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Polarizao dos MOSFETs Amplificador source-comum

Gerardo Rocha

Polarizao dos MOSFETs


(a) Polarizao com tenso fixa na gate.
(b) Verso simplificada do anterior quando existem duas fontes de tenso.

(c) Com fonte de corrente na source.


(d) Source comum com realimentao negativa.

Polarizao dos MOSFETs

O divisor de tenso Rg1 Rg2 estabelece uma tenso fixa na gate. Uma resistncia de auto-polarizao ligada source. Como Ig =0, as resistncias Rg1 e Rg2 podem ser escolhidas na gama dos M permitindo uma impedncia de entrada da montagem muito alta. Esta uma vantagem dos amplificadores com MOSFETs em relao aos que usam transstores bipolares. A resistncia Rs estabelece uma realimentao negativa. Ajuda na estabilizao de Id. Rd selecionada de modo a que a montagem tenha um ganho elevado e permita a excurso mxima do sinal na regio de saturao.

Polarizao dos MOSFETs


Quando existe uma fonte de alimentao simtrica, pode ser utilizada a montagem da figura.
Este circuito baseado no anterior. A resistncia Rg estabelece uma tenso nula na gate e ao mesmo tempo uma impedncia de entrada elevada quando a fonte de sinal ligada gate atravs de um condensador.

Polarizao dos MOSFETs


Uma montagem muito simples mostrada na figura.
Aqui, o terminal da source alimentado por uma fonte de corrente constante I, fazendo com que Id seja constante e igual a I. As resistncias Rg e Rd servem para o mesmo fim que nos dois circuitos anteriores.

Polarizao dos MOSFETs


O circuito da figura usa uma resistncia de realimentao alta que fora a tenso contnua da gate a ser igual do drain. O sinal de entrada pode ser ligado atravs dum condensador gate e o de sada tomado do drain, resultando numa configurao amplificadora source comum. Nesta montagem, a excurso negativa do sinal limitada por Vt. A tenso de drain no pode descer abaixo de Vgs -Vt, pois isso faria com que o dispositivo deixasse a regio de saturao.

Polarizao em integrados
Os circuitos anteriores no so viveis em circuitos integrados amplificadores. Isto deve-se ao facto de usarem muitas resistncias. No projeto de circuitos integrados MOS o uso de resistncias muito desencorajado, j que uma resistncia, mesmo com valor baixo requer uma rea significativa do chip, o que considerado caro em termos de preo de fabrico. As resistncias apresentam valores de tolerncias muito altos. Um MOSFET pode ser fabricado numa rea muito pequena do chip e os seus parmetros so relativamente bem controlados.

Polarizao em integrados
A filosofia num projeto de circuito integrado minimizar o nmero e o valor das resistncias e sempre que possvel, substitui-las por transstores. Outra razo pela qual as montagens anteriores no so viveis na construo de circuitos integrados o facto de os sinais de entrada e de sada serem acoplados capacitivamente. Tambm so necessrios condensadores de derivao. Apesar de ser possvel fabricar condensadores num circuito integrado, devido ao facto de existirem limitaes em termos de espao, o valor destes no ultrapassa os picofarads. Isto limita muito o uso de condensadores de acoplamento e de derivao.

Fontes de corrente com MOSFETs


Normalmente, a polarizao de amplificadores MOS utiliza fontes de corrente constantes.
Normalmente criada uma fonte de corrente que depois replicada ao longo do circuito, atravs de espelhos de corrente, fornecendo a polarizao a todos os estgios do amplificador.

Fontes de corrente com MOSFETs


O funcionamento do circuito baseia-se no transstor Q1 cujo drain curto-circuitado com a gate, o que faz com que ele funcione na regio de saturao:

foi desprezada a modulao do comprimento do canal ( = 0). A corrente de drain de Q1 fornecida por Vdd atravs de R (que em alguns casos colocado fora do chip). Como as correntes de gate so nulas:

em que a corrente atravs de R considerada a corrente de referncia e denotada de Iref . Dados os parmetros de Q1 e o valor da corrente Iref desejada, as equaes do MOSFET na regio de saturao podem ser usadas para determinar o valor de R.

Fontes de corrente com MOSFETs


Considere-se agora o transstor Q2. Tem a mesma tenso Vgs que Q1, o que, se for assumido que est na saturao, a sua corrente de drain, que igual corrente de sada Io, dada por

Despreza-se o efeito da modulao do comprimento do canal. A partir da equaes de Id Vgs se os dois transstores tiverem os mesmos parmetros de fabrico (por fazerem parte do mesmo chip, por exemplo) pode relacionar-se a corrente de sada com a de entrada do seguinte modo:

Depois de tantas equaes complicadas, aqui est uma simples e atrativa!

Fontes de corrente com MOSFETs


A corrente de sada Io est relacionada com a corrente de referncia Iref pela razo entre os comprimentos e as larguras dos canais dos transstores, ou seja, a relao entre Io e Iref determinada apenas pela geometria dos transstores, que se forem iguais, Io = Iref e o circuito apenas replica o valor de Iref, ou seja, funciona como um espelho de corrente.

O nome de espelho de corrente tambm usado no caso mais geral de os transstores terem dimenses diferentes.

Espelho de corrente
O ganho em corrente do espelho dado pela equao:

Os espelhos de corrente so os blocos mais bsicos que constituem um amplificador integrado.

Efeito de Vo em Io
Na descrio da fonte de corrente anterior, assume-se que Q2 est na regio de saturao. Isto obviamente essencial j que se pretende uma corrente constante. Para garantir que Q2 est saturado, o circuito onde ele estiver ligado deve estabelecer uma tenso de drain que satisfaa a relao:

Por outras palavras, a fonte de corrente s funcionar corretamente para tenses de sada Vo que no desam Vt volts abaixo de Vgs.

Efeito de Vo em Io
Apesar de ter sido desprezada, a modulao do comprimento do canal pode ter um efeito significativo na operao da fonte de corrente. Considere-se por simplicidade o caso de Q1 e Q2 serem dispositivos idnticos. A corrente de drain de Q2, Io, ser igual corrente de Q1, Iref, somente no caso em que Vo igual tenso Vds do primeiro transstor, ou seja, Vo = Vgs.
Se Vo aumentar, Io tambm aumenta devido resistncia de sada ro de Q2.

Efeito de Vo em Io
A figura, que mostra o valor de Io em funo de Vo. Uma vez que Q2 est a funcionar com um Vgs constante, a curva da figura simplesmente uma das curvas caractersticas Id Vds do transstor, para este vgs em particular.

Efeito de Vo em Io
Como concluso, pode dizer-se que a fonte de corrente e o espelho da figura tm uma resistncia de sada Ro finita, que dada por:

em que VA2 a tenso de Early de Q2. Convm lembrar que VA proporcional ao comprimento do canal do transstor, portanto, para se obterem valores de resistncias de sada altos, as fontes de corrente so normalmente projetadas com transstores com canais compridos.

Efeito de Vo em Io
Exemplo: Para Vdd = 5 V e Iref = 100 A, pretende projetar-se uma fonte de corrente como a da figura, para obter uma corrente de sada de 100 A. Os transstores tm 10 m de comprimento e 100 m de largura, Vt =1 V e kn'=20 A/V. Qual o menor valor possvel para Vo? Se a tenso de Early for de 100 V, qual a resistncia de sada da fonte de corrente? Qual a variao provocada na corrente de sada por um aumento de 1 V em Vo?

Efeito de Vo em Io

Circuitos de replicao de corrente

Como foi mencionado anteriormente, uma fonte de corrente pode ser replicada para fornecer a corrente contnua de polarizao necessria aos vrios estgios de um amplificador.

Obviamente que esta replicao feita base de espelhos de corrente.

Circuitos de replicao de corrente


A figura mostra um circuito replicador simples.

Circuitos de replicao de corrente


O transstor Q1 e a resistncia R determinam a corrente de referncia Iref. Os transstores Q2 e Q3 funcionam como espelhos de corrente, fazendo com que:

As tenses dos drains de Q2 e Q3 esto limitadas por:

onde Vtn a tenso de threshold dos dispositivos de canal n. Estes valores limite normalmente significam que as tenses Vd2 e Vd3 devem estar cerca de um ou dois volts acima de Vss.

Circuitos de replicao de corrente


A corrente I3 alimenta a entrada de outro espelho de corrente formado pelos dispositivos de canal p, Q4 e Q5. Este espelho fornece:

onde I4 = I3. Para manter Q5 na saturao, a sua tenso de drain est limitada por:

em que Vtp a tenso de threshold dos dispositivos de canal p. Finalmente, um ponto importante a salientar que enquanto Q2 puxa a corrente da sua de sada da carga, Q5 empurra a sua corrente para a carga. Portanto Q5 funciona como fonte fornecedora de corrente, enquanto Q2 funciona como fonte absorvedora de corrente.

Circuitos de replicao de corrente


Concluso:

Num circuito integrado, tanto as fontes fornecedoras como as absorvedoras de corrente so necessrias, logo h uma necessidade de ter lado a lado transstores NMOS com PMOS, o que faz com que a tecnologia mais conveniente para este tipo de projetos seja a CMOS.

Configuraes amplificadoras bsicas


Os circuitos considerados aqui seguem a filosofia de projeto de circuitos integrados discutida na seco anterior, nomeadamente, a utilizao de componentes ativos na implementao de praticamente todos os elementos do circuito. Anteriormente eram usadas fontes de corrente para polarizar o MOSFET. Aqui ir avanar-se mais um passo e empregar fontes de corrente em vez das resistncias de carga. Os amplificadores resultantes so chamados de carga ativa, em contraste direto com as cargas passivas implementadas com resistncias.

Configuraes amplificadoras bsicas

Source-comum

Gate-comum

Drain-comum

As fontes de corrente so implementadas com os circuitos descritos anteriormente. Para as montagens source-comum e gate-comum necessria uma verso PMOS da fonte de corrente, enquanto que para a drain-comum usada uma fonte com transstores NMOS.

Configuraes amplificadoras bsicas


Daqui se conclui que na implementao dos circuitos amplificadores bsicos so necessrios tanto os MOSFETs de canal n como os de canal p, ou seja, necessria a tecnologia CMOS.

Atualmente a tecnologia CMOS a mais popular tanto em projetos de eletrnica analgica como digital.

O amplificador source-comum
Este circuito tem uma fonte de corrente que forma a carga implementada com o transstor Q2 que o transstor de sada do espelho de corrente formado por Q2 e Q3, alimentado por Iref .

O amplificador source-comum
Aqui assume-se que os transstores Q2 e Q3 so iguais e a caracterstica I V do dispositivo de carga a mostrada na figura.

Esta simplesmente a caracterstica id vsd do MOSFET de canal p para uma tenso source-gate constante. O valor de Vsg obtido fazendo-se passar a corrente de referncia Iref atravs de Q3. Pode observar-se que Q2 comporta-se como uma fonte de corrente quando funciona na regio de saturao, que obtida quando v = vsd maior do que(Vsg -|Vtp|).

O amplificador source-comum
Quando Q2 est na saturao apresenta uma resistncia ro2 que dada por:

em que VA2 =1/2 a tenso de Early do transstor Q2. Por outras palavras, a fonte de corrente no ideal, mas apresenta uma resistncia de sada finita e igual a ro2.

O amplificador source-comum
Modelo equivalente para pequenos sinais do amplificador source-comum CMOS.

A partir do circuito equivalente obtm-se o seguinte ganho em tenso:

O amplificador source-comum
A alta resistncia de carga efetiva torna as montagens com carga ativa bastante atrativas: permitem um alto ganho sem a necessidade de resistncias altas no drain, que necessitariam de uma rea significativa de silcio num chip.
O amplificador source-comum CMOS pode ser projetado para fornecer ganhos que normalmente variam de 20 a 100. Apresenta uma muito alta impedncia de entrada, no entanto a sua impedncia de sada tambm alta.

O amplificador source-comum
Alm disso, o amplificador source-comum apresenta mais duas propriedades interessantes: O circuito no afetado pelo efeito de corpo, uma vez que o terminal da source de Q1 est ligado ao potencial mais negativo do circuito e os terminais de source de Q2 e Q3 esto ligados ao potencial mais positivo do circuito. Por outras palavras, a tenso Vsb nula em todos os transstores O circuito normalmente faz parte de um amplificador com vrios andares. Nesse caso, normalmente utilizada realimentao negativa para garantir que o circuito opera sempre com os transstores na saturao.

O amplificador source-comum
Exemplo: Considere o amplificador da figura em que Vdd =10 V, Vtn = Vtp =1 V, kn=20 A/V, kp=10 A/V, W =100 m, L =10 m, =10 mV-1 para todos os transstores e Iref =100 A. Calcule o ganho da montagem para pequenos sinais. Calcule a impedncia de sada.

O amplificador source-comum