Universit Technique de Sofia

Sujet: Test dun panneau photovoltaque CNPV-175M Professeur responsable: Prof. premire classe Iv. Stoyanov Etudiants: Mario Ivanov, 211306003 Nikola Boshnakov, 211306029 Victor Cholakov, 211306011

FFGE 2009/2010

Test dun panneau photovoltaque CNPV-175M SOMMAIRE I. Introduction historique

1. La cellule photovoltaque 2. L'effet photovoltaque 3. Principe de fonctionnement 4. Technique de fabrication 4.1Cellule en cilicium amorphe 4.2 Cellule en cilicium monocristallin 4.3 Cellule en cilicium multicristallin 4.4 Cellule tandem 5.Caractristique ideale. Schema equivalente. Rendements 6. Module photovoltaque 6.1 Branchement en srie 6.2 Branchement en drivation 6.3 Montage mixte srie drivation

3 4 5 7 8 9 10 11 12 15 16 17 18

II. Mthodologie de teste de produit

1. Caractristiques et paramtres du produit lectronique 2. Choix des paramtres tre mesur 3. Les caractristiques mesurer 4. Les intervalles prvus des valeurs de paramtres 5. Choix de la mthode de mesure 6. Conception du dispositif de lexprience 7. Planification des procdures de la mesure 8. Ralisation du dispositif exprimentale e de la mesure 9. Documentation des rsultats obtenus 10. Analyse des rsultats 19 22 22 24 25 26 28 29 30 33

III Bibliographie

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Test dun panneau photovoltaque CNPV-175M I. Introduction historique 1. La cellule photovoltaque

Cellule photovoltaque est un composant lectronique qui, expos la lumire (photons), gnre de llectricit. Cest leffet photovoltaque qui est lorigine du phnomne. Le courant obtenu est fonction de la lumire incidente. Llectricit produite est fonction de lclairement, la cellule photovoltaque produit un courant continu. Les cellules photovoltaques les plus rpandues sont constitues de semiconducteurs, principalement base de silicium (Si) et plus rarement dautre semiconducteurs : slnure de cuivre et d'indium (CuIn(Se)2 ou CuInGa(Se)2), tellurure de cadmium (CdTe), etc. Elles se prsentent gnralement sous la forme de fines plaques dune dizaine de centimtres de ct, prises en sandwich entre deux contacts mtalliques, pour une paisseur de lordre du millimtre. Les cellules sont souvent runies dans des modules solaires photovoltaques ou panneaux solaires, en fonction de la puissance recherche.

Cellules photovoltaques

Cellule photovoltaque 4 pouces

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Test dun panneau photovoltaque CNPV-175M 2. L'effet photovoltaque

Le principe de l'effet photolectrique (transformation directe d'nergie porte par la lumire en lectricit) a t appliqu ds 1839 par Antoine Becquerel qui a not qu'une chane d'lments conducteurs d'lectricit donnait naissance un courant lectrique spontan quand elle tait claire. Plus tard, le slnium puis le silicium (qui a finalement pour des raisons de cot supplant le cadmiumtellure ou le cadmium-indium-slnium galement tests) se sont montrs aptes la production de premires cellules photovoltaques ds 1914, puis 40 ans plus tard (en 1954) pour une production lectrique . La recherche porte aussi maintenant sur des polymres et matriaux organiques susceptibles (ventuellement souples) qui pourraient remplacer le silicium. L'effet photolectrique est l'mission d'lectrons par un matriau, gnralement mtallique lorsque celui-ci est expos la lumire ou un rayonnement lectromagntique de frquence suffisamment leve, qui dpend du matriau. Dans l'effet photolectrique, on claire une plaque de mtal et celle-ci met des lectrons. Constatations exprimentales de l'mission photolectrique: 1. Les lectrons ne sont mis que si la frquence de la lumire est suffisamment leve et dpasse une frquence limite appele frquence seuil 2. Cette frquence seuil dpend du matriau et est directement lie l'nergie de liaison des lectrons qui peuvent tre mis, 3. Le nombre d'lectrons mis lors de l'exposition la lumire, qui dtermine l'intensit du courant lectrique, est proportionnel l'intensit de la source lumineuse, 4. L'nergie cintique des lectrons mis dpend linairement de la frquence de la lumire incidente.

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5. Le phnomne d'mission photolectrique se produit dans un dlai extrmement petit infrieur 10-9 s aprs l'clairage, ce qui rend le phnomne quasi instantan.

L'effet photolectrique, l'onde lectromagntique incidente jecte les lectron du matriau.

3. Principe de fonctionnement
Dans un semi-conducteur expos la lumire, un photon d'nergie suffisante arrache un lectron, crant au passage un "trou". Normalement, l'lectron trouve rapidement un trou pour se replacer, et l'nergie apporte par le photon est ainsi dissipe. Le principe d'une cellule photovoltaque est de forcer les lectrons et les trous se diriger chacun vers une face oppose du matriau au lieu de se recombiner simplement en son sein : ainsi, il apparatra une diffrence de potentiel et donc une tension entre les deux faces, comme une pile.

Pour cela, on s'arrange pour crer un champ lectrique permanent au moyen d'une jonction PN, entre deux couches dopes respectivement P et N :

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Chemas dune cellule photovoltaque

Structure d'une cellule photovoltaque La couche suprieure de la cellule est compose de silicium dop N. Dans cette couche, il existe une quantit d'lectrons libres suprieure une couche de silicium pur, d'o l'appellation de dopage N, comme ngatif (charge de l'lectron). Le matriau reste lectriquement neutre : c'est le rseau cristallin qui supporte globalement une charge positive. La couche infrieure de la cellule est compose de silicium dop P. Cette couche possdera donc en moyenne une quantit d'lectrons libres infrieure une couche de silicium pur, les lectrons sont lis au rseau cristallin qui, en consquence, est charg positivement. La conduction lectrique est assure par des trous, positifs (P). Au moment de la cration de la jonction P-N, les lectrons libres de la rgion N rentrent dans la couche P et vont se recombiner avec les trous de la rgion P. Il existera ainsi, pendant toute la vie de la jonction, une charge positive de la rgion N au bord de la jonction (parce que les lectrons en sont partis) et une charge ngative dans la rgion P au bord de la jonction (parce que les trous en ont disparu) ; l'ensemble forme la Zone de Charge d'Espace (ZCE) et il existe un champ lectrique entre les deux, de N vers P. Ce champ lectrique fait de la ZCE une diode, qui ne permet le passage du courant que dans un sens : les lectrons peuvent passer de la rgion P vers la rgion N, mais pas en sens inverse ; inversement les trous ne passent que de N vers P.

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En fonctionnement, quand un photon arrache un lectron la matrice, crant un lectron libre et un trou, sous l'effet de ce champ lectrique ils partent chacun l'oppos : les lectrons s'accumulent dans la rgion N (qui devient le ple ngatif ), tandis que les trous s'accumulent dans la couche dope P (qui devient le ple positif ). Ce phnomne est plus efficace dans la ZCE, o il n'y a pratiquement plus de porteurs de charges (lectrons ou trous) puisqu'ils se sont annihils, ou la proximit immdiate de la ZCE : lorsqu'un photon y cre une paire lectron-trou, ils se sparent et ont peu de chance de rencontrer leur oppos, alors que si la cration a lieu plus loin de la jonction, l'lectron (resp. le trou) nouveau conserve une grande chance de se recombiner avant d'atteindre la zone N (resp. la zone P). Mais la ZCE est forcment trs mince, aussi n'est-il pas utile de donner une grande paisseur la cellule. En somme, une cellule photovoltaque est l'quivalent d'un gnrateur de courant auquel on a adjoint une diode. Il faut ajouter des contacts lectriques (qui laissent passer la lumire en face claire : en pratique, on utilise un contact par une grille), une couche antireflet pour assurer une bonne absorption des photons, etc. Pour que la cellule fonctionne, et produise le maximum de courant, on ajuste le gap du semi-conducteur au niveau d'nergie des photons. On peut ventuellement empiler les jonctions, de faon exploiter au mieux le spectre d'nergie des photons, ce qui donne les cellules multi-jonctions.

4. Technique de fabrication
Le silicium est actuellement le matriau le plus utilis pour fabriquer les cellules photovoltaques. On l'obtient par rduction partir de silice, compos le plus abondant dans la crote terrestre et notamment dans le sable ou le quartz. La premire tape est la production de silicium dit mtallurgique, pur 98% seulement, obtenu partir de morceaux de quartz provenant de galets ou d'un gisement filonien (la technique de production industrielle ne permet pas de partir du sable). Le silicium de qualit photovoltaque doit tre purifi jusqu' plus de 99,999%, ce qui s'obtient en transformant le silicium en un compos chimique qui sera distill puis retransform en silicium.

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Le silicium est produit sous forme de barres nommes lingots de section ronde ou carre. Ces lingots sont ensuite scis en fines plaques mises au carr (si ncessaire) de 200 micromtres d'paisseur qui sont appeles wafers . Aprs un traitement pour enrichir en lments dopants (P, As, Sb ou B) et ainsi obtenir du silicium semi-conducteur de type P ou N, les wafers sont mtalliss : des rubans de mtal sont incrusts en surface et relis des contacts lectriques. Une fois mtalliss les wafers sont devenus des cellules photovoltaques. La production des cellules photovoltaques ncessite de l'nergie, et on estime qu'un module photovoltaque doit fonctionner environ deux trois ans[5] suivant sa technique de fabrication pour produire l'nergie qui a t ncessaire sa fabrication (retour nergtique du module). Les techniques de fabrication et les caractristiques des principaux types de cellules sont dcrits dans les trois paragraphes suivants. Il existe d'autres types de cellules actuellement l'tude, mais leur utilisation est pratiquement ngligeable. Les matriaux et procds de fabrication font l'objet de programmes de recherches ambitieux pour rduire les cots de possession et de recyclage des cellules photovoltaques. Les techniques couches minces sur substrats banaliss semblent recueillir les suffrages de l'industrie naissante. En 2006 et 2007, la croissance de la production mondiale de panneaux solaires a t freine par manque de silicium, et les prix des cellules n'ont pas baiss autant qu'espr . L'industrie cherche faire baisser la quantit de silicium utilis. Les cellules monocristallines sont passes de 300 microns d'paisseur 200 et on pense maintenant atteindre rapidement les 180 puis 150 microns, diminuant la quantit de silicium et d'nergie ncessaire, mais aussi les prix. 4.1 Cellule en silicium amorphe

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Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projet sur une feuille de verre. La cellule est gris trs fonc. C'est la cellule des calculatrices et des montres dites "solaires". Avantages :
o o o

fonctionne avec un clairement faible ou diffus (mme par temps couvert, y compris sous clairage artificiel de 20 3000 lux), un peu moins chre que les autres techniques, intgration sur supports souples ou rigides.

Inconvnients :
o o

rendement faible en plein soleil, de 5% 7% ncessit de couvrir des surfaces plus importantes que lors de lutilisation de silicium cristallin (ratio Wc/m plus faible, environ 60 Wc/m2), performances qui diminuent avec le temps dans les premiers temps d'exposition la lumire naturelle (3-6 mois), pour se stabiliser ensuite (-10 20% selon la structure de la jonction).

4.2 Cellule en silicium monocristallin

Lors du refroidissement, le silicium fondu se solidifie en ne formant qu'un seul cristal de grande dimension. On dcoupe ensuite le cristal en fines tranches qui donneront les cellules. Ces cellules sont en gnral d'un bleu uniforme.

avantages : [6] o bon rendement, de 14% 16% ,

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bon ratio Wc/m2 (~150 Wc/m2) ce qui permet un gain de place si ncessaire, o nombre de fabricants lev. inconvnients : o cot lev,
o

4.3 Cellule en silicium multicristallin

Une cellule photovoltaque base de silicium multicristallin Pendant le refroidissement du silicium dans une lingotire, il se forme plusieurs cristaux. La cellule photovoltaque est d'aspect bleut, mais pas uniforme, on distingue des motifs crs par les diffrents cristaux.

Avantages : o cellule carre ( coins arrondis dans le cas du Si monocristallin) permettant un meilleur foisonnement dans un module, 2[7] o bon rendement de conversion, environ 100 Wc/m (Voir plus) , mais cependant un peu moins bon que pour le monocristallin, o lingot moins cher produire que le monocristallin. Inconvnient : o rendement faible sous un faible clairement.

Polycristallin ou multicristallin ? On parlera ici de silicium multicristallin (rf. IEC TS 61836, vocabulaire international photovoltaque). Le terme polycristallin est utilis pour les couches dposes sur un substrat (petits grains).

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4.4 Cellule Tandem

Empilement monolithique de deux cellules simples. En combinant deux cellules (couche mince de silicium amorphe sur silicium cristallin par exemple) absorbant dans des domaines spectraux se chevauchant, on amliore le rendement thorique par rapport des cellules simples distinctes, qu'elles soient amorphes, cristallines ou microcristallines.

Avantage : o sensibilit leve sur une large plage de longueur d'onde. Excellent rendement. Inconvnient : cot lev d la superposition de deux cellules.

( Lien 1)

5. Caractristique ideale. Schema equivalente. Rendements

Modle quivalent Le modle mathmatique associ une cellule se trouve partir de celui d'une jonction PN. On y ajoute le courant I ph , proportionnel l'clairement, ainsi qu'un terme modlisant les phnomnes internes. Le courant I issu de la cellule s'crit alors :

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avec : . I ph : photocourant, ou courant gnr par l'clairement (A) I 0d : courant de saturation de la diode (A) R s : rsistance srie (W) R sh : rsistance shunt (W) k : constante de Boltzmann (k = 1,38.10 -23 ) q : charge de l'lectron (q = 1,602.10 -19 C) T : temprature de la cellule (C) On peut dduire de cette expression un schma quivalent, comme le montre la figure 1 :

Figure 1 : schma quivalent d'une cellule photovoltaque

La diode modlise le comportement de la cellule dans l'obscurit. Le gnrateur de courant modlise le courant I ph gnr par un clairement. Enfin, les deux rsistances modlisent les pertes internes :

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Rsistance srie R s: modlise les pertes ohmiques du matriau. Rsistance shunt R sh: modlise les courants parasites qui traversent la cellule. Idalement, on peut ngliger R s et I devant U, puis travailler avec un modle simplifi :

Comme la rsistance shunt est beaucoup plus leve que la rsistance srie, on peut encore ngliger le courant dvi dans R sh . On obtient :

Le schma quivalent de la figure 2 correspondant est celui de la cellule idale :

Figure 2 : schma quivalent simplifi

Figure 3 : Caractristiques dune jonction PN sous clairement

Rendement des cellules Le rendement dune cellule est le ratio entre lnergie lumineuse reue la surface de la cellule et lnergie lectrique produite par cette mme cellule.
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Le rendement dune cellule photovoltaque serait denviron 85% si chaque photon pouvait transfrer toute son nergie un lectron. Cependant, ce nest pas le cas vu que le transfert dnergie peut se faire uniquement selon la bande dnergie propre chaque semi-conducteur. Ainsi, les photons avec une nergie infrieure cette valeur type ne pourront participer leffet photovoltaque et leur nergie sera convertie en chaleur. De plus, les photons avec plus dnergie ne peuvent transmettre que lnergie propre au semi-conducteur et tout excs est ds lors perdu. Dans les cellules actuelles, ces 2 effets limitent le rendement thorique des cellules 50%.

Type

Rendement cellule (en labo)

Module (en labo) 1re gnration

Module Niveau de (commercial)dveloppement

Silicium monocristallin

24,70%

22,7 0% 16,2 0% 2 re gnration

12-20%

Production industrielle Production industrielle

Silicium polycristallin

20,30%

11-15%

Silicium amorphe Silicium cristallin en couche mince CIS

13,40%

10,4 0% 9,40 %

5-9%

Production industrielle Production industrielle Production industrielle Prt pour la production

7%

19,30%

13,5 0%

9-11 %

CdTe

16,70%

6-9%

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( Lien 2)

6. Module photovoltaque Gnralement, chaque cellule photovoltaque ne peut pas produire q'une tension continue nominale de 0,5V 0,6V en circuit ouvert et une puissance nominale voisine de1.5Wc. Pour satisfaire les besoins des charges couramment utilises, il faut envisager un assemblage de plusieurs cellules photovoltaques soit en srie soit en parallle. Cet assemblage forme ce qu'on appelle module solaire ou module photovoltaque . Le dimensionnement du systme solaire dtermine le nombre de modules mettre soit en parallle afin d'accrotre le courant en conservant la tension, soit en srie afin d'augmenter la tension en conservant le courant, et pour avoir une satisfaction en courant et en tension, un groupement mixte srie- parallle est obligatoire. Gnralement, un module compos de 36 cellules en silicium cristallin est adapt pour la charge d'une batterie de 12 V. 6.1 Branchement en srie : Ce type de branchement permet d'obtenir des tensions plus leves (les tensions des panneaux s'ajoutent) ; l'intensit qui traverse chaque panneau est la mme ; elle est gale l'intensit du panneau le "plus faible". Dans ce type de branchement, la borne positive d'un panneau est reli la borne ngative du panneau suivant (ou du panneau prcdent).

Fig.9 Branchement en srie

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Si la tension entre les bornes d'un panneau est de 12V, on disposera, entre A et B d'une tension de 12 + 12 + 12 + 12 = 48V. Si les quatre panneaux sont identiques et clairs de la mme faon, ils fournissent la mme intensit, par exemple 1 A (un ampre). L'intensit fournie par l'ensemble est galement de 1A. La puissance disponible (tension x intensit) est de : 48V x 1A = 48W. La puissance de l'ensemble est la somme des puissances des quatre capteurs. ( puissance fournie par un capteur : 12V x 1A = 12 W). Supposons maintenant que l'un des panneaux soit dans l'ombre, il fournira une intensit moindre, par exemple 0,2A. Dans ce cas l'intensit fournie par l'ensemble ne sera plus que de 0,2A (le panneau dans l'ombre ne peut pas tre travers par plus de 0,2A). La puissance fournie par l'ensemble sera de : 48V x 0,2A = 9,6 W. De l'ombre qui arrive sur un panneau ou mme seulement sur une partie de ce panneau entrane un effondrement de la puissance fournie. On aura compris que l'on devra tudier l'environnement des panneaux pour qu'aucune ombre ne vienne s'y balader ! Attention donc aux chemines, arbres et mme poteau lectrique. Remarque : dans ce type de branchement, on peut utiliser des panneaux de tensions diffrentes (par exemple trois panneaux de 12V et un de 6V ; on disposera alors d'une tension de 42V), mais il faudra choisir des panneaux qui fournissent des intensits gales. 6.2 Branchement en drivation : Ce type de branchement est aussi appel "montage en parallle". Dans ce cas, les bornes positives des diffrents capteurs sont relies entre elles, formant la borne positive de l'ensemble ; de mme les bornes ngatives seront relies entre elles. Ce montage n'est possible que si les panneaux ont la mme tension (mais ils peuvent fournir des intensits diffrentes).

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La tension entre les bornes de l'ensemble est gale la tension commune des diffrents capteurs. L'intensit fournie par l'ensemble est gale la somme des intensits fournies par chaque panneau. C'est le montage qui convient quand on a besoin d'une intensit importante.

Fig.10 Branchement en drivation

Entre A et B la tension est de 12V. L'intensit qui sort de l'ensemble (avec les mmes hypothses que pour le montage en srie) est : 1A + 1A + 1A + 1A = 4A. La puissance disponible est donc : 12V x 4A = 48W soit la mme puissance que dans le montage en srie. Comme dans le cas prcdent, supposons que l'un des capteurs soit mal clair et ne fournisse plus que 0,2A. L'intensit fournie par l'ensemble sera : 1A + 1A + 1A + 0,2A = 3,2A. La puissance disponible est de : 12V x 3,2A = 38,4W. La perte de puissance est moins pnalisante que dans le montage en srie (perte de 20% ici contre 80% pour le montage en srie).

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6.3 Montage mixte srie - drivation : Dans ce cas, on monte en drivation des ensembles de panneaux monts en srie (on peut aussi monter en srie des ensembles de panneaux monts en drivation). Prenons un exemple simple : on dispose d'un onduleur dont la tension de fonctionnement est de 24V. Il faut donc deux capteurs monts en srie pour obtenir cette tension (2 x 12V = 24V). Si on dispose de quatre capteurs, on placera en drivation deux sries de deux capteurs (voir schma). Si on dispose de six capteurs on montera trois sries de deux capteurs. La tension est de 24V entre A et B . L'intensit fournie par l'ensemble est de 2A (avec les mmes hypothses que prcdemment).

Fig.11 Montage mixte srie

( Lien 5)

Pour information, les installations SOLARTIS comprennent soit deux sries de 16 panneaux, soit deux sries de 20 panneaux suivant la tension de service de l'onduleur install (192V dans le premier cas ; 240V dans le deuxime).

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II. Mthodologie de teste de produit

Nous prsentons tout d'abord les modles lectriques du panneau photovoltaque qui peuvent prvoir le comportement lectrique du module sous conditions de fonctionnement rel. 1. Caractristique lectriques typiques: Nous sommes choissis un modele CNPV-175M dont les parametres sont: Numro de modle Puissance nominale Tolrance de puissance Tension maximale du systme (VDC) Tension pour la puissance nominale (Vmp) Courant pour la puissance nominale (Imp) Tension vide (Voc) Courant de court circuit (Isc) Rendement des cellules solaires encapsules (c) Rendement du module (m) Unit W % V CNPV-175M 175 3 1000

36.6

A V A

4.8 44.2 5.3

% %

16.4 13.7

Cellule solaire et configuration Technologie et taille des cellules

72 cellules dans une matrice 6x12 connectes en srie monocristallin 125*125

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Remarque:Les valeurs lectriques s'appliquent dans des conditions de test standard (STC) : Rayonnement 1000 W/m2, masse d'air AM 1.5 et temprature des cellules 25C.
PaCaractristiques diffrents niveaux dirradiation et de la temprature:

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2. Choix des paramtres tudier

( Lien 3)

Les deux variables dentres sont : Es ensoleillement dans le plan des panneaux (W/m2); Tj temprature de jonction des cellules (C). Les deux variables de sortie sont : I courant fourni par le GPV (A) ; V tension aux bornes du GPV (V). Schma bloc du Gnrateur Photovoltaque

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3. Les caractristiques msurer : La caractristique dune cellule photovoltaque est comme celle dune photodiode, mais en convention gnratrice. Alors la caractristique I(V) du gnrateur photovoltaque sera homothtique celle dune cellule lorsque les diodes de protection ninterviennent pas et que toutes les cellules sont identiques et reoivent le mme clairement.

Fig.14 Caractristiques type dun GPV

Pour trouver le modle du gnrateur photovoltaque, il faut tout dabord retrouver le circuit lectrique quivalent cette source. De nombreux modles mathmatiques, ont t dvelopps pour reprsenter leur comportement trs fortement non linaire qui rsulte de celui des jonctions semiconductrices qui sont la base de leurs ralisations. On rencontre dans la littrature plusieurs modles du gnrateur photovoltaque qui diffrent entre eux par la procdure et le nombre de paramtres intervenants dans le calcul de la tension et du courant finals du gnrateur photovoltaque. On prsentera deux modles du GPV savoir .

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Fig.15: Circuit quivalent d'une cellule photovoltaque

O : Iph (A): le photo -courant. I (A): le courant gnr par la photopile. V (V) : la tension aux bornes de la cellule. Rs(?) : la rsistance srie. Rsh(?) : la rsistance shunt. Is (A) : le courant de saturation. q : la charge de l'lectron =1,6.10-19 C. Le facteur de qualit de la cellule A est valu par estimation, sa valeur est de 2 pour les cellules cristallines et entre 1 et 2 pour les cellules amorphes. Si on ne trouve pas de valeur impose par le constructeur, la valeur de 1.3 est suggre en fonctionnement normal. Cest le modle le plus cit dans la littrature, le module photovoltaque est caractris par son schma lectrique quivalent qui se compose dune source de courant qui modlise la conversion du flux lumineux en nergie lectrique, une rsistance shunt Rsh est une consquence de ltat de le long de la priphrie de la surface de la cellule, une rsistance srie Rs reprsentant les diverses rsistances de contacte et de connexions, une diode en parallle qui modlise jonction PN. Le courant gnr par le module est donn par la loi de Kirchhoff : I = Ip Id Ish
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(1) I : Le courant dlivrer par le module. Ip : Photo courant. Id : Courant de diode. Ish : Le courant shunt. 4. Les intervalles prvus des valeurs de parameters

5. Choix de la mthode de mesure On va simuler les caractristiques P(V) et I(V) pour une large plage de variation de la puissance de lclairement reu par le panneau photovoltaque CNPV-175M (entre 200 800 W/m ) et dans des conditions de test standard (STC) : masse d'air AM 1.5 et temprature des cellules 25C. Une comparaison des caractristiques obtenues par simulation numrique avec celles obtenus pratiquement durant une journe ensoleille choisie. Les conditions de lexprimentale pratique seront durant une journe
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ensoleille choisie.

6. Conception du dispositif de lexprience Multimtre de Digitals DT830B

Fonction Tension CC Tension CA Courant de C.C Rsistance Essai de diode Essai de transistor Alimentation d'nergie Taille d'affichage Affichage maximum Taille de produits Poids net de produit ( Lien 8) Gamme 200mV-500V 200-500V 200uA-10A 200-2M Oui Oui 9V batterie 6F22 1648mm 1999 1267024mm 150g Exactitude (0.5%+2dgt) (1.2%+10dgt) (1%+2dgt) (0.8%+2dgt)

*Tension continue, V CC

chelle
200mV 2000mV 20V 200V 1000V

Prcision
0.5% of rdg 2 digits 0.5% of rdg 2 digits 0.5% of rdg 2 digits 0.5% of rdg 2 digits 0.8% of rdg 2 digits Impdance d'entre 1 M

Dfinition
0.1mV 1mV 10mV 100mV 1V

*Courant continue, A CC

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chelle
200A 2000A 20mA 200mA 10A

Prcision
1.0% of rdg 2 digits 1.0% of rdg 2 digits 1.0% of rdg 2 digits 1.5% of rdg 2 digits 3.0% of rdg 2 digits Impdance d'entre 0,5

Dfinition
0.1A 1A 0.01mA 0.1mA 10mA

Wattmtre conomique numrique ISW8000 Caractristiques techniques : Affichage : Numrique 8000 points Mode de mesure : continu - alternatif monophas, triphas quilibr 4 fils (montage toile) Tensions : TRMS CC+CA 50 - 150 - 500 V Intensit : TRMS CC+CA 0,16 - 1,6 - 16 A Prcision : (0,4 0,6% + 5 units) Bande passante ( - 3 dB) : 100 kHz Puissance : 8 - 24 - 80 - 240 - 800 - 2400 - 8000 W. Prcision : (0,5% 2 % + 10 units) Facteur de puissance : Affichage de 0 1 (2 % + 3 units) Protection : Fusibles : retard 100 mA et 16 A semi-temporis Alimentation : 230 V 10 %, 50-60 Hz Dimensions : 240 x 240 x 75 mm Masse : 1,3 kg Caractristiques gnrales : Douilles de scurit 4 mm. Catgorie III, 600 V. Rfrence
( Lien 11)

Projecteur densoleillement XLed FE 25 705916 blanc Dimensions (h x l x p) 233 x 200 x 200 mm 305 x 200 x 200 mm Tension 230 - 240 V, 50 Hz 230 - 240 V, 50 Hz Puissance 10 LEDs, env. 25W 25 LEDs, env. 60W Puissance d'clairage supplmentaire - Max. 800W /m2 vie des LED Jusqu' 50 000 h Botier orientable verticalement: 200 Botier orientable horizontalement: 270 Rsistances RCA cimentes COUDOINT Caractristiques gnrales trs large gamme de valeurs ohmiques

( Lien 9)

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grande robustesse mcanique forte capacit de surcharge tenue exemplaire aux chocs thermiques Caractristiques par modle Les valeurs de puissance nominale sont donnes : en rgime permanent [pour les rgimes temporaires ou cycliques : nous consulter pour les rsistances ajustables : pour un rglage proche de la valeur ohmique maximum

Rsistance ajustable :

( Lien 10)

Puissance nominale (W) Valeur ohmique min. () Valeur ohmique max. (k) Masse moyenne (g) Changement ohmique minimal ()

20 0,5 8,6 10 0,5

7. Planification des procdures de la mesure Le GPV est mis 0,5m de la source de lumire ( le projecteur choisi ) pour assurer une irradiation de 800w/m2.Pour la irradiation de 400w/m2, le projecteur est mis a 0,85m du panneau photovoltaque.A laide dune rsistance ajustable et un interrupteur de 3 positions possibles, on peut tester le panneau photovoltaque

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le

chma structurel du dispositif exprimental

8. Ralisation du dispositif exprimental e de la mesure

A laide de schma nous devons mesurer le courant de court-circuit, la tension vide et la puissance. Pour le but nous avons un interrupteur qui a trois positions.

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Quand linterrupteur est ferme position 1 , on peut mesurer et enregistrer le courant de court-circuit en regardant le comportement de lampremtre choisi. Quand linterrupteur est position 2 , on peut mesurer la tension a vide (circuit ouvert).Quand linterrupteur est position 3 , on msure la puissance nominale laide dune rsistance ajustable.
Rsisatance () Court-circuit 6 7,6 11,4 43 Circuit ouvert Tension (V) 0 30 36,5 40 43 44,2 Courant (A) 5.3 5 4,8 3,5 1 0 Puissance (W) 0 150 175,2 140 43 0

Les valeurs lectriques s'appliquent dans des conditions de test standard (STC) : Rayonnement 1000 W/m , masse d'air AM 1.5 et temprature des cellules 25C.

Ci-dessus est un tableau de rsultats pour un type de panneaux photovoltaques solaires. Juste en regardant la colonne de pouvoir que nous pouvons voir que la puissance de sortie est totalement dpendant de la valeur de la rsistance utilise. Juste en regardant la colonne effet montre que le pouvoir est entirement dpendant de la valeur de la rsistance utilise. La plus haute valeur de la puissance a t trouv avec la rsistance 7,6 Ohms 175,2 Watts.

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La courbe est au-dessus habituellement tous les panneaux solaires photovoltaques. Le point de fonctionnement du panneau solaire est le point milieu courbe. C'est le moment o le panneau solaire gnre sa puissance maximale. 9. Documentation des rsultats obtenus Nous avons fait deux fois le travail exprimental pour deux diffrentes valeurs de lirradiation. Pour ce but nous avons utilis un projecteur densoleillement dont lirradiation mise peut tre rgle manuellement. Dans les deux cas la masse daire est 1.5 AM et la temprature des cellules est 25 C.Audessous, nous avons prsent les rsultats de lexprience dans un tableau :

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Paramtre Puissance Tension vide (Voc) Courant de court circuit (Isc) Rsistance Puissance Tension vide (Voc) Courant de court circuit (Isc) Rsistance W V A Unit W V A 133 44 4,15 Norme 67,15 43,4 2,1 Condition Resultats mesur conclusion 66,8 44 2,12 23,08 134,7 43,80 4,2 10,43 Dans la limite Dans la limite Dans la limite Dans la limite Dans la limite Dans la limite

min 65,16 42,11 2,04

max 69,16 44,69 2,16

Rayonnement 400 W/m2 Masse d'air AM 1.5 Temprature des cellules 25C Rayonnement 800 W/m2 Masse d'air AM 1.5 Temprature des cellules 25C

R=U/I ; U=39,7 V ; I=1,72 A 129,2 42,68 4,03 136,9 45,32 4,27

R=U/I ; U=38,6 V ; I=3,71 A

Remarque: Des rsultants obtenus, on voit que les valeurs des caractristiques testes sont dans la limite et le produit a pass avec succs lexamen.

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10. Analyse des rsultats

Dans ce travail, nous avons prsent un modle lectrique du panneau photovoltaque CNPV-175M. Nous avons aussi montr un trs bon accord entre lexprience et la simulation dune part, et dautre part la validation du modle qui rgit le fonctionnement lectrique des panneaux solaires. En consquent avec une base des donnes mtorologiques (ensoleillement temprature) on peut prvoir la production de l'lectricit quotidienne, mensuelle et annuelle dans un emplacement choisis afin de bien choisir et dimensionner les diffrents lments dune chane de conversion photovoltaque.

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Bibliographie
I. Mthodologie de test et automatisation des msures,Caractristiques frquentielles de systmes linaires - I. Stoyanov G. Nikolov II. Liens sur LInternet : 1. http://fr.wikipedia.org/wiki/Cellule_photovolta%C3%AFque 2. http://pagesperso-orange.fr/f5zv/RADIO/RM/RM23/RM23e/RM23e03.html 3. http://www.cnpv-power.com/fr/pdf/Catalog_Fr/CNPV-175M-200M.pdf 4.http://works.bepress.com/cgi/viewcontent.cgi?article=1003&context=djamila _rekioua 5. http://www.gossenmetrawatt.com/resources/p1/clip70/db_f.pdf 6.http://translate.google.bg/translate?hl=bg&langpair=en|bg&u=http://www.re uk.co.uk/Measuring- the-Power-of-A-Solar-Panel.htm 7.http://www.google.bg/images?hl=bg&client=firefoxa&hs=Lgj&rls=org.mozilla:enUS:official&resnum=0&q=%D1%81%D0%BB%D1%8A%D0%BD%D1%86%D0%B5 &um=1&ie=UTF8&source=univ&ei=63bxS6KtOoSanwOe07z0Cw&sa=X&oi=image_result_group &ct=title&resnum=1&ved=0CCcQsAQwAA 8. http://www.hobby-hour.com/electronics/dt830b-digital-multimeter.php 9.http://www.bakonline.net/projecteur-sans-fil-96/xled-fe-25-projecteur-led-arecepteur-sans-fil-868mhz-blanc--2620.html 10. http://www.coudoint.fr/files/116_Notice_Resistances_bobinees_Coudoint.pdf 11. http://www.jeulin.com/fr/a-a1036484-edc1000003/article/29120484Wattmetre-numerique-ISW8000.html

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