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Capitulo 03a - BJT - Electrnica Aplicada I - Mag. De Pasquale Pgina 1

CAPTULO 3: TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

3.1 Estudio en corriente continua (dc) y gran seal

Estructura simplificada y polaridades para BJTs funcionando en modo
normal y en la regin activa.






v
CE
= v
CB
+ v
BE







v
EC
= v
BC
+ v
EB

Para ambos i
E
= i
C
+ i
B


En el modo inverso se invierten los roles entre colector y emisor,
manteniendo las polaridades como antes para funcionamiento en la regin activa.

Resumen de las relaciones i-v en un BJT funcionando en el modo normal y
regin activa. Del modelo de Ebers-Moll, suponiendo los sentidos de corriente de
la Fig. 3.1.1, para un npn tenemos para dc y gran seal,
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )
|
|
|
|
|
|
|
|
|
.
|

\
|
+ =
+ =
=
=
1 1 ) 3
1 1 1 1 ) 3
1 1 ) 2
1 1 ) 1
/ /
/ /
/ /
/ /
T BC T BE
T BC T BE
T BC T BE
T BC T BE
V v
R
S
V v
F
S
B
V v
CS R
V v
ES F B
V v
R
S
V v
S C
V v
S
V v
F
S
E
e
I
e
I
i b
e I e I i a
e
I
e I i
e I e
I
i
| |
o o
o
o
;

Emisor
tipo n
Colector
tipo n
Base
tipo p
E
B
C
Emisor
tipo p
Colector
tipo p
Base
tipo n
E
B
C
v
CB

v
BE

+ v
CE
-
i
B

i
C

i
E

E
B
C
v
EB

- v
EC
+
v
BC

i
B

i
C

i
E

C
E
B
Figura 3.1.1
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o
F
I
ES
= o
R
I
CS
= I
S
; I
CBO
= I
CS
(1 - o
F
o
R
)

De ahora en ms, o = o
F
y | = |
F
ya que siempre trabajaremos en modo normal y
regin activa,
De 2)
T
BE
V
v
S C
e I i ~
si v
BE
> 0 y >> V
T
, v
CB

|
|
|
.
|

\
|
= ~
+ =
E
C
E C
CBO E C
i
i
i i
I i i
o o
o


en base comn(3.1.1)
Para transistores pnp tmese v
EB
. Tomaremos n = 1 cuando el transistor opere
en la zona normal de corriente segn su lmite. Para elevada corriente respecto a la
normal o para muy baja corriente se tomar n = 2. I
CBO
o I
CO
es la corriente de
portadores minoritarios entre colector y base con el emisor en circuito abierto.
Tambin llamada corriente inversa de saturacin como en los diodos; recordando
que es mucho mayor que I
S
pues tiene una componente importante de fugas y
variable con la tensin V
CB
; es del orden de nanoamperes, en general mucho mayor
que el valor terico por lo dicho anteriormente. Se duplica aproximadamente cada
10C.
Tanto en transistores npn como pnp, se tiene

C B E
i i i + =
(3.1.2)
Con la ecuacin (3.1.2) en la (3.1.1) queda,
i
C
= oi
B
+ oi
C
+ I
CBO

CBO B C
I i i
o o
o

=
1
1
1

(3.1.3)

o
|
o
o
|

= +

=
1
1
1
1
resulta
(3.1.4) y (3.1.5)
Con las ecuaciones (3.1.4) y (3.1.5) en la (3.1.3) se tiene,

B CBO B C
i I i i | | | ~ + + = ) 1 (
(3.1.6)

Despreciando el trmino con (| +1)I
CBO
= I
CEO
se obtiene,

FE
B
C
h
i
i
= |
Ganancia de corriente en EC
de gran seal o continua
Las corrientes son totales.
De las ecuaciones anteriores queda,
T
BE
V
v
S B
e I i ) / ( | =
;
1 + = |
B
E
i
i
(3.1.7)
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- 2 mV/C
La ecuacin (3.1.6) es vlida para todas las configuraciones (EC, CC y BC). Para
transistores modernos | entre 100 y 600, en dispositivos especiales hasta 1000. De
la ec. (3.1.4) o es constante (para cada transistor particular) que es muy cercana a la
unidad (ganancia de corriente en base comn). Es decir para | = 100 tenemos o
~ 0,99. La ecuacin (3.1.4) muestra que para pequeos cambios en o resultan
cambios muy grandes en |. Esta observacin matemtica se manifiesta fsicamente
en que transistores del mismo tipo tienen valores muy diferentes de |. En el modo
inverso el | se indica |
R
, normalmente es mucho menor que en modo directo
(<|
F
/10), y con el o ocurre algo similar.
La Fig. 3.1.2 muestra la variacin de | con respecto a I
C
y la variacin de V
BE

con la temperatura.

Dependencia de h
FE
con I
C
: Dependencia de v
BE
con T:
















3.2 Curvas caractersticas en emisor comn

Operando en modo normal se reconocen las siguientes regiones de
funcionamiento:
Modos de operacin JBE JBC
Corte (cutoff) Inversa Inversa
Activo Directa Inversa
Saturacin Directa Directa

De la caracterstica de salida Fig. 3.2.2 vemos:

I
C
h
FE
Figura 3.1.2
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a) Regin de saturacin: V
CEsat
~ 0,2 V, el transistor conduce una corriente
apreciable, prcticamente sin cada en colector-emisor. Aqu el h
FE
tiene valores
muy inferiores que en la regin activa y variable lo cual no da mucho sentido su
uso.
b) Regin de ruptura: para valores grandes de v
CE
se produce la ruptura por
avalancha que deteriora el dispositivo a BV
CE
.
c) Regin activa: en esta regin se cumple la ecuacin (3.1.6). Corresponde al
funcionamiento lineal que tiene como lmites la tensin anterior y la corriente
mxima de colector.
d) Regin de corte: lmite inferior de corriente de colector por debajo del cual se
considera que no circula corriente.

En las ecuaciones (3.1.1) a (3.1.7), se puede observar que la i
C
es independiente
del valor de voltaje de colector mientras la unin colector base permanezca
polarizada inversamente, es decir v
CB
> 0. Por lo tanto el colector se comporta como
una fuente ideal de corriente constante controlada por la base como se ve en la
Figura 3.2.1. Sin embargo la pendiente positiva que se puede observar en las curvas
de salida reales indica la existencia de una resistencia de salida finita dada por:

r
o
= cv
CE
/ci
C
~ Av
CE
/Ai
C


(con v
BE
constante) debido a la tensin Early. Esto se debe a la tensin v
CB
, que al
aumentar aumenta la regin de agotamiento de carga (deplexin) y disminuye el
ancho eficaz de la base W, por lo tanto aumenta i
C
con v
CE
. Se puede modelar esto
como
|
|
.
|

\
|
+ =
A
CE
V
v
S C
V
v
e I i
T
BE
1
(3.2.1)
Con lo cual resulta r
o
~ |V
A
|/I
C


Grficamente se puede obtener como lo indica la Fig. 3.2.3. V
A
es un parmetro del
transistor variable entre 50 y 100 Volts.
Vemos que para saltos iguales AI
B
no corresponden saltos iguales en AI
C
lo que
hace que h
FE
sea funcin de I
C
. Para grandes excursiones de seal produce la
deformacin de la onda de salida (distorsin).
Las caractersticas de salida ideales, Fig. 3.2.1, se pueden trazar haciendo:

i
C
= h
FE
.i
B


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La caracterstica de salida real de un transistor npn en emisor comn (EC o
CE) se puede observar en las Fig. 3.2.2 a 3.2.4:

Visualizacin del efecto Early.




Figura 3.2.2
Figura 3.2.3
i
C
v
CE
V
CEsat
50A
10A
40A
30A
20A i
B
Figura 3.2.1
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Caractersticas en emisor comn expandidas en la regin de saturacin
















definicin en general,
B
C
i
i
= |

de continua en el punto Q de reposo,
FE
BQ
CQ
dc
h
I
I
= |

de seal, alterna o incremental,
fe
B
C
ac
h
cte v
i
i
CE
=
=
A
A
| |

|
dc
y |
ac
difieren alrededor del 20% entre s, por ello salvo mencin en contrario, se
debern tomar del mismo valor.


3.3 Modelos del transistor para gran seal y continua

Para transistores npn en emisor comn, en la zona activa, tenemos los modelos que
se muestran en la Fig. 3.3.1,









Figura 3.3.1
Figura 3.2.4
|I
B

I
Csat

V
CEsat

Pendiente =1/R
CEsat

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Podemos agregar modelos simples en la regin activa y de saturacin para
clculos rpidos de las corrientes cuando el transistor opera en corriente continua.
Para transistores npn y pnp, en la regin activa, se observan en la Fig. 3.3.2
los modelos correspondientes,









En la Fig. 3.3.3 a) tenemos un transistor npn que trabaja en saturacin
excitado por una fuente de corriente constante I
B
. Observamos en b) la curva
caracterstica para la corriente i
B
= I
B
, aproximada por una recta de pendiente
1/R
CEsat
. En c) vemos al circuito equivalente del transistor saturado y en d) una
versin simplificada de c) muy til.





















Para el corte, se considerar al transistor como un circuito abierto.
Figura 3.3.2
C
B
E
V
BE
= 0,7 V
|I
B

I
C

I
B

I
E

B
E
C
|I
B

V
EB
= 0,7
V
I
B

I
C

I
E

Figura 3.3.3