Nanotubi di Carbonio: Descrizioni strutturali e Applicazioni nei dispositivi elettronici

Tesina del Corso di Fisica dello Stato Solido 1

Adriano De Luca (N94/131)

1

Indice

1 Struttura a bande del grafene
1.1

5
5 5 6 8

Metodo del tight-binding
1.1.1 1.1.2

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Teorema di Block

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Condizioni al contorno periodiche

1.2

Struttura a bande del Grafene

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2 Struttura dei Nanotubi di Carbonio
2.1

12
12 12 13 14 15 16 17 18

Vettori caratteristici
2.1.1 2.1.2

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Vettore Chirale

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Vettore Traslazione

2.2 2.3

Cella unitaria e prima zona di brillouion Struttura a bande dei nanotubi
2.3.1 2.3.2

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Nanotubi Achirali Nanotubi Chirali

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2.4

Densità degli stati

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3

Implementazioni dei nanotubi nei dispositivi elettronici
3.1

20
20 20 22 24 24 24 28

Linee d'interconnessione con nanotubi metallici
3.1.1 3.1.2 3.1.3

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conduttanza

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Capacità e induttanza quantistica

Velocità di propagazione dei segnali

3.2

Dispositivi con nanotubi semiconduttori
3.2.1 3.2.2

Drogaggio, giunzioni e raddrizzatori Transistor a eetto campo

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2

Introduzione
Il Nanotubo di carbonio è una particolare forma allotropica del carbonio allo stato cristallino. Viene utilizzata per la costruzione di dispositivi nanometrici di nuova generazione. Il carbonio non è un materiale conduttore, ma la particolare struttura energetica, caratterizzata da una Gap praticamente nulla tra la banda di valenza e quella di conduzione, fa sì che esso possa assumere, in determinate strutture cristalline, un comportamento semiconduttore. Tale situazione si verica ,in particolare, nella grate. Il comportamento conduttore del carbonio era conosciuto sin dai tempi di Edison, che utilizzò una Fibra di Carbonio come lamento nel primo prototipo di lampadina. Venne poi sostituita dai lamenti di tungsteno. Gli studi sulle bre di carbonio e sulle proprietà conduttrici della grate sono poi proseguiti no alla creazione di dispositivi le cui dimensioni sono poco più dell'ordine della lunghezza di legame atomica. Il lavoro svolto illustra le proprietà caratteristiche dei nano tubi di carbonio, in particolare le proprietà di conduzione elettrica e l'implementazione di tale nano struttura nei dispositivi elettronici, partendo da una descrizione generale del carbonio allo stato solido e delle sue forme allotropiche, in particolare del grafene e della sua struttura a bande energetiche.

Il Carbonio: Ibridazioni e Forme allotropiche
Il Carbonio è un elemento della seconda riga del IV gruppo della tavola periodica. La sua congurazione 2 2 2 elettronica è 1s 2s 2p . Lo stato 1s è detto di Core, mentre gli altri stati vengono detti di valenza. Dato che la dierenza energetica tra gli orbitali 2s e 2p è molto piccola è possibile una fusione tra i due tipi di orbitali, chiamata ibridazione. Il carbonio presenta tre possibili stati d'ibridazione: risultante sarà dato dalla combinazione lineare dell'orbitale s e di un p, ad 3 la combinazione di un s e due p, ad esempio px e py ; sp in cui lo stato è una combinazione di tutti gli orbitali esterni

sp, in cui l'orbitale 2 esempio px ; sp , in cui vi è

s

e

p.

Tali combinazioni lineari possono essere date da:

sp

 1  |sp >= √ (|2s > +|2p >)   a x   2   1   |spb >= √ (|2s > −|2px >)  2

 1   |sp2 >= √ |2s > − 2 |2py >  a  3  3  1 1 1 2 2 sp |spb >= √ |2s > + √ |2px > + √ |2py >  3 2 3    1 1 1   |sp2 >= − √ |2s > − √ |2px > + √ |2py > c 3 2 3   |sp3 >= a    |sp3 >= b sp3 3   |spc >=   |sp3 >= d
1 2 1 2 1 2 1 2

{|2s > +|2px {|2s > −|2px {|2s > −|2px {|2s > +|2px

> +|2py > −|2py > +|2py > −|2py

> +|2pz > +|2pz > −|2pz > −|2pz

>} >} >} >}

3

la struttura risultante è chiamata il nome di fullerene. Gli orbitali possono eettuare Le forme allotropiche più interessanti riguardano l'ibridazione un massimo di 3 legami di σ per atomo di carbonio. Ibridazione sp3 sp3 possono compiere no a 4 legami Gli orbitali σ con altri atomi di carbonio. generando una struttura tetraedrica. • Ibridazione sp sp possono compiere un massimo di 2 legami Gli orbitali σ con altri atomi di carbonio contigui. Se questa struttura piana è ripiegata su se stessa in modo da formare una supercie sferica. sono posti ai vertici di un esagono regolare. Queste ultime strutture sono le più interessanti in quanto. • La forma macroscopica che il carbonio assume sarà data da ammassi di carbine tenute assieme da forze intermolecolari. posseggono delle proprietà di conduzione singolari grazie alle quali assumono caratteristiche semiconduttrici. A seconda del tipo d'ibridazione tale struttura ha una ben denita geometria. La struttura solida risultante è una catena unidimensionale di atomi di carbonio che prende il nome di carbina. invece. grafene. Se. lo strato di grafene è ripiegato su se stesso lungo un asse. si forma un cilindro dal diametro nanometrico che prende nanotubo di carbonio. ma anche la struttura cristallina allo stato solido sotto la quale il carbonio viene trovato in natura. il carbonio può assumere forme allotropiche di struttura dierente. analizzeremo al seguito del lavoro studiandone la struttura a bande energetiche. Strati di grafene disposti l'uno sull'altro e legati da forze di Van der Waals vanno a costituire la grate. Le 4 . Questa struttura prende il nome nella cella elementare. In questa struttura il carbonio viene reperito sotto forma di diamante.Forma degli orbitali ibridi I vari stati d'ibridazione non riettono la sola forma molecolare. sp2 • Ibridazione sp2 sp2 . sebbene siano degli isolanti. Si generano delle strutture piane in cui gli atomi. A seconda della disposizione di questi strati piani di grafene.

ora. Supponiamo che il cristallo sia innito. β|H|Rn . se per cella si considerano zazione di una matrice No orbitali N No Na × N No Na .α ϕα (r − Rn ) φn. più in generale. Le varie celle elementari si ripeteranno in successione. dunque: H(r) = H(r + Rn ) Da ciò si può ricavare che: 1 La densità di carica è invariante per traslazioni reticolari: 5 . Un cristallo si questo tipo gode di essere invariante per traslazioni reticolari di un vettore Rn è la periodicità del reticolo di Bravais. A tal proposito.α n=1. supposto che H sia l'hamiltoniana complessiva. la forma delle funzioni d'onda dell'intero cristallo.α α è l'insieme dei vari numeri quantici. e atomi. consideriamo una catena di N atomi. per illustrare il procedimento desiderato. a tal ne. puntualizzeremo inizialmente l'attenzione sui metodi e gli strumenti di calcolo necessari per eseguire tale analisi. tight-binding e il teorema di Block. come si suol dire. dove in particolare Facciamo. > 1. un cristallo unidimensionale. Ciascun atomo sia centrato sui siti Rn .α dove φn. in cui non vi è più di un atomo per cella. β|Rn . L'equazione agli autovalori. il problema consiste nella diagonaliz- Prendiamo in considerazione. α > Na In generale.1. I coecienti sono da determinar. Si ha. 1. un sol orbitale per cella.1 Teorema di Block Rn . Viene da chiedersi quale sia la struttura elettronica o. ossia.1 Struttura a bande del grafene Come primo passo verso lo studio dell'elettronica del nanotubo di carbonio bisogna analizzare la struttura a bande energetiche del grafene. risulterà: Hψ(r) = Eψ(r) N N < Rm . La soluzione più semplice può essere considerare una sovrapposizione delle funzioni d'onda dei singoli atomi: N ψ(r) = n=1. Si può N N < Rm |H|Rn >= E n=1 n=1 < Rm |Rn . α >= E n=1. ad esempio l'orbitale semplicare il problema rimuovendo la somma sui numeri quantici: s.1 il metodo del Metodo del tight-binding Come primo esempio. una seconda assunzione.α < Rm . Utilizzeremo. al momento.

ossia un vettore d'onda. ∀n: • • [Tn .1. Si può facilmente vericare che l'ultima espressione è vericata dalla funzione d'onda: 1 ψ(r) = √ N N eikRn ϕ (r − Rn ) n=1 dove si è espressa la ψ(r) come sovrapposizione delle funzioni d'onda atomiche ϕ. N2 e N3 volte. 1. Supponiamo di avere un cristallo nello spazio e di replicare la cella elementare lungo i tre assi coordinati rispettivamente di costruzione pone delle condizioni sulla N1 . H] = 0 ψ(r) è autostato di Di conseguenza Tn : Tn ψ(r) = C(Rn )ψ(r) Dato che la densità di carica è periodica si ha: |ψ(r)|2 = |ψ(r + Rn )|2 |ψ(r)|2 = C(Rn )ψ(r)|2 |C(Rn )|2 = 1 Una buona scelta per C(Rn ) può essere: C(Rn ) = eikRn dove k è un vettore di traslazione.|ψ(r)|2 = |ψ(r + Rn )|2 2 Se ψ(r) è autostato di H(r) e ψ(r+Rn ) è autostato di H(r+Rn ). imporre delle condizioni per Nel caso di cristalli niti il teorema di Block non vale. Tn ] = 0 [Tn . I cristalli esistenti in natura sono solo niti. dato che H(r) = H(r+Rn ). Tutto ciò è corretto se il cristallo considerato è innito. non si ha mai a che fare con cristalli inniti. Risulta: 6 . far si che i risultati precedenti possono essere applicati. però. ψ(r) e ψ(r + Rn ) dieriscono solo di un fattore di fase: ψ(r + Rn ) = eiϕ(Rn ) ψ(r) Possiamo valutare tale fattore denendo e utilizzando l'operatore di traslazione reticolare: Tn ψ(r) = ψ(r + Rn ) Per tale operatore si può ricavare che. però. In generale. Possiamo ricavare dunque: ψ(r + Rn ) = eik·Rn ψ(r) L'ultima espressione descrive il Teorema di Block.2 Condizioni al contorno periodiche Possiamo. Tale ψ(r).

dunque.ψ(r) = ψ(r + N1 ax + N2 ay + N3 az ) L'ultima relazione esprime lungo i tre assi le condizioni al contorno periodiche. i possibili valori di k. però. la relazione precedente può essere semplicemente scritta come: det(H − ES) = 0 1. 2π . . In generale si ha.. dunque. in funzione di Il teorema di Block ci fornisce. relativo all'autovalore π π ≤k≤ . k ossia la di dispersione. per − In generale. Si può. Vediamo..m eik(m−n)a E. a Ei (k). sebbene nito. relazione Possiamo notare che i valori dell'energia si ripetono per valori di intervallati di Basta studiarli.. a a intervallo detto prima zona di Brillouin. Ni − 1 ν1 ν2 ν3 b1 + b2 + b3 N1 N2 N3 bi = 2π ai |ai |2 sono i vettori del reticolo reciproco.1 E(k) = m Hn. sarà dato da: ψi (r) = j dove le Cij φj (r) φj sono le autofunzioni dei singoli orbitali. applicare il teorema di Block: ψ(r + N1 ax + N2 ay + N3 az ) = eik·(N1 ax +N2 ay +N3 az ) ψ(r) = ψ(r) Risulta dunque: Ni k · ai = 2πνi k= con νi = 0. le conseguenze di quanto detto sul problema agli autovalori: Hn. 1. dunque.2 7 . Il risultato ottenuto mostra che le condizioni 0 dove i al contorno periodiche impongono una limitazione sui valori di k possibili. dunque: Ei = < ψi |H|ψi > = < ψi |ψi > jj ∗ < φj |H|φj > Cij Cjj ∗ jj < φj |φj > Cij Cjj delle interazioni e Denendo le matrici Hjj =< φj |H|φj > Sjj =< φj |φj >degli overlaps. ora. è replicabile all'innito. Se s'impone ciò il cristallo. possiamo avere più orbitali per singolo atomo.m φm = Eφn m Sostituendo otteniamo: 1. In questo caso la i-esima autofunzione.

però. Per l'interazione di un atomo con se stesso poniamo: E(k). Eettuiamo. 42Åè 8 . Il problema è. ora. ora. a = 1. a valutare la struttura a bande energetiche del grafene. per quel che riguarda gli overlaps.è l'equazione secolare da cui partire per ricavare la relazione di dispersione del tight-binding. Il reticolo di Bravais da utilizzare è esagonale ma a corpo centrato. ossia essenzialmente strati bidimensionali di grate in cui gli atomi di carbonio si dispongono lungo i vertici di un esagono regolare. i cui vettori primitivi risultano: 3 aˆ + x 2 √ 3 aˆ − x a2 = 2 a1 = dove √ a y ˆ 2 a y ˆ 2 il passo del reticolo di Bravais. supponendo che le autofunzioni siano normalizzate poniamo: s =< φA |φB > < φA |φA >=< φB |φB >= 1 1. Potremo pensare di utilizzare un reticolo primitivo esagonale coincidente con l'esagono degli atomi di carbonio.2 Struttura a bande del Grafene Possiamo passare. che l'esagono che struttura lo strato di grafene non è un reticolo di Bravais. alcune posizioni che utilizzeremo in seguito per calcoli espliciti attraverso il metodo E0 =< φA |H|φA > Per l'interazione tra atomi primivicini si pone: γ =< φA |H|φB > Inne.

vettori del reticolo reciproco risultano: I 4π 4π y ˆ b1 = √ x + ˆ a 3a 4π 4π b2 = √ aˆ − x y ˆ a 3a Fig 1. queste Considereremo. il metodo del Tight-Binding considerando le sole interazione tra i primi vicini. La A e un altro di classe B. In tale riferimento possiamo valutare la struttura a bande energetiche. 2pz . Applichiamo. ora.1 possiamo notare la struttura del grafene e il reticolo utilizzato per la descrizione. ortogonale a tipo π (bande π ). cella elementare contiene due atomi. solo l'orbitale 2pz . Dal punto di vista della struttura elettronica. I vertici Γ.2 è rappresentata la prima zona di Brillouin rispetto la quale verrà valutata la struttura a bande energetiche. uno di classe questi. che permette legami di ultime sono le più signicative. dunque. Dalla g 1.Fig 1. 2px e 2py . K e M sono punti di simmetria. In gura 1. innanzitutto bisogna decidere quanti orbitali per cella tenere in considerazione. 3 dei quali. Fig 1. I punti cerchiati con lo stesso colore sono punti equivalenti appartenenti allo stesso reticolo. Il carbonio possiede 4 orbitali di legame.2 Prima zona di Brillouin con vettori di base b1 e b2 . 2s. compiono legami σ (bande σ ) e uno.1 Struttura del grafene.3 Celle elementari prime vicine 9 .

dunque: HAA = HBB = E0 Per gli altri elementi della matrice. se centrale e i vicini R1 . R2 e R3 sono i vettori distanza tra l'atomo A della cella B e γ è il termine d'interazione tra atomi di classe dierente. ossia trascurando gli overlaps.2.Per quel che gli elementi diagonali sono dovuti all'interazione degli atomi AeB con se stessi. ed H Eseguiamo la valutazione partendo dalla cella centrale di Fig 1. ottenendo la relazione di dispersione: E(k) = E0 ± γ w(k) 1 ± s w(k) con w(k) = |f (k)|2 = √ 1 + 4 cos 3kx a 2 cos ky a 2 + 4 cos2 ky a 2 Abbiamo ottenuto due bande energetiche.3.1 si può scrivere: ∗ HAB = γ (eik·R1 + eik·R2 + eik·R3 ) = γ f (k) = HBA Riassumendo. riguarda la matrice H . utilizzando l'equazione 1. Le due bande non sono simmetriche. dalle posizioni precedentemente fatte si ottiene: Per quel che riguarda gli overlaps S= 1 s f (k) s f (k) 1 ∗ Costruite le matrici. si può risolvere l'equazione secolare. ma lo sarebbero se fosse s = 0. dunque: H= E0 γ f (k) γ f ∗ (k) E0 S. 10 . una di legame contraddistinta dal segno positivo e una di antilegame contraddistinta dal segno negativo.Quel che bisogna fare è risolvere L'Equazione secolare 1. Si può porre. A tal proposito bisogna ricavare la forma delle matrici S.

dunque. • • invece. caratteristica delle Ponendo convenzionalmente particelle a massa nulla.4 Diagramma a Bande del grafene Possiamo dedurre alcune singolari conseguenze: • La banda π ospita i due elettroni dell'orbitale p e risulta. dunque. Per tali particelle vale. si ottiene: E(k) = E0 + aγ √ 3 2 2 kx + ky = E0 + aγ|k| 2 E0 = 0 si ottiene una legge di dispersione lineare. un comportamento metallico. completamente piena. La banda π ∗ è. 11 . totalmente vuota. infatti. Se trascuriamo gli overlaps e sviluppiamo in serie la relazione di dispersione in un intorno del punto di simmetria K. dove υ è la velocità delle particelle. Il grafene possiede. che E = υ k . La Gap tra le bande è nulla.Fig 1. Gli elettroni in tali vertici si spostano come particelle a massa nulla avente velocità pari a: √ 3 υF = aγ ∼ 8 · 105 m 2 detta anche s −1 velocità di Fermi.

1 vettore Chirale e il vettore Traslazione. Fig 2. Fig 2. Al contrario si parla di strutture achirali se l'immagine speculare del cilindro coincide chirali. 12 .2 Struttura dei Nanotubi di Carbonio Vettori caratteristici Quest'ultimo 2.2. che denisce la cella unitaria del nanotubo. Il vettore ortogonale a Ch congiungente il primo punto equivalente.1 Un Nanotubo di carbonio può essere considerato come un foglio di grafene arrotolato. Ch.2.1 Dimensioni di un nanotubo (a) single-wall e (b) multi-wall Per descrivere la struttura geometrica di un nanotubo di carbonio vengono utilizzati due vettori caratteristici: il 2. Tale simmetria contraddistingue la all'asse centrale. Se arrotoliamo il foglio congiungendo O con A otteniamo un nanotubo di carbonio. Vettore Chirale Consideriamo un foglio di grafene e prendiamo su di esso due punti equivalenti. Il vettore OA è detto vettore chirale.2 Foglio di grafene e vettori caratteristici.1. O e A dalla Fig. In generale si parla di strutture apparirà come un cilindro dal diametro massimo dell'ordine di 10 nm avente una ben denita simmetria chiralità della struttura legata al fatto che le celle esagonali dell'Honey-comb del grafene si possano disporre o meno lungo ad una spirale intorno con l'immagine originale. intorno ad un asse. B. è il vettore traslazione.

denito da: cos(θ) = 2n + m Ch · a1 = √ |Ch| · |a1 | 2 n2 + m2 + mn 2. Se. Dato che Per costruzione risulta che che la quantità |a1 × a2 | è l'area dell'esagono di base.Possiamo provare a esprimere il vettore Ch come combinazione lineare dei vettori di base a1 e a2 : Ch = na1 + ma2 con n e m numeri interi. Anche T può essere espresso come combinazione lineare di a2 : T = t1 a1 + t2 a2 con t1 e t2 interi. come detto in precedenza. Sapendo che l'angolo compreso tra a1 e a2 è π 6 otteniamo: √ L = |Ch| = a n2 + m2 + mn √ L a n2 + m2 + mn d= = π π Un ulteriore parametro caratteristico è l' angolo chirale. Da vettore chirale si può ricavare la lunghezza della circonferenza di base e. il numero degli esagoni nella cella elementare risulta: N= Ch × T 2(n2 + m2 + mn) 2L2 = = 2 |a1 × a2 | dr a dr 13 . Per la simmetria esagonale del nanotubo va considerato 0 ≤ |m| ≤ n. θ. possiamo esprimere t1 e t2 in funzione m e n: T · Ch = 0 t1 = dove 2m + n dr dr t2 = − 2n + m dr 2m + n e è il massimo comun divisore tra 2n + m. dunque. L'intero nanotubo sarà ottenuto replicando varie celle consecutive.2 Vettore Traslazione a1 e Il vettore traslazione T corrisponde. Dalla condizione di ortogonalità tra di T e Ch.1. al vettore OB e denisce la cella unitaria del nanotubo di carbonio. inoltre. il diametro del nanotubo. d è il massimo comun divisore tra m e n risulta: dr = d se n − m e multiplo di 3d ` 3d se n − m non e multiplo di 3d ` |Ch × T| è l'area della cella unitaria.

Sappiamo. La lunghezza della prima zona è data dalle condizioni al contorno : − π π ≤k≤ |T| |T| 14 .3 Confronto tra la prima zona di Brillouin del Grafene (ombrata) con quella del Nanotubo. In Fig.2 Cella unitaria e prima zona di brillouion I vettori Ch e T delimitano una cella unitaria di un nanotubo di carbonio. Il numero totale di atomi per cella è dunque 2N . la relazione che lega i vettori di base Ri del reticolo diretto con i Kj del reticolo reciproco è Ri · Kj = 2πδij . In generale. però. 2. Si può vedere che mentre per il grafene la prima zona di Brillouin è costituita dal triangolo dal segmentoW W parallelo a ΓKM . Quest'ultima sarà denita dai due vettori K1 Ch K2 T. 2.Un esagono di grafene contiene 2 atomi. per il nanotubo quest'ultima è data periodiche ed è pari a 2π |T| K2 . Dunque.3 è mostrato un confronto tra la prima zona di Brillouin del grafene e quella del nanotubo rispetto la cella reticolare. che per le condizioni al contorno periodiche ci si deve limitare allo studio nella prima zona di Brillouin. e In questa cella è possibile valutare la struttura a bande del nanotubo. K1 e K2 delimitano la prima zona di Brillouin. per i vettori K1 e K2 valgono le condizioni:  K1 · T = 0   K · Ch = 2π 1  K2 · T = 2π   K2 · Ch = 0 Da tali condizioni possiamo ricavare i vettori K1 e K2 :   K1 = 1 (−t2 b1 + t1 b2 ) N K = 1 (mb − nb )  2 1 2 N Fig 2.

. Ogni segmento ha la lunghezza della prima zona di Brillouin. 2. la relazione di dispersione di un nanotubo di carbonio denito da una coppia di numeri interi (n. .4 Tipi caratteristici nanotubi. la struttura a bande del nanotubo possiede un dominio unidimensionale e continua lungo il vettore Possiamo. notare che K2 . (c) chirale. ora. In questo caso il nanotubo possiede un comportamento metallico nella struttura a bande. dominio è dato dai vari segmenti paralleli a di dispersione del nanotubo e con K2 mostrati in Fig. N − 1 e − π π ≤k≤ |T| |T| (2. quel che abbiamo è un set di N vettori d'onda discreti associati ad N segmenti successivi paralleli a W W traslati di un vettore K1 . la cui struttura a bande si sviluppa su un dominio bidimensionale. Dunque. 15 . m) può essere ricavata a partire dalla relazione di dispersione del grafene. .1) π e N bande di tipo π ∗ . . inoltre. Possiamo. esplicitare la relazione di dispersione ricavata per particolare strutture e tipi di nanotubi. detto Y il punto d'intersezione tra la retta normale a che geometricamente risulta: WW passante per K e cui il nanotubo abbia una struttura metallica è che il rapporto tra i vettori W W . tale quest'ultima alla prima zona di Brillouin del nanotubo. la banda energetica di legame relativa a tale segmento avrà una gap nulla con la rispettiva banda di antilegame. Ciò vuole dire che due vettori d'onda che dieriscono di un vettore sono equivalenti. In generale. In altre condizioni il nanotubo ha un comportamento semiconduttore. la condizione per YK e K1 sia intero. N − 1 non è un vettore del reticolo reciproco. (b) a zig-zag.3. restringendo Come abbiamo ricavato in precedenza. . ciascun µK1 conµ = 0. Dato YK = 2n + m K1 3 2n + m (o equivalentemente la condizione per avere un nanotubo metallico è che n − m) sia multiplo di 3. . Dal momento che vettore t1 e t2 non possiedono divisori comuni eccetto che l'unità. Supponiamo che tra i vari segmenti paralleli a W W ve ne sia uno che passa per il punto di simmetria Il risultato sarà un insieme di bande di tipo K del reticolo esagonale.A dierenza del grafene. Fig 2. Se indichiamo con E1D la relazione E2D quella del grafene si può scrivere: Eµ1D (k) = E2D k K2 + µK1 |K2 | N con µ = 0. . N K1 N K1 = −t2 b1 + t1 b2 è un vettore del reticolo reciproco del dominio bidimensionale della grate. (a) a braccio di sedia. 2.3 Struttura a bande dei nanotubi Come ben si può intuire. . Per quanto visto nel caso del grafene relativamente a tale vertice.

16 . .1 Nanotubi Achirali nanotubi a braccio di sedia (m = n) e i nanotubi a zig-zag (m = 0). comuni metallici.5 Celle unitarie di un nanotubo (a) a braccio di sedia (n=2) e (b) a zig-zag (n=4). π π ≤k≤ a a sostituendo nella 2. . In questo ricaviamo: K1 ≡ K2 ≡ 4π √ .1 a Eq (k) = ±γ 1 + 4 cos qπ n cos ka 2 + 4 cos2 = 0) ka 2 con − e q = 1.3. 2.2) dove gli overlaps sono stati trascurati (s per e si è posto E0 = 0. Di questi si possono distinguere i più I primi sono sempre Le strutture più semplici da studiare sono i nanotubi achirali. Fig 2. In Fig. dove a è il passo del reticolo di Bravais. 2n (2.2. Consideriamo inizialmente nanotubi a braccio di sedia. 4π a 0 Dato che in questo caso risulta otteniamo: |T| = a. n è multiplo di 3. mentre gli altri sono metallici solo se Fig 2.6 Diagramma a bande di un nanotubo a braccio di sedia per n=5. .6 è proposto l'esempio n = 5. na 3 0 . .

2n e In Fig.Nel diagramma a bande ricavato. Possiamo vericare quanto detto in precedenza.7 Diagramma a bande di un nanotubo a zig-zag con (a) n=9 e (b) n=10. ossia che per il primo. 3a In questo caso risulta |T| = √ √ 3a. Complessivamente. agli stessi punti corrispondono degenerazioni di banda con gap nulli I nanotubi chirali.1 otteniamo: z Eq (k) = ±γ 1 + 4 cos 3ka 2 cos qπ n + 4 cos2 qπ n con π π −√ ≤ k ≤ √ 3a 3a e q = 1. 2. Dunque. Le lettere 'g' e 'u' contraddistinguono rispettivamente la parità pari e dispari (gerade e ungerade). Come precedentemente detto. si ha una struttura metallica. I numeri associano livelli energetici con simmetria uguale. la struttura di un semiconduttore. vengono suddivisi in varie classi a seconda del valore reciproco dei valori di n−m e dr . si può notare il carattere metallico del nanotubo a braccio di sedia dall'assenza di una gap energetica tra bande di valenza e di conduzione. 2. Inne i segni corrispondo ai segni nell'equazione 2. In questo caso risulta:  K1 ≡ √ 2 3π na . . 2π na 2π a 2π K2 ≡ − √ . sostituendo ancora una volta nella 2. degenerazioni comprese. mentre nel secondo si ha una gap tra le bande di valenza e di conduzione che Nanotubi Chirali k per cui si hanno degenerazioni di banda (ossia i punti in per i nanotubi a braccio di sedia e Per i nanotubi achirali metallici i valori di 2π cui si annulla la gap) sono k = ± 3|T| o. La lettera 'a' contraddistingue le bande non degeneri mentre la 'e' i livelli doppiamente degeneri. Possiamo ripetere lo stesso discorso per i nanotubi a zig-zag.2. si hanno 10 stati di legame e 10 stati di antilegame. . Nel caso generale di nanotubi chirali.3. K = 0 per quelli a zig-zag. dunque. . . Quest'ultime sono: 17 .7 sono posti a confronto i diagrammi dei nanotubi zig-zag con n=9 n = 10. in generale. comunque. le singole bande energetiche sono state opportunamente etichettate. dove è. Fig 2. minimi.2 n è multiplo di 3.

ossia il massimo livello energetico occupato nel metallo a riposo che in questo caso è 0. la relazione di dispersione si approssima ad un andamento lineare. come chiariremo in seguito. Dalla gura si può notare una particolarità per quel che riguarda i nanotubi metallici che deriva dalla caratteristica struttura a bande del grafene.6).8 in cui sono state messe a confronto i diagrammi delle 3 classi enunciate.4). Per lo studio dei fenomeni di conduzione e per l'analisi delle transizioni quantistiche tra stati energetici è opportuno considerare il numero di stati compresi in un intervallo tra generale dato da: E e E + dE . (b) metallo di tipo 1 (9.• • Se Se n−m n−m non è multiplo di 3 e è multiplo di 3 e dr = d. Tale numero è in dN = D (E) dE A tal proposito. In prossimità del livello di Fermi. k=± 3|T| Se la struttura è metallica e si hanno 2 bande degeneri per Quanto appena detto è mostrato in Fig. Questa particolarità è la responsabile. caratteristico delle particelle libere a massa nulla.5). però. (c) metallo di tipo 2 (7. possiamo denire la densità degli stati energetici come: D(E) = dN dE 18 . un range continuo di valori. 2. la struttura è quella di un semiconduttore.4 Densità degli stati I diagrammi a bande valutati in precedenza ci permettono di conoscere i valori energetici occupati dai singoli elettroni. la struttura è metallica e si hanno 4 bande degeneri per k=0 (Metallo di tipo 1). Sappiamo. dr = d. Fig 2. in generale.8 Diagramma a bande di un nanotubo chirale (a) semiconduttore (9. • n − m è multiplo di 3 e dr = 3d. 2. di un trasporto di elevate intensità di corrente attraverso un nanotubo. 2π (Metallo di tipo 2). che questi vanno a costituire.

9 Densità degli stati per un nanotubo (a) (11. la componente per m=0 da un contributo non nullo alla densità degli stati in prossimità dell'energia di Fermi. però. e risulta: a D(E) = 2 π Rγ dove N m=0 |E| E 2 − ε2 m nanotubi semiconduttori e (2. ossia il punto di coordinate (kF .0) e (b) (12.4) 19 . Per un nanotubo metallico. Nel caso del nanotubo di carbonio. risulta costante e indipendente dalle sue dimensioni la densità degli stati per unità di lunghezza lungo l'asse del nanotubo rispetto al livello di Fermi e pari a: 2 1 D(EF ) = √ = πυF 3πaγ (2. La stessa dipendenza dall'energia varia a seconda della geometria del sistema. Fig 2.La densità degli stati è una funzione caratteristica della particolare struttura considerata. EF ).3) √ εm = |3m + 1|(aγ/2 3R) per i √ εm = |3m|(aγ/2 3R) per i metallici. la densità degli stati assume una forma analitica se approssimata in un intorno del livello di Fermi. Tale valore è costante e risulta: D(EF ) = a π 2 Rγ In generale.0).

Abbiamo visto. sezione conduttanza. Possiamo analizzare nel dettaglio i parametri caratteristici di un nanotubo di carbonio utilizzato come nano cavo. però. Le densità di correnti raggiunte in un nanotubo si avvicinano di gran lunga −2 9 al limite teorico. Ciò permette conduzioni e capacità nettamente più elevate rispetto al rame. la relazione di dispersione si approssima ad un andamento lineare. il che ne permette l'utilizzo come linee di interconnessione elettrica di dimensioni nanometriche (nano cavi) e di elevata capacità.3 Implementazioni dei nanotubi nei dispositivi elettronici Lo studio della struttura a bande del nanotubo e della densità degli stati ci ha permesso di suddividere i nanotubi in metalli e semiconduttori.1 Conduttanza G = 1/R. Vediamo nel dettaglio le implementazioni dell'uno e dell'altro tipo. dove R è Quest'ulti- e lunghezza L. che il nanotubo di carbonio metallico possiede una struttura a bande unica nel suo genere. 3. risiede proprio nel fatto che una stesso materiale con una dierente modica nella struttura può essere utilizzato sia come conduttore sia come semiconduttore. nel macroscopico. σ 20 . dalla G=σ dove A L è un parametro caratteristico del materiale detto conduttività. In genere per un interconnessione con un cavo di rame il limite di breakdown della densità di corrente −2 6 risulta essere dell'ordine di 10 Acm . infatti. L'aspetto interessante dei nanotubi di carbonio. A ∆V = RI . relazione: ma dipende dalle caratteristiche siche e geometriche del conduttore. infatti. Nei dispositivi di nuova generazione uno dei problemi principali è il trasporto di correnti d'intensità elevata. Fig 3. 3. sappiamo che le rispettive caratteristiche tensione-corrente sono governate. pari circa ai 10 Acm . dalla legge di Ohm la resistenza del conduttore.1 Linee d'interconnessione con nanotubi metallici Un nanotubo metallico può essere utilizzato come linea di trasmissione o interconnessione elettrica. tipico di una particella a massa nulla. Ciò è quanto permette la struttura a bande parabolica del rame.1 Rappresentazioni grache di interconnessioni attraverso nanotubi in circuiti integrati. A questo punto si può vedere come essi possano essere inseriti in applicazioni sperimentali per dispositivi elettronici di nuova generazione e i vantaggi rispetto ai tradizionali materiali utilizzati (come ad esempio il rame per le connessioni metalliche e il silicio per i dispositivi a semiconduttore). In prossimità del livello di Fermi.1. è detta Quando abbiamo a che fare con fenomeni di conduzione elettrica. L'inverso della resistenza.

2. per piccole tensioni applicate. e risulta: 2e2 G= h ˆ − m ∂f ∂E Tm (E)dE dove la somma è eettuata su tutti i possibili modi statistici m e Tm è la . ossia il potenziale a cui sono sottoposti gli elettroni nel reticolo del conduttore in equilibrio. ossia per tensioni basse. La convenienza di questa scelta sta nel fatto che la conduttanza quantistica. la conduttanza quantistica assume il suo valore massimo pari a: funzione di trasmissione Gmax = 4e2 1 = h 65kΩ 21 .In linea di principio potremo valutare una conduttanza per un nanotubo metallico di una certa lunghezza e sezione.2Distribuzione di Fermi-Dirac. Tuttavia. può essere considerata costante e pari ad un certo valore massimo. In prossimità di tale livello. In generale quest'ultimo corrisponde all'energia del livello di Fermi nel caso di un conduttore in equilibrio. date le dimensioni nanometriche della struttura possiamo sostituire il concetto di conduttanza dato dalla legge id Ohm con quello di conduttanza quantistica legato strettamente alle statistiche che regolano il modello quantistico della conduzione elettrica. Da tale distribuzione dipende la risposta lineare alla conduttanza. è signicativa solo per valori di E prossimi al livello ∂E di Fermi. ∂f La quantità . come si può vedere dalla g. dove µ è il potenziale chimico. Gli elettroni all'interno di un conduttore in equilibrio rispettano la Fermi-Dirac f (E): f (E) = 1 1 + exp distribuzione statistica di E−µ KT Fig 3.. 3.

che la conduttanza possiede il suo valore massimo per tensioni di poco superiori a 0 V. emessi dal reticolo della struttura a bias elevati.3 Caratteristica Tensione-Corrente e Conduttanza in funzione del bias applicato. sono deniti dale relazioni: Q2 E= 2C 1 E = LI 2 2 (3.3 si può vedere. dunque.1) Così come per la conduttanza. infatti. l'altra legata all'intensità di corrente percorsa. I due parametri. ossia quanti di vibrazione. La rispettiva variazione di carica sulla sua supercie del conduttore è data da: ˆ δQ = e D(E) [f (E) − f (E − δV )] dE Valutando la variazione di carica intorno al livello di Fermi. nell'elettrostatica classica. l'una associata alla quantità di carica che un conduttore può trattenere.I dati sperimentali mostrano che su nanotubi Muli-Wall la conduttanza per tensioni di bias piccole oscillano tra Gmax /2 e Gmax . la conduttanza è massima e vicina al valore teorico. conduttanza del nanotubo diminuisce sensibilmente. Il motivo è dovuto al fatto che gli elettroni perdono energia perché interagiscono con fononi. 160 mV. Supponiamo di applicare una piccola tensione δV al conduttore in equilibrio. inoltre. Se il bias viene aumentato la Per bias bassi.1.2 Capacità e induttanza quantistica C e induttanza Per un conduttore possiamo. denire i parametri di capacità L. Le energie minime per le quali vengono emessi fononi si aggirano intorno ai 160 meV. Dalla g 3. La tensione massima per cui il bias è sucientemente piccolo da massimizzare la conduttanza è. ai due parametri vanno associati i corrispondenti quantistici. 3. si può scrivere: 22 . Fig 3. dovuti al fatto che la quantità di carica e l'intensità di corrente sono regolati dalla distribuzione di Fermi e dalla densità degli stati.

la capacità quantistica risulta: CQ = δQ = e2 D(µ) δV Utilizzando la relazione 2. Il prossimo passo è ricavare l'induttanza. le particelle con µ − eδV /2 e µ passano nella banda di conduzione con un energia cinetica compresa µ e µ + eδV . Il numero medio di particelle che acquistano energia cinetica risulta: N= D(µ) eδV 2 2 L'eccesso complessivo di energia cinetica è. All'equilibrio l'energia del massimo stato occupato è energia compresa tra tra µ. 3. il bias si ridistribuisce in modo da far passare gli elettroni dalla banda di valenza a quella di conduzione e fornirgli energia cinetica. Per far ciò dobbiamo conoscere l'eccesso di energia cinetica dovuto al usso di corrente e l'intensità di corrente stessa. Per far ciò analizziamo il graco in g. Il fattore 4 è stato introdotto considerando due modi statistici dovuti allo spin e due bande passanti per il punto di Fermi. dunque: E=N eδV D(µ) (eδV )2 = 2 8 23 . Fig 3.4.δQ = e2 D(µ)δV In conclusione.4 aF πυF 2 dove si è utilizzato il valore nm −1 υF ∼ 8 · 105 m s −1 .4 si ottiene: 4e2 CQ = e D(µ) = ∼ 0. All'applicazione del bias δV .4 Variazione di energia cinetica all'applicazione del bias. In altre parole.

ora. La velocità del segnale attraverso la linea dipende dai parametri L C: υs = 1 LC Nel caso di un nanotubo di carbonio. come è di tipo n) cariche elettriche attraverso l'introduzione nel materiale di opportune impurità. possiamo sostituire i parametri ricavati in precedenza ottenendo: υs ∼ 1 = υF LQ CQ Il segnale che attraversa il nanotubo si propaga con una velocità pari a quella degli elettroni in prossimità del livello di Fermi. giunzioni e raddrizzatori intratube : Giunzioni ben noto. Avendo. Come è ben noto.1 ottenendo: LQ = π 2 2 D(µ) π ∼4pH = 2 2 16e 4e υF nm −1 3. Così come vien fatto per silicio e germanio. Una giunzione p-n a nanotubo di carbonio è.2. il drogaggio. gran parte della tecnologia elettronica attuale si fonda sull'utilizzo di materiali semiconduttori. ossia una giunzione p-n. utilizzando il valore massimo della conduttanza quantistica possiamo ottenere: I ∼ Gmax δV = 4e2 δV h Per ricavare l'induttanza quantistica possiamo utilizzare l'equazione 3. che vengono in genere drogati con arsenico e boro. ad esempio. 3. ossia il renderlo capace di accettare (drogaggio di tipo p) o donare (drogaggio Il primo passo dell'utilizzo elettronico di un materiale semiconduttore è. semplicemente 24 . si può passare a studiare i possibili utilizzi dei nanotubi semiconduttori. e Una linea di trasmissione è. è possibile il più semplice dispositivo a semiconduttore. Vediamo come è possibile strutturare tali dispositivi attraverso l'ausilio dei nanotubi semiconduttori. potremo studiare le caratteristiche di un nanotubo di carbonio utilizzato come del conduttore quale si propaga un segnale di tensione.2 Dispositivi con nanotubi semiconduttori Avendo visto i vantaggi delle implementazioni dei nanotubi metallici.1 Drogaggio.3 Velocità di propagazione dei segnali linea di trasmissione. in particolare silicio e germanio che risiedono alla base della struttura di comuni componenti elettroniche tra cui diodi a giunzione e transistor a eetto campo. in generale. il mezzo attraverso il Oltre che come interconnessione elettrica. un nanotubo di carbonio può essere drogato n attraverso l'introduzione di atomi di azoto e p attraverso atomi di boro. i nanotubi opportunamente drogati.1. 3.Per quel che riguarda la corrente.

3. La densità di carica che scorre attraverso un nanotubo può essere espressa dalla relazione: e e σ(z) = χ − ε ε dove ˆ D (E. Per far ciò si utilizza un nanotubo in- Per metà il nanotubo viene coperto con polimetilmetacrilato (PMMA) e esposto a atomi di potassio. La g. z) = dove Eg è la gap tra le bande del semiconduttore. z) è la densità z e. strutturando un modello matematico che descriva intensità di corrente e potenziale elettrostatico in prossimità della giunzione. z) f (E) dE degli stati nel punto di coordinata assiale per la 2. si può scrivere: V (z). modello di conduzione è un'equazione per il potenziale elettrostatico elettrostatico per un cilindro cavo. Fig 3. Se K(z − z ) è il potenziale ˆ V (z) = K(z − z )σ(z)dz 25 . izialmente omogeneamente drogato.un nanotubo di carbonio drogato per metà p e per metà n. che è un elemento donatore di elettroni. In questo modo la metà non coperta e esposta al potassio risulterà drogata n mentre la metà coperta resta drogata p. ad esempio ti tipo p. se V (z) è il potenziale elettrostatico lungo il nanotubo.5 Giunzione p-n a nanotubo e caratteristiche corrente-tensione. però.3 si può scrivere: χ è la frazione di drogaggio del semiconduttore e ε è la costante dielettrica.5 mostra la caratteristica I-V della giunzione p-n e il relativo potenziale elettrostatico. D (E. a π 2 Rγ |E| (E + eV (z))2 − (Eg /2)2 L'ultima relazione necessaria a descrivere il D (E. L'andamento graco è molto vicino a quello di un tradizionale diodo a giunzione. studiare questi andamenti graci nel dettaglio. Possiamo.

nelle distribuzioni piane il campo elettrostatico è più o meno costante lontano dalla sorgente. La corrente che scorre attraverso un nanotubo è data dalla relazione: Nel nanotubo. ora. La diversità la si ha nell'andamento della distribuzione di carica. la situazione è dierente e la carica decresce in maniera logaritmica a partire dalla giunzione. l'andamento delle bande è identico a quello registrato in un una giunzione piana. Si può passare. m + 1). In questo modo. per le distribuzioni cilindriche il campo si 4e2 I= h dove ˆ T (E) [fL (E) − fR (E)] dE è la densità di trasmissione e T (E) fL e fR sono rispettivamente le funzioni di Fermi a sinistra e destra della giunzione.5. pentagono-ettagono. infatti. L'andamento della corrente in funzione del potenziale applicato è consistente con l'andamento mostrato in g. 3.Fig 3. però. Giunzioni tra nanotubi: Nanotubi diversi possono essere collegati l'un l'altro in serie. causano curvature e difetti locali nella struttura. in prossimità della giunzione gli atomi di carbonio superui formeranno una struttura pentagonale accoppiata ad una ettagonale. è dovuta alla dierente geometria della giunzione. a valutare la caratteristica tensione corrente. annulla in maniera logaritmica. infatti.6 Potenziale elettrostatico valutato per due valori di χ e andamento della distribuzione di carica in funzione della distanza dalla giunzione .6 sono mostrati gli andamenti del potenziale elettrostatico e della carica in funzione della posizione rispetto la giunzione. 26 . otubo strutturalmente diversi con i minimi difetti locali e la minima curvatura è l'introduzione di una coppia Questa tecnica consiste nel collegare vertice per vertice la base di un certo nan- (n. invece. Tale dierenza Mentre. m) con quella di un nanotubo (n − 1. Nelle giunzioni piane si ha. In g 3. che la carica è più o meno costante in prossimità della giunzione e praticamente nulla oltre la cosiddetta regione di svuotamento. Per quel che riguarda il potenziale. Simili collegaIl modo per collegare due nanotubi menti.

In grigio è mostrata la coppia pentagono-ettagono .7 è mostrato un esempio di quanto detto. Fig 3. mentre con ring quelle del lato metallico. Il valore 1 è in entrambi i casi in prossimità della giunzione . può essere utilizzata come Esso è un dispositivo che viene per lo più utilizzato come diodo Schottky. invece. Dalla g.8 Densità degli stati vista dai due lati della giunzione.0) e un nanotubo metallico (7. ossia la giunzione tra un nanotubo semiconduttore (8. 3.Fig 3.8 si può vedere. os- sia un particolare tipo di diodo caratterizzato da basse tensioni di soglia e rapidi tempi di commutazione. 3. ossia metallo-semiconduttore. Si vede chiaramente come la coppia pentagono-ettagono generi una minima curvatura della struttura. raddrizzatore. la densità degli stati valutata per celle sempre più prossime alla giunzione dal lato del semiconduttore e dal lato metallico confrontate con la DOS dei nanotubi puri. alla corrente di scorrere in un unico verso di polarizzazione. Una giunzione simile.1).0) e (7. In g. ossia un sistema che permette 27 . Si è indicato con cell le celle elementari del lato semiconduttore. Si può vedere come la DOS de l'uno inuenzi quella dell'altro attenuando e generando discontinuità e dunque picchi nell'andamento graco.1).7 Giunzione tra i nanotubi (8.

9 Caratteristica corrente-tensione di una giunzione metallo-semiconduttore.2. Due elettrodi. Sotto tale strato di dielettrico vi è un Gate di silicio intensamente In questa schematizzazione i nanotubi di carbonio fungono da canale di conduzione tra il Source e il Drain.2 Transistor a eetto campo transistor.9 è mostrata la caratteristica I-V di una giunzione metallo-semiconduttore. drogato. 3. sono collegati attraverso nanotubi single-wall che siedono su uno strato di SiO2 . che fungono da Source e Drain. 3.10 Schematizzazione di un FET a nanotubo. le prime sperimentazioni riguardano i l'elettronica moderna.Fig 3. La conduttività del nanotubo viene regolata attraverso la tensione di Gate. schematizzato in g. 28 . In g. dispositivi divenuti fondamentali per Un esempio di transistor a eetto campo (FET) di recente sperimentazione è Tra tutti i particolari dispositivi elettronici che si è cercato di costruire attraverso l'ausilio dei nanotubi di carbonio.10. 3. Si può vedere l'andamento caratteristico di un diodo raddrizzatore. Fig 3.

12 è illustrato il ripiegamento delle bande in funzione della tensione di Gate e la relativa variazione della conduttanza del canale a bias (VDS ) nullo. comportamento diverso a seconda che i contatti siano Contatti Omici: Ohmici o Schotty. In questa situazione. 29 . In g.11 Caratteristica corrente-tensione lungo il nanotubo a varie tensioni di Gate. 3. infatti. la conduttanza lungo il canale è determinata dalla tensione applicata al Gate che genera un ripiegamento delle bande energetiche del nanotubo semiconduttore. mostra un I contatti ohmici sono i legami tra metalli in cui persiste la legge di Ohm. la conduttività del canale presenta un sempre più evidente stato di azzeramento e crescita all'intensicarsi del bias applicato. Il FET a nanotubo. Avendo spiegato in generale il funzionamento di un FET a nanotubo.Fig 3. corrispondenti rispettivamente allo stato di OFF e ON del transistor utilizzato come interruttore. andando a studiare l'apparato nel dettaglio si può vedere che gli andamenti delle curve caratteristiche del transistor dipendono fortemente dalla natura dei contatti metallici utilizzati. Dalla g.11 si può vedere che al crescere della tensione di Gate. 3.

VG . 3. In questo modo. 30 . mentre lo stato di ON avverrà quando le bande energetiche risultano sucientemente ripiegate. Quanto detto è schematizzato in g. ossia un pozzo di potenziale in cui i livelli energetici appaiono discretizzati. ma sono caratterizzati da una barriera Schottky. infatti. per cui non vale la legge di Ohm. Quando .Fig 3. con intensità di correnti elevate. come ad esempio tra un nanotubo e contatti di titanio. un punto quantico. connati nel punto quantico. Questo fenomeno può generare un lieve picco di risonanza nella conduttanza del canale. gli elettroni possono attraversarla per eetto tunnel. Nella zona contrassegnata da I. possono compiere transizioni per eetto tunnel tra i vari livelli discreti generati. nel mezzo del canale. le bande si ripiegano su se stesse formando una barriera di potenziale che blocca gli elettroni e la conduttanza Il transistor si ritrova nello stato di OFF.12 Ripiegamento delle bande e conduttanza del canale in funzione della tensione di Gate (VG ). il ripiegamento delle bande è nullo. l'attraversamento della barriera per eetto tunnel. nella zona II. il ripiegamento delle bande e tale da creare una barriera sottile tra il contatto e il canale. Se la tensione di gate cresce ancora (zona III) il ripiegamento delle bande è tale da generare. caratterVG . istica delle giunzioni Schottky viste in precedenza. la conduttanza risulta massima e il transistor si trova nello stato di ON. Anche per i contatti Schottky bisogna variare la ma il fenomeno procede in senso opposto al caso precedente. Contatti Schottky: Vi sono alcune connessioni metalliche. Gli elettroni. Al crescere della tensione di Gate del canale si annulla. dovuto a queste rapide transizioni elettroniche. infatti.13. Viene sfruttato. lo stato di OFF del transistor sarà caratterizzato da lievi ripiegamenti di banda.

Fig 3. 31 .13 Stato di OFF e stato di ON di un transistor a NTC con contatti Schottky.

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