BÖLÜM 1

YARIİLETKENLERİN TANITILMASI
Konular:
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 Atomik Yapı Yarıiletken, İletken ve Yalıtkan Yarıiletkenlerde İletkenlik N Tipi ve P tipi Yarıiletkenler PN Bitişimi (eklemi) ve Diyot PN Bitişiminin Önbeslemesi

Amaçlar:
Bu bölümü bitirdiğinizde aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgiye sahip olacaksınız. • • • • • • • • Maddenin temel atomik yapısı Atom numarası ve ağırlığı, elektron kabukları ve yörüngeler, Valans elektronları, iyonizasyon Yarıiletken, iletken ve yalıtkan. Enerji bandları, Silisylum ve germanyum Yarıiletkenlerde iletkenlik, elektronlar ve boşluklarda iletkenlik, N tipi ve P tipi maddenin oluşturulması; Katkı işlemi PN eklemi ve temel işlevleri PN ekleminin önbeslenmesi Diyot karakteristikleri

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

Şekil-1.1 Çeşitli elektronik devre elemanlarının genel görünümü

Kullandığımız pek çok cihazın üretiminde bir veya birkaç elektronik devre elemanı kullanılmaktadır. Elektronik devre elemanları ise yarıiletken materyaller kullanılarak üretilir. Diyot, transistör, tristör, FET, tümdevre (entegre) v.b adlarla tanımlanan elektronik devre elemanlarının bir çoğu şekil-1.1’de resimlenmiştir.

2

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

Elektronik devre elemanlarının dolayısıyla elektronik cihazların nasıl çalıştığını anlamak için yarıiletken materyallerinin yapısı hakkında bilgiye gereksinim duyarız. Bu bilgiyi ulaşmanın en etkin yolu maddenin temel atomik yapısını incelemekle başlar. Bu kitap boyunca elektronik devre elemanlarını belirli bir sıra içerisinde tanıyacağız. Bu elemanların tüm özelliklerini inceleyerek cihaz tasarımlarını gerçekleştireceğiz.

1.1

ATOMİK YAPI

Tüm maddeler atomlardan oluşur. Atomlar ise; elektronlar, protonlar ve nötronlardan meydana gelir. Elektrik enerjisinin oluşturulmasını ve kontrol edilmesini maddenin atomik yapısı belirler. Atomik yapıya bağlı olarak tüm elementler; iletken, yalıtkan veya yarıiletken olarak sınıflandırılırlar. Elektronik endüstrisinde temel devre elemanlarının üretiminde yarıiletken materyaller kullanılır. Günümüzde elektronik devre elemanı üretiminde kullanılan iki temel materyal vardır. Bu materyaller; silisyum ve germanyumdur. İletken, yalıtkan ve yarıiletken maddelerin işlevlerini ve özelliklerini incelemek için temel atomik yapının bilinmesi gerekir. Bu bölümde temel atomik yapıyı inceleyeceğiz. Bölüm sonunda aşağıda belirtilen konular hakkında bilgi edineceksiniz. • • • • • Çekirdek, proton, nötron ve elektron Atom ağırlığı ve atom numarası Yörünge Valans elektronları İyonisazyon

Yeryüzünde bilinen 109 element vardır. Bir elementin özelliklerini belirleyen en küçük yapıtaşı ise atomlardır. Bilinen bütün elementlerin atomik yapıları birbirinden farklıdır. Atomların birleşmesi elementleri meydana getirir. Klasik bohr modeline göre atom, şekil-1.1’de gösterildiği gibi 3 temel parçacıktan oluşur. Bunlar; elektron, proton ve nötron’dur. Atomik yapıda; nötron ve protonlar merkezdeki çekirdeği oluşturur. Çekirdek artı yüklüdür. Elektronlar ise çekirdek etrafında sabit bir yörüngede dolaşırlar ve negatif yüklüdürler.

3

Helyumun atom numarası 2’dir ve atom ağırlığı ise 4’ tür. en basit yapıya sahip atom. elektriksel açıdan kararlı (nötral) atomlardır. negatif yükün temel nesneleridirler.b’de gösterilen helyum atomunun yörüngesinde iki elektron. atom ağırlığına göre de belirli bir düzen içindedirler. Örneğin hidrojenin atom numarası 1’dir ve atom ağırlığı da 1’dir.1 Bohr modeline göre atom. hidrojen atomudur. Bilinen bütün elementleri bir birinden ayıran temel özellik. Atom ağırlığı yaklaşık olarak çekirdekteki proton sayıları ile nötron sayılarının toplamı kadardır.2. Elementler. Çekirdek yörüngesinde 1 elekton Çekirdek yörüngesinde 2 elekton + + + 1 Protonlu çekirdek 2 Protonlu ve 2 Nötronlu çekirdek a) Hidrojen Atomu b) Helyum Atomu Şekil. 4 .2 Hidrojen ve Helyum atomları Atom Numarası ve Ağırlığı Bütün elementler atom numaralarına uygun olarak periyodik tabloda belirli bir düzen içinde dizilmişlerdir. Normal veya tarafsız durumda verilen her hangi bir elementin bütün atomlarındaki. Her bir atomun. iki proton ve iki nötron bulunmaktadır.2.1. Proton sayıları ile elektron sayıları eşit olan atomlar. elektron ve proton sayıları eşittir. Hidrojen atomu.ANALOG ELEKTRONİK.I Kaplan Elektron Nötron Proton Şekil-1. atomlarında bulunan proton ve nötron sayılarıdır. Örneğin. çekirdeğinde ise. proton ve nötron sayıları faklıdır. Elektronlar. Şekil-1.a’da gösterildiği gibi bir proton ve bir elektrona sahiptir. şekil-1.

en yüksek enerjiye sahiptir. Bu durum onu atomdan ayrılmaya daha eğilimli hale getirir. Verilen her bir atom. Çekirdeğe en yakın olan kabuk k ‘dır.1. Kabuk W5 W4 W3 r3 1. elektron içeren yörüngeleri çekirdekten belirli uzaklıktadır. Atomda. Çekirdeğe farklı uzaklıklarda bulunan yörüngelerdeki elektronlar belirli enerji seviyelerine uyar. Çünkü elektron negatif yüklü. Atomun en dış kabuğundaki elektronlara ise “valans elektron” adı verilir. izin verilen sayıda maksimum elektron barındırır. Fakat. k l Şekil. Her bir kabuk.I Kaplan Elektron Kabukları ve Yörüngeler Bir atomun. Çekirdekten uzakta olan elektronun negatif yükü daha fazladır. en düşük enerjiye sahiptir. r6 r5 r4 Bu elektron. 5 . Kabuklarda barınan elektronlar ise belirli bir sistem dahilinde dizilirler. Bu bağa “kovelant bağ” denir. enerji bantları şeklinde gruplaşmış yörüngeler “kabuk (shell)” olarak bilinirler. çekirdek etrafında simetrik olarak hareket ederler ve kendi aralarında bir bağ oluştururlar. Bir atomun en dış kabuğundaki elektronlar. Bir atomun en dıştaki kabuğu. Kabuk W2 W1 r1 r2 Çekirdek W= Enerji r = Çekirdekten uzaklık Bu elektron. Kabuk içindeki elektronların enerji seviyeleri bir birinden azda olsa küçük farklılıklar gösterir. Çekirdek elektronun bu ayrılma eğilimini dengeleyecek güçtedir. Çekirdek etrafında belirli bir yörüngeyi oluşturan kabuklar. k-l-m-n olarak gösterilirler.3 Çekirdekten uzaklıklarına göre enerji seviyeleri. Bu elektronların enerji seviyeleri değişmez. sabit kabuk sayısına sahiptir. çekirdeğe uzak olan yörüngedeki elektronlardan daha az enerjiye sahiptir. en yüksek enerji seviyeli elektronlara sahiptir. Çekirdeğe yakın olan yörüngedeki elektronlar. Valans (atomun değerini ayarlayan elektronlar) elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.4 ‘de gösterilmiştir. Bu durum merkezden kaçma kuvvetini dengelemektedir. enerji seviyesi W6 2. kabuklar arasındaki enerji seviyelerinin farkı çok daha büyüktür.ANALOG ELEKTRONİK. Komşu atomların en dış kabuklarındaki elektronlar (valans elektronlar) kendi aralarında valans çiftleri oluştururlar. Valans Elektronları Elektronlar çekirdekten uzaktadır ve çekirdekten ayrılma eğilimindedir. çekirdek pozitif yüklüdür. k ve l kabukları şekil-1.

silisyum. Atomdan kaçan valans elektronları “serbest elektron” olarak adlandırılır. merkezde bir çekirdek ve çekirdeği çevreleyen yörüngelerden oluşmaktadır. Örneğin bakır.olarak gösterilirler. Böylece Valans elektronları daha fazla enerji kazanır ve atomdan uzaklaşma eğilimleri artar. Hidrojenin valans elektronları kaybedildiğinde pozitif iyon adını alır ve H+ olarak gösterilir. Bu guruplar. 1 veya birkaç valans elektrona sahiptirler.ANALOG ELEKTRONİK. Bu tür elementler. Materyallerin atomik yapısı. Bu amaçla atom. altın. germanyum ve karbon v. özellikle yarıiletken maddelerin temel yapısını inceleyerek. nötr hidrojen atomunun en dış kabuğuna doğru akar. pozitif şarjın aşırı artması (protonların elektronlardan daha fazla olması) durumunda nötr değere ulaşmaya çalışır. materyalin elektrik enerjisine karşı gösterecekleri tepkiyi belirler. 6 . valans elektronlarını harekete geçirir.b …. İLETKEN VE YALITKAN Büyün materyaller. Bu bölümde. elektrik enerjisine gösterdikleri tepkiye bağlı olarak başlıca 3 gruba ayrılırlar. Atom negatif yük ile yüklendiğinde (elektronların prontonlardan fazla olması) negatif iyon diye adlandırılırlar ve H. İyi bir iletken özelliği gösteren materyallere örnek olarak. yalıtkan ve yarıiletken olarak tanımlanır. bakır. iletken ve yalıtkan maddelerle aralarındaki farkları ortaya koymaya çalışacağız. Serbest elektronlar. Bir atom. gümüş v. Bir valans elektronu yeterli miktarda bir enerji kazandığında ancak bir üst kabuğa çıkabilir ve atomun etkisinden kurtulabilir.2 YARIİLETKEN. Materyalin iletken veya yalıtkan olmasında atomik yörüngede bulunan elektron sayısı çok önemlidir. Bu materyallerin ortak özelliği tek bir valans elektronuna sahip olmalarıdır. Elektronlar enerji kazandığında çekirdekten daha uzak bir yörüngeye yerleşir.I İyonizasyon Kaplan Bir atom. Dolayısı ile bu elektronlarını kolaylıkla kaybedebilirler. Bu bölümü bitirdiğinizde aşağıda belirtilen konularda ayrıntılı bilgiye sahip olacaksınız. ısı kaynağından veya ışıktan enerjilendiği zaman elektronlarının enerji seviyeleri yükselir.b maddelerin atomik yapıları İletkenler Yarıiletkenler İletken ve yarıiletken arasındaki farklar Silisyum ve germanyum yarıiletken malzemelerin farklılıkları • Tüm materyaller atomlardan oluşur. Valans elektronunu kaybetme işlemi “İYONİZASYON” olarak bilinir ve atom pozitif şarj ile yüklenmiş olur ve pozitif iyon olarak adlandırılır. Örneğin. Genel bir atomik yapı. İletken Elektrik akımının iletilmesine kolaylık gösteren materyallere iletken denir. altın ve aliminyumu sayabiliriz. • • • • • Atomik yapının özü Bakır. iletken. hidrojenin kimyasal sembolü H’dır. gümüş. 1.

4 dikkatlice incelendiğinde yarıiletken bir maddenin enerji aralığı. Silisyumun çekirdeğinde 14 proton. Bir iletkende ise. germanyum (ge) ve karbon (ca) elementlerini verebiliriz.I Yalıtkan Kaplan Normal koşullar altında elektrik akımına zorluk gösterip. tümdevre v. valans bandı ile iletkenlik bandı adeta birbirine girmiştir. ne iyi bir iletken nede iyi bir yalıtkan özelliği gösterirler. Bunların birbirinden farkı. Enerji bandı bir yalıtkanda çok geniştir ve çok az sayıda serbest elektron içerir. Yalıtkan. transistör. Serbest elektron bulundurmazlar. yarıiletken ve iletken maddelerin enerji bandları şekil-1. 7 .b elektronik devre elemanlarının üretiminde iki tip yarı iletken malzeme kullanır.4 Üç farklı Materyal için enerji diyagramı Silisyum ve Germanyum Diyot. Bunlar.5‘de her iki malzemenin atomik yapısı görülmektedir. Silisyum bu iki malzemenin en çok kullanılanıdır. yalıtkan veya yarıiletken olarak sınıflandırılmasında enerji bandları oldukça etkindir. iletkenlik bandına atlayamazlar. Yalıtkan maddeler son yörüngelerinde 6 ile 8 arasında valans elektron barındırırlar. yalıtkana göre daha dar. silisyum (si). Bu elementler son yörüngelerinde 4 adet valans elektron bulundururlar. Dolayısıyla harici bir enerji uygulanmaksızın valans elektronların çoğu iletkenlik bandına atlayabilir. SİLİSYUM ve GERMANYUM elementleridir. elektrik akımına karşı. Yalıtkan maddelere örnek olarak bakalit. Dolayısıyla serbest elektronlar. Enerji Bandı Maddelerin iletken. germanyumun çekirdeğinde 32 proton vardır. iletmeyen materyallere yalıtkan denir. Bu elementlerin atomlarının her ikisi de 4 Valans elektronuna sahiptir. Enerji İletim Bandı İletim Bandı Enerji Aralığı Enerji Aralığı Enerji Enerji İletim Bandı Valans Band 0 Valans Band 0 0 Valans Band a) Yalıtkan a) Yarıiletken a) İletken Şekil-1. Elektronik endüstrisinin temelini oluşturan yarıiletken maddelere örnek olarak. iletkene göre daha geniştir. Yarıiletken Yarıiletken maddeler. Şekil-1.b ametalleri sayabiliriz. Şekil-1.ANALOG ELEKTRONİK.4’de verilmiştir. ebonit v.

Si Si Si Si - Valans Elektronlar Si Si Si Si Kovelant Bağlar Si Si Si Si - - - - - Şekil-1. bir atomun diğer atom tarafından tutulmasını sağlar. 8 valans elektronunun oluşturduğu etki sayesinde kimyasal kararlılığı sağlar. Onunda sadece dört valans elektronu vardır. +32 +14 a) Silikon Atomu b) Germanyum Atomu Şekil-1. Her bir silisyum atomunun valans elektronu. bir atomun valans elektronlarının birbirleri ile etkileşim oluşturması sonucu meydana gelir.ANALOG ELEKTRONİK.I Kaplan En dış yörüngede 4 valans elektronu bulunur. Şekil-1. Kristal yapı içerisindeki atomlar ise birbirlerine kovalent bağ denilen bağlarla bağlanırlar. 8 . kristallerden oluşmuş bir materyaldir. kristal bir yapı oluştururlar. Kovelant Bağ Katı materyaller. Germanyumun kovalent bağıda benzerdir. Bu yapıda her atom. Bu durum. kendisine komşu diğer 4 atomun valans elektronlarını kullanarak bir yapı oluşturur.4 Silisyum ve germanyum atomları. Böylece paylaşılan her elektron birbirine çok yakın elektronların bir arada bulunmasını ve birbirlerini eşit miktarda çekmesini sağlar. komşu silisyum atomunun valans elektronu ile paylaşımı sonucunda kovalent bağ oluşur. Kovelant bağ.5 Saf silisyum kristalin kovalent bağları.5 saf silisyum kristallerinin kovalent bağlarını göstermektedir. Her silisyum atomu. Slikon.

Enerji bantları birbirlerine çok yakın kabuklarla ayrılmıştır. Bu boşluklara “delik=boşluk” veya “hole” denir. valans bandından iletkenlik bandına atladığında.ANALOG ELEKTRONİK. Elektronlar ve Boşluklarda iletkenlik Saf bir silisyum kristali oda sıcaklığında bazı tepkimelere maruz kalır. Aralarında ise elektron bulunmaz.6 Durgun silisyum kristalinin enerji band diyagramı. Bu durum şekil1. Enerji İletim Bandı Enerji Aralıkları Valans Band Enerji Aralıkları 2. Bir elektron. valans bandında boşluklar kalacaktır. Bu durum şekil1. bazı valans elektronlar enerji aralıklarından geçerek.b‘de ise bağ diyagramında gösterilmiştir.3 YARIİLETKENLERDE İLETKENLİK Malzemenin elektrik akımını nasıl ilettiği. Bunlara serbest elektron veya iletkenlik elektronları denir. valans bandından iletkenlik bandına atlarlar. Örneğin. Band ( l kabuğu) Enerji Aralıkları 1. valans bandında bir delik oluşturur.6‘da silisyum kristalinde (dışarıdan ısı enerjisi uygulanmaksızın) gösterilmiştir. Çekirdeğin etrafındaki kabuklar enerji bantları ile uyumludur.a‘da enerji diyagramında. elektrik devrelerinin nasıl çalıştığının anlaşılması bakımından çok önemlidir. Isı veya ışık enerjisi yardımıyla iletkenlik bandına çıkan her elektron. İletkenlik bandındaki elektronlar enerjilerini kaybedip. şekil-1. Bu durum.I Kaplan 1.7. yarıiletken malzemelerde iletkenliğin nasıl sağlandığını öğreneceksiniz.7. 9 . Bu bölümde iletkenliğin nasıl meydana geldiğini ve bazı malzemelerin diğerlerinden niye daha iletken olduğunu. Band ( k kabuğu) Çekirdek 0 Şekil-1. Gerçekte temel akım mantığını bilmeden diyot veya transistör gibi yarıiletken devre elemanlarının çalışmasını anlayamazsınız. Bu bölümde enerji bantları içerisinde elektronların nasıl yönlendiğini göreceksiniz. valans bandındaki boşluğa geri düştüklerinde her şey eski haline döner. elektron boşluk çifti diye adlandırılır.

8 Serbest elektronların sıcaklık oluşturması ile meydana gelen hareket. 10 . Valans bandında kalan diğer elektronlar ise hala diğer atomlara bağlı olup serbest değillerdir.7. Bu. saf silisyumunun iletkenlik bandındaki elektronların bir kısmı oda sıcaklığında hareketli hale geçer. Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si V + Şekil-1. Akımı oluşturan bir diğer tip ise valans devresindeki değişimlerdir. Buna elektron akımı denir. (enerji seviyesindeki çok küçük bir değişimle). iletkenlik bandına atlar. Kristal yapı içerisinde rasgele hareket etmezler. Bu durum şekil-1-9‘da gösterilmiştir.a ve b. Bu ise. Boşlukların bu hareketi de ”akım” diye adlandırılır. Sonuç olarak kristal yapı içerisindeki boşluklarda bir yerden diğer yere hareket edecektir. silisyum içinde bir elektron akışına neden olur. serbest elektronlar neticesinde boşlukların oluşması ile meydana gelir. Bununla birlikte bir valans elektronu komşu boşluğa taşınabilir. Şekilde iletkenlik bandındaki serbest elektronların negatif uçtan pozitif uca doğru gittikleri görülmektedir. Böylece valans bandındaki boşluk sayısına eşit miktarda elektron.I Kaplan Özetle. Bu hareket.8 üzerinde gösterilmiştir. malzemenin herhangi bir yerine doğru rasgeledir. Hareketli bir silisyum atomunda bir elektron boşluğunun oluşturulması. Enerji Serbest Elektron İletim Bandı Serbest Elektron Si Isı Enerjisi Delik Enerji Aralıkları Si Valans Band Delik Isı Enerjisi a) Enerji Diyagramı b) Bağ Diyagramı Şekil-1. serbest elektronların hareketinin oluştuğu akımın bir türüdür.ANALOG ELEKTRONİK. Elektron ve Delik (hole) akımı Saf silisyumun bir kısmına gerilim uygulandığında neler olduğu şekil-1. Böylece bir boşluktan diğerine hareket edebilir.

9 Serbest elektronların sıcaklık oluşturması ile meydana gelen hareket silisyum içinde bir elektron akışına neden olur. 1. Katkı (doping) işlemini • N-tipi yarıiletken maddenin yapısını • P-tipi yarıiletken maddenin yapısını • Çoğunluk ve azınlık akım taşıyıcılarını • Ayrıntılı olarak öğreneceksiniz. Katkı İşlemi (Doping) Silisyum ve germanyumun iletkenliği kontrollü olarak artırılabilir.I Kaplan Şekil-1.4 N-TİPİ VE P-TİPİ YARI İLETKENLER Yarıiletken malzemeler. Akım taşıyıcılarının (elektron veya boşluk) sayısının artırılması malzemenin iletkenliğini. Bu işleme “doping” denir. Bunlara. 11 . Her iki doping olayının sonucunda N-tipi veya P-tipi madde oluşur. N-tipi madde ve P-tipi madde denir. Katkı maddesi eklenerek oluşturulan iki temel yarıiletken materyal vardır. elektronik devre elemanlarının yapımında kullanılır.ANALOG ELEKTRONİK. Saf silisyum veya germanyum’un mutlaka serbest elektron veya boşluk sayısı artırılarak iletkenliği ayarlanmalıdır. Çünkü valans bandındaki boşlukların ve ilettim bandındaki serbest elektronların sayısı sınırlıdır. İletkenliği ayarlanabilen silisyum veya germanyum. akımı iyi iletmezler. Elektronik devre elemanlarının üretiminde bu iki madde kullanılır. azaltılması ise malzemenin direnci artırır. Bu bölümü bitirdiğinizde. İletkenliği kontrollü olarak artırmak için saf yarıiletken malzemeye katkı maddesi eklenir. Aslında ne iyi bir iletken. Germanyum veya silisyumun iletkenliği ise ancak saf malzemeye katkı maddesi eklenmesi ile sağlanır. nede iyi bir yalıtkandırlar.

silisyumun 4 valans elektronu ile kovalent bağ oluşturur. elektron sayıları ile kontrol edilebilir. saf silisyum içerisine belli bir oranda bor katılırsa. Buna “boşluk” veya “delik=hole” denir. bizmut (Bi) veya antimon’dur. valans bandında bir boşluk oluşturmaz. Si Si Si Si - Si Si Fb Si Si Kovelant Bağ - Si Si Fb atomunun serbest elektronu - - Si - - - - - Şekil-1. Bu açıkta kalan elektron iletkenliği artırır. bor elementinin 3 valans elektronu. Silisyuma eklenen katkı miktarı ile boşlukların sayısı kontrol edilebilir. alüminyum (Al). Bu ise silisyuma eklenen atomların sayısı ile olur. Elektronlar P-tipi malzemede azınlık akım taşıyıcılarıdır. Elektronlar ise P tipi malzemede azınlık akım taşıyıcılarıdır. Çünkü herhangi bir atoma bağlı değildir. Akım taşıyıcılarının çoğunluğu elektron olan. Bu atomlar. 5-değerli valans elektronları olan arsenik (As). P-tipi malzemede bir kaç adet serbest elektronda oluşmuştur. Bor (B) ve Galyum (Ga) elementlerini verebiliriz. Bu boşluklar 5-değerli katkı maddesi ile oluşturulmamışlardır. silisyum veya germanyum maddesine Ntipi yarıiletken malzeme denir. Bu yöntemle elde edilen yeni malzemeye P tipi yarıiletken malzeme denir. Bu durumda 1 elektron noksanlığı meydana gelir. N-tipi malzemede elektronlar.10’da gösterilmiştir. Dolayısı ile P-tipi malzemede çoğunluk akım taşıcıları boşluklardır. silisyuma yapılan katkı esnasında oluşturulamazlar. diğer silisyum atomları ile nasıl bir kovelent bağ oluşturulduğu şekil-1. 3 valans elektrona sahip (3-değerli) atomların belli bir oranda eklenmesi ile yeni bir kristal yapı oluşur. Fakat silisyumun 1 valans elektronu ortak valans bağı oluşturamaz. P-Tipi Yarıiletken Saf silisyum atomu içerisine. Fosfor atomunun 4 valans elektronu. İletkenlik. fosfor (P).ANALOG ELEKTRONİK. Bu yeni kristal yapıda delik (boşluk) sayısı artırılmış olur. silisyumun 3 valans elektronu ile ortak kovalent bağ oluşturur. çoğunluk akım taşıyıcıları diye adlandırılır. Buna rağmen ısı ile oluşturulan birkaç tane elektron boşluk çiftleri de vardır. Böylece N-tipi malzemede akım taşıyıcıları elektronlardır. Bu serbest elektronlar.I N-Tipi Yarıiletken Kaplan Saf silisyumun iletkenlik bandındaki deliklerinin artırılması atomlara katkı maddesi ekleyerek yapılır. Örneğin. Silisyuma katkı maddesi olarak 5 valans elektrona sahip fosfor belli bir oranda eklendiğinde. 12 .10 N tipi yarıiletken maddenin oluşturulması. N-tipi malzemede boşluklar azınlık taşıyıcıları olarak adlandırılır. Fosfor’un 1 valans elektronu açıkta kalır ve ayrılır. 3 valans elektrona sahip atomlara örnek olarak. Katkı sonucu oluşturulan bu iletkenlik elektronu. Çünkü boşluklar pozitif yüklüdür. Bunlar ısı ile oluşan boşluk çifti esnasında meydana gelmiştir.

1.a ve b Basit bir PN yapısının oluşumu. Bu bölümü bitirdiğinizde. Bohr katkı atomu merkezde gösterilmiştir.12. 13 . Çoğunluk ve azınlık taşıyıcılarının ikisi de gösterilmiştir. P ve N tipi malzeme bir arada kullanılırsa. 1. • • PN bitişiminin özelliklerini Deplasyon katmanı ve işlevini ayrıntılı olarak öğreneceksiniz.5 PN BİRLEŞİMİ Silisyum veya Germanyum kristaline yeterli oranda katkı maddeleri eklenerek. transistör v. N bölgesinde daha çok serbest elektron bulunur. Bunlar akım taşıyıcıcısı olarak görev yaparlar ve “çoğunluk akım taşıyıcısı” olarak adlandırılırlar. Bu bölgede ayrıca ısı etkisi ile oluşturulan birkaç boşluk (delik=hole) bulunur. P-tipi ve N-tipi maddeler oluşturulmuştu.11 Silisyum kristaline 3 bağlı katkı atomu.I Kaplan Si Si Si Si - Si Si - Si Kovelant Bağ B - - Si Si Si B atomundan oluşan delik (hole) - - Si - - - - - Şekil. pn bitişimi P TİPİ MADDE N TİPİ MADDE P TİPİ MADDE N TİPİ MADDE Delik (hole) Elektron Şekil-1. bu birleşime PN birleşimi (junction) veya PN eklemi denir.b devre elemanlarının yapımında kullanılır.ANALOG ELEKTRONİK. Şekil-1. Bu maddeler yalın halde elektriksel işlevleri yerine getiremezler. elektronik endüstrisinde kullanılan diyot.12. Bu temel yapı biçimine “yarı iletken diyot” denir. Bunlara ise “azınlık akım taşıyıcıları” adı verilir.(a)‘da yarısı P-tipi. diğer yarısı N tipi malzemeden oluşan iki bölümlü bir silisyum parçasını göstermektedir. PN birleşimi.

Aslında bu iki madde başlangıçta elektriksel olarak nötr haldedir. Bu olay olurken P maddesi (-) yüke sahip olduğundan N maddesindeki elektronları iter. P maddesindeki fazla oyukların bir kısmı ise.b’de resmedilmiştir. 250 C’de silisyum için engel 0. Bu durum şekil-1. Oluşan bu gerilim seddi. N bölgesindeki birkaç boşluğun azınlık taşıyıcılarının meydana getirilmesi.a’da görüldüğü gibi birleştirildiğini kabul edelim. Bu bölgede ısı etkisi ile oluşan birkaç serbest elektronda bulunur. Birleşim olduğu anda N maddesindeki serbest elektronlar.(b)‘de gösterilmiştir. Bu gerilime “diyot öngerilimi” denir. N maddesinde ise elektron fazlalığı meydana gelmişti. germanyum için 0.13. İlerideki bölümlerde PN birleşimini ayrıntılı olarak inceleyeceğiz. PN birleşimi elektronik endüstrisinde kullanılan diyotların. transistörlerin ve diğer katkı hal devrelerinin temelini oluşturur. Bunlara “çoğunluk akım taşıyıcıları” denir.3mV azalmasına neden olur. N maddesine gelip elektronlarla birleşirler. P TİPİ MADDE pn bitişimi N TİPİ MADDE P TİPİ MADDE Engel Potansiyeli N TİPİ MADDE Delik (hole) Elektron + + + + + + Deplasyon Bölgesi Şekil-1. P ve N maddesi şekil-1.13. Elektron boşluk çiftinin oluşturduğu sıcaklıkla. Yük dağılımın belirtildiği şekilde oluşması sonucunda PN birleşiminin arasında “gerilim seddi” denilen bir bölge (katman) oluşur.12. 14 .3 volt civarındadır. Şekil-1. Deplasyon Katmanı ve İşlevi P maddesinde elektron noksanlığı (boşluk). Diyot öngerilimi çok önemlidir.I Kaplan P bölgesi ise çok sayıda boşluklar (delik=hole) içerir. PN birleşiminde iletim elektronu bulunmadığı noktaya kadar genişler. Diyot öngerilimi ısıdan etkilenir. Çünkü PN birleşimine dışarıdan uygulanan gerilimin oluşturacağı akım miktarının kararlı olmasını sağlar. Böylece P ve N maddesi arasında daha fazla elektron ve oyuk akmasını engellerler. Elektron ve oyukların hareket yönleri birbirine zıttır.b’de PN birleşim bölgesinde pozitif ve negatif iyonlarla oluşturulan gerilim seddi görülmektedir. Bu durumda P maddesi net bir (-) yük. Örneğin sıcaklık miktarındaki her 10C’lik artış.ANALOG ELEKTRONİK. P maddesinde fazla olan oyuklarla (boşluk=delik) birleşirler.a ve b PN birleşiminin denge iletimi.13. İletim dengesi sağlandığında deplesyon katı.7 volt. Bu durum şekil-1.13. Bunlara ise “azınlık akım taşıyıcıları” denir. Aynı şekilde. N maddesi de (+) yüke sahip olduğundan P maddesindeki oyukları iter. diyot öngeriliminin yaklaşık 2. N maddesi ise (+) yük kazanmış olur.

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

1.6 PN BİRLEŞİMİNİN POLARMALANMASI
PN bitişiminin nasıl oluşturulduğunu gördük. PN elemanlarının üretiminde kullanılan en temel yapıdır. bitişimi elektronik devre

PN birleşimine elektronik biliminde “diyot” adı verilmektedir. Diyot veya diğer bir elektronik devre elamanının DC gerilimler altında çalıştırılmasına veya çalışmaya hazır hale getirilmesine elektronikte “Polarma” veya “bias” adı verilmektedir. PN birleşimi veya diyot; DC gerilim altında iki türde polarmalandırılır. Bunlardan birisi “ileri yönde polarma” diğeri ise “ters yönde polarma” dır. İleri veya ters yönde polarma, tamamen diyot uçlarına uygulanan gerilimin yönü ile ilgilidir. Bu bölümü bitirdiğinizde; • • İleri yönde polarma (forward bias) Ters yönde polarma (reverse bias)

Kavramlarını öğreneceksiniz.

İleri Yönde Polarma (Forward Bias)
İleri yönde polarma; yarıiletken bir devre elemanının uçlarına uygulanan DC gerilimin yönü ile ilgilidir. PN birleşiminden akım akmasını sağlayacak şekilde yapılan polarmadır. Şekil-1.14‘de bir diyoda ileri yönde polarma sağlayacak bağlantı görülmektedir.

p
R Vpolarma +

n

Şekil-1.14 İleri yönde polarma bağlantısı. R, direnci akım sınırlamak amacıyla kullanılmıştır.
İleri yönde polarma şöyle çalışır. Bataryanın negatif ucu N bölgesine (Katot olarak adlandırılır), pozitif ucu ise P bölgesine (Anot olarak adlandırılır) bağlanmıştır. Bataryanın negatif terminali, N bölgesindeki iletkenlik elektronlarını birleşim bölgesine doğru iter. Aynı anda pozitif terminal, P bölgesindeki oyukları birleşim bölgesine iter. Uygulanan polarma gerilimi yeterli seviyeye ulaşınca; N bölgesindeki elektronların ve P bölgesindeki oyukların engel bölgesini aşmasını sağlar. N bölgesinden ayrılan elektronlara karşılık, bataryanın negatif ucundan çok sayıda elektron girmesini sağlar. Böylece N bölgesinde iletkenlik elektronlarının hareketi (çoğunluk akım taşıyıcıları) eklem bölgesine doğrudur. Karşıya geçen iletkenlik elektronları, P bölgesinde boşluklar ile birleşirler. Valans elektronları boşluklara taşınır ve boşluklar ise pozitif anot bölgesine taşınır. Valans

15

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

elektronlarının boşluklarla birleşme işlemi PN uçlarına voltaj uygulandığı sürece devam eder ve devamlı bir “akım” meydana gelir. Bu durum şekil-1.15’de resmedilmiştir. Şekilde ileri yönde bayaslanan diyodtaki elektron akışı görülmektedir.

P TİPİ

N TİPİ

boşluk akımı

Elektron akımı

R

VD

+

-

Vpolarma

Şekil-1.15: PN birleşimli diyot ‘ta elektron akışı.

İleri polarmada Gerilim seddinin etkisi
PN birleşiminde meydana gelen gerilim seddi, Silisyumda 0.7V, germanyumda ise 0.3V civarındadır. Polarma geriliminin potansiyeli bu değere ulaştığında, PN birleşiminde iletim başlar. PN uçlarına uygulanan gerilim, diyodu bir kez iletime geçirdikten sonra gerilim seddi küçülür. Akım akışı devam eder. Bu akıma ileri yön akımı If denir. If akımı P ve N bölgesinin direncine bağlı olarak çok az değişir. Bu bölgenin direnci (ileri yöndeki direnç) genellikle küçüktür ve küçük bir gerilim kaybına sebep olur.

Ters Polarma (Revrese Bias)
Ters kutuplamada bataryanın negatif ucu P bölgesine, pozitif ucu ise N bölgesine bağlanmıştır. Bu durum şekil-1.16‘da gösterilmiştir. Ters polarmada PN birleşiminden akım akmaz. Bataryanın negatif ucu, PN bölgesindeki boşlukları kendine doğru çeker. Pozitif ucu ise PN bölgesindeki elektronları kendine doğru çeker ve bu arada (deplesyon bölgesi) yalıtkan katman genişler. N bölgesinde daha çok pozitif iyonlar, P bölgesinde ise daha çok negatif iyonlar oluşturulur.

p

n

-

Vpolarma +

Şekil-1.16 Ters Polarma bağlantısı.

16

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

Yalıtkan (deplesyon) katmandaki potansiyel farkı harici bayas gerilimine eşit oluncaya kadar genişler. Bu noktada boşlukların ve elektronların hareketi durur. Birleşimden çoğunluk akım taşıyıcılarının harekete başlaması (transient ) akımı diye adlandırılır. Bu ise ters kutuplama yapıldığında çok kısa bir anda akan bir akımdır.

P TİPİ -

N TİPİ + + + + + + + + + + + +

Engel Katmanı

-

+

V polarma
Şekil-1.17 Ters polarmada oluşan engel katmanı Diyot ters kutuplandığında engel katmanının yalıtkanlığı artacak ve her iki taraftaki iyonlar şarj olacaktır. Bu durum kapasitif bir etki yaratır. Ters kutuplama gerilimi arttıkça engel katmanı genişler. Bu arada kapasitans’da artacaktır. Bu durum, deplesyon katmanının kapasitansı diye bilinir ve bu durum pratik kolaylıklar sağlar.

Azınlık Akımı
Şimdiye kadar öğrendiğimize göre; diyoda ters gerilim uygulandığında çoğunluk akım çabucak sıfır olur. Ancak ters kutuplama da bile çok az bir azınlık akımı mevcut olacaktır. Bu ters akım germanyumda, silisyum‘a göre daha fazladır. Bu akım silisyum için mikro amper veya nano amperler mertebesindedir. Dolayısı ile ısı ile oluşan elektron boşluk çifti ise minimum seviyesindedir. Harici ters gerilim; uygulanırken bazı elektronlar PN birleşimini geçecektir. Ters akım aynı zamanda birleşimin ısısına ve ters kutlama geriliminin miktarına bağlıdır dolayısı ile ısının artması ters akımı da artıracaktır.

Ters Yönde Kırılma
Eğer dışarıdan uygulanan ters polarma gerilimi aşırı derecede artırılırsa çığ kırılması meydana gelir. Şimdi bu ne demektir? Azınlık akım taşıyıcıları olan iletkenlik bandı elektronlar dışarıdan uygulanan ters gerilim kaynağının etkisi ile P bölgesine itilirler. Bu esnada valans elektronları iletkenlik bandına doğru hareket ederler. Bu anda iki tane iletkenlik bandı elektronu mevcuttur. Her biri bir atomda bulunan bu elektronlar; valans bandından, iletkenlik bandına hareket eder. İletkenlik bandı elektronlarının hızla çoğalması olayı, çığ etkisi olarak bilinir. Sonuç olarak büyük bir ters akım akar. Çoğu diyotlar genelde ters kırılma bölgesinde çalışmazlar. Çünkü hasar görebilirler. Bununla birlikte bazı diyotlar sırf ters yönde çalışacak yönde yapılmışlardır. Bunlara “Zener Diyot” adı verilir.

17

elektronik endüstrisinin temelini oluşturan en basit aktif devre elemanıdır. akım-gerilim karakteristiklerini ayrıntılı olarak inceleyeceğiz. Üretici firmalar kullanıcının gereksinimine bağlı olarak farklı akım ve gerilim değerlerinde çalışabilecek şekilde binlerce tip diyot üretimi yapmışlardır. Diyot. • • • • • • • • Diyot sembolünü İdeal diyot modelini Pratik diyot modelini Diyot’un polarmalandırılmasnıı. Bu bölümde diyodun nasıl çalıştığını. Dolayısı ile bu olay üreticileri ilgilendirir. Bizim bu konuyla ilgilenmemize gerek yoktur.ANALOG ELEKTRONİK. Bu bölümde sıra ile. ileriki bölümlerde diyotlarla yapacağınız uygulama ve tasarımlara sizleri hazırlayacaktır. PN Bitişimi ve Diyot Bir önceki bölümde oluşturulan P ve N maddesinin birleştirilmesi. Bu bölümde öğreneceğiniz temel çalışma prensipleri. Şekil-1. Diyot’un V-I karakteristiğini Diyot direncini Diyotlarda yük doğrusu ve çalışma karakteristiğini Diyodun sıcaklıkla ilişkisini Öğreneceksiniz. Şekil-1. Diyot adı verilen yarıiletken devre elemanını meydana getirir.7 DİYOT Önceki bölümlerde oluşturulan PN birleşimine elektronik endüstrisinde “diyot” adı verilmektedir.19 Diyot’larda kılıf tipleri ve terminal isimleri 18 . Bu nedenle diyotlara “nokta temaslı diyot” veya “yüzey bitişimli diyot” adı da verilebilir. diyot üreticileri tarafından bir yüzey boyunca veya belirli bir noktada yapılabilir. P ve N maddesinin birleştirilmesi işlemi.19’da elektronik endüstrisinde kullanılan diyotların kılıf tipleri ve terminal isimleri verilmiştir.I Kaplan 1. Her iki tip diyodun özellikleri ve çalışma karakteristikleri aynıdır.

İdeal Diyot İdeal Diyot If + VDD VF=0V IF=VDD /R R + VDD Ir=0 Vr R Vr Ir Vf a) Dogru Polarma b) Ters Polarma c) V-I Karakteristiği Şekil-1. Anot terminalini P tipi madde.21 İdeal diyot’un ileri ve ters polarmada davranışları 19 . Anot Anot Anot P N Katod Katod Katod Şekil-1.21. Üzerinden akım akmasına izin vermez ve direnci sonsuzdur. Anot terminaline göre. işlevleri ve özellikleri farklılıklar gösteren diyotlarda vardır. katot terminaline negatif bir gerilim uygulanan diyot. katod terminalini ise N tipi madde oluşturur. Bu bölümde genel amaçlı doğrultmaç diyotlarını ayrıntıları ile inceleyeceğiz. Anot terminaline göre.20’de diyot’un temel yapısı ve şematik diyot sembolleri verilmiştir. Üzerinden akım akmasına izin verir.c’de verilmiştir. Bu durum şekil-1. açık bir anahtar gibi davranır. Bu durum şekil-1. doğru yönde polarmalandığında kapalı bir anahtar gibi davranır. İleriki bölümlerde incelenecektir. Şekil-1. Bu diyotlar.21. Direnci minimumdur.a’da görülmektedir. İdeal Diyot Modeli İdeal diyodu tek yönlü bir anahtar gibi düşünebiliriz.I Kaplan Elektronik biliminde her devre elemanı sembollerle ifade edilir.21. doğru (ileri) yönde polarmalandırılmış olur. özel tip diyotlardır. Sembol tespiti bir takım uluslararası kurallara göre yapılmaktadır.20 Diyot’un yapısı ve şematik diyot sembolleri Şekil-1. katot terminaline pozitif bir gerilim uygulanan diyot ters yönde polarmalandırılmış olur.ANALOG ELEKTRONİK. İdeal bir diyot’un Akım-gerilim karakteristiği ise şekil-1.b’de gösterilmiştir.20’de görüldüğü gibi diyot 2 terminalli aktif bir devre elemanıdır. Diyot. Elektronik endüstrisinde farklı amaçlar için tasarlanmış. Terminallerine işlevlerinden dolayı “anot” ve “katod” ismi verilmiştir.. İdeal diyot ters yönde polarmalandırıldığında.

Bu nedenle üzerinden çok küçük bir miktar akım akar. şekil1..7 + rd rr S S If + If + VDD Vf I R + VDD r Vr + Vr R Vf a) Dogru Polarma b) Ters Polarma Ir c) V-I Karakteristiği Şekil-1. diyoda uygulanan polarma gerilimi ve akımlarına bağlı olarak diyodun davranışını verir. • Diyot’un V-I karakteristiğini • Diyot direncini • Yük doğrusu ve çalışma noktasını • Diyot karakteristiğinin sıcaklıkla ilişkisini ayrıntılı olarak inceleyeceğiz.3V civarındadır.a’da görülen doğru polarma devresinde diyot üzerinden geçen ileri yön akım değeri IF. IF = VDD − VD R olarak belirlenir. gerekli karakteristikleri kullanıcıya sunarlar.a’da verilmiştir. 20 . silisyumda 0. Bu gerilime “diyot öngerilimi” denir ve VF veya VD sembolize edilir. Üretici firmalar. Bu bölümde. ideal modelden farklı davranışlar sergiler. doğru polarma altında kapalı bir anahtar gibi kısa devre değildir.22. Gerçek bir diyot’un doğru polarma altında modellemesi şekil-1.22. Ters yönde polarmada ise. Bu gerilim değeri.I Pratik Diyot Modeli Kaplan Pratik kullanımda diyot. Bu nedenle üzerinde bir miktar gerilim düşümü oluşur.8 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot karakteristiği. Bir miktar direnci vardır. ürettikleri her bir farklı diyot için.c’de verilmiştir.22 Pratik bir diyot’un ileri ve ters polarmada davranışları 1. Gerçek bir silisyum diyodun V-I karakteristiği ise şekil-1. 0. Bu akıma “sızıntı akımı” denir ve IR ile sembolize edilir. Örneğin.ANALOG ELEKTRONİK. açık bir anahtar gibi direnci sonsuz değildir.7V. Örneğin. Sızıntı akımı çok küçük olduğundan pek çok uygulamada ihmal edilebilir.22. germanyumda ise 0.

7V civarındadır.23’deki grafik dikkatlice incelenirse. Ters polarma altında diyot’u kırılıp iletime geçmesine neden olan bu gerilime “kırılma gerilimi” denir. tüketime sunmuşlardır. doğru ve ters polarma altında farklı davranışlar sergiler. Üzerinden akan akım miktarı yükselir. doğru polarmada iletimdedir. 21 . diyot üzerinden geçen akım arasındaki ilişkiyi gösterir. Bu tür diyotlara “zener diyot” adı verilir. diyot üzerinden akan akım arttığı halde. Bu akıma “sızıntı akımı” denir. Bu gerilim diyot öngerilimi olarak adlandırılır. bu durumu dikkate alarak farklı değerlerde kırılma gerilimine sahip diyotlar geliştirip. Şekil-1. If (mA ) + Vf If + V DD Dogru Polarma R Kırılma noktası Sızıntı akımı Vr ( V ) VF=0.7V Vf ( V ) + Vr Ir VDD Ters Polarma R + Ir (µA ) Şekil-1. belirli bir gerilim değerinden sonra iletime geçer.I Diyot’un V-I karakteristiği Kaplan Diyot’un V-I karakteristiği. Genel kullanım amaçlı silisyum diyodun doğru ve ters polarmalar altındaki V-I karakteristiği şekil-1. Diyot öngerilimi silisyum bir diyot’da yaklaşık olarak 0. Bu durum şekil-1. diyot üzerinden geçen akım miktarı çok küçüktür. kırılma geriliminde iletime geçmekte ve üzerinden akım akmasına izin vermektedir. Diyot.23 Silisyum diyot’un V-I karakteristiği Diyot.23 üzerinde diyodun V-I karakteristiğini çıkarmak için gerekli devre bağlantıları görülmektedir. Ters polarma altında ise. Zener diyotlar. Bu değerden sonra diyot üzerinden akan ileri yön IF akımı artarken. diyot uçlarına uygulanan gerilimle. gerilim sabit kaldığı gözlenmektedir. Üretici firmalar. Diyot. Şekil-1. Ters polarma altında diyot. diyot üzerine düşen gerilim yaklaşık olarak sabit kalmaktadır.23’de verilmiştir. Ancak iletime başlama noktası VD olarak işaretlenmiştir. silisyum bir diyot’da birkaç nA seviyesinde. Bu durum önemlidir.23 üzerinde gösterilmiştir. Sızıntı akımı. germanyum bir diyot’da ise birkaç µA seviyesindedir. ileri bölümlerde ayrıntılı olarak incelenecektir.ANALOG ELEKTRONİK.

5 0. Si=2) Silisyum ve germanyum diyotların akım-gerilim karakteristik eğrileri şekil-1.I Kaplan Şekil-1. aşağıda verilen eşitlik ile açıklanabilir. Diyodun doğru akım altında gösterdiği direnç değerine “statik direnç” denir. If (mA ) 30 25 20 15 10 Ge Si Ir(si)=10nA Vr ( V ) 5 2µA 4µA 6µA 0. I : Diyot akımını I0 : Ters polarmada sızıntı akımını V : Diyot uçlarına uygulanan polarma gerilimini Q : Elektron şarj miktarını (Coulomb olarak) T : pn birleşim sıcaklığını (K cinsinden) K : Boltzman sabitini ŋ : Metale bağımlı bir sabite (Ge:1. ise öngerilimlerinin küçük olmaları nedeniyle (0.23’de verilen diyot karakteristiğinde.7 Vf ( V ) Si Ge Ir (µA ) Şekil-1. 22 .3 0. Bu nedenle günümüzde silisyum diyotlar özellikle tercih edilir. Ters polarma altında ve kesimdeyken ise 10MΩ-100MΩ arasındadır. Germanyum diyotlar.ANALOG ELEKTRONİK. Doğru polarma altında ve iletim halindeyken. diyot’un kırılıp akım akıtmaya başlaması.24’de birlikte verilmiştir. Görüldüğü gibi germanyum diyotların sızıntı akımı çok daha büyüktür. direnci minimum 10Ω civarındadır.3V) özellikle alçak güçlü yüksek frekans devrelerinde kırpıcı olarak kullanılmaktadırlar. Statik direnç (rs) aşağıdaki gibi formüle edilir.2-0. I = I0 qV ηkT (e − 1) Bu formülde. karakteristiğinde görüldüğü gibi doğrusal değildir. diyot uçlarındaki gerilimle diyot üzerinden geçen akımın oranına göre tayin edilir.24 Silisyum ve germanyum diyot karakteristiklerinin karşılaştırılması Diyot Direnci Diyot’un elektriksel olarak direnci. Diyot direnci.

Q3 değişimi gibi) küçük bir değişimini almamız gerekir.. Şekilde görülen karakteristikte değişim noktaları Q1.’da verilmiştir. Yük Doğrusu ve Çalışma Noktası Diyot. Şekil-1. rS (Q1 ) = rS (Q2 ) = V1 I1 V2 I2 olarak bulunur. Şekil-1. Q2 noktasındaki değişimin (Q1 . Dinamik direnç (rD) aşağıdaki gibi formüle edilir.25’de görülen diyot karakteristiğinden yararlanılır. Q2 ve Q3 olarak işaretlenmiştir. IF(mA) Q3 Q2 Q1 V 1 V 2 V3 VF (v) I3 I2 I1 .26. Örneğin Q1 ve Q2 noktalarında diyot’un statik direnci. rD = ∆V V3 − V1 = I 3 − I1 ∆I Elde edilen bu eşitlik ters polarmada da kullanılabilir. dinamik veya statik direnç değerlerinin hesaplanmasında diyot karakteristiği kullanılır.25 Statik ve Dinamik diyot dirençlerinin belirlenmesi Statik ve dinamik diyot dirençlerinin belirlenip formüle edilmesinde şekil-1. Örneğin Q2 noktasındaki dinamik direnç değerini bulmak istersek. Devrede diyot doğru yönde polarmalandırılmıştır. VD IF VDD I F(mA) VDD R Egim = − R Q 1 R VF VDD V(v) 23 .ANALOG ELEKTRONİK. rD ( dinamik ) = ∆V ∆I Diyotlarda. Diyot’un dinamik direnci ise.25’de silisyum bir diyodun ileri yön karakteristiği verilmiştir. direnç ve DC kaynaktan oluşan basit bir devre şekil-1. akım ve gerilimin değişmesi ile oluşan direnç değeridir.I rS (statik ) = VD ID Kaplan Alternatif akım altında gösterdiği direnç değerine “dinamik direnç” denir.

24 . Sıcaklık Etkisi Diyot karakteristiği ile ilgili bir diğer faktör ise sıcaklıktır. Yük çizgisinin eğimi ise -1/R’dir. VDD geriliminin çeşitli değerleri için devreden akacak olan IF akım değerleri bulunup karakteristik üzerinde işaretlenir ve kesişim noktaları birleştirilirse şekil-1.3mV civarında azalır.I Kaplan Diyot ideal kabul edilirse devreden akacak akım miktarı.26’da görülen eğri elde dilir. devreden akacak I akımı miktarına bağlı olarak diyot uçlarında VD ile belirlenen bir diyot öngerilimi oluışacaktır. Bu gerilim değeri lineer değildir. İşaretlenen noktalar karakteristik üzerinde birleştirilirse yük doğrusu çizilmiş olur. Diyot karakteristik eğrisinin yük çizgisini kestiği nokta Q çalışma noktası olarak bilinir. Bu durum şekil1. Şekil-1. • • Diyot öngerilimi VF.26’da verilen devreye bağlı olarak yük doğrusu bir defa çıkarıldıktan sonra VDD’nin herhangi bir değeri için akacak akım miktarı ve buna bağlı olarak R direnci uçlarında oluşabilecek gerilim değeri kolaylıkla bulunabilir. diyot ön gerilimi VD’nin alabileceği değerler diyot karakteristiği kullanılarak bulunabilir. IF = V DD R olacağı açıktır. Üretici firmalar diyodun karakteristik değerlerini genellikle 250C oda sıcaklığı için verirler.26 üzerinde gösterilmiştir. V F = V DD − I F ⋅ R olacağı açıktır.ANALOG ELEKTRONİK. oda sıcaklığından farklı değerlerde ise diyot öngeriliminde ve sızıntı akımında bir miktar değişime neden olur. Bu gerilim değerinin. her 100C’lik ısı artışında yaklaşık iki kat olur. Çeşitli VDD değerleri veya IF değerleri için. IF=0 için VF=0 için VF=VDD IF=VDD/R (Diyot yalıtkan) (Diyot iletken) Bulunan bu değerler karakteristik üzerindeki koordinatlara işaretlenir. Bu eğriye yük doğrusu denilir. Diyot sızıntı akımı I0. Yük doğrusu ve çalışma noktasının tayini. diyot’u özellikle hassas kullanımlarda duyarlı ve pratik çalışma sağlar. Gerçek bir diyot kullanıldığında ise. Yük doğrusu çizimi için. Ayrıca devreden akan akacak olan ID akımı değerinin VDD gerilimine bağlı olarak da çeşitli değerler alacağı açıktır. Diyot’un çalışma ortamı ısısı. Örneğin bu duyarlılıktan yararlanılarak pek çok endüstriyel ısı ölçümünde ve kontrolünde sensör olarak diyot kullanılır. Diyot’un ısı değişimine karşı gösterdiği duyarlılık oldukça önemlidir. her 10C’lik ısı artışında yaklaşık 2.

b’de verilen devre için ters yön gerilim ve akım değerlerini ideal ve pratik bir silisyum diyot için bulunuz. Diyot ters yön akımı IR=1µA RA IF VDD 10V 1KΩ VF VDD IR 10V RA 1KΩ VR (a) (b) Şekil-1.a ve b Diyot devreleri Çözüm:1. 10V V = 10mA I F = DD = 1KΩ RA VA = I F ⋅ RA = ( 10mA) ⋅ ( 1KΩ ) = 10V VF=0V Pratik Diyot Modeli.3mA I F = DD 1KΩ RA VA = I F ⋅ RA = (9.7V b) İdeal Diyot Modeli.27.3V VF=0. VRA = I R ⋅ RA = (1µA) ⋅ (1KΩ ) = 1mV VR = VDD − VRA = 10V − 1mV = 9. VR = VDD = 10V VRA = 0V IR=0A Pratik Diyot Modeli.I Kaplan Örnek:1.7V = = 9.a’da verilen devre için diyot üzerinden akan ileri yön akımını ideal ve pratik bir silisyum diyot için bulunuz. V − VF 10V − 0.1 a) Şekil-1.27. b) Şekil-1.3mA) ⋅ (1KΩ ) = 9.999V IR=1µA c) d) 25 .27.ANALOG ELEKTRONİK.1 a) İdeal Diyot Modeli.

72V 0. Bu gerilim. Germanyum diyotlarda ise 0.97W PD = ( I F ) ⋅ (V D ) = (100mA) 2 ⋅ (0.9V − 0. Test işlemi sayısal multimetrenin “Diyot” konumunda yapılır.72 0.2V) görülür.ANALOG ELEKTRONİK.3V I F(mA) 50 R 10 0. sayısal veya analog bir multimetre yardımıyla basitçe test edilebilir.29’da diyot’un sayısal bir multimetre yardımıyla nasıl test edileceği gösterilmiştir.3V = = 97Ω ID 100mA Direnç ve diyot üzerinde harcanan güçleri hesaplayalım.I Kaplan Örnek: 1. Analog bir multimetre ile ölçme işlemi Ω konumunda yapılır.3V ) = 0.18V rD = = = rD = 4.28’de verilen devrede germanyum diyot kullanılmıştır. Diyot’un dayanabileceği maksimum akım değeri 100mA olduğuna göre R direncinin minimum değeri ne olmalıdır? Diyot ve direnç üzerinde harcanan güçleri bulunuz? b) Aynı devrede verilen diyot karakteristiğini kullanarak diyot’un ac dinamik direncini bulunuz? ID VDD 10V V F=0.28 Diyot devresi ve V-I karakteristiği Çözüm: a) R= V DD = I D ⋅ R + V D V DD − V D 10V − 0. Ters polarmada her iki diyot tipinde multimetrenin pil gerilimi (1.3V civarındadır.2 a) Şekil-1.03W = 30mW b) İleri yön karakteristiği verilen diyodt’un ac dinamik direnç değeri. PR = ( I F ) 2 ⋅ R = (100mA) 2 ⋅ (97Ω) = 0.7V civarındadır. doğru polarmada silisyum diyotlarda 0. ters yön direnci ise sonsuz bir değerdir. 26 . ∆V 0. Şekil-1. Test işlemi sonucunda diyot’un anotkatod terminalleri de belirlenebilir. Multimetrenin gösterdiği değer diyot üzerindeki öngerilimidir. Sağlam bir diyot’un ileri yön direnci minumum.9 VF (v) Şekil-1.5Ω ∆I 50mA − 10mA 40mA Diyot Testi Diyot.

Birleşim işlemi bir noktada yapılabildiği gibi yüzey boyunca da yapılabilir. Bu nedenle diyotlar genellikle yüzey birleşimli veya nokta temaslı olarak imal edilirler. • Yarıiletken materyaller 4 adet valans elektrona sahiptir. yalıtkan veya yarıiletken olarak tanımlanmasında etkindirler. • Silisyum veya germanyum elementlerine katkı maddeleri eklenerek P ve N tipi maddeler oluşturulur. Ω V Off 10A mA COM mA A 10A VΩ 0. Protonlar pozitif yüklüdür. Elektronlar ise çekirdek etrafında sabit bir yörüngede dolaşırlar. nötron ve elektron. • Atomik yapıda nötron ve protonlar merkezdeki çekirdeği oluşturur. 00 Ω V Off 10A mA COM mA A 10A VΩ Katod Anot Anot Katod Katod Anot Katod Anot a) Ileri Yönde polarma Diyot Saglam b) Ters Yönde polarma Diyot Saglam c) Ileri Yönde polarma Diyot Bozuk (açik devre) d) Ileri Yönde polarma Diyot Bozuk (kisa devre) Şekil-1. çekirdekten uzakta belirli yörüngelerde bulunurlar ve negatif yüklüdürler. Ω V Off 10A mA COM mA A 10A VΩ 120 . Elektronik endüstrisinde yarıiletken devre elemanlarının üretiminde silisyum ve germanyum elementleri kullanılır. • P ve N tipi maddelerin birleşimi diyot’u oluşturur. Valans elektronlar maddenin iletken. Nötronlar ise yüksüzdür. 27 . Her iki tip diyot’unda temel özellikleri aynıdır. yörüngesindeki elektron miktarı 8’den fazla olamaz. Bir atomun son • Atomun son yörüngesindeki elektronlar “valans elektron” olarak adlandırılırlar. P ve N tipi maddeler ise elektronik devre elemanlarının üretiminde kullanılırlar.25 Sayısal multimetre ile diyot testi 1.I Kaplan 0. Proton. • Elektronlar. • Atomun yörüngeleri K-L-M-N olarak adlandırılırlar. Klasik bohr modeline göre atom 3 temel parçacıktan oluşur. 70 Ω V Off 10A mA COM mA A 10A VΩ 120 . Yörüngedeki elektronlar atom ağırlığı ve numarasına bağlı olarak belirli sayılardadırlar.9 BÖLÜM ÖZETi • Doğadaki tüm maddeler atomlardan oluşur.ANALOG ELEKTRONİK.

• İletim bölgesinde çalışan bir diyot üzerinde bir miktar gerilim düşümü oluşur. Bu akıma “sızıntı akımı” denir. • Analog veya sayısal bir ohmmetre kullanılarak diyotların sağlamlık testi yapılabilir. Bunlar İletim ve kesim modunda çalışmadır. N tipi maddeden oluşan terminale Katot. Üzerinden çok küçük bir bir miktar akım akar.3mV azalır.Sızıntı akımı diyot’un çalışma ısısından etkilenir. İki adet terminale sahiptir. Bu gerilime “diyot öngerilimi” denir.ANALOG ELEKTRONİK. • Diyot iki temel çalışma biçimine sahiptir. Diyot’un anoduna. Test işlemi sonucunda ayrıca diyot’un anot ve katot terminalleri belirlenebilir. 28 . pratik olarak açık devre (direnci sonsuz) değildir. Diyot öngerilimi silisyum bir diyot üzerinde yaklaşık 0. • Diyot’un anoduna.7V. kataduna nazaran daha negatif bir gerilim uygulanırsa diyot kesim bölgesinde çalışır yalıtkandır. kataduna nazaran daha pozitif bir gerilim uygulanırsa diyot iletim bölgesinde çalışır ve iletkendir. Bu değer nA ile µA’ler mertebesindedir. • Diyot öngerilimi bir miktar diyot’un çalışma ortamı ısısına bağımlıdır. Örneğin her 100C sıcaklık artışında sızıntı akımı yaklaşık iki kat olur. Diyot öngerilimi 10C sıcaklık artmasına karşın yaklaşık 2.I Kaplan • Diyot elektronik endüstrisinin en temel devre elemanlarından biridir. • Kesim bölgesinde çalışan bir diyot. Germanyum bir diyot üzerinde ise yaklaşık 0. P tipi maddeden oluşan terminale Anot ismi verilir.3V civarındadır. • Sızıntı akım değeri germanyum diyotlarda silisyum diyotlardan bir miktar daha fazladır.

BÖLÜM 2 Diyot Uygulamaları Konular: 2. • • • • • • Yarım dalga doğrultmaç devresinin çalışması ve analizi Tam dalga doğrultmaç devresinin çalışması ve analizi Doğrultmaçlarda filtreleme ve filtre devreleri Diyotlarla gerçekleştirilen kırpıcı ve sınırlayıcı devrelerin analizi Diyot veri sayfalarının incelenmesi ve çeşitli karakteristikler Diyot devrelerinin kısa analizleri ve yorumlar .2 2.6 Yarım-Dalga Doğrultmaç Tam-Dalga Doğrultmaç Filtre Devreleri Kırpıcı ve Sınırlayıcı Devreler Gerilim Kenetleyici ve Gerilim Çoklayıcılar Diyot Veri Sayfaları Amaçlar: Bu bölümü bitirdiğinizde aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgiye sahip olacaksınız.1 2.5 2.4 2.3 2.

ANALOG ELEKTRONİK. teyp. bilgisayar v. dönüştürme işlemiyle birlikte kullanıcıyı şehir şebekesinden yalıtır. doğrultucu (rectifier). Filtre (filter) ve regülatör (regulator) devrelerinden oluşmaktadır. pratik olarak pil veya akülerden elde edilir. Dönüştürme işlemi için DC güç kaynakları kullanılır. Dönüştürme işlemi Doğrultmaç (redresör) olarak adlandırılan cihazlarla gerçekleştirilir. aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgilere sahip olacaksınız. Bu oldukça pahalı bir çözümdür. • • • Temel bir güç kaynağı sistemi Transformatörler ve işlevleri Yarım dalga doğrultmaç devresi • Rıpıl faktörü Temel DC Güç Kaynağı (Power Supply) Bilindiği gibi bütün elektronik cihazlar (radyo. Temel bir DC güç kaynağının blok şeması şekil-2.1 YARIM DALGA DOĞRULTMAÇ Tüm elektronik cihazlar çalışmak için bir DC güç kaynağına (DC power supply) gereksinim duyarlar.1 AC Gerilimin DC Gerilime Dönüştürülmesi Sistem girişine uygulanan AC gerilim (genellikle şehir şebeke gerilimi). sistem çıkışında doğrultulmuş dc gerilim olarak alınmaktadır. basitten karmaşığa doğru birkaç farklı yöntemle tasarlanabilir. Şebekeden alınan AC formdaki sinüsoydal gerilim. Bu bölümü bitirdiğinizde. doğrultmaç devreleri kullanılarak doğrultulur. DC enerji. Doğrultmaç veya DC Güç kaynağı (DC power supply) denilen cihazlar. önce bir transformatör yardımıyla istenilen gerilim değerine dönüştürülür.1’de görülmektedir. 30 . Bu gerilimi elde etmenin en pratik ve ekonomik yolu şehir şebekesinde bulunan AC gerilimi. DC gerilime dönüştürmektir. Sistem girişine uygulanan ac gerilim. Transformatör yardımıyla istenilen bir değere dönüştürülen AC gerilim. Doğrultmaç Devresi Filtre Devresi Regülatör Devresi Transformatör Vgiriş AC RL Şekil-2. DC gerilime dönüştürülür. DC enerji elde etmenin diğer bir alternatifi ise şehir şebekesinden alınan AC gerilimi kullanmaktır. Transformatör.I Kaplan 2.b gibi) çalışmak için bir DC enerjiye gereksinim duyarlar. Sistem. Bu bölümde en temel doğrultmaç işlemi olan yarım dalga doğrultmaç (Half wave rectifier) devresinin yapısını ve çalışmasını inceleyeceğiz. tv.

ANALOG ELEKTRONİK. Bu sargılara primer ve sekonder adı verilir. Bu gerilim değerini belirlenen veya istenilen bir AC gerilim değerine dönüştürülmesinde transformatörler kullanılır. Sistemi oluşturan blokları sıra ile inceleyelim. Transformatör karkası üzerine genellikle iki ayrı sargı sarılır. Şekil-2. Sargıların sarım sayısı spir olarak adlandırılır. Transformatörlerin sekonder ve primer sargıları arasında fiziksel bir bağlantı olmadığından. sekonderler sargıları ise farklı gerilim değerlerinde üretilerek kullanıcıya sunulurlar. Primer giriş. Doğrultulan gerilim. Şekil-2. kayıpları en az elektrik makineleridir. Bu durum. Transformatör. güvenlik için önemli bir avantajdır. Transformatörün primer sargılarından uygulanan AC gerilim. gücü ve gerilim değeri tamamen kullanılan transformatörün sarım sayılarına ve karkas çapına bağıdır.I Kaplan Doğrultma işlemi için yarım ve tam dalga doğrultmaç (redresör) devrelerinden yararlanılır. Şehir şebeke gerilimi genellikle 220Vrms/50Hz’dir. İdeal bir DC gerilim elde etmek için kullanılan son kat ise regülatör düzenekleri içerir. sekonder çıkış sargısı olarak kullanılır.2’de örnek olarak bazı alçak güçlü transformatörler görülmektedir.3'de farklı sargılara sahip transformatörlerin sembolleri ve gerilim değerleri gösterilmiştir. 31 . Sekonder sargısından alınan AC işaretin. ideal bir DC gerilimden uzaktır ve az da olsa AC bileşenler (rıpıl) içerir. sekonder sargısından alınır. Transformatörler Transformatörler. Primer sargıları genellikle 220Vrms/50Hz.2 Farklı model ve tipte transformatörler Transformatörlerin primer ve sekonder gerilimleri ve güçleri üzerlerinde etkin değer (rms) olarak belirtilir. Üreticiler ihtiyaca uygun olarak çok farklı tip ve modelde transformatör üretimi yaparlar. kullanıcıyı şehir şebekesinden yalıtırlar. silisyumlu özel saçtan yapılmış gövde (karkas) üzerine sarılan iletken sargılardan oluşur. Şekil-2. Filtre devreleri tam bir DC gerilim elde etmek ve rıpıl faktörünü minimuma indirmek için kullanılır.

ANALOG ELEKTRONİK.5. Şehir şebekesinden alınan 220Vrms değere sahip AC gerilim bir transformatör yardımıyla 12Vrms değerine düşürülmüştür. pozitif alternans yük üzerinde oluşur. Yarım dalga doğrultmaç devresine uygulanan giriş işareti sinüsoydaldır ve zamana bağlı olarak yön değiştirmektedir. Bu durum şekil-2. hem de çıkış akımına göre töleranslı seçilmelidir. Üzerinden akım akmasına izin verir. DC gerilime dönüştürmek için en basit yöntem yarım dalga doğrultmaç devresi kullanmaktır. Devrede kullanılan diyodu ideal bir diyot olarak düşünelim. primer ve sekonder gerilimleri ile birlikte transfomatörün gücüne de dikkat edilmelidir.I Kaplan 36V Sekonder 24V Primer Primer Sargısı 220Vrms 50Hz Sekonder Sargısı 12Vrms 50Hz 12V 220Vrms 50Hz 12V 0V a) Transformatör b) Orta uçlu Transformatör c) Çok uçlu Transformatör 24V 220Vrms 50Hz 12V Şekil-2. Transformatör her durumda istenen akımı vermelidir. çekirdeğin doyma bölgesine girme tehlikesi vardır. Tipik bir yarım dalga doğrultmaç devresi şekil-2. 220Vrms 50Hz 12Vrms 50Hz Diyot RL Şekil-2. diyot doğru polarmalanmıştır. Güç kaynağında kullanılacak transformatörün toplam gücü.3 Farklı tip ve modelde Transformatör sembolleri ve uç bağlantıları Üç uçlu transformatörler doğrultucu tasarımında tasarruf sağlarlar. V Giriş + 0 t 12Vrms 50Hz RL 0 t Diyot İletimde + V Çıkış Şekil-2. trafo üzerinde ve diğer devre elemanlarında harcanan güç ile yükte harcanan gücün toplamı kadardır.5’den yararlanılacaktır. Transformatör seçiminde.4 Yarım Dalga Doğrultmaç Devresi Devrenin çalışmasını ayrıntılı olarak incelemek üzere şekil-2. Dolayısıyla iletkendir.5.4’de verilmiştir. Yarım Dalga Doğrultmaç Şehir şebekesinden alınan ve bir transformatör yardımıyla değeri istenilen seviyeye ayarlanan AC gerilimi.a üzerinde ayrıntılı olarak gösterilmiştir. Bu nedenle transformatör hem harcanacak güce. Giriş işaretinin pozitif alternansında.a Giriş işaretinin pozitif alternansında devrenin çalışması 32 . Fakat bir transformatörden uzun süre yüksek akım çekilirse.

7 Yarım dalga doğrultmaç devresinde çıkış işaretinin ortalama değeri 33 . V Giriş 0 t + 12Vrms 50Hz I=0A RL 0 t Diyot kesimde + V Çıkış Şekil-2. Bu durum istenmez. Bu durum şekil-2. O halde çıkış işaretinin alacağı dalga biçimi ve ortalama değeri şekil-2. V VTepe 0 t Şekil-2. Doğrultmaç çıkışından sadece pozitif saykıllar alınmaktadır. negatif alternansları içermez.6 Yarım dalga doğrultmaç devresinin çıkış dalga biçimleri Yarım dalga doğrultmaç devresinin çıkışından alınan işaretin DC değeri önemlidir. Yarım dalga doğrultmaç devresinin girişine uyguladığımız işaret 12Vrms değerine sahipti. Dolayısıyla giriş işaretinin negatif alternansında diyot yalıtımdadır.b Giriş işaretinin negatif alternansında devrenin çalışması Yarım dalga doğrultmaç devresinin çıkışında elde edilen işaretin dalga biçimi şekil2. V VTepe Vort =VDC 0 T t Şekil-2.ANALOG ELEKTRONİK. VTepe = 2 ⋅ 12V ≅ 17V civarındadır. Gerçekte doğrultmaç çıkışından tam bir DC veya DC gerilime yakın bir işaret alınmalıdır. Açık devredir. Bu değeri ölçmek için çıkış yüküne (RL) paralel bir DC voltmetre bağladığımızda şekil2. Çünkü diyot ters yönde polarmalanmıştır.I Kaplan Giriş işaretinin frekansına bağlı olarak bir süre sonra diyodun anoduna negatif alternans uygulanacaktır.6’da ayrıntılı olarak verilmiştir. Yarım dalga doğrultmaç devresinin çıkışından alınan işaret artık AC bir işaret değildir.5.6’daki işaretin ortalama değerini ölçeriz.b üzerinde gösterilmiştir. Çünkü çıkış işareti. Bu işaretin tepe değeri ise. Çıkış işareti bu nedenle DC işarete de benzememektedir dalgalıdır. RL direnci üzerinden alınan çıkış işareti 0V olur.5.7 üzerinde gösterelim. Üzerinden akım akmasına izin vermez.

4 volt Π 3. aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgiler elde edeceksiniz.19 volt Π 3.19 0 t Şekil-2. Yukarıda belirtilen değerler gerçekte ideal bir diyot içindir. Tam dalga doğrultmaç devreleri. Vt 16.3V = = 5. VOrt = V DC = Vt 17V = = 5.14 2.3Volt Dolayısı ile çıkışa bağlanacak DC voltmetrede okunacak ortalama değer (veya DC değer). Profesyonel ve kaliteli DC güç kaynaklarının yapımında ise tam dalga doğrultmaç devreleri kullanılır.7V=16. Tamdalga doğrultmaç devresinde elde edilen çıkış işaretinin analizi Orta uçlu tamdalga doğrultmaç devresinin analizi Köprü tipi tamdalga doğrultmaç devresinin analizi 34 . V F =0. Bu durumda çıkış işaretinin dalga biçimi ve alacağı değerleri bulalım.I Kaplan Tam bir periyot için çıkış işaretinin ortalama değeri. Bu bölümü bitirdiğinizde. • • • • Yarımdalga doğrultmaç ile tam dalga doğrultmaç arasındaki farklar. VOrt = V DC = olarak elde edilir. VTepe=17V-0.14 olarak bulunur.8 Pratik Yarım Dalga doğrultmaç devresi Çıkış işaretinin alacağı tepe değer.7 t V DC =5. Tam dalga doğrultmaç devresi çıkışında dc gerilime daha yakın bir değer alınır.2 TAM DALGA DOĞRULTMAÇ Basit ve ekonomik DC güç kaynaklarının yapımında yarımdalga doğrultmaç devreleri kullanılır.7v VGiriş + 0 t 12Vrms 50Hz RL + VT=17-0. Pratikte 1N4007 tip kodlu silisyum bir diyot kullandığımızı düşünelim.ANALOG ELEKTRONİK. orta uçlu ve köprü tipi olmak üzere iki ayrı tipte tasarlanabilir.

VOrtalama = V DC = 2 ⋅ (17V ) = 10. Dolayısıyla çıkış gerilimi daha büyük değerdedir ve DC’ye daha yakındır.10’da görülmektedir. Vt 0 V t Vgiriş YARIMDALGA DOĞRULTMAÇ DEVRESİ Vçıkış 0 t Vt Vt 0 V t Vgiriş TAMDALGA DOĞRULTMAÇ DEVRESİ Vçıkış 0 t Vt Şekil-2. Transformatörün sekonder sargısı şekilde görüldüğü gibi üç uçludur ve orta ucu referans olarak alınmıştır.10 üzerinde ayrıntılı olarak gösterilmiştir. şebekenin her iki alternansında gerçekleştirilir. diğer alternans ise kullanılmıyordu. orta uçlu bir transformatör ve 2 adet diyot ile gerçekleştirilmiştir.9 üzerinde ayrıntılı olarak gösterilmiştir. Tamdalga Doğrultmaç Devresi Tamdalga doğrultmaç devresi şekil-2. Tamdalga doğrultmaç devresinde ise doğrultma işlemi. Bu durum bize tamdalga doğrultmaç devresinin daha avantajlı olduğunu kanıtlar.ANALOG ELEKTRONİK. Bu ekonomik bir çözüm değildir. Yarım dalga doğrultmaç devresinde şehir şebekesinden alınan sinüsoydal işaretin sadece tek bir alternansında doğrultma işlemi yapılıyor.I Kaplan Bir önceki bölümde yarım dalga doğrultmaç devresini incelemiştik. Transformatörün primer sargılarına uygulanan şebeke gerilimi. VOrtalama = VDC = 2Vt Π örneğin tamdalga doğrultmaç girişine 17V tepe değerine sahip sinüsoydal bir işaret uygulanmışsa bu durumda çıkış işaretinin alacağı değer. transformatörün sekonder sargılarında tekrar elde edilmiştir. Sekonder sargısının orta ucu referans (şase) olarak alındığında sekonder sargıları üzerinde oluşan gerilimin dalga biçimleri ve yönleri şekil-2. Bu durum şekil-2. 35 . Dolayısıyla yarımdalga doğrultmacın çıkışından alınan gerilimin ortalama değeri oldukça küçüktür. Sekenderde elde edilen geriliminin değeri transformatör dönüştürme oranına bağlıdır.14 olarak elde edilir.8 volt 3.9 Yarım dalga ve tamdalga doğrultmaç devresinde çıkış dalga biçimleri Tamdalga doğrultmaç devresinde çıkış işaretinin alacağı DC değer aşağıdaki formül yardımıyla bulunur. Bu devre.

sekonder sargılarının üst ucunda negatif alternans. sekonder gerilimi iki ayrı değere (Vsek/2) dönüştürülmüştür.10 Orta uçlu tamdalga doğrultmaç devresi Orta uçlu tamdalga doğrultmaç devresinin incelenmesi için en iyi yöntem şebeke geriliminin her bir alternansı için devreyi analiz etmektir. Bu durumda. Bu durumda D2 diyodu iletken.12 üzerinde ayrıntılı olarak gösterilmiştir. Örneğin.11 Pozitif alternansta devrenin çalışması ve akım yolu Şebekenin negatif alernansında. D1 diyodu ve RL yük direnci üzerinden transformatörün orta ucunda tamamlar. Vgiriş işaretinin pozitif alternansında. transformatörün sekonder sargılarında oluşan gerilim düşümü bir önceki durumun tam tersidir. RL yük direnci üzerinde şekil-2. 36 .12’de belirtilen dalga şekli oluşur. Yük üzerinde şekil-2.ANALOG ELEKTRONİK.11’de belirtilen yönde pozitif alternans oluşur. Bu durumda şaseye göre. Akım yolu ve gerilim düşümleri şekil üzerinde gösterilmiştir. Bu durum şekil-2. trafonun üst ucu. alt ucunda ise pozitif alternans oluşur. Akım devresini trafonun orta ucundan başlayarak D2 üzerinden ve RL yükü üzerinden geçerek tamamlar. Akım yönü ve akımın izlediği yol şekil üzerinde ayrıntılı olarak gösterilmiştir. + + Vgiriş D1 + RL _ 0 VÇIKIŞ t 0 t + - D2 kesim Şekil-2. Akım devresini. Orta uç referans olarak alınırsa. D1 diyodu doğru polarmalandırılmış olur. D1 diyodu ise yalıtkandır.I Kaplan VÇIKIŞ Vsek/2 Vgiriş D1 0 + RL _ 0 t 0 t Vsek/2 D2 Şekil-2. transformatörün sekonder sargısının üst ucunda pozitif bir gerilim oluşacaktır.

Bu değer çıkış işaretinin ortalama değeridir ve aşağıdaki formülle bulunur.ANALOG ELEKTRONİK.3 volt 3. Doğrultma işleminin nasıl yapıldığı şekil-2.3V VOrt =10. VTepe = 2 ⋅ V rms ⇒ 1. VTepe = 17V − 0.7) = 10. Köprü tipi tamdalga doğrultmaç devresi 4 adet diyot kullanılarak gerçekleştirilir.3V 0 t Şekil-2. Bu nedenle diyot üzerinde 0. Şehir şebekesinden alınan 220Vrms/50Hz değere sahip sinüsoydal gerilim bir transformatör kullanılarak istenilen değere dönüştürülür.I Kaplan D1 Vgiriş VÇIKIŞ kesim + RL _ 0 t + 0 t - + + D2 - Şekil-2.13 üzerinde gösterilmiştir. Bu durumda RL yük direnci üzerinde düşen çıkış geriliminin tepe değeri. Çıkışta elde edilen işaretin DC değeri ise devreye bir DC voltmetre bağlanarak ölçülebilir.14 ve şekil-2. VOrtalama = 2(VTepe − V D ) Π = 2(17 − 0.7 = 16.12 Negatif alternansta devrenin çalışması ve akım yolu Orta uçlu tamdalga doğrultmaç devresinde elde edilen çıkış işaretinin dalga biçimini tekrar ele alıp inceleyelim. Devrede kullanılan diyotlar ideal olamaz.7V gerilim düşümü meydana gelir.15 yardımıyla 37 . Silisyum diyot kullanılacaktır.3 volt olacaktır.13 Çıkış dalga biçiminin analizi Köprü Tipi Tamdalga Doğrultmaç Tamdalga doğrultmaç devresi tasarımında diğer bir alternatif ise köprü tipi tamdalga doğrultmaç devresidir.14 çıkış işaretinin dalga biçimi ve özellikleri şekil-2.41 ⋅ 12V = 17 volt olur. Devrede kullanılan transformatörün sekonder sargılarının 2x12Vrms değere sahip olduğunu kabul edelim. Bu durumda transformatörün sekonder sargısında elde edilen işaretin tepe değeri. Transformatörün sekonderinden alınan gerilim doğrultularak çıkıştaki yük (RL) üzerine aktarılır. V çıkış VTepe =16.

bu defa transformatörün alt ucuna pozitif alternans oluşacaktır. D1 ve D2 diyodu doğru yönde polarmalandığı için akım devresini D1 diyodu. Örneğin transformatörün sekonder gerilimi 12Vrms (etkin) değere sahip ise bu gerilimin tepe değeri. RL yük direnci ve D3 diyodu üzerinden geçerek transformatörün üst ucunda tamamlar ve RL yük direnci üzerinde pozitif alternans oluşur.41 ⋅ 12V = 17 volt değerine eşit olur. transformatörün sekonder sargısının üst ucunda pozitif alternans oluşur. Şehir şebekesinin pozitif alternansında. RL yük direnci ve D2 diyodundan geçerek transformatörün alt ucunda tamamlar. Vgiriş - D3 ~ D1 + VÇıkış ~ + + D2 ~ + D4 RL _ t Şekil-2. Doğrultma işleminde tek bir alternans için iki adet diyot iletken olduğunda diyotlar üzerinde düşen öngerilimler dikkate alındığında RL yük direnci üzerinde oluşan çıkış gerilimin tepe değeri.15 Negatif alternansta tamdalga doğrultmaç devresinin davranışı Tamdalga doğrultmaç devresinde çıkış işaretinin aldığı DC değer hesaplanmalıdır.14 Pozitif alternansta tamdalga doğrultmaç devresinin davranışı Şebekenin negatif alternansında. Bu durum ve akım yönü şekil-2.I Kaplan anlatılacaktır. Bu durum ayrıntılı olarak şekil-2. RL yük direnci üzerinde pozitif alternans oluşur. VTepe = 2 ⋅ Vrms ⇒ 1. Bu durumda D3 ve D4 diyotları doğru yönde polarmalanır ve iletime geçerler.ANALOG ELEKTRONİK. Akım devresini.15 üzerinde gösterilmiştir. 38 .14’de ayrıntılı olarak gösterilmiştir. + Vgiriş + D3 ~ D1 + V Çıkış ~ - D2 ~ + D4 RL _ t Şekil-2. D4 diyodu.

8 volt 3.ANALOG ELEKTRONİK. darbelidir ve bir çok ac bileşen barındırır. Bu durum şekil-2. Elektronik devre elemanlarının tasarımında ve günlük hayatta kullandığımız DC sinyal ise ideal veya ideale yakın olmalıdır. Doğrultucu devrelerin çıkışından alınan bu sinyal. Kondansatör (C) ile gerçekleştirilen kapasitif filtre işlemini Rıpıl gerilimini ve rıpıl faktörünü LC filtre Π ve T tipi filtreler DC Güç kaynağı tasarımı ve yapımında genellikle 50Hz frekansa sahip şehir şebeke geriliminden yararlanılır.14 VÇıkış V TE P E=15. Tamdalga doğrultmaç devresinde çıkış işaretinin alacağı ortalama veya DC değeri ise. Bu gerilim tamdalga doğrultmaç devreleri yardımıyla doğrultulur.16 üzerinde gösterilmiştir. 39 .3 DOĞRULTMAÇ FİLTRELERİ Yarımdalga ve tamdalga doğrultmaç devrelerinin çıkışlarından alınan doğrultmuş sinyal ideal bir DC sinyalden çok uzaktır.7 + 0. • • • • • Filtre işleminin önemi ve amaçlarını.4V VORT=10. AC bileşenler ve darbeler barındırmamalıdır. Bu bölümde bitirdiğinizde aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgiler elde edeceksiniz.3V 0V t Şekil-2.I Kaplan VCikis (Tepe ) = VTepe − (V D1 + V D 2 ) VÇikis (Tepe) = 17 − (0. Doğrultmaç çıkışından alınan gerilim ideal bir DC gerilim olmaktan uzaktır.4 volt değerine sahip olur. VOrtalama = V DC = 2VÇikis (Tepe ) Π = 2(15.4) = 9. En ideal filtreleme elemanları kondansatör ve bobinlerdir. Çeşitli darbeler barındırır ve 100Hz’lik bir frekansa sahiptir.16 Köprü tipi tamdalga doğrultmaç devresinde çıkış işaretinin analizi 2. Şehir şebekesinden elde edilen doğrultulmuş sinyal çeşitli filtre devreleri kullanılarak ideal bir DC gerilim haline dönüştürülebilir. Bu durum şekil-2.7) = 15.17’de ayrıntılı olarak gösterilmiştir.

Bu durum şekil-2. Devredeki kondansatörde aynı anda pozitif alternansın ilk yarı değerine şarj olmuştur. Doğrultmaç devrelerinde.ANALOG ELEKTRONİK. Bu filtre işleminde kondansatörlerden yararlanılır.18.18 yardımıyla ayrıntılı olarak incelenmiştir. Bu anda diyot doğru polarmalandığı için iletkendir. Üzerinden akım akmasına izin verir.7V Vgiriş + VT(giriş) + 0V + VC 0V t0 + RL - Şekil-2. Filtre çıkışında küçük de olsa bir takım dalgalanmalar vardır. _ VT(giriş)-0.a Poizitif alternansta diyot iletken.17 Doğrultmaç Devrelerinde Filtre işlemi Doğrultmaç çıkışından alınan gerilim. Kondansatör ile gerçekleştirilen filtre işlemi şekil-2. filtreleme işlemi için en çok kullanılan yöntem kapasitif filtre devresidir. Filtre çıkışında ise dalgalanma oranı oldukça azaltılmıştır. Sisteme enerji verildiğinde önce pozitif alternansın geldiğini varsayalım.I Kaplan V 0 t Tamdalga Doğrultmaç Devresi V 0 t Filtre Devresi V 0 t Şekil-2.18’de ayrıntılı olarak gösterilmiştir. Bu dalgalanma “Rıpıl” olarak adlandırılır.18. Pozitif alternansın ilk yarısı yük üzerinde oluşur.a üzerinde gösterilmiştir. Kaliteli bir doğrultmaç devresinde rıpıl faktörünün minimum değere düşürülmesi gerekmektedir. Elde edilen işaret DC gerilime çok yakındır. kondansatör belirtilen yönde şarj oluyor 40 . Filtreleme işlemi için genellikle kondansatör veya bobin gibi pasif devre elemanlarından faydalanılır. Kapasitif filtre işleminin nasıl gerçekleştirildiği bir yarım dalga doğrultmaç devresi üzerinde şekil-2. Kapasitif Filtre Doğrultmaç devrelerinde filtrelemenin önemi ve işlevi hakkında yeterli bilgiye ulaştık. büyük bir dalgalanmaya sahiptir ve tam bir DC gerilimden uzaktır.

Çünkü kondansatör giriş geriliminin tepe değerine şarj olmuştur. DC güç kaynaklarında rıpıl faktörünün minimum düzeyde olması istenir. Kondansatör şarj gerilimini şekil-2. Şekil-2. Kondansatörle yapılan filtrreleme işleminde kondansatörün kapasitesi büyük önem taşır. + _ + 0V t0 t1 t2 Vgiriş VC + 0V t0 t1 t2 + RL - Şekil-2. 41 . Çıkış işaretindeki dalgalanmaya “rıpıl” denildiğini belirtmiştik.18. Şebekeden negatif alternans geldiğinde ise diyot ters polarma olduğu için yalıtımdadır.b Negatif alternansında diyot yalıtkan.ANALOG ELEKTRONİK. kondansatör RL yükü üzerine deşarj oluyor. Kondansatörün deşarjı şehir şebekesinin negatif alternansı boyunca devam eder. Sonuçta çıkış yükü üzerinde oluşan işaret DC’ye oldukça yakındır. Bu amaçla filtreleme işlemi iyi yapılmalıdır.c Yük üzerinde görülen çıkış işaretinin dalga biçimi Pozitif alternansın ikinci yarısı oluşmaya başladığında diyot yalıtımdadır. 0V Büyük kapasiteli C Küçük kapasiteli C Şekil-2.I Kaplan _ + 0V Vgiriş + VC 0V t0 t1 + RL - Şekil-2.18.19’de filtreleme kondansatörünün çıkış işaretine etkisi ayrıntılı olarak gösterilmiştir. Şekil-2.b’de belirtildiği gibi yük üzerine boşaltır.19 Filtre kondansatörü değerlerinin çıkış işareti üzerinde etkileri Filtreleme işleminin tamdalga doğrultmaç devresinde daha ideal sonuçlar vereceği açıktır. Şebekenin pozitif alternansı tekrar geldiğinde bir önceki adımda anlatılan işlemler devam eder.20’de ise tamdalga doğrultmaç devresinde gerçekleştirilen kapasitif filtreleme işlemi sonunda elde edilen çıkış işaretinin dalga biçimi verilmiştir. Diyot’un katodu anaduna nazaran daha pozitiftir.18.

Rıpıl faktörü yüzde olarak ifade edilir.ANALOG ELEKTRONİK. VDC ise filtre çıkışından alınan gerilimin ortalama değeridir.I Kaplan rıpıl rıpıl Şekil-2. Şekil-2.   1 Vr =    f ⋅ R ⋅ C  ⋅ VT (in ) L     1 V DC = 1 −   2 f ⋅ R ⋅ C  ⋅ VT (in ) L   Formülde kullanılan f değerleri frekans değerini belirtmektedir. } Vr(t-t) VDC Şekil-2. yarım dalga doğrultmaç devresinde ise 50Hz olduğu unutulmamalıdır. Bu dalgalanmaya rıpıl adı verildiğini daha önce belirtmiştik. Tamdalga doğrultmaç devresi için filtre çıkışındaki dalgalanma miktarı Vr. Vr ve VDC değerleri aşağıdaki gibi formüle edilebilir. Çıkışında yeterli büyüklükte kapasitif filtre tamdalga doğrultmaç devresinde bu iki gerilim için aşağıdaki tanımlamalar.21 Tamdalga doğrultmaçta rıpıl faktörünün bulunması Rıpıl faktörü= Rf = Vr V DC Formülde kullanılan Vr ifadesi. Bir tamdalga doğrultmaç devresinde çıkış işaretinin frekansının 100Hz.21’den yararlanılacaktır. Rıpıl faktörünün hesaplanmasında şekil-2. filtre çıkışından alınan geriliminin tepeden tepeye dalgalanma miktarıdır. Filtrelemenin kalitesini ise “rıpıl faktörü=rp” belirlenmektedir.22’de yarımdalga ve tamdalga doğrultmaç devresi çıkışlarında elde edilen filtresiz işaretlerin dalga biçimleri ve şehir şebekesine bağlı olarak peryot ve frekansları tekrar hatırlatılmıştır.20 Tamdalga doğrultmaç devresinde kapasitif filtreleme işlemi ve rıpıl etkileri Filtreleme işlemi sonunda elde edilen çıkış işaretinin dalga biçimi bir miktar dalgalanma içermektedir. doğrultmaç çıkışından alınan ve filtreye uygulanan giriş işareti tepe değerinin (VT) maksimum %10’u kadar ve bu sınırlar içerisinde ise. 42 .

ANALOG ELEKTRONİK.   1 V DC = 1 −   2 f ⋅ R ⋅ C  ⋅ VT (in ) L     1 V DC = 1 −  2 ⋅100 Hz ⋅1KΩ ⋅ 47 µF  ⋅ 32. D3 Çözüm VT ( sek ) = (1.414) ⋅ (24V ) = 34V Doğrultmaç çıkışında elde edilen doğrultulmuş gerilimin değerini bulalım.6V V DC = 29. VT (in ) = (34V − 1.10) ⋅ 32.6V Filtre çıkışından elde edilecek çıkış gerilimi değerini bulalım.4V ) = 32.1 Aşağıda verilen tamdalga doğrultmaç devresinin analizini yapınız? D1 D4 220Vrms 50Hz 24Vrms 50Hz D2 C 47 µF RL 1KΩ Önce transformatörün sekonder geriliminin tepe değerini bulalım.I Kaplan Yarım dalga doğrutmaç devresinde çıkış işaretinin frekans T = 20ms ⇒ 0 1  1  f YD =   =   = 50 Hz  T   20ms  TYD Tam dalga doğrutmaç devresinde çıkış işaretinin frekansı 0 T TD  1  T  f TD =  YD  = 2 ⋅    T  = 2 ⋅ f YD  2   YD  f TD = 2 ⋅ 50 Hz = 100 Hz Şekil-2.   1 Vr =    f ⋅ R ⋅ C  ⋅ VT (in ) L   43 .3V Devre çıkışından alınan işaretin tepeden tepeye rıpıl gerilimi Vr.6V    V DC = (1 − 0.22 Yarımdalga ve tamdalga doğrultmaç devrelerinde çıkış işaretinin frekansları Örnek: 2.

Dolayısıyla devreyi korumak amacı ile kullanılan sigorta (F) atabilir.6V = 6.23 Rıpıl faktörü genellikle yüzde olarak ifade edilir.21) ⋅ 32. L AC Giriş Tamdalga Doğrultmaç LC Filtre C RL Şekil-2.3 Rf=0.24 Tamdalga doğrultmaç devresinde LC filtre 44 . Uygulamalarda bu direnç üzerinde bir miktar güç harcaması olacağı dikkate alınmalıdır.ANALOG ELEKTRONİK.9V Çıkış geriliminin rıpıl faktörünü bulalım.I Kaplan   1 Vr =    100 Hz ⋅ 1KΩ ⋅ 47 µF  ⋅ 32. Çıkışında kapasitif filtre kullanılan bir doğrultmaç devresi şekil-2.23’de verilmiştir. Aşırı akım etkisini minimuma indirmek için kullanılan RANI direncinin değeri önemlidir.22’de LC filtre devresi görülmektedir.  VT ( sek ) − 1.23 Tamdalga doğrultmaç devresinde aşırı akımın önlenmesi D3 LC Filtre Doğrultmaç devrelerinde rıpıl faktörünü minimuma indirmek için bir diğer alternatif bobin ve kondansatörden oluşan LC filtre devresi kullanmaktır. filtre kandansatörü ilk anda yüksüz (boş) olduğu için kısa devre etkisi göstererek aşırı akım çeker. Devrenin ilk açılışında oluşan aşırı akım etkisini minimuma indirmek için genellikle bir akım sınırlama direnci kullanılır. Ayrıca diyotlar üzerinden geçici bir an içinde olsa yüksek akım geçer. Şekil-2. Bu devrede S anahtarı kapatıldığı anda.9 29. Rf = Vr V DC Rf = 6. Bu direnç şekil üzerinde RANI olarak tanımlanmıştır.6V   Vr = (0. Bu direnç diyot üzerinden geçecek tepe akım değerini sınırlamalıdır.4V R ANI =   IF  F Sigorta     D1 D4 RA NI D2 S C 47µF RL 1KΩ Şekil-2.

Şekil-2. Π ve T tipi filtreler bu uygulamalara iyi bir örnektir. • Polarmalı kırpıcı devrelerin özellikleri ve analizi 45 .I Kaplan Bu filtre devresinde bobinin endüktif reaktansı (XL) ve kondansatörün kapasitif reaktansından (XC) yararlanılarak filtre işlemi gerçekleştirilir. Л V giriş C1 L C2 Vçıkış V giriş L1 C1 L2 Vçıkış ? . Rıpıl faktörünün minimuma indirilmesi gereken çok kaliteli doğrultmaç çıkışlarında bu tip filtreler kullanılabilir.23 π ve T tipi filtre devreleri 2.25 Tamdalga doğrultmaç devresinde LC filtre π ve T Tipi Filt re LC tipi filtre devreleri geliştirilerek çok daha kaliteli filtre devreleri oluşturulmuştur.  XC Vr ( out ) =   X −X C  L XL Vr(in)   ⋅V  r (in )  AC Giriş Doğrultmaç Devresi XC Vr(out) Şekil-2. aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgiler elde edeceksiniz.tipi filtre T .23’de Π ve T tipi filtre devreleri verilmiştir. • Kırpıcı diyot devrelerinin özellikleri ve işlevleri.tipi filtre Şekil-2. Belirli bir sinyali kırpma veya sınırlama işlemi için genellikle diyotlardan yararlanılır. elektriksel sinyalleri kontrol etmek ve ihtiyaca göre işlemektir. Çıkış geriliminin alacağı değer ve dalgalılık miktarı aşağıda formüle edilmiştir. Böyle bir filtre devresinde giriş ve çıkış işaretlerinin dalga biçimleri şekil-2.25 üzerinde gösterilmiştir.4 KIRPICI DİYOT DEVRELERİ Elektronik biliminin temel işlevi. Pek çok cihaz tasarımında elektriksel bir işareti istenilen seviyede kırpmak veya sınırlandırmak gerekebilir. Bu bölümü bitirdiğinizde. Bu bölümde kırpıcı (Limiting) diyot devrelerini ayrıntılı olarak inceleyeceğiz.ANALOG ELEKTRONİK.

Diyot iletimdedir.24’de ayrıntılı olarak gösterilmiştir. anaduna +VT gerilimi.7V diyot ön gerilimi elde edilir. Devrenin çalışmasını kısaca açıklayalım. Dolayısıyla kesimdedir. çıkışa sadece negatif alternans verilmiştir. Diyot üzerinde 0. diyot ters yönde polarmalanmıştır.I Kaplan Kırpıcı Devreler Kırpıcı devreler. katoduna ise şase (0V) uygulanmıştır. negatif kırpıcı devre şekil-2. Bu gerilim.25 Negatif kırpıcı devre 46 . Giriş işaretinin pozitif alternansında. diğer bir kısmını ise kırpan devrelerdir. Girişteki pozitif alternans RL yük direnci üzerinde olduğu gibi elde edilir. Çünkü. R1 VT V giriş 0 + RL Vçıkış +0.24 Pozitif kırpıcı devre ve çıkış dalga biçimi Giriş işaretinin sadece negatif alternansının kırpıldığı. R1 VT V giriş 0 -VT + RL Vçıkış 0 -0. Giriş işaretinin negatif alternansında ise diyot iletimdedir.7V ön gerilim görülür. diyoda paralel bağlanmış RL yük direnci üzerinden alınır. girişine uygulanan işaretin bir kısmını çıkışana aktarıp. Giriş işaretinin pozitif alternansında diyot doğru yönde polarmalanır. Örneğin şekil-2.ANALOG ELEKTRONİK. Devrenin çalışmasını kısaca anlatalım. Bu durum şekil-2.7V 0 -VT Şekil-2.7V Şekil-2. çıkıştan sadece pozitif alternans alınmıştır.25’de görülmektedir. Giriş işaretinin negatif alternansında ise diyot ters yönde polarmalanmıştır.24’de görülen devrede giriş işaretinin pozitif alternansı kırpılıp atılmış. Bu devrede. giriş işaretinin negatif alternansı kırpılmış. Bu gerilim diyoda paralel bağlı RL yük direnci üzerindede oluşacaktır. Negatif alternans olduğu gibi RL yük direnci üzerinde görülür. Üzerinde sadece 0. Dolayısıyla kesimdedir.

Devre girişine uygulanan sinüsoydal işaretin (Vg) pozitif alternansı. Girişinden uygulanan sinüsoydal işaretin pozitif alternansını istenilen bir seviyede kırpan kırpıcı devre şekil-2. Devrenin giriş ve çıkış işaretlerinin dalga biçimleri aşağıda verilmiştir.  RL  VÇikis (Tepe) =   ⋅ VGiriş  R L + R1  formülü ile elde edilir.26’da görülmektedir.2 K Ω   VT ( out ) =   ⋅ 20V 100Ω + 2.7V 0 -20V Polarmalı Kırpıcılar Pozitif veya negatif alternansları kırpan kırpıcı devreleri ayrıntılı olarak inceledik.2 KΩ  VT ( out ) = 19. Dolayısıyla çıkışta RL yükü üzerindeki gerilim düşümü. Örnek: 2. Dolayısıyla çıkışta -0. Çıkış işaretinin alacağı değer yaklaşık olarak.3V 0 -0.2KΩ 0 -20V Giriş işaretinin pozitif alternansında diyot açık devredir.13V Negatif alternansta ise diyot iletkendir. Dikkat ederseniz kırpma işlemi diyot öngerilimi hariç bir tam periyot boyunca gerçekleşiyordu. Bu bölümde çıkış işaretinin pozitif veya negatif alternanslarını istenilen veya belirtilen bir seviyede kırpan devreleri inceleyeceğiz. 47 .  RL  VT ( out ) =   ⋅ VT (in )  R1 + R L  2 .I Kaplan Her iki kırpıcı devrede çıkıştan alınan işaretin değerini belirlemede R1 ve RL dirençleri etkindir. 20V 19.2 Aşağıda verilen kırpıcı devrenin analizini bir tam peryot için yapınız? 20V + R1=220Ω RL 2.ANALOG ELEKTRONİK. VA geriliminin belirlediği değere bağlı olarak kırpılmaktadır.7V görülür.

Giriş işareti negatif alternansa ulaştığında ise diyot devamlı yalıtımdadır. RL yükü üzerinde negatif alternans olduğu gibi görülür. Dolayısıyla çıkışta negatif alternans görülmeye devam eder. Bu devre. Girişten uygulanan işaretin pozitif alternansı. Şekil-2. Dolayısıyla VA kaynağı devre dışıdır.ANALOG ELEKTRONİK. R1 VT + RL Vgiriş 0 Vçıkış -VT VA + 0 -VA-0.I Kaplan R1 Vt Vgiriş 0 + RL + Vçıkış VA+0.7+VA) diyot doğru yönde polarmalanacaktır ve iletime geçecektir. Giriş işaretinin negatif alternansı. Dolaysıyla VA kaynağı devre dışıdır.26 Polarmalı pozitif kırpıcı devre Devre analizini Vg geriliminin pozitif ve negatif alternansları için ayrı ayrı inceleyelim. Diyot iletime geçtiği anda çıkışta VA kaynağı görülür. Devrede kullanılan R1 direnci akım sınırlama amacıyla konulmuştur.27 Polarmalı negatif kırpıcı devre 48 .7V) diyot ideal kabul edilerek ihmal edilmiştir.7V 0 -Vt VA Şekil-2. Giriş işaretinin negatif alternansı VA gerilimi değerinden büyük olduğunda (Vg=0. diyodun anaduna uygulanan VA geriliminden daha büyük olana kadar diyot yalıtıma devam eder. diyodun katoduna bağlı VA değerine ulaşana kadar diyot yalıtımdadır. Çünkü ters polarmalanır. Bu durumda devre çıkışında Vg gerilimi aynen görülür.27’de ise polarmalı negatif kırpıcı devre görülmektedir. giriş işaretinin negatif alternansını istenilen veya ayarlanan bir seviyede kırpmaktadır. Girişten uygulanan Vg geriliminin pozitif alternansı VA değerinden büyük olduğunda (Vg=0.7+VA) diyot iletime geçecektir.7V Şekil-2. Çünkü diyodun katodu anaduna nazaran pozitiftir. Diyot üzerine düşen ön gerilim (0. Diyot iletime geçtiği anda VA gerilimi doğrudan çıkışa aktarılacak ve RL yükü üzerinde görülecektir. Giriş işaretinin tüm pozitif alternansı boyunca devredeki diyot yalıtkandır. Üzerinde oluşan gerilim düşümü küçük olacağı için ihmal edilmiştir. Çıkıştaki RL yükü üzerinde tüm pozitif alternans olduğu gibi görülür.

ANALOG ELEKTRONİK.28 Polarmalı pozitif sınırlayıcı devre Giriş işaretinin negatif seviyesini istenilen bir değerde sınırlayan devre şeması şekil2. seri ve paralel olarakta tasarlanabilir. R1 + Vg + + 5V R1 5+0. Giriş işaretinin tüm pozitif alternansı boyunca diyot doğru polarmalanır ve iletimdedir. Diyot yalıtım-da olduğunda devre çıkışında giriş işareti aynen görülecektir. Giriş işaretinin negatif alternansı. Bu durumda çıkışta VA kaynağı görülür.I Kaplan Şekil-2.29 Çıkış dalga biçiminin analizi Kırpıcı devreler. Giriş işareti. giriş işaretinin pozitif seviyesini VA gerilimine bağlı olarak sınır-lamaktadır. R1 VT Vgiriş 0 + RL 0 VA -VT + -VA+0. Çıkışta VA kaynağı olduğu gibi görülür.29’da verilmiştir. diyotların çalışma prensiplerinin anlaşılması ve analizi için oldukça önemlidir. Unutulmamalıdır ki bir çok elektronik devre tasarımında ve elektronik cihazlarda DC ve AC işaretler iç içedir ve birlikte işleme tabi tutulurlar. diyodun anaduna bağlanan VA değerine ulaşana kadar diyot iletimdedir.7V Vç Vg + 5V Vç 0 t 49 .7V Şekil-2. Girişten uygulanan işaret VA değe-rinden büyük olduğunda ise diyot ters polarma olarak yalıtıma gidecektir. Kırpıcı devreler. diyodun katoduna uygulanan VA geriliminden daha negatif olduğunda ise diyot yalıtıma gidecektir. Bu bölümde seri ve paralel kırpıcı devreler sırayla verilmiştir. VT Vgiriş 0 R1 + RL + -VT VA VA-0.7V 0 Şekil-2. Dolaysıyla herhangi bir sinyalin işlenmesinde diyodun işlevi önem kazanır. Dolayısıyla giriş işaretinin tüm negatif alternansı boyunca diyot iletimde olduğu için çıkışta VA kaynağı görülecektir.28’deki devre ise. Diyot yalıtıma gittiğinde giriş işareti aynen çıkışta görülecektir.

7V Vç Vg + 5V Vç 0 t R1 + Vg 5V + R1 Vç + Vg 5V Vç + 0 -5+0. istenilen sabit bir gerilime kenetlemek veya tutmak amacı ile tasarlanmışlardır. 50 . Negatif kenetlemede işleminde ise. bir işaretin dc seviyesini düzenleme işlemidir. Bu bölümde.31’de görsel olarak verilmiştir. pozitif veya negatif kenetleme olmak üzere ikiye ayrılırlar.ANALOG ELEKTRONİK.7V t Şekil-2. Kenetleme pozitif ve negatif kenetleme olmak üzere iki temelde yapılabilir.5 GERİLİM KENETLEYİCİLER Gerilim kenetleyiciler. girişten uygulanan işaretin en alt seviyesi sıfır referans noktasında kenetlenir.I Kaplan R1 + Vg 5V + R1 Vç + Vg 5V Vç + 0 -5-0. Pozitif ve negatif gerilim kenetleme işlemi şekil-2. Gerilim kenetleme işlemi gerçekte. Kenetleme devreleri. pozitif ve negatif kenetleme işlemlerinin nasıl gerçekleştirildiği incelenecektir. Pozitif kenetlemede. girişten uygulanan işaretin en üst seviyesi sıfır referans noktasına kenetlenir.7V t R1 + Vg + 5V + R1 5-0.30 Paralel ve seri kırpıcı diyot devreleri 2. girişlerinden uygulanan bir işaretin alt veya üst seviyesini.

Kenetleyici çıkışında bu işaret 0V referans seviyesine kenetlenmiştir.ANALOG ELEKTRONİK. T 0 Vt + VC Diyot İletimde RL + + t + VC=VT-0.32’de pozitif gerilim kenetleyici devre görülmektedir. diyot doğru yönde polarmalanır ve iletkendir. Pozitif Gerilim Kenetleyici Şekil-2. Yapılan bu işlem sonucunda giriş işaretinin.32 Pozitif gerilim kenetleyici devre Kenetleme işleminin gerçekleşmesi için bu elemanların kullanılması zorunludur. +V ve –V seviyelerinde salınmaktadır. Bu işlem sonucunda giriş işaretinin. Pozitif ve negatif gerilim kenetleyici devreleri ayrı ayrı inceleyelim. Negatif kenetleyici devre girişine uygulanan işaret de aynı şekilde. Bu elemanların zaman sabitesi (τ=RC) yeterince büyük seçilmelidir. Devrede kullanılan R ve C elemanlarının değeri oldukça önemlidir. negatif seviyesi kaydırılmıştır. Çıkıştan alınan işaret artık 0V ile –2V değerleri arasında salınmaktadır.31 Pozitif ve negatif gerilim kenetleme işlemi Pozitif kenetleyici devre girişine uygulanan işaret. 51 .I Kaplan +2V +V +V t Pozitif Kenetleyici Devre 0 t 0 -V Giriş İşareti Çıkış İşareti Giriş İşareti -2V t Negatif Kenetleyici Devre 0 Çıkış İşareti t 0 -V Şekil-2.7V 0. Kondansatör üzerindeki gerilim. Devre girişine uygulanan işaretin negatif alternasının ilk yarım saykılında. Kenetleyici çıkışında ise bu işaret 0V referans seviyesine kenetlenmiştir. Kondansatör.7V RL + + Şekil-2. Devrenin çalışmasını kısaca anlatalım. +V ve –V seviyelerinde salınmaktadır. bir kondansatör ve direnç kullanarak gerçekleştirilmiştir. anında sarj olarak dolar. Diyot kısa devre etkisi göstereceğinden RL direncinin etkisini ortadan kaldırır. Çıkıştan alınan işaret artık 0V ile +2V değerleri arasında salınmaktadır. pozitif seviyesi 0V referans alınarak kaydırılmıştır. Bu devre bir diyot.

7) + VT V RL ≅ 2 ⋅ VT (−0.G.7) RL -2VT+(0.33 Pozitif gerilim kenetleyici ve çıkış dalga biçimleri Negatif Gerilim Kenetleyici Giriş geriliminin üst seviyesini. şekil üzerinde belirtildiği yöndedir. Bu durum şekil-2. V RL = VC + VT V RL = (Vt − 0. 0V (0. +VT 0 -Vt T t + + 2VT-(0. Bu gerilimin polaritesi. Kenetleme işlemi. Giriş işaretinin negatif tepe değeri. Giriş işaretinin pozitif yarım saykılında ise diyot açık devredir.ANALOG ELEKTRONİK. giriş işareti ve kondansatör üzerindeki gerilimlerin toplamı görülür.7V +0. Şekil-5.33’de ayrıntılı olarak gösterilmiştir.7V’luk diyot öngerilimi elde edilir. kenetleyici girişine uygulanan işaret ve çıkışından alınan kenetlenmiş işaret gösterilmiştir. 0V referans noktasına kenetlemek için “negatif kenetleyici” kullanılır.7V t - Şekil-2.7V) referans seviyesine kenetlenmiştir.7) RL -0.7V ile +2VT değerleri arasında salınmaktadır. RL yük direnci üzerinde ise. K uygulanırsa çıkış gerilimi. Çıkış işareti artık yaklaşık olarak 0.34’de negatif kenetleyici devre görülmektedir. Devreden herhangi bir akım akmaz.34 Negatif gerilim kenetleyici devre 52 . Bu durum şekil-2. Giriş işaretinin negatif alternansında.7V referans seviyesine kenetlenmiştir.I Kaplan VC = VT − (0. kondansatör ve direnç elemanları kullanılır. VC=-VT+0.7V ) değerine eşit olur. Devreye K.7) Devre girişine uygulanan ve +VT ve –VT değerlerinde salınan giriş işareti.32 üzerinde gösterilmiştir. kenetleyici devre çıkışında 0V veya 0.7V 0 T + VC=VT-0. Negatif kenetleyici devresinde diyot. bir diyot yardımı ile kondansatörün şarj ve deşarjından yararlanılarak gerçekleştirilir.7V 0 -VT+(0. Devre üzerinde.7) Diyot yalıtımda VT-(0.7) T t +VT 0 -VT T t + + - Diyot iletimde Şekil-5. kenetleyici çıkışında (RL yük direnci üzerinde) 0.

G. VA dc gerilim kaynağından büyük olduğunda (VmSinWt>VA) diyot iletime geçecektir.ANALOG ELEKTRONİK.K’dan. Burada. Bu durum şekil-2. Vc. kenetleyici çıkışı VA gerilim kaynağının değerine eşittir. Eşitliği yeniden düzenlersek. VRL = −(Vm ⋅ 1 − V A ) + Vm ⋅ 1 VRL = −Vm − V A + Vm VRL = +V A değerine eşit olur. Şekil-2. VA kaynağına paralel hale gelir. Bu değerler ışığında RL yük direnci üzerinde oluşan çıkış gerilimi. + +Vm 0 -Vm t1 t2 T VC=Vm-VA - + t Vi + + RL 100K Vi - VA - VA + RL 100K Şekil-2. maksimum değere ulaştığı anda (+Vm). −Vm sin wt + VC + V A = 0V olur. VC = Vm ⋅ sin wt − V A bulunur. kondansatör üzerindeki şarj gerilimidir. K.35’de verilmiştir. Diyot iletime geçtiğinde devrenin eşdeğeri şekilde gösterilmiştir. Çünkü RL yük direnci.I Polarmalı Kenetleyici Kaplan Polarmalı kenetleyici. girişinden uygulanan işareti dc bir değer üzerine bindirerek çıkışına aktarır. VRL = −(Vm ⋅ sin wt − V A ) + Vm ⋅ sin wt değeri elde edilir.35’de girişinden uygulanan sinüsoydal gerilimi. sinwt=sin900=1 ’ e eşittir. 53 . Giriş gerilimi Vi. VA ile tanımlanan dc gerilim kaynağına kenetleyen polarmalı bir gerilim kenetleyici devresi görülmektedir. Kondansatör gerilimini (Vc=Vm sinwt-VA) eşitliğe yerleştirirsek. Dolayısı ile giriş işaretinin pozitif tepe değerinde. K.K yazarsak. Kondansatör üzerinde düşen gerilimi hesaplarsak.35 Polarmalı kenetleyici devresi Devrede giriş gerilimi Vi.G. V RL = −VC + Vm ⋅ sin wt olur.

−VRL = −(Vm ⋅ ( −1 ) − V A ) − Vm ⋅ ( −1 ) VRL = −2Vm + V A değeri elde edilir. VA gerilimine kenetlenmiştir. Gerilim çoklayıcılar.36’da görülen durumu alır. −VRL = −(Vm ⋅ sin wt − V A ) − Vm ⋅ sin wt değeri elde edilir. Kondansatör gerilimini (VC=Vm sinwt-VA) eşitliğe yerleştirirsek.36 Polarmalı kenetleyici ve dalga biçimleri Giriş işaretinin negatif alternansında devrenin matematiksel analizini yapalım. Burada. Polarmalı kenetleyici çıkışında elde edilen işaretin dalga biçimi şekil2. gerilim kenetleyici ve doğrultmaç devreleri birlikte kullanılarak tasarlanır. 54 . TV alıcıları kullanım alanlarına örnek olarak verilebilir.I Kaplan Giriş işaretinin negatif tepe (Vi=Vm sin 2700 t) değerinde ise diyot ters polarma olur ve açık devredir.ANALOG ELEKTRONİK. −V RL = −VC − Vm ⋅ sin wt olur. sinwt=sin2700=-1 ’ e eşittir. + +Vm 0 -Vm t1 t2 T T VA 0 t VC=Vm-VA t Vi 100K VA RL + + -2Vm+VA Şekil-2. girişinden uygulanan işareti isteğe bağlı olarak birkaç kat yükseltip çıkışına aktaran devrelerdir. K. Diyot yalıtımdadır. Sonuçta. yüksek gerilim alçak akım gereksinilen yerlerde kullanılır.6 GERİLİM ÇOKLAYICILAR Gerilim çoklayıcılar (voltage multipliers).36 üzerinde gösterilmiştir. Bu bölümü bitirdiğinizde. Vc = Vm ⋅ sin wt − V A RL yük direnci üzerinde oluşan çıkış gerilimi. • Yarımdalga ve tamdalga gerilim çiftleyiciler • Gerilim üçleyiciler • Gerilim dörtleyiciler Hakkında ayrıntılı bilgiye sahip olacaksınız.K’dan. 2. Kondansatör üzerindeki Vc gerilimi şarj değerini korur.G. Gerilim çoklayıcı devreler. Eşitliği yeniden düzenlersek. devre girişinden uygulanan işaret. Kenetleyici devre şekil-2.

dalga şekilleri üzerinde şekil-2. Dolayısı ile çıkış gerilimi “0V” dur.37 Yarımdalga gerilim çiftleyici devre Devrenin çalışmasını daha iyi anlayabilmek için her bir devre bloğunun işlevleri. Vc=Vm-0. ikiye katlayarak çıkışlarına aktaran elektronik düzeneklerdir. Gerilim Kenetleyici Vi T +Vm 0 -Vm t1 t2 t Vi Vo C1 D2 Vo +2Vm C2 0 t Yarımdalga Doğrultmaç + D1 + - Şekil-2.38 Yarımdalga gerilim çiftleyici devrenin dalga biçimleri Yarımdalga gerilim çiftleyici devresinin nasıl çalıştığı şekil-2. C1 kondansatörü şekilde belirtilen yönde D1 üzerinden. D1 diyodu iletkendir. gerilim kenetleyici ve yarımdalga doğrultmaç devresinin birlikte kullanılması ile oluşturulmuştur.I Kaplan Gerilim Çiftleyici Gerilim çiftleyiciler (Voltage Doupling) girişlerine uygulanan gerilim değerini. Giriş işaretinin (Vi) pozitif yarım saykılında. Gerilim çiftleyicilerin girişlerine uygulanan gerilim.37 üzerinde ayrıntılı olarak gösterilmiştir. Gerilim çiftleyicilerin çıkışından ise doğrultulmuş dc gerilim elde edilir. Şekil2. ac veya darbeli bir işaret olmalıdır. Bu durum şekil-2.ANALOG ELEKTRONİK. yarımdalga ve tamdalga üzere iki tipde yapılabilir. Gerilim çiftleyici devre. 55 .39 üzerinde grafiksel olarak analiz edilmiştir.37’de yarımdalga gerilim çiftleyici devresi görülmektedir. Gerilim çiftleyici tasarımı.7V değerine şarj olur. D2 ise bu anda ters polarma olduğundan yalıtımdadır. Gerilim çiftleyici devrelerin çıkışılarından yapıları gereği sürekli olarak büyük akımlar çekilemez. +Vm 0 -Vm a) Giriş İşareti T +2Vm t Vm 0 b) Kenetleyici Çıkışı t 0 c) Doğrultucu Çıkışı T +2Vm Şekil-2.38 üzerinde gösterilmiştir.

giriş gerilimi tepe değerinin 2 katıdır. 56 .7 + Vi Vi D1 C2 Kesimde Vc=2Vm - + + a) Vi pozitif alternans b) Vi negatif alternans Şekil-2. Şekil-2. D1 diyodu ters polarmalandığından yalıtımdadır. Dolayısıyla çıkışta C2 kondansatörü üzerinden alınan gerilim. VC 2 = V0 = Vm + Vm VC 2 = V0 = 2Vm Not: Devre analizinde diyotlar üzerine düşen öngerilimler (0. Gerilim kenetleyici tasarımında bir diğer alternatif ise “Tamdalga gerilim çiftleyici” devresidir. C2 kondansatörü Vi’nin maksimum değerine D2 üzerinden şarj olur. C2 üzerindeki gerilim ise. D1 İletimde Vi Vi D1 Kesimde + C1 + Vm C1 + Vm + 2Vm + C2 C2 Vm D2 Kesimde D2 İletimde Şekil-2. D2 diyodu ise kesimdedir. D2 diyodu ise iletkendir.G. K. VC 1 − VC 2 + Vm = 0 VC 2 = VC 2 + Vm = 0 VC2 üzerinde.I Kaplan + Vi C1 + D2 Kesimde Vi D1 İletimde C2 + C1 - D2 İletimde Vc=Vm-0.K’dan. C1 kondansatörü giriş işaretinin maksimum değerine şekilde belirtilen yönde şarj olur.7V) ihmal edilmiştir.40 Tamdalga gerilim çiftleyici Transformatörün sekonderinde pozitif alternans oluştuğunda D1 diyodu doğru yönde polarmalanır ve iletime geçer. C1 kondansatörü ters polaritede dolu olduğu için boşalamaz.40’da tamdalga gerilim çiftleyici devresi görülmektedir. Çıkış işareti C2 kondansatörü üzerinden alınabilir.39 Yarımdalga gerilim çiftleyici devresinin grafiksel analizi Giriş işareti Vi’nin negatif alternansında ise. D1 diyodu iletimde olduğunda. giriş işaretinin maksimum değeri olduğundan VC2=Vm’dir.ANALOG ELEKTRONİK.

31 Gerilim üçleyici devre Gerilim Dörtleyici Tipik bir gerilim dörtleyici devre şekil-2. D2 diyodu iletimde olduğunda. C2 üzerinde ise giriş işaretinin yaklaşık 2 katı (2VT) görülür. C2 kondansatörü giriş işaretinin maksimum değerine (Vm) şekilde belirtilen yönde şarj olur. Gerilim çiftleyici devre çıkışından C1 ve C2 kondansatörlerinde oluşan gerilimlerin toplamı alınır. Bu devrenin çıkışından alınan işaret. Gerilim üçleyici çıkışından C1 ve C2 üzerinde oluşan gerilimler toplamı 3VT alınır. Devre dikkatlice incelenirse her bir negatif alternansta diyotların sırayla iletken olacağı dolayısı ile kondansatörlerin dolacağı görülür. Bu devrenin çıkışından alınan işaret. V0 = +Vm + Vm ⇒ V0 = 2 ⋅ Vm Gerilim Üçleyici Tipik bir gerilim üçleyici devresi şekil-2. Devre ilk negatif yarım saykılda gerilim çiftleyici gibi çalışır.I Kaplan Transformatörün sekonderinde negatif alternans oluştuğunda ise D2 diyodu doğru yönde polarmalanır ve iletime geçer. C3. C1 kondansatörü üzerinde şekilde belirtilen yönde giriş işaretinin tepe değeri görülür. Devredeki diğer tüm kondansatörler ise 2VT değerine şarj olur. 2VT değerine belirtilen yönde şarj olur. giriş işaretinin tepe değerinin yaklaşık 3 katıdır. giriş işaretinin tepe değerinin yaklaşık 4 katıdır. İletkendir. D1 diyodu ise kesimdedir.32’de verilmiştir.31’de verilmiştir. C1 üzerinde şekilde belirtilen yönde giriş işaretinin tepe değeri (VT) görülür. VT + C1 Vg D1 C2 _ 2V T + D2 Üçleyici Çıkışı= 3V T _ 2V T + C3 D3 _ Şekil-2. _ VT + C1 Vg D1 C2 _ + 2VT _ D2 _ 2VT + C3 D3 C4 + 2VT D4 Dörtleyici Çıkışı= 4VT Şekil-2. V0 = +VC 1 + VC 2 olarak alınır. Devre ilk 3 negatif yarım saykıl süresinde gerilim üçleyici gibi çalışır. Sonraki negatif saykılda ise D3 diyodu doğru yönde polarmalanır.ANALOG ELEKTRONİK.32 Gerilim dörtleyici devre 57 . Dolayısıyla çıkış işareti.

Üretilen her bir diyot belirli standartlara göre kodlanıp tüketicinin kullanımına sunulur. uygulama notları v. Veri tablosunda üreticilerin kullandığı sembollere sadık kalınmıştır. Bu bölümde sizlere örnek olarak seçilmiş bazı diyotların veri sayfaları ve karakteristikleri verilecektir. Dolayısı ile bu kondansatörler üzerinde oluşan gerilimler toplamı. ürettikleri devre elemanlarının için genelde iki tür tanıtım yöntemi izlerler. Ayrıntılı tanıtımda ise elemanla ilgili ayrıntılı açıklamalar.7 DİYOT VERİ SAYFALARI Uluslarası yarıiletken üretecisi pek çok firma farklı özelliklere sahip yüzlerce tip diyot üretimi yaparlar. Veri kitapçıklarında aşağıda belirtilen özellikler hakkında kullanıcıya ayrıntılı bilgiler verilmektedir. Gerilim çoklayıcıların çıkışlarından sürekli yüksek akım çekilmesi mümkün değildir. Devre tasarımlarında kullanılacak diyot seçimi. Sembollerle ilgili gerekli açıklamalar tablo sonunda verilmiştir. Pek çok üretici veri kitapçıklarında bu sembol tanımlarına uymaktadır. Üretici firmalar. elektriksel grafikler. Vç=(2VT) + (2VT) Vç=4VT Değerine eşit olur. Anlık yüksek gerilim temininde kullanılabilir. ürettikleri her bir diyot tipinin çeşitli özelliklerini ve karakteristiklerin veri kitapçıkları (data book) halinde kullanıcıya sunarlar.I Kaplan Çıkış işareti C2 ve C4 kondansatörleri üzerinden alınmıştır. Üretici firmalar.ANALOG ELEKTRONİK. 2. • • • Çalışma akım ve geriliminin maksimum değerleri Elektriksel karakteristikleri Çalışma karakteristiklerinin grafiksel analizi hakkında gerekli bilgileri edineceksiniz.b özel bilgiler yer alır. Kısa tanıtımda elemanının çok kısa bir tanıtımı ve genel özellikleri verilir. bu verilerden yararlanılarak seçilir. 58 . Bu bölümü bitirdiğinizde.

.0 1200 700 1.0 480 280 1...0 1000 560 1.0 720 420 1. Tstg -65.1 Bazı silisyum doğrultmaç diyotlarının karakteristikleri VRRM : AÇIKLAMA SEMBO 1N400 1N400 1N400 1N400 1N400 1N400 1N400 BİRİ L 1 2 3 4 5 6 7 M VRRM VRWM VR Peak repertitive reverse voltage Working peak reverse voltage DC blocking voltage Nonrepetitive peak reverse voltage RMS reverse voltage Average rectified forward current (single-phase.ANALOG ELEKTRONİK..I Kaplan Tablo-1.0 120 70 1.+175 0 C VR(rms) : I0 IFSM TJ Tstg : : : : 59 . 60Hz.0 240 140 1. resistive load. TA=750C Nonrepetitive peak surge current (surge capplied at rated load conditions) Operating and storage junction temperature range VRWM VRSM : : 50 100 200 400 600 800 1000 V VRSM VR(rms) I0 60 35 1.0 V V A IFSM 30 30 30 30 30 30 30 A TJ.

........... 30A +175 C W005F W01F W02F W04F W06F W08F W10F 1... 1N4937 .. 35A@55 C 75A 400A +150 C 4A@105 C 4A@65 C ..............5A@50 C .......... 5A@55 C 300A 150 C SİLİSYUM KÖPRÜ DİYOTLAR If (A) KILIF 1.....0 A P-6 PLASTİK P-6 PLASTİK VRRM VOLT 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 If (ort) If FSM Tj 1N4001* 1N4002* 1N4003* ........... MR654 .... ....I Kaplan SİLİSYUM DOĞRULTMAÇ DİYOTLARI If (A) KILIF 1.... 1A@50 C 30A 150 C MR650 MR651 MR652 ......... 3A@90 C 100A 175 C MR820 MR821 MR822 .. 1N5406 1N5407 1N5408 3A@105 C 200A 175 C P600A P600B P600D ..5 A PLASTİK KILIF 1... 50A 200A -55 C to +150 C -55 C to +150 C 60 .... P600Q .... ..0 A METAL KILIF 25...............0 A PLASTİK KILIF 10....0 A PLASTİK KILIF 1............ PB1001 PB1002 PB1004 PB1006 ......0 A DO-27A PLASTİK 6.....5 A DO-15 PLASTİK 3..... ....ANALOG ELEKTRONİK........ MR826 .. 1N4005* 1N4006* 1N4007* 1A@75 C 50A 175 C 1N5391 1N5392 1N5393 1N5394 1N5395* 1N5396 1N5397 1N5398 1N5399 1...... 1N5404 .......5 A PLASTİK KILIF 4........ 1N4004* .......0 A 1............. 10A@55 C 50A 200A +150 C PB2500 PB2501 PB2502 PB2504 PB2506 . P600J P600K 6A@60 C 400A 175 C 1N4933 1N4934 1N4935 ...... MR656 ........ 1N4936 .....5A@75 C 50A 175 C 1N5540 1N5401 1N5402 ......... ......... ............ MR824 .....0 A DO-15 PLASTİK 1. ...........0 A METAL KILIF METAL KILIF 35.. .....0 A DO-15 PLASTİK SİLİSYUM HIZLI (FAST) DİYOTLAR 6.............0 A DO-27A PLASTİK 3............... 50A +125 C PBF005 PBF01 PBF02 PBF04 PBF06 PBF08 PBF10 PBU4A PBU4B PBU4D PBU4Q PBU4J PBU4K PBU4M .... 25A@55 C 75A 300A +150 C PB3500 PB3501 PB3502 PB3504 PB3506 ..0A + ~ ~ - VRRM VOLT 50 100 200 400 600 800 1000 If (ort) If FRM If FSM Tj WL005F WL01F WL02F WL04F WL06F WL08F WL10F 1A@25 C ..

33 Çeşitli diyot kılıf tipleri ve kılıf kodları BÖLÜM ÖZETİ • • • AC gerilimin DC gerilime dönüştürülmesinde silisyum diyotlarından yararlanılır. Transformatör çıkışından alınan ac gerilim. giriş işaretinin iki katıdır. Diyot giriş ac işaretinin sadece yarım saykılında (1800) iletkendir. Bu tipi filtre devrelerinde kondansatörün şarj ve deşarjından yararlanılır. Filtreleme işleminde L ve C elemanları kullanılabilir. Transformatörler kayıpları en az elektrik makineleridir. Tamdalga doğrultmaç devrelerinin çıkışından alınan işaretin frekansı. Transformatörler ac gerilimi istenilen değere dönüştürme işlemi yanında kullanıcıyı ve sistemi şehir şebekesinden yalıtır.I Kaplan R62 R70 R72 DO-200 DO-5 DO-8 DO-9 Şekil-2. En basit filtre metodu kondansatörle yapılan filtreleme işlemidir. diyotlar kullanılarak doğrultulur. Dolayısıyla çıkıştan alınan işaretin ortalama değeri (dc değer) yarım-dalga doğrultmaç devresinden daha büyüktür.ANALOG ELEKTRONİK. Yarım-dalga doğrultmaç devresinde tek bir diyot kullanılır. Bu tür filtreleme işlemleri sonucunda çıkış işaretindeki rıpıllar (dalgalanma) minimum düzeye iner. Doğrultmaç çıkışından alınan işaretler dc gerilimden uzaktır ve ac bileşenler (rıpıl) barındırır. Doğrultmaç çıkışlarından dc’ye yakın bir dalga formu elde etmek için filtre devreleri kullanılır. Doğrultma işlemi yarım-dalga ve tam-dalga olmak üzere iki temelde yapılır. Tam-dalga doğrultmaç devresi. Şehir şebekesinden alınan ac gerilim doğrultma işleminden önce bir transformatör yardımıyla istenilen değere düşürülür. köprü tipi ve orta uçlu olmak üzere iki temel tipte tasarlanır. Dönüştürme işlemini gerçekleştiren devrelere doğrultmaç denir. • • • • • • • 61 .

• • • 62 . Bu tür devrelere “kırpıcı” (clippers) denir. Herhangi bir ac işarete. Giriş geriliminin tepe değerini 2. 3. Günümüzde yüzlerce yarıiletken devre elemanı (kompenet) üreticisi firma vardır. filtre devresi ve regülatör devresi ile gerçekleştirilir. . Devre elemanlarının ayrıntılı karakteristikleri ve özellikleri üretici firma kataloglarından temin edilebilir.n kat yükselterek çıkışına aktaran devreleri “gerilim çoklayıcı” (voltage multiplier) denir. Her bir firma ürettiği elemanları belirli bir standart dahilinde kodlayarak tüketime sunar.. Bu tür devrelere “gerilim kenetleyici” denir.ANALOG ELEKTRONİK. diyot ve kondansatör kullanılarak gerçekleştirilir.. dc seviyeler eklenebilir veya işaretin seviyesi değiştirilebilir.I Kaplan • • Belirlenen bir işaretin kırpılması işlemi için diyotlar kullanılır. Tipik bir dc güç kaynağı (dc power supply) tasarımı. Gerilim kenetleme işlemi diyot ve kondansatörler kullanılarak gerçekleştirilir.. Bu tür devreler. transformatör. doğrultucu diyot.

6 Zener Diyot Zener Diyot Uygulamaları Varikap Diyot Optik Diyotlar Özel Amaçlı Diyotlar Sistem Uygulamaları Amaçlar: Bu bölümü bitirdiğinizde aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgiye sahip olacaksınız.2 3. • • • • • Zener diyot’un yapısı. tunel diyot v. pin diyot. işlevleri ve karakteristikleri Regülatör diyotları. işlevleri ve karakteristikleri Foto-diyot’ların ve LED’lerin özellikleri.BÖLÜM 3 3 ÖZEL TİP DİYOTLAR Konular: 3. şotki diyotlar.4 3.5 3. özellikleri ve karakteristikleri .3 3. karakteristikleri ve işlevleri Zener diyotla gerçekleştirilen gerilim regülasyonu ve kırpıcılar Varikap diyot’un özellikleri.b özel tip diyotların işlevleri.1 3.

Çeşitli uygulama devrelerini gerçekleştirdiniz.ANALOG ELEKTRONİK. Yukarıda bir kısmının görüntüleri verilen özel diyotları bu bölümde inceleyeceğiz. 64 .I Kaplan Elektronik endüstrisinin en basit ve temel devre elemanlarından olan diyotlar pek çok cihazın üretiminde sıklıkla kullanılmaktadır. Endüstrinin artan gereksinimlerini karşılamak amacı ile farklı tip ve modelde özel tip diyotların üretimide yapılmaktadır. Önceki bölümlerde silisyum ve germanyum doğrultucu diyotların pek çok özelliklerini öğrendiniz.

ANALOG ELEKTRONİK. ters polarma bölgesinde zener kırılma geriliminde çalıştırılmak üzere tasarlanmıştır. Üzerinde yaklaşık 0. Şekil-3. Doğru polarma altında iletkendir. pn bitişiminden oluşturulmuş ve silisyumdan yapılmış yarı iletken devre elemanlarındandır. aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgilere sahip olacaksınız. Doğru polarma altında çalışması doğrultucu diyot’la benzerlik gösterir.I Kaplan 3. Şekil-3. Bu gerilime bazı kaynaklarda “zener gerilimi” denilmektedir. 65 . Referans gerilimi temin etmek ve gerilim regülasyonu sağlamak amacı ile kullanılır.2’de silisyum doğrultmaç diyodu ile zener diyot karakteristikleri birlikte verilmişlerdir.1 ZENER DİYOT Zener diyot.1’de zener diyot’un şematik sembolleri verilmiştir.7V diyot öngerilimi oluşur. ters polarma altında kırılma bölgesinde çalıştırılmak üzere tasarlanmış pn bitişimli bir devre elemanıdır. Bu gerilim değeri. Ters polarma altında ise pn bitişimi sabit gerilim bölgesi meydana getirir. K Katod K A Anot A Şekil-3.1 Zener diyot sembolleri Zener diyot. doğru polarma altında silisyum doğrultmaç diyot’ların tüm özelliklerini gösterir. Bu bölümü bitirdiğinizde. Zener diyot. • • • Zener diyot sembolü Zener diyot’un çalışma bölgeleri ve kırılma gerilimi Zener karakteristiklerinin analizi Zener veri sayfaları • Zener diyot. “kırılma gerilimi” (Broke-down voltage) olarak adlandırılır.

ANALOG ELEKTRONİK.8V ile 200V arasında farklı kırılma gerilimlerine sahip zener diyotlar üretilmektedir. Şekil-3. Zener üzerindeki gerilim düşümü yaklaşık olarak sabit kalır.7V VF (V ) I R ( µA ) a) Silisyum Doğrultucu Diyot Karakteristiği I Z ( mA ) a) Zener Diyot Karakteristiği Şekil-3.2 Silisyum doğrultucu diyot ve zener diyot karakteristikleri Zener diyot ile silisyum diyot karakteristikleri arasında ters polarma bölgesinde önemli farklılıklar vardır. Zener diyotlarla ilgili bazı üretici firma verilerini.7V VF (V ) VR (V ) VZ Ters Polarma Bölgesi 0.4’de farklı güçlere dolayısıyla farklı kılıflara sahip zener diyot’lar görülmektedir. veri sayfaları bölümünde bulabilirsiniz. Şekil-3. Günümüz piyasasında kullanıcının ihtiyacına uygun olarak. 1/4W ile 50W anma güçleri arasında çalışacak şekilde zener diyot üretimi yapılmaktadır. Silisyum diyot ters polarma dayanma gerilimi değerine kadar açık devre özelliğini korur. Günümüzde 1. Zener diyotlarda kırılma gerilimi.4 Zener diyotlarda kılıf tipleri 66 .I Kaplan I F ( mA ) I F ( mA ) Kırılma Doğru Polarma Bölgesi Kırılma Doğru Polarma Bölgesi VR (V ) VBR Ters Polarma Bölgesi 0. Zener diyot ise bu bölgede zener kırılma gerilimi (Vz) değerinde iletime geçer. üretim aşamasında pn bitişiminin katkı maddesi oranları ayarlanarak belirlenmektedir. Ayrıntılı karakteristik ve veriler için üretici katalogları incelenmelidir.

Zener diyot. Izmin ve Izmax değerleri arasında tutulmalıdır. Ters polarma altında iletime geçen zener diyot. Zener diyodun ters polarma altında çalışması için gerekli devre bağlantısı ve akım-gerilim karakteristiği şekil-3. Bu gerilime “zener gerilimi” (Vz) denir.ANALOG ELEKTRONİK. Zener diyodun en önemli özelliği ters polarma bölgesindeki davranışıdır. zener kırılma gerilimi değerini aştığında zener diyot kırılarak iletime geçer.3’de eşdeğer devresi verilmiştir. Gerçek (pratik) bir zenerin ters polarma bölgesinde eşdeğer devresi ise. üzerinde sabit bir gerilim değeri oluşturur. Zener diyodun iletime geçebilmesi için zener üzerinden geçen akım. Bu gerilime “zener gerilimi”. Izmax değerini geçtiğinde zener bozularak işlevini yitirir. nominal zener kırılma gerilimi değerine eşit gerilim kaynağı (Vz) ile gösterilir. Bu özellik zener diyodu oldukça popüler kılar. ideal değildir. Ters polarma altında zener diyot üzerine uygulanan gerilim değeri. küçük bir iç empedans (Zz) ve nominal zener kırılma gerilimini temsilen bir gerilim kaynağından oluşur. Karakteristikten de görüldüğü gibi zener diyot üzerinden geçen Iz akımı. Özellikle gerilim regülasyonu veya referans gerilimi elde etmede sıkça kullanılmasını sağlar. Izmax değerinden küçük olması gerekir. İdeal bir zenerin eşdeğer devresi.I Kaplan Zener Kırılma Karakteristiği Zener diyot. bu işleme ise “gerilim regülasyonu” denir.5 Zener diyot’un ters polarma altında karakteristiği Zener diyot üzerinden geçen akım miktarı. doğru polarma bölgesinde normal silisyum diyot özelliği gösterdiği belirtilmişti. karakteristikte gösterildiği gibi üzerindeki gerilimi Vz değerinde sabit tutmaktadır. Izmin değerinden büyük. Zener Eşdeğer Devreleri Zener diyodun ters polarma bölgesindeki davranışını tanımlamak için şekil-3. Zener kırılma gerilimi (Vz) değerinden büyük olmalıdır. VR (V ) R Iz VZ @ IZT IZ min + VDD Vz I ZTest I Z max I R ( mA ) Şekil-3. Başka bir ifadeyle zenere uygulanan ters polarma gerilimi. Zener diyot ters polarma altında iletimde kaldığı sürece üzerinde Vz olarak belirtilen bir gerilim oluşur. Karakteristik eğriden de görüleceği gibi bir 67 . Zener kırılma gerilimi.5’de verilmiştir.

Zenerle yapılan tasarımlarda bu değerler dikkate alınmalıdır. Bu durum şekil-3.05 oranında artış gösterir.ANALOG ELEKTRONİK. değişen zener akımının (∆VZ). Zener empedansı.3 Zener diyot eşdeğer devresi Isıl Kararlılık Tüm yarıiletken devre elemanları gibi. Örneğin. Üretici firmalar DC gerilim altında her bir zener diyot için uyulması gereken güç değerlerini kataloglarında verirler. ∆VZ VR (V ) + + Vz Zz Vz 0 IZ min + ZZ = ∆VZ ∆IZ ∆VZ a) İdeal zener eşdeğeri b) Pratik zener eşdeğeri IZ max c) zener karakteristiği I R ( mA ) Şekil-3. Örneğin çalışma koşullarındaki her 10C’lik ısı artışı. zener geriliminde (Vz) yaklaşık %0. 1N746 kodlu zener diyot için maksimum güç PD=500mW. Bu özellik uygulamalarda dikkate alınmalıdır. Çalışma koşullarındaki ısı değişimi. Zener diyotların dc gerilim altında maksimum dayanma gücü. 1N3305 kodlu zener diyot için maksimum güç PD=50W olarak verilmiştir. zener diyotlarda çalışma ortamlarındaki ısıdan etkilenirler. hesaplamalarda dikkate alınmalıdır. Isı artımında zener geriliminde oluşabilecek değişimler üretici kataloglarında belirtilir.I Kaplan miktar değişim gösterir (∆VZ). Yüksek güçlerde çalıştırılan zener diyotlar üzerine soğutucular monte edilmelidir. 68 . Zenerlerde maksimum dayanma gücü genellikle 500C için verilir. ZZ = ∆VZ ∆I Z Üretici firmalar normal koşullarda veri tablolarında test değerleri için zener akımını IZT ve zener empedansını ZZT verirler.c üzerinde gösterilmiştir.3. değişen zener akımına (∆IZ) oranıdır ve aşağıdaki şekilde belirlenir. PD = VZ ⋅ I Z(max) formülü kullanılarak bulunur. Üretici firmalar zener diyot için gerekli karakteristikleri genellikle 250C oda sıcaklığı için veririler. Güç Tüketimi ve Bozulma Faktörü Zener diyotlarla uygulama yapılırken maksimum güç değerlerine dikkat edilmelidir.

Üretici firma karakteristikleri genelde ingilizce hazırlandıkları için orijinal metine sadık kalıp.2Vmax IF=200mA for all types Elektriksel karakteristikler (Aksi not olarak belirtilmedikçe TA=250C’de) Tüm tipler için VF=1. Bu bölümde sizlere örnek olması amacı ile bazı zener diyotların üretici firma tarafından verilen karakteristiklerini sizlere sunacağız.0 3.0 1.0 7.25 0.0 1.0 1.3 3.9 4.5 0. Maxsimum Rating (maksimum kategoriler) Ratings (Kategoriler) Symbol (Sembol) Value (Değer) Unit (Birim) DC power dissipation @ TA=500C Derete above 500C Opereting and stor junction Temperature range PD TJ.1 5.8 7.1 Çeşitli tip zener diyotların bazı önemli karakteristikleri 69 .0 5.0 1.25 Leakage Current IR ųA max 100 100 50 10 10 10 10 10 10 10 5.0 1.0 3.5 4.0 9.0 5. Tstg 1.7 Maxsimum zener impedance ZZT@IZT Ohms 10 10 9. gerekli açıklamaları notlar halinde sunacağız.7 Tablo-3.0 1.0 4.5 56 62 68 Test Current IZT mA 76 69 64 58 53 49 45 51 37 34 4.0 1.I Kaplan Zener Diyot veri sayfası Üretici firmaların binlerce tip farklı çalışma karakteristiklerine sahip zener diyot ürettiklerini belirtmiştik.6 6.67 -65 to +200 Watt mW/C0 0C Electrical Characteristics (TA=250C unless otherwise noted) VF=1.0 3.0 1.6 3.0 1.0 VR Volts 1.5 4.25 0.2Vmax IF=200mA JEDEC Type no 1N4728 1N4729 1N4730 1N4731 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4736 1N4737 1N4758 1N4759 1N4760 Nominal Zener Voltage VZ@IZT Volts 3.0 42.0 0.0 110 125 150 ZZK@IZK Ohms 400 400 400 400 500 550 600 700 700 700 2000 2000 2000 IZK mA 1.0 5.0 1.ANALOG ELEKTRONİK.2 6.3 4.0 2.0 1.0 6.7 5.0 8.0 1.0 2.0 1.1 51.0 5.6 47.

zener kırılma geriliminden (VZ) büyük olmalı. Regülasyon işlemi bir büyüklüğü. Devre girişine uygulanan regülesiz VGİRİŞ gerilimi. Zenerin Regülasyonda Kullanılması Zener diyotların en geniş ve yaygın kullanım alanı gerilim regülasyonudur.6 Zener diyotla gerçekleştirilen gerilim regülasyonu Zener diyot bu işlemi nasıl gerçekleştirecektir. 12- Zener diyot ters polarma altında çalıştırılmalı Zener’e uygulanan gerilim. Kısaca tekrar hatırlayalım. akımdan veya yükten bağımsız hale getirip sabit bir değerde tutma anlamına gelmektedir. Örneğin gerilim regülasyonu terimi. gerilim regülasyonu yapıyor diyebiliriz. Kısaca gerilimi kararlı hale getirebilmektir. gerilimi. Devrede kullanılan 12V’luk zener diyot. başka bir büyüklük karşısında kararlı tutmaktır. Gerilim kararlı kılmanın en basit yöntemi şekil3. Ayrıca zenerle yapılan basit kırpıcı devreleri tanıyacaksınız. Karşılaştırma yapmak için referans gerilimi temininde de zener diyotlar sıklıkla kullanılır.I Kaplan 3. Zener’in istediği şartları yerine getirirsek gayet basit.ANALOG ELEKTRONİK. R IT Regülesiz DC kaynak IZ Vz 12V VÇIKIŞ IL RL + - VGİRİŞ Şekil-3. gerilimi dış etkilerden bağımsız hale getirip sabit tutabilmektir. (Vin>Vz) 70 . Devre girişine uygulanan VGİRİŞ gerilimi değişmektedir. Zener diyot gerilim regülasyonu yapmak için neler istiyordu. Bu işlem gerçekleştirildiğinde zener diyot. giriş gerilimindeki tüm değişimleri algılamalı ve devrenin çıkış gerilimini VÇIKIŞ 12V’ta sabit tutmalıdır. Bu işlem için zener diyot ve R direnciyle gerilim bölücü bir devre oluşturulmuştur.6’da gösterilmiştir. Gerilim regülasyonu. Bu bölümde. zener diyotla gerilim regülasyonunun nasıl gerçekleştirildiğini öğreneceksiniz.2 ZENER DİYOT UYGULAMALARI Zener diyotlar genellikle dc güç kaynaklarında gerilim regülasyonunu sağlamak amacı ile kullanılırlar. zener diyotla kararlı hale getirilmiştir.

Izmin değerinden büyük. Çıkış gerilimi yük akımı IL’den bağımsız ve sabit olmalıdır. Değişken giriş geriliminde regülasyon Bu bölümde regülesiz giriş gerilimlerinde zener diyot’un nasıl regüle yaptığını öğreneceğiz. çıkış gerilimini etkilememelidir. giriş gerilimlerindeki değişimi algılamalı ve çıkış gerilimini sabit tutmalıdır. Izmax değerinden küçük olmalı (Izmin<Iz<Izmax) Şekil-3.7’deki devre verilmiştir.7 Değişken giriş geriliminde regülasyon Örneğin şekil-3. yükteki değişimlerden etkilenmemelidir.7’deki regüle devresinde 1/2W gücünde 12V’luk zener diyot kullanıldığını varsayalım. amaçla şekil-3. PD(max) = Vz ⋅ I Z max I Z max = PD(max) VZ = 500mW = 41. belli bir aralıkta değişmektedir. Zener akımı minimum olduğunda. Devre çıkışında ise 12V’luk sabit çıkış gerilimi alınacaktır. 1. Zenerin regüle işlemini yerine getirebilmesi için üzerinden akan akım miktarı (Izmim-Izmax) değerleri arasında olmalıdır. Bu durumda devrenin regüle edebileceği giriş gerilimi aralığını bulalım.ANALOG ELEKTRONİK. Devredeki R direnci. Çözüm: Önce zener diyot’un dayanabileceği maksimum akım değerini bulalım.Devre çıkışından alınan gerilim.6’da verilen regüle devresinde zener diyot’dan iki temel işlemi gerçekleştirmesi istenmektedir.6mA 12V olarak bulunur. Bu özellikleri sırayla inceleyelim. 71 . Devrede giriş gerilimi VGİRİŞ.Zener diyot.I Kaplan 3- Zener’den geçecek akım. zener diyot üzerinden geçecek akım miktarını belirlemektedir. R direnci üzerine düşen gerilim. Bu işlem 12V’luk zener diyot’la gerçekleştirilmektedir. 2. Giriş gerilimlerindeki değişimler.50mA olsun. R 220Ω Regülesiz DC kaynak I Vz 12V IZ VOUT + - VİN Şekil-3. Zener diyot’un minimum kırılma akımı ise Izmin=IZK=0.

16V olmalıdır. 12- Zener diyot regüle işlemini gerçekleştirebilmesi için.50mA) = 110mV Dolayısıyla giriş geriliminin minimum değeri.166V = 21.166V Dolayısıyla giriş gerilimini alabileceği maksimum değer. Şimdi giriş geriliminin alabileceği maksimum değeri bulalım.1 Şekil-3.I Kaplan VR = R ⋅ I Z min = ( 220Ω) ⋅ (0.8’de verilen regüle devresinde zenerin regüle işlevini yerine getirebilmesi için giriş geriliminin alabileceği değerler aralığını hesaplayınız. VR = VIN − VZ VIN ( MIN ) = VR + VZ = 12V + 110mV = 12.7’de verilen regüle devresinde yapılan hesaplamalar sonucunda aşağıdaki veriler elde edilmiştir.6mA) = 9.ANALOG ELEKTRONİK. R 100Ω Regülesiz DC kaynak I Vz 1N4758 IZ VOUT + - VİN Şekil-3.16V Şekil-3. giriş gerilimi maksimum VIN(MAX)=21.11V Dolayısıyla zener diyot’un regüle işlemini yerine getirebilmesi için giriş gerilimi (VIN) minimum 12. giriş gerilimi minimum VIN(MİN)=12.8 Değişken giriş gerilimlerinde regülasyon 72 . VR = VIN − VZ VIN ( MAX ) = VR + VZ = 12V + 9. Örnek: 3.11V olmalıdır. VR = R ⋅ I Z max = ( 220Ω) ⋅ ( 41.11V olmalıdır. Zener diyot regüle işlemini gerçekleştirebilmesi için.

R IT Vz 12V IZ VOUT IL RL + - VIN Şekil-3.2V>VIN >57.25V Değerinde olmalıdır.8mA 56V Çözüm: O halde devrenin maksimum giriş gerilimi.8’de verilen regüle devresinde zener diyodun regüle işlemini gerçekleştirebilmesi için giriş gerilimi.25mA)(100Ω)+56V=56.25mA Bu durumda devrenin minimum giriş gerilimi. Zener diyot regüle yaptığı sürece RL yükü üzerindeki gerilim düşümü sabit kalmalıdır. PD(max)=1W. Değişken yük akımında regülasyon Bu bölümde değişken yük akımında zener diyodun nasıl regüle yaptığını göreceksiniz. R)+VOUT VIN(min)=(0.I Kaplan Devrede kullanılan 1N4578 kodlu zener diyodun karakteristiklerini üretici veri sayfasından yararlanarak bulalım. VIN(max)=(IZmax . 73 .8mA)(100Ω)+56V=57. Kısaca VOUT=12V olmalıdır. Örnek bir regüle devresi şekil-3. Devrenin maksimum giriş gerilimini bulmak için önce zenerin dayanabileceği maksimum akımı bulmalıyız. 56. R)+VOUT VIN(max)=(17.8V aralığında olmalıdır.9 Değişken yük akımında regülasyon Konuyu daha iyi irdeleyebilmek amacı ile çeşitli uygulama örnekleri verilerek matematiksel analizleri yapılmıştır.8V Dolayısıyla şekil-3. IZmin=0. I Z max = PD(max) VZ = 1W = 17. Devrede zener diyoda paralel değişken bir yük direnci (RL) bağlanmıştır.9’da verilmiştir. VZ=56V. VIN(min)=(IZmin .ANALOG ELEKTRONİK.

IZmin=1mA olarak verilmiştir.ANALOG ELEKTRONİK. VIN = R ⋅ I T + VZ V I N − VZ R 24 − 10 470 Ω I T = I Z (max) = = I T = I Z(max) = 29. Dolayısıyla. PD(max)=1W. Devrede kullanılan zener diyodun dayanabileceği maksimum akım değerini bulalım. Bu durumda IL=0A olacağından. VZ=10V. Bu veriler ışığında gerekli analizleri yapalım. Devreden.? R 470Ω IT Vz 10V 1W IZ IL RL VOUT + 24V Çözüm: VIN Şekil-3.10 Değişken yük direncinde gerilim regülasyonu Devrede kullanılan zener diyodun karakteristikleri. 74 . I Z(max) = PD(max) VZ = 1W = 100mA 10V Önce devrede yük direnci kullanılmadığında (RL=∞) zener regüle işlemini yerine getirebilir mi? İnceleyelim.2 Şekil-3.I Kaplan Örnek: 3. IT=IZ(max) olacaktır.7 mA elde edilen bu sonuca göre devrede yük direnci yokken regüle işlemi yerine getirilebiliyor.10’da verilen regüle devresinde zenerin regüle işlevini yerine getirebilmesi için RL yük direncinin alabileceği değerler aralığını hesaplayınız.

Örnek: 3. Devreden. R IT IZ IL 1KΩ RL VOUT + 20V - VIN Vz 10V 1W Şekil-3. Bunları giriş gerilimindeki değişimler ve yük akımındaki değişimler olarak özetleyebiliriz.11 Zenerle gerilim regülasyonu 75 .7 − 1mA = 28.I Kaplan elde edilen bu sonuca göre devrede yük direnci yokken regüle işlemi yerine getirilebiliyor. R L(min) = VZ I L (max) = 10V = 348Ω 28. Son olarak komple bir regüle devresi tasarım örneği vererek konuyu bitirelim. I L(max) = I T − I Z(min) I L (max) = 29.7 mA Sonuç: Elde edilen bu veriler ışığında devremizin regüle işlemini yerine getirebilmesi için RL Yük direncinin alabileceği değerler aralığı.3 Şekil-3. Bu veriyi kullanarak çıkışa bağlanabilecek RL yük direncini hesaplayalım. I T = I Z(max) + I L(min) I T = I Z (min) + I L (max) olacağı açıktır.7 mA Devre çıkışından alınabilecek maksimum yük akımını hesapladık. 398Ω>RL>∞ Zener’le bir gerilim regülatörü tasarlanırken dikkat edilmesi gereken faktörler vardır. Buradan yük akımının alabileceği maksimum değeri bulabiliriz.ANALOG ELEKTRONİK.11’da verilen regüle devresinde zenerin regüle işlevini yerine getirebilmesi için gerekli R ön direncinin olması gereken değerini hesaplayınız?.

ANALOG ELEKTRONİK. Dolaysıyla R direncinin minimum ve maksimum olmak üzere iki sınır değeri olacaktır. IZmin=1mA olarak verilmiştir. R= R max + R min 90Ω − 909Ω = ≅ 470Ω 2 2 R= 90Ω − 909Ω ≅ 470Ω 2 76 . PD(max)=1W. Ortalama bir değer kullanalım. IT akımının alabileceği değerleri hesaplayalım. Dolayısıyla yük akımı sabittir. IL = VZ = VOUT 10 = = 10mA RL 1KΩ R ön direncinden geçecek akım IT olarak belirtilmiştir. Sağlıklı çalışma için limit değerler kullanmak önerilmez. I Z (max) = I Z (max) = PD (max) VZ Çözüm: 1W = 100mA 10V Devrede kullanılan RL yük direnci 1KΩ değerindedir. VZ=10V. VIN = R min ⋅ I T (max) + VZ R min = V I N − VZ I T (max) = 20 − 10 = 90Ω 110mA R max = V I N − VZ I T (min) = 20 − 10 = 909Ω 11mA Devrede kullanacağımız R ön direnci yukarıda belirtilen değerler aralığında olmalıdır. Devrede kullanılan zener diyodun dayanabileceği maksimum akım değerini bulalım. I T (min) = I Z (min) + ⋅I L( = 1mA + 10 mA = 11mA I T (max) = I Z (max) + ⋅I L ( = 100 mA + 10 mA = 110 mA Devrede akım sınırlamak amacıyla kullanılan R ön direnci bu değerleri sağlamalıdır.I Kaplan Devrede kullanılan zener diyodun karakteristikleri.

7V değerine eşitttir.7V civarındadır.13 Sinüsoydal bir işaretin negatif alternansının kırpılması Şekil-3. Negatif alternansta çıkış geriliminin tepe değeri – (VZ2+0. Giriş işaretinin negatif alternansında. Dolayısıyla giriş işareti.13de görülen devrede ise sinüsoydal giriş işaretinin negatif alternansı zener diyot tarafından –7V’ta kırpılmıştır.7V t Şekil-3.12’de sinüsoydal bir işaretin nasıl kırpıldığı gösterilmiştir.I Kaplan Zener’le kırpıcı devreler Zener diyot’un sıklıkla kullanılan bir diğer uygulama alanı ise kırpıcı devre tasarımıdır. VZ1 zeneri iletimdedir. Dolayısıyla devre girişine uygulanan 20Vt-t değerine sahip sinüsoydal işaret. Pozitif alternansta çıkış geriliminin tepe değeri VZ1+0. VZ2 ise negatif alterrnansı kırılma gerilimi değerinde kırpar. zener kırılma gerilimi değerini aştığında zener diyot kırılarak çıkış gerilimini +5V değerinde sabit tutar. devre çıkışından +5V’luk kare dalgaya dönüştürülmüş olarak alınır. Giriş işaretinin pozitif seviyesi.14’de ise sinüsoydal bir işaretin pozitif ve negatif alternanslarını kırpan bir devre verilmiştir. Şekil-3. Giriş işaretinin pozitif alternansında. çıkışta aynen görülür. Bu bölümde ac işaretlerin kırpılmasını ve dalga formlarının değiştirilmesini inceleyeceğiz. VZ1 ise pozitif alterrnansı kırılma gerilimi değerinde kırpar.7V) değerine eşitttir.12 Sinüsoydal bir işaretin pozitif alternansının kırpılması Şekil-3. Bu devrede. Pozitif alternansta zener diyot iletimde olduğu için çıkış gerilimi +0.7V -7V Şekil-3. 77 . giriş işaretinin pozitif saykılında zener diyot kırılma gerilimi değerine kadar yalıtımdadır. Giriş işaretinin negatif yarım saykılında ise zener iletkendir.ANALOG ELEKTRONİK. Çıkışta 0. Özellikle ac işaretlerin kırpılması ve farklı dalga formlarına dönüştürülmesi için zener diyotlar sıklıkla kullanılır. VZ2 zeneri iletimdedir. VIN +10V 0 -10V t + VIN Vz 7V VOUT R VOUT +0. VIN +10V 0 -10V t + VIN Vz 5V VOUT R VOUT 5V -0.7V zener ön gerilimi elde edilir.

P-N bitişiminin bu özelliğinden yararlanılarak varikap diyotlar geliştirilmiştir. Rs Cv Şekil-3.16 yardımıyla görselleştirilmiştir. Bu özellikten yararlanılarak varikap diyotlar üretilmiştir. Varikap diyot. aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgilere sahip olacaksınız. Üretimde kullanılan katkı maddesi ve fiziksel boyut kapasitif değeri etkileyen diğer faktörlerdir.3 VARİKAP DİYOT Varikap diyot.15’de varikap diyodun şematik sembolü ve eşdeğer devresi verilmiştir.ANALOG ELEKTRONİK. pn bileşiminin fakirleştirilmiş bölgesinde belirlenmektedir. P-N bitişimi ters gerilim altında bir miktar kapasitif etki gösterir. • • Varikap diyot’un temel yapısı ve sembolü Varikap diyot’un çalışma karakteristikleri Varikap diyot’un veri sayfaları • P-N bitişimi ters yönde polarmalandığında bir miktar kapasitif etki oluşturur.I Kaplan VIN +10V + 0 -10V t VIN R Vz1 VOUT VOUT Vz1 t Vz2 Vz2 Şekil-3. Varikap diyoda uygulanan ters polarma değerine bağlı olarak kapasitif etkinin değiştiğine dikkat ediniz. Bu bölümü bitirdiğinizde. 78 . Kimi kaynaklarda “varaktör (varactor) diyot” olarak adlandırılır.14 Sinüsoydal bir işaretin negatif ve pozitif alternanslarının kırpılması 3. Şekil-3.15 Varikap diyodun şematik sembolü ve eşdeğer devresi Varikap diyodun kapasitif değerini. pn ekleminden üretilmiş yarıiletken bir devre elemanıdır. Varikap diyodu. Kapasitif etkinin nasıl oluştuğu şekil-3. ters polarma altında kapasitansı değişen diyot veya yarıiletken kondansatör olarak tanımlayabiliriz. genellikle iletişim sistemlerinde kanal seçici (tuning) devrelerin tasarımında kullanılır.

18’de varikap diyot.I Kaplan p n Fakirleştirilmiş Bölge VDD + VDD Şekil-3. genellikle iletişim sistemlerinin tasarımında kullanılır. Şekil-3. otomatik frekans kontrolü. Kullanım alanlarına örnek olarak. rezonans frekansının ayarlanmasında kullanılmıştır. paralel bir rezonans devresinde. R D1 Vi +V D2 L Şekil-3. diyodun kapasitif değerini azaltmaktadır. filtreleme devrelerini verebiliriz.16 Varikap diyodun temel yapısı ve çalışması Varikap diyodun kapasitesi uygulanan ters gerilimin değerine bağlı olarak bir kaç pF’dan yüzlerce pF’a kadar değiştirilebilir. C(pF) R 60 + VDD 40 - 20 VR (v) 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 Şekil-3.17 Varikap diyodun karakteristiği Genel kullanım Alanları Varikap diyotlar. FM modülatörü.17’de tipik bir varikap diyodun karakteristiği verilmiştir.ANALOG ELEKTRONİK.18 Paralel rezonans devresinde varikap diyodun kullanılması 79 . Şekil-3. Karakteristik eğriden görüldüğü gibi varikap diyoda uygulanan ters polarite artışı.

48pF 2.ANALOG ELEKTRONİK.6Ω@470 MHz 1. Diyod Kapasitesi VR=28VDC. f=1.0MHz Min Max 17pF 21pF 7. paralel rezonans (tank devresi) devresinin rezonans frekansını belirler.7pF 1.5pF 6.4Ω@470 MHz BB131 BB135 BB145 BB152 BB190 4V@2.2Ω@100 MHz 0.7Ω@200 MHz Şekil-3. Diyod Kapasitesi VR=0.7p 4V@3. Bu durum. Varikap diyodlara uygulanan dc gerilim.3 25V@6p F pF pF F 20mA 0.1pF Ters Yön Gerilimi (VR) Max 30V 30V 6V 32V 10V 30V Ters Yön Akımı (IR) Max 10nA 10nA 10nA 200nA 3nA 10nA İleri Yön Akımı (IF) Max 20mA 20mA 20mA 20mA Seri Diyod Direnci rS Max 3Ω@200MH z 0. Kodu CD. Fr = 1 2 Π LC Genel veriler Üretici firmalar kullanım amaçlarına bağlı olarak yüzlerce farklı tipte varikap diyot üretimi yaparak tüketime sunarlar.0MHz Min 0.2p F F 2. örnek olarak birkaç varikap diyodun genel karakteristikleri verilmiştir. Üretilen her bir varikap diyodun karakteristiklerini üretici kataloglarından temin edilebilir.4pF 8pF 17. Bu devrede rezonans frekansı (Q≥ 10 için) Fr. varikap diyodların kapasitif değerlerini değiştirmektedir.4pF CD.7Ω@470 MHz 0. Bu bölümde.19 Bazı Varikap diyotların genel karakteristikleri 80 .89pF 1V@52p 1V@62 F pF 1V@18p 1V@20 10V@6p 10V@6p F pF F F BBY40 3V@26p 3V@32 25V@4.05pF 2. 2 adet varikap diyot kullanılmıştır.7pF Max 1.I Kaplan Devrede.5VDC. f=1.

Şekil-3. Ters polarma altında iletkenliği ışığa duyarlıdır.a’da LED’in şematik sembolü.19. 3. Bu nedenle LED üretiminde silisyum veya germanyum elementleri kullanılmaz.ANALOG ELEKTRONİK. Bunlardan ilki ışık yayan diyot’tur. Foto-diyot. Işık Yayan Diyot (LED) Işık yayan diyot (LED). Bu enerjinin bir miktarı ısı. optik özellik gösteren iki tür diyodu ayrıntılı olarak inceleyeceğiz. ters polarma altında çalışacak şekilde tasarlanmıştır. özellikle optik uygulamalarda sıklıkla kullanılırlar. LED üretimi için P ve N maddelerinin oluşturulma-sında genellikle Galyum arsenit fosfit (GaAsP) veya galyum fosfit (GaP) kullanılır. Akım akışı esnasında bir enerji açığa çıkar. genellikle LED (Light Emitting Diode) olarak adlandırılır. Bilindiği gibi germanyum veya silis-yumdan yapılan pn bitişimleri doğru polarma altında üzerlerinden bir akım akmasına izin verir. P-N bitişiminden üretilmiştir.19.I Kaplan 3.4 OPTİK DİYOTLAR Bu bölümde. Bu tür maddeler doğru polarma altında görülebilir ışık elde etmek için yeterlidir. Bu diyot.a ve b Led sembolleri ve ışık enerjisinin oluşması 81 .b’de ise doğru polarma altında pn bitişiminde ışık enerjisinin oluşumu verilmiştir. küçük bir miktarı ise ışık (foton) enerjisidir.19. Bu bölümde. Katot Katot n tipi madde + Işık Enerjisi _ Anot Anot b) Işık enerjisinin oluşması a) Led’in şematik gösterimi n tipi madde Şekil-3. doğru yönde polarmalandığında görülebilir ışık yayan yarıiletken bir devre elemanıdır. Her iki diyot türü. • • • Işık yayan diyotların (LED) özellikleri ve karakteristikleri Foto-Diyot özellikleri ve çalışma karakteristikleri Lazer Diyot Hakkında ayrıntılı bilgiler elde edeceksiniz. Optik özellik gösteren bir diğer diyot ise Foto-Diyot olarak adlandırılır.

I Kaplan PN bitişiminde.2V arasında bir gerilim düşümüne sebep olur. Üretiminde GaP kullanılan LED’ler. yayılan ışığın dalga boyu tarafından belirlenir. kırmızı yada sarı renkte görülebilir ışık yayarlar.19’b’de resmedilmiştir.2V ile 3. doğru polarma atında iletime geçer ve üzerinden akım akmasına izin verir. 5V 2. LED’lerin üzerlerinden akmalarına izin verilen akım miktarı 10-30mA civarındadır. Doğru polarma altında üzerinde maksimum 1. LED’lerin yaydığı ışığın görünebilir veya görünemez olması. 0V IF (mA) c) LED akımına bağlı olarak ışık şiddeti a) LED’in Doğru polarmalanması b) LED’in V-I Karakteristiği Şekil-3. Bu değer.21’de her rengin dalga boyu ve ışık şiddeti grafiksel olarak verilmiştir. Gerekli maksimum değerler üretici kataloglarından temin edilebilir. Üretiminde GaAs kullanılan LED’ler ise “kızıl ötesi (infrarad)” ışık yayarlar. 800nm-1000nm arasında dalga boyuna sahip ışımalar ise kızıl ötesi olarak adlandırılır ve görülemez. Bu durum şekil-3. Şekil-3. 500nm-700nm arasında dalga boyuna sahip ışımalar görülebilir. kullanılan LED’in boyutuna ve rengine göre farklılık gösterebilir. R IF + VDD IF VF + VRD IF + - IF(mA) Işık şiddeti V F(v) 1.20 Doğru polarma altında LED’in çalışması ve karakteristikleri LED’in yaydığı ışık enerjisinin şiddeti ve rengi imalatta kullanılan katkı maddesine göre değişmektedir.ANALOG ELEKTRONİK. Bu işlem “elektrolüminesans (elektro-parlaklık)” olarak adlandırılır. Yarıiletken malzemeye elektrik enerjisi uygulanarak ışık enerjisi elde edilebilir. Yeniden birleşme işlemi esnasında enerjinin büyük bir kısmı ışık enerjisine dönüşerek görülebilmesine neden olur.20’de LED’in doğru polarma altında çalışması ve V-I karakteristiği verilmiştir. LED. bitişim bölgesinde elektron ve boşluklar yeniden birleşir. Şekil-3. 82 . GaAsP kullanılan LED’ler ise sarı renkte görülebilir ışık yayarlar.

8 0. ve maksimum ters tepe gerilimi VRM dir. 3mm’lik boyuta sahip kırmızı LED için IFM=50mA. kare. yeşil ve kırmızı renklerde ışık veren LED’ler üretilmektedir. kullanım alanı ve gereksinime bağlı olarak LED üretimi yapar.4 0.ANALOG ELEKTRONİK.22 LED’lerde kılıf tipleri ve görünümleri Sınır Değerler Son yıllarda reklam sektöründeki gelişmeler.5 0.1 0 500 540 580 620 λ. LED kullanımında iki sınır değere özellikle dikkat edilmelidir.2 0. Mavi ışık yayan LED üretimi şimdilik pek ekonomik değildir. LED tüketimi ve kullanımını artırmıştır. Şekil-3. Bir çok farklı kılıfa (yuvarlak.1 0 880 900 920 940 960 λ .I Kaplan 1.6 0.0 0. diğer renkler için ise IFM=30mA limit değerlerini vermişlerdir.4 0.22’de verilmiştir. dalga boyu (nm) 660 700 740 0.7 Nispi ı şı k şiddeti Y eşil Sa rı ı 0.5 0. Pratik kullanımda her LED için 10-20mA ileri yön akım değeri yeterli olmaktadır.8 0. LED’lerin çalışma ömrü çok uzundur ve yaklaşık olarak 105 saat civarındadır. Yakın gelecekte bu tür LED’lerinde seri tüketime sunulacak şekilde geliştirilebileceğini söyleyebiliriz.3 0.0 0.b) ve boyuta sahip LED üretimi yapılmaktadır. Bunlar ileri yönde maksimum geçirme akımı IFM. LED’lerin maksimum ters tepe gerilimi çoğu kez birkaç volt civarındadır. diktörtgen v.9 0. dalga boyu (nm) 980 1000 a) Görülebilir ışık (visible light) b) Görülemeyen ışık (Nonvisible infrared) Şekil-3.2 0.7 Nispi ı şı k şiddeti 0.9 K ırmız 1. Enerji tüketimlerinin oldukça az olması yaygın kullanımda etkendir. Günümüzde sarı.21 Renklerin dalga boyuna göre bağıl şiddetinin grafiği Pek çok üretici firma. İmalatçılar örneğin. Yaygın olarak kullanılan bazı LED tiplerinin görünümü şekil-3.3 0. 83 . turuncu. Bu değerlerin aşılması durumunda LED hasar görebilir.6 0.

Bu nedenle tüm foto-diyotlar ışık enerjisini algılamaları için şeffaf bir pencereye sahiptir.I Kaplan Led Gösterge Led diyotlar günümüzde çeşitli kombinazasyonlar oluşturularak da kullanılmaktadır.24’de fotodiyot’un sembolü ve birkaç farklı tip foto-diyot’un görünümü verilmiştir. Şekil-3. Özellikle sayısal elektronik uygulamalarında rakam ve yazıların gösterimi bu tür devre elemanları ile yapılır. Şekil-3. Foto-diyot ışık enerjisine duyarlı bir elemandır.23 Led göstergenin temel yapısı ve tipik görüntüleri Foto-Diyot Foto-diyot (Photo-diode). Ters polarma altında çalıştırılmak üzere PN bitişiminden üretilmiştir.25 Foto-Diyot’un şematik gösterimleri ve görünümleri 84 . ışık enerjisine duyarlı aktif devre elemanlarındandır.23’de Led göstergelerin temel yapısı ve birkaç tipik led göstergenin görünümleri verilmiştir. A F G E D C dp B E G E G D F GND GND C A dp B C GND GND A F B D Led göstergenin oluşturulması Ortak katodlu gösterge Ortan anotlu gösterge Şekil-3. Katod Katod λ Anot Anot Şekil-3. Yedi parçalı gösterge (seven-segment displey) olarak adlandırılan bu tür optik devre elemanları ortak anot veya ortak katot bağlantılı olarak üretilirler.ANALOG ELEKTRONİK.

Lazer ışığı ise yüksek genlikli. Foto-diyot üzerine bir ışık kaynağı uygulandığında ise µA’ler seviyesinde bir akım akmasına izin verir. hemen hemen aynı frekanslı dalgalardan ibarettir. Şekilde görüldüğü gibi karanlık ortamda foto-diyot’un direnci maksimumdur ve üzerinden akım akmasına izin vermez. Ters polarma altında ise. Karakteristikler genellikle watt başına akım miktarı olarak belirtilir. 100 50 H=20mW/cm 2 IL.27’de bir foto-diyot için gerekli karakteristikler verilmiştir.ANALOG ELEKTRONİK. Bir foto-diyot’un ışık enerjisine bağlı olarak nasıl çalıştığı şekil-3. Dolayısıyla karanlık bir ortamda bulunan foto-diyot yalıtkandır. yani farklı faz ve frekansa sahip dalgalardan meydana gelir. birbirine paralel.5 0 20 40 60 80 100 Foto akımı. Normal ışık.26 Foto-diyot için gerekli karakteristikler Lazer Diyot Lazer. Optik frekans bölgesi yaklaşık olarak 85 .I Kaplan Foto-diyot. doğru polarma altında normal diyotlar gibi iletkendir. İngilizce. H VR .26 Foto-diyot’un çalışması Bir foto-diyot’un karakteristiği üzerine gelen ışık gücüne bağlı olarak üreteceği foto-akım (Iλ) miktarıdır. rengarenk. tek renkli (monochromatic). ters gerilim (V) Şekil-3.26’da gösterilmiştir. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (uyarılmış ışın neşriyle ışık kuvvetlendirilmesi) cümlesindeki kelimelerin baş harflerinin alınmasından türetilmiş bir kelimedir. aynı fazda. (Iλ ) 20 10 5 2 1 0 Karanlık. Öncelikle foto-diyot ters polarma altında çalıştırılmıştır. dalga boyları muhtelif. λ 0 A Işık Yok Işık Var Iλ Ampermetre λ 0 A Ampermetre λ VR VR VR Şekil-3. Şekil3. üzerine uygulanan ışık yoğunluğuna bağlı olarak çok küçük bir akım akmasına izin verir. Foto akımı (µA) 10 5 2 1 0.

Galyum arsenik kristali yarıiletken lazere örnektir. Uyarılan atomlar her yön yerine. negatif gerilim ise n tarafına verildiği zaman elektronlar n malzemesinden p malzemesine geçerken enerjilerini kaybeder ve foton yayarlar. Lazer diyot’un görünümü ve yapısı şekil-3. Dalga boyunun küçük olması dağılmayı da büyük ölçüde azaltır. Lazer diyot çok yüksek frekanslarda çalışır. Bu fotonlar tekrar elektronlara çarparak bu elektronların daha çok foton üretmesine sebep olurlar. Bu durum lazer ışının çok parlak olmasını sağlar. Yarı iletken diyot gibi p-n malzemenin birleşmesinden oluşturulmuştur. + Anot Metalleşme N tipi katman P P Duvarı N Duvarı Pn bitişimi P tipi katman Metalleşme N _ Katod Şekil-3. görülebilen ışınları ve elektromanyetik spektrumun morötesi ışınlarını kapsar.I Kaplan 1x109 Hz ile 3x1012 Hz arasında yer alır. Bu tür lazerler verimli ışık kaynaklarıdır. Neticede yeterli seviyeye ulaşan foton neşri. Ancak çok verimli çalışma için ortam sıcaklığı oda sıcaklığının çok altına düşürülmelidir. kırmızı ötesi ışınları.ANALOG ELEKTRONİK. Lazer diyot. Birleşim yüzeyinde pozitif gerilim p tarafına.25 Lazer diyot’un görünümü ve yapısı Lazer ışınının özellikleri: • Lazer ışınının en büyük özelliği. Genellikle boyları bir milimetreden büyük değildir. Lazer ışınımının üretimi için farklı yöntemler ve malzemeler kullanılmaktadır. lazer ışınını meydana getirir. 86 . Yarıiletken malzemelerden elde edilen kristallerden yapılan lazerlere. belli yönlerde hareket ederler. dağılmaması ve yön verilebilmesidir. Bu bölge. “lazer diyot” adı verilmektedir.25’de verilmiştir.

Kayıpsız yüksek enerji nakli yapılması bu özelliği ile sağlanabilir. Lazerle ilk mesafe ölçümü. İlk yakut laser sadece bir darbe ile çalıştırılırdı. kazandıkları enerjilerini neon atomlarındaki eş enerji seviyelerine aktarırlar. Bunlar. Bu maksatla foto diyot kullanılmakta ve elektrik enerjisi foto diyotta ışık enerjisine çevrilmektedir. Birkaç lazer paralel olarak çalıştırılabilir. gazlar yüksek voltaj altında iyonize hale gelir. Yakut. haberleşmede kullanılabilecek özelliklere sahiptir. Bu enerji aktarma işlemi fotonun yayılmasına sebep olur. Örneğin. İlk bulunan katı lazer türü. Lazer ışını da güneş ışını gibi atmosferden etkilenir. organik bir çözücü içindeki organik boyanın seyreltik bir çözeltisidir. Bu nedenle lazerler.15 mikrondur. yakut lazeridir. Helyum ve neon gazı ile çalışan lazerde. Ay’a yerleştirilen argon-iyon lazeri ile yapılmıştır. inşaatlarda. cam. dalga boyu tek olduğundan monokromatik özellik taşır. Bu liflerden istifade edilerek milyonlarca değişik frekanstaki bilgi aynı anda taşınabilmektedir. 1962 senesinde.ANALOG ELEKTRONİK. • Lazer ışını dağılmaz olduğundan kısa darbeler halinde yayınlanabilmesi mümkündür. Peykler arasındaki mesafeyi 25cm hata ile ölçebilmektedir. kimyasal. Lazer. Karbondioksit lazerleri metal. lifler ne kadar uzun. kıvrıntılı olursa olsun kayıp olmadan bir yerden diğerine ulaşır. En çok kullanılan sıvı lazer türü. içi ayna gibi olan lifler içinden gönderilirse. gaz. sıvı ve yarıiletken lazer olmak üzere sınıflara ayrılırlar. Yönlü bir hareket olmasından ise holografi ve ölçüm biliminde yararlanılır. Helyum atomları elektrik deşarjı esnasında elektronların çarpması ile ikazlanarak yüksek enerji seviyelerine çıkar. Lazer ışınının kullanıldığı yerler: Lazer. boru ve tünel yapımında. uzayda mesafe ölçmede kullanılır. Kimyasal pompalama bir eksotermik kimya reaksiyonunda enerji açığa çıkmasıyla olur. Bu bakımdan lazer ışınları. Kimyasal lazerde ise meydana getirilen gazlar kimyasal reaksiyon yoluyla pompalanır. İlk gaz lazer’in üretiminde helyum ve neon karışımı şeklinde kullanılmıştır. Aynalar vasıtasıyla yeterli seviyeye ulaştıktan sonra lazer ışını elde edilmiş olur. • Lazer ışını tek dalga boyuna sahip olduğu için lazer cinsine göre çeşitli renkte ışınlar elde etmek mümkündür. Bu tür lazer ışınının dalga boyu 1. Bu sebepten istenilen frekansta çok sayıda dalgalar lazer dalgası üzerine bindirilmek suretiyle haberleşmede iyi bir sinyal üreteci olarak kullanılır. katı. 87 . radyo yayınlarında olduğu gibi lazer yayını için uygun bir ortam değildir. Bu sebeple atmosfer. Böylece saniyenin birkaç trilyonda biri devam eden lazer darbeleri elde edilebilir. plastik kaynak ve kesme işlerinde kullanılır. Lazer. Lazer çeşitleri: Günümüzde lazer ışınımının üretimi için farklı yöntemler kullanılmaktadır. yön ve doğrultu tayininde ve tespitinde klasik teodolitlerden çok daha mükemmel ve kullanışlıdır. frekansının bir milyonda biri civarındadır.I Kaplan • Laser ışını. Frekans dağılım aralığı. az miktarda krom ihtiva eden alüminyum oksit kristalidir. Boya lazerlerinin en önemli özelliği dalga boyunun geniş bir alanda hassas bir şekilde ayarlanabilmesidir. hidrojen ve flüor elementleri tersine çevrilmiş bir toplumda hidrojen flüorur meydana getirmek üzere reaksiyona girdiklerinde lazer etkisi ortaya çıkar.

Holografi ve fotoğrafçılıkta çok mühim yeri vardır. Laser ışınının darbe süresinin saniyenin trilyonda birine düşürülmesi halinde kısa bir sürede üretilecek enerji bugün dünyada aynı müddette üretilmekte olan enerji toplamından fazla olacaktır. Çok başlıklı füzelerin hafızalarına yerleştirilen hedef resmi. Tıpta lazer “kansız ameliyat” maksatları ile kullanılır. Holografi. • • • Şotki diyot’un yapısı. Yırtılmış göz retinası. Lazerle görüntü kaydetme süresi saniyenin 10 trilyonda biri zamanda mümkün olur. En önemlisi başlatılması zor olan termonükleer-füzyon olayının (hidrojen bombası ve güneşte her an meydana gelen reaksiyon) lazer ile tetiklenmesidir. lazer ışını ile kaynar ve kanama olmaz. Böylece dünya enerji problemi ortadan kalkacaktır.I Kaplan Lazer. sembolü ve karakteristikleri İncelenecektir. sembolü ve karakteristikleri Pin diyot’un yapısı. lazer ışını ile acısız ve süratle dikilir.5 ÖZEL TİP DİYOTLAR Bu bölümde elektronik endüstrisinde azda olsa kullanılan bazı özel amaçlı diyot türleri tanıtılacak ve çalışma karakteristikleri verilecektir. karargah binaları imha edilebilecektir. Pin diyot’u sayabiliriz. akaryakıt. 88 . Bu tür diyotlara örnek olarak Şotki (Schoottky). Lazer teknolojisinde beklenen gelişmeler: Nükleer enerji alanında lazerin çeşitli gelişmelere yol açacağı umulmaktadır. Gece karanlığında gece görüş dürbünleri ile operasyon yapılabilir. Lazer ışını ile çalışan silahların yapılması ile çok uzaklardan mühimmat. 3. lazer ışınları ile üç boyutlu resim çekme ve görüntüleme tekniğidir. Lazer özelliği dolayısıyla bilgisayarın hafıza kapasitesini büyük ölçüde arttırabilir. sembolü ve karakteristikleri Tunel diyot’un yapısı. füze hedefe yaklaşınca lazer ışını ile tanınır. askeri alandaki mesafe bulma ve yer tanıma maksadıyla kullanıldığı bilinmektedir. Bu bölümde sırayla. Vücudun çeşitli bölgelerindeki tümörler bıçakla açılmadan yerinde kesilerek tedavi edilebilir. Çürük diş çukurları dolgu yapılmak üzere acısız delinebilir. Damardaki dokular.ANALOG ELEKTRONİK. Tunel diyot.

Şotki diyotların yapısı normal diyotlarla benzerlik gösterir.27’de verilmiştir. Fakat bu iki malzeme katkısız bir silisyum malzeme ile ayrılmıştır. Bu diyotlara sıcak taşıyıcı (hot-carrier) diyotlarıda denilmektedir. Ters yönde polarmalandırıldığında sabit bir kondansatör gibi davranır.26’da verilmiştir.27 Pin Diyot’un temel yapısı ve eşdeğer devreleri 89 . Bu nedenle yüksek frekanslarda yapılan çalışmalarda anahtarlama elemanı olarak şotki diyotlar tercih edilir. Kullanım alanlarına örnek olarak sayısal (digital) sistem tasarımlarını verebiliriz.ANALOG ELEKTRONİK. Ğin diyot. Örneğin istenilen sürelerde durum değiştiremezler (iletim/kesim). Anahtarlama hızını artırmak amacı ile şotki diyotların birleşim yüzeylerinde altun. Özel Bölge Katod N i Anot P + CR _ + RF _ b) Ters polarma eğdeğeri a) Temel Yapısı c) Doğru polarma eşdeğeri Şekil-3. Çok yüksek frekanslar altında yapılan çalışmalarda normal diyotlar anahtarlama işlevini yerine getirirken zorlanırlar. Şotki diyot’un sembolü ve yapısı şekil-3. Sadece P ve N maddesinin birleşim yüzeyi normal diyotlardan farklıdır. Pin diyot bu özelliklerinden dolayı modülasyon elemanı olarak kullanılır. gümüş veya platin gibi metaller kullanılır. Katod Katod Metal-Slikon bitişimi Katod N Anot Anot Anot Şekil-3. Şotki diyotlar çok yüksek anahtarlama hızlarına sahiptirler. Doğru yönde polarmalandığında ise değişken bir direnç gibi çalışır. ya da direnci akım kontrollü olduğundan zayıflatma uygulamalarında kullanılırlar.I Kaplan Şotki (Schottky) Diyot Şotki diyotlar çok yüksek frekanslarda kullanılmak üzere tasarlanmış özel bir diyot türüdür. Hızlı değişiminden dolayı kontrollü mikro dalga anahtarı gibi.26 Şotki Diyot’un sembolü ve yapısı Pin Diyot Pin diyotlarda P ve N eklemleri yoğun bir şekilde katkılandırılmıştır. Bu soruna çözüm bulmak amacı ile şotki diyotlar geliştirilmiştir. Pin diyodun yapısı ve eşdeğer devreleri şekil-3.

28’de tunel diyot’un şematik sembolü ve karakteristiği verilmiştir. Tank 90 . Katod Katod IF B Negatif Direnç Bölgesi Tunel Akımı A Anot Anot C VF Şekil-3. Tunel diyot’un bir osilatör devresinde nasıl kullanıldığını küçük bir örnekle açıklayalım. diğer diyotlar gibi PN bitişiminden üretilmiştir.28’de paralel bir rezonans devresi verilmiştir. Tunel diyot’un bu özelliği onu kimi uygulamalarda popüler kılar. Tunel diyot’a has bir özelliktir. tunel diyot kırılma (barrier) gerilimi değerini aştığında tunel diyot negatif direnç özelliği gösterir. Bu noktada (B noktası) tunel diyot üzerinden geçen akım miktarı arttığı halde. S V R C L V S R C L Şekil-3. Tunel diyot üzerine uygulanan doğru yöndeki polarma gerilimi. Karakteristikte B-C noktaları arasında gösterilmiştir. Şekil-3. Tunel diyot’un en belirgin özelliği negatif direnç karakteristiğidir. S anahtarı kapatıldığında sönümlü bir osilasyon üretilir. Bu durum negatif direnç özelliğidir. Devrenin çalışmasını kısaca açıklayalım.ANALOG ELEKTRONİK. Bu durum karakteristikte A-B noktaları arasında görülmektedir.I Kaplan Tunel Diyot Tunel Diyot (Tunnel diode). Şekil--3. Üretiminde germanyum veya galyum arsenit kullanılır. Tank devresinde salınım oluşur ve tunel diyot kesime gider. Örneğin osilatör devrelerinde tetikleme elemanı olarak kullanılabilir. Bu özellik onu özellikle osilatör devrelerinin tasarımında popüler kılar. Tunel diyotların sık kullanıldığı bir diğer uygulama alanı ise mikrodalga yükselteçleridir. doğru polarma altında çok küçük gerilim değerlerinde dahi iletimdedir ve üzerinden bir akım akmasına izin verir. Bu devre.28 Sönümlü bir osilasyonun oluşumu Bu devreye bir tunel diyot ilavesiyle osilasyon sürekli hale gelir. üzerine düşen gerilim azalır.27 Tunel Diyot’un şematik sembolü ve karakteristiği Tunel diyot. S anahtarı kapatıldığında tunel diyot tetiklenerek tank devresine enerji pompalar. Doğrultucu diyotlardan farklı olarak p ve n tipi eklemleri oluşturulurken daha yoğun katkı maddesi kullanılır.

Zenerin temel işlevi üzerine uygulanan ters gerilimi. kimi zaman referans diyot olarak kullanılabilir.29 Tunel diyot’la gerçekleştirilen osilatör devresi 3. Üzerine uygulanan ters gerilim değerine bağlı olarak kapasitesi değişir. otomatik frekans kontrolü ve filtreleme devrelerinde kullanılır. • Zener diyot’un bir diğer kullanım amacı ise referans gerilimi elde etmektir. modülatör. anot ve katod olarak adlandırılan iki adet terminale sahiptir.2V ile 200V arasında farklı değerlerde ayarlanarak kullanıcının tüketimine sunulur. D1 S R1 R Tank Devresi IF D1 C L VF V Şekil-3.ANALOG ELEKTRONİK. zener kırılma geriliminden büyük olmalıdır. regüle işlemini küçük güçler söz konusu olduğunda yerine getirebilir.7 BÖLÜM ÖZETİ • Zener diyot. Zener akımı ise belirli limitler içerisinde tutulmalıdır.I Kaplan devresinde oluşan salınımın genliği belli bir değerin altına düştüğünde tunel diyot tekrar tetiklenerek tank devresine enerji pompalar. Bu durum sürekli tekrarlanarak osilasyonun sürekliliği tunel diyot tarafından sağlanır. Gerilim regülatörü ve kırpıcı olarak kullanılır. • Varikap diyot. ters polarma altında ayarlı bir kondansatör gibi davranır. kırılma gerilimi değerinde sabit tutmaktır. • Regüle işlemi hat ve yük regülasyonu olmak üzere iki temelde yapılır. • Zener diyotlarda kırılma gerilimi üretim aşamasında 1. Büyük güçlerde regüle işlemi için ek devre elemanları kullanılmalıdır. • Varikap diyotlar genellikle iletişim sistemlerinde. Zener’e uygulanan ters gerilim değeri. ters polarma altında ve kırılma geriliminde çalıştırılmak üzere üretilmiş özel tip bir diyot’dur. • Zener diyot. • Zener diyot. 91 . • Zener diyot. regüle işlemini belirli koşullar altında yerine getirir. Dolayısıyla zener.

30’da toplu olarak verilmiştir. ters polarma bölgesinde üzerine uygulanan ışık miktarına duyarlı bir diyot’dur.ANALOG ELEKTRONİK.30 Özel tip diyotların şematik sembolleri 92 . özellikle mikro dalga devrelerinde çalıştırılmak üzere tasarlanmıştır. turuncu. LED. Üzerine uygulanan ışık şiddetine bağlı olarak üzerinden küçük bir miktar akım akmasına izin verir. • Fasklı dalga boylarında gözle görülemeyen ışık yayan LED üretimi de yapılmaktadır. • Foto-diyot. • Bazı özel tip diyotların şematik sembolleri şekil-3. ters yönde ise ayarlı bir direnç gibi davranır.I Kaplan • Şotki (Schottky) diyotlar. • Pin diyot. kırmızı ve yeşil renklerde ışık görülebilir ışık yayan LED üretimi yapılmaktadır. • Farklı yarıiletken materyaller kullanılarak sarı. • Doğru polarma altında ışık yayan diyod’lara LED adı verilmektedir. Doğru yönde sabit bir kondansatör etkisi. Bu tür LED’lere infrared adı verilmektedir. ters polarma altında yalıtkandır. Üzerinden akım akmasına izin vermez. Doğrultmaç Diyodu Zener Diyot LED λ Foto Diyot Şotki Diyot Tunel Diyot Şekil-3. Mikro dalga ve sinyal zayıflatma devrelerinde sıklıkla kullanılır. çok yüksek frekanslarda anahtarlama elemanı olarak çalıştırılmak üzere tasarlanmışlardır.

5 4.BÖLÜM 4 4 BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları Konular: 4.6 Transistörün Yapısı Transistörün Çalışması Transistör Karakteristikleri ve parametreleri Transistörün anahtar olarak çalışması Transistörün Yükselteç olarak çalışması Transistörlerde kılıf tipleri .2 4.3 4.4 4.1 4.

A. Schottky'dir. Bu sahada isimleri en çok duyulanlar. 1904-1947 yılları arasında elektron lambalarının kullanımıyla gelişip önem kazandı. FET. Wilson. C. Genel olarak transistör denilince akla BJT’Ler gelir. Bu bölümde bipolar jonksiyon transistörlerin genel yapısını. bir grup elektronik devre elemanına verilen temel addır.. Bulunan bu yeni elemanın elektron lambalarına göre bir çok üstünlüğü vardı.ANALOG ELEKTRONİK. nokta temaslı transistördü ve gücü miliwatt seviyesindeydi. UJT. Bu transistörün esası. Bu tarihte Bell laboratuarlarında Walter H. Transistör. Yükselteç olarak başarıyla denendi. germanyum bir parça üzerine iki madeni ucun çok yakın şekilde bağlanmasından ibaretti. UJT v. MOSFET.A. Slater.. Zamanla daha pek çok transistör çeşidi bulunarak hizmete sunulmuştur.. F. Kullandığımız bilgisayarların işlemcileri modeline göre 3 ila 100 milyon adet transistör içerebilmektedir. MOSFET. Elektronik endüstrisinde her bir transistör tipi kendi adı ile anılır. 1956'dan itibaren ise her alanda seri olarak kullanılmaya başlanmıştır. İzleyen yıllarda elektron lambalarındaki gelişmelere paralel olarak ilk radyo ve televizyon üretildi. 1931-1940 yılları katı maddeler elektroniği hakkında daha ziyade teorik çalışmalar devri olmuştur. BJT (Bipolar Jonksiyon Transistör). özelliklerini ve çalışmasını inceleyeceğiz. 1906 yılında Lee De Forest. Brillouin. Fleming tarafından yapıldı.I Kaplan Elektronik bilimi. Brottain ve John Bardeen tarafından nokta temaslı ilk transistör tanıtıldı. L.. 1949'da William Schockley tarafından geliştirilen "Jonksiyon Transistör" ise 1953'ten itibaren elektroniğin çeşitli alanlarında deneysel maksatlarla. Sadece alçak frekanslarda kullanılabiliyordu. Çeşitli tip transistörlerin görünümleri 94 . diyot lambaya üçüncü elektrodu ilava ederek Triyot lambayı geliştirdi. gibi. 23 haziran 1947 tarihinde elektronik endüstrisi gelişme yolunda en büyük adımı attı. Transistörler yapıları ve işlevlerine bağlı olarak kendi aralarında gruplara ayrılırlar. H. Seitz ve W.b gibi. J. İlk diyot lamba 1904 yılında J. FET. İmal edilen ilk transistör. Günümüzde transistörler mikron teknolojisi ile üretilebilir hale gelmiş ve tümdevrelerin (chip=Ic’s) içinde kullanılmaya başlanmıştır. Kolay tahrip olması ve fazla dip gürültüsü olması sebebiyle çok tutulmamıştır.

katı-hal "solid-state" devre elemanlarıdır.ANALOG ELEKTRONİK.I Kaplan 4. Metal Kontaklar Oxide Emiter Beyz Kollektör Substrate (taban) Şekil-4. germanyum yada uygun yarıiletken karışımlar kullanılmaktadır. gibi. hem de azınlık taşıyıcıları görev yapar. UJT. FET. Bundan dolayı bipolar (çift kutuplu) sözcüğü kullanılır. Günümüzde transistörler yapım itibari ile bir tost görünümündedir. Bipolar Jonksiyon transistörlerin temel yapısını inceleyeceğiz. BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcıları. aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgilere sahip olacaksınız. Bu nedenle onlara "Nokta Temaslı Transistör" denirdi..1 Bipolar Jonksiyon transistörün yapısı BJT transistörler katkılandırılmış P ve N tipi malzeme kullanılarak üretilir. 95 . Diğer transistörler adları ile anılırlar. Transistör imalatında kullanılan yarı iletkenler.1’de gösterilmiştir.1 TRANSİSTÖRÜN YAPISI Transistörler. Transistörün temel yapısı şekil-4. anlam olarak “Çift kutuplu yüzey birleşimli transistör” ifadesini ortaya çıkarır. Bipolar Transistörler npn ve pnp olmak üzere iki temel yapıda üretilirler Bu bölümü bitirdiğinizde.. Dolayısıyla transistör 3 adet katmana veya terminale sahiptir diyebiliriz. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler birbirlerine nokta temaslı olarak monte edilirlerdi. Bu nedenle “Bipolar Jonksiyon Transistör” olarak adlandırılırlar. NPN ve PNP olmak üzere başlıca iki tipi vardır. • • • Npn ve pnp transistörlerin temel yapısı Npn ve pnp tipi transistörlerin şematik gösterimi Bipolar Transistörlerin temel çalışma prensipleri Bipolar Jonksiyon Transistör (BJT) elektronik endüstrisinin en temel yarıiletken devre elemanlarındandır. 2 adet P tipi yarıiletken madde arasına 1 adet N tipi yarıiletken madde konur. birbirlerine yüzey birleşimli olarak üretilmektedir. MOSFET. BJT. PNP tipi transistörde ise. Transistör sözcüğü akla ilk olarak BJT’leri getirir. Bu bölümde. Transistör yapımında silisyum. NPN transistörde 2 adet N tipi yarıiletken madde arasına 1 adet P tipi yarıiletken madde konur.

her iki çalışma modunda harici dc besleme gerilimlerine gereksinim duyar.ANALOG ELEKTRONİK. 96 . Transistörün çok yaygın olarak kullanılan bir diğer özelliği ise yükselteç olarak kullanılmasıdır. Transistör. kollektör ve Emiter bölgesine nazaran çok daha dar tutulur. Bu bölümde NPN tipi transistörün çalışma ilkeleri analiz edilecektir. Fiziksel yapıdan da görüldüğü gibi transistörün iki jonksiyonu vardır. B ve C harfleri ile sembolize edilirler. Ayrıca beyz bölgesi. doyum ve aktif bölge olarak adlandırılır. kollektör ve Emiter bölgelerine göre daha az katkılandırılır. aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgilere sahip olacaksınız.I Kaplan Transistörün her bir terminale işlevlerinden ötürü. Emiter (Emiter).2 NPN ve PNP tipi transistörlerin fiziksel yapısı ve şematik sembolleri 4. PNP tipi transistörde dc besleme gerilimi ve akımlarının yönleri terstir. genelde E. Şekil-4. C (Kollektör) Beyz-Kollektör Jonksiyonu C (Kollektör) C (Kollektör) C (Kollektör) N B (Beyz) B (Beyz) B (Beyz) P N P Beyz-Kollektör Jonksiyonu P N Beyz-Emiter Jonksiyonu B (Beyz) Beyz-Emiter Jonksiyonu E (Emiter) E (Emiter) E (Emiter) E (Emiter) a) NPN tipi Transistör fiziksel yapısı ve şematik sembolü b) PNP tipi Transistör fiziksel yapısı ve şematik sembol Şekil-4. Bu nedenle sadece NPN tipi transistörlerin çalışması incelenecektir. Transistörlerde beyz bölgesi. PNP tipi transistörün çalışma ilekeleri. emiter ve kollektör akımları arasındaki ilişkiler Transistörler genellikle çalışma bölgelerine göre sınıflandırılarak incelenebilir. Bunlardan beyz-emiter arasındaki bölge “beyz-emiter jonksiyonu”. Bu terminaller.2 TRANSİSTÖRÜN ÇALIŞMA İLKELERİ Bipolar transistörlerin genelde iki çalışma modu vardır. beyzkollektör arasındaki bölge ise “ beyz-kollektör jonksiyonu” olarak adlandırılır. kesim ve doyum bölgelerinde bir anahtar işlevi görür. Yükselteç olarak kullanılacak bir transistör aktif bölgede çalıştırılır. NPN ile benzerlik gösterir.2’de NPN tipi ve PNP tipi transistörün fiziksel yapısı ve şematik sembolleri verilmiştir. Yükselteç (amplifier) ve anahtar olarak. Beyz (Base) ve Kollektör (Collector) adları verilir. Özellikle sayısal sistemlerin tasarımında transistörün bu özelliğinden yararlanılır ve anahtar olarak kullanılır. Transistör. • • • • Transistörlerin doğru ve ters yönde polarmalandırılması Transistörlerde polarma gerilimlerinin bağlantı yönleri Transistörlerde oluşan akım ve gerilim ilişkileri Transistörde beyz. Transistörün çalışma bölgeleri. Bu bölümü bitirdiğinizde. kesim.

beyz-kollektör jonksiyonları ise ters polarmaya tabi tutulur diyebiliriz.4 NPN tipi transistör jonksiyonlarının doğru ve ters polarmadaki davranışları 97 . beyz-kollektör arasına ters polarma uygulayalım.3 NPN ve PNP transistörlerin polarmalandırılması Transistörün yükselteç olarak çalışması şekil-4. emitere göre daha pozitif bir gerilim uygulandığında doğru polarma yapılmıştır. Beyz-emiter jonksiyonları doğru. Her iki transistöründe çalışma ilkeleri aynıdır.4’de ayrıntılı olarak verilmiştir.ANALOG ELEKTRONİK. Bu durum şekil-4.4’de verilen bağlantılar dikkate alınarak anlatılacaktır. R VBE + BE Doğru Polarma - + VBC R BC Ters Polarma R VBE + VBC + R BC Ters Polarma BE Doğru Polarma Şekil-4. Bu durumda çoğunluk akım taşıyıcıları sıfırlanacaktır. Çoğunluk Akım Taşıyıcıları Azınlık Akım Taşıyıcıları N E P N C E N P N C Geçiş Bölgesi B B Geçiş Bölgesi VEB VCB Şekil-4. (Diyodun ters polarmadaki davranışını hatırlayın). beyzkollektör jonksiyonundan VCB kaynağına doğru akacaktır. Çünkü geçiş bölgesinin kalınlığı artacaktır. Emiter-beyz polarmasını iptal edip. Özet olarak yükselteç olarak çalıştırılacak bir transistörde. beyz-kollektör jonksiyonu ise ters yönde polarmalanır. Şekil-4. beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde. N tipi maddeye (emiter) geçmektedirler. Bu polarma etkisiyle geçiş bölgesi daralmaktadır. Bu nedenle bu bölüm boyunca NPN tipi bir Transistörün çalışmasını analiz edeceğiz. Bu durumda P tipi maddeki (beyz) çoğunluk akım taşıyıcıları.I Kaplan Yükselteç olarak çalıştırılacak bir transistörün PN jonksiyonları uygun şekilde polarmalandırılmalıdır. NPN tipi bir transistörde beyz terminaline. Sadece polarma gerilimi ve akımlarının yönleri terstir. Azınlık taşıyıcıları.3’de NPN ve PNP tipi transistörlerin yükselteç olarak çalıştırılması için gerekli polarma gerilimleri ve bu gerilimlerin polariteleri verilmiştir. NPN tipi bir transistörde.

Beyz bölgesinde toplanan taşıyıcılar nereye gidecektir. Bu nedenle. Beyz bölgesinin (P tipi malzeme) iletkenliği düşüktür ve çok incedir. Buradan hareketle. Şekil-4. hangilerime ters polarma uygulandığını şekil üzerindeki geçiş bölgelerinin kalınlığına bakarak anlayabilirsiniz. emiter ve kollektör akımlarına kıyasla çok küçüktür. Transistör akımları arasındaki ilişki aşağıdaki gibi tanımlanabilir. emiterden enjekte edilen elektronların miktarı.5’de gösterildiği gibi çoğunluk taşıyıcılarının çok büyük bir bölümü. kollektör akımının miktarı beyz akımının miktarı ile doğru orantılıdır ve kollektöre uygulanan gerilimden bağımsızdır.ANALOG ELEKTRONİK. N-tipi maddede (emiterde) bulunan oyuklardır. I E = IC + I B Kısaca. Çünkü kollektör ancak beyzin toplayabildiği taşıyıcıları alabilmektedir. Dolayısıyla beyz akımı. Transistörde oluşan çoğunluk ve azınlık akım taşıyıcıları ise şekil üzerinde gösterilmiştir. Şekil-4. Transistörün hangi jonksiyonlarına doğru. ters polarmalı kolektör-beyz jonksiyonu üzerinden difüzyon yoluyla kollektör ucuna bağlı Ntipi malzemeye geçecektir. N IC0 E IE Geçiş Bölgeleri Çoğunluk Akım Taşıyıcıları P N Azınlık Akım T aşıyıcıları C IC B IB VCB VEB Şekil-4. Bu çalışma biçimine transistörün aktif bölgede çalışması denir. Bir transistörün çalışması için gerekli şartları kısaca özetleyelim. Bu durumda akım miktarı artacaktır. beyz ve kollektöre doğru akan elektronların toplamı kadar olduğu söylenebilir. IB akımına katkıda mı bulunacaklardır yoksa N tipi malzemeye mi geçeceklerdir. 98 . Çoğunluk taşıyıcılarının ters polarmalı jonksiyon üzerinden kolaylıkla geçmelerinin nedeni. çok sayıda çoğunluk taşıyıcısının P tipi malzemeye (beyze) ulaşmasını sağlar.5’de NPN tipi bir transistöre polarma gerilimleri birlikte uygulanmıştır. az sayıda taşıyıcı yüksek dirence sahip bu yolu izleyerek beyz ucuna ulaşacaktır. emiterden enjekte edilen elektronların küçük bir miktarı ile beyz akımı oluşmaktadır. Emiterden gelen taşıyıcıların yaklaşık %99’u kollektöre geçerken geriye kalan çok küçük bir kısmı beyze akar. • Transistörün çalışabilmesi için.I Kaplan Transistörün nasıl çalıştığını anlamak amacıyla yukarıda iki kademede anlatılan olayları birleştirelim. beyzkollektör jonksiyonu ise ters yönde polarmalandırılmalıdır. beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde. Elektronların geri kalan büyük bir kısmı ile kollektör akımı oluşmaktadır.5 NPN tipi transistörde çoğunluk ve azınlık akım taşıyıcılarının akışı Doğru yönde polarmalanan emiter-beyz jonksiyonu. Sonuç kısaca özetlenecek olursa.

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

Beyz akımı olmadan, emiter-kollektör jonksiyonlarından akım akmaz. Transistör kesimdedir. Farklı bir ifadeyle; beyz akımı küçük olmasına rağmen transistörün çalışması için çok önemlidir. PN jonksiyonlarının karakteristikleri transistörün çalışmasını belirler. Örneğin; transistör, VBE olarak tanımlanan beyz-emiter jonksiyonuna doğru yönde bir başlangıç gerilimi uygulanmasına gereksinim duyar. Bu gerilimin değeri silisyum transistörlerde 0.7V, germanyum transistörlerde ise 0.3V civarındadır.

4.3

TRANSİSTÖR PARAMETRELERİ VE KARAKTERİSTİKLERİ

Transistörle yapılan her türlü tasarım ve çalışmada dikkat edilmesi gereken ilk konu, transistörün dc polarma gerilimleri ve akımlarıdır. Transistörlerin dc analizlerinde kullanılacak iki önemli parametre vardır. Bu parametreler; βDC (dc akım kazancı) ve DC olarak tanımlanır. Bu bölümü bitirdiğinizde; aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgilere sahip olacaksınız. • • • • • • Transistörde dc beta (βDC) parametrelerinin tanıtımı Transistörde dc alfa (DC) parametrelerinin tanıtımı βDC ve DC parametrelerinin karşılaştırılmaları ve matematiksel analizleri Transistör devrelerinde akım-gerilim ilişkileri Temel transistör devrelerinin dc analizleri Transistörlerin şematik gösterimi

Transistörlerin çalışması için gerekli ilk şart, dc polarma gerilimlerinin uygun şekilde bağlanmasıdır. Şekil-4.6’da NPN ve PNP tipi transistörler için gerekli polarma bağlantıları verilmiştir. Transistörün beyz-emiter jonksiyonuna VBB kaynağı ile doğru polarma uygulanmıştır. Beyz-kollektör jonksiyonuna ise VCC kaynağı ile ters polarma uygulanmıştır.

RC

IC
RB

RC

IC

RB

VCC

VCC

VBB

IB IE

V BB

IB IE

Şekil-4.7 NPN ve PNP transistörlerin polarmalandırılması
Bir transistörün analizi yapılırken iki önemli parametresi vardır. Bunlar; βDC akım kazancı veDC akım kazancıdır. Bu parametreleri inceleyelim.

99

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

DC Beta (ßDC) ve DC Alfa (αDC)
β akım kazancı, ortak emiter bağlantıda akım kazancı olarak da adlandırılır. Ortak emiter bağlantı kavramı ileride açıklanacaktır. Bir transistör için β akım kazancı, kollektör akımının beyz akımına oranıyla belirlenir.

β=

IC IB

β akım kazancı bir transistör için tipik olarak 20-200 arasında olabilir. Bununla birlikte β değeri 1000 civarında olan özel tip transistörlerde vardır. β akım kazancı kimi kaynaklarda veya üretici kataloglarında hFE olarak da tanımlanır.

β = h FE
Kollektör akımını yukarıdaki eşitlikten;
IC = β ⋅ I B

olarak tanımlayabiliriz. Transistörde emiter akımı; IE=IC+IB idi. Bu ifadeyi yeniden düzenlersek;
IE = β ⋅ IB + IB I E = I B (1 + β )

değeri elde edilir. Ortak beyzli bağlantıda akım kazancı olarak bilinen  değeri; kollektör akımının emiter akımına oranı olarak tanımlanır.

α=

IC IE

Emiter akımının kollektör akımından biraz daha büyük olduğu belirtilmişti. Dolayısıyla transistörlerde  akım kazancı 1’den küçüktür.  akım kazancının tipik değeri 0.95-0.99 arasındadır. Emiter akımı; IE=IC+IB değerine eşitti. Bu eşitlikte eşitliğin her iki tarafı IC’ye bölünürse;
I E IC I B = + IC IC IC ⇒ IE I = 1+ B IC IC

DC=IC/IE ve βDC=IC/IB olduğundan, yukarıdaki formüle yerleştirilirse
1

α

= 1+

1

β

değeri elde edilir. Buradan her iki akım kazancı arasındaki ilişki;

α=

β
1+ β

olarak belirlenir. Bir transistörde  akım kazancı değeri yaklaşık olarak sabit kabul edilir. Ancak  akım kazancı değerinde çok küçük bir değişimin, β akım kazancı değerinde çok büyük miktarlarda değişime neden olacağı yukarıdaki formülden görülmektedir.

100

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

Transistörlerde β akım kazancı, gerçekte sabit bir değer değildir. Değeri bir miktar transistörün çalışma ısısına bağımlıdır.

Örnek 4-1 Çözüm:

Bir transistörün β akım kazancı değeri 200’dür. Beyz akımının 75µA olması durumunda, kollektör akımı, emiter akımı ve α akım kazancı değerlerini bulunuz.

β DC =

IC IB

⇒ I C = β ⋅ I B = ( 200 ⋅ 75 µA) = 150mA

I E = I C + I B = (1 + β ) ⋅ I B = (1 + 200 ) ⋅ 75 µA = 150.75mA

α=

β
1+ β

⇒ α=

200 = 0.99 1 + 200

Transistörlerde βDC akım kazancı sabit değildir. Değeri bir miktar kollektör akımı ve sıcaklık değişimi ile orantılıdır. Transistör üreticileri kataloglarında belirli bir IC değeri ve sıcaklık altında oluşan ortalama βDC değerini verirler. Çoğu uygulamalarda transistörün IC değeri ve jonksiyon sıcaklığı sabit tutulsa dahi βDC değeri değişebilir. Bu nedenle; üreticiler ürettikleri her bir transistör tipi için, βDC akım kazancının minimum ve maksimum değerlerini verirler. Şekil-4.8’de sıcaklık ve kollektör akımındaki değişime bağlı olarak βDC akım kazancındaki değişim örneklenmiştir. Transistörle yapılan devre tasarımlarında βDC değerindeki değişimler dikkate alınarak β değerinden bağımsız uygulama devreleri geliştirilmiştir.
70
Minimum akım ka za ncı (βD C)

T=125 0C T=250 C

50

30 20 10

T=-15 0C T=-55 0C

1 .0

2.0

3.0

10

20

30

50

10 0

200

IC ( mA )

Şekil-4.8 Sıcaklık ve kollektör akımındaki değişime bağlı olarak βDC’nin değişimi

Transistörde Akım ve Gerilim İlişkileri
Bir transistör devresinde akım ve gerilimler arasında belirli ilişkiler vardır. Transistörün her bir terminalinde ve terminalleri arasında oluşan gerilim ve akımlar birbirinden bağımsız değildir. Transistörün her bir jonksiyonundan geçen akımlar ve jonksiyonlar arasında oluşan gerilimler şekil-4.9 üzerinde gösterilmiş ve adlandırılmıştır.

101

I C = β . VBB − VBE = I B ⋅ R B VBB − VBE RB IB = olarak bulunur. Buradan kollektör ve emiter akımlarını bulabiliriz.7V gerilim düşümü oluşur. Buradan beyz akımı çekilirse.I Kaplan RC IC II.I B I E = I C + . VBE ≅ 0. VBB = I B ⋅ R B + VBE olur.9 Transistörde akım ve gerilimler Transistörün beyz-emiter jonksiyonu VBB gerilim kaynağı ile doğru yönde polarmalanmıştır.GÖZ IE Şekil-4.ANALOG ELEKTRONİK. Beyz-kollektör jonksiyonu ise VCC gerilim kaynağı ile ters yönde polarmalanmıştır.Göz için K.7V Devrede I. R C = IC ⋅R C 102 .K yazılırsa.I B RC direnci üzerine düşen gerilim. Beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde polarmalandığında tıpkı ileri yönde polarmalanmış bir diyot gibi davranır ve üzerinde yaklaşık olarak 0. V olur.GÖZ IB IE IC VCC : Beyz akımı (dc) : Emiter akımı (dc) : Kollektör akımı (dc) V CB + + RB _ + _ _ VCE IB VBB VBE VBE : Beyz-emiter gerilimi (dc) VCB : Kollektör-beyz gerilimi (dc) VCE : Kollektör-emiter gerilimi (dc) I.G.

VCC = ( I C ⋅ RC ) + VCE VCE = VC C − ( I C ⋅ RC ) olarak bulunur.99 1 + 200 VCC = ( I C ⋅ RC ) + VCE VCE = VC C − ( I C ⋅ RC ) = 12V − (86mA ⋅ 100Ω) = 3. I C=?.Göz için K. II.7V β=200 I B=?.4V VCB gerilimini bulmak için çevre denklemlerinden yararlanılır.Göz’den yararlanırız. V CE =?. V CB =? VC E _ _ Çözüm: IB = VBB = I B ⋅ R B + VBE VBB − VBE 5V − 0.7V = 2.7V = = 430 µA RB 10K ⇒ I C = β ⋅ I B = ( 200 ⋅ 430 µA) = 86mA β DC = IC IB α= β 1+ β ⇒ α= 200 = 0.K yazılırsa.I Kaplan Transistörün emiter-kollektör gerilimini bulmak için devredeki II.G.ANALOG ELEKTRONİK. IE =? V BE =?. Örnek 4-2 RC 100Ω Yanda verilen devrede. VCC = ( I C ⋅ RC ) + VCB + VBE VCB = VCC − ( I C ⋅ RC ) − VBE VCB = 12 − (86mA ⋅ 100Ω) − 0. transistörün polarma akım ve gerilimlerini bulunuz? VC C 10V VCB + + RB 10KΩ 5V _ + V BE VBE=0.7Volt 103 .

11’de ayrıntılı olarak verilmiştir. Grafikten de görüldüğü gibi transistörün giriş karakteristiği normal bir diyot karakteristiği ile benzerlik gösterir. Beyz-emiter (VBE) gerilimi. kollektör akımı (IC) ve kollektör-emiter (VCE) gerilimindeki değişimi verir. kollektör-emiter gerilim (VCE) parametre olarak alınır ve bu gerilime göre beyz akımı (IB) değiştirilir.7V olarak kabul edilir. Örneğin her 10C’lik sıcaklık artımında VBE gerilimi yaklaşık 2. VBE gerilimi 0. Transistörün giriş karakteristiğini çıkarmak için şekil-4. sıcaklıktan bir miktar etkilenir.5 0.ANALOG ELEKTRONİK. Bu nedenle transistörün çıkış karakteristiği.7 VBE (V) Şekil-4. beyz akımındaki (IB) değişime bağlı olarak. Transistör.11 Transistörün çıkış karakteristiklerinin çıkarılması ve çıkış karakteristikleri 104 . Transistörün giriş karakteristiği beyz-emiter gerilimi ile beyz akımı arasındaki ilişkiyi verir. Transistörün çıkış karakteristiğini elde etmek için gerekli devre düzeneği ve transistörün çıkış karakteristik eğrileri şekil-4.3mV civarında azalır.10’daki bağlantıdan yararlanılır. giriş ve çıkış için iki ayrı karakteristik eğriye sahiptir.7 VCE (V) Şekil-4.10 Transistörün giriş karakteristiğinin çıkarılması ve giriş karakteristiği Transistörün Çıkış Karakteristiği Ttransistörlerde çıkış. herhangi bir elektriksel elemanda akım-gerilim ilişkisini gösterir. genellikle kollektör-emiter uçları arasından alınır. Uygulamalarda aksi belirtilmedikçe transistörün iletime başladığı andaki beyz-emiter gerilimi VBE=0. RC IC (mA) IC IC B C RB VCE IB VBB VCC A 0 0. RB IB (mA) T1 T2 T3 RB IB VBB VBE VCC T1>T2>T3 0 0.5V’un altında olduğu sürece beyz akımı ihmal edilecek derecede küçüktür.I Transistörün Giriş Karakteristiği Kaplan Karakteristik eğri. Transistörün giriş karakteristiklerini elde etmek için. Beyz akımındaki bu değişimin beyz-emiter gerilimine (VBE) etkisi ölçülür.

VCC geriliminin artırılmasıyla birlikte IC akımı dolayısıyla VCE artacaktır. Karakteristik çıkarmak için farklı IB ve IC değerleri için VCE gerilimleri ölçülür ve kaydedilir. Bu durum şekil-4. Kırılma gerilim değerleri üretilen her bir transistör tipi için üretici kataloglarında verilir. Bu bölgeler. 105 . Üretici firmalar her bir transistörün giriş ve çıkış karakteristik eğrilerini kataloglarında kullanıcıya sunarlar. Bu nedenle gerilim artışı ile birlikte kollektör akımıda artmaktadır. kolektörden daha yüksek potansiyeldedir ve B-C jonksiyonu doğru yönde polarmalanmıştır. aktif bölge. Bu bölgeleri kısaca inceleyelim. Transistörün çalışma bölgeleri şekil-4.Bu anda beyz-kollektör jonksiyonu ters yönde polarmalanmaya başlar. Transistörde Çalışma Bölgeleri Transistörlerde başlıca 3 çalışma bölgesi vardır. Bu gerilim değeri belirli limitler dahilindedir. IC (mA ) I B6 I B5 I B4 I B3 I B2 I B1 VC E (V) I B1 <I B2<IB 3<IB4 <I B5<I B6 Transist örde kırılma gerilimi sınırı I C (mA) I B6 I B5 I B4 I B3 I B2 I B1 VC E (V) Şekil-4. Bu kaynağın oluşturduğu beyz akımı değerine bağlı olarak transistörün kollektör akımı değişecektir. Başlangıçta VCC=0.ANALOG ELEKTRONİK.I Kaplan Devredeki VBB kaynağı beyz akımını ayarlamada kullanılır. Kollektör akımı IC=β·IB ilişkisi ile gösterilen maksimum değerine ulaşır.12’de farklı beyz akımlarında transistörün çıkış karakteristik eğrileri verilmiştir. Transistörlerle yapılan devre tasarımlarında üretici firmanın verdiği karakteristik eğrilerden yararlanılır. Bu gerilim belirlenen limit değeri aştığında transistörde kırılma (avalange) olayı meydana gelerek bozulmaya neden olur. beyz-kollektör jonksiyonu fakirleşmiş bölgenin büyümesi nedeniyle kollektör akımıda az miktarda artmaktadır. Bu durum karakteristikte B ve C noktaları arasında görülmektedir. Bu noktadan sonra VCE gerilimine karşılık IC değeri hemen hemen sabit kalmaya başlar. Şekil-4. VCE gerilimi B noktasına ulaşana kadar beyz.11’deki karakteristik üzerinde gösterilmiştir (A-B noktaları arası).12 Transistörün IC-VCE karakteristikleri ve kırılma gerilimi Transistöre uygulanan VCE gerilimi önemlidir.13’de transistörün çıkış karakteristikleri üzerinde gösterilmiştir. kesim (kat-off) bölgesi ve doyum (saturation) bölgesi olarak adlandırılır. Gerçekte ise artan VCE gerilimi ile.12’de gösterilmiştir.7V civarındadır. IC=0 ve VCE=0 iken VBB’nin belirli bir IB değeri vermek üzere ayarlandığını kabul edelim. VCE gerilimi B noktasına ulaştığında değeri yaklaşık olarak 0. Bu durum şekil-4.

I Kaplan I C (mA) I B6 DOY UM BÖLG ESİ I B5 I B4 AK TİF BÖ LGE I B3 I B2 I B=0 I B1 VCE (V ) KES İM BÖLG ESİ Şekil-4. transistörün çalışması bölümünde ayrıntılı olarak incelenmişti.ANALOG ELEKTRONİK. Kesim Bölgesi: Transistörün kesim bölgesinde nasıl çalıştığı şekil-4. Kollektör-emiter jonksiyonları çok yüksek bir direnç değeri gösterir ve akım akmasına izin vermez. Bu bölgede transistörün çıkış akımı öncelikle beyz akımına. besleme gerilimi VCC değerine eşit olur.13. Sızıntı akımı pek çok uygulamada ihmal edilebilir. Doğrusal yükselteç tasarımı ve uygulamalarında transistör genellikle bu bölgede çalıştırılır. beyz akımının sıfırdan büyük (IB>0) ve kollektör-emiter geriliminin 0V’dan büyük (VCE>0V) olduğu bölgedir.13 Transistörlerde çalışma bölgeleri Aktif Bölge: Transistörün aktif bölgesi. RC RC I C0 + VCE ≅ V CC I B =0A VBB V CC IB + IC RB V ≅ VCC − IC ⋅ R C CE VCC a) Transistörün kesim bölgesinde çalışması b) Transistörün doyum bölgesinde çalışması Şekil-4.13. Bu durumda transistör kesimdedir. Şekilde görüldüğü gibi transistörün beyz akımı IB=0 olduğunda. Transistörün aktif bölgede nasıl çalıştığı.a ve b Transistörün kesim ve doyum bölgesinde çalışması 106 . beyzemiter gerilimi de VBE=0V olacağı için devrede kollektör akımı (IC) oluşmayacaktır. kollektör-beyz jonksiyonu ise ters yönde polarmalanır. Transistör aktif bölgede çalışabilmesi için beyz-emiter jonksiyonu doğru. küçük bir miktarda VCE gerilimine bağımlıdır. Bu akıma “sızıntı akımı” denir.a yardımıyla açıklanacaktır. Kollektörden sadece IC0 ile belirtilen çok küçük bir akım akar. Transistörün kollektör-emiter gerilimi VCE.

Şekil-4. Transistöre uygulanan beyz akımı artırıldığında kollektör akımıda artacaktır. kollektör akımının maksimum değeri ne olmalıdır. Hesaplayınız 107 . kollektöremiter gerilimi (VCE(max)).ANALOG ELEKTRONİK. Doyum bölgesinde çalışan bir transistörün kolektör-emiter gerilimi VCE yaklaşık 0V civarındadır. Bu değerler standart transistör kataloglarında verilir. Kollektör-emiter gerilimi doyum değerine ulaştığında (VCE(DOY)) beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde polarmalanacaktır. Transistörde Maksimum Güç Sınırı Her bir transistör tipinin çalışma alanını belirleyen bir takım sınır (maksimum) değerler vardır. Transistörlerde güç harcaması. Transistörle yapılan tasarımlarda bu değerlere uyulmalıdır. Sonuçta IB değeri daha fazla yükselse bile IC akımı daha fazla artmayacaktır. Kataloglarda verilen tipik maksimum sınır değerlerini. kollektör akımı (IC(max)) ve maksimum güç harcaması (PD(max)) olarak sayabiliriz.14’de tipik bir çıkış karakteristiği üzerinde maksimum değerler gösterilmiştir. kollektör-emiter gerilimi (VCE) ve kollektör akımına (IC) bağlıdır. Çünkü IC akımının artması ile RC yük direnci üzerindeki gerilim düşümü artacaktır. emiter-beyz gerilimi (VBE(max)). IC = PD( MAX ) VCE I C (mA) IC (max) Ma ksimum güç sınırı V CE (V) V CE (max) Şekil-4. Bu durumda transistördeki IC=β·IB eşitliği doğruluğunu kaybedecektir. Bu değer genellikle VCE(DOY)=0V olarak ifade edilir. Bu işlemin sonucunda transistörün VCE gerilimi azalacaktır.3 Aktif bölgede çalışan bir transistörün VCE gerilimi 8V ölçülmüştür.b yardımıyla açıklanacaktır. kollektör-beyz gerilimi (VCB(max)).3.14 Transistörde maksimum sınır değerler ve güç sınırı Örnek: 4. Aşağıdaki gibi formüle edilir. Transistörün maksimum güç harcama sınırı 300mW verildiğine göre.I Kaplan Doyum Bölgesi: Transistörün doyum (saturation) bölgesinde çalışma şekil-4.

VCC.4 RB 33 KΩ RC 1K Ω V BB 5V VC C Şekildeki devrede transistörün maksimum sınır değerleri verilmiştir.5mA ⋅1KΩ + 20V VCC = 39. Şimdi transistörde harcanabilecek maksimum gücü bulalım. PD = VCE( MAX ) ⋅ I C ⇒ PD = 20V ⋅ 19. İlk etapta devredeki IB değerini belirleyelim. VBB = I B ⋅ R B + VBE ⇒ I B = VBB − VBE 5V − 0. Bu değer transistörün sınır güç değerinden (1W) küçüktür. VCC = I C ⋅ RC + VCE VCC = 19.5mA 8V Örnek: 4. 390mW bulunmuştur.5V Buradan transistörün maksimum güç şartlarında çalışabilmesi için VCC geriliminin alabileceği değeri belirledik. Transistörün zarar görmeden çalıştırılabileceği maksimum VCC gerilimi değeri ne olmalıdır? Hesaplayınız? PD(MAX) =1W V CE(MAX) =20V IC(MAX) =100mA β DC =150 Çözüm: Transistörün VCE gerilimi değerini belirleyen faktörler.5V’luk VCC besleme geriliminde güvenli bir çalışma ortamı sağlanmıştır.5mA VCE geriliminin 20V olmasını sağlayan IC akımının değeri.I Kaplan Çözüm: IC = PD(max) VCE = 300mW = 37. IC ve IB değerleridir. 39. 108 . IC(max) değerinden küçüktür. Bu gerilimin olması gereken değerini bulalım.ANALOG ELEKTRONİK. IC akımını belirleyen bir diğer faktör ise VCC gerilimidir.5mA PD = 390mW Transistörde harcanabilecek toplam güç.7V ⇒ IB = = 130 µA RB 33KΩ IC = β ⋅ I B I C = 150 ⋅130 µA ⇒ 19.

Kapalı konuma alındığında ise direnci sıfırdır ve üzerinde gerilim düşümü olmaz.14. ideal bir anahtar değildir. Kollektör akımı maksimum olacak ve transistörün kollektör-emiter arası ideal olarak kısa devre olacaktır.b’de ise transistörün beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde polarmalanmıştır. Dolayısıyla transistörün kesimdedir. açık olduğunda direnci sonsuzdur.a ve b Transistörün anahtar olarak çalışması Şekil-4. Bu bölümü bitirdiğinizde. Transistörün bir anahtar olarak nasıl kullanıldığı şekil-4. Transistörün elektronik anahtar olarak kullanılmasında kesim ve doyum bölgelerinde çalışmasından yararlanılır. Transistör bu durumda kapalı bir anahtar gibi davranır. diğer duruma zaman kaybı olmadan geçebilmelidir.a’da görüldüğü gibi transistörün beyz-emiter jonksiyonu ters yönde polarmalanmıştır. Üzerinden akım akmasına izin vermez. Kollektör-emiter arası ideal olarak açık devredir. Transistörle gerçekleştirilen elektronik anahtar. 109 .4 TRANSİSTÖRÜN ANAHTAR OLARAK ÇALIŞMASI Transistörlerin en popüler uygulama alanlarına örnek olarak yükselteç ve anahtarlama devrelerini verebiliriz.14’de verilmiştir. Şekil-4. Ayrıca anahtar bir durumdan. Bu devrede beyz akımı yeterli derecede büyük seçilirse transistör doyum bölgesinde çalışacaktır.I Kaplan 4. Fakat transistör küçük bir güç kaybı ile anahtar olarak çalışabilir.14. aşağıda belirtilen konular hakkında ayrıntılı bilgilere sahip olacaksınız.14. Transistör bu durumda açık bir anahtar olarak davranır. • • • Transistörde kesim (cutoff) ve doyum (saturation) bölgeleri Transistörün kesim bölgesindeki özellikleri Transistörün doyum bölgesindeki özellikleri İdeal bir anahtar. +V CC +VC C +VC C +VC C RC C I C=0 RC RC C IC RC RB C RB C 0V IB=0 E E +VBB IB E E a) Transistör kesimde -Anahtar AÇIK b) Transistör doyumda -Anahtar KAPALI Şekil-4.ANALOG ELEKTRONİK.

I I B(min) = C β Örnek 4. Beyz-emiter jonksiyonu iletim yönünde polarmalanmamıştır. VCC = I C ⋅ RC + VCE 110 .ANALOG ELEKTRONİK. V0 = VCE = VCC = +12V b) Transistör doyumda olduğunda.I Kaplan Transistör kesimdeyken.5 RB VC C=+12V RC 1KΩ Şekildeki devrede transistör anahtarlama amacı ile kullanılmaktadır. VCE(DOYUM)=0V olacaktır. Dolayısıyla transistörün kollektör-emiter gerilimi. Çünkü transistörün kollektör-emiter arası açık devredir. Kollektör-emiter gerilimi ise ideal olarak düşünülürse VCE=0V olmaktadır. Bu durumda transistörün kollektör akımı. a) VB =0V olduğunda V0 değerini bulunuz? VO b) Transistörü doyumda tutacak minimum beyz akımını bulunuz? c) V B=6V olduğunda transistörü doyumda tutacak RB değerini bulunuz? Β=150 Çözüm: a) VB=0V olduğunda transistör kesimdedir. Kollektör akımı IC=0A olur. Dolayısıyla transistörün V0 gerilimi. VCE( KESIM ) = VCC olur. transistörün kollektör-emiter arasında görülebilecek maksimum değerdir ve yaklaşık olarak transistörün besleme gerilimi VCC değerine eşittir. Kollektör akımı maksimum değerine ulaşmaktadır. Bu değer aynı zamanda transistörün çıkış gerilimidir. Bu gerilim. Transistör doyumdayken. Bu durumda. VCC = VCE( DOYUM ) + I C ⋅ RC I C ( DOYUM ) = VCC RC değerine eşit olur. Bu değerden hareketle transistörü doyumda tutacak beyz akımının minimum değeri belirlenebilir. Transistör kesimdeyken IC=0 olduğunu biliyoruz. VCE = VCC − I C ⋅ RC değerine eşittir. Buradan IC akımını bulalım.

Dolayısıyla devreden RB değerini bulabiliriz. I B( MIN ) = I C ( DOYUM ) β = 12 mA = 80 µA 150 Bulunan bu değer.7V olacaktır.a ve b Transistörün anahtar olarak kullanılması 111 . Buradan transistörü doyumda tutacak beyz akımının minimum değerini buluruz. beyzemiter gerilimi VBE=0. Giriş işareti +V değerine ulaştığında ise transistör iletime geçerek LED yanacaktır. 0V olduğunda transistör kesimdedir. Giriş işareti.7V = = 66. +VCC RC RO LE 12V/100mA +V CC=12V RB RB 5V BC547 β = 150 +V 0V VBE=0. LED yanmayacaktır.15’a.ANALOG ELEKTRONİK. Örneğin şekil-4. VB = I B ⋅ R B + VBE RB = VB − VBE 6V − 0. Beyz akımının bu değerden daha fazla olması kollektör akımını artırmayacaktır.15. c) Transistörü doyuma ulaştıracak beyz akımını belirleyen devre elamanı RB direncidir.I Kaplan I C ( DOYUM ) = VCC 12V = = 12 mA RC 1K olacaktır. Transistörlü anahtar uygulaması Pek çok endüstriyel uygulamada veya sayısal tasarımda tümdevrelerin çıkışından alınan işaretlerin kuvvetlendirilmesi istenir.2KΩ IB 80 µA olarak bulunur. transistörü doyumda tutmak için gereken beyz akımının minimum değerdir.6V a) Transistörün anahtar olarak çalışması b) Transistörle role kontrol Şekil-4. Transistör iletime girdiğinde. Bu direncin olması değerini bulalım.da tümdevre çıkışından alınan bir kare dalga işaretin bir led’i yakıp söndürmesi için gerekli devre düzeneği verilmiştir.

Tümdevre çıkışının izin verdiği akım miktarı 10mA’dir.6V = 7. dolayısıyla role kontaklarına bağlı bir yükü kontrol etmesi gösterilmiştir. +5V = I B RB = R B + VBE VB .6 Şekil-4-15. Dolayısıyla transistörün kolektöründen akacak IC akımı değeri 100mA’dir. Devreden. IB = I C 100mA = 0.I Kaplan Şekil-4. Yükseltme (amplifikasyon) işlemi. Şimdi bu akımı akıtacak RB değerini bulalım.3KΩ = IB 0.VBE 5V .5 TRANSİSTÖRÜN YÜKSELTEÇ OLARAK ÇALIŞMASI Transistörlerin çok popüler bir diğer uygulama alanı ise yükselteç (amplifier) devresi tasarımıdır. • Yükselteç (amplifier) • Temel transistörlü yükseltecin dc ve ac analizi Hakkında temel bilgiler elde edeceksiniz.0. Bu bölümde bitirdiğinizde . transistörü doyumda tutmak için gereken beyz akımının minimum değerdir.15. Transistörün en temel uygulama alanlarından biri de yükselteç (amplifier) devresi tasarımıdır.6mA = β 150 Çözüm: Bulunan bu değer.6mA 4. RB direncinin değeri ne olmalıdır? Hesaplayınız? Rolenin kontaklarını çekebilmesi için gerekli minimum akım değeri 100mA’dir. genellikle aktif bölgede çalıştırılır. girişine uygulanan işareti yükselterek (kuvvetlendirerek) çıkışına aktarmasıdır. Yükselteç olarak tasarlanacak bir transistör. Buradan IB akımının olması gereken değerini bulabiliriz. Temel bir yükselteç devresinin işlevi.ANALOG ELEKTRONİK.b’de ise bir tümdevre çıkışından alınan işaretin kuvvetlendirilerek bir röleyi. Örnek: 4. 112 . transistöre uygulanan her hangi bir işaretin genliğinin veya gücünün doğrusal olarak kuvvetlendirilmesi (yükseltilmesi) işlemidir.b’de verilen devrede tümdevre çıkışı +5V olduğunda rolenin kontaklarını çekmesi istenmektedir.

Analiz işleminde transistörün çalışma bölgesi belirlenir.17’a. Dolayısıyla yükselteç tasarımında yapılması gereken ilk adım transistörlü yükselteç devresinin dc analizdir. Yükselteç devresinin ac analizini yapılırken eşdeğer devrelerden yararlanılır.I Kaplan Transistörlü temel bir yükselteç devresi şekil-4. transistörlü yükselteç devresi ac çalışmaya hazır hale getirilir. AC Analiz Transistörlü yükselteç tasarımında ikinci evre. • • Transistörlü yükselteç devrelerinin dc analizi Transistörlü yükselteç devrelerinin ac analizi +V CC RC V out RB V in V BB Şekil-4. Dolayısıyla transistörlü yükselteç devreleri genel olarak iki aşamada incelenilirler.da transistörlü temel bir yükselteç devresi verilmiştir.17. Aynı devrenin ac eşdeğeri devresi ise şekil-4. tasarlanan veya tasarlanacak yükselteç devresinin ac analizidir. Sonuçta. Bu bölge için uygun akım ve gerilimler hesaplanır. devrenin yükselteç olarak çalışabilmesi için dc besleme (polarma) gerilimlerine gereksinim vardır. Devre girişine uygulanan ac işaret (VİN) ise yükseltme işlemine tabi tutulacaktır. Transistörlü yükselteç devresinde. Şekil-4. Bu aşamalar.ANALOG ELEKTRONİK.16 Transistörlü yükselteç devresi DC Analiz İyi bir yükselteç tasarımı için transistörün özelliklerine uygun dc polarma akım ve gerilimleri seçilmelidir. Transistörlü yükselteç devrelerinin dc analizinde eşdeğer devrelerden yararlanılır. 113 . Transistörlü yükselteç devrelerinin dc analizi ilerideki bölümlerde tüm ayrıntıları ile incelenecektir.16’da verilmiştir. Devrede kullanılan dc kaynaklar transistörün aktif bölgede çalışmasını sağlamak içindir.b’de görülmektedir.

Örneğin.6 TRANSİSTÖRLERDE KODLAMA VE KILIF TİPLERİ Günümüzde pek çok farklı kılıf tipine sahip transistör üretimi yapılmaktadır. Bu nedenle transistörlü yükselteçlerin analizi ve tasarımı bu kitabın ilerleyen bölümlerinde ayrıntılı olarak incelenecektir. akımını veya gücünü yükseltebilir. gerilim veya güç kazancı söz konusudur.17. Dolayısıyla bir akım.I Kaplan +V CC RC RC RB Vout Vout Vin RB Vo Vin Vin VBB Vg a) Transistörlü yükselteç devresi b) Transistörlü yükselteç devresinin ac eşdeğeri Şekil-4. Bir yükselteç devresi. Transistörlerde uluslarası standart kodlama • Transistörlerde üretim kategorileri • hakkında temel bilgiler elde edeceksiniz. Akım kazancı için AI ve güç kazancı için AP sembolleri kullanılır. girişinden uygulanan işaretin genliğini. küçük veya orta güçlü transistörlerin üretiminde genellikle plastik veya metal kılıflar kullanılmaktadır. Transistörlerde kullanılan kılıf tiplerini belirleyen diğer önemli bir faktör ise çalışma frekanslarıdır. dc kaynaklar kısa devre yapılır. Gerilim kazancı için AV. Transistörlerin kılıf tipleri genelde kullanım amacına ve kullanım yerine bağlı olarak değişmektedir. AV = V0 Vg Transistörlü yükselteçler. 4. Yükseltecin temel amacıda bu kazancı sağlamaktır. 114 . Yükselteç devresi doğal olarak girişinden uygulanan ac işareti yükselterek çıkışına aktaracaktır. Örneğin şekil-4. Dolayısıyla bir kazanç söz konusudur. Yükselteçlerde kazanç ifadesi A ile sembolize edilir.a ve b Transistörlü temel yükselteç devresi ve ac eşdeğeri Transistörlü bir yükselteç devresinin ac eşdeğer devresi çizilirken.17’de görülen yükselteç devresinin gerilim kazancı AV. Bu bölümde sizlere kısa ön bilgiler sunulmuştur. Bu bölümde transistörlerin kılıf tiplerini belirleyen etkenler olarak .ANALOG ELEKTRONİK. belirtildiği gibi elektronik biliminin en önemli konularından birisidir.

Uluslararası Standard Kodlama: Transistörlerin kodlanmasında bir takım harf ve rakamlar kullanılmaktadır. Si.. alçak frekans transistörü. BD240. düşük güçlü. BL521 gibi. BF254 v. AD. Bu kodlama türünde üreticiler transistörleri. bu kodlarla anılırlar.b kodlanan transistörler germanyumdan yapılmıştır. AD147. Avrupa (pro electron) standart seri. Farklı amaçlar için farklı tiplerde üretilen her bir transistör. gibi. Germanyumdan yapılmıştır. AC188..b.. transistör üretimi yapar ve kullanıcının tüketimine sunar. Önce iki veya üç harf sonra rakamlar gelir. BL240. yüksek frekans transistörü. 4. BC107. Avrupa (pro electron) standart seri. AD161. Silisyumdan yapılan transistörlerde ise kodlama B harfi ile başlar. BD521 v. BF521. transistörün yapım malzemesini belirtmektedir. Bir çok üretici firma bu kodlamalara uyarak transistör üretimi yapar ve tüketime sunarlar. Si. AC. BC547 gibi. düşük güçlü alçak frekans transistörüdür.. BF240.I Kaplan Uluslararası bir çok firma. BU240. Günümüzde kabul edilen ve kullanılan başlıca 4 tip standart kodlama vardır. Kullanılan her bir harf anlamlıdır ve anlamları aşağıda ayrıntılı olarak açıklanmıştır. Transistör üretimi farklı ihtiyaçlar için binlerce tip ve modelde yapılır. 115 . büyük güçlü. Örnek kodlamalar aşağıda verilmiştir. 2N3055. Örneğin. Yaygın olarak kullanılan standart kodlamalar aşağıda verilmiştir. düşük güçlü alçak frekans transistörüdür ve Silisyumdan yapılmıştır. Germanyumdan yapılan transistörlerde kodlama A harfi ile başlar.. MPSA13 v. AU gibi. BL358. AC547 gibi. 1.. Si. AC121. AF. AC187. Si... Avrupa Pro-electron Standardı (Pro-electron) Amerikan jedec standardı (EIA-jedec) Japon (JIS) Doğu Blok (eski SSCB) Pro-Electron Standardı: Avrupa ülkelerinde bulunan transistör üreticilerinin genellikle kullandıkları bir kodlama türüdür. Üretilen her bir transistör farklı özellikler içerebilir. Örneğin AC121. üreticiler tarafından bir takım uluslararası standartlara uygun olarak kodlanırlar.. Avrupa (Pro Electron) Standardına göre. Avrupa (pro electron) standart seri. BD135. Transistörler.. gibi Avrupa (pro electron) standart seri.Germanyumdan yapılan transistörlerin başına A harfinin geldiği unutulmamalıdır.b kodlanan transistörler silisyumdan yapılmıştır. 2SC2345. BC121. BF245. 3. BU240. BD161. anahtarlama transistörü..ANALOG ELEKTRONİK. Örneğin AC187. BC237. büyük güçlü. Kodlamada kullanılan bu harf ve rakamlar rasgele değil uluslar arası standartlara göredir ve anlamlıdır. AF254 v. yüksek frekans transistörü.. BU521 gibi.b gibi bir çok transistör sayabiliriz. düşük güçlü. BDX245 ve benzeri şekilde kodlarlar. Üretilen her bir transistörün çeşitli karakteristikleri üretici firma tarafından kullanıcıya sunulur. Kodlamada genel kural. İLK HARF: Avrupa (Pro Electron) standardına göre kodlanmada kullanılan ilk harf. transistörün kullanım alanlarını belirtir. AC187. 2. AC: BC: BD: BF: BL: BU: Avrupa (Pro Electron) Standardına göre. BF199. IKINCI HARF: Transistörlerin kodlanmasında kullanılan ikinci harf Avrupa Standardına göre.

: Japon (JIS) Standardı... 3N. N kanallı MA. : Motorola. : Amerikan (EIA-jedec) Standardı (FET. : Japon (JIS) Standardı. MOSFET) 4N.. : Motorola. BCW245. FET.. Örnek olarak. BCX56. ilk iki harfte belirtilen özellikler aynı kalmak koşuluyla o transistörün endüstriyel amaçla özel yapıldığını belirtir. BFR43... Bu gruplara ilave olarak. : Japon (JIS) Standardı..) 2SA.: Japon (JIS) Standardı.. : Japon (JIS) Standardı.... Büyük güçlü. : Amerikan (EIA-jedec) Standardı opto-kuplör v.. Her bir kategori. Küçük işaret. Bu kategorileri... Bu kodlamaya ilave olarak Amerikan ve Japon üreticilerin uydukları kodlamalar ve anlamları aşağıda liste olarak verilmiştir. BDY108. • • • Genel amaçlı/alçak frekans transistörleri Güç transistörleri Radyo frekans (RF) transistörleri Olarak tanımlayabiliriz...I Kaplan ÜÇÜNCÜ HARF: Avrupa (pro electron) standardında bazı Transistörlerin kodlanmasında üçüncü bir harf kullanılır... JFET.. plastik kılıf MJE. : Motorola.. Transistör kategorileri ve kılıf tipleri Uluslarası transistör üreticileri... kılıf kodları ve terminal isimleri verilmiştir. Özelliklerini kataloglardan temin edebilirsiniz. kılıf ve pin tiplerinin belirlenmesinde belirli standartlara uyarlar... Şekil-4.. Si. PNP. FET.. büyük yarıiletken üreticisi bazı kuruluşlar azda olsa özel kodlar kullanmaktadırlar. FET.... KOD AÇIKLAMALAR 2N. Alçak frekans 2SC..... metal kılıf MPS. Üçüncü harf. plastik kılıf MPF.. BCZ109.... : Japon (JIS) Standardı... : Motorola. Metal veya plastik kılıf içerisinde üretilirler.b 2S.. plastik kılıf MJ… : Motorola.. BUZ22 v. Büyük güçlü.: Japon (JIS) Standardı. NNP.. Üretici firmalar transistör adlarının kodlanmasında. Metal kılıf Bazı büyük üretici firmalar ise kendi kodlarıyla özel üretim yapmaktadırlar. NPN.. Yüksek frekans 2SB.18’de plastik kılıfa sahip standart transistör kılıf tipleri. Si. Yüksek frekans 2SD. P kanallı 3SK. P kanallı 2SK.. : Amerikan (EIA-jedec) Standardı (FET dahil).b gibi Diğer Kodlama türleri ve standartlar: Avrupa pro-electron standardına göre kodlamanın özelliklerini verdik. PNP. Si.. Ge. : Japon (JIS) Standardı.. üretimlerini genellikle 3 temel kategoride gerçekleştir... Genel Amaçlı/Küçük Sinyal Transistörleri: Bu tip transistörler genellikle orta güçlü yükselteç veya anahtarlama devrelerinde kullanılır.ANALOG ELEKTRONİK. N kanallı 3SJ. belirli alt kategorilerede ayrılmaktadır. 116 . FET. BUT11A. : Japon (JIS) Standardı Si (2S2134 gibi. Unijonksiyon Transistör 2SJ... Düşük güçlü.. : Japon (JIS) Standardı. BFX47.. Alçak frekans 2SH..

I Kaplan C B E B C C B B E C E E B C E SOT-23 veya TO-236AB TO-92 veya TO-226AA TO-92 veya TO-226AE Şekil-4. Bu bölümde örnekleme amacı ile çok kullanılan birkaç tip kılıf tipi verilmiştir.ANALOG ELEKTRONİK. Ayrıntılı bilgileri üretici kataloglarından elde edebilirsiniz. 117 . Transistörün gövdesi metaldir ve genellikle kollektör terminali metal gövdeye monte edilmiştir. Bu tip transistörler genellikle metal kılıf içerisinde üretilirler.19’da ise aynı kategoride bulunan ve metal kılıf içerisinde üretilen bazı transistörlerin kılıf kodları ve terminal isimleri ile birlikte verilmiştir. Dolayısıyla boyutları oldukça büyüktür. Şekil-4. Farklı terminal bağlantılarına ve kılıf tipine sahip onlarca tip transistör vardır.18 Genel amaçlı alçak sinyal metal transistör kılıfları ve terminal isimleri Güç (power) Transistörleri: Güç (power) transistörleri yüksek akım ve gerilim değerlerinde çalıştırılmak üzere tasarlanmışlardır.18 Genel amaçlı alçak sinyal plastik transistör kılıfları ve terminal isimleri Şekil-4.19’da yaygın olarak kullanılan bazı güç transistörlerinin kılıf kodları ve terminal bağlantıları verilmiştir. C B E B C C B B E TO-18 veya TO-206AA C E TO-39 veya TO-205AD E TO-46 veya TO-206AB C C B E TO-52 veya TO-206AC TO-5 B E C C B E B E G G=GÖVDE TO-72 veya TO-206AF Şekil-4.

Bunun nedeni yüksek frekans etkisini minimuma indirmektir. Şekil-4.20 RF transistörlerinde kullanılan kılıf tipleri 118 .ANALOG ELEKTRONİK. Özellikle iletişim sistemlerinde kullanılan bu transistörlerin kılıf tipleri diğerlerinden farklılık gösterebilir.19 Bazı güç transistörlerinin kılıf tipleri ve terminal bağlantıları Radyo Frekans (RF) Transistörleri: Çok yüksek frekansla çalışan sistemlerde (Radyo frekans=RF) çalıştırılmak üzere tasarlanmış transistörler. RF transistörleri olarak anılmaktadır.I Kaplan C C C E C B B C B E C E B E C TO-126 ve TO-225AA TO-218 TO-218AC TO-220AB GÖVDE C GÖVDE C C B E SMD TİPİ TO-66 TO-3 veya TO204AE Şekil-4.20’de bazı RF transistörlerinin standart kılıf tipleri örnek olarak verilmiştir. Şekil-4.

statik ve dinamik test olmak üzere iki aşamada yapılabilir. Transistöre herhangi bir enerji uygulamadan bir ölçü aleti yapılan test 119 .8 TRANSİSTÖR TESTİ Elektronik cihazlarda kimi zaman bir takım arızalar oluşabilir. Bu nedenle herhangi bir cihazın onarımında ilk aşama cihazda kullanılan yarıiletken devre elemanlarının sağlamlık testinin yapılmasıdır. Bu bölümde üretici firmanın ürettiği bir transistör için veri kitapçığında kullanıcıya sunduğu katalog bilgileri örnek olarak sizlere verilecektir.7 TRANSİSTÖR VERİ SAYFALARI Üretici firmalar ürettikleri her bir transistör tipi için standart ve maksimum çalışma karakteristiklerini veri kitapçıklarında tasarımcının kullanımına sunarlar. Bu arızalar genellikle yarıiletken devre elemanlarının bozulmasından kaynaklanır. Transistörlerin sağlamlık testi.I Kaplan 4.ANALOG ELEKTRONİK. 4.

22 üzerinde bir transistör için gerekli test aşamaları ve sonuçları adım adım gösterilmiştir.7V civarındadır. NPN ve PNP tipi transistörlerin diyot eşdeğerleri şekil-4.22 yardımı ile anlatılacaktır. Test işlemi için sayısal multimetre’nin diyot ölçme konumu kullanılır.21’de verilmiştir. Bu işlemde transistörün jonksiyonlar arası direnci ölçülür. Bu işlemde transistör üzerinde oluşabilecek polarma gerilim ve akımlarının ölçümü yapılır. Ters polarma altında ise bu değer multimetrenin pil gerilimidir. Her bir aşamada transistörün sadece iki terminali arasındaki öngerilim ölçülür. transistör tipinin (pnp veya npn) ve terminal bağlantılarının nasıl bulanacağını yetisini kazanacaksınız. C n p C C C p n C C B E Sembolü B n B E Yapısı E Diyot eşdeğeri B E Sembolü B p B E Yapısı E Diyot eşdeğeri a) npn tipi transistör ve diyot eşdeğeri a) npn tipi transistör ve diyot eşdeğeri Şekil-4. Test işleminde sonucunda transistörün sağlam olup olmadığının yanı sıra transistör tipi (npn/pnp) ve transistör terminalleride (b. transistörü sırt sırta bağlı iki diyot gibi düşünmektir. Transistör’ün Statik Testi Sayısal veya analog bir multimetre kullanılarak herhangi bir transistörün sağlamlık testi yapılabilir. Bu bölümü bitirdiğinizde.21 Npn ve Pnp tipi transistörlerin sembolü ve diyot eşdeğerleri Transistörün diyot eşdeğer devresinden yararlanılarak sayısal bir multimetre ile test işleminin nasıl yapılabileceği şekil-4. • • Bir transistörün multimetre ile statik testinin nasıl yapıldığını Bir transistörde dinamik ölçümlerin nasıl yapılabileceğini Ayrıntılı olarak öğreneceksiniz.I Kaplan işlemine statik test denir. Şekil-4. Yaptığınız test işlemleri sonucunda her hangi bir transistörde sağlamlık testinin nasıl yapılacağı. Bu durum sadece transistörü test etmemizde bize kolaylık sağlar. Npn veya pnp tipi bir transistörün test işleminde pratik bir çözüm. 120 . şekilde belirtildiği gibi bağlanırsa transistör olamayacağı ve transistör gibi çalışmayacağı özellikle bilinmelidir.c) belirlenebilir.ANALOG ELEKTRONİK. Sağlam bir transistör’ün doğru polarma altında terminalleri arasındaki ögerlim 0.e. İki gerçek diyot. Dinamik test işlemi ise transistör devre üzerinde çalışma halindeyken yapılır. Belirtilen adımları sıra ile izleyerek sonuç ve yorumları gözlemleyiniz. Test işleminde bu durum bize kolaylık sağlar.

70 E B C Ω V off A mA COM VΩ 0. Transistörün jonksiyonları arasındaki direnç değerleri sıra ile ölçülür.23’de örnek olarak birkaç transistör test cihazı verilmiştir.ANALOG ELEKTRONİK. doğru polarmada ise küçük bir direnç değeri göstermesi gerekir.22 npn tipi bir transistörün sayısal multimetre ile statik testi Test işlemi.20 E B C Ω V off A mA COM VΩ 0.20 E B C Ω V off A mA COM VΩ g) E-B jonksiyonu doğru polarma Sonuç: E-B Bozuk açık devre h) B-C jonksiyonu doğru polarma Sonuç: E-B Bozuk kısa devre i) B-C jonksiyonu doğru polarma Sonuç: B-C Bozuk açık devre Şekil-4.I Kaplan 0. Her bir cihazın kullanımı kataloglarından öğrenilebilir. Ters polarmada çok büyük direnç değeri. Şekil-4. 121 .70 E B C Ω V off A mA COM VΩ 1 . Multimetre ohm kademesine alınır.20 E B C Ω V off A mA COM VΩ a) E-B jonksiyonu doğru polarma Sonuç: Doğru değer b) B-C jonksiyonu doğru polarma Sonuç: Doğru değer c) E-C jonksiyonu testi Sonuç: Doğru değer 1 .20 E B C Ω V off A mA COM VΩ 1 . Multimetre. Transistörleri test etmek amacı ile çeşitli firmalarca geliştirilmiş hazır transistör test cihazları da (transistor tester) vardır.20 E B C Ω V off A mA COM VΩ 1 . analog multimetre kullanılarak da yapılabilir.20 E B C Ω V off A mA COM VΩ d) E-B jonksiyonu ters polarma Sonuç: Doğru Değer e) B-C jonksiyonu ters polarma Sonuç: Doğru değer f) E-C jonksiyonu testi Sonuç: Doğru değer 1 . Aksi durumlarda transistörün bozuk olduğu anlaşılır.00 E B C Ω V off A mA COM VΩ 1 .

Dolayısı ile ölçüm sisteminde enerji vardır. Doğru polarma altında çalışan bir transistörde beyz-emiter gerilimi VBE her zaman. Bu tür test işlemine dinamik test denir.I Kaplan Şekil-4. Transistörün diğer polarma akım ve gerilimlerini bulalım.24 Transistörlü devre ve polarma gerilimleri Devrenin kısaca analizini yaparak elde edilen sonuçları şekil üzerinde gösterelim.6mA 122 .24’de görülen basit bir transistörlü devre verilmiştir.3V = = = 48 µA RB 47 KΩ 47 KΩ I C = β ( DC ) ⋅ I B = ( 200) ⋅ ( 48 µA) = 9.7V 2.ANALOG ELEKTRONİK.23 Transistör test cihazları Transistör’ün Dinamik Testi Çalışan herhangi bir devre veya cihaz üzerinde bulunan transistörler test edilebilir. Test işleminde devre üzerindeki transistörün terminalleri arasındaki gerilimler ölçülür. Test işleminde size pratiklik kazandırmak amacı ile şekil-4. IB = VBB − VBE 3V − 0. +V CC=12V RC 680Ω VC RB BC108 VB B=+3V 47KΩ VBE β (DC)=hFE =200 Şekil-4. Sağlıklı bir test işlemi için bazı analizler yapılmalı veya bilinmelidir. VBE = 0.7V değerinde olur.

Yorum : Transistör kesimdedir. +12V RC 680Ω RB BC108 +3V 47KΩ 5.I Kaplan VC = VCC − ( I C ⋅ RC ) = 12V − (9. Transistörlü bir devrede oluşabilecek arıza. Dikkatlice inceleyiniz Not: Tüm ölçmeler şase (gnd) terminaline göre yapılmıştır. Test Test 0. Kollektör terminalinde ise 12 ölçülmüştür. devrede yapılacak gerilim ölçmeleri sonucunda belirlenebilir.0.7V.ANALOG ELEKTRONİK. Sonuç : RB direnci açık devre olmuştur.5V…0.7v : Beyz-Emiter terminalinde 0. Kollektör terminalinde ise 12 ölçülmüştür. değiştirilmelidir. +12V RC 680Ω +12V Açık Devre RC 680Ω 1 2v RB BC108 +3V 47KΩ +3V 47KΩ RB 1 2v BC108 µv : Beyz-Emiter terminalinde birkaç µV.5V hesaplamalar sonucunda sağlam bir transistör üzerinde bulunan değerler şekil-4. 123 . Şekil-4. Çözüm : RB direnci değiştirilmelidir. Sonuç : Kollektör terminali içten açık devre olmuştur Çözüm : Transistör bozuktur. kollektör akımı yoktur..7v β (DC)=hFE =200 Şekil-4.24 Transistörlü devre ve polarma gerilimleri Şekil-4..25’de transistörlü bir devrede olası arızalar nedenleri ve ölçme sonuçları verilmiştir.5V = 5. Yorum : Transistörün beyz akımını alamaktadır.6mA ⋅ 680Ω) = 12 − 6.24 üzerinde ayrıntılı olarak gösterilmiştir.5.5v 0.24’de verilen devrede veya herhangi bir transistörlü devrede oluşabilecek pek çok arıza çeşidi vardır.

5v Açık Devre Test : Beyz-Emiter terminalinde 3V. Şekil-4.5…0. Kollektör de birkaç µV ölçülmüştür. Çözüm : Transistör bozuktur.7V.I Kaplan +12V Açık Devre RB BC108 +3V 47KΩ RC +12V RC 680Ω µv RB +3V 47KΩ 1 2v BC108 05.0. Normal koşullarda çalışan bir transistör de beyz-emiter geriliminin her zaman 0. Çözüm : RB direnci bozuktur. Kollektörde 12V. değiştirilmelidir. +12V Açık Devre RB BC108 +3V 47KΩ RC 680Ω 3v Açık Devre 0v Test : Beyz-Emiter terminalinde 3V.25 Transistörlü bir devrede oluşabilecek olası arızalar ve nedenleri Herhangi bir transistörlü devrede oluşabilecek arızalar ve arıza tipleri yukarıda ayrıntıları ile verilmiştir.Emiterde 0V ölçülmüştür. Kollektörde 12V. değiştirilmelidir. Yorum : Transistörün kollektör akımı yoktur. Kollektörde 12V. 124 . Yorum : Transistörün iletime geçmemektedir. Yorum : Transistörün kollektör akımı yoktur. Sonuç : Emiter terminalşase bağlantısı kopmuştur. Sonuç : Beyz terminali içten açık devre olmuştur. Test : Beyz-Emiter terminalinde 3V.7v Test : Beyz-Emiter terminalinde 0. +12V RC 680Ω 1 2v RB +3V 47KΩ 1 2v BC108 3v 0v 3v 2. Sonuç : Emiter terminali içten açık devre olmuştur.. Sonuç : RC direnci açık devre olmuştur. Çözüm : Bağlantı sağlanmalıdır.7V civarında olacağı unutulmamalıdır.ANALOG ELEKTRONİK.Emiterde 0V ölçülmüştür. emiterde 0V ölçülmüştür. değiştirilmelidir. Yorum : Transistörün iletime geçmemektedir. Arıza aramada temel mantık transistör polarma gerilimlerinin ölçülüp yorumlanmasıdır. Çözüm : Transistör bozuktur..

• Bir transistörde emiter akımının kolektör akımına oranı alfa akım kazancı olarak bilinir ve αDC olarak tanımlanırlar. Testişleminde multimetre kullanılır. kolektör ve emiter akımlarını kontrol eder. • Kesimde çalışan bir transistörün beyz-emiter jonksiyonu ters yönde polarmalandırılmıştır. kolektör ve emiter akımına nazaran çok küçüktür. • Bipolar transistör iki adet pn bitişim yüzeyine (jonksiyona) sahiptir.95 ile 0. • Transistör bir yükselteç elemanı olarak kullanıldığında. • Transistörler kendi aralarında sınıflandırılırlar. 125 . • Transistörlerde 3 temel akım vardır. beyz-emiter jonksiyonu ileri yönde. Emiter (emiter) ve Kolektör (collector) isimleri verilir. Fakat transistörün çalışmasında çok etkindir. Beyz akımı. Bu jonksiyonlara beyz-emiter ve beyz-kollektör jonksiyonaları adı verilir. kolektör ve emiter bölgesine nazaran daha az katkılandırılmıştır ve daha incedir.ANALOG ELEKTRONİK. Bundan dolayı bipolar (çift kutuplu) sözcüğü kullanılır. • Doyumda çalışan bir transistörün beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılmıştır. Kolektör-emiter jonksiyonu ideal olarak kısa devredir ve kapalı bir anahtar gibi davranır. • βDC değeri çalışma ortamı ısısından bir miktar etkilenir. • Bipolar transistörde beyz bölgesi. Transistörün kolektör akımı maksimumdur. • BJT içinde hem serbest elektronlar. • Bir transistörde emiter akımının kolektör akımına oranı beta akım kazancı olarak bilinir ve βDC olarak tanımlanırlar. beyz-kollektör jonksiyonu ters yönde polarmalandırılır. hem de oyuklar akım taşıyıcı olarak görev yapar. İdeal olarak kollektör-emiter jonksiyonu açık devredir ve açık bir anahtar gibi davranır.I Kaplan 4. • Bipolar Jonksiyon transistörler npn ve pnp olmak üzere iki tipte üretilirler. Tipik βDC değeri 20 ile birkaç 100 birim arasında olabilir. βDC değeri akım yükseltme katsayısıdır. Tipik αDC değeri 0.b materyaller kullanılır. kolektör akımı (IC) ve emiter akımı (IE) olarak adlandırılır. • Transistörde beyz akımı. • Transistör kesim ve doyum bölgelerinde elektronik bir anahtar gibi çalıştırılabilir. Transistör üretiminde yüzlerce farklı kılıf kullanılır. βDC değeri aynı tip transistörlerde farklı değerlerde olabilir. Ayrıca test işlemi sonucunda bir transistörüntipi(npn/pnp) ve uçları (e/b/c) belirlenebilir. plastik. beyz akımı (IB). Transistörlerin kılıflarında metal.99 arasındadır. seramik v. Katmanlarına işlevlerinden ötürü Beyz (base). • Transistörde βDC değeri kimi üretici firma kataloglarında HFE olarak tanımlanır ve verilirler. Transistörün kollektör akımı yoktur.9 BÖLÜM ÖZETİ • Bipolar jonksiyon transistör BJT olarak bilinir ve üç katmandan oluşur. Bir transistörün sağlamlık testi statik veya dinamik olarak gerçekleştirilebilir. Bunlar.

.6 Transistörde DC çalışma noktası Transistörde temel polarama Beyz polarma Gerilim bölücülü polarma devresi Geribeslemeli polarma devresi Onarım Amaçlar: • • • Yükselteç tasarımında dc çalışma noktasının önemi Yükselteçlerde dc polarma ve analizi Yükselteçlerde kararlı çalışma için çeşitli polarma yöntemleri Bu bölümde transistörün yükselteç olarak nasıl çalıştırılacağını öğreneceksiniz.4 5.2 5.5 5. Yükselteç tasarımında dc polarma akım ve gerilimlerinin analizini yapacak ve kararlı bir çalışma için yöntemler geliştireceksiniz.BÖLÜM 5 5 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ Konular: 5.3 5.1 5.

yükselteç olarak çalışabilmesi için dc polarma gerilimlerine gereksinim duyar.ANALOG ELEKTRONİK. Ancak çalışma noktasının uygun seçilmemesi durumunda ise çıkış işaretinde kırpılmalar oluşmaktadır.1’de bir transistörün çıkış karakteristiği üzerinde çeşitli çalışma noktası örnekleri verilmiştir.I Kaplan 5. Bu çalışma noktalarında transistör doğal olarak yükselteç olarak çalışacaktır.1 Transistör için eşitli çalışma noktası örnekleri Transistöre polarma gerilimleri uygulandığında ise çalışma noktaları şekil üzerinde belirtilen Q2. Örneğin dc polarma gerilimleri uygulanmasa idi transistörün çalışma noktası Q1 olurdu. Transistör. Bu durum bir önceki bölümde belirtilmişti. Q3 ve Q4 noktalardan birinde olabilirdi.a’da transistörün çalışma noktası uygun seçilmiş ve lineer bir yükseltme sağlanmıştır. Bu bölümde. Bu durumda transistör tümüyle kapalı olur ve girişinden uygulanan işaretleri yükseltmez idi.b ve c üzerinde gösterilmiştir.2 üzerinde ayrıntılı olarak gösterilmiştir.2. Bu durum şekil-5. 127 . Dolayısıyla girişinden uygulanan işareti yükselterek çıkışına aktaracaktır.1 DC ÇALIŞMA NOKTASI Bir transistör yükselteç (amplifikatör) olarak çalışabilmesi için dc polarma gereksinim duyar. Transistörün sahip olduğu polarma akım ve gerilim değerini gösteren bu nokta “çalışma noktası” ya da “Q noktası” olarak adlandırılır. Örneğin şekil5. Bu analizlerde dc yük hattı ve çalışma noktası (Q) gibi kavramların önemini ve özelliklerini kavrayacaksınız. girişinden uygulanan işaretleri yükselterek çıkışına aktarmak üzere tasarlanmış bir devredir. Transistöre uygulanan polarma gerilimleri çıkış karakteristiği üzerinde transistörün çalışma noktasını belirler. yükselteçlerde düzgün ve verimli bir çalışma için gerekli analizler yapılacaktır. Şekil-5.2. DC Polarma ve Çalışma Noktası Transistörlü yükselteç. Transistör çıkışından alınan işaret de nispeten bozulma olmayacaktır. Doğrusal ve verimli bir çalışma için transistörlü yükselteç devresinde polarma akım ve gerilimleri iyi seçilmeli veya hesaplanmalıdır. Bu durum şekil-5. IC (mA) IC2 Q2 IC3 IC4 Q1 VCE 2 VCE 3 VCE 4 Q4 Q3 VCE (V) Şekil-5.

VCE = VCC − ( I C ⋅ RC ) = 10V − ( 20mA ⋅ 200Ω ) = 6V olacaktır. Bu kollektör akımına karşılık transistörde oluşan kollektör-emiter gerilim düşümü VCE. I C = β ⋅ I B = 200 ⋅ 100 µA = 20mA olacaktır. İlk olarak VBB kaynağını ayarlayarak IB değerini 100µA yapalım.ANALOG ELEKTRONİK.3.b’de verilmiştir.3 Ayarlanabilen kaynaklarla dc polarma ve transistörün karakteristik eğrisi DC polarmanın etkisini ve önemini anlamak amacı ile şekil-5.2 Bir yükselteç devresinin lineer ve nanlineer çalışmasına örnekler DC Yük Hattı Transistörlü yükselteç devrelerinde çalışma noktasının ve dc yük hattının önemini göstermek amacı ile şekil-5.a’da görülen devreden yararlanılacaktır.3. Bulunan bu değerlere karşılık gelen transistörün çalışma noktası şekil-5. Devredeki transistör için kollektör karakteristik eğrileri ise şekil-5. Ayarladığımız her bir IB akımı değerine karşılık transistörün IC ve VCE değerlerinin nasıl değiştiğini inceleyelim.I Kaplan A A A a) Lineer Çalışma b) Çıkış gerilimi kesim sınırında kırpılmış c) Çıkış gerilimi doyum sınırında kırpılmış Şekil-5. Bu durumda transistörün kollektör akım IC.4. VBB ve VCC kaynakları ile ayarlanabilmektedir.3’deki devrede IB akımını farklı değerlere ayarlayalım. Bu devrede transistörün polarma akım ve gerilimleri.a da transistör karakteristiğinde gösterildiği gibi Q1 olacaktır. IC (mA) RC 200Ω IC 60 50 300µ 250µ 200µ 150µ 100µ 50µ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VCE (V) RB 22KΩ VCC 0-10V 40 30 20 VBB 0-5V βDC =200 10 Şekil-5. 128 .

4. Son olarak IB akımını 200µA yapalım bu durumda transistörün çalışma noktasını bulalım.b de transistör karakteristiğinde gösterildiği gibi Q2 olacaktır.c de transistör karakteristiğinde gösterildiği gibi Q3 olacaktır.ANALOG ELEKTRONİK.I Kaplan Transistörün beyz akımının IB=150µA yapılması durumunda ise kollektör akımı. Bu kollektör akımına karşılık transistörde oluşan kollektör-emiter gerilim düşümü VCE. Bulunan bu değerlere karşılık gelen transistörün çalışma noktası şekil-5.4 üzerinde toplu olarak verilmiştir. VCE = VCC − ( I C ⋅ RC ) = 10V − ( 30mA ⋅ 200Ω) = 4V olacaktır. Bulunan bu değerlere karşılık gelen transistörün çalışma noktası şekil-5. I C = β ⋅ I B = 200 ⋅ 200 µA = 40mA VCE = VCC − ( I C ⋅ RC ) = 10V − ( 40mA ⋅ 200Ω ) = 2V olacaktır. Her IB akımı değerine bağlı olarak transistörün çalışma bölgesindeki değişimler şekil-5. 129 . I C = β ⋅ I B = 200 ⋅ 150 µA = 30mA olacaktır.4.

130 . Bu doğru “dc yük hattı” olarak adlandırılır. Bu durumda VBB geriliminin ayarlanması ile IB değeri ayarlanmaktadır.4’de transistör karakteristiği üzerinde gösterilen ve Q1.5’de dc yük hattı karakteristik üzerinde gösterilmiştir. kollektör akımını değiştirmekte dolayısıyla transistörün kollektör-emiter (VCE) gerilimi de değişmektedir.ANALOG ELEKTRONİK. Örneğin IB akımındaki artma.4 Çeşitli IB akımı değerlerinde transistörün çalışma noktasının değişimi Şekil-5. IC akımını artırmaktadır.I Kaplan RC 200Ω I B=100µA 60 IC =20mA 50 40 IC (mA) VCC 22KΩ 30 20 10 Q1 100µ VBB βDC =200 1 2 3 4 5 6 7 8 9 V CE (V) 10 a) IB=100µA değeri için transistörün Q çalışma noktası 1 60 IC =30mA 50 40 IC (mA) RC 200Ω I B=150µA VCC 22KΩ 30 20 10 Q2 150µ VBB βDC =200 1 2 3 4 5 6 7 8 9 V CE (V) 10 b) IB=150µA değeri için transistörün Q çalışma noktası 2 60 RC 200Ω I B=200µA IC =40mA 50 40 IC (mA) Q3 200µ VCC 22KΩ 30 20 10 V CE (V) 10 VBB βDC =200 1 2 3 4 5 6 7 8 9 c) IB=200µA değeri için transistörün Q çalışma noktası 3 Şekil-5. IB’nin ayarlanması ise transistörün DC çalışma noktasını düzgün bir hat üzerinde hareket ettirmektedir. Buna bağlı olarak VCE gerilimi azaltmaktadır. Q2 ve Q3 ile belirtilen çalışma noktalarının birleştirilmesi ile bir doğru elde edilir. Şekil-5.4 dikkatlice incelenirse transistörün beyz akımındaki değişim. Şekil-5.

Bu anda IB=150+50=200µA olacaktır. Çıkış kollektör akımında ise 10mA’lik bir değişim söz konusudur. Transistörün doyum noktasında kollektör akımı maksimumdur. pozitif tepe değerine ulaştığında beyz akımıda maksimum oranda yükselecektir. Bu durumda transistörün çalışma noktası VCE=4V olacaktır. Devre girişine VS kaynağından tepe değeri 50µA olan bir sinüs işareti uygulandığını varsayalım. Çünkü bu noktada VCE=0’dır. Bu değer ise transistör için doyum noktasıdır. Bu değer şekil-5. Transistör eğer aktif bölgede çalışıyorsa girişine uygulanan işareti (sinyali) lineer olarak yükseltir. kollektör-emiter gerilimi ise 2V değerine düşecektir.b’de transistör karakteristiği üzerinde gösterilen Q çalışma noktasıdır. Bu noktada transistör kesimdedir çünkü kollektör ve beyz akımları idealde sıfırdır. Bu nedenle bu kesim noktası gerçekte 10V’dan biraz daha küçüktür. Buna karşılık kollektör akımı 40mA değerine yükselecek. Devrede beyz akımının IB=150µA ve kollektör akımının ise 30mA olduğunu kabul edelim. Lineer Çalışma Transistörün başlıca 3 çalışma bölgesi olduğu belirtilmişti. Kollektör akımı. Çok küçük bir sızıntı akım vardır. doyum ve aktif bölgelerdir. 131 .6.ANALOG ELEKTRONİK.I Kaplan IC (mA) 60 50 40 30 20 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 VCE (V) 10 DOYUM YÜK ÇİZGİSİ Q3 Q2 Q1 200µ 150µ 100µ KESİM Şekil-5. kesim. Yine bu örnekte dc yük hattının IC eksenini kestiği değer idealde 50mA’dir. Giriş işareti VS. Burada giriş işaretinde toplam 50µA’lik bir değişim vardır. Başlangıçta devre girişine VS işaretinin uygulanmadığını düşünelim. Önce VS işaretinin pozitif saykılı geldiğini kabul edelim.a’ da verilen devreden yararlanılacaktır. Bu işaret. Lineer yükseltme işlemini incelemek amacıyla şekil-5. Bu değer VCE=VCC noktasıdır. Transistör aktif bölgede çalışıyorken bütün çalışma noktaları kesim ve doyum bölgeleri arasındadır. Bunlar. Bu nokta şekil-5.b’de karakteristikte “A” noktası olarak işaretlenmiştir. IC = VCC RC değerinde olacaktır ve maksimumdur. Dolayısıyla giriş işaretinin pozitif saykılı 200 kat yükseltilmiştir.6. Bu aşamadaki çalışmaya dikkat edilirse transistörün çalışma noktası A noktasına kaymıştır.5 Transistör karakteristiği üzerinde dc yük hattının gösterilişi DC yük hattı x eksenini 10V’da kesmektedir. Gerçekte beyz ve kollektör akımları bu noktada tam sıfır değildir.6. VBB kaynağı ile aynı yönde etki edecek ve beyz akımının yükselmesine neden olacaktır.

V CC=+10V RC 200Ω IC (mA) IC I CQ 40 30 20 A Q IB 200µ 150µ 100µ RB 20KΩ VS VBB 6. giriş işaretinin yükseltilmiş bir formudur.ANALOG ELEKTRONİK. IC=20mA ve VCE=6V değerine ulaşacaktır. Çıkış işaretinde oluşan veya oluşabilecek bozulmaya ise “distorsiyon” adı verilir. Girişe bir sinyal gelmesi durumunda ise çalışma noktası bu sinyalin yönüne bağlı olarak aşağıya veya yukarıya kaymaktadır. Çıkış işaretinde her hangi bir bozulma olması istenmez. Çıkışın Bozulması (Distorsiyon) Transistörle gerçekleştirilen yükselteçlerde. Bu çalışma noktasında.I Kaplan Giriş işaretinin negatif saykılında ise. Çıkış işaretinin dalga biçiminde herhangi bir bozulma yoktur.7V β DC=200 B 2 4 6 VCE (V) VCE VCEQ a) Ayarlı kaynaklarla transistörlü polarma devresi b) Yük hattı üzerinde sinyal davranışı Şekil-5. IB=100µA.7’de transistör devresinde oluşabilecek distorsiyonlar çıkış karakteristikleri üzerinde gösterilmiştir. bu işaret beyz akımını dolayısıyla kollektör akımını azaltacaktır. devre girişinde ac giriş işareti yokken.6 Transistörlü yükselteç devresi ve yük hattı üzerinde sinyal davranışları Buraya kadar anlatılanlardan da anlaşılacağı gibi. 132 . Transistör şekil-5. transistör Q çalışma noktasında (sükunet noktası) kalmaktadır. Aynı şekilde dikkat edilirse giriş işaretinin 200 kat yükseltildiği görülecektir. Bundan dolayı bu işleyişe “Lineer Çalışma” denir.6. Giriş işareti yükseltme işleminde Q noktasının etrafında salınmaktadır. Çıkışta elde edilen işaret. Şekil5.b’de karakteristik üzerinde gösterilen ve “B” olarak adlandırılan çalışma noktasına kayacaktır. Transistörün kesim veya doyum noktalarına ulaşmamaktadır. çıkıştan elde edilen yükseltilmiş işaretin giriş işareti ile aynı dalga formunda olması istenir. Yükselteç devrelerinde bir çok nedenden dolayı distorsiyon oluşabilir.

a’da transistörün çalışma bölgesi doyum bölgesine yakın ayarlanmıştır.ANALOG ELEKTRONİK.I IC (mA) Doyum B Q Kaplan IC (mA) I I CQ Q V CE (V) 0 V CC ICQ 0 Kesim Q VCC VCE (V) Doyum Kesim VCEQ a) Çalışma bölgesi doyuma sürülmüş IC (mA) Doyum B Q VCEQ b) Çalışma bölgesi kesime sürülmüş Q I CQ Kesim Doyum 0 V CC VCE (V) VCEQ I Kesim c) Çalışma bölgesi kesime-doyuma sürülmüş Şekil-5.7’de verilen her 3 karakteristikte de distorsiyon vardır.7.b’de ise transistör kesim bölgesine yakın çalıştırılmış ve çıkış işaretinin bir kısmı kırpılmıştır.7.7. Şekil-5. Fakat giriş işaretinin aşırı yüksek olması transistör çalışma bölgesinin kesim ve doyuma kaymasına neden olmuştur. Şekil-5. Örnek: 5.1 Şekilde verilen devrede transistör için dc yük hattını çizerek çalışma noktasını ve lineer çalışma için girişe uygulanabilecek işaretin maksimum genliğini belirleyiniz? 133 BQ I . Dolayısıyla çıkış işaretinin bir kısmında transistör doyum bölgesinde çalıştığı için çıkış işareti kırpılmıştır.c’de ise transistör aktif bölgenin tam ortasında çalıştırılmıştır.7 Transistörlü yükselteç devresinde oluşan bozulmalar (distorsiyon) Şekil-5. Bu durumda çıkış işaretinin her iki saykılında da kırpmalar oluşmuştur. Şekil-5.

VCC 20 = = 90. VBB − VBE 12 − 0.533V ) = 12.I Kaplan RC 220Ω RB 33KΩ VS IC VCC 20V VBB 12V β DC =100 Çözüm Önce transistörün Q çalışma noktasını bulalım. Transistörün doyum noktasındaki değerlerini bulalım. Q noktası IC ve VCE değerleriyle belirlendiğine göre IC’yi bulmak için önce IB’yi buluruz.7 = = 342.ANALOG ELEKTRONİK. Kirşof’un gerilim yasasından. Dolayısıyla. VCE=VCC-ICRC denklemi kullanılarak transistörün kesim anındaki VCE ve IC(KES) değerleri belirlenir. VCE = VCC = 20V değerine eşit olur. Doyum anında VCE=0V olacağına göre IC akımı.467V çalışma noktası değerleri olarak bulunur.90mA RC 220Ω I C ( DOY ) = Bulunan bu değerlere göre transistörün dc yük hattı aşağıda gösterildiği gibi olacaktır. 134 .42 µA RB 33KΩ IB = I C = β ⋅ I B = (100 )( 342. Transistör kesim de iken kollektör akımı IC=0’dır.242 mA Buradan transistörün çalışma noktasındaki VCE değerini buluruz.42 µA) = 34. VCE = VCC − ( I C ⋅ RC ) = 20V − (7. .

ANALOG ELEKTRONİK.24 Q Kesim 0 12. Dolayısıyla lineer çalışma için giriş sinyali. Bu.76mA’dir.24mA olmalıdır. Transistör için DC akım kazancı değeri (βDC) bilindiğine göre giriş beyz akımının maksimum değeri. doyum sınırı ile arasındaki mesafe ise (90.42 µA β 100 olmalıdır. Çünkü Q noktası hangi sınıra (kesim/doyum) yakınsa kırpılma önce o bölgede gerçekleşecektir.90 Doyum 34.24 = = 342. Önceki birkaç bölümde transistörün gereksinim duyduğu polarma kaynakları ve çalışma karakteristikleri verilmişti. 5. Tek bir dc gerilim kaynağı kullanılarak yapılan birkaç polarma yöntemi vardır. Bu bölümde tek bir dc gerilim kaynağı kullanarak yapılan beyz polarması adı verilen yöntemi tüm boyutları ile inceleyeceğiz. IB = I CMax 34. çıkışta maksimum 34.24mA’lik kollektör akımı sağlayacak şekilde olmalıdır. Buradan görülmektedir ki Q çalışma noktası kesim bölgesine daha yakındır. Tüm çalışmalarda transistörün çalışma bölgesinin ayarlanması için iki ayrı dc gerilim kaynağı kullanmıştı.24)=55. O halde lineer bir çalışma için kollektör akımının genliği. I CP = 34. Dolayısıyla aranan değerde yakın olduğu bölgenin değeri ile Q noktası arasındaki mesafeden hareketle belirlenecektir. Bu amaçla önce Q noktasının yeri yorumlanmalıdır.46 VCE (V) Çözüm Bulunan bu değerler kullanılarak lineer çalışma için girişten uygulanacak VS işaretinin maksimum genliği belirlenebilir.24mA.I Kaplan IC (mA) 90.90-34. Q noktasının kesim sınırı ile arasındaki mesafe 34.2 BEYZ POLARMASI Bipolar transistörün yükselteç olarak çalışabilmesi için dc polarma gerilimlerine gereksinim duyduğu belirtilmişti. pratik bir çözüm değildir. 135 .

Bu amaçla devre üzerinde oluşan polarma akım ve gerilimlerinin olası eşitlikleri ve yönleri şekil-5. +VCC RC VCC RC RB RB + VB E _ a) Beyz polarmas ı b) Basit gösterimi Şekil-5. +VCC VRB VCC RB IB IB RC IC VRC VCC VBE + VBE _ IE VCE Şekil-5.9 üzerinde yeniden verilmiştir. Bu tür polarma işlemine beyz polarması adı verilmektedir. transistörün beyz polarması için ayrı bir dc kaynak kullanılmamıştır. Transistörlü yükselteçlerin dc polarma gerilimlerini sağlamada pratik bir çözüm tek besleme kaynağı kullanmaktır.9 Beyz polarmasında polarma akım ve gerilimleri 136 .I Kaplan Önceki bölümlerde ele alınan polarma devrelerinde iki ayrı dc besleme gerilimi kullanılmıştı.8. Transistörün beyz polarması RB direnci kullanılarak VCC gerilim kaynağından alınmıştır.a ve b Beyz polarması ve eşdeğer gösterimi Devre dikkatlice incelenirse. Transistörlü polarma devrelerinde pratiklik kazanmak ve devre analizi bilgilerimizi gözden geçirelim.8. Bu yöntem pratiktir ve avantaj sağlar. Şekil-5.a’da tek bir dc gerilim kaynağı kullanılarak gerçekleştirilmiş devre modeli verilmiştir. Bu devrelerde transistörün beyz polarması VBB ile tanımlanan ayrı bir güç kaynağından sağlanmıştı.ANALOG ELEKTRONİK.

Beyz akımının bulunması ile devredeki diğer tüm polarma akım ve gerilimleri bulunabilir. VCE = VCC olarak belirleriz.2KΩ RB 620KΩ Şekilde verilen devrede transistör için dc yük hattını çizerek çalışma noktasını belirleyiniz? + VBE _ 137 . VCC − V BE RB IB = elde edilir.9’da gösterildiği gibi VCC-beyz-emiter çevresinden.I Kaplan Devrenin analizinde temel çevre denklemlerini kullanmak yeterlidir. Şekil-5. VCC = I B ⋅ R B + V BE yazılabilir.2 +VCC=+12V RC 2. IC = β ⋅ I B VCE = VCC − I C ⋅ RC VCE = VCC − ( β ⋅ I B ) ⋅ RC Bu devrede dc yük hattı sınırlarını bulmak için. I C ( DOYUM ) = VCC RC yük hattının diğer noktasını ise transistör kesimde iken IC=0 kabul ederek.ANALOG ELEKTRONİK. Örnek: 5. Denklemden beyz akımı çekilirse. doyum sınırında VCE=0V olduğu kabul edilerek (ideal durum).

I C ( DOYUM ) = VCC 12 = = 5. Örneğin 250C’de 100 olan βDC.2 KΩ olarak bulunur.2 KΩ) = 8. Transistör çalışma noktasının βDC değerine bağlı olarak kayması istenmeyen bir durumdur. Transistörün çalışma noktası gerilimi ise 8.7 11.70 Q Kesim 0 8. Bu durumu basit bir örnekle açılayalım.03 = = = 0.45mA RC 2.45 Doyum 1.26V Çözüm: polarma akım ve gerilim değerleri olarak bulunur. Dolayısıyla kolektör-emiter gerilim düşümü VCE. Günümüz teknolojisinde üretimi yapılan aynı tip transistörlerin βDC değerlerinde farklılık olabilir. Yük hattını çizmek için transistörün kesim ve doyum noktalarındaki değerleri bulalım. Bu etkileşim sonucunda transistörün Q çalışma noktası ortam ısısına bağlı olarak değişecektir. 750C’de 150 olabilir.ANALOG ELEKTRONİK.I Kaplan IB = VCC − VBE 12 − 0. Kesim anında IC=0’dır. 138 .7 mA VCE = VCC − I C ⋅ RC = 12V − (1. Çünkü distorsiyona neden olur. Bu durum transistörün kollektör akımını dolayısıyla kolektör-emiter gerilimini etkiler. I C (mA) 5.26V’dur. doyum anında VCE=0V alınarak. βDC değerini etkileyen diğer önemli bir faktör ise ısıdır. VCE = VCC = 12V olarak belirlenir. Üreticiler genellikle ortalama bir değer verirler.26 12 VCE (V) Q Çalışma noktasına βDC etkisi ve kararlılık Transistörün akım kazancını βDC değeri belirler. Çalışma ortamı ısısına bağlı olarak bu değer değişir. Dc yük üzerinde çalışma noktası.017 mA = 17 µA RB 620 KΩ 620 KΩ I C = β ⋅ I B = (100) ⋅ (17 µA) = 1700µA = 1. aşağıda görüldüğü gibi kesim bölgesine yakın bir yerdedir. Doyum gerilimi ise.7 mA ⋅ 2. Bu değer her bir transistör için üretici tarafından verilir.

Bize IC akımı gerekmektedir.7 11.3mA  = 100 ⋅ RB 100 KΩ 100 KΩ   Buradan transistörün Q çalışma noktası gerilimi VCE değerini bulalım.  V − V BE  12 − 0.10’da verilen beyz polarmalı devrenin çalışma ortamı ısısı 250C ile 500C arasında değeri değişmektedir. VCE = VCC − ( I C ⋅ RC ) = 12V − (17mA ⋅ 620Ω) = 1. VCE = VCC − ( I C ⋅ RC ) = 12V − (11.03 I C = β DC  CC = 100 ⋅ = 11.46V Dolayısıyla ısıl değişim transistörün kolektör akımını ve çalışma noktası gerilimi VCE değerini değiştirmektedir.3mA ⋅ 620Ω) = 5V Şimdi 500C ısı altında transistör devresinde VCE ve IC değerlerini bulalım.ANALOG ELEKTRONİK. Devreden. Bu koşullar altında transistörün Q çalışma bölgesinde davranışını (IC. VCE) analiz ediniz. V − V BE  12 − 0. Transistörün βDC 250C=100. Sıcaklıktaki değişimin devreye etkilerini belirleyiniz. VCC = VCE + [( β ⋅ I B ) ⋅ RC ] VCC = VCE + ( I C ⋅ RC ) veya yine devreden. IC akımındaki değişimin yüzde miktarını bulalım. Şekil-5.7 11.03 I C = β DC  CC = 150 ⋅ = 17 mA  = 150 ⋅ RB 100 KΩ 100 KΩ   Buradan transistörün Q çalışma noktası gerilimi VCE değerini bulalım. VCC = V RB + V BE VCC = I B ⋅ R B + V BE eşitliklerini yazabiliriz.I Kaplan Örnek: 5.3 VCC =+12V RC 620Ω RB 100KΩ Şekil-5. Devreden. 500C=150 olmaktadır. 139 . Yukarıdaki eşitlikte IB değerini IC cinsinden ifade edelim. VCC = β DC IC + V BE Bulunan bu eşitilkten IC’yi çekelim ve değerini hesaplayalım.10 Çözüm Önce 250C ısı altında transistör devresinde VCE ve IC değerlerini bulalım.

Transistörün çalışma bölgesinin kayması istenmeyen bir durumdur. %∆VCE = VCE ( 750 ) − VCE ( 250 ) VCE ( 250 ) ⋅ %100 = 1. Örneğin emiter dirençli beyz polarması βDC değişimlerinden aşırı etkilenmez. Tipik bir emiter dirençli beyz polarma devresi şekil-5.ANALOG ELEKTRONİK. Transistörün çalışma bölgesinin kararlı olması ve kaymaması için çeşitli yöntemler geliştirilmiştir. Devre beyz polarma devresinden daha kararlı bir çalışma sağlamak için geliştirilmiştir. Aynı şekilde transistörün çalışma noktasında oluşan değişim oranını hesaplayalım. Devrenin emiterinde kullanılan RE direnci transistörün daha kararlı çalışmasını sağlar. Bu polarma tipinde de tek bir dc besleme kaynağı kullanılır. Bu durum lineer çalışmayı etkiler ve kararlı bir çalışma oluşturulmasını engeller. %∆I C = I C ( 750 ) − I C ( 250 ) I C ( 250 ) ⋅ %100 = 17 mA − 11.11 Emiter dirençli Beyz polarması ve polarma akım ve gerilimleri 140 .46V Dolayısıyla ısıl değişim transistörün kolektör akımını ve çalışma noktası gerilimi VCE değerini değiştirmektedir. Beyz polarmasından daha avantajlıdır.46V − 5V ⋅ %100 ≅ −%70 ( Azalma) 5V görüldüğü gibi ısı değişimi transistörün çalışma bölgesini de kaydırmaktadır. IC akımındaki değişimin yüzde miktarını bulalım. Yorum: Emiter dirençli beyz polarması Transistörlü polarma devrelerinde kararlı çalışmayı sağlamak amacıyla beyz polarmasının geliştirilmiş halidir.11’de verilmiştir.I Kaplan VCE = VCC − ( I C ⋅ RC ) = 12V − (17mA ⋅ 620Ω) = 1. Isıl veya çeşitli etkenlerden dolayı βDC değerinin değişmesi transistörün çalışma noktasını aşırı ölçüde etkilemektedir.3mA ⋅ %100 ≅ %50 ( Artma) 11.3mA Neticede sıcaklık artışıyla oluşan βDC değerindeki değişim IC akımında %50 oranında bir artışa neden olmaktadır. +VCC +VCC VRC=IC RC RB RC VRB =IB R B RB IB RC IC VCE + VBE _ RE VB =VB E +VRE RE IE V RE =IE RE Şekil-5.

I E = I C + I B ⇒ I E = ( β ⋅ I B ) + I B ⇒ I E = I B ( β + 1) VCC = I B ⋅ R B + V BE + ( β + 1) I B ⋅ R E Bu denklem beyz akımı (IB) çekilirse. IE akımını IB cinsinden ifade edelim.3 = = 0. VCC = I C ⋅ RC + VCE + I E ⋅ R E Buradan VCE gerilimini çekelim.9’da gösterildiği gibi VCC-beyz-emiter çevresinden.I Kaplan Devreyi analiz etmek için beyz-emiter ve kollektör-emiter çevrelerini ayrı ayrı ele alalım.7V 11. Şekil-5. VCC = I B ⋅ R B + V BE + I E ⋅ R E denklemi elde edilir. Örnek: 5.021mA = 21µA = R B + ( β + 1) ⋅ R E 470 KΩ + (101) ⋅ 470Ω 517470 elde edilir. nin analizinde temel çevre denklemlerini kullanmak yeterlidir.ANALOG ELEKTRONİK. Beyzemiter çevresinden beyz akımı (IB). IB = VCC − V BE 12V − 0.7V RE 470Ω Çözüm a. Artık beyz akımı kullanılarak kolektör ve emiter akımları belirlenebilir. 141 . β DC=100 VB E=0. IB = VCC − V BE R B + ( β + 1) ⋅ R E değeri elde edilir. 250C oda sıcaklığında. βDC=100 için gerekli analizleri yapalım. Buradan kolektör ve emiter akımları buluruz. VCE = VCC − I C ⋅ RC − I E ⋅ R E olarak bulunur.4 RB 470KΩ RC 1KΩ a) Şekilde verilen devrede oda sıcaklığında çalıştırılmaktadır (250C) transistörün polarma akım ve gerilim değerlerini bulunuz? b) Aynı devrede transistörün βDC değeri 750C ısı altında 150 olsaydı polarma akım ve gerilimlerindeki değişimi hesaplayarak yorumlayınız. Transiströrün kolektör-emiter gerilimini (VCE) bulmak için kolektör-emiter çevresinden yararlanalım.

12mA değerleri elde edilir.7V 11.02mA ⋅ 470Ω) VCE = 7.3 = = 0.3’de verilen polarma devresi βDC değişiminden çok fazla etkilenmekte ve çalışma noktası %70 oranında kaymakta idi.9V ⋅ %100 ≅ −%15 ( Azalma ) 8. IC akımındaki değişimin yüzde miktarını bulalım. IB = VCC − V BE 12V − 0. 142 . βDC=150 için gerekli analizleri yapalım.1mA + 0.12mA 7.021mA = 2.1mA ⋅ 1KΩ) − (2.02mA − 2.020mA = 3. 750C oda sıcaklığında.021mA = 2.12mA ⋅ %100 ≅ %42 ( Artma) 2.12mA ⋅ 470Ω) VCE = 8.9V b.ANALOG ELEKTRONİK. %∆I C = I C ( 750 ) − I C ( 250 ) I C ( 250 ) ⋅ %100 = 3.I Kaplan I C = β ⋅ I B = 100 ⋅ 0.5V Dolayısıyla ısıl değişim transistörün kolektör akımını ve çalışma noktası gerilimi VCE değerini değiştirmektedir.020mA = 3mA I E = ( β + 1) ⋅ I B veya I E = I C + I B = 3mA + 0.020mA = 20 µA = R B + ( β + 1) ⋅ R E 470 KΩ + (151) ⋅ 470Ω 517470 I C = β ⋅ I B = 150 ⋅ 0. Dolayısıyla emiter dirençli beyz polarma devresinin kararlılığı daha iyidir. Beyz-emiter çevresinden beyz akımı (IB). VCE = VCC − I C ⋅ RC − I E ⋅ R E ⇒ VCE = 12 − (2. Buradan transistörün kolektör-emiter gerilimi VCE.02mA VCE = VCC − I C ⋅ RC − I E ⋅ R E ⇒ VCE = 12 − (3mA ⋅ 1KΩ) − (3.1mA I E = ( β + 1) ⋅ I B veya I E = I C + I B = 2. Yukarıda verilen emiter dirençli polarma devresinde ise βDC değişiminden etkilenme oranı (%15) çok azdır.5V − 8.9V %∆VCE = VCE ( 750 ) − VCE ( 250 ) VCE ( 250 ) ⋅ %100 = Yorum: Örnek 5.

Bu polarma tipinde pozitif ve negatif olmak üzere iki ayrı besleme gerilimi kullanılır. Tipik bir emiter polarma devresi şekil-5. Görüldüğü gibi devrede iki ayrı gerilim kaynağı kullanılmıştır.12. Bu devrede beyz gerilimi yaklaşık 0V’dur.12. dolayısıyla da beyz akımını sıfır kabul ederek ihmal etmektir. beyz-emiter jonksiyonunu iletim yönünde etkiler. Aynı devrenin basitleştirilmiş çizimi ise şekil-5. VCC ve VEE olarak adlandırılan bu kaynaklar transistörün polarma akım ve gerilimlerini sağlarlar.12. Bu nedenle bu polarma tipi kimi kaynaklarda simetrik polarma olarak adlandırılmaktadır. Birinci yaklaşım beyz gerilimini.a’da verilmiştir. 143 . +VCC IC RC +VCC RC + RB RB + IB VBE IE - + RE VB RE VE VC VEE -VE E a) Emiter polarmalandırma devresi b) Emiter polarmalandırılmasının basitleştirilmiş çizim Şekil-5.3 EMİTER POLARMASI Emiter polarması transistörün kararlı çalıştırılması için geliştirilmiş bir diğer polarma metodudur.I Kaplan 5.b’de verilmiştir.ANALOG ELEKTRONİK.a ve b Emiter polarmalı transistor devresi ve basitleştirilmiş çizimi Devrede beyz gerilimi şase potansiyelindedir ve yaklaşık 0V civarındadır. Devrede analizini çevre denklemlerini kullanarak yapalım. Devrenin analizinde iki farklı yöntem (yaklaşım) kullanabiliriz. İkinci yaklaşım ise beyz akımını da hesaba katmaktır. Transistörün emiterini –VEE kaynağı beyze göre daha düşük potansiyelde tutarak.

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

I. Yaklaşım: Beyz akımını yaklaşık sıfır kabul edelim. VB=0V VE=-VEE
IE = VE − VEE RE

IC=IE
VC = VCC − I C ⋅ RC VCE = VC − VE

II. Yaklaşım: Beyz akımının varlığını kabul edip devrenin analizini yapalım.
−VEE = I B ⋅ R B + VBE + I E ⋅ RC IE eşitliğini yazarsak; β+1

Yukarıdaki denklemde beyz akımı yerine; I B =

 I  − VEE =  E  ⋅ R B + VBE + I E ⋅ R E  β + 1

bu denklemde gerekli IE akımını çekersek;
IE = −VEE − VBE R RE + B β+1

Devrede eğer , R E =

RB ise yukarıdaki eşitlik yeniden düzenlenebilir. Bu durumda; β+1 IE = −VEE − VBE RE

devrede VEE>>VBE olması durumunda bir basitleştirme daha yapabiliriz. Bu durumda eşitlik;
IE = −VEE RE

olarak yazılabilir. Bu eşitlik bize emiterli polarma devresinin βDC ve VBE değerlerinden ve değişimlerinden bağımsız olduğunu gösterir. Bu durum, transistörün Q çalışma noktasının kararlı olduğu anlamına gelir. Görüldüğü gibi emiterli polarma devresi oldukça kararlıdır. Emiterli polarma devresinde transistörün kollektör-emiter gerilimini doyum anında yaklaşık sıfır VCE=0 kabul edersek kollektör akımını;
I C ( DOYUM ) = VCC − VEE RC + R E

144

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

belirleriz. Transistörün kesim anında ise kollektör akımını yaklaşık sıfır kabul ederek kollektör-emiter arasındaki toplam gerilim bulunur. Bu değer;
VCE = VCC − VEE

Örnek: 5.5
RB 47KΩ

+VCC =12V RC 1KΩ

Yandaki emiterli polarma devresinde transistörün çalışma noktası değerlerini bulunuz. Hesaplamalarda beyz akımını ihmal ediniz.

VB

RE VE 5.6KΩ

VC

-VE E -12V

Çözüm

Devrede VB gerilimini yaklaşık olarak sıfır kabul edersek;
VE = −VBE = 0.7V IE = VEE − VEE −0.7V − ( −12V ) = RE 5.6KΩ
IE = 11.3V = 2.01mA 5.6KΩ

I C ≅ I E = 2.01mA VC = VCC − I C ⋅ RC = 12 − ( 2.01mA ⋅ 1KΩ) = 10V VCE = VC − ( −VE ) = 10V − ( −0.7V ) = 11.7V

Emiterli polarma devresinde transistörün çalışma noktası değerleri elde edilmiştir. DC yük hattı değerlerini bulalım. Doyum anında VCE=0V kabul edersek;
I C ( DOYUM ) = VCC − VEE 12V − ( −12V ) 24V = = = 3.36mA RC + R E 1KΩ + 5.6KΩ 6.6KΩ

bulunur. Transistör kesimdeyken ise IC=0 kabul edersek;
VCE = VCC − VEE = 12V − ( −12V ) = 24V

145

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

değerlerini elde ederiz. Bulunan bu değerler kullanılarak karakteristikte yük doğrusu aşağıdaki gibi çizilir.
I C (mA) 3.36 2.01

Q

0

8.26

24

VCE (V)

Örnek: 5.6
RB 15KΩ

+VCC =15V RC 2.2KΩ

Yanda verilen devrede VBE geriliminin 0.7V’dan 0.6V’a düşmesi ve βDC değerinin 100’den 150’ye çıkması durumunda çalışma noktasında meydana gelecek değişimleri analiz ediniz.
VC

VB

RE V 8.2KΩ E

-VE E -15V

Çözüm

βDC=100 ve VBE=0.7 olması durumunda gerekli analizleri yapalım.
IE = −( −15V ) − 0.7V −VEE − VBE 14.3V = = = 1.71mA RB 15KΩ 8.34KΩ 8.2 KΩ + RE + 100 + 1 β+1 I C ≅ I E = 1.71mA VC = VCC − I C ⋅ RC = 15 − (1.71mA ⋅ 2.2KΩ) = 11.23V VE = VEE + I E ⋅ R E = −15V + (1.71mA ⋅ 8.2KΩ) = −0.98V VCE = VC − VE = 11.23V − ( −0.98V ) = 10.25V

146

72 mA R 15KΩ 8. IE = −( −15V ) − 0.4 GERİLİM BÖLÜCÜLÜ POLARMA Gerilim bölücülü polarma devresi.72 mA VC = VCC − I C ⋅ RC = 15 − (1.72 mA − 1.72 mA ⋅ 2. Gerilim bölme işlemi dirençlerle gerçekleştirilir.5 ( Artma) 1.31V − 10.72mA ⋅ 8.2 KΩ + RE + B 100 + 1 β+1 I C ≅ I E = 1.21V VE = VEE + I E ⋅ R E = −15V + (1. %∆ I C = I C ( β = 150 0 ) − I C ( β = 100 ) I C ( β = 100 ) ⋅ %100 = 1.ANALOG ELEKTRONİK.25V ⋅ %100 ≅ %0.21V − ( −0. Bu polarma tipi transistörün son derece kararlı çalışmasını sağlar ve βDC’den bağımsızdır.6 olması durumunda gerekli analizleri yapalım.71mA %∆VCE = VCE ( β =150 ) − VCE β = 100 ) VCE ( β = 100 ) ⋅ %100 = 10.31V Bulunan bu değerleri kullanarak.2 KΩ) = 11.25 Yorum: Sonuçlardan da görüldüğü gibi ısıl ve çeşitli nedenlerden dolayı βDC ve VBE değerlerindeki değişim transistörün çalışma noktası değerlerini çok az miktarda etkilemektedir.50 ( Artma) 10.6V −VEE − VBE 14.71mA ⋅ %100 ≅ %0.2KΩ) = −0.896V ) = 10. Bu tip polarma devresinde tek bir besleme geriliminin kullanılması ise diğer bir avantajdır.I Kaplan βDC=150 ve VBE=0. 147 . Bu nedenle emiterli polarma devresinin kararlı yüksektir ve βDC’den bağımsızdır diyebiliriz.34KΩ 8.4V = = = 1. kolektör akımı (IC) ve kollektör-emiter gerilimi (VCE) değişim yüzdelerini bulalım.896V VCE = VC − VE = 11. 5. Özellikle lineer yükselteç devrelerinin tasarımlarında gerilim bölücülü polarma devreleri kullanılır. Lineer çalışmada sıkça tercih edilen en popüler polarma metodudur.

ANALOG ELEKTRONİK. R1 direncinden akan akımın R2 direncinden de aktığı kabul edilir.13. Çünkü transistörün giriş direnci Rin R2 direncinden çok büyük olduğu kabul edilir (Rin>>R2). Devrenin kararlılığı çok yüksektir. Devrede transistörün beyz akımı R1 ve R2 dirençleri tarafından sağlanmaktadır. Bu nedenle bu tür polarma tipine “β’dan bağımsız polarma” adı da verilmektedir. Yapılan kabuller neticesinde polarma devresinin eşdeğeri şekil-5. R1 ve R2 dirençlerinin birleştiği noktada elde edilen gerilim. Eşdeğer devrede.R1 R1 I1 IB IC RC V RC=IC.b’de verilen hale gelir. Görüldüğü gibi devre tek bir gerilim kaynağından (VCC) beslenmiştir.R2 R2 I2 VB IE RE V RE=IE. transistörün beyz polarma gerilimi olacaktır. Birinci yöntem devrede beyz akımı ihmal edilebilecek kadar küçük ise uygulanır. Çözüm tekniğinde theve’nin teoreminden yararlanılır. Β’ya bağımlılık yükselteç devrelerinde bir takım sorunlar yaratır. İkinci yöntemde ise devre analizi beyz akımı dikkate alınarak yapılır. +VCC R1 RC V R1 =I1 .RE Şekil-5. İki temel yöntem vardır. Yöntem 1: Bu yöntemde beyz akımı ihmal edilebilecek kadar küçük kabul edilir.13. Tipik bir gerilim bölücülü polarma devresi şekil-5.a’da verilmiştir. Transistörün çalışma bölgesi değerleri βDC’nin değişiminden etkilenmez. Örneğin aynı firma tarafından üretilen aynı tip transistörlerin β değerleri farklılıklar içerir. Çalışma noktasının önemi önceki konularda açıklanmıştı. Şekil-5.b’de ise polarma devresinin analizini kolaylaştırmak amacı ile polarma akım ve gerilimleri devre üzerinde gösterilmiştir.a ve b Gerilim bölücülü polarma devresi ve polarma akımı-gerilimi ilişkileri Devrenin çözümü için çeşitli yöntemler uygulanabilir.13.RC V CC V CE=V CC-V RC-V RE R2 RE V R2 =I2. Bu yöntemde I1 akımının tamamının I2 olarak yoluna devam ettiği varsayılarak çözüm üretilir.14. Ayrıca β ısı değişiminden de etkilenmektedir.I Kaplan Önceki bölümlerde incelediğimiz polarma devrelerinde çalışma noktası βDC yükseltme faktörüne aşırı derecede bağımlı idi. Transistörlerde kararlı bir çalışma için gerilim bölücülü polarma devreleri geliştirilmiştir. 148 . Bu durum transistörün kararlı çalışmasını engelleyerek çalışma noktasının istenmeyen bölgelere kaymasına neden olur.

a ve b Gerilim bölücülü polarma devresi ve eşdeğer gösterimi Transistörün beyz’inde elde edilen VB geriliminin değeri. beyz noktası ile şase arasındaki gerilim olduğundan yazılacak çevre denkleminden. Beyz akımı R1. emiter ve kolektör akımını kontrol etmektedir.ANALOG ELEKTRONİK. 149 . Emiter gerilimi ise yaklaşık olarak beyz gerilimine bağımlıdır. Dolayısıyla. VCE = VCC − I C ⋅ RC − I E ⋅ R E olarak elde edilir. Beyz gerilimi.14. V B = V BE + I E ⋅ R E Buradan IE akımını çekersek. Dikkat ederseniz yaptığımız analizlerde transistörün βDC değerini hiç kullanmadık. Emiter direnci RE. R2 dirençlerine bağımlı kılınmıştır. VC = VCC + I C ⋅ RC transistörün çalışma noktası ise.I Kaplan +VCC I1 +VCC R1 RC R1 IB Rin >>R2 I1 =I 2>>I B R2 RE İSE I2 R2 Rin Şekil-5. Son olarak RC direnci kolektör gerilimini dolayısıyla kolektör-emiter gerilimi VCE’yi kontrol etmektedir. R2 ⋅ VCC R1 + R2 VB = olarak bulunur. IE = V B − V BE RE devrede IB çok küçük olduğundan IE=IC kabul edebiliriz.

7 R1 100KΩ +VCC =20V RC 5K6 Yandaki devrede polarma akım ve gerilimi değerlerini bulunuz.82V 100KΩ + 10KΩ R1 + R2 V − VBE 1.6V Yöntem 2: Gerilim bölücülü polarma devresinde bir diğer yöntem ise Theve’nin teoremini kullanmaktır. Bu yöntem tam çözüm sunar. +VCC +VCC R1 RC R TH RC A R2 VTH RE IB RE a) Gerilim bölücülü polarma devresi b) Theve’nin eşdeğer devresi Şekil-5.12 mA IE = B RE 1KΩ I E ≅ IC VCE = VCC − I C ⋅ RC − I E ⋅ R E = 20V − (1.82 − 0.27V − 1.6KΩ) − (1.I Kaplan Örnek: 5. βDC=100 VBE=0. Devrenin girişinde (beyz) theve’nin teoremi uygularsak polarma devresi şekil-5.38 = 12.15 Gerilim bölücülü polarma devresi ve Theve’nin eşdeğeri 150 .7 = = 1.b’de verilen basit forma dönüşür.7V R2 10KΩ RE 1KΩ Çözüm VB = R2 10KΩ ⋅ VCC = ⋅ 20V = 1.12 mA ⋅ 5.11V = 20 − 7.ANALOG ELEKTRONİK.15.12mA ⋅ 1KΩ) VCE = 20 − 6. Hiçbir kabul içermez.

IE=IB(β+1)’dir. Bu durumda devremiz şekil-5. VTH = I B ⋅ RTH + VBE + ( β + 1) ⋅ I B ⋅ R E Buradan gerekli olan IB akımını çekelim. VCC ⋅ R2 VTH = R1 + R2 Theve’nin eşdeğer direnç değeri RTH’ı ise.I Kaplan Theve’nin eşdeğer gerilimi olan VTH değerini bulmak için devre girişini A noktasından ayıralım (Transistörü bağımlı akım kaynağı gibi düşünebiliriz). IC ve VCE değerleri sırayla elde edilir. IB akımını bulmak için devre girişi için çevre denklemini yazalım. 151 . Denklemde yerine koyalım. O halde IE akımını IB cinsinden ifade edelim. VCC gerilim kaynağı kısa devre edilerek bulunur.a’da verilen forma dönüşür. VTH gerilimi ise A noktasında elde edilecek gerilim değeridir. Bulanan bu değerden IE. VTH − VBE RTH + ( β + 1) ⋅ R E IB = olarak bulunur.16 Thevenin eşdeğer gerilimi (VTH) ve Eşdeğer direncinin (RTH) bulunması Theve’nin eşdeğer gerilimi ve eşdeğer direnç değerlerini bulduktan sonra şekil-5. R1 ⋅ R2 R1 + R2 RTH = R 1 // R 2 = +VCC R1 R1 VTH RTH R2 R2 a) Thevenin e şdeğer gerilimi b) Thevenin e şdeğer direnci Şekil-5.16. Bu durum şekil-5.16.15. VTH = I B ⋅ RTH + VBE + I E ⋅ R E Devrede IB ve IE olmak üzere iki bilinmeyen var. Bu değer A noktasından görülen direnç değeridir ve R1 ve R2 dirençleri paralel duruma geçmiştir.ANALOG ELEKTRONİK.b’de gösterilmiştir.b’de verilen eşdeğer devreden çözüme devam edelim.

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

Örnek: 5.8

Aşağıda verilen devrenin analizini yapınız. Çözüm için Theve’nin teoremini kullanınız. βDC=100, VBE=0.7V. Not: Aynı devre örnek 5.7’de farklı bir yöntem kullanılarak çözülmüştü.

+VCC =20V

+VCC=20V RC 5.6KΩ R TH IB

R1 100KΩ

RC 5.6KΩ

R2 10KΩ

VB E IE RE 1KΩ

RE 1KΩ

V TH

Çözüm

Çözüm için ilk adım thevenin eşdeğer devresini çizmektir. Eşdeğer devre yukarıda çizilmiştir. Önce theve’nin eşdeğer gerilimi ve eşdeğer direnç değerlerini bulalım.
VCC 20 ⋅ R2 = ⋅ 10KΩ = 1.82V R1 + R2 100KΩ + 10KΩ R1 ⋅ R2 100KΩ ⋅ 10KΩ = = 9.09KΩ R 1 + R 2 100KΩ + 10KΩ

VTH =

RTH = R 1 // R 2 =

Eşdeğer devreden giriş için çevre denklemini yazalım. VTH = I B ⋅ RTH + VBE + ( β + 1)I B ⋅ R E
VTH − VBE 1.82V − 0.7V 1.12V = = = 10 µA RTH + ( β + 1) ⋅ R E 9.09KΩ + (101) ⋅ 1KΩ 110KΩ

IB =

Yorum

I E = ( β + 1) ⋅ I B = 101 ⋅ 10 µA = 1.02 mA I C = I E − I B = 1.02 mA − 0.01mA = 1.01mA VCE = VCC − I C ⋅ RC − I E ⋅ R E = 20V − (1.01mA ⋅ 5.6KΩ) − (1.02 mA ⋅ 1KΩ) VCE = 20V − ( 5.65V ) − (1.02V ) = 20V − 6.67V = 13.33V

Elde edilen bu sonuç örnek:5.7’de bulunan değerler ile karşılaştırıldığında aralarında yaklaşık %3-%4 civarında fark olduğu görülür. Dolayısıyla yaklaşık çözüm ile tam çözüm arasında çok küçük bir fark vardır. Bu fark kimi zaman ihmal edilebilir.

152

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

Örnek: 5.9

Örnek 5.8’de verilen polarma devresinde transistörün βDC değeri yüzde yüz artarak 200 olmuştur. Polarma akım ve gerilimlerini bulunuz? Not: Polarma devresi ve theve’nin eşdeğeri aşağıda yeniden verilmiştir.
+VC C =20V +VC C=20V RC 5.6KΩ R TH IB RE 1KΩ V TH

R1 100KΩ

RC 5.6KΩ

R2 10KΩ

VB E IE RE 1KΩ

VTH =

Çözüm
VTH =

VCC ⋅ R2 R1 + R2

20 ⋅ 10 KΩ = 1.82V 100 KΩ + 10 KΩ RTH = R1 // R2 = R1 ⋅ R2 R1 + R2

RTH =

100 KΩ ⋅ 10 KΩ = 9.09 KΩ 100 KΩ + 10 KΩ

Eşdeğer devreden giriş için çevre denklemini yazalım.
VTH = I B ⋅ RTH + V BE + I E ⋅ R E

Denklemde IB ve IE olmak üzere iki adet bilinmeyen var. O halde IE akımını IB cinsinden yazalım. IE=IB (β+1) denklemde yerleştirilirse;
VTH = I B ⋅ RTH + VBE + ( β + 1)I B ⋅ R E

Analiz için gerekli olan IB akımını çekelim.
IB = VTH − VBE 1.82V − 0.7V 1.12V = = = 5.3 µA RTH + ( β + 1) ⋅ R E 9.09KΩ + ( 201) ⋅ 1KΩ 210KΩ

Polarma devresinde diğer akım ve gerilim değerlerini bulalım.
I E = ( β + 1) ⋅ I B = 201 ⋅ 5.33 µA = 1.072 mA I C = I E − I B = 1.072 mA − 0.005mA = 1.067 mA

Transistörün çalışma noktası gerilimi VCE;
VCE = VCC − I C ⋅ RC − I E ⋅ R E = 20V − (1.067 mA ⋅ 5.6KΩ) − (1.07 mA ⋅ 1KΩ) VCE = 20V − ( 5.97V ) − (1.07V ) = 20V − 6.67V = 13V

Yorum:

Görüldüğü gibi βDC değerinin %100 oranında değişmesi devrenin çalışma bölgesini pek etkilememiştir. Devre çalışma değerlerinde kararlı kalmaktadır. Bu durum gerilim bölücülü polarma devresinin son derece kararlı çalıştığını göstermektedir.

153

ANALOG ELEKTRONİK- I

Kaplan

Örnek: 5.10

Aşağıda şekil-5.17.a’da verilen yükselteç devresinde transistörün aktif bölgenin ortasında çalışması isteniyor. Gerekli çalışma koşulunun sağlanması için R1 direncinin değeri ne olmalıdır? Hesaplayınız?
+VCC =12V +VCC =12V

R1 C1 10µF Vi R2 22KΩ

RC 2.2KΩ

C2 10µF V0

R1

RC 2.2KΩ

RE 470Ω

CE 47µF

R2 22KΩ

RE 470Ω

a) Yükselteç devresi

b) DC analiz için eşdeğeri

Şekil-5.17. a ve b Yükselteç devresi ve dc analizi

Çözüm

Şekil-5.17.a’da komple bir yükselteç devresi verilmiştir. Yükselteç girişine uygulanan Vi işareti; yükselteç tarafından kuvvetlendirilecek ve yükselteç çıkışından Vo olarak alınacaktır. Yükseltecin lineer çalışabilmesi için dc polarma gerilimleri ve akımları iyi ayarlanmalıdır. Kısaca önce dc analiz gerekir. DC analiz için devrenin dc eşdeğeri çizilir. Eşdeğer devre için; devredeki ac kaynaklar kısa devre ve kondansatörler açık devre kabul edilir. Bu durumda devremiz şekil-5.17.b’de verilen hale dönüşür. Yükselteç devresi aktif bölgenin tam ortasında çalışması isteniyor. O halde transistörün kesim ve doyuma gitmeden ikisinin ortasında çalışması gerekir. Transistörün aktif bölgedeki çalışma gerilimi değerini bulmak için kesim ve doyum noktalarını belirleyip ikisinin tam ortasını almalıyız. O halde; Transistör kesim noktasında iken IC=0’dır. Bu durumda Q çalışma noktası gerilimi VCQ maksimum olacaktır ve değeri;
VCQ (max) = VCC

besleme gerilimine eşittir. Transistör doyum’da iken kollektör-emiter arası kısa devre olur ve minimumdur. IC akımı ise maksimumdur. Bu durumda transistörün Q çalışma noktası gerilimi VCQ(min) ise;
VCQ (min) = VCC ⋅ RE R E + RC

değerine eşit olacaktır. Bizim amacımız kesim ve doyum noktalarına gitmeden ikisinin tam ortasında çalışmaktır. O halde aktif bölgenin ortasında çalışmak için;

154

I Kaplan VCQ = VCQ (max) + VCQ (min) 2 = VCC 2  RE  1 +   R E + RC  olmalıdır. Buradan transistörün aktif bölgenin ortasında çalışabilmesi için gerekli olan VCQ değerini bulalım.2 KΩ   Bu durumda R1 direncini VCQ gerilimini 7.ANALOG ELEKTRONİK. V R 2 = V BE + I B ( β + 1) ⋅ R E = 0.01125mA = 11.080mA = 80µA R2 22 KΩ VR1 değerini bulalım.76V = = 0. V R1 = VCC − V R 2 = 12V − 1.25µA 200 Analiz kolaylığı için devreyi yeniden çizelim.2KΩ ICQ V RC VCE Q IBQ VR2 IR2 R2 22KΩ RE 470Ω VRE VCQ IE Q Devreden VR2 geriliminin. I CQ = I BQ = VCC − VCQ RC = 12 − 7.05 = 2.2 KΩ I CQ β = 2. +VCC =12V V R1 IR1 R1 RC 2. Devreden VR1=VCC-VR2 olarak görülmektedir. Buradan. VR2=VCC-VR1 veya VR2=VBE+VRE değerine eşit olacaktır.05V 1 +  = 1 + 2  R E + RC  2  470Ω + 2. Önce IC akımını bulalım. VCQ = VCC  R E  12  470Ω  = 7.25µA ⋅ (201) ⋅ 470Ω = 1.76V = 10.25mA = 0.24V 155 . R1 direncini bulamak için R1 üzerinde oluşan akım ve gerilimi bulmalıyız.25mA 2.7V + 11.05V yapacak şekilde seçmeliyiz.76V Buradan I2 akımını bulabiliriz. I2 = V R 2 1.

Şu halde şekil-5.25µA = 68. yapılan geribesleme sayesinde kararlı bir yapıya kavuşmuştur. +VCC RC RB RB IB IC I C+IB +VCC RC VRC V CE VB E VB E IE a) Kollektör-geribeslemeli polarma devresi b) Polarma akım ve gerilimlerinin gösterimi Şekil-5. Bu devrenin kararlılığı oldukça yüksektir. Kısaca geribesleme sayesinde kararlı bir çalışma sağlanmıştır.a ve b Kollektör-geribeslemeli polarma devresi ve polarma değerleri 156 .9 KΩ I1 68. Transistörün çalışma bölgesi değerleri βDC değişimlerinden pek fazla etkilenmez.75µA Bulunan bu değerleri kullanarak R1’in olması gereken değerini bulabiliriz. I1=I2-IB olduğu görülür.ANALOG ELEKTRONİK.18.I Kaplan I1 akımını bulmak için devreden. Çünkü beyz ve kollektör gerilimleri arasında 1800 faz farkı vardır. Devrede negatif geribesleme yapılmıştır.18’de verilmiştir. I 1 = I 2 − I B = 80 µA − 11.75µA Olarak bulunur. Devre.5 KOLLEKTÖR-GERİBESLEMELİ POLARMA Transistörlü yükselteç devrelerinin polarmalandırılmasında kullanılan bir diğer yöntem ise kollektör-geribeslemeli devredir.24V = = 148. 5. Çünkü transistörün β’sının neden olduğu etkiler ve değişimler geribesleme ile azaltılmıştır. R1 = V R1 10. Tipik bir kolektör-geribeslemeli polarma devresi şekil-5.17’de verilen yükselteç devresinde transistörün aktif bölgenin ortasında çalışabilmesi için gerekli R1 direnci 149KΩ olarak bulunmuştur.

Kararlılık faktörünü artırmak amacı ile devrede ilave olarak RE direnci kullanılmıştır. IB = VCC − V BE R B + ( β + 1) ⋅ RC denklemi elde edilir. VCC = I RC ⋅ RC + VCE IRC=IE’dir.I Kaplan Sistemin kararlı çalışması için geribesleme ile yapılan iyileştirilme aşağıda anlatılmıştır. Bu durum.19’da verilmiştir. Devrenin analizi ise aşağıda ayrıntıları ile verilmiştir. VCC = I RC ⋅ RC + I B ⋅ R B + V BE olur. Isı ile β’nın artması transistörün kolektör akımında da bir artışa neden olur.ANALOG ELEKTRONİK. Denklem yeniden düzenlenirse. transistörün çalışma bölgesinin kararlı kalmasını sağlar. Bu durumda beyz akımıda azalacaktır. 157 .b’de verilen devrede beyz-emiter çevresi için gerekli eşitlikler yazılırsa. VCC = I E ⋅ RC + I B ⋅ R B + V BE IE akımını IB cinsinden yazarak IE=(β+1)IB yukarıdaki denklemi sadeleştirelim VCC = ( β + 1) ⋅ I B ⋅ RC + I B ⋅ R B + V BE elde edilen bu denklemden IB akımını çekelim. VCE = VCC − I E ⋅ RC eşitliği elde edilir. RC direnci üzerinde oluşan gerilimin (VRC) artması ise transistörün VCE geriliminin azalmasına neden olur. Şekil-5. Kolektör akımının artması RC direnci üzerinde oluşan gerilimi de artıracaktır. RC direnci üzerinden geçen akımdır ve IRC=IB+IC değerine eşittir.18. VCC = ( I B + I C ) ⋅ RC + I B ⋅ R B + V BE IB+IC değeri ise IE akımına eşittir. Kolektör gerilimi ise RB direnci üzerinden beyz’i beslemektedir. Kollektör-geribesleme devresinin çok daha geliştirilmiş bir uygulaması şekil-5. Devrede çalışma noktası değerlerini bulmak için kollektör-emiter çevresi için gerilimler yazılırsa. Devrenin matematiksel analizini yapalım. Burada IRC akımı. Sıcaklık etkisiyle β’da dolayısıyla kollektör akımında oluşan artma veya azalma geribesleme ile dengelenmektedir. Beyz akımının azalması ise kolektör akımında β değişiminin neden olduğu artmayı engelleyecektir.

a ve b Kollektör-geribeslemeli emiter dirençli polarma devresi VCC = I RC ⋅ RC + I B ⋅ R B + V BE + I E ⋅ R E denklemi elde edilir. IRC=IB+IC=(β+1)IB eşitliğini kullanırsak. VCC − V BE R B + ( β + 1) ⋅ ( RC + R E ) IB = Transistörün çalışma noktasındaki değerleri bulmak için polarma devresinden. VCE = VCC − I E ( RC + R E ) denklemi elde edilir.ANALOG ELEKTRONİK. Elde edilen denklemde IRC akımı yerine.I Kaplan +VCC RC RB RB IB IC I C+IB +VCC RC V RC VCE VBE RE VB=VB E+IE R E VB E IE RE VRE Şekil-5. 158 . VCC = ( β + 1) I B ⋅ RC + I B ⋅ R B + V BE + I E ⋅ R E denklemi elde edilir. Elde edilen denklemden IB akımını çekelim. VCC = I RC ⋅ RC + VCE + I E ⋅ R E Formüldeki IRC yerine IE kullanırsak IRC=IE.19.

VCE = VCC − I E ⋅ RC = 12V − (3.2KΩ Yanda verilen kollektör-geribeslemeli polarma devresinde gerekli polarma akım ve gerilimlerini hesaplayınız? βDC=150 VBE=0.7V 11.90mA I E = ( β + 1) ⋅ I B = 151 ⋅ 26 µA = 3926µA = 3.2 KΩ I C = β ⋅ I B = 250 ⋅ 17 µA = 4250µA = 4. Devrenin kararlılık faktörünü incelemek amacıyla aynı devrede sıcaklık etkisiyle βDC değerinin 150’den 250’ye çıktığını kabul edelim.3V = = = 0.2 KΩ) = 2.11 RB 100KΩ VCC =+12V RC 2. IB = VCC − V BE 12V − 0.2 KΩ 652.026mA = 26 µA R B + ( β + 1) ⋅ RC 100 KΩ + (151) ⋅ 2.2 KΩ 432.2 KΩ) = 3.7V VBE Çözüm Devrede önce beyz akımını bulalım.3V = = = 0. VCE = VCC − I E ⋅ RC = 12V − (4.92mA Transistörün çalışma noktası gerilimi VCE ise.2 KΩ I C = β ⋅ I B = 150 ⋅ 26µA = 3900 µA = 3.017 mA = 17 µA R B + ( β + 1) ⋅ RC 100 KΩ + (251) ⋅ 2.7V 11. Bu durum bize devrenin kararlılık faktörünün iyi olduğunu gösterir. IB = VCC − V BE 12V − 0.ANALOG ELEKTRONİK.76V Yorum Transistörün βDC değerinde yaklaşık %100’lük bir artışa rağmen çalışma bölgesi akım ve gerilimlerindeki değişim yaklaşık %10 civarındadır.25mA I E = ( β + 1) ⋅ I B = 251 ⋅ 17 µA = 4267 µA = 4.I Kaplan Örnek: 5.92mA ⋅ 2.26mA Transistörün çalışma noktası gerilimi VCE ise. 159 .2mA ⋅ 2. Devrenin çalışma noktasına etkisini görelim.376V olarak bulunur.