Transistor de efecto campo

P-channel

N-channel

Símbolos esquemáticos para los JFETs canal-n y canalp. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source).

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayoria de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD). Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal y la puerta: .Contenido [ocultar]     1 Historia 2 Tipo de transistores de efecto campo 3 Características 4 Enlaces externos [editar]Historia Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand (5 años después de los BJT). Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método de aislamiento entre el canal y la puerta. [editar]Tipo de transistores de efecto campo Comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o característica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado. o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Aunque su fabricación no fue posible hasta mediados de los años 80's.

son unipolares. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio policristalino.  Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor. también denominado HFET (heterostructure FET). Se llama transistor de efecto campo.  Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica. [editar]Características      Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ). Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenajefuente de 1 a 200V. la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor. entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos). El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).   Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor) Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas.   El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky. Hasta cierto punto es inmune a la radiación. Es menos ruidoso. Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP). . [editar]Enlaces externos TRANSISTOR FET (Introducción). y por tanto. No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor). La característica de los TFT que los distingue. usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales .  En el HEMT (High Electron Mobility Transistor).

En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso.2) Explicación de la combinación de portadores. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET. La figura muestra el croquis de un FET con canal N . Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor. así como el esquema de identificación de los terminales. aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos. Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones. fluyen hacia el terminal positivo de la misma. de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura. rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n. los electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo). llamada canal. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (ddrain) y fuente (s-source). esta polarizado inversamente. cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado. siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. 3) Explicación de sus elementos o terminales. ya que el diodo formado por la unión canal – puerta. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura. corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar. en donde. donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N.

Modelo de transistor FET canal n Modelo de transistor FET canal p Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN. Su estructura y representación se muestran en la tabla.Símbolos gráficos para un FET de canal N Símbolos gráficos para un FET de canal P Fundamento de transistores de efecto de campo: Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la longitud .

equipo de medida. . Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar: APLICACIÓN Aislador o separador (buffer) Amplificador PRINCIPAL VENTAJA Impedancia de entrada alta y de salida baja Bajo ruido USOS Uso general. ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS 3. Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):   ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS.efectiva del canal. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0). y distintos valores de VGS. La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N. lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario. A diferencia del transistor BJT. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión inversa (tensión de puerta). receptores Sintonizadores de FM. Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on). los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico).

Ecuación de Shockley: ID=IDSS(1VGS/Vp)2 Donde:   Vp es la tensión de puerta que produce el corte en el transistor FET. computadores. digital memorias Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación. de baja pequeña de transductores inductivos frecuencia acoplamiento Generadores de Mínima variación Oscilador frecuencia patrón. órganos variable por voltaje electrónicos. para que la única variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de puerta.de RF equipo para comunicaciones Receptores de FM y Baja distorsión de Mezclador TV. IDSS es la corriente máxima de drenador que circula por el transistor. controlas de voltaje tono Amplificador Capacidad Audífonos para sordera. cuando la polarización de la puerta es VSG= 0 vol PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como de la .equipos para intermodulación comunicaciones Amplificador Facilidad para Receptores. de frecuencia receptores Integración en gran Circuito MOS Pequeño tamaño escala. al aumentar VDS. generadores con CAG controlar ganancia de señales Instrumentos de Amplificador Baja capacidad de medición. equipos de cascodo entrada prueba Amplificadores de cc. Ausencia de Troceador sistemas de control de deriva dirección Amplificadores Resistor Se controla por operacionales.

permitiendo la fabricación de equipos portátiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios"). con una sección dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. como he dicho antes existe algo de pendiente). el JFET es un dispositivo de tres terminales. mucho menor. siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. gracias a nuevas técnicas de fabricación. Como se indicó con anterioridad. con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = ƒ(Vds. Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas. 4) TÉCNICAS DE MANUFACTURA. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo predominante. John Bardeen. su comercialización a gran escala. etc. El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N. pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta forma El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET. que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una corriente de control. Como la unión está polarizada inversamente. y es la inversa de la pendiente de la curva. Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas. Vgs) En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el gráfico. En nuestra explicación sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D). Que como en el gráfico. son horizontales. fabricó el primer transistor de silicio. con párrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p.) en 1947. El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia. entonces la rd es infinita (muy grande). En el año 1954. dicha pendiente es cero (en la realidad. mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). por lo cual recibieron el premio Nobel. Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto. esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados. lo cual bajó los costos y permitió. creado en un material semiconductor sólido cristalino (generalmente germanio. partiendo de una oblea de germanio. y es igual a la separación vertical entre las características que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio. que se parece a la misma región de un diodo bajo condiciones sin .puerta Vgs.A. audio. el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización. suponemos que la corriente de puerta es nula. como se ilustra en la figura siguiente. ó arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones. y Walter Brattain. la firma Texas Instruments de Estados Unidos. en los circuitos de radio. silicio. El resultado es una región de agotamiento en cada unión. gracias a los trabajos de William Shockley. La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. a las dos capas del material tipo p.

Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas. debido a que la terminología se define para el flujo de electrones. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente. Las terminales del drenaje y la fuente están en los extremos opuestos del canal-n. Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET. los electrones serán atraídos hacia la terminal de drenaje. pero la analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las terminales del dispositivo. semejante a la distribución de las condiciones sin polarización de la figura del transistor FET.polarización. Bajo las condiciones que aparecen en la figura siguiente. Recuérdese también que una región de agotamiento es aquella región carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conducción a través de la región. La "compuerta". . Transistor de unión de efecto de campo (JFET). VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material p. por medio de una señal aplicada (potencial). controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). el flujo de carga es relativamente permitido y limitado únicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente. estableciendo la corriente convencional ID con la dirección definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica. Vds cualquier valor positivo En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condición VGS = 0 V. como se ilustra en la figura anterior.

como se indica en la misma figura. La razón para el cambio en la anchura de la región se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. base de todos los aparatos electrónicos modernos. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal.5 V. con la región inferior inversamente polarizada sólo en los 0. El hecho de que la unión p-n esté inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes. encender o . como se ilustra en la misma figura. Conectados de manera apropiada. la explicación de la operación del diodo. convertir energía.5 V. mayor será la anchura de la región de agotamiento. El hecho que iG = O A es una importante característica del JFET. Recuérdese. El resultado es que la región superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de los 1. que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada. La fabricación de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una misma oblea de silicio. de aquí la distribución de la región de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo superior de ambos materiales tipo p.JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V. la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura siguiente. permite amplificar señales muy débiles. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n. 5) Explicación de su encapsulado e identificación de sus terminales. Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión p-n de un JFET de canal n. permitió crear los circuitos integrados o chips.

crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio. son soluciones de ecuaciones diferenciales. alta ganancia de corriente. Pero. los cuales. etc. los tipo unijuntura. los MOS o de óxido metálico (variante de los FET). bajo ruido eléctrico. Esas reglas sólo son válidas en los casos siguientes:  Si estamos en régimen permanente con corriente alterna sinusoidal. Según sea el orden de los materiales que forman las junturas. en cuyo caso. El formalismo de las impedancias consiste en unas pocas reglas que permiten calcular circuitos que contienen elementos resistivos. se verá afectada por la parte compleja (reactancia) de la impedancia. existen los transistores tipo NPN ó PNP. ésta. La fase. y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar grandes potencias y tensiones). Se excluyen los componentes no lineales como los diodos. existen una gran variedad de transistores. Si el circuito contiene inductancias con núcleo ferromagnético (que no son lineales). inductivos o capacitivos de manera similar al cálculo de circuitos resistivos en corriente continua. a condición de respetar la zona de trabajo de las inductancias. En general. la tensión y la propia impedancia se describen con números complejos o funciones del análisis armónico. Su módulo (a veces impropiamente llamado impedancia) establece la relación entre los valores máximos o los valores eficaces de la tensión y de la corriente.  Si todos los componentes son lineales.apagar sistemas de elevada potencia. La parte real de la impedancia es la resistencia y su parte imaginaria es la reactancia. componentes o circuitos en los cuales la amplitud (o el valor eficaz) de la corriente es estrictamente proporcional a la tensión aplicada. etc. En la actualidad. especializados para alta potencia. alta tensión. Es decir. ya que se complementan pues funcionan con sentidos opuestos de circulación de corriente. de efecto de campo o FET (el electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico). aplicaciones de conmutación. El concepto de impedancia generaliza la ley de Ohm en el estudio de circuitos en corriente alterna (AC). que todos los generadores de tensión y de corriente son sinusoidales y de la misma frecuencia. Existe una innumerable cantidad de diseños. las soluciones en estado estacionario (cuando todos los fenómenos transitorios han desaparecido) son sinusoidales y todas las tensiones y corrientes tienen la misma frecuencia que los generadores y amplitud constante. Tiene especial importancia si la corriente varía en el tiempo. los resultados de los cálculos sólo podrán ser aproximados y eso. Cuando todos los generadores no tienen la misma frecuencia o si las señales no son sinusoidales. Es decir. La impedancia es una magnitud que establece la relación (cociente) entre la tensión y la intensidad de corriente. en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para diversos fines.El término fue acuñado por Oliver Heaviside en 1886. sin embargo. se puede descomponer el cálculo en varias etapas en cada una de las cuales se puede utilizar el formalismo de impedancias (ver más abajo). alta frecuencia. condensadores e inductancias y sin ningún componente de comportamiento no lineal. etc. la solución para las corrientes y las tensiones de un circuito formado por resistencias. y que todos los fenómenos transitorios que pueden ocurrir al comienzo de la conexión se han atenuado y desaparecido completamente. cuando todos los generadores de tensión y de corriente tienen la misma frecuencia constante y sus amplitudes son constantes. .

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