
四分之ㄧ波長短路傳輸線可等效為並聯 LC 共振電路,亦即

4Z 0
L= (2-33)
πω0
π
C= (2-34)
4Z 0ω0

2-3-3 阻抗與導納反轉器

一般集總式帶通濾波器係由串聯與並聯 LC 共振器組合而成,但於實際微

波電路中,同時使用兩種不同型態的傳輸線作為共振器並不方便,故設計電路時

常利用阻抗反轉器(impedance inverter)或導納反轉器(admittance inverter)

,將其轉變成全部串聯或全部並聯的傳輸線共振電路。

19
圖 2-12 [28] (a)阻抗反轉器與四分之ㄧ波長傳輸線等效電路。
(b)導納反轉器與四分之ㄧ波長傳輸線等效電路。

圖 2-12(a)為阻抗反轉器電路。一條特性阻抗為 K 的四分之ㄧ波長(quarter

wavelength)傳輸線,可等效為一個阻抗反轉器。當連接負載阻抗 Z L 時,其輸

入阻抗為

K2
Z in = (2-35)
ZL

同理,圖 2-12(b),一條特性導納為 J 的四分之ㄧ波長傳輸線,可等效為一個

導納反轉器。當負載導納為 YL 時,則輸入導納為

J2
Yin = (2-36)
YL
由(2-35)式與(2-36)式可知,選擇適當的 K 值或 J 值作為轉換器參數,即可改變

阻抗或導納值。

反轉器的工作原理在於造成一九十度或其奇數倍的相位差,由上述可知,

一個串聯電感經過一個阻抗反轉器後,將等效成一個並聯電感,且轉換後的阻抗

值或導納值可以透過控制 K 值與 J 值來調整。所以在設計電路時,為使前述的各

傳輸線構成的共振器阻抗值相同,可改變共振電路阻抗或導納反轉器之參數值,

使等效串聯或並聯共振之 LC 值一致,並同時可以減少由於結構尺寸參數不同造

20
成的不連續效應。除了四分之ㄧ波長傳輸線外,尚有其他多種電路可被當作反轉

器使用,並能提供比四分之ㄧ波長傳輸線更大的工作頻寬。圖 2-13 所示為較常

被使用之阻抗反轉器的實際電路圖,其參數與特性阻抗為 K 的四分之ㄧ波長傳

輸線具有相同的 ABCD 矩陣。圖 2-13(a)的阻抗反轉器適用於集總式串聯共振

電路,其中負值串聯電容和電感,將被位於反轉器兩側的串聯共振器之電容或電

感吸收。圖 2-13(b)的阻抗反轉器電路適用於分散式串聯共振電路。而阻抗反

轉器中,具有負值或正值電氣長度(electrical length) θ 之傳輸線,將併入

反轉器兩側具有相同特性阻抗的二分之ㄧ波長傳輸線。圖 2-14 所示為較常使用

之導納反轉器實際電路圖,其參數與特性導納為 J 的四分之ㄧ波長傳輸線具有相

同的 ABCD 矩陣。圖 2-14(a)之導納反轉器電路適用於集總式並聯共振電路,

同樣地,在其中的負值並聯電容或電感,將被位於反轉器兩側的並聯共振器之電

容或電感吸收。圖 2-14(b)之導納反轉器電路適用於分散式並聯共振電路,而

導納反轉器中,具有負值或正值電氣長度 θ 之傳輸線,將併入反轉器兩側具有相

同特性阻抗的二分之ㄧ波長傳輸線。

圖 2-13 阻抗反轉器[26]。 圖 2-14 導納反轉器[26]。

接著,我們將證明一條特性阻抗為 J 的四分之ㄧ波長傳輸線,如圖 2-12(b)

與一間隙耦合電容值為 B ,串接一長度為 θ 2 傳輸線的串聯電路,如圖 2-14(b)

所示電路之等效關係式。一條特性導納為 J 的四分之ㄧ波長傳輸線的 ABCD 矩陣

21

⎡ − j⎤
⎢ 0 J ⎥ (2-37)
⎢ ⎥
⎣ − jJ 0 ⎦

而一間隙耦合電容值為 B ,串接長度為 θ 傳輸線的串聯電路其 ABCD 矩陣為


2

⎡ θ 1 θ⎤ ⎡ θ 1 θ⎤
⎢ cos 2 j sin ⎥ ⎡ 1 ⎤ ⎢ cos j sin ⎥
Y0 2 ⎢1 − j ⎥ 2 Y0 2
⎢ ⎥ B ⎢ ⎥
θ θ ⎥ 0 ⎢ ⎥

⎣ 1 ⎦ ⎢ jY0 sin θ θ ⎥
⎢⎣ jY0 sin 2 cos
2 ⎦ ⎥ ⎢⎣ 2
cos
2 ⎥⎦

⎡ Y0 ⎛1 1 θ ⎞⎤
⎢ cos θ + sin θ j⎜⎜ sin θ − cos 2 ⎟⎟⎥
= ⎢ 2B ⎝ Y0 B 2 ⎠⎥
(2-38)
⎢ ⎛ Y θ⎞ Y ⎥
⎢ jY0 ⎜ sin θ + 0 sin 2 ⎟ cos θ + 0 sin θ ⎥
⎢⎣ ⎝ B 2⎠ 2B ⎥⎦

若上述兩個電路為等效,則由兩個式子中之導納 B ,及導納轉換器的 J 值可得


J
B= (2-39)
1 − (J / Y0 )
2

再由傳輸線的特性導納 B = ωC ,可得到電容值 C ,而等效傳輸線之負長度 θ 為


1 ⎛ 2B ⎞
θ = tan −1 ⎜ ⎟ (2-40)
2 ⎝ Y0 ⎠
由並聯共振器與導納轉換器所構成之帶通濾波器,如圖 2-15 所示。首先,集總

式帶通濾波器如圖 2-15(a)所示,利用導納轉換器將串聯共振器轉成並聯共振

器,如圖 2-15(b)所示,當導納反轉器之導納值為 J 且連接之負載導納為 YL 時,

則其輸入導納為 J 2 / YL 。若導納反轉器的導納值遠小於連接之負載導納時,其輸

入導納可忽略不計。根據以上假設,將第二段共振器轉換成並聯時,為維持相同

之輸入導納值,也就是

Y12a = Y12b (2-41)

J =1 (2-42)


L2 = C 2 (2-43)

22

C 2 = L2 (2-44)

同理


L4 = C4 (2-45)


C4 = L4 (2-46)

若我們要讓各段共振器的導納值相同,則可以繼續改變各段導納轉換器的 J 值來

調整共振器之等效 L 值與 C 值。如圖 2-15(c)所示,針對第二段共振器而言,

由左端看入之輸入導納為

Y12c = Y12b (2-47)

可得

′ L02 L02
J 12 = = (2-48)
′ C2
L2

同理,由右端看入之輸入導納為 Y32 = Y32 ,可得


b c

′ ′
J 23 = J 12 (2-49)

同樣地,若對第四段共振器來看,亦有

′ L04 L04 ′
J 34 = = = J 45 (2-50)
′ C4
L4

若對第三段共振器轉換,由圖 2-15(d)可得 Y23 = Y23 ,經過整理後得


d c

′ L03 L03 L02


J 23 = J 23 = (2-51)
L3 L3C 2

同理

J 34 = J 23 (2-52)

′ ′
同樣地,也可以利用導納反轉器 J 01 與 J 56 ,將 G g 與 G L 分別轉換成 G0 g 與 G0 L 。

由圖 2-15(e),可得

23
⎛⎜ J ′ ⎞⎟
2

Gg = ⎝ ⎠
01
(2-53)
G0 g


J 56
GL = (2-54)
G0 L

亦即


J 01 = G g G0 g (2-55)


J 56 = GL G0 L (2-56)

最後,對第一段共振器做轉換,由圖 2-15(f)可得

Y01f = Y01e (2-57)

經過整理後

J 01 = J ′
L01 L01GLG0 L
= (2-58)
L1 L1

同理,對第五段共振器做轉換可得

′ L05 L05GL G0 L
J 56 = J 56 = (2-59)
L5 L5

此外,由圖 2-15(e)與圖 2-15(f)可得

Y21f = Y21e (2-60)

Y45f = Y45e (2-61)

經過整理後可得

′ L01 L02 L01


J 12 = J 12 = (2-62)
L1 C 2 L1

′ L05 L04 L05


J 45 = J 45 = (2-63)
L5 C 4 L5

上述方法可推廣至 N 段共振器,當第一段為 LC 串聯共振時

24
L01G g G0 g
J 01 = (2-64a)
L1

⎧ L0 j +1 L0 j
⎪ , j odd , 0 < j < N
⎪ C j +1 L j
J j , j +1 = ⎨ (2-64b)
⎪ L0 j +1 L0 j
⎪ L C , j evev , 0 < j < N
⎩ j +1 j

⎧ L0 N G0 LGL
⎪ , j odd
⎪ LN
J N , N +1 = ⎨ (2-64c)
⎪ L0 N G0 L , j even
⎪ C G
⎩ N L

當第一段為 LC 並聯共振時

L01G0 g
J 01 = (2-65a)
C1G g

⎧ L0 j +1 L0 j
⎪ , j odd , 0 < j < N
⎪ L j +1C j
J j , j +1 = ⎨ (2-65b)
⎪ L0 j +1 L0 j
⎪ C L , j even , 0 < j < N
⎩ j +1 j

⎧ L0 N G0 L
⎪ , j odd
⎪ C N GL
J N , N +1 = ⎨ (2-65c)
⎪ L0 N G0 L GL , j even
⎪ LN

將低通濾波器原型電路之元件值,帶入(2-65a)式至(2-65c)式,可求得由單一並

聯共振器組成之帶通濾波器中導納轉換器之 J 值

J 01 π Δ
= (2-66a)
Y0 2 g 0 g1

J j , j +1 πΔ
= (2-66b)
Y0 2 g j g j +1

25
J N , N +1 πΔ
= (2-66c)
Y0 2 g N g N +1

其中 g 0 , g1 , … g N +1 為低通濾波器原型電路之元件值, Δ 為比例頻寬,Y0 為傳輸

線之特性導納。

圖 2-15 單一並聯共振器帶通濾波器電路之轉換[30]。

26
圖 2-16 [29] (a)由導納反轉器和 Lumped LC 共振器所組成之帶通濾波器。
(b)由導納反轉器和半波長傳輸線共振器所組成之帶通濾波器。

圖 2-17 [29] (a)導納反轉換器與分散式並聯共振器。


(b)阻抗反轉器與分散式串聯共振器。

由上述的公式推導之後,我們可以得知ㄧ個帶通濾波器電路,可等效成一

個由導納轉換器及長度二分之ㄧ波長的傳輸線共振器所組合而成的電路,如圖

2-16(b)所示。因此我們利用開路截線等效為導納轉換器中之耦合電容,並與長

度為二分之ㄧ波長傳輸線交互連接即構成電容性耦合帶通濾波器。當二分之ㄧ波

長傳輸線兩端連接截線時,可視為開路傳輸線,故等效為並聯共振器。

相同地,我們可以將導納反轉器與並聯共振器所組成之帶通濾波器廣義地

推廣至導納反轉器與輸入電導為 B 之分散式並聯共振器所組成之帶通濾波器。同

理,亦可將阻抗反轉器與輸入電抗為 X 之分散式共振器組成之帶通濾波器,如

圖 2-17 所示。由導納反轉器和輸入電導為 B 的四分之ㄧ波長短路傳輸線並聯共

振器所組成的帶通濾波器中,在 2-3.1 小節中有討論過傳輸線當共振器的理論,

27
可得

Yin = jB = − jY0 cot β l (2-67)

因為 β l = π 2 ,所以我們可得

Y0π ⎛ ω ω0 ⎞
B= ⎜ − ⎟ (2-68)
4 ⎝ ω0 ω ⎠

而並聯 LC 共振器的輸入導納為

⎛ 1 ⎞
Yin = jB = j ⎜ ωC − (2-69)
⎝ ω L ⎟⎠
其輸入電導為

⎛ω ω ⎞
B = ω0 C ⎜ − 0 ⎟ (2-70)
⎝ ω0 ω ⎠

其中 ω0 = 1 LC 為共振器之共振頻率。

圖 2-17 中,在微波的頻段下,我們以分散式共振器來取代集總式共振器,

理論上分散式電路的電抗及電導值應在所有頻率下均與集總式的共振器電路相

等。但是在實際上分散式共振器只有在接近共振頻率時的電抗及電導值最接近集

總式共振器,儘管如此,對於窄頻的濾波器來講已經相當足夠。為了方便起見,

在中心頻率處,分散式共振器的電阻(電導)及電抗(電納)的斜率與集總式共振器

的電阻(電導)及電抗(電納)分別對應令其相等,並定義了電導斜率係數

(susceptance slope parameter) b 和 電 抗 斜 率 係 數 (reactance slope

parameter) x ,分別為

ω ∂B
b= (2-71)
2 ∂ω ω =ω 0

ω ∂X
x= (2-72)
2 ∂ω ω =ω 0

則 LC 並聯共振器之電導斜率係數為

28
(
ω ∂ ωC − ω L
1 ) = ω0 C (2-73)
2 ∂ω
ω =ω0

而四分之ㄧ波長短路傳輸線共振器之電導斜率係數為

ω ∂ (Y0 cot β l ) πY
= 0 (2-74)
2 ∂ω ω =ω
4
0

結合(2-75)至(2-77)後可得

J b1Δ
= (2-75a)
Y0 G0 g g 0 g1

b j b j +1
J j , j +1 = Δ j = 1, 2,...N − 1 (2-75b)
g j g j +1

J N , N +1 bN +1Δ
= (2-75c)
Y0 G0 L g N g N +1

同理,我們可以推出阻抗反轉器與輸入電抗為 X 之分散式共振器所組成之帶通

濾波器的阻抗反轉器參數

K x1Δ
= (2-76a)
Z0 R0 g g 0 g1

x j x j +1
K j , j +1 = Δ j = 1, 2,...N − 1 (2-76b)
g j g j +1

K N , N +1 xN +1Δ
= (2-76c)
Z0 R0 L g N g N +1

由以上的推導,只要傳輸線的特徵阻抗 Z 0 為已知,就可以由低通濾波器的原型

電路來設計單一共振器組態與反轉器組成之分散式帶通濾波器。

29
2-4 共平面波導寬頻帶通濾波器設計

2-4-1 串接型濾波器

因應現代無線通訊系統的發展,寬頻濾波器的需求亦逐日上升,如超寬頻

(ultra-wideband)系統,頻寬動輒超過 100%。傳統的耦合型結構濾波器若要達

到此頻寬要求,則必須要有很強的耦合量,這也意味著兩耦合線之間的距離必須

要相當窄才能提供足夠的耦合量。但受限於目前製程可實現的最小線寬,耦合型

濾波器很難達到 100%以上的頻寬要求。故我們提出利用高通濾波器及低通濾波

器串接而成帶通濾波器的概念來設計寬頻的帶通濾波器。

首先,我們分別設計低通及高通濾波器,在本文中低通濾波器是採用共平

面波導的週期結構特性來設計,而高通濾波器則是由共平面波導的不連續結構來

等效所需之電容及電感,再依濾波器設計流程製作。兩者的截止頻率分別設計在

我們想要的帶通響應頻寬的上下限,最後將兩者串接起來便能達到所需要的帶通

濾波器響應。

2-4-2 共平面波導週期性結構低通濾波器

由圖 2-6 可知低通濾波器最基本的等效電路模型可由串聯電感加上並聯電

容而組成,故在微波頻段設計低通濾波器時,我們可以利用共平面波導的一些不

連續結構特性來等效電感和電容的值,以達到我們想要的頻率響應。

在一段均勻的傳輸線上,每隔一段固定距離放置(或加載)一個電抗性元

件,便可成為一週期性結構,當然有很多種方式可以實現週期性結構,在此我們

只用最簡單的結構來做設計。在週期結構上傳播的波稱為 "慢波(slow wave)"

,其傳播速率比在均勻的一段傳輸線裡還慢,由 θ = β l 可知,在相同的傳輸線長

度之下,有較大的電氣長度 θ 時, β 值會比較大。 β 值越大時其波長越短,相對

30
波速會越慢。而在一段固定電氣長度的傳輸線上,慢波效應越顯著時其電氣長度

越大,故在所需要同樣的電氣長度下,傳輸線實際長度 l 即可縮小,如此一來便

可達到縮小電路尺寸的目標。另一方面,由傳輸線理論可知,一段無損耗的傳輸

線的傳播常數(propagation constant)及相速度(phase velocity)分別可表示成

β = ω LC 及 v p = 1 LC ,其中 L 及 C 分別為單位傳輸線的電感及電容。所以我

們只要有效地增加 L 跟 C 的值,便可達到慢波的效果。

J. Sor 及 Y. Qian 及 Itoh 在 2001 年[11]時提出幾種共平面波導週期性的

結構,我們採用類似的概念在共平面波導的中間導體上做一些結構上的改變,製

造出等效的電感及電容,如圖 2-18 所示。在中心導體上每一條細窄線均可等效

成一個電感,任兩個互相間隔的導體之間則等效成一電容,由等效電路結構我們

可初步判斷出是一低通濾波器的響應。圖 2-19 為初步設計時利用 Ansoft HFSS

全波模擬軟體所模擬的結果,其中 g = 0.35mm 、 d1 = 5.65mm 、 d 2 = 1.75mm 、

w1 = 2.1mm 、 w2 = 2.625mm ,由模擬結果可以看到 S11 在 −10dB 的截止頻率約為

3.8 GHz, S21 在 −3dB 的截止頻率約為 4.3 GHz。且群速度延遲(Group delay)在

通帶區內變化約在 0.5nS 以內。

g
C3 C3
w1 d1
L1 L2 L2 L1

w w2 C1 L4 C1
g
d2 L3 L3
C2 C2

圖 2-18 共平面波導週期性結構低通濾波器及其等效電路圖。

31
圖 2-19 共平面波導週期性結構低通濾波器模擬響應圖
( g = 0.35mm 、 d1 = 5.65mm 、 d 2 = 1.75mm
w1 = 2.1mm 、 w2 = 2.625mm )。

首先我們先對此結構中間截線的長度 d 2 來做調整,其他參數先固定不變,

模擬結果如圖 2-20 所示。由圖上可觀察到: d1 越短、截止頻率越往高頻移動,

此乃由於等效並聯電感 L4 減少之故。由 f c = 1 LC 可知當 L 減少時,截止頻率 f c

會變大。接著我們對 d 2 做調整,其餘參數皆固定在初始設計值,由於 d 2 的改變

與 d1 的改變正好相反, d 2 變長時 d1 相對地會變短,所以等效電感 L4 減少,截止

頻率往高頻移動,反之則往低頻移動。改變 d 2 的模擬響應如圖 2-21 所示。

32
圖 2-20 改變 d1 之低通濾波器模擬響應圖。 圖 2-21 改變 d 2 之低通濾波器模擬響應圖。

w1 d1

w w2
g
d2
w3

圖 2-22 增加中間導體寬度改善折返損耗之低通濾波器示意圖。

另外,在共平面波導中間導體部分,由於我們做一些變化來造成等效電容

及電感的效應,而將部分金屬挖掉,造成低通濾波器部分與兩邊共平面波導傳輸

線之阻抗不匹配,有鑑於此,我們增加低通濾波器中間導體部分的金屬寬度如圖

2-22 所示, w3 即為所增加的寬度。圖 2-23 則為其頻率響應圖,由圖上我們可以

33
發現,當 w3 越大, S11 下降越多,但截止頻率也相對地往低頻移動。因為 w3 增大

時,與兩邊接地面越靠近,造成等效電路中的 C2 變大,故截止頻率往低頻移動。

圖 2-24 則是串接多級低通濾波器的模擬響應,由圖上我們可以觀察到當串接的

個數越多時,截止頻率附近的止帶區衰減會更強,且在截止頻率附近斜率的變化

會更陡峭,此特性為週期性結構一個重要的優點。然而在通帶區內,隨著串接的

個數增加,金屬損耗及介質損耗亦增加,所以 S21 會下降的更多且同時折返 S11 亦

隨著變大,這是因為串接時,在接面處每個單一低通濾波器的阻抗並不完全相

等,所以串接越多阻抗變化越大,造成不匹配的程度增加。

圖 2-23 改變 w3 之低通濾波器模擬響應圖( g = 0.35mm 、 d1 = 5.65mm 、


d 2 = 1.75mm 、 w1 = 2.1mm 、 w2 = 2.625mm )。

34
圖 2-24 串接多級低通濾波器之模擬響應圖( g = 0.35mm 、 d1 = 5.65mm 、
d 2 = 1.75mm 、 w1 = 2.1mm 、 w2 = 2.625mm 、 w3 = 0.35mm )。

我們將影響此低通濾波器主要的參數概括如下:

1. 截線的長度 d1 及 d 2 為主要影響截止頻率 f c 的參數, d1 改變時 S11 亦會同時變

動, d1 越大時截止頻率越往低頻移動且 S11 降低, d 2 越小時(等效 d1 越大)截

止頻率亦往低頻移動。

2. 在中間不連續結構處增加中心導體兩旁的寬度 w3 ,可降低 S11 ,原因推測應

為在中心導體部分加上 w3 後,全部的寬度會與原來共平面波導傳輸線中心導

體的寬度接近,阻抗的差異變小所致。

3. 串接多級形成週期性結構時,當串接個數增加,止帶區損耗變大,衰減速率

增加,但同時造成通帶區內損耗增加且 S11 變大。

35
圖 2-25 為此共平面波導低通濾波器之實體電路圖,由於我們設計的共平面

波導傳輸線部分中心導體寬度為 7.525mm ,槽線寬度為 1.05mm ,對於焊接所用

的 SMA 接頭來說尺寸太大,且其特性阻抗為 55 歐姆亦與接頭不匹配,於是我們

在前端加一段寬頻漸進式轉接,將中心導體寬度與兩條槽線寬度分別緩慢的改變

至 2mm 及 0.25mm 。由於考慮到需在 2GHz 到 8GHz 的頻寬內此段漸進式均能達到

阻抗轉換的效果,但太長亦會造成損耗嚴重,因此我們選許 t1 = 20mm (在 2GHz

時的等效四分之一波長約為 20mm )來做寬頻的阻抗轉換。圖 2-26 為實際電路量

測結果與利用 Ansoft HFSS 模擬軟體所得結果之比較圖,由圖上可以觀察出 −3dB

的截止頻率約在 8.9GHz 左右,且 −2dB 截止頻率約在 8.6GHz 左右,使用的量測

儀器設備為 Rohde & Schwarz ZVK 網路分析儀。量測與模擬結果大致吻合,由於

FR4 基板在高頻時色散及損耗極為嚴重,故在高頻部分量測結果與模擬相差較

多,但基於成本及設備的考量之下,我們仍採用 FR4 作為本論文電路之基板。

t1

圖 2-25 共平面波導低通濾波器實體電路圖。

36
圖 2-26 共平面波導低通濾波器實做量測與模擬比較圖
( g = 0.35mm 、 d1 = 5.65mm 、 d 2 = 1.75mm 、 w1 = 2.1mm 、
w2 = 2.625mm 、 w3 = 0.35mm 、 t1 = 20mm )。

在圖 2-27 中,我們利用 Microwave Office 軟體找出對應等效電路的集總

元 件 值 , 其 中 L1 = 0.42nH 、 L2 = 0.185nH 、 L3 = 0.3nH 、 L4 = 0.742nH 、

C1 = 0.019 pF 、 C2 = 0.104 pF 、 C3 = 1.01 pF 。利用等效電路我們可以對此共平面

波導低通濾波器進行快速的微調,達到我們所要的頻率響應之後再利用全波模擬

軟體 Ansoft HFSS 進行模擬,以節省設計時間。而在等效電路中我們可以找出影

響此電路特性的主要幾個關鍵因素,如主要影響截止頻率的為 C2 及 L4 ,且 C2 在

改變截止頻率的同時亦會影響通帶內的 S11,這個現象我們可以由圖 2-23 得到驗

證, C2 的改變即圖 2-22 中 w3 增加的部分。另外 C3 則是改善高頻止帶區響應的

37
關鍵因素。

圖 2-27 共平面波導低通濾波器等效電路圖( L1 = 0.42nH 、


L2 = 0.185nH 、 L3 = 0.3nH 、 L4 = 0.742nH 、
C1 = 0.019 pF 、 C2 = 0.104 pF 、 C3 = 1.01 pF )。

38
2-4-3 共平面波導高通濾波器

由表 2-2 我們可以得知,欲設計一高通濾波器,可先由原型低通濾波器出

發,再經阻抗及頻率轉換得到所需的高通濾波器網路及各元件值。高通濾波器集

總電路模型可以簡單地表示成串聯電容及並聯電感,但在高頻時會產生寄生的電

容及電感效應,此時電路就不是簡單的串聯電容及並聯電感可以描述的了。

由於共平面波導是單一平面的傳輸線,對於短路及開路或是串並聯結構皆

可以很容易地實現。在[12]中作者利用指叉式結構在共平面波導中心導體上實現

電容,我們利用類似的觀念,藉由在共平面波導的中心導體及兩邊接地面上刻畫

出些許槽線,用來實現所需的電容及電感。圖 2-28(a)為一串聯共振器結構,中

間指叉式結構可用一串聯的開路截線表示,當此截線長度小於四分之一波長時為

電容性,若長度小於十分之一波長時,可視為一集總性元件且等效成一電容。圖

2-28(b)為共平面波導並聯共振器的結構,等效電路模型為一並聯的短路截線,

當截線長度小於四分之一時為電感性,同樣地若長度小於十分之一波長時,可視

為一集總性元件且等效成一電感。我們所提出的共平面波導高通濾波器,其結構

如圖 2-29。

l l
Z1 Z1

Zo Z2 Zo Zo Z2 Zo

(a) (b)

圖 2-28 共平面波導上實現(a)串聯電容及(b)並聯電感。

39
s1

g
w2
d1
w w1
d2 g3

wa

sa

圖 2-29 共平面波導高通濾波器。

上述兩種共平面波導的不連續結構可用來等效串聯電容及並聯電感,其分

別的頻率響應如圖 2-30 及圖 2-31 所示。我們初步開始設計高通濾波器,結構尺

寸的值對照圖 2-29 分別為 d1 = 2.25mm、d 2 = 0.2mm、w1 = 0.8mm、w2 = 0.35mm,

並利用 Ansoft HFSS 來模擬 S 參數的響應。圖 2-32 為模擬的 S 參數及群速度延

遲(Group delay),由圖 2-32 可看出此一高通濾波器的截止頻率約在 5GHz 左右,

通帶內的 S21 由 5GHz 到 20GHz 均在 −2dB 以上, S11 則低於 −15dB 。另外在其群速

度延遲方面,由 5GHz 到 20GHz 變化均在 0.5nS 以內。

圖 2-30 共平面波導高通濾波器串聯指叉式結構電容模擬響應圖。

40
圖 2-31 共平面波導高通濾波器並聯截線模擬響應圖。

圖 2-32 共平面波導高通濾波器初步設計模擬響應圖
( d1 = 2.25mm 、 d 2 = 0.2mm 、 w1 = 0.8mm 、 w2 = 0.35mm )。

41
接下來我們嘗試著去改變圖 2-29 中的各項參數,藉以控制此高通濾波器的

特性。首先、我們固定 d1 = 2.25mm 及 d 2 = 0.2mm ,改變中間指叉式電容間隙的

位置(即 w1 與 w2 的相對位置)如圖 2-33,而此六種情況的頻率響應圖如圖 2-34

所示。由 S21 及 S11 的響應圖可以發現,當 w1 變大時(相對 w2 變小),截止頻率 f c 往

低頻移動,推論可能是隨著 w1 及 w2 的改變,等效電容電感亦跟著改變,但改變

的量並不大,所以截止頻率移動的範圍有限,大約下降了 1GHz 左右。圖 2-35

為改變 d1 的頻率響應圖,我們在改變 d1 的時候,將 d 2 固定為 0.2mm 、 w1 = 0.8mm

、 w2 = 0.35mm 。由圖 2-35 可看出,當 d1 越長時,截止頻率 f c 越往低頻移動。

推論此一現象應是由於 d1 變長,在中心導體的指叉式電容整體電容值變大所致

,而在電容變大的同時部分寄生電感亦會改變。但下降的頻率亦只有到 5GHZ,

並未達到本系統頻寬下限 2GHz 的要求。同時可觀察到在通帶內折返損耗( S11 )

的值只有在 d1 = 2.25mm 時小於 −10dB ,當 d1 變長或變短時, S11 的值都會變大。

圖 2-33 共平面波導高通濾波器-改變 w1 與 w2 相對位置之六種情況佈局圖


( d1 = 2.25mm 、 d 2 = 0.2mm )。

42
圖 2-34 共平面波導高通濾波器-改變 w1 與 w2 相對位置之頻率響應圖
( d1 = 2.25mm 、 d 2 = 0.2mm )。

圖 2-35 共平面波導高通濾波器-改變 d1 之頻率響應圖


( d 2 = 0.2mm 、 w1 = 0.35mm 、 w2 = 0.8mm )。

43
由於我們的目標是要將此高通濾波器的截止頻率設計在 2GHz,經由上述調

整各參數的模擬結果可發現頻率移動位置並不大,且我們不能將任一參數無限制

地增加或減少,因為截止頻率在這個尺寸之下最低只能到達 4GHz,代表著電容

電感值增加的量不夠我們所需。因此我們決定將整個濾波器的尺寸放大,依照我

們所需要的相對頻率比值來做縮放,我們先選用截至目前為止模擬結果最好的

情況,其截止頻率約在 5.8GHz,相對於 2GHz 來講,我們需要把整個尺寸放大

5.8/2=2.9 倍。另外,我們將圖 2-33 中六種情況列入考量,即六種不同的情況

均放大 2.9 倍,模擬結果如圖 2-36 所示。由圖上可看到大部分的情況截止頻率

均已下降到 2GHz 左右,我們選取 S11 響應較佳的情況三來繼續做調整。

我們繼續將情況三放大 3.3 及 3.5 倍,並適度調整 d1 的長度,由圖 2-37 中

可觀察到當情況三放大至 3.5 倍且 d1 長度為 6.475mm 時, S11 在 2GHz 時為

−10.1dB 且 S21 由 2.2GHz 到 7.6GHz 時均在 −2dB 以上,在我們所要求的通帶內

(2GHz-8GHz)最低亦有 −3dB 的表現。

圖 2-36 共平面波導高通濾波器-將圖 2-33 中 圖 2-37 共平面波導高通濾波器-將圖 2-33 中


六種情況均放大 2.9 倍。 情況三放大 3.3 及 3.5 倍。

在上述的調整過程中,由於我們放大了整個濾波器的尺寸,在中間導體上

44
指叉式電容的間隙亦隨之變大,原本已達製程極限的間隙距離,因為尺寸變大的

關係我們可以再將間隙縮小,以達更高的耦合量。另外,我們仿照在圖 2-22 中

改善低通濾波器 S11 的方式增加中間導體的寬度,此兩種改變的佈局如圖 2-38 所

示。

w3

g3

圖 2-38 共平面波導高通濾波器-指叉式電容部分間隙變窄 ( g3 ) 及增加中間導體寬度 ( w3 ) 。

圖 2-39 共平面波導高通濾波器模擬結果之頻率響應
( g3 = 0.15mm 、 w3 = 0.15mm )。
45
由圖 2-39 的模擬結果可以發現在同時縮小指叉式電容的間隙與增加中間導體寬

度後,在整個通帶區內的折返損耗( S11 )有明顯地改善,同時在高頻臨界點 8GHz

處 S21 亦提升了 1.5dB ,最後此高通濾波器的規格在 2GHz 到 8GHz 內 S21 均大於

−2dB ,而 S11 均在 −15dB 以下。

t2

圖 2-40 共平面波導高通濾波器實體電路圖( t2 = 20mm 、 d1 = 6.275mm 、


d 2 = 1.1mm 、 w1 = 5.125mm 、 w2 = 1.05mm 、 w3 = 0.15mm 、
s1 = 8.575mm 、 sa = 0.7mm 、 wa = 0.525mm )。

圖 2-40 為此共平面波導高通濾波器之實體電路圖,同前一小節之低通濾波

器,我們將兩端接面的中心導體寬度及槽線寬度做寬頻漸進式轉換以匹配接頭的

接觸面積及阻抗,量測與模擬結果之比較如圖 2-41 所示,量測之 −2dB 截止頻率

落在 2GHz,且在 2GHz 到 8GHz 頻段間模擬與量測的 S21 相當吻合,另外在通帶內

約 3GHz 的地方量測之 S11 較模擬值為高,應為接頭不連續效應所造成。

同樣地我們找出此高通濾波器的等效電路,如圖 2-42 所示,由於此濾波器

頻寬較寬,若要同時涵蓋 0.2GHz 到 15GHz 需要更多的集總元件來描述高頻的效

應,但是在考慮到設計簡便且快速的需求下,我們只採用 7 個集總性元件來描述

此高通濾波器的效應。儘管如此,此等效電路從 0.2GHz 到 9GHz 左右仍然能完整

46
地描述此高通濾波器的響應。藉由調整等效電路中的元件值,我們可以發現每個

元件對高通濾波器各個參數(如截止頻率、通帶內折返損耗、頻寬等等)的影響。

舉例而言,在圖 2-42 的等效電路中 L3 為主要影響截止頻率的因素,C2 及 L2 則是

影響頻寬的關鍵因素。藉由等效電路,能使我們更快速地設計出所要的濾波器響

應。

圖 2-41 共平面波導高通濾波器實做量測與模擬比較圖( t2 = 20mm 、


d1 = 6.275mm 、 d 2 = 1.1mm 、 w1 = 5.125mm 、 w2 = 1.05mm 、
w3 = 0.15mm 、 s1 = 8.575mm 、 sa = 0.7mm 、 wa = 0.525mm )。

47
圖 2-42 共平面波導高通濾波器等效電路圖( L1 = 1.05nH 、
L2 = 3.25nH 、 L3 = 1.25nH 、 C1 = 1.08 pF 、 C2 = 0.2 pF )。

48
2-4-4 新式串接型共平面波導帶通濾波器

在分別設計完所需要的低通及高通濾波器之後,我們將兩個濾波器直接串

接起來。由於此兩濾波器的接口寬度在設計時是完全相同的,所以不需要另外做

漸進式的寬度改變。圖 2-43 為此串接型帶通濾波器的佈局圖,由於此帶通濾波

器的高頻與低頻截止頻率分別設計在低通濾波器與高通濾波器的截止頻率,所以

我們可以預期此帶通濾波器的響應是低通與高通濾波器兩者的合成。為了避免兩

個濾波器之間太接近會造成不必要的耦合效應,我們將兩濾波器放置相距 8mm

的距離,模擬與量測的結果於圖 2-44。由圖上我們可看出實際製作與量測電路

所得的 S 參數與利用 Ansoft HFSS 模擬所得 S 參數之比較亦相當吻合。量測所得

的 S11 與 S21 在高頻時頻寬均較模擬所得的值來的寬,低頻部分的止帶由 0.2GHz

到 1GHz 均在 −30dB 以下,高頻止帶部分由 10GHz 到 13GHz 均在 −20dB 以下。

圖 2-43 串接型共平面波導帶通濾波器佈局圖。

49
圖 2-44 新式串接型共平面波導帶通濾波器模擬與量測比較圖。

由於量測結果在高頻部分頻寬遠超出我們要的範圍,且在高頻止帶部分響

應雖然有 −20dB 但仍不是相當好,因此我們對低通濾波器的 d 2 這項參數去做微

調,改變 d 2 對整個帶通濾波器的影響如圖 2-45 所示。由圖上可以發現當 d 2 改變

時,由 0.2GHz 到 8GHz 之間的 S21 與 S11 幾乎沒有改變,但在高頻(8GHz 之後)的止

帶部分當 d 2 = 1.35mm 時,由 9.5GHz 到 11.5GHz 的 S21 均被壓制在 −30dB 以下,

且在 8GHz 截止頻率附近的斜率亦較為陡峭,使整體濾波器的選擇度提高, Q 值

變大。接下來我們試著去調整低通濾波器與高通濾波器之間的距離 L ,以找出一

個最佳化的值,圖 2-46 為 L 改變由 1mm 到 10mm 時 S 參數的變化情況,由圖上

我們可以發現兩濾波器之間距離的改變對 S 參數的影響在 8GHz 以下時大致上沒

有什麼太大變化,主要影響仍在於高頻止帶區的響應,當距離 L = 8mm 時,我們

50
可以得到最佳的止帶區響應,同圖 2-45,S21 在 9.5GHZ 到 11.5GHz 均在 −30dB 以

下。

圖 2-45 新式串接型共平面波導帶通濾波器- 圖 2-46 新式串接型共平面波導帶通濾波器-


改變低通濾波器中 d 2 模擬響應圖。 改變距離 L 之模擬響應圖。

t3

圖 2-47 新式串接型共平面波導帶通濾波器實體電路圖( t3 = 20mm )。

51
圖 2-48 新式串接型共平面波導帶通濾波器加上漸進式寬度變化與原來型式之比較。

此一新型結構之寬頻帶通濾波器的實體電路如圖 2-47 所示。在兩端埠我們

做了如同前面低通與高通濾波器的漸進式寬度轉換,製作完成後以網路分析儀進

行量測。由圖 2-48 可以發現,我們加上漸進式的寬度轉換部分之後,模擬所得

的頻率響應與原來的濾波器幾乎一樣,代表此段轉換的影響不大。圖 2-49 為量

測與模擬結果之比較圖。量測與模擬所得之 S 參數相當吻合,量測所得之 S21 由

2GHz 到 6.4GHz 均在 −2dB 以上,且由 2GHZ 到 8.2GHz 均在 −3dB 以上,比例頻寬

約為 120%。在 S11 的部分由 2GHz 到 9.2GHz 均在 −10dB 以下,表示在此段頻寬內

均有做到阻抗匹配,符合我們要求的規格。另外在止帶區的響應方面,低頻止帶

部分由 0.2GHz 到 1GHz 之間 S21 均小於 −30dB;高頻止帶部分由 9.8GHz 到 11.6GHz

S21 也同樣被壓制在 −30dB 以下。圖 2-50 中為量測之群速度延遲(Group delay),

52
在此濾波器的通帶中(2GHz-8GHz)群速度延遲均小於 0.2nS ,顯示出此濾波器的

線性度相當不錯,最後完成的濾波器整體尺寸約為 (1λg ) × (1λg ) ,其中 λg 為在中

心頻率 5GHz 時的等效波長。

圖 2-49 新式串接型共平面波導帶通濾波器模擬與量測比較圖
( d 2 = 1.35mm 、 L = 8mm )。

圖 2-51 為此新式串接型帶通濾波器的等效電路圖,此等效電路圖是結合上

述低通及高通濾波器的等效電路圖而成,在 Microwave office 中模擬 S 參數的

響應與 HFSS 模擬結果相當接近。

53
圖 2-50 串接型帶通濾波器量測之群速度延遲。

圖 2-51 新式串接型帶通濾波器等效電路圖。

54
最後我們試著去調整此帶通濾波器的頻寬,將低通濾波器 d1 改成 3mm ,發

現頻寬在低頻的部分仍在約 2GHz 左右,但高頻的部分由原來得 8.2GHz 降至 5.6

GHz,比例頻寬變成 94%。此一結果亦驗證了前面所述藉由改變低通濾波器中 d1 參

數可達調整頻寬之目的。圖 2-52 為模擬與量測結果比較,兩者仍相當吻合。

圖 2-52 改變低通濾波器中 d1 = 3mm 時模擬與量測比較圖。

55
第三章 寬頻轉接器與天線

3-1 序論

在前一章節中,我們已成功實現一個頻寬為 120% 的共平面波導帶通濾波

器,在本章中我們提出一個寬頻的轉接器與天線,並於下一個章中將其與濾波器

整合。我們選取的天線型式為寬頻且具有高增益及高指向性的漸進式開槽天線

(tapered slot antenna),由於此種型式的天線是由槽線變化而成,其輸入端為

槽線的型式,故在天線與濾波器之間必須有一轉接器(transition),將共平面波

導內傳送的波轉換成單一槽孔的傳遞方式,進而能在槽線中傳播。在本章節中,

首先我們會討論各種已被提出的轉接器型態,並選取適合我們所需要的轉接器來

做設計,接著設計漸進式開槽天線並比較各項不同參數對天線的影響,最後透過

實做與量測驗證所設計之轉接器與天線。

轉接器在高頻電路上為常見的元件,主要的目的是用來連接兩個不同型態

的傳輸線,為一傳輸線的電磁場耦合到另一傳輸線的一種機制,如同軸線至微帶

線轉接(coaxial line to microstrip line transition)、波導至同軸線轉接

(waveguide to coaxial line transition)、微帶線至槽線轉接(microstrip line

to slotline transition ),微帶線至共平面帶線轉接(microstrip line to

coplanar stripline transition)、共平面波導至槽線轉接(coplanar waveguide

to slotline transition)及共平面波導至共平面帶線轉接(coplanar waveguide

to coplanar stripline transition)等。

在轉接器的設計上必須同時考慮到兩點:第一是阻抗匹配,在兩種不同的

傳輸線之間,轉接器必須提供有效率的阻抗匹配來使得反射量最小、且耦合量為

最大。第二則是場型的匹配,轉接器在兩個不同結構的傳輸線之間必須儘可能地

提供漸進且平順的電磁場變化,避免因電磁場急遽變化而產生大量衰減,並滿足

不同傳輸線之間的邊界條件。

56
3-2 共平面波導至槽線轉接器的型態

在文獻的記載上,各式各樣的平面轉接器均已被提出,其中尤以共平面波

導至槽線轉接的相關研究更是廣泛,在本節當中我們將比較各種類型的轉接器,

並設計一適用於本系統的轉接器。

圖 3-1 共平面波導橫截面電場分布圖。

圖 3-2 槽線橫截面電場分布圖。

3-2-1 型式 I

由於能量在共平面波導內的傳播方式是以近似 TEM 波(quasi-transverse

electromagnetic wave)的方式傳播,在橫截面上電場的分布如圖 3-1 所示,有

偶模態(even mode)及奇模態(odd mode)兩個主要的模態。在實際應用上由於奇

模態損耗大且無法在同軸線(coaxial cable)中傳播,故一般只考慮偶模態的傳

57
播。然而能量在槽線中的傳播方式是以 TE(transverse electric) mode 為主要

的傳播模態,在其橫截面上電場分布如圖 3-2 所示,因此要將在共平面波導內傳

播的電場轉接到槽線中,最直接簡單的概念就是將共平面波導兩條槽線中的其中

一條在轉接處開路。但由於共平面波導及槽線均有邊緣散逸場效應,無法做到真

正的開路,因此通常利用所謂"虛擬開路"的方法。最簡單且最早被提出來的方

法就是利用一段四分之一波長的短路傳輸線,因為單一平面型傳輸線如共平面波

導及槽線可以很容易做短路的終端,如此一來此四分之ㄧ波長的傳輸線在中心頻

率 f = f 0 時為一個四分之一波長轉換器,在輸入端我們便可得到很好效果的開

路。型式 I 轉接器(如圖 3-3(a)所示)便是此種型式的轉接器,此轉接器的等效

傳輸線模型如圖 3-3(b),由等效電路模型我們可以很清楚的看到整個電路的基

本架構,四分之ㄧ波長阻抗轉換器接在共平面波導及槽線的接點上且與共平面波

導傳輸線形成並聯。因為四分之ㄧ波長阻抗轉換器的輸入阻抗在中心頻率時形成

開路,所以能量能有效地由共平面波導傳送至槽線,但前提是共平面波導與槽線

之特性阻抗需相等。在實際上並無法做到完美的開路,通常在中心頻率時,只要

四分之ㄧ波長阻抗轉換器的輸入阻抗比槽線的特性阻抗大一定程度以上時,大部

分的能量就能被傳送到槽線。中心頻率的位置可藉由調整四分之ㄧ波長阻抗轉換

器的長度來調整,且 S21 的頻率響應會呈現週期性,但一般只用第一個通帶部分,

這是因為在兩倍中心頻率之後共平面波導及槽線的特性阻抗會隨頻率升高而相

差越大,兩者便無法達到匹配。另外,在共平面波導與槽線的交接處因共平面波

導兩邊接地面的不連續,所以必須要加上空氣橋(air bridge),一方面使共平面

波導兩邊接地面的電位在不連續處能維持相等,另一方面則是用來抑制因不連續

所造成的寄生奇模態(parasitic odd mode),並提供由槽線接地面流到共平面波

導接地面的返回電流(backward current)迴流的路徑。

型式 I 的轉接器由於受到四分之一波長轉換器的限制,頻寬並不大,且主

要的頻寬大小由該段四分之一波長短路截線所決定,四分之一波長的傳輸線是對

頻率相當敏感的元件,故其頻寬會較窄,但此種結構的轉接器的優點,在於共平

58
面波導及槽線能夠直接連結成直線方式而不需要經過轉彎,故在佈局上的彈性比

起其他型式的轉接器要寬鬆許多。

λs
4

Slotline
λs
4 (Zo ,βc )

CPW
(Zo ,βc )

圖 3-3 共平面波導至槽線轉接型式 I :
(a)轉接器佈局圖(b)等效傳輸線模型。

3-2-2 型式 II

型式 II 轉接器(如圖 3-4(a))在結構上與型式 I 類似,但在共平面波導及

槽線的交接處,除了槽線延伸四分之一波長的短路截線之外,共平面波導傳輸線

亦延伸了一段長度為四分之一波長的開路截線。如圖 3-4(b)的等效電路所示,

共平面波導及槽線所延伸的兩段截線當作調整阻抗之元件,用來使兩者的阻抗能

更加匹配。在中心頻率 f = f 0 時四分之一波長的共平面波導開路截線輸入阻抗趨

近於零,而四分之一波長的槽線短路截線輸入阻抗為無限大趨近於開路,故能量

能直接由共平面波導傳送至槽線。此一類型的轉接器由於多加一段共平面波導四

分之一波長開路截線,故其頻率響應會有較陡峭的斜率,此種特性可利用來設計

帶通濾波器。

59
Open
circuit

λc
λs Za 4
λc 4
λs 4
4 CPW Slotline
(Zo ,βc ) (Zo ,βc )

Zb
Short
circuit

(a) (b)

圖 3-4 共平面波導至槽線轉接型式 II :
(a)轉接器佈局圖(b)等效傳輸線模型。

3-2-3 型式 III

型式 III 轉接器是一理想的全通網路,如圖 3-5(a)所示。由三個共平面波

導及三個槽線交叉放置而成,除了一對輸入輸出端之外,共平面波導及槽線各有

一開路截線及一短路截線。其中槽線的開路截線是以一圓形的金屬空槽來達成。

此轉接器的優點之一就是其輸入輸出端是位於同一直線上,不需經過轉彎,所以

應用於積體電路上能更方便且避免不必要的轉彎所造成的不連續效應。但由於此

設計方式需要三條不共線的共平面波導線段,所以相對的需要三個空氣橋置於不

連續接面處來抑制共平面波導奇模態的產生,增加了製程上的複雜度。此轉接器

的等效電路如圖 3-5(b)所示,由[13]可知其在共平面波導處的輸入阻抗可表示


1 ( Z 2' + Z 3' )( Z 2' + 1)( Z 3' + 1)
Zin = [ Z ' '
Z + ] (3-1)
Z 2' + Z 3' + 1 ( Z 2' + Z 3' + 2)
2 3

其中假設 Z1 = Z 3 及 Z 2 = Z 4 ,且所有的阻抗均正規化至 Z slotline ,亦即

Z n = Z n' Z slotline (3-2)

在此條件之下,我們可以發現由共平面波導端埠看進去的輸入阻抗 Z in 會等於輸

60
出端埠的阻抗 Z slotline ,這表示在所有頻率下輸入與輸出阻抗都會匹配。將所有共

平面波導及槽線的特性阻抗設定成相同的值且每段截線的電氣長度設為相同,即

可達到上述阻抗匹配的條件。此也意味著我們可以在可行的範圍下盡量地縮短截

線長度,以達到縮小化的目的。在[13]中,截線的長度被選擇為八分之一波長,

但實際上模擬及量測出來的結果並不如預期中所有頻率均能通過,這是因為實際

上共平面波導及槽線的特性阻抗在每一個頻率點的色散效應均不同,頻率相差越

大色散效應的差異越大,阻抗也相差越大,所以實際上要製作在所有頻率下均具

有相同的特性阻抗及電氣長度的共平面波導及槽線傳輸線是非常困難的,且接面

的效應及截線的長度亦會影響整體頻寬的表現。

Z1 Z4
CPW
( Zcpw ), βcpw
Slotline
Z2 Z3 ( Z slotline, β slotline )

(a) (b)

圖 3-5 共平面波導至槽線轉接型式 III :


(a)轉接器佈局圖(b)等效傳輸線模型。

3-2-4 其他轉接型式之器

除了上述三種共平面波導至槽線轉接器的型態之外,尚有許多型式的轉接

器被提出,如圖 3-6 所列之四種型式轉接器。圖 3-6(a)[14]主要是利用一個 180

度的相位移位器來實現轉接器的架構。作者提出了在共平面波導的兩條槽線中,

令其中一條槽線走的距離比另一條多 180 度的相位,如此一來在轉接的地方兩條

槽線的相位變得一致,而能轉換成單一槽線的模態傳播。但此種設計的頻寬亦受

61
限於操作頻率,一旦偏離操作頻率越遠,則此 180 度相移器所走的電氣長度與實

際所要的 180 度就相差越遠,故只適用於窄頻系統。然而此轉接器的設計為

in-line 的型式,共平面波導與槽線在同一直線上,不需經過轉彎路徑,為其優

點之一。圖 3-6(b)則是型式 I 的改良,在型式 I 轉接器中,由於四分之一波長

短路截線的阻抗要大,轉接器的效應才會好,所以將原本只有單一截線改成兩條

甚至三條並聯截線,目的均是為了增加短路截線該段傳輸線的特性阻抗。圖

3-6(c)[15]是圖 3-6(b)的縮小化設計,作者提出利用雙螺旋截線的方式將原本

四分之一波長的雙截線彎折成螺旋狀,在與原來雙截線轉接器的表現相同之下,

大幅地縮小電路面積。圖 3-6(d)[16]是另一種縮小化轉接器的設計方式,作者

利用集總元件的電感及電容來實現等效的開路及短路,取代原本的四分之一波長

轉接器。由於集總元件的尺寸一般至少需小於操作頻率的十分之一波長,故此種

設計亦能大幅減少電路面積。

λc
8

λs
4

λc
8

(a) (b)

(c) (d)

圖 3-6 共平面波導至槽線轉接其他型式 :
(a)利用 180 度相位差型式(b)型式 I 之改良型式
(c)轉接器(b)之縮小化型式(d)利用集總元件設計之縮小化轉接器。

62
3-2-5 共平面波導至槽線寬頻轉接器

上述的轉接器型態均受到四分之一波長傳輸線長度或 180 度相位長度及集

總元件之限制,只能操作在某一頻率或某一小範圍之頻率,一旦偏離此頻率太

遠,則無法達到所需的要求,整體響應會變差,故頻寬均不大。有鑑於此,多種

改善頻寬方式的轉接器被提出。圖 3-7(a)[17]為型式 I 轉接器的寬頻改良版,

主要的差異在於圖-7(a)將型式 I 轉接器中的四分之一波長阻抗轉換器以一半徑

為 R 為四分之一波長中空圓形金屬來取代,輸入及輸出端的共平面波導及槽線阻

抗仍然維持相同,此一中空的圓形金屬可等效成一寬頻的開路結構,如此整體頻

寬便能大幅地增加。在[17]中提出的結構中,其最大頻寬可到達 5:1。

Broadband Slotline
R open (Zo ,βc )

CPW
(Zo ,βc )

(a) (b)

圖 3-7 共平面波導至槽線寬頻轉接型式 I 之改良版 :


(a)轉接器佈局圖(b)等效傳輸線模型。

R
弧形截線
(Radial stub )

Z s1 Zs2 Z sn −1 Z sn

弧形截線
(Radial stub)

圖 3-8 共平面波導至槽線寬頻轉接- 圖 3-9 槽線扇形短路截線的等效電路模型。


利用槽線的扇型短路截線。

63
另一種利用同樣結構的寬頻轉接器則是以扇形的短路槽線截線來取代中空

圓形金屬[18],如圖 3-8 所示。其中 R 為四分之一波長,此扇形的短路槽線截線

亦可視為一寬頻的槽線開路結構,在[19]中以圖 3-9 來等效此段扇型短路截線的

效應,由圖 3-9 我們可以看到此段扇形短路截線可以視為無限多段長度極短且均

勻的傳輸線,每段傳輸線具不同的特性阻抗,且由輸入端開始依序變大,最後一

段特性阻抗值比起輸入端的特性阻抗可視為開路結構,由於此種漸進式的阻抗變

化較為平緩,所以比起中空式的圓形金屬截線頻寬來得更寬。

(a) (b)

(c) (d)

圖 3-10 四種共平面波導至槽線寬頻轉接型態。

圖 3-10 (a)為[19]中對於型式 II 轉接器的頻寬改善,主要概念與圖 3-8

相同。除了將槽線的短路四分之一波長截線改成扇型短路截線增加頻寬之外,另

外共平面波導的開路截線亦改成扇型的開路截線,增加此段共平面波導的扇型開

路截線,雖然頻寬沒有如圖 3-8 的型式來的寬,但頻寬仍然很大,且其優點之一

為在通帶兩邊緣處斜率較陡峭,可應用於濾波器上。圖 3-10(b)-(d)為 K. Hettak,

64
J. Ph. Coupez[20],[21]等人所提出的新型寬頻共平面波導至槽線轉接器,主要

也是利用型式 II 的結構加以改善,如增加槽線短路截線及共平面波導開路截

線,甚至於用環形共振器來取代短路及開路截線。由於環形共振器不會有短路及

開路的效應,因此能提供較準確的共振頻率。且依照其饋入的型式,能在較寬的

頻率範圍內提供較低或較高的阻抗,故能有較寬頻的轉接特性。此篇論文所提出

的轉接器在 S11 小於 −10dB 時頻寬達 7.7:1,比例頻寬為 160%, S21 均在 −2dB 以

上,但同時也需要較多的空氣橋,增加製程上的複雜度。

3-3 寬頻轉接器設計

在轉接器的設計上我們採用圖 3-8 的轉接器型式,首先我們定出所需的規

格:轉接器操作頻率範圍為 2GHz 到 8GHz,在此範圍內訊號需均能通過。即在此

頻率範圍內,折返損耗 S11 至少需低於 −10dB 來達輸入輸出端的阻抗匹配,而植

入損耗 S21 需大於 −3dB 以確保訊號至少有一半能傳送至輸出端。中心頻率

f 0 = 5GHz ,等效波長為 36.85mm ,所使用基板為 FR4( ε r = 4.3 , h = 1.57 mm ,

tan δ = 0.023 )。

我們利用 Microwave Office 裡面所附的 TXLine 軟體來估算所需的線寬,

在介電常數為 4.3 的條件下,若要使槽線特徵阻抗為 50 歐姆,則槽線的寬度需

為 0.01mm ,由於設備及製程上的限制,槽線的間距最細只能做到 0.1mm ,因此

我們將共平面波導及槽線的阻抗均設計在 75 歐姆,此時槽線的寬度為 0.3mm ,

共平面波導中心訊號線的寬度為 0.594mm ,兩旁槽線的寬度為 0.3mm ,並利用全

波模擬軟體 Ansoft HFSS 來驗證。另外,為了避免不必要轉角所產生的不連續效

應及能方便與其他電路做整合,我們不採用圖 3-8 中轉接器的排列方式而將共平

面波導及槽線排列在同一直線上,如圖 3-11 所示。在此電路中,共平面波導其

中的一條槽線接到一九十度的扇型短路截線,同四分之一波長短路截線的原理,

調整此九十度扇型結構的半徑 R 可決定在哪一個頻率共振以達開路的效果。我們

65
先對此九十度的扇型結構作分析,改變其半徑 R 大小之模擬結果如圖 3-12 所

示。我們發現當 R = 8mm 時,此扇型結構的共振點落於約 5GHz 左右,恰為我們

所設計的中心頻率,因此我們選取 R = 8mm 做為本寬頻轉接器初步設計的扇型短

路截線之半徑。

圖 3-11 共平面波導至槽線寬頻轉接設計電路佈局圖-
s = 0.594mm , w = 0.3mm , θ = 90 。

圖 3-12 九十度扇型短路截線輸入阻抗變化模擬響應。

66
圖 3-13(a)為此轉接器的背對背結構圖,圖 3-13(b)為模擬所得之結果,由

圖上可以看到雖然在 2.2GHz 之前 S11 有小部分略大於 −10dB ,但在 2.2 GHz 之後

S11 均小於 −10dB 。且 S21 的值在我們要的頻帶 2GHz 到 8GHz 內均大於 −3dB ,由

於此一扇型結構的輻射量極大,所以能量會有部分經由輻射機制損耗掉,這是此

種型式轉接器最大的缺點,但由於唯一能達到我們需求頻寬的轉接器只有此種型

式,所以在經過考量之下,我們仍選擇此種型式的轉接器。因為在 R = 8mm 時所

設計的轉接器在 2GHz 時 S11 仍略大於 −10dB ,因此我們對扇型短路截線的半徑 R

做調整,來觀察整體轉接器的 S 參數變化。圖 3-14 為改變半徑 R 由 7 mm 至 10mm

的模擬響應圖,由圖上我們可以發現當 R 變大時,低頻部分的頻率響應均獲得改

善,推測原因應為由於低頻等效波長較大,故增大扇型短路截線的半徑使此結構

在低頻時由接面處看進去輸入阻抗更大,更具有開路的效果,故能更有效率地將

訊號由共平面波導傳送至槽線。但同時因為高頻處等效波長較短,若我們增大扇

型短路截線的半徑,則在高頻看來阻抗遠大於低頻時所看到的阻抗,且此扇型結

構的輻射機制極強,造成高頻訊號均經由此扇型結構輻射出去,能量損失極為嚴

重,故我們可以看到約從 6GHz 開始 R 越大, S21 下降越多。在考慮所需的頻寬及

損耗之後,我們決定採用半徑 R 為 10mm 的結構來繼續往下做調整,雖然由背對

背結構的模擬響應圖看來在 R = 10mm 時高頻部分低於 −3dB ,但由於實際上我們

使用此轉接器只會用到單一結構,故損耗並不至於太嚴重,在圖 3-15 中我們以

HFSS 模擬單一轉接器(即不用背對背結構)時改變扇型短路截線半徑 R 的頻率響

應圖,其中 R = 10mm 的情況由 2GHz 到 8GHz 時 S21 均在 −2dB 以上。

接著我們採用 R = 10mm 的情況,對圖 3-13(a)背對背結構中兩扇型短路截

線的距離 L 來做調整,圖 3-16 為模擬結果的比較圖。由於兩扇型結構輻射極強,

若距離太近的話會產生耦合的效應,但若距離太遠則中間槽線部分的損耗亦極為

嚴重,由圖上亦可觀察到這兩點效應。因此我們選擇兩背對背的扇型短路槽線之

間距離 L 長為 10mm 。

67
R

(a) (b)

圖 3-13 (a)共平面波導至槽線寬頻轉接佈局圖- R = 8mm (b)S 參數模擬響應圖。

圖 3-14 共平面波導至槽線寬頻轉接- 圖 3-15 共平面波導至槽線寬頻轉接(單一轉接器)


改變扇型短路截線半徑之比較圖。 改變扇型短路截線半徑之比較圖。

68
圖 3-16 共平面波導至槽線寬頻轉接-改變背對背結構距離之比較圖。

圖 3-17 共平面波導至槽線寬頻轉接實做電路圖。

69
圖 3-17 為此寬頻共平面波導至槽線轉接器的實體電路圖,在兩邊共平面波

導端我們利用漸進式轉換將截面的寬度及阻抗緩慢地轉換至與 SMA 接頭匹配。圖

3-18 則為模擬與實際量測之比較圖,在圖 3-18 中模擬的曲線是加上漸進式阻抗

轉換的結構所模擬出來得結果,與圖 3-16 不同,圖 3-18 顯示出模擬與量測結果

相當吻合,S11 從 1.9GHz 之後到 10 GHz 均小於 −10dB,S21 則是從 1.6GHz 到 6.8GHz

均在 −3dB 以上,雖然在我們要的頻寬範圍內高頻部分 S21 小於 −3dB ,但由於受

到板材的限制,且此種類型的轉接器本身特性即是高輻射性結構,故在高頻部分

損耗較嚴重是可以預期的。另外值得注意的是加上漸進式阻抗轉換後在低頻部分

的 S11 響應比原來的情況好,我們推斷應是加上漸進式轉接後輸入阻抗較接近 SMA

接頭阻抗(50 歐姆)所致。在圖 3-19 中我們將 HFSS 所得之 S 參數轉換成輸入阻

抗,觀察有加漸進式阻抗轉換與沒有加兩者的輸入阻抗變化情形。由圖上可觀察

到輸入阻抗的實部及虛部從約 3GHz 開始到 10GHz 之間,有無加漸進式阻抗轉換

兩者曲線的變化幾乎相同,但在 2GHz 此點,加上漸進式阻抗轉換後輸入阻抗的

實部由 44 歐姆變成 33 歐姆,但虛部卻由-19 歐姆上升到-0.5 歐姆,虛部減少至

幾乎為 0,因此在此點的 S11 獲得大幅的改善。

圖 3-18 共平面波導至槽線寬頻轉接模擬 圖 3-19 共平面波導至槽線寬頻轉接輸入阻抗


與實做比較圖。 加上漸進式阻抗轉換與未加之前比較圖。
70
3-4 寬頻漸進式開槽天線設計

漸 進 式 開 槽 天 線 (tapered slot antenna) 屬 於 單 一 輻 射 (end-fire

radiation)方向的行進波天線 (traveling wave antenna),其主要的觀念來自

於將槽線兩邊金屬緩慢地增加寬度,使阻抗能漸進式地匹配到自由空間中。由於

此天線具有相當大的頻寬,且其增益、指向性很高及輻射場型相當對稱,因此也

逐漸受到重視,在毫米波積體電路的設計上越來越受到歡迎。由於本論文重點不

是在天線分析,故在本節中不詳細介紹此類型天線的理論。我們依照由實驗歸納

出來的設計準則來設計此天線,最後在下一章中將其整合至濾波器及轉接器上。

3-4-1 漸進式開槽天線設計準則

漸進式開槽天線的設計準則主要有五項參數,第一項為基板的參數。基板

參數主要影響天線的輻射場型,若基板太厚會產生substrate mode等不想要的傳

播模態,造成多餘的損耗。但若基板選擇太薄則會造成基板強度不足的缺點。在

[22]中歸納出等效基板厚度的公式,定義為

( ) λt
teff
= ε r −1 (3-3)
λ0 0

其中 λ0 為自由空間中的波長。由實驗歸納結果發現,當等效厚度介於0.005及

0.03之間時,漸進式開槽天線為行進波機制,呈現寬頻的特性同時具有較低的旁

波束。E-平面與H-平面對基板厚度的效應恰好相反,若基板越厚,E-平面的半功

率頻寬越寬,H-平面則越窄。

第二項影響天線的參數為天線的長度,漸進式開槽天線主要有兩種輻射機

制,當天線長度小於一個自由空間的波長時,為共振型天線(resonated antenna)

的模式。此時天線的增益較低,且遠場場型的半功率頻寬也較寬,類似於一偶極

天線(dipole antenna)。若要使此漸進式開槽天線的頻寬有明顯的變化則天線長

71
度至少需大於兩倍自由空間的波長,此時天線的機制為行進波天線(traveling

wave antenna)。由實驗歸納結果我們可以得知天線長度在介於三到八個自由空

間波長時,其增益正比於天線長度。通常天線長度需選擇大於三個波長以上,以

減少反射波對遠場場型造成的影響。天線長度的另外一個影響是 E-平面及 H-平

面的波束寬度,當天線長度越長時,E-平面的波束寬度會越小,但對於 H-平面

則影響不大。

第三個影響天線的參數為天線的開口大小,由[22]可得知天線的開口最小

要大於半個自由空間的波長,如此由天線到自由空間中才能有較好的匹配。天線

的開口越大,E-平面的主波束寬度越小,但同樣 H-平面的影響並不大。由於若

要使天線開口維持在半個波長以上,則天線需要一定的長度才能達此目標,故在

天線長度與 E-平面主波束寬度之間我們必須要去做取捨。

第四項參數為天線開口邊緣至基板邊緣的寬度,此段寬度需維持一定大小

不能太短,若寬度太短則遠場輻射場型的主波束會變寬。最後一項影響漸進式開

槽天線的參數為天線的型態,圖 3-20 顯示出三種最常用的漸進式開槽天線型態

,分別為線性漸進式開槽天線(linear tapered slot antenna)、指數型漸進式

開槽天線(exponential tapered slot antenna)又稱 Vivaldi 天線及常數寬度開

槽天線(constant width tapered slot antenna)。由[22]可知,在此三種結構

中,線性漸進式開槽天線具有最高的指向性及最低的旁波束,指數型漸進式開槽

天線具最寬的頻寬,常數寬度開槽天線則具有最窄的主波束寬度及最高的增益。

(a) (b) (c)


圖 3-20 常見的三種漸進式開槽天線型態-(a)線性漸進式開槽天線
(b)指數型漸進式開槽天線(c)常數寬度開槽天線 。

72
3-4-2 線性漸進式開槽天線設計

在考慮到頻寬及電路結構簡單之下,我們採用線性漸進式開槽天線來做設

計。圖 3-21 為此天線設計的結構尺寸圖,其中天線的長度 L 為二倍自由空間波

長,天線開口寬度 d1 為一倍自由空間波長,天線開口邊緣到基板邊緣的距離 d 2 則

為二分之一的自由空間波長,天線輸入端的槽線部分寬度則設計成與前面轉接器

的槽線相同寬度 w = 0.3mm 。圖 3-22 為利用 Ansoft HFSS 模擬軟體所得之 S11 與

VSWR 響應圖, S11 由 2GHz 之後一直到 15GHz 都低於 −10dB 。圖 3-23 則為此漸

進式開槽天線的輸入阻抗實部跟虛部,實部平均約在 75 歐姆左右,與槽線的特

性阻抗相同,虛部則平均約在 0 歐姆左右。圖 3-24 為在中心頻率時遠場的輻射

場型,由圖中我們亦可看出此天線的單端輻射(end-fire radiation)特性,且在

垂直天線極化方向的分量均很小。

圖 3-21 線性漸進式開槽天線設計結構尺寸圖- L = 2λ0 、 d1 = λ0 、 d 2 = λ0 2 。

73
圖 3-22 線性漸進式開槽天線模擬響應 圖 3-23 線性漸進式開槽天線模擬響應
之 S11 與 VSWR 。 之輸入阻抗。

圖 3-24 線性漸進式開槽天線模擬響應之輻射場型-(a)E-plane (b)H-plane。

由於漸進式開槽天線的輸入端為槽線,而槽線在量測上無法與 SMA 接頭做

結合,故需要一轉接裝置。我們將共平面波導至槽線轉接器與天線結合,在之後

74
天線的模擬中均同時考慮到轉接器與天線兩者加在一起的效應。圖 3-25 為轉接

器與漸進式開槽天線結合後的整體結構圖,在天線的部分我們選用長度 L 為二倍

自由空間波長及開口寬度 d1 = 60mm ,而開口邊緣至基板邊緣的距離 d 2 則固定為

半個波長 30mm 。在轉接器的部分我們選用第三章圖 3-11 中 R = 10mm 的結構,

由於天線輸入端的槽線寬度已被設計成與轉接器的槽線寬度相同,故在兩者的接

面處不需要任何的寬度轉換即可直接接在一起。圖 3-26 為此結構模擬響應的 S11

及 VSWR ,與圖 3-22 只有單一天線模擬的結果比較結果並不會差太多。圖 3-27

為從轉接器的共平面波導端看進去的輸入阻抗,在此處我們將共平面波導輸入端

做一漸進式寬度的轉換,使其阻抗及截面的大小能與 SMA 接頭匹配,故輸入阻抗

實部平均值約在 50 歐姆左右而虛部平均值則約在 0 歐姆左右。圖 3-28 為此一結

構分別在 2GHz、5GHz 及 8GHz 時 E-平面及 H-平面的遠場場型之平行極化分量與

垂直極化分量的分佈,在 2GHz 到 8GHz 頻寬範圍內場型的形狀改變並不大。

w d1

d2

圖 3-25 轉接器與天線結合之結構尺寸圖- R = 10mm 、 L = 2λ0 、 d1 = λ0 、 d 2 = λ0 2 。

75
圖 3-26 轉接器與天線結合之模擬 圖 3-27 轉接器與天線結合之模擬
響應 S11 與 VSWR 。 響應輸入阻抗。

圖 3-28 轉接器與天線結合之模擬響應遠場場型-
(a) 2GHz(E 平面) (b) 5GHz(E 平面) (c) 8GHz (E 平面)。
(d) 2GHz(H 平面) (e) 5GHz(H 平面) (f) 8GHz (H 平面)。

76
接下來我們對此天線各項參數做調整,首先我們調整天線的長度 L ,由於

考慮到實際製作出來電路面積的限制,所以我們改變的長度範圍分別為一點五倍

波長、二倍波長及二點五倍波長,模擬的結果如圖 3-29 及圖 3-30。在圖 3-29

中的遠場輻射場型模擬響應圖中我們可以發現,當天線長度增加時,E-平面及

H-平面的主波束寬度均會變窄,與前面的理論部分相符。另外在 S11 的變化上來

看,改變長度 L 造成的影響並不大,或許是我們改變的範圍太小所以並不是很明

顯,但可以發現當長度縮短至一點五倍波長時,約在 5.6GHz 處的 S11 超出

−10dB。在表 3-1 中我們列出了在此三段不同的長度之下天線遠場的各項參數比

較。由於此三段不同長度的變化對天線的影響並不是很大,在考慮到實現電路面

積有限之下我們選擇用長度 L = 2λ0 來繼續做其他調整。

(a) (b)

圖 3-29 改變天線長度 L 之輻射場型模擬響應圖-


(a)E-plane (b)H-plane。

77
圖 3-30 改變天線長度 L 之 S11 模擬響應圖。 表 3-1 改變天線長度 L 之遠場各項參數比較。
接著我們調整天線的開口寬度,圖 3-31 為改變開口寬度 d1 之遠場輻射場

型,當開口寬度變大時,E-平面主波束的寬度會變小,但在 H-平面則幾乎沒有

影響。在圖 3-32 模擬的 S11 我們可以看到改變的程度均不大,但在 d1 = 70mm 時,

一樣在 5.6GHz 左右的 S11 會大於 −10dB 。表 3-2 歸納出天線開口變化時遠場各項

參數的比較。

圖 3-31 改變天線開口寬度 d1 之輻射場型模擬響應圖-


(a)E-plane (b)H-plane。

78
d 1 = 40mm d 1 = 50mm d 1 = 60mm d 1 = 70mm

圖 3-32 改變天線開口寬度 d1 之 S11 模擬響應圖。 表 3-2 改變天線開口寬度 d1 之


遠場各項參數比較。

圖 3-33 所示的天線型式為指數型漸進式開槽天線(Vivaldi antenna),此

種天線與線性漸進式開槽天線唯一的差別只在開槽漸進處,前者成指數型變化而

後者呈線性變化,我們採用與圖 3-21 中線性漸進式開槽天線相同的尺寸,但開

口漸進的部分成指數變化。在指數變化部分的座標位置定義為

x = C1e Rz + C2 (3-4)

其中
x − x1
C1 = 2
(3-5)
e − e Rz1
Rz2

x e Rz2 − x e Rz1
C2 = 1 Rz2 2Rz1 (3-6)
e −e
此指數型漸進式開槽天線的折返損耗及輸入阻抗模擬響應分別於圖 3-34 與圖

3-35,在(3-4)到(3-6)中的參數 R 選擇為 0.01。由阻抗的實虛部來看可以發現不

管是實部還是虛部,指數型漸進式開槽天線的阻抗變化均比線性漸進式開槽天線

來的小,同樣在 S11 也顯示出平均值亦較線性漸進式開槽天線來得低,而在遠場

部份 E-平面及 H-平面的場型則沒有太大的變化。圖 3-37 為指數型漸進式開槽天

線實體電路,圖 3-38 則為量測所得之 S11 ,實際量測結果與模擬結果相當接近。

79
L
y

x R

w
d1

d2

圖 3-33 指數型漸進式開槽天線設計結構尺寸圖- R = 10mm 、 L = 2λ0 、 d1 = λ0 、 d 2 = λ0 2 。

圖 3-34 指數型漸進式開槽天線模擬響應 圖 3-35 指數型漸進式開槽天線模擬響應


之 S11 與 VSWR 。 之輸入阻抗。

80
圖 3-36 指數型漸進式開槽天線模擬響應之輻射場型-
(a)E-plane (b)H-plane。

圖 3-37 指數型漸進式開槽天線實體電路圖。

81
圖 3-38 指數型漸進式開槽天線之 S 11 量測與模擬結果比較。

Frequency (GHz) 2 5 8
E-plane 10 9.837 14
F-B ratio (dB)
H-plane 10.7 14.8 15.5
E-plane No SLL 17 8.7
SLL (dB)
H-plane No SLL 12.9 9.6
3-dB BW E-plane 75 40 30
(degree) H-plane 105 42.5 45
Gain (dB) 5.68 10.24 8.3
Directivity (dB) 6.09 11.32 10.11

表 3-3 指數型漸進式開槽天線之遠場參數模擬結果。

82
第四章 寬頻天線模組

4-1 序論

在前一章我們已成功地設計出寬頻的共平面波導至槽線轉接器及線性漸進

式開槽天線與指數型漸進式開槽天線。由於在第三章我們設計漸進式開槽天線時

已將轉接器列入考量,並將兩者加在一起模擬且實做出來。在本章節中,主要目

的為將第二章所設計的寬頻帶通濾波器與轉接器及天線結合成一寬頻無線通訊

系統前端天線模組,最後將整體電路實做出來與模擬做比較。

圖 4-1 寬頻無線通訊系統前端天線模組之電路圖。

4-2 寬頻無線通訊系統前端天線模組

圖 4-1 為整合後的寬頻無線通訊系統前端天線模組之電路圖,由於濾波器

接面處的共平面波導中心導體寬度及兩邊槽線寬度與轉接器加天線的輸入端並

不匹配,於是我們在這兩者之間加上一寬頻漸進式的寬度轉換。在天線的部分我

83
們採用曲率 R = 0.01 的指數型漸進式開槽天線,其尺寸大小同第三章中圖 3-33

所示,轉接器則用圖 3-11 中半徑 R = 10mm 的情況,濾波器則是同第二章中圖

2-43 距離 L = 8 mm 的情況。在濾波器與轉接器的接面由於中心導體與槽線寬度

並不相同,因此我們加了一段長度 t 為 12mm 的漸進式寬度轉換。圖 4-2 為 S11 及

VSWR 之模擬結果,由圖上可看出原本轉接器加天線時 S11 由 2GHz 到 15GHz 都低

於 −10dB ,但在加上濾波器之後 S11 從 8GHz 後就開始急遽往上升,使整體電路 S11

小於 −10dB 的範圍被限制在 2GHz 到 8GHz 之間,達到濾波的效果。圖 4-3 為輸入

阻抗的實部跟虛部的頻率響應圖,可看出加上濾波器之後阻抗的變化較大,但實

部平均值仍約在 50 歐姆左右,虛部平均亦約在 0 歐姆左右,而且在 8GHz 之後的

止帶區阻抗變化較為劇烈,也顯示出在止帶區輸入阻抗的不匹配。

圖 4-2 寬頻無線通訊系統前端天線 圖 4-3 寬頻無線通訊系統前端天線


組模擬響應之 S11 與 VSWR 。 模組模擬響應之輸入阻抗。

圖 4-4 為此天線模組遠場 E-平面及 H-平面分別在通帶區的兩邊(2GHz 及

8GHz)及中心頻率(5GHz)處的輻射場型,雖然在兩截止頻率處的輻射場型與中心

頻率有些微差異,但大致上仍維持單一方向輻射的特性,故此電路在 2GHz 到 8GHz

84
頻寬範圍訊號均可正常通過而不至於衰減太嚴重。圖 4-5 為此結構的實體電路

圖,圖 4-6 則為量測結果與模擬結果之比較,量測與模擬的 S11 曲線相當吻合。

另外,圖 4-7 為分別在 E-平面及 H-平面上取 3 個頻率點(2GHz、5GHz 及 8GHz)

所量測出來的遠場場型,我們將量測所得的結果與圖 4-4 模擬的結果重疊在一起

比較,發現在三個頻率點的平行極化及垂直極化與模擬結果亦相當接近,再次地

驗證了我們所設計電路為實際可行。表 4-1 列出了此天線模組分別在 2GHz、5GHz

及 8GHz 時遠場的各項參數。

圖 4-4 寬頻無線通訊系統前端天線模組模擬響應之遠場場型-
(a) 2GHz(E 平面) (b) 5GHz(E 平面) (c) 8GHz (E 平面)。
(d) 2GHz(H 平面) (e) 5GHz(H 平面) (f) 8GHz (H 平面)。

85
圖 4-5 寬頻無線通訊系統前端天線模組實體電路圖。

圖 4-6 寬頻無線通訊系統前端天線模組之 S 11 量測與模擬比較。

86
圖 4-7 寬頻無線通訊系統前端天線模組之遠場場型量測與模擬比較
-2GHz(a)E 平面(b)H 平面。

(a) (b)

圖 4-8 寬頻無線通訊系統前端天線模組之遠場場型量測與模擬比較
-5GHz(a)E 平面(b)H 平面。

87
圖 4-9 寬頻無線通訊系統前端天線模組之遠場場型量測與模擬比較
-8GHz(a)E 平面(b)H 平面。

Frequency (GHz) 2 5 8
E-plane 10.21 9.87 14.32
F-B ratio (dB)
H-plane 12 14 16.28
E-plane No SLL 15.97 10
SLL (dB)
H-plane No SLL 16.4 14.47
3-dB BW E-plane 81 42 27
(degree) H-plane 108 42 42
Gain (dB) 3.28 8.235 3.18
Directivity (dB) 4.13 12.58 8.98

表 4-1 寬頻無線通訊系統前端天線模組之遠場參數模擬結果。

88
第五章 結論

本論文提出了一個新式的超寬頻共平面波導帶通濾波器,此濾波器分別由

低通濾波器及高通濾波器串接而成。在第二章中,我們首先分別設計低通及高通

濾波器,低通濾波器使用週期性結構分別在共平面波導的中心導體及兩邊接地面

刻畫出些許槽線,用來實現串聯電感及並聯電容,量測結果之 −2dB 截止頻率為

8.6GHz, −3dB 截止頻率為 8.9GHz。在高通濾波器方面則是利用並聯短路截線及

指叉式結構實現並聯電感及串聯電容,量測所得之 −2dB 截止頻率為 2GHz。接著

我們將此低通濾波器及高通濾波器直接串接起來形成一共平面波導帶通濾波

器,量測所得之 S21 由 2GHz 到 6.4GHz 均在 −2dB 以上,且由 2GHZ 到 8.2GHz 均在

−3dB 以上。在折返損耗 S11 的部分由 2GHz 到 9.2GHz 均在 −10dB 以下,以 −3dB 頻

寬來看此帶通濾波器的比例頻寬約為 120%, −10dB 頻寬則為 128%。另外此濾波

器的群速度延遲在通帶內變化約在 0.2nS 以內,線性度相當好,最後完成的濾波

器整體尺寸約為 (1λg ) × (1λg )。接著在第三章中,我們介紹了截至目前為止所發表

之共平面波導至槽線轉接器的種類及其型式,並利用在槽線終端接一扇型短路截

線設計出一寬頻共平面波導至槽線轉接器,此轉接器量測結果 S11 從 1.9GHz 之後

到 10GHz 均小於 −10dB , S21 則是從 1.6GHz 到 6.8GHz 均在 −3dB 以上。另外我們

設計了一寬頻的漸進式開槽天線,此天線的型式採用指數型漸進式開槽天線

(Vivaldi antenna)。量測結果 S11 由 1.8 GHz 到 14GHz 均小於 −10dB 。最後在第

四章中將濾波器、轉接器及天線三個元件整合在一起,我們也得到了預期的效

果,在 2GHz 到 8GHz 以外的訊號被濾波器完全阻隔掉,而得到一個寬頻無線通訊

系統前端天線模組, S11 與遠場場型在模擬與實做量測上亦相當吻合。

由於本論文設計之濾波器是以 FR4 來當基板,所以在特性上損耗會較大,

特別是在高頻的時候,故嚴格來說不適合用於超寬頻的設計,另外一點就是在高

通濾波器方面可以再進行縮小化的設計,使整體尺寸能再縮小。因此未來若有相

89
關類似研究,可改用較佳之基板來進行,且濾波器可朝縮小化的目標來邁進。

90
參考文獻

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[34] 邱煥凱 EE8014 課程講義“微波積體電路"中央大學電機工程研究所, 民


國 94 年 2 月

94
附錄

本論文所設計之濾波器、轉接器及天線之實體電路均利用實驗室設備製作

出來,並加以量測,儀器設備如下所示;

一.電路板雕刻機:如圖 A-1 所示,其型號為 EP2002-Series,最窄線寬間距可

達 0.1mm。

圖 A-1 電路板雕刻機。

95
二.網路分析儀:如圖 A-2 所示,網路分析儀型號為 Rohde & Schwarz ZVK,頻

率範圍為 10MHZ~40GHz。

圖 A-2 R&S ZVK 網路分析儀。

三.無反射實驗室:本論文天線的量測是借用長庚大學電子工程學系電波與天線

實驗室內之無反射實驗室所量得的場型,量測設備分別如圖

A-3 及圖 A-4 所示。

96
圖 A-3 HP 8510C 網路分析儀。

圖 A-4 無反射實驗室。

97