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ESCOLA POLITCNICA DA UNIVERSIDADE DE SO PAULO Departamento de Engenharia Metalrgica e de Materiais

PROPRIEDADES ELTRICAS DOS MATERIAIS

PMT 2100 - Introduo Cincia dos Materiais para Engenharia


2 semestre de 2005

ROTEIRO DA AULA
Resistncia eltrica e a lei de Ohm Resistividade e condutividade eltrica Lei de Ohm Condutividade eltrica Bandas de energia nos slidos Condutividade eltrica dos metais Condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos Condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos tipo n Condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos tipo p

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RESISTNCIA ELTRICA
O comportamento dos materiais, em resposta aplicao de um CAMPO ELTRICO externo, define as PROPRIEDADES ELTRICAS dos materiais. As propriedades eltricas dependem de diversas caractersticas dos materiais, dentre as quais mencionamos a configurao eletrnica, o tipo de ligao qumica e os tipos de estrutura e microestrutura. A CORRENTE ELTRICA o movimento de portadores de carga que ocorre dentro dos materiais, em resposta ao de um campo eltrico externo. So portadores de carga: eltrons, buracos eletrnicos, ctions e nions. Em 1827 Georg Simon Ohm, baseado em evidncias experimentais e utilizando o conceito RESISTNCIA ELTRICA (R) de um corpo, formulou uma lei que relaciona a VOLTAGEM (U) aplicada I sobre o corpo com a CORRENTE ELL TRICA (I) que o atravessa. U = RI
LEI DE OHM U
Representao esquemtica de um arranjo experimental que permite medir a resistncia eltrica de um corpo.

Unidades SI: U Volts (V) = J / C I Ampres (A) = C / s R Ohms () = V / A

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RESISTIVIDADE E CONDUTIVIDADE ELTRICA


Para um corpo cilndrico de comprimento L e seo transversal de rea A (veja a figura da transparncia n 3), define-se a RESISTIVIDADE ELTRICA () do material do qual o corpo constitudo por

= R (A / L)
Unidade SI: Ohms-metro ( .m) = V.m / A

Note que a resistncia uma PROPRIEDADE DO CORPO enquanto a resisitividade uma PROPRIEDADE DO MATERIAL do qual o corpo constitudo. A CONDUTIVIDADE ELTRICA () de um material uma medida da facilidade com que ele capaz de conduzir uma corrente eltrica. Define-se a condutividade eltrica como sendo o inverso da resistividade,

=1/
Unidade SI: (Ohms-metro)-1 ( .m) -1 = A / V.m
Cuidado com a notao! Observe que, de acordo com a notao do livro texto, estamos utilizando a letra A para denotar tanto a rea da seo transversal do corpo cilndrico como a unidade de corrente o mpere.
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LEI DE OHM
Utilizando o conceito de CONDUTIVIDADE (), a LEI DE OHM determina que a DENSIDADE DE CORRENTE (J) num dado material diretamente proporcional ao CAMPO ELTRICO (E) aplicado sobre o mesmo. J=E
Unidades SI: E = U/ L Volts-metros-1 (V/m) = J / m.C J = I/A Ampres -metros-2 (A/m 2) = C / m 2.s Observao: O carter vetorial das diversas grandezas aqui consideradas ser omitido em nosso tratamento matemtico, ou seja, trataremos apenas de casos de materiais isotrpicos sujeitos a campos eltricos constantes.

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CONDUTIVIDADE ELTRICA
Os materiais slidos podem ser classificados, de acordo com a magnitude de sua condutividade eltrica, em trs grupos principais: CONDUTORES, SEMICONDUTORES e ISOLANTES.
Condutividade em (.m)-1 de uma variedade de materiais temperatura ambiente.
poliestireno polietileno NaCl madeira seca quartzo SiO2 porcelana borracha concreto (seco) mica Si dopado vidro GaAs Si Ge grafite Mn Fe Ag Cu

10-18 10-16 10-14 10-12 10-10 10-8 10-6 10-4 10-2 100 102
ISOLANTES SEMICONDUTORES

104

106 108

CONDUTORES

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CONDUTIVIDADE ELTRICA
O MODELO DOS ELTRONS LIVRES dos metais supe que o material composto por um gs de eltrons que se movem num retculo cristalino formado por ons pesados. Esse modelo prev corretamente a forma funcional da lei de Ohm. No entanto, ele prev incorretamente os valores observados experimentalmente para a condutividade eltrica. Por exemplo, para o cobre temos: calculado = 5,3 x 106 (.m)-1 e experimental = 59 x 106 (.m)-1. Para uma compreenso aprofundada das propriedades eltricas dos materiais necessitamos considerar o carter ondulatrio dos eltrons e fazer uso de conceitos da mecnica quntica, mas isto est alm do escopo desta disciplina. Na aula de hoje, explicaremos a condutividade eltrica dos materiais utilizando, de forma simplificada, alguns conceitos provindos da mecnica quntica. Em particular, consideraremos o MODELO DE BANDAS DE ENERGIA ELETRNICA NOS SLIDOS .
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BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS


Considere um conjunto de N tomos. A distncias de separao relativamente grandes, cada tomo independente de todos os demais, e tem os nveis de energia atmica e a configurao eletrnica que teria se estivesse isolado. Contudo, medida que esses tomos chegam prximos uns aos outros, os eltrons sentem a ao dos eltrons e ncleos dos tomos adjacentes ou so perturbados por eles. Essa influncia tal que cada estado atmico distinto pode se dividir em uma srie de estados eletrnicos proximamente espaados no slido, para formar o que conhecido por BANDA DE ENERGIA ELETRNICA. A extenso da diviso depende da separao interatmica e comea com as camadas eletrnicas mais externas, uma vez que elas so as primeiras a serem perturbadas quando os tomos coalescem. Dentro de cada banda, os estados de energia so discretos, embora a diferena entre os estados adjacentes seja excessivamente pequena.

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BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS


Grfico esquemtico da energia eletrnica em funo da separao interatmica para um agregado de 12 tomos (N = 12). Com a aproximao cada um dos estados atmicos 1s e 2s se divide para formar uma banda de energia eletrnica que consiste em 12 estados. Cada estado de energia capaz de acomodar dois eltrons que devem possuir spins com sentidos opostos.

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BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS


Bandas de energia eletrnica para um material slido formado por N tomos.
Representao convencional da estrutura da banda de energia eletrnica para um material slido na separao interatmica de equilbrio. Energia eletrnica em funo da separao interatmica para um agregado de N tomos, ilustrando como a estrutura da banda de energia na separao interatmica de equilbrio gerada.
2p (3N estados)

10

2s (N estados)

1s (N estados)

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ESTRUTURAS DE BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS


Estruturas de bandas de energia possveis para slidos a 0 K.
(a)
Banda vazia

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(b)
Banda vazia

(c)

Banda de conduo vazia

(d)
Banda de conduo vazia Gap de energia

Gap de energia Estados vazios Estados preenchidos

Ef
Banda preenchida

Gap de energia

Ef

Banda de valncia preenchida

Banda de valncia preenchida

(a) Bandas de energia de METAIS tais como o cobre (Z = 29, 3d10 4s1) nos quais se encontram disponveis, na mesma banda de energia, estados eletrnicos no preenchidos acima e adjacentes a estados eletrnicos preenchidos. (b) Bandas de energia de METAIS tais como o magnsio (Z = 12, 1s2 2s2 2p6 3s2) nos quais ocorre a superposio das bandas de energia mais externas, a preenchida e a nopreenchida. (c) Bandas de energia tpicas de ISOLANTES: a BANDA DE VALNCIA (banda de energia preenchida) separada da BANDA DE CONDUO ( banda de energia no-preenchida) por um GAP DE ENERGIA (banda de energia proibida, ou seja, barreira de energia) de largura relativamente grande (>2 eV). (d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia semelhante dos isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).
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CONDUTIVIDADE ELTRICA
A ENERGIA DE FERMI, Ef, uma conseqncia do carter estatstico do comportamento dos eltrons e do Princpio de Excluso de Pauli. Para metais a T = 0K, Ef definida como a energia mxima dos estados eletrnicos ocupados. Para semicondutores e isolantes Ef tem um valor situado na faixa de energias do poo de potencial. Nos metais, somente eltrons com energia maior que Ef podem ser acelerados na presena de um campo eltrico. Esses eltrons so os que participam do processo de conduo e so chamados de ELTRONS LIVRES. Em semicondutores e isolantes, os BURACOS ELETRNICOS tm energia menor que Ef e tambm participam do processo de conduo. O processo de conduo se origina na mobilidade dos PORTADORES DE CARGA .

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CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS


Em metais, um eltron torna-se livre quando passa para um estado de energia disponvel e no preenchido acima de Ef; pequena a energia necessria para tal mudana. A condutividade elOCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS trica dos metais poAntes da Aps a de ser representada excitao eletrnica excitao eletrnica pela equao

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= n |e|
n = nmero de portadores de carga (eltrons) por unidade de volume |e| = magnitude da carga dos portadores (1,6 x10-19 C) = mobilidade dos portadores de carga

Estados vazios Energia

Ef
Estados preenchidos

Ef

Excitao do eltron

A condutividade eltrica dos metais condutores diminui medida que a sua temperatura aumenta.

CONDUTIVIDADE ELTRICA - SEMICONDUTORES E ISOLANTES


No caso de isolantes e semicondutores, um eltron torna-se livre quando salta da banda de valncia para a banda de conduo, atravessando o gap de energia. A energia de excitao necessria para tal mudana aproximadamente igual largura da barreira. A diferena entre semicondutores e isolantes est na largura do gap de energia. Comparada com a largura do gap de energia dos isolantes, a dos semicondutores bastante pequena. Quando o eltron salta da banda de valncia para a banda de conduo so gerados tanto um eltron livre quanto um buraco eletrnico.
Energia

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OCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS

Antes da excitao eletrnica


Banda de conduo

Aps a excitao eletrnica


Eltron livre

EG

Gap de energia

Excitao do eltron

Banda de valncia

Buraco na banda de valncia

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MATERIAIS SEMICONDUTORES
SEMICONDUTORES INTRNSECOS

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so aqueles cujo comportamento eltrico depende basicamente da estrutura eletrnica do material puro. Sua condutividade eltrica geralmente pequena e varia muito com a temperatura. depende fortemente do tipo e da concentrao dos tomos de impurezas. A adio de impurezas para a moldagem do comportamento eltrico dos semicondutores chamada de DOPAGEM .

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS so aqueles cujo comportamento eltrico

A maioria dos semicondutores comerciais elementais so extrnsecos; o mais importante exemplo o Si, mas tambm esto nesta categoria o Ge e o Sn. a possibilidade de adicionar impurezas diversas ao material puro que permite a fabricao de uma variedade de dispositivos eletrnicos a partir do mesmo material semicondutor. Os semicondutores extrnsecos tm condutividade que varia pouco com a temperatura e cujo valor controlado pela concentrao de impurezas. As concentraes utilizadas variam de 1014 cm -3 (1 parte em 108, considerando 1022 tomos por cm 3) a 1020 cm -3 (1 parte em 10 2, que muito alta). Semicondutores intrnsecos de compostos dos grupos III-V e II-VI vm adquirindo crescente importncia para a indstria eletrnica nos ltimos anos.
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SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Modelo de ligao eletrnica para a conduo eltrica no Silcio intrnseco
Campo E

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(a)
Si Si Si Si

(b)
Si Si Si Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

eltron de valncia eltron livre buraco

Campo E

(c)
Si Si Si Si

(a) Antes da excitao eletrnica. (b) e (c) Aps a excitao eletrnica (os movimentos subseqentes do eltron livre e do buraco em resposta a um campo eltrico externo).
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Si Si Si Si

Si

Si

Si

Si

SEMICONDUTORES INTRNSECOS
A condutividade eltrica dos materiais semicondutores pode ser representada pela equao

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= n |e| + p |e| b ,
onde: n = nmero de eltrons livres por unidade de volume; p = nmero de buracos eletrnicos por unidade de volume; |e| = magnitude da carga dos portadores (1,6x10-19 C);

= mobilidade dos eltrons livres; b = mobilidade dos buracos eletrnicos.


Note que > b.

A condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos aumenta medida que a


temperatura aumenta. Para semicondutores intrnsecos, n = p. Portanto,

= n |e| ( + b)
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SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n


Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo n. Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com P (valncia 5) gera eltrons
livres; uma impureza desse tipo chamada de doadora.
Campo E

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(a)
Si Si Si Si

(b)
Si Si Si Si

(c)
Si Si

Campo E
Si Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

(a) O tomo de impureza (P) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando em um eltron extra ligado ao tomo de impureza. (b) Excitao do eltron extra como conseqncia da aplicao de um campo eltrico externo, formando-se um eltron livre. (c) Movimento do eltron livre em resposta ao campo eltrico externo.

Para semicondutores do tipo n, os eltrons livres so os principais portadores de corrente, isto , n >> p. Portanto,

n |e| .

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SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n


Esquema da banda de energia eletrnica para um nvel de impureza doadora localizado dentro do gap de energia, imediatamente abaixo da parte inferior da banda de conduo.
Banda de conduo

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Excitao de um estado doador em que um eltron livre gerado na banda de conduo.

Banda de conduo

Gap de energia

Energia

Energia

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Banda de valncia

Banda de valncia

Gap de energia

Estado doador

Eltron livre na banda de conduo

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p


Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo p. Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com B (valncia 3) gera buracos
eletrnicos; uma impureza desse tipo chamada de receptora.
Campo E

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(a)
Si Si Si Si

(b)
Si Si Si Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

(a) O tomo de impureza (B) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando na deficincia de um eltron de valncia ou, de forma equivalente, num buraco eletrnico associado ao tomo de impureza. (b) Movimento do buraco eletrnico em resposta a um campo eltrico externo.

Para semicondutores tipo p, os buracos eletrnicos so os principais portadores de corrente, isto , p >> n. Portanto,

p |e| b .
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SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p


Esquema da banda de energia para um nvel de impureza receptora localizado dentro do gap de energia, imediatamente acima da parte superior da banda de valncia.
Banda de conduo

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Excitao de um eltron para o nvel receptor, deixando para trs um buraco na banda de valncia.

Gap de energia

Energia

Estado receptor Banda de valncia

Energia

Gap de energia

Banda de conduo

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Banda de valncia

Buraco na banda de valncia

Captulos do Callister tratados nesta aula Captulo 19 : sees 1 a 7, 9, 10 e 11.

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Leitura Adicional
J. F. Shackelford em Introduction to Materials Science for Engineers, 4 edio, Prentice-Hall Inc.,1996. Captulo 11.

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