PROGRAMUL EXAMENULUI DE LICENŢĂ LA DISCIPLINA FUNDAMENTALĂ Fizica corpului solid şi dispozitive semiconductoare Specialitatea: ELECTRONICA (Microelectronica şi Nanotehnologii) 1.

FIZICA CORPULUI SOLID 1.1 Spectrul energetic al purtătorilor de sarcină în semiconductoare. 1.2 Densitatea stărilor cuantice, funcţia de distribuire şi concentraţia electronilor în semiconductori intrinseci şi extrinseci. 1.3 Stările energetice localizate ale donorilor şi ale acceptorilor. Stările localizate adînci şi puţin adînci. 1.4 Dependenţa de temperatură a poziţiei nivelului Fermi şi concentraţiei electronilor în semiconductor extrinsiec şi intrinsec. 1.5 Mecanisme de recombinare a purtătorilor de sarcină. Timpul de viaţă a purtătorilor de sarcină. 1.6 Statistica fononilor. Spectrele fononice în cristale tridimensionale. 1.7 Supraconductibilitate: crearea cuplurilor lui Cooper, structura energetică a supraconductorului, factorii care duc la distrugerea stării de supraconductibilitate. 1.8 Efectele Iosephson. Squidul. 1.9 Mecanismele absorbţiei de lumină în materiale semiconductoare. Absorbţia în semiconductori intrinseci. 1.10 Fotoconductibilitatea intrinsecă şi extrinsecă. Cinetica fotoconductibilităţii. BIBLIOGRAFIE Дж. Блейкмор , Физика твердого тела, , 1988, 660 с. Г.И. Епифанов , Физика твердого тела, , 1977,278 с. К.В. Шалимова, Физика полупроводниковых, 1985, 415 с. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников, Физика полупроводниковых1990, 5. Casian A.R., Şişianu T.S. Fizica corpului solid. V. 1, - Chişinău, 1994 1. 2. 3. 4. 2. DISPOZITIVE MICRONANOOPTOELECTRONICE ŞI TRADUCTOARE 2.1 Teoria şi calculul parametrilor joncţiunii p-n.Teoria redresării şi deducerea caracteristicelor voltamperice ale joncţiunii p-n. 2.2 Teoria redresării si modelele CVA ale diodei Shotkky. 2.3 Heterojoncţiuni. Diagrame zonale, parametrii si caracteristicele. 2.4 Diode tunel. 2.5 Compararea tranzistoarelor cu drift si fară drift: cîmpul în bază, diagrame zonale. 2.6 Parametrii de eficienţă a tranzistoarelor bipolare 2.7 Caracteristicele volt-amperice ale tranzistorului bipolar. 2.8 Caracteristicele de impuls ale transzistorului bipolar. Deducerea caracteristicii de comutare. 2.9 TEC cu jonctiune p-n. Deducerea CVA.

2.10 MOS-tranzistoare. Deducerea CVA pentru tranzistorul cu canal indus.
2.11 Dispozitive cuplate cu sarcini
2.12 Mecanismul electroluminescenţei

prin injecţie în joncţiuni şi heterojoncţiuni. Construcţia, caracteristicile şi parametrele ale diodelor electroluminescente. Procesele fizice în laserii cu semiconductori; caracteristicile şi parametrele ale diodelor laser. Receptori de radiaţie optică cu semiconductori (fotodiodele, fototranzistori, fototiristori) Optocuploarele. Traductoare magnetice; aplicaţii.

2.13 2.14 2.15 2.16

Ставеев. Чео П.Мир 1992 8. Пасынков В.1. Б. В.20 Senzori cu fibre optice.. Programa pentru calculator SPICE 1992 8.Москва. aplicaţii. Chşinău. М. 2000 3. Хансперджер Р. Носов Ю. «Волны и поля в оптоэлектронике».22 Caracteristica generală a micronanosenzorilor biomedicali.Р.. Artech House Publishers.Şişianu. In eng. Alexandru Focşa “Fizica dispozitivelor semiconductoare”. . Приборы и системы»М. 1988.P. Физика полупроводников. Хаус X. Ulrich Rembold Tehnologia Micro-sistemelor şi robotica. S.Şişianu.. М. Trad. Прушинский Л.Tehnica.К.18 Metode de compensare a driftului "zero" şi a sensibilităţii senzorilor. Чиркин Л. .2. Şişianu.2004 6.Бусурин.1985. T.:Энергоатомиздат.О. Sensor Sistems or Environmental Monitoring. F.Наука. Шалимова К. 2. 2. Физика полупроводниковых приборов. Верешагин И.1993. (DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE) 12. 20.17 Tenzo-traductoare integrate în baza de siliciu.) 2. 1990 10. радио и связь. Кейсе X. Математические модели элементов интегральной электроники..М.. А. 1994 7. 1988. 1989.. Ю. Дж. Москва Выс школа 1987 9..M. Полупроводниковые пленки и миниатюрные измерителные преобразователи. Болвановик Е. Петросьянц К.I. М. Dumitru D.. Universităţii "Al.А. 2003 2.Носов.Ф. 19.Lupan Comunicaţii prin fibre optice. Tipografia Centrală. Гауэр «Оптические линии связи» 1988 18. С.1994 4.Lupan Comunicaţii prin fibre optice Chişinău.Şişianu. aplicaţii. Носов Ю. Наука и техника. «Оптоэлектроника». T. Sze S.А.И. 1. Edited by M. 2.. Chişinău –1998 5. «Волоконная оптика. 1992 5.. Зи «Физика полупроводниковых приборов» 1984 (SENZORI) 1.. V. «Лазеры на гетероструктурах» 1981. Blackie Academic & Professional. Електронные измерительные приборы и методы измерения М. Understanding Smart Sensors.М. (Зи С.1990 10. 2. Дадчики измерительных систем. O. 1990 6.И.1983.Lupan Comunicaţii prin fibre optice.. Физика полупроводниковых приборов. Sandu Electronica fiyică şi aplicată Vol. Волоконно-оптические датчики. 3. S. М.Şişianu. Ж. В.l. В. Şişianu T. 9.2.Cuza".. радио". ВШ. Косяченко Л.Викулин. «Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники». 2003.Шапилова.. Randy Frank. «Интегральная оптика З» (Технология и теория) 1985.» Кишинев. С. Меизда Ф.. Паниш М. Булярский С. Petru Gaşin. Энергоатомиэдат. Д. Викулин И.Iaşi. «Введение в оптоэлектронику» 1991 16. .21 Caracteristica generală a senzorilor inteligeţi. aplicaţii. «Радио и связь".М. 14. Шишиану Ф. Chşinău. И.К. O..Chişinău.М. 17.2. Bucureşti. Т. Petru Gaugaş. пер. Ed. Sergej Fatikow. И.Р. Полупроводниковые приборы. Edit. 1989 11. 13.1981 .. М. Самусь И.Romania. АЖ и др. 1984.: "Сов. O. S. Пихтин А. BIBLIOGRAFIE (DISPOZITIVE MICRONANOOPTOELECTRONICE) 1. 1999 4. К.Н. Физика полупроводниковых приборов . К. T. Volume 1. Шилин В.R.М. 1976.E. с англ.Şişianu.Campbell. Physics of Semiconductor Devices. Учеб д/вуз.Ф. 1990 7. 2. Стафеев В. -М. Casian A.И. М.S. Мир.19 Traductoare optoelectronice.» Физические процессы в нулевых транзисторах управляемых р-п переходом и барьером Шоттки. Fizica corpului solid. 15..Р.

determinaţi concentraţia electronilor de conducţie dacă mobilitatea µn=0.3 eV mai jos de banda de conducţie. 4. dacă lăţimea benzii interzise a semiconductorului este 1. Care va fi probabilitatea că pe nivelul energetic Ev sînt goluri. Determinaţi de câte ori sa modificat lungimea de difuzie a golurilor 14. dacă concentraţia intrinsecă la aceiaşi temperatură este egală cu 1016 m-3 2.375 m2 /Vs. dacă lăţimea benzii interzise este egală cu 0.665 eV. Pe suprafaţa unei plachete omogene de siliciu cu ajutorul unei surse de lumină are loc generarea perechilor gol-electron.67eV. concentraţia de exces a purtătorilor de sarcină era de 10 ori mai mare decât în timpul t2 =10-3 s. Determinaţi concentraţia de echilibru a golurilor şi electronilor 3. Cu cît se va modifica coeficientul de difuzie a electronilor cu creşterea temperaturii cu 10 % dacă mobilitatea se va modifica proporţional conform T-3/2 11.1eV. iar pentru T2 = 28 K. NC = 1. 13.8*10-3 m2/s.2 Ev mai jos de Ec. 9. 18. Determinaţi timpul de viaţă a electronilor la temperatura de cameră . Determinaţi timpul de viaţă a purtătorilor de sarcină de exces. În timp de t1= 10-4 s după întreruperea fascicolului luminos. La intensitatea câmpului electric 100 V/m densitatea curentului este egală cu 6*104 A/m2 . Nivelul Fermi în semiconductor se află la 0. dacă lungimea de difuzie a electronilor Ln= 1. dopate cu As pînă la concentraţia 1023 M-3. b) la 100 K. Determinaţi rezistenţa specifică a semiconductorului de tipul n . iar coeficientul de difuzie Dp=4. dacă mobilitatea este egală cu µn=0. La o bară de arsenură de galiu cu lungimea 50 mm este aplicată tensiunea de 50 V. Cu cât este necesar de mărit temperatura ca concentraţia electronilor în banda de conducţie sî se mărească de două ori. dacă timpul de viaţă τ p=10-4s . La doparea materialului semiconductor cu impurităţi donore timpul de viaţă a purtătorilor de sarcină în exces sa micşorat de 5 ori. iar mobilitatea µn=0.5 m2/Vs 5. Conentraţia electronilor într-un semiconductor este egală cu 1016 m-3.9 m2/Vs. 6. 17. 15. Determinaţi lungimea de difuzie a electronilor.5mm coeficientul de difuzie Dn=9. Determinaţi timpul în care electronul va parcurge proba. . Determinaţi nivelul Fermi la T = 300 K în cristale de germaniu. b) probabilitatea aflării electronilor la fundul benzii de conducţie la 300 K. Nivelul Fermi în semiconductor se află cu 0. n2 = 1018 M-3. Care este probabilitatea la temperatura de cameră că nivelurile energetice situate cu 3kT mai sus de banda de conducţie vor fi ocupate de electroni. Determinaţi energia de ionizare a donorilor daca pentru T1 = 50 K concentraţia electronilor n1 = 1020 M-3. 16. dacă concentraţia electronilor de neechilibru la distanţa de 2 mm de la suprafaţă sa micşorat de 20 de ori 10.02∙1025 M-3. 12. Lăţimea benzii interzise în germaniu intrinsec la temperatura 300K este egală cu 0. 7. Determinaţi lungimea de difuzie a golurilor în Ge de tipul n. Determinaţi timpul de viaţă şi mobilitatea golurilor în germaniu la temperatura de 300K. Determinaţi concentraţia golurilor. Curentul golurilor poate fi omis.8*10-3 m2/s 8. dacă concentraţia electronilor este egală cu 1022 m-3. Nivelul fermi în germaniu la temperatura 300K se află la 0. iar mobilitatea sa micşorat cu 30%. Determinaţi: a) probabilitatea aflării golurilor pe nivelul superior al benzii de valenţă la temperatura de 300 şi 50 K. Lungimea de difuzie a electronilor în probele de siliciu. Determinaţi de cîte ori se deosebeşte probabilitatea de aflare a electronilor la fundul benzii de conducţie în germaniu şi siliciu intrisec: a) la 300 K. arsenură de galiu şi germaniu este egală cu 1 mm.01eV mai sus de banda de valenţă.PROLEME TIPICE 1.

Conductibilitatea specifică a regiunilor p şi n. Curentul de saturaţie a diodei I0 = 1 µA.a) b) c) d) e) f) g) h) 19. Pentru tranzistorul p-n-p este dat: Ipe = 1 mA. 31. iar la fiecare 108 atomi de germaniu revine 1 atom de impuritate. Cum se va modifica probabilitatea de ocupare a acestui nivel. Care este extinderea acesteia în cele două regiuni ln0 şi lpo? 23.01 mA.4 m2 / V∙s. Lăţimea regiunii sarcinilor spaţiale la tensiunea inversă 10 V. concentraţia impurităţii donore în regiunea n Nd = 1022 m-3. 29. şi la fiecare 108 atomi de germaniu revine un atom a impurităţii acceptate. PROGRAMUL EXAMENULUI DE LICENŢĂ . Temperatura T = 300 K. Raportul dintre curenţii golurilor şi electronilor. Inc = 0. eficienţa colectorului 26. Joncţiunea p-n are următoarele parametri: ND = 103 NA. Într-o joncţiune abruptă cu suprafaţa S = 10-6 m2 concentraţia impurităţii acceptore în regiunea p Na = 1024 m-3. concentraţia impurităţii donore în regiunea n Nd = 1022 m-3. o rezistenţă R=10 k . Rezolvaţi problema precedentă pentru siliciu. concentraţia intrinsecă ni = 1019 m-3. 100 ori 25.2 m2 / V∙s. 28. 27. Într-o joncţiune abruptă cu suprafaţa S = 10-6 m2 concentraţia impurităţii acceptore în regiunea p Na = 1024 m-3.Eficienţa emitorului.ρp=104 s/m şi a regiunii n.ρn=102s/m 24. b) Înălţimea barierei de contact. coeficientul de transfer în bază.curentul de saturaţie a diodei Io=10 A. dacă temperatura se va mări de două ori? 20. Determinaţi valorile curentului şi căderii tensiunii pe diodă. În cit timp electronul va parcurge bara. lungimile de difuzie a purtătorilor de sarcină minoritari: Lp = 2 ∙ 10-4 m. De calculat:Coeficienţii de amplificare a curenţilor pentru conectarea tranzistorului cu bază comună şi emitor comun. Determinaţi tensiunea aplicată la diod dacă curentul I = 1 mA.98 mA. Mobilitatea electronilor 0.4 ⋅ 1022 cm-3 iar ni = 2. Rezistenţa specifică a regiunii –p pentru o joncţiune de germaniu ρp = 2 Ω ⋅ cm. iar pentru regiunea –n ρn = 1 Ω ⋅ cm. Curentul de saturaţie I0. 1 A. 32. Ln = 3 ∙ 10-4 m. Cu cât e necesar de mărit tensiunea aplicată la diod pentru a mări curentul direct de 10.9m2/V∙s. permeabilitatea dielectrică a materialului ε = 16. Ipc = 0. Să se calculeze pentru temperatura T=300K diferenţa internă de potenţial a joncţiunii ΦBO. Mobilitatea golurilor µp = 0. dacă NSi = 5 ⋅ 1022 cm-3 . La o bară de GaAs cu lungimea 50mm este aplicată o tensiune de 50V. Capacitatea de barieră la tensiunea inversă 10 V. Ine = 0. concentraţia intrinsecă ni = 1019 m-3.Dioda este polarizată direct.5 ⋅ 1013 cm-3 . dacă mobilitatea electronilor μn=0. Să se calculeze pentru temperatura T=300K diferenţa internă de potenţial ΦBO şi lărgimea totală a regiunii sarcinii spaţiale la l0 pentru o joncţiune din germaniu cu conductibilitatea specifică a regiunii p. lărgimea totală a regiunii sarcinii spaţiale la echilibru l0. Coeficienţii de difuzie a purtătorilor de sarcină. Joncţiunea p-n din germaniu are următorii parametri: ND=103 NA. 21. O diodă este conectată cu o sursă de tensiune E=20 V. iar ni = 1010 cm-3 30.001 mA. De calculat la temperatura T = 300 K: a) Concentraţia purtătorilor de sarcină minoritari şi majoritari. De calculat la temperatura T = 300 K: Concentraţia purtătorilor de sarcină minoritari şi majoritari. Determinaţi înălţimea barierei de contact pentru T = 300 K. Determinaţi fC dacă concentraţia atomilor de germaniu NGe = 4. 22. Să se calculeze pentru temperatura T=300K diferenţa internă de potenţial ΦBO şi lărgimea totală a regiunii sarcinii spaţiale la l0 pentru o joncţiune din germaniu cu rezistenţa specifică a regiunilor ρ–ρp=2 λ·cm şi n–ρn= 1 λ ·cm. Determinaţi probabilitatea ocupării electronilor a nivelului energetic care se află cu 10kT mai sus ca nivelul Fermi. Înălţimea barierei de contact.

Dimensionarea analitică a etajelor tranzistorizate. Dioda pe bază de Ge .3 Proprietăţile etajelor pe baza celor trei conexiuni . ELECTRONICA GENERALA Dispozitive pe baza diodelor. Stabilizarea regimului de lucru a TEC-j. 2. Reacţia pozitivă şi condiţia de autooscilaţie. modurile de conectări ale reacţiilor.025 V 40 V 20 kΩ RL U0 Fig. 1 dioda are curentul de saturaţie IS0=10 µA. colectorul comun: impedanţele de intrare si de ieşire. 1. Redresoare cu multiplicare de tensiune. Dimensionarea etajelor cu TEC. banda de frecventa. să se determine tensiunea de ieşire U0.2 Amplificatoare cu tranzistori. 1. Stabilizarea punctului de lucru a tranzistorului.LA DISCIPLINA APLICATIVĂ Circuite şi sisteme microelectronice l.1 V. 1. considerând potenţialul termic ϕ T=0. considerând potenţialul termic ϕ T=0. funcţionează la tensiunea directă U = 0. Redresoare. Reacţia pozitivă si negativă. 1. 1. Problema 3 10 kΩ C Pentru schema din fig. polarizarea joncţiunii bazaemitor. 1.1 EXEMPLE DE PROBLEME Problema 1 În schema din fig. Influenţa reacţiei negative asupra stabilităţii amplificatorului .4 Etajele cu tranzistori cu efect de cîmp (TEC). La problema 1 Problema 2. care are curentul de saturaţie IS0 = 25 µA. Stabilizatoare de tensiune . Conexiunile de bază ale tranzistorului . 2 să se determine componenta alternativă a tensiunii de ieşire u0. emitorul comun. Stabilizatoare de tensiune cu dioda stabilitron. amplificarea in curent si tensiune. considerând potenţialul termic ϕ T=0.025 V. La problema 3 Problema 4 .baza comuna.5 Reacţia. Influenţa reacţiei negative asupra impedanţei de întrare a amplificatorului . Să se determine rezistenţa ei totală R0 şi rezistenţa diferenţială rdif.025 V 3V 20 V RH D U0 Fig.

RL=10 kΩ. + + RE RL RB EE EB + EC + Fig. La problema 5 Problema 6 E=30 V R1 Pentru schema amplificatorului din fig. dacă punctul de lucru este R U= kΩ I caracterizat de parametrii: IC=1 mA. Să se determine tensiunea pe diodă.025 V. De calculat curentul colectorului. 5 RB=50 kΩ. Curentul direct prin diodă este 100 mA. L C β=50 I R2 B I E R3 C R4 Problema 7 Fig. RB=15 kΩ. Problema 5 În schema din fig. R4. considerând potenţialul termic ϕ T=0.Diodă din Ge are curentul invers IS0 de saturaţie de 1 µA. EC=24 V. C RB UCE Fig. 4 să se calculeze R1.98. Coeficientul de amplificare în tensiune K=8 -8. R3. R2. RL=4 kΩ. La problema 7 Problema 8 . EC=16 V. RE=2 kΩ. La problema 6 EC În schema din fig. 3. 5. Tranzistorul are parametrul α=0. EB=3 V. EE=2 V. 4. coeficientul de amplificare a curentului bazei β=9. UCE= 6 V.emitor UCE . IB RL I De calculat tensiunea colector . 3.

alegerea valorilor minimale şi maximale a rezistenţei de întrare şi în bucla de reacţie. Sursa de curent pentru valori mici de curent. 6. decodoare. Construcţia elementului I2L. care realizează funcţia (A+B+C)(D+E) pe baza tranzistorilor I2 L.4 Principiul de funcţionare a elementului I2L. Exemple: codoare. Amplificator cu scara logaritmica. 3. principiile de realizare. EXEMPLE DE PROBLEME 1. funcţiile elementelor componente 3. Să se deseneze schema. Elementele logice CMOS. 6. DAC pe baza amplificatorului sumator. indeplinite de elementele I 2 L. Să se calculeze puterea consumată de elementul ECL. DAC pe baza matricei R-2R. Elementele logice n-MOS.6 Principiile de realizare a convertoarelor digital . 2. Să se deseneze schema. Să se deseneze schema. 6.5 Funcţionarea inversorului n-MOS.2 Configuraţia (conectarea) neinversoare al amplificatorului operaţional. care realizează funcţia (A+B+AB) C pe baza tranzistorilor I2 L şi are ca sarcină două elemente I2 L. Elementul TTL cu inversor simplu. Amplificator operaţional cu reacţie de curent.1 Amplificatorul operaţional.2 Elemetul TTL Schottky. 2. CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE 2.7 Minimizarea funcţiilor logice cu ajutorul diagramelor Karnaugh. dacă tensiunea aplicată la întrare corespunde unităţii logice. 3. Configuraţia ( conectarea ) diferenţială a amplificatorului operaţional. Erorile amplificatorului sumator.În schema reprezentată în fig. Schemele de înmulţire şi împărţire . Funcţiile logice. Diferenţiatorul. care dirijează segmentul "a" a indicatorului cu 7 segmente pe baza c-MOS.75V. Amplificator cu scară exponenţială. avantajele si neajunsurile acestor elemente. panta în punctul de lucru S=2 mA/V. 3.1 Elementul DTL.3 Amplificatoarele transconductanţă. 2. Influenţa reacţiei asupra impedanţei de întrare a amplificatorului operaţional. Elementul TTL cu inversor compus.analogice (DAC). 2. La problema 8 2. 4.4 Surse de curent.3 Principiul de funcţionare a elementului ECL. rezistenţa efectivă a tranzistorului între drenă şi sursă rds = 20 kΩ. 2. Ui De calculat: coeficientul de amplificare KU RG C RL UO E RS CS Fig. principiul de lucru. Să se calculeze puterea consumată de elementul TTL. 5. 3. Amplificatorul operaţional sumator. . 3. RL = 20 kΩ.5 Schema tipică a amplificatorului pe baza tranzistorilor bipolari.Integratorul.Caracteristica de transfer a elementului ECL. 2. Caracteristica de transfer a inversorului n-MOS. 2.6 Inversorul CMOS. având ca sarcina tranzistorul cu canal iniţial. Elementul de baza ECL. Surse de curent "oglinda de curenţi" cu tranzistori bipolari. dacă tensiunea aplicată la întrare este egală cu -0. DAC pe baza surselor de curent. nivelurile logice "0" si "1" . care realizează funcţia (A + B+AB)(C + D) pe baza tranzistorilor CMOS. Reprezentaţi schema principală a circuitului. 3. CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE 3. Caracteristica de transfer a inversorului CMOS.

Editura didactica si pedagogica. М. Лаксон Дж. îndrumar pentru proiect de curs. М. ADC cu reacţie prin numărător reversibil..3.И. Тилл У. 1988. 1980 6. Buc. Să se calculeze eroarea maximală a rezistenţelor ce trebuie să fie conectate în dispozitivul de sumare pe baza amplificatorului operaţional pentru sumarea a doua semnale analogice cu coeficienţii de transfer 2 şi 3. dacă eroarea nu trebuie să depăşească 0. conectat după schema diferenţială. şi U 2= 1 V . 4. în bucla de reacţie .Т.. М. Chişin. 1980. 9. 1991. 1982.1%. R ieş =500 Om. Să se determine coeficientul de amplificare a amplificatorului operaţional pe baza CMOS dacă:UGS-Up=1V.: Радио и связь. Srebu C. М. VA(n)=VA(p)=60V BIBLIOGRAFIE 1. Silistenu M. 1977.Г.Королев.М.. Расчет элементов цифровых устройств. Cluj-Napoca. 1991 8. " Osnovî microelectroniki" . .Изъюрова. Mironenco A. Editura didactică şi pedagogică. М.Терехов и др.: Высшая школа.: Радио и связь. Шагурин И. 10. 6. R int= 200 kOm. "Circuite electronice".: Связь. 15. 17.А. Фролкин В. пособие для вузов по спец. 1987. с англ.школа. 1981 5. изготовление. Teodor Melnic "Dispozitive circuite electronice". приборы.la întrarea neinversoare . Bîstrov Iu. Bucureşti. manual pentru subingineri. В. М. sînt aplicate tensiunele: U 1= +0. 14. Микросхемотехника. Применение операционных усилителей и линейных ИС. Фолкенберри Л. Преснухин Л. Stepanenco I.В.: Мир.А.. Editura militara... 1985. Расчет электронных схем. EDP.M. ADC cu dubla integrare.7 Principiile de realizare a convertoarelor analogic-digitale (ADC). 2. Cipere L. Логические цепи в цифровой технике. 1985. De calculat tensiunea la ieşire. Г. Vasilescu Gabriel "Electronica". Dascălu D. Costin Miron "Circuite electronice". La întrarea amplificatorului operaţional. De considerat amplificatorul operaţional ca fiind ideal. 1997 13.. EXEMPLE DE PROBLEME 1. . М. Соклоф С. SISTEME ELECTRONICE PROGRAMABILE . Amplificatorul operaţional neinversor cu R 1=20 kOm si R 0=2 MOm are următorii parametri fără reacţie: Ku = 200000.. 18. Semnale si circuite de telecomunicapi.Н. Mateescu A..:Высш. Мир.И. 1993.. Turic L.. Будинский Я. Гусев В.R 0= R 0 ' =60 kOm. электрон..1%. Rezistenţele la întrari. Шишкевич А. 7. И-Аваев Н.R 1= R l' =20 kOm. Să se calculeze coeficientul de transfer şi rezistenţa de întrare cu reacţie...5V . Bucureşti –1981 4..В. 3.. ADC de tip paralel. Примеры и задачи: Учеб. Sov. Microelectronica. Să se calculeze coeficientul de transfer si rezistenţa de ieşire cu reacţie. "Electronnîe ţepi i ustroistva".А. Patrutescu S. Bucureşti... ADC cu reacţie prin numărător. Să se calculeze ce coeficient propriu de amplificare trebuie să aibă amplificatorul operaţional în dispozitivul de sumare a două semnale analogice cu coeficienţii de transfer respectiv 2 şi 3.Е. Dumitru Scheianu. Dumitriu N. 1989. 1988 3. Гусев Ю. 12. Воробьев Н.Echipamente slectronice pentru radio şi televiziune. Amplificatorul operaţional neinversor cu R 1 = 10 kOm si R 0=1 MOm are următorii parametri fără reacţie: K u = 30000. Интегральные схемы: материалы.la întrarea inversoare . техники /Г. 2. 16. Основы микроэлектроники. Наумов Ю. Электроника М. radio. 5.Г. Алексенко А.. 1991 11. Аналоговые интегральные схемы: пер. ADC cu aproximaţii succesive. 4."Высшая школа".: Мир.М. dacă eroarea operaţiei nu trebuie să depăşească 0.

Procesorul ca sistem. Structuri elementare. Bucle stabile/instabile. Extensii în sisteme digitale. Desenaţi cu porţi circuitul de incrementare pentru numere întregi pozitive reprezentate pe 8 biî. Unităţi logico-aritmetice (ALU). Codificarea stărilor. Latch-ul de n biţi. 5. STAn. Bucla în sisteme digitale. 4. Proiectaţi un circuit de incrementare cu ieşire suplimentară de transport (CR). Decodificatoare de multiplexoare. Automate cu „registre ” de JK-uri.4 Automate. Procesorul interpretor cu program counter. utilizabilă pentru extinderea capacităţii de incrementare a circuitului. Automate cu memorie. Cum se modifică circuitul de incrementare în cazul în care nu este necesară intrarea de comandă INC (circuitul incrementează necondiţionat)? 8. Latch-uri elementare. Folosiţi o reţea optimală pentru calculul prefixelor de AND-uri. Circuite de incrimentare. Care este palierul activ al ceasului şi care sunt nivelele active ale semnalelor de comandă pentru circuitul rezultat? 14. 4. 4. Structura automatelor finite. 6. Codificatoare prioritare. Definiţi recursiv un comparator de n biţi pornind de la un comparator elementar de un bit. Stoparea creşterii ordinului sistemului prin bucle. Desenaţi structura unui bistabil RS de tip master-slave folosind circuite transparente pe nivelul de "0" al ceasului. Proiectaţi un circuit pentru testarea egalităţii a două configuraţii binare de câte n biţi. 10. Procesorul cu CROM cu stivă. Proiectaţi o memorie cu acces serial folosind un registru de deplasare serie şi un MUXE: . ce realizează sumarea în timp constant. care realizează incrementarea pentru I/D = 0 şi decrementarea pentru I/D = 1. Calculaţi dimensiunea circuitului CPn realizat prin regula de extindere paralelă. Memoria asociativă (AM). Procesorul cu stivă. Bistabilul JK. Calculatoare. Desenaţi circuitul de incrementare şi decrementare. Automate de control acumulator secvenţial. Calcul secvenţial a produsului scalar. Proiectaţi un comparator de cuvinte de 2 biti. Microcontrolere.1 Sisteme logice. 2. Registorul cu deplasare serie. Bistabilul T. Extensia serie-paralel. Memorii fixe(ROM).3 Memorii. Evaluaţi cantitativ soluţiile. 15. Multiplexoare. 9. Numărătoare. Decodificare programabilă realizată cu CAM. Latch-ul D. Strucura microcontrolerelor. Automate finite.6 Calculatoare. Memoria cu acces aleator (RAM). 4. Proiectaţi un comparator pentru cuvinte de n biţi ce indică A > Ej. Registru. Logica programată. Extensia paralel. Structura pipeline. Căutaţi o variantă optimală. Clasificarea sistemelor digitale. folosind 0 reţea de comparatoare elementare (pentru cuvinte de un bit). Procesorul elementar. Automat cu numărător. 16. 4. Multiplicatoare. Procesorul interpretor (microprogramat). Proiectaţi o structură master-slave care foloseşte ceasul aplicat direct pe intrările de CK ale latch-urilor folosite (este înlăturat inversorul de pe calea de ceas). Structura master-slave. Automatul cu spaţiu stărilor structurat. Latch-ul adresabil. EXEMPLE DE PROBLEME 1. Automate cu registre inteligente. Bistabilul D. Memoria accesabilă prin conţinut (CAM). . Deduceţi algoritmul de incrementare şi structura circuitului de incrementare prin particularizarea unui sumator. Calculaţi dimensiunea unui sumator cu transport anticipat. Procesoare. combinaţionale / secvenţiale. Extensia serie. Procesorul executiv (RISC). Comparaţi cu rezultatele obţinute la problema anterioară. Sumatoare. 3. Să se deseneze structura unui latch cu ceas realizat cu circuite NOR. Coprocesarea. 4. Înmulţitor . Arhitectura microcontrolerelor.5 Procesoare.. 13. 11. 12. 7.4.2 Circuite combinaţionale. comandat cu semnalul I/D. Sructuri elementare. Calculaţi S si D pentru CPn extins serial. Latch-ul cu ceas. Automate cu registru numărător. Circuite programabile. Memoria de tip stivă.

М. Îndrumar de laborator. Учебное пособие для вузов. Simulaţi comportamental şi testaţi automatul cu stivă care recunoaşte şiruri antisimetrice. izoplanar).6 Fotolitografia. Metode de efectuare a difuziei şi difuzanţii utilizaţi. S. 1995. „Microcontroleri AVR ot prostova k slojnemu” Moskova. Universitatea Tehnica din Moldova. 21. Să se interpreteze rezultatul obţinut. BIBLIOGRAFIE 1. Universitatea Tehnica din Moldova. Construcţia instalaţiei. 17.1986. izolarea cu ajutorul colectorului şi a bazei).Izolarea cu dielectrici(procesul EPIC) .Desenaţi structura unei memorii RAM cu adresa de 4 biţi şi dimensiunea cuvântului de 2 biţi. semeistvo clasic firma ATMEL”. 5. Primele cinci câmpuri ale liniei RALU Command se execută pe un palier al cea-sului iar ultimul. Arătaţi că la ieşirea divizorului programabil apare hazard. 5. Construiţi un bistabil T şi un bistabil D folosind un bistabili JK.3 Oxidarea termică a Si şi cinetica procesului. 5. Să se proiecteze un bistabil de tip D pornind de la structura unui bistabil T. Fişa tehnologică de creştere a peliculelor epitaxiale în sistemul SiCl4+H2. 5. Write. izdatelschii dom Dadeka 2004 3. Descrieţi în Verilog structura generică pentru un automat finit cu maximum 32 setări. A. Scrieţi programul care realizează adunarea a două numere de 64 de biţi cu procesorul RISC. Particularităţile creşterii oxizilor subţiri de SiO2.2 Metodele de obţinere a cristalelor uniform dopate la utilizarea metodei Czochralsky. Efstifeev „Microcontrolerri AVR. М. dacă dorim să obţinem viteză maximă de lucru. Chişinău. 5. 25. TEHNOLOGIA MATERIALELOR SEMICONDUCTOARE. 2005 4. Moscva.: Связь 1977. pe celălalt palier. Chişinău. Distribuţia concentraţiei impurităţilor la difuzia din sursă semiinfinită şi limitată. Gheorghe Ştefan „Circuite şi sisteme digitale” 2. Лабораторный практикум. Логические цепи в цифровой технике. . Г.М. Цифровые вычислительные машины.Н. 24. Kiricencova A. Circuite integrate digitale. 1995. 8.7 Metodele de izolare a elementelor în CI cu tranzistore bipolari : . . V. 5.9 Procesele corodării uscate în tehnologia VLSI.Izolarea combinată (VIP. Funcţionalitatea procesorului nu trebuie afectată.Хелмса . Propuneţi i modali-tate de a-l înlătura. Под ред. 19. palierul dinaintea frontului activ (pe care se realizează numai încărcarea rezultatului înapoi în registre) este mult mai scurt decât celălalt palier (pe care se execută majoritatea operaţiilor presupuse de o instrucţiune). Goluptov. Fotorezistori pozitivi şi negativi. Справочное руководство. Г. M. Care din construcţii consideraţi că este justificată? 20. 5. Будинский Я.1 /Под ред. 1944. :Мир.4 Creşterea peliculelor epitaxiale de Si. Mecanismul şi cinetica creşterii cristalului. 18. 5. DISPOZITIVELOR ŞI CIRCUITELOR INTEGRATE 5.5 Teoria difuziei. În varianta prezentată în text.: Атомиздат. Компьютеры.Izolarea cu ajutorul p-n joncţiunii polarizate invers (tehnologia standard. Litografia cu raze X. 5.Соловьева. Методические указания к лабораторным работам. Cinetica creşterii peliculelor epitaxiale. salon PRESS. Operaţiile de bază a procesului de fotolitografie. 7. 6. Цифровые интегральные схемы. Particularizarea structurii se va putea face cu ajutorul unui fişier parametri 23. Găsiţi o soluţie care să corecteze acest dezechilibru/ 22. Rezultă un semnal de ceas cu paliere de durată foarte diferită. V.1 Formarea germenului. 8 intrări şi 8 ieşiri de câte un bit. 5. Propuneţi o modificare structurală a procesorului executor prin care să echilibraţi durata minimă a palierelor ceasului. т.8 Litografia cu fascicol electronic.

Ri = 10kΩ.Курносое. 5. А.Цветков.: ВШ. care trebuie să îndestuleze următorii parametri: ∆R = 20% . De determinaz adîncimea joncţiunii p-n. 5. 1. С.М. 5. t2 = 1. Δl= Δb=0. 7. 1986. Determinaţi adâncimea p-n joncţiunii. 1986. Determinaţi dimensiunile geometrice şi construiţi topologia rezistorului CI cu tranzistore bipolare.Г.: ВШ. Ю. 2.Коледов.Tehnica LOCOS şi SEPOX. 4. У. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. ΔT = 40°C.Пичугин.12Tehnologia de bază nMOS (cu utilizarea tehnicii LOCOS.Таиров. . : Мир. dopate cu As (ND = 4× 1010cm-3) au fost depuşi atomi de Bor cu concentraţia Q = 2.2*1021 см-3. t1 = 10 min. BIBLIOGRAFIE Ю.1µm.1µm. 8. М. И. PROBLEME 1. în timp de o oră. Parametrii procesului: T1 = 1050°C.: Мир. Bârsan. Зи М.5× 1013cm-3. αR = 0. 4.Н.5 ore. В. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М.Юдин. Adâncimea p-n joncţiunii xp-n = 1. Determinaţi temperatura procesului.Izolarea cu ajutorul şanţurilor corodate în Si. D1=2× 10-14cm-2 /s T2 = 1100°C. М. В двух частях.Черняев. 3.: Радио и связь. 1987.11Tehnologia de izolare a elementelor în circuitele MOS VLSI: .М. ρs = 300Ω/ . 1989. 1990. 3. Микролитография. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. Bucureşti 1989. 1990. Под ред.5. Difuzia fosforului are loc în Si. tranzistore cu canal iniţial şi indus).И.: ВШ.5 × 1016 cm-3.5× 10-3 1/°C.Ф. В.5 × 1020 cm-3. Radu M. Технология и конструкции микросхем микропроцессоров и микросборок. А. concentraţia fosforului la suprafaţă se menţine constant la nivelul de 1. Технология СБИС в 2-Х книгах.В. 6. R 2. La formarea regiunii bazei tranzistorului bipolar se utilizează difuzia în două etape a borului în pelicula epitaxială de tipul „n” cu concentraţia donorilor (2× 1015cm-3).10Planarizarea suprafeţei şi autoalinierea.Моро. . Pi = 6mW. М. М. Placheta a fost introdusă în cuptor pe 2 ore la temperatura 1200°C ( DB = 10-12cm-2 /s). 1985. В.: Радио и связь. Fizica şi Tehnologia Circuitelor MOS Integrate pe Scară Mare. Технология полупроводниковых приборов.Таиров. Pe suprafaţa plachetei de Si. М. D2=10-13cm-2 /s Solubilitatea solidă a borului la etapa predifuziei este 1. în care concentraţia golurilor este egală cu 1. Pe parcursul procesului de difuzie.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful