You are on page 1of 4

a Modelagem de Segrega¸˜o de Impurezas em Ligas Met´licas ca

Danielle Gon¸alves Teixeira, c Augusto Cesar de Castro Barbosa,
Instituto de Matem´tica e Estat´ a ıstica, UERJ, 22.550-013, Rio de Janeiro, RJ E-mail: nellet@ig.com.br, accb@ime.uerj.br,

Marcus Vinicius Tovar Costa
Instituto de Aplica¸˜o, UERJ ca 20.261-232, Rio de Janeiro, RJ E-mail: mvtc@uerj.br.

Palavras-chave: Segrega¸˜o, Multicamadas, Fun¸˜es de Green ca co

Resumo: A estrutura eletrˆnica de sistemas de multicamadas met´licas ´ investigada quando o a e um de seus ´tomos ´ substitut´ por uma impureza. O modelo de liga¸˜es fortes ´ utilizado, a e ıdo co e os orbitais s-p s˜o desprezados e os orbitais d s˜o tratados como degenerados e equivalentes. O a a potencial da impureza ´ determinado de modo a satisfazer a regra de soma de Friedel, variando e a posi¸˜o da impureza desde a superf´ at´ o volume. A posi¸ao da impureza relativamente ` ca ıcie e c˜ a superf´ ´ fornecida pelo c´lculo da varia¸˜o da energia eletrˆnica total do sistema. ıcie e a ca o

1

Introdu¸˜o ca

Sistemas de multicamadas met´licas exibem propriedades extremamente promissoras sob o a ponto vista de poss´ ıveis aplica¸˜es tecn´logicas. Estas incluem, por exemplo, controle de corco o ros˜o, cat´lise e fabrica¸˜o de dispositivos de leitura e grava¸˜o de informa¸˜es. A presen¸a de a a ca ca co c defeitos, tais como impurezas ou imperfei¸˜es de interface, podem afetar profundamente a estruco tura eletrˆnica destes sistemas, o que por sua vez acarreta em mudan¸as de suas propriedades o c f´ ısicas. ´ E verificado experimentalmente um comportamento oscilat´rio na composi¸˜o de ligas met´o ca a licas pr´ximo ` superf´ [4, 5]. Procuraremos explicar esse comportamento oscilat´rio a partir o a ıcie o do c´lculo da varia¸˜o da energia eletrˆnica total. Esta varia¸˜o decorre da substitui¸˜o de a ca o ca ca a ´tomos “A”do sistema de multicamadas por ´tomos “B”(impurezas), onde A e B s˜o metais de a a transi¸˜o. ca

2

Modelagem do Sistema

Calculamos a estrutura eletrˆnica de sistemas de multicamadas met´licas e como esta ´ o a e afetada pela introdu¸˜o de impurezas substitucionais em planos a partir da superf´ ca ıcie. Os metais de transi¸˜o caracterizam-se pela presen¸a, na regi˜o em torno do n´ de Fermi, ca c a ıvel de um conjunto de bandas estreitas, formadas a partir dos orbitais atˆmicos d, que cruzam uma o banda s-p mais larga e com ela se hibridizam. Ao longo de cada s´rie na tabela peri´dica, as bandas d v˜o sendo progressivamente preene o a chidas, estando totalmente ocupadas nos metais nobres. A estrutura eletrˆnica dos metais de transi¸˜o pode ser analisada com base na estrutura o ca eletrˆnica atˆmica da seguinte maneira: [estados do caro¸o] +ndm (n + 1)sr , onde n = 3, 4, 5, o o c

165

Por outro lado.b t(⃗ n∥ . ⃗ = k) π l ⃗ l. onde os elementos de matriz de G tem a forma Gll (ω. passando para uma representa¸˜o mista. . n. portanto.m (1) onde ϵµ ´ a energia do orbital atˆmico µ. e pelo ´ k. o hamiltoniano pode ser escrito na forma: ca H= onde ϵl (⃗ = ϵ0 + k) ∑ ∑ { ϵl (⃗ ⃗ >< l⃗ + k)|lk k| ∑ l̸=l′ tll′ (⃗ ⃗ >< l′⃗ k)|lk k|}. a fun¸˜o de Green pode ser escrita como ca G(ω) = [ω − H]−1 . na nota¸˜o de Dirac. co o Nesta nova representa¸˜o.m e representa a probabilidade de um el´tron “saltar”do s´ n no orbital µ para o s´ m no orbital e ıtio ıtio ν. e os estados s da ultima camada. µ > ϵµ < n.. m|. c Os sistemas que s˜o alvo desta pesquisa s˜o superf´ a a ıcies e filmes. Os “´tomos do caro¸o”s˜o muito e e a c a internos e podemos supor que n˜o se alteram significativamente quando se passa do ´tomo para a a o s´lido. Para descrevermos a ca co estrutura de tais sistemas. (3) com ⃗ n∥ especificando a posi¸˜o de cada ´tomo dentro de um plano l. A ideia ´ escrever o o co o e uma fun¸˜o de onda para o sistema como uma combina¸˜o linear dos orbitais atˆmicos centrados ca ca o em cada s´ ıtio. O vetor ⃗ est´ restrito ` primeira zona de k a a Brillouin bidimensional. por serem fracamente ligados aos ´tomos. a ca a Neste trabalho focalizaremos nossa aten¸˜o apenas sobre os orbitais d. o vetor de estado |i > representa uma matriz linha do espa¸o de Hilbert. ca c enquanto que < i| representa um elemento (matriz coluna) do espa¸o dual. no s´ n e tµ. n > tµ. (6) ρ(ω) = − Im Gll (ω.ν |µ. os quais apresentam simetria de transla¸˜o ao longo de dire¸˜es paralelas aos seus planos cristalinos. 3 Fun¸oes de Green e densidade de estados c˜ A fun¸˜o de Green aqui ´ definida como o resolvente da equa¸˜o de Schr¨dinger..m = 1.m µ. k) k)]ll (5) (4) A densidade de estados do sistema [2] relaciona-se com a fun¸˜o de Green atrav´s da exca e press˜o a ∑ ∑ 1 ρl (ω).µ |n. ⃗ = [ω − H(⃗ −1 . ındice de plano l. ∑ n∥ (2) ⃗ k l ∑ n∥ −i⃗ ⃗ n∥ k. os orbitais d d˜o origem a estados com um a e a razo´vel grau de localiza¸˜o nos ´tomos de origem. b ca a ⃗ = (kx . que para cada k a um sistema unidimensional com energias atˆmicas ϵl (⃗ e integrais de transferˆncia tll′ (⃗ o k) e k). Este m´todo consiste em descrever e ca o e os estados eletrˆnicos de um s´lido a partir das fun¸˜es e energias atˆmicas.ν < ν. caracterizada pelo vetor de onda ca ⃗ paralelo aos planos. tomamos a transformada de Fourier bidimensional dos elementos de matriz de H. l − l′ )e b . desprezando os efeitos ca da hibridiza¸˜o destes com o orbital s-p. 10 ao longo de cada uma das trˆs s´ries e r = 1. correspondente ` estrutura cristalina (tamb´m bidimensional) definida a e pelas posi¸˜es atˆmicas dos planos cristalinos. ky ) paralelo. 2.b t(⃗ n∥ .k 166 . 0)e b e tll′ (⃗ = k) −i⃗ ⃗ n∥ k. que o ıtio e n e n. ca Para decrevermos os estados eletrˆnicos formados a partir dos orbitais d podemos empregar o o m´todo de combina¸˜o linear dos orbitais atˆmicos (LCAO)..ν ´ a integral de transferˆncia. Em termos ca e ca o do hamiltoniano. d˜o origem o ´ a a a um g´s de el´trons quase livre. temos um hamiltoniano correspondente Vemos. µ| + n ∑∑ n. O hamiltoniano que utilizamos para descrever o sistema tem a seguinte forma: H0 = ∑ n.

ou seja. k. sendo ∆ϵ o potencial espalhador associado ` impureza no s´ i. e ca ϵj = ϵ(j−1) + 2 [t(j−1) ]2 ω − ϵ(j−1) e tj = [t(j−1) ]2 . a ca 5 C´lculo da varia¸˜o de energia total e resultados a ca Calcularemos a varia¸˜o de energia total ∆El de um sistema semi-infinito devido ` introdu¸˜o ca a ca de uma impureza substitucional.54) em uma matriz constituida de ´tomos A (nA = 0. a mensionais podem ser tratados com base no m´todo de dizima¸˜o [3].35 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 índice de planos ıcie Figura 1: Varia¸˜o do potencial ∆ϵl na superf´ e em planos subsuperficiais para a impureza B ca (nB = 0. para x << 1 (limite dilu´ ıdo). 2]. o hamiltoniano torna-se diagonal em ⃗ Obtem-se. dessa forma. ll π (8) A Figura (1) mostra o potencial espalhador associado ` impureza para diversos planos a partir a da superf´ em dire¸˜o ao volume.45 1. 167 . ou seja. para uma dada itera¸˜o “j”. ıcie ca 1. Neste caso.50 1. ω − ϵ(j−1) (7) 4 Sistemas com impurezas ´ ıdo Analisaremos o efeito de uma unica impureza B em um sistema de camadas constitut´ por a ´tomos do tipo A. o hamiltoniano passa a ser escrito como H = HA + V . Esse processo de renormaliza¸˜o ap´s um a ca ca o ∗ e uma certo n´mero de itera¸˜es nos leva a um ponto fixo. onde HA ´ o hamiltoniano do cristal puro e e V = |i > ∆ϵ < i|. A fun¸˜o a ıtio ca de Green associada ` H satisfaz a equa¸˜o de Dyson G = GA + GA V G. ∆n = n − n = B A ∫ EF −∞ 1 dω ∆ρ(ω) = − Im{ln[1 − ∆ϵl GA (EF )]}. onde GA ´ a fun¸˜o de a ca e ca Green do cristal puro. ca k. caracterizado por uma energia ϵ u co integral de transferˆncia t∗ . cuja express˜o ıcie a ´ dada por e ∆El = El − ElA = ∫ EF −∞ fF D (ω. e a qual fornece uma rela¸˜o entre esse potencial e a diferen¸a de valˆncia ∆n entre os ´tomos A ca c e a e B. ligas da forma A1−x Bx .65 1. t) dω ω ∆ρl .94) considerando a dire¸˜o (001). O potencial ∆ϵ pode ser calculado atrav´s da regra de soma de Friedel.55 ∆ εl 1. de tal forma que os parˆmetros do ca a hamiltoniano s˜o renormalizados a cada itera¸˜o.40 1. Esse m´todo consiste e ca e na redu¸˜o progressiva dos graus de liberdade do sistema.60 1. Esses sistemas unidik. ıtio e Com a representa¸˜o mista. onde. na superf´ e em planos subsuperficiais [1. uma soma em ⃗ onde para cada ⃗ est´ associado uma cadeia linear.onde o ρl (ω) ´ a densidade local de estados no s´ l.

Surface and interface analysis 36 (2004) 365-371. Tsong. [2] J. V. D’Albuquerque e Castro. 54 e nB = 0. Consideraremos tamb´m o caso em que ocorre a relaxa¸˜o da rede. 94. A. para determinar o impacto causado pela varia¸˜o de temperatura do sistema no perfil ca da segrega¸˜o. a varia¸˜o de energia eletrˆnica total seja tamb´m fun¸˜o da posi¸˜o da impureza. [4] T. E.1-165415. Mat. D’Albuquerque e Castro. calculamos δEl = ∆El − ∆Evol = ∫ EF −∞ fF D (ω. “Oscillatory surface cosegregation of Pt-Rh(S) alloys ”. Phys. “Time-of-flight atom-probe field ion microscope studies of surface-related phenomena ”. Rev. na superf´ e em ıcie planos subsuperficiais. B 121 (1993) 167-169. de Castro Barbosa e J. T. “Eletronic structure of substitutional impurities near metallic surfaces”. T. C. [3] C. a Referˆncias e [1] A. isto ´. 94 a e nB = 0. Estamos interessados em comparar a e ca ca varia¸˜o de energia quando a impureza se encontra em um plano l. o que corresponde fF D (ω. Phys. com aquela correspondente ca a ` impureza localizada no “volume”. Tsong e M. [5] T. O pr´ximo o passo ser´ considerar o caso em que trocaremos a impureza com o ´tomo que constitui a matriz. a a ou seja. assim como a varia¸˜o de potencial mostrada ca na Figura (1). 54. Magn. o que deve corresponder a um m´ ınimo local de energia. Tovar Costa. 6 Considera¸˜es finais co Estudamos a estrutra eletrˆnica de sistemas formados por multicamadas met´licas e como o a esta ´ afetada pela introdu¸˜o de impurezas substitucionais no limite dilu´ e ca ıdo. T. ca o e ca ca Em seguida. ca e ca e introduziremos no nosso problema a possibilidade da impureza ter um tamanho diferente daquele do ´tomo constitutinte da rede hospedeira. Ahmad . para nA = 0.onde fF D (ω. de Castro Barbosa e M. Procuraremos assim. C.6. Com a determina¸˜o do potencial espalhador associado ` impureza foi poss´ ca a ıvel observar a ocorrˆncia de uma oscila¸˜o deste em fun¸˜o da distˆncia ` superf´ e ca ca a a ıcie. J. B 42 (1990) 1464-1466. Local density of states in a disordered chain: a c renormalization group approach. t) ´ a fun¸˜o distribui¸˜o de Fermi-Dirac. determinar quais os planos energeticamente mais favor´veis a para se encontrar a impureza. examinaremos o problema considerando a varia¸˜o da temperatura do substrato. Solid State Communications 40 (1981) 215-219. Faremos inicialmente o c´lculo para T = 0. nA = 0. Esperamos que. Koiller. “Quantum interference effects on the segregation energy in diluted metallic alloys”. B 70 (2004) 165415. 168 . t) dω ω [∆ρl − ∆ρvol ]. t) = 1. Desta forma. O pr´ximo passo o ser´ calcular a varia¸˜o da energia eletrˆnica total do sistemas semi-infinito. Rev. Gon¸alves da Silva e B. ca procurando determinar a intensidade da perturba¸˜o provocada por temperaturas finitas sobre ca o sistema. Magn. tamb´m no limite a ca o e dilu´ ıdo.