Studio dei Sistemi Fotovoltaici Grid-Connected.

Docente Relatore: Prof. Giorgio Spiazzi Laureando: Piero Ceccato
Matricola: 530501

Corso di laurea specialistica in Ingegneria Elettronica

A mamma Giovanna, papà Ezio, Lisa & Andrea.

l. .Un sentito ringraziamento all’Ing.r. Franco Mela e tutta Selco Engineering s.

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.2 1.2.6 La giunzione pn in polarizzazione diretta……………… Pag.5 INTRODUZIONE AGLI IMPIANTI FOTOVOLTAICI…………. Giunzione pn…………………………………………… Pag..1 L’EFFETTO FOTOELETTRICO…………. 1. Pag.4 CARATTERISTICA I-V DI UNA CELLA FOTOVOLTAICA…. 1..2. 3 3 4 7 9 13 17 1.Indice Presentazione dell’azienda……………………………….. 24 1...3 1. Pag.3 TIPI DI CELLE FOTOVOLTAICHE……………………………..Introduzione. Pag. Diffusione e deriva…………………………………….2 FISICA DELLA CELLA FOTOVOLTAICA……………………. Pag. I Capitolo 1 . Drogaggio dei semiconduttori…………………………. 33 . 21 1.Pag.2.4 1. 1.……………………… Pag.2. Generazione di una coppia elettrone-lacuna per assorbimento di un fotone……………………………… Pag...Pag. 1 1..2.2. Pag.5 Silicio Intrinseco…………………………………….Pag..1 1.....

....4 Stadio d’ingresso e MPPT…………………………………...5 Tensione d’ingresso al MPPT e tensione massima…………Pag. Pag.2.... 2.2....5 Caratteristiche e funzionalità di sicurezza…………………Pag.....6 Frequenza di funzionamento 50Hz e 60Hz..8 Garanzia…………………………………… ………………Pag.....3.. …………….3 Parametri di efficienza……………………………………. 2.. Pag. 46 46 47 47 48 48 50 50 50 51 60 2.3 Distribuzione delle varie tipologie………………………… Pag..3....2....3.... 2... 2..2........ 2. 2....... 2. Pag.. Pag.. 2...8 Garanzia…………………………………………………… Pag.....2 Massima efficienza ed efficienza europea delle varie tipologie...... 2.. 2.......1..Pag..Pag. 2..4 Parametri relativi alla tipologia costruttiva ………………......2.. 41 2.......... Pag..7 Ambiente…………………………………………………..Analisi del mercato di inverter gridconnected 3kW...... 2...... ……………………………………Pag.3... Pag...Pag.2.1 PREMESSA……………………………………………………….....Pag.3. 2....3.......3..2 CARATTERISTICHE DI UN IMPIANTO FOTOVOLTAICO…..3 PRODOTTI COMMERCIALI NEL RANGE 2kW – 4kW………...10 Sistemi di comunicazione………………………………… Pag.. 2.9 Struttura MASTER – SLAVE…………….3.6 Caratteristiche meccaniche……………….1 Parametri d’ingresso (Lato DC)……………………………Pag...... 2...3..2. 63 68 69 69 69 70 70 70 71 72 .. 2.....11 Design…………………………………….2 Parametri d’uscita (Lato AC)………………………………Pag...Pag.... 2.......7 THD (Total Harmonic Distorsion)………………………… Pag.3.......3.... 2..Capitolo 2 .1 Tecnologie a confronto. 2... 2...Pag.

Pag.Pag.2. 3.6..Pag.Normative.. CEI per inverter fotovoltaici………….. 75 77 77 79 80 81 86 73 75 75 3. 3..4. Pag.. Pag.6.4.3.1 Articolo NEC 690……………………………………………Pag. 3.4 Protezione di Interfaccia e taratura…………………. Pag.Pag.2..... EN.. 3.4 Norme per l’Australia……………………………………….. Pag. CEI PER INVERTER FOTOVOLTAICI…………………. Pag. Pag.. 3. 119 120 120 124 130 131 .1 Germania…………………………………………………….5 Dispositivo di Generatore…………………………. 3.6. 3..6 Qualità dell’energia prodotta………………………... 3. 3. 3..2. 3. 3. 3..2 Normative CE……………………………………………….2 Normative IEC.2. 3...1 Norme Generali……………………………………………... 3. 3.4...2...3 IMPIANTI FOTOVOLTAICI NEGLI STATI UNITI…………….2.3 Dispositivo di Interfaccia…………………………… Pag.3 Australia……………………………………………………. 3..5 NORMATIVE PER LA MARCATURA CE………………………. Pag.6 ELENCO RIASSUNTIVO NORME IEC..4 PANORAMICA SUGLI ALTRI PAESI…………….1.2 Spagna……………………………………………………….1.1.1 PREMESSA…………………………………………………….1.2..2.. EN. 100 100 105 106 3. Pag..1 Direttiva Enel DK 5940…....1 Schema di collegamento di un impianto di produzione alla rete pubblica dell’ENEL………….2.3 Norme Stati Uniti…………………………………………… Pag.Pag. 3. Pag.3. Pag... 3.. Pag.Pag. 113 113 117 118 3.Capitolo 3 .1.. 3.3. 3. Pag.2 UL1741………………………………………………………Pag.………………………………….6.2 IMPIANTI FOTOVOLTAICI IN ITALIA………………………… Pag.1.1 Sistemi fotovoltaici con tensione superiore ai 600V.... Pag....2 Dispositivo Generale……………………………….

4 Analisi del circuito GCC realizzato con chopper a due stadi…………………………………………….Pag. 4..Pag..2 Configurazione multistringa non isolata: Boost – Half Bridge………………………………………….....Pag.2...2.5 Caratteristica Potenza-Tensione…………………….1. Pag. 141 141 146 149 151 153 154 156 160 4...2..…….. 4.Capitolo 4 – Topologie elettroniche..6 Conclusioni…………………………………………...Pag. Pag.....Pag. 4.2.... 4.3.3 TOPOLOGIE ELETTRONICHE PROPOSTE IN LETTERATURA…………………………………………………. 4.3. Pag.5 Configurazione isolata: Push Pull – Inverter a corrente impressa…………………….Pag.3...3.... 4.. 4.. 4..4 Convertitore isolata: Flyback – Full Bridge..2.... Pag..2 Principio di funzionamento del circuito GCC………....……………….1 PREMESSA……………………………………………………….2 TOPOLOGIE ELETTRONICHE A DOPPIO STADIO…….1.Pag.... Pag. 4.. 4.3 Forme d’onda…………………………………………Pag. 4.. 4..1 Topologia GCC……………………………..2... 4...3...3....3. 4..1 Configurazione non isolata: Boost – Full Bridge……………Pag...6 Configurazione isolata: Full Bridge – Inverter a corrente impressa.2. 4.1 Modulazione PWM bipolare……………………….......1.....3 Configurazione isolata: Boost – Full Bridge...... Pag...1 Introduzione alla topologia Multicella……………….2 Topologia risonante multicella……………… ……………. Pag...1.1.. Pag.2 Modulazione PWM unipolare………………………....2....1 Introduzione alla topologia GCC……………………Pag.. Pag.2.3.1.. 170 173 174 175 175 176 180 162 162 162 164 167 ..3.. 4. Pag.1... 133 4.Pag. 4.1....2.3.2 Analisi convertitore Multicella……………………… Pag.2.3. 4. 4...3 Realizzazione pratica del circuito GCC……………... 4...

. Pag.. 4. …………….. Bibliografia Riviste e testi sul settore fotovoltaico…………….4. Pag. Pag.2 MPPT Incremental Conductance (ICT)……...3..3.3. 4.Pag. 4. Pag. Articoli IEEE sugli inverter fotovoltaici…………. 4. Pag. Pag..3....4. Manuali e Data Sheet………………………………Pag.3 Convertitore Cascaded H-Bridge……………………. Pag..3 MPPT Costant Voltage (CV)……………………………….4 ALGORITMI MPPT……………………………………………. 184 184 184 186 187 187 188 188 192 195 197 199 Conclusioni…………………………………………………………Pag. Normative………………………………………….. 4..3. 4. 4..5 Conclusioni………………………………………………..4...3..1 Premessa……………………………………………. Pag.. 201 200 203 203 204 206 .4 MPPT Short Circuit Current (SC)…………. 4.…………….. 4. Testi di Elettronica…………………………………Pag.3.3...4.......3..3...4 Configurazione multilivello isolata……………………….Pag.. Pag.Pag..2 Convertitore Multilivello Half – Bridge Diode Calmped (HBDC)…………………………………….. Pag. Pag. Articoli IEEE sugli articoli normativi……………. 4. Pag....3.1 MPPT Perturbe and Observe (P&O)……………………….3 Topologie multilivello……………………….....4...

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Presentazione dell’azienda I Via palladio 19 – 35019 Onara di Tombolo(PD) Tel. la continua ricerca di maggior efficienza e velocità.A alla quale fanno capo 12 società.p. +39 049 9413111 Fax. L'innovazione tecnologica. La ragione del successo riscosso da Selco su scala internazionale è riassumibile in due concetti fondamentali: affidabilità totale e tecnologia all'avanguardia.selcogroup.l diventa un Gruppo di aziende controllate dalla Holding Selco Group S. +39 049 9413311 www.r. nasce nel 1979 e ben presto diventa la realtà italiana più all'avanguardia nella progettazione e industrializzazione di generatori ed impianti per saldatura ad arco e taglio al plasma per utilizzi ed applicazioni professionali. . Nel 2006 Selco s.r. l'apertura verso il cambiamento. il lavoro e lo spirito di squadra caratterizzano la filosofia aziendale Selco.l.it Selco s.

O. ZO.R. SELCO MANUFACTURING SRL SELCO ENGINEERING SRL INTECO SRL SELCO DEUTSCHLAND SELCO FRANCE SARL SELCO POLAN SP.R.O. SELCO SOLDADURA SL SELCO WELD LTD SOCIETA’ COMMERCIALI SOCIETA’ COMMERCIALI ESTERE SOCIETA’ MANUFACTURING SOCIETA’ DI INGEGNERIZZAZIONE . SELCO ROMANIA S.L.II Presentazione dell’azienda SELCO GROUP SPA SELCO SRL SELCO CZECH REPUBLIC S.C. OOO “SELCO RU” S.

produzione e controllo qualità di Selco Group è svolta su un’area di 12800m2 fra la sede di Onara di Tombolo (PD) e Cittadella(PD). informatizzate. automatizzate sono ed infatti attrezzate in funzione della massima flessibilità. si avvalgono delle più sofisticate e moderne tecnologie. raffinatezza tecnologica e tecniche di produzione all'avanguardia: le attuali linee di produzione. . sia nella razionalizzazione e standardizzazione dei componenti. L'attività produttiva svolta da Selco Manufacturing s.l è una sintesi di tradizione. Sulla base di un' attenta analisi delle diversificate esigenze del mondo della saldatura. con elevate competenze specialistiche.r.Presentazione dell’azienda III L’attività di progettazione. capaci di unire funzionalità e sicurezza a linee moderne. Particolare cura ed attenzione viene posta sia nella definizione di soluzioni di design innovative. con processi e metodi che consentono agli operatori di lavorare nelle migliori condizioni. sia di soluzioni tecnologiche tali da definire prodotti sempre più affidabili e flessibili in termini di prestazioni. nel Dipartimento Ricerca & Sviluppo dove ricercatori e progettisti. parametri e prestazioni che meglio rispondano alle molteplici esigenze applicative. viene condotta una costante e metodologica attività di ricerca e sviluppo sia di funzioni. La progettazione è delle da schede Selco elettroniche realizzata Engineering.

focalizzata sull'innovazione e sulla continua e costante ricerca di maggior efficienza ed efficacia. progetta e sviluppa internamente diversi componenti considerati strategici per l'ottimizzazione delle funzioni e delle prestazioni del prodotto. Questo aspetto della cultura aziendale. le normative di prodotto IEC/EN 60974-1/-2/-3/-5 sulla sicurezza elettrica e la severa IEC/EN 60974-10 sulla compatibilità elettromagnetica. inoltre. Tutta la produzione Selco soddisfa. vengono inoltre effettuati su ogni singolo prodotto finito prima che avvenga la fase di imballaggio. l'applicazione di queste normative permette la rispondenza del prodotto Selco alle Direttive Comunitarie ed assicura all'operatore la massima sicurezza nell'utilizzo. Tutti i prodotti Selco Group vengono sottoposti ad una rigorosa procedura di collaudo finalizzata a verificarne la funzionalità in condizioni ambientali critiche. anche un importante riconoscimento formale: la certificazione VISIO 9001. . inoltre. la resistenza a forti sollecitazioni meccaniche ed il rispetto della compatibilità elettromagnetica. statici e dinamici. Selco utilizza la componentistica più moderna ed affidabile reperibile a livello mondiale e.IV Presentazione dell’azienda Controlli rigorosi vengono effettuati in ogni fase del processo di produzione. ha ottenuto. oltre al riscontro pratico di un crescente successo internazionale. Per Selco Group la qualità significa attribuire ai prodotti una natura che li distingua sul mercato. a partire dal ricevimento delle materie prime e dei semilavorati provenienti dai fornitori. Accurati test di collaudo.

al 31-12-2006. circa 160 persone di cui 24 dislocate nelle filiali europee con mansioni tecniche commerciali. . Il magazzino ricambi computerizzato assicura un'evasione rapida e puntuale delle richieste dei Clienti. è in grado di offrire un servizio di assistenza qualificato mediante la propria capillare rete di distribuzione. Selco Group dispone di un training centre per la formazione e l'aggiornamento specialistico del proprio staff tecnico-commerciale e di quello dei propri distributori. anche grazie a questo costante impegno nella formazione. e per trasferire alla propria rete distributiva tutte le competenze tecniche necessarie ad una corretta manutenzione di tutti i prodotti della gamma. delle sue funzioni e potenzialità.Presentazione dell’azienda V Il Servizio di Assistenza Tecnica assicura rapidità ed efficacia di intervento: gran parte del Servizio avviene telefonicamente e tramite posta elettronica. per consentire una sempre maggior conoscenza del prodotto. garantendo ai Clienti quella continuità e puntualità di supporto competente che il mercato internazionale nuovissimo si aspetta. Selco Group comprende. Selco Group.

VI Presentazione dell’azienda .

1. ν . chiamati fotoelettroni. L’effetto fotoelettrico consiste nell’emissione di elettroni da parte di materiali. Gli elettroni emessi. colpiti da radiazione elettromagnetica di frequenza sufficientemente alta. Questo fenomeno osservato venne comunque catalogato da Hertz come un fenomeno nuovo e misterioso. ν0 chiamata Legge di Einstein dove h è la costante di Planck. La prima osservazione dell’effetto fotoelettrico risale al 1887 ad opera di Heinrich Hertz mentre stava cercando di dimostrare l’esistenza delle onde elettromagnetiche. In pratica si osserva che l’emissione di elettroni avviene solo se la radiazione incidente è caratterizzata da una frequenza ν maggiore di una certa frequenza di soglia ν0. hanno velocità e quindi energia cinetica che va da zero ad un valore massimo EMAX legato alla frequenza della radiazione incidente dalla relazione: E MAX = 1 2 ⋅ m ⋅ v MAX = h ⋅ (v − v0 ) 2 (1. 1.Introduzione.1) EMAX Fig.Energia cinetica massima dei fotoelettroni in funzione della frequenza della radiazione incidente. 1. in particolare i metalli.1 L’effetto fotoelettrico. Successivamente con la teoria dei quanti Albert Einsten diede una spiegazione a tale fenomeno.1 Capitolo 1 .01 .

aumenta anche il numero di elettroni espulsi. l’energia di ogni fotone rimane invariata. dato che aumenta il numero di fotoni incidente (rimanendo costante la loro energia). Einstein. In base a tale interpretazione. un fotone. Egli suppose che nell’interazione con la materia le radiazioni elettromagnetiche si comportino come costituite da quanti di luce. mentre aumenta il numero di fotoni che attraversano l’unità di superficie nell’unità di tempo. All’aumentare dell’intensità di quest’ultima. cioè se la frequenza della radiazione incidente risulta maggiore di EG/h. ciascuno dotato di una energia h ⋅ν . a parità di frequenza. Da tale teoria deriva inoltre che all’aumentare dell’intensità della radiazione incidente. all’aumentare dell’intensità della radiazione elettromagnetica. come si osserva sperimentalmente. cioè aumenta l’intensità del fascio fotonico. . E’ chiaro che l’effetto fotoelettrico può avvenire solo se l’energia del fotone incidente è in valore assoluto maggiore di EG. gli può cedere la sua energia h ⋅ν : se questa è maggiore di quella necessaria per strappare un elettrone dall’atomo. essendo h la costante di Planck e ν la frequenza della radiazione. colpendo un atomo.2 Si osserva inoltre che l’intensità degli elettroni emessi (cioè il numero di elettroni emessi per unità di tempo e superficie) è proporzionale all’intensità della radiazione incidente. chiamati fotoni. La fisica classica ammetteva che elettroni appartenenti agli atomi superficiali del corpo irraggiato potessero essere sollecitati ad oscillare dall’azione del campo elettrico variabile associato alla radiazione elettromagnetica incidente. gli elettroni potrebbero allontanarsi tanto dal nucleo da essere espulsi dagli atomi. contrariamente a quanto si osservava in pratica. L’interpretazione dell’effetto fotoelettrico fu data nel 1905 da A. se le oscillazioni imposte all’elettrone risultassero molto ampie. senza che la loro energia cinetica ne sia influenzata. Come conseguenza la velocità degli elettroni espulsi dovrebbe aumentare all’aumentare dell’intensità del campo elettrico incidente e quindi. l’elettrone stesso ne viene espulso ed assume energia cinetica pari alla differenza tra l’energia del fotone incidente e la propria energia di legame EG. mentre la loro velocità e quindi la loro energia cinetica ne è indipendente. Nell’interazione della radiazione con la materia.

2 Fisica della cella fotovoltaica. lasciando così lo stesso carico positivamente di una quantità in modulo pari alla carica dell’elettrone che si è allontanato.1. A basse temperatura. In equilibrio termico la concentrazione di elettroni liberi n è uguale al numero di lacune p e vale: n = p = ni (1. Questo processo si ripete e si è quindi in presenza di un flusso di carica positiva. Un cristallo di silicio puro ha una struttura cristallina dove gli atomi sono legati tra loro tramite legami covalenti formati da quattro elettroni di valenza. La ionizzazione termica dà un numero di elettroni uguale a quello delle lacune e quindi una uguale concentrazione. 1.2. Un elettrone di un atomo vicino può quindi essere attratto dalla carica positiva abbandonando il suo atomo d’origine. Questa azione di colmare la lacuna esistente nell’atomo ionizzato crea quindi una nuova lacuna nell’atomo da cui si è staccato l’elettrone che ha colmato la prima lacuna. l’elettrone abbandona l’atomo. vicine allo zero assoluto 0K. A temperatura ambiente alcuni legami sono rotti per ionizzazione termica e sono quindi disponibili alcuni elettroni per la conduzione.1 Silicio intrinseco.3 1.1) dove ni rappresenta la concentrazione di elettroni e lacune liberi nel silicio intrinseco ad una data temperatura. All’interno del cristallo di silicio il movimento degli elettroni e delle lacune è casuale e gli elettroni vanno a colmare le lacune esistenti effettuando così una ricombinazione.2. Tale concentrazione vale circa: . Quando un legame covalente viene rotto. tutti i legami covalenti sono intatti e nessun elettrone è libero per condurre corrente elettrica. che si può muovere attraverso il cristallo e può essere disponibile per la conduzione di corrente elettrica. o di lacune.

12 eV per il silicio k = costante di Boltzmann = 8.2) dove: B = parametro che dipende dal materiale = 5. 1. A temperatura ambiente ni 2 = B ⋅ T 3 ⋅ e − EG / (k ⋅T ) = 1.62 ⋅ 10 −5 eV/K Si noti che l’energy gap EG è la minima energia necessaria per rompere un legame covalente nell’atomo di silicio e generare una coppia elettrone – lacuna. questo movimento casuale non dà luogo ad un flusso netto di carica.5 ⋅ 1010 portatori / cm 3 1.2 Diffusione e Deriva.1. con concentrazione uniforme di elettroni e lacune. In un pezzo di silicio. a) La diffusione è associata al movimento casuale dovuto all’agitazione termica. Se invece si realizza un pezzo di silicio con concentrazione non costante. .2.4 ⋅ 10 31 per il silicio EG= Energy Gap = 1. si avrà un flusso di carica dalla zona più concentrata a quella meno concentrata con il risultato di una corrente per diffusione. Esistono due meccanismi secondo cui gli elettroni e le lacune possono muoversi all’interno di un cristallo di silico: la diffusione e la deriva.2. Concentrazione lacune p ++++ +++ ++ + ++++ +++ ++ + x x Fig.4 ni 2 = B ⋅ T 3 ⋅ e − EG / (k ⋅T ) (1.02 – Esempio di concentrazione non uniforme.

2. cioè: J p = −qD p dp dx (1. la concentrazione di lacune rappresentata in figura 1. b) L’altro meccanismo di movimento delle cariche all’interno di un semiconduttore è la deriva. Nel caso si consideri una corrente di diffusione di elettroni dovuta ad un gradiente di concentrazione di elettroni si ha: J n = qDn dn dx (1.1) dove: Jp = densità di corrente sul piano perpendicolare all’asse x [A/m2] q = carica dell’elettrone = 1. Dall’esistenza di tale profilo lungo l’asse x. Come si può notare un gradiente di concentrazione negativo dà luogo ad una corrente nel verso positivo come dà convenzione.02 la quale rappresenta il profilo di lacune creato lungo l’asse x.5 Si consideri.2.2. per esempio.2. Le cariche si muovono per deriva quando un campo elettrico E è applicato al .2) dove: Dn = costante di diffusione degli elettroni nel silicio intrinseco = 34⋅ cm 2 s .6 ⋅ 10 −19 C Dp = costante di diffusione delle lacune nel silicio intrinseco= 12⋅ cm 2 s . risulta una corrente di diffusione di lacune in tale direzione con modulo proporzionale al gradiente di concentrazione in quel punto. Essendo il gradiente dp/dx negativo. si ha una corrente positiva nel verso delle x come doveva essere.

Gli elettroni e lacune sono accelerate dal campo elettrico acquisiscono una componente di velocità chiamata velocità di deriva.2. Dividendo per l’area A si ottiene la densità di corrente causata dalla deriva delle lacune: J = q⋅ p⋅E ⋅µp (1. Così facendo si ha una densità di carica positiva q ⋅ p [C/m3] che si muove lungo la direzione delle x positive con velocità v deriva _ lacune = E ⋅ µ p .2. Per il silicio intrinseco µ n = 1350cm 2 /Vs .2. Per il silicio intrinseco µ p = 480cm 2 /Vs . le lacune si muovono in direzione di E e acquisiscono una velocità pari a: v deriva _ lacune = E ⋅ µ p dove µp è la mobilità delle lacune ed è espressa in m2/Vs.3) Gli elettroni liberi si muoveranno in verso opposto al campo E e la loro velocità di deriva sarà pari a: v deriva _ elettroni = E ⋅ µ n dove µn è la mobilità delle lacune ed è espressa in m2/Vs. e Se un campo elettrico di valore E [V/m] è applicato.6 pezzo di silicio.6) . Ne segue che in un secondo la carica q ⋅ p ⋅ E ⋅ µ p ⋅ A [C] attraverserà la sezione di area A.2.4) Con lo stesso procedimento si ricava la densità di corrente dovuta alla deriva degli elettroni e si arriva così alla densità di corrente di deriva totale che è pari a: J = q ⋅ p ⋅ µ p + n ⋅ µn ⋅ E ( ) (1.2.2.2.5) (1.2. (1.

1. che esiste tra la costante di diffusione e la mobilità. Se la concentrazione di atomi donatori è ND all’equilibrio termico. la concentrazione di elettroni liberi nel silicio drogato di tipo n sarà pari a: nn0 = N D (1. quindi la carica maggioritaria in un pezzo di silicio drogato con il fosforo saranno gli elettroni.2.3 Drogaggio dei semiconduttori. si ha che quattro dei cinque elettroni di valenza del fosforo si legano in legami covalenti con gli atomi di silicio adiacenti e un elettrone rimane libero.2. k ⋅T q VT = Dn µn = Dp µp = (1.7) dove VT è la tensione termica che vale circa 25mV a temperatura ambiente.2.3. il prodotto tra la concentrazione di elettroni e lacune deve rimanere costante e pari ad ni2.2.7 In fine vale la pene citare la semplice relazione conosciuta come relazione di Einstein. Così facendo non si generano lacune libere. Un silicio drogato nel quale le cariche maggioritarie sono gli elettroni è chiamato di tipo n. sono fortemente dipendenti dalla temperatura. pertanto si ricava che la concentrazione di lacune vale: . Introducendo un atomo pentavalente come il fosforo al posto di un atomo di silicio. Il fosforo è quindi un atomo donatore.1) In equilibrio termico. Un drogaggio di tipo n o p è realizzato semplicemente introducendo degli atomi impuri in piccole quantità. Queste concentrazioni. ni . Un cristallo di silicio intrinseco ha una concentrazione di elettroni liberi uguale alla concentrazione di lacune generate per ionizzazione termica. in quanto dona un elettrone libero al cristallo di silicio. I semiconduttori drogati sono semiconduttori nei quali un tipo di carica predomina sull’altro. mentre un silicio drogato nel quale le cariche maggioritarie sono le lacune è chiamato di tipo p.

lacune.3. In questo caso avendo il boro solo tre elettroni di valenza.3) In equilibrio termico.2) Essendo ni funzione della temperatura.2. Se la concentrazione di atomi accettori è NA.2. allora la concentrazione di lacune sarà pari a p p0 = N A (1.3.4) Un pezzo di materiale drogato di tipo n o tipo p rimane comunque elettricamente neutro. pertanto si ricava che la concentrazione di elettroni vale: 2 ni = n p 0 ⋅ p p 0 ⇒ n p 0 2 n = i NA (1.8 ni = n n 0 ⋅ p n 0 ⇒ p n 0 2 n = i ND 2 (1.2. è chiaro che la concentrazione di cariche minoritarie. il prodotto tra la concentrazione di elettroni e lacune deve rimanere costante e pari ad ni2.3. dipenderà dalla temperatura. Per questo motivo gli atomi si chiamano accettori. tutti e tre gli elettroni andranno a formare legami covalenti con gli atomi di silicio adiacenti e resterà una lacuna. Per produrre un semiconduttore di tipo p basterà drogare il silicio con un elemento trivalente come per esempio il boro. .

gli elettroni diffondono attraverso la giunzione dal lato n al lato p. 1. non è possibile ottenere giunzioni pn ponendo a contatto due campioni dello stesso materiale semiconduttore drogati in modo diverso.4 Giunzione pn. In campo elettronico. In particolare la giunzione pn. b) Regione di svuotamento: le lacune che si diffondono dal lato p al lato n. Una volta ottenuta la giunzione pn in condizioni di circuito aperto si ha: ID IS ++++++ ++++++ regione p ++++++ ++++++ - + + + --------------regione n --------------- Regione di svuotamento Fig. Per questo motivo. Il termine di giunzione indica la superficie di separazione fra due conduttori o fra un metallo e un semiconduttore o fra due semiconduttori. Allo stesso modo.03 – Giunzione pn in condizioni di circuito aperto. Queste due componenti si sommano e formano la corrente di diffusione ID. le lacune si diffondono attraverso la giunzione dal lato drogato p al lato drogato n. in quanto i difetti della superficie poste a contatto influenzerebbero negativamente le caratteristiche elettriche. è la superficie di separazione fra due campioni di uno stesso semiconduttore drogato uno di tipo p e l’altro di tipo n. a) Corrente di diffusione: essendoci una concentrazione di lacune maggiore nella zona p rispetto alla zona n.9 1. si ricombinano velocemente con gli elettroni maggioritari del lato n e scompaiono . essendo la concentrazione di elettroni maggiore nella zona n rispetto alla zona p.2. una giunzione pn viene ottenuta drogando in modo diverso due zone contigue dello stesso campione monocristallino.

la cosiddetta regione di svuotamento. Così facendo. Questa regione di carica spaziale crea nei pressi della giunzione un campo elettrico. 1. Questa differenza di potenziale si opporrà alla diffusione delle lacune nella regione n. Analogamente. che sul lato n sarà costituita da cariche positive e sul lato p sarà costituita da cariche negative. potenziale Barriera di potenziale V0 x . Nei pressi della giunzione si ha quindi la presenza di una regione svuotata di elettroni e costituita quindi di carica positiva scoperta. che dà quindi luogo ad una differenza di potenziale ai capi della giunzione. la carica positiva non può essere neutralizzata dagli elettroni liberi e rimane scoperta.10 Questo processo fa si che in prossimità della giunzione alcuni elettroni liberi scompaiono dal materiale di tipo n. e alla diffusione degli elettroni nella regione p. La regione di svuotamento è anche chiamata regione di carica spaziale. agendo quindi come una barriera. si ricombinano velocemente con le lacune che sono carica maggioritaria nella regione p. si ha la presenza di una regione svuotata delle cariche maggioritarie. Fig. Così facendo nei pressi della giunzione si crea una regione di carica negativa scoperta Nei pressi della giunzione.04 – Andamento del potenziale lungo un asse perpendicolare alla giunzione. gli elettroni che si diffondono dal lato n al lato p a causa della differenza di concentrazione.

allora diminuirebbe la carica scoperta con conseguente restringimento della regione di svuotamento e diminuzione della barriera di potenziale V0. Allo stesso modo. allora aumenterebbe la carica scoperta da entrambi i lati della giunzione pn. In maniera analoga. pertanto la corrente di diffusione risulta in modulo uguale alla corrente di deriva ma ovviamente con verso opposto.4. il campo elettrico spingerà le lacune presenti nel lato drogato n nel lato drogato p. si sommano formando la corrente di deriva IS. Queste due correnti. con conseguente diminuzione della corrente di diffusione. con conseguente aumento di ID fino a raggiungere l’equilibrio con IS.2. Infatti se per qualche ragione la corrente di diffusione aumentasse rispetto alla corrente di deriva. gli elettroni che si muovono per deriva dal lato n al lato p e lacune che si muovono dal lato n al lato p. con conseguente allargamento delle regione di svuotamento e aumento quindi della barriera di potenziale V0. Oltre alla corrente dovuta alla diffusione delle cariche maggioritarie. si diffondono sul lato drogato n e raggiungono il bordo della regione di svuotamento. esiste anche una corrente dovuta alla deriva delle cariche minoritarie attraverso la giunzione.11 c) Corrente di deriva ed equilibrio. In corrispondenza della giunzione. Senza tensione esterna applicata il valore di V0 vale: .1) Questa condizione di equilibrio è garantita dalla barriera di potenziale V0. In condizioni di circuito aperto. In special modo alcune delle lacune generate termicamente nel semiconduttore di tipo n. la corrente deve essere nulla. se aumentasse la corrente di deriva IS rispetto alla corrente di diffusione. gli elettroni generati termicamente nella regione di tipo p si diffonderanno fino a raggiungere la regione di svuotamento dove il campo elettrico le diffonderà sul lato n. ID=IS (1.

4) dove εS è costante dielettrica del silicio e vale εS = 11. La larghezza della regione di svuotamento vale circa: Wdep = 2ε s q ⎛ 1 1 ⎜ + ⎜N ⎝ A ND ⎞ ⎟ ⋅ V0 ⎟ ⎠ (1. .2) Infatti.12 ⎛N ⋅N V0 = VT ⋅ ln⎜ A 2 D ⎜ n i ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (1.7ε0.4.2.4.2.3) dove NA e ND sono le concentrazioni di drogante sul lato p e sul lato n.4.2. imponendo a zero la somma tra la corrente di deriva degli elettroni e la corrente di diffusione degli elettroni e ricordando che E = − dV si trova: dx − qµ n n dn dV + qDn =0 dx dx dV = Vj = Dn dn k ⋅ T dn = µn n q n kT nn 0 ln q n p0 Vj = kT ⎛ N A N D ln⎜ q ⎜ ni 2 ⎝ ⎞ ⎛ ⎟ = VT ln⎜ N A N D ⎟ ⎜ n2 ⎠ ⎝ i ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (1.

5.5. 1. basta applicare la seguente relazione.12eV Banda di valenza Fig.6 ⋅ 10 −19 J e la lunghezza d’onda viene espressa in micrometri [µm]. il fotone non sarà assorbito e non produrrà coppie elettroni – lacune.5 Generazione di una coppia elettrone-lacune per assorbimento di un fotone.63 ⋅ 10 −34 j ⋅ s .2) Se l’energia dei fotoni eccede l’energy gap EG del semiconduttore allora il fotone sarò assorbito. L’energia di un fotone è data da: h⋅c E = h ⋅ν = λ [ joules] (1. Banda di conduzione Energy Gap EG=1. .13 1. produrrà una coppia elettrone – lacuna.1) dove: h è la costante di Plank che vale h = 6.Energy gap del silicio.2. corrispondenti ad una radiazione avente una lunghezza d’onda espressa in micrometri. Per ricavare l’energia dei fotoni in electron volt. c è la velocità della luce c = 2.2.24 [eV ] λ[ µm] E= (1. λ è la lunghezza d’onda espressa in m. 1. Se l’energia dei fotoni non eccede invece l’energy gap del semiconduttore. Normalmente le energie a livello atomico vengono espresse in electron volt dove 1eV = 1.05 .2. ν è la frequenza della radiazione in Hz.998 ⋅ 10 8 m / s . e l’energia in eccesso sarà smaltita in calore.

5.5µm.2.11µm che è pari a circa il 75% di tutta la densità di potenza. . Il picco della densità di potenza della radiazione solare si trova circa a λ=0.14 Avendo il silicio un energy gap di 1. più piccola è la lunghezza d’onda e più alta è l’energia dei fotoni incidenti. e quindi la radiazione utile incidente su un pezzo di silicio per la generazione di una coppia elettrone lacuna è tutta la radiazione con lunghezza d’onda inferiore a λ=1.11µm E 1.3) La radiazione incidente per i sistemi fotovoltaici è la radiazione solare il cui spettro è il seguente: Fig.12 λ= (1.12eV. l’energia minima che un fotone deve avere per generare una coppia elettrone lacuna è proprio 1.06 – Andamento della densità spettrale di potenza in funzione della lunghezza d’onda della radiazione solare.24 1.12eV.24 = = 1. che corrisponde ad una radiazione di lunghezza d’onda λ pari a: 1. Si osservi che. 1.

la generazione di calore. Questo eccesso di cariche maggioritarie appare come una differenza di potenziale ai terminali. 1. In questo modo della totale energia utile (75% della radiazione solare) solo il 44% può essere convertito in energia elettrica mentre il restante 56% viene trasformato in calore. come una circolazione di corrente dal lato p al lato n. . La corrente risulterà proporzionale al numero di coppie elettrone lacune generate.07 – Radiazione solare utile per la generazione di una coppia elettronelacuna per il silicio.15 La radiazione con lunghezza d’onda più corta della necessaria porta ad avere oltre che alla liberazione di una coppia elettrone lacuna. o se un filo connette il lato p con il lato n. spingerà gli elettroni sul lato drogato n e le lacune sul lato drogato p. Così facendo gli elettroni spinti sul lato n e le lacune spinte sul lato p diventano ora cariche maggioritarie e compare quindi un aumento di tali cariche ai capi della giunzione. Fig. il campo elettrico ai capi della giunzione pn diretto dal lato n al lato p della giunzione. Una volta che una coppia elettrone lacuna è stata generata per foto-assorbimento di un fotone.

ma vicino ad esse. la carica per poter essere utile al processo di conversione deve raggiungere la giunzione in un tempo inferiore a τm. .16 hν - - - n Giunzione IPHO p + + + Coppia elettrone lacuna.4) Pertanto dal processo fotovoltaico di assorbimento dei fotoni. si viene a generare una corrente IPHO che se fatta circolare per un circuito esterno avrà la direzione uscente dalla regione p ed entrante nella regione n. Fig.2. possono essere spinte dal campo elettrico all’interno della giunzione e risultare coppie utili alla generazione di corrente. Si indichi con τm il tempo di vita di una carica minoritaria. si ricombinano prima di raggiungere la giunzione e non risultano quindi utili al processo di conversione.5.08 – Verso della corrente generata dai fotoni. 1. il che corrisponde ad una lunghezza di diffusione pari a: Lm = D m ⋅ τ m (1. Le coppie elettrone lacuna generate lontano dalla giunzione. Le coppie elettrone lacune generate fuori dalla giunzione.

La concentrazione di cariche minoritarie ai lati della regione di svuotamento in condizione di polarizzazione diretta vale: .09 – Distribuzione delle cariche minoritarie in una giunzione pn polarizzata direttamente e nell’ipotesi che la regione p sia fortemente drogata. 1.6 La giunzione pn in polarizzazione diretta.17 1.2. EINT EEXT + + + ++++++ ++++++ regione p ++++++ ++++++ - --------------regione n --------------- + I V - pn(xn) np(-xp) np(x) pn0 -xp xn ‘ pn(x) Fig. Per completare lo studio di una giunzione pn operante come cella fotovoltaica resta da analizzare il comportamento della giunzione con polarizzazione esterna applicata. Si consideri una giunzione pn polarizzata direttamente.

1) nota come legge della giunzione.2. Infatti LP è legata ad un altro parametro conosciuto con il nome di tempo di vita delle cariche minoritarie in eccesso τP dalla relazione: L p = D p ⋅τ p (1.3) p diffusione lacune diffusione elettroni n Fig. danno luogo alla corrente di lacuna.2.6. la cui densità valutata prima può ora essere espressa nel seguente modo: Jp = q⋅ Dp Lp p n 0 eV / VT − 1 ⋅ e ( ) − ( x − xn ) / L p (1.6.10 – Verso della corrente di diffusione.2) dove LP è una costante che determina la rapidità del decadimento esponenziale. è una funzione a decadimento esponenziale funzione della distanza data da: p n (x ) = p n0 + [ p n (xn ) − pn0 ] ⋅ e − ( x − xn ) / L p (1. ed è chiamata lunghezza di diffusione delle lacune nella regione n.09. 1.6. mostrata in figura 1.6.18 p n ( x n ) = p n 0 ⋅ eV / VT = p n 0 ⋅ eV ⋅(q / (k ⋅T )) (1. Le lacune che diffondono nella regione n. dando come risultato un rapido decadimento della concentrazione delle cariche minoritarie. Più piccola è LP. e più velocemente le lacune iniettate si ricombinano con gli elettroni maggioritari.2.4) . La concentrazione delle lacune in eccesso.2.

2.2.6. Essendo Jp e Jn nella stessa direzione le due componenti si sommano.2.6) dove Ln è la lunghezza di diffusione degli elettroni nella regione p. .5) Analogamente per l’iniezione degli elettroni attraverso la giunzione nel lato p.6. si ricava la densità di corrente: Jn = q ⋅ Dn n p 0 eV / VT − 1 Ln ( ) (1. Moltiplicando per l’area A la corrente totale vale: ⎛ Dp ⎛ Dp Dn ⎞ V / VT Dn ⎞ V / VT ⎟⋅ e ⎟⋅ e I = A ⋅ q ⋅ ni 2 ⋅ ⎜ −1 − 1 = A ⋅ q ⋅ ni 2 ⋅ ⎜ + + ⎜ L p N D Ln N A ⎟ ⎜ L p N D Ln N A ⎟ ⎠ ⎠ ⎝ ⎝ ( ) ( ) I0 che può essere espressa come: ⎛ qV ⎞ I = I 0 ⋅ ⎜ e kT − 1⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ (1.19 In x = xn la densità vale: Jp = q⋅ Dp Lp p n 0 eV / VT − 1 ( ) (1.6.7) Si noti che questa corrente ha il verso opposto della corrente generata dall’assorbimento di un fotone IPHO.

● massimizzare la lunghezza di diffusione dei portatori minoritari. ● minimizzare la perdite resistite della cella. ● minimizzare la corrente di saturazione inversa. 1.6.11 – Corrente nella cella PV. ● massimizzare la larghezza della giunzione.8) hν n IPV_CELL p Fig. .2.20 La corrente in una cella fotovoltaica diventa pertanto esprimibile dalla seguente relazione: ⎛ qV ⎞ − I 0 ⎜ e kT − 1⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ I PV _ CELL = I PHO (1. Per poter quindi ottimizzare la fotocorrente bisogna: ● minimizzare le riflessioni dei fotoni incidenti con strati antiriflesso.

Quindi dal processo produttivo si ottengono wafer rotondi. A è l’area. Una soluzione a tale problema può essere l’utilizzo di scarti provenienti dall’industria microelettronica. comporta un ulteriore costo con la perdita di materiale utile.12eV ed essendo il 75% della radiazione luminisa ad energia maggiore od uguale di tale valore. . che devono essere ulteriormente lavorati per essere ben incastonati nella costruzione di un pannello fotovoltaico.21 1. drogaggio e finitura. Il rendimento di una cella fotovoltaica può essere espresso con la seguente relazione: η= PMAX _ OUT R⋅ A (1. rendimenti medi sono tra il 12% e il 15%. Uno svantaggio di tale tecnologia è l’elevato costo di produzione del silicio puro.3 Tipi di celle fotovoltaiche.10-9 contro i livelli di 10-5 – 10-6 richiesti dall’industria fotovoltaica. R è la radiazione incidente espressa in W/m2. Pertanto la maggior parte di celle fotovoltaiche realizzate oggi giorno vengono realizzate in silicio. Le celle fotovoltaiche più utilizzate al giorno d’oggi sono realizzate in silicio monocristallino e sono quelle che hanno il rendimento più elevato tra tutte le celle disponibili in commercio . Il taglio per dare una forma più adatta all’incapsulamento.3. Inoltre. è un materiale molto presente in natura di cui si conoscono bene. i processi tecnologici di lavorazione. Tale industria necessita infatti delle concentrazioni di impurità pari a 10-8 . dall’industria microelettronica. con punte del 24%.1) dove: PMAX_OUT è la massima potenza elettrica ottenibile in uscita. Con il metodo Czochralsky si produce un lingotto di silicio puro che viene poi tagliato a wafer del diametro di 10-12. Il silicio è un materiale adatto alla realizzazione delle celle fotovoltaiche avendo un energy gap di 1. Per le celle in silicio monocristallino.5cm e dello spessore di 200µm.

L’industria architettonica. ma il loro rendimento è di molto inferiore ai pannelli fotovoltaici in silicio monocristallino. Lo spessore del film ottenuto è di 4-5µm contro i 300µm delle celle in silicio cristallino con immediato beneficio di materiale attivo risparmiato. Per contro il processo produttivo può essere altamente automatizzato. polimero. Per far fronte a tali richieste. Questo comporta difficoltà di: a) Stabilire a priori le vere prestazioni dell’impianto realizzato e il degrado iniziale. depositati generalmente come miscela di gas su supporti a basso costo come vetro. Un problema degli impianti fotovoltaici che si è riscontrato e si riscontra tuttora è l’impatto ambientale visivo che tali impianti hanno. Tali celle sono composte da strati di materiale semiconduttore. Dopo le prime 300-400 ore di lavoro perdono infatti circa il 10% dell’efficienza dichiarata che è già bassa (effetto Staebler – Wronski). Il vantaggio quindi è di ottenere pannelli fotovoltaici flessibili ed esteticamente più gradevoli. non sempre è presente il silicio. Oltre ad avere un costo di produzione inferiore. pannelli fotovoltaici esteticamente più belli e se possibile flessibili da essere utilizzati nella costruzione di edifici. con punte che non superano il 10%. b) Confrontare economicamente in termini di costi/prezzi dei moduli. l’amorfo con le altre scelte a pari potenza acquisita. con aumento di risparmio e aumento della velocità di produzione. Una delle più utilizzate celle a film sottile è la cella in silicio amorfo. . alluminio che danno consistenza fisica alla cella. ma hanno un rendimento medio η più basso compreso fra circa l’ 11% e il 14% con punte intorno al 15%. si trovano in commercio celle in silicio policristallino che hanno un costo di produzione inferiore alle precedenti.22 Oltre alle celle in silicio monoscristallino. vengono realizzate celle fotovoltaiche a film sottile. Il prezzo commerciale resta comunque superiore proprio per l’aspetto estetico nonostante il processo produttivo sia più economico. Per le celle in silicio amorfo si parla di rendimenti medi attorno al 5%-7%. è possibile ottenere dal processo produttivo lingotti ottogonali e quindi il taglio in wafer li rende già adatti per l’inglobamento in pannelli con una utilizzazione ottimale dello spazio. espressi in watt. Inoltre tali pannelli hanno un problema di stabilità. ha richiesto e richiede tuttora.

FFideal=1) pari a 0.01 – Tabella riassuntiva delle prestazioni delle celle fotovoltaiche. La tipica cella CdTe è a 4 strati e 3 giunzioni. Per contro.854. che seppur lungo prima o poi arriva. Tale tipo di cella. la cella deve essere opportunamente smaltita come rifiuto tossico con conseguente aumento dei costi. + Costi di produzione Costo dei Materiali Efficienza Cristallino CdTe Amorfo CIS - Amorfo Cristallino CdTe CIS Cristallino CIS CdTe Amorfo . realizzate per le applicazioni spaziali. Le celle fabbricate in strati di Al .In . sviluppata per la prima volta nel 1974 nei laboratori Bell.23 Per far fronte ai bassi rendimenti delle celle a film sottile al silicio amorfo esistono celle fotovoltaiche al Cadmio. il rendimento è sempre inferiore alle celle in silicio monocristallino ed arriva a valori tipici inferiori al 10%. La peculiarità che li rende attraenti è il fatto di poter utilizzare substrati flessibili.Tellurio (CdTe) che presentano un rendimento tipico del 10%.P di superficie 1cm2 hanno ottenuto rendimenti attorno al 16% con fill factor (vedere il paragrafo successivo. Per contro. il cadmio è un elemento tossico e pertanto al termine del ciclo di vita . senza l’utilizzo di materiale tossico quale il cadmio e senza problemi di stabilità. Per far fronte all’utilizzo del cadmio. un ottimo coefficiente di assorbimento e un costo di preparazione notevolmente inferiore al silicio cristallino. Oggi giorno una tecnologia che sta avendo interesse sono le celle della famiglia III-V. si sono realizzate celle CIS (Copper Indium Diselenide). Tab 1. era assai attraente in quanto il materiale presenta una energy gap di 1eV. Il materiale è un semiconduttore con caratteristiche vicine a quelle delle efficienti ma costose celle all’arseniuro di gallio (GaAs).

2) Per ricavare il limite di tensione si ponga a zero la corrente I.1) In figura 1. Il limite di corrente è dato dalla corrente di cortocircuito.12 è rappresentata tale equazione.4. che si ha quando V=0 e in tal caso vale: I SC = I PHO (1.4. V L’andamento illustrato mostra che le celle fotovoltaiche hanno un limite di tensione e un limite di corrente.4 Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica. . Dalla fisica della cella fotovoltaica si ha che l’equazione caratteristica I-V di una cella è: ⎛ qV ⎞ − I 0 ⎜ e kT − 1⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ I PV _ CELL = I PHO (1. ISC.24 1.12 – Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica. I ISC VOC Fig. 1.

di circa 300A/m2 quando illuminata da una radiazione di 1000W/m2 alla temperatura di 25°C.25 I = I PHO qV e kT ⎛ qV ⎞ − I 0 ⋅ ⎜ e kT − 1⎟ = 0 ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ I PHO I0 ⎞ kT ⎛ I PHO ⎟≈ ⎟ q ln⎜ I ⎜ ⎠ ⎝ 0 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ −1 = VOC = kT ⎛ I PHO + I 0 ln⎜ q ⎜ I0 ⎝ (1. con conseguente aumento della potenza disponibile in uscita. V [V] Tale caratteristica dipende ovviamente dalla radiazione incidente. All’aumentare della radiazione R [W/m2] incidente. che dipende dalla superficie della cella. . Per dare una indicazione dei valori di potenza ottenibili da una cella fotovoltaica.4.6 Fig.5V e in essa può circolare una corrente. si consideri che una cella fotovoltaica presenta ai suoi capi una tensione di circa 0.3) dove l’ultima approssimazione risulta valida essendo in pratica IPHO>>I0. aumenta la corrente prodotta e la tensione a vuoto della cella. 1.13 – Esempio di caratteristica di una cella fotovoltaica. I [ A/m2] 300 0.

1.26 I R V Fig. La caratteristica I-V dipende dalla temperatura a cui la cella opera. All’aumentare della temperatura. si registra una diminuzione della tensione a vuoto VOC e un aumento della corrente di cortocircuito. 1.15 – Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica al variare della temperatura. Valori indicativi delle variazioni sono: . I T T V Fig.14 – Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica al variare della radiazione incidente.

27 dI SC A = 0 .2 dT °C dPMAX = −0. si registra pertanto una diminuzione della massima potenza estraibile dalla cella fotovoltaica.5 ⋅ 3 = 1. bisogna far lavorare la cella nel suo MPP (Maximum Power Point).4. .5W Questa è comunque la massima potenza estraibile dalla cella.4. I Im MPP Vm Potenza massima estraibile dalla cella.5V per una potenza massima d’uscita pari a: P = V ⋅ I = 0. 1.5%°C −1 dT (1. V Fig.5) (1.4) (1.4. La cella produrrà circa una corrente di 3A con una tensione di 0. Si consideri per esempio una cella fovoltaica di A=1dm2 illuminata da una radiazione solare di 1000W/m2 .16 – MPP (Maximum Power Point) in una cella fotovoltaica. e per poterla estrarre.1 dT °C dVOC mV = − 2 .6) All’aumentare della temperatura.

L’andamento che si ottiene è illustrato in figura 1.4.7) che viene anche espressa come: PMAX = Vm ⋅ I m = FF ⋅ I SC ⋅ VOC (1. 1. A questo punto resta da rappresentare graficamente l’andamento della potenza in funzione della tensione ai capi della cella.8) dove ISC è la corrente di cortocircuito. I ISC VOC Fig.4. VOC è la tensione a circuito aperto e FF (Fill Factor) è un fattore di riempimento.Caratteristica I-V con FF=1 V Tipici Fill Factor vanno comunque da 0.82. Si esegua punto per punto il prodotto tensione corrente dalla caratteristica della cella.5 a 0.18. ha un piccolo Fill Factor e quindi una bassa potenza massima disponibile.28 Se la corrente nel punto di massima potenza vale Im e la tensione vale Vm allora la potenza massima vale: PMAX = Vm ⋅ I m (1. . Una cella con una resistenza interna elevata. Un Fill Factor unitario implica una caratteristica I-V rettangolare.17 .

. 1. Per ottenere una adeguata tensione d’uscita. i pannelli fotovoltaici forniscono in uscita una tensione di 12V o suoi multipli. Tipicamente. le celle fotovoltaiche vengono connesse in serie in modo da formare un pannello con una tensione d’uscita adeguata. Al massimo irragiamento tali pannelli fotovoltaici riescono a fornire anche tensioni di 16-18V. 1.19 – Andamento della caratteristica P-V al variare della temperatura. Infatti le caratteristiche P-V al variare della temperatura diventano le seguenti: P T V Fig.29 P V Fig. All’aumentare della temperatura la potenza massima disponibile in uscita diminuisce. Ovviamente la tensione di 12V dei moduli deve essere la tensione che il pannello presenta ai suoi capi in condizioni di irragiamento medio.18 – Andamento della caratteristica P-V.

ISC = Corrente in condizioni di cortocircuito. Ip = Corrente d’uscita alla massima potenza.73A 21.3V 7.evergreensolar. Nelle tabelle 1.3V 7. Legenda: Pp = Potenza tipica d’uscita.95A 32.Esempio di Pannelli Fotovoltaici EVERGREEN ES-110-GL String Tecnologia Ribbon N° Celle Pp Vp Ip VOC ISC Diodi bypass 72 110W 17V 6.02 . un modulo da 12V verrà realizzato con la connessione in serie di circa 33-36 celle elementari.48V si ES-115-GL String Ribbon 72 115W 17.82A 21.12A 32.4V 7. con una superficie totale di circa mezzo metro quadrato.72A 32.com .47A 21. per una potenza massima di uscita che va dai 50 ai 70W.7V 7.55A si ES-180-RL String Ribbon 108 180W 25.78A si ES-190-RL String Ribbon 108 190W 26. Fonte www.1V 6.62V si ES-120-GL String Ribbon 72 120W 17. Vp = Tensione d’uscita alla massima potenza. 1.03 sono riportate le caratteristiche di alcuni pannelli fotovoltaici commerciali.8V 8.01. VOC = Tensione in condizioni di circuito aperto.30 Si consideri una tensione media di 0.02 ed 1.9V 6. 1. Tab. si connettono i moduli in serie e/o in parallelo a seconda della configurazione che si desidera.05A si Tutti i dati elencati si intendono in condizioni standard: irraggiamento R=1000W/m2 e temperatura di 25°C.5V 7.5V per cella.6V 6. Se si desiderano potenze più elevate.3V 6.68V si ES-170-RL String Ribbon 108 170W 25.6V 7.

Fonte www.SOE3E NT .40A 16.70% 13. ISC = Corrente in condizioni di cortocircuito.77A 43.11A 44.4V 5.95A 44.46A 14.20% si Tutti i dati elencati si intendono in condizioni standard: irraggiamento R=1000W/m2 e temperatura di 25°C.6A 30V 8. Legenda: Pp = Potenza tipica d’uscita. 1.46A 14.L5E2E Tecnologia N° Celle Pp Vp Ip VOC ISC Efficienza Cella Efficienza modulo Diodi bypass poli 54 in serie 125W 26V 4.sharp.31 Tab.10% 14.75A 17. Vp = Tensione d’uscita alla massima potenza.8A 32. Ip = Corrente d’uscita alla massima potenza.7V 7.40% 4.03 .30% si NE .S5E3E mono 48 in serie* 180W 23.3V 5.70% si NT-175E1 mono 72 in serie 175W 35.1V 5.Q5E2E poli 72 in serie 165W 34.50% si NU .21V 5.Esempio di Pannelli Fotovoltaici SHARP NE .70% si mono 72 in serie 185W 36.9V 5.37A 15.6V 4.70% 13.40% 13.60% 12. VOC = Tensione in condizioni di circuito aperto.com .

76A 22. Legenda: Pp = Potenza tipica d’uscita.45A si H1540 140W mono 40 in serie 140W 17.heliostecnology. 1. Fonte www. VOC = Tensione in condizioni di circuito aperto. ISC = Corrente in condizioni di cortocircuito.04 .32 Tab.22A si H1500 125W mono 36 in serie 125W 17V 7.65A si Tutti i dati elencati si intendono in condizioni standard: irraggiamento R=1000W/m2 e temperatura di 25°C.47A 21V 7.73V 7.20A si H1540 130W mono 40 in serie 130W 17.com .90A 23V 8. Ip = Corrente d’uscita alla massima potenza.6V 8.Esempio di Pannelli Fotovoltaici HELIOS TECNOLOGY H1500 110W Tecnologia N° Celle Pp Vp Ip VOC ISC Diodi bypass mono 36 in serie 110W 17V 6.70V 8.36A 21V 8.20A si H1540 135W mono 40 in serie 135W 17. Vp = Tensione d’uscita alla massima potenza.39V 7.48A 22.40V 7.

Lo svantaggio di questo tipo di connessione consiste nel fatto che l’inverter controlla tutto il campo Fig. il sistema di alimentazione fotovoltaico necessita di essere connesso ad un dispositivo in grado di convertire la potenza elettrica continua fornita dai pannelli solari nella potenza elettrica alternata richiesta. Una prima topologia consiste nell’utilizzare un inverter centralizzato. . Esistono varie topologie di collegamento dell’inverter all’impianto fotovoltaico. Una serie di stringhe di pannelli fotovoltaici vengono connesse in parallelo tra loro per fornire la potenza DC necessaria. Inoltre l’inverter può ottenere dal campo fotovoltaico solamente l’MPP dell’intero campo e non l’MPP di ogni singola stringa o ancora meglio di ogni singolo pannello.5 Introduzione agli impianti fotovoltaici.33 1. mentre i sistemi di alimentazioni da rete sono in tensione alternata monofase sinusoidale di valore efficace 230V e frequenza 50Hz.20 – Inverter centralizzato per P>10kW fotovoltaico e il suo blocco comporta il blocco dell’intero sistema di alimentazione. All’uscita sarà presente un unico inverter che opererà la trasformazione da tensione/corrente continua in tensione/corrente alternata desiderata. Il dispositivo che si occupa della conversione DC/AC si chiama inverter. Questa topologia viene utilizzata per potenze d’uscita superiori a 10kW e l’inverter ha una elevata efficienza ed un costo contenuto. Pertanto. I sistemi fotovoltaici forniscono in uscita una tensione e corrente costanti. 1.

e quindi se fossero collegate semplicemente in serie la corrente dominante è quella del pannello meno illuminato. Questa soluzione si adotta soprattutto per basse potenze. Disporle con orientazioni diversi.21 – Inverter di stringa per 3kW<P<10kW inverter centralizzato e collegare all’uscita di ogni stringa o pannello un convertitore DC/DC che ottenga il punto di massima potenza relativo al pannello o alla stringa. significa sottoporle ad irraggiamenti diversi. che sta prendendo piede in questi ultimi anni e che garantisce l’opportunità di poter collegare tra loro stringhe di pannelli fotovoltaici di diverse tecnologie ed orientate in modo diverso. da 50W a 400W. L’inverter di stringa sta diventando la topologia standard nei sistemi grid connected. Una alternativa a questa topologia. Questa terza soluzione. che ha gli stessi vantaggi. Un’ultima soluzione consiste nell’avere moduli integrati nei singoli pannelli fotovoltaici. si riesce ad ottenere i migliori benefici da tutte le stringhe. Questa topologia ha il vantaggio di poter ottenere il punto di massima potenza MPP di ogni singola stringa e non solo l’MPP dell’intero campo fotovoltaico con incremento quindi delle prestazioni. 1. . Lo spazio ridotto costringe ad installare stringhe più piccole o a disporle con orientazioni diverse. Si pensi ad esempio al problema dell’installazione dei pannelli fotovoltaici su un tetto di una abitazione. Così facendo. consiste nell’utilizzare un unico Fig. è una soluzione più economica. e consistono nell’avere un inverter per ogni pannello.34 Per applicazioni nel campo domestico 3kW – 10kW la soluzione maggiormente utilizzata risulta quella di collegare più stringhe in parallelo tra loro ma ogni stringa ha il suo inverter chiamato anche inverter di stringa.

non è unica.22 – Inverter integrato per 50W<P<400W La costruzione dell’inverter verrà trattata più avanti. il dispositivo si trova a funzionare come un carico.23 – Suddivisone degli inverter fotovoltaici. e varia a seconda delle scelte progettuali e delle normative presenti nei vari paesi. nel caso in cui la tensione fornita dalle altre celle in . 1. In queste condizioni. Una prima suddivisione può essere rappresentata in figura 1.23. Un problema che può verificarsi durante l’esercizio dell’impianto è relativo ad una condizione che nella pratica può verificarsi frequentemente: si pensi ad una singola cella fotovoltaica ombreggiata parzialmente o totalmente.35 Tale inverter è ovviamente di più difficile implementazione. trovandosi a dover dissipare potenze che danno origine a riscaldamenti localizzati o. 1. Fig. in quanto la tensione tipica d’uscita monofase sinusoidale 230V – 50Hz è di molto superiore alla tensione d’uscita del pannello fotovoltaico. Fig.

36 serie fosse sufficientemente elevata. 1. . una cella di silicio cristallino di 100cm2. La tensione in grado di provocare la conduzione inversa di una cella.Diodi di Blocco. che quindi può provocare danni irreversibili. lo stesso può trovarsi sottoposto ad un valore di tensione inversa in grado di provocare la rottura del dispositivo. si aggira generalmente intorno ai 10-30V secondo la tecnologia usata. che si trova a funzionare come carico.24 . il limite massimo potrebbe essere. Per proteggere i moduli fotovoltaici si utilizzano dei diodi di bypass posti in antiparallelo al pannello così da escludere la cella contropolarizzata.Diodo di bypass. La massima potenza dissipabile da una cella. Qualora la cella fosse ombreggiata.25 . anche la massima corrente ammissibile sui contatti (20-40A). che però si riducono all’aumentare della temperatura. oltre alla potenza. dipende dalla tecnologia costruttiva ed è un dato che si riesce a conoscere solo sperimentalmente o applicando modelli matematici. 1. Si consideri una temperatura limite per cella di 100°C. sottoposta ad un irraggiamento di 1kW/m2 e ad una temperatura di 25°C è in grado di dissipare dai 20 ai 30W.

cioè sistemi che sono connessi anche alla rete elettrica pubblica. quando una stringa ha una tensione a circuito aperto più bassa di quella delle altre stringhe connesse in parallelo. posto in serie alla polarità positiva di ogni stringa il quale impedisce il ritorno della corrente. Fig.26 . chiamato diodo di blocco. cioè un sistema autonomo di alimentazione che utilizza solamente l’impianto fotovoltaico.27 nel quale bisogna inserire un opportuno circuito di interfaccia per poter .37 Inoltre. Finché l’impianto è in grado di produrre energia.C. Fra i diodi più usati vi è il diodo Schottky. In questo caso la protezione consiste in un diodo. 1.A.Schema di principio di un sistema stand alone. CARICO IN C. Un primo schema di principio è riportato in figura 1. Una volta ottenuta la tensione sinusoidale 230Vrms a frequenza 50Hz esistono vari tipi di impianti. Uno schema di principio di tale tipologia di impianto è la seguente: CAMPO FOTOVOLTAICO REGOLATORE DI CARICA BATTERIA INVERTER CARICO IN C. oltre ad alimentare i carichi dell’utilizzatore si provvederà anche a ricaricare un banco di accumulatori che servirà a fornire l’energia durante le ore notturne nelle quali il campo fotovoltaico non produce energia e viene staccato dall’impianto dal sistema di controllo. Altri esempi d’impianti sono i sistemi grid-connected. che è caratterizzato da una bassa caduta diretta con conseguenti basse perdite. Questo tipo d’impianto si utilizza soprattutto nelle zone dove non arriva la rete elettrica pubblica. Un primo esempio è un impianto stand alone. Tale tipologia d’impianto non prevede il collegamento alla rete di alimentazione standard. in mancanza di adeguate protezioni la corrente tenderebbe a recarsi sulla stringa a tensione minore.

frequenza e sfasamento. la immetterà nella rete elettrica pubblica e gli verrà pagata come energia rinnovabile prodotta. 1. durante le ore notturne il consumo di energia richiesto è assai inferiore a quello delle ore giornaliere.27 . Il beneficio è notevole. che richiede caratteristiche ben precise di valore nominale di tensione. Questo sistema durante le ore del giorno alimenterà i carichi dell’utilizzatore con l’energia proveniente dal campo fotovoltaico e se questa è in eccesso rispetto alle richieste. Durante le ore notturne il sistema riceverà l’alimentazione dalla rete elettrica pubblica pagandola.38 interfacciare il sistema di alimentazione alla rete elettrica pubblica.Primo schema a blocchi di un sistema grid-connected. il corrispettivo che l’ente pubblico paga per ogni kW/h prodotto è circa tre volte il costo del kW/h pagato a tale ente in quanto si tratta di produzione di energia rinnovabile. RETE CAMPO FOTOVOLTAICO INVERTER QUADRO ELETTRICO DI INTERFACCIA UTENZA Fig. . Inoltre.

. che definisce i criteri per l'incentivazione dell'energia elettrica prodotta da impianti fotovoltaico.39 In Italia. le tariffe incentivanti riportate nella tabella 1.445 (servizio di scambio sul posto) 0.28. 1. 1. Il 6 febbraio 2006 è stato firmato il secondo decreto fotovoltaico che amplia e integra il DM28/07/2005. per esempio. Successivamente l'Autorità per l'Energia Elettrica e il Gas (AEEG) ha adottato il 14/09/2005 la Delibera n° 188/05 nella quale è stato individuato il GRTN (ora GSE) quale "soggetto attuatore" che eroga le tariffe incentivanti.460 0.490 (valore massimo soggetto a gara) Tab.Lgs 29/12/2003 n° 387. CAMPO FOTOVOLTAICO Azionamento a INVERTER frequenza variabile POMPA Fig. il Ministro delle Attività Produttive di concerto col Ministro dell'Ambiente e della Tutela del Territorio ha emanato il 28/07/2005 il Decreto Ministeriale previsto all'art.01 – Tariffe riconosciute in Italia.Applicazione dedicata. Gli impianti fotovoltaici che potranno essere realizzati sono stati suddivisi in tre differenti classi di potenza alle quali verranno riconosciute. per venti anni. L'incentivazione interessa gli impianti fotovoltaici della potenza da 1 kW sino a 1000 kW entrati in esercizio dopo il 30/09/2005 a seguito di nuova costruzione o rifacimento totale o potenziamento di un impianto preesistente. Le tariffe incentivanti riconosciute sono incrementate del 10% qualora i moduli fotovoltaici siano integrati in edifici di nuova costruzione ovvero in edifici esistenti oggetto di ristrutturazione Esistono anche applicazioni dedicate.000 Tariffe incentivanti € / kWh 0.01. Uno schema di principio è rappresentato in Fig. 7 comma 1 del D. Impianto FV Classe 1 Classe 2 Classe 3 Potenza in kW 1 ≤ P ≤ 20 20 < P ≤ 50 50 < P ≤ 1.28 . 1. Si pensi ad esempio ad un sistema fotovoltaico che deve far funzionare una pompa.

40 .

per l’immissione in commercio di questa tipologia di prodotti. . Questa tesi di laurea specialistica è articolata in tre punti fondamentali: ● Analisi del mercato di inverter per applicazioni grid connected da 3kW. ecc. L’inverter è la sezione dell’impianto fotovoltaico che si occupa di convertire la potenza continua fornita dal campo fotovoltaico nella potenza alternata da immettere in rete. ● Normative UE.1 Premessa. ovvero lo stadio inverter. 3) Inverter fotovoltaici senza trasformatore. 2) Inverter fotovoltaici con trasformatore ad alta frequenza. In commercio si trovano inverter fotovoltaici che si possono ricondurre essenzialmente a tre filosofie costruttive: 1) Inverter fotovoltaici con trasformatore a frequenza di linea. 2. = ≈ Fig. ● Analisi delle topologie elettroniche proposte in articoli specialistici.41 Capitolo 2 – Analisi del mercato inverter grid connected 3kW. 2.01 – Blocco Inverter. USA. Dopo una breve introduzione panoramica sui sistemi fotovoltaici effettuata nel Capitolo 1 si analizzerà lo stadio fondamentale di un impianto grid connected.

02 – Schema a blocchi degli inverter PV commerciali: a) con trasformatore LF. c) Senza trasformatore. Fig. b) Con trasformatore HF. b) Schema a blocchi inverter con trasformatore ad alta frequenza. 2.42 Una schematizzazione a blocchi delle tre tipologie può essere la seguente: a) Schema a blocchi inverter con trasformatore a frequenza di linea. c) Schema a blocchi inverter senza trasformatore. .

04 – Esempio di ingresso di un inverter che riceve in ingresso più stringhe ma con un solo MPPT. perciò. . gestiscono il parallelo delle stringhe e non il MPP di ogni singola stringa. IN Sting A MPPT IN String B Fig. sarà necessario. presentando un solo MPPT.03 – Caratteristica di una stringa fotovoltaica. 2. I ISC Im MPP Vm VOC V Fig. 2. Alcuni inverter sono in grado di gestire più stringhe in ingresso. Scopo di tale blocco è quello di inseguire il punto di massima potenza del campo fotovoltaico. decidere in fase progettuale il massimo numero di stringhe collegabili in ingresso e il numero di MPPT interni. L’inverter opera su una struttura multistringa.43 Come si può notare tutte e tre le tipologie presentano in ingresso uno stadio chiamato MPPT (Maximum Power Point Tracking).

IN String B MPPT Al resto del circuito. 2. b) La presenza del trasformatore comporta un abbassamento del rendimento dell’inverter a causa delle inevitabili perdite intrinseche al componente. comune a tutte le tipologie costruttive. Nelle soluzioni con trasformatore a frequenza di linea si hanno i seguenti vantaggi: a) Presenza di un trasformatore di isolamento che garantisce l’isolamento galvanico tra il campo fotovoltaico e la rete elettrica. b) Non viene immessa in linea una componente continua grazie alla presenza del trasformatore a 50 Hz. . con livelli di tensione più bassi e alzare il livello di tale tensione solo all’ultimo stadio. c) Con il rapporto spire del trasformatore N1:N2 si può dimensionare lo stadio di potenza a monte. Fig.44 Altri inverter presenti in commercio associano ad ogni stringa d’ingresso un circuito MPPT in modo da sfruttare al massimo i vantaggi della topologia multistringa e ricavare la massima potenza da ogni singola stringa. IN String A MPPT Al resto del circuito. ogni soluzione circuitale ha i suoi blocchi funzionali e ogni tecnologia ha i suoi pregi e difetti.05 – Esempio di ingresso inverter multistringa con più MPPT. A valle di tale blocco. Per contro: a) Un trasformatore a 50Hz è ingombrante e pesante.

d) Perdite nel trasformatore minori rispetto al caso precedente. Così facendo si ottengono: a) Dimensioni e peso dell’inverter ampiamente ridotti rispetto al caso precedente. imposto dalle normative per la sicurezza dell’utente. una tipologia costruttiva che sta prendendo sempre più piede in questi ultimi anni risulta essere la tipologia senza trasformatore. perciò.45 Per ovviare ai limiti della tipologia a trasformatore di linea si può utilizzare una struttura che fa uso di un trasformatore ad alta frequenza. delle correnti di perdita e di guasto garantendo così un grado di protezione per l’utente paragonabile ai livelli delle topologie con trasformatore. Questa tipologia garantisce sicuramente il massimo rendimento tra tutte le tipologie esistenti in quanto l’assenza del trasformatore evita le perdite dissipative intrinseche del componente stesso. Si definiscono le caratteristiche d’ingresso (lato DC). di sicurezza ecc. sono prodotti in classe II di isolamento e ciò permette di sviluppare un sistema di controllo elettronico che supervisiona lo stato dell’isolamento del sistema.oggi giorno in commercio. fino a qualche anno fa. . Si rende. Per contro: a) E’ necessario controllare la componente continua immessa in rete che deve rispettare i livelli imposti dalle normative vigenti. Per ultimo. b) E’ garantito l’isolamento galvanico tra il generatore fotovoltaico e la linea. Si vedrà nel capitolo dedicato alle Normative che in molti Stati il trasformatore non è più necessario. necessario definire dei parametri con cui descrivere gli inverter fotovoltaici e sui quali si effettueranno delle importanti considerazioni dal mercato. le caratteristiche d’uscita (lato AC) e tutti quei parametri che descrivono le prestazioni di un inverter fotovoltaico in termini di efficienza. Questo è dovuto al fatto che i pannelli fotovoltaici . c) Qualche stadio di potenza opera con livelli di tensione minori. Per contro viene a mancare l’isolamento galvanico.

2 Caratteristiche di un inverter fotovoltaico. ● Pnom_DC = Potenza nominale continua alla quale l’inverter lavora. ● VNOM_DC = Tensione continua nominale alla quale l’inverter normalmente lavora. ● N° di connettori ingresso stringhe: Numero di stringhe che possono essere collegate separatamente all’inverter. consigliata dal costruttore per operare in modo sicuro.1 Parametri d’ingresso (lato DC). ● max PV Power = Massima potenza del campo fotovoltaico da connettere all’inverter. 2.46 2. ● IMAX_DC = Corrente d’ingresso massima. ● VMAX_DC = Massima tensione continua che può avere all’ingresso l’inverter. .2. ● N° di MPPT (Maximum Power Point Tracking) = N° di circuiti MPPT presenti. ● MPP range DC = Range di tensione all’ingresso nel quale l’inverter riesce a ricavare l’MPP dal campo fotovoltaico. ● Inom_DC = Corrente nominale d’ingresso per l’inverter. ● Vmin_for_Pnom= Minima tensione continua d’ingresso affinché l’inverter fornisca in linea la potenza nominale. Superata tale tensione l’unità può danneggiarsi.

Dopo il tempo specificato la temperatura all’interno dell’inverter è salita ad un livello tale che il circuito di controllo limita la potenza fornita per far tornare la temperatura di lavoro entro i limiti stabiliti.3 Parametri di efficienza.2. ● Standby Consumption = Consumo in modalità standby.2. ● IMAX_AC = Corrente d’uscita massima. ● Pnom_AC = Potenza nominale che l’inverter immette in linea in condizioni di pieno carico. ● N° fasi = Identifica la tipologia di applicazione. ● PMAX_AC = Massima potenza che l’inverter può immettere in rete per un periodo di tempo limitato (es. 2.47 2. . ● THD (Total Harmonic Distorsion) = Distorsione armonica totale della corrente di linea. ● Maximum Efficiency = Massima efficienza dell’inverter. ● Inom_AC = Corrente d’uscita nominale. ● Night Consumption = Consumo in modalità notturna. Rappresenta l’entità della deformazione rispetto alla forma d’onda sinusoidale ideale. ● Starts feeding-in at = Minima potenza fornita dal campo fotovoltaico affinché l’inverter sia in grado di immettere potenza in linea. 30 minuti).2 Parametri d’uscita (lato AC).

E’ prescritto per motivi di sicurezza e impedisce l’immissione di energia in una rete esterna se viene a mancare la rete pubblica.3. Tiene conto dell’ efficienza nelle diverse condizioni operative.48 ⋅ η 50% + 0.4 Parametri relativi alla tipologia costruttiva.06 ⋅η10% + 0. Indica che l’inverter ha al suo interno un dispositivo ENS.5 Caratteristiche e funzionalità di sicurezza. ● All pole sensitive RCM = Il dispositivo RCM (Residual Current Monotoring) esegue il controllo delle correnti di guasto nelle apparecchiature senza trasformatore e deve essere sensibile sia alla corrente continua che alternata. 3) Tipologia senza trasformatore (TL). 2) Tipologia con trasformatore ad alta frequenza (HF).13 ⋅ η 20% + 0.2.03 ⋅η 5% + 0.1) dove η X % rappresenta l’efficienza del convertitore rilevata durante il funzionamento alla potenza X% rispetto alla nominale.2. Utile quando si opera su linee problematiche.48 ● European Efficiency = Parametro di efficienza pesata.2. ● ENS (Einrichtung zur Netzurberwachung mit zugeodnetem Schaltogan) = Equivalente tedesco di Grid Guard System.1 ⋅ η 30% + 0. ● Regolarazione dei parametri di disconnessione dalla rete: Questa funzionalità permette di impostare i livelli dei parametri che causano la disconnessione dell’inverter dalla rete.2 ⋅η100% (2. 2. Le tipologie costruttive dell’inverter possono essere classificate come segue: 1) Tipologia con trasformatore a frequenza di linea (LF). . 2. η EU = 0.

49 ● Isolation Monotoring = Funzionalità che supervisiona lo stato dell’isolamento del campo fotovoltaico. SO (Switch Off) = L’inverter reagisce al sovraccarico spegnendosi. CL (Current Limitation) = L’inverter reagisce al sovraccarico limitando la corrente d’uscita. PL (Power Limitation) = L’inverter reagisce al sovraccarico limitando la potenza d’uscita. ● Internal Switch = Dispositivo di disconnessione automatica dal campo fotovoltaico. . PR (Power Reduction) = L’inverter reagisce al sovraccarico riducendo la potenza d’uscita. ● Overload Behavior = Impostazione della modalità di funzionamento. OPC (Operation Point Change) = L’inverter reagisce al sovraccarico cambiando il suo punto di lavoro. Per gli inverter privi del dispositivo in oggetto l’eventuale disconnessione dal campo fotovoltaico deve essere effettuata manualmente.

Anni di garanzia e possibilità di estensione. .7 Ambiente.6 Caratteristiche Meccaniche. 2. ● Ventilazione = Tipo di ventilazione interna. 2.2.2. ● Classe di sicurezza = Indica la classe di sicurezza dell’inverter secondo la normativa EN 60529.8 Garanzia.2.50 2. ● Temperatura ambiente = Range della temperatura ambiente ammesso per il funzionamento. ● Umidità ambiente = Umidità ambiente alla quale l’inverter può operare. ● TMAX_AT_Pnom = Massima temperatura ammessa per il funzionamento alla potenza nominale.

51

2.3 Prodotti commerciali nel range 2kW - 4kW.
Per una azienda che vuole introdurre un nuovo prodotto risulta fondamentale una ricerca di mercato atta ad identificare le tipologie dei prodotti presenti e la loro segmentazione avvalendosi di strumenti idonei quali riviste specializzate, siti internet dei produttori, fiere espositive ecc. L’analisi di seguito riportata è stata eseguita facendo fede alle indicazioni della rivista PHOTON INTERNATIONAL - THE PHOTOVOLTAIC MAGAZINE Aprile 2006, che è di riferimento per il settore. Lo scopo dell’analisi effettuata è quello di identificare le caratteristiche tipiche degli inverter fotovoltaici nel range di potenza nominale 2kW-4kW. Riportiamo qui di seguito in tabella 2.01 una serie di potenziali concorrenti.

marca

Anno

MODELLO

Pnom_DC max PV Power VNOM_DC MPP Range VMAX_DC [kW] [kW] [V] [V] [V]

Vmin_for_Pnom

Inom_DC [A]

IMAX_DC [A]

1 AIXCON 2 AIXCON 3 ALPHA 4 ASP 5 ASP 6 ATERSA 7 BEACON 8 BEACON 9 CONERGY 10 CONERGY 11 CONNECTE ENERGY 12 DELTA ENERGY 13 DELTA ENERGY 14 DELTA ENERGY 15 DIEHL 16 EAI 17 EXENDIS 18 EXENDIS 19 FRONIUS 20 FRONIUS 21 FRONIUS 22 FRONIUS 23 FRONIUS 24 FRONIUS 25 FRONIUS 26 G&H 27 G&H 28 INGETEAM 29 INGETEAM 30 INGETEAM 31 INGETEAM

2002 2003 1996 1996 2005 2006 2006 2004 2006 2005 2003 2005 2006 2006 2005 2003 2005 2004 2004 2001 2004 2003 2003 2004 2001 2005 2001 2004 2005 2005

PS2500 PT300 SOLARIS 3500 TCG2500/6 TCG4000/6 CICLO-3000 M4PLUS M4 WR3300 IPG 4000 CE400 GRIDFIT2200 PVI2500 SI3300 PLATINUM 3100S SI3-05-G GRIDFIT2200 GRIDFIT2500 IG2000 IG2500LV IG30 IG3000 IG40 INDOOR IG40 OUTDOOR IG 4000 SB2500 SB3000 SUN 2.5 SUN 2.5TL SUN 3.3TL SUN 3.3

2,5 2,5 3,8 2,5 4 2,75 4,6 4,6 2,69 4 3,3 2,45 2,75 3,63 2,7 4,2 2,44 2,75 2,13 2,53 2,69 2,88 3,76 3,76 4,26 2,5 2,89 3 3 4 4

2,9 2,9 3 4,5 3 5,4 5,4 3,6 5 4 3,1 5 2,64 3,3 2,5 3 3,6 3,3 5,5 5,5 5,4 3,1 3,8 4 4 5 5

96 96 48 48 280 62 270 270 270 400 270 270 280 280 280 280 280 280 280 340 340 340 340

125-500 125-500 96-200 82-120 82-120 250-550 50-100 50-101 150-400 220-750 55-77 125-350 125-351 125-400 300-750 600-750 125-350 125-350 150-400 150-400 150-400 150-400 150-401 150-402 150-403 125-390 200-390 125-450 125-450 125-451 125-452

500 500 145 145 550 110 110 500 800 100 400 400 470 750 750 400 400 500 500 500 500 500 500 500 450 450 450 450 450 450

250 57 57 150 220 62 180 180 180 320 600 180 150 150 150 150 150 150 150 150 150 200 195 195 195 195

12 12 26 41 12 68 68 9,6 16,2 53 9,1 10,2 14,5 7,8 6 9 10,2 7,6 9,05 9,6 10,3 13,44 13,44 15,21 16 16 16 16 22 22

12 12 42 30 46 12 100 100 19 16,2 62 12,5 14 24 9 7,5 12 18 14,2 16,85 19,2 10,3 29,39 29,39 28,37 16 16 16 16 22 22

N° DC connectors N° MPPT Pnom_AC PMAX_AC [kW] [kW]

Inom_AC [A]

IMAX_AC [A]

50Hz

60Hz

max η %

ηEU %

Design Garanzia Anni

3 1 1 1 3 3 3 5 2 1 1 3 1 2 4 4 4 4 5 4 5 5 3 1 1 3 3 3 3

1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

2,3 2,4 3,5 2,3 3,5 2,75 4 4 2,5 3,4 3 2,2 2,5 3,3 2,5 4 2,2 2,5 2 2,35 2,5 2,7 3,5 3,5 4 2,27 2,7 2,5 2,5 3,3 3,3

2,5 2,5 2,3 3,5 2,75 7,5 7,5 2,65 3,8 3 2,7 4,2 2,2 2,5 2 2,35 2,65 2,7 4,1 4,1 4 2,5 3 2,5 2,7 3,8 3,8

9,6 10 14,6 10 15 10,9 34 34 10,9 14,8 12,5 9,6 12 14,5 10,8 5,7 9 10,9 8,35 10,34 10,87 11,25 15,22 15,22 16,7 9,9 11,7 10,8 10,8 14,3 14,3

10,5 11 10 15 10,9 65 65 11,52 16,5 13 11,2 14 17 11,7 6 10 12,8 8,35 11,3 11,52 11,25 17,83 17,83 16,7 10,9 13 13 13 17 17

SI SI NO SI SI SI NO NO SI NO SI SI SI SI SI NO NO SI NO SI SI NO SI SI SI SI SI SI

NO NO SI NO NO NO SI SI NO SI NO NO NO NO SI SI SI SI SI SI SI SI NO NO NO NO NO NO

95 95 92 94 94 96,27 93,5 92,9 94,3 96,7 94 93,5 94,2 96 95,3 94 94 94 95,2 94,4 94,3 95,2 94,3 94,3 95,2 93 94,1 94,66 96,5 96,5 94,66

93,5 94,2 90,8 91,5 92 95,5 92 91,4 92,7 96 91,5 92,8 93 94,4 92 92 92 93,4 92,9 92,7 98,8 93,5 93,5 94,4 91 93,2 93,49 95,5 95,5 93,49

LF TL LF LF TL LF LF HF TL HF LF TL HF HF HF HF HF HF HF HF HF LF LF LF TL TL LF

2 OPT 5 2 OPT 5 5 2 2 2 OPT 3-5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 OPT 20 2 5 5 7 7 5 OPT 20 7 5 OPT 20 5 OPT 20 7 6 OPT 10 6 3 3 3 3

32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67

KACO KACO KACO KYOCERA MAGNETEK MAGNETEK MAGNETEK MAGNETEK MASTERVOLT MITSUBISHI MOTECH OELMAEIR OMRON PAIRAN PAIRAN PAIRAN PHOENIXTEC PHOENIXTEC PHOENIXTEC PHOENIXTEC PHOTOWATT PV POWERED SANYO SHARP SHARP SHARP SHARP SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SMA SMA SMA SMA

2004 2500XI 2005 3501XI 2004 3500 XI 2004 KC 3.6i 2006 PVI 2000 OUTD 2004 PVI 3000 I OUTD US 2004 PVI-3600-OUTD 2004 PVI-3600 2004 QS3200 2006 PV-PN04F PVMate4000 2006 PAC 1-3 2001 KR40F 2003 PESOS PVI 2300T 2004 PESOS PVI 2300 2004 PESOS PVI 3500 2005 SUNVILLE2000 2005 SUNVILLE2800 2006 SUNVILLE400A 2005 SUNVILLE4000 2005 PWI-5-40 2004 PVP2800-240 2001 SSI-TL40A2 2004 JHS402 2004 JHS403 2004 JHS404 2003 JHS3500 U 2004 2000 SLAVE 2004 2000 MASTER 2003 2300 MASTER 2003 2300 SLAVE 2004 3000 IP 65 2001 SUNNY BOY SWR 2500U 2001 SUNNY BOY 2500U 1999 SUNNY BOY 2500 2002 SUNNY BOY 2800i

2,7 3,5 3,6 3,9 2,2 3,6 4 4 2,75 3,46 4,17 3,5 4,25 2,2 2,2 3,3 2,2 2,947 4,21 4,4 3,3 3 3 3 3,5 2,15 2,15 2,45 2,45 3,2 2,38 2,38 2,48 2,8

3,2 4 4,2 4,5 3,6 3,46 4,58 4 4,3 2,5 2,6 3,8 2,4 4,8 4 3,7 3,9 3,9 3,9 4,5 2,6 2,6 3 3 3,6 2,8 2,8 3 3,4

475 262 475 360 360 360 360 250 420 400 240 350 300 350 360 360 360 360 250 200 200 200 240 300 300 300 300

350-600 125-400 350-600 100-350 90-580 90-580 90-580 90-581 75-260 115-380 330-550 350-600 100-370 125-400 125-400 125-400 150-450 150-450 150-450 150-450 200-500 200-390 90-370 80-320 80-320 80-320 110-350 200-630 200-630 200-630 200-630 200-630 233-600 233-601 224-600 224-600

800 500 800 450 600 600 600 600 325 380 650 750 370 500 350 500 450 500 500 450 600 450 370 350 350 350 380 675 675 675 675 675 600 600 600 600

350 125 350 150 170 180 180 140 165 330 380 215 215 220 250 245 245 245 245 245 233 233 224 224

5,7 13,7 7,6 10 12 12 12 20 13,8 10 8,8 17,7 7,3 7,3 10 5,8 11,7 11,6 15 15 15 15 7,9 7,9 8,3 9,3

8,6 30,5 11,5 16 12 20 20 20 20 21 15 12 24,5 10 10 15 10 13 20 20 14 15 16 24 32 22,5 10 10 10 10 16 12 12 12 13,5

5 17.2 93 TL 6 OPT 10 HF 6 OPT 10 TL 6 OPT 10 HF 5 TL 5 5 TL 5 OPT 10 TL 5 HF 5 TL TL 3 TL 5 TL 1 OPT 2 LF TL TL TL 2 OPT 5/10 TL 5 TL 5 TL 2 OPT 5/10 HF 5 OPT 10 10 TL HF HF HF HF TL 5 TL 5 TL 5 TL 5 TL 5 LF 5 OPT 10 LF 5 OPT 10 LF 5 OPT 10 LF 5 OPT 10 .4 15.8 3.39 13 20 8.45 3.2 94.5 2.4 12 12 12.71 93.2 96 94 96 96 96 95.5 2.2 9.3 2 3 2 1 2 2 2 2 1 2 3 1 2 2 2 1 1 3 2 2 2 3 4 3 1 1 1 1 2 3 3 3 3 1 1 1 2 1 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1 2 2 3 4 3 1 1 1 1 2 1 1 1 2.2 15.4 15.7 10 10 13.75 3.3 4 3 4 2 2 3 2 2.4 95 95 95 94.5 93.3 3 2.1 94.6 9.5 14 20 15 15 15 15 9.2 13 20 15 15 15 15 8.6 2 3 3.5 95.6 94.8 17.5 2.7 13 8.5 15 13 7.2 97 94.3 2.7 13 16 16 12 16.6 13 16 16 13 16.3 2 3 3.5 8.8 4 3 3 3 3.3 4 2.7 94.5 95.2 93.5 2.2 3 4.6 3.4 93 93 93 94 93.9 10.5 2.1 94.6 3.05 4 3 3 3 3.13 15 20 10 10 15 10.4 4.5 2.9 94.1 95 95.2 93.3 2.7 8.6 3.7 16.2 9.8 96.9 14.5 19.6 3.1 9.7 8.6 11.6 11.6 2.6 2.4 3.5 2 2 2.3 2.3 2.3 22.2 2.5 91 91 91 92 94 94 94 95 94.8 11.85 3.6 3.5 94.6 3.4 3.5 14 SI SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI NO SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI NO NO SI SI NO NO NO NO SI SI SI SI SI SI SI NO SI NO NO NO SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI SI NO NO NO NO NO SI SI SI SI 95.2 2.3 94.7 95.21 93.4 17.5 94 93.2 2.3 2.6 94 >94 >94.3 4.3 95.3 3.8 4 4 3.5 97 95.8 93.6 2.5 3.2 2.5 15.6 10.3 12.4 20.4 96 >96 >96 96 94.1 94 94.3 3.3 14.

7 2.6 16.93 3.2 2.1 11 10 22 10 10 30 11.7 2.4 10 10 9.9 2.2 4.3 2.2 2.69 3.5 19 16.3 4.9 11.7 2.5 3.2 2.2 3.04 4.1 5.2 3.85 4.7 4.3 4.5 3.9 5.3 3.4 2.04 4.2 3.5 5 2.8 3.1 2.2 .6 3.04 4.6 4 350 520 200 200 200 520 180 180 345 345 210 210 280 - 268-600 125-750 200-500 200-500 195-500 125-750 120-200 120-200 120-200 100-350 100-350 200-500 200-500 100-350 100-350 200-500 200-500 100-350 200-500 200-500 100-350 100-350 200-500 125-350 125-350 330-750 330-750 90-560 400-800 90-560 80-400 80-401 125-400 125-400 150-400 220-750 600 750 500 500 500 750 250 250 250 450 450 600 600 450 450 600 600 450 600 600 450 450 600 400 400 850 850 600 900 600 450 450 500 800 500 800 268 391 200 200 195 190 190 190 345 345 240 400 180 210 210 150 220 8.9 3.55 3.3 4.2 12 8 20 20 20 22 14 28 22 22 14 14 22 22 14 14 33 15 15 7.9 3.7 2.5 26 14 14 20 20 21 14 14 7.1 2.13 4.1 4 4 2.6 3.04 4.7 3.6 5.7 3 4.7 2.3 4.68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 SMA SMA SMA SMA SMA SMA SOLAR KONZEPT SOLAR KONZEPT SOLAR KONZEPT SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLARWORLD SOLARWORLD SOLARWORLD SOLARWORLD SOLARWORLD SOLECTRIA SOLECTRIA SLOTRONIC SLOTRONIC SPUTNIK SPUTNIK SPUTNIK STECA STECA SUNSET SUNSET SUNTECHNICS SUNTECHNICS 2001 SUNNY BOY 3000 2005 SUNNY BOY 3000TL 2005 SUNNY BOY 3800 2005 SUNNY BOY 3300 2005 SUNNY BOY 4200TL HC 2006 SUNNY BOY 5000TL HC SKN 1030 SKN 1040 2002 SKN 1050 M 2005 PS3000-MV 2005 PS3000i-MV 2005 PS3000-HV 2005 PS3000i-HV 2005 PS4000-MV 2005 PS4000i-MV 2005 PS4000-HV 2005 PS4000i-HV 2005 PS5000-MV SPI 3000 HV OUTDOOR SPI 3000 HV INDOOR SPI 3000 MV INDOOR SPI 3000 MV OUTDOOR SPI 4500 HV OUTDOOR 2004 PV2500-208 2004 PV2500-240 SOLPLUS 25 2005 SOLPLUS 35 2005 SOLARMAX 3000C 2005 SOLARMAX 4000C 2005 SOLARMAX 4200C 2005 STECAGRID 2000SLAVE 2005 STECAGRID 2000MASTER 2005 SUNSTRING 4000 2005 SUN3GRID 4000 2003 STW 2600 2003 STW 3400 CV 2.4 6 20 20 20 8 13 15.2 3.2 3.2 3.5 2.7 2.6 3.6 3.5 10.2 3.6 3.6 3 4 4.5 4.

75 3.5 3.6 95.4 94.6 3.6 92.4 94.6 93.4 94.4 94.75 2.6 95.5 94.2 96.2 2.5 93.65 3.5 94.5 12 10 10.3 4 2.5 95.5 2.3 3.2 97.6 93.6 94.6 95.2 94.8 15 16 18 18 16 19 12 24 13 13 13 13 15.85 4 2.8 2.3 11.6 93.5 19.5 2.5 11.45 3.5 2.8 3.8 4.6 93.5 4 2.8 11.5 11 12 22 11.8 4.9 15.7 96.3 13 13 13 13 17.6 93.75 3 3.3 11.4 94.7 10.6 5 2.4 3.9 97.9 93.5 14.3 96.4 4.7 94.6 3.9 14.8 4.3 94.5 8 8 12 10.8 3.6 93.2 8 15.3 3.7 93.4 12 18 19 20 20 16.6 92.1 92.3 3.9 93.5 2.9 93.8 3.4 92.5 93.45 2.5 15.18 2 2 3.6 92.2 94.7 95 95.5 15.3 11.5 3.7 96 LF TL LF LF LF TL TL TL HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF TL TL TL TL TL HF HF HF TL HF TL 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 5 5 OPT 10 5 OPT 10 5 5 5 5 5 6 5 5 OPT 10 5 OPT 10 .6 92.75 2.3 3.4 3 3.6 3.2 96.4 12.3 3.5 2.8 92.6 95.6 96.3 3.6 3.4 93.4 93.2 96.8 4 2.2 96.6 93.5 3 3 3 3 3.6 4.18 2 2 3.2 2.5 SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI NO NO SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI NO SI SI SI NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO SI SI NO NO NO NO NO NO NO SI SI SI NO 95 95.9 94.5 15.3 3.3 11 16 16 8.75 2.6 96.3 3.5 16.3 13 16.3 1 3 3 2 2 2 4 2 2 2 2 2 2 2 2 3 1 1 3 3 3 3 3 2 2 2 2 5 2 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 2 2 2 2 3 1 1 1 1 1 1 2 2 1 1 1 1 2.5 15.5 94.6 3.6 3.4 96.6 3.4 94.5 16 17.4 93.4 17.3 97 95 97 95 95 94.5 3.3 4 3.75 3.8 92.7 8.6 92.52 16.8 95.7 94.

125 4.8 9.104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 Legenda: .65 3 4 4 280 400 400 400 270 270 - 220-750 150-400 350-750 350-751 350-752 125-350 125-351 195-550 195-551 195-552 195-553 195-554 800 500 850 850 850 400 400 600 600 600 600 600 220 150 350 350 350 200 150 195 195 195 195 195 16.5 10.2 - 16.1 15.5 18 14.2 29.43 2.44 5.06 3.4 4.0-240 GT 3.3 21.8SP GT 3.7 16.43 2.47 3.2 13.3 3.75 2.39 7 10 13 12.8SP GT 3.55 3.6 21.75 8.45 2.76 2.7 4 5 2.5DE GT 2.63 3.8DE 3.3 .8 3.3 3. HF = Tecnologia con trasformatore ad alta frequenza.= Non dichiarato LF = Tecnologia con trasformatore a frequenza di linea. SUNTECHNICS SUNTECHNICS SUNWAYS SUNWAYS SUNWAYS TOTAL ENERGIE TOTAL ENERGIE XANTREX XANTREX XANTREX XANTREX XANTREX 2006 2006 2003 2003 2005 2003 2005 2005 2006 2003 2005 2005 STW 3400 C STW 3600 SUNWAYS NT 2006 SUNWAYS NT 4000 SUNWAYS 5000 GRIDFIT 2200 GRIDFIT 2500 GT 2. TL = Tecnologia senza trasformatore.75 4.3 2.1 10.

9 22.5 3.5 3 3.2 3.4 3.5 94.6 14.5 14.3 17.5 93.8 3 3.2 2.3 4 2.8 3.3 2.83 12.2 2.3 3.5 TL HF TL TL TL HF HF HF HF HF HF HF 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 5 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 .2 19 19 SI SI SI SI SI SI SI SI SI NO SI SI NO SI NO NO NO NO NO NO NO SI NO NO 96.5 95 95 94.9 10 10.5 2.2 12.5 14.1 2.5 2.2 2.22 16.4 96.6 95.8 4.5 2.8 12.8 14.3 95.2 5 2 2 2 4 4 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 3.7 94.35 15.6 10.5 90 91 94 94 94.3 4.3 96 93.5 2.5 17.6 96.8 11.3 14.2 96.08 17.22 9.89 12.8 15.2 3.3 97 97 97 93.4 9.

1 Tecnologie a confronto.60 I dati rilevati sono di seguito visualizzati in forma grafica per meglio evidenziare i confronti tra i prodotti presi in esame. 2. La prima informazione estrapolata riguarda il tipo di inverter immessi nel mercato nei vari anni e ancora in produzione. 2. . N° Modelli im essi sul m m ercato nei vari anni di tipo LF 6 5 4 N° Modelli 3 2 1 0 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 Anno immissione Fig.06 – Modelli LF immessi nel mercato nei vari anni e ancora in commercio.3.

61 N° di Modelli im essi sul m m ercato nei vari anni di tipo HF 20 18 16 14 N° Modelli 12 10 8 6 4 2 0 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 Anno immissione Fig.08 – Modelli TL immessi nel mercato nei vari anni e ancora in commercio.07 – Modelli HF immessi nel mercato nei vari anni e ancora in commercio. 2. . N° Modelli im essi sul m m ercato nei vari anni di tipo TL 14 12 10 N° Modelli 8 6 4 2 0 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 Anno di immissione Fig. 2.

La titubanza del mercato nei confronti delle tecniche costruttive senza trasformatore può essere dettata da falsi pregiudizi sul livello di sicurezza di queste soluzioni e dal fatto che in alcuni paesi sono ancora in vigore norme che stabiliscono la necessità dell’isolamento galvanico per tali apparecchiature chiudendo così il proprio mercato a tali inverter. la tipologia costruttiva senza trasformatore presenta anch’essa un trend crescente. Negli anni ha avuto un trend pressoché decrescente con punte negli anni 2001 e 2005 nettamente inferiori rispetto alle punte delle altre due tecnologie. per un’azienda che punta ad entrare nel settore fotovoltaico.62 Da questi grafici si può dedurre che: la tecnologia con trasformatore a bassa frequenza è la più vecchia che si trova in commercio. Infine. è consigliato proporsi con un inverter con trasformatore ad alta frequenza. ma il mercato sembra essere ancora un po’ titubante nei confronti di tale tecnologia anche se alcuni costruttori la ritengono vincente per il futuro. si aprirà maggiormente il mercato per tali prodotti che risultano essere meno ingombranti e più efficienti. Sembra quindi essere un prodotto dedicato a particolari applicazioni ad esempio per linee critiche dove la corrente continua immessa in linea deve essere nulla. Pertanto. l’eliminazione del trasformatore per la sicurezza elettrica. con un trend crescente in maniera esponenziale. sia nei mercati in cui il trasformatore non è necessario. sia quelli dove l’isolamento galvanico per mezzo del trasformatore è imposto dalla legge. Non appena le normative permetteranno. anche in questi Stati. . Diversamente avviene per le altre filosofie costruttive. Questo permette di approcciare tutti i mercati. La soluzione con inverter ad alta frequenza sembra essere quella trainante nel settore. mantenendo un elevato grado di efficienza.

00% 0.3.00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% R endimento Fig.00% 40.00% 20. 2.00% 50. che seguono: Rendim ento inverter con trasform atore a frequenza di linea Percentuale di inverter con un dato rend 60.00% _ 30. I dati raccolti sono visualizzati negli istogrammi comparativi.00% 10. .2 Massima efficienza ed efficienza europea delle varie tipologie.09 – Percentuale di inverter LF che hanno un rendimento compreso tra X% e X+1%. L’analisi prosegue mettendo in evidenza i rendimenti medi per tipo di applicazione.63 2.

00% 0.00% 35.00% 10. 2.00% 40.00% 15.00% 20.00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% Rendimento Fig.00% 5.00% 20. .64 Rendim ento inverter con trasform atore HF Percentuale inverter con un dato rend 60. 2.00% 50.00% _ 30.00% 40. Rendim ento inverter senza trasform atore Percentuale inverter con un dato rend 45.00% 30.00% 25.00% 0.00% 10.00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% Rendimento Fig.10 – Percentuale di inverter HF che hanno un rendimento compreso tra X% e X+1%.11 – Percentuale di inverter LF che hanno un rendimento compreso tra X% e X+1%.

. aspettative di rendimento dichiarati del 98%. Quindi la sostituzione di una applicazione con un dispositivo dotato di trasformatore ad alta frequenza porta ad un miglioramento di un 1% circa nell’efficienza globale. infatti. Per gli inverter si definisce anche un altro rendimento: il rendimento europeo. Vi sono.65 I dati evidenziano che i rendimenti tipici per soluzione con trasformatore a frequenza di linea si attestano a valori dal 94% al 95%. Come previsto la tecnologia senza trasformatore risulta essere la più efficiente con rendimenti tipici del 95%-96% con punte del 97%. Tale parametro tiene conto che l’inverter non opera sempre alla massima potenza durante l’anno a causa delle varie intensità di radiazione che si hanno con le diverse stagioni. Per quanto riguarda gli inverter con trasformatore ad alta frequenza si hanno rendimenti medi sempre attorno al 94% con punte del 96%. E’ evidente che tale scelta tecnologica risulta sicuramente promettente.

00% 90% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% Rendimento Percentuale Fig. .00% 20.00% 30.00% 10.13– Percentuale di inverter HF che hanno un rendimento EU compreso tra X% e X+1%. 2.00% 0. 2.00% 40.12– Percentuale di inverter LF che hanno un rendimento EU compreso tra X% e X+1%.00% 15.00% 20.00% 10.00% 5.00% 50.66 Rendim ento EU per inverter con trasform atore LF Percentuale di inverter con un dato rendim 60.00% 30. Rendimenti EU per inverter con tras formatore HF Percentuale di inverter con un dato rend 45.00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% Rendimento Percentuale Fig.00% 40.00% 0.00% 25.00% 35.

ηEU.15 l’efficienza di un inverter che riceve in ingresso una stringa il cui punto di massima potenza si trova per una tensione di 420V risulta più efficiente dell’1%-2% rispetto al caso in cui tale punto si trovi ad una tensione di 250V.00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98% Rendimento percentuali Fig. Si evidenzia che il rendimento percentuale europeo è inferiore rispetto al rendimento percentuale massimo.00% 0. Come si può notare dalla figura 2.00% 10.00% 25.00% 15. .00% 20. 2. comunque. Quindi il rendimento EU.14– Percentuale di inverter TL che hanno un rendimento EU compreso tra X% e X+1%. E’. Per gli inverter senza trasformatore è del 95% contro il 96% di rendimento massimo. è mediamente di un punto percentuale inferiore rispetto al rendimento massimo dichiarato.00% 30.00% 5. da tenere in considerazione che per molti inverter commerciali l’efficienza dipende dalla tensione d’ingresso. Per gli inverter con trasformatore a frequenza di linea e quelli con trasformatore in alta frequenza è mediamente del 93% contro il 94% di rendimento massimo.67 Rendimento EU per inverter s enza tras formatore TL Percentualedi inverter con un dato rend 35.

2.00% 5.5 3.3 Distribuzione delle varie tipologie. 2.5-3 3-3.00% 15.5 2.00% 20. .15 – Andamento dell’efficienza in funzione della tensione di MPP.3.68 Fig. Percentuale di inverter nel m ercato distribuiti sul range 2kW 4kW 35.00% 10.00% 2-2.16 – Distribuzione degli inverter in funzione della potenza nominale AC immessa in linea.00% 0.5-4 Range di potenza [kW] Fig.00% Percentuale prodo 25. 2.00% 30.

Diffusa invece è la. mediamente si ha la possibilità di collegare 3 4 stringhe che vengono solitamente gestite da un solo inseguitore del punto di massima potenza. 2. La tensione massima continua collegabile in ingresso si aggira tra i 500 e i 700V. 2. . che i livelli di potenza nominale sono uniformemente distribuiti nel range 2kW-4kW e non risulta possibile identificare una taglia di potenza predominante per il tipo di applicazione in esame. 2. Un valore medio di range MPPT degli inverter in commercio è 125V – 500V. ma è una soluzione ancor poco diffusa.6 Frequenza di funzionamento 50Hz e 60Hz. Generalmente non si superano i 600V in quanto 600V massimo 800V sono la massima tensione d’isolamento dei moduli fotovoltaico.69 Dall’analisi eseguita si nota. Il range di tensione accettato in ingresso dal circuito inseguitore del punto di massima potenza varia da costruttore a costruttore e generalmente è lo stesso per tutta la gamma di prodotti del costruttore.3.3. distinzione tra prodotti destinati al mercato UE e prodotti destinati al mercato USA sia per diversa tensione vAC in uscita. La tensione nominale DC d’ingresso si aggira sui 300V e la corrente nominale DC d’ingresso vale mediamente 10A. Per quanto riguarda lo stadio d’ingresso. Il range di tensione all’ingresso del MPPT per il quale l’inverter riesce ad estrarre la massima potenza è tipicamente 150V-400V. 200V-600V a seconda dei costruttori con punte che si spingono fino a 750V.60Hz (tipico USA) programmabili a seconda delle rete. Negli ultimi anni risultano essere immessi in commercio inverter che lavorano sia a 230Vrms .50 Hz (tipico UE) che a 120Vrms .4 Stadio d’ingresso e MPPT. infine. sia per le diverse normative da rispettare.3.5 Tensione d’ingresso al MPPT e tensione massima.

2. In particolare. ma è allineato al tempo medio di vita dell’installazione. con irraggiamento debole e/o parziale.3. che si aggira intorno ai 20-30 anni. come per esempio all’alba o al tramonto. Per gli inverter fotovoltaici immessi in commercio è mediamente del 3% e per normativa non può superare il 5%. All’aumentare della potenza in ingresso. alcuni inverter commerciali.7. lo stadio slave viene immediatamente portato . 2. Tale periodo di tempo non deve sembrare troppo elevato.9 Struttura Master – Salve.3. Gli inverter presenti in commercio presentano un’efficienza che varia in funzione delle condizioni d’irraggiamento. In caso di basso irraggiamento. la conversione della potenza è demandata al solo stadio master. Per far fronte a tale problema. l’efficienza dell’inverter è minore rispetto alle ore del giorno in cui la potenza disponibile è più elevata. Entrambe con la possibilità di estensione della garanzia a 10 anni o 20 anni. Risulta diffuso tra i costruttori garantire per 5 anni il prodotto sul mercato europeo e per 7 anni sul mercato americano. La distorsione armonica totale è definita come: THD = I rms − I 21 _ rms I 21 _ rms 2 (2.3.70 2. Un inverter deve ovviamente essere garantito per un periodo di tempo minimo imposto dalla legge e per un tempo che comunque può essere superiore.7 THD (Total Harmonic Distorsion).3. realizzano una struttura denominata Master – Slave la quale prevede l’utilizzo combinato di due stadi DC/AC di potenza inferiore rispetto alla potenza massima gestita. e al seguente ammortamento del costo di impianto.8 Garanzia.1) dove Irms è la corrente di linea e I1rms è la componente alla frequenza fondamentale.

costituito da sensori di temperatura ambiente.3.10 Sistemi di comunicazione. Sistemi di monitoraggio delle condizioni meteo. Un apposito software progettato. La struttura realizza. A queste interfacce possono essere collegati diversi sistemi.71 in funzionamento. provvederà poi alla visualizzazione dei dati anche su internet tramite una applet Java. RS485. . e sistemi di comunicazione via radio o via powerline e sfruttano la tecnologia Plug&Play per il riconoscimento automatico dei vari dispositivi collegati. - Dispositivi di visualizzazione e memorizzazione dei dati che possono essere collegati via ethernet o USB ad un PC. Quasi tutti i produttori offrono. Molti inverter sono equipaggiati con interfacce RS232. a corredo dell’’inverter. tra gli stadi master e slave. Sistemi di visualizzazione e data logging per visualizzare e registrare tutti i dati dell’inverter anche per lunghi periodi di tempo. Il software normalmente è fornito gratuitamente e scaricabile dal sito internet del produttore dove si possono trovare sempre versioni più aggiornate. gli stress elettrici e termici dei vari componenti. altresì. una serie di sistemi di monitoraggio e comunicazione per rendere visibile tutte le informazioni sullo stato di funzionamento dell’impianto fotovoltaico. irradiazione e sensori eolici. distribuendo alternativamente. 2. porta a massimizzare anche il ciclo di vita dell’apparecchiatura. un sistema di tipo ridondate (guasti al master vengono sopperiti temporaneamente dallo slave) che oltre ad aumentare l’affidabilità complessiva del sistema. tra cui: Sistemi d’allarme sonoro e visivo che avverte di un eventuale guasto verificatosi.

Sistema di comunicazione Inverter . sistemi di visualizzazione con display grafici. colori e accessori sono da considerarsi come elementi di valore aggiunto utili ad aumentare l’appeal di un prodotto così tecnologico. . Si tenga presente che in molti casi l’inverter viene installato internamente in casa in un ambiente visibile. Campo fotovoltaico Sensori Internet Inverter Sistema Visualizzazione PC SMS/FAX EMAIL Sistema Segnalazioni allarme Sistema trasmissione dati 2. monitoraggio.72 - Schede di comunicazione di tipo Plug&Play che si occupano delle comunicazioni di guasto e di sistema tramite email.Utente.11 Design. generalmente.17 .3. realizzati connettendo più stadi inverter in parallelo. Di conseguenza. L’invio di una email può essere effettuato in due modi: tramite il server SMTP o ASMTP del provider del cliente o attraverso un opportuno dispositivo elettronico opportunamente progettato che collega l’inverter alla propria linea telefonica. forme. Ovviamente tutti i sistemi di visualizzazione. allarme. possono ricevere informazioni da più inverter. ecc. 2. SMS o fax. Questo perché gli impianti di grosse dimensioni vengono.

3. ma ogni Paese ha la propria legislazione. Non esiste una normativa internazionale di prodotto. Questo standard risulta l’aggiornamento della pubblicazione:” IEEE Standard 929-1988” e in linea con lo standard americano UL1741: “Standard for Static Inverters and Charge Controllers for Use in Photovoltaic Power Systems”.73 Capitolo 3 – Normative. Le linee guida in fase di elaborazione sono: a) IEC 61727: Characteristics of Utility Interface for Photovoltaic (PV) Systems. Alcuni organismi internazionali. c) IEC 60364-7-712 Electrical Installations of Buildings – Part 7 . la commissione IEC (International Electrotechnical Commission) ha formato un gruppo di sviluppo per le normative sui sistemi di energia rinnovabile. Aggiornamento della IEC 61727 (1995-06) Characteristic of Utility Interface . Nel 2004 è stato pubblicato lo standard di interconnessione IEEE 1547 – IEEE Standard for Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems. Il quadro normativo vigente nel settore fotovoltaico risulta complesso. b) IEC 62109: Safety of Power Converters for Use in Photovoltaic Power Systems – Part 1 – General Requirements. Hanno inoltre istituito apposite commissioni per la stesura di nuove normative di prodotto. hanno pubblicato negli ultimi anni diversi articoli e proposto standard al riguardo. quali IEEE ed IEC.1 Premessa. la IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) ha pubblicato:” Standard 929 IEEE – Reccomended Practice for Utility Interface of Photovoltaic (PV) System up to 10kW”. Nel 2000. ● IEC. ● IEEE. . Nel 2000.712 : Requirements for Special Installations or Locations – Solar Photovoltaic (PV) Power Supply Systems.

COLLEGAMENTO A TERRA. . .LIMITI CORRENTE CONTINUA INIETTABILE IN RETE. .DISCONNESSIONE A SEGUITO DI ERRORE.FATTORE DI POTENZA.RICONNESSIONE.REGOLAZIONE DI TENSIONE.ISOLAMENTO.74 Le normative hanno una formulazione molto simile. ed emanano delle direttive e normative al riguardo. .DISPOSITIVI ANTI-ISLAND. .SBILANCIAMENTO DI TENSIONE.REGOLAZIONE DI FREQUENZA. . .FLICKER. .SINCRONIZZAZIONE.IMMUNITA’. . . .PROTEZIONE CONTRO SURGE. .LIMITI AI DISTRURBI DI TENSIONE.CONTENUTO ARMONICO. . . . valide per la propria rete di distribuzione.MONITORAGGIO. I gestori delle reti elettriche nazionali prendono in considerazione i vari standard. . . Generalmente descrivono: 1) Requisiti Generali. .LIMITI AI DISTURBI DI FREQUENZA. . 2) Requisiti di Sicurezza e Protezione. 3) Qualità della Potenza.

75 3. mentre gli impianti con potenza superiore a 75kW vengono connessi alla linea a media tensione.2 Impianti fotovoltaici in Italia. non superi i 6kW. fra la potenza installata sulla fase con più generazione e quella con meno generazione. I gruppi di generazione possono essere monofasi o trifasi.2. Pertanto.01 è riportato lo schema di collegamento di un impianto fotovoltaico alla rete pubblica italiana. In figura 3. fra una fase e il neutro. 3. 3.1 Schema di collegamento di un impianto di produzione alla rete pubblica dell’ENEL. La normativa di riferimento è la norma CEI 11-20 alla quale si riferisce la direttiva ENEL DK 5940 entrata in vigore nel giugno 2006 e che sostituisce la direttiva ENEL DK 5950 del marzo 2002.2. generatori monofase purché lo squilibrio. 2) Dispositivo di Interfaccia. Per il collegamento di generatori trifase è ammesso collegare.1.1 Direttiva ENEL DK 5940. Generalmente. 3) Dispositivo di Generatore. . un sistema da 3kW è monofase e collegato alla rete a bassa tensione per mezzo di tre dispositivi: 1) Dispositivo Generale. Per gli allacciamenti monofase la potenza massima ammessa è di 6kW. Si consideri il quadro normativo vigente in Italia. gli impianti di potenza nominale minore od uguale a 50kW vengono allacciati alla rete bassa tensione dell’Enel.

76 Dispositivo della rete ENEL Sbarra BT cabina ENEL Punto di consegna Dispositivo Generale Parte di rete utente non abilitata al funzionamento in isola Dispositivo di Interfaccia Parte di rete utente abilitata al funzionamento in isola. Dispositivo di Generatore Inverter DC/AC Figura 3. .01 – Schema di collegamento di un impianto di produzione fotovoltaico alla rete ENEL come da direttiva DK 5940.

2. Il dispositivo generale separa l’intero impianto privato dalla rete pubblica.2. Il dispositivo di interfaccia può trovarsi all’interno del convertitore statico DC/AC. alimentata in serie ai contatti di scatto delle protezioni. combinato con fusibile o con interruttore automatico. il contattore dovrà essere conforme alla norma CEI EN 61095. Nel caso monofase.3 Dispositivo di Interfaccia.1. combinato con fusibile o con interruttore automatico. deve provocare l’apertura del dispositivo in caso di corretto intervento. cioè dotato di una bobina di apertura a mancanza di tensione. Nel caso trifase. . Deve essere un dispositivo a “sicurezza intrinseca”. Il dispositivo di interfaccia ha il compito di svolgere la protezione di interfaccia. Deve essere costituito da un interruttore con sganciatori di massima corrente e deve soddisfare i requisiti sul sezionamento della norma CEI 64-8. separando i gruppi di generazione dalla rete elettrica pubblica. Tale bobina. 3. sono ammesse le seguenti tipologie: ● Interruttore automatico con bobina ausiliaria a mancanza di tensione. ● Commutatore (inteso come Interruttore di manovra CEI EN 60947-3) accessoriato con bobina di apertura a mancanza di tensione.2 Dispositivo Generale. il contattore dovrà essere conforme alla norma CEI EN 60947-4-1. di guasto interno alle protezioni e in mancanza di alimentazione ausiliaria. L’esecuzione del dispositivo di interfaccia deve soddisfare i requisiti sul sezionamento della Norma CEI 64-8. Pertanto.77 3. ● Contattore con bobina di apertura a mancanza di tensione.1.

g) Tensione d’isolamento e di tenuta. sono ammesse tipologie diverse. d) Modalità di sezionamento e caratteristiche dei contatti principali. 2) Bobina a mancanza di tensione. o se tutta la rete del produttore può funzionare in isola. Conformemente alle prescrizioni CEI 11-20. per impianti di produzione collegati a rete BT pubblica e di potenza complessiva ≤ 20 kW. qualora nell’impianto siano presenti più protezioni di interfaccia associate a diversi generatori. In tal caso il dispositivo deve essere equipaggiato con doppi circuiti di apertura comandati rispettivamente da: 1) Sganciatori di massima corrente. queste dovranno comandare un unico dispositivo di interfaccia che escluda tutti i generatori dalla rete pubblica. L’equivalenza alle topologie precedentemente citate deve essere verificata per le seguenti caratteristiche: a) Corrente e tensione nominale. c) Prestazioni in servizio. interruzione e relativi fattori di potenza. il dispositivo generale può svolgere le funzioni di dispositivo di interfaccia. la funzione di dispositivo di interfaccia deve essere svolta da un unico dispositivo. . e) Categoria di utilizzazione. In assenza di carichi del produttore. la funzione può essere svolta da più dispositivi distinti fino ad un massimo di tre. In deroga. purché siano certificate da un laboratorio accreditato. ovvero. f) Sicurezza intrinseca. ad esempio combinazioni di relé elettromeccanici. b) Potere nominale di chiusura.78 Nel caso in cui il dispositivo di interfaccia si trovi all’interno dell’inverter.

02. Le tarature di tali protezioni sono elencate in tabella 3. Interruttore automatico con bobina di apertura a mancanza di tensione.79 Sistema Potenza Tipo Monofase < 6kW < 20kW Trifase >20kW Interruttore automatico con bobina di apertura a mancanza di tensione. Contattore con bobina di apertura a mancanza di Impianti collegati tensione. tramite sistema di conversione Commuttatore (inteso come interruttore di manovra CEI EN 60947-3 categoria AC-22A o AC-22B) con bobina di apertura a mancanza di tensione combinato con fusibile o interruttore automatico.2.1. Contattore con bobina di apertura a mancanza di tensione. 2) Il sistema di controllo dell’inverter.4 Protezione di Interfaccia e taratura. combinato con fusibile o con interruttore automatico. Anche interno al sistema di conversione. ● Protezione di minima frequenza.01 – Tipologie di dispositivo di interfaccia amesse. 3. Le funzioni di protezione di interfaccia previste dalla Norma CEI 11-20 sono: ● Protezione di minima tensione. . ● Protezione a derivata di frequenza (richiesta dall’Enel in condizioni particolari di rete). Esterno al sistema di conversione Tabella 3. ● Protezione di massima frequenza. ● Protezione di massima tensione. Le protezioni di interfaccia possono essere realizzate tramite: 1) Un dispositivo dedicato (relé). combinato con fusibile o con interruttore automatico.

Sono ammesse le seguenti tipologie di dispositivo di generatore: ● Interruttore automatico con sganciatore di apertura.3Hz o 51Hz 0. Tabella 3.80 Protezione Massima tensione Minima tensione Massima frequenza Minima frequenza Derivata di frequenza ( se richiesta) Esecuzione unipolare/tripolare unipolare/tripolare unipolare unipolare unipolare Valore di Taratura Tempo di Intervento <1. .7Hz(1) (1) Le tarature di default sono 49. L’esecuzione del dispositivo di generatore deve soddisfare i requisiti della norma CEI 64-8. combinato con fusibile o con interruttore automatico. 3.02 – Funzioni delle protezioni di interfaccia e relative tarature. il dispositivo del generatore può svolgere la funzione di dispositivo di interfaccia. Dispositivo installato a valle dei terminali di ciascun gruppo generatore.2Vn >0. 50.8Vn 50.2s senza ritardo intenzionale senza ritardo intenzionale senza ritardo intenzionale 49 o 49. in normali condizioni di esercizio. 51Hz. Qualora le variazioni di frequenza. su indicazione del personale ENEL.3Hz.5 Hz/s (1) < 0. siano tali da provocare interventi intempestivi della protezione di massima/minima frequenza potranno. essere adottate le tarature 49Hz.1s < 0. tale da escludere il singolo gruppo in condizioni di “aperto”.7Hz . ● Contattore combinato con fusibile o con interruttore automatico. ● Commutatore (inteso come interruttore di manovra CEI EN 60947-3). Nel caso in cui l’impianto di produzione sia costituito da un solo generatore e non sia previsto per il funzionamento in isola.1.2.5 Dispositivo di Generatore.

Il convertitore statico fornisce potenza elettrica alla rete pubblica. ovvero. non si deve comportare come generatore di tensione.1. Deve rispettare i limiti previsti dalle normative vigenti.08 0.3 1. Armoniche Dispari Corrente armonica massima ammessa h [A] 3 5 7 9 11 13 15 < h < 39 Armoniche Pari h 2 4 6 8 < h < 40 2.15*(15/h) Corrente armonica massima ammessa [A] 1.23*(8/h) Tabella 3.77 0. ● Il dispositivo di conversione statica non deve essere in grado di sostenere autonomamente la frequenza e la tensione della rete pubblica.14 0. .43 0.33 0.30 0.03 – Limite delle armoniche di corrente tabulato nella norma CEI 61000-3-2.4 0.81 3.21 0. ● Relativamente alle componenti armoniche della corrente immessa nella rete pubblica.6 Qualità dell’energia prodotta.2. i convertitori devono soddisfare le prescrizioni CEI EN 61000-3-2 o CEI EN 61000-3-12 in base alla potenza dell’impianto.

05÷1)s regolabile con passo di 0.05Vn. mediante trasformatore di isolamento a frequenza industriale.3)Vn regolabile con passo di 0. La soglia non deve essere escludibile.05Vn (0.5÷1)Vn regolabile con passo di 0.05s Tempo di ritardo: ● La protezione di massima tensione può essere in esecuzione unipolare o tripolare ad una soglia di intervento.05s. agendo sul dispositivo di generatore o interfaccia.8)Hz regolabile con passo di 0. ● La protezione di minima tensione può essere in esecuzione unipolare o tripolare ad una soglia di intervento. è obbligatoria per gli impianti di potenza maggiore a 20kW. fra la rete pubblica in AC e la parte in CC dei convertitori. si devono soddisfare le norme CEI EN 61000-3-3 o CEI EN 61000-3-11 in base alla potenza dell’impianto. ● La separazione metallica.05÷1)s regolabile con passo di 0. (0. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (48. La soglia non deve essere escludibile.05s Tempo di ritardo: ● La protezione di minima frequenza deve essere in esecuzione unipolare a una soglia di intervento. (0.5% della corrente nominale d’uscita del convertitore stesso. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (1÷1.05÷1)s regolabile con passo di 0. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia : (0. distaccandolo dalla rete pubblica entro 0.82 ● Per le fluttuazioni di tensione ed i flicker.5 ÷ 49. La soglia non deve essere escludibile.1 s. Per impianti di potenza complessiva minore o uguale a 20 kW. tale separazione può essere sostituita da una protezione che interviene.1Hz. Tempo di ritardo: . quando la componente in corrente continua della corrente immessa nella rete pubblica supera lo 0.

(0.3Vn e deve inibirsi per tensioni in ingresso inferiori a 0.1Hz/s.05÷1)s regolabile con passo di 0. . Deve funzionare correttamente nel campo di tensione in ingresso compreso tra 0. ● La protezione di massima frequenza deve essere in esecuzione unipolare ad una soglia di intervento. Tempo di ritardo: ● Sistema di regolazione del fattore di potenza. Deve funzionare correttamente nel campo di tensione in ingresso compreso tra 0.2Vn. (0.2Vn. possono erogare energia attiva con fattore di potenza (riferito alla componente fondamentale): .8 in ritardo (cioè assorbimento di potenza reattiva) quando la potenza attiva erogata è compresa tra il 20 % ed il 100 % della potenza complessiva installata.2Vn e 1. La soglia non deve essere escludibile. La soglia deve essere escludibile. ● La protezione a derivata di frequenza deve essere in esecuzione unipolare a una soglia di intervento.Non inferiore a 0.1Hz. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (50 ÷ 51. Tempo di ritardo: La protezione deve essere insensibile a transitori di frequenza di durata minore o uguale a 40ms.1÷1)Hz/s regolabile con passo di 0.05s.5)Hz regolabile con passo di 0.83 La protezione deve essere insensibile a transitori di frequenza di durata minore o uguale a 40ms. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (0. Gli impianti di produzione collegati alla rete ENEL tramite dispositivi di conversione statica.3Vn e deve inibirsi per tensioni in ingresso inferiori a 0.2Vn e 1.05s.05÷1)s regolabile con passo di 0.

dove previste e ad eccezione di quelle funzionali. costante pari ad 1). quando erogano una potenza reattiva complessiva non superiore al minor valore tra 1kVAr e (0. 4) Verifica della componente continua della corrente di uscita. ● Certificazioni. 3) Verifica del fattore di potenza. Le prove di funzionamento devono essere effettuate verificando che le seguenti grandezze di influenza siano mantenute nelle condizioni di riferimento riportate qui di seguito: 1) Prove di isolamento. Le prove di compatibilità elettromagnetica (immunità ed emissione) devono fare riferimento alle seguenti norme ed a quelle da esse richiamate. dove P è la potenza complessiva installata espressa in kW. 5) Prove di compatibilità elettromagnetica (EMC). Si tenga in considerazione che la tensione di alimentazione sulla rete ENEL BT è conforme alla CEI EN 50160. .05 + P/20) kVAr. dovranno essere eseguite da laboratori accreditati presso l’European cooperation for Accreditation (EA).In anticipo. 2) Verifica delle funzioni di protezione. Le prove di certificazione. La norma di riferimento è la CEI EN 60146-1-1.In fase (cioè. .84 .

.” b) CEI EN 61000-3-2 e CEI EN 61000-3-12: Limiti di emissione armoniche (classe A). c) CEI EN 61000-3-3 e CEI EN 61000-3-11: Limiti di fluttuazioni di tensione e flicker. b) Rigidità dielettrica (GLI 02. 6) Nel caso in cui l’inverter realizzi anche le funzioni relative alla “Protezione di interfaccia” le precedenti prove andranno integrate con le seguenti: a) Prove di isolamento (ENEL R EMC 01). Per le prove del dispositivo di interfaccia integrato. livello di severità 3). che sono da eseguire anche per l’inverter. c) Prova ad impulso (GLI 01. e) Prove climatiche (ENEL R CLI 01). .La sovraccaricabilità permanente deve essere superiore o uguale a 1.85 a) CEI EN 61000-2-2: " Compatibilità Elettromagnetica (EMC) – Parte 2-2: Ambiente – Livelli di compatibilità per disturbi condotti di bassa frequenza e la trasmissione dei segnali sulle reti pubbliche di alimentazione a bassa tensione. h) Prove di sovraccaricabilità dei circuiti voltmetrici di misura. d) Misura della resistenza di isolamenti (GLI 03 livello di severità 3). livello di severità 3).3Vn.La sovraccaricabilità transitoria (1s) deve essere superiore o uguale a 2Vn. g) Prove di compatibilità EMC CEI EN 61000-6-1 e CEI EN 61000-6-3. dovranno essere considerate quelle più restrittive. f) Verifica funzioni e misura delle precisioni (ENEL DV1501A e DV1500). .

Trasformatori di isolamento. CEI 82-4) – Protezione contro le sovratensioni dei sistemi fotovoltaici (PV) per la produzione di energia – Guida. Il principio di funzionamento di un sistema di protezione consiste nell’inserimento. EN. . Varistori. Devono avere un impatto minimo sull’efficienza del sistema. Dispositivi spinterometrici e fusibili a scarica di gas. La normativa IEC 61173 stabilisce le caratteristiche dei dispositivi di protezione contro le sovratensioni. in parallelo ai terminali da proteggere. Non dovrebbero guastarsi durante i transitori previsti. IEC 61173 (EN 61173. In alcuni casi. Non devono degradare la normale prestazione del sistema. di un elemento non lineare che commuti in uno stato di bassa impedenza quando vengono superati i limiti di tensione.2 Normative IEC. CEI per inverter fotovoltaici.86 3. dovrebbero riportare le sovracorrenti a valori di sicurezza finché non intervengono i dispositivi di sicurezza della linea posti a monte (fusibili). Fotoaccoppiatori. Devono limitare la tensione ai terminali protetti ad un livello di sicurezza. Tali dispositivi: Non devono degradarsi al si sotto delle caratteristiche minime durante la vita utile. Possibili dispositivi di protezione dell’inverter sono: Diodi.2.

. La tensione d’uscita e la frequenza devono essere mantenute entro i valori nominali dichiarati dal costruttore. c) Con la tensione d’ingresso pari al 90% del massimo valore d’ingresso dichiarato dal costruttore. .87 IEC 61683 (EN 61683. La temperatura alla quale si effettuano le misure deve essere di 25°C + 2°C.Tensione d’uscita e frequenza. Procedure per misurare l’efficienza. . La normativa IEC 61683 descrive la procedura di misura dell’efficienza di un inverter fotovoltaico.Tensione d’ingresso. Condizionatori di Potenza. . CEI 82-20)– Sistemi fotovoltaici. La sorgente DC da collegare in ingresso ad un inverter fotovoltaico con MPPT può essere un array fotovoltaico o un simulatore di array fotovoltaico.Temperatura. Le misure devono essere effettuate in ognuna delle seguenti condizioni: a) Con la tensione d’ingresso al minimo valore d’ingresso dichiarato dal costruttore. .Sorgente DC. b) Con la tensione d’ingresso al valore nominale o al valore medio del range d’ingresso.

E’ calcolata dai dati misurati con la seguente relazione: η PAR = POP ⋅ 100 PiP (3.1) PO = potenza nominale d’uscita (kW). PO ⋅ 100 Pi (3. Nel computo della potenza nominale d’ingresso si deve considerare ogni potenza ausiliaria d’ingresso come. Pi = potenza d’ingresso (kW) quando la potenza d’uscita è quella nominale.2. la potenza del sistema di controllo dell’inverter (gate driver). Si calcola dai dati misurati con la seguente relazione: η= dove: η = efficienza nominale d’uscita.2. Nel computo della ausiliaria potenza parziale d’ingresso si deve considerare ogni potenza d’ingresso come.2) dove: ηPAR = efficienza parziale d’uscita. POP = potenza parziale d’uscita (kW). . la potenza del sistema di controllo dell’inverter (gate driver).2.2. L’efficienza parziale rappresenta il valore dell’efficienza dell’inverter al di sotto della potenza nominale d’uscita.88 . PiP = potenza parziale d’ingresso (kW).Calcolo dell’efficienza nominale d’uscita. per esempio.Calcolo dell’efficienza parziale d’uscita. per esempio. . L’efficienza nominale è il rapporto tra la potenza d’uscita e d’ingresso quando l’inverter sta erogando la potenza nominale d’uscita.

La potenza Pi può essere misurata con il wattmetro W1 o determinata moltiplicando la lettura dell’amperometro A1 con quella del voltmetro V1. A2 = Amperometro AC. W2 = Wattmetro AC.2 ⋅ (1 − η ) ⋅ η (3. F = Frequenzimetro. W1 = Wattmetro DC.02 – Circuito raccomandato per la misura dell’efficienza. .Circuito di test raccomandato.3) . . V1 = Voltmetro DC. Figura 3. A1 = Amperometro DC.2. V2 = Voltmetro AC.Tolleranza dell’efficienza.2. A1 W1 W2 A2 PF PS V1 PC Under Test V2 F Legenda: PS = Variable voltage-current dc power supply. a) L’efficienza è calcolata con l’espressione precedente.89 .Procedura di misura. PC = Power Conditioner. la tolleranza è espressa dalla seguente relazione: − 0. Quando un valore di efficienza è garantito.

4) e) Ogni strumento può essere analogico o digitale. d) Il fattore di potenza può essere misurato con un apposito strumento o essere calcolato dalle letture di V2. c) Il voltmetro DC e l’amperometro DC devono essere strumenti a valore medio. f) In un inverter fotovoltaico con MPPT le variazioni di tensione devono essere mediamente inferiori al 5% della tensione d’ingresso. W2 con la seguente relazione: PF = (W2 ) V2 ⋅ A2 ⋅ 100 (3. La corrente d’uscita con l’amperometro A2. Voltmetro AC e amperometro AC devono essere strumenti a vero rms. . A2. Il periodo di osservazione deve essere di almeno 30s.2.2. La precisione deve essere inferiore al + 0.5% del valore di fondo scala per ogni misura di potenza. La tensione d’ingresso è misurata con il voltmetro V1.90 b) La tensione d’ingresso deve essere fatta variare finché la corrente d’uscita varia dal valore minimo al valore nominale.

. CEI 82-15) – Rilievo delle prestazioni dei sistemi fotovoltaici.05 – Parametri del campo fotovoltaico. . configurati come autonomi o collegati alla rete di distribuzione elettrica.Parametri metereologici.Parametri dell’array fotovoltaico. Scopo di queste procedure è quello di valutare le prestazioni globali di sistemi fotovoltaici. . Parametro Irraggiamento Totale Temperatura dell’aria in uno schermo contro le radiazioni Velocità del vento Simbolo GI TAM Unità di misura W/m2 °C SW m/s Tabella 3. Parametro Tensione d’uscita Corrente d’uscita Potenza d’uscita Temperatura dei moduli Angolo di inclinazione dell’inseguitore Simbolo VA IA PA TM ФT Unità di misura V A W °C gradi gradi ФA Angolo azimutale dell’inseguitore Tabella 3. La norma IEC 61724 descrive le procedure per il rilievo delle caratteristiche di un sistema fotovoltaico. Nelle tabelle seguenti sono elencati i parametri da misurare con le relative unità di misura. Linee guida per la misura.04 – Parametri metereologici. lo scambio e l’analisi dei dati.91 IEC 61724 (EN61724.

.Parametri del carico.07 – Parametri del carico. Parametro Tensione del carico Corrente del carico Potenza del carico Simbolo VL IL PL Tabella 3.92 . Parametro Tensione di funzionamento Corrente verso il dispositivo di immagazzinamento Corrente dal dispositivo di immagginamento Potenza verso il dispositivo di immagazzinamento Potenza dal dispositivo di immaggazinamento Simbolo VS Unità di misura V ITS IFS A A PTS PFS W W Tabella 3.06 – Parametro dell’elemento di accumulo.Parametri dell’energia immagazzinata. Unità di misura V A W .

. GI Array Fotovoltaico Condizionatore di potenza VA.IA PA VL . PFU VBU.Parametri rete di distribuzione. 3.08 – Parametri della rete di distribuzione. IBU PBU ITU.Parametri da misurare in tempo reale.PTU Generatori di supporto Rete di distribuzione pubblica Dispositivi di immagazzinament o Fig.93 . . PFS IFU. Parametro Tensione di rete Corrente verso la rete di distribuzione Corrente dalla linea di distribuzione Potenza verso la rete di distribuzione pubblica Simbolo VU ITU IFU PTU Unità di misura V A A kW PFU kW Potenza dalla rete di distribuzione pubblica Tabella 3.03 – Misura dei parametri in tempo reale. PTS IFS. IL PL Carico TAM SW ITS.

in modo adeguato. La precisione dei sensori di potenza. compreso il condizionamento del segnale. per velocità del vento uguali od inferiori a 5m/s. o essere misurata direttamente con un sensore di potenza. e) Per le grandezze che variano con l’irraggiamento. compreso il condizionamento del segnale. . a) La precisione dei sensori di temperatura. deve essere migliore del 2% della lettura. deve essere superiore a 1K. l’intervallo di campionamento deve essere inferiore ad 1 minuto. la norma descrive le operazioni di elaborazione. Inoltre.94 . compreso il condizionamento dei segnali. e migliore del 10% della lettura per velocità superiori a 5m/s.5m/s. l’intervallo di campionamento può essere compreso tra 1 minuto e 10 minuti. memorizzazione dati e i formati dei file per il loro trasferimento. come il prodotto della tensione e della corrente campionate. d) La potenza in corrente continua può essere calcolata in tempo reale. deve essere migliore dell’1% della lettura. c) La precisione dei sensori di corrente e tensione (DC e AC). b) La precisione dei sensori di velocità del vento deve essere migliore di 0. La potenza in corrente alternata deve essere misurata utilizzando un sensore di potenza che tenga conto.Metodi di rilievo. del fattore di potenza e della distorsione armonica. Per parametri con elevate costanti di tempo.

d) Prescrizioni per l’apparecchiatura elettronica.95 EN 50178 (CEI 22-15) – Apparecchiature elettroniche da utilizzare negli impianti di potenza. b) Prove di vibrazione. . a) Prove di ribaltamento. per la prova e l’integrazione nei sistemi per installazioni di potenza. La norma specifica: a) Prescrizioni per l’intero sistema. La norma EN 50178 (CEI 22-15) si applica all’uso di apparecchiature elettroniche (EE – Electronic Equipment) in impianti di potenza. Inoltre. b) Prescrizioni di sicurezza. 3) Prove meccaniche. si applica ad apparecchiature elettroniche per le quali non esiste una specifica norma di prodotto. f) Prove per la conformità. e) Prescrizioni per l’assemblaggio dell’apparecchiatura elettronica negli impianti di potenza. c) Requisiti e condizioni ambientali. La norma definisce i requisiti minimi di progettazione e costruzione per la protezione dalla scossa elettrica. in cui è necessario mantenere un livello tecnico uniforme di sicurezza ed affidabilità. a) Prova a caldo secco. Le prove da effettuare per la conformità alla norma sono: 1) Esame a vista. b) Prova a caldo umido. 2) Prove ambientali e climatiche. c) Prove di tenuta stagna per apparecchiature raffreddate a liquido.

In questa sezione la norma descrive gli accorgimenti da attuare per la protezione delle persone e degli animali. a) Prove di tensione impulsiva. c) Prova dell’involucro. merita particolare attenzione il paragrafo 5 a pag. schermatura di protezione.96 4) Prove meccaniche relative alla sicurezza. a) Distanza di isolamento in aria e di scarica superficiale. b) Prove di tensione ca o cc. c) Prove di scariche parziali. 23. Gli inverter commerciali fanno riferimento alla seguente normativa per le dichiarazioni di sicurezza CE. una rapida identificazione delle caratteristiche costruttive. b) Immunità dai disturbi elettromagnetici. al progettista. e) Impedenza di protezione. Sono presenti numerosi flow-chart che permettono. . c) Tenuta al cortocircuito. 7) Prove sulle prestazioni. Pertanto. b) Prova di non accessibilità. 6) Prove elettriche ambientali. d) Prova di resistenza di isolamento in impianti di potenza. 5) Prove elettriche (dielettriche) relative alla sicurezza. d) Prove di idoneità della verniciatura o del rivestimento. a) Emissione di disturbi elettromagnetici.

C. M. In Europa.Gradi di protezione degli involucri (Codice IP). W) Nelle tabelle seguenti è riportata una breve descrizione degli elementi del codice IP. S. 2 3 C H Prima cifra caratteristica.97 IEC 60529 (EN 60529) .09 – Significato della prima cifra caratteristica del codice IP. o letteraX) Seconda cifra caratteristica (cifra da 0 a 8. o lettera X) Lettera addizionale (opzionale) (lettere A. D) Lettera supplementare (opzionale) (lettere H. Cifra o lettere Significato per la protezione dell’apparecchiattura Contro la penetrazione di corpi estranei: 0 1 2 3 4 5 6 non protetto > 50mm di diametro > 12. Il codice IP è strutturato nel seguente modo: IP Lettere caratteristiche (International Protection) Prima cifra caratteristica (cifra da 0 a 6.5mm di diametro > 2. il grado di protezione dell’involucro è indicato dal codice IP (International Protection). .5mm di diametro > 1mm di diametro protetto contro la polvere totalmente protetto contro la polvere Significato per la protezione delle persone Contro l’accesso a parti pericolose con: non protetto dorso della mano dito attrezzo filo filo filo Tabella 3. B.

.98 Seconda cifra caratteristica. Cifra o lettere Contro l’accesso a parti pericolose con: A B C D dorso della mano dito attrezzo filo Significato per la protezione delle persone Tabella 3. Cifra o lettere Significato per la protezione dell’apparecchiattura Contro la penetrazione di acqua con effetti dannosi: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 non protetto caduta verticale caduta di gocce d’acqua pioggia spruzzi d’acqua getti d’acqua getti potenti immersione temporanea immersione continua Tabella 3.11 – Significato della lettera addizionale del codice IP.10 – Significato della seconda cifra caratteristica del codice IP. Lettera addizionale (opzionale).

.12 – Significato della lettera supplementare del codice IP.99 Lettera supplementare (opzionale). Informazioni supplementari relative a: H M S W apparecchiature ad alta tensione prove con acqua con apparecchiatura in moto prova con acqua con apparecchiatura non in moto condizioni atmosferiche Tabella 3. Cifra o lettere Significato per la protezione dell’apparecchiatura.

3. 2) Impianti Ibridi = rinnovabile. c) Normativa FCC per la compatibilità elettromagnetica. L’articolo 690 del National Electrical Code classifica i sistemi fotovoltaici in: 1) Interactive System = Impianti connessi alla linea elettrica pubblica (Grid connected). 3) Impianti Stand Alone. 3.3.3 Impianti fotovoltaici negli Stati Uniti.1 Articolo NEC 690. .04 – Sistemi fotovoltaici descritti nell’articolo NEC 690. b) Normativa UL1741. Le normative statunitensi da considerare sono: a) Normativa NEC. National Electrical Code. Impianti costituiti da vari tipi di sorgenti di energia Fig.100 3.

che impatta sulla progettazione e costruzione dell’inverter.05 è riportato lo schema semplificato dei sistemi grid connected. Inverters may also functions as battery charges that use alternating current from another source and convert it into direct current for charging batteries”. 3. Massachusetts). La parte più importante della normativa NEC. Commonly. In fig. an inverter [also know as a power conditioning unit (PCU) or power conversion system (PCS)] is a device that changes dc input to an ac output. (National Electrical Code Handbook – National Fire Association . 3. riportato nella norma NEC 690 che definisce: “Inverter: Equipment that is used to change voltage level or waveform.05 – Diagramma semplificato di un sistema grid-connected. of electrical energy. or both. Quincy.101 Fig. è rappresentata dalla connessione a terra imposta dall’articolo .

Se la stringa è bipolare deve essere connesso a terra il punto centrale. Quincy.4(A) Grounded System. or forming part of such equipment . Massachusetts) Pertanto.102 690. un terminale deve essere connesso a terra. per il lato AC. Si possono anche utilizzare dei sistemi di protezione equivalenti in accordo con l’articolo 250. (National Electrical Code Handbook – National Fire Association .41 afferma: “ For a photovoltaic power source. one conductor of a two wire system with a photovoltaic system voltage over 50 volts and the reference (center tap) conductor of a bipolar system shall be solidly grounded or shall use methods that accomplish equivalent system protection in accordance with 250. il quale afferma: “ (1) Electrical System Grounding: Electrical System that are grounding shall be connected to earth in a manner that limit the voltage imposed by lightning.41 System Grounding. or forming part of such equipment . e dall’articolo 250.4(A) and that utilize equipment listed and identified for the use”. line surge. or unintentional contact with higher voltage lines and that will stabilize the voltage to earth during normal operation. L’articolo 690. shall be connected to earth so as to limit the voltage to ground on these materials.20B Alternating-Current Systems to Be Grounded. quando la tensione di stringa supera i 50V. (2) Grounding of Electrical Equipment: Non current carrying conductive materials enclosing electrical conductors or equipment . per il lato DC. shall be connected together and to electrical supply source in a manner that establishes an effective ground fault current path. . (3) Bonding of Electrical Equipment: Non current carrying conductive materials enclosing electrical conductors or equipment .

Fig. (5) Effective Ground Fault current path: Electrical equipment and wiring and other electrically conductive material likely to become energized shall be installed in a manner that creates a permanent . Massachusetts). The earth shall not be considered as an effective ground fault current path. . Quincy. (National Electrical Code Handbook – National Fire Association . It shall be capable of safety carrying the maximum ground fault may occur to the electrical supply source.103 (4) Bonding of Electrical Equipment: Electrical conductive materials that are likely to become energized shall be connected together and to the electrical supply source in a manner that establishes an effective ground fault current path.06 – Connessione a terra lato DC. 3.”. low-impedance circuit facilitating the operation of the overcurrent device or ground detector for high impedance grounded system.

4-wire. è noto con il nome di dual grounding.104 Per quanto riguarda il lato rete.20B impone la connessione a terra di un terminale lato AC. a) b) Fig. delta connected in which the midpoint of one phase winding is used as a circuit conductor”. .20B. 4-wire.20B. 3. (2) Where the system is 3-phase. wye connected in which the neutral is used as a circuit conductor. b) Connessione a terra di un tipico sistema trifase in accordo con l’articolo 250. “Alternating-current systems of 50 volts to 1000 volts that supply premises wiring and premises wiring systems shall be grounded under any of the following conditions: (1) Where the system can be grounded so that the maximum voltage to ground on the ungrounded conductors does not exceed 150 volts.07 – a) Connessione a terra di un tipico sistema monofase in accordo con l’articolo 250. l’articolo 250. (3) Where the system is 3-phase. La necessità di connettere a terra un conduttore sul lato DC e uno sul lato AC.

Sistemi fotovoltaici. con la necessità di un trasformatore d’isolamento all’interno dell’inverter. L’articolo NEC 690 definisce come tensione massima.13 – Tabella 690. la somma delle tensioni di circuito aperto dei moduli fotovoltaici connessi in serie. con una tensione massima superiore ai 600V. Per i moduli in silicio monocristallino e policristallino.13).1.3. ⎛ n ⎞ VMAX = ⎜ ∑ VOC _ T min ⎟ ⋅ k ⎜ ⎟ ⎝ i =1 ⎠ (3.7 del NEC.1 Sistemi fotovoltaici con tensione superiore ai 600V. La tensione di circuito aperto da prendere in considerazione.1. devono rispettare l’articolo NEC 490 e tutti i requisiti imposti dalle installazioni con tensione superiore ai 600V. la tensione calcolata deve essere moltiplicata per un opportuno coefficiente moltiplicativo come riportato nella tabella 690.1.3. è quella alla minima temperatura ambiente che ci si aspetta. Tabella 3.7 del National Electrical Code (Tabella 3.1) . di fatto. 3.105 Tale imposizione si trasforma.

La norma UL1741. ● Regolazione della tensione: Il valore nominale della tensione è 120Vrms.1) .14 si può dedurre che il valore della tensione.88 Vn 1.37 Vn < V Tabella 3.1s 2s 2s (2/60)s 6 120 120 2 V < 0. Standard for Static Inverter and Charge Controllers for Use in Photovoltaic Systems.5 Vn < V < 0.3. in normali condizioni di lavoro.106 3.14 nel caso in cui il valore della tensione prodotta non sia conforme ai valori stabiliti.3. Dalla tabella 3.5 Vn 0.2.89 ⋅ Vn ≤ V ≤ 1. Tensione Tempo massimo di N° di cicli intervento massimo prima di intervenire 0.37 Vn 1.2 Normativa UL1741. Il sistema deve intervenire nei tempi riportati in tabella 3.14 – Risposta a condizioni anomale di tensione. deve essere: 0.10 ⋅ Vn (3.10 Vn < V < 1. definisce i requisiti elettrici e meccanici degli inverter e convertitori di tipo stand-alone e grid connected.

3Hz 0.5Hz f < 59.15 qualora non rispetti i limiti imposti. la frequenza deve essere compresa nel range: 59.5Hz (3. Le armoniche pari e dispari devono rispettare i limiti riportati nelle tabelle 3.2) La frequenza non può variare troppo velocemente.1s 6 6 Tabella 3. La norma stabilisce: Hz ∆f < 0.5 ∆t s (3.107 ● Regolazione di frequenza: La frequenza nominale è di 60Hz. .17. Pertanto. Il sistema deve disconnettersi dalla rete nei tempi indicati in tabella 3. deve essere inferiore al 5% della fondamentale a pieno carico.2.3.3) ● Armoniche.1s 0.15 – Risposta a condizioni anomale di frequenza.2. Frequenza Tempo massimo di intervento N° di cicli massimo prima di intervenire f > 60.3. THD (Total Harmonic Distorsion) del valore efficace della corrente.16 e 3.3Hz ≤ f ≤ 60. La distorsione armonica totale.

108 Armoniche Pari h Massima distorsione Ammessa (%) 2 < h < 10 12 < h < 16 18 < h < 22 24 < h < 34 h > 36 1 0.3 Tabella 3.15 0. Armoniche Dispari h Massima distorsione Ammessa (%) 3<h<9 11 < h < 15 17 < h < 21 23 < h < 33 h > 33 4 2 1.5 0. .6 0.375 0.075 Tabella 3.17 – Distorsione massima per le armoniche dispari.16 – Distorsione massima per le armoniche pari.5 0.

● Sistemi di interconnessione. Il fattore di potenza deve essere maggiore di 0. L’inverter deve essere equipaggiato con un sistema di rilevamento dell’errore di terra (Ground . La corrente continua immessa in linea non deve superare il 5% del valore della corrente AC immessa in linea.Fault). . Potenza DC [kW] Massima corrente d’errore [A] 0-25 25-50 50-100 100-250 >250 1 2 3 4 5 Tabella 3. L’inverter deve distaccarsi dalla rete entro due secondi dalla formazione dell’isola.1.109 ● Corrente Continua immessa in linea.18. interrompere la circolazione della corrente di errore e isolare il campo fotovoltaico o l’inverter per cessare l’esportazione di potenza. Il valore massimo della corrente d’errore è riportato in tabella 3. ● Power Factor. Il sistema deve essere in grado di rilevare il guasto e di segnalarlo opportunamente. ● GFDI (Ground Fault Detector/Interrupter). Per quanto riguarda i sistemi di interconnessione l’inverter deve essere conforme allo standard IEEE 1547 e IEEE 1547.18 – Valore della corrente d’errore.85. ● Anti Island Protection.

nella prima parte. La norma descrive. . Si consideri. Le aperture realizzate sopra parti non isolate: a) Non devono superare i 4. come esempio. Tali aperture permettono al materiale che cade dall’interno dell’inverter di depositarsi sull’apposita locazione. le caratteristiche degli involucri metallici e non metallici. le aperture del sistema di ventilazione che consente il raffreddamento dell’elettronica di potenza dell’inverter.08 – Esempio di aperture inferiori. 33). b) Devono garantire la protezione contro l’introduzione di oggetti estranei. La norma UL1741 descrive. 13 a pag. Figura 3. ai paragrafi 4 e 5 (da pag.7mm in ogni direzione.110 ● Caratteristiche costruttive. le caratteristiche costruttive degli involucri che contengono l’inverter fotovoltaico. Le aperture per la ventilazione sulla parte inferiore dell’involucro possono essere realizzate come illustrato in figura 3. la realizzate delle aperture sull’involucro e le note sul montaggio. Le aperture sulla parte superiore devono essere dimensionate e localizzate per proteggere il circuito dall’introduzione di oggetti estranei.08.

Al paragrafo 33. ● Protezione delle persone. condizioni di .09Aperture per la ventilazione: a) a) Aperture inclinate. pag 80. d) Test dell’impedenza di terra. c) Test di ventilazione. b) Test di cortocircuito. f) Test di sovratensione. pag. 3. la norma descrive le tecniche da attuare per la protezione delle persone.129m2. 94. ● Test. la norma descrive i test dell’inverter in funzionamento anomalo. e) Test di protezione contro la sovracorrente.111 Fig. h) Test di protezione contro gli spruzzi d’acqua. b) Le aperture realizzate nelle altre parti dell’involucro non devono superare i 305mm di lunghezza e l’area non deve superare i 0. a) Test di sovraccarico. g) Test anti island. Al paragrafo 47. b) Aperture verticali.

● Revisioni. Figura 3. 3S. Inoltre possono essere presenti altri marchi.10 – Esempio di marcature. d) Equipment grounding Conductor e) On and Off. Gli inverter grid-connected devono essere marcati: “ Utility-Interactive” o “Interconnection System Equipment”. Alcuni punti della normativa UL1741 saranno revisionati il 7 maggio 2007. . 6 o 6P 3R 4 o 4X 4X o 6P 2. 12K o 13 3. Tipo di Involucro Marchio Opzionale 1 3. 12. 12. 3S. a) Direct Current Supply b) Alternating Current Supply c) Phase. 4.19 – Marchi opzionali relative al tipo di involucro.112 ● Marcatura. 4X. 12K o 13 “indoor use only” “rainlight” “rainproof” “waterlight” “corrosion resistance” “drip tight” “dust tight” Tabella 3.

4. ● DIN EN 60904-7:1998-11 – Photovoltaic devices – Part 7: Comptation of spectral mismatch error introduced in the testing of a photovoltaic device (IEC 60904-7:1998). ● DIN EN 60891:1996-10 – Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics of crystalline silicon photovoltaic devices. ● DIN EN 60904-3:1995-04 – Photovoltaic devices – Part 3: Measurement principles for terrestrial photovoltaic (PV) solar devices with reference spectral irradiance data (IEC 60904-3:1989). Di seguito è presente l’elenco completo delle normative EN da considerare per i sistemi fotovoltaici. ● DIN EN 60904-6:1996-02 – Photovoltaic devices – Part 6: Requirements for reference solar modules (IEC 60904-6 :1994). ● DIN EN 60904-2:1995-04 – Photovoltaic devices – Part 2 : Requirements for reference solar cells (IEC 60904-2 :1989). ● DIN EN 60904 – 1:1995-04 – Photovoltaic devices – Part 1 : Measurement of photovoltaic current-voltage characteristics (IEC 60904-1 :1987).113 3. 3. ● DIN EN 60904-5:1996-12 – Photovoltaic devices – Part 5: Determination of the equivalent cell temperature (ECT) of photovoltaic (PV) devices by the open – circuit voltage method (IEC 60904-5:1993).1 Germania. . Sono evidenziate con un riquadro le norme relative agli inverter. le norme di riferimento per le applicazioni fotovoltaiche sono imposte dalla German Commision for Electrical.4 Panoramica sugli altri Stati. In Germania. Electronic & Information Tecnologies of DIN and VDE e sono direttive europee EN.

● DIN EN 61277:1999-02 – Terrestrial photovoltaic (PV) power generatine system – General and guide (IEC 61277:1995). ● DIN EN 61173 :1996-10 – Overvoltage protection for photovoltaic (PV) power generating systems – Guide (IEC 61173 :1992). ● DIN EN 60904-10 :1998-11 – Photovoltaic devices – Part 10 : Methpds of linearity measurement (IEC 60904-10 :1998). ● DIN EN 61345:1998-11 – UV test of photovoltaic (PV) modules (IEC 61345:1998). ● DIN EN 61702:2000-08 – Rating of direct coupled photovoltaic (PV) pumping systems (IEC 61702:1995). ● DIN EN 61701:2000-08 – Salt mist corrosion testing of photovoltaic (PV) modules (IEC 61702:1995). ● DIN EN 61194 :1996-12 – Characteristic parameters of stand-alone photovoltaic (PV) systems. ● DIN EN 61683:2000-08 – Photovoltaic system – Power Conditioner – Procedure for measuring efficiency (IEC 61683:1999).114 ● DIN EN 60904-8 :1998-11 – Photovoltaic devices – Part 8 : Measurement of spectral responce of a photovoltaic (PV) devices (IEC 60904-8 :1998). ● DIN EN 61215 :1996-10 – Crystalline silicon terrestrial photovoltaic (PV) modules – Design qualification and type approval (IEC 61215 :1993). . ● DIN EN 61646:1998-03 –Thin-film terrestrial photovoltaic (PV) modules – Design qualification and type approval (IEC 61646:1996).

phase parallel feed by means of an inverter into the public low-voltage mains. .6kVA and a single. ● DIN EN 61727:1996-12 – Photovoltaic (PV) systems – Characteristics of the utility interface (IEC 61727:1995). ● DIN V VDE V 0126-17-1 (VDE V 0126 Part 17-1): 2004-06 – Solar Cells – Part 17-1 : Datasheet information and product data for crystalline silicon solar cells. ● DIN EN 61829:1999-02 – Crystalline silicon photovoltaic (PV) array – On site measurement of I-V characteristics (IEC 61829:1995). ● IEC 60364-7-712:2002-05 – Electrical installations of buildings – Part 7-712: Requirements for special installations or locations – Solar photovoltaic (PV) power supply systems. (IEC 61721:1995). ● DRAFT DIN VDE 0126 (VDE 0126):1999-04 with Authorization – Automatic disconnecting facility for photovoltaic installations with a rated output = 4.115 ● DIN EN 61724:1999-04 – Photovoltaic system performance monitoring – Guidelines for measurement. ● IEC 60904-9:1995-09 – Photovoltaic Devices – Part 9: Solar simulator performance requirements. data exchange and analysis (IEC 61724:1998). ● DIN EN 50380:2003-09 – Datasheet and nameplate information for public modules. ● DIN EN 61725:1998-03 – Analytical expression for daily solar profiles (IEC 61725:1997). ● DIN EN 61721:2000-08 – Susceptibility of a photovoltaic (PV) module to accidental impact damage (resistance to impact test).

116 ● DIN EN 61427:2002-03 – Secondary cells and batteries for a solar photovoltaic energy systems.General requirements and methods of test. .

● All’articolo 12 la normativa impone la separazione galvanica: “ The installation must have galvanic separation between the low voltage network and the photovoltaic installation either by means of an insulation transformer or any other means performing the same functions with a basis in techno-logical development”. ● La connessione e disconnessione del sistema fotovoltaico non deve causare una variazione di tensione superiore al 5% nel punto di consegna.85 ⋅ Vn ≤ V ≤ 1.2 Spagna. ● Protezione di massima e minima frequenza. ● Il fattore di potenza deve essere tenuto quanto più possibile vicino all’unità. Si conclude che in Spagna non sono ammessi inverter fotovoltaici senza trasformatore. La normativa vigente in Spagna è la Royal Decree 1663/2000.117 3. . I punti principali sono: ● Connessione alla rete elettrica monofase fino ad una potenza di 5kW. 0.4. Per potenze superiori deve essere trifase. ● Protezione di massima e minima tensione. 49 Hz ≤ f ≤ 51Hz .1 ⋅ Vn . ● La connessione a terra del sistema fotovoltaico deve essere un collegamento indipendente alla terra del neutro della compagnia elettrica.

Inverter requirements . . AS 4777.Grid protection requirements .2-2005 : Grid connection of energy systems via inverters . In Australia sono in vigore le norme AS4777.Installation requirements .118 3. AS 4777.4.1-2005 : Grid connection of energy systems via inverters .3-2005 : Grid connection of energy systems via inverters .3 Australia. AS 4777.

● Direttiva 89/336/EEC – Compatibilità Elettromagnetica.5 Normative per la marcatura CE. Direttiva basso voltaggio. Per ottenere la marcatura CE. ● Emissioni EMC: DIN EN 61000-6-3 DIN EN 61000-6-4 DIN EN 55022 DIN EN 61000-3-3 DIN EN 61000-3-2 (CEI 210-65) (CEI 210-66) (CEI 110-5) (CEI 110-28) (CEI 110-31) (CEI 210-64) (CEI 210-54) (CEI 22-15) ● IMMUNITA’: DIN EN 61000-6-1 DIN EN 61000-6-2 ● SICUREZZA: DIN EN 50178 . Un inverter fotovoltaico deve essere dotato di marchio CE per poter essere immesso nel mercato europeo.119 3. bisogna rispettare le seguenti direttive e norme: ● Direttiva 73/23/EEC – Apparecchi elettrici. ● Direttiva 93/68/EEC – Marchio CE.

---- ---- 11-20 11-20 11-20. La presente Norma considera anche i sistemi statici di continuità (UPS).1 Norme Generali. funzionanti in isola o in parallelo con sistemi di I e II categoria. in corrente alternata. CEI per inverter fotovoltaici. Si propone di identificare le fonti di pericolo derivanti da I Protezione sovratensioni (incluse le contro le sovratensioni dei fulminazioni) e definire i tipi di protezione quali sistemi fotovoltaici (FV) messa a terra.6. captazione di scariche atmosferiche di energia e dispositivi di Guida protezione.V1 Impianti di produzione di energia elettrica e gruppi di continuità collegati a reti di I e II categoria. La presente Norma costituisce la ristampa senza modifiche. 61173 61173 82-4 82-4 Anno 1998 Ed. EN. per la produzione di energia.6 Elenco Riassuntivo Norme IEC. della Norma pari numero ed edizione (Fascicolo 2605 E) . sia isolati che connessi in rete. per la produzione schermatura. Prima La presente Norma fornisce una guida sulla protezione da sovratensioni per sistemi fotovoltaici. secondo il nuovo progetto di veste editoriale. IEC EN CEI STRUTTURA TITOLO SOMMARIO La presente Norma definisce i criteri di installazione per gli impianti di produzione di energia elettrica diffusi.120 3. 3.

La presente Norma può non essere applicabile a sistemi autonomi di piccole dimensioni a causa dei costi relativamente elevati degli apparecchi di misura .121 61724 61724 82-15 82-15 Anno 1999 Ed. Vengono incluse anche linee guida per il formato dei file da utilizzare per lo scambio dei dati rilevati tra diverse organizzazioni. Prima Rilievo delle prestazioni dei sistemi fotovoltaici Linee guida per la misura. Essa non descrive le prestazioni dei singoli componenti. che funzionano in climi diversi e che forniscono energia per usi diversi. La presente Norma fornisce linee guida generali per il rilievo e l'analisi delle prestazioni elettriche di sistemi fotovoltaici (FV). lo scambio e l'analisi dei dati. così da rendere evidente la validità relativa a progetti e procedure di funzionamento diversi. ma si focalizza sulla valutazione delle prestazioni di una schiera di moduli in quanto parte di un sistema FV. Lo scopo dell'analisi dei dati è quello di fornire un sommario delle prestazioni adatto per paragonare impianti FV di differenti dimensioni.

L’efficienza viene calcolata a partire da una misura diretta della potenza di entrata e di uscita nell’impianto. Prima Sistemi fotovoltaici Condizionatori di potenza Procedura per misurare l'efficienza La presente descrive una procedura per misurare l’efficienza dei condizionatori di potenza usati nei sistemi fotovoltaici. Prima Apparecchiature elettroniche da utilizzare negli impianti di potenza . A parte le esclusioni dal campo di applicazioni elencate nel seguito. La presente norma viene pubblicata dal CEI nella sola lingua originale inglese. la norma si applica d ogni tipo di apparecchiatura elettronica prevista per ---- 50178 22-15 22-15 Anno 1999 Ed. nel caso in cui l’uscita del del condizionatore di potenza sia una tensione alternata a frequenza costante o una tensione continua stabile. a causa della sua limitata utilizzazione .122 61683 61683 82-20 82-20 Anno 2001 Ed. Lo scopo della presente norma consiste nel definire i requisiti minimi di progettazione e costruzione delle apparecchiature elettroniche. della prova e dell’integrazione negli impianti di potenza. ai fini della protezione contro la scossa elettrica. sia isolati che connessi alla rete elettrica . L’inserimento dell’apparecchiatura in impianti di potenza rende particolarmente importante il far ricorso a prescrizioni minime. così da poter garantire che tutte le apparecchiature integrate nell’impianto mantengano un livello tecnico uniforme di sicurezza ed affidabilità. particolarmente mirata a settori specialistici.

Sistemi di continuità. . e comprende perciò apparecchiature elettroniche di potenza.Dispositivi differenziali di protezione. Sono esclusi dal campo di applicazione: .Accessori e apparecchi elettrici per uso domestico. . .Apparecchiature pubbliche di ricarica di veicoli elettrici.Apparecchiature elettriche per impianti ferroviari. . . .Elaborazione dati senza controllo di sistemi e di processi.Relè di protezione.Apparecchiature di illuminazione. .Apparecchiature Medicali.123 l’utilizzo in impianti di potenza. . . L’apparecchiatura elettronica è in generale qualunque apparecchiatura elettrica la cui funzione principale viene svolta da componenti elettronici. 60529 60529 70-1 Gradi di protezione degli involucri (Codice IP) . La norma è però anche applicabile a tutte quelle apparecchiature elettroniche per le quali non esista una specifica norma di prodotto. indipendentemente dal loro inserimento o meno in impianti di potenza.Apparecchiature e reti di telecomunicazioni e radiocomunicazione non industriali pubbliche e private.

relativa alle prescrizioni sull'emissione di disturbi elettromagnetici compresi nella gamma di frequenze da 0 Hz a 400 GHz. Quando esiste una norma di compatibilità elettromagnetica specifica relativa all'emissione specifica per un prodotto o per una famiglia di prodotti. commerciali e dell’industria SOMMARIO La presente Norma. Le apparecchiature progettate per irradiare energia elettromagnetica nel campo delle radiocomunicazioni sono escluse dalla norma. sia interni che esterni. in relazione alle emissioni elettromagnetiche. La presente Norma ha lo scopo di definire i limiti e i metodi di prova per le apparecchiature elettriche ed elettroniche da utilizzare negli ambienti industriali.6. ● Emissioni EMC. si applica alle apparecchiature elettriche ed elettroniche previste per essere usate in ambienti residenziali. IEC EN CEI TITOLO Compatibilità elettromagnetica (EMC) Parte 6-3: Norme generiche Emissione per gli ambienti residenziali. Gli ambienti considerati sono quelli industriali. questa prevale su tutti gli aspetti della presente Norma generica.2 Normative CE. La presente Norma si applica alle apparecchiature previste per essere collegate direttamente alla rete pubblica di alimentazione a bassa tensione o a una particolare sorgente in c. nella gamma di frequenze da 0 a 400 GHz e per le quali non esistono norme sull'emissione riferite al prodotto o a famiglie di prodotti. che funga da interfaccia tra l'apparecchiatura e la rete pubblica di alimentazione a bassa tensione.c.124 3. per le quali non esistono Norme di emissione di prodotto o di famiglie di prodotti. commerciali e dell'industria leggera. che possono causare interferenze ad altre apparecchiature. Le apparecchiature considerate sono previste per essere connesse ad una 61000-6-3 61000-6-3 210-15 61000-6-4 61000-6-4 Compatilità elettromagnetica (EMC) Parte 6-4: Norme generiche Emissione per gli ambienti industriali .

125

rete di potenza, derivata da un trasformatore di media o alta tensione dedicato, che alimenta una installazione per la distribuzione ad impianti manifatturieri o simili e il cui funzionamento è previsto in ambienti industriali o in prossimità di essi. Le apparecchiature progettate per irradiare energia elettromagnetica nel campo delle radiocomunicazioni sono escluse dalla presente norma.

55022

55022

110-5 110-5; V1 110-5;V2 110-5;V3

Apparecchi per la tecnologia dell'informazione - Caratteristiche di radiodisturbo Limiti e metodi di misura.

CEI 110-5 La presente Norma si applica agli apparecchi per la tecnologia dell'informazione (ITE). Sono indicati i metodi di misura dei livelli dei segnali spuri generati dagli ITE; inoltre sono specificati i limiti nel campo di frequenza da 9 kHz a 400 GHz per gli apparecchi di Classe A e di Classe B, ma soltanto in bande di frequenza ristrette. L'oggetto è stabilire requisiti uniformi per il livello di radiodisturbo degli apparecchi che rientrano nel campo di applicazione, fissare limiti di disturbo, descrivere metodi di misura e normalizzare condizioni di funzionamento ed interpretazione dei risultati CEI 110-5; V1 La presente Variante modifica alcuni paragrafi della Norma base CEI EN 55022, soprattutto quello relativo all’allestimento della configurazione di prova, allo scopo di rendere le misure più riproducibili. Considera anche un Errata Corrige CEI 110-5; V2 La presente Variante estende il campo di applicazione della Norma base agli apparecchi multifunzione CEI 110-5; V3 Questa Variante recepisce il Corrigendum CENELEC del marzo 2005 alla EN 55022 (1993) e il Corrigendum del settembre 2005 ai suoi Amendment A1 (2000) e A2 (2003). Detti Corrigenda introducono le seguenti modifiche:

126

61000-3-3 61000-3-3 CEI 110-28 Compatibilità V1 e V2

- Corrigendum del marzo 2005: cambia la dow della Norma di base, modifica l'ultima frase dell'articolo 8.2 e aggiunge una nota all'Allegato ZA, in relazione alla ISO/IEC 11801. - Corrigendum del settembre 2005: cambia la dow degli Amendment A1 e A2 CEI 110-28; V1 Questa Variante alla CEI EN 610003-3 introduce importanti modifiche e c aggiornamenti al campo di applicazione, alle definizioni, ai limiti, alle procedure di prova e alle Appendici A e B che definiscono rispettivamente i limiti e le condizioni di prova per specifiche apparecchiature e le condizioni di prova e le procedure per la misura delle variazioni di tensione massime provocate da commutazioni manuali CEI 110-28;V2 Compatibilità elettromagnetica (EMC) Parte 3-3: Limiti - Limitazione delle fluttuazioni di tensione e del flicker in sistemi di alimentazione in bassa tensione per apparecchiature con corrente nominale <= 16 A e non soggette ad allacciamento su condizione

elettromagnetica (EMC) Parte 3-3: Limiti - Limitazione delle fluttuazioni di tensione e del flicker in sistemi di alimentazione in bassa tensione per apparecchiature con corrente nominale <= 16 A e non soggette ad allacciamento su condizione

61000-3-2 61000-3-2 110-31

Compatibilità elettromagnetica (EMC) Parte 3-2: Limiti - Limiti per le emissioni di corrente armonica (apparecchiature con corrente di ingresso <= 16 A per fase)

La presente Norma definisce i limiti, in condizioni specifiche di prova, delle correnti armoniche immesse nella rete pubblica di distribuzione a bassa tensione dagli apparecchi elettrici ed elettronici, comprese le apparecchiature per saldatura ad arco non professionali, con corrente assorbita inferiore o uguale a 16 A per fase. La Norma non è applicabile alle apparecchiature per saldatura ad arco professionali, che possono essere soggette a restrizioni di installazione, come indicato nella IEC 61000-3-4. Rispetto alla precedente edizione i cambiamenti sono abbastanza modesti, in quanto tale precedente edizione era basata sulle norme CENELEC che già avevano introdotto, in anticipo rispetto alla IEC, le importanti modifiche sulla

127

classificazione delle apparecchiature. Questa nuova edizione consolidata, basata sulla nuova normativa CENELEC/IEC, finalmente allineate, comprende il testo delle Norme europee EN 61000-3-2:2000 (già Norma CEI 110-31, seconda edizione) e sua Modifica A2:2005.

● Immunità EMC. IEC EN CEI TITOLO
Compatibilità elettromagnetica (EMC). Parte 6-1: Norme generiche Immunità per gli ambienti residenziali, commerciali e dell'industria leggera

SOMMARIO
La presente Norma, relativa alle prescrizioni sull'immunità ai disturbi elettromagnetici compresi nella gamma di frequenze da 0 Hz a 400 GHz, si applica alle apparecchiature elettriche ed elettroniche previste per essere usate in ambienti residenziali, commerciali e dell'industria leggera, per le quali non esistono Norme di immunità di prodotto o di famiglie di prodotti. La presente Norma si applica alle apparecchiature previste per essere collegate direttamente alla rete pubblica di alimentazione a bassa tensione o a una particolare sorgente in c.c. che funga da interfaccia tra l'apparecchiatura e la rete pubblica di alimentazione a bassa tensione. Essa si applica anche alle apparecchiature funzionanti a batteria o alimentate da un sistema di distribuzione dell'energia a bassa tensione non pubblico, ma non industriale, e previste per gli ambienti sopraccitati

61000-6-1 61000-6-1 210-64

61000-6-2 61000-6-2 210-54

Compatibilità elettromagnetica (EM Parte 6-2: Norme generiche - Immunità per gli ambienti industriali C).

La presente Norma si applica alle apparecchiature elettriche ed elettroniche da utilizzare negli ambienti industriali, per i quali non esistono Norme sull'immunità riferite al prodotto o a famiglie di prodotti. Riguarda le prescrizioni di immunità comprese nella banda

128

di frequenze da 0 Hz a 400 GHz. Quando esiste una Norma di compatibilità elettromagnetica specifica relativa all'immunità per un prodotto o per una famiglia di prodotti, questa prevale su tutti gli aspetti della presente Norma generica. Gli ambienti considerati sono quelli industriali, sia interni che esterni. Le apparecchiature considerate sono previste per essere connesse ad una rete di potenza, derivata da un trasformatore di media o alta tensione dedicato, che alimenta una installazione per la distribuzione ad impianti manifatturieri o simili e il cui funzionamento è previsto in ambienti industriali o in prossimità di essi. La presente Norma riporta il testo in inglese e italiano della EN 61000-6-2; rispetto al precedente fascicolo n. 8027E di dicembre 2005, essa contiene la traduzione completa della EN sopra indicata e, in aggiunta, il Foglio di Interpretazione CENELEC, pubblicato nel marzo 2006 come Variante 1 alla CEI 210-54

● Sicurezza. IEC EN 50178 CEI 22-15 Anno 1999 Ed. Prima TITOLO
Apparecchiature elettroniche da utilizzare negli impianti di potenza

SOMMARIO
Lo scopo della presente norma consiste nel definire i requisiti minimi di progettazione e costruzione delle apparecchiature elettroniche, ai fini della protezione contro la scossa elettrica, della prova e dell’integrazione negli impianti di potenza. L’inserimento dell’apparecchiatura in impianti di potenza rende particolarmente importante il far ricorso a prescrizioni minime, così da poter garantire che tutte le apparecchiature integrate nell’impianto mantengano un livello tecnico uniforme di sicurezza ed affidabilità. A parte le esclusioni dal campo di applicazioni elencate nel seguito, la

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Sistemi di continuità.Dispositivi differenziali di protezione. . . indipendentemente dal loro inserimento o meno in impianti di potenza. . .129 norma si applica d ogni tipo di apparecchiatura elettronica prevista per l’utilizzo in impianti di potenza. .Apparecchiature Medicali. . . . e comprende perciò apparecchiature elettroniche di potenza. Sono esclusi dal campo di applicazione: .Apparecchiature elettriche per impianti ferroviari.Apparecchiature pubbliche di ricarica di veicoli elettrici. .Apparecchiature e reti di telecomunicazioni e radiocomunicazione non industriali pubbliche e private. L’apparecchiatura elettronica è in generale qualunque apparecchiatura elettrica la cui funzione principale viene svolta da componenti elettronici. .Relè di protezione.Accessori e apparecchi elettrici per uso domestico.Apparecchiature di illuminazione.Elaborazione dati senza controllo di sistemi e di processi. La norma è però anche applicabile a tutte quelle apparecchiature elettroniche per le quali non esista una specifica norma di prodotto.

and Controllers for Inverters. Clarification of Converter Requirements 4. Including Revisions in Accordance with the NEC. Standard for Inverters. IEEE 1547. The previous title. Clarification of Grounding Requirements 3. Solar photovoltaic systems covered by this article may be interactive with other electrical power production NEC Anno 2005 ---- Articolo 690 Solar Photovoltaic . Markings for Conductor Temperature Limitations. 1. been revised to Inverters. Clarification of the Inclusion of Interconnection Equipment for StandAlone and Utility-Connected Systems 2. IEEE 1547. Revisions in Accordance with the NEC Including a Clarification of Screw Engagement.0 2) 11/07/2006 The revisions dated November 7. Replacement of the UtilityInterconnection Requirements and Tests with References to the Standard for Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems. and the Standard for Conformance Test Procedures for Equipment Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems. The provision of this article apply to solar photovoltaic systems.1. 2005 include a revised title. Use in Independent Power Systems. Converters. controller(s) for such systems.6. UL1741 Anno Revisioni: 1) 17/01/2005 1999 Ed. 5. and the Deletion of "Natural" from "Natural Gray" 6. Controllers and Controllers and Interconnection System Interconnection Equipment for Use With Distributed System equipment for Use Energy Resources. has Converters. Clarification of Ground-Fault Detector/Interrupter (GFDI) Requirements for Photovoltaic Equipment. the revisions dated November 7. Converters. 2005 were With Distributed Energy Resources issued to incorporate the following revised requirements: Titolo: 1. including the array circuit(s).130 3.3 Norme Stati Uniti. In addition.

for the injection of electric power through an electrical installation to the electricity distribution network.4 Norme per l’Australia. with or without electrical energy storage such as battery. or up to 30 kVA for three-phase units. source (e. This Standard does not include EMC requirements.2 2005 ---- Grid connection of energy systems via inverters Inverter requirements. wind turbine or micro-hydro system) by appropriate changes to the tests. These systems may have ac or dc output for utilization. photovoltaic array). AS Anno Revisioni ---- Titolo Grid connection of energy systems via inverters Installation requirements.g. for the injection of electric power through an electrical installation to the electricity distribution network. Sommario This Standard specifies the electrical installation requirements for inverter energy systems and grid protection devices with ratings up to 10 kVA for single phase units.c.6. Although this Standard does not apply to larger systems. . similar principles can be used for the installation of such systems. this Standard may be used for systems where the energy is from a variable a. Although this Standard is written on the basis that the renewable energy is from a d. source (e.1 2005 AS4777. This Standard does not cover detailed installation requirements for the energy source(s) and its associated wiring This Standard specifies the requirements for inverters. Although this Standard does not apply to larger systems.c. AS4777. similar principles can be used for the design of such systems.131 System source or stand alone. Users attention is drawn to Australian Communication Authority’s document ‘Electromagnetic CompatibilityInformation for suppliers of electrical and electronic products in Australia and New Zealand’ for guidance. 3. These are mandated by the Australian Communications Authority (ACA).g. with ratings up to 10 kVA for single-phase units or up to 30 kVA for three-phase units.

These requirements are mandated by the Australian Communications Authority (ACA). This Standard does not include EMC requirements. Although this Standard is written on the basis that the renewable energy is from a d.g. this Standard may be used for systems where the energy is from a variable a. wind turbine or micro-hydro system) by appropriate changes to the tests. Although this Standard does not apply to larger systems. . and for the injection of electric power through an electrical installation to the electricity distribution network. source (e. photovoltaic array).g. These devices do not replace devices used for protection and/or isolation as required in AS/NZS 3000. source (e. with ratings up to 10 kVA for single-phase units.132 AS4777.3 2005 ---- Grid connection of energy systems via inverters .c. or up to 30 kVA for three-phase units. similar principles can be used for the grid protection of such systems.c. Users attention is drawn to Australian Communications Authority’s document ‘Electromagnetic Compatibility Information for suppliers of electrical and electronic products in Australia and New Zealand’ for guidance.Grid protection requirements This Standard specifies the requirements for grid protection devices intended to be used in inverter energy systems.

teoricamente offrono la possibilità di minimizzare ingombri. nei sistemi monofase. illustrate in figura 4.1. capacitivo o induttivo. complessità. tutte le tipologie a singolo stadio devono essere dimensionate per una potenza istantanea doppia rispetto a quella media erogata dal campo fotovoltaico. dell’ordine delle centinaia di watt (50W – 400W).133 Capitolo 4 – Topologie elettroniche. d) Estrarre dal campo fotovoltaico la massima potenza disponibile. e) Iniettare potenza in rete rispettando tutte le normative vigenti. vengono realizzate per applicazioni di bassa potenza. 4. b) Contenere un elemento di accumulo.1 Premessa. Le prime caratteristiche influenzano notevolmente la topologia elettronica del sistema di conversione. c) Garantire l’isolamento galvanico tra la sorgente DC e la rete elettrica pubblica. garantire quanto segue: a) Presentare una elevata efficienza. le soluzioni a singolo stadio. tipicamente dell’ordine del 94%. per la gestione dello sbilanciamento di potenza. Per garantire un’elevata efficienza sono state studiate soluzioni a singolo stadio. Tuttavia. L’inverter fotovoltaico denominato anche modulo di conversione o sistema di condizionamento della potenza (PCS – Power Conditioner System) può essere realizzato in molti modi diversi. . dissipazioni e costi. ma deve. in ogni caso. se richiesto dalle normative vigenti. Per questi motivi. dato che.

d) Boost a quattro interruttori. . a) Buck con trasformatore a frequenza di rete.1 – Soluzioni circuitali a singolo stadio.134 a) b) c) d) e) Fig. b) ed c) Buck-boost a quattro interruttori. 4. e) Buck-boost risonante a quattro interruttori.

135 .

ottenendo lo schema di controllo completo illustrato precedentemente. il quale viene moltiplicato per il sinθ catturato dal circuito PLL (Phase-Looked-Loop) per produrre il riferimento della corrente d’uscita Iref. La variabile d’uscita dell’algoritmo MPPT è comunque il riferimento di tensione continua V*PV come illustrato in figura 4. L’uscita del controllo di tensione è il riferimento dell’ampiezza di corrente I ref . ^ Fig. L’uscita dell’MPPT è il riferimento di corrente AC. con un controllo feed-forward della potenza d’ingresso è possibile migliorare la dinamica del sistema fotovoltaico in quanto l’MPPT è piuttosto lento. .4 – Parte del sistema di controllo delle topologie a singolo stadio. Infine. Il sistema produce il riferimento di corrente a partire dalle misure di tensione e corrente del campo fotovoltaico (figura 4. 4. 4. sincronizzato con la tensione di rete.136 In figura 4.2 è illustrato lo schema di controllo tipico di un inverter a singolo stadio. Fig.4. Un regolatore PI è usato per stabilizzare l’anello di tensione.3 – Parte del sistema di controllo delle topologie a singolo stadio.3).

4.5. Un primo stadio DC/DC consente l’innalzamento della tensione continua d’ingresso. Quando si connettono in cascata due convertitori di potenza. evitando così l’installazione problematica di lunghe stringhe di moduli connessi in serie. la funzione di trasferimento del sistema vale: + uIN - W1(s) W2(s) + uOUT - ZOUT1 ZIN2 Fig.1. In cascata allo stadio DC/DC si connette uno stadio DC/AC che si occupa dell’interfacciamento con la rete elettrica e controlla il livello della tensione del bus. Questo stadio svolge inoltre la funzione di inseguitore del punto di massima potenza (MPPT). isolate e non isolate.137 Le soluzioni maggiormente utilizzate in commercio. per potenze di qualche kW. viene realizzato con soluzioni isolate basate su trasformatore ad alta frequenza.1) . come illustrato in figura 4.5– Connessione in cascata di due convertitori. Inoltre. sono soluzioni a doppio stadio. e dove richiesto. L’uscita del convertitore DC/DC è un bus o link in corrente continua dove è allocato l’elemento di accumulo. u OUT W1 (s ) ⋅ W2 (s ) = Z u IN 1 + OUT 1 Z IN 2 (4. la struttura a doppio stadio si adatta bene alla realizzazione di topologie multistringhe.

Essendo la tensione del bus controllata dallo stadio inverter. considerando l’effetto della sorgente.138 dove: ZOUT1 è l’impedenza d’uscita del primo convertitore. ZIN2 è l’impedenza d’ingresso del secondo convertitore.Schema a blocchi semplificato per l’analisi dei convertitori a due stadi.6 . In figura 4. le variazioni del duty cycle cambieranno la tensione all’uscita dei moduli fotovoltaici secondo la relazione: V BUS = k ⋅ VFV 1− δ (4.6. come si può notare in figura 4. L’inverter DC/AC è solitamente un inverter a tensione impressa con controllo di corrente e l’implementazione di tale sistema di controllo necessita della comunicazione tra i due stadi. controllato dal sistema di supervisione del secondo stadio. considerando l’effetto del carico.7 è illustrato un tipico sistema di controllo per inverter a due stadi. + DC/DC VBUS + VBUS DC/AC LINE Fig. attualmente utilizzato dall’industria e in figura 4. Per lo stadio inverter la tensione costante VBUS costituisce. il segnale d’ingresso. 4. In tale sistema di controllo.1. invece. l’uscita dell’algoritmo MPPT è una funzione duty cycle. Pertanto. .2) dove la costante k tiene conto della configurazione utilizzata per la realizzazione dello stadio DC/DC innalzatore.8 una sua possibile implementazione. per l’analisi delle topologie elettroniche a due stadi saranno presi in considerazione i convertitori DC/DC e gli inverter DC/AC tenendo presente che l’uscita del primo stadio è un generatore di tensione costante VBUS.

139 .

140 .

10 – Convertitore boost.2.9 – Inverter fotovoltaico non isolato a doppio stadio: boost più ponte intero. Fig. In figura 4.10 è ridisegnato lo schema del convertitore Boost. 4.141 4. la corrente nell’induttore non si annulla mai. 4. dal suo valore iniziale.1.2.2 Topologie elettroniche a doppio stadio.1) La corrente nell’induttanza cresce linearmente.1 Configurazione non isolata: Boost – Full Bridge. 4. In figura 4. Chiudendo lo switch S si ha: v L = V IN seguente relazione: (4. secondo la . + VIN - L + vL S D + C V0 - Fig. Supponendo che il convertitore Boost lavori in modo CCM (Continuos Conduction Mode).9 è rappresentata una topologia non isolata realizzata con la cascata di un convertitore Boost e un inverter a ponte intero.

4) t vL VIN t VIN –V0 iL IL δ Ts iS Ts t t iD ID=I0 t Fig.1.1. .2) All’istante t = tON si apre l’interruttore.11 – Forme d’onda del convertitore boost.2. la corrente nell’induttanza decresce linearmente dal valore massimo raggiunto all’istante t = tON secondo la relazione: i L (t ) = i L (t ON ) + S 1 (VIN − V0 ) ⋅ dt con S = OFF per t > t ON L t∫ ON t (4.2.142 i L (t ) = I L 0 + 1 V IN ⋅ dt con S = ON L∫ 0 t (4. Ai capi dell’induttanza si presenta una differenza di potenziale pari a: v L = VIN − VO < 0 (4.3) Pertanto.2. 4.1.

2. si controlla la .12 – Diversi punti di lavoro del modulo fotovoltaico.143 A regime. l’integrale di tensione ai capi dell’induttore deve essere nullo. P[W] U [V] Fig. 4.1.5) La tensione d’uscita è mantenuta costante al valore VBUS dallo stadio DC/AC in cascata e la caratteristica potenza tensione della sorgente d’ingresso è illustrata in figura 4. V IN ⋅ t ON + (V IN − V0 ) ⋅ t OFF = 0 V IN ⋅ δ ⋅ TS + (V IN − V0 ) ⋅ (1 − δ ) ⋅ TS = 0 V IN ⋅ δ + V IN − V IN ⋅ δ − V0 + V0 ⋅ δ = 0 V IN = V0 ⋅ (1 − δ ) V0 1 = V IN 1 − δ (4. che coincide con la corrente DC fornita dal campo fotovoltaico IFV. Controllando il valor medio della corrente iL.12. Modulando opportunamente il duty cycle del convertitore Boost si controlla il valor medio della corrente iL sull’induttanza L.

2.14). . Viceversa. In questo modo si estrae dal campo fotovoltaico solo una componente continua IFV (figura 4.1. se il punto di lavoro è situato in 3 o 4 il controllo incrementa il duty-cycle. il sistema di controllo ridurrà il duty – cycle in modo da avvicinarsi all’MPP. La funzione del condensatore d’ingresso è quella di eliminare il ripple di corrente assorbito dall’induttanza d’ingresso (che dipende anche dall’impedenza d’uscita del modulo fotovoltaico). il sistema sta lavorando nell’MPP e la relazione 4.144 posizione del punto di lavoro sulla caratteristica potenza-tensione. Quando il convertitore Boost assorbe una corrente di valor medio Im. Lo schema del convertitore Boost è completato in figura 4. iL IFV CIN iC + L + vL S - D + C V0 = UBUS - VIN - Fig.5 diventa: V0 U BUS 1 = = V IN Vm 1− δ (4. .13 con l’aggiunta di un condensatore d’ingresso CIN.12.13 – Stadio DC/DC boost.1.2.4.6) Se il punto di lavoro è situato nei punti 1 o 2 di figura 4.

15 – Stadio DC/AC .15.145 iL IL =IFV δ Ts iC_IN t IFV t VIN Ts t t Fig.14 – Andamento delle correnti d’ingresso. + S1 VBUS S2 + vOUT vLINE S3 - S4 Fig. Lo stadio DC/AC in cascata è realizzato da un inverter a ponte intero a tensione impressa controllato con la tecnica della modulazione PWM (Pulse With Modulation) come rappresentato in figura 4. 4. 4.

come illustrato in figura 4. a) Rapporto di modulazione di frequenza mf: mf = fS f RETE (4.1 Modulazione PWM bipolare.2) .2.1.1. Si definisce: a) Rapporto di modulazione di ampiezza ma: ma = vcoontrollo _ MAX vTR _ MAX (4. Il segnale di controllo vcontrollo è usato per modulare il duty cycle dell’interruttore e ha la frequenza fRETE.1.146 4. un segnale di controllo sinusoidale con la frequenza desiderata e sincronizzato con la rete elettrica è confrontato con un’onda triangolare.2.1. 4. che è la frequenza desiderata per la prima armonica della tensione d’uscita (fRETE è chiamata anche frequenza modulante e nel nostro caso è uguale alla frequenza della rete elettrica).2. Per ottenere una forma d’onda sinusoidale. La frequenza dell’onda triangolare stabilisce la frequenza di commutazione degli interruttori fS ed è chiamata frequenza portante (di solito mantenuta costante assieme alla sua ampiezza vTR_MAX).16.1) dove: vcoontrollo _ MAX = ampiezza del segnale di controllo. vTR _ MAX = ampiezza del segnale triangolare. vTR t vcontrollo Fig.16 – Segnale di controllo e segnale portante per la modulazione PWM.1.

VBUS. Se la portante è maggiore della modulante si chiudono gli interruttori S2 e S3 generando in uscita una tensione . 4. Dallo spettro della forma d’onda d’uscita si nota che il segnale è costituito dalla componente fondamentale (h=1). Lo spettro del segnale d’uscita è illustrato in figura 4. che ha ampiezza pari a ma ⋅ U BUS . vOUT +UBUS t -UBUS Fig. In figura 4.18. Il valor medio della forma d’onda d’uscita è la tensione sinusoidale desiderata.147 Se la portante è minore della modulante. 4.17. si genera all’uscita dell’inverter la forma d’onda a frequenza fissa e duty cycle variabile illustrata in figura 4.18 – Spettro della forma d’onda d’uscita. e da componenti ad alta frequenza che si trovano a frequenze mf volte la frequenza fondamentale.19 è illustrata la relazione tra il coefficiente di modulazione d’ampiezza e la componente fondamentale.17 – Forma d’onda d’uscita e valore medio. . si chiudono gli switch S1 e S4 generando in uscita un livello di tensione pari a VBUS. vOUT_h / UBUS h Fig. Così facendo.

Lo stadio DC/AC è equipaggiato con un sistema di controllo di corrente. Finchè il rapporto di modulazione d’ampiezza è minore di uno. Infatti: vOUT _ 1 = ma ⋅ U BUS ⋅ sin (ωt ) per 0 < ma < 1. il legame tra l’ampiezza della prima armonica e il coefficiente di modulazione è lineare. (4. in questo modo la corrente iniettata in rete è in fase con la tensione e il fattore di potenza è unitario.3) La distanza tra le righe spettrali facilita la realizzazione del filtro e permette l’immissione in rete di una tensione con forma d’onda a basso contenuto armonico.1. 4.1.2.19 – Ampiezza della tensione d’uscita in funzione di ma.148 vOUT_1/UBUS Fig. .

Inoltre. 4. mentre il ramo B confrontando la stessa portante con –vcontrollo. S1 UBUS A B S3 S4 vOUT S2 Gamba A N Gamba B Fig.19 – Stadio DC/AC a ponte intero.1. le righe sono centrate solo sui multipli pari del rapporto di modulazione di frequenza.2 Modulazione PWM unipolare. Questa seconda tecnica di modulazione PWM ha il vantaggio di “raddoppiare” la frequenza di commutazione. . Il ramo A viene comandato confrontando il segnale portante vTR con il modulante vcontrollo. Alcuni costruttori di inverter utilizzano per lo stadio DC/AC una modulazione PWM con tensione unipolare. I rami A e B dell’inverter sono comandati separatamente.149 4. Gli interruttori dei due rami non sono comandati contemporaneamente.2. Analizzando lo spettro della forma d’onda d’uscita si nota che oltre alla fondamentale. ⎧vcontrollo > vTR ⎨ ⎩vcontrollo < vTR S1 = ON e v AN = U BUS S 4 = ON e v AN = 0 ⎧− vcontrollo > vTR e⎨ ⎩− vcontrollo < vTR S 2 = ON e v BN = U BUS S3 = ON e v BN = 0 La tensione d’uscita varia tra 0 e +UBUS o tra 0 e –UBUS e per questo motivo è chiamata modulazione unipolare. come nella tecnica PWM precedente. le variazioni della tensione d’uscita in ogni commutazione sono ridotte a UBUS rispetto al valore 2UBUS del caso bipolare.

4. 4.150 .vBN UBUS t -UBUS Fig.21– Spettro segnale PWM unipolare. . t t vcontrollo vOUT_h/UBUS h Fig.20 – Segnali di controllo e d’uscita dell’inverter con modulazione unipolare.vcontrollo vTR t vAN UBUS vBN UBUS vOUT= vAN .

+ C1 UBUS C2 + S1 UBUS/2 + S2 UBUS/2 Fig. le uscite sono connesse in parallelo su un bus DC e la tensione del bus è controllata dal sistema di controllo dello stadio DC/AC. di frequenza fissa e duty cycle variabile il cui valor medio è uguale alla forma d’onda desiderata. La soluzione diffusamente utilizzata in commercio è illustrata in figura 4. .22. Ogni stringa fotovoltaica ha il proprio convertitore DC/DC dedicato a svolgere la funzione di MPPT.22 – Struttura multistringa.2. 4. rispetto al riferimento.151 4.Half Bridge . +UBUS/2 e –UBUS/2.2 Configurazione multistringa non isolata: Boost .Inverter è utilizzata commercialmente per la realizzazione di inverter multistringa. La struttura Boost . Mediante la modulazione PWM si costruisce una forma d’onda a due livelli (+UBUS/2 e –UBUS/2). La tensione del bus DC è applicata ad un partitore capacitivo C1-C2 che produce due livelli di tensione.

lo stadio inverter è dotato di un controllo di corrente. successivamente. Chiaramente. Mediante un filtro d’uscita si eliminano.152 +UBUS/2 vOUT t -UBUS/2 Fig.23 – Forma d’onda generata dal convertitore a mezzo ponte. le componenti armoniche in alta frequenza iniettando in rete una tensione sinusoidale. . anche in questa applicazione. 4.

4.24 – Inverter con trasformatore a frequenza di rete. b) L’efficienza del sistema si riduce a causa delle perdite del trasformatore. Per contro: a) Il trasformatore a frequenza di rete è ingombrante e pesante.3 Configurazione isolata: Boost – Full Bridge. La presenza del trasformatore garantisce: a) L’isolamento galvanico tra la sorgente fotovoltaica e la rete. La topologia funziona in maniera analoga a quella descritta precedentemente.153 4. La struttura Boost – Full Bridge viene anche utilizzata per la realizzazione di inverter fotovoltaici isolati con trasformatore a frequenza di rete. Tale struttura sembra essere sempre meno utilizzata per applicazioni grid – connected da 3 kW e viene ancora utilizzata. invece. per inverter di taglia superiore a 20kW dove la presenza del trasformatore a frequenza di rete è imposta dalle normative. Fig. L’unica variante è la presenza del trasformatore a frequenza di rete. .2. b) L’eliminazione della componente DC della corrente iniettata in linea.

2. .154 4.26 è stato ridisegnato lo stadio DC/DC d’interfaccia con il campo fotovoltaico. 4. 4. + ● + ● - + v1 - v2 + CIN vIN - C0 D VBUS - S Fig.26 – Stadio isolato DC/DC Flyback. la struttura Flyback è quella che presenta il minor numero di componenti tra tutti i convertitori DC/DC di tipo isolato e prevede l’utilizzo di un mutuo induttore realizzato su un nucleo magnetico con un traferro in grado di immagazzinare l’energia richiesta.25 – Inverter fotovoltaico isolato a doppio stadio: flyback più ponte intero.25 è illustrata una realizzazione di un inverter fotovoltaico con una struttura Flyback seguita da uno stadio a ponte intero. A livello elementare. Le configurazioni isolate vengono realizzate principalmente con un trasformatore ad alta frequenza inserito sul convertitore DC/DC. pertanto lo stadio DC/DC è un convertitore DC/DC di tipo isolato. In figura 4.4 Configurazione isolata: Flyback – Full Bridge. In figura 4. ● ● Fig.

Forme d’onda al primario del mutuo induttore.2) La presenza di un trasformatore d’isolamento.4. oltre a garantire l’isolamento galvanico. Il sistema di controllo aggiusterà.27). . il duty cycle in modo da prelevare dal campo fotovoltaico la massima potenza disponibile. Quando si chiude l’interruttore S . All’istante t = tON = δTS l’interruttore viene aperto e al secondario risulta applicata la tensione –VBUS in quanto il diodo è forzato in conduzione dalla corrente magnetizzante che si è trasferita al secondario. Pertanto. Lo stadio DC/AC in cascata è realizzato ancora una volta da un convertitore a ponte intero come nel caso precedentemente analizzato. al primario del mutuo induttore è applicata la tensione d’ingresso VIN e la corrente i1 cresce linearmente dal suo valore minimo (figura 4. quindi.4. A regime. All’avvolgimento primario risulta applicata una tensione pari a – VBUS(N1/N2). permette di adattare il livello di tensione utilizzando il rapporto spire del trasformatore.155 v1 vIN t -VBUS (N1/N2) i1 IFV δ TS TS t Fig.2.2.1) M = V BUS δ N2 = V IN 1 − δ N1 (4. A secondario il diodo risulta contropolarizzato e l’energia necessaria è fornita dal condensatore di uscita C0. l’integrale di tensione sul trasformatore deve essere nullo. 4.27 . si ricava la relazione tra tensione d’ingresso VIN e tensione d’uscita VBUS: V IN ⋅ δ ⋅ TS = V BUS ⋅ N1 ⋅ (1 − δ ) ⋅ TS N2 (4.

28 è illustrato un inverter fotovoltaico a due stadi realizzato con la cascata di uno stadio push-pull e un inverter a corrente impressa a frequenza di rete.28 – Inverter fotovoltaico isolato a doppio stadio: push-pull più ponte intero. 4.5 Configurazione isolata: Push Pull – Inverter a corrente impressa.156 4. ● N1 + VFV S1 S2 ● ● N2 V2 N1 Fig. risulta nulla. Il ponte di Graetz diventa un cortocircuito e la tensione al secondario. In figura 4.VFV Fig.30 – Forma d’onda della tensione sul primario. chiudendo l’interruttore S1 si applica –VFV. e quindi al primario. Viceversa. . Con tutti e due gli interruttori aperti.29 – Stadio isolato DC/DC push-pull. L0 Fig. la corrente magnetizzante si trasferisce al secondario. V1 +VFV t .29 è illustrato lo stadio DC/DC. 4.30. In figura 4.2. 4. Chiudendo lo switch S2 si applica al primario del trasformatore una tensione +VFV. L’andamento della tensione al primario è illustrato in figura 4.

5.32 – Tensione all’uscita del ponte di Graetz.2) .2. 4.157 La tensione v1 si riflette al secondario secondo la ben nota relazione: v1 N1 N = ⇒ v 2 = v1 2 v2 N 2 N1 (4. vR2 V FV ⋅ N2 N1 t v2 Andamento di vGRID su un periodo di commutazione Fig.1) v2 V FV ⋅ N2 N1 t − V FV ⋅ N2 N1 Fig.5.31 – Forma d’onda di tensione al secondario.2. 4. t L’induttanza L0 si trova quindi sottoposto ad una differenza di potenziale che vale: v L = v 2 − v grid (4. La tensione v2 viene raddrizzata dal raddrizzatore a doppia semionda e applicata all’induttanza L0.

32. 4. quando |v2| > |vGRID| la corrente iL0 cresce linearmente. durante un periodo di commutazione la tensione di rete può essere considerata costante come illustrato in figura 4. i L0 t a) iL0(t) i L0 t b) Fig. .33 – a) Valor medio della corrente sull’induttanza L0. Il duty cycle viene modulato opportunamente in modo tale che il valor medio della corrente sull’induttore iL0 sia una sinusoide raddrizzata a frequenza di rete. Facendo commutare gli interruttori del ponte intero d’uscita a 50Hz si inetta in rete durante un semiperiodo la semionda positiva e durante il semiperiodo successivo la semionda negativa.158 Essendo la frequenza di commutazione molto maggiore della frequenza di rete. Con questa ipotesi. Viceversa. se |v2| < |vGRID| la corrente iL0 decresce linearmente. b) Valor medio e istantaneo della corrente nell’induttanza.

Se la stringa ha un valore di tensione intorno ai 400V. ciò implica che gli interruttori devono sopportare una tensione inversa di 800V il che comporta l’utilizzo di switches a tensione elevata i quali presentano perdite in conduzione e commutazione non trascurabili. 4. ai capi dello switch aperto è applicata una tensione inversa pari al doppio della tensione d’ingresso. quando uno switch è chiuso la tensione applicata ad uno dei due avvolgimenti primari si riflette anche sull’altro avvolgimento. degrada l’efficienza del sistema rispetto a soluzioni che utilizzano componentistica a 600V. Infatti.34 – Corrente d’uscita.159 iOUT t Fig. Così facendo. . molto più performante in termini di perdite in conduzione e velocità di commutazione. conseguentemente. Tutto ciò. Uno degli svantaggi di questa configurazione consiste nella tensione inversa che devono sopportare gli interruttori al primario.

35 – Inverter fotovoltaico a doppio ponte intero. Un secondo full bridge a frequenza di rete inietta in rete alternativamente la semionda positiva e negativa della corrente iL0. Una soluzione simile alla precedente realizzata da alcuni costruttori è illustrata in figura 4. 4.160 4. diminuendo così le perdite sui diodi. L0 iL0 Fig. 4. Per . 0 . generando così la sinusoide raddrizzata. In letteratura sono presenti soluzioni alternative a questa soluzione.35. Le soluzioni proposte utilizzano un trasformatore a presa centrale con un raddrizzatore a singola semionda. Fig.6 Configurazione isolata: Full Bridge – Inverter a corrente impressa.2. +VFV). Il principio di funzionamento è lo stesso della cascata Push Pull . Modulando opportunamente la tensione ai capi dell’induttanza L0 si ottiene una corrente sinusoidale raddrizzata. Rispetto alla configurazione con Push Pull si ha la presenza di un trasformatore con un solo avvolgimento primario.36 – Raddrizzatore a singola semionda In questa soluzione la corrente che scorre sul secondario circola su un solo diodo anziché due come nel caso del ponte di Graetz. Lo stadio DC/DC è realizzato con un convertitore a ponte intero in grado di generare una forma d’onda a tre livelli (-VFV.Inverter precedentemente illustrata.

la realizzazione di due semi-avvolgimenti secondari risulta più complessa.161 contro. In conclusione. tale soluzione risulta vantaggiosa per applicazioni ad elevate correnti e basse tensioni d’uscita. mentre per applicazioni fotovoltaiche risulta più vantaggiosa la prima soluzione proposta. .

le caratteristiche potenza-tensione di tre moduli fotovoltaici connessi in serie sottoposti a diverso irraggiamento (figura 4. B. 4. Ogni stringa fotovoltaica è realizzata con la connessione in serie di più moduli. la cui corrente è. Pertanto.1 Introduzione alla topologia GCC. l’esistenza del secondo punto di massimo.162 4. a sua volta. in modo da ottenere una tensione sufficientemente elevata alla realizzazione di un sistema ad elevato rendimento. Il sistema di generazione fotovoltaico è organizzato. La caratteristica potenza-tensione della stringa è rappresentata in figura 4.38. Il collegamento in serie di più moduli presenta seri inconvenienti qualora anche solo uno dei pannelli fotovoltaici sia parzialmente ombreggiato.1 Topologia GCC (Generation Control Circuit).1. con una o più stringhe di moduli connesse in parallelo. b) Si può verificare sperimentalmente che il picco di potenza è inferiore al picco di potenza teorico che si otterrebbe con una connessione in parallelo dei tre moduli. 4. per esempio. ma l’algoritmo MPPT può fallire. Infatti. imposta dalla cella meno illuminata (ogni modulo è realizzato con la connessione in serie di più celle). Infatti.3. Si consideri. . potrebbe ingannare l’algoritmo di MPPT e portare il sistema a funzionare in tale punto con ulteriore perdita di potenza. normalmente. Dalla figura risultano due inconvenienti: a) Esistono due picchi di potenza A e B.37). rispetto a quella realmente disponibile.3.3 Topologie elettroniche proposte in letteratura. non solo si estrae meno potenza di quella disponibile. la corrente di stringa è imposta dal modulo meno illuminato.

A B Fig.37 – Caratteristica Potenza-Tensione di tre moduli fotovoltaici sottoposti a diverse condizioni di irraggiamento.163 Per far fronte a questo inconveniente sono stati studiati dei sistemi di controllo denominati GCC (Generation Control Circuit). 4. Pannelli non oscurati Pannello ombreggiato Fig.38 – Caratteristica Potenza – Tensione della serie dei tre pannelli . 4.

a) Tipo A. connessa in parallelo ai moduli fotovoltaici PV1.1. PVm rispettivamente. X1. nei quali m moduli fotovoltaici sono connessi in serie. 4..3.2.1. PV2. La tensione di uscita VOUT è pari alla somma delle tensioni di uscita dei singoli moduli.2 Principio di funzionamento del circuito GCC.…. Fig. Im + V1 I1 X1 IOUT + IC + V1 I1 X1 IOUT + V2 I2 X2 VOUT + V2 I2 X2 + Vm - Im Xm + Vm - Im Xm a) GCC tipo A.39 – Principio di funzionamento circuito GCC. X2.1) . b) Tipo B. VOUT = ∑ Vi i =1 m (4. b) GCC tipo B.164 4. I circuiti GCC presentano una sorgente di tensione multipla.3. Xm . In figura 4.….39 è illustrato il principio di funzionamento di due circuiti GCC..

..3) (4.6) Essendo la corrente d’uscita espressa dalla seguente relazione: .1.1.5) da cui si ottiene: VOUT ⋅ I C = ∑ Vi ⋅ (I m − I i ) i =1 m (4.2) Ne consegue che. > I i > .2.. Si assuma che le correnti dei moduli fotovoltaici valgano: I m > I m−1 > .1.3.2.3.1..3. vale la relazione: PIN = POUT (4. Il circuito GCC è alimentato dalla potenza d’uscita. le potenze d’ingresso e d’uscita al circuito sono espresse dalle seguenti relazioni: PIN = VOUT ⋅ I C POUT = ∑ Vi ⋅ (I m − I i ) i =1 m (4..4) dove IC è il valore della corrente entrante nel circuito GCC.3. Pertanto.1.3.165 Si consideri la tipologia A.2.2. > I 2> I 1 (4. Assumendo che le perdite del GCC siano trascurabili.2. la differenza tra la corrente Im e la corrente Ii sarà fornita dalla sorgente Xi permettendo al modulo fotovoltaico PVi di mantenere ai suoi capi una differenza di potenziale pari a Vi..

1.9) .2.7) si ottiene.1.3.3. PIN = 0.1. la corrente d’uscita vale: PIN = VOUT ⋅ I C = 0 ⇒ I C = 0 I OUT = I m − I C = I m (4.8) dimostra come ogni modulo fotovoltaico generi indipendentemente la propria potenza massima.2.166 I OUT = I m − I C = = Im − ∑ Vi ⋅ (I m − I i ) = VOUT i =1 m = Im − 1 VOUT m ⎡m ⎤ ⋅ ⎢∑ Vi ⋅ I m − ∑ Vi ⋅ I i ⎥ = i =1 ⎣ i =1 ⎦ = Im − 1 VOUT m ⎡ ⎤ ⋅ ⎢VOUT ⋅ I m − ∑ Vi ⋅ I i ⎥ = i =1 ⎣ ⎦ I OUT = 1 VOUT ⋅ ∑ Vi ⋅ I i i =1 m (4.2. Quindi.1. sebbene la propria corrente non coincida con quella degli altri moduli estraendo così la massima potenza disponibile anche dalla stringa sebbene uno o più moduli sia sottoposto a parziale ombreggiamento.2. la seguente relazione: POUT = VOUT ⋅ I OUT = ∑ Vi ⋅ I i i =1 m (4. Nella realizzazione B.3. per la potenza d’uscita.8) L’equazione (4.3. la potenza d’ingresso è nulla.

le tensioni d’uscita V1. V2.12) ottenendo. La somma delle potenze delle sorgenti Xi deve essere nulla. . In ogni caso.….1.41 rappresentano le soluzioni circuitali proposte da Shimizu in [32]. Si nota che. l’estrazione della massima potenza disponibile da ogni singolo modulo.10) Per la corrente d’uscita vale: I OUT = 1 VOUT ⋅ ∑ Vi ⋅ I i i =1 m (4.2. la tensione d’uscita dei singoli convertitori DC/DC è controllata a VOUT / m.1.3.1.2. la potenza d’uscita è data da: POUT = VOUT ⋅ I OUT = ∑ Vi ⋅ I i i =1 m (4. e perciò dalla stringa.1. Vm non possono essere controllate individualmente e perciò la gestione non risulta ottimale.3. quando la differenza tra IOUT e Ii è positiva e viceversa quando la differenza è negativa.167 Il flusso di potenza sarà dalla sorgente Xi al modulo PVi.3. come per il caso precedente. dunque: ∑Vi ⋅ (I OUT − I i ) = 0 i =1 m (4. 4. Nella realizzazione di tipo A. il circuito garantisce una parziale limitazione nella perdita di potenza dovuta alla riduzione dell’irraggiamento.3 Realizzazione pratica del circuito GCC.2. Le figure 4.3. quando il numero delle sorgenti è m. ancora una volta.40 e 4.11) di conseguenza.

42.3.41.1. 4.3. si ottiene che: I OUT = ∑ δ i ⋅ I i i =1 m − (4.1) dove: δi = Ti (OFF ) TSW (4. La seconda soluzione è realizzata con una tipologia a chopper multistadio. .2) Ti(OFF) = tempo di spegnimento dello switch. come illustrato in figura 4.1.168 IOUT L1 V1 IC + L2 V2 S1 S2 VI S3 S4 VOUT Lm-1 Vm Fig.40 – Configurazione circuitale GCC tipo A. TSW = Periodo di commutazione.3. Comandando gli interruttori con i segnali di gate illustrati in figura 4.3.

4. . Circuito basato su Chopper multistadio.169 + V1 L1 S1 V2 L2 S2 VOUT Lm-1 Vm Sm Fig. 4. S1 T1(OFF) S2 T2(OFF) S3 T3(OFF) Sm Tm(OFF) TSW Fig.42 – Segnali di abilitazione del chopper multistadio per il circuito GCC.41 – Configurazione circuitale GCC tipo B.

. 4. ottenendo la gestione ottimale di ogni singolo elemento della stringa.43 – Andamento temporale dei segnali di gate e della tensione sull’induttore.1. Si consideri il circuito chopper a due stadi e i relativi segnali di figura 4.170 In questo caso è possibile controllare ogni tensione generata Vi. + S1 V1 I0 + vL V0 V2 S2 LOAD - S1 t S2 δ1 TS TS t vL V1 t -V2 Fig.4 Analisi del circuito GCC realizzato con chopper a due stadi. 4.3.43 .

3.2) nella (4.3) dove.4. l’integrale di tensione sull’induttore deve essere nullo. onde evitare il cortocircuito ai capi della sorgente di alimentazione fotovoltaica. Per calcolare l’espressione della corrente d’ingresso si faccia l’ipotesi che la potenza totale d’uscita sia la somma delle potenze d’uscita dei singoli moduli fotovoltaici.1).1. si ottiene: V1 ⋅ δ 2 ⋅ TS = V2 ⋅ δ 1 ⋅ TS (4. A regime.4. δ 1 + δ 2 = 1 .1.3.4.2) V1 δ 1 = V2 δ 2 (4.1.4.1.4.1. Gli interruttori chiaramente non dovranno mai essere contemporaneamente chiusi.3.4.3.3. Pertanto: V1 ⋅ δ 1 ⋅ TS = V2 ⋅ (1 − δ 1 ) ⋅ TS (4.1.171 Chiudendo lo switch S1 la tensione ai capi dell’induttanza vale –V1. La potenza d’uscita vale perciò: POUT = VOUT ⋅ I OUT ⇒ I OUT = POUT VOUT (4.3. chiudendo S2 vale V2.4) .1) Si indichi (1 − δ 1 ) ⋅ TS = δ 1 ⋅ TS e si noti che: δ 1 ⋅ TS = (1 − δ 2 ) ⋅ TS = δ 2 ⋅ TS Sostituendo l’ espressione (4.

7) . la potenza totale d’uscita può essere espressa con la seguente relazione: P0 = P1 + P2 = V1 ⋅ I1 + V2 ⋅ I 2 P0 = δ 1 ⋅ I 1 ⋅ V0 + δ 2 ⋅ I 2 ⋅ V0 (4.4. sostituendo si ottiene: POUT V1 ⋅ I1 + V2 ⋅ I 2 = = VOUT V1 + V2 V2 ⋅ = I OUT = δ1 ⋅ I 1 + V2 ⋅ I 2 δ2 = δ1 + V2 V2 ⋅ δ2 V2 ⋅ δ 1 ⋅ I 1 + δ 2 ⋅ I 2 = ( ) = δ2 δ 1 ⋅ V2 + δ 2 ⋅ V2 δ2 δ1 ⋅ I1 + δ 2 ⋅ I 2 = δ1 + δ 2 = I OUT = δ 1 ⋅ I1 + δ 2 ⋅ I 2 (4.3.4.4.1.3.5) Considerando che δ 1 + δ 2 = 1 .3.1.1.172 dove: POUT = V1 ⋅ I1 + V2 ⋅ I 2 e VOUT = V1 + V2 (4.6) Pertanto.

44. Fig. .44 – Esempio di caratteristica P-V ottenuta sperimentalmente con un circuito GCC. La corrente generata da ogni modulo fotovoltaico dipende.173 4. come noto. 4.5. come illustrato in [32]: ∂I i <0 ∂VOUT δi ⋅ (4.1) Tenendo costante l’intervallo (1 − δ 1 ) ⋅ TS = δ 1 ⋅ TS . come illustrato nella curva b) di figura 4.1. ma si può verificare sperimentalmente che la potenza massima estraibile aumenta.3.2) Questo risultato conferma che la caratteristica potenza-tensione di un circuito GCC ha un solo punto di massimo. la derivata seconda della potenza d’uscita rispetto alla tensione d’uscita può essere espressa come: ∂ 2 P0 ∂VOUT 2 = ∂ 2 P1 ∂VOUT 2 + ∂ 2 P2 ∂VOUT 2 <0 (4.5.3.3.5 Caratteristica Potenza-Tensione. dalla caratteristica corrente-tensione. Non solo la caratteristica potenza-tensione presenta un solo punto di massimo.1.1. Quindi.

6 Conclusioni. Pertanto. resta da verificare l’effettivo aumento di rendimento ottenibile. d) La potenza sul carico è pari alla somma delle massime potenze d’uscita di tutti i moduli fotovoltaici.1. Il circuito GCC permette. b) Per un dato tempo di spegnimento. La configurazione GCC non è utilizzata. e) L’analisi fatta per il circuito a due stadi può essere iterata per m stadi ottenendo: I0 = ∑δ i ⋅ Ii i =1 m (4. in caso di ombreggiamento. da nessun costruttore di inverter fotovoltaici. rappresenta un ulteriore stadio di potenza con aumento dei costi e delle perdite.5. attualmente. così facendo.174 In conclusione.5. c) Ogni modulo opera nel suo punto di massima potenza. . di aumentare la potenza estratta e di avere una caratteristica potenzatensione con un solo massimo.3. rappresenterebbe una evoluzione tecnologica che permetterebbe di differenziarsi dai prodotti attualmente in commercio. nella soluzione GCC di tipo B: a) Il punto di lavoro di ogni modulo fotovoltaico può essere controllato indipendentemente.3.1. lo stadio successivo che realizza la funzione MPPT può gestire correttamente la stringa. Per contro.3.3) (4. Per contro. si può osservare un solo punto di massimo nella curva potenza-tensione.4) P0 = ∑ Vi ⋅ I i i =1 m 4.1.

a) Convertitori con commutazione a corrente nulla (ZCS – Zero Current Switching). . è descritto in [39] e verrà di seguito analizzato. Una delle caratteristiche fondamentali di un inverter fotovoltaico è quella di presentare una efficienza elevata.175 4. Tale convertitore.3. c) Convertitori risonanti in classe E e sottoclasse E. Ibridi) b) Convertitori a corrente impressa con risonanza di tipo parallelo.1 Introduzione alla topologia multicella. 2) Convertitori con risonanza sull’interruttore ( resonant – switch).2 Topologia risonante Multicella. 3) Convertitori con rinonanza lato DC. (SRL – Series Loaded Resonant. si può utilizzare un convertitore DC/DC risonante. I convertitori risonanti DC/DC si suddividono in: 1) Convertitori con risonanza lato carico (load – resonant) a) Convertitori a tensione impressa con risonanza di tipo serie. riduce e/o elimina le perdite di commutazione aumentandone così la sua efficienza globale. commutando a tensione e/o corrente nulla. b) Convertitori con commutazione a tensione nulla (ZVS – Zero Voltage Switching). realizzato con convertitore DC-DC risonante. Un esempio di inverter fotovoltaico a due stadi. 4. quindi.2. c) Convertitori con commutazione a tensione zero e con tensione limitata (ZVSCV Zero Voltage Switching Clamped Voltage). PRL – Parallel Loaded Resonant. Per migliorare l’efficienza di un inverter fotovoltaico a due stadi.3.

176 4. .46 – Stadio DC/DC del convertitore multicella. 4.3. Il bus DC dei convertitori a ponte intero è alimentato dai singoli stadi isolati DC/DC connessi in parallelo al campo fotovoltaico. DC/DC risonante Fig. In figura 4.46 è riproposto lo schema di uno dei convertitori DC/DC risonanti.45 è rappresentato l’inverter fotovoltaico proposto in [39]. Il sistema è realizzato usando una topologia multicella isolata dove la potenza totale d’uscita è fornita dalla connessione in serie di convertitori a ponte intero.2 Analisi convertitore Multicella. S+ D+ U1 S- DFig. In figura 4.2.45 – Inverter fotovoltaico con tecnologia multicella. 4.

47 a) e b). Si analizza il circuito considerando la risposta ad un gradino di ampiezza U1.47 – Circuiti equivalenti al convertitore DC/DC.2.2. Le equazioni che governano il circuito sono: di L ⎧ ⎪u i = v L + vC = L ⋅ dt + vC ⎪ ⎨ ⎪i = i = C ⋅ dvC ⎪L C dt ⎩ (4. Si consideri il circuito di figura 4.47 b) dove ui = u1-u2 è la differenza di potenziale ai capi del circuito risonante serie. i2 U1/2 S+ D+ L C U2 U1/2 S- D- a) L u1 C u2 b) Fig. si ottiene: .177 Al convertitore DC/DC corrispondono i circuiti equivalenti di figura 4.1) Risolvendo il sistema con l’ausilio della trasformata di Laplace e considerando IL0 e VC0 le condizioni iniziali delle variabili di stato iL e vC all’istante t = 0. 4.3. condizione che si verifica quando il sistema commuta da –U1/2 a +U1/2.

2.2) nella prima.3.3.2.4) da cui si ottiene: .2.178 ⎧U i ⎪ s = L ⋅ [s ⋅ I L (s ) − I L 0 ] + VC (s ) ⎪ ⎨ ⎪ I (s ) = C ⋅ [s ⋅ V (s ) − V ] C C0 ⎪ L ⎩ (4.2. si ricava l’espressione di VC(s).2.2.3) Per ricavare l’espressione nel dominio del tempo si esegue la trasformata inversa di Laplace: VC (s ) = s 2 ⋅ VC 0 + s ⋅ I L0 U + i C L⋅C = A + B ⋅ s + D 1 1 ⎤ s ⎡ s2 + s ⋅ ⎢s 2 + ⎥ LC LC ⎦ ⎣ (4.3.3.2.2) Sostituendo la seconda equazione del sistema (4.2. Ui = L ⋅ [s ⋅ (s ⋅ C ⋅ VC (s ) − C ⋅ VC 0 ) − I L 0 ] + VC ( s ) s VC (s ) ⋅ s 2 ⋅ L ⋅ C + 1 = [ ] Ui + s ⋅ L ⋅ C ⋅ VC 0 + L ⋅ I L 0 s Ui + s ⋅ L ⋅ C ⋅ VC 0 + L ⋅ I L 0 s 2 ⋅ L ⋅ C ⋅ VC 0 + s ⋅ L ⋅ I L 0 + U i s = VC (s ) = s2 ⋅ L ⋅C +1 s ⋅ s2 ⋅ L ⋅C +1 [ ] VC (s ) = s 2 ⋅ VC 0 + s ⋅ I L0 U + i C L ⋅C 1 ⎤ ⎡ s ⋅ ⎢s 2 + LC ⎥ ⎦ ⎣ (4.

9) .6) 1 VC (s ) = ω Ui s + (VC 0 − U i ) ⋅ 2 + 2 0 2 ⋅ Z 0 ⋅ I L0 2 s s + ω0 s + ω0 dove: ω0 = Z0 = 1 LC = pulsazione di risonanza (4.2.3.7) (4.2.3.2.2.3.8) L = impedenza caratteristica C Antitrasformando l’ultima espressione si ricava: vC (t ) = U i + (VC 0 − U i ) ⋅ cos(ω 0 ⋅ t ) + Z 0 ⋅ I L 0 ⋅ sin (ω 0 ⋅ t ) (4.179 ⎧ ⎪A = Ui ⎪ ⎨ B = VC 0 − U i ⎪ I ⎪D = L0 C ⎩ (4.3.3.2.2.2.2.5) U VC (s ) = i + s s ⋅ (VC 0 − U i ) + 1 ⎤ ⎡ 2 ⎢ s + LC ⎥ ⎣ ⎦ I L0 C = U = i + (VC 0 − U i ) ⋅ s s 1 s + LC 2 + 1 s + LC 2 I L0 C = = Ui + (VC 0 − U i ) ⋅ s s 1 s2 + LC + LC LC ⋅ ⋅ I L0 1 C 2 s + LC (4.2.2.

3 Forme d’onda. Ad ogni commutazione. con una risposta al gradino descrivibile dalle equazioni precedentemente ricavate. perciò. partendo dalle condizioni iniziali IL0 e VC0. mentre è il sistema di controllo ad imporre la polarità di u1. 4.2.10) Il verso della corrente iL determina se la tensione u2 è positiva o negativa.2. il sistema reagisce.48 sono illustrati gli andamenti della corrente e della tensione ottenuti da una simulazione con il software PSpice.3. ovvero il valore della corrente dell’induttanza e della tensione ai capi del condensatore. all’istante in cui si verifica la commutazione da +ui a -ui o viceversa.2. ( ) .3.180 Eseguendo lo stesso procedimento per iL si ricava l’andamento descritto dalla seguente espressione: U i − VC 0 ⋅ sin (ω 0 ⋅ t ) Z0 i L (t ) = I L 0 ⋅ cos(ω 0 t ) + (4. In figura 4. Il sistema proposto opera con una frequenza di commutazione superiore alla frequenza di risonanza f 0 = 1 2π LC .

181 iL 0 t vC 0 t 0 t t0 Fig. 4. t1 t2 t3 t4 Forme d’onda ottenute con simulazione PSpice del convertitore .48 risonante.

nell’intervallo di tempo t ∈ [t1. Il suo andamento è illustrato in figura 4.è forzato ad aprirsi con corrente non nulla. prima che finisca il semiperiodo di oscillazione della corrente. obbligando così la corrente positiva iL a passare attraverso il diodo D-. lo switch S.è chiuso a tensione e corrente nulla e inizia a condurre non appena il verso della corrente si inverte. A questo punto entra in conduzione D+ e lo switch S+ può essere chiuso a tensione e corrente nulla in modo da iniziare a condurre non appena il verso della corrente iL si inverte. inizia a condurre l’interruttore S+. Prima che termini il semiperiodo di oscillazione. t2]. Non appena D.49 – Forma d’onda della corrente i2. S.50 è illustrato l’andamento della tensione d’uscita al variare della frequenza per frequenze al di sopra del valore di risonanza. .49. t In figura 4. La corrente i2 è la corrente iL raddrizzata. Poiché al circuito oscillante. i2 0 Fig. l’interruttore S+ è forzato ad aprirsi con corrente non nulla. 4.entra in conduzione. è ora applicata una tensione negativa (-u1-u2) e la corrente nel diodo viene condotta a zero rapidamente. istante t4.182 All’istante t0. momento in cui la corrente nell’induttore è nulla . All’istante t1.

Quindi per una data tensione d’ingresso e per un determinato carico.51.183 I2 U2 1 ω S/ω0 Fig. . 4. 4.51 – Schema di controllo stadio DC/DC risonante. VDC_REF + ε - Guadagno + compensazione VCO Voltage Controlled Oscillator fS Convertitore DC-DC SLR VDC Fig.50 – Caratteristica d’uscita del convertitore risonante. la tensione U2 può essere regolata controllando la frequenza di commutazione fS del convertitore come illustrato in figura 4.

184 4. I convertitori multilivello presentati in [40] e [56] permettono di generare una forma d’onda sinusoidale con una bassa distorsione armonica.52 – Convertitore Multilivello HBDC.1) . Dovuto all’elevato numero di interruttori da utilizzare.3 Topologie multilivello.52 è illustrato un convertitore HBDC di tipo three-level. In figura 4.3.3. 4.2 Convertitore Multilivello Half – Bridge Diode Calmped (HBDC).3. 4.3. VPV1 S1 S2 S3 + vOUT S4 vLINE VPV2 Fig. 4. cosa indispensabile per un inverter commerciale.3. dell’ordine del 94%.2. I tre possibili valori della tensione d’uscita sono: ⎧vOUT = VPV 1 ⎪ ⎪ ⎪ ⎨vOUT = 0 ⎪ ⎪ ⎪vOUT = −V PV 2 ⎩ se S1 = ON e S 2 = ON se S 2 = ON e S3 = ON se S3 = ON e S 4 = ON (4.1 Premessa. resta comunque da verificare la possibilità di ottenere rendimenti elevati.3.3.

la distorsione armonica è assai contenuta. per poter garantire l’iniezione di potenza in linea. Questa topologia costruttiva presenta il vantaggio di effettuare la doppia connessione a terra. permettendo così l’eliminazione delle correnti capacitive di dispersione verso terra. non essendoci uno stadio elevatore. In figura 4. finora.HBDC a cinque livelli.53 . moduli fotovoltaici e rete. l’elevato numero di switch e la complessità del sistema di controllo ne ha. pregiudicato l’utilizzo in applicazioni commerciali. . Per contro.185 In questa configurazione circuitale. 4. la tensione di stringa deve essere più alta del picco della tensione di rete.53 è illustrato lo schema di un convertitore HBDC a cinque livelli. Inoltre. La struttura three-level può essere modulata per ottenere topologie multilivello a cinque o più livelli. Fig.

3. Si consideri. dove ogni ponte può generare in uscita una tensione a tre livelli.3.186 4.1) Con p=2.3.Bridge. Selezionando diversi valori di tensione DC per i vari moduli fotovoltaici si può utilizzare la ridondanza della struttura al fine di incrementare il numero di livelli della tensione d’uscita con la riduzione della distorsione armonica Fig. per esempio.3.3 Convertitore Cascaded H-Bridge. il numero di livelli nV della tensione d’uscita può essere calcolato come segue: nV = 3 + 2 ⋅ ( p − 1) (4.54 – Inverter multilivello di tipo Cascaded H-Bridge. In particolare. si ottengono 5 livelli. In figura 4. 4. p il numero di convertitori a ponte intero connessi in serie.3. è illustrata la connessione in serie di due moduli full-bridge. allora. come effettuato in [56].55 è illustrato lo schema della topologia multivello Cascaded H. .

come proposto in [56].55.4 Configurazione Multilivello Isolata.3. 4. . l’applicazione in ambito fotovoltaico grid-connected. Fig. con conseguente aumento dei costi. attualmente. come illustrato. 4. Per contro. non ne giustifica. il numero di stadi è p=3. In figura 4.187 4. (4. La struttura è ovviamente modulare e può essere realizzata con p stadi di tipo full bridge.5 Conclusioni.55 – Topologia multilivello isolata.3. L’elevato numero di componenti. collegando p stadi di tipo full bridge. In generale. Le configurazioni multilivello sono proposte in letteratura per la loro modularità e per la generazione di forme d’onda con bassissima distorsione armonica. l’alto numero di interruttori e l’utilizzo di n trasformatori ha pregiudicato il suo utilizzo in applicazioni commerciali.3.3. e le buone prestazioni in fatto di distorsione armonica delle configurazioni a due stadi. il che produce una tensione d’uscita a 27 livelli.55 è illustrata una topologia Multilivello Isolata realizzata con la connessione di tre inverter a ponte intero.3. Il vantaggio di questa topologia è sicuramente l’alto numero di livelli per la tensione d’uscita che permette di ottenere una bassissima distorsione armonica. si ottiene in uscita una forma d’onda a: nV = 3 p livelli.3.4.1) Nell’esempio di figura 4.

più diffuso e utilizzato negli inverter commerciali. quindi. se si rileva che dP > 0 allora dV significa che il punto di lavoro si sta muovendo verso il punto di massima potenza (MPP).4 Algoritmi MPPT. L’algoritmo per prima cosa provvede alla misurazione della tensione e della corrente della stringa fotovoltaica e successivamente calcola la potenza e la sua variazione rispetto al campione precedentemente memorizzato.4. L’algoritmo di inseguimento del punto di massima potenza. La sua larga diffusione è dovuta soprattutto alla sua semplice implementazione. è il metodo Perturba e Osserva. Perturbando la tensione di lavoro in una data direzione.188 4.56 – Andamento della caratteristica P-V. dV Quando dP < 0 . l’algoritmo identifica se il sistema si trova ad operare nel semipiano alla destra . 4. il punto di lavoro si sta allontanando dal Maximum Power Point e dV l’algoritmo comincerà. 4. a perturbare il campo fotovoltaico nella direzione opposta per riportare il sistema verso il punto di massimo. L’algoritmo continuerà a perturbare in tale direzione finché non si otterrà dP < 0. P Semipiano Sinistro Semipiano Destro V Fig. Dalle variazioni di potenza e tensione.1 MPPT Perturbe and Observe (P&O). Tale algoritmo si basa sull’analisi della caratteristica potenza – tensione di una stringa fotovoltaica.

In fig.189 o nel semipiano alla sinistra del punto di massima potenza e provvede quindi a sommare o sottrarre l’incremento di perturbazione VINC in modo da spostare il punto di lavoro a tensione più alta o più bassa.57– Flow Chart dell’algoritmo P&O (Perturb and Observe) .VINC VREF = VREF + VINC RETURN Fig. i(n) Calcolare p(n)=v(n)*i(n) Calcolare ∆v(n)=v(n)-v(n-1) ∆p=p(n)-p(n-1) Sì ∆v >= 0 No Si ∆p >= 0 No Si ∆p >= 0 No VREF = VREF + VINC VREF = VREF .57 è rappresentato un flow-chart di una possibile implementazione del metodo P&O.VINC VREF = VREF . 4. START Misurare v(n). 4. ovvero verso il punto di massima potenza.

59 – Fallimento dell’algoritmo P&O. L’entità dell’oscillazione può essere ridotta riducendo il passo di perturbazione. P P2 P1 C A B V Fig. 4.190 Un limite di questa semplice implementazione.58 – Oscillazione del punto di lavoro nella caratteristica P-V per un algoritmo P&O. P A B V Fig. 4. . Avere un passo di perturbazione breve porta ad avere un MPPT lento. consiste nella continua oscillazione del punto di lavoro attorno all’MPP. Per risolvere questo inconveniente si può effettuare un incremento variabile che diventa sempre più piccolo a mano a mano che ci si avvicina al punto di massima potenza. Questo algoritmo può fallire in caso di rapide variazioni delle condizioni atmosferiche.

Se all’interno dell’intervallo di campionamento. provocando il fallimento dell’algoritmo stesso. Il punto di lavoro è collocato nel punto A che corrisponde ad una tensione VA della stringa. Così facendo si registra un incremento della potenza d’uscita e si mantiene la stessa direzione di perturbazione. in modo da passare dalla curva di potenza P1 alla curva di potenza P2. con il conseguente allontanamento dall’MPP. L’algoritmo incrementerà il riferimento di tensione in modo da spostare il punto a tensione VA + ∆V.59. il sistema non si porterà nel punto di lavoro B. ma si porterà in C. Pertanto.191 Si consideri la situazione illustrata in figura 4. se la radiazione incrementa costantemente. le condizioni atmosferiche cambiano rapidamente. . il punto di lavoro tende a divergere.

vale: ⎧ dP ⎪ dV = 0 ⎪ ⎪ ⎪ dP ⎪ >0 ⎨ ⎪ dV ⎪ ⎪ ⎪ dP < 0 ⎪ dV ⎩ nell' MPP. di un campo fotovoltaico. perciò: dP d ⋅ (V ⋅ I ) dI ∆I = = I +V ⋅ ≅ I +V ⋅ dV dV ∆V dV La condizione di massima potenza vale: (4.3) . (4. La relazione precedente diventa.4.4. a sinistra dell' MPP.1) a destra dell' MPP. Un altro esempio di algoritmo utilizzato dall’industria fotovoltaica è basato sul metodo della conduttanza incrementale.4.192 4.2) dP =0 dV ∆I =0 I +V ⋅ ∆V ∆I I = −V ⋅ ∆V I ∆I =− ∆V V (4.2 MPPT Incremental Conductance (ICT).2.4. Questo metodo si basa sul fatto che la pendenza della curva dP/dV.2.2. Si esprima dP/dV in funzione dei valori istantanei di tensione e corrente.

a sinistra dell' MPP. ottenuta sommando o sottraendo un valore di riferimento VINC. a differenza del metodo P&O. il diagramma di flusso relativo al funzionamento dell’algoritmo sopra descritto. di seguito. La direzione di perturbazione successiva. Però. la sua implementazione richiede una capacità elaborativi superiore realizzabile con un DSP. Si riporta. è ricavata dal semplice confronto tra la conduttanza istantanea I/V e la conduttanza incrementale ∆I/∆V.4. Nelle applicazioni grid-connected questo ultimo aspetto non risulta problematico in quanto i sistemi di controllo degli stadi DC/AC vengono realizzati con DSP.2. di conseguenza.193 Il sistema può essere descritto. . (4. tale algoritmo sembra preferibile al precedente. In caso di variazioni rapide delle condizioni atmosferiche l’algoritmo insegue bene il punto di massima potenza. Pertanto. nel seguente modo: I ⎧ ∆I ⎪ ∆V = − V ⎪ ⎪ ⎪ ∆I I ⎪ >− ⎨ V ⎪ ∆V ⎪ ⎪ ⎪ ∆I < − I ⎪ ∆V V ⎩ nell' MPP.4) a destra dell' MPP.

4.I/V No ∆I > 0 Sì No No Sì VREF = VREF + VINC VREF = VREF . i(n) No ∆v = 0 Sì Sì ∆I/∆V = .194 START Misurare v(n).I/V ∆I = 0 Sì No ∆I/∆V > .VINC VREF = VREF .60 – Flow Chart dell’algoritmo ICT (Incremental Conductance) .VINC VREF = VREF + VINC RETURN Fig.

l’algoritmo imposta momentaneamente a zero la corrente della stringa fotovoltaica e misura la tensione a vuoto.4. Il metodo CV si basa sull’esistenza di una relazione di proporzionalità tra la tensione a vuoto del campo fotovoltaico e la tensione nel punto di massima potenza Vm. A questo punto.78.3 MPPT Costant Voltage (CV). (4.61 – Flow Chart dell’algoritmo CV (Costant Voltage) . 4.195 4. il controllore MPPT imposterà i parametri di controllo del convertitore DC/DC in modo che la tensione nel punto di lavoro sia il 71%-78% del valore misurato.1) START Misurare VOC Vm = k1 VOC Imposto δ RETURN Fig. Tale relazione è espressa da: Vm = k1 ⋅ VOC dove k1 ha valori compresi tra 0.71 e 0.3. Dopo una determinazione sperimentale della costante k1. fatta sul campo fotovoltaico.4.

Quindi. . ma una sua stima con conseguente perdita di potenza utile. si realizzerebbe un sistema in cui il punto di lavoro non sarebbe il punto di massima potenza.196 Questo algoritmo non sembra idoneo ad applicazioni fotovoltaiche grid-connected. La costante k1 deve essere determinata per ogni campo fotovoltaico e il suo valore inevitabilmente cambia nel tempo.

.197 4.78 e 0.62 – Flow Chart dell’ algoritmo SC (Short Circuit Current). sta nel dover rilevare la corrente di cortocircuito ISC durante il funzionamento del sistema e per questo motivo non è quasi mai usato nella pratica. START Misurare ISC Im = k2 ISC Imposto δ RETURN Fig.92 e viene determinata con metodi sperimentali.4.1) dove k2 ha valori compresi tra 0. ovvero: I m = k 2 ⋅ I SC (4.4. 4. L’algoritmo misura la corrente di cortocircuito e imposta i parametri del convertitore in modo tale che la corrente fornita dal campo fotovoltaico sia pari a Im. Il metodo SC si basa sul fatto che esiste una relazione di proporzionalità tra la corrente nel punto di massima potenza Im e la corrente di cortocircuito del campo fotovoltaico.4 MPPT Short Circuit Current (SC). Il grosso limite di questo metodo.4.

198 .

In alcuni Stati le normative impongono l’isolamento galvanico o il dual grounding che si traduce nella necessità di una struttura dotata di un trasformatore d’isolamento. le topologie isolate sono quelle maggiormente utilizzate. non si è in presenza di una reale gestione multistringa e gli inverter vengono così definiti “centrali”. . ma ogni Paese e ogni rete elettrica ha la propria legislazione. 3) Inverter senza trasformatore. Nel 2000 la IEEE ha pubblicato :” Standard 929 IEEE – Reccomended Practice for Utility Interface of Photovoltaic (PV) System up to 10kW” e nel 2004: “IEEE 1547 – IEEE Standard for Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems”.199 Conclusioni. In ogni caso gli enti internazionali IEEE ed IEC stanno lavorando per l’emanazione di standard. aumentando quindi le prestazioni globali del sistema. L’ingresso dell’inverter è solitamente predisposto per collegare più stringhe distinte. Un inverter deve rispettare le direttive emanate dalle compagnie elettriche del Paese nel quale viene commercializzato e attenersi a tutte le norme di apparecchiatura elettronica di potenza vigenti. pertanto. attualmente. Gli inverter fotovoltaici presenti attualmente in commercio sono riconducibili a tre topologie costruttive: 1) Inverter con trasformatore a frequenza di rete. Per questo motivo. Aggiornamento della IEC 61727 (1995-06) Characteristic of Utility Interface”. ma nella maggior parte dei casi vengono connesse in parallelo all’interno dell’inverter stesso e quindi collegate ad un unico circuito MPPT. Recentemente sono stati immessi sul mercato i primi inverter multistringa realizzati con uno stadio MPPT per ogni stringa e un convertitore DC/AC che processa la totale potenza DC d’ingresso. 2) Inverter con trasformatore ad alta frequenza. La IEC ha in fase di elaborazione le seguenti norme: a) IEC 61727: “Characteristics of Utility Interface for Photovoltaic (PV) Systems. Attualmente non esiste una norma di prodotto per gli inverter fotovoltaici. b) IEC 62109: “Safety of Power Converters for Use in Photovoltaic Power Systems – Part 1 – General Requirements”.

200

c) IEC 60364-7-712 “Electrical Installations of Buildings – Part 7 - 712 : Requirements for Special Installations or Locations – Solar Photovoltaic (PV) Power Supply Systems”.

Dalle analisi effettuate si ricava che la struttura tipica, sia per le soluzioni centrali che per quelle multistringa, è una configurazione a due stadi realizzata con uno stadio DC/DC innalzatore, che svolge anche la funzione di MPPT, e uno stadio DC/AC che inietta potenza in rete nel rispetto delle normative vigenti. I due stadi sono collegati per mezzo di un bus o DC link sul quale si trova l’elemento di accumulo, capacitivo o induttivo e dove la tensione del bus è mantenuta costante dal sistema di controllo dell’inverter. Un’analisi più approffondita merita la configurazione GCC proposta in letteratura in quanto si presta a ridurre e/o risolvere i problemi legati all’ombreggiamento parziale delle stringhe, ma attualmente non risulta ancora applicata ad inverter fotovoltaici gridconnected di potenze dell’ordine del kW.

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