Studio dei Sistemi Fotovoltaici Grid-Connected.

Docente Relatore: Prof. Giorgio Spiazzi Laureando: Piero Ceccato
Matricola: 530501

Corso di laurea specialistica in Ingegneria Elettronica

A mamma Giovanna, papà Ezio, Lisa & Andrea.

.r.l. Franco Mela e tutta Selco Engineering s.Un sentito ringraziamento all’Ing.

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. 3 3 4 7 9 13 17 1. Pag. 24 1.3 1.2.Introduzione. 33 .. Pag.2. 1..……………………… Pag.. Generazione di una coppia elettrone-lacuna per assorbimento di un fotone……………………………… Pag. Pag.5 Silicio Intrinseco……………………………………. 1.Indice Presentazione dell’azienda……………………………….2. Drogaggio dei semiconduttori…………………………. I Capitolo 1 ...2 1. Pag. Giunzione pn…………………………………………… Pag.Pag..Pag.2.3 TIPI DI CELLE FOTOVOLTAICHE…………………………….. Pag.... 1. 1 1.6 La giunzione pn in polarizzazione diretta……………… Pag.2.2 FISICA DELLA CELLA FOTOVOLTAICA……………………..Pag.1 L’EFFETTO FOTOELETTRICO…………..1 1..4 CARATTERISTICA I-V DI UNA CELLA FOTOVOLTAICA….4 1.5 INTRODUZIONE AGLI IMPIANTI FOTOVOLTAICI…………. 21 1. Diffusione e deriva……………………………………..2.

.3 PRODOTTI COMMERCIALI NEL RANGE 2kW – 4kW………............... 2...7 Ambiente………………………………………………….Analisi del mercato di inverter gridconnected 3kW. 2.3.3... 2..2.Pag. 2.3..2.... 2.. 2.2 CARATTERISTICHE DI UN IMPIANTO FOTOVOLTAICO….3..3.4 Parametri relativi alla tipologia costruttiva ………………....Pag.... Pag..Pag... …………….5 Tensione d’ingresso al MPPT e tensione massima…………Pag...3 Parametri di efficienza……………………………………..Pag. 2.. ……………………………………Pag. Pag...2.....3.2 Parametri d’uscita (Lato AC)………………………………Pag.......... Pag.. 2.8 Garanzia…………………………………………………… Pag.. 2. 2..6 Caratteristiche meccaniche………………..3....Pag...Pag....... 2..3..2.2. 2.10 Sistemi di comunicazione………………………………… Pag.2 Massima efficienza ed efficienza europea delle varie tipologie....3...4 Stadio d’ingresso e MPPT………………………………….8 Garanzia…………………………………… ………………Pag. 2.7 THD (Total Harmonic Distorsion)………………………… Pag. 2.5 Caratteristiche e funzionalità di sicurezza…………………Pag.......11 Design……………………………………. 2.6 Frequenza di funzionamento 50Hz e 60Hz.... 2.... 2...... Pag.... 2........3...... 46 46 47 47 48 48 50 50 50 51 60 2.......1 PREMESSA……………………………………………………….2.....2. Pag......3 Distribuzione delle varie tipologie………………………… Pag.....1 Tecnologie a confronto.......Capitolo 2 ...... 2.........1 Parametri d’ingresso (Lato DC)……………………………Pag.....9 Struttura MASTER – SLAVE……………. 2. 63 68 69 69 69 70 70 70 71 72 ......1.3. Pag... 41 2...

.. EN..Normative.2 Normative CE………………………………………………... 3.3 IMPIANTI FOTOVOLTAICI NEGLI STATI UNITI……………... 3.4. Pag. 3.4. 3. Pag.Pag.. Pag...1 PREMESSA…………………………………………………….6 Qualità dell’energia prodotta……………………….. 3..1.6.1. Pag. 75 77 77 79 80 81 86 73 75 75 3. 3.2..………………………………….2 Spagna……………………………………………………….3.1.Pag. Pag. EN...6. 3.2 UL1741………………………………………………………Pag. Pag.1 Sistemi fotovoltaici con tensione superiore ai 600V.... CEI PER INVERTER FOTOVOLTAICI…………………..Pag.1 Articolo NEC 690……………………………………………Pag.3 Dispositivo di Interfaccia…………………………… Pag..... 3. CEI per inverter fotovoltaici…………. Pag... 3. 3.1 Norme Generali…………………………………………….3 Australia……………………………………………………. 3. Pag..2 Dispositivo Generale……………………………….2 IMPIANTI FOTOVOLTAICI IN ITALIA………………………… Pag.6. 3.1 Schema di collegamento di un impianto di produzione alla rete pubblica dell’ENEL…………. 3.2 Normative IEC.1.. Pag.. Pag. Pag. 3. 3. 100 100 105 106 3.... Pag..6 ELENCO RIASSUNTIVO NORME IEC. 3.1 Germania…………………………………………………….4 Protezione di Interfaccia e taratura………………….2.3. 3.4 PANORAMICA SUGLI ALTRI PAESI……………. 3.5 NORMATIVE PER LA MARCATURA CE……………………….Capitolo 3 .2.2.4..Pag.3 Norme Stati Uniti…………………………………………… Pag.3.Pag.2..6...1.4 Norme per l’Australia………………………………………. Pag. 3. 3.2... Pag... 119 120 120 124 130 131 .1.5 Dispositivo di Generatore…………………………. 113 113 117 118 3..1 Direttiva Enel DK 5940….2.. 3..2.2.

Pag.3.. 4.2 Configurazione multistringa non isolata: Boost – Half Bridge…………………………………………..1 PREMESSA……………………………………………………….1. 4.2.. Pag.. 4. Pag.4 Analisi del circuito GCC realizzato con chopper a due stadi…………………………………………….3... Pag...1.2. 4.3.5 Caratteristica Potenza-Tensione……………………......2.Capitolo 4 – Topologie elettroniche.2.... 4..1.3. Pag...3 Forme d’onda…………………………………………Pag... 4... Pag.5 Configurazione isolata: Push Pull – Inverter a corrente impressa……………………. 4.......3.1.. 4..2......1 Introduzione alla topologia Multicella……………….6 Conclusioni………………………………………….1..1 Introduzione alla topologia GCC……………………Pag... 141 141 146 149 151 153 154 156 160 4. 4.Pag. Pag.2 Topologia risonante multicella……………… ……………..... 4.3.... 4.1 Modulazione PWM bipolare……………………….Pag. Pag..2 Analisi convertitore Multicella……………………… Pag..Pag. 4.. 4.1..3. 4.. Pag...1 Topologia GCC…………………………….. Pag..2..2.…….. 4.1.1 Configurazione non isolata: Boost – Full Bridge……………Pag.2....... 133 4.2.. 4..3.Pag.2. Pag.. 4.........3 Configurazione isolata: Boost – Full Bridge...3 TOPOLOGIE ELETTRONICHE PROPOSTE IN LETTERATURA………………………………………………….. 170 173 174 175 175 176 180 162 162 162 164 167 .Pag.2 Principio di funzionamento del circuito GCC……….....4 Convertitore isolata: Flyback – Full Bridge....Pag.2 Modulazione PWM unipolare……………………….3 Realizzazione pratica del circuito GCC…………….1....2. 4.Pag..3.. 4.. 4..3.6 Configurazione isolata: Full Bridge – Inverter a corrente impressa.2 TOPOLOGIE ELETTRONICHE A DOPPIO STADIO……......3.………………...

. Pag. Pag...3... Pag.1 MPPT Perturbe and Observe (P&O)……………………….. 4.3.4 MPPT Short Circuit Current (SC)…………. Pag. Articoli IEEE sugli articoli normativi…………….3.4 ALGORITMI MPPT……………………………………………..4.. Pag. Pag..3.3 Convertitore Cascaded H-Bridge……………………... 4.……………..3.. Pag.2 MPPT Incremental Conductance (ICT)…….. 4. Testi di Elettronica…………………………………Pag. 4.3. 184 184 184 186 187 187 188 188 192 195 197 199 Conclusioni…………………………………………………………Pag..3. Pag.. Manuali e Data Sheet………………………………Pag... 4. 4. 4.Pag.3..4 Configurazione multilivello isolata………………………. Pag. 4. 201 200 203 203 204 206 .......3.. Articoli IEEE sugli inverter fotovoltaici…………... Pag... Bibliografia Riviste e testi sul settore fotovoltaico…………….. Pag.2 Convertitore Multilivello Half – Bridge Diode Calmped (HBDC)……………………………………..3..5 Conclusioni……………………………………………….3 MPPT Costant Voltage (CV)………………………………....Pag.3 Topologie multilivello………………………..1 Premessa……………………………………………...4.3.. Normative…………………………………………. 4...Pag. Pag. …………….4..4. 4.4.

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selcogroup. Nel 2006 Selco s. +39 049 9413311 www.r. .l diventa un Gruppo di aziende controllate dalla Holding Selco Group S.l. La ragione del successo riscosso da Selco su scala internazionale è riassumibile in due concetti fondamentali: affidabilità totale e tecnologia all'avanguardia. nasce nel 1979 e ben presto diventa la realtà italiana più all'avanguardia nella progettazione e industrializzazione di generatori ed impianti per saldatura ad arco e taglio al plasma per utilizzi ed applicazioni professionali.Presentazione dell’azienda I Via palladio 19 – 35019 Onara di Tombolo(PD) Tel.p.A alla quale fanno capo 12 società. L'innovazione tecnologica.it Selco s. la continua ricerca di maggior efficienza e velocità. l'apertura verso il cambiamento. il lavoro e lo spirito di squadra caratterizzano la filosofia aziendale Selco.r. +39 049 9413111 Fax.

L. SELCO ROMANIA S.II Presentazione dell’azienda SELCO GROUP SPA SELCO SRL SELCO CZECH REPUBLIC S. OOO “SELCO RU” S.C. SELCO SOLDADURA SL SELCO WELD LTD SOCIETA’ COMMERCIALI SOCIETA’ COMMERCIALI ESTERE SOCIETA’ MANUFACTURING SOCIETA’ DI INGEGNERIZZAZIONE . SELCO MANUFACTURING SRL SELCO ENGINEERING SRL INTECO SRL SELCO DEUTSCHLAND SELCO FRANCE SARL SELCO POLAN SP. ZO.R.O.R.O.

informatizzate. si avvalgono delle più sofisticate e moderne tecnologie.Presentazione dell’azienda III L’attività di progettazione. nel Dipartimento Ricerca & Sviluppo dove ricercatori e progettisti. produzione e controllo qualità di Selco Group è svolta su un’area di 12800m2 fra la sede di Onara di Tombolo (PD) e Cittadella(PD).r. con processi e metodi che consentono agli operatori di lavorare nelle migliori condizioni. Sulla base di un' attenta analisi delle diversificate esigenze del mondo della saldatura.l è una sintesi di tradizione. . con elevate competenze specialistiche. Particolare cura ed attenzione viene posta sia nella definizione di soluzioni di design innovative. automatizzate sono ed infatti attrezzate in funzione della massima flessibilità. parametri e prestazioni che meglio rispondano alle molteplici esigenze applicative. viene condotta una costante e metodologica attività di ricerca e sviluppo sia di funzioni. sia di soluzioni tecnologiche tali da definire prodotti sempre più affidabili e flessibili in termini di prestazioni. La progettazione è delle da schede Selco elettroniche realizzata Engineering. capaci di unire funzionalità e sicurezza a linee moderne. L'attività produttiva svolta da Selco Manufacturing s. raffinatezza tecnologica e tecniche di produzione all'avanguardia: le attuali linee di produzione. sia nella razionalizzazione e standardizzazione dei componenti.

Questo aspetto della cultura aziendale. focalizzata sull'innovazione e sulla continua e costante ricerca di maggior efficienza ed efficacia. Per Selco Group la qualità significa attribuire ai prodotti una natura che li distingua sul mercato. a partire dal ricevimento delle materie prime e dei semilavorati provenienti dai fornitori. .IV Presentazione dell’azienda Controlli rigorosi vengono effettuati in ogni fase del processo di produzione. Selco utilizza la componentistica più moderna ed affidabile reperibile a livello mondiale e. Tutti i prodotti Selco Group vengono sottoposti ad una rigorosa procedura di collaudo finalizzata a verificarne la funzionalità in condizioni ambientali critiche. inoltre. anche un importante riconoscimento formale: la certificazione VISIO 9001. inoltre. Tutta la produzione Selco soddisfa. ha ottenuto. vengono inoltre effettuati su ogni singolo prodotto finito prima che avvenga la fase di imballaggio. l'applicazione di queste normative permette la rispondenza del prodotto Selco alle Direttive Comunitarie ed assicura all'operatore la massima sicurezza nell'utilizzo. statici e dinamici. progetta e sviluppa internamente diversi componenti considerati strategici per l'ottimizzazione delle funzioni e delle prestazioni del prodotto. Accurati test di collaudo. oltre al riscontro pratico di un crescente successo internazionale. le normative di prodotto IEC/EN 60974-1/-2/-3/-5 sulla sicurezza elettrica e la severa IEC/EN 60974-10 sulla compatibilità elettromagnetica. la resistenza a forti sollecitazioni meccaniche ed il rispetto della compatibilità elettromagnetica.

per consentire una sempre maggior conoscenza del prodotto. è in grado di offrire un servizio di assistenza qualificato mediante la propria capillare rete di distribuzione. anche grazie a questo costante impegno nella formazione. Selco Group dispone di un training centre per la formazione e l'aggiornamento specialistico del proprio staff tecnico-commerciale e di quello dei propri distributori. garantendo ai Clienti quella continuità e puntualità di supporto competente che il mercato internazionale nuovissimo si aspetta. . delle sue funzioni e potenzialità. Selco Group. Il magazzino ricambi computerizzato assicura un'evasione rapida e puntuale delle richieste dei Clienti. e per trasferire alla propria rete distributiva tutte le competenze tecniche necessarie ad una corretta manutenzione di tutti i prodotti della gamma. circa 160 persone di cui 24 dislocate nelle filiali europee con mansioni tecniche commerciali.Presentazione dell’azienda V Il Servizio di Assistenza Tecnica assicura rapidità ed efficacia di intervento: gran parte del Servizio avviene telefonicamente e tramite posta elettronica. al 31-12-2006. Selco Group comprende.

VI Presentazione dell’azienda .

1) EMAX Fig. ν0 chiamata Legge di Einstein dove h è la costante di Planck. Gli elettroni emessi. Successivamente con la teoria dei quanti Albert Einsten diede una spiegazione a tale fenomeno. L’effetto fotoelettrico consiste nell’emissione di elettroni da parte di materiali. Questo fenomeno osservato venne comunque catalogato da Hertz come un fenomeno nuovo e misterioso. ν .1. La prima osservazione dell’effetto fotoelettrico risale al 1887 ad opera di Heinrich Hertz mentre stava cercando di dimostrare l’esistenza delle onde elettromagnetiche.Introduzione. chiamati fotoelettroni.Energia cinetica massima dei fotoelettroni in funzione della frequenza della radiazione incidente. in particolare i metalli.1 Capitolo 1 . 1. hanno velocità e quindi energia cinetica che va da zero ad un valore massimo EMAX legato alla frequenza della radiazione incidente dalla relazione: E MAX = 1 2 ⋅ m ⋅ v MAX = h ⋅ (v − v0 ) 2 (1. In pratica si osserva che l’emissione di elettroni avviene solo se la radiazione incidente è caratterizzata da una frequenza ν maggiore di una certa frequenza di soglia ν0. colpiti da radiazione elettromagnetica di frequenza sufficientemente alta. 1.1 L’effetto fotoelettrico.01 .

l’energia di ogni fotone rimane invariata. gli elettroni potrebbero allontanarsi tanto dal nucleo da essere espulsi dagli atomi. E’ chiaro che l’effetto fotoelettrico può avvenire solo se l’energia del fotone incidente è in valore assoluto maggiore di EG. all’aumentare dell’intensità della radiazione elettromagnetica. ciascuno dotato di una energia h ⋅ν . chiamati fotoni. mentre aumenta il numero di fotoni che attraversano l’unità di superficie nell’unità di tempo. cioè aumenta l’intensità del fascio fotonico. se le oscillazioni imposte all’elettrone risultassero molto ampie. senza che la loro energia cinetica ne sia influenzata. gli può cedere la sua energia h ⋅ν : se questa è maggiore di quella necessaria per strappare un elettrone dall’atomo. contrariamente a quanto si osservava in pratica. L’interpretazione dell’effetto fotoelettrico fu data nel 1905 da A. come si osserva sperimentalmente. Egli suppose che nell’interazione con la materia le radiazioni elettromagnetiche si comportino come costituite da quanti di luce. La fisica classica ammetteva che elettroni appartenenti agli atomi superficiali del corpo irraggiato potessero essere sollecitati ad oscillare dall’azione del campo elettrico variabile associato alla radiazione elettromagnetica incidente. aumenta anche il numero di elettroni espulsi. mentre la loro velocità e quindi la loro energia cinetica ne è indipendente. l’elettrone stesso ne viene espulso ed assume energia cinetica pari alla differenza tra l’energia del fotone incidente e la propria energia di legame EG. Come conseguenza la velocità degli elettroni espulsi dovrebbe aumentare all’aumentare dell’intensità del campo elettrico incidente e quindi. cioè se la frequenza della radiazione incidente risulta maggiore di EG/h. un fotone. a parità di frequenza. dato che aumenta il numero di fotoni incidente (rimanendo costante la loro energia). . All’aumentare dell’intensità di quest’ultima. essendo h la costante di Planck e ν la frequenza della radiazione. In base a tale interpretazione. Einstein. colpendo un atomo.2 Si osserva inoltre che l’intensità degli elettroni emessi (cioè il numero di elettroni emessi per unità di tempo e superficie) è proporzionale all’intensità della radiazione incidente. Nell’interazione della radiazione con la materia. Da tale teoria deriva inoltre che all’aumentare dell’intensità della radiazione incidente.

Un elettrone di un atomo vicino può quindi essere attratto dalla carica positiva abbandonando il suo atomo d’origine. A temperatura ambiente alcuni legami sono rotti per ionizzazione termica e sono quindi disponibili alcuni elettroni per la conduzione. Quando un legame covalente viene rotto. Tale concentrazione vale circa: . che si può muovere attraverso il cristallo e può essere disponibile per la conduzione di corrente elettrica. A basse temperatura.2 Fisica della cella fotovoltaica. tutti i legami covalenti sono intatti e nessun elettrone è libero per condurre corrente elettrica. lasciando così lo stesso carico positivamente di una quantità in modulo pari alla carica dell’elettrone che si è allontanato. l’elettrone abbandona l’atomo.1.1) dove ni rappresenta la concentrazione di elettroni e lacune liberi nel silicio intrinseco ad una data temperatura. All’interno del cristallo di silicio il movimento degli elettroni e delle lacune è casuale e gli elettroni vanno a colmare le lacune esistenti effettuando così una ricombinazione. o di lacune.1 Silicio intrinseco. Questa azione di colmare la lacuna esistente nell’atomo ionizzato crea quindi una nuova lacuna nell’atomo da cui si è staccato l’elettrone che ha colmato la prima lacuna.2. Un cristallo di silicio puro ha una struttura cristallina dove gli atomi sono legati tra loro tramite legami covalenti formati da quattro elettroni di valenza. vicine allo zero assoluto 0K. Questo processo si ripete e si è quindi in presenza di un flusso di carica positiva.3 1. La ionizzazione termica dà un numero di elettroni uguale a quello delle lacune e quindi una uguale concentrazione.2. In equilibrio termico la concentrazione di elettroni liberi n è uguale al numero di lacune p e vale: n = p = ni (1. 1.

62 ⋅ 10 −5 eV/K Si noti che l’energy gap EG è la minima energia necessaria per rompere un legame covalente nell’atomo di silicio e generare una coppia elettrone – lacuna. Esistono due meccanismi secondo cui gli elettroni e le lacune possono muoversi all’interno di un cristallo di silico: la diffusione e la deriva. con concentrazione uniforme di elettroni e lacune.5 ⋅ 1010 portatori / cm 3 1. a) La diffusione è associata al movimento casuale dovuto all’agitazione termica. Se invece si realizza un pezzo di silicio con concentrazione non costante.2) dove: B = parametro che dipende dal materiale = 5.2.4 ⋅ 10 31 per il silicio EG= Energy Gap = 1.12 eV per il silicio k = costante di Boltzmann = 8. .2 Diffusione e Deriva.2. questo movimento casuale non dà luogo ad un flusso netto di carica.1. A temperatura ambiente ni 2 = B ⋅ T 3 ⋅ e − EG / (k ⋅T ) = 1.02 – Esempio di concentrazione non uniforme. Concentrazione lacune p ++++ +++ ++ + ++++ +++ ++ + x x Fig. 1. si avrà un flusso di carica dalla zona più concentrata a quella meno concentrata con il risultato di una corrente per diffusione. In un pezzo di silicio.4 ni 2 = B ⋅ T 3 ⋅ e − EG / (k ⋅T ) (1.

2. risulta una corrente di diffusione di lacune in tale direzione con modulo proporzionale al gradiente di concentrazione in quel punto.2) dove: Dn = costante di diffusione degli elettroni nel silicio intrinseco = 34⋅ cm 2 s . si ha una corrente positiva nel verso delle x come doveva essere.02 la quale rappresenta il profilo di lacune creato lungo l’asse x. Come si può notare un gradiente di concentrazione negativo dà luogo ad una corrente nel verso positivo come dà convenzione.2.5 Si consideri. cioè: J p = −qD p dp dx (1. per esempio. la concentrazione di lacune rappresentata in figura 1.1) dove: Jp = densità di corrente sul piano perpendicolare all’asse x [A/m2] q = carica dell’elettrone = 1. Nel caso si consideri una corrente di diffusione di elettroni dovuta ad un gradiente di concentrazione di elettroni si ha: J n = qDn dn dx (1.6 ⋅ 10 −19 C Dp = costante di diffusione delle lacune nel silicio intrinseco= 12⋅ cm 2 s . Dall’esistenza di tale profilo lungo l’asse x. Le cariche si muovono per deriva quando un campo elettrico E è applicato al . b) L’altro meccanismo di movimento delle cariche all’interno di un semiconduttore è la deriva.2.2. Essendo il gradiente dp/dx negativo.

6 pezzo di silicio.2.2.3) Gli elettroni liberi si muoveranno in verso opposto al campo E e la loro velocità di deriva sarà pari a: v deriva _ elettroni = E ⋅ µ n dove µn è la mobilità delle lacune ed è espressa in m2/Vs.2. Ne segue che in un secondo la carica q ⋅ p ⋅ E ⋅ µ p ⋅ A [C] attraverserà la sezione di area A.5) (1. Gli elettroni e lacune sono accelerate dal campo elettrico acquisiscono una componente di velocità chiamata velocità di deriva. e Se un campo elettrico di valore E [V/m] è applicato.2.4) Con lo stesso procedimento si ricava la densità di corrente dovuta alla deriva degli elettroni e si arriva così alla densità di corrente di deriva totale che è pari a: J = q ⋅ p ⋅ µ p + n ⋅ µn ⋅ E ( ) (1. Per il silicio intrinseco µ p = 480cm 2 /Vs .2.6) . Dividendo per l’area A si ottiene la densità di corrente causata dalla deriva delle lacune: J = q⋅ p⋅E ⋅µp (1. le lacune si muovono in direzione di E e acquisiscono una velocità pari a: v deriva _ lacune = E ⋅ µ p dove µp è la mobilità delle lacune ed è espressa in m2/Vs.2.2. Così facendo si ha una densità di carica positiva q ⋅ p [C/m3] che si muove lungo la direzione delle x positive con velocità v deriva _ lacune = E ⋅ µ p . (1. Per il silicio intrinseco µ n = 1350cm 2 /Vs .2.

la concentrazione di elettroni liberi nel silicio drogato di tipo n sarà pari a: nn0 = N D (1. quindi la carica maggioritaria in un pezzo di silicio drogato con il fosforo saranno gli elettroni.2.2. mentre un silicio drogato nel quale le cariche maggioritarie sono le lacune è chiamato di tipo p. I semiconduttori drogati sono semiconduttori nei quali un tipo di carica predomina sull’altro. Se la concentrazione di atomi donatori è ND all’equilibrio termico. Queste concentrazioni.7 In fine vale la pene citare la semplice relazione conosciuta come relazione di Einstein. Introducendo un atomo pentavalente come il fosforo al posto di un atomo di silicio. il prodotto tra la concentrazione di elettroni e lacune deve rimanere costante e pari ad ni2. sono fortemente dipendenti dalla temperatura.2. Un silicio drogato nel quale le cariche maggioritarie sono gli elettroni è chiamato di tipo n. Così facendo non si generano lacune libere. Un drogaggio di tipo n o p è realizzato semplicemente introducendo degli atomi impuri in piccole quantità. Un cristallo di silicio intrinseco ha una concentrazione di elettroni liberi uguale alla concentrazione di lacune generate per ionizzazione termica. Il fosforo è quindi un atomo donatore.7) dove VT è la tensione termica che vale circa 25mV a temperatura ambiente. pertanto si ricava che la concentrazione di lacune vale: .3. ni . k ⋅T q VT = Dn µn = Dp µp = (1. si ha che quattro dei cinque elettroni di valenza del fosforo si legano in legami covalenti con gli atomi di silicio adiacenti e un elettrone rimane libero.1) In equilibrio termico.3 Drogaggio dei semiconduttori. che esiste tra la costante di diffusione e la mobilità.2. 1. in quanto dona un elettrone libero al cristallo di silicio.

2.3. dipenderà dalla temperatura. il prodotto tra la concentrazione di elettroni e lacune deve rimanere costante e pari ad ni2. allora la concentrazione di lacune sarà pari a p p0 = N A (1. tutti e tre gli elettroni andranno a formare legami covalenti con gli atomi di silicio adiacenti e resterà una lacuna.2. lacune. Se la concentrazione di atomi accettori è NA.3) In equilibrio termico.8 ni = n n 0 ⋅ p n 0 ⇒ p n 0 2 n = i ND 2 (1. In questo caso avendo il boro solo tre elettroni di valenza.2.3.2) Essendo ni funzione della temperatura. Per produrre un semiconduttore di tipo p basterà drogare il silicio con un elemento trivalente come per esempio il boro.4) Un pezzo di materiale drogato di tipo n o tipo p rimane comunque elettricamente neutro. è chiaro che la concentrazione di cariche minoritarie. Per questo motivo gli atomi si chiamano accettori. pertanto si ricava che la concentrazione di elettroni vale: 2 ni = n p 0 ⋅ p p 0 ⇒ n p 0 2 n = i NA (1.3. .

gli elettroni diffondono attraverso la giunzione dal lato n al lato p. Queste due componenti si sommano e formano la corrente di diffusione ID. essendo la concentrazione di elettroni maggiore nella zona n rispetto alla zona p. In campo elettronico. a) Corrente di diffusione: essendoci una concentrazione di lacune maggiore nella zona p rispetto alla zona n.2. una giunzione pn viene ottenuta drogando in modo diverso due zone contigue dello stesso campione monocristallino. non è possibile ottenere giunzioni pn ponendo a contatto due campioni dello stesso materiale semiconduttore drogati in modo diverso. In particolare la giunzione pn. b) Regione di svuotamento: le lacune che si diffondono dal lato p al lato n.03 – Giunzione pn in condizioni di circuito aperto.9 1. Una volta ottenuta la giunzione pn in condizioni di circuito aperto si ha: ID IS ++++++ ++++++ regione p ++++++ ++++++ - + + + --------------regione n --------------- Regione di svuotamento Fig. è la superficie di separazione fra due campioni di uno stesso semiconduttore drogato uno di tipo p e l’altro di tipo n. Il termine di giunzione indica la superficie di separazione fra due conduttori o fra un metallo e un semiconduttore o fra due semiconduttori. in quanto i difetti della superficie poste a contatto influenzerebbero negativamente le caratteristiche elettriche. le lacune si diffondono attraverso la giunzione dal lato drogato p al lato drogato n. 1. si ricombinano velocemente con gli elettroni maggioritari del lato n e scompaiono . Per questo motivo.4 Giunzione pn. Allo stesso modo.

che dà quindi luogo ad una differenza di potenziale ai capi della giunzione. che sul lato n sarà costituita da cariche positive e sul lato p sarà costituita da cariche negative.04 – Andamento del potenziale lungo un asse perpendicolare alla giunzione. 1. Fig. Analogamente. si ha la presenza di una regione svuotata delle cariche maggioritarie. si ricombinano velocemente con le lacune che sono carica maggioritaria nella regione p. gli elettroni che si diffondono dal lato n al lato p a causa della differenza di concentrazione. agendo quindi come una barriera. La regione di svuotamento è anche chiamata regione di carica spaziale. Questa regione di carica spaziale crea nei pressi della giunzione un campo elettrico. e alla diffusione degli elettroni nella regione p. la cosiddetta regione di svuotamento. potenziale Barriera di potenziale V0 x . Questa differenza di potenziale si opporrà alla diffusione delle lacune nella regione n.10 Questo processo fa si che in prossimità della giunzione alcuni elettroni liberi scompaiono dal materiale di tipo n. Così facendo nei pressi della giunzione si crea una regione di carica negativa scoperta Nei pressi della giunzione. Nei pressi della giunzione si ha quindi la presenza di una regione svuotata di elettroni e costituita quindi di carica positiva scoperta. la carica positiva non può essere neutralizzata dagli elettroni liberi e rimane scoperta. Così facendo.

esiste anche una corrente dovuta alla deriva delle cariche minoritarie attraverso la giunzione. In special modo alcune delle lacune generate termicamente nel semiconduttore di tipo n.1) Questa condizione di equilibrio è garantita dalla barriera di potenziale V0. pertanto la corrente di diffusione risulta in modulo uguale alla corrente di deriva ma ovviamente con verso opposto. gli elettroni generati termicamente nella regione di tipo p si diffonderanno fino a raggiungere la regione di svuotamento dove il campo elettrico le diffonderà sul lato n. se aumentasse la corrente di deriva IS rispetto alla corrente di diffusione. In corrispondenza della giunzione. la corrente deve essere nulla. il campo elettrico spingerà le lacune presenti nel lato drogato n nel lato drogato p. allora aumenterebbe la carica scoperta da entrambi i lati della giunzione pn.2. con conseguente diminuzione della corrente di diffusione. Senza tensione esterna applicata il valore di V0 vale: . con conseguente allargamento delle regione di svuotamento e aumento quindi della barriera di potenziale V0. Infatti se per qualche ragione la corrente di diffusione aumentasse rispetto alla corrente di deriva. Queste due correnti.11 c) Corrente di deriva ed equilibrio. con conseguente aumento di ID fino a raggiungere l’equilibrio con IS. si sommano formando la corrente di deriva IS.4. Oltre alla corrente dovuta alla diffusione delle cariche maggioritarie. ID=IS (1. In condizioni di circuito aperto. allora diminuirebbe la carica scoperta con conseguente restringimento della regione di svuotamento e diminuzione della barriera di potenziale V0. si diffondono sul lato drogato n e raggiungono il bordo della regione di svuotamento. In maniera analoga. Allo stesso modo. gli elettroni che si muovono per deriva dal lato n al lato p e lacune che si muovono dal lato n al lato p.

4. La larghezza della regione di svuotamento vale circa: Wdep = 2ε s q ⎛ 1 1 ⎜ + ⎜N ⎝ A ND ⎞ ⎟ ⋅ V0 ⎟ ⎠ (1.4) dove εS è costante dielettrica del silicio e vale εS = 11.2.4.12 ⎛N ⋅N V0 = VT ⋅ ln⎜ A 2 D ⎜ n i ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (1.4. .3) dove NA e ND sono le concentrazioni di drogante sul lato p e sul lato n. imponendo a zero la somma tra la corrente di deriva degli elettroni e la corrente di diffusione degli elettroni e ricordando che E = − dV si trova: dx − qµ n n dn dV + qDn =0 dx dx dV = Vj = Dn dn k ⋅ T dn = µn n q n kT nn 0 ln q n p0 Vj = kT ⎛ N A N D ln⎜ q ⎜ ni 2 ⎝ ⎞ ⎛ ⎟ = VT ln⎜ N A N D ⎟ ⎜ n2 ⎠ ⎝ i ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (1.2.2) Infatti.2.7ε0.

c è la velocità della luce c = 2. L’energia di un fotone è data da: h⋅c E = h ⋅ν = λ [ joules] (1. ν è la frequenza della radiazione in Hz. basta applicare la seguente relazione. Normalmente le energie a livello atomico vengono espresse in electron volt dove 1eV = 1.12eV Banda di valenza Fig.2. il fotone non sarà assorbito e non produrrà coppie elettroni – lacune.2.5. 1.24 [eV ] λ[ µm] E= (1. corrispondenti ad una radiazione avente una lunghezza d’onda espressa in micrometri. Se l’energia dei fotoni non eccede invece l’energy gap del semiconduttore.998 ⋅ 10 8 m / s .5. 1.2.6 ⋅ 10 −19 J e la lunghezza d’onda viene espressa in micrometri [µm].13 1.Energy gap del silicio. λ è la lunghezza d’onda espressa in m. e l’energia in eccesso sarà smaltita in calore. produrrà una coppia elettrone – lacuna.1) dove: h è la costante di Plank che vale h = 6. Per ricavare l’energia dei fotoni in electron volt.2) Se l’energia dei fotoni eccede l’energy gap EG del semiconduttore allora il fotone sarò assorbito.05 .63 ⋅ 10 −34 j ⋅ s . Banda di conduzione Energy Gap EG=1.5 Generazione di una coppia elettrone-lacune per assorbimento di un fotone. .

24 1.11µm E 1. Il picco della densità di potenza della radiazione solare si trova circa a λ=0.5.5µm.3) La radiazione incidente per i sistemi fotovoltaici è la radiazione solare il cui spettro è il seguente: Fig. e quindi la radiazione utile incidente su un pezzo di silicio per la generazione di una coppia elettrone lacuna è tutta la radiazione con lunghezza d’onda inferiore a λ=1.12eV.12eV. Si osservi che. che corrisponde ad una radiazione di lunghezza d’onda λ pari a: 1.14 Avendo il silicio un energy gap di 1.12 λ= (1. l’energia minima che un fotone deve avere per generare una coppia elettrone lacuna è proprio 1.11µm che è pari a circa il 75% di tutta la densità di potenza.2. .24 = = 1. 1. più piccola è la lunghezza d’onda e più alta è l’energia dei fotoni incidenti.06 – Andamento della densità spettrale di potenza in funzione della lunghezza d’onda della radiazione solare.

come una circolazione di corrente dal lato p al lato n.15 La radiazione con lunghezza d’onda più corta della necessaria porta ad avere oltre che alla liberazione di una coppia elettrone lacuna. In questo modo della totale energia utile (75% della radiazione solare) solo il 44% può essere convertito in energia elettrica mentre il restante 56% viene trasformato in calore. Così facendo gli elettroni spinti sul lato n e le lacune spinte sul lato p diventano ora cariche maggioritarie e compare quindi un aumento di tali cariche ai capi della giunzione. il campo elettrico ai capi della giunzione pn diretto dal lato n al lato p della giunzione. Una volta che una coppia elettrone lacuna è stata generata per foto-assorbimento di un fotone. spingerà gli elettroni sul lato drogato n e le lacune sul lato drogato p. . Questo eccesso di cariche maggioritarie appare come una differenza di potenziale ai terminali. 1. La corrente risulterà proporzionale al numero di coppie elettrone lacune generate.07 – Radiazione solare utile per la generazione di una coppia elettronelacuna per il silicio. o se un filo connette il lato p con il lato n. la generazione di calore. Fig.

4) Pertanto dal processo fotovoltaico di assorbimento dei fotoni. possono essere spinte dal campo elettrico all’interno della giunzione e risultare coppie utili alla generazione di corrente. ma vicino ad esse.16 hν - - - n Giunzione IPHO p + + + Coppia elettrone lacuna. la carica per poter essere utile al processo di conversione deve raggiungere la giunzione in un tempo inferiore a τm. Fig. Le coppie elettrone lacuna generate lontano dalla giunzione.08 – Verso della corrente generata dai fotoni. . il che corrisponde ad una lunghezza di diffusione pari a: Lm = D m ⋅ τ m (1. si ricombinano prima di raggiungere la giunzione e non risultano quindi utili al processo di conversione. 1. Si indichi con τm il tempo di vita di una carica minoritaria. si viene a generare una corrente IPHO che se fatta circolare per un circuito esterno avrà la direzione uscente dalla regione p ed entrante nella regione n.2. Le coppie elettrone lacune generate fuori dalla giunzione.5.

1.09 – Distribuzione delle cariche minoritarie in una giunzione pn polarizzata direttamente e nell’ipotesi che la regione p sia fortemente drogata. Per completare lo studio di una giunzione pn operante come cella fotovoltaica resta da analizzare il comportamento della giunzione con polarizzazione esterna applicata.2.17 1. Si consideri una giunzione pn polarizzata direttamente. La concentrazione di cariche minoritarie ai lati della regione di svuotamento in condizione di polarizzazione diretta vale: .6 La giunzione pn in polarizzazione diretta. EINT EEXT + + + ++++++ ++++++ regione p ++++++ ++++++ - --------------regione n --------------- + I V - pn(xn) np(-xp) np(x) pn0 -xp xn ‘ pn(x) Fig.

18 p n ( x n ) = p n 0 ⋅ eV / VT = p n 0 ⋅ eV ⋅(q / (k ⋅T )) (1.1) nota come legge della giunzione.2.2.2.6. è una funzione a decadimento esponenziale funzione della distanza data da: p n (x ) = p n0 + [ p n (xn ) − pn0 ] ⋅ e − ( x − xn ) / L p (1. e più velocemente le lacune iniettate si ricombinano con gli elettroni maggioritari.6. danno luogo alla corrente di lacuna.09. dando come risultato un rapido decadimento della concentrazione delle cariche minoritarie. Le lacune che diffondono nella regione n. Infatti LP è legata ad un altro parametro conosciuto con il nome di tempo di vita delle cariche minoritarie in eccesso τP dalla relazione: L p = D p ⋅τ p (1.4) .3) p diffusione lacune diffusione elettroni n Fig. la cui densità valutata prima può ora essere espressa nel seguente modo: Jp = q⋅ Dp Lp p n 0 eV / VT − 1 ⋅ e ( ) − ( x − xn ) / L p (1.2) dove LP è una costante che determina la rapidità del decadimento esponenziale. Più piccola è LP. mostrata in figura 1.10 – Verso della corrente di diffusione.6. 1.2. ed è chiamata lunghezza di diffusione delle lacune nella regione n.6. La concentrazione delle lacune in eccesso.

5) Analogamente per l’iniezione degli elettroni attraverso la giunzione nel lato p.2. Moltiplicando per l’area A la corrente totale vale: ⎛ Dp ⎛ Dp Dn ⎞ V / VT Dn ⎞ V / VT ⎟⋅ e ⎟⋅ e I = A ⋅ q ⋅ ni 2 ⋅ ⎜ −1 − 1 = A ⋅ q ⋅ ni 2 ⋅ ⎜ + + ⎜ L p N D Ln N A ⎟ ⎜ L p N D Ln N A ⎟ ⎠ ⎠ ⎝ ⎝ ( ) ( ) I0 che può essere espressa come: ⎛ qV ⎞ I = I 0 ⋅ ⎜ e kT − 1⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ (1.6.6. Essendo Jp e Jn nella stessa direzione le due componenti si sommano.2.7) Si noti che questa corrente ha il verso opposto della corrente generata dall’assorbimento di un fotone IPHO.2.6. si ricava la densità di corrente: Jn = q ⋅ Dn n p 0 eV / VT − 1 Ln ( ) (1.19 In x = xn la densità vale: Jp = q⋅ Dp Lp p n 0 eV / VT − 1 ( ) (1.6) dove Ln è la lunghezza di diffusione degli elettroni nella regione p. .

● minimizzare la corrente di saturazione inversa. .6.2. 1.20 La corrente in una cella fotovoltaica diventa pertanto esprimibile dalla seguente relazione: ⎛ qV ⎞ − I 0 ⎜ e kT − 1⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ I PV _ CELL = I PHO (1. ● massimizzare la larghezza della giunzione. Per poter quindi ottimizzare la fotocorrente bisogna: ● minimizzare le riflessioni dei fotoni incidenti con strati antiriflesso. ● massimizzare la lunghezza di diffusione dei portatori minoritari. ● minimizzare la perdite resistite della cella.8) hν n IPV_CELL p Fig.11 – Corrente nella cella PV.

comporta un ulteriore costo con la perdita di materiale utile.3. Il taglio per dare una forma più adatta all’incapsulamento. .1) dove: PMAX_OUT è la massima potenza elettrica ottenibile in uscita. drogaggio e finitura.21 1. Inoltre. Una soluzione a tale problema può essere l’utilizzo di scarti provenienti dall’industria microelettronica. Le celle fotovoltaiche più utilizzate al giorno d’oggi sono realizzate in silicio monocristallino e sono quelle che hanno il rendimento più elevato tra tutte le celle disponibili in commercio . Pertanto la maggior parte di celle fotovoltaiche realizzate oggi giorno vengono realizzate in silicio. Il rendimento di una cella fotovoltaica può essere espresso con la seguente relazione: η= PMAX _ OUT R⋅ A (1. che devono essere ulteriormente lavorati per essere ben incastonati nella costruzione di un pannello fotovoltaico. Per le celle in silicio monocristallino. è un materiale molto presente in natura di cui si conoscono bene. Il silicio è un materiale adatto alla realizzazione delle celle fotovoltaiche avendo un energy gap di 1. Uno svantaggio di tale tecnologia è l’elevato costo di produzione del silicio puro. Quindi dal processo produttivo si ottengono wafer rotondi.12eV ed essendo il 75% della radiazione luminisa ad energia maggiore od uguale di tale valore.3 Tipi di celle fotovoltaiche. Con il metodo Czochralsky si produce un lingotto di silicio puro che viene poi tagliato a wafer del diametro di 10-12. R è la radiazione incidente espressa in W/m2. dall’industria microelettronica. con punte del 24%.10-9 contro i livelli di 10-5 – 10-6 richiesti dall’industria fotovoltaica. A è l’area.5cm e dello spessore di 200µm. i processi tecnologici di lavorazione. Tale industria necessita infatti delle concentrazioni di impurità pari a 10-8 . rendimenti medi sono tra il 12% e il 15%.

ma hanno un rendimento medio η più basso compreso fra circa l’ 11% e il 14% con punte intorno al 15%. ma il loro rendimento è di molto inferiore ai pannelli fotovoltaici in silicio monocristallino. Il vantaggio quindi è di ottenere pannelli fotovoltaici flessibili ed esteticamente più gradevoli. polimero. vengono realizzate celle fotovoltaiche a film sottile. l’amorfo con le altre scelte a pari potenza acquisita. . Questo comporta difficoltà di: a) Stabilire a priori le vere prestazioni dell’impianto realizzato e il degrado iniziale. alluminio che danno consistenza fisica alla cella. Per contro il processo produttivo può essere altamente automatizzato. Per far fronte a tali richieste. Oltre ad avere un costo di produzione inferiore. pannelli fotovoltaici esteticamente più belli e se possibile flessibili da essere utilizzati nella costruzione di edifici. Una delle più utilizzate celle a film sottile è la cella in silicio amorfo. Il prezzo commerciale resta comunque superiore proprio per l’aspetto estetico nonostante il processo produttivo sia più economico. Lo spessore del film ottenuto è di 4-5µm contro i 300µm delle celle in silicio cristallino con immediato beneficio di materiale attivo risparmiato. Inoltre tali pannelli hanno un problema di stabilità. con aumento di risparmio e aumento della velocità di produzione. si trovano in commercio celle in silicio policristallino che hanno un costo di produzione inferiore alle precedenti. Un problema degli impianti fotovoltaici che si è riscontrato e si riscontra tuttora è l’impatto ambientale visivo che tali impianti hanno. non sempre è presente il silicio. espressi in watt. Tali celle sono composte da strati di materiale semiconduttore. b) Confrontare economicamente in termini di costi/prezzi dei moduli. è possibile ottenere dal processo produttivo lingotti ottogonali e quindi il taglio in wafer li rende già adatti per l’inglobamento in pannelli con una utilizzazione ottimale dello spazio. L’industria architettonica. ha richiesto e richiede tuttora. Per le celle in silicio amorfo si parla di rendimenti medi attorno al 5%-7%. Dopo le prime 300-400 ore di lavoro perdono infatti circa il 10% dell’efficienza dichiarata che è già bassa (effetto Staebler – Wronski). depositati generalmente come miscela di gas su supporti a basso costo come vetro.22 Oltre alle celle in silicio monoscristallino. con punte che non superano il 10%.

Oggi giorno una tecnologia che sta avendo interesse sono le celle della famiglia III-V. sviluppata per la prima volta nel 1974 nei laboratori Bell. Le celle fabbricate in strati di Al . senza l’utilizzo di materiale tossico quale il cadmio e senza problemi di stabilità. che seppur lungo prima o poi arriva. realizzate per le applicazioni spaziali. Per contro. era assai attraente in quanto il materiale presenta una energy gap di 1eV. Tale tipo di cella.854.01 – Tabella riassuntiva delle prestazioni delle celle fotovoltaiche. il rendimento è sempre inferiore alle celle in silicio monocristallino ed arriva a valori tipici inferiori al 10%.P di superficie 1cm2 hanno ottenuto rendimenti attorno al 16% con fill factor (vedere il paragrafo successivo. si sono realizzate celle CIS (Copper Indium Diselenide). la cella deve essere opportunamente smaltita come rifiuto tossico con conseguente aumento dei costi. Tab 1. Il materiale è un semiconduttore con caratteristiche vicine a quelle delle efficienti ma costose celle all’arseniuro di gallio (GaAs).23 Per far fronte ai bassi rendimenti delle celle a film sottile al silicio amorfo esistono celle fotovoltaiche al Cadmio. FFideal=1) pari a 0.Tellurio (CdTe) che presentano un rendimento tipico del 10%.In . La tipica cella CdTe è a 4 strati e 3 giunzioni. La peculiarità che li rende attraenti è il fatto di poter utilizzare substrati flessibili. Per far fronte all’utilizzo del cadmio. Per contro. il cadmio è un elemento tossico e pertanto al termine del ciclo di vita . un ottimo coefficiente di assorbimento e un costo di preparazione notevolmente inferiore al silicio cristallino. + Costi di produzione Costo dei Materiali Efficienza Cristallino CdTe Amorfo CIS - Amorfo Cristallino CdTe CIS Cristallino CIS CdTe Amorfo .

Il limite di corrente è dato dalla corrente di cortocircuito. .12 è rappresentata tale equazione.4.1) In figura 1.4. che si ha quando V=0 e in tal caso vale: I SC = I PHO (1.24 1.12 – Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica. ISC. 1.4 Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica. Dalla fisica della cella fotovoltaica si ha che l’equazione caratteristica I-V di una cella è: ⎛ qV ⎞ − I 0 ⎜ e kT − 1⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ I PV _ CELL = I PHO (1. I ISC VOC Fig.2) Per ricavare il limite di tensione si ponga a zero la corrente I. V L’andamento illustrato mostra che le celle fotovoltaiche hanno un limite di tensione e un limite di corrente.

V [V] Tale caratteristica dipende ovviamente dalla radiazione incidente. con conseguente aumento della potenza disponibile in uscita.6 Fig. Per dare una indicazione dei valori di potenza ottenibili da una cella fotovoltaica.25 I = I PHO qV e kT ⎛ qV ⎞ − I 0 ⋅ ⎜ e kT − 1⎟ = 0 ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ I PHO I0 ⎞ kT ⎛ I PHO ⎟≈ ⎟ q ln⎜ I ⎜ ⎠ ⎝ 0 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ −1 = VOC = kT ⎛ I PHO + I 0 ln⎜ q ⎜ I0 ⎝ (1. I [ A/m2] 300 0. si consideri che una cella fotovoltaica presenta ai suoi capi una tensione di circa 0.5V e in essa può circolare una corrente.13 – Esempio di caratteristica di una cella fotovoltaica.4. di circa 300A/m2 quando illuminata da una radiazione di 1000W/m2 alla temperatura di 25°C. All’aumentare della radiazione R [W/m2] incidente. che dipende dalla superficie della cella.3) dove l’ultima approssimazione risulta valida essendo in pratica IPHO>>I0. aumenta la corrente prodotta e la tensione a vuoto della cella. . 1.

26 I R V Fig. I T T V Fig. All’aumentare della temperatura.15 – Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica al variare della temperatura. 1. 1. si registra una diminuzione della tensione a vuoto VOC e un aumento della corrente di cortocircuito. La caratteristica I-V dipende dalla temperatura a cui la cella opera. Valori indicativi delle variazioni sono: .14 – Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica al variare della radiazione incidente.

Si consideri per esempio una cella fovoltaica di A=1dm2 illuminata da una radiazione solare di 1000W/m2 . bisogna far lavorare la cella nel suo MPP (Maximum Power Point).4.16 – MPP (Maximum Power Point) in una cella fotovoltaica.5%°C −1 dT (1.27 dI SC A = 0 . .2 dT °C dPMAX = −0.1 dT °C dVOC mV = − 2 . si registra pertanto una diminuzione della massima potenza estraibile dalla cella fotovoltaica.5V per una potenza massima d’uscita pari a: P = V ⋅ I = 0. e per poterla estrarre.5W Questa è comunque la massima potenza estraibile dalla cella.4. I Im MPP Vm Potenza massima estraibile dalla cella.5 ⋅ 3 = 1. La cella produrrà circa una corrente di 3A con una tensione di 0.4. 1. V Fig.5) (1.4) (1.6) All’aumentare della temperatura.

82. . 1.8) dove ISC è la corrente di cortocircuito.7) che viene anche espressa come: PMAX = Vm ⋅ I m = FF ⋅ I SC ⋅ VOC (1. VOC è la tensione a circuito aperto e FF (Fill Factor) è un fattore di riempimento.17 .5 a 0. Una cella con una resistenza interna elevata. L’andamento che si ottiene è illustrato in figura 1. I ISC VOC Fig.4.4.Caratteristica I-V con FF=1 V Tipici Fill Factor vanno comunque da 0.28 Se la corrente nel punto di massima potenza vale Im e la tensione vale Vm allora la potenza massima vale: PMAX = Vm ⋅ I m (1. A questo punto resta da rappresentare graficamente l’andamento della potenza in funzione della tensione ai capi della cella. Un Fill Factor unitario implica una caratteristica I-V rettangolare. Si esegua punto per punto il prodotto tensione corrente dalla caratteristica della cella.18. ha un piccolo Fill Factor e quindi una bassa potenza massima disponibile.

Tipicamente. Ovviamente la tensione di 12V dei moduli deve essere la tensione che il pannello presenta ai suoi capi in condizioni di irragiamento medio. Infatti le caratteristiche P-V al variare della temperatura diventano le seguenti: P T V Fig.29 P V Fig. Al massimo irragiamento tali pannelli fotovoltaici riescono a fornire anche tensioni di 16-18V. All’aumentare della temperatura la potenza massima disponibile in uscita diminuisce. i pannelli fotovoltaici forniscono in uscita una tensione di 12V o suoi multipli.19 – Andamento della caratteristica P-V al variare della temperatura. 1. le celle fotovoltaiche vengono connesse in serie in modo da formare un pannello con una tensione d’uscita adeguata. 1. Per ottenere una adeguata tensione d’uscita. .18 – Andamento della caratteristica P-V.

72A 32.01.05A si Tutti i dati elencati si intendono in condizioni standard: irraggiamento R=1000W/m2 e temperatura di 25°C.73A 21.48V si ES-115-GL String Ribbon 72 115W 17. si connettono i moduli in serie e/o in parallelo a seconda della configurazione che si desidera. 1.6V 6.1V 6.3V 7. 1.9V 6.8V 8.Esempio di Pannelli Fotovoltaici EVERGREEN ES-110-GL String Tecnologia Ribbon N° Celle Pp Vp Ip VOC ISC Diodi bypass 72 110W 17V 6.02 ed 1. con una superficie totale di circa mezzo metro quadrato.5V 7.evergreensolar. Nelle tabelle 1.4V 7. Fonte www. per una potenza massima di uscita che va dai 50 ai 70W.30 Si consideri una tensione media di 0.68V si ES-170-RL String Ribbon 108 170W 25.03 sono riportate le caratteristiche di alcuni pannelli fotovoltaici commerciali.com .55A si ES-180-RL String Ribbon 108 180W 25. Vp = Tensione d’uscita alla massima potenza.3V 7.5V per cella. Se si desiderano potenze più elevate.7V 7. Ip = Corrente d’uscita alla massima potenza. Legenda: Pp = Potenza tipica d’uscita.02 .62V si ES-120-GL String Ribbon 72 120W 17.12A 32. VOC = Tensione in condizioni di circuito aperto. Tab. ISC = Corrente in condizioni di cortocircuito.82A 21.6V 7.78A si ES-190-RL String Ribbon 108 190W 26.47A 21.3V 6.95A 32. un modulo da 12V verrà realizzato con la connessione in serie di circa 33-36 celle elementari.

4V 5.L5E2E Tecnologia N° Celle Pp Vp Ip VOC ISC Efficienza Cella Efficienza modulo Diodi bypass poli 54 in serie 125W 26V 4.70% 13.70% si NT-175E1 mono 72 in serie 175W 35.11A 44.6A 30V 8.SOE3E NT .Esempio di Pannelli Fotovoltaici SHARP NE . Ip = Corrente d’uscita alla massima potenza. Fonte www.com .21V 5.10% 14.30% si NE .75A 17.9V 5.37A 15.60% 12.20% si Tutti i dati elencati si intendono in condizioni standard: irraggiamento R=1000W/m2 e temperatura di 25°C.46A 14.46A 14.70% 13.Q5E2E poli 72 in serie 165W 34.6V 4. ISC = Corrente in condizioni di cortocircuito.40% 13.70% si mono 72 in serie 185W 36.03 .1V 5.S5E3E mono 48 in serie* 180W 23.8A 32.77A 43. Legenda: Pp = Potenza tipica d’uscita.3V 5.7V 7.95A 44.40A 16.50% si NU . Vp = Tensione d’uscita alla massima potenza.31 Tab.40% 4. 1.sharp. VOC = Tensione in condizioni di circuito aperto.

45A si H1540 140W mono 40 in serie 140W 17.73V 7.39V 7.32 Tab. VOC = Tensione in condizioni di circuito aperto.22A si H1500 125W mono 36 in serie 125W 17V 7.36A 21V 8. 1.6V 8.70V 8. Fonte www.47A 21V 7.40V 7.20A si H1540 135W mono 40 in serie 135W 17.20A si H1540 130W mono 40 in serie 130W 17.90A 23V 8.heliostecnology.48A 22.Esempio di Pannelli Fotovoltaici HELIOS TECNOLOGY H1500 110W Tecnologia N° Celle Pp Vp Ip VOC ISC Diodi bypass mono 36 in serie 110W 17V 6. Vp = Tensione d’uscita alla massima potenza.76A 22. Legenda: Pp = Potenza tipica d’uscita. Ip = Corrente d’uscita alla massima potenza.com .04 .65A si Tutti i dati elencati si intendono in condizioni standard: irraggiamento R=1000W/m2 e temperatura di 25°C. ISC = Corrente in condizioni di cortocircuito.

. Inoltre l’inverter può ottenere dal campo fotovoltaico solamente l’MPP dell’intero campo e non l’MPP di ogni singola stringa o ancora meglio di ogni singolo pannello. Questa topologia viene utilizzata per potenze d’uscita superiori a 10kW e l’inverter ha una elevata efficienza ed un costo contenuto. Lo svantaggio di questo tipo di connessione consiste nel fatto che l’inverter controlla tutto il campo Fig.20 – Inverter centralizzato per P>10kW fotovoltaico e il suo blocco comporta il blocco dell’intero sistema di alimentazione. 1. Una prima topologia consiste nell’utilizzare un inverter centralizzato. I sistemi fotovoltaici forniscono in uscita una tensione e corrente costanti. Una serie di stringhe di pannelli fotovoltaici vengono connesse in parallelo tra loro per fornire la potenza DC necessaria. All’uscita sarà presente un unico inverter che opererà la trasformazione da tensione/corrente continua in tensione/corrente alternata desiderata.33 1. Pertanto.5 Introduzione agli impianti fotovoltaici. Esistono varie topologie di collegamento dell’inverter all’impianto fotovoltaico. Il dispositivo che si occupa della conversione DC/AC si chiama inverter. il sistema di alimentazione fotovoltaico necessita di essere connesso ad un dispositivo in grado di convertire la potenza elettrica continua fornita dai pannelli solari nella potenza elettrica alternata richiesta. mentre i sistemi di alimentazioni da rete sono in tensione alternata monofase sinusoidale di valore efficace 230V e frequenza 50Hz.

.34 Per applicazioni nel campo domestico 3kW – 10kW la soluzione maggiormente utilizzata risulta quella di collegare più stringhe in parallelo tra loro ma ogni stringa ha il suo inverter chiamato anche inverter di stringa. che ha gli stessi vantaggi. Questa terza soluzione. da 50W a 400W. 1. Lo spazio ridotto costringe ad installare stringhe più piccole o a disporle con orientazioni diverse. si riesce ad ottenere i migliori benefici da tutte le stringhe. L’inverter di stringa sta diventando la topologia standard nei sistemi grid connected. Una alternativa a questa topologia. significa sottoporle ad irraggiamenti diversi. è una soluzione più economica. e consistono nell’avere un inverter per ogni pannello. Questa soluzione si adotta soprattutto per basse potenze. Un’ultima soluzione consiste nell’avere moduli integrati nei singoli pannelli fotovoltaici. che sta prendendo piede in questi ultimi anni e che garantisce l’opportunità di poter collegare tra loro stringhe di pannelli fotovoltaici di diverse tecnologie ed orientate in modo diverso. Si pensi ad esempio al problema dell’installazione dei pannelli fotovoltaici su un tetto di una abitazione. consiste nell’utilizzare un unico Fig. e quindi se fossero collegate semplicemente in serie la corrente dominante è quella del pannello meno illuminato. Così facendo. Questa topologia ha il vantaggio di poter ottenere il punto di massima potenza MPP di ogni singola stringa e non solo l’MPP dell’intero campo fotovoltaico con incremento quindi delle prestazioni.21 – Inverter di stringa per 3kW<P<10kW inverter centralizzato e collegare all’uscita di ogni stringa o pannello un convertitore DC/DC che ottenga il punto di massima potenza relativo al pannello o alla stringa. Disporle con orientazioni diversi.

1. Fig.22 – Inverter integrato per 50W<P<400W La costruzione dell’inverter verrà trattata più avanti. trovandosi a dover dissipare potenze che danno origine a riscaldamenti localizzati o. Fig. In queste condizioni. Un problema che può verificarsi durante l’esercizio dell’impianto è relativo ad una condizione che nella pratica può verificarsi frequentemente: si pensi ad una singola cella fotovoltaica ombreggiata parzialmente o totalmente.35 Tale inverter è ovviamente di più difficile implementazione. nel caso in cui la tensione fornita dalle altre celle in . il dispositivo si trova a funzionare come un carico. e varia a seconda delle scelte progettuali e delle normative presenti nei vari paesi. Una prima suddivisione può essere rappresentata in figura 1. 1.23. non è unica.23 – Suddivisone degli inverter fotovoltaici. in quanto la tensione tipica d’uscita monofase sinusoidale 230V – 50Hz è di molto superiore alla tensione d’uscita del pannello fotovoltaico.

che si trova a funzionare come carico.25 . Si consideri una temperatura limite per cella di 100°C. che però si riducono all’aumentare della temperatura. oltre alla potenza. che quindi può provocare danni irreversibili. il limite massimo potrebbe essere. 1. . lo stesso può trovarsi sottoposto ad un valore di tensione inversa in grado di provocare la rottura del dispositivo. Per proteggere i moduli fotovoltaici si utilizzano dei diodi di bypass posti in antiparallelo al pannello così da escludere la cella contropolarizzata.Diodi di Blocco.36 serie fosse sufficientemente elevata. una cella di silicio cristallino di 100cm2. sottoposta ad un irraggiamento di 1kW/m2 e ad una temperatura di 25°C è in grado di dissipare dai 20 ai 30W. Qualora la cella fosse ombreggiata. si aggira generalmente intorno ai 10-30V secondo la tecnologia usata. La massima potenza dissipabile da una cella.Diodo di bypass. 1. anche la massima corrente ammissibile sui contatti (20-40A). dipende dalla tecnologia costruttiva ed è un dato che si riesce a conoscere solo sperimentalmente o applicando modelli matematici. La tensione in grado di provocare la conduzione inversa di una cella.24 .

27 nel quale bisogna inserire un opportuno circuito di interfaccia per poter . Fra i diodi più usati vi è il diodo Schottky. Questo tipo d’impianto si utilizza soprattutto nelle zone dove non arriva la rete elettrica pubblica.37 Inoltre. Altri esempi d’impianti sono i sistemi grid-connected. in mancanza di adeguate protezioni la corrente tenderebbe a recarsi sulla stringa a tensione minore. Fig. oltre ad alimentare i carichi dell’utilizzatore si provvederà anche a ricaricare un banco di accumulatori che servirà a fornire l’energia durante le ore notturne nelle quali il campo fotovoltaico non produce energia e viene staccato dall’impianto dal sistema di controllo. chiamato diodo di blocco. In questo caso la protezione consiste in un diodo. che è caratterizzato da una bassa caduta diretta con conseguenti basse perdite. Un primo schema di principio è riportato in figura 1. Tale tipologia d’impianto non prevede il collegamento alla rete di alimentazione standard. cioè un sistema autonomo di alimentazione che utilizza solamente l’impianto fotovoltaico.C. 1. Un primo esempio è un impianto stand alone. Uno schema di principio di tale tipologia di impianto è la seguente: CAMPO FOTOVOLTAICO REGOLATORE DI CARICA BATTERIA INVERTER CARICO IN C. Finché l’impianto è in grado di produrre energia.26 . posto in serie alla polarità positiva di ogni stringa il quale impedisce il ritorno della corrente. quando una stringa ha una tensione a circuito aperto più bassa di quella delle altre stringhe connesse in parallelo. cioè sistemi che sono connessi anche alla rete elettrica pubblica. CARICO IN C.Schema di principio di un sistema stand alone. Una volta ottenuta la tensione sinusoidale 230Vrms a frequenza 50Hz esistono vari tipi di impianti.A.

Inoltre. frequenza e sfasamento.38 interfacciare il sistema di alimentazione alla rete elettrica pubblica. il corrispettivo che l’ente pubblico paga per ogni kW/h prodotto è circa tre volte il costo del kW/h pagato a tale ente in quanto si tratta di produzione di energia rinnovabile.27 .Primo schema a blocchi di un sistema grid-connected. Durante le ore notturne il sistema riceverà l’alimentazione dalla rete elettrica pubblica pagandola. Il beneficio è notevole. RETE CAMPO FOTOVOLTAICO INVERTER QUADRO ELETTRICO DI INTERFACCIA UTENZA Fig. che richiede caratteristiche ben precise di valore nominale di tensione. durante le ore notturne il consumo di energia richiesto è assai inferiore a quello delle ore giornaliere. . la immetterà nella rete elettrica pubblica e gli verrà pagata come energia rinnovabile prodotta. Questo sistema durante le ore del giorno alimenterà i carichi dell’utilizzatore con l’energia proveniente dal campo fotovoltaico e se questa è in eccesso rispetto alle richieste. 1.

che definisce i criteri per l'incentivazione dell'energia elettrica prodotta da impianti fotovoltaico.28. 7 comma 1 del D.Lgs 29/12/2003 n° 387.490 (valore massimo soggetto a gara) Tab. 1. Successivamente l'Autorità per l'Energia Elettrica e il Gas (AEEG) ha adottato il 14/09/2005 la Delibera n° 188/05 nella quale è stato individuato il GRTN (ora GSE) quale "soggetto attuatore" che eroga le tariffe incentivanti. .000 Tariffe incentivanti € / kWh 0. Impianto FV Classe 1 Classe 2 Classe 3 Potenza in kW 1 ≤ P ≤ 20 20 < P ≤ 50 50 < P ≤ 1. L'incentivazione interessa gli impianti fotovoltaici della potenza da 1 kW sino a 1000 kW entrati in esercizio dopo il 30/09/2005 a seguito di nuova costruzione o rifacimento totale o potenziamento di un impianto preesistente. 1. 1.Applicazione dedicata. Il 6 febbraio 2006 è stato firmato il secondo decreto fotovoltaico che amplia e integra il DM28/07/2005. Le tariffe incentivanti riconosciute sono incrementate del 10% qualora i moduli fotovoltaici siano integrati in edifici di nuova costruzione ovvero in edifici esistenti oggetto di ristrutturazione Esistono anche applicazioni dedicate.01 – Tariffe riconosciute in Italia. il Ministro delle Attività Produttive di concerto col Ministro dell'Ambiente e della Tutela del Territorio ha emanato il 28/07/2005 il Decreto Ministeriale previsto all'art. CAMPO FOTOVOLTAICO Azionamento a INVERTER frequenza variabile POMPA Fig.39 In Italia. Uno schema di principio è rappresentato in Fig. le tariffe incentivanti riportate nella tabella 1. Gli impianti fotovoltaici che potranno essere realizzati sono stati suddivisi in tre differenti classi di potenza alle quali verranno riconosciute. Si pensi ad esempio ad un sistema fotovoltaico che deve far funzionare una pompa. per venti anni.445 (servizio di scambio sul posto) 0.28 . per esempio.01.460 0.

40 .

2.01 – Blocco Inverter.41 Capitolo 2 – Analisi del mercato inverter grid connected 3kW. Questa tesi di laurea specialistica è articolata in tre punti fondamentali: ● Analisi del mercato di inverter per applicazioni grid connected da 3kW. L’inverter è la sezione dell’impianto fotovoltaico che si occupa di convertire la potenza continua fornita dal campo fotovoltaico nella potenza alternata da immettere in rete. . per l’immissione in commercio di questa tipologia di prodotti. Dopo una breve introduzione panoramica sui sistemi fotovoltaici effettuata nel Capitolo 1 si analizzerà lo stadio fondamentale di un impianto grid connected. 2) Inverter fotovoltaici con trasformatore ad alta frequenza. 3) Inverter fotovoltaici senza trasformatore. 2. In commercio si trovano inverter fotovoltaici che si possono ricondurre essenzialmente a tre filosofie costruttive: 1) Inverter fotovoltaici con trasformatore a frequenza di linea. ecc. ● Analisi delle topologie elettroniche proposte in articoli specialistici. ovvero lo stadio inverter. = ≈ Fig.1 Premessa. ● Normative UE. USA.

Fig. c) Senza trasformatore. .42 Una schematizzazione a blocchi delle tre tipologie può essere la seguente: a) Schema a blocchi inverter con trasformatore a frequenza di linea. b) Schema a blocchi inverter con trasformatore ad alta frequenza. 2.02 – Schema a blocchi degli inverter PV commerciali: a) con trasformatore LF. c) Schema a blocchi inverter senza trasformatore. b) Con trasformatore HF.

I ISC Im MPP Vm VOC V Fig. Alcuni inverter sono in grado di gestire più stringhe in ingresso. 2.03 – Caratteristica di una stringa fotovoltaica. . perciò. IN Sting A MPPT IN String B Fig. sarà necessario.43 Come si può notare tutte e tre le tipologie presentano in ingresso uno stadio chiamato MPPT (Maximum Power Point Tracking).04 – Esempio di ingresso di un inverter che riceve in ingresso più stringhe ma con un solo MPPT. decidere in fase progettuale il massimo numero di stringhe collegabili in ingresso e il numero di MPPT interni. L’inverter opera su una struttura multistringa. Scopo di tale blocco è quello di inseguire il punto di massima potenza del campo fotovoltaico. presentando un solo MPPT. 2. gestiscono il parallelo delle stringhe e non il MPP di ogni singola stringa.

A valle di tale blocco.44 Altri inverter presenti in commercio associano ad ogni stringa d’ingresso un circuito MPPT in modo da sfruttare al massimo i vantaggi della topologia multistringa e ricavare la massima potenza da ogni singola stringa. IN String A MPPT Al resto del circuito. comune a tutte le tipologie costruttive. Fig. b) La presenza del trasformatore comporta un abbassamento del rendimento dell’inverter a causa delle inevitabili perdite intrinseche al componente. Nelle soluzioni con trasformatore a frequenza di linea si hanno i seguenti vantaggi: a) Presenza di un trasformatore di isolamento che garantisce l’isolamento galvanico tra il campo fotovoltaico e la rete elettrica.05 – Esempio di ingresso inverter multistringa con più MPPT. 2. IN String B MPPT Al resto del circuito. ogni soluzione circuitale ha i suoi blocchi funzionali e ogni tecnologia ha i suoi pregi e difetti. . c) Con il rapporto spire del trasformatore N1:N2 si può dimensionare lo stadio di potenza a monte. con livelli di tensione più bassi e alzare il livello di tale tensione solo all’ultimo stadio. Per contro: a) Un trasformatore a 50Hz è ingombrante e pesante. b) Non viene immessa in linea una componente continua grazie alla presenza del trasformatore a 50 Hz.

sono prodotti in classe II di isolamento e ciò permette di sviluppare un sistema di controllo elettronico che supervisiona lo stato dell’isolamento del sistema. Si definiscono le caratteristiche d’ingresso (lato DC). b) E’ garantito l’isolamento galvanico tra il generatore fotovoltaico e la linea. Per contro: a) E’ necessario controllare la componente continua immessa in rete che deve rispettare i livelli imposti dalle normative vigenti. Si vedrà nel capitolo dedicato alle Normative che in molti Stati il trasformatore non è più necessario. c) Qualche stadio di potenza opera con livelli di tensione minori. Questo è dovuto al fatto che i pannelli fotovoltaici . fino a qualche anno fa. d) Perdite nel trasformatore minori rispetto al caso precedente. Questa tipologia garantisce sicuramente il massimo rendimento tra tutte le tipologie esistenti in quanto l’assenza del trasformatore evita le perdite dissipative intrinseche del componente stesso. Così facendo si ottengono: a) Dimensioni e peso dell’inverter ampiamente ridotti rispetto al caso precedente. imposto dalle normative per la sicurezza dell’utente.45 Per ovviare ai limiti della tipologia a trasformatore di linea si può utilizzare una struttura che fa uso di un trasformatore ad alta frequenza. Si rende. delle correnti di perdita e di guasto garantendo così un grado di protezione per l’utente paragonabile ai livelli delle topologie con trasformatore.oggi giorno in commercio. necessario definire dei parametri con cui descrivere gli inverter fotovoltaici e sui quali si effettueranno delle importanti considerazioni dal mercato. Per contro viene a mancare l’isolamento galvanico. . Per ultimo. le caratteristiche d’uscita (lato AC) e tutti quei parametri che descrivono le prestazioni di un inverter fotovoltaico in termini di efficienza. di sicurezza ecc. una tipologia costruttiva che sta prendendo sempre più piede in questi ultimi anni risulta essere la tipologia senza trasformatore. perciò.

● N° di MPPT (Maximum Power Point Tracking) = N° di circuiti MPPT presenti. ● Vmin_for_Pnom= Minima tensione continua d’ingresso affinché l’inverter fornisca in linea la potenza nominale.1 Parametri d’ingresso (lato DC). ● Inom_DC = Corrente nominale d’ingresso per l’inverter.2.2 Caratteristiche di un inverter fotovoltaico.46 2. Superata tale tensione l’unità può danneggiarsi. ● IMAX_DC = Corrente d’ingresso massima. consigliata dal costruttore per operare in modo sicuro. ● MPP range DC = Range di tensione all’ingresso nel quale l’inverter riesce a ricavare l’MPP dal campo fotovoltaico. ● max PV Power = Massima potenza del campo fotovoltaico da connettere all’inverter. ● VNOM_DC = Tensione continua nominale alla quale l’inverter normalmente lavora. ● N° di connettori ingresso stringhe: Numero di stringhe che possono essere collegate separatamente all’inverter. ● VMAX_DC = Massima tensione continua che può avere all’ingresso l’inverter. . ● Pnom_DC = Potenza nominale continua alla quale l’inverter lavora. 2.

● Standby Consumption = Consumo in modalità standby.2 Parametri d’uscita (lato AC). Rappresenta l’entità della deformazione rispetto alla forma d’onda sinusoidale ideale. ● Inom_AC = Corrente d’uscita nominale. ● N° fasi = Identifica la tipologia di applicazione. ● THD (Total Harmonic Distorsion) = Distorsione armonica totale della corrente di linea. ● IMAX_AC = Corrente d’uscita massima. 2. ● Starts feeding-in at = Minima potenza fornita dal campo fotovoltaico affinché l’inverter sia in grado di immettere potenza in linea. ● Night Consumption = Consumo in modalità notturna. ● PMAX_AC = Massima potenza che l’inverter può immettere in rete per un periodo di tempo limitato (es.2. ● Maximum Efficiency = Massima efficienza dell’inverter. .3 Parametri di efficienza.2. ● Pnom_AC = Potenza nominale che l’inverter immette in linea in condizioni di pieno carico. Dopo il tempo specificato la temperatura all’interno dell’inverter è salita ad un livello tale che il circuito di controllo limita la potenza fornita per far tornare la temperatura di lavoro entro i limiti stabiliti.47 2. 30 minuti).

5 Caratteristiche e funzionalità di sicurezza. η EU = 0. 3) Tipologia senza trasformatore (TL). Le tipologie costruttive dell’inverter possono essere classificate come segue: 1) Tipologia con trasformatore a frequenza di linea (LF).03 ⋅η 5% + 0.1) dove η X % rappresenta l’efficienza del convertitore rilevata durante il funzionamento alla potenza X% rispetto alla nominale.2. Utile quando si opera su linee problematiche.2 ⋅η100% (2.3. ● All pole sensitive RCM = Il dispositivo RCM (Residual Current Monotoring) esegue il controllo delle correnti di guasto nelle apparecchiature senza trasformatore e deve essere sensibile sia alla corrente continua che alternata.1 ⋅ η 30% + 0. . 2.4 Parametri relativi alla tipologia costruttiva. ● Regolarazione dei parametri di disconnessione dalla rete: Questa funzionalità permette di impostare i livelli dei parametri che causano la disconnessione dell’inverter dalla rete. 2. E’ prescritto per motivi di sicurezza e impedisce l’immissione di energia in una rete esterna se viene a mancare la rete pubblica.48 ⋅ η 50% + 0. 2) Tipologia con trasformatore ad alta frequenza (HF).13 ⋅ η 20% + 0.06 ⋅η10% + 0. Indica che l’inverter ha al suo interno un dispositivo ENS.48 ● European Efficiency = Parametro di efficienza pesata.2. ● ENS (Einrichtung zur Netzurberwachung mit zugeodnetem Schaltogan) = Equivalente tedesco di Grid Guard System. Tiene conto dell’ efficienza nelle diverse condizioni operative.2.

SO (Switch Off) = L’inverter reagisce al sovraccarico spegnendosi. OPC (Operation Point Change) = L’inverter reagisce al sovraccarico cambiando il suo punto di lavoro. .49 ● Isolation Monotoring = Funzionalità che supervisiona lo stato dell’isolamento del campo fotovoltaico. CL (Current Limitation) = L’inverter reagisce al sovraccarico limitando la corrente d’uscita. PR (Power Reduction) = L’inverter reagisce al sovraccarico riducendo la potenza d’uscita. Per gli inverter privi del dispositivo in oggetto l’eventuale disconnessione dal campo fotovoltaico deve essere effettuata manualmente. PL (Power Limitation) = L’inverter reagisce al sovraccarico limitando la potenza d’uscita. ● Internal Switch = Dispositivo di disconnessione automatica dal campo fotovoltaico. ● Overload Behavior = Impostazione della modalità di funzionamento.

6 Caratteristiche Meccaniche.2.50 2. Anni di garanzia e possibilità di estensione.7 Ambiente.2. .8 Garanzia. ● Ventilazione = Tipo di ventilazione interna. 2. ● TMAX_AT_Pnom = Massima temperatura ammessa per il funzionamento alla potenza nominale. ● Classe di sicurezza = Indica la classe di sicurezza dell’inverter secondo la normativa EN 60529.2. ● Umidità ambiente = Umidità ambiente alla quale l’inverter può operare. 2. ● Temperatura ambiente = Range della temperatura ambiente ammesso per il funzionamento.

51

2.3 Prodotti commerciali nel range 2kW - 4kW.
Per una azienda che vuole introdurre un nuovo prodotto risulta fondamentale una ricerca di mercato atta ad identificare le tipologie dei prodotti presenti e la loro segmentazione avvalendosi di strumenti idonei quali riviste specializzate, siti internet dei produttori, fiere espositive ecc. L’analisi di seguito riportata è stata eseguita facendo fede alle indicazioni della rivista PHOTON INTERNATIONAL - THE PHOTOVOLTAIC MAGAZINE Aprile 2006, che è di riferimento per il settore. Lo scopo dell’analisi effettuata è quello di identificare le caratteristiche tipiche degli inverter fotovoltaici nel range di potenza nominale 2kW-4kW. Riportiamo qui di seguito in tabella 2.01 una serie di potenziali concorrenti.

marca

Anno

MODELLO

Pnom_DC max PV Power VNOM_DC MPP Range VMAX_DC [kW] [kW] [V] [V] [V]

Vmin_for_Pnom

Inom_DC [A]

IMAX_DC [A]

1 AIXCON 2 AIXCON 3 ALPHA 4 ASP 5 ASP 6 ATERSA 7 BEACON 8 BEACON 9 CONERGY 10 CONERGY 11 CONNECTE ENERGY 12 DELTA ENERGY 13 DELTA ENERGY 14 DELTA ENERGY 15 DIEHL 16 EAI 17 EXENDIS 18 EXENDIS 19 FRONIUS 20 FRONIUS 21 FRONIUS 22 FRONIUS 23 FRONIUS 24 FRONIUS 25 FRONIUS 26 G&H 27 G&H 28 INGETEAM 29 INGETEAM 30 INGETEAM 31 INGETEAM

2002 2003 1996 1996 2005 2006 2006 2004 2006 2005 2003 2005 2006 2006 2005 2003 2005 2004 2004 2001 2004 2003 2003 2004 2001 2005 2001 2004 2005 2005

PS2500 PT300 SOLARIS 3500 TCG2500/6 TCG4000/6 CICLO-3000 M4PLUS M4 WR3300 IPG 4000 CE400 GRIDFIT2200 PVI2500 SI3300 PLATINUM 3100S SI3-05-G GRIDFIT2200 GRIDFIT2500 IG2000 IG2500LV IG30 IG3000 IG40 INDOOR IG40 OUTDOOR IG 4000 SB2500 SB3000 SUN 2.5 SUN 2.5TL SUN 3.3TL SUN 3.3

2,5 2,5 3,8 2,5 4 2,75 4,6 4,6 2,69 4 3,3 2,45 2,75 3,63 2,7 4,2 2,44 2,75 2,13 2,53 2,69 2,88 3,76 3,76 4,26 2,5 2,89 3 3 4 4

2,9 2,9 3 4,5 3 5,4 5,4 3,6 5 4 3,1 5 2,64 3,3 2,5 3 3,6 3,3 5,5 5,5 5,4 3,1 3,8 4 4 5 5

96 96 48 48 280 62 270 270 270 400 270 270 280 280 280 280 280 280 280 340 340 340 340

125-500 125-500 96-200 82-120 82-120 250-550 50-100 50-101 150-400 220-750 55-77 125-350 125-351 125-400 300-750 600-750 125-350 125-350 150-400 150-400 150-400 150-400 150-401 150-402 150-403 125-390 200-390 125-450 125-450 125-451 125-452

500 500 145 145 550 110 110 500 800 100 400 400 470 750 750 400 400 500 500 500 500 500 500 500 450 450 450 450 450 450

250 57 57 150 220 62 180 180 180 320 600 180 150 150 150 150 150 150 150 150 150 200 195 195 195 195

12 12 26 41 12 68 68 9,6 16,2 53 9,1 10,2 14,5 7,8 6 9 10,2 7,6 9,05 9,6 10,3 13,44 13,44 15,21 16 16 16 16 22 22

12 12 42 30 46 12 100 100 19 16,2 62 12,5 14 24 9 7,5 12 18 14,2 16,85 19,2 10,3 29,39 29,39 28,37 16 16 16 16 22 22

N° DC connectors N° MPPT Pnom_AC PMAX_AC [kW] [kW]

Inom_AC [A]

IMAX_AC [A]

50Hz

60Hz

max η %

ηEU %

Design Garanzia Anni

3 1 1 1 3 3 3 5 2 1 1 3 1 2 4 4 4 4 5 4 5 5 3 1 1 3 3 3 3

1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

2,3 2,4 3,5 2,3 3,5 2,75 4 4 2,5 3,4 3 2,2 2,5 3,3 2,5 4 2,2 2,5 2 2,35 2,5 2,7 3,5 3,5 4 2,27 2,7 2,5 2,5 3,3 3,3

2,5 2,5 2,3 3,5 2,75 7,5 7,5 2,65 3,8 3 2,7 4,2 2,2 2,5 2 2,35 2,65 2,7 4,1 4,1 4 2,5 3 2,5 2,7 3,8 3,8

9,6 10 14,6 10 15 10,9 34 34 10,9 14,8 12,5 9,6 12 14,5 10,8 5,7 9 10,9 8,35 10,34 10,87 11,25 15,22 15,22 16,7 9,9 11,7 10,8 10,8 14,3 14,3

10,5 11 10 15 10,9 65 65 11,52 16,5 13 11,2 14 17 11,7 6 10 12,8 8,35 11,3 11,52 11,25 17,83 17,83 16,7 10,9 13 13 13 17 17

SI SI NO SI SI SI NO NO SI NO SI SI SI SI SI NO NO SI NO SI SI NO SI SI SI SI SI SI

NO NO SI NO NO NO SI SI NO SI NO NO NO NO SI SI SI SI SI SI SI SI NO NO NO NO NO NO

95 95 92 94 94 96,27 93,5 92,9 94,3 96,7 94 93,5 94,2 96 95,3 94 94 94 95,2 94,4 94,3 95,2 94,3 94,3 95,2 93 94,1 94,66 96,5 96,5 94,66

93,5 94,2 90,8 91,5 92 95,5 92 91,4 92,7 96 91,5 92,8 93 94,4 92 92 92 93,4 92,9 92,7 98,8 93,5 93,5 94,4 91 93,2 93,49 95,5 95,5 93,49

LF TL LF LF TL LF LF HF TL HF LF TL HF HF HF HF HF HF HF HF HF LF LF LF TL TL LF

2 OPT 5 2 OPT 5 5 2 2 2 OPT 3-5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 OPT 20 2 5 5 7 7 5 OPT 20 7 5 OPT 20 5 OPT 20 7 6 OPT 10 6 3 3 3 3

32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67

KACO KACO KACO KYOCERA MAGNETEK MAGNETEK MAGNETEK MAGNETEK MASTERVOLT MITSUBISHI MOTECH OELMAEIR OMRON PAIRAN PAIRAN PAIRAN PHOENIXTEC PHOENIXTEC PHOENIXTEC PHOENIXTEC PHOTOWATT PV POWERED SANYO SHARP SHARP SHARP SHARP SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SMA SMA SMA SMA

2004 2500XI 2005 3501XI 2004 3500 XI 2004 KC 3.6i 2006 PVI 2000 OUTD 2004 PVI 3000 I OUTD US 2004 PVI-3600-OUTD 2004 PVI-3600 2004 QS3200 2006 PV-PN04F PVMate4000 2006 PAC 1-3 2001 KR40F 2003 PESOS PVI 2300T 2004 PESOS PVI 2300 2004 PESOS PVI 3500 2005 SUNVILLE2000 2005 SUNVILLE2800 2006 SUNVILLE400A 2005 SUNVILLE4000 2005 PWI-5-40 2004 PVP2800-240 2001 SSI-TL40A2 2004 JHS402 2004 JHS403 2004 JHS404 2003 JHS3500 U 2004 2000 SLAVE 2004 2000 MASTER 2003 2300 MASTER 2003 2300 SLAVE 2004 3000 IP 65 2001 SUNNY BOY SWR 2500U 2001 SUNNY BOY 2500U 1999 SUNNY BOY 2500 2002 SUNNY BOY 2800i

2,7 3,5 3,6 3,9 2,2 3,6 4 4 2,75 3,46 4,17 3,5 4,25 2,2 2,2 3,3 2,2 2,947 4,21 4,4 3,3 3 3 3 3,5 2,15 2,15 2,45 2,45 3,2 2,38 2,38 2,48 2,8

3,2 4 4,2 4,5 3,6 3,46 4,58 4 4,3 2,5 2,6 3,8 2,4 4,8 4 3,7 3,9 3,9 3,9 4,5 2,6 2,6 3 3 3,6 2,8 2,8 3 3,4

475 262 475 360 360 360 360 250 420 400 240 350 300 350 360 360 360 360 250 200 200 200 240 300 300 300 300

350-600 125-400 350-600 100-350 90-580 90-580 90-580 90-581 75-260 115-380 330-550 350-600 100-370 125-400 125-400 125-400 150-450 150-450 150-450 150-450 200-500 200-390 90-370 80-320 80-320 80-320 110-350 200-630 200-630 200-630 200-630 200-630 233-600 233-601 224-600 224-600

800 500 800 450 600 600 600 600 325 380 650 750 370 500 350 500 450 500 500 450 600 450 370 350 350 350 380 675 675 675 675 675 600 600 600 600

350 125 350 150 170 180 180 140 165 330 380 215 215 220 250 245 245 245 245 245 233 233 224 224

5,7 13,7 7,6 10 12 12 12 20 13,8 10 8,8 17,7 7,3 7,3 10 5,8 11,7 11,6 15 15 15 15 7,9 7,9 8,3 9,3

8,6 30,5 11,5 16 12 20 20 20 20 21 15 12 24,5 10 10 15 10 13 20 20 14 15 16 24 32 22,5 10 10 10 10 16 12 12 12 13,5

5 2.5 14 20 15 15 15 15 9.5 95.1 94.5 93.8 96.2 93.2 9.3 4 2.3 2 3 3.3 2.45 3.5 97 95.7 16.3 3 2.2 15.6 3.6 11.3 3.6 94.6 3.6 3.5 2.4 3.1 94.39 13 20 8.5 2.4 95 95 95 94.2 96 94 96 96 96 95.3 2.3 22.05 4 3 3 3 3.2 2.2 2.4 12 12 12.2 93.3 4.7 13 8.85 3.5 94.7 8.6 2.7 95.4 20.2 97 94.5 8.3 2 3 2 1 2 2 2 2 1 2 3 1 2 2 2 1 1 3 2 2 2 3 4 3 1 1 1 1 2 3 3 3 3 1 1 1 2 1 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1 2 2 3 4 3 1 1 1 1 2 1 1 1 2.2 94.5 2 2 2.5 3.9 10.5 95.8 93.3 2.8 11.2 9.8 4 3 3 3 3.5 2.1 95 95.6 3.1 9.6 9.5 15 13 7.2 2.4 17.7 10 10 13.5 14 SI SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI NO SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI NO NO SI SI NO NO NO NO SI SI SI SI SI SI SI NO SI NO NO NO SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI SI NO NO NO NO NO SI SI SI SI 95.6 94 >94 >94.7 13 16 16 12 16.6 3.9 14.2 2.7 94.5 94 93.8 17.7 8.3 2.6 11.4 96 >96 >96 96 94.3 12.21 93.3 2.75 3.3 14.5 2.4 4.5 91 91 91 92 94 94 94 95 94.3 95.8 3.13 15 20 10 10 15 10.3 4 3 4 2 2 3 2 2.6 3.6 2.4 93 93 93 94 93.5 2.71 93.8 4 4 3.2 93 TL 6 OPT 10 HF 6 OPT 10 TL 6 OPT 10 HF 5 TL 5 5 TL 5 OPT 10 TL 5 HF 5 TL TL 3 TL 5 TL 1 OPT 2 LF TL TL TL 2 OPT 5/10 TL 5 TL 5 TL 2 OPT 5/10 HF 5 OPT 10 10 TL HF HF HF HF TL 5 TL 5 TL 5 TL 5 TL 5 LF 5 OPT 10 LF 5 OPT 10 LF 5 OPT 10 LF 5 OPT 10 .9 94.3 94.4 15.6 2 3 3.5 15.5 17.6 13 16 16 13 16.2 13 20 15 15 15 15 8.4 3.6 2.1 94 94.6 10.2 3 4.3 3.4 15.5 19.

6 3.2 3.4 2.5 3.7 2.7 2.2 2.55 3.6 4 350 520 200 200 200 520 180 180 345 345 210 210 280 - 268-600 125-750 200-500 200-500 195-500 125-750 120-200 120-200 120-200 100-350 100-350 200-500 200-500 100-350 100-350 200-500 200-500 100-350 200-500 200-500 100-350 100-350 200-500 125-350 125-350 330-750 330-750 90-560 400-800 90-560 80-400 80-401 125-400 125-400 150-400 220-750 600 750 500 500 500 750 250 250 250 450 450 600 600 450 450 600 600 450 600 600 450 450 600 400 400 850 850 600 900 600 450 450 500 800 500 800 268 391 200 200 195 190 190 190 345 345 240 400 180 210 210 150 220 8.3 3.6 3.3 4.2 12 8 20 20 20 22 14 28 22 22 14 14 22 22 14 14 33 15 15 7.5 4.6 5.1 4 4 2.9 3.2 2.93 3.5 2.04 4.7 2.13 4.3 4.7 3.5 26 14 14 20 20 21 14 14 7.6 3.4 10 10 9.1 2.5 10.2 3.2 3.9 5.2 .3 4.2 3.6 3 4 4.2 2.3 2.68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 SMA SMA SMA SMA SMA SMA SOLAR KONZEPT SOLAR KONZEPT SOLAR KONZEPT SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLARWORLD SOLARWORLD SOLARWORLD SOLARWORLD SOLARWORLD SOLECTRIA SOLECTRIA SLOTRONIC SLOTRONIC SPUTNIK SPUTNIK SPUTNIK STECA STECA SUNSET SUNSET SUNTECHNICS SUNTECHNICS 2001 SUNNY BOY 3000 2005 SUNNY BOY 3000TL 2005 SUNNY BOY 3800 2005 SUNNY BOY 3300 2005 SUNNY BOY 4200TL HC 2006 SUNNY BOY 5000TL HC SKN 1030 SKN 1040 2002 SKN 1050 M 2005 PS3000-MV 2005 PS3000i-MV 2005 PS3000-HV 2005 PS3000i-HV 2005 PS4000-MV 2005 PS4000i-MV 2005 PS4000-HV 2005 PS4000i-HV 2005 PS5000-MV SPI 3000 HV OUTDOOR SPI 3000 HV INDOOR SPI 3000 MV INDOOR SPI 3000 MV OUTDOOR SPI 4500 HV OUTDOOR 2004 PV2500-208 2004 PV2500-240 SOLPLUS 25 2005 SOLPLUS 35 2005 SOLARMAX 3000C 2005 SOLARMAX 4000C 2005 SOLARMAX 4200C 2005 STECAGRID 2000SLAVE 2005 STECAGRID 2000MASTER 2005 SUNSTRING 4000 2005 SUN3GRID 4000 2003 STW 2600 2003 STW 3400 CV 2.7 2.9 2.1 11 10 22 10 10 30 11.7 2.1 5.6 3.6 3.5 5 2.7 3 4.7 2.04 4.2 4.2 3.8 3.2 3.1 2.04 4.9 3.7 4.85 4.04 4.5 19 16.69 3.3 4.2 3.4 6 20 20 20 8 13 15.5 3.9 11.6 16.

2 8 15.3 3.8 3.5 15.9 93.4 92.7 8.8 4.4 3.7 96 LF TL LF LF LF TL TL TL HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF TL TL TL TL TL HF HF HF TL HF TL 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 5 5 OPT 10 5 OPT 10 5 5 5 5 5 6 5 5 OPT 10 5 OPT 10 .5 3.5 2.5 3.4 93.75 3.75 3 3.2 97.6 3.75 2.4 12 18 19 20 20 16.9 94.5 15.6 3.5 8 8 12 10.5 15.8 3.4 93.45 3.6 92.7 96.2 96.8 4.2 96.8 2.4 17.8 3.4 12.5 3.75 3.3 1 3 3 2 2 2 4 2 2 2 2 2 2 2 2 3 1 1 3 3 3 3 3 2 2 2 2 5 2 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 2 2 2 2 3 1 1 1 1 1 1 2 2 1 1 1 1 2.3 4 2.3 11.9 15.6 92.5 12 10 10.3 97 95 97 95 95 94.5 2.6 93.8 95.3 3.3 94.6 92.3 3.4 94.5 4 2.9 14.3 4 3.6 5 2.18 2 2 3.5 16 17.45 2.6 96.5 94.8 11.5 94.4 94.8 4 2.9 97.3 3.6 95.3 3.4 4.5 11 12 22 11.18 2 2 3.52 16.6 3.2 2.2 96.2 94.5 3 3 3 3 3.5 95.7 10.6 93.6 95.6 96.7 94.6 92.5 14.5 16.3 96.1 92.6 95.4 94.65 3.7 94.4 94.4 93.75 2.8 92.6 94.4 96.6 4.3 11.2 94.5 2.7 93.85 4 2.6 93.4 94.6 93.6 93.8 4.3 13 13 13 13 17.6 93.6 95.3 3.8 92.4 3 3.6 3.2 96.5 11.5 94.9 93.6 3.5 SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI NO NO SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI NO SI SI SI NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO SI SI NO NO NO NO NO NO NO SI SI SI NO 95 95.6 93.9 93.2 2.3 11.5 93.5 15.5 19.8 15 16 18 18 16 19 12 24 13 13 13 13 15.3 13 16.3 3.5 93.6 3.3 3.4 94.6 3.5 2.3 11 16 16 8.7 95 95.5 2.6 92.75 2.

45 2. SUNTECHNICS SUNTECHNICS SUNWAYS SUNWAYS SUNWAYS TOTAL ENERGIE TOTAL ENERGIE XANTREX XANTREX XANTREX XANTREX XANTREX 2006 2006 2003 2003 2005 2003 2005 2005 2006 2003 2005 2005 STW 3400 C STW 3600 SUNWAYS NT 2006 SUNWAYS NT 4000 SUNWAYS 5000 GRIDFIT 2200 GRIDFIT 2500 GT 2.3 .6 21.1 15. HF = Tecnologia con trasformatore ad alta frequenza.55 3.63 3.0-240 GT 3.2 - 16.47 3.2 13.5DE GT 2.75 8.7 4 5 2.125 4.3 3.75 2.5 18 14.1 10.2 29.76 2.75 4.65 3 4 4 280 400 400 400 270 270 - 220-750 150-400 350-750 350-751 350-752 125-350 125-351 195-550 195-551 195-552 195-553 195-554 800 500 850 850 850 400 400 600 600 600 600 600 220 150 350 350 350 200 150 195 195 195 195 195 16.104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 Legenda: .8SP GT 3.8DE 3.44 5.8 3.39 7 10 13 12.8SP GT 3.5 10.06 3.3 3.43 2.3 2.3 21.4 4.= Non dichiarato LF = Tecnologia con trasformatore a frequenza di linea.8 9. TL = Tecnologia senza trasformatore.7 16.43 2.

6 95.8 11.2 19 19 SI SI SI SI SI SI SI SI SI NO SI SI NO SI NO NO NO NO NO NO NO SI NO NO 96.5 93.4 9.22 9.2 3.6 14.83 12.5 3.3 4 2.7 94.5 14.89 12.8 4.2 2.3 2.5 17.9 10 10.5 2.2 3.5 90 91 94 94 94.08 17.2 12.4 96.5 94.2 96.3 95.3 97 97 97 93.5 3 3.8 15.5 14.2 2.8 14.9 22.4 3.5 TL HF TL TL TL HF HF HF HF HF HF HF 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 5 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 .3 3.1 2.3 96 93.5 2.6 10.8 12.35 15.3 4.22 16.5 2.6 96.3 17.3 14.2 5 2 2 2 4 4 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 3.5 95 95 94.5 2.2 2.8 3.8 3 3.

3. La prima informazione estrapolata riguarda il tipo di inverter immessi nel mercato nei vari anni e ancora in produzione.1 Tecnologie a confronto.06 – Modelli LF immessi nel mercato nei vari anni e ancora in commercio. 2. 2. .60 I dati rilevati sono di seguito visualizzati in forma grafica per meglio evidenziare i confronti tra i prodotti presi in esame. N° Modelli im essi sul m m ercato nei vari anni di tipo LF 6 5 4 N° Modelli 3 2 1 0 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 Anno immissione Fig.

2.08 – Modelli TL immessi nel mercato nei vari anni e ancora in commercio.61 N° di Modelli im essi sul m m ercato nei vari anni di tipo HF 20 18 16 14 N° Modelli 12 10 8 6 4 2 0 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 Anno immissione Fig. N° Modelli im essi sul m m ercato nei vari anni di tipo TL 14 12 10 N° Modelli 8 6 4 2 0 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 Anno di immissione Fig. . 2.07 – Modelli HF immessi nel mercato nei vari anni e ancora in commercio.

Infine. Diversamente avviene per le altre filosofie costruttive. si aprirà maggiormente il mercato per tali prodotti che risultano essere meno ingombranti e più efficienti. con un trend crescente in maniera esponenziale. mantenendo un elevato grado di efficienza. ma il mercato sembra essere ancora un po’ titubante nei confronti di tale tecnologia anche se alcuni costruttori la ritengono vincente per il futuro. sia quelli dove l’isolamento galvanico per mezzo del trasformatore è imposto dalla legge. l’eliminazione del trasformatore per la sicurezza elettrica. La titubanza del mercato nei confronti delle tecniche costruttive senza trasformatore può essere dettata da falsi pregiudizi sul livello di sicurezza di queste soluzioni e dal fatto che in alcuni paesi sono ancora in vigore norme che stabiliscono la necessità dell’isolamento galvanico per tali apparecchiature chiudendo così il proprio mercato a tali inverter. sia nei mercati in cui il trasformatore non è necessario. Questo permette di approcciare tutti i mercati. Sembra quindi essere un prodotto dedicato a particolari applicazioni ad esempio per linee critiche dove la corrente continua immessa in linea deve essere nulla. . Non appena le normative permetteranno. Pertanto. per un’azienda che punta ad entrare nel settore fotovoltaico. è consigliato proporsi con un inverter con trasformatore ad alta frequenza. la tipologia costruttiva senza trasformatore presenta anch’essa un trend crescente.62 Da questi grafici si può dedurre che: la tecnologia con trasformatore a bassa frequenza è la più vecchia che si trova in commercio. anche in questi Stati. Negli anni ha avuto un trend pressoché decrescente con punte negli anni 2001 e 2005 nettamente inferiori rispetto alle punte delle altre due tecnologie. La soluzione con inverter ad alta frequenza sembra essere quella trainante nel settore.

00% 20.2 Massima efficienza ed efficienza europea delle varie tipologie.00% 40.00% 50. che seguono: Rendim ento inverter con trasform atore a frequenza di linea Percentuale di inverter con un dato rend 60. .63 2. 2.09 – Percentuale di inverter LF che hanno un rendimento compreso tra X% e X+1%.00% _ 30.00% 0. I dati raccolti sono visualizzati negli istogrammi comparativi.00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% R endimento Fig.00% 10. L’analisi prosegue mettendo in evidenza i rendimenti medi per tipo di applicazione.3.

.00% 50.00% 5.00% 40.00% _ 30.00% 30.64 Rendim ento inverter con trasform atore HF Percentuale inverter con un dato rend 60.00% 25.00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% Rendimento Fig.00% 0.00% 20.10 – Percentuale di inverter HF che hanno un rendimento compreso tra X% e X+1%.00% 20.00% 10.11 – Percentuale di inverter LF che hanno un rendimento compreso tra X% e X+1%.00% 35. Rendim ento inverter senza trasform atore Percentuale inverter con un dato rend 45.00% 0.00% 15.00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% Rendimento Fig.00% 10. 2. 2.00% 40.

Per quanto riguarda gli inverter con trasformatore ad alta frequenza si hanno rendimenti medi sempre attorno al 94% con punte del 96%. Tale parametro tiene conto che l’inverter non opera sempre alla massima potenza durante l’anno a causa delle varie intensità di radiazione che si hanno con le diverse stagioni. infatti. . E’ evidente che tale scelta tecnologica risulta sicuramente promettente. Vi sono.65 I dati evidenziano che i rendimenti tipici per soluzione con trasformatore a frequenza di linea si attestano a valori dal 94% al 95%. Per gli inverter si definisce anche un altro rendimento: il rendimento europeo. Come previsto la tecnologia senza trasformatore risulta essere la più efficiente con rendimenti tipici del 95%-96% con punte del 97%. Quindi la sostituzione di una applicazione con un dispositivo dotato di trasformatore ad alta frequenza porta ad un miglioramento di un 1% circa nell’efficienza globale. aspettative di rendimento dichiarati del 98%.

00% 15.00% 20.12– Percentuale di inverter LF che hanno un rendimento EU compreso tra X% e X+1%.00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% Rendimento Percentuale Fig.00% 5.66 Rendim ento EU per inverter con trasform atore LF Percentuale di inverter con un dato rendim 60.13– Percentuale di inverter HF che hanno un rendimento EU compreso tra X% e X+1%.00% 10.00% 0.00% 10.00% 35.00% 30. 2.00% 20.00% 40.00% 40.00% 90% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% Rendimento Percentuale Fig. .00% 25.00% 50.00% 0.00% 30. Rendimenti EU per inverter con tras formatore HF Percentuale di inverter con un dato rend 45. 2.

00% 0.00% 5.00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% Rendimento percentuali Fig. ηEU. da tenere in considerazione che per molti inverter commerciali l’efficienza dipende dalla tensione d’ingresso.67 Rendimento EU per inverter s enza tras formatore TL Percentualedi inverter con un dato rend 35.00% 30. E’. Si evidenzia che il rendimento percentuale europeo è inferiore rispetto al rendimento percentuale massimo.00% 25.00% 20. 2.00% 15. Quindi il rendimento EU. comunque. .15 l’efficienza di un inverter che riceve in ingresso una stringa il cui punto di massima potenza si trova per una tensione di 420V risulta più efficiente dell’1%-2% rispetto al caso in cui tale punto si trovi ad una tensione di 250V. Per gli inverter con trasformatore a frequenza di linea e quelli con trasformatore in alta frequenza è mediamente del 93% contro il 94% di rendimento massimo. Come si può notare dalla figura 2. Per gli inverter senza trasformatore è del 95% contro il 96% di rendimento massimo. è mediamente di un punto percentuale inferiore rispetto al rendimento massimo dichiarato.14– Percentuale di inverter TL che hanno un rendimento EU compreso tra X% e X+1%.00% 10.

00% 10.68 Fig. 2.00% 0.3.00% 20.3 Distribuzione delle varie tipologie.00% Percentuale prodo 25.16 – Distribuzione degli inverter in funzione della potenza nominale AC immessa in linea.00% 30. 2.15 – Andamento dell’efficienza in funzione della tensione di MPP.5 3.5-4 Range di potenza [kW] Fig.5 2.5-3 3-3. Percentuale di inverter nel m ercato distribuiti sul range 2kW 4kW 35.00% 2-2.00% 5.00% 15. 2. .

3. Un valore medio di range MPPT degli inverter in commercio è 125V – 500V. 200V-600V a seconda dei costruttori con punte che si spingono fino a 750V. La tensione nominale DC d’ingresso si aggira sui 300V e la corrente nominale DC d’ingresso vale mediamente 10A.60Hz (tipico USA) programmabili a seconda delle rete. 2. La tensione massima continua collegabile in ingresso si aggira tra i 500 e i 700V. Diffusa invece è la. 2. .5 Tensione d’ingresso al MPPT e tensione massima.4 Stadio d’ingresso e MPPT. che i livelli di potenza nominale sono uniformemente distribuiti nel range 2kW-4kW e non risulta possibile identificare una taglia di potenza predominante per il tipo di applicazione in esame. mediamente si ha la possibilità di collegare 3 4 stringhe che vengono solitamente gestite da un solo inseguitore del punto di massima potenza. Per quanto riguarda lo stadio d’ingresso. Generalmente non si superano i 600V in quanto 600V massimo 800V sono la massima tensione d’isolamento dei moduli fotovoltaico. Il range di tensione all’ingresso del MPPT per il quale l’inverter riesce ad estrarre la massima potenza è tipicamente 150V-400V. ma è una soluzione ancor poco diffusa. Negli ultimi anni risultano essere immessi in commercio inverter che lavorano sia a 230Vrms .69 Dall’analisi eseguita si nota. distinzione tra prodotti destinati al mercato UE e prodotti destinati al mercato USA sia per diversa tensione vAC in uscita.3. Il range di tensione accettato in ingresso dal circuito inseguitore del punto di massima potenza varia da costruttore a costruttore e generalmente è lo stesso per tutta la gamma di prodotti del costruttore.3.50 Hz (tipico UE) che a 120Vrms .6 Frequenza di funzionamento 50Hz e 60Hz. infine. sia per le diverse normative da rispettare. 2.

3.3.7. lo stadio slave viene immediatamente portato . alcuni inverter commerciali. l’efficienza dell’inverter è minore rispetto alle ore del giorno in cui la potenza disponibile è più elevata. come per esempio all’alba o al tramonto. La distorsione armonica totale è definita come: THD = I rms − I 21 _ rms I 21 _ rms 2 (2. In particolare. Gli inverter presenti in commercio presentano un’efficienza che varia in funzione delle condizioni d’irraggiamento.70 2.3. 2. la conversione della potenza è demandata al solo stadio master. Tale periodo di tempo non deve sembrare troppo elevato.8 Garanzia. Un inverter deve ovviamente essere garantito per un periodo di tempo minimo imposto dalla legge e per un tempo che comunque può essere superiore. Entrambe con la possibilità di estensione della garanzia a 10 anni o 20 anni. che si aggira intorno ai 20-30 anni.3. 2. con irraggiamento debole e/o parziale.1) dove Irms è la corrente di linea e I1rms è la componente alla frequenza fondamentale. e al seguente ammortamento del costo di impianto. Per far fronte a tale problema. Per gli inverter fotovoltaici immessi in commercio è mediamente del 3% e per normativa non può superare il 5%. All’aumentare della potenza in ingresso. In caso di basso irraggiamento. Risulta diffuso tra i costruttori garantire per 5 anni il prodotto sul mercato europeo e per 7 anni sul mercato americano. ma è allineato al tempo medio di vita dell’installazione. realizzano una struttura denominata Master – Slave la quale prevede l’utilizzo combinato di due stadi DC/AC di potenza inferiore rispetto alla potenza massima gestita.9 Struttura Master – Salve.7 THD (Total Harmonic Distorsion).

Il software normalmente è fornito gratuitamente e scaricabile dal sito internet del produttore dove si possono trovare sempre versioni più aggiornate. irradiazione e sensori eolici. tra cui: Sistemi d’allarme sonoro e visivo che avverte di un eventuale guasto verificatosi. distribuendo alternativamente.3.10 Sistemi di comunicazione. a corredo dell’’inverter. tra gli stadi master e slave. gli stress elettrici e termici dei vari componenti. porta a massimizzare anche il ciclo di vita dell’apparecchiatura. altresì. Quasi tutti i produttori offrono. A queste interfacce possono essere collegati diversi sistemi. Sistemi di visualizzazione e data logging per visualizzare e registrare tutti i dati dell’inverter anche per lunghi periodi di tempo. Un apposito software progettato. provvederà poi alla visualizzazione dei dati anche su internet tramite una applet Java. RS485. Sistemi di monitoraggio delle condizioni meteo. costituito da sensori di temperatura ambiente. - Dispositivi di visualizzazione e memorizzazione dei dati che possono essere collegati via ethernet o USB ad un PC. Molti inverter sono equipaggiati con interfacce RS232.71 in funzionamento. La struttura realizza. un sistema di tipo ridondate (guasti al master vengono sopperiti temporaneamente dallo slave) che oltre ad aumentare l’affidabilità complessiva del sistema. . e sistemi di comunicazione via radio o via powerline e sfruttano la tecnologia Plug&Play per il riconoscimento automatico dei vari dispositivi collegati. 2. una serie di sistemi di monitoraggio e comunicazione per rendere visibile tutte le informazioni sullo stato di funzionamento dell’impianto fotovoltaico.

Sistema di comunicazione Inverter . Campo fotovoltaico Sensori Internet Inverter Sistema Visualizzazione PC SMS/FAX EMAIL Sistema Segnalazioni allarme Sistema trasmissione dati 2. forme.Utente.11 Design. allarme. L’invio di una email può essere effettuato in due modi: tramite il server SMTP o ASMTP del provider del cliente o attraverso un opportuno dispositivo elettronico opportunamente progettato che collega l’inverter alla propria linea telefonica. generalmente. 2. colori e accessori sono da considerarsi come elementi di valore aggiunto utili ad aumentare l’appeal di un prodotto così tecnologico.17 .72 - Schede di comunicazione di tipo Plug&Play che si occupano delle comunicazioni di guasto e di sistema tramite email. sistemi di visualizzazione con display grafici. Ovviamente tutti i sistemi di visualizzazione. monitoraggio. SMS o fax.3. . realizzati connettendo più stadi inverter in parallelo. Si tenga presente che in molti casi l’inverter viene installato internamente in casa in un ambiente visibile. Di conseguenza. ecc. possono ricevere informazioni da più inverter. Questo perché gli impianti di grosse dimensioni vengono.

c) IEC 60364-7-712 Electrical Installations of Buildings – Part 7 .1 Premessa. Le linee guida in fase di elaborazione sono: a) IEC 61727: Characteristics of Utility Interface for Photovoltaic (PV) Systems.73 Capitolo 3 – Normative. Nel 2000. 3. Alcuni organismi internazionali. Hanno inoltre istituito apposite commissioni per la stesura di nuove normative di prodotto. la commissione IEC (International Electrotechnical Commission) ha formato un gruppo di sviluppo per le normative sui sistemi di energia rinnovabile. Non esiste una normativa internazionale di prodotto. Aggiornamento della IEC 61727 (1995-06) Characteristic of Utility Interface . Questo standard risulta l’aggiornamento della pubblicazione:” IEEE Standard 929-1988” e in linea con lo standard americano UL1741: “Standard for Static Inverters and Charge Controllers for Use in Photovoltaic Power Systems”. ma ogni Paese ha la propria legislazione.712 : Requirements for Special Installations or Locations – Solar Photovoltaic (PV) Power Supply Systems. Nel 2004 è stato pubblicato lo standard di interconnessione IEEE 1547 – IEEE Standard for Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems. ● IEEE. Nel 2000. ● IEC. . quali IEEE ed IEC. la IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) ha pubblicato:” Standard 929 IEEE – Reccomended Practice for Utility Interface of Photovoltaic (PV) System up to 10kW”. Il quadro normativo vigente nel settore fotovoltaico risulta complesso. b) IEC 62109: Safety of Power Converters for Use in Photovoltaic Power Systems – Part 1 – General Requirements. hanno pubblicato negli ultimi anni diversi articoli e proposto standard al riguardo.

. . Generalmente descrivono: 1) Requisiti Generali.ISOLAMENTO.DISCONNESSIONE A SEGUITO DI ERRORE. . .PROTEZIONE CONTRO SURGE. .COLLEGAMENTO A TERRA.FLICKER. 2) Requisiti di Sicurezza e Protezione.LIMITI AI DISTURBI DI FREQUENZA. valide per la propria rete di distribuzione. .CONTENUTO ARMONICO. . . .REGOLAZIONE DI TENSIONE.LIMITI AI DISTRURBI DI TENSIONE. 3) Qualità della Potenza.FATTORE DI POTENZA. ed emanano delle direttive e normative al riguardo.LIMITI CORRENTE CONTINUA INIETTABILE IN RETE.SINCRONIZZAZIONE. .REGOLAZIONE DI FREQUENZA.IMMUNITA’. . . . I gestori delle reti elettriche nazionali prendono in considerazione i vari standard.74 Le normative hanno una formulazione molto simile. .MONITORAGGIO.DISPOSITIVI ANTI-ISLAND. . .RICONNESSIONE. . .SBILANCIAMENTO DI TENSIONE. .

La normativa di riferimento è la norma CEI 11-20 alla quale si riferisce la direttiva ENEL DK 5940 entrata in vigore nel giugno 2006 e che sostituisce la direttiva ENEL DK 5950 del marzo 2002. mentre gli impianti con potenza superiore a 75kW vengono connessi alla linea a media tensione. generatori monofase purché lo squilibrio. gli impianti di potenza nominale minore od uguale a 50kW vengono allacciati alla rete bassa tensione dell’Enel. I gruppi di generazione possono essere monofasi o trifasi. fra una fase e il neutro. In figura 3. fra la potenza installata sulla fase con più generazione e quella con meno generazione.1. 3) Dispositivo di Generatore. Generalmente.1 Direttiva ENEL DK 5940. 3. . non superi i 6kW. Per il collegamento di generatori trifase è ammesso collegare. 3. 2) Dispositivo di Interfaccia.01 è riportato lo schema di collegamento di un impianto fotovoltaico alla rete pubblica italiana.1 Schema di collegamento di un impianto di produzione alla rete pubblica dell’ENEL.2.75 3. un sistema da 3kW è monofase e collegato alla rete a bassa tensione per mezzo di tre dispositivi: 1) Dispositivo Generale. Pertanto. Si consideri il quadro normativo vigente in Italia.2 Impianti fotovoltaici in Italia. Per gli allacciamenti monofase la potenza massima ammessa è di 6kW.2.

01 – Schema di collegamento di un impianto di produzione fotovoltaico alla rete ENEL come da direttiva DK 5940.76 Dispositivo della rete ENEL Sbarra BT cabina ENEL Punto di consegna Dispositivo Generale Parte di rete utente non abilitata al funzionamento in isola Dispositivo di Interfaccia Parte di rete utente abilitata al funzionamento in isola. . Dispositivo di Generatore Inverter DC/AC Figura 3.

2 Dispositivo Generale. cioè dotato di una bobina di apertura a mancanza di tensione. 3. Deve essere costituito da un interruttore con sganciatori di massima corrente e deve soddisfare i requisiti sul sezionamento della norma CEI 64-8.77 3. Il dispositivo generale separa l’intero impianto privato dalla rete pubblica.1.1. L’esecuzione del dispositivo di interfaccia deve soddisfare i requisiti sul sezionamento della Norma CEI 64-8. alimentata in serie ai contatti di scatto delle protezioni. combinato con fusibile o con interruttore automatico. Nel caso trifase.2. il contattore dovrà essere conforme alla norma CEI EN 61095. sono ammesse le seguenti tipologie: ● Interruttore automatico con bobina ausiliaria a mancanza di tensione.2. di guasto interno alle protezioni e in mancanza di alimentazione ausiliaria. Tale bobina. ● Contattore con bobina di apertura a mancanza di tensione. ● Commutatore (inteso come Interruttore di manovra CEI EN 60947-3) accessoriato con bobina di apertura a mancanza di tensione. deve provocare l’apertura del dispositivo in caso di corretto intervento. Il dispositivo di interfaccia ha il compito di svolgere la protezione di interfaccia. Deve essere un dispositivo a “sicurezza intrinseca”.3 Dispositivo di Interfaccia. Il dispositivo di interfaccia può trovarsi all’interno del convertitore statico DC/AC. Pertanto. combinato con fusibile o con interruttore automatico. . separando i gruppi di generazione dalla rete elettrica pubblica. il contattore dovrà essere conforme alla norma CEI EN 60947-4-1. Nel caso monofase.

e) Categoria di utilizzazione. Conformemente alle prescrizioni CEI 11-20.78 Nel caso in cui il dispositivo di interfaccia si trovi all’interno dell’inverter. In tal caso il dispositivo deve essere equipaggiato con doppi circuiti di apertura comandati rispettivamente da: 1) Sganciatori di massima corrente. queste dovranno comandare un unico dispositivo di interfaccia che escluda tutti i generatori dalla rete pubblica. interruzione e relativi fattori di potenza. f) Sicurezza intrinseca. per impianti di produzione collegati a rete BT pubblica e di potenza complessiva ≤ 20 kW. L’equivalenza alle topologie precedentemente citate deve essere verificata per le seguenti caratteristiche: a) Corrente e tensione nominale. purché siano certificate da un laboratorio accreditato. b) Potere nominale di chiusura. c) Prestazioni in servizio. In assenza di carichi del produttore. ovvero. g) Tensione d’isolamento e di tenuta. la funzione può essere svolta da più dispositivi distinti fino ad un massimo di tre. qualora nell’impianto siano presenti più protezioni di interfaccia associate a diversi generatori. d) Modalità di sezionamento e caratteristiche dei contatti principali. 2) Bobina a mancanza di tensione. la funzione di dispositivo di interfaccia deve essere svolta da un unico dispositivo. . o se tutta la rete del produttore può funzionare in isola. ad esempio combinazioni di relé elettromeccanici. il dispositivo generale può svolgere le funzioni di dispositivo di interfaccia. In deroga. sono ammesse tipologie diverse.

Le funzioni di protezione di interfaccia previste dalla Norma CEI 11-20 sono: ● Protezione di minima tensione.1.79 Sistema Potenza Tipo Monofase < 6kW < 20kW Trifase >20kW Interruttore automatico con bobina di apertura a mancanza di tensione. Contattore con bobina di apertura a mancanza di Impianti collegati tensione.02.2. 2) Il sistema di controllo dell’inverter. ● Protezione di minima frequenza. Le tarature di tali protezioni sono elencate in tabella 3. . combinato con fusibile o con interruttore automatico. Anche interno al sistema di conversione. ● Protezione di massima tensione. ● Protezione a derivata di frequenza (richiesta dall’Enel in condizioni particolari di rete). combinato con fusibile o con interruttore automatico. tramite sistema di conversione Commuttatore (inteso come interruttore di manovra CEI EN 60947-3 categoria AC-22A o AC-22B) con bobina di apertura a mancanza di tensione combinato con fusibile o interruttore automatico. Le protezioni di interfaccia possono essere realizzate tramite: 1) Un dispositivo dedicato (relé).4 Protezione di Interfaccia e taratura. 3. Interruttore automatico con bobina di apertura a mancanza di tensione. Contattore con bobina di apertura a mancanza di tensione. ● Protezione di massima frequenza. Esterno al sistema di conversione Tabella 3.01 – Tipologie di dispositivo di interfaccia amesse.

.2Vn >0. essere adottate le tarature 49Hz. L’esecuzione del dispositivo di generatore deve soddisfare i requisiti della norma CEI 64-8. Tabella 3. Nel caso in cui l’impianto di produzione sia costituito da un solo generatore e non sia previsto per il funzionamento in isola. ● Commutatore (inteso come interruttore di manovra CEI EN 60947-3).7Hz . tale da escludere il singolo gruppo in condizioni di “aperto”. 3. Dispositivo installato a valle dei terminali di ciascun gruppo generatore.7Hz(1) (1) Le tarature di default sono 49.1s < 0.3Hz o 51Hz 0. ● Contattore combinato con fusibile o con interruttore automatico.02 – Funzioni delle protezioni di interfaccia e relative tarature.5 Hz/s (1) < 0. su indicazione del personale ENEL.2s senza ritardo intenzionale senza ritardo intenzionale senza ritardo intenzionale 49 o 49. il dispositivo del generatore può svolgere la funzione di dispositivo di interfaccia. Sono ammesse le seguenti tipologie di dispositivo di generatore: ● Interruttore automatico con sganciatore di apertura. 50.3Hz. 51Hz.8Vn 50.5 Dispositivo di Generatore. combinato con fusibile o con interruttore automatico. siano tali da provocare interventi intempestivi della protezione di massima/minima frequenza potranno.1.2. in normali condizioni di esercizio.80 Protezione Massima tensione Minima tensione Massima frequenza Minima frequenza Derivata di frequenza ( se richiesta) Esecuzione unipolare/tripolare unipolare/tripolare unipolare unipolare unipolare Valore di Taratura Tempo di Intervento <1. Qualora le variazioni di frequenza.

77 0. ● Relativamente alle componenti armoniche della corrente immessa nella rete pubblica.33 0. non si deve comportare come generatore di tensione.81 3. i convertitori devono soddisfare le prescrizioni CEI EN 61000-3-2 o CEI EN 61000-3-12 in base alla potenza dell’impianto.3 1.21 0.08 0.4 0. Deve rispettare i limiti previsti dalle normative vigenti. Il convertitore statico fornisce potenza elettrica alla rete pubblica. .1.15*(15/h) Corrente armonica massima ammessa [A] 1.43 0. ovvero. ● Il dispositivo di conversione statica non deve essere in grado di sostenere autonomamente la frequenza e la tensione della rete pubblica.23*(8/h) Tabella 3.6 Qualità dell’energia prodotta.2.30 0. Armoniche Dispari Corrente armonica massima ammessa h [A] 3 5 7 9 11 13 15 < h < 39 Armoniche Pari h 2 4 6 8 < h < 40 2.14 0.03 – Limite delle armoniche di corrente tabulato nella norma CEI 61000-3-2.

05÷1)s regolabile con passo di 0.82 ● Per le fluttuazioni di tensione ed i flicker.5% della corrente nominale d’uscita del convertitore stesso.1Hz.05s Tempo di ritardo: ● La protezione di minima frequenza deve essere in esecuzione unipolare a una soglia di intervento.05Vn (0. è obbligatoria per gli impianti di potenza maggiore a 20kW. (0. La soglia non deve essere escludibile. tale separazione può essere sostituita da una protezione che interviene.05s.5 ÷ 49.5÷1)Vn regolabile con passo di 0. ● La protezione di minima tensione può essere in esecuzione unipolare o tripolare ad una soglia di intervento. fra la rete pubblica in AC e la parte in CC dei convertitori. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia : (0. Per impianti di potenza complessiva minore o uguale a 20 kW. mediante trasformatore di isolamento a frequenza industriale.3)Vn regolabile con passo di 0. La soglia non deve essere escludibile. si devono soddisfare le norme CEI EN 61000-3-3 o CEI EN 61000-3-11 in base alla potenza dell’impianto.05÷1)s regolabile con passo di 0. (0.05÷1)s regolabile con passo di 0.05s Tempo di ritardo: ● La protezione di massima tensione può essere in esecuzione unipolare o tripolare ad una soglia di intervento.05Vn. quando la componente in corrente continua della corrente immessa nella rete pubblica supera lo 0. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (1÷1. agendo sul dispositivo di generatore o interfaccia.1 s. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (48. ● La separazione metallica. distaccandolo dalla rete pubblica entro 0. La soglia non deve essere escludibile.8)Hz regolabile con passo di 0. Tempo di ritardo: .

2Vn e 1.3Vn e deve inibirsi per tensioni in ingresso inferiori a 0. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (0. La soglia deve essere escludibile.05÷1)s regolabile con passo di 0. ● La protezione a derivata di frequenza deve essere in esecuzione unipolare a una soglia di intervento. Deve funzionare correttamente nel campo di tensione in ingresso compreso tra 0.1Hz.5)Hz regolabile con passo di 0. Deve funzionare correttamente nel campo di tensione in ingresso compreso tra 0.2Vn. (0.3Vn e deve inibirsi per tensioni in ingresso inferiori a 0. .1÷1)Hz/s regolabile con passo di 0. Tempo di ritardo: La protezione deve essere insensibile a transitori di frequenza di durata minore o uguale a 40ms.8 in ritardo (cioè assorbimento di potenza reattiva) quando la potenza attiva erogata è compresa tra il 20 % ed il 100 % della potenza complessiva installata.2Vn. ● La protezione di massima frequenza deve essere in esecuzione unipolare ad una soglia di intervento.2Vn e 1. Tempo di ritardo: ● Sistema di regolazione del fattore di potenza.1Hz/s. (0.Non inferiore a 0.83 La protezione deve essere insensibile a transitori di frequenza di durata minore o uguale a 40ms.05s. La soglia non deve essere escludibile. possono erogare energia attiva con fattore di potenza (riferito alla componente fondamentale): . I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (50 ÷ 51. Gli impianti di produzione collegati alla rete ENEL tramite dispositivi di conversione statica.05s.05÷1)s regolabile con passo di 0.

05 + P/20) kVAr.In anticipo. 4) Verifica della componente continua della corrente di uscita.84 . Le prove di funzionamento devono essere effettuate verificando che le seguenti grandezze di influenza siano mantenute nelle condizioni di riferimento riportate qui di seguito: 1) Prove di isolamento. dove previste e ad eccezione di quelle funzionali. quando erogano una potenza reattiva complessiva non superiore al minor valore tra 1kVAr e (0. . dove P è la potenza complessiva installata espressa in kW. La norma di riferimento è la CEI EN 60146-1-1. 3) Verifica del fattore di potenza. Le prove di compatibilità elettromagnetica (immunità ed emissione) devono fare riferimento alle seguenti norme ed a quelle da esse richiamate. 5) Prove di compatibilità elettromagnetica (EMC). 2) Verifica delle funzioni di protezione.In fase (cioè. ● Certificazioni. Le prove di certificazione. Si tenga in considerazione che la tensione di alimentazione sulla rete ENEL BT è conforme alla CEI EN 50160. costante pari ad 1). dovranno essere eseguite da laboratori accreditati presso l’European cooperation for Accreditation (EA). .

3Vn. c) CEI EN 61000-3-3 e CEI EN 61000-3-11: Limiti di fluttuazioni di tensione e flicker. h) Prove di sovraccaricabilità dei circuiti voltmetrici di misura. b) Rigidità dielettrica (GLI 02. f) Verifica funzioni e misura delle precisioni (ENEL DV1501A e DV1500). dovranno essere considerate quelle più restrittive. livello di severità 3). che sono da eseguire anche per l’inverter. e) Prove climatiche (ENEL R CLI 01). . 6) Nel caso in cui l’inverter realizzi anche le funzioni relative alla “Protezione di interfaccia” le precedenti prove andranno integrate con le seguenti: a) Prove di isolamento (ENEL R EMC 01). d) Misura della resistenza di isolamenti (GLI 03 livello di severità 3).La sovraccaricabilità transitoria (1s) deve essere superiore o uguale a 2Vn. g) Prove di compatibilità EMC CEI EN 61000-6-1 e CEI EN 61000-6-3. c) Prova ad impulso (GLI 01.85 a) CEI EN 61000-2-2: " Compatibilità Elettromagnetica (EMC) – Parte 2-2: Ambiente – Livelli di compatibilità per disturbi condotti di bassa frequenza e la trasmissione dei segnali sulle reti pubbliche di alimentazione a bassa tensione.La sovraccaricabilità permanente deve essere superiore o uguale a 1. Per le prove del dispositivo di interfaccia integrato. livello di severità 3). . .” b) CEI EN 61000-3-2 e CEI EN 61000-3-12: Limiti di emissione armoniche (classe A).

In alcuni casi. Non dovrebbero guastarsi durante i transitori previsti. Varistori.2 Normative IEC. Trasformatori di isolamento. CEI per inverter fotovoltaici. di un elemento non lineare che commuti in uno stato di bassa impedenza quando vengono superati i limiti di tensione. CEI 82-4) – Protezione contro le sovratensioni dei sistemi fotovoltaici (PV) per la produzione di energia – Guida. Non devono degradare la normale prestazione del sistema. Possibili dispositivi di protezione dell’inverter sono: Diodi. Dispositivi spinterometrici e fusibili a scarica di gas. IEC 61173 (EN 61173. Fotoaccoppiatori. EN. in parallelo ai terminali da proteggere. La normativa IEC 61173 stabilisce le caratteristiche dei dispositivi di protezione contro le sovratensioni. .2.86 3. Devono avere un impatto minimo sull’efficienza del sistema. dovrebbero riportare le sovracorrenti a valori di sicurezza finché non intervengono i dispositivi di sicurezza della linea posti a monte (fusibili). Tali dispositivi: Non devono degradarsi al si sotto delle caratteristiche minime durante la vita utile. Il principio di funzionamento di un sistema di protezione consiste nell’inserimento. Devono limitare la tensione ai terminali protetti ad un livello di sicurezza.

CEI 82-20)– Sistemi fotovoltaici.87 IEC 61683 (EN 61683.Tensione d’ingresso. La sorgente DC da collegare in ingresso ad un inverter fotovoltaico con MPPT può essere un array fotovoltaico o un simulatore di array fotovoltaico. . Procedure per misurare l’efficienza. b) Con la tensione d’ingresso al valore nominale o al valore medio del range d’ingresso. La tensione d’uscita e la frequenza devono essere mantenute entro i valori nominali dichiarati dal costruttore.Temperatura. Condizionatori di Potenza. .Sorgente DC. . La temperatura alla quale si effettuano le misure deve essere di 25°C + 2°C. .Tensione d’uscita e frequenza. Le misure devono essere effettuate in ognuna delle seguenti condizioni: a) Con la tensione d’ingresso al minimo valore d’ingresso dichiarato dal costruttore. La normativa IEC 61683 descrive la procedura di misura dell’efficienza di un inverter fotovoltaico. c) Con la tensione d’ingresso pari al 90% del massimo valore d’ingresso dichiarato dal costruttore. .

la potenza del sistema di controllo dell’inverter (gate driver). PiP = potenza parziale d’ingresso (kW). la potenza del sistema di controllo dell’inverter (gate driver).Calcolo dell’efficienza parziale d’uscita.2. Nel computo della ausiliaria potenza parziale d’ingresso si deve considerare ogni potenza d’ingresso come. Si calcola dai dati misurati con la seguente relazione: η= dove: η = efficienza nominale d’uscita.1) PO = potenza nominale d’uscita (kW). E’ calcolata dai dati misurati con la seguente relazione: η PAR = POP ⋅ 100 PiP (3. . per esempio.Calcolo dell’efficienza nominale d’uscita. Pi = potenza d’ingresso (kW) quando la potenza d’uscita è quella nominale.2. per esempio. PO ⋅ 100 Pi (3. L’efficienza parziale rappresenta il valore dell’efficienza dell’inverter al di sotto della potenza nominale d’uscita. .88 .2) dove: ηPAR = efficienza parziale d’uscita. POP = potenza parziale d’uscita (kW). Nel computo della potenza nominale d’ingresso si deve considerare ogni potenza ausiliaria d’ingresso come.2.2. L’efficienza nominale è il rapporto tra la potenza d’uscita e d’ingresso quando l’inverter sta erogando la potenza nominale d’uscita.

3) . A2 = Amperometro AC.Circuito di test raccomandato. F = Frequenzimetro. a) L’efficienza è calcolata con l’espressione precedente. A1 = Amperometro DC.2.89 . . la tolleranza è espressa dalla seguente relazione: − 0.2 ⋅ (1 − η ) ⋅ η (3. W1 = Wattmetro DC.2.02 – Circuito raccomandato per la misura dell’efficienza. .Procedura di misura. Quando un valore di efficienza è garantito. A1 W1 W2 A2 PF PS V1 PC Under Test V2 F Legenda: PS = Variable voltage-current dc power supply.Tolleranza dell’efficienza. V2 = Voltmetro AC. W2 = Wattmetro AC. Figura 3. La potenza Pi può essere misurata con il wattmetro W1 o determinata moltiplicando la lettura dell’amperometro A1 con quella del voltmetro V1. V1 = Voltmetro DC. PC = Power Conditioner.

.2. La corrente d’uscita con l’amperometro A2.4) e) Ogni strumento può essere analogico o digitale. f) In un inverter fotovoltaico con MPPT le variazioni di tensione devono essere mediamente inferiori al 5% della tensione d’ingresso. c) Il voltmetro DC e l’amperometro DC devono essere strumenti a valore medio. La precisione deve essere inferiore al + 0.2. W2 con la seguente relazione: PF = (W2 ) V2 ⋅ A2 ⋅ 100 (3.5% del valore di fondo scala per ogni misura di potenza. La tensione d’ingresso è misurata con il voltmetro V1.90 b) La tensione d’ingresso deve essere fatta variare finché la corrente d’uscita varia dal valore minimo al valore nominale. d) Il fattore di potenza può essere misurato con un apposito strumento o essere calcolato dalle letture di V2. Il periodo di osservazione deve essere di almeno 30s. Voltmetro AC e amperometro AC devono essere strumenti a vero rms. A2.

. Parametro Irraggiamento Totale Temperatura dell’aria in uno schermo contro le radiazioni Velocità del vento Simbolo GI TAM Unità di misura W/m2 °C SW m/s Tabella 3. . La norma IEC 61724 descrive le procedure per il rilievo delle caratteristiche di un sistema fotovoltaico.Parametri dell’array fotovoltaico.05 – Parametri del campo fotovoltaico. lo scambio e l’analisi dei dati. Nelle tabelle seguenti sono elencati i parametri da misurare con le relative unità di misura.04 – Parametri metereologici. Parametro Tensione d’uscita Corrente d’uscita Potenza d’uscita Temperatura dei moduli Angolo di inclinazione dell’inseguitore Simbolo VA IA PA TM ФT Unità di misura V A W °C gradi gradi ФA Angolo azimutale dell’inseguitore Tabella 3.91 IEC 61724 (EN61724. configurati come autonomi o collegati alla rete di distribuzione elettrica. . Scopo di queste procedure è quello di valutare le prestazioni globali di sistemi fotovoltaici.Parametri metereologici. Linee guida per la misura. CEI 82-15) – Rilievo delle prestazioni dei sistemi fotovoltaici.

92 . Unità di misura V A W .Parametri del carico.Parametri dell’energia immagazzinata.06 – Parametro dell’elemento di accumulo. Parametro Tensione di funzionamento Corrente verso il dispositivo di immagazzinamento Corrente dal dispositivo di immagginamento Potenza verso il dispositivo di immagazzinamento Potenza dal dispositivo di immaggazinamento Simbolo VS Unità di misura V ITS IFS A A PTS PFS W W Tabella 3. Parametro Tensione del carico Corrente del carico Potenza del carico Simbolo VL IL PL Tabella 3.07 – Parametri del carico. .

PTS IFS. PFS IFU.93 . . Parametro Tensione di rete Corrente verso la rete di distribuzione Corrente dalla linea di distribuzione Potenza verso la rete di distribuzione pubblica Simbolo VU ITU IFU PTU Unità di misura V A A kW PFU kW Potenza dalla rete di distribuzione pubblica Tabella 3.IA PA VL . 3.PTU Generatori di supporto Rete di distribuzione pubblica Dispositivi di immagazzinament o Fig.03 – Misura dei parametri in tempo reale. IBU PBU ITU. . PFU VBU.08 – Parametri della rete di distribuzione.Parametri da misurare in tempo reale. GI Array Fotovoltaico Condizionatore di potenza VA. IL PL Carico TAM SW ITS.Parametri rete di distribuzione.

Inoltre. o essere misurata direttamente con un sensore di potenza. per velocità del vento uguali od inferiori a 5m/s. compreso il condizionamento del segnale. la norma descrive le operazioni di elaborazione. l’intervallo di campionamento deve essere inferiore ad 1 minuto.94 . l’intervallo di campionamento può essere compreso tra 1 minuto e 10 minuti. deve essere migliore del 2% della lettura. c) La precisione dei sensori di corrente e tensione (DC e AC). . come il prodotto della tensione e della corrente campionate. b) La precisione dei sensori di velocità del vento deve essere migliore di 0. compreso il condizionamento del segnale. La potenza in corrente alternata deve essere misurata utilizzando un sensore di potenza che tenga conto. in modo adeguato. d) La potenza in corrente continua può essere calcolata in tempo reale. del fattore di potenza e della distorsione armonica.Metodi di rilievo. compreso il condizionamento dei segnali. La precisione dei sensori di potenza. Per parametri con elevate costanti di tempo. deve essere superiore a 1K. memorizzazione dati e i formati dei file per il loro trasferimento. a) La precisione dei sensori di temperatura. e migliore del 10% della lettura per velocità superiori a 5m/s. deve essere migliore dell’1% della lettura.5m/s. e) Per le grandezze che variano con l’irraggiamento.

2) Prove ambientali e climatiche. Le prove da effettuare per la conformità alla norma sono: 1) Esame a vista. b) Prove di vibrazione. b) Prova a caldo umido. b) Prescrizioni di sicurezza. a) Prove di ribaltamento. e) Prescrizioni per l’assemblaggio dell’apparecchiatura elettronica negli impianti di potenza. d) Prescrizioni per l’apparecchiatura elettronica. a) Prova a caldo secco. c) Requisiti e condizioni ambientali. si applica ad apparecchiature elettroniche per le quali non esiste una specifica norma di prodotto. Inoltre. f) Prove per la conformità.95 EN 50178 (CEI 22-15) – Apparecchiature elettroniche da utilizzare negli impianti di potenza. c) Prove di tenuta stagna per apparecchiature raffreddate a liquido. La norma specifica: a) Prescrizioni per l’intero sistema. 3) Prove meccaniche. . per la prova e l’integrazione nei sistemi per installazioni di potenza. La norma EN 50178 (CEI 22-15) si applica all’uso di apparecchiature elettroniche (EE – Electronic Equipment) in impianti di potenza. in cui è necessario mantenere un livello tecnico uniforme di sicurezza ed affidabilità. La norma definisce i requisiti minimi di progettazione e costruzione per la protezione dalla scossa elettrica.

c) Prove di scariche parziali. b) Prove di tensione ca o cc. d) Prova di resistenza di isolamento in impianti di potenza. 23. schermatura di protezione. e) Impedenza di protezione. a) Prove di tensione impulsiva. 7) Prove sulle prestazioni. .96 4) Prove meccaniche relative alla sicurezza. d) Prove di idoneità della verniciatura o del rivestimento. b) Prova di non accessibilità. 6) Prove elettriche ambientali. c) Prova dell’involucro. Gli inverter commerciali fanno riferimento alla seguente normativa per le dichiarazioni di sicurezza CE. a) Emissione di disturbi elettromagnetici. Pertanto. 5) Prove elettriche (dielettriche) relative alla sicurezza. b) Immunità dai disturbi elettromagnetici. al progettista. a) Distanza di isolamento in aria e di scarica superficiale. una rapida identificazione delle caratteristiche costruttive. Sono presenti numerosi flow-chart che permettono. c) Tenuta al cortocircuito. merita particolare attenzione il paragrafo 5 a pag. In questa sezione la norma descrive gli accorgimenti da attuare per la protezione delle persone e degli animali.

o lettera X) Lettera addizionale (opzionale) (lettere A. o letteraX) Seconda cifra caratteristica (cifra da 0 a 8. Il codice IP è strutturato nel seguente modo: IP Lettere caratteristiche (International Protection) Prima cifra caratteristica (cifra da 0 a 6.97 IEC 60529 (EN 60529) .09 – Significato della prima cifra caratteristica del codice IP. S.5mm di diametro > 1mm di diametro protetto contro la polvere totalmente protetto contro la polvere Significato per la protezione delle persone Contro l’accesso a parti pericolose con: non protetto dorso della mano dito attrezzo filo filo filo Tabella 3. D) Lettera supplementare (opzionale) (lettere H. B.Gradi di protezione degli involucri (Codice IP). C. M. 2 3 C H Prima cifra caratteristica. Cifra o lettere Significato per la protezione dell’apparecchiattura Contro la penetrazione di corpi estranei: 0 1 2 3 4 5 6 non protetto > 50mm di diametro > 12. W) Nelle tabelle seguenti è riportata una breve descrizione degli elementi del codice IP.5mm di diametro > 2. In Europa. . il grado di protezione dell’involucro è indicato dal codice IP (International Protection).

98 Seconda cifra caratteristica.11 – Significato della lettera addizionale del codice IP.10 – Significato della seconda cifra caratteristica del codice IP. Cifra o lettere Significato per la protezione dell’apparecchiattura Contro la penetrazione di acqua con effetti dannosi: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 non protetto caduta verticale caduta di gocce d’acqua pioggia spruzzi d’acqua getti d’acqua getti potenti immersione temporanea immersione continua Tabella 3. Lettera addizionale (opzionale). . Cifra o lettere Contro l’accesso a parti pericolose con: A B C D dorso della mano dito attrezzo filo Significato per la protezione delle persone Tabella 3.

12 – Significato della lettera supplementare del codice IP. . Informazioni supplementari relative a: H M S W apparecchiature ad alta tensione prove con acqua con apparecchiatura in moto prova con acqua con apparecchiatura non in moto condizioni atmosferiche Tabella 3. Cifra o lettere Significato per la protezione dell’apparecchiatura.99 Lettera supplementare (opzionale).

3. National Electrical Code. Le normative statunitensi da considerare sono: a) Normativa NEC.1 Articolo NEC 690. . c) Normativa FCC per la compatibilità elettromagnetica. Impianti costituiti da vari tipi di sorgenti di energia Fig.3 Impianti fotovoltaici negli Stati Uniti. 3) Impianti Stand Alone.04 – Sistemi fotovoltaici descritti nell’articolo NEC 690. 3. 2) Impianti Ibridi = rinnovabile. 3. b) Normativa UL1741. L’articolo 690 del National Electrical Code classifica i sistemi fotovoltaici in: 1) Interactive System = Impianti connessi alla linea elettrica pubblica (Grid connected).100 3.

Inverters may also functions as battery charges that use alternating current from another source and convert it into direct current for charging batteries”. of electrical energy. 3. riportato nella norma NEC 690 che definisce: “Inverter: Equipment that is used to change voltage level or waveform. In fig.05 – Diagramma semplificato di un sistema grid-connected. La parte più importante della normativa NEC. Commonly. an inverter [also know as a power conditioning unit (PCU) or power conversion system (PCS)] is a device that changes dc input to an ac output. Massachusetts). (National Electrical Code Handbook – National Fire Association . che impatta sulla progettazione e costruzione dell’inverter. è rappresentata dalla connessione a terra imposta dall’articolo .101 Fig. or both. Quincy.05 è riportato lo schema semplificato dei sistemi grid connected. 3.

line surge. one conductor of a two wire system with a photovoltaic system voltage over 50 volts and the reference (center tap) conductor of a bipolar system shall be solidly grounded or shall use methods that accomplish equivalent system protection in accordance with 250. shall be connected to earth so as to limit the voltage to ground on these materials. (National Electrical Code Handbook – National Fire Association . un terminale deve essere connesso a terra. (2) Grounding of Electrical Equipment: Non current carrying conductive materials enclosing electrical conductors or equipment . e dall’articolo 250. Massachusetts) Pertanto. Quincy. or forming part of such equipment .4(A) Grounded System. shall be connected together and to electrical supply source in a manner that establishes an effective ground fault current path.4(A) and that utilize equipment listed and identified for the use”. Se la stringa è bipolare deve essere connesso a terra il punto centrale.41 System Grounding. Si possono anche utilizzare dei sistemi di protezione equivalenti in accordo con l’articolo 250. il quale afferma: “ (1) Electrical System Grounding: Electrical System that are grounding shall be connected to earth in a manner that limit the voltage imposed by lightning. per il lato AC. .41 afferma: “ For a photovoltaic power source. quando la tensione di stringa supera i 50V. L’articolo 690. or unintentional contact with higher voltage lines and that will stabilize the voltage to earth during normal operation.102 690. per il lato DC.20B Alternating-Current Systems to Be Grounded. or forming part of such equipment . (3) Bonding of Electrical Equipment: Non current carrying conductive materials enclosing electrical conductors or equipment .

06 – Connessione a terra lato DC. low-impedance circuit facilitating the operation of the overcurrent device or ground detector for high impedance grounded system. Massachusetts).”. . 3. The earth shall not be considered as an effective ground fault current path. (5) Effective Ground Fault current path: Electrical equipment and wiring and other electrically conductive material likely to become energized shall be installed in a manner that creates a permanent . Quincy. It shall be capable of safety carrying the maximum ground fault may occur to the electrical supply source. Fig.103 (4) Bonding of Electrical Equipment: Electrical conductive materials that are likely to become energized shall be connected together and to the electrical supply source in a manner that establishes an effective ground fault current path. (National Electrical Code Handbook – National Fire Association .

07 – a) Connessione a terra di un tipico sistema monofase in accordo con l’articolo 250. delta connected in which the midpoint of one phase winding is used as a circuit conductor”. (2) Where the system is 3-phase. è noto con il nome di dual grounding. 4-wire. l’articolo 250. .20B. a) b) Fig. “Alternating-current systems of 50 volts to 1000 volts that supply premises wiring and premises wiring systems shall be grounded under any of the following conditions: (1) Where the system can be grounded so that the maximum voltage to ground on the ungrounded conductors does not exceed 150 volts.20B. b) Connessione a terra di un tipico sistema trifase in accordo con l’articolo 250. 3. La necessità di connettere a terra un conduttore sul lato DC e uno sul lato AC. (3) Where the system is 3-phase. 4-wire. wye connected in which the neutral is used as a circuit conductor.104 Per quanto riguarda il lato rete.20B impone la connessione a terra di un terminale lato AC.

La tensione di circuito aperto da prendere in considerazione.7 del NEC. L’articolo NEC 690 definisce come tensione massima.1.3.3. è quella alla minima temperatura ambiente che ci si aspetta.105 Tale imposizione si trasforma. Sistemi fotovoltaici. la somma delle tensioni di circuito aperto dei moduli fotovoltaici connessi in serie.13). di fatto.1. devono rispettare l’articolo NEC 490 e tutti i requisiti imposti dalle installazioni con tensione superiore ai 600V. 3. Tabella 3. con la necessità di un trasformatore d’isolamento all’interno dell’inverter.13 – Tabella 690.1) .1 Sistemi fotovoltaici con tensione superiore ai 600V. con una tensione massima superiore ai 600V. la tensione calcolata deve essere moltiplicata per un opportuno coefficiente moltiplicativo come riportato nella tabella 690.7 del National Electrical Code (Tabella 3.1. ⎛ n ⎞ VMAX = ⎜ ∑ VOC _ T min ⎟ ⋅ k ⎜ ⎟ ⎝ i =1 ⎠ (3. Per i moduli in silicio monocristallino e policristallino.

14 nel caso in cui il valore della tensione prodotta non sia conforme ai valori stabiliti.89 ⋅ Vn ≤ V ≤ 1.3.106 3.10 Vn < V < 1. in normali condizioni di lavoro. Tensione Tempo massimo di N° di cicli intervento massimo prima di intervenire 0.1s 2s 2s (2/60)s 6 120 120 2 V < 0. La norma UL1741. definisce i requisiti elettrici e meccanici degli inverter e convertitori di tipo stand-alone e grid connected. Il sistema deve intervenire nei tempi riportati in tabella 3.1) .14 – Risposta a condizioni anomale di tensione.5 Vn < V < 0.37 Vn < V Tabella 3.5 Vn 0. ● Regolazione della tensione: Il valore nominale della tensione è 120Vrms.37 Vn 1.14 si può dedurre che il valore della tensione. Dalla tabella 3. deve essere: 0.88 Vn 1.3.2.10 ⋅ Vn (3. Standard for Static Inverter and Charge Controllers for Use in Photovoltaic Systems.2 Normativa UL1741.

3) ● Armoniche.5Hz f < 59. La norma stabilisce: Hz ∆f < 0.3Hz ≤ f ≤ 60.3Hz 0.2) La frequenza non può variare troppo velocemente.17. La distorsione armonica totale. Frequenza Tempo massimo di intervento N° di cicli massimo prima di intervenire f > 60.15 qualora non rispetti i limiti imposti.15 – Risposta a condizioni anomale di frequenza. Pertanto.2. deve essere inferiore al 5% della fondamentale a pieno carico. THD (Total Harmonic Distorsion) del valore efficace della corrente. Il sistema deve disconnettersi dalla rete nei tempi indicati in tabella 3. la frequenza deve essere compresa nel range: 59.107 ● Regolazione di frequenza: La frequenza nominale è di 60Hz.2. Le armoniche pari e dispari devono rispettare i limiti riportati nelle tabelle 3.1s 6 6 Tabella 3.5 ∆t s (3.3. .5Hz (3.1s 0.16 e 3.3.

108 Armoniche Pari h Massima distorsione Ammessa (%) 2 < h < 10 12 < h < 16 18 < h < 22 24 < h < 34 h > 36 1 0.15 0.5 0.375 0.17 – Distorsione massima per le armoniche dispari.3 Tabella 3.5 0.16 – Distorsione massima per le armoniche pari. Armoniche Dispari h Massima distorsione Ammessa (%) 3<h<9 11 < h < 15 17 < h < 21 23 < h < 33 h > 33 4 2 1. .075 Tabella 3.6 0.

Potenza DC [kW] Massima corrente d’errore [A] 0-25 25-50 50-100 100-250 >250 1 2 3 4 5 Tabella 3.Fault). Il valore massimo della corrente d’errore è riportato in tabella 3. ● Sistemi di interconnessione. interrompere la circolazione della corrente di errore e isolare il campo fotovoltaico o l’inverter per cessare l’esportazione di potenza. .85. Per quanto riguarda i sistemi di interconnessione l’inverter deve essere conforme allo standard IEEE 1547 e IEEE 1547. L’inverter deve essere equipaggiato con un sistema di rilevamento dell’errore di terra (Ground . L’inverter deve distaccarsi dalla rete entro due secondi dalla formazione dell’isola. Il fattore di potenza deve essere maggiore di 0.109 ● Corrente Continua immessa in linea. ● Anti Island Protection.18. ● GFDI (Ground Fault Detector/Interrupter). Il sistema deve essere in grado di rilevare il guasto e di segnalarlo opportunamente. La corrente continua immessa in linea non deve superare il 5% del valore della corrente AC immessa in linea.1. ● Power Factor.18 – Valore della corrente d’errore.

13 a pag. 33). le aperture del sistema di ventilazione che consente il raffreddamento dell’elettronica di potenza dell’inverter. Figura 3. Le aperture realizzate sopra parti non isolate: a) Non devono superare i 4. . Tali aperture permettono al materiale che cade dall’interno dell’inverter di depositarsi sull’apposita locazione. La norma UL1741 descrive.08.08 – Esempio di aperture inferiori. ai paragrafi 4 e 5 (da pag. Le aperture sulla parte superiore devono essere dimensionate e localizzate per proteggere il circuito dall’introduzione di oggetti estranei. le caratteristiche degli involucri metallici e non metallici. nella prima parte. Si consideri. le caratteristiche costruttive degli involucri che contengono l’inverter fotovoltaico.7mm in ogni direzione. Le aperture per la ventilazione sulla parte inferiore dell’involucro possono essere realizzate come illustrato in figura 3. come esempio.110 ● Caratteristiche costruttive. La norma descrive. b) Devono garantire la protezione contro l’introduzione di oggetti estranei. la realizzate delle aperture sull’involucro e le note sul montaggio.

condizioni di . 94.09Aperture per la ventilazione: a) a) Aperture inclinate.129m2. e) Test di protezione contro la sovracorrente. ● Protezione delle persone. h) Test di protezione contro gli spruzzi d’acqua. pag 80.111 Fig. 3. c) Test di ventilazione. g) Test anti island. a) Test di sovraccarico. la norma descrive i test dell’inverter in funzionamento anomalo. Al paragrafo 33. d) Test dell’impedenza di terra. b) Aperture verticali. Al paragrafo 47. ● Test. pag. la norma descrive le tecniche da attuare per la protezione delle persone. b) Le aperture realizzate nelle altre parti dell’involucro non devono superare i 305mm di lunghezza e l’area non deve superare i 0. b) Test di cortocircuito. f) Test di sovratensione.

6 o 6P 3R 4 o 4X 4X o 6P 2. . Figura 3. 3S. 12K o 13 “indoor use only” “rainlight” “rainproof” “waterlight” “corrosion resistance” “drip tight” “dust tight” Tabella 3. a) Direct Current Supply b) Alternating Current Supply c) Phase. 12. 12K o 13 3.10 – Esempio di marcature. 12. 4. Tipo di Involucro Marchio Opzionale 1 3. d) Equipment grounding Conductor e) On and Off. Inoltre possono essere presenti altri marchi. Alcuni punti della normativa UL1741 saranno revisionati il 7 maggio 2007.112 ● Marcatura. ● Revisioni.19 – Marchi opzionali relative al tipo di involucro. 4X. 3S. Gli inverter grid-connected devono essere marcati: “ Utility-Interactive” o “Interconnection System Equipment”.

4 Panoramica sugli altri Stati. ● DIN EN 60904-6:1996-02 – Photovoltaic devices – Part 6: Requirements for reference solar modules (IEC 60904-6 :1994). . Sono evidenziate con un riquadro le norme relative agli inverter. In Germania.1 Germania. ● DIN EN 60891:1996-10 – Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics of crystalline silicon photovoltaic devices.4. ● DIN EN 60904 – 1:1995-04 – Photovoltaic devices – Part 1 : Measurement of photovoltaic current-voltage characteristics (IEC 60904-1 :1987). Di seguito è presente l’elenco completo delle normative EN da considerare per i sistemi fotovoltaici. Electronic & Information Tecnologies of DIN and VDE e sono direttive europee EN. 3. ● DIN EN 60904-5:1996-12 – Photovoltaic devices – Part 5: Determination of the equivalent cell temperature (ECT) of photovoltaic (PV) devices by the open – circuit voltage method (IEC 60904-5:1993).113 3. ● DIN EN 60904-7:1998-11 – Photovoltaic devices – Part 7: Comptation of spectral mismatch error introduced in the testing of a photovoltaic device (IEC 60904-7:1998). ● DIN EN 60904-3:1995-04 – Photovoltaic devices – Part 3: Measurement principles for terrestrial photovoltaic (PV) solar devices with reference spectral irradiance data (IEC 60904-3:1989). ● DIN EN 60904-2:1995-04 – Photovoltaic devices – Part 2 : Requirements for reference solar cells (IEC 60904-2 :1989). le norme di riferimento per le applicazioni fotovoltaiche sono imposte dalla German Commision for Electrical.

● DIN EN 61646:1998-03 –Thin-film terrestrial photovoltaic (PV) modules – Design qualification and type approval (IEC 61646:1996).114 ● DIN EN 60904-8 :1998-11 – Photovoltaic devices – Part 8 : Measurement of spectral responce of a photovoltaic (PV) devices (IEC 60904-8 :1998). ● DIN EN 61194 :1996-12 – Characteristic parameters of stand-alone photovoltaic (PV) systems. . ● DIN EN 61701:2000-08 – Salt mist corrosion testing of photovoltaic (PV) modules (IEC 61702:1995). ● DIN EN 61345:1998-11 – UV test of photovoltaic (PV) modules (IEC 61345:1998). ● DIN EN 61277:1999-02 – Terrestrial photovoltaic (PV) power generatine system – General and guide (IEC 61277:1995). ● DIN EN 61215 :1996-10 – Crystalline silicon terrestrial photovoltaic (PV) modules – Design qualification and type approval (IEC 61215 :1993). ● DIN EN 61683:2000-08 – Photovoltaic system – Power Conditioner – Procedure for measuring efficiency (IEC 61683:1999). ● DIN EN 61702:2000-08 – Rating of direct coupled photovoltaic (PV) pumping systems (IEC 61702:1995). ● DIN EN 60904-10 :1998-11 – Photovoltaic devices – Part 10 : Methpds of linearity measurement (IEC 60904-10 :1998). ● DIN EN 61173 :1996-10 – Overvoltage protection for photovoltaic (PV) power generating systems – Guide (IEC 61173 :1992).

● DIN EN 61721:2000-08 – Susceptibility of a photovoltaic (PV) module to accidental impact damage (resistance to impact test). ● DIN EN 61725:1998-03 – Analytical expression for daily solar profiles (IEC 61725:1997). ● DIN V VDE V 0126-17-1 (VDE V 0126 Part 17-1): 2004-06 – Solar Cells – Part 17-1 : Datasheet information and product data for crystalline silicon solar cells. data exchange and analysis (IEC 61724:1998).115 ● DIN EN 61724:1999-04 – Photovoltaic system performance monitoring – Guidelines for measurement. ● DRAFT DIN VDE 0126 (VDE 0126):1999-04 with Authorization – Automatic disconnecting facility for photovoltaic installations with a rated output = 4.6kVA and a single. . ● DIN EN 50380:2003-09 – Datasheet and nameplate information for public modules.phase parallel feed by means of an inverter into the public low-voltage mains. (IEC 61721:1995). ● DIN EN 61829:1999-02 – Crystalline silicon photovoltaic (PV) array – On site measurement of I-V characteristics (IEC 61829:1995). ● DIN EN 61727:1996-12 – Photovoltaic (PV) systems – Characteristics of the utility interface (IEC 61727:1995). ● IEC 60904-9:1995-09 – Photovoltaic Devices – Part 9: Solar simulator performance requirements. ● IEC 60364-7-712:2002-05 – Electrical installations of buildings – Part 7-712: Requirements for special installations or locations – Solar photovoltaic (PV) power supply systems.

116 ● DIN EN 61427:2002-03 – Secondary cells and batteries for a solar photovoltaic energy systems. .General requirements and methods of test.

● All’articolo 12 la normativa impone la separazione galvanica: “ The installation must have galvanic separation between the low voltage network and the photovoltaic installation either by means of an insulation transformer or any other means performing the same functions with a basis in techno-logical development”.2 Spagna.117 3. La normativa vigente in Spagna è la Royal Decree 1663/2000. 49 Hz ≤ f ≤ 51Hz . Si conclude che in Spagna non sono ammessi inverter fotovoltaici senza trasformatore. ● La connessione a terra del sistema fotovoltaico deve essere un collegamento indipendente alla terra del neutro della compagnia elettrica. ● La connessione e disconnessione del sistema fotovoltaico non deve causare una variazione di tensione superiore al 5% nel punto di consegna. ● Protezione di massima e minima frequenza.85 ⋅ Vn ≤ V ≤ 1. ● Protezione di massima e minima tensione. . Per potenze superiori deve essere trifase.4. ● Il fattore di potenza deve essere tenuto quanto più possibile vicino all’unità. I punti principali sono: ● Connessione alla rete elettrica monofase fino ad una potenza di 5kW. 0.1 ⋅ Vn .

.Grid protection requirements .Installation requirements . AS 4777.3-2005 : Grid connection of energy systems via inverters .Inverter requirements .1-2005 : Grid connection of energy systems via inverters .2-2005 : Grid connection of energy systems via inverters . AS 4777.4. AS 4777. In Australia sono in vigore le norme AS4777.3 Australia.118 3.

Direttiva basso voltaggio. Un inverter fotovoltaico deve essere dotato di marchio CE per poter essere immesso nel mercato europeo. bisogna rispettare le seguenti direttive e norme: ● Direttiva 73/23/EEC – Apparecchi elettrici.5 Normative per la marcatura CE.119 3. Per ottenere la marcatura CE. ● Emissioni EMC: DIN EN 61000-6-3 DIN EN 61000-6-4 DIN EN 55022 DIN EN 61000-3-3 DIN EN 61000-3-2 (CEI 210-65) (CEI 210-66) (CEI 110-5) (CEI 110-28) (CEI 110-31) (CEI 210-64) (CEI 210-54) (CEI 22-15) ● IMMUNITA’: DIN EN 61000-6-1 DIN EN 61000-6-2 ● SICUREZZA: DIN EN 50178 . ● Direttiva 93/68/EEC – Marchio CE. ● Direttiva 89/336/EEC – Compatibilità Elettromagnetica.

---- ---- 11-20 11-20 11-20. La presente Norma costituisce la ristampa senza modifiche. Prima La presente Norma fornisce una guida sulla protezione da sovratensioni per sistemi fotovoltaici. captazione di scariche atmosferiche di energia e dispositivi di Guida protezione.6. Si propone di identificare le fonti di pericolo derivanti da I Protezione sovratensioni (incluse le contro le sovratensioni dei fulminazioni) e definire i tipi di protezione quali sistemi fotovoltaici (FV) messa a terra.6 Elenco Riassuntivo Norme IEC. IEC EN CEI STRUTTURA TITOLO SOMMARIO La presente Norma definisce i criteri di installazione per gli impianti di produzione di energia elettrica diffusi. della Norma pari numero ed edizione (Fascicolo 2605 E) .V1 Impianti di produzione di energia elettrica e gruppi di continuità collegati a reti di I e II categoria. funzionanti in isola o in parallelo con sistemi di I e II categoria. in corrente alternata. secondo il nuovo progetto di veste editoriale. per la produzione di energia. 3.1 Norme Generali. CEI per inverter fotovoltaici. 61173 61173 82-4 82-4 Anno 1998 Ed. sia isolati che connessi in rete. La presente Norma considera anche i sistemi statici di continuità (UPS). EN. per la produzione schermatura.120 3.

121 61724 61724 82-15 82-15 Anno 1999 Ed. così da rendere evidente la validità relativa a progetti e procedure di funzionamento diversi. Lo scopo dell'analisi dei dati è quello di fornire un sommario delle prestazioni adatto per paragonare impianti FV di differenti dimensioni. lo scambio e l'analisi dei dati. La presente Norma fornisce linee guida generali per il rilievo e l'analisi delle prestazioni elettriche di sistemi fotovoltaici (FV). Prima Rilievo delle prestazioni dei sistemi fotovoltaici Linee guida per la misura. La presente Norma può non essere applicabile a sistemi autonomi di piccole dimensioni a causa dei costi relativamente elevati degli apparecchi di misura . che funzionano in climi diversi e che forniscono energia per usi diversi. Essa non descrive le prestazioni dei singoli componenti. ma si focalizza sulla valutazione delle prestazioni di una schiera di moduli in quanto parte di un sistema FV. Vengono incluse anche linee guida per il formato dei file da utilizzare per lo scambio dei dati rilevati tra diverse organizzazioni.

sia isolati che connessi alla rete elettrica . della prova e dell’integrazione negli impianti di potenza. Lo scopo della presente norma consiste nel definire i requisiti minimi di progettazione e costruzione delle apparecchiature elettroniche. L’efficienza viene calcolata a partire da una misura diretta della potenza di entrata e di uscita nell’impianto. la norma si applica d ogni tipo di apparecchiatura elettronica prevista per ---- 50178 22-15 22-15 Anno 1999 Ed.122 61683 61683 82-20 82-20 Anno 2001 Ed. nel caso in cui l’uscita del del condizionatore di potenza sia una tensione alternata a frequenza costante o una tensione continua stabile. La presente norma viene pubblicata dal CEI nella sola lingua originale inglese. ai fini della protezione contro la scossa elettrica. Prima Sistemi fotovoltaici Condizionatori di potenza Procedura per misurare l'efficienza La presente descrive una procedura per misurare l’efficienza dei condizionatori di potenza usati nei sistemi fotovoltaici. a causa della sua limitata utilizzazione . L’inserimento dell’apparecchiatura in impianti di potenza rende particolarmente importante il far ricorso a prescrizioni minime. Prima Apparecchiature elettroniche da utilizzare negli impianti di potenza . A parte le esclusioni dal campo di applicazioni elencate nel seguito. particolarmente mirata a settori specialistici. così da poter garantire che tutte le apparecchiature integrate nell’impianto mantengano un livello tecnico uniforme di sicurezza ed affidabilità.

L’apparecchiatura elettronica è in generale qualunque apparecchiatura elettrica la cui funzione principale viene svolta da componenti elettronici.Dispositivi differenziali di protezione. . . e comprende perciò apparecchiature elettroniche di potenza.Accessori e apparecchi elettrici per uso domestico. .Elaborazione dati senza controllo di sistemi e di processi.Apparecchiature Medicali. .Apparecchiature di illuminazione. .Sistemi di continuità. La norma è però anche applicabile a tutte quelle apparecchiature elettroniche per le quali non esista una specifica norma di prodotto. . indipendentemente dal loro inserimento o meno in impianti di potenza. Sono esclusi dal campo di applicazione: .Relè di protezione. . . .Apparecchiature elettriche per impianti ferroviari. 60529 60529 70-1 Gradi di protezione degli involucri (Codice IP) .123 l’utilizzo in impianti di potenza.Apparecchiature pubbliche di ricarica di veicoli elettrici.Apparecchiature e reti di telecomunicazioni e radiocomunicazione non industriali pubbliche e private.

Quando esiste una norma di compatibilità elettromagnetica specifica relativa all'emissione specifica per un prodotto o per una famiglia di prodotti. Le apparecchiature considerate sono previste per essere connesse ad una 61000-6-3 61000-6-3 210-15 61000-6-4 61000-6-4 Compatilità elettromagnetica (EMC) Parte 6-4: Norme generiche Emissione per gli ambienti industriali . questa prevale su tutti gli aspetti della presente Norma generica.124 3. IEC EN CEI TITOLO Compatibilità elettromagnetica (EMC) Parte 6-3: Norme generiche Emissione per gli ambienti residenziali. per le quali non esistono Norme di emissione di prodotto o di famiglie di prodotti. La presente Norma ha lo scopo di definire i limiti e i metodi di prova per le apparecchiature elettriche ed elettroniche da utilizzare negli ambienti industriali. che funga da interfaccia tra l'apparecchiatura e la rete pubblica di alimentazione a bassa tensione.c. ● Emissioni EMC.6. Le apparecchiature progettate per irradiare energia elettromagnetica nel campo delle radiocomunicazioni sono escluse dalla norma. commerciali e dell’industria SOMMARIO La presente Norma. commerciali e dell'industria leggera. La presente Norma si applica alle apparecchiature previste per essere collegate direttamente alla rete pubblica di alimentazione a bassa tensione o a una particolare sorgente in c. in relazione alle emissioni elettromagnetiche. Gli ambienti considerati sono quelli industriali.2 Normative CE. nella gamma di frequenze da 0 a 400 GHz e per le quali non esistono norme sull'emissione riferite al prodotto o a famiglie di prodotti. si applica alle apparecchiature elettriche ed elettroniche previste per essere usate in ambienti residenziali. che possono causare interferenze ad altre apparecchiature. relativa alle prescrizioni sull'emissione di disturbi elettromagnetici compresi nella gamma di frequenze da 0 Hz a 400 GHz. sia interni che esterni.

125

rete di potenza, derivata da un trasformatore di media o alta tensione dedicato, che alimenta una installazione per la distribuzione ad impianti manifatturieri o simili e il cui funzionamento è previsto in ambienti industriali o in prossimità di essi. Le apparecchiature progettate per irradiare energia elettromagnetica nel campo delle radiocomunicazioni sono escluse dalla presente norma.

55022

55022

110-5 110-5; V1 110-5;V2 110-5;V3

Apparecchi per la tecnologia dell'informazione - Caratteristiche di radiodisturbo Limiti e metodi di misura.

CEI 110-5 La presente Norma si applica agli apparecchi per la tecnologia dell'informazione (ITE). Sono indicati i metodi di misura dei livelli dei segnali spuri generati dagli ITE; inoltre sono specificati i limiti nel campo di frequenza da 9 kHz a 400 GHz per gli apparecchi di Classe A e di Classe B, ma soltanto in bande di frequenza ristrette. L'oggetto è stabilire requisiti uniformi per il livello di radiodisturbo degli apparecchi che rientrano nel campo di applicazione, fissare limiti di disturbo, descrivere metodi di misura e normalizzare condizioni di funzionamento ed interpretazione dei risultati CEI 110-5; V1 La presente Variante modifica alcuni paragrafi della Norma base CEI EN 55022, soprattutto quello relativo all’allestimento della configurazione di prova, allo scopo di rendere le misure più riproducibili. Considera anche un Errata Corrige CEI 110-5; V2 La presente Variante estende il campo di applicazione della Norma base agli apparecchi multifunzione CEI 110-5; V3 Questa Variante recepisce il Corrigendum CENELEC del marzo 2005 alla EN 55022 (1993) e il Corrigendum del settembre 2005 ai suoi Amendment A1 (2000) e A2 (2003). Detti Corrigenda introducono le seguenti modifiche:

126

61000-3-3 61000-3-3 CEI 110-28 Compatibilità V1 e V2

- Corrigendum del marzo 2005: cambia la dow della Norma di base, modifica l'ultima frase dell'articolo 8.2 e aggiunge una nota all'Allegato ZA, in relazione alla ISO/IEC 11801. - Corrigendum del settembre 2005: cambia la dow degli Amendment A1 e A2 CEI 110-28; V1 Questa Variante alla CEI EN 610003-3 introduce importanti modifiche e c aggiornamenti al campo di applicazione, alle definizioni, ai limiti, alle procedure di prova e alle Appendici A e B che definiscono rispettivamente i limiti e le condizioni di prova per specifiche apparecchiature e le condizioni di prova e le procedure per la misura delle variazioni di tensione massime provocate da commutazioni manuali CEI 110-28;V2 Compatibilità elettromagnetica (EMC) Parte 3-3: Limiti - Limitazione delle fluttuazioni di tensione e del flicker in sistemi di alimentazione in bassa tensione per apparecchiature con corrente nominale <= 16 A e non soggette ad allacciamento su condizione

elettromagnetica (EMC) Parte 3-3: Limiti - Limitazione delle fluttuazioni di tensione e del flicker in sistemi di alimentazione in bassa tensione per apparecchiature con corrente nominale <= 16 A e non soggette ad allacciamento su condizione

61000-3-2 61000-3-2 110-31

Compatibilità elettromagnetica (EMC) Parte 3-2: Limiti - Limiti per le emissioni di corrente armonica (apparecchiature con corrente di ingresso <= 16 A per fase)

La presente Norma definisce i limiti, in condizioni specifiche di prova, delle correnti armoniche immesse nella rete pubblica di distribuzione a bassa tensione dagli apparecchi elettrici ed elettronici, comprese le apparecchiature per saldatura ad arco non professionali, con corrente assorbita inferiore o uguale a 16 A per fase. La Norma non è applicabile alle apparecchiature per saldatura ad arco professionali, che possono essere soggette a restrizioni di installazione, come indicato nella IEC 61000-3-4. Rispetto alla precedente edizione i cambiamenti sono abbastanza modesti, in quanto tale precedente edizione era basata sulle norme CENELEC che già avevano introdotto, in anticipo rispetto alla IEC, le importanti modifiche sulla

127

classificazione delle apparecchiature. Questa nuova edizione consolidata, basata sulla nuova normativa CENELEC/IEC, finalmente allineate, comprende il testo delle Norme europee EN 61000-3-2:2000 (già Norma CEI 110-31, seconda edizione) e sua Modifica A2:2005.

● Immunità EMC. IEC EN CEI TITOLO
Compatibilità elettromagnetica (EMC). Parte 6-1: Norme generiche Immunità per gli ambienti residenziali, commerciali e dell'industria leggera

SOMMARIO
La presente Norma, relativa alle prescrizioni sull'immunità ai disturbi elettromagnetici compresi nella gamma di frequenze da 0 Hz a 400 GHz, si applica alle apparecchiature elettriche ed elettroniche previste per essere usate in ambienti residenziali, commerciali e dell'industria leggera, per le quali non esistono Norme di immunità di prodotto o di famiglie di prodotti. La presente Norma si applica alle apparecchiature previste per essere collegate direttamente alla rete pubblica di alimentazione a bassa tensione o a una particolare sorgente in c.c. che funga da interfaccia tra l'apparecchiatura e la rete pubblica di alimentazione a bassa tensione. Essa si applica anche alle apparecchiature funzionanti a batteria o alimentate da un sistema di distribuzione dell'energia a bassa tensione non pubblico, ma non industriale, e previste per gli ambienti sopraccitati

61000-6-1 61000-6-1 210-64

61000-6-2 61000-6-2 210-54

Compatibilità elettromagnetica (EM Parte 6-2: Norme generiche - Immunità per gli ambienti industriali C).

La presente Norma si applica alle apparecchiature elettriche ed elettroniche da utilizzare negli ambienti industriali, per i quali non esistono Norme sull'immunità riferite al prodotto o a famiglie di prodotti. Riguarda le prescrizioni di immunità comprese nella banda

128

di frequenze da 0 Hz a 400 GHz. Quando esiste una Norma di compatibilità elettromagnetica specifica relativa all'immunità per un prodotto o per una famiglia di prodotti, questa prevale su tutti gli aspetti della presente Norma generica. Gli ambienti considerati sono quelli industriali, sia interni che esterni. Le apparecchiature considerate sono previste per essere connesse ad una rete di potenza, derivata da un trasformatore di media o alta tensione dedicato, che alimenta una installazione per la distribuzione ad impianti manifatturieri o simili e il cui funzionamento è previsto in ambienti industriali o in prossimità di essi. La presente Norma riporta il testo in inglese e italiano della EN 61000-6-2; rispetto al precedente fascicolo n. 8027E di dicembre 2005, essa contiene la traduzione completa della EN sopra indicata e, in aggiunta, il Foglio di Interpretazione CENELEC, pubblicato nel marzo 2006 come Variante 1 alla CEI 210-54

● Sicurezza. IEC EN 50178 CEI 22-15 Anno 1999 Ed. Prima TITOLO
Apparecchiature elettroniche da utilizzare negli impianti di potenza

SOMMARIO
Lo scopo della presente norma consiste nel definire i requisiti minimi di progettazione e costruzione delle apparecchiature elettroniche, ai fini della protezione contro la scossa elettrica, della prova e dell’integrazione negli impianti di potenza. L’inserimento dell’apparecchiatura in impianti di potenza rende particolarmente importante il far ricorso a prescrizioni minime, così da poter garantire che tutte le apparecchiature integrate nell’impianto mantengano un livello tecnico uniforme di sicurezza ed affidabilità. A parte le esclusioni dal campo di applicazioni elencate nel seguito, la

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e comprende perciò apparecchiature elettroniche di potenza.Apparecchiature di illuminazione.Accessori e apparecchi elettrici per uso domestico. La norma è però anche applicabile a tutte quelle apparecchiature elettroniche per le quali non esista una specifica norma di prodotto.Apparecchiature e reti di telecomunicazioni e radiocomunicazione non industriali pubbliche e private. . Sono esclusi dal campo di applicazione: . . . indipendentemente dal loro inserimento o meno in impianti di potenza.Relè di protezione. .Elaborazione dati senza controllo di sistemi e di processi.129 norma si applica d ogni tipo di apparecchiatura elettronica prevista per l’utilizzo in impianti di potenza.Apparecchiature pubbliche di ricarica di veicoli elettrici.Dispositivi differenziali di protezione. . .Sistemi di continuità. . .Apparecchiature Medicali. L’apparecchiatura elettronica è in generale qualunque apparecchiatura elettrica la cui funzione principale viene svolta da componenti elettronici. .Apparecchiature elettriche per impianti ferroviari. .

and Controllers for Inverters. Solar photovoltaic systems covered by this article may be interactive with other electrical power production NEC Anno 2005 ---- Articolo 690 Solar Photovoltaic . Controllers and Controllers and Interconnection System Interconnection Equipment for Use With Distributed System equipment for Use Energy Resources. Replacement of the UtilityInterconnection Requirements and Tests with References to the Standard for Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems. and the Deletion of "Natural" from "Natural Gray" 6.6. 5. Revisions in Accordance with the NEC Including a Clarification of Screw Engagement. and the Standard for Conformance Test Procedures for Equipment Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems.0 2) 11/07/2006 The revisions dated November 7. Standard for Inverters. IEEE 1547. Including Revisions in Accordance with the NEC. The provision of this article apply to solar photovoltaic systems. Clarification of the Inclusion of Interconnection Equipment for StandAlone and Utility-Connected Systems 2. Markings for Conductor Temperature Limitations. 2005 were With Distributed Energy Resources issued to incorporate the following revised requirements: Titolo: 1. Use in Independent Power Systems. Converters. 1. been revised to Inverters. Clarification of Grounding Requirements 3. IEEE 1547. has Converters. Clarification of Ground-Fault Detector/Interrupter (GFDI) Requirements for Photovoltaic Equipment. The previous title.1. UL1741 Anno Revisioni: 1) 17/01/2005 1999 Ed. the revisions dated November 7.3 Norme Stati Uniti. In addition. 2005 include a revised title.130 3. controller(s) for such systems. including the array circuit(s). Clarification of Converter Requirements 4. Converters.

3. Sommario This Standard specifies the electrical installation requirements for inverter energy systems and grid protection devices with ratings up to 10 kVA for single phase units.c. for the injection of electric power through an electrical installation to the electricity distribution network. Although this Standard does not apply to larger systems. with or without electrical energy storage such as battery. or up to 30 kVA for three-phase units. Although this Standard is written on the basis that the renewable energy is from a d.131 System source or stand alone. source (e.c.2 2005 ---- Grid connection of energy systems via inverters Inverter requirements. Users attention is drawn to Australian Communication Authority’s document ‘Electromagnetic CompatibilityInformation for suppliers of electrical and electronic products in Australia and New Zealand’ for guidance.4 Norme per l’Australia. for the injection of electric power through an electrical installation to the electricity distribution network.g. These are mandated by the Australian Communications Authority (ACA). this Standard may be used for systems where the energy is from a variable a. with ratings up to 10 kVA for single-phase units or up to 30 kVA for three-phase units.1 2005 AS4777. source (e.g. similar principles can be used for the design of such systems. . This Standard does not cover detailed installation requirements for the energy source(s) and its associated wiring This Standard specifies the requirements for inverters. AS4777.6. This Standard does not include EMC requirements. wind turbine or micro-hydro system) by appropriate changes to the tests. These systems may have ac or dc output for utilization. photovoltaic array). Although this Standard does not apply to larger systems. AS Anno Revisioni ---- Titolo Grid connection of energy systems via inverters Installation requirements. similar principles can be used for the installation of such systems.

source (e. similar principles can be used for the grid protection of such systems. and for the injection of electric power through an electrical installation to the electricity distribution network.Grid protection requirements This Standard specifies the requirements for grid protection devices intended to be used in inverter energy systems.g.132 AS4777. photovoltaic array).g. These devices do not replace devices used for protection and/or isolation as required in AS/NZS 3000. source (e. Users attention is drawn to Australian Communications Authority’s document ‘Electromagnetic Compatibility Information for suppliers of electrical and electronic products in Australia and New Zealand’ for guidance. this Standard may be used for systems where the energy is from a variable a. with ratings up to 10 kVA for single-phase units. This Standard does not include EMC requirements. wind turbine or micro-hydro system) by appropriate changes to the tests. Although this Standard does not apply to larger systems. or up to 30 kVA for three-phase units.c.c. Although this Standard is written on the basis that the renewable energy is from a d. These requirements are mandated by the Australian Communications Authority (ACA).3 2005 ---- Grid connection of energy systems via inverters . .

1. ma deve. illustrate in figura 4. teoricamente offrono la possibilità di minimizzare ingombri. complessità. . c) Garantire l’isolamento galvanico tra la sorgente DC e la rete elettrica pubblica. dissipazioni e costi. vengono realizzate per applicazioni di bassa potenza.133 Capitolo 4 – Topologie elettroniche. e) Iniettare potenza in rete rispettando tutte le normative vigenti. d) Estrarre dal campo fotovoltaico la massima potenza disponibile. Per garantire un’elevata efficienza sono state studiate soluzioni a singolo stadio. Tuttavia.1 Premessa. tutte le tipologie a singolo stadio devono essere dimensionate per una potenza istantanea doppia rispetto a quella media erogata dal campo fotovoltaico. per la gestione dello sbilanciamento di potenza. se richiesto dalle normative vigenti. le soluzioni a singolo stadio. L’inverter fotovoltaico denominato anche modulo di conversione o sistema di condizionamento della potenza (PCS – Power Conditioner System) può essere realizzato in molti modi diversi. nei sistemi monofase. capacitivo o induttivo. Le prime caratteristiche influenzano notevolmente la topologia elettronica del sistema di conversione. Per questi motivi. in ogni caso. dell’ordine delle centinaia di watt (50W – 400W). 4. garantire quanto segue: a) Presentare una elevata efficienza. dato che. tipicamente dell’ordine del 94%. b) Contenere un elemento di accumulo.

1 – Soluzioni circuitali a singolo stadio. . d) Boost a quattro interruttori. 4. b) ed c) Buck-boost a quattro interruttori. a) Buck con trasformatore a frequenza di rete.134 a) b) c) d) e) Fig. e) Buck-boost risonante a quattro interruttori.

135 .

4. ^ Fig. 4. Infine.136 In figura 4. Fig.3 – Parte del sistema di controllo delle topologie a singolo stadio. L’uscita dell’MPPT è il riferimento di corrente AC. La variabile d’uscita dell’algoritmo MPPT è comunque il riferimento di tensione continua V*PV come illustrato in figura 4. .3). ottenendo lo schema di controllo completo illustrato precedentemente. L’uscita del controllo di tensione è il riferimento dell’ampiezza di corrente I ref . Il sistema produce il riferimento di corrente a partire dalle misure di tensione e corrente del campo fotovoltaico (figura 4. con un controllo feed-forward della potenza d’ingresso è possibile migliorare la dinamica del sistema fotovoltaico in quanto l’MPPT è piuttosto lento. Un regolatore PI è usato per stabilizzare l’anello di tensione.4 – Parte del sistema di controllo delle topologie a singolo stadio.2 è illustrato lo schema di controllo tipico di un inverter a singolo stadio. sincronizzato con la tensione di rete.4. il quale viene moltiplicato per il sinθ catturato dal circuito PLL (Phase-Looked-Loop) per produrre il riferimento della corrente d’uscita Iref.

In cascata allo stadio DC/DC si connette uno stadio DC/AC che si occupa dell’interfacciamento con la rete elettrica e controlla il livello della tensione del bus. Quando si connettono in cascata due convertitori di potenza.1. Un primo stadio DC/DC consente l’innalzamento della tensione continua d’ingresso.1) .5. 4. Questo stadio svolge inoltre la funzione di inseguitore del punto di massima potenza (MPPT).137 Le soluzioni maggiormente utilizzate in commercio. la funzione di trasferimento del sistema vale: + uIN - W1(s) W2(s) + uOUT - ZOUT1 ZIN2 Fig. u OUT W1 (s ) ⋅ W2 (s ) = Z u IN 1 + OUT 1 Z IN 2 (4. sono soluzioni a doppio stadio. evitando così l’installazione problematica di lunghe stringhe di moduli connessi in serie. viene realizzato con soluzioni isolate basate su trasformatore ad alta frequenza. la struttura a doppio stadio si adatta bene alla realizzazione di topologie multistringhe.5– Connessione in cascata di due convertitori. L’uscita del convertitore DC/DC è un bus o link in corrente continua dove è allocato l’elemento di accumulo. come illustrato in figura 4. Inoltre. e dove richiesto. per potenze di qualche kW. isolate e non isolate.

l’uscita dell’algoritmo MPPT è una funzione duty cycle. il segnale d’ingresso.8 una sua possibile implementazione. considerando l’effetto del carico. le variazioni del duty cycle cambieranno la tensione all’uscita dei moduli fotovoltaici secondo la relazione: V BUS = k ⋅ VFV 1− δ (4. In tale sistema di controllo. 4. Essendo la tensione del bus controllata dallo stadio inverter. ZIN2 è l’impedenza d’ingresso del secondo convertitore. .2) dove la costante k tiene conto della configurazione utilizzata per la realizzazione dello stadio DC/DC innalzatore. invece.Schema a blocchi semplificato per l’analisi dei convertitori a due stadi. Pertanto. controllato dal sistema di supervisione del secondo stadio.6. attualmente utilizzato dall’industria e in figura 4.1. considerando l’effetto della sorgente.6 .138 dove: ZOUT1 è l’impedenza d’uscita del primo convertitore. L’inverter DC/AC è solitamente un inverter a tensione impressa con controllo di corrente e l’implementazione di tale sistema di controllo necessita della comunicazione tra i due stadi. per l’analisi delle topologie elettroniche a due stadi saranno presi in considerazione i convertitori DC/DC e gli inverter DC/AC tenendo presente che l’uscita del primo stadio è un generatore di tensione costante VBUS. Per lo stadio inverter la tensione costante VBUS costituisce.7 è illustrato un tipico sistema di controllo per inverter a due stadi. In figura 4. come si può notare in figura 4. + DC/DC VBUS + VBUS DC/AC LINE Fig.

139 .

140 .

Supponendo che il convertitore Boost lavori in modo CCM (Continuos Conduction Mode).2 Topologie elettroniche a doppio stadio.1. + VIN - L + vL S D + C V0 - Fig. 4. secondo la .2. In figura 4. Fig.10 è ridisegnato lo schema del convertitore Boost. dal suo valore iniziale.9 è rappresentata una topologia non isolata realizzata con la cascata di un convertitore Boost e un inverter a ponte intero. la corrente nell’induttore non si annulla mai.1 Configurazione non isolata: Boost – Full Bridge.2.141 4. Chiudendo lo switch S si ha: v L = V IN seguente relazione: (4.10 – Convertitore boost.9 – Inverter fotovoltaico non isolato a doppio stadio: boost più ponte intero. In figura 4. 4.1) La corrente nell’induttanza cresce linearmente. 4.

4.3) Pertanto. . la corrente nell’induttanza decresce linearmente dal valore massimo raggiunto all’istante t = tON secondo la relazione: i L (t ) = i L (t ON ) + S 1 (VIN − V0 ) ⋅ dt con S = OFF per t > t ON L t∫ ON t (4.2.1.4) t vL VIN t VIN –V0 iL IL δ Ts iS Ts t t iD ID=I0 t Fig.1.142 i L (t ) = I L 0 + 1 V IN ⋅ dt con S = ON L∫ 0 t (4.2) All’istante t = tON si apre l’interruttore.2.2. Ai capi dell’induttanza si presenta una differenza di potenziale pari a: v L = VIN − VO < 0 (4.1.11 – Forme d’onda del convertitore boost.

2. Controllando il valor medio della corrente iL.12 – Diversi punti di lavoro del modulo fotovoltaico. che coincide con la corrente DC fornita dal campo fotovoltaico IFV.5) La tensione d’uscita è mantenuta costante al valore VBUS dallo stadio DC/AC in cascata e la caratteristica potenza tensione della sorgente d’ingresso è illustrata in figura 4. 4.1. si controlla la . Modulando opportunamente il duty cycle del convertitore Boost si controlla il valor medio della corrente iL sull’induttanza L.12. P[W] U [V] Fig. V IN ⋅ t ON + (V IN − V0 ) ⋅ t OFF = 0 V IN ⋅ δ ⋅ TS + (V IN − V0 ) ⋅ (1 − δ ) ⋅ TS = 0 V IN ⋅ δ + V IN − V IN ⋅ δ − V0 + V0 ⋅ δ = 0 V IN = V0 ⋅ (1 − δ ) V0 1 = V IN 1 − δ (4. l’integrale di tensione ai capi dell’induttore deve essere nullo.143 A regime.

12.6) Se il punto di lavoro è situato nei punti 1 o 2 di figura 4. In questo modo si estrae dal campo fotovoltaico solo una componente continua IFV (figura 4. .2. iL IFV CIN iC + L + vL S - D + C V0 = UBUS - VIN - Fig. il sistema sta lavorando nell’MPP e la relazione 4.2.144 posizione del punto di lavoro sulla caratteristica potenza-tensione. Viceversa.14).13 – Stadio DC/DC boost. il sistema di controllo ridurrà il duty – cycle in modo da avvicinarsi all’MPP.4. La funzione del condensatore d’ingresso è quella di eliminare il ripple di corrente assorbito dall’induttanza d’ingresso (che dipende anche dall’impedenza d’uscita del modulo fotovoltaico). Quando il convertitore Boost assorbe una corrente di valor medio Im. .1.5 diventa: V0 U BUS 1 = = V IN Vm 1− δ (4. se il punto di lavoro è situato in 3 o 4 il controllo incrementa il duty-cycle.1. Lo schema del convertitore Boost è completato in figura 4.13 con l’aggiunta di un condensatore d’ingresso CIN.

4.15 – Stadio DC/AC .145 iL IL =IFV δ Ts iC_IN t IFV t VIN Ts t t Fig.15. 4.14 – Andamento delle correnti d’ingresso. + S1 VBUS S2 + vOUT vLINE S3 - S4 Fig. Lo stadio DC/AC in cascata è realizzato da un inverter a ponte intero a tensione impressa controllato con la tecnica della modulazione PWM (Pulse With Modulation) come rappresentato in figura 4.

vTR t vcontrollo Fig. La frequenza dell’onda triangolare stabilisce la frequenza di commutazione degli interruttori fS ed è chiamata frequenza portante (di solito mantenuta costante assieme alla sua ampiezza vTR_MAX). come illustrato in figura 4.1.2) .16 – Segnale di controllo e segnale portante per la modulazione PWM. vTR _ MAX = ampiezza del segnale triangolare. Per ottenere una forma d’onda sinusoidale.1. un segnale di controllo sinusoidale con la frequenza desiderata e sincronizzato con la rete elettrica è confrontato con un’onda triangolare.1) dove: vcoontrollo _ MAX = ampiezza del segnale di controllo. Il segnale di controllo vcontrollo è usato per modulare il duty cycle dell’interruttore e ha la frequenza fRETE.2. 4. a) Rapporto di modulazione di frequenza mf: mf = fS f RETE (4.1. Si definisce: a) Rapporto di modulazione di ampiezza ma: ma = vcoontrollo _ MAX vTR _ MAX (4.1 Modulazione PWM bipolare.146 4.16. che è la frequenza desiderata per la prima armonica della tensione d’uscita (fRETE è chiamata anche frequenza modulante e nel nostro caso è uguale alla frequenza della rete elettrica).2.1.1.2.

vOUT +UBUS t -UBUS Fig.147 Se la portante è minore della modulante.19 è illustrata la relazione tra il coefficiente di modulazione d’ampiezza e la componente fondamentale. Se la portante è maggiore della modulante si chiudono gli interruttori S2 e S3 generando in uscita una tensione . Così facendo. si genera all’uscita dell’inverter la forma d’onda a frequenza fissa e duty cycle variabile illustrata in figura 4. 4.17 – Forma d’onda d’uscita e valore medio. Dallo spettro della forma d’onda d’uscita si nota che il segnale è costituito dalla componente fondamentale (h=1). 4.17. Il valor medio della forma d’onda d’uscita è la tensione sinusoidale desiderata.VBUS.18 – Spettro della forma d’onda d’uscita.18. Lo spettro del segnale d’uscita è illustrato in figura 4. vOUT_h / UBUS h Fig. si chiudono gli switch S1 e S4 generando in uscita un livello di tensione pari a VBUS. . e da componenti ad alta frequenza che si trovano a frequenze mf volte la frequenza fondamentale. che ha ampiezza pari a ma ⋅ U BUS . In figura 4.

Infatti: vOUT _ 1 = ma ⋅ U BUS ⋅ sin (ωt ) per 0 < ma < 1.3) La distanza tra le righe spettrali facilita la realizzazione del filtro e permette l’immissione in rete di una tensione con forma d’onda a basso contenuto armonico. il legame tra l’ampiezza della prima armonica e il coefficiente di modulazione è lineare. (4.2. Finchè il rapporto di modulazione d’ampiezza è minore di uno. in questo modo la corrente iniettata in rete è in fase con la tensione e il fattore di potenza è unitario.19 – Ampiezza della tensione d’uscita in funzione di ma.148 vOUT_1/UBUS Fig. 4.1.1. . Lo stadio DC/AC è equipaggiato con un sistema di controllo di corrente.

1. ⎧vcontrollo > vTR ⎨ ⎩vcontrollo < vTR S1 = ON e v AN = U BUS S 4 = ON e v AN = 0 ⎧− vcontrollo > vTR e⎨ ⎩− vcontrollo < vTR S 2 = ON e v BN = U BUS S3 = ON e v BN = 0 La tensione d’uscita varia tra 0 e +UBUS o tra 0 e –UBUS e per questo motivo è chiamata modulazione unipolare. I rami A e B dell’inverter sono comandati separatamente. mentre il ramo B confrontando la stessa portante con –vcontrollo. 4. Analizzando lo spettro della forma d’onda d’uscita si nota che oltre alla fondamentale. Alcuni costruttori di inverter utilizzano per lo stadio DC/AC una modulazione PWM con tensione unipolare. Questa seconda tecnica di modulazione PWM ha il vantaggio di “raddoppiare” la frequenza di commutazione.149 4.2. le righe sono centrate solo sui multipli pari del rapporto di modulazione di frequenza. . come nella tecnica PWM precedente. Il ramo A viene comandato confrontando il segnale portante vTR con il modulante vcontrollo.19 – Stadio DC/AC a ponte intero. le variazioni della tensione d’uscita in ogni commutazione sono ridotte a UBUS rispetto al valore 2UBUS del caso bipolare.2 Modulazione PWM unipolare. S1 UBUS A B S3 S4 vOUT S2 Gamba A N Gamba B Fig. Gli interruttori dei due rami non sono comandati contemporaneamente. Inoltre.

t t vcontrollo vOUT_h/UBUS h Fig.21– Spettro segnale PWM unipolare.150 .vBN UBUS t -UBUS Fig.vcontrollo vTR t vAN UBUS vBN UBUS vOUT= vAN . 4.20 – Segnali di controllo e d’uscita dell’inverter con modulazione unipolare. 4. .

+UBUS/2 e –UBUS/2. + C1 UBUS C2 + S1 UBUS/2 + S2 UBUS/2 Fig.Half Bridge . La struttura Boost . 4.2 Configurazione multistringa non isolata: Boost .22 – Struttura multistringa.Inverter è utilizzata commercialmente per la realizzazione di inverter multistringa.2.151 4. Ogni stringa fotovoltaica ha il proprio convertitore DC/DC dedicato a svolgere la funzione di MPPT.22. Mediante la modulazione PWM si costruisce una forma d’onda a due livelli (+UBUS/2 e –UBUS/2). di frequenza fissa e duty cycle variabile il cui valor medio è uguale alla forma d’onda desiderata. La tensione del bus DC è applicata ad un partitore capacitivo C1-C2 che produce due livelli di tensione. le uscite sono connesse in parallelo su un bus DC e la tensione del bus è controllata dal sistema di controllo dello stadio DC/AC. . La soluzione diffusamente utilizzata in commercio è illustrata in figura 4. rispetto al riferimento.

152 +UBUS/2 vOUT t -UBUS/2 Fig. . successivamente. anche in questa applicazione. Chiaramente.23 – Forma d’onda generata dal convertitore a mezzo ponte. le componenti armoniche in alta frequenza iniettando in rete una tensione sinusoidale. 4. Mediante un filtro d’uscita si eliminano. lo stadio inverter è dotato di un controllo di corrente.

per inverter di taglia superiore a 20kW dove la presenza del trasformatore a frequenza di rete è imposta dalle normative. Fig.153 4. invece. Per contro: a) Il trasformatore a frequenza di rete è ingombrante e pesante. L’unica variante è la presenza del trasformatore a frequenza di rete. b) L’efficienza del sistema si riduce a causa delle perdite del trasformatore. La topologia funziona in maniera analoga a quella descritta precedentemente. .3 Configurazione isolata: Boost – Full Bridge.24 – Inverter con trasformatore a frequenza di rete. 4. La struttura Boost – Full Bridge viene anche utilizzata per la realizzazione di inverter fotovoltaici isolati con trasformatore a frequenza di rete. b) L’eliminazione della componente DC della corrente iniettata in linea. Tale struttura sembra essere sempre meno utilizzata per applicazioni grid – connected da 3 kW e viene ancora utilizzata. La presenza del trasformatore garantisce: a) L’isolamento galvanico tra la sorgente fotovoltaica e la rete.2.

+ ● + ● - + v1 - v2 + CIN vIN - C0 D VBUS - S Fig.26 è stato ridisegnato lo stadio DC/DC d’interfaccia con il campo fotovoltaico.25 – Inverter fotovoltaico isolato a doppio stadio: flyback più ponte intero. In figura 4. . Le configurazioni isolate vengono realizzate principalmente con un trasformatore ad alta frequenza inserito sul convertitore DC/DC.4 Configurazione isolata: Flyback – Full Bridge. 4.25 è illustrata una realizzazione di un inverter fotovoltaico con una struttura Flyback seguita da uno stadio a ponte intero. A livello elementare.2. 4. In figura 4. pertanto lo stadio DC/DC è un convertitore DC/DC di tipo isolato. la struttura Flyback è quella che presenta il minor numero di componenti tra tutti i convertitori DC/DC di tipo isolato e prevede l’utilizzo di un mutuo induttore realizzato su un nucleo magnetico con un traferro in grado di immagazzinare l’energia richiesta. ● ● Fig.154 4.26 – Stadio isolato DC/DC Flyback.

All’istante t = tON = δTS l’interruttore viene aperto e al secondario risulta applicata la tensione –VBUS in quanto il diodo è forzato in conduzione dalla corrente magnetizzante che si è trasferita al secondario.Forme d’onda al primario del mutuo induttore.27 . quindi. A regime. Il sistema di controllo aggiusterà. permette di adattare il livello di tensione utilizzando il rapporto spire del trasformatore. Lo stadio DC/AC in cascata è realizzato ancora una volta da un convertitore a ponte intero come nel caso precedentemente analizzato. oltre a garantire l’isolamento galvanico. Quando si chiude l’interruttore S . . All’avvolgimento primario risulta applicata una tensione pari a – VBUS(N1/N2).2.4. l’integrale di tensione sul trasformatore deve essere nullo.2) La presenza di un trasformatore d’isolamento.4. 4.1) M = V BUS δ N2 = V IN 1 − δ N1 (4.2.27). si ricava la relazione tra tensione d’ingresso VIN e tensione d’uscita VBUS: V IN ⋅ δ ⋅ TS = V BUS ⋅ N1 ⋅ (1 − δ ) ⋅ TS N2 (4. A secondario il diodo risulta contropolarizzato e l’energia necessaria è fornita dal condensatore di uscita C0. Pertanto.155 v1 vIN t -VBUS (N1/N2) i1 IFV δ TS TS t Fig. il duty cycle in modo da prelevare dal campo fotovoltaico la massima potenza disponibile. al primario del mutuo induttore è applicata la tensione d’ingresso VIN e la corrente i1 cresce linearmente dal suo valore minimo (figura 4.

risulta nulla.156 4. Viceversa. 4.5 Configurazione isolata: Push Pull – Inverter a corrente impressa. In figura 4.29 – Stadio isolato DC/DC push-pull. . e quindi al primario.30 – Forma d’onda della tensione sul primario.2. V1 +VFV t . L’andamento della tensione al primario è illustrato in figura 4. Chiudendo lo switch S2 si applica al primario del trasformatore una tensione +VFV. L0 Fig.28 – Inverter fotovoltaico isolato a doppio stadio: push-pull più ponte intero.28 è illustrato un inverter fotovoltaico a due stadi realizzato con la cascata di uno stadio push-pull e un inverter a corrente impressa a frequenza di rete.VFV Fig. Con tutti e due gli interruttori aperti. 4. la corrente magnetizzante si trasferisce al secondario. Il ponte di Graetz diventa un cortocircuito e la tensione al secondario. In figura 4. 4. ● N1 + VFV S1 S2 ● ● N2 V2 N1 Fig.29 è illustrato lo stadio DC/DC.30. chiudendo l’interruttore S1 si applica –VFV.

32 – Tensione all’uscita del ponte di Graetz.2) . t L’induttanza L0 si trova quindi sottoposto ad una differenza di potenziale che vale: v L = v 2 − v grid (4. 4. La tensione v2 viene raddrizzata dal raddrizzatore a doppia semionda e applicata all’induttanza L0. 4.1) v2 V FV ⋅ N2 N1 t − V FV ⋅ N2 N1 Fig.2.157 La tensione v1 si riflette al secondario secondo la ben nota relazione: v1 N1 N = ⇒ v 2 = v1 2 v2 N 2 N1 (4.31 – Forma d’onda di tensione al secondario.5.5.2. vR2 V FV ⋅ N2 N1 t v2 Andamento di vGRID su un periodo di commutazione Fig.

i L0 t a) iL0(t) i L0 t b) Fig.32. 4. quando |v2| > |vGRID| la corrente iL0 cresce linearmente. . Con questa ipotesi. durante un periodo di commutazione la tensione di rete può essere considerata costante come illustrato in figura 4. Facendo commutare gli interruttori del ponte intero d’uscita a 50Hz si inetta in rete durante un semiperiodo la semionda positiva e durante il semiperiodo successivo la semionda negativa.33 – a) Valor medio della corrente sull’induttanza L0. Viceversa.158 Essendo la frequenza di commutazione molto maggiore della frequenza di rete. se |v2| < |vGRID| la corrente iL0 decresce linearmente. Il duty cycle viene modulato opportunamente in modo tale che il valor medio della corrente sull’induttore iL0 sia una sinusoide raddrizzata a frequenza di rete. b) Valor medio e istantaneo della corrente nell’induttanza.

159 iOUT t Fig. ai capi dello switch aperto è applicata una tensione inversa pari al doppio della tensione d’ingresso. degrada l’efficienza del sistema rispetto a soluzioni che utilizzano componentistica a 600V. Uno degli svantaggi di questa configurazione consiste nella tensione inversa che devono sopportare gli interruttori al primario. conseguentemente. 4. ciò implica che gli interruttori devono sopportare una tensione inversa di 800V il che comporta l’utilizzo di switches a tensione elevata i quali presentano perdite in conduzione e commutazione non trascurabili. molto più performante in termini di perdite in conduzione e velocità di commutazione. Se la stringa ha un valore di tensione intorno ai 400V. . quando uno switch è chiuso la tensione applicata ad uno dei due avvolgimenti primari si riflette anche sull’altro avvolgimento. Così facendo. Tutto ciò. Infatti.34 – Corrente d’uscita.

Una soluzione simile alla precedente realizzata da alcuni costruttori è illustrata in figura 4.160 4. Un secondo full bridge a frequenza di rete inietta in rete alternativamente la semionda positiva e negativa della corrente iL0. 0 . Le soluzioni proposte utilizzano un trasformatore a presa centrale con un raddrizzatore a singola semionda. Il principio di funzionamento è lo stesso della cascata Push Pull .35. generando così la sinusoide raddrizzata. Per . Fig. +VFV). Rispetto alla configurazione con Push Pull si ha la presenza di un trasformatore con un solo avvolgimento primario.2. 4. 4. In letteratura sono presenti soluzioni alternative a questa soluzione. diminuendo così le perdite sui diodi.35 – Inverter fotovoltaico a doppio ponte intero. Lo stadio DC/DC è realizzato con un convertitore a ponte intero in grado di generare una forma d’onda a tre livelli (-VFV. Modulando opportunamente la tensione ai capi dell’induttanza L0 si ottiene una corrente sinusoidale raddrizzata.6 Configurazione isolata: Full Bridge – Inverter a corrente impressa.Inverter precedentemente illustrata. L0 iL0 Fig.36 – Raddrizzatore a singola semionda In questa soluzione la corrente che scorre sul secondario circola su un solo diodo anziché due come nel caso del ponte di Graetz.

la realizzazione di due semi-avvolgimenti secondari risulta più complessa. tale soluzione risulta vantaggiosa per applicazioni ad elevate correnti e basse tensioni d’uscita. In conclusione.161 contro. mentre per applicazioni fotovoltaiche risulta più vantaggiosa la prima soluzione proposta. .

4. non solo si estrae meno potenza di quella disponibile. b) Si può verificare sperimentalmente che il picco di potenza è inferiore al picco di potenza teorico che si otterrebbe con una connessione in parallelo dei tre moduli. in modo da ottenere una tensione sufficientemente elevata alla realizzazione di un sistema ad elevato rendimento. per esempio. Dalla figura risultano due inconvenienti: a) Esistono due picchi di potenza A e B. ma l’algoritmo MPPT può fallire. 4.3. la corrente di stringa è imposta dal modulo meno illuminato.1 Topologia GCC (Generation Control Circuit). con una o più stringhe di moduli connesse in parallelo.1 Introduzione alla topologia GCC. l’esistenza del secondo punto di massimo. . a sua volta.38. Ogni stringa fotovoltaica è realizzata con la connessione in serie di più moduli. Pertanto. la cui corrente è. Infatti. B. Si consideri.3.1. normalmente. Il collegamento in serie di più moduli presenta seri inconvenienti qualora anche solo uno dei pannelli fotovoltaici sia parzialmente ombreggiato. rispetto a quella realmente disponibile. La caratteristica potenza-tensione della stringa è rappresentata in figura 4.3 Topologie elettroniche proposte in letteratura. Il sistema di generazione fotovoltaico è organizzato.162 4. potrebbe ingannare l’algoritmo di MPPT e portare il sistema a funzionare in tale punto con ulteriore perdita di potenza. le caratteristiche potenza-tensione di tre moduli fotovoltaici connessi in serie sottoposti a diverso irraggiamento (figura 4. imposta dalla cella meno illuminata (ogni modulo è realizzato con la connessione in serie di più celle).37). Infatti.

Pannelli non oscurati Pannello ombreggiato Fig. 4.163 Per far fronte a questo inconveniente sono stati studiati dei sistemi di controllo denominati GCC (Generation Control Circuit).38 – Caratteristica Potenza – Tensione della serie dei tre pannelli . A B Fig. 4.37 – Caratteristica Potenza-Tensione di tre moduli fotovoltaici sottoposti a diverse condizioni di irraggiamento.

2.3. La tensione di uscita VOUT è pari alla somma delle tensioni di uscita dei singoli moduli. a) Tipo A. connessa in parallelo ai moduli fotovoltaici PV1. Fig.1.2 Principio di funzionamento del circuito GCC. b) GCC tipo B. Xm .39 è illustrato il principio di funzionamento di due circuiti GCC.39 – Principio di funzionamento circuito GCC. nei quali m moduli fotovoltaici sono connessi in serie.3. X2.….164 4.…. I circuiti GCC presentano una sorgente di tensione multipla. b) Tipo B.. X1. VOUT = ∑ Vi i =1 m (4. 4. PV2. In figura 4. PVm rispettivamente. Im + V1 I1 X1 IOUT + IC + V1 I1 X1 IOUT + V2 I2 X2 VOUT + V2 I2 X2 + Vm - Im Xm + Vm - Im Xm a) GCC tipo A.1..1) .

6) Essendo la corrente d’uscita espressa dalla seguente relazione: .2.3.3. le potenze d’ingresso e d’uscita al circuito sono espresse dalle seguenti relazioni: PIN = VOUT ⋅ I C POUT = ∑ Vi ⋅ (I m − I i ) i =1 m (4.. vale la relazione: PIN = POUT (4.1.. > I i > .. > I 2> I 1 (4.2. la differenza tra la corrente Im e la corrente Ii sarà fornita dalla sorgente Xi permettendo al modulo fotovoltaico PVi di mantenere ai suoi capi una differenza di potenziale pari a Vi.2...1.3.165 Si consideri la tipologia A.1.1.2.3.2. Si assuma che le correnti dei moduli fotovoltaici valgano: I m > I m−1 > .3.5) da cui si ottiene: VOUT ⋅ I C = ∑ Vi ⋅ (I m − I i ) i =1 m (4.2) Ne consegue che. Pertanto. Il circuito GCC è alimentato dalla potenza d’uscita..1.3) (4. Assumendo che le perdite del GCC siano trascurabili.4) dove IC è il valore della corrente entrante nel circuito GCC.

2. per la potenza d’uscita. la corrente d’uscita vale: PIN = VOUT ⋅ I C = 0 ⇒ I C = 0 I OUT = I m − I C = I m (4.7) si ottiene. la potenza d’ingresso è nulla.2.3. sebbene la propria corrente non coincida con quella degli altri moduli estraendo così la massima potenza disponibile anche dalla stringa sebbene uno o più moduli sia sottoposto a parziale ombreggiamento.166 I OUT = I m − I C = = Im − ∑ Vi ⋅ (I m − I i ) = VOUT i =1 m = Im − 1 VOUT m ⎡m ⎤ ⋅ ⎢∑ Vi ⋅ I m − ∑ Vi ⋅ I i ⎥ = i =1 ⎣ i =1 ⎦ = Im − 1 VOUT m ⎡ ⎤ ⋅ ⎢VOUT ⋅ I m − ∑ Vi ⋅ I i ⎥ = i =1 ⎣ ⎦ I OUT = 1 VOUT ⋅ ∑ Vi ⋅ I i i =1 m (4.1.1.1. PIN = 0. Quindi.1.8) L’equazione (4.3.3.8) dimostra come ogni modulo fotovoltaico generi indipendentemente la propria potenza massima.2.9) . Nella realizzazione B.3. la seguente relazione: POUT = VOUT ⋅ I OUT = ∑ Vi ⋅ I i i =1 m (4.2.

Nella realizzazione di tipo A. 4.1.3. il circuito garantisce una parziale limitazione nella perdita di potenza dovuta alla riduzione dell’irraggiamento.12) ottenendo. e perciò dalla stringa. .…. la potenza d’uscita è data da: POUT = VOUT ⋅ I OUT = ∑ Vi ⋅ I i i =1 m (4. ancora una volta. le tensioni d’uscita V1. Si nota che.41 rappresentano le soluzioni circuitali proposte da Shimizu in [32].2. come per il caso precedente.167 Il flusso di potenza sarà dalla sorgente Xi al modulo PVi.40 e 4. la tensione d’uscita dei singoli convertitori DC/DC è controllata a VOUT / m. dunque: ∑Vi ⋅ (I OUT − I i ) = 0 i =1 m (4.1. V2.3 Realizzazione pratica del circuito GCC.2. quando la differenza tra IOUT e Ii è positiva e viceversa quando la differenza è negativa. In ogni caso.10) Per la corrente d’uscita vale: I OUT = 1 VOUT ⋅ ∑ Vi ⋅ I i i =1 m (4. quando il numero delle sorgenti è m.11) di conseguenza.1. Le figure 4.3. Vm non possono essere controllate individualmente e perciò la gestione non risulta ottimale.3.1.3. La somma delle potenze delle sorgenti Xi deve essere nulla. l’estrazione della massima potenza disponibile da ogni singolo modulo.2.

3. Comandando gli interruttori con i segnali di gate illustrati in figura 4. .3.3. TSW = Periodo di commutazione.1.1) dove: δi = Ti (OFF ) TSW (4. 4.1.42. si ottiene che: I OUT = ∑ δ i ⋅ I i i =1 m − (4.40 – Configurazione circuitale GCC tipo A. La seconda soluzione è realizzata con una tipologia a chopper multistadio.168 IOUT L1 V1 IC + L2 V2 S1 S2 VI S3 S4 VOUT Lm-1 Vm Fig.3.2) Ti(OFF) = tempo di spegnimento dello switch.41. come illustrato in figura 4.

.41 – Configurazione circuitale GCC tipo B.42 – Segnali di abilitazione del chopper multistadio per il circuito GCC. Circuito basato su Chopper multistadio. 4. S1 T1(OFF) S2 T2(OFF) S3 T3(OFF) Sm Tm(OFF) TSW Fig.169 + V1 L1 S1 V2 L2 S2 VOUT Lm-1 Vm Sm Fig. 4.

4 Analisi del circuito GCC realizzato con chopper a due stadi. ottenendo la gestione ottimale di ogni singolo elemento della stringa. .1.3.43 – Andamento temporale dei segnali di gate e della tensione sull’induttore. + S1 V1 I0 + vL V0 V2 S2 LOAD - S1 t S2 δ1 TS TS t vL V1 t -V2 Fig.43 . Si consideri il circuito chopper a due stadi e i relativi segnali di figura 4. 4. 4.170 In questo caso è possibile controllare ogni tensione generata Vi.

l’integrale di tensione sull’induttore deve essere nullo.4.171 Chiudendo lo switch S1 la tensione ai capi dell’induttanza vale –V1.1) Si indichi (1 − δ 1 ) ⋅ TS = δ 1 ⋅ TS e si noti che: δ 1 ⋅ TS = (1 − δ 2 ) ⋅ TS = δ 2 ⋅ TS Sostituendo l’ espressione (4. A regime.4.4.4) .3.3) dove.4.3.4. Gli interruttori chiaramente non dovranno mai essere contemporaneamente chiusi.3.3.4. δ 1 + δ 2 = 1 .1).2) nella (4. Per calcolare l’espressione della corrente d’ingresso si faccia l’ipotesi che la potenza totale d’uscita sia la somma delle potenze d’uscita dei singoli moduli fotovoltaici.1. chiudendo S2 vale V2.2) V1 δ 1 = V2 δ 2 (4.1. si ottiene: V1 ⋅ δ 2 ⋅ TS = V2 ⋅ δ 1 ⋅ TS (4.3. onde evitare il cortocircuito ai capi della sorgente di alimentazione fotovoltaica. La potenza d’uscita vale perciò: POUT = VOUT ⋅ I OUT ⇒ I OUT = POUT VOUT (4.3. Pertanto: V1 ⋅ δ 1 ⋅ TS = V2 ⋅ (1 − δ 1 ) ⋅ TS (4.1.1.1.1.

172 dove: POUT = V1 ⋅ I1 + V2 ⋅ I 2 e VOUT = V1 + V2 (4.1.3. la potenza totale d’uscita può essere espressa con la seguente relazione: P0 = P1 + P2 = V1 ⋅ I1 + V2 ⋅ I 2 P0 = δ 1 ⋅ I 1 ⋅ V0 + δ 2 ⋅ I 2 ⋅ V0 (4.1.4.5) Considerando che δ 1 + δ 2 = 1 . sostituendo si ottiene: POUT V1 ⋅ I1 + V2 ⋅ I 2 = = VOUT V1 + V2 V2 ⋅ = I OUT = δ1 ⋅ I 1 + V2 ⋅ I 2 δ2 = δ1 + V2 V2 ⋅ δ2 V2 ⋅ δ 1 ⋅ I 1 + δ 2 ⋅ I 2 = ( ) = δ2 δ 1 ⋅ V2 + δ 2 ⋅ V2 δ2 δ1 ⋅ I1 + δ 2 ⋅ I 2 = δ1 + δ 2 = I OUT = δ 1 ⋅ I1 + δ 2 ⋅ I 2 (4.6) Pertanto.1.3.3.4.4.7) .

la derivata seconda della potenza d’uscita rispetto alla tensione d’uscita può essere espressa come: ∂ 2 P0 ∂VOUT 2 = ∂ 2 P1 ∂VOUT 2 + ∂ 2 P2 ∂VOUT 2 <0 (4. come illustrato in [32]: ∂I i <0 ∂VOUT δi ⋅ (4.1.2) Questo risultato conferma che la caratteristica potenza-tensione di un circuito GCC ha un solo punto di massimo.173 4.1. come noto. Non solo la caratteristica potenza-tensione presenta un solo punto di massimo.3.5.44 – Esempio di caratteristica P-V ottenuta sperimentalmente con un circuito GCC. .1.5. come illustrato nella curva b) di figura 4.3.44.5 Caratteristica Potenza-Tensione.1) Tenendo costante l’intervallo (1 − δ 1 ) ⋅ TS = δ 1 ⋅ TS . dalla caratteristica corrente-tensione. Fig. ma si può verificare sperimentalmente che la potenza massima estraibile aumenta. La corrente generata da ogni modulo fotovoltaico dipende. Quindi. 4.3.

Per contro. c) Ogni modulo opera nel suo punto di massima potenza. di aumentare la potenza estratta e di avere una caratteristica potenzatensione con un solo massimo.3.1. Per contro. da nessun costruttore di inverter fotovoltaici. così facendo.5. Pertanto. resta da verificare l’effettivo aumento di rendimento ottenibile. b) Per un dato tempo di spegnimento. e) L’analisi fatta per il circuito a due stadi può essere iterata per m stadi ottenendo: I0 = ∑δ i ⋅ Ii i =1 m (4. attualmente.5. rappresenta un ulteriore stadio di potenza con aumento dei costi e delle perdite. La configurazione GCC non è utilizzata. d) La potenza sul carico è pari alla somma delle massime potenze d’uscita di tutti i moduli fotovoltaici.1.1.3) (4. rappresenterebbe una evoluzione tecnologica che permetterebbe di differenziarsi dai prodotti attualmente in commercio. in caso di ombreggiamento.3. si può osservare un solo punto di massimo nella curva potenza-tensione. .6 Conclusioni.4) P0 = ∑ Vi ⋅ I i i =1 m 4.174 In conclusione. lo stadio successivo che realizza la funzione MPPT può gestire correttamente la stringa. nella soluzione GCC di tipo B: a) Il punto di lavoro di ogni modulo fotovoltaico può essere controllato indipendentemente.3. Il circuito GCC permette.

Una delle caratteristiche fondamentali di un inverter fotovoltaico è quella di presentare una efficienza elevata. Tale convertitore. è descritto in [39] e verrà di seguito analizzato. si può utilizzare un convertitore DC/DC risonante. (SRL – Series Loaded Resonant.3.175 4. PRL – Parallel Loaded Resonant. .3. 4. quindi. Per migliorare l’efficienza di un inverter fotovoltaico a due stadi.2 Topologia risonante Multicella. b) Convertitori con commutazione a tensione nulla (ZVS – Zero Voltage Switching). Ibridi) b) Convertitori a corrente impressa con risonanza di tipo parallelo. 2) Convertitori con risonanza sull’interruttore ( resonant – switch). a) Convertitori con commutazione a corrente nulla (ZCS – Zero Current Switching).2. 3) Convertitori con rinonanza lato DC. I convertitori risonanti DC/DC si suddividono in: 1) Convertitori con risonanza lato carico (load – resonant) a) Convertitori a tensione impressa con risonanza di tipo serie. c) Convertitori risonanti in classe E e sottoclasse E. riduce e/o elimina le perdite di commutazione aumentandone così la sua efficienza globale.1 Introduzione alla topologia multicella. commutando a tensione e/o corrente nulla. c) Convertitori con commutazione a tensione zero e con tensione limitata (ZVSCV Zero Voltage Switching Clamped Voltage). Un esempio di inverter fotovoltaico a due stadi. realizzato con convertitore DC-DC risonante.

.46 è riproposto lo schema di uno dei convertitori DC/DC risonanti. In figura 4.176 4.46 – Stadio DC/DC del convertitore multicella. Il bus DC dei convertitori a ponte intero è alimentato dai singoli stadi isolati DC/DC connessi in parallelo al campo fotovoltaico.45 – Inverter fotovoltaico con tecnologia multicella. 4.45 è rappresentato l’inverter fotovoltaico proposto in [39].2 Analisi convertitore Multicella.3. DC/DC risonante Fig.2. 4. S+ D+ U1 S- DFig. In figura 4. Il sistema è realizzato usando una topologia multicella isolata dove la potenza totale d’uscita è fornita dalla connessione in serie di convertitori a ponte intero.

condizione che si verifica quando il sistema commuta da –U1/2 a +U1/2.47 – Circuiti equivalenti al convertitore DC/DC.47 a) e b). i2 U1/2 S+ D+ L C U2 U1/2 S- D- a) L u1 C u2 b) Fig.1) Risolvendo il sistema con l’ausilio della trasformata di Laplace e considerando IL0 e VC0 le condizioni iniziali delle variabili di stato iL e vC all’istante t = 0.2. Si analizza il circuito considerando la risposta ad un gradino di ampiezza U1.3.177 Al convertitore DC/DC corrispondono i circuiti equivalenti di figura 4.2.47 b) dove ui = u1-u2 è la differenza di potenziale ai capi del circuito risonante serie. Le equazioni che governano il circuito sono: di L ⎧ ⎪u i = v L + vC = L ⋅ dt + vC ⎪ ⎨ ⎪i = i = C ⋅ dvC ⎪L C dt ⎩ (4. Si consideri il circuito di figura 4. si ottiene: . 4.

2.2.3.2) Sostituendo la seconda equazione del sistema (4. si ricava l’espressione di VC(s).2.3.3) Per ricavare l’espressione nel dominio del tempo si esegue la trasformata inversa di Laplace: VC (s ) = s 2 ⋅ VC 0 + s ⋅ I L0 U + i C L⋅C = A + B ⋅ s + D 1 1 ⎤ s ⎡ s2 + s ⋅ ⎢s 2 + ⎥ LC LC ⎦ ⎣ (4.2) nella prima.178 ⎧U i ⎪ s = L ⋅ [s ⋅ I L (s ) − I L 0 ] + VC (s ) ⎪ ⎨ ⎪ I (s ) = C ⋅ [s ⋅ V (s ) − V ] C C0 ⎪ L ⎩ (4.2. Ui = L ⋅ [s ⋅ (s ⋅ C ⋅ VC (s ) − C ⋅ VC 0 ) − I L 0 ] + VC ( s ) s VC (s ) ⋅ s 2 ⋅ L ⋅ C + 1 = [ ] Ui + s ⋅ L ⋅ C ⋅ VC 0 + L ⋅ I L 0 s Ui + s ⋅ L ⋅ C ⋅ VC 0 + L ⋅ I L 0 s 2 ⋅ L ⋅ C ⋅ VC 0 + s ⋅ L ⋅ I L 0 + U i s = VC (s ) = s2 ⋅ L ⋅C +1 s ⋅ s2 ⋅ L ⋅C +1 [ ] VC (s ) = s 2 ⋅ VC 0 + s ⋅ I L0 U + i C L ⋅C 1 ⎤ ⎡ s ⋅ ⎢s 2 + LC ⎥ ⎦ ⎣ (4.2.2.2.3.4) da cui si ottiene: .3.2.

2.2.2.2.8) L = impedenza caratteristica C Antitrasformando l’ultima espressione si ricava: vC (t ) = U i + (VC 0 − U i ) ⋅ cos(ω 0 ⋅ t ) + Z 0 ⋅ I L 0 ⋅ sin (ω 0 ⋅ t ) (4.2.2.2.9) .7) (4.179 ⎧ ⎪A = Ui ⎪ ⎨ B = VC 0 − U i ⎪ I ⎪D = L0 C ⎩ (4.2.3.3.3.2.5) U VC (s ) = i + s s ⋅ (VC 0 − U i ) + 1 ⎤ ⎡ 2 ⎢ s + LC ⎥ ⎣ ⎦ I L0 C = U = i + (VC 0 − U i ) ⋅ s s 1 s + LC 2 + 1 s + LC 2 I L0 C = = Ui + (VC 0 − U i ) ⋅ s s 1 s2 + LC + LC LC ⋅ ⋅ I L0 1 C 2 s + LC (4.6) 1 VC (s ) = ω Ui s + (VC 0 − U i ) ⋅ 2 + 2 0 2 ⋅ Z 0 ⋅ I L0 2 s s + ω0 s + ω0 dove: ω0 = Z0 = 1 LC = pulsazione di risonanza (4.3.2.3.

partendo dalle condizioni iniziali IL0 e VC0.3. perciò.180 Eseguendo lo stesso procedimento per iL si ricava l’andamento descritto dalla seguente espressione: U i − VC 0 ⋅ sin (ω 0 ⋅ t ) Z0 i L (t ) = I L 0 ⋅ cos(ω 0 t ) + (4. 4.2. mentre è il sistema di controllo ad imporre la polarità di u1. Il sistema proposto opera con una frequenza di commutazione superiore alla frequenza di risonanza f 0 = 1 2π LC . il sistema reagisce.2.10) Il verso della corrente iL determina se la tensione u2 è positiva o negativa. con una risposta al gradino descrivibile dalle equazioni precedentemente ricavate.3 Forme d’onda. Ad ogni commutazione. ( ) .3. all’istante in cui si verifica la commutazione da +ui a -ui o viceversa. In figura 4.48 sono illustrati gli andamenti della corrente e della tensione ottenuti da una simulazione con il software PSpice.2. ovvero il valore della corrente dell’induttanza e della tensione ai capi del condensatore.

181 iL 0 t vC 0 t 0 t t0 Fig. t1 t2 t3 t4 Forme d’onda ottenute con simulazione PSpice del convertitore .48 risonante. 4.

S. A questo punto entra in conduzione D+ e lo switch S+ può essere chiuso a tensione e corrente nulla in modo da iniziare a condurre non appena il verso della corrente iL si inverte. prima che finisca il semiperiodo di oscillazione della corrente. La corrente i2 è la corrente iL raddrizzata.è chiuso a tensione e corrente nulla e inizia a condurre non appena il verso della corrente si inverte. istante t4. i2 0 Fig.50 è illustrato l’andamento della tensione d’uscita al variare della frequenza per frequenze al di sopra del valore di risonanza. 4. inizia a condurre l’interruttore S+.182 All’istante t0. nell’intervallo di tempo t ∈ [t1. è ora applicata una tensione negativa (-u1-u2) e la corrente nel diodo viene condotta a zero rapidamente. lo switch S. t2]. Il suo andamento è illustrato in figura 4. t In figura 4. Prima che termini il semiperiodo di oscillazione.49 – Forma d’onda della corrente i2. . l’interruttore S+ è forzato ad aprirsi con corrente non nulla.49. momento in cui la corrente nell’induttore è nulla . obbligando così la corrente positiva iL a passare attraverso il diodo D-. Non appena D.è forzato ad aprirsi con corrente non nulla.entra in conduzione. Poiché al circuito oscillante. All’istante t1.

la tensione U2 può essere regolata controllando la frequenza di commutazione fS del convertitore come illustrato in figura 4.51 – Schema di controllo stadio DC/DC risonante. 4. .51. 4. VDC_REF + ε - Guadagno + compensazione VCO Voltage Controlled Oscillator fS Convertitore DC-DC SLR VDC Fig. Quindi per una data tensione d’ingresso e per un determinato carico.50 – Caratteristica d’uscita del convertitore risonante.183 I2 U2 1 ω S/ω0 Fig.

3.2. cosa indispensabile per un inverter commerciale.3. VPV1 S1 S2 S3 + vOUT S4 vLINE VPV2 Fig.3.3.52 – Convertitore Multilivello HBDC.3 Topologie multilivello. In figura 4. Dovuto all’elevato numero di interruttori da utilizzare.3.184 4. I convertitori multilivello presentati in [40] e [56] permettono di generare una forma d’onda sinusoidale con una bassa distorsione armonica.1 Premessa. resta comunque da verificare la possibilità di ottenere rendimenti elevati. I tre possibili valori della tensione d’uscita sono: ⎧vOUT = VPV 1 ⎪ ⎪ ⎪ ⎨vOUT = 0 ⎪ ⎪ ⎪vOUT = −V PV 2 ⎩ se S1 = ON e S 2 = ON se S 2 = ON e S3 = ON se S3 = ON e S 4 = ON (4. 4. 4. dell’ordine del 94%.3. 4.2 Convertitore Multilivello Half – Bridge Diode Calmped (HBDC).3.52 è illustrato un convertitore HBDC di tipo three-level.1) .

Inoltre.53 . moduli fotovoltaici e rete. la tensione di stringa deve essere più alta del picco della tensione di rete. permettendo così l’eliminazione delle correnti capacitive di dispersione verso terra. Fig. . Per contro. l’elevato numero di switch e la complessità del sistema di controllo ne ha. la distorsione armonica è assai contenuta. pregiudicato l’utilizzo in applicazioni commerciali.53 è illustrato lo schema di un convertitore HBDC a cinque livelli. In figura 4. finora. 4. non essendoci uno stadio elevatore. La struttura three-level può essere modulata per ottenere topologie multilivello a cinque o più livelli.185 In questa configurazione circuitale. Questa topologia costruttiva presenta il vantaggio di effettuare la doppia connessione a terra.HBDC a cinque livelli. per poter garantire l’iniezione di potenza in linea.

3.54 – Inverter multilivello di tipo Cascaded H-Bridge. Si consideri. dove ogni ponte può generare in uscita una tensione a tre livelli. In figura 4. p il numero di convertitori a ponte intero connessi in serie.3 Convertitore Cascaded H-Bridge. è illustrata la connessione in serie di due moduli full-bridge.3.55 è illustrato lo schema della topologia multivello Cascaded H.1) Con p=2. per esempio. allora.3. si ottengono 5 livelli.186 4. In particolare. 4. come effettuato in [56].3. Selezionando diversi valori di tensione DC per i vari moduli fotovoltaici si può utilizzare la ridondanza della struttura al fine di incrementare il numero di livelli della tensione d’uscita con la riduzione della distorsione armonica Fig.Bridge. il numero di livelli nV della tensione d’uscita può essere calcolato come segue: nV = 3 + 2 ⋅ ( p − 1) (4.3. .

.55 – Topologia multilivello isolata. come illustrato. attualmente. Per contro. Le configurazioni multilivello sono proposte in letteratura per la loro modularità e per la generazione di forme d’onda con bassissima distorsione armonica. Fig. Il vantaggio di questa topologia è sicuramente l’alto numero di livelli per la tensione d’uscita che permette di ottenere una bassissima distorsione armonica.4.3. 4.1) Nell’esempio di figura 4. In generale.55. il che produce una tensione d’uscita a 27 livelli.4 Configurazione Multilivello Isolata. con conseguente aumento dei costi. L’elevato numero di componenti. 4. La struttura è ovviamente modulare e può essere realizzata con p stadi di tipo full bridge.3. (4.187 4.5 Conclusioni. e le buone prestazioni in fatto di distorsione armonica delle configurazioni a due stadi. non ne giustifica. l’applicazione in ambito fotovoltaico grid-connected.3.55 è illustrata una topologia Multilivello Isolata realizzata con la connessione di tre inverter a ponte intero. il numero di stadi è p=3. come proposto in [56]. collegando p stadi di tipo full bridge. In figura 4. si ottiene in uscita una forma d’onda a: nV = 3 p livelli. l’alto numero di interruttori e l’utilizzo di n trasformatori ha pregiudicato il suo utilizzo in applicazioni commerciali.3.3.3.

è il metodo Perturba e Osserva.4 Algoritmi MPPT. se si rileva che dP > 0 allora dV significa che il punto di lavoro si sta muovendo verso il punto di massima potenza (MPP). a perturbare il campo fotovoltaico nella direzione opposta per riportare il sistema verso il punto di massimo. P Semipiano Sinistro Semipiano Destro V Fig. Tale algoritmo si basa sull’analisi della caratteristica potenza – tensione di una stringa fotovoltaica. quindi. L’algoritmo di inseguimento del punto di massima potenza.1 MPPT Perturbe and Observe (P&O). Dalle variazioni di potenza e tensione. 4. dV Quando dP < 0 . 4. La sua larga diffusione è dovuta soprattutto alla sua semplice implementazione.188 4. L’algoritmo per prima cosa provvede alla misurazione della tensione e della corrente della stringa fotovoltaica e successivamente calcola la potenza e la sua variazione rispetto al campione precedentemente memorizzato. L’algoritmo continuerà a perturbare in tale direzione finché non si otterrà dP < 0. il punto di lavoro si sta allontanando dal Maximum Power Point e dV l’algoritmo comincerà. più diffuso e utilizzato negli inverter commerciali. l’algoritmo identifica se il sistema si trova ad operare nel semipiano alla destra .4.56 – Andamento della caratteristica P-V. Perturbando la tensione di lavoro in una data direzione.

VINC VREF = VREF .189 o nel semipiano alla sinistra del punto di massima potenza e provvede quindi a sommare o sottrarre l’incremento di perturbazione VINC in modo da spostare il punto di lavoro a tensione più alta o più bassa. ovvero verso il punto di massima potenza. 4. i(n) Calcolare p(n)=v(n)*i(n) Calcolare ∆v(n)=v(n)-v(n-1) ∆p=p(n)-p(n-1) Sì ∆v >= 0 No Si ∆p >= 0 No Si ∆p >= 0 No VREF = VREF + VINC VREF = VREF . START Misurare v(n). 4.57 è rappresentato un flow-chart di una possibile implementazione del metodo P&O. In fig.VINC VREF = VREF + VINC RETURN Fig.57– Flow Chart dell’algoritmo P&O (Perturb and Observe) .

consiste nella continua oscillazione del punto di lavoro attorno all’MPP. L’entità dell’oscillazione può essere ridotta riducendo il passo di perturbazione. 4. Per risolvere questo inconveniente si può effettuare un incremento variabile che diventa sempre più piccolo a mano a mano che ci si avvicina al punto di massima potenza.59 – Fallimento dell’algoritmo P&O. P A B V Fig.190 Un limite di questa semplice implementazione.58 – Oscillazione del punto di lavoro nella caratteristica P-V per un algoritmo P&O. P P2 P1 C A B V Fig. . Avere un passo di perturbazione breve porta ad avere un MPPT lento. Questo algoritmo può fallire in caso di rapide variazioni delle condizioni atmosferiche. 4.

Il punto di lavoro è collocato nel punto A che corrisponde ad una tensione VA della stringa. provocando il fallimento dell’algoritmo stesso. il punto di lavoro tende a divergere. . il sistema non si porterà nel punto di lavoro B. Così facendo si registra un incremento della potenza d’uscita e si mantiene la stessa direzione di perturbazione. Pertanto. se la radiazione incrementa costantemente. le condizioni atmosferiche cambiano rapidamente. ma si porterà in C. con il conseguente allontanamento dall’MPP.59. in modo da passare dalla curva di potenza P1 alla curva di potenza P2. Se all’interno dell’intervallo di campionamento. L’algoritmo incrementerà il riferimento di tensione in modo da spostare il punto a tensione VA + ∆V.191 Si consideri la situazione illustrata in figura 4.

Si esprima dP/dV in funzione dei valori istantanei di tensione e corrente.4.2. a sinistra dell' MPP.4. di un campo fotovoltaico. La relazione precedente diventa.2) dP =0 dV ∆I =0 I +V ⋅ ∆V ∆I I = −V ⋅ ∆V I ∆I =− ∆V V (4.2. perciò: dP d ⋅ (V ⋅ I ) dI ∆I = = I +V ⋅ ≅ I +V ⋅ dV dV ∆V dV La condizione di massima potenza vale: (4. Questo metodo si basa sul fatto che la pendenza della curva dP/dV.4.192 4. Un altro esempio di algoritmo utilizzato dall’industria fotovoltaica è basato sul metodo della conduttanza incrementale. vale: ⎧ dP ⎪ dV = 0 ⎪ ⎪ ⎪ dP ⎪ >0 ⎨ ⎪ dV ⎪ ⎪ ⎪ dP < 0 ⎪ dV ⎩ nell' MPP.4.2 MPPT Incremental Conductance (ICT).3) .1) a destra dell' MPP.2. (4.

di conseguenza. nel seguente modo: I ⎧ ∆I ⎪ ∆V = − V ⎪ ⎪ ⎪ ∆I I ⎪ >− ⎨ V ⎪ ∆V ⎪ ⎪ ⎪ ∆I < − I ⎪ ∆V V ⎩ nell' MPP. tale algoritmo sembra preferibile al precedente.193 Il sistema può essere descritto.2. . a sinistra dell' MPP. In caso di variazioni rapide delle condizioni atmosferiche l’algoritmo insegue bene il punto di massima potenza. La direzione di perturbazione successiva. il diagramma di flusso relativo al funzionamento dell’algoritmo sopra descritto. Pertanto. Nelle applicazioni grid-connected questo ultimo aspetto non risulta problematico in quanto i sistemi di controllo degli stadi DC/AC vengono realizzati con DSP.4) a destra dell' MPP. Però. ottenuta sommando o sottraendo un valore di riferimento VINC. a differenza del metodo P&O. (4. la sua implementazione richiede una capacità elaborativi superiore realizzabile con un DSP.4. Si riporta. di seguito. è ricavata dal semplice confronto tra la conduttanza istantanea I/V e la conduttanza incrementale ∆I/∆V.

I/V ∆I = 0 Sì No ∆I/∆V > . 4.VINC VREF = VREF .194 START Misurare v(n).VINC VREF = VREF + VINC RETURN Fig.I/V No ∆I > 0 Sì No No Sì VREF = VREF + VINC VREF = VREF . i(n) No ∆v = 0 Sì Sì ∆I/∆V = .60 – Flow Chart dell’algoritmo ICT (Incremental Conductance) .

Dopo una determinazione sperimentale della costante k1.195 4. 4.4. A questo punto. fatta sul campo fotovoltaico.61 – Flow Chart dell’algoritmo CV (Costant Voltage) .4.78.1) START Misurare VOC Vm = k1 VOC Imposto δ RETURN Fig. l’algoritmo imposta momentaneamente a zero la corrente della stringa fotovoltaica e misura la tensione a vuoto.3 MPPT Costant Voltage (CV). (4. Tale relazione è espressa da: Vm = k1 ⋅ VOC dove k1 ha valori compresi tra 0.71 e 0. il controllore MPPT imposterà i parametri di controllo del convertitore DC/DC in modo che la tensione nel punto di lavoro sia il 71%-78% del valore misurato. Il metodo CV si basa sull’esistenza di una relazione di proporzionalità tra la tensione a vuoto del campo fotovoltaico e la tensione nel punto di massima potenza Vm.3.

. ma una sua stima con conseguente perdita di potenza utile.196 Questo algoritmo non sembra idoneo ad applicazioni fotovoltaiche grid-connected. si realizzerebbe un sistema in cui il punto di lavoro non sarebbe il punto di massima potenza. Quindi. La costante k1 deve essere determinata per ogni campo fotovoltaico e il suo valore inevitabilmente cambia nel tempo.

Il grosso limite di questo metodo. sta nel dover rilevare la corrente di cortocircuito ISC durante il funzionamento del sistema e per questo motivo non è quasi mai usato nella pratica. START Misurare ISC Im = k2 ISC Imposto δ RETURN Fig.92 e viene determinata con metodi sperimentali.4. 4.1) dove k2 ha valori compresi tra 0.4.4 MPPT Short Circuit Current (SC).197 4. L’algoritmo misura la corrente di cortocircuito e imposta i parametri del convertitore in modo tale che la corrente fornita dal campo fotovoltaico sia pari a Im. Il metodo SC si basa sul fatto che esiste una relazione di proporzionalità tra la corrente nel punto di massima potenza Im e la corrente di cortocircuito del campo fotovoltaico.4.78 e 0. .62 – Flow Chart dell’ algoritmo SC (Short Circuit Current). ovvero: I m = k 2 ⋅ I SC (4.

198 .

Un inverter deve rispettare le direttive emanate dalle compagnie elettriche del Paese nel quale viene commercializzato e attenersi a tutte le norme di apparecchiatura elettronica di potenza vigenti. In alcuni Stati le normative impongono l’isolamento galvanico o il dual grounding che si traduce nella necessità di una struttura dotata di un trasformatore d’isolamento. ma nella maggior parte dei casi vengono connesse in parallelo all’interno dell’inverter stesso e quindi collegate ad un unico circuito MPPT. 3) Inverter senza trasformatore. le topologie isolate sono quelle maggiormente utilizzate. ma ogni Paese e ogni rete elettrica ha la propria legislazione.199 Conclusioni. Nel 2000 la IEEE ha pubblicato :” Standard 929 IEEE – Reccomended Practice for Utility Interface of Photovoltaic (PV) System up to 10kW” e nel 2004: “IEEE 1547 – IEEE Standard for Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems”. 2) Inverter con trasformatore ad alta frequenza. non si è in presenza di una reale gestione multistringa e gli inverter vengono così definiti “centrali”. Recentemente sono stati immessi sul mercato i primi inverter multistringa realizzati con uno stadio MPPT per ogni stringa e un convertitore DC/AC che processa la totale potenza DC d’ingresso. Gli inverter fotovoltaici presenti attualmente in commercio sono riconducibili a tre topologie costruttive: 1) Inverter con trasformatore a frequenza di rete. L’ingresso dell’inverter è solitamente predisposto per collegare più stringhe distinte. In ogni caso gli enti internazionali IEEE ed IEC stanno lavorando per l’emanazione di standard. Attualmente non esiste una norma di prodotto per gli inverter fotovoltaici. b) IEC 62109: “Safety of Power Converters for Use in Photovoltaic Power Systems – Part 1 – General Requirements”. Aggiornamento della IEC 61727 (1995-06) Characteristic of Utility Interface”. . Per questo motivo. aumentando quindi le prestazioni globali del sistema. La IEC ha in fase di elaborazione le seguenti norme: a) IEC 61727: “Characteristics of Utility Interface for Photovoltaic (PV) Systems. attualmente. pertanto.

200

c) IEC 60364-7-712 “Electrical Installations of Buildings – Part 7 - 712 : Requirements for Special Installations or Locations – Solar Photovoltaic (PV) Power Supply Systems”.

Dalle analisi effettuate si ricava che la struttura tipica, sia per le soluzioni centrali che per quelle multistringa, è una configurazione a due stadi realizzata con uno stadio DC/DC innalzatore, che svolge anche la funzione di MPPT, e uno stadio DC/AC che inietta potenza in rete nel rispetto delle normative vigenti. I due stadi sono collegati per mezzo di un bus o DC link sul quale si trova l’elemento di accumulo, capacitivo o induttivo e dove la tensione del bus è mantenuta costante dal sistema di controllo dell’inverter. Un’analisi più approffondita merita la configurazione GCC proposta in letteratura in quanto si presta a ridurre e/o risolvere i problemi legati all’ombreggiamento parziale delle stringhe, ma attualmente non risulta ancora applicata ad inverter fotovoltaici gridconnected di potenze dell’ordine del kW.

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