Diodo

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Diodo
Diodo

Diodo en primer plano. NÄtese la forma cuadrada del cristal semiconductor (objeto negro de la izquierda). Tipo Principio de funcionamiento Fecha de invenciÄn Semiconductor Efecto Edison John Ambrose Fleming (1904) SÅmbolo electrÄnico

ConfiguraciÄn

Ånodo y CÇtodo

Un diodo es un componente electrÄnico de dos terminales que permite la circulaciÄn de la corriente elÉctrica a travÉs de Él en un sentido. Este tÉrmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el mÇs comÑn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elÉctricos. El diodo de vacÅo (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologÖas de alta potencia) es un tubo de vacÖo con dos electrodos: una lÇmina como Çnodo, y un cÇtodo. De forma simplificada, la curva caracterÖstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elÉctrica muy pequeÜa.Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seÜal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento estÇ basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran vÇlvulas o tubos de vacÖo, tambiÉn llamados vÇlvulas termoiÄnicas constituidos por dos electrodos rodeados de vacÖo en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lÇmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basÇndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison. Al igual que las lÇmparas incandescentes, los tubos de vacÖo tienen un filamento (el cÇtodo) a travÉs del cual circula la corriente, calentÇndolo por efecto Joule. El filamento estÇ tratado con Äxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vacÖo circundante los cuales son conducidos electrostÇticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada positivamente (el Çnodo), produciÉndose asÖ la conducciÄn. Evidentemente, si el cÇtodo no se calienta, no podrÇ ceder electrones. Por esa razÄn, los circuitos que utilizaban vÇlvulas de vacÖo requerÖan un tiempo para que las vÇlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vÇlvulas se quemaban con mucha facilidad.

y ode (de áàâä). El habÖa construido una bombilla con un filamento adicional y una con una lÇmina metÇlica dentro de la lÇmpara. Fleming patentÄ el primer diodo termoiÄnico en Britain el 16 de noviembre de 1904. En 1873 Frederick Guthrie descubriÄ el principio de operaciÄn de los diodos tÉrmicos. El cientÖfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. Diodo de vacÖo. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prÇctico para la recepciÄn de seÜales inalÇmbricas por Greenleaf Whittier Pickard. que significa separado. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor. este Ñltimo tambiÉn llamado resistor con un voltÖmetro de DC. aunque el detector de cristal semiconductor volviÄ a usarse frecuentemente con la llegada de los econÄmicos diodos de germanio en la dÉcada de 1950. En la Época de su invenciÄn. Aproximadamente 20 aÜos despuÉs. el detector de cristal semiconductor consistÖa de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se podÖa mover manualmente a travÉs del cristal para asÖ obtener una seÜal Äptima. Los rectificadores de Äxido de cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la dÉcada de los 1930. estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores.Diodo 2 Historia Aunque el diodo semiconductor de estado sÄlido se popularizÄ antes del diodo termoiÄnico. No sucedÖa lo mismo con un electroscopio cargado negativamente. Independientemente. Este dispositivo problemÇtico fue rÇpidamente superado por los diodos termoiÄnicos. ambos se desarrollaron al mismo tiempo. reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direcciÄn. de las cuales se usÄ ampliamente el mineral galena. sin necesidad de que este lo tocara. pero el galena fue el que mÇs se usÄ porque tenÖa la ventaja de ser barato y fÇcil de obtener. William Henry Eccles acuÜÄ el tÉrmino diodo del griego dia. en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison. quiÉn inventÄ un detector de cristal de silicio en 1903 y recibiÄ una patente de ello el 20 de noviembre de 2006. Edison diseÜo un circuito que reemplaza la bombilla por un del diodo semiconductor. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias. En 1874 el cientÖfico alemÇn Karl Ferdinand Braun descubriÄ la naturaleza de conducir por una sola direcciÄn de los cristales semiconductores. Aparentemente no tenÖa uso prÇctico para esa Época. Por lo cual. Edison obtuvo una patente para diodo sÄlido. Guhtrie descubriÄ que un electroscopio cargado positivamente podrÖa descargarse al acercarse una pieza de metal caliente. A su vez. el confirmÄ que una corriente fluÖa del filamento incandescente a travÉs del vaciÄ a la lÇmina metÇlica. el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. En 1919. John Ambrose Fleming (cientÖfico asesor de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podrÖa usarse como un radio detector de precisiÄn. este invento en 1884. Cuando uso este dispositivo. Edison investigaba porque los filamentos de carbÄn de las bombillas se quemaban al final del terminal positivo. pero esto solo sucedÖa cuando la lÇmina estaba conectada positivamente. que significa camino. Al principio de la era del radio. Braun patentÄ el rectificador de cristal en 1899. la patente era probablemente para precauciÄn. usado comÑnmente hasta la invenciÄn . elÉctricamente aislada del filamento.

4 V para los cristales de germanio. otro electrodo interno tratado con una mezcla de Bario y Äxido de estroncio. Las terminales del diodo se unen a cada regiÄn. amplificadores de audio. SÖmbolo de un diodo de vacÖo o gaseoso. el Çnodo.Diodo 3 Diodos termoiÄnicos y de estado gaseoso Los diodos termoiÄnicos son dispositivos de vÇlvula termoiÄnica (tambiÉn conocida como tubo de vacÖo). rectificadores y potencia. se eligen estas substancias porque tienen una pequeÜa funciÄn de trabajo (algunas vÇlvulas usan calentamiento directo. la zona de carga espacial es mucho mayor. que consisten en un arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vacÖo. y el filamento.c. FormaciÄn de la regiÄn de agotamiento. Sin embargo. suele ser del orden de 0. En polarizaciÄn directa.e. se dice que el diodo estÇ polarizado. el cÇtodo. A medida que progresa el proceso de difusiÄn. En la mayorÖa del siglo 20 los diodos de vÇlvula termoiÄnica se usaron en aplicaciones de seÜales anÇlogas. cuando una corriente convencional fluye del Çnodo al cÇtodo (opuesto al flujo de los electrones). que se opondrÇ a la corriente de electrones y terminarÇ deteniÉndolos.5 micras pero cuando uno de los cristales estÇ mucho mÇs dopado que el otro. cristal n al p (Je). es decir. es donde la importancia del diodo toma su lugar. los cuales son Äxidos alcalinotÉrreos. El calentamiento causa emisiÄn termoiÄnica de electrones en el vacÖo. una corriente a travÉs del filamento que se va a calentar calienta indirectamente el cÇtodo. llamado una uniÄn PN. Este campo elÉctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensiÄn entre las zonas p y n. Diodo semiconductor Un diodo semiconductor moderno estÇ hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en Él para crear una regiÄn que contiene portadores de carga negativos (electrones). estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la uniÄn. crea un campo elÉctrico (E) que actuarÇ sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento. donde un filamento de tungsteno actÑa como calentador y como cÇtodo). la acumulaciÄn de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p. se manifiesta una difusiÄn de electrones del grÇfica z. El lÖmite dentro del cristal de estas dos regiones. sus componentes son. Los primeros modelos eran muy parecidos a la lÇmpara incandescente. En los diodos de vÇlvula termoiÄnica. La anchura de la regiÄn de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio. la regiÄn de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la uniÄn. pero no en la direcciÄn opuesta. zona que recibe el nombre de regiÄn de agotamiento. asÖ como equipo especializado de alta tensiÄn. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0. AdemÇs. los diodos de vÇlvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como rectificadores en guitarras elÉctricas. cualquier corriente en este caso es insignificante. Al unir ambos cristales. Sin embargo. Hasta el dÖa de hoy. Al establecerse una corriente de difusiÄn.7 V en el caso del silicio y 0. De arriba a abajo. llamado semiconductor tipo p. los electrones no eran fÇcilmente transportados de la superficie del Çnodo que no estaba caliente cuando la vÇlvula termoiÄnica estaba en polarizaciÄn inversa. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado cÇtodo). Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensiÄn externa. el Çnodo estaba cargado positivamente por lo cual atraÖa electrones. llamado semiconductor de tipo n. en la . y una regiÄn en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos). pudiendo ser la polarizaciÄn directa o inversa.

los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la baterÖa. siendo el electrÄn que falta el denominado hueco. se debe conectar el polo positivo de la baterÖa al Çnodo del diodo y el polo negativo al cÇtodo. con lo que estos electrones se dirigen hacia la uniÄn p-n. ver semiconductor y Çtomo) y una carga elÉctrica neta de +1. los electrones libres del cristal n. lo que hace aumentar la zona de carga espacial. con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los Çtomos de silicio. ã El polo negativo de la baterÖa cede electrones libres a los Çtomos trivalentes de la zona p. esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la uniÄn p-n.Diodo 4 PolarizaciÄn directa de un diodo En este caso. A medida que los electrones libres abandonan la zona n. De este modo. el polo negativo de la baterÖa se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n. aparece a travÉs del diodo una corriente elÉctrica constante hasta el final. Una vez ocurrido esto el electrÄn es atraÖdo por el polo positivo de la baterÖa y se desplaza de Çtomo en Çtomo hasta llegar al final del cristal p. Para que un diodo estÉ polarizado directamente. desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la baterÖa. la baterÖa disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial. debido al efecto de la temperatura se formarÇn pares electrÄn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la uniÄn produciendo una pequeÜa corriente . con lo que se convierten en iones positivos. En esta situaciÄn. cae en uno de los mÑltiples huecos de la zona p convirtiÉndose en electrÄn de valencia. ã Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elÉctrico que la baterÖa. con la baterÖa cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p. tal y como se explica a continuaciÄn: ã El polo positivo de la baterÖa atrae a los electrones libres de la zona n. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la baterÖa entran en la zona p. tienen solamente 7 electrones de valencia. los cuales previamente se han desplazado hacia la uniÄn p-n. convirtiÉndose asÖ en iones negativos. el diodo no deberÖa conducir la corriente. En estas condiciones podemos observar que: ã El polo negativo de la baterÖa repele los electrones libres del cristal n. es decir. ã Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la baterÖa es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial. Recordemos que estos Çtomos sÄlo tienen 3 electrones de valencia. PolarizaciÄn directa del diodo pn. y la tensiÄn en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensiÄn de la baterÖa. los Çtomos pentavalentes que antes eran neutros. el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. al verse desprendidos de su electrÄn en el orbital de conducciÄn. ã El polo positivo de la baterÖa atrae a los electrones de valencia del cristal p. PolarizaciÄn inversa del diodo pn. adquieren la energÖa suficiente para saltar a los huecos del cristal p. permitiendo el paso de la corriente de electrones a travÉs de la uniÄn. ã Una vez que un electrÄn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial. adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia. caen dentro de estos huecos con lo que los Çtomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elÉctrica neta de -1. sin embargo. PolarizaciÄn inversa de un diodo En este caso.

el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementÇndose la corriente. esta corriente es funciÄn de la tensiÄn aplicada al diodo. En polarizaciÄn inversa se generan pares electrÄn-hueco que provocan la corriente inversa de saturaciÄn. de codo o de partida (Vç ). cuando la tensiÄn externa supera la tensiÄn umbral. ã Corriente superficial de fugas. en la realidad. Curva caracterÖstica del diodo. ya que en la superficie. Es la tensiÄn inversa mÇxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. este conducirÇ la corriente inversa de saturaciÄn.Diodo (del orden de 1 åA) denominada corriente inversa de saturaciÄn. en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: ã Efecto avalancha (diodos poco dopados). La tensiÄn umbral (tambiÉn llamada barrera de potencial) de polarizaciÄn directa coincide en valor con la tensiÄn de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travÉs de ellos. Es la pequeÜa corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formaciÄn de pares electrÄn-hueco debido a la temperatura. y por tanto d sea pequeÜo. chocando con mÇs electrones de valencia y liberÇndolos a su vez. menor es la anchura de la zona de carga. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. conduce una pequeÜa corriente por la superficie del diodo. Al polarizar directamente el diodo. de forma que para pequeÜos incrementos de tensiÄn se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. ã Corriente inversa de saturaciÄn (Is ). a partir de un determinado valor de la tensiÄn. como su propio nombre indica. al polarizar inversamente el diodo. se aceleran por efecto de la tensiÄn. no obstante hay otro tipo de diodos. alrededor del 1% de la nominal. No obstante. Es la pequeÜa corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizaciÄn inversa). el campo elÉctrico serÇ grande. al igual que la corriente inversa de saturaciÄn. incrementando la corriente ligeramente. en el diodo normal o de uniÄn abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha. ã Corriente mÇxima (Imax ). Cuanto mÇs dopado estÇ el material. ã TensiÄn de ruptura (Vr ). aumenta la corriente superficial de fugas. Sin embargo. Dado que es funciÄn de la cantidad de calor que puede disipar el diodo. con lo que al aumentar la tensiÄn. AdemÇs. TeÄricamente. tanto de la zona n como de la p. los Çtomos de silicio no estÇn rodeados de suficientes Çtomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Puesto que el campo elÉctrico E puede expresarse como cociente de la tensiÄn V entre la distancia d. depende sobre todo del diseÜo del mismo. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. cuando el diodo estÉ muy dopado. Este fenÄmeno se produce para valores de la tensiÄn superiores a 6 V. . En estas condiciones. existe tambiÉn una denominada corriente superficial de fugas la cual. Es la intensidad de corriente mÇxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. 5 Curva caracterÅstica del diodo ã TensiÄn umbral. como los Zener. Esto hace que los Çtomos de la superficie del diodo. ã Efecto Zener (diodos muy dopados). admitiÉndose que se duplica por cada incremento de 10é en la temperatura. si la tensiÄn inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energÖa cinÉtica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducciÄn. del orden de 3è105 V/cm. a su vez. la barrera de potencial desaparece. la barrera de potencial inicial se va reduciendo. Estos electrones liberados. la corriente superficial de fuga es despreciable.

dependiente del proceso de fabricaciÄn del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).Diodo Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales. ã IS es la corriente de saturaciÄn (aproximadamente ) ã n es el coeficiente de emisiÄn. que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos. El mÇs simple de todos es el diodo ideal. 6 Modelos matemÇticos El modelo matemÇtico mÇs empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayorÖa de las aplicaciones. se puede eliminar el 1 de la ecuaciÄn. quedando como resultado: Con objeto de evitar el uso de exponenciales. La ecuaciÄn que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es: Donde: ã I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo ã VD es la diferencia de tensiÄn entre sus extremos. una temperatura cercana a la temperatura ambiente. no describe la estabilizaciÄn de la curva I-V en polarizaciÄn activa debido a la resistencia interna. T es la temperatura absoluta de la uniÄn pn. difusiÄn. se puede producir por ambos efectos. TambiÉn asume que la corriente de recombinaciÄn en la regiÄn de agotamiento es insignificante. y q es la magnitud de la carga de un electrÄn (la carga elemental). Para voltajes pequeÜos en la regiÄn de polarizaciÄn directa. . y la recombinaciÄn tÉrmica. la exponencial en la ecuaciÄn del diodo es insignificante. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por: Donde k es la constante de Boltzmann. como los Zener. Adicionalmente. Esto significa que la ecuaciÄn de Schockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la regiÄn de ruptura e inducciÄn por fotones. en ocasiones se emplean modelos mÇs simples aÑn. La regiÄn de ruptura no esta modelada en la ecuaciÄn de diodo de Schockley. son los llamados modelos de continua o de Ram-seÉal. El Voltaje tÉrmico VT es aproximadamente 25. La ecuaciÄn de diodo ideal de Schockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo elÉctrico).85mV en 300K. Bajo voltajes negativos. y la corriente es una constante negativa del valor de Is. muy usada en los programas de simulaciÄn de circuitos.

La gran mayorÖa de los diodos pn se encuentran en circuitos integrados CMOS. El diodo cristal consiste de un cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor. con su compuerta conectada a la fuente. pueden usarse en temperaturas muy bajas. similar a una avalancha. Los diodos normales. ã Diodo tÑnel o Esaki: Tienen una regiÄn de operaciÄn que produce una resistencia negativa debido al efecto tÑnel. impurezas. pero puede conseguirse todavÖa de algunos fabricantes. permitiendo osciladores de ondas microondas de alta frecuencia. TambiÉn suele llamarse CLDs (por sus siglas en inglÉs) o diodo regulador de corriente. Bajo condiciones apropiadas. el terminal cÇtodo se indica pintando una franja blanca o negra. Los diodos de cristal tienen una gran aplicaciÄn en los radio a galena. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado por principios de la mecÇnica cuÇntica y teorÖa de bandas. Varios diodos semiconductores. las formas de dominio del dipolo y propagaciÄn a travÉs del diodo. tal como arseniuro de galio. Esto sucede cuando el campo elÉctrico inverso que atraviesa la uniÄn p-n produce una onda de ionizaciÄn. Los diodos de cristal estÇn obsoletos. el efecto avalancha. Abajo: Un puente rectificador. campos magnÉticos de gran magnitud y en entornos con radiaciÄn alta. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6. y funciona como un limitador de corriente de dos terminales anÇlogo al diodo Zener. Por estas propiedades. generalmente galena o de una parte de carbÄn. el cual limita el voltaje. que pueden diferir en su aspecto fÖsico. se usaba el Äxido cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio una caÖda de tensiÄn muy alta (desde 1. produciendo una corriente. ElectricÇmente son similares a los diodos Zener. permitiendo amplificar seÜales y circuitos muy simples que poseen dos estados. uso de electrodos. ã Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET. ã Diodo avalancha: Diodos que conducen en direcciÄn contraria cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura. La Ñnica diferencia prÇctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de polaridades opuestas.Diodo 7 Tipos de diodo semiconductor Existen varios tipos de diodos.2V) y el diodo zener es que el ancho del canal del primero excede la "libre asociaciÄn" de los electrones. Ellos permiten una corriente a travÉs de ellos para alcanzar un valor adecuado y asÖ estabilizarse en un valor especÖfico. los portadores de carga que cruzan la uniÄn emiten fotones cuando se recombinan con los . que incluyen dos diodos por pin y muchos otros diodos internos. Antes del desarrollo de estos diodos rectificadores de silicio. Los diodos avalancha estÇn diseÜados para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya. El cable forma el Çnodo y el cristal forma el cÇtodo. ã Diodo Gunn: Similar al diodo tÑnel son construidos de materiales como GaAs o InP que produce una resistencia negativa. que tienen caracterÖsticas elÉctricas particulares usados para una aplicaciÄn especial en un circuito. En la mayorÖa de los diodos. ã Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. pero funciona bajo otro fenÄmeno. ã Diodo emisor de luz: En un diodo formado de un semiconductor con huecos en su banda de energÖa. los diodos tÑnel son muy rÇpidos. se hacen generalmente de silicio dopado o germanio.7V) y requerÖan de una gran disipaciÄn de calor mucho mÇs grande que un diodo de silicio. suelen usarse en viajes espaciales.4 a 1. Debido a la alta concentraciÄn de carga. los cuales operan como se describÖa mÇs arriba.

Diodo portadores mayoritarios en el otro lado. la longitud de onda que se pueden producir varÖa desde el infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta. El muy usado 1N34 (de fabricaciÄn alemana) aÑn se usa en receptores de radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos analÄgicos especializados. Los fotodiodos tienen la funciÄn de ser sensibles a la luz (fotocelda).45V. Los diodos PIN tambiÉn se usan en la electrÄnica de potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. Los LEDs blancos son en realidad combinaciones de tres LEDs de diferente color o un LED azul revestido con un centelleador amarillo. Los primeros LEDs fueron rojos y amarillos. y se hace un conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el semiconductor. la estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos semiconductores de potencia.1V corresponde al rojo. TambiÉn son usados como detectores de radiaciÄn ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Generalmente es un efecto no deseado. Tienden a tener una capacitancia de uniÄn mucho mÇs baja que los diodos pn que funcionan como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad como fuentes conmutadas. Su tensiÄn de ruptura en corrientes de 1mA estÇ en el rango de 0. AdemÇs. MOSFETs de potencia y tiristores. Los diodos Schottky son portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que ralentizan la mayorÖa de los demÇs diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una recuperaciÄn inversa mÇs rÇpida que los diodos de uniÄn pn. Dependiendo del material. ã Diodo lÇser: Cuando la estructura de un LED se introduce en una cavidad resonante formada al pulir las caras de los extremos. Los LEDs tambiÉn pueden usarse como fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de seÜales.0V al violeta. tales como IGBTs. en fotometrÖa o en comunicaciÄn Äptica.15V a 0. lo cual los hace Ñtiles en aplicaciones de fijaciÄn y prevenciÄn de saturaciÄn en un transistor. por lo que muchos de los semiconductores estÇn empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Un LED puede usarse con un fotodiodo o fototransistor para formar un optoacoplador. Los refrigeradores termoelÉctricos se hacen de semiconductores. 8 . ã Diodo Schottky: El diodo Schottky estÇn construidos de un metal a un contacto de semiconductor. se puede formar un lÇser. 4. Tiene una tensiÄn de ruptura mucho menor que los diodos pn. Algo del metal migra hacia el semiconductor para hacer una pequeÜa regiÄn de tipo p cerca del contacto. ã Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una secciÄn central sin doparse o en otras palabras una capa intrÖnseca formando una estructura p-intrinseca-n. Los diodos lÇser se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento Äpticos y para la comunicaciÄn Äptica de alta velocidad. Se fabrica una secciÄn de semiconductor tipo n. mezclador de frecuencias y detectores. TambiÉn se pueden usar como rectificadores con bajas pÉrdidas aunque su corriente de fuga es mucho mÇs alta que la de otros diodos. El potencial que admiten estos diodos dependen de la longitud de onda que ellos emiten: 2. ã Fotodiodos: Todos los semiconductores estÇn sujetos a portadores de carga Äpticos. Son usados como interruptores de alta frecuencia y atenuadores. aunque ellos no tienen ninguna uniÄn de rectificaciÄn. Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de carga acoplada. ã Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de uniÄn mencionados anteriormente aunque su construcciÄn es mÇs simple. aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor. y para refrigeradores termoelÉctricos para la refrigeraciÄn termoelÉctrica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo como un arreglo lineal o como un arreglo de dos dimensiones. ã Diodo tÖrmico: Este tÉrmino tambiÉn se usa para los diodos convencionales usados para monitorear la temperatura a la variaciÄn de voltaje con la temperatura. Un fotodiodo puede usarse en celdas solares. por lo que estÇn empacados en materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo mÇs sensible a la luz).

htm . us. simbologia-electronica. publicada en espaÜol bajo la licencia Creative Commons Compartir-Igual 3. com/ simbolos_electronicos/ diodos. php/ Diodo [2] http:/ / creativecommons. Commons ã SÖmbolos de Diodos [3] Referencias [1] http:/ / enciclopedia. es [3] http:/ / www.Diodo 9 Aplicaciones del diodo ã ã ã ã ã ã ã ã ã Rectificador de media onda Rectificador de onda completa Rectificador en paralelo Doblador de tensiÄn Estabilizador Zener Limitador Circuito fijador Multiplicador de tensiÄn Divisor de tensiÄn Referencias ã El contenido de este artÖculo incorpora material de una entrada de la Enciclopedia Libre Universal [1]. org/ licenses/ by-sa/ 3. Enlaces externos ã Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre diodos.0 [2]. es/ index. 0/ deed.

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