Energía Solar Fotovoltaica – ESF

MODULO 3: CÉLULAS, PANELES Y GENERADORES F.V.
• Rafael Martín Lamaison Urioste • Dept. d’Enginyeria Electrònica-UPC

Célula, panel y generador F.V.
1.1. Principio fotovoltaico 1.2. Ley del diodo ideal. 1.3. Curva característica del diodo. 1.4. La célula F.V y su símbolo. 1.5. Ecuación característica de la célula F.V. 1.6. Modelo ideal de la célula F.V.. 1.7. Curva característica v x i de la célula F.V. 1.8. Eficiencia y limitaciones de la célula F.V.. 1.9. Factor de forma (FF) de la célula F.V. 1.10. Respuesta espectral de la celda F.V. 1.11. Factores que afectan el rendimiento de una célula F.V. 1.12. Circuito equivalente de la célula F.V. (real)

Célula, panel y generador F.V.
1.13. Fabricación de células solares 1.14. Tipos de células solares

1.15. El panel (módulo) solar 1.16. Curva característica del panel solar 1.17. Parámetros característicos del panel solar 1.18. El generador solar 1.19. Efecto de factores ambientales sobre las características del panel/generador solar 1.20. Punto de trabajo de un panel/generador fotovoltaico 1.21. Diodos de protección: by-pass, bloqueo y antirretorno 1.22. Factor de degradación (δ) de los paneles solares. δ 1.23 Temperatura de trabajo y potencia de un panel F.V. 1.24. Situación de la Energía Solar Fotovoltaica (2004)

Principio fotovoltaico Principio de funcionamiento de la celda solar Las células solares están constituidas por materiales semiconductores. y son elementos que transforman directamente parte de la energía solar que reciben en energía eléctrica. son arrancados por la energía de los fotones de la radiación solar que inciden sobre ella. Este fenómeno se denomina efecto fotovoltaico. Los electrones de valencia del material semiconductor de la célula. . principalmente silicio.1.1. que están ligados débilmente al núcleo de sus átomos.

• Los electrones y huecos generados a una distancia inferior a Lp o Ln (longitud de difusión del hueco y electrón) de la zona de vaciamiento. llegan a ella por difusión. • En la zona de vaciamiento. Supondremos que se genera una pareja por fotón.1.1. cada miembro de la pareja es separado por el campo eléctrico presente: los huecos se dirigen a la región P y los electrones a la región N. tanto en la región P de la unión como en la región N. . Principio fotovoltaico Principio de funcionamiento de la celda solar El proceso del principio físico de la celda solar se puede resumir en los siguientes pasos: • Los fotones incidentes son absorbidos y se generan pares electrón-hueco.

1. Principio fotovoltaico Separación de portadores por el campo de la unión P-N P- Zona de vaciamiento Azul Rojo Infrarrojo + → N E P - + - + .1.

la acumulación de cargas de signos diferentes en los 2 costados de la unión genera una tensión de circuito abierto Voc Voc N P + .1. Principio fotovoltaico Celda en circuito abierto • Si la celda está en circuito abierto.1.

1. N P Isc . Observar que el sentido de la corriente es el mismo que el de la corriente inversa de saturación.1. Principio fotovoltaico Celda en corto circuito • Si la celda está cortocircuitada se genera una corriente de corto circuito Isc.

N P R + I .1.1. la corriente fotovoltaica generada (I) sale de la célula hacia el circuito exterior por la región “P”. si mediante una carga exterior (R) se cierra el circuito. Principio fotovoltaico Intensidad de corriente de la celda Por tanto. atraviesa la carga y entra de nuevo a la célula por la región “N”.

q: carga de electrón (1. que se puede expresar por: Is :corriente de saturación de oscuridad  I = I S e  qV kT  − 1  V: tensión aplicada.1.6 x 10-19 C) K: constante de Boltzmam: K= 1.38 10-23 J/K x T: temperatura absoluta. kT/q: potencial térmico VT (para el silicio a 25ºC es igual a 25. Ley del diodo ideal Si se aplica una tensión directa a la unión p-n.7 mv) . Es entonces cuando se produce una corriente. El flujo de corriente aumenta con la tensión externa aplicada.2. este fenómeno es conocido como la ley del diodo ideal. el campo eléctrico se reduce y no se puede parar el flujo de electrones y huecos.

3.1.7 V Símbolo V A (+) K (-) VD V I . Curva característica del diodo Si graficamos la expresión del diodo se obtiene la curva característica I x V que sigue: I VD ≅ 0.

4. La célula F. es decir. internamente circula del semiconductor tipo N al tipo P (contrario al sentido de un diodo).1. circula una corriente I. se puede observar que en la célula la corriente circula de cátodo a ánodo. diseñada para maximizar la absorción de fotones y minimizar la reflexión. y su símbolo La célula solar se puede ver como un diodo. En este caso.V. I + V R Símbolo de la celda o de un panel solar + I - . en general de silicio. Cuando se conecta una célula solar a una resistencia de carga y se ilumina.

T − 1 − I L     Dónde IL es la corriente fotogenerada (generada por el efecto fotovoltaico) I V IL La incidencia de la luz tiene el efecto de mover la curva I-V hacia abajo.V. La iluminación de una célula añade una corriente (fotogenerada) a la curva característica I—V de modo que su ecuación característica se puede expresar por:  mVV  I = I S e . Ecuación característica de la célula F. en el 4º cuadrante. .1.5.

La siguiente figura muestra el modelo ideal de una célula fotovoltaica cuando se conecta a una resistencia de carga: I + IL V R .6. Modelo ideal de la célula F.1.V. El modelo o circuito equivalente ideal de una célula fotovoltaica se representa por una fuente de corriente en paralelo con un diodo.

. Curva característica I-V de la célula F. se puede decir que una célula fotovoltaica de silicio monocristalino genera un voltaje de circuito abierto (Voc) entorno a los 0. IPor tanto.7 V y una corriente de corto circuito (Isc) que depende del área de la célula (aproximadamente 3 A para un área de 100 cm2).V.7. la curva I-V característica quedaría: IL≡ Isc I IL ⇒ corriente fotogenerada Pm Voc V Para tener una idea del orden de magnitud.1.

.V.8.1. η= Vmp I mp PL PL: potencia luminosa recibida por la celda. Se define el rendimiento o eficiencia (η) de una célula solar como el cociente entre la potencia máxima que puede dar a la carga y la potencia luminosa recibida por la célula. Eficiencia y limitaciones de la célula F.

1. FF = Vmp Imp Voc I sc . Otra relación importante es el factor de forma o de relleno. la célula es de mayor calidad. FF. Factor de forma de la célula F. por tanto. Cuanto mayor es este factor. Voc): Es una medida de la calidad de la unión y de la resistencia serie de la célula.V. la característica I-V con iluminación se aproxima más al rectángulo de máxima potencia teórica y. cuanto más próximo a 1. Este factor se define como el cociente entre la potencia máxima que la célula solar puede dar a la carga y la potencia teórica máxima definida por el punto (Isc.9.

s) y c es la velocidad de la onda. h es la constante de Planck (h = 6. Respuesta espectral de la célula solar Se refiere a cuanta energía es capaz de suministrar cada longitud de onda (λ) o color de la luz incidente. .1.10.626 . 10 –34 J . Eficiencia cuántica: se define como el número de electrones que se mueven de la banda de valencia a la de conducción por fotón incidente. Se puede calcular como: SR (λ ) = q ⋅ flujo _ electrónico h⋅c λ ⋅ flujo _ fotones q⋅λ = ⋅ eficiencia _ cuántica h⋅c Donde q es la carga del electrón.

es una medida de la respuesta (medida en forma de corriente generada) de un dispositivo fotovoltaico expuesto a la luz solar. Respuesta espectral de la célula solar La fuerte dependencia de la respuesta espectral con la longitud de onda hace que el rendimiento de la célula dependa fuertemente del contenido espectral de la radiación incidente. Las células fotovoltaicas “ven” la luz solar de diferentes modos.1. esto es. es tanto mejor cuanto mejor respuesta espectral posee. Un dispositivo F. .V.V. el que mejor adapte su curva de respuesta espectral al espectro de la radiación solar. dependiendo de los materiales de los que estén formadas. La respuesta espectral de una célula F.10.

• Pérdidas por recombinación: el proceso de recombinación depende de los defectos de la estructura cristalina del semiconductor. una parte de los fotones incidentes no tienen energía. éstas pérdidas serán menores (+ o – un 15%) . En la radiación solar.11.1. Está relacionado con la SR de la celda. por lo que se pierden. Estos son: • Energía de los fotones incidentes: para generar los pares e--h+ es necesario que los fotones que llegan a la célula tengan una determinada energía. cuanto más puro sea (silicio monocristalino). Un 50% de la energía incidente se pierde por éste motivo. Factores que afectan el rendimiento de una célula fotovoltaica El rendimiento de una célula viene limitado por distintos factores intrínsecos y de diseño. y otros tienen una energía mayor. por lo que se pierde ese exceso.

1. . hace que parte de su superficie de captación se vea tapada por esa rejilla de contactos eléctricos. Las pérdidas por éste concepto pueden evaluarse. en un 8%. Factores que afectan el rendimiento de una célula fotovoltaica • Pérdidas por reflexión parcial: Parte de la luz que incide sobre la célula es reflejada por la superficie de esta. como media. ya que dependen del diseño. en definitiva restan iluminación. por lo que se pierde (se perdería un 30%). que no son transparentes y. Para evitar esta pérdida en la fabricación de las células se emplean capas antirreflectantes y superficies rugosas (con éstas capas las pérdidas quedan en aproximadamente 10%) • Pérdidas por los contactos eléctricos: El hecho de dotar a la célula solar de unos contactos que canalicen los electrones liberados hacia el circuito exterior.11.

11. Representan sobre el conjunto un 2% . La suma de todas estas pérdidas disminuye el rendimiento de la célula. produciendo un calentamiento.3%. lo que explica las diferencias que existen entre los rendimientos obtenidos en laboratorios y los de las células comerciales que resultan de los procesos industriales de fabricación .1. Factores que afectan el rendimiento de una célula fotovoltaica • Pérdidas por resistencia serie: Son debidas al efecto Joule que se produce al circular la corriente eléctrica a través del silicio.

1.12. Circuito equivalente de la célula F.V. (real)
• La célula con iluminación se comporta como un generador de corriente (corriente fotovoltaica), con un diodo en paralelo para detraer la corriente de oscuridad y dos resistencias que representan las pérdidas intrínsecas al diseño y al comportamiento de los materiales de la célula. La resistencia paralelo (Rp) es debida a la no idealidad de la unión PN y a las impurezas cerca de la unión
+I  VmV.rs  V + I .r s I = I L − I S e T − 1 − rp    

I +

IL

ID Rp

Rs VG

-

1.13. Fabricación de células Solares

1400° C

Reducción con carbono Destilaciones de compuestos clorados de Si Contactos eléctricos Método Czochralsky o técnicas de colado longitud 1 metro diámetro Creación de la 20-200 mm unión p-n 800 –100° C Decapado: eliminar polvo y virutas Texturizado: para darle más absorción Espesor: 0,32 mm (2003) 0,18 mm (2007) Objetivo; 0,15 mm (2010)

1.13. Fabricación de células Solares
Sílice (SiO2) Silicio grado metalúrgico Pureza del 98% Silicio grado semiconductor Pureza del 99,9999% Crecimiento del monocristal (Método Czochralsky) Corte de las obleas Tratamiento químico de las obleas Formación de la unión PN Capa antirreflectante Incorporación de los contactos Pruebas finales

.13. que no resulta suficiente para usos electrónicos y que se suele denominar silicio de grado metalúrgico. muy abundantes en la naturaleza) y mediante el proceso de reducción con carbono. Fabricación de células Solares De forma muy resumida. se obtiene silicio con una pureza aproximada del 99%. el proceso de fabricación de una célula mono o policristalina se puede dividir en las siguientes fases: PRIMERA FASE: OBTENCIÓN DEL SILICIO A partir de las rocas ricas en cuarzo (rocas formadas principalmente por SiO2.1.

13. normalmente destilaciones de compuestos clorados de silicio. El material así obtenido suele ser llamado silicio grado semiconductor y aunque tiene un grado de pureza superior al requerido en muchos casos por las células solares.2 partes por millón. . representando en la actualidad casi las tres cuartas partes del abastecimiento de las industrias de fabricación de células.1. Fabricación de células Solares La industria de semiconductores purifica este silicio por procedimientos químicos. hasta que la concentración de impurezas es inferior a 0. ha constituido la base del abastecimiento de materia prima para aplicaciones solares.

son suficientes (dependiendo del tipo de impureza y de la técnica de cristalización). concentraciones de impurezas del orden de una parte por millón. Fabricación de células Solares Sin embargo. Al material de esta concentración se le suele denominar silicio grado solar.13.1. Existen actualmente tres posibles procedimientos en distintas fases de experimentación para la obtención del silicio grado solar. para usos específicamente solares. que proporcionan un producto casi tan eficaz como el del grado semiconductor a un coste sensiblemente menor. .

Fabricación de células Solares SEGUNDA FASE: CRISTALIZACIÓN Una vez fundido el silicio.1. El procedimiento más utilizado en la actualidad es el convencional por el método Czochralsky. este se va solidificando de forma cristalina.13. se inicia la cristalización a partir de una semilla. . si el tiempo es suficiente. El silicio cristalino así obtenido tiene forma de lingotes. También se plantean otros métodos capaces de producir directamente el silicio en láminas a partir de técnicas basadas en la epitaxia. en crecimiento sobre soporte o cristalización a partir de Si mediante matrices. pudiéndose emplear también técnicas de colado. en un monocristal. resultando. Según dicha semilla es extraída del silicio fundido.

El espesor de las obleas suele ser del orden de 2-4 mm.1. ya que supone una importante perdida de material (que puede alcanzar el 50%). Fabricación de células Solares La diferencia principal en la obtención de estructuras monocristalinas (con un único frente de cristalización) y policristalinas (con varios frentes de cristalización. TERCERA FASE: OBTENCIÓN DE OBLEAS El proceso de corte tiene gran importancia en la producción de las láminas obleas a partir del lingote. aunque con unas direcciones predominantes) radica en el grado de pureza del silicio durante el crecimiento / recristalización. .13.

virutas). además de retirar de la misma los restos que puedan llevar (polvo. . es necesario mejorar su superficie. mediante el proceso denominado decapado. Con la oblea limpia.1.13. se procede al texturizado de la misma (siempre para células monocristalinas. ya que las células policristalinas no admiten este tipo de procesos). Fabricación de células Solares CUARTA FASE: FABRICACIÓN DEL MODULO Una vez obtenida la oblea. aprovechando las propiedades cristalinas del silicio para obtener una superficie que absorba con más eficiencia la radiación solar incidente. que presenta irregularidades y defectos debidos al corte.

en forma de rejilla en la cara iluminada por el sol.13. empleando más recientemente la tecnología láser para obtener contactos de mejor calidad y rendimiento. La formación de los contactos en la cara iluminada se realiza mediante técnicas serigráficas. y continuo en la cara posterior. Fabricación de células Solares Posteriormente se procede a la formación de una unión PN mediante deposición de distintos materiales (compuestos de fósforo para las partes N y compuestos de boro para las partes P. y su integración en la estructura del silicio cristalino. El siguiente paso es la formación de los contactos metálicos de la célula . . aunque normalmente.1. las obleas ya están dopadas con boro).

13.1. Fabricación de células Solares Fabrica alemana de lingotes monocristalinos .

1. en la que los enlaces irregulares de las fronteras cristalinas disminuyen el rendimiento de la célula. Tipos de Células Solares Células de Silício • Silicio Monocristalino: presenta una estructura completamente ordenada. pero de fabricación onerosa. al limitar la fotocorriente. Es fácilmente reconocible por su monocromia azulada oscura y metálica • Silicio Policristalino: presenta una estructura ordenada por regiones separadas. Su aspecto es una composición de diferentes cristales azulados y grises metálicos . cuyo comportamiento uniforme lo convierte en óptimo semiconductor.14.

Con respecto a las células cristalinas tienen un proceso de fabricación más simple y por tanto un coste muy inferior. se muestran muy eficientes bajo iluminación artificial (principalmente bajo lámparas fluorescentes) con eficiencia – en este caso – superior a la del silicio cristalino. Por presentar una respuesta espectral tirando más para el azul. con lo cual contiene un gran número de defectos estructurales y de enlaces.14. Tipos de Células Solares • Silicio Amorfo: difiere de las demás estructuras cristalinas por presentar un alto grado de desorden en la estructura de los átomos. .1.

Tipos de Células Solares .14.1.

1. solventada mediante la adición de una capa de ZnTe entre el CdTe y el contacto. . Tipos de Células Solares Otros tipos de células • Teluro de Cadmio (CdTe): es otro material policristalino de lámina delgada importante. que trabaja mejor a altas temperaturas.44 eV también posee un elevado coeficiente de absorción. Tiene la ventaja sobre el silicio. • Arseniuro de Galio: es un componente semiconductor mezcla de dos elementos. Uno de sus problemas es su elevada resistividad eléctrica. Con un gap de 1. hecho de gran importancia para células que trabajan en sistemas concentradores de radiación.14.

El panel (módulo) solar • Generalmente un panel solar está constituido por la asociación eléctrica de células solares en serie (entre 30 y 36 células).IP 1 8 2 7 10 15 11 6 14 12 5 13 20 21 19 9 16 18 17 25 32 26 23 27 22 28 29 30 31 24 IP 3 4 IP .15. VP IP + .1.

El panel (módulo) solar Características constructivas del panel solar .1.15.

15. El panel (módulo) solar Características constructivas del panel solar .1.

1. El panel (módulo) solar Características constructivas del panel solar .15.

5 25.2 37.0 29.4 4.8 2.9 71.1 .4 36.7 7.15.1.9 100 28.2 14. El panel (módulo) solar Composición de coste de fabricación Item Silicio puro Fabricación discos Subtotal discos Material para contactos Fabricación células Subtotal células Vidrio Láminas Otros Fabricación panel Subtotal panel Total Total materiales Total fabricación Coste $/Wp 24 62 86 16 67 83 10 11 5 33 59 228 66 162 % 10.4 4.5 27.

V: tensión del panel. IL: corriente fotogenerada.1. IS: corriente inversa de saturación. q: carga del electrón.16. P Pmax Vm Voc V . k: constante de Boltzman. Curva característica del panel solar Ecuación característica Curva característica (I-V y P-V)  qV  I = I L − I S e kT − 1   • • • • • • • I ISc Im Pmp I: corriente del panel. T: temperatura del semiconductor.

Curva característica del panel solar I Corriente de corto circuito P-V I-V ISC Imp Punto de máxima potencia P Pmax Tensión de circuito abierto Vmp VOC V .16.1.

V I (A) 6 I (A) 6 + 6 I (A) - 4 2 + 4 4 V 2 2 V 0.6 1.8 V 0.16.2 1.2 1.1. Curva característica del panel solar Influencia de la conexión de las células solares en serie o en paralelo sobre la curva I .8 + 0.6 1.2 .6 1.

1. Parámetros característicos del panel solar • Corriente de cortocircuito ⇒ I SC = I (V = 0) = I L  IL  kT = V ( I = 0) = Ln 1 +  q  IO  • Tensión de circuito abierto ⇒ VOC • Punto de máxima potencia ⇒ • Factor de forma ⇒ Pm = V mp ⋅ I mp I mp ⋅Vmp I SC ⋅VOC <1 dPm =0 dVmp FF = • Rendimiento de la conversión ⇒ η = I mp ⋅Vmp PL FF ⋅ I CC ⋅VOC = PL .17.

1.18. corriente de cortocircuito del generador. corriente del generador. IG + 1 2 2 Np VG • • • • • • • NS: NP: VG: IG: RsG: ISCG: nº de paneles en serie. El generador solar • El generador solar está constituido por la asociación eléctrica de paneles solares en serie y/o en paralelo. resistencia serie del generador. VOCG: tensión de circuito abierto del Ecuación característica: Ns q (VG −VOCG + I G ⋅ RsG )   N S ⋅m ⋅k ⋅T I G = I SCG 1 − e      . generador. nº de paneles en paralelo. tensión del generador.

1. El generador solar Generador del Forum (444 kWp – 2668 paneles de Si monocristalino) monocristalino) .18.

V . • La tensión de circuito abierto disminuye al aumentar la irradiación.1. • La potencia máxima aumenta al aumentar irradiación aumenta.19. Efecto de factores ambientales sobre las características del dispositivo IRRADIACIÓN SOLAR I P 800 W/m2 500 W/m2 200 W/m2 V • La corriente de cortocircuito aumenta al aumentar la irradiación.

• La potencia máxima disminuye al aumentar la temperatura V .1. Efecto de factores ambientales sobre las características del dispositivo TEMPERATURA I P 30 ºC 15 ºC 0 ºC V • La corriente de cortocircuito no depende de la temperatura.19. • La tensión de circuito abierto disminuye al aumentar la temperatura.

20.1.V Interacción con una carga resistiva: I (Amp) R Baja R que implica funcionamiento a potencia máxima R Alta V (Volts) El punto de operación del módulo será el de la intersección de su curva característica con una recta que representa gráficamente la expresión I = V/R . siendo R la resistencia de carga a conectar. Punto de trabajo de un panel/generador F. .

V Interacción con una batería: I (Amp) 3 2 1 Una batería tiene una tensión que depende de su estado de carga. etc.V .20. Punto de trabajo de un panel/generador F. temperatura. régimen de carga y descarga. incluyendo el módulo F.1. V (Volts) 12 14 20 Rango de tensión de la batería La batería impone su tensión a todos los elementos que están conectados a ella. antigüedad.

20.P Un motor de corriente continua tiene también una curva I-V.P al mediodía.M. Punto de trabajo de un panel/generador F.M. La intersección de ella con la curva I-V del módulo determina el punto de operación.M.V Interacción con un motor de corriente continua: I (Amp) 3 2 1 P. En otros momentos del día se produce un desacoplo del punto de trabajo respecto del P.1.P y el motor funciona a una potencia menor de la máxima . V (Volts) 4 8 12 16 20 Normalmente se diseñan para operar cerca del P.

M. 9:00 Hs. tanto que el PUNTO DE TRABAJO se adapte lo mejor posible a las variaciones del punto de máxima potencia aprovechando el máximo de energía potencialmente generada.V.1.20. Es posible la utilización de un seguidor del P. Punto de trabajo de un panel/generador F.V I (Amp) 3 2 1 Mediodía 16:00 Hs. V (Volts) 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Con los 3 ejemplos se puede ver la importancia de un buen diseño del sistema para aumentar el rendimiento de operación. .P conectado entre el motor y en módulo F.

21. bloqueo (previene el flujo de corriente de otras series en paralelo) .1. Diodos de protección: by-pass. antirretorno y by-pass.

bloqueo Se “bypasean” 24 células (2/3 módulo) Se anulan 18 células en caso de sombreado (1/2 módulo) .1. Diodos de protección: by-pass.21. antirretorno y by-pass.

V VG - . antirretorno y by-pass.1.21. IG + Módulo F. bloqueo • Algunos módulos incluyen también diodos de bloqueo para evitar que la corriente fluya a través de ellos en sentido contrario al de generación y también previenen que la batería se descargue a través de ellos durante la noche. Diodos de protección: by-pass. Esto no supone problemas para el módulo pero se traduce en una pérdida de energía de la batería.

El diseño de un sistema FV debe tener en cuenta esta degradación del panel. dada la pobre resolución de las curvas publicadas por los fabricantes. a fin de asegurar que los requerimientos eléctricos del sistema puedan ser satisfechos durante los días más calurosos del verano. la temperatura de trabajo excede los 25ºC. Cuando ello ocurre. debido a la disipación de calor dentro de las celdas del panel. Por ello es mucho más conveniente usar factores de degradación dados en forma porcentual con relación a la potencia pico. Factor de degradación (δ) (δ • Para la mayoría de los paneles F.Vs. • La degradación puede ser calculada usando los valores dados por las curvas I-V a alta temperatura. . la potencia de salida nunca alcanza el valor pico especificado por el fabricante. pero este proceso es tedioso e impreciso.1. salvo en climas muy fríos. cuando la temperatura de trabajo aumenta el valor de la potencia de salida disminuye. En la práctica.22.

22. a temperaturas de trabajo no inferiores a los 50 ºC. Se han evaluado 9 paneles con 3 tipos diferentes de células: – Cristalina – Policristalina – Amorfa . La última evaluación es la más importante por dos motivos: 1.1. usando paneles con celdas de diferentes tipos. Fue llevado a cabo después de un largo tiempo de uso de los paneles puestos a prueba 2. La temperatura de trabajo es la de verano. Factor de degradación (δ) (δ Ensayo (evaluación) sobre la potencia de salida El personal técnico de la revista “HOME POWER” ha llevado a cabo una serie de evaluaciones.

7 y 0.05 %. su δ es de 0.066 % (más salida de poder que la nominal) . independientemente del tipo de celda. 3. con celdas cristalinas.22. del tipo amorfo ha presentado un δ de 0. ofrecen un δ que oscila entre 0.32 %. 2. El Siemens M52L.1. exhibe un δ de 0. El Unisolar UPM880. Factor de degradación (δ) (δ Ensayo (evaluación) sobre la potencia de salida RESULTADOS: Los resultados muestran que la mayoría de los paneles. también con células cristalinas.86 % Sin embargo es interesante destacar que 3 paneles no siguen esta regla: 1. El ARCO trilaminar Modelo M52L.

Factor de degradación (δ) (δ Ensayo (evaluación) sobre la potencia de salida La temperatura de trabajo de todos los paneles osciló entre 50 ºC y 55 ºC. se puede asumir un coeficiente de degradación para la potencia de salida del 0.1. En caso de no conocer esa información.6 % / ºC. La mayoría de los paneles tenían 5 años de uso. ºC. La potencia nominal (Vpm . y ninguno menos que un año. Ipm) oscila entre 22 y 105 W. si se desconoce el δ del panel se puede intentar obtener esa información del fabricante. .22. Para realizar cálculos.

cm2/mW dependiendo de la velocidad promedio del viento. Cuando ésta es muy baja. Si la velocidad del viento produce un enfriamiento efectivo del panel. el valor de K será el mínimo (0. R • • • • Tt: Ta R: K: Temperatura de trabajo Máxima temperatura ambiente radiación solar en mW/cm2 (varía entre 80 y 100 mW/cm2).23.2).4). o inexistente.1.V obedece una relación lineal dada por la expresión: Tt = Ta + K .2 y 0. K.4 ºC. Temperatura de trabajo y potencia de salida que alcanza un panel F.R: Representa el incremento de temperatura que sufre el panel sobre la máxima temperatura ambiente .V CÁLCULO APROXIMADO La temperatura de trabajo (Tt) que alcanza un panel F. coeficiente que varía entre 0. el enfriamiento del panel es pobre o nulo y K toma valores cercanos o iguales al máximo (0.

∆ T ) • Pt: Potencia de salida a la temperatura de trabajo. Temperatura de trabajo y potencia de salida que alcanza un panel F.δ .V Para calcular la Potencia de salida a la temperatura de trabajo (Pt) que alcanza un panel F.V el primer paso es calcular la temperatura de trabajo y luego se determina el incremento en la temperatura respecto a la de prueba (25 ºC). La expresión aproximada para el cálculo es: Pt = P p − ( P p . • Pp: Potencia pico del panel (25 ºC).6 % / ºC) • ∆t: Incremento de temperatura sobre los 25 ºC (Tt – 25ºC) .23.1. • δ : Coeficiente de degradación (0.

80 ) = 30 + 24 = 54 º C (∆t = 54 –25 = 29 ºC) La potencia de salida a la temperatura de trabajo Tt será: Pt = 60 − ( 60 . 44 = 49 .V EJEMPLO: Condiciones: • Máxima temperatura de verano: Ta= 30 ºC • Baja velocidad promedio del viento durante esa estación: K = 0. Remplazando estos valores en la expresión tendremos: Tt = 30 + ( 03 .29 ) = 60 − 10 .3 • Radiación solar: R = 80 mW/cm2 • Potencia pico del panel: Pp = 60 W. Temperatura de trabajo y potencia de salida que alcanza un panel F.0.23.56 W .1.006 .

24. Situación de la Energía Solar Fotovoltaica 2004 .1.

27% Zona.UU.1. 11% Japón. 3% Otros. India.MWp.Fabricación mundial de células FV. 54.256 MWp Australia.UU China India Australia Otros Europa. 51. 4% EE. 594.5.1. 4% 3% China. 48% Japón Europa EE. % Fuente: Photon .8. 141.3.9. 36. en el 2004 Total: 1. 344. 33.1.

U U O tr os Au s Ta iw an Eu ro pa Ja pó n Ch in a tra lia In di a .3 EE .4 35.Fabricación mundial de células FV.1 170.6 33.536.4 173.2 715.1 MWp 383.5 MWp Fabricación mundial de células en 2006 1000 900 800 700 600 500 400 300 200 100 0 922.4 103. en el 2004 Total: 2.

5 40 11 4. en el 2004 Total: 715 MWp MWp en Europa.Fabricación mundial de células FV. 2006 600 507.5 18 4.1 Es pa ña Fr an ci a No ru eg a Al em Bé lg ic a Su iz a Ru si a O tr os an ia Ita lia .6 500 400 MWp 300 200 100 0 73.2 33.1 23.

10. 1% Otros. 201.MWp. 3. en el 2004 Total: 344 MWp Italia. Suiza y Dinamarca País. 81. 9% Bélgica. 58% Alemania España Francia Suecia Italia Bélgica Rusia Otros Otros: R. 4. Checa. 8. 7.Fabricación europea de células FV. 2% Suecia. Croacia. 3% Francia. % Fuente: Photon . Rusia. 2% 1% España. 24% Alemania. 30.

en el 2004 Total: 81 MWp Atersa. 65% Fuente: Photon .Fabricación española de células FV. % Isofotón. 53.MWp. 5% BP Solar. 24. 4. 30% Isofotón BP Solar Atersa Empresa.

0 % 0.0 % 4.5 % 1. la producción industrial. (En España.5 % 3.0 % Total en España en el año 2004 > 80 MWp Silicio cristalino: 100 % En España.Fabricación de células FV en el 2004 Resumen Total Mundial en el año 2004 > 1. se produce aprox.200 MWp Silicio cristalino: Silicio amorfo: Teluro de Cadmio: Cobre Selenio Indio: Otras tecnologías: 91. en términos generales … … es de un orden de magnitud del 1 % mundial) Fuente: Photon . el 7 % de la producción mundial.

Desarrollo del mercado fotovoltaico español Desarrollo del mercado fotovoltaico español (1990-2004) 12 40 35 10 Potencia anual instalada MWp 30 8 25 6 20 15 4 10 2 5 0 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 Potencia anual conectada a red Potencia anual aislada de red 0 Potencia total instalada Fuente: Datos oficiales del IDAE Potencia total instalada MWp .

8% otros Si amorfo 2.0% Si policristalino 61.0% 7.8% . año 2003 Si microcristalino 1.Producción mundial de células FV por tipo.4% Si monocristalino 27.

Producción de células en 2003 (por empresas) Fuente : Photon International 04/2004 .

Plan y capacidad de producción para 2004 de las 15 empresas más importantes .

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