Version du 21 septembre 2011 21 septembre 2011

ISAL1`03 Scancc 3 Caractcri-tiquc- ccctriquc-

dunc ccuc jhotovotaquc
J.-C. Charlier, X. Gonze, J.-P. Raskin, et G.-M. Rignanese
Mercredi 5 octobre 2010
1 Introduction
Dans cette seance, nous etudions les ux electriques presents dans une cellule photo-
voltaque. Une cellule photovoltaque peut etre modelisee, de mani`ere simpliee, comme
un generateur dintensite electrique (fournie par lillumination), couple `a une diode, en
presence de certaines resistances internes parasites. Nous expliquons bri`evement le com-
portement dune diode. Ce mod`ele permet de trouver, pour dierentes illuminations,
lintensite electrique en fonction de la dierence de potentiel aux bornes de la cellule
photovoltaque. A partir de ces donnees, les caracteristiques electriques dune cellule pho-
tovoltaque peuvent etre comprises.
Projet : Comprehension et resolution numerique dun mod`ele simple permettant de
calculer lintensite electrique en fonction de la dierence de potentiel aux bornes de la
cellule photovoltaque.
Objectifs : Comparaison avec des donnees concernant des cellules commercialisees, et
validation ou critique du mod`ele.
2 La jonction p-n
Nous avons vu dans la seance 2 quun photon absorbe par le materiau actif semicon-
ducteur present dans une cellule photovoltaque, est converti en une paire electron-trou.
Apr`es dissipation denergie sous forme thermique, lelectron et le trou subsistent avec un
exc`es denergie egal ` a la valeur de la bande interdite du semiconducteur.
Dans une cellule photovoltaque, un phenom`ene supplementaire, base sur lexistence
de bandes denergies dans les semiconducteurs, est mis en oeuvre. Alors quun semicon-
ducteur pur, ` a basse temperature, ne permet pas le passage dun courant electrique, il
est possible de modier le semiconducteur, an de creer des regions qui permettent le
passage soit dun courant delectrons, soit dun courant de trous. Et de plus, de telles
regions peuvent etre jointes lune ` a lautre, voir la Figure 1, dej`a mentionnee dans la
seance precedente.
De telles regions sobtiennent en introduisant dans le materiau semiconducteur (par
exemple du silicium), de tr`es petites quantites datomes qui ont une electronegativite
dierente de celle du semiconducteur. Par exemple, lintroduction de phosphore dans du
silicium va faciliter le passage du courant associe `a un ux delectrons dans la bande de
conduction, mais ne va pas diminuer le comportement bloquant du materiau en ce qui
concerne le passage du courant associe aux trous laisses par manque delectrons dans la
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Figure 1 Principe de separation de charge dans un jonction p-n : une des regions laisse
passer les electrons mais bloque les trous tandis que lautre region laisse passer les trous
mais bloque les electrons.
bande de valence. De mani`ere similaire, lintroduction datomes daluminium ne va pas
faciliter le passage du courant associe aux electrons de conduction, mais va permettre le
passage du courant associe aux trous dans la bande de valence. Lintroduction de telles
impuretes dans un materiau h ote sappelle le dopage du semiconducteur. Le dopage
permettant le passage delectrons de conduction (p.ex. avec des atomes de phosphore, qui
poss`edent 5 electrons de valence, au lieu de 4 pour le silicium, et qui donnent un de leurs
electrons pour conduire lelectricite ) est appele dopage de type n (pour negatif), tandis
que le dopage permettant le passage de trous associes ` a des electrons de valence (p.ex.
avec des atomes daluminium, qui poss`edent 3 electrons de valence, et qui capturent ou
acceptent un electron) est appele dopage de type p (pour positif).
Le dispositif electronique obtenu par la mise en contact dune zone de type n avec
une zone de type p est appele jonction p-n, et forme une diode. Nous nexplorerons pas
plus les phenom`enes physiques qui se produisent dans une diode, mais nous introduisons
dans la suite de cette seance un mod`ele qui decrit le comportement electrique dune telle
diode.
Remarque importante
Neanmoins, une comprehension plus ne de la physique des jonctions p-n est demandee
dans ce projet, et devra apparatre clairement dans le rapport. Pour ce faire, il est de-
mande de lire attentivement le document SC diode PV.pdf disponible sur iCampus.
Ensuite, il est suggere de se documenter par le biais de la lecture de livres (disponibles
en biblioth`eque), de syllabus, darticles dintroduction disponible sur le Web (garder un
sens critique, il sagit de points dentree dans la litterature scientique !), voire darticles
de vulgarisation scientique de niveau susant ... La mention correcte et compl`ete des
sources est indispensable dans le rapport.
3 La diode
Une diode va permettre le passage dun courant en reponse ` a une tension appliquee.
Toutefois, au lieu dobserver la loi dOhm, on observe, pour des voltages qui ne sont pas
trop grands (en valeur absolue, de lordre de la valeur de la bande interdite), un courant
qui est non-lineaire par rapport ` a la tension appliquee :
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I = I
0
(e
qV/k
B
T
1) (1)
Dans cette equation, I est lintensite electrique (exprimee en Amp`ere), obtenue par
lapplication dune dierence de potentiel V (exprimee en Volt) aux bornes de la diode.
q est la valeur absolue de la charge de lelectron (soit 1, 60210
19
Coulomb), T est la
temperature (exprimee en Kelvin), et k
B
est la constante de Boltzmann (soit 1.38110
23
J/K).
I
0
est appele le courant de fuite : il sagit du courant obtenu, par cette formule, dans
la limite asymptotique de voltages tr`es negatifs).
Question 1.
Representez graphiquement cette fonction, en prenant 1nA = 10
9
A comme courant de
fuite, ` a temperature ambiante. Etudiez le comportement en temperature : dune part, une
cellule peut devoir fonctionner dans des climats tr`es froids, et dautre part, le rayonnement
solaire peut etre concentre provoquant des temperatures de fonctionnement qui exc`edent
la centaine de degres Celsius.
Vous observez que le courant passe facilement pour une tension appliquee positive,
au-dessus dun certain seuil, tandis que le courant ne passe pas lorsque la tension ap-
pliquee est negative. Il sagit dun dispositif electronique qui a un eet similaire ` a un
clapet mecanique : ce dernier permet le passage dun uide dans une direction, mais
pas dans lautre, selon la dierence de pression appliquee de part et dautre du clapet.
4 Mod`ele dune cellule photovoltaque
Figure 2 Circuit equivalent dune cellule photovoltaque
Le mod`ele dune cellule photovoltaque avec lequel nous allons travailler est represente
` a la Figure 2. Il est compose dun generateur de courant (composant de gauche, corres-
pondant au courant des paires electron-trou generees par lillumination), mis en parall`ele
avec une diode (composant central) et une resistance interne R
sh
(sh pour shunt, terme
anglais qui designe une resistance en parall`ele, qui court-circuite un composant impor-
tant, voir http ://en.wikipedia.org/wiki/Shunt (electrical) ), ces trois composants etant
en serie avec une resistance R
s
. Lintensite de courant fourni par le generateur vaut I
ph
(ph pour photon).
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Nous etudions dabord ce mod`ele en faisant abstraction des deux resistances, cest-`a-
dire que (R
sh
= ; R
s
= 0). Le courant I
ph
est alors egal au courant de court-circuit I
sc
(sc pour short-circuit).
Question 2.
Trouvez la relation entre courant electrique et voltage lorsque (R
sh
= ; R
s
= 0).
Lorsque les bornes de la cellule ne sont pas connectees, trouvez la valeur du voltage
aux bornes, appele V
oc
(oc pour open circuit). Representez graphiquement la relation
courant-tension, pour dierentes valeurs de I
ph
allant de 0.5 A ` a 5 A (le courant de fuite
est toujours xe `a 1 nA). La tension V
oc
augmente-t-elle avec la temperature ?
Le regime de fonctionnement habituel dune cellule correspond ` a un voltage V inferieur
` a lenergie de la bande interdite du semiconducteur (sous cette condition la formule (1)
est raisonnablement valide), pour lequel une intensite de courant circule neanmoins, en
opposition ` a la tension appliquee, permettant de generer un travail utile. La puissance
electrique etant le produit (courant voltage), il existe un voltage qui donne un maxi-
mum ` a la puissance. Ce maximum est moindre que le produit I
sc
V
oc
, le rapport des deux
etant appele le facteur de remplissage.
Question 3.
Trouvez la relation entre puissance et voltage lorsque (R
sh
= ; R
s
= 0). Determinez
le voltage permettant un maximum de generation de puissance. Quel est le facteur de
remplissage ? (De nouveau pour dierentes valeurs de I
ph
allant de 0.5 mA ` a 10 mA, le
courant de fuite etant toujours xe `a 1 nA).
Question 4.
Introduisez les resistance R
sh
et R
s
dans les equations du mod`ele. En xant une valeur
de I
ph
, representez graphiquement la relation entre courant electrique et voltage lorsque
(R
sh
= ; R
s
= 0) dune part, et lorsque (R
sh
= ; R
s
= 0) dautre part. Com-
ment se comporte le voltage lorsque les deux bornes ne sont pas connectees ? Comment
se comporte lintensite lorsquil y a court-circuit entre les bornes ? Quelle est la puissance
maximale disponible ? Quel est le facteur de remplissage ? Y a-t-il une valeur minimale
pour le facteur de remplissage ? La tension V
oc
augmente-t-elle avec la temperature ?
5 Etude de cas
Sur la base du mod`ele presente dans les sections precedentes, il est possible danalyser
les informations disponibles chez les fabricants ou bien glanees sur le Web.
Le paragraphe suivant est tire de http ://en.wikipedia.org/wiki/Solar cell eciency :
A high quality, monocrystalline silicon solar cell, at 25C cell temperature, may pro-
duce 0.60 volts open-circuit (V
OC
). The cell temperature in full sunlight, even with 25C
air temperature, will probably be close to 45C, reducing the open-circuit voltage to 0.55
volts per cell. The voltage drops modestly, with this type of cell, until the short-circuit
current is approached (I
SC
). Maximum power (with 45C cell temperature) is typically
produced with 75% to 80% of the open-circuit voltage (0.43 volts in this case) and 90%
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of the short-circuit current. This output can be up to 70% of the V
OC
x I
SC
product. The
short-circuit current (I
SC
) from a cell is nearly proportional to the illumination, while the
open-circuit voltage (V
OC
) may drop only 10% with a 80% drop in illumination. Lower-
quality cells have a more rapid drop in voltage with increasing current and could produce
only 1/2 V
OC
at 1/2 I
SC
. The usable power output could thus drop from 70% of the V
OC
x I
SC
product to 50% or even as little as 25%. Vendors who rate their solar cell power
only as V
OC
x I
SC
, without giving load curves, can be seriously distorting their actual
performance.
Le document joint (disponible en http ://us.sunpowercorp.com/residential/products-
services/products/panels.php), presente un panneau solaire commercialise (SunPower E19
/ 315 Solar Panel). Les sections electrical data et I-V curves de ce document sont des
informations techniques caracteristiques dun panneau dexcellente qualite.
Question 5.
Il vous est demande detablir autant que faire se peut, des connections entre le mod`ele
presente dans les sections precedentes, la section tiree de Wikipedia et les information
techniques du document joint. Toutefois un parametrage du mod`ele sur les donnees du
fabricant ne permet pas de reproduire le comportement en temperature de celles-ci. Met-
tez en evidence ce probl`eme.
Question 6.
En tenant compte des acquis des precedentes seances, il vous est demande danalyser le
rendement energetique des cellules commercialisees par rapport au rendement theorique
(sous les hypoth`eses simples de la creation dune paire electron-trou par photon incident,
et de la production de courant electrique pour chaque paire electron-trou)

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Annexe : exemple de code matlab pour tracer le graphe de fonctions.
1. Fichier CaracteristiqueDiode.m
k=1.381e-23;
q=1.602e-19;
I0=1e-9;
npt=100;
Vmax = (k*373)/q*log(1+500e6);
V=linspace(-0.6,Vmax,npt);
I=zeros(npt,3);
T = 293;
I(:,1)=I0*(exp(q*V/(k*T))-1);
T = 273;
I(:,2)=I0*(exp(q*V/(k*T))-1);
T = 373;
I(:,3)=I0*(exp(q*V/(k*T))-1);
figure(100) ;
plot(V,1000*I,LineWidth,2.5);
ylim([-I0,500]);
legend(T=293 K, T=273 K, T=373 K, location, NorthWest);
title(Caracterisque I-V dune diode pour I0 = 1 nA,FontSize,14);
xlabel(Tension (V));
ylabel(Intensite (mA));
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