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Corso di Laboratorio di Elettronica

a.a 2005-2006

PROGETTAZIONE E REALIZZAZIONE DI UN AMPLIFICATORE AUDIO DA 100W

Docente del corso: Studenti: Ing. Carmine Abbate Della Grotta Federico Serapide Emilio

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006

Della Grotta Federico Serapide Emilio

Indice
Introduzione Capitolo 1 Stadio di ingresso
1.1 Caratteristiche stadio di ingresso 1.2 Stadio differenziale 1.3 Circuito di polarizzazione

pag. 4 pag. 5
pag. pag. pag. 5 6 10

Capitolo 2 Stadio Intermedio Capitolo 3 Stadio di potenza
3.1 Principali parametri dello stadio di potenza 3.2 Classi di funzionamento 3.3 Amplificatore in classe AB 3.3.1 Distorsione d’incrocio 3.3.2 Tecniche per ridurre la distorsione d’incrocio

pag. 12 pag. 13
pag. pag. pag. pag. pag. 13 15 19 20 21

Capitolo 4 Dissipatori termici Capitolo 5 Circuiti Stampati
5.1 Tipologia di circuiti stampati 5.2 Il processo di fabbricazione di un PCB 5.3 La progettazione di un PCB

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pag. pag. pag. 29 30 32

Capitolo 6 Progetto e collaudo
6.1 Simulazione Spice 6.2 Dimensionamento del dissipatore 6.3 Dimensionamento dell’alimentatore ausiliario 6.4 Dimensionamento del circuito di protezione 6.4.1 Circuito di comando 6.4.2 Protezione DC e Termica 6.5 PCB 6.6 Verifiche sperimentali sul progetto

pag. 35
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Allegati Allegato 1 BC546 Allegato 2 BC556 Allegato 3 TIP 115/117 Allegato 4 MJE15034/MJE 15035 Allegato 5 MJL21193/MJL21194 Allegato 6 Dissipatore per TO220 Allegato 7 Dissipatore con ventola Allegato 8 Isolante elettrico Allegato 9 NTC pag. 51 pag. 55 pag. 59 pag. 65 pag. 71 pag. 76 pag. 77 pag. 79 pag. 80

Indice

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Introduzione
L’amplificatore è quel dispositivo elettronico che varia l’ampiezza del segnale applicato al suo ingresso, al fine di aumentare il valore del segnale medesimo. Si definisce amplificatore ideale quel dispositivo che riproduce esattamente quello che ha ricevuto in entrata. Purtroppo non esiste un amplificatore capace di aumentare un segnale senza modificarlo almeno in minima parte.

In generale i segnali disponibili alle sorgenti risultano essere inadeguati a comandare attuatori, per cui si rende necessaria un’amplificazione del segnale. In particolari applicazioni, tra cui applicazioni audio, l’amplificazione fornita da un singolo componente attivo (transistor) risulta insufficiente. In questo caso è necessario ricorrere ad una configurazione amplificatrice a due o più stadi disposti in cascata, ovvero connessi in modo che l’uscita di ciascuno stadio funga da sorgente di segnale per lo stadio successivo.

Stadio di ingresso

Stadio di amplificazione intermedia

Stadio finale o di potenza

Introduzione

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Capitolo 1: Stadio di Ingresso 5 . in effetti il rumore generato dai primi stadi viene amplificato dai successivi. con Rs = Rin in questo caso il trasferimento del segnale avviene in potenza dove Rs è la resistenza interna del trasduttore o della sorgente audio Rin e la resistenza di ingresso dell’amplificatore.1 Caratteristiche dello stadio di ingresso Le caratteristiche dello stadio di ingresso sono: Impedenza di ingresso: poiché i trasduttori forniscono segnali aventi livello di tensione molto piccolo e potenza debolissima. I metodi di adattamento sono: 1. Peraltro. è facile dar luogo. particolare cura deve essere posta nell’adattamento di impedenza tra il trasduttore o sorgente audio e l’amplificatore. Basso rumore: l’amplificatore pilota.Laboratorio di Elettronica a. su segnali molto deboli.a. dato che le potenze in gioco nello stadio pilota non sono rilevanti. con Rs << Rin e in questo caso il trasferimento di segnale avviene in tensione. Risposta in frequenza: normalmente lo stadio pilota viene progettato per una banda passante più elevata dello stadio di potenza . inoltre. essendo il primo stadio di una catena amplificatrice. anche con rumori deboli. peggiorando il rapporto segnale/disturbo. non si richiedono rendimenti elevati. con l’effetto di ulteriore peggioramento. 2. in tal modo le frequenze di taglio dell’intero sistema dipendono solo da quest’ultimo. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Capitolo 1 Stadio di Ingresso 1. non esistono quindi motivi per avere distorsioni. a rapporti segnale/disturbo inaccettabili. Bassa distorsione: se lo stadio pilota introduce distorsioni. è interessato da segnali di ingresso assai deboli e deve introdurre la minima quantità di rumore. queste vengono amplificate dallo stadio di potenza.

se l’uscita è proporzionale alla differenza tra le tensioni di ingresso il rumore si elide. e realizzato a livello discreto.2 Stadio Differenziale Della Grotta Federico Serapide Emilio Lo stadio di ingresso del nostro amplificatore è costituito da una struttura differenziale. Un altro vantaggio di questa struttura è che ci consente di accoppiare il carico senza l’utilizzo di capacità.Schema elettrico dello stadio differenziale I motivi per cui abbiamo scelto questa configurazione come stadio di ingresso sono molteplici. – Schematizzazione del Differenziale I V+ Ad Vo V- Capitolo 1: Stadio di Ingresso 6 .1 . Figura 1. cosa molto utile soprattutto a livello integrato in cui una capacità occupa un’area estesa. Figura 1.2. Un primo motivo è che è molto immune al rumore: una corrente variabile in prossimità del circuito induce nello stesso un certo rumore.1 .Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 1.a. del tipo riportato in figura 1.

l’uscita differenziale sarà nulla.Laboratorio di Elettronica a. Si può ricavarne il guadagno differenziale ottenendo: Ad diff = − Rc ⋅ gm dove gm = IC VT e rappresenta il guadagno di transconduttanza del transistor. Per quanto riguarda l’analisi di segnali di modo comune quali ad esempio il rumore.a. che è lo stesso in entrambi gli ingressi. Al fine di aumentare questo l’aumento di gm comporta una diminuzione della resistenza di ingresso mentre l’aumento della Rc è limitato dalla potenza da dissipare e dall’escursione massima. Si definisce a questo punto il CMRR (Common Mode Rejection Ratio) come: CMRR = Ad Acm Capitolo 1: Stadio di Ingresso 7 . per un segnale di modo comune. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Facendo uno studio a piccolo segnale dello stadio differenziale si può facilmente capire come si comporta questo circuito per segnali differenziali. Se consideriamo la tensione di uscita Single-ended il guadagno sarà esattamente la metà: Ad se = − Rc ⋅ gm 2 Possiamo anche calcolare quanto vale la resistenza di ingresso: Ridiff = 2 ⋅ rπ = 2 β gm =2 βVT Ic Notiamo subito che il guadagno è limitato dal tipo di transistore attraverso la massima corrente di collettore (gm) e dalla resistenza Rc. si determina il guadagno di modo comune. Se si ha perfetta simmetria dello stadio differenziale (Rc uguali e β uguali). Si nota che si ha un Acm basso se la R è alta. come: Acmse = Vo Rc Rc ≅− =− Vcm re + 2 R 2R dove R è la resistenza interna del generatore di corrente. cioè dipende dalla resistenza di uscita dello specchio. Ecco quindi il vantaggio di utilizzare come polarizzazione uno specchio di corrente ad elevate prestazioni. considerando l’uscita single-ended. cioè la resistenza di uscita dello specchio.

3 .Laboratorio di Elettronica a. Figura 1. è composto da uno stadio di ingresso differenziale ad uscita single-ended come riportato in figura 1.e. Il nostro amplificatore. In questo modo rendendo quanto più simmetrico possibile il primo stadio si riescono a diminuire i segnali di modo comune e quindi ad evitare che vengano amplificati dagli stadi successivi.2. essendo un finale audio. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Quindi più è alto questo fattore e meglio risponde l’amplificatore per segnali differenziali (vengono amplificati molto) e di modo comune (vengono amplificati poco).Stadio di ingresso differenziale Capitolo 1: Stadio di Ingresso 8 .a. questo vale: CMRR = Ad = gm ⋅ R Acm - Nel caso di uscita differenziale questo può essere notevolmente aumentato per i motivi descritti in precedenza. Nel caso di uscita s. Nelle applicazioni in cui l’uscita deve essere riferita a massa solitamente si preferisce avere due stadi di amplificazione: un primo stadio di pre-amplificazione con uscita differenziale e il secondo stadio finale con uscita single-ended.

per segnali differenziali (fig1.6Ω ⇒ 560Ω ⎝ Is ⎠⎦ Io ⎣ VT • Si dimensionano le resistenze sul differenziale in modo da avere un guadagno single-ended di 10V/V: Ad se = − Rc ⋅ gm 2 Rc ⋅ Ic = 10 2VT Rc = 515Ω ⇒ 560Ω (valore commerciale) Inoltre si nota che l’ingresso è differenziale.Laboratorio di Elettronica a.0MHz 10MHz Figura 1. in funzione della frequenza.4 – Risposta in frequenza dello stadio di ingresso differenziale Capitolo 1: Stadio di Ingresso 9 . 10 5 0 100mHz 1. Il secondo ingresso è stato utilizzato per riportare un segnale di retroazione sia statica che dinamica.2. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Dalla figura si notano alcuni particolari non descritti prima: • il filtro passa-basso R1C9 serve a limitare la banda del segnale di ingresso e quindi eliminare rumori ad alta frequenza.3). ⎩C 9 = 220 p • Si dimensiona la resistenza dello specchio R8 in modo da avere una corente di polarizzazione Io di circa 2mA: ⎡Vled ⎛ Io ⎞⎤ αVT R8 = ⎢ − ln⎜ ⎟⎥ ⋅ = 585.2. riduce la distorsione e linearizza la risposta dell’amplificatore nella banda di interesse. Dalla simulazione effettuata in Spice si nota il comportamento dello stadio di ingresso.0KHz Frequency 10KHz 100KHz 1. mentre la retroazione AC.0Hz V(Q1:c)/ V(V2:+) 10Hz 100Hz 1. la retroazione DC è necessaria al fine di avere una tensione continua nulla sul carico ed evitare il danneggiamento dell’altoparlante.2) e di modo comune (fig1.2k con ⎨ si ha una frequenza di taglio superiore di circa 330kHz . ⎧ R1 = 2. data da C6.a.

5 .0KHz Frequency 10KHz 100KHz 1.Circuito di polarizzazione.4 si nota che il guadagno di centro banda non è proprio 10V/V in quanto c’è il filtro in ingresso che comporta una attenuazione della tensione di base di Q1 rispetto alla tensione di ingresso. 1.5 si nota che per le alte frequenze l’amplificatore ha problemi per quanto riguarda i segnali di modo comune: si ha un ripido aumento del guadagno.Guadagno di modo comune al variare della frequenza In figura 1. questo fatto non comporta problemi. Specchio di corrente Capitolo 1: Stadio di Ingresso 10 . Passando ad uno studio nel dominio di Laplace si deduce che questo è dato dalla resistenza dello specchio e dalla sua capacità parassita le quali pongono un’azione passa alto.0MHz 10MHz Figura 1. 100 50 0 100mHz 1. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio In figura 1.6 . Questo riproduce in uscita una corrente che rispecchia quella di riferimento Iref e quindi si può regolare questa dimensionando opportunamente la Rref come: Rref = Vcc − Vbe Iref Figura 1.3 Circuito di Polarizzazione Il circuito di polarizzazione ( Io ) può essere costituito da uno Specchio di Corrente come riportato in figura.a.0Hz 1/V(Q1:c) 10Hz 100Hz 1. Essendo la banda del nostro amplificatore limitata.Laboratorio di Elettronica a.

si è scelto di polarizzare lo specchio con un Led il quale ha una tensione di polarizzazione fissata a 1. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Il vantaggio di usare come polarizzazione un circuito del genere al posto di una semplice resistenza sta nel fatto che lo specchio può avere una resistenza di uscita elevata. Si può calcolare il valore della R8 in funzione della VDIODO e della Io come: ⎡Vdiodo ⎛ Io ⎞⎤ αV − ln⎜ ⎟⎥ ⋅ T R8 = ⎢ ⎝ Is ⎠⎦ Io ⎣ VT Figura 1. lo specchio di Widlar.7 .8V. essendo che il punto di funzionamento a riposo è fisso.Circuito di polarizzazione.Laboratorio di Elettronica a. Specchio di Widlar Capitolo 1: Stadio di Ingresso 11 . il quale ha una resistenza di uscita molto grossa e. Nel nostro progetto si è scelto un particolare specchio.a.

allo stadio finale. cioè mettendo la capacità tra ingresso ed uscita di questo stadio. Daltrocanto la capacità C17 determina la frequenza di taglio superiore dell’amplificatore. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Capitolo 2 Stadio Intermedio Lo stadio intermedio è costituito dal Bjt Q5 in configurazione ad emettitore comune come riportato in figura 2. Figura 2. La capacità C17 ha il compito di stabilizzare in frequenza il circuito. Facendo un’analisi del sistema. Tale circuito è necessario per polarizzare i transistori di potenza in modo da eliminare la distorsione di cross-over.a. Questo stadio consente l'adattamento.1 .1. La capacità C10 è utilizzata per riportare una parte della retroazione AC sullo stadio intermedio stabilizzando quindi la dinamica di questo. Capitolo 2: Stadio Intermedio 12 .Stadio di amplificazione intermedia Sfruttando il teorema di Miller. Ha un guadagno pari alla gm del transistore moltiplicata per la relativa resistenza vista sul collettore di Q5. Inoltre Q5 fornisce la corrente necessaria al moltiplicatore di Vbe. sicuramente vi saranno poli a parte reale positiva che possono portare in oscillazione il sistema. del segnale proveniente dal differenziale. si riesce ad utilizzare una capacità di modesto valore risparmiando quindi sull’ingombro. Inserendo una capacità di valore adeguato si va ad inserire un polo dominante che rende stabile il sistema.Laboratorio di Elettronica a.

1 Principali parametri dello stadio di potenza I parametri principali che definiscono i limiti di funzionamento e progetto di uno stadio di potenza sono: Rendimento: per rendimento di un sistema. Inoltre. η= Pout Pcc Nel caso ideale. la potenza uscente è uguale alla somma di quelle entranti ed il rendimento è unitario. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Capitolo 3 Stadio di potenza Lo stadio di potenza. Questo riceve in ingresso un segnale già amplificato in tensione. o stadio finale inteso come ultimo elemento della catena di amplificazione ha lo scopo di fornire potenza al carico. In pratica si cerca di salvaguardare i componenti di potenza dato il costo assai elevato in alcuni casi. per ovvie esigenze di risparmio energetico. che si dissipa all’interno dell’amplificatore di potenza. Esistono due ragioni fondamentali per cui questa potenza risulta minima. ovvero il rendimento massimo: 1. ovvero Pout risulta sempre inferiore a Pcc ed è η < 1 .a. la potenza non utilizzata si dissipa sotto forma di calore. In pratica questo non è possibile. 2. si intende il rapporto tra la potenza che esso cede al carico e quella che gli viene introdotta attraverso l’alimentazione ed il segnale di comando. L’aumento della temperatura modifica le caratteristiche di comportamento dei componenti attivi.Laboratorio di Elettronica a. le elevate temperature di funzionamento. 3. accorciano notevolmente la vita media dei componenti. specie se in regime variabile. La differenza tra la potenza entrante e quella uscente rappresenta la potenza PD. quando le potenze in gioco sono elevate. trasferendolo al carico con la stessa ampiezza ma amplificato in corrente. se si supera la massima temperatura di giunzione (≈ 150°C). è bene che tutta la potenza spesa dia luogo ad effetti utili e non venga dispersa. interessando principalmente i componenti attivi. peggiorando la qualità di lavoro e giungendo a danneggiarli in modo irreparabile. Capitolo 3: Stadio di Potenza 13 .

Laboratorio di Elettronica a. le armoniche di ordine superiore dovute alla distorsione di non linearità. La distorsione di non linearità ha effetti diversi a seconda dell’attuatore che l’amplificatore di potenza pilota. ad esempio: 1. Da ciò segue che gli amplificatori di potenza sono sede di distorsione di non linearità. Ad esempio: 1. 2. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Tutto ciò produce l’esigenza di dissipare il calore prodotto dalla potenza non utilizzata. la quale introduce la presenza di armoniche di frequenza multipla rispetto a quella del segnale. con Ro << RL: quest’ultima condizione è adottata nella maggior parte dei casi e porta all’impiego di amplificatori aventi resistenza di uscita molto bassa. come ovvio. oppure altri casi: 2. sono causa di surriscaldamento del nucleo ferromagnetico nel caso di motori. comporta l’elongazione del segnale in tutta la zona di lavoro consentita per i componenti attivi che presentano. comportamenti non lineare. Linearità: l’obbiettivo di portare al massimo il rendimento. richiedono una banda di frequenza quantomeno eguale (o più ampia. con mezzi aggiuntivi (dissipatori o sistemi di raffreddamento a circolazione di fluido) che aumentano la complessità ed il costo degli apparati di potenza. i motori richiedono all’amplificatore una risposta in frequenza dalla continua sino a frequenze superiori non molto elevate. con Ro = RL: condizione generalmente impiegata negli accoppiamenti a trasformatori. la potenza trasferita al carico. La condizione ottimale per il trasferimento di potenza tra un amplificatore con resistenza di uscita Ro. a causa della notevole sensibilità che l’orecchio umano ha nei confronti della distorsione di non linearità. nel campo audio. che varia nell’intervallo 16 Hz ÷ 20kHz. specie verso le frequenze alte) a quella del segnale acustico. 2. Risposta in frequenza: la risposta in frequenza è legata al tipo di attuatore pilotato dall’amplificatore di potenza. la non linearità pone il problema della qualità del suono. Capitolo 3: Stadio di Potenza 14 . agli estremi ti tale zona.a. gli altoparlanti ed in genere i sistemi audio. ed un attuatore con resistenza generica RL. Condizioni di massimo trasferimento di potenza: il parametro degli amplificatori di potenza è. può essere ottenuto in due modi: 1.

si definisce quindi classe di funzionamento. I componenti attivi in questo caso funzionano come interruttori (switch) che. per effetto di comando del segnale di ingresso. in funzione della posizione del punto di lavoro sulla retta di carico. Nella polarizzazione in classe A. Funzionamento Switching: in questo tipo di funzionamento non si fa uso delle caratteristiche di amplificazione di componenti attivi. C. B. che realizzano l’amplificazione attraverso lo spostamento del punto di lavoro lungo la retta di carico all’interno della zona attiva. Nel caso di amplificatori a funzionamento analogico. controllando potenze di notevole entità. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio 3. il punto di lavoro viene tenuto.a. Un componente attivo da luogo a circolazione di corrente di segnale nella maglia d’uscita dell’amplificatore di cui fa parte.Laboratorio di Elettronica a. in base alla modifica del rapporto tra la durata di permanenza allo stato alto e quella dell’intero periodo dell’onda (duty cycle). In tal senso. AB. passano dalla saturazione all’interdizione (e viceversa). si sposta sulla medesima dalla saturazione alla interdizione e viceversa. a riposo. La classe di funzionamento degli amplificatori switching è detta classe D. si ha circolazione di corrente di segnale nella maglia d’uscita in ogni punto della forma d’onda del segnale d’ingresso. Le classi di funzionamento analogico sono: A. che consente di modificare il valor medio di un’onda quadra. Classe A: in un amplificatore polarizzato per funzionare in classe A. al centro del tratto lineare della retta di carico e. Si suole dire che l’angolo di circolazione della corrente di segnale nella Capitolo 3: Stadio di Potenza 15 .2 Classi di funzionamento La divisione degli amplificatori di potenza in base alla classe di funzionamento. occorre compire una distinzione fondamentale tra due tipi di amplificazione: Funzionamento analogico: questo tipo di amplificatore fruisce in pratica di amplificazioni ottenibili mediante i componenti attivi a tecnologia unipolare o bipolare. è legata alla condizione di polarizzazione e lavoro dei componenti attivi che costituiscono gli amplificatori medesimi ed alla tecnica con cui viene ottenuta l’amplificazione di potenza. per effetto del segnale di ingresso. per effetto del comando (di bassa potenza) del segnale da amplificare. Dopo aver fatto differenza sulla tecnica di amplificazione dei segnali si analizzano brevemente le classi di funzionamenti di cui sopra. la condizione di polarizzazione del componente attivo e la conseguente circolazione di corrente nel carico. ma di un particolare procedimento (PWM: Pulse Width Modulation).

si ottiene 16 Capitolo 3: Stadio di Potenza .a. se il segnale d’ingresso impone elongazioni simmetriche nell’intorno della condizione di riposo.7V ⇒ vout = Vout * sen(ωt ) ⎛ 1 vout 2 ⎞ ⎜ ⎜ 2 RL ⎟ ⎟ PL ⎝ ⎠ = η= Pcc (2 * Vcc * Ic0 ) dove: PL è la potenza fornita al carico PCC è la potenza fornita dall’alimentazione IC0 è la corrente che circola nel collettore in assenza di segnale di ingresso Vin = 0 ⇒ Vout = 0 ⇒ Ic = Ic0 ⇒ Pdiss = 2Vcc * Ic0 ⇒ Ic0 = Vcc sostituendo quanto trovato nella relazione del rendimento si ha: 1 vout 2 RL η= 4 RL Vcc 2 RL ma dal momento che la tensione di uscita non può superare la tensione di alimentazione risulta che: η= 1 ⇒ 25% 4 Classe B: in un amplificatore polarizzato per funzionare in classe B. il quale ha il compito di polarizzare Q1.supponendo un ingresso sinusoidale si ha che: vout = vin − Vbe = vin − 0. da luogo alla minima distorsione ma ha come svantaggio quello di avere un rendimento molto basso.1 . detto anche specchio di corrente. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio maglia di uscita è 360°. La classe A. il punto di lavoro viene tenuto. a riposo.Laboratorio di Elettronica a.1 in cui si evidenzia il transistore Q1 polarizzato in classe A e il transistore Q2.BJT polarizzato in classe A con specchio di corrente Con riferimento alla figura 3. in corrispondenza dell’interdizione sulla retta di carico. Figura 3. È evidente che. intendendo che per tutto il periodo del segnale d’ingresso. vi è corrente di segnale al carico.

La classe B offre notevoli vantaggi rispetto alla classe A.a. dove si evidenzia la coppia a simmetria complementare di transistori. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio circolazione di corrente nella maglia di uscita per tutti i segnali che spostano il componente verso la saturazione. Con riferimento a quella positiva si ha: Pcc + = 2π 1 Vcc 2 1 Vcc ∫ Pc(t )dt = VccIc max = 2π π πRL 0 quindi la potenza totale è: 2Vcc 2 Pcc = 2 * Pcc = πRL + Capitolo 3: Stadio di Potenza 17 . in quanto priva il segnale di una parte d’informazione. supponendo un ingresso sinusoidale si ha che: vout = vin − Vbe = vin − 0. Figura 3. La classe B. Si suole dire che l’angolo di circolazione della corrente di segnale nella maglia d’uscita è 180°. intendendo che vi è corrente di segnale al carico soltanto per un semiperiodo del segnale d’ingresso. la circolazione della corrente per gli altri 180° è affidata al transistore complementare.7V ⇒ vout = Vout * sen(ωt ) η= dove: PL è la potenza fornita al carico PCC è la potenza fornita dall’alimentazione PL Pcc Per determinare la potenza fornita dall’alimentazione bisogna determinare il valor medio della potenza dell’alimentazione. produce distorsioni inaccettabili. in termini di rendimento. per i valori che lo spostano verso l’interdizione.2 .BJT polarizzati in classe B Con riferimento alla figura 3.2. che si trova al di sotto dell’asse delle ascisse. non si ha corrente nella maglia di uscita.Laboratorio di Elettronica a.

La polarizzazione in classe AB consente di ridurre notevolmente un particolare tipo di distorsione. in pratica nel carico è presente corrente soltanto per una parte di semiperiodo del segnale d’ingresso. In questo caso il segnale viene recuperato attraverso filtri accordati. Se il segnale di ingresso impone elongazioni simmetriche nell’intorno della condizione di riposo. detta d’incrocio o cross-over. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio sostituendo quanto trovato nella relazione del rendimento si ha: η= π vout 2 RL 4 RL Vcc 2 ma dal momento che la tensione di uscita non può superare la tensione di alimentazione risulta che il rendimento medio è: η= Volendo calcolare la potenza dissipata si ha: π 4 ⇒ 78.5% 2 Vcc * Vo 1 Vo 2 Pdiss = Pcc − PL = − π RL 2 RL da cui possiamo ricavare il massimo cha vale: ∂Pcc 2 Vcc Vo 2 = − = 0 ⇒ V 0 = Vcc V0 π RL RL π sostituendo quanto trovato nella relazione del rendimento si ha che in corrispondenza della massima potenza dissipata quest’ultimo scenda al 50%. il componente attivo. in corrispondenza di una forte interdizione. L’angolo di circolazione della corrente di segnale nella maglia di uscita è inferiore a 180°. che insorge nel funzionamento in classe B «pura» negli attraversamenti per lo “0”. il componente viene tenuto. ma malgrado tutto ha un alto rendimento e si presta benissimo a particolari applicazioni nel settore delle alte frequenze. Classe C: in un amplificatore polarizzato per funzionare in classe C. non si ha corrente nella maglia di uscita. Capitolo 3: Stadio di Potenza 18 . Classe AB: la classe AB è una diretta conseguenza della classe B. La distorsione introdotta da questa polarizzazione è elevatissima. in una condizione intermedia tra quelle relative alle classi A e B rispettivamente. Per tutti gli altri livelli di segnale d’ingresso. anziché essere polarizzato alla interdizione è polarizzato in leggera conduzione.a. Si osserva che per questa particolare polarizzazione l’angolo di circolazione della corrente è compresa tra 180° e 360° e il rendimento risulta essere intermedio tra quello della classe A e quello della classe B. a riposo. si ottiene circolazione di corrente nella maglia di uscita soltanto per i più elevati tra i valori di segnale che spostano il componente verso la saturazione.Laboratorio di Elettronica a.

Questo significa che. La disposizione che risolve i due problemi di cui sopra è la simmetria complementare. ovvero non presentano condizioni di permanenza in zona attiva.3 Amplificatore in classe AB A valle delle considerazioni sulle classi di funzionamento e quindi alla condizione di polarizzazione del componente attivo si è pensato di realizzare l’amplificatore di potenza in classe AB. dunque il carico è percorso dalla corrente di segnale di Q1 durante le semionde positive e da quelle di Q2 durante le negative per cui in un periodo nel suddetto insiste un’onda completa di segnale.Laboratorio di Elettronica a. i componenti attivi operano soltanto nelle due condizioni limite di saturazione e di interdizione.3 . rimanendo interdetto da quelle negativa e Q2 (PNP) sia posto in conduzione dalla semionda negativa. Figura 3. Il segnale d’ingresso viene applicato alle due basi collegate tra di loro . rimando interdetto da quella positiva. in questo modo non è necessario dividere il segnale d’ingresso e ricomporre il segnale di uscita. ciascuno dei due transistor e collegato ad inseguitore e la resistenza RL è comune ai due emettitori. la polarizzazione in classe B di Q1 (NPN) fa sì che sia posto in conduzione dalla semionda positiva del segnale d’ingresso. L’impiego di questa soluzione pone però due problemi: la scomposizione in due semionde del segnale di ingresso e la ricomposizione del segnale di uscita.a.BJT polarizzati in classe B Capitolo 3: Stadio di Potenza 19 . 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Classe D: in un amplificatore progettato per funzionare in classe D. La classe B è una condizione di funzionamento che vede il componete condurre per una semionda del segnale d’ingresso. evitando ai componenti di dissipare potenze al di sopra dei loro limiti tecnologici 3. per un’amplificazione dell’intero segnale con dispositivi polarizzati in classe B. per avere un’onda completa. è necessario impiegare almeno due dispositivi di potenza. Questa particolare configurazione viene usata quando la potenza da fornire al carico è molto elevata. affidando a ciascuno di essi una delle due semionde del segnale da amplificare. Per ciò che riguarda il carico.

6ms 0.a. non si ha circolazione di corrente d’uscita fino a quando la tensione di ingresso non supera la soglia.9ms 1.1ms V(RL:2) 0.5 . in corrispondenza del passaggio per lo zero del segnale di ingresso.1 Distorsione d’incrocio Della Grotta Federico Serapide Emilio Poiché nella realizzazione di amplificatori a simmetria complementare in classe B. la iC dei BJT. 10V 5V 0V -5V -10V -10V -8V V(RL:2) -6V -4V -2V 0V V(In) 2V 4V 6V 8V 10V Figura 3.uscita della classe B Ovviamente la distorsione di iC da luogo ad una corrispondente distorsione della tensione di uscita. questo significa che se il componente è polarizzato in classe B pura.8ms 0.3. in particolare la caratteristica di ingresso dei BJT presenta una soglia maggiore di 0.3ms 0. questo vale per entrambi i BJT e fa si che.5 10V 5V 0V -5V -10V 0s 0. presenta un gradino che dà luogo ad una distorsione detta d’incrocio (cross-over).Caratteristica ingresso . di conseguenza.Tensione di uscita del classe B Capitolo 3: Stadio di Potenza 20 . cioè VBE = 0.4 .6 V. 2005-2006 3.6 V.2ms 0. vedi figura 3. si deve tener conto delle caratteristiche reali dei transistor.7ms 0.0ms Figura 3.4ms 0.5ms Time 0.Laboratorio di Elettronica a. la corrente iB e.

3.6 .3. facendo circolare una debole corrente anche in assenza di segnale: in tal modo il segnale non deve superare la soglia. - Riduzione di cross-over mediante amplificatore operazionale La distorsione d’incrocio di uno stadio di amplificazione in classe B può essere notevolmente ridotta utilizzando un amplificatore operazionale ad alto guadagno ed una retroazione negativa. il rendimento si riduce. questa soluzione porta la classe di funzionamento dalla B pura alla AB.Circuito in classe B con amp.2 Tecniche per ridurre la distorsione d’incrocio Della Grotta Federico Serapide Emilio Per porre rimedio a questo tipo di distorsione.Laboratorio di Elettronica a. vedi figura 3. occorre polarizzare i transistor oltre la soglia.2. 2005-2006 3.1 Come noto in un amplificatore in classe B vi è una soglia di 0.6 V che deve essere superata affinché i transistori iniziano a condurre. collegato in retroazione negativa per ridurre la distorsione di incrocio Capitolo 3: Stadio di Potenza 21 . Questa tecnica non viene utilizzata spesso a causa dello slew rate dell’operazionale che si accentua alle alte frequenze. ma con questa tecnica tale soglia viene ridotta a: ± Vbe A0 dove A0 è il guadagno in bassa frequenza ad anello aperto dell’amplificatore operazionale. Il suddetto amplificatore viene collegato allo stadio in classe B per mezzo di una resistenza R per limitare la corrente sulle basi dei transistori. Figura 3. andando a valori compresi tra il 50% e il 78%. op.a.

L’aumento di iB provoca un eccesso di compensazione ed uno spostamento del punto di lavoro.uscita della classe B con Amp.6ms 0.0ms Figura 3.8ms 0.1ms V(RL:2) 0.9ms 1. con esso. causa un aumento indesiderato di iB e. Op.Laboratorio di Elettronica a. Op.7 . in ragione di 25 mV di diminuzione della soglia ogni 10 gradi di aumenti della temperatura.Caratteristica ingresso . Questo sistema di polarizzazione non modifica la caduta di tensione ai capi di RBB e questo.8 . 10V 5V 0V -5V -10V 0s 0.Tensione di uscita del classe B con Amp.5ms Time 0.4ms 0.3ms 0. ma occorre osservare che. durante il funzionamento.7ms 0. di iC.2ms 0.a. l’aumento della temperatura prodotto nei dispositivi dalla potenza dissipata. - Riduzione di cross-over mediante partitore resistivo Inserendo un partitore resistivo inserito tra le basi dei transistori in modo da regolarne opportunamente il potenziale e riducendo o eliminando la distorsione d’incrocio. 2005-2006 10V Della Grotta Federico Serapide Emilio 5V 0V -5V -10V -10V -8V V(RL:2) -6V -4V -2V 0V V(Vin:+) 2V 4V 6V 8V 10V Figura 3. genera una variazione della VBE dei BJT stessi. dando luogo a nuovi tipi di Capitolo 3: Stadio di Potenza 22 .

un aumento di iC. essendo giunzioni dello stesso tipo dei BJT e seguono la medesima legge di variazione termica.10 – Polarizzazione mediante diodi della classe B Capitolo 3: Stadio di Potenza 23 . Figura 3. a condizione che vengono disposti in prossimità dei BJT stessi.9 – Polarizzazione mediante partitore resistivo della classe B - Riduzione di cross-over mediante diodi Il problema della instabilità termica può essere risolto sostituendo ad RBB un componente che segue le medesime vicende termiche della VBE dei BJT. che diminuisce il proprio valore all’aumentare della temperatura. questa soluzione produce una instabilità termica che può danneggiare definitivamente i transitori. Tale componente può essere una resistenza termica. dovuto ad un aumento della temperatura produce un ulteriore aumento di temperatura. ma difficilmente tale componente segue in modo rigoroso la legge di variazione termica delle giunzioni. Inoltre. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio distorsioni. che accresce di nuovo la iC e così via. Il componente che meglio si adatta alle variazione termiche della VBE dei BJT sono i diodi.Laboratorio di Elettronica a. Figura 3.a.

0V 2.0V -4.0V V(Vin:+) 1.12 – Tensione di uscita del classe B con polarizzazione a diodi - Moltiplicatore di VBE Una soluzione diversa da quella della coppia di diodi e quella che dispone. un transistore nella configurazione circuitale detta a moltiplicatore di VBE. Le resistenza RE1 e RE2 hanno il compito di stabilizzare ulteriormente il circuito nei confronti della fuga termica.0V -2. 10V 5V 0V -5V -5.8ms 0.9ms 1.3ms 0.0V 3.7ms 0.11 .a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio In figura 3. vedi figura 3.0ms Figura 3.10 si evidenza la coppia di transistori Q1 e Q2 che hanno il solo compito di far fluire nei diodi D1 e D2 una corrente costante in modo da avere sempre la stessa caduta di tensione. tra le basi dei BJT di potenza.0V V(RL:2) -3.Caratteristica ingresso .0V Figura 3.1ms V(RL:2) 0.0V 5.uscita della classe B con polarizzazione a diodi 10V 5V 0V -5V -10V 0s 0.Laboratorio di Elettronica a.6ms 0.0V 4.13.4ms 0.0V 0.5ms Time 0. Capitolo 3: Stadio di Potenza 24 .2ms 0.0V -1.

2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Figura 3. ma deve essere superiore di un valore pari a 2REIE.a. bisogna inserire delle resistenze di basso valore (inferiore all’ohm) sugli emettitori dei BJT di potenza. Infatti.13 – Polarizzazione mediante moltiplicatore di Vbe della classe B Il circuito di figura da luogo ad una caduta VBB ai capi delle basi dei BJT di potenza che dipende dalla VBE dei suddetti e dalle due resistenze R1 e R2. trascurando la corrente di base di Q3 la corrente che attraversa le resistenze in serie è la stessa e vale: IR = IR1 = IR 2 = ma allo stesso tempo vale che: IR = VBE R2 VBB R1 + R 2 per cui sostituendo la seconda equazione nella prima equazione si ricava quanto segue: R1 ⎞ ⎛ VBB = VBE ⎜1 + ⎟ ⎝ R2 ⎠ Variando opportunamente il rapporto R1 R 2 . come nel nostro caso. Negli schemi pratici. è possibile far sì che VBB divenga almeno uguale a 2VBE e segua le variazione termiche di VBE medesime. In tal caso la caduta di tensione tra le basi dei BJT non è esattamente 2VBE. Capitolo 3: Stadio di Potenza 25 .Laboratorio di Elettronica a.

Laboratorio di Elettronica a. che per il silicio è compreso tra 120°C e 200°C. che si enuncia: la potenza dissipata in un conduttore di resistenza R. del dissipatore Td e dell’ambiente Ta. vengono a loro volta considerate come delle tensioni.1) Capitolo 4: Dissipatori Termici 26 . 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Capitolo 4 Dissipatori Termici Come noto. della base di montaggio del contenitore Tc.a. Tra la potenza dissipata nella giunzione. è espressa dal prodotto della resistenza per il quadrato della corrente Pd = R * I 2 Tale potenza provoca un innalzamento della temperatura delle giunzione che come è noto non deve superare il limite superiore Tjmax. Il fenomeno di trasformazione della potenza elettrica in calore è definito attraverso la legge di Joule. Un sistema di dissipazione del calore è costituito dal chip di silicio. dal suo contenitore (case) e dal dissipatore (heatsink). La potenza PD dissipata nel chip può essere schematizzata come un generatore di corrente. percorso da una corrente I. indicate con il simbolo θ. la sua temperatura fino ad arrivare alla temperatura ambiente: sussiste la seguente relazione fondamentale: Tj − Ta = Pd (θjc + θcd + θda) ove: Tj è la temperatura di giunzione in °C. ogni componente elettronico o elettrico che sia percorso da corrente elettrica dissipa potenza. (4. per non danneggiare il componente. θjc è la resistenza termica tra giunzione e case in °C/W θcd è la resistenza termica tra case e dissipatore in °C/W θda e la resistenza termica tra dissipatore e ambiente in °C/W Si può individuare una analoga con la legge di Ohm per i circuiti elettrici. Ta è la temperatura ambiente in °C. Pd è la potenza dissipata sulla giunzione in W. le temperature di giunzioni TJ. Per tenere conto delle differenze di temperatura fra i vari punti si introducono le resistenze termiche.

Laboratorio di Elettronica a. Occorre allora scegliere il dissipatore e il tipo di montaggio più opportuno affinché la somma θjc+θcd non risulta superiore al valore massimo ricavato con l’equazione (4.1) di cui sopra si ricava il valore massimo che deve presentare θjc+θcd. È comunque in dato noto. in funzione della temperatura del contenitore. tra giunzione e case θjc relativa ad un certo dispositivo. Capitolo 4: Dissipatori Termici 27 . Esso rappresenta l’andamento della potenza massima dissipabile nel dispositivo. si deve scegliere il dissipatore adatto affinché la giunzione non superi Tjmax. La resistenza termica θcd dipende dal tipo di contenitore a dalle modalità di montaggio del componente sul dissipatore. ovvero senza che venga superata Tjmax. Essa varia infatti se fra contenitore e dissipatore si inserisce o meno un foglietto isolante di mica o kapton se si usa grasso termoconduttore al silicone ed altri materiali. A sua volta per ogni tipo di dissipatore viene fornita dal costruttore la θda corrispondente. Dalla equazione (4.1). Normalmente sui fogli tecnici del componente attivo viene fornito un diagramma della riduzione della potenza dissipabile. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Figura 4.1 .a. note Tjmax e Ta. dai fogli tecnici.Equivalente termo elettrico Normalmente in fase di progetto il problema si pone in questi termini: nota la potenza da dissipare Pd. nota la resistenza termica.

Laboratorio di Elettronica a.2 .3.3 . 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Figura 4.Andamento della potenza dissipabile in funzione della temperatura Capitolo 4: Dissipatori Termici 28 . Figura 4.a.Assemblaggio del componente sul dissipatore Ovviamente più elevata Tc e minore è la potenza dissipabile vedi figura 4.

PCB a singola faccia 2. è un sistema di assemblaggio elettronico. La base costituisce il supporto per le piste conduttive.Laboratorio di Elettronica a.1 Tipologie di circuiti stampati I circuiti stampati possono essere classificati in base alle loro caratteristiche costruttive: una prima differenziazione si hanno le seguenti tipologie: 1. fissandoli tramite saldatura alle piste ed assicurando così un buon aggancio meccanico ed elettrico. PCB multistrato Capitolo 5:Circuiti Stampati 29 . Un'opportuna foratura della basetta consente di inserire i reofori dei componenti. 5. basato sul principio del collegamento di componenti tramite delle piste conduttive. Un sistema di lamine sottili di conduttore. collocate su di una basetta isolante. nella maggior parte dei casi il rame.a. una lastra isolante opportunamente forata. incollate alla base. per i componenti elettronici saldati e per eventuali altri componenti. PCB a doppi faccia 3. fissati meccanicamente alla base stessa. Printed Circuit Board o Circuito Stampato. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Capitolo 5 Circuiti Stampati Il PCB. I componenti fondamentali di un circuito stampato sono quindi: La base.

materiali costituiti da una base isolante su cui aderiscono dei fogli di rame elettrolitico puro. generalmente. Una delle fasi più importanti dopo il taglio del laminato in quadri e la tranciatura dei fori di riferimento per gli attrezzi. lega stagno-nichel. Entrambi possono essere a fori non metallizzati. visto che nel caso del progetto dell’amplificatore audio si andrà a realizzare una scheda di tale tipologia.2 Il processo di fabbricazione di un PCB La fabbricazione di un circuito stampato ha origine dai laminati. tra i 120 e i 170°C. ad esempio di tipo qualitativo. le tolleranze. quando non è diversamente specificato. per via elettrolitica: un grosso tamburo ruotante polarizzato negativamente pesca in una soluzione elettrolitica. meccaniche e fisiche richieste. in maniera tale da conferirle le proprietà desiderate. Il materiale base è composto generalmente da resine sintetiche ottenute per polimerizzazione: se una resina non possiede da sola tutte le proprietà elettriche. In questo lavoro. è la stampa dell'etching resist.a. L'adesione del rame al materiale base si ottiene per azione di una pressa di laminazione. dette cariche. Esistono ovviamente altre classificazioni. e riscaldamento. a seconda se superano o meno i quattro strati. Il processo di fabbricazione prende il nome di Print and Etch (stampa e incisione): è un processo sottrattivo. con un conseguente aumento della rugosità dei fogli. il multistrato è realizzato a fori metallizzati. di un pacchetto di tali fogli. Si procede allora ad ossidarlo. il laminato impiegato dal costruttore degli stampati è infatti materiale isolante con un solo lato di rame. 5. i fogli di rame così ottenuti presentano la faccia troppo liscia per aderire al laminato base.Laboratorio di Elettronica a. lasciandolo inalterato nelle zone in cui è necessario per i collegamenti elettrici. su una faccia o su entrambe. I multistrati si suddividono a loro volta in leggeri e pesanti. Queste due prime tipologie sono proprie dei circuiti realizzabili anche con poche risorse tecnologiche a disposizione. Per il multistrato il discorso cambia radicalmente: sono infatti dei circuiti stampati che presentano diversi strati di piste conduttive. l'attenzione sarà comunque rivolta al doppia faccia. le dimensioni dei fori e delle piste. ad esempio stagno. o con rame rivestito di un altro metallo. tra le 10 e le 20 atmosfere. il doppia faccia presenta piste conduttive su entrambi i lati. o altri ancora. ed altri parametri ancora. prendendo in considerazione i rivestimenti. spesso viene addizionata con sostanze opportune. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Il singola faccia ha piste solo su un lato. in quanto si procede per incisione del rame del laminato base. presenti sia su entrambe le facce del PCB sia all'interno del laminato base. disposti opportunamente. una protezione dall'attacco chimico del Capitolo 5:Circuiti Stampati 30 . oppure a rivestirlo con ottone: entrambi i fenomeni determinano una formazione non uniforme sui cristalli di rame. ma generalmente sono a fori metallizzati con solo rame. Il rame viene prodotto.

L'ultima fase di rilievo costituisce la deposizione di un sottile strato di vernice protettiva con lo scopo di mantenere inalterate le caratteristiche di saldabilità del rame evitando la formazione di uno strato di passivazione all'interfaccia rame-aria. L'incisione avviene per mezzo di un liquido corrosivo. che lascia penetrare la vernice. L'etching resist depositato indurisce per evaporazione di solvente o per polimerizzazione in aria libera. precipita sotto forma di un film metallico sottile. La metallizzazione dei fori è una fase peculiare del processo di fabbricazione di un circuito stampato. che si depositano ovunque. pressata sul lato superiore. che reagendo con gli ioni stannosi. per il rame. Una variante interessante della stampa serigrafica. Tale strato metallico è quello che permette la ramatura galvanica definitiva. detta patter plating. consiste nell'immergere il quadro in una soluzione di cloruro di palladio. dopo la foratura. ma soprattutto sulle pareti dei fori. Dopo una ramatura galvanica completa dei fori e di tutta la superficie del rame. in quello inferiore in cui è posto il quadro. Le zone metalliche alle quali può aderire la lega di saldatura sono limitate da una vernice permanente. di catalisi. cioè rame metallico. per questo necessita di alcune fasi preliminari: si procede ad una sensibilizzazione del quadro. che viene applicata con metodo serigrafico e indurita a caldo o a raggi ultravioletti. prevede lo stampo in positivo. detto tenting. effettua invece un rivestimento con lega Sn-Pb e successiva incisione delle zone non necessarie: una sua importante variante.a. Un processo più complesso. per piccole serie e per piastre a base di vetro che provocherebbero l'usura dei punzoni dello stampo. Tali sostanze depositate sul quadro di rame. nylon o seta. la maglia è riempita di gelatina sulle zone che non devono ricevere vernice. in una fase intermedia della metallizzazione dei fori. (tale parte è denominata anche Pattern). il panel plating. È in presenza di questo catalizzatore che si innesca la successiva reazione di riduzione dello ione rame in soluzione in rame metallico Cu (ramatura chimica).Laboratorio di Elettronica a. restano a ricoprire solo i conduttori in rame che dovranno rimanere. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio rame. il processo più semplice. in forno oppure a raggi ultravioletti. Sovente si esegue la foratura su macchine a controllo numerico: è molto utilizzato nei casi in cui le piastre hanno una dimensione tale per cui sarebbe onerosa la costruzioni di stampi di tranciatura. e precisamente dopo la Capitolo 5:Circuiti Stampati 31 . solder resist. che attacca chimicamente solo le zone non ricoperte da etching-resist. dopo un'esposizione opportuna alla luce e sviluppo con soluzioni a base di carbonato di sodio (Soda Solvay). è l'utilizzo di foto-polimeri come etching resist (Dry film). I quadri sono collegati elettricamente al polo positivo e immersi in una soluzione di ioni di rame che a contatto con il rame chimico cedono due elettroni diventando atomi di rame. La fase successiva. Il telaio serigrafico è una maglia fitta di tela di acciaio. prevede la stampa fotografica del rame che non deve restare sullo stampato. molto comune nella costruzione di circuiti stampati professionali. lo sviluppo e l'incisione ottenendo così circuiti stampati a doppi faccia a fori metallizzati con finitura in solo rame. per immersione in una soluzione di ioni stagno.

a. il primo passo consiste nel realizzare i pattern degli strati più interni mediante stampo e incisione. in quanto eventuali correzioni al circuito devono essere svolte in questo ambito. Si vanno diffondendo altre tecniche di fabbricazione dei circuiti stampati che si basano sui processi additivi: a partire da un laminato base completamente privo di rame si ottiene una deposizione chimica di questo metallo solo nelle zone in cui è richiesto. Si tratta di un file di testo in cui sono riportate tutte le informazioni sullo schematico disegnato. La metallizzazione dei fori esegue dunque i collegamenti voluti tra i diversi strati. L'operazione da compiere per poter passare dal software di disegno circuitale a quello di progettazione del PCB è tipicamente la creazione di una netlist. può avere inizio il cosiddetto postprocessing per poter creare il layout fisico del PCB. alla metallizzazione dei fori e alla incisione delle due facce esterne. associando ad ogni componente utilizzato il relativo footprint. e da questo punto ha inizio la fase di definizione del layout fisico della scheda. lo spessore del rame da incidere è minore. come ad esempio la sua grandezza. il rivestimento Sn-Pb e l'incisione. è quella della progettazione del circuito che verrà riportato sullo stampato: sia che si parta da uno schematico disegnato a mano e poi prototipato su di una breadboard. per poi poter effettuare i test attraverso il computer. sia che lo si disegni sin dall'inizio con un CAD elettronico. sono sovrapposti in maniera tale da formare un unico laminato per azione di una pressa di laminazione.Laboratorio di Elettronica a. con l'elenco dei componenti a cui è associato il relativo footprint e le varie connessioni. Dopo aver effettuato delle operazioni Capitolo 5:Circuiti Stampati 32 . Segue la ramatura galvanica. il numero dei pin. Il footprint è il blocco base utilizzato per definire il layout. Per quanto riguarda il processo di fabbricazione specifico per le schede multistrato. Una volta che il progettista ha portato a termine con successo questa fase. in quanto contiene tutte le informazioni fisiche relative ad un componente. Tale netlist verrà poi importata nel software di creazione del circuito stampato. La fase di disegno e verifica circuitale riveste la massima importanza.3 La progettazione di un PCB Nel processo realizzativo di un PCB la fase più importante. compresi i due più esterni. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio ramatura chimica. anche se già nel software di progetto è possibile iniziare a preparare lo schematico per la creazione del circuito stampato. nonché un minore esaurimento del liquido d'incisione. nonchè la prima anche in ordine cronologico. con conseguente aumento della velocità e della qualità dell'incisione. Si procede infine alla foratura. I diversi strati. ed altre ancora. Siccome quest'ultimo processo effettua le metallizzazioni solo sul pattern. con l'evidente aumento della densità dei componenti. 5. Ciò si ottiene o con stampa fotografica o con presenza selettiva del catalizzatore che innescherà il processo di ramatura.

è quella di routine delle tracce. ma per comprendere appieno la loro complessità basti pensare che i più potenti vengono venduti a prezzi elevati. sotto forma di linee dritte tra un componente e l'altro. Infatti. la scelta della tecnologia realizzativa. Le tracce di un PCB. in quanto quello su cui egli sta lavorando è. la fase successiva.Laboratorio di Elettronica a. Ricordando che è possibile anche definire dei parametri particolari. gli eventuali connettori posti in maniera tale da non far passare i cavi sopra la scheda. come l'impostazione delle dimensioni della scheda che si vuole creare. essendo la scheda bidimensionale. una volta realizzato. controllano lo spazio libero sulla scheda o altri parametri. in quanto. risulterebbero cortocircuitate. I componenti possono essere ruotati e spostati a piacimento. una delle più impegnative di tutto il processo. Anche in questa fase esistono strumenti software di controllo. È per questo che bisogna svolgere la fase di sbroglio: il masterista deve associare a ciascuna connessione tra componenti un percorso conduttivo su di uno dei layer della scheda. detto masterista. Risulta evidente come effettuare la fase di sbroglio di un circuito che impiega numerosi componenti può essere molto impegnativo. Anche per il routing esistono software che svolgono tale compito automaticamente. il software di progettazione mostra una schermata in cui si hanno tutti i componenti del circuito posti intorno a quello che rappresenta il bordo fisico del PCB. comunque necessarie. anche sovrapposte ad altri collegamenti tra altri componenti. appunto. verranno evidenziati tutti i collegamenti che lo interessano. in quanto possono non rispettare delle particolari scelte progettuali del masterista. Alcuni software particolarmente potenti offrono strumenti di piazzamento automatico. evitando ovviamente di sovrapporli e di lasciarne nessuno al di fuori dei bordi. ad esempio. senza creare cortocircuiti che renderebbero il PCB inutilizzabile. come la larghezza di ciascuna pista e la distanza tra le stesse. Si passa quindi alla fase di placement dei componenti: uno ad uno. e altri ancora che. se si seleziona un componente qualsiasi sul PCB. l'eventuale associazione dei footprint per quei componenti di cui non è stata effettuata precedentemente. e si necessita di tutta l'esperienza del masterista per portare a termine tale fase. sull'ordine delle migliaia di dollari. che verificano il rispetto di alcune regole basilari di disegno. ma in genere vengono scarsamente utilizzati. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio preliminari. non possono però sovrapporsi. lasciando al software l'incarico di sistemare i restanti. I più Capitolo 5:Circuiti Stampati 33 .a. se l'importazione della netlist ha avuto esito positivo. come ad esempio il posizionamento in maniera consona per l'operatore. il master del circuito stampato che si vuole creare. anche se limitati ad un certo numero di layer. detta anche sbroglio. ed altri accorgimenti ancora. vanno collocati all'interno dell'area rappresentante la scheda. in genere manualmente. Piazzati tutti i componenti. che dipendono fortemente dall'esperienza del disegnatore del circuito. È comunque possibile piazzare manualmente i componenti più importanti e bloccarli nella posizione desiderata. secondo i classici criteri di piazzamento dei componenti.

fondamentalmente. il layout della scheda è terminato. Una via è. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio potenti. Una volta definiti tutti i file gerber relativi a tutti i layer della scheda. Per ogni suo layer ne viene creato uno: ad esempio un file gerber TOP definirà come lavorare il TOP layer del PCB. laminare e forare la scheda. ciò che rimane da fare è generare i file gerber. e così via. sono praticamente inaccessibili al piccolo operatore. BOTTOM sarà relativo al BOTTOM layer. Capitolo 5:Circuiti Stampati 34 . come la dimensione del foro da praticare sulla scheda. I padstack sono delle raccolte di informazioni su come un pin si connette fisicamente al PCB: include dati riguardo ciascun layer della scheda. senza aver tralasciato nessun componente fuori dalla scheda o delle tracce che si sovrappongono.I vias sono definiti dai padstack. viene utilizzato un via. contenenti tutte le informazioni necessarie per il costruttore del PCB su come tagliare.Laboratorio di Elettronica a. che di listino può raggiungere anche le centinaia di migliaia di dollari. senza più possibilità di intervento da parte del progettista del circuito o del masterista del PCB. Dopo aver effettuato tutti i controlli di routine per assicurarsi che ogni fase sia andata a buon termine.a. senza causare cortocircuiti attraverso la metallizzazione. Se nonostante tutto non è possibile evitare l'intersezione di due tracce. senza limitazioni di layer. un foro praticato nel PCB che permette al rame di transitare da uno strato della scheda all'altro. proprio a causa del loro costo. alla stessa maniera dei footprint. Completata anche la fase di sbroglio. questi dovranno essere passati a chi si occuperà della realizzazione fisica della stessa. definendo anche la dimensione dell'area di rame intorno a ciascun pin.

lo stadio di uscita in classe AB costituito da Q8 e Q 14.a.Schema elettrico completo dell'amplificatore audio La polarizzazione dello stadio di uscita è ottenuta mediante il moltiplicatore di Vbe Q4.1 è riportato lo schema elettrico completo dell’amplificatore Hi Fi di potenza in classe AB. polarizzati mediante uno specchio di corrente Q3. Figura 6. necessari ad abbassare il valore della corrente di pilotaggio dello stadio intermedio. ove si individuano i tre principali stadi: 1. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Capitolo 6 Progetto e Collaudo 6. la cui tensione di base è ottenuta mediante un diodo LED. ottenuta riportando il segnale di Capitolo 6:Progetto e Collaudo 35 . 2.1 Simulazione Spice In figura 6.Laboratorio di Elettronica a. 3.1 . L’amplificatore utilizza una forte retroazione negativa sia statica che dinamica. lo stadio intermedio di amplificazione realizzato mediante un emettitore comune Q5. lo stadio differenziale di ingresso costituito dai transistor Q1 e Q2. Come stadio di potenza si è scelto una topologia che impiega due transistori di driving (Q6 e Q7).

La frequenza di taglio superiore è determinata dalla capacità C17 che ha anche il duplice effetto di stabilizzare in frequenza l’amplificatore.0KHz Frequency 10KHz 100KHz 1. 1.Risposta in frequenza dell'amplificatore con valori di C17 riportati in tabella 6. compensa il comportamento della bobina dell’altoparlante alle alte frequenze.0Hz 10Hz db(V(Out)/ V(In)) 100Hz 1.40 Amplificazione di centro banda [dB] 26.Risultati della simulazione con valori C17 diversi 40 2.33 2.40 26.29 Frequenza Superiore [kHz] 375. La retroazione in DC è necessaria al fine di evitare una tensione continua sul carico nulla ed evitare quindi il danneggiamento dell’altoparlante.2nF 470pF 100pF 20 0 -20 1.2 .0MHz Figura 6.1 Capitolo 6:Progetto e Collaudo 36 . si effettua una regolazione della corrente di riposo nei transistori di potenza. Il cappio R15-C11.40 26.1 .Laboratorio di Elettronica a.33 2. determinando la frequenza di taglio inferiore e superiore e il guadagno di centro banda per i seguenti valori di C17: 100pF. 2. Con una corrente a riposo di circa 70 mA si evidenzia un offset di tensione in uscita pari a -12.40 Tabella 6. che in realtà è un potenziometro multigiro da 2 K. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio uscita sullo stadio differenziale (base di Q2). Mediante tale simulazione si è visualizzata la risposta in frequenza dell’amplificatore.2 nF 2. che utilizza le capacità C6 e C10.45 184.2nF ottenendo i seguenti risultati: Frequenza inferiore [Hz] 100 pF 470 pF 2. La retroazione in AC.5 mV. 2. evitando auto oscillazioni. riduce la distorsione e linearizza la risposta dell’amplificatore nella banda di interesse. 470pF.00 46. Variando la resistenza R25.a.

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006

Della Grotta Federico Serapide Emilio

3. Imponendo un segnale sinusoidale di frequenza 1 kHz e ampiezza pari a 1,35 Vpp all’ingresso dell’amplificatore con la capacità C17 pari a 2,2 nF si evidenzia una distorsione armonica di 1,40*10-1%. La potenza sul carico in queste condizioni è di 99,7 W è ovvio che l’amplificatore può fornire una potenza maggiore al carico, purchè si tolleri una distorsione armonica maggiore. 4. Imponendo un segnale di ingresso a 1 V con frequenza 1kHz, sinusoidale, e visualizzando la tensione sul collettore di Q1, si nota che in questo punto la distorsione è elevata, figura 6.3, ma viene successivamente eliminata all’uscita mediante la retroazione.
34.43V

34.42V

34.41V

34.40V

34.39V 0s V(Q1:c) Time 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms

Figura 6.3 - Tensione sul collettore di Q1

Visualizzando la forma d’onda sul collettore di Q5, si misura il guadagno di tensione e considerando il valore di gm5, prelevato dal file di uscita si valuta il valore del carico resistivo visto dal collettore di Q5 ottenendo i seguenti risultati: gm5 = 2,37*10-1 Vout (Q5) = 45,20 Vpp Vin (Q5) = 26,13 mV
Av(Q5) = VoutQ5 = 1730 VinQ5 AvQ5 ≈ 7,3kΩ gm5

Av(Q5) = gm5 * Re quivalente ⇒ Re quivalente =

5. Visualizzando la corrente di collettore su Q8 si valuta la massima potenza dissipata nelle condizioni di potenza nominale in uscita che assicura la minima distorsione ammissibile. Nelle stesse condizioni si valuta anche la potenza dissipata sul driver Q7.

Capitolo 6:Progetto e Collaudo

37

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PdissQ8 =

Della Grotta Federico Serapide Emilio

1 [VeQ8(t ) − VcQ8(t )]* IcQ8(t )dt = 24,48W T∫ 1 PdissQ 7 = ∫ [VbQ8(t ) − VeQ7(t )]* IcQ7(t )dt = 92,82mW T

6. Nelle condizioni di simulazione del punto precedente si valuta la potenza dissipata sulle resistenze R13 e R14. PdissR13 = 1 ΔVR13(t ) * IR13(t )dt = 4,06W T∫

7. Come ultimo punto della simulazione si valuta il rendimento complessivo dell’amplificatore

η=

Pload 98,516W = = 0,626 ⇒ 62,2% Pcc 157,256W

Alcuni di questi valori verranno verificati sperimentalmente con delle prove sul prototipo.

6.2 Dimensionamento del dissipatore

Come noto, a partire dalla massima temperatura di giunzione e dalla resistenza termica tra giunzione e case, reperibili sui data sheets (fogli tecnici) dei singoli componenti, si deve dimensionare il dissipatore in modo che la temperatura di giunzione stessa non superi i valori massimi consentiti. Normalmente il dimensionamento consiste nel determinare la resistenza termica dissipatore-ambiente. Nel nostro caso si è agito all’inverso, scelto il tipo di dissipatore, Allegato 7, ed il materiale termoconduttore posto tra case e dissipatore si è determinata la temperatura di giunzione a cui si porta il dispositivo di potenza quando è chiamata a fornire la massima potenza sul carico. Dalla simulazione Spice di cui sopra si ha che un dispositivo di potenza dissipa 24,4W quando sul carico si hanno circa 100W. Pd =24,4W Ta =35 °C; θjc =0,7°C/W θcd =0,82°C/W con isolante tipo kepton θda =0,73°C/W

Tj − Ta = Pd (θjc + θcd + θda) ⇒ Tj = Ta + Pd (θjc + θcd + θda)

Capitolo 6:Progetto e Collaudo

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Prima di passare ai conti è bene fare una considerazione: il circuito di potenza è a simmetria complementare utilizzando due BJT di potenza montati sullo stesso dissipatore per cui l’equivalente termo-elettrico a cui fare riferimento è il seguente:

Figura 6.4 - Equivalente termo - elettrico dei dispositivi di potenza

in cui si evidenzia che i due dispositivi di potenza sono, nell’equivalente termo-elettrico, in parallelo.
⎡⎛ 0,73 + 0,82 °C W Tj = 35°C + 2 * 24,4W * ⎢⎜ ⎜ ⎢⎜ 2 ⎣⎝ ⎤ ⎞ ⎟ + 0,7 °C ⎥ = 35°C + 72°C = 107°C ⎟ W⎥ ⎟ ⎠ ⎦

Considerando che la massima temperatura di giunzione è 150°C, Allegato 5, il dissipatore scelto garantisce un buon margine di sicurezza del dispositivo dal punto di vista termico. A titolo informativo si determina la temperatura esterna a cui si porta il dissipatore :
Td − Ta ⇒ Td = Pd * θda + Ta θda Td = 48,8W * 0,73 °C + 35°C = 84,53°C W Pd =

Con una temperatura di giunzione pari a quella calcolata la massima potenza dissipabile quando la temperatura ambiente vale 25°C considerando la curva di riduzione riportata sul data sheets, vale: Pd (Tc) = Pd max − 1 (Tc − Tc0) = 200W − 1 θjc 0,7 °C

(107°C − 25°C ) = 82,85W
W

> 24,48W

Inoltre, se la temperatura di giunzione fosse pari a 150°C, condizioni peggiori la potenza dissipata sarebbe nulla.

Capitolo 6:Progetto e Collaudo

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6.3 Dimensionamento dell’alimentatore ausiliario

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L’alimentatore ausiliario ha lo scopo di alimentare la ventola del dissipatore e il relè del circuito di protezione.

Figura 6.5 - Schema elettrico dell'alimentatore supplementare

Dai fogli tecnici della ventola e del relè si evince che la prima ha un assorbimento di 160 mA e il secondo ha un assorbimento di 10 mA, pertanto questo alimentatore ausiliario è chiamato ad erogare una corrente complessiva pari a 170 mA, entrambi i dispositivi hanno bisogno di una tensione pari a 12 V. Dalle specifiche di progetto di cui sopra, si nota che tra collettore ed emettitore di Q1 dovrebbe esserci una caduta di tensione pari a ben 23 V, rischiando di superare la temperatura massima di giunzione, per questo motivo si è inserita in serie al collettore una resistenza R16 che ha lo scopo di abbassare la caduta di tensione ai capi del transistor. Avendo supposto una caduta di tensione sulla resistenza pari ad 8 V se ne determina il valore: R16 = ΔV 8V = = 47Ω Iload 170mA

mentre la potenza dissipata sulla medesima vale:

(ΔV )2 PdR16 =
R16 più vicino a quello calcolato.

= 1,36W

Tale resistenza viene scelta con una potenza dissipabile pari a 2W che è il valore commerciale In seguito a tale considerazione si determina la potenza dissipata dal transistore :

Capitolo 6:Progetto e Collaudo

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Laboratorio di Elettronica a.6)V = 14.a. scegliendo un dissipatore con una resistenza termica tra dissipatore e ambiente pari a 23°C/W e resistenza termina tra case e dissipatore pari a 1°C/W la temperatura di giunzione scende a: T j = Tamb + Pd (θ jc + θ cd + θ da ) = 99.95°C E’ evidente che la temperatura di giunzione supera il valore massimo consentito pertanto il transistore Q1 necessita di un dissipatore. tale resistenza viene scelta con una potenza dissipabile pari ad ¼ di W e di valore 10KΩ.43W bisogna ora verificare che la potenza dissipata dal transistore non faccia superare la massima temperatura di giunzione: Tj max = 150°C θ jc = 2.3V = 2.4°C valore accettabile rispetto alla massima temperatura di giunzione. 2005-2006 PdQ1 = Iload * Vce Della Grotta Federico Serapide Emilio Vin = V + − ΔV = 35V − 8V = 27V Vce = Vin − (Vz + Vbe ) = 27V − (12.5°C / W θ ca = 62.5°C / W Tamb = 35°C T j = Tamb + Pd (θ jc + θ ca ) = 192.1 + 0. Capitolo 6:Progetto e Collaudo 41 .3V PdQ1 = 170mA + 14. quindi bassa potenza. Come ultima parametro si determina il valore della resistenza Rz necessaria a polarizzare il transistore e il diodo Zener IE 0.17 A = = 340 μA β +1 501 (Vin − Vz ) = 44 KΩ Rz = IB IB = data la bassa corrente in gioco.

2005-2006 6. Figura 6.a. che evita il danneggiamento dello stesso a causa di una componente continua eccessiva.1 Circuito di comando La prima parte del circuito di protezione è quella riportata in figura 6.6 – Circuito di comando delle protezioni Il filtro in ingresso (R23 C16) serve ad evitare che il circuito intervenga anche per basse frequenze evitando il buon funzionamento dell’amplificatore per le stesse: ⎧ R 23 = 100k ⎨ ⎩C16 = 10 μF ⇒ τ = 1s ⇒ f = 1Hz I diodi in antiparallelo D6 e D7 servono ad evitare che sulle basi dei BJT Q12 e Q16 vi sia una tensione negativa o positiva rispettivamente.6 e provvede a generare un segnale di comando del vero circuito che scollega il carico. ed una protezione termica che evita il superamento della massima temperatura di giunzione dei BJT di potenza.4. Capitolo 6:Progetto e Collaudo 42 .4 Dimensionamento del circuito di protezione Della Grotta Federico Serapide Emilio Si è provveduto ad implementare sulla scheda un circuito di protezione il quale offre una protezione DC per il carico. 6. la quale ne causerebbe la rottura.Laboratorio di Elettronica a.

Viceversa se ‘out’ è negativo Q16 conduce e il segnale ‘off ’ assume valore sempre alto.6V) Q9 è in conduzione. Il relativo circuito è riportato in figura 6.4. Q10 è acceso ed il carico è collegato.a. Out Figura 6. Si è provveduto anche a ritardare di qualche secondo il collegamento del carico al momento dell’accensione dell’amplificatore in modo da evitare il click sull’altoparlante che può risultare dannoso. la sua Vce si porta al valore di saturazione di 0. Capitolo 6:Progetto e Collaudo 43 . Vc (potenziale del collettore) di Q12 si abbassa mandando in conduzione Q15 e quindi il segnale ‘off ’ assume un valore alto.2V e quindi Q10 si spegne non alimentando il relè: e quindi il carico risulta scollegato. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Quando il segnale ‘out’ ha una componente DC alta Q12 va in conduzione. Viceversa quando ‘off’ è basso Q9 è spento. 6.7 .Circuito di protezione Il circuito di protezione prosegue con Q9 e Q10.2 Protezione DC e Termica.Laboratorio di Elettronica a. Quando ‘off ’ è alto (>0.7.

a. Quindi: 1 ⎞ ⎛ 1 4300⋅⎜ − ⎟ 363 298 ⎠ ⎝ R90° = 10 ⋅ 10 e 3 = 750Ω Come R36 si è scelto un trimmer da 10k posto a metà: R36=5k. stimata a 90°C. All’aumentare della temperatura. Allora a 90°C si ha il partitore riportato in figura_. quando questa supera la tensione di zener Q11 si accende. quindi. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Questo ritardo è dato dalla capacità C2 e dalla resistenza R26: ⎧ R 23 = 100k ⎨ ⎩C16 = 47 μF ⇒ τ = 4. 44 Capitolo 6:Progetto e Collaudo . Si possono determinare le potenze che devono dissipare R36 e l’NTC: I= 35 = 6. Q10 si spegne e il cario si scollega.7 s La protezione termica è realizzata mediante il sensore NTC che varia la sua resistenza in funzione della temperatura con la seguente legge: RT = R N e ⎛1 1 ⎞ B⋅⎜ − ⎟ ⎝ T Tn ⎠ Se la temperatura aumenta la RNTC diminuisce. B=4300K e RN=10k.1mA 5750 Figura 6.Laboratorio di Elettronica a. Dai dati tecnici dell’NTC.4 . la tensione sul partitore tra RNTC e la R36 aumenta. Il dimensionamento è basato sulla temperatura raggiunta dal dissipatore in condizioni di massima potenza.Partitore di protezione termica a 90°C PNTC = R NTC ⋅ I 2 = 28mW PR 36 = R36 ⋅ I 2 = 185mW Sono valori accettabili. Si nota che la variazione di resistenza non è lineare quindi un NTC è adatto per una protezione ma non per una misura di temperatura. a temperatura ambiente.

R NTC = 30. Le dimensioni reali della basetta sono: h 12. Top Layer Capitolo 6:Progetto e Collaudo 45 .5 Il PCB Di seguito sono riportati i piani del PCB dell’amplificatore audio di potenza progettati da noi con il Protel e realizzati presso una ditta esterna.4V R36 + R NTC 6.6 cm l 16.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Si determina la Vx in modo da poter scegliere il diodo Zener: Vx = Vcc ⋅ Si è scelto un diodo zener da 30V.Laboratorio di Elettronica a.3 cm 1.

Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio 2.a. Top Overlay Capitolo 6:Progetto e Collaudo 46 . Bottom Layer 3.

6.Laboratorio di Elettronica a.1) imponendo un segnale sinusoidale in ingresso di 2. 2005-2006 6.27 V/V .62dB Capitolo 6:Progetto e Collaudo 47 .a.Carico resistivo 4Ω 100W Figura 6.10 .9 . Figura 6.Segnale di ingresso e di uscita analizzati con l'oscilloscopio Verificando il guadagno in queste condizioni si sono ottenuti approssimativamente i valori calcolati in fese di progettazione: Av = 30.6 Verifiche sperimentali sul progetto Della Grotta Federico Serapide Emilio Le prove sperimentali sul progetto sono state effettuate su un carico resistivo da 4Ω 100W (Vedi figura 6.48 Vpp e frequenza 1kHz. 29.

Banda passante dell'amplificatore rilevata sperimantalmente L’ultima verifica è stata la determinazione del rendimento nelle condizioni di cui sopra: ⎧ 1 Vo 2 = 82.4dB 100 [Hz] 1000 10000 100000 Frequenza (log) Figura 6.23.15Hz. come da figura 6.6.11 .56W ⎪ Po = ⋅ 2 RL ⎨ ⎪ Pcc = 129W ⎩ ⇒ η= Po = 0.Laboratorio di Elettronica a.64 Pcc 64% Capitolo 6:Progetto e Collaudo 48 .a.3 Banda di frequenza 30 25 Guadagno [dB] 20 15 10 5 0 1 10 2. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio La successiva verifica è stata fatta per determinare la banda passante dell’intero amplificatore.4dB 65kHz.23.

Vista complessiva del prototipo dell'amplificatore Figura 6. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Figura 6.Particolare del dissipatore con ventola Capitolo 6:Progetto e Collaudo 49 .Laboratorio di Elettronica a.a.13 .12 .

1. si elencano i componenti utilizzati nella realizzazione del progetto dell’amplificatore audio: Q1.1V Capitolo 6:Progetto e Collaudo 50 . D6. C11. Q6 Q7 Q8 Q13 Q14 Q15. R6 R2. C8. R18 R5. R7. Q2.7kΩ ¼W C1.3 KΩ ¼ W 0.7 µF 50V elettrolitico 100 µF 63V elettrolitico 100 nF 100V poliestere 100 nF 100V poliestere 10 µF 100V poliestere 22 pF ceramico 10 pF ceramico 47 pF ceramico D1 D2 D3 D4. C12 C13. R21. R3. D5.Laboratorio di Elettronica a. C3 C2. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Con riferimento allo schema elettrico di figura 6.R24.R29 R20. Q11. R10 R9.R26. Q16 R1.R23. R14 R15 R16 R19.R30 R28 N° 1 Relè 12 V 2 scambi N° 2 Portafusibili da stampato N° 2 Fusibili 3 A BC546B BC546B MJE15035 MJE15034 MJL21193 TIP112 MJL21194 BC556B 2.a. R17 R13. Q3. D7 D8 Diodo LED verde 1N4148 UF4002 1N4148 Zener 30.2 KΩ ¼ W 560 Ω ¼ W 220 Ω ¼ W 22 KΩ ¼ W 1 KΩ ¼ W 3. R11 R12. C4 C5 C6. Q9 Q10. C15. C18 C16 C9 C14 C17 4700µF 50V elettrolitico 47µF 50V elettrolitico 4.R27 R22 R25. Q12 Q5. Q4. C10 C7. R8 R4 .33 Ω 5 W 10 Ω 2 W 47 Ω 2 W 10kΩ ¼ W 100kΩ ¼ W 47kΩ ¼ W Trimmer 10kΩ 4.

Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 1:BC546 51 .a.

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 1:BC546 52 .

a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 1:BC546 53 .Laboratorio di Elettronica a.

a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 1:BC546 54 .Laboratorio di Elettronica a.

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 2: BC 556 55 .

Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 2: BC 556 56 .a.

a.Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 2: BC 556 57 .

a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 2: BC 556 58 .Laboratorio di Elettronica a.

a.Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 3:TIP 115/117 59 .

a.Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 3:TIP 115/117 60 .

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 3:TIP 115/117 61 .

Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 3:TIP 115/117 62 .a.

Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 3:TIP 115/117 63 .a.

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 3:TIP 115/117 64 .

2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 4: MJE 15034/MJE 15035 65 .a.Laboratorio di Elettronica a.

2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 4: MJE 15034/MJE 15035 66 .Laboratorio di Elettronica a.a.

Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 4: MJE 15034/MJE 15035 67 .a.

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 4: MJE 15034/MJE 15035 68 .

a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 4: MJE 15034/MJE 15035 69 .Laboratorio di Elettronica a.

2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194 70 .Laboratorio di Elettronica a.a.

a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194 71 .Laboratorio di Elettronica a.

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194 72 .

Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194 73 .a.

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194 74 .

a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194 75 .Laboratorio di Elettronica a.

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 6: Dissipatore per TO 220 76 .

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 7: Dissipatore con ventola 77 .

Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 7: Dissipatore con ventola 78 .a.

a.Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 9: NTC 79 .

a.Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 9: NTC 80 .

Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 9: NTC 81 .a.

Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 9: NTC 82 .a.

2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 9: NTC 83 .a.Laboratorio di Elettronica a.

a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 9: NTC 84 .Laboratorio di Elettronica a.

a.Laboratorio di Elettronica a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio Allegato 9: NTC 85 .