F ACULTATEA DE INGINERIE Hermann Oberth Sibiu

Referat materiale electrotehnice Siliciul

Profesor indrumator Conf. dr. Ing. Popescu Lizeta

Student Lopătaru Cristian An I EM-FR

Reacţia este puternic exotermă: SiO2 + 2Mg → Si + 2MgO. c) Procesul industrial pentru obţinerea siliciului brut. Pe această cale se obţine însă un siliciu impur. Rămâne insolubilă o formă de siliciu amorf. compacte. impurificat cu siliciura de magneziu. se reduce relativ uşor. Siliciul format se dizolvă în excesul de aluminiu topit. a) Bioxidul de siliciu se poate reduce cu pulberea de magneziu metalic. din care cristalizează la răcire. După răcire se dizolvă oxidul de magneziu în HCl. b) Bioxidul de siliciu poate fi redus în mod similar cu o pulbere de aluminiu. cu structură cristalină vizibilă. siliciul este cel mai răspândit element din scoarţa terestră. Se obţine astfel siliciul impurificat cu carbura de calciu. sub formă de bucăţi mari. . foloseşte un cuptor electric cu electrozi de grafit asemănător celui utilizat la fabricarea carburii de calciu. la temperatură ridicată. cu diferiţi agenţi reducători. Siliciul se găseşte în natură numai combinat cu oxigenul. în bioxidul de siliciu şi în silicaţi. La dizolvarea excesului de aluminiu în HCl. Dacă se lucrează cu un exces de magneziu se obţine acest compus. impurificat ca aluminiu. prin reducerea bioxidului de siliciu cu cărbune. din cauza tendinţei acestui element de a se combina cu agentul reducător sau cu impurităţi întâmplătoare aflate în materialele utilizate. MgSi.SILICIUL STARE NATURALĂ După oxigen. brun. OBŢINERE Bioxidul de siliciu. prin încălzire. SiO. se obţin cristale de Si de culoare închisă.

Cristalele de siliciu sunt lucioase. în tetraclorura de siliciu. folosite în industria chimică. 2) Reţeaua cristalului de siliciu este de acelaşi tip cu a diamantului. Fiecare atom de siliciu este înconjurat tetraedic de alţi 4 atomi la distanţă intraatomică Si-Si de 2. Proprietăţi fizice şi chimice : 1) Siliciul cristalizează în sistemul cubic. . margine care se îndepărtează. cenuşii ca fierul. Prin acest procedeu impurităţile se adună într-o extremitate a vergelei de siliciu supusă tratamentului.Într-o variantă a acestui procedeu se adaugă fier obţinându-se un aliaj. sau în triclorsilan.pur aşa cum este cerut în industria semiconductoarelor se obţine din siliciul pur prin metoda topirii zonale. conductibilitate electrică foarte mică la siliciul pur. Siliciul este semiconductor. Aceste substanţe fiind lichide cu puncte de fierbere scăzute. în modul arătat.90% Si. HSiCl. apoi se reduc cu hidrogenul la trecerea prin tuburi încălzite sau peste un filament metalic incandescent : 800C SiCl +2H → Si+ 4HCl Siliciul super . mai dure decât acest metal (duritate 7 pe scara Mohs ) dar casante. Ferosiliciul foloseşte la obţinerea de fonte silicioase cu 12-17 % Si. creşte cu temperatura şi cu conţinutul în impurităţi. ferosiliciul. se purifică prin distilarea fracţională.34 A. SiCl.Se transformă în siliciul brut sau feosiliciul. cu 40. din care se toarnă aparate rezistente la acizi. Siliciul pur .

Dintre elementele electronegative. Si +H2O → SiO+ 2H 7) Atomul de siliciu spre deosebire de atomul de C poate însă folosi orbitali d. SiF în care cele şase legături de Si-F sunt echivalente şi grupate octaedic în jurul atomului central de Si. dând sulfura de siliciu. siliciul se combină. Cu azotul combinarea are loc la 1000 de grade şi duce la o nitrură.Pt . Ba.Co . 4) prevede pe baza structurii sale. Siliciul amorf este mai reactiv decât cel cristalizat fiind mai fin divizat. apa are loc la 800 de grade o reacţie analogă cu aceea a carbonului. SiC. SiF.Sr. Fe . La temperaturi joase siliciul este puţin reactiv aşa cum se asemănându-se cu diamantul. 5) 6) Siliciul se combină cu multe metale cum sunt Li . Cu florul şi cu bromul. Si + O → SiO Reacţia este foarte exotermă.Be. Si N. Orbitalii 3d sunt la nivel energetic destul de apropiaţi de orbitalii 3s şi 3p pentru a putea da naştere unei hidrizări spd. Tot la temperatură înaltă se combină şi cu borul. Ca Siliciul nu reacţionează la rece cu apa şi nici cu acizii tari. . W. o asemenea structură se întâlneşte în ionul. Cr. Siliciul cristalizat se combină cu sulful la 600 de grade. cu incandescenţă. Cu .Cu când este încălzit cu ele la alb-roşu.3) Siliciul nu formează soluţii fizice cu nici un solvent. la temperatura camerei numai cu florul cu care dă tetrafluorura de siliciu. dând SiB. Cu carbonul se combină la 2000 de grade dând carbura de siliciu. Mg. siliciul reacţionează la 500 grade formând tetrahalogenurile respective. Mo.Ni .

Siliciul şi oxidul său stau la baza tehnologiei planare. dar . etc). • sub formă de aliaje (ferosiliciul) cu proprietăţi anticorozive. feldspaţi) în industria materialelor de construcţii: ciment. care a făcut posibilă realizarea cu productivitate ridicată a dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor integrate pe scară mare. • sub formă de silicaţi (talc. dar sunt indicaţii că la formarea legăturilor Si-O contribuie şi orbitalii 3d. Siliciul se găseşte în cantitate mare la suprafaţa globului terestru (aprox. • sub formă de cuarţ (SiO) pentru confecţionarea lentilelor şi prismelor aparatelor optice. 28%). bioxidul de siliciu fiind în acelaşi timp şi un bun material dielectric. porţelan şi sticlă. care constituie o barieră în pătrunderea impurităţilor în materialul de bază. Motivul principal este acela că prin oxidare termică siliciul se acoperă cu un strat de oxid de siliciu amorf. INTREBUINŢĂRI Siliciul se utilizează în : • industria tranzistorilor datorită proprietăţilor de semiconductor. Sursele naturale de Si sunt în principal silicaţii (nisip. mica. ceramică.În combinaţiile sale cu ceilalţi halogeni şi cu oxigenul. ELABORAREA SILICIULUI ŞI REALIZAREA PLACHETELOR SEMICONDUCTOARE Dintre materialele semiconductoare. siliciul are numărul de coordonare 4. siliciul este cel care s-a impus pentru realizarea de dispozitive semiconductoare şi de circuite integrate monolotice.

mica. jadul. Obţinerea siliciului metalurgic Obţinerea siliciului metalurgic se efectuează prin electroliza silicei topite (SiO2) într-un cuptor cu arc electric. Pentru elaborare este necesară o metodă de reducere a sa. ELABORAREA SILICIULUI Prima etapă a tehnologiei siliciului corespunde elaborării siliciului de calitate "metalurgică" sau MGS (Metallurgic Grade Silicon). Se foloseşte cuptorul cu arc electric pentru a se putea atinge temperatura de topire a SiO2 care se găseşte în amestec cu carbon (cărbune). . cuarţul. situându-se la valoarea de 1415°C. cu multe ordine de mărime. Dificultatea în obţinerea siliciului constă în aceea că oxidul de siliciu (SiO2) nu poate fi redus direct prin folosirea hidrogenului. la temperatură ridicată). Siliciul care se obţine în urma electrolizei are puritatea de 98 %. fiind necesară o tehnică adaptată de reducere (cu carbon. până la obţinerea unui material utilizabil în microelectronică. Puritatea trebuie mărită în continuare. Siliciul există natural sub formă de oxizi (starea oxidată).şi zirconiul. Temperatura de topire a siliciului este ridicată. iar apoi trebuie să fie purificat până la stadiul de siliciu "de calitate electronică" sau EGS (Electronic Grade Silicon). După această etapă în urma purificărilor repetate se obţine materialul de puritate "electronică".

b) purificarea fizică . În mod frecvent se folosesc halogenurile de siliciu ca produs intermediar lichid. • lichidă se solidifică treptat prin deplasarea unei singure interfeţe solid-lichid.se bazează pe redistribuirea impurităţilor existente metoda solidificării directe . .prin care materialul aflat iniţial în stare în material la trecerea acestuia din faza lichidă în faza solidă.Obţinerea siliciului de calitate electronică Teoria dispozitivelor semiconductoare este construită în ipoteza unui cristal perfect sau cvasi-perfect. Calitatea electronică (EGS) a siliciului este greu de obţinut fiind necesară aplicarea succesivă a unui număr mare de etape de purificare. Succesiunea principalelor etape de purificare a siliciului a) purificarea chimică – o metodă folosită constă în dizolvarea siliciului într-un produs lichid la temperatura ambiantă şi apoi distilarea acestui lichid.

distanţate între ele şi separate prin faza solidă.constă în topirea unei zone a lingoului de material semiconductor şi deplasarea lentă a acestei zone de-a lungul lingoului. . în mai puţin de 30 de ani. • metoda topirii zonale multiple . Schema topirii zonale a) Principiul încălzirii prin inducţie b) Variaţia temperaturii c) Obţinerea lingoului . având ca scop creşterea randamentului de fabricaţie şi reducerea costurilor de producţie pe circuit integrat realizat.Evoluţia dimensiunilor lingourilor a fost legată de evoluţia gradului de control asupra parametrilor de proces şi echipamentelor asociate.• metoda topirii zonale simple . respectiv de la 25 mm în 1964 la 300 mm în 1998. Astfel. diametrul plachetelor a crescut de 10 ori.constă în topirea mai multor zone.

la fel ca şi în cazul purificării lingoului. . O altă variantă pentru tragerea de lingouri este aceea în care lingoul se obţine într-o formă paralelipipedică. iar cristalizarea se efectuează progresiv. prin deplasarea unei zone topite. Procesul de încălzire se obţine prin intermediul unei bobine parcurse de curent de înaltă frecvenţă. cum ar fi GaAs. Diametrul lingoului este determinat de parametrii fizici în timpul tragerii.V. Creşterea cristalului se obţine pornind de la un germene fixat la extremitatea lingoului. pornind de la una din extremităţi. care induce în lingou curenţi turbionari (Foucault). pentru lingouri din compuşi III . Cristalizarea lingoului şi purificarea prin metoda topirii zonale. în special. Aceasta zonă este încălzită prin inducţie până la limita de topire a siliciului.d) Tragerea şi creşterea cristalului reprezintă o tehnică folosită pentru realizarea lingourilor de mari dimensiuni care porneşte de la un lingou de siliciu policristalin obţinut în reactorul de reducere. Această tehnică este folosită. Această metoda este numită metoda "Bridgman“.

e) Tăierea capetelor lingoului . . Măsurarea rezistivităţii se face cu metoda "celor patru sonde". Determinarea reperelor cristalografice şi marcarea lingoului - g) cunoaşterea orientărilor cristalografice este necesară.Concentraţia de impurităţi nu este constantă în timpui tragerii. care sunt fie imperfect cristalizate. rezistivitatea finală variază dea lungul lingoului.Operaţia constă în eliminarea extremităţilor lingoului. pentru a putea decupa materialul de-a lungul axelor cristalografice. După reperarea planurilor cristalografice la lingoul de siliciu se creează o teşitură care va servi ca referinţă . f) Controlul rezistivităţii la extremităţile lingoului . Se impune o verificare a acestui parametru în raport cu specificaţiile tehnologice (gama de variaţie). la sfârşitul procesului de fabricaţie. fie bogate în impurităţi (în special dacă s-a folosit tehnica topirii zonale).

în cursul tragerii diametrul lingoului variază uşor. Pentru a obţine plachete de acelaşi diametru este necesară o polizare cilindrică. La plachetele cu diametru mai mare de 3 inch/ţoli (1 inch =25. în funcţie de tipul de dopaj al substratului şi de orientarea sa cristalografică. reperarea desenelor gravate în cursul fotolitografiei.h) polizajul cilindric . suprafaţa fiind ondulată. i) polizarea unei teşituri de referinţă . • Se pot distinge uşor tipurile de dopaj n şi p precum şi orientările cristalografice.acest reper va folosi ca referinţă în cursul procedeului de fabricaţie (orientarea zonelor de conducţie în raport cu axele cristalului. decuparea cipurilor după axele cristalografice) • Se vor realiza suplimentar şi alte repere.4 mm) se foloseşte un reper cristalografie în formă de crestătură. Pe lingou se marchează datele de identificare ale lingoului cu .

ajutorul unui fascicul laser: numărul lotului în care s-a realizat. rezultă că din lingou se elimină în total 50% la 60% b) tratament termic ..operaţia de debitare a plachetelor creează tensiuni mecanice în cristal.după obţinerea lingoului de siliciu monocristalin acesta va fi decupat în discuri subţiri ce vor reprezenta plachetele (wafers). Realizarea plachetelor semiconductoare Din lingoul de siliciu cristalin se obţin plachetele (wafers) pe care prin tehnologii specifice urmează a se realiza dispozitivele electronice şi circuitele integrate.700°C. Eliminarea acestor tensiuni şi relaxarea cristalului se obţine printr-o creştere lentă a temperaturii plachetelor până la 600. Prin acest tratament termic de recoacere. Succesiunea principalelor operaţii de obţinere a plachetelor a) debitarea plachetelor .. O modalitate de debitare a plachetelor este aceea care se face cu ajutorul unui ferăstrău diamantat. atomii obţin suficientă . data fabricaţiei. Dacă se ia în considerare eliminarea capetelor de lingou şi polizarea.

Pentru reducerea timpului de polizare plachetele se triază în game de grosimi. e) acoperirea plachetelor cu o suspensie de alumină şi polizarea pentru a ameliora starea suprafeţelor.după debitare. Se obţine în acest fel o suprafaţă neutră din punct de vedere chimic. pe marginile plachetelor rămân bavuri ce trebuie eliminate.energie proprie pentru a se reaşeza în şisturile cristaline. Se realizează în acelaşi timp şi o rotunjire a muchiilor. d) selecţia plachetelor în funcţie de grosime . Prin aceasta se evită degradarea dispozitivelor de prindere şi se suprimă amorsele de fisuri. . pentru a uşura manipularea plachetelor în cursul procesului de fabricaţie. fie substanţe organice ce pot fi eliminate folosind soluţii bazice. c) polizarea marginilor (debavurarea) . acestea formează la suprafaţă un strat de oxid care conţine impurităţi.această etapă are rolul de a elimina produsele abrazive şi substanţele contaminante. Se obţine în acelaşi timp diminuarea efectului atomilor de oxigen (de tip donor) şi se stabilizează rezistivitatea.după tăiere. g) atacul chimic al plachetelor . înaintea polizării "oglindă". Aceste impurităţi sunt fie particule metalice şi pot fi eliminate cu soluţii acide. grosimile plachetelor pot fi sensibil diferite. prin spălare cu solvenţi şi apă deionizată. plachetele sunt polizate cu ajutorul unei soluţii ce conţine în suspensie granule de alumină de dimensiuni micronice. f) curăţirea .în cursul etapelor parcurse de plachete.

Aplicând ulterior un tratament termic.această prelucrare tip "oglindă" poate fi efectuată mecanic sau mecano-chimic. cât şi ai defectelor cristalografice (macle. Se urmăreşte eliminarea zgârieturilor şi a micilor denivelări ale suprafeţei rămase de la operaţiile anterioare. În acest scop se creează intenţionat defecte pe faţa inferioară. Se face o nouă selecţie în game de grosime. dislocări. Acest fenomen este numit efectul "getter". impurităţile de pe faţa activă a plachetei vor migra prin substrat spre faţa inferioară şi vor fi captate de defectele create în această parte.partea utilă a plachetei (în care se vor crea componentele electronice) se găseşte foarte aproape de suprafaţa superioară. Operaţia se efectuează cu discuri abrazive folosind o soluţie abrazivă cu granule foarte fine. . prin sablaj sau bombardament laser .h) deteriorarea feţei inferioare . etc). Se urmăreşte realizarea unei calităţi maxime a materialului în această zonă.prin operaţia precedentă se modifică grosimile plachetelor. j) prelucrarea finală a suprafeţei . atât sub aspectul gradului de puritate (atomi străini). acestea oferind stări energetice favorabile fixării atomilor. i) selecţia în funcţie de grosime .

se marchează pe lingou cu ajutorul unui fascicul laser: numărul lotului în care s-a realizat.formarea loturilor ce urmează să se livreze beneficiarilor după o selecţie în funcţie de rezistivitate. selecţia finală în funcţie de rezistivitate . Atunci când electrozii sunt coliniari şi echidistanţi rezistivitatea se calculează cu relaţia: l) reperarea/marcarea . Prin doi dintre aceşti electrozi se injectează un curent I în circuit. iar între ceilalţi doi electrozi se măsoară tensiunea UBC care ia naştere. . În funcţie de configuraţia electrozilor. se poate determina prin calcul rezistivitatea plachetei.k) testarea rezistivităţii plachetelor. Prin aceste reperare este posibilă urmărirea plachetei de-a lungul întregii linii de fabricaţie. Determinarea rezistivităţii se realizează cu ajutorul a patru electrozi punctiformi care se aşează pe suprafaţa plachetei. data fabricaţiei.

inspecţia finală se impune pentru a detecta variaţiile de culoare. Omul este la ora actuală cel mai bun inspector.m) curăţarea finală în "camera albă“. etc). Există în prezent dispozitive bazate pe măsurări optice (devierea unui fascicul laser). Un sistem automat de control cu baleiaj optic al întregii suprafeţe a plachetei ar necesita deocamdată un timp de analiză mult mai mare decât cel necesar unui operator uman antrenat. pentru testarea planeităţii. particulele de praf cu dimensiuni mai mici de un micron. zgârieturile. particulele de praf. depuneri de straturi.planeitatea plachetelor este foarte importantă pentru operaţiile litografice la care acestea urmează să se supună. testarea. fără particule de praf. Curăţarea finală se realizează în incintă cu condiţii de mediu perfect controlate ("camera albă").pentru a demara ansamblul etapelor ce formează procedeul de fabricaţie a circuitelor integrate. El poate detecta vizual şi în scurt timp variaţiile de culoare. zgârieturile. n) inspecţia vizuală . încapsularea. realizarea conexiunilor la pini. . Plachetele semiconductoare sunt în continuare supuse la o serie de operaţii dintre care se pot sintetiza: impurificarea controlată şi selectivă în mai multe etape. plachetele trebuie să fie perfect curate (fără grăsime. o) testul de planeitate .

Iaşi 2001. 2000. 9. Bucureşti. 1999. nemetalice şi compozite".ş.. 1995. "Materiale compozite".a.. Editura Didactică Hubcă Gh.ro www... 4. ş.ro facultate. 2.com referate.ro Editura Didactică şi Pedagogică.referatele. 6.. Pumnea C. Editura Tehnică. Bucureşti. 1999. "Tehnologie industrială".educativ.. C.a.a. M.. . mecanică. 3.. ”Materiale Electronice”. 11.ş. "Ştiinţa materialelor pentru ingineria Bucureşti. Bucureşti.ro www. 1992. Derevlean. 7. 10.regielive.. 8.a. volumul 1 şi 2. Editura VIE.referat. ş. Popescu N.e-referat.. Cătuneanu V. Materiale comerciale metalice. Editura Tehnică. Bucureşti. 5. ”Tehnologie electronică". şi Pedagogică.a. www. Editura Fair Partners. Oriţă. ş.BIBLIOGRAFIE 1. Amza Gh."Tehnologia materialelor".

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful