Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2008/2009 – 17 Novembre 2008

Esercizio 1
Si consideri un blocchetto di Germanio (Ge) avente lunghezza L,
larghezza W e spessore t (vedere Figura 1). Il semiconduttore, le cui
proprietà sono riportate in Tabella 1, è drogato con una concentrazione
di atomi donori N
D
=10
17
cm
-3
.
a) Sapendo che la resistenza R del blocchetto è pari a 960Ω, calcolare
la mobilità degli elettroni µ
n
.
b) Sulla base del risultato ottenuto nel punto a), calcolare il tempo di
rilassamento degli elettroni τ
cn
.

Figura 1
L= 300µm
W= 50µm
t= 1µm

N
D
= 10
17
cm-3
R= 960Ω
Proprietà del Germanio
Concentrazione intrinseca:
n
i
= 2·10
13
cm
-3

Energy gap:
E
GAP
= 0.66eV
Massa efficace dell’elettrone:
m
n
*
= 0.12· m
0

Vita media della lacuna:
τ
p
=100µs
Tabella 1

A partire dall’istante di tempo t
1
, il materiale viene illuminato con una
luce costante. I fotoni assorbiti generano coppie elettrone lacuna che
cambiano la concentrazione dei portatori all’interno del materiale stesso.
Dopo un transitorio iniziale, la concentrazione dei portatori minoritari
raggiunge un valore di regime indipendente dalla posizione e pari a
p=10
13
cm
-3
. Successivamente, all’istante di tempo t
2
, il flusso di fotoni
si interrompe.
c) Studiare l’evoluzione temporale della concentrazione dei
portatori minoritari per t ≥ t
2
.

Massa dell’elettrone
m
0
= 9.1·10
-31
Kg
Carica dell’elettrone
q= 1.6·10
-19
C
Costanti

Esercizio 2

Figura 2
N
A
= 10
18
cm
-3
τ
p
= 10µs
N
D
= 10
16
cm
-3
τ
n
= 10µs
W
P
= 5µm µ
n
= 300 cm
2
/Vs
W
N
= 500µm µ
p
= 450 cm
2
/Vs
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Costante dielettrica del vuoto
ε
0
= 8.85·10
-14
F/cm
Costante dielettrica relativa del Si
ε
r-Si
= 11.9
Costante dielettrica del Si
ε
Si
= ε
0
· ε
r-Si
≈1pF/cm
Costante di Boltzmann
k=1.38·10
-23
J/K
Tensione termica
V
TH
= 25.8mV
Carica dell’elettrone
q= 1.6·10
-19
C
Si consideri la giunzione pn realizzata in Silicio e rappresentata in
Figura 2.
a) Calcolare la tensione di built-in V
BI
.
b) Calcolare la tensione inversa che è necessario applicare al
diodo per avere uno spessore x
D
della zona svuotata pari a
1µm.
c) Supponendo di continuare ad applicare al diodo la tensione
di cui al punto b), calcolare E
MAX
, valore massimo del campo
elettrico nella zona svuotata.
Si supponga ora di applicare una tensione diretta V
D
=600mV alla
giunzione di Figura 2.
d) Calcolare la concentrazione dei portatori minoritari al bordo
fra la zona svuotata e ciascuna delle due zone neutre.
e) Calcolare L
P
, lunghezza di diffusione delle lacune nella
regione neutra n. Alla luce del risultato ottenuto, dire se per
tale regione è applicabile l’approssimazione di diodo a base
lunga o a base corta.
f) Rappresentare in un diagramma quotato l’andamento, in
funzione della posizione, dei portatori minoritari in ciascuna
delle due zone neutre.
g) Calcolare la densità di corrente di lacune J
p
alla sezione x
n
.
h) Suggerire una modifica alla struttura del diodo che
consenta di aumentare la densità di corrente J
p
(x
n
) senza
modificare i drogaggi.

Costanti
AVVERTENZA: I punti indicati in grassetto presentano una difficoltà maggiore; si consiglia
pertanto di svolgerli solamente dopo aver completato gli altri punti.
Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2008/2009 – 6 Febbraio 2009

Esercizio 1
Si consideri un materiale semiconduttore caratterizzato dal diagramma a
bande riportato in Figura 1. Di tale materiale è nota la densità di stati
equivalenti in banda di valenza N
V
e la concentrazione di drogante
accettore N
A
.
a) Calcolare l’energia di Fermi E
F
e rappresentarla nel diagramma a
bande.
b) Calcolare la concentrazione intrinseca dei portatori n
i
.
c) Calcolare la densità di stati equivalenti in banda di conduzione N
C
.



Figura 1

N
V
= 10
20
cm
-3

N
A
= 10
17
cm
-3



Esercizio 2


Al
= 4.1 eV
qχ= 4.05 eV
N
A
= 7*10
16
cm
-3

t
Ox
= 15 nm
t
Si
= 500 µm

Figura 2.a Tabella 2.a

N
D
= 10
18
cm
-3

L= 10 µm
W= 30 µm
μ
n
= 600 cm
2
/Vs
Figura 2.b Tabella 2.b



Al
= 4.1 eV
qχ= 4.05 eV
N
A1
= 7*10
16
cm
-3

N
A2
= 10
18
cm
-3

t
Ox
= 15 nm
t
Si1
= 400 µm
t
Si2
= 100 µm
Figura 2.c Tabella 2.c
Si consideri il condensatore MOS rappresentato in Figura 2.a, le
cui proprietà sono riportate nella Tabella 2.a.
a) Assumendo nulla la carica presente nell’ossido di gate,
calcolare la tensione di flat-band V
FB
.
b) Calcolare la tensione di soglia V
T0
.
c) Calcolare la tensione che è necessario applicare fra Body e
Gate per portare il sistema MOS al limite fra la condizione di
svuotamento e la condizione di inversione debole.
Rappresentare inoltre in un diagramma quotato l’andamento
della carica ρ(x), dei campi D(x) ed E(x), nonché del
potenziale V(x) lungo il dispositivo.
Si consideri ora il transistore MOSFET rappresentato in Figura
2.b e realizzato a partire dalla struttura di Figura 2.a. In
particolare lo spessore dell’ossido di gate ed il drogaggio di
substrato sono identici. Gli altri parametri della struttura sono
riportati nella Tabella 2.b.
d) Sia V
SB
= 0V e V
DS
= 0V. Calcolare la tensione V
GS
che è
necessario applicare fra Source e Gate per ottenere una
conduttanza di canale G
CH
= 1 mA/V.
e) Sia V
SB
= 0V, e V
GS
= 2.5V. Trascurando la variazione della
tensione di soglia lungo il canale, calcolare la tensione V
DS

che è necessario applicare affinché la carica mobile al Drain
sia la metà di quella al Source.
f) Sia V
SB
= 10V e V
DS
= 0V. Calcolare la tensione V
GB
che è
necessario applicare fra Body e Gate per ottenere una
conduttanza di canale G
CH
= 1 mA/V.
Si consideri ora il condensatore MOS rappresentato in Figura 2.c,
le cui proprietà sono riportate in Tabella 2.c.
g) Calcolare la tensione che è necessario applicare fra Body e
Gate per avere campo elettrico nullo nell’ossido.


Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Tensione termica
V
TH
= 25.8mV
Carica dell’elettrone
q= 1.6·10
-19
C
Densità di stati equivalente in
banda di conduzione
N
C
= 2.81*10
19
cm-3
Costante dielettrica del Si
ε
Si
= 1 pF/cm
Costante dielettrica dell’Ossido
ε
Ox
= 1/3 pF/cm


Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2008/2009 – 2 Marzo 2009



Costanti Universali
Massa dell’elettrone
m
0
= 9.1 ·10
-31
kg
Carica dell’elettrone
q= 1.6·10
-19

C
Costante di Boltzmann
k=1.38·10
-23
J/K
Tensione termica
V
TH
= 25.8mV


Esercizio 1

Figura 1.a Figura 1.b
Concentrazione intrinseca
n
i
= 2·10
12
cm
-3

Tempo di rilassamento
τ
c
= 0.2 ps
Si consideri un materiale semiconduttore caratterizzato dal
diagramma a bande di Figura 1.a e dalle proprietà riportate
in Tabella 1.
a) Calcolare la concentrazione di elettroni n e di lacune p.
b) Sapendo che la conducibilità del materiale è pari a σ=
60Ω
-1
cm
-1
, calcolare la massa efficace del portatore
maggioritario.
A partire dall’istante t=0, il semiconduttore viene
illuminato con una luce costante nel tempo; i fotoni
assorbiti determinano un tasso di generazione ottica G
PH

spazialmente uniforme. La Figura 1.b rappresenta il
corrispondente andamento temporale della concentrazione
dei portatori minoritari.
c) Calcolare il tasso di generazione G
PH
.



Tabella 1

Esercizio 2

N
A
= 10
18
cm
-3

N
D1
= 2.5·10
14
cm
-3

N
D2
= 10
15
cm
-3

W
P
= 50µm
W
N1
= 5µm
W
N2
= 200µm
Figura 2
Si consideri la giunzione realizzata in Silicio e
rappresentata in Figura 2.
a) Calcolare la tensione di built-in e tracciare il
diagramma a bande qualitativo (banda di conduzione,
banda di valenza e livello di Fermi) della struttura
all’equilibrio termodinamico.
b) Calcolare la tensione inversa V
R
da applicare alla
giunzione per ottenere un campo elettrico massimo
pari a E
MAX
= -5·10
4

V/cm.
c) Calcolare la capacità di giunzione (per unità di area)
del diodo nelle condizioni di cui al punto (b).

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si
ε
Si
= 1pF/cm

Esercizio 3

N
A
= 5·10
17
cm
-3

N
D
= 10
16
cm
-3

W
P
= 5µm
W
N
= 500µm
µ
n
= 300 cm
2
/Vs
µ
p
= 450 cm
2
/Vs
Figura 3
Si consideri la giunzione pn realizzata in Silicio (Figura 3)
a cui è applicata una tensione diretta V
D
incognita. Siano x
n

e -x
p
le coordinate dei punti di separazione fra la zona di
carica spaziale e le regioni neutre.
a) Sapendo che la concentrazione di lacune alla
coordinata x
n
vale p(x
n
)= 5·10
15
cm
-3
, determinare il
valore della tensione V
D
e della concentrazione di
elettroni n(-x
p
).
V
D
assuma il valore calcolato al punto (a), sia τ
p
la vita
media delle lacune nella zona neutra n e sia τ
n
quella degli
elettroni nella zona neutra p.
b) Si assuma τ
p

n
=∞. Rappresentare in un diagramma
quotato l’andamento della concentrazione dei portatori
minoritari in ciascuna delle due regioni neutre.
Calcolare inoltre le densità di corrente di lacune J
p
alla
sezione x
n
.
c) Ora τ
p
assuma un valore finito incognito. Sapendo che
la corrente di lacune alla coordinata x
n
vale J
p
(x
n
)= 5
A/cm
2
, determinare τ
p
e rappresentare in un
diagramma quotato l’andamento della concentrazione
delle lacune nella regione neutra n.
d) Per τ
p
calcolato al punto precedente e τ
n
=∞, calcolare
le densità di corrente di lacune e di elettroni J
p
e J
n
alla
coordinata x
1
= 14µm.


Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si
ε
Si
= 1pF/cm

Esercizio 4


Al
= 4.1 eV
qχ= 4.05 eV
N
A
= 2*10
16
cm
-3

t
Si
= 500 µm

Figura 4.a Tabella 4.a

N
D
= 10
18
cm
-3

L= 3 µm
μ
n
= 600 cm
2
/Vs
Figura 4.b Tabella 4.b
Si consideri il condensatore MOS rappresentato in Figura 4.a, le
cui proprietà sono riportate nella Tabella 4.a.
a) Dimensionare lo spessore dell’ossido t
OX
per avere una
tensione di soglia V
T0
= 500mV.
Si consideri ora il transistore MOSFET rappresentato in Figura
4.b e realizzato a partire dalla struttura di Figura 4.a. In
particolare il drogaggio di substrato è il medesimo e lo spessore
dell’ossido è quello calcolato al punto (a). Gli altri parametri della
struttura sono riportati nella Tabella 4.b.
b) Sia V
SB
= 5V, V
DS
= 0V, e V
GS
=2.5V. Determinare il valore di
W affinché la conduttanza di canale sia pari a G
CH
= 0.65
mA/V.
c) Sia V
SB
= 5V, e V
DS
= 0V. Sapendo che l’ossido di gate si può
danneggiare se il campo elettrico in esso presente supera il
valore E
OX-MAX
= 5·10
6
V/cm, determinare la massima
tensione V
GS
che è possibile applicare fra Source e Gate.

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Densità di stati equivalente in
banda di conduzione
N
C
= 2.81*10
19
cm
-3

Costante dielettrica del Si
ε
Si
= 1 pF/cm
Costante dielettrica dell’Ossido
ε
Ox
= 1/3 pF/cm

Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2008/2009 – 10 Luglio 2009



Costanti Universali
Massa dell’elettrone
m
0
= 9.1 ·10
-31
kg
Carica dell’elettrone
q= 1.6·10
-19

C
Costante di Boltzmann
k=1.38·10
-23
J/K
Tensione termica
V
TH
= 25.8mV


Esercizio 1

Si consideri una lacuna che si muove all’interno di un
materiale semiconduttore sotto l’azione di un campo
elettrico pari a E= 10V/cm. Il grafico di Figura 1.a
rappresenta l’andamento temporale della velocità della
lacuna (solo componente ordinata).
a) Calcolare la massa efficace della lacuna.
b) Stimare la mobilità della lacuna all’interno del
semiconduttore considerato.



Figura 1.a

Esercizio 2

N
D
= 10
18
cm
-3

N
A1
= 5·10
15
cm
-3

N
A2
= 10
12
cm
-3

N
A3
= 10
18
cm
-3

W
N
= 20µm
W
P3
= 50µm
Figura 2
Si consideri la giunzione realizzata in Silicio e
rappresentata in Figura 2.
a) Alla struttura viene applicata una tensione inversa V
R

sufficiente a svuotare completamente le regioni N
A1
e
N
A2
ed in parte la regione N
A3
. Tracciare un
diagramma qualitativo dell’andamento della carica, del
campo elettrico e del potenziale lungo il dispositivo.
b) Dimensionare lo spessore W
P1
in modo tale che, al
breakdown, il campo elettrico all’interfaccia fra le
regioni N
A1
e N
A2
sia pari a 2·10
4
V/cm. Si assuma che
il campo di breakdown sia pari a E
BD
=1·10
5
V/cm.
c) Dimensionare lo spessore W
P2
in modo tale che la
tensione di breakdown sia pari a V
BD
=30V. Per
semplicità si trascurino le tensioni di built-in.
d) Rappresentare in un diagramma quotato l’andamento
della capacità di svuotamento C
J
(per unità di area) in
funzione della tensione inversa V
R
; si assuma V
R

compresa fra 0V e 30V.

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si
ε
Si
= 1pF/cm

Esercizio 3

N
A
= 2.5·10
17
cm
-3

N
D
= 5·10
16
cm
-3

W
N
= 30µm
µ
n
= 600 cm
2
/Vs
µ
p
= 400 cm
2
/Vs
τ
n
= τ
p
= 1 ms


Figura 3
Si consideri la giunzione pn realizzata in Silicio (Figura 3)
a cui è applicata una tensione diretta V
D
=650mV. Siano x
n

e -x
p
le coordinate dei punti di separazione fra la zona di
carica spaziale e le regioni neutre. Sia inoltre τ
p
la vita
media delle lacune nella zona neutra n e sia τ
n
quella degli
elettroni nella zona neutra p.
a) Calcolare la concentrazione dei portatori minoritari
alla sezione x
n
.
b) Rappresentare in un diagramma quotato l’andamento
dei portatori minoritari e maggioritari nella regione
neutra n.
c) Calcolare la densità di corrente di lacune J
p
(x
n
) alla
sezione x
n
.
d) Dimensionare W
P
in modo tale che la densità di
corrente totale che attraversa il diodo sia pari a
J
TOT
= 1 A·cm
-2
.

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si
ε
Si
= 1pF/cm

Esercizio 4

qχ= 4.05 eV
N
A
= 3·10
17
cm
-3

N
D
= 5·10
18
cm
-3

L= 4 µm
W= 20 µm
μ
n
= 400 cm
2
/Vs
Figura 4.a Tabella 4.a

Figura 4.b
Si consideri il transistore MOSFET di Figura 4.a, le cui proprietà
sono riportate nella Tabella 4.a.
Applicando le tensioni V
B
= 0V, V
S
= 0V, V
D
= 10mV e misurando
la corrente di drain I
D
in funzione della tensione V
GS
si ottiene il
grafico Figura 4.b.
a) Determinare la tensione di soglia V
T0
e lo spessore
dell’ossido t
OX
.
b) Determinare la funzione lavoro qΦ
M
del metallo utilizzato per
realizzare il gate.
Sia ora V
S
= 0V, V
D
= 10mV.
c) Calcolare la tensione V
B
da applicare al contatto di Body
affinché la corrente che scorre nel MOS quando V
GS
= 2V si
riduca a I
D
= 10µA.
Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Densità di stati equivalente in
banda di conduzione
N
C
= 2.81·10
19
cm
-3

Costante dielettrica del Si
ε
Si
= 1 pF/cm
Costante dielettrica dell’Ossido
ε
Ox
= 1/3 pF/cm

Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2008/2009 – 2 Settembre 2009



Costanti Universali
Massa dell’elettrone
m
0
= 9.1 ·10
-31
kg
Carica dell’elettrone
q= 1.6·10
-19

C
Costante di Boltzmann
k=1.38·10
-23
J/K
Tensione termica
V
TH
= 25.8mV


Esercizio 1

Figura 1
Densità equivalente di stati in banda di conduzione
N
C
= 2·10
18
cm
-3

Densità equivalente di stati in banda di valenza
N
V
= 10
18
cm
-3

Tempo di rilassamento
τ
c
= 0.2ps
Si consideri un materiale semiconduttore
caratterizzato dal diagramma a bande di Figura 1 e
dalle proprietà riportate in Tabella 1.
a) Calcolare la concentrazione di elettroni n, di
lacune p, e la concentrazione intrinseca n
i
.
b) Calcolare la massa efficace dell’elettrone
sapendo che la resistività è pari a ρ=50 Ωcm .
Ora semiconduttore viene illuminato con una luce
costante nel tempo; i fotoni assorbiti determinano un
tasso di generazione ottica G
PH
spazialmente
uniforme. Si consideri la situazione a regime
c) Determinare il massimo valore di G
PH
che
consenta di continuare a lavorare in condizioni
di bassa iniezione. Per la vita media dei
portatori si assuma τ= 1 ms.
Tabella 1

Esercizio 2

N
D
= 10
18
cm
-3

N
A
= 2·10
15
cm
-3

W
N
= 100 µm
W
P
= 100 µm
A= 10
-2
cm
2



Figura 2
Si consideri la giunzione realizzata in Silicio e
rappresentata in Figura 2. Sia A l’area della giunzione.
a) Calcolare la tensione di built-in V
BI
.
b) Calcolare la tensione inversa V
R1
da applicare alla
giunzione affinché il valore massimo del campo
elettrico all’interno della zona svuotata sia pari a
E
MAX
= 6·10
4
V/cm.
c) Calcolare la tensione inversa V
R2
da applicare affinché
la capacità di giunzione sia pari a C
J
= 25pF.

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si
ε
Si
= 1pF/cm

Esercizio 3

N
D
= 2·10
16
cm
-3

N
A
= 1·10
17
cm
-3

W
N
= 100µm
W
P
= 200µm
µ
n
= 620 cm
2
/Vs
µ
p
= 400 cm
2
/Vs
τ
n
= 160 ns
τ
p
= ∞

Figura 3
Si consideri la giunzione pn realizzata in Silicio (Figura 3)
a cui è applicata una tensione diretta V
D
=600mV. Siano x
p

e -x
n
le coordinate dei punti di separazione fra la zona di
carica spaziale e le regioni neutre. Sia inoltre τ
p
la vita
media delle lacune nella zona neutra n e sia τ
n
quella degli
elettroni nella zona neutra p.
a) Calcolare la concentrazione dei portatori minoritari
alle sezioni -x
n
e x
p
.
b) Rappresentare in un diagramma quotato l’andamento
dei portatori minoritari e maggioritari nelle due regioni
neutre.
c) Calcolare le densità di corrente J
n
(x
p
) e J
p
(-x
n
)
d) Calcolare la densità di corrente di lacune e di elettroni
J
p
(x
1
) e J
n
(x
1
) alla sezione x
1
=100μm.
e) Rappresentare in un diagramma quotato l’andamento
della densità di corrente di elettroni e di lacune nella
zona neutra n.

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si
ε
Si
= 1pF/cm

Esercizio 4

qχ= 4.05 eV
t
OX
= 10nm
N
D
= 5·10
18
cm
-3

L= 10 µm
W= 50 µm
μ
n
= 500 cm
2
/Vs
Figura 4.a Tabella 4.a

Figura 4.b
Si consideri il transistore MOSFET di Figura 4.a, le cui proprietà
sono riportate nella Tabella 4.a. Si osservi in particolare che non
sono noti né il lavoro di estrazione del metallo con cui è realizzato
il gate, né il drogaggio di substrato N
A
. É nota invece la tensione
di soglia V
T0
= 0.5V.
a) Sia V
SB
= 0V e V
DS
= 0V. Calcolare la tensione V
GS
che è
necessario applicare affinché la carica mobile
complessivamente accumulata sotto l’ossido di gate sia pari a
Q
CH
= 4pC.
b) Sapendo che applicando una tensione V
SB
=20V, la tensione
di soglia assume il valore V
T
=1.5V, calcolare il drogaggio di
substrato N
A
.
c) Determinare la funzione lavoro qΦ
M
del metallo utilizzato per
realizzare il gate.
d) Sia V
SB
= 0V, V
DS
= 0V e V
GS
assuma il valore calcolato al
punto a). Tracciare in un diagramma quotato l’andamento
della densità di carica ρ, dei campi D ed E, nonché del
potenziale V lungo la linea tratteggiata indicata in Figura
4.b.
Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Densità di stati equivalente in
banda di conduzione
N
C
= 2.81·10
19
cm
-3

Costante dielettrica del Si
ε
Si
= 1 pF/cm
Costante dielettrica dell’Ossido
ε
Ox
= 1/3 pF/cm

Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2008/2009 – 4 Febbraio 2010


Costanti Universali

Massa dell’elettrone
m
0
= 9.1 ·10
-31
kg
Carica dell’elettrone
q = 1.6·10
-19

C
Costante di Boltzmann
k = 1.38·10
-23
J/K
Tensione termica (T ambiente)
V
TH
= 25.8 mV
Costante dielettrica del vuoto
ε
0
= 8.85·10
-14
F/cm

Esercizio 1
Si consideri un materiale semiconduttore a
temperatura ambiente (T=300K) opportunamente
drogato e caratterizzato dal diagramma a bande di
Figura 1a e dalle proprietà riportate in Tabella 1.
a) Calcolare i livelli di energia della banda di
conduzione E
C
[eV] e della banda di valenza E
V

[eV] a temperatura ambiente, noto E
F
= 0.6 eV.
Quotare correttamente il diagramma a bande e
specificare il tipo di drogaggio.
b) Calcolare mobilità e massa efficace (in frazioni
di m
0
) della lacuna sapendo che il dispositivo è
un resistore integrato (Figura 1b) con
caratteristiche riportate in Tabella 1. (Si presti
estrema attenzione alle unità di misura!)
Ora il semiconduttore viene riscaldato per mezzo di
un termostato ad una temperatura T=400K. Si
consideri la situazione all’equilibrio termico.
c) Calcolare la resistenza R del resistore di
dimensioni specificate al punto b) nelle nuove
condizioni operative, assumendo la densità
equivalente di stati in banda di valenza N
V

proporzionale a T
3/2
e la mobilità calcolata al
punto b) costante.

Figura 1a Figura 1b
Densità equivalente di stati in banda di conduzione
N
C
= 2·10
18
cm
-3

Densità equivalente di stati in banda di valenza
N
V
= 10
18
cm
-3

Concentrazione di elettroni in banda di conduzione
n= 7.5·10
9
cm
-3

Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.84·10
12
cm
-3

Tempo di rilassamento
τ
c
= 0.2ps


Lunghezza resistore integrato
L = 500 µm
Sezione resistore integrato
S = 10
-3
cm
2

Resistenza resistore integrato
R = 1.5 kΩ

Tabella 1

Esercizio 2
Si consideri la giunzione p-n in Silicio rappresentata in
Figura 2. Sia A l’area della giunzione.
a) Progettare il drogaggio della regione n, N
D
, avendo
come specifica il campo elettrico massimo E
MAX
=
3·10
5
V/cm alla tensione inversa V
R
=25 V. (Sia fatta
opportuna assunzione relativamente al potenziale di
built-in.)
b) Calcolare il potenziale di built-in V
BI
, verificare
l’assunzione fatta al punto a) e calcolare le estensioni
delle zone di carica spaziale x
p
e x
n
in condizioni di
zero bias. Di che tipo di giunzione si tratta?
c) Considerando il particolare tipo di giunzione e i dati
ottenuti nei punti a) e b), calcolare la capacità di
giunzione C.
d) Disegnare in tre grafici quotati: 1. densità di carica
spaziale, 2. profilo del campo elettrico, 3. potenziale
elettrico in zona di carica spaziale al built-in.
(facoltativo)



N
A
= 10
18
cm
-3

W
N
= 100 µm
W
P
= 100 µm
A= 10
-2
cm
2


Figura 2

Costanti

Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Costante dielettrica relativa del Si
ε
Si
= 11.7

Esercizio 3
Si consideri la giunzione p-n in Silicio (Figura 3) a cui è
applicata una tensione diretta V
D
=600mV. Siano -x
p
e x
n
le
coordinate dei punti di separazione fra la zona di carica
spaziale e le regioni neutre. Sia inoltre τ
p
la vita media delle
lacune nella zona neutra n e sia τ
n
quella degli elettroni
nella zona neutra p.
a) Nota la concentrazione di portatori minoritari al bordo
della zona di carica spaziale a lato n (x=x
n
),
p
n
=2.65·10
14
cm
-3
, calcolare il drogaggio di donori N
D
.
b) Nota la densità di corrente di portatori minoritari alla
sezione x=-x
p
, J
n
=4.23 A/cm
2
, calcolare il drogaggio di
accettori N
A
.
c) Le zone di carica spaziale, lato p e lato n, hanno la
stessa estensione? (motivare la risposta)
d) Calcolare la densità di corrente di lacune e di elettroni
J
p
(x
1
) e J
n
(x
1
) alla sezione x
1
=150µm.
e) Stimare il valore del campo elettrico alla sezione x
1

del punto d), assumendo n=N
D
, e commentare
conseguentemente l’approssimazione di campo
elettrico nullo in zona neutra.


W
N
= 200µm
W
P
= 200µm
µ
n
= 620 cm
2
/Vs
µ
p
= 400 cm
2
/Vs
τ
n
= 160 ns
τ
p
= 90 ns

Figura 3

Costanti

Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Costante dielettrica relativa del Si
ε
Si
= 11.7


Esercizio 4
Si consideri il condensatore MOS di Figura 4a, le cui proprietà
sono riportate nella Tabella 4.a. Si osservi che non è noto il
drogaggio di substrato N
A
. Sono note invece l’affinità elettronica
del Silicio, qχ e la funzione lavoro dell’Argento, qΦ
M
, utilizzato
come metallo di gate.
a) Calcolare il drogaggio di substrato N
A
, sapendo che la
tensione di flat-band è V
FB
= -0.776 V e assumendo la carica
nell’ossido nulla.
b) Dimensionare lo spessore dell’ossido di gate, sapendo che la
soglia del transistore è pari a V
T0
= 0.75V. (Prestare
attenzione alle unità di misura!)
Si consideri ora il transistore MOSFET rappresentato in Figura
4b, le cui proprietà sono riportate ancora in Tabella 4a.

c) Ricavare l’espressione della conduttanza di canale G
CH
nel
limite V
DS
= 0V, con V
SB
= 0V e ricavare la tensione tra gate
e source V
GS
che consente di ottenere G
CH
= 4.13 mA/V.



qχ= 4.01 eV

M
= 4.26 eV

L= 10 µm
W= 50 µm
µ
n
= 500 cm
2
/Vs
Figura 4a Tabella 4a

Figura 4b
Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Costante dielettrica relativa del Si
ε
Si
= 11.7
Costante dielettrica relativa SiO
2

ε
Ox
= 3.9
Gap di Energia del Silicio
E
G
= 1.12 eV


Nota Bene: per ciascun risultato numerico ricordate di specificare SEMPRE l’unità di misura!
SOLUZIONE TEMA D’ESAME DEL 4 FEBBRAIO 2010
Esercizio 1
a. Per ricavare i livelli di energia si utilizzano le relazioni che legano le
densità di portatori liberi nelle bande di conduzione e valenza ai parametri
energetici nell’approssimazione di Boltzmann:
n = N
C
· exp
_

E
C
−E
F
kT
_
e
p = N
V
· exp
_

E
F
−E
V
kT
_
.
Dalla prima si ricava direttamente
E
C
= E
F
−kT · ln
_
n
N
C
_
= 1.1eV.
Dalla seconda si ricava
E
V
= E
F
+kT · ln
_
p
N
V
_
= 0.4eV,
dove, per la legge di azione di massa, p = n
2
i
/n = 4.51· 10
14
cm
−3
. Il semicon-
duttore è drogato p in quanto il livello di Fermi si trova in prossimità della
banda di valenza.
b. Note resistenza elettrica R, lunghezza L, sezione S del resistore inte-
grato, dall’applicazione della
R = ρ ·
L
S
si ricava la resistività ρ = 1/σ = 30Ω· cm. In un semiconduttore la resistività
risulta legata alla carica elementare, alla mobilità e alla densità di portatori
(in questo caso solo lacune maggioritarie) dalla seguente:
ρ =
1
σ
=
1

p
p
da cui si ottiene la mobilità µ
p
= 462
cm
2
V ·s
. Per la massa efficace della lacuna
m

p
si utilizza la seguente relazione, nota la mobilità (appena calcolata):
m

p
=
q · τ
c
µ
p
da cui si ricava m

p
= 6.92 · 10
−31
kg = 0.76 · m
0
dove m
0
è la massa
dell’elettrone nel vuoto.
Analisi Dimensionale:
_
m

p
_
= C · V · s
2
/cm
2
= (J/m) · s
2
· m/cm
2
=
N · s
2
/10
−4
m = 10
4
· kg. La conversione da cm
2
a m
2
introduce un fattore
10
4
!!!
c. Alzando la temperatura si introduce una variazione nelle densità di
portatori. In questo caso il testo suggerisce sia la legge di proporzionalità
tra N
V
e T, sia il fatto che la mobilità rimane costante. Noto dunque che
N
300K
V
= α · 300
3/2
e N
400K
V
= α · 400
3/2
, si può scrivere la proporzione:
N
300K
V
N
400K
V
=
_
300
400
_
3/2
,
da cui si ricava N
400K
V
= 1.54 · 10
18
cm
−3
. Noto N
400K
V
, è possibile ricavare la
densità di lacune nelle nuove condizioni operative:
p (400K) = N
400K
V
· exp
_

E
F
−E
V
kT
_
= 4.66 · 10
15
cm
−3
.
Noto p
400K
e µ
p
(dal punto precedente) è possibile calcolare la resistività
ρ (400K) = 2.9Ω · cm e quindi la resistenza R(400K) = ρ (400K) · L/S =
145Ω.
Esercizio 2
a. Noto il campo elettrico, ad esempio, nella regione p:
E =
_
ρ (x)

Si
dx = −
_
q · N
A

Si
dx,
integrando si ottiene
E = −
q · N
A

Si
(x +x
p
) , −x
p
≤ x ≤ 0.
Ponendo x = 0, ovvero imponendo la condizione di campo massimo, si ottiene
E
MAX
= −q · N
A
· x
p
/
Si
. A questo punto si sostituisce nella precedente
l’espressione per la zona svuotata a lato p, x
p
, considerando la barriera di
potenziale introdotta dalla V
R
e trascurando la V
bi
, noto che V
bi
<< V
R
:
x
p
=
¸
2
Si
(V
R
)
q
·
_
N
D
N
A
_
·
_
1
N
A
+N
D
_
;
elevando ora al quadrato entrambi i membri dell’equazione, si ottiene
E
2
MAX
=
2q (V
R
)

Si
·
_
N
A
N
D
N
A
+N
D
_
,
da cui, eseguendo pochi semplici passaggi algebrici , è possibile calcolare
N
D
= 1.18 · 10
16
cm
−3
.
b. Noti ora i drogaggi delle due regioni, è possibile calcolare il potenziale
di built-in:
V
bi
=
kT
q
· ln
_
N
A
N
D
n
2
i
_
= 0.82V.
Dunque l’assunzione V
R
>> V
bi
fatta al punto precedente risulta verificata!
In condizioni di zero-bias, ovvero per V
R
= 0, è possibile calcolare le estensioni
delle zone di carica spaziale: x
p
= 3.5nm mediante la formula scritta poco
sopra e, sfruttando la conoscenza dei drogaggi, x
n
= (N
A
/N
D
) · x
p
= 296nm.
Dato lo sbilanciamento dei drogaggi di due ordini di grandezza e di con-
seguenza lo sbilanciamento delle estensioni delle zone svuotate della stessa
quantità, si può affermare che si tratta di una giunzione unilatera di tipo
p
+
n.
c. La capacità di giunzione per unità di area può essere espressa come
C

=
dQ

dV
R
= q · N
D
dx
n
dV
R
= q · N
A
dx
p
dV
R
.
Calcolando la derivata prima rispetto a V
R
di x
n
oppure di x
p
e sostituendola
nella precedente espressione, è possibile ricavare C

= 6.25
nF
cm
2
. Nota l’area,
C
j
= C

· A = 62.5pF.
d. Punto facoltativo il cui svolgimento è affidato al lettore per ripasso
della teoria di base sulla giunzione pn.
Esercizio 3
a. Viene richiesto il drogaggio di donori a lato n, nota la concentrazione
di portatori minoritari (lacune) al bordo della zona svuotata a lato n, in
x = x
n
. La giunzione polarizzata in diretta produce un abbassamento della
barriera di potenziale e una iniezione di lacune maggioritarie dalla zona p
alla zona n, accrescendo, a bordo giunzione lato n la concentrazione di lacune
minoritarie, generando cioè una concentrazione di lacune in eccesso a lato n:
p
n
= p
n0
· exp
_
qV
A
kT
_
,
dove p
n0
= n
2
i
/n
n0
≈ n
2
i
/N
D
è la concentrazione di lacune minoritarie all’equilibrio
termico. Si noti che sostituendo l’ultima espressione nella penultima, si es-
plicita il drogaggio di donori come:
N
D
=
n
2
i
p
n
· exp
_
qV
A
kT
_
= 10
16
cm
−3
.
b. Viene richiesto il drogaggio di accettori, nota la densità di corrente di
minoritari (stavolta elettroni) a bordo giunzione lato p, cioè per x = −x
p
.
Si scriva dunque l’espressione della densità di corrente di elettroni:
J
n
=
qD
n
·
n
2
i
N
A
L
n
·
_
exp
_
qV
A
kT
_
−1
_
· exp
_
x
p
+x
L
n
_
,
in cui l’ultimo termine esponenziale è unitario. Attraverso la nota relazione
di Einstein che non riportiamo qui, si ricavano D
n
= 16cm
2
/s e L
n
= 1.6 ·
10
−3
cm. Dall’espressione scritta per la densità di corrente, in cui è stato
esplicitato il drogaggio di accettori N
A
, è possibile calcolare N
A
= 10
15
cm
−3
.
c. NO! Le zone di carica spaziale hanno estensioni diverse, dato che i
drogaggi differiscono di un ordine di grandezza.
d. Questo punto potrebbe essere risolto facendo una semplice consider-
azione e un breve calcolo. Anzitutto si deve ricavare, mediante la nota re-
lazione di Einstein, D
p
= 10.3cm
2
/s e L
p
= 9.63µm. Si noti che L
p
<< W
n
,
quindi il diodo è lungo! Ora non si può non notare che la sezione x
1
= 150µm
alla quale si richiede di calcolare le densità di corrente di lacune ed elettroni,
si trova a circa 140µm dal bordo della zona di carica spaziale lato n. Si può
quindi assumere decisamente trascurabile la densità di portatori minoritari
in eccesso alla sezione x
1
. Dunque la densità di corrente sarà data intera-
mente dalla corrente di drift dei portatori maggioritari, ovvero elettroni e
sarà circa pari alla corrente totale:
J
TOT
≈ J
n
= J
s
·
_
exp
_
qV
A
kT
_
−1
_
= 4.68
A
cm
2
.
Se si volesse invece ricavare l’esatta densità di corrente di portatori minoritari
alla sezione x
1
, essa risulterebbe J
p
≈ 80nA/cm
2
.
e. Come già introdotto al punto d, alla sezione x
1
la densità di corrente
calcolata è praticamente per intero una densità di corrente di deriva di porta-
tori maggioritari, elettroni. Si può quindi scrivere, assumendo n = N
D
come
suggerito dal testo,
J (x
1
) = J
n
≈ q · µ
n
· N
D
· E,
da cui si può calcolare E = 4.72V/cm. Come commento è sufficiente ricordare
che tale stima conferma la validità dell’approssimazione di campo nullo in
zona neutra, dato che in zona di carica spaziale il campo elettrico può essere
maggiore di quello appena stimato di circa 4 - 5 ordini di grandezza.
Esercizio 4
a. Nota la tensione di banda piatta, flat-band, V
FB
, e noto che la carica
è nulla all’interno dell’ossido, si può scrivere:
V
FB
= φ
ms
= φ
M

_
χ +
E
G
2q

fp
_
,
dove φ
fp
= V
th
· ln(N
A
/n
i
). Si noti che quest’ultima espressione per φ
fp
contiene l’incognita N
A
. Sostituendo ed eseguendo i calcoli si ottiene N
A
=
10
18
cm
−3
.
b. Nota la relazione V
T0
= V
ox
+ φ
ms
+ 2 · φ
fp
e noto che, nel caso
particolare di questo problema la carica nell’ossido è nulla, si può scrivere:
V
T0
=
|Q

SD
(max)|
C
OX
+V
FB
+ 2 · φ
fp
,
dove |Q

SD
(max)| = q · N
A
· x
depletion
= 560nC/cm
2
, φ
fp
= V
th
· ln(N
A
/n
i
) =
466mV . Essendo
C

OX
=

OX
t
OX
,
si può scrivere la seguente espressione per t
OX
:
t
OX
=

OX
· (V
T0
−V
FB
−2φ
fp
)
|Q

SD
(max)|
= 3.66nm.
c. La conduttanza di canale è la derivata prima della corrente di drain nel
limite V
DS
= 0, ovvero calcolata nell’origine degli assi della curva I
D
− V
DS
di un MOSFET operante in zona triodo. Nota la corrente del MOSFET in
zona triodo:
I
D
= µ
n
· C

OX
·
W
L
·
_
(V
GS
−V
T
) · V
DS

V
2
DS
2
_
si calcola la conduttanza di canale come la derivata prima della corrente
rispetto a V
DS
e la si valuta per V
DS
= 0, ovvero nell’origine degli assi. Si
ottiene:
G
CH
= µ
n
· C

OX
·
W
L
· (V
GS
−V
T
) .
Da questa si ricava quindi la tensione V
GS
≈ 2.5V .
Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2009/2010 – 7 Maggio 2010

Esercizio 1
Si consideri un resistore planare in Silicio (Si) avente lunghezza L e
sezione semicircolare S di diametro d (Figura 1). Il semiconduttore, le
cui proprietà sono riportate in Tabella 1, è drogato con una
concentrazione di atomi accettori N
A
.
a) Note la mobilità delle lacune µ
p
= 502 cm
2
/Vs e la conduttanza del
dispositivo G=126.3 µS, a T = 300K, calcolare la concentrazione di
droganti accettori N
A
.
b) Noti il risultato del punto a) e la corrente I

= 328 µA che scorre nel
dispositivo, calcolare il campo elettrico E applicato.

Figura 1
L = 50µm
d = 10µm

G = 126.3 µS
µ
p
= 502 cm
2
/Vs
I = 328 µA
c) Calcolare la massa efficace della lacuna, esprimendola in unità di
m
0
, noto il tempo di rilassamento τ
cp
= 10µs.

Si supponga ora che il dispositivo operi in prossimità di un motore, a
T = 420K. Considerando soltanto gli effetti di temperatura sulla mobilità
legati alle vibrazioni reticolari e assumendo per semplicità la
concentrazione di lacune invariante in temperatura,

d) Calcolare il rapporto di resistenze R(300K) / R(420K) e fornire
un breve commento del risultato ottenuto.

Proprietà del Silicio
Concentrazione intrinseca:
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Energy gap:
E
GAP
= 1.12eV
Tempo di rilassamento lacuna:
τ
cp
= 10µs

Tabella 1

Massa dell’elettrone nel vuoto:
m
0
= 9.1·10
-31
Kg
Carica dell’elettrone:
q= 1.6·10
-19
C
Costanti
Esercizio 2
Si consideri la giunzione np in Silicio rappresentata in Figura 2.
Sono noti la tensione di built-in V
BI
, il drogaggio di accettori N
A
,
le mobilità dei portatori, µ
n
e µ
p
, il tempo di vita medio delle
lacune τ
p
, le estensioni delle zone n e p, W
N
e W
P
e l’area di
giunzione A (Tabella 2).
a) Calcolare il drogaggio della regione n, N
D
, nota la tensione di
built-in, V
BI
= 0.77 V. Si tratta di una giunzione unilatera?
Motivare brevemente la risposta
b) Calcolare la tensione inversa che è necessario applicare al
diodo per avere una capacità di giunzione C = 93.6 pF.

Figura 2
Si supponga ora di applicare una tensione diretta V
D
alla
giunzione di Figura 2.
c) Nota la concentrazione di portatori minoritari alla sezione
x=-x
n
, p(-x
n
) = 2.87·10
14
cm
-3
, calcolare la tensione diretta V
D
.
d) Noto il rapporto L
n
/W
p
=100, dopo avere specificato la
validità dell’approssimazione “diodo lungo” o “diodo corto”,
calcolare il tempo di vita medio dei portatori minoritari in
zona p.
e) Calcolare la densità di corrente di lacune J
p
alla sezione
x
p
+0.5W
p
e rappresentare qualitativamente le densità di
corrente di maggioritari e minoritari nella regione neutra p.
f) Ricavare ora la relazione analitica che lega le estensioni
delle zone di carica spaziale, x
n
e x
p
, nel caso di drogaggi
non-uniformi e descritti dalle relazioni analitiche:
N
D
= - k · x per x < 0
N
A
= 2k

· x per x > 0
V
BI
= 0.77 V τ
p
= 10µs
N
A
= 10
17
cm
-3
µ
n
= 300 cm
2
/Vs
W
P
= 1µm µ
p
= 450 cm
2
/Vs
W
N
= 200µm A = 10
-2
cm
2

Tabella 2


Concentrazione intrinseca:
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Costante dielettrica del vuoto:
ε
0
= 8.85·10
-14
F/cm
Costante dielettrica relativa del Si:
ε
r-Si
= 11.7
Costante di Boltzmann:
k = 1.38·10
-23
J/K
Tensione termica:
V
th
= 25.8 mV
Carica dell’elettrone:
q = 1.6·10
-19
C

Costanti
AVVERTENZE: Risolvere PRIORITARIAMENTE i punti nei riquadri superiori relativi ad entrambi gli
esercizi; passare successivamente allo svolgimento degli altri. I punti in grassetto presentano una
difficoltà maggiore, si consiglia pertanto di svolgerli per ultimi.
Compiti scritti a matita o a penna rossa e/o corretti con bianchetto correttore non saranno valutati.
SOLUZIONE I PROVA IN ITINERE DEL 7 MAGGIO 2010
Esercizio 1
a. Noto che
R =
1
G
= ρ ·
L
S
=
1
q · p · µ
p
·
L
S
con p = N
A
e S = πd
2
/8 (sezione semicircolare), si ricava la seguente espres-
sione per N
A
:
N
A
=
8 · L · G
q · µ
p
· π · d
2
= 2 · 10
16
cm
−3
.
b. Nota la relazione che lega la densità di corrente J al campo elettrico
E:
J = q · p · µ
p
· E
e noto che p = N
A
, J = I/S = 8I/πd
2
, si può scrivere la seguente relazione
per il campo elettrico:
E =
8I
q · N
A
· µ
p
· πd
2
= 520
V
cm
.
c. Nota la relazione che lega tra loro mobilità, massa efficace e tempo di
rilassamento,
µ
p
=
q · τ
cp
m

p
da questa si ricavi m

p
,
m

p
=
q · τ
cp
µ
p
= 31.87 · 10
−36
C · V · s
2
cm
2
Per ottenere il risultato in unità di m
0
(massa dell’elettrone nel vuoto), oc-
corre trasformare l’unità di misura in kg (vedi analisi dimensionale sotto).
Si ottiene dunque:
m

p
[kg] = 318.7 · 10
−33
kg =
318.7 · 10
−33
9.1 · 10
−31
· m
0
= 0.35m
0
.
Analisi Dimensionale:
_
m

p
_
= C · V · s
2
/cm
2
= (J/m) · s
2
· m/cm
2
=
N · s
2
/10
−4
m = 10
4
· kg. La conversione introduce un fattore moltiplicativo
10
4
!
d. Noto che:
µ
LATTICE
(T) ∝ T

3
2
,
posto T
1
= 300K e T
2
= 420K, e nota la mobilità a temperatura ambiente,
µ(T
1
)
µ(T
2
)
=
_
T
1
T
2
_

3
2
,
da cui,
µ(T
2
) =
_
T
1
T
2
_
3
2
· µ(T
1
) =
_
300
420
_
3
2
· 502 = 303
cm
2
V · s
.
Dunque avremo R(300K) = 1/G = 7.917kΩ e
R(420K) =
8L
q · N
A
· µ
p
(420K) · πd
2
= 13.13kΩ.
Si ottiene quindi un rapporto R(300K) /R(420K) = 0.603.
Commento: Nell’ipotesi semplificativa che la concentrazione dei portatori
sia costante in temperatura, la resistenza elettrica del dispositivo aumenta
all’aumentare della temperatura operativa a causa di un incremento della
resistività del semiconduttore, dato da una minore mobilità dei portatori
maggioritari all’aumentare della temperatura. Tale effetto è legato ad una
maggiore agitazione termica del reticolo che aumenta la probabilità di urto
portatore / sito reticolare, diminuendo il tempo di vita medio del portatore.
Esercizio 2
a. Nota la relazione che lega la tensione di built-in e i drogaggi della
giunzione,
V
BI
=
kT
q
· ln
_
N
A
N
D
n
2
i
_
,
si ricava l’espressione per N
D
:
N
D
=
n
2
i
N
A
· exp
_
q · V
BI
kT
_
= 1.92 · 10
16
cm
−3
NON si tratta di giunzione unilatera, poichè i drogaggi, e quindi anche le
estensioni delle regioni di carica spaziale, differiscono per meno di un ordine
di grandezza.
b. Nota l’espressione per la capacità di giunzione per unità di area,
C

=
¸
q ·
Si
· N
A
N
D
2 (V
BI
+ V
R
) (N
A
+ N
D
)
,
ricaviamo C

= C/A = 9.36nF/cm
2
, dove A = 10
−2
cm
2
. Dalla formula per
C

si ottiene l’espressione per V
R
; eseguendo i calcoli risulta V
R
= 14.46V .
c. Nota la concentrazione di lacune minoritarie al bordo della zona di
carica spaziale, lato n, è sufficiente considerare l’espressione:
p (−x
n
) = p
n0
· exp
_
qV
D
kT
_
,
dove p
n0
= n
2
i
/N
D
è la concentrazione di lacune minoritarie all’equilibrio. Si
ottiene quindi:
V
D
=
kT
q
· ln
_
p (−x
n
)
p
n0
_
= 0.62V.
d. Dato che L
n
>> W
p
, infatti il testo dice che L
n
= 100 · W
p
, vale
l’approssimazione di diodo a base corta o diodo corto. A partire dalla
relazione di Einstein, si ricava il coefficiente di diffusione per gli elettroni:
D
n
=
kT
q
· µ
n
= 32.25
cm
2
s
.
Infine, nota l’espressione per la lunghezza di diffusione, L
n
=

D
n
· τ
n
, si
ottiene:
τ
n
=
L
2
n
D
n
=
(100 · W
p
)
2
D
n
= 3.1µs.
e. Nel punto d. si è verificata la validità dell’approssimazione di diodo
corto. Dunque in tale approssimazione il profilo di portatori minoritari in
zona p è lineare, ovvero la densità di corrente di minoritari in zona p è
costante. Di conseguenza è costante anche la densità di corrente di portatori
maggioritari (lacune) in zona neutra p e uguale alla densità di corrente di
lacune alla sezione −x
n
(si ricordi che la densità di corrente totale, mag-
gioritari + minoritari, è costante in tutta la giunzione pn). Quindi in zona
neutra p, si può scrivere la seguente espressione per la densità di corrente,
indipendentemente dalla posizione x:
J
MAGGIORITARI
ZONAP
= J
p
(−x
n
) =
qD
p
p
n0
L
p
·
_
exp
_
qV
A
kT
_
−1
_
= 51.6
mA
cm
2
,
dove per la relazione di Einstein, D
p
= kTµ
p
/q = 11.61cm
2
/s e L
p
=
_
D
p
τ
p
= 10.77 · 10
−3
cm.
f. In questo caso i drogaggi sono non-uniformi e lineari.
Si segue la stessa procedura seguita per ricavare l’espressione che lega le
estensioni delle zone di carica spaziale nel caso semplice di drogaggi uniformi:
Equazione di Poissòn che lega potenziale, densità di carica e campo elettrico
→ Integrazione densità di carica nelle due zone (n e p) → Campo Elettrico
→ Condizioni al contorno: annullamento del campo a bordo zona di car-
ica spaziale → Condizione di continuità del Campo Elettrico alla giunzione
metallurgica → relazione richiesta!
In simboli: in zona n, ovvero per x < 0,
N
D
(x) = −k · x →ρ (x) = −q · k · x.
Integrando per separazione delle variabili la seguente relazione:
ρ (x)

Si
=
dE (x)
dx
,
si ricava:
E (x) = −
qk

Si
·
_
xdx = −
qk

Si
·
x
2
2
+ C
1
.
Condizione al contorno: campo nullo alla sezione x = −x
n
:
E (−x
n
) = −
qk

Si
·
x
2
2
+ C
1
= 0,
da cui si ricava C
1
:
C
1
=
qk

Si
·
x
2
n
2
.
Così, nell’intervallo −x
n
< x < 0, vale la seguente relazione per il campo
elettrico:
E (x) = −
qk
2
Si
·
_
x
2
−x
2
n
_
.
allo stesso modo, in zona p, per x > 0 si ha:
N
A
(x) = 2k · x →ρ (x) = −2q · k · x;
eseguendo i medesimi passaggi con la medesima condizione al contorno di
annullamento del campo elettrico alla sezione x = x
p
, si ottiene per 0 < x <
x
p
:
E (x) = −
qk

Si
·
_
x
2
−x
2
p
_
.
Imponendo ora la condizione di continuità del campo elettrico alla giun-
zione metallurgica, ovvero per x = 0, si ottiene la relazione richiesta che lega
le estensioni delle regioni di carica spaziale:
2 · k · x
2
p
= k · x
2
n
,
cioè,
x
p
·

2 = x
n
.
Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2009/2010 – 5 Luglio 2010

Costanti Universali
Costante dielettrica del vuoto:
ε
0
= 8.85 · 10
-14
F/cm
Costante di Boltzmann:
k = 8.62·10
-5
eV/K
Massa dell’elettrone a riposo:
m
0
= 9.1 · 10
-31
kg
Tensione termica:
V
t
= 25.8 mV
Carica dell’elettrone:
q = 1.6·10
-19
C
Esercizio 1
Si consideri un semiconduttore opportunamente
drogato le cui proprietà sono riportate in Tabella 1.
a) Calcolare le concentrazioni di elettroni n
0
e
lacune p
0
all’equilibrio, sapendo che
(E
GAP
/2 - E
F
) = - 0.2 eV.
b) Assumendo come riferimento E
i
= 0 eV
(Figura 1), calcolare il livello di energia
relativo alla banda di valenza E
V
[eV],
specificare l’estensione del gap di energia
E
GAP
[eV] e rappresentare il diagramma a
bande completo e quotato.
Il dispositivo si trova ad operare in regime
criogenico immerso in azoto liquido (T=77K).
c) Calcolare il rapporto di resistività
r=ρ(300K)/ρ(77K) assumendo costanti in
temperatura E
C
, E
V
ed E
F
e considerando
tutti gli altri contributi di temperatura:
mobilità (Tabella 1) e concentrazione.
Il portatore maggioritario che si muove nel
resistore in Figura 2 sotto l’effetto di un campo
elettrico E, a T=77K, subisce in media N=100 urti.
d) Calcolare la tensione V applicata ai capi del
resistore le cui caratteristiche sono riportate
in Tabella 1, trascurando la dipendenza
della massa efficace dalla temperatura.


Figura 1.



Figura 2.


Concentrazione intrinseca:
n
i
=2·10
13
cm
-3
Densità equiv. di stati (b. conduzione):
N
C
=10
19
cm
-3

Mobilità elettroni a T=300K :
µ
n
=3500 cm
2
/Vs
Mobilità lacune a T=300K:
µ
p
=1800 cm
2
/Vs
Legge Mobilità - Temperatura:
µ = A · T
-1.14
Massa efficace dell’elettrone:
m
e
=0.08 m
0
Massa efficace della lacuna:
m
p
=0.33 m
0
Lunghezza Resistore (figura 2):
L=11.3 µm
Sezione Resistore (figura 2):
S=10
3
µm
2


Tabella 1.


Esercizio 2A
Si consideri il condensatore MOS con
substrato in Silicio drogato p rappresentato
in Figura 3.
a) Nota la tensione di flat-band
V
FB
= -0.417V calcolare il drogaggio
di substrato N
A
assumendo nulla la
carica nell’ossido, Q
ss
’.
b) Calcolare la tensione di soglia V
T0
e
rappresentare il diagramma a bande
quotato e il diagramma di
distribuzione di carica del sistema
nella condizione di soglia.



Figura 3.



Funzione lavoro Cromo:

M
=4.5eV
Affinità elettronica Silicio:
qχ=4.01eV
Gap di Energia Silicio:
E
GAP
=1.12eV
Costante dielettrica Silicio:
ε
r
= 11.7
Costante dielettrica SiO
2
:
ε
r
= 3.9
Spessore ossido:
t
OX
=15 nm
Concentr. intrinseca Silicio
n
i
=1.45·10
10
cm
-3

Tabella 2.




Esercizio 2B
Si consideri il transistore MOS rappresentato in
Figura 4, fabbricato a partire dal condensatore MOS
in Silicio (Si) in Figura 3.

a) Calcolare la conduttanza di canale del
MOSFET nel punto di lavoro V
DS
=1V, V
S
=
V
B
= 0V, V
GS
=2.8V.
b) Nella condizione V
S
= V
B
= 0V, V
DS
sat
= V
GS

– V
T0
, calcolare la tensione V
GS
tale da avere
una frequenza di cut-off del transistore pari a
f
T
= 150 MHz. Verificare se il dispositivo si
trova in regime di saturazione della velocità,
motivando la risposta.
c) Calcolare la tensione V
SB
, tale da avere una
tensione di soglia modificata per effetto del
potenziale di body pari a V
TH
= 1 V.

Figura 4.

Lunghezza L:
L = 10 µm
Larghezza W:
W = 30 µm
Spessore ossido di Gate:
t
OX
=15 nm
Mobilità elettroni di canale:
µ
n
= 850 cm
2
/ V· s
Concentraz. Intrinseca Si:
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Tabella 3.

Esercizio 3
Si consideri la giunzione pn in Silicio (Si)
rappresentata in Figura 5, di cui e` noto il drogaggio
in zona n (Tabella 3).
a) Nota la tensione di built-in, V
BI
= 0.81 V,
calcolare il drogaggio della zona p, N
A
.
b) Calcolare l’estensione totale della zona
svuotata e commentarne il risultato.
c) Noto il campo elettrico critico E
CR
=6·10
5

V/cm calcolare la tensione di breakdown
della giunzione.
Si polarizzi ora la giunzione in diretta, con una
tensione V
D
= 0.65V.
d) Dopo avere specificato per entrambe le
regioni del diodo la validità`
dell’approssimazione di diodo lungo / corto,
rappresentare in un diagramma quotato i
profili di concentrazione dei portatori
maggioritari e minoritari in eccesso per
entrambe le zone p e n, specificandone
analiticamente gli andamenti funzionali.
e) Calcolare la capacita` di diffusione C
DIFF
del
diodo.



Figura 5.
Estensione zona p:
W
p
= 500 µm
Estensione zona n:
W
n
= 500 µm
Mobilità elettroni:
µ
n
= 1350 cm
2
/V·s
Mobilità lacune:
µ
p
= 450 cm
2
/V·s
Drogaggio zona n:
N
D
= 10
18
cm
-3
Tempo di vita medio elettrone:
τ
n
=10ns
Tempo di vita medio lacuna:
τ
p
=1s
Area di giunzione:
A = 10
4
µm
2
Concentraz. Intrinseca Si:
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3

Tabella 4.

Avvertenze:
Seconda prova in itinere: svolgere esclusivamente gli esercizi 1 punti a) e b) , 2A, 2B.
Tempo: 90 minuti.
Appello completo: svolgere tutto il tema.
Tempo: 3 ore.
SOLUZIONE TEMA D’ESAME DEL 5 LUGLIO 2010
Esercizio 1
a.
n
0
= n
i
· exp

E
F
− E
i
kT

= 4.65 · 10
16
cm
−3
p
0
= n
i
· exp


E
F
− E
i
kT

= 8.6 · 10
9
cm
−3
b. Nota la relazione:
n
0
= N
C
· exp


E
C
−E
F
kT

si può scrivere:
E
C
− E
F
= −kT · ln

n
0
N
C

= 0.1385eV
Si ricava ora la distanza tra la banda di conduzione e il livello intrinseco:
E
C
− E
i
= (E
C
−E
F
) + (E
F
− E
i
) = 0.3385eV
da cui E
V
= −0.3385eV .
c. ρ (300K) = 1/ (q · n
0
· µ
n
) = 38.4 · 10
−3
Ωcm. Per calcolare ρ (77K)
occorre considerare le variazioni in temperatura della mobilità e della densità
equivalente di stati in banda di conduzione:
µ
2
= µ
1
·

T
2
T
1


1.14 = 16496
cm
2
V · s
N
C
(T
2
) = N
C
(T
1
) ·

T
2
T
1

3
2
= 1.3 · 10
18
cm
−3
Dalla seconda si può quindi ricavare n(77K) = 1.126 · 10
9
cm
−3
. Dunque
ρ (77K) = 336.5 · 10
3
Ωcm. Il rapporto richiesto vale r = 0.114 · 10
−6
.
d. per la tensione richiesta si può ricavare la seguente espressione:
V =
L
2
· q
µ
2
n
· m ∗ ·N
= 1V.
Esercizio 2A
a. Dalla relazione V
FB
= φ
ms
= φ
m
− χ − E
GAP
/2 − kT · ln(N
A
/n
i
), si
ricava il drogaggio:
N
A
= n
i
· exp

φ
m
−χ −
E
GAP
2
− V
FB
kT

= 10
16
cm
−3
.
b. La tensione di soglia si ricava con la solita formula che compare in
quasi tutti i temi d’esame!
V
T0
=
|Q

SD
(max)|
C
OX
+ V
FB
+ 2φ
fp
= 0.485V,
dove |Q

SD
(max)| = 47.94nC/cm
2
, C
OX
= 230.1nF/cm
2
e φ
fp
= 0.3468V .
Esercizio 2B
a. La conduttanza di canale si può ricavare calcolando la derivata prima
rispetto a V
DS
della corrente del transistore MOSFET in zona ohmica:
G
Channel
= µ
n
· C

OX
·
W
L
· [V
GS
−V
T0
− V
DS
] = 0.7716
mA
V
,
valutata nel punto di lavoro V
DS
= 1V .
b. La tensione V
GS
si ricava utilizzando la seguente espressione:
V
GS
= V
T0
+
2π · f
T
· L
2
µ
n
= 1.6V
Per verificare il regime di velocità dei portatori si calcoli v = µ
n
· E = µ
n
·
(V
GS
−V
T0
)/L = 0.95 · 10
6
cm/s. Il transistore è molto vicino alla condizione
di saturazione della velocità dei portatori v
sat
D
= 10
7
cm/s.
c. Dalla nota relazione che descrive l’effetto body si ricava ∆V
TH
=
0.515V ; il coefficiente di effetto body vale γ = 250.16· 10
−3
V
1
2
. Dunque dalla
relazione:


fp
+ V
SB


fp

=
∆V
TH
γ
elevando al quadrato ambo i membri e operando la sostituzione


fp
+ V
SB
=
x si ricava una equazione di secondo grado in x, avente due radici reali di cui
una negativa (da scartare). Dalla radice positiva, x = 2.8915V
1/2
si ricava
V
SB
= 7.67V .
Esercizio 3
L’esercizio 3 è molto standard, ci limitiamo pertanto a riportare soltanto
i risultati numerici.
a. N
A
= 9.07 · 10
15
cm
−3
.
b. W
TOT
= 340nm.
c. V
BD
= 128.4V .
d. zona p: diodo a base lunga; zona n: diodo a base corta n
p
(x) ∝
exp(x/L
n
) mentre p
n
(x) ∝ −x/W
n
.
e. C
DIFF
= 0.37nF.
Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2009/2010 – 20 Luglio 2010

Costanti Universali
Costante dielettrica del vuoto:
ε
0
= 8.85 · 10
-14
F/cm
Costante di Boltzmann:
k = 8.62·10
-5
eV/K
Massa dell’elettrone a riposo:
m
0
= 9.1 · 10
-31
kg
Tensione termica:
V
t
= 25.8 mV
Carica dell’elettrone:
q = 1.6·10
-19
C
Esercizio 1
Si consideri il semiconduttore GaAs le cui
proprietà sono riportate in Tabella 1.
a) Calcolare le concentrazioni di elettroni n
0
e
lacune p
0
all’equilibrio, sapendo che
(E
V
- E
F
) = - 0.712 eV e rappresentare il
diagramma a bande quotato.
b) Si supponga ora che il semiconduttore sia
drogato con atomi donori, N
D
= 10
15
cm
-3
.
Calcolare le distanze E
i
-E
F
[eV] e E
V
-E
F

[eV] e rappresentarne il diagramma a bande
completo e quotato.
Il dispositivo si trova ad operare a bordo di una
sonda spaziale che lo espone a basse temperature.
c) Calcolare il prodotto n·µ rispettivamente a
T
1
= 300K e a T
2
= 20K utilizzando il
grafico in figura 1, supponendo che il gap
si mantenga costante con la temperatura.
Il dispositivo semiconduttore ha la forma di
parallelepipedo. Esso viene illuminato ad una
estremità a partire dall’istante t=0 con generazione
di portatori in eccesso in x=0, p’(0)=10
14
cm
-3
.
d) Ricavare l’espressione che ne descrive il
profilo di concentrazione in condizioni
stazionarie, a T=300K e con campo
elettrico applicato nullo e rappresentare in
un diagramma quotato i profili di portatori
maggioritari e minoritari nel blocchetto.


Figura 1. Mobilità degli elettroni in funzione di T per
diverse concentrazioni di drogante donore nel GaAs.


Gap di Energia GaAs
E
GAP
=1.424 eV
Concentrazione intrinseca:
n
i
= 2.1·10
6
cm
-3
Densità equiv. di stati (b. valenza):
N
V
= 9 ·10
18
cm
-3

Mobilità elettroni a T=300K :
µ
n
= 8500 cm
2
/Vs
Mobilità lacune a T=300K:
µ
p
= 400 cm
2
/Vs
Tempo rilassamento lacuna:
τ
p
= 35 ps

Lunghezza parallelepipedo :
L = 600 µm
Tabella 1.

Esercizio 2
Si consideri la giunzione np in Silicio (Si) di cui sono
noti alcuni parametri del diagramma a bande (Figura
2) e alcune proprietà (Tabella 2).
a) Calcolare i drogaggi di entrambe le zone N
D
ed N
A
e la tensione di built-in della giunzione.
b) Calcolare l’estensione totale della zona
svuotata e il rapporto tra questa e l’estensione
della zona svuotata a lato p e commentare
brevemente il risultato.
Si polarizzi la giunzione con una tensione inversa V
R

= 15 V.
c) Calcolare il campo elettrico massimo E
MAX
.
d) Calcolare la capacità di giunzione C
J
.

Figura 2.
La giunzione è ora modificata mediante
l’introduzione, tra le due regioni p ed n, di una
regione di silicio non drogato (intrinseco) a formare
un foto-rivelatore p-i-n (figura 3).

e) Calcolare l’estensione della zona svuotata
quando il dispositivo è polarizzato in inversa
con una polarizzazione V
R
=15 V, nota
l’estensione della regione intrinseca
W=100µm.

f) Calcolare il campo elettrico massimo e la
capacità di giunzione confrontandone
criticamente i valori con quanto ottenuto nei
punti c) – d) e rappresentare in un grafico
quotato il campo elettrico in tutto il
dispositivo.
Estensione zona p e zona n:
W
p
= W
n
= 500 µm
Mobilità elettroni:
µ
n
= 1350 cm
2
/V·s
Mobilità lacune:
µ
p
= 450 cm
2
/V·s
Tempo di vita medio elettrone:
τ
n
= 1 ns
Tempo di vita medio lacuna:
τ
p
= 0.5 ns
Area di giunzione:
A = 10
4
µm
2
Gap di energia del Silicio
E
GAP
= 1.12 eV
Concentraz. Intrinseca Silicio:
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3
Costante dielettrica Silicio:
ε
r
= 11.7
Densità eq. Stati in b. di valenza
N
V
=1.8·10
19
cm
-3

Tabella 2.


Figura 3.

Esercizio 3
Si consideri il condensatore MOS con
substrato in Silicio drogato p rappresentato
in Figura 3.
a) Noti il drogaggio di substrato
N
A1
=2·10
16
cm
-3
e il potenziale di
flat-band, V
FB
= -0.604 V specificare
quale metallo si deve utilizzare come
gate (specificandolo tra quelli in
Tabella 2), assumendo la carica
presente all’interfaccia ossido-silicio
Q
ss
’=0.
b) Calcolare la tensione di soglia e
l’estensione della zona di carica
spaziale a soglia.
c) Valutare quanto varia la tensione di
soglia supponendo che la carica
all’interfaccia ossido-silicio sia pari
a Q
ss
’=10
11
cm
-2
.


Figura 4.
Metalli di Gate
Funzione lavoro Cromo:

M
=4.5 eV
Funzione lavoro Argento:

M
=4.26 eV
Funzione lavoro Alluminio:

M
=4.28 eV
Funzione lavoro Titanio:

M
=4.33 eV
Funzione lavoro Oro:

M
=5.1 eV
Funzione lavoro Tungsteno:

M
=4.55 eV
********************** **************
Affinità elettronica Silicio:
qχ=4.01eV
Gap di Energia Silicio:
E
GAP
=1.12eV
Costante dielettrica Silicio:
ε
r
= 11.7
Costante dielettrica SiO
2
:
ε
r
= 3.9
Spessore ossido:
t
OX
=15 nm
Concentr. intrinseca Silicio:
n
i
=1.45·10
10
cm
-3
W/L (MOSFET):
W/L = 3
Mobilità elettroni di canale:
µ
n
=950cm
2
/V·s

Tabella 2.
La struttura del condensatore di Figura 4
viene modificata aggiungendo una regione
drogata p
+
, N
A2
=5·10
18
cm
-3
(vedi Figura 5).
d) Calcolare la tensione di built-in della
giunzione p-p
+
e rappresentarne il
diagramma a bande qualitativo.
Il transistore MOSFET in Figura 6 ha una
conduttanza di canale pari a
G
ch
= 1.2 mA/V per V
B
=V
S
= 0, nel punto di
lavoro V
DS
= 0.
e) Noto il risultato del punto b),
calcolare la tensione V
GS
in tali
condizioni operative.

Figura 5.



Figura 6.
VIETATO usare matite, penne rosse, bianchetto correttore.
Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel punteggio!!!
Tempo a disposizione: 3 ore BUON LAVORO!
SOLUZIONE TEMA D’ESAME DEL 20 LUGLIO 2010
Esercizio 1
a.
p
0
= N
V
· exp


E
F
− E
V
kT

= 9.31 · 10
6
cm
−3
e per la legge di azione di massa,
n
0
=
n
2
i
p
0
= 4.73 · 10
5
cm
−3
b. Nota la relazione:
n
0
= N
D
= n
i
· exp

E
F
− E
i
kT

si può scrivere:
E
F
−E
i
= kT · ln

N
D
n
i

= 0.5155eV
Allo stesso modo, ricavando mediante la legge di azione di massa la densità
di lacune all’equilibrio, si può applicare:
E
V
−E
F
= kT · ln

p
0
N
V

= −1.266eV
da cui E
C
− E
F
= E
GAP
− (E
F
−E
V
) = 0.158eV
c. A temperatura ambiente il prodotto vale:
n · µ = 8.5 · 10
18
cm
−1
V · s
Per ricavare il prodotto a 20K, occorre considerare la seguente:
n(20K) = N
C
(20K) · exp


E
C
− E
F
kT
2

.
è quindi necessario ricavare N
C
a T
2
= 20K a partire da N
C
a T
1
= 300K:
n(300K) = N
C
(300K) · exp


E
C
− E
F
kT
1

da cui si ottiene N
C
(300K) = 4.6· 10
17
cm
−3
. Ora, mediante la nota relazione
si ricava N
C
(20K):
N
C
(T
2
)
N
C
(T
1
)
=

T
2
T
1

3
2
,
da cui N
C
(T
2
) = 7.92·10
15
cm
−3
. Infine si può facilmente ricavare: n(20K) =
1.25 · 10
−24
cm
−3
; dal grafico si legge µ(20K) = 4 · 10
4 cm
2
V ·s
. Da questi ultimi
risultati si può calcolare il prodotto P(20K) = 5 · 10
−20 cm
−1
V ·s
.
d. è richiesta l’espressione che descrive il profilo di concentrazione di
portatori in eccesso a temperatura ambiente e con campo nullo. Si consideri
l’espressione completa:
D
p
·

2
p

∂x
2
+ µ
p
· E ·
∂p

∂x
+ g


p

τ
p
=
∂p

∂t
.
L’espressione nelle condizioni dettate dal testo diventa la seguente:

2
p

∂x
2

p

D
p
· τ
p
= 0,
con L
p
=

D
p
· τ
p
= 0.19µm. Nel grafico dovrà essere anche riportato il
profilo di portatori maggioritari in eccesso.
Esercizio 2
a. Drogaggi e tensione di built-in.
N
D
= n
i
· exp

E
F
− E
i
kT

= 10
17
cm
−3
N
A
= N
V
· exp


E
F
−E
V
kT

= 10
15
cm
−3
,
dove (in quest’ultima) E
F
−E
V
= E
GAP
−(E
C
− E
F
).La tensione di built-in,
noti i drogaggi, è:
V
BI
= V
t
· ln

N
A
· N
D
n
2
i

= 0.694V.
b. Dato lo sbilanciamento dei drogaggi, si può già affermare che la giun-
zione è unilatera di tipo n
+
p. Dunque, per il calcolo dell’estensione totale
della zona svuotata e della zona p si possono utilizzare le espressioni sem-
plificate:
W
TOT

2 ·
s
· V
BI
q · N
A
= 948nm.
La medesima espressione si applica alla zona p. Dunque il rapporto approssi-
mato W
TOT
/x
p
≈ 1.
c. Campo elettrico max.
E
MAX
= −
2 (V
BI
+ V
R
)
W
TOT
= −6.96 · 10
4
V
cm
,
dove W
TOT
= 4.5µm, accendendo la polarizzazione inversa.
d. Capacità di giunzione.
C
J
= C

J
· Area = 230fF,
dove C

J
=
s
/W
TOT
= 2.3nF/cm
2
.
e. La regione intrinseca del foto-rivelatore pin risulta completamente
svuotata, pertanto l’estensione totale della regione svuotata risulta W
TOT
=
W
i
+ W
puntoc
= 100µm+ 4.5µm = 104.5µm.
f. Il campo elettrico risulta costante in tutta la regione intrinseca e pari
a:
E
MAX
= −
2 (V
BI
+ V
R
)
W
TOT
= 2.8 · 10
3
V
cm
.
La capacità di giunzione, secondo la formula citata sopra, risulta C
J
= 10fF,
con C

J
= 99pF/cm
2
.
Esercizio 3
a. Metallo di gate. Si applichi la nota formula:
φ
m
= V
FB
+ χ +
E
GAP
2q
+ φ
fp
= 4.33eV,
dove φ
fp
= V
t
· ln

N
A1
n
i

= 0.364V . Il metallo di gate è TITANIO.
b. Tensione di soglia. Si applichi la nota formula:
V
T
=
|Q

SD
(max)|
C

OX
+ V
FB
+ 2φ
fp
= 0.426V,
dove |Q

SD
(max)| = q · N
A
· x
d−TOT
= 69.44nC/cm
2
, C
OX
=
OX
/t
OX
=
230.1nF/cm
2
. Estensione totale della zona svuotata: si applichi la seguente:
x
d−TOT
=

4 ·
S
· φ
fp
q · N
A
= 217nm.
c. La presenza di carica all’interfaccia ossido-silicio modifica la tensione
di Flat-Band:
V

FB
= φ
ms

Q

ss
C

OX
= −0.674V.
La soglia risulterà di conseguenza modificata e risulterà: V
T
= 0.356V .
d. Tensione di built in giunzione pp
+
:
V
BI
= kT · ln

N
A2
N
A1

= 0.142V.
e. Nota la conduttanza di canale e l’espressione per la corrente in zona
ohmica (che non riportiamo), si calcoli la derivata della corrente rispetto a
V
DS
e la si valuti per V
DS
= 0 (condizione operativa nota) e si metta in
evidenza la V
GS
:
V
GS
= V
T
+
G
CH
µ
n
· C

OX
·
W
L
= 2.25V.
Dispositivi Elettronici – Ingegneri
Costante dielettrica del vuoto:
Costante di Boltzmann:
Massa dell’elettrone a riposo:
Tensione termica:
Carica dell’elettrone:
Esercizio 1
Si consideri un dispositivo in Silicio drogato
proprietà sono riportate in Tabella 1.
a) Calcolare le concentrazioni di elettroni n
lacune p
0
all’equilibrio, sapendo che
(E
i
- E
F
) = - 0.406 eV e specificare il tipo
di drogaggio (p oppure n).
b) Utilizzando il grafico in Fig. 1 calcolare la
mobilità e il tempo medio di scattering
portatori maggioritari, nota la massa
efficace (spiegare bene i passaggi
Il dispositivo è un resistore planare ottenuto per
diffusione di droganti dalla superficie,
sezione un trapezio isoscele con larghezza in
superficie B, larghezza diffusa nel bulk
profondità di diffusione h e lunghezza L
inserto in Fig. 1 e Tab. 1a).
c) Calcolare la resistenza R del resistore
temperatura ambiente.
d) Spiegare brevemente (non più di 5 righe
posizione attesa del livello di Fermi nel
semiconduttore termostatato a T=0K.
Larghezza in superficie:
B = 3 µm
Larghezza di bulk :
b = 1.44 µm
Profondità di diffusione :
h

= 450 nm
Lunghezza :
L

= 127µm



Tabella 1a. Caratteristiche del resistore.

Esercizio 2 (continua a pagina 2)
Si consideri una giunzione pn planare in Silicio
Sono noti, per la regione p, E
F
-E
V
=252.8
la regione n, E
C
-E
F
=208.2 meV.
a) Calcolare i drogaggi delle zone p
e rappresentare il diagramma a bande
completo e quotato della giunzione
b) Calcolare la tensione di built-in e
delle zone svuotate a lato p e n.
La giunzione è polarizzata con una tensione inversa
V
R
.
c) Noto il campo elettrico massimo alla
giunzione metallurgica E
MAX
=8
Ingegneria Elettronica – AA 2009/2010 – 6 Settembre

Costanti Universali
Costante dielettrica del vuoto:
ε
0
= 8.85 · 10
-14
F/cm
Costante di Boltzmann:
k = 8.62·10
-5
eV/K
Massa dell’elettrone a riposo:
m
0
= 9.1 · 10
-31
kg
V
t
= 25.8 mV
Carica dell’elettrone:
q = 1.6·10
-19
C
Silicio drogato le cui
le concentrazioni di elettroni n
0
e
all’equilibrio, sapendo che
e specificare il tipo
calcolare la
scattering dei
, nota la massa
bene i passaggi).
ottenuto per
avente per
larghezza in
fusa nel bulk b,
e lunghezza L (vedi
del resistore a
non più di 5 righe) la
posizione attesa del livello di Fermi nel
semiconduttore termostatato a T=0K.

Figura 1. Resistività ρ del Silicio in funzione della
concentrazione di impurità N a 300K.

3 µm
1.44 µm

450 nm
127µm

Caratteristiche del resistore.
Gap di Energia Si
Concentrazione intrinseca Si:
Densità equiv. di stati (b.valenza):
Densità equiv. di stati (b.conduzione):
Massa efficace elettrone:
Massa efficace lacuna:
Tabella 1. Proprietà del Silicio.
(continua a pagina 2)
in Silicio (Si).
252.8 meV, e per
p e n, N
A
e N
D

e rappresentare il diagramma a bande
completo e quotato della giunzione.
e l’estensione
con una tensione inversa
massimo alla
=8·10
4
V/cm,



Figura 2.
Settembre 2010

del Silicio in funzione della
concentrazione di impurità N a 300K.
E
GAP
=1.12 eV
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3
N
V
= 1.8 ·10
19
cm
-3

N
C
= 3.2 ·10
19
cm
-3

m
n
*

= 0.45 m
0
m
p
*

= 0.95 m
0
Proprietà del Silicio.

.
calcolare la tensione V
R
applicata.
d) Calcolare la capacità di giunzione per unità di
area, C’
J
.
Si consideri ora la giunzione polarizzata in diretta
con una tensione V
D
=0.62 V.
e) Dopo avere specificato e giustificato
validità dell’approssimazione di
diodo lungo, scrivere le espressioni e
disegnare in un diagramma quotat
concentrazione dei portatori m
diodo.
f) Calcolare la densità di corrente di portatori
minoritari al bordo della zona di carica
spaziale a lato n.



Esercizio 3
Si consideri il condensatore MOS co
substrato in Silicio drogato p rappresentato
in Figura 3.
a) Determinare il drogaggio N
A

substrato in modo tale che
|Q’
SD
(max)|=115·10
-9
C/cm
2
.

b) Nota la tensione di flat-band
V
FB
= -0.57 V, calcolare la tensione
di soglia V
T0
.

c) Calcolare il potenziale di superficie
φ
S
nella condizione di soglia
disegnare il diagramma a bande
quotato nella sola regione del
semiconduttore in tale condizione.

Il transistore MOSFET in Figura
polarizzato con una V
GS
=2.2V.
d) Nota la tensione di soglia (calcolata
nel punto b), calcolare la
conduttanza di canale nel punto di
lavoro V
DS
= 0.1 V.
e) Calcolare la frequenza di taglio
velocità media di deriva dei portatori
nel canale supponendo il transistore
operante in zona satura, con
V
DS
sat
=V
GS
-V
T0
. Il transistore opera
in regime di saturazione della
velocità? (motivare la risposta)

VIETATO usare matite, penne rosse, bianchetto correttore.
Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel
Tempo a disposizione: 3 ore
applicata.
di giunzione per unità di
polarizzata in diretta
e giustificato la
validità dell’approssimazione di diodo corto o
scrivere le espressioni e
disegnare in un diagramma quotato i profili di
portatori minoritari nel
Calcolare la densità di corrente di portatori
minoritari al bordo della zona di carica
Estensione zona p e zona n:
Mobilità elettroni:
Mobilità lacune:
Tempo di vita medio elettrone:
Tempo di vita medio lacuna:
Area di giunzione:
Gap di energia del Silicio
Concentraz. Intrinseca Silicio:
Costante dielettrica Silicio:
Densità eq. Stati in b. di valenza:
Densità eq. Stati in b. di conduzione:

Tabella 2
Si consideri il condensatore MOS con
rappresentato
del
substrato in modo tale che
band
, calcolare la tensione
Calcolare il potenziale di superficie
soglia e
disegnare il diagramma a bande
regione del
in tale condizione.


Figura 3.
Proprietà
Affinità elettronica Silicio
Gap di Energia Silicio:
Costante dielettrica Silicio
Costante dielettrica SiO
2
:
Spessore ossido:
Concentr. intrinseca Silicio:

W MOSFET:
L MOSFET:
Mobilità elettroni di canale:



Tabella 3
Figura 4 è
Nota la tensione di soglia (calcolata
nel punto b), calcolare la
conduttanza di canale nel punto di
e la
dei portatori
supponendo il transistore
operante in zona satura, con
. Il transistore opera
in regime di saturazione della


Figura 4.
usare matite, penne rosse, bianchetto correttore.
Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel punteggio!!!
BUON LAVORO!
W
p
= W
n
= 750 µm
µ
n
= 1350 cm
2
/V·s
µ
p
= 450 cm
2
/V·s
τ
n
= 0.3 µs
τ
p
= 180 ns
A = 10
4
µm
2
E
GAP
= 1.12 eV
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3
ε
r
= 11.7
N
V
=1.8·10
19
cm
-3
Densità eq. Stati in b. di conduzione:
N
C
=3.2·10
19
cm
-3

Tabella 2.
Proprietà
Affinità elettronica Silicio:
qχ=4.01eV
E
GAP
=1.12eV
Costante dielettrica Silicio:
ε
r
= 11.7
:
ε
r
= 3.9
t
OX
=12 nm
Concentr. intrinseca Silicio:
n
i
=1.45·10
10
cm
-3
W=35µm
L =10µm
Mobilità elettroni di canale:
µ
n
=960cm
2
/V·s




Tabella 3.

SOLUZIONE TEMA D’ESAME DEL 6 SETTEMBRE 2010
Esercizio 1
a.
n
0
= n
i
· exp

E
F
− E
i
kT

= 10
17
cm
−3
p
0
= n
i
· exp


E
F
− E
i
kT

= 2.1 · 10
3
cm
−3
b.
Dal grafico si ricava la resistività dal drogaggio: ρ = 0.1Ω cm. Si ricava
quindi la mobilità:
µ
n
=
1
q · N
D
· ρ
= 625
cm
2
V · s
Dalla mobilità si ricava, nota la massa efficace, il tempo medio di scattering:
τ =
µ
n
· m

n
q
= 0.16ps
c.
R = ρ ·
L
S
= ρ ·
2L
(B + b) · h
= 127kΩ
d.
Per T = 0K il livello di fermi si troverà in prossimità del livello dei
donori: infatti gli elettroni introdotti nel sistema dagli atomi donori, allo
zero assoluto, risultano localizzati e legati all’atomo donore stesso, ovvero
l’atomo donore non è ionizzato. Gli elettroni non sono quindi delocalizzati
in banda di conduzione, ma tutti legati al proprio atomo e pertanto il livello
di Fermi è appena sopra il livello dei donori, molto vicino alla banda di
conduzione.
Esercizio 2
a.
N
D
= N
C
· exp


E
C
− E
F
kT

= 10
16
cm
−3
N
A
= N
V
· exp


E
F
− E
V
kT

= 10
15
cm
−3
b.
V
bi
= 0.634V
(la formula è nota!) Per calcolare l’estensione delle zone svuotate a lato
n e p non si possono usare le formule semplificate perchè la giunzione non
è unilatera: tra i drogaggi c’è soltanto un ordine di grandezza. Risultano
rispettivamente x
n
= 86.4nm e x
p
= 864nm
c.
|V
bi
+ V
R
| =

s
· E
2
MAX
2q
·
N
A
+ N
D
N
A
· N
D
= 22.78V
d.
C

=
dQ

dV
R
= ... =

q
s
N
A
N
D
2 (V
bi
+ V
R
) (N
A
+ N
D
)
= 1.8
nF
cm
2
e.
Grazie alla relazione di Einstein si ricavano i coefficienti di diffusione
nelle due regioni: D
n
= 34.83 cm
2
/s e D
p
= 11.61 cm
2
/s; successivamente
si ricavano le lunghezze di diffusione dei minoritari nella rispettiva zona di
competenza, ovvero elettroni minoritari in zona p e lacune minoritarie in
zona n: L
n
= 32.3 µm e L
p
= 14.45 µm. Il diodo risulta quindi lungo da
entrambi i lati.
f.
Si tratta delle lacune minoritarie a bordo zona di carica spaziale, lato
n: omettiamo la scrittura della semplice espressione analitica. Il risultato è:
J
p
= 738.5mA/cm
2
.
Esercizio 3
a.
Metodo Trial and Error che utilizza le seguenti equazioni:
|Q

SD
(max)| = q · N
A
· x
dTOT
x
dTOT
=

2
s
φ
s
qN
A
=

4
s
φ
fp
qN
A
φ
fp
=
kT
q
· ln

N
A
n
i

Combinando queste tre equazioni si ottiene la seguente, da iterare fino ad
ottenere un risultato numerico stabile con il numero di iterazioni:
N
(i+1)
A
= f

N
(i)
A

.
In quattro iterazioni risulta N
A
= 5.13 · 10
16
cm
−3
.
b.
La formula della tensione di soglia è nota! Ci limitiamo a scrivere il
risultato: V
T0
= 0.608 V.
c.
Il potenziale di superficie nella condizione di soglia è pari al doppio del
potenziale di substrato: φ
s
= 2φ
fp
= 0.778 V.
d.
La conduttanza / resistenza di canale è una domanda molto ricorrente,
pertanto ci limitiamo a riportare il risultato: G
CH
= 1.44 mA/V .
e.
La frequenza di taglio risulta f
T
= µ
n
(V
GS
− V
T
) / (2πL
2
) = 243 MHz.
La velocità media di deriva dei portatori è v
D
= µ
n
(V
GS
−V
T
) /L = 1.53 · 10
6
cm/s.
Il transistore non opera in regime di saturazione della velocità.
Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2009/2010 – 7 Febbraio 2011

Costanti Universali
Costante dielettrica del vuoto:
ε
0
= 8.85 · 10
-14
F/cm
Costante di Boltzmann:
k = 1.38·10
-23
J/K
Massa dell’elettrone a riposo:
m
0
= 9.1 · 10
-31
kg
Tensione termica (T=300K):
V
t
= 25.8 mV
Carica dell’elettrone:
q = 1.6·10
-19
C
Esercizio 1
Si consideri il diagramma a bande di un dispositivo
a semiconduttore (Silicio) estrinseco, rappresentato
nell’inserto di Figura 1.
a) Noto che (E
C
–E
F
)=0.25·(E
F
–E
Fi
), calcolare
la densità di portatori maggioritari e
minoritari all’equilibrio, a T=300K.
b) Utilizzando il grafico in Figura 1 calcolare
il tempo medio di scattering dei portatori
maggioritari, nota la massa efficace.
Il dispositivo è un resistore avente per proiezione
in pianta un trapezio isoscele con lunghezza del
contatto inferiore A, lunghezza del contatto
superiore B, spessore t e lunghezza H (vedi Figura
1a).
c) Calcolare la conducibilità σ del
semiconduttore.
d) Calcolare la resistenza R del resistore,
sapendo che la sua larghezza L in funzione
della lunghezza h è L(h)=A+(B-A)·(h/H).


Figura 1. Mobilità dei portatori maggioritari nel Silicio
in funzione della concentrazione di impurità N a 300K.


Figura 1a. Caratteristiche del resistore.
B = 1.5 µm
A = 4 µm

t

= 450 nm
H

= 100µm

Gap di Energia Si
E
GAP
=1.12 eV
Concentrazione intrinseca Si:
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3
Densità equiv. di stati (b.valenza):
N
V
= 1.8 ·10
19
cm
-3

Densità equiv. di stati (b.conduzione):
N
C
= 3.2 ·10
19
cm
-3

Massa efficace (elettrone):
m
n
*

= 0.83 m
0


Tabella 1. Proprietà del Silicio.

Esercizio 2 (continua a pagina 2)
Si consideri una giunzione pn in Silicio (Si). Sono
noti i drogaggi per la regione p, N
A
=10
17
cm
-3
, e per
la regione n, N
D
=2·10
19
cm
-3
.
a) Calcolare il potenziale di built-in,
l’estensione delle zone di carica spaziale e
specificare il tipo di giunzione.
La giunzione è polarizzata con una tensione inversa
V
R
.
b) Calcolare il campo elettrico massimo alla
giunzione metallurgica E
MAX
, nota la tensione
inversa V
R
=15V applicata.
c) Calcolare la capacità di giunzione per unità di
area, C’
J
nella giunzione polarizzata in
inversa come nel punto b).



Figura 2. Giunzione pn in Silicio
E
C
E
V
E
F
Energia [eV]
E
Fi
A
B
L(h)
h
H
h=0
p n
N
A
N
D
W
N
W
P
Si consideri ora la giunzione polarizzata in diretta
con una tensione V
D
=0.62 V.
d) Specificare per entrambe le regioni p ed n
ci si trova nell’approssimazione di
lungo o diodo corto, commentando
brevemente (max 4 righe) il risultato.
e) Calcolare la corrente di saturazione inversa
della giunzione polarizzata in diretta.
f) Calcolare la densità di portatori minoritari al
bordo della zona di carica spaziale a lato n
lato p e disegnare il profilo qualitativo
portatori minoritari in entrambe le regioni



Esercizio 3
Si consideri il condensatore MOS co
substrato in Silicio drogato p rappresentato
in Figura 3.
a) Determinare il drogaggio N
A

substrato in modo tale che la densità
di carica di svuotamento nel
semiconduttore a soglia sia pari a:
|Q’
SD
(max)|=104·10
-9
C/cm
2
.

b) Nota la tensione di soglia
V
T0
=0.73V, calcolare il potenziale di
flat-band V
FB
.


Il transistore MOSFET in Figura
polarizzato con una V
GS
=2.8V.
c) Nota la tensione di soglia (dato del
punto b), calcolare la resistenza
canale nel punto di lavoro V
DS
= 0
commentando brevemente il
risultato ottenuto.
d) Calcolare la soglia del MOSFET
modificata per effetto body
seguito all’applicazione di una
tensione V
SB
=7.5 V.

VIETATO usare matite, penne rosse, bianchetto correttore.
Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel punteggio!!!

Tempo a disposizione: 3 ore
polarizzata in diretta
per entrambe le regioni p ed n se
ci si trova nell’approssimazione di diodo
, commentando
) il risultato.
Calcolare la corrente di saturazione inversa I
s

in diretta.
di portatori minoritari al
bordo della zona di carica spaziale a lato n e a
qualitativo dei
ntrambe le regioni.
Estensione zona n:
Estensione zona p:
Mobilità elettroni:
Mobilità lacune:
Tempo di vita medio elettrone:
Tempo di vita medio lacuna:
Area di giunzione:
Gap di energia del Silicio
Concentraz. Intrinseca Silicio:
Costante dielettrica Silicio:
Densità eq. Stati in b. di valenza:
Densità eq. Stati in b. di conduzione:

Tabella 2
Si consideri il condensatore MOS con
rappresentato
del
la densità
di carica di svuotamento nel
sia pari a:
soglia
, calcolare il potenziale di


Figura 3.
Proprietà
Affinità elettronica Silicio
Gap di Energia Silicio:
Costante dielettrica Silicio
Costante dielettrica SiO
2
:
Spessore ossido:
Concentr. intrinseca Silicio:

W MOSFET:
L MOSFET:
Mobilità elettroni di canale:



Tabella 3
Figura 4 è
dato del
resistenza di
= 0V,
commentando brevemente il
la soglia del MOSFET
body in
di una


Figura 4. Transistore MOSFET
usare matite, penne rosse, bianchetto correttore.
Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel punteggio!!!
Tempo a disposizione: 3 ore
p - Si
n
+
Body
Gate
Source
+
-
V
SB
Solo
punto d)
W
n
= 221 µm
W
p
= 100 µm
µ
n
= 1005 cm
2
/V·s
µ
p
= 408 cm
2
/V·s
τ
n
= 0.3 µs
τ
p
= 180 ns
A = 2·10
4
µm
2
E
GAP
= 1.12 eV
n
i
= 1.45·10
10
cm
-3
ε
r
= 11.7
N
V
=1.8·10
19
cm
-3
Densità eq. Stati in b. di conduzione:
N
C
=3.2·10
19
cm
-3

Tabella 2.
Proprietà
Affinità elettronica Silicio:
qχ=4.01eV
E
GAP
=1.12eV
Costante dielettrica Silicio:
ε
r
= 11.7
:
ε
r
= 3.9
t
OX
=12 nm
Concentr. intrinseca Silicio:
n
i
=1.45·10
10
cm
-3
W=10µm
L =2.6µm
canale:
µ
n
=1000cm
2
/V·s




Tabella 3.

Transistore MOSFET
n
+
Body
Gate
Drain
SOLUZIONE TEMA D’ESAME DEL 7 FEBBRAIO 2011
Esercizio 1
a.
Note le espressioni E
C
− E
F
= 1/4 (E
F
− E
Fi
) (dato) e (E
C
− E
F
) +
(E
F
− E
Fi
) = E
GAP
/2 (diagramma a bande), si può scrivere la seguente:
E
C
− E
F
=
1
4
·
E
GAP
2

1
4
· (E
C
− E
F
)
Da questa si ottiene E
C
− E
F
= E
GAP
/10, da sostituire nella seguente:
n = N
C
· exp
_

E
C
− E
F
kT
_
= 4.17 · 10
17
cm
−3
.
Ora per la legge di azione di massa
p =
n
2
i
n
= 5.04 · 10
2
cm
−3
.
b.
Dal grafico si ricava la mobilità: µ
n
= 400 cm
2
/ (V · s) Con la seguente
si ricava il tempo medio di scattering:
τ =
m

n
· µ
n
q
= 189 fs
c.
σ = qµ
n
N
D
= 26.68 Ω
−1
cm
−1
d.
La sezione del resistore non è costante: pertanto è necessario integrare la
sezione variabile lungo la lunghezza H del dispositivo:
R = ρ ·
_
H
0
dh
t ·
_
A+ (B − A) ·
h
H
_
=
ρH
t · (A− B)
ln
_
A
B
_
= 32.67 kΩ
in cui naturalmente ρ = 1/σ calcolato al punto precedente.
Esercizio 2
Questo esercizio è standard, pertanto ci limitiamo a riportare soltanto i
risultati numerici. a.
V
BI
=
kT
q
· ln
_
N
A
N
D
n
2
i
_
= 0.95 V
x
n
= 55 · 10
−9
cm = 0.553 nm
x
p
= 110.6 nm
b.
E
MAX
= 7.3 · 10
5
V
cm
c.
C

j
= 22.7
nF
cm
2
d.
Grazie alla relazione di Einstein si possono ricavare i coefficienti di dif-
fusione dei minoritari: D
n
= 25.93 cm
2
/s e D
p
= 10.53 cm
2
/s. Suc-
cessivamente si calcolano le lunghezze di diffusione dei portatori minori-
tari nelle zone opposte al loro segno: L
n
= 2.79 · 10
−3
cm = 27.9 µm e
L
p
= 1.376 · 10
−3
cm = 13.76 µm.
Il diodo è dunque approssimabile a BASE LUNGA in entrambe le zone.
e.
La corrente di saturazione inversa della giunzione polarizzata in diretta
è: I
S
= 0.63 fA.
f.
Le densità di minoritari a bordo zona di carica spaziale risultano: p
n
(x
n
) =
2.87 · 10
11
cm
−3
e n
p
(−x
p
) = 5.74 · 10
13
cm
−3
Esercizio 3
a.
Metodo Trial and Error che utilizza le seguenti equazioni:
|Q

SD
(max)| = q · N
A
· x
dTOT
x
dTOT
=
¸
2
s
φ
s
qN
A
=
¸
4
s
φ
fp
qN
A
φ
fp
=
kT
q
· ln
_
N
A
n
i
_
Combinando queste tre equazioni si ottiene la seguente, da iterare fino ad
ottenere un risultato numerico stabile con il numero di iterazioni:
N
(i+1)
A
= f
_
N
(i)
A
_
.
In cinque iterazioni, partendo dalla guess iniziale N
(1)
A
= 10
17
cm
−3
(val-
ore scelto arbitrariamente: si potrebbe scegliere anche un valore iniziale di-
verso - fate prove con valori diversi!), il drogaggio converge al valore stabile
N
(5)
A
= 4.25 · 10
16
cm
−3
.
b.
Ci limitiamo a riportare il risultato numerico: V
FB
= −0.4 V .
c.
Anche questo è un esercizio molto gettonato negli ultimi temi d’esame e
anche qui ci limitiamo a riportare il risultato numerico: R
CH
= 436 Ω.
d.
Qui è necessario calcolare il parametro di effetto body γ =

2q
s
N
A
/C
OX
e successivamente:
∆V
TH
= γ ·
__

fp
+ V
SB

_

fp
_
= 0.824V
Dunque,
V
TH
= V
TH0
+ ∆V
TH
= 1.55V
Si ha quindi un incremento della tensione di soglia per effetto body.

.

.

.

.

e) Sia VSB= 0V.a. Trascurando la variazione della tensione di soglia lungo il canale.b e realizzato a partire dalla struttura di Figura 2. g) Calcolare la tensione che è necessario applicare fra Body e Gate per avere campo elettrico nullo nell’ossido. Calcolare la tensione VGS che è necessario applicare fra Source e Gate per ottenere una conduttanza di canale GCH = 1 mA/V. e VGS= 2.05 eV NA1= 7*1016 cm-3 NA2= 1018 cm-3 tOx= 15 nm tSi1= 400 µm tSi2= 100 µm Figura 2.c Concentrazione intrinseca Tensione termica Carica dell’elettrone Densità di stati equivalente in banda di conduzione Costante dielettrica del Si Costante dielettrica dell’Ossido Tabella 2.a ND= 1018 cm-3 L= 10 µm W= 30 µm μn= 600 cm2/Vs Figura 2. calcolare la tensione VDS che è necessario applicare affinché la carica mobile al Drain sia la metà di quella al Source. Calcolare la tensione VGB che è necessario applicare fra Body e Gate per ottenere una conduttanza di canale GCH = 1 mA/V. d) Sia VSB= 0V e VDS= 0V. Gli altri parametri della struttura sono riportati nella Tabella 2. dei campi D(x) ed E(x).b.05 eV NA= 7*1016 cm-3 tOx= 15 nm tSi= 500 µm Figura 2. Di tale materiale è nota la densità di stati equivalenti in banda di valenza NV e la concentrazione di drogante accettore NA.c.1 eV qχ= 4.a. c) Calcolare la densità di stati equivalenti in banda di conduzione NC. le cui proprietà sono riportate nella Tabella 2.81*1019 cm-3 εSi= 1 pF/cm εOx= 1/3 pF/cm .8mV q= 1. nonché del potenziale V(x) lungo il dispositivo.6·10-19C NC= 2. b) Calcolare la tensione di soglia VT0. a) Assumendo nulla la carica presente nell’ossido di gate. calcolare la tensione di flat-band VFB.Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2008/2009 – 6 Febbraio 2009 Esercizio 1 Si consideri un materiale semiconduttore caratterizzato dal diagramma a bande riportato in Figura 1. c) Calcolare la tensione che è necessario applicare fra Body e Gate per portare il sistema MOS al limite fra la condizione di svuotamento e la condizione di inversione debole. Si consideri ora il condensatore MOS rappresentato in Figura 2.a. le cui proprietà sono riportate in Tabella 2. qΦAl= 4.c Costanti ni= 1. Si consideri ora il transistore MOSFET rappresentato in Figura 2.b qΦAl= 4. NV= 1020 cm-3 NA= 1017 cm-3 Figura 1 Esercizio 2 Si consideri il condensatore MOS rappresentato in Figura 2.c.5V. f) Sia VSB= 10V e VDS= 0V.1 eV qχ= 4.b Tabella 2. In particolare lo spessore dell’ossido di gate ed il drogaggio di substrato sono identici. b) Calcolare la concentrazione intrinseca dei portatori ni.a Tabella 2. a) Calcolare l’energia di Fermi EF e rappresentarla nel diagramma a bande.45·1010 cm-3 VTH= 25. Rappresentare inoltre in un diagramma quotato l’andamento della carica ρ(x).

.

.

.

.

.

.

.

.

38·10-23 J/K VTH= 25. NA= 1018 cm-3 ND1= 2. Figura 1. b) Sapendo che la conducibilità del materiale è pari a σ= 60Ω-1cm-1. i fotoni assorbiti determinano un tasso di generazione ottica GPH spazialmente uniforme.2 ps Tabella 1 Esercizio 2 Si consideri la giunzione realizzata in Silicio e rappresentata in Figura 2. calcolare la massa efficace del portatore maggioritario.Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2008/2009 – 2 Marzo 2009 Massa dell’elettrone Carica dell’elettrone Costante di Boltzmann Tensione termica Costanti Universali m0= 9.8mV Esercizio 1 Si consideri un materiale semiconduttore caratterizzato dal diagramma a bande di Figura 1.a Concentrazione intrinseca Tempo di rilassamento Figura 1.6·10-19 C k=1.45·1010 cm-3 εSi= 1pF/cm . b) Calcolare la tensione inversa VR da applicare alla giunzione per ottenere un campo elettrico massimo pari a EMAX= -5·104 V/cm. c) Calcolare la capacità di giunzione (per unità di area) del diodo nelle condizioni di cui al punto (b).1 ·10-31 kg q= 1. a) Calcolare la concentrazione di elettroni n e di lacune p.b ni= 2·1012 cm-3 τc= 0.a e dalle proprietà riportate in Tabella 1.5·1014 cm-3 ND2= 1015 cm-3 WP= 50µm WN1= 5µm WN2= 200µm Figura 2 Concentrazione intrinseca Costante dielettrica del Si Costanti ni= 1. il semiconduttore viene illuminato con una luce costante nel tempo.b rappresenta il corrispondente andamento temporale della concentrazione dei portatori minoritari. c) Calcolare il tasso di generazione GPH. banda di valenza e livello di Fermi) della struttura all’equilibrio termodinamico. a) Calcolare la tensione di built-in e tracciare il diagramma a bande qualitativo (banda di conduzione. La Figura 1. A partire dall’istante t=0.

e VDS= 0V. Gli altri parametri della struttura sono riportati nella Tabella 4. Determinare il valore di W affinché la conduttanza di canale sia pari a GCH = 0. calcolare le densità di corrente di lacune e di elettroni Jp e Jn alla coordinata x1= 14µm. determinare la massima tensione VGS che è possibile applicare fra Source e Gate. Rappresentare in un diagramma quotato l’andamento della concentrazione dei portatori minoritari in ciascuna delle due regioni neutre.Esercizio 3 Si consideri la giunzione pn realizzata in Silicio (Figura 3) a cui è applicata una tensione diretta VD incognita. VD assuma il valore calcolato al punto (a).81*1019 cm-3 εSi= 1 pF/cm εOx= 1/3 pF/cm . a) Sapendo che la concentrazione di lacune alla coordinata xn vale p(xn)= 5·1015 cm-3.45·1010 cm-3 NC= 2.a ND= 1018 cm-3 L= 3 µm μn= 600 cm2/Vs Figura 4. Sapendo che l’ossido di gate si può danneggiare se il campo elettrico in esso presente supera il valore EOX-MAX= 5·106 V/cm.45·1010 cm-3 εSi= 1pF/cm Esercizio 4 Si consideri il condensatore MOS rappresentato in Figura 4. sia τp la vita media delle lacune nella zona neutra n e sia τn quella degli elettroni nella zona neutra p. a) Dimensionare lo spessore dell’ossido tOX per avere una tensione di soglia VT0= 500mV.a.5V.a. qΦAl= 4. Calcolare inoltre le densità di corrente di lacune Jp alla sezione xn. In particolare il drogaggio di substrato è il medesimo e lo spessore dell’ossido è quello calcolato al punto (a).b Costanti ni= 1. Si consideri ora il transistore MOSFET rappresentato in Figura 4. d) Per τp calcolato al punto precedente e τn=∞. c) Sia VSB= 5V.05 eV NA= 2*1016 cm-3 tSi= 500 µm Figura 4.65 mA/V. Sapendo che la corrente di lacune alla coordinata xn vale Jp(xn)= 5 A/cm2. determinare τp e rappresentare in un diagramma quotato l’andamento della concentrazione delle lacune nella regione neutra n. c) Ora τp assuma un valore finito incognito.b. le cui proprietà sono riportate nella Tabella 4.b e realizzato a partire dalla struttura di Figura 4. determinare il valore della tensione VD e della concentrazione di elettroni n(-xp). VDS= 0V.1 eV qχ= 4.b Concentrazione intrinseca Densità di stati equivalente in banda di conduzione Costante dielettrica del Si Costante dielettrica dell’Ossido Tabella 4.a. NA= 5·1017 cm-3 ND= 1016 cm-3 WP= 5µm WN= 500µm µn= 300 cm2/Vs µp= 450 cm2/Vs Figura 3 Concentrazione intrinseca Costante dielettrica del Si Costanti ni= 1. Siano xn e -xp le coordinate dei punti di separazione fra la zona di carica spaziale e le regioni neutre. e VGS=2.a Tabella 4. b) Sia VSB= 5V. b) Si assuma τp=τn=∞.

6·10-19 C k=1.Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2008/2009 – 10 Luglio 2009 Massa dell’elettrone Carica dell’elettrone Costante di Boltzmann Tensione termica Costanti Universali m0= 9. il campo elettrico all’interfaccia fra le regioni NA1 e NA2 sia pari a 2·104V/cm. al breakdown. Il grafico di Figura 1. si assuma VR compresa fra 0V e 30V. ND= 1018 cm-3 NA1= 5·1015 cm-3 NA2= 1012 cm-3 NA3= 1018 cm-3 WN= 20µm WP3= 50µm Figura 2 Concentrazione intrinseca Costante dielettrica del Si Costanti ni= 1.38·10-23 J/K VTH= 25.a Esercizio 2 Si consideri la giunzione realizzata in Silicio e rappresentata in Figura 2.8mV Esercizio 1 Si consideri una lacuna che si muove all’interno di un materiale semiconduttore sotto l’azione di un campo elettrico pari a E= 10V/cm. b) Dimensionare lo spessore WP1 in modo tale che. Si assuma che il campo di breakdown sia pari a EBD=1·105V/cm.1 ·10-31 kg q= 1. del campo elettrico e del potenziale lungo il dispositivo. d) Rappresentare in un diagramma quotato l’andamento della capacità di svuotamento CJ (per unità di area) in funzione della tensione inversa VR. Per semplicità si trascurino le tensioni di built-in. a) Alla struttura viene applicata una tensione inversa VR sufficiente a svuotare completamente le regioni NA1 e NA2 ed in parte la regione NA3. Tracciare un diagramma qualitativo dell’andamento della carica. b) Stimare la mobilità della lacuna all’interno del semiconduttore considerato. Figura 1.a rappresenta l’andamento temporale della velocità della lacuna (solo componente ordinata). c) Dimensionare lo spessore WP2 in modo tale che la tensione di breakdown sia pari a VBD=30V. a) Calcolare la massa efficace della lacuna.45·1010 cm-3 εSi= 1pF/cm .

qχ= 4. c) Calcolare la tensione VB da applicare al contatto di Body affinché la corrente che scorre nel MOS quando VGS= 2V si riduca a ID= 10µA. le cui proprietà sono riportate nella Tabella 4. Applicando le tensioni VB= 0V. a) Calcolare la concentrazione dei portatori minoritari alla sezione xn. VD= 10mV. c) Calcolare la densità di corrente di lacune Jp(xn) alla sezione xn.b Concentrazione intrinseca Densità di stati equivalente in banda di conduzione Costante dielettrica del Si Costante dielettrica dell’Ossido Costanti ni= 1. Siano xn e -xp le coordinate dei punti di separazione fra la zona di carica spaziale e le regioni neutre. a) Determinare la tensione di soglia VT0 e lo spessore dell’ossido tOX. VS= 0V.Esercizio 3 Si consideri la giunzione pn realizzata in Silicio (Figura 3) a cui è applicata una tensione diretta VD=650mV. NA= 2. Sia ora VS= 0V.a.05 eV NA= 3·1017 cm-3 ND= 5·1018 cm-3 L= 4 µm W= 20 µm μn= 400 cm2/Vs Figura 4. Sia inoltre τp la vita media delle lacune nella zona neutra n e sia τn quella degli elettroni nella zona neutra p.45·1010 cm-3 NC= 2. b) Determinare la funzione lavoro qΦM del metallo utilizzato per realizzare il gate. d) Dimensionare WP in modo tale che la densità di corrente totale che attraversa il diodo sia pari a JTOT= 1 A·cm-2.a. b) Rappresentare in un diagramma quotato l’andamento dei portatori minoritari e maggioritari nella regione neutra n.45·1010 cm-3 εSi= 1pF/cm Esercizio 4 Si consideri il transistore MOSFET di Figura 4.b.81·1019 cm-3 εSi= 1 pF/cm εOx= 1/3 pF/cm .a Tabella 4.a Figura 4. VD= 10mV e misurando la corrente di drain ID in funzione della tensione VGS si ottiene il grafico Figura 4.5·1017 cm-3 ND= 5·1016 cm-3 WN= 30µm µn= 600 cm2/Vs µp= 400 cm2/Vs τn= τp = 1 ms Figura 3 Concentrazione intrinseca Costante dielettrica del Si Costanti ni= 1.

b) Calcolare la massa efficace dell’elettrone sapendo che la resistività è pari a ρ=50 Ωcm . a) Calcolare la concentrazione di elettroni n. Figura 1 Densità equivalente di stati in banda di conduzione Densità equivalente di stati in banda di valenza Tempo di rilassamento NC= 2·1018 cm-3 NV= 1018 cm-3 τc= 0.1 ·10-31 kg q= 1.Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2008/2009 – 2 Settembre 2009 Massa dell’elettrone Carica dell’elettrone Costante di Boltzmann Tensione termica Costanti Universali m0= 9.2ps Tabella 1 Esercizio 2 Si consideri la giunzione realizzata in Silicio e rappresentata in Figura 2.38·10-23 J/K VTH= 25.8mV Esercizio 1 Si consideri un materiale semiconduttore caratterizzato dal diagramma a bande di Figura 1 e dalle proprietà riportate in Tabella 1. Per la vita media dei portatori si assuma τ= 1 ms. i fotoni assorbiti determinano un tasso di generazione ottica GPH spazialmente uniforme. Si consideri la situazione a regime c) Determinare il massimo valore di GPH che consenta di continuare a lavorare in condizioni di bassa iniezione. ND= 1018 cm-3 NA= 2·1015 cm-3 WN= 100 µm WP= 100 µm A= 10-2 cm2 Figura 2 Concentrazione intrinseca Costante dielettrica del Si Costanti ni= 1. Ora semiconduttore viene illuminato con una luce costante nel tempo. a) Calcolare la tensione di built-in VBI. b) Calcolare la tensione inversa VR1 da applicare alla giunzione affinché il valore massimo del campo elettrico all’interno della zona svuotata sia pari a EMAX= 6·104 V/cm. c) Calcolare la tensione inversa VR2 da applicare affinché la capacità di giunzione sia pari a CJ= 25pF.6·10-19 C k=1.45·1010 cm-3 εSi= 1pF/cm . Sia A l’area della giunzione. e la concentrazione intrinseca ni. di lacune p.

b Concentrazione intrinseca Densità di stati equivalente in banda di conduzione Costante dielettrica del Si Costante dielettrica dell’Ossido Costanti ni= 1. dei campi D ed E. Siano xp e -xn le coordinate dei punti di separazione fra la zona di carica spaziale e le regioni neutre.a. VDS= 0V e VGS assuma il valore calcolato al punto a). Calcolare la tensione VGS che è necessario applicare affinché la carica mobile complessivamente accumulata sotto l’ossido di gate sia pari a QCH= 4pC. c) Determinare la funzione lavoro qΦM del metallo utilizzato per realizzare il gate.b.a.a Figura 4.Esercizio 3 Si consideri la giunzione pn realizzata in Silicio (Figura 3) a cui è applicata una tensione diretta VD=600mV. la tensione di soglia assume il valore VT=1. b) Rappresentare in un diagramma quotato l’andamento dei portatori minoritari e maggioritari nelle due regioni neutre.5V. qχ= 4.a Tabella 4.45·1010 cm-3 NC= 2.5V. nonché del potenziale V lungo la linea tratteggiata indicata in Figura 4. a) Sia VSB= 0V e VDS= 0V. a) Calcolare la concentrazione dei portatori minoritari alle sezioni -xn e xp. Tracciare in un diagramma quotato l’andamento della densità di carica ρ. É nota invece la tensione di soglia VT0= 0. Si osservi in particolare che non sono noti né il lavoro di estrazione del metallo con cui è realizzato il gate.45·1010 cm-3 εSi= 1pF/cm Figura 4. e) Rappresentare in un diagramma quotato l’andamento della densità di corrente di elettroni e di lacune nella zona neutra n. Sia inoltre τp la vita media delle lacune nella zona neutra n e sia τn quella degli elettroni nella zona neutra p.81·1019 cm-3 εSi= 1 pF/cm εOx= 1/3 pF/cm .05 eV tOX= 10nm ND= 5·1018 cm-3 L= 10 µm W= 50 µm μn= 500 cm2/Vs Figura 3 ND= 2·1016 cm-3 NA= 1·1017 cm-3 WN= 100µm WP= 200µm µn= 620 cm2/Vs µp= 400 cm2/Vs τn= 160 ns τp= ∞ Concentrazione intrinseca Costante dielettrica del Si Costanti ni= 1. le cui proprietà sono riportate nella Tabella 4. b) Sapendo che applicando una tensione VSB=20V. calcolare il drogaggio di substrato NA. c) Calcolare le densità di corrente Jn(xp) e Jp(-xn) d) Calcolare la densità di corrente di lacune e di elettroni Jp(x1) e Jn(x1) alla sezione x1=100μm. né il drogaggio di substrato NA. Esercizio 4 Si consideri il transistore MOSFET di Figura 4. d) Sia VSB= 0V.

assumendo la densità equivalente di stati in banda di valenza NV proporzionale a T3/2 e la mobilità calcolata al punto b) costante.5·109 cm-3 ni= 1.8 mV ε0 = 8.7 .2ps L = 500 µm S = 10-3 cm2 R = 1. densità di carica spaziale.38·10-23 J/K VTH = 25. (facoltativo) NA= 1018 cm-3 WN= 100 µm WP= 100 µm A= 10-2 cm2 Figura 2 Costanti Concentrazione intrinseca Costante dielettrica relativa del Si ni= 1.5 k Tabella 1 Esercizio 2 Si consideri la giunzione p-n in Silicio rappresentata in Figura 2.Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2008/2009 – 4 Febbraio 2010 Costanti Universali Massa dell’elettrone Carica dell’elettrone Costante di Boltzmann Tensione termica (T ambiente) Costante dielettrica del vuoto m0 = 9.45·1010 cm-3 εSi= 11. Quotare correttamente il diagramma a bande e specificare il tipo di drogaggio. c) Calcolare la resistenza R del resistore di dimensioni specificate al punto b) nelle nuove condizioni operative.6 eV. avendo come specifica il campo elettrico massimo EMAX= 3·105 V/cm alla tensione inversa VR=25 V. (Si presti estrema attenzione alle unità di misura!) Ora il semiconduttore viene riscaldato per mezzo di un termostato ad una temperatura T=400K. verificare l’assunzione fatta al punto a) e calcolare le estensioni delle zone di carica spaziale xp e xn in condizioni di zero bias. 2. 3.6·10-19 C k = 1. (Sia fatta opportuna assunzione relativamente al potenziale di built-in. Sia A l’area della giunzione. b) Calcolare mobilità e massa efficace (in frazioni di m0) della lacuna sapendo che il dispositivo è un resistore integrato (Figura 1b) con caratteristiche riportate in Tabella 1. potenziale elettrico in zona di carica spaziale al built-in. a) Progettare il drogaggio della regione n. profilo del campo elettrico. noto EF = 0. calcolare la capacità di giunzione C.84·1012 cm-3 τc = 0. d) Disegnare in tre grafici quotati: 1.) b) Calcolare il potenziale di built-in VBI. Si consideri la situazione all’equilibrio termico. Figura 1a Densità equivalente di stati in banda di conduzione Densità equivalente di stati in banda di valenza Concentrazione di elettroni in banda di conduzione Concentrazione intrinseca Tempo di rilassamento Lunghezza resistore integrato Sezione resistore integrato Resistenza resistore integrato Figura 1b NC= 2·1018 cm-3 NV= 1018 cm-3 n= 7. ND.1 ·10-31 kg q = 1. a) Calcolare i livelli di energia della banda di conduzione EC [eV] e della banda di valenza EV [eV] a temperatura ambiente. Di che tipo di giunzione si tratta? c) Considerando il particolare tipo di giunzione e i dati ottenuti nei punti a) e b).85·10-14 F/cm Esercizio 1 Si consideri un materiale semiconduttore a temperatura ambiente (T=300K) opportunamente drogato e caratterizzato dal diagramma a bande di Figura 1a e dalle proprietà riportate in Tabella 1.

lato p e lato n. (Prestare attenzione alle unità di misura!) Si consideri ora il transistore MOSFET rappresentato in Figura 4b. Si osservi che non è noto il drogaggio di substrato NA. e) Stimare il valore del campo elettrico alla sezione x1 del punto d). Sono note invece l’affinità elettronica del Silicio. Siano -xp e xn le coordinate dei punti di separazione fra la zona di carica spaziale e le regioni neutre. sapendo che la soglia del transistore è pari a VT0 = 0.12 eV Nota Bene: per ciascun risultato numerico ricordate di specificare SEMPRE l’unità di misura! .9 EG = 1. c) Ricavare l’espressione della conduttanza di canale GCH nel limite VDS = 0V.01 eV qΦM = 4. Jn=4. WN= 200µm WP= 200µm µ n= 620 cm2/Vs µ p= 400 cm2/Vs τn= 160 ns τp= 90 ns Figura 3 Costanti Concentrazione intrinseca Costante dielettrica relativa del Si ni= 1. hanno la stessa estensione? (motivare la risposta) d) Calcolare la densità di corrente di lacune e di elettroni Jp(x1) e Jn(x1) alla sezione x1=150µm. Esercizio 4 Si consideri il condensatore MOS di Figura 4a.45·1010 cm-3 εSi= 11. a) Nota la concentrazione di portatori minoritari al bordo della zona di carica spaziale a lato n (x=xn).75V. le cui proprietà sono riportate nella Tabella 4. pn=2.65·1014 cm-3. a) Calcolare il drogaggio di substrato NA.45·1010 cm-3 εSi= 11.13 mA/V. utilizzato come metallo di gate.7 qχ= 4. Sia inoltre τp la vita media delle lacune nella zona neutra n e sia τn quella degli elettroni nella zona neutra p. qΦM. calcolare il drogaggio di donori ND. b) Dimensionare lo spessore dell’ossido di gate. qχ e la funzione lavoro dell’Argento. b) Nota la densità di corrente di portatori minoritari alla sezione x=-xp. sapendo che la tensione di flat-band è VFB = -0. e commentare conseguentemente l’approssimazione di campo elettrico nullo in zona neutra. c) Le zone di carica spaziale.a. assumendo n=ND.23 A/cm2.7 εOx= 3. con VSB= 0V e ricavare la tensione tra gate e source VGS che consente di ottenere GCH = 4. calcolare il drogaggio di accettori NA.26 eV L= 10 µm W= 50 µm µn= 500 cm2/Vs Figura 4a Tabella 4a Figura 4b Costanti Concentrazione intrinseca Costante dielettrica relativa del Si Costante dielettrica relativa SiO2 Gap di Energia del Silicio ni= 1.Esercizio 3 Si consideri la giunzione p-n in Silicio (Figura 3) a cui è applicata una tensione diretta VD=600mV.776 V e assumendo la carica nell’ossido nulla. le cui proprietà sono riportate ancora in Tabella 4a.

EF − EV kT dove. lunghezza L. alla mobilità e alla densità di portatori (in questo caso solo lacune maggioritarie) dalla seguente: ρ= 1 1 = σ qµp p 2 da cui si ottiene la mobilità µp = 462 cm .51 · 1014cm−3 . n NC = 1.92 · 10−31 kg = 0.76 · m0 dove m0 è la massa p dell’elettrone nel vuoto. dall’applicazione della R=ρ· L S si ricava la resistività ρ = 1/σ = 30Ω· cm. sezione S del resistore integrato.SOLUZIONE TEMA D’ESAME DEL 4 FEBBRAIO 2010 Esercizio 1 a. nota la mobilità (appena calcolata): m∗ = p q · τc µp da cui si ricava m∗ = 6. Per ricavare i livelli di energia si utilizzano le relazioni che legano le densità di portatori liberi nelle bande di conduzione e valenza ai parametri energetici nell’approssimazione di Boltzmann: n = NC · exp − e p = NV · exp − Dalla prima si ricava direttamente EC = EF − kT · ln Dalla seconda si ricava EV = EF + kT · ln p NV = 0. p = n2 /n = 4.4eV. Per la massa efficace della lacuna V ·s ∗ mp si utilizza la seguente relazione. Il semiconi duttore è drogato p in quanto il livello di Fermi si trova in prossimità della banda di valenza. per la legge di azione di massa.1eV. In un semiconduttore la resistività risulta legata alla carica elementare. . b. Note resistenza elettrica R. EC − EF kT .

si ottiene 2 EM AX = 2q (VR ) Si · NA ND . si può scrivere la proporzione: 300K NV 300 = 400K NV 400 3/2 . è possibile ricavare la densità di lacune nelle nuove condizioni operative: 400K p (400K) = NV · exp − EF − EV kT = 4. Noto dunque che 300K 400K NV = α · 3003/2 e NV = α · 4003/2 .∗ Analisi Dimensionale: mp = C · V · s2 /cm2 = (J/m) · s2 · m/cm2 = N · s2 /10−4 m = 104 · kg. (x + xp ) . 400K 400K da cui si ricava NV = 1. NA + ND da cui. sia il fatto che la mobilità rimane costante. eseguendo pochi semplici passaggi algebrici . nella regione p: E= integrando si ottiene E=− q · NA Si ρ (x) Si dx = − q · NA Si dx. Ponendo x = 0. −xp ≤ x ≤ 0. Alzando la temperatura si introduce una variazione nelle densità di portatori. . Noto il campo elettrico. si ottiene EM AX = −q · NA · xp / Si .66 · 1015 cm−3 . Noto NV . xp . La conversione da cm2 a m2 introduce un fattore 104 !!! c. considerando la barriera di potenziale introdotta dalla VR e trascurando la Vbi . è possibile calcolare ND = 1. ad esempio. ovvero imponendo la condizione di campo massimo.54 · 1018 cm−3 . A questo punto si sostituisce nella precedente l’espressione per la zona svuotata a lato p.9Ω · cm e quindi la resistenza R (400K) = ρ (400K) · L/S = 145Ω. Esercizio 2 a. Noto p400K e µp (dal punto precedente) è possibile calcolare la resistività ρ (400K) = 2. In questo caso il testo suggerisce sia la legge di proporzionalità tra NV e T .18 · 1016 cm−3 . noto che Vbi << VR : xp = 2 Si (VR ) ND 1 · . · q NA NA + ND elevando ora al quadrato entrambi i membri dell’equazione.

5nm mediante la formula scritta poco sopra e. cioè per x = −xp . a bordo giunzione lato n la concentrazione di lacune minoritarie. si può affermare che si tratta di una giunzione unilatera di tipo p+ n. xn = (NA /ND ) · xp = 296nm. kT dove pn0 = n2 /nn0 ≈ n2 /ND è la concentrazione di lacune minoritarie all’equilibrio i i termico. dVR dVR dVR Calcolando la derivata prima rispetto a VR di xn oppure di xp e sostituendola nF nella precedente espressione. in x = xn . d. . Cj = C · A = 62. è possibile calcolare le estensioni delle zone di carica spaziale: xp = 3. Nota l’area. Si noti che sostituendo l’ultima espressione nella penultima. q n2 i Dunque l’assunzione VR >> Vbi fatta al punto precedente risulta verificata! In condizioni di zero-bias. si esplicita il drogaggio di donori come: ND = qVA n2 i · exp pn kT = 1016 cm−3 . Dato lo sbilanciamento dei drogaggi di due ordini di grandezza e di conseguenza lo sbilanciamento delle estensioni delle zone svuotate della stessa quantità. Esercizio 3 a. è possibile calcolare il potenziale di built-in: kT NA ND Vbi = · ln = 0. La capacità di giunzione per unità di area può essere espressa come C = dQ dxn dxp = q · ND = q · NA . generando cioè una concentrazione di lacune in eccesso a lato n: pn = pn0 · exp qVA . nota la densità di corrente di minoritari (stavolta elettroni) a bordo giunzione lato p. La giunzione polarizzata in diretta produce un abbassamento della barriera di potenziale e una iniezione di lacune maggioritarie dalla zona p alla zona n. accrescendo. nota la concentrazione di portatori minoritari (lacune) al bordo della zona svuotata a lato n.82V. Viene richiesto il drogaggio di donori a lato n.b. Noti ora i drogaggi delle due regioni. ovvero per VR = 0. sfruttando la conoscenza dei drogaggi. b.5pF . c. Viene richiesto il drogaggio di accettori. Punto facoltativo il cui svolgimento è affidato al lettore per ripasso della teoria di base sulla giunzione pn.25 cm2 . è possibile ricavare C = 6.

72V /cm. elettroni. si trova a circa 140µm dal bordo della zona di carica spaziale lato n.6 · 10−3 cm. 2q . Si noti che Lp << Wn . Dunque la densità di corrente sarà data interamente dalla corrente di drift dei portatori maggioritari. Come già introdotto al punto d. Questo punto potrebbe essere risolto facendo una semplice considerazione e un breve calcolo. flat-band. Attraverso la nota relazione di Einstein che non riportiamo qui. dato che in zona di carica spaziale il campo elettrico può essere maggiore di quello appena stimato di circa 4 . Nota la tensione di banda piatta. Dp = 10. si può scrivere: VF B = φms = φM − χ + EG + φf p . e. Anzitutto si deve ricavare. e noto che la carica è nulla all’interno dell’ossido. mediante la nota relazione di Einstein.Si scriva dunque l’espressione della densità di corrente di elettroni: Jn = qDn · Ln n2 i NA · exp xp + x qVA − 1 · exp . essa risulterebbe Jp ≈ 80nA/cm2 . è possibile calcolare NA = 1015 cm−3 . in cui è stato esplicitato il drogaggio di accettori NA . Esercizio 4 a. dato che i drogaggi differiscono di un ordine di grandezza. c. da cui si può calcolare E = 4. alla sezione x1 la densità di corrente calcolata è praticamente per intero una densità di corrente di deriva di portatori maggioritari. kT Ln in cui l’ultimo termine esponenziale è unitario. Dall’espressione scritta per la densità di corrente.3cm2 /s e Lp = 9.5 ordini di grandezza. si ricavano Dn = 16cm2 /s e Ln = 1.68 2 . ovvero elettroni e sarà circa pari alla corrente totale: JT OT ≈ Jn = Js · exp A qVA − 1 = 4. kT cm Se si volesse invece ricavare l’esatta densità di corrente di portatori minoritari alla sezione x1 .63µm. J (x1 ) = Jn ≈ q · µn · ND · E. Si può quindi scrivere. d. NO! Le zone di carica spaziale hanno estensioni diverse. quindi il diodo è lungo! Ora non si può non notare che la sezione x1 = 150µm alla quale si richiede di calcolare le densità di corrente di lacune ed elettroni. Come commento è sufficiente ricordare che tale stima conferma la validità dell’approssimazione di campo nullo in zona neutra. VF B . assumendo n = ND come suggerito dal testo. Si può quindi assumere decisamente trascurabile la densità di portatori minoritari in eccesso alla sezione x1 .

b.dove φf p = Vth · ln (NA /ni ). Si noti che quest’ultima espressione per φf p contiene l’incognita NA . La conduttanza di canale è la derivata prima della corrente di drain nel limite VDS = 0. Si ottiene: W GCH = µn · COX · · (VGS − VT ) . . φf p = Vth · ln (NA /ni ) = 466mV . |QSD (max)| c. Essendo OX . L Da questa si ricava quindi la tensione VGS ≈ 2.5V . COX dove |QSD (max)| = q · NA · xdepletion = 560nC/cm2 .66nm. COX = tOX si può scrivere la seguente espressione per tOX : tOX = OX · (VT 0 − VF B − 2φf p ) = 3. Nota la relazione VT 0 = Vox + φms + 2 · φf p e noto che. nel caso particolare di questo problema la carica nell’ossido è nulla. ovvero nell’origine degli assi. ovvero calcolata nell’origine degli assi della curva ID − VDS di un MOSFET operante in zona triodo. si può scrivere: VT 0 = |QSD (max)| + VF B + 2 · φ f p . Nota la corrente del MOSFET in zona triodo: ID = µn · COX · V2 W · (VGS − VT ) · VDS − DS L 2 si calcola la conduttanza di canale come la derivata prima della corrente rispetto a VDS e la si valuta per VDS = 0. Sostituendo ed eseguendo i calcoli si ottiene NA = 1018 cm−3 .

c) Nota la concentrazione di portatori minoritari alla sezione x=-xn.87·1014cm-3.45·1010 cm-3 ε0 = 8.85·10-14 F/cm εr-Si = 11. il drogaggio di accettori NA. calcolare il campo elettrico E applicato. e) Calcolare la densità di corrente di lacune Jp alla sezione xp+0. Si tratta di una giunzione unilatera? Motivare brevemente la risposta b) Calcolare la tensione inversa che è necessario applicare al diodo per avere una capacità di giunzione C = 93. le mobilità dei portatori. I punti in grassetto presentano una difficoltà maggiore. c) Calcolare la massa efficace della lacuna.12eV τcp = 10µs Tabella 1 Massa dell’elettrone nel vuoto: Carica dell’elettrone: Concentrazione intrinseca: Energy gap: Tempo di rilassamento lacuna: m0= 9. a) Calcolare il drogaggio della regione n. VBI = 0. esprimendola in unità di m0. dopo avere specificato la validità dell’approssimazione “diodo lungo” o “diodo corto”. Si supponga ora di applicare una tensione diretta VD alla giunzione di Figura 2. µ n e µ p. Si supponga ora che il dispositivo operi in prossimità di un motore. calcolare la concentrazione di droganti accettori NA.8 mV q = 1.3 µS µ p = 502 cm2/Vs I = 328 µA Figura 1 Proprietà del Silicio ni= 1. a T = 300K. p(-xn) = 2. calcolare la tensione diretta VD. d) Noto il rapporto Ln/Wp=100.k · x per x < 0 NA= 2k · x per x > 0 VBI= 0. b) Noti il risultato del punto a) e la corrente I = 328 µA che scorre nel dispositivo.1·10-31Kg q= 1. passare successivamente allo svolgimento degli altri. ND. nel caso di drogaggi non-uniformi e descritti dalle relazioni analitiche: ND= . . f) Ricavare ora la relazione analitica che lega le estensioni delle zone di carica spaziale. le estensioni delle zone n e p.6 pF. è drogato con una concentrazione di atomi accettori NA. si consiglia pertanto di svolgerli per ultimi.7 k = 1.6·10-19C Costanti Figura 2 τp= 10µs µ n= 300 cm2/Vs µ p= 450 cm2/Vs A = 10-2 cm2 Tabella 2 ni = 1. nota la tensione di built-in.6·10-19 C Concentrazione intrinseca: Costante dielettrica del vuoto: Costante dielettrica relativa del Si: Costante di Boltzmann: Tensione termica: Carica dell’elettrone: Costanti AVVERTENZE: Risolvere PRIORITARIAMENTE i punti nei riquadri superiori relativi ad entrambi gli esercizi. a T = 420K.Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2009/2010 – 7 Maggio 2010 Esercizio 1 Si consideri un resistore planare in Silicio (Si) avente lunghezza L e sezione semicircolare S di diametro d (Figura 1).3 µS. d) Calcolare il rapporto di resistenze R(300K) / R(420K) e fornire un breve commento del risultato ottenuto. Sono noti la tensione di built-in VBI. il tempo di vita medio delle lacune τp.5Wp e rappresentare qualitativamente le densità di corrente di maggioritari e minoritari nella regione neutra p. xn e xp. Considerando soltanto gli effetti di temperatura sulla mobilità legati alle vibrazioni reticolari e assumendo per semplicità la concentrazione di lacune invariante in temperatura. WN e WP e l’area di giunzione A (Tabella 2).45·1010cm-3 EGAP= 1. noto il tempo di rilassamento τcp = 10µs. a) Note la mobilità delle lacune µp = 502 cm2/Vs e la conduttanza del dispositivo G=126.77 V. Il semiconduttore.38·10-23 J/K Vth = 25. calcolare il tempo di vita medio dei portatori minoritari in zona p. Esercizio 2 Si consideri la giunzione np in Silicio rappresentata in Figura 2.77 V NA= 1017 cm-3 WP= 1µm WN= 200µm L = 50µm d = 10µm G = 126. Compiti scritti a matita o a penna rossa e/o corretti con bianchetto correttore non saranno valutati. le cui proprietà sono riportate in Tabella 1.

Nota la relazione che lega tra loro mobilità. posto T1 = 300K e T2 = 420K. La conversione introduce un fattore moltiplicativo 104 ! d. si ricava la seguente espressione per NA : 8·L·G = 2 · 1016 cm−3 .7 · 10−33 · m0 = 0. Noto che: 3 µLAT T ICE (T ) ∝ T − 2 .1 · 10−31 Analisi Dimensionale: m∗ = C · V · s2 /cm2 = (J/m) · s2 · m/cm2 = p 2 −4 4 N · s /10 m = 10 · kg.87 · 10−36 µp cm2 Per ottenere il risultato in unità di m0 (massa dell’elettrone nel vuoto).35m0 . NA = q · µp · π · d2 b. massa efficace e tempo di rilassamento. . p m∗ = p C · V · s2 q · τcp = 31. Noto che 1 L L 1 R= · =ρ· = G S q · p · µp S con p = NA e S = πd2 /8 (sezione semicircolare). e nota la mobilità a temperatura ambiente.7 · 10−33 kg = p 318. 9. 2 q · NA · µp · πd cm c. Nota la relazione che lega la densità di corrente J al campo elettrico E: J = q · p · µp · E e noto che p = NA . T1 µ (T1 ) = µ (T2 ) T2 3 −2 . si può scrivere la seguente relazione per il campo elettrico: E= V 8I = 520 . J = I/S = 8I/πd2 . Si ottiene dunque: m∗ [kg] = 318. q · τcp µp = m∗ p da questa si ricavi m∗ .SOLUZIONE I PROVA IN ITINERE DEL 7 MAGGIO 2010 Esercizio 1 a. occorre trasformare l’unità di misura in kg (vedi analisi dimensionale sotto).

92 · 1016 cm−3 NON si tratta di giunzione unilatera. kT . Tale effetto è legato ad una maggiore agitazione termica del reticolo che aumenta la probabilità di urto portatore / sito reticolare. diminuendo il tempo di vita medio del portatore. Commento: Nell’ipotesi semplificativa che la concentrazione dei portatori sia costante in temperatura. C = q · Si · NA ND .603. lato n. Dalla formula per C si ottiene l’espressione per VR . Nota la relazione che lega la tensione di built-in e i drogaggi della giunzione.36nF/cm2 . dove A = 10−2 cm2 . poichè i drogaggi. T1 µ (T2 ) = T2 3 2 300 · µ (T1 ) = 420 3 2 · 502 = 303 cm2 .13kΩ. V ·s Dunque avremo R (300K) = 1/G = 7.46V .da cui. differiscono per meno di un ordine di grandezza. kT NA ND VBI = . Nota l’espressione per la capacità di giunzione per unità di area. q · NA · µp (420K) · πd2 Si ottiene quindi un rapporto R (300K) /R (420K) = 0. Esercizio 2 a.917kΩ e R (420K) = 8L = 13. è sufficiente considerare l’espressione: p (−xn ) = pn0 · exp qVD . b. c. dato da una minore mobilità dei portatori maggioritari all’aumentare della temperatura. la resistenza elettrica del dispositivo aumenta all’aumentare della temperatura operativa a causa di un incremento della resistività del semiconduttore. e quindi anche le estensioni delle regioni di carica spaziale. 2 (VBI + VR ) (NA + ND ) ricaviamo C = C/A = 9. Nota la concentrazione di lacune minoritarie al bordo della zona di carica spaziale. · ln q n2 i si ricava l’espressione per ND : ND = q · VBI n2 i · exp NA kT = 1. eseguendo i calcoli risulta VR = 14.

6 2 . · exp Lp kT cm dove per la relazione di Einstein. Di conseguenza è costante anche la densità di corrente di portatori maggioritari (lacune) in zona neutra p e uguale alla densità di corrente di lacune alla sezione −xn (si ricordi che la densità di corrente totale. Si segue la stessa procedura seguita per ricavare l’espressione che lega le estensioni delle zone di carica spaziale nel caso semplice di drogaggi uniformi: Equazione di Poissòn che lega potenziale. densità di carica e campo elettrico → Integrazione densità di carica nelle due zone (n e p) → Campo Elettrico → Condizioni al contorno: annullamento del campo a bordo zona di carica spaziale → Condizione di continuità del Campo Elettrico alla giunzione metallurgica → relazione richiesta! In simboli: in zona n. vale l’approssimazione di diodo a base corta o diodo corto. Si i ottiene quindi: kT p (−xn ) VD = = 0.61cm2 /s e Lp = Dp τp = 10. Quindi in zona neutra p.25 . infatti il testo dice che Ln = 100 · Wp . ND (x) = −k · x → ρ (x) = −q · k · x.77 · 10−3 cm. Dp = kT µp /q = 11. q s √ Infine. si ricava il coefficiente di diffusione per gli elettroni: Dn = kT cm2 · µn = 32. nota l’espressione per la lunghezza di diffusione. · ln q pn0 d. Dato che Ln >> Wp . si ottiene: L2 (100 · Wp )2 τn = n = = 3. indipendentemente dalla posizione x: M AGGIORIT ARI JZON AP = Jp (−xn ) = mA qDp pn0 qVA − 1 = 51.1µs. In questo caso i drogaggi sono non-uniformi e lineari. si può scrivere la seguente espressione per la densità di corrente. . si è verificata la validità dell’approssimazione di diodo corto. è costante in tutta la giunzione pn). ovvero la densità di corrente di minoritari in zona p è costante.62V. A partire dalla relazione di Einstein. Nel punto d. f. Dn Dn e. maggioritari + minoritari. Dunque in tale approssimazione il profilo di portatori minoritari in zona p è lineare. ovvero per x < 0. Ln = Dn · τn .dove pn0 = n2 /ND è la concentrazione di lacune minoritarie all’equilibrio.

dx qk · si ricava: x2 + C1 . eseguendo i medesimi passaggi con la medesima condizione al contorno di annullamento del campo elettrico alla sezione x = xp . ovvero per x = 0. 2 x2 n . si ottiene la relazione richiesta che lega le estensioni delle regioni di carica spaziale: 2 · k · x2 = k · x2 . per x > 0 si ha: C1 = qk · NA (x) = 2k · x → ρ (x) = −2q · k · x. in zona p. 2 Si Così. xp · √ 2 = xn . vale la seguente relazione per il campo elettrico: qk · x2 − x2 . p Si da cui si ricava C1 : Imponendo ora la condizione di continuità del campo elettrico alla giunzione metallurgica. E (x) = − n 2 Si allo stesso modo. si ottiene per 0 < x < xp : qk E (x) = − · x2 − x2 . nell’intervallo −xn < x < 0. . 2 Si Si Condizione al contorno: campo nullo alla sezione x = −xn : E (x) = − qk · xdx = − E (−xn ) = − qk Si · x2 + C1 = 0. p n cioè.Integrando per separazione delle variabili la seguente relazione: ρ (x) Si = dE (x) .

Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2009/2010 – 5 Luglio 2010 Costante dielettrica del vuoto: Costante di Boltzmann: Massa dell’elettrone a riposo: Tensione termica: Carica dell’elettrone: Costanti Universali ε0 = 8.01eV EGAP=1. specificare l’estensione del gap di energia EGAP [eV] e rappresentare il diagramma a bande completo e quotato. trascurando la dipendenza della massa efficace dalla temperatura. d) Calcolare la tensione V applicata ai capi del resistore le cui caratteristiche sono riportate in Tabella 1.33 m0 L=11.417V calcolare il drogaggio di substrato NA assumendo nulla la carica nell’ossido.62·10-5 eV/K m0 = 9.12eV εr = 11.3 µm S=103µm2 Concentrazione intrinseca: Densità equiv.45·1010 cm-3 Tabella 2. b) Assumendo come riferimento Ei = 0 eV (Figura 1). Il dispositivo si trova ad operare in regime criogenico immerso in azoto liquido (T=77K). EV ed EF e considerando tutti gli altri contributi di temperatura: mobilità (Tabella 1) e concentrazione. Figura 1. Qss’.Temperatura: Massa efficace dell’elettrone: Massa efficace della lacuna: Lunghezza Resistore (figura 2): Sezione Resistore (figura 2): Tabella 1.5eV qχ=4.1 · 10-31 kg Vt = 25. calcolare il livello di energia relativo alla banda di valenza EV [eV]. Il portatore maggioritario che si muove nel resistore in Figura 2 sotto l’effetto di un campo elettrico E. subisce in media N=100 urti.8 mV q = 1. .0. a) Calcolare le concentrazioni di elettroni n0 e lacune p0 all’equilibrio. Figura 3.2 eV. conduzione): Mobilità elettroni a T=300K : Mobilità lacune a T=300K: Legge Mobilità .14 me=0.EF) = . Figura 2. b) Calcolare la tensione di soglia VT0 e rappresentare il diagramma a bande quotato e il diagramma di distribuzione di carica del sistema nella condizione di soglia.9 tOX=15 nm ni=1. ni=2·1013 cm-3 NC=1019 cm-3 µn=3500 cm2/Vs µp=1800 cm2/Vs µ = A · T-1.08 m0 mp=0. Funzione lavoro Cromo: Affinità elettronica Silicio: Gap di Energia Silicio: Costante dielettrica Silicio: Costante dielettrica SiO2: Spessore ossido: Concentr.7 εr = 3. c) Calcolare il rapporto di resistività r=ρ(300K)/ρ(77K) assumendo costanti in temperatura EC. sapendo che (EGAP/2 . a T=77K.85 · 10-14 F/cm k = 8. a) Nota la tensione di flat-band VFB = -0.6·10-19 C Esercizio 1 Si consideri un semiconduttore opportunamente drogato le cui proprietà sono riportate in Tabella 1. intrinseca Silicio qφM=4. di stati (b. Esercizio 2A Si consideri il condensatore MOS con substrato in Silicio drogato p rappresentato in Figura 3.

Verificare se il dispositivo si trova in regime di saturazione della velocità. Figura 5. tale da avere una tensione di soglia modificata per effetto del potenziale di body pari a VTH = 1 V.65V. Tempo: 90 minuti. fabbricato a partire dal condensatore MOS in Silicio (Si) in Figura 3. a) Nota la tensione di built-in. Lunghezza L: Larghezza W: Spessore ossido di Gate: Mobilità elettroni di canale: Concentraz. motivando la risposta. calcolare il drogaggio della zona p.45·1010cm-3 Tabella 3. Tempo: 3 ore. VS= VB = 0V. VGS=2. Si polarizzi ora la giunzione in diretta.45·1010cm-3 Tabella 4. c) Noto il campo elettrico critico ECR=6·105 V/cm calcolare la tensione di breakdown della giunzione. Esercizio 3 Si consideri la giunzione pn in Silicio (Si) rappresentata in Figura 5. VDSsat = VGS – VT0. rappresentare in un diagramma quotato i profili di concentrazione dei portatori maggioritari e minoritari in eccesso per entrambe le zone p e n. con una tensione VD = 0. a) Calcolare la conduttanza di canale del MOSFET nel punto di lavoro VDS=1V. Appello completo: svolgere tutto il tema. VBI = 0. d) Dopo avere specificato per entrambe le regioni del diodo la validità` dell’approssimazione di diodo lungo / corto. . Estensione zona p: Estensione zona n: Mobilità elettroni: Mobilità lacune: Drogaggio zona n: Tempo di vita medio elettrone: Tempo di vita medio lacuna: Area di giunzione: Concentraz. NA. Intrinseca Si: L = 10 µm W = 30 µm tOX=15 nm µn = 850 cm2/ V· s ni = 1. Intrinseca Si: Wp = 500 µm Wn = 500 µm µn = 1350 cm2/V·s µp = 450 cm2/V·s ND = 1018 cm-3 τn=10ns τp=1s A = 104 µm2 ni = 1. calcolare la tensione VGS tale da avere una frequenza di cut-off del transistore pari a fT = 150 MHz.8V. b) Nella condizione VS = VB = 0V. e) Calcolare la capacita` di diffusione CDIFF del diodo. 2A. di cui e` noto il drogaggio in zona n (Tabella 3). b) Calcolare l’estensione totale della zona svuotata e commentarne il risultato.Esercizio 2B Si consideri il transistore MOS rappresentato in Figura 4. Avvertenze: Seconda prova in itinere: svolgere esclusivamente gli esercizi 1 punti a) e b) . c) Calcolare la tensione VSB. 2B. specificandone analiticamente gli andamenti funzionali. Figura 4.81 V.

Per calcolare ρ (77K) occorre considerare le variazioni in temperatura della mobilità e della densità equivalente di stati in banda di conduzione: µ2 = µ1 · T2 T1 − 1. Dunque ρ (77K) = 336. per la tensione richiesta si può ricavare la seguente espressione: V = L2 · q = 1V. d. Dalla relazione VF B = φms = φm − χ − EGAP /2 − kT · ln (NA /ni ).SOLUZIONE TEMA D’ESAME DEL 5 LUGLIO 2010 Esercizio 1 a. si ricava il drogaggio: NA = ni · exp φm − χ − EGAP − VF B 2 kT = 1016 cm−3 .3 · 1018 cm−3 Dalla seconda si può quindi ricavare n (77K) = 1.114 · 10−6. . EF − Ei n0 = ni · exp = 4.5 · 103 Ωcm.3385eV da cui EV = −0.3385eV . Nota la relazione: n0 = NC · exp − si può scrivere: EC − EF = −kT · ln n0 NC = 0.6 · 109 cm−3 kT b.4 · 10−3 Ωcm.1385eV EC − EF kT Si ricava ora la distanza tra la banda di conduzione e il livello intrinseco: EC − Ei = (EC − EF ) + (EF − Ei ) = 0. Il rapporto richiesto vale r = 0.126 · 109 cm−3 . µ2 · m ∗ ·N n Esercizio 2A a.14 = 16496 3 2 cm2 V ·s T2 NC (T2 ) = NC (T1 ) · T1 = 1.65 · 1016 cm−3 kT EF − Ei p0 = ni · exp − = 8. ρ (300K) = 1/ (q · n0 · µn ) = 38. c.

ci limitiamo pertanto a riportare soltanto i risultati numerici.3468V . Dalla radice positiva.95 · 106 cm/s. il coefficiente di effetto body vale γ = 250.515V . COX = 230.1nF/cm2 e φf p = 0. VBD = 128.16 · 10−3V 2 . zona p: diodo a base lunga. La tensione di soglia si ricava con la solita formula che compare in quasi tutti i temi d’esame! VT 0 = |QSD (max)| + VF B + 2φf p = 0. Esercizio 2B a. x = 2.07 · 1015 cm−3 . c. NA = 9. avente due radici reali di cui una negativa (da scartare). b.94nC/cm2 .6V µn Per verificare il regime di velocità dei portatori si calcoli v = µn · E = µn · (VGS − VT 0 )/L = 0.8915V 1/2 si ricava VSB = 7. b. c. Il transistore è molto vicino alla condizione sat di saturazione della velocità dei portatori vD = 107 cm/s.485V.37nF . CDIF F = 0. Esercizio 3 L’esercizio 3 è molto standard.7716 .67V . La conduttanza di canale si può ricavare calcolando la derivata prima rispetto a VDS della corrente del transistore MOSFET in zona ohmica: GChannel = µn · COX · mA W · [VGS − VT 0 − VDS ] = 0. L V valutata nel punto di lavoro VDS = 1V . La tensione VGS si ricava utilizzando la seguente espressione: VGS = VT 0 + 2π · fT · L2 = 1. zona n: diodo a base corta np (x) ∝ exp(x/Ln ) mentre pn (x) ∝ −x/Wn .b. Dalla nota relazione che descrive l’effetto body si ricava ∆VT H = 1 0. WT OT = 340nm. COX dove |QSD (max)| = 47. a.4V . d. Dunque dalla relazione: ∆VT H 2φf p + VSB − 2φf p = γ elevando al quadrato ambo i membri e operando la sostituzione 2φf p + VSB = x si ricava una equazione di secondo grado in x. . e.

supponendo che il gap si mantenga costante con la temperatura. b) Si supponga ora che il semiconduttore sia drogato con atomi donori.424 eV ni = 2. a) Calcolare i drogaggi di entrambe le zone ND ed NA e la tensione di built-in della giunzione. Calcolare le distanze Ei-EF [eV] e EV-EF [eV] e rappresentarne il diagramma a bande completo e quotato. Esercizio 2 Si consideri la giunzione np in Silicio (Si) di cui sono noti alcuni parametri del diagramma a bande (Figura 2) e alcune proprietà (Tabella 2). d) Calcolare la capacità di giunzione CJ.1 · 10-31 kg Vt = 25. c) Calcolare il campo elettrico massimo EMAX. ND= 1015 cm-3. . Figura 1. Si polarizzi la giunzione con una tensione inversa VR = 15 V.1·106 cm-3 NV = 9 ·1018 cm-3 µn = 8500 cm2/Vs µp = 400 cm2/Vs τp = 35 ps L = 600 µm Tabella 1.EF) = . Figura 2.62·10-5 eV/K m0 = 9.85 · 10-14 F/cm k = 8. p’(0)=1014 cm-3.6·10-19 C Esercizio 1 Si consideri il semiconduttore GaAs le cui proprietà sono riportate in Tabella 1. Mobilità degli elettroni in funzione di T per diverse concentrazioni di drogante donore nel GaAs. di stati (b. a) Calcolare le concentrazioni di elettroni n0 e lacune p0 all’equilibrio. d) Ricavare l’espressione che ne descrive il profilo di concentrazione in condizioni stazionarie. Il dispositivo semiconduttore ha la forma di parallelepipedo. b) Calcolare l’estensione totale della zona svuotata e il rapporto tra questa e l’estensione della zona svuotata a lato p e commentare brevemente il risultato.Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2009/2010 – 20 Luglio 2010 Costante dielettrica del vuoto: Costante di Boltzmann: Massa dell’elettrone a riposo: Tensione termica: Carica dell’elettrone: Costanti Universali ε0 = 8. valenza): Mobilità elettroni a T=300K : Mobilità lacune a T=300K: Tempo rilassamento lacuna: Lunghezza parallelepipedo : EGAP=1. Esso viene illuminato ad una estremità a partire dall’istante t=0 con generazione di portatori in eccesso in x=0.712 eV e rappresentare il diagramma a bande quotato. sapendo che (EV . a T=300K e con campo elettrico applicato nullo e rappresentare in un diagramma quotato i profili di portatori maggioritari e minoritari nel blocchetto.0. Gap di Energia GaAs Concentrazione intrinseca: Densità equiv. Il dispositivo si trova ad operare a bordo di una sonda spaziale che lo espone a basse temperature. c) Calcolare il prodotto n·µ rispettivamente a T1= 300K e a T2= 20K utilizzando il grafico in figura 1.8 mV q = 1.

12 eV ni = 1.45·1010 cm-3 W/L = 3 µ n=950cm2/V·s Tabella 2. nel punto di lavoro VDS = 0. d) Calcolare la tensione di built-in della giunzione p-p+ e rappresentarne il diagramma a bande qualitativo. di una regione di silicio non drogato (intrinseco) a formare un foto-rivelatore p-i-n (figura 3). e) Calcolare l’estensione della zona svuotata quando il dispositivo è polarizzato in inversa con una polarizzazione VR=15 V.8·1019 cm-3 Tabella 2.1 eV qφM=4.33 eV qφM=5. c) Valutare quanto varia la tensione di soglia supponendo che la carica all’interfaccia ossido-silicio sia pari a Qss’=1011 cm-2.45·1010cm-3 εr = 11.2 mA/V per VB =VS= 0. Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel punteggio!!! Tempo a disposizione: 3 ore BUON LAVORO! . di valenza Wp = Wn = 500 µm µn = 1350 cm2/V·s µp = 450 cm2/V·s τn = 1 ns τp = 0. Stati in b.28 eV qφM=4.7 NV=1.01eV EGAP=1. La struttura del condensatore di Figura 4 viene modificata aggiungendo una regione drogata p+. VIETATO usare matite.26 eV qφM=4. Il transistore MOSFET in Figura 6 ha una conduttanza di canale pari a Gch = 1. VFB= -0.12eV εr = 11. nota l’estensione della regione intrinseca W=100µm. assumendo la carica presente all’interfaccia ossido-silicio Qss’=0. Estensione zona p e zona n: Mobilità elettroni: Mobilità lacune: Tempo di vita medio elettrone: Tempo di vita medio lacuna: Area di giunzione: Gap di energia del Silicio Concentraz. penne rosse. Esercizio 3 Si consideri il condensatore MOS con substrato in Silicio drogato p rappresentato in Figura 3. a) Noti il drogaggio di substrato NA1=2·1016cm-3 e il potenziale di flat-band. Funzione lavoro Cromo: Funzione lavoro Argento: Funzione lavoro Alluminio: Funzione lavoro Titanio: Funzione lavoro Oro: Funzione lavoro Tungsteno: ********************** Affinità elettronica Silicio: Gap di Energia Silicio: Costante dielettrica Silicio: Costante dielettrica SiO2: Spessore ossido: Concentr. qχ=4. intrinseca Silicio: W/L (MOSFET): Mobilità elettroni di canale: Metalli di Gate qφM=4. e) Noto il risultato del punto b). calcolare la tensione VGS in tali condizioni operative. tra le due regioni p ed n. Figura 3.7 εr = 3.5 eV qφM=4.La giunzione è ora modificata mediante l’introduzione. Figura 5. b) Calcolare la tensione di soglia e l’estensione della zona di carica spaziale a soglia. Intrinseca Silicio: Costante dielettrica Silicio: Densità eq. NA2=5·1018cm-3 (vedi Figura 5). bianchetto correttore. f) Calcolare il campo elettrico massimo e la capacità di giunzione confrontandone criticamente i valori con quanto ottenuto nei punti c) – d) e rappresentare in un grafico quotato il campo elettrico in tutto il dispositivo.5 ns A = 104 µm2 EGAP = 1. Figura 6.55 eV ************** Figura 4.604 V specificare quale metallo si deve utilizzare come gate (specificandolo tra quelli in Tabella 2).9 tOX=15 nm ni=1.

NC (T1 ) T1 . EF − EV p0 = NV · exp − = 9. n0 = b.5 · 1018 cm−1 V ·s Per ricavare il prodotto a 20K. mediante la nota relazione si ricava NC (20K): 3 NC (T2 ) T2 2 = .SOLUZIONE TEMA D’ESAME DEL 20 LUGLIO 2010 Esercizio 1 a. occorre considerare la seguente: n (20K) = NC (20K) · exp − EC − EF kT2 .158eV c. si può applicare: EV − EF = kT · ln p0 NV = −1.5155eV EF − Ei kT n2 i = 4. A temperatura ambiente il prodotto vale: n · µ = 8. ricavando mediante la legge di azione di massa la densità di lacune all’equilibrio.266eV da cui EC − EF = EGAP − (EF − EV ) = 0.73 · 105 cm−3 p0 Allo stesso modo.31 · 106 cm−3 kT e per la legge di azione di massa. è quindi necessario ricavare NC a T2 = 20K a partire da NC a T1 = 300K: n (300K) = NC (300K) · exp − EC − EF kT1 da cui si ottiene NC (300K) = 4. Ora.6·1017 cm−3 . Nota la relazione: n0 = ND = ni · exp si può scrivere: EF − Ei = kT · ln ND ni = 0.

Si consideri l’espressione completa: Dp · ∂2p ∂p p ∂p + µp · E · +g − = . noti i drogaggi. WT OT ≈ q · NA La medesima espressione si applica alla zona p.La tensione di built-in.19µm. WT OT cm . b. Nel grafico dovrà essere anche riportato il profilo di portatori maggioritari in eccesso. per il calcolo dell’estensione totale della zona svuotata e della zona p si possono utilizzare le espressioni semplificate: 2 · s · VBI = 948nm. Esercizio 2 a. Drogaggi e tensione di built-in. si può già affermare che la giunzione è unilatera di tipo n+ p.25 · 10−24 cm−3 . kT dove (in quest’ultima) EF − EV = EGAP − (EC − EF ).96 · 104 . ND = ni · exp EF − Ei kT = 1017 cm−3 EF − EV = 1015 cm−3 . Dunque il rapporto approssimato WT OT /xp ≈ 1.694V. Dunque. Da questi ultimi V ·s −1 risultati si può calcolare il prodotto P (20K) = 5 · 10−20 cm·s . è: NA = NV · exp − VBI = Vt · ln NA · ND n2 i = 0. 2 ∂x ∂x τp ∂t L’espressione nelle condizioni dettate dal testo diventa la seguente: p ∂2p − = 0. Dato lo sbilanciamento dei drogaggi. V d. 2 ∂x Dp · τp con Lp = Dp · τp = 0.92·1015cm−3 .da cui NC (T2 ) = 7. Campo elettrico max. c. Infine si può facilmente ricavare: n (20K) = 2 1. dal grafico si legge µ (20K) = 4 · 104 cm . EM AX = − V 2 (VBI + VR ) = −6. è richiesta l’espressione che descrive il profilo di concentrazione di portatori in eccesso a temperatura ambiente e con campo nullo.

1nF/cm2 . 2q dove φf p = Vt · ln NA1 = 0. Esercizio 3 a. Il metallo di gate è TITANIO. e. Si applichi la nota formula: φ m = VF B + χ + EGAP + φf p = 4. Estensione totale della zona svuotata: si applichi la seguente: xd−T OT = 4 · S · φf p = 217nm. Metallo di gate. La regione intrinseca del foto-rivelatore pin risulta completamente svuotata.3nF/cm2 . Si applichi la nota formula: VT = |QSD (max)| + VF B + 2φf p = 0. COX dove |QSD (max)| = q · NA · xd−T OT = 69. WT OT cm La capacità di giunzione. q · NA c. CJ = CJ · Area = 230f F. d. Tensione di built in giunzione pp+ : VBI = kT · ln NA2 NA1 = 0.dove WT OT = 4. dove CJ = s /WT OT = 2.5µm.44nC/cm2 . COX = OX /tOX = 230.142V.674V. secondo la formula citata sopra. con CJ = 99pF/cm2 . accendendo la polarizzazione inversa.426V.5µm. risulta CJ = 10f F .33eV. pertanto l’estensione totale della regione svuotata risulta WT OT = Wi + Wpuntoc = 100µm + 4. d. . Capacità di giunzione. f. Il campo elettrico risulta costante in tutta la regione intrinseca e pari a: 2 (VBI + VR ) V EM AX = − = 2. ni b.364V .5µm = 104.8 · 103 . Tensione di soglia.356V . La presenza di carica all’interfaccia ossido-silicio modifica la tensione di Flat-Band: Q VF B = φms − ss = −0. COX La soglia risulterà di conseguenza modificata e risulterà: VT = 0.

25V.e. Nota la conduttanza di canale e l’espressione per la corrente in zona ohmica (che non riportiamo). . si calcoli la derivata della corrente rispetto a VDS e la si valuti per VDS = 0 (condizione operativa nota) e si metta in evidenza la VGS : VGS = VT + GCH µn · COX · W L = 2.

8 meV. a) Calcolare le concentrazioni di elettroni n0 e lacune p0 all’equilibrio. passaggi Il dispositivo è un resistore planare ottenuto per diffusione di droganti dalla superficie.6·10-19 C Esercizio 1 Si consideri un dispositivo in Silicio drogato le cui proprietà sono riportate in Tabella 1.62·10-5 eV/K m0 = 9. .0. Sono noti. EF-EV=252.12 eV ni = 1. La giunzione è polarizzata con una tensione inversa V R. avente per sezione un trapezio isoscele con larghezza in superficie B. =8·10 Figura 2. fusa profondità di diffusione h e lunghezza L (vedi inserto in Fig. per la regione p.1 · 10-31 kg Vt = 25.8 mV q = 1. nota la massa .valenza): Densità equiv. di stati (b.conduzione): Massa efficace elettrone: Massa efficace lacuna: Tabella 1a.45·1010 cm-3 NV = 1. .2 meV. efficace (spiegare bene i passaggi). e per 252. 1a).8 la regione n.Dispositivi Elettronici – Ingegneri Elettronica – AA 2009/2010 – 6 Settembre 2010 Ingegneria Costante dielettrica del vuoto: Costante di Boltzmann: Massa dell’elettrone a riposo: Tensione termica: Carica dell’elettrone: Costanti Universali ε0 = 8. b) Utilizzando il grafico in Fig.45 m0 mp* = 0. 1 e Tab. larghezza diffusa nel bulk b. Resistività ρ del Silicio in funzione della concentrazione di impurità N a 300K. EC-EF=208. sapendo che (Ei .406 eV e specificare il tipo di drogaggio (p oppure n).44 µm Profondità di diffusione : h = 450 nm Lunghezza : L = 127µm Figura 1. 1 calcolare la mobilità e il tempo medio di scattering dei portatori maggioritari. Proprietà del Silicio.8 ·1019 cm-3 NC = 3. Caratteristiche del resistore. a) Calcolare i drogaggi delle zone p e n. c) Noto il campo elettrico massimo alla giunzione metallurgica EMAX=8 4 V/cm. c) Calcolare la resistenza R del resistore a temperatura ambiente. Larghezza in superficie: B = 3 µm Larghezza di bulk : b = 1.85 · 10-14 F/cm k = 8. Esercizio 2 (continua a pagina 2) Si consideri una giunzione pn planare in Silicio (Si). d) Spiegare brevemente (non più di 5 righe) la non righe posizione attesa del livello di Fermi nel semiconduttore termostatato a T=0K. giunzione b) Calcolare la tensione di built-in e l’estensione delle zone svuotate a lato p e n.2 ·1019 cm-3 mn* = 0.95 m0 Tabella 1.EF) = . EGAP=1. di stati (b. Gap di Energia Si Concentrazione intrinseca Si: Densità equiv. NA e ND e rappresentare il diagramma a bande completo e quotato della giunzione.

45·1010cm-3 εr = 11. Tabella 3 3.3 µs τp = 180 ns A = 104 µm2 EGAP = 1.12 eV ni = 1. di valenza: Densità eq. Figura 4.2V. Intrinseca Silicio: Costante dielettrica Silicio: Densità eq. Si consideri ora la giunzione polarizzata in diretta con una tensione VD=0.57 V. e) Dopo avere specificato e giustificato la validità dell’approssimazione di diodo corto o diodo lungo.45·1010 cm-3 W=35µm L =10µm µ n=960cm2/V·s Figura 3. f) Calcolare la densità di corrente di portatori minoritari al bordo della zona di carica spaziale a lato n. Estensione zona p e zona n: Mobilità elettroni: Mobilità lacune: Tempo di vita medio elettrone: Tempo di vita medio lacuna: Area di giunzione: Gap di energia del Silicio Concentraz. Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel punteggio!!! Tempo a disposizione: 3 ore BUON LAVORO! . calcolare la tensione . c) Calcolare il potenziale di superficie φS nella condizione di soglia e disegnare il diagramma a bande quotato nella sola regione del semiconduttore in tale condizione. bianchetto correttore.2·1019 cm-3 Tabella 2 2. C’J. Esercizio 3 Si consideri il condensatore MOS co con substrato in Silicio drogato p rappresentato in Figura 3.01eV EGAP=1.7 εr = 3. intrinseca Silicio: W MOSFET: L MOSFET: Mobilità elettroni di canale: Proprietà qχ=4.12eV εr = 11. con VDSsat=VGS-VT0. b) Nota la tensione di flat-band band VFB= -0. calcolare la conduttanza di canale nel punto di lavoro VDS = 0. d) Nota la tensione di soglia (calcolata nel punto b). Stati in b. d) Calcolare la capacità di giunzione per unità di area.7 NV=1.calcolare la tensione VR applicata. penne rosse.9 tOX=12 nm ni=1. di conduzione: Wp = Wn = 750 µm µn = 1350 cm2/V·s µp = 450 cm2/V·s τn = 0. Il transistore opera in regime di saturazione della velocità? (motivare la risposta) Affinità elettronica Silicio Silicio: Gap di Energia Silicio: Costante dielettrica Silicio Silicio: Costante dielettrica SiO2: Spessore ossido: Concentr. VIETATO usare matite. e) Calcolare la frequenza di taglio e la velocità media di deriva dei portatori nel canale supponendo il transistore operante in zona satura.8·1019 cm-3 NC=3.62 V. Il transistore MOSFET in Figura 4 è polarizzato con una VGS=2. scrivere le espressioni e disegnare in un diagramma quotat i profili di quotato concentrazione dei portatori minoritari nel m diodo. Stati in b. a) Determinare il drogaggio NA del substrato in modo tale che |Q’SD(max)|=115·10-9 C/cm2. di soglia VT0.1 V.

il tempo medio di scattering: τ= c. molto vicino alla banda di conduzione. allo zero assoluto.16ps q d. Vbi = 0. Dal grafico si ricava la resistività dal drogaggio: ρ = 0. ovvero l’atomo donore non è ionizzato. ma tutti legati al proprio atomo e pertanto il livello di Fermi è appena sopra il livello dei donori. Si ricava quindi la mobilità: 1 cm2 µn = = 625 q · ND · ρ V ·s Dalla mobilità si ricava.SOLUZIONE TEMA D’ESAME DEL 6 SETTEMBRE 2010 Esercizio 1 a.1Ω cm. Gli elettroni non sono quindi delocalizzati in banda di conduzione. Esercizio 2 a. ND = NC · exp − NA = NV · exp − b. Per T = 0K il livello di fermi si troverà in prossimità del livello dei donori: infatti gli elettroni introdotti nel sistema dagli atomi donori.1 · 103 cm−3 b.634V EC − EF kT EF − EV kT = 1016 cm−3 = 1015 cm−3 . R=ρ· L 2L =ρ· = 127kΩ S (B + b) · h µn · m∗ n = 0. nota la massa efficace. risultano localizzati e legati all’atomo donore stesso. n0 = ni · exp p0 = ni · exp − EF − Ei kT EF − Ei kT = 1017 cm−3 = 2.

45 µm.8 2 2 (Vbi + VR ) (NA + ND ) cm s 2 · EM AX NA + ND · = 22. In quattro iterazioni risulta NA = 5. C = dQ = .13 · 1016 cm−3 .. Il risultato è: Jp = 738. Risultano rispettivamente xn = 86. |Vbi + VR | = d. f. da iterare fino ad ottenere un risultato numerico stabile con il numero di iterazioni: NA (i+1) = f NA (i) . lato n: omettiamo la scrittura della semplice espressione analitica.5mA/cm2 .3 µm e Lp = 14.78V 2q NA · ND e. . successivamente si ricavano le lunghezze di diffusione dei minoritari nella rispettiva zona di competenza.4nm e xp = 864nm c. Si tratta delle lacune minoritarie a bordo zona di carica spaziale.. Il diodo risulta quindi lungo da entrambi i lati. Grazie alla relazione di Einstein si ricavano i coefficienti di diffusione nelle due regioni: Dn = 34. b. Metodo Trial and Error che utilizza le seguenti equazioni: |QSD (max)| = q · NA · xdT OT xdT OT = φf p = 2 s φs = qNA 4 s φf p qNA kT NA · ln q ni Combinando queste tre equazioni si ottiene la seguente. ovvero elettroni minoritari in zona p e lacune minoritarie in zona n: Ln = 32.61 cm2 /s.83 cm2 /s e Dp = 11.(la formula è nota!) Per calcolare l’estensione delle zone svuotate a lato n e p non si possono usare le formule semplificate perchè la giunzione non è unilatera: tra i drogaggi c’è soltanto un ordine di grandezza. = dVR q s NA ND nF = 1. Esercizio 3 a.

La velocità media di deriva dei portatori è vD = µn (VGS − VT ) /L = 1.44 mA/V . pertanto ci limitiamo a riportare il risultato: GCH = 1. La conduttanza / resistenza di canale è una domanda molto ricorrente. e.La formula della tensione di soglia è nota! Ci limitiamo a scrivere il risultato: VT 0 = 0. La frequenza di taglio risulta fT = µn (VGS − VT ) / (2πL2 ) = 243 MHz. d. c.778 V.608 V. Il potenziale di superficie nella condizione di soglia è pari al doppio del potenziale di substrato: φs = 2φf p = 0.53 · 106 cm/s. . Il transistore non opera in regime di saturazione della velocità.

valenza): Densità equiv. La giunzione è polarizzata con una tensione inversa VR.85 · 10-14 F/cm k = 1. a) Noto che (EC–EF)=0.1 · 10-31 kg Vt = 25. B = 1.5 µm h A = 4 µm B H t = 450 nm L(h) H = 100µm h=0 A Energia [eV] EC EF EFi EV Figura 1. b) Calcolare il campo elettrico massimo alla giunzione metallurgica EMAX. rappresentato nell’inserto di Figura 1. sapendo che la sua larghezza L in funzione della lunghezza h è L(h)=A+(B-A)·(h/H).conduzione): Massa efficace (elettrone): EGAP=1.Dispositivi Elettronici – Ingegneria Elettronica – AA 2009/2010 – 7 Febbraio 2011 Costante dielettrica del vuoto: Costante di Boltzmann: Massa dell’elettrone a riposo: Tensione termica (T=300K): Carica dell’elettrone: Costanti Universali ε0 = 8. Giunzione pn in Silicio . Mobilità dei portatori maggioritari nel Silicio in funzione della concentrazione di impurità N a 300K. c) Calcolare la conducibilità σ del semiconduttore.45·1010 cm-3 NV = 1.25·(EF–EFi). ND=2·1019cm-3. Il dispositivo è un resistore avente per proiezione in pianta un trapezio isoscele con lunghezza del contatto inferiore A. Gap di Energia Si Concentrazione intrinseca Si: Densità equiv. a) Calcolare il potenziale di built-in.2 ·1019 cm-3 mn* = 0. l’estensione delle zone di carica spaziale e specificare il tipo di giunzione. c) Calcolare la capacità di giunzione per unità di area. d) Calcolare la resistenza R del resistore. nota la tensione inversa VR=15V applicata. Esercizio 2 (continua a pagina 2) Si consideri una giunzione pn in Silicio (Si). Caratteristiche del resistore. lunghezza del contatto superiore B.12 eV ni = 1.6·10-19 C Esercizio 1 Si consideri il diagramma a bande di un dispositivo a semiconduttore (Silicio) estrinseco. di stati (b. p NA WP n ND WN Figura 2. spessore t e lunghezza H (vedi Figura 1a). Figura 1a.8 ·1019 cm-3 NC = 3. Sono noti i drogaggi per la regione p. C’J nella giunzione polarizzata in inversa come nel punto b). calcolare la densità di portatori maggioritari e minoritari all’equilibrio.83 m0 Tabella 1. NA=1017cm-3.38·10-23 J/K m0 = 9. Proprietà del Silicio.8 mV q = 1. a T=300K. e per la regione n. nota la massa efficace. di stati (b. b) Utilizzando il grafico in Figura 1 calcolare il tempo medio di scattering dei portatori maggioritari.

01eV EGAP=1. commentando brevemente il risultato ottenuto.8V.2·1019 cm-3 Tabella 2 2. d) Specificare per entrambe le regioni p ed n se ci si trova nell’approssimazione di diodo lungo o diodo corto. ntrambe regioni Estensione zona n: Estensione zona p: Mobilità elettroni: Mobilità lacune: Tempo di vita medio elettrone: Tempo di vita medio lacuna: Area di giunzione: Gap di energia del Silicio Concentraz. Affinità elettronica Silicio Silicio: Gap di Energia Silicio: Costante dielettrica Silicio Silicio: Costante dielettrica SiO2: Spessore ossido: Concentr. ) e) Calcolare la corrente di saturazione inversa Is della giunzione polarizzata in diretta. Stati in b. Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel punteggio!!! Tempo a disposizione: 3 ore .6µm µ n=1000cm2/V·s Gate Source VSB + - Drain n+ p .45·1010 cm-3 W=10µm L =2. bianchetto correttore. Il transistore MOSFET in Figura 4 è polarizzato con una VGS=2.9 tOX=12 nm ni=1.5 V. calcolare la resistenza di canale nel punto di lavoro VDS = 0 0V. intrinseca Silicio: W MOSFET: L MOSFET: Mobilità elettroni di canale: Proprietà qχ=4. b) Nota la tensione di soglia VT0=0.Si Body n+ Solo punto d) Figura 4. Transistore MOSFET VIETATO usare matite. Intrinseca Silicio: Costante dielettrica Silicio: Densità eq. commentando . calcolare il potenziale di . Stati in b. Tabella 3 3. Esercizio 3 Si consideri il condensatore MOS co con substrato in Silicio drogato p rappresentato in Figura 3. a) Determinare il drogaggio NA del substrato in modo tale che la densità di carica di svuotamento nel semiconduttore a soglia sia pari a: |Q’SD(max)|=104·10-9 C/cm2.73V. flat-band VFB. d) Calcolare la soglia del MOSFET modificata per effetto body in seguito all’applicazione di una tensione VSB=7. penne rosse. di conduzione: Wn = 221 µm Wp = 100 µm µn = 1005 cm2/V·s µp = 408 cm2/V·s τn = 0. di valenza: Densità eq. Figura 3. f) Calcolare la densità di portatori minoritari al bordo della zona di carica spaziale a lato n e a lato p e disegnare il profilo qualitativo dei portatori minoritari in entrambe le regioni.45·1010cm-3 εr = 11.7 NV=1.Si consideri ora la giunzione polarizzata in diretta con una tensione VD=0. brevemente (max 4 righe) il risultato.12 eV ni = 1.7 εr = 3.8·1019 cm-3 NC=3. c) Nota la tensione di soglia (dato del dato punto b).62 V.3 µs τp = 180 ns A = 2·104 µm2 EGAP = 1.12eV εr = 11.

σ = qµn ND = 26. n b.04 · 102 cm−3 .95 V . a. Esercizio 2 Questo esercizio è standard. Dal grafico si ricava la mobilità: µn = 400 cm2 / (V · s) Con la seguente si ricava il tempo medio di scattering: τ= c. Ora per la legge di azione di massa p= n2 i = 5. da sostituire nella seguente: n = NC · exp − EC − EF kT = 4.68 Ω−1 cm−1 d. La sezione del resistore non è costante: pertanto è necessario integrare la sezione variabile lungo la lunghezza H del dispositivo: R=ρ· 0 H m∗ · µn n = 189 f s q dh t · A + (B − A) · h H = ρH A ln t · (A − B) B = 32. si può scrivere la seguente: EC − EF = 1 EGAP 1 · − · (EC − EF ) 4 2 4 Da questa si ottiene EC − EF = EGAP /10. VBI = NA ND kT · ln q n2 i = 0.17 · 1017 cm−3 . pertanto ci limitiamo a riportare soltanto i risultati numerici.67 kΩ in cui naturalmente ρ = 1/σ calcolato al punto precedente.SOLUZIONE TEMA D’ESAME DEL 7 FEBBRAIO 2011 Esercizio 1 a. Note le espressioni EC − EF = 1/4 (EF − EF i ) (dato) e (EC − EF ) + (EF − EF i ) = EGAP /2 (diagramma a bande).

La corrente di saturazione inversa della giunzione polarizzata in diretta è: IS = 0. Il diodo è dunque approssimabile a BASE LUNGA in entrambe le zone.87 · 1011 cm−3 e np (−xp ) = 5. Le densità di minoritari a bordo zona di carica spaziale risultano: pn (xn ) = 2. da iterare fino ad ottenere un risultato numerico stabile con il numero di iterazioni: NA (i+1) = f NA (i) .63 f A.9 µm e Lp = 1. Grazie alla relazione di Einstein si possono ricavare i coefficienti di diffusione dei minoritari: Dn = 25.76 µm.7 nF cm2 V cm d.553 nm xp = 110. EM AX = 7.376 · 10−3 cm = 13. e. Metodo Trial and Error che utilizza le seguenti equazioni: |QSD (max)| = q · NA · xdT OT xdT OT = φf p = 2 s φs = qNA 4 s φf p qNA kT NA · ln q ni Combinando queste tre equazioni si ottiene la seguente.74 · 1013 cm−3 Esercizio 3 a.3 · 105 c.53 cm2 /s.79 · 10−3 cm = 27. Successivamente si calcolano le lunghezze di diffusione dei portatori minoritari nelle zone opposte al loro segno: Ln = 2. Cj = 22.93 cm2 /s e Dp = 10.6 nm b. f.xn = 55 · 10−9 cm = 0. .

√ Qui è necessario calcolare il parametro di effetto body γ = 2q s NA /COX e successivamente: ∆VT H = γ · Dunque. 2φf p + VSB − 2φf p = 0. Ci limitiamo a riportare il risultato numerico: VF B = −0.824V (1) . b.55V Si ha quindi un incremento della tensione di soglia per effetto body. c.25 · 1016 cm−3 . partendo dalla guess iniziale NA = 1017 cm−3 (valore scelto arbitrariamente: si potrebbe scegliere anche un valore iniziale diverso .4 V .In cinque iterazioni. il drogaggio converge al valore stabile (5) NA = 4.fate prove con valori diversi!). VT H = VT H0 + ∆VT H = 1. Anche questo è un esercizio molto gettonato negli ultimi temi d’esame e anche qui ci limitiamo a riportare il risultato numerico: RCH = 436 Ω. d.

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