Trường cao đẳng điện tử điện lạnh Hà Nội Khoa c«ng nghÖ th«ng ti

Môn học : Cấu kiện điện tử Số tiết : 45 Giáo viên: ® Æng Quèc ChÝnh Năm học: 2010 - 2011

Chương 1: Linh kiện thụ động 1.1: Điện trở
1. Khái niệm - Cản trở dòng điện, tạo sự sụt áp 2. Cấu tạo của điện trở - Dựa theo cấu tạo của điện trở thì điện trở gồm 3 loại chính: - Điện trở dây quấn - Điện trở cầu chì - Điện trở than

b. Cấu tạo
- Trở dây quấn và trở cầu chì dùng dây kim loại nằm trong vỏ thạch cao. Trở than gồm bột than và phụ gia ép lại. - Ở hai đầu điện trở có gim nối mạch và trên nó có các vạch màu để chỉ thị số Ohm.

3.Cách đọc giá trị điện trở
• Giá trị điện trở được ghi trực tiếp trên điện trở hoặc được sơn bằng vạch màu hoặc chấm màu( vạch màu phổ biến hơn chấm màu). • Bảng vạch màu, ( chấm màu cung tương tự)

vạch Màu sắc 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 - 2 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 - 3 x10^0 x10^1 x10^2 x10^3 x10^4 x10^5 x10^6 x10^7 x10^8 x10^9 - 4 ± 5% ±10% ± Đen Nâu Đỏ Cam Vàng Xanh Lam Tím Xám Trắng Vàng Bạc .

Vạch màu 3 chỉ số số không theo sau hai số đầu.Vạch màu 1 và 2 chỉ trực tiếp hai số đầu tiên của trị số. ..Vạch màu 4 là sai số của giá trị điện trở. . .

Ví dụ: .

Điện trở trên thực tế a. Ký hiệu .4. Dạng điện trở b.

5.Triết áp và quang trở a. Quang trở . Triết áp b .

b.Cuộn cảm a. Cấu tạo .Gồm những vòng dây quấn trên một khung có lõi không khí hoặc lõi sắt. .2 Cuộn cảm và biến áp 1.Linh kiện tích trữ năng lượng dưới dạng từ trường. Khái niệm -Cuộn dây có khả năng tự cảm ứng.1. .

Ký hiệu • • • • L1: Lõi không khí L2: Lõi Ferit L3:Lõi điều chỉnh được L4:Lõi thép kỹ thuật .c.

d.thường gặp mH.Là trị số cho biết mức độ tự cảm của cuộn dây . e. Cuộn cảm thực tế .Đơn vị: Henry(H) . Hệ số tự cảm .

Chỉ sử dụng với điện thế xoay chiều.Cuộn đưa điện AC vào la cuộn sơ cấp .Khái niệm . . b.Biến áp a. Cấu tạo Gồm hai cuộn dây quấn trên một lõi sắt .Cuộn lấy điện AC ra dùng là cuộn thứ cấp .Là linh kiện dùng để tăng hoặc giảm điện thế AC.2.

ra cao) + k<1:Biến thế giảm thế( vào cao . Hệ số biến áp .Điện thế AC ra ở cuộn thứ cấp tùy thuộc vào tỷ số của số vòng dây thứ cấp đối với sơ cấp: k =Số vòng dây thứ cấp/ Số vòng dây sơ cấp + k>1: Biến áp tăng thế( vào thấp.c.ra thấp) d. Một số biến thế thông dụng .

3.1. Tụ điện .

Khái niệm .1. ở giữa có một lớp cách điện( điện môi). .Tụ điên chỉ cho dòng AC qua.Gồm hai bản cực đặt song song. Cấu tạo . 2. .Chất điên môi ảnh hưởng tới tính chất phân cực của tụ.Dùng để cản trở và phóng nạp khi cần thiết . cản trở dòng DC.

Tụ phân cực .Tụ không phân cực: .•Ký hiệu .

Tham số cơ bản của tụ a.Đơn vị: Fara (F) b. Độ bền điện . .3.Chỉ khả năng của tụ chịu tác dụng của điện áp xoay chiều . .Chỉ khả năng tích trữ điện tích của tụ khi đặt lên hai điện cực của tụ điện thế 1V.Giá trị điên dung được ghi rõ trên tụ. Điện dung .

Ta2O5) .Một số tụ phổ biến a. .Giá trị được ghi trực tiếp trên thân tụ Vd:Trên thân tụ ghi 185uF320V có nghĩa: điện dung của tụ là 185uF. . C phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ. giá thành rẻ.4. + Dòng rò lớn.Chất điện môi trong tụ hóa là một hợp chất hóa học( thường là Al2O3 . thể tích nhỏ. Tụ hóa .Tụ hóa phân cực và luôn có hình trụ. . kích thước. tần số.Đặc điểm: + C lớn nhất. giá trị điện áp cực đại đưa vào tụ 320V.

điện dung ít thay đổi theo nhiệt độ.0.Tụ sứ . điện áp cực đại đặt vào tụ là 220V -Tính ổn định cao.Chất điện môi trong tụ sứ là vật liệu sứ. . giá trị điên dung 1pF.Giá trị được ghi trực tiếp trên thân tụ Vd: 474K220V = giá trị điện dung của tụ 47*10^4. không hút ẩm.15microF .Tụ không phân cực. thường có hình trụ .b.Tuy nhiên kích thước lớn. tần số.

thạch anh. Tụ xoay .Là tụ điển hình trong nhóm tụ biến đổi .dầu.Chất điện môi là chân không( hoặc các chất khí khác). . mica. chất dẻo tổng hợp.c.

1.4 .Một số linh kiện khác:
1.4.1.Thạch anh, Rơle, Pin, Nam châm 1.Thạch anh a. Khái niệm:

- Khi chịu kích thích bởi 1 điện trường thì bị biến dạng sinh ra dao động cơ học ngược lại khi chịu kích thích dao động cơ học thì sinh ra điện trường (đó chính là hiệu ứng áp điện). - Ký hiệu:

b. Cấu tạo của thạch anh tương đương

- Lq

,Cq :phụ thuộc vào kích thước hình học của thạch anh cách cắt khối thạch anh. - rq :tổn hao của miếng thạch anh. - Cp :điện dung giá đỡ (C của hai miếng kim loại hoặc bao gồm cả C tạp tán của mạch ngoài). Do đó tính ổn định của Cp kém.

2. Rơle
a. Khái niệm - Rơle là môt loai thiêt bị điên tự đông mà tin ̣ ̣ ́ ̣ ̣ ́ hiêu đâu ra thay đôi nhay câp khi tin hiêu đâu ̣ ̀ ̉ ̉ ́ ́ ̣ ̀ vao đat những giá trị xac đinh. ̀ ̣ ́ ̣ - Rơle là thiêt bị điên dung để đong căt mach ́ ̣ ̀ ́ ́ ̣ điên điêu khiên, bao vệ và điêu khiên sự lam ̣ ̀ ̉ ̉ ̀ ̉ ̀ viêc cua mach điên đông lực. ̣ ̉ ̣ ̣ ̣

3.Pin a.Khái niệm

- Là thiết bị lưu trữ năng lượng dưới dạng hóa
học. - Pin là nguồn cung cấp năng lượng hoạt động cho hầu hết các thiết bị cầm tay. b.Các thông số

- Điện áp
- Dung lượng

Nam châm a.Là các vật có khả năng hút và đẩy vật bằng sắt hay thép non. . .Lực phát sinh từ nam châm gọi là từ lực.Khái niệm .Trong từ học. nam châm là một vật có khả năng sinh một lực dùng để hút hay đẩy một từ vật hay một vật có độ cảm từ cao khi nằm gần nam châm. .4.

Cấu tạo: .b. . c.Một từ trường tạo từ các đường từ (đường sức) đi từ cực Bắc đến cực Nam.Nam châm là một nguồn từ có hai cực: Bắc và Nam. Phân loại Có 2 loại nam châm: • Nam châm điện • Nam châm vĩnh cửu .

4.1.Là khả năng của một môi trường cho phép sự di chuyển của các hạt điện tích qua nó. . Cơ chế của chuyển động này tùy thuộc vào vật chất.ví dụ :lực tĩnh điện của điện trường. Sự di chuyển có thể tạo thành dòng điện. thiết bị dẫn điện.2. Vật liệu dẫn điện a. Khái niệm . Các loại vật liệu khác 1. Ứng dụng . khi có lực tác động vào các hạt. b.Chế tạo thiết bị điện. .

.2.Bán dẫn a.Khái niệm . vật liệu dẫn điện:điện trở xuất: 10-6 – 103Ωcm vật liệu bán dẫn: điện trở xuất: 10-4 –1010Ωcm vật liệu cách điện: điện trở xuất: 109 1018Ωcm .Là vật liệu trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện.Chất bán dẫn hoạt động như một chất cách điện ở nhiệt độ thấp và có tính dẫn điện ở nhiệt độ cao.

Ứng dụng . b.Chế tạo các linh kiện điện tử bán dẫn.Là các nguyên tố thuộc phân nhóm 4 bảng HTTH: Ge. . các phần tử nhiệt trong các thiết bị lạnh. các máy phát.. Si.

3. b. Ứng dụng: . .Khái niệm: .Ngăn chặn sự tiếp xúc của dòng điện với người hoặc với các dòng điện khác.Là các chất dẫn điện kém (có điện trở suất rất lớn).Vật liệu cách điện a.

bán dẫn tạp P và N.Chương 2: Linh kiện bán dẫn 2.Khái niệm chất bán dẫn thuần.Ở nhiệt độ phòng là chất cách điện.1. 1.1. Tiếp giáp P-N 2. . .Các nguyên tử Si(14) và Ge(32) có 4 điện tử vòng ngoài cùng nên tương đối bền.1. Chất bán dẫn thuần .

Mẫu nguyên tử Si14 (theo Bohr) electron - +P N n=1 n=2 n=3 .

Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Cấu tạo bán dẫn thuần .

Khi nhiệt độ tăng lên.lỗ trống. Vì vậy có dòng điện. một số electron bị bứt ra . di chuyển ngược chiều với chiều điện tích. . lỗ trống đóng vai trò như một điện tích dương. tạo ra cặp điện tử ..

Si Si Si Si Si Si Si Si + Si Si Si Si Si Si Si Sinh tạo cặp điện tử tự do .lỗ trống .

ví dụ như Photpho(P) có 5 điện tử hóa trị. P thừa một điện tử.2. .Khi đó 4 điện tử của P sẽ liên kết với 4 điện tử Ge. Chất bán dẫn loại N .Nếu ta thêm vào Ge một lượng nhỏ chất có vị trị ở phân nhóm 5 trong bảng HTTH. . trở thành điện tử tự do nên dẫn điện.

Si Si Si Si Si eSi Si P Si Si Si Si Si Si Si .

lỗ trống là hạt tải thiểu số.. dòng điện càng mạnh.Càng nhiều tạp chất . .Điện tử tự do là hạt tải đa số. .

• B khi kết hợp với Ge sẽ tạo ra một lỗ trống trong mối liên kết và xem như điện tích dương và các điện tử lân cận dễ đên tái kết với lỗ trống của B và để lại đó một lỗ trống mới và hiện tượng trên cứ tiếp diễn: dẫn điện bằng lỗ trống. Chất bán dẫn loại P • Nếu đưa vào bán dẫn thuần các nguyên tố thuộc nhóm 3 trong bảng HTTH. ví dụ như In. B có 3 điện tử hóa trị . .3. Al.

Si Si Si Si Si Si Si B Si Si Si Si Si Si Si .

lỗ trống là hạt tải đa số. dồng điện càng mạnh • Điện tử tự do là hạt tải thiểu số. .• Pha nhiều nguyên tử B.

+ Ngược lại các lỗ trống từ bán dẫn P khuếch tán sang bán dẫn N.N . .2. Tiếp giáp P.Đặc điểm không phân cực và phân cực của tiếp giáp P-N 1.1. do sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn cùng loại giữa hai khối bán dẫn: + Các điện tử từ bán dẫn N khuếch tán sang bán dẫn P.Khi cho bán dẫn N và P tiếp giáp nhau( ghép với nhau).2.

P Etx + + ------------------- N ++++++++ ++++++++ .

Quá trình này xẩy ra liên tục..Sau khi các điện tử khuếch tán sang bán dẫn P để lại lớp Ion dương chất cho (donor) gần bề mặt tiếp xúc bên bán dẫn N. chúng để lại lớp Ion âm chất nhận (acxeptor) gần bề mặt tiếp xúc bên bán dẫn P. ở hai bên mặt tiếp xúc đã hình thành 2 miền điện tích trái dấu . . Khi đạt trạng thái cân bằng. Tương tự. sau khi lỗ trống khuếch tán sang bán dẫn N.

hệ thống tiếp xúc cân bằng động và không có dòng điện qua nó . Không phân cực - Khi chưa có tác động của trường ngoài.Các Ion dương bên n và các Ion âm bên p tạo nên một điện trường cục bộ Etx hướng từ n sang p cân bằng giữa dòng điện khuếch tán( của các hạt dẫn đa số) do chênh lệch nồng độ và dòng gia tốc( của các hạt dẫn thiểu số) do điện trường nội bộ Etx gia tốc. .2.

+ ---------++++++++ . (tức V > 0) Etx ++++++++ . Phân cực thuận • Nếu nguồn điện áp với đầu dương của nguồn nối về phía anode và đầu âm nối về phía cathode của diode thì gọi là phân cực thuận. Tiếp giáp P-N phân cực a.+ ---------- EV .3.

Điện thế tiếp xúc sẽ giảm xuống. điện áp V sẽ tạo ra điện trường chủ yếu đặt vào vùng điện tích không gian có chiều ngược lại với điện trường tiếp xúc nếu được phân cực thuận.• Với sụt áp ở các vùng trung hoà và tiếp giáp kim loại bán dẫn không đáng kể. . • Khi phân cực thuận: thế tiếp xúc giảm. nên sẽ làm suy giảm điện trường tiếp xúc một cách hiệu quả. tức E giảm nên sẽ làm cho độ rộng vùng nghèo hẹp lại.

tức E tăng nên sẽ làm cho độ rộng vùng nghèo tăng lên. Phân cực ngược • Nếu đảo ngược nguồn áp thì gọi là phân cực nghịch (V < 0). . • Khi phân cực ngược: thế tiếp xúc tăng lên.b. • Đối với trường hợp phân cực ngược hiệu thế tiếp xúc sẽ tăng lên.

-.+ + + EV .E TX +++ +++ .-.+ + + .-...

4. Đặc tuyến V/A của tiếp xúc p-n lý tưởng I Vz U Is .

Điện dung và điện trở vùng tiếp giáp p-n 1.3. vùng hiếm được nới rộng do có sự gia tăng điện tích trong vùng này. Điện dung • Khi nối P-N được phân cực nghịch. . điện tích trong vùng hiếm tăng một lượng ΔQ.2. Vùng hiếm có tác dụng như một tụ điện gọi là điện dung chuyển tiếp.1. Với một sự biến thiên ΔV của hiệu điện thế phân cực nghịch.

lỗ trống được khuếch tán từ vùng P sang vùng N và điện tử khuếch tán từ vùng N sang vùng P.• Khi nối P-N được phân cực thuận. . Sự phân bố các hạt tải điện thiểu số ở hai bên vùng hiếm tạo nên một điện dung gọi là điện dung khuếch tán.

2. Khi nối P-N phân cực thuận càng mạnh. Điện trở • Nội trở tĩnh là điện trở nội của nối P-N trong mạch điện một chiều. . dòng điện I càng lớn trong lúc điện thế V gần như đổi nên nội trở càng nhỏ. Người ta định nghĩa điện trở một chiều ở một điểm phân cực là tỉ số V/I ở điểm đó.

rd: điện trở động của khối nối p-n. . Tỷ số: ΔI / ΔV =1/rd.• Giả sử dòng dòng điện ngang qua nối P-N là IQ tương ứng với một điện thế phân cực thuận một lượng ΔV từ trị số VQ thì I cũng biến thiên một lượng tương ứng ΔI từ trị số IQ.

catốt được nối với bán dẫn N được bọc trong vỏ bảo vệ bằng kim loại hoặc nhựa tổng hợp.2.2. Diot chỉnh lưu 1.1. Cấu tạo .2.Các loại Diot 2. Anốt được nối tới bán dẫn P.Điốt bán dẫn là cấu kiện gồm có một lớp tiếp xúc P-N và hai chân cực là anốt (ký hiệu là A) và catốt (ký hiệu là K). P N Anot Katot Lớp tiếp xúc P-N .

7 U .Ký hiệu: Anot Katot 2. Đặc tuyến V/A I 0.

3. Ứng dụng mạch chỉnh lưu .

Nếu điện trường đặt vào một lực lớn vào điện tử trong mối liên kết.lỗ trống hợp thành theo cấp số nhân. Cơ chế đánh thủng như vậy được gọi là đánh thủng zener.2. . Hiệu ứng Zener .Ký hiệu .2. nên tạo ra một số lượng cặp điện tử .2. thì điện tử có thể bị bứt khỏi mối liên kết đồng hóa trị. Điot ổn áp 1.

2. Đặc tuyến V/A I Uổn U I ổn Imax .

3. Ứng dụng ổn áp .

Hiệu ứng Tunen . Diot Tunen và diot ngược 1.Hiệu ứng tunen là hiện tượng các hạt dẫn chuyển động qua tiếp xúc P-N mà không bị tổn hao năng lượng.Ký hiệu: .3.2. .2.

Đặc tuyến V/A I Imax Imin 0 1 3 2 Uth .2.

• Loại diot này cho dòng ngược lớn đi qua.3. . còn dòng thuận nhỏ bị khóa lại. Diot ngược • Những diot có nồng độ tạp chất nhỏ hơn nồng độ của diot Tunen một chút thì đoạn 12 gần như nằm ngang. những diot đó gọi là diot ngược.

Diot ngược . Diot Tunen • Chuyển năng lượng điện 1 chiều thành năng lượng điện xoay chiều( ở đoạn điện trở âm) b. trộng tần.Sử dụng để tách sóng điều tần.Ứng dụng a. điều chế giả sóng siêu cao tần. .4.

5 0.4.2.2.8 3 10 20V Mặt ghép hypebol đột biến Mặt ghép đột biến . Diot biến dung 1.Đặc tuyến C/V 300pF 200 100 80 40 20 0.

Ứng dụng mạch thay đôi tần số R U C Ci L .Ký hiệu: 2.

• .2. Cấu tạo • UJT là linh kiện bán dẫn có một tiếp xúc P-N và 3 chân cực.5. Nó gồm một thanh bán dẫn Silic loại N có gắn thêm 1 miếng bán dẫn Silic loại P để tạo thành một tiếp xúc P-N. Hai đầu còn lại của thanh Silic loại N được đưa ra 2 chân cực gọi là Nền 1 ( ký hiệu B1) và Nền 2 (ký hiệu B2). Chân cực nối với mẩu bán dẫn P gọi là cực phát E. Diot hai đáy .UJT 1.2.

Ký hiệu B2 E B1 Loại kênh n E B2 B1 Loại kênh p .B1 E P N B2 Cấu tạo UJT kênh n 2.

Nguyên lý làm việc IE RE V EE VBB R B1 R B2 V BB IE RE V EE .3.

R B1 là điện trở của phần bán dẫn nền 1. điốt được thay thế cho tiếp xúc P-N.10KΩ). • Khi chưa áp VEE vào cực phát E (cực phát E để hở) thỏi bán dẫn là một điện trở với nguồn điện thế VBB.• Trong sơ đồ tương đương. được ký hiệu RBB và gọi là điện trở liên nền (thường có trị số từ 4 KΩ . . R B2 là điện trở của phần bán dẫn nền 2.

dòng điện I E bắt đầu tăng theo chiều dương.điện trở từ chân E). Ta có một vùng điện trở âm (điện trở vùng p. .• Cấp nguồn V EE vào cực phát và cực nền B1 . nối P-N phân cực thuận.Khi V EE=0V : Diot được phân cực nghịch và ta chỉ có một dòng điện rỉ nhỏ chạy ra từ cực phát. Kết quả là lúc đó dòng IE tăng và điện thế VE giảm.Tăng V EE lớn dần. . • Khi V E=VP.

Từ giá trị này UJT chuyển sang vùng điện trở dương của đặc tuyến. nhưng sụt áp trên nó giảm và đặc tuyến Vôn-Ampe có đoạn điện trở âm.7V.Kết luận: • Khi điện áp đặt lên cực phát phải bằng hoặc lớn hơn giá trị điện áp đỉnh (UP) thì UJT mới dẫn điện. • Điện áp đỉnh U P = ηU BB +0. Người ta sử dụng đoạn điện trở âm để lắp các mạch tạo xung phóng nạp. . Khi dòng điện đạt đến giá trị IV –dòng điện trũng thì sụt áp trên UJT giảm đến trị số điện áp trũng UV. UBB là điện áp giữa Nền2 và Nền1. trong đó η là hệ số thuần khiết.

3. Đặc tuyến V/I UE VP UB1B2=20V UB1B2=10V UB1B2=5V o Điện trở âm IE .

Trong mạch định thời các mạch báo động . Cho nên UJT thường được dùng trong các mạch : .4. .Quan trọng nhất là dùng để kích khởi cho đèn chỉnh lưu Silic có điều khiển hoạt động.Phóng nạp tạo xung. . Ứng dụng • Sử dụng đoạn đặc tuyến điện trở âm để tạo các mạch dao động.

1. Transistor lưỡng cực (BJT) (Bipolar Junction transisitor) 2.3.3. Cấu tạo.2. nguyên lý làm việc của transistor .

• Có 2 loại Transistor nối: npn và pnp (h.1. Cấu tạo • Gồm 2 nối tiếp xúc ghép xen kẽ nhau.3. 1) C C C C n B p B B n B p n E E E p E loại npn lo ại pnp .2.

tạo điện tích từ E tới C . khuếch tán. epitaxi… ..Cực B( Cực gốc): Nồng độ tạp chất nhỏ nhất. có nhiệm vụ điều khiển số điện tích từ E tới C.Để cấu tạo ra các cấu trúc này.Cực E ( cực phát): có nồng độ tạp chất lớn nhất. . Có nhiệm vụ tạo ra dòng điện trong dụng cụ .Cực C( cực góp): nồng độ tạp chất trung bình. áp dụng những phương pháp công nghệ như: phương pháp hợp kim.

b.- C vùng hiếm vùng hiếm . Nguyên lý hoạt động V EE V CC RE P - RC N B P E - ..- Ei - + Ei + - ....

• Trong ứng dụng thông thường (khuếch đại): .Nối thu nền phải được phân cực nghịch: vùng hiếm rộng ra. .Nối phát nền phải được phân cực thuận: vùng hiếm hẹp lại. .

còn các điện tử từ phần gốc khuếch tán sang phần phát tạo nên dòng điện IE = I Ep (I Ep >> IEn) . các hạt dẫn đa số là lỗ trống sẽ khuếch tán từ phần phát sang phần gốc.• Khi tiếp xúc phát phân cực thuận.

Theo định luật Kichoft ta có: •IE = IC +IB . một phần nhỏ tái hợp với các điện tử. Đến tiếp xúc góp. Nên ta có công thức tính dòng điện cực góp tổng là: IC = ICp + ICBo = ICp . qua tiếp xúc góp còn có dòng điện ngược ICBo (còn gọi là dòng điện rò). • Đồng thời.Ngoài ra còn có một số phần tử mang điện cực B khuếch tán về cực nguồn . các lỗ trống sẽ chuyển động trôi qua lớp tiếp xúc và tạo nên dòng điện cực góp ICp. còn phần lớn chúng tiếp tục khuếch tán qua phần gốc về phía tiếp xúc góp.• Các lỗ trống khuếch tán sang phần gốc.

CE.2.3. Cách ráp cực nền chung (CB) Ci Q RE VEE RC vo + + VCC RL Co + vi .Tham số và Đặc tuyến V-A • Có 3 cách ráp: CB.2. CC : cực chung là cực được nối đất và được dùng chung cho cả hai ngõ vào và ngõ ra 1.

7 VBE (V) .1.a. Đặc tuyến ngõ vào IE (mV) 20V 10V 1V V CB = 0V O 0.

Đặc tuyến ngõ ra IC (mA) Vùng tác động 3mA I E =2mA 1mA Vùng bão hòa Vùng ngưng VBC ( v) .2.b.

Tín hiệu ra thu – phát :CE Cả 2 ngõ vào và ra có cực phát chung .Tín hiệu vào nền – phát :BE .Cách ráp cực phát chung ( CE) Co Ci Q + vi RB + VBB + VCC RC Vo RL Do: .2.

7 VBE ( V) .a. Đặc tuyến vào IB = f ( VBE) VCE chọn làm thông số IB( mA) 1V 2V 3V 4 0 Q 0.Đặc tuyến cách ráp CE • Gồm có 3 dặc tuyến thông dụng sau: 2.

2. Đặc tuyến ra IC = f ( VCE ) IB =Cte Ic(mA) Vùng tác động 20 uA 10 uA 0 uA Vùng bão hòa Vùng ngưng VCE (V) .b.

0.5.IC ( mA) ICES = ICBO BBE (V) Vùng ngưng Vùng tác động Vùng bão hòa (0.8V) .

Cách ráp thu chung (CC hay EF) • Mạch điện + vi Co Ci Q RB + + VCC VBB RE Vo RL • Hoặc: Ci Q + vi RB + VBB RE Co Vo + VCC .3.

• Các đặc tuyến và tham số của sơ đồ mắc cực góp chung cũng tương tự như ở sơ đồ mắc cực phát chung. . sơ đồ mắc góp chung ít được dùng.• Trên thực tế. người ta chỉ sử dụng mạch này để phối hợp trở kháng giữa một mạch có trở kháng ra cao với mạch có trở kháng vào thấp.

UEBmax.3. UCEmax. P ttmax. bão hòa hay tích cực) và các tham số của tranzito không vượt quá các giá trị giới hạn (ICmax. UCBmax.3.tần số giới hạn) .3. Phân cực cho trassistor • Phân cực cho tranzito là việc cung cấp nguồn điện một chiều vào các chân cực sao cho tranzito làm việc đúng chế độ (ngắt.

2÷0.• Ở chế độ ngắt.TC phân cực ngược . • Ở chế độ bão hòa. ta chỉ cần cấp nguồn điện sao cho hai tiếp xúc P-N của tranzito đều phân cực ngược.4)V • Ở chế độ tích cực: . cấp điện sao cho hai tiếp xúc P-N đều phân cực thuận hoặc sao cho điện áp UCE = (0.TE phân cực thuận .

2.3.RCIC (6) .3 .VBE) / RB (2) VBB IC = IB (3) VCC = RCIC + VCE (4) VCE = VCC. Phân cực cho Transistor • Mạch phân cực bằng 2 nguồn cRCp điện ấ Q riêng: RB IC + VBB IB VBE VCE + VCC Tính được trị số điểm Q: VBB = RB IB + VBE (1) IB = (β .

các mạch khuếch đại đặc biệt. mạch ổn áp… • Mạch tạo dao động sóng hình sin . khuếch đại tín hiệu (ac). mạch khuếch đại vi sai.3.4. Ứng dụng Transistor khuyếch đại trong trường hợp tín hiệu nhỏ • Khuếch đại: Tranzito được dùng trong các mạch khuếch đại một chiều (dc).2.

.Mạch đa hài .

2. JFET (Junction Field-Effect Transistor) 1. Transistor hiệu ứng trường (FIELD EFFECT TRANSISTOR: FED) 2. hai miền này được nối tắt với nhau đưa ra cực cổng (G) . .Đế tinh thể bán dẫn N ( kênh N) hay bán dẫn P (kênh P) pha ít tạp.1.4. đưa ra hai cực D( cực đáy) và S( cực nguồn). Cấu tạo .Cho tiếp xúc hai miền bán dẫn khác loại pha nhiều tạp.4.

Kênh n S P+ n P+ D G Tiếp xúc kim loại Kênh p- .

.

2. sao cho tiếp giáp p-n bao quanh kênh dẫn luôn được phân cực ngược). Nguyên lý làm việc . trên kênh dẫn xuất hiện 1 dòng điện (là dòng điện tử với kênh n) hướng từ cực D tới cực S gọi là dòng điện cực máng ID. -Do tác dụng của các điện trường này.Để phân cực JFET kênh N. các chiều điện áp phân cực sẽ ngược lại. người ta dùng hai nguồn điện áp ngoài là UDS > 0 và UGS< 0 (với kênh P. .

Dòng ID có độ lớn tuỳ thuộc vào các giá trị UDS và UGS vì độ dẫn điện của kênh phụ thuộc mạnh cả hai điện trường này.Nếu xét riêng sự phụ thuộc của ID vào từng điện áp khi giữ cho điện áp còn lại không đổi (coi là một tham số) ta nhận được hai hệ hàm quan trọng nhât của JFET là : • ID = f 1(UDS)│UGS= const • ID = f 2(UGS)│UGS= const . ..

Đặc tuyến V/I .3.

2.Cấu tạo của Mosfed . Mosfed (Metal Oxide Semiconductor transistor) 1.2.4.

• Hai vùng này được nối thông với nhau nhờ một kênh dẫn điện loại n có thể hình thành ngay trong quá trình chế tạo hay chỉ hình thành sau khi đã có 1 điện trường ngoài (lúc làm việc trong mạch điện) tác động (loại kênh cảm ứng). . Epitaxi hay khuếch tán ion) để tạo ra 2 vùng bán dẫn loại n+ (nồng độ pha tạp cao hơn so với đế) và lấy ra hai điện cực là D và S. người ta pha tạp chất bằng phương pháp công nghệ đặc biệt (plana.• Trên nền đế là đơn tinh thể bán đẫn tạp chất loại p (Si-p).

người ta tạo ra điện cực thứ ba là cực cửa G sau khi đã phủ lên bề mặt kênh 1 lớp cách điện mỏng SiO2. • Kênh dẫn được cách li với đế nhờ tiếp giáp pn thường được phân cực ngược nhờ 1 điện á phụ đưa tới cực thứ 4 là cực đế. Từ đó MOSFET còn có tên là loại FET có cực cửa cách li (IGFET).• Tại phần đối diện với kênh dẫn. .

Nguyên tắc hoạt động Mosfed .2.

Để phân cực MOSFET người ta đặt 1 điện áp UDS> 0. ngay cả khi chưa có điện áp đặt vào cực cửa (UGS = 0). Cần phân biệt hai trường hợp: a.Xuất hiện dòng điện tử trên kênh dẫn nối giữa S và D và trong mạch ngoài có dòng cực máng ID (chiều đi vào cực D). . Với loại kênh đặt sẵn : .

. Chế độ làm việc này được gọi là chế độ giàu của MOSFET. làm kênh dẫn bị nghèo đi do các hạt dẫn (là điện tử) bị đẩy xa khỏi kênh.Nếu đặt lên cực cửa điện áp UGS > 0. Điện trở kênh dẫn tăng tùy theo mức độ tăng của UGS theo chiều âm sẽ làm giảm dòng ID.Nếu đặt tới cực cửa điện áp UGS< 0. điện tử tự do có trong vùng đế (là hạt thiểu số) được hút vào vùng kênh dẫn đối diện với cực cửa làm giầu hạt dẫn cho kênh. quá trình trên sẽ ngược lại. Đây là chế độ nghèo của MOSFET. . tức là làm giảm điện trở của kênh. do đó lám tăng dòng cực máng ID..

Như vậy MOSFET loại kênh cảm ứng chỉ làm việc với 1 loại cực tính của UGS và chỉ ở chế độ làm giầu kênh.đế. . Với loại kênh cảm ứng . không có dòng cực máng (ID = 0) do tồn tại hai tiếp giáp p-n mắc đối nhau tại vùng máng .Khi đặt tới cực cửa điện áp UDS < 0. do đó không tồn tại kênh dẫn nối giữa máng nguồn. .b.đế và nguồn .Khi đặt UGS > 0. tại vùng đế đối diện cực cửa xuất hiện các điện tử tự do (do cảm ứng tĩnh điện) và hình thành một kênh dẫn điện nối liền hai cực máng và nguồn. Độ dẫn của kênh tăng theo giá trị của UGS do đó dòng điện cực máng ID tăng.

3. Đặc tuyến V/I VDS .

2. Phân cực và mắc mạch FED .4.3.

.

Cấu tạo Cấu tạo Ký hiệu Sơ đồ .Thyristor a. Một số linh kiện bán dẫn khác 2.2.1.5.5.

Katot và Gate gọi là A-K-G. .-Thyristor có 3 cực là Anot. Thyristor chưa dẫn điện. bình thường khi được phân cực thuận.Thyristor là Diode có điều khiển. khi có một điện áp kích vào chân G => Thyristor dẫn cho đến khi điện áp đảo chiều hoặc cắt điện áp nguồn Thyristor mới ngưng dẫn. .

Đặc tuyến và tham số IG .2.

3. Ứng dụng: mạch khống chế pha 90o

2.5.2. Triac và Diac 1.Cấu tạo
a. Diac : Diac là một cấu trúc 5 lớp bán dẫn, xem như 4 diod bán dẫn. Trong mạch, khi điện áp trên hai cực (không phân cực) của diac có một điện áp đủ lớn thì nó dẫn một xung .

b.Triac(TRIode for Alternating Current) - Là phần tử bán dẫn gồm năm lớp bán dẫn, tạo
nên cấu trúc p-n-p-n . Nhưng có thêm cực khiển Gate.

• Do tính dẫn điện hai chiều nên hai đầu ra chính của triac dùng để nối với nguồn điện được gọi là đầu ra MT1 và MT2 . • Giữa hai đầu ra MT1 và MT2 có năm lớp bán dẫn bố trí theo thứ tự P-N-P-N như SCR theo cả 2 chiều. Đầu ra thứ ba gọi là cực điều khiển G. • Như vậy triac được coi như hai SCR đấu song song ngược chiều với nhau

2.Đặc tuyến • Diac I U .

Đặc tuyến V/I của Triac U I G3 > I G2 > I G1 I .

Điều khiển các thiết bị điện trong mạch điện xoay chiều. . Ứng dụng .3.

Ký hiệu .3. platinum. b. Điôt Shoely Diode Schottky còn được gọi là diode hạt tải nóng [hot . mà tiếp giáp của diode Shottky được tạo thành bằng một tấm chắn kim loại (vàng. bạc) và vật liệu bán dẫn .carrier diode] không có tiếp giáp pn.2.Điôt Shoely và các loại chỉnh lưu có khống chế khác 1.5.n .

b.7 V . Đặc tuyến V/I I Si 0.

c. Khi phân cực nghịch. Áp dụng • Áp dụng thông thường của Diod shockley là dùng để kích SCR. Diod shockley cũng không dẫn điện. .

Các bột này được hòa trộn theo tỉ lệ và khối lượng nhất định sau đó được nén chặt và nung ở nhiệt độ cao. • Ký hiệu: T0 . • Và mức độ dẫn điện của hổn hợp này sẽ thay đổi khi nhiệt độ thay đổi. Điện trở nhiệt.5.4.Termistor 1. Cấu tạo • Termistor được cấu tạo từ hỗn hợp các bột oxit.2.

Đặc tính điện trở nhiệt Đặc tính nhiệt của Termisto được thể hiện bằng sự phụ thuộc của điện trở của nó vào nhiệt độ nhiệt điện trở âm nhiệt điện trở d ương .2.

Đặc tuyến V/I U 30 20 10 500c 750c 1000C 125 c 0 U K2 k1 K2 >K1 40 60 0 20 I(mA) 0 I Họ đặc tuyến khi nhiệt trở(K) không đổi. nhiệt độ môi trường thay đổi Họ đặc tuyến khi nhiệt độ môi trường không đổi. nhiệt trở k biến đổi .3.

Ứng dụng • Termistor chỉ tuyến tính trong khoảng nhiệt độ nhất định 50-150oC do vậy người ta ít dùng để dùng làm cảm biến đo nhiệt.4. . • Chỉ sử dụng trong các mục đích bảo vệ. ngắt nhiệt .

1. Điện trở quang(Photoresitor) 3. Hiệu ứng quang điện của bán dẫn .1.Chương 3: Dụng cụ quang bán dẫn 3.1. .Hiện tượng giảm mạnh điện trở của chất bán dẫn khi bị chiếu sáng gọi là hiện tượng quang dẫn.

khi có ánh sáng thích hợp chiếu vào catốt của tế bào quang điện thì êlectrôn sẽ bị bật ra khỏi catốt.Trong hiện tượng quang điện.. Vì vậy. hiện tượng này còn gọi là hiện tượng quang điện ngoài.Hiện tượng giải phóng êlectrôn liên kết để cho chúng trở thành các êlectrôn dẫn gọi là hiện tượng quang điện bên trong.( hay hiện tượng quang điện bên ngoài) . .

1.2.Quang trở gồm một lớp chất bán dẫn (cadimi sunfua CdS) phủ trên một tấm nhựa cách điện. không có lớp tiếp xúc P-N. Ký hiệu .3. Có hai điện cực và gắn vào lớp chất bán dẫn đó. đặc tuyến tham số 1. .Điện trở quang là một cấu kiện bán dẫn thụ động. Cấu tạo .Cấu tạo.

Cadmium selenide – CdSe) làm phát sinh các điện tử tự do. Nguyên tắc hoạt động • Khi ánh sáng chiếu vào chất bán dẫn (có thể là Cadmium sulfide – CdS. • Các đặc tính điện và độ nhạy của quang điện trở dĩ nhiên tùy thuộc vào vật liệu dùng trong chế tạo.2. tức sự dẫn điện tăng lên và làm giảm điện trở của chất bán dẫn. .

2. σp (ρλ) khi λ = const • Độ nhạy tương đối của điện trở quang S(λ): là tỉ số giữa điện dẫn suất thay đổi theo bước sóng σP(λ) và điện dẫn suất cực đại σp. Tham số • Điện dẫn suất σP : là hàm số của mật độ năng lượng quang ρ(λ) khi độ dài bước sóng không đổi.tham số a.max khi mật độ năng lượng quang ρλ không đổi: . Đặc tuyến.

b.7 0.8 0.6 0.9 Đặc tuyến độ nhạy và bước sóng . Đặc tuyến S(%) 100 80 60 40 20 Bs (us) CdS CdSe 0.5 0.

Điện trở (ohm) 0 f .

3. • Ngày nay. Ứng dụng • Dùng trong mạch mở điện về đêm dùng diện AC. mạch báo động. . quang trở được dùng thay cho các tế bào quang điện trong hầu hết các mạch điều khiển tự động.

Diôt quang (Photodiode) 3.1. Cấu tạo đặc tuyến tham số 1.2.Diode thu quang hoạt động ở chế độ phân cực nghịch. Cấu tạo: .3. dòng điện ngược qua diode tỷ lệ thuận với cường độ ánh sáng chiếu vào diode.2. vỏ diode có một miếng thuỷ tinh để ánh sáng chiếu vào mối P – N . .

Ký hiệu động Minh hoạ sự hoạt .

thường là dưới vài trăm nA với quang diod Si và dưới vài chục μA với quang diod Ge .lỗ trống ở sát hai bên mối nối làm mật độ hạt tải điện thiểu số tăng lên. Các hạt tải điện thiểu số này khuếch tán qua mối nối tạo nên dòng điện đáng kể cộng thêm vào dòng điện bảo hòa nghịch I0 tự nhiên của diod.2. Nguyên lý làm việc • Mối nối P-N phân cực nghịch • Khi ánh sáng chiếu vào nối P-N có đủ năng lượng làm phát sinh các cặp điện tử .

3. Đặc tuyến E/I I 50V 1V E( năng lượng chùm sáng) .

3.Dùng trong các mạch điều khiển để đóng mở mạch điện. . Ứng dụng .

3. Transistor trường quang và Thyristor quang.3. Transistor quang. 1. Quang transistor có một thấu kính trong suốt để tập trung ánh sáng vào nối P-N giữa thu và nền. Transistor quang a. Cấu tạo • • Về mặt cấu tạo. . quang transistor cũng giống như transistor thường nhưng cực nền để hở.

Ký hiệu b. Đặc tuyến I(mA) hf3 hf2 hf1 =0 -Uc (V) .

đống nhắt Relais.c. . Ứng dụng • Dùng trong thông tin quang và thiết bị quang điện: quang kế.

2. Transistor trường quang a. Cấu tạo G n+ RA P Iq +Uc C n+ IK Rt .

lỗ trống di động sinh ra . các điện tử . Nguyên tắc hoạt động • Khi chiếu ánh sáng vào kênh n. • Dưới tác dụng của điện trường lỗ trống chuyển vào bán dẫn P (cực đáy). Hiện tượng này tạo nên dòng điện cực đáy Iq. còn điện tử chuyển động vào bán dẫn n.Iq . • Nếu ở cực đáy có mắc điện trở RA thì Iq gây nên sụt áp trên nó là: dUA = RA.b.

một lượng tương ứng bằng: dIC= SdUA = S.• Sự thay đổi điện áp cực đáy sẽ làm thay đổi dòng điệncực của Ic .Iq S: hỗ dẫn của transistor trườngquang. .RA.RD lần. Như vậy dòng điện cực cuwarcuar transistor trường – quang được điều khiển bởi dòng quang ở cực đáy và nó được khuếch đại lên S.

c. Ứng dụng • Sử dụng trong thông tin quang .

3. trong họ thyrixto quang cũng có các dạng thyrixto 4 lớp. Thyrixto quang. Cấu tạo: • Cũng như các thyrixto thường.5 lớp bán dẫn với 3 hoặc 4 chân cực. a. . • Các thyrixto quang đều có vỏ bọc với cửa sổ trong suốt cho các tín hiệu quang đi đến.

. • Còn hai vùng bán dẫn N và P ở giữa có nồng độ tạp chất thấp nên bề rộng của tiếp xúc P-N giữa chúng lớn hơn nhiều so với hai tiếp xúc P-N ở anôt và ở catôt.• Anôt (A) là một lớp bán dẫn loại P có nồng độ tạp chất cao và Catôt (K) là lớp bán dẫn loại N có nồng độ tạp chất cao.

Cường độ tín hiệu quang chỉ có tác dụng làm thay đổi thời gian đóng mở của thyrixto .• Ở thyrixto quang. tín hiệu quang chỉ làm nhiệm vụ kích cho thyrixto dẫn điện chứ không điều khiển được giá trị dòng điện anôt.

Đặc tuyến I E 3 > E 2 > E1 UAK .b.

Ứng dụng Cũng tương tự như Thyristor thường .c.

Phía đối diện với lớp bán dẫn N là lớp bán dẫn loại P. ZnS. • Cấu tạo của tế bào quang điện gồm phần nhạy quang là tấm bán dẫn loại N với các cửa sổ trong suốt cho tín hiệu quang chiếu vào.3. Cấu tạo • Tế bào quang điện thường được chế tạo từ các vật liệu: Ge.4.. Si. Tế bào quang điện và pin mặt trời a.. CdS. Tất cả được bọc trong vỏ bảo vệ với 2 điện cực dẫn ra ngoài. ..

• Do đó. Nguyên lý làm việc • Khi chiếu sáng lên lớp bán dẫn N.b. do quá trình lượng tử hóa sẽ sinh ra từng đôi điện tử -lỗ trống. các hạt dẫn đa số sẽ khuếch tán qua tiếp xúc P-N . điện trường tiếp xúc giảm.

• Hệ số có ích của tế bào quang silic khá cao nên được sử dụng làm pin mặt trời.Như vậy. Tế bào quang silic có thể hoạt động ở cả chế độ có nguồn và chế độ chế biến tín hiệu. . tế bào quang điện đã chuyển năng lượng ánh sáng sang năng lượng điện..

5. Diot phát quang (LED) 1. Điôt quang loại tiếp xúc P-N: .3.

điện tử tự do từ vùng N xuyên qua vùng P và tái hợp với lỗ trống (về phương diện năng lượng ta nói các điện tử trong dải dẫn điện – có năng lượng cao – rơi xuống dãi hoá trị . khi tái hợp thì sinh ra năng lượng .có năng lượng thấp – và kết hợp với lỗ trống).1.5. Nguyên lý làm việc: • Khi phân cực thuận một nối P-N.3.

năng lượng ánh sáng phát ra màu vàng hoặc xanh lá cây.Với GaAsP (Gallium Arsenide phosphor) năng lượng phát ra là ánh sáng vàng hay đỏ.. . Nhưng đối với diod cấtạo bằng GaAs (Gallium Arsenide) năng lượng phát ra là ánh sáng hồng ngoại (không thấy ) . . Si thì năng lượng phát ra dưới dạng nhệit.Đối với diod Ge.Với GaP (Gallium phosphor).

catốt (K). • Ký hiệu: . Anốt được nối với bán dẫn loại P. còn catốt được nối với bán dẫn loại N • Vật liệu chế tạo điôt phát quang đều là các liên kết của các nguyên tố thuộc nhóm 3 và nhóm 5 của bảng tuần hoàn Menđêlêep như GaAs. Cấu tạo: • Điôt phát quang gồm có một lớp tiếp xúc P-N và hai chân cực anốt (A).2.5.v.. hoặc liên kết 3 nguyên tố như GaAsP v.1.

I(mA) Si GaAsP GaAs GaAsP vàng GaP (đỏ) lục 0. người ta phân cực thuận LED.7 1. Tùy theo vật liệu cấu tạo. điện thế thềm của LED thay đổi từ 1 đến 2.1.5 2 VD (V) .3.5.5V và dòng điện qua LED tối đa khoảng vài mA.3 0. Nguyên tắc hoạt động • Để có ánh sáng liên tục.

.Các Led phát ra ánh sáng thấy được dùng để làm đèn báo.3.1.Các LED phát ánh sáng không nhìn thấy được dùng trong các mạch báo động. trang trí. điều khiển từ xa.5. . Ứng dụng .

Dùng trong mạch điều khiển các pha chậm trong máy tính .Toàn bộ hệ thống này được bọc kín để tránh sáng môi trường vào gây nhiễu. Optron a. b. ánh sáng này tác dụng ào transistor quang và sẽ tạo ra điện áp ra biến thiên.Đầu vào nhận tín hiệu làm LED phát sóng ánh sáng. Ứng dụng .6.3.Khuếch đại tín hiệu . . Cấu tạo .

.

IC bậc 3 chứa 101 ÷ 1000 linh kiện . tiêu thụ ít năng lượng điện. Một số tính chất chung của vi điện tử • Vi mạch tích hợp có độ tin cậy rất cao.Chương 4: Vi điện tử 4. • Giá thành hạ. chứa được nhiều phần tử : .IC bậc 2 chứa 11 ÷ 100 linh kiện .IC bậc 1 chứa 10 linh kiện .1. .IC bậc 4 chứa đến 10000 linh kiện hoặc lớn hơn. • Do sử dụng năng lượng nhỏ nên hạn chế tốc độ làm việc. • Kích thước nhỏ.

rồi chiếu ánh sáng vào khuôn ánh sáng. Ánh sáng sẽ tác động lên lớp cảm quang theo đúng cấu hình của khuôn ánh sáng. . .Tiếp theo là phủ lớp cảm quang và sau đó đặt khuôn ánh sáng lên trên lớp cảm quang.Tạo một khuôn gọi là khuôn ánh sáng. Sau đó trên bề mặt tấm bán dẫn Si đế ta tạo một lớp oxit silic SiO2 bằng phương pháp gia công nhiệt ở nhiệt độ 10000C đến 12000C trong hơi nước.2. Quá trình quang khắc. . .Sau đó bỏ khuôn ánh sáng ra và tiến hành hiện hình và định hình.4. Đặc điểm công nghệ chế tạo mạch tích hợp 1.

. mỗi lần tạo ra một mask phải được lặp lại đầy đủ các bước đã nêu ở trên. Sau đó ta loại bỏ lớp cảm quang và kết quả được tấm bán dẫn trên có phủ một lớp bảo vệ bằng SiO2 theo cấu hình yêu cầu. .Tiếp theo là quá trình ăn mòn bằng các dung dịch hóa học những chỗ có ánh sáng chiếu vào..Mỗi lớp phủ bảo vệ bằng SiO2 theo cấu hình yêu cầu được gọi là một mask (mặt nạ).

1. Phủ lớp cảm quang 5. Gia công tấm bán dẫn silic tinh khiết 2.2. Quá trình plama. Quang khắc và ăn mòn chọn lọc lớp SiO2 theo cấu hình của khuôn ánh sáng. Sau đó oxy hóa lần thứ hai để tạo lớp SiO2. . Khuếch tán tạp chất loại N (nguyên tố nhóm 5 tạp chất cho) vào đế để tạo vùng colectơ khi chế tạo tranzito loại N-P-N. 6. Oxy hóa tấm bán dẫn đế 3. Cho ăn mòn lớp SiO2 ở phía dưới để tiến hành khuếch tán tạp chất vào (ví dụ loại P) 4. 7.

Oxy hóa tạo lớp SiO2. 12. Phủ lớp cảm quang.C. che mặt nạ. Quang khắc và ăn mòn chọn lọc ta thu được mặt nạ thứ ba và tiến hành khuếch tán tạovùng N+ của Emitơ.8.B. chiếu sáng và cho ăn mòn ta thu được mặt nạ thứ hai. 11. Khuếch tán bán dẫn loại P (nguyên tố nhóm 3tạp chất nhận) để tạo vùng bazơ 10. quang khắc và ăn mòn ta có mặt nạ thứ tư để gắn các điện cực E. 9. . Oxy hóa.

Phân loại theo tính chất dữ liệu được xử lý bằng IC : • IC tuyến tính • IC số b.3.4. ký hiệu vi mạch điện tử 1. Phân loại. Phân loại theo công nghệ chế tạo • Vi mạch bán dẫn (hay còn gọi là vi mạch đơn khối): • Vi mạch màng mỏng • Vi mạch màng dày • Vi mạch lai . Phân loại a.

Phân loại theo loại tranzito có trong IC • Vi mạch lưỡng cực • Vi mạch MOS d. Dựa theo số phần tử được tích hợp trong IC • Vi mạch loại SSI: số phần tử được tích hợp < 12 • Vi mạch loại MSI: số phần tử được tích hợp từ 12÷ 100 • Vi mạch loại LSI: số phần tử được tích hợp từ 100 ÷ 1000 • Vi mạch loại VLSI: số phần tử được tích hợp >1000 .c.

Điều này khiến cho các sơ đồ sử dụng vi mạch tuyến tính nhạy cảm với nhiễu bên ngoài hơn và bởi vậy khó sử dụng hơn. Mạch tích hợp tuyến tính 1. • Các vi mạch tuyến tính thường đòi hỏi các phần tử mắc thêm ở mạch ngoài nhiều hơn so với các IC số để hoàn thành một chức năng nào đó. • Vi mạch tuyến tính thường được phân thành 2 loại chính là: tổ hợp vi mạch tranzito-điốt và vi mạch chuyên dụng. và vi mạch khuếch đại thuật toán.4.4. . Khái niệm • Vi mạch tuyến tính được hiểu là các tổ hợp vi mạch có các tín hiệu trên lối ra tỷ lệ với tín hiệu trên lối vào theo quy luật đường thẳng.

IC khuếch đại thuật toán a.2. Ký hiệu .

Dải tần số làm việc Δf → ∞ .Trở kháng vào Zvào → ∞ .• Một bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng phải đạt được các tiêu chuẩn sau: .Trở kháng ra Zra → 0 .Hệ số khuếch đại điện áp Ku → ∞ .

b. Sơ đồ nguyên lý mạch khuếch đại thuật toán .

c. Đặc tuyến truyền đạt của IC khuếch đại thuật toán U ra U vào đảo U vào không đảo U vào .

Mạch ứng dụng Khuếch đại đảo dùng IC thuật toán .d.

Mức Low (thấp): 0V đối với IC CMOS và 0.5. Logic 1 và logic 0 để chỉ hai trạng thái đối nghịch nhau: Đóng và mở. Tín hiệu số (Digital signal) là tín hiệu có trị giá nhị phân (0 và 1).Mức High (cao): 5V đối với IC CMOS và 3. Mạch tích hợp logic( IC số) • Là loại IC xử lý tín hiệu số.6V đối với IC TTL . đúng và sai.4. • Hai mức điện thế tương ứng với hai trị giá (hai logic) đó là: .3V đối với IC TTL Thông thường logic 1 tương ứng với mức H. cao và thấp… . logic 0 tương ứng với mức L.

• Về công nghệ chế tạo, IC digital gồm các loại: - RTL: Resistor – Transistor logic - DTL: Diode – Transistor logic - TTL: Transistor – Transistor logic - MOS: metal – oxide Semiconductor - CMOS: Complementary MOS

Nguyên lý xây dựng phần tử NAND loại TTL

Nguyên lý xây dựng phần tử NOR với cực colecter để hở

IC logic : là để thực hiện một phÐp to¸n logic chóng ® ược tạo thành từ c¸c hàm logic c¬b¶n: AND, NAND, OR, NOR

1.Chương 5: Dụng cụ hiển thị 5.1.Tinh thể lỏng là loại vật liệu hữu cơ có cấu tạo dạng tinh thể nhưng ở dạng lỏng trong điều kiện thường. nguyên lý làm việc. .1. . Hiển thi tinh thể lỏng (LCD: Liquid Crystal Display ) 5. Cấu tạo.

. ánh sáng sẽ chỉ phản xạ theo một hướng và ta nhận biết được ánh sáng phản xạ đó .Vật liệu bao gồm các phần tử dạng elip. khi không có dòng qua vật liệu thì các phần tử được sắp xếp song song với nhau.Vì vậy nếu ta chiếu ánh sáng vào vật liệu.

Kết quả là các phần tử được sắp xếp hỗn loạn nên khi ta chiếu ánh sáng vào vật liệu thì ánh sáng đó phản xạ theo nhiều hướng và ta dễ dàng nhận được ánh sáng đó.. .Khi có dòng điện chạy qua vật liệu thì do các điện tích chuyển động sẽ đẩy các phần elip với các phần các nhau.

kỹ thuật vi điện tử.2.Ứng dụng: • Mặt chỉ thị cho đồng hồ • Máy tính • Các thiết bị đo số. . • Màn hình ti vi… .Nhược điểm: khoảng nhiệt độ làm việc hẹp ( 10550c). Ưu.5.LCD tiêu thụ dòng điện rất nhỏ. phù hợp với các thiết bị đo dùng mạch tổ hợp. tuổi thọ làm việc của thiết bị không cao. nhược điểm và ứng dụng .1. . kích thước bé.

5. 2. . đo lường về nguyên lý làm việc.Là dụng cụ điện tử để biến đổi tín hiệu điện thành hình ảnh để có thể quan sát. Ống tia điện tử (CRT: Catot Ray Tube) 1.2.Ống tia điện tử khống chế bằng từ trường .Ống tia điện tử khống chế bằng điện trường. Khái niệm . Phân loại .

UDC thay đổi càng âm thì điện tử càng bị cản nên số điện tử đến màn càng ít.Katot (C) được nung nóng bởi sợi nung ab có dòng chạy qua và có nhiệm vụ tạo ra tia điện tử. Súng điện tử: Có nhiệm vụ tạo ra tia điện tử có vận tốc lớn. Súng điện tử bao gồm: .3. . Ống tia điện tử điều khiển bằng điện trường Ống tia điện tử gồm 3 bộ phận chính: a. .Cực điều khiển (D): Điều khiển số điện tử đến màn.

C G A1 A2 X1 X2 Y1 a b E Y2 Màn huỳnh quang .

. . A2 phân cực thuận. .Điện áp Uy đặt vào Y1Y2 thì tạo ra điện trường lái tia theo chiều thẳng đứng.Anôt A1. b. Hệ thống làm lệch (lái tia): có tác dụng lái tia điện tử cho phù hợp với dạng tín hiệu.Điện áp Ux đặt vào X1X2 thì tạo ra điện trường lái tia theo phương ngang. Các Anot này có tác dông gia tốc cho điện tử để chúng đạt vận tốc lớn. gồm: 2 cặp xuyến X1X2 và Y1Y2 đặt vuông góc nhau: . có điện thế khoáng vài trăm volt.

• Các điện cực nói trên được đặt trong ống thủy tinh có độ chân không cao. Màn sáng .Chất huỳnh quang được bôi vào mặt trong của đáy ống. . C.• Kết hợp các điện trường đó làm cho tia điện tử đi theo quỹ đạo của tín hiệu.

. điện tử nhanh chóng trở về mức năng lượng ban đầu và giải phóng mức năng lượng: W1 – W2 dưới dạng ánh sáng.Khi có điện tử bắn phá vào điểm nào đó của màn sáng thì điện tử của chất huỳnh quang được tăng năng lượng từ W1 – W2 nhưng mức năng lượng này không bền vững..

t= 10us – 10s .. Tùy theo kết cấu của chất huỳnh quang có dư huy khác nhau.Tham số quan trọng của ống tia tia® iÖn tö là độ dư huy: là khoảng thời gian kể từ khi điểm nào đó của màn sáng bắt đầu phát sáng đến khi ánh sáng tại điểm đó hết.

4. Ống tia điện tử điều khiển bằng từ trường.
Gồm 3 bộ phận: a. Súng điện tử: Tương tự như súng điện tử của ống tia điện tử điều khiển bằng điện trường. b. Hệ thống làm lệch (lái tia) Gồm 2 cuộn dây X1X2 , Y1Y2 đặt vuông góc với nhau: - Cuộn X 1X2 tạo ra đường sức từ trường theo phương thẳng đứng sẽ gây ra từ lực FX theo phương ngang. -.

• Cuộn Y1Y2 tạo ra đường sức từ trường theo phương ngang sẽ gây ra từ lực Fy theo phương đứng và sau đó có tác dụng lái tia điện tử tương tự ống tia điện tử khống chế bằng điện trường

X1

Fy Fx Y2

Y1

X2

c. Màn sáng: Tương tự như ống tia điện tử điều
khiển bằng điện trường

5. Ứng dụng • Ống hiện sóng • Ống thu hình .

Chương 6: Dụng cụ điện thanh 6.2. Định nghĩa .Là dụng cụ giúp lan truyền âm thanh nhờ các phần tử điện. 6. Loa 6.1.Là dụng cụ điện thanh có tác dụng biến đổi năng lượng điện âm tần thành năng lượng âm thanh. Khái niệm dụng cụ điện thanh .1.2. .

Các tham số • • • • Công suất danh định của loa Điện áp danh định của loa Trở kháng danh định của loa Thanh áp của loa: biểu thị độ nhạy của loa.2. loa nào có thanh áp lớn hơn thì độ nhạy cao hơn. Với cùng một công suất âm tần cung cấp cho loa.6. • Đáp tuyến tần số của loa: biểu thị sự biến đổi của thanh áp chuẩn của loa khi tần số thay đổi.2. .

3. Cấu tạo loa điện động. loa tinh thể.2. Loa điện từ ( hay còn gọi loa kim) a. Cấu tạo d g đ c a e f b . loa điện từ.6. 1.

có thể là hình móng ngựa hay hình trụ • b: cuộn dây • c: lưỡi gà.• a: nam châm. một đầu gắn vào lưỡi gà. một đầu gắn vào chóp loa . gắn với màng loa để màng loa rung động • d: màng loa • e: 2 miếng sắt hình chữ U • f: các miếng sắt non • g: cần câu.

• Khi dòng điện âm tần chạy qua cuộn ây loa thì tạo nên từ trường biến đổi. Màng loa rung động và phát ra âm thanh. Hệ thống cần câu này truyền rung động tới màng loa. Nguyên tắc hoạt động • Khi chưa có dòng điện âm tần chạy qua cuộn dây thì cuộn dây và lưỡi gà nằm trong một từ trường không đổi của nam châm.b. . Lưỡi gà nằm trong từ trường này nên bị rung động theo tần số của dòng điện chạy qua cuộn dây.

• Chất lượng kém. tiếng bổng đều bị cắt và có tiếng kêu do lưỡi gà hút về một bên. nhược điểm của loa điện từ • Cấu tạo đơn giản.c. tiếng trầm. . Ưu.

2. Loa tinh thể ( loa sứ áp điện) a. Cấu tạo g a e d e f .

• • • • • • a: miếng sứ áp điện có tráng bạc ở hai mặt c: miếng cao su truyền động d: nón loa bằng giấy g: sườn loa e: nắp đậy f: hai dây dẫn điện .

• Sự rung động đó truyền qua miếng cao su tới nón loa và loa phát ra âm thanh. Nguyên tắc hoạt động • Sứ áp điện có nhiều loại có tính chất áp điện khi đưa một điện áp âm tần vào hai mặt của tấm sứ áp điện thì nó sẽ rung lên theo nhịp điệu âm tần. .b.

dễ lắp ráp. . ít trầm. dễ sửa chữa.c. tiêu thụ ít công suất âm tần • Tiếng loa có nhiều thanh. giá thành hạ. Ưu nhược điểm của loa sứ áp điện • Cấu tạo đơn giản.

Loa điện động a.3. Cấu tạo Ống ngoài loa Động cơ loa ống giữa Ống trong cùng .

cuộn dây và màng loa bằng nhựa cứng và tròn và lồi. • Vành loa thường gồm có 3 ống: ống trong cùng hinh trụ nhỏ nhất. • Động cơ loa có nam châm.• Loa nén có hai phần: động cơ loa và vành loa. ống ở giữa hình trụ lớn hơn. khe từ. ống ngoài cùng to và loe rộng ra. .

ống ngoài. làm cho thể tích không khí dao động bị dao động tăng dần lên. Nguyên lý hoạt động • Khi dòng điện âm tần chạy qua cuộn dây thì làm cho cuộn dây rung lên. âm thanh phát ra được phóng ra phía trước. ống giữa. tiếng loa phát ra rất to. lần lượt qua các ống nhỏ.b. . truyền rung động đến màng loa.

dải tần hẹp. Loa nén chỉ nên dùng ở ngoài trời. không nên đặt trong hội trường. nơi ồn ào. . Ưu.c. nhược điểm • Hiệu suất cao • Chất lượng âm thanh kém.

Loa giấy có vành hướng thanh a.5 w 0W . Cấu tạo 240 V 120V 30V 0V 10W 5W 1.4.

240V để đấu lên đường dây truyền thanh có điện áp tương ứng. • Bên thứ cấp đấu vào các loa và cũng có 3 đầu ứng với các mức công suất cung cấp cho loa • Các loa này có vành hướng thanh có tiếng phát ra trầm âm nên có thể trang âm trong hội trường . 120V.• Các loa này dùng dùng kèm biến áp. Bên sơ cấp biến áp có các đầu 30V.

dùng trang âm trong công viên. quảng trường.Loa nón có chất lượng âm thanh cao.2.6. 25 W. . Tổ hợp loa 1.3. thường gặp loại 10 W.Biến áp loa có cấu tạo như sau: 2000ohm 1500 16 ohm 8 0 1000 500 250 0V . Loa nón – loa chùm .

• Loa chùm kiểu này chất lượng âm thanh kém hơn. . ồn ào.• Người ta thường bố trí vài ba loa nón thành loa chùm để phục vụ những nơi đông người . nhưng phạm vi phục vụ rộng hơn.

2. • Bố trí loa như vậy thì loa có hướng tính tỏa rộng ra xung quanh nhưng lại thu hẹp theo chiều thẳng đứng. Loa cột • Gồm một số loa điện động màng giấy đạt trong một hộp gỗ hoặc sắt dài. bên trong các chất hút ẩm. rạp hát vừa đảm bảo chất lượng âm thanh. Do đó bố trí loa cột trong hội trường. vừa hạn chế được tiếng rú do âm thanh đập lên trần và sàn nhà dội trở lại micro .

5W Loa cột .10W 5W 2.

đó là thùng loa kín. . .• Thùng loa để chỉ toàn bộ hộp và các loa bên trong. • Có hai loại thùng loa: . Thùng loa nhằm cho hiệu quả của loa tăng lên.Loa được bố trí trong thùng kín nhưng ở mặt trước có một lỗ hổng được tính toán chính xác – gọi là thùng loa có lỗ hổng.Loa được bố trí trong thùng loa hoàn toàn kín.

Phải bố trí nhiều loa nguyên nhân chủ yếu vì mỗi loa chỉ làm việc tốt với một dải tần số nhất định. .• Trong thùng thường có từ hai tới 3 loa . có loại tới 5 loa.

Các tham số . Định nghĩa .3.6. có tác dụng biến đổi năng lượng của các dao động âm thanh thành năng lượng dao động điện âm tần.3.Đáp tuyến tần số . 6. Micrô 6.1.Là dụng cụ điện thanh.2.Độ nhạy .3.

3. Các loại micrô • • • • • Micrô điện động (micro cuộn dây) Micrô băng Micrô tinh thể Micrô tụ điện Micrô than .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful