Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar

Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH 1. Tujuan
• Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor sebagai penguat • Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja Bipolar Junction Transistor ketika beroperasi sebagai saklar. • Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja MOS Field-Effect Transistor baik tipe n-MOS maupun CMOS ketika beroperasi sebagai saklar.

2. Alat-Alat
1. 2. 3. 4. Kit praktikum DC Power Supply Multimeter Kabel-kabel

3. Dasar Teori
Sebuah switch ideal harus mempunyai karakteristik pada keadaan “off” ia tidak dapat dilalui arus sama sekali dan pada keadaan “on” ia tidak mempunyai tegangan drop Bipolar Junction Transistor (BJT) Komponen transistor dapat berfungsi sebagai switch, walaupun bukan sebagai switch ideal. Untuk dapat berfungsi sebagai switch, maka titik kerja transistor harus dapat berpindahpindah dari daerah saturasi (switch dalam keadaan “on”) ke daerah cut-off (switch dalam keadaan “off”). Untuk jelasnya lihat gambar 4.1

Gambar 4.1 Kurva daerah kerja Transistor

Dalam percobaan di bawah ini perpindahan titik kerja dilakukan dengan mengubah-ubah prategangan (bias) dari emitter-base.
Petunjuk Praktikum EL 2008

2 Rangkaian dan daerah kerja n-MOS Dan jika n-MOS dan p-MOS digabungkan. Dibandingkan dengan BJT. MOSFET juga dapat berfungsi sebagai switch. Gambar 4.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) Selain BJT. Daerah kerja dari n-MOS dapat dilihat pada gambar 4. kita harus mengubah-ubah daerah kerjanya antara cut-off dan saturasi. Petunjuk Praktikum EL 2008 .2. dan sebaliknya. Dan untuk devais CMOS ini. untuk membuatnya bekerja sebagai switch. Ada dua tipe MOSFET menurut tegangan kerjanya yaitu n-Channel MOSFET (n-MOS) dan p-Channel MOSFET (p-MOS). Dimana n-MOS bekerja dengan memberikan tegangan positif pada gate. n-MOS berlaku sebagai switch dengan membuatnya bekerja di sekitar daerah saturasinya. p-MOS bekerja dengan memberikan tegangan negatif di gate. akan dihasilkan devais CMOS (Complementary MOS) yang rangkaian gabungan dan daerah kerjanya dapat dilihat pada gambar 4.3. sifat switch dari MOSFET juga lebih unggul karena membutuhkan arus yang sangat kecil untuk operasinya.

Baca datasheet IC-CMOS 4007. Kemudian turunkan tegangan catu perlahan-lahan hingga lampu padam kembali. IDN. VoL. Buat rangkaian seperti pada gambar 4. Petunjuk Praktikum EL 2008 . 9 Vdc. gambarkan karakteristik kerjanya (Vi-Vo)! b. Catat harga-harga Ib. Gambarkan grafik yang menunjukkan Vb minimun yang menyebabkan Saturasi.65 pada buku Microelectronic Circuits*) dengan Vcc diubah menjadi 6V. 6.4 Rangkaian transistor BJT sebagai switch 1. Catat harga Vce awal 3.85V. 3. Oxford University Press. 10.3 Rangkaian dan daerah kerja CMOS Tugas Pendahuluan 1. dll) 7.4 diatas. 2004” 4. Nilai dan makna parameter VoH. Tepat pada saat lampu menyala. dan jelaskan : a. Apa fungsi dioda pada rangkaian di gambar 4. 2.4 *) menggunakan buku “Microelectronic Circuits. catat harga: Ib. fifth edition. Ii di IC tersebut 4.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB Gambar 4. Percobaan Bipolar Junction Transistor Gambar 4. Posisikan Rvar pada nilai minimum (Vb=0). Dengan Vcc = 12 Vdc 2. VBE dan VCE yang menyebabkan lampu padam. Ulangi langkah 2-4 dengan beberapa Vcc lain (11. Vb maksimum yang menyebabkan Cut-Off. Sedra/Smith. dan beberapa nilai Vcc & Vce yang berbedabeda dalam satu grafik. Kerjakan dan jelaskan pemecahan untuk problems 4. IDP. VBE dan VCE 5. Kerjakan dan jelaskan pemecahan untuk problems 5.12 pada buku Microelectronic Circuits*) dengan Vt diubah menjadi 0. Naikan tegangan di Base (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat lampu menyala (relay bekerja) 4.

11. 7.5 Rangkaian transistor n-MOS untuk mode saturasi 8. Posisikan Rvar pada nilai minimum (Va=0).5 diatas. Tepat pada saat ada arus di Drain (Id). Buat rangkaian seperti pada gambar 4. Id. Dengan Vdd = 5 Vdc 9.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) Gambar 4. Gambarkan grafik hubungan Vgs – Id. Naikan tegangan di Gate (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat ada arus di Drain (Id). Vdc (jangan melebihi 12V) 13.5. Ulangi langkah 7-10 dengan beberapa Vdd lain: 6. catat harga: Ig. Vgs dan Vds 12. Ulangi langkah 7-10 dengan menghubung-singkatkan Rd (Rd = 0) 14. 9. Petunjuk Praktikum EL 2008 . Catat harga Vds dan Id awal 10.

6 Rangkaian transistor CMOS untuk mode saturasi 15. Buat rangkaian seperti pada gambar 4. Tepat pada saat ada arus di Drain (Id). 20. Ulangi langkah 13-17 untuk Vdd = 9 Vdc. kemudian catat Ig. Naikan tegangan di Gate (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat ada arus di Drain (Id). Dengan Vdd = 5 Vdc 16.6 diatas. Naikkan terus Va (=Vgs) untuk beberapa nilai. Vgs dan Vds 19. 21. Catat harga Vo. Is. Is dan Id awal 17. Posisikan Rvar pada nilai minimum (Va=0). Is. Ulangi langkah 13-17 dengan menghubung-singkatkan Rd (Rd = 0) Petunjuk Praktikum EL 2008 .Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB Gambar 4. 18. Vgs dan Vds dan buatlah grafik VA-Vout seperti pada gambar 3. catat harga: Ig. Id. Id.

Analisa percobaan BJT sebagai switch mA mA 5.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB (template) JURNAL IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH Bipolar Junction Transistor Vcc Vb (Volt) Ib (mA) (Volt) Vcc1 = Vbe (Volt) Ic (mA) Vce (Volt) Relay (on/off) Off On On Off Off On Off On Off On On Off On Off On Off Vcc2 = Vcc3 = Vcc4 = 1. Kesimpulan Petunjuk Praktikum EL 2008 . Grafik Vb – Vce dengan Vcc yang berbeda-beda : 2. Ib minimum penyebab saturasi: 3. Ib maksimum penyebab cut-off: 4.

3V) = Vdd (10V) = Vout (volt) Id (mA) Is (mA) Ig (mA) Vdd = 5V Rd = 1K Vdd = 10V Rd = 1K Vdd = 10V Rd = 0 3.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB MOS Field-Effect Transistor Vdd (volt) Vgs (volt) Vds (volt) Id (mA) Ig (mA) 1.7V)= 0.V Vgs (volt) 0V Vt (~0. Tegangan treshold (Vth) n-MOS ini adalah: ….7V)= 0. Grafik Vgs – Id pada n-MOS : 2.5*Vdd (5V) = Vdd-Vt(~9.5*Vdd (2. Grafik Vt – Vout pada CMOS : Petunjuk Praktikum EL 2008 ..3V) = Vdd (5V) = 0V Vt (~0.5V) = Vdd-Vt(~4.

Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB 4. Kesimpulan : Petunjuk Praktikum EL 2008 . Analisa MOSFET sebagai Switch : 5.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful