You are on page 1of 13

LAPORAN PRAKTIKUM R-LAB

Karakteristik VI Semikonduktor

Nama NPM Fakultas Departemen Grup & Kawan Kerja

: Albert Wilson Pardamean Marbun : 1006659640 : Teknik : Teknik Sipil : Kelompok A2         Ahmad Arinaldi Ahmad Syihan Ahmad Hafeizh E. Agung Setyo Akhmad Musthaza Albert Koto Indardyo Muhammad Anshar Amzy Albert Santoso

No & Nama Percobaan Minggu Percobaan Tanggal Percobaan Nama Asisten

: LR03, Karakteristik VI Semikonduktor : Minggu ke-6 : Nopember 2011 : Riki Pahlefi

Unit Pelaksana Pendidikan Ilmu Pengetahuan Dasar (UPP-IPD)

Universitas Indonesia
Depok

Ge.KARAKTERISTIK VI SEMIKONDUKTOR I. LANDASAN TEORI 1. superkonduktor atau semikonduktor disebabkan oleh adanya perbedaan gaya ikat antar atom. Bahan ini memiliki dua jenis bahan.. pada suhu yang tinggi dan terkena cahaya. Semikonduktor Bahan semikonduktor adalah material yang memiliki sifat konduktivitas listrik di antara konduktor dan isolator (sifat penghantar listrik lebih baik dari isolator. dll) dan amorf (amorphous Si). juga kurang baik dari konduktor). Bahan semikonduktor 2. Bahan Padat Suatu bahan padat tersusun atas atom-atom. TUJUAN PERCOBAAN Mempelajari hubungan antara beda potensial (V) dan arus listrik (I) pada suatu semikonduktor II. PERALATAN 1. ion-ion atau molekul molekul yang letaknya berdekatan dan tersusun teratur membentuk suatu struktur tertentu seperti kristal. Perbedaan sifat pada zat padat yakni konduktor. R-LAB 2 . Amperemeter 3. Voltmeter 4. isolator. bahan semikonduktor murni dapat menjadi isolator yang cukup baik. atau molekulnya dan ini ada kaitannya dengan gaya listrik dan perbedaan ikatan bergantung jumlah elektron terluar. benda padat dibagi menjadi 2 jenis bahan yaitu kristal yang memiliki struktur dengan keteraturan panjang dan berulang secara periodik dan amorf yang memiliki keteraturan pendek. Variable power supply 5. Namun. LR03. bahan semikonduktor tidak murni akan mengalami kenaikan sifat konduktivitas yang cukup tinggi dan bahkan mampu mendekati konduktivitas bahan logam (konduktor). Berdasarkan struktur partikel penyusun. yaitu berstruktur kristal (Si.. ion. GaAs. Unit PC beserta DAQ dan perangkat pengendali otomatis III. Karakteristik VI Semikonduktor . Camcorder 6. Pada suhu rendah.

Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron. Struktur atom silikon. Pada kondisi tersebut.Bahan Semikonduktor Unsur Si Ge Paduan Unsur Padat (Golongan A) IV-IV SiC III-V AlAs AlSb BN GaAs GaP GaSb InAs InP InSb II-VI CdS CdSe CdTe ZnS ZnSe ZnTe IV-VI PbS PbTe Germanium (Ge) dahulu merupakan satu-satunya bahan yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur silikon. Namun. bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. Silikon merupakan bahan terbanyak kedua yang ada di bumi setelah oksigen (O2). Pasir.. Pada suhu yang sangat rendah (0˚K). R-LAB 3 . satu inti atom masing-masing memiliki 4 elektron valensi. belakangan ini silikon (Si) menjadi populer setelah ditemukan cara mengekstra silikon dari alam. Pada suhu tinggi. sehingga 4 elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion atom-atom lain. Karakteristik VI Semikonduktor .. struktur atom silikon dapat digambarkan sebagai berikut: Struktur 2D kristal Si (a) struktur kristal diamond Si (b) ikatan tetrahedron Si Ikatan kovalen membuat elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke atom yang lain. ada beberapa ikatan LR03.

Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen dan diharapkan akan dapat menghantarkan listrik. Semikonduktor ini memiliki sifat yang mendekati sebuah materila isolator dengan pita valensi dan pita konduksinya terpisahkan oleh gap energi (energy gap) yang kecil. Doping atom pentavalen Tipe-P (Positif) Jika bahan semikonduktor berbahan Si diberikan doping Boron (B). R-LAB 4 . Tipe-N (Negatif) Jika bahan semikonduktor berbahan Si diberikan doping Posfor (P) atau Arsen (As) yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. namun hanya pada keadaan tertentu saja yakni dengan memberikan doping (penambahan atom). maka Si yang tidak lagi murni (impuritis) akan memiliki kelebihan elektron yang membentuk semikonduktor tipe-N.. Karakteristik VI Semikonduktor . Hole ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron (kekurangan elektron). atau Indium (In) yang trivalen yaitu bahan kristal dengan ion yang memiliki 3 elektron pada pita valensi.. Gallium (Ga). Doping atom trivalen a. karena ion silikon memiliki 4 elektron. LR03. maka Si akan memiliki sifat semikonduktor tipe-P. Semikonduktor tipe-N ini bersifat melepaskan elektron. Semikonduktor murni Semikonduktor murni atau yang disebut dengan semikonduktor intrinsik adalah material semikonduktor di mana tiap-tiap atomnya berikatan kovalen satu sama lain membentuk suatu struktur kristal yang biasa disebut lattice.kovalen yang lepas karena energi panas sehingga elektron dapat terlepas dari ikatannya dan hampir dapat menjadi konduktor yang baik. dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole).

maka akan terjadi lubang baru di tempat yang lain dan seolah-olah sebuah muatan positif bergerak dari lubang lama ke lubang baru.. Besarnya energi untuk melepaskan elektron dari pita valensi ke pita konduksi disebut energi terlarang (energy gap). besarnya rapat arus dinyatakan sebagai: 𝐽 = 𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 𝑞𝜀 = 𝜎𝜀 Dimana: n dan p µn dan µp 𝜎 = 𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 𝑞 : konsentrasi elektron dan lubang (m-3) : mobilitas elektron dan lubang (m2V-1s-1) : konduktivitas (S cm-1) LR03.1 eV untuk Si dan 0. Kedua muatan inilah yang memberi pengaruh sehingga terdapat aliran listrik pada semikonduktor murni.Energi yang diperlukan untuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar 1. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain mengisi lubang tersebut. sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan diri dari ikatan dan tereksitasi (excited) dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas. Karakteristik VI Semikonduktor . maka akan terjadi kekosongan atau lubang (hole). Pada temperatur ruang (300 K). R-LAB 5 . Jika sebuah ikatan kovalen terputus.. Pada daerah dimana terjadi kekosongan akan terdapat kelebihan muatan positif dan daerah yang ditempati elektron bebas mempunyai kelebihan muatan negatif. Eksitasi elektron Si Proses aliran muatan (arus drift) menyatakan bahwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat adanya 2 partikel masing-masing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan arah yang berlawanan akibat adanya pengaruh medan listrik.7 eV untuk Ge. Akibat adanya 2 pembawa muatan tersebut.

ni (m-3) Resistivitas. semikonduktor kembali pada sifatnya sebagai isolator. maka elektron pada lapisan terdorong keluar dari hole dan kembali menjadi elektron bebas sedangkan hole yang ditinggalkannya akan terisi kembali oleh elektron (terjadi rekombinasi) dari tipe-N. Tin (Sn). Nitrogen (N). Jika ujung tipe-N disambungkan dengan kutub negatif suatu tegangan dan tipe-P disambungkan dengan kutub positif tegangan. 2.048 1.135 0. Elemen semikonduktor beserta atom doping yang biasa digunakan adalah Boron (B). Carbon (C). maka didapat Si atau Ge yang kelebihan atau kekurangan elektron. Aluminium (Al). LR03. Antimon (Sb)..5 × 1016 2300 Ge 0. Difusi ini menyebabkan terbentuknya lapisan pengosongan atau deplesi. Indium (In). Arsenik (As).1 0. Pada lapisan ini.Karena timbulnya lubang dan elektron terjadi secara serentak. Kelebihan elektron menyebabkan kristal bermuatan negatif dan sebaliknya sehingga memicu timbulnya gaya-gaya listrik akibat muatan elektron. R-LAB 6 . maka pada semikonduktor murni jumlah lubang sama dengan jumlah elektron atau dituliskan sebagai 𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 dengan ni disebut sebagai konsentrasi intrinsik. 𝜌𝑖 (Ωm) Si 1. Karakteristik VI Semikonduktor .4 × 1019 0.39 0. Begitu seterusnya. 𝜇𝑝 (m2V-1s-1) Konsentrasi intrinsik. Sifat dasar Si dan Ge pada suhu 300 K Properti Gap energi (eV) Mobilitas elektron. Dengan adanya doping pada struktur kristal semikonduktor. Semua hole pada sambungan akan terisi oleh elektron sehingga tidak ada lagi elektron bebas.67 0.19 2. Pofor (P). 𝜇𝑛 (m2V-1s-1) Mobilitas lubang.46 b. Semikonduktor tidak murni Semikonduktor tidak murni atau yang disebut dengan semikonduktor ekstrensik didapat dengan memasukkan pengotor (doping) berupa atom-atom dari golongan IIIA atau VA ke dalam semikonduktor (SI atau Ge murni).. Sifat Listrik Semikonduktor Jika semikonduktor tipe-P dan tipe-N digabungkan maka pada sambungan akan terjadi proses difusi akibat ketidakseimbangan muatan di antara kedua material semikonduktor.

peningkatan panas akan mengurangi nilai hambatannya. Mengatur beda potensial yang diberikan pada rangakaian dengan memilih V1 3. R-LAB 7 . PROSEDUR PERCOBAAN 1.. Mengaktifkan webcam pada halaman web R-Lab dengan mengklik ikon video 2. Peristiwa disipasi panas dan perubahan nilai hambatan semikonduktor saling mempengaruhi. Karakteristik VI Semikonduktor .. Pada semikonduktor. Besarnya disipasi panas dinyatakan dalam I2R. Rangkaian tertutup semikonduktor IV. panas yang dihasilkan akan menyebabkan perubahan nilai resistansi.Rekombinasi hole elektron dan emisi foton pada junction Bahan padat bila dilewati oleh arus listrik maka akan timbul disipasi panas. Menyalakan catu daya dengan mengklik tombol power supply LR03.

94 0.94 0.38 1. Mengulangi langkah 2 sampai 4 untuk beda potensial V2.46 0.43 10. V4.46 0. Pengolahan Data Nilai V rata-rata dan I rata-rata 𝑉𝑖 = 𝑉 𝑖.46 I i.94 1.75 10.58 3.17 7. V5.46 0.38 1. V4. dan V8 adalah sebagai berikut: V rata-rata (volt) I rata-rata (mA) Tegangan Vi.17 7. V3.94 0.17 7. V7.38 0. V6.𝑖 5 Adapun nilai rata-rata beda potensial yang terukur dan arus yang terukur untuk V1. V6.58 3.46 0..38 10. R-LAB 8 .17 V3 1. HASIL DAN EVALUASI 1. dan V8 V.17 10.4. V3.17 3.38 1.58 V1 0.558 LR03.58 7. V2.58 V2 0.94 7.75 10. Menunggu percobaan hingga didapatkan data arus yang mengalir pada hambatan dan mencatat datanya 5..𝑖 5 dan 𝐼𝑖 = 𝐼𝑖.i (volt) 0. V7.94 0.58 3. Karakteristik VI Semikonduktor .i (mA) 3. V5.43 10.43 7.38 1.46 3.

656 3.67 3.89 2.204 2.29 2.30 2.236 28.88 1.09 27.89 2.09 25.34 14.20 3.572 14.88 1.88 V4 1.56 34.26 32.88 14.30 2..44 24.37 28.09 25.66 18.30 V5 2.91 33.33 32.25 18.19 3..886 2. Karakteristik VI Semikonduktor .992 18.90 18.65 3.1.24 33.88 3.67 28.66 14.66 3.468 LR03.89 V6 2.88 2.34 14.21 V7 3.542 24.22 3. R-LAB 9 .64 3.34 14.57 18.57 24.57 18.88 1.88 2.20 3.66 V8 3.67 28.30 2.21 33.298 1.44 25.67 29.

Atau dengan kata lain.993 Hubungan V ratarata vs I rata-rata Linear (Hubungan V rata-rata vs I ratarata) 5 0 0 1 2 Tegangan (volt) 3 4 Pada grafik linier di atas.. Karakteristik VI Semikonduktor .9 R² = 0.358𝑥 − 1. R-LAB 10 . dapat dilihat hubungan berbanding lurus antara besarnya nilai tegangan listrik yang diberikan terhadap arus listrik yang dihasilkan ( I = C konstan). maka hukum Ohm tidak berlaku pada bahan baik itu dioda atau transistor yang digunakan. jika semakin besar tegangan listrik pada bahan semikonduktor. Ini dikarenakan suhu pada semikonduktor praktis tidak berubah sehingga dapat dihasilkan persamaan hukum Ohm: V I V = 𝑅 [Ω] (1) Jika suhu semikonduktor berubah-ubah.358x . Adapun persamaan garis lurus grafik (𝑦 = 9.1.9) didapat dengan cara kuadrat terkecil: 2 𝑥 𝑖 𝑚 = 𝑛 𝑥 𝑖 𝑦 𝑖 − 𝑛 2 𝑥 𝑖 − 𝑥 𝑖 𝑥 𝑖 2 𝑦 𝑖 𝑏 = 𝑦 𝑖 − 𝑛 2 𝑥 𝑖 − 𝑥 𝑖 𝑥 𝑖 𝑦 𝑖 𝑥 𝑖 2 LR03.. semakin besar pula kuat arus listrik yang dihasilkan.Grafik V vs I menunjukkan hubungan linier atau berbanding lurus antara tegangan rata-rata dan arus listrik yang diberikan: Grafik V rata-rata vs I rata-rata 35 30 Kuat Arus Listrik (mA) 25 20 15 10 y = 9.

R-LAB .4916 11 LR03.600064 814.204 3.9212 m= n xi yi − n xi2 − xi xi 2 yi = 8 377.118 666.366336 43.5344 5. Pada setiap tegangan yang ditetapkan (V1.67846 72.118 𝒙𝟐 𝒊 0.46 0. V2.656 16.44857 121.134 = = 𝟗.0236 71.5108 377.265616 13.919184 624.1824 = −𝟏.816396 𝒙𝒊 𝒚𝒊 1.236 141.12691 91.77572 141. kita dapat menentukan seberapa besar nilai menghambatnya semikonduktor terhadap aliran elektron.558 14.704 𝒚𝒊 3.58 7.298 2..704 141.645764 1104. Tegangan V1 𝑽𝒊 (volt) 0.1824 b= xi2 yi − xi 2 n xi − xi xi yi 2 = 43.. Karakteristik VI Semikonduktor .46 𝑰𝒊 (mA) 3.775752 − 279.572 24.118 − 16.58 R (Ω) 128.8836 1.280804 8.542 33.0236 71.992 28. Besarnya nilai beda potensial per kuat arus disebut hambatan.19984 42.254 = 8 43. V8) dapat dicari besarnya nilai hambatan dengan menggunakan rumus (1).4089 111. Dengan demikian.2116 0.57004 27.17 10.9212 −135.886 3. Ohm menemukan bahwa dengan rangkaian sederhana semikonduktor seperti gambar percobaan yang tersusun seri. 𝟗 Pada peristiwa karakteristik VI semikonduktor tidak terdapat adanya perubahan suhu yang signifikan.704 377.Dengan perhitungan: Tegangan V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 𝑛 = 8 𝒙𝒊 0. Hukum Ohm dapat digunakan pada peristiwa ini.9212 − 16.6468 6.94 1. Percobaan Ohm mendapatkan hubungan lurus atau konstan antara besar tegangan dengan arus listrik pada suhu tetap dan dinyatakan dengan Hukum Ohm.38 1. ….775752 − 279.7398 14.323024 344.8164 51.88 2.9044 3.471364 209.775752 𝒚𝟐 𝒊 12.631696 3273. 𝟑𝟓𝟖 8 43.328996 10.468 18.

94 1.477 112.fisika-ceria.38 1.com/sifat-listrik-bahan-semikonduktor. REFERENSI Endarko.656 7. Extended Edition..572 24. KESIMPULAN Adapun kesimpulan yang didapatkan dari percobaan “Karakteristik VI Semikonduktor” ini adalah: 1.992 28.707 129.1018 130. Grafik hubungan antara besarnya nilai tegangan yang diterapkan pada semikonduktor dan kuat arus listrik yang mengalir adalah berupa garis lurus 5. Walker. VI. V3.. Besarnya nilai hambatan berbanding terbalik terhadap besarnya arus listrik yang mengalir VII. Hukum Ohm (V = I × R) berlaku pada rangkaian seri semikonduktor dimana suhu relatif konstan 3.1998. Tipler. Jika semakin besar tegangan listrik pada bahan semikonduktor.468 18.17 10.0012 Dari hasil perhitungan nilai hambatan masing-masing tegangan V1. Inc. New Jersey: John Wiley & Sons.7139 Ω. Besarnya tegangan berbanding lurus dengan arus listrik.204 3.html LR03. V2. Fundamentals of Physics. didapatkan nilai hambatan rata-rata yang dimiliki semikonduktor adalah sebesar 122. Jakarta : Penebit Erlangga http://www. Resnick. P. 2007. V8 yang ditetapkan pada semikonduktor. Draf Modul Fisika. semakin besar pula kuat arus listrik yang dihasilkan 2.542 33. Fisika untuk Sains dan Teknik-Jilid II (terjemahan).V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 0. Hukum Ohm berlaku secara terbatas.2556 110. Jakarta: Biro Perencanaan dan Kerja Sama Luar Negeri Depdiknas Halliday.558 14.. . hanya pada kondisi tertentu jika suhu pada semikonduktor praktis tidak berubah-ubah atau konstan 4. 7th Edition. Karakteristik VI Semikonduktor .. R-LAB 12 .236 131.A.886 3..88 2.942 123..7347 115.298 2. 2005.

88 2.24 33.56 34.22 3.29 3.com/2007/11/14/semikonduktor/ VIII.43 10. R-LAB .94 0.09 25.20 3.33 32.09 27.88 1.57 18.46 0.58 3.67 3.90 13 V (volt) I (mA) 18.67 28.25 18.wordpress.34 14.44 24.89 V6 2.38 V3 1.46 0.46 0.58 3.43 10.66 18.75 14.89 2.75 10.43 10.46 0.94 0.19 3.65 3.30 2.17 7.94 V2 0.58 3.88 V4 1.30 V5 2.38 1.34 14.38 1.09 25.58 3.94 0.88 1.88 2.91 33.17 7.66 V8 3.88 1.21 2. LAMPIRAN Data yang diperoleh dari percobaaan adalah sebagai berikut: Beda Potensial (V) 2..30 2.17 7.89 0.46 V1 0.37 28.20 3.67 29.57 24.38 1..64 LR03.21 V7 3.44 25.17 10.94 1.66 14.17 7.57 18.26 32. Karakteristik VI Semikonduktor .67 28.58 7.http://cnt121.30 2.88 3.66 3.34 14.38 1.