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FÍSICA DE SEMICONDUCTORES

ING. ELECTRÓNICA
Instituto Tecnológico Superior de Uruapan

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Instituto Tecnológico Superior de Uruapan

FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
ING. ELECTRÓNICA

INTRODUCCIÓN
Bienvenidos a otro ciclo en el proceso de aprendizaje para llegar a ser ingenieros en electrónica, altamente competitivos. El día de hoy iniciamos con la materia de Física de Semiconductores, cuyo objetivo general es el de “Comprender el principio de operación de los dispositivos semiconductores desde la perspectiva de su construcción, régimen de operación para su aplicación en el diseño de circuitos electrónicos en asignaturas posteriores del plan de estudios”, por lo que nos enfocaremos a realizar actividades teóricas y prácticas en los laboratorios y salón de clase y trabajo en casa. Espero que el proceso del semestre anterior haya servido como una experiencia para mejorar el presente, les deseo mucho éxito, les recuerdo que mientras su actitud sea de estudio y deseo de aprendizaje, se pueden lograr buenos resultados en su quehacer estudiantil. El curso está dividido en 5 unidades que de antemano he organizado de la manera que pueden observar en la planeación del curso que les he subido en la página del blog. Observarán que con respecto al semestre anterior y a otros cursos de la misma materia de años anteriores, este semestre está enfocado al desarrollo de competencias por lo que las actividades tendrán que ser encaminadas a un trabajo realizado por ustedes. Como parte de las políticas, ponderaremos el respeto mutuo y la puntualidad; el tener apagados o en silencio los celulares y el uso de equipo de cómputo solo para la clase, evitando la tentación de “chatear” o revisar correos. Les deseo mucho éxito en este proyecto que hoy iniciamos juntos.

Sinceramente Ing. Salvador Loa Cázares salvadorloa99@gmail.com

TEMARIO
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La calificación de cada unidad resulta de multiplicar la calificación de las actividades por el factor o ponderación proporcionada por cada criterio. Cada criterio abarca una cantidad de actividades que permitirán definir si se cumple o no con las competencias necesarias. Ejemplo Supongamos que en la primera unidad se definen los siguientes porcentajes para la evaluación: • • • • • • Examen: 50% Tareas: 20% Participación 10% Exposiciones: 10% Asistencia 10% Y supongamos que una alumna obtuvo como resultado de sus actividades lo siguiente: 4 . se basa en criterios que podrán cambiar en cada unidad.Instituto Tecnológico Superior de Uruapan CRITERIOS DE EVALUACIÓN La evaluación que se realice en el curso.

1=7 80*0. Investigación: El objetivo de esta actividad es que el alumno o alumna busque información nueva para que con base en su conocimiento previo pueda llegar a tener un nuevo concepto o conceptos. 5 .1=8 90*0.2=10 70*0.5 0. El profesor te proporcionará el tema a investigar y te sugerirá bibliografía o vínculos de internet.5=45 50*0. Este rubro contempla principalmente los ejercicios o análisis de material que se dejen en clase con material proporcionado por el docente.1 CALIF FINAL MULTIP 70*0.1=10 ∑= 80 De manera general los criterios serán: Examen escrito: Con ejercicios y preguntas teóricas de desarrollo. La investigación deberá generalmente estar plasmada en un documento con las siguientes características: • • Podrá ser entregado en equipo o de manera individual como lo indique el asesor.1 0.2 0.1 0. sobre temas que proponga el programa y que indique el asesor y la sepa plasmar en un documento ordenado y entendible. Tareas: Serán aquellas actividades que se dejen para resolver o realizar en casa.• • • • • • En el examen saco un 90 Tareas 80 Participación 70 Exposición en equipo 80 Asistencia 100 Entonces la calificación final de la unidad de esta alumna se calcula: CRITERIO Examen Tareas Participación Exposiciones Asistencia CALIFICACIÓN 70 50 70 80 90 FACTOR 0.

• • Exposiciones: Son las acciones que realizan enfrente del grupo para el grupo. Si se entrega en fecha de prórroga solo contará el 70% y si se entrega después no se tomará en cuenta como evaluación ordinaria. deberá tener el comprobante médico que lo avale. grupo.Instituto Tecnológico Superior de Uruapan • El documento deberá contener los criterios que se indican en la siguiente tabla. Cabe mencionar que los criterios para justificación de inasistencias serán únicamente: a. nombre del tema de investigación. así como el procedimiento. experiencias y resultado que tuviste al realizar tu trabajo de investigación documental. Asistencia: En este criterio se le proporcionará al alumno por asistir ese porcentaje de calificación. esta es una parte muy importante para el aprendizaje por lo que deberá buscar ser clara. su experiencias o problemas que presento o presentaron y sus posibles aplicaciones en su carrera. b. Deberá contener: ✔ Carátula con: Logo del ITSU. por lo que se parará lista por horas. Enfermedad. ✔ Introducción: Redactada hasta el final y contiene la intención u objetivo de la investigación. para lo cual el primer día que se presente a clase posterior a la enfermedad. nombre del alumno y su número de control (este resaltado en negritas). Deberá ser entregado en tiempo y forma para tener el 100% de la calificación. ✔ Desarrollo del tema: En el cual deberá tener todo lo investigado (interpretado no copiado) del tema asignado. que reflejen el producto de una investigación documental. sin embargo. para poder acceder a esta puntuación. Este comprobante 6 . fecha de entrega y firma de alumno/a o alumnos/as que entregan el informe. nombre del profesor. el alumno debe llegar asistir a por lo menos el 80% de las horas de clase. ya que la disciplina y responsabilidad es uno de los valores que se busca desarrollar en el futuro profesionista. este deberá tener un orden de ideas partiendo de lo individual a lo general o viceversa. así como un resumen de lo que se encontrará en el documento. Representación al tecnológico en alguna actividad cultura o deportiva o cívica. hacerse con el tiempo necesario para no caer en la tentación de cortar y pegar directamente de la fuente de consulta y de preferencia utilizar algún software de presentación para hacerla más dinámica (Power Point o Flash). vida o demás materias. ✔ Conclusiones: Donde expresa lo que le queda después de haber realizado la investigación. cuidando la ortografía y limpieza. nombre de la materia.

reléanla para que la recuerden.htm. 7 . Principalmente se refiere a que la participación serán los ejercicios realizados en clase o la realización responsable de las actividades de aprendizaje que se realicen en el horario de la sesión. Las rúbricas de los principales criterios se encuentran en el Anexo 2. no se justificará la inasistencia por lo que es necesario que administres su 20% que tienen para imprevistos.net/articulos/motivos_estudiar. Estos criterios se mantendrán en todo el semestre salvo que al iniciar alguna unidad se mencione lo contrario. Estas políticas estarán siendo calificadas en lo que respecta a actitud en clase y es parte de las competencias interpersonales. NOTA. En cuanto a la actitud se evaluará el trabajo1. Les recomiendo también leer el material de la siguiente liga: http://www. acompañada con la valoración del médico del tecnológico. El estado cristalino. por lo que se les pide que se eviten el dialogo o las discusiones sin objetivo que solo tratan de dispersar y distraer a los demás. ya la conocen y está como anexo al final del documento.redestudiantilpr. redes cristalinas y crecimiento de cristales en Semiconductores. deberá prevalecer el respeto a las ideas y opiniones de los demás con lo que estaremos fomentando los valores de tolerancia y respeto hacia los compañeros de grupo. Participación y actitud en clase: Este criterio se basará en la rúbrica correspondiente proporcionada. congruencia y aplicación de valores y actitudes de responsabilidad con el medio ambiente y la limpieza.solo podrá ser válido si es de alguna institución pública o si la atención fue privada. Para cualquier otra causa de falta. así como el respeto a sus compañeros y profesor en el salón de clase. ¡Sean bienvenidos al curso y recuerden que todo esfuerzo que hagamos hoy será premiado el día de mañana por alguien o por la misma vida! UNIDAD 1: Fundamentos de semiconductores 1. Políticas del curso: Se priorizará la conservación de un ambiente cordial y amigable.1. 1 El concepto de trabajo como una actividad humana enriquecedora y necesaria. comportamiento en clase.

se mantienen unidos por lo que se conoce como gas electrónico. como el neón. Cada elemento tiene sus propias curvas de cambio de fase. algunos sólidos como el cloruro de sodio o sal común se mantienen unidos por enlaces iónicos debidos a la interacción electrostática entre los iones que componen el material. lo que da lugar a los llamados enlaces covalentes. Por ejemplo. estos parámetros condicionan la formación de la estructura interna del sólido. eléctricas. así llamadas en honor al físico holandés Johannes Diderik van der Waals. Presentan lo que se conoce como Anisotropía. Una característica importante de la mayoría de los sólidos es su estructura cristalina. En otros. Las sustancias inertes. Los efectos de interacción son responsables de las propiedades mecánicas. Las partículas están dispuestas de acuerdo a un orden en el espacio que está determinado de acuerdo con una red estructural formada por la "recreación" geométrica de la celdilla unidad en toda la estructura del sólido. térmicas. Su existencia es el resultado de unas fuerzas de atracción conocidas como fuerzas de Van der Waals. y temperatura (T) en las que se formaron. los átomos comparten electrones. formado por electrones libres de la capa atómica externa compartidos por todos los átomos del metal y que definen la mayoría de sus propiedades. no presentan ninguno de esos enlaces. Dependiendo del alcance del orden espacial de la estructura interna en la materia y su distribución en la misma podemos distinguir entre: • Monocristal: Presenta una fuerte interacción entre sus componentes los cuales describen una mínima oscilación con poca energía potencial. 8 . La distribución específica de los átomos puede deberse a una variada gama de fuerzas.Instituto Tecnológico Superior de Uruapan Los cuerpos sólidos están formados por átomos densamente empaquetados con intensas fuerzas de interacción entre ellos. De la misma forma. como el diamante. de manera que dependiendo del elemento se necesitarán unas condiciones u otras para la formación del sólido o para realizar cualquier otro cambio de fase. Estructura Cristalina La existencia de la materia en un estado u otro depende de las condiciones de presión (P). Los átomos están distribuidos en posiciones regulares que se repiten regularmente de manera geométrica. Estas fuerzas aparecen entre moléculas o átomos neutros como resultado de la polarización eléctrica. magnéticas y ópticas de los sólidos. por su parte. Los metales.

la energía interna del sólido se compone de energía potencial elástica y energía cinética de sus átomos. En rigor. esta clasificación sólo es aplicable a sustancias puras. lo cual los determina como una estructura espacial tridimensional no definida. Esto nos permite determinar que de acuerdo con las características externas del medio en que se encuentre permitirán al 9 .• Policristal: Está compuesto por diversas regiones en las que individualmente se recrea un monocristal aunque las disposiciones de cada una de estas regiones no son simétricas entre sí. En un modelo de sólido en el que los átomos están conectados entre sí mediante una especie de "muelles" (los cuales representarían la energía potencial que los une). Presenta lo que se llama Isotropía estadística. La presión es una medida del grado de compresión de sus átomos y la temperatura una medida de su energía cinética interna del conjunto de los mismos. • Amorfos: No presentan una estructura o distribución en el espacio. No se trata de una estructura cristalina.

.) o del III de la tabla periódica que lo hacen en una estructura de tipo Diamante. Si. En la naturaleza existen 14 tipos de redes cristalinas (otras más complejas son combinaciones de estas más simples) que son conocidas como Redes de Bravais. Un cristal posee diferentes zonas que no pueden homogeneizarse entre si. la cuál otorga las propiedades tanto físicas y eléctricas como ópticas al nuevo sólido formado. tienden a retomar una forma geométrica y ordenada en la red interna consiguiendo así que se forme un cristal. Este proceso no sólo es dependiente de la presión y la temperatura en sí mismos. Por ejemplo: El Fósforo (P) cristaliza en una estructura cúbica. pero se puede hacer que sean como monocristales individuales en cada una de sus regiones. cristalice. Luego mediante un enfriamiento lento conseguimos dar tiempo a las partículas que. Otros cristalizan en redes compuestas como por ejemplo los elementos del grupo IV(C.. el carbono puede cristalizar en grafito en determinadas condiciones y en otras cristaliza en el diamante. el hierro (Fe) en una bcc ("Body Center Cubic") y la plata (Ag) en una fcc ("Face Center Cubic"). aproximadamente 200°C. sin duda las características de uno frente a otro difieren bastante para tratarse en ambos casos de carbono cristalizado. a partir de la cual el elemento se funde para posteriormente. de forma natural. De igual forma. usando un tiempo lo suficientemente largo. lo que se conoce como temperatura de cristalización. Estas redes son organizaciones geométricas tridimensionales en el espacio características de las partículas del sólido. permitiendo que las partículas que lo componen oscilen a mayor velocidad con una mayor energía térmica. Así pueden estudiarse las distribuciones en la red de los elementos. ya que incluso tratándose así las condiciones de formación del sólido podrían determinar dos estructuras cristalinas diferentes para un mismo elemento. Al añadir temperatura al material realmente le estamos damos energía. Por ejemplo. que es la combinación de dos redes fcc con una distancia interatómica de 1/4 de la diagonal. Ge. logrando que se funda(cambie al estado líquido). 10  . la cualidad de que un mismo elemento pueda cristalizar en diferentes formas nos lleva al hecho de que es la red cristalina que forman la que determina sus propiedades. El policristal es el caso más típico de los que puedan encontrarse en la naturaleza.Instituto Tecnológico Superior de Uruapan elemento en cuestión poder adoptar un estado u otro e incluso formar o no una estructura cristalina. Siguiendo el ejemplo del carbono. Sin embargo la formación de una estructura cristalina no es un proceso fijo en un mismo elemento. sino también del tiempo aplicado en cada uno de dichos factores. ya que un monocristal es un caso que rara vez se da. De esta forma se sabe que la formación de cristales requiere un calentamiento del material a alta temperatura. si repetimos el proceso pero aplicando un tiempo de enfriamiento demasiado corto impedimos que las partículas pueda "re-colocarse" en una red cristalina homogénea haciendo así que la solidificación de lugar a un amorfo.

Partiendo de esta idea. Explique las características generales de la “estructura tipo diamante” Con la invención de un amplificador de Estado Sólido en 1947. y hoy en día se aumenta el numero de componentes que se introducen en el mismo cristal. realice un esquema o mapa menta para explicar las ideas principales y responda las siguientes preguntas: 1. por Shockley. pero las inversiones en desarrollo son también muy altas.Bragg propuso la conocida Ley de Bragg. ¿Qué es un cristal y que tipos menciona el texto? 2. Actividad de aprendizaje: Después de leer la información anterior. and Brattain. Otras propiedades y teorías están relacionadas con la física de los cristales como las bandas de energías o los modelos que explican las propiedades eléctricas de conductores metálicos y semiconductores. Estas misma propiedades pertenecientes a los sólidos cristalinos y el fundamento de los cambios de fase es el utilizado en el proceso de grabación de CD-RW y DVD-RW mediante cambios en la estructura critalina haciendo zonas amorfas o policristalinas según los datos (bits) que se desean grabar. Gracias a estas observaciones W. Para observar la estructura interna que posee un cristal generalmente puede determinarse a partir del análisis de la difracción ondulatoria producida cuando fotones inciden en el cristal. la posibilidad del aumento en la integración en el mismo cristal es una realidad. En las últimas décadas.Representación de una celdilla en la disposición geométrica de sus partículas Debido a que muchos de los compuestos elementales presentan simetría esférica podemos visualizarlas considerando éstas como empaquetamientos espaciales de esferas rígidas. que permite ver superficialmente la posición de los planos que forman los átomos. Esta industria es altamente rentable. Lo que hace que la industria microelectrónica sea rentable es que su proceso de fabricación (Batch 11  . podemos determinar la llamada Fracción de Empaquetamiento que nos proporciona una medida de lo "llena" que está la estructura reticular.L. Bardeen. lo que hace que las inversiones sean al largo plazo.

menos unidos a los mismos. Ge P. pasando por el mismo proceso en el mismo instante. La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura siguiente. que hace que en cada oblea tengamos de 120-130 circuitos. Aunque hay procesos como el encapsulado y el testéo. donde las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los núcleos y los puntos negros son los electrones. Cada oblea es tratada de forma que todos los circuitos se hacen a la vez.Instituto Tecnológico Superior de Uruapan Processing). Materiales semiconductores Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Esto hace que en cada chip sea de 8mm de lado. 1. PIn. Sb Se. 12  . Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. C. SeCd y SCd). aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa. que se deben hacer individualmente. In III A Si.2. B. TeCd. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla siguiente. AsGaAl. Elemento Grupo Cd II B Electrones en la última capa 2 e3 e4 e5 e6 e- Al. Te. La característica común a todos ellos es que son tetravalentes. (S) IV A VA VI A El elemento semiconductor más usado es el silicio. As. teniendo el silicio una configuración electrónica s²p². funcione correctamente. Ga.

) algunas de las fuertes uniones entre los átomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En cambio.La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho de que los electrones de conducción de cada uno de ellos. son compartidos por los cuatro átomos vecinos. a la temperatura ambiente (20-25 grados C. La forma en que los huecos contribuyen a la corriente. se detalla seguidamente Cuando un electrón puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al núcleo y por tanto abandona su 13  . La ausencia del electrón que pertenecía a la unión de dos átomos de silicio se representa por un círculo. En la figura siguiente se representa esta situación. A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura 1 en la cual no se observa ningún electrón ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante.

denominado orbital molecular. A diferencia de lo que pasa en un enlace iónico. las reacciones entre dos átomos no metales producen enlaces covalentes. entre 0. Realice un mapa mental de los temas principales:  Modelo atómico de la mecánica cuántica u ondulatoria. En el enlace covalente. 14  .5 y 1 eV aproximadamente. los materiales deben tener un gap comprendido. es decir se unen por uno de sus electrones del último orbital. deja a su vez otro hueco en su posición inicial. y le resulta relativamente fácil al electrón del átomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. los electrones de enlace son compartidos por ambos átomos. los dos átomos no metálicos comparten un electrón. aparece un hueco. en el enlace químico covalente. 1. Enlaces covalentes Actividad de aprendizaje: Del material proporcionado. De esta forma. De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrón. Para que de este fenómeno físico en los semiconductores. los dos átomos comparten uno o más pares electrónicos en un nuevo tipo de orbital. lea y analice de la página 53 a la 68 . el cual depende del número atómico del átomo en cuestión.3.  Átomos polielectrónicos. Este tipo de enlace se produce cuando existe electronegatividad polar y se forma cuando la diferencia de electronegatividad no es suficientemente grande como para que se efectúe transferencia de electrones.Instituto Tecnológico Superior de Uruapan posición. Este electrón que deja su sitio para llenar un hueco.  Principio de exclusión de Pauli y principio de “Aufbau” En química. Aunque como bien se sabe ya el Gap de un semiconductor se puede variar añadiendo impurezas a este (Se verá más adelante). con una trayectoria de sentido opuesto a la de éste. en donde se produce la transferencia de electrones de un átomo a otro.

4. Una base dispone de un par electrónico para compartir y un ácido acepta compartir el par electrónico para formar un enlace covalente coordinado. Características del enlace covalente • • • • • Enlace sencillo: 2 electrones unidos físicamente por los subniveles inferiores métricos Enlace doble: se comparten dos pares de electrones. la distinción es útil para hacer un seguimiento de los electrones de valencia y asignar cargas formales.Enlace covalente no polar Cuando un mismo átomo aporta el par electrónico. es decir. con una misma electronegatividad por lo que su resultado es 0. Se produce en elementos iguales. Enlace triple: se comparten 3 pares de electrones. Un átomo no completa la regla del octeto. Aunque las propiedades de enlace covalente coordinado son parecidas a las de un enlace covalente normal (dado que todos los electrones son iguales. el enlace covalente es llamado enlace covalente polar. Formado el enlace covalente coordinado es idéntico a los demás enlaces covalentes. Materiales intrínsecos y materiales extrínsecos 15  . Se representa con una flecha → Enlace cuátruple: es la union de 4 ó más átomos • 1. sin importar su origen).

los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios. Modelos de bandas de energía 16  . es decir no tiene ninguna clase de impureza. En un material de tipo p. Si a la estructura del semiconductor de silicio se le añade alguna impureza. etc). ya que crean huecos que pueden aceptar electrones.5. se les llama respectivamente de tipo n o p.Instituto Tecnológico Superior de Uruapan Se denomina semiconductor puro o intrínseco a aquél en que los átomos que lo constituyen son todos del mismo tipo (por ejemplo de germanio). En un semiconductor del tipo n. Cuatro de los cinco electrones del átomo de arsénico se unirán a los correspondientes electrones de los cuatro átomos de silicio vecinos. fósforo. como puede ser el arsénico (As). 1. los huecos son portadores mayoritarios. sin una posible unión. con los que tenía el semiconductor puro. por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores. La causa de esta disminución se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes. y el quinto quedará inicialmente libre. o impurezas del tipo «p». A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptoras. En un semiconductor con impurezas del tipo n. y la unión incompleta dará lugar a un hueco. se transforma en un semiconductor impuro o extrínseco. no sólo aumenta el número de electrones sino que también la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tenía el semiconductor puro. Todos estos son enlaces covalentes por lo que mantiene «anclados» a los electrones e impide su desplazamiento. que tiene cinco electrones externos ligados al núcleo con carga positiva +5. y por tanto se convertirá en un portador de corriente. Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos. A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptoras. se le añade una pequeña cantidad de átomos distintos (por ejemplo arsénico. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo «n». solo podrá formar tres uniones completas con los átomos de silicio. y los electrones portadores minoritarios. Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga tres electrones externos. Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio. Al contrario de lo que sucedía antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparación.

La pregunta sería ahora. se presenta este esquema basado en el modelo atómico de Bohr y el principio de exclusión de Pauli. 4 estados. No todas las bandas se ocupan uniformemente. A medida que disminuye la distancia interatómica comienza a observarse la interacción mutua entre los átomos. Banda de Conducción. En respuesta al modelo de Drude surgió el modelo de bandas energéticas que. Banda de Valencia. sin electrones. Sin embargo este modelo era insuficiente a la hora de explicar el comportamiento de otros materiales que hoy día se conocen como semiconductores. Supóngase una red cristalina formada por átomos de silicio. por la distorsión creada. sino que algunas son más probables de ser ocupadas que otras. por lo tanto: • Los electrones no pueden tener cualquier nivel de energía: los estados de energía están cuantificados. 17  . Modelo de bandas energéticas El comportamiento de los electrones está regido por las leyes de la mecánica cuántica. ¿cómo es que se aplican los enlaces covalentes y los tipos de materiales y la definición de un semiconductor? Esto se logra a través de los siguientes modelos. 3. Usualmente. En este momento se tienen 8 orbitales híbridos sp³ con cuatro electrones y cuatro vacantes (punto B). Las tres bandas de valores que se pueden distinguir son: 1. comienzan a interferir los electrones de las capas internas de los átomos. No puede haber electrones con esos valores de energía en el cristal. Cuando los átomos están aislados. Banda Prohibida. basándose en las distribuciones de los electrones en sus orbitales a modo de regiones discretas. podía entenderse el comportamiento de la conductividad en los materiales. formándose bandas de energía (punto Z). A un conjunto de niveles de energía muy cerca entre sí se lo denomina banda de energía y se la considera continua. un sistema electrónico único. el orbital s (2 estados con dos electrones) y el orbital p (6 estados con 2 electrones y cuatro vacantes) tendrán una cierta energía Es y Ep respectivamente (punto A). 4 estados. Modelo simple • El modelo de Drude permitía explicar el comportamiento como conductor de algunos sólidos basándose en la aplicación de la teoría cinética a los electrones en un sólido. o sea que la probabilidad de que un electrón tenga ese nivel de energía es nula o muy cercana a cero. Si se continúa disminuyendo la distancia interatómica hasta la configuración del cristal. con 4 electrones. incluso hay bandas totalmente desocupadas. 2. hasta que ambos orbitales llegan a formar.

18  .Instituto Tecnológico Superior de Uruapan Bibliografía • • • • http://www. Robert Boylestad.net/tutoriales/Materiales-semiconductores.php http://www.php http://es.electronicafacil. Louis Nashelsky ANEXO 1 Tabla periódica de los elementos.org/electronica/semi/tsemi/index.wikiciencia.wikipedia.org/ Electrónica. teoría de circuitos.

son todos extremadamente no reactivos. Numerados de izquierda a derecha. por ello. Los elementos en el último grupo de la derecha son los gases nobles. Todos los elementos que pertenecen a un grupo tienen la misma valencia atómica. Por ejemplo.Grupos A las columnas verticales de la tabla periódica se les conoce como grupos. los grupos de la tabla periódica son: Grupo 1 : (I) los metales alcalinos Grupo 2 : (II) los metales alcalinotérreos Grupo 3 : (III) Familia del Escandio Grupo 4 : (IV) Familia del Titanio Grupo 5 : (V) Familia del Vanadio Grupo 6 : (VI) Familia del Cromo Grupo 7 : (VII)Familia del Manganeso Grupo 8 : (VIII) Familia del Hierro 19  . los elementos en el grupo IA tienen valencia de 1 (un electrón en su último nivel de energía) y todos tienden a perder ese electrón al enlazarse como iones positivos de +1. y por ello. tienen características o propiedades similares entre sí. los cuales tienen lleno su último nivel de energía (regla del octeto) y.

Instituto Tecnológico Superior de Uruapan Grupo 9 : (IX) Familia del Cobalto Grupo 10: (X) Familia del Níquel Grupo 11: (XI) Familia del Cobre Grupo 12: (XII) Familia del Zinc Grupo 13 (XIII): los térreos Grupo 14 (XIV): los carbonoideos Grupo 15 (XV): los nitrogenoideos Grupo 16 (XVI): los calcógenos o anfígenos Grupo 17 (XVII): los halógenos Grupo 18 (XVIII): los gases nobles 20  .

Períodos Las filas horizontales de la tabla periódica son llamadas períodos. ambos tienen sólo el orbital 1s. cada elemento se coloca según su configuración electrónica.org/wiki/Tabla_peri%C3%B3dica_de_los_elementos#cite_note-0 . pero no se han sintetizado o descubierto. f. que están ubicados en el orden sdp. d y f. de izquierda a derecha. Los bloques se llaman según la letra que hace referencia al orbital más externo: s. d. La tabla periódica se puede también dividir en bloques de elementos según el orbital que estén ocupando los electrones más externos. Podría haber más elementos que llenarían otros orbitales. Bloques Tabla periódica dividida en bloques. y f lantánidos y actínidos. p. s. según el principio de Aufbau. p. Siguiendo esa norma. los elementos que componen una misma fila tienen propiedades diferentes pero masas similares: todos los elementos de un período tienen el mismo número de orbitales. El primer período solo tiene dos miembros: hidrógeno y helio. en este caso se continúa con el orden alfabético para nombrarlos. La tabla también esta dividida en cuatro grupos. La tabla periódica consta de 7 períodos. • • • • Bloque s Bloque p Bloque d Bloque f http://es.wikipedia. Contrario a como ocurre en el caso de los grupos de la tabla periódica. Esto depende de la letra en terminación de los elementos de este grupo.

Instituto Tecnológico Superior de Uruapan ANEXO 2 SEMICONDUCTORES Los años 40 marco la era de la electrónica con el auge que tuvo la utilización de semiconductores en los dispositivos electrónicos como es el transistor principalmente y posteriormente LED. DEFINICIÓN CONDUCTOR SEMICONDUCTOR AISLANTE Material que permite un flujo considerable de electrones Menor resistividad (ρ) ρ≅ 10-6Ω cm Conductor>Flujo e-> aislante ρ ≅ 50 Ω cm Material que no permite el flujo de electrones Mayor resistividad (ρ) ρ≅ 1012Ω cm (mica) para el germanio para silicio ρ≅ 50 x103Ω cm 22  . Diodos etc.

la cual rebaja la energía y hace. por dos o más átomos. que experimentan simultáneamente atracciones de aproximadamente la misma magnitud. Mica. bronce y cobre • • Estructura atómica definida y periódica (Cristales o patrón). por consiguiente. oro. que el sistema resultante sea más estable que los átomos por separado. Teoría Cuántica 23  . Cristal estructura de diamante monocristalinas (Estructuras repetidas) Mejores: Vidrio.ρ=RAl Más usados: Silicio y germanio Mejores: Plata. Aire DIAGRAMA DE BOHR DEL GE Y SI ENLACE COVALENTE (ELECTRONES COMPARTIDOS) Enlace Covalente El enlace covalente se debe a la compartición de electrones.

 ¿Cuántos electrones y niveles tiene el Si. d=10e-.  Bohr  La posición del elemento en la tabla indica la cantidad de niveles y electrónes que tiene. f = e Magnético (m): Representa los orbitales presentes en un subnivel. VER ORBITALES DE IMAGEN ADJUNTA Cada orbital acepta un número máximo de electrones. sólo podía contener un determinado número de electrones. p=6 e-. 24  . s=2e-. 2n2 Los electrones que se encuentran en el último nivel del átomo se conocen como ELECTRONES DE VALENCIA. el Li y el Na? Números Cuánticos  Existen cuatro números cuánticos   Principal (n): Representa los niveles energéticos.Instituto Tecnológico Superior de Uruapan  Cada nivel de energía. Secundario o azimutal (l): Determina las características del subnivel y se relaciona con la forma del orbital. asi como la orientación que va de –l a l.

Estructura de Lewis: Representación gráfica de los electrones de valencia. Configuración electrónica  Muestra el acomodo de los electrones en sus niveles y subniveles. y Na. Un e.  Interpretación de C. (Ver diagrama)  Ejemplos:  Realizar la configuración electrónica condensada de Si. Son los ubicados en el subnivel “s” o en “s” y “p” cuando aparerezca.  Condensada: Utiliza la siguente nomenclatura  Regla de AUFBAU: Cada subnivel con su nivel de energía tiene diferente energía. Cl. Spin (s): Se relaciona con el giro del electrón sobre su propio eje.E.gira en sentido contrario al otro. Cu.  Nos indica el último nivel de energía que tiene el átomo (numero más grande) Ultimo subnivel que se forma en el átomo (ultima letra de la configuración) Electrones de valencia: Son los electrones del último nivel. Se le asignan valores de -1/2 y +1/2.    25  . Zn.  Los subniveles están ordenados de acuerdo a su incremento de energía.

26  . Ge.  Indique el último nivel de energía.Instituto Tecnológico Superior de Uruapan  Ejemplos: Para el Br. se dirigen al lado positivo. dejando “huecos” en la red. Si. Te.  Dibuje la estructura de Lewis A temperatura ambiente (300 °K) los electrones de valencia del Si pueden tener la ergía suficiente para librarse del enlace covalente y moverse por la red cristalina.  Diga cuantos son los electrones de valencia. Cd:  Escriba la C. El comportamiento eléctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenómenos: . Si a estos “electrones libres” se les somete al potencial eléctrico de una pila.E. In.  Señale el último subnivel que se está llenando.Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila.

. 27  . Por el conductor exterior sólo circulan los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica.Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila. . circula una corriente eléctrica en el circuito cerrado.Al conectar una pila. siendo constante en todo momento el número de electrones dentro del cristal de silicio.Los huecos sólo existen en el seno del cristal semiconductor. .