Appunti di fisica dei semiconduttori

11 giugno 2004
Indice
1 Propriet`a di conduzione di un semiconduttore 1
1.1 Bande, elettroni e lacune . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Drogaggio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3 Massa efficace di elettroni e lacune . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.4 Mobilit`a e conducibilit`a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2 Trattamento statistico all’equilibrio 4
2.1 Statistica e concentrazione dei portatori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2 Semiconduttori intrinseci e legge di azione di massa . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.3 Semiconduttori estrinseci . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3 Semiconduttori fuori equilibrio 8
3.1 Processi diffusivi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3.2 Iniezione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.3 Processi di ricombinazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.3.1 Ricombinazione SRH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
4 Giunzione p-n 12
4.1 Giunzione non polarizzata . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
4.1.1 Andamento del potenziale chimico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
4.2 Giunzione polarizzata . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
4.3 Correnti nella giunzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1 Propriet`a di conduzione di un semiconduttore
1.1 Bande, elettroni e lacune
I semiconduttori sono solidi caratterizzati da avere una struttura a bande con una banda di valenza
piena, ed una banda di conduzione vuota separata da un gap con un’energia dell’ordine di uno o
pochi elettronvolt. A temperatura ambiente solo pochi elettroni hanno un’energia sufficiente per
accedere alla banda vuota, in modo da potere condurre. La conducibilit`a di un semiconduttore
puro (intrinseco) `e quindi bassa, dell’ordine di 10
−1

−1
· cm
−1
.
Una caratteristica importante dei semiconduttori `e inoltre quella di avere, oltre agli elettroni,
un secondo tipo di portatori di carica, in grado di generare una corrente: gli elettroni eccitati
in banda di conduzione lasciano degli stati liberi in banda di valenza, che permettono una certa
mobilit`a agli altri elettroni rimasti. Il moto concertato di tutti gli elettroni della banda di valenza
`e descritto in modo molto pi` u efficace come il moto di una lacuna positiva, il livello lasciato libero
dall’elettrone eccitato.
Si distinguono semiconduttori a gap diretto, per i quali il massimo della banda di valenza
ed il minimo di quella di conduzione hanno lo stesso momento cristallino, e semiconduttori a gap
indiretto, per i quali minimo e massimo corrispondono a diversi valori di k; in questo caso per avere
1
E
accettori
donori
Figura 1: Struttura a bande di semiconduttori puri e drogati
una transizione `e necessaria la produzione o l’assorbimento di un fonone, in modo da garantire la
conservazione del momento cristallino.
1.2 Drogaggio
Seconda prerogativa dei semiconduttori `e quella di variare di svariati ordini di grandezza la propria
conducibilit`a con l’aggiunta di piccole quantit`a (dalle ppm fino a pochi percento) di elementi del
gruppo III (drogaggio p) o del V (drogaggio n). Questo fenomeno si pu`o spiegare ammettendo
che tali impurezze generino degli stati elettronici localizzati, con un’energia che ricade nel gap del
semiconduttore.
´
E poi sufficiente un’energia termica anche contenuta per eccitare gli elettroni da
o verso tali stati, generando elettroni o lacune in grado di condurre.
In particolare i droganti n hanno un elettrone in pi` u degli atomi di semiconduttore (in genere
del IV gruppo) che lo circondano. Generano stati nella parte alta del gap, da dove gli elettroni
vengono facilmente eccitati in banda di conduzione. Al contrario di droganti p hanno un elettrone
in meno del loro intorno; generano stati vuoti nella parte bassa del gap, che“catturano”gli elettroni
della vicina banda di valenza, lasciandovi delle lacune responsabili della conduzione.
1.3 Massa efficace di elettroni e lacune
Nell’ambito dell’approssimazione degli elettroni non interagenti (l’unica nella quale si possa a
rigore parlare di stati di particella singola e quindi di onde di Bloch) ogni stato di particella
singola `e caratterizzato da un vettore d’onda k e da un indice di banda n. Con tale nomenclatura,
la funzione d’onda dello stato si pu`o scrivere come ψ
n,k
= e
ik·r
u
n,k
(r), dove u
n,k
(r) individua
una funzione con la stessa periodicit`a del reticolo, e ad ogni stato `e associata un’energia
n
(k)
(qui k viene scritta come se fosse una variabile continua, visto che gli stati sono molto ravvicinati
ed ha senso parlare di operazioni di derivazione, lecite a rigore solo su una funzione di variabile
continua). La forma della
n
(k) dipende radicalmente dalle caratteristiche del solido, ma bastano
poche informazioni per poter caratterizzare in prima approssimazione le propriet`a elettriche.
Consideriamo innanzi tutto che un elettrone in moto venga descritto da un pacchetto d’onde
di Bloch, e che quindi abbia una velocit`a pari alla velocit`a di gruppo del pacchetto,
v
g
=
∂ω
∂k
=
1


∂k
=
1

¸
i
ˆ e
i

∂k
i
2
Sotto l’azione di una forza esterna l’energia dell’elettrone varier`a (con una trattazione classica)
come
d
dt
= F · v
g
=
1

¸
i

∂k
i
F
i
e, dato che sviluppando
d (k)
dt
=
¸
i

∂k
i
∂k
i
∂t
per confronto ricaviamo che
˙
k = F/; il risultato non `e del tutto banale, visto che k non `e un
momento nel senso proprio del termine. L’accelerazione subita dall’elettrone sar`a invece
˙ v =
1

¸
i
ˆ e
i

∂k
i

∂t
=
1

¸
i
ˆ e
i

∂k
i
¸
j

∂k
j
∂k
j
∂t
Il termine con

∂t
∂kj
∂ki
sommer`a a zero, e ci resta quindi
˙ v =
1

¸
ij
ˆ e
i

2

∂k
i
∂k
j
∂k
j
∂t
=
1

2
¸
ij
ˆ e
i

2

∂k
i
∂k
j
F
j
´
E evidente l’analogia formale con la classica legge di Newton: l’elettrone si comporter`a sotto
l’azione di forze esterne come se fosse dotato di una massa efficace (in questo caso un tensore, ma
che diventa uno scalare nel caso monodimensionale) definita da
m

ij
=
2
¸

2

∂k
i
∂k
j

−1
tale che v
i
=
¸
ij
F
j
/m

ij
.
Basta quindi conoscere la massa efficace degli elettroni in prossimit`a del minimo della banda
di conduzione per descriverne in modo semiclassico il moto. In pratica di solito ci si limiter`a a
considerare una massa efficace scalare, pari ad una qualche “media” dei valori nelle varie direzioni
cristallografiche.
Un apparente paradosso `e che la massa efficace di elettroni in prossimit`a di un massimo `e
negativa; in effetti in questo caso ci interesseremo alla massa efficace delle lacune, che si pu`o
ricavare essere uguale all’opposto della massa efficace di un elettrone vicino al massimo della
banda di valenza (e quindi `e positiva).
1.4 Mobilit`a e conducibilit`a
Consideriamo un conduttore al quale sia applicato un campo elettrico; limitandosi a trattare la
massa efficace come uno scalare, i portatori saranno sottoposti ad un’accelerazione
˙ v
d
=
q
m

E
Consideriamo per`o che il moto dei portatori sia ostacolato da “collisioni” istantanee con il
reticolo, e che tale interazione si traduca in un termine di attrito viscoso. Abbiamo quindi
˙ v
d
=
q
m

E−
k
m

v
d
=
q
m

E−
1
τ
v
d
dato che k/m

ha le dimensioni dell’inverso di un tempo, e τ si pu`o interpretare come tempo
medio che intercorre tra due collisioni.
In regime stazionario
˙ v
d
= 0 =
q
m

E−
1
τ
v
d
3
e quindi
v
d
=

m

E
Il termine qτ/m

= µ prende il nome di mobilit`a.
Ricordando la definizione di densit`a di corrente,
J = nqv
d
= nqµE =
nq
2
τ
m

E = σE
si ritrova la legge di Ohm, e si definisce conducibilit`a il fattore σ = nq
2
τ/m

dipendente oltre
che dalla mobilit`a dalla densit`a di portatori. Dato che nei semiconduttori la corrente `e dovuta ai
contributi di elettroni e di lacune, la conducibilit`a totale si esprimer`a come
σ = σ
n
+ σ
p
=
ne
2
τ
n
m

n
+
pe
2
τ
p
m

p
2 Trattamento statistico all’equilibrio
2.1 Statistica e concentrazione dei portatori
La probabilit`a di occupazione degli stati di particella singola per delle particelle con spin semiintero
(gli elettroni, appunto) `e data dalla distribuzione di Fermi-Dirac
f (, T) =
1
1 + e
(−µ)/k
B
T
dove µ `e il potenziale chimico, scelto in modo da normalizzare la distribuzione. In pratica `e sempre
approssimato con il suo valore per T →0, detto energia di Fermi
F
.

F

1
f
Figura 2: Distribuzione di Fermi
Inoltre gli stati accessibili sono quantizzati, ma `e possibile approssimarli ad una densit`a di stati
continua D(). Per un elettrone libero tale densit`a si esprime come
D() = 4π

2m
0

2

3/2

= γ

Nel caso di una struttura a bande reale, `e sempre possibile esprimere la densit`a di stati alla
sommit`a o al fondo di una banda rispettivamente come
D
C
() = γ

m

n
m0

3/2


C
D
V
() = γ

m

p
m0

3/2

V

(1)
4
La concentrazione di elettroni in banda di conduzione si pu`o quindi esprimere come
n(T) =

+∞

C
D
C
() f (, T) d
mentre quella di lacune in banda di valenza come
p (T) =

−∞

V
D
V
() [1 −f (, T)] d

V

C

D
Figura 3: Densit`a di stati in prossimit`a del gap
Gli integrali sono estesi a pi` u e meno infinito, anche se le bande sono limitate e la densit`a di
stati (1) `e valida solo in un intorno dei limiti delle bande; in effetti f `e diversa da zero solo per

F
k
B
T, ed 1 −f `e non nullo solo per
F
− k
B
T.
Gli integrali sopra non sono risolubili analiticamente. Se per`o sviluppiamo al primo ordine
f (, T) ≈ e
−(−
F
)/k
B
T
valida per
F
1 −f (, T) ≈ e
−(
F
−)/k
B
T
valida per
F
(2)
si ricava in qualche passaggio
n(T) =

+∞

C
γ

m

n
m
0

3/2


C
e
−(−
F
)/k
B
T
d =
1
2
γ

m

n
m
0
k
B
T

3/2

πe
−(
C

F
)/k
B
T
= N
C
(T) e
−(
C

F
)/k
B
T
(3)
e, analogamente,
p (T) =
1
2
γ

m

p
m
0
k
B
T

3/2

πe
−(
F

V
)/k
B
T
= N
V
(T) e
−(
F

V
)/k
B
T
(4)
2.2 Semiconduttori intrinseci e legge di azione di massa
In un semiconduttore intrinseco la concentrazione di elettroni deve eguagliare la concentrazione di
lacune (visto che ogni lacuna `e lasciata libera da un elettrone eccitato termicamente in banda di
conduzione). Eguagliando (3) e (4) otteniamo
N
C
(T) e
−(
C

F
)/k
B
T
= N
V
(T) e
−(
F

V
)/k
B
T
ovvero
ln
N
C
N
V
=

V
+
C
−2
F
k
B
T
5
Ricaviamo quindi un’espressione per la posizione del livello di Fermi al variare della temperatura

F
=

V
+
C
2

k
B
T
2
ln
N
C
N
V
In effetti la definizione del livello di Fermi `e chiara per i metalli, dove esprime l’energia del livello
a pi` u alta energia occupato a temperatura nulla, mentre per i semiconduttori la definizione `e pi` u
vaga, visto che a temperatura nulla
F
potrebbe posizionarsi in qualsiasi posizione all’interno del
gap. Con una buona approssimazione, per temperature sufficientemente basse, possiamo porre

F


V
+
C
2
cio`e il livello di Fermi (che nel nostro caso in effetti corrisponde piuttosto al potenziale chimico in
senso stretto, visto che l’abbiamo ricavato imponendo la normalizzazione della distribuzione degli
stati) si dispone a met`a del gap.
La variazione con la temperatura dipende dal fatto che in generale m

n
= m

p
e quindi la densit`a
di stati non `e simmetrica rispetto al centro del gap (Figura 3);
F
varia in modo da compensare
questa asimmetria.
Ε
C
Ε
V
0.94
0.96
0.98
1
1.02
npnpΕ
G

Figura 4: Andamento del prodotto n · p in funzione dell’energia di Fermi, a varie temperature e
normalizzato sul valore centrale. Il calcolo `e svolto con un gap di 2 eV e temperature (dalla linea
pi` u scura alla pi` u chiara) di 300 K, 500 K, 1500 K, 10000 K
Osserviamo inoltre che
n(T) p (T) = α

m

n
m

p
m
2
0
(k
B
T)
2

3/2
e
−(
C

V
)/k
B
T
= n
2
i
`e indipendente da
F
; in effetti una legge del tipo n·p = n
2
i
vale anche per i semiconduttori drogati,
ed `e nota come legge di azione di massa. Vale la pena di osservare che tale legge vale soltanto
all’interno dell’approssimazione iniziale fatta sulla distribuzione di Fermi. Calcolando numerica-
mente il valore “esatto” di n · p (Figura 4) si osserva come la relazione valga rigorosamente solo in
un intorno del centro del gap, e come l’approssimazione peggiori all’aumentare della temperatura.
Comunque, in un range di temperature abbastanza ragionevole, tale relazione `e valida sulla quasi
tutto il gap.
2.3 Semiconduttori estrinseci
Consideriamo il caso di un semiconduttore n, con una concentrazione N
D
di drogante, che origina
livelli localizzati con un’energia
D
, situata all’interno del gap. Ad ogni temperatura, gli elettroni
in banda di conduzione proverranno sia dall’eccitazione di normali elettroni di valenza, sia dalla
ionizzazione dei donori. Avremo cio`e n = n
I
+ n
D
.
6
´
E possibile trattare analiticamente le propriet`a elettroniche di un semiconduttore drogato so-
lo effettuando varie approssimazioni, ciascuna valida in un determinato range di temperature.
Impostiamo piuttosto il calcolo esatto, descrivendo poi i risultati numerici.
T
Ε
V
Ε
G
Ε
D
Ε
C
Ε
F
Figura 5: Andamento del livello di Fermi in funzione della temperatura, per diverse concentrazioni
di donori. Si `e posto m

n
= m

p
, in modo da eliminare la dipendenza da T del livello di Fermi per
il semiconduttore intrinseco.
La presenza del drogante contribuisce alla struttura a bande con una densit`a di stati N
D
δ ( −
D
);
la normalizzazione della distribuzione di probabilit`a per gli elettroni impone che il numero di elet-
troni in banda di conduzione sia uguale alle lacune rimaste in banda di valenza pi` u gli atomi di
donore ionizzati (che di fatto sono delle lacune “legate”. Abbiamo quindi
n =

+∞

C
f

F
(, T) D
C
() d =

V
−∞
[1 −f

F
(, T)] D
V
() d +

+∞
−∞
[1 −f

F
(, T)] N
D
δ ( −
D
) d =

V
−∞
[1 −f

F
(, T)] D
V
() d + [1 −f

F
(
D
, T)] N
D
Questa equazione impone implicitamente una condizione su
F
, ed `e possibile risolverla im-
plicitamente, ricavandone l’andamento in funzione della temperatura (Figura 5). Si nota come per
basse temperature
F
si posizioni a met`a strada tra la banda di conduzione ed il livello del donore.
All’aumentare della temperatura, quando aumenta la probabilit`a di avere elettroni eccitati dalla
banda di valenza, il livello di Fermi si abbassa fino a coincidere ad alte temperatura con quello per
il semiconduttore intrinseco.
Se si riporta l’andamento della concentrazione di elettroni in banda di conduzione in funzione
della temperatura si osserva un comportamento analogo (Figura 6): a bassa temperatura le pro-
priet`a di conduzione sono dominate dal drogaggio, che determina quasi esclusivamente il numero
di portatori. A temperature pi` u alte, quando l’eccitazione termica dalla banda di valenza diventa
significativa, questa predomina e il comportamento si avvicina a quello di un semiconduttore puro
alla stessa temperatura. Chiaramente, l’andamento dettagliato delle propriet`a dipende dalle carat-
teristiche specifiche del materiale: ampiezza del gap, posizione dei livelli del donore, concentrazione
dello stesso.
Pu`o essere comodo ricavare alcune relazioni approssimate, valide nell’ambito delle approssi-
mazioni (2) e della legge di azione di massa: dalle
n(T) = N
C
(T) e
−(
C

F
)/k
B
T
e
p (T) = N
V
(T) e
−(
F

V
)/k
B
T
7
T
N
D
n
Figura 6: Concentrazione di elettroni in banda di conduzione, in funzione della temperatura, per
un semiconduttore estrinseco
considerata la legge di azione di massa
np = n
2
i
= N
C
N
V
e
−(
C

V
)/k
B
T
=

N
C
N
V
e
−(
I

V
)/k
B
T

2
=

N
C
N
V
e
−(
C

I
)/k
B
T

2
dove
I
≈ (
C
+
V
) /2 `e il livello di Fermi per un semiconduttore intrinseco (sempre nei limiti
delle approssimazioni fatte), si possono ricavare (nell’ulteriore approssimazione di avere m

n
≈ m

p
,
per cui si possa supporre che N
C
/N
V
≈ 1) si pu`o finalmente scrivere
n =
n
2
i
p
= n
i

N
C
N
V
e
−(
I

V
)/k
B
T
N
V
e
−(
F

V
)/k
B
T
≈ n
i
e
(
F

I
)/k
B
T
p =
n
2
i
n
= n
i

N
C
N
V
e
−(
C

I
)/k
B
T
N
C
e
−(
C

F
)/k
B
T
≈ n
i
e
(
C

F
)/k
B
T
(5)
3 Semiconduttori fuori equilibrio
3.1 Processi diffusivi
Consideriamo che all’interno di un semiconduttore si origini un gradiente di concentrazione di
portatori; ne deriva una corrente di diffusione, la cui intensit`a `e data dalla legge di Fick
j
n
= −D∇n
Inoltre, impostando l’equazione di continuit`a
∇· j
n
+
dn
dt
= 0
si ricava un’equazione differenziale per l’evoluzione nel tempo della concentrazione:
dn
dt
= D∇
2
n
La legge per la diffusione si pu`o facilmente dimostrare in una dimensione, dando maggiore
significato fisico al coefficiente di diffusione D. Per questo, consideriamo un campione con una
dipendenza della concentrazione dei portatori da x, n = n(x), e una velocit`a termica dei portatori
medesimi v
th
. Se osserviamo una superficie posta in x
0
, in un intervallo di tempo dt passeranno
da sinistra a destra f
sx
=
1
2
n(x
0
−l) v
th
Sdt, dove l `e il libero cammino medio, mentre da destra
a sinistra f
dx
=
1
2
n(x
0
+ l) v
th
Sdt. Avremo quindi un flusso totale
j =
f
sx
−f
dx
Sdt
=
1
2
v
th
[n(x
0
−l) −n(x
0
+ l)]
8
sviluppando al primo ordine
j =
1
2
v
th
¸
n(x
0
) −
dn
dx
l −n(x
0
) −
dn
dx
v
th
l

= −v
th
l
dn
dx
Il coefficiente di diffusione dipende quindi dalla velocit`a termica dei portatori, e dal percorso che
possono fare senza essere disturbati dalle collisioni con il reticolo.
3.2 Iniezione
Il termine iniezione indica qualsiasi processo che produca in un semiconduttore una concentrazione
di portatori diversa da quella di equilibrio. Tale squilibrio si pu`o produrre in molti modi ad esempio
illuminando o applicando campi elettrici; il sistema tender`a sempre ad evolvere in modo tale da
tornare all’equilibrio.
In un semiconduttore fuori equilibrio la statistica dei portatori non corrisponder`a pi` u alla
distribuzione di Fermi, ed in particolare non sar`a pi` u valida la legge di azione di massa, anche
negli intervalli in cui era applicabile (Sezione 2.2). Il problema di determinare il comportamento
di un semiconduttore fuori equilibrio `e molto semplificato nel caso di un basso livello di iniezione,
quando cio`e la concentrazione di portatori iniettati sia tale da fare variare in modo significativo la
quantit`a di portatori minoritari, mentre ha un effetto trascurabile sui maggioritari.
La descrizione dell’evoluzione del sistema si baser`a in generale su equazioni di continuit`a, del
tipo
∂n
∂t
= G
n
−R
n
+
1
e
∇· J
n
dove G
n
corrisponde ad un tasso di generazione, dovuto all’iniezione, e R
n
corrisponde invece ad
un tasso di ricombinazione, in eccesso rispetto ai normali processi all’equilibrio.
3.3 Processi di ricombinazione
Il rilassamento del semiconduttore fuori equilibrio avviene tramite una serie di meccanismi che
provocano la ricombinazione di una coppia elettrone-lacuna; si distinguono in particolare:
ricombinazione banda-banda, un processo predominante nei semiconduttori a gap di-
retto: l’elettrone in banda di conduzione decade in banda di valenza, dissipando energia in
forma radiativa. Nel caso di gap indiretto, occorre che venga emesso anche un fonone, in
modo da conservare il momento; questo ulteriore contributo rende questo percorso meno
probabile.
ricombinazione non radiativa banda-impurezza (SRH, Shockley-Read-Hall), un mec-
canismo che predomina nei semiconduttori a gap indiretto, che sfrutta la presenza di livelli
nel gap dovuti ad impurezze, e che dissipa l’energia di ricombinazione in forma non radiativa,
tramite fononi.
ricombinazione Auger, piuttosto improbabile se non nel caso di materiali molto drogati:
si tratta di un processo a tre corpi, in quanto l’energia viene trasferita ad un altro elettrone.
In un semiconduttore all’equilibrio, i processi di generazione e di ricombinazione si bilanciano, ed
abbiamo quindi (in condizioni di correnti stazionarie, quindi con ∇· J = 0)
∂n
∂t
= G
th
−R
th
= 0
mentre fuori equilibrio varr`a la relazione
∂n
∂t
= G

+ G
th
−R
tot
9
dove G

e R

rappresentano i tassi di generazione e ricombinazione, in eccesso rispetto all’equilibrio.
Supponiamo ora che sia possibile esprimere il tasso di ricombinazione fattorizzandolo come
R(n, p, T) = r (T) np, ipotesi ragionevole dal momento che (se si esclude la ricombinazione Auger)
si tratta di processi a due corpi e quindi si pu`o ipotizzare una “cinetica” del secondo ordine. Se
all’equilibrio si hanno concentrazioni n
0
e p
0
e quindi R
th
= r (T) n
0
p
0
, con concentrazioni fuori
equilibrio n = n
0
+ δn, p = p
0
+ δp avremo
G

+ G
th
= r (T) (n
0
+ δn) (p
0
+ δp)
ammettendo di essere in condizione di bassa iniezione (consideriamo un semiconduttore n, quindi
n ≈ n
0
)
R
tot
= G

+ G
th
= r (T) n
0
(p
0
+ δp) = G
th
+ r (T) n
0
δp
Consideriamo ora il rilassamento del sistema fuori equilibrio: rimossa l’iniezione ci troveremo
in una situazione descritta da
∂δp
∂t
= G
th
−R
tot
= −r (T) n
0
δp
che si risolve in modo elementare come
δp (t) = δp (0) e
−n0r(T)t
cio`e un classico rilassamento esponenziale, con tempo caratteristico τ = 1/n
0
r (T)
Facciamo notare che, avendo la presenza contemporanea di pi` u vie diverse di ricombinazione, si
possono raggruppare i vari contributi ottenendo un tempo di vita complessivo, tramite una somma
del tipo
1
τ
=
¸
i
1
τ
i
3.3.1 Ricombinazione SRH
C
ε
ε
ε
V
A B
C D
T
Figura 7: Processi di generazione e ricombinazione interessanti un livello di impurezza
Nell’ambito del meccanismo di ricombinazione banda-impurezza `e possibile distinguere quattro
processi attivi, i cui rate relativi determinano l’efficacia complessiva della ricombinazione (Figura
7):
cattura di elettroni (B): un elettrone si combina con un livello vuoto su un’impurezza nel
gap. La probabilit`a di un tale evento dipender`a dalla concentrazione di elettroni in banda
di conduzione n, dalla concentrazione di livelli di impurezze liberi (N
T
(1 −f (
T
))), e dalla
sezione d’urto σ
n
del centro di ricombinazione. In totale si avr`a quindi un rate per questo
processo
r
C
= nσ
n
v
th
N
T
(1 −f (
T
))
10
cattura di una lacuna (D): in modo analogo il centro di ricombinazione pu`o “catturare”
una buca dalla banda di valenza. Questa volta il rate sar`a dato da una relazione del tipo
r
V
= pσ
p
v
th
N
T
f (
T
)
emissione termica di elettroni (A): elettroni sui livelli dell’impurezza possono transire
in banda di conduzione, con un rate
g
C
= e
n
N
T
f (
T
)
dove e
n
rappresenta la probabilit`a di emissione termica
emissione termica di una lacuna (C): elettroni in banda di valenza possono essere
eccitati sui livelli del centro (col risultato di generare una buca); il tasso di emissione sar`a
g
V
= e
p
N
T
(1 −f (
T
))
Considerando complessivamente tutti questi processi di ricombinazione, di pu`o esprimere (sempre
in condizioni di correnti stazionarie) la variazione nel tempo delle concentrazioni dei portatori,
includendo anche un tasso di generazione dovuto a cause esterne G

:
dn
dt
= G

−(r
C
−g
C
)
dp
dt
= G

−(r
V
−g
V
) (6)
In condizioni di equilibrio possiamo porre G

= 0, e non si ha variazione di concentrazione.
Vale quindi r
C
= g
C
e r
V
= g
V
; possiamo quindi ricavare delle espressioni per i tassi di emissione:

n
v
th
N
T
(1 −f (
T
)) = e
n
N
T
f (
T
)
e
n
= nσ
n
v
th
1 −f (
T
)
f (
T
)
e analogamente

p
v
th
N
T
f (
T
) = e
p
N
T
(1 −f (
T
))
e
p
= pσ
p
v
th
f (
T
)
1 −f (
T
)
Visto che siamo in condizioni di equilibrio, la statistica dei portatori sar`a data dalla dis-
tribuzione di Fermi; inserendo le approssimazioni (5), e sfruttando il fatto che
1 −f (
T
)
f (
T
)
=
1
f (
T
)
−1 =

e
(
T

F
)/k
B
T
+ 1

−1 = e
(
T

F
)/k
B
T
si ricavano
e
n
= σ
n
v
th
n
i
e
(
F

I
)/k
B
T
e
(
T

F
)/k
B
T
= σ
n
v
th
n
i
e
(
T

I
)/k
B
T
= σ
n
v
th
n
T
e
p
= σ
p
v
th
n
i
e
(
I

F
)/k
B
T
e
(
F

T
)/k
B
T
= σ
p
v
th
n
i
e
(
I

T
)/k
B
T
= σ
p
v
th
p
T
valide in condizioni di equilibrio.
Il caso pi` u importante fuori equilibrio `e quello stazionario, che si pu`o formalizzare imponendo
che le variazioni delle concentrazioni dei portatori nel tempo vadano a zero nelle (6); possiamo in
questo modo ricavare una espressione per la statistica dei portatori fuori equilibrio, eliminando G

dal sistema:

G

−(r
C
−g
C
) = 0
G

−(r
V
−g
V
) = 0
→(r
V
−g
V
) −(r
C
−g
C
) = 0
11
ipotizzando che i tassi di emissione non varino fuori equilibrio, abbiamo

p
v
th
N
T
f −σ
p
v
th
p
T
(1 −f) N
T
= nσ
n
v
th
N
T
(1 −f) −σ
n
v
th
n
T
fN
T
f [pσ
p
+ σ
p
p
T
+ nσ
n
+ σ
n
n
T
] = nσ
n
+ σ
p
p
T
f =

n
+ σ
p
p
T
σ
p
(p + p
T
) + σ
n
(n + n
T
)
e quindi il tasso di generazione (uguale alla componente non termica di ricombinazione in condizioni
stazionarie) sar`a
G

= v
th
N
T

p
(nσ
n
+ σ
p
p
T
) + σ
p
p
T
(nσ
n
+ σ
p
p
T
−[σ
p
(p + p
T
) + σ
n
(n + n
T
)])
σ
p
(p + p
T
) + σ
n
(n + n
T
)
=
v
th
N
T

p
(nσ
n
+ σ
p
p
T
) −σ
p
p
T

p
p + σ
n
n
T
)
σ
p
(p + p
T
) + σ
n
(n + n
T
)
= v
th
N
T
σ
p
σ
n
(np −n
T
p
T
)
σ
p
(p + p
T
) + σ
n
(n + n
T
)
considerando le espressioni per n
T
e p
T
, e σ
p
≈ σ
n
= σ
r = G

= v
th
N
T
σ

np −n
2
i

p + n + 2n
i
cosh [(
T

I
) /k
B
T]
´
E immediato osservare come tale tasso di ricombinazione sia tanto maggiore quanto pi` u il
semiconduttore `e fuori equilibrio (np = n
2
i
), e quanto pi` u il centro di ricombinazione `e collocato
al centro del gap (il coseno iperbolico a denominatore si annulla).
Infine si pu`o definire come tempo di ricombinazione caratteristico, ad un livello di iniezione
δp/n
0
= δn/n
0
= h e definendo le quantit`a τ
−1
n0
= σ
n
v
th
N
T
e τ
−1
p0
= σ
p
v
th
N
T
τ
SRH
=
1
r
=
τ
−1
p0
(p
0
+ δp + p
T
) + τ
−1
n0
(n
0
+ δp + n
T
)
τ
−1
p0
τ
−1
n0
(n
0
p
0
+ (n
0
+ p
0
) δp −n
2
i
)
=
τ
n0
(p
0
+ δp + p
T
) + τ
p0
(n
0
+ δp + n
T
)
(n
0
+ p
0
) δp
4 Giunzione p-n
4.1 Giunzione non polarizzata
p
n
lacune elettroni
a−
a−
a− a− a−
a−
a−
a−
a−
a−
a−
a−
a−
a−
d+
d+
d+
d+
d+
d+
d+
d+
d+
d+
d+
d+
d+ d+
d+
a−
Figura 8: Giunzione p-n
Se si droga un cristallo di semiconduttore da un lato con atomi donori, e con atomi accettori
dall’altro, si determina all’interno del campione una discontinuit`a tra le due zone, e nella con-
centrazione di portatori. Si origina quindi una corrente di diffusione, con i portatori maggioritari
che attraversano la giunzione, ricombinandosi con i portatori maggioritari presenti sull’altro lato
(quindi di segno opposto). In prossimit`a della giunzione restano atomi di drogante ionizzati, e
si produce un campo elettrico che si oppone alla corrente di diffusione, fino a raggiungere una
condizione di equilibrio.
Si possono ricavare in modo semplice le propriet`a della giunzione, sotto un paio di ipotesi: in
primo luogo che la giunzione sia a gradino, cio`e che il passaggio dalla zona p alla n sia brusco, e poi
che la zona svuotata sia altrettanto ben delimitata: in un certo intervallo attorno alla giunzione
12
la concentrazione di portatori deve essere praticamente nulla, mentre al di fuori di tale intervallo
la concentrazione deve restare imperturbata.
Per l’equazione di Poisson deve valere ∇· E = −ρ/
0
; dato che la variazione delle varie quantit`a
per il nostro sistema si determina in una sola direzione, che chiameremo x, e che la densit`a di carica
nella zona n svuotata equivale alla concentrazione di donore possiamo scrivere
∂E
∂x
= −
eN
D

0
che si integra (considerando che il campo deve essere nullo ai limiti della zona svuotata, per x = x
n
)
E = −
eN
D

0
(x
n
−x)
In modo analogo, nella zona p si ricava
E =
eN
A

0
(x −x
p
)
e, uguagliando i due risultati alla giunzione (per x = 0), si ottiene
N
D
x
n
= N
A
x
p
l’estensione della zona svuotata `e quindi inversamente proporzionale al livello di drogaggio; con-
siderando che E = −∂φ/∂x `e anche possibile ricavare il potenziale scalare associato al campo:
φ
n
−φ(x) = −

xn
x
E dx

=
eN
D

0

xn
x
(x
n
−x

) dx =
eN
D

0

x
n
x

−x
2
/2

xn
x
=
=
eN
D
2
0

x
2
n
−2x
n
x + x
2

=
eN
D
2
0
(x
n
−x)
2
cio`e
φ(x) = φ
n

eN
D
2
0
(x
n
−x)
2
in modo analogo nella zona p
φ(x) = φ
p
+
eN
A
2
0
(x −x
p
)
2
I due contributi φ
n
e φ
p
sono semplicemente costanti di integrazione. Possiamo ridurli ad una
e ricavare l’altezza della barriera imponendo che il potenziale sia continuo alla giunzione:
φ
n

eN
D
2
0
x
2
n
= φ
p
+
eN
A
2
0
x
2
p
φ
i
= φ
n
−φ
p
=
e
2
0

N
D
x
2
n
+ N
A
x
2
p

(7)
relazione dalla quale possiamo anche ricavare l’ampiezza totale della zona svuotata: vale infatti
che x
n
= x
p
N
A
/N
D
e quindi
φ
i
= φ
n
−φ
p
=
e
2
0
N
A
x
2
p

N
A
N
D
+ 1

x
p
=

2
0
φ
i
e
N
D
N
A
(N
A
+ N
D
)
−1
inoltre
x
n
+ x
p
= x
p
(1 + N
A
/N
D
) =

2
0
φ
i
e
N
D
N
A
(N
A
+ N
D
)
−1

N
A
+ N
D
N
D

2
=

2
0
φ
i
e

1
N
A
+
1
N
D

13
4.1.1 Andamento del potenziale chimico
Il problema di studiare la densit`a di portatori ed il potenziale elettrostatico φ(x) all’interno di
un semiconduttore drogato in modo non omogeneo si pu`o affrontare con un altro approccio; la
sovrapposizione del potenziale alla struttura a bande far`a s`ı che (in un approccio semiclassico) le
energie delle bande siano shiftate di una quantit`a −eφ(x) attraverso la lunghezza del campione.
Di conseguenza, le (3) e (4) diventano
n(x) = N
C
(T) e
−(
C
−eφ(x)−
F
)/k
B
T
p (x) = N
V
(T) e
−(
F

V
+eφ(x))/k
B
T
(8)
Dato che il cristallo `e supposto in equilibrio termico, il potenziale chimico non varia con la po-
sizione; siccome il potenziale chimico `e uguale a dE
tot
/dn, imporre un potenziale chimico costante
equivale ad imporre che sia completo il rilassamento per diffusione.
A questo punto, occorre un’equazione per il potenziale, e si pu`o utilizzare l’equazione di Poisson

2
φ =

2
φ(x)
∂x
2
= −
ρ (x)

considerando poi che la densit`a di carica dovuta alle impurezze e ai portatori `e
ρ (x) = e [N
D
(x) −N
A
(x) + p (x) −n(x)]
Sostituendo in questa equazione le (8), e la densit`a di carica nell’equazione di Poisson, si trova una
equazione differenziale per il potenziale, che si pu`o risolvere numericamente. Una condizione al con-
torno si pu`o impostare richiedendo che lontano dalla giunzione il semiconduttore sia imperturbato,
e che quindi
n(∞) = N
D
(∞) , p (−∞) = N
A
(−∞)
ricavando
F
dalle 8, ed imponendo tale condizione si ottiene

C
−eφ(∞) + k
B
T ln N
D
/N
C
=
F
eφ(−∞) −
V
−k
B
T ln N
A
/N
V
=
F
dato che il potenziale chimico
F
non varia all’interno del campione si ricava

i
= eφ(∞) −eφ(−∞) − = (
C

V
) + k
B
T ln

N
D
N
A
N
C
N
V

Per come `e stato impostato il problema, la posizione di
F
`e arbitraria, quello che importa
`e che sia costante all’interno del campione. Definiamo inoltre eφ
n
=
C
− eφ(∞) −
F
e eφ
p
=

F
+ eφ(−∞) −
V
.
ε
F
ε
ε
V
C
− φ e
e φ −
φ e
p

n
n p
e φ
i
Figura 9: Andamento delle bande lungo la giunzione non polarizzata
14
4.2 Giunzione polarizzata
Se si applica ad una giunzione una tensione esterna si modifica l’equilibrio tra il gradiente di
concentrazione di portatori ed il potenziale elettrostatico generato dallo svuotamento del depletion
layer. Si possono verificare due situazioni qualitativamente diverse, a seconda del segno della d.d.p.
applicata:
Polarizzazione diretta: si consideri la situazione in cui si `e applicato un potenziale positivo
al lato p, e negativo al lato n della giunzione. Il campo elettrico che ne risulta (che sar`a
diretto da destra a sinistra nella figura 8) avviciner`a alla giunzione elettroni dalla zona n e
lacune dalla zona p; in questo modo si restringe il depletion layer, e di conseguenza si abbassa
la barriera di potenziale (Equazione (7)).
Polarizzazione inversa: qualora si effettui il collegamento inverso, con il punto a potenziale
pi` u elevato in corrispondenza del lato n, il campo elettrico svuoter`a ulteriormente la regione
circostante la giunzione, alzando di conseguenza la barriera di potenziale.
4.3 Correnti nella giunzione
ε
F
ε
ε
V
C
− φ e
e φ −
φ e
p

n
n p
J
J
J
J
pg
ng
pr
nr
Figura 10: Correnti all’interno di una giunzione
Analizziamo ora in modo pi` u quantitativo le correnti che circolano nella giunzione, qualora
vi si applichi una tensione esterna. La corrente circolante nella giunzione sar`a composta con-
temporaneamente da elettroni e lacune, e dipender`a da vari processi; avremo infatti (Figura
10):
una corrente di generazione di elettroni J
ng
, dovuta agli elettroni che, nel lato p, vengono
prodotti termicamente, e che sono accelerati dal campo della giunzione ed iniettati nel lato
n
una corrente di ricombinazione di elettroni J
nr
, che fluisce dal lato n al lato p, ostacolati dal
campo della giunzione (ma di fatto favoriti dal gradiente di concentrazione), cos`ı che solo gli
elettroni con energia termica sufficiente possono attraversare la giunzione e ricombinarsi con
le lacune del lato p
una corrente di generazione di lacune J
pg
, prodotte termicamente come portatori minoritari
nel lato n, ed accelerate dal campo della giunzione.
una corrente di ricombinazione di lacune J
pr
, composta di portatori maggioritari del lato p,
in grado di superare per eccitazione termica la barriera di potenziale della giunzione.
All’equilibrio le correnti di generazione e ricombinazione sono uguali, in modo tale da avere risul-
tante nulla, J
(0)
pg
= J
(0)
pr
e J
(0)
ng
= J
(0)
nr
. Le correnti di generazione non sono affette dall’imposizione
di un potenziale esterno (a meno che tale potenziale non sia sufficientemente forte da invertire il
sensi della barriera alla giunzione), e quindi anche fuori equilibrio J
pg
= J
(0)
pg
e J
ng
= J
(0)
ng
.
15
Al contrario, le correnti di ricombinazione dipendono dalla frazione di elettroni con energia suf-
ficiente a superare la barriera di potenziale della giunzione e del potenziale imposto esternamente.
Usando le approssimazioni (2), il numero di elettroni con energia termica `e e
−(−
F
)/k
B
T
, cos`ı che
il rapporto tra la frazione di elettroni con energia sufficiente a superare la barriera della giunzione
all’equilibrio, e quella in grado di superare la barriera con il potenziale esterno V sovrapposto sar`a
e
eV/k
B
T
. Da questo ricaviamo che
J
nr
= J
(0)
nr
e
eV/k
B
T
(con V positivo se la polarizzazione `e diretta, negativo in caso contrario).
La probabilit`a di avere lacune con energia invece proporzionale a e
−(
F
−)/k
B
T
; dato che per`o
hanno carica di segno opposto rispetto agli elettroni, si ottiene un risultato analogo
J
pr
= J
(0)
pr
e
eV/k
B
T
A questo punto `e possibile ricavare la corrente totale che attraversa la giunzione dal lato p al
lato n
J = (J
pr
−J
pg
) + (J
nr
−J
ng
) =

J
(0)
pr
e
eV/k
B
T
−J
(0)
pg

+

J
(0)
nr
e
eV/k
B
T
−J
(0)
ng

=

J
(0)
ng
+ J
(0)
pg

e
eV/k
B
T
−1

Dato che la densit`a di corrente e la corrente che fluisce nella giunzione vi `e una relazione
di proporzionalit`a, variabile in base alla geometria del campione, da questo risultato si pu`o ri-
cavare la curva I −V per una giunzione ideale, I = I
S

e
eV/k
B
T
−1

; in un diodo reale, a causa di
ricombinazione e generazione all’interno della zona svuotata (non considerati nella nostra approssi-
mazione) la curva I −V si discoster`a da quella ideale, divenendo piuttosto I = I
S

e
eV/ηk
B
T
−1

,
dove η `e un fattore compreso in genere tra 1 e 2.
16

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