UNIVERCIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS Escuela de ciencias físicas Departamento de física Electrónica Análogo - Digital

Análisis transitorios
Determinación del punto operacional
Profesor : Oscar Baltuano Grupo :NG Integrantes : Pérez rumiche 08130089 Yauri Diego 08130028

Ciclo 2010 - I

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CIENCIA FISICAS

TRANSISTORES
1. OBJETIVOS:
     Calcular el punto Q experimentalmente y teóricamente. Comparar los resultados experimentales con los teóricos. Conocer el funcionamiento de los amplificadores con transistores. Analizar el circuito y poder identificar si es base común, emisor común o colector común. Poder comprobar matemáticamente todo lo visto anteriormente en teoría.

2. INTRODUCCIÓN:
 12

3. EQUIPOS Y MATERIALES:
 01 Voltímetro  Cables     01 transistor BJT Resistencias 01 Protoboad Fuente de alimentación

4. MARCO TEÓRICO:
TRANSISTOR El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos móviles, etc. Tipos de transistor

EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión

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igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300. Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:

EMISOR COMÚN
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia tanto de tensión como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de emisor, RE > 50 Ω, y para frecuencias bajas, la ganancia en tensión se aproxima bastante bien por la siguiente expresión:

y la impedancia de salida, por RC Como la base está conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensión constante, Vg. También supondremos que β es constante. Entonces tenemos que la tensión de emisor es: VE = VB − Vg Y la corriente de emisor: La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:

Despejando: La tensión de salida, que es la de colector se calcula como:

Como β >> 1, se puede aproximar:

y, entonces Que podemos escribir como

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Vemos que la parte es constante (no depende de la señal de entrada), y la parte

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nos da la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada 180º respecto a la de entrada. Finalmente, la ganancia queda: La corriente de entrada que aproximamos por Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir y la impedancia de entrada: , .

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

BASE COMÚN
La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, nos da la ganancia aproximada siguiente: . La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

COLECTOR COMÚN
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente

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inferior a la unidad. Esta configuración multiplica la impedancia de salida por 1/β.

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (BJT)
El transistor Bipolar de Juntura, abreviado como TBJ, es un dispositivo electrónico semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 junturas PN. Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La característica principal de este dispositivo es que tiene la propiedad de controlar una corriente en la puerta de salida mediante una corriente en la puerta de entrada. Los TBJ poseen dos zonas semiconductoras, que pueden ser de tipo P ó N, y entre ambas una zona muy delgada que puede ser del tipo P ó N respectivamente. Éste conjunto formará dos uniones PN: entre el emisor y la base, y una entre la base y el colector. Si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P, el transistor será del tipo NPN. Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N, el transistor será del tipo PNP.

El estudio y análisis de los transistores se realiza mediante el empleo de las "curvas características" del mismo, con las cuales se puede caracterizar completamente el comportamiento o funcionamiento eléctrico del transistor, siendo ésta expresada en relaciones gráficas de las corrientes IB, IC e IE, en función de las tensiones externas y para las distintas configuraciones: Emisor Común (EC), Base Común (BC) y Colector Común (CC).

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta 2010 -I Página 5

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refrigeradora. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polímetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP. Zonas de funcionamiento del transistor bipolar: ACTIVA DIRECTA:
El transistor sólo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parámetro lo suele proporcionar el fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic); además de esto, suele presentar una variación acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polímetros son capaces de medir este parámetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicación, ya que el polímetro mide este parámetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circulará por el BJT una vez en el circuito.

SATURACIÓN:
En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.

CORTE:
El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial Ic).

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ACTIVA INVERSA:
Esta zona se puede considerar como carente de interés. El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. Para encontrar el circuito PNP complementario:  Se sustituye el transistor NPN por un PNP.  Se invierten todos los voltajes y corrientes.

TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
Fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

TRANSISTOR DE UNIÓN UNIPOLAR DE JUNTURA
También llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-ÓxidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

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UNMSM FOTOTRANSISTOR

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Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente.

TRANSISTORES Y ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

5. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL:
 Los datos experimentales son: Para hallar el punto Q tenemos que hallar lo siguiente:

Donde:  Los datos teóricos son:  En el sistema la resistencia equivalente es:  Luego desconectando y usando thevenin tenemos q el voltaje de thevenin es:

Al final se tiene la siguiente ecuación:

Se sabe que

Punto Q

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 Luego se armo el esquema:

 Identificar si es base común, colector común o emisor común:  Con la ayuda del Multímetro pudimos determinar que es base común: Entonces en el circuito tenemos:

 Al realizar la toma de datos obtuvimos:  Con estos datos podemos determinar la gráfica de la salida del transistor:

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Donde Q es el punto de operación.  Además cabe mencionar que se realizó algunos cambios en la resistencias ya que al trabajar con una resistencia de 3.3 kΩ el punto de operación se encontraba en la zona de corte es por ello que se hizo el cambio por una resistencia de 13.3 kΩ con este cambio se logró que el punto de operación subiera.  Ahora determinaremos la ganancia teórica y experimental:  Para determinar la ganancia teórica utilizaremos lo siguiente:   Ahora para determinar la ganancia experimental utilizaremos: 

6. CONCLUSIONES:
En este laboratorio pudimos ubicar donde se encontraba la base, el emisor y el colector del transistor usando el voltímetro. Nos dimos cuenta que la comparación de lo experimental con lo teórico no tiene mucho porcentaje de error.

Pudimos calcular el punto Q usando algunos conceptos de thevenin y usando algunos cálculos en lo teórico y en lo experimental todo se calculo con el voltímetro. Debido a que el punto de operación estaba muy cercano a la zona de corte entonces tuvimos que cambiar la resistencia de 3.3 KΩ a 13.3 KΩ ya que aumentando la resistencia el punto de operación logró subir un poco. Si la intensidad de la base aumenta entonces el punto común sube. La pequeña diferencia de los valores de las ganancias obtenidas tanto teórica como experimental se debe:  A que en el momento de la toma de datos no consideramos la carga del osciloscopio.  Otro factor puede ser que los valores de las resistencias no son muy precisos. Si obtenemos signo negativo en la ganancia esto significaría que la onda obtenida en el osciloscopio esta invertida.

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