Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar

Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH 1. Tujuan
• Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor sebagai penguat • Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja Bipolar Junction Transistor ketika beroperasi sebagai saklar. • Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja MOS Field-Effect Transistor baik tipe n-MOS maupun CMOS ketika beroperasi sebagai saklar.

2. Alat-Alat
1. 2. 3. 4. Kit praktikum DC Power Supply Multimeter Kabel-kabel

3. Dasar Teori
Sebuah switch ideal harus mempunyai karakteristik pada keadaan “off” ia tidak dapat dilalui arus sama sekali dan pada keadaan “on” ia tidak mempunyai tegangan drop Bipolar Junction Transistor (BJT) Komponen transistor dapat berfungsi sebagai switch, walaupun bukan sebagai switch ideal. Untuk dapat berfungsi sebagai switch, maka titik kerja transistor harus dapat berpindahpindah dari daerah saturasi (switch dalam keadaan “on”) ke daerah cut-off (switch dalam keadaan “off”). Untuk jelasnya lihat gambar 4.1

Gambar 4.1 Kurva daerah kerja Transistor

Dalam percobaan di bawah ini perpindahan titik kerja dilakukan dengan mengubah-ubah prategangan (bias) dari emitter-base.
Petunjuk Praktikum EL 2008

MOSFET juga dapat berfungsi sebagai switch. akan dihasilkan devais CMOS (Complementary MOS) yang rangkaian gabungan dan daerah kerjanya dapat dilihat pada gambar 4. Daerah kerja dari n-MOS dapat dilihat pada gambar 4.3. Dan untuk devais CMOS ini. Petunjuk Praktikum EL 2008 . kita harus mengubah-ubah daerah kerjanya antara cut-off dan saturasi. n-MOS berlaku sebagai switch dengan membuatnya bekerja di sekitar daerah saturasinya.2 Rangkaian dan daerah kerja n-MOS Dan jika n-MOS dan p-MOS digabungkan. p-MOS bekerja dengan memberikan tegangan negatif di gate.2. Ada dua tipe MOSFET menurut tegangan kerjanya yaitu n-Channel MOSFET (n-MOS) dan p-Channel MOSFET (p-MOS). Gambar 4. dan sebaliknya.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) Selain BJT. untuk membuatnya bekerja sebagai switch. Dimana n-MOS bekerja dengan memberikan tegangan positif pada gate. sifat switch dari MOSFET juga lebih unggul karena membutuhkan arus yang sangat kecil untuk operasinya. Dibandingkan dengan BJT.

Vb maksimum yang menyebabkan Cut-Off. Oxford University Press.85V. VoL. Tepat pada saat lampu menyala.65 pada buku Microelectronic Circuits*) dengan Vcc diubah menjadi 6V. Ulangi langkah 2-4 dengan beberapa Vcc lain (11. dan jelaskan : a. Catat harga Vce awal 3. 2004” 4.12 pada buku Microelectronic Circuits*) dengan Vt diubah menjadi 0.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB Gambar 4.4 diatas. 6.4 Rangkaian transistor BJT sebagai switch 1. Posisikan Rvar pada nilai minimum (Vb=0). 3. dll) 7. Petunjuk Praktikum EL 2008 . 2.3 Rangkaian dan daerah kerja CMOS Tugas Pendahuluan 1. VBE dan VCE yang menyebabkan lampu padam. Naikan tegangan di Base (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat lampu menyala (relay bekerja) 4. Gambarkan grafik yang menunjukkan Vb minimun yang menyebabkan Saturasi. Baca datasheet IC-CMOS 4007.4 *) menggunakan buku “Microelectronic Circuits. 10. Kerjakan dan jelaskan pemecahan untuk problems 4. Nilai dan makna parameter VoH. VBE dan VCE 5. Buat rangkaian seperti pada gambar 4. Kerjakan dan jelaskan pemecahan untuk problems 5. Percobaan Bipolar Junction Transistor Gambar 4. dan beberapa nilai Vcc & Vce yang berbedabeda dalam satu grafik. Kemudian turunkan tegangan catu perlahan-lahan hingga lampu padam kembali. IDP. 9 Vdc. Ii di IC tersebut 4. fifth edition. Apa fungsi dioda pada rangkaian di gambar 4. Catat harga-harga Ib. gambarkan karakteristik kerjanya (Vi-Vo)! b. catat harga: Ib. Sedra/Smith. IDN. Dengan Vcc = 12 Vdc 2.

catat harga: Ig. Vdc (jangan melebihi 12V) 13. Catat harga Vds dan Id awal 10. Ulangi langkah 7-10 dengan beberapa Vdd lain: 6. Gambarkan grafik hubungan Vgs – Id. 11. Buat rangkaian seperti pada gambar 4. 9.5 Rangkaian transistor n-MOS untuk mode saturasi 8. Posisikan Rvar pada nilai minimum (Va=0). Tepat pada saat ada arus di Drain (Id). 7. Id.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) Gambar 4. Ulangi langkah 7-10 dengan menghubung-singkatkan Rd (Rd = 0) 14. Vgs dan Vds 12. Dengan Vdd = 5 Vdc 9.5.5 diatas. Petunjuk Praktikum EL 2008 . Naikan tegangan di Gate (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat ada arus di Drain (Id).

Is. catat harga: Ig. Vgs dan Vds dan buatlah grafik VA-Vout seperti pada gambar 3. Dengan Vdd = 5 Vdc 16. Catat harga Vo. Naikkan terus Va (=Vgs) untuk beberapa nilai. Buat rangkaian seperti pada gambar 4. Ulangi langkah 13-17 dengan menghubung-singkatkan Rd (Rd = 0) Petunjuk Praktikum EL 2008 . 20. Vgs dan Vds 19.6 Rangkaian transistor CMOS untuk mode saturasi 15. Id.6 diatas. Posisikan Rvar pada nilai minimum (Va=0). Is dan Id awal 17. Tepat pada saat ada arus di Drain (Id). Is. kemudian catat Ig. Id. 21.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB Gambar 4. Naikan tegangan di Gate (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat ada arus di Drain (Id). Ulangi langkah 13-17 untuk Vdd = 9 Vdc. 18.

Kesimpulan Petunjuk Praktikum EL 2008 . Analisa percobaan BJT sebagai switch mA mA 5. Ib maksimum penyebab cut-off: 4. Grafik Vb – Vce dengan Vcc yang berbeda-beda : 2. Ib minimum penyebab saturasi: 3.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB (template) JURNAL IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH Bipolar Junction Transistor Vcc Vb (Volt) Ib (mA) (Volt) Vcc1 = Vbe (Volt) Ic (mA) Vce (Volt) Relay (on/off) Off On On Off Off On Off On Off On On Off On Off On Off Vcc2 = Vcc3 = Vcc4 = 1.

7V)= 0.. Tegangan treshold (Vth) n-MOS ini adalah: ….5*Vdd (2.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB MOS Field-Effect Transistor Vdd (volt) Vgs (volt) Vds (volt) Id (mA) Ig (mA) 1.7V)= 0.3V) = Vdd (5V) = 0V Vt (~0.V Vgs (volt) 0V Vt (~0.3V) = Vdd (10V) = Vout (volt) Id (mA) Is (mA) Ig (mA) Vdd = 5V Rd = 1K Vdd = 10V Rd = 1K Vdd = 10V Rd = 0 3.5V) = Vdd-Vt(~4. Grafik Vgs – Id pada n-MOS : 2.5*Vdd (5V) = Vdd-Vt(~9. Grafik Vt – Vout pada CMOS : Petunjuk Praktikum EL 2008 .

Kesimpulan : Petunjuk Praktikum EL 2008 . Analisa MOSFET sebagai Switch : 5.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB 4.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful