1. 0)Sensitivity (sensibilita`) 2. Permette di valutare l'influenza del cambiamento di un parametro, componente, grandezza su una funzione del sistema.

Il cambiamenti può essere dovuto alle tolleranze, invecchiamento, variazioni della temperatura.. 3. S relativa = df(x)/dx * x/f(x) | S semirelativa = df(x)/dx *x | S assoluta = df(x)/dx 4. 5. 1)I passi richiesti per linearizzare un componente elettronico: 6. Si trova il punto di funzionamento a riposo (bias point), si linearizza intorno a quell punto (Taylor troncato al primo ordine), si toglie il contributo delle componenti continue (si spostano l’origine degli assi sul punto di lavoro). Per ottenere il range di funzionamento del dispositivo, è sufficiente maggiorare il primo ordine dello sviluppo con il secondo, si ottengono cosi i limiti di validità della linearizzazione. 7. 8. 2)Modello di piccolo segnale di un transistore npn, indicando come si calcolano i vari parametri.Differenze del modello di un npn rispetto a un pnp. 9. Il modello π, con rπ, gm,(oppure β) e r0, capacita` parassite Cπ e Cμ. I valori sono rπ=βVT/Ic, gm=Ic/VT e r0= VA/Ic (oppure anche r0= (VA+Vce)/Ic). Le capacità parassitè impongono dei limiti alle regioni di funzionamento del dispostitovo, Cμ*100≈Cπ. Il modello di piccolo segnale di un pnp e` identico a quello di un npn. 10. 11. 2)Modello di piccolo segnale di un transistore nMOS, indicando come si calcolano i vari parametri.Differenze del modello di un nMOS rispetto a un pMOS. 12. Paremtri modello gm=sqrt(2*Kn*W/L*Ids) Ids=Kn*W/2L*(Vg-Vth)^2 go=λIds. Le capacità parassitè Cgs e Cgd impongono dei limiti alle regioni di funzionamento del dispostitovo. Il gate di un mosfet è assimilabile come l’armatura di un condensatore, con capacità nell'ordine dei pF. Le due capacità Cgs e Cgd rappresentano l’accoppiamento tra il gate e gli altri due elettrodi. Il modello di piccolo segnale di un nMOS e` identico a quello di un pMOS. 13. 14. 2b)Caratteristica statica MOS in zona triodo e in saturazione, considerando l’effetto di modulazione della lunghezza di canale 15. In saturazione Ids=Kn/2*W/L*(Vgs-Vtn)^2*(1+Vds/va) | In zona triodo = Ids=Kn/2*W/L*[(Vgs-Vtn)*Vds-(Vds^2)/2]*(1+Vds/Va) 16. 17. 3)Indicare le impedenze di ingresso viste da drain, gate e source di un mos,Supponendo quando necessario il source o il drain al potenziale di riferimento e con λ≠0. 18. ZGin= ∞ || ZDin= r0 || ZSin= (1/gm)//r0 || r0->∞ = 1/gm || Ft= 1/2pi *gm/(Cgs+Cg) 19. 20. 3)Impedenze di ingresso viste da collector, base e emitter di un bjt. 21. ZBin=rbb+rpi+(1+b)ZE || ZCin=∞ (più accuratamente r0) || ZEin=(Zb+rbb+rpi)/(B+1) || Ft= 1/2pi*gm/(Cpi+Cu) 22. 23. 3b) Configurazione MOS: 24. Source Comune [ Zin=Rgeq <-> Zout=ro||Rd ≈ Rd <-> Av=-gmRD (NO Rs) Av=-gmRd/ (1+gmRs) (CON Rs) ] 25. Drain Comune [ Zin=Rgeq <-> Zout=Rs||Zs <-> Av=gmRs/(1+gmRs) ] 26. Gate Comune [ Zin=Rs||Zs <-> Zout=Rd||Zd <-> Av=Rdgm meglio Rd/(Rin+1/gm)] 27. 28. 3b) Configurazione BJT: 29. Emett. Comune [ Zin=Rbeq||Zb <-> Zout= Rc||ro ≈ RC <-> Av=-gmRc (NO RE) Av=((Rc*β)/(rbb+rπ+(β+1)Re)) (CON RE) ]

consiste nella variazione della larghezza della base. 6) Metodo delle costanti di tempo 40. circuito non retroazionato. Deve essere verifica l'ipotesi che che l’impedenza di un elemento reattivo non vada ad influenzare la resistenza equivalente vista dall’altro. corrente in uscita dal generatore. 35. Definisce i valori massimi di tensione e corrente per i quali il dispositivo può funzionare senza rischiare l'autodistruzione. Consiste nel calcolo di due parametri. 7) Teorema di Norton 43. si calcola la 47. 52. Nel modello di piccolo segnale. 1. 51. Effetti Sensitivity. 48. Gli errori che compiamo sono nell'ordine del 10%. 42. Amplificatore di TENSIONE : [Prelievo in Tensione | Confronto in Tensione ] 57. Colle. 2. Effetti Zin [Confronto serie (tesione) -> Auenta Zin | Confronto Parallelo (corrente) -> Diminusce Zin ] 55. Infatti. 41. Sia B un bipolo di impedenza Z afferente ai nodi N1 e N2. provoca un aumento della larghezza della regione di svuotamento che nella peggiore delle ipotesi cortocircuità la base. dovuta ad una variazione della tensione di collettore. 36. definiamo la massima potenza dissipabile come Pd≈IcVce 38. 31. è sufficiente cortocircuitare il nodo di prelievo a 0V. e Zu=Vp/Ip. e lavorerò con un normalissimo 45. il guadagno risulta meno dipendente alla variabilità dei componenti attivi. 33. Aumenta la linearità complessiva dell’amplificator. 5) SOA [safe operating area] 37.Per la i. Con buona approssimazione. 8) Teorema di MILLER [trasformazione impedenza] 50. Effetti Zout [Prelievo tensione (parallelo) -> Diminisce Zout | Prelievo Corrente (serie)-> Aumenti Zout ] 54. cosi facendo non "vanifico" la retroazione. Per usare questo metodo. i segmenti devono essere distanti almeno una decade. se ne calcola quindi per ogni componente reattivo la sua τ e le si dispone su di un asse del tempo. Comune [ Zin=Rbeq||Zb <-> Zout= Re||Ze <-> Av= (β+1)Re/(rbb+rπ+(β+1)Re)] Base. e questo lo si paga con un minor guadagno.Pe la Zu . 56. Quindi si procede considerando prima L'elemento chiuso o aperto. 49. l'aumento della Vce. Aumento della banda passante del sistema controreazionato. e l’impedenza equivalente Zu. distruggendo il transistor. questo contributo è rappresentato dalla ro. 4)Effetto EARLY [Modulazione della larchezza effettiva di base] 34. riducendone le distorsioni. 9) RETROAZIONE 53.30. Il teorema è efficente se abbiamo un prelievo in tensione. si spengono tutti i generatori indipendenti. di impedenze Z1=Z/(1-Av) Z2=Z/(1-Av/1) dove Av è la funzione di trasferimento del blocco tra i nodi N1 e N2. Amplificatore di CORRENTE : [Prelievo in Corrente | Confronto in Corrente ] . si pone sull’uscita un generatore di tensione al posto del corto circuito. è ed responsabile dell'andamento lineare (di tipo resisistivo) e non costante della Ic in funzione della Vce. 39. Riferita ai transistori BJT. 44.ossia la corrente equivalente i. 46. Comune [ Zin=Re||Ze <-> Zout= Rc||ro ≈ RC <-> Av=gmRc meglio β/ (rbb+β/gm)] 32. Il teorema di Miller afferma che B può essere sostituito da due bipoli B1 e B2 connessi rispettivamente tra N1 e N0 e tra N2 e N0 (N0 è un nodo di riferimento).

Per il calcolo di una impedenza mediante blackman. si spengano tutti i generatori indipendenti. Amplificatore di Transresistenza : [Prelievo in Tensione | Confronto in Corrente ] 60. 1. Amplificatore di Transconduttanza : [Prelievo in Corrente | Confronto in Tensione ] 59. Si individua un generatore dipendente all’interno dell’anello. Si scelga un generatore dipendente da una grandezza pilota (Possibilmente connesso con un riferimento a massa). 61. 11)Blackman: 65. 2. Rd = E' la resistenza vista ai capi a sistema morto. possibilmente riferito al potenziale zero. 68. sostituendolo con un generatore indipendente dello stesso tipo (V o I) di valore Xp (X puo` essere V o I). cioè quando (viene spento il generatore dipendente scelto) 67. . Il guadagno di anello (rapporto di ritorno) è dato da T=-Xr/Xp 63. 3. la resistenza equivalente vista tra daii due morsetti scelti è =Rd*(1+Tsc)/(1+Toc) ` 66. 10) Indicare brevemente come si trova il guadagno di anello con il metodo di Rosenstark 62. Toc =E' il fattore di riporto ottenuto aprendo i terminali da cui "guardiamo". Si calcola il valore Xr ( Ir o Vr) generato dal generatore dipendente eccitato dal generatore di prova Xp. Tsc =E' il fattore di riporto ottenuto cortocircuitando i terminali da cui "guardiamo". lo si mette “da parte”. 64.58.