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lectronique de puissance Module 1 : "Composants"

1 Thyristor 1.1 Principe et technologie

Chapitre 1.4 Thyristor, Triac, GTO

Le thyristor est un interrupteur statique, unidirectionnel en courant (c'est dire qu'il ne peut conduire un courant notable que dans un sens), bidirectionnel en tension (c'est dire qu'il peut supporter une tension de signe quelconque), command la fermeture. En anglais on l'appelle SCR = Silicon Controlled Rectifier = Redresseur Command au Silicium

Le thyristor est un dispositif semi-conducteur form de quatre couches de dopages alterns et possdant trois lectrodes: La couche de cathode de type N est mince (autour de 20 m) et fortement dope. Elle est relie par mtallisation l'lectrode de cathode (K en abrg). La couche de commande de type P est mince (autour de 50 m) et moyennement dope. Elle est relie l'lectrode de gchette (G en abrg). La couche de blocage de type N est paisse (autour de 250 m) et faiblement dope. La couche d'anode de type P est mince (autour de 70 m) et moyennement dope. Elle est relie par mtallisation l'lectrode d'anode (A en abrg). On a cr ainsi trois jonctions PN appeles respectivement Jk = jonction de cathode, Jc = jonction de commande et Ja = jonction d'anode. La fig.1.b donne le symbole du thyristor et dfinit les grandeurs lectriques du composant. Le thyristor est fabriqu partir d'une plaquette de type N- formant la couche de blocage. Cette plaquette est recouverte sur ses deux faces de couches P puis on cre par diffusion la couche de cathode dans la couche de commande. La plaquette est ensuite taille en biseau avec une largeur augmentant de l'anode la cathode pour viter l'amorage d'arcs lectriques.

On colle la plaquette sur une plaque de cuivre formant l'anode et on cre les connexions de cathode et de gchette par soudage de fils souples. L'ensemble est enfin plac dans un botier.

1.2 Fonctionnment 1.2.1 tude qualitative


Le fonctionnement du thyristor peut tre dcrit de faon simplifie par une analogie hydraulique. Dans le dispositif reprsent ci-dessous, la pression est l'analogue de la tension anode - cathode Vak et le dbit l'analogue de l'intensit Ia , le verrou est l'analogue de la gchette.

Lorsque la pression est ngative, elle appuie la valve contre la bute et aucun dbit n'est possible, le verrou n'a aucune action sur le fonctionnement. Pour une polarisation Vak < 0; la thyristor est alors bloqu et aucun courant Ia ne peut circuler. Si la pression devient trop forte, la bute peut casser et la valve est dtruite, laissant passer le fluide de droite gauche. Lorsque la tension inverse devient trop forte, elle produit un claquage destructif du thyristor. ; Lorsque la pression est positive, la valve s'appuie sur le verrou et l'tat de celuici va fixer le fonctionnement : si le verrou est enfonc, il bloque la valve et le fluide ne peut circuler. La forme du verrou permet cependant son ouverture par la pression de la valve partir d'une pression limite; la valve s'ouvre alors et le fluide circule de gauche droite, galisant la pression de part et d'autre de la valve.

En polarisation directe et sans commande de gchette, le thyristor reste bloqu jusqu' une valeur limite de la tension directe et le courant Ia est ngligeable; au del de cette tension, le thyristor devient passant, le courant circule de l'anode vers la cathode et la tension Vak tombe une valeur proche de 0. si le verrou est tir, la valve peut s'ouvrir mme pour une faible pression et le fluide peut circuler. Lorsqu'on applique une commande de gchette, le thyristor devient passant ds que la tension Vak est positive et le courant circule de l'anode vers la cathode. Lorsque la valve est ouverte, le verrou n'a plus d'action : la gchette ne peut servir bloquer le thyristor. La valve reste ouverte tant que le fluide circule avec une pression suffisante pour s'opposer la tension du ressort : le thyristor reste passant tant qu'il circule un courant minimal. Pour fermer la valve, il faut que le fluide cesse de circuler : pour bloquer le thyristor, il faut annuler le courant Ia . Mais cela est insuffisant car la valve vient s'appuyer sur le verrou sans se bloquer derrire lui et l'application d'une pression positive ouvre la valve sans avoir agir sur le verrou; pour bloquer la valve il faut appliquer une pression ngative qui la fait repasser entre valve et bute : pour bloquer le thyristor, il faut, aprs avoir annul le courant, appliquer une polarisation ngative.

1.2.2 Thorie de l'avalanche locale


tudions le fonctionnement du thyristor partir de sa structure : Lorsque le thyristor est en polarisation inverse (Vak < 0), les jonctions Ja et Jk sont polarises en inverse et la jonction Jc en direct. En raison des dopages et de la gomtrie, c'est la tension Ja qui supporte la plus grande partie de la tension inverse. Le blocage de Ja limite le courant du thyristor au courant inverse de cette jonction; il circule donc un courant IA ngatif de trs faible valeur. Une tension Vgk > 0 peut rendre passante la jonction Jk mais les porteurs injects dans cette jonction ne peuvent atteindre Ja, donc modifier son fonctionnement. Nous dirons que le thyristor est bloqu en inverse. Dans ce cas, la polarisation de gchette ne peut modifier l'tat. Lorsque le thyristor est en polarisation directe (Vak > 0) et que la gchette n'est pas polarise (Vgk = 0), les jonctions Ja et Jk sont polarises en direct et la

jonction Jc en inverse. La jonction Jc est bloque et ne permet que la circulation d'un faible courant IA positif. Nous dirons que le thyristor est bloqu en direct. Lorsque la tension Vak devient suprieure la tension de claquage VBO (BO= Break Over) de la jonction Jc, celle-ci devient passante; la tension Vak chute brutalement une valeur de l'ordre de 1 volt et le courant IA > 0 n'est plus limit que par le circuit externe de polarisation. Ce claquage n'est pas destructif et le thyristor pourra tre utilis aprs son blocage par une tension ngative. Lorsque le thyristor est en polarisation directe (Vak > 0) et que la gchette est polarise en direct (Vgk > 0), le courant direct de la jonction Jk va permettre la mise en conduction de la jonction Jc polarise en inverse, comme le courant inject dans la base du transistor peut traverser la jonction collecteur - base bloque. Le courant de gchette injecte des trous de la zone P vers la couche de cathode N et la couche de cathode injecte des lectrons dans la couche de commande P.

La jonction Jc tant polarise en inverse, sa zone de transition est charge ngativement dans la zone P et positivement dans la couche N de blocage. Le champ lectrique E associ la barrire de potentiel de Jc capture les lectrons injects par la couche de cathode travers la mince couche P. Ces porteurs fortement acclrs vont dans leurs chocs avec les atomes de silicium, librer de nouveaux lectrons, provoquant ainsi l'avalanche de la jonction Jc. Cette avalanche est d'abord localise au voisinage de la gchette. La jonction Jc tant claque, elle permet le passage d'un courant direct entre anode et cathode. Si ce courant est suffisant, il va, par injection de porteurs, tendre l'avalanche toute la jonction Jc. La valeur minimale du courant IA qui permet ce phnomne est appel courant d'accrochage IL ( L pour Latch) .

La jonction tant dtruite par l'avalanche, la tension Vak devient proche de 1 volt. Lorsque le thyristor est en polarisation directe, la cration d'un courant de gchette permet de le rendre passant, on dit de l'amorcer lorsque le thyristor est amorc, pour revenir l'tat bloqu, il faut que l'une des jonctions Ja ou Jc se bloque. Deux mthodes sont possibles : le blocage naturel : le thyristor tant amorc, on supprime le courant de gchette puis on fait dcrotre le courant IA jusqu' une valeur critique appele courant de maintien IH ( H = Holding); on cesse d'injecter des porteurs dans la jonction Jc et celle-ci, polarise sous une lgre tension inverse, cesse d'tre en avalanche et ne permet plus le passage du courant direct. Pour achever le blocage, il faut reconstituer la barrire de potentiel de la jonction en appliquant une tension Vak ngative ; le blocage forc : le thyristor tant amorc, on applique une tension Vak ngative; la jonction d'anode Ja se bloque alors et bloque la circulation du courant IA; la jonction de commande Jc n'est plus traverse par des porteurs et se bloque. Les deux modes de blocage partent de l'tat passant ( IA > 0 et Vak 1 volts) pour arriver l'tat bloqu sous tension inverse ( IA = 0 et Vak < 0); d'un mode l'autre, c'est l'ordre des oprations qui diffre : dans le blocage naturel on annule le courant puis on applique la polarisation inverse alors que dans le blocage forc, on applique la polarisation inverse ce qui provoque la coupure du courant.

1.2.3 Caractristiques statiques


Caractristique anode - cathode L'analyse faite ci-dessus permet de tracer la caractristique statique IA(Vak) pour diverses valeur du courant de gchette.

en polarisation inverse : le thyristor est bloqu avec un courant IA ngligeable. Lorsque la tension de claquage VRRM est atteinte, le courant augmente brusquement en valeur absolue et le thyristor est dtruit. Dans ce cas, le courant de gchette n'a aucune influence. en polarisation directe : pour un courant de gchette nul, le thyristor reste bloqu avec un courant ngligeable jusqu' la tension de retournement VBO. Pour cette tension, le thyristor s'amorce spontanment; la tension chute et le courant n'est plus contrl par le thyristor. Le thyristor reste amorc tant que le courant est suprieur au courant de maintien IH. pour un courant de gchette positif, le thyristor s'amorce ds que la tension devient positive. On peut idaliser le fonctionnement en supposant que le courant est nul lorsque le thyristor est bloqu; on obtient alors la caractristique de la fig.6.

Le thyristor a alors trois tats : tat de blocage inverse (1) : condition d'tat Vak < 0 ; caractristique d'tat IA =0 tat de blocage direct (2) : conditions d'tat Vak > 0 et Ig = 0 ; caractristique d'tat IA = 0 tat passant (3) : condition d'tat IA > 0 ; caractristique d'tat Vak = 0 Les commutations se font : la fermeture : de l'tat de blocage direct l'tat passant par la commande de gchette crant un courant Ig > 0. l'ouverture : de l'tat passant l'tat de blocage inverse : blocage naturel : annulation du courant puis polarisation inverse blocage forc : polarisation inverse provoquant la coupure du courant.

Caractristique de gchette La caractristique statique de gchette Vgk ( Ig) est la caractristique de la jonction de cathode Jk. Le mode de fabrication du thyristor fait que cette caractristique prsente une forte dispersion pour les thyristors de mme rfrence constructeur. On indique en gnral les caractristiques extrmes et la caractristique moyenne (fig.7):

Pour amorcer le thyristor, il ne suffit pas d'appliquer un courant de gchette positif; il faut que ce courant soit suffisant pour crer l'avalanche locale de la jonction Jc. Dans le plan on dfinit quatre zones : la zone d'amorage impossible : pour tout point de fonction de Jk dans cette zone, tous les thyristors de la srie ne s'amorcent pas la zone d'amorage alatoire : pour tout point de cette zone limit par les valeurs IGT du courant et VGT de la tension, l'amorage des thyristors de la srie peut se produire pour certains, pas pour d'autres ou se produire irrgulirement. la zone d'amorage sur : dans cette zone, tous les thyristors de la srie s'amorcent rgulirement la zone hors limite d'emploi : pour tout point hors des trois zones prcdentes, la jonction Jk est dtruite.

1.3 Limites d'emploi


Les valeurs limites d'emploi sont dsignes suivant la norme employe pour la diode.

dans l'tat de blocage inverse : la courant est quasi nul donc les limites proviennent uniquement de la tenue en tension de la jonction Ja. On dfinit : VRRM = tension inverse rptitive maximale ( Reverse Repetitive Max) VRSM = tension inverse accidentelle maximale ( Reverse Surge Max) dans l'tat de blocage direct : le courant et quasi nul et la limite de cet fonctionnement est la tension de claquage de la jonction Jc appele VDRM = tension directe rptitive maximale (Direct Repetitive Max) dans l'tat passant, la limite d'emploi vient du courant maximal dans le thyristor IFAV = ITAV = courant direct moyen maximal ( Forward Average) IFRMS = ITRMS = courant direct efficace maximal ( Forward Remote Mean Square) IFSM = ITSM = courant direct accidentel pendant 10 ms ( Forward Surge Max) It : contrainte thermique maximale en A2.s permettant le choix du fusible de protection qui doit avoir une contrainte thermique infrieure celle du thyristor A ces caractristiques limites, il faut ajouter les limitations imposes par la gchette : VGM : tension directe maximale entre gchette et cathode IGM : courant direct maximal de gchette PGM : puissance maximale que peut dissiper la gchette Nous devons ajouter des valeurs caractrisant le fonctionnement: VGD : pour Vgk < VGD l'amorage est impossible VGT : pour Vgk > VGT l'amorage est certain IGD : pour Ig < IGD l'amorage est impossible IGT : pour Ig > IGT l'amorage est certain VF = VT : chute de tension directe entre anode et cathode l'tat passant rT : rsistance dynamique l'tat passant IH : courant de maintien IL : courant d'accrochage Par exemple pour un thyristor SKT 230 / 06, nous avons : VRRM = VDRM = 1 kV ; VRSM = 1,1 kV ; IFAV =230 A ; IFRMS = 600 A ; IFSM = 4000 A pendant 10 ms ; It = 180 000 A.s ; VGD = 0,25 V ; VGT = 3 V IGT = 200 mA ; VF = 1,1 V ; rT = 1,1 m ; IH = 250 mA ; IL = 600 mA

Nous voyons qu'un thyristor est un composant pouvant contrler une forte puissance et admettre de forte surintensits accidentelles (IFSM = 17. IFAV ). Le circuit de commande de gchette consomme une puissance ngligeable devant celle commande (VGT . IGT = 0,6 W).

1.4 Commutations 1.4.1 Amorage

tudions le montage ci-contre :

Le thyristor est aliment par une tension continue E en srie avec une charge passive; il est command entre gchette et cathode par le gnrateur d'impulsions eg en srie avec la rsistance Rg. Fermeture sur rsistance La charge est forme d'une rsistance pure R Nous supposons que pour t < 0, le courant de gchette est nul et que le thyristor est bloqu . Nous avons donc IA = 0 et vak = E A t = 0, la tension de commande eg devient positive et la jonction Jk devient passante; les formes d'ondes de ig et vgk sont celles d'une jonction en commutation : il faut pour dbloquer la jonction dcharger la capacit CT de la zone de transition et charger la capacit de stockage Cs correspondant l'injection des porteurs majoritaires. Le courant ig crot brusquement par

effet capacitif puis se stabilise la valeur de rgime permanent; la tension vgk crot progressivement jusqu' la tension de rgime passant de l'ordre de 1 2 volts. Lorsque la jonction Jk est passante, l'injection des porteurs va provoquer l'avalanche de la jonction Jc; le thyristor s'amorce : la tension vak dcrot et le courant IA crot; nous avons E = vak + R.ia Le temps de fermeture se mesure sur la tension vak : le temps de retard la fermeture td est le temps mis par vak pour dcrotre de la tension de blocage E 90 % de E. le temps de monte tr ( monte du courant) est le temps mis par vak pour passer du niveau 90% de E au niveau 10 % de E. le temps d'amorage par la gchette tgt (Gate Turn on)est la somme de ces deux temps. Le temps d'amorage dpend de la tension de blocage et du courant de gchette; il varie de 200 500 ns. Pour assurer un amorage rapide et sur, il est recommand d'appliquer un courant de gchette de l'ordre de 3 5 fois la valeur IGT durant un temps au moins gal tgt. Lorsque le courant d'anode est tabli, nous pouvons annuler ig en gardant le thyristor passant. Au dbut de l'amorage la zone en avalanche de Jc est de faible surface au voisinage de la gchette; pour ne pas chauffer dangereusement cette zone, nous devons limiter le courant qui y passe donc limiter la vitesse de croissance du courant di / dt une valeur maximale de l'ordre de 100 500 A par s. Fermeture sur charge inductive La charge est forme d'une rsistance pure R en srie avec une inductance L Nous supposons que pour t < 0, le courant de gchette est nul et que le thyristor est bloqu . Nous avons donc IA = 0 et vak = E

La vitesse de croissance du courant va tre limite par l'inductance. A l'amorage, la tension va dcrotre rapidement et le courant augmenter progressivement. La dure tp de l'impulsion de commande doit tre suffisante pour que le courant ait le temps d'atteindre la valeur d'accrochage IL ( fig.10, courbe en trait plein). Si ce n'est pas le cas, le thyristor se bloque en tp (courbe en pointills).

1.4.2 Blocage
Ouverture Pour t < 0, nous supposons que le thyristor est passant avec un courant de gchette nul : vak = VT 1 V ;IA = I = Cste ; ig = 0. A partir de t = 0, nous faisons dcrotre le courant IA avec une pente dia / dt impose pour arriver au blocage confirm par une tension vak = - E' ngative. Le moyen utilis pour faire diminuer le courant sera dcrit dans la suite. de 0 t1, les jonctions Ja et Jc restent passantes, le courant IA est positif et la tension vak reste constante. de t1 t2, la jonction Ja recouvre son pouvoir bloquant; le courant IA devient ngatif et atteint la valeur Irr ( Reverse yecovrery). La tension vak s'annule progressivement. Les porteurs injects dans Jc sont pigs dans le thyristor. de t2 t3, le courant IA s'annule progressivement au fur et mesure des recombinaisons des porteurs pigs. Le changement de pente de IA cre une surtension ngative Vrr

aux bornes du thyristor. de t3 t4, le courant IA finit de s'annuler et la tension vak revient au niveau impos de blocage -E'. Le temps mis par IA pour devenir nul est appel temps de recouvrement inverse trr. de t4 t5, le courant IA est nul mais il y a toujours des porteurs pigs dans la jonction de commande Jc; celle-ci n'a pas recouvr son pouvoir bloquant. Il faut attendre la recombinaison complte de ces porteurs pour pouvoir appliquer une tension positive tout en gardant le thyristor bloqu. La valeur minimale de ce temps t5 - t2 est appele temps de dsamorage tq. Ce temps varie de 2 100 s suivant la "rapidit" du thyristor. Sur la fig.11, les courbes en trait plein correspondent au fonctionnement correct avec t5-t2> tq; les courbes en pointills correspondent t5 - t2 < tq ; dans ce cas, ds que vak redevient positive, le thyristor s'amorce spontanment et le courant IA redevient positif. Un autre phnomne peut provoquer l'amorage spontan : lorsque le tension directe crot avec une pente dv / dt impose, la jonction Jc bloque supporte la tension; sa zone de transition s'largit et il se cre un courant CT.dv / dt dans cette zone. Si la vitesse de croissance est trop grande, ce courant peut provoquer le claquage de la jonction, comme si on avait appliqu un courant de gchette. Il faut donc rtablir la tension directe avec une pente limite une valeur (dv /

dt) max de l'ordre de 10 1000 V / s suivant la "rapidit" du thyristor. Pour bloquer de faon sure un thyristor, il faut : annuler le courant IA appliquer une polarisation inverse et la maintenir pendant un temps au moins gal au temps de dsamorage tq rtablir la tension directe avec une pente infrieure (dv /dt)max

1.5 Circuits de commande 1.5.1 Amorage


A chaque amorage, le circuit de commande entre gchette et cathode doit fournir une impulsion de courant d'amplitude au moins gale IGT et de dure suprieure tgt. Suivant le mode d'utilisation du thyristor, le circuit de commande doit : pour une utilisation du thyristor en redressement : synchroniser les impulsions de commande sur le rseau alternatif et crer un retard variable entre l'instant o v ak devient positive et celui o on amorce le thyristor. pour une utilisation du thyristor dans un hacheur ou un onduleur : crer un retard variable sur une priode du signal de rfrence fixant la frquence du convertisseur. Le circuit de commande rapproche doit amplifier en courant le signal issu de l'lectronique de commande et le transmettre au thyristor avec isolement galvanique. Le montage le plus couramment utilis est reprsent sur la fig.12.

L'lectronique de commande fournit le signal ecom amplifi en courant par le transistor T; le transformateur d'impulsions Tr ralise l'isolement galvanique et ventuellement l'adaptation en tension. La rsistance Rg fixe le courant de gchette et la diode D2 protge la jonction Jk en inverse; la rsistance R'g ferme le circuit de gchette lorsque D2 est bloque pour viter les amorages parasites. Les diodes D1 et Dz servent dmagntiser Tr aprs transmission de l'impulsion. Pour dimensionner le circuit, nous devons relever les caractristiques du thyristor : le courant fournir doit tre de l'ordre de 3 5 IGT sous une tension suprieure VGT sur une dure de 2 5 tgt. Prenons par exemple un thyristor tel que IGT = 80 mA, VGT = 3 V et une dure d'impulsion tp = 1 ms. choisir le transformateur en fonction du courant fournir; dans l'exemple, en prenant ig = 4.IGT = 320 mA, nous pouvons choisir un transformateur d'impulsions Schaffner de rfrence IT 364. Ce transformateur a un rapport de transformation gal 1 et une produit "E.t" = 5 000 V.s; ce produit reprsente la surface maximale de l'impulsion que l'on peut transmettre. choisir la tension d'alimentation et le mode de commande : en tenant compte de la chute de tension dans D2, pour avoir une tension de gchette au moins gale VGT = 3 V, la tension secondaire du transformateur doit tre suprieure 4 V. Le rapport de transformation tant de 1, la tension primaire, gale Vcc lorsque le transistor est satur, doit tre suprieure 4 V et infrieure la tension VGM du thyristor. Nous pouvons prendre par exemple Vcc = 15 V. La surface de l'impulsion transmettre est donc Vcc.tp = 15.0,001 = 15 000 V.s; cette valeur tant suprieure au produit E.t du transformateur choisi, nous devons dcouper le signal de commande en un peigne d'impulsion, c'est dire en une succession de niveaux hauts et bas. La dure maximale l'tat haut est E.t / Vcc =

333 s; pour un signal de rapport cyclique 0,5, la priode maximale sera de 666 s donc la frquence minimale du peigne de 1500 Hz; nous pouvons prendre 5 kHz. calcul des composants : le courant dans la rsistance R'g est choisi de l'ordre de 0,1.Ig soit 40 mA. Pour le courant de gchette choisi, vgk est de l'ordre de 2.VGT soit 6 V. La rsistance R'g est donc 6 / 32 = 0,19 k soit 220 . Le courant dans Rg est donc 352 mA; nous en dduisons Rg = ( Vcc - Vd2-Vgk) / 0,352 = 22 ; nous prendrons une rsistance 22 / 3 W. Le courant primaire du transformateur est de 352 mA. La diode zner doit avoir une tension de claquage de 15 V pour que la dmagntisation se fasse sous - 15 V donc sous la tension oppose celle de magntisation; on est ainsi sur de dmagntiser compltement le transformateur chaque impulsion. Quand la zner conduit, le transistor supporte la tension Vcc + Vz soit 30 V. Nous pouvons choisir un transistor 2N2219 pour lequel Icmax = 800 mA et Vcemax = 40 V. Avec un gain forc de 50, le courant de base sera Ib = 352 / 70 = 7 mA; si le signal de commande a un niveau haut de 5 V, nous aurons Rb = ( 5 -0,7) / 7 = 614 ; nous prendrons 560.

1.5.2 Blocage
Dans les circuits redresseurs, le courant s'annule priodiquement sur charge rsistante et la tension s'inverse chaque alternance; le blocage des thyristors n'a pas besoin d'tre command; en revanche dans les montages hacheurs ou onduleurs, il faudra prvoir un dispositif de blocage car le courant ne s'annule pas naturellement et / ou il n'y a pas de source de polarisation ngative. Ces dispositifs utilisent gnralement la charge d'un condensateur travers une inductance pour soit : driver le courant direct du transistor et provoquer son blocage naturel; on dira que l'on fait un blocage en courant appliquer une polarisation ngative pour provoquer le blocage forc; on dira que l'on fait un blocage en tension Nous tudierons des exemples de ces circuits lors de l'tude des convertisseurs thyristors.

1.5.3 protections

Pour protger le thyristor et avoir un fonctionnement sur, nous devons : limiter la tension maximale VRRM en polarisation inverse et VDRM en polarisation directe. limiter le courant direct maximal limiter lors de la fermeture la vitesse de croissance du courant la valeur (di/dt)max limiter lors de l'ouverture la vitesse de croissance de la tension directe la valeur (dv/dt)max Protection en courant Le thyristor pouvant supporter des courants de surcharge ITSM levs pendant 10 ms, sa protection en courant peut tre assure par un fusible rapide. Ce fusible doit avoir une contrainte thermique I.t infrieure celle du thyristor et un temps de fusion infrieur 10 ms. Les fusibles de type prothystor sont adapts cette utilisation. La protection en di /dt est assure par une inductance L de quelques H place en srie avec le thyristor. Si VD est la tension de blocage direct, le courant augmente lors de l'amorage avec une pente VD/ L, valeur qui doit tre infrieure (di/dt)max . Protection en tension Pour protger le thyristor contre les surtensions parasites venant de l'alimentation, nous pouvons utiliser des circuits crteurs tels des VDR. La protection en dv / dt est gnralement assure par un circuit R-C plac en parallle avec le thyristor suivant le schma ci-dessous :

Supposons que le montage est au repos pour t < 0 : le thyristor est bloqu, toutes les tensions et tous les courant sont nuls. A partir de t = 0, le gnrateur e applique un chelon de tension au circuit : e(0 +) = E et nous supposons que Th reste bloqu. Nous avons IA = 0 ; i' = j = C.du / dt ; E = u + R.j + L.dj/dt.

En posant = R /2.L et o = 1/(L.C), il vient . Pour viter l'apparition d'oscillations parasites, plaons nous en rgime d'amortissement critique soit = o ; la solution de l'quation est alors de la forme : ; nous en dduisons l'expression du courant :

Les conditions initiales u = 0 et j = 0 donnent B= -E et A = -.E soit ; ;

La vitesse de croissant maximale de vak est obtenue en t = 0 et vaut dvak / dt = .R.C.E soit dvak / dt = R.E/L. Par exemple pour E = 200 V ; L = 100 H ; (dv/dt)max = 400 V / s, nous devons R < 200 . Si nous prenons R = 150 , nous avons = 0,75.106 s-1 ; la condition = o = 1/(L.C) donne C = 18 nF. Lorsque le rgime permanent est atteint, le condensateur est charg sous la tension E. Envisageons le fonctionnement lorsqu'on amorce le thyristor. Aprs amorage la tension vak devient nulle et le circuit R-C se dcharge dans le thyristor ; cette dcharge dure environ 5.R.C et cre une pointe de courant gale E / R. Avec les valeurs de l'exemple, la dcharge dure 2,7 s et cre un courant de dcharge maximal de 1,33 A. Cette pointe de courant a deux effets : ; le premier nuisible en augmentant la vitesse de croissance du courant direct; ceci impose de limiter la pointe quelques ampres.

le deuxime utile en facilitant l'amorage sur charge inductive, la pointe de courant permet d'atteindre rapidement le courant d'accrochage. Ce rseau R-C est le plus souvent ajout aux montages thyristors afin d'viter les amorages intempestifs et de faciliter l'amorage. Certaines notices constructeurs indiquent comment choisir ces composants de protection.

2 Triac 2.1 Principe


Le thyristor permet la conduction d'un courant direct uniquement; si nous voulons un interrupteur command rversible en courant, nous devons associer deux thyristors tte-bche (fig.1.a). L'inconvnient du dispositif est d'exiger deux circuits de commande isols pour les deux gchettes. Pour viter cela, on peut intgrer les deux thyristors sur la mme plaquette en utilisant un seul circuit de commande; on obtient alors un triac ( fig.1.b).

Les trois lectrodes sont appeles : anode 1 ( A1) : anode du thyristor Th1 qui conduit un courant i < 0 anode 2 (A2) : anode du thyristor Th2 qui conduit pour i > 0 gchette : lectrode de commande entre A1 et G. La caractristique statique V(I) du triac s'obtient en combinant celles des deux thyristors.

en polarisation v < 0 : Th1 est en polarisation directe et Th2 en polarisation inverse; en l'absence de commande les deux thyristors sont bloqus jusqu' ce que l'on atteigne la tension de retournement VBO de Th1. La cration d'un courant de gchette amorce Th2 , rendant le triac passant en polarisation directe v > 0 : le fonctionnement est identique en permutant les rles de Th1 et Th2.

2.2 Commutations 2.2.1 amorage


La fig.3 reprsente la structure interne du triac :

Les couches P2-N2-P1-N1 forment le thyristor Th1 en partant de l'anode vers la cathode; les couches P1-N2-P2-N3 forment de mme le thyristor Th2. en polarisation inverse ( v < 0) : la jonction J2 est bloque alors que J3 est passante. crons un courant ig > 0 : ce courant injecte des trous minoritaires dans la jonction J4; la jonction tant polarise en inverse, ces trous la traversent et

atteignent la jonction J3 pour la quelle ils sont des porteurs majoritaires; la polarisation directe de J3 injecte les porteurs majoritaires dans la zone N2 o il diffusent vers J2; pour cette jonction ils sont des porteurs minoritaires; le champ lectrique dans J2 bloque propulse les trous travers cette jonction, provoquant son claquage comme le courant de gchette d'un thyristor. Un courant de gchette positif peut donc amorcer le triac polaris sous tension inverse. crons un courant ig < 0 : ce courant injecte des trous dans la couche P2 en se fermant travers la jonction J4 parcourue par un courant direct. Ces trous majoritaires pour la jonction J3 passante peuvent la traverser donc tre injects dans la couche N1; devenant alors minoritaires dans cette couche, ils sont acclrs travers J2 bloque et provoquent le claquage de J2 donc la mise en conduction du triac. Un courant de gchette ngatif peut donc amorcer le triac polaris sous tension inverse. en polarisation directe ( v > 0) : les jonctions J1 et J3 sont bloques alors que J2, J4 et J'4 sont passantes. crons un courant ig > 0 : les lectrons injects par ce courant dans la couche P2 par la jonction J'4 sont capts par la jonction J3 polarise en inverse et provoquent sa mise en avalanche; le triac s'amorce comme un thyristor. Un courant de gchette positif peut donc amorcer le triac polaris sous tension directe. crons un courant ig < 0 : le courant de gchette passant par J4 injecte des lectrons dans la couche P2; ces lectrons sont capts par la jonction J3 bloque o ils sont minoritaires; l'acclration de ces lectrons par le champ lectrique dans J3 provoque le claquage de J3 et l'amorage du triac. Un courant de gchette ngatif peut donc amorcer le triac polaris sous tension directe. Le triac peut donc tre amorc indiffremment par un courant de gchette positif ou ngatif quelle que soit sa polarisation; les modes dcrits prcdemment se nomment : mode I : amorage par un courant de gchette positif sous polarisation directe. mode II : amorage par un courant de gchette ngatif sous polarisation directe. mode III : amorage par un courant de gchette ngatif sous polarisation inverse.

mode IV : amorage par un courant de gchette positif sous polarisation inverse. Tous les modes ne sont pas quivalents : le mode I demande le plus petit courant de gchette et prsente l'amorage le plus simple raliser. Viennent ensuite le mode III puis galit les modes II et IV; pour les composants les plus rcents les quatre modes permettent un amorage sur alors que pour les plus anciens seuls les modes I et III sont utiliss en pratique.

2.2.2 blocage
Le seul moyen de bloquer un triac est de bloquer naturellement le thyristor passant (Th2 en direct et Th1 en inverse) en faisant dcrotre son courant en dessous de la valeur de maintien IH. Le blocage forc par inversion de la tension v est impossible : en raison de la symtrie du composant on mettrait en conduction l'autre thyristor et on inverserait le courant.

2.3 Comparaison avec le thyristor


Le triac peut tre utilis pour commander des puissances moyennes : 800 V au blocage et 50 A en conduction; au del, il faut utiliser deux thyristors tte-bche. Le triac a l'avantage de n'avoir qu'un circuit de commande pour les deux sens de conduction. Il a l'inconvnient d'tre plus lent que le thyristor : temps de dsamorage tq plus grand faible vitesse de croissance de la tension (dv /dt)max : quelques volts par s. L'utilisation d'un circuit R-C est indispensable pour viter les amorages intempestifs.

3 Thyristor bloquable par la gchette ou GTO 3.1 Principe


Le thyristor a l'avantage de pouvoir contrler de puissances leves avec une commande consommant une faible puissance. Il a l'inconvnient d'tre lent particulirement au blocage et ne pas tre command par la gchette l'ouverture; dans tous les montages o le thyristor ne fonctionne pas en blocage naturel, la ncessit d'inclure des circuits de blocage forc complique l'exploitation.

Le thyristor blocable par la gchette ou GTO pour Gate Turn Off permet de pallier ces dfauts.

La structure est semblable celle du thyristor et peut tre modlise par deux transistors T de type PNP et T' de type NPN. Le courant rentrant dans l'metteur de T est IA; celui sortant du collecteur de T est donc .ia, tant le rendement quantique de T. Le courant sortant de la base de T est ib = IA(1-). Le courant sortant de l'metteur de T' est ik; le courant collecteur de T est donc '.ik et son courant de base i'b= ik.(1- '). La structure impose ib = IA(1-) = '.ik et i'b = ik.(1- ') = ig + .ia. le GTO tant en polarisation directe (v > 0), les transistors sont polariss en direct. La cration d'un courant de gchette positif cre un courant de base dans T donc un courant collecteur proportionnel dans T; le courant de base rsultant dans T', cre un courant proportionnel dans l'metteur qui alimente son tour la base de T'. Le phnomne cumulatif dcrit pour le thyristor amne rapidement T et T' en saturation; le GTO est alors amorc avec une tension v proche de 0 et un courant IA fix par le circuit extrieur. Coupons alors le courant de gchette; on a ik.(1- ') = .ia et IA = ik donc + ' = 1; les valeurs des rendements quantiques prendre en compte sont les valeurs en saturation plus faibles qu'en rgime linaire. Pour bloquer le GTO, il faut rompre la relation + ' = 1; pour cela, on va driver vers la gchette le courant collecteur de T et le courant de base de T'. Les relations IA(1-) = '.ik et ik.(1- ') = ig + .ia donnent ig = (1 - - ' )IA / ' = - IA / G. Comme + ' > 1 ds que la saturation est rompue, le courant de gchette doit tre ngatif. G a une valeur de l'ordre de 5 10 donc ig est de l'ordre de -0,1.ia -0,2.ia.

L'extraction d'un courant de gchette ngatif permet le blocage du GTO.

Blocage lorsque le GTO est amorc, le courant passe de l'anode de la cathode suivant les lignes de courant dessines fig.5.a. La tension vg est quasi nulle ainsi que le courant ig, le courant d'anode est continu de valeur I. A t = 0, nous crons un courant de gchette ngatif pour bloquer le GTO. Ce courant doit atteindre en valeur absolue la valeur I/G de l'ordre de 10 20 % de I pour dmarrer la phase de blocage; pour un blocage rapide , ig doit varier avec une forte pente de l'ordre de -10 A / s. A l'instant t1 pris comme rfrence pour les temps de blocage, le courant ig atteint en valeur absolue 10 % de sa valeur maximale.

Dans la premire phase de blocage ( fig.5.b) une partie du courant I est drive vers la gchette mais il continue de circuler un courant entre anode et cathode; en t2, le courant i a dcru jusqu' 90 % de sa valeur initiale I. La dure t2 t1 est le temps de stockage ts. Durant cette phase, de 100 % 90% du courant I passe dans un troite zone entre anode et cathode; la chute de tension importante qui en rsulte polarise en inverse la jonction entre la couche P et la couche N de cathode. Cette polarisation peut entraner le claquage de la jonction et empcher le blocage du GTO car la gchette n'extrait plus le courant d'anode mais le courant d'avalanche de la jonction. Pour viter cela, on doit fractionner les lots de cathode et de gchette : la couche N de cathode est fractionne en lots spars par des lots P+ relis la gchette (structure interdigite de cathode); ceci permet de mieux rpartir les lignes de courant dans tout le composant et d'viter le claquage de la jonction. dans la deuxime phase de blocage, le courant i diminue de 90% de I 10 % I; la dure de cette phase t3-t2 est le temps de descente tf. Le courant de gchette diminue en valeur absolue, proportionnellement i. dans la troisime phase, le courant de cathode est nul; il subsiste un courant entre anode et gchette i = - ig. Ce courant finit d'extraire les porteurs pigs dans la zone P relie l'anode. Nous dirons que le GTO prsente au blocage une queue de courant. le blocage se termine en t4 pour i = 0; le temps t4 - t3 est appel temps de tranage tt. La forme d'onde de la tension v dpend de la nature de la charge : pour une charge purement rsistante R en srie avec un gnrateur continu E, on a v = E - R.i et la variation de la tension est impose par celle du courant pour une charge inductive avec diode de roue libre, alimente sous la tension continue E, ds que le courant i dcrot, la diode de roue libre conduit pour assurer la continuit du courant dans la charge donc la tension v remonte rapidement la valeur E ds la fin du temps de stockage; on a alors une commutation dure et le GTO dissipe une forte puissance lors de l'ouverture. Il faudra utiliser un circuit d'aide la commutation comme avec un transistor. Pour diminuer la dure de la queue de courant, phnomne qui allonge fortement le temps d'ouverture, on peut modifier la structure du GTO en diffusant des lots N+ dans la couche P de cathode, appels courts-circuits d'anode ( fig.6).

La queue de courant est due aux porteurs pigs dans la couche P d'anode aprs blocage de la jonction de commande; avec la structure modifie, les trous pigs sont limins par la gchette et les lectrons par un courant entre les lots N+ et la couche P d'anode. La cration des lots N+ court-circuite la jonction couche P d'anode - zone centrale N qui permettait au GTO de bloquer le courant sous tension inverse. La structure modifie, polarise en inverse, se comporte comme une rsistance; le GTO conduit donc en inverse un courant proportionnel la tension avec une forte dissipation d'nergie. La tension inverse maximale doit tre limite une dizaine de volts pour ne pas dtruire le composant.

3.2 Circuits de commande


La commande du GTO doit tre conue comme une commande de transistor bipolaire que comme celle d'un thyristor. La fig.7 donne un exemple de circuit :

fermeture : appliquons en entre un signal ec positif provoquant la saturation du transistor T donc la cration d'un courant de gchette positif. Pour assurer une fermeture rapide, il faut crer, grce au circuit RC, une pointe de courant de l'ordre de 5 6 fois la valeur limite IGT du courant de gchette (fig.8). Il faut ensuite maintenir un courant lgrement suprieur pour diminuer la chute de tension directe l'tat passant; en effet la structure interne du GTO rend le maintien en avalanche de la jonction de commande plus difficile que pour un thyristor. ouverture : appliquons un signal de commande ngatif pour saturer le transistor T' et crer ainsi un courant de gchette ngatif. Pour un blocage rapide, le courant de gchette doit atteindre rapidement une valeur de 5 6 fois -IGR = - IA / G puis doit tre maintenu une valeur infrieure - IGR durant tout le blocage. Avant de pouvoir appliquer une tension positive, il faut tre sur que le blocage est termin sinon un r-amorage intempestif peut dtruire le GTO. Il faut galement limiter la vitesse de croissance (dv/dt)max une valeur de l'ordre de 500 1 000 V/s. Le circuit d'aide la commutation R' - C' - D' permet de retarder la monte de la tension sur charge inductive tout en contrlant sa vitesse de croissance. Le GTO est un interrupteur command dont l'utilisation est limit au contrle de charges de trs forte puissance, au moins 10 kW, sous tension leve, au moins 800 V. Sa frquence de fonctionnement est limite environ 50 kHz.