Escola SENAI “Prof. Dr. Euryclides de Jesus Zerbini” Campinas – S.P.

2003

Eletrônica II

Eletrônica II

 SENAI-SP, 2001
Trabalho elaborado pela Escola Senai “Prof. Dr. Euryclides de Jesus Zerbini”

Coordenação Geral

Magno Diaz Gomes

Equipe responsável

Coordenação

Luíz Zambon Neto

Elaboração

Edson Carretoni Júnior

Versão Preliminar

SENAI - Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial Escola SENAI “Prof. Dr. Euryclides de Jesus Zerbini” Avenida da Saudade, 125, Bairro Ponte Preta CEP 13041-670 - Campinas, SP senaizer@sp.senai.br

Eletrônica II

Sumário

Osciloscópio Medição de Sinais com Osciloscópio Gerador de Funções Diodo Semicondutor Diodos Especiais Circuitos Retificadores Circuito Retificador com Filtro Transistor Bipolar Ponto de Operação do Transistor Polarização do Transistor Características do Transistor Bipolar Reguladores de Tensão Regulador Monolítico Amplificador Operacional Amplificador Não-Inversor Tiristores SCR TRIAC FET – Transistores de Efeito de Campo Referências Bibliográficas

5 25 49 55 81 97 117 135 159 179 209 223 237 249 279 289 293 311 321 341

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Eletrônica II

Osciloscópio

Uma das grandes dificuldades que os técnicos enfrentam na reparação de circuitos eletrônicos é esta: os fenômenos que ocorrem nos componentes eletrônicos são abstratos; ou seja, tudo acontece sem que se possa ver. Conseqüentemente, toda a reparação é feita também a partir de raciocínios, de forma abstrata. Daí a importância do osciloscópio para o técnico. É através desse instrumento que variações de tensão em um componente do circuito são transformadas em figuras, ou seja, em formas de ondas mostradas em uma tela. Isso torna possível a análise do comportamento do componente analisado dentro do circuito a ser reparado. Vamos tratar dos controles básicos e da preparação do osciloscópio para o uso. Desse modo, você saberá como utilizar posteriormente esse instrumento nos mais diversos tipos de medições.

Osciloscópio O osciloscópio é um equipamento que permite ao técnico em manutenção observar as variações de tensão elétrica em forma de figura em uma tela. Através do osciloscópio, é possível pesquisar e analisar defeitos em circuitos eletrônicos e elétricos. Na tela de um osciloscópio, as imagens são formadas unicamente pelo movimento rápido de um ponto na horizontal e vertical, como em um aparelho de televisão.

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Quando o movimento do ponto é rápido, a imagem que se observa na tela é uma linha. As imagens se formam na tela do osciloscópio mediante movimentos simultâneos no sentido vertical e horizontal. A figura a seguir mostra um modelo de osciloscópio de traço simples com o painel de controle e entrada de sinal em primeiro plano.

Como se pode observar pela figura, os controles e entradas do painel podem ser divididos em quatro grupos a saber: 1. controles de ajuste do traço ou ponto na tela; 2. controles e entrada de atuação vertical; 3. controles e entrada de atuação horizontal; 4. controles e entradas de sincronismo.

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vem acoplado à chave ligadesliga (on/off) do equipamento.Eletrônica II Controles de ajuste do traço ou ponto na tela A figura a seguir destaca o grupo de controles de ajuste do traço ou ponto. visto que é comum os osciloscópios terem esse tipo de identificação. pois a tela do osciloscópio pode ser danificada. O foco deve ser ajustado de forma a obter um traço fino e nítido na tela. SENAI 7 . Esses controles são enumerados a seguir. • Foco (focus): controle que ajusta a nitidez do ponto ou traço luminoso. Observação Deve-se evitar o uso de brilho excessivo. • Brilho ou luminosidade (brightness ou intensity): controle que ajusta a luminosidade do ponto ou traço. Em alguns osciloscópios. Observação Os ajustes de brilho e foco são ajustes básicos que sempre devem ser realizados quando se utiliza o osciloscópio. Observação As designações dos controles aparecem entre parênteses em inglês.

8 SENAI . Esses controles estão enumerados a seguir. • Entrada de sinal vertical ou Y (input): nesta entrada conecta-se a ponta de prova do osciloscópio. Controles e entrada de atuação vertical A figura abaixo coloca em destaque o grupo de controles de atuação vertical.Eletrônica II • Iluminação da retícula (scale illumination): permite iluminar as divisões traçadas na tela. As variações de tensão aplicadas nesta entrada aparecem sob a forma de figuras na tela do osciloscópio.

SENAI 9 .Eletrônica II • Chave de seleção do modo de entrada (CA-CC ou AC-DC): esta chave é selecionada de acordo com o tipo de forma de onda a ser observado. a saber: CA – 0 –CC ou CA –GND – CC. • Chave seletora de ganho vertical (volt gain ou volt/div): com essa chave é possível aumentar ou diminuir a amplitude de uma projeção na tela do osciloscópio. usa-se a posição adicional 0 ou GND para ajustar o osciloscópio. esta chave tem três posições. Em alguns osciloscópios. A figura a seguir mostra o que ocorre com a imagem na tela quando se movimenta a chave seletora. Observação Em algumas situações.

Controle de atuação horizontal A figura a seguir coloca em destaque os controles de atuação horizontal. aumentar ou diminuir a amplitude da imagem na tela. A movimentação não interfere na forma da imagem projetada na tela. A diferença está em que enquanto a chave seletora provoca variações de amplitude em passos (proporções definidas). o ajuste fino permite variar linearmente a amplitude. sem escala graduada.Eletrônica II • Ajuste fino de ganho vertical (fine-variable ou vernier): sua função é a mesma que a da chave seletora de ganho vertical. porém. Através desse controle. ou seja. 10 SENAI . sweep ou time/div): é o controle que permite variar o tempo de deslocamento horizontal do ponto na tela. • Posição vertical (position): esse controle permite movimentar a projeção mais para cima ou para baixo na tela. Esses controles são os seguintes: • Chave seletora na base de tempo (H. pode-se ampliar ou reduzir horizontalmente uma imagem na tela.

Girando o controle de posição horizontal para a direita. • Ajuste fino (variable): este controle permite ajustar com mais precisão o tempo de deslocamento do ponto na tela. esta chave seletora tem uma posição chamada EXT (externa). mas apenas um ponto.Eletrônica II Observação Em alguns osciloscópios. • Posição horizontal (H. o traço se move horizontalmente para a direita ou vice-versa. Essa posição permite que o deslocamento horizontal do ponto seja controlado por um circuito externo ao osciloscópio. Sincronismo da projeção O sincronismo consiste na fixação da imagem na tela para facilitar a observação. A fixação da imagem se faz mediante os controles de sincronismo do osciloscópio. não ocorre formação de traço na tela. através de uma entrada específica. SENAI 11 . Quando a posição EXT é selecionada. Atua em conjunto com a chave seletora da base de tempo. position): consiste no ajuste que permite centrar horizontalmente a forma de onda na tela.

Nessa posição. controle de nível de sincronismo. O sinal que controla o sincronismo nessa posição é aplicado à entrada de sincronismo. 12 SENAI . em geral. A chave seletora de fonte de sincronismo (“source”) é uma chave que seleciona o local onde será tomado o sinal de sincronismo necessário para fixar a imagem na tela do osciloscópio.Eletrônica II Os controles de sincronismo são os enumerados a seguir: • • • chave seletora de fonte de sincronismo. sinais esse obtidos a partir da rede elétrica. a chave seletora permite o sincronismo com base na frequência da rede de alimentação do osciloscópio (senoidal 60 Hz). Na posição externo (ext). conforme mostra a figura abaixo. consegue-se facilmente sincronizar na tela sinais aplicados na entrada vertical. quatro posições. Na posição rede (line). obtém-se o sincronismo da imagem com o auxílio de outro equipamento externo conectado no osciloscópio. chave de modo de sincronismo. Possui.

Na posição normal +. normalmente tem duas ou três posições que são: auto. normal +. fazendo com que o primeiro pico a parecer na tela seja o positivo. A posição auto permite que o osciloscópio realize o sincronismo da projeção automaticamente. SENAI 13 . normal -. com base no sinal selecionado pela chave seletora de fonte de sincronismo.Eletrônica II A chave de modo (mode) e controle de nível (level) de sincronismo. o sincronismo é positivo. As posições normal + e normal – permitem que o sincronismo seja ajustado manualmente por meio de controle de nível de sincronismo (level).

É provida de uma garra jacaré e de uma ponta de entrada sinal.Eletrônica II Na posição normal . chamada também de terra da ponta de prova. Pontas de prova As pontas de prova são utilizadas para interligar o osciloscópio aos pontos de medição. A garra jacaré. conecta-se ao ponto que se deseja medir 14 SENAI .. O primeiro pico que aparece na tela é o negativo. A extremidade livre. Uma das extremidades da ponta de prova é conectada a uma das entradas do osciloscópio por meio de um conector. deve ser conectada ao terra do circuito. Observação Estes controles serão analisados quando se tratar da utilização do osciloscópio na medição de tensão CA. e a ponta de entrada de sinal. por sua vez. o sincronismo é negativo. por sua vez. geralmente do tipo BNC. serve para fazer a conexão aos pontos de medição.

As pontas de prova 10:1 são usadas para permitir que o osciloscópio seja empregado para medição ou observações de sinais com tensões e amplitudes 10 vezes maiores que o seu limite normal de medição. entregando ao osciloscópio a décima parte da tensão aplicada à ponta de medição.Eletrônica II conector BCN Existem dois tipos de ponta de prova: • • ponta de prova 1:1. A ponta de prova 10:1 é divisora de tensão. A ponta de prova 1:1 permite aplicar à entrada do osciloscópio o mesmo nível de tensão e forma de onda aplicado à ponta de medição. um osciloscópio que permita a leitura de SENAI 15 . ponta de prova 10:1. Assim.

Eletrônica II tensões até 50V com ponta de prova 1:1. As diferenças entre o osciloscópio de traço simples e duplo traço aparecem: • • nas entradas e controles do vertical. posição vertical). 16 SENAI . O osciloscópio de duplo traço dispõe de dois grupos de controles verticais: • • um grupo para o canal A ou canal 1 (Channel 1 ou CH1). Osciloscópio de duplo traço O osciloscópio de duplo traço permite visualizar ao mesmo tempo dois sinais na tela. Observação Existem pontas de prova que dispõem de um botão através do qual se pode selecionar 10:1 ou 1:1. A figura a seguir coloca em destaque os grupos de controles do canal 1 (CH1) e canal 2 (CH2). pode ser utilizado em tensões de até 500V (10 x 50) com uma ponta de prova 10:1. Entradas e controles do vertical no osciloscópio duplo traço As imagens na tela do osciloscópio são uma projeção da tensão aplicada à entrada vertical. foco). Cada canal vertical controla um dos sinais na tela (amplitude. controles do horizontal (base de tempo e posição). um grupo para o canal B ou canal 2 (Channel 2 ou CH2). Conseqüentemente. para observar dois sinais simultaneamente é necessário aplicar duas tensões em duas entradas verticais. nos controles e entrada de sincronismo. Ele tem alguns controles que são comuns aos dois traços: • • controles básicos (brilho.

ajuste fino de ganho vertical (1D e 2D). Na posição CH2. Alguns osciloscópios dispõem ainda de um inversor (invert). o sincronismo é controlado pelo sinal aplicado ao canal 1. Na posição CH1. como se fosse de traço simples. posição vertical (1E e 2E). que é um controle que permite inverter a imagem do canal 2 obtida na tela. chave seletora de ganho vertical (1C e DC). SENAI 17 .Eletrônica II Os grupos de controles verticais dos dois canais geralmente são iguais. Modo de operação vertical de duplo traço O osciloscópio de traço duplo dispõe de uma chave seletora que possibilita o uso de apenas um dos traços na tela. Tanto o canal 1 como o canal 2 podem ser utilizados separadamente. ou seja. Cada canal dispõe de: • • • • • entrada vertical ou Y (1A e 2A). o sincronismo é controlado pelo sinal aplicado ao canal 2. chave seletora CA – 0 – CC (1B e 2B).

Eletrônica II Observação Sempre que se usar o osciloscópio de traço duplo como um de traço simples. Em osciloscópios mais sofisticados. desse modo. chave seletora de modo de sincronismo. 18 SENAI . a chave seletora deve ser posicionada no canal utilizado (CH1 ou CH2). CH2. projetando o sinal aplicado à entrada vertical do canal 2. controle de nível de sincronismo. DUAL (ou chopper). A figura a seguir coloca em destaque o grupo de controles de sincronismo. Controles de sincronismos no osciloscópios duplo traço A função dos controles de sincronismo é fixar a imagem na tela. cada um representando o sinal aplicado nas respectivas entradas verticais. Na posição CH2. aparecerão na tela dois traços. Na posição CH’ aparecerá apenas um traço na tela. projetando o sinal que estiver aplicado à entrada vertical do canal 1. Os controles de sincronismos são: • • • • chave seletora de fonte de sincronismo. Entre os grupos de controles verticais dos canais 1 e 2 existe uma chave seletora que permite determinar quantos e quais canais aparecerão na tela. entrada de sincronismo. outras opções de funcionamento. esta chave pode ter mais posições permitindo. aparecerá apenas um traço na tela. Na posição DUAL (chopper). Esta chave tem pelo menos três posições: CH1.

pode-se medir tensões de até 80 V (8 divisões. Observação Quando o valor de tensão a medir é parcialmente conhecido. caso contrário. por exemplo. Chave seletora de ganho vertical (VOLT/DIV) A chave seletora de ganho vertical estabelece a quantos volts corresponde cada divisão vertical da tela. antes de executar a medição. É importante lembrar que a posição de referência do traço na tela deve ser conferida a cada mudança de posição da chave seletora de ganho vertical e reajustada. com 8 divisões verticais na tela.Eletrônica II Estes controles serão analisados detalhadamente quando tratarmos da medição de tensão CA com osciloscópio. de 1mV a 10V. Se a tensão aplicada à entrada vertical excede o limite de medição. deve-se mudar a posição da chave seletora de ganho vertical para um valor maior. de forma que se possa fazer com que cada divisão da tela tenha valores que vão. a leitura não será correta. Quando isso acontece. 10 V/div = 80 V). se necessário. essa chave tem muitas posições. SENAI 19 . Assim. o traço sofre um deslocamento tal que desaparece da tela. a chave seletora de ganho vertical deve ser posicionada adequadamente antes de realizar a medição. selecionando para 10 V/divisão. o osciloscópio tem um limite de medição. reajustar a referência e refazer a medição. este deve ser calibrado. Em todos os osciloscópios. Ajuste fino de ganho vertical Quando o osciloscópio dispõe de um ajuste fino de ganho vertical. Em cada posição da chave seletora.

O movimento horizontal do ponto é chamado de varredura. o ajuste é feito utilizando-se uma tensão CC (ou CA quadrada) que está disponível em um borne do painel de osciloscópio. ao lado do borne no painel do osciloscópio está colocado 1VPP.Eletrônica II Em alguns osciloscópios. o osciloscópio possui três controles da base de tempo: 20 SENAI . Conecta-se a ponta de prova ao borne e ajusta-se o controle de ajuste fino. Isso deve ser feito de forma que a tensão lida na tela confira com a tensão (CC ou CA PP) indicada ao lado do borne. Por essa razão. o ajuste fino de ganho vertical já tem a posição de calibração indicada por “CAL”. Em geral. controlado pelos circuitos da base de tempo ou varredura horizontal. Conecta-se a ponta de prova ao borne e posiciona-se o ajuste fino de ganho vertical para que a figura na tela indique 1VPP. Controles da base de tempo O traço na tela de um osciloscópio é formado pelo movimento de um ponto. os controles da base de tempo do osciloscópio também são conhecidos por controles de varredura. Quando o ajuste fino não tiver posição de calibração indicada. Assim. Através dos controles da base de tempo é possível fazer com que o ponto se desloque mais rápida ou mais lentamente na tela do osciloscópio.

ajuste fino da base de tempo (H. 4 traços ou mais). Esses controles são comuns a todos os traços do osciloscópio (duplo traço. Assim. Chave seletora da base de tempo A chave seletora da base de tempo (H sweep ou time/div) é calibrada em valores de tempo por divisão (ms/div. amplificador horizontal.Eletrônica II • • • chave seletora da base de tempo (H. s/div).). Nos osciloscópios de duplo traço. ms/div. os controles da base de tempo são comuns aos dois traços. SENAI 21 . vernier). o ponto leva um milissegundo para percorrer uma divisão horizontal da tela. se a chave seletora da base de tempo estiver posicionada em 1 ms/div. Esta chave estabelece quanto tempo o ponto leva para percorrer uma divisão da tela no sentido horizontal. Esses controles da base de tempo são mostrados a seguir em um modelo de osciloscópio de traço simples. sweep ou time/div.

Eletrônica II Através da chave seletora é possível expandir ou comprimir horizontalmente a figura na tela.85 ms/div).5 ms/div.6 ms/div. 0. Ajuste fino da base de tempo Esse botão (variable) atua em conjunto com a chave seletora da base de tempo. o ajuste fino permite que se ajustem tempos entre estes dois valores (0. Permite que o tempo de deslocamento horizontal do ponto na tela seja ajustado para valores intermediários entre uma posição e outra da base de tempo. se a chave seletora da base de tempo tem as posições 1 ms/div e 0. Desse modo. 22 SENAI .

os expansores permitem que a figura seja ampliada 5 ou 10 vezes no sentido horizontal. o ajuste fino da base de tempo tem que ser posicionado em calibrado. Este controle de ajuste fino tem uma posição denominada “calibrado” ou “cal”. de forma que não é possível saber exatamente quanto tempo o ponto leva para deslocar-se numa divisão horizontal.Eletrônica II Na tela. Sempre que for necessário conhecer o tempo de deslocamento horizontal do ponto em uma divisão. Ampliador horizontal O ampliador (magnifier) é chamado também de expansor e atua na largura da figura na tela. o tempo de deslocamento horizontal do ponto em uma divisão horizontal da tela é determinado somente pela posição da chave seletora da base de tempo. o efeito do ajuste fino é de ajustar a largura da figura em qualquer proporção que se deseje. Observação Nem todos os osciloscópios trazem este controle. Um aspecto importante deve ser considerado: o ajuste fino não tem escala. Em geral. Quando o controle está na posição “calibrado”. SENAI 23 .

Responda: a) Para que serve o osciloscópio? b) De que forma as imagens se formam na tela de um osciloscópio? c) Quais são os controles de ajuste de traço ou ponto na tela? d) Qual é a diferença entre as pontas de prova 1:1 e 10:1? e) Qual é a função da chave seletora de ganho vertical? 2.Eletrônica II Exercícios 1. Relacione a segunda coluna com a primeira: a) b) c) d) Chave seletora de ganho vertical Chave de seleção CA/CC Entrada de sinal vertical Posição vertical ( ) Seleciona o tipo da forma de onda ( ) Conecta a ponta de prova ( ) Varia o tempo de deslocamento ( ) Movimenta a projeção ( ) Aumenta ou diminui a amplitude do sinal 24 SENAI .

tensões contínua e alternada. e outros. osciloscópio. freqüências e defasagens. Neste capítulo. através da forma de onda senoidal. o comportamento dos componentes eletrônicos. Ajuste da Referência SENAI 25 . aparelhos de som. triangular ou qualquer outra. Para desenvolver os conteúdos e atividades aqui apresentadas. vamos tratar da medição de sinais com osciloscópio. o osciloscópio permite verificar. Medição de tensão contínua com osciloscópio A medição de tensão CC com osciloscópio é utilizada na análise e reparação de circuitos. • seleção do modo de entrada. Vamos considerar um osciloscópio já com um traço selecionado e projetado na tela e ajustado em brilho e foco. controles industriais. você estará habilitado a usar o osciloscópio na manutenção de equipamentos eletrônicos. • conexão da ponta de prova do osciloscópio. quadrada. Isso faz com que esse instrumento seja largamente utilizado em reparos de circuitos de tv. Nesse caso.Eletrônica II Medição de Sinais com Osciloscópio Em circuitos de CA e CC. a preparação para a medição de uma tensão CC divide-se em três etapas: • ajuste da referência. Você vai aprender como se faz para obter uma projeção na tela e como se determinam valores típicos de tensões. Dessa maneira. correntes. visualmente. você já deverá conhecer gerador de funções.

procede-se da seguinte forma: • coloque a chave seletora de modo de entrada (CA . Para fazer o ajuste da posição de referência do traço.Eletrônica II Quando se utiliza o osciloscópio para medição de tensões contínuas. o operador deve ficar numa posição frontal à tela do aparelho. Observação Quando se faz o ajuste. utilizando o controle de posição vertical do canal selecionado. • ajuste a posição do traço na tela usando o controle de posição vertical deste canal. Seleção CA-CC e conexão da ponta de prova Para medições de tensão contínua. conforme mostra a figura a seguir.CC) do canal escolhido na posição 0. Deve-se posicionar o traço sobre uma das divisões do reticulado da tela. procede-se da seguinte maneira: 26 SENAI .0 . é necessário estabelecer uma posição para o traço na tela. que servirá de posição de referência.

temos a observar: • Após a preparação do osciloscópio. respectivamente. procede-se à medição da tensão e à interpretação da medição. SENAI 27 . A figura a seguir mostra. Na medição de tensão.Eletrônica II • após o ajuste da referência.CC) do canal escolhido. ou seja. faz-se a interpretação da medida. determina-se o valor de tensão aplicada na entrada. Após a conexão da ponta de prova. • Quando as extremidades livres da ponta de prova são conectadas aos pontos de medição. • conecte a ponta de prova na entrada vertical do canal escolhido. Em seguida. a posição do traço antes e depois da conexão da ponta de prova aos pontos de medição. o traço muda de posição na tela. posicione para CC a chave seletora de modo de entrada (CA . Isso é feito em duas etapas: 1. Verifique primeiramente de quantas divisões foi a mudança de posição do traço na tela (em relação à posição de referência).0 . as extremidades da ponta de prova podem ser conectadas nos pontos onde está presente a tensão a ser medida.

por exemplo. 2. Nesse caso. uma mudança de posição de duas divisões e a posição da chave seletora de ganho vertical de 5 V/divisão. o eixo vertical da tela do osciloscópio é denominado eixo das tensões. Ou seja: tensão contínua = 2 divisões . 28 SENAI . Vamos supor. basta multiplicar o número de divisões pelo valor indicado pela chave seletora de ganho vertical. conforme mostra a figura que segue. Pelo fato de permitir a medição de tensões. 5 V/div = 10 V. Multiplique o número de divisões obtidas pelo valor indicado pela chave seletora de ganho vertical do canal (que indica o valor de cada divisão).Eletrônica II Na figura a seguir. para obter a tensão contínua entre os pontos medidos. a mudança de posição do traço foi de duas divisões.

seja ele positivo. Portanto cada subdivisão corresponde a 0.4 divisões .Eletrônica II A subdivisão das divisões no eixo vertical principal. Para que a medição seja correta. As tensões contínuas positivas e negativas dependem do pólo da fonte de alimentação em que é conectado o terra. Observação O valor de tensão correspondente a cada divisão da tela é definido pela chave seletora de ganho vertical. Tensões negativas e positivas O osciloscópio pode ser utilizado tanto para medição de tensões positivas como negativas. Na figura a seguir pode-se observar a medição de uma tensão CC de 4. obtém-se tensões contínuas positivas. tensões contínuas negativas.8 V. Assim. a garra negativa que é o terra da ponta de prova do osciloscópio é ligada ao terra do circuito. basta posicionar a chave seletora de ganho vertical. Para que o osciloscópio possa ser utilizado para medições de valores de tensão de milivolts até dezenas de volts. ou negativo. permite a leitura de valores que não completam um número inteiro de quadros ou divisões. eixo vertical central. quando se conecta o terra ao pólo negativo. obtém-se SENAI 29 . 2. 2 V/div. na conexão ao pólo positivo. Um quadro contém 5 subdivisões.2 de um inteiro. ou seja.

Observe esse deslocamento representado na figura a seguir. conforme mostra a figura que segue. A interpretação dos valores das tensões negativas é feita da mesma forma que a das tensões positivas. Quando a tensão aplicada na entrada vertical é negativa. o traço se desloca da posição de referência para baixo. Medição de tensão alternada com osciloscópio Utiliza-se o osciloscópio sobretudo para realizar medições de tensão alternada. o traço se desloca da posição de referência para cima. 30 SENAI . Esse é um tipo de medição muito comum no reparo e manutenção de equipamentos eletrônicos.Eletrônica II Quando a tensão aplicada na entrada vertical é positiva.

a tensão CA presente nestes pontos se projeta em forma de figura na tela do osciloscópio. Quando se conectam as pontas de prova nos pontos de medição. Obtenção da forma de onda CA Vamos tomar um osciloscópio com um traço previamente selecionado (CH1 ou CH2). Após posicionar os controles. SENAI 31 . para obter a projeção de uma CA na tela. Para medições de tensão CA. apenas a posição CC deve ser utilizada. Para medições de CC. • sincronismo da projeção. a chave “seleção do modo de entrada” pode ser posicionada em CA ou CC. ajustado em brilho e foco. conforme mostra a figura a seguir. é preciso fazer não apenas a seleção do modo de entrada e a conexão da ponta de prova no osciloscópio. Se o osciloscópio possuir ajuste fino de ganho vertical. as pontas de prova são conectadas nos pontos de medição. mas também a conexão da ponta de prova nos pontos de medição. a figura está fora de sincronismo. • interpretação da medição. Normalmente. deve-se calibrá-lo antes de executar a medição. Nesse caso.Eletrônica II Processo de medição de tensão CA O processo de medição de tensão CA com o osciloscópio divide-se em três etapas: • obtenção da forma de onda CA na tela. A ponta de prova é conectada na entrada vertical do canal selecionado.

5 VPP Quando o osciloscópio dispõe de um ajuste fino do ganho vertical. para que o osciloscópio fixe automaticamente a imagem na tela. Recorre-se também a essa chave quando a imagem na tela é muito pequena e é necessário obter uma imagem com maior amplitude. basta posicionar a chave de modo de sincronismo em “auto”. deve-se passar para normal e sincronizar com auxílio do controle de nível. 32 SENAI . Interpretação da medição Para realizar a leitura da tensão. é preciso sincronizar a imagem na tela. Verifica-se o número de divisões verticais ocupadas pela imagem e multiplica-se pelo valor indicado pela chave seletora de ganho vertical. Se na posição auto não houver sincronismo. A leitura de tensão alternada aplicada na entrada vertical no osciloscópio é feita pela determinação da tensão de pico a pico da imagem projetada na tela. para obter o máximo de amplitude dentro dos limites da tela. Em geral.5 V = Tensão medida 1. deve-se recorrer à chave seletora de ganho vertical.Eletrônica II Caso a imagem exceda os limites da tela na vertical. Número de divisões 3 Observação x Posição da chave seletora 0. este deve ser calibrado antes de executar a medida.

Esse procedimento permite posicionar um dos picos da CA sobre uma linha de referência sem modificar sua amplitude. position) sem prejuízo para a leitura. Isso possibilita colocar o pico da tensão exatamente sobre o eixo vertical principal. Pode-se também movimentar horizontalmente a imagem (controle de posição horizontal . pode-se movimentar verticalmente a imagem.H. usando o controle de posição vertical.Eletrônica II Posicionamento adequado para a leitura Para facilitar a leitura do número de divisões ocupadas na tela. facilitando a leitura. SENAI 33 .

pode-se determinar o seu período e. o período diminui e versa.Eletrônica II Medição de período para cálculo de freqüência Pode-se usar o osciloscópio para determinar a freqüência de um sinal elétrico. Desse modo. a equação permite que se determine sua freqüência. Através da observação dos sinais elétricos na tela do osciloscópio. Isso é possível porque o período de uma CA pode ser determinado através do osciloscópio. Uma vez conhecido o período de um sinal. temos: f = número de ciclos completos em 1 segundo. 34 SENAI . A relação entre as duas grandezas se expressa pela equação: f = 1 T vice- A equação mostra que à medida que a freqüência aumenta. portanto. temos: T = tempo de ocorrência de 1 ciclo. através das suas divisões. calcular a sua freqüência. pode-se determinar o período de formas de ondas alternadas. Desse modo. Relação entre período e freqüência Freqüência (f) é o número de ciclos completos de um fenômeno repetitivo que ocorre na unidade de tempo. A freqüência e o período de um fenômeno estão intimamente relacionados. Determinação do período de um sinal O eixo horizontal do osciloscópio é denominado "eixo dos tempos" porque. Período (T) é o tempo necessário para que ocorra um ciclo completo de um fenômeno repetitivo.

Eletrônica II Para determinar com precisão o período de uma CA. • O ideal é conseguir projetar apenas um ciclo da CA na tela. é possível obter a freqüência desejada. Com a CA projetada na tela. o que é feito com auxílio apenas da chave seletora da base de tempo. Com isso. Uma vez determinado corretamente o período. deve-se estabelecer um ponto na figura como início do ciclo e posicioná-lo exatamente sobre uma das divisões do eixo horizontal. é preciso que o controle de ajuste fino da base de tempo seja mantido na posição "calibrado". Para isso basta aplicar a CA a um dos canais do osciloscópio e projetá-la e sincronizála na tela. A chave seletora permite fazer o ajuste da base de tempo que possibilita a compressão ou expansão da forma de onda na tela. já que o ajuste fino tem de estar calibrado. obtém-se uma figura adequada à observação e leitura do período. mais precisa poderá ser a determinação do período. Observações • Quanto menor o número de ciclos projetados na tela. SENAI 35 .

Observação Pelos controles de posição. Assim: T (período) = no de divisões horizontais de um ciclo x tempo de uma divisão. A figura a seguir mostra um exemplo de determinação do período de uma CA senoidal. ocupadas por um ciclo e observados na tela do osciloscópio. 36 SENAI . verifica-se o número de divisões do eixo horizontal ocupado pelo ciclo completo. sem prejudicar a leitura. Para determinar o período da CA. é necessário conhecer: • o tempo de cada divisão. • o número de divisões horizontais. pode-se movimentar a figura no sentido vertical ou horizontal na tela. fornecido pela posição da chave seletora da base de tempo.Eletrônica II Com o ponto de início do ciclo posicionado.

• projetar a CA na tela e sincronizar. temos: T = 5.0 ms ou 0. pode-se calcular a freqüência do sinal através da relação: 1 f = T A freqüência da CA da figura é: f = 1 0. • calcular a freqüência.005 s Determinado o período.0 x 1 T = 5.005 f = 200 Hz Portanto. • obter o menor número possível de ciclos na tela. SENAI 37 .Eletrônica II Partindo dos dados da figura. para determinar a freqüência procede-se da seguinte maneira: • posicionar o ajuste fino de tempo em calibrada. • determinar o período.

conectando a ponta de prova (sinal e terra) diretamente nos pontos a serem observados.Eletrônica II Medição do ângulo de fase Em muitas ocasiões. Este processo somente pode ser utilizado para CA de freqüências iguais. Isso pode ser feito através de um osciloscópio duplo traço. porque quando as freqüências são diferentes o ângulo de fase está em constante modificação. • a senóide da corrente. sinais de mesma freqüência sinais de freqüências diferentes Para verificar a relação de fase entre uma tensão e uma corrente CA em um componente ou circuito. é necessário observar simultaneamente duas senóides: • a senóide da tensão. emprega-se um dos canais do osciloscópio. Para observar a senóide da tensão. 38 SENAI . torna-se necessário analisar ou determinar a relação de fase entre duas tensões CA ou entre uma tensão e uma corrente CA em um componente.

A queda de tensão neste resistor será proporcional e estará em fase com a corrente do circuito. O resistor é o componente ideal para realizar a conversão de corrente em tensão por duas razões: • a tensão presente entre os terminais de um resistor é proporcional à corrente. • a tensão desenvolvida no resistor está em fase com a corrente. é necessário que elas sejam transformadas em variações de tensão. queda de tensão proporcional à corrente do circuito SENAI 39 . Observação Para observar as variações de corrente no osciloscópio. Assim. toda a vez que for necessário observar com o osciloscópio a forma de onda de corrente em um circuito deve-se incluir um resistor em série com este circuito.Eletrônica II As figuras a seguir mostram as pontas de prova conectadas a um circuito e a projeção na tela que corresponde a senóide de "tensão aplicada".

utiliza-se um resistor cujo valor seja no máximo 10% da resistência do circuito que se deseja analisar. provocando uma alteração na corrente circulante.Eletrônica II Conectando o osciloscópio sobre este resistor. para observação da forma de onda de corrente. a forma de onda apresentada na tela representará a corrente no circuito. ou seja. de forma que: • um dos canais é colocado sobre o resistor. Observação Em geral. 40 SENAI . É importante lembrar que ao inserir um resistor em série com um circuito. Como normalmente se necessita observar simultaneamente as formas de onda de tensão e de corrente. RT = Rcircuito + R Para evitar que o resistor acrescentado influencie significativamente nos resultados observados. utiliza-se um osciloscópio de duplo traço. deve-se utilizar um resistor cujo valor seja pequeno em relação à resistência do circuito que se deseja analisar. • o outro canal é aplicado diretamente sobre a carga. este resistor interfere na resistência total.

As senóides de corrente e tensão sobre o resistor aparecerão na tela como mostra a figura a seguir. Sempre que o osciloscópio for conectado desta forma.Eletrônica II A figura a seguir mostra como seria conectado o osciloscópio duplo traço para verificar a relação de fase entre corrente e tensão em um resistor. SENAI 41 . deve-se usar a entrada com inversão do osciloscópio para a medição abaixo da referência. O ato de conectar o terra do osciloscópio no meio dos dois componentes a serem medidos implica no fato de que o canal 1 apresenta uma medida acima da referência e o canal 2 uma medida abaixo da referência.

Por exemplo: vamos supor que um ciclo da senóide de tensão ocupe 6 divisões horizontais da tela. neste caso. no máximo. O valor do resistor deve ser de.Eletrônica II O mesmo processo pode ser usado para determinar a relação de fase entre tensão e corrente em componentes como o capacitor. Portanto. a corrente está 60o atrasada com relação à tensão. x = 360 . Como um ciclo completo de CA corresponde a 360o. 10% do valor da reatância capacitiva do capacitor. 42 SENAI . pode-se elaborar uma regra de três: 6 divisões 1 divisão 360 6 → → 360o x 6 . As divisões horizontais da tela podem ser usadas para determinar o ângulo de defasagem. 1 x= x = 36o A senóide de corrente da figura está atrasada uma divisão.

Abaixo estão algumas figuras de Lissajous.4 x= 360 4 x = 90o Medição do ângulo de fase por figuras de Lissajous Figuras de Lissajous é o nome dado às figuras que aparecem na tela do osciloscópio quando se aplicam sinais às entradas vertical e horizontal do osciloscópio. SENAI 43 . desligando a varredura horizontal interna.4 divisões → 4 .Eletrônica II A figura a seguir mostra outro exemplo de determinação do ângulo de fase através das divisões horizontais da tela do osciloscópio. 0. x = 360 . 4 divisões → 360o x 0.

Conexão do Osciloscópio ao Circuito Para determinar o ângulo de fase. mantendo-se a chave de varredura horizontal na posição "externa". os dois sinais de mesma freqüência são aplicados às entradas vertical e horizontal. Para obter a leitura correta do ângulo de fase. o sinal aplicado no vertical deve ocasionar a mesma amplitude de deflexão na tela que o horizontal. ocorre a formação de uma figura de Lissajous na tela. Após a colocação dos dois sinais. O resistor R no circuito converte as variações de corrente em variações de tensão. e a figura deve estar centrada na tela. em número de quadros.Eletrônica II Através das figuras de Lissajous é possível determinar a relação de fase entre duas CA’s de mesma freqüência usando um osciloscópio de traço simples. 44 SENAI .

Y0 e Ymax são as leituras da tela. • Y0 é o valor de Y quando o eixo x vale zero. Observação Através das figuras de Lissajous.arc sen Yθ . porque isso depende da ordem de ligação dos sinais no osciloscópio.Eletrônica II Em geral. determina-se o ângulo de fase a partir da equação θ . SENAI 45 . não é possível determinar qual é o sinal adiantado ou atrasado. Observações • Ymax é o valor de pico máximo da figura no eixo Y em relação ao eixo x. Uma vez concentrada a figura. Ymax Convenção: θ é o ângulo de defasagem. e arc sen é a função arco sen θ. determinam-se dois valores: Ymax e Y0 que é a intersecção da figura com o eixo Y. De posse dos dois valores. torna-se necessário atuar no controle da amplitude vertical ou horizontal para realizar o ajuste.

98 90° 1 θ = arc sen θ = arc sen Y0 Ymax 2. Ângulo (θ) Seno (θ) Exemplo: 0° 0 10° 0.17 20° 0.87 70° 0.94 80° 0.5 40° 0.71 50° 0.Eletrônica II A seguir está uma tabela de senos e um exemplo de determinação do ângulo de fase por figura de Lissajous.1 2.77 60° 0.75 θ ≅ 50° (sen 50° = 0.77 da tabela).34 30° 0.8 θ = arc sen 0.64 45° 0. 46 SENAI .

Y0 Logo. pois Y0 = Ymax. sen = sen 1 = 90° Ymax Exercícios 1.Eletrônica II θ = arc sen Y0 Ymax θ = arc sen 3.0 3.2 θ = arc sen 0. Responda: a) Quais grandezas elétricas podem ser medidas por um osciloscópio? b) O que define se a medição de tensão é negativa ou positiva? c) Quais as etapas para medição de tensão alternada? d) Qual é a utilização das figuras de Lissajous? SENAI 47 .94 θ = 70° Observação Quando se obtém um círculo perfeito a defasagem é de 90° .

Relacione a segunda coluna com a primeira. 48 SENAI . Medição de tensão contínua d. Medição do ângulo de fase I/E ( ( ( ( ( ) Usar uma entrada com inversão. a. Medição da freqüência b. ) Calcular o cosseno do ângulo. ) Usar a chave de seleção do modo de entrada em CC.Eletrônica II 2. ) Determinar o período. Medição de tensão alternada c. ) Usar a chave de seleção do modo de entrada em CC ou CA.

É um equipamento que fornece tensões elétricas com diversas formas de onda chamadas de sinais elétricos. é necessário que você conheça corrente alternada e resistência interna. Tipos de sinais fornecidos SENAI 49 . • impedância de saída. • faixa de freqüência. Características do gerador de funções As características fundamentais dos geradores de funções são: • tipos de sinais fornecidos. Gerador de funções O gerador de funções é utilizado para calibrar e reparar circuitos eletrônicos. o técnico de eletroeletrônica enfrenta situações em que é preciso usar equipamentos que o ajudem a descobrir e a corrigir defeitos em aparelhos. O gerador de funções é um destes equipamentos.Eletrônica II Gerador de Funções No trabalho de manutenção. Para desenvolver os conteúdos e atividades desta lição. utilizado com freqüência na manutenção de equipamentos de som e imagem. • tensão máxima de pico-a-pico na saída. com amplitudes e freqüências variáveis. O presente capítulo vai tratar do gerador de funções e mostrar o modo correto de operar esse equipamento.

quadrada e triangular. Por exemplo.Eletrônica II Os sinais variam de modelo para modelo. para circuitos transistorizados. fornecidos pelo gerador. Os manuais dos fabricantes informam a faixa de freqüência que o equipamento pode fornecer. sua impedância é de 600 Ω. Tensão máxima de pico-a-pico na saída A tensão máxima de pico-a-pico é o valor máximo de amplitude do sinal que o gerador pode fornecer. o gerador de funções fornece sinais em uma freqüência que vai de 1 Hz a vários MHz. para circuitos a válvula. Faixa de freqüência Dependendo da marca e do modelo. Geralmente. Os geradores podem ser de: • alta impedância de saída. Impedância de saída A impedância de saída é a impedância que o gerador apresenta entre os terminais de saída. 50 SENAI . • média impedância de saída. de 1Hz a 20 kHz. temos os que se apresentam as formas de ondas senoidal. Dentre os tipos de sinais mais comuns.

chave seletora de faixa de freqüência ou multiplicador. permitindo escolher a faixa de freqüência desejada como. Esse seletor possui diversas posições. por exemplo. sua impedância de saída fica em torno de 50 Ω. Observe na figura a seguir um modelo de gerador de funções. chave liga-desliga que serve para ligar e desligar o equipamento. de 10Hz a 100kHz. liga desliga No gerador de funções são comuns os seguintes dispositivos de controle: 1. porque isso permite obter a máxima transferência de potência entre gerador e carga. 4. Em geral. com o painel de controles em destaque. por exemplo. de 100 Hz a 1000 Hz. chave seletora de sinal ou função que seleciona a forma de onda do sinal de saída. O valor indicado no dial deve ser multiplicado pela faixa de frequência previamente ajustada pela chave seletora de faixa de frequência. 3.Eletrônica II • baixa impedância de saída. para trabalhos em circuitos digitais. É importante conhecer as características do gerador de funções. presente em geradores que fornecem valores de freqüência em ampla faixa como. 2. Dispositivos de controle O painel do gerador de sinal tem uma série de dispositivos de controle que servem para ajustar o equipamento de acordo com o trabalho a realizar. SENAI 51 . controle de freqüência fornecida ou DIAL: é um controle acoplado a uma escala que permite estabelecer o ajuste da freqüência do sinal fornecido pelo gerador dentro dos limites definidos pelo seletor da faixa de operação.

controle de nível de saída ou amplitude: serve para ajustar a amplitude (pico-apico) do sinal de saída. quando o gerador fornece corrente ao circuito. a amplitude do sinal sofre uma redução quando a carga é ligada.Eletrônica II 5. Assim como em pilhas e baterias. Observação Para uma correta compreensão dos controles adicionais. em série com a saída. Existem geradores de funções mais sofisticados que dispõem de outros controles. é preciso consultar o manual do fabricante. O efeito é semelhante à queda de tensão que ocorre em pilhas e baterias devido a suas resistências internas. Devido a essa resistência. 52 SENAI . Esta impedância interna produz um efeito semelhante ao de uma resistência elétrica colocada no interior do aparelho. Tal redução se deve ao fato de que a impedância interna provoca uma queda de tensão. essa impedância de saída do gerador pode ser representada com um resistor em série com os bornes de saída. Influência da carga na amplitude do sinal O gerador de funções apresenta uma impedância interna.

a impedância de saída do gerador deve ser a mais próxima possível da impedância da carga.Eletrônica II Quanto maior for a carga a ser alimentada. Por essa razão. maior será a corrente fornecida pelo gerador e maior será também a queda de tensão interna no gerador. Observe na figura que segue uma situação ideal de casamento de impedância. com máxima transferência de potência. haverá uma maior redução na amplitude do sinal de saída. SENAI 53 . o nível de saída deve ser ajustado com a carga conectada. Portanto. Casamento de impedância Para obter a máxima transferência de potência gerador-carga. sempre que se utilizar o gerador de funções.

liga desliga 1. 54 SENAI .Eletrônica II Exercícios 1. Nomeie os dispositivos de controle solicitados. c) Quais tipos de sinais são fornecidos por geradores de funções? 2. Responda às seguintes perguntas: a) Qual é a utilidade do gerador de funções? b) Cite duas características de um gerador de funções. 2. 3. 4. 5.

visando fornecer os conhecimentos indispensáveis para o entendimento dos circuitos que transformam CA em CC. Este capítulo tratará do diodo semicondutor. Um dos fatos que contribuiu de forma marcante para esta evolução foi a descoberta e a aplicação dos materiais semicondutores. Dois exemplos bastante conhecidos de materiais formados por átomos de carbono são o diamante e o grafite. O primeiro componente fabricado com materiais semicondutores foi o diodo semicondutor que é utilizado até hoje para o entendimento dos circuitos retificadores. Dependendo da forma como os átomos se interligam. circuitos retificadores. Para ter sucesso no desenvolvimento desses conteúdos. materiais condutores e isolantes. A cada dia. aqueles que transformam CA em CC. O exemplo típico do material semicondutor é o carbono (C). simplificando o projeto e a construção de novos aparelhos. cada vez mais sofisticados. você já deverá ter conhecimentos relativos a corrente elétrica. o material formado pode se tornar condutor ou isolante.Eletrônica II Diodo Semicondutor A eletrônica se desenvolveu espantosamente nas últimas décadas. dependendo da forma como se apresenta sua estrutura química. SENAI 55 . novos componentes são colocados no mercado. Materiais semicondutores Materiais semicondutores são aqueles que apresentam características de isolante ou de condutor. ou seja. ou seja.

Nesse tipo de ligação. Isso faz com que cada elétron pertença simultaneamente a dois átomos.Eletrônica II O diamante é um material de grande dureza que se forma pelo arranjo de átomos de carbono em forma de estrutura cristalina. Átomo de germânio Os átomos que têm quatro elétrons na última camada têm tendência a se agruparem segundo uma formação cristalina. Veja na figura a seguir a representação esquemática de dois átomos (silício e germânio) que dão origem a materiais semicondutores. Estrutura química dos materiais semicondutores Os materiais considerados semicondutores se caracterizam por serem constituídos de átomos que têm quatro elétrons (tetravalentes) na camada de valência. É eletricamente isolante. O grafite é um material que se forma pelo arranjo de átomos de carbono em forma triangular. 56 SENAI . cada átomo se combina com quatro outros. É condutor de eletricidade.

que é pentavalente. como o fósforo (P). A forma como o cristal conduzirá a corrente elétrica e a sua condutibilidade dependem do tipo de impureza utilizado e da quantidade de impureza aplicada. Dopagem A dopagem é o processo químico que tem por finalidade introduzir átomos estranhos (impureza) na estrutura cristalina de uma substância pura como o germânio e o silício. Por isso. O silício e o germânio puros são materiais semicondutores com características isolantes quando agrupados em forma de cristal. introduz no interior da estrutura de um cristal uma quantidade controlada de uma determinada impureza para transformar essa estrutura num condutor. A dopagem. que é realizada em laboratórios.Eletrônica II Esse tipo de ligação química é denominado de ligação covalente. Cristal N Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina uma quantidade de átomos com mais de quatro elétrons na última camada. por exemplo. adquirem características de isolação elétrica. Isso possibilita a formação covalente. forma-se uma nova estrutura cristalina denominada cristal N. na estrutura. Dos cinco elétrons externos do fósforo. um elétron que possibilite essa formação. SENAI 57 . apenas quatro encontram um par no cristal. compostas unicamente por ligações covalentes. O quinto elétron do fósforo não forma ligação covalente porque não encontra. as estruturas cristalinas puras. As ligações covalentes se caracterizam por manter os elétrons fortemente ligados em dois núcleos associados. Esses átomos estranhos a estrutura cristalina são denominados impurezas.

cada átomo de impureza fornece um elétron livre dentro da estrutura. Observe que o cristal N conduz a corrente elétrica independentemente da polaridade da bateria. a corrente elétrica é conduzida no seu interior por cargas negativas. Nesse cristal. É importante notar que. constituindo-se um portador livre de carga elétrica. Esse elétron isolado tem a característica de se libertar facilmente do átomo e de vagar livremente dentro da estrutura do cristal. seu número total de elétrons e prótons é igual. embora o material tenha sido dopado.Eletrônica II No cristal semicondutor. Cristal P 58 SENAI . de forma que o material continua eletricamente neutro. Veja representação esquemática a seguir.

uma lacuna é ocupada por um elétron que se movimenta. na verdade. Os cristais dopados com átomos trivalentes são chamados cristais P porque a condução da corrente elétrica no seu interior acontece pela movimentação das lacunas. e força a criação de outra lacuna atrás de si. verifica-se a falta de um elétron para que os elementos tetravalentes se combinem de forma covalente. ou seja. Veja figura a seguir na qual a lacuna está representada por uma carga positiva. que. no processo de dopagem. Observações • A banda de valência é a camada externa da eletrosfera na qual os elétrons estão fracamente ligados ao núcleo do átomo. Essa ausência de elétron é chamada de lacuna. Esse movimento pode ser facilmente observado quando se analisa a condução de corrente elétrica passo a passo. SENAI 59 . O átomo de índio (In) é um exemplo desse tipo de material. trivalentes. Quando os átomos de índio são colocados na estrutura do cristal puro.Eletrônica II A utilização de átomos com três elétrons na última camada. Quando se aplica uma diferença de potencial aos extremos de um cristal P. A lacuna é preenchida por outro elétron gerando nova lacuna até que esta seja preenchida por um elétron proveniente da fonte. As lacunas se movimentam na banda de valência dos átomos e os elétrons livres que as preenchem movimentam-se na banda de condução. é a ausência de uma carga negativa. dá origem à estrutura chamada de cristal P.

Os cristais P e N são a matéria prima para a fabricação dos componentes eletrônicos modernos tais como diodos. In A condução de corrente por lacunas no cristal P independe da polaridade da fonte de tensão. 60 SENAI . Eles são: • • a intensidade da dopagem e a temperatura. conduzem a corrente elétrica qualquer que seja a polaridade de tensão aplicada às suas extremidades. os cristais P e N. isoladamente. Condutibilidade dos materiais semicondutores Há dois fatores que influenciam a condutibilidade dos materiais semicondutores.Eletrônica II • Banda de condução é a região da eletrosfera na qual se movimentam os elétrons livres que deixaram a banda de valência quando receberam uma certa quantidade de energia. transistores e circuitos integrados. Assim.

Essa faixa está localizada entre as bandas de valência e condução. o comportamento de qualquer componente eletrônico fabricado com materiais semicondutores depende diretamente de sua temperatura de trabalho. Assim. Cada ligação covalente que se desfaz pelo aumento da temperatura permite o aparecimento de dois portadores livres de energia a mais na estrutura do cristal. Quando a quantidade de impurezas introduzidas na estrutura cristalina é controlada. a banda proibida pode ser reduzida a uma largura desejada. permitindo a circulação de correntes maiores no cristal.Eletrônica II Intensidade da dopagem Os cristais dopados mais intensamente se caracterizam por apresentar maior condutibilidade porque sua estrutura apresenta um número maior de portadores livres. Temperatura Quando a temperatura de um material semicondutor aumenta. A presença de um maior número de portadores aumenta a condutibilidade do material. SENAI 61 . a energia térmica adicional faz com que algumas ligações covalentes da estrutura se desfaçam. Essa dependência é denominada de dependência térmica e constitui-se de fator importante que deve ser considerado quando se projeta ou monta circuitos com esse tipo de componente.

A seguir estão representadas duas delas: • • o símbolo do diodo impresso sobre o corpo do componente. O terminal da seta representa um material P e é chamado de anodo e o terminal da barra representa um material N e é chamado de catodo.Eletrônica II Diodo semicondutor O diodo semicondutor é um componente que se comporta como condutor ou isolante elétrico. dependendo da forma como a tensão é aplicada aos seus terminais. Uma das aplicações mais comuns do diodo é na transformação de corrente alternada em corrente contínua como. por exemplo. de acordo com a norma NBR 12526. nos eliminadores de pilhas ou fonte CC. A identificação dos terminais (anodo e catodo) no componente pode aparecer de diversas formas. barra impressa em torno do corpo do componente. 62 SENAI . A ilustração a seguir mostra o símbolo do diodo. indicando o catodo.

Esse desequilíbrio elétrico é denominado de barreira de potencial. Assim. Após a junção das pastilhas que formam o diodo. No funcionamento do diodo. As lacunas que se movimentam para o material N geram um pequeno potencial elétrico positivo. aproximadamente 0. formando uma junção entre elas.7 V. O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para a material N e se recombinam com os elétrons livres.Eletrônica II Junção PN O diodo se constitui da junção de duas pastilhas de material semicondutor: uma de material N e outra de material P. neutralizando-se. SENAI 63 . A tensão proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo depende do material utilizado na sua fabricação. Esta região é denominada de região de depleção. alguns elétrons livres saem do material N e passam para o material P onde se recombinam com as lacunas das proximidades. a barreira tem aproximadamente 0. Como conseqüência da passagem de cargas de um cristal para o outro. ocorre um processo de acomodação química entre os cristais. Por essa razão o diodo semicondutor também é denominado de diodo de junção PN. uma região na qual não existem portadores de carga porque estão todos recombinados. cria-se um desequilíbrio elétrico na região da junção.3 V e nos de silício (Si). Os elétrons que se movimentam do material N para o material P geram um pequeno potencial elétrico negativo. esta barreira se comporta como uma pequena bateria dentro do componente. forma-se na junção. Nos diodos de germânio (Ge). Na região da junção. Essas pastilhas são unidas através de aquecimento.

uma vez que não foram acrescentados nem retirados portadores dos cristais. 64 SENAI . Polarização do diodo A aplicação de tensão sobre o diodo estabelece a forma como o componente se comporta eletricamente. o pólo positivo da fonte repele as lacunas do material P em direção ao pólo negativo. O diodo continua neutro. existe na junção um fluxo de portadores livres dentro do diodo.Eletrônica II Observação • • Não é possível medir a tensão da barreira de potencial utilizando um voltímetro nos terminais de um diodo porque essa tensão existe apenas dentro do componente. Se a tensão da bateria externa é maior que a tensão da barreira de potencial. Nesta condição. Na polarização direta. a barreira de potencial. enquanto os elétrons livres são repelidos pelo pólo negativo em direção ao pólo positivo. as forças de atração e repulsão provocadas pela bateria externa permitem aos portadores adquirir velocidade suficiente para atravessar a região com ausência de portadores. ou seja. A tensão pode ser aplicada ao diodo de duas formas diferentes. A polarização é direta quando a tensão positiva é aplicada ao material P (anodo) e a tensão negativa ao material N (catodo). denominadas tecnicamente de polarização direta e polarização inversa.

diz-se que o diodo está em condução. quando o diodo está polarizado diretamente. A polarização é inversa quando a tensão positiva é aplicada no material N (catodo) e a negativa no material P (anodo).Eletrônica II A polarização direta faz com que o diodo permita a circulação de corrente elétrica no circuito através do movimento dos portadores livres. Assim. SENAI 65 .

Como não existe fluxo de portadores através da junção. isto é. os portadores livres de cada cristal são atraídos pelos potenciais da bateria para as extremidades do diodo. 66 SENAI . Isso provoca um alargamento da região de depleção porque os portadores são afastados da junção. quando em bloqueio (polarização inversa). diz-se que o diodo está em bloqueio. impedindo completamente a passagem da corrente elétrica. • • quando em condução (polarização direta) conduzisse a corrente elétrica sem apresentar resistência. seria ideal que o diodo apresentasse características especiais.Eletrônica II Nesta situação. comportando-se como um interruptor fechado. a polarização inversa faz com que o diodo impeça a circulação de corrente no circuito elétrico. Nesse caso. ou um interruptor aberto. Características de condução e bloqueio do diodo semicondutor Nas condições de condução e bloqueio. ele se comportasse como um isolante perfeito.

A resistência interna faz com que o cristal dopado não seja um condutor perfeito. essas características de condução e bloqueio ficam distantes das ideais. as tensões e resistências externas do circuito são muito maiores que os valores internos do diodo (0. Na condução.7 V. é possível considerar o diodo real igual ao diodo ideal no que diz respeito à condução. que a diferença entre eles se torna desprezível. faz com que o diodo entre em condução efetiva apenas a partir do momento em que a tensão da bateria atinge um valor maior que a tensão interna da barreira de potencial. SENAI 67 .Eletrônica II Todavia. A barreira de potencial. Assim. sem provocar erros significativos. Na maioria dos casos em que o diodo é usado. devido às imperfeições do processo de purificação dos cristais semicondutores para a fabricação dos componentes. 1 Ω ). presente na junção dos cristais. a tensão e a resistência externa ao diodo são tão grandes se comparadas com os valores do diodo. dois fatores influenciam nessas características: a barreira de potencial e a resistência interna. O valor dessa resistência interna é geralmente menor que 1 Ω nos diodos em condução. No circuito a seguir. Um circuito equivalente do diodo real em condução apresenta os elementos que simbolizam a barreira de potencial e a resistência interna. por exemplo.

53 % (desprezível face à tolerância do resistor). correspondente a 1.0333 A R 1501 R 1500 resistência inversa do diodo pode ser desprezada na análise da grande maioria dos circuitos. O circuito equivalente do diodo real em bloqueio apresenta esta característica. Essa corrente inversa é chamada de corrente de fuga e é da ordem de alguns microampères.0333 .0328 = 0. Na condição de bloqueio. o diodo real não é capaz de impedir totalmente a existência de corrente no sentido inverso.0005 A.Eletrônica II Erro = 0.0.0328 A = = 0.3 V 50 I= I= = = 0. devido à presença de portadores minoritários (impurezas) resultantes da purificação imperfeita. 68 SENAI . Como essa corrente é muito pequena se comparada com a corrente de condução. a V 49.

A curva característica do diodo em condução mostra o comportamento da queda de tensão em função da corrente que flui no circuito. A curva característica do diodo mostra seu comportamento na condução e no bloqueio. a corrente do circuito circula no cristal. Região de condução Durante a condução. Devido à existência da barreira de potencial e da resistência interna.Eletrônica II Curva característica O comportamento dos componentes eletrônicos é expresso através de uma curva característica que permite determinar a condição de funcionamento do componente em um grande número de situações. SENAI 69 . aparece um pequeno valor de tensão sobre o diodo.

7 V (no caso do silício). 70 SENAI . Ela mostra também que enquanto o diodo está abaixo de 0.Eletrônica II A curva característica de condução mostra que a tensão no diodo sofre um pequeno aumento quando a corrente aumenta. Por isso. Isso é conseqüência da oposição ao fluxo de cargas feita pela barreira de potencial. a corrente circulante é muito pequena (região C da curva). o diodo semicondutor não atua como isolante perfeito e permite a circulação de uma corrente de fuga da ordem de microampères. a região típica de funcionamento dos diodos fica acima da tensão característica de condução. Essa corrente aumenta à medida que a tensão inversa sobre o diodo aumenta. Região de bloqueio No bloqueio.

a corrente de fuga aumenta excessivamente e danifica o componente. Tipo 1N4001 MR504 IF (A) 1. Quando se aplica a um diodo um valor de tensão inversa máxima (VR) maior que o especificado. as características de corrente máxima (IF) de dois diodos comerciais.Eletrônica II Regimes máximos do diodo em CC Os regimes máximos do diodo em CC estabelecem os limites da tensão e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente contínua.0 3. Veja a seguir exemplos de valores característicos de tensão máxima inversa de alguns diodos comerciais. toda tensão aplicada ao circuito fica sobre o diodo. A corrente direta nominal (IF) de cada tipo de diodo é dada pelo fabricante em folhetos técnicos e representa o valor máximo de corrente que o diodo pode suportar.0 Quando polarizado inversamente. SENAI 71 . Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor de tensão inversa. do inglês "intensity forward"). Veja a seguir. tensão inversa máxima (VR. verifica-se que os fatores que dependem diretamente do circuito ao qual o diodo está conectado são: • • corrente direta nominal (IF. O valor característico de VR que cada tipo de diodo suporta sem sofrer ruptura é fornecido pelos fabricantes. quando polarizado diretamente. Analisando o comportamento do diodo em condução e bloqueio. do inglês "voltage reverse"). sem provocar danos em sua estrutura.

Para traçar a reta de carga de um diodo. isto é. 72 SENAI . deve-se determinar a tensão de corte.Eletrônica II Tipo 1N4001 1N4002 MR504 BY127 VR (V) 50 100 400 800 Reta de carga A reta de carga é uma traçagem sobre a curva característica do diodo com o objetivo de determinar previamente qual será a corrente e tensão no diodo em determinadas condições de trabalho. e a corrente de saturação. a tensão da fonte está totalmente sobre o componente. Desta forma pode-se afirmar que a tensão de corte é igual a tensão da fonte de alimentação do circuito. a que está sobre o diodo quando este estiver na região de bloqueio. a corrente que circula pelo diodo quando ele está na região de condução em um determinado circuito. ou seja. Quando o diodo está em corte ou bloqueio.

VCC a tensão de alimentação e RL o resistor de carga ou limitador. Pode-se determinar a corrente de saturação a partir da lei de Ohm. A corrente de saturação é a corrente do circuito quando o diodo está na região de condução ou saturado. Essa reta é denominada reta de carga. Desta forma: IS = VCC RL Onde IS é a corrente de saturação. A corrente que circula no resistor é a corrente de saturação IS e a tensão sobre o resistor é a tensão de alimentação VCC. SENAI 73 . A partir dos valores de tensão de corte e corrente de saturação.Eletrônica II Logo: VC = VCC Onde VC é tensão de corte e VCC a tensão de alimentação. traça-se uma reta na curva característica do diodo da seguinte forma: a tensão de corte VC é identificada no eixo de tensão VD do gráfico e a corrente de saturação no eixo de corrente ID.

74 SENAI . Projetando este ponto quiescente nos eixos de tensão e corrente do gráfico tem-se os valores de corrente e tensão do diodo no circuito.Eletrônica II O ponto de encontro entre a reta de carga e a curva do diodo é denominada de ponto de trabalho ou quiescente (Q).

PD = VD .063 A RL 47 IS = 63 mA SENAI 75 . de corte e corrente de saturação podem ser calculados. VC = VCC VC = 3 V IS = VCC 3 = = 0. De acordo com os dados do esquema elétrico os valores da tensão.Eletrônica II Potência de dissipação A potência de dissipação de um diodo é o valor de potência que ele dissipa em um circuito. A partir dos valores de tensão e corrente no diodo é possível determinar a potência de dissipação. ID No exemplo a seguir. serão determinados os valores de tensão corrente e potência no diodo.

O cruzamento da reta de carga com a curva característica do diodo determina o ponto quiescente. VD PD = 0.6 PD = 0. deve-se traçar a reta de carga.Eletrônica II A partir dos valores da tensão de corte e corrente de saturação. 1.100 W ou 100 mW 76 SENAI .6 V A partir desses valores é possível determinar a potência dissipada no diodo. Ao projetar o ponto quiescente nos eixos de tensão e corrente do gráfico é possível determinar a tensão e a corrente no diodo.063 . ID = 63 mA VD = 1. PD = ID .

Responda às seguintes perguntas: a) Qual a principal característica de um material semicondutor? b) Quantos átomos de valência deve ter um material semicondutor? c) O que é ligação covalente? d) O que é dopagem? e) Qual a finalidade da impureza em uma estrutura cristalina? 2. Responda: a) O que é barreira de potencial? SENAI 77 .Eletrônica II Exercícios 1.

Eletrônica II b) É possível medir a tensão da barreira de potencial de um diodo? c) Quais os valores das barreiras de potencial de um diodo de silício e de germânio? d) Cite um exemplo de utilização da curva característica de um diodo. Sabe-se que a tensão de alimentação do circuito é de 12 VCC e o resistor de carga de 220k Ω. 4. Resolva os problemas que seguem: a) Determine os valores de tensão de corte e corrente de saturação em um circuito com diodo. 78 SENAI . 3. b) Circuito com um diodo polarizado inversamente. Faça o esquema do circuito solicitado: a) Circuito com um diodo polarizado diretamente.

) Três elétrons na camada de valência.Átomo pentavalente d. A fonte que alimenta o circuito é de 2 VCC e o resistor limitador 560 Ω. ) Três prótons na última camada. Silício ou germânio puro b. SENAI 79 . a. 5. ) Característica isolante . Átomo tetravalente ( ( ( ( ( ( ) Quatro elétrons na última camada. a corrente e a potência dissipada no diodo e faça esquema do circuito elétrico. determine a tensão. Relacione a segunda coluna com a primeira. ) Cinco elétrons na última camada. Átomo trivalente c.Eletrônica II b) De acordo com o gráfico a seguir. ) Material tipo N. Catodo e.

O cristal N recebe átomos pentavalentes na sua estrutura cristalina. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. A lacuna é a ausência de elétron na estrutura cristalina. a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O índio é um tipo de material utilizado na dopagem de um cristal P. 80 SENAI . O cristal P conduz somente em um sentido. A intensidade da dopagem e a temperatura não influenciam na condutibilidade de um material semicondutor.Eletrônica II 6.

O outro componente foi o diodo zener que veio atender à necessidade de utilização de dispositivos reguladores de tensão surgida com a crescente sofisticação dos equipamentos eletrônicos. muitos estudos têm sido realizados com os materiais semicondutores. é necessário ter conhecimentos relativos a diodo semicondutor. do inglês light emitting diode. SENAI 81 . e está apresentado a seguir. as lâmpadas de sinalização estão sendo substituídas por esse componente semicondutor capaz de emitir luz. O presente capítulo tratará do LED e do diodo zener.Eletrônica II Diodos Especiais Desde o descobrimento da junção semicondutora PN. O símbolo gráfico do LED é definido pela NBR 12526/92. Atualmente. curvas características e à polarização dos diodos semicondutores. na grande maioria dos aparelhos eletrônicos. Diodo emissor de luz O diodo emissor de luz ou LED. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades aqui apresentados. O diodo emissor de luz (LED) é um dos componentes descobertos através dessas pesquisas. em busca de novos componentes. é um tipo especial de diodo semicondutor que emite luz quando é polarizado diretamente.

São os LEDs bicolores que consistem de dois LEDs de cores diferentes encapsulados dentro de uma mesma cápsula de três terminais. Outros emitem duas cores diferentes. ou seja. a luz infravermelha e a luz ultravioleta. 82 SENAI . Há LEDs que emitem luz invisível ao olho humano. Para que o componente irradie a cor desejada. o gálio (Ga).Eletrônica II O LED é fabricado com uma combinação de elementos como o arsênio (AS). que formam o arseneto de gálio e o fósforo (P). Dependendo da quantidade de fósforo depositada. basta polarizar diretamente o LED dessa cor. Um dos terminais é comum aos dois LEDs. eles poderão irradiar luz visível vermelha. amarela ou verde. embora também possam ser encontrados os LEDs que irradiam luz laranja ou azul. que são as mais comuns.

Veja alguns exemplos na ilustração a seguir.Eletrônica II Os LEDs são encontrados nas mais diversas formas e dimensões. alta resistência a vibrações. Isso permite a circulação da corrente que se processa pela liberação dos portadores livres na estrutura dos cristais. Funcionamento Quando o LED é polarizado diretamente. O LED apresenta as seguintes vantagens: • • • • • pequena tensão de alimentação (2 V) e baixo consumo (20 mA). nenhum aquecimento. entra em condução. ou pelo terminal menor. tamanho reduzido. O catodo do LED é identificado por um "corte" (ou chanfro) na base do encapsulamento. grande durabilidade. SENAI 83 .

normalmente. Características dos LEDs Os LEDs apresentam as mesmas características dos diodos semicondutores a saber: • • • • corrente direta máxima (IFM). emissão de fótons em forma de luz. 84 SENAI . Esse efeito ocorre principalmente quando o tamanho da banda proibida é igual ao comprimento de onda (λ) da luz emitida. A corrente direta máxima expressa pela notação IFM. A corrente direta nominal. corresponde a 20 mA. ou seja.Eletrônica II O deslocamento de portadores da banda de condução provoca a liberação de energia. tensão inversa máxima (VR). é o parâmetro que define a corrente máxima de condução do LED sem prejuízo para sua estrutura. na qual não há elétrons livres. IF. Observação A banda proibida é a região da ligação covalente entre uma camada de valência e outra. corrente direta nominal (IF). tensão direta nominal (VF). é um valor de corrente de condução indicado pelo fabricante no qual o LED apresenta um rendimento luminoso ótimo e que.

LED FLV 110 LD 37I LD 35I Cor vermelho verde amarelo VF (V)* 1.4 2. porque esses componentes não são usados em retificação e sim para emitir luz. é a especificação que determina o valor de tensão máxima que o LED suporta no sentido inverso sem sofrer ruptura. representada pela notação VR. A tensão inversa máxima. Para valores de corrente direta diferentes do valor nominal (IF). A queda da tensão nominal ocorre no componente quando a corrente direta tem valor nominal (IF). da ordem de 5 V. VF. na prática. Portanto.Eletrônica II A tensão direta nominal representada por. é a especificação que define a queda de tensão típica do diodo no sentido da condução. Nos LEDs. SENAI 85 .7 2. A tabela a seguir mostra características de alguns LEDs. a tensão direta de condução sofre pequenas modificações de valor. só trabalham com polarização direta.4 IFn (mA) 50 60 60 * O valor de VF é obtido com IF = 20 MA. ela é pequena.

A figura a seguir apresenta um circuito retificador de onda completa com um led para indicar a existência de tensão na saída. por 86 SENAI . A limitação da corrente pode ser feita através de um resistor. O valor do resistor limitador é dado por: R= VCC − VF IF Onde.Eletrônica II Utilização do LED em CC A utilização do LED em corrente contínua exige a fixação de sua corrente direta nominal (IF). VCC é a tensão de saída da fonte. VF é a tensão nominal de condução do LED. e IF é a corrente nominal de condução do LED Tomando-se como exemplo a fonte retificadora do esquema apresentado e os valores do LED FLV 110 e a tensão da saída da fonte como sendo 10 V.

SENAI 87 . IR = (10 – 1.02 = 166 mW Para trabalhar a frio: PR = 0. Diodo zener O diodo zener é um tipo especial de diodo utilizado como regulador de tensão.5 W. A potência do resistor seria aproximadamente: PR = VR . R = 390 Ω ou 470 Ω (em valores comerciais padronizados). A norma NBR 12526/92 define seu símbolo gráfico conforme ilustração a seguir.02 Ou seja. = = 415Ω IF 0. A sua capacidade de regulação de tensão é empregada principalmente nas fontes de alimentação de modo a fornecer uma tensão de saída fixa. Veja os dois tipos de zener nas ilustrações a seguir. o valor do resistor seria: R= VCC − VF 10 − 1 7 . 0.Eletrônica II exemplo. Os diodos zener de pequena potência podem ser encontrados em encapsulamento de vidro ou de plástico enquanto os de maior potência são geralmente metálicos para facilitar a dissipação de calor.7).

ficando em bloqueio. Observação Normalmente o diodo zener não é usado com polarização direta nos circuitos eletrônicos. uma pequena corrente de fuga circula no diodo zener. apesar de estar polarizado inversamente. tal como no diodo convencional. o diodo zener entra subitamente em condução. o diodo zener se comporta como um diodo comum. Nesse bloqueio. Na polarização inversa. o diodo zener se comporta da mesma forma que um diodo semicondutor ou retificador.Eletrônica II Comportamento do diodo zener O comportamento do diodo zener depende fundamentalmente da forma como ele é polarizado. entrando em condução e assumindo uma queda de tensão típica. até um determinado valor de tensão inversa. Com polarização direta. Em um determinado valor de tensão inversa. 88 SENAI . A corrente inversa aumenta rapidamente e a tensão sobre o zener se mantém praticamente constante.

o diodo estará em curto e danificado. ou seja. Enquanto houver corrente inversa circulando no diodo zener. o diodo zener difere do diodo semicondutor retificador convencional. Se isso acontecer. um diodo retificador nunca chega a conduzir intensamente no sentido inverso. a tensão sobre seus terminais se mantém praticamente no valor da tensão zener.Eletrônica II O valor de tensão inversa que faz o diodo zener entrar em condução é denominado de tensão zener (VZ). SENAI 89 . É importante observar que no sentido inverso.

Utilizando os valores de tensão zener e potência zener máxima. sem que isso danifique o componente. Durante a ruptura. Esses valores são fornecidos pelos fabricantes nos catálogos técnicos. pode-se determinar a corrente máxima que o zener pode suportar. por sua vez. esse diodo apresenta a tensão zener em seus terminais e é percorrido por uma corrente inversa. Tensão zener A tensão zener ou tensão de ruptura depende do processo de fabricação e da resistividade da junção semicondutora.Eletrônica II O diodo zener. Na curva de ruptura. Esses valores são fornecidos pelo fabricante. coeficiente de temperatura. Potência zener A potência zener é a potência dissipada pelo diodo em condições normais de funcionamento. é levado propositadamente a conduzir no sentido inverso para que uma tensão zener constante seja obtida em seus terminais. IZ Os diodos zener são fabricados para determinados valores de potência de dissipação que determinam a dissipação máxima que o componente pode suportar. o diodo zener fica com o valor de tensão zener sobre seus terminais. ou seja: IZMÁX = PZMÁX VZ 90 SENAI . potência zener. Características do diodo zener As características elétricas importantes do diodo zener são: • • • • tensão zener. tolerância. A potência zener é dada pelo produto da tensão e corrente. ou seja: PZ = VZ .

Esses valores são: IZmax e IZmin. ou seja: IZ min = IZ max PZ max = 10 10 VZ Coeficiente de temperatura O desempenho dos componentes fabricados com materiais semicondutores sofre influência da temperatura (dependência térmica). Por isso. SENAI • 91 . os diodos zener são divididos em dois grupos: • até 5 V: a tensão sobre o zener diminui com o aumento da temperatura (-mV/oC). Devido a uma diferença no princípio de funcionamento interno. a tensão zener se modifica com a variação da temperatura do componente. mV/o C. acima de 5 V: a tensão sobre o zener aumenta com o aumento da temperatura (+mV/oC). ou seja.Eletrônica II Observação Esse valor de corrente zener máxima não pode ser excedido sob pena de danificar o diodo por excesso de aquecimento. O valor de IZmax é definido pela potência zener: IZ max = PZ max VZ O valor de IZmin corresponde a 10% do valor de IZmax. A região de funcionamento do zener é determinada por dois valores de corrente porque sua tensão inversa é constante. A influência dessa variação é expressa sob a forma de relação entre tensão e temperatura e define em quantos milivolts a tensão se modifica para cada grau centígrado de alteração da temperatura do componente.

Eletrônica II As curvas características a seguir exemplificam a dependência térmica dos dois grupos de diodos zener. Observação Os valores de tensão zener fornecidos pelos fabricantes são válidos à temperatura de 25oC. Para especificar a tolerância. a designação do diodo vem acompanhada pela letra A: 1N4742 A. para tolerância de 10%. Tolerância A tolerância do diodo zener refere-se à variação que pode existir entre o valor especificado e o valor real de tensão inversa do diodo zener. de 9.5 V. Isso significa que um diodo zener de 10 V ± 5% pode ter uma tensão inversa real. mantém a tensão absolutamente constante independentemente da corrente circulante. 92 SENAI . O diodo zener ideal é aquele que. Por exemplo: • • para tolerância de 5 %. Diodo zener ideal x real A característica fundamental do diodo zener é manter uma tensão constante sobre seus terminais quando colocado em condução no sentido inverso. os fabricantes utilizam diversos códigos. a designação do diodo vem sem letra no final: 1N4733. em condução inversa. por exemplo.5 a 10.

quando se considera que a variação em VZ é muito pequena. o diodo zener não é um componente ideal.Eletrônica II Entretanto. Porém. a tensão sobre seus terminais sofrem uma pequena variação quando a corrente inversa se modifica. Relação entre corrente e resistência no diodo zener A lei de Ohm define a relação entre corrente. o diodo zener pode ser considerado como ideal na maioria das aplicações. Assim. tensão e resistência em um dispositivo: I= V R SENAI 93 .

sua resistência aumenta para que o produto (tensão) se mantenha constante: IZ ⋅ RZ = VZ Assim. Exercícios 1. o produto “I . temos: VZ = IZ . na região de ruptura. c) De que forma é possível a emissão de duas cores por um só LED? 94 SENAI . a outra diminui na mesma proporção. sua resistência diminui na mesma proporção ou vice-versa: IZ . a corrente e a resistência zener são inversamente proporcionais: quando uma aumenta. Se a corrente no diodo zener aumenta. para que a tensão seja constante no zener.Eletrônica II Como no diodo zener a tensão é constante. Responda às seguintes perguntas: a) Qual é a principal função de um LED? b) Cite três vantagens na utilização do LED. se a corrente no diodo . RZ = VZ Da mesma forma. a relação fica resumida à corrente e resistência. R” deve ser constante. RZ Na equação acima. Assim.

Dados: IF = 20 mA. Resolva os seguintes exercícios: a) Faça o esquema elétrico do circuito e especifique o resistor necessário para limitar a corrente de um led de sinalização. a) LED SENAI 95 . Responda a) Qual a principal função do diodo zener? b) Como o diodo zener se comporta na polarização direta? c) O que difere um diodo semicondutor de um diodo zener? d) Cite as características elétricas importantes do diodo zener. Faça os símbolos gráficos dos componentes solicitados. 2.Eletrônica II 1. VCC = 20 V VF = 1.7 V 3.

96 SENAI . o diodo pode ser considerado como ideal. Quando a variação da tensão zener é de valor considerável. IFM. ) Queda de tensão nominal. Um diodo retificador em bom estado conduz intensamente no sentido inverso. ) Corrente direta nominal. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. quando em condução. a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O valor de tensão inversa que faz o diodo zener entrar em condução é denominado de tensão zener.7 V. IF. VFM. a) Corrente direta máxima b) Corrente direta nominal c) Tensão direta nominal d) Tensão inversa máxima ( ( ( ( ( ) Valor de tensão máxima suportada. VR. A corrente e a resistência zener são inversamente proporcionais. ) Corrente máxima de condução. ) Valor da queda de tensão admissível. A característica fundamental do diodo zener é manter uma corrente constante em seus terminais. VF. 6. quando a tensão VD é superior a 0. Relacione a segunda coluna com a primeira.Eletrônica II b) Diodo zener 4.

A retificação ocorre de duas formas: • • retificação de meia onda. é necessário conhecer corrente contínua. Assim. diodo semicondutor e transformadores. Ele permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tensão de entrada de carga e é usado em equipamentos que não exigem tensão contínua pura. Retificação de meia-onda De todos os circuitos retificadores que existem. como os carregadores de bateria. corrente alternada. retificação de onda completa. Todavia. SENAI 97 . é necessário um circuito que transforme corrente alternada em corrente contínua.Eletrônica II Circuitos Retificadores Todos os aparelhos eletrônicos necessitam de corrente contínua para funcionar. Para compreendê-lo com mais facilidade. Retificação Retificação é o processo de transformação de corrente alternada em corrente contínua. Esse circuito é chamado de retificador. de modo a permitir que equipamentos de corrente contínua sejam alimentados por corrente alternada. Por seu largo emprego e importância. para que seja possível alimentar os aparelhos eletrônicos. o mais simples é o circuito retificador de meia-onda. a rede elétrica que chega às nossas casas. os circuitos retificadores serão o assunto deste capítulo. nos fornece energia elétrica em forma de corrente alternada.

O valor do pico de tensão sobre a carga é menor que o valor do pico da tensão de 98 SENAI . Tomemos como exemplo o circuito retificador da figura a seguir. a tensão é positiva no ponto A e negativa em B. A tensão sobre a carga assume a mesma forma da tensão de entrada. Durante o primeiro semiciclo.Eletrônica II Esse circuito utiliza um diodo semicondutor pois suas características de condução e bloqueio são aproveitadas para a obtenção da retificação. Essa polaridade da tensão de entrada coloca o diodo em condução e permite a circulação da corrente.

Isso acontece porque o diodo durante a condução apresenta uma pequena queda de tensão. em bloqueio.7 V em circuitos com diodos de silício e 0. Observação A queda de tensão (VD) é de 0. Nessa condição.2 V em circuitos com diodos de germânio. Ela só deve ser considerada quando é aplicado no circuito retificador tensões de baixos valores.Eletrônica II entrada. impedindo a circulação da corrente. a tensão na carga é nula porque não há circulação de corrente SENAI 99 . a tensão de entrada é negativa no ponto A e positiva no ponto B. Durante o segundo semiciclo. essa queda de tensão pode ser desprezada porque seu valor é muito pequeno em relação ao valor total do pico de tensão sobre a carga. menores que 10 V. Na maioria dos casos. o diodo está polarizado inversamente. Com o bloqueio do diodo que está funcionando como um interruptor aberto.

Eletrônica II Os gráficos a seguir ilustram a evolução de um ciclo completo. 100 SENAI .

enquanto o outro semiciclo fica sobre o diodo. a tensão indicada pelo instrumento será a média entre os períodos de existência e inexistência de tensão.Eletrônica II Pelos gráficos.7 V). Quando as tensões de entrada (VCAef) forem superiores a 10 V. 2 π VCC = ⇒ VCC = SENAI 101 . A tensão média na saída é dada pela equação: VCC = VP − VD π Onde: VCC é a tensão contínua média sobre a carga. apenas um semiciclo passa para a carga. VP é a tensão de pico da CA aplicada ao circuito (VP = VCA . VD é a queda de tensão típica do diodo (0. Assim. 2 ). reescrevendo a equação da seguinte maneira: VP π VCA . pode-se eliminar a queda de tensão do diodo que se torna desprezível. Por isso.2 V ou 0. ao se conectar um voltímetro de CC na saída de um circuito retificador de meia-onda. Tensão de saída A tensão de saída de uma retificação de meia-onda é contínua. é possível observar que a cada ciclo completo da tensão de entrada. porém pulsante porque nela alternam-se períodos de existência e inexistência de tensão sobre a carga. o valor da tensão CC aplicada sobre a carga fica muito abaixo do valor efetivo da CA aplicada à entrada do circuito.

Assim.1. VCC RL SENAI ICC = 102 .45.14 π π ) VCC = 2. 0.Eletrônica II Simplificando os termos VCC = VCA .45 Exemplo 2 . π Dados: VCA = 6 V (menor que 10 V) D1 = diodo retificador de silício VCC = VP − VD (VCA .41) − 0. a corrente de saída é a média entre os períodos de existência e inexistência de corrente.47 V 3. Esse valor é determinado a partir dos valores de tensão média e da resistência de carga. obtém-se 0.7 = = = 2. ou seja. Logo.47 V Corrente de Saída Como na retificação de meia-onda a tensão sobre a carga é pulsante. a corrente de saída também é pulsante. 2 − VD (6.

Eletrônica II Observação O cálculo da corrente média de saída determina os parâmetros para a escolha do diodo que será utilizado no circuito. Inconvenientes A retificação de meia-onda apresenta os seguintes inconvenientes: • • tensão de saída pulsante. SENAI 103 . Retificação de onda completa A retificação de onda completa é o processo de conversão de corrente alternada em corrente contínua que aproveita os dois semiciclos da tensão de entrada. baixo rendimento em relação à tensão eficaz de entrada. • mau aproveitamento da capacidade de transformação nas retificações com transformador porque a corrente circula em apenas um semiciclo.

por meio de quatro diodos ligados em ponte. as tensões VCD e VED estão defasadas 180º 104 SENAI . considerando-se o terminal central do secundário do transformador como referência. Em relação ao ponto neutro. Inicialmente. vamos considerar separadamente cada semiciclo da tensão de entrada.Eletrônica II Esse tipo de retificação pode ser realizado de dois modos: • • por meio de um transformador com derivação central (C.T. Funcionamento Para explicar o funcionamento desse circuito.) e dois diodos. Retificação de onda completa com transformador A retificação de onda completa com transformador é o processo de retificação realizado por meio de um circuito com dois diodos e um transformador com derivação central (ou "center tap"). observa-se a formação de duas polaridades opostas nas extremidades das bobinas.

A tensão aplicada à carga é a tensão existente entre o terminal central do secundário e a extremidade superior do transformador (VS1). Por outro lado. o diodo D2 está polarizado inversamente e. há uma inversão da polaridade no secundário do transformador.Eletrônica II Durante o semiciclo positivo de VENT. o ponto C está positivo em relação ao ponto D. entre os pontos C e E. a condição de condução de D1 permite a circulação de corrente através da carga. em condução. Nessa condição. em corte. do terminal positivo para o terminal negativo. No segundo semiciclo. Nessa condição. Observe que no circuito apresentado. portanto. portanto. No ponto A aparece uma tensão positiva de valor máximo igual a VMÁX. o ponto D está positivo em relação a E. SENAI 105 . o diodo D1 está polarizado diretamente e.

Eletrônica II Assim. o diodo D2 está polarizado diretamente e. e. Por outro lado. A corrente que passa por D2 circula pela carga no mesmo sentido que circulou no primeiro semiciclo. portanto. o diodo D1 está polarizado inversamente. o ponto D está positivo em relação a C. Nessa condição. o ponto D está negativo em relação ao ponto E. em condução. 106 SENAI . portanto. em corte. Nessa condição.

o diodo D2 permanece em condução e a tensão na carga acompanha a tensão da parte inferior do secundário.Eletrônica II A tensão aplicada à carga é a tensão da bobina inferior do secundário do transformador (VS2). Durante todo semiciclo analisado. SENAI 107 .

Eletrônica II As formas de onda das tensões no circuito são mostradas nos gráficos a seguir. 108 SENAI .

Eletrônica II As formas de onda das correntes são: Analisando um ciclo completo da tensão de entrada. Retificação de onda completa em ponte A retificação de onda completa em ponte utiliza quatro diodos e entrega à carga uma onda completa sem que seja necessário utilizar um transformador de derivação central. verifica-se que o circuito retificador entrega dois semiciclos de tensão sobre a carga: • • um semiciclo da extremidade superior do secundário através da condução de D1. SENAI 109 . um semiciclo da extremidade inferior do secundário através da condução de D2.

D2 ⇒ catodo positivo em relação ao anodo (polarização inversa) . D4 ⇒ anodo negativo em relação ao catodo (polarização inversa) .em bloqueio. Observe no circuito a seguir. aplicando a tensão do primeiro semiciclo sobre a carga. Eliminando-se os diodos em bloqueio. 110 SENAI .em condução. teremos as seguintes condições de polarização dos diodos: • • • • D1 ⇒ anodo positivo em relação ao catodo (polarização direta) . que não interferem no funcionamento.em condução. D3 ⇒ catodo negativo em relação ao anodo (polarização direta) .em bloqueio. verificase que D1 e D3 (em condução) fecham o circuito elétrico.Eletrônica II Funcionamento Considerando a tensão positiva (primeiro semiciclo) no terminal de entrada superior. como a corrente flui no circuito no primeiro ciclo.

D3 .em bloqueio.em condução.anodo negativo em relação ao catodo (polarização inversa) .catodo positivo em relação ao anodo (polarização inversa) . D4 . D2 .anodo positivo em relação ao catodo (polarização direta) . Isso faz a corrente circular na carga no mesmo sentido que no primeiro semiciclo. ocorre uma inversão da polaridade nos terminais de entrada do circuito. obtém-se o circuito elétrico fechado por D2 e D4 que aplica a tensão de entrada sobre a carga. a polaridade dos diodos apresenta a seguinte configuração: • • • • D1 .Eletrônica II No segundo semiciclo.catodo negativo em relação ao anodo (polarização direta) .em condução.em bloqueio. SENAI 111 . Nessa condição. Eliminando-se os diodos em bloqueio e substituindo-se os diodos em condução por circuitos equivalentes ideais.

observa-se a forma como a corrente circula.Recolocando-se os diodos no circuito. 112 SENAI . Os gráficos a seguir mostram as formas de onda do circuito.

ou seja. não possui um nível constante no tempo. a tensão contínua fornecida por um circuito retificador é pulsante. Ela corresponde a quantas vezes o valor eficaz da componente alternada é maior que a componente contínua sobre a carga.Fator de Ripple Como já vimos. Essa ondulação é denominada de fator de ripple (que significa “ondulação” em inglês). Isso acontece porque a tensão de saída é resultante da soma de uma componente contínua (VCC) e uma componente alternada (VCA) responsável pela ondulação do sinal. SENAI 113 .

o fator de ripple é: r% = 120% Para a retificação de onda completa. Exercícios 1. e VCC é o valor da tensão contínua. Para a retificação de meia-onda. Responda às seguintes perguntas: a) O que é retificação? b) Qual é a diferença entre a retificação de meia onda e a retificação de onda completa? c) Qual é a diferença entre a retificação de meia onda e a retificação de onda completa? 114 SENAI . Onde : r é o fator de ripple.Esse valor é dado por: r= VCAef VCC VCaef é o valor da tensão alternada eficaz. o fator de ripple é: r% = 48% Esses dados mostram que a porcentagem de ondulação é muito alta e esse é um dos grandes inconvenientes desse tipo de circuito.

d) Em um retificador de meia onda o valor da tensão de pico retificada é igual ao valor da tensão de pico da tensão alternada? Justifique a resposta.

e) O que é fator de ripple?

2. Faça os esquemas dos circuitos: a) Circuito retificador de meia onda.

b) Circuito retificador de onda completa com transformador.

c) Circuito retificador de onda completa em ponte.

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3. Resolva os seguintes exercícios: a) Faça o esquema e calcule a tensão VCC na carga, alimentada por um retificador de meia onda. Sabe-se que a tensão alternada VCA é de 9 V.

b) Qual o valor da tensão VCC retificada por um retificador de meia onda. A tensão alternada tem um valor de pico de 4V.

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Circuito Retificador com Filtro

Como já foi visto no capítulo anterior, os circuitos retificadores têm aplicação limitada porque fornecem uma corrente alternada pulsante na saída. Para alimentar equipamentos eletrônicos com tensões contínuas tão puras quanto possível, utilizamse filtros que são acrescentados aos circuitos retificadores. Isso torna a forma de onda na saída da fonte, mais próxima da corrente contínua. A retificação com filtro é o assunto deste capítulo. Nele, serão estudadas as características e funcionamento desse tipo de circuito. Para compreender com facilidade este assunto, é necessário possuir conhecimentos anteriores sobre armazenamento de cargas em capacitores, retificação de meia onda e retificação de onda completa.

Função do filtro As tensões fornecidas pelos circuitos retificadores, tanto de meia onda quanto de onda completa são pulsantes. Embora tenham a polaridade definida, essas tensões sofrem constantes variações de valor, pulsando de acordo com a tensão senoidal aplicada ao diodo.

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Nas fontes de alimentação, os filtros têm a função de permitir a obtenção de uma CC mais pura. Isso é obtido colocando-se filtros entre a retificação e a carga. Eles atuam sobre a tensão de saída dos circuitos retificadores aproximando tanto quanto possível a sua forma de onda a uma tensão contínua pura.

A presença de tensão sobre a carga durante todo o tempo, embora com valor variável, proporciona a elevação do valor médio de tensão fornecido.

Capacitor como filtro A capacidade de armazenamento de energia elétrica dos capacitores é utilizada para realizar o processo de filtragem da tensão de saída de circuitos retificadores. O capacitor é conectado diretamente nos terminais de saída do circuito retificador como mostra a figura a seguir.

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Nos intervalos de tempo em que o diodo conduz, circula corrente através da carga e também no capacitor. Neste período, o capacitor armazena energia.

Nos intervalos de bloqueio do diodo, o capacitor tende a descarregar a energia armazenada nas armaduras. Como não é possível a descarga através da retificação, porque o diodo está em bloqueio, a corrente de descarga se processa pela carga.

A corrente absorvida pela carga é fornecida pelo capacitor. Com o passar do tempo, a tensão do capacitor diminui devido a sua descarga.

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O capacitor permanece descarregado até que o diodo conduza novamente, fazendo uma recarga nas suas armaduras.

Com a colocação do capacitor, a carga passa a receber tensão durante todo o tempo. Isso aumenta o valor da tensão média de saída do circuito retificador.

Retificação de meia onda com filtro a capacitor O circuito a seguir mostra um retificador de meia onda com filtro a capacitor.

Durante o primeiro quarto de ciclo, o capacitor se carrega até o valor máximo da tensão de entrada. Quando a tensão de entrada começa a diminuir, o capacitor deveria se descarregar. Todavia, o diodo não permite a passagem da corrente em sentido contrário. Assim, a carga no capacitor é mantida. Veja gráficos a seguir. 120
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Deve ser observado que o diodo conduz apenas durante o quarto de ciclo inicial. Depois disso, a tensão sobre ele será igual a zero, enquanto que a tensão reversa será o dobro da tensão máxima de entrada. Quando o diodo pára de conduzir, o capacitor se descarrega em R1 de acordo com a constante de tempo R1C. Veja gráfico a seguir.

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td - tempo de descarga do capacitor na carga tc - tempo de carga do capacitor θc - tempo de condução do diodo Observe que td (tempo de carga do capacitor) vai de t2 a t1 quando a tensão no catodo do diodo tende a se tornar menor do que a tensão no anodo. A partir desse instante, o diodo volta a ser diretamente polarizado e, portanto, volta a conduzir, repetindo o processo.

Retificação de onda completa com filtro a capacitor Os circuitos a seguir exemplificam retificadores de onda completa com derivação central e em ponte com filtro a capacitor.

O funcionamento do circuito retificador de onda completa com filtro a capacitor é semelhante ao do retificador de meia onda. A forma de onda obtida é a mostrada no gráfico a seguir.

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Compare nos gráficos a seguir a diferença dos níveis de tensão contínua nos circuitos retificadores já estudados. Os gráficos pertencem a circuitos com a mesma resistência de carga e um mesmo capacitor.

O tempo de carga do capacitor influencia na ondulação, pois, quanto mais tempo o capacitor levar para descarregar, menor será a tensão em suas armaduras. Por isso, para uma mesma carga e mesmo capacitor de filtro, os circuitos de onda completa têm menor ondulação.

Em onda completa, o capacitor é carregado duas vezes a cada ciclo de entrada.

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Tensão de ondulação O capacitor colocado em um circuito retificador está sofrendo sucessivos processos de carga e descarga. Nos períodos de condução do diodo o capacitor sofre carga e sua tensão aumenta, enquanto que, nos períodos de bloqueio se descarrega e a sua tensão diminui, como pode ser observado no gráfico a seguir.

Onde: t1 = Tempo em que o capacitor sofre carga (sua tensão aumenta); t2 = Tempo em que o capacitor se descarrega parcialmente sobre a carga (sua tensão diminui).

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A forma de onda da tensão de saída não chega a ser uma contínua pura, apresentando uma variação entre um valor máximo e um mínimo, essa variação é denominada ondulação ou ripple.

A diferença de tensão entre o valor máximo e mínimo que a ondulação atinge é denominada de tensão de ondulação de pico a pico, representada por VONDPP.

Observação A tensão de ondulação na saída de uma fonte também é denominada de componente alternada. Determinação do capacitor de filtro Devido a grande tolerância de valor dos capacitores eletrolíticos (até 50%), pode-se formular uma equação simplificada para o cálculo do valor do capacitor. A equação é: C = T. IMÁX VONDPP

Onde: C é o capacitor de filtro em F T é o período aproximado de descarga do capacitor, de 16,6 para 60 Hz - meia onda e 8,33ns p/ 60Hz - onda completa; IMÁX é a corrente de carga máxima em mA; VONDPP é a tensão pico a pico de ondulação em volts.
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IMÁX VONDPP 16.Eletrônica II Observação Esta equação pode ser usada para cálculo de capacitores de filtros para até 20% de ondulação de pico a pico (fator de ripple).6. = C = 1245 F ou 0. Veja exemplo a seguir. Exemplo Determinar um capacitor para ser usado em uma fonte retificadora de meia onda para tensão de saída de 12 V. Essa tensão deve ser sempre superior ao maior valor de tensão sob a qual o capacitor irá realmente funcionar. corrente de 150 mA com ondulação de 2 VPP (ou 17%). Tensão de saída (sobre o capacitor) 12 V 17 V 28 V Outros filtros para retificadores de onda completa A ilustração a seguir mostra um circuito retificador no qual a filtragem é realizada por um capacitor e um indutor.001245 µF Tensão de isolação Além da capacitância.150 = 1245 F 2 C = T. Tensão de isolação (capacitor utilizado) 16 V 25 V 40 V 126 SENAI . deve-se determinar também a tensão de isolação do capacitor. sem introduzir um erro significativo.

o que mantém os diodos sempre em condução. a corrente deixa de fluir. Assim. sem a resistência de carga. Observação A corrente de pico nos diodos dos retificadores com filtro que usam indutor é menor que nos diodos dos retificadores que usam filtros a capacitor. No circuito. Uma vez alcançado esse valor. ao ligar resistências de carga muito elevadas ao circuito. Devido ao atraso apresentado pela indutância. a tensão de saída será aproximadamente VMÁX. o capacitor se carrega continuamente até que a tensão sobre ele seja igual ao valor de pico ou VMÁX. Ao reduzir a resistência. a corrente que flui pela indutância aumenta. Limitação para o valor do indutor SENAI 127 . Veja gráficos a seguir. Se analisar o circuito dado. a corrente IL só pode passar no sentido indicado. mesmo que entre os terminais da indutância apareçam tensões variáveis de grande amplitude.Eletrônica II O indutor L em série com a célula LC garante uma filtragem melhor que a obtida nos circuitos retificadores que usam somente capacitor. Isso acontece porque o atraso apresentado pela indutância em relação às variações de corrente faz com que a corrente de saída não sofra variações bruscas. essa corrente nunca se anula.

VCC 3 . para 60 Hz. π   VCC = VMÁX .f. fornece uma tensão CC na saída maior do que o retificador com filtro LC. com dois capacitores e um indutor.L CRÍTICO Filtro RLC O retificador com filtro RLC. Nesse mesmo tipo de circuito.RC   128 SENAI .83 L. o fator de ripple é dado por: r= 0. o valor da tensão contínua na carga é dado por: VCC = 2 . L é dado em Henry e C em F.Eletrônica II Num circuito retificador com filtro de indutor e capacitor.X L IPICO = Na prática há limitações para o valor do indutor. Assim.VMÁX 3 . ou seja.2π.X L = 2. VMÁX ICC = VCC RL 4.C Nessa fórmula.1 −  Z. A tensão de saída fornecida é de aproximadamente VMÁX. temos: L CRÍTICO = RL 1113 L ÓTIMO = 2.

R L r= Por economia. Ela é calculada por: SENAI 129 .3. pode-se usar em alguns casos um resistor em lugar de um indutor.R. o fator de ondulação é calculado por: 2.5.R L r= Regulação Regulação é a porcentagem de variação da tensão de saída de uma fonte. a regulação deve ser de 100%. A regulação é representada em um gráfico que relaciona a tensão média (VCC) com os valores de resistência. porém na prática isso não acontece. o que resultará num filtro CRC ou com resistor. Nesse caso.10 6 C1.Eletrônica II Nesse tipo de circuito. Em termos ideais. o fator de ondulação é bem pequeno: 3.C 2 .C 2 .10 3 C1.L.

VCC com carga VCC com c arg a Quadro comparativo A seguir está um quadro comparativo entre os vários circuitos retificadores com filtro estudados neste capítulo.Eletrônica II % de regulação = VCC em vazio . Tipo RC VCC ≅ VMÁX Riplle grande IPICO grande Circuito L ≅ 2.VMÁX/π pequeno baixa π ≅ VMÁX muito pequeno grande π com R < VMÁX pequeno grande Exercícios 1. Responda às seguintes perguntas: a) Qual a função de um filtro em um circuito retificador? b) Qual é a forma mais comum de filtragem de uma tensão de saída em um circuito retificador? 130 SENAI .

Eletrônica II c) Como ocorre a filtragem de uma tensão em um circuito retificador? d) Qual o valor da tensão reversa na diodo quando está em bloqueio. em um circuito retificador de meia onda com filtro ? e) O que é tensão de ondulação ou ripple? 2. Faça os esquemas dos circuitos: a) Retificador monofásico de meia onda. SENAI 131 . b) Retificador monofásico de onda completa.

corrente 200 mA. e) Retificador monofásico de onda completa com filtro LC. 132 SENAI . Resolva os seguintes exercícios: a) Determine o capacitor necessário em um circuito retificador de meia onda. para uma tensão de saída de 24 V. 3.Eletrônica II c) Retificador monofásico de meia onda com filtro. d) Retificador monofásico de onda completa com filtro. e uma ondulação de 4 VPP.

a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O tempo de carga do capacitor influencia na ondulação da tensão de saída. SENAI 133 . Em um circuito retificador de onda completa com filtro. onde a indutância utilizada é de 10 mH e o capacitor 2000 µF. corrente de pico e ripple de valor alto.Eletrônica II b) Qual o valor do ripple em um circuito retificador de onda completa com filtro LC. A regulação é o valor da capacitância de um capacitor utilizado como filtro. Em um circuito retificador com filtro LC. A tensão de isolação do capacitor deve ser igual a tensão sob a qual irá trabalhar. o capacitor é carregado duas vezes a cada ciclo de entrada. 4. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. a tensão VCC tem valor próximo a VMÁX.

.

Eletrônica II Transistor Bipolar A descoberta do transistor revolucionou o campo da eletrônica. Por sua característica controladora de corrente. é necessário ter conhecimentos anteriores sobre materiais semicondutores. Mesmo com o aparecimento dos circuitos integrados e dos microprocessadores. o transistor ainda tem um lugar de destaque. É um componente que apresenta resistência (impedância) variável entre dois terminais. Essa resistência é controlada por um terceiro terminal. Neste capítulo. junções semicondutoras. SENAI 135 . Transistor O termo transistor vem da expressão em inglês "transfer resistor" que significa resistor de transferência. existem alguns tipos de transistores: • • • transistor bipolar (NPN ou PNP). A partir dessa descoberta. o desenvolvimento da eletrônica se tornou cada vez mais rápido. computadores. movimento de portadores dentro de cristais semicondutores. o transistor pode ser usado como amplificador de sinais ou como "interruptor eletrônico" em aplicações como equipamentos de som. Para adquirir esses conhecimentos com mais facilidade. lei de Ohm e leis de Kirchhoff. controles industriais. imagem. Suas aplicações se estendem a milhares de circuitos com as mais diversas finalidades e utilizações. transistor de unijunção (UJT). calculadoras. Para realizar esse trabalho. serão estudadas as características do transistor bipolar e seu funcionamento. transistor de efeito de campo (FET e MOS-FET). máquinas.

Sua estrutura básica se compõe de duas pastilhas de material semicondutor do mesmo tipo. formando uma configuração semelhante a um sanduíche. Uma das pastilhas externas é denominada de coletor e é representada pela letra C. 136 SENAI . Terminais do transistor bipolar Cada uma das pastilhas que formam o conjunto. recebe terminal para que o componente possa ser conectado ao circuito eletrônico. Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funções diferindo apenas na forma como as fontes de alimentação são ligadas ao circuito eletrônico. A outra pastilha externa é denominada emissor e é representada pela letra E. bastante fina. de material diferente. a pastilha central é denominada base e representada pela letra B. A configuração da estrutura do transistor bipolar permite que se obtenham dois tipos distintos de transistores bipolares: NPN e PNP. Assim. A figura a seguir apresenta os dois tipos de transistores com a identificação dos terminais.Eletrônica II Transistor bipolar O transistor bipolar é o mais comum e também o mais usado. Cada terminal recebe uma designação para que se possa distinguir cada uma das pastilhas. Entre essas pastilhas é colocada uma terceira.

Alguns transistores. Símbolos A norma NBR 12526/92 define o símbolo gráfico do transistor. são dotados de blindagem. O emissor é densamente dopado. SENAI 137 . dissipa mais potência.Eletrônica II Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do mesmo tipo de material semicondutor. a intensidade de sua dopagem é intermediária em relação à dopagem das outras duas pastilhas. Por esse motivo. as ligações do coletor e do emissor no circuito eletrônico não são intercambiáveis. enquanto que a base é levemente dopada. A figura a seguir apresenta os símbolos dos transistores NPN e PNP. A diferença entre os símbolos dos dois transistores esta apenas no sentido da seta do terminal emissor. indicando a designação dos terminais. cuja função é evitar que o funcionamento do transistor seja afetado por campos elétricos ou magnéticos do ambiente. Essa blindagem consiste em um invólucro metálico ao redor das pastilhas semicondutoras. fabricados para aplicações específicas. O coletor possui maior volume e. existe diferença de volume de material semicondutor e de intensidade de dopagem entre as pastilhas. por isso.

é chamada de junção base-emissor (BE). à base e ao emissor.Eletrônica II Esses transistores apresentam um quarto terminal ligado à blindagem para que possa ser conectada ao terra do circuito eletrônico. O símbolo gráfico desse tipo de transistor é apresentado a seguir. A estrutura física do transistor propicia a formação de duas junções entre cristais P e N: • uma junção PN entre o cristal da base e o cristal do emissor. 138 SENAI . Esse movimento está ligado a polaridade da tensão aplicada a cada um desses terminais e é diferente para transistores NPN e PNP. • uma junção PN entre o cristal da base e o cristal do coletor. é chamada de junção base-coletor. Tensões nos terminais do transistor O funcionamento do transistor baseia-se no movimento dos elétrons livres e das lacunas em seu interior e que são provocados pela aplicação de tensões externas ao coletor.

Isso significa que a camada de depleção penetra levemente na região do emissor (dopagem densa). esse processo de difusão dá origem a uma barreira de potencial em cada junção. A camada de depleção do emissor é pequena e a do coletor. SENAI 139 . grande. Por isso. as camadas de depleção não possuem a mesma largura. porém profundamente na base (dopagem leve). ocorre um processo de difusão dos portadores.Eletrônica II Quando as três pastilhas semicondutoras são unidas. a junção base-emissor é polarizada diretamente. Observação As três regiões do transistor possuem diferentes níveis de dopagem. maior será a concentração de íons próximo da junção. no transistor. Polarização na junção base-emissor Na condição normal de funcionamento. Quanto mais densamente dopada for a região. O mesmo acontece entre base e coletor. Portanto. Como no diodo. existem duas barreiras de potencial que se formam com a junção do cristal: a barreira de potencial na junção base-emissor e a barreira de potencial na junção base-coletor. denominada de funcionamento na região ativa.

polaridade positiva no material N e negativa no material P. 140 SENAI . para um transistor NPN.Eletrônica II A condução da junção base-emissor é provocada pela aplicação de tensão entre base e emissor com polaridade correta. ou seja. Isso é feito aplicando-se duas tensões externas entre os terminais do transistor. com polaridade adequada. para um transistor do tipo NPN. polaridade positiva no material P e negativa no material N. as duas junções devem ser polarizadas ao mesmo tempo. a junção base-coletor é polarizada inversamente. Polarização na junção base-coletor Na região ativa de funcionamento. Polarização simultânea das duas junções Para que o transistor funcione corretamente. O bloqueio da junção base-coletor é provocado pela aplicação de tensão externa entre base e coletor. ou seja.

2. basta inverter as polaridades das fontes entre as junções Outra configuração de baterias para a polarização correta das junções também pode ser usada: No diagrama: • • a bateria B1 polariza diretamente a junção base-emissor.Eletrônica II Observações 1. de forma que a junção base-coletor fica polarizada inversamente. dá origem a três tensões entre os terminais do transistor: • • • tensão de base a emissor (VBE) tensão de coletor à base (VCB) tensão de coletor a emissor (VCE) SENAI 141 . através das baterias externas. As baterias representam as tensões de polarização. a bateria B2 aplica uma tensão positiva ao coletor. Para que um transistor PNP funcione na região ativa. A alimentação simultânea das duas junções. Essa tensão é maior que a tensão positiva da base.

Observação O princípio básico de funcionamento que explica a origem das correntes no transistor é o mesmo para os transistores NPN e PNP. a regra também é válida com a diferença que a polaridade das baterias de polarização é invertida. O comportamento do outro difere apenas na polaridade das baterias e no sentido das correntes. denominada de corrente de emissor (IE). chamada de corrente de base (IB). Por isso. chamada de corrente de coletor (IC).Eletrônica II Observação Para o transistor PNP. corrente do terminal do coletor. Princípio de funcionamento O movimento dos portadores livres dá origem a três correntes que circulam nos três terminais do transistor: • • • corrente do terminal emissor. 142 SENAI . estudaremos o princípio de funcionamento de apenas um dos tipos. corrente do terminal base.

porém. 0. com valores que se situam na faixa de microampères ou miliampères. tem potencial negativo pequeno. Em um transistor PNP. Essa recombinação dá origem à corrente de base.7 V para o silício e 0. repelidas pela tensão positiva do emissor e atraídas pela tensão negativa da base.3 V para o germânio.Eletrônica II Corrente de base A corrente de base é provocada pela tensão aplicada entre a base e o emissor do transistor (VBE). Isso faz com que a corrente de base seja pequena. a combinação acontece em pequena escala. poucos portadores que provêm do emissor podem se combinar. Como o emissor é fortemente dopado. as lacunas adquirem velocidade suficiente para atravessar a barreira de potencial formada na junção base-emissor. Se a tensão tiver um valor adequado. ou seja. ou seja. Assim. SENAI 143 . recombinando-se com os elétrons livres da base. um grande número de lacunas se desloca em direção à base. por exemplo. o potencial positivo aplicado ao emissor repele as lacunas do material P em direção à base. Devido à pequena espessura da base e também ao seu pequeno grau de dopagem. um grande número de lacunas atinge a base em grande velocidade e não se recombina por falta de elétrons livres disponíveis. A base. não tendo assim elétrons livres suficientes para recombinar com a maior parte das lacunas que provêm do emissor.

uma vez que a base não tem capacidade para recombiná-los. a barreira de potencial torna-se mais estreita. Tanto a corrente de base como a corrente de coletor provêm do emissor. Esse estreitamento permite que um maior número de portadores do emissor atinja a base. do total de lacunas que entra no emissor de um transistor.Eletrônica II Corrente de coletor As lacunas provenientes do emissor que não se recombinam. quando VBE aumenta. As lacunas que atingem o coletor dão origem a corrente de coletor. ou seja. Esse controle é devido a influência da corrente de base sobre a largura da barreira de potencial da junção base-emissor. IC aumenta e se IB diminui. a grande maioria corresponde à corrente de coletor. Esses portadores são absorvidos pelo coletor. IC diminui. de forma que se pode afirmar que: IC + IB = IE Controle da corrente de base sobre a corrente do coletor A principal característica do transistor reside no fato de que a corrente de base (pequena) exerce um controle eficiente sobre a corrente de coletor. Verifica-se então um aumento na corrente de coletor. Em geral. atingem a junção basecoletor e passam ao coletor onde existe um alto potencial positivo. Assim. se IB aumenta. 144 SENAI .

conclui-se que α é sempre menor que 1. Conhecendo-se o ganho de corrente entre base e coletor (β). As correntes que circulam no interior do componente são provenientes das fontes de alimentação e o transistor apenas controla sua quantidade. lê-se alfa): α= IC IE Como a corrente IE é maior que IC. A corrente controlada (IC) e a corrente de controle (IB) podem ser relacionadas entre si para determinar quantas vezes uma é maior que a outra.Eletrônica II Ganho de corrente do transistor Através de um transistor. IB. ou seja. Observação O fato do transistor permitir um ganho de corrente entre base e coletor não significa que correntes sejam geradas em seu interior. O ganho indica quantas vezes a corrente de coletor é maior que a corrente de base. é possível determinar a corrente de coletor a partir da corrente de base. IC =β IB O resultado dessa relação é denominado tecnicamente de ganho de corrente de base para coletor. O outro ganho a ser considerado é o de emissor para coletor (α. ou seja: IC = β . representado pela letra grega β (beta) para corrente contínua ou hfe para corrente alternada. Os ganhos β e α estão relacionados entre si através das fórmulas: β= α β eα = 1− α β +1 Circuito do coletor Na grande maioria dos circuitos transistorizados. O SENAI 145 . o coletor do transistor é conectado à fonte de alimentação através de um resistor denominado de resistor de coletor (RC). é possível utilizar uma pequena corrente IB para controlar a circulação de uma corrente de valor muito maior (IC).

a tensão VCC fornecida pela bateria se distribui em duas parcelas: • • tensão sobre o resistor de coletor. A malha de coletor se compõe de resistor de coletor RC em série com o transistor (coletor-emissor) aos quais é aplicada a tensão VCC. a malha de coletor obedece à segunda Lei de Kirchhoff. e 146 SENAI . coletor (VRC).Eletrônica II resistor de coletor completa o circuito ou malha de coletor. Sendo um circuito série. que estabelece: a soma das quedas de tensão em um circuito é igual à tensão aplicada aos seus extremos. composto pelos componentes por onde circula a corrente do coletor conforme circuito que segue. denominada de queda de tensão no resistor de tensão entre coletor e emissor (VCE). Na malha de coletor.

Se a corrente de coletor se torna maior (IC).VRC. VRC = RC . VCE é a tensão coletor-emissor e depende da tensão de alimentação e da queda de tensão em RC.Eletrônica II Aplicando a Lei de Kirchhoff. SENAI 147 . 0. ou seja. A partir disso. VCE = VCC . depende de dois fatores: do valor do resistor RC e da corrente que está circulando (IC). A bateria fornece uma tensão de 12 V à malha do coletor. independente da corrente que o circuito solicitar.VRC VCE = 12 . desconsiderando-se a influência da resistência interna.4. ou seja: VCC = VCE + VRC Nessa igualdade. IC VRC = 680 . A queda de tensão no resistor de coletor (VRC) tem como principal característica o fato de ser proporcional à corrente de coletor do transistor. IC. pois RC . VRC é a queda de tensão no resistor de coletor. pode-se admitir que VCC tem um valor constante.006 = 4.92 V A figura a seguir mostra a malha de coletor com os valores de tensão em cada elemento. Exemplo Um transistor com resistor de coletor de 680 Ω tem uma corrente de coletor de 6 mA. a queda de tensão sobre o resistor de coletor aumenta.08V Tensão de coletor-emissor do transistor: VCE = VCC . IC = VRC. ou seja.08 = 7. como VCC = VCE + VRC. pode-se determinar a equação da malha de coletor. segundo a Lei de Ohm. VCC é a tensão fornecida pela bateria ao circuito. Qual é a queda de tensão no resistor de coletor e a tensão coletor-emissor no transistor? Queda de tensão no resistor de coletor: VRC = RC . O valor desta queda de tensão. a soma das quedas de tensão nos componentes da malha de coletor será igual à tensão aplicada à malha.

os valores de RC e β são constantes. Veja exemplo no circuito a seguir. IC Como IC = IB. Desenvolvendo a equação da queda de tensão no resistor de coletor. β) Nessa equação. afirma-se que VRC também depende de IB. Logo. é possível verificar a relação entre os valores de IR. pode-se dizer que o valor da queda de tensão no resistor depende diretamente da corrente de base. 148 SENAI . Tomando-se um circuito a transistor com duas correntes de base diferentes. β. IC. tem-se: VRC = RC . (IB. temos: VRC = RC .Eletrônica II Relação entre parâmetros Ao considerar que a queda de tensão VRC depende de IC. VRC e VCE.

100 = 7000 mA ou 0. os valores do circuito são: IC = IB . pode-se incluir mais esse parâmetro no comportamento do transistor: ⇑ VBE ⇓ VBE ⇑ VBE ⇓ VBE ⇑ IB ⇓ IB ⇑ IB ⇓ IB ⇑ IC ⇓ IC ⇓ VCE ⇑ VCE A relação entre os parâmetros do transistor é então: SENAI 149 . β = 40 .26 V Colocando os dados do circuito das duas situações em uma tabela.28 V 5. Admitindo-se como primeiro valor de corrente de base 40 µA.74 V VCE = 10 .VRC = 10 .26 V Relacionando apenas os dados relativos ao transistor.5. os valores do circuito são: IC = 70 . 100 = 4000 mA ou 0. 820 = 3.3.Eletrônica II Observação O resistor RB na base do transistor serve para limitar a corrente de base do transistor.004 A VRC = IC .74 V Tensão coletor emissor do transistor (VCE) 6. 820 = 5.28 = 6.72 V Admitindo-se um valor de corrente de base de 70 µA. VRC e VCE quando a corrente de base é modificada. RC = 0.004 .28 V VCE = VCC .72 V 4.007 A VRC = 0. Corrente de base (IB) 40 µA 70 µA Corrente de coletor (IC) 4 mA 7 mA Queda de tensão no resistor de coletor (VRC) 3.007 . é possível observar o comportamento dos valores de IC.74 = 4. o comportamento do circuito pode ser assim resumido: ⇑ IB ⇓ IB ⇑ IC ⇓ IC ⇓ VCE ⇑ VCE Considerando que a corrente de base IB depende da tensão VBE.

dá origem a uma dissipação de potência no interior do componente. Ptot ≅ PC A potência dissipada no coletor depende da tensão de coletor à base (VCB) e da corrente de coletor (IC): 150 SENAI . I). A circulação de corrente elétrica através das junções do transistor. analisando as tensões e correntes presentes nas duas junções.Eletrônica II Dissipação de potência no transistor Todo o componente sujeito a uma diferença de potencial e percorrido por uma corrente elétrica dissipa uma determinada potência (P = V . ou seja. Por isso. quando comparadas com a tensão e a corrente presentes na junção coletor-base (VCB e IC). Dissipação nas junções A dissipação de potência ocorre nas duas junções do transistor. Essas potências dissipadas são denominadas de potência de coletor (PC) e potência de base (PB). a potência dissipada na base do transistor é desprezada e considera-se que a potência total dissipada no transistor é a própria potência dissipada no coletor. a potência dissipada na junção base-emissor é muito pequena comparada com a potência dissipada na junção base-coletor. provocada pela aplicação de tensões aos seus terminais. verifica-se que a tensão e a corrente presentes na junção base-emissor (VBE e IB) são muito pequenas. Assim. o que resulta em um aquecimento do transistor. Essa dissipação se dá em forma de energia térmica. A potência total dissipada no transistor é. Isso acontece também no transistor. então: Ptot = PC + PB Entretanto.

Os transistores fabricados para capacidades de dissipação mais elevadas (denominados de transistores de potência) são normalmente encapsulados em invólucros metálicos. transmitindo com mais eficiência o calor para o meio ambiente. Esse tipo de encapsulamento se caracteriza por apresentar uma baixa resistência térmica. essa equação é substituída por outra aproximada. SENAI 151 . o que pode danificar o componente. Resistência térmica: consiste na oposição apresentada por um material à passagem do fluxo de calor. a resistência térmica do encapsulamento. cujo erro é desprezível: PC ≅ VCE . IC) provoca a elevação da temperatura dos cristais semicondutores. a potência dissipada é limitada a um valor que permite o funcionamento normal do transistor. a temperatura externa ao transistor. O limite de dissipação de potência é estabelecido em função de dois fatores: • • a resistência térmica do encapsulamento. IC Dissipação máxima de potência no transistor O calor produzido pela dissipação de potência (PC ≅ VCE .Eletrônica II PC = VCB . diz respeito à oposição (imposta pelo encapsulamento) à transmissão do calor gerado internamente para o meio ambiente. Esse valor é chamado de potência de dissipação máxima (PCmáx) e é fornecido pelos manuais dos fabricantes (“data books”) ou fichas técnicas. Para que isso não aconteça. Quando se fala em transistor. IC Por questões de praticidade e com o objetivo de resolver circuitos transistorizados através das curvas características. representada pela notação (Rthja).

A quantidade de calor transmitido é maior quando a diferença de temperatura é grande entre os dois pontos e menor quando essa diferença é pequena. com mesma potência dissipada. Assim. Temperatura externa ao transistor: para que haja transmissão de calor entre dois pontos. não pode ser empregado porque é válido somente até 25o C. É possível compensar o aumento da temperatura ambiente. Por causa disso.Eletrônica II Os transistores de baixa dissipação (denominados de transistores de sinal) são encapsulados normalmente em invólucros de plástico. é necessário considerar que o valor máximo de potência de dissipação. Redução da potência dissipada Em muitos casos. dois transistores trabalhando com as mesmas tensões e correntes e. fazendo o transistor dissipar menos potência. portanto. Por exemplo: Transistor BC547 apresenta potência de dissipação máxima de 500mW a 25o C ou menos. sofrerão aquecimentos diferentes se estiverem funcionando em temperaturas diferentes. Assim. a menos que haja outra especificação de temperatura. a especificação de potência máxima de dissipação do transistor é dada em função da temperatura. Esse material é usado porque a quantidade de calor gerado por esses transistores é pequena. Quanto mais baixa a temperatura do ambiente. O grau de redução da potência nominal varia de transistor 152 SENAI . O transistor que estiver funcionando em um ambiente mais quente sofrerá maior aquecimento. fornecido pelo fabricante. a quantidade de calor transmitido da junção do transistor para o ambiente depende da diferença de temperatura entre a junção e o ambiente. Nesse caso. Observação As potências de dissipação máxima fornecidas pelos fabricantes sempre são referentes à temperatura de 25o C. é necessário que haja diferença de temperatura entre eles. maior a transmissão de calor do interior do transistor para fora e menor o seu aquecimento. torna-se necessário usar transistores em circuitos que funcionarão em temperaturas superiores a 25o C. porque a quantidade de calor transmitido para o ambiente é menor.

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para transistor e é um dado fornecido pelo fabricante na forma de um gráfico (Ptot x Tamb).

Este gráfico indica a potência máxima no transistor para os diversos valores de temperatura ambiente. Veja na ilustração a seguir o emprego do gráfico determinando a potência de dissipação máxima dos transistores BC546, BC547 e BC548 para uma temperatura ambiente de 50ºC. Correntes de fuga no transistor O movimento dos portadores minoritários (elétrons no PNP e lacunas no NPN) na junção inversamente polarizada do transistor origina uma pequena corrente de fuga que varia diretamente com a temperatura. Nas figuras a seguir está ilustrada a representação dessas correntes em um transistor NPN. O raciocínio análogo se aplica ao transistor PNP, bastando inverter as polaridades da fonte de tensão CC e o sentido de percurso da corrente elétrica. 1. ICBO ou ICO é a corrente do coletor para a base, com o emissor em aberto:

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2. ICEO é a corrente do coletor para o emissor, com a base em aberto:

3. IEBO é a corrente do emissor para a base, com o coletor em aberto:

Observação A terceira condição, corrente do emissor para a base, com o coletor em aberto, não é muito utilizada na prática.

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Disparo térmico O disparo térmico (ou avalanche térmica) é um fenômeno que ocorre no transistor devido à corrente de fuga ICBO. Isso pode levar o transistor à destruição por aquecimento excessivo. A dissipação de potência em um transistor (PC = VCE ⋅ IC) provoca o aquecimento das junções (BE e BC) que, por sua vez, provoca o aumento de ICBO. Como essa corrente é uma das parcelas de IC, o aumento de ICBO provoca um aumento em IC, aumentando a potência dissipada, causando novo aquecimento das junções. Isso ocorre até que o transistor finalmente seja danificado. A corrente de fuga ICBO dobra a cada 10o C, aproximadamente, nos transistores de silício (Si) e 6o C nos de germânio (Ge). Porém, na mesma temperatura, o transistor de silício apresenta ICBO até 500 vezes menor que o de germânio. Por essa razão, os transistores de silício são muito mais usados que os de germânio. Exercícios 1. Responda às seguintes perguntas: a) Quais as funções básicas de um transistor?

b) Quais os tipos de transistores existentes?

c) Defina ganho de corrente do transistor, da base para o coletor.

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2. Faça o símbolo gráfico dos seguintes componentes: a) Transistor bipolar NPN.

b) Transistor bipolar PNP

3. Resolva os seguintes exercícios: a) Calcule a queda de tensão no resistor de coletor, a tensão VCE e a potência dissipada no transistor, no circuito que segue.

c) Qual é o ganho de corrente de emissor para coletor de um transistor com os seguintes valores de corrente: IB = 10 µA IC = 6 mA

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Eletrônica II

4. Faça o esquema de um transistor bipolar polarizado (fonte e resistor de coletor), com as notações das correntes e tensões.

5. Relacione a segunda coluna com a primeira. a. Transistores bipolares c. Transistores de silício d. Junção base-emissor e. Transistores de germânio ( ( ( ( ( ) ) ) ) ) ) Polarização direta Tensão da barreira de potencial 0,3 V Tipo NPN ou PNP Tipo FET ou MOS-FET Polarização indireta Tensão da barreira de potencial 0,7 V

b. Transistores de efeito de campo (

6. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O emissor do transistor bipolar é a pastilha mais dopada. As camadas de depleção de um transistor possuem a mesma largura. A corrente da base controla a corrente do coletor O coletor do transistor bipolar é o de menor volume. O que causa gera o rompimento de ligações covalentes e correntes de fuga

7. Resolva as seguintes questões: a) Um transistor de silício apresenta ICBO = 2,5 µA em temperatura ambiente (25o C), que valor terá essa corrente se a temperatura subir para 45o C?

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Eletrônica II

b) Um transistor de silício com α = 0,95 possui ICBO = 5 µA em temperatura de 27o C. Qual é o valor de ICEO admitindo-se que não haja variação de α, em temperatura de 35oC?

c) Um transistor de germânio apresenta ICO = 4,2 mA em temperatura de 33o C. Qual é o valor de ICBO se a temperatura cair para 14o C?

d) Um transistor de silício apresenta em um circuito os seguintes valores de corrente: IE = 16,32 mA, IB = 200 µA e ICBO = 4 µA. Calcule o ganho de corrente da base para o coletor desse transistor.

e) Ao medirmos VCb de um transistor de silício polarizado na região ativa, encontramos -12 V. Qual é o tipo de transistor medido? Justifique.

f) Calcule VCE do transistor da questão anterior.

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como prever as condições de funcionamento de um componente quando forem aplicados determinados valores elétricos em um circuito. é expresso através de suas curvas características. a reta de carga e o ponto de operação para que você utilize corretamente os transistores. dois terminais para cada corrente. na sua grande maioria. Essa é a razão pela qual o comportamento dos componentes eletrônicos. Configurações de ligação do transistor No transistor. pode-se determinar com certa exatidão os valores de tensão e corrente que se estabelecerão em um circuito transistorizado no momento em que for alimentado. você já deverá ter conhecimentos anteriores sobre o princípio de funcionamento do transistor bipolar e a relação entre os parâmetros. a circulação de duas correntes de valores diferentes em um componente pressupõe a existência de quatro terminais.Eletrônica II Ponto de Operação do Transistor Os componentes eletrônicos se caracterizam por terem a capacidade de operar com os mais diversos valores de tensão e corrente nos seus terminais. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo. Através dessas curvas. normalmente fornecidas pelos fabricantes. O presente capítulo apresentará as curvas características do transistor. SENAI 159 . determinando a corrente de coletor que poderia ser denominada de corrente controlada. Em princípio. Essa versatilidade resulta em uma dificuldade. a corrente de base atua como corrente de controle.

160 SENAI . sua ligação aos circuitos eletrônicos é feita de forma que um dos terminais seja comum ao circuito de entrada e ao de saída. Desta forma pode-se ligar o transistor em três configurações distintas: • • • configuração emissor comum. Configuração de base comum Quando a base é utilizada como terminal comum. Configuração de emissor comum Quando o terminal emissor é comum à entrada e à saída. a forma de ligação do transistor é denominada de configuração de base comum.Eletrônica II Como o transistor não dispõe de quatro terminais. configuração coletor comum. simultaneamente. configuração base comum. a forma de ligação do transistor é denominada tecnicamente de configuração de emissor comum.

IE: corrente de emissor. procura-se colocar esse componente sob as mais diversas situações em termos de correntes e tensões. são necessários apenas dois parâmetros elétricos para expressar o comportamento em gráfico: a tensão entre os dois terminais e a corrente no dispositivo. IB: corrente de base. No transistor. pelo fato de obter três terminais. sob condições de tensão e corrente controladas. porque expressam o comportamento do componente em uma ampla faixa de condições de funcionamento. Curvas características de um transistor Quando se analisa o comportamento de um componente eletrônico. existem 6 valores a considerar: • • • IC: corrente de coletor. Parâmetros elétricos nas curvas características Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais como por exemplo.Eletrônica II Configuração de coletor comum Configuração de coletor comum é a denominação dada à forma de ligação na qual o coletor do transistor é comum a entrada e a saída do circuito. levando em consideração a forma como o transistor está ligado. As curvas características do transistor têm grande importância nos projetos de circuitos. SENAI 161 . O comportamento do transistor é expresso através de curvas características que são gráficos obtidos a partir de medidas elétricas no transistor em vários circuitos. o diodo semicondutor e o diodo zener.

VCE: tensão de coletor a emissor. VCE e IC. Curvas características na configuração de emissor comum A configuração de ligação do transistor mais utilizada é a de emissor comum. fornecidas pelos fabricantes.Eletrônica II • • • VBE: tensão de base a emissor. VCB: tensão de coletor a base. A figura que segue ilustra a representação esquemática de um transistor ligado em emissor comum. IB. Nessa configuração. Por essa razão. 162 SENAI . Com base nesses valores e em outros. Veja esses parâmetros na figura a seguir. as curvas características dos transistores. são relativas a essa forma de ligação. quatro parâmetros são fundamentais: VBE. tais como a temperatura. Os valores de VBE e IB são denominados parâmetros de entrada e os valores VCE e IC. podem ser levantadas uma série de curvas características que expressam o comportamento do transistor nas mais diversas condições.

os parâmetros nas curvas são negativos: . SENAI 163 . É lida da seguinte maneira: corrente de coletor em função da tensão coletor-emissor para valores fixos de corrente de base. as correntes IB e IC saem do transistor. As curvas mostram a dependência da corrente de coletor (IC) em função da tensão coletor-emissor. Portanto.IB e -IC. essa curva é indicada como IC = f (VCE e IB). Nos manuais. O gráfico que segue mostra a característica de saída do transistor BC547. sabe-se que os valores de VCE e IC dependem do valor de IB. são necessárias duas curvas características: • • uma que expressa o comportamento dos parâmetros de entrada do transistor. ou seja. A curva característica de saída permite que se relacionem as grandezas IC. IC e VCE. mantendo a corrente de base em um valor constante. para representar o comportamento do transistor na configuração de emissor comum através de gráficos.Eletrônica II parâmetros de saída da configuração emissor comum. curva característica de saída. A curva característica de saída é a curva de maior importância. VCE e IB em um único gráfico. Observação Nos transistores PNP. Entretanto. denominada de denominada de curva característica de entrada. outra que expressa o comportamento dos parâmetros de saída. e o coletor é negativo em relação ao emissor. pois expressa os parâmetros de saída do transistor.

Essa reta é denominada reta de carga. Ela permite que se determine graficamente a tensão entre coletor e emissor (VCE) e a corrente de coletor (IC). Na prática.Eletrônica II . Aplicação da curva característica A curva característica é aplicada na determinação das condições de funcionamento de um transistor em um circuito. Dispondo dos valores da tensão de alimentação (VCC) e da corrente de coletor (IC). traça-se uma reta que permitirá determinar graficamente o comportamento do transistor em um circuito. isso significa que o comportamento pode apresentar alguma diferença em relação à curva.IC As curvas características fornecidas pelo fabricante representam o comportamento médio de um grande número de transistores usados. presente no transistor naquele momento. em função da corrente de base atual. No plano horizontal. A reta de carga é traçada sobre a curva característica de saída do transistor. o valor de VCE. o ponto quiescente fornece o valor de IC no circuito e no plano vertical. A intersecção da reta de carga com o valor de IB no circuito é denominado ponto quiescente (Q). 164 SENAI .

Eletrônica II Traçado da reta de carga O traçado da reta de carga leva em conta dois fatores: • • a tensão de alimentação do circuito. β. VRC = IC . SENAI 165 . para cada transistor e em cada circuito. ponto de saturação. valor do resistor de coletor. Para traçar a reta de carga utilizam-se dois pontos que ocorrem em duas situações do transistor: • • ponto de corte. VCE = VCC . existe uma reta de carga específica. Usando as equações do transistor.VRC e VRC = 0 Desta forma temos VCE = VCC. O ponto de corte é a situação em que o transistor está sem corrente de base. Então. IC = 0 VRC = 0. verifica-se seu comportamento nessa situação: IC = IB . Como IC = 0. RC. Como IB = 0. Isso significa que.

Se o valor da tensão for alterado. O ponto de saturação é a situação em que se aplica ao transistor uma corrente de base suficiente para fazer com que a tensão de coletor/emissor caia praticamente a zero.VRC. o ponto de corte também será alterado. o ponto de corte fica na posição mostrada no gráfico que segue. VCE = VCC e IC = 0. VRC = VCC Como IC = VRC RC e VRC = VCC . Tomando como exemplo o circuito a seguir. temos: VCE = VCC . são representados por um ponto na curva característica de saída. Como VCE = 0. Esse é o primeiro ponto da reta de carga. IC = VCC RC Na situação de saturação.Eletrônica II Esses dois valores. Observação O ponto de corte depende fundamentalmente da tensão de alimentação. a corrente de coletor assume o seu valor máximo como se 166 SENAI . Considerando a tensão de coletor/emissor como zero.

SENAI 167 .0638 A 470Ω IC = 63. e o resistor de coletor é de 470 Ω. por sua vez. O ponto de saturação depende fundamentalmente da tensão de alimentação e do valor do resistor de coletor. a tensão de alimentação é de 30V. Esse valor de corrente de coletor é denominado de corrente de saturação.Eletrônica II o resistor de coletor estivesse ligado diretamente à fonte de alimentação. o ponto de saturação tem sua posição alterada na curva característica. tem-se a reta de carga do circuito conforme gráfico que segue.8 mA Esses valores dão origem ao segundo ponto sobre a curva característica do transistor. O ponto de saturação. Unindo os dois pontos encontrados no gráfico. a corrente de saturação é: IC = 30 V = 0. é aquele no qual: IC = VCC RC e VCE = 0 No circuito tomado como exemplo. Portanto. Caso esses valores sejam mudados.

pode-se determinar graficamente os valores da tensão VCE. por exemplo. a alimentação (VCC) ou o valor do resistor de coletor (RC) sejam modificados. 0. pode-se determinar as tensões e correntes na malha de coletor quando a corrente de base for. VCC = 30V e RC = 470 Ω). deve-se traçar outra reta de carga de acordo com os novos dados. Tomando-se o circuito do exemplo. 168 SENAI . A resposta é obtida através do ponto quiescente (Q) que é o ponto de encontro entre a reta de carga e a curva de corrente de base conforme gráfico a seguir.10 mA. da tensão sobre o resistor de coletor e da corrente de coletor do transistor para cada valor de corrente de base. Aplicação da reta de carga Uma vez traçada a reta de carga.Eletrônica II Esta reta de carga serve apenas para o circuito apresentado (transistor BC547. Caso o transistor.

também. SENAI 169 . Encontra-se. encontra-se o valor de VCE (13V). o valor da tensão sobre o resistor de coletor do circuito (VRC = 17 V).Eletrônica II Projetando o ponto encontrado até o eixo horizontal.

Eletrônica II Projetando o ponto encontrado até o eixo vertical. Veja a seguir dois exemplos de reta de carga e determinação de parâmetros de um circuito através da curva característica de saída. encontra-se o valor da corrente de coletor (IC = 36 mA). Exemplo 1 170 SENAI .

VRC = 14V. representado pela letra Q. IC = 52 mA. é a denominação dada ao conjunto de valores de tensão e corrente que se estabelecem automaticamente em um circuito a partir de sua alimentação. A figura a seguir mostra um circuito com um transistor no ponto de operação (Q): VCE = 10V. SENAI 171 .Eletrônica II Ponto de corte: VCE = VCC = 6 V IC = 0 A Ponto de saturação: VCE = 0 V IC = 6V = 50mA 120Ω Exemplo 2 Ponto de operação Ponto de operação ou ponto quiescente.

Influência do ponto de operação no circuito O ponto de funcionamento determina a condição normal de funcionamento de um circuito que se estabelece a partir da alimentação. De acordo com a função que o circuito desempenhará. ou seja: • • • do transistor utilizado. O ponto de operação (Q) de um circuito com um transistor estará sempre sobre a reta de carga desse circuito. 172 SENAI .Eletrônica II Uma vez estabelecidos os valores do ponto de operação. Observação Na maioria dos circuitos eletrônicos. o ponto de operação pode se situar em qualquer posição sobre a reta de carga do circuito. na medida em que todo o funcionamento do circuito será baseado nas condições estabelecidas por este ponto. se nenhuma modificação for realizada no circuito. os valores permanecerão constantes. o ponto de operação está localizado na região central da reta de carga. pode-se afirmar que o ponto de funcionamento depende dos fatores que determinam a reta de carga. Logo. todo o funcionamento do circuito estará prejudicado. A escolha correta do ponto de operação é fundamental. da tensão de alimentação (VCC). do resistor de coletor (RC). A partir do momento em que o ponto de operação é localizado sobre a reta de carga. Se o ponto de operação for mal posicionado.

5 V.5 V. No exemplo usado.Eletrônica II ficam automaticamente estabelecidos os valores da malha de coletor (saída). Observe que ele se situa na região central da reta de carga. VRCQ: queda de tensão no resistor de coletor no ponto de operação. corrente de coletor. ICQ: corrente de coletor no ponto de operação. esses valores são: VCEQ = 10. queda de tensão ao resistor de coletor. VRCQ = 13. A partir desse ponto de operação obtém-se os seguintes valores: • • • tensão entre coletor e emissor. ICQ = 50 mA SENAI 173 . Esses valores são denominados respectivamente: VCEQ: tensão coletor-emissor no ponto de operação. Veja no exemplo a seguir um circuito no ponto de operação.

temos: PCmáx = ICmáx . pela malha de base. obtêm-se os valores de ICmáx. No gráfico usado como exemplo.5 = = 0. Curva de dissipação máxima Utilizando o valor de potência de dissipação máxima do transistor e a expressão PC = VCE .5 W. PC = 0.2 mA.Eletrônica II Observação Pequenas diferenças devido à imprecisão gráfica e espessura dos traços no desenho não são significativas. PC = 300 mW a 25 oC Escolhendo alguns valores para VCE. IC. 40 V. pode-se traçar sobre a curva de saída do transistor o limite de dissipação ponto a ponto. ICmáx = PC 0. denominado curva (ou hipérbole) de dissipação de máxima potência. VCE PC = 0. o ponto de operação está colocado sobre a curva de IB = 0. é necessário aplicar ao transistor uma determinada corrente de base quiescente (IBQ). que é dado pelo fabricante e escolhendo diversos valores para VCE. Exemplo Transistor BC547.5 W Ponto 1: VCE = 5 V. O valor dessa corrente é obtida no circuito. Para obter os valores quiescente (VCEQ. 10 V. Conhecendo-se o valor de PC. Esta é a corrente necessária para obter as condições desejadas. VRCQ e ICQ). 20 V. tais como: 5 V.1A VCE 5 ou 100 mA Ponto 2: 174 SENAI .

025 A VCE 20 ICmáx = ou 25 mA Ponto 4: VCE = 40V.0125 A VCE 40 ou 12. ICmáx = PC 0. PC = 0.05 A VCE 10 ou 50 mA Ponto 3: VCE = 20 V.Eletrônica II VCE = 10 V.5 W.5 W ICmáx = PC 0.5 mA Colocando-se os pontos em dois eixos IC e VCE.5 W PC 0. PC = 0.5 = = 0.5 = = 0. tem-se a curva de dissipação máxima no transistor a 25 0C (300 mW). PC = 0. A região da curva característica de saída acima da curva traçada é denominada de região de dissipação excessiva e a região abaixo da curva traçada é a região de SENAI 175 .5 = = 0.

é necessário que a reta de carga. usa-se o gráfico Ptot (Tamb). realiza-se o traçado sobre a característica de saída utilizando o valor encontrado. 176 SENAI . Os resistores de coletor RC e as tensões de alimentação VCC devem ser selecionados de modo a darem origem a retas de carga que se situem sempre abaixo da curva de limite de dissipação. para o funcionamento em temperaturas maiores que 25 0C.Eletrônica II funcionamento. Como a curva de dissipação de potência máxima estabelece o limite da região de funcionamento para um transistor. Relação reta de carga X curva de dissipação máxima A reta de carga expressa todas as possibilidades de funcionamento de um transistor para um determinado valor de resistor de coletor e de tensão de alimentação. Quando a reta de carga está abaixo da curva-limite de dissipação. Se for necessário determinar a redução da potência de dissipação máxima. Em seguida. ou pelo menos o ponto Q. qualquer ponto de operação escolhido poderá ser utilizado sem o risco de provocar aquecimento excessivo no transistor. esteja sempre situada abaixo desta curva.

b) Configuração base comum.Eletrônica II Exercícios 1. Faça esquema de um transistor ligado nas seguintes configurações: a) Configuração emissor comum. Responda às seguintes perguntas: a) Quais são as configurações em que o transistor pode ser ligado? b) Qual é a principal função de uma curva característica de um transistor? c) O que é ponto quiescente? 2. c) Configuração coletor comum. SENAI 177 .

através do gráfico. se o transistor utilizado no item anterior (a). Resolva os seguintes exercícios: a) Determine as tensões VCE. 178 SENAI .Eletrônica II 3.1 mA b) Determine. VRC e a corrente IC do circuito apresentado. está trabalhando abaixo da curva de dissipação excessiva. 0. utilizando o gráfico do transistor.

você deverá ter conhecimentos anteriores sobre as relações entre parâmetros. curvas características. SENAI 179 . por meio da polarização do transistor. obtém-se o ponto de funcionamento do transistor ou ponto quiescente (Q). ou polarização fixa. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo. O processo de polarização de base mais simples é o de polarização por corrente constante. reta de carga e ponto de operação do transistor. Por meio do traçado da reta de carga e da determinação da corrente de base (IB) na malha de base. Este capítulo tratará dos métodos mais simples de obtenção do ponto de operação em um circuito transistorizado de modo a fornecer. Polarização de base por corrente constante Polarização de base é o processo de obtenção da corrente de base necessária para levar o transistor ao ponto de operação. as condições previstas através das curvas características. e divisor de tensão.Eletrônica II Polarização do Transistor Uma das condições mais importantes para que um circuito eletrônico transistorizado funcione adequadamente é estabelecer corretamente o ponto de operação. com exatidão em um circuito real.

a corrente de base quiescente (IQB) é obtida através de um resistor. que é ligado entre a base e a tensão de alimentação (VCC). verifica-se que o “diodo base-emissor” é polarizado diretamente e permite a circulação da corrente através do resistor. Análise do circuito de base O circuito de base. também denominado malha de base. 180 SENAI .Eletrônica II No método de polarização por corrente de base constante. compõe-se do resistor de base (RB) e da junção base-emissor ligados em série e aplicados à tensão de alimentação. em um circuito equivalente. Essa corrente é a corrente de base. denominado de resistor de base (RB). Considerando que a junção base-emissor do transistor se comporta como um diodo.

VCC é a tensão de alimentação. obtém-se a fórmula para determinar o resistor de base: VCC − VBE IBQ RB = Um exemplo completo de determinação do resistor de base para a obtenção de um ponto de operação desejado é apresentado a seguir. VBE é a ddp na junção base-emissor e RB é o resistor de base. Operando essa expressão. SENAI 181 .Eletrônica II Determinação do resistor de base A corrente quiescente que circula na base do transistor (IB) depende dos seguintes valores: • • • valor do resistor (elemento de controle). do tipo de transistor utilizado (já definido). Do circuito equivalente verifica-se que a corrente circulante na base é dada pela expressão: IBQ = VCC − VBE RB Nessa igualdade. Determinar o valor do resistor de base necessário para obter um VCEQ = -3 V em um circuito com um transistor de silício BC200 (silício). tensão de alimentação (já definida). cuja reta de carga já está traçada na curva.

5 − 0.6 = = 86250Ω IBQ 0. verifica-se que esse ponto determina um VCEQ de aproximadamente -3. aplica-se a equação: VCC − VBE 7.2 V.2 V é admissível. Para determinar o valor de RB. Considerando que a diferença de 0. o valor de IBQ necessário é -80 µA.Eletrônica II Observando o encontro da reta de carga com a curva de IB = 80µA.00008 RB = 182 SENAI .

da ordem de micro ou miliampères. a equação que determina IC deve levar em conta essas correntes de fuga: IC = β ⋅ IB + ICBO ⋅ (β + 1) Como ICEO = ICBO (β + 1). devido às correntes de fuga ICBO e ICEO. Assim. as variações da corrente de coletor.VRC. VCE = VCC . O aumento da temperatura desloca o ponto de funcionamento (Q) para a parte superior da reta de carga. ocasionadas pelas variações de temperatura. pode-se fazer também: IC = βIB + ICEO A corrente de coletor é responsável pela tensão no resistor de coletor (VRC = RC ⋅ IC) e. Estabilidade térmica dos circuitos transistorizados A corrente de coletor dos transistores está sujeita a variações de valor em função da temperatura. 470k) porque as correntes de base dos transistores são baixas.Eletrônica II Observação O resistor de base utilizado para a polarização por corrente de base constante normalmente é de valor elevado (por exemplo. 68k. modificam a forma como as tensões se dividem entre o transistor e o resistor de coletor e retiram o transistor de seu ponto de funcionamento. conseqüentemente . pela tensão VCE pois. SENAI 183 . Assim. 220k.

Isso significa que quanto menor for o resultado da divisão ∆IC/∆ICBO. Esse fator corresponde ao quociente entre a variação da corrente de coletor (∆IC) e a variação da corrente de fuga (∆ICBO) responsável pelo fenômeno. maior será sua instabilidade. Com valor de S elevado. Fator de estabilidade (S) O fator de estabilidade (S) é um coeficiente utilizado para avaliar o grau de estabilidade térmica de um estágio transistorizado. Observação Todo o circuito eletrônico com transistores apresenta um certo grau de instabilidade térmica. ou seja: S= ∆IC ∆ICBO Quanto menor for a variação de (∆IC) em função da variação de ICBO (∆ICBO) melhor será a qualidade do estágio transistorizado. Circuitos com polarização por corrente de base constante O método de polarização por corrente de base constante não deve ser empregado em circuitos que estejam sujeitos a grandes variações térmicas. Por outro lado. mais estável é o circuito. Esse tipo de polarização propicia uma estabilidade térmica muito pequena. A estabilidade térmica admissível depende fundamentalmente da aplicação à qual o circuito se destina. 184 SENAI .Eletrônica II A diminuição da temperatura desloca o ponto de funcionamento para a parte inferior da reta de carga. O fator de estabilidade térmica dos circuitos polarizados por corrente de base constante é dado pela expressão: S = β + 1. o circuito tem pouca estabilidade térmica. o fator S = β + 1 indica que quanto maior for o β do transistor.

O transistor BC337. A curva característica de saída. representa a característica média para um tipo de transistor. é comum ocorrer uma diferença entre os valores reais obtidos no circuito e os valores do projeto. Como na polarização por corrente de base constante o ponto de funcionamento depende diretamente do ganho de corrente do transistor. fornecida pelo fabricante. por exemplo. variando em uma ampla faixa. No exemplo apresentado. SENAI 185 . pode apresentar um ganho de corrente (β) situado entre 60 e 630. os transistores de um mesmo tipo podem apresentar ganhos de correntes diferentes.Eletrônica II Correção do ponto de funcionamento Devido a diferenças existentes no processo de fabricação. o transistor apresenta um ganho de corrente superior à média resultando em uma modificação do ponto de funcionamento.

186 SENAI . não é necessário realizar uma correção. a correção é feita através do resistor de base. Nesse caso.Eletrônica II Neste caso. VCEQ do transistor muito acima do valor desejado. porque as diferenças entre os valores desejados e os valores reais são pequenas. Dependendo de como o ganho de corrente real do componente se situa em relação ao ganho médio. Como o ganho de corrente do transistor não pode ser alterado. é necessário corrigir o circuito de forma que o ponto de funcionamento seja o desejado. podem ocorrer três situações: VCEQ do transistor próximo ao valor desejado. VCEQ próximo ao valor desejado O funcionamento do circuito se situa próximo ao ponto desejado quando o ganho real do transistor é aproximadamente igual ao ganho médio. fornecido pela curva característica. VCEQ do transistor muito abaixo do valor desejado.

vemos que. Como o ganho de corrente do transistor não pode ser modificado.Eletrônica II VCEQ muito abaixo do valor desejado Quando o ganho real do transistor é maior que o valor médio. devido ao maior ganho de corrente do transistor. Tomando como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva característica (média). o ponto de funcionamento sofre um deslocamento para a parte superior da reta de carga. Com a SENAI 187 . o maior ganho de corrente é compensado reduzindo-se a corrente de base quiescente (IBQ). o mesmo circuito com os mesmos resistores apresenta um resultado muito diferente do desejado.

Eletrônica II redução da corrente de base (IBQ). e uma correção é necessária. VCEQ muito acima do valor desejado Se o transistor apresenta um ganho real menor que o ganho médio. aumenta-se o valor do resistor RB. retornando ao valor desejado. a corrente de coletor se reduz. 188 SENAI . o ponto de funcionamento do circuito é muito diferente do desejado. o ponto de funcionamento sofre um deslocamento para a parte inferior da reta de carga. Tomando novamente como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva característica. Para reduzir a corrente de base IBQ.

Regiões de operação de um transistor O ponto de operação de um transistor pode ser localizado em qualquer posição ao longo da reta de carga. o valor de RB deve ser reduzido. De acordo com a posição em que o ponto de operação se situa na reta de carga. tem-se: IC = β ⋅ IB + b ⋅ ICBO SENAI 189 . A polarização inversa na junção BE torna a corrente de base nula. diz-se que o transistor está operando em uma destas três regiões: • • • região de corte. Região de corte Um transistor está na região de corte quando as junções base-emissor e base-coletor estão polarizadas inversamente. região de saturação.Eletrônica II O ganho de corrente mais baixo do transistor deve ser compensado através de um aumento correspondente na corrente de base quiescente (IBQ). Para aumentar IBQ. região ativa. Com base na expressão para cálculo de IC e na corrente IB = 0.

sendo desnecessário polarizar inversamente a junção BE. Observação Em geral. a corrente de coletor é apenas de fuga (corrente de saturação inversa ICEO) e seu valor é da ordem de microampères. ou seja. Veja 190 SENAI . O circuito transistorizado a seguir apresenta as junções BE e BC polarizadas inversamente (em corte). A reta de carga correspondente apresenta o ponto de corte sobre o eixo horizontal. e o VCE é o próprio valor da tensão de alimentação do circuito.Eletrônica II Como β ⋅ ICBO = ICEO. não há queda no resistor de coletor. Região de saturação Um transistor está na região de saturação. Com corrente de coletor praticamente nula. IC. quando a tensão VBE é maior que a tensão VCE. ou seja. nos transistores de silício. Isso ocorre quando as junções BE e BC estão polarizadas diretamente. VCE = VCC (na região de corte). temos: IC = β ⋅ 0 + β ⋅ ICBO. VRC = RC . IC = β ⋅ ICBO Nos transistores de silício. basta cortar a corrente de base para levar o transistor ao corte.

Nas curvas características de saída normais. Na curva característica de saída. SENAI 191 . Por isso.Eletrônica II figura a seguir. onde os valores de VCE são mínimos e os valores de IC são máximos. a região de saturação fica próxima ao eixo vertical. alguns manuais trazem uma segunda curva característica de saída somente para a região de saturação. O que caracteriza a região de saturação é o fato de que a junção coletor-base também fica diretamente polarizada em virtude de VBE ser maior que VCE. a região de saturação corresponde a uma faixa muito estreita.

192 SENAI .Eletrônica II Região ativa A região ativa corresponde a todo o trecho da reta de carga entre as regiões de corte e de saturação.

Polarização de base por divisor de tensão A polarização de base pode ser feita a partir de um divisor de tensão. O circuito da figura que segue mostra o emprego desse tipo de polarização.Eletrônica II O transistor quando polarizado na região ativa. funciona como amplificador. Nela. Em resumo. pode-se dizer que um transistor estará na região ativa sempre que VCE for maior que VBE e menor que VCC. a junção BE é polarizada diretamente e a junção BC é polarizada inversamente. SENAI 193 . ou seja. O gráfico e o circuito apresentados a seguir mostram a característica de saída e as tensões elétricas de um transistor polarizado na região ativa. através do qual se aplica uma tensão VBE entre a base e emissor do transistor. fora das regiões de saturação e corte.

O valor da corrente IBQ é ajustado aumentando ou diminuindo a tensão VBE. Outra característica importante é a menor variação dos valores de polarização quando o transistor é substituído. que é fornecida pelo divisor.Eletrônica II O divisor de tensão aplica uma tensão à base (VB) que polariza diretamente a junção base-emissor. 194 SENAI . acrescido do resistor de emissor. a tensão de base VB é a própria tensão VBE aplicada ao transistor e também é a própria ddp sobre RB2. provocando a circulação da corrente IBQ. é o mais empregado porque propicia um alto grau de estabilidade térmica ao circuito. os circuitos polarizados por divisor de tensão têm ainda um resistor de emissor RE cuja função é melhorar a estabilidade térmica do circuito. pois VRB2 = VB = VBE. Esse tipo de polarização. Como o emissor está aterrado. Normalmente.

Segundo a Lei de Kirchoff para circuitos série.Eletrônica II Análise do circuito de coletor Nos circuitos polarizados por divisor de tensão. As equações do circuito de coletor são: VCC = VRC + VCE + VRE VRC = RC ⋅ IC SENAI 195 . A tensão fornecida pela fonte se distribui sobre os componentes do circuito de coletor. resistor de coletor. a malha de coletor se compõe de: • • • • fonte de alimentação. transistor. pois corresponde ao valor de IB (IE = IC + IB). a expressão da queda de tensão no resistor de emissor pode ser reescrita da seguinte maneira: VRE = Re ⋅ IC. Assim. a soma das tensões eqüivale à tensão de alimentação. As quedas de tensão no resistor de coletor (VRC) e no resistor de emissor (VRE) dependem da corrente no circuito de coletor: VRC = RC ⋅ IC e VRE = RE ⋅ IE A diferença entre IC e IE é muito pequena. resistor de emissor. costuma-se considerar IE = IC. ou seja: VRC + VCE + VRE = VCC. Por isso.

004 = 1.92 V O circuito de base O circuito de base.5.08 V Dispondo de VCC. VBE = VB . que se comporta como um diodo em 196 SENAI . IC = 270 ⋅ 0.(4. VCE = VCC . ou seja.0 + 1. provocando a circulação da corrente IBQ. VRC = RC .(VRC + VRE) VCE = 10 . pode-se determinar o VCE do transistor: VCC = VRC + VCE + VRE Portanto.VRE. que corresponde ao divisor de tensão.08) = 10 . IC = 1000 ⋅ 0.004 = 4 V VRE = RE . A tensão VBE aplicada à junção base-emissor. a tensão aplicada entre base e emissor (VBE) corresponde à diferença entre a tensão de base e a tensão de emissor. Quando o circuito de polarização utiliza um resistor de emissor.Eletrônica II VRE = RE ⋅ IC Exemplo Determinar os valores de VRC. VRC e VRE.08 = 4. tem a função de polarizar diretamente a junção base-emissor do transistor. VRE e VCE no circuito a seguir.

a curva característica de um diodo em condução. Por isso. A própria curva característica da junção base-emissor é. Através da aplicação do valor correto de VBE. Para simplificar a análise matemática podem ser consideradas algumas aproximações e estimativas que não prejudique os resultados obtidos. IC ≅ IE. ou seja. Nesse tipo de estágio. a determinação dos valores dos resistores de polarização é feita matematicamente. se comparada com a tolerância dos resistores (5 ou 1%). obtém-se a condição de funcionamento desejada para o circuito. Na determinação dos valores dos elementos polarizadores. essencialmente. corrente de coletor (ICQ). A tensão sobre o resistor de coletor (VRC) e a tensão de alimentação estão relacionadas entre si. toma-se como pontos de partida os seguintes valores: • • • tensão alimentação (VCC). adota-se normalmente uma tensão no SENAI 197 . dá origem a uma corrente de base. tensão sobre o resistor de coletor (VRCQ). a pequena diferença existente entre IC e IE (corrente de base) que não representa erro. por exemplo.Eletrônica II condução. Determinação analítica dos componentes polarizadores Embora a inclusão do resistor de emissor torne o circuito mais estável termicamente. isso se torna um problema quando se faz a análise gráfica através da reta de carga. como.

a tensão fornecida à base deve ser a tensão de condução de junção mais VRE.Eletrônica II resistor de coletor igual ou próxima à metade da tensão de alimentação: VRCQ = VCC 2 A corrente de coletor (ICQ) assume. nos estágios transistorizados polarizados por divisor. ou seja. RC = VRCQ ICQ Adotando para o resistor de emissor uma queda de tensão de 10% da tensão de alimentação (VRE = 0. valores que variam entre 1 e 10 mA. aplicada aos valores do transistor. Para que a junção base-emissor conduza. 198 SENAI . entre10 e 15Ω. pode-se determinar os valores dos componentes da malha de coletor. O resistor de coletor é calculado através da Lei de Ohm. obtém-se um fator de estabilidade ótimo. Dispondo-se de valores VCC.1.VCC ICQ RE = O divisor de tensão formado pelos resistores de base tem a função de fornecer a tensão VB à base do transistor. Desta forma. VCC).1 .1 . VCC e IE ≅ ICQ 0. ICQ e VRCQ. o resistor de emissor é determinado pela equação: RE = VRE IE Como VRE ≅ 0.

a corrente do divisor (ID) deve ser suficientemente alta para que pequenas variações na corrente absorvida pela base não alterem significativamente a proporção da tensão sobre os resistores.Eletrônica II A tensão de saída do divisor é a própria queda de tensão no resistor RB2 de forma que: VRB2 = VBE + VRE A tensão sobre RB1 é a tensão de alimentação menos a parcela que cabe a RB2.VRB1 Dispondo dos dois valores de tensão sobre os resistores. podemos dizer: IBQ = ICC β SENAI 199 . deve-se escolher um valor para a corrente de funcionamento do divisor. Para que o circuito tenha um fator de estabilidade ótimo. IBQ Como: IBQ = ICC β e considerando-se que o transistor tenha β mínimo de 100. VRB2 = VCC . adota-se ID = 10 . ID >> IBQ Em função dessa necessidade.

20 = 2 V 200 SENAI . VRB1 e VRB2 e a corrente que circula por eles.1ICC VRB1 = VCC –VRB2 RB2 = VRB2 V = RB 2 ID 0. RB1 e RB2 para que o circuito fique polarizado na região ativa.1 I CC 100 10 Com os valores de tensão dos resistores.1ICC RB2 = Exemplo Determinar os valores de RC.1 . temos: R B1 = VRB1 0. VCC = 0. Assim. RE.1 .Eletrônica II I D = 10. pode-se determinar seus valores pela Lei de 0hm.1ICC VRE + VBE 0. RC = VRCQ ICQ = 10 = 1724Ω 0. I BQ = 10 I CC I ⇒ I D = CC ⇒ I D = 0.0058 Cálculo de RE: VREQ = 0.

0058 Cálculo de RB2 VRB2 = VBE + VREQ = 0.48 kΩ ID 0. SENAI 201 .6 V ID = 0.00058 ou 30 kΩ Usando os valores de resistores comerciais com 5% de tolerância.1 IC = 0.00058 Cálculo de RB1 VRB1 = VCC .6 = = 4482Ω ou 4.Eletrônica II RE = VREQ 2 = = 344Ω ICQ 0.4 V R B1 = VRB1 17.6 + 2 = 2. o circuito seria montado conforme mostra a figura que segue. Modificação do ponto de operação Os estágios transistorizados polarizados por divisor de tensão.VRB2 = 20 .2.8 mA = 0. não necessitam de correções em função de variações de temperatura.4 = = 30000Ω ID 0.1 ⋅ 5. por possuírem ótima estabilidade térmica.6 = 17.58 mA RB2 = VRB 2 2.

para reduzir IC se reduz IB. a corrente IB é determinada pela tensão VBE. As tensões VRC e VRE dependem da corrente IC (VRC = RC ⋅ IC e VRE ≅ RE ⋅ IC). Vamos supor como condição inicial. Para isso. é necessário reduzir a queda de tensão nos resistores RE e RC.Eletrônica II A modificação do ponto de funcionamento nestes estágios acontece apenas quando é necessário alterar o ponto de funcionamento. 202 SENAI . Portanto. A redução nos valores de VRC e VRE pode ser obtida pela redução de IC. Como a corrente IC é diretamente proporcional a IB. por exemplo. Nesse tipo de polarização. VBE = VB .VRE. um estágio polarizado por divisor de tensão com os valores indicados no circuito a seguir. ou seja. Situação 1: deseja-se aumentar o VCE do transistor. deve-se reduzir a tensão VBE que corresponde à diferença de tensão entre a base (VB) e o emissor (VRE). para reduzir IB.

resistor de base RB1 e resistor de base RB2. Para isso. Resumindo o processo de correção. utilizando setas para indicar os valores que aumentam (↑) ou diminuem (↓). A seqüência de blocos a seguir mostra o comportamento do circuito. reduz-se VB. deve-se reduzir RB1 ou aumentar RB2.Eletrônica II A tensão VB é fornecida pelo divisor de tensão. tem-se: Situação 2: Deseja-se reduzir o VCE do transistor. Para reduzir VBE. alterando os valores dos resistores que compõem o divisor de tensão. SENAI 203 .

ICBO aumenta ICBO diminui IB é reduzida na mesma proporção pelo circuito IB é aumentada na mesma proporção pelo circuito Essa correção automática pode ser facilmente compreendida analisando-se o comportamento de um circuito sujeito a variações térmicas.Eletrônica II Fator de estabilidade Os circuitos polarizados por divisor de tensão se caracterizam por apresentar um ótimo. Isso faz as variações na corrente de fuga serem compensadas por variações opostas na corrente IB: IC ≅ β (IB + ICBO) Ou seja. 204 SENAI . ou bom. β varia com a temperatura A parcela da corrente de coletor que é provocada pela corrente de fuga ICBO . fator de estabilidade S. A equação da corrente de coletor mostra a dependência térmica: IC = β . Este fator é dado pela equação: S= RE + RB  R  RE +  B   β + 1   Nessa igualdade. (β + 1) não pode ser alterada porque se deve a fenômenos internos do transistor. β é o ganho de corrente de base para o coletor do transistor. RE é o valor do resistor de emissor e RB é o valor equivalente de Thévenin dos dois resistores divisores de tensão da base: RB = R B1. A polarização por divisor de tensão atua na parcela de IC que é provocada pela corrente de base.R B 2 R B1 + R B 2 Princípio de funcionamento da estabilização térmica As variações de temperatura influenciam a corrente de coletor do circuito (IC). IB + ICBO .

IE aumenta também (IE = IC + IB): IC⇑ IE⇑ O aumento em IE provoca a existência de uma queda de tensão maior em RE: VRE = IE . Condição inicial T⇑ ICBO⇑ IC⇑ A modificação de IC provoca uma mudança indesejável no ponto de operação. A partir do momento em que IC aumenta.VRE VB é fixo VBE diminui VRE aumenta VRE ⇑ VBE ⇓ Diminuindo o VBE do transistor. RE IE ⇑ à VRE ⇓ Como a tensão VBE depende da tensão fornecida pelo divisor de tensão (fixa) e de VRE. observa-se que o seu valor decresce.Eletrônica II A partir do momento em que a temperatura aumenta. a corrente de coletor IC tende a aumentar como conseqüência do aumento da corrente de fuga. a corrente de base IB diminui. SENAI 205 . VBE = VB .

Eletrônica II VBE⇓ IB⇑ A redução em IB ocorre na proporção correta para reduzir a corrente de coletor ao seu valor original. Condição Final IB⇓ à IC⇓ (Volta ao valor original) Com esse processo de correção. o circuito é praticamente insensível às variações de temperatura. Responda às seguintes perguntas: a) O que significa polarizar um transistor? b) O que expressa o fator de estabilidade em um circuito? c) O que deve ser feito se a tensão VCEQ estiver muito abaixo do valor desejado ? d) Qual é a principal vantagem na utilização da polarização por divisor de tensão? 206 SENAI . Exercícios 1.

6 V e IE = 10 mA. b) Faça o esquema e determine os valores de RC. RE. Faça o esquemas solicitados: a) Circuito com um transistor com polarização da base por corrente constante. VCE = 11. RB1 e RB2 para que o circuito funcione com um transistor de silício com os seguintes dados • • • • β = 200 ICQ = 12 mA VRCQ = 20 V VCC = 40 V SENAI 207 .Eletrônica II 2. 3. Resolva os seguintes exercícios: a) Determinar os valores dos resistores de polarização no circuito a seguir. b) Circuito com um transistor polarizado por divisor de tensão. sabendose que VB = 3 V.

Região de saturação ( ( ( ( ( ( ) Tensão VBE maior que a tensão VCE. a. Resistor de emissor c. ) Região de portadores neutros. ) Polarização por corrente de base constante. ) Funcionamento dos estágios amplificadores. Região ativa d. 208 SENAI .Eletrônica II 4. Região de corte b. Relacione a segunda coluna com a primeira. ) Junção base emissor polarizada inversamente. ) Polarização por divisor de tensão. Polarização fixa e.

apresenta diversas características técnicas e construtivas que devem ser conhecidas pelo usuário. Com o auxílio do multímetro analógico. também é possível identificar os terminais e o tipo de transistor em perfeito estado de que se dispõe. como é mostrada em um folheto técnico.Eletrônica II Características do Transistor Bipolar O transistor. A figura a seguir mostra a posição dos terminais de um transistor. Identificação dos Terminais A identificação dos terminais do transistor deve ser feita com o auxílio de um manual ou folheto técnico específico fornecido pelo fabricante ou com o multímetro analógico. por ser um componente muito versátil. Neste capítulo serão estudadas algumas dessas características. SENAI 209 .

ou seja. o transistor é PNP. em seqüência. Para identificar o tipo de transistor. coloca-se o pólo positivo da bateria do ohmímetro na base (anteriormente identificada) e o pólo negativo em qualquer um dos outros dois terminais. Caso contrário. Dois valores de resistência mais ou menos iguais serão obtidos: resistência baixa (aproximadamente 30 Ω) ou resistência infinita (∞). o transistor é NPN. se ele é NPN ou PNP. Se o aparelho indicar resistência baixa. em relação aos outros (emissor e coletor) fornece duas medidas simétricas: inicialmente duas resistências baixas (ou altas) e. d) Se nas quatro medições feitas anteriormente. de maneira alguma. Caso contrário. ao inverter as polaridade das pontes de prova. o terminal que se supõe ser a base. em seqüência. realmente o é. Para realizar a identificação. Dois valores de resistência mais ou menos iguais são obtidos: resistência infinita (∞) ou resistência baixa (aproximadamente 30 Ω). procede-se da seguinte maneira: a) Coloca-se a escala do ohmímetro em R x 10 K. deve-se lembrar que ela é aquele terminal que. duas medidas simétricas. duas a duas. foram encontrados valores simétricos.Eletrônica II Assim. ou seja. Para identificar o coletor e o emissor do transistor. se a resistência for infinita (∞). isto é. duas resistências altas (baixas). para identificar a base do transistor. Observação Se não se puder obter. coloca-se o terminal − da bateria do aparelho na suposta base e o terminal + nos outros dois. 210 SENAI . c) Inverte-se os terminais das pontas de prova. isso significa que o transistor está danificado. outro terminal deverá ser escolhido e nova seqüência de medições deverá ser realizada. nas quatro medições feitas. procede-se da seguinte maneira: a) Coloca-se a escala do ohmímetro em R x 1. b) Liga-se o terminal + da bateria do aparelho no terminal do transistor que se supõe ser a base e o terminal − nos outros dois terminais do transistor.

ao colocar o dedo entre a base e o coletor do transistor. o valor de resistência encontrado for baixo. a resistência lida passar a apresentar um valor baixo. Se o transistor for PNP e o valor infinito estiver no terminal negativo. após ligar os terminais da bateria conforme o item b. d) Se. Teste do transistor bipolar Existem equipamentos destinados especificamente ao teste de transistores. ou seja: • • primeiro. Porém. e se for encontrado um valor de resistência infinita (∞). este será o coletor. identifica-se o tipo do transistor.Eletrônica II b) Liga-se o terminal + da bateria do ohmímetro no terminal do transistor que se supõe ser o coletor e o terminal − no que se supõe ser o emissor. Faz-se o oposto se o transistor for PNP. o transistor está em boas condições. SENAI 211 . c) Se o transistor for NPN. após a identificação. o terminal positivo da bateria do ohmímetro. o terminal positivo da bateria estará conectado no coletor do transistor. realiza-se o teste como mostra a figura a seguir. usando-se um multímetro. se o transistor for NPN. Observação Se. Através das leituras é possível detectar se a junção PN está em curto ou aberta. é possível testar o transistor e detectar seus defeitos mais comuns. se o transistor for PNP) estará ligado ao emissor do componente. que são: o curto e a abertura na junção PN. no caso de um transistor NPN (ou negativo. O teste é realizado da mesma forma utilizada com um diodo.

Portanto. Os testes apresentados a seguir têm como base um transistor NPN. Testes das junções Estes testes indicam se há curto-circuito ou abertura das junções PN entre base-emissor e base-coletor. Nesta indicação. para fins de teste.Eletrônica II Ao analisar a estrutura dos transistores. observa-se que entre a base e o coletor forma-se uma junção PN que. também para fins de teste. A partir desse dado. pode ser tratada como um diodo. ponta de prova preta (+) e ponta de prova vermelha (-). Teste de Abertura das Junções Com potencial positivo aplicado à base (anodo dos "diodos"). o instrumento deve indicar que existe continuidade entre base-coletor e base-emissor. ou seja. forma-se outra junção PN que. CE). é possível afirmar que: testar um transistor é verificar se existe curto-circuito ou abertura entre cada par de terminais (BC. Observação A polaridade apresentada nas pontas de prova das próximas figuras corresponde à polaridade real do instrumento. o transistor pode ser tratado como dois diodos ligados em oposição. BE. para fins de teste. Da mesma forma. 212 SENAI . pode ser tratada como um diodo. pode-se afirmar que não existe junção aberta (BC ou BE). entre base e emissor.

o instrumento indicará resistência altíssima ou infinita. indicando alta resistência. o instrumento indicará baixa resistência. pode-se afirmar que não existe curto entre base-coletor e base-emissor. Se houver uma junção em curto.Eletrônica II Se houver uma junção aberta (BC ou BE). Teste de curto-circuito nas junções A polaridade aplicada aos "diodos" é tal que deve fazer com que eles bloqueiem. Se isso ocorrer. Para testar as condições entre os terminais coletor-emissor procede-se conforme figuras a seguir : SENAI 213 .

214 SENAI . quando se invertem as pontas de prova sobre os terminais do transistor. nos testes são consideradas como diodos. Defeitos comuns nos transistores As junções base-coletor e base-emissor.Eletrônica II Este teste deve apresentar alta resistência nas duas medições. As partes metálicas das pontas de prova não devem ser tocadas para evitar erros no teste. Assim. Observação Todos os testes devem ser feitos na escala R x 10 e o transistor deve estar desconectado de qualquer circuito. devem indicar condução em um sentido e bloqueio no outro.

se o transistor passar no teste. abertura de uma junção. como mostram as figuras a seguir. O curto ou a fuga entre coletor e emissor são detectados quando qualquer uma das medidas entre coletor e emissor provoca um movimento do ponteiro do ohmímetro (em escala R x 10). os defeitos detectados nos transistores são: • • • curto-circuito em uma junção. devidamente isolados. A abertura de uma junção é detectada quando o teste em uma das junções indica bloqueio nos dois sentidos. o transistor está danificado. Isso significa que houve rompimento na ligação entre as duas pastilhas semicondutoras. inclusive para os transistores. são fabricados de epoxi ou metal. O teste com o multímetro não permite detectar alterações das características no transistor. pois o cristal semicondutor é muito frágil e apresenta dimensões muito pequenas. Todavia. Ele tem a função de garantir resistência mecânica ao componente.Eletrônica II Quando se realiza um teste com multímetro. se o transistor não passar no teste com o multímetro. Porém. Encapsulamento Encapsulamento é o nome dado ao invólucro dos materiais semicondutores. que apresentam diversos formatos. é possível garantir que ele está danificado. há ainda a possibilidade de que existam alterações nas suas características que não podem ser detectadas no teste e que o torna impróprio para funcionar no circuito. curto ou fuga entre coletor e emissor. SENAI 215 . O curto-circuito em uma junção é detectado quando o teste de uma das junções mostra condução nos dois sentidos. Os encapsulamentos.

Resistência térmica: Rthja 110o C/W. A seguir são mostrados alguns tipos de encapsulamentos com suas características físicas e térmicas. Resistência térmica: Rthja 60oC/W. tipo de montagem. 216 SENAI . Exemplo típico: transistor BD135. • Encapsulamento TO-126 Características: corpo plástico com uma placa metálica em uma das faces. Resistência térmica da junção até o ambiente: Rthja = 290o C/W. Exemplo típico: transistor AC188. totalmente metálico. • Encapsulamento TO-3 Características: corpo totalmente metálico eletricamente ligado ao coletor. Exemplo típico: transistor 2N3055. Tipos de encapsulamento Os tipos de encapsulamento (formatos) dos transistores variam de acordo com os seguintes fatores: • • • • fabricante. o encapsulamento metálico apresenta ainda a função de permitir a transferência de calor do cristal para o exterior. • Encapsulamento TO-1: Características: corpo cilíndrico.Eletrônica II Para os transistores de potência. capacidade de dissipar calor. função da montagem.

tensão máxima entre coletor e emissor. Os códigos usados pelos fabricantes nacionais são baseados em códigos de fabricantes europeus. A maneira mais simples para se determinar esses terminais é por meio de uma tabela de especificações ou ficha técnica. em um único tipo de encapsulamento. Significado dos símbolos VCEO: Tensão coletor-emissor (base aberta) IC: Corrente contínua de coletor (emissor aberto) Ptot: Potência dissipada total Tmb: Temperatura da base de montagem hFE: Ganho em corrente contínua fhfe: Freqüência na qual hfe cai de 3dB IDSS: Corrente de dreno VCBO: Tensão base-coletor ICM: Valor de pico da corrente de coletor Tamb: Temperatura ambiente f T: Freqüência de transição hfe ou β: Ganho em corrente alternada VDS: Tensão dreno-fonte Códigos de designação de semicondutores Os diversos tipos de dispositivos semicondutores (dentre eles os transistores) são identificados por meio de códigos compostos por letras e números. Tabela de especificações As tabelas fornecem uma série de dados sobre os transistores tais como: polaridade. SENAI 217 . potência total. Os códigos que apresentam três letras e dois algarismos (de 10 a 99) pertencem a dispositivos semicondutores geralmente utilizados em equipamentos industriais e profissionais de alta confiabilidade. ganho. deve-se conhecer os símbolos mostrados na tabela a seguir. Os códigos que apresentam duas letras e três algarismos (de 100 a 999) pertencem a dispositivos semicondutores geralmente empregados em aparelhos eletrônicos domésticos.Eletrônica II É importante observar que. Para interpretar esses dados com mais facilidade. Constituem-se de duas ou três letras seguidas por um número de dois ou três algarismos. corrente máxima. aplicação. é possível existir vários posicionamentos dos terminais. freqüência máxima.

C . Y . F .tiristores para comutação de baixa potência.diodos multiplicadores de potência. Z .transistores para RF (rádio-freqüência). R .tiristores para comutação de alta potência.diodos detetores de comutação e misturadores.tiristores de alta potência. baixo sinal. ou seja: • • • • • A . baixo sinal. D .diodo-túnel. U . 218 SENAI . pode aparecer mais uma letra maiúscula.LED (dispositivo gerador de radiação). B .antimoneto de índio (Inse).transistores para AF (áudio-freqüência). R . E .Eletrônica II A primeira letra do código indica o material semicondutor do qual o componente é fabricado. T . N – fotoacopladores. D . A segunda letra do código indica o tipo de dispositivo e sua aplicação: • • • • • • • • • • • • • • • • • A . Observação Após o código de identificação de um transistor. Essa letra indica que este componente apresenta características diferentes daqueles sem a letra ou com letra diferente.arseneto de gálio (GAAS) ou arseneto de fósforo e gálio (GAASP). Q . S . P .tiristores para comutação de alta potência.silício (Si).diodos de capacidade variável (VARICAP). B .transistores para RF de potência.transistores para AF de potência.fotodiodos e fototransistores (dispositivos sensíveis à radiação). A terceira letra e os algarismos indicam apenas a série de fabricação. X . L .diodos zener.materiais para células fotocondutoras. Dissipador de calor O transistor é sensível à variação de temperatura. Isso torna as especificações de temperatura muito importantes. C .diodos retificadores.germânio (Ge).

Em transistores de média e alta potência. do invólucro e da junção. o terminal do coletor é ligado ao invólucro que é SENAI 219 . é necessário que o dissipador tenha uma área que permita o máximo de transferência de calor com o mínimo de consumo de material. Além disso. que permite a troca de calor entre o transistor e o meio ambiente. Os dissipadores são construídos com materiais que conduzem bem o calor como o alumínio.Eletrônica II No caso específico desse componente. é preciso considerar as temperaturas do ambiente. Isso é obtido. Nos transistores de potência. por exemplo. o calor produzido na junção deve ser dissipado. Isso permite que o calor circule por ele e saia para o ar ambiente. Para evitar que o transistor seja destruído. diminuindo a temperatura do componente. Seu formato pode ser observado nas figuras a seguir. para aumentar sua eficiência. O dissipador de calor é ligado ao encapsulamento do transistor. construindo os dissipadores com aletas que permitem uma área maior em espaço reduzido. esse trabalho é realizado por um dispositivo denominado de dissipador de calor.

Esses isoladores são feitos geralmente de mica. são usadas buchas isoladoras para que os parafusos de fixação também não estabeleçam contato elétrico entre o transistor e o dissipador. o transistor não deve ter contato elétrico com o dissipador porque este está ligado à carcaça e esta. Quando é executada a montagem do tipo mostrado na ilustração anterior. Uma possível disposição para essa montagem é ilustrada na figura que segue. à terra. Devido ao coletor apresentar tensão diferente do terra.Eletrônica II metálico. Para evitar o contato elétrico. 220 SENAI . Além da mica. o contato nunca é perfeito. Esses parafusos também permitem que neles se fixe o terminal onde está soldado o fio de conexão do coletor. por mais lisas que as superfícies sejam. Todavia. os parafusos devem ser muito bem apertados para que a transferência de calor seja adequada. são usados isoladores entre o transistor e o dissipador.

Exercícios 1. utiliza-se a graxa de silicone (ou pasta térmica) que preenche as irregularidades das superfícies. não reage com o transistor nem com o dissipador. é recomendável que se teste a isolação dos terminais do transistor em relação à carcaça e ao dissipador.Eletrônica II Para maximizar a transferência de calor. Além disso. Observação Sempre que uma montagem é terminada. Essa graxa é isolante. pode-se afirmar que não existem alterações nas suas características? Justifique sua resposta. a graxa deve ser espalhada uniformemente sobre todas as superfícies a serem postas em contato. Na aplicação. Responda às seguintes perguntas: a) Quais são os defeitos mais comuns em um transistor bipolar? b) Qual é a indicação que comprova que o transistor está com uma junção aberta? c) Após testar um transistor utilizando um multímetro. não evapora e não se torna fluída quando aquecida. é boa condutora de calor. completamente inerte. d) Qual é a função do encapsulamento em um semicondutor? SENAI 221 .

Complete a tabela que segue com os significados das notações apresentadas.Eletrônica II e) Qual é a função do dissipador de calor? 2. hFE IC hfe Ptot VCBO β 222 SENAI .

Existem duas razões para isso: • • regulação pobre e estabilização pobre. novas aplicações foram descobertas para o transistor. Este capítulo tratará do princípio de funcionamento das fontes reguladas a transistores e o uso de transistores em configuração darlington. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo.Eletrônica II Reguladores de Tensão A partir de sua descoberta. Uma destas aplicações é a construção de fontes de alimentação reguladas à base de transistores que hoje são utilizadas na maioria dos circuitos eletrônicos. você deverá ter conhecimentos relativos a fontes de alimentação com filtro. SENAI 223 . o transistor popularizou-se muito rapidamente como substituto da válvula e passou a ser empregado na grande maioria dos circuitos eletrônicos. Paralelamente à substituição das válvulas. regulação de tensão com diodo zener e relações entre parâmetros do transistor bipolar. Regulação de tensão em fontes de alimentação A necessidade de projetar e montar fontes reguladas de boa qualidade provém do fato que as fontes não-reguladas nem sempre atendem aos requisitos necessários para todos os usos.

Circuitos reguladores de tensão Existem circuitos eletrônicos cuja finalidade é melhorar o desempenho das fontes de alimentação. Normalmente. embora 224 SENAI . tem-se uma variação na tensão de saída quando a carga varia. estes circuitos são denominados de reguladores de tensão. independentemente das variações que ocorrem na corrente de carga na tensão da linha de alimentação CA. Veja gráficos comparativos a seguir. fornecendo um valor preestabelecido de tensão de saída. Nas fontes não-reguladas. as variações de tensão de entrada (na rede CA) provocam variações proporcionais na tensão de saída e o resultado é uma estabilização pobre.Eletrônica II Como resultado de uma regulação pobre.

Um exemplo típico de regulação paralela é aquela que utiliza o diodo zener como elemento regulador. Observação Deve-se sempre considerar que não existe um sistema regulador de tensão perfeito. Os sistemas reguladores devem funcionar de tal forma que as variações na tensão de saída sejam as menores possíveis. na realidade. regulador série.Eletrônica II sejam. Classificação dos circuitos reguladores Os circuitos reguladores são classificados em dois grupos. esse tipo de circuito só é utilizado quando a corrente SENAI 225 . Na prática. segundo a posição do elemento regulador em relação à carga: • • regulador paralelo. As variações na tensão de entrada sempre provocam pequenas alterações na tensão de saída. Um circuito regulador é considerado paralelo quando o elemento regulador é colocado em paralelo com a carga. reguladores e estabilizadores de tensão.

permite a obtenção de 226 SENAI . as variações de tensão da entrada são absorvidas pelo elemento regulador. A associação diodo zener-resistor. ligada à tensão de entrada. Regulação série com transistor Os reguladores de tensão do tipo série com transistor são largamente empregados na alimentação de circuitos eletrônicos devido a sua boa capacidade de regulação. apenas o elemento regulador dissipa potência. Um circuito regulador é classificado como sendo série quando o elemento regulador é colocado em série com a carga. Nesse tipo de circuito.Eletrônica II de carga é bastante reduzida. Na regulação série. e uma tensão de saída praticamente constante é entregue à carga.

No exemplo a seguir. A tensão aplicada à base pode ser considerada constante (mantida pelo diodo zener) de forma que a tensão sobre a carga também se mantém constante (0. a tensão de base do transistor é estabilizada no valor VZ.Eletrônica II uma tensão constante (VZ). VS = VENT . pois a tensão de base do transistor está estabilizada pelo zener. A tensão constante do diodo zener é aplicada à base do transistor.3 V menor que VZ). ou seja.VBE A diferença entre a tensão de entrada (VENT) e a tensão de carga (VRL) fica entre coletor e emissor do transistor (VCE) que atua como elemento regulador. a tensão sobre ela (VRL) será a tensão aplicada à base (VZ) menos a queda na junção base-emissor (VBE): VRL = VB . sendo VZ = VB Como a carga está ligada ao emissor do transistor. Análise do circuito No circuito regulador série com transistor pode ser analisado sob dois pontos de vista: o das tensões e o das correntes. As variações nas tensões de entrada são assimiladas pelo transistor através de uma modificação na tensão entre o coletor e o emissor (VCE). independentemente das variações da tensão de entrada.VCE Observe que qualquer variação da tensão de entrada não é transferida para a saída.VBE ou VS = VZ . é apresentada a análise do comportamento das tensões no regulador com transistor.7 V ou 0. SENAI 227 .

é 228 SENAI .Eletrônica II Nesses circuitos. A corrente de base. Como IB é desprezível. ou seja. necessária para que o transistor forneça a corrente de carga. a tensão de entrada sempre é maior que a tensão de saída. a corrente de coletor é praticamente igual à corrente de carga. com uma carga estabelecida. desde que VCE seja maior do que 3 V. a tensão de entrada deve ser aproximadamente 50% maior do que a tensão regulada necessária na saída. as correntes do circuito são as mostradas na figura a seguir. Isto é necessário para que a tensão coletor-emissor (VCE) varie sem provocar alteração na saída do circuito. Em geral. Outra análise que se pode fazer nesse circuito é a análise do comportamento das correntes que mostra a forma como o circuito regulador reage às modificações da corrente de carga. pode-se considerar IRL ≅ IE ≅ IC. Tomando como base uma condição inicial.

Cabe ao diodo zener absorver o excesso de corrente ou fornecer uma corrente extra à base do transistor. IZ aumenta. Com a modificação na corrente de coletor. IZ diminui.5 A em relação ao valor de referência de 1 A e no qual IZ = 30 mA. De forma que IB + IZ tenha um valor constante. Na figura a seguir é apresentada a análise das correntes do regulador série com transistor com β = 100. IRL⇑ IRL⇓ → → ⇑IC Como IC = β . conforme a situação de carga do circuito. nos casos em que a corrente de carga aumenta e diminui 0. a base passa a absorver outro valor de corrente. verifica-se que: • • se IB aumenta. Observe que a tensão de entrada do regulador é constante (16 V) SENAI 229 . se IB diminui. IB ⇓IC Como IC = β . a corrente de coletor se modifica.Eletrônica II proveniente do circuito resistor-zener (R – DZ). IB → → ⇑IB ⇓IB Considerando a corrente do resistor R (IR = IB + IZ) com valor constante. Quando a carga varia (exigindo maior ou menor corrente).

Utilizando um diodo de mesmo tipo do transistor (germânio ou silício).Eletrônica II Nos circuitos reguladores série.VBE Como VD1 tem o mesmo valor de VBE.VBE. A tensão zener não deve variar com as modificações da carga ou da tensão de entrada. obtém-se: VS = VZ + VD1 . Compensação da tensão VBE A tensão de saída dos circuitos reguladores tipo série é dada pela expressão VS = VZ .V Z 230 SENAI . Com a colocação do diodo. a tensão aplicada à base do transistor passa a ser VB = VZ + VD1. Isto significa que a tensão de saída sempre é um pouco menor que a tensão do diodo zener. Para compensar esta perda de tensão na junção base-emissor. pode-se acrescentar um diodo (no sentido da condução) em série com o diodo zener. a condição fundamental para que a tensão de saída permaneça constante é a regulação de tensão no diodo zener. o acréscimo de tensão na base compensará a queda de tensão na junção base-emissor: VS = (VZ + VD1) .VBE VS . Essa configuração com o diodo de compensação é apresentada na figura que segue.

VCE Em geral. o resistor R1 fornece uma corrente de base IB1 ao transistor T1. Nos circuitos reguladores série. PT = IC .Eletrônica II Dissipação de potência no circuito regulador série Os circuitos reguladores de tensão sempre apresentam componentes que dissipam potências elevadas em forma de calor. Admitindo-se que IE1 ≅ IC1. os transistores usados nos circuitos reguladores são de potência. A corrente IE1 é aplicada à base de (IE1 = IB2). ou seja: SENAI 231 . Configuração darlington A configuração darlington corresponde a uma forma de ligação entre dois transistores que adquire características singulares. Essa corrente é amplificada por T1 e gera uma corrente de coletor (IC1) com valor igual a IB1 ⋅ β1. O transistor T2 amplifica esta corrente de base gerando uma corrente na carga que corresponde a IC2 = IB2 ⋅ β2. A potência dissipada no transistor é o produto da corrente de coletor pela diferença de tensão entre a entrada e a saída: PT = IC . o componente sujeito à dissipação elevada é o transistor. Veja circuito a seguir. Nele. dimensionados de forma que a dissipação real não provoque o disparo térmico e a inutilização do componente. conclui-se que IE1 ≅ IB1⋅ β1. (VENT – VS) Como VENT – VS = VCE.

tem-se: IB1 = IRL β1.Eletrônica II IC2 = IB2 ⋅ β2 IC2 = IE1 ⋅ β2 IC2 = (IB1⋅ β1) ⋅ β2 Como a corrente de carga (IRL) é a soma das correntes dos coletores: IRL = IC1 + IC2 IRL = IB1 ⋅ β1 + (IB1⋅ β1) ⋅ β2 IRL = IB1β1 (1 + β2) Considerando 1 + β2 ≅ β2. 232 SENAI . dois transistores de β = 50 em configuração darlington. A seguir são apresentados dois exemplos de acionamento de uma carga de 2 A através de: • • um transistor com β = 50. tem-se: IRL = Iβ1β1 .β2 Operando a equação de tal forma a obter IB1.β 2 Isso significa que uma carga de grande corrente pode ser controlada através de uma corrente centenas ou milhares de vezes menor.

o que menor dissipação no zener. 233 .Eletrônica II Pelos resultados. Como vantagens fundamentais dessa configuração. SENAI aumenta a estabilidade da tensão de saída. verifica-se que a corrente de base na entrada do regulador é muito menor com a configuração darlington. A figura a seguir mostra o diagrama de uma fonte regulada simples que usa transistores ligados na configuração darlington com os diodos de compensação VBE. temos: • • as variações de corrente no zener em função da carga são menores.

O prefixo 78 indica regulador de tensão positiva e o 79 identifica o regulador de tensão negativa. e a única forma de identificar transistores com essa configuração é através da consulta ao manual do fabricante. Ele possui limitação interna de corrente. Observação Alguns desses transistores possuem um diodo entre emissor e coletor. pode fornecer à carga corrente superior a 1 A.Eletrônica II Deve-se levar em conta que se não houver os diodos de compensação (D1 e D2).(VBE1 + VBE2). 234 SENAI . área de segurança de compensação de temperatura e proteção contra curto-circuito na saída. A configuração darlington também está disponível no mercado em um único encapsulamento de transistor. Esses circuitos integrados reguladores ou estabilizadores de tensão podem fornecer uma tensão de saída fixa ou variável. Se for usado com dissipador de calor adequado. O regulador de tensão de saída variável mais popular é o LM 317. a tensão de saída será: VS = VZ . Os dados sobre esses componentes são encontrados nos data books e manuais dos respectivos fabricantes. O regulador de tensão com saída fixa mais utilizado é o de três terminais com encapsulamento TO-220 da família 78XX e 79XX. Reguladores em circuitos integrados Existem circuitos integrados que fazem toda a regulação da tensão de saída de uma fonte de CC de forma simples e muito eficiente.

Eletrônica II Exercícios 1. b) Qual é a função de um circuito regulador de tensão? c) Quais são os dois grupos de reguladores usados. e qual é o mais usado? d) Qual é a vantagem da utilização de uma configuração darlington em transistores? 2. SENAI 235 . Responda às seguintes perguntas: a) Cite duas razões pelas quais se deve usar regulação em uma fonte de tensão. Faça os esquemas citados: a) Circuito regulador série.

Resolva o seguinte exercício: a) Calcule a corrente de base no circuito apresentado. Em um circuito regulador a transistor. Escreva nos parênteses V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. Os circuitos integrados reguladores são fabricados para fornecer somente tensões fixas. 4. 3. com os dizeres “dn”. Um transistor darlington difere de outros transistores.Eletrônica II b) Configuração darlington. as variações na tensão de entrada são assimiladas pelo transistor. as variações na corrente de entrada são assimiladas pelo diodo zener. por uma marca no seu encapsulamento. A potência dissipada no transistor em um circuito regulador série é o produto da corrente zener pela tensão VCE. 236 SENAI . a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) Em um circuito regulador a transistor.

a proteção contra curto e a regulação ficam independentes da fonte principal. Assim. A pastilha semicondutora interna congrega todos circuitos necessários à regulação da tensão. pois é facilmente ligado ao circuito. Disponíveis em embalagens (encapsulamentos) plásticas ou metálicas. Este regulador constitui um componente de grande robustez mecânica e elétrica.Eletrônica II Regulador Monolítico O regulador de tensão serial monolítico é um componente que veio facilitar muito a implementação de fontes de alimentação. estes reguladores de três terminais tornaram-se populares por serem baratos e fáceis de serem usados. sendo ainda encontrado para várias tensões de regulação. Além de um par de capacitores de passagem. São largamente aplicados na regulação local de tensões de cartões de circuitos eletrônicos. Os novos dispositivos podem fornecer corrente de carga de 100 mA a mais de 3A. um terminal terra e um terminal de saída. Apresentado em encapsulamento plástico ou metálico com 3 terminais externos. os novos reguladores de tensão monolíticos não necessitam de componentes externos. SENAI 237 . sendo um terminal de entrada.

a indutância do cabo condutor pode produzir oscilações no C1. um capacitor de passagem C2.01Ω. uma regulação da fonte de 3 mV.5 A.Eletrônica II Figura: diagrama de blocos (funcional) de um regulador de tensão em CI com três terminais típico. como se vê na figura abaixo. às vezes. Para melhorar a resposta a transientes (ruídos elétricos) da tensão de saída regulada. é usado. uma regulação de carga de 10 mV. Com impedância de saída de aproximadamente 0. o LM340-5 é uma fonte de tensão estável para cargas dentro da especificação de corrente. 238 SENAI . Quando o C1 estiver a alguns centímetros de distância do capacitor de filtro da fonte de alimentação não regulada. É por isso que se vê freqüentemente um capacitor de passagem C1 no pino. uma corrente de carga máxima de 1. Regulador fixo O LM340-5 tem uma tensão de saída de 5V ± 2 %. Figura: LM340-5 ligado com um regulador de tensão fixo.

aproximadamente. esta ligado ao topo de R2. a tensão de saída do pino 2 ao comum é: A Corrente em R1 (Ireg) é constante porque o regulador sustenta a queda de tensão Vreg (VR1) sobre o resistor. Por exemplo. Além disso. IQ tem um valor máximo de 8 mA e varia somente 1 mA para todas as variações de linha e da carga).1 a 1µF (a folha de dados da série LM340 sugere 0. desta vez. caso contrário. um gerador de corrente (sistema capaz de sustentar uma corrente constante na carga. portanto. O terminal comum do LM340 não é “aterrado” (ligado ao comum). Qualquer dispositivo da série LM340 precisa de uma tensão de entrada de pelo menos 2 a 3 V maior que a tensão de saída regulada. aproximadamente 7 a 20 V.1µF para o capacitor de saída). há um limite para a tensão de entrada devido a dissipação excessiva de potência. A resistência de carga RL assume o lugar de R2. mas ao contrario.22µF para o capacitor de entrada e 0. A figura a seguir é outra aplicação. o LM340-5 regula ao longo de uma faixa de entrada de. escurecimento). Como no caso anterior. ele pára de regular (às vezes chamado de “brownout” – termo parecido com “blackout”. (Para a série LM340. até determinado valor limite de carga máxima). uma corrente quiescente IQ flui através do pino 3 e através de R2. Como IQ apresenta pouca variação com as variações da linha e da carga (garantida pelo fabricante). Isto significa que a saída regulada Vreg se dá através de R1. Aplicações dos reguladores fixo A figura abaixo mostra componentes externos adicionados a um LM340 para se obter uma tensão de saída ajustável.Eletrônica II Valores típicos para o capacitor de passagem são de 0. a equação mostra que Vsaída é regulada e ajustável. a SENAI 239 . enquanto o LM340-24 regula dentro de uma faixa de 27 a 38 V.

A folha de dados de um LM317 dá esta fórmula para a tensão de saída: 240 SENAI . Em outras palavras. Isaída é essencialmente constante e independente de RL.25 V a 37 V. suponha que Vreg = 5V e R1 = 10Ω então Isaída é de aproximadamente 500 mA.01% para cada volt de variação da entrada. suficiente grande para encobrir as pequenas varições em IQ. Por exemplo o LM317 é um regulador de tensão positiva de faixa ajustável de 1. Reguladores de tensão ajustáveis Um grande número de reguladores em CI como o LM317. Portanto a corrente na carga é: Como exemplo. A regulação da linha é de 0.001%. LM338 e o LM350 são ajustáveis. Isto significa que podemos variar RL e ainda ter uma corrente de saída fixa. isto significa que a tensão de saída somente varia 0. A regulação de carga é de 0.Eletrônica II corrente quiescente IQ e a corrente de R1 fluem através de RL. Eles têm correntes de carga máxima de 1. A figura a seguir mostra uma fonte de alimentação não regulada alimentando um circuito típico de LM317.1%.5 A a 5 A.

7 2.2% 10 5 0. Devido a estabilização térmica e a limitação de corrente.1% 4 0. 18 e 24 V.5 5 1. 15. Também estão incluídos um estabilizador térmico e um limitador de corrente.5 A de corrente de carga.1% 50 30 0. A tensão de referência intrínseca (interna) alimenta a entrada não-inversora de um amplificador. 12.5 1. O diagrama em blocos é o mesmo. Por exemplo. A estabilização térmica desliga automaticamente se a temperatura se tornar alta. o LM340-18 produz uma saída de 18 V.5 2 2 2.2 a 32 V Positivo fixo Positivo fixo Ajustável: 241 LM 317 LM 320-5 LM320-15 LM 338 LM 340-5 LM340-15 LM 350 . A tensão de realimentação negativa provém de um divisor de tensão interno previamente ajustado para fornecer uma determinada tensão de saída como: 5.Ripple dB Desligamento Comentários V +5 -5 -15 +5 +15 - 1 1. 6.2 a 32 V Negativo fixo Negativo fixo Ajustável: 1. Número Vsaída Imáxima Reg.5 3 15 0.5 Positivo fixo Ajustável: 1. 8.5 1.1% SENAI 75 65 65 80 60 80 80 65 2 2.5 2.Eletrônica II A série LM340 A série LM 340 é típica da linha de reguladores de tensão.1% 10 12 0. em torno de 175 °C. desde que seja usado um dissipador de calor.Saída mV Rej.Linha V LM 309 A mV Reg. 10.5 1.1% 3 4 0. A pastilha pode aceitar mais de 1.3 2. o regulador LM340-5 produz uma tensão de saída regulada de 5 V. os dispositivos da série LM340 são praticamente indestrutíveis.

A série 78XX Na linha 78XX o terminal central é o massa. um regulador de 5V.15 0.2 a 32 V RC 4194 ±15 0.5 A normalmente são obtidos em invólucros TO-220 para montagem em dissipador de calor. conforme a figura a seguir. Os tipos comuns desta série. Estes componentes que operam com estas correntes algo elevadas. são especificados para uma corrente máxima de 1 A. A figura abaixo apresenta o diagrama de blocos funcional do dispositivo. enquanto na linha 79XX o terminal massa é o primeiro da esquerda. conforme quadro seguinte da Texas Instruments TM: A letra “C” no final dos tipos. por exemplo. refere-se a corrente máxima que eles podem fornecer em sua saída: 1.2% 2 75 70 3 3 Duas vias: 0 a 32 V Duas vias RC 4195 Quadro: alguns reguladores de tensão monolíticos. sendo o 7805. da ordem de 1 A a 1. O sufixo XX corresponde à tensão de saída. Os fabricantes desta família oferecem um gama grande de valores de saída. 242 SENAI .5 A. sem a letra final.15 0.Eletrônica II 1.2% 2 0.

A tabela abaixo dá a tensão máxima e mínima entre a entrada e a saída para diversos reguladores da série µA 7800 da Texas Instruments. ambas da Motorola. Exemplos de aplicações Para que o regulador funcione bem. As características principais desta família são as seguintes: • • • • • Possuem três terminais. O ideal. sendo também indicada para equivalentes de outros fabricantes: Outro ponto importante a ser considerado no projeto é o desacoplamento da saída que exige o emprego de um capacitor de valor conveniente (de 10µF a 100µF). Não necessitam de nenhum componente externo. mais o circuito tende a aquecer. quanto maior a diferença de tensão. Possuem proteção térmica interna em caso de sobrecarga. Corrente de saída varia entre 100 Ma e 1. assim.5 A conforme série. No entanto.I. ainda a série MC78M00 para 500 mA e a série 78L00 de 100 mA. a geração de calor no C. Possuem limitação interna de corrente em caso de curto-circuito. é preciso uma diferença de tensão mínima entre a entrada e a saída de pelo menos 2 V. é trabalhar com uma tensão pouco acima do mínimo necessário. depende desta diferença de tensão multiplicada pela corrente. numa aplicação prática.Eletrônica II Figura: regulador 78XX de 3 terminais em encapsulamento TO-220 Existem. SENAI 243 .

Fonte de corrente constante O gerador de corrente apresentado na figura abaixo é capaz de manter a corrente de saída na carga constante mesmo que a carga varie de valor (de 0 Ω até RL máxima).Eletrônica II Este capacitor deve ser ligado o mais próximo possível do terminal de saída. Alguns exemplos podem ser apreciados nas figuras a seguir: 244 SENAI . dando-se preferência aos tipos de tântalo nas aplicações críticas. A) . O valor do resistor Rx é calculado pela equação: Onde XX é o valor de tensão do regulador. A corrente de saída (I saída) é o resultado da soma da corrente IRx e a corrente quiescente (4 mA) como na equação: I saída = IRx + IQ A carga máxima (RL máxima) será calculada por: B) – Estabilizador de tensão ajustável O valor da tensão de saída pode ser ajustado para valores não programados pelo fabricante com a utilização de artifícios no terminal de ajuste de reguladores fixos. como circuitos digitais de alta velocidade. então pode ser utilizado para provocar uma queda de tensão que será aplicada no terminal comum (ou ajuste) de modo a aumentar a tensão de saída. Como o fabricante garante que a corrente quiescente (IQ) é praticamente constante.

Reguladores negativos de tensão Os mesmos fabricantes dos reguladores de tensão da série 7800 e 78XX também oferecem uma linha de reguladores negativos de tensão denominada família 79XX que seguem as mesmas especificações dos reguladores positivos com a principal diferença na pinagem do encapsulamento.Eletrônica II Figura: a tensão de saída pode ser ajustada de 5 V á 5+ (IQ × P1). SENAI 245 .5 mA. a corrente quiescente é menor. demonstrada no exemplo das figuras abaixo (7805 e 7905 respectivamente). Além disso.7)= 7. Figura: a saída será de +Vs= 5 V + (3 × 0.1 V= 7.1 V Figura: +Vs= 5 V + 2.1 V com a vantagem de obter o led aceso. da ordem de 3.

Determine a corrente na carga. com a ajuda de um resistor e um potenciômetro construa um regulador variável de 1.5 A 7805 → I quiescente = 4 mA VES mínimo= 2V VES máximo= 20 V 246 SENAI . 2) Desenhe seu circuito do exercício anterior e conecte a ele uma carga de 600 Ohms. no resistor e no potenciômetro que você adicionou. 3) R1= 830 Ω VSC= 5 V R2= 1k Ω R3= 100 Ω P1= 760 Ω E= 22 V I máxima= 1.2 a 10 V. Lembre-se: a corrente quiescente flui do terminal comum do CI para o terra.2 V e corrente quiescente de 1 mA.Eletrônica II Exercícios 1) Sabendo-se que o LM 317 é um regulador ajustável de 1.

SENAI 247 .Eletrônica II Calcule: A) o valor da tensão de saída do gerador de tensão (ponto A). B) a faixa de variação (através de P1) da corrente na carga. C) A carga máxima admissível pelo gerador de corrente.

.

você terá informações detalhadas sobre os amplificadores operacionais. circuitos aplicativos que utilizam amplificadores operacionais e que são muito usados em equipamentos industriais. também chamado de AO. suas características e modo de utilização. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo. Neste capítulo. é um CI com características que o aproximam a de um amplificador ideal. você será capaz de utilizar e reparar equipamentos que os empreguem. Características do amplificador operacional O amplificador operacional. relação de fase entre sinais. SENAI 249 . você deverá ter conhecimentos anteriores sobre circuito integrado. Serão apresentados. Com essas informações. também.Eletrônica II Amplificador Operacional Os amplificadores operacionais são um exemplo característico de circuito eletrônico fornecido sob a forma de circuito integrado. além das leis de Ohm e de Kirchoff.

eles são alimentados por duas tensões simétricas (por exemplo: +15 e –15 V). Terminais de alimentação Os amplificadores operacionais apresentam uma característica singular em relação às tensões de alimentação. Existem fundamentalmente 5 terminais que fazem parte de todos os tipos de amplificadores operacionais: • • • • dois terminais para alimentação. circuitos industriais. ou seja. circuitos eletrônicos para cálculo e filtros de sinais. subtração e multiplicação. Veja a distribuição desses pinos na ilustração a seguir. um terminal de saída. um terminal de entrada não-inversora. A denominação "amplificador operacional" deve-se ao fato de que estes circuitos foram utilizados inicialmente para realizar operações matemáticas como adição. Ao triângulo são acrescentados terminais que apresentam os pontos de conexão com o circuito externo. um terminal de entrada inversora. aplicável em muitas áreas específicas da eletrônica tais como: instrumentação.Eletrônica II É um circuito versátil. 250 SENAI . circuitos de áudio. Terminais do amplificador operacional O símbolo utilizado para representar o amplificador operacional é um triângulo que aponta no sentido do fluxo de sinal.

SENAI 251 . O terra para o circuito externo é fornecido no terminal 0 da fonte simétrica.Eletrônica II A figura a seguir ilustra a forma comum de alimentação de um amplificador operacional a partir de uma fonte simétrica. Isso não significa que os outros componentes ou circuitos que estejam ligados ao amplificador operacional não necessitem de terra. Observe que os amplificadores operacionais não são ligados diretamente ao "terra" ou 0 V da fonte simétrica. O próprio circuito interno do componente obtém o terra. Veja na ilustração a seguir um exemplo de um circuito onde existem componentes externos ligados ao terra.

Eletrônica II Terminais de entrada A finalidade de um amplificador operacional é realizar uma amplificação tanto de tensões contínuas quanto alternadas. os amplificadores operacionais possuem duas entradas de sinal: • • uma entrada inversora. o sinal de saída torna-se mais positivo. Isso acontece de tal forma que a relação de fase depende da maneira como são ligadas as suas entradas. Para os sinais ou tensões aplicadas na entrada inversora ( . uma entrada não-inversora indicada pelo sinal +. o amplificador operacional se comporta como um amplificador com relação de fase de 0o entre a saída e a entrada.) torna-se mais positivo. Para os sinais aplicados à entrada não-inversora ( + ). ou seja. o amplificador operacional se comporta como um amplificador com relação de fase de 180o entre saída e entrada. Assim. ou seja. se o sinal aplicado na entrada "+" torna-se mais positivo. se o sinal aplicado na entrada não-inversora ( . indicada pelo sinal .). o sinal de saída torna-se mais negativo.no símbolo do componente. 252 SENAI .

Os parâmetros mais importantes são: • • • • • • impedância de entrada. Elas possibilitam ao usuário determinar entre diversos AOs aquele que se aplica a sua necessidade. tensão offset de saída. rejeição de modo comum. ganho de tensão diferencial em malha aberta. IEnt = VEnt . amplificando a diferença entre as duas tensões de entrada. operando apenas com tensão. Impedância de entrada A impedância de entrada é aquela que existe entre os terminais de entrada do amplificador operacional. IEnt = 0 SENAI 253 . Por isso.Eletrônica II Quando o sinal é aplicado entre uma entrada e outra. impedância de saída. Parâmetros do amplificador operacional Os parâmetros de um amplificador operacional são informações fornecidas pelos fabricantes. IEnt = VEnt Z Ent Como ZEnt = ∞. as características a seguir serão analisadas segundo uma comparação entre o ideal e o real. o amplificador operacional atua como amplificador diferencial. as entradas de sinal não absorvem corrente. Nesse caso. É denominada ZEnt . Um amplificador operacional ideal deve apresentar impedância de entrada infinita (ZEnt = ∞). Essas características podem ser analisadas segundo dois pontos de vista: considerando o amplificador operacional como ideal ou considerando-o como real. banda de passagem.

ou seja. sem resistência interna. sendo independente da corrente solicitada pela carga. Essa aproximação do ideal permite que se admita que as entradas de um AO real não absorvem corrente. comporta-se como uma fonte de tensão ideal para a carga. os amplificadores operacionais reais podem ser considerados como ideais em relação à impedância de entrada.Eletrônica II Os amplificadores operacionais reais têm uma impedância de entrada da ordem de vários megaohms (MΩ). Devido a esse alto valor de ZEnt . Em um circuito equivalente. Um aplificador operacional ideal deve apresentar impedância de saída nula (zero Ω). a impedância de saída pode ser representada como um resistor em série com o terminal de saída (ZO). Isso permite que a tensão na saída de um AO ideal dependa apenas dos sinais de entrada e da amplificação. 254 SENAI . Impedância de saída A impedância de saída é a impedância do estágio de saída do amplificador operacional (ZS).

do ganho do amplificador operacional. Portanto. Essa impedância atua como uma resistência interna e provoca uma queda na tensão de saída. Observação Através de recursos externos ao amplificador operacional. os fabricantes fornecem o ganho de tensão diferencial em malha aberta (Ad). por exemplo) até valores como 1000 Ω. amplificando a diferença entre as duas tensões de entrada. pode-se reduzir a impedância de saída para menos de 1 Ω. Ganho de tensão diferencial O sinal a ser amplificado por um AO pode ser aplicado de três maneiras: • • • entre entrada inversora (-) e terra. e em alguns casos. que é a amplificação fornecida pelo amplificador operacional quando não há ligação externa entre o terminal de saída e entrada (sem SENAI 255 . a impedância de saída existe e pode variar desde poucos ohms (5 Ω. Nos "databooks" de circuitos lineares. Quando o sinal é aplicado entre uma entrada e a outra. o amplificador atua como amplificador diferencial. entre as duas entradas.Eletrônica II Em um amplificador operacional real. da corrente solicitada pela carga. o ganho obtido entre saída e entrada é denominado de ganho de tensão diferencial e pode ser de dois tipos: em malha aberta ou em malha fechada. entre entrada não-inversora (+) e terra. Nessa condição. a tensão VS na saída de um amplificador operacional real depende: • • • das tensões nas entradas.

se necessário. O ganho de tensão diferencial em malha aberta de um AO ideal deve ser infinito (Ad = ∞). No AO real. a tensão offset é da ordem de poucos milivolts. 256 SENAI . este ganho normalmente é expresso em decibéis: db = 20 ⋅ log VS VEnt O ganho fornecido por um AO pode ser diminuído desde o valor Ad (ganho diferencial em malha aberta) até o valor 1. Veja a seguir o circuito amplificador com AO e com componentes para realimentação (malha fechada).Eletrônica II realimentação). ou seja. Em um AO ideal. Tensão offset de saída A tensão offset de saída é qualquer valor de tensão que esteja presente na saída de um AO que tem as entradas aterradas (a zero volts). a saída deve estar a "zero volt" se ambas as entradas forem levadas ao potencial de terra. O ganho de tensão diferencial em malha aberta em um AO real varia entre 103 e 109. a tensão offset de saída é nula. Essa redução é obtida pela realimentação fornecida por componentes externos ao AO e que interligam a saída com a entrada. No manuais. Observação Esta é uma das características mais importantes de um AO: o ganho em malha fechada definido somente pelos componentes externos que fazem a realimentação.

é a capacidade que um amplificador operacional tem de não amplificar tensões que sejam comuns às duas entradas SENAI 257 . Este ajuste normalmente é denominado de “offset null”. mas com ganho muito menor (centenas de vezes menor). Um amplificador operacional ideal deve ter uma rejeição de modo comum infinita (CMRR = ∞ ). Rejeição de modo comum A rejeição de modo comum (CMRR) porque não há diferença a ser amplificada. A rejeição de modo comum também é conhecida como ganho de modo comum (AVCM). Um amplificador operacional real amplifica também as tensões comuns aos dois terminais de entrada.Eletrônica II Alguns amplificadores operacionais têm terminais que possibilitam. Como o ganho diferencial não é constante ao longo de todas as faixas de freqüências amplificadas. O gráfico a seguir. Veja a seguir símbolo de um AO com dois terminais específicos para esse ajuste. denomina-se banda de passagema faixa de freqüências em que o ganho do circuito se mantém até 70% do ganho máximo (que corresponde a -3db em relação ao máximo). ajustar a tensão de saída para zero quando as entradas forem levadas ao potencial de terra. amplificando apenas a diferença entre a tensão das duas entradas. através de circuitos externos. mostra o ganho de um AO em função da freqüência amplificada.

atingindo valores da ordem de 10 000 ou mais.Eletrônica II Por esse gráfico se observa que até 5Hz. Existem configurações de ligação do AO que permitem estender a banda de passagem para até centenas de quilohertz e até mesmo megahertz no caso de alguns amplificadores operacionais especiais. por exemplo.01 ⋅ 10 000 = 100 V Portanto. Assim. o ganho é igual a 1. o ganho do AO é constante (106dB = 20000). por exemplo). VS = 100 V Entretanto. como a maioria dos AOs é alimentada a partir de fontes de baixa tensão (+15V. 258 SENAI . VS = 0. a tensão de saída nunca sobe além do valor de alimentação. se uma diferença de 10 milivolts for aplicada entre as duas entradas de um AO com um ganho de 10 000. A partir de 5Hz. a tensão de saída será: VS = (VA – VB ) ⋅ Ad Como VA – VB = 10m V. o ganho decresce com aumento da freqüência até que em 1Mhz. Característica de transferência de um AO O ganho de um AO em malha aberta (sem realimentação) é altíssimo.

SENAI 259 . diz-se que ele atingiu a saturação. Essas situações são chamadas de saturação positiva e saturação negativa. a saturação pode ocorrer tanto para a tensão de saída positiva quanto para a negativa. obtém-se o resultado mostrado a seguir. menor será a tensão entre as entradas para levá-lo à saturação.Eletrônica II Quando a tensão de saída de um AO atinge um valor igual (ou próximo) à tensão de alimentação. Característica de transferência do AO Colocando-se o comportamento do AO em um gráfico. Quanto maior for o ganho em malha aberta (Ad) de um AO. Como um AO é alimentado por tensões simétricas.

Um AO funcionando com amplificador deve trabalhar somente na região linear. a tensão de saída obedece à equação VS = VEnt ⋅ Ad e corresponde a uma versão amplificada do sinal VEnt . essa região é denominada de região linear. A figura abaixo mostra a característica de transferência de um AO com as três regiões de funcionamento.Eletrônica II Esse gráfico é denominado gráfico de característica de transferência do AO. Nele. 260 SENAI . na qual a tensão VO é uma réplica amplificada da tensão VEnt . Devido à linearidade da tensão de saída em função da tensão de entrada. Essa equação resulta em um comportamento linear (reta inclinada) na região central da característica de transferência. enquanto a tensão entre as entradas está abaixo de 15mV (positivos ou negativos).

A realimentação negativa consiste em fazer retornar uma parte do sinal de saída para a entrada inversora. por exemplo. a região linear do amplificador operacional é muito estreita. Com a utilização da realimentação negativa. Veja na ilustração a seguir um amplificador operacional com um divisor de tensão externo (R1 e R2) que faz a realimentação negativa. o sinal de entrada teria que estar limitado a poucos milivolts.Eletrônica II Ampliação da região de operação linear Devido ao alto ganho de malha aberta. a região linear de operação de um AO pode ser ampliada através da redução do ganho. através de um circuito externo. SENAI 261 . que se um AO em alimentação fosse usado como amplificador de sinais. situando-se entre alguns milivolts positivos e negativos. Isso significa.

13 V à sua entrada.13 V Comparando-se as características de transferência de um AO em malha aberta e em malha fechada com ganho 10. verifica-se.0. a ampliação da região linear de alguns milivolts até 13 mV.13 V ⋅ 100 = . Para que se obtenha +13 V na saída com um circuito com ganho 100.Eletrônica II Supondo-se. no exemplo. A tensão VO está limitada aos valores +13 V aproximadamente. um circuito com ganho de tensão AV = 100. 0. por exemplo. 262 SENAI .13 ⋅ 100 = + 13 V VS = VEnt ⋅ AV . Os gráficos mostram como a redução do ganho permite um aumento da região linear. estabelecido por R1 e R2 e com alimentação de +15 VCC. é necessário aplicar + 0.

é necessário acrescentar a malha de realimentação negativa ao circuito. Amplificador inversor O amplificador operacional possui uma entrada inversora de sinal que permite sua utilização como amplificador de sinal com inversão de fase de 180o entre saída e entrada. amplificador não-inversor. Como exemplo desse tipo de circuito. SENAI 263 . podemos citar: • • • amplificador inversor. A figura a seguir mostra a configuração de um amplificador inversor com AO. Para que o AO opere na região linear.Eletrônica II Circuitos lineares Os circuitos que usam AOs na região linear são chamados de circuitos lineares. somador.

Desse modo. foram omitidos os terminais de alimentação e offset. V2 = 0 V1 = IEnt ⋅ ZEnt Como IEnt = 0. a entrada do sinal não absorve corrente do circuito externo. Para isso. a queda de tensão na impedância de entrada é nula. Essa dependência pode ser comprovada com base em uma análise do circuito. Ganho do amplificador inversor O ganho (Ad) do amplificador inversor depende apenas dos componentes da malha de realimentação. V1 = 0 V 264 SENAI . Uma vez que não há circulação de corrente na entrada do AO. vamos considerar a impedância de entrada como ideal (infinita).Eletrônica II Observação Para maior clareza da figura.

seu potencial é nulo. Como se considera o terra virtual a 0 V. uma corrente circula no resistor R1. Esse ponto é denominado de terra virtual. Quando se aplica uma tensão à entrada do amplificador inversor. Embora a entrada inversora ( . I= VEnt R1 VEnt = I ⋅ R1 SENAI 265 . o valor desta corrente é dado pela lei de Ohm.) não esteja ligada fisicamente ao terra.Eletrônica II Tanto a entrada não-inversora (aterrada) como a inversora têm potencial de 0 V.

O resistor R2 está ligado entre a saída do circuito e o terra virtual (0 V) de forma que a queda de tensão em R2 é igual à tensão de saída VS essa tensão pode ser calculada pela lei de Ohm. Simplificando o termo I. pode-se determinar a equação do ganho do circuito amplificador inversor: Ad = VS I ⋅R2 ⇒ Ad = VEnt I ⋅ R1 Observação O sinal negativo (-) na frente da expressão indica a inversão de fase (180o).Eletrônica II Uma vez que a entrada do amplificador operacional não absorve corrente. comum ao denominador e ao numerador. 266 SENAI . a mesma corrente que circula no resistor R1 passa através de R2 . tem-se a equação pronta: Ad = R2 R1 A equação mostra que o ganho do circuito depende apenas dos componentes que compõem a malha de realimentação. VS = I ⋅ R2 Como dispomos das equações de VS e VEnt.

ou seja. ZEnt = R1. Impedância de saída do amplificador inversor A impedância de saída (ZS) do amplificador inversor é sempre muito menor que a impedância de saída do próprio AO. Os valores típicos de ZS são menores que 1Ω. O resistor R3 não influencia no ganho e seu valor deve ser igual ao paralelo R1 e R2. SENAI 267 . a impedância de entrada do circuito (ZEnt) será o próprio valor de resistor sobre o qual se aplica o sinal.Eletrônica II A figura a seguir mostra um amplificador inversor com ganho -10 (10 com inversão de fase). R3 = R1 ⋅ R 2 R1 + R 2 Impedância de entrada do amplificador inversor Admitindo-se que o terminal de entrada inversora é um terra virtual.

que não prejudicam o resultado prático. a equação do ganho do amplificador não-inversor é:  R  A d = 1 + 2   R1    Nessa equação dois aspectos são importantes: • • a ausência do sinal negativo.. utiliza-se a entrada não-inversora do AO. ou seja. A malha de realimentação (R2 e R1) é necessária para manter o AO na sua região linear de funcionamento. o que resulta em VS em fase com VEnt. se R2 for muito maior que R1. apresentando os seguintes valores: • • • impedância de saída (ZS) = 0 impedância de entrada (ZEnt) = ∞ ganho diferencial (Ad) = ∞ Com essas aproximações. a equação pode ser simplificada para 268 SENAI . Ganho do amplificador não-inversor O ganho (AV) do amplificador não-inversor normalmente é determinado considerandose o AO como ideal.Eletrônica II Amplificador não-inversor Para a obtenção de um amplificador não-inversor. que indica que o sinal de saída está em fase com o sinal de entrada.

a impedância de entrada (ZEnt) é a própria impedância de entrada. Considerando-se que a entrada inversora não absorve corrente e que o ponto A no circuito é um terra virtual.Eletrônica II Ad = R2 R1 Impedância de entrada No amplificador não-inversor. pode-se analisar o comportamento do somador. Desta forma. Os valores típicos são menores que 1 Ω. Impedância de saída A impedância de saída ZS do amplificador não-inversor também é sempre menor que a impedância de saída do próprio AO (ZS). Circuito somador O circuito somador é aquele capaz de fornecer na saída uma tensão igual à soma das tensões aplicadas nas entradas. o sinal de entrada é aplicado diretamente à entrada nãoinversora. SENAI 269 . Circuitos aritméticos com AO Circuitos aritméticos com AO são circuitos capazes de realizar operações aritméticas como soma e subtração.

Eletrônica II Aplicando-se duas tensões (V1 e V2) nas entradas. tem-se: VS = −(I1 ⋅ R) + (I2 ⋅ R) Como I1 ⋅ R = V1 e I2 ⋅ R = V2. A tensão de saída é dada pela lei de Ohm: VS = (I1 + I2) R3 ou VS = −(I1 ⋅ R3) + (I2 ⋅ R3) Se os valores de R1. cujos valores são: I1 = V1 V e I2 = 2 R1 R2 As correntes I1 e I2 se somam no nó A e circulam através do resistor R3. 270 SENAI . circularão as correntes I1 e I2. porém o sinal é negativo devido ao uso da entrada inversora. R2 e R3 são iguais. uma vez que a entrada do AO não absorve corrente. então: VS = −(V1 + V2) A tensão de saída é numericamente igual à soma de V1 e V2.

pode-se usar um amplificador inversor com ganho 1 após o somador. SENAI 271 . O circuito somador pode ser constituído com qualquer número de entradas.Eletrônica II Se for necessário obter as somas de V1 e V2 com o sinal correto. Deve-se tomar cuidado quando uma das tensões a ser somada for negativa. pois a corrente desta entrada será diminuída das demais.

b) Normalmente.Eletrônica II Exercícios 1. d) Nos amplificadores operacionais representados a seguir. desenhe os sinais de entrada para que o sinal de saída esteja correto. como são alimentados os amplificadores operacionais? c) Identifique a função dos terminais do amplificador operacional representado a seguir. 272 SENAI . a) Desenhe o símbolo do amplificador operacional. Resolva as seguintes questões.

em relação ao amplificador operacional: • Impedância de entrada (ZEnt) • Impedância de saída (ZS): • Ganho de tensão em malha aberta (Ad): f) Considerando a alta impedância de entrada de um amplificador operacional. a) Na curva de transferência mostrada a seguir. identifique: • região de saturação positiva SENAI 273 .Eletrônica II e) Defina. Resolva as questões apresentadas a seguir. o que se pode afirmar sobre as correntes absorvidas por essas entradas? g) Qual é a função dos terminais de offset null de um AO? 2.

..e o ganho será ............................ a tensão de saída será .................... Se for aplicada uma tensão de entrada de – 250 mV..................... a tensão de saída será ......... a tensão de pico a pico será .. qual é o valor máximo de tensão de entrada que pode ser aplicado ao amplificador operacional sem que ele atinja a saturação? c) Como se pode ampliar a região linear de funcionamento de um AO? d) No circuito representado pelo gráfico mostrado a seguir: • • • • A máxima tensão de saída possível é .Eletrônica II • • região de saturação negativa região linear b) Na curva acima..... 274 SENAI ........................................................ Se for aplicado um sinal de 0............ Se for aplicada uma tensão de entrada de + 250 mV..........................5 VPP (de + 250 mV a – 250 mV) à entrada do circuito..

a) Qual é a característica fundamental de um amplificador inversor? b) Qual é a tensão pico a pico de saída se for aplicado um sinal de 0.Eletrônica II 3. qual é o sinal (pico a pico) de entrada necessário para obter 3 VPP de saída? SENAI 275 . Responda às seguintes perguntas.5 VPP na entrada do circuito mostrado a seguir? c) No circuito da questão anterior.

quais deveriam ser os valores de R2 e R3 para se obter um ganho de 18? f) Qual é a impedância de entrada do circuito mostrado na questão b? g) Projete um amplificador inversor com amplificador operacional cujo ganho seja 12 e a impedância de entrada seja maior do que 8 kΩ h) Por que as entradas de um AO são consideradas um “terra virtual”? 4. a) Qual é a característica fundamental de um amplificador não-inversor? As próximas questões referem-se ao circuito que se segue: 276 SENAI .Eletrônica II d) No mesmo circuito. qual deve ser o valor de R3? e) No circuito da questão b. Responda às seguintes questões.

c) Qual é o ganho do circuito mostrado? d) Admitindo-se que o amplificador operacional do circuito esteja alimentado com ±15V e a saturação ocorra em ±13V. qual é o máximo sinal de entrada que pode ser aplicado ao circuito? SENAI 277 .Eletrônica II b) Localize a malha de realimentação do circuito.

f) Mantendo R1 = 1 kΩ.8. Qual deverá ser o valor de R2 para que se obtenha um ganho de 7. 278 SENAI .Eletrônica II e) Desenhe o sinal de entrada correspondente.

Lembre-se que poderia ser usada a equação do amplificador com offset. Vin Exercícios 1. e Vin será aterrado. Repare: Vout = (Vref – Vin) . Entretanto.Eletrônica II Amplificador Não-Inversor Esta configuração permite a multiplicação de um sinal de entrada pelo ganho. Repare que neste circuito o terminal do resistor de entrada é conectado diretamente ao terra. Rf/Ri+ Vref ou simplesmente Vout = (1+ Rf/Ri) . o valor de Vin agora é o valor de Offset. Analise o circuito da figura a seguir e responda: SENAI 279 . sem inverter o sinal de saída.

Eletrônica II Dados: R1=47kΩ A.. Resistor de realimentação. Resistor de realimentação.. 2. Ganho menor.50kΩ R5=100Ω a) Qual a classificação do amplificador? b) Qual a equação de ganho? c) Qual o valor (em Ω) do: • • Ganho maior.. Analise o circuito da figura abaixo e responda: Dados: R1=1kΩ T1: β=50 A.. Resistor de entrada. Resistor de entrada.7V +V=+15V -V=-15V R3=330kΩ R4=12Ω Vbe=0.2V R5=250kΩ a) Qual a função do circuito? b) Qual o valor do ganho do amplificador? 280 SENAI . Ideal R2=33kΩ +V=+12V R3=20kΩ -V=-12V R4=pot..O.7V E1=1.. Ideal R2=3k3Ω Vcesat=0.O.

Eletrônica II c) Qual o valor da corrente de saída? 3. para o circuito Amplificador abaixo: Dados: R1=220kΩ +Vcc=+10V R2=330kΩ -Vdd=-10V 4. Analise o circuito da figura abaixo e responda: SENAI 281 . Complete o gráfico da tensão de saída conforme o gráfico da tensão de entrada.

Rf/Ri + Vin Vout = (Vin2 – Vin1) .Eletrônica II Dados: E1=13V R5=100Ω E2=13V R6=80Ω R1=1k8Ω P1=50Ω β2=20 R2=1kΩ D1=0. Sempre: ou apenas: Vout = (Vref – Vin) . multiplica a diferença de tensão entre as entradas pela relação dos resistores de realimentação e de entrada. A exigência é a repetição dos valores de resistências dos pares de resistores. Rf/Ri 282 SENAI .7V Vbe=0.7V R3=5k6Ω R4=1kΩ Transistores: β1=200 a) Calcule a faixa de variação da corrente de saída Is = de a mA b) Qual a função do resistor R3? Amplificador diferencial O amplificador operacional usado na configuração amplificador diferencial.

. V2=1Vdc. Conseqüentemente. Determine a V1 do circuito acima caso: c) Vout=-5Vdc. Vout = Vsat +. se e + < e . e também: Vout = Vsat -. SENAI 283 . V2=1Vdc. a saída do amplificador estará saturada positiva ou negativamente. Rf=12kΩ e Ri=24kΩ d) Vout=10Vdc. Rf=12kΩ e Ri=6kΩ b) V1=4Vdc. Os amplificadores operacionais usados nos comparadores operam em malha aberta ou fechada. tomado como referência. O comparador diz apenas se um sinal Ei é maior que outro Eref. Será positiva se o potencial da entrada não inversora (+) for mais positivo que a entrada inversora (-). Rf=12kΩ e Ri=12kΩ Amplificador operacional II Comparadores A função de um comparador é comparar duas grandezas elétricas. se e + > e -. Rf=12kΩ e Ri=6kΩ 2. Comparador simples Um comparador simples tem a função de comparar dois valores de tensão e fornecer uma saída saturada (+Vcc ou –Vcc). Determine a Vout para os casos: a) V1=-3Vdc. com realimentação positiva. V2=1Vdc.Eletrônica II Exercícios 1. duas tensões. V2=1Vdc. mais especificamente.

Exercícios 1. dependendo da adaptação do sinal de entrada. Explique o funcionamento do circuito abaixo. a) Qual a diferença entre +Vcc e Vsat+ ? b) Desenhe a função de transferência do circuito proposto. 284 SENAI . 2. Complete o gráfico da tensão de saída conforme o gráfico de entrada para o amplificador em malha aberta da figura.Eletrônica II Obviamente o valor de saída dependerá da alimentação do CI. Estes comparadores podem ser inversores ou não.

enquanto os valores comparados ali estiverem. para a mudança de estado possui uma faixa na qual.Eletrônica II Dados: +Vcc=+10V -Vdd=-10V Vs= (Va – Vb) . Entretanto. Analise o circuito Schimitt Trigger da figura e complete o gráfico da tensão de saída conforme o gráfico da tensão de entrada: Dados: R1=20kΩ +Vcc=+10V R2=10kΩ -Vdd=-10V Vref=2V SENAI 285 . nenhuma alteração ocorrerá. Exercício 1. pode apresentar também saída saturada em função da comparação dos valores de entrada. A A = ganho em malha aberta Comparador regenerativo (Schimitt Trigger) Também chamado de comparador com histerese.

Vout(t) = -1/Cf. permitindo a formação da ação integral destes. independente desta função.Ri Vin(t) Exercícios 1. Determine o tempo necessário para que Vout apresente –10Vdc caso em Vin for aplicado 1mVdc. 286 SENAI . Usado nos controladores eletrônicos analógicos.Eletrônica II Integrador inversor O integrador inversor executa a integral da função de variação da tensão de entrada Vin.

a Vout apresentar –12Vdc. Usado também nos controladores eletrônicos analógicos permitindo a composição da ação derivativa. a) Faça um gráfico relacionando entrada e saída deste circuito aplicando 1mV/s.Rf Exercício 1. – Ci. Vout(t) = d (Vin)/dt. SENAI 287 . Determine Vin (Vdc) para o circuito abaixo. Construa um circuito diferenciador Não Inversor de forma que aplicando 1mV/s possa gerar um sinal de saída de 1 a 10 Vdc. Diferenciador inversor Circuito que executa a derivada da função de variação de tensão de entrada (Vin). caso após 20 segundos de Vin conectado.Eletrônica II 2.

288 SENAI .

ou diodo de corrente alternada. A principal vantagem dos tiristores é o controle de grande quantidade de energia. Observe também seu símbolo. a utilização e o funcionamento do DIAC. Essa característica faz com que esses dispositivos sejam utilizados no controle eletrônico de potência e na conversão de energia. Esses dispositivos podem pertencer a dois grupos: o do DIAC e o dos SCR e TRIAC. Neste capítulo inicial sobre os tiristores. Tiristor é qualquer dispositivo semicondutor PNPN de quatro camadas. Seu nome é uma sigla extraída da expressão em inglês "diodo AC". conhecido também como diodo de comutação. SENAI 289 . iniciaremos o estudo dos dispositivos retificadores mais comumente empregados em eletrônica. Por isso. Eles recebem o nome genérico de tiristores. vamos nos deter na constituição. é desejável um prévio conhecimento sobre diodos e transistores.Eletrônica II Tiristores Neste capítulo. O DIAC é um diodo bidirecional constituído por quatro regiões estruturadas como mostra a figura a seguir. DIAC DIAC é um dispositivo semicondutor de dois terminais.

ID é a corrente do DIAC. para que ele dispare. que apresentava altíssima impedância. o que permite uma intensa circulação de corrente. não há circulação de corrente por ele até que a tensão de disparo seja atingida. 290 SENAI . não é necessário saber de que lado a tensão é positiva (em relação ao outro lado). o DIAC entra em condução. Utilização O DIAC é utilizado basicamente na eletrônica de potência para disparar SCRs e TRIACs. Esse efeito cessa quando a corrente que circula no componente (ou a tensão sobre ele) se aproxima de zero. Quando isso acontece. o componente. A tensão de disparo para a maioria dos DIACs pode variar entre 28V (mínimo) e 42V (máximo).Eletrônica II A região P externa é chamada ânodo 2. À medida que a tensão sobre o DIAC aumenta. O circuito a seguir mostra um DIAC alimentado por uma corrente alternada onde UE é a tensão de alimentação. URL é a tensão sobre o resistor de carga. tem essa impedância reduzida ao mínimo. e UD é a tensão do DIAC. Funcionamento O DIAC é um componente bidirecional. Essa corrente é limitada apenas pela resistência do circuito externo. Nesse instante. ou seja. A região N externa é chamada de ânodo 1.

ela é crescente (positiva ou negativa). SENAI 291 . Curva característica do DIAC A figura a seguir mostra a curva característica de um DIAC. a tensão sobre o DIAC é zero e toda a tensão fica sobre a carga.Eletrônica II Observe que no gráfico de UD. A partir da tensão de disparo. enquanto a tensão de alimentação não atinge a tensão de disparo.

292 SENAI .

Para compreender com mais facilidade os mecanismos de seu funcionamento. É através do gate (ou gatilho) que esse tiristor controla os altos níveis de corrente do ânodo e da carga. Atualmente. Neste capítulo. diodos e transistores. o cátodo (K) e o gate (G). com quatro camadas e três terminais: ânodo (A). "silicon controlled rectifier"). no entanto. constante RC. SENAI 293 . CA e CC. dispositivo semicondutor. tiristor é mais empregado para designar dispositivos de três terminais. Retificador controlado de silício O SCR (do inglês.Eletrônica II SCR Como já vimos no capítulo anterior. estudaremos as características e o funcionamento deste componente. como é o caso do SCR. É um tiristor unidirecional. cátodo (K) e gatilho ou "gate" (G). é necessário ter conhecimentos anteriores sobre materiais semicondutores. constituído por quatro camadas (PNPN) e por três terminais: o ânodo (A). é o tiristor comumente empregado no controle de altas potências. ou retificador controlado de silício. o termo tiristor foi empregado para denominar qualquer dispositivo semicondutor de quatro camadas. A figura a seguir mostra o símbolo e a representação esquemática da estrutura de um SCR. unidirecional. junção PN.

Há SCRs de várias capacidades: os de baixa corrente que fornecem corrente de ânodo menor que 1 A. e os de alta corrente que permitem corrente de ânodo de centenas de ampères. em inglês) é o terceiro terminal do SCR. O SCR de alta corrente parece-se com o retificador de potência de silício. pois também é montado em invólucro metálico para facilitar a dissipação de calor.Eletrônica II O gatilho ou "gate" (portão. Com baixos níveis de corrente de gate. 294 SENAI . O SCR de baixa corrente é parecido com um tiristor cujos três terminais estão contidos em um invólucro hermeticamente fechado. Trata-se de um eletrodo conectado a uma das regiões semicondutoras para controle de corrente. é possível controlar altos níveis de corrente de ânodo.

e este ponto não é controlado. Uma tensão positiva no gate polariza diretamente a junção base-emissor do transistor NPN e satura-o. Uma vez que existe a circulação de corrente ânodo-cátodo. Isso acontece por meio de um pulso de corrente aplicado ao gate. O funcionamento do SCR é melhor compreendido a partir da análise do circuito equivalente montado com dois transistores. Isto permite a passagem da corrente através do coletor NPN (base do PNP).Eletrônica II Funcionamento O SCR funciona de modo idêntico ao de um diodo de quatro camadas (DIAC). SENAI 295 . Porém enquanto o DIAC dispara quando atinge a tensão de disparo. esta só cessará a partir do ponto em que a corrente IAK estiver abaixo da corrente mínima de manutenção (próxima de zero) ou a tensão ânodo-cátodo VAK estiver próxima de zero. como mostra a figura a seguir. o SCR permite o disparo no instante em que isso é necessário.

Eletrônica II Se o ânodo do SCR for positivo (emissor PNP). 296 SENAI . a junção emissor-base PNP será diretamente polarizada e saturará o transistor PNP.

o SCR estará ainda em condução devido ao ciclo: o NPN supre o PNP com corrente de base e. "non-trigger") T. A maioria dos parâmetros é dada em termos de tensão ou de correntes. "trigger") H. ou quando a corrente ânodo-cátodo (IAK) desce a valores inferiores ao da corrente de manutenção (IH). d = estado bloqueado ("off-state". o transistor PNP supre o NPN com corrente de base. citamos alguns índices característicos que comumente aparecem nos textos e catálogos dos fabricantes. ele necessita de pouco tempo para que a temperatura da junção atinja valores de fusão. A. t = estado de condução ("on-state". h = sustentação do estado ("holding") SENAI 297 . a = ânodo K. As características dos tiristores são especificadas em catálogos ou manuais fornecidos pelo fabricante. por sua vez. k = cátodo G.Eletrônica II Depois de ligado. o PNP supre o NPN com corrente de base. Como exemplo. O SCR continua operando até que a corrente anodo-catodo seja interrompida. g = gate (porta) D. Como é constituído por junções semicondutoras. Regime de Trabalho O SCR é um tiristor extremamente sensível e pode ser facilmente danificado se um de seus limites característicos for ultrapassado. Removidas a tensão e a corrente de gate. Isso ocorre em duas situações: • • quando a tensão ânodo-cátodo (VAK) é gerada.

Essa corrente permanece assim até que a tensão inversa de pico (VRM) seja ultrapassada. 298 SENAI . g = bloqueante ("turn-off") (TO) = limiar ("threshold") Curvas características A figura a seguir mostra uma curva característica de um SCR com o gate aberto. Neste ponto. Quando o circuito ânodo-cátodo estiver inversamente polarizado.Eletrônica II (BO) = mudança de estado. ocorre uma pequena corrente de fuga denominada corrente inversa de bloqueio (IDR). inicia-se a região de avalanche inversa e a corrente aumenta rapidamente. danificando o SCR. ruptura ("breakover") Q.

uma pequena corrente direta de fuga (ou corrente direta de bloqueio – ID). Na região de condução direta. a avalanche direta. SENAI 299 . Inicia-se. Isso acontece mesmo sem a presença de uma corrente de gate. a corrente atinge o nível de alta condução. A resistência ânodo-cátodo torna-se pequena e o SCR atua como uma chave interruptora fechada. então. Nesse ponto.Eletrônica II Quando o SCR está diretamente polarizado. a tensão no SCR é muito baixa. permanece com baixo valor até que a tensão de ruptura direta (VBO) seja alcançada. pois quase toda a tensão da fonte fica sobre a carga sem série com o retificador controlado de silício.

Para isso. o SCR se comporta como um retificador simples de silício. polarizando diretamente a junção gate-cátodo. E deixará de conduzir quando a tensão sobre o SCR cair para um valor insuficiente para manter esse valor de corrente. o SCR deve ser disparado por meio de um pulso de gate. Nesta situação. O SCR ficará em condução durante o tempo em que a corrente permanecer acima do valor da corrente de manutenção IH. é suficiente aplicar um pulso de gate.respeitados os limites máximos especificados pelo fabricante . No circuito em que é empregado. Controle de tensão de ruptura direta O SCR pode ser disparado mesmo com uma tensão ânodo-cátodo abaixo da tensão de ruptura. Quando a tensão aplicada ao SCR fica abaixo do ponto de ruptura (VBO).Eletrônica II Observação É a resistência de carga que limita a corrente através do SCR a valores adequados a sua especificação.menor será o valor da tensão de ruptura direta. ele não conduz. 300 SENAI . Se a tensão atingir um valor igual ou maior que o ponto de ruptura. o SCR será acionado. Quanto maior o valor da corrente do gate . Os dois estados de operação do SCR correspondem aos estados ligado e desligado do interruptor.

as características de controle do SCR. quando o circuito ânodo-cátodo estiver inversamente polarizado. Uma variação desse circuito pode ser obtida. Deve-se também utilizar um resistor para limitar o valor da tensão do gate a um valor inferior ao especificado pelo fabricante. ele será levado ao corte durante a alternância negativa de cada ciclo. Para se verificar. na prática. Se o SCR opera com corrente alternada. SENAI 301 . substituindo-se a fonte G2 por um divisor resistivo com potenciômetro.Eletrônica II Quando o SCR é levado ao estado de condução. a corrente do gate deixa de ter efeito sobre a corrente de anodo. vamos analisar o circuito a seguir. O SCR continua em condução até que a tensão de alimentação de anodo seja removida e se interrompa a corrente de anodo-catodo (IAK). Esse circuito permite controlar as tensões de anodo e do gate através das fontes variáveis G1 e G2. É possível determinar também o ponto do SCR referentes às várias correntes de gate.

mas suficientes para disparar o SCR cujo gate permanece desenergizado o restante do ciclo. A baixa dissipação de potência no gate. constitui-se na vantagem de se disparar um SCR com um UJT.Eletrônica II Outros métodos de disparo O SCR pode ser disparado a qualquer instante do ciclo da CA com o auxílio de um UJT (ou transistor de unijunção). Os pulsos de tensão gerados pela oscilação do UJT atuam no gate. Controle do SCR por UJT O SCR disparado a qualquer instante no ciclo com o auxílio do UJT. Isso é possível porque o UJT fornece pulsos de curta duração. empregado como oscilador de relaxação. O SCR também pode ser disparado por controle de corrente por deslocamento de fase. 302 SENAI . A figura a seguir mostra um circuito básico do UJT provocando o disparo de um SCR. empregado como oscilador de relaxação é o método mais empregado para circuitos de controle de disparo de SCRs em equipamentos industriais. Este é o método mais empregado para circuitos de controle de disparo de SCRs em equipamentos industriais.

basta observar as variações das formas de onda em vários pontos do circuito em função de dois ajustes diferentes do potenciômetro R4. conforme mostra a figura a seguir. é proveniente da descarga do capacitor. por sua vez. que é o potenciômetro responsável pela alteração da constante de tempo RC (R3 + R4 e C). Já que é possível controlar os pulsos no tempo. Ela é formada por um pulso de curtíssima duração que. A tensão responsável pelo disparo do gate é gerada pela corrente desenvolvida sobre o resistor R1. Para entender o que ocorre no circuito. no osciloscópio assemelha-se a uma agulha. é possível também controlar o instante de disparo do SCR em diferentes pontos da forma de onda que alimenta o ânodo. que.Eletrônica II Esses pulsos são sincronizados com a tensão de entrada e permitem um perfeito controle do semiciclo positivo variando o ângulo de disparo de zero a 180o. SENAI 303 . A freqüência de oscilação do circuito é variável através de R4.

Eletrônica II SCR em CA O SCR. passa a conduzir entre ânodo e cátodo e só deixará de conduzir se IAK = 0 ou VAK = 0. Na aplicação em corrente alternada. a corrente elétrica alternada passa duas vezes pelo ponto zero e o componente é polarizado inversamente em meio ciclo. ficará em constante estado de condução. Caso contrário. Isto acontece porque a cada ciclo. o SCR não poderá receber um pulso e ficar permanentemente conduzindo. 304 SENAI . e está funcionando com corrente contínua. quando recebe um pulso no gate.

a corrente de manutenção IAK fica abaixo do valor mínimo. caso o SCR esteja conduzindo no meio ciclo positivo. Nesse caso. na mudança para o meio ciclo negativo. SENAI 305 . Esse pulso deve ser fornecido por um circuito de disparo sincronizado com a CA de alimentação. Como podemos observar na figura a seguir. Para que o SCR permaneça sempre conduzindo. Deslocamento de Fase O controle do SCR por deslocamento de fase é um tipo de circuito que emprega uma malha de defasagem com resistor e capacitor (RC). é necessário que a cada meio ciclo positivo. no circuito RC série em CA.Eletrônica II Observe que. o gate receba um pulso de disparo. Isso permite que essa forma de onda possa variar de zero ao máximo valor. uma rede para deslocamento de fase é constituída por um resistor variável (potenciômetro) e por um capacitor ligados em série. onde é necessário exercer uma variação da tensão média sobre a carga. Em função do sincronismo desse pulso. pode-se exercer um controle da forma de onda sobre a carga. quando alimentado por CA. o controle por UJT. como já vimos. levando o SCR ao corte. os métodos de disparo mais usados são o controle por deslocamento de fase e.

Nesse caso. uma forma de onda está sobreposta em relação à outra. 306 SENAI . o circuito apresentará a configuração mostrada a seguir. A figura a seguir mostra a forma de onda do circuito onde VC está em fase e com o mesmo valor de VE. a tensão de saída (VS) será a mesma tensão de entrada (VE). Considerando-se o valor do potenciômetro igual a zero. Portanto. dependendo do valor ajustado para o resistor R. e a defasagem entre ambas é de 0o (zero grau).Eletrônica II A tensão de saída (VS) varia em relação à tensão de entrada (VE) de zero até aproximadamente 90o.

Quanto maior a resistência do potenciômetro. tem-se o circuito elétrico e as formas de onda por ele geradas. Quando o valor do potenciômetro for 20 vezes maior que a reatância capacitiva (XC). Isso provoca uma defasagem na tensão sobre o capacitor. adotamos a tensão do capacitor (VC) como tensão de saída (VS). a tensão total também vai se dividir numa proporção muito maior para o potenciômetro do que para o capacitor. variando o valor do potenciômetro de zero ao máximo. maior a defasagem. Então. teremos uma defasagem da tensão de saída variando de zero até próximo de 90o. insere-se mais resistência em série com o capacitor.Eletrônica II À medida que a resistência do potenciômetro é aumentada. Pode-se observar que a tensão EC está defasada (em atraso) com relação à tensão de entrada. SENAI 307 . Como o valor ôhmico do potenciômetro é maior do que XC. Para concluir. a defasagem será próxima de 90o. Na figura a seguir.

sob uma determinada tensão de gate. a tensão de alimentação do gate ultrapassa o valor mínimo de VG. a seguinte forma de onda: 308 SENAI . No momento "t". O gráfico a seguir mostra o gate alimentado com a tensão VGK em fase com a tensão VAK. Mostra também a tensão mínima do gate necessária para dispará-lo. então. provocando com isso o disparo.Eletrônica II Controle do SCR por deslocamento de fase Como vimos anteriormente. há necessidade de uma tensão mínima de ânodo-cátodo para que. Sobre a carga obtém-se. o SCR dispare.

a tensão mínima do gate VGmin será ultrapassada em momentos diferentes dentro dos 180o do semiciclo positivo. SENAI 309 . Esse circuito apresenta a desvantagem de controlar apenas até 90o do semiciclo positivo. utiliza-se um circuito deslocador de fase. Nesse caso. é necessária uma faixa maior de controle do ponto de disparo do SCR dentro de todo o semiciclo positivo (0 a 180o). Com isso. Esse circuito permite um deslocamento da tensão do gate VG em relação à tensão ânodo-cátodo (VAK). No circuito a seguir.Eletrônica II Muitas vezes. cria condições para alterar o momento de disparo do SCR. é possível fazer com que VG se atrase em relação a VAK. Além disso. temos um controlador de disparo do SCR por deslocamento de fase com um circuito RC. Através do circuito de deslocamento de fase que supre o gate do SCR.

Para que se controle os 180o do semiciclo positivo. Sua otimização é obtida acrescentando-se ainda mais um resistor e um capacitor que permitem a estabilização do circuito. É um circuito retificador de meia onda. só pode ser exercido até 90o. haja um atraso da tensão presente no gate com relação à tensão de entrada. ao se variar o valor do potenciômetro. Porém. Esse circuito permite controlar cargas alimentadas por CC com tensão variável. por causa dessas características esse controle. Para uma carga que necessite funcionar com onda completa. utiliza-se o artifício de retificar a tensão alternada através de uma ponte retificadora e entregar esta corrente contínua ao circuito do SCR e da carga.Eletrônica II A malha RC propicia a tensão de disparo do gate do SCR e permite que. 310 SENAI . é necessária a introdução de um DIAC no circuito.

SCR. É um comutador de corrente alternada com três eletrodos. conforme a polaridade positiva ou negativa no gate. A diferença entre um e outro é que o TRIAC. O TRIAC conduz corrente em ambos os sentidos. através do qual se faz o controle da corrente. A figura a seguir mostra a representação esquemática de um TRIAC e seu respectivo símbolo. é necessário ter conhecimentos anteriores sobre: CA.Eletrônica II TRIAC O TRIAC é um dispositivo semicondutor. possui um terceiro terminal. o TRIAC é um tiristor bidirecional. estudaremos as características e empregos desse componente. tal qual o SCR. SENAI 311 . Para estudar esse conteúdo com mais facilidade. TRIAC Assim como o DIAC. DIAC e UJT. cuja denominação provém de uma sigla inglesa que significa triodo de corrente alternada. Neste capítulo. Sua principal característica é possibilitar um controle mais perfeito e econômico da corrente alternada.

enquanto V2 permanece em corte. 312 SENAI . montado a partir de dois SCRs. Nessa condição. controle de iluminação ou de temperatura. quando o terminal T2 é mais positivo que T1. Por isso. Nesse circuito.Eletrônica II A potência do TRIAC é menor que 100 A e 1kV. tais como controle de velocidade de pequenos motores. inversamente. o SCR V1 está em condição de conduzir. A figura a seguir mostra o circuito equivalente a um TRIAC. ele é usado para substituir o SCR em situações em que se necessita um aplicação de baixa potência. o SCR V1 fica diretamente polarizado e V2. desde que receba um pulso em seu gate.

à condução. Observação Aos terminais (T) do TRIAC não se aplicam as denominações ânodo e cátodo. Os terminais não podem ser invertidos porque. a construção do TRIAC difere do modelo. O terminal T1 serve como referência para aplicações de pulsos de gate. mas usam-se os coeficientes 1 e 2 (T1 e T2) para designá-los. por sua vez. e V1. a situação se inverterá. SENAI 313 . portanto. estará inversamente polarizado ou em corte. apesar de o circuito equivalente apresentar dois SCRs. o SCR passará à condição de polarização direta e. Nesse caso.Eletrônica II Se a polaridade da tensão aplicada for invertida.

T2 positivo e gate negativo (Quadrante I) + III .T2 positivo e gate positivo (Quadrante I) .T2 negativo e gate negativo (Quadrante III) Os dispositivos fabricados atualmente são mais eficientes para as modalidades + I e .Eletrônica II Curvas características do TRIAC As curvas características do TRIAC apresentam um aspecto simétrico.I e + III). e não conduz. A eficiência é menor para a modalidade . Quando a tensão de ruptura é ultrapassada. No esquema das curvas características. Essa propriedade torna-o imune aos transientes elétricos. se a tensão entre T1 e T2 não ultrapassar a tensão de ruptura (VBO). desde que ao seu gate sejam aplicados sinais disparadores.III . o que torna possível as seguintes modalidades de funcionamento: + I .III. o TRIAC não deve ser usado. Para estas modalidades (. vemos que a condução do TRIAC ocorre nos quadrantes I e III.I . Funcionamento O TRIAC permanece em bloqueio enquanto não houver sinal no gate. 314 SENAI . dispensando o uso de dispositivos de proteção. o TRIAC entra em estado de condução. Estes sinais são positivos ou negativos.T2 negativo e gate positivo (Quadrante III) .I e muito pequena para a + III. A corrente que flui através dele é limitada apenas pela resistência do circuito externo.

interruptor a pressão. No DIAC. lâmpadas néon ou diodos de disparo (DIAC). O TRIAC pode ser acionado por corrente alternada. ser feito por termostato. SENAI 315 . de controle de temperatura. transistor de unijunção. comutador para controle de fase. por corrente contínua. aparece uma resistência negativa que provoca a descarga repentina do capacitor. O controle do circuito pode. ligado a um capacitor carregado. então.Eletrônica II O disparo do TRIAC ocorre pela aplicação de sinal positivo ou negativo no gate. ou. que pode ser substituído por outros elementos de controle. de comando a distância. Comutador estático para corrente alternada Nesse circuito. Aplicações do TRIAC O TRIAC é utilizado em circuito com aplicações variadas. microrrelês etc. o TRIAC é disparado por um relé reed. ou seja. por fontes de pulsos. Assim. Variações: a) circuito disparado por uma fonte CC em qualquer polaridade. ele pode ser usado em circuitos: • • • • comutadores estáticos para corrente alternada. com duração de microssegundos. o que constitui excelente fonte de pulsos. uma vez que a corrente que atravessa os contatos do interruptor é mínima.

se o transformador T1 for sintonizado para responder apenas a determinadas freqüências. 316 SENAI . a distância equipamentos ou conjuntos de lâmpadas como os usados para evitar choques ou prevenir incêndios. Assim. Comando a distância O circuito a seguir pode ser usado em sistemas que necessitem de pouca potência e de baixa tensão no circuito de controle. o circuito pode ser usado em sistemas de controle remoto. Ele permite ligar. por exemplo. O circuito acima pode ser aperfeiçoado.Eletrônica II b) circuito disparado por sinal elétrico alternado de qualquer freqüência.

ao interruptor S1.Eletrônica II Esse circuito utiliza um pequeno transformador para isolar magneticamente o circuito de potência do TRIAC do circuito de disparo do gate. dispara-o e alimenta a carga. O aumento de corrente provoca também aumento de tensão sobre R1 que. Circuito de controle de temperatura O circuito a seguir serve para controlar temperatura automaticamente. deve-se ajustar R1 para o valor máximo. depósitos de líquidos. uma baixa impedância é refletida no enrolamento N1. estufas. SENAI 317 . aquecedores. mantendo o TRIAC em corte S1 aberta. Quando S1 é fechado. ao atingir o ponto de comutação do TRIAC. O enrolamento N1. e o enrolamento N2. Observação R1 deve ser ajustável. Para evitar disparos acidentais. de menor tensão. É um circuito de baixo custo e de alta precisão. o que provoca um aumento de corrente. de maior tensão. empregado para regular a temperatura de fornos. fica ligado ao gate do TRIAC.

No semiciclo seguinte. Neste circuito. o controle de fase é realizado pelo resistor R1 com o capacitor C1. O ajuste de R3 proporciona satisfatória estabilidade. desse modo. A tensão sobre o capacitor C1 cai rapidamente até zero. evitando. o DIAC leva o TRIAC à condução. Ao ligar o circuito.Eletrônica II O termistor R2 é o elemento sensor de temperatura e deverá apresentar resistência de 5 kM na temperatura de operação. é necessário elevar gradativamente o valor de R1 até que a corrente que circula por ele seja suficiente para carregar o capacitor C1 ao ponto de disparo do DIAC. Comutador por controle de fase Outro exemplo de aplicação do TRIAC é em um circuito de um comutador de CA por controle de fase. 318 SENAI . qualquer que seja a temperatura desse dispositivo. Ao disparar. R3 incorpora o circuito como dispositivo de controle de estabilidade. variações contínuas entre as temperatura máxima e mínima. o capacitor começa a se carregar no sentido contrário para disparar o DIAC e o TRIAC.

SENAI 319 . no momento em que é ligado. devido a rapidez de comutação do TRIAC. C4 descarrega-se rapidamente. largamente empregado no controle de iluminação ("dimmer") ou no controle de velocidade de pequenos motores (furadeiras. não permitir a obtenção de níveis baixos de tensão. Observe que foi colocado um resistor em série com o DIAC para evitar descarga rápida do capacitor. Variações do circuito por controle de fase O circuito a seguir é o chamado circuito com duas constantes de tempo. Funcionamento . Esse circuito apresenta o inconveniente de. A diminuição dessa tensão só ocorrerá se o valor do resistor R1 for reduzido. pois o resistor R4 dificulta sua descarga instantânea e aumenta a constante de tempo RC. haverá maior queda de tensão sobre a carga. R4 e C4 têm a função de diminuir o efeito da histerese. Em conseqüência. C2 e R1.Eletrônica II A partir do segundo ciclo. com a descarga rápida do capacitor e a inversão da polaridade da fonte. ventiladores.Com o disparo do DIAC. L1. o disparo do DIAC acontece com um ângulo menor. Isso se deve a assimetria dos disparos do DIAC e do TRIAC. C3 mantémse carregado. como também pelo efeito de histerese do capacitor. Colocou-se também um segundo capacitor. colocados à entrada do circuito. C1. liqüidificadores). constituem um filtro que evita as interferências na rede.

por sua vez.carregado com tensão maior que C4 . por ser um sensor de luz. a lâmpada é desligada ou a luminosidade por ele emitida é reduzida. a resistência é elevada. Através dele. que quer dizer resistor que depende da luz). Observação A presença do LDR quase não altera o funcionamento do circuito. O LDR (do inglês "light dependent resistor". Este. não aciona o TRIAC. ou seja. Em conseqüência disso. No escuro.Eletrônica II Quando o DIAC deixa de conduzir. por exemplo. regula-se a intensidade luminosa de uma lâmpada conforme a luminosidade do ambiente. obtém-se níveis baixos de tensão na carga. Quando o ambiente fica claro. Com uma pequena alteração desse circuito é possível fazer também um controle automático de iluminação. a resistência diminui e não permite que o capacitor C se carregue o suficiente para disparar o DIAC. uma lâmpada com luminosidade mínima. 320 SENAI .transfere parte de sua carga para C4 e a simetria dos disparos do TRIAC permanece constante em todos os ciclos. o capacitor C3 . varia a resistência de acordo com a intensidade da luz do ambiente. Com este circuito é possível ligar.

Transistores de efeito de campo Os transistores de efeito de campo ou FETs (do inglês field effect transistor) são transistores especiais que têm a capacidade de exercer o controle sobre um fluxo de corrente através de tensão aplicada em um terminal de comando. Para caracterizá-los faz-se referência ao canal. O FET é o assunto deste capítulo. é controlado por tensão e caracteriza-se pela alta impedância de entrada e baixo ruído interno. Eles são usados principalmente em estágios iniciais de instrumentos de medição (osciloscópios.Transistor de Efeito de Campo O transistor de efeito de campo(FET). voltímetros eletrônicos) onde são necessárias altas impedâncias de entrada. A designação FET se aplica a toda uma família de componentes que funcionam pelo mesmo princípio. Seu princípio de funcionamento e métodos de polarização se assemelham muito aos da válvula. Assim temos: • • FET de junção (ou JFET). IGFET (ou MOS-FET) de porta isolada. constituído de material semicondutor. Observação O JFET e o IGFET podem ser produzidos na forma complementar do mesmo modo que os transistores. SENAI 321 .Eletrônica II FET . que pode ser P ou N.

Eletrônica II FET de junção (JFET) O JFET é constituído por um bloco de material tipo P ou N (também chamado de substrato). O canal pode ser do tipo P ou N e o bloco necessariamente será de um material oposto. Eles são fabricados em invólucros semelhantes aos transistores bipolares e seus símbolos são os mostrados a seguir. formando um canal. 322 SENAI . no qual é fundida uma barra de outro tipo de material semicondutor levemente dopada. fortemente dopado.

Eletrônica II Quando os dois materiais são unidos. Nessa camada de óxido de silício são deixadas três janelas a fim de que sejam formados os contatos ôhmicos nas regiões N e P. A outra extremidade do canal é chamada de dreno (em inglês "drain") e é designada pela letra D. pois o material do canal é menos dopado. forma-se uma região de depleção (como nos diodos). Uma das extremidades do canal é chamada de fonte (em inglês "source"). representadas por G1 e G2. O substrato em torno do canal é chamado porta (em inglês "gate") e é representado pela letra G. A região do bloco é eletricamente ligada entre si e uma película de material isolante (óxido de silício) é depositada sobre ele. designada pela letra S. SENAI 323 . Existem alguns FETs que apresentam duas portas. Essa região é maior dentro do canal.

na maioria das vezes.Eletrônica II Funcionamento Para compreender como o JFET opera. As duas portas são. vamos supor que essa é sua condição. 324 SENAI . observe a representação esquemática do componente mostrada a seguir. Quando VSG = 0. Se a tensão aumenta em sentido positivo. A figura a seguir mostra a conexão em curto entre a fonte e o dreno e um potencial ajustável entre fonte e porta (VSG ajustável). conectadas internamente e para entendermos o funcionamento do FET. há um alargamento dessa região e conseqüente estreitamento do canal. que tem sua condutividade diminuída. aparece a região de depleção.

que é então anulado.Eletrônica II Observação A corrente da porta será desprezível. Este ponto é chamado de pinch-off ou pinçamento. SENAI 325 . portanto. O gráfico a seguir mostra um gráfico da condutância do canal fonte-dreno (GSD) em função de VSG. alta impedância de entrada. Isso quer dizer que o canal apresenta resistência infinita. GSD é igual a 0. uma vez que temos apenas uma junção PN inversamente polarizada e. quando VSD = 0. a camada de depleção ocupará todo o canal. Observe que quando VSG é igual a Vp. Se VSG continuar a aumentar.

Eletrônica II

Quando VSG se torna negativa, a condutância do canal aumenta consideravelmente. Todavia, a junção PN da porta fica polarizada diretamente e a impedância de entrada fica relativamente baixa. Região Ôhmica Agora deixaremos VSG = 0 e estudaremos o efeito de VSD sobre ID (corrente de dreno).

À medida que VSD aumenta em sentido negativo, a fim de garantir a polarização inversa na junção da porta, ID começa a aumentar. O aumento de VSD, aumenta a polarização inversa e faz a região de depleção se alargar mais na extremidade do dreno por causa da queda de tensão ao longo do canal. Para entender isso, vamos comparar o JFET com o circuito equivalente a seguir.

Os diodos D1, D2 e D3 representam a junção PN da porta, e a resistência, o canal. Se impusermos uma circulação de corrente pela resistência, haverá uma queda de tensão ao longo dela, de tal forma que D3 terá uma polarização inversa maior que D2 e esta maior que D1. 326
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Apesar do estreitamento do canal, a corrente de dreno é praticamente proporcional à tensão VSD. Essa região de operação é chamada de região ôhmica. Saturação Continuando com o aumento de VSD, a corrente do dreno e a queda de tensão interna também aumentam. A polarização inversa da porta, imposta pela queda de tensão do canal aumenta a camada de depleção até que a condição de pinçamento (pinch-off) seja atingida.

No ponto em que as regiões de depleção quase se tocam, a tensão VSD se iguala ao valor negativo da tensão de pinçamento (VSD = - VP). Nesse ponto, o valor da corrente de dreno é chamado de IDSS (ou ID-ON). Nesse ponto, pode-se dizer também que o JFET atingiu a saturação porque, mesmo se o valor de VSD continuar a ser aumentado, as regiões de depleção continuarão a crescer juntas, mantendo a corrente de dreno quase constante.

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Essa região de corrente de dreno é chamada de região saturada ou de corrente constante. Veja no gráfico a seguir a relação entre corrente de dreno e tensão fonte-dreno.

No gráfico, o ponto BVDSS representa o ponto que é atingido quando há um aumento muito grande de VSD. Ele é determinado pela tensão inversa máxima que a porta pode suportar e que não deve ser ultrapassada, pois isso provocaria uma avalanche e a corrente de dreno aumentaria consideravelmente. Para que isso não ocorra e não haja dano no componente, a corrente deve ser limitada com o auxílio de um resistor. O gráfico a seguir mostra as curvas características de um JFET de canal P para a corrente de dreno em função de VSD com diferentes valores de VSG.

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No gráfico pode-se observar que à medida que o valor de VSG aumenta, diminui o valor do pinçamento (pinch-off). Observação A tensão de pinçamento (pinch-off) é a tensão que deve ser aplicada entre fonte e porta para cortar a corrente de dreno.

Transistor de efeito de campo de porta isolada (MOS-FET) Os transistores de efeito de campo do tipo porta isolada (MOS), assim como os FETs de junção, são componentes unipolares cuja operação se baseia no controle da corrente por meio de campos eletrostáticos. Os MOS-FETs, também conhecidos como IG-FET diferem dos J-FETs pelo fato de apresentarem a porta isolada do canal através de um película de óxido de silício. Esses componentes são largamente empregados na construção de circuitos integrados devido a sua facilidade de integração. Como os J-FETs, o MOS-FETs apresentam três terminais: dreno, fonte e porta. A porta é constituída por um eletrodo metálico separado do canal por uma camada isolante de óxido metálico, formando a seqüência que deu origem à designação MOS: Metal - Óxido - Silício.

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Observação O substrato serve como base de montagem para o FET e pode ser usado em algumas aplicações especiais. Um quarto terminal ligado ao substrato pode ser usado como outra porta. A colocação da camada isolante entre porta e canal mantém a porta totalmente isolada. Isso confere aos MOS-FETs sua característica mais importante: a impedância de entrada extremamente alta (da ordem de 1015 Ω) sem a preocupação com a polaridade da porta. Existem dois tipos de MOS-FETs: depleção e enriquecimento.

MOSFET Tipo Depleção O MOSFET tipo depleção é um FET de porta isolada no qual o princípio de controle da corrente é semelhante ao J-FET, ou seja, por meio da depleção no canal. 330
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Esse FET é constituído por um substrato (bloco de sustentação), uma barra de material semicondutor (canal) e uma camada de depósito metálico isolada do canal, usada como elemento de controle (porta ou gate). Os MOS-FETs depleção podem ser de dois tipos: canal P ou canal N.

Seus símbolos diferem apenas no sentido da seta no terminal ligado ao substrato. A situação de isolamento entre porta e canal também está expressa graficamente no símbolo.

Funcionamento O princípio de funcionamento do MOS-FET é o mesmo do J-FET. Quando o terminal de porta não tem polarização, o movimento de portadores é livre no canal, propiciando o aparecimento de uma corrente entre fonte-dreno.

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Esse aspecto é expresso graficamente no símbolo pela linha cheia que liga dreno e fonte. A aplicação de uma tensão positiva à porta do MOS-FET tipo P (negativa no MOS-FET N) provoca o aparecimento de uma região de depleção no canal que reduz a sua área útil. A região de depleção tem comportamento igual à do J-FET: produz uma largura maior na camada de depleção junto ao dreno devido à queda de tensão provocada pela passagem da corrente. reduzindo a corrente IDS. 332 SENAI .Eletrônica II O MOS-FET depleção é. normalmente condutor. portanto.

a aplicação de um potencial negativo a porta provoca uma aumento de corrente IDS. independentemente da polaridade dos terminais. pois o efeito da porta se soma ao de potencial negativo do dreno. reduzindo a corrente IDS. SENAI 333 . uma diferença singular entre os J-FET e os MOS-FET depleção. o material isolante e o substrato P formam um capacitor cujo dielétrico é o óxido de silício. Existe. Desta forma. bem como uma queda acentuada na impedância de entrada. Nos MOS-FETs depleção tipo P. Nos FETs de porta isolada não ocorre este problema porque o terminal porta é isolado do canal.Eletrônica II O contato metálico da porta. porém. Nos J-FETs. pode-se controlar a corrente no canal. através do controle do potencial positivo da porta (MOS-FET P). O aumento do potencial positivo da porta provoca um estreitamento na área útil do canal. a junção PN formada entre canal e porta não deve ser polarizada diretamente porque isso provocaria o aparecimento de uma corrente de porta.

Sobre este conjunto estão depositadas uma camada de óxido isolante e uma camada metálica formadora da porta de controle.Eletrônica II A figura a seguir mostra a curva característica de saída do MOS-FET P na qual se verifica que a porta pode receber tanto potencial positivo quanto negativo. a outra placa. Veja representação esquemática e símbolos a seguir. Funcionamento Para facilitar a compreensão do funcionamento desse tipo de FET. vamos comparar esse componente a um capacitor no qual a porta seria uma das placas. MOS-FET tipo enriquecimento O MOS-FET tipo enriquecimento é composto por duas pastilhas semicondutoras "isoladas" entre si pelo material semicondutor do substrato. 334 SENAI . o óxido de silício o isolante e o canal.

diminui o valor da corrente do canal até que a condutividade se torne zero (ponto de pinçamento ou pinch-off). Responda às seguintes perguntas: a) Qual é a característica dos FETs que os torna ideais para a aplicação em estágios de entrada de osciloscópio. Por outro lado. receptores e voltímetros? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ b) Quais são os dois tipos de FET? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ c) Desenhe as baterias de polarização nos circuitos com J-FET.Eletrônica II Se a placa/porta for polarizada com tensão negativa. O gráfico a seguir mostra a característica do dreno de um MOS-FET tipo P. haverá um enriquecimento do canal e nele será induzida uma carga positiva (como no capacitor). SENAI 335 . aumentando assim a condução do canal. À medida que a tensão positiva é aumentada. se a porta for polarizada com tensão negativa. haverá um enfraquecimento de campo. Observe que o controle da corrente pode ser efetuado em ambas as polaridades de VSG. diminuindo a condutividade do canal. Esta carga positiva induzida criará lacunas entre o dreno e a fonte. fato que não ocorre com o J-FET Exercícios 1.

se o resistor é de 470 Ω e sua queda de tensão é de 6 V.Eletrônica II d) Qual é a condição fundamental de polarização da junção porta-fonte dos J-FETs? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ e) Por que se forma uma região de depleção do canal quando o terminal porta está ligado ao terminal fonte? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ f) Considerando-se o circuito da questão f. qual é a corrente ID? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ g) Ainda considerando o circuito da questão f. o que acontecerá com os valores de: ID _____________________ VRD ____________________ VDS ____________________ 2. se a tensão da bateria B2 for ajustada para – 5 V. 336 SENAI . Responda: a) Identifique com as notações adequadas a corrente de dreno e tensão dreno-fonte do ponto indicado na curva a seguir.

a região na qual existe a maior linearidade no comportamento do FET como resistor controlado por tensão. também. d) O que é tensão de pinçamento? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ SENAI 337 . Assinale.Eletrônica II b) Como se comportam a resistência interna do canal e a corrente de dreno do J-FET quando a polarização inversa porta-fonte é aumentada? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ c) Identifique as regiões das curvas características mostradas a seguir.

qual é a diferença fundamental entre os J-FETs e os FETs de porta isolada? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ c) Por que os FETs de porta isolada recebem a designação MOS? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ d) O que se pode afirmar sobre a impedância de entrada dos MOS-FET? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ e) O que acontece com a corrente ID no MOS-FET tipo depleção canal N quando a tensão de porta é cada vez mais negativa? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ f) Considerando a corrente ID no mesmo tipo de MOS-FET da questão anterior. Responda às seguintes perguntas: a) Quais são as abreviaturas usadas normalmente para identificar os FETs de porta isolada? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ b) Em termos de estrutura. o que acontece quando a tensão da porta é cada vez mais positiva? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ 338 SENAI .Eletrônica II e) O que é IDSS? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ 3.

________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ SENAI 339 .Eletrônica II ________________________________________________________________ g) Um MOS-FET tipo enriquecimento bloqueia ou permite a passagem de corrente (ID) com tensão de porta VGS = 0 V? Justifique sua resposta.

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Eletricista de Manutenção I – Eletricidade básica. SENAI 341 . Rio de Janeiro : 1984. São Paulo : 1993.Referências Bibliográficas SENAI-SP. Eletricista de Manutenção Il – Eletrotécnica. São Paulo : 1993. ________. SENAI-DN. Eletrônica básica.

342 SENAI .

1985. 1981. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. São Paulo : Editora Makron Books. Louis. BOYLESTAD. 1985. SENAI 343 . Halkias. São Paulo : Editora Makron Books. MILLMAN. São Paulo : Editora Érica.Bibliografia Indicada • Estes livros complementam os conteúdos da apostila. Eletricidade Básica. São Paulo : Editora Hemus. e outros. Navy. GUSSOW. Eletricidade Básica. Dispositivos semicondutores. Milton. U. Rio de Janeiro : Editora PHB. S. 1994. Robert e NASHELSKY. Não deixe de ler! MARQUES. Eletrônica l. Angelo. 1996.

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