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Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo

electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base colector es mucho ms amplia que la base-emisor.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran . El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados m s simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar. En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor -base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones. [editar] Control de tensin, carga y corriente La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).

En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll. [editar] El Alfa y Beta del transistor Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est representada por F o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, F. La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

EL DIAC Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

Figura 12: Construccin bsica y smbolo del diac La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

Transistor de Induccin Esttica (SIT) El Dispositivo mas importante bajo desarrollo es el transistor de induccin estatica (SIT) mostrado esquemticamente en la figura 1. El SIT es un dispositivo portador mayoritario (unipolar) en el que el flujo de electrones de la fuente a el drenaje es controlado por un potencial de barrera en el semiconductor de dos dimensiones con forma de silla de montar entre las compuertas metlicas.Si el dopado y las dimensiones laterales son escogidas adecuadamente, la

altura del potencial de barrera sera modulado por la compuerta y el dranje. Debido a que la corriente se incrementa exponencialmente conforme la barrera es disminuido, las caracteristicas de la salida del SIT son usualmente no saturadas o de manera de triodo, por ejemplo pareciendose a un triodo de tubo al vacio.El SIT es importante como un dispositivo de microondas a bahas frecuencias en GHz porque este entrega potencia extremadamente alta por unidad de area.

Figura 1. Seccion transversal de un transistor de union esttica (SIT).

Los electrones fluyen de la fuente a el drenaje a travs de un puntoensillado de potencial electrostatico entre los electrodos de compuerta.

La fabricacin del SIT requiere un grabado anistrpico de pared recta de zanjas de 2 3 m de profundidad usando una grabado reactivo de ion (RIE, por sus siglas en ingles) seguida por una deposicin de Metalizacion de Shottky en la zanja del fondo sin cubrir la zanja lateral. Las dimensiones laterales entre las zanjas de compuerta oscilan en el orden de 0.5 1.5 m . Los contactos de baja resistencia ohmica son establecidos a las regiones de la fuente en el techo de las uniones. La figura 2 (debajo) muestra una foto SEM de un SIT completo teniendo una ancho de unin de 1m y una longitud total de union de 1 cm(100 dedos). Para mas claridad , esta foto ha sido tomada antes de la deposicin de las conexiones del puente de aire de la fuente. Caracteristcas experimentales estaticas VI son mas pequeas en e l SIT mostrado en la figura 3 . El maximo voltaje de drenaje es de 250 volts, la corriente de encendido en la rodilla es casi 80 mA/mm y la ganacia de bloqueo es aproximadamente 10. Estos valores son comparables a la mejor literatura reportada para un SIT. Figura 2. Foto SEM de una gran area experimental de un dispositivo SIT fabricado en el laboratorio.Los dedos de union son 1m de ancho y 100 m de largo.

Figura 3. Caracteristicas VI medidas de un SIT experimental.El voltaje de compuerta cambia desd e cero(arriba de la curva) a 18 V ( debajo de la curva) en cambios de 2V.La escaka Horizontal es de 20 V / div. El maximo voltaje de drenaje mostrado enla foto es de 200 V .

Para alcanzar operacin a altas frecuencias , es necesario escalar agresivamente la escala de la unin anchar las zanjas, incrementar el dopado de la regin del canal y minimizar capacitancias parsitas. La figura 4 muestra otra fotografa SEM de la banda C del SIT recientemente fabricado en el laboratorio. El ancho de uni n y los anchos de las zanjas son 0.5m cada uno. Los contactos de la fuente son formados por una interconexin de puente de aire para minimizar capacitancias parasitas. Este dispositivo exhibi una frecuencia de 7 GHz , el valor mas alto hasta ahora reportado para un SIT.

Una grafica de corrientes a seal baja contra frecuencia es mostrada en la figura 5

Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT)

La figura 1 muestra la estructura de un IGBT canal-N tpico. Toda la discusin aqu ser referida al tipo de canal-n pero el IGBT canal-P se puede considerar de la misma manera.

La estructura es muy similar a la de un MOSFET difundido verticalmente que ofrece una difusin doble de una regin del tipo-p y de una del tipo-p. Una capa de inversin se puede formar bajo la compuerta aplicando el voltaje correcto al contacto de la compuerta como con un MOSFET. La diferencia principal es el uso de una capa del substrato de p+ para el drenaje. El efecto es cambiar esto en un elemento bipolar pues esta regin del tipo-p inyecta los agujeros en la regin de la deriva del tipo-n. Operacin Operacin de Bloqueo El estado enc/apag del dispositivo es controlado, como en un MOSFET, por el voltaje V G de la compuerta. Si el voltaje aplicado al contacto de la compuerta, con respecto al emisor, es menos que el voltaje V th del umbral entonces ninguna capa de inversin del MOSFET se crea y el dispositivo es apagado. Cuando ste es el caso, cualquier voltaje directo aplicado bajar a travs de la unin J2 polarizada inversamente. La nica corriente a fluir ser una corriente pequea de la salida.

El voltaje de ruptura directo es por lo tanto determinado por el voltaje de ruptura de esta unin. Esto es un factor importante, determinado para los dispositivos de potencia de donde l os voltajes y las corrientes grandes se estn tratando. El voltaje de ruptura de la unin unilateral es dependiente en el dopado de la cara bajo -dopada de la unin, por ejemplo la cara n-. Esto es porque el dopado ms bajo da lugar a una regin de agotamiento ms amplia y as a un campo elctrico mximo ms bajo en la regin de agotamiento. Es por esta razn que la regin n - de la deriva es mucho ms ligeramente dopado que la regin del cuerpo del tipo-p. El dispositivo que se est modelando se disea para tener un voltaje de ruptura de 600V.

La capa del almacenador intermediario de n+ est a menudo presente para prevenir la regin de agotamiento de la unin J2 de la derecha que extiende al colector bipolar de p. La inclusin de esta capa sin embargo reduce drsticamente la capacidad de bloqueo inversa del dispositivo pues sta es dependiente de el voltaje de ruptura de la un in J3, la cual es polarizada inversamente bajo condiciones de voltaje inverso. La ventaja de esta capa del almacenador intermediario es que permite que el espesor de la regin de la deriva sea reducido, reduciendo prdid as del estado encendido.

Operacin Del Estado Encendido.

El encendido del dispositivo es alcanzado aumentando el voltaje V G de la compuerta de modo que sea mayor que el voltaje V th del umbral. Esto da lugar a una capa de inversin que forma bajo compuerta que proporciona a un canal que conecta la fuente a la regin de la deriva del dispositivo. Los electrones entonces se inyectan de la fuente en la regin de la deriva mientras que al mismo tiempo la unin J3, la cual se polariza hacia directamente, inyecta los agujeros en la regin dopada n- de la deriva (Fig.2).

Esta inyeccin causa la modulacin de la conductividad de la regin de la deriva donde las densidades del electrn y del agujero son de algunos rdenes de magnitud ms arriba que el dopado n - original. Es esta modulacin de la conductividad que da al IGBT su voltaje bajo de estado encendido debido a la resistencia reducida de la regin de la deriva. Algunos de los agujeros inyectados se recombinarn en la regin de la deriva, mientras que otro s cruzarn la regin va deriva y difusin y alcanzarn la unin con la regin del tipo-p donde sern recogidas. La operacin del IGBT puede entonces ser considerada como un transistor PNP de base ancha cuya corriente es alimentada por el MOSFET a travs del canal. Un circuito equivalente simple est por lo tanto segn lo mostrado en la fig.3(a).

La fig.3(b) muestra un circuito equivalente ms completo el cul incluye el transistor parsito NPN formado por la fuente del MOSFET de tipo-n+, la regin del cuerpo del tipo-p y la regin n- de la deriva. Tambin se muestra la resistencia lateral de la regin de tipo-p. Si la corriente que atraviesa esta resistencia es lo suficientemente alta producir una cada de voltaje que polarice directamente la unin con la regin n+ que encender el transistor parsito que forma parte del tiristor parsito. Una vez que suceda esto hay una alta inyeccin de electrones de la regin n+ en la regin de p y se pierde todo el control de la compuerta. Esto es conocido como latch up y generalmente conduce a la destruccin del dispositivo.

Transistores de Efecto de Campo de unin Metal Oxido Semiconductor (MOSFET's) El MOSFET es un dispositivo de 4 terminales y la corriente que circula internamente es controlada por un campo elctrico. Los terminales son Fuente (Source), Compuerta (Gate), Drenaje(Drain) y el Sustrato (Sustrate) cuando est polarizada la compuerta (V=0), se cierran la uniones p-n ubicadas entre el drenaje y la fuente y por esto no hay flujo de corriente entre la fuente y el drenado. Cuando se le aplica a la compuerta un voltaje positivo con respecto a la fuente (la entrada y el sustrato son comunes), las cargas negativas en el canal son inducidas y comienza a circular corriente por el canal. De ah en adelante la corriente es controlada por el campo elctrico, este tipo de dispositivo es llamado transistor de efecto de campo de unin o JFET. El MOSFET ha reemplazado a los BJT en muchas aplicaciones electrnicas porque sus estructuras son mas sencillas y su costo es menor. Entre estos tambin se encuentran los MOSFET de canal n (nMOS), MOSFET de canal p (PMOS), MOSFET complementarios (CMOS), memorias de compuertas lgicas y dispositivos de carga acoplada (CCDs). El transistor de efecto de campo de Metal-Aislante-Semiconductor (MISFET) El cual es formado por un metal como es el Aluminio (Al) y un semiconductor como puede ser el Silicio (Si), Germanio (Ge) o el Arseniuro de Galio (GaAs) colocados entre un aislante como puede ser SiO 2, Si3N4 o Al2O3. Si la estructura formada es Al- SiO2-Si tambin es llamada MOSFET aunque coincida con el MISFET. El MOSFET es muy usado en la fabricacin de circuitos para microondas de alta escala de integracin. Los MOSFET pueden ser tanto de canal n como de canal p. El MOSFET canal n consiste en un sustrato semiconductor tipo p levemente dopado, en la cul dos secciones tipo n + altamente dopados difunden como se muestra en la figura.

Esas secciones tipo n + que actan como fuente (Source) y drenador (Drain) se encuentran separadas cerca de 0.5 m m (0.5 6 m). Una delgada capa de aislante de Dixido de Silicio (SiO 2) es colocada sobre la superficie de la estructura. El contacto metlico en el aislante es llamado compuerta (Gate). El polisilicn altamente dopado o una combinacin de Siliciuro y polisilicn tambin pueden ser usados como el electrodo de compuerta. El funcionamiento de este dispositivo consiste en que cuando no se aplica ningn voltaje a la compuerta (Gate) de un MOSFET de canal tipo n, las conexiones entre el electrodo de la fuente (Source) y el electrodo del drenador (Drain) quedan interrumpidos, es decir, no circula corriente. Cuando se aplica un voltaje positivo (con respecto a la fuente) a la compuerta, las cargas positivas son depositadas en el metal de la compuerta, como consecuencia las cargas negativas es inducida en el semiconductor tipo p a la regin del aislante semiconductor. Hay cuatro modos bsicos d operacin para los MOSFETs de canal n y de canal p y son los siguientes: 1. Modo de enriquecimiento del canal (Normalmente OFF). Cuando el voltaje de compuerta es cero, la conductancia del canal es muy baja y este no conduce, es decir, se necesita un voltaje positivo para que el canal entre en conduccin. Modo de vaciamiento del canal n (Normalmente ON). Si existe equilibrio en el canal, un voltaje negativo debe ser aplicado a la compuerta para extraer los portadores del canal. Modo de enriquecimiento del canal p (Normalmente OFF). Un voltaje negativo debe ser aplicado a la compuerta para inducir a que el canal conduzca. Modo de vaciamiento del canal p (Normalmente ON). Un voltaje positivo debe ser aplicado a la compuer ta para extraer los portadores del canal y aislarlo

2. 3. 4.

El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFETs y los JFETs y ellas son: 1. En la regin activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificacin muy lineal. El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFETs de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la regin de modo de vaciamiento (-Vg) a la regin de modo de enriquecimiento (+V g).

2.

Capacitancia en el MOSFET

Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET. stas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. Cada valor de capacitancia es una funcin no lineal del voltaje. El valor para Cgs tiene solamente una variacin

variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condicin dada de operacin.

Encendido En la mayora de los circuitos con MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rpido como sea posible para minimizar las prdidas por conmutacin. Para lograrlo, el circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rpidamente el voltaje de gatillo al valor requerido.

Apagado Para apagar el MOSFET, el voltaje gate-fuente debe reducirse en accin inversa como fue hecho para encenderlo. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los arreglos del circuito externo. rea segura de operacin El rea segura de operacin de el MOSFET est limitada por tres variables que forman los lmites de una operacin aceptable. Estos lmites son: 1. Corriente mxima pulsante de drenaje 2. Voltaje mximo drenaje-fuente 3. Temperatura mxima de unin. Prdidas del MOSFET Las prdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la seleccin de un dispositivo de conmutacin. La eleccin no es sencilla, pues no puede decirse que el MOSFET tenga menores o mayores prdidas que un BJT en un valor especfico de corriente. Las prdidas por conmutacin en el encendido y apagado juegan un papel ms importante en la seleccin. La frecuencia de conmutacin es tambin muy importante.

Transistor uniunin

Smbolo del UJT. El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de resistencias o factor intrnseco. Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor vp de ruptura, el ujt presenta un fenmeno de modulacin de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta region no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores d e relajacin.

PUT: Transistor Uniunin Programable 1 PUT. Caractersticas PUT: Caractersticas 2 PUT. Funcionamiento. Oscilador

Importante: No es un UJT (transistor uniunin)


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El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de R BB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera:
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Cuando IG = 0, VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ] VG = n x VBB donde: n = RB2 / (RB1+RB2) La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT. Enlaces relacionados

PUT: funcionamiento

Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A y K es muy pequea) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor Vp, que depende del valor del voltaje en la compuerta G Slo hasta que la tensin en A alcance el valor Vp, el PUT entrar en conduccin (encendido) y se mantendr en este estado hasta que IA corriente que atraviesa el PUT) sea reducido de valor. Esto se logra reduciendo el voltaje entre A y K o reduciendo el voltaje entre G y K Ejemplo de oscilador con PUT El funcionamiento es el siguiente: El condensador C se carga a travs de la resistencia R hasta que el voltaje en A alcanza el voltaje Vp. En este momento el PUT se dispara y entra en conduccin. El voltaje en VG cae casi hasta 0 (cero) voltios y el PUT se apaga, repitindose otra vez el proceso (oscilador).
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Ver a continuacin las formas de onda de las tensiones en C, K y G


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La frecuencia de oscilacin es: f = 1 / 1.2 x RC