You are on page 1of 38

CUPRINS

I. Introducere II. Clasificarea tranzistoarelor A. Tranzistorul bipolar a) Clasificare. Simbol. Notaţii b) Principiul de funcţionare B. Tranzistoare cu efect de câmp 1. Tranzistoare J-FET a) Clasificare. Simbol. Notaţii b) Principiul de funcţionare 2. Tranzistoare MOS-FET a) Clasificare. Simbol. Notaţii b) Principiul de funcţionare 3. Alte tranzistoare cu efect de câmp C. Tranzistorul unijoncţiune III. Polarizarea tranzistoarelor A. Polarizarea tranzistoarelor bipolare B. Polarizarea tranzistoarelor cu efect de câmp 1.Polarizarea tranzistoarelor J-FET 2.Polarizarea tranzistoarelor MOS-FET IV. Aplicaţii ale tranzistoarelor A. Amplificatoare 1. Etaje de amplificare cu tranzistoare bipolare 2. Etaje de amplificare cu tranzistoare J-FET 3. Etaj de amplificare cu tranzistor MOS-FET B. Regimul de comutaţie al tranzistoarelor 1. Comutarea tranzistoarelor bipolare 2. Comutarea tranzistoarelor cu efect de câmp C. Circuite logice 1. Circuite logice cu tranzistoare bipolare 2. Circuite logice cu tranzistoare MOS (CMOS)

I Introducere

Materialele se pot clasifica din punct de vedere al rezistivităţii în trei grupe: conductoare, izolatoare şi semiconductoare. Materialele conductoare se caracterizează printr-o rezistivitate foarte mică, devenind superconductoare la temperaturi scăzute de 0 K în cazul metalelor şi aproximativ 0OC în cazul materialelor ceramice. Conducţia în aceste metale este asigurată de electroni. Materialele izolatoare sunt caracterizate prin rezistivităţi mari, la 0 K rezistivităţile crescând şi mai mult. Spre deosebire de materialele mai sus menţionate, materialele semiconductoare au rezistivităţi medii raportat la cele două tipuri de materiale. Proprietăţi semiconductoare au în special elementele tetravalente cum sunt germaniu şi siliciu caracterizate prin valori medii ale energiei de extracţie a electronilor de valenţă. La semiconductoare conducţia este determinată de două feluri de purtători de sarcină mobili: electronii – negativi şi golurile – pozitive. Rezistivitatea acestora poate fi scăzută prin diverse metode având ca rezultat creşterea conductivităţii lor. Una din metode este prin doparea semiconductoarelor prin impurităţi pentavalente sau trivalente. În semiconductoarele intrinseci concentraţia electronilor de conducţie este egală cu cea a golurilor: nn=np. În cazul impurificării semiconductoarelor intrinseci cu impurităţi pentavalente sau donoare (arseniu, fosfor, stibiu) concentraţia electronilor devine mult mai mare decât cea a golurilor nn>np. În acest caz se obţin semiconductoare de tip „n” în care purtătorii de sarcină majoritari sunt electronii. Dacă semiconductoarele sunt dopate cu impurităţi trivalente sau acceptoare (indiu, galiu, bor) concentraţia electronilor devine mult mai mică decât concentraţia golurilor nn<<np şi se obţin semiconductoare de tip „p” în care purtătorii de sarcină majoritari sunt golurile. Prin doparea unui semiconductor pur pe o porţiune cu impurităţi donoare, iar pe următoarea porţiune cu impurităţi acceptoare se formează o regiune de tranziţie între cele două regiuni numită joncţiune p-n. Materialele semiconductoare dopate sunt utilizate la fabricarea diodelor, tranzistoarelor, tiristoarelor. Aceste dispozitive înlocuind cu succes tuburile electronice cu vid sau gaz inert în marea majoritate a aplicaţiilor.

II Clasificarea tranzistoarelor

Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare cu trei electrozi. Aceşti electrozi fac legătura cu trei regiuni semiconductoare de conductibilitate diferită ale aceluiaşi cristal semiconductor. Folosirea tranzistoarelor în locul tuburilor catodice prezintă următoarele avantaje: - timpul de funcţionare este mai îndelungat; - randamentul de funcţionare este mai mare; - dimensiuni mici şi greutate mică; - necesită tensiuni de alimentare mai mici. Există de asemenea şi anumite dezavantaje cum este influenţa temperaturii asupra caracteristicilor funcţionale. Tranzistoarele pot fi folosite pentru construcţia amplificatoare de semnal electric (curent, tensiune, putere), modulatoarelor şi demodulatoarelor de semnal, pentru realizarea transformărilor de energie, producerea oscilaţiilor, circuite de redresare, determinarea concentraţiilor de substanţe chimice în gaze sau lichide, pentru construirea circuitelor logice. Tehnologiile de bază pentru construcţia tranzistoarelor sunt tehnologia bipolară şi cea bazată pe efectul de câmp. Din punct de vedere al tipului constructiv se deosebesc tranzistoare bipolare, tranzistoare cu efect de câmp şi tranzistoare unijoncţiune.

A. Tranzistorul bipolar
La tranzistorul bipolar conducţia este asigurată de electroni de conducţie care au sarcini negative şi de goluri care au sarcini pozitive, deci de două tipuri de sarcină cu semne opuse. Tranzistorul bipolar şi-a găsit numeroase aplicaţii nu numai în circuitele de amplificare ci şi în circuite logice, demodulatoare, modulatoare, oscilatoare, stabilizatoare de tensiune etc. De asemenea intră în componenţa circuitelor integrate aceste putând avea de la câteva tranzistoare la zeci de mii de tranzistoare. a) Clasificare. Simbol. Notaţii Tranzistoarele bipolare sunt alcătuite dintr-un semiconductor cu trei straturi de conducţie diferită care determină existenţa a două joncţiuni p-n. Din punct de vedere constructiv tranzistoarele bipolare sunt clasificate în tranzistoare de tip „pnp” formate din două straturi de tip „p”

UB . Simbolizarea tranzistoarelor bipolare este prezentată în figura 2: Fiecare tranzistor bipolar este caracterizat prin trei curenţi şi trei tensiuni care sunt prezentate în figura 3: Curenţii respectă prima lege a lui Kirchhoff: IE = IB + IC Iar tensiunile reprezintă diferenţa de potenţial între puncte: UEB = UE . acestea sunt bornele tranzistorului bipolar. În figura 1 sunt prezentate cele două tipuri de tranzistoare bipolare „npn” (figura a) şi „pnp” (figura b): În care E reprezintă emitorul. C reprezintă colectorul. Cele trei borne sunt legate intern fiecare la una din cele trei regiuni semiconductoare ale tranzistorului. iar B reprezintă baza. După cum se poate observa din figura 1 cele două joncţiuni p-n sunt: joncţiunea emitor – bază numită şi joncţiune de emitor şi joncţiunea bază colector numită joncţiune de colector.între care se află un strat de tip „n” şi tranzistoare de tip „npn” formate din două straturi de tip „n” între care se află un strat de tip „p”.

tranzistoare bipolare de putere medie. peste 15 W. Datorită impurificării slabe a bazei şi a grosimii reduse au loc puţine procese de recombinare a electronilor.tranzistoare bipolare cu siliciu.tranzistoare bipolare cu germaniu. Similar se obţin şi tranzistoarele pnp. poate fi realizată o clasificare a acestora natura semiconductorului din care sunt confecţionate: . substratul fiind de tip p. .tranzistoare bipolare de joasă frecvenţă până la 100 MHz . Cea mai mare parte a acestor electroni difuzează prin stratul bazei spre joncţiunea . . se fac succesiv două difuzii ca în figura 4. datorită câmpului electric creat de sursa UB. b) Principiul de funcţionare Amplificarea este principalul rol al tranzistorului bipolar aceasta fiind obţinută datorită efectului de tranzistor.UCB = UC . O altă clasificare poate fi realizată în funcţie de puterea maximă disipată de tranzistor: . difuzia bazei de tip n şi difuzia emitorului de tip p. până la 750 mW.. de tip p.tranzistoare bipolare de înaltă frecvenţă peste 100 MHz până la frecvenţe de ordinul gigaherţilor.tranzistoare bipolare de mare putere. Pentru tranzistorul „npn” din figura 5 polarizat în montaj cu emitor comun.UE Pentru obţinerea tranzistoarelor bipolare de tip npn pe un substrat epitaxial de tip n care reprezintă colectorul. între 3 şi 15 W . De asemenea. reprezintă baza. iar a doua difuzie de tip n reprezintă emitorul. Efectul de tranzistor reprezintă trecerea unui curent foarte mare prin joncţiunea colectorului polarizată invers datorită cu joncţiunea emitorului polarizată direct. electronii din emitor difuzează în bază. Din punct de vedere al frecvenţei maxime la care pot lucra tranzistoarele bipolare pot fi clasificate astfel: . O altă condiţie este doparea mai puternică a emitorului în raport cu baza.UB UCE = UC .tranzistoare bipolare de mică putere. Una dintre condiţiile care trebuie îndeplinite pentru realizarea efectului de tranzistor este următoarea: lărgimea bazei trebuie să mult mai mică decât lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină. Prima difuzie. Pentru a îndeplini aceste condiţii tranzistoarele bipolare se construiesc cu o grosime a bazei de aproximativ 1micrometru şi slab dopată cu impurităţi.

activ invers. conducţia fiind asigurată doar de transportul purtătorilor majoritari de sarcină. în care tensiunile sunt mici.IG – FET tranzistoare FET cu poartă izolată. regimul de funcţionare se numeşte saturat. În cazul în care joncţiunea emitor-bază (EB) este polarizată direct şi joncţiunea colector-bază (CB) este polarizată invers regimul de funcţionare se numeşte activ normal. în acest caz. Prin aplicarea unei tensiuni între poartă şi sursă se obţine un câmp electric transversal care determină conductivitatea canalului. Cel mai răspândit dintre tranzistoarele IG-FET este tranzistorul MOS-FET cu structură de tipul metal – oxid – semiconductor.colectorului unde diferenţa de potenţial favorizează trecerea electronilor în colector. tranzistorul este blocat deoarece curenţii sunt mici ambele joncţiuni fiind blocate. În cazul tranzistoarelor cu efect de câmp conducţia se face cu ajutorul unui canal. B. Atunci când atât joncţiunea emitorului cât şi cea a colectorului sunt polarizate invers. Tranzistoarele cu efect de câmp au trei terminale (borne sau electrozi): drenă D. Tranzistoarele cu efect de câmp pot fi cu canal p sau cu canal n.J – FET tranzistoare FET cu joncţiune . . Deci prin bază trece un curent de goluri . În cazul polarizării directe a ambelor joncţiuni. sursă S şi poartă G. O ultimă variantă este polarizarea inversă a joncţiunii emitorului şi polarizarea directă a joncţiunii colectorului regimul numindu-se.iar prin emitor şi colector un curent de electroni. Între drenă şi sursă circulă curentul de drenă ID prin intermediul canalului. După modul de aplicare al câmpului de comandă tranzistoarele FET pot fi: . Tranzistoare cu efect de câmp Tranzistoarele cu efect de câmp se notează cu FET corespunzător iniţialelor cuvintelor din limba engleză Field Effect Transistor sau cu TEC (tranzistor cu efect de câmp). Din această cauză tranzistoarele cu efect de câmp se mai numesc şi tranzistoare unipolare. Sursa UB furnizează baze goluri care compensează procesele de recombinare ale electronilor care au loc în bază.

1. Aceste tranzistoare conţin două joncţiuni p-n. sursa şi drena se conectează la regiuni de tip p+ şi poarta sau grila la regiunea de tip n+ şi substrat.Regiunile de trecere dintre zonele n + şi canal vor pătrunde mai puternic în canal decât în zonele p+. care este de tip p. iar poarta G la zona p+ şi la substratul SS . Sursa S şi drena D se conectează la cele două zone n +. tranzistoarele J-FET pot fi clasificate astfel: tranzistor J-FET cu canal n şi tranzistor J-FET cu canal p. acestea fiind impurificate mai puternic. Tranzistorul J-FET a) Clasificare. Simbol. în construcţia circuitelor integrate de tipul memoriilor şi microprocesoarelor datorită ariei mici de construcţie. În figura 6 este prezentată structura unui tranzistor J-FET cu canal n: Canalul de tip n este mai puţin dopat în raport cu substratul.tranzistoarele cu efect de câmp sunt utilizate în special în circuite care necesită o impedanţă mare de intrare. La tranzistorul J-FET cu canal p substratul va fi de tip n. La jumătatea distanţei dintre capetele canalului se realizează o zonă puternic dopată cu impurităţi acceptoare (p+). La extremităţile canalului de tip p se află două zone mai puternic dopate cu impurităţi donoare (n+) decât canalul. circuite de control a rezistenţei prin aplicarea unei tensiuni. Pentru tranzistorul J-FET se folosesc simbolurile din figura 7: . Notaţii După tipul canalului.

În figura 8 sunt reprezentate tensiunile şi curenţii caracteristici tranzistoarelor J-FET: Unde iD reprezintă curentul de drenă.Săgeata indică întotdeauna sensul de la p la n. iG curentul de poartă. Deoarece curentul iG este foarte mic. conform primei legi a lui Kirchhoff. putând fi considerat egal cu zero. Substratul este legat intern la poartă pentru a asigura polarizarea inversă şi deci blocarea joncţiunii substrat-strat epitaxial. Dezavantajele tranzistoarelor J-FET îl reprezintă faptul că realizează amplificarea intensităţii spre deosebire de tranzistorul bipolar. b) Principiul de funcţionare Între drenă şi sursă se aplică o diferenţă de potenţial care determină apariţia unui câmp electric ce are ca rezultat deplasarea electronilor de la sursă spre drenă cu formarea curentului de drenă ID. cu atât lăţimea canalului de trecere este mai mică şi rezistenţa canalului mai mare. curentul de drenă va fi considerat egal cu cel de sursă: iD=iS. Cu cât diferenţa de potenţial dintre poartă şi sursă este mai mare. deci şi curentul de drenă mai mic. datorită lipsei purtătorilor minoritari caracteristicile tranzistoarelor J-FET sunt influenţate de temperatură în mai mică măsură. iS curentul de sursă. Joncţiunile pn din structura tranzistorului (poartă-strat epitaxial şi strat epitaxial-substrat) sunt polarizate invers astfel încât curentul purtătorilor minoritari este practic nul. Prin polarizarea inversă dintre poartă şi sursă se croază o regiune de sarcină spaţială sărăcită în purtători de tip p care limitează lărgimea canalului de trecere dintre drenă şi sursă. UDS tensiunea dintre sursă şi drenă iar UGS tensiunea dintre poartă şi sursă. Dacă substratul nu este legat intern la poartă se oferă posibilitatea unor diverse variante de polarizare . iar amplificarea în tensiune este foarte mică. Avantajele tranzistoarelor J-FET raportat la tranzistoarele bipolare sunt: zgomotul electronic mai redus.

Tranzistoarele MOS-FET au trei terminale: drenă D. Structura unui tranzistor MOS-FEt cu canal n este prezentată în figura 9: În substratul realizat din material semiconductor dopat cu impurităţi acceptoare (p) se practică două zone dopate puternic cu impurităţi donoare (n+) prin difuzie zone care se conectează la bornele sursă S şi drenă D prin intermediul unui contact metalic. Notaţii Tranzistoarele MOS-FET se clasifică în tranzistoare MOS-FET cu canal de tip p şi tranzistoare MOS-FET cu canal de tip n. tot în funcţie de tipul canalului este următoarea: tranzistoare cu canal iniţial şi tranzistoare cu canal indus. Tranzistorul MOS-FET a) Clasificare. Conducţia curentului se realizează prin intermediul canalului. Simbol. sursă S şi poartă G. O altă clasificare.2. Izolatorul este constituit din dioxid de siliciu care este realizat pe suprafaţa substratului de tip p având rolul de a separa semiconductorul de poarta G care constă dintr-o placă metalică depusă pe suprafaţa izolatorului. .

curentul de drenă este zero datorită blocării joncţiunii substrat-drenă care este polarizată invers. tranzistorul funcţionează prim îmbogăţire. Dacă între poartă şi sursă se aplică o diferenţă de potenţial pozitivă (UGS>0) se induce în substrat o zonă de tip n care determină lărgirea canalului şi scăderea rezistenţei sale. pe substrat. între drenă şi sursă va apare un canal indus de tip n care determină apariţia unui curent între sursă şi drenă. Valoarea prag ia valori între 2 şi 6 volţi şi depinde de construcţia tranzistorului. stratul de metal al porţii se întinde parţial şi peste difuziile de tip n ale sursei şi drenei. fie prin crearea canalului doar în momentul polarizării sub influenţa câmpului electrostatic. În acest caz. La fel ca şi în cazul tranzistoarelor J-FET. Canalul poate fi obţinut în două moduri: fie prin realizarea unui canal iniţial între zonele drenă şi sursă şi de acelaşi tip cu acestea. iar cele două zone obţinute prin difuzie vor fi de tip n+. Pentru a asigura circulaţie electronilor prin canal. Tensiunile şi curenţii care caracterizează tranzistoarele MOS-FET sunt prezentaţi în figura 11: Notaţiile folosite coincid cu cele de la tranzistorul J-FET.În cazul tranzistoarelor MOS-FET cu canal p substratul va fi de tip n. Simbolizarea tranzistoarelor MOS-FET este prezentată în figura 10. . Se spune că tranzistorul funcţionează prin golire. La aplicarea unei tensiuni pozitive între poartă şi sursă UGS datorită efectului de condensator dintre terminalul poartă polarizată pozitiv şi stratul semiconductor în acesta din urmă este indusă o zonă cu sarcini negative. b) Principiul de funcţionare Tranzistorului MOS-FET cu canal indus de tip n şi substrat p i se aplică o tensiune drenă sursă UDS pozitivă şi deşi joncţiunea sursăsubstrat este polarizată direct. Dacă tensiunea UGS este mai mare decât o valoare prag. iG este aproximativ egal cu zero. La aplicarea unei diferenţe de potenţial negative între poartă şi sursă (UGS<0). Pentru un tranzistor cu canal iniţial n între sursă şi drenă există un canal de tip n. datorită negativării depunerii metalice. se induce o zonă de sarcină pozitivă care pentru o anumită tensiune duce la îngustarea canalului de tip n. deci o creşterea curentului de drenă. fiind numit canal indus. deci la mărirea rezistenţei şi reducerea curentului de drenă.

Acesta poate fi dioxid de siliciu cu alte texturi. În locul plăcii metalice care constituie poarta se află un strat ionosenzitiv cu rol izolator. sticle speciale. Stratul ionosenzitiv are rol de senzor. o dopare cu impurităţi acceptoare p. Între canal şi zona sursei există o regiune . b)Tranzistorul D-MOS Structura tranzistorului D-MOS cu canal p este prezentată în figura 13: Substratul este slab impurificat n. SO3N4.3. În substrat se realizează două zone de difuzie şi anume o zonă n+ puternic dopată la care se conectează drena şi o zonă cu două difuzii consecutive. Conform structurii din figura 12 în substratul p se obţin două zone n prid difuzie la care se conectează drena D şi sursa S. urmată de o zonă dopată puternic cu impurităţi donoare n+. a) Tranzistorul ionosenzitiv (IS-MOS) Acest tranzistor este cunoscut şi ca tranzistor IS-FET şi stă la baza construiri unor senzori foarte mici. Alte tranzistoare cu efect de câmp Din această categorie a tranzistoarelor cu efect de câmp fac parte şi tranzistoarele IS-MOS. iar zona p ce corespunde canalului p în această zonă se conectează la poarta G. tranzistorul FET vertical. De aici vine denumirea de dublă difuzie a tranzistorului D-MOS. tranzistorul D-MOS. Cu excepţia stratului ionosenzitiv toate celelalte porţiuni sunt acoperite cu material plastic izolator. Zona n+ se conectează la sursa S. Ta2O5. cu ajutorul acestui tip de tranzistor efectuându-se măsurători în diverse medii lichide sau gazoase.

Canalul este de tip p. Tranzistorul SIP-MOS La acest tranzistor. în această zonă conectându-se sursa. la realizarea acestui tip de tranzistoare difuzia a fort înlocuită prin implementare ionică în ? metalice de aluminiu cu siliciu policristalin depus epitaxial. tranzistorul SIP-MOS se comportă ca o dioda care prezintă avantaj în cea ce priveşte regimul de circulaţie. c) Tranzistoarele FET verticale Tranzistoarele FET verticale faţă de tranzistoarele MOS şi D-MOS prezintă avantajul că permit funcţionarea la intensităţi mari ale curentului electric. Prin această structură se elimină dezavantajul tranzistoarelor MOS-FET. În stratul epitaxial care este mai slab dopat. drena fiind conectată prin intermediul unei plăci metalice la acest substrat. Un alt avantaj al acestor tranzistoare este funcţionarea la tensiuni şi curenţi foarte mari. Tranzistorul V-MOS După cum se poate observa în figura 14la substratul puternic dopat n+ se conectează drena prin intermediul unei plăcuţe metalice. Stratul izolator este realizat din dioxid de siliciu în interiorul căreia este realizată poarta din siliciu policristalin. Sursa S este conectată prin intermediul unei plăci metalice de aluminiu. Între poartă şi canal se depune un strat izolator de dioxid de siliciu. deci apare doar în momentul polarizării pozitive a porţii faţă de sursă. prin dublă difuzie se creează o zonă p şi apoi o zonă n+. În continuare sunt prezentate: tranzistorul V-MOS. Stratul epitaxial este slab dopat. La regiunea corodată în „v” care este acoperită cu dioxid de siliciu se conectează poarta G. . Avantajul acestor tranzistoare este creşterea frecvenţei de lucru datorită inexistenţei capacităţii caracteristice a porţii. la care nu erau admise erori în ceea ce priveşte distanţa între difuzii. deoarece în cazul în care difuziile se atingeau canalul devenea inexistent. Stratul de oxid de siliciu este de asemenea prezent. În acest strat printr-o dublă implantare ionică se obţin regiunile p şi n+. SIP-MOS şi IGBT ultimele două fiind produse de firma Siemens.de drift. În ultimul timp. În cazul polarizării inverse. substratul n+ este puternic dopat.

mai slab dopat. Emitorul şi colectorul se conectează prin intermediul unor plăci metalice. impedanţă de intrare mare. Şi în la acest tranzistor stratul izolator este de dioxid de siliciu în care se realizează poarte G din siliciu policristalin. În acest strat prin implementare ionică se obţin două regiuni p în care se realizează câte două regiuni n+. puternic impurificate. rezistenţă drenă-sursă mică. fiind o . Prin combinarea celor două tipuri de tranzistoare se obţine un tranzistor cu viteză de comutaţie mare. colectorul C şi poarta G.Tranzistorul IGBT Denumirea acestor tranzistoare rezultă datorită combinării caracteristicilor avantajoase ale tranzistoarelor bipolare cu cele ale tranzistoarelor IG-FET ( Insulated Gate Bipolar Transistor). Conform figurii 16 substratul de tip p este acoperit de stratul epitaxial n. putere mare. Acest tranzistor nu are rol de amplificare. Tranzistoare unijoncţiune TUJ Denumirea de tranzistor unijoncţiune rezultă din existenţa unei singure joncţiuni p-n. Tranzistorul IGBT are trei terminale: emitorul E. C.

Tranzistorul unijoncţiune programabil având construcţia similară unui tiristor. Spre capetele barei se formează două regiuni n+ obţinute prin dopare mai puternică a acestor zone cu impurităţi donoare. baza 2 B2 conectate la zonele n+ şi emitorul conectat la structura p+.(fig 17) Tranzistorul unijoncţiune are trei terminale: baza 1 B1. are avantajul că poate regla valoarea potenţialului VE prin intermediul a două rezistoare externe montate împreună la poartă.variantă a tranzistorului bipolar cu rol de comutator. dacă între bazele B1 şi B2 nu există diferenţă de potenţial tranzistorul unijoncţiune se comportă ca o diodă înseriată cu o rezistenţă de valoare mare. Aceste circuite se întrebuinţează mai ales în circuitele de relaxare. catodul C şi poarta G şi are structura schematică prezentată în figura 19: . Ca şi celelalte tipuri de tranzistoare conectarea terminalelor se face prin intermediul unor plăci metalice. Dacă tensiunea UEB1 este mai mică decât VE atunci joncţiunea este polarizată invers şi tranzistorul este blocat. La aplicarea unei diferenţe de potenţial pozitive între bazele B1 şi B2 în substratul semiconductorului apare un câmp electric care determină în zona emitorului din substrat datorită rezistenţelor RB1şi RB2 un potenţial cu valoarea VE. Terminalele acestui tranzistor sunt: anodul A. Dacă tensiunea aplicată pe joncţiunea EB1 este mai mare decât valoarea potenţialului VE atunci tranzistorul este deschis. Rezistenţa se datorează rezistenţelor dintre emitor şi baza B1 (RB1) şi dintre emitor şi baza B2 (RB2). Simbolul de circuit al tranzistorului unijoncţiune sunt prezentate în figura 18: La aplicarea unei diferenţe de potenţial pozitive între emitor şi baza B1 . Tranzistoarele unijoncţiune sunt alcătuite dintr-o bară de siliciu dopată cu impurităţi donoare (n) cu excepţia unei porţiuni situate aproximativ la jumătatea distanţei dintre capetele barei care este impurificată cu impurităţi acceptoare rezultând astfel o zonă de tip p+.

.

tranzistorul bipolar poate avea trei conexiuni: emitor comun EC.III. Polarizarea tranzistoarel or bipolare Deoarece tranzistorul bipolar funcţionează în general la fel ca un cuadripol (figura 20 ) şi sunt necesare două borne de intrare şi două de ieşire. În consecinţă. conexiunea colector comun se foloseşte când este necesară o impedanţă mare de intrare şi o impedanţă de ieşire mică. Polarizarea tranzistoarelor a. iar conexiunea bază comună se foloseşte pentru frecvenţe mari ale semnalului. iar tranzistorul bipolar are doar trei terminale (emitor. curent sau tensiune. tensiune continuă) în care tranzistorul funcţionează optim. colector şi bază). ( adică curent continuu. Punctul static de funcţionare este un punct de coordonate I UE. . colector comun CC şi bază comună BC prezentate în figura: Folosirea conexiuni emitor comun se face în cazul unei amplificări mari de putere. este necesar ca unul dintre terminalele tranzistorului bipolar să fie comun circuitului de intrare şi ieşire.

O altă variantă de polarizare a unui tranzistor npn cu emitor comun în care s-a introdus un termistor este prezentată în figura 24: Micşorarea tendinţei de creştere a curentului de colector se datorează prezenţei termistorului care îşi micşorează rezistenţa la creşterea temperaturii. Schema are dezavantajul că variaţiile de temperatură influenţează negativ stabilitatea valorii rezistorului RB şi tensiunile UBE şi UCE. În figura este prezentată schema de polarizare a unui tranzistor bipolar de tip npn în montaj cu emitor comun: Rezistorul RC asigură polarizarea colectorului. În figura 23 este prezentată o altă schemă de polarizare a unui tranzistor npn cu emitor comun: În acest caz polarizarea bazei este asigurată de un divizor de tensiune alcătuit din rezistoarele RB1 şi RB2. compensându-se astfel efectul variaţiei temperaturii asupra polarizării. iar rezistorul RB polarizarea bazei şi deci valoarea curentului de colector. obţinerea efectului dorit realizându-se cu ajutorul rezistoarelor. .În practică se foloseşte o singură sursă de polarizare.

de ordinul sutelor de megaohmi.Polarizarea tranzistoarelor J-FET La polarizarea tranzistoarelor J-FET. chiar dacă este foarte mic. inde polarizarea este asigurată printr-un divizor de rezistoare. In schema din figura 25. Tensiunea necesară polarizării este dată de căderea de tensiune de pe rezistorul Rs determinată de curentul de sursă iS. Polarizar ea tranzisto arelor cu efect de câmp 1. de ordinul nanoamperilor ar determina o cădere de tensiune de aproximativ 1V. Rezistorul RG nu poate avea valori mai mari. O polarizare mai corectă se poate realiza cu circuitul din figura 26. pentru că curentul de poartă iG. . polarizarea este realizată prin intermediul unui rezistor RG cu valori de ordinul megaohmilor.ii. principalul obiectiv este asigurarea tensiunii dintre sursă si poartă UGS. Schema de polarizare este influenţată mult de temperatură.

Pentru rezolvarea alimentării de la o singură sursă. O astfel de schemă este dată în figura 27: La tranzistoarele cu canal iniţial este necesar ca tensiunea UGS dintre poartă şi sursă să poată fi atât pozitivă. tensiunea U GS este preluată din curentul de tranzistor iS care determină o cădere de tensiune pe rezistorul RS. cât şi negativă. . Polarizarea tranzistoarelor MOS-FET Pentru tranzistoarele MOS-FET cu canal indus realizarea polarizării dintr-o singură sursă de alimentare este simplă. în funcţie de modul de funcţionare al tranzistorului prin golire sau îmbogăţire.2. cădere de tensiune care este aplicata porţii printr-un rezistor R2. deoarece tensiunea sursă-drenă şi poartă sursă au aceeaşi polaritate.

Se folosesc diverse scheme care limitează această influenţă. -sensibilitatea amplificatoarelor la zgomote exterioare se referă la influenţa factorilor externi asupra funcţionării amplificatorului. Un zgomot intern prea mare împiedică amplificarea semnalelor mici. Un amplificator este caracterizat de următorii parametrii: -distorsiunea formei de undă a semnalelor. schemele sunt prevăzute cu bucla de reacţie. Constructiv. -amplificatoare cu două etaje de amplificare. Amplificatoarele de curent continuu pot amplifica tensiuni şi curenti cu variaţie aleatorie. . -mărimea amplificării. -amplificatoare pentru semnale mari. -amplificatoare de radiofrecvenţă. amplificatoarele pot fi: de curent continuu şi de curent alternativ. -amplificatoare de videofrecvenţă. amplificatoarele pot fi clasificate astfel: -amplificatoare cu un singur etaj de amplificare. se determină prin raportul dintre tensiunea semnalului de intrare şi cea a semnalului de ieşire sau între intensitatea semnalului de intrare şi intensitatea semnalului de ieşire.V. cu atât amplificatorul este mai performant. După mărimea semnalului de intrare. Amplificatoare A amplifica un semnal înseamnă a mări valorile instantanee ale tensiunii sau intensităţii fără a modifica variaţia în timp a acestor mărimi. datorat funcţionării componentelor electronice care au zgomot propriu. în realitate la amplificatoare forma de undă a semnalului de ieşire este puţin modificată faţă de cea a semnalului de intrare. Cu cât cele două forme de undă sunt mai asemănătoare. folosind energia unor surse de alimentare. Aplicaţii ale tranzistoarelor A. Clasificarea amplificatoarelor se poate face in funcţie de mai multe criterii: După frecvenţa semnalelor. Pentru evitarea autooscilaţiei. -amplificatoare de putere. Amplificatoarele de curent alternativ se clasifica după domeniul frecvenţelor semnalelor în: -amplificatoare de audiofrecvenţă. -stabilitatea funcţionării amplificatorului se referă la funcţionarea optimă a amplificatorului care sub acţiunea unor factori externi sau interni poate autooscila. -zgomotul intern al amplificatorului. amplificatoarele pot fi: -amplificatoare de semnal mic.

Ele trebuie sa aibă o capacitate suficient de mare astfel încât sa se comporte ca un scurtcircuit la frecventa cea mai mica a semnalului de intrare. 1. Un astfel de amplificator asigura o amplificare mare atât in curent. Performantele etajului depind foarte mult de funcţionarea tranzistorului si de aceea trebuie asigurata stabilitatea punctului static de funcţionare.RC şi RE şi condensatorul CE au rolul de a asigura polarizarea tranzistoarelor şi stabilitatea punctului static de funcţionare in funcţie de tensiunea de alimentare. Schema etajului este data in figura 30. Condensatoarele CG si CL au rolul de a bloca componenta continua. In acest circuit amplificarea in tensiune este independenta de parametrii tranzistorului. amplificarea este de transadmitanţă. Etaje cu sarcina distribuita Etajul de amplificare este similar cu cel cu emitor comun. RB2. Etaje cu tranzistoare în conexiune emitor comun Schema etajului de tip emitor comun este prezentată în figura 29. Sunt cele mai răspândite etaje de amplificare realizate cu componente discrete. Etaje de amplificare cu tranzistoare bipolare Etajele cu tranzistoare bipolare sunt foarte diferite între ele prin modul de conectare şi numărul tranzistoarelor. cat si in tensiune. b.-amplificatoare cu mai multe etaje de amplificare. Dacă RC nu face parte din etaj. Un etaj de amplificare este format din unul sau două tranzistoare. Sursa de alimentare trebuie sa fie stabilizata. doar ca rezistenta din emitor nu mai este decuplata cu ajutorul condensatorului CE. Rezistoarele RB1. dar in schimb scade mărimea amplificării dacă rezistorul RC este inclus in etaj. a. .

fiind mult supraunitară. c) Etaje cu tranzistoare în conexiunea bază comună Polarizarea tranzistorului este realizată de RB1 şi RB2 pentru bază şi de RE şi RC pentru emitor şi respectiv colector. Din această etajul cu bază comună este considerat un amplificator ideal de intensitate. . Amplificarea acestui etaj poate fi mărită dacă se polarizează baza cu un singur rezistor dar atunci creşte instabilitatea punctului de funcţionare. iar rezistenţa de ieşire e foarte mare din care cauză etajul este considerat un amplificator ideal de tensiune. chiar dacă amplificarea în curent a etajului este mai mică decât unu.c. RB2 şi RE. de ordinul zecilor de ohmi. Amplificarea în curent depinde de valoarea rezistenţelor din divizorul de polarizare al bazei şi de rezistenţa de sarcină a amplificatorului. În schimb rezistenţa de ieşire este foarte mare putând atinge valori de ordinul megaohmilor. Rezistenţa de intrare la acest etaj este mică. Amplificarea în tensiune este similară cu cea a etajului în conexiunea cu emitor comun. Rezistenţa de intrare a etajului este limitată de rezistenţa divizorului din bază. Etaje cu tranzistoare in conexiune colector comun (repetor pe emitor) Polarizarea tranzistoarelor se face cu rezistoarele RB1. Condensatorul are acelaşi rol ca şi în cazul etajului cu emitor comun.

Având în vedere proprietăţile montajului colector comun.Etaje de amplificare compuse cu tranzistoare bipolare. Un caz particular al combinaţiei colector comun-colector comun este conexiunea Darington prezentată în figura 34: Rezistenţa R joacă rolul unui generator de curent şi a fost introdusă datorită intensităţilor de colector diferite ale celor două tranzistoare. Ambele tranzistoare amplifică în curent. primul tranzistor având doar rolul de a mări impedanţa de intrare. Pentru îmbunătăţirea performanţelor etajelor de amplificare se folosesc uneori etaje formate din două tranzistoare cu polarizare inseparabilă. a) Etaje compuse colector comun-emitor comun şi colector comun-colector comun. astfel încât această amplificare este foarte mare. Mărimea amplificării depinde de valoarea factorului de amplificare al celui de al doilea tranzistor. Primul tranzistor asigură totuşi o amplificare în curent. . iar al doilea tranzistor amplifică în curent şi tensiune. acest etaj are o impedanţă de intrare foarte mare şi o impedanţă de ieşire foarte mică. Tranzistoarele sunt conectate între ele ca în figura 33: Circuitul astfel format are o rezistenţă de intrare de ordinul sutelor de kiloohmi şi o rezistenţă de ieşire de ordinul zecilor de kiloohmi. Circuitul este un amplificator ideal de tensiune.

bază comună este un amplificator de curent cu proprietăţi similare unui etaj emitor comun. RB3. În figura 36 sunt prezentate două variante de polarizare a etajului cascod în care se consideră că toate condensatoarele funcţionează ca un scurtcircuit la frecvenţa semnalului de intrare. . Tensiunea de ieşire poate atinge valori mult mai mari decât în conexiunea emitor comun.c) Etaj compus emitor comun-bază comună (cascod) Schema de conectare este prezentată în figura 35: Un astfel de montaj are o rezistenţă de intrare moderată şi rezistenţă de ieşire neobişnuit de mare. Combinaţia emitor comun. În varianta b. iar RE şi CE polarizarea emitorului. În varianta a polarizarea bazelor celor două tranzistoare se realizează cu rezistoarele RB1. RC asigură polarizarea colectorului celui de al doilea tranzistor. RB2. baza primului tranzistor este polarizată de rezistoarele RB1 şi RB2 iar baza celui de-al doilea tranzistor de rezistenţele RB3 şi RB4.

Această schemă este folosită la amplificatoare. RD şi RS asigură . Avantajul lor constă în rezistenţa de intrare mare pe electrodul poartă. 2. Etaj de amplificare cu tranzistoare în conexiunea sursă comună Schema amplificatorului este dată în figura 39. Rezistoarele R1. circuite basculante. circuite logice şi oscilatoare. circuite de limitare a semnalului. Etaje de amplificare cu tranzistoare cu efect de câmp a) Etaje de amplificare cu tranzistoare J-FET Tranzistoarele cu efect de câmp cu joncţiune amplifică doar în tensiune. Amplificarea în tensiune este mai mică decât în cazul unui etaj cu tranzistor bipolar în conexiunea emitor comun cu care se aseamănă dacă curentul de lucru este acelaşi. R2. La fel ca la tranzistorul bipolar unul din terminalele tranzistorului trebuie să fie comun atât intrării cât şi ieşirii semnalului. amplificare care este foarte mică. Polarizarea tranzistoarelor într-un etaj cu cuplaj pe emitor se realizează ca în figura 38.d) Etaj compus colector comun-bază comună (cu cuplaj de emitor) Schema de principiu a acestui etaj este prezentată în figura 37: Acest etaj are proprietăţi asemănătoare cu ale montajului cascod. zgomotul redus şi dependenţa mică de temperatură. însă are avantajul că necesită tensiuni de alimentare mai mici datorită conectării în paralel a celor două tranzistoare.

Impedanţa de intrare este egală cu valoarea rezistenţei echivalente a rezistenţelor R1 şi R2 legate în paralel. La frecvenţe mai mari ale semnalului de intrare amplificarea circuitului scade. Amplificarea depinde de performanţele tranzistorului şi de valoarea rezistorului RD. iar impedanţa de ieşire este egală cu RD. Amplificarea în tensiune este sensibil mai mică decât a circuitului repetor pe emitor cu tranzistoare bipolare. Condensatoarele C1 şi C2 sunt condensatoare de cuplaj care au rolul de a bloca componenta continuă a semnalului. Condensatorul CS are rolul de a scurtcircuita la masă componentele d3e semnal ale curentului de sursă. Condensatorul C2 are rolul de a nu permite componentei continue a curentului de drenă să ajungă pe rezistenţa de sarcină . Etaj de amplificare cu tranzistoare în conexiunea drenă comună (repetor pe sursă) Acest etaj este similar celui cu tranzistoare bipolare în conexiunea colector comun. Rezistorul RS asigură polarizarea sursei şi oferă curentul necesar polarizării porţii prin divizorul rezistiv format de R1 şi R2. Condensatorul C3 are rolul de a diminua semnalele perturbatoare ce pot ajunge pe poartă de la sursele de alimentare.polarizarea tranzistorului. Etaj de amplificare cu tranzistoare în conexiunea grilă comună Schema electrică a acestui etaj este prezentată în figura 41. .

Toate condensatoarele se consideră în scurcircuit la frecvenţa minimă a semnalului de intrare. Amplificarea acestui etaj este egală cu cea a etajului cu sursă comună formată dintr-un singur tranzistor J-FET. Avantajele acestui etaj faţă de cel cu sursă comună se datorează afectului Miller redus la frecvenţe mari ale semnalului de intrare şi valoarea foarte mare. Amplitudinea semnalului pe sarcină este foarte mare fiind limitată doar pentru a nu străpunge tranzistorul între drenă şi poartă. având rolul de a bloca componenta continuă a semnalelor. a rezistenţei de ieşire. Condensatorul C3 care conectează grila tranzistorului la masă are rolul de a reduce semnalele perturbatoare la fel ca în cazul etajului cu poartă comună. de ordinul a sute de megaohmi.Etaj cascod cu tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune Primul tranzistor al etajului T1 are rolul de generator de curent pentru polarizarea tranzistorului T2. c) Etaje de amplificare cu tranzistoare MOS-FET Schema unui astfel de etaj cu tranzistoare MOS-FETeste dată în figura 43: Rezistoarele din circuit au rolul de a asigura alimentarea în curent continuu a tranzistorului. Condensatoarele de cuplaj C1 şi C2 se consideră scurtcircuitate la frecvenţa semnalului de intrare. În comparaţie cu etajul cascod cu tranzistoare bipolare amplificarea acestui etaj este mai mică iar rezistenţa de intrare şi de ieşire sunt mult mai mari. .

Proprietăţile de comutare ale tranzistoarelor sunt folosite la formarea. Un circuit simplu de comutare este dat în figura 44. Timpul în care se face comutarea depinde de durata de descărcare a capacităţilor de barieră. generarea şi prelucrarea impulsurilor electrice. durata difuziei purtătorilor minoritari prin bază şi timpul necesar creşterii şi descreşterii curentului de colector. Regimul de comutare al tanzistoarelor Prin comutare se înţelege trecerea tranzistorului succesiv din stare se blocare în stare de conducţie puternică şi invers. Trecerea din stare blocată în stare de conducţie se numeşte comutare directă. 1. În regiunile de trecere au loc procese de acumulare/extracţie de purtători de sarcină majoritari.B. În baza tranzistorului se aplică un semnal de comutare dreptunghiular a cărei variaţie în timp este prezentată în figura 45. Potenţialul VR menţine tranzistorul în regim de blocare iar potenţialul VF asigură comutarea tranzistorului în regim de conducţie. Trecerea din stare de conducţie în stare blocată se numeşte comutare inversă. Comutarea tranzistorului bipolar La comutarea tranzistorului bipolar au loc procese de acumulare sau extracţie de purtători de sarcină minoritari în regiunile neutre. Pentru reducerea timpului de comutare se folosesc tranzistoare bipolare de .

Intrarea în saturaţie este prevenită de deschiderea diodei ceea ce reduce curentul de bază.comutaţie care au anumite caracteristici constructive. Reducerea timpilor de comutare se poate face şi prin modificarea semnalului de comandă ca în figura 46. Pentru a evita saturarea tranzistorului se poate folosi unul din circuitele din figura 48. Pentru reducerea timpilor de viaţă ai purtătorilor minoritari tranzistoarele bipolare pentru comutare sunt dopate cu aur. Comutarea directă are loc în acest caz până la saturaţie incipientă păstrând şi avantajele comutării în saturaţie: disiparea unei puteri mici pe tranzistor şi un semnal de ieşire cu amplitudine mare. Capacităţile de barieră se reduc printr-o arie cât mai mică la colector şi printr-o rezistivitate mare în regiunea colectorului. . O altă metodă de reducere a timpilor de comutaţie este folosirea montajului din figura 47 în care condensatorul C are rolul de a micşora timpul de comutare.

Nivelul VGG menţine tranzistorul blocat. Cât timp tranzistorul este blocat canalul de conducţie este ştrangula pe toată lungimea sa. Procesele fizice care au loc la comutare sunt asemănătoare pentru tranzistoarele J-FET şi MOS-FET. Joncţiunea poartă canal se comportă ca un condensator cu capacitatea CG şi un rezistor cu rezistenţa RG legate în serie ca în figura 51. Lipsa purtătorilor minoritari la tranzistoarele cu efect de câmp face ca aceştia să nu fie afectaţi de fenomene de acumulare de sarcină rezultând timpi de comutare mai mici decât la tranzistoarele bipolare.2. Rezistenţa de ieşire este de asemenea mare (108 – 109 ohmi pentru J-FET şi 1012 – 1014 ohmi pentru MOS-FET). În regim de comutaţie tranzistoarele cu efect de câmp se folosesc în această regiune liniară. Tranzistoarele cu efect de câmp au rezistenţă de ieşire foarte mare atât în stare blocată (108 ohmi) cât şi în stare de conducţie în regim de saturaţie (104 – 105 pentru J-FET şi 103 – 104 pentru MOS-FET). În regiunea liniară de conducţie rezistenţa de ieşire variază între 1 şi 1000 ohmi depinzând de tensiunea aplicată pe poartă. Un exemplu de circuit cu tranzistor J-FET este dat în figura 49. Pe poarta tranzistorului se aplică un semnal de comutare dreptunghiular ca în figura 50. comutarea directă făcându-se către VG=0. . Comutarea tranzistoarelor cu efect de câmp Proprietăţile tranzistoarelor cu efect de câmp fac ca acesta să se comporte în regim de comutare foarte diferit de tranzistoarele bipolare.

Curentul de drenă fiind format din putători majoritari apare instantaneu sub acţiunea tensiunii de comandă. Fiecare nivel logic într-un circuit este reprezentat de un domeniu de valori ale tensiuni şi nu de o valoare fixă. Tensiunile mai mari reprezintă „1 logic” (HIGH sau adevărat) iar tensiunile mai mici reprezintă „0 logic” ( nivelul inferior LOW sau fals). aceste elemente sunt cele care determină comportarea tranzistoarelor cu efect de câmp în regim de comutaţie. Acest domeniu depinde de tipul constructiv al circuitului. La comutare inversă condensatorul CG se încarcă şi deci blocarea tranzistorului se face în timp finit. Aceste semnale dreptunghiulare numite impulsuri. Timpul de comutare al tranzistorului fiind foarte mic la tranzistoarele cu efect de câmp trebuie să ţinem seama şi de elementele parazite ale montajului. timpul de tranziţie al purtătorilor de sarcină prin canal fiind neglijabil. .La comutarea directă procesul de comutare are loc într-un timp ce depinde de timpul de descărcare al capacităţii CG care face ca tensiunea la bornele sale să nu varieze instantaneu. C. Astfel timpi dec comutare sunt maxim de ordinul zecilor de nanosecunde. Tensiunile sunt folosite pentru a reprezenta două niveluri logice. Circuite logice Circuitele logice sunt dispozitive care realizează transmisia. Impulsurile din figura s şi b se numesc impulsuri pozitive deoarece sunt situate deasupra nivelului de referinţă iar cele din figura c şi d impulsuri negative fiind situate sub nivelul de referinţă. Sunt prezentate în figura 52. mult mai mici decât la tranzistoarele bipolare. memorarea şi prelucrarea informaţiei. De fapt. Informaţia este în acest caz un semnal electric dreptunghiular.

Pentru o tensiune de alimentare de 5 V folosită la aceste circuite tensiunea dei8ntrare pentru nivelul „0 logic” poarte lua valori între -0. Dacă la .5 V(fig. Dacă tensiunea de alimentare este mai mare de 2 V (nivel „1 logic”) tranzistorul comută în regim de saturaţie şi tensiunea de ieşire este aproximativ 0V (nivel LOW). În figura 55 a este prezentat un circuit care realizează funcţia logică ŞI-NU (NAND) a cărei tabelă de adevăr este dată în figura 56 b.5 V şi 0. 53). Circuite logice cu tranzistoare bipolare Circuitele logice cu tranzistoare bipolare pot fi realizate cu componente discrete sau în tehnologie integrată.75 V.Din punct de vedere constructiv circuitele logice pot fi realizate cu tranzistoare bipolare sau în tehnologie metal-oxid-semiconductor (CMOS). corespunzător nivelului HIGH. Circuitul din figura 54 numit inversor realizează funcţia logică NU (NOT). 1. Dacă tensiunea de intrare este 0 V tranzistorul este blocat şi la ieşire se obţine o tensiune aproximativ egală cu tensiunea de alimentare.5 V pentru nivelul „0 logic” şi între 2. Simbolul de circuit al inversorului este prezentat în figura 54 b. La ieşire circuitele logice cu tranzistoare bipolare asigură tensiuni între 0 V şi 0. iar pentru nivelul „1 logic” între 2 V şi 5.5 V şi 5 V pentru nivelul 1 logic”. Tabela de adevăr pentru această funcţie este prezentată în figura 54 c.

Simbolul de circuit este prezentat în figura 56 a. Circuitele logice în tehnologie integrată au la bază poarta logică TTL (Logică Tranzistor Tranzistor ) care realizează funcţia ŞI-NU (NAND).6 volţi menţinând blocate dioda D 3 şi tranzistorul. Dacă la ambele intrări semnalul este „1 logic” tranzistorul se deschide intră în saturaţie şi tensiunea de ieşire coboară la 0 V (LOW). Fiind blocat tranzistorul tensiunea de ieşire este aproximativ egală cu tensiunea de alimentare de 5 V (HIGH).cel puţin una din cele două intrări tensiunea este O V atunci în nodul de circuit P potenţialul are o valoare de 0. .

Tabelul de adevăr al funcţiei logice ŞI (AND) este prezentat în figura 59 b. Tranzistorul lucrează în regiunea activ inversă. Pentru realizarea funcţiei logice SAU (OR). Tranzistoarele T3şi T4 formează etajul de ieşire în contratimp. Tranzistorul T2 lucrează în regim de comutaţie în funcţie de potenţialul bazei asigurat de tranzistorul T1. Diodele D2 şi D3 protejează joncţiunile bază emitor prin limitarea satului negativ în tensiune. Modul de conectare si tabelul de adevăr sunt prezentate în figura 61 . sunt necesare trei porţi elementare conectate ca în figura 60 a. Poarta se mai numeşte poartă elementară deoarece este cel mai simplu circuit TTL care realizează o funcţie logică între două intrări. Folosind combinaţii de porţi elementare se pot obţine şi alte operaţii logice. Pentru realizarea funcţiei logice şi între două intrări porţile elementare se leagă ca în figura 59 a. Funcţia SAU-NU este realizată cu patru porţi elementare. Avantajul acestei variante este evacuarea rapidă prin curent de colector a sarcinii acumulate în baza lui T2 la tranziţia din HIGH în LOW la intrare. care are tabelul de adevăr prezentat în figura 60b. Prin unirea intrărilor A şi B se obţine funcţia logică NU realizată de inversor.Tranzistorul multiemitor T1 realizează funcţia celor trei diode din circuitul ŞI-NU cu componente discrete.

ci permit un domeniu de tensiuni de alimentare între 3 şi 30 V. 2. Suprafaţa mică pe care se poate construi un tranzistor MOS-FET în tehnologie integrată este un alt avantaj ce permite construirea circuitelor cu număr mare de tranzistoare.Circuite logice cu tranzistoare MOS-FET Circuitele logice integrate reprezintă principale aplicaţie a tranzistoarelor MOS-FET. Domeniile tensiunilor pentru nivelele logice 0 şi 1 sunt prezentate în figura 63. Faţă de circuitele TTL au avantajul că nu limitează valoarea tensiunea de alimentare la 5 V. aceste circuite logice fiind folosite pa scară largă sau foarte largă. Pentru a putea fi comparate cu domeniile de tensiuni ale circuitelor TTL s-a ales aceeaşi tensiune de alimentare. Practic tranzistorul nu consumă energie decât în timpul comutării între nivelele logice. Cu un circuit SAU-EXCLUSIV şi un circuit ŞI se realizează un circuit semisumator folosit la adunarea a două numere binare.. Unul din avantajele folosirii tranzistoarelor MOSFET impedanţa mare de intrare şi de ieşire cea ce determină un consum mic de energie. .

Tensiunea de ieşire în acest caz este nulă (nivel 0 logic) deoarece rezistenţa sursă-drenă a tranzistorului cu canal indus n este foarte mică. Două tranzistoare. Rezistenţa sursă-drenă a tranzistorului fiind mică tensiunea de ieşire este egală cu tensiunea de alimentare (nivel 1 logic). Substratele celor două tranzistoare sunt legate la cel mai coborât potenţial din schemă pentru tranzistorul cu canal n şi la cel mai ridicat potenţial din schemă pentru tranzistorul cu canal p. conectate în serie. Dacă tensiunea de intrare este mai mică decât tensiunea prag a tranzistorului cu canal n (nivel 0 logic) atunci acesta este blocat iar cel cu canal p este în deschis. unul de tip p şi celălalt de tip n. Inversorul CMOS este format din două tranzistoare MOS-FET cu canale induse. Un alt circuit CMOS important este comutatorul bilateral analogic. După cum se poate observa inversorul CMOS realizează funcţia logică NU a cărui tabel de adevăr a fost prezentat în figura 54 c. Dacă tensiunea de intrare este mai mare decât diferenţa dintre tensiunea de alimentare şi tensiunea prag a tranzistorului cu canal p (nivel 1 logic) atunci este blocat tranzistorul cu canal p şi conduce tranzistorul cu canal n. Inversorul are rolul de a asigura blocarea tranzistoarelor concomitent atunci când semnalul . unul cu canal indus n şi celălalt cu canal indus p sunt montate în paralel.Circuitul esenţial în realizarea circuitelor logice este inversorul CMOS (Complementary Symetry MOS) prezentat în figura XX. Acesta este format din patru tranzistoare MOS-FET. Celelalte două tranzistoare formează un inversor CMOS (figura 65).

de control este la nivelul „0 logic” şi funcţionarea ambelor tranzistoare pentru semnalul de control „1 logic”. . calculatoare personale etc. Aceste exemple nu epuizează toate tipurile de circuite logice construite cu tranzistoare MOS-FET sau bipolare. Circuitele logice CMOS sunt foarte variate având multe aplicaţii mai ales în tehnica de calcul.