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INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa

Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrónica

Transistores Bipolares de Junção

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Díodo de Junção PN Tipo P p(x) Tipo N n(x) nno ppo Zona deplecta de Portadores móveis npo pno x .

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Díodo de Junção PN Sendo a junção PN polarizada directamente os portadores de carga difundem-se do lado onde são maiorias para o lado em que são minorias. Tipo P p(x) Tipo N n(x) nno ppo npo pno x .

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Díodo de Junção PN Tipo P p(x) Tipo N n(x) nno ppo Zona deplecta de Portadores móveis npo pno x .

Tipo P p(x) Tipo N n(x) nno ppo npo pno x .INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Díodo de Junção PN Sendo a junção PN polarizada inversamente os portadores de carga maioritários afastam-se da zona de deplecção.

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Transistor NPN Tipo N Tipo P Tipo N EMISSOR BASE COLECTOR .

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Transistor PNP Tipo P Tipo N Tipo P EMISSOR BASE COLECTOR .

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Transistor PNP Tipo P Tipo N Tipo P IE IB IC .

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Símbolo do transistor PNP IE IB VEB IC O transistor está polarizado na ZONA ACTIVA DIRECTA VBC .

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Símbolo do transistor NPN IE IB VBE IC O transistor está polarizado na ZONA ACTIVA DIRECTA VCB .

emissora está polarizada inversamente e a junção colectora polarizada directamente. quando as duas junções estão . quando a junção emissora está polarizada directamente e a junção colectora polarizada inversamente. quando as duas junções • Zona de Corte. polarizadas inversamente. • Zona Activa Inversa. quando a junção • Zona de Saturação. estão polarizadas directamente.INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Zonas de funcionamento dos transistores bipolares • Zona Activa Directa.

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Modelo para o tansistor IE IB VEB VBC VEB IC IE IB IC=αFIE VBC IC αF IE αF βF = = = I B I E − α F I E 1− α F .

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Modelo para o tansistor VBC IB VEB IC VBC IB IC=βFIB IE VEB IE .

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Montagem usual (Emissor comum) Transistor PNP RC IC RB VBB IB VEB VCE IE VCC .

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Montagem usual (Emissor comum) Transistor NPN RC IC RB VBB IB VBE VCE IE VCC .

5 0.1 mA VCC vCE .4 0.3 0.INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa Características de emissor comum iC VCC RL 0.2 IB=0.