LIC.

EN FÍSICA ELECTRÓNICA
Curso 03-04 Tema 2
F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA
FACULTAT DE FÍSICA Universitat de València
1
TEMA 2. DIODOS SEMICONDUCTORES.


2.1. Tensión de contacto en una unión PN.

Si se forma una barra semiconductora extrínseca con simetría axial sobre el eje
longitudinal, de forma que al fabricarla se ha dopado media barra con una concentración
impurezas aceptoras N
A
y la otra mitad con una concentración de impurezas dadoras
N
D
, se ha obtenido una unión PN, es decir lo que se denominará un diodo de unión
PN, figura 2.1.


Fig. 2.1

En el equilibrio térmico, en el seno del semiconductor P habrá una concentración de
huecos p
p0
, portadores mayoritarios, y en el seno del semiconductor N la concentración
de huecos será p
n0
, portadores minoritarios. Estas concentraciones, en un intervalo de
temperaturas muy amplio alrededor de la temperatura ambiente, son función del dopado
existente en cada zona de la barra según las expresiones:


D
2
i
0 n
2
i
0 n
A 0 p
N
n
n
n
p
N p
· ·
·
(2-1)


En el último apartado del tema anterior se vio que en una barra semiconductora en la
que en dos puntos de la misma, a y b, había concentraciones de portadores diferentes,
p(a) y p(b), entre dichos dos puntos existía una diferencia de potencial dada por:


) b ( p
) a ( p
ln V V
T ba
· (2-2)


Aplicando esta expresión a dos puntos de la barra tal que uno está en la zona P y el otro
en la zona N, resulta:


2
i
D A
T
0 n
0 p
T T ba
n
N N
ln V
p
p
ln V
) b ( p
) a ( p
ln V V · · · (2-3)

P N
N
A
N
D
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2
Como es de suponer dicha barrera de potencial se ha formado en la unión de las zonas
P y N, y a dicho potencial se le denomina como V
0
. Pero será conveniente analizar que
es lo que ha ocurrido en la zona de la unión de ambos tipos de semiconductor extrínseco
para que se haya formado esta barrera de potencial.

Para tratar de entenderlo se supondrá que inicialmente se tienen dos barras
semiconductoras extrínsecas, una P y otra N, y que en un instante dado se unen. A partir
de ese instante, debido al gradiente de portadores que hay en la unión, p
p0
>> p
n0
y n
n0

>> n
p0
, habrá una difusión de huecos de la zona P hacia la N y de electrones de la zona
N hacia la P. A medida que esto ocurre, en la zona más próxima a la unión van
desapareciendo los portadores de carga por recombinación y sólo quedan las cargas fijas
de las impurezas que se denominarán cargas descubiertas, cargas negativas en la zona
P y positivas en la zona N.

Las cargas descubiertas crean un campo eléctrico en la zona de la unión que da lugar a
la existencia de la barrera de potencial en la zona. El equilibrio se alcanza cuando el
valor de la barrera de potencial es suficiente para mantener el gradiente de
concentración de portadores existente entre ambas zonas semiconductoras, y su valor V
0

depende de la temperatura y de los niveles de dopado.









Fig. 2.2



La zona próxima a la unión se ha quedado sin portadores libres de carga, con las cargas
fijas de las impurezas, figura 2.2, y por ello a dicha zona se la denomina zona de
deplexión, zona de agotamiento o zona de cargas descubiertas.


2.2. Concentración y corriente de portadores minoritarios en función de la tensión
aplicada a una unión pn.

Si ahora se aplica una diferencia de potencial positiva entre los extremos de la unión
mediante una pila externa V
F
, figura 2.3, la barrera de potencial en la unión bajará en
dicho valor.

La disminución de la barrera rompe el equilibrio y provoca que aumente el paso de
huecos de P a N y de electrones de N a P. Esto equivale a una inyección de
portadores minoritarios: huecos en N y electrones en P.



N
A

P
N
D

N
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Fig. 2.3


Según se vio en el tema anterior esta inyección de portadores minoritarios da lugar a un
gradiente de éstos con decrecimiento exponencial. En el caso de los huecos en la zona N
será:


0 n n
'
n
L
x
'
n
'
n
p ) x ( p ) x ( p e ) 0 ( p ) x ( p
p
− · ·

(2-4)


Dando lugar a una corriente de difusión de huecos, que en la entrada de la zona N será:


) 0 ( p
L
D A q
dx
) 0 ( dp
D A q ) 0 ( I
'
n
p
p
n
p pn
· − · (2-5)


Si V
F
es el potencial aplicado externamente a la unión:


T
F
T
0
T
F 0
V
V
0 n n
V
V
p 0 n
V
) V V (
p n
e p ) 0 ( p
e ) 0 ( p p
e ) 0 ( p ) 0 ( p
·
·
·



(2-6)


Luego la corriente de difusión de huecos en el inicio de la zona N valdrá:

N
A

P
N
D

N
huecos electrones
V
F

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( )

,
_

¸
¸
− · − · 1 e p
L
D A q
p ) 0 ( p
L
D A q
) 0 ( I
T
F
V
V
0 n
p
p
0 n n
p
p
pn
(2-7)


Similarmente en la zona P, la inyección de electrones, portadores minoritarios, da lugar
a una corriente de difusión, que en la entrada de la zona P tomará la expresión:

,
_

¸
¸
− · 1 e n
L
D A q
) 0 ( I
T
F
V
V
0 p
n
n
np
(2-8)


Por tanto la corriente total que atraviesa la unión será:

,
_

¸
¸
− ·

,
_

¸
¸

,
_

¸
¸
+ · + ·
1 e I I
1 e
L
n D
L
p D
A q ) 0 ( I ) 0 ( I I
T
F
T
F
V
V
0
V
V
n
0 p n
p
0 n p
np pn
(2-9)


Donde I
0
se denomina corriente inversa de saturación:

,
_

¸
¸
+ ·

,
_

¸
¸
+ ·
A n
n
D p
p
2
i
n
0 p n
p
0 n p
0
N L
D
N L
D
n A q
L
n D
L
p D
A q I (2-10)


la cual es función de la geometría de la unión, nivel de dopado y con una fuerte
dependencia térmica.

El nombre con que se denomina a esta corriente es fácil de deducir ya que si se polariza
inversamente la unión y se aumenta paulatinamente esta polarización inversa, la
corriente en la unión se satura rápidamente tomando el valor -I
0
.

Cuando se calcula la corriente de difusión de huecos en la zona N, se calcula a la
entrada de la zona, x = 0, pero esta corriente de difusión, fijándose en la expresión de la
cual proviene, decae exponencialmente a medida que penetramos en el semiconductor
N. La expresión que toma la corriente de difusión de huecos a lo largo de la zona N
será:

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p p
L
x
pn
L
x
'
n
p
p
pn
e ) 0 ( I e ) 0 ( p
L
D A q
) x ( I
− −
· · (2-11)


Como se acaba de ver, la corriente de difusión de huecos que entra en la zona N va
decreciendo exponencialmente a medida que se avanza a lo largo de dicha zona.

Pero la corriente total debe ser la misma en cualquier sección de la barra
semiconductora, por tanto este decaimiento de la corriente de difusión de huecos debe
ser compensada por una corriente de desplazamiento de electrones hacia la unión, y tal
que en cualquier sección de la barra semiconductora N se cumpla:

,
_

¸
¸
− · + · 1 e I ) x ( I ) x ( I I
T
F
V
V
0 nn pn
(2-12)


Un razonamiento similar se puede establecer en la barra semiconductora P.

Estos razonamientos serán válidos supuesta una recombinación de portadores nula en la
zona de cargas descubiertas. Esto es bastante cierto en el caso del Ge, pero no así en el
del Si, por ello la ecuación anterior se modifica introduciendo un parámetro corrector η:

,
_

¸
¸
− ·
η
1 e I I
T
F
V
V
0
(2-13)


donde η = 1 para el Ge y η = 2 para el Si con intensidades de corriente débiles. Para
corrientes de conducción intensas η = 1 en el Si.

De la relación tensión-corriente que se ha deducido teóricamente se puede obtener una
gráfica que en los aspectos más importantes coincide con la que se puede obtener
experimentalmente de cualquier unión PN, en el futuro a dicho dispositivo se le
denominará diodo.

En la figura 2.4 se representa la curva I-V del diodo 1N4148, en la región de
polarización directa, obtenida con el simulador Pspice, este es uno de los diodos que
más se usan en el diseño de cualquier sistema electrónico.


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Fig. 2.4


En polarización inversa la corriente del diodo alcanza rápidamente la corriente de
saturación inversa, para el diodo 1N4148 unos nanoamperios, aunque al aumentar la
polarización inversa la corriente aumenta algo debido fundamentalmente a las corrientes
superficiales de pérdidas. Si la polarización inversa se lleva más allá de –100 V, se vería
que a partir de esta tensión el diodo se dispara a conducir, se ha alcanzado la tensión de
ruptura inversa, tensión Zener. Esta tensión se tratará con detalle posteriormente al
hablar del diodo Zener.

En la zona de polarización directa cabe destacar la tensión V
γ
, a partir de la cual el
diodo conduce de forma apreciable. Se toma V
γ
como el valor de V que da una corriente
de conducción del 1% del valor nominal máximo, típicamente V
γ
toma un valor de 0,1V
a 0,2V para el Ge y 0,5V a 0,6V para el Si. En la resolución de problemas se suele
tomar como valores V
γ
: 0,15 V para el Ge y 0,5 V para el Si.

La relación exponencial de I con V para polarización directa por encima de V
γ
, se
conserva hasta un cierto valor de I en que pasa a ser cuasi lineal: la resistencia de los
cuerpos semiconductores empieza a imponer su ley.
La corriente de saturación inversa I
0
, depende de la temperatura. La relación teórica de
esta corriente con la temperatura es de un incremente del 8%/ºC, pero hay componentes
de I
0
que no son función de la temperatura, como fugas superficiales, que hacen que
experimentalmente se rebaje a un 7%/ºC, como:
(1,07)
10
≅ 2 (2-14)
10
T T
1 0 2 0
1 2
2 ) T ( I ) T ( I

· (2-15)

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I
0
se duplica cada diez grados centígrados, pero se ha de tener en cuenta que a 300ºK la
caída de tensión en la unión disminuye con la temperatura en 2,2 mV / ºC, lo cual
compensa en parte el incremento de I
0
.

2.3. Resistencia dinámica del diodo.

Otro aspecto importante a considerar en el diodo es la resistencia dinámica en el punto
de funcionamiento en que está trabajando éste, es decir como varía la tensión al variar la
corriente en un punto de funcionamiento dado, tanto en polarización directa como
inversa.

La resistencia dinámica del diodo es por tanto la relación:

dI
dV
r · (2-16)

En polarización inversa, y antes de alcanzar la tensión Zener, r toma un valor muy alto.
En polarización inversa y por encima de la tensión Zener, r toma un valor muy bajo. En
polarización directa, y por encima de V
γ
, r es muy baja:

I
V
dI
dV
r
T
η
· · (2-17)

Como V
T
, a temperatura ambiente, se suele aproximar por 25 mV. La expresión 2-17
permite evaluar η en función del grado de conducción. Para una corriente de 25mA η,
ya debería de haber bajado a un valor de 1, y por tanto r debería tomar un valor muy
próximo a 1 Ω, pero la resistencia de los cuerpos semiconductores pueden complicar la
medida.


2.4. Capacidades en un diodo.

La distribución de cargas en un diodo tanto en polarización directa como en
polarización inversa sugiere un comportamiento con aspectos capacitivos del diodo.

El comportamiento de un diodo en polarización directa y en polarización inversa es muy
distinto, por tanto es de esperar que también sea muy distinta la capacidad equivalente
en ambos estados. Por ello se estudiará separadamente el comportamiento capacitivo del
diodo en ambos tipos de polarización.


2.4.1 Capacidad de un diodo polarizado inversamente: Capacidad de carga
espacial.

Se iniciará el estudio analizando el comportamiento capacitivo de un diodo polarizado
inversamente. Con polarización inversa la barrera de potencial en la unión aumenta en
el valor de la tensión inversa aplicada al diodo. En estas condiciones la zona de
agotamiento o carga espacial aumenta su profundidad.
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Con polarización inversa la capacidad que tiene la unión se denomina capacidad de
carga espacial, C
T
, y se define como una capacidad incremental:


dV
dQ
C
T
T
· (2-18)


Partiendo de la suposición de que el diodo es de unión abrupta, es decir que los niveles
de dopado son constantes en ambas zonas y que la transición de una zona a otra se
realiza abruptamente, si las concentraciones de dopado son: N
A
en la zona P y N
D
en la
zona N, dado que en la zona de cargas descubiertas de ambas zonas debe de haber la
misma cantidad total de carga descubierta, se cumplirá:


l
N N
N
l l
N N
N
l
N N
l l
N
l
N
l
l l l N l N l
D A
A
n
D A
D
p
A D
n p
A
n
D
p
n p D n A p
+
·
+
·
+
+
· ·
+ · ·
(2-19)


Donde l
p
y l
n
son la profundidad de la zona de carga espacial en la zona P y la zona N
respectivamente, y l es la anchura total de la zona de carga espacial de la unión.

En la zona de cargas descubiertas de las zonas P y N habrá una densidad de cargas fijas
por unidad de volumen:


Zona P: ρ
P
= -q N
A

Zona N: ρ
N
= q N
D


Como el diodo tiene simetría axial la relación del potencial eléctrico y del vector
intensidad del campo eléctrico, con estas distribuciones de carga será:


dx dE
dx
dE
dx
V d
2
2
ε
ρ
·
ε
ρ
·
ε
ρ
− ·
(2-20)


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Fig. 2.5

Sustituyendo ρ para cada zona e integrando se obtiene la variación del campo eléctrico a
lo largo de la zona de carga espacial. En la figura 2.5 se puede observar esta variación.
El valor máximo del campo eléctrico, Eo, lo alcanza en el límite de la unión y su valor
es:



n
D
p
A
0
l
qN
l
qN
E
ε
− ·
ε
− · (2-21)


Dado que:


∫ ∫
− · ·
N ZONA
P ZONA
N ZONA
P ZONA
np
dx E dV V (2-22)


La segunda integral es el área del triángulo de la figura 2.5 cambiada de signo, por
tanto:


( ) ( ) l l
qN
2
1
l E
2
1
V
p
A
0 np
ε
· − · (2-23)


La barrera de potencial en la unión es:


2
*
np
l
N
q
2
1
V
ε
· (2-23)
E
x lp ln
ZONA P ZONA N
Eo
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donde:


D A
D A *
N N
N N
N
+

· (2-24)


Despejando l en la expresión de la barrera de potencial en la unión, (2-23), se obtiene:


2 / 1
*
b
N
V
q
2
l
1
]
1

¸
ε
· (2-25)


Esta relación expresa que la profundidad de la zona de agotamiento es función del nivel
de dopado a través de la expresión 2-24, y de la caída de potencial en la unión.
Volviendo a la expresión de la capacidad en la unión:


( )
( )
l
A
l qN
qN A C
l qN
1
dV
dl
dV
dl
AqN
dV
l AqN d
dV
A l qN d
dV
dQ
C
*
*
T
*
*
*
p A
T
ε ·
ε
⋅ ·
ε ·
· · · ·
(2-26)


La expresión obtenida de la capacidad en la unión es la misma que la de un condensador
plano.

Si la unión en vez de ser abrupta fuera gradual, con graduación lineal, el campo
eléctrico variaría con el cuadrado de x. La profundidad de la zona de cargas
descubiertas variaría con la raíz cúbica de la barrera de potencial en la unión:


) V ( f l ) x ( f ) x ( E
3 / 1 2
· · (2-27)


Pero la expresión que se obtiene para la capacidad en la unión sigue tomando la misma
expresión que cuando la unión era abrupta:


l
A
C
T
ε ·

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Variando la tensión inversa aplicada al diodo se varía la profundidad total de la zona de
cargas descubiertas y por tanto la capacidad de la unión. Una aplicación de este hecho
es los denominados varicaps o varactores; capacidades cuya C es controlada por
tensión, una de sus aplicaciones actuales es en circuitos resonantes de sintonía. El valor
típico de un varicap es de 20 pF para una tensión inversa de unos cuantos voltios.


2.4.2 Concentración de portadores minoritarios con polarización directa:
Capacidad de difusión

Sea una unión PN con N
A
>> N
D
, polarizada directamente. La corriente en la unión será
debida prácticamente a la inyección de huecos en la región N ya que :


( )
A
2
i
0 p
V / V
0 p
'
p
'
p
n
n
p
n np
D
2
i
0 n
V / V
0 n
'
n
'
n
p
p
n
p pn
N
n
n ) 1 e ( n ) 0 ( n
) 0 ( n
L
D
q
dx
) 0 ( dn
qD ) 0 ( J
N
n
p 1 e p ) 0 ( p
) 0 ( p
L
D
q
dx
) 0 ( dp
qD ) 0 ( J
T
T
· − ·
· ·
· − ·
· − ·
(2-28)


Como N
A
>> N
D
, entonces p

n
(0) >> n’
p
(0). En primera aproximación se obtiene:


) 0 ( p
L
D
qA ) 0 ( AJ I
'
n
p
p
pn
· · (2-29)


El exceso de huecos en la zona N tiene una carga total:


p
2
p
p
p
'
n p
0
'
n
D
L
: que ya
Q
I
) 0 ( p qAL dx ) x ( Ap q Q
· τ
τ
·
· ⋅ ·


(2-30)


La expresión obtenida para la corriente indica que ésta es proporcional al exceso de
portadores minoritarios y que esta corriente se invierte en reponer los portadores
minoritarios que se recombinan. Para una polarización inversa del diodo, el exceso de
concentración de portadores minoritarios ) 0 ( p
'
n
pasa a ser negativo anulándose ) 0 ( p
n

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para valores de polarización negativos suficientemente elevados. La corriente en esas
condiciones es la de saturación inversa I
0
.

Como el exceso de carga almacenada es proporcional a la tensión directa, es lógico
definir una capacidad incremental que relaciona las variaciones de la carga almacenada
con las variaciones de la tensión aplicada. Esta capacidad se denomina Capacidad de
difusión


T
d
V
I
r dV
dI
dV
dQ
C
η
τ ·
τ
· τ · · (2-31)


Capacidad que es mayor que C
T
, y es función de cómo varía V


2.5 Tiempos de conmutación en una unión PN

Supuesta una unión PN polarizada directamente mediante una fuente de tensión y
resistencia serie, la corriente de conducción directa da lugar a un gradiente de
portadores minoritarios con unas corrientes de difusión:


dx
) 0 ( dn
qD ) 0 ( J
dx
) 0 ( dp
qD ) 0 ( J
'
p
n np
'
n
p pn
· − · (2-32)


Fig. 2.6


Si ahora en el circuito bascula el conmutador de la figura 2.6 de la posición 1ª,
polarización directa del diodo, a la posición 2ª, polarización inversa del diodo. La carga
de los portadores minoritarios en exceso que existe va a dar lugar a que no se corte la
corriente, sino que simplemente se invierta su sentido, figuras 2.7 y 2.8, y la caída de
tensión en el diodo siga siendo positiva hasta que 0 ) 0 ( p
'
n
· . A partir de ese instante
) 0 ( p
'
n
se hace negativo y la corriente disminuye hasta I
0
corriente de saturación inversa.


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Fig. 2.7


En el transitorio hay que distinguir dos tiempos. El primero es t
s
, tiempo de
almacenamiento, tiempo que tarda en ser nulo el exceso de portadores minoritarios en el
borde de la unión:


0 n n
'
n
p ) 0 ( p 0 ) 0 ( p · → (2-33)


El segundo es t
p
, tiempo de transición, tiempo que tarda la concentración de portadores
minoritarios, en el borde de la unión, en pasar de la concentración de equilibrio a
anularse:

0 p : ) 0 ( p
0 n n
→ (2-34)





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Fig. 2.8


El más importante de los dos tiempos es t
s
. Una estimación del mismo se da en la
expresión 2-35:

,
_

¸
¸
+ τ ·
R
F
p s
I
I
1 ln t (2-35)


2.6 Modelos del diodo para gran señal

En primer lugar se va a incluir un diodo en un circuito elemental. Tomando una pila de
tensión V
0
de valor ajustable y una resistencia R
0
cuyo valor también se puede hacer
variar, se conectan en serie con un diodo.

La tensión de la pila será igual a la caída de potencial en la resistencia más la caída de
potencial en el diodo:

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0
0
D
0
D
0 D 0 D
R
V
V
R
1
I
V V R I
+ − ·
· +
(2-36)


Esta ecuación lleva a la gráfica de la figura 2.9 donde el punto de funcionamiento del
diodo se obtiene gráficamente de la intersección de la curva característica del diodo con
la "recta de carga".

La recta de carga está definida por V
0
y la resistencia externa R
0
. En la figura 2.9 se
puede observar la curva I-V del diodo 1N4148 y la recta de carga para V
0
= 2 V y R
0
=
100 ohms.



Fig. 2.9

Variando V
0
, sin modificar R
0
, la recta de carga se desplazará paralelamente a si misma.
Mientras que si se varía R
0
, sin variar V
0
, aparecen nuevas rectas de carga, con nuevas
pendientes, que pasan todas ellas por V
0
.

La gráfica de la figura 2.9 sugiere un primer modelo para el diodo que es el
denominado "lineal por tramos". En este modelo, en la zona V
0
> 0, se aproxima su
curva característica por dos tramos rectos. En el primero de los tramos I
D
= 0 para
V
D
≤V
γ
(0,6 V en el Si). A partir de este punto se supone que I
D
crece linealmente con
V
D
con pendiente 1/R, por tanto se está aproximando el diodo por un circuito
equivalente, que se muestra en la figura 2.10:

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Fig. 2.10


La figura 2.11 muestra la curva I-V experimental del diodo 1N4148, en la zona de
polarización directa, y la aproximación que se obtiene al sustituirlo por el circuito lineal
de dos tramos Evidentemente la aproximación es burda, aunque según se verá puede ser
muy útil. Una variante mejor sería la que en vez de sustituir, para V
D
≥ V
D0
, por una
sola recta, sustituirlo por varios segmentos que se van empalmando y aproximando más
a su curva real. La mejora en la aproximación no compensa la complejidad de aumentar
el número de tramos.



Fig. 2.11

Con polarización inversa la resistencia es muy alta. El diodo en polarización inversa se
sustituye por una resistencia R
r
>>. Una mejora sería incluir una fuente de corriente, en
paralelo con R
r
, de valor I
0
corriente inversa de saturación.

El modelo expuesto es para circuitos de continua o en los que si hay variaciones de las
tensiones aplicadas estas varían lentamente con el tiempo. Por ejemplo en circuitos de
continua, circuitos rectificadores, circuitos fijadores o recortadores.

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2.7 Modelo de pequeña señal

Si ahora en el circuito de polarización del diodo se provocan variaciones de la tensión
aplicada al mismo, y estas variaciones ∆V
D
son pequeños, se ve que el comportamiento
dinámico del diodo equivale a una resistencia, cuyo valor se obtiene de la tangente a la
curva V-I en el punto Q, punto de funcionamiento estático. El valor de esta tangente se
puede obtener derivando la expresión analítica de la corriente del diodo:


Q
T
D
D
d
I
V
dI
dV
r
η
· · (2-37)


El modelo expuesto es un modelo de primera aproximación ya que un modelo dinámico
más exacto debería incluir las capacidades: de difusión en polarización directa y de
transición en polarización inversa.


2.8 Diodos Zener

Observando la curva característica en la zona de polarización inversa de un diodo
Zener, en la figura 2.12 se ve la gráfica I-V en polarización inversa del diodo Zener
1N750, se observa que para una cierta tensión entra en conducción con una resistencia
incremental muy baja, salvo en el codo, dicha tensión se denomina tensión Zener y los
diodos usados en dicha región diodos Zener.





Fig. 2.12



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Los mecanismos que provocan dicha entrada en conducción brusca, pueden ser dos muy
diferentes:

a) Proceso de ruptura de enlaces en la unión por el fuerte campo eléctrico, E ≥ 2.10
7

V/cm.
b) Proceso de multiplicación por avalancha. Los portadores que atraviesan la unión
caen en la barrera de potencial y adquieren tal energía cinética que al chocar con los
iones de la red generan nuevos pares. El efecto es multiplicativo.

Generalmente el proceso es de multiplicación por avalancha. Para que el proceso sea
por ruptura Zener deben ser diodos bastante dopados, ya que la intensidad del campo
eléctrico es proporcional al nivel de impurezas. Si la tensión Zener es menor de 6
voltios, el proceso de disparo a conducción inversa es por ruptura.

Se ha de constatar que la dependencia térmica de la tensión Zener es de signo contrario
para los de la avalancha y los de la ruptura. En el primer caso es positivo ( ≅ +0,1 %
/ºC) y la explicación es obvia; la mayor agitación térmica da lugar a choques más
frecuentes con lo cual la energía adquirida entre choques es menor, esto implica que se
necesitará aumentar la tensión para llegar a tensión de avalancha.

En el segundo caso la mayor agitación térmica ayudará a la acción de ruptura de enlaces
con un menor campo eléctrico.

Se ha de tener en cuenta que la resistencia dinámica (r
Z
= ∆V
Z
/ ∆I
Z
) puede ser no
despreciable. En los de avalancha con tensiones Zener entre 6 y 10 V suele ser de unos
pocos ohms para una corriente de una decena de miliamperios. Para tensiones Zener por
encima o por debajo, del margen de tensiones Zener previamente indicado, r
Z
puede ser
de cientos de ohms.

También se ha de tener en cuenta la capacidad de carga espacial C
T
ya que el diodo está
polarizado inversamente. Según se vio era del orden de 20 pF, pero en los Zener de
gran potencia, la sección de la unión es mucho mayor, puede llegar a los 10 nF (C
T
= ε
A/l). Los diodos Zener se usan como elementos de referencia de tensión, fijan una
tensión prácticamente constante entre sus extremos, V
Z
, aunque se varíe mucho la
corriente que circula por ellos, en problemas veremos esta aplicación con más detalle.

Con el mismo fin se usan los diodos de referencia. Estos son diodos normales en serie y
polarizados directamente que se usan como elementos de referencia de tensión, ya que
para corrientes medias y elevadas su resistencia dinámica es más baja que la de los
zener en el intervalo de las bajas tensiones. En algunos casos se usan en serie con un
diodo Zener para formar un diodo de referencia de tensión con coeficiente de
temperatura despreciable. Para ello se usan Zener de avalancha, coeficiente de
temperatura positivo, en serie con diodos de referencia, coeficiente de temperatura
negativo.


2.9 Diodos Schottky: contactos óhmicos

La unión de un metal y un semiconductor extrínseco puede tener un comportamiento
rectificador u óhmico. En la unión metal-semiconductor se forma una barrera de
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contacto, si la concentración de impurezas en el semiconductor no es muy elevada, la
unión es rectificante con unas características especiales:

a) La tensión V
γ
es menor que una unión p-n
b) La corriente de saturación inversa es mayor que una unión p-n

Pero hay otra característica que hace estas uniones muy apreciables y con grandes
aplicaciones como posteriormente se verá en circuitos digitales. En estos diodos las
corrientes de conducción directa son gobernadas por los portadores mayoritarios. En la
conmutación de conducción directa a corte el tiempo de conmutación, el cual para los
diodos normales era fundamentalmente el tiempo de almacenamiento que provocaba el
exceso de concentración de portadores minoritarios, será para estos diodos despreciable.

Si en una unión metal-semiconductor se aumenta fuertemente el dopado en el
semiconductor, la anchura de la zona de deplexión disminuye fuertemente, hasta que
predomina en el proceso de conducción en la unión el efecto túnel. La resistencia en
esta unión será despreciable comparada con la del cuerpo del semiconductor.

































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PROBLEMAS


1. Analiza la forma de la señal Vab en cada uno de los seis circuitos:
a)
El circuito es un rectificador de media onda.

Cuando la señal alterna Vi está en el semiciclo
positivo el diodo D se polariza directamente y
deja pasar la corriente, la caída de potencial Vab
será la misma que Vi menos la caída de
potencial en el diodo que en el pico de
conducción es de aproximadamente 0,6V.

Cuando la señal alterna Vi
está en el semiciclo
negativo el diodo D se
polariza inversamente, no
deja pasar la corriente, y la
caída de potencial Vab será
cero ya que un diodo
polarizado inversamente la
corriente que lo atraviesa es
de intensidad despreciable.
En el dibujo anexo se puede
ver la señal Vi y Vab.

b)

El circuito de la figura es un rectificador de
doble onda.

En el semiciclo positivo de Vi la corriente
circula por:

Del generador Vi va al diodo de arriba a la
derecha, pasa por la resistencia R y vuelve al generador por el diodo de abajo a la
izquierda.

En el semiciclo negativo de Vi la corriente circula por:

Del generador va al diodo de abajo a la derecha, pasa por la resistencia R y vuelve al
generador por el diodo de arriba a la izquierda.

Tanto en el semiciclo positivo de Vi como en su semiciclo negativo la corriente que
pasa por la resistencia R tiene el mismo sentido: de arriba hacia abajo, por tanto la
diferencia de potencial Vab siempre será positiva e igual al valor en ese instante de Vi
menos la caída de tensión en dos diodos polarizados directamente, salvo cuando Vi sea
muy pequeño y no de para hacer conducir dos diodos conectados en serie.

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En la figura anexa se
muestran las señales
Vi y Vab del
rectificador de doble
onda.










c)
El circuito de esta figura es el mismo que el
caso a, pero al que le hemos añadido un
condensador en paralelo con la resistencia R.
Como veremos al final de la explicación el
circuito es un rectificador de media onda con
un filtro elemental: el condensador.

La resistencia R y el condensador C están en paralelo, ambos deben de estar en todo
momento a la misma diferencia de potencial Vab.

En el semiciclo positivo de Vi, según vimos en el caso a, el diodo D se polarizará
positivamente y deja pasar la corriente, la caída de potencial Vab será Vi menos la caída
de potencial en un diodo polarizado directamente. En este caso esto es cierto, mientras
la tensión Vi está aumentando y cargando el condensador C. Cuando en el semiciclo
positivo la tensión Vi disminuye, con la rapidez que lo hace la sinusoide, la tensión Vab
puede disminuir más lentamente y no seguir la caída de la sinusoide. La razón de esto
último reside en que para que Vab disminuya debe disminuir la diferencia de potencial
entre los extremos del
condensador. Para ello el
condensador se debe
descargar a través de R y
esta descarga es de forma
exponencial con constante
de tiempo RC. Si RC es de
valor elevado la descarga es
lenta y puede ocurrir lo que
vemos en la figura anexa: el
condensador no ha acabado
de descargarse cuando
empieza a recargarse de
nuevo por otro semiciclo
positivo del generador. El condensador hace de filtro.

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d)
El circuito de la figura es circuito recortador.

En el semiciclo positivo de Vi la corriente solo
puede circular por la malla formada por la
rama del generador Vi y la rama que tiene la
pila V2, siempre y cuando el valor de Vi sea
mayor o igual a V2, hasta ese valor no pasa corriente y Vab = Vi. Cuando pase
corriente, Vi>V2, la caída de potencial Vab será igual a V2 más la caída de potencial en
un diodo polarizado directamente.

En el semiciclo negativo de Vi la corriente solo puede circular por la malla formada por
la rama del generador Vi y la
rama que tiene la pila V1, pero
cuando el valor de Vi, en
módulo, sea mayor o igual a
V1, hasta ese valor no pasa
corriente y Vab = Vi. Cuando
pase corriente, |Vi| > V2, la
caída de potencial Vab será
igual a –V1 menos la caída de
potencial en un diodo
polarizado directamente. En la
gráfica anexa se muestran Vi y
Vab.

e)
El circuito es un desplazador de nivel.

En el primer ciclo positivo de Vi, suponemos que el
generador arranca a funcionar con el semiciclo
positivo, como el diodo no puede conducir, porque
se polarizará inversamente, y suponiendo que la
impedancia del condensador es mucho más pequeña que la resistencia, la diferencia de
potencial Vab será prácticamente igual a Vi.

En el primer semiciclo negativo se polariza directamente el diodo y conduce. La
diferencia de potencial Vab será del orden de -0,6V, pero el condensador se habrá
cargado a la tensión de pico del
generador menos la caída de
potencial en el diodo, la tensión
que adquiere el diodo tiene
polaridad + hacia el diodo.

Cuando la tensión del generador
empieza a disminuir, en este
semiciclo negativo, la diferencia
de potencial Vab aumentará hacia
positivo, ya que la tensión Vab es
la tensión a la que se ha cargado
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el condensador menos la que tiene en ese instante el generador, ya que es de polaridad
opuesta.

En el segundo semiciclo positivo, como el condensador ha quedado cargado a un poco
menos de la tensión de pico del generador, la tensión Vab será la tensión del generador
más la tensión a la que esté cargado el condensador. En la página previa se muestra en
un gráfico Vi y Vab.

f)
El circuito es un doblador de tensión.

Suponiendo que el generador arranca en el
instante inicial empezando un semiciclo
positivo, mientras Vi aumenta, de los dos diodos
solo conduce D2. Supuesto C1 ≅ C2 y que la
impedancia de C2 << R, la diferencia de potencial Vab será un poco menos que la mitad
de Vi, el poco menos será la mitad de la caída de potencial en el diodo que está
conduciendo, D2. Cuando en este primer semiciclo positivo Vi empieza a disminuir, D2
se corta y Vab no se modifica ya que C2 empieza una lenta descarga exponencial a
través de R, que si la constante de tiempo de la descarga (RC2) es grande no se va a
notar.

En el primer semiciclo negativo D2 sigue cortado pero D1 se polariza directamente
entrando en conducción y cargando el condensador C1 a la tensión de pico del
generador al llegar al valor máximo negativo Vi menos la caída de tensión en un diodo
polarizado directamente, con la polaridad + hacia D2. Cuando la amplitud negativa de
Vi empieza disminuir, en un principio no conducirá ningún diodo pero cuando la suma
de la tensión a la que ha quedado cargado C1 más el valor de Vi, son de signo opuesto,
sea mayor que la tensión a la que está cargado C2, éste último empezará a cargarse de
nuevo aumentado la tensión entre sus extremos (Vab). Este proceso continua durante el
segundo semiciclo positivo, mientras Vi aumentaba en valor positivo. Cuando Vi
empiece a disminuir su amplitud positiva D2 se corta nuevamente.

El proceso explicado sigue indefinidamente, aumentando la tens ión de carga de C2
hasta un máximo de dos veces la tensión de pico de Vi menos la caída de tensión en dos
diodos polarizados directamente.

En la figura anexa se puede
ver una simulación del
funcionamiento del circuito,
donde se visualizan la señal
del generador Vi la
diferencia de potencial Vab.







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2. El generador de tensión del circuito de la
figura anexa, produce una señal cuadrada de
amplitud Vi y periodo T, T>>RC. Analiza la
forma de la señal Vab.

Tomando como valor de la amplitud del generador
5V, la señal de éste bascula entre –5V y +5V.

Suponiendo que en el instante inicial el generador tiene el flanco de subida de 0V a +5V
y que el condensador está descargado, ese salto brusco de tensión atraviesa el
condensador C e inicialmente aparecen +5V en Vab. Esta diferencia de potencial hace
conducir la corriente a través de R y el diodo, y carga el condensador a la tensión del
generador: 5V. El proceso de carga del condensador es un transitorio exponencial y por
tanto a medida que se carga el condensador, polaridad positiva el borne del condensador
más próximo al generador, la diferencia de potencial Vab disminuye hacia cero. Como
la constante de tiempo RC, del proceso transitorio de carga del condensador, es mucho
menor que el tiempo en que el generador permanece a tensión constante de +5V, al
condensador le da tiempo a cargarse a casi 5V y la tensión Vab baja a ≅ 0,5V, el casi es
debido a que el diodo deja de conducir en forma apreciable cuando la polarización
directa baja de 0,5V. El condensador se carga a ≅ 4,5V
Cuando al cabo de 1 ms llega el flanco de bajada del generador de +5V a –5V, este
atraviesa el condensador y hace aparecer una diferencia de potencial de (0,5V – 10V) en
Vab. Esta diferencia de potencial polariza inversamente el diodo e impide que
conduzca, por tanto no pasa corriente: la carga de 4,5V en el condensador no cambia y
junto con los cinco voltios del generador hacen los –9,5V que hay en Vab. Esta
situación permanece mientras no cambie la tensión del generador. Al cabo de otro
milisegundo llega de nuevo el flanco positivo del generador, la tensión entre sus
extremos pasa de –5V a +5V. Este salto positivo de +10V atraviesa el condensador y
hace que la diferencia de potencial en Vab pase a 0,5V. A partir de este instante el
proceso pasa a ser repetitivo tal como muestra la figura.
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3. En el circuito de la figura suponer los diodos
ideales y la tensión del diodo zener 5 V. Si Vab
puede tomar cualquier valor positivo o negativo,
analizar el estado de conducción de cada diodo y la
tensión Vx. (Suponer los diodos ideales es que
cuando estén polarizados directamente la caída de
potencial entre sus extremos se supone
despreciable)

a) V
ab
≥ 20V: D en conducción directa y D
Z
polarizado en zona zener.

Cuando el diodo zener trabaja en la zona zener, la diferencia de potencial Vx debe ser
de 15V: los 5V de caída de tensión en el diodo zener más los 10V de la pila. Para que la
caída de tensión el zener sea de 5V, por la resistencia que tiene en paralelo deben de
pasar 5 mA, ya que resistencia y diodo zener deben estar a la misma diferencia de
potencial.

En esta situación la tensión Vab es positiva y lanza corriente hacia el zener polarizando
directamente el diodo D, caída de tensión en el diodo D 0V. La tensión Vab mínima que
consigue esta situación es cuando la corriente que lanza Vab es de 5 mA. Luego la
diferencia de potencial Vab será:

Vab = 5 mA 1k + Vz + 10V (pila) = 5V + 5V + 10V = 20V

Si aumentamos la diferencia de potencial Vab, lo que ocurrirá es que pasará más
corriente, más de 5 mA, y aumentará la caída de potencial en la primera resistencia,
pero no aumentará la caída de potencial en la resistencia que está en paralelo con el
diodo zener, pasando por ella sólo 5 mA, la corriente por encima de 5 mA pasa toda por
el diodo zener sin aumentar su diferencia de potencial.

b) 20V > V
ab
> 10V: D en conducción directa y D
Z
polarizado fuera de zona zener.

Si se disminuye el valor de Vab por debajo de 20V, pasarán menos de 5mA, la caída
potencial en la resistencia que tiene en paralelo el diodo zener bajará de 5V y por tanto
el diodo zener ya no estará polarizado en zona zener pero si inversamente, la corriente
que pasa por él será despreciable.

Mientras que Vab sea mayor que los 10V de la pila la corriente que manda Vab
polarizará directamente el diodo D. La corriente que pasa será:

k 1 k 1
V 10 V
I
ab
+

·

c) 10V > Vab: D en conducción inversa y D
Z
en conducción directa.

Si Vab baja de 10V la que manda corriente es la pila de 10V que polarizará
directamente al diodo zener e inversamente al diodo D. La corriente que pasa será:
k 1 k 2
V V 10
I
ab
+

·
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4. El diodo zener del circuito tiene de
parámetros característicos: Vz = 10V, Izmin = 2
mA Pmax = 350 mW., r
z
≈ 0. Determinar los
valores máximo y mínimo de Ro para los cuales
el diodo zener fija entre sus bornes la tensión de
10V, y que intensidad circula por Ro para cada
uno de dichos valores.

Como el diodo zener fija diez voltios entre sus extremos, la corriente que da la pila de
50V será:

I = (50V – 10V) / 1k = 40 mA

a) Valor máximo de Ro.

Cuanto mayor sea Ro menos corriente pasa por ella:

O
R
R
V 10
I
O
·

por tanto más corriente, de los 40 mA, pasa por el diodo zener. El máximo de la
corriente que puede pasar por el diodo zener se obtiene de su potencia máxima de
consumo:

mA 35
V 10
mW 350
V
P
I
Z
ZMAX
ZMAX
· · ·

Luego la corriente mínima que puede pasar por la resistencia R
O
será:

mA 5 35 40 I
MIN R
O
· − ·

y el valor máximo de la resistencia R
O
es:

Ω · · k 2
mA 5
V 10
R
OMAX

a) Valor mínimo de Ro.

Cuanto menor sea la resistencia R
O
más corriente pasa ella. El máximo se da cuando por
el zener pase la corriente mínima, 2 mA, luego por R
O
deben pasar:


I
Ro MAX
= 40 – 2 = 38 mA

Ω · · 264
mA 38
V 10
R
OMIN



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5. Calcula V
AB
para valores positivos y
negativos de I
O
, suponer los diodos ideales y
V
Z
= 4V y r
Z
= 0.


Aplicamos el teorema de Thevenin para transformar la fuente de corriente I
O
y la
resistencia que tiene en paralelo en una fuente de tensión V
O
con una resistencia en serie
r
O
:

V
O
= I
O
(mA) 1k = I
O
voltios

r
O
= ∞ || 1 k = 1 k


a) Para I
O
< 0 (mA)

La corriente circula solo por la malla que forman la rama de la pila de 6V y la rama del
zener, girando en el sentido contrario a las agujas del reloj. Por la rama de la pila de 8V,
el diodo D1 impide el paso de corriente.

Como el diodo zener estará polarizado directamente, caída de tensión en él nula, la
corriente que pasa será:

k 1 k 1
) I ( 6
I
O
+
− −
·

Luego:

V
ab
= 6V – I (mA) 1k

b) Para 6mA > I
O
> 0

La situación es la misma que en el caso anterior, pero la expresión de la corriente es:

k 1 k 1
I 6
I
O
+

·

pero la diferencia de potencial V
ab
sigue siendo:

V
ab
= 6V – I (mA) 1k

El diodo D1 está polarizado inversamente

c) Para 10mA>I
O
>6mA

La corriente no circula por ninguna rama, ya que el diodo zener estará polarizado
inversamente pero con una caída de tensión menor que la tensión zener.

V
ab
= 6V

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El diodo D1 está polarizado inversamente

c) Para 14mA>I
O
>10mA

El diodo zener ya está polarizado en zona zener, la corriente pasa por la malla del diodo
zener y la pila de 6V, con giro en el sentido de las agujas del reloj. La corriente será:

k 1 k 1
4 6 I
I
O
+
− −
·

La diferencia de potencial V
ab
es:

V
ab
= 6V + I (mA) 1k

d) Para I
O
>14mA

El diodo zener sigue polarizado en zona zener, pero también entra en conducción la
rama del diodo D1 bloqueando la diferencia de potencial V
ab
= 8V

6. El diodo zener del circuito anexo, tiene de
características: V
Z
= 10 V., I
ZMIN
= 1 mA. e I
ZMAX
=
80 mA. (r
Z
≈ 0). calcula:

a) Valor mínimo de R
S
para que el diodo zener
esté bien polarizado, cuando R
O
toma el valor
infinito.
b) Usando dicho valor de R
S
, cual es el valor mínimo de R
O
que hace que el
diodo zener siga bien polarizado.

a) Al disminuir la resistencia R
S
cada vez pasa más corriente por el diodo zener. El
límite estará en la resistencia R
S
que hace que por el diodo zener pase la corriente
máxima que soporta:

50V = I
ZMAX
R
S
+ 10V

Ω · · 500
mA 80
V 40
R
S


b) Cuanto más pequeña sea la resistencia R
O
, menos corriente pasa por el diodo zener.
El límite estará cuando por el zener pase la corriente mínima que lo polariza en la zona
zener, I
ZMIN
. La corriente que pasa por R
S
es :

mA 80
500
V 10 V 50
I
S
·


·

Luego por R
O
pasa una corriente 80mA – I
ZMIN
= 79mA, por tanto el valor de R
O
será:

Ω · · 127
mA 79
V 10
R
S

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7. El diodo zener es de características:

V
Z
= 10,1 V. para I
Z
= 25 mA.
I
ZMIN
= 0 mA., I
ZMAX
= 50 mA. y r
Z
= 4 Ω

Si R
O
= 400 Ω calcula:

a) Los valores máximos y mínimos de la tensión en el zener, cuando esté bien
polarizado, y que corrientes circulan en cada caso por R
O
.
b) Entre que valores se puede variar Vi, estando el zener bien polarizado.


a) Como: V
Z
= V
ZMIN
+ I
Z
r
Z


10,1V = V
ZMIN
+ 25mA 4 Ω V
ZMIN
= 10V
I
RoMIN
= 10V / 400Ω = 25mA

V
ZMAX
= V
ZMIN
+ r
Z
I
ZMAX
= 10V + 4Ω 50mA = 10,2V
I
RoMAX
= 10,2V / 400Ω = 25,5mA

b) Para V
ZMAX
:

V
i
= (I
ZMAX
+ I
RoMAX
) 50Ω + 10,2V = (50mA + 25,5mA) 50Ω + 10,2V = 13,98V

Para V
ZMIN
:

V
i
= (I
ZMIN
+ I
RoMIN
) 50Ω + 10V = (0mA + 25mA) 50Ω + 10V = 11,25V


8. En el circuito de la figura calcula:

a) La corriente que pasa por cada diodo para R =
1k.
b) Si aumentamos paulatinamente R cual de los dos
diodos dejará primero de estar polarizado en la
zona zener.
c) Si para R =1k se aumenta el valor de la tensión
de la pila, cual de los dos diodos se destruirá
antes.
( D1: V
Z
= 10V. r
Z
= 4 Ω I
ZMIN
= 1 mA. Pot
MAX
= 200 mW.)
( D1: V
Z
= 15V. r
Z
= 4 Ω I
ZMIN
= 1 mA. Pot
MAX
= 200 mW.)

a)

22,02V = (I
Z1
+ I
Z2
) 1kΩ + 15V + 4Ω I
Z2


10V + 4Ω I
Z1
+ 1kΩ I
Z1
= 15V + 4Ω I
Z2


Resolviendo el sistema de ecuaciones se obtiene:
ELECTRÓNICA LIC. EN FÍSICA
Tema 2 Curso 03-04

F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA
FACULTAT DE FÍSICA Universitat de València
30

I
Z1
= 5 mA I
Z2
= 2 mA

b) Sale de zona zener antes el diodo D2 ya que cuando por D1 pasa la corriente mínima,
I
Z1MIN
= 1mA, por el diodo D2 no pasa corriente ya que la diferencia de potencial en la
rama que contiene a D1 será:

10V + 4Ω I
Z1MIN
+ 1kΩ I
Z1MIN
= 11V < 15V

que es inferior a la tensión mínima para que D2 esté polarizado en zona zener.

c) La diferencia de potencial que hay entre los extremos de D2 cuando por el pasa la
máxima corriente.

I
Z2MAX
= 200 mW / 15V = 13,3 mA

V
D2MAX
= 15V + r
Z2
I
Z2MAX
= 15V + 4Ω 13,3mA = 15,07V

Como la rama que contiene al diodo D1 está en paralelo:

15,07V = V
Z1
+ r
Z1
I
Z1
+ 1kΩ I
Z1
I
Z1
= 5,05mA

El valor máximo de I
Z1
es:

I
Z1MAX
= Pot
MAX
/ V
Z1
= 200 mW / 10V = 20mA

Por tanto al aumentar la tensión de la batería el primer diodo zener que alcanza la
potencia máxima de consumo es el diodo D2.

9. Calcula y representa Vs si la
señal del generador de alterna
tiene una amplitud de 5V y el diodo
zener es de 4V de tensión zener y
resistencia zener despreciable.
Supón que cuando cualquiera de
los dos diodos está polarizado
directamente la caída de potencial
en él es despreciable.

a) Semiciclo positivo del generador

Solo puede conducir la rama del diodo D1 ya que cuando la tensión del generador pasa
por el máximo positivo, según comprobaremos, la diferencia de potencial en dicha rama
es de 3,5V que es menos que la tensión zener del diodo D
Z
y por lo tanto el diodo zener
estará en todo este semiciclo del generador, polarizado inversamente pero sin llegar a la
tensión zener, la corriente que pasa por él es despreciable.

Suponiendo que solo conduce la rama del diodo D1, la diferencia de potencial en dicha
rama cuando la señal del generador pasa por el máximo positivo es:

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Curso 03-04 Tema 2
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V 5 , 3 V 5 , 1 V 2 R
R R
V 2 V 5
V 2 IR V 2 · + ·
+

+ · +

La rama del diodo D1 conducirá cuando la señal del generador es ≥ 2V.

Por tanto en este semiciclo la señal V
S
, en función de la señal del generador, V
G
, hay
que distinguir dos zonas:

1) V
G
≤ 2V V
S
= V
G

2) V
G
> 2V V
S
= 2V + (V
G
– 2V) / 2

c) Semiciclo negativo del generador

Solo puede conducir la rama del diodo zener, por tanto:

V
S
= V
G
/ 2

En la gráfica adjunta se puede observar una simulación del circuito real para R = 1kΩ










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Tema 2 Curso 03-04

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32
10. Suponiendo que cuando un diodo está polarizado directamente tiene una
diferencia de potencial entre sus extremos de 0,5V, y que cuando está polarizado
inversamente la corriente que circula por él es despreciable.

Calcula las tres intensidades de
corriente: i, i1 e i2, cuando

a) Vo = 10V.
b) Vo = 2V.




a) Si Vo = 10V, el diodo D3 impide el paso de corriente por su rama, i2 = 0.

Luego se cumple que i = i1, y por tanto

mA 4
2
5 , 0 5 , 0 1 10
1 1
V V V V
1 i i
2 d 1 d 1 0
·
− − −
·
+
− − −
· ·

V
AB
= V
1
+ V
d1
+ i1 1k = 1 + 0,5 + 4 = 5,5 V

b) Si V
0
= 2 V

Vamos a demostrar por razonamiento al absurdo que i2 es distinto de cero. Para ello
suponemos inicialmente que i2 =0, entonces:


mA 0
2
5 , 0 5 , 0 1 2
1 1
V V V V
1 i i
2 d 1 d 1 0
·
− − −
·
+
− − −
· ·

Lo cual nos llevaría a que D1 y D2 estarían cortados.

Pero si la fuente de tensión V
o
no lanza corriente hacia la rama de D2, lo hará la fuente
de tensión V2, circulando una corriente por las ramas de D2 y D3 en el sentido de la
corriente i1:


mA 5 , 0
2
5 , 0 5 , 0 1 3
1 1
V V V V
2 i 1 i
3 d 2 d 1 2
·
− − −
·
+
− − −
· − ·


V
AB
= V
1
+ V
d2
+ i1 1k = 1 + 0,5 + 0,5 = 2 V


Como V
0
= 2 V y V
AB
= 2 V, esto implica que el diodo D1 está cortado.

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