Apresentação ii

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar / Leonardo Wayland Torres Silva
Apresentação


Este texto foi elaborado como referência para a disciplina Eletrônica de
Potência ministrada no curso de graduação em Engenharia Elétrica da
Universidade Federal do Rio Grande do Norte. Foi empregada uma análise
simples e concisa dos fundamentos da Eletrônica de Potência, observando
também suas evoluções e novas tendências.

Inicialmente, é feita uma introdução ao conteúdo, trazendo conceitos,
definições, termos, dispositivos, esquemas, formulações e gráficos, que serão
empregados no decorrer do assunto, sendo, também, considerados uma breve
evolução histórica e aplicações práticas da Eletrônica de Potência, a fim de
situá-la no seu contexto atual. Além disso, é realizado um estudo sucinto da
Física envolvida nos dispositivos semicondutores de potência.

Em seguida, são abordados os dispositivos semicondutores de potência
mais comumente utilizados, observando suas camadas semicondutoras
(dopagem), modelos equivalentes, curvas características, propriedades de
disparo e chaveamento, tipos, ligações e aplicações.

Posteriormente, são analisados os circuitos conversores empregados, em
Eletrônica de Potência, para controlar ou condicionar a energia elétrica, através
da conversão de potência elétrica. Dentre estes circuitos, são analisados os
retificadores controlados e não-controlados, os choppers e os inversores, cada
qual tratado em um capítulo, de forma a permitir uma análise mais simples e
detalhada destes conversores.

Por fim, tem-se os Apêndices, que visam permitir um maior
aprofundamento do conteúdo, através de tópicos mais específicos e detalhados,
os quais foram omitidos, durante o desenvolvimento dos capítulos, com o
propósito de tornar o estudo mais claro e objetivo.

As referências bibliográficas, tratadas ao final, oferecem condições de um
maior desenvolvimento em assuntos de caráter específico, a cerca daqueles
apresentados. Ainda, vale a pena salientar que este trabalho é uma coletânea de
assuntos fundamentais relacionados à Eletrônica de Potência, sendo alguns
desenvolvidos, acrescentados e aperfeiçoados, para fornecer melhor ênfase e
didática ao conteúdo, e outros transcritos da bibliografia citada, para não
perder em qualidade e não descaracterizar a escrita do autor.

Além disso, este material deve sofrer freqüentes atualizações e possíveis
correções, em virtude da constante evolução tecnológica observada no campo
da Eletrônica de Potência e de eventuais erros cometidos no próprio texto, pelos
quais, desde já, pedimos a colaboração de todos os leitores, informando sobre as
falhas detectadas.
Índice iii
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Índice


Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência .....................................1
1.1. Introdução..............................................................................................................1
1.2. Evolução Histórica................................................................................................2
1.3. Física dos Semicondutores ..................................................................................3
1.4. Dispositivos Semicondutores de Potência ........................................................5
1.5. Efeitos da Conversão de Potência ....................................................................12
1.6. Tipos de Circuitos ...............................................................................................13
1.7. Aplicações ............................................................................................................16
1.8. Projetos de Equipamentos .................................................................................17

Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência ......................18
2.1. Introdução............................................................................................................18
2.2. Diodos de Potência .............................................................................................18
2.2.1. Generalidades.......................................................................................................18
2.2.2. Aspectos Contrutivos ............................................................................................19
2.2.3. Características de Operação ...................................................................................19
2.2.4. Tipos ....................................................................................................................25
2.2.5. Ligações ...............................................................................................................26
2.3. Tiristores...............................................................................................................28
2.4. Transistores..........................................................................................................34
2.4.1. Transistor de Junção Bipolar ..................................................................................35
2.4.2. Mosfet de Potência ................................................................................................39

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados ............................................43
3.1. Introdução............................................................................................................43
3.2. Circuitos Básicos ................................................................................................. 43
3.3. Análises de Retificadores...................................................................................45
3.3.1. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga Resistiva .....................................45
3.3.2. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RL..............................................48
3.3.3. Retificador Monofásico com Carga RL e Força Eletromotriz .....................................53
3.3.4. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RC..............................................56
3.3.5. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga LC..............................................57
3.3.6. Circuito Inversor de Carga do Capacitor .................................................................57
3.3.7. Retificador Monofásico de Onda Completa Tipo Ponte ............................................58
Índice iv
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
3.3.8. Retificador Multifásico ..........................................................................................59
3.3.7. Retificador Trifásico Tipo Ponte .............................................................................59

Capítulo 4 – Retificadores Controlados.......................................................61
4.1. Introdução............................................................................................................61
4.2. Princípio de Operação........................................................................................61
4.3. Retificadores Controlados Monofásicos .......................................................... 63
4.3.1. Retificador Semicontrolado....................................................................................63
4.3.2. Retificador Totalmente Controlado.........................................................................64
4.3.3. Retificador Duplamente Controlado .......................................................................65
4.3.4. Retificadores Controlados Monofásicos em Série .....................................................66
4.4. Retificadores Controlados Monofásicos .......................................................... 69
4.4.1. Retificador Semicontrolado....................................................................................69
4.4.2. Retificador Totalmente Controlado.........................................................................70
4.4.3. Retificador Duplamente Controlado .......................................................................71
4.5. Considerações Sobre Projetos de Retificadores .............................................71

Capítulo 5 – Choppers..........................................................................................73
5.1. Introdução............................................................................................................73
5.2. Princípio de Operação........................................................................................73
5.3. Conversor Buck (Redutor de Tensão ou Step-Down) ................................... 74
5.4. Conversor Boost (Elevador de Tensão ou Step-Up) ......................................76
5.5. Conversor Buck-Boost (Fly-back).....................................................................78
5.6. Conversor Cuk ....................................................................................................80
5.7. Conversor Tipo Ponte ........................................................................................ 81

Capítulo 6 – Inversores ........................................................................................84
6.1. Introdução............................................................................................................84
6.2. Princípio de Operação........................................................................................85
6.3. Inversor Monofásico em Ponte .........................................................................87
6.4. Inversor Trifásico ................................................................................................88
6.5. Inversor Trifásico em Ponte ..............................................................................89
6.6. Inversor de Fonte de Corrente (IFC) ................................................................91
6.7. Controle de Tensão de Inversores Monofásicos.............................................93

CAPITULO 7 – APLICAÇÃO A FONTE DE ALIMENTAÇÃO...98
7.1. Introdução........................................................................................................... 98
7.2. Fontes Chaveadas vs Fontes Lineares ............................................................. 99
Índice v
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
7.3. Conversor CC-CC com ISOLAMENTO ELETRICO..................................... 99
7.4. CONVERSOR FLYBACK..................................................................................99
7.5. CONVERSOR FORWARD (derivado do step-down) ................................ 100
7.6. CONVERSORES CC-CC BIDIRECCIONAIS .............................................. 103
7.7. CONTROLE DE UMA FONTE CHAVEADA CC. .........................................105
7.8 FONTES DE ALIMENTAÇÃO C.A..................................................................107
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 1
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência


1.1. Introdução

A Eletrônica de Potência pode ser definida como a área da Técnica onde os
dispositivos semicondutores são usados em: conversão, controle, chaveamento
e processamento da energia elétrica. Desta maneira, a tarefa da Eletrônica de
Potência é oferecer o tratamento adequado ao fluxo de potência elétrica, através
da modelagem das fontes de energia elétrica e dos circuitos conversores,
usando dispositivos semicondutores de potência.

Basicamente, existem três áreas que interagem nas aplicações da Eletrônica
de Potência, a saber: Equipamentos de potência, estáticos ou rotativos;
Eletrônica, com dispositivos e/ ou circuitos; Controle, analógico ou digital
(Figura 1-1). Assim, o projeto de circuitos de Eletrônica de Potência requer o
desenvolvimento dos circuitos de potência e de controle, sendo este último de
vital importância, visto que, além de definir e monitorar a conversão, também
reduz as tensões e correntes harmônicas geradas pelos conversores de energia.



Figura 1-1 – Áreas que interagem em aplicações da Eletrônica de Potência.

O potencial de aplicações da Eletrônica de Potência torna-se cada vez mais
amplo, à medida que são desenvolvidas novas tecnologias, para dispositivos
semicondutores de potência e circuitos integrados. Dispositivos de potência,
para chaveamento rápido, são desenvolvidos com limites de tensão e corrente
cada vez maiores. Tais dispositivos, juntamente com a aplicação de
microprocessadores modernos, na sintetização da estratégia de controle, estão
permitindo alcançar maiores especificações de conversão. Além disso, outro
fator importante, para essa crescente evolução, é a disponibilidade comercial de
um grande número destes dispositivos semicondutores de potência.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 2
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
1.2. Evolução Histórica

Ocorreram grandes avanços nos dispositivos semicondutores de potência,
desde o primeiro tiristor. Até 1970, os tiristores convencionais eram usados
apenas no controle de potência de aplicações industriais. A partir daí, vários
tipos de dispositivos semicondutores de potência foram desenvolvidos e
disponibilizados comercialmente. Toda esta evolução histórica da Eletrônica de
Potência (mostrada cronologicamente na Figura 1-2) teve início em 1900, com o
retificador a arco de mercúrio e continuou, gradativamente, com a introdução
de vários outros dispositivos, tais como: o retificador de tanque metálico, o
retificador em tubo a vácuo de grade controlada, o ignitron e o tiratron.



Figura 1-2 – Evolução histórica da Eletrônica de Potência.

Com invenção do transistor de silício, em 1948, por Bardeen, Brattain e
Schockley da Bell Telephone Laboratories, aconteceu a primeira revolução da
Eletrônica. Fato este que deu origem à maioria das tecnologias da Eletrônica
avançada de hoje. A evolução da Microeletrônica moderna se deu a partir da
destes semicondutores de silício. Em 1956, foi realizada, também pela Bell
Telephone Laboratories, a próxima grande descoberta, a invenção do transistor
disparável PNPN, denominado de tiristor ou retificador controlado de silício
(do inglês silicon-controlled rectifier – SCR).

O desenvolvimento do tiristor comercial, em 1958, pela General Electric
Company, deu início a segunda revolução da Eletrônica, o que originou
diferentes tipos de dispositivos semicondutores de potência e técnicas de
conversão, possibilitando a capacidade de determinar e controlar a forma de
enormes quantidades de potência, de maneira eficaz, revolucionando a
Eletrônica de Potência. Esta evolução permitiu, também, a revolução da
Microinformática, através do desenvolvimento do processamento de
informações, em grandes quantidades e velocidades.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 3
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Neste contexto, houve uma união entre os ramos da Eletrônica de Potência
e da Microeletrônica, fato que ampliou, de forma significativa, os seus
potenciais de aplicações. Esta tendência deve continuar, de maneira que, nos
próximos anos, a energia elétrica, em algum ponto de sua transmissão, estará
sujeita à Eletrônica de Potência.

1.3. Física dos Semicondutores

O fluxo de corrente elétrica, em um meio, depende da aplicação de um
campo elétrico e da existência de portadores livres (usualmente, elétrons), neste
meio. Nos metais, a densidade de portadores livres é alta (da ordem de
10
23
/ cm
3
), enquanto, nos materiais isolantes, o valor é baixo (em torno de
10
3
/ cm
3
). Já, nos semicondutores, há densidades intermediárias (na faixa de 10
8
a 10
19
/ cm
3
). Tais densidades, nos condutores e isolantes, são propriedades dos
materiais, enquanto, nos semicondutores, podem ser variadas pela adição de
outros materiais (impurezas), ou, pela aplicação de campos elétricos.

Isto ocorre pelo fato dos átomos (Carbono, Silício, Germânio etc.), ou
moléculas de mesma propriedade, dos materiais semicondutores possuírem
quatro elétrons na última camada, permitindo o estabelecimento de ligações
muito estáveis, através do compartilhamento dos elétrons externos, por átomos
vizinhos (ligação covalente), criando um arranjo com oito elétrons na camada
de valência (Figura 1-3).



Figura 1-3 – Estrutura cristalina de um material semicondutor.

A ionização térmica destes materiais, isto é, a quebra de ligações, criando
elétrons livres, ocorre em temperaturas acima do zero absoluto (–273 °C). O
átomo que perde elétrons se torna positivo. Enquanto isso, eventualmente,
elétrons também escapam de outras ligações e, atraídos pela carga positiva do
átomo, preenchem a ligação covalente. Desta forma, há uma movimentação
relativa da carga positiva, denominada de lacuna, devido ao deslocamento dos
elétrons de suas ligações covalentes, para ocupar outras. Assim, a ionização
térmica gera o mesmo número de elétrons e lacunas (Figura 1-4).
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 4
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar


Figura 1-4 – Movimentação de elétrons e lacunas no semicondutor.

Assim sendo, quando se faz a dopagem, ou seja, adição de átomos de
materiais, que possuam três (Alumínio ou Boro) ou cinco (Fósforo) elétrons na
camada de valência, à estrutura dos semicondutores, os átomos vizinhos a estas
impurezas terão suas ligações covalentes com falta ou excesso de elétrons (Figura
1.5). Neste caso, não há mais equilíbrio, existindo excesso de elétrons livres, nos
materiais dopados com elementos de cinco elétrons, na camada de valência
(semicondutores tipo N), ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos de
três elétrons (semicondutores tipo P). Contudo, o material permanece
eletricamente neutro, já que a quantidade total de elétrons e prótons é a mesma.



Figura 1-5 – Dopagem de semicondutores.

A movimentação de lacunas, no material tipo P, ocorre quando uma
destas captura um elétron livre, de modo que as lacunas são denominadas de
portadores majoritários e os elétrons de portadores minoritários. Já, no material
tipo N, a movimentação do elétron excedente ioniza o átomo e este, então,
captura outro elétron livre, sendo os elétrons os portadores majoritários e as
lacunas, os minoritários.

A dopagem de impurezas (menor ou igual a 10
19
/ cm
3
) é feita, tipicamente,
em níveis muito menores que a densidade de átomos do material semicondutor
(10
23
/ cm
3
), de modo que as propriedades de ionização térmica não sejam
afetadas. Além disso, a concentração de impurezas é muitas ordens de
grandeza superior à densidade de portadores gerados por efeito térmico
(10
10
/ cm
3
, para o Si, à temperatura ambiente), tornando as densidades de
lacunas e elétrons (embora diferentes entre si, neste caso) iguais,
respectivamente, às densidades de impurezas aceitadoras e doadoras de elétrons.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 5
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Quando um campo elétrico for aplicado a um material semicondutor, as
lacunas se movimentarão no sentido do campo decrescente, enquanto os
elétrons seguirão em sentido oposto. Esta corrente é função de um parâmetro
denominado mobilidade, que depende do material, do tipo de portador e, em
geral, diminui com o quadrado do aumento da temperatura. Outro fator
determinante da movimentação de portadores é a difusão, que ocorre quando há
regiões adjacentes com diferentes concentrações. O movimento aleatório dos
portadores tende a equalizar essa dispersão no meio, através da migração de
portadores das regiões mais concentradas, para as mais dispersas.

1.4. Dispositivos Semicondutores de Potência

Os dispositivos semicondutores de potência têm sofrido grandes
evoluções tecnológicas e se tornado cada vez mais comuns comercialmente.
Durante a análise de circuitos, é comum considerar estes dispositivos como
sendo ideais, isto é, atendendo as seguintes condições:

a. Têm uma queda de tensão nula, no estado de condução;
b. Suportam tensões infinitas, no estado desligado;
c. Admitem correntes diretas infinitas;
d. Apresentam correntes reversas nulas;
e. Possuem uma velocidade de chaveamento infinita;

A Figura 1-6 mostra a distribuição de valores de tensão de bloqueio, corrente de
condução e freqüência de comutação, para alguns dispositivos semicondutores.



Figura 1-6 – Valores de operação de dispositivos semicondutores de potência.

Em geral, tais dispositivos podem ser divididos em seis tipos: diodos de
potência; tiristores; transistores de junção bipolares (BJTs); MOSFETs de
potência; transistores bipolares de porta isolada (IGBTs); e, transistores de
indução estática (SITs). Os tiristores ainda podem ser subdivididos em tiristores
de comutação natural (pela rede) ou forçada. Os tipos mais comuns de tiristores
são: controlado de silício (SCR); indução estática (SITH); desligamento pelo
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 6
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
gatilho (GTO); controlado por MOS (MCT); condução em ambos os sentidos
(TRIAC); controlado de silício ativado por luz (LASCR); condução reversa
(RCT); e, desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT). O Quadro 1-1 mostra as
curvas características e os símbolos de alguns destes dispositivos, os quais são
tratados, de forma sucinta, a seguir, sendo feita uma análise mais profunda no
Capitulo 2 (Dispositivos Semicondutores de Potência), deste trabalho.

DISPOSITIVOS SÍMBOLOS CURVAS CARACTERÍSTICAS
Diodo


SCR


SITH

GTO

MCT


TRIAC


Tiristor
LASCR


BJT


MOSFET

IGBT

SIT



Quadro 1-1 – Características e símbolos de alguns dispositivos semicondutores de potência.

Os diodos de potência, mostrados na Figura 1-7, tal qual os diodos de
circuitos eletrônicos de baixa potência, possuem dois terminais: um catodo e
um anodo. Eles conduzem quando a tensão de anodo for maior que a de
catodo, sendo a queda de tensão direta muito baixa (tipicamente de 0,5 a 1,2 V).
Se a tensão de anodo for menor que a tensão de catodo, o diodo não conduz,
ficando no denominado modo de bloqueio. Os diodos de potência são divididos
em três tipos:
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 7
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
a. Genéricos, fornecidos com faixas que podem ir até 5 kV, 5 kA e tempo de
recuperação reversa variando entre 0,1 e 5 µs;
b. Alta velocidade, com faixas chegando até 3 kV, 1 kA e tempo de
recuperação reversa de 0,1 a 5 µs, sendo essenciais no chaveamento, em alta
freqüência, dos conversores de potência;
c. Schottky, com valores nominais limitados a 40 V, 60A e tempo de
recuperação bastante pequeno, possuindo uma baixa queda de tensão, em
sentido direto, e uma corrente de fuga que aumenta com a faixa de tensão.



Figura 1-7 – Configurações de diodos de potência.

Os tiristores têm três terminais: anodo, catodo e gatilho. Estes dispositivos
conduzem quando o potencial do anodo é superior ao do catodo e uma
pequena corrente passa do terminal do gatilho para o do catodo, apresentando
uma a queda de tensão direta muito pequena (normalmente de 0,5 e 2 V). Uma
vez no modo de condução, o circuito do gatilho não tem mais controle sobre o
tiristor, o qual continua a conduzir. Para desligar o tiristor em condução, é
necessário tornar o potencial do anodo igual ou inferior ao do catodo, sendo o
tempo de desligamento definido como o intervalo entre o instante em que a
corrente principal (de anodo para catodo) é diminuída a zero e o instante em
que o tiristor é capaz de suportar uma tensão principal específica, sem ligar
novamente. Os tiristores se dividem em dois tipos:

a. Tiristores de comutação forçada: desligados por um circuito extra, chamado
circuito de comutação;
b. Tiristores de comutação natural (ou pela rede): desligados devido à
natureza senoidal da tensão de entrada.

Valores nominais fornecidos para os tiristores vão até 5 kV, 5 kA e o tempo de
desligamento de tiristores de bloqueio reverso de alta velocidade chega a ser de
10 a 20 µs. A Figura 1-8 apresenta várias configurações de tiristores.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 8
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar


Figura 1-8 – Configurações de tiristores.

Os SITHs e os GTOs são tiristores autodesligáveis, isto é, não necessitam
de circuitos de comutação, mas não dependem, exclusivamente, da rede, para
serem desligados. Estes componentes são comandados pela aplicação, ao
gatilho, de curtos pulsos, positivos, para ligá-los, e negativos, para desligá-los.
Os SITHs são fornecidos em até 4 kV, 2,2 kA, sendo usados em conversores de
alta potência, com freqüências de dezenas de kHz e bem maiores que a faixa de
freqüência dos GTOs, os quais possuem valores nominais de até 4,5 kV, 3 kA,
também sendo atrativos para a comutação forçada de conversores. Os MCTs
são ligados por um pequeno pulso de tensão negativa, em relação ao anodo, na
porta MOS, e desligados por outro pulso, só que positivo. Possuem um alto
ganho de desligamento e estão disponíveis em até 600 V, 60 A.

Os TRIACs são amplamente utilizados em aplicações de corrente
alternada de baixa potência, como o controle simples de aquecimento,
iluminação, máquinas elétricas e chaves. As características dos TRIACs são
semelhantes aquelas de dois tiristores conectados em antiparalelo, tendo apenas
um terminal de gatilho, de maneira que a corrente, que flui através do TRIAC,
pode ser controlada em ambos os sentidos.

Para sistemas de potência em alta tensão, é apropriado o uso de tiristores
ativados por luz (LASCRs), encontrados em até 6 kV, 1,5 kA, com velocidades
de chaveamento de 200 a 400 µs. Além dos tipos de tiristores citados no Quadro
1-1, também merecem destaque os RCTs e os GATTs, por serem amplamente
usados no chaveamento, em altas velocidades. Os RCTs são similares a um
tiristor e um diodo ligados em antiparalelo, sendo oferecidos em até 2,5 kV, 1
kA, com uma velocidade de chaveamento de 40 µs. Os GATTs estão disponíveis
em até 1,2 kV, 0,4 kA, com um tempo de chaveamento igual a 8 µs.

Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 9
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Normalmente usados em conversores, com freqüências menores que 10
kHz, os transistores bipolares (BJTs) de alta potência, assim como nos circuitos
eletrônicos de baixa potência, possuem três terminais: base, emissor e coletor; e
sua faixa chega até 630 V, 50 A. Em geral, é encontrado operando como uma
chave, na configuração emissor comum, onde o transistor NPN permanece ligado
(em condução), enquanto a junção de coletor para emissor estiver
adequadamente polarizada e a corrente de base (devido à base possuir um
potencial maior que o do emissor) for suficiente para manter o transistor na
região de saturação. Caso seja retirada a tensão de excitação da base, o
transistor ficará desligado (não conduz). Em condução, um transistor apresenta
uma queda de tensão direta da ordem de 0,5 a 1,5 V. Variadas configurações de
transistores bipolares são mostradas na Figura 1-9.



Figura 1-9 – Configurações de transistores NPN.

Os MOSFETs de potência são empregados em conversores de potência de
alta velocidade, com valores nominais relativamente baixos, em torno de 500 V,
50 A. Sua faixa de freqüência é da ordem de várias dezenas de kHz, sendo
caracterizados por possuírem uma velocidade de chaveamento muito rápida. A
Figura 1-10 mostra várias configurações de MOSFETs.



Figura 1-10 – Configurações de MOSFETs.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 10
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Usados em tensões e correntes elevadas, com freqüências de até 20 kHz, os
IGBTs são fornecidos em até 1,2 kV, 0,4 kA. Em geral, são transistores de
potência controlados por tensão, com características de excitação e chaveamento
bastante superiores aquelas dos BJTs comuns, porém menos velozes que os
MOSFETs. Algumas configurações de IGBTs são apresentadas na Figura 1-11.



Figura 1-11 – Configurações de IGBTs.

Os SITs são dispositivos apropriados para aplicações de alta potência e
alta freqüência (amplificadores de áudio, VHF/ UHF e microondas); pois, as
características de normalmente ligado e alta queda de tensão, em condução,
limitam o seu uso, em geral. Semelhantes aos JFETs, são considerados a versão,
em estado sólido, da válvula triodo a vácuo. Os SITs possuem valores nominais
de até 1,2 kV, 0,3 kA e tempos de disparo e desligamento muito curtos.
Apresentam pequenos valores de ruído e distorção. Tal qual para os SITs,
alguns valores nominais, disponíveis comercialmente, dos dispositivos
semicondutores de potência foram mostrados, anteriormente. Tais valores são
tratados, de modo mais detalhado, na Tabela 1-1.

Especificação
Dispositivo Tipo
Tensão
(V)
Corrente
(A)
Freqüência
Superior
(kHz)
Tempo de
Chaveamento
(µ µµ µs)
Genéricos 5000 5000 1 100
Alta Velocidade 3000 1000 10 2-5 Diodo
Schottky 40 60 20 0,23
SCR 5000 5000 1 200
SITH 4000 2200 20 6,5
GTO 4500 3000 10 15
MCT 600 60 20 2,2
TRIAC 1200 300 0,4 200-400
LASCR 6000 1500 0,4 200-400
RCT 2500 1000 5 40
Tiristor
GATT 1200 4000 20 8
Darlington 400 40 20 6
Transistor
Darlington 630 50 25 1,7
MOSFET Único 500 50 100 0,6
IGBT Único 1200 400 20 2,3
SIT Darlington 1200 300 100 0,55

Tabela 1-1 – Valores nominais de dispositivos semicondutores de potência.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 11
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Uma utilização comum dos dispositivos semicondutores de potência é a
sua operação como chave, através da aplicação de sinais de controle aos
terminais do gatilho (como nos tiristores) ou da base (como nos transistores).
Com a variação do tempo de condução destas chaves, a saída desejada é obtida.
A Figura 1-12 mostra as tensões de saída e de controle dos dispositivos de
chaveamento de potência mais usados, onde a queda de tensão, em condução,
foi considerada desprezível.



Figura 1-12 – Características de operação dos dispositivos de chaveamento de potência.

Tais dispositivos de chaveamento de potência podem ser classificados com
relação a vários fatores, os quais são relacionados na Tabela 1-2.

Fator Classificação Exemplos
Não-controlado Diodo
Disparo
Controlado SCR, SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT
Não-controlado Diodo e SCR
Desligamento
Controlado SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT
Contínuo BJT, MOSFET, IGBT e MCT
Sinal no gatilho
Pulso SCR, GTO e MCT
Unipolar GTO, BJT, MOSFET, IGBT e MCT
Tensão
Bipolar SCR e GTO
Unidirecional Diodo, SCR, SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT
Corrente
Bidirecional TRIAC e RCT

Tabela 1-2 – Fatores de classificação dos dispositivos de chaveamento de potência.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 12
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Dependendo de sua tipologia, os conversores de potência podem exigir
dois, quatro ou seis dispositivos, de maneira que os dispositivos de potência
estão disponíveis comercialmente tanto na forma individual, quanto na forma
de módulos. Estes módulos consistem em conjuntos de dispositivos, sendo os
tipos mais comuns com dois (configurações meia-ponte ou dual), quatro (pontes
completas), ou, seis (circuitos trifásicos) dispositivos. Tais módulos possuem as
seguintes vantagens, em relação aos dispositivos convencionais: a) Menores
perdas, em condução; b) Chaveamento de altas tensões; c) Corrente e
velocidade maiores; d) Proteção contra transientes

; e) Proteção ao circuito de
excitação da porta ou gatilho

. Algumas configurações de módulos são
apresentadas na Figura 1-13.



Figura 1-13 – Configurações de módulos.

Também existem os chamados módulos inteligentes, cada vez mais usados
em Eletrônica de Potência, que integram o módulo de potência a um circuito
periférico, cabendo ao usuário apenas conectar a fonte de alimentação. Tal
circuito periférico consiste em: a) Isolação entre entrada e saída; b) Circuito de
excitação; c) Circuito de diagnóstico e proteção (contra excesso de tensão e
corrente, curto-circuito, carga aberta e superaquecimento); d) Controle da fonte
de alimentação; e) Controle por microcomputador.

1.5. Efeitos da Conversão de Potência

A qualidade da energia entregue a cargas sensíveis, utilizando a Eletrônica
de Potência na conversão, é um desafio a ser resolvido. Neste contexto, a
qualidade de um conversor de potência pode ser julgada pelas suas formas de
onda de tensão e corrente, na entrada e na saída. Expressando tais formas de
onda através da série de Fourier, é possível encontrar seu conteúdo harmônico
e, conseqüentemente, determinar os fatores, que medem a performance destes
conversores, tais como: a) Distorção harmônica total, do inglês total harmonic
distortion (THD); b) Fator de deslocamento, do inglês displacement factor (HF); c)
Fator de potência na entrada, também do inglês input power factor (IPF).


Disponível apenas em alguns modelos de módulos.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 13
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Estes problemas, na qualidade da energia fornecida pelos conversores de
potência, ocorrem, principalmente, pelo fato de sua operação se basear no
chaveamento de dispositivos semicondutores de potência, o que resulta na
introdução de correntes e tensões harmônicas no sistema de alimentação e na
saída dos conversores (distorção da tensão de saída), além de poder causar
interferência nos circuitos de comunicação e sinalização. Desta forma, é
necessário reduzir o nível harmônico dos sistemas conversores a amplitudes
aceitáveis, através, geralmente, da introdução de filtros na entrada e na saída
dos conversores de potência. Na Figura 1-14, é mostrado o diagrama de blocos
de um conversor de potência generalizado.



Figura 1-14 – Diagrama de blocos de um sistema conversor de potência generalizado.

Além disso, no diagrama de blocos da Figura 1-14, também é tratado o
circuito de controle do chaveamento, componente básico da estratégia de controle
empregada, a qual é fundamental na redução da geração de harmônicos e da
distorção da forma de onda de saída. Tal circuito de controle pode sofrer
interferência, em radiofreqüência, devido à radiação eletromagnética dos
conversores de potência, gerando sinais de controle errôneos. Esta interferência
é corrigida, através do uso de blindagens aterradas.

1.6. Tipos de Circuitos

Os conversores estáticos realizam as funções de conversão de potência
elétrica, necessárias ao controle da energia, através das características de
chaveamento dos dispositivos semicondutores, sendo, assim, considerados
matrizes de chaveamento. Esta ação de chaveamento pode ser efetuada por
mais de um dispositivo semicondutor, de maneira que sua escolha é função das
exigências de tensão, corrente e velocidade da aplicação. Os circuitos utilizados
nos conversores de potência podem ser classificados em seis tipos, a saber:

a. Retificadores Não-Controlados: Os retificadores não-controlados, ou
retificadores com diodo, convertem tensões de corrente alternada (tensões
CA), monofásicas ou trifásicas, na entrada, em tensões de corrente contínua
(tensões CC) fixas, na saída, conforme mostrado no conversor da Figura 1-15.
Pelo fato da tensão CC de saída não ser controlável, é que estes conversores
são chamados de não-controlados.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 14
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar


Figura 1-15 – Circuito retificador não-controlado monofásico.

b. Retificadores Controlados: Também conhecidos como conversores CA-CC,
os retificadores controlados permitem, a partir de uma tensão de entrada
monofásica ou trifásica, o controle do valor médio da tensão de saída, através
da variação do tempo de condução dos dispositivos semicondutores de
potência empregados. Na Figura 1-16, é ilustrado um exemplo de retificador
controlado monofásico com dois tiristores, em comutação natural.



Figura 1-16 – Circuito retificador controlado monofásico.

c. Controladores de Tensão CA: Os controladores de tensão CA, também
chamados de conversores CA-CA, são empregados na obtenção de uma
tensão de saída CA variável, a partir de uma fonte CA fixa. Assim como nos
conversores CA-CC, o controle do valor da tensão de saída é feito pelo tempo
de condução do dispositivo semicondutor usado. Um controlador de tensão
CA monofásico com TRIAC é mostrado na Figura 1-17.



Figura 1-17 – Circuito controlador de tensão CA monofásico.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 15
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
d. Choppers: Para uma tensão CC de entrada fixa, os choppers, ou conversores
CC-CC, controlam a tensão CC média de saída, pela variação do tempo de
condução do dispositivo semicondutor de potência em uso. A Figura 1-18
contem um chopper com transistor.



Figura 1-18 – Circuito chopper.

e. Inversores: Os inversores, ou conversores CC-CA, fornecem tensões CA, na
saída, a partir de tensões CC, na entrada, por meio da comutação
(chaveamento) adequada dos dispositivos semicondutores de potência
utilizados. A Figura 1-19 mostra um inversor monofásico com MOSFETs.



Figura 1-19 – Circuito inversor monofásico.

f. Chaves Estáticas: Conforme citado anteriormente e observado em boa parte
dos circuitos analisados, os dispositivos semicondutores de potência são
comumente usados como chaves. Tais chaves estáticas CA ou CC têm muitas
vantagens sobre as chaves e relés eletromecânicos convencionais, pois podem
ser interfaceadas a sistemas digitais de controle ou mesmo a computadores.
Uma chave CA monofásica é ilustrada na Figura 1-20.



Figura 1-20 – Circuito de uma chave CA monofásica.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 16
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
1.7. Aplicações

Desde o antigo sistema Ward-Leonard, para obtenção de tensões CC
variáveis, que o controle da energia elétrica é uma necessidade, no acionamento
de máquinas elétricas, nos controles industriais e na conversão de potência
elétrica, em geral. Esta necessidade é cada vez maior e, junto com ela, também
cresce o desenvolvimento tecnológico na área da Eletrônica de Potência.

Combinando potência, eletrônica e controle, a Eletrônica de Potência vem
revolucionando e expandindo os conceitos e a gama de aplicações existentes,
para a conversão de energia elétrica, conforme também foi citado na seção 1.1.
Introdução, deste trabalho (ver Figura 1-1). A potência trata dos equipamentos
estáticos e rotativos, empregados na geração, transmissão e distribuição da
energia. Responsável pelos circuitos e dispositivos de estado sólido, a eletrônica
realiza o processamento de sinais, de modo a atingir os requisitos de controle
desejados. Por fim, o controle cuida das características dos regimes transitório e
permanente dos sistemas, em malha fechada.

Ocupando uma posição importante na tecnologia “de ponta”, a Eletrônica
de Potência possui uma ampla faixa de aplicações. Algumas destas aplicações
são mostradas a seguir, deixando claro como a Eletrônica de Potência é
utilizada no dia-a-dia:

– Aceleradores de partículas;
– Alarmes;
– Alta tensão CC (HVDC);
– Amplificadores de áudio;
– Bombas e compressores;
– Brinquedos;
– Caldeiras;
– Carregadores de bateria;
– Circuitos defletores de televisores;
– Compensação de potência reativa;
– Computadores;
– Condicionadores de ar;
– Contatores de estado sólido;
– Controle de aquecimento;
– Controle de iluminação;
– Controle de máquinas elétricas;
– Controle de sinais de trânsito;
– Dimmers;
– Eletrodomésticos;
– Eletroímãs;
– Exaustores;
– Ferramentas manuais;
– Fontes de alimentação;
– Fornos;
– Fotocópias;
– Gravações magnéticas;
– Guindastes e elevadores de cargas;
– Ignição eletrônica;
– Jogos;
– Máquinas de lavar;
– Mineração;
– Projetores de filmes;
– Refrigeradores;
– Reguladores de tensão;
– Relés estáticos;
– Secadores elétricos;
– Servomecanismos;
– Sistemas de segurança;
– Solda;
– Trens;
– Veículos;
– Ventiladores.
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 17
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
A Figura 1-21 apresenta uma relação entre as aplicações e a faixa de
freqüência dos dispositivos semicondutores de potência.



Figura 1-21 – Aplicações e faixas de freqüência dos dispositivos semicondutores de potência.

1.8. Projetos de Equipamentos

Conforme citado anteriormente, na seção 1.4. Dispositivos Semicondutores de
Potência, estes dispositivos, geralmente, são considerados ideais, para efeito de
análise. Além disso, o comportamento de fontes, cabos, conectores etc., também
é idealizado, desprezando os efeitos destas impedâncias adicionais ao circuito.
Desta forma, estes procedimentos serão adotados nas análises realizadas, em
capítulos subseqüentes, deste trabalho, a menos que seja informado o contrário.

No estágio inicial dos projetos, esta análise simplificada é bastante útil,
permitindo a compreensão dos circuitos e o desenvolvimento de uma estratégia
de controle. Entretanto, na prática, os dispositivos e circuitos diferem dessas
condições ideais, de modo que os projetos também deverão sofrer diferenças,
em suas análises finais. De um modo geral, os projetos de equipamentos,
usados na Eletrônica de Potência, podem ser divididos nas seguintes etapas:

1. Elaborar o projeto dos circuitos de potência;
2. Determinar a proteção dos dispositivos semicondutores de potência;
3. Criar uma estratégia de controle;
4. Desenvolver o projeto da lógica e dos circuitos de controle;
5. Investigar os efeitos dos parâmetros do circuito e dos dispositivos;
6. Construir um protótipo;
7. Realizar baterias de testes;
8. Estimar, mais precisamente, os parâmetros do circuito e dos dispositivos;
9. Verificar a validade do projeto;
10. Modificar o projeto, caso necessário.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 18
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Capítulo 2


Dispositivos Semicondutores de Potência


2.1. Introdução

Os dispositivos semicondutores de potência têm passado por constantes
evoluções tecnológicas e se tornado cada vez mais comuns comercialmente, de
maneira que é extremamente importante entender o comportamento de suas
camadas semicondutoras (dopagem), modelos, tipos, características de disparo
e chaveamento, circuitos equivalentes, cargas e ligações. Na Figura 1-5 do
Capítulo 1, pode ser observada uma distribuição de valores práticos para a
tensão de bloqueio, a corrente de condução e a freqüência de comutação de
alguns dispositivos semicondutores de potência.

Em geral, tais dispositivos são divididos em seis tipos: diodos de potência;
tiristores; transistores de junção bipolares (BJTs); MOSFETs de potência;
transistores bipolares de porta isolada (IGBTs); transistores de indução estática
(SITs). Os tiristores ainda podem ser subdivididos em vários tipos, tais como:
controlado de silício (SCR); indução estática (SITH); desligamento pelo gatilho
(GTO); controlado por MOS (MCT); condução em ambos os sentidos (TRIAC);
controlado de silício ativado por luz (LASCR); condução reversa (RCT);
desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT); controlados por FET (FET-CTHs).

2.2. Diodos de Potência

2.2.1. Generalidades

Os diodos semicondutores de potência (Ver Figura 1-6) atuam como
chaves, nas aplicações da Eletrônica de Potência, desenvolvendo vários tipos de
funções, tais como:

a. Chaveamento nos retificadores;
b. Comutação em reguladores chaveados (Free-Wheeling);
c. Inversão de carga de capacitores;
d. Isolação de tensões;
e. Transferência de energia entre componentes do circuito;
f. Recuperação de energia da carga para a fonte.

Apesar de considerados como chaves ideais, na maioria destas aplicações,
os diodos de potência reais têm certas características diferentes das ideais,
possuindo limitações práticas. Com relação aos diodos de sinais, os diodos de
potência guardam algumas semelhanças. Contudo, possuem maiores
capacidades de potência e velocidades de chaveamento bem menores.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 19
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
2.2.2. Aspectos Construtivos

Os diodos semicondutores de potência são dispositivos de dois terminais
com uma junção pn, formada, comumente, por fusão, difusão e crescimento
epitaxial, que, dentro de seus limites de tensão e corrente, permitem a passagem
de corrente elétrica em um único sentido de condução. Em geral, detalhes de
funcionamento desprezados para os diodos de sinal, podem ser significativos
nos diodos de potência. A Figura 2-1 mostra um modelo simplificado da
estrutura interna e o símbolo de um diodo de potência.



Figura 2-1 – Estrutura interna e símbolo de um diodo de potência.

Devido à maior concentração de portadores, a resistência da região de
transição (junção) do semicondutor é bem maior que a do restante do
dispositivo. Desta maneira, ao aplicar uma tensão entre as regiões P e N, a
diferença de potencial aparecerá através da junção. Na verdade, a estrutura
interna de um diodo de potência é um pouco diferente da apresentada,
existindo uma região N intermediária de baixa dopagem, cuja função é permitir
tensões mais elevadas, através do alargamento da região de junção, que
mantém o equilíbrio da carga, diminuindo o campo elétrico. Já, as camadas dos
contatos externos dos diodos de potência são altamente dopadas, tornando os
contatos com características ôhmicas e não semicondutoras. Há também um
contorno arredondado, entre as regiões de anodo e catodo, com a função de
eliminar o efeito de pontas, criando campos elétricos mais suaves.

2.2.3. Características de Operação

Quando o potencial do catodo é positivo, em relação ao do anodo, diz-se
que o diodo está reversamente polarizado e, nestas condições, mais portadores
positivos (lacunas) migram para o lado N e vice-versa, aumentando a largura
da junção. Por difusão ou efeito térmico, uma dada quantidade de portadores
minoritários penetra na junção, sendo acelerados, pelo campo elétrico, até a
outra região do componente. Esta pequena corrente reversa, também chamada
de corrente de fuga, aumenta com a temperatura e com a amplitude da tensão
reversa, até atingir a tensão Zener ou de avalanche. Nesta tensão, há um campo
elétrico muito intenso, fazendo os portadores em atingir grandes velocidades,
de modo que, ao se chocarem com átomos da estrutura, estes portadores
produzirão outros, que, também acelerados, darão origem ao chamado efeito
avalanche. Com isso, a corrente aumenta sem redução significativa da tensão na
junção, produzindo um pico de potência que destrói o dispositivo.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 20
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
O diodo está diretamente polarizado, quando o potencial do anodo é
positivo, em relação ao do catodo. Nesta situação, ocorre um estreitamento da
região de transição e, se a tensão aplicada superar o valor natural para a
condução, chamado de barreira de potencial ou tensão de limiar (V
γ γγ γ
), os
portadores negativos do lado N serão atraídos pelo potencial positivo do anodo
e vice-versa, levando o componente à condução. Conduzindo, o diodo possui
uma queda de tensão (V
γ γγ γ
), no sentido direto, relativamente pequena, cuja
amplitude, em torno de 1V, depende da fabricação e da temperatura da junção.
O diodo pode ser modelado por diversos circuitos equivalentes, sendo, o mais
comum, aquele que o representa pela associação em série de um diodo ideal,
uma fonte de tensão (V
γ γγ γ
) e um resistor (RD). A Figura 2-2 apresenta este modelo
e as curvas características v-i, ideal e real, para um diodo de potência.



Figura 2-2 – Modelos e curvas características v-i, ideais e reais, de um diodo de potência.

No modelo equivalente do diodo, a fonte é responsável pela barreira de
potencial à condução e pela queda de tensão direta, quando já conduzindo, e o
resistor representa a resistência ôhmica do dispositivo, dissipando calor, por
efeito joule. Já, o diodo ideal funciona apenas como chave, dando o sentido de
condução da corrente elétrica. A curva real ou prática do diodo, mostrada na
Figura 2-2 pode ser expressa pela equação do diodo Schockley, apresentada na
Equação 2-1, onde: ID e VD são a corrente e a tensão no diodo, Is é a corrente de
fuga, n é o coeficiente de emissão e VT é a tensão térmica, sendo k a constante
de Boltzmann, T a temperatura absoluta e q a carga do elétron.

( (( ( ) )) ) 1 e I I
T D
V /n V
s D
− −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ = == =
⋅ ⋅⋅ ⋅
,
q
T k
V
T
⋅ ⋅⋅ ⋅
= == = [2-1]

É comum dividir a curva real do diodo em três regiões, a saber:

− Região de polarização direta: Nesta região, a tensão sobre o diodo (VD) é
positiva. Caso VD seja menor que V
γ γγ γ
, a corrente no diodo (ID) será muito
pequena. O diodo só conduzirá plenamente se VD for maior que V
γ γγ γ
.

− Região de polarização reversa: Aqui, VD é negativa. Para VD negativo e com
módulo bem maior que VT, ID será constante, no sentido reverso e igual a Is.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 21
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
− Região de ruptura reversa: Nesta região, a tensão reversa é muito alta,
excedendo uma tensão específica, denominada tensão de ruptura reversa
(VBR). Com isso, a corrente reversa aumenta rapidamente, para pequenas
variações na tensão reversa. A operação na região de ruptura reversa não
será destrutiva, se a potência dissipada for limitada, pelo controle da corrente
reversa, dentro dos níveis especificados nas folhas de dados dos fabricantes.

No caso real, no estado de bloqueio, a junção do diodo pode ser analisada
como um capacitor, cuja carga é aquela presente na própria a região da junção.
Já, no estado de condução, não existe tal carga. Todavia, devido à alta dopagem
da camada P, existe uma penetração de lacunas na região N por difusão. Além
disso, à medida que cresce a corrente, mais lacunas são injetadas na região N
intermediária, que possui baixa densidade, atraindo elétrons da extremidade da
região N de maior concentração, para manter a neutralidade da carga. Desta
forma, cria-se uma carga espacial no catodo, que terá de ser removida, por
recombinação, para permitir a passagem para o estado de bloqueio.

Na realidade, o comportamento dinâmico de um diodo de potência é bem
diferente daquele de uma chave ideal, conforme se pode observar na Figura 2-3,
onde uma tensão degrau de entrada (vi) é aplicada a uma carga resistiva,
através de um diodo (outros tipos de cargas podem alterar as formas de onda).



Figura 2-3 – Curvas características de chaveamento de um diodo de potência.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 22
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
A corrente, na região da junção diretamente polarizada, é devida aos
portadores majoritários e minoritários. Durante o intervalo de tempo t1,
remove-se a carga acumulada na junção. Neste momento, ainda não houve
injeção significativa de portadores, de maneira que a resistência da parte
intermediária da região N é elevada, produzindo um pico de tensão direta
(Vpd). Indutâncias parasitas do componente e das conexões também colaboram
com esta sobretensão. Durante t2, tem-se a chegada dos portadores e a tensão
reduz bastante, para cerca de 1V (Von).

Uma vez que o diodo esteja em condução e sua corrente seja reduzida a
zero, em função de um comportamento do próprio circuito ou pela aplicação de
uma tensão reversa, o diodo continuará conduzindo, devido aos portadores
minoritários, que permanecem armazenados nos semicondutores e na junção. A
redução de Von se deve à diminuição da queda ôhmica. O bloqueio do diodo é
iniciado quando a corrente reversa atinge seu pico negativo (Irr), causado pela
retirada do excesso de portadores. A taxa de variação da corrente, associada às
indutâncias do circuito, provoca uma sobretensão negativa (Vpr).

Desta forma, no desligamento, antes de reiniciar a formação da barreira de
potencial da junção, a carga espacial presente deve ser removida, pela
neutralização dos portadores minoritários, através da sua recombinação com as
cargas opostas. Este processo requer um certo tempo, denominado tempo de
recuperação reversa (trr), medido a partir do cruzamento inicial da corrente do
diodo com o zero (modo de condução para modo de bloqueio), até 25% da
corrente reversa máxima e é dependente da temperatura da junção, da taxa de
decaimento da corrente direta e do valor desta corrente, antes do chaveamento.
O trr é formado por dois componentes, a saber: t4 é o tempo entre o cruzamento
com o zero e o Irr, sendo originado pelo armazenamento de cargas na região da
junção; t5 é o tempo corrido de Irr a 0,25⋅ ⋅⋅ ⋅Irr, causado pelo armazenamento de
cargas no material semicondutor.

A soma, que representa o trr, é dada por:

5 4 rr
t t t + ++ + = == = [2-2]

A relação entre t5 e t4 é conhecida como fator de suavidade, a saber:


5
4
t
t
S = == = [2-3]

Observando a taxa de variação da corrente reversa, na Figura 2-3, tem-se:

r a rr
i
dt
d
t I ⋅ ⋅⋅ ⋅ = == = [2-4]
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 23
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Das Equações 2-2, 2-3 e 2-4, observa-se:


r
rr
rr
i
dt
d
1 S
t
I ⋅ ⋅⋅ ⋅   
  
  
  
  
  
+ ++ +
= == = [2-5]

A carga de recuperação reversa armazenada (Qrr) é a quantidade de
portadores de cargas que fluem pelo diodo, no sentido reverso, devido à
mudança do modo de condução para o modo de bloqueio, sendo dada pela área
abrangida pela corrente de recuperação (região cinza na Figura 2-3):


2
rr rr
rr
I t
Q
⋅ ⋅⋅ ⋅
≅ ≅≅ ≅ [2-6]

Substituindo a Equação 2-5 na Equação 2-6, obtém-se:

( (( ( ) )) )
r
2
rr
rr
i
dt
d
1 S 2
t
Q ⋅ ⋅⋅ ⋅
  
  
  
  
  
  
  
  
+ ++ + ⋅ ⋅⋅ ⋅
= == = [2-7]

Na prática, é necessário conhecer as expressões de trr e Irr, de modo que,
usando as Equações 2-5 e 2-7, tem-se:


( (( ( ) )) )
r
rr
rr
i
dt
d
S 1 Q 2
t
+ ++ + ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅
= == = [2-8]


1 S
i
dt
d
Q 2
I
r rr
rr
+ ++ +
  
  
  
  
  
  
⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅
= == = [2-9]

A partir das Equações 2-8 e 2-9, nota-se que o tempo de recuperação
reversa (trr) e o pico de corrente de recuperação reversa (trr) dependem da carga
armazenada (Qrr) e da taxa de variação da corrente reversa (dir/dt). Já a carga
armazenada depende da temperatura da junção e da corrente direta do diodo
(Id), antes do chaveamento (mais especificamente, da taxa de decaimento da
corrente direta (did/dt) e do valor desta corrente). Parâmetros como Irr, Qrr e S
são de grande importância nos projetos, sendo, normalmente, incluídos nas
folhas de dados dos diodos. Além disso, deve-se notar que, se um diodo estiver
no modo reverso, a aplicação de uma tensão direta forçaria uma corrente no
sentido direto. Todavia, é preciso um certo tempo, denominado tempo de
recuperação direta (trf) ou tempo limite de religamento, antes que os portadores
majoritários, distribuídos na junção, possam contribuir no fluxo de corrente.
Caso a taxa de crescimento desta corrente direta seja elevada, o diodo pode
falhar. Assim, o tempo de recuperação direta limita a velocidade de
chaveamento dos diodos.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 24
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Os tempos de recuperação reversa e direta são extremamente importantes,
visto que determinam o comportamento dos diodos de potência e,
conseqüentemente, os circuitos e aplicações, em que são empregados. Um
exemplo claro da influência destes tempos, sobre o funcionamento dos circuitos
com diodos, é mostrado na Figura 2-4, a qual destaca as formas de onda
observadas, durante a operação de liga/ desliga da chave (CH), considerando,
ou não, o uso do indutor de limitação (LS).



Figura 2-4 – Efeitos dos tempos de recuperação, nos circuitos com diodos.

Inicialmente (t = 0), a chave é ligada, por um tempo suficiente, para
estabelecer um regime permanente, no circuito. Com isso, a corrente nominal
(IN = VS / R) flui, através da carga, e o diodo de comutação ou Free-Wheeling
(Dm) é reversamente polarizado. Em seguida (t = t1), chave é desligada e Dm
conduzirá IN; pois, devido ao comportamento indutivo da carga e aos intervalos
de tempo considerados serem muito curtos, a corrente da carga pode ser
considerada constante (fonte de corrente). Por fim (t = t2), a chave é novamente
ligada e Dm, que estava em condução, se comporta como um curto-circuito.

Caso LS não seja utilizado, as taxas de crescimento, para D1, e decaimento,
para Dm, da corrente direta seriam bastante elevadas, tendendo ao infinito.
Assim, de acordo com a Equação 2-9, o pico da corrente reversa (Irr) de Dm seria
muito alto, podendo danificar os dois diodos. Este problema pode ser resolvido
usando LS. Na prática, também deve ser considerado o tempo de recuperação
direta dos diodos, controlando a taxa de variação da corrente direta.

Considerando que a taxa de crescimento da corrente de D1 é igual à de
decaimento de Dm, observando a malha fechada VS-CH-D1-Dm, tem-se:

Dm
S
S
D1 S Dm S S
i
dt
d
L
V
i
dt
d
L i
dt
d
L V = == = ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ = == = ⋅ ⋅⋅ ⋅ = == = [2-10]
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 25
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Como trr é o tempo de recuperação reversa do diodo Dm e observando a
Equação 2-10, tem-se que sua corrente de pico reversa (Irr) é:


S
S rr
Dm rr rr
L
V t
i
dt
d
t I
⋅ ⋅⋅ ⋅
= == = ⋅ ⋅⋅ ⋅ = == = [2-11]

A corrente de pico (IP), através do indutor de limitação (LS), é:

S
S rr
N P rr N P
L
V t
I I I I I
⋅ ⋅⋅ ⋅
+ ++ + = == = ∴ ∴∴ ∴ + ++ + = == = [2-12]

Considerando uma recuperação abrupta de Dm, ele é desligado
subitamente, ao ser atingido o valor de pico (IP) da corrente i1, interrompendo o
fluxo de corrente. No entanto, a corrente de carga não muda instantaneamente
de IN para IP, devido ao caráter indutivo da carga empregada. Com isso, ocorre
um excesso de energia armazenada em LS, que induz uma elevada tensão
reversa em Dm, a qual pode danificá-lo. Esta energia excedente é dada por:

( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ]
2
N
2
rr N S R
I I I L
2
1
W − −− − + ++ + ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅ = == = [2-13]

Este excesso de energia pode ser drenado pelo ramo do circuito disposto
paralelamente a Dm, que contém um capacitor (CS) em série com um resistor
(RS). A função de RS é amortecer eventuais oscilações transitórias. Sendo Vadm a
tensão reversa admissível do diodo e desconsiderando os efeitos de LS e RS, nos
períodos transitórios, o valor de CS pode ser obtido, aproximadamente, por:


2
adm
R
S
2
adm S R
V
W 2
C V C
2
1
W
⋅ ⋅⋅ ⋅
= == = ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅ = == = [2-14]

2.2.4. Tipos

Em muitas aplicações, a forma de recuperação e as técnicas de fabricação
dos diodos de potência determinam se diodos mais baratos podem ser
utilizados. Assim, de acordo com as características de operação e as limitações
práticas, os diodos de potência podem ser classificados em três tipos, a saber:

a. Genéricos: Estes diodos são, geralmente, fabricados por difusão, sendo
fornecidos com faixas que podem ir de menos de 1 A até 5 kA e de 50 V a 5
kA, além de um tempo de recuperação reversa elevado, da ordem de 100 µs.
Sendo assim, são utilizados em aplicações de baixa velocidade, onde o tempo
de chaveamento não é crítico, tais como: retificadores e conversores com
freqüência de entrada de até 1 kHz e conversores comutados pela rede.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 26
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
b. Alta velocidade: Seu tempo de recuperação é baixo, 0,1 a 5 µs, sendo, por
isso, chamados, também, de diodos de recuperação rápida. Possuem faixas
de menos de 1 A até 1 kA e de 50 V a 3 kV. São essenciais no chaveamento de
conversores CC-CC e CC-CA. Em especificações acima de 400 V, estes
dispositivos são feitos por difusão. Já, abaixo de 400 V, são fabricados diodos
epitaxiais, com velocidades de chaveamento bem superiores.

c. Schottky: Nestes componentes, o problema do armazenamento de carga na
junção PN é eliminado simulando o comportamento da junção por uma
barreira de potencial, criada pelo contato de uma camada metálica (anodo)
depositada em uma fina camada epitaxial de silício tipo N (catodo). A
retificação depende apenas dos portadores majoritários, não havendo
recombinação do excesso de minoritários. Assim, a carga recuperada é bem
menor, pois a recuperação é devida, somente, à capacitância própria da
junção semicondutora, sendo independente da taxa de corrente reversa. Os
valores nominais são limitados a 100 V, 60A, o tempo de recuperação é
bastante pequeno e há uma baixa queda de tensão, em sentido direto, sendo
que a corrente de fuga aumenta com a faixa de tensão e vice-versa. São
comuns em fontes CC de altas correntes e baixas tensões.

2.2.5. Ligações

De acordo com as aplicações, pode ser necessário aumentar a capacidade
de operação dos diodos de potência, tanto com relação à tensão, quanto no que
se refere à corrente. Esta maior capacidade de operação dos diodos é obtida
através de ligações, série ou paralelo, destes componentes, no circuito.

Em aplicações de alta tensão, como HVDC, diodos comerciais podem não
atender as especificações de tensão de bloqueio reverso, sendo preciso conectá-
los em série, de modo a dividir sobre eles a tensão reversa aplicada. Todavia,
esta ligação não pode ser efetuada somente pela conexão de diodos, como na
Figura 2-5, pois, na prática, mesmo que os diodos sejam de um só tipo, as suas
curvas v-i (Figura 2-5) serão diferentes, em virtude das tolerâncias de
fabricação. Assim, polarizados diretamente, os diodos conduzem a mesma
corrente e possuem uma queda de tensão direta, praticamente, idêntica; já,
reversamente polarizados, como têm de conduzir a mesma corrente de fuga
(IS), apresentam tensões reversas (VD1 e VD2) bastante distintas.



Figura 2-5 – Diodos ligados em série e suas curvas características v-i.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 27
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Uma forma simples de solucionar esse problema é inserir uma rede de
resistores, ao circuito da Figura 2-5, de maneira que haja uma mesma tensão
(VD1 = VD2 = VS / 2), sobre os diodos, o que dá origem a diferentes correntes de
fuga (Figura 2-6). A corrente de fuga total (IST) é dividida por um diodo e seu
resistor. Devido a eventuais desconformidades, nas curvas v-i dos diodos
empregados, a tensões sobre os mesmos podem ser um pouco diferentes.
Observando a lei de Ohm para a corrente de cada resistor (IRX = VDX / RX) e
considerando valores iguais para os resistores (R1 = R2 = R), tais tensões sobre
os diodos são encontradas a partir do sistema de equações abaixo:

S D2 D1
V V V = == = + ++ + [2-15]

) I (I R V V
S1 S2 D2 D1
− −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ = == = − −− − [2-16]

É importante observar que o a rede resistiva, inserida ao circuito dos
diodos em série, é responsável apenas pela divisão de tensão em regime
permanente. Sob condições dinâmicas, como em chaveamento de cargas, além
dos resistores da rede, é necessário conectar, também em paralelo com os
diodos, uma associação série de um capacitor (CS) com um resistor (RS),
conforme indica a parte tracejada do circuito da Figura 2-6.



Figura 2-6 – Diodos ligados em série com rede de divisão de tensão.

Em alta potência, os diodos necessitam de uma maior capacidade de
condução de corrente, de modo que são conectados em paralelo. Com isso, a
corrente se divide de acordo com a queda de tensão direta (V
γ γγ γ
) sobre cada
diodo, sendo comum empregar diodos de mesmo tipo ou que possuam um
mesmo V
γ γγ γ
. Para obter uma divisão de corrente uniforme, também são utilizados
indutores e/ ou resistores, conectados em série com os diodos. Os resistores não
são muito aconselháveis, devido às perdas de potência que introduzem.

Assim como no caso dos diodos ligados em série, o uso de resistores só é
responsável pelo regime permanente. Sob condições transitórias, são utilizados
indutores acoplados, dispostos em série com os resistores e diodos de cada ramo
(Figura 2-7). Aumentando a corrente sobre D1, a tensão sobre L1 (L1⋅di/ dt)
também aumenta, induzindo outra tensão, mas de polaridade oposta, em L2.
Isto acarreta uma baixa impedância no ramo de D2, deslocando a corrente para
este ramo. O grande problema deste tipo de arranjo é o fato dos indutores
gerarem picos de tensão, que os tornam grandes e caros.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 28
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Figura 2-7 – Diodos ligados em paralelo com rede de divisão de corrente.

2.3. Tiristores

Usado em baixas freqüências (< 1khz) e alta potência (> 10MVA).

Características do tiristor:


Figura 2-8 – Estrutura do tiristor

Figura 2-9 – Curva de resposta estática do tiristor.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 29
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Modelo do tiristor com dois transistores:




Figura 2-10 – Modelo do tiristor com dois transistores
Ganho de corrente do transistores:
1
1
1
E
C
i
i
= == = α αα α ;
2
2
2
E
C
i
i
= == = α αα α
Ico é a corrente de fuga, gerada termicamente.

Corrente que passa pelo SCR: iA = iC1 + iC2 + ICO = αiE1+ αiE2 +ICO

Mas: iA = iE1 = iE2
∴ iA = ( α1 + α2)iA + ICO ⇒
( (( ( ) )) )
2 1
1 α αα α α αα α + ++ + − −− −
= == =
CO
A
I
i

Existem várias formas de fazer com que α1 + α2 → 1, a saber:

2.3.1 Formas de disparo do tiristor:

1. Disparo devido à tensão VAK:

Figura 2-11 – Curva de resposta do DIAC.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 30
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
2. Disparo devido à taxa de variação de tensão (dV/ dt):


Figura 2-12 – Efeito de disparo do capacitor interno do tiristor

Se a tensão Anodo-Catodo variar → a corrente no capacitor será:

dt
dV
C i
AK
C
= == =

A capacidade da junção J2 é função da tensão aplicada, isto é:

dt
dC
V
dt
dV
C i
AC
AK
C
+ ++ + = == =

Para que VAC aumente, dC/ dt tem de ser negativo. Mas, se dVAK/ dt for muito
grande, pode ser que se produza uma corrente tal que α1 + α2 → 1.

Proteção contra disparo por dV/ dt:

a) RC entre “gate-catodo”;
b) Circuito Snubber - RC entre Anodo-catodo.

3. Disparo por temperatura:

O aumento muito acentuado da temperatura faz crescer ICO, e muda o
ponto de operação, como também se faz α1 + α2 ≈ 1. Deve-se usar proteção
utilizando os dissipadores térmicos.

4. Disparo por injeção de corrente de base (“Gate”):

É o método mais eficaz de disparo. A injeção de corrente no “gate” força o
α1 + α2 ≈ 1.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 31
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Figura 2-13 – Família de curvas do tiristor para diferentes correntes de gate.

Onde: IH = corrente mínima, em que o tiristor mantém o estado de condução.

Características de TURN-ON:

Figura 2-14 – Resposta dinâmica do disparo do tiristor.

Considerações no projeto do circuito do Gate:
− O sinal do gate deve ser removido depois que o ton;
− Enquanto VAK < 0, iG = 0, pois, se iG ≠ 0, a corrente de fuga aumenta;
− A largura do pulso do gate tG > ton.

5. Disparo por luz ou laser:

LAS (Light Activated Switch)
LASCR ( Light Activated Controller Rectifier)

Figura 2-15 – Disparo do tiristor por efeito luminoso.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 32
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
2.3.2 Limitação de di/dt:




Figura 2-16 – Efeito de limitações de di/ dt.
2.3.4 Proteção contra dV/dt:

Figura 2-17 – Efeito de dv/ dt por maniobra.
− dV/ dt devido à tensão aplicada.
Ex.: v = Vw
dt
dV
wt
MAX
2 sen 2 = == = → →→ →

− dV/ dt devido à manobra.
Existem duas formas de proteção contra dV/ dt:

a) Sem a utilização do SNUBBER:


Figura 2-18 – Formas de proteção contra dv/ dt.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 33
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
b) Com a utilização do SNUBBER:


Figura 2-19 – Exemplo de disparo por maniobra.

Resolvendo o circuito:

  
  
  
  
  
  
  
  
− −− − = == =
− −− −
τ ττ τ
t
AK
e V V 1 2 , onde:
AK
R
L
= == = τ ττ τ
τ ττ τ
t
AK AK
Ve
L
R
dt
dV
− −− −
= == = 2 , sendo:
MAX
AK
dt
dV
, em t = 0, igual a:
V
L
R
dt
dV
AK
MAX
AK
2 = == =
Para os valores dados: s V
dt
dV
MAX
AK
µ µµ µ / 10 4 , 2 400
10 5
10 30
6
6
3
⋅ ⋅⋅ ⋅ = == = ⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
= == =
− −− −
− −− −


Com o aumento de L: mH L s V
dt
dV
típi
40 / 300
cos
= == = ⇒ ⇒⇒ ⇒ = == = µ µµ µ

Outra possibilidade é diminuir RAK, no transitório, colocando um
capacitor no circuito SNUBBER:


Figura 2-20 – Circuito de proteção “Snubber”.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 34
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
2.3.5 Circuito de disparo do tiristor:


Figura 2-21 – Família de curvas para diferentes temperaturas

Figura 2-22 – Circuito de disparo de gate.
Circuito de acoplamento:


Figura 2-23 – Diferentes alternativas de disparo de tiristores.
2.4. Transistores

Os transistores em geral podem ser classificados em:

− Transistor de Junção Bipolar;
− Transistor de Efeito de Campo;
− IGBT.



Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 35
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
2.4.1. Transistor de Junção Bipolar



Transistor NPN.


Transistor PNP.



Figura 2-24 – Circuito de Polarização.


Figura 2-25 - Regioes de trabalho do transistor bipolar

Das Figuras acima, temos:

IE = IC + IB

β ββ β = hFE = IC/IB

IC = β ββ βIB + ICEO

IE = IB (1 + β ββ β) + ICEO, onde: ICEO → →→ → 0

IE ≈ ≈≈ ≈ (1 + β ββ β)⋅ ⋅⋅ ⋅IB

Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 36
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
β
1 β
I
β
1
1 I I
C C E
+ ++ +
= == =
  
  
  
  
  
  
  
  
+ ++ + ≈ ≈≈ ≈

C E
I αI = == =

Modelo do transistor NPN, para grandes sinais em operação CC:


Figura 2-26 - Modelo do transistor NPN
Usando o circuito em emissor comum:

B
BE B
B
R
V V
I
− −− −
= == =

( (( ( ) )) )
BE B
B
C
CC C C CC CE C
V V
R
R
β V R I V V V − −− − − −− − = == = − −− − = == = = == =

Com o transistor es na região ativa, tem-se:

BE CE
V V ≥ ≥≥ ≥

Quando VCB = 0 e VBE = VCE, a máxima corrente de coletor acontece:

C
BE CC
C
CE CC
CM
R
V V
R
V V
I
− −− −
= == =
− −− −
= == =

β
I
I
CM
BM
= == =

BE CE CE C BE BM B
V V ; V ; I ; V I I < << < ↓ ↓↓ ↓ ↑ ↑↑ ↑ ↑ ↑↑ ↑ → →→ → >> >> >> >>

O transistor satura quando VCE = 0,4 a 0,5 V, então:

C
CE(sat) CC
CS
R
V V
I
− −− −
= == =

Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 37
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
IBS = ICS/β ββ β

O fator de saturação (FS) é dado por:

FS = IB / IBS

A potência de perda do transistor (PT):

PT = VBE⋅ ⋅⋅ ⋅IB + VCE⋅ ⋅⋅ ⋅IC

Características de chaveamento:


Figura 2-27 – Modelo dinâmico do transistor

Figura 2-28 – Diagrama de tempos da resposta de um transistor a um pulso.
Dos gráficos acima, tem-se:

− td: Tempo de retardo ou de carga do capacitor de junção BE;
− tr: Tempo de subida ou necessário para ic em atingir ICS;
− ts: Tempo de estocagem ou necessário para IB retirar as cargas da junção BE;
− tf: Tempo de queda ou decorrido até IC cair de ICS para zero.

ton = td+tr

toff = ts+tf

Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 38
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
O controle da corrente de base pode ser feito aumentando a velocidade de
chaveamento (diminuindo o ton e toff):


Figura 2-29 – Alternativa de melhorar a resposta do transistor.
1 1
2 1
1 2 1
1
2 1
BE 1
BS
1
BE 1
B1
5τ t
R R
C R R
τ
R R
V V
I
R
V V
I ≥ ≥≥ ≥ ⇒ ⇒⇒ ⇒
+ ++ +
= == = ⇒ ⇒⇒ ⇒
+ ++ +
− −− −
= == = ⇒ ⇒⇒ ⇒
− −− −
= == =

2 2 2 2 2
5τ t C R τ ≥ ≥≥ ≥ ⇒ ⇒⇒ ⇒ = == =

A freqüência máxima de chaveamento é:

2 1 2 1
s
τ τ
0.2
t t
1
T
1
f
+ ++ +
= == =
+ ++ +
= == = = == =

Controle de anti-saturação:


Figura 2-30 – Forma de evitar a saturação do transistor.
B L C
B
BE D1 B
1 B
I β I I
R
V V V
I I ⋅ ⋅⋅ ⋅ = == = = == = ⇒ ⇒⇒ ⇒
− −− − − −− −
= == = = == =

Assim que D2 passa ao estado on, tem-se:

VCE = VBE - VD1 - VD2

C
D2 D1 BE CC
C
CE CC
L
R
V V V V
R
V V
I
+ ++ + − −− − − −− −
= == =
− −− −
= == =

IC = β ββ βIB = β ββ β(I1 - IC + IL)

( (( ( ) )) )
L 1 C
I I
β 1
β
I + ++ +
+ ++ +
= == =
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 39
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
2.4.2. Mosfet de Potência

É um dispositivo controlado por tensão, com baixo tempo de comutação
(da ordem de nanossegundos) e utilizado em aplicações de baixa potência e
altas freqüências.

Mosfet tipo depleção (Canal N):



Mosfet tipo Enhancement (Canal N):


Figura 2-31 – Tipos de transistores Mosfets
Características de estado estático:


Figura 2-32 – Características de estado estático
As regiões de operação, mostradas na figura anterior, são:

− Corte: Vgs < Vt;
− Ativa: Vds ≥ Vgs – Vt;
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 36
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
− Saturação ou Ôhmica: VDS ≤ VGS – VT.
Modelo do mosfet:


Figura 2-33 –Modelo estático do transistor mosfet.
Considerando VDS constante:

GS
m
∆V
∆I
g = == =

O valor de ro é:

D
DS
o
∆I
∆V
r = == =

Onde:

− ro → MΩ na região de corte;
− ro → mΩ na região de saturação.

Características de chaveamento:


Figura 2-34 – Modelo dinâmico do mosfets.
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 41
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Figura 2-35 – Resposta dinâmica do transistor ao chavemento
Projeto do circuito atuador de gate do transistor mosfet:


Figura 2-36 – Circuito acionamento com comparador
− É um circuito atuador para baixas freqüências (velocidades de chaveamento);
− R1 e projetado para limitar a corrente do coletor do LM311;
− A resposta da chave depende de R1 (R1 grande, resposta lenta).

Atuador de gate com saída na configuração TOTEM POLE:


Figura 2-36 – Atuador de gate com saída na configuração TOTEM POLE
Circuito de gate com isolamento elétrico:

Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 42
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Figura 2-37 Circuito de gate com isolamento elétrico:

Isolamento usando um simples transformador (para 0<D<0.5):




Figura 2-38 Isolamento usando um simples transformador
Para ciclo de trabalho D arbitrário:




Figura 2-39 Para ciclo de trabalho D arbitrário:


Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 40
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

High voltage bridge driver (ir2110):





Figura 2-40 Driver de 500V para dois
transistores
Características:

− Trabalha até 500v;
− 2 A de pico de saída por canal;
− 25 ns de tempo de chaveamento;
− Freqüência máxima de 1 Mhz;
− Entrada de controle CMOS e
comparadores Schmitt Triggres;
− Fonte de polarização 10-20 V;
− Consumo de 15 mA para 15 V.

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 43
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

3. Retificadores Não-Controlados

3.1. Introdução


Fig.3.1 Definição de retificador
3.2. Circuitos Básicos

Os retificadores não-controlados envolvem, necessariamente, o uso de
diodos de potência. Assim, a seguir, estão mostrados os principais tipos de
circuitos envolvendo diodos e suas respectivas formas de onda. Estes circuitos
serão mais bem estudados nas seções seguintes, sendo muito importantes em
análises futuras.


Retificador
monofásico de meia-
onda com
carga resistiva.


Retificador
monofásico de
meia-onda com
carga RL.

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 44
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Retificador
monofásico de
meia-onda com
carga RL e força
eletromotriz.


Retificador
monofásico de
meia-onda com
carga RC.


Retificador monofásico
de meia-onda com carga
LC, ou, circuito
duplicador de tensão.


Circuito inversor de
carga do capacitor.


Retificador monofásico de
onda completa tipo ponte,
com filtro capacitivo.

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 45
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Circuito equivalente do retificador
monofásico de onda completa, com
filtro capacitivo.


Formas de onda do
retificador monofásico
de onda completa, com
filtro capacitivo.
Figura 3.2 Diferentes tipos de retificadores
3.3. Análises de Retificadores

3.3.1. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga Resistiva


Figura 3.3 Retificador monofásico com carga resistiva.
Ângulo de início da condução do diodo: α = 0.

Ângulo de parada da condução do diodo: β = π.

Ângulo de condução do diodo: γ = β – α = π.
Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 46
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Corrente do circuito:

− i = vo / R, para 0 < ωt < π;

− i = 0, para π < ωt < 2π;

Considerando um caso geral e utilizando a teoria de Fourier, temos:

∑ ∑∑ ∑ ∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·
+ ++ + + ++ + · ·· ·
1 n 1 n
n n 0 0
cosnwt sennwt
b a V v


Onde o valor contínuo (Vo) e os coeficientes (an e bn), que compõem o
“ripple”, são dados pelas expressões abaixo:

∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
· ·· · · ·· ·

0
β
α
0 0 0
dwt

1
dwt

1
v v V


( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
· ·· · · ·· ·
π
0
β
α
0 0 n
dwt nwt sen
π
1
dwt nwt sen
π
1
v v a


( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
· ·· · · ·· ·
π
0
β
α
0 0 n
dwt nwt cos
π
1
dwt nwt cos
π
1
v v b


O valor eficaz do enésimo harmônico da tensão é dado por:

[ [[ [ ] ]] ]
2
1
2
n
2
n
nR b a
2
1
V + ++ + · ·· ·

O valor eficaz ou rms da tensão de saída é:

[ [[ [ ] ]] ]
2
1
∑ ∑∑ ∑
∫ ∫∫ ∫
+ ++ + · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
v V
2
nR
0
2
1
β
α
2
0
R
v dwt v

1


A tensão de “ripple” vale:

[ [[ [ ] ]] ]
2
1
V V V V
2
0
2
R
2
1
1 n
2
nR R1
− −− − · ·· ·
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·


O “fator de Ripple” é definido por:

V
V
K
0
R1
v
· ·· ·
Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 47
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
A série de Fourier da corrente (i) pode ser escrita como:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
∑ ∑∑ ∑ ∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·
− −− − + ++ + − −− − + ++ + · ·· ·
1 n 1 n
n
n
n
n 0
φ
d
φ
c I
nwt cos nwt sen i

Onde:

!
R
V
I
0
0
· ·· · ;
!
Z
a
c
n
n
n
· ·· · ;
!
Z
b
d
n
n
n
· ·· · ;
!
R
nwL
φ
tan
1 − −− −
· ·· · , se a carga for RL;

! Zn = Impedância da carga para a freqüência nw.

O valor rms do enésimo harmônico da corrente é:

[ [[ [ ] ]] ]
2
1
2
n
2
n nR
d c I
2
1
+ ++ + · ·· ·

O valor rms do ripple da corrente:

[ [[ [ ] ]] ]
2
1
I I I I
2
0
2
R
2
1
1 n
2
nR R1
− −− − · ·· ·
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·


O fator do ripple da corrente:

I
I
K
0
R1
i
· ·· ·

Assim, teremos o seguinte, para o circuito retificador de meia onda:

− Tensão contínua:
∫ ∫∫ ∫
· ·· · · ·· ·
π
0
0
π
V 2
Vsenwtdwt 2

1
V

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 48
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
− Valor rms de v0:
2
π
2
v
wtdwt sen 2v

1
v
0
2
1
π
0
2 2
· ·· · · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

∫ ∫∫ ∫


− Contribuição de harmônicos: [ [[ [ ] ]] ]
0
2
1
2
0
2
1
2
0
2
R RI
1.211V 1
4
π
V V V V · ·· ·
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

− −− − · ·· · − −− − · ·· ·

− O fator ripple da tensão: 1.211
V
V
K
0
R1
v
· ·· · · ·· ·

3.3.2. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RL


Figura 3.3 Retificador monofásico com carga indutiva
Do circuito, temos: Vsenwt 2 Ri
dt
di
L v v v v
o R L
· ·· · + ++ + ∴ ∴∴ ∴ · ·· · · ·· · + ++ +

Solução forçada:
( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ]
2
1
2 2
F
wL R
φ wt Vsen 2
i
+ ++ +
− −− −
· ·· · e
R
wL
tg φ
1 − −− −
· ·· ·

Solução natural:
t
L
R
N
Ae i
⋅ ⋅⋅ ⋅
, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− −
· ·· ·

Solução geral:
( (( ( ) )) )
t
L
R
N F
Ae φ wt sen
Z
V 2
i i i
⋅ ⋅⋅ ⋅
, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− −
+ ++ + − −− − · ·· · + ++ + · ·· ·
, onde: ( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ]
2
1
2 2
wL R Z + ++ + · ·· ·


Para t = 0, temos: i = 0. Para o intervalo de 0 < wt < β, temos:
Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 49
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

senφ
Z
V 2
A · ·· · ; ( (( ( ) )) )
1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1



¸ ¸¸ ¸

+ ++ + − −− − · ·· ·

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− −
senφ e φ wt sen
Z
V 2
i
t
L
R


Por fim, i = 0, no intervalo de β < wt < 2π.

O valor de β pode ser calculado para i = 0, em β = wt, ou seja:

( (( ( ) )) ) 0 senφ e φ β sen
wL

· ·· · + ++ + − −− −

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− −


Cálculo da corrente média:

0 Ri
dt
di
L V · ·· · − −− − − −− − ∴
dwt
di
R
wL
senwt
R
V 2
dt
di
R
L
R
V
i − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · − −− − · ·· ·

Integrando a equação anterior:

( (( ( ) )) ) cosβ 1
r 2
V 2
I
dwt
dwt
di
R
wL
senwt
R
V 2

1
idwt

1
I
0
β
0
β
0
0
− −− − · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

− −− − · ·· · · ·· ·
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
π ππ π


Assim, a tensão média de saída é:

( (( ( ) )) )V cosβ 1

V 2
I R V
0 0
− −− − · ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·

Obtenção de dados do ckt utilizando curvas normalizadas de corrente:

i
V 2
Z
i
N
· ·· ·

Obtenção das correntes contínua e eficaz:

− Eficaz: ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
2
1
β
0
2
t
L
R
RN
wt d senφ e φ wt sen

1
I
1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1



¸ ¸¸ ¸

1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1



¸ ¸¸ ¸

− −− − − −− − · ·· ·
∫ ∫∫ ∫

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− −

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 50
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
− Contínua: ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1



¸ ¸¸ ¸

1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1



¸ ¸¸ ¸

− −− − − −− − · ·· ·
∫ ∫∫ ∫

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− −
β
0
t
L
R
N
wt d senφ e φ wt sen

1
I

Se R << wL ⇒ ( (( ( ) )) ) coswt 1
wL
V 2
i − −− − · ·· ·


Figura 3.4 Retificador monofásico com carga indutiva muito grande.
O valor médio de i será:

wL
V 2
I
0
· ·· ·

A corrente harmônica eficaz:

2
I
wL
V
I
0
1R
· ·· · · ·· ·

A corrente harmônica:

[ [[ [ ] ]] ] I 1.225 I I I
2
1
2
1R
2
0 R
⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · + ++ + · ·· ·

A tensão sobre a carga é: VL = v, e o valor médio é: Vo = 0.

∞ ∞∞ ∞ → →→ → · ·· ·
0
1R
V
V
V
K ; 0.707
I
I
K
0
1R
i
· ·· · · ·· ·
Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 51
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Carga RL com diodo free-wheeling:


Figura 3.5 Retificador monofásico com carga indutiva e diodo de retorno.
No primeiro ciclo (0 < wt < π):

( (( ( ) )) )
¹ ¹¹ ¹
¹ ¹¹ ¹
¹ ¹¹ ¹
; ;; ;
¹ ¹¹ ¹
¹ ¹¹ ¹
¹ ¹¹ ¹
¹ ¹¹ ¹
' '' '
¹ ¹¹ ¹
+ ++ + − −− − · ·· ·
− −− −
senφ e φ wt sen
Z
V
2 i
t
L
R
0


No segundo ciclo (π < wt < 2π ou 0 < wt’ < π):

t
L
R
0π D 0
e I i i
′ ′′ ′ − −− −
· ·· · · ·· · , onde: wt’ = wt - π ππ π

0 wt' π wt

i i I
· ·· · · ·· ·
· ·· · · ·· ·

No final, temos wt’ = 2π, então:


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− −
· ·· ·
w
π
L
R
0π 02π
e I I

Depois de vários períodos, I0π
e I02π
se estabilizarão.

A solução de i0, para o 2
o
ciclo, é:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )t
L
R
0
Ae φ t senw
Z
V 2
i i
′ ′′ ′ ′ ′′ ′ − −− −
+ ++ + − −− − ′ ′′ ′ ′ ′′ ′ · ·· · · ·· ·

Solução inicial:
Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 52
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

i0 t’’= 0 = I’02π ππ π


Substituindo a solução inicial na equação anterior:

( (( ( ) )) )
t
L
R
02π 0
e senφ
Z
V 2
I φ t senw
Z
V 2
i
′ ′′ ′ ′ ′′ ′

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− −


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + ′ ′′ ′ + ++ + − −− − ′ ′′ ′ ′ ′′ ′ · ·· ·

Para wt” = π , D2 conduz:

( (( ( ) )) )
w
π
L
R
02π 0π
w
π
t
0
e senφ
Z
V 2
I senφ
Z
V 2
I i
− −− −
· ·· · ′ ′′ ′ ′ ′′ ′

, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + ′ ′′ ′ + ++ + · ·· · ′ ′′ ′ · ·· · (*)

No semiciclo seguinte, vo = 0 e iD circula:

i0 = iD = I’0π ππ π
e
- (R/L)(t”-
π ππ π
/w)


Em wt”= 2π:

i0 = I’0π ππ π
e
- (R/L)(
π ππ π
/w)
= I’02π ππ π
(**)

Das equações (*) e (**), obtemos outra, com duas incógnitas:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )( (( ( ) )) ) w π
L
R
w
π
L
R
L
R
02π
e e
e 1 senφ
Z
V 2
I
w
π
− −− −

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− −
− −− −
1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1



¸ ¸¸ ¸

+ ++ +
· ·· · ′ ′′ ′

( (( ( ) )) )( (( ( ) )) )
w
π
L R
02π oπ
e I I ′ ′′ ′ · ·· · ′ ′′ ′

Este problema pode ser analisado usando-se análise de Fourier. A
expansão de Vo, em série de Fourier, é a seguinte:

¹ ¹¹ ¹
; ;; ;
¹ ¹¹ ¹
¹ ¹¹ ¹
' '' '
¹ ¹¹ ¹
− −− − − −− − + ++ + − −− − + ++ + · ·· · K cos6wt
35
1
cos4wt
15
1
cos2wt
3
1
senwt
4
π
2
1
V
π
2 2
V
0


O valor da tensão média vale:

π
V 2
V
0
· ·· ·
O valor rms de Vo vale:

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 53
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
[ [[ [ ] ]] ]
2
V
dwt Vsenwt 2

1
V
2
1
π
0
2
R
· ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫


A tensão de “ripple”:

0.545V
π
2V
2
V
V
2
1
2
2 2
RI
· ·· ·
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

− −− − · ·· ·

O fator de “ripple” de tensão:

1.21
2
0.545π
V
V
K
0
R1
V
· ·· · · ·· · · ·· ·

A corrente io é dada por:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

− −− − − −− − − −− − − −− − − −− − − −− − + ++ + · ·· · K
4
4
2
2
1
1
0
φ 4wt cos
15Z
1
φ 2wt cos
3Z
1
φ wt sen
4Z
π
2R
1
V
π
2 2
i

Onde:

− ( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ]
2
1
2 2
n
nwL R Z + ++ + · ·· · ;


R
nwL
tan φ
1
n
− −− −
· ·· · ;


πR
V 2
R
V
I
0
0
· ·· · · ·· · .

3.3.3. Retificador Monofásico com Carga RL e Força Eletromotriz


Figura 3.6 Retificador monofásico com carga R-L-E.
A componente de i, devido a v, é:
Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 54
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

( (( ( ) )) ) φ wt sen
Z
V 2
i
SF
− −− − · ·· ·

( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ]
R
wL
tan φ ; wL R Z
1 2
1
2 2 − −− −
· ·· · + ++ + · ·· ·

A componente devido a vc = Vc:

R
V
i
c
CF
− −− − · ·· ·

A solução natural:

( (( ( ) )) )t
L
R
N
Ae i
− −− −
· ·· ·

A corrente total:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )t
L
R
c
Ae
R
V
φ wt sen
Z
V 2
i
− −− −
+ ++ + − −− − − −− − · ·· · , α αα α < wt < (γ γγ γ + α αα α = β ββ β)

senα
V 2
V
m
c
· ·· · · ·· ·

Em wt = α e i = 0:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )( (( ( ) )) )
Zcosφ R
e φ α sen
Z
V 2
R
V
A
w
α
L
R
c
· ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

− −− − − −− − · ·· ·


Aplicando-se as três últimas equações na da corrente total tem-se:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

− −− − − −− − − −− − · ·· ·
− −− − t
L
R
Be
cosφ
m
φ wt sen i
V 2
Z
, α αα α < wt < γ γγ γ + α αα α

Onde:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )( (( ( ) )) )
w
α
L
R
e φ α sen
cosφ
m
B
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

− −− − − −− − · ·· ·
Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 55
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Para determinar γ, basta fazer i = 0, para wt = γ + α. Das duas últimas
equações:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− −
· ·· ·
− −− − − −− −

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− − + ++ + − −− −

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
tgφ
γ
e
φ α sen
cosφ
m
φ γ α sen
cosφ
m


Tensão na indutância:

dt

V
L
· ·· · , onde:
∫ ∫∫ ∫
· ·· · · ·· ·
w

0
L
0 dt v λ

Tensão no resistor:

[ [[ [ ] ]] ] ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
∫ ∫∫ ∫
+ ++ +
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

− −− − − −− − − −− − − −− − · ·· · − −− − · ·· ·
γ α
0
2
0 RES
senγ γ m cosγ 1 m 1

V 2
dwt V Vsenwt 2

1
V

Zcosφ
V
R
V
I
RES RES
0
· ·· · · ·· ·

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

− −− − − −− − − −− − − −− − · ·· · · ·· · senγ γ m cosγ 1 m 1
2ππcos
1
I
V 2
Z
I
2
0 N


V0 = RI0 + Vc

( (( ( ) )) )
¹ ¹¹ ¹
¹ ¹¹ ¹
¹ ¹¹ ¹
; ;; ;
¹ ¹¹ ¹
¹ ¹¹ ¹
¹ ¹¹ ¹
¹ ¹¹ ¹
' '' '
¹ ¹¹ ¹
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

+ ++ + · ·· ·
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
+ ++ + + ++ +
+ ++ +
2
1
γ α
α
α 2π
γ α
2
c
2
R
dwt V dwt Vsenwt 2

1
V

A tensão de ripple é:

[ [[ [ ] ]] ]
2
1
2
0
2
R RI
V V V − −− − · ·· ·

0
R1
V
V
V
K · ·· ·
2
1
γ α
α
2
RN
dwt i
V 2
Z

1
I
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫
+ ++ +


RN R
I
Z
V 2
I · ·· ·

0
RI
i
I
I
K · ·· ·
Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 56
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
3.3.4. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RC


Figura 3.7 Retificador monofásico com carga R-C.
Quando o diodo D conduz:

( (( ( ) )) )
∫ ∫∫ ∫
· ·· · + ++ + + ++ + ∴ ∴∴ ∴ · ·· · · ·· · + ++ +
t
0
c o R c
Vsenwt 2 Ri 0 v idt
C
1
v v v v

A solução forçada é:

( (( ( ) )) ) φ φφ φ + ++ + · ·· · wt sen
Z
V 2
i
F
;
wCR
1
tan
1 − −− −
· ·· · φ φφ φ

( (( ( ) )) )
2
1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

+ ++ + · ·· ·
2
2
wC
1
R Z

A solução natural é:

RC
t
N
Ae i
− −− −
· ·· ·

( (( ( ) )) )
RC
t
Ae wt sen
Z
V 2
i
− −− −
+ ++ + + ++ + · ·· · φ φφ φ

Assumindo t = 0, vc = 0 e i = 0 temos:

( (( ( ) )) )
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

− −− − + ++ + · ·· ·
− −− −
φ φφ φ φ φφ φ sen e wt sen
Z
V 2
i
RC
t


O ângulo β pode ser determinado fazendo-se i = 0, wt = β e resolvendo:

( (( ( ) )) ) 0 sen e β sen
wRC
β
· ·· · − −− − + ++ +
− −− −
φ φφ φ φ φφ φ


3.3.5. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga LC
Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 57
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Este tipo de circuito também é chamado de duplicador de tensão:


Figura 3.7 Retificador monofásico com carga LC.
Analisando o circuito, durante a condução, temos:

∫ ∫∫ ∫
+ ++ + + ++ + · ·· ·
C S
V idt
C
1
dt
di
L V (t = 0)

Observando as condições iniciais: i (t = 0) = 0 e VC (t = 0) = 0, temos:

( (( ( ) )) ) senwt
L
C
V t i
S
· ·· · e ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
∫ ∫∫ ∫
− −− − · ·· · · ·· ·
t
0
S C
coswt 1 V idt
C
1
t V , onde:
LC
1
w · ·· ·

O circuito se estabiliza no tempo t1, de modo que:

LC t
1
π ππ π · ·· · ∴ ∴∴ ∴
S C
2V V · ·· ·

3.3.6. Circuito Inversor de Carga do Capacitor


Figura 3.7 Retificador monofásico com carga LC sem fonte CC.
Analisando o circuito, durante a condução, temos:

( (( ( ) )) )
∫ ∫∫ ∫
· ·· · · ·· · + ++ + + ++ + 0 0 t V idt
C
1
dt
di
L
c

Observando as condições iniciais: i (t = 0) = 0 e VC (t = 0) = – V0, temos:

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 58
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
( (( ( ) )) ) senwt
L
C
V t i
0
· ·· ·

( (( ( ) )) )
∫ ∫∫ ∫
− −− − · ·· · − −− − · ·· · coswt V V idt
C
1
t V
0 0 C


3.3.7. Retificador Monofásico de Onda Completa Tipo Ponte

O retificador monofásico de onda completa tipo ponte, com filtro
capacitivo, é mostrado a seguir.


Figura 3.7 Retificador monofásico tipo ponte completa.
Este retificador pode ser representado pelo circuito equivalente abaixo,
que é bastante similar ao circuito de um retificador de meia-onda, com exceção
ao fato dos dois semiciclos da tensão de alimentação terem a mesma polaridade,
o que modifica um pouco as expressões já analisadas, para o caso de meia-onda.


Figura 3.8 Modelo do Retificador monofásico tipo ponte completa.
As formas de onda são apresentadas abaixo.


Figura 3.9 Formas de onda do retificador monofásico tipo ponte completa.

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 59
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
3.3.8. Retificador Multifásico






É usado em potências maiores que
15 W, diminuindo o nível de harmônicas e
o tamanho do filtro. Sua freqüência
fundamental é f1 = q⋅f e o tempo de
condução de cada diodo é igual a 2π/q.
Figura 3.10 Retificador trifásico de media onda.
As formas de onda são dadas a seguir:


Figura 3.11 Tensão de saída de um retificador trifásico de media onda.
Os valores médio e eficaz da tensão e o valor eficaz da corrente são:

( (( ( ) )) )
∫ ∫∫ ∫
· ·· · · ·· ·
q π
0
m m dc
q
π
sen
π
q
V wt coswtd V
q 2π
2
V

( (( ( ) )) )
2
1
m
2
1
q π
0
2 2
m rms
q

sen
2
1
q
π

q
V wt wtd cos V
q 2π
2
V
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸



, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫


( (( ( ) )) )
2
1
m
2
1
q π
0
2 2
m s
q

sen
2
1
q
π

1
I wt wtd cos I

2
I
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸



, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫


3.3.9. Retificador Trifásico Tipo Ponte

O circuito do retificador trifásico tipo ponte é mostrado abaixo.

Figura 3.12 Retificador trifásico ponte completa.
Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 60
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
A sua forma de onda é dada a seguir.


Figura 3.13 Formas de onda de um retificador trifásico ponte completa.
A tensão de saída é:

∫ ∫∫ ∫
· ·· · · ·· · · ·· ·
6 π
0
m m m o
1.6542V V
π
3 3
coswtdwt V 3
6 2π
2
V
m m
2
1
2
1
6 π
0
2
m rms
1.6554V V

3 9
2
3
wtdwt cos 3V
6 π
1
V · ·· ·


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫


Corrente no diodo:
m
2
1
m
2
1
6 π
0
2 2
m d
0.5518V
6

sen
2
1
6
π
π
1
I wtdwt cos I

4
I · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫


O valor rms da corrente do secundário:

m
2 1
m
2 1
6 π
0
2 2
m s
0.78V
6

sen
2
1
6
π
π
2
I wtdwt cos I

8
I · ·· ·
, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫


O efeito de fontes e cargas indutivas é mostrado em seguida.


Figura 3.14 Retificador trifásico ponte completa com efeito da indutância de linha Ls.
Capítulo 4 – Retificadores Controlados 61
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
4 Retificadores Controlados

4.1. Introdução

É uma aplicação típica dos tiristores, onde o tiristor conduz somente após
a aplicação de um pulso no gatilho e pára de conduzir por comutação natural
ou de linha. Se a carga for muito indutiva o tiristor precisará de comutação
forçada. Estes retificadores são simples e têm uma eficiência de 95%. Os
mesmos também podem ser chamados de conversores CA-CC, sendo usados
para controlar a velocidade em máquinas CC de poucos HP até MW. Tanto no
caso monofásico quanto no trifásico, estes conversores podem ser do tipo
semicontrolado, totalmente controlado ou duplamente controlado.

4.2. Princípio de Operação

Figura 4.1 Retificador monofásico de media onda.
Este retificador não é muito utilizado industrialmente, pois contém muitas
harmônicas. Sua tensão média de saída é:
( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ] ( (( ( ) )) )
∫ ∫∫ ∫
+ ++ + · ·· · − −− − · ·· · · ·· ·
π
α
m π
α
m
m DC
cosα 1

V
coswt

V
wt senwtd V

1
V
A tensão eficaz de saída é dada por:
( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
2
1
π
α
2
m
2
1
π
α
2 2
m RMS
dwt cos2wt 1

V
wt wtd sen V

1
V
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

− −− − · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫

2
1
m
RMS
2
sen2α
α π
π
1
2
V
V
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + − −− − · ·· ·
Capítulo 4 – Retificadores Controlados 62
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
O circuito de disparo é sincronizado na freqüência de linha, conforme
mostrado na figura 4.2:


Figura 4.2 Alternativa de sincronismo para o retificador monofásico de onda completa.
A seguir, é mostrado o caso do retificador trifásico de meia onda
controlado:

Figura 4.3 Retificador trifásico de media onda.
Os valores médio, médio normalizado e eficaz da tensão de saída são
mostrados abaixo:

∫ ∫∫ ∫
+ ++ +
+ ++ +
· ·· · · ·· ·
α 6 5π
α
6
π
m m DC
cosα V

3 3
senwtdwt V

3
V

Capítulo 4 – Retificadores Controlados 63
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
cosα V
N
· ·· ·

( (( ( ) )) )
2
1


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫
+ ++ +
+ ++ +
cos2α

3
6
1
V 3 wt wtd sen V

3
V
m
2
1
α 6 5π
α 6 π
2 2
m RMS


4.3. Retificadores Controlados Monofásicos

4.3.1. Retificador Semicontrolado



Figura 4.4 Retificador monofásico hibrido.
A tensão média de saída é dada por:

[ [[ [ ] ]] ] ( (( ( ) )) )
∫ ∫∫ ∫
+ ++ + · ·· · − −− − · ·· · · ·· ·
π
α
m π
α
m
m DC
cosα 1
π
V
coswt

2V
senwtdwt V

2
V

O valor normalizado da tensão média é:

( (( ( ) )) ) cosα 1 0.5
V
V
V
DCmax
DC
N
+ ++ + · ·· · · ·· ·

O valor da tensão eficaz de saída é:

Capítulo 4 – Retificadores Controlados 64
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
( (( ( ) )) )
2
1
π
α
2
m
2
1
π
α
2 2
m RMS
dwt cos2wt 1

V
wtdwt sen V

2
V
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

− −− − · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫

2
1
m
RMS
2
sen2α
α π
π
1
2
V
V
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + − −− − · ·· ·

4.3.2. Retificador Totalmente Controlado

É aplicado para potências de até 15 kW, sendo os tiristores comutados pela
tensão da linha de forma natural.



Figura 4.4 Retificador monofásico ponte completa totalmente controlado.
Do gráfico, temos:

− Modo Retificador: Intervalo [α, π]; v, i > 0; potência > 0; Fonte → Carga.

− Modo Inversor: Intervalo [π, π + α]; v < 0; i > 0; potência < 0; Carga → Fonte.

A tensão média de saída é dada por:

[ [[ [ ] ]] ]
∫ ∫∫ ∫
+ ++ +
+ ++ +
· ·· · − −− − · ·· · · ·· ·
α π
α
m α π
α
m
m DC
cosα
π
2V
coswt

2V
senwtdwt V

2
V

O valor normalizado da tensão média é:

Capítulo 4 – Retificadores Controlados 65
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
( (( ( ) )) ) α cos V
π
2V
V
N
m
DCmax
· ·· · ⇒ ⇒⇒ ⇒ · ·· ·

O valor da tensão eficaz de saída é:

( (( ( ) )) )
2
1
α π
α
2
m
2
1
α π
α
2 2
m RMS
dwt cos2wt 1

V
wtdwt sen V

2
V
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

− −− − · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
+ ++ + + ++ +


2
V
V
m
RMS
· ·· ·

4.3.3. Retificador Duplamente Controlado



Figura 4.5 Retificador monofásico duplamente controlado.

2
M
DC2 1
M
DC1
cosα
π
2V
V e cosα
π
2V
V · ·· · · ·· ·

( (( ( ) )) )
1 2
α αα α π ππ π α αα α π ππ π − −− − · ·· · ∴ ∴∴ ∴ · ·· · · ·· · ∴ ∴∴ ∴ − −− − · ·· ·
1 1 2 DC2 DC1
α - cos -cosα cosα V V
O indutor L r serve para limitar a corrente que circula pela fonte.

Capítulo 4 – Retificadores Controlados 66
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
( (( ( ) )) )
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
− −− − − −− −
− −− − · ·· · · ·· ·
wt
α
wt
α
o2 o1
r
r
r
r
1 1
dwt v v
wL
1
dwt v
wL
1
i

( (( ( ) )) )
1
r
m
wt
α
wt
α
r
m
r
cosα coswt
wL
2V
senwtdwt senwtdwt
wL
V
i
1 1
− −− − · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

− −− − − −− − · ·· ·
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
− −− − − −− −


4.3.4. Retificadores Controlados Monofásicos em Série

Usados em aplicações de alta tensão e melhoramento do fator de potência.




Figura 4.6 Retificador monofásico ligados em serie.
A tensão média de saída é dada por:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
2
m
DC2 1
m
DC1
cosα 1
π
V
V e cosα 1
π
V
V + ++ + · ·· · + ++ + · ·· ·

( (( ( ) )) )
2 1
m
DC2 DC1 DC
cosα cosα 2
π
V
V V V + ++ + + ++ + · ·· · + ++ + · ·· ·
Capítulo 4 – Retificadores Controlados 67
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
O valor máximo da tensão média, VDCmax, é obtido em α1 = α2 = 0, sendo
igual a 4Vm/ π. O valor normalizado da tensão média é dado por intervalos
abaixo:

− Para 0 ≤ α1 ≤ π e α2 = π:
( (( ( ) )) )
1
m
DC2 DC1 DC
cosα 1
π
V
V V V + ++ + · ·· · + ++ + · ·· ·

( (( ( ) )) )
1
DCmax
DC
DCN
cosα 1 0.25
V
V
V + ++ + · ·· · · ·· ·
− Para α1 = 0 e 0 ≤ α2 ≤ π:
( (( ( ) )) )
2
m
DC2 DC1 DC
cosα 3
π
V
V V V + ++ + · ·· · + ++ + · ·· ·

( (( ( ) )) )
2
DCmax
DC
DCN
cosα 3 0.25
V
V
V + ++ + · ·· · · ·· ·

Outro exemplo de retificador ligado em série é mostrado a seguir:


Figura 4.6 Retificadores totalmente controlados monofásico ligados em serie.

Capítulo 4 – Retificadores Controlados 68
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar



Figura 4.6 Retificadores totalmente controlados monofásico ligados em serie.Exemplo-2.

4.4. Retificadores Controlados Trifásicos
Capítulo 4 – Retificadores Controlados 69
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Retificador Semicontrolado


Figura 4.7 Retificador trifásico híbrido controlado
senwt V v
m an
· ·· ·
, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− − · ·· · − −− − · ·· ·
6
π
wt sen V 3 v v v
m cn an ac


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− − · ·· ·
3

wt sen V v
m bn


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− − · ·· · − −− − · ·· ·
6

wt sen V 3 v v v
m an bn ba


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· ·
3

wt sen V v
m cn

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· · − −− − · ·· ·
2
π
wt sen V 3 v v v
m bn cn cb


Para α ≥ π/ 3, os valores médio e eficaz da tensão de saída são:

( (( ( ) )) ) cosα 1

V 3 3
dwt
6
π
wt sen V 3

3
dwt v

3
V
6 7π
α 6 π
6 7π
α 6 π
m
m ac DC
+ ++ + · ·· ·
, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− − · ·· · · ·· ·
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
+ ++ + + ++ +


2
1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + − −− − · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− − · ·· ·
∫ ∫∫ ∫
+ ++ +
sen2α
2
1
α π

3
V 3 dwt
6
π
wt sen 3V

3
V
m
2
1
6 7π
α 6 π
2 2
m RMS



Capítulo 4 – Retificadores Controlados 70
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
4.4.1. Retificador Totalmente Controlado


Figura 4.8 Retificadores totalmente controlados monofásico ligados em serie.
senwt V v
m an
· ·· ·
, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· · − −− − · ·· ·
6
π
wt sen V 3 v v v
m bn an ab


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− − · ·· ·
3

wt sen V v
m bn


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− − · ·· · − −− − · ·· ·
2
π
wt sen V 3 v v v
m cn bn bc


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· ·
3

wt sen V v
m cn

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· · − −− − · ·· ·
6

wt sen V 3 v v v
m an cn ca


Os valores médio, médio normalizado e eficaz da tensão de saída são:

∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
· ·· ·
, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· · · ·· ·
α 2 π
α 6 π
α 2 π
α 6 π
m
m ab DC
cosα
π
V 3 3
dwt
6
π
wt sen V 3
π
3
dwt V
π
3
V

cosα V
N
· ·· ·

2
1
m
2
1
α 2 π
α 6 π
2 2
m RMS
cos2α

3 3
4
1
V 6 dwt
6
π
wt sen 3V
π
3
V


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· ·
∫ ∫∫ ∫
+ ++ +
+ ++ +


Capítulo 4 – Retificadores Controlados 71
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
4.4.2. Retificador Duplamente controlado


Figura 4.9 Retificador Dual.
4.5. Considerações Sobre Projetos de Retificadores

Os tiristores e diodos devem ser especificados, para uso nos retificadores
controlados, devem sempre considerar o pior caso (α = 0). Deve-se determinar o
IDC, IRMS, IP, Vpico reverso. Eis alguns parâmetros de comportamento dos
retificadores:

− Tensão média de saída: VDC;

− Corrente média de saída: IDC;

− Potência média de saída: PDC = VDC· IDC;

− Tensão eficaz de saída: VRMS;

− Corrente eficaz de saída: IRMS;

− Potência de saída AC: PAC = VRMS⋅ ⋅⋅ ⋅IRMS (contínua + harmônicos);
Capítulo 4 – Retificadores Controlados 72
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

− Eficiência ou taxa de retificação:
AC
DC
P
P
η · ·· · ;

− O valor RMS efetivo:
2
DC
2
RMS AC
V V V − −− − · ·· · ;

− Fator de forma:
DC
RMS
V
V
FF · ·· · ;

− Fator de Ripple: 1 FF 1
V
V
V
V
FR
2
2
DC
RMS
DC
AC
− −− − · ·· · − −− −


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
· ·· · · ·· · ;

− Fator de utilização do transformador:
S S
DC
I V
P
TUF · ·· · , sendo VS e IS valores
eficazes da tensão e corrente no secundário do transformador;

− Ângulo de deslocamento: φ φφ φ (Ângulo entre a tensão de entrada e a harmônica
fundamental da corrente de entrada);

− Fator de deslocamento: FD = cos φ φφ φ;

− Fator harmônico da corrente de entrada:
2
1
2
1
S
2
1
2
1
2
1
2
S
1
I
I
I
I I
FH
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

− −− −


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
· ·· ·


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− −
· ·· · ,
onde I1 é o valor eficaz da componente fundamental e IS é o valor eficaz da
corrente do secundário do transformador;

− Fator de potência: cosφ
I
I
I V
cosφ I V
FP
S
1
S S
1 S
· ·· · · ·· · .
Capítulo 5 – Choppers 73
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
5 Choppers

5.1. Introdução

Para uma tensão CC de entrada fixa, os choppers, ou conversores CC-CC,
controlam a tensão CC média de saída, pela variação do tempo de condução do
dispositivo semicondutor de potência em uso. É aplicado na regulação de
tensão de fontes chaveadas e no controle de máquinas.


Figura 5.1 Representação de Chopper a nível de bloco.
A figura-1 mostra um chopper com transistor, onde, para fins de análise,
considera-se ideais a fonte de entrada e as chaves, além do circuito em regime
permanente.


Figura 5.2 Representação de Chopper redutor a transistor.
5.2. Princípio de Operação

O controle de um conversor CC-CC é feito pelo valor médio e/ ou pela
freqüência do sinal aplicado, ao gatilho, da chave de operação do circuito
conversor. O mais comum é controlar o valor médio, deste sinal, através da
variação do tempo de condução (ton) e do tempo de desligamento (toff) da chave,
para um período de chaveamento (Ts = ton + toff) fixo. Assim, este controle,
conhecido como PWM (Pulse-Width Modulation), controla o ciclo de trabalho
(D) da chave, definido por: D = ton / Ts.

Capítulo 5 – Choppers 74
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Figura 5.3 tecnica PWM para chopper.
O diagrama de blocos do circuito de controle e suas principais formas de
onda são mostrados na figura a seguir, onde: D = Vcontrol / Vst.


Figura 5.4 Diagrama de bloco de um CI PWM
5.3. Conversor Buck (Redutor de Tensão ou Step-Down)


Figura 5.5 Chopper redutor ou step down
Os circuitos equivalentes, para ton e toff, e as formas de onda são mostrados
a seguir, para o modo de condução contínuo, onde a corrente do indutor nunca
é menor que zero (iL(t) ≥ 0).
Capítulo 5 – Choppers 75
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar


Figura 5.6 Tensão sobre o indutor de um choopper redutor.
Pela conservação de energia, sabe-se que as áreas A e B são iguais, assim:
( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) ) D
T
t
V
V
t T V t V V dt V dt V
s
on
d
o
on s o on o d
T
t
L
t
0
L
s
on
on
· ·· · · ·· · ∴ ∴∴ ∴ · ·· · − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ∴ ∴∴ ∴ · ·· · + ++ +
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
0 0

Considerando que as perdas no chopper sejam nulas, tem-se:
D
V
V
I
I
I V I V P P
d
o
o
d
o o d d out in
· ·· · · ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ ∴ ∴∴ ∴ · ·· ·

O ripple da tensão de saída de um conversor Buck pode ser observado nas
formas de onda da figura abaixo:


Figura 5.7 Ripple na saída de um choopper redutor.
Capítulo 5 – Choppers 76
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Considerando a expressão física, que relaciona tensão e corrente no
indutor, e que o indutor possui tensão (VL), somente em toff, tem-se:

( (( ( ) )) )
s
o
L off
o
L
off
L
o
L
L
L
L
T D 1
L
V
∆I t
L
V
∆I
t
∆I
L V
∆t
∆I
L V
dt
dI
L v ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·

Matematicamente, o triângulo, cuja área é ∆Q, possui uma altura igual a
∆IL/ 2 e uma base igual a Ts/ 2, de modo que:

C 8
∆I T
∆V
2
∆I
2
T
2
1
C
1
∆V
C
∆Q
∆V
C
Q
V
L s
o
L s
o o
⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴ · ·· · ∴ ∴∴ ∴ · ·· ·

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
o
2
s
o s
o s
o
V
C L 8
T D 1
∆V T D 1
L
V
C 8
T
∆V ⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− −
· ·· · ∴ ∴∴ ∴
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· ·

Sabendo que fc (= 1/ 2π√(LC)) é a freqüência natural e fs (= 1/ Ts) é a
freqüência de chaveamento, tem-se que o ripple percentual é:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
2
s
c
2
o
o
2
s
o
o
f
f
2
π D 1
V
∆V
C L 8
T D 1
V
∆V


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− −
· ·· · ∴ ∴∴ ∴
⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− −
· ·· ·

5.4. Conversor Boost (Elevador de Tensão ou Step-Up)


Figura 5.8 Chopper elevador de tensão.
Os circuitos equivalentes, para ton e toff, e as formas de onda do conversor
Boost são mostrados a seguir, com a comparação entre os ganhos (Vo/ Vd) ideal
(tende ao infinito) e real (satura por efeito de elementos parasitas) do conversor.


Figura 5.9 Modos de trabalho em um chopper elevador.
Capítulo 5 – Choppers 77
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Figura 5.10 Tensão no indutor e função de transferencia do conversor.
Pela conservação de energia, sabe-se que as áreas A e B são iguais, assim:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) ) 0 0 · ·· · − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − + ++ + ⋅ ⋅⋅ ⋅ ∴ ∴∴ ∴ · ·· · + ++ +
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫
on s o d on d
T
t
L
t
0
L
t T V V t V dt V dt V
s
on
on


D 1
1
V
V
D 1
T
t T
V
V
0 T V t V T V
d
o
s
on s
o
d
s o on o s d
− −− −
· ·· · ∴ ∴∴ ∴ − −− − · ·· ·
− −− −
· ·· · ∴ ∴∴ ∴ · ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ + ++ + ⋅ ⋅⋅ ⋅

Considerando que as perdas no chopper sejam nulas, tem-se:

D - 1
1
V
V
I
I
I V I V P P
d
o
o
d
o o d d out in
· ·· · · ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ ∴ ∴∴ ∴ · ·· ·

O ripple da tensão de saída de um conversor Boost pode ser observado
nas formas de onda da figura abaixo:


Figura 5.101Corrente no capacitor e tensão de saída.
Como a carga líquida do capacitor, num período (Ts), é igual a zero, tem-se
que as áreas azul e vermelha, na figura acima, são iguais, sendo dadas por:
Capítulo 5 – Choppers 78
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
s
o
s o
T D
R
V
∆Q T D I ∆Q ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·

Sabendo que τ ττ τ (= RC) é constante de tempo do circuito e utilizando a
expressão da carga do capacitor, tem-se que o ripple percentual é:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
τ
T D
V
∆V
C
T D
R
V
∆V
C
T D I
C
∆Q
∆V
C
Q
V
s
o
o s o
o
s o
o
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· · ∴ ∴∴ ∴
⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴
⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· · · ·· · ∴ ∴∴ ∴ · ·· ·

5.5. Conversor Buck-Boost (Fly-Back)


Figura 5.11 Chopper Flyback.
As formas de onda do conversor Buck-Boost são mostradas a seguir,
incluindo a comparação entre os ganhos (Vo/ Vd) ideal (tende ao infinito) e real
(satura em 1, devido ao efeito de elementos parasitas) do conversor.


Figura 5.11 Tensão sobre o indutor e função de transferencia.
Pela conservação de energia, sabe-se que as áreas A e B são iguais, assim:

0 t V t V 0 dt V dt V
off o on d
T
t
L
t
0
L
s
on
on
· ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ ∴ ∴∴ ∴ · ·· · + ++ +
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫


( (( ( ) )) )
D 1
D
V
V
T D 1 V T D V
d
o
s o s d
− −− −
· ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅
Capítulo 5 – Choppers 79
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Considerando que as perdas no chopper sejam nulas, tem-se:

D - 1
D
V
V
I
I
I V I V P P
d
o
o
d
o o d d out in
· ·· · · ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ ∴ ∴∴ ∴ · ·· ·

O ripple da tensão de saída de um conversor Buck-Boost pode ser
observado nas formas de onda da figura abaixo:


Figura 5.12 Corrente sobre o copacitor e ripple de saída.
Como a carga líquida do capacitor, num período (Ts), é igual a zero, tem-se
que as áreas azul e vermelha, na figura acima, são iguais, sendo dadas por:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
s
o
s o
T D
R
V
∆Q T D I ∆Q ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·

Sabendo que τ ττ τ (= RC) é constante de tempo do circuito e utilizando a
expressão da carga do capacitor, tem-se que o ripple percentual é:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
τ
T D
V
∆V
C
T D
R
V
∆V
C
T D I
C
∆Q
∆V
C
Q
V
s
o
o s o
o
s o
o
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· · ∴ ∴∴ ∴
⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴
⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· · · ·· · ∴ ∴∴ ∴ · ·· ·

Uma maneira empregada para isolar a entrada da saída do conversor é
utilizar um transformador, desempenhando o papel do indutor:


Figura 5.12 Circuito Fly Back com acoplamento de transformador
Capítulo 5 – Choppers 80
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
5.6. Conversor Cuk


Figura 5.13 Chopper tipo Cuk.
Os circuitos equivalentes, para ton e toff, e as formas de onda do conversor
Cuk são mostrados abaixo.




Figura 5.14 Modos de trabalho e formas de onda sobre os indutores.
Em regime, tem-se que:

C1 o d L2 L1
V V V 0 V e 0 V · ·· · + ++ + ∴ ∴∴ ∴ · ·· · · ·· ·

Capítulo 5 – Choppers 81
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Pela conservação de energia, tem-se:

− L1:

( (( ( ) )) ) 0 t V t V V 0 dt V dt V
on d off C1 d
T
t
L1
t
0
L1
s
on
on
· ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ + ++ + ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ∴ ∴∴ ∴ · ·· · + ++ +
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫


( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
D 1
V
V 0 T D V T D 1 V V
d
C1 s d s C1 d
− −− −
· ·· · ∴ ∴∴ ∴ · ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅ + ++ + ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− −

− L2:

( (( ( ) )) ) 0 t V V t V 0 dt V dt V
on o C1 off o
T
t
L2
t
0
L2
s
on
on
· ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − + ++ + ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ∴ ∴∴ ∴ · ·· · + ++ +
∫ ∫∫ ∫ ∫ ∫∫ ∫


( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
D
V
V 0 T D V V T D 1 V
o
C1 s o C1 s o
· ·· · ∴ ∴∴ ∴ · ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − + ++ + ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− −

Igualando as expressões obtidas, para VC1, tem-se:

D 1
D
V
V
D
V
D 1
V
V
d
o o d
C1
− −− −
· ·· · ∴ ∴∴ ∴ · ·· ·
− −− −
· ·· ·

Considerando que as perdas no chopper sejam nulas, tem-se:

D - 1
D
V
V
I
I
I V I V P P
d
o
o
d
o o d d out in
· ·· · · ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ ∴ ∴∴ ∴ · ·· ·

5.7. Conversor Tipo Ponte


Figura 5.15 Chopper tipo ponte
A tensão e a corrente de carga são tanto positivas quanto negativas, sendo
chamado, também, de chopper classe E ou chopper de quatro quadrantes. Suas
formas de onda são mostradas na Figura abaixo.
Capítulo 5 – Choppers 82
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Figura 5.15 Formas de onda para uma ponte tipo ponte.
As chaves TA
+
e TB

ficam no estado “on”, enquanto as chaves TA

e TB
+

ficam no estado “off” e vice-versa. As expressões do sinal de controle (Vcont)
escolhido e do tempo de condução (ton), determinado pelo sinal de controle,
estão abaixo:

2
T
2t t e V
4 t
t
v
s
1 on tri
s
1
cont
+ ++ + · ·· · · ·· ·
ˆ


Utilizando estas expressões, é possível expressar o ciclo de trabalho, com a
chave ativa (D1), em função das tensões de controle (Vcont) e de pico da onda
triangular (
tri
V
ˆ
):



, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + · ·· · · ·· ·
tri
cont
s
on
1
V
v
1
2
1
T
t
D
ˆ


Da forma de onda de VAN – VBN e sabendo que D2 é o ciclo de trabalho,
para a chave está desativada (D2 = toff/ Ts = 1 – D1), tem-se que:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
d 1 o d 2 d 1 d off d on
s
o
V 1 D 2 V V D V D V t V t
T
1
V ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴ ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ⋅ ⋅⋅ ⋅ − −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·

Usando a relação entre D1 e as tensões Vcont e
tri
V
ˆ
, tem-se que o valor
médio (Vo) de VAN – VBN é dado por:

cont
tri
d
o
V
V
V
V ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·
ˆ

Capítulo 5 – Choppers 83
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
Outra forma de obter o mesmo valor médio da tensão de saída (Vo),
porém, sendo esta tensão unipolar, é mostrada nas formas de onda abaixo, onde
a corrente de saída (io) passa a ser bipolar.


Figura 5.16 Formas de onda para uma ponte tipo ponte com modulação unipolar.
Capítulo 6 – Inversores 84
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
6 Inversores


6.1. Introdução

Os inversores, ou conversores CC-CA, fornecem tensões CA, na saída, a
partir de tensões CC, na entrada, por meio da comutação (chaveamento)
adequada dos dispositivos semicondutores de potência utilizados. Possuem
dois tipos, monofásico e trifásico. Suas entradas podem ser baterias, células
solares etc. e suas saídas típicas dependem do tipo, isto é:

− Monofásicas: 220 V, 50Hz; 120 V, 60Hz; 115 V, 400Hz.
− Trifásicas: 220/ 380 V, 50Hz; 120/ 208 V, 60Hz; 115/ 200 V, 400Hz.


Figura 6.1 Definição de inversor.
É aplicado em fontes de potência ininterruptas ou de emergência,
atuadores de máquinas CA, fornos de indução etc.. A figura abaixo mostra um
inversor monofásico com MOSFETs.


Figura 6.2 Inversor monofásico tipo ponte.
Além da classificação em monofásico e trifásico, os inversores também são
divididos de acordo com:

− Técnica de comutação utilizada:

Capítulo 6 – Inversores 85
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
! Inversor com modulação de largura de pulso;
! Inversor ressonante;
! Inversor com comutação auxiliar;
! Inversor com comutação complementar.

− Tipo de fonte de entrada:

! Inversor de Fonte de Tensão, do inglês Voltage Source Inverter (VSI);
! Inversor de Fonte de Corrente, do inglês Current Source Inverter (CSI).

6.2. Princípio de Operação

O princípio de operação do inversor pode ser entendido, através da figura
abaixo, que consiste em um inversor de meia-ponte, formado por dois
choppers, devendo ser notado que a tensão sobre um transistor, no estado “off”,
é igual a duas vezes a tensão da fonte.


Figura 6.3 Inversor monofásico de media ponte
Somente o transistor Q1 conduz, durante To/2, sendo a tensão instantânea,
sobre a carga, igual à tensão de uma das fontes CC (vo = Vss). Para uma carga
indutiva, a corrente não muda imediatamente, com a tensão de saída, isto é,
quando Q1 é cortado, em t = To/2, a corrente da carga continua fluindo, através
de D2, da carga e da fonte superior, até cair a zero. Um processo semelhante
ocorre para Q2 e D1, no intervalo de tempo t = To/2 até t = To, sendo a tensão
instantânea, na carga, igual à tensão da fonte, porém, negativa (vo = – Vss).
Quando os diodos conduzem, a energia está sendo devolvida à fonte CC. A
figura acima também mostra as formas de onda da tensão e da corrente, numa
carga puramente indutiva, onde cada transistor conduz somente 90
o
; contudo,
dependendo do fator de potência da carga, este período de condução pode
variar desde 90 até 180
o
.
A tensão de saída é dada por:

− Instantânea:

Capítulo 6 – Inversores 86
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·
⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· ·
1,3,5,... n
ss
o
ωt n sen
π n
2V 2
v

− RMS:

ss o
1/2
T
0
2
ss
o
o
V V dt V
T
1
V
o
· ·· · ∴ ∴∴ ∴


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·
∫ ∫∫ ∫


As estruturas básicas do atuador de controle e do circuito de potência do
inversor são mostradas na figura a seguir, sabendo que o circuito lógico é
projetado de maneira que Q1 e Q2 não conduzam simultaneamente.


Figura 6.4 Inversor com realimentação de corrente.
Os parâmetros de performance dos inversores são citados a seguir, onde Vn é
o valor eficaz (RMS) do enésimo harmônico:

− Fator Harmônico:

1
n
V
V
FH · ·· ·

− Distorção Harmônica Total:

1/2
2,3,... n
2
n
1
V
V
1
DHT


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·
∑ ∑∑ ∑
· ·· ·

− Fator de Distorção:

1/2
2,3,... n
2
2
n
1
n
V
V
1
FD
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸


, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·
∑ ∑∑ ∑
· ·· ·

Capítulo 6 – Inversores 87
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

− Fator de Distorção Individual:

2
1
n
n
n V
V
FD
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· ·

6.3. Inversor Monofásico em Ponte


Figura 6.5 Inversor monofásico tipo ponte.
Após explicar o princípio de funcionamento dos inversores, através de um
inversor monofásico meia-ponte, a figura acima mostra o inversor monofásico
tipo ponte e suas formas de onda. Pode-se dizer que este tipo de inversor é
formado por quatro choppers, onde os semicondutores conduzem aos pares
(D1–D2, Q1–Q2, D3–D4, Q3–Q4).

A tensão de saída é dada por:

− Instantânea:

( (( ( ) )) )
∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·
⋅ ⋅⋅ ⋅ ⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· ·
1,3,5,... n
s
o
ωt n sen
π n
4V
v

− Componente fundamental (n = 1):

s 1
s
1
0,9V V
π 2
4V
V · ·· · ∴ ∴∴ ∴
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· ·

− RMS:

s o
1/2
/2 T
0
2
s
o
o
V V dt V
T
2
V
o
· ·· · ∴ ∴∴ ∴


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·
∫ ∫∫ ∫

6.4. Inversor Trifásico

Capítulo 6 – Inversores 88
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar



Figura 6.5 Inversor trifásico com três ponte monofásicas.
Geralmente, os inversores trifásicos são utilizados em aplicações de
potência elevada. Na figura acima, três inversores monofásicos de meia-ponte
ou ponte completa são conectados em paralelo, para formar a configuração de
um inversor trifásico. Para que as tensões trifásicas fundamentais obtidas sejam
equilibradas, é necessário que os sinais de comando dos inversores monofásicos
sejam adiantados ou atrasados de 120
o
, um em relação ao outro. Os
enrolamentos primários dos transformadores devem ser isolados, uns dos
outros, já os secundários podem ser conectados em estrela ou em triângulo,
sendo mais empregada a ligação em estrela, por eliminar os harmônicos triplos
(n = 3, 6, 9, ...) das tensões de saída. Se as tensões de saída dos inversores
monofásicos não forem perfeitamente equilibradas, em amplitude e fase, as
tensões de saída trifásicas serão desequilibradas.


Capítulo 6 – Inversores 89
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
6.5. Inversor Trifásico em Ponte




Figura 6.6 Inversor trifásico.
Uma saída trifásica também pode ser obtida por uma configuração com
seis transistores e seis diodos, como na figura acima, onde podem ser
empregados dois tipos de sinais de controle, nos transistores, um de 180
o
de
condução e outro de 120
o
. Neste trabalho, somente será tratado o controle por
condução de 180
o
, na qual, conforme sugere seu nome, cada transistor conduz
por 180
o
, de maneira que três transistores permanecem conduzindo em
qualquer instante de tempo. Os sinais de comando são mostrados na figura
acima, onde estão defasados 60
o
uns dos outros, para que as tensões trifásicas
fundamentais de saída sejam equilibradas.

Desta forma, quando Q1 conduz, o terminal a é conectado ao positivo da
fonte CC. Ao entrar Q4, o terminal a é levado ao negativo da fonte CC. Assim,
existem seis modos de operação de 60
o
, em cada ciclo. Os transistores são
numerados de acordo com sua seqüência de comando, por exemplo: 123, 234,
345, 456, 561 e 612.
Capítulo 6 – Inversores 90
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
A carga pode ser ligada em triângulo, onde as correntes podem ser
diretamente determinadas das tensões de linha, ou estrela, onde as tensões
entre fase e neutro têm de ser encontradas, a fim de determinar as correntes.
Este procedimento pode ser feito considerando que, em cada semiciclo, existem
três modos de condução, mostrados na figura abaixo (carga em estrela), onde
também pode ser observada a forma de onda, entre a fase a e o neutro, com os
valores da tensão já calculados, para cada modo citado.



Figura 6.7 Modos de trabalho do inversor trifásico.
Tensão de linha de saída é dada por:

− Instantânea:

∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
+ ++ + ⋅ ⋅⋅ ⋅
, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸ ⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· ·
1,5,7,... n
s
ab
6
π
ωt sen
6
π n
cos
π n
4V
v

∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
− −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅
, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸ ⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· ·
1,5,7,... n
s
bc
2
π
ωt sen
6
π n
cos
π n
4V
v

∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·

, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸ ⋅ ⋅⋅ ⋅
− −− − ⋅ ⋅⋅ ⋅
, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸ ⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· ·
1,5,7,... n
s
ca
6
π 7
ωt sen
6
π n
cos
π n
4V
v

− Componente de linha fundamental (n = 1):

s 1
s
L1
V 0,7797 V
π 2
cos30 4V
V ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴
⋅ ⋅⋅ ⋅
° °° ° ⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· ·

− RMS:

( (( ( ) )) )
s o
1/2
2ππ/
0
2
s L
V
3
2
V ωt d V
π 2
2
V · ·· · ∴ ∴∴ ∴
, ,, ,
_ __ _

¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
⋅ ⋅⋅ ⋅
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· ·
∫ ∫∫ ∫

A tensão eficaz de saída, entre fase e neutro, é dada por:
Capítulo 6 – Inversores 91
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

s F
s L
F
V 0,4714 V
3
V 2
3
V
V ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· · ∴ ∴∴ ∴
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· · · ·· ·

Com cargas resistivas, os diodos em paralelo com os transistores não têm
função. Caso a carga fosse indutiva, a corrente, em cada ramo do inversor, seria
atrasada, em relação a sua tensão. Assim, quando o transistor Q4 cortar, o único
caminho para a corrente negativa de linha seria através de D1. Com isso, o
terminal a da carga seria conectado à fonte CC, através do diodo D1, até a
corrente inverter sua polaridade. Durante este período de tampo, Q1 não
conduz. Como o tempo de condução varia com o fator de potência da carga, os
transistores têm de ser continuamente excitados.

6.6. Inversor de Fonte de Corrente (IFC)



Figura 6.8 Inversor de corrente monofásico.
Nos casos anteriores, os inversores são alimentados por uma fonte de
tensão e a corrente de carga é forçada a variar entre o positivo e o negativo e
vice-versa; sendo empregados chaves de potência, com diodos de comutação,
no caso de cargas indutivas. Já no inversor de fonte de corrente (IFC), a entrada
comporta-se como uma fonte de corrente, enquanto a corrente de saída é
mantida constante, independentemente da carga, e a tensão de saída é forçada a
variar. O diagrama do IFC monofásico transistorizado e a forma de onda da
corrente de saída são mostrados na figura acima. Como a fonte exige um fluxo
contínuo de corrente, duas chaves sempre conduzirão, uma na parte superior e
outra na inferior, sendo a seqüência de operação dada por: 12, 23, 34 e 41. Os
diodos em série bloqueiam tensões reversas nos transistores.
Capítulo 6 – Inversores 92
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Figura 6.9 Inversor de corrente a tiristores.
Conforme mostra a figura acima, no IFC tiristorizado, a comutação é feita
apenas utilizando capacitores. A figura abaixo ilustra a operação do circuito,
durante um semiciclo, assim como suas formas de onda. Para fins de análise,
considera-se que T1 e T2 estão conduzindo e os capacitores C1 e C2 estão
carregados com a polaridade mostrada. Então, o disparo de T3 e T4 polariza
reversamente T1 e T2, que são desligados, através de comutação por impulso.
Agora, a corrente circula através de T3-C1-D1, carga e D2-C2-T4. Assim, os
capacitores C1 e C2 são descarregados e recarregados, em uma taxa constante,
determinada pela corrente de carga. Quando C1 e C2 são carregados, para a
tensão de carga, e suas correntes caem a zero, a corrente de carga é transferida
de D1 para D3 e de D2 para D4. D1 e D2 são desligados quando a corrente de
carga for completamente invertida. Neste momento, os capacitores estão
prontos para desligar T3 e T4, se T1 e T2 forem disparados no próximo semiciclo.
O tempo de comutação depende da amplitude da corrente e da tensão da carga.
As expressões das formas de onda são mostradas a seguir.


Figura 6.10 Forma de trabalho do inversor de corrente a tiristores.
( (( ( ) )) )
2
i I
i i I i i i i
o L
c c L o d o c
+ ++ +
· ·· · ∴ ∴∴ ∴ − −− − + ++ + · ·· · + ++ + · ·· ·

C 2R t
L c
o
e I i
− −− −
· ·· · ∴ ∴∴ ∴
Capítulo 6 – Inversores 93
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
C 2R
i I
dt
di
0
dt
di
R
2C
i I
0 i R dt
C
i
L
o L o o
o
o L
o L
c
+ ++ +
− −− − · ·· · ∴ ∴∴ ∴ · ·· · + ++ +
+ ++ +
∴ ∴∴ ∴ · ·· · + ++ +
∫ ∫∫ ∫


L
C 2R t
L o
I e 2I i
o
− −− − · ·· · ∴ ∴∴ ∴
− −− −


A figura abaixo ilustra um inversor trifásico corrente-tensão, com carga
indutiva, assim como, os períodos de condução de cada semicondutor, as
tensões de fase e a corrente da fase “A”.




Figura 6.11 Inversor de corrente a tiristores.
6.7. Controle de Tensão de Inversores Monofásicos

Há várias técnicas de controle do ganho e, conseqüentemente, da tensão
de saída, de um inversor, sendo o controle por modulação da largura de pulso
(PWM) o mais eficiente. Os objetivos do controle de tensão, nos inversores em
geral, são:

− Manter a tensão de saída independente de variações na tensão de entrada;
− Manter a tensão de saída independente da carga (regulação);
− Manter constante a relação entre a tensão e a freqüência de saída.

As técnicas mais comumente utilizadas são tratadas a seguir:

− Modulação por Largura de Pulso Único: Existe somente um pulso por
semiciclo e a sua largura é variada, para controlar a tensão de saída do inversor.
A figura abaixo mostra os sinais de comando e a tensão de saída do inversor
monofásico em ponte completa. Os sinais de comando são gerados por
comparação, entre um sinal de referência retangular de amplitude Ar e uma
Capítulo 6 – Inversores 94
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
onda portadora triangular de amplitude Ac. A freqüência do sinal de referência
determina a freqüência fundamental da tensão de saída. Pela variação de Ar,
desde 0 até Ac, a largura do pulso (δ) pode ser variada de 0 até 180
o
. A relação
entre Ar e Ac é a variável controlada, sendo definida como índice de modulação:
(M). A figura abaixo também mostra o perfil de harmônicos com a variação de
M, onde o harmônico dominante é o terceiro e fator de distorção aumenta
bastante, para baixas tensões de saída. As expressões do índice de modulação
(M), da tensão eficaz de saída (Vo), da série de Fourier da tensão de saída (vo) e
da largura de pulso (δ) são mostradas abaixo.



Figura 6.11 Técnica de modulação por largura de pulso.
c
r
A
A
M · ·· ·

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
π
δ
V wt d V

2
V
s
2 1
2 δ π
2 δ π
2
s o
· ·· ·
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1


¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫
+ ++ +
− −− −


( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·
· ·· ·
K 1,3,5, n
s
o
nwt sen
2

sen

4V
t v


M π δ ⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·
Capítulo 6 – Inversores 95
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
− Modulação por Largura de Pulsos Múlt iplos: O uso de muitos pulsos, em
cada semiciclo da tensão de saída, pode reduzir o conteúdo harmônico. A
figura abaixo mostra a geração dos sinais de comando dos transistores e a
tensão de saída, para inversores monofásicos. Esta geração permite ligar e
desligar os transistores, sendo feita por comparação por comparação de um
sinal de referência com uma portadora triangular. A freqüência do sinal de
referência estabelece a freqüência de saída (fo) e a freqüência da portadora (fc)
determina o número de pulsos, por semiciclo (p). O índice de modulação (M)
controla a tensão de saída e sua variação de 0 até 1 varia largura de pulso de 0
até π ππ π/p e a tensão de saída de 0 até Vs. A figura a seguir também possui o perfil
de harmônicos pela variação de modulação, para cinco pulsos por semiciclo,
onde o fator de distorção é bem menor que aquele da modulação por pulso
único; porém, devido ao maior número de processos de chaveamento dos
transistores, aumenta as perdas. As expressões do número de pulsos por
semiciclo (p), da tensão eficaz de saída (Vo), da série de Fourier da tensão de
saída (vo, onde o valor de Bn pode ser encontrado por um par de pulsos, com
duração de δ, sendo que o positivo começa em ωt = α, enquanto o negativo
começa em ωt = π+α) e da largura de pulso (δ) são mostradas abaixo.



Figura 6.12 Técnica de modulação por mutipulso
2
m
f 2
f
p
f
o
c
· ·· ·
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· · , onde mf = fc/fo é a razão da freqüência de modulação.

Capítulo 6 – Inversores 96
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar
( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
π
δ P
V wt d V

2P
V
s
2 1
2 δ P π
2 δ P π
2
s o
⋅ ⋅⋅ ⋅
· ·· ·
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

¸ ¸¸ ¸

· ·· ·
∫ ∫∫ ∫
+ ++ +
− −− −

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·
⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·
K 1,3,5, n
n o
nwt sen B t v


M
P
π
δ · ·· ·

− Modulação por Largura de Pulsos Senoidal: A largura de cada pulso é
variada, em proporção à amplitude de uma onda senoidal, analisada no centro
do mesmo pulso. O fator de distorção e os harmônicos de mais baixa ordem são
reduzidos de maneira significativa. A figura abaixo mostra a tensão instantânea
de saída (considerando que dois transistores do mesmo ramo não podem
conduzir ao mesmo tempo). Além disso, a figura também mostra os sinais de
comando, os quais são gerados através da comparação de um sinal de
referência senoidal com uma portadora triangular de freqüência fc. A
freqüência do sinal de referência (fr) determina a freqüência de saída do
inversor (fo) e sua amplitude máxima (Ar) controla o índice de modulação (M),
que, por sua vez, controla a tensão eficaz de saída (Vo). O número de pulsos por
semiciclo depende da freqüência da portadora. Na figura a seguir, também
pode ser observado que os mesmos sinais de comando podem ser gerados via
uma onda portadora triangular unidirecional. Além disso, a figura mostra o
perfil de harmônicos da modulação senoidal, para cinco pulsos por semiciclo,
sendo o fator de distorção bastante reduzido, quando comparado àquele da
modulação por pulsos múltiplos. As expressões da tensão eficaz de saída (Vo,
estendida da expressão do valor médio, para modulação por pulsos múltiplos),
e da série de Fourier da tensão de saída (vo, semelhante ao caso anterior).


Figura 6.13 Técnica de modulação modulação senoidal
Capítulo 6 – Inversores 97
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar



2 1
P
1 n
m
s o
π
δ
V V


, ,, ,
_ __ _


¸ ¸¸ ¸
¸ ¸¸ ¸
· ·· ·
∑ ∑∑ ∑
· ·· ·


( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
∑ ∑∑ ∑
∞ ∞∞ ∞
· ·· ·
⋅ ⋅⋅ ⋅ · ·· ·
K 1,3,5, n
n o
nwt sen B t v


Outros tipos de técnicas de controle de tensão bastante difundidas são a
Modulação por Largura de Pulsos Senoidal Modificada
Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

98
7 - APLICAÇÕES A FONTES DE ALIMENTAÇÃO
========================================================
7.1 Introdução

Figura 7.1 Esquema de uma fonte de alimentação CC chaveada ( 70% < η ηη η < 60%)

Figura 7.2 Fonte de Alimentação CC Linear ( 30% < η ηη η < 60%) recomendável para
potências < 25W
Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

99

7.2 Fontes Chaveadas vs Fontes Lineares

• Fonte chaveada é altamente eficiente de 70 a 90 %
• Tamanho e peso das fontes são menores devido a trabalhar a freqüências altas.
• Fontes chaveadas são mas complexas e geram interferências
electromagnéticas.

7.3 Conversor CC-CC com ISOLAMENTO ELETRICO

Classificação:

• UNIDIRECIONAL
• FLYBACK
• BUCK ou Strep Down

• BIDIRECIONAL

• Push-Pull
• Half-Brige(media ponte)
• Full-Brige(ponte completa)

7.4 CONVERSOR FLYBACK

CHAVE “ON” CHAVE “OFF”
Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

100
Figura 7.3 Chopper tipo Flyback



(a) Com dois Transistores (b) Conversor paralelo a Flyback
Figura 7.4 Outras configurações fly back

7.5 CONVERSOR FORWARD (derivado do step-down)

Figura 7.5 Chopper Forward
( )
( )
v
N
N
v v t t
v v t t T
V
V
N
N
D
L d o on
L o on s
o
d
· − < <
· − < <
·
¹
'
¹
¹
;
¹
2
1
2
1
0

Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

101

Fig.7.6 CONVERSOR FORDWARD PRATICO


Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

102
OUTRAS TOPOLOGIAS

(a) COM DUAS CHAVES

(b) CONFIGURAÇÃO PARALELA

Fig.7.7 Outras configurações













Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

103
7.6 CONVERSORES CC-CC BIDIRECCIONAIS
CONVERSOR PUSH PULL

Fig.7.8 Conversor Push Pull
( )
( )
( )
v
N
N
v v t t
v v t t T
V
V
N
N
D D
L d o on
L o on s
o
d
· − < <
· − < <
·
¹
'
¹
¹
;
¹
< <
2
1
2
1
0
2 0 05 ,

( )
( )
( )
v
N
N
v v t t
v v t t T
V
V
N
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D D
L d o on
L o on s
o
d
· − < <
· − < <
·
¹
'
¹
¹
;
¹
< <
2
1
2
1
0
0 05 ,

Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

104
CONVERSOR TIPO PONTE

Fig.7.9 Conversor tipo Ponte
( )
( )
v
N
N
v v t t
v v t t
t
T
V
V
N
N
D onde D
t
T
L d o on
L o on
on
s
o
d
on
s
· − < <
· − < <
+ ·
¸
¸

_
,

·
¹
'
¹
¹
;
¹
·
2
1
2
1
0
2
2


; ....


Comparando fontes de media ponte e ponte completa, com tensões de
entrada e saída, e potências similares obtém-se:


( ) ( )
N
N
N
N
I I
P P
CHAVE
P
CHAVE
P
2
1
1 2
2
1
1 2
2
2
¸
¸

_
,

·
¸
¸

_
,

·
/
/




Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

105

7.7 CONTROLE DE UMA FONTE CHAVEADA CC

A variação de Vo < t tt t


Fig.7.10 Diagrama de blocos do sistema de controle



7.8 FONTES DE ALIMENTAÇÃO C.A
UPS (Uninterruptiple Power Supplies)

Usado para alimentar cargas criticas como:
• Computadores controlando processos importantes
• Equipamentos médicos
Características de tensão de sadia:
• freqüência de saída devera ser de 60 Hz.
• Puramente senoidal distorção menor de 1%
• Para um sistema 3φ as três sinais deveram ter a mesma amplitude e estar
desfasadas 120°.
PROBLEMAS TÍPICOS:
• SOBRE TENSÃO
• SUB TENSÃO
• SAIDA DO SISTEMA
• PICOS TRANSITORIOS DE TENSÃO (SPIKES)
• FORMAS DE TENSÃO RECORTADA
Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

106

• HARMONICOS

• EMI


Fig.7.11 TIPICA TOLERANCIA DE TENSÃO DE SISTEMAS COMPUTARIZADOS (
STD.446)
RECOMENDAÇÃO PRATICA PARA SISTEMAS DE POTENCIA DE EMERGENCIA PARA APLICAÇÕES
INDUSTRIAES E COMENCIAES.

Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

107
7.9 NO-BREAKS - PARA QUE SERVEM?
Em alguns setores da população os apagões provocaram mudanças no día a día. Para quêm não
sabe fazem já 20 anos que os no-breaks (aparelhos que armazenam energia elétrica em
baterias). E que hoje a causa de todos estes problemas, adquiriram seu verdadeiro valor perante
este problema. Por estas horas nem fabricantes nem lojistas conseguem dar conta dos pedidos
do setor informatizado em indústrias, hospitáis, lojas, escolas, etc...etc...
Estes equipamentos ajudam a continuar os trabalhos em desenvolvimento e protegem o
hardware do sistema quando a rede elétrica fica instável ou diretamente quando a energía falta.
Existem no-breaks para uso doméstico , e outros para uso corporativo. Os primeiros de 400 a
600 VA (Volt-Ampère) e os segundos de até160 kVA (kiloVolt-Ampère). Porém existem
alguns fabricantes que podem fornecer no-breaks de até 1.000 kVA".
A autonomía destes equipamentos é de 15 a 20 minutos, o que permitiría encerrar os trabalhos
que estão sendo feitos, e ainda alguns deles possúem circuitos inteligentes que, fazem com que
a máquina guarde o trabalho em disco e o feche se o usuário estiver longe no momento do
apagão. Tambem podem incorporar-se módulos externos de bateria ao no-break se éste for
expansivel e obviamente no caso de aqueles usuários que necessitem mais tempo de autonomía.
Para se ter uma idéia de preços, um no-break de 650 VA (suficientes para o micro, monitor,
impressora e scanner), custa R$ 280 para uma autonomia de 30 minutos e aceita bateria externa
para 370 minutos (por R$ 250).
Clientes corporativos vão gastar um pouco mais: é possível manter o no-break no ar por até 24
horas, mas isso encarece o equipamento. "Um no-break de 3 kVA, que suporta 15 micros por
15 minutos, custa em torno de RS 6 mil. Se o cliente quiser uma autonomia de 2 horas, vai
gastar mais R$ 8 mil em baterias".
Para garantir que a atividade profissional seja mantida em caso de blecautes (e agora também
durante o racionamento), muitas empresas usam geradores. Eles demoram alguns minutos para
entrar em funcionamento. O ideal é que um no-break faça a transição.
Além dos equipamentos de informática, os outros eletrodomésticos também precisam de
proteção. Filtros de linha e estabilizadores ajudam nessa tarefa. Mesmo sem blecaute, a rede
elétrica é instável. Na volta de um eventual apagão, a energia produz um pico que pode
danificar tevês, rádios, geladeiras....
De uma forma geral, os sistemas ininterruptos de energia, conhecidos popularmente no Brasil
como No-Breaks, possuem como função principal fornecer à carga crítica energia condicionada
(estabilizada e filtrada) e sem interrupção, mesmo durante uma falha da rede comercial.
Ao receber a energia elétrica da concessionária, o No-Break transforma esta energia não
condicionada, isto é; abundante em flutuações, transitórios de tensão e de freqüência, em
energia condicionada, onde as características de tensão e freqüência são rigorosamente
controladas. Desta forma oferece parâmetros ideais, o que é fundamental para o bom
desempenho das cargas críticas (sensíveis).

Figura 9.12 - Sistema No-Break alimentando carga crítica
Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

108
Transitórios e deformações da forma de onda de tensão, variações de freqüência e mini-
interrupções (duração de até 0,1 segundo) dependem de uma série de fatores, tais como:
proximidades de cargas reativas ou não lineares (retificadores controlados), comutação de
cargas na rede, descargas atmosféricas, ruídos, etc.
Estes fenômenos perturbam a operação e comprometem a confiabilidade dos sistemas
computacionais. De acordo com sua magnitude podem afetar até o hardware pela danificação
de semicondutores, discos rígidos, cabeças de gravação, entre outros.
Composição do Sistema
Um sistema No-Break é composto por circuito retificador/carregador de baterias, banco de
baterias, circuito inversor de tensão e chave estática ou bypass automático (item opcional).
Circuito Retificador/Carregador- converte tensão alternada em contínua, mantendo o banco de
baterias carregado e alimentando o inversor (ver No-Break On-Line);
Banco de Baterias- armazena energia para alimentar a carga durante falhas da rede elétrica e
atua como filtro (ver No-Break On-Line);
Circuito Inversor- converte tensão contínua (proveniente do banco de baterias) em tensão
alternada para alimentar a carga;
Chave Estática- transfere a carga para a rede em caso de falha no sistema.
Topologias Principais:
Em função da disposição dos circuitos, são geradas diferentes arquiteturas (topologias) com
características bem distintas. Os sistemas No-Breaks podem ser divididos em ON-LINE e OFF-
LINE.
No-Break Off-Line
Na figura 9.13 é mostrado o diagrama em blocos da topologia off-line. Nesta topologia existem
duas condições de operação, definidas pela situação da rede de alimentação:
Rede Presente- a chave CH é mantida fechada. A carga é alimentada pela rede elétrica (em
alguns casos passando por um circuito estabilizador de tensão).
Falha na Rede- a chave CH é aberta. A carga passa a ser alimentada pelo banco de baterias
através do inversor.

Figura 9.13 - Diagrama em blocos do No-Break Off-Line

Nos equipamentos onde há um circuito carregador do banco de baterias específico o inversor
permanece inoperante (estado passivo) enquanto a rede estiver presente, passando a alimentar a
carga somente em uma falha da rede. Estes equipamentos são tipicamente denominados como
No-Breaks Stand-By.
Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

109
Nesta mesma linha se encontram os Short-Breaks, diferenciando-se dos No-Breaks Off-Line,
basicamente, por: maior tempo de interrupção nas transferências, inexistência de circuito
estabilizador (via rede), inversor alimenta a carga com onda quadrada não estabilizada, etc.
Existem equipamentos, denominados como Bidirecionais ou Tri-Port, onde o inversor atua
também como carregador do banco de baterias.
Nesta configuração (Off-Line) existem, portanto, duas fontes de alimentação da carga; rede e
inversor, existindo desta forma transferência da carga de uma fonte para outra em função da
situação da rede. Estas transferências são pontos muito críticos, submetendo a carga a
transitórios de sub ou sobretensão e, em alguns casos, interrupções no fornecimento de energia.
Neste caso, principalmente, o seu computador pode ter desde perda de dados até danificações
no hardware.
O circuito retificador nesta topologia limita-se exclusivamente a carregar o banco de baterias.
Normalmente possuem pequena capacidade de corrente de carga e, portanto, não são
recomendados para as aplicações que necessitam de longo tempo de autonomia (acima de uma
hora).


No-Break On-Line
O diagrama em blocos desta configuração é apresentado na figura 9.14. Nos equipamentos
desta topologia sempre existe dupla conversão de energia: no primeiro estágio o retificador
opera como conversor de tensão alternada (rede) em contínua (banco de baterias) e no segundo
estágio o inversor converte tensão contínua (baterias) em alternada (saída).

Figura 9.14 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line

Na figura 9.15 é mostrado o fluxo de potência com rede presente. O circuito retificador
alimenta inversor e carrega o banco de baterias. A carga é continuamente alimentada pelo
inversor, não dependendo da situação da rede. Além de manter a rede comercial eletricamente
isolada da carga, a principal vantagem dos sistemas On-Line em relação aos sistemas Off-Line
é que não há tempo de transferência e/ou transitórios da tensão de saída nos eventos de falha ou
retorno da rede comercial.

Figura 9.15 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line/Rede presente

Devido à dupla conversão de energia, os sistemas On-Line, normalmente, apresentam maior
custo de fabricação e possuem rendimento global inferior aos sistemas Off-Line. Em outros
Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

110
itens como: regulação estática, regulação dinâmica (variação da carga e/ou da tensão da rede
comercial), estabilidade da frequência e taxa de distorção harmônica da tensão de saída os
sistemas On-Line apresentam melhor desempenho.
Durante uma falha na rede comercial, a energia armazenada no banco de baterias é utilizada
pelo inversor para alimentar a carga. Este modo de operação está representado na figura 9.16.

Figura 9.16 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line/Rede presente

Os sistemas On-Line operam com tensão mais elevada no barramento de tensão contínua
(utilizam maior número de baterias). Este fator faz com que o rendimento do circuito inversor
seja superior nos sistemas On-Line.
Na figura 9.17 é mostrado o diagrama em blocos do No-Break On-Line com chave estática.
Esta configuração apresenta extrema confiabilidade, operando normalmente pelo inversor e em
caso de falha do inversor, sobrecarga ou outro evento que prejudique o fornecimento, a chave
estática transfere a carga para a rede. Após a normalização da situação a chave estática retorna a
carga para o inversor. Por esta razão a maior parte dos fabricantes de No-Breaks, nacionais e
internacionais, nas potências acima de 10kVA, tipicamente, utilizam esta topologia.

Figura 9.17 - No-Break On-Line com chave estática













Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

111


Os problemas de alimentação eléctrica, podem provocar a perda da informação que circula
numa rede de dados ou simplesmente de um PC. O risco que corre é tanto maior quanto mais
importante for a informação com que trabalha no seu PC. A Back-UPS PRO da APC, alimenta,
em caso de emergência, o seu computador através da bateria permitindo-lhe trabalhar durante
breves falhas de energia ou desligar o seu sistema no caso de uma falha de rede prolongada. A
Back-UPS Pro da APC, utiliza o PowerChute® plus (software de gestão) com WorkSafe® para
guardar ficheiros e para desligar o seu computador de forma segura e ordeira em caso de falha
de rede. O seu elevado desempenho contra problemas de sobretensão, protege o seu
computador dos danos provocados pelo ruído eléctrico, picos de tensão e descargas
atmosféricas. Para informações complementares consulte a tabela de autonomias da Back-UPS
Pro.



Si t e para pesqui sa:

ht t p: / / www. i nst rut ec. com. br/ represen/ MCM/ nobreakbst ec. ht ml

ht t p: / / www. adi - sa. com. ar/ upset I I . ht m

ht t p: / / www. qrs. pt / i ndex. ht ml ?t arget = UPSzi Uni dzode_Energi a_I net zozj . ht ml

ht t p: / / www. emersonenergy. com. br/ ups. ht m


Apresentação

ii

Apresentação
Este texto foi elaborado como referência para a disciplina Eletrônica de Potência ministrada no curso de graduação em Engenharia Elétrica da Universidade Federal do Rio Grande do Norte. Foi empregada uma análise simples e concisa dos fundamentos da Eletrônica de Potência, observando também suas evoluções e novas tendências. Inicialmente, é feita uma introdução ao conteúdo, trazendo conceitos, definições, termos, dispositivos, esquemas, formulações e gráficos, que serão empregados no decorrer do assunto, sendo, também, considerados uma breve evolução histórica e aplicações práticas da Eletrônica de Potência, a fim de situá-la no seu contexto atual. Além disso, é realizado um estudo sucinto da Física envolvida nos dispositivos semicondutores de potência. Em seguida, são abordados os dispositivos semicondutores de potência mais comumente utilizados, observando suas camadas semicondutoras (dopagem), modelos equivalentes, curvas características, propriedades de disparo e chaveamento, tipos, ligações e aplicações. Posteriormente, são analisados os circuitos conversores empregados, em Eletrônica de Potência, para controlar ou condicionar a energia elétrica, através da conversão de potência elétrica. Dentre estes circuitos, são analisados os retificadores controlados e não-controlados, os choppers e os inversores, cada qual tratado em um capítulo, de forma a permitir uma análise mais simples e detalhada destes conversores. Por fim, tem-se os Apêndices, que visam permitir um maior aprofundamento do conteúdo, através de tópicos mais específicos e detalhados, os quais foram omitidos, durante o desenvolvimento dos capítulos, com o propósito de tornar o estudo mais claro e objetivo. As referências bibliográficas, tratadas ao final, oferecem condições de um maior desenvolvimento em assuntos de caráter específico, a cerca daqueles apresentados. Ainda, vale a pena salientar que este trabalho é uma coletânea de assuntos fundamentais relacionados à Eletrônica de Potência, sendo alguns desenvolvidos, acrescentados e aperfeiçoados, para fornecer melhor ênfase e didática ao conteúdo, e outros transcritos da bibliografia citada, para não perder em qualidade e não descaracterizar a escrita do autor. Além disso, este material deve sofrer freqüentes atualizações e possíveis correções, em virtude da constante evolução tecnológica observada no campo da Eletrônica de Potência e de eventuais erros cometidos no próprio texto, pelos quais, desde já, pedimos a colaboração de todos os leitores, informando sobre as falhas detectadas.

Eletrônica de Potência

Andrés Ortiz Salazar / Leonardo Wayland Torres Silva

Índice

iii

Índice
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência .....................................1
1.1. Introdução..............................................................................................................1 1.2. Evolução Histórica................................................................................................2 1.3. Física dos Semicondutores ..................................................................................3 1.4. Dispositivos Semicondutores de Potência ........................................................5 1.5. Efeitos da Conversão de Potência .................................................................... 12 1.6. Tipos de Circuitos ............................................................................................... 13 1.7. Aplicações ............................................................................................................ 16 1.8. Projetos de Equipamentos ................................................................................. 17

Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência ...................... 18
2.1. Introdução............................................................................................................ 18 2.2. Diodos de Potência ............................................................................................. 18 2.2.1. Generalidades ....................................................................................................... 18 2.2.2. Aspectos Contrutivos ............................................................................................ 19 2.2.3. Características de Operação ................................................................................... 19 2.2.4. Tipos .................................................................................................................... 25 2.2.5. Ligações ............................................................................................................... 26 2.3. Tiristores............................................................................................................... 28 2.4. Transistores..........................................................................................................34 2.4.1. Transistor de Junção Bipolar .................................................................................. 35 2.4.2. Mosfet de Potência ................................................................................................ 39

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados ............................................ 43
3.1. Introdução............................................................................................................ 43 3.2. Circuitos Básicos ................................................................................................. 43 3.3. Análises de Retificadores................................................................................... 45 3.3.1. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga Resistiva ..................................... 45 3.3.2. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RL .............................................. 48 3.3.3. Retificador Monofásico com Carga RL e Força Eletromotriz ..................................... 53 3.3.4. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RC.............................................. 56 3.3.5. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga LC .............................................. 57 3.3.6. Circuito Inversor de Carga do Capacitor ................................................................. 57 3.3.7. Retificador Monofásico de Onda Completa Tipo Ponte ............................................ 58

Eletrônica de Potência

Andrés Ortiz Salazar

....................................3.......3............................................ 87 6.... Retificador Multifásico ......................5.......................................................................................................... Inversor de Fonte de Corrente (IFC) ..........6...........................................................................................................7................................ 64 4..................................................................4............. Considerações Sobre Projetos de Retificadores...................................................................................... 74 5..3..1................................. 71 Capítulo 5 – Choppers..... Inversor Monofásico em Ponte ............4............ 70 4.1..............1................................... 85 6.......... Fontes Chaveadas vs Fontes Lineares....3.............. 61 4.... 76 5................................................................................... 63 4..........................7..............3......................................... 59 3.........3.......................8.......................................................... 98 7.....................................................................................................................2................................... Retificador Duplamente Controlado ...........3...............................2......................... 69 4.................................7........................ Retificadores Controlados Monofásicos .............. 80 5................................................6..... Princípio de Operação................................................1................................................... 73 5...................................................................3........ Retificadores Controlados Monofásicos .................................5...................2....................................................... Introdução.....4................................. Introdução... 73 5........................................... Retificador Totalmente Controlado...... Controle de Tensão de Inversores Monofásicos..................3...3................. Retificador Trifásico Tipo Ponte ........ 78 5.. Conversor Tipo Ponte ................................ 61 4............... 84 6................................................ 59 Capítulo 4 – Retificadores Controlados ......2.2............................ 71 4............. 65 4.................................... 61 4.4..............Índice iv 3........................... 73 5.............................................................................................. Conversor Cuk .... 88 6.......... Conversor Boost (Elevador de Tensão ou Step-Up) ........... 63 4............... Introdução..............2.......... Princípio de Operação..................... 84 6........................................1................ Conversor Buck (Redutor de Tensão ou Step-Down) .......................... 89 6....... Retificadores Controlados Monofásicos em Série .......... Introdução................. Retificador Duplamente Controlado .... Inversor Trifásico ................... Retificador Semicontrolado .... 81 Capítulo 6 – Inversores ...........3.......... Retificador Semicontrolado ....... Princípio de Operação..........................................................4......................................... Inversor Trifásico em Ponte ................. 93 CAPITULO 7 – APLICAÇÃO A FONTE DE ALIMENTAÇÃO...............................4......................................... 91 6.......98 7.. 99 Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .......................... Retificador Totalmente Controlado.. 69 4..................1.............5......4. 66 4................ Conversor Buck-Boost (Fly-back)......................................

.......................................... ........ CONTROLE DE UMA FONTE CHAVEADA CC......... 103 7..107 Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar ......105 7....................A....4.............. CONVERSOR FLYBACK..............................99 7.....3.................................5..7.. Conversor CC-CC com ISOLAMENTO ELETRICO.........................................6..... 100 7........................ CONVERSORES CC-CC BIDIRECCIONAIS .... 99 7.........8 FONTES DE ALIMENTAÇÃO C.............................Índice v 7.................. CONVERSOR FORWARD (derivado do step-down) ...........

estáticos ou rotativos. para chaveamento rápido. são desenvolvidos com limites de tensão e corrente cada vez maiores. através da modelagem das fontes de energia elétrica e dos circuitos conversores. Figura 1-1 – Áreas que interagem em aplicações da Eletrônica de Potência. Além disso. Desta maneira. também reduz as tensões e correntes harmônicas geradas pelos conversores de energia. para essa crescente evolução. Basicamente. para dispositivos semicondutores de potência e circuitos integrados. na sintetização da estratégia de controle. Eletrônica. Assim. outro fator importante. usando dispositivos semicondutores de potência. sendo este último de vital importância. Tais dispositivos. Controle. à medida que são desenvolvidas novas tecnologias. o projeto de circuitos de Eletrônica de Potência requer o desenvolvimento dos circuitos de potência e de controle. é a disponibilidade comercial de um grande número destes dispositivos semicondutores de potência. Introdução A Eletrônica de Potência pode ser definida como a área da Técnica onde os dispositivos semicondutores são usados em: conversão. estão permitindo alcançar maiores especificações de conversão.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 1 Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 1. juntamente com a aplicação de microprocessadores modernos. a tarefa da Eletrônica de Potência é oferecer o tratamento adequado ao fluxo de potência elétrica. controle. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . existem três áreas que interagem nas aplicações da Eletrônica de Potência. chaveamento e processamento da energia elétrica. visto que. a saber: Equipamentos de potência. analógico ou digital (Figura 1-1). além de definir e monitorar a conversão. O potencial de aplicações da Eletrônica de Potência torna-se cada vez mais amplo. com dispositivos e/ou circuitos.1. Dispositivos de potência.

desde o primeiro tiristor. por Bardeen. em 1948. denominado de tiristor ou retificador controlado de silício (do inglês silicon-controlled rectifier – SCR).2. pela General Electric Company. através do desenvolvimento do processamento de informações. O desenvolvimento do tiristor comercial. a revolução da Microinformática. em 1958. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . aconteceu a primeira revolução da Eletrônica. foi realizada. Esta evolução permitiu. Brattain e Schockley da Bell Telephone Laboratories. o retificador em tubo a vácuo de grade controlada. Em 1956. os tiristores convencionais eram usados apenas no controle de potência de aplicações industriais. tais como: o retificador de tanque metálico. possibilitando a capacidade de determinar e controlar a forma de enormes quantidades de potência. Até 1970. Fato este que deu origem à maioria das tecnologias da Eletrônica avançada de hoje. o que originou diferentes tipos de dispositivos semicondutores de potência e técnicas de conversão. com o retificador a arco de mercúrio e continuou. Evolução Histórica Ocorreram grandes avanços nos dispositivos semicondutores de potência. a próxima grande descoberta. deu início a segunda revolução da Eletrônica. A evolução da Microeletrônica moderna se deu a partir da destes semicondutores de silício. também pela Bell Telephone Laboratories. de maneira eficaz. a invenção do transistor disparável PNPN. em grandes quantidades e velocidades. A partir daí. revolucionando a Eletrônica de Potência. Toda esta evolução histórica da Eletrônica de Potência (mostrada cronologicamente na Figura 1-2) teve início em 1900. Com invenção do transistor de silício. o ignitron e o tiratron. com a introdução de vários outros dispositivos. Figura 1-2 – Evolução histórica da Eletrônica de Potência. também. vários tipos de dispositivos semicondutores de potência foram desenvolvidos e disponibilizados comercialmente.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 2 1. gradativamente.

neste meio. Assim. elétrons também escapam de outras ligações e. elétrons). há densidades intermediárias (na faixa de 108 a 1019/cm3). Já. preenchem a ligação covalente. atraídos pela carga positiva do átomo. enquanto. nos materiais isolantes. a ionização térmica gera o mesmo número de elétrons e lacunas (Figura 1-4). Tais densidades. a energia elétrica. criando elétrons livres. nos semicondutores. os seus potenciais de aplicações. Isto ocorre pelo fato dos átomos (Carbono. Esta tendência deve continuar. nos condutores e isolantes. ocorre em temperaturas acima do zero absoluto (–273 °C). em algum ponto de sua transmissão. a densidade de portadores livres é alta (da ordem de 1023/cm3). eventualmente.3. estará sujeita à Eletrônica de Potência. nos próximos anos. em um meio. 1. O átomo que perde elétrons se torna positivo. criando um arranjo com oito elétrons na camada de valência (Figura 1-3). nos semicondutores. de maneira que. devido ao deslocamento dos elétrons de suas ligações covalentes. A ionização térmica destes materiais. dos materiais semicondutores possuírem quatro elétrons na última camada. fato que ampliou. são propriedades dos materiais. enquanto.). através do compartilhamento dos elétrons externos. Nos metais. podem ser variadas pela adição de outros materiais (impurezas). Germânio etc. há uma movimentação relativa da carga positiva. Desta forma. pela aplicação de campos elétricos. Enquanto isso. Física dos Semicondutores O fluxo de corrente elétrica. depende da aplicação de um campo elétrico e da existência de portadores livres (usualmente. houve uma união entre os ramos da Eletrônica de Potência e da Microeletrônica. ou. denominada de lacuna. ou moléculas de mesma propriedade. permitindo o estabelecimento de ligações muito estáveis. o valor é baixo (em torno de 103/cm3). Silício. de forma significativa. por átomos vizinhos (ligação covalente).Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 3 Neste contexto. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . para ocupar outras. a quebra de ligações. isto é. Figura 1-3 – Estrutura cristalina de um material semicondutor.

ou seja. Figura 1-5 – Dopagem de semicondutores. Assim sendo. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .5). no material tipo N. A dopagem de impurezas (menor ou igual a 1019/cm3) é feita. sendo os elétrons os portadores majoritários e as lacunas. não há mais equilíbrio. o material permanece eletricamente neutro. nos materiais dopados com elementos de cinco elétrons. os minoritários. respectivamente. adição de átomos de materiais. às densidades de impurezas aceitadoras e doadoras de elétrons. a concentração de impurezas é muitas ordens de grandeza superior à densidade de portadores gerados por efeito térmico (1010/cm3. a movimentação do elétron excedente ioniza o átomo e este. tipicamente. Neste caso. no material tipo P. ocorre quando uma destas captura um elétron livre. tornando as densidades de lacunas e elétrons (embora diferentes entre si. já que a quantidade total de elétrons e prótons é a mesma. caso a dopagem seja com elementos de três elétrons (semicondutores tipo P). captura outro elétron livre. quando se faz a dopagem. ou de lacunas. Contudo. A movimentação de lacunas. na camada de valência (semicondutores tipo N). à temperatura ambiente). existindo excesso de elétrons livres. de modo que as lacunas são denominadas de portadores majoritários e os elétrons de portadores minoritários. à estrutura dos semicondutores. neste caso) iguais. então. para o Si. que possuam três (Alumínio ou Boro) ou cinco (Fósforo) elétrons na camada de valência.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 4 Figura 1-4 – Movimentação de elétrons e lacunas no semicondutor. Além disso. de modo que as propriedades de ionização térmica não sejam afetadas. Já. em níveis muito menores que a densidade de átomos do material semicondutor (1023/cm3). os átomos vizinhos a estas impurezas terão suas ligações covalentes com falta ou excesso de elétrons (Figura 1.

Outro fator determinante da movimentação de portadores é a difusão. Suportam tensões infinitas. indução estática (SITH). Possuem uma velocidade de chaveamento infinita. para alguns dispositivos semicondutores. tiristores. do tipo de portador e. no estado de condução. Têm uma queda de tensão nula. enquanto os elétrons seguirão em sentido oposto. através da migração de portadores das regiões mais concentradas. Admitem correntes diretas infinitas. Figura 1-6 – Valores de operação de dispositivos semicondutores de potência. A Figura 1-6 mostra a distribuição de valores de tensão de bloqueio. corrente de condução e freqüência de comutação. que depende do material. d. para as mais dispersas. Dispositivos Semicondutores de Potência Os dispositivos semicondutores de potência têm sofrido grandes evoluções tecnológicas e se tornado cada vez mais comuns comercialmente. isto é. transistores de indução estática (SITs). b.4. é comum considerar estes dispositivos como sendo ideais. transistores bipolares de porta isolada (IGBTs). Em geral. transistores de junção bipolares (BJTs). O movimento aleatório dos portadores tende a equalizar essa dispersão no meio. 1. MOSFETs de potência. as lacunas se movimentarão no sentido do campo decrescente. c. em geral. Os tipos mais comuns de tiristores são: controlado de silício (SCR). Durante a análise de circuitos. Esta corrente é função de um parâmetro denominado mobilidade. atendendo as seguintes condições: a. e. tais dispositivos podem ser divididos em seis tipos: diodos de potência. desligamento pelo Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . que ocorre quando há regiões adjacentes com diferentes concentrações.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 5 Quando um campo elétrico for aplicado a um material semicondutor. e. no estado desligado. Apresentam correntes reversas nulas. Os tiristores ainda podem ser subdivididos em tiristores de comutação natural (pela rede) ou forçada. diminui com o quadrado do aumento da temperatura.

Os diodos de potência são divididos em três tipos: Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . e. possuem dois terminais: um catodo e um anodo. deste trabalho. Eles conduzem quando a tensão de anodo for maior que a de catodo.2 V). tal qual os diodos de circuitos eletrônicos de baixa potência. Os diodos de potência.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 6 gatilho (GTO).5 a 1. o diodo não conduz. controlado de silício ativado por luz (LASCR). condução reversa (RCT). condução em ambos os sentidos (TRIAC). sendo a queda de tensão direta muito baixa (tipicamente de 0. ficando no denominado modo de bloqueio. O Quadro 1-1 mostra as curvas características e os símbolos de alguns destes dispositivos. os quais são tratados. mostrados na Figura 1-7. Se a tensão de anodo for menor que a tensão de catodo. de forma sucinta. sendo feita uma análise mais profunda no Capitulo 2 (Dispositivos Semicondutores de Potência). DISPOSITIVOS Diodo SÍMBOLOS CURVAS CARACTERÍSTICAS SCR SITH GTO Tiristor MCT TRIAC LASCR BJT MOSFET IGBT SIT Quadro 1-1 – Características e símbolos de alguns dispositivos semicondutores de potência. controlado por MOS (MCT). desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT). a seguir.

Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 7 Genéricos. Estes dispositivos conduzem quando o potencial do anodo é superior ao do catodo e uma pequena corrente passa do terminal do gatilho para o do catodo. 5 kA e o tempo de desligamento de tiristores de bloqueio reverso de alta velocidade chega a ser de 10 a 20 µs. sendo essenciais no chaveamento. Uma vez no modo de condução. 60A e tempo de recuperação bastante pequeno. e uma corrente de fuga que aumenta com a faixa de tensão. em alta freqüência. Tiristores de comutação natural (ou pela rede): desligados devido à natureza senoidal da tensão de entrada. b.1 a 5 µs. Schottky. em sentido direto. catodo e gatilho. o circuito do gatilho não tem mais controle sobre o tiristor. dos conversores de potência. 5 kA e tempo de recuperação reversa variando entre 0. apresentando uma a queda de tensão direta muito pequena (normalmente de 0.5 e 2 V). Alta velocidade. sendo o tempo de desligamento definido como o intervalo entre o instante em que a corrente principal (de anodo para catodo) é diminuída a zero e o instante em que o tiristor é capaz de suportar uma tensão principal específica. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Figura 1-7 – Configurações de diodos de potência. chamado circuito de comutação. Para desligar o tiristor em condução. fornecidos com faixas que podem ir até 5 kV. sem ligar novamente. Os tiristores se dividem em dois tipos: a. b. Os tiristores têm três terminais: anodo. com valores nominais limitados a 40 V. Valores nominais fornecidos para os tiristores vão até 5 kV. com faixas chegando até 3 kV. possuindo uma baixa queda de tensão. Tiristores de comutação forçada: desligados por um circuito extra.1 e 5 µs. é necessário tornar o potencial do anodo igual ou inferior ao do catodo. c. A Figura 1-8 apresenta várias configurações de tiristores. a. o qual continua a conduzir. 1 kA e tempo de recuperação reversa de 0.

Possuem um alto ganho de desligamento e estão disponíveis em até 600 V. com freqüências de dezenas de kHz e bem maiores que a faixa de freqüência dos GTOs. com velocidades de chaveamento de 200 a 400 µs. por serem amplamente usados no chaveamento. para serem desligados. isto é. em relação ao anodo. para desligá-los. Os MCTs são ligados por um pequeno pulso de tensão negativa. ao gatilho. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . mas não dependem. não necessitam de circuitos de comutação. e negativos. de maneira que a corrente. iluminação. 0. tendo apenas um terminal de gatilho. encontrados em até 6 kV. Os RCTs são similares a um tiristor e um diodo ligados em antiparalelo. máquinas elétricas e chaves. os quais possuem valores nominais de até 4. 2.5 kA. que flui através do TRIAC. Os TRIACs são amplamente utilizados em aplicações de corrente alternada de baixa potência. Para sistemas de potência em alta tensão. Os SITHs e os GTOs são tiristores autodesligáveis. com um tempo de chaveamento igual a 8 µs. sendo usados em conversores de alta potência.5 kV. positivos. na porta MOS. para ligá-los. também merecem destaque os RCTs e os GATTs. Os GATTs estão disponíveis em até 1. 1 kA. é apropriado o uso de tiristores ativados por luz (LASCRs). como o controle simples de aquecimento. sendo oferecidos em até 2.2 kV. Além dos tipos de tiristores citados no Quadro 1-1.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 8 Figura 1-8 – Configurações de tiristores. Estes componentes são comandados pela aplicação. da rede. 60 A. de curtos pulsos. Os SITHs são fornecidos em até 4 kV. só que positivo.4 kA. As características dos TRIACs são semelhantes aquelas de dois tiristores conectados em antiparalelo.2 kA. exclusivamente.5 kV. em altas velocidades. 3 kA. 1. com uma velocidade de chaveamento de 40 µs. e desligados por outro pulso. pode ser controlada em ambos os sentidos. também sendo atrativos para a comutação forçada de conversores.

5 a 1. A Figura 1-10 mostra várias configurações de MOSFETs. possuem três terminais: base. 50 A.5 V. Em geral. em torno de 500 V. Figura 1-10 – Configurações de MOSFETs. Figura 1-9 – Configurações de transistores NPN. e sua faixa chega até 630 V. Os MOSFETs de potência são empregados em conversores de potência de alta velocidade. Sua faixa de freqüência é da ordem de várias dezenas de kHz.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 9 Normalmente usados em conversores. enquanto a junção de coletor para emissor estiver adequadamente polarizada e a corrente de base (devido à base possuir um potencial maior que o do emissor) for suficiente para manter o transistor na região de saturação. com freqüências menores que 10 kHz. um transistor apresenta uma queda de tensão direta da ordem de 0. sendo caracterizados por possuírem uma velocidade de chaveamento muito rápida. emissor e coletor. é encontrado operando como uma chave. os transistores bipolares (BJTs) de alta potência. assim como nos circuitos eletrônicos de baixa potência. na configuração emissor comum. Variadas configurações de transistores bipolares são mostradas na Figura 1-9. o transistor ficará desligado (não conduz). onde o transistor NPN permanece ligado (em condução). com valores nominais relativamente baixos. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Em condução. Caso seja retirada a tensão de excitação da base. 50 A.

2 200-400 200-400 40 8 6 1. Apresentam pequenos valores de ruído e distorção. dos dispositivos semicondutores de potência foram mostrados. porém menos velozes que os MOSFETs. com freqüências de até 20 kHz. na Tabela 1-1.3 kA e tempos de disparo e desligamento muito curtos. limitam o seu uso.23 200 6. com características de excitação e chaveamento bastante superiores aquelas dos BJTs comuns. VHF/UHF e microondas). da válvula triodo a vácuo. Algumas configurações de IGBTs são apresentadas na Figura 1-11. em condução. pois.4 0.55 Diodo Tiristor Transistor MOSFET IGBT SIT Tabela 1-1 – Valores nominais de dispositivos semicondutores de potência. as características de normalmente ligado e alta queda de tensão. anteriormente. Semelhantes aos JFETs. os IGBTs são fornecidos em até 1. são considerados a versão. Tais valores são tratados. Os SITs são dispositivos apropriados para aplicações de alta potência e alta freqüência (amplificadores de áudio.4 5 20 20 25 100 20 100 Tempo de Chaveamento (µs) µ 100 2-5 0. 0. alguns valores nominais. Em geral.6 2.2 kV. Tal qual para os SITs.5 15 2. Dispositivo Tipo Genéricos Alta Velocidade Schottky SCR SITH GTO MCT TRIAC LASCR RCT GATT Darlington Darlington Único Único Darlington Especificação Tensão Corrente (V) (A) 5000 5000 3000 1000 40 60 5000 5000 4000 2200 4500 3000 600 60 1200 300 6000 1500 2500 1000 1200 4000 400 40 630 50 500 50 1200 400 1200 300 Freqüência Superior (kHz) 1 10 20 1 20 10 20 0. Figura 1-11 – Configurações de IGBTs.7 0. Os SITs possuem valores nominais de até 1.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 10 Usados em tensões e correntes elevadas. em estado sólido.2 kV. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . 0. em geral. disponíveis comercialmente. de modo mais detalhado.4 kA.3 0. são transistores de potência controlados por tensão.

MOSFET. através da aplicação de sinais de controle aos terminais do gatilho (como nos tiristores) ou da base (como nos transistores). IGBT e SIT Não-controlado Diodo e SCR Desligamento Controlado Contínuo Sinal no gatilho Pulso Unipolar Tensão Bipolar Unidirecional Corrente Bidirecional TRIAC e RCT SCR e GTO Diodo. GTO. Fator Disparo Classificação Não-controlado Diodo Controlado Exemplos SCR.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 11 Uma utilização comum dos dispositivos semicondutores de potência é a sua operação como chave. IGBT e MCT Tabela 1-2 – Fatores de classificação dos dispositivos de chaveamento de potência. MCT. os quais são relacionados na Tabela 1-2. MOSFET. GTO. onde a queda de tensão. Figura 1-12 – Características de operação dos dispositivos de chaveamento de potência. BJT. Com a variação do tempo de condução destas chaves. foi considerada desprezível. MCT. MOSFET. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Tais dispositivos de chaveamento de potência podem ser classificados com relação a vários fatores. SITH. BJT. GTO. BJT. SCR. a saída desejada é obtida. IGBT e SIT BJT. MOSFET. BJT. em condução. A Figura 1-12 mostra as tensões de saída e de controle dos dispositivos de chaveamento de potência mais usados. GTO e MCT GTO. MCT. SITH. MOSFET. IGBT e SIT SCR. IGBT e MCT SITH.

b) Chaveamento de altas tensões. Figura 1-13 – Configurações de módulos. b) Fator de deslocamento. cada vez mais usados em Eletrônica de Potência. de maneira que os dispositivos de potência estão disponíveis comercialmente tanto na forma individual. b) Circuito de excitação. sendo os tipos mais comuns com dois (configurações meia-ponte ou dual). Efeitos da Conversão de Potência A qualidade da energia entregue a cargas sensíveis. c) Circuito de diagnóstico e proteção (contra excesso de tensão e corrente. que medem a performance destes conversores. carga aberta e superaquecimento). do inglês total harmonic distortion (THD). cabendo ao usuário apenas conectar a fonte de alimentação. d) Proteção contra transientes∗. Tais módulos possuem as seguintes vantagens. c) Corrente e velocidade maiores. também do inglês input power factor (IPF). conseqüentemente. d) Controle da fonte de alimentação. quatro (pontes completas).Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 12 Dependendo de sua tipologia. que integram o módulo de potência a um circuito periférico. quanto na forma de módulos. os conversores de potência podem exigir dois. quatro ou seis dispositivos. e) Controle por microcomputador.5. é um desafio a ser resolvido. Tal circuito periférico consiste em: a) Isolação entre entrada e saída. ∗ Disponível apenas em alguns modelos de módulos. determinar os fatores. é possível encontrar seu conteúdo harmônico e. a qualidade de um conversor de potência pode ser julgada pelas suas formas de onda de tensão e corrente. Também existem os chamados módulos inteligentes. curto-circuito. 1. em condução. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Estes módulos consistem em conjuntos de dispositivos. seis (circuitos trifásicos) dispositivos. do inglês displacement factor (HF). em relação aos dispositivos convencionais: a) Menores perdas. Algumas configurações de módulos são apresentadas na Figura 1-13. ou. na entrada e na saída. utilizando a Eletrônica de Potência na conversão. c) Fator de potência na entrada. Neste contexto. tais como: a) Distorção harmônica total. Expressando tais formas de onda através da série de Fourier. e) Proteção ao circuito de excitação da porta ou gatilho∗.

também é tratado o circuito de controle do chaveamento. Figura 1-14 – Diagrama de blocos de um sistema conversor de potência generalizado. o que resulta na introdução de correntes e tensões harmônicas no sistema de alimentação e na saída dos conversores (distorção da tensão de saída). através das características de chaveamento dos dispositivos semicondutores. necessárias ao controle da energia. Retificadores Não-Controlados: Os retificadores não-controlados.6. ou retificadores com diodo. gerando sinais de controle errôneos. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . em tensões de corrente contínua (tensões CC) fixas. através. principalmente. Pelo fato da tensão CC de saída não ser controlável. convertem tensões de corrente alternada (tensões CA). assim. ocorrem. Tipos de Circuitos Os conversores estáticos realizam as funções de conversão de potência elétrica. da introdução de filtros na entrada e na saída dos conversores de potência. Além disso. na entrada.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 13 Estes problemas. Esta interferência é corrigida. Esta ação de chaveamento pode ser efetuada por mais de um dispositivo semicondutor. Tal circuito de controle pode sofrer interferência. monofásicas ou trifásicas. considerados matrizes de chaveamento. a qual é fundamental na redução da geração de harmônicos e da distorção da forma de onda de saída. 1. no diagrama de blocos da Figura 1-14. sendo. é necessário reduzir o nível harmônico dos sistemas conversores a amplitudes aceitáveis. Os circuitos utilizados nos conversores de potência podem ser classificados em seis tipos. corrente e velocidade da aplicação. Desta forma. componente básico da estratégia de controle empregada. devido à radiação eletromagnética dos conversores de potência. é que estes conversores são chamados de não-controlados. na saída. de maneira que sua escolha é função das exigências de tensão. através do uso de blindagens aterradas. em radiofreqüência. Na Figura 1-14. na qualidade da energia fornecida pelos conversores de potência. a saber: a. é mostrado o diagrama de blocos de um conversor de potência generalizado. além de poder causar interferência nos circuitos de comunicação e sinalização. pelo fato de sua operação se basear no chaveamento de dispositivos semicondutores de potência. conforme mostrado no conversor da Figura 1-15. geralmente.

Controladores de Tensão CA: Os controladores de tensão CA. a partir de uma tensão de entrada monofásica ou trifásica. c. é ilustrado um exemplo de retificador controlado monofásico com dois tiristores. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . os retificadores controlados permitem. Assim como nos conversores CA-CC. em comutação natural. também chamados de conversores CA-CA. a partir de uma fonte CA fixa. Na Figura 1-16. Figura 1-17 – Circuito controlador de tensão CA monofásico. Retificadores Controlados: Também conhecidos como conversores CA-CC. o controle do valor da tensão de saída é feito pelo tempo de condução do dispositivo semicondutor usado. b. Um controlador de tensão CA monofásico com TRIAC é mostrado na Figura 1-17. são empregados na obtenção de uma tensão de saída CA variável. através da variação do tempo de condução dos dispositivos semicondutores de potência empregados. Figura 1-16 – Circuito retificador controlado monofásico.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 14 Figura 1-15 – Circuito retificador não-controlado monofásico. o controle do valor médio da tensão de saída.

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . na saída. na entrada. A Figura 1-19 mostra um inversor monofásico com MOSFETs. Figura 1-20 – Circuito de uma chave CA monofásica. Inversores: Os inversores. pela variação do tempo de condução do dispositivo semicondutor de potência em uso. A Figura 1-18 contem um chopper com transistor. por meio da comutação (chaveamento) adequada dos dispositivos semicondutores de potência utilizados. a partir de tensões CC. os choppers. f. Uma chave CA monofásica é ilustrada na Figura 1-20. Tais chaves estáticas CA ou CC têm muitas vantagens sobre as chaves e relés eletromecânicos convencionais. Figura 1-19 – Circuito inversor monofásico. Chaves Estáticas: Conforme citado anteriormente e observado em boa parte dos circuitos analisados. pois podem ser interfaceadas a sistemas digitais de controle ou mesmo a computadores. os dispositivos semicondutores de potência são comumente usados como chaves. Figura 1-18 – Circuito chopper. Choppers: Para uma tensão CC de entrada fixa. controlam a tensão CC média de saída. ou conversores CC-CC. fornecem tensões CA.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 15 d. e. ou conversores CC-CA.

em geral. Mineração. empregados na geração. Gravações magnéticas. Computadores. Esta necessidade é cada vez maior e. Sistemas de segurança. transmissão e distribuição da energia. Algumas destas aplicações são mostradas a seguir. Por fim. o controle cuida das características dos regimes transitório e permanente dos sistemas. Controle de iluminação. Ventiladores. Exaustores. Projetores de filmes. Alta tensão CC (HVDC). em malha fechada. Eletrodomésticos. Ocupando uma posição importante na tecnologia “de ponta”. Introdução. deixando claro como a Eletrônica de Potência é utilizada no dia-a-dia: – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – Aceleradores de partículas. Jogos. Contatores de estado sólido. a Eletrônica de Potência vem revolucionando e expandindo os conceitos e a gama de aplicações existentes. Combinando potência. a eletrônica realiza o processamento de sinais. Controle de aquecimento.7. Servomecanismos. Reguladores de tensão. Fotocópias. Guindastes e elevadores de cargas. Aplicações Desde o antigo sistema Ward-Leonard. Circuitos defletores de televisores. que o controle da energia elétrica é uma necessidade. Refrigeradores. nos controles industriais e na conversão de potência elétrica. Condicionadores de ar. no acionamento de máquinas elétricas. eletrônica e controle. Compensação de potência reativa. para a conversão de energia elétrica. Trens. Bombas e compressores. Máquinas de lavar. Controle de sinais de trânsito. Ignição eletrônica. Fontes de alimentação. Relés estáticos. – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – Ferramentas manuais. conforme também foi citado na seção 1. Brinquedos. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Solda. Fornos. Controle de máquinas elétricas.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 16 1. Veículos. Responsável pelos circuitos e dispositivos de estado sólido. para obtenção de tensões CC variáveis. Eletroímãs. Alarmes. Amplificadores de áudio. Caldeiras. também cresce o desenvolvimento tecnológico na área da Eletrônica de Potência. Carregadores de bateria. a Eletrônica de Potência possui uma ampla faixa de aplicações. junto com ela. Secadores elétricos. deste trabalho (ver Figura 1-1). de modo a atingir os requisitos de controle desejados.1. A potência trata dos equipamentos estáticos e rotativos. Dimmers.

Desta forma. 2. permitindo a compreensão dos circuitos e o desenvolvimento de uma estratégia de controle. geralmente. 6. 3. 1. conectores etc. estes dispositivos. 5. 8. caso necessário. os projetos de equipamentos. Estimar. Determinar a proteção dos dispositivos semicondutores de potência. os parâmetros do circuito e dos dispositivos. em capítulos subseqüentes. deste trabalho.4.8. Verificar a validade do projeto. 10. de modo que os projetos também deverão sofrer diferenças. usados na Eletrônica de Potência. esta análise simplificada é bastante útil. Desenvolver o projeto da lógica e dos circuitos de controle. cabos. 7. 4. na prática. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . para efeito de análise. Figura 1-21 – Aplicações e faixas de freqüência dos dispositivos semicondutores de potência. Modificar o projeto. desprezando os efeitos destas impedâncias adicionais ao circuito.Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 17 A Figura 1-21 apresenta uma relação entre as aplicações e a faixa de freqüência dos dispositivos semicondutores de potência. No estágio inicial dos projetos. Elaborar o projeto dos circuitos de potência. Projetos de Equipamentos Conforme citado anteriormente. estes procedimentos serão adotados nas análises realizadas. mais precisamente. podem ser divididos nas seguintes etapas: 1. Construir um protótipo. a menos que seja informado o contrário. De um modo geral. também é idealizado. Além disso. Entretanto. são considerados ideais. os dispositivos e circuitos diferem dessas condições ideais. 9. Criar uma estratégia de controle. Dispositivos Semicondutores de Potência. em suas análises finais.. na seção 1. o comportamento de fontes. Realizar baterias de testes. Investigar os efeitos dos parâmetros do circuito e dos dispositivos.

Apesar de considerados como chaves ideais. 2.1. tais dispositivos são divididos em seis tipos: diodos de potência. Com relação aos diodos de sinais. Introdução Os dispositivos semicondutores de potência têm passado por constantes evoluções tecnológicas e se tornado cada vez mais comuns comercialmente. e. f. Recuperação de energia da carga para a fonte. d. controlados por FET (FET-CTHs). Na Figura 1-5 do Capítulo 1.2. Contudo. nas aplicações da Eletrônica de Potência.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 18 Capítulo 2 Dispositivos Semicondutores de Potência 2. desligamento pelo gatilho (GTO). Os tiristores ainda podem ser subdivididos em vários tipos. Inversão de carga de capacitores. indução estática (SITH). Em geral.2. b. pode ser observada uma distribuição de valores práticos para a tensão de bloqueio. possuindo limitações práticas. Diodos de Potência 2. a corrente de condução e a freqüência de comutação de alguns dispositivos semicondutores de potência. Chaveamento nos retificadores. transistores de indução estática (SITs). transistores bipolares de porta isolada (IGBTs). os diodos de potência guardam algumas semelhanças. modelos. Generalidades Os diodos semicondutores de potência (Ver Figura 1-6) atuam como chaves. tiristores. tipos. desenvolvendo vários tipos de funções. transistores de junção bipolares (BJTs). MOSFETs de potência. circuitos equivalentes. c. condução reversa (RCT). os diodos de potência reais têm certas características diferentes das ideais. de maneira que é extremamente importante entender o comportamento de suas camadas semicondutoras (dopagem). controlado por MOS (MCT). tais como: controlado de silício (SCR). na maioria destas aplicações. desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT). possuem maiores capacidades de potência e velocidades de chaveamento bem menores. Isolação de tensões. características de disparo e chaveamento. tais como: a. cargas e ligações.1. Transferência de energia entre componentes do circuito. controlado de silício ativado por luz (LASCR). Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . condução em ambos os sentidos (TRIAC). Comutação em reguladores chaveados (Free-Wheeling).

3. por fusão. Na verdade. Há também um contorno arredondado. de modo que. também chamada de corrente de fuga. Esta pequena corrente reversa. a estrutura interna de um diodo de potência é um pouco diferente da apresentada. que mantém o equilíbrio da carga. a resistência da região de transição (junção) do semicondutor é bem maior que a do restante do dispositivo. difusão e crescimento epitaxial.2. existindo uma região N intermediária de baixa dopagem. permitem a passagem de corrente elétrica em um único sentido de condução. detalhes de funcionamento desprezados para os diodos de sinal. A Figura 2-1 mostra um modelo simplificado da estrutura interna e o símbolo de um diodo de potência. há um campo elétrico muito intenso. 2. entre as regiões de anodo e catodo. sendo acelerados. até atingir a tensão Zener ou de avalanche. criando campos elétricos mais suaves.2. através do alargamento da região de junção. mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N e vice-versa. a diferença de potencial aparecerá através da junção. Devido à maior concentração de portadores. Características de Operação Quando o potencial do catodo é positivo. Por difusão ou efeito térmico. a corrente aumenta sem redução significativa da tensão na junção. Em geral. Já. que. estes portadores produzirão outros. fazendo os portadores em atingir grandes velocidades. que. aumentando a largura da junção. até a outra região do componente. ao se chocarem com átomos da estrutura. diminuindo o campo elétrico. cuja função é permitir tensões mais elevadas. aumenta com a temperatura e com a amplitude da tensão reversa. Nesta tensão. formada.2. uma dada quantidade de portadores minoritários penetra na junção. ao aplicar uma tensão entre as regiões P e N. com a função de eliminar o efeito de pontas. pelo campo elétrico. Aspectos Construtivos Os diodos semicondutores de potência são dispositivos de dois terminais com uma junção pn.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 19 2. darão origem ao chamado efeito avalanche. Figura 2-1 – Estrutura interna e símbolo de um diodo de potência. tornando os contatos com características ôhmicas e não semicondutoras. em relação ao do anodo. as camadas dos contatos externos dos diodos de potência são altamente dopadas. Desta maneira. Com isso. diz-se que o diodo está reversamente polarizado e. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . dentro de seus limites de tensão e corrente. nestas condições. produzindo um pico de potência que destrói o dispositivo. comumente. podem ser significativos nos diodos de potência. também acelerados.

A Figura 2-2 apresenta este modelo e as curvas características v-i. onde: ID e VD são a corrente e a tensão no diodo. em torno de 1V. o diodo ideal funciona apenas como chave. aquele que o representa pela associação em série de um diodo ideal. se a tensão aplicada superar o valor natural para a condução. cuja amplitude. relativamente pequena. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . no sentido direto. dissipando calor. de um diodo de potência. ideais e reais. e o resistor representa a resistência ôhmica do dispositivo. ID será constante. levando o componente à condução. os portadores negativos do lado N serão atraídos pelo potencial positivo do anodo e vice-versa. a fonte é responsável pela barreira de potencial à condução e pela queda de tensão direta. a saber: − Região de polarização direta: Nesta região. a corrente no diodo (ID) será muito pequena. Caso VD seja menor que Vγ. a tensão sobre o diodo (VD) é positiva. apresentada na Equação 2-1. por efeito joule. o diodo possui uma queda de tensão (Vγ). VT = ( ) k⋅T q [2-1] É comum dividir a curva real do diodo em três regiões. quando o potencial do anodo é positivo. O diodo só conduzirá plenamente se VD for maior que Vγ. sendo. quando já conduzindo. dando o sentido de condução da corrente elétrica. O diodo pode ser modelado por diversos circuitos equivalentes. I D = I s ⋅ e VD /n⋅VT − 1 . chamado de barreira de potencial ou tensão de limiar (Vγ). Nesta situação. T a temperatura absoluta e q a carga do elétron. mostrada na Figura 2-2 pode ser expressa pela equação do diodo Schockley. VD é negativa. depende da fabricação e da temperatura da junção. Is é a corrente de fuga. no sentido reverso e igual a Is. No modelo equivalente do diodo.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 20 O diodo está diretamente polarizado. Conduzindo. A curva real ou prática do diodo. Já. ideal e real. Para VD negativo e com módulo bem maior que VT. Figura 2-2 – Modelos e curvas características v-i. ocorre um estreitamento da região de transição e. sendo k a constante de Boltzmann. n é o coeficiente de emissão e VT é a tensão térmica. para um diodo de potência. − Região de polarização reversa: Aqui. em relação ao do catodo. o mais comum. uma fonte de tensão (Vγ) e um resistor (RD).

dentro dos níveis especificados nas folhas de dados dos fabricantes. Desta forma. que possui baixa densidade. No caso real. para pequenas variações na tensão reversa. devido à alta dopagem da camada P. Com isso. denominada tensão de ruptura reversa (VBR). pelo controle da corrente reversa. a corrente reversa aumenta rapidamente. no estado de condução. para manter a neutralidade da carga. no estado de bloqueio. se a potência dissipada for limitada. A operação na região de ruptura reversa não será destrutiva. a tensão reversa é muito alta. onde uma tensão degrau de entrada (vi) é aplicada a uma carga resistiva. excedendo uma tensão específica. à medida que cresce a corrente. através de um diodo (outros tipos de cargas podem alterar as formas de onda). a junção do diodo pode ser analisada como um capacitor. atraindo elétrons da extremidade da região N de maior concentração. não existe tal carga. existe uma penetração de lacunas na região N por difusão. Figura 2-3 – Curvas características de chaveamento de um diodo de potência. Na realidade. conforme se pode observar na Figura 2-3. cuja carga é aquela presente na própria a região da junção. Todavia. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Além disso. por recombinação.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 21 − Região de ruptura reversa: Nesta região. para permitir a passagem para o estado de bloqueio. o comportamento dinâmico de um diodo de potência é bem diferente daquele de uma chave ideal. cria-se uma carga espacial no catodo. mais lacunas são injetadas na região N intermediária. que terá de ser removida. Já.

A soma. tem-se: I rr = t a ⋅ d ir dt [2-4] Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . a carga espacial presente deve ser removida. provoca uma sobretensão negativa (Vpr). Este processo requer um certo tempo. é devida aos portadores majoritários e minoritários.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 22 A corrente. a saber: t4 é o tempo entre o cruzamento com o zero e o Irr. até 25% da corrente reversa máxima e é dependente da temperatura da junção. remove-se a carga acumulada na junção. que representa o trr. Uma vez que o diodo esteja em condução e sua corrente seja reduzida a zero. antes de reiniciar a formação da barreira de potencial da junção. a saber: S= t4 t5 [2-3] [2-2] Observando a taxa de variação da corrente reversa. Desta forma. causado pela retirada do excesso de portadores. Durante t2. no desligamento. Durante o intervalo de tempo t1. medido a partir do cruzamento inicial da corrente do diodo com o zero (modo de condução para modo de bloqueio). que permanecem armazenados nos semicondutores e na junção. da taxa de decaimento da corrente direta e do valor desta corrente. o diodo continuará conduzindo. para cerca de 1V (Von). antes do chaveamento. denominado tempo de recuperação reversa (trr). ainda não houve injeção significativa de portadores. A taxa de variação da corrente. O bloqueio do diodo é iniciado quando a corrente reversa atinge seu pico negativo (Irr). tem-se a chegada dos portadores e a tensão reduz bastante. na Figura 2-3. A redução de Von se deve à diminuição da queda ôhmica. Neste momento. associada às indutâncias do circuito. em função de um comportamento do próprio circuito ou pela aplicação de uma tensão reversa. sendo originado pelo armazenamento de cargas na região da junção. produzindo um pico de tensão direta (Vpd).25⋅Irr. de maneira que a resistência da parte intermediária da região N é elevada. na região da junção diretamente polarizada. causado pelo armazenamento de ⋅ cargas no material semicondutor. O trr é formado por dois componentes. através da sua recombinação com as cargas opostas. Indutâncias parasitas do componente e das conexões também colaboram com esta sobretensão. t5 é o tempo corrido de Irr a 0. é dada por: t rr = t 4 + t 5 A relação entre t5 e t4 é conhecida como fator de suavidade. pela neutralização dos portadores minoritários. devido aos portadores minoritários.

sendo dada pela área abrangida pela corrente de recuperação (região cinza na Figura 2-3): Q rr ≅ t rr ⋅ I rr 2 [2-6] Substituindo a Equação 2-5 na Equação 2-6. 2-3 e 2-4. a aplicação de uma tensão direta forçaria uma corrente no sentido direto. Assim. da taxa de decaimento da corrente direta (did/dt) e do valor desta corrente). obtém-se: Q rr   d t2 rr  ⋅ i =  2 ⋅ (S + 1)  dt r   [2-7] Na prática. o tempo de recuperação direta limita a velocidade de chaveamento dos diodos. observa-se:  t  d I rr =  rr  ⋅ i r  S + 1  dt [2-5] A carga de recuperação reversa armazenada (Qrr) é a quantidade de portadores de cargas que fluem pelo diodo. antes que os portadores majoritários. Qrr e S são de grande importância nos projetos. distribuídos na junção. antes do chaveamento (mais especificamente. Caso a taxa de crescimento desta corrente direta seja elevada. possam contribuir no fluxo de corrente. o diodo pode falhar. é preciso um certo tempo. se um diodo estiver no modo reverso. Já a carga armazenada depende da temperatura da junção e da corrente direta do diodo (Id). Todavia. Parâmetros como Irr. de modo que. tem-se: t rr = 2 ⋅ Q rr ⋅ (1 + S) d ir dt [2-8] I rr d  2 ⋅ Q rr ⋅  i r   dt  = S+1 [2-9] A partir das Equações 2-8 e 2-9. incluídos nas folhas de dados dos diodos. normalmente. sendo. nota-se que o tempo de recuperação reversa (trr) e o pico de corrente de recuperação reversa (trr) dependem da carga armazenada (Qrr) e da taxa de variação da corrente reversa (dir/dt). Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 23 Das Equações 2-2. devido à mudança do modo de condução para o modo de bloqueio. é necessário conhecer as expressões de trr e Irr. Além disso. no sentido reverso. deve-se notar que. usando as Equações 2-5 e 2-7. denominado tempo de recuperação direta (trf) ou tempo limite de religamento.

também deve ser considerado o tempo de recuperação direta dos diodos. devido ao comportamento indutivo da carga e aos intervalos de tempo considerados serem muito curtos. Considerando que a taxa de crescimento da corrente de D1 é igual à de decaimento de Dm. o pico da corrente reversa (Irr) de Dm seria muito alto. os circuitos e aplicações. Figura 2-4 – Efeitos dos tempos de recuperação. conseqüentemente. Este problema pode ser resolvido usando LS. ou não. Na prática. sobre o funcionamento dos circuitos com diodos. chave é desligada e Dm conduzirá IN. controlando a taxa de variação da corrente direta. para estabelecer um regime permanente. Com isso. de acordo com a Equação 2-9. Em seguida (t = t1). podendo danificar os dois diodos. da corrente direta seriam bastante elevadas. em que são empregados. o uso do indutor de limitação (LS). nos circuitos com diodos. e o diodo de comutação ou Free-Wheeling (Dm) é reversamente polarizado. a corrente da carga pode ser considerada constante (fonte de corrente). para D1. e decaimento. no circuito. se comporta como um curto-circuito. por um tempo suficiente. Por fim (t = t2). é mostrado na Figura 2-4. observando a malha fechada VS-CH-D1-Dm. considerando. Um exemplo claro da influência destes tempos. através da carga. para Dm. Assim. pois. Inicialmente (t = 0). a corrente nominal (IN = VS / R) flui. que estava em condução. tendendo ao infinito. durante a operação de liga/desliga da chave (CH). a chave é novamente ligada e Dm. as taxas de crescimento. a chave é ligada. tem-se: VS = L S ⋅ V d d d i Dm = L S ⋅ i D1 ∴ S = i Dm dt dt L S dt [2-10] Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . a qual destaca as formas de onda observadas.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 24 Os tempos de recuperação reversa e direta são extremamente importantes. Caso LS não seja utilizado. visto que determinam o comportamento dos diodos de potência e.

além de um tempo de recuperação reversa elevado. devido ao caráter indutivo da carga empregada. fabricados por difusão. Sendo Vadm a tensão reversa admissível do diodo e desconsiderando os efeitos de LS e RS. aproximadamente. tem-se que sua corrente de pico reversa (Irr) é: I rr = t rr ⋅ t ⋅ VS d i Dm = rr dt LS [2-11] A corrente de pico (IP). Esta energia excedente é dada por: WR = 1 2 2 ⋅ L S ⋅ (I N + I rr ) − I N 2 [ ] [2-13] Este excesso de energia pode ser drenado pelo ramo do circuito disposto paralelamente a Dm. o valor de CS pode ser obtido. Assim. que contém um capacitor (CS) em série com um resistor (RS). a forma de recuperação e as técnicas de fabricação dos diodos de potência determinam se diodos mais baratos podem ser utilizados. que induz uma elevada tensão reversa em Dm. Genéricos: Estes diodos são. através do indutor de limitação (LS). Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . ele é desligado subitamente. nos períodos transitórios. os diodos de potência podem ser classificados em três tipos. é: I P = I N + I rr ∴ I P = I N + t rr ⋅ VS LS [2-12] Considerando uma recuperação abrupta de Dm. onde o tempo de chaveamento não é crítico. Tipos Em muitas aplicações. de acordo com as características de operação e as limitações práticas. por: WR = 2⋅W 1 2 ⋅ C S ⋅ Vadm ∴ C S = 2 R 2 Vadm [2-14] 2. ao ser atingido o valor de pico (IP) da corrente i1. a saber: a.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 25 Como trr é o tempo de recuperação reversa do diodo Dm e observando a Equação 2-10. Com isso.4. sendo fornecidos com faixas que podem ir de menos de 1 A até 5 kA e de 50 V a 5 kA. interrompendo o fluxo de corrente. a qual pode danificá-lo. A função de RS é amortecer eventuais oscilações transitórias. No entanto. Sendo assim. ocorre um excesso de energia armazenada em LS. a corrente de carga não muda instantaneamente de IN para IP. geralmente. tais como: retificadores e conversores com freqüência de entrada de até 1 kHz e conversores comutados pela rede. são utilizados em aplicações de baixa velocidade.2. da ordem de 100 µs.

como na Figura 2-5. criada pelo contato de uma camada metálica (anodo) depositada em uma fina camada epitaxial de silício tipo N (catodo). São essenciais no chaveamento de conversores CC-CC e CC-CA. 60A. na prática. como HVDC. Assim. 0.2. no circuito. destes componentes. tanto com relação à tensão.5. reversamente polarizados. sendo que a corrente de fuga aumenta com a faixa de tensão e vice-versa. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . são fabricados diodos epitaxiais. de diodos de recuperação rápida. Schottky: Nestes componentes. sendo independente da taxa de corrente reversa. abaixo de 400 V. Em especificações acima de 400 V. pois. Os valores nominais são limitados a 100 V. Já. por isso. não havendo recombinação do excesso de minoritários. estes dispositivos são feitos por difusão. pode ser necessário aumentar a capacidade de operação dos diodos de potência. c. também. 2. Possuem faixas de menos de 1 A até 1 kA e de 50 V a 3 kV. como têm de conduzir a mesma corrente de fuga (IS). pois a recuperação é devida. Esta maior capacidade de operação dos diodos é obtida através de ligações. série ou paralelo.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 26 b. o tempo de recuperação é bastante pequeno e há uma baixa queda de tensão. polarizados diretamente. em sentido direto. sendo preciso conectálos em série. A retificação depende apenas dos portadores majoritários. chamados. quanto no que se refere à corrente. apresentam tensões reversas (VD1 e VD2) bastante distintas. a carga recuperada é bem menor. praticamente. de modo a dividir sobre eles a tensão reversa aplicada. em virtude das tolerâncias de fabricação. somente. mesmo que os diodos sejam de um só tipo. Alta velocidade: Seu tempo de recuperação é baixo. os diodos conduzem a mesma corrente e possuem uma queda de tensão direta. Todavia.1 a 5 µs. Ligações De acordo com as aplicações. as suas curvas v-i (Figura 2-5) serão diferentes. Assim. diodos comerciais podem não atender as especificações de tensão de bloqueio reverso. Figura 2-5 – Diodos ligados em série e suas curvas características v-i. Em aplicações de alta tensão. já. São comuns em fontes CC de altas correntes e baixas tensões. com velocidades de chaveamento bem superiores. esta ligação não pode ser efetuada somente pela conexão de diodos. o problema do armazenamento de carga na junção PN é eliminado simulando o comportamento da junção por uma barreira de potencial. sendo. à capacitância própria da junção semicondutora. idêntica.

de modo que são conectados em paralelo. conforme indica a parte tracejada do circuito da Figura 2-6. Sob condições transitórias. Em alta potência. também em paralelo com os diodos. induzindo outra tensão. Com isso. deslocando a corrente para este ramo. sobre os diodos. O grande problema deste tipo de arranjo é o fato dos indutores gerarem picos de tensão. Devido a eventuais desconformidades. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . em L2. é responsável apenas pela divisão de tensão em regime permanente. devido às perdas de potência que introduzem. são utilizados indutores acoplados. de maneira que haja uma mesma tensão (VD1 = VD2 = VS / 2). Assim como no caso dos diodos ligados em série. Os resistores não são muito aconselháveis. que os tornam grandes e caros. como em chaveamento de cargas. Figura 2-6 – Diodos ligados em série com rede de divisão de tensão. Observando a lei de Ohm para a corrente de cada resistor (IRX = VDX / RX) e considerando valores iguais para os resistores (R1 = R2 = R). Aumentando a corrente sobre D1. tais tensões sobre os diodos são encontradas a partir do sistema de equações abaixo: VD1 + VD2 = VS VD1 − VD2 = R ⋅ (I S2 − I S1 ) [2-15] [2-16] É importante observar que o a rede resistiva. é necessário conectar. a tensões sobre os mesmos podem ser um pouco diferentes. o que dá origem a diferentes correntes de fuga (Figura 2-6). os diodos necessitam de uma maior capacidade de condução de corrente. dispostos em série com os resistores e diodos de cada ramo (Figura 2-7). mas de polaridade oposta. a tensão sobre L1 (L1⋅di/dt) também aumenta. além dos resistores da rede. conectados em série com os diodos. inserida ao circuito dos diodos em série. ao circuito da Figura 2-5. também são utilizados indutores e/ou resistores. A corrente de fuga total (IST) é dividida por um diodo e seu resistor. uma associação série de um capacitor (CS) com um resistor (RS). sendo comum empregar diodos de mesmo tipo ou que possuam um mesmo Vγ. a corrente se divide de acordo com a queda de tensão direta (Vγ) sobre cada diodo. Isto acarreta uma baixa impedância no ramo de D2. o uso de resistores só é responsável pelo regime permanente. Para obter uma divisão de corrente uniforme.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 27 Uma forma simples de solucionar esse problema é inserir uma rede de resistores. Sob condições dinâmicas. nas curvas v-i dos diodos empregados.

3. Tiristores Usado em baixas freqüências (< 1khz) e alta potência (> 10MVA). Características do tiristor: Figura 2-8 – Estrutura do tiristor Figura 2-9 – Curva de resposta estática do tiristor. 2.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 28 Figura 2-7 – Diodos ligados em paralelo com rede de divisão de corrente. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .

α2 = C2 i E1 iE2 Ico é a corrente de fuga. a saber: 2.3. Corrente que passa pelo SCR: iA = iC1 + iC2 + ICO = αiE1+ αiE2 +ICO Mas: iA = iE1 = iE2 ∴ iA = ( α1 + α2)iA + ICO ⇒ i A = I CO 1 − (α 1 + α 2 ) Existem várias formas de fazer com que α1 + α2 → 1.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 29 Modelo do tiristor com dois transistores: Figura 2-10 – Modelo do tiristor com dois transistores Ganho de corrente do transistores: α 1 = iC 1 i . Disparo devido à tensão VAK: Figura 2-11 – Curva de resposta do DIAC. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .1 Formas de disparo do tiristor: 1. gerada termicamente.

Disparo devido à taxa de variação de tensão (dV/dt): Figura 2-12 – Efeito de disparo do capacitor interno do tiristor Se a tensão Anodo-Catodo variar → a corrente no capacitor será: iC = C dV AK dt A capacidade da junção J2 é função da tensão aplicada.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 30 2. A injeção de corrente no “gate” força o α1 + α2 ≈ 1. como também se faz α1 + α2 ≈ 1. 4. Disparo por temperatura: O aumento muito acentuado da temperatura faz crescer ICO. isto é: iC = C dV AK dC + V AC dt dt Para que VAC aumente. pode ser que se produza uma corrente tal que α1 + α2 → 1. Disparo por injeção de corrente de base (“Gate”): É o método mais eficaz de disparo. Proteção contra disparo por dV/dt: a) RC entre “gate-catodo”. b) Circuito Snubber . dC/dt tem de ser negativo. Mas.RC entre Anodo-catodo. e muda o ponto de operação. 3. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Deve-se usar proteção utilizando os dissipadores térmicos. se dVAK/dt for muito grande.

5. a corrente de fuga aumenta. pois. − Enquanto VAK < 0. Disparo por luz ou laser: LAS (Light Activated Switch) LASCR ( Light Activated Controller Rectifier) Figura 2-15 – Disparo do tiristor por efeito luminoso. Considerações no projeto do circuito do Gate: − O sinal do gate deve ser removido depois que o ton. Onde: IH = corrente mínima. em que o tiristor mantém o estado de condução.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 31 Figura 2-13 – Família de curvas do tiristor para diferentes correntes de gate. se iG ≠ 0. − A largura do pulso do gate tG > ton. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Características de TURN-ON: Figura 2-14 – Resposta dinâmica do disparo do tiristor. iG = 0.

: v = 2 sen wt → = 2Vw dt MAX Figura 2-17 – Efeito de dv/dt por maniobra. 2.3. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Existem duas formas de proteção contra dV/dt: a) Sem a utilização do SNUBBER: Figura 2-18 – Formas de proteção contra dv/dt. dV Ex.2 Limitação de di/dt: Figura 2-16 – Efeito de limitações de di/dt. − dV/dt devido à manobra.3.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 32 2.4 Proteção contra dV/dt: − dV/dt devido à tensão aplicada.

sendo: dV AK dt .Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 33 b) Com a utilização do SNUBBER: Figura 2-19 – Exemplo de disparo por maniobra.4 ⋅ 10 6V / µs Com o aumento de L: = 300V / µs ⇒ L = 40mH típi cos Outra possibilidade é diminuir RAK. Resolvendo o circuito: −t  V AK = 2V  1 − e τ   L   . igual a: MAX 2V dV AK dt dV dt = MAX Para os valores dados: 30 ⋅ 10 −3 5 ⋅ 10 −6 ⋅ 400 = 2. no transitório. colocando um capacitor no circuito SNUBBER: Figura 2-20 – Circuito de proteção “Snubber”. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . onde: τ =  R AK  t τ dV AK R AK = dt L dV AK dt = MAX 2Ve R AK L − . em t = 0.

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .3. Transistores Os transistores em geral podem ser classificados em: − Transistor de Junção Bipolar. 2.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 34 2.4. − Transistor de Efeito de Campo.5 Circuito de disparo do tiristor: Figura 2-21 – Família de curvas para diferentes temperaturas Figura 2-22 – Circuito de disparo de gate. Circuito de acoplamento: Figura 2-23 – Diferentes alternativas de disparo de tiristores. − IGBT.

Figura 2-24 – Circuito de Polarização. Figura 2-25 . temos: IE = I C + I B β = hFE = IC/IB IC = βIB + ICEO IE = IB (1 + β) + ICEO. Transistor de Junção Bipolar Transistor NPN. Transistor PNP.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 35 2. onde: ICEO → 0 IE ≈ (1 + β)⋅IB ⋅ Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .1.Regioes de trabalho do transistor bipolar Das Figuras acima.4.

tem-se: VCE ≥ VBE Quando VCB = 0 e VBE = VCE. a máxima corrente de coletor acontece: I CM = VCC − VCE VCC − VBE = RC RC I BM = I CM β I B >> I BM → VBE ↑ .Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 36  β+1 1 IE ≈ IC  1 +  = IC   β β  αI E = I C Modelo do transistor NPN.4 a 0. para grandes sinais em operação CC: Figura 2-26 . então: I CS = VCC − VCE(sat) RC Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . I C ↑ . VCE < VBE O transistor satura quando VCE = 0.Modelo do transistor NPN Usando o circuito em emissor comum: IB = VB − VBE RB RC (VB − VBE ) RB VC = VCE = VCC − I C R C = VCC − β Com o transistor es na região ativa. VCE ↓ .5 V.

ton = td+tr toff = ts+tf Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Dos gráficos acima. tem-se: − − − − td: Tempo de retardo ou de carga do capacitor de junção BE. ts: Tempo de estocagem ou necessário para IB retirar as cargas da junção BE. tr: Tempo de subida ou necessário para ic em atingir ICS. tf: Tempo de queda ou decorrido até IC cair de ICS para zero.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 37 IBS = ICS/β β O fator de saturação (FS) é dado por: FS = IB / IBS A potência de perda do transistor (PT): PT = VBE⋅IB + VCE⋅IC Características de chaveamento: Figura 2-27 – Modelo dinâmico do transistor Figura 2-28 – Diagrama de tempos da resposta de um transistor a um pulso.

IC + IL) IC = β (I 1 + I L ) 1+β Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . IB = I1 = VB − VD1 − VBE ⇒ IC = IL = β ⋅ IB RB Assim que D2 passa ao estado on. tem-se: VCE = VBE .VD1 . A freqüência máxima de chaveamento é: fs = 1 1 0.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 38 O controle da corrente de base pode ser feito aumentando a velocidade de chaveamento (diminuindo o ton e toff): I B1 = V1 − VBE V − VBE R R C ⇒ I BS = 1 ⇒ τ 1 = 1 2 1 ⇒ t 1 ≥ 5τ 1 R1 R1 + R2 R1 + R2 τ 2 = R 2 C 2 ⇒ t 2 ≥ 5τ 2 Figura 2-29 – Alternativa de melhorar a resposta do transistor.VD2 IL = VCC − VCE VCC − VBE − VD1 + VD2 = RC RC IC = βIB = β(I1 .2 = = T t1 + t2 τ1 + τ2 Controle de anti-saturação: Figura 2-30 – Forma de evitar a saturação do transistor.

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Mosfet tipo depleção (Canal N): Mosfet tipo Enhancement (Canal N): Figura 2-31 – Tipos de transistores Mosfets Características de estado estático: Figura 2-32 – Características de estado estático As regiões de operação. mostradas na figura anterior. Mosfet de Potência É um dispositivo controlado por tensão.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 39 2. com baixo tempo de comutação (da ordem de nanossegundos) e utilizado em aplicações de baixa potência e altas freqüências. − Ativa: Vds ≥ Vgs – Vt.4.2. são: − Corte: Vgs < Vt.

Características de chaveamento: ∆VDS ∆I D ∆I ∆VGS Figura 2-34 – Modelo dinâmico do mosfets. Considerando VDS constante: gm = O valor de ro é: ro = Onde: − ro → MΩ na região de corte.Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 36 − Saturação ou Ôhmica: VDS ≤ VGS – VT. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Modelo do mosfet: Figura 2-33 –Modelo estático do transistor mosfet. − ro → mΩ na região de saturação.

Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 41 Figura 2-35 – Resposta dinâmica do transistor ao chavemento Projeto do circuito atuador de gate do transistor mosfet: − É um circuito atuador para baixas freqüências (velocidades de chaveamento). Atuador de gate com saída na configuração TOTEM POLE: Figura 2-36 – Circuito acionamento com comparador Figura 2-36 – Atuador de gate com saída na configuração TOTEM POLE Circuito de gate com isolamento elétrico: Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . − R1 e projetado para limitar a corrente do coletor do LM311. resposta lenta). − A resposta da chave depende de R1 (R1 grande.

Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 42 Figura 2-37 Circuito de gate com isolamento elétrico: Isolamento usando um simples transformador (para 0<D<0.5): Figura 2-38 Isolamento usando um simples transformador Para ciclo de trabalho D arbitrário: Figura 2-39 Para ciclo de trabalho D arbitrário: Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .

2 A de pico de saída por canal. − Fonte de polarização 10-20 V. Freqüência máxima de 1 Mhz. Figura 2-40 Driver de 500V para dois transistores Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 40 High voltage bridge driver (ir2110): Características: − − − − − Trabalha até 500v. 25 ns de tempo de chaveamento. Entrada de controle CMOS e comparadores Schmitt Triggres. − Consumo de 15 mA para 15 V.

Retificador monofásico de meiaonda com carga resistiva. Circuitos Básicos Os retificadores não-controlados envolvem.1. Retificadores Não-Controlados 3.2.3.1 Definição de retificador 3.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 43 3. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . a seguir. o uso de diodos de potência. estão mostrados os principais tipos de circuitos envolvendo diodos e suas respectivas formas de onda. Retificador monofásico de meia-onda com carga RL. sendo muito importantes em análises futuras. Estes circuitos serão mais bem estudados nas seções seguintes. Introdução Fig. Assim. necessariamente.

Retificador monofásico de meia-onda com carga RC.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 44 Retificador monofásico de meia-onda com carga RL e força eletromotriz. circuito duplicador de tensão. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . ou. Circuito inversor de carga do capacitor. Retificador monofásico de onda completa tipo ponte. com filtro capacitivo. Retificador monofásico de meia-onda com carga LC.

com filtro capacitivo.3. com filtro capacitivo.3. Ângulo de parada da condução do diodo: β = π. Ângulo de condução do diodo: γ = β – α = π.3 Retificador monofásico com carga resistiva.1. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Formas de onda do retificador monofásico de onda completa. Figura 3.2 Diferentes tipos de retificadores 3. Análises de Retificadores 3. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga Resistiva Ângulo de início da condução do diodo: α = 0. Figura 3.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 45 Circuito equivalente do retificador monofásico de onda completa.

− i = 0. para π < ωt < 2π. são dados pelas expressões abaixo: V0 = 2π ∫0 v0 dwt = 2π ∫α v0 dwt an = π ∫0 v0 sen(nwt )dwt = π ∫α v0 sen(nwt )dwt bn = π ∫0 v0 cos(nwt )dwt = π ∫α v0 cos(nwt )dwt O valor eficaz do enésimo harmônico da tensão é dado por: VnR = 1 2 1 π 1 2π 1 β 1 π 1 β 1 β [a 2 n +b 1 2 2 n ] O valor eficaz ou rms da tensão de saída é:  1 VR =  2π ∫  A tensão de “ripple” vale:  ∞ 2 2 =  ∑ VnR  = VR1   n=1  O “fator de Ripple” é definido por: 1 1 β 2 2 v dwt  α 0  = v 0 + ∑ vnR 2 [ ] 1 2 [V 2 − R V] 1 2 2 0 Kv = VR1 V0 Andrés Ortiz Salazar Eletrônica de Potência . que compõem o “ripple”. para 0 < ωt < π. temos: v0 = V0 + n =1 ∑ an sennwt + ∞ n =1 ∑ bn cosnwt ∞ Onde o valor contínuo (Vo) e os coeficientes (an e bn).Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 46 Corrente do circuito: − i = vo / R. Considerando um caso geral e utilizando a teoria de Fourier.

teremos o seguinte.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 47 A série de Fourier da corrente (i) pode ser escrita como: i = I0 + Onde: ! ! ! ! n=1 ∑ cn sen(nwt − φn )+ ∑ dn cos(nwt − φn ) ∞ ∞ n =1 I0 = cn = V0 . O valor rms do enésimo harmônico da corrente é: InR = 1 2 [c 2 n +d 1 2 2 n ] O valor rms do ripple da corrente:  ∞ 2 2 =  ∑ InR  = IR1   n=1  O fator do ripple da corrente: 1 [I 2 R −I 1 2 2 0 ] Ki = IR1 I0 Assim. R ! Zn = Impedância da carga para a freqüência nw. Zn b dn = n . se a carga for RL. Zn − 1 nwL φ = tan . para o circuito retificador de meia onda: − Tensão contínua: V0 = 1 π 2 Vsenwtdwt = 2π ∫0 2V π Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . R an .

211 V0 3. temos: v L + v R = v o = v ∴ L 2 Vsen(wt − φ ) 2 2 + (wL ) di + Ri = 2 Vsenwt dt e φ = tg − 1 wL R Solução forçada: i F = [R ] 1 2 Solução natural: i N R −  ⋅ t = Ae  L  R Solução geral: i = i F + i N −  ⋅ t 2V 2 2 sen(wt − φ) + Ae  L  .211V0  4    1 − O fator ripple da tensão: K v = VR1 = 1. temos: i = 0. temos: Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .3 Retificador monofásico com carga indutiva Do circuito.3. Para o intervalo de 0 < wt < β.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 48 π v0 v  1 π 2 2 2 − Valor rms de v0:  ∫0 2v sen wtdwt  = 2 = 2  2π  1 − Contribuição de harmônicos: VRI = [ 1 2 2 2 VR − V0 ] π2 2 = V0  − 1 = 1.2. onde: Z = R + (wL ) = Z [ ] 1 2 Para t = 0. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RL Figura 3.

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 49 R   −  t 2V 2V   L  senφ A= senφ . O valor de β pode ser calculado para i = 0. a tensão média de saída é: V0 = R ⋅ I 0 = 2V (1 − cosβ ) V 2π Obtenção de dados do ckt utilizando curvas normalizadas de corrente: iN = Z 2V i Obtenção das correntes contínua e eficaz:  R   −  t  1 β   L  senφ d (wt ) =  ∫0 sen(wt − φ) − e   2π        2 1 2 − Eficaz: I RN Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . ou seja: sen(β − φ) + Cálculo da corrente média: V−L di V L di 2V wL di − Ri = 0 ∴ i = − = ⋅ senwt − dt R R dt R R dwt  Rβ  −  e  wL  senφ =0 Integrando a equação anterior: I0 = I0 = 1 β 1 β 2 V wL di  ∫0 idwt = 2π ∫0  R senwt − R dwt dwt 2π   2V (1 − cosβ ) 2πr Assim. no intervalo de β < wt < 2π. i = sen(wt − φ ) + e  Z Z      Por fim. em β = wt. i = 0.

225 ⋅ I A tensão sobre a carga é: VL = v. e o valor médio é: Vo = 0.4 Retificador monofásico com carga indutiva muito grande.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 50 − Contínua: I N R     −  t  1 βsen(wt − φ) − e  L  senφ d(wt ) =  2π ∫0            Se R << wL ⇒ i = 2V (1 − coswt ) wL Figura 3. K i = 1R = 0. KV = V1R I → ∞ . O valor médio de i será: I0 = A corrente harmônica eficaz: I 1R = A corrente harmônica: IR = [I 2 0 2V wL I V = 0 wL 2 + 1 2 2 I 1R ] = 1.707 V0 I0 Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .

π I 0π = i wt = π = i wt'= 0 No final. é: i0 = i = Solução inicial: − (R )t′′ 2V (senwt ′′ − φ) + Ae L Z Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . R  − t V  L senφ i 0 = 2 sen(wt − φ ) + e  Z    No segundo ciclo (π < wt < 2π ou 0 < wt’ < π): i 0 = i D = I 0π R − t′ e L .5 Retificador monofásico com carga indutiva e diodo de retorno. I0π e I02π se estabilizarão.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 51 Carga RL com diodo free-wheeling: No primeiro ciclo (0 < wt < π): Figura 3. para o 2o ciclo. A solução de i0. onde: wt’ = wt . então:  R  π  −   e  L  w  I 02π = I 0π Depois de vários períodos. temos wt’ = 2π.

D2 conduz: i0 = I′ 0π   − (R L )w 2V 2V  I′ + senφ + 02π senφ e =   Z Z   π R t′′ = π w (*) No semiciclo seguinte.π/w) Em wt”= 2π: i0 = I’0πe .(R/L)(π/w) = I’02π Das equações (*) e (**). com duas incógnitas: R  −  ( π ) 2V 1 + e  L  w  senφ   Z     I ′ 02π = R )(π ) R )(π w ) ( −( e L w −e L (**) I′ = I′ e oπ 02π (R L )(π w ) Este problema pode ser analisado usando-se análise de Fourier. A expansão de Vo. vo = 0 e iD circula: i0 = iD = I’0πe . obtemos outra.(R/L)(t”.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 52 i0t’’= 0 = I’02π Substituindo a solução inicial na equação anterior:   − L  t′′ 2V 2V  I′ + i0 = senφ e   (senwt ′′ − φ) +  02π  Z Z   Para wt” = π . em série de Fourier. é a seguinte: V0 = 2 2 1 π 1 1 1  V  + senwt − cos2wt + cos4wt − cos6wt − K π 3 15 35 2 4  O valor da tensão média vale: V0 = O valor rms de Vo vale: 2V π Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 53  1 π VR =  ∫  2π 0 A tensão de “ripple”: VRI [ 2Vsenwt] dwt  2 1 2 1 2  = V 2  V 2 2V 2  = − 2  π   2   = 0. A componente de i. V0 2V . é: Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . devido a v. Retificador Monofásico com Carga RL e Força Eletromotriz Figura 3. R VR1 0. = R πR 3.6 Retificador monofásico com carga R-L-E.545V O fator de “ripple” de tensão: KV = A corrente io é dada por: i0 =  2 2  1 π 1 1 V sen(wt − φ 1 ) − cos(2wt − φ 2 ) − cos(4wt − φ 4 ) − K + π 3Z 2 15Z 4  2R 4Z 1  Onde: − Z n = R 2 + (nwL )2 − φ n = tan − 1 − I0 = nwL .545π = = 1.3.21 V0 2 [ ] 1 2 .3.

φ = tan − 1 wL R i CF = − A solução natural: i N = Ae A corrente total: i= Vc R −R ( L )t V − (R )t 2V sen(wt − φ) − c + Ae L .Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 54 i SF = 2V sen(wt − φ ) Z Z = R 2 + (wL )2 A componente devido a vc = Vc: [ ] 1 2 . α < wt < (γ + α = β) γ Z R m= Vc 2V = senα Em wt = α e i = 0: V  (R )(α ) 2V A= c − sen(α − φ ) e L w Z R  R = Zcosφ Aplicando-se as três últimas equações na da corrente total tem-se: Z  m − (R )t  i = sen(wt − φ ) −  − Be L  . α < wt < γ + α 2V  cosφ  Onde:  m  (R )(α ) B= − sen(α − φ) e L w  cosφ  Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .

basta fazer i = 0. onde: λ = ∫ w v L dt = 0 0 dt [ 2Vsenwt − V ]dwt = 0 2V  1 − m 2 (1 − cosγ ) − m(γ − senγ )    2π  I0 = IN = Z 2V I0 = VRES V = RES R Zcosφ 1  1 − m 2 (1 − cosγ ) − m(γ − senγ )    2ππcos  V0 = RI0 + Vc  1 α+ γ   VR =   ∫α  2π   A tensão de ripple é: ( 2Vsenwt ) dwt + ∫α+ γ 2 2 2 VRI = VR − V0 2π + α 1  2  2 Vc dwt      [ ] 1 2 KV = VR1 V0 1 2 I RN  1 α+ γ  Z  2  i  dwt  = ∫   2π α  2 V     IR = 2V I RN Z I RI I0 Ki = Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . para wt = γ + α.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 55 Para determinar γ. Das duas últimas equações: m  γ   cosφ  − sen(α + γ − φ) −  tgφ      =e m   cosφ  − sen(α − φ )   Tensão na indutância: VL = Tensão no resistor: VRES = 1 α+ γ 2π ∫0 2π dλ .

5. wt = β e resolvendo: sen(β + φ ) − e − β wRC senφ =0 3. Quando o diodo D conduz: vc + vR = vo = v∴ A solução forçada é: iF = 1 2V sen(wt + φ ) . Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RC Figura 3.4.3. vc = 0 e i = 0 temos: t  − 2V  sen(wt + φ ) − e RC senφ  i= Z     O ângulo β pode ser determinado fazendo-se i = 0. φ = tan − 1 wCR Z  1 Z = R 2 +  (wC)2     A solução natural é: i N = Ae − t RC 1 2 1 t idt + v c (0 ) + Ri = 2 Vsenwt C ∫0 − 2V i= sen(wt + φ ) + Ae RC Z t Assumindo t = 0.3.7 Retificador monofásico com carga R-C.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 56 3. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga LC Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .

temos: i(t ) = VS C 1 t 1 senwt e VC (t ) = ∫ idt = VS (1 − coswt ) .6. durante a condução. temos: di 1 idt + Vc (t = 0 ) = 0 + dt C ∫ Observando as condições iniciais: i (t = 0) = 0 e VC (t = 0) = – V0. Circuito Inversor de Carga do Capacitor Figura 3. temos: L Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Analisando o circuito. de modo que: t 1 = π LC ∴ VC = 2VS 3. temos: VS = L di 1 idt + VC + dt C ∫ (t = 0) Observando as condições iniciais: i (t = 0) = 0 e VC (t = 0) = 0.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 57 Este tipo de circuito também é chamado de duplicador de tensão: Figura 3.7 Retificador monofásico com carga LC. Analisando o circuito. durante a condução. onde: w = 0 L C LC O circuito se estabiliza no tempo t1.7 Retificador monofásico com carga LC sem fonte CC.3.

com filtro capacitivo. com exceção ao fato dos dois semiciclos da tensão de alimentação terem a mesma polaridade. para o caso de meia-onda. Figura 3.7. Figura 3.8 Modelo do Retificador monofásico tipo ponte completa. o que modifica um pouco as expressões já analisadas. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .9 Formas de onda do retificador monofásico tipo ponte completa.3. que é bastante similar ao circuito de um retificador de meia-onda. As formas de onda são apresentadas abaixo. é mostrado a seguir. Retificador Monofásico de Onda Completa Tipo Ponte O retificador monofásico de onda completa tipo ponte.7 Retificador monofásico tipo ponte completa. Figura 3.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 58 i(t ) = V0 VC (t ) = C senwt L 1 idt − V0 = − V0 coswt C∫ 3. Este retificador pode ser representado pelo circuito equivalente abaixo.

As formas de onda são dadas a seguir: Figura 3. Retificador Trifásico Tipo Ponte O circuito do retificador trifásico tipo ponte é mostrado abaixo. Sua freqüência fundamental é f1 = q⋅f e o tempo de condução de cada diodo é igual a 2π/q. diminuindo o nível de harmônicas e o tamanho do filtro.3. Figura 3.9.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 59 3. Os valores médio e eficaz da tensão e o valor eficaz da corrente são: Vdc = πq q 2 π ∫0 Vm coswtd(wt ) = Vm π sen q 2π q 1 2 Vrms πq 2  2  2 = ∫0 Vm cos wtd(wt )  2π q  1 2  q π 1 2π    = Vm   + sen q 2 q    2π  1 2 1 2  2 πq 2  2 Is =  ∫0 I m cos wtd(wt )  2π   1 π 1 2π   = I m   + sen q 2 q    2π  3.8. Figura 3.11 Tensão de saída de um retificador trifásico de media onda. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .3.10 Retificador trifásico de media onda.12 Retificador trifásico ponte completa. Retificador Multifásico É usado em potências maiores que 15 W.

5518Vm O valor rms da corrente do secundário:  8 π6 2  2 Is =  ∫0 I m cos wtdwt   2π  12 = Im 2 π 1 2π   + sen  π6 2 6  12 = 0. Figura 3.6542Vm 2π 6 1 2  1 π6  2 = ∫0 3Vm cos wtdwt  π 6  1 3 9 3  = + 2 4π    1 2 Vm = 1.14 Retificador trifásico ponte completa com efeito da indutância de linha Ls. Figura 3. A tensão de saída é: Vo = Vrms π6 2 3 3 ∫0 3Vm coswtdwt = π Vm = 1. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .13 Formas de onda de um retificador trifásico ponte completa.78Vm O efeito de fontes e cargas indutivas é mostrado em seguida.Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 60 A sua forma de onda é dada a seguir.6554Vm Corrente no diodo:  4 π6 2  2 Id =  ∫0 I m cos wtdwt   2π  2 2π   1 π 1 = I m   + sen  6  π  6 2  1 2 = 0.

Capítulo 4 – Retificadores Controlados 61 4 Retificadores Controlados 4. Estes retificadores são simples e têm uma eficiência de 95%. Este retificador não é muito utilizado industrialmente.2. Princípio de Operação Figura 4. Os mesmos também podem ser chamados de conversores CA-CC. onde o tiristor conduz somente após a aplicação de um pulso no gatilho e pára de conduzir por comutação natural ou de linha. Tanto no caso monofásico quanto no trifásico. sendo usados para controlar a velocidade em máquinas CC de poucos HP até MW. Se a carga for muito indutiva o tiristor precisará de comutação forçada. pois contém muitas harmônicas.1 Retificador monofásico de media onda. estes conversores podem ser do tipo semicontrolado. Introdução É uma aplicação típica dos tiristores. Sua tensão média de saída é: Vm Vm 1 π π VDC = ∫α Vm senwtd(wt ) = 2π [− coswt]α = 2π (1 + cosα ) 2π A tensão eficaz de saída é dada por:  1 2 2 VRMS =  ∫α Vm sen wtd(wt )  2π  π 1 2 V2 = m  4π  2 (1 − cos2wt )dwt  ∫α   π 1 VRMS = Vm 2 1  π π − α +   1 sen2α   2 2   Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .1. totalmente controlado ou duplamente controlado. 4.

2: Figura 4. médio normalizado e eficaz da tensão de saída são mostrados abaixo: VDC = 3 5π 6 + α 3 3 ∫π +α Vm senwtdwt = 2π Vm cosα 2π 6 Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . conforme mostrado na figura 4. A seguir.2 Alternativa de sincronismo para o retificador monofásico de onda completa. Os valores médio.3 Retificador trifásico de media onda.Capítulo 4 – Retificadores Controlados 62 O circuito de disparo é sincronizado na freqüência de linha. é mostrado o caso do retificador trifásico de meia onda controlado: Figura 4.

5(1 + cosα ) VDCmax O valor da tensão eficaz de saída é: Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Retificador Semicontrolado Figura 4. Retificadores Controlados Monofásicos 4. A tensão média de saída é dada por: VDC = 2Vm Vm 2 π π ∫α Vm senwtdwt = 2π [− coswt]α = π (1 + cosα ) 2π O valor normalizado da tensão média é: VN = VDC = 0.3.Capítulo 4 – Retificadores Controlados 63 VN = cosα  3  5π 6 + α 2 VRMS =  V sen 2 wtd(wt )   ∫π 6 +α m    2π  1  2 1 2 3 cos2α  = 3 Vm  +  6 8π    1 4.1.4 Retificador monofásico hibrido.3.

Carga → Fonte.2. Do gráfico. i > 0. potência < 0. potência > 0. A tensão média de saída é dada por: VDC = 2Vm 2Vm 2 π +α π+α ∫α Vm senwtdwt = 2π [− coswt]α = π cosα 2π O valor normalizado da tensão média é: Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . π]. Figura 4. Fonte → Carga. v. temos: − Modo Retificador: Intervalo [α.4 Retificador monofásico ponte completa totalmente controlado. v < 0. i > 0. sendo os tiristores comutados pela tensão da linha de forma natural. Retificador Totalmente Controlado É aplicado para potências de até 15 kW.Capítulo 4 – Retificadores Controlados 64  2 π 2 VRMS =  Vm sen 2 wtdwt  2π ∫α   VRMS 1 2 V2 = m  2π  2 π (1 − cos2wt )dwt  ∫α   1 1 V 1  sen2α   2 = m  π − α +  2  2 π   4.3. π + α]. − Modo Inversor: Intervalo [π.

3. Retificador Duplamente Controlado Figura 4. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .3.5 Retificador monofásico duplamente controlado.Capítulo 4 – Retificadores Controlados 65 VDCmax = 2Vm ⇒ VN = cos(α ) π O valor da tensão eficaz de saída é:  2 π +α 2 2 VRMS =  ∫α Vm sen wtdwt   2π  1 2 2  Vm =  2π  2 π +α (1 − cos2wt )dwt  ∫α   1 VRMS = Vm 2 4.α 1 )∴α 2 = π − α 1 O indutor L r serve para limitar a corrente que circula pela fonte. VDC1 = 2VM 2VM cosα 1 e VDC2 = cosα 2 π π VDC1 = − VDC2 ∴ cosα 2 = -cosα 1 = cos(π .

Capítulo 4 – Retificadores Controlados 66 ir = ir = 1 wL r ∫−α wt 1 v r dwt = 1 wL r ∫−α (vo1 − v o2 )dwt 1 wt wt Vm  wt 2Vm senwtdwt − ∫ senwtdwt  = coswt − cosα 1 )  ∫−α 1 −  wL ( −α 1 wL r   r 4. Figura 4.6 Retificador monofásico ligados em serie.4.3. A tensão média de saída é dada por: VDC1 = Vm V (1 + cosα 1 ) e VDC2 = m (1 + cosα 2 ) π π Vm (2 + cosα 1 + cosα 2 ) π VDC = VDC1 + VDC2 = Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Retificadores Controlados Monofásicos em Série Usados em aplicações de alta tensão e melhoramento do fator de potência.

6 Retificadores totalmente controlados monofásico ligados em serie. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .25(1 + cosα 1 ) VDCmax Vm (3 + cosα 2 ) π VDC = VDC1 + VDC2 = VDCN = VDC = 0. O valor normalizado da tensão média é dado por intervalos abaixo: − Para 0 ≤ α1 ≤ π e α2 = π: VDC = VDC1 + VDC2 = VDCN = − Para α1 = 0 e 0 ≤ α2 ≤ π: Vm (1 + cosα 1 ) π VDC = 0.Capítulo 4 – Retificadores Controlados 67 O valor máximo da tensão média. sendo igual a 4Vm/π. VDCmax.25(3 + cosα 2 ) VDCmax Outro exemplo de retificador ligado em série é mostrado a seguir: Figura 4. é obtido em α1 = α2 = 0.

4.6 Retificadores totalmente controlados monofásico ligados em serie.4.Exemplo-2.Capítulo 4 – Retificadores Controlados 68 Figura 4. Retificadores Controlados Trifásicos Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .

os valores médio e eficaz da tensão de saída são: VDC = 3 3 Vm 3 7π 6 3 7π 6 π  ∫π 6+α v ac dwt = 2π ∫π 6+α 3Vm sen wt − 6 dwt = 2π (1 + cosα ) 2π    3 7π 6 2  3  π 1  2 2 2 = ∫π 6+α 3Vm sen  wt − 6 dwt  = 3Vm  4π  π − α + 2 sen2α      2π    1 1 VRMS Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .7 Retificador trifásico híbrido controlado v an = Vm senwt 2π   v bn = Vm sen wt −  3   2π   v cn = Vm sen wt +  3   π  v ac = v an − v cn = 3 Vm sen wt −  6  5π   v ba = v bn − v an = 3Vm sen wt −  6   π  v cb = v cn − v bn = 3 Vm sen wt +  2  Para α ≥ π/3.Capítulo 4 – Retificadores Controlados 69 Retificador Semicontrolado Figura 4.

8 Retificadores totalmente controlados monofásico ligados em serie. médio normalizado e eficaz da tensão de saída são: VDC = 3 3 Vm 3 π 2+α 3 π 2+α π  ∫π 6+α Vab dwt = π ∫π 6+α 3Vm sen wt + 6 dwt = π cosα π   VN = cosα  3 π 2+α 2 π  VRMS =  ∫ 3Vm sen 2  wt + dwt  6   π π 6+α  1 2 1 3 3 cos2α  = 6 Vm  + 4  8π   1 2 Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .Capítulo 4 – Retificadores Controlados 70 4.4. v an = Vm senwt 2π   v bn = Vm sen wt −  3   2π   v cn = Vm sen wt +  3   π  v ab = v an − v bn = 3 Vm sen wt +  6  π  v bc = v bn − v cn = 3 Vm sen wt −  2  5π   v ca = v cn − v an = 3Vm sen wt +  6   Os valores médio. Retificador Totalmente Controlado Figura 4.1.

Retificador Duplamente controlado Figura 4. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . 4. − Potência média de saída: PDC = VDC·IDC.4. Eis alguns parâmetros de comportamento dos retificadores: − Tensão média de saída: VDC.Capítulo 4 – Retificadores Controlados 71 4. − Potência de saída AC: PAC = VRMS⋅IRMS (contínua + harmônicos). Deve-se determinar o IDC. Vpico reverso. devem sempre considerar o pior caso (α = 0). Considerações Sobre Projetos de Retificadores Os tiristores e diodos devem ser especificados. para uso nos retificadores controlados.2.5. IP. − Tensão eficaz de saída: VRMS.9 Retificador Dual. IRMS. − Corrente eficaz de saída: IRMS. − Corrente média de saída: IDC.

= VS I S IS − I2 1 2 I1 1 2  I =  S  I 1  o valor 2   − 1 . PAC 2 2 − O valor RMS efetivo: VAC = VRMS − VDC . VDC   − 1 = FF 2 − 1 . sendo VS e IS valores VS I S eficazes da tensão e corrente no secundário do transformador. − Fator de deslocamento: FD = cos φ. − Fator de forma: FF = VRMS .Capítulo 4 – Retificadores Controlados 72 − Eficiência ou taxa de retificação: η = PDC .     eficaz da 2 1 − Fator de potência: FP = Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .   2 V V − Fator de Ripple: FR = AC =  RMS  V VDC  DC − Fator de utilização do transformador: TUF = PDC . VS I 1 cosφ I 1 cosφ . − Ângulo de deslocamento: φ (Ângulo entre a tensão de entrada e a harmônica fundamental da corrente de entrada). 2  IS  − Fator harmônico da corrente de entrada: FH =      onde I1 é o valor eficaz da componente fundamental e IS é corrente do secundário do transformador.

este controle. conhecido como PWM (Pulse-Width Modulation). deste sinal. Figura 5.Capítulo 5 – Choppers 73 5 Choppers 5.1.2 Representação de Chopper redutor a transistor. para fins de análise. os choppers. Figura 5. controlam a tensão CC média de saída. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .2. definido por: D = ton /Ts. 5. Princípio de Operação O controle de um conversor CC-CC é feito pelo valor médio e/ou pela freqüência do sinal aplicado. onde. controla o ciclo de trabalho (D) da chave. considera-se ideais a fonte de entrada e as chaves. da chave de operação do circuito conversor. além do circuito em regime permanente. A figura-1 mostra um chopper com transistor. Introdução Para uma tensão CC de entrada fixa. É aplicado na regulação de tensão de fontes chaveadas e no controle de máquinas. através da variação do tempo de condução (ton) e do tempo de desligamento (toff) da chave. Assim. ao gatilho.1 Representação de Chopper a nível de bloco. para um período de chaveamento (Ts = ton + toff) fixo. ou conversores CC-CC. pela variação do tempo de condução do dispositivo semicondutor de potência em uso. O mais comum é controlar o valor médio.

4 Diagrama de bloco de um CI PWM 5.Capítulo 5 – Choppers 74 Figura 5.5 Chopper redutor ou step down Os circuitos equivalentes. para o modo de condução contínuo. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Conversor Buck (Redutor de Tensão ou Step-Down) Figura 5. Figura 5. O diagrama de blocos do circuito de controle e suas principais formas de onda são mostrados na figura a seguir. e as formas de onda são mostrados a seguir.3. onde: D = Vcontrol / Vst. onde a corrente do indutor nunca é menor que zero (iL(t) ≥ 0).3 tecnica PWM para chopper. para ton e toff.

assim: Ts t on Vo t on ∫0 VL dt + ∫t on VL dt = 0 ∴ (Vd − Vo ) ⋅ t on − Vo ⋅ (Ts − t on ) = 0 ∴ Vd = Ts = D Considerando que as perdas no chopper sejam nulas. tem-se: I V Pin = Pout ∴ Vd ⋅ I d = Vo ⋅ I o ∴ d = o = D I o Vd O ripple da tensão de saída de um conversor Buck pode ser observado nas formas de onda da figura abaixo: Figura 5.Capítulo 5 – Choppers 75 Figura 5. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Pela conservação de energia.6 Tensão sobre o indutor de um choopper redutor. sabe-se que as áreas A e B são iguais.7 Ripple na saída de um choopper redutor.

com a comparação entre os ganhos (Vo/Vd) ideal (tende ao infinito) e real (satura por efeito de elementos parasitas) do conversor. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . de modo que: V= T ⋅ ∆I L Q ∆Q 1 1 T ∆I ∴ ∆Vo = ∴ ∆Vo = ⋅ ⋅ s ⋅ L ∴ ∆Vo = s C C C 2 2 2 8⋅C ∆Vo = Ts  Vo (1 − D)⋅ Ts2 V  ⋅ ⋅ (1 − D )⋅ Ts  ∴ ∆Vo = ⋅ o 8⋅C  L 8⋅L⋅C  Sabendo que fc (= 1/2π√(LC)) é a freqüência natural e fs (= 1/Ts) é a freqüência de chaveamento.Capítulo 5 – Choppers 76 Considerando a expressão física.8 Chopper elevador de tensão. cuja área é ∆Q. e as formas de onda do conversor Boost são mostrados a seguir. Conversor Boost (Elevador de Tensão ou Step-Up) Figura 5. tem-se que o ripple percentual é: ∆Vo (1 − D )⋅ Ts2 ∆Vo (1 − D )⋅ π 2 = ∴ = Vo 8⋅L⋅C Vo 2 f ⋅ c f  s     2 5. o triângulo.4. e que o indutor possui tensão (VL). tem-se: vL = L ⋅ dI L ∆I L ∆I V V ∴ VL = L ⋅ ∴ Vo = L ⋅ L ∴ ∆I L = o ⋅ t off ∴ ∆I L = o ⋅ (1 − D )⋅ Ts dt ∆t t off L L Matematicamente. para ton e toff. possui uma altura igual a ∆IL/2 e uma base igual a Ts/2. que relaciona tensão e corrente no indutor.9 Modos de trabalho em um chopper elevador. Figura 5. Os circuitos equivalentes. somente em toff.

na figura acima. Pela conservação de energia.Capítulo 5 – Choppers 77 Figura 5.D O ripple da tensão de saída de um conversor Boost pode ser observado nas formas de onda da figura abaixo: Figura 5. é igual a zero. tem-se que as áreas azul e vermelha. Como a carga líquida do capacitor.10 Tensão no indutor e função de transferencia do conversor. sabe-se que as áreas A e B são iguais. tem-se: Pin = Pout ∴ Vd ⋅ I d = Vo ⋅ I o ∴ I d Vo 1 = = I o Vd 1 . sendo dadas por: Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . num período (Ts). são iguais.101Corrente no capacitor e tensão de saída. assim: ∫ t on 0 VL dt + ∫ VL dt = 0 ∴ Vd ⋅ t on + (Vd − Vo ) ⋅ (Ts − t on ) = 0 Ts t on Vd ⋅ Ts + Vo ⋅ t on − Vo ⋅ Ts = 0 ∴ Vd Ts − t on V 1 = = 1 − D∴ o = Vo Ts Vd 1 − D Considerando que as perdas no chopper sejam nulas.

Capítulo 5 – Choppers

78

∆Q = I o ⋅ (D ⋅ Ts )∴ ∆Q =

Vo ⋅ (D ⋅ Ts ) R

Sabendo que τ (= RC) é constante de tempo do circuito e utilizando a expressão da carga do capacitor, tem-se que o ripple percentual é: V= V (D ⋅ Ts ) ∆Vo D ⋅ Ts Q ∆Q I o ⋅ (D ⋅ Ts ) ∴ ∆Vo = = ∴ ∆Vo = o ⋅ ∴ = C C C R C Vo τ

5.5. Conversor Buck-Boost (Fly-Back)

Figura 5.11 Chopper Flyback.

As formas de onda do conversor Buck-Boost são mostradas a seguir, incluindo a comparação entre os ganhos (Vo/Vd) ideal (tende ao infinito) e real (satura em 1, devido ao efeito de elementos parasitas) do conversor.

Figura 5.11 Tensão sobre o indutor e função de transferencia.

Pela conservação de energia, sabe-se que as áreas A e B são iguais, assim:

t on

0

VL dt + ∫ VL dt = 0 ∴ Vd ⋅ t on − Vo ⋅ t off = 0
t on

Ts

Vd ⋅ D ⋅ Ts = Vo ⋅ (1 − D ) ⋅ Ts ∴

Vo D = Vd 1 − D

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Capítulo 5 – Choppers

79

Considerando que as perdas no chopper sejam nulas, tem-se: Pin = Pout ∴ Vd ⋅ I d = Vo ⋅ I o ∴ I d Vo D = = I o Vd 1 - D

O ripple da tensão de saída de um conversor Buck-Boost pode ser observado nas formas de onda da figura abaixo:

Figura 5.12 Corrente sobre o copacitor e ripple de saída.

Como a carga líquida do capacitor, num período (Ts), é igual a zero, tem-se que as áreas azul e vermelha, na figura acima, são iguais, sendo dadas por: ∆Q = I o ⋅ (D ⋅ Ts )∴ ∆Q = Vo ⋅ (D ⋅ Ts ) R

Sabendo que τ (= RC) é constante de tempo do circuito e utilizando a expressão da carga do capacitor, tem-se que o ripple percentual é: V= V (D ⋅ Ts ) ∆Vo D ⋅ Ts Q ∆Q I o ⋅ (D ⋅ Ts ) ∴ ∆Vo = = ∴ ∆Vo = o ⋅ ∴ = C C C R C Vo τ

Uma maneira empregada para isolar a entrada da saída do conversor é utilizar um transformador, desempenhando o papel do indutor:

Figura 5.12 Circuito Fly Back com acoplamento de transformador

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Capítulo 5 – Choppers

80

5.6. Conversor Cuk

Figura 5.13 Chopper tipo Cuk.

Os circuitos equivalentes, para ton e toff, e as formas de onda do conversor Cuk são mostrados abaixo.

Figura 5.14 Modos de trabalho e formas de onda sobre os indutores.

Em regime, tem-se que: VL1 = 0 e VL2 = 0 ∴ Vd + Vo = VC1

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também. sendo chamado. de chopper classe E ou chopper de quatro quadrantes.15 Chopper tipo ponte A tensão e a corrente de carga são tanto positivas quanto negativas. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . tem-se: − L1: ∫ t on 0 VL1 dt + ∫ VL1 dt = 0 ∴ (Vd − VC1 ) ⋅ t off + Vd ⋅ t on = 0 Ts t on (Vd − VC1 )⋅ (1 − D )⋅ Ts + Vd ⋅ D ⋅ Ts = 0 ∴ VC1 = − L2: Vd 1−D ∫ t on 0 VL2 dt + ∫ VL2 dt = 0 ∴ − Vo ⋅ t off + (VC1 − Vo ) ⋅ t on = 0 Ts t on − Vo ⋅ (1 − D ) ⋅ Ts + (VC1 − Vo ) ⋅ D ⋅ Ts = 0 ∴ VC1 = Igualando as expressões obtidas.Capítulo 5 – Choppers 81 Pela conservação de energia. tem-se: VC1 = Vd V V D = o∴ o = 1 − D D Vd 1 − D Vo D Considerando que as perdas no chopper sejam nulas.D 5.7. para VC1. Suas formas de onda são mostradas na Figura abaixo. Conversor Tipo Ponte Figura 5. tem-se: Pin = Pout ∴ Vd ⋅ I d = Vo ⋅ I o ∴ I d Vo D = = I o Vd 1 .

Capítulo 5 – Choppers 82 Figura 5. determinado pelo sinal de controle. com a chave ativa (D1). As expressões do sinal de controle (Vcont) escolhido e do tempo de condução (ton). para a chave está desativada (D2 = toff/Ts = 1 – D1). estão abaixo: v cont = T ˆ Vtri e t on = 2t 1 + s ts 4 2 t1 TA+ Utilizando estas expressões.15 Formas de onda para uma ponte tipo ponte. tem-se que: Vo = 1 ⋅ (t on ⋅ Vd − t off ⋅ Vd ) = D 1 ⋅ Vd − D 2 ⋅ Vd ∴ Vo = (2 ⋅ D 1 − 1) ⋅ Vd Ts ˆ Usando a relação entre D1 e as tensões Vcont e Vtri . é possível expressar o ciclo de trabalho. em função das tensões de controle (Vcont) e de pico da onda ˆ triangular ( Vtri ): D1 = t on 1  v =  1 + cont ˆ Ts 2  Vtri      Da forma de onda de VAN – VBN e sabendo que D2 é o ciclo de trabalho. As chaves e TB– ficam no estado “on”. tem-se que o valor médio (Vo) de VAN – VBN é dado por: Vo = Vd ⋅ Vcont ˆ V tri Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . enquanto as chaves TA– e TB+ ficam no estado “off” e vice-versa.

sendo esta tensão unipolar. é mostrada nas formas de onda abaixo.16 Formas de onda para uma ponte tipo ponte com modulação unipolar. onde a corrente de saída (io) passa a ser bipolar. Figura 5.Capítulo 5 – Choppers 83 Outra forma de obter o mesmo valor médio da tensão de saída (Vo). porém. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .

400Hz.1. 50Hz. isto é: − Monofásicas: 220 V. e suas saídas típicas dependem do tipo. Figura 6. os inversores também são divididos de acordo com: − Técnica de comutação utilizada: Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . 50Hz. fornos de indução etc. a partir de tensões CC. na entrada. Suas entradas podem ser baterias.Capítulo 6 – Inversores 84 6 Inversores 6. 120 V. por meio da comutação (chaveamento) adequada dos dispositivos semicondutores de potência utilizados. Possuem dois tipos. É aplicado em fontes de potência ininterruptas ou de emergência. fornecem tensões CA. Figura 6. 400Hz. 60Hz. monofásico e trifásico.. − Trifásicas: 220/380 V.1 Definição de inversor.2 Inversor monofásico tipo ponte. 115 V. Introdução Os inversores. atuadores de máquinas CA. Além da classificação em monofásico e trifásico. células solares etc. ou conversores CC-CA. A figura abaixo mostra um inversor monofásico com MOSFETs. 60Hz. 120/208 V. na saída. 115/200 V.

A tensão de saída é dada por: − Instantânea: Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .3 Inversor monofásico de media ponte Somente o transistor Q1 conduz. porém. em t = To/2. da carga e da fonte superior. através de D2. Inversor com comutação auxiliar. a corrente da carga continua fluindo. a energia está sendo devolvida à fonte CC. do inglês Current Source Inverter (CSI). numa carga puramente indutiva. − Tipo de fonte de entrada: ! Inversor de Fonte de Tensão. Inversor ressonante. sobre a carga. Quando os diodos conduzem. igual à tensão de uma das fontes CC (vo = Vss). do inglês Voltage Source Inverter (VSI). no intervalo de tempo t = To/2 até t = To. igual à tensão da fonte. devendo ser notado que a tensão sobre um transistor. Para uma carga indutiva. Inversor com comutação complementar. onde cada transistor conduz somente 90o. que consiste em um inversor de meia-ponte. a corrente não muda imediatamente. na carga. dependendo do fator de potência da carga. 6. quando Q1 é cortado. durante To/2. Figura 6.2. até cair a zero. isto é. com a tensão de saída. sendo a tensão instantânea. formado por dois choppers. através da figura abaixo. Um processo semelhante ocorre para Q2 e D1. Princípio de Operação O princípio de operação do inversor pode ser entendido. ! Inversor de Fonte de Corrente. no estado “off”. negativa (vo = – Vss). é igual a duas vezes a tensão da fonte. sendo a tensão instantânea. A figura acima também mostra as formas de onda da tensão e da corrente. contudo.Capítulo 6 – Inversores 85 ! ! ! ! Inversor com modulação de largura de pulso. este período de condução pode variar desde 90 até 180o.

...3...  n     1/2 Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Os parâmetros de performance dos inversores são citados a seguir.3. ∑ ∞ To  1  2 Vo =   T ⋅ ∫0 Vss dt    o  1/2 ∴ Vo = Vss As estruturas básicas do atuador de controle e do circuito de potência do inversor são mostradas na figura a seguir.Capítulo 6 – Inversores 86 vo = − RMS: 2 ⋅ (2Vss ) ⋅ sen(n ⋅ ωt ) n⋅π n = 1.  1/2 Vn V1 2   Vn   ⋅ ∑  2    n = 2.3.4 Inversor com realimentação de corrente.. Figura 6. sabendo que o circuito lógico é projetado de maneira que Q1 e Q2 não conduzam simultaneamente... onde Vn é o valor eficaz (RMS) do enésimo harmônico: − Fator Harmônico: FH = − Distorção Harmônica Total: 1 DHT = V1 − Fator de Distorção: 1 FD = V1  2  ⋅  ∑ Vn     n = 2.5..

a figura acima mostra o inversor monofásico tipo ponte e suas formas de onda. n ⋅ π ∑ ∞ − Componente fundamental (n = 1): V1 = − RMS: To /2  2  2 Vo =   T ⋅ ∫0 Vs dt    o  1/2 4Vs 2 ⋅π ∴ V1 = 0.5.3.. Q3–Q4).. Após explicar o princípio de funcionamento dos inversores.4. através de um inversor monofásico meia-ponte.5 Inversor monofásico tipo ponte. D3–D4. Inversor Monofásico em Ponte Figura 6. onde os semicondutores conduzem aos pares (D1–D2.. A tensão de saída é dada por: − Instantânea: vo = 4Vs ⋅ sen(n ⋅ ωt ) n = 1.3.9Vs ∴ Vo = Vs 6.Capítulo 6 – Inversores 87 − Fator de Distorção Individual: FD n = Vn V1 ⋅ n 2 6. Pode-se dizer que este tipo de inversor é formado por quatro choppers. Q1–Q2. Inversor Trifásico Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .

já os secundários podem ser conectados em estrela ou em triângulo..Capítulo 6 – Inversores 88 Figura 6. sendo mais empregada a ligação em estrela. .5 Inversor trifásico com três ponte monofásicas.. para formar a configuração de um inversor trifásico. 9. Se as tensões de saída dos inversores monofásicos não forem perfeitamente equilibradas. Para que as tensões trifásicas fundamentais obtidas sejam equilibradas. Os enrolamentos primários dos transformadores devem ser isolados. uns dos outros. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . é necessário que os sinais de comando dos inversores monofásicos sejam adiantados ou atrasados de 120o. três inversores monofásicos de meia-ponte ou ponte completa são conectados em paralelo. por eliminar os harmônicos triplos (n = 3. as tensões de saída trifásicas serão desequilibradas. os inversores trifásicos são utilizados em aplicações de potência elevada. Na figura acima. 6. um em relação ao outro. Geralmente.) das tensões de saída. em amplitude e fase.

Neste trabalho. Inversor Trifásico em Ponte Figura 6. o terminal a é conectado ao positivo da fonte CC. 561 e 612. 345. Assim. como na figura acima. existem seis modos de operação de 60o.Capítulo 6 – Inversores 89 6. 456. de maneira que três transistores permanecem conduzindo em qualquer instante de tempo. onde estão defasados 60o uns dos outros. Os transistores são numerados de acordo com sua seqüência de comando. por exemplo: 123. em cada ciclo. Uma saída trifásica também pode ser obtida por uma configuração com seis transistores e seis diodos. quando Q1 conduz. Desta forma. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . somente será tratado o controle por condução de 180o. 234. para que as tensões trifásicas fundamentais de saída sejam equilibradas. o terminal a é levado ao negativo da fonte CC. cada transistor conduz por 180o. onde podem ser empregados dois tipos de sinais de controle.6 Inversor trifásico. um de 180o de condução e outro de 120o. na qual. Os sinais de comando são mostrados na figura acima. conforme sugere seu nome. Ao entrar Q4. nos transistores.5.

onde as tensões entre fase e neutro têm de ser encontradas. para cada modo citado. ou estrela. Figura 6. existem três modos de condução.7 Modos de trabalho do inversor trifásico.. Tensão de linha de saída é dada por: − Instantânea: v ab = 4Vs π n⋅π  ⋅ cos  ⋅ sen ωt +  6  6   n = 1.. entre fase e neutro. é dada por: 1/2 4Vs ⋅ cos30° 2 ⋅π ∴ V1 = 0. com os valores da tensão já calculados.. onde também pode ser observada a forma de onda.. onde as correntes podem ser diretamente determinadas das tensões de linha. entre a fase a e o neutro.Capítulo 6 – Inversores 90 A carga pode ser ligada em triângulo..5.7. Este procedimento pode ser feito considerando que. a fim de determinar as correntes... mostrados na figura abaixo (carga em estrela). n ⋅ π ∑ ∞ − Componente de linha fundamental (n = 1): VL1 = − RMS: 2ππ/ 2  2  VL =  Vs ⋅ ∫ Vs2 d(ωt ) ∴ Vo = 0 3 2⋅π  A tensão eficaz de saída.7.. n ⋅ π v ca = 4Vs 7⋅π n⋅π  ⋅ cos  ⋅ sen ωt −  6   6   n = 1..7797 ⋅ Vs Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . em cada semiciclo.5. n ⋅ π ∑ ∑ ∞ ∞ v bc = 4Vs π n⋅π  ⋅ cos  ⋅ sen ωt −  2  6   n = 1.5.7.

Os diodos em série bloqueiam tensões reversas nos transistores. 6. independentemente da carga. em cada ramo do inversor. sendo empregados chaves de potência. Como a fonte exige um fluxo contínuo de corrente. e a tensão de saída é forçada a variar. Caso a carga fosse indutiva.Capítulo 6 – Inversores 91 VF = VL 3 = 2 ⋅ Vs ∴ VF = 0. no caso de cargas indutivas. Assim. quando o transistor Q4 cortar. Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . enquanto a corrente de saída é mantida constante.6. o único caminho para a corrente negativa de linha seria através de D1. 23. a entrada comporta-se como uma fonte de corrente. Com isso.8 Inversor de corrente monofásico. O diagrama do IFC monofásico transistorizado e a forma de onda da corrente de saída são mostrados na figura acima. Durante este período de tampo. através do diodo D1. o terminal a da carga seria conectado à fonte CC. Já no inversor de fonte de corrente (IFC). Inversor de Fonte de Corrente (IFC) Figura 6. duas chaves sempre conduzirão. Como o tempo de condução varia com o fator de potência da carga. Q1 não conduz. com diodos de comutação. Nos casos anteriores. 34 e 41.4714 ⋅ Vs 3 Com cargas resistivas. seria atrasada. a corrente. sendo a seqüência de operação dada por: 12. os inversores são alimentados por uma fonte de tensão e a corrente de carga é forçada a variar entre o positivo e o negativo e vice-versa. uma na parte superior e outra na inferior. os diodos em paralelo com os transistores não têm função. em relação a sua tensão. até a corrente inverter sua polaridade. os transistores têm de ser continuamente excitados.

Conforme mostra a figura acima. durante um semiciclo. Neste momento.9 Inversor de corrente a tiristores. através de comutação por impulso. se T1 e T2 forem disparados no próximo semiciclo. determinada pela corrente de carga. As expressões das formas de onda são mostradas a seguir.10 Forma de trabalho do inversor de corrente a tiristores. D1 e D2 são desligados quando a corrente de carga for completamente invertida. e suas correntes caem a zero.Capítulo 6 – Inversores 92 Figura 6. carga e D2-C2-T4. os capacitores C1 e C2 são descarregados e recarregados. para a tensão de carga. Quando C1 e C2 são carregados. a comutação é feita apenas utilizando capacitores. no IFC tiristorizado. considera-se que T1 e T2 estão conduzindo e os capacitores C1 e C2 estão carregados com a polaridade mostrada. assim como suas formas de onda. A figura abaixo ilustra a operação do circuito. os capacitores estão prontos para desligar T3 e T4. o disparo de T3 e T4 polariza reversamente T1 e T2. O tempo de comutação depende da amplitude da corrente e da tensão da carga. que são desligados. i c = i o + i d = i o + (I L − i c )∴ i c = IL + io 2 ∴ i c = I L e − t 2R oC Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . Figura 6. a corrente de carga é transferida de D1 para D3 e de D2 para D4. Então. a corrente circula através de T3-C1-D1. Assim. em uma taxa constante. Agora. Para fins de análise.

A figura abaixo mostra os sinais de comando e a tensão de saída do inversor monofásico em ponte completa. Controle de Tensão de Inversores Monofásicos Há várias técnicas de controle do ganho e. − Manter a tensão de saída independente da carga (regulação). entre um sinal de referência retangular de amplitude Ar e uma Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .Capítulo 6 – Inversores 93 ∫ C dt + R ic L o i = 0∴ IL + io di di I + io + Ro o = 0∴ o = − L 2C dt dt 2R L C ∴ i o = 2I L e − t 2R oC − I L A figura abaixo ilustra um inversor trifásico corrente-tensão.11 Inversor de corrente a tiristores. conseqüentemente. nos inversores em geral. com carga indutiva. sendo o controle por modulação da largura de pulso (PWM) o mais eficiente. As técnicas mais comumente utilizadas são tratadas a seguir: − Modulação por Largura de Pulso Único: Existe somente um pulso por semiciclo e a sua largura é variada. os períodos de condução de cada semicondutor. − Manter constante a relação entre a tensão e a freqüência de saída. de um inversor. as tensões de fase e a corrente da fase “A”. Figura 6. 6. Os sinais de comando são gerados por comparação. assim como.7. são: − Manter a tensão de saída independente de variações na tensão de entrada. Os objetivos do controle de tensão. da tensão de saída. para controlar a tensão de saída do inversor.

Pela variação de Ar.3. A figura abaixo também mostra o perfil de harmônicos com a variação de M. da tensão eficaz de saída (Vo). a largura do pulso (δ) pode ser variada de 0 até 180o.K nπ ∑ ∞ δ = π⋅M Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . A relação entre Ar e Ac é a variável controlada. As expressões do índice de modulação (M). Figura 6.Capítulo 6 – Inversores 94 onda portadora triangular de amplitude Ac. desde 0 até Ac. M=  2 Vo =   2π  (π + δ ) 2 π −δ ) 2 Ar Ac 12 2 s ∫(  V d(wt )   = Vs δ π vo (t ) = 4Vs nδ sen sen(nwt ) 2 n = 1. A freqüência do sinal de referência determina a freqüência fundamental da tensão de saída.5. para baixas tensões de saída. onde o harmônico dominante é o terceiro e fator de distorção aumenta bastante. sendo definida como índice de modulação: (M). da série de Fourier da tensão de saída (vo) e da largura de pulso (δ) são mostradas abaixo.11 Técnica de modulação por largura de pulso.

para inversores monofásicos. onde o valor de Bn pode ser encontrado por um par de pulsos. para cinco pulsos por semiciclo. com duração de δ. A figura abaixo mostra a geração dos sinais de comando dos transistores e a tensão de saída. por semiciclo (p). onde o fator de distorção é bem menor que aquele da modulação por pulso único. sendo feita por comparação por comparação de um sinal de referência com uma portadora triangular. sendo que o positivo começa em ωt = α. da série de Fourier da tensão de saída (vo. O índice de modulação (M) controla a tensão de saída e sua variação de 0 até 1 varia largura de pulso de 0 até π/p e a tensão de saída de 0 até Vs. aumenta as perdas. enquanto o negativo começa em ωt = π+α) e da largura de pulso (δ) são mostradas abaixo. Esta geração permite ligar e desligar os transistores. A figura a seguir também possui o perfil de harmônicos pela variação de modulação.Capítulo 6 – Inversores 95 − Modulação por Largura de Pulsos Múltiplos: O uso de muitos pulsos.12 Técnica de modulação por mutipulso p= fc m = f . 2 ⋅ fo 2 Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . em cada semiciclo da tensão de saída. A freqüência do sinal de referência estabelece a freqüência de saída (fo) e a freqüência da portadora (fc) determina o número de pulsos. Figura 6. porém. onde mf = fc/fo é a razão da freqüência de modulação. As expressões do número de pulsos por semiciclo (p). da tensão eficaz de saída (Vo). pode reduzir o conteúdo harmônico. devido ao maior número de processos de chaveamento dos transistores.

A freqüência do sinal de referência (fr) determina a freqüência de saída do inversor (fo) e sua amplitude máxima (Ar) controla o índice de modulação (M). a figura mostra o perfil de harmônicos da modulação senoidal.3. por sua vez.5.K 12 = Vs P⋅δ π ∑B ∞ n ⋅ sen(nwt ) δ= π M P − Modulação por Largura de Pulsos Senoidal: A largura de cada pulso é variada. a figura também mostra os sinais de comando. semelhante ao caso anterior). quando comparado àquele da modulação por pulsos múltiplos. Além disso.Capítulo 6 – Inversores 96  2P (π P + δ ) 2 2  Vo =  ∫(π P −δ ) 2 Vs d(wt )  2π  vo (t ) = n = 1. Na figura a seguir. estendida da expressão do valor médio. As expressões da tensão eficaz de saída (Vo. Figura 6. também pode ser observado que os mesmos sinais de comando podem ser gerados via uma onda portadora triangular unidirecional. Além disso. em proporção à amplitude de uma onda senoidal.13 Técnica de modulação modulação senoidal Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar . analisada no centro do mesmo pulso. para cinco pulsos por semiciclo. O número de pulsos por semiciclo depende da freqüência da portadora. sendo o fator de distorção bastante reduzido. para modulação por pulsos múltiplos). e da série de Fourier da tensão de saída (vo. que. O fator de distorção e os harmônicos de mais baixa ordem são reduzidos de maneira significativa. os quais são gerados através da comparação de um sinal de referência senoidal com uma portadora triangular de freqüência fc. controla a tensão eficaz de saída (Vo). A figura abaixo mostra a tensão instantânea de saída (considerando que dois transistores do mesmo ramo não podem conduzir ao mesmo tempo).

K ∑B ∞ n ⋅ sen(nwt ) Outros tipos de técnicas de controle de tensão bastante difundidas são a Modulação por Largura de Pulsos Senoidal Modificada Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar .Capítulo 6 – Inversores 97  P δ Vo = Vs  ∑ m   n= 1 π vo (t ) =     12 n = 1.3.5.

Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 98 7 .2 Fonte de Alimentação CC Linear ( 30% < η < 60%) recomendável para potências < 25W ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof.APLICAÇÕES A FONTES DE ALIMENTAÇÃO ======================================================== 7.1 Esquema de uma fonte de alimentação CC chaveada ( 70% < η < 60%) Figura 7.1 Introdução Figura 7. Andrés Ortiz Salazar .

Andrés Ortiz Salazar .2 Fontes Chaveadas vs Fontes Lineares • Fonte chaveada é altamente eficiente de 70 a 90 % • Tamanho e peso das fontes são menores devido a trabalhar a freqüências altas.3 Conversor CC-CC com ISOLAMENTO ELETRICO Classificação: • UNIDIRECIONAL • FLYBACK • BUCK ou Strep Down • BIDIRECIONAL • Push-Pull • Half-Brige(media ponte) • Full-Brige(ponte completa) 7.4 CONVERSOR FLYBACK CHAVE “ON” ELETRÔNICA DE POTÊNCIA CHAVE “OFF” Prof.Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 99 7. • Fontes chaveadas são mas complexas e geram interferências electromagnéticas. 7.

Andrés Ortiz Salazar .4 Outras configurações fly back 7.3 Chopper tipo Flyback (a) Com dois Transistores (b) Conversor paralelo a Flyback Figura 7.5 Chopper Forward N v L = 2 vd − vo N1 v L = − vo (0 < t < ton ) Vo  (t on < t < Ts ) Vd = N2  D N1  ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof.Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 100 Figura 7.5 CONVERSOR FORWARD (derivado do step-down) Figura 7.

Andrés Ortiz Salazar .6 CONVERSOR FORDWARD PRATICO ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof.7.Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 101 Fig.

7.Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 102 OUTRAS TOPOLOGIAS (a) COM DUAS CHAVES (b) CONFIGURAÇÃO PARALELA Fig. Andrés Ortiz Salazar .7 Outras configurações ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof.

6 CONVERSORES CC-CC BIDIRECCIONAIS CONVERSOR PUSH PULL Fig.8 Conversor Push Pull N v L = 2 vd − vo (0 < t < t on ) N1 v L = − vo (t on < t < Ts ) Vo N2  D( 0 < D < 0. Andrés Ortiz Salazar .5)  = Vd N 1   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof.Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 103 7.5)  =2 Vd N1   vL = N2 vd − vo N1 v L = − vo (0 < t < ton ) (t on < t < Ts ) Vo N 2  D( 0 < D < 0.7.

. com tensões de entrada e saída. onde .. e potências similares obtém-se: N   N2  = 2 2     N1  P  N 1  1/ 2 P (I CHAVE )1/ 2 P = 2(I CHAVE )P ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof.. D = on  =2 N1  Ts Vd Comparando fontes de media ponte e ponte completa.Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 104 CONVERSOR TIPO PONTE Fig.9 Conversor tipo Ponte N v L = 2 vd − vo (0 < t < t on ) N1 v L = − vo (t on < t < ∆ ) T  t on + ∆ =  s   2 Vo N2  t D. Andrés Ortiz Salazar .7.

Andrés Ortiz Salazar .7.Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 105 7. PROBLEMAS TÍPICOS: • • • • • SOBRE TENSÃO SUB TENSÃO SAIDA DO SISTEMA PICOS TRANSITORIOS DE TENSÃO (SPIKES) FORMAS DE TENSÃO RECORTADA ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof.A UPS (Uninterruptiple Power Supplies) Usado para alimentar cargas criticas como: • Computadores controlando processos importantes • Equipamentos médicos Características de tensão de sadia: • freqüência de saída devera ser de 60 Hz.8 FONTES DE ALIMENTAÇÃO C.10 Diagrama de blocos do sistema de controle 7. • Puramente senoidal distorção menor de 1% • Para um sistema 3φ as três sinais deveram ter a mesma amplitude e estar desfasadas 120°.7 CONTROLE DE UMA FONTE CHAVEADA CC A variação de Vo < ± Fig.

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof.Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 106 • HARMONICOS • EMI Fig.446) RECOMENDAÇÃO PRATICA PARA SISTEMAS DE POTENCIA DE EMERGENCIA PARA APLICAÇÕES INDUSTRIAES E COMENCIAES.7.11 TIPICA TOLERANCIA DE TENSÃO DE SISTEMAS COMPUTARIZADOS ( STD. Andrés Ortiz Salazar .

vai gastar mais R$ 8 mil em baterias". Se o cliente quiser uma autonomia de 2 horas. Eles demoram alguns minutos para entrar em funcionamento. os sistemas ininterruptos de energia. Na volta de um eventual apagão.PARA QUE SERVEM? Em alguns setores da população os apagões provocaram mudanças no día a día. lojas. os outros eletrodomésticos também precisam de proteção... etc. que suporta 15 micros por 15 minutos. A autonomía destes equipamentos é de 15 a 20 minutos. abundante em flutuações. hospitáis.. Porém existem alguns fabricantes que podem fornecer no-breaks de até 1. possuem como função principal fornecer à carga crítica energia condicionada (estabilizada e filtrada) e sem interrupção. a rede elétrica é instável. Os primeiros de 400 a 600 VA (Volt-Ampère) e os segundos de até160 kVA (kiloVolt-Ampère). e outros para uso corporativo. em energia condicionada. geladeiras. e ainda alguns deles possúem circuitos inteligentes que. Estes equipamentos ajudam a continuar os trabalhos em desenvolvimento e protegem o hardware do sistema quando a rede elétrica fica instável ou diretamente quando a energía falta. isto é. Mesmo sem blecaute. Desta forma oferece parâmetros ideais. mas isso encarece o equipamento. conhecidos popularmente no Brasil como No-Breaks. transitórios de tensão e de freqüência. Clientes corporativos vão gastar um pouco mais: é possível manter o no-break no ar por até 24 horas. O ideal é que um no-break faça a transição. o que é fundamental para o bom desempenho das cargas críticas (sensíveis). "Um no-break de 3 kVA. Para garantir que a atividade profissional seja mantida em caso de blecautes (e agora também durante o racionamento). adquiriram seu verdadeiro valor perante este problema. Andrés Ortiz Salazar .Sistema No-Break alimentando carga crítica ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. mesmo durante uma falha da rede comercial. Para se ter uma idéia de preços. custa R$ 280 para uma autonomia de 30 minutos e aceita bateria externa para 370 minutos (por R$ 250).000 kVA". E que hoje a causa de todos estes problemas. Figura 9. Para quêm não sabe fazem já 20 anos que os no-breaks (aparelhos que armazenam energia elétrica em baterias). impressora e scanner). um no-break de 650 VA (suficientes para o micro.. muitas empresas usam geradores. custa em torno de RS 6 mil. monitor. escolas. De uma forma geral. Além dos equipamentos de informática. Tambem podem incorporar-se módulos externos de bateria ao no-break se éste for expansivel e obviamente no caso de aqueles usuários que necessitem mais tempo de autonomía. rádios. Filtros de linha e estabilizadores ajudam nessa tarefa. Por estas horas nem fabricantes nem lojistas conseguem dar conta dos pedidos do setor informatizado em indústrias.9 NO-BREAKS .Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 107 7.. fazem com que a máquina guarde o trabalho em disco e o feche se o usuário estiver longe no momento do apagão.. onde as características de tensão e freqüência são rigorosamente controladas. o No-Break transforma esta energia não condicionada.etc. Existem no-breaks para uso doméstico .12 . a energia produz um pico que pode danificar tevês.. o que permitiría encerrar os trabalhos que estão sendo feitos. Ao receber a energia elétrica da concessionária.

Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação

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Transitórios e deformações da forma de onda de tensão, variações de freqüência e miniinterrupções (duração de até 0,1 segundo) dependem de uma série de fatores, tais como: proximidades de cargas reativas ou não lineares (retificadores controlados), comutação de cargas na rede, descargas atmosféricas, ruídos, etc. Estes fenômenos perturbam a operação e comprometem a confiabilidade dos sistemas computacionais. De acordo com sua magnitude podem afetar até o hardware pela danificação de semicondutores, discos rígidos, cabeças de gravação, entre outros. Composição do Sistema Um sistema No-Break é composto por circuito retificador/carregador de baterias, banco de baterias, circuito inversor de tensão e chave estática ou bypass automático (item opcional). Circuito Retificador/Carregador- converte tensão alternada em contínua, mantendo o banco de baterias carregado e alimentando o inversor (ver No-Break On-Line); Banco de Baterias- armazena energia para alimentar a carga durante falhas da rede elétrica e atua como filtro (ver No-Break On-Line); Circuito Inversor- converte tensão contínua (proveniente do banco de baterias) em tensão alternada para alimentar a carga; Chave Estática- transfere a carga para a rede em caso de falha no sistema. Topologias Principais: Em função da disposição dos circuitos, são geradas diferentes arquiteturas (topologias) com características bem distintas. Os sistemas No-Breaks podem ser divididos em ON-LINE e OFFLINE. No-Break Off-Line Na figura 9.13 é mostrado o diagrama em blocos da topologia off-line. Nesta topologia existem duas condições de operação, definidas pela situação da rede de alimentação: Rede Presente- a chave CH é mantida fechada. A carga é alimentada pela rede elétrica (em alguns casos passando por um circuito estabilizador de tensão). Falha na Rede- a chave CH é aberta. A carga passa a ser alimentada pelo banco de baterias através do inversor.

Figura 9.13 - Diagrama em blocos do No-Break Off-Line Nos equipamentos onde há um circuito carregador do banco de baterias específico o inversor permanece inoperante (estado passivo) enquanto a rede estiver presente, passando a alimentar a carga somente em uma falha da rede. Estes equipamentos são tipicamente denominados como No-Breaks Stand-By.
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Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação

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Nesta mesma linha se encontram os Short-Breaks, diferenciando-se dos No-Breaks Off-Line, basicamente, por: maior tempo de interrupção nas transferências, inexistência de circuito estabilizador (via rede), inversor alimenta a carga com onda quadrada não estabilizada, etc. Existem equipamentos, denominados como Bidirecionais ou Tri-Port, onde o inversor atua também como carregador do banco de baterias. Nesta configuração (Off-Line) existem, portanto, duas fontes de alimentação da carga; rede e inversor, existindo desta forma transferência da carga de uma fonte para outra em função da situação da rede. Estas transferências são pontos muito críticos, submetendo a carga a transitórios de sub ou sobretensão e, em alguns casos, interrupções no fornecimento de energia. Neste caso, principalmente, o seu computador pode ter desde perda de dados até danificações no hardware. O circuito retificador nesta topologia limita-se exclusivamente a carregar o banco de baterias. Normalmente possuem pequena capacidade de corrente de carga e, portanto, não são recomendados para as aplicações que necessitam de longo tempo de autonomia (acima de uma hora).

No-Break On-Line O diagrama em blocos desta configuração é apresentado na figura 9.14. Nos equipamentos desta topologia sempre existe dupla conversão de energia: no primeiro estágio o retificador opera como conversor de tensão alternada (rede) em contínua (banco de baterias) e no segundo estágio o inversor converte tensão contínua (baterias) em alternada (saída).

Figura 9.14 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line Na figura 9.15 é mostrado o fluxo de potência com rede presente. O circuito retificador alimenta inversor e carrega o banco de baterias. A carga é continuamente alimentada pelo inversor, não dependendo da situação da rede. Além de manter a rede comercial eletricamente isolada da carga, a principal vantagem dos sistemas On-Line em relação aos sistemas Off-Line é que não há tempo de transferência e/ou transitórios da tensão de saída nos eventos de falha ou retorno da rede comercial.

Figura 9.15 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line/Rede presente Devido à dupla conversão de energia, os sistemas On-Line, normalmente, apresentam maior custo de fabricação e possuem rendimento global inferior aos sistemas Off-Line. Em outros
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Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação

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itens como: regulação estática, regulação dinâmica (variação da carga e/ou da tensão da rede comercial), estabilidade da frequência e taxa de distorção harmônica da tensão de saída os sistemas On-Line apresentam melhor desempenho. Durante uma falha na rede comercial, a energia armazenada no banco de baterias é utilizada pelo inversor para alimentar a carga. Este modo de operação está representado na figura 9.16.

Figura 9.16 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line/Rede presente Os sistemas On-Line operam com tensão mais elevada no barramento de tensão contínua (utilizam maior número de baterias). Este fator faz com que o rendimento do circuito inversor seja superior nos sistemas On-Line. Na figura 9.17 é mostrado o diagrama em blocos do No-Break On-Line com chave estática. Esta configuração apresenta extrema confiabilidade, operando normalmente pelo inversor e em caso de falha do inversor, sobrecarga ou outro evento que prejudique o fornecimento, a chave estática transfere a carga para a rede. Após a normalização da situação a chave estática retorna a carga para o inversor. Por esta razão a maior parte dos fabricantes de No-Breaks, nacionais e internacionais, nas potências acima de 10kVA, tipicamente, utilizam esta topologia.

Figura 9.17 - No-Break On-Line com chave estática

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com.emersonenergy. Para informações complementares consulte a tabela de autonomias da Back-UPS Pro. em caso de emergência. O risco que corre é tanto maior quanto mais importante for a informação com que trabalha no seu PC.com.html http://www. O seu elevado desempenho contra problemas de sobretensão.htm ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. picos de tensão e descargas atmosféricas. Site para pesquisa: http://www.br/ups. o seu computador através da bateria permitindo-lhe trabalhar durante breves falhas de energia ou desligar o seu sistema no caso de uma falha de rede prolongada.Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 111 Os problemas de alimentação eléctrica.pt/index. Andrés Ortiz Salazar . alimenta.br/represen/MCM/nobreakbstec.ar/upsetII.qrs.htm http://www.com. protege o seu computador dos danos provocados pelo ruído eléctrico.html http://www. utiliza o PowerChute® plus (software de gestão) com WorkSafe® para guardar ficheiros e para desligar o seu computador de forma segura e ordeira em caso de falha de rede. podem provocar a perda da informação que circula numa rede de dados ou simplesmente de um PC.instrutec.html?target=UPSziUnidzode_Energia_Inetzozj. A Back-UPS Pro da APC.adi-sa. A Back-UPS PRO da APC.

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