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ELC1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia

Universidade Federal de Santa Maria

Prof. Humberto Pinheiro, Ph.D.


e-mail: humberto@ctlab.ufsm.br

11/2005

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________

Sumrio
Sumrio.......................................................................................................................................... 2 1.1 Teoria de Circuitos Comutados ............................................................................................... 4 Introduo.................................................................................................................................. 4 1.1.1. Caractersticas Estticas Ideais de Semicondutores de Potncia.................................... 4 1.1.2.a. Diodo ........................................................................................................................ 5 1.1.2.b. Tiristores................................................................................................................... 5 1.1.2.c. BJT Bipolar Junction Transistor .............................................................................. 6 1.1.2.d. MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors ........................... 7 1.1.2.e. IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor.................................................................. 7 GTO Gate Turn-off Thyristor............................................................................................. 8 Combinao tpica de Semicondutores ................................................................................. 9 Soluo de Circuitos Com Semicondutores de Potncia Idias .............................................. 12 Exemplo 1............................................................................................................................ 12 1.2. Definies Bsicas................................................................................................................ 48 1.2.1. Valor Mdio................................................................................................................... 48 1.2.1.1. Ex.: Calculo da tenso mdia de um retificador de meia onda............................... 48 1.2.2. Valor Eficaz................................................................................................................... 49 1.2.2.1. Ex.: Calculo da corrente eficaz em um retificador de entrada meia-onda.............. 49 1.2.3. Distoro harmnica total.............................................................................................. 50 1.2.3.1. Ex.: Calculo da THD para uma dada forma de onda.............................................. 51 1.2.4. Fator de Potncia ........................................................................................................... 51 1.2.5. Fator de Deslocamento .................................................................................................. 52 1.2.6. Fator de Utilizao ........................................................................................................ 52 1.2.7. Rendimento.................................................................................................................... 52 1.2.8. Fator de Desequilbrio ................................................................................................... 53 1.2.9. Fator de Ondulao........................................................................................................ 54 1.2.10. Fator de Crista ............................................................................................................. 54 Exerccio.................................................................................................................................. 55

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1.3. Dispositivos .......................................................................................................................... 56 1.3.1. Caractersticas dos Semicondutores de Potncia........................................................... 56 1.3.1.1. Diodos..................................................................................................................... 59 1.3.1.1. MOSFETS .............................................................................................................. 65 1.3.1.1. Transistor de Juno Bipolar - BJT ........................................................................ 73 1.3.1.1. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT).............................................................. 77 1.3.1.1. Tiristores (SCR, GTO, MCT)................................................................................ 82 1.4 Magnticos ............................................................................................................................ 97

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1.1 Teoria de Circuitos Comutados

Introduo Eletrnica de Potncia trata do processamento de energia. Sendo a eficincia uma das caractersticas importante nesse processamento. A diferena entre a energia que entra no sistema e a que sai geralmente transformada em calor. Mesmo que, o custo da energia desperdiada gere preocupao, a remoo dessa energia cria transtornos tanto durante o projeto quanto na sua utilizao. Atualmente conversores estticos utilizados para transformar a energia eltrica de uma forma para outra, apresentam eficincia entre 85% e 99% dependendo da aplicao da faixa de potncia. Essa eficincia elevada obtida utilizando semicondutores de potncia, que apresentam uma queda de tenso prxima de zero quando em conduo, e uma corrente praticamente nula quando em bloqueado. Static Converter Definition by IEEE Std. 100-1996: A unit that employs static rectifier devices such semiconductor rectifiers or thyristors, transistors,

electron tubes, or magnetic amplifiers to change ac power to dc power and vice versa.

1.1.1. Caractersticas Estticas Ideais de Semicondutores de Potncia Os principais semicondutores de potncia utilizados em conversores estticos com sua regio de operao no plano tenso corrente ( plano v-i ) so apresentados a seguir:

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 1.1.2.a. Diodo

O diodo um semicondutor no controlvel, pois o seu estado, conduzido ou bloqueado determinado pela tenso ou pela corrente do circuito onde ele esta conectado, e no por qualquer ao que possamos tomar. O diodo entra em conduo quando a tenso vak torna-se positiva. Ele permanece em conduo desde que a corrente iD, que governada pelo circuito onde o diodo estiver inserido, for positiva. Quando a corrente torna-se negativa o diodo bloqueia-se

comportando-se como circuito aberto.


+ iD A + _ vAK _ (a) (b) K _
0

iD

vAK +

Figura 0.1 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um Diodo

1.1.2.b. Tiristores

O tiristor algumas vezes referido com um semicondutor semi-controlado. No seu estado bloqueado, ele pode suportar tenses tanto positivas quanto negativas. O tiristor pode mudar de estado de conduo com aplicao de um pulso de corrente na porta (gate) quando a tenso vak for positiva. Uma vez em conduo, ele continua em conduo mesmo que corrente de gate seja removida. Neste estado o tiristor comporta-se como um diodo. Somente quando a

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corrente ia, que governada pelo circuito externo, torna-se negativa que o tiristor retorna ao estado bloqueado.

A iA + vAK _ K (a) iA
On-state (Pulso em iG )

iG G

vAK
0

(b)

Figura 0.2 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um tiristor

1.1.2.c. BJT Bipolar Junction Transistor

Os transistores bipolares foram os primeiros semicondutores de potncia totalmente controlados utilizados comercialmente em conversores estticos. A caracterstica esttica de um BJT ideal mostrada na figure abaixo. O BJT pode conduzir corrente somente em uma direo, e quando em estado bloqueado suporta somente tenses positivas, ou seja, ic>0 e vCE >0. Quando uma corrente de base aplicada a base o BJT, este passa a conduzir. Com a remoo da corrente de base o BJT volta ao estado bloqueado.
C iB B + vBE iC + vCE _ _ (a) E iC
On Off 0

vCE

(b)

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ Figura 0.3 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um BJT

1.1.2.d. MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors

O MOFET, como os BJT, um semicondutor totalmente controlado. A caracterstica esttica de um MOSFET ideal mostrada na figura abaixo. O MOSFET pode conduzir corrente somente em uma direo, e quando em estado bloqueado, suporta somente tenses positivas, ou seja, id>0 e vDS>0. Quando uma tenso adequada aplicada entre os termais da porta e fonte, vGS, o MOSFET entra em conduo. Com a remoo da tenso vGS o MOSFET volta ao estado bloqueado.
iD + G + vGS _ _ (a) vDS D iD
On Off

vDS

(b)

Figura 0.4 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um MOSFET.

1.1.2.e. IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

O IGTB semicondutor que combinas as caractersticas desejveis dos MOFETs e BJTs. A caracterstica esttica ideal de um IGBT semelhante de um MOSFET. O IGBT pode conduzir corrente somente em uma direo, e quando em estado bloqueado, suporta somente

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tenses positivas, ou seja id>0 e vce>0. Quando uma tenso adequada aplicada entre os termais da porta e fonte, vge, o IGBT entra em conduo. Com a remoo da tenso vge o IGBT volta ao estado bloqueado.

iC

iC
On

+ vGE _

+ vCE _ E (a)

Off 0

vCE

(b)

Figura 0.5 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um IGBT.

GTO Gate Turn-off Thyristor

A caracterstica esttica do GTO mostrada na figura abaixo. O GTO pode entrar em conduo por um pulo de corrente no gate, e uma vez em conduo no h a necessidade de manter a corrente de gate para mante-lo conduzindo. O que diferencia o GTO do tiristor o fato de uma vez em conduo poder retornar para o estado bloqueado pela aplicao de uma tenso gate-catodo negativa, e como conseqncia resultando em uma corrente de gate elevada.

iA iA A + G iG K (a) (b) vAK _


0 On Off

vAK

Figura 0.6 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um IGBT.

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Combinao tpica de Semicondutores

As combinaes tpicas de semicondutores encontrados em conversores estticos so: Tiristores em antiparalelo

i
+

v
_ _ _ (a) (b)
0

v +

Tiristores com diodo em Antiparalelo

i
+

v
_ _ _ (a) (b)
0

v +

BJT com Diodo em Antiparalelo

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i + iB v
0 On Off

_ (a) (b)

MOSFET com Diodo em Antiparalelo

+ v _ _ (a)
0

i
On Off

v +

(b)

MOSFET com Diodo Serie


i + i
On Off

v _ (a)

(b)

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 11 IGBT com Diodo em Antiparalelo


i + v
0

i
On Off

(a)

(b)

IGBT com Diodo Serie


i + i
On

v
Off 0

_ (a) (b)

Exerccio Proposto: Determine a caracterstica estticas, planos v-i, para os arranjos de semicondutores de potncia descritos abaixo: a) IGBT com Diodo em Antiparalelo em anti-srie b) IGBT em uma ponte de diodos c) IGBT com Diodo Serie em antiparalelo. Compare os arranjos dos itens a) , b) e c) e comente sobre as possveis vantagens e desvantagens.

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Soluo de Circuitos Com Semicondutores de Potncia Idias Uma vez estabelecida as caractersticas estticas dos principais semicondutores de potncia (interruptores), vamos agora, atravs de exemplos, investigar o impacto do uso desses interruptores no operao de circuitos com fontes e elementos passivos como resistores capacitores indutores.

Exemplo 1 Seja o circuito da Figura 0.7, determine os etapas de operao, bem como as principais formas de ondas do circuito. Considere que: v= 311 sin(t) e R=10 sendo =377 rad/s.

Figura 0.7 Retificador de meia onda no controlado com carga resistiva O circuito da Figura 0.7 apresenta duas etapas de operao que so definidas a partir do estado do diodo, conduzindo e bloqueado. Como a tenso da fonte peridica este circuito tambm deve apresentar um comportamento peridico. Portanto, a seguir ser abalizado o circuito para o primeiro ciclo da tenso da fonte v.. Etapa 1 . Durao 0 <t< . : Em t=0 a tenso sobre o diodo, vak, torna-se positiva levando o diodo entrar em conduo. O circuito equivalente dessa

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 13 etapa da mostrado na Figura 0.8 (a). As principais equaes que descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so: vak = 0 V iD = v / R vR = v Etapa 2 . Durao <t< 2 . : Em t = a corrente no diodo , iD, torna-se negativa, devido v, levando o diodo entrar em bloqueio. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura 0.8 (b). As principais equaes que

descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so: vak = v iD = 0 vR = 0

(a)

(b)

Figura 0.8 Retificador de meia onda no controlado com carga resistiva As principais formas de onda do circuito so mostrada na Figura 0.9

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Figura 0.9 Formas de onda do retificador da Figura 0.7

Exemplo2 Seja o circuito da Figura 0.10, determine os etapas de operao, bem como as principais formas de ondas do circuito. Considere que os parmetros da Tabela II TABELA II v= 311 sin(t) R=10 =377 rad/s vB= 100 V

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Figura 0.10 Retificador de meia onda no controlado com resistiva e fonte de tenso O circuito da Figura 0.10 apresenta duas etapas de operao que so definidas a partir do estado do diodo, conduzindo e bloqueado. Etapa 1 . Durao 1 <t< 2: Em t=1 a tenso sobre o diodo, vak, tornase positiva levando o diodo entrar em conduo. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura 0.8 (a). As principais equaes que descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so: TABELA III vak = 0 V iD =(v-vB )/ R vR = v

O ngulo 1 pode ser obtido a partir do instante que a tenso sobre o diodo torna-se zero

v = 311sin(t ) t = = vB = 100 V com


1

dv >0 dt

logo 100 1 = a sin( ) = 19.47 o 311

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 16 Por outro lado ngulos 2 pode ser obtido do instante que a corrente sobre o diodo passa por zero, ou seja:
iD = logo 100 1 = a sin( ) = 109.47 o 311
Etapa 2 . Durao 2 <t< 2 +1. : Em t =2 a corrente no diodo , iD,

311sin(t ) t = vB
2

= 0 com

diD <0 dt

torna-se negativa, devido a v torna-se menor que vB, levando o diodo entrar em bloqueio. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura 0.11 (b). As principais equaes que descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so:
TABELA III vak = v-vB iD =0 vR = vB

(a)

(b)

Figura 0.11 Retificador de meia onda no controlado com carga resistiva e fonte de tenso

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 17 As principais formas de onda do circuito so mostrada na Figura 0. 12

Figura 0.12 Formas de onda do retificador da Figura 0.7

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Exemplo 3 Seja o circuito da Figura 13, determine os etapas de operao,

bem como as principais formas de ondas do circuito.

Figura 0.13 Retificador de meia onda no controlado com carga RL onde , v = V sin(t ) Vamos assumir inicialmente quer o circuito apresente um comportamento peridico e que a corrente no indutor em t = 0 seja nula. Logo o circuito apresenta duas etapas de operao dependendo do estado de conduo do diodo.
Etapa 1 . Durao 0 <t< 1: Em t = 0 a tenso sobre o diodo, vak, torna-se

positiva levando o diodo entrar em conduo. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura 14 (a). As equaes que descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so:

v = V sin(t ) = Ri + L

di dt

Solucionando a equao diferencial acima temos


i (t ) = V L
2 R t L R 1+ sin(t arctan( )) + e L 2 R L R 1+ L

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(a) (b) Figura 0.14 Etapas de operao do retificador de meia onda no controlado com carga RL . (a) Etapa 1 , (b) Etapa 2

O final dessa etapa ocorre em t= 1 quando a corrente torna-se zero. Logo 1 pode ser obtido da soluo da seguinte equao para 1
2 R t L R 1+ sin(t arctan( )) + e L 2 R L R 1+ L t =1

i (t ) = 0 =

V L

2 R 1 L R 1+ 0= sin(1 arctan( )) + e L R L seja

R = L logo 1 2 0 = 1 + ( ) sin(1 arctan( )) + e 1 Solucionando numericamente a equao acima temos

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320 306 292 278 264 1 180 250 236 222 208 194 180 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

Figura 0.15 ngulo que corresponde ao final da Etapa 1 em funo R do parmetro = L Pode der observado que na medida que a carga torna-se mais indutiva 0 a durao da etapa 1 estendem-se no semi-ciclo negativo da rede, por outro lado quando a carga torna-se mais resistiva a durao da primeira etapa aproxima-se do final do semi-ciclo positivo da rede.
Etapa 1 . Durao 1 <t< 2pi: Nesta etapa o diodo encontra-se bloqueado, a

corrente no circuito zero, sendo o circuito equivalente mostrado na figura 14 b. A seguir so mostrados resultados de simulao para ilustrar o comportamento do circuito

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(a)

(b)

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(c)

Figura 0.16 Formas de onda do retificador da Figura 0.13. V=311 V, =377 rad/s; R = 10, L = 100mH. (a) Tenso da rede, v/10, e corrente na carga (A). (b) Tenso na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tenso sobre diodo vak /10 e corrente no diodo.

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Exemplo 4 Seja o circuito da Figura 0.17, determine os etapas de operao,

bem como as principais formas de ondas do circuito.

Figura 0.17 Gradador com carga RL No circuito da Figura 0.17 v = V sin(t ) e os pulsos de corrente de gate para is tiristores T1 e T2 esto em sincronismos com a rede como mostrado na abaixo

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Figura 0.18 Topo: Tenso da Rede; Meio: Pulsos para gerar a corrente de gate do Tiristor 1. Baixo: Pulsos para gerar a corrente de gate do Tiristor 2.

Vamos assumir inicialmente quer o circuito apresente um comportamento peridico e que a corrente no indutor em t = seja nula. Como possivelmente essa hiptese poder ser violada, vamos chamar desse modo de operao de MODO 1. Logo o circuito, no Modo 1, apresenta duas etapas de operao dependendo do estado de conduo dos tiristores.

Etapa 1 . Durao 0 <t< . Em t = 0 a tenso sobre o tiristor T1, vak1,

torna-se positiva. Entretanto como no h pulso de corrente no gate o tiristor opera com um circuito aberto. O circuito equivalente mostrado na Figura abaixo.

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Figura 0.19 Circuito equivalente para primeira etapa do Modo 1. Esta etapa finaliza em t= com a entrada em conduo de T1.

Etapa 2 . Durao <t< 1. Em t = a tenso sobre o tiristor T1, vak1,

positiva e este recebe um pulos de corrente no gate, entrando assim em conduo. O circuito equivalente mostrado na Figura abaixo.

Figura 0.20 Circuito equivalente para Etapa 2 do Modo 1.

A equao que rege o comportamento do circuito nessa etapa


v = V sin(t ) = L com i (t ) t = = 0 di + Ri dt

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Com o intuito de facilitar a soluo vamos definir


t = t .

Portanto a equao do rege o circuito passa a ser di v = V sin(t + ) = L + Ri dt com

i (0) = 0

Solucionando a equao diferencial acima temos


i (t ) = (cos( ) sin( )e t + ( sin() cos()) cos(t ) V L( 2 + 1) + (sin() + cos( )) sin(t )

sendo R = L O final dessa etapa pode ser obtido solucionando a equao acima para t = 1 com i (t ) = 0 , ou seja

0 = (cos() sin()e1 + ( sin() cos( )) cos() + (sin( ) + cos()) sin() A soluo da equao acima para 0 com diferentes valores do R parmetro = apresentado na Figura 0.21. L

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Figura 0.21 Final da Etapa 1, 1 , em funo do ngulo de disparo dos tiristores , para 0 o parmetro = R entre zero e infinito. Curva salientada = 0.562 L

Note que se 1 for maior que 180 a hiptese inicial que a corrente no indutor nula em t = no mais vlida. Neste caso, o circuito passa a operar em um outro modo de operao, aqui denominado de Modo 2 de operao. Formas de ondas tpicas do circuito da Figura 0.17 so mostrada a seguir.

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Figura 0.22 Formas de onda do gradador da Figura 0.17. V=311 V, =377 rad/s; R =10 , L = 100mH. (a) Tenso da rede, v/10, e corrente na carga (A). (b) Tenso na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tenso sobre diodo vak /10 e corrente no diodo. = e = 0.265 2

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Figura 0.23 Formas de onda do gradador da Figura 0.13. V=311 V, =377 rad/s; R =21.187, L = 100mH. (a) Tenso da rede, v/10, e corrente na carga (A). (b) Tenso na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tenso sobre diodo vak /10 e corrente no diodo. = + com positivo e 0, = 0.526 3 Pode-se observar que o circuito est no limiar entre o Modo 1 em Modo 2 de operao, confirmando as predies do grfico da Figura 0.21.

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MODO 2. Neste modo existe somente uma etapa de operao. O tiristor T1


conduz no semiciclo positivo da corrente de carga, enquanto T2 conduz o semiciclo negativo. O circuito equivalente mostrado na figura abaixo.

Figura 0.24 Circuito equivalente para Modo 2. Em regime permanente a corrente de carga dada por:

i (t ) = sendo

V R + (L) 2
2

sin(t )

= arctan(

L ) R

Note que a fronteira entre os Modos 1 e 2 tambm pode ser obtida a partir das equaes que do Modo 2. Ou seja, sempre que o circuito opera no Modo 2. Explique! 1 0 < < arctan( )

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10 9 8 7 6 c k 5 4 3 2 1 0 0

Modo 1

Modo 2
10 20 30 40 k 50 180 60 70 80 90

Figura 0.25 Fronteira entre o Modo 1 e 2.

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Exemplo 5 Seja o circuito da Figura 0.26, determine os etapas de operao,


bem como as principais formas de ondas do circuito, assumindo que: (i) A tenso gate-source do MOSFET seja como descrita na Figura 0.27. (ii) O circuito opere com freqncia constante. (iii) A corrente do indutor seja zero no inicio de cada perodo de funcionamento do circuito. (iv) A tenso da fonte de sada seja menor que a da fonte de entrada.

Figura 0.26 Conversor CC/CC

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Figura 0.27 Tenso Gate-Source do MOSFET O objetivo desse exemplo determinar quais as restries que devem ser satisfeitas para o circuito opere como as hipteses realizadas.

razovel assumir que o circuito apresente uma freqncia de operao constante devido a natureza da tenso de gate-source, vgs . Ainda, quando vgs =10 V, o MOSFET conduz e o diodo bloqueado, uma vez que vin >0. O circuito equivalente o mostrado abaixo, e esta etapa ser chamada de Etapa 1.

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Figura 0.28 Circuito equivalente para Etapa 1.

Como a tenso da fonte de sada menor que a tenso da fonte de entrada, no momento da a tenso gate-source do MOSFET vai a zero a corrente do indutor maior do que zero. Assim o diodo entra em conduo, assumindo a corrente do indutor, e o circuito equivalente passa a ser o mostrado na figura abaixo.

Figura 0.29 Circuito equivalente para Etapa 2.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 35 Finalmente, uma vez que a corrente no indutor zero no incio de cada ciclo de operao, o circuito possui mais uma etapa de operao onde nem o transistor ou o diodo conduz. Assim o circuito equivalente dessa etapa mostrado na figura abaixo.

Figura 0.30 Circuito equivalente para Etapa 3. A seguir sero analisadas quantitativamente as etapas descridas acima.

Etapa 1: Durao 0 < t < dT . O circuito equivalente dessa etapa mostrado


na Figura 0.28 e as equaes que governam a operao do circuito podem ser obtidas aplicando a LKT no circuito equivalente, ou seja: vin = L di + vout dt com i (0) = 0 .

Assumindo que as tenses de entrada e sada so constantes a soluo da equao acima :

i (t ) =

vin vout t vlida para 0 t dT . L


vin vout dT . L

No final dessa etapa, em t = dT, a corrente no indutor ser i (dT ) =

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Etapa 2: Durao

dT < t < . O circuito equivalente dessa etapa mostrado

na Figura 0.29. Note que essa etapa dura at t = , que o instante que a corrente no diodo zera. As equaes que governam a operao do circuito podem ser obtidas aplicando a LKT no circuito equivalente desta etapa.

0=L

di + vout dt

com i (dT ) =

vin vout dT . L

A soluo da equao acima : i (t ) = vout (t dT ) + i(dT ) vlida para dT t L

O instante que a corrente zera pode ser determinado a partir da equao acima fazendo i =0 e solucionando-a para t=., ou seja: 0= vout ( dT ) + i (dT ) L

que resulta em

vin dT . vout

Etapa 3: Durao < t < T. O circuito equivalente dessa etapa mostrado na

Figura 0.30. Nesta etapa as correntes no circuito so nulas. A tenso sobre o diodo igual tenso de sada, pois a queda de tenso no indutor nula. Como conseqncia a tenso no MOSFET a diferena entre a tenso de entrada e sada.

Para assegurar que a corrente seja zero no incio de cada ciclo, hiptese inicial, a seguinte desigualdade deve ser satisfeita:
T

o resulta na seguinte equao para

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vin dT T vout d vout vin

ou

As principais formas de onda do circuito so apresentadas a seguir.

Figura 0.31 Formas de ondas do circuito da Figura 0.26. Topo: vgs , Baixo: vak e
i.

Na Figura 0.31 apresendado no topo a tenso vgs, e na parte inferior a corrente no indutor e a teno sobre o diodo, para vin=100V, vout=50V e d=0.35, T=10s.

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Figura 0.32 Formas de ondas do circuito da Figura 0.26. Topo: vgs , Baixo: vds e
id do MOSFET.

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Figura 0.33 Formas de ondas do circuito da Figura 0.26. Topo: vgs , Baixo: vds e
id do MOSFET. Topo: vgs , Baixo: vak e i. d=0.55.

Finalmente a Figura 0.33 mostra o circuito operanto com d >

vout . Pode-se vin

observar que a corrente no indutor no zero no incio de cada perodo, e esta crescente. Portanto, se a corrente no for limitada ela danificar os componentes do circuito, possivelmente o MOSFET!

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Exemplo 6

O circuito da

Figura 0.34 um conversor CC-CC que se

caracteriza por operar com freqncia de comutao varivel. Este conversor apresenta como vantagem a comutao em entrada em conduo e bloqueio do IGBT com corrente nula. Aqui este conversor ser utilizado para exemplificar a soluo de circuitos comutados de segunda ordem. As seguintes hipteses so assumidas para a anlise do circuito: (v) A tenso gate-emissor do IGBT descrita na Figura 0.35. (vi) O circuito opera com freqncia varivel. (vii) A corrente do indutor e a tenso no capacitor so zero no incio de cada ciclo de funcionamento do circuito. (viii) A durao do pulso de tenso gate-emissor tal que no momento do bloqueio do IGBT a corrente circula pelo diodo em antiparalelo com este. (ix) A tenso da fonte de entrada e a corrente da fonte de sada so constantes em um ciclo de operao.

Figura 0.34 Conversor CC-CC com frequncia varivel.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 41

Figura 0.35 Tenso gate-emissor para o converosr da Figura 0.34.

Como assumido que a corrente no indutor e a tenso no capacitor so nulas no incio de cada ciclo de operao, ento, nesse instante a corrente de carga, representada pela fonte de corrente, circula pelo diodo D. Com a entrada em conduo do IGBT, no instante que a tenso gateemissor vai para 10V, inicia a primeira etapa de operao desse conversor.
Etapa 1: Durao 0 < t < 1. O circuito equivalente dessa etapa mostrado

na Figura 0.36 e as equaes que governam a operao do circuito podem ser obtidas aplicando a LKT no circuito equivalente, ou seja:

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 42


vin = L e vc = 0 Solucionando a equao acima temos di dt com i (0) = 0

i (t ) =

vin t L

para

0 < t < 1

e vc = 0. Para t=1 a corrente no indutor atinge a corrente de carga, e a corrente no diodo zera, caracterizando o fim dessa etapa. Portanto, este instante de tempo, que caracteriza o final dessa etapa, t=1, pode ser obtido da equao da corrente, ou seja:
vin 1 ou seja L L 1 = I vin I=

Figura 0.36 Circuito equivalente para a Etapa 1.

Etapa 2: Durao 1< t < 2. O circuito equivalente dessa etapa mostrado


na Figura 0.37 e as equaes que governam a operao do circuito podem ser obtidas aplicando a LKT no circuito equivalente, ou seja:

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 43

Figura 0.37 Circuito equivalente para a Etapa 2. vin = L e C dvc =iI dt vlidas para 1 t 2 di + vc dt com i (1 ) = I

Com o intuito de facilitar a soluo vamos definir t = t 1

e i = i - I

Portanto as equaes do regem o circuito passam a ser


vin = L di + vc dt

com i(0) = 0

e
C dvc = i dt

vlidas para 0 t 2 1

A soluo da equao diferencial acima :

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 44


i(t ) = = V sin(t ) onde L 1 LC logo i (t ) = V sin((t 1 )) + I para 1 >t > 2 L para

Esta etapa dura at o instante que a corrente no indutor, depois de se tornar negativa, vai zero. Dando incio da prxima etapa de operao. O final desta etapa pode ser obtido a partir da equao acima:

0=

V sin((2 1 )) + I L LI 1 2 = (2 + arcsin( )) +1 V

Onde o ngulo resultante da funo arcsin deve estar no quarto quadrante com valores entre 0 e -/2. A tenso do capacitor para esta etapa pode ser obtida a partir da integrao da corrente no capacitor, o que resulta em: vc (t ) = vin (1 cos((t 1 )) . O valor final na tenso no capacitor ser: vc (2 ) = vin (1 cos((2 1 ))

Etapa 3: Durao 2< t < 3. Nesta a corrente de carga descarrega o capacitor

linearmente. O circuito equivalente dessa etapa mostrado abaixo

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 45

Figura 0.38 Circuito equivalente para a Etapa 2. A equao que governa o comportamento do circuito :

vc (t ) =

I (t 2 ) + vc (2 ) para C

2 t 3

Esta etapa termina em t=3 quando a tenso no capacitor passa por zero e polariza diretamente o diodo, dando incio a ltima etapa de operao.
Etapa 4: Durao 3< t < T. Nesta etapa a tenso sobre o capacitor e a corrente

no indutor so nulas. Esta etapa dura at o intante que a tenso gate-emissor do IGBT for novamente para nvel alto, 10 V, caracterizando assim, o incio de uma etapa identica a etapa 1. As principais formas de onda do circuito so mostradas na figura abaixo:

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 46

Figura 0.39 Formas de onda no circuito da Figura 0.34 . Quanto a durao do pulso de tenso entre gate e emissor do IGBT, Ton, este deve ser tal que garanta que no momento do bloqueio do IGBT a corrente esteja circulando pelo diodo em antiparalelo com este, ou seja, enquanto a corrente no indutor for negativa. Portanto, a seguinte restrio deve ser satisfeita.
13_ max Ton 2 _ min onde 2 = e 13 = 1 LI ( arcsin( )) + 1 vin 1 LI (2 + arcsin( )) +1 vin

onde o ngulo resultante da funo arcsin deve estar no quarto quadrante com valores entre 0 e -/2.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 47 Note que o valor mximo de 3 e o valor de mnimo 2 ocorrem para a mxima corrente de sada e a mnima tenso da fonte. Assim a durao Ton deve ser determinada para essa condio de operao.
6.5 6.15 5.8 5.45 2 k 13 k 5.1 4.75 4.4 4.05 3.7 3.35 3 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 k 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Figura 0.40 .Variao dos 3 e 2 em de =

LI vin

Exerccio Proposto: Determine a mxima freqncia de operao do conversor


da Figura 0.34 em funo dos parmetros do circuito.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 48

1.2. Definies Bsicas


1.2.1. Valor Mdio
Dada uma funo peridica f(t)=f(t+T), onde T o perodo em que a funo se repete, (constante), tem-se que seu valor mdio dado por:
t +T

f avg

1 = T

f (t )dt

(0.1)

Para formas de onda senoidais, favg = 0. Para o produto de duas funes vavg e iavg, pavg = vavg iavg

1.2.1.1. Ex.: Calculo da tenso mdia de um retificador de meia onda

Dado o retificador meia onda do Exemplo 1 da Seo 1.1.5, determine o valor mdio da tenso de sada:

220 2 sin ( 260t ) , 0 t < vo (t ) = 0 , t < 2

Figura 0.1 Resoluo:


voavg =
voavg
t +T 2

1 T

f (t )dt =

1 vo (t )d t 2 0

2 1 = 220 2 sin(t )d t + 0 d t 2 0
311 311 cos ( t ) = (1 + 1) 0 2 2 = 99V

voavg = voavg

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 49

1.2.2. Valor Eficaz


Dada uma funo peridica f(t)=f(t+T), onde T o perodo em que a funo se repete, (constante), tem-se que seu valor eficaz dado por: f rms 1 = T
t +T

f 2 (t )dt

(0.2)

Para formas de onda senoidais, f rms =

fp 2

, onde fp o valor de pico da senide. prms = vrms irms

Para o produto de duas funes vrms e irms,

1.2.2.1. Ex.: Calculo da corrente eficaz em um retificador de entrada meia-onda


Dado o retificador meia onda do Exemplo 1 da Seo 1.1.5, determine o valor mdio da tenso de sada:

I , 0 t < i (t ) = 0 , t < 2

Figura 0.2 Resoluo: f rms = f rms = f rms = 1 T


t +T

f 2 (t )dt =

1 i 2 ( t ) d t 2 0

3 1 2 I d t + 0 d t 2 0 0

f rms

1 2 I t 2 I = 2

1 2 I ( 0) 2

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 50


1.2.3. Distoro harmnica total

a razo entre o valor rms do contedo uma tenso ou corrente com relao a uma senide. Dada uma funo peridica f(t)=f(t+T), por:

harmnico pelo rms da quantidade

fundamental, expressada em percentual, ou seja, se refere ao fator de distoro percentual de

k x k x f ( x) = a0 + ak cos + bk sin L L k =1

(0.3)

que tambm pode ser escrita da seguinte forma: x 2 x 3 x f ( x) = a0 + a1 cos + a2 cos + a3 cos + L L L , x 2 x 3 x + b1 sin + b2 sin + b3 sin + L L L ou ainda:
k x f ( x) = a0 + ck sin + k , L k =1

(0.4)

(0.5)

onde 1 a0 = 2L ak = bk = 1 L 1 L
c+2 L

f ( x)dx k x f ( x) cos dx, L k x f ( x) sin dx, L k = 1, 2,... k = 1, 2,... .

c+2 L

c+2 L

ck = ak 2 + bk 2

a e k = arctan k bk

A distoro harmnica desta funo pode ser escrita por: 1 THD f ( % ) = c1 equaes:
1 THDV ( % ) = V1

c
k =2

2 k

100%

(0.6)

Escrevendo a THD para tenses e correntes, se obtm, respectivamente, as seguintes


100%

V
k =2

2 k

(0.7)

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 51 1 THDI ( % ) = I1

I
k =2

2 k

100

(0.8)

1.2.3.1. Ex.: Calculo da THD para uma dada forma de onda


Dada a seguinte forma de onda,

4 4 4 f ( x) = 4sin( x) + sin(3 x) + sin(5 x) + sin(7 x) 3 5 7 cuja forma de onda mostrada na figura a seguir, obtenha a THD.

(0.9)

Figura 0.3 Resoluo:

c1 = 4 c = 4 / 3 3 f ( x) c5 = 4 / 5 c7 = 4 / 7

1 THD f ( % ) = c1

1 4 2 4 2 4 2 c 100% = 4 3 + 5 + 7 100% k =2
2 k

THD f ( % ) = 41, 41%

1.2.4. Fator de Potncia

O fator de potncia entre duas funo peridicas de mesmo perodo v(t)=v(t+T) e i(t)=i(t+T) definido como a razo entre a potncia ativa, dada em W, e a potncia aparente, dada em VA, ou seja FP = onde P a potncia ativa, S a potncia parente. P S (0.10)

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 52 Alternativamente, o fator de potncia pode ser calculado com a combinao do fator de deslocamento e da distoro harmnica total, ou seja, FP = DF
1.2.5. Fator de Deslocamento

1 1 + THD 2

(0.11)

O fator de deslocamento de duas funes peridicas de mesmo perodo v(t) e i(t), que representam a tenso e a corrente em dado elemento, respectivamente, definido como o ngulo de deslocamento de fase entre a componente fundamental da tenso v(t) e a componente fundamental de corrente i(t). O fator de deslocamento dado por DF = V1 I1 cos ( 1 1 ) = cos ( 1 1 ) V1 I1 (0.12)

onde 1 e 1 so os ngulos de deslocamento da tenso e da corrente com relao a um dado ngulo de referncia. Essa medida realizada no lado CA de um conversor e freqentemente confundida com o fator de potncia, pois esta se confunde com o fator de potncia para funes senoidais.

1.2.6. Fator de Utilizao

uma medida comumente empregada em transformadores para se obter o ndice de utilizao do mesmo. dado por:
pavg vrms irms 1 T
t +T

TUF =

v(t )i(t )dt


t

vrms irms

(0.13)

1.2.7. Rendimento
uma figura de mrito que nos permite comparar a eficcia de um conversor esttico. Sua relao dada por: = pout pin (0.14)

onde pout e pin so as potncias de entrada e sada do conversor, respectivamente.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 53

1.2.8. Fator de Desequilbrio


O fator de desequilbrio de corrente (ou tenso) pode ser definido, como o mximo desvio da mdia das correntes (ou tenses) trifsicas, divididos pela mdia das tenses ou correntes das trs fases, expressadas em percentual, conforme mostra a seguir: i frms iavg Desq ( % ) = iavg onde
max

100%

(0.15)

iavg =

I a _ rms + I b _ rms + I c _ rms 3

Desequilbrios de corrente (ou tenso) podem tambm ser definidos fazendo-se usando da teoria de componentes simtricos, onde a taxa entre componente de seqncias negativas ou zero em relao a componente da seqncia positiva pode ser especificada como percentual de desequilbrio, conforme mostrado a seguir: componente de seq. negativa Deseq _N ( % ) = 100% componente de seq. positiva componente de seq. zero Deseq _0 ( % ) = 100% componente de seq. positiva Desequilbrios de tenso maiores que 5 % so considerados como desequilbrios severos. Um exemplo de desequilbrio mostrado na figura a seguir, onde considerou-se que em um sistema trifsico a tenso nominal rms seja de 127 V por cada fase, porm a fase b apresenta amplitude de tenso rms de 125 V, logo o desequilbrio percentual de 2 %.
200

(0.16) (0.17)

comum a existncia de desequilbrios de percentuais entre 0 e 2% nas tenses da rede.

va(t)
100

vb(t)

vc(t)

Tenso (V)

0 -100 -200

3,3

6,6

10

13,3

16,6

Tempo (ms)

Figura 0.4. Desequilbrio de tenso em um sistema trifsico.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 54

1.2.9. Fator de Ondulao


O Fator de Ondulao, tambm conhecido por ripple factor, uma medida empregado em sinais predominantemente contnuos que possuem sinais senoidais indesejveis. uma medida do ndice de regulao de um dada funo contnua. Este fator de ondulao dado por: v RF = rms vavg 2 1 = FF 1
2

(0.18)

onde FF conhecido por fator de forma, que dado por FF = Vavg Vrms (0.19)

1.2.10. Fator de Crista


definido como a razo de corrente (ou tenso) mxima ou de pico pela corrente (ou tenso) eficaz de um dado circuito, como apresentado na seguinte equao: CF = Vp Vrms (0.20) 2 . O fator de

Para uma dada senide a relao entre o valor de pico e rms deve ser

crista usado para redefinir a capacidade de sada de transformadores, fontes ininterruptas de energia (UPS) e outros equipamentos que alimentem cargas no lineares. Uma vez comparado com o fator de crista da forma de onda senoidal se obtm o fator de correo da capacidade (CCF), que representado por: 2 CCF ( % ) = CF 100% pela potncia nominal do equipamento por: (0.21)

A potncia corrigida se calcula mediante o produto do fator de correo de capacidade

kVAcorrig = kVAnomCCF

(0.22)

Por exemplo uma carga no linear cujo valor de pico de corrente de fase seja If= 10 A, e o valor eficaz desta corrente seja Irms=6,5 A, tem-se que o CF=1,53 e CCF=92,16%. Um transformador cuja potncia nominal de 10 kVA, considerado pelo fabricante para

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 55 alimentao de cargas lineares, s poderia operar com uma potncia de 9,216 kVA, devido aos harmnicos presentes na carga.

Exerccio
Obter as todas as medidas de desempenho apresentadas para o seguinte circuito, para todos os elementos a que se aplicarem.

Figura 0.5 Figura 0.6 Considerar que: i) a corrente na carga em regime permanente, mostrada em detalhe, seja aproximada por uma constante; ii) a fonte de tenso senoidal, dada por v(t ) = 220 2 sin(260t ) ; iii) o transformador ideal.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 56

1.3. Dispositivos
1.3.1. Caractersticas dos Semicondutores de Potncia
Os principais dispositivos empregados em eletrnica de potncia tm evoludo consideravelmente nos ltimos anos. Cada vez mais tem se desenvolvido dispositivos para processar mais potncia, como pode se verificar na figura abaixo (extrado de Mohan, 2002).

Figura 0.1 Semicondutores de potencia disponveis no mercado em funo da corrente tenso e freqncia de operao.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 57

Figura 0.2 Caractersticas gerais dos Semicondutores de Potncia.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 58 O maio desafio no projeto de semicondutores de potncia obter altas tenses de bloqueio com baixas quedas diretas quanto em conduo. Outro desafio que aqueles dispositivos semicondutores que apresentam altas tenses de bloqueio com baixas quedas diretas resultam tempos de comutao significativos. A tenso mxima de bloqueio de uma juno p-n e a sua regio de depleo so uma funo do grau de dopagem. Para obter altas tenes de bloqueio necessrio reduzir a dopagem, e assim aumentar a resistividade. Por outro lado essa regio de alta resistividade contribui significativamente para resistncia de conduo do diapositivo. Assim dispositivos de alta tenso apresentam maiores resistncias de conduo do que dispositivos de baixa tenso. Em dispositivos de portadores majoritrios por exemplo os MOSFETS e os diodos Schottky, esse efeito responsvel pela dependncia da queda direta ou sua resistncia de conduo com a tenso mxima de bloqueio. Por outro lado, e

dispositivos de portadores minoritrios, diodo de difuso, BJT , IGBT, SCR,GTO e MCT outro
fenmeno chamado de modulao de condutividade ocorre. Quando um dispositivo de portadores minoritrios encontra-se em conduo portadores minoritrios so injetados na regio de baixa dopagem atravs da juno que est diretamente polarizada. A elevada concentrao de portadores minoritrios na regio de alta resistividade reduz a resistncia aparente da juno p-n. Devido a esse fenmeno os dispositivos de portadores minoritrios apresentam uma menor resistncia se comprado com os dispositivos de portadores majoritrios. Deve ser salientado, que a vantagem dos dispositivos de portadores minoritrios de reduzir a resistncia de conduo traz junto a desvantagem de aumentar os tempos de comutao. O estado de conduo de qualquer semicondutor controlado pela presena ou ausncia de algumas cargas dentro do dispositivo, e os tempos de entrada em conduo e bloqueio so uma funo do tempo necessrio para colocar ou remover essas cargas. A quantidade total de cargas que controlam o estado de conduo de dispositivos de portadores minoritrios muito maior que as cargas necessrias para controlar um dispositivo equivalente de portadores majoritrios. Apresas dos mecanismos de insero e remoo das cargas de controle dos diferentes dispositivos, (BJT,IGBT, MOSFET,DIODO,etc) serem diferentes, verdade que, devido a maior quantidade de carga dos dispositivos de portadores minoritrios, esses apresentam tempos de comutao significativamente maiores que os dispositivos de portadores majoritrios. Com uma conseqncia dispositivos de portadores majoritrios so usualmente utilizados em aplicaes de baixas tenses e alta freqncia, dispositivos de portadores minoritrios em altas

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 59 tenses e alta potncia. A figura abaixo descreve as diferentes semicondutores e as suas aplicaes tpicas.

1.3.1.1. Diodos 1.3.1.1.1. Caractersticas Principais


um dispositivo no-controlado (comuta somente espontaneamente); Conduz quando diretamente polarizado (Vak>0) e bloqueia quando i<0; Possui uma queda de tenso intrnseca quando em conduo (VF ~ 1V); No so facilmente operados em paralelo, devido ao seus coeficientes trmicos de conduo serem negativos. Pode conduzir reversamente durante um tempo trr, que especificado pelo fabricante. Estrutura de um diodo de potncia:

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 60

Figura 0.3 Caracterstica construtiva de um diodo de potncia.

Suas caractersticas estticas ideais e reais so dadas por:

Observa-se que existe uma tenso mxima reversa de bloqueio Vrated, a partir da qual o diodo entra em avalanche, que leva o componente sua destruio. Suas caractersticas dinmicas so mostradas na figura a seguir:

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Figura 0.4 Caracterstica dinmica de um diodo do potencia.

Verifica-se que quando um diodo de potncia submetido a uma comutao abrupta, ou seja, quando outro dispositivo desvia de maneira muito rpida a sua corrente, aparecem significativas perdas durante a comutao. Na figura, se verifica que o tempo de recuperao reversa (trr) e a carga armazenada na juno (Qrr) esto relacionadas diretamente com as perdas de comutao. Este tempos podem ser calculados por:

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As perdas em diodos podem ser obtidas, de forma aproximada, com base na figura do desempenho dinmico (obtida em data sheets de fabricantes):

Ptotal = Pon + Prec + Poff


Para um sinal peridico, temos que : Perdas em conduo: Perdas de recuperao: Perdas em bloqueio:

Pon = IF_av VF + IF_rms2 Ron Prec = 0.5 tb VR IREC f Poff = IR_av VR .

D: razo cclica (tempo mdio em que o diodo conduz) f: freqncia de comutao do diodo, em Hz. IF, VF, IR, VR, tb, VR, IREC : obtidos do data-sheet do fabricante

1.3.1.1.2. Tipos

Diodos de uso geral


Estes diodos so os mais comuns no mercado, e tambm so conhecidos com line-frequency diodes ou standard recovery diodes. So os diodos que foram desenvolvidos para operar em freqncias muito baixas, geralmente menor que 1kHz.. Possuem baixa queda em conduo, desta forma estes diodos esto aptos para operar at vrios kV de tenso e kA de corrente. Como o tempo de recuperao desses dispositivos elevado (dezenas ou centenas de micro-segundos), estes dispositivos no so indicados para trabalharem em altas freqncias. A figura a seguir mostra um exemplo de abertura e fechamento de um diodo de uso geral, onde as correntes (acima) e as tenses (abaixo) esto mostradas.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 63

Diodos rpidos (fast recovery diodes)


Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos, enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos. O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobretenses produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos soft-recovery, nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados. So dispositivos projetados para o uso em aplicaes envolvendo alta freqncia, onde um pequeno tempo de recuperao necessrio. Em elevados nveis de potncia, possui trr de poucos microssegundos ou at ns, alm disso, esta classe possui baixa queda em conduo direta.

Diodos ultra-rpidos (ultrafast diodes)


uma famlia melhorada dos diodos rpidos. So semelhantes aos diodos rpidos em termos de queda em conduo, porm possuem menor tempo de recuperao. Como recuperao ocorre de forma suave, se elimina o uso de snubbers na maioria das aplicaes. Sendo um dispositivo de portadores minoritrios, sua queda em conduo pequena, de tal forma que pode ser aplicado em altas tenses de bloqueio. muito empregado em fontes chaveadas de alta freqncia de alta eficincia, nos quais se incluem aqueles que operaram com comutao ZVS e ZCS.

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Diodo Schottky
So dispositivos basicamente de portadores majoritrios, usados quando necessria uma queda de conduo direta quase desprezvel em circuitos com baixa tenso de sada. Possuem baixos tempos de recuperao, podendo operar em altas freqncias. Estes diodos possuem uma queda de tenso em conduo muito baixa, tipicamente de 0,3V. Entretanto, a mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca de 100V, sendo difcil serem encontrados diodos Shottky para tenses reversas maiores que 45V. Alm disso, as correntes de fuga reversas so altas se comparveis aos diodos por juno P-N. Note que, diferentemente dos diodos convencionais (mostrado em uma figura anterior), assim que a corrente se inverte a tenso comea a crescer, o que indica que esse dispositivo no possui portadores minoritrios. A aplicao deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tenso, nas quais as quedas sobre os retificadores so significativas. Para ilustrar, mostramos o diferente comportamentos dos diodos durante as comutaes:

Figura 0.5

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1.3.1.1.3. Aplicaes
A tabela a seguir mostra uma comparao das tecnologias de diodos apresentadas. Observa-se uma grande diferena entre as caractersticas dos diodos, principalmente em relao aos tempos de comutao. Obviamente, dispositivos com caractersticas de desempenho melhor so muito mais caros, e s devem ser considerados em projeto quando estritamente necessrios.

Parmetro (valores tpicos) IF (Av) V VF trr TJ Irr Qrr Componente Uso geral
60A 1600V 1.3V 400ns -65 160oC

Tipo de diodo Rpido


60A 600V 1.1V 70ns -40 150 oC 3.4A 0.5 C 60HFU-600

Ultra-rpido
60A 400V 1.25V 8,5 ns -55 - 175 oC 8.8 A 375 nC 60EPU04

Shottky
60A 45V 0.69V 20ns -40 150 oC 2A 800 nC MBR6045WT

40HF

Obs.: Os componentes exemplos so todos da International Rectifier (www.irf.com)

1.3.1.1. MOSFETS
Os MOSFETs de potncia so dispositivos semicondutores que possuem o comprimento do Gate (porta) de aproximadamente alguns m. O MOSFET composto de vrias pequenas clulas de modo ENHANCEMENT conectadas em paralelo sobre uma superfcie de silcio (die). A seco transversal de uma clula ilustrada na Figura 1 abaixo.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 66

Figura 1 - Seo transversal de uma clula MOSFET.

A corrente flui verticalmente atravs de silicon wafer. A conexo do dreno metalizada feita na parte de baixo do CI, enquanto a metalizao da fonte o da porta (Gate) na parte superior. Em condies normais de operao, com vds0 ambos a juno p_n e p_n- so polarizados reversamente. Na Figura 2 a tenso dreno para fonte aparece atravs da regio de depleo na juno p_n-. A regio n- fracamente dopada, com uma espessura tal que a tenso desejada de bloqueio mxima alcanada.

Figura 2 Juno p_n e p_n polarizadas reversamente.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 67

A Figura 3 abaixo ilustra a operao no estado de conduo, com uma tenso de gatesource suficientemente grande. Um canal se forma no substrato da regio do tipo p abaixo do gate.

canal

Figura 3 Canal no substrato tipo p no MOSFET.

A corrente de dreno circula atravs do canal n-, pela regio n, e sai pelo contato do source. A resistncia Ron que caracteriza o MOSFET em conduo a soma da resistncia da regio n-, do canal, e dos contatos de dreno e source. Na medida em que a tenso de bloqueio do MOSFET aumenta a resistncia RON do canal n- se torna dominante. Como no existem portadores minoritrios para causar a modulao de condutividade a resistncia Ron aumenta significativamente na medida em que a tenso de bloqueio atinge algumas centenas de volts.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 68 A juno p_n- chamada de body diode, essa juno forma um diodo em paralelo com o MOSFET. Esse diodo polarizado diretamente quando a tenso vds se torna negativa. Esse diodo capaz de conduzir a corrente nominal do MOSFET. Entretanto geralmente o MOSFET no otimizado com relao os tempos de recuperao desse diodo. As grandes correntes que fluem durante a recuperao do diodo podem causar danos no componente. Deve ser ressaltado que alguns fabricantes produzem MOSFET com Body diode com baixos tempos de recuperao. A caracterstica esttica tpica de um MOSFET mostrada abaixo.

Figura 4 Caracterstica esttica tpica de um MOSFET.

Quando a tenso vgs menor que uma tenso de threshold Vth, o dispositivo opera no estado bloqueado. Um valor tpico de Vth 3V. Quando a tenso vgs maior que 6 a 7 volts o dispositivo opera no estado de conduo. Valores tpicos da tenso de gate so 12 a 15 V para minimizar as perdas de conduo. Em conduo a tenso do MOSFET, vds proporcional a corrente de dreno. O MOSFET capaz de conduzir corrente de pico que excedem o valor mdio da corrente e a natureza da caracterstica esttica modificada em altos nveis de corrente.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 69 MOSFET de potncia que operam com tenso gate-source de 5V tambm so disponveis. Alguns MOSFET de potncia do tipo P tambm so disponveis, mas eles so pouco usados devido a sua performance inferior se comparados com os do tipo N. A resistncia de conduo Ron e a queda de tenso de conduo possuem coeficientes de temperatura positivos. Devido a essa propriedade relativamente fcil colocar dispositivos MOSFET em paralelo.Os MOSFETs de alta corrente so dispositivos disponveis contendo vrios CIs conectados em paralelo. As principais capacitncias do MOSFET so ilustradas na Figura 5 abaixo. Esse modelo suficiente para um estudo qualitativo do comportamento como interruptor.

Figura 5 Principais capacitncias do MOSFET.

Os tempos de comutao so determinados pelo tempo necessrio para carregar e descarregar essas capacitncias. Uma vez que a corrente de dreno funo da tenso gate-source, ento a taxa de variao da corrente de dreno dependente da taxa de variao que a tenso gate-source que definida pelo circuito de comando (drive circuit). A capacitncia dreno-source leva a perdas de comutao uma vez que a energia armazenada nessa capacitncia geralamente perdida durante a entrada em conduo do MOSFET. A capacitncia gate-source essencialmente linear. Entretanto a capacitncia drenosource e gate para dreno so fortemente no lineares.

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Cds (vds ) = Co v 1 + ds Vo

(1)

Onde os parmetros Co e Vo so dependentes da geometria do componente. Um outro parmetro que geralmente fornecido pelos fabricantes a carga de gate (Qg). Qg a carga total que o circuito de comando deve fornecer para elevar a tenso de gate source de zero at tipicamente 10 V, com uma tenso dreno-source pr-definida. MOSFETS so dispositivos usualmente utilizados para tenses menores ou iguais a 400V. Nessas tenses, a queda de tenso direta igual ou superior a dos dispositivos de conduo por portadores minoritrios. Os tempos de comutao so de 50n a 200 ns. Em tenses superiores a 400 e 500V, os dispositivos formados por portadores minoritrios possuem uma queda direta menor (IGBT). A nica exceo em aplicaes onde a velocidade de comutao mais importante do que o custo do semicondutor para obter queda em conduo aceitvel.

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1.3.1.1. Transistor de Juno Bipolar - BJT

A seo transversal de um BJT de potncia npn mostrada na Figura 1 abaixo.

Figura 1 - Seo transversal de um clula BJT.

Como em outros dispositivos de potncia, a corrente flui verticalmente atravs do semicondutor wafer. A regio fracamente dopada n- inserida no coletor para obter a tenso de avalanche requerida. O transistor opera no estado bloqueado quando as junes pn- e pn esto reversamente polarizadas. A tenso coletor-emissor aparece essencialmente sobre a regio de depleo da juno pn-. Por outro lado, o transistor opera no estado saturado quando ambos as junes so diretamente polarizadas. No estado saturado, um nmero substancial de cargas minoritrias esto presentes na regio p e n-. Essas cargas minoritrias fazem com que regio n,que normalmente apresenta uma resistividade elevada, reduza a sua baixa resistncia devido ao efeito modulao de condutividade condutivity modulation. Entre a regio de bloqueio e conduo existe a regio ativa, onde a juno p-n diretamente polarizada e a juno pn- reversamente polarizada. Quando o BJT opera na regio ativa, a corrente de coletor proporcional aos portadores minoritrios na base, a qual proporcional (em equilbrio) a corrente de base. Existe uma quarta regio conhecida como quase-saturao, ocorrendo entre a regio ativa e de saturao.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 74 A quase-saturao ocorre quando a corrente base insuficientemente colocar o BJT na saturao. As cargas minoritrias presentes na regio n- so insuficientes para reduzir a regio de resistncia n-, e uma maior resistncia do transistor observada se comparado com a saturao. Considere um exemplo simples dado na Figura 2.

Figura 2 Etapas de operao do circuito com BJT.

O transistor opera bloqueado no intervalo 1 com a juno base emissor reversamente polarizada . A entrada em conduo inicia no intervalo 2, quando a tenso da fonte comuta para um valor positivo, ou seja vs(t)=Vs2. Uma corrente positiva suprida pela fonte vs para a base do BJT. Essa corrente primeiro carrega as capacitncias associadas a regio de depleo das junes pn e pn- que esto reversamente polarizadas. No final do intervalo 2 a tenso base-emissor excede zero suficientemente para a juno base-emissor se tornar diretamente polarizada. A durao do intervalo 2 chamado de turn-on delay time. Durante o intervalo 3 os portadores minoritrios so injetados atravs da juno base-emissor do emissor para a regio da base. A corrente de coletor proporcional a carga na regio base. Ento durante o intervalo 3 a corrente de coletor aumenta. Uma vez que o transistor esta acionando uma carga resistiva, a tenso de coletor decresce nesse intervalo. Isso reduz a tenso atravs da juno base-coletor e tambm reduz a

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 75 regio de depleo. Aumentando Ib1 (pela reduo RB ou incrementando Vs2) possvel aumentar ambos as variaes de portadores minoritrios da base e a carga da capacitncia da regio de depleo. Assim, aumentando Ib1 possvel reduzir os tempos de entrada em conduo. Prximo do fim do intervalo 3, a juno pn- se torna diretamente polarizada. Os portadores minoritrios so ento injetados na regio n-, reduzindo efetivamente a resistividade. Dependendo da geometria e da magnitude da corrente de base, a tenso de calda pode ser observada na medida em que a resistncia aparente da regio n- reduzida pelo efeito de modulao da condutividade. O BJT atinge o equilbrio no comeo do intervalo 5, com resistncia ON baixa, e com uma substancial quantidade de portadores minoritrios nas regies n- e p. Nesse intervalo as cargas minoritrias excedem a quantidade necessria para suportar a conduo na regio ativa da corrente de coletor. O bloqueio iniciado no intervalo 6, quando a tenso da fonte retorna para Vs1. A tenso base-emissor permanece diretamente polarizada uma vez que os portadores minoritrios esto na sua vizinhana. A corrente de coletor circular enquanto existir portadores minoritrios em excesso para suportar a conduo na regio ativa. A corrente de base Ib2. negativa remove os portadores minoritrios armazenados na juno. Esse intervalo termina quando o excesso de portadores minoritrios so removidos. A durao desse intervalo chamado de tempo de estocagem ou Storage Time. Durante o intervalo 7 o BJT opera na regio ativa. A corrente de coletor proporcional a carga armazenada. A recombinao e a corrente de base negativa continuam a reduzir os portadores minoritrios da base, e a corrente de coletor diminui. No final do intervalo 7 os portadores minoritrios armazenados so nulos. A juno base-emissor tornase reversamente polarizada. A durao do intervalo 7 chamada de tempo de descida. 9 o transistor opera em equilbrio no estado bloqueado. Durante o intervalo 8 o capacitor associado da juno base-emissor descarregado at vs1. No intervalo

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Figura 3 Corrente de base idel do BJT.

A corrente acima uma corrente de base ideal. A corrente Ib1 alta, tal que a carga inserida rapidamente na base, e assim h uma reduo dos tempos de entrada em conduo. Existe um compromisso existe entre a amplitude corrente de equilbrio de conduo IBon e Storage Time. A fim de que a queda de conduo seja pequena IBon deve ser grande mas assim h um aumento excessivamente o excesso de portadores minoritrios o que aumenta tempo de estocagem. A corrente Ib2 grande em magnitude tal que as cargas armazenadas possam ser removidas rapidamente e os tempos de estocagem e desligamento sejam minimizados. Ainda, os valores de Ib1 e Ib2 devem ser limitados para evitar falha no componente.

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1.3.1.1. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

A seo transversal de um IGBT mostrada abaixo.

Figura 1 - Seo transversal de um clula IGBT.

O IGBT um dispositivo semicondutor moderno de quatro camadas de gate isolado. Pode-se notar que o IGBT muito parecido com o MOSFET com relao ao tipo construtivo. A diferena fundamental a regio p conectada ao coletor do IGBT. A funo da camada p de injetar portadores minoritrios na regio n- quando o dispositivo opera na regio de conduo. Quando o IGBT conduz a juno pn- polarizada diretamente e portadores minoritrios so injetados na regio n- e a resistncia reduzida pelo efeito de modulao de condutividade. Isto reduz a resistncia ON da regio n-, que permite a construo de IGBTs de alta tenso de bloqueio apresentar queda de tenso direta aceitveis. Em 1999 IGBTs de 600 V a 3300V eram disponveis com quedas diretas entre 2 a 4 V, que so muito menor do que as de MOSFETs com a mesma rea do semicondutor.

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Figura 2 Simbologia e circuito equivalente do IGBT.

O IGBT funciona como um MOSFET de canal n conectado a um transistor pnp. As caractersticas fsicas desse componente so ilustradas abaixo. emissor

coletor
Figura 3 Aspectos fsicos do IGBT.

Existem 2 correntes, a corrente do MOSFET i1 e a corrente do pnp i2. O preo pago por reduzir a tenso do IGBT o aumento dos tempos de comutao, especialmente os tempos de desligamentos. O IGBT no desligamento apresenta uma corrente de calda current tailing. O MOSFET pode ser desligado rapidamente, removendo as cargas do gate. Isto faz com que a corrente i1 v para zero.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 79 Entretanto a corrente i2 continua a circular at que os portadores minoritrios presentes na regio n- sejam removidos. Uma vez que no existe maneira de remover esses portadores, eles decaem lentamente por recombinao. Ento i2 decai coma recombinao dos portadores minoritrios o que resulta em uma corrente de calda pode ser observada. A durao da corrente de calda pode ser reduzida pela introduo de centros de recombinao na regio n- com o preo pago de aumentar a resistncia ON. O ganho de corrente pnp pode tambm ser minimizado causando i1 ser maior que i2. Mesmo assim os tempos de comutao do IGBT so significativamente maiores que os dos MOSFET, com tempos de fechamento de 0,5 s a 5 s. Hoje as freqncias tpicas de conversores com IGBT so de 1 a 30 kHz. Finalmente, em conduo o IGBT pode ser modelado por um circuito com mostrado na Fig.4, onde os valores de R e V so obtidos a partir do catalogo do fabricante, veja Fig. 13 abaixo.

Figura 4 Modelo do IGBT em condio de conduo.

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1.3.1.1. Tiristores (SCR, GTO, MCT)


De todos os semicondutores de potncia o SCR ( silicon-controlled rectifier ) o mais antigo, possui o menor custo por kVA, e capaz de controlar a maior quantidade de potncia. Dispositivos de 5000 a 7000 V que suportam milhares de ampares so disponveis no mercado. Em aplicaes de sistemas de potncia, especificamente em link transmisso CC, SCRs comandados por luz ( light-triggered SCR - US Patent 5148253) conectados em srie so empregados em retificadores e inversores comutados pela rede que operam com correntes de alguns kA e tenses de at 1 MV. Um SCR de potncia ocupa um wafer de semicondutor de alguns centmetros de dimetros e so montados em diferentes encapsulamentos, dentre eles destaca-se os do tipo discos, como ilustrado na figura abaixo.

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Figura: SCR de grande potncia encaspulamento (press pack type). O smbolo do SCR e um circuito equivalente contendo transistores NPN e PNP do tipo BJT so ilustrados na figura abaixo.

Figura 1 - Simbologia e circuito equivalente para o SCR.

A seo transversal de um tiristor mostrada na figura 2 abaixo.

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Figura 2 Seo transversal para uma clula do SCR.

O transistor Q1 composto pelas regies n, p, n-, e o transistor Q2 pelas regies p, n-, p. O SCR capaz de bloquear tenses positivas e negativas. Dependendo da polarizao da tenso aplicada a uma das junes p n- polarizada reversamente. Em qualquer caso a regio de depleo se estende na regio n- fracamente dopada. Como em outros dispositivos a tenso de bloqueio obtida pela prpria espessura da regio n- e da concentrao de portadores nessa regio. O SCR pode entrar em conduo quando a tenso aplica vAK for positiva. Uma corrente de gate positiva iG faz com que o transistor Q1 entre em conduo, isso supre corrente para o transistor Q2 que entre em conduo. A conexo da base e do coletor dos transistores Q1 e Q2 constituem um lao de realimentao positiva. Desde que o produto dos ganhos dos dois transistores seja maior que 1, ento, a corrente dos transistores ir aumentar regenerativamente. Em conduo, a corrente do anodo limitada pelo circuito externo e ambos os transistores operam saturados. Portadores minoritrios so injetados nas quatro regies, e como resultado do efeito da modulao por condutividade leva a quedas diretas muito baixas. Em conduo o SCR pode ser modelado como uma fonte de tenso srie com uma resistncia RON. Independentemente da corrente de gate, o SCR se mantm em conduo. Ele no pode se bloquear a menos que uma corrente negativa de anodo seja aplicada. No caso de conversores comutados pela rede, o bloqueio do SCR feito pela tenso de entrada. Em conversores com comutao forada um circuito de comutao externo fora a inverso de corrente no SCR. A caracterstica esttica do SCR mostrada abaixo.

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Figura 3 Curva da caracterstica esttica do SCR.

Durante a entrada em bloqueio ( turn-off ), a taxa na qual a tenso anodo para catodo reaplicada deve ser limitada para evitar que o SCR volte a entrar em conduo. O tempo tq o tempo para que os portadores minoritrios armazenados nas regies p e n- sejam ativamente removidos atravs de uma corrente de anodo negativa. Durante o bloqueio, a corrente negativa remove ativamente os portadores minoritrios, com uma comutao semelhante a de um diodo. Assim, aps do primeiro cruzamento por zero da corrente de anodo necessrio esperar um tempo tq antes de reaplicar uma tenso positiva entre anodo e catodo. A figura abaixo ilustra a variao da carga armazenada com a derivada da corrente.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 86 Os SCRs usualmente apresentam uma rea relativamente grande, sem uma interdigitao do gate e do catodo. Elementos parasitas surgem da grande rea do SCR levam a algumas limitaes. Durante a entrada em conduo a taxa de crescimento da corrente de anodo deve ser limitada em um valor seguro, caso contrrio focos de corrente podem ocorrer que levam a formao de pontos quentes hot spots, os quais podem levar a queima do dispositivo. A forma rudimentar na qual a estrutura do gate e o catodo so arranjados no SCR impede que seja possvel levar o SCR ao bloqueio atravs do gate.

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O GTO, Gate Turn Off Thyristors, um dispositivo moderno que pode ser desligado pelo gate. O contato de gate e do catodo so interdigitados, de forma que toda a juno gatecatodo pode ser reversamente polarizada durante a transio de bloqueio. O ganho de desligamento do GTO a razo entre a corrente negativa de gate e a corrente necessria para levar o dispositivo ao bloqueio. Valores tpicos de ganho so de 2 a 5. Isto

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 89 significa que vrias centenas de ampares de corrente de gate negativa so necessrios para bloquear um GTO de 1000 A. Tambm importante a mxima corrente controlvel de conduo. O GTO capaz de conduzir picos de corrente bastante significativos. Entretanto, s possvel levar ao estado de bloqueio atravs do gate com valores de corrente de anodo inferiores a um valor limite especificado pele fabricante. A figura abaixo mostra formas de onda tpicas de um GTO.

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Outro dispositivo da famlia dos tiristores o MCT, MOS Controlled Thyristors. Este um dispositivo recente, onde MOSFETs so integrados formando um SCR altamente interdigitados, permitindo controlar a entrada em conduo e o bloqueio. Da mesma forma que o MOSFET e o IGBT, o MCT um dispositivo de um nico quadrante no plano vak x ia. No MCT a entrada em conduo e o bloqueio so controlados pela tenso entre gate e anodo. A seo transversal de um MCT contm MOSFET mostrado na figura abaixo.

Figura 4 Seo transversal para uma clula do MCT.

O circuito equivalente do MCT mostrado abaixo.

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Figura 5 Circuito Equivalente de um MCT.

Na entrada em conduo do MCT, a tenso gate para anodo levada para um valor negativo. Isto polariza diretamente o canal p do MOSFET Q3, polarizando diretamente a juno baseemissor de Q1. O transistor Q1 polariza diretamente o Q2 que se mantm em conduo. Para levar o MCT ao bloqueio, a tenso gate para anodo deve ser levada para um valor positivo. Isto polariza diretamente o MOSFET de canal n, Q4, que por sua vez polariza reversamente a juno baseemissor do BJT Q2 levando ao estado bloqueado. importante que a resistncia do MOSFET seja pequena o suficiente de forma a influenciar a corrente de catodo. Isto estabelece a mxima corrente controlvel de conduo, ou seja, a mxima corrente que pode ser bloqueada pelo gate. O MCT de tenso elevada apresenta tenso direta inferior e maior densidade de corrente que o IGBT para mesma tenso e rea de semicondutor. Entretanto, os tempos de comutao so maiores. Como o GTO, o MCT pode conduzir correntes elevadas, mas a mxima corrente que pode ser interrompida pelo gate limitada. Para obter transies ao bloqueio confiveis, circuitos de proteo (snubbers) devem ser utilizados. O MCT ainda um dispositivo semicondutor emergente, sendo que geraes futuras de MCT podero apresentar caractersticas mais satisfatrias.

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1.4 Magnticos

Reviso de Magnetismo
Os elementos magnticos so uma parte integral de todos os conversores estticos. Freqentemente, o projeto de dispositivos magnticos no pode ser feito de uma forma isolada. O Engenheiro de eletrnica de Potncia deve no s projetar o conversor, mas tambm projetar os elementos magnticos. Aqui a teoria bsica do magnetismo revisada, incluindo circuitos magnticos, modelo de indutores e transformadores. Os mecanismos de perdas em dispositivos magnticos so tambm abordados.

Relaes Bsicas
A fora magnetomotriz F um escalar que proporcional a integral do campo magntico entre dois pontos, ou seja,

y2

Hdl
y1

onde dl um vetor infinitodecimal na direo do caminho lm. O produto escalar indica que a componente do campo ao longo do caminho. Se o campo magntico uniforme ao longo do caminho, tem-se,
= H l

Por outro lado o fluxo magntico passando pela superfcie S com rea A obtido por:

superfcie S

BdA

onde dA um vetor com direo normal a superfcie. Para uma densidade de fluxo magntico uniforme.

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= B Ac

Lei de Faraday
A lei de Faraday relaciona a tenso induzida em uma espira com a variao de fluxo passando no interior da espira, isto : v (t ) = d dt

Figura 1 Representao da lei de Faraday

Para uma densidade de fluxo uniforme v ( t ) = Ac dB dt

Assim a tenso induzida em uma espira est relacionada com a variao temporal densidade de fluxo no interior da espira.

Lei de Lenz
A tenso induzida pela variao de fluxo (t) possui uma polaridade que tende a gerar uma corrente que gera um fluxo que se opem a variao do fluxo.

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Figura 2 Ilustrao da Lei de Lenz.

Lei de Ampre
A Lei de Ampre relaciona a corrente em um enrolamento com a fora magnetomotriz e o campo magntico H. A fora magnetomotriz em um caminho fechado igual a corrente passando no interior desse caminho. Seja como exemplo o ncleo magntico com uma espira passando uma corrente i(t) atravs do centro da janela. Vamos considerar o caminho fechado lm.

Hdl = corrente que passa atraves do caminho


Se o campo for uniforme ento,

(t ) = H (t ) l = i (t )
Por outro lado, a relao entre B e H :

B= H
Sendo a permeabilidade dependente do meio. Para o espao livre a permeabilidade = 0 4x10-7 em Henries por metro em MKS. A figura 2 ilustra a curva BH tpica de uma liga de ao quando sujeita a uma excitao senoidal em regime permanente.

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Figura 2 Curva BH no espao livre e para liga de ao.

A caracterstica BH dos materiais magnticos so no-linear e exibem histerese e saturao. Com o objetivo de simplificar a anlise a caracterstica do material pode ser modelada por uma curva linear por partes como mostrado na figura abaixo.

A permeabilidade de uma material magntico pode ser expressa pelo produto da permeabilidade relativa e a permeabilidade o do espao livre (=ro ). Valores tpicos de o so de 103 105 para matrias magnticos.

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 101 Materiais com lao quadrado exibem um tipo de caracterstica de saturao abrupta. Materiais soft exibem uma caracterstica de saturao menos abrupta que gradualmente reduz com o aumento de H. O valor tpico de Bsat de 1 a 2 Tesla para o ao laminado e 0,5 e 1 tesla para materiais p de ferro ( iron powder, molypermalloy ) enquanto materiais o tipo ferrite possuem um Bsat entre 0,25 a 0,5 Tesla. Com objetivo de determinar as caractersticas eltricas de um circuito contendo elementos magnticos vamos considerar um simples indutor.

Da lei de Faraday temos que a tenso induzida no enrolamento devido ao fluxo no interior do ncleo, :

vespira ( t ) =

d como o enrolamento possui n espiras a tenso total nos terminais do dt


d (t ) dt

enrolamento ser: v (t ) = n

Assumido que a densidade de fluxo magntico uniforme atravs ento dB (t ) dt

v ( t ) = nAc

Por outro lado, se considerarmos tambm que o campo magntico uniforme ao do caminho magntico do ncleo, lm, e lembrando que o enrolamento possui n espiras da lei de Ampere temos:

H (t ) l = n i (t )

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 102 Com o objetivo de simplificar a curva BH vamos considerar a curva linear por partes que no considera a histerese mas considera a saturao, mostrada anteriormente. Assim a relao entre a densidade de fluxo magntico e campo magntico pode ser expressa por:

Bsat para H > Bsat B = H para H > Bsat B sat para H < Bsat Na regio de saturao a inclinao da curva BH definida por o que muito menor que e assim ser desprezada. A corrente de saturao pode ser definida por: H sat lm = n isat isat = H sat lm n Bsat lm n

ou
isat =

Vamos considerar agora que a corrente no circuito seja menor que a corrente de saturao, |i(t)| < isat , assim a tenso induzida nos terminais do enrolamento pode ser expressa por:

v ( t ) = nAc

dH (t ) dt

ainda, utilizando a relao entre a corrente e campo magntico obtida da lei de Ampere temos:
v (t ) = n 2 Ac di (t ) lm dt

Definindo a indutncia como


n 2 Ac lm

L=

tem-se a relao usual da tenso e corrente em um indutor:

v (t ) = L

di (t ) dt

que vlida para uma densidade de fluxo menor que Bsat. Quando a corrente for superior a corrente de saturao a permeabilidade reduz significativamente e a tenso induzida praticamente nula.

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Circuitos Magnticos
Para a soluo de circuito com elementos magnticos mais complexos til obter um circuito magntico a parmetros concentrados. Vamos considerar um elemento magntico mostrado abaixo:

= H l = = B

l l= Ac Ac

Note que a ultima equao possui uma forma semelhante a lei de ohm. Essa equao estabelece que o fluxo magntico atravs de um elemento proporcional a fora magnetomotriz. A constante de proporcionalidade a relutncia. Assim podemos desenhar o seguinte elemento de circuito magntico:

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Estruturas magnticas complexas contendo entreferro podem ser representas por circuito magnticos equivalentes. Esse circuitos magnticos podem ser solucionados de forma semelhante a circuitos eltricos. A lei de Kirchoff das correntes pode ser aplicada uma vez que das leis de Maxwell tem-se que o divergente da densidade de fluxo magntico zero. Ou seja, no existe fonte ou sorvedouro de campo magntico, assim os somatrios dos fluxo entrando e saindo de um n em um circuito magntico nulo.

Por outro lado, anlogo a lei de Kirchoff das tenses a lei de Ampere.

Hdl = corrente que passa atraves do caminho


O lado esquerdo da equao representa as quedas de FMM sobre as relutncias e o lado direito as fontes de FMM. Sendo o somatrios as duas nulos sobre um caminho fechado. Vamos considerar um indutor com um entreferro mostrado abaixo:

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ni = (c + g ) a tenso induzida nos ternimais do indutor serv v(t ) = n ou v(t ) = n2 di (t ) (c + g ) dt d (t ) dt

definindo a indutncia como L= n2 (c + g ) di (t ) dt

resulta v(t ) = L

O entreferro utilizado em indutores por duas razes: Sem o entreferro a indutncia proporcional a permeabilidade do material magntico do ncleo que depende as temperatura e do ponto de operao e difcil de ser controlada. Como a relutncia do entreferro geralmente maior que a do ncleo e o entreferro possvel obter valores de indutncia que so pouco dependentes da permeabilidade do ncleo. Segundo a introduo do entreferro a corrente de saturao bem superior.

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A corrente de saturao com o entreferro ser: I sat = Bsat Ac (c + q ) n

assim a corrente de saturao maior com o entreferro, mas o valor da indutncia menor. Vamos considerar agora o caso de um transformador com dois enrolamentos como o mostrado na figura abaixo onde tambm mostrado o circuito magntico equivalente

Considerando que o ncleo possui uma seo transversal Ac, um comprimento mdio lm e uma permeabilidade ento a relutncia do ser: c = Assim da lei de Ampere temos: c = n1i1 + n2i2 c = n1i1 + n2i2 E em um transformador ideal a relutncia zero ento 0 = n1i1 + n2i2 lm Ac

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Sendo a tenso induzida nos enrolamentos so obtidas pela lei de Faraday, ou seja
d dt d v2 = n2 dt v1 = n1

com o fluxo o mesmo temos:


v1 v2 = n1 n2

Para um transformador rela a relutncia do ncleo diferente de zero ento a tenso induzida pode ser relacionada com corrente da seguinte forma:
n
2 1

d (i1 +

v1 =

n2 i2 ) n1 dt

definindo

ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 108 n12 n2 i2 n1 diM dt

LM =

e
iM = i1 +

temos
v1 = LM

No circuito acima a indutncia de magnetizao est referida para o primrio, ou seja o lado do enrolamento n1. A indutncia de magnetizao modela a magnetizao do ncleo, e essa exibe tanto o histerese quanto saturao. Note que a presena da indutncia de magnetizao faz com que a relao entre a corrente primria e secundria seja diferente da relao de espiras. O transformador satura quando a densidade de fluxo magntico maior do que o de saturao, e na regio de saturao a corrente de magnetizao aumenta significativamente. importante salientar que a saturao de um transformador uma funo do produto tenso tempo, ou seja
iM =

1 v1dt LM

ou in ternos de fluxo, apartir da lei de Faraday


B (t ) =

1 v1 (t )dt n1 Ac

Assim aumentado o numero de espiras ou a seo transversal do ncleo pode-se reduzir a densidade de fluxo e evitar a saturao do transformador.

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Na prtica nem todo do fluxo que cruza o enrolamento n1 cruza o enrolamento n2, parte do fluxo disperso no ar ou em parte do ncleo. Esse fluxo disperso pose ser representado por uma indutncia em srie com os enrolamentos com mostrado na figura abaixo, onde o circuito equivalente tambm mostrado.

Note que a indutncia de disperso faz com que a relao entre a tenso v1 e v2 seja diferente do nmero de espiras. As equao do transformador freqentemente escrita da seguinte forma:
di1 L12 dt L22 di2 dt

v1 L11 v = L 2 12

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Onde L12 chamada de indutncia mtua e dada por:


L12 = n1n2 n2 = LM n1

e as quantidades L11 e L22 so conhecidas com auto-indutncias


L11 = Ll1 + LM n L22 = Ll1 + 2 LM n1 di1 L12 dt L22 di2 dt
2

Note que

v1 L11 v = L 2 12

no traz a relao de espira de uma forma explicita mas

expressa em funo de grandezas eltricas. Essa equao pode ser usada para obter a relao de espiras efetiva, ou seja
ne = L22 L11

e o coeficiente de acoplamento
k= L12 L11 L22

O coeficiente de acoplamento 0<k<1 e uma medida do grau de acoplamento entre o enrolamento primrio e secundrio. Em um transformador ideal k=1. Ainda, a construo de transformadores de baixa tenso com coeficiente de acoplamento prximo de um k=0.99 usual. Com k prximo de um a relao de espira efetiva igual a n1/n2.

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Mecanismos de Perdas em Dispositivos Magnticos

1.1 Perdas no Ferro

Energia necessria para efetuar uma mudana na magnetizao de um ncleo magntico. Nem toda a energia removida na forma eltrica, uma frao perdida na forma de calor. Essas perdas magnticas so observadas histerese na curva B-H. Considere um indutor excitado com uma tenso v(t), i(t) tendo uma freqncia f. A energia lquida que no indutor sobre um ciclo :

W =

one ciclo

v ( t ) i ( t ) dt .

(2)

Ns podemos relacionar a caracterstica B-H. Substituindo B(t) por v(t) usando a lei de Faraday, e substituindo campo magntico H usando a lei de Ampre tem-se:

W =

dB ( t ) H ( t ) l m nAc dt . dt n one ciclo

(3) (4)

W = Ac l m

one ciclo

H dB .

O termo Aclm o volume do ncleo, enquanto a integral a rea no interior do lao B-H.

energia perdida = V olum e do nucleo (area do lao B -H ) .

(5)

As perdas por histerese PH igual a energia perdida por ciclo multiplicada pela freqncia f.

PH = f Ac l m

one ciclo

H dB .

(6)

Onde observa-se pela equao anterior que as perdas por histerese so diretamente proporcionais a freqncia. Ncleos magnticos so ligas ferro que infelizmente tambm so bons condutores eltricos. Como resultado campos magnticos podem causar o fluxo de corrente alternada dentro do ncleo. Como no exemplo ilustrado na Figura 1.

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Figura 1 Eddy currents no material de ferro

O fluxo CA passa pelo ncleo, e de acordo com a lei de Lenz induz corrente (Eddy current) que gera um fluxo que se ope a essa variao. Essas correntes causam perdas i2R. Essas correntes so especialmente significativas em altas freqncias. De acordo com alei da Faraday o flux (t) induz uma tenso, que produz uma corrente conforme a figura anterior. Como a tenso proporcional a derivada do fluxo, a magnitude aumenta de forma diretamente proporcional com a freqncia de excitao. Se a impedncia do ncleo puramente resistiva e independente da freqncia, ento a magnitude da tenso induzida que resultam nas Eddy currents tambm aumenta diretamente proporcional com a freqncia. Isto implica que as perdas i2R associadas as Eddy currents deveria aumentar com o quadrado da freqncia. Em ferrites, a impedncia na realidade diminui com a freqncia f. Existe um compromisso entre densidade de saturao e as perdas no ncleo. O uso de altas densidades de fluxo reduz o tamanho, peso e custo. O ao silcio apresenta uma densidade de fluxo de saturao entre 1.5 e 1.2 T. Infelizmente esses materiais apresentam altas perdas no ncleo. Em particular a baixa resistividade desse material eleva as Eddy currents. O ncleo produzido em finas lminas para reduzir a magnitude das Eddy currents. Outras ligas de ferro podem conter molibdnio, cobalto ou outros elementos que apresentam menores perdas no ferro ao preo de reduzir as densidade do fluxo de saturao. Ligas de ferro so tambm utilizadas em ncleos porosos, contento partculas de materiais magnticos com dimetro suficientemente pequeno, tal que geram Eddy currents pequenas. Essas partculas so unidas usando um material isolante. Ferro poroso (Iron Powder) molybdenum permalloy powder apresentam densidade de saturao entre 0,6 a 0,8 T, com perdas significativamente menores que a dos materiais porosos laminados.

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O isolante funciona com um entreferro distribudo, ento esses ncleos possuem uma permeabilidade relativamente baixa. Ncleos porosos encontram aplicao em transformadores de freqncia de alguns kHz, e em indutores para conversores chaveados de at 100 kHz. Ligas Amorfos exibem uma baixa perda por histerese. A condutividade do ncleo menor que das ligas de material ferroso, mas maior que a dos ferrites. O fluxo de saturao varia de 0,6 a 1,5 T. Os ferrites so materiais cermicos que apresentam baixa densidade de fluxo de saturao 0,25 a 0,5 T. A resistividade muito maior que a de outros materiais, ento as Eddy
currents so bem menores. A curva das perdas no ferrite mostrada na figura 2.

Figura 2 - Curva das perdas no ferrite.

Perdas no Cobre

Uma perda significativa ocorre na resistncia dos enrolamentos de indutores e transformadores. As perdas no cobre um fator determinante no tamanho do ncleo magntico no qual os enrolamentos sero montados. Se as perdas no cobre dos enrolamentos fossem

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desprezveis ento o indutor ou transformador poderia ser menor pelo uso de um fio com uma seo menor. As perdas no cobre podem ser determinadas por:
2 Pc = I rms R .

(7)

A resistncia CC do enrolamento

R =

lb . A

(8)

onde A a rea da seo transversal do fio, lb o comprimento e a resistividade, esta ltima igual a 1,724x10-6 -cm para fios de cobre na temperatura ambiente.

Perdas no Cobre para Alta Freqncia

Eddy currents que produzem perdas no ncleo tambm produzem perdas no cobre devido a correntes induzidas nos enrolamentos. Estas correntes podem resultar em um aumento A significativo das perdas nos enrolamentos levando a valores bem superiores ao previsto com a resistncia CC. Os mecanismos de perdas por Eddy currents em indutores so chamados de Skin
effect ou Proximity effects. Esses fenmenos so mais proeminente em transformadores e

indutores com enrolamentos de mltiplos condutores e camadas encontrados em conversores estticos que operam em alta freqncia.

Efeito Pelicular e de Proximidade

A figura abaixo ilustra a corrente alternada i(t) fluindo atravs de um condutor arbitrrio.

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Figura 4 Fluxo da corrente atravs do condutor

Essa corrente induz um fluxo magntico (t), cujas linhas de fluxo passam por um caminho circular como mostrado na figura anterior. De acordo com a lei de Lenz o fluxo CA induz uma corrente Eddy current, a qual flui de maneira a se opor ao fluxo CA. possvel observar na figura que a Eddy current reduz a densidade da corrente no centro e aumenta prximo da superfcie.A distribuio de corrente no condutor pode ser encontrada pela soluo da equao de Maxwell. Para uma corrente senoidal de freqncia f, o resultado que a densidade de corrente decai exponencialmente para dentro do condutor, como ilustrado na figura acima. A profundidade de penetrao da corrente, , usado para caracterizar este efeito

. f

(9)

onde a permeabilidade e a resistividade. Para o cobre a 100oC :

=
sendo a freqncia f expressa em Hz.

7, 5 f

cm .

(10)

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Figura 5 Profundidade de penetrao de corrente em funo da freqncia

O efeito Skin faz com que as perdas de condutor de grandes dimetros aumentem com a freqncia. As altas freqncias no penetram no interior do condutor e se concentram na prximo da superfcie a seo transversal efetiva reduzida. O efeito Skin faz com que as perdas no condutor no condutor de espessura h, seja igual a de um conduto de espessura com uma densidade de corrente uniforme. Assim a resistncia CA equivalente pode ser obtida por:

R AC =
E as perdas no cobre so dadas por:

h R dc .

(11)

P = i 2 R AC .

(12)

Em transformadores de mltiplas camadas outro fenmeno leva tambm ao aumento da resistividade equivalente dos condutores, e este ser abordado a seguir.

Efeito de Proximidade

Um condutor que pelo qual circula um corrente alternada i(t) induz perdas nos condutores adjacentes por um fenmeno chamado de Efeito de Proximidade. A figura abaixo ilustra este fenmeno

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Figura 6 Efeito de proximidade entre condutores adjacentes.

Vamos considerar um espira, condutor 1, por onde circula uma corrente senoidal de alta freqncia que resulta em uma profundidade de penetrao, , de corrente muito menor que a espessura h do condutor. Ainda, vamos considerar que espira, condutor 2, encontre-se aberta, de forma que a corrente lquida sobre ela nula. Note que mesmo que a corrente total no condutor 2 zero possvel a corrente i(t) induza Eddy Currents no condutor 2. acima a corrente i(t) circulando no condutor 1 Na figura gera um fluxo (t) no espao entre os

condutores . Pela lei de Lenz uma corrente induzida no condutor adjacente que tende a se opor no fluxo CA. A figura abaixo ilustra o efeito de proximidade em um transformador. O enrolamento primrio consiste da conexo em srie de laminas de cobre possudo uma espessura
h muito maior que a profundidade de penetrao, , por onde circula uma corrente i(t). O

enrolamento secundrio idntico ao primrio, e se considerarmos que a corrente de magnetizao pequena a corrente no enrolamento secundrio ser -i(t). A corrente de alta freqncia i(t) circula no lado direito as superfcie da primeira camada adjacente a segunda camada. Isso induz perdas no cobre no na primeira camada que pode ser calculada por

R AC =

h R dc , P1 = i 2 R AC

Por outro lado o efeito de proximidade induz uma corrente na superfcie da segunda camada do enrolamento primrio, que gerar um fluxo que se ope ao gerado pela corrente da primeira camada. Se os condutores so prximos, e se h>> , a corrente induzida ser igual e oposta a corrente i(t), como ilustrado na figura. Acima. Ento uma corrente -i(t) circula no lado esquerdo da superfcie da segunda camada. Uma vez que as camadas 1 e 2 esto conectadas em

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srie elas devem conduzir a mesma corrente total i(t). Como resultado uma corrente 2i(t) deve circular no lado direito da superfcie. A corrente fluindo na superfcie esquerda da segunda camada possui a possui a mesma magnitude da corrente da primeira camada, ento resulta nas mesmas perdas no cobre ou seja P1. A corrente as superfcie direita da segunda camada possui uma magnitude 2 I. ento as perdas no cobre no lodo direito da segunda camada sero 4P1. Assim as perdas totais na segunda camada ser 5P1. De formas semelhante pose-se concluir que as perdas totais na terceira camada so 13 vezes superiores do que as da primeira camada.

Figura: Ilustrao do efeito de proximidade em um transformador de dois enrolamentos. Para um enrolamento mltiplas camadas a perdas no cobre na camada m ser::

h Pm = I 2 ( m 1) 2 + m 2 R dc
Assim, as perdas totais no cobre em um enrolamento de M camadas sero:

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M h M R dc ( m 1) 2 + m 2 = I 2 R dc (2 M 3 m =1

Pm = I 2

+ 1)

Se uma corrente contnua com o mesmo valor rms I circulasse pelo enrolamento de M camadas, as perdas no cobre seriam

Pm = I 2 M R dc
Assim, o efeito de proximidade aumentam as perdas no cobre por uma fator

FR =

P 1 h (2 M = Pdc 3

+ 1)

Note que esta expresso vlida sobre a hiptese que h>> .

Exemplos
Exemplo 1- um conversor Buck operando em CCM onde a corrente no indutor

mostrada na figura abaixo.

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O campo magntico no ncleo pode ser obtido como segue:


H c lc = ni Hc = c c + g

ni c lc c + g

H c = H co + H c

onde
H co = nI c lc c + g nI c lc c + g

H co =

Assim a trajetria no plano B-H ser com ilustrada na figura abaixo:

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Neste caso as perdas no ncleo geralmente so pequenas e densidade de fluxo mxima limitada pela saturao. O efeito de proximidade tambm desprezvel. Apesar de material com ferrite poderem ser usados outros materiais que apresentam maiores perdas mas com maiores densidade de fluxo de saturao pode resultar em indutores menores.

Exemplo 2 Transformador de fontes chaveadas: Vamos considerar um


transformador de uma fonte chaveada com uma tenso com mostrada na figura abaixo:

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A corrente de magnetizao pode ser obtida pela integrao da tenso v1(t). Ento, usando a lei de ampere pode-se obter o campos magntico no ncleo ou seja:

H=

niM lm

Assim a trajetria no plano B-H em regime permanente assuma a forma mostrada abaixo:

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Segue abaixo algumas referncias recomendadas pra leitura. [1] [2] [3] [4] P. L. Dowell, Effects of eddy currents in transformer windings, Proc.Inst. Elect. Eng., vol. 113, no. 8, pp. 13871394, Aug. 1966. P. S. Venkatraman, Winding eddy current losses in switch mode power transformers due to rectangular wave currents, in Proceedings of Powercon11. Dallas, TX: Power Concepts, Inc., 1984, pp. 111. B. Carsten, High frequency conductor losses in switchmode magnetics, Proc. HPFC, pp. 155176, May 1986. William Gerard Hurley, Optimizing the AC Resistance of Multilayer Transformer Windings with Arbitrary Current Waveforms , IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 15, No. 2, March 2000.