Relazione Microelettronica To Tommaso

Relazione Finale del corso di Microelettronica 1
a.a. 2010-2011
Caratterizzazione di dispositivi a
semiconduttore attraverso il laboratorio remoto
MIT iLab
Autore:
Tommaso CALDOGNETTO
Corso:
Microelettronica 1
Docente:
Prof. Gaudenzio MENEGHESSO
i
Sommario
Oggetto della relazione lo studio secondo un approccio hands-on dei fenomeni principali che
riguardano la microelettronica, attraverso lanalisi dei dispositivi fondamentali dellelettronica
integrata.
La prima sezione dedicata allo studio del diodo a giunzione pn. A partire dalle caratteristiche
tensione-corrente sono estratti i parametri principali che governano il funzionamento del disposi-
tivo ed esaminato il modello risultante. Alla ne sono discussi in maggior dettaglio le relazioni
tra il modello e i vari fenomeni che in generale interessano una giunzione pn.
La seconda sezione presenta lo studio di un diodo Schottky retticante. Mantenendo limpo-
stazione dellanalisi condotta per il diodo pn, sono analizzate le caratteristiche corrente-tensione
al ne di estrarre i parametri di un modello che ne rappresenta il funzionamento. Segue quindi
un confronto del comportamento previsto dal modello rispetto al comportamento del dispositivo
reale, e lindividuazione delle corrispondenze dei risultati forniti dallanalisi con i fenomeni sici
della giunzione metallo-semiconduttore. In conclusione riportato un confronto diodo Schottky
vs diodo pn.
Lultimo dispositivo analizzato il transistor MOS ad effetto di campo. Le analisi si basano
sulle caratteristiche quasi-statiche misurate di due dispositivi, un MOSFET commerciale a canale
lungo e un MOSFET di caratteristiche incognite con lunghezza di canale di 3m. Per questultimo
in particolare si sono condotte diverse analisi al ne di estrarne il modello a partire dalle sole
misurate caratteristiche statiche tensione-corrente. Il risultato dello studio ha permesso di derivare
una stima di tutti i principali parametri del dispositivo incognito, compresa larghezza di canale,
capacit dellossido per unit di supercie, prolo di drogaggio del bulk, subthreshold sweep, ecc.
proposto inne limpiego/verica dei risultati dello studio in una simulazione SPICE.
Una sezione anche dedicata alla simulazione della risposta C-V di un sistema MOS.
ii
Indice
Sommario ii
1 Introduzione 1
2 Diodo pn 1
2.1 Estrazione della corrente di saturazione I
s
e del coefciente di idealit . . . . . 1
2.2 Stima della resistenza serie R
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.3 Considerazioni sui risultati ottenuti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.4 Caratteristica V-I del diodo 6.012 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3 Diodo Schottky 7
s
e del coefciente di idealit . . . . . 7
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3.3 Considerazioni sui risultati ottenuti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.4 Valutazioni in polarizzazione inversa diodo Schottky vs diodo pn . . . . . . . . 10
4 MOSFET 12
4.1 Misura della tensione di soglia V
th
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
4.2 Estrazione del potenziale
p
, del coefciente delleffetto body , del drogaggio N
A
e della capacit C
ox
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
4.3 Estrazione del prolo di drogaggio del bulk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
4.4 Misura del parametro K
n
e stima della larghezza di canale W . . . . . . . . . . . 17
4.5 Misura delle correnti di sottosoglia ed estrazione di un riferimento per N
ss
. . . . 19
4.6 Rilievo e I
s j
per il completamento del modello del MOSFET . . . . . . . . . . 21
4.7 Modello SPICE di 3m MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
4.8 Impostazione della misura della carica mobile nellossido . . . . . . . . . . . . . 23
5 Simulazione della misura C-V del sistema MOS 24
A Datasheet diodo pn 1N914 27
B Datasheet diodo Schottky 1N5818 30
C Datasheet N-MOSFET 2N7000 32
iii
1 Introduzione 1
1 Introduzione
Q
UESTA BREVE relazione ha lo scopo di raccogliere i risultati delle misure e delle analisi
condotte su alcuni particolari dispositivi mediante il laboratorio a distanza MIT iLab.
I dispositivi considerati sono i seguenti:
1N914 diodo al silicio della classe dei diodi di segnale;
1N5818 diodo Schottky retticante
2N7000 transistor MOSFET a canale n di tipo ad arricchimento;
3m NMOS transistor MOSFET a canale n e lunghezza di canale L = 3m.
Per ogni dispositivo, lapproccio di misura adottato si sviluppa nelle seguenti tre fasi:
individuazione della congurazione circuitale adatta alla misura che si intende eseguire e
congurazione degli strumenti in funzione dellaccuratezza e dei rage di misura;
acquisizione dei dati da iLab;
elaborazione ed analisi dei dati raccolti.
Di seguito verranno considerati i vari dispositivi singolarmente, riportando le modalit di misura,
i dati ottenuti in forma graca e analitica assieme a considerazioni sui risultati delle analisi, e gli
schemi dei principali circuiti di misura adottati.
2 Diodo pn
Al ne di rilevare le coppie (V
A
, I
D
) che compongono la caratteristica del diodo di segnale 1N914,
congurando il dispositivo come in Figura 1(a), si applicata una tensione V
A
variabile tra lanodo
e il catodo e quindi si sono misurati i corrispondenti valori della corrente I
D
.
In gura 1(b) sono riportati i risultati delle misurazioni in scala semi-logaritmica. Il graco
evidenzia il legame esponenziale tra la corrente I
D
e la tensione V
A
per basse correnti (bassa inie-
zione). Nella regione operativa del diodo caratterizzata da correnti pi elevate si evidenzia invece
una riduzione della pendenza I
D
/V
A
poich qui divengono prevalenti gli effetti della resistenza
serie del diodo e dei fenomeni di alta iniezione. La resistenza serie del diodo dovuta alla con-
ducibilit e alle dimensioni nite del semiconduttore drogato con cui si realizza la giunzione e ai
contatti ohmici dello stesso coi terminali metallici esterni, i fenomeni di alta iniezione sono una
risposta del sistema alla forte perturbazione dellequilibrio della giunzione.
s
e del coefciente di idealit
Un modello impiegato per descrivere macroscopicamente la relazione I
D
vs V
A
per il diodo il
seguente:
I
D
= I
s
_
exp
_
q
V
A
kT
_
1
_
, (1)
i cui coefcienti possono essere estratti per il diodo in esame dallinsieme delle coppie (V
D
, I
A
)
ottenute dalle misure.
Sulla base di qualche considerazione a livello analitico si osserva che si possono direttamente
ricavare i valori di I
s
e di . In particolare, il calcolo della intercetta sulle ordinate della retta
secante il logaritmo naturale di I
D
-V
A
ed estrapolata nella zona con andamento lineare di logI
D
-V
A
il valore di logI
s
; esplicitando in forma analitica nella regione di interesse:
logI
D
logI
s
+
qV
A
kT
. (2)
s
2
4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0.5 1
10
12
10
10
10
8
10
6
10
4
10
2
10
0
Figura 1: Set-up di misura e risultati ottenuti. In (a) riportato il circuito impiegato per misurare le coppie
(V
A
, I
D
) applicando una tensione variabile V
A
ai capi del diodo e misurando la conseguente cor-
rente I
D
. In (b) sono gracate in scala semi-log: con linea continua le coppie (V
A
, I
D
) misurate,
con linea tratteggiata rossa la retta secante la curva blu nella regione nella quale I
D
ha andamento
prevalentemente esponenziale. riportato il valore estratto della corrente di saturazione I
s
.
Noto I
s
, si pu calcolare la funzione:
(V
A
) =
_
kT
qV
A
log
_
I
D
I
s
+1
__
1
, (3)
al ne di ricavare il parametro di tting . Poich il modello (1) non tiene conto di tutti i particolari
del comportamento del dispositivo risulta non costante. In questo caso si pu scegliere il va-
lore che impiegato nella (1) riproduce con maggiore fedelt landamento reale della caratteristica
corrente-tensione del diodo allinterno della regione di interesse.
Applicando il procedimento descritto sono risultati una corrente di saturazione
I
s
= 3.335 10
9
A, e il fattore di idealit = 1.89. In questa sede per la determinazione di
si operata una media di (3) (in gura 2(a) riportata (V
A
) calcolata dalle misure per V
A
> 0)
sopra lintervallo di tensioni per le quali landamento della corrente si presenta prevalentemente
esponenziale.
Per una verica di quanto ottenuto, in 2(b) si riportato landamento della corrente effettiva
misurata ai terminali del diodo rispetto allandamento previsto dal modello estratto dalle misure.
Si osserva che landamento previsto segue di buon grado quello effettivo, in particolare per tensioni
V
A
< 0.75V, per le quali lo scostamento assoluto del modello dai dati sperimentali non supera il
20%, mentre per tensioni maggiori lerrore cresce per via della resistenza serie e per i fenomeni di
alta iniezione. Per completezza si osserva, in accordo con uno studio per via analitica, la presenza
di una lieve irregolarit nellintorno di V
A
= 0V dovuta alla singolarit nellorigine del rapporto
I
D
/I
D
.
s
Al ne di ricavare i parametri per un modello adeguato anche per alte correnti di polarizzazione
si eseguita una misura per determinare la resistenza serie del diodo. A tal ne si implementato
un algoritmo che realizza il procedimento graco illustrato in gura 3, o, equivalentemente, che
s
3
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1.85
1.9
1.95
2
2.05
2.1
2.15
2.2
2.25
4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0.5 1
10
1
10
0
10
1
10
2
Figura 2: In gura (a) i valori del coefciente di idealit calcolato con la relazione (3) per ogni punto della
caratteristica I-V del diodo. In gura (b) in scala semi-log il rapporto tra la corrente stimata dal
modello (1) e la corrente effettiva del diodo, proposta come una misura dello scostamento del
modello dallandamento reale.
determina la soluzione per via numerica del sistema di equazioni:
_
V
A
=V
D
R
s
I
D
I
D

I
D
= I
s
_
exp
_
q
V
A
kT
_
1
_
.
(4)
Supponendo che il diodo reale senza resistenza serie sia descritto dal modello (1) appena
ricavato, lalgoritmo giunge alla soluzione attraverso i seguenti passi:
Data la corrente I
D
misurata trova la corrispondente tensione V
D
dal modello,
Nota V
D
, V
A
, I
D
calcola la resistenza serie:
R
s

V
D
V
A
I
D
. (5)
Figura 3: Metodo per la misura della resistenza serie di un diodo
Lalgoritmo applicato al caso in esame ad alte correnti fornisce R
s
= 1.9. Il graco di gura 4
mostra la caratteristiche corrente-tensione del diodo con riferimento a: modello ideale dellequa-
zione 1 (IDA, Ideal Diode Analysis), modello che tiene conto della resistenza serie (IDAR, Ideal
2.3 Considerazioni sui risultati ottenuti 4
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
10
12
10
10
10
8
10
6
10
4
10
2
10
0
10
2
Figura 4: Confronto delle caratteristiche V-I previste dai modelli rispetto a quella reale. In gura (a) lan-
damento in scala semi-log delle correnti

I
D
secondo i modelli (1) e (4) e la corrente misurata I
D
.
In gura (b) i rapporti tra le correnti stimate dai modelli e la corrente misurata.
Diode Analysis with Resistance), caratteristica misurata. Si osserva la precisa corrispondenza fra
il modello che tiene conto della resistenza serie e la curva delle V
A
, I
D
misurate.
2.3 Considerazioni sui risultati ottenuti
possibile avanzare qualche ulteriore analisi e considerazione in merito a quanto risulta in gura
4(b). In particolare lerrore relativo di quanto ottenuto dal modello IDAR che comprende leffetto
della resistenza serie stimata riportato in gura 5.
Nel graco della gura 5 la linea continua blu rappresenta lerrore relativo in modulo con
riferimento al modello IDAR, quella rossa indica il segno dellerrore relativo IDAR, la curva
tratteggiata rappresenta lerrore relativo con riferimento al modello IDA. Considerando solamente
il caso IDAR si inoltre suddiviso il graco in cinque zone sulla base di quale tra le correnti,
quella del modello IDAR o quella misurata, maggiore.
possibile notare che poich il coefciente stato ricavato dalla media degli (V
A
) valutata
nella regione con andamento circa lineare di logI
D
il coefciente dato dalla media risulta sotto-
stimato poich tiene conto in parte della componente di corrente dovuta alla ricombinazione nella
regione di carica spaziale. Ne consegue un eccesso di corrente stimata dal modello IDAR nelle
regioni (i), dove leffetto G/R non ancora prevalente, e (iii) dove la componente G/R diviene
trascurabile poich la polarizzazione diretta della giunzione tende ad annullare la regione di cari-
ca spaziale e di conseguenza anche la sua porzione nella quale la ricombinazione dei portatori
efcace.
Una stima consapevole di si sarebbe potuta ottenere analizzando prima la derivata di logI
D
.
Questa rappresentata in gura 6 ed possibile da questa rappresentazione denire le regioni nelle
quali rilevante/presente leffetto R/G (tra 0.15V e 0.4V) e dove iniziano i fenomeni collegati alle
elevate correnti (sopra a circa 0.6V). Il coefciente si sarebbe potuto quindi calcolare tra 0.4V
e 0.6V per non includere alcuno di tali effetti del secondo ordine. = 1.89 del caso in esame
stato valutato mediando tra 0.15V e 0.65V, con gli estremi scelti per ispezione a partire dal graco
di logI
D
; invece = 1.9 se valutato tra 0.4V e 0.6V, con il quale si riduce del 50% il picco di
errore della regione (iii).
Per quanto riguarda la regione (ii), in questa la corrente stimata dal modello IDAR minore
rispetto a quella effettiva a causa della componente di corrente dovuta alla generazione/ricombi-
nazione nella regione di carica spaziale, componente della quale il modello tiene conto in parte
mediante il fattore di idealit.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
Figura 5: Errore relativo del modello (4) (linea blu) ed errore relativo del modello (1). La linea continua
rossa indica il segno dellerrore relativo con riferimento al modello (4). Il piano V-I stato
suddiviso in cinque regioni in funzione delle caratteristiche dellerrore commesso dal modello.
Sono indicate per ogni regione il parametro o il fenomeno legato alla riportata deviazione da I
D
.
Anche nella regione (iv) la corrente stimata dal modello IDAR minore rispetto a quella
effettiva poich la resistenza serie R
s
stata stimata mediante una media condotta ad alte correnti.
Ad alte correnti la resistenza stimata con il metodo descritto tiene conto anche della riduzione
di conducibilit del dispositivo dovuta ai fenomeni di alta iniezione e quindi ne risulta una R
s
sovrastimata. Viceversa, nella regione (v), gli effetti di alta iniezione dominano, la resistenza
stimata R
s
non sufcientemente grande per tenerne conto in modo indiretto, e quindi si osserva
una corrente stimata dal modello maggiore rispetto a quella effettiva.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
5
10
15
20
25
30
X: 0.396
Y: 20.46
X: 0.152
Y: 21.68 X: 0.613
Y: 20.34
Figura 6: Considerazioni per il calcolo del parametro . In gura (a) un compendio delle componenti di
corrente in un diodo pn in polarizzazione diretta. In gura (b) la derivata prima del logarit-
mo della corrente misurata del diodo, impiegata per individuare la corrispondenza con quanto
rappresentato in (b).
2.4 Caratteristica V-I del diodo 6.012 6
2.4 Caratteristica V-I del diodo 6.012
Nelle gure 7 e 8 le caratteristiche V-I del diodo pn denominato 6.012. Queste sono riportate per
completezza e perch permettono di valutare landamento delle caratteristiche V-I di un diodo pn
con propriet siche diverse.
In particolare, in gura 7(a), possibile apprezzare il breakdown della giunzione per una
tensione di circa 7.76V. Si suppone il breakdown di tipo a valanga dato che avviene dopo aver
superato il classico valore discriminante di 6V. Una verica del tipo di breakdown pu essere
condotta imprimendo una corrente costante alla giunzione (e.g., 25mA) e quindi riscaldando il
dispositivo: se il fenomeno effettivamente del tipo a valanga allora la tensione ai capi della
giunzione dovrebbe aumentare in modulo allaumantare della temperatura, a corrente imposta
costante.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
10
15
10
10
10
5
10
0
10
5
8 7 6 5 4 3 2 1 0 1
10
12
10
10
10
8
10
6
10
4
10
2
X: 0.688
Y: 0.002178
X: 1.521
Y: 5.62e11
X: 0.36
Y: 1.472e08
X: 5.201
Y: 1.375e10
X: 7.645
Y: 1.134e08
X: 7.76
Y: 0.0025
Figura 7: Confronto delle caratteristiche V-I del diodo denominato 6.012 pn in scala semi-log. In gura
(a) la caratteristica completa del diodo con evidenziato il breakdown. In gura (b) landamento
delle correnti

I
D
secondo i modelli (1) e (4) e la corrente misurata I
D
. Sono indicati nel graco i
valori calcolati dei parametri.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
Figura 8: Errore relativo del modello (4) (linea blu) ed errore relativo del modello (1) relativo al diodo
6.012 pn. La linea continua rossa indica il segno dellerrore relativo con riferimento al modello
(4). Il piano V-I stato suddiviso in quattro regioni in funzione delle caratteristiche dellerrore
commesso dal modello. Sono indicate per ogni regione il parametro o il fenomeno legato alla
riportata deviazione da I
D
.
3 Diodo Schottky 7
3 Diodo Schottky
Analogamente a quanto fatto per i dispositivi pn del precedente paragrafo 2, per il diodo Schottky
si misurata la caratteristica corrente-tensione congurando il set-up di misura mostrato in gura
9(a), si sono rilevate le coppie (V
A
, I
D
) che rappresentano i punti operativi del diodo e quindi si
composto il graco di gura 9(b) che riporta in scala semi-logaritmica i dati ottenuti.
0.8 0.6 0.4 0.2 0 0.2 0.4 0.6
10
8
10
7
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
Figura 9: Set-up di misura e risultati ottenuti. In (a) riportato il circuito impiegato per misurare le coppie
(V
A
, I
D
) applicando una tensione variabile V
A
ai capi del diodo e misurando la conseguente cor-
rente I
D
. In (b) sono gracate in scala semi-log: con linea continua le coppie (V
A
, I
D
) misurate,
con linea tratteggiata rossa la retta secante alla curva blu nella regione nella quale I
D
ha anda-
mento prevalentemente esponenziale. riportato il valore estratto della corrente di saturazione
I
s
.
Il graco evidenzia il legame esponenziale tra la corrente e la tensione che interessano il diodo
Schottky per basse correnti di polarizzazione, mentre per le correnti pi elevate la caratteristica V-I
tende ad essere lineare a causa della resistenza serie R
s
del diodo e dei fenomeni di alta iniezione.
s
e del coefciente di idealit
Un possibile modello del comportamento del dispositivo uguale a quello impiegato per il diodo
pn. Infatti tensione e corrente sono legate in prima approssimazione dalla seguente relazione (che
costituisce un modello per il dispositivo):
I
D
= I
s
_
exp
_
q
V
A
kT
_
1
_
, (6)
dove, secondo uno studio che tiene conto dei risultati dellanalisi dei processi di trasporto per emis-
sione termoionica (ref. Thermoionic-Emission Theory) e di diffusione (ref. Schottky Diffusion
Theory), la corrente di saturazione I
s
vale approssimativamente:
I
s
= A
T
2
exp
_
q
B
kT
_
, (7)
dove A
detta costante di Richardson effettiva, i cui valori tipici per n-Si sono prossimi a:
110AK
2
cm
2
. Il coefciente nellequazione 6 lusuale coefciente di idealit impiega-
to, al momento della modellizzazione, per adattare il modello al dispositivo, e il coefciente
s
8
rappresenta il valore dellarea geometrica equivalente della giunzione, cio larea elettricamente
attiva.
Lestrazione dei parametri I
s
e del modello stata eseguita come descritto nel caso del
diodo pn. In particolare stata calcolata I
s
= 8.95 10
7
A in corrispondenza dellintersezione
con lasse delle correnti della retta secante la caratteristica (V
A
, logI
D
) estrapolata nella regione
con andamento approssimativamente lineare. Anche in questo caso il calcolo del coefciente di
idealit per i vari punti della caratteristica, cio:
(V
A
) =
_
kT
qV
A
log
_
I
D
I
s
+1
__
1
, (8)
presenta un andamento non costante, riportato in gura 10. Si dovr quindi scegliere un criterio
per la determinazione di . Dal graco di gura 10(a), che rappresenta la derivata prima del lo-
garitmo della quantit I
D
+I
s
rispetto alla tensione V
A
, si osserva che non evidente leffetto della
componente di corrente dovuta alla generazione/ricombinazione nella regione di svuotamento co-
me si era osservato invece nel caso della giunzione pn e quindi possibile scegliere il parametro
a partire dai vettori V
A
e I
D
mediando nel modo seguente:
=

i I
(V
A
)
#I
, con I := {i | 0.05V <V
A
(i) < 0.15V} . (9)
Il risultato del calcolo per i valori acquisiti fornisce = 1.05.
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4
1
1.05
1.1
1.15
1.2
1.25
1.3
1.35
1.4
1.45
Figura 10: In gura (a) derivata della funzione log(I
D
+I
s
) rispetto a V
A
; in gura (b) i valori del coef-
ciente di idealit calcolato con la relazione (8) per ogni punto della caratteristica I-V del
diodo.
s
Anche in questo caso si stimata la resistenza serie del diodo Schottky risolvendo per via numerica
il sistema:
_
V
A
=V
D
R
s
I
D
I
D

I
D
= I
s
_
exp
_
q
V
A
kT
_
1
_
,
(10)
seguendo il procedimento descritto per il diodo pn nella sezione 2. Risulta una resistenza serie
R
s
= 1.4.
In gura 11 si presenta un confronto tra gli andamenti stimati dai modelli e landamento ef-
fettivo. La curva IDA relativa al modello del diodo ideale 6, la curva IDAR relativa al modello
che tiene conto anche della resistenza serie del diodo stimata come sopra descritto, e la terza
curva, marcata in blu, rappresenta landamento effettivamente misurato. Si osserva una buona cor-
rispondenza dei modelli IDA e IDAR con i valori misurati per basse correnti, mentre per correnti
maggiori, naturalmente, solo il modello che tiene conto della resistenza serie continua a mantenere
buona corrispondenza con le misure.
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45
10
8
10
6
10
4
10
2
10
0
10
2
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45
10
1
10
0
10
1
10
2
Figura 11: Confronto delle caratteristiche V-I previste dai modelli rispetto a quella reale. In gura (a)
landamento in scala semi-log delle correnti

I
D
secondo i modelli (6) e (10) e la corrente misurata
I
D
. In gura (b) i rapporti tra le correnti stimate dai modelli e la corrente misurata.
3.3 Considerazioni sui risultati ottenuti
In gura 12 riportato lerrore relativo della corrente stimata dai modelli IDA e IDAR rispetto
alla corrente misurata. cos possibile un confronto con quanto riportato in gura 5 per il diodo
pn.
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
Figura 12: Errore relativo del modello (10) (linea blu) ed errore relativo del modello (6). La linea continua
rossa indica il segno dellerrore relativo con riferimento al modello (4). Il piano V-I stato
suddiviso in tre regioni in funzione delle caratteristiche dellerrore commesso dal modello. Sono
indicate per ogni regione il parametro o il fenomeno legato alla riportata deviazione da I
D
.
3.4 Valutazioni in polarizzazione inversa diodo Schottky vs diodo pn 10
Si osserva che lo scostamento dei modelli rispetto alle grandezze misurate minore rispetto
al caso del diodo pn, principalmente per il fatto che gli effetti della componente di generazione/-
ricombinazione, nel diodo Schottky, inuiscono meno nel comportamento al al primo ordine
del dispositivo alle temperature e alle tensioni di polarizzazione considerate. Tuttavia si sottolinea
che dal punto di vista della sica del dispositivo la corrente in effetti la combinazione di diversi
fenomeni di trasporto, in particolare i principali sono quelli per emissione termoionica (processo
di trasporto prevalente), per effetto tunnel, per ricombinazione nella regione di svuotamento, per
diffusione di elettroni e per diffusione di lacune. La composizione delle varie componenti non si
manifesta con la sola osservazione della caratteristica V-I ad una data temperatura perch queste
sono in prima approssimazione proporzionali tra loro (cio proporzionali a exp(qV
A
/kT), come
nel caso della componente per effetto tunnel con quella di emissione termoionica o di diffusione
di elettroni in un contatto metallo/n-Si) oppure hanno unintensit difcilmente apprezzabile.
3.4 Valutazioni in polarizzazione inversa diodo Schottky vs diodo pn
Inne possibile rilevare unulteriore peculiarit della giunzione metallo-semiconduttore nel fun-
zionamento in polarizzazione inversa. Pi precisamente si vuole aver prova della relazione lineare
tra la corrente di saturazione e il quadrato della tensione di polarizzazione per V
A
<0, che secondo
lo studio della caratteristica V-I seguendo lapproccio della Diffusion Theory dovrebbe risultare:
I
s
=
q
2
D
n
N
c
kT
2q(
i
V
A
)N
d
Si
exp
_
q
B
kT
_
, (11)
cio I
2
D
V
A
, per V
A
sufcientemente minore di zero e assumendo exp(qV
A
/kT) 0.
In gura 13 sono riportati il quadrato delle correnti I
D
, normalizzate rispetto al relativo valore
massimo, verso la tensione V
A
per il diodo pn e per il diodo Schottky. Sono marcati in rosso gli
andamenti misurati mentre in blu quelli ottenuti mediante operazione di tting. Si osserva per il
diodo Schottky un signicativo match tra I
2
D
misurata con il relativo andamento lineare estratto, in
accordo con la trattazione teorica.
Per il diodo pn invece non si evidenzia alle tensioni inverse considerate una altrettanto esplicita
corrispondenza. Tuttavia si anche considerato che landamento della componente di corrente di
generazione, che ha origine nella regione di carica spaziale per V
A
< 0, circa pari a:
I
D
G/R

qn
i
x
i
2
0
, (12)
dove x
i
la porzione della regione di carica spaziale nella quale il livello di Fermi intrinseco
compreso tra i due quasi-livelli di Fermi, e che quindi tende ad essere circa pari alla regione di
svuotamento per tensioni di polarizzazione inverse crescenti in modulo. Poich la regione di carica
spaziale proporzionale alla radice quadrata della tensione inversa applicata risulta che anche
I
D
G/R
tende ad essere proporzionale a
_
|V
A
|. Tale previsione potrebbe essere provata applicando
tensioni di polarizzazione inversa maggiori.
3.4 Valutazioni in polarizzazione inversa diodo Schottky vs diodo pn 11
1 2 3 4 5 6 7 8
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
1
2
3
4
5
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
1
2
3
4
5
Max: 0.3548%
1 2 3 4 5 6 7 8
Figura 13: Confronto dellandamento del quadrato della corrente in polarizzazione inversa per il diodo
pn in gura (a) e per il diodo Schottky in gura (b). Le correnti per entrambi i diodi sono
normalizzate rispetto alla rispettiva corrente misurata alla tensione V
A
= 4V. Si evidenzia
che il diodo Schottky, al contrario del diodo pn, presenta una corrente in polarizzazione inversa
che proporzionale alla radice quadrata della tensione inversa di polarizzazione a causa del
caratteristico fenomeno di riduzione della barriera (image force lowering), fenomeno che non
presente nel funzionamento del diodo pn.
4 MOSFET 12
4 MOSFET
Il paragrafo espone le analisi e i risultati ottenuti dalle misure condotte su due dispositivi MO-
SFET: il transistor 2N7000 e un transistor MOS con lunghezza di canale 3m. In particolar modo
per questultimo dispositivo sono estratti o stimati una serie di parametri che permetteranno di
derivarne il relativo modello SPICE.
th
Per la misura della tensione di soglia V
th
dei MOSFET sono stati impiegati due metodi:
Il primo metodo estrae V
th
dalla caratteristica I
D
-V
G
quando il dispositivo opera in zona
di saturazione. La misura delle coppie I
D
, V
G
condotta impiegando il circuito di misura
illustrato in gura 14, nel quale si nota il transistor chiuso a diodo per garantire la polarizza-
zione in zona di saturazione. Lindividuazione del valore della tensione di soglia consiste nel
determinare lintercetta nellasse delle tensioni della retta estrapolata nellintrono del punto
di massima pendenza della curva

I
D
V
G
. Il tting opportuno sia eseguito nellintorno
del punto di massima pendenza di

I
D
V
G
poich I
D
inuenzata dalla degradazione della
mobilit e dalla resistenza serie che interessano il dispositivo, perci ragionevole supporre
che in corrispondenza del punto di massimo della derivata prima di

I
D
(V
GS
) corrisponder
un funzionamento meno affetto da questi fenomeni.
Il metodo descritto si pu giusticare analiticamente attraverso il modello del transistor in
zona di saturazione. Infatti, ponendo a zero la corrente di drain, si ha che:
I
D
=
1
2

n
C
ox
W
L
(V
GS
V
th
)
2
V
GS
|
I
D
=0
=V
th
. (13)
Figura 14: Set-up di misura per il rilievo della tensione di soglia dei transistor MOSFET in esame. Il circui-
to opera il transistor in regione di saturazione. Per il dispositivo 2N7000, V
B
necessariamente
uguale a V
S
= 0V.
Il secondo metodo estrae V
th
dalla caratteristica I
D
-V
G
quando il dispositivo opera in zona li-
neare. La misura delle coppie I
D
, V
G
condotta impiegando il circuito di misura illustrato in
gura 15, nel quale si evidenzia la bassa tensione al drain V
DS
per garantire il funzionamento
nella regione lineare. Qui lindividuazione della tensione di soglia consiste nel determinare
lintercetta nellasse delle tensioni della retta estrapolata nellintrono del punto di massima
pendenza della curva I
D
V
G
, per motivi analoghi a quelli citati per il primo metodo.
In questo caso il procedimento di estrazione di V
th
si giustica osservando il modello del
transistor che opera in zona lineare e, nota la tensione V
DS
, ponendo a zero la corrente di
th
13
drain:
I
D
=
n
C
ox
W
L
_
(V
GS
V
th
)V
DS
V
2
DS
2
_
V
GS
|
I
D
=0
=V
th
+
V
DS
2
. (14)
Figura 15: Set-up di misura per il rilievo della tensione di soglia dei transistor MOSFET in esame. Il
circuito opera il transistor in regione lineare. Per il dispositivo 2N7000, V
B
necessariamente
uguale a V
S
= 0V.
I risultati delle misure di entrambi i metodi sono riportati nella gura 16 per il transistor
2N7000 e, per il transistor con lunghezza di canale di 3m: in gura 17 con riferimento al primo
metodo di misura in zona di saturazione, in gura 18 per il secondo metodo di misura in zona
lineare.
In merito alle curve I
D
V
GS
illustrate si rileva anzitutto che queste presentano andamento
lineare nel tratto interessato dal tting, mentre da tale andamento ci si discosta per tensioni V
GS
basse o per tensioni alte. Lo scostamento dovuto al fatto che per V
GS
<V
th
si entra in regione di
sottosoglia, invece per alte tensioni di gate divengono rilevanti gli effetti della resistenza in serie
al percorso terminale di source-terminale di drain assieme alla degradazione della mobilit dei
portatori nel canale.
Con particolare riferimento al componente 2N7000 sono state misurate delle tensioni di so-
glia coerenti con quanto riportato dai datasheet (si veda lappendice C), infatti quanto ottenuto si
discosta dal valore tipico del 1.15% in riferimento al primo metodo, e del 0.62% per il secondo.
Per il caso del dispositivo a 3m, e non per il dispositivo 2N7000 poich presenta source e bulk
internamente cortocircuitati, si inoltre studiata la dipendenza della tensione di soglia rispetto
alla tensione V
SB
applicatando una tensione di polarizzazione al bulk, per avere V
SB
> 0. Come
previsto, la tensione di soglia aumenta allaumentare della tensione V
SB
. (Si veda il paragrafo 4.2
per ulteriori considerazioni.)
In seguito si far riferimento ai risultati ottenuti con il secondo metodo di misura poich, ope-
rando il transistor in zona lineare, si ritiene perturbi in misura minore lequilibrio del dispositivo e
che quindi gli effetti secondari dovuti ad alti campi o alte correnti siano trascurabili.
th
14
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
x 10
3
Figura 16: Misure di V
th
del dispositivo discreto 2N7000. In gura (a) secondo la misura in regione di
saturazione, in gura (b) secondo la misura in regione lineare
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
th
del dispositivo MOSFET 3m secondo la misura in regione di saturazione
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
x 10
6
th
del dispositivo MOSFET 3m secondo la misura in regione lineare
p
, del coefciente delleffetto body , del drogaggio N
A
e
della capacit C
ox
15
p
, del coefciente delleffetto body , del drogaggio
N
A
e della capacit C
ox
Avendo rilevato nel paragrafo 4.1 la tensione di soglia in funzione della polarizzazione del
substrato ora possibile giungere ad una prima stima di diversi parametri del dispositivo.
Dallanalisi della sica del MOSFET risulta la seguente relazione tra tensione di soglia V
th
e
polarizzazione del bulk V
SB
:
1
V
th
=V
FB
+2
p
+
1
C
ox
_
2qN
A
Si
(2|
p
| +V
SB
), (15)
dalla quale si denisce il parametro come:
=
2qN
A
Si
C
ox
, (16)
che viene impiegato nella formula seguente per il calcolo della variazione della tensione di soglia
al variare della tensione V
SB
:
V
th
=V
th
0
+
_
_
V
SB
+2|
p
|
_
2|
p
|
_
, (17)
dove V
th
0
=V
th
(V
SB
= 0V).
Ora, dalle espressioni precedenti si pu ricavare la seguente espressine relativa a due diverse
condizioni di polarizzazione V
SB
x
e V
SB
y
:
V
th
x
V
th
0
V
th
y
V
th
0
=
__
V
SB
x
+2|
p
|
_
2|
p
|
_
__
V
SB
y
+2|
p
|
_
2|
p
|
_ , (18)
si nota che questultima forma permette di calcolare il potenziale
p
del bulk del dispositivo,
essendo rimasto lunica incognita. Ad esempio, risolvendo la (18) sulla base dei valori indicati in
gura 18, si ottiene:
2|
p
| = f (V
SB
x
= 2, V
SB
y
= 1, V
th
x
= 1.868, V
th
y
= 1.44, V
th
0
= 0.846) = 0.665V, (19)
e quindi
p
= 0.333V. A questo punto, dalla (17), si pu calcolare il valore del parametro , che
risulta = 1.251
V, per V
th
= 1.44V e V
th
0
= 0.846V.
2
A questo punto, noto
p
, risulta automatico derivare anche una stima della concentrazione N
A
di drogante del dispositivo:
N
A
= n
i
exp
_
q|
p
|
kT
_
T=296K
= 6.7 10
15
cm
3
, (20)
della capacit per unit di supercie del sistema MOS:
C
ox
=
2q
Si
N
A
= 38nF/cm
2
, (21)
alla quale corrisponde uno spessore dellossido di:
t
ox
=

SiO
2
C
ox
= 91nm, (22)
e della tensione di at-band V
FB
:
V
FB
=
(V
th
0
2|
p
|)C
ox
_
4q
Si
N
A
|
p
|
= 0.832V, (23)
a cui corrisponde un metallo con funzione lavoro
M
4.11V, indicando che probabilmente il
gate realizzato in alluminio, a meno di sensibili variazioni dovute agli stati di interfaccia.
1
In questa sede con V
th
si indica la tensione tra gate e source necessaria per avere
Si
= 2
.
2
Si precisa che i valori dei parametri che si stanno ricavando sono anche funzione del punto di lavoro del transi-
stor. Tuttavia, si vericato che questa dipendenza permette comunque di ricavare un modello approssimativo per il
dispositivo sotto esame e quindi il procedimento descritto pu risultare utile.
4.3 Estrazione del prolo di drogaggio del bulk 16
Figura 19: Diagramma a bande nel bulk in condizioni di inversione
4.3 Estrazione del prolo di drogaggio del bulk
Nel paragrafo precedente si osservato che esiste un procedimento per ricavare dalle misure effet-
tuate una prima stima di alcuni dei parametri del dispositivo. In questo paragrafo si presenta uno
sviluppo del metodo impiegato per il calcolo di N
A
che permette di ricavare il prolo di drogaggio
del bulk del dispositivo, realizzando cos ulteriormente linformazione acquisita dalle misure[2].
Anzitutto si osserva che anche derivando V
th
nella (15) rispetto alla quantit
_
2|
p
| +V
BS
si
ottiene esattamente . Noto e C
ox
si pu calcolare la concentrazione media di drogante nella
regione di svuotamento sottostante al gate:
N
A
=

2
C
2
ox
2q
Si
. (24)
Poi sappiamo, con riferimento alla gura 19, che la regione di svuotamento funzione della caduta
di tensione nel silicio, che a sua volta, quando V
GS
=V
th
, pari a 2|
p
| +V
SB
. Indicando la regione
di svuotamento con x
D
si ha quindi:
x
D
=
2
Si
(2|
p
| +V
SB
)
qN
A
. (25)
Si osserva che la dipendenza di
p
dal drogaggio N
A
, non noto inizialmente, risolvibile in maniera
iterativa. Infatti considerando
p
=0.3Ve calcolando come derivata di V
th
rispetto
_
2|
p
| +V
BS
si ottiene un certo valore di N
A
dal quale possibile calcolare un nuovo
p
per ripetere il procedi-
mento. Una rapida convergenza del potenziale assicurata dalla relazione logaritmica tra
p
e N
A
.
Per il caso in esame si ha:
# interazione |
p
|
0 0.3000000
1 0.3310920
2 0.3319002
3 0.3319207
4 0.3319212
5 0.3319213
6 0.3319213
n
e stima della larghezza di canale W 17
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
5.8
6
6.2
6.4
6.6
6.8
7
x 10
15
Figura 20: Prolo di drogaggio del bulk del transistor in esame
Si evidenzia che il valore a cui tende la successione circa 0.332V (e di conseguenza =
1.25
V), che si scosta dello 0.3% dal valore di |

p
| ottenuto nel paragrafo 4.2.
Seguendo il procedimento descritto risultano note a questo punto le concentrazione di drogante
N
A
nelle regioni svuotate x
D
per effetto delle diverse polarizzazioni del bulk V
SB
. Il graco di gura
20 stato composto dalle acquisizioni sul MOSFET a 3m.
n
e stima della larghezza di canale W
Un ulteriore parametro fondamentale di un dispositivo MOSFET K
n
, denito nel seguente modo:
K
n
=

n
C
ox
W
L
, (26)
dove
n
la mobilit media effettiva dei portatori nel canale, C
ox
la capacit per unit di supercie
dellossido, W/L il fattore di forma del transistor (larghezza rispetto alla lunghezza del canale) e
il parametro denominato bulk charge factor, che tiene conto della sovrastima della carica nel
canale nella classica derivazione analitica del modello del transistor:
I
D
=
n
C
ox
W
L
_
(V
GS
V
th
)V
DS
V
2
DS
2
_
. (27)
Il modello del transistor in regime lineare impiegando K
n
quindi il seguente:
I
D
= K
n
_
(V
GS
V
th
)V
DS
V
2
DS
2
_
, (28)
mentre in regime di saturazione :
I
D
=
K
n
2
(V
GS
V
th
)
2
. (29)
Per ispezione dei modelli si deduce che possibile ricavare K
n
, note le grandezze elettriche ai
terminali del dispositivo, sia operando il transistor in regione lineare che in regione di saturazione.
Qui si preferisce condurre una misura in regione lineare al ne di perturbare in misura minore la
situazione elettronica del dispositivo (e.g., mantenendo contenute le correnti di drain, ecc.).
n
e stima della larghezza di canale W 18
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
x 10
4
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12
2
0
2
4
6
8
10
12
14
x 10
5
Figura 21: In gura (a) una porzione della caratteristica V-I del transistor MOSFET da 3m selezionata
per la misura del parametro K
n
. In gura (b) il valore stimato di K
n
in funzione del punto di
lavoro del transistor; sono indicate le medie del parametro e il punto da cui inizia il calcolo
della media. Dai graci emerge la presenza del fenomeno di degradazione della mobilit legato
allaumento della tensione di gate.
Il metodo generale di esecuzione della misura consiste nellapplicare una certa tensione al
gate, con bulk e source a massa, e quindi misurare la corrente di drain quando la tensione di drain
varia linearmente. La pendenza del graco I
D
-V
DS
per basse tensioni V
DS
circa K
n
(V
GS
V
th
).
In gura 21(a) sono riportate le caratteristiche I
D
-V
DS
del transistor a 3m per diverse tensioni
di gate, in gura 21(b) sono riportati i valori di K
n
ottenuti eseguendo loperazione:
K
n
=
I
D
(V
GS
V
th
0
) V
DS
V
2
DS
2
, (30)
e una media di tali valori nellintervallo marcato nel graco.
I graci evidenziano che, per una data tensione V
DS
, aumentando la tensione di gate aumen-
ta anche la corrente di drain, tuttavia il tasso di crescita, cio K
n
, diminuisce. Questo dovu-
to alleffetto della degradazione della mobilit dei portatori nel canale, i quali, sottoposti ad un
campo perpendicolare allinterfaccia SiO
2
/Si che aumenta aumentando V
G
, tendono ad interagire
maggiormente con linterfaccia. Poich il conne tra il metallo e il semiconduttore presenta una
maggiore concentrazione di difetti rispetto al bulk (e.g., per la discontinuit della struttura cristal-
lina nel passaggio tra i due materiali, per la maggiore concentrazione di impurit, ecc.) tale strato
offre maggiore resistenza al passaggio dei portatori che formano il canale e quindi la mobilit, e
di conseguenza K
n
, si riducono.
Esistono delle relazioni empiriche che legano la mobilit effettiva
e f f
al campo elettrico ef-
fettivo nella direzione perpendicolare al moto degli elettroni tra source e drain, una di queste la
seguente:
e f f
=

0
1+(E
e f f
/E
0
)
, (31)
dove E
e f f
, il campo elettrico effettivo, dato dalla relazione:
E
e f f
=
V
G
V
th
6t
ox
+
V
th
0.5V
3t
ox
. (32)
Per questultima equazione (32) il parametro
0
tabulato [1] pari a 670cm
2
V
1
s
1
per gli elet-
troni (in letteratura indicato opportuno per un gran numero di dispositivi) e un parametro che
tabulato pari a 1.6, ma che in questa sede si considerato pari a 0.89 poich permette un migliore
ss
19
tting delle misure ottenute.
3
A partire dai dati sperimentali e dai valori tabulati risulta:
e f f
= 612cm
2
V
1
s
1
per V
G
= 1V.
A questo punto, noto che
K
n
=

n
C
ox
W
L

e f f
C
ox
W
L
, (33)
e note le stime di C
ox
, L (specicata dalla sigla del dispositivo) e di K
n
, determiniamo la larghezza
di canale dalla (33). Risulta:
W 37.8m. (34)
ss
In un transistor MOSFET la tensione di soglia quel valore della tensione di gate che induce
nellintorno dellinterfaccia SiO
2
/Si una quantit di portatori mobili uguale a quella nel bulk, ma
di tipo opposto. Dunque per tensioni di gate inferiori a quella di soglia la carica mobile allinter-
faccia tra ossido e semiconduttore non nulla, infatti applicando una tensione V
DS
al bulk, in tale
situazione di funzionamento in sottosoglia, si osserva una corrente di drain, con V
S
= V
B
= 0V,
pari a:
I
D
I
D
0
exp
_
qV
G
nkT
_
, (35)
dove 1/n denito come la derivata della tensione che cade nel silicio rispetto alla tensione totale
V
G
, a causa al partitore capacitivo tra il terminale di gate e il canale e tra il canale e il bulk.
Nellipotesi non siano presenti stati trappola allinterfaccia Si/SiO
2
si ha:
n = 1+
C
d
C
ox
, (36)
dove C
d
la capacit relativa al substrato.
In gura 22 sono presentate in scala semi-logaritmica le caratteristiche I
D
-V
G
misurate in cor-
rispondenza della regione di sottosoglia. Come previsto dallequazione (35), si osserva che la
corrente di drain ha un andamento esponenziale per tensioni di gate superiori a circa 100mV e
inferiori alla tensione di soglia. Invece, per V
G
< 100mV presente solo una corrente di perdita
di circa 1pA, per V
G
>V
th
la corrente tende alla dipendenza quadratica rispetto alla V
G
.
Dai dati sperimentali possibile ricavare il parametro n e la corrente I
D
0
della (35) operando
lestrapolazione della retta che segue landamento di logI
D
vs V
G
. Si ottengono:
n = 2.129 e I
D
0
= 691fA.
Un ulteriore parametro di interesse in progettazione il cos detto inverse subthreshold slope
(o subthreshold swing) denito come:
S = n
kT
q
ln10, (37)
che nel caso in esame risulta pari a 125mV/dec alla temperatura T = 296K.
Uno degli impieghi della misura della caratteristica I
D
vs V
G
in regione di debole inversione, ol-
tre alla denizione degli ON/OFF ratio per la circuiteria digitale, lapplicazione nella valutazione
comparativa degli effetti degli stress subiti dai dispositivi MOS. Infatti le alterazioni dellinterfac-
cia Si/SiO
2
provocano una modica del numero di stati trappola allinterfaccia, che pu essere
rilevata mediante questo tipo di misura. Di seguito si presentano le prime fasi del procedimento.
3
Per il parametro si scelto quel valore che fornisce il minimo scostamento assoluto tra il massimo ed il minimo
dei valori che si calcolano della larghezza di canale che successivamente verr estratta, supponendo che, non avendo
modi pi precisi, la formula (31) fornisce valori tanto pi accurati tanto minore la variazione che si ha nel determinare
da questi un parametro costante, come pu essere appunto la larghezza del dispositivo.
ss
20
0.5 0 0.5 1 1.5 2
10
14
10
12
10
10
10
8
10
6
10
4
Figura 22: Misura della caratteristica in sottosoglia del MOS con lunghezza di canale 3m. Sono indicati
i valori delle tensioni tra drain e source. I
D
legata in modo esponenziale sia con la tensione V
G
( exp(qV
A
/kT)) che con la tensione V
DS
( exp(qV
A
/kT))
Nel caso generale al variare della tensione di gate varia anche la posizione reciproca del livello
di Fermi rispetto al livello dellintrinseco, perci possibile che parte della carica che dovrebbe
formare il canale venga invece intrappolata allinterfaccia. In questa situazione il coefciente n
risulta quindi:
n = 1+
C
d
+C
it
C
ox
, (38)
dove con C
it
si indicata la capacit che raccoglie le cariche intrappolate. C
it
ha leffetto di ridurre
nella (35) la tensione equivalente ripartita al canale.
Nel caso in esame possibile avere una stima della concentrazione N
ss
di stati localizzati alla
supercie calcolando C
it
a partire dal coefciente n fornito dalle misure condotte nel paragrafo
4.2 (sulle quali approssimativamente non inuiscono gli stati allinterfaccia per la stima di n), e il
coefciente n ottenuto dalle misure in subthreshold; si ha rispettivamente:
n
stimato
= 1+

2
_
2|
p
|
=
1.25
V
2
0.665V
= 1.766, n
sub
= 2.129. (39)
Ora da n
stimato
ricaviamo dalla (36) il valore di C
d
29.1nF/cm
2
. A questo punto ponendo a
sistema C
d
, n
sub
e C
ox
= 38nF, risulta che la capacit equivalente dovuta agli stati localizzati :
C
it
tale che n
sub
= 1+
C
d
+C
it
C
ox
C
it
= 13.8nF, (40)
dalla quale si ottiene la stima di N
ss
:
N
ss
=
C
it
q
= 8.6 10
10
cm
2
eV
1
. (41)
Va sottolineato che, naturalmente, quanto ottenuto per N
ss
sar in termini assoluti un valore ball-
park, tuttavia, come accennato in precedenza, utile nel caso si voglia avere un riferimento iniziale
nella valutazione dellinuenza di alcuni tipi di stress sugli stati allinterfaccia del dispositivo.
4.6 Rilievo e I
s j
per il completamento del modello del MOSFET 21
4.6 Rilievo e I
s j
per il completamento del modello del MOSFET
Per lestrazione del modello SPICE del dispositivo opportuno anche il calcolo della corrente di
saturazione delle giunzioni e del parametro che tiene conto della modulazione della lunghezza
di canale del dispositivo. In questo paragrafo si derivano sinteticamente i due parametri.
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
10
15
10
10
10
5
10
0
14 12 10 8 6 4 2 0 2 4
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
x 10
4
Figura 23: In gura (a) il graco impiegato per la stima della tensione di Early. In gura (b) il graco I-V
relativi alle giunzioni drain-bulk (source-bulk analoga).
Estrazione di . In gura 23(a) riportata la misura della tensione V
A
, detta di Early, per simili-
tudine con lanalogo effetto dei transistor bipolari. In questo caso si stima V
A
12V. Ne consegue
un valore di pari a:
=
1
V
A
= 0.083V
1
. (42)
Estrazione della corrente di saturazione I
s j
. In gura 23(b) riportata la caratteristica I-V
dei diodi formati dalle sacche n
+
che compongono il drain ed il source del transistor MOS e il
substrato di tipo p. Seguendo il procedimento descritto con maggiore dettaglio nel paragrafo 2 si
misurata una corrente di saturazione per tali giunzioni pari a:
I
js
= 5.395 10
15
,
ed una resistenza equivalente di circa 18.95. In gura si osserva anche una corrente di circa
60pA dovuta ad errori sistematici nel circuito di misura. Infatti le corrente di bulk I
B
sono state
rilevate collegando a massa uno dei due terminali di drain e di source mentre allaltro stata
imposta corrente nulla (quindi non si potuto effettivamente scollegare il terminale desiderato
non percorso da corrente). Il bulk lanodo del diodo che si sta studiando e in questo stata
iniettata la corrente I
B
e misurata la corrispondente tensione V
B
ai capi del diodo.
Naturalmente sono stati rilevati comportamenti lievemente differenti per le due giunzioni:
la differenza tra le correnti di saturazione delle giunzioni di circa il 20%, perci si ritenuto
opportuno scegliere una media tra le due come loro rappresentante.
4.7 Modello SPICE di 3m MOSFET
Con quanto estratto e stimato si completato il modello SPICE livello1 del transistor MOSFET
da 3m. In tabella 1 sono riportati i valori determinati del modello.
Inne stato impiegato SPICE per la verica di quanto ottenuto con i valori sopra riportati. In
tabella 2 si riporta una delle prove che si potrebbero condurre per provare la coerenza del modello.
4.7 Modello SPICE di 3m MOSFET 22
Tabella 1: Modello SPICE livello 1 del MOSFET analizzato
Parametro Descrizione Unit di Misura Valore
L Channel length (m) 3E-6
W Channel width (m) 37.8E-6
VTO Zero-bias threshold voltage (V) 0.846
KP Transconductance
_
A/V
2
_
20.8E-6
GAMMA Bulk threshold parameter
_
V
_
1.252
PHI Surface potential (V) 0.665
LAMBDA Channel-length modulation
_
V
1
_
0.083
IS Bulk p-n saturation current (A) 5.3949E-15
NSUB Substate doping density
_
cm
3
_
6.8E15
NSS Surface-state density
_
cm
2
_
0
TOX Oxide thickness (m) 91E-9
+
-
V2
MbreakN-X
M1
+
-
2V
V1
0
Figura 24: Circuito impiegato per una prima prova della coerenza dei risultati forniti dal modello ottenuto
rispetto a quelli forniti dal dispositivo reale
In particolare stato simulato un circuito composto dal transistor MOSFET denito con i
parametri calcolati e avente nel circuito tensione tra drain e source ssa pari a V
DS
=2V e tensione
di gate variabile lentamente a rampa tra 0 e 4V. Source e bulk sono stati collegati a massa. Dunque
si sono misurate le correnti corrispondenti alle varie V
GS
. Alcuni campioni sono riportati in tabella
2 assieme ai risultati ottenuti dalle misure sul circuito reale.
Malgrado le varie stime e approssimazioni si osserva una buona corrispondenza tra i risultati
della simulazione e delle misure. In particolare si osserva un errore crescente e in eccesso nella
corrente stimata dal modello ad alte tensioni di gate. Si ritiene che le cause siano le resistenze di
drain e di source assieme alla degradazione della mobilit dovuta agli alti campi, come discusso
nel paragrafo 4.4. Per tali fenomeni al modello non stato fornito un criterio con cui tenerne
conto.
Tabella 2: Confronto modello SPICE con parametri estratti vs Risultati delle misure. I valori si riferiscono
alla misura sul circuito di gura 24
Tensione di gate (V) 0.6 0.95 1 1.5 2 2.5 3 4
I
D
reale (A) 1.2p 3.86 6.1 57.9 143 258 381 662
I
D
risultato da SPICE (A) 2 p 1.56 3.8 65.3 213 420 752 1.3 m
4.8 Impostazione della misura della carica mobile nellossido 23
4.8 Impostazione della misura della carica mobile nellossido
In questo paragrafo si sono impostate le misure ritenute utili ad evidenziare eventuali fenomeni
dovuti agli spostamenti di carica allinterno dellossido. A tal proposito si fa riferimento al graco
in gura 25 (b), il quale illustra landamento della corrente di drain I
D
al variare della tensione V
DS
da 4V a 3.776V, con V
S
= 0V, per il transistor 2N7000.
0 50 100 150 200 250
3.196
3.198
3.2
3.202
3.204
3.206
3.208
3.21
3.212
x 10
3
200 150 100 50 0 50 100 150 200
4
3
2
1
0
1
2
3
4
Figura 25: Misure per la stima della presunta carica mobile nellossido: (a) Andamenti delle tensioni V
GS
e V
DS
durante la misura; (b) Andamento della corrente I
DS
dal campione 0-esimo al 250-esimo.
Gli andamenti sono in funzione del numero del campione. La successione dei campioni fornisce
una misura di tempo, essendo i campioni acquisisti in sequenza ad intervalli regolari e costanti
di durata minima t
s
min
.
La misura stata eseguita impiegando due SMU. Il primo, SMU1, collegato al drain in moda-
lit VAR1 e il secondo, SMU2 collegato al gate in modalit VAR2. SMU2 impone allinterno di
un intervallo di tempo T
1
una tensione V
G
= 4V al gate del transistor e allinterno dellintervallo
di tempo T
2
, immediatamente successivo a T
1
, una tensione V
G
= 2.2V, calcolata per operare il
transistor in zona di saturazione.
In questo modo durante lintervallo di tempo T
1
gli ioni mobili allinterno dellossido hanno la
possibilit di separarsi e connarsi allinterfaccia Si/SiO
2
se caricati negativamente oppure allin-
terfaccia Gate/SiO
2
se positivamente. Poich leffetto di tale separazione di carica un aumento
della tensione di soglia nel dispositivo n-MOS in esame, durante lintervallo T
2
si dovrebbe osser-
vare un andamento leggermente crescente della corrente I
D
dovuto alla ridistribuzione degli ioni
che tendono ora ad assumere una posizione che riduce la tensione di soglia.
Si precisa che durante T
2
si dovrebbe mantenere V
DS
costante ed osservare landamento di I
DS
in funzione del tempo, tuttavia si in questo caso fatta variare leggermente V
DS
per poter eseguire
la misura (lo strumento campiona sulle variazioni degli stimoli applicati al DUT). Si scelto di
far assumere un andamento decrescente a V
DS
, che ha un effetto che tenderebbe a compensare il
fenomeno che si vuole osservare, in questo modo, se ancora visibile, con maggiore probabilit
leffetto presente in assenza dellartizio della variazione di V
DS
impiegato per poter eseguire la
misura.
Linterpretazione corretta del signicato dei dati ottenuti richiede di studiare, per quanto
possibile, almeno le caratteristiche del sistema di misura. In particolare si vuole appurare che le
variazioni di corrente illustrate non siano dovute al fatto che il sistema di misura e le tensioni
che questo dovrebbe imporre ai terminali del dispositivo non sono ancora a regime. Tali effetti
possono essere causati:
dallo strumento di misura 4155B Semiconductor Parameter Analyzer,
dalla matrice di interfaccia E5250A Low-leackage Switch Mainframe,
dai collegamenti del sistema di misura,
e possono essere valutati consultando i datasheet degli strumenti citati e del dispositivo sotto test.
Si trascura invece linuenza che hanno le interconnessioni nella misura.
Per quanto concerne lanalisi in oggetto, con la consultazione dei datasheet si apprende che:
la resistenza di uscita degli SMU impiegati, del tipo medium power SMU, dichiarata circa
pari a zero per valori di corrente inferiori alla corrente di compliance di 100mA,
la misura delle grandezze avviene dopo un periodo di hold-time regolabile con una
risoluzione di 100s,
le grandezze di stimolo per il DUT, in uscita dagli SMU, variano a step di durata minima
pari a 0.5ms,
la matrice di interfaccia al DUT introduce una resistenza tipica nel caso peggiore di circa
1,
la capacit di ingresso massima del MOS di 50pF.
Quindi si pu affermare che, supponendo una resistenza totale di 10tra SMU e DUT, la tensione
V
GS
segue un andamento esponenziale con costante di tempo 10 50ps, e si porta dopo
circa 5ns ad un valore che si discosta da quello teorico a regime dello 0.01%. Inoltre la corrente
massima di compliance assieme alla capacit di ingresso del MOS determinano uno slew rate
che non rallenta la crescita di V
GS
dato che lo slew rate risulta maggiore o uguale alla pendenza
massima di V
GS
, infatti in questo caso si ha:
SW
I
comp
C
in
= 2GV/s. (43)
Quindi si pu affermare che gi i primi campioni di gura 25 rappresentano la corrente I
DS
effettiva
a regime che il transistor assorbe dal morsetto di drain nello stato in cui si trova in corrispondenza
dellintervallo temporale coperto dallo step a cui appartiene il campione.
Inne si considera che losservato aumento della corrente potrebbe essere anche causato dalla
variazione della temperatura del dispositivo quando si passa da I
DS
= 0 a I
DS
= 0. Si potrebbe
valutare leffetto dellaumento di temperatura su I
DS
per via analitica, ad esempio, ricalcolando le
tensioni di soglia al variare della temperatura. Tuttavia un metodo ritenuto pi afdabile quello
di far riferimento alle caratteristiche I
DS
vs V
GS
parametrizzate secondo la temperatura riportate
nel datasheet del dispositivo. Consultando tali graci si portati a concludere che nelle condizioni
operative poste (V
DS
= 4V) la corrente I
DS
si riduce allaumentare della temperatura (in accordo
alla propriet di stabilit in temperatura dei transistor MOS).
Quindi, per quanto discusso, si pu concludere che laumento di I
DS
osservato nel graco
di gura 25 pu essere dovuto a fenomeni di spostamento di carica nellossido o polarizzazione
dellossido.
5 Simulazione della misura C-V del sistema MOS
In questa sezione vengono presentati i risultati di alcune simulazioni relative ad un modello del
sistema MOS. Tale modello stato implementato soprattutto al ne di prendere coscienza dei feno-
meni principali che governano il dispositivo in situazioni di non stazionariet o quasi-stazionariet
come quelle che si vericano nelle misure della caratteristica C-V. Nel seguito vengono presentati
solo i risultati forniti dalle simulazioni evidenziando in particolare la dipendenza della capacit
dai drogaggi del bulk e dalla durata della misura.
In gura 26 riportata la caratteristica C-V simulata in alta frequenza per il sistema MOS
al variare della concentrazione di drognate di tipo p del substrato. In particolare, per derivare la
forma della caratteristica al variare del drogaggio, si osservato che:
La capacit per tensioni di gate inferiori alla tensione di at band indipendente dal drogag-
gio. In particolare tale capacit dipende solo dallo spessore dellossido e dalla sua costante
dielettrica. Per V
G
< V
FB
nel silicio, in corrispondenza dellinterfaccia ossido/silicio, si
ha laccumulazione dei portatori maggioritari del bulk che essendo di tipo p sono attirati
dal potenziale negativo del gate. La distribuzione di carica in questo caso tale da garan-
tire un percorso a bassa impedenza dallinterfaccia verso massa e quindi tra gate e bulk
elettricamente risulta limpedenza data dalla capacit dellossido C
ox
;
La capacit per tensioni di gate superiori alla tensione di soglia aumenta con laumentare
del drogaggio. In questa regione il volume sottostante linterfaccia silicio/ossido svuotato
di portatori p e si ha unalta concentrazione, indicata con Q
n
, di portatori n allinterfaccia
(inversione). La situazione analoga alla serie di due capacit, la C
ox
data dallossido e la
C
d
avente come prima faccia la lamina conduttiva composta da Q
n
e come seconda faccia il
conne tra la regione di svuotamento e il bulk con concentrazione di portatori maggioritari
N
A
, punto dal quale approssimativamente inizia il percorso a bassa impedenza verso massa.
Quindi allaumentare dei drogaggi la regione di svuotamento, data da:
x
d
=
2
Si
Si
qN
A
, (44)
si riduce (
Si
cresce con il logaritmo di N
A
) e quindi aumenta la capacit equivalente C
d
=
Si
/x
d
e dunque la serie complessiva con C
ox
.
La tensione di at band V
FB
denita come la differenza tra le funzioni lavoro del metallo
e quella del silicio:
V
FB
=
M

Si
. (45)
Essendo il silicio drogato p,
Si
aumenta allaumentare del drogaggio e quindi V
FB
diminuisce.
La tensione di soglia V
th
data dallespressione 15 nella quale, allaumentare del drogaggio
si osserva un amento di |
p
| ed un aumento di N
A
e di conseguenza anche V
th
aumenta. Dal
punto di vista sico-intuitivo necessaria pi tensione positiva al gate per invertire la zona
di interfaccia se aumentano le cariche da allontanare
Landamento approssimato della caratteristica C-V per il sistema MOS al variare del drogaggio
presentata in gura 26, nella quale si ha riscontro delle osservazioni sopra riportate.
In gura 27 sono invece presentati i risultati della simulazione impiegando un modello pi
accurato del sistema MOS per riprodurne il comportamento nelle condizioni di misura della
caratteristica in deep depletion.
Le curve riportate fanno riferimento a misure aventi durata T variabile ma escursione costante
della tensione di gate e segnale di test per la misura della capacit ad alta frequenza. In questo
caso si osserva che per tensioni maggiori di V
th
la capacit cala al diminuire del tempo di misura.
Questo perch il sistema risponde allaumento della tensione di gate svuotando la porzione di bulk
sottostante lossido. La porzione svuotata sede di generazione di coppie elettrone lacuna che
vengono separate dal campo elettrico e Q
n
ha origine. Tuttavia il fenomeno genera cariche ad un
tasso nito e, approssimativamente, costante. Quindi se la velocit con cui V
G
aumenta maggiore
della velocit con cui il fenomeno di generazione in grado di aumentare la carica Q
n
in modo
davere la caduta nel silicio circa uguale a 2|
p
| allora accade che la regione di svuotamento x
d
si
espande. Se la corrente equivalente data dalla generazione molto piccola la capacit misurata in
alta frequenza diminuisce come 1/x
d
, proprio come si osserva nel graco.
4 3 2 1 0 1 2 3 4
0
5
10
15
20
25
30
35
0.9 0.85 0.8 0.75 0.7
3.3
3.4
3.5
x 10
8
Figura 26: Curve C-V al variare del drogaggio del sistema MOS simulato. I valori specici delle
caratteristiche sono indicati nel graco.
8 6 4 2 0 2 4 6 8
5
10
15
20
25
30
35
40
Figura 27: Risultati della simulazione del sistema MOS nella misura di capacit in alta frequenza al variare
del tempo di misura (rapidit della rampa di bias al gate). La gura indica i parametri di ingresso
al modello (T, t
ox
, N
A
,
M
,
0
). Le curve in linea continua sono gli andamenti previsti secondo
il modello implementato, le curve tratteggiate sono state aggiunte per indicare landamento che
avrebbe il graco per un dispositivo reale.
Tuttavia in un dispositivo reale la regione di svuotamento non pu crescere senza limiti e si
introdurr qualche altro fenomeno che aumenta lefcienza della generazione dei portatori (e.g.,
effetto tunnel, la moltiplicazione a valanga, breakdown) e che fa convergere la curva della capacit
in deep depletion in alta frequenza verso quella ad alta frequenza ma senza svuotamento profondo
come rappresentato dalle curve tratteggiate.
A Datasheet diodo pn 1N914
2007 Fairchild Semiconductor Corporation 1 www.fairchildsemi.com
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 Rev. B2
1
N
/
F
D
L
L

9
1
4
/
A
/
B

/

9
1
6
/
A
/
B

/

4
1
4
8

/

4
4
4
8

S
m
a
l
l

S
i
g
n
a
l

D
i
o
d
e
January 2007
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings* T
a
=25C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol Parameter Value Units
V
RRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
I
O
Average Rectified Forward Current 200 mA
I
F
DC Forward Current 300 mA
i
f
Recurrent Peak Forward Current 400 mA
I
FSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
T
STG
Storage Temperature Range -65 to + 175 C
T
J
Operating Junction Tempera -65 to + 175 C
Symbol Parameter
Max.
Units
1N/FDLL 914/A/B / 4148 / 4448
P
D
Power Dissipation 500 mW
R
JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300 C/W
LL-34
THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP
HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION
OF THE CATHODE TERMINAL
LL-34 COLOR BAND MARKING
DEVICE 1ST BAND 2ND BAND
FDLL914 BLACK BROWN
FDLL914A BLACK GRAY
DO-35
FDLL914B BROWN BLACK
FDLL916 BLACK RED
FDLL916A BLACK WHITE
FDLL916B BROWN BROWN
FDLL4148 BLACK BROWN
FDLL4448 BROWN BLACK
-1st band denotes cathode terminal
and has wider width
Cathode is denoted with a black band
2 www.fairchildsemi.com
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 Rev. B2
1
N
/
F
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L

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4
/
A
/
B

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9
1
6
/
A
/
B

/

4
1
4
8

/

4
4
4
8

S
m
a
l
l

S
i
g
n
a
l

D
i
o
d
e
Electrical Characteristics* T
A
=25C unless otherwise noted
* Non-recurrent square wave PW = 8.3ms
Typical Characteristics
Symbol Parameter Test Conditions Min. Max. Units
V
R
Breakdown Voltage I
R
= 100A
I
R
= 5.0A
100
75
V
V
V
F
Forward Voltage 1N914B/4448
1N916B
1N914/916/4148
1N914A/916A
1N916B
1N914B/4448
I
F
= 5.0mA
I
F
= 5.0mA
I
F
= 10mA
I
F
= 20mA
I
F
= 20mA
I
F
= 100mA
620
630
720
730
1.0
1.0
1.0
1.0
mV
mV
V
V
V
V
I
R
Reverse Leakage V
R
= 20V
V
R
= 20V, T
A
= 150C
V
R
= 75V
25
50
5.0
nA
A
A
C
T
Total Capacitance
1N916A/B/4448
1N914A/B/4148
V
R
= 0, f = 1.0MHz
V
R
= 0, f = 1.0MHz
2.0
4.0
pF
pF
t
rr
Reverse Recovery Time I
F
= 10mA, V
R
= 6.0V (600mA)
I
rr
= 1.0mA, R
L
= 100
4.0 ns
Figure 1. Reverse Voltage vs Reverse Current
BV - 1.0 to 100A
Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
IR - 10 to 100V
Figure 3. Forward Voltage vs Forward Current
VF - 1 to 100A
VF - 0.1 to 10mA
110
120
130
140
150
160
Ta=25
o
C

1 2 3 5 10 20 30 50 100
R
e
v
e
r
s
e

V
o
l
t
a
g
e
,

V
R

[
V
]
Reverse Current, I
R
[uA]
0
20
40
60
80
100
120
10 20 30 50 70 100

Ta= 25
o
C
R
e
v
e
r
s
e

C
u
r
r
e
n
t
,

I
R

[
n
A
]
Reverse Voltage, V
R
[V]
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately
double for every ten (10) Degree C increase in Temperature
250
300
350
400
450
500
550
1 2 3 5 10 20 30 50 100

Ta= 25
o
C
F
o
r
w
a
r
d

V
o
l
t
a
g
e
,

V
R

[
m
V
]
Forward Current, I
F
[uA]
450
500
550
600
650
700
750
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10

Ta= 25
o
C
F
o
r
w
a
r
d

V
o
l
t
a
g
e
,

V
F

[
m
V
]
Forward Current, I
F
[mA]
3 www.fairchildsemi.com
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 Rev. B2
1
N
/
F
D
L
L

9
1
4
/
A
/
B

/

9
1
6
/
A
/
B

/

4
1
4
8

/

4
4
4
8

S
m
a
l
l

S
i
g
n
a
l

D
i
o
d
e
Typical Characteristics (Continued)
VF - 10 to 800mA
Figure 6. Forward Voltage vs Ambient Temperature
VF - 0.01 - 20 mA (- 40 to +65C)
Figure 7. Total Capacitance Figure 8. Reverse Recovery Time vs
Reverse Recovery Current
Figure 9. Average Rectified Current (I
F(AV)
)
vs Ambient Temperature (T
A
)
Figure 10. Power Derating Curve
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10 20 30 50 100 200 300 500 800

Ta= 25
o
C
F
o
r
w
a
r
d

V
o
l
t
a
g
e
,

V
F

[
m
V
]
Forward Current, I
F
[mA]
0.01 0.1 1 10
300
400
500
600
700
800
900
3 0.3 0.03
Typical
Ta= -40
o
C
Ta= 25
o
C

Ta= +65
o
C
F
o
r
w
a
r
d

V
o
l
t
a
g
e
,

V
F

[
m
V
]
Forward Current, I
F
[mA]
0 2 4 6 8 10 12 14
0.75
0.80
0.85
0.90

T
A
= 25
o
C
T
o
t
a
l

C
a
p
a
c
i
t
a
n
c
e

(
p
F
)
REVERSE VOLTAGE (V)
10 20 30 40 50 60
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0

Ta = 25
o
C
R
e
v
e
r
s
e

R
e
c
o
v
e
r
y

T
i
m
e
,

t
r
r

[
n
s
]
Reverse Recovery Current, I
rr
[mA]
IF = 10mA , IRR = 1.0 mA , Rloop = 100 Ohms
0 50 100 150
0
100
200
300
400
500

I
F(AV)
- AVERAGE RECTIFIED CURRENT - mA
C
u
r
r
e
n
t

(
m
A
)
Ambient Temperature (
o
C)
0 50 100 150 200
0
100
200
300
400
500
DO-35

SOT-23
P
o
w
e
r

D
i
s
s
i
p
a
t
i
o
n
,

P
D

[
m
W
]
Temperature [
o
C]
B Datasheet diodo Schottky 1N5818
1
N
5
8
1
7

-

1
N
5
8
1
9

S
c
h
o
t
t
k
y

B
a
r
r
i
e
r

R
e
c
t
i
f
i
e
r
2010 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com
1N5817 - 1N5819 Rev. C2 1
November 2010
1N5817 - 1N5819
Schottky Barrier Rectifier
Features
1.0 ampere operation at T
A
= 90C with no thermal runaway.
For use in low voltage, high frequency inverters free wheeling, and polarity protection applications.
Absolute Maximum Ratings* T
A
= 25C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
* Mounted on Cu-pad Size 5mm x 5mm on PCB
Electrical Characteristics (per diode)
* Pulse Test: Pulse Width=300s, Duty Cycle=2%
Symbol Parameter
Value
Units
1N5817 1N5818 1N5819
V
RRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 20 30 40 V
I
F(AV)
Average Rectified Forward Current
.375 lead length @ T
A
= 90C
1.0 A
I
FSM
Non-repetitive Peak Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine Wave
25 A
T
J,
T
STG
Operating Junction and Storage Temperature -65 to +125 C
Symbol Parameter Value Units
P
D
Power Dissipation 1.25 W
R
JA
Maximum Thermal Resistance, Junction to Ambient 100 C/W
R
JC
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case 45 C/W
Symbol Parameter
Value
Units
1N5817 1N5818 1N5819
V
F
Forward Voltage @ 1.0 A
@ 3.0 A
450
750
550
875
600
900
mV
mV
I
R
Reverse Current @ rated V
R
T
C
= 25 C
T
C
= 100 C
0.5
10
mA
mA
C
T
Total Capacitance
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
110 pF
DO-41 plastic case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
1
N
5
8
1
7

-

1
N
5
8
1
9

S
c
h
o
t
t
k
y

B
a
r
r
i
e
r

R
e
c
t
i
f
i
e
r
2010 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com
1N5817 - 1N5819 Rev. C2 2
0 20 40 60 80 100 120 140
0
0.25
0.5
0.75
1
Lead Temperature [C] A
v
e
r
a
g
e

R
e
c
t
i
f
i
e
d

F
o
r
w
a
r
d

C
u
r
r
e
n
t
,

I
F

[
A
]
SINGLE PHASE
HALF WAVE
60HZ
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
.375" 9.5 mm LEAD
LENGTHS
0.1 0.5 1 5 10 40 60 100
10
20
40
60
80
100
200
400
Reverse Voltage, V
R
[V]
T
o
t
a
l

C
a
p
a
c
i
t
a
n
c
e
,

C
T

[
p
F
]
T = 25 C
J
1 2 5 10 20 50 100
0
5
10
15
20
25
30
Number of Cycles at 60Hz
P
e
a
k

F
o
r
w
a
r
d

S
u
r
g
e

C
u
r
r
e
n
t
,

I
F
S
M

[
A
]
8.3ms Single Half Sine-Wave
JEDEC Method
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
0.1
1
10
20
Forward Voltage, V
F
[V]
F
o
r
w
a
r
d

C
u
r
r
e
n
t
,

I
F

[
A
]
1N5817
1N5818
1N5819
T = 25 C
Pulse Width = 300 S
1%Duty Cycle
J
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Forward Voltage Characteristics
Figure 3. Non-Repetitive Surge Current Figure 4. Total Capacitance
Typical Performance Characteristics
C Datasheet N-MOSFET 2N7000
November 1995
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description Features
___________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T
A
Symbol Parameter 2N7000 2N7002 NDS7002A Units
V
DSS
Drain-Source Voltage 60 V
V
DGR Drain-Gate Voltage (R
GS
< 1 M)
60 V
V
GSS
Gate-Source Voltage - Continuous
20
V
- Non Repetitive (tp < 50s)
40
I
D
Maximum Drain Current - Continuous 200 115 280 mA
- Pulsed 500 800 1500
P
D
Maximum Power Dissipation 400 200 300 mW
Derated above 25
o
C 3.2 1.6 2.4 mW/C
T
J
,T
STG
Operating and Storage Temperature Range -55 to 150 -65 to 150 C
T
L
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds
300 C
THERMAL CHARACTERISTICS
R
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 312.5 625 417 C/W
2N7000.SAM Rev. A1
These N-Channel enhancement mode field effect transistors
are produced using Fairchild's proprietary, high cell density,
DMOS technology. These products have been designed to
minimize on-state resistance while provide rugged, reliable,
and fast switching performance. They can be used in most
applications requiring up to 400mA DC and can deliver
pulsed currents up to 2A. These products are particularly
suited for low voltage, low current applications such as small
servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other
switching applications.
High density cell design for low R
DS(ON)
.
Voltage controlled small signal switch.
Rugged and reliable.
High saturation current capability.
S
D
G
S
G
D
TO-92
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7000
(TO-236AB)
2N7002/NDS7002A
Electrical Characteristics T
A
Symbol Parameter Conditions Type Min Typ Max Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage V
GS
= 0 V, I
D
= 10 A All 60 V
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V 2N7000 1 A
T
J
=125C 1 mA
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V 2N7002
NDS7002A
1 A
T
J
=125C 0.5 mA
I
GSSF
Gate - Body Leakage, Forward V
GS
= 15 V, V
DS
= 0 V 2N7000 10 nA
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V 2N7002
NDS7002A
100 nA
I
GSSR
Gate - Body Leakage, Reverse V
GS
= -15 V, V
DS
= 0 V 2N7000 -10 nA
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V 2N7002
NDS7002A
-100 nA
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
, I
D
= 1 mA 2N7000 0.8 2.1 3 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A 2N7002
NDS7002A
1 2.1 2.5
R
DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance V
GS
= 10 V, I
D
= 500 mA 2N7000 1.2 5

T
J
=125C 1.9 9
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 75 mA 1.8 5.3
V
GS
= 10 V, I
D
= 500 mA 2N7002 1.2 7.5
T
J
=100C 1.7 13.5
V
GS
= 5.0 V, I
D
= 50 mA 1.7 7.5
T
J
=100C 2.4 13.5
V
GS
= 10 V, I
D
= 500 mA NDS7002A 1.2 2
T
J
=125C 2 3.5
V
GS
= 5.0 V, I
D
= 50 mA 1.7 3
T
J
=125C 2.8 5
V
DS(ON)
Drain-Source On-Voltage V
GS
= 10 V, I
D
= 500 mA 2N7000 0.6 2.5 V
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 75 mA 0.14 0.4
V
GS
= 10 V, I
D
= 500mA 2N7002 0.6 3.75
V
GS
= 5.0 V, I
D
= 50 mA 0.09 1.5
V
GS
= 10 V, I
D
= 500mA NDS7002A 0.6 1
V
GS
= 5.0 V, I
D
= 50 mA 0.09 0.15
2N7000.SAM Rev. A1
Electrical Characteristics T
A
= 25
o
C unless otherwise noted
Symbol Parameter Conditions Type Min Typ Max Units
ON CHARACTERISTICS Continued (Note 1)
I
D(ON)
On-State Drain Current V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V 2N7000 75 600 mA
V
GS
= 10 V, V
DS
> 2 V
DS(on)
2N7002 500 2700
V
GS
= 10 V, V
DS
> 2 V
DS(on)
NDS7002A 500 2700
g
FS
Forward Transconductance V
DS
= 10 V, I
D
= 200 mA 2N7000 100 320 mS
V
DS
> 2 V
DS(on)
, I
D
= 200 mA 2N7002 80 320
V
DS
> 2 V
DS(on)
, I
D
= 200 mA NDS7002A 80 320
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
iss
Input Capacitance V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
All 20 50 pF
C
oss
Output Capacitance All 11 25 pF
C
rss
Reverse Transfer Capacitance All 4 5 pF
t
on
Turn-On Time
V
DD
= 15 V, R
L
= 25 ,
I
D
= 500 mA, V
GS
= 10 V,
R
GEN
= 25
2N7000 10 ns
V
DD
= 30 V, R
L
= 150 ,
I
D
= 200 mA, V
GS
= 10 V,
R
GEN
= 25
2N700
NDS7002A
20
t
off
Turn-Off Time
V
DD
= 15 V, R
L
= 25 ,
I
D
= 500 mA, V
GS
= 10 V,
R
GEN
= 25
2N7000 10 ns
V
DD
= 30 V, R
L
= 150 ,
I
D
= 200 mA, V
GS
= 10 V,
R
GEN
= 25
2N700
NDS7002A
20
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
I
S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current 2N7002 115 mA
NDS7002A 280
I
SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current 2N7002 0.8 A
NDS7002A 1.5
V
SD
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 115 mA (Note 1) 2N7002 0.88 1.5 V
V
GS
= 0 V, I
S
= 400 mA (Note 1) NDS7002A 0.88 1.2
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2.0%.
2N7000.SAM Rev. A1
2N7000.SAM Rev. A1
0 1 2 3 4 5
0
0.5
1
1.5
2
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I

,

D
R
A
I
N
-
S
O
U
R
C
E

C
U
R
R
E
N
T

(
A
)
9.0
4.0
8.0
3.0
7.0
V = 10V GS
DS
D
5.0
6.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
T , JUNCTION TEMPERATURE (C)
D
R
A
I
N
-
S
O
U
R
C
E

O
N
-
R
E
S
I
S
T
A
N
C
E
J
R

,

N
O
R
M
A
L
I
Z
E
D
D
S
(
O
N
)
V = 10V
GS
I = 500mA D
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
G
A
T
E
-
S
O
U
R
C
E

T
H
R
E
S
H
O
L
D

V
O
L
T
A
G
E
J
I = 1 mA D
V = V
DS GS
V

,

N
O
R
M
A
L
I
Z
E
D
th
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
A
I
N
-
S
O
U
R
C
E

O
N
-
R
E
S
I
S
T
A
N
C
E
V =4.0V
GS
D
R

,

N
O
R
M
A
L
I
Z
E
D
D
S
(
o
n
)
7.0
4.5
10
5.0
6.0
9.0
8.0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
A
I
N
-
S
O
U
R
C
E

O
N
-
R
E
S
I
S
T
A
N
C
E
T = 125C
J
25C
-55C
D
V = 10V
GS
R

,

N
O
R
M
A
L
I
Z
E
D
D
S
(
o
n
)
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 5. Transfer Characteristics Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
0 2 4 6 8 10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I

,

D
R
A
I
N

C
U
R
R
E
N
T

(
A
)
V = 10V
DS
GS
D
T = -55C
J
25C
125C
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
2N7000.SAM Rev. A1
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
D
R
A
I
N
-
S
O
U
R
C
E

B
R
E
A
K
D
O
W
N

V
O
L
T
A
G
E
J
B
V

,

N
O
R
M
A
L
I
Z
E
D
D
S
S
I = 250A
D
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.001
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I

,

R
E
V
E
R
S
E

D
R
A
I
N

C
U
R
R
E
N
T

(
A
)
V = 0V GS
T = 125C
J
SD
S
25C
-55C
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V

,

G
A
T
E
-
S
O
U
R
C
E

V
O
L
T
A
G
E

(
V
)
g
G
S
I =500mA
D
V = 25V DS
115mA
280mA
1 2 3 5 10 20 30 50
1
2
5
10
20
40
60
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
A
P
A
C
I
T
A
N
C
E

(
p
F
)
DS
C
iss
f = 1 MHz
V = 0V GS
C
oss
C
rss
G
D
S
V
DD
R
L V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50% Input, V
in
Output, V
out
t
on
t
off
td(off) t f tr t d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Figure 9. Capacitance Characteristics Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics (continued)
2N7000 / 2N7002 /NDS7002A
2N7000.SAM Rev. A1
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 300
0.001
0.002
0.01
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
R
A
N
S
I
E
N
T

T
H
E
R
M
A
L

R
E
S
I
S
T
A
N
C
E
r
(
t
)
,

N
O
R
M
A
L
I
Z
E
D

E
F
F
E
C
T
I
V
E
1
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
1 2
R (t) = r(t) * R
R = (See Datasheet)
JA JA
JA
T - T = P * R (t)
JA A J
P(pk)
t 1
t 2
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 300
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
R
A
N
S
I
E
N
T

T
H
E
R
M
A
L

R
E
S
I
S
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A
N
C
E
r
(
t
)
,

N
O
R
M
A
L
I
Z
E
D

E
F
F
E
C
T
I
V
E
1
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0. 05
0.02
0. 01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
1 2
R (t) = r(t) * R
R = (See Datasheet)
JA JA
JA
T - T = P * R (t)
JA A J
P(pk)
t 1
t 2
1 2 5 10 20 30 60 80
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
I , D
R
A
IN
C
U
R
R
E
N
T
(
A
)
DS
D
V = 10V
SINGLE PULSE
T = 25C
GS
A
R
D
S(O
N
) Lim
it
1
0
0
m
s
1
m
s
1
0
m
s
D
C
1
s
1
0
0
u
s
1
0
s
Figure 16. TO-92, 2N7000 Transient Thermal Response Curve
Figure 17. SOT-23, 2N7002 / NDS7002A Transient Thermal Response Curve
1 2 5 10 20 30 60 80
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
I , D
R
A
IN
C
U
R
R
E
N
T
(
A
)
DS
D
V = 10V
SINGLE PULSE
T = 25C
GS
A
R
D
S(O
N
) Lim
it
1
0
0
m
s
1
m
s
1
0
m
s
D
C
1
s
1
0
s
1
0
0
u
s
1 2 5 10 20 30 60 80
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
I , D
R
A
IN
C
U
R
R
E
N
T
(
A
)
DS
D
V = 10V
SINGLE PULSE
T = 25C
GS
A
R
D
S(O
N
) Lim
it
1
0
0
m
s
1
m
s
1
0
m
s
D
C
1
s
1
0
s
1
0
0
u
s
Figure 13. 2N7000 Maximum
Safe Operating Area
Figure 14. 2N7002 Maximum
Safe Operating Area
Figure 15. NDS7000A Maximum
Safe Operating Area
Typical Electrical Characteristics (continued)
RIFERIMENTI BIBLIOGRAFICI 38
Riferimenti bibliograci
[1] M.-S. Liang, J. Y. Choi, P.-K. Ko, and C. Hu, Inversion-layer capacitance and mobility of
very thin gate-oxide mosfets, Electron Devices, IEEE Transactions on, vol. 33, no. 3, pp.
409 413, mar 1986.
[2] D. Wu, Extraction of average doping density and junction depth in an ion-implanted deep-
depletion transistor, Electron Devices, IEEE Transactions on, vol. 27, no. 5, pp. 995 997,
may 1980.

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