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5.

Capacitncia e Dieltricos
Em 1746 , o fsico holands Pieter van Musschenbroek, professor em Leiden, estava
tentando introduzir carga eltrica na gua de um recipiente, ligada a um cano metlico carregado,
atravs de um fio de cobre mergulhado na gua. Um estudante estava segurando o recipiente,
enquanto Pieter carregava o cilindro por atrito. Quando o estudante esbarrou no cano com a outra
mo, levou um violento choque! Repetiram a experincia, trocando os papis, e Pieter levou um
choque ainda maior (o estudante se desforrou ...).
Assim, foi descoberta a a garrafa de Leiden, o primeiro capacitor (ou condensador de
cargas), capaz de armazenar cargas eltricas.
5.1 Definio de Capacitncia
O capacitor um dispositivo constitudo por placas condutoras separadas por uma distncia
muito pequena, capaz de acumular em suas placas, quantidades iguais de cargas, porem de sinais
opostos. Defini-se capacitncia, a razo entre o mdulo da quantidade de carga (de qualquer uma
das placas) e a diferena de potencial entre as placas condutoras.

C=
Q
V
(5.1)
No SI, a capacitncia ( grandeza sempre positiva) medida em Faraday (F) que dada por
1 F = 1 C/V (Coulomb por volt).
5.2 Capacitor plano
Ao ligar duas placas planas de material condutor aos terminais de uma bateria, que tem uma
tenso V, as cargas livre nos condutores realizaram um trabalho, acumulando-se um excesso de nas
placas. Quando a diferena de potencial entre as placas ser tornar igual tenso da bateria, cessar
os deslocamento de cargas, ficando completamente carregado, mesmo que que a bateria seja
removida. A placa que est ligada ao polo positivo da bateria ficar com carga total +Q e densidade
superficial de carga +, e a placa ligada ao polo negativo ficar com carga total -Q e densidade .
Este dispositivo, de simples constituio, tem importantes aplicaes, e est presentes nos

E
Figura 5.1- Capacitor plano
circuitos eltricos que pode ser usado para sintonizar a frequncia dos radiorreceptores, filtro de
fonte de potncias, armazenadores de energia nas unidades flash eletrnicos.
No capacitor plano, se distncia d entre as placas muito menor que as dimenses das das
placas, em primeira aproximao, podemos trat-las como se fossem planos infinitos, desprezando-
se os efeitos de beirada nas bordas do planos.

Figura 5.2 Configurao das linhas de campo de um plano muito extenso. Em (a), as linhas de campo apontam para
fora devido ao excesso de carga positivo; em (b), as linhas de campo apontam para dentro devido ao excesso de carga
negativo.
Aproximando as placas carregadas por uma distncia d muito pequena, a anlise das
configurao do campo fica:

E
ext1
=
c
2c
0

k
_
placa
+
c
2c
0

k
_
placa+
=0

E
int.
=
c
2c
0

k
_
placa
+
c
2c
0

k
_
placa+
=
c
c
0


E
ext2
=
c
2c
0

k
_
placa

c
2c
0

k
_
placa+
=0
Figura 5.3 Configurao das linhas de campo de um capacitor plano, desprezando os efeitos nas bordas.
Este resultado mostra que o capacitor de placas planas e paralelas, o mdulo do campo na
regio exterior igual a zero, e na regio interior s placas, o campo constante cujo valor

E=c/ c
0
. (5.2)

Para calcular a diferena de potencial entre as placas usamos a seguinte relao:
+ + + + + + + + + +
n
1
n
2

E=
c
c
0

E=
c
c
0

k
- - - - - - - - - - - - - -
n
3
n
4

E=
c
c
0

E=
c
c
0

k
Regio 4
Regio 1
Regio 2
Regio 3
(a) (b)
+ + + + + + + + + +
- - - - - - - - - - - - - -
d

E
ext1

E
ext2

E
int.
V=V
p
V
n
=

n
p

dl
V =V
p
V
n
=

p
n

dl (5.3)
onde V
p
e V
n
so os potenciais das placas positivas e negativa respectivamente. A integral em (5.3)
independente do caminho, de modo que, integrando sobre o caminho C pode ser escolhido com o
mesmo sentido do campo eltrico,
V =

p
n

dl =

n
p
E r r dr=E

n
p
dr
V=Ed . (5.4)
Para encontrar a capacitncia do dispositivo de placas planas, substitumos a (5.4) e (5.2)
em (5.1)

C=
Q
Ed
=
c/ A
Ed
=
c/ A
(c/c
0
) d

C=c
0
A
d
. (5.5)
onde, a permissividade do vcuo vale
c
0
=8,8510
12
F/ m .
A unidade de capacitncia muito grande pois, para ter C = 1F com um capacitor de placas planas
e paralelas com uma separao d = 1 mm, a rea deve ser
A=
dC
c
0
=
10
3
1
8,8510
12
=1,1310
8
m
2
.
5.3 Capacitor cilndrico
Figura 5.4 (a) Cindros condutores coaxiais de raio interno a com carga positiva e raio externo b com carga negativa.
(b) O campo eltrico pode ser obtido, conforme estudado no captulo anterior pela lei de Gauss.
Superfcie
gaussiana
(a) (b)
Este dispositivo formado por dois cilindros coaxiais, de raios interno a com carga
positiva e raio externo b com carga negativa. O campo para um cilindro condutor carregado dado
por

E=
Q
2nl c
0
r
r
(5.6)
onde l o comprimento do cilindro. Para encontrar a capacitncia desse dispositivo, devemos obter
a expresso para a diferena de potencial que pode ser calculado do seguinte modo
V=V
p
V
n
=

p
n

dl=
Q
2nl c
0

a
b
dr
r

V=
Q
2nl c
0
ln(
b
a
)
(5.7)
assim, a capacitncia d

C=
2nc
0
l
ln(
b
a
)
(5.8)
Estamos interessados em capacitores que a distncia d da separao entre as placa seja muito
menor que as dimenses das placas, de modo que podemos fazer algumas aproximaes.
Se d << a , ento faamos b = a + d

ln (
b
a
)=ln (
a+d
a
)=ln(1+
d
a
)
d
a

(
d
a
1)
(5.9)
exemplo: ln (1+0,0003)0,0003 (Verifique!). Substituindo a aproximao (5.9) em (5.8)

C=
2nc
0
l
(
d
a
)
=c
0
2nal
A
d
. (5.10)
Em (5.10), 2nal a rea da superfcie lateral do cilindro. Assim,
C=
c
0
A
d
. (5.11)
Quando a separao d entre as placas muito pequena, a expresso (5.8) para o capacitor
cilndrico assume a mesma forma da expresso (5.5) para o capacitor plano de placas paralelas.
5.4 Capacitor Esfrico
Figura 5.5 Constitudos por esferas condutoras concntricas de raio interno a com carga positiva e raio externo b
com carga negativa.
Este dispositivo, constitudo por um par de esferas condutoras concntricas de raios R
1
(=a) e R
2
(=b) ( figura acima). O campo eltrico devido estas distribuies de carga dado por

E=
Q
4nc
0
r
2
r
.
A diferena de potencial dado por
V =V
1
V
2
=Q(
1
R
1

1
R
2
)
.
V =
Q
4nc
0
(
R
2
R
1
R
1
R
2
) (5.12)
Para encontrar a capacitncia usamos novamente a (5.1)
C=
Q
V
=4nc
0
r
2
(
R
1
R
2
R
2
R
1
) (5.13)
No caso limite em que a separao d entre muito menor que as dimenses das esferas, ou seja,
R
2
R
1
=d R
1
ento
R
1
-R
2
. Assim,
C=4nc
0
(
R
2
2
d
)=4nR
2
2
c
0
d
C=
c
0
A
d
. (5.14)
Este resultado mostra que a capacitncia, no caso limite, sempre pode ser aproximada para (5.5)
independentemente da geometria do capacitor.
5.5 Associao de Capacitores
Associao em Paralelo
Na associao em paralelo, a diferena de potencial entre as placas em cada capacitor
sempre a mesma. A carga total Q acumulada entre as placas dado pelas soma das cargas Q
1
e Q
2
acumuladas entre as placas dos capacitores 1 e 2
Figura 5.6 Circuito com capacitores associados em paralelo.
Para encontrar o capacitor equivalente (capacitor nico que representa o conjunto de
capacitores), vem
Q
1
=C
1
V
Q
2
=C
2
V
Somando as equaes acima,
Q
1
+Q
2
_
Q
=(C
1
+C
2
)
_
C
eq
V
onde Q a carga total acumulada entre as placas e C
eq
a capacitncia equivalente.
Para um conjunto com n capacitores ligados em paralelo, a capacitncia equivalente

C
eq
=C
1
+C
2
++C
n
. (5.15)
Associao em Srie
Na associao em srie, a quantidade de carga em cada capacitor igual e, o potencial V da
bateria igual a soma das diferenas de potencial V
1
e V
2
em cada capacitor.
Figura 5.7 Circuito com capacitores associados em srie.
Para encontrar o capacitor equivalente (capacitor nico que representa o conjunto de
capacitores), vem
V =V
1
+V
2
V =
Q
C
1
+
Q
C
2
V =Q(
1
C
1
+
1
C
2
)
V
Q
=(
1
C
1
+
1
C
2
)
_
1
C
eq
Para um conjunto com n capacitores ligados em paralelo, a capacitncia equivalente

1
C
eq
=
1
C
1
+
1
C
2
++
1
C
n
. (5.16)
5.6 Energia Eletrosttica Armazenada em um Capacitor
Ao ligar um capacitor completamente descarregado aos terminais de uma bateria com tenso
V, iniciar um deslocamento das cargas livres ao longo do condutor, acumulando-se excesso de
cargas em cada placa de mdulos iguais e sinais opostos.
O trabalho infinitesimal para transferir um elemento de carga dq da placa com carga
negativa para a placa com carga positiva
dW=Vdq , mas
V =
q
C
dW=
q
C
dq
W=
1
C

0
Q
qdq=
Q
2
2C
Desprezando todas as dissipaes (resistncia interna da bateria e nos fios), a energia eletrosttica
armazenada no capacitor igual ao trabalho total para carregar o carregar o capacitor, ou seja,
U=
Q
2
2C
. (5.17)
Substituindo C = Q/V em (5.17)

U=
Q
2
2(
Q
V
)
=
QV
2 . (5.18)
Substituindo Q = CV em (5.18)
U=(CV)
V
2
=
CV
2
2
. (5.19)
Assim,
U=
Q
2
2C
=
QV
2
=
CV
2
2
(5.20)
5.7 Materiais Dieltricos
Os dieltricos so materiais isolantes que podem ser colocados entre as placas de um capacitor
com a finalidade de aumentar a capacitncia. A descrio dos efeitos que ocorrem no interior dos
dieltricos vem da sua constituio atmica, podendo ser classificados, quanto sua constituio
molecular, por dieltrico de dois tipos: apolares e polares. Os dieltricos apolares (Fig. 5.8)
apresentam tomos ou molculas, com ncleos muito pequeno positivamente carregado, e uma
nuvem eletrnica (eletrosfera) com simetria esfrica. Na presena de um campo eltrico externo
uniforme

E
0
, produzido pelas placas carregadas do capacitor, as molculas do dieltrico
respondem com uma separao de cargas, efeito conhecido como polarizao. As cargas positivas,
presentes nos ncleos dos tomos, sofrem uma fora no mesmo sentido de

E
0
. As cargas
negativas, presentes nas eletrosferas, sentem uma fora

(a) Neutro

E
0
=0 (b) Polarizado

E
0
0
Figura 5.8 Esquema representando tomo ou molcula apolar (a) sem aplicao de uma campo eltrico externo

E
0
, apresenta uma distribuio de carga com simetria esfrica e nenhum nenhum efeito; (b) com aplicao de um
campo eltrico externo, os ncleos (positivos) sentem uma fora no mesmo sentido de

E
0
, sofrendo um ligero
deslocados, e eletrosfera (negativa) sente uma fora no sentido inverso deformando-se.
no sentido inverso de

E
0
. Nesse caso, o campo eltrico externo provoca uma separao de
cargas produzindo no interior do dieltrico uma polarizao induzida (Fig. 5.9-a) . O efeito lquido
(efeito resultante) no interior do dieltrico a formao de uma densidade de carga induzida (Fig.
5.9-b) +
ind
prximo a placa negativa, e uma densidade de carga induzida -
ind
prximo da placa
com carga positiva. No interior do dieltrico, surgir um campo induzido

E
ind
, oposto ao campo
entre as placas, reduzindo o campo interno, ou seja,

E=E
0
E
ind
. (5.21)
Fig 5.9 (a) A ao do campo eltrico externo produz uma polarizao induzida nas nos tomos ou molculas apores do
dieltrico; (b) prximo da placa com carga positiva o dieltrico tem uma densidade de carga -
ind
, e prximo da placa
com carga negativa o dieltrico tem uma densidade de carga induzida +
ind
, criando um campo

E
ind
, oposto ao
campo entre as placas .
onde k > 1 referida constante dieltrica. Pela equao (5.4), o potencial no interior tambm
diminuir por um fator ,

V =
V
0

, (5.22)
onde V
0
o potencial entre as placas sem dieltrico. Visto que a carga Q
0
no capacitor no se altera,
fcil de concluir que a capacitncia deve se alterar conforme
C=
Q
0
V
=
Q
0
V
0
/
=
Q
0
V


C=kC
0
, (5.23)
(a)
(b)
onde C
0
a capacitncia na ausncia do dieltrico.
Em um capacitor completamente preenchido por um dieltrico, a sua capacitncia aumenta por
um fator , de modo que a equao (5.11) passa a ser escrita como

C=
c
0
A
d , (5.24)
onde a permissividade do meio dieltrico definida por

c=c
0
, (5.25)
de modo que, a capacitncia pela equao (5.24) pode ser escrita como

C=
c A
d
. (5.26)
Para uma dada separao d, a voltagem mxima que pode ser aplicada em um capacitor, sem
provocar descarga, depende da rigidez dieltrica do dieltrico. Na prtica, a rigidez dieltrica
representa a intensidade mxima do campo eltrico que o dieltrico suporta sem que sofra uma
ionizao. Se um dieltrico for submetido a um campo eltrico maior que a rigidez dieltrica, o
dieltrico perder sua propriedade isolante, se tornando condutor. Um exemplo prtico do
rompimento da rigidez dieltrica na natureza, a descarga eltrica (queda de um raio) num dia
chuvoso. A tabela 5.1 mostra a constante e a rigidez dieltrica para diversos materiais temperatura
ambiente.
Tabela 5.1 - Constante e a rigidez dieltrica para diversos materiais temperatura ambiente.