You are on page 1of 171

CIRCUITOS INTEG OS

. HILTON A. MELLO
ivro-texto para as escolas tcnicas de eletrnica

li

CIRCUITOS INTEGRADOS

I
!
I

CAPA:

Ilustrao do uso de equipamentos especiais para a manuteno de equipamentos eletrnicos integrados. Cortesia da Hewlett - Packard Company.

FICHA CATALOGRFICA

(Preparada pelo Centro de Catalogao-na-fonte, Cmara Brasileira do Livro, SP)

M485c

Meio, Hilton Andrade de. Circuitos integrados [por] Hilton Andrade de Mello. So Paulo, Edgard Blcher, 1976. p. ilust. Bibliografia. 1. Circuitos integrados

76-0235

CDD-621.38173

ndice para catlogo sistemtico:


1. Circuitos integrados: Microeletrnica 621.38173

HILTON ANDRADE DE MELLO Engenheiro Eletrnico e Nuclear; graduado pela Universidade de Stanford, Califrnia, EUA; Chefe do Laboratrio de Instrumentao e Controle do Instituto de Engenharia Nuclear.

CIRCUITOS INTEGRADOS

~~

EDITORA EDGARD

BLCHER LTDA.

1976Editora

Edqard Blcher Ltda.


2.' Reimpresso 1981

proibido reproduo total ou parcial por quaisquer meios sem autorizao escrita da editora

EDITORA EDGARD BLCHER LTDA. O 1000 CAIXA POSTAL 5450


END. TELEGRFICO:

BLUCHERLIVRO SP BRASIL

SO PAULO -

Impresso no Brasil Printed in Brazil

A Maria de Paula, Adriane e Mnica, pela pacincia e compreenso que tornaram possvel esta obra. H.A.M.

CONTEDO

Captulo I. NoES BSICAS SOBRE A FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS . 1.1. Divises da mcroeletrnica .......... ................................ .. 1.2. Detalhes tcnicos fundamentais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1. Obteno das pastilhas de silcio _ _. . 1.2.2. Formao da camada epitaxial _. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.3. Processo de difuso selecionada _ _. . 1.2.4. Processo de abertura de janelas no xido de silcio . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3. Fabricao de circuitos integrados monolticos _. . . . . . . . . 1.3.1. Formao de ilhas tipo N " _ _. _.. _. 1.3.2. Fabricao de transistores. _ _ _. . . . . . 1.3.3. Fabricao de resistores __. _ _ _.. . . . . .. .. . . . . . .. . . . . . . . . . . . 1.3.3. r. Resistores difundidos _. . . . . . . . . . . . 1.3.3.2. Resistores depositados _ _.. . . .. .. . . .. 1.3.4. Fabricao de capacitores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.4.1. Capacitores de juno _ _.. _. . . . . . . . . . . . 1.3.4.2. Capacitores depositados _ _. _. . . . . 1.3.5. Fabricao de indutncias . . .. .. .. . . . . . . . . .. . . .. .. . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.6. Fabricao de diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 1.3.7. Fabricao simultnea de todos os componentes de um circuito.. .... 1.3.8. Consideraes sobre a produo em massa de circuitos integrados. . . . 1.3.9. Encapsulao e testes finais _. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4. Tcnicas recentemente desenvolvidas.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.1. Circuitos integrados MOS _ _.. .. 1.4.2. Circuitos integrados COSI MOS _.... 1.4.3. Circuitos integrados SOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.4. Integrao de sistemas e subsistemas (MSI, LSI, VLSI) . . .. . . . . .... .. I 3 3 4 5 5 8 8 9 12 12 13 13 13 14 15 15 15 17 18 19 19 20 20 21

Captulo 2. INVLUCROS DE CIRCUITOS INTEGRADOS................ ,.2.1. Generalidades.. .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . .. .. .. .. . . .. . . . . . . .. .. 2.2. Invlucro tipo TO _. . .. . . . . . . . . . . 2.3. Invlucro tipo plano iflat-pack . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4. Invlucro tipo dual-em-linha (dual-in-line).............................. 2.5. Dimenses dos invlucros e identificao dos terminais. . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 2.6. Escolha do tipo de invlucro para uma dada aplicao. . . . . . . . . . . . . . . . . . ..

22 22 23 23
23

24 25

Captulo 3. TIPOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS DISPONVEIS.. . . . . . . .. 3.1. Circuitos integrados digitais _ _ _. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1. Generalidades _. . . . . 3.1.2. Noes sobre circuitos digitais _. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

28 28 28 29

3.1.3. Famlias de circuitos integrados digitais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 3.1.3.1. Famlias de circuitos saturados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 3.1.3.2. Famlias de circuitos no-saturados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 3.1.4. Circuitos digitais MOS, COS/MOS e SOS , 3.2. Circuitos integrados lineares. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Captulo 4. PROJETO GRADOS DE CIRCUITOS UTILIZANDO CIRCUITOS INTE-

31 31 34 34 35

36 36 40 40 40 40 41 45 47 51 54 58 61 61 62 62 63 64 66 67 68 68 72 72 74 74 75 75 78 78 78 79 89 89 92 93 93 97 99 100 108 110

4.1. Polarizao de circuitos integrados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 4.2. Aplicao de circuitos integrados em projetos de circuitos lineares. . . . . . . . .. 4.2.1. Amplificadores operacionais (uso geral) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 4.2.1.1. Generalidades.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . .. 4.2.1.2. Caractersticas bsicas de um amplificador operacional . . . . . . . . 4.2.1.3. Funcionamento bsico de um amplificador operacional . . . . .. 4.2.1.4. Resposta de freqncia de um amplificador operacional . . . . .. 4.2.1.5. Estabilidade de um amplificador operacional .. . . .. .. .. . . .... 4.2.1.6. Definies complementares usando um exemplo especifico de um amplificador operacional. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 4.2.1.7. Estudo detalhado do funcionamento CC de um amplificador operacional . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 4.2.1.8. Exemplo de um projeto simples usando um amplificador operacional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.2. Amplificadores de udio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.2.1. Generalidades.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 4.2.2.2. Especificaes do amplificador constitudo pelo kit M-IOI . . .. 4.2.2.3. Diagrama do circuito do amplificador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 4.2.2.4. Discusses importantes relacionadas ao kit M-IOI .. 4.2.2.5. Experincia adicional sugerida com o TAA 300 4.2.3. Amplificadores de alta-freqncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 4.2.3.1. Dados gerais sobre um amplificador de RF/IF MC ISSO .. .... 4.2.3.2. Exemplo de aplicaes do amplificador RF/IF MC ISSO . . . . .. A. Amplificadores sintonizados usando o MC ISSO . . . . . . . . .. B. Amplificador de vdeo usando o Me ISSO .. 4.2.4. Amplificadores lineares complexos para aplicaes especiais. . . . . . . . .. 4.2.5. Osciladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 4.2.5.1. Generalidades sobre osciladores .. . . .. .. .. .. .. .. . . . . .. .. .. 4.2.5.2. Exemplos de osciladores usando circuitos integrados........ A. Oscilador usando o amplificador RF/IF MC 1550.. . .. B. Oscilador usando amplificadores operacionais " 4.2.6. Fontes reguladas de alimentao.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. . . . . .. .. . . .. .. 4.2.6.1. Generalidades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 4.2.6.2. Exemplo especfico de um regulador de tenso integrado. . . . .. 4.2.6.3. Exemplos de fontes reguladas usando o TBA 281 ,. 4.2.6.4. Projeto de fontes reguladas usando amplificadores operacionais 4.3. Aplicao de circuitos integrados no projeto de circuitos digitais. . . . . . . . . . .. 4.3.1. Uso de circuitos digitais bsicos isolados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 4.3.1.1. Gatesem _geral,. . . . . .. . .. . . .. 4.3.1.2. Flip-flops................................................ 4.3.2. Uso de circuitos digitais bsicos associados.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.2.1. Exemplo de projeto de um circuito digital combinacional .... 4.3.2.2. Projeto de um registro de deslocamento (shift-registeri . . . . . . .. 4.3.3. Uso de circuitos integrados digitais complexos (MSI, LSI, VLSI) . . . . .. *Muitos autores utilizam a expresso "circuitos-porta"

Captulo 5. PROBLEMAS PRTICOS ENCONTRADOS NO USO DE CIRCUITOS INTEGRADOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. l11 5. I. Uso de circuitos impressos............................................ 5.2. Uso de soquetes para circuitos integrados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 5.3. Tcnicas de insero e retirada de circuitos integrados em soquetes e placas impressas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 5.3.1. Uso de ferramentas especiais.................................... 5.3.2. Corte inclinado dos terminais de um circuito integrado 5.4. Soldagem de circuitos integrados........ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 5.5. Consideraes trmicas sobre circuitos integrados 5.6. Uso de placas padronizadas para a montagem de circuitos experimentais Captulo 6. MANUTENO DE EQUIPAMENTOS ELETRNICOS INTEGRADOS 6. I. Comentrios gerais .. " " " 6.2. Diferenas fundamentais entre equipamentos integrados e com componentes discretos " 6.3. Diferenas essenciais entre a manuteno de equipamentos analgicos e equipamentos digitais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 6.4. Tcnicas modernas para a manuteno de equipamentos digitais. . . . . . . . . . .. 6.4. I. Pulsador lgico HP 10 526T 6.4.2. Ponta de prova lgica HP 10 52ST . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 6.4.3. Garra lgica HP 10 528A , 6.4.4. Comparador lgico HP 10 529A 6.5. Produtos qumicos utilizados na manuteno 6.6. Calibrao e aferio de equipamentos eletrnicos Apndice A. NOES SOBRE LGEBRA DE BOOLE A \. Sinais binrios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. A2. Postulados da lgebra de Boole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. A3. Teoremas da lgebra de Boole A3.1. Teoremas envolvendo apenas uma varivel........................ A3.2. Teoremas envolvendo 2 ou mais variveis........................ A3.3. Teoremas envolvendo n variveis A4. Resumo dos postulados e teoremas da lgebra de Boole . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. Apndice B. FABRICAO DE CIRCUITOS IMPRESSOS MENTOS DE ENTRETENIMENTO PARA EQUIPA140 140 140 141
141

111 111 113 113 113 114 116 119

121 121 121 122 124 125 125 126 126 127 130 133 \33 \34 137 137 137 138 \39

BI. Finalidade de um circuito impresso B2. Materiais utilizados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. B3. Etapas da produo de um circuito impresso B3.1. Estudo da "distribuio dos componentes" na chapa impressa ("/ayou!") B3.2. Preparao do laminado B3.3. Transferncia do layout para a chapa impressa , .. B3.4. Proteo das ligaes de cobre' : . . . . . . . . . . . . . . . . .. 83.5. Banho de ataque (decapagem) B3.5.1. Preparao da soluo de persulfato de amnio -(NH4)2S208 83.5.2. Preparao da soluo de percloreto de ferro -FeCI] 84. Procedimento experimental B5. Obteno dos produtos necessrios no mercado , 86. Exemplo concreto de um circuito impresso

141 142 142 142 142 142 143 143 144

Apndice Cl. C2. C3. C4. C5. C6.

C. DESCRIO DETALHADA DA MONTAGEM E TESTES DO KIT M-IOI da IBRAPE . . . . .. . . . . 147 Cuidados especiais quanto s soldagens 147 Operaes de montagem.............................................. 147 Ajuste da polarizao......................... . 149 Instalao e ligaes externas . . .. . .. ISO Diagrama do circuito eltrico interno do TAA 300 151 Observao importante. . .. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . .. .. .. .. .. . 151

Apndice D. Nomes e endereos

dos principais

fabricantes

de circuitos

integrados

152

PREFCIO

o presente livro foi idealizado visando aos estudantes das escolas tcnicas de eletrnica e aos tcnicos de nvel mdio do Brasil, embora a cuidadosa seleo do material torne o livro til para que estudantes de engenharia tenham uma viso prtica do uso de circuitos integrados. No Capo 1 so apresentadas as noes bsicas, classificao e introduo fabricao de circuitos integrados monolticos. O Capo 2 aborda os tipos de encapsulamento, abrangendo o problema da identificao dos terminais dos circuitos integrados. O Capo 3 apresenta os circuitos integrados existentes no mercado, analisando separadamente os campos linear e digital. No Capo4 so estudadas as aplicaes prticas de circuitos integrados, muitas das quais podero ser testadas pelos leitores, por envolverem componentes existentes no mercado nacional, como o caso do kit M-lOl da IBRAPE (amplificador de udio com 1 w de sada). O Capo 5 aborda os problemas prticos encontrados no uso de circuitos integrados, como montagens tpicas, uso de soquetes, soldas, etc. O Capo 6 trata da manuteno de equipamentos que utilizam circuitos integrados, ilustrando tcnicas modernas para a manuteno de equipamentos digitais, como o uso de pulsadores, comparadores, etc. No Apndice A so apresentadas noes sobre a lgebra de Boole, e portanto, os leitores, no familiarizados com tcnicas digitais, devem ler esse apndice, antes de estudarem a Seco3.1.2 (Noes sobre circuitos digitais) e a Seco4.3 (Aplicao de circuitos integrados no projeto de circuitos digitais). Nos cursos das escolas tcnicas de eletrnica esse apndice poder ser integralmente inserido entre os Caps. 2 e 3; no Apndice B apresentada a fabricao de circuitos impressos para equipamentos de entretenimento; no Apndice C apresentada uma descrio completa do kit M-lOl da IBRAPE Indstria Brasileira de Produtos Eletrnicos e Eltricos S.A.; e no ~pndice D uma relao dos principais fabricantes de circuitos integrados sendo, quando possvel, tambm indicados os respectivos representantes ou revendedores. Com relao s noes bsicas sobre dispositivos semicondutores aconselhamos o leitor a consultar o livro Dispositivos semicondutores - Hilton A. Mello e Edmond Intrator - Livros Tcnicos e Cientficos Editora SA Meno especial fazemos ao fato de que todos os dados tcnicos foram publicados com a cooperao de firmas nacionais e estrangeiras, que nos autorizaram a reproduo de curvas caractersticas, especi-

ficaes e fotografias de componentes e equipamentos, destacando-se a Ibrape-Indstria Brasileira de Produtos Eletrnicos e Eltricos S.A., a Motorola Semicondutores do Brasil Ltda., a Fairchild Camera and Instrument Corporation e a Hewlett-Packard Company. A essas firmas cabe realmente o crdito pelas informaes tcnicas contidas nesta obra. Apresentamos, portanto, o presente livro, certos de estarmos cooperando para a formao de tcnicos brasileiros nesse campo fabuloso da microeletrnica. Finalmente deixamos registrados os nossos agradecimentos ao Dr. Jos de Anchieta Wanderley da Nbrega pelas crticas e sugestes, s Srt'", Elona Cavalcanti Comes e Eneida A. Mendona pelo trabalho de datilografia do original, e Srt". Maria da Conceio Franco da Silveira e ao Sr. Antnio Carlos Fernandes da Silva, pela execuo dos desenhos originais. H.A.M.

NOES BSICAS SOBRE A FABRICAO DE CIRCUITOS I NTEG RADOS<*)

1.1. DIVISES DA MICROELETRNICA

o advento da microeletrnica foi um dos mais notveis avanos tecnolgicos no campo da eletrnica, sendo fundamentalmente oriundo das restries impostas ao peso, dimenses, potncia consumida e confiabilidade dos circuitos, requisitos impossveis de serem satisfeitos com os circuitos convencionais usando componentes discretos. O campo da microeletrnica pode ser dividido em trs grupos. No primeiro grupo temos o uso de minsculos componentes (ainda convencionais) montados em unidades extremamente compactas, como o caso dos micromdulos. No segundo grupo temos os chamados circuitos integrados, podendo esse grupo ser subdividido nos dois subgrupos seguintes: circuitos de semicondutores e circuitos de deposio(**). A Fig. 1.1 ilustra essa classificao.
M ICROELETRONICA

Figura 1.1

O campo da microeletrnica

(*JEste captulo uma verso ampliada das Secs. 6.1 e 6.2 do livro Dispositivos Hilton A..Mello e Edmond Intrator. Livros Tcnicos e Cientficos Editora S.A. - 2." edio - 1974 (**JEm ingls chamamos thin-film circuits; o nome que adotamos, "circuitos de deposio", no uma traduo literal mas ilustra como o circuito fabricado
semicondutores.

Circuitos integrados

A concepo bsica, inerente aos circuitos integrados, a construo de todos os componentes de um circuito (componentes passivos e ativos) numa mesma estrutura. Em outras palavras, os transistores, diodos, resistores, etc., so todos fabricados, interligados e includos em um mesmo invlucro. Por exemplo, um amplificador CC completo com todos os seus componentes fabricado e encapsulado em um invlucro, algumas vezes semelhante ao de um transistor comum (evidentemente o nmero de terminais pode ser diferente). Para ilustrar melhor a classificao anterior, consideremos o caso dos circuitos integrados de semicondutores, que abrangem dois grupos: os circuitos monolticosv" e os circuitos hbridos. Nos circuitos monolticos todos os componentes dos circuitos so fabricados por meio de uma tecnologia especial dentro da pastilha de silcio, enquanto que nos circuitos hbridos vrias dessas pastilhas so colocadas em um mesmo invlucro e so conectadas entre si. Na fabricao desses circuitos integrados de semicondutores o que se faz uma srie de difuses sucessivas, usando mscaras adequadas at se completar a estrutura desejada. Os circuitos de deposio, como o nome indica, so circuitos obtidos pela "deposio" de camadas de materiais adequados, formando os diversos componentes; por exemplo, a deposio sucessiva de camadas de materiais metlico, isolante e metlico d origem a um capacitor. Tambm interessante observar que existem os chamados circuitos integrados de deposio compatveis, designando-se com isso circuitos fabricados por tcnicas de deposio que so compatveis com o processo de fabricao dos circuitos monolticos. Por exemplo, em um circuito monoltico quando se necessita de elevados valores de capacitncia ou resistncia possvel obt-los usando tcnicas de deposio. Finalmente, apenas para ser mais completo, podemos mencionar um terceiro grupo em que a microeletrnica se divide, o dos chamados dispositivos funcionais, o qual diz respeito a dispositivos nos quais um pedao de material tratado, de tal modo a adquirir as funes completas de um circuito, embora no se possa precisar qual a regio do aludido material que possui essa ou aquela propriedade. Por exemplo, um filtro de quartzo pode funcionar como um circuito sintonizado, embora no se possa precisar qual a parte do material que est fazendo o papel da indutncia do circuito sintonizado. Isto , nos dispositivos funcionais, so utilizadas as caractersticas globais dos materiais.
(*)Do grego: mono (nico) e lithos (pedra); portanto o nome indica uma "nica pedra" ou, melhor dizendo, um "nico cristal"

Noes bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados

1.2. DETALHES

TCNICOS

FUNDAMENTAIS

Conforme j mencionamos os circuitos integrados monolticos so aqueles em que todos os componentes do circuito so fabricados em um nico cristal de silcio e interligados formando o circuito, sendo finalmente essa pastilha encapsulada. Neste livro focalizaremos apenas os circuitos integrados monolticos mas o leitor deve lembrar que existem os outros tipos j mencionados anteriormente. Ora, um circuito completo consta de transistores, diodos, capacitores, resistores, etc., interligados de modo a que o conjunto apresente uma determinada caracterstica. Vamos, portanto, estudar separadamente como todos esses componentes podem ser fabricados usando-se exclusivamente um material semicondutor como o silcio; mas estudaremos antes alguns tpicos importantes. 1.2.1. Obteno das pastilhas de silcio

Evidentemente, o passo inicial para a fabricao de dispositivos de semicondutores utilizando o silcio a obteno do mesmo, o que feito pela reduo do xido de silcio, obtendo-se, nesse processo, silcio com 98 % de pureza. Uma vez que necessitamos reduzir o nvel de impurezas para a faixa de um tomo de impurezas para cada 109 tomos de silcio, deve ser utilizado um processo adicional de purificao. Usa-se, ento, o chamado processo de fuso por zona, que se baseia no fato de as impurezas serem mais solveis na fase lquida do silcio do que na fase slida .:A idia' l' fundir o silcio em um ponto da barra inicialmente impura; se o ponto de aquecimento , a seguir, deslocado ao longo da barra (o que implica em deslocar a fase lquida no mesmo sentido), as impurezas, mais solveis na fase lquida, tambm se deslocaro no sentido do movimento do aquecimento. Essa operao repetida um grande nmero de vezes, at que as impurezas estejam concentradas numa das extremidades da barra, possuindo, o restante da barra, um nvel aceitvel de impurezas. A extremidade impura ento desprezada, ficando-se apenas com a parte purificada. Poderia parecer, neste ponto, que temos o silcio pronto para a fabricao de dispositivos semicondutores; entretanto, a estrutura cristalina do cristal obtido est cheia de anomalias. A fim de obter um cristal em que a rede cristalina tenha a perfeio exigida, fundimos o cristal anteriormente obtido e fazemos o chamado crescimento. Um mtodo para fazer tal crescimento o chamado de Czochralsky, que consiste em colocar em contato com o material fundido uma semente perfeita do cristal em questo, com a orientao desejada; a seguir, essa semente lentamente retirada, permitindo a solidificao do material em tomo da mesma, crescendo o cristal com a mesma estrutura cristalina da semente utilizada. Por meio desse processo conse-

Circuitos integrados

gue-se, por exemplo, uma barra cilndrica de 2,5em de dimetro e, digamos, 10 em de comprimento. extremamente importante notar, neste ponto, que possvel adicionar ao material fundido, antes da colocao da semente, a impureza tipo P (boro, ndio, ... ) ou N (fsforo, antimnio, ... ) desejada, crescendo o cristal, respectivamente, tipo P ou tipo N. Ainda nessa fase de preparao do material, o cilindro obtido cortado em pastilhas (wafers) de aproximadamente 2,5 em de dimetro e 200 flm (1 flm = 10-6 m) de espessura, sendo o corte dessas pastilhas feito por meio de serras anulares de diamante. Finalmente as pastilhas so polidas (por processos mecnicos ou qumicos), a fim de apresentar uma supetficie livre de imperfeies, estando prontas para serem submetidas ao chamado processo epitaxial. 1.2.2. Formao da camada epitaxial Suponhamos, por exemplo, que impurezas tipo P tenham sido adicionadas ao silcio fundido, sendo obtidas pastilhas tipo P. Esquematicamente, representaremos essa pastilha como na Fig. 1.2.
TIPoN 4-CAMADA

TIPO

EPITAXIAL

Figura 1.2 "tipo P

Pastilha de silcio

Figura 1.3 Estrutura epitaxial PN. No h descontinuidade alguma na estrutura cristalina

A idia fazer crescer em cima da camada tipo P da Fig. 1.2 uma camada tipo N, mantendo a mesma estrutura cristalina da camada tipo P. Em outras palavras, no deve haver descontinuidade alguma na estrutura global resultante, obtendo-se, portanto, uma estrutura que um cristal nico. Apenas, o que acontece que, numa regio, as impurezas so predominantemente do tipo P e, na outra regio, as impurezas so predominantemente do tipo N. O crescimento dessa camada, chamada camada epitaxial, feito em fomos especiais e o nome epitaxial, na realidade, significa "arranjado em cima", dando uma idia do processo. Na Fig. 1.3 est representada esquematicamente a estrutura resultante aps a formao da camada epitaxial, sendo a mesma bsica para a fabricao dos circuitos integrados pelo processo chamado epitaxial-difundido. A regio P chamada de substrato e ter por funo dar resistncia mecnica ao conjunto e servir para a formao de "ilhas" conforme ser visto oportunamente.

Noes

bsicas sobre a fabricao

de circuitos

integrados

1.2.3. Processo de difuso selecionada Corihecemos o fenmeno da difuso e sabemos que h sempre o deslocamento de partculas de um ponto onde a sua concentrao elevada para pontos de concentrao reduzida?". Suponhamos, ento, uma pastilha de silcio tipo N, colocada em contato com um gs contendo uma impureza tipo P (boro, por exemplo); devido ao fenmeno da difuso, o boro comear a penetrar no silcio, como indica a Fig. 1.4.

Figura 1.4

Difuso do boro no silcio

..i~
SILICIO

Imaginemos que pretendamos que o boro penetre apenas e-m regies selecionadas da pastilha de silcio. Para conseguir esse objetivo, devemos proteger a superficie do silcio com um material que impea a penetrao da impureza nas regies indesejveis. Isso feito deixando a superficie do silcio se oxidar e abrindo janelas no xido exatamente onde o boro deve penetrar. A Fig. 1.5 ilustra o processo da difuso selecionada, onde a impureza consegue penetrar no silcio exatamente onde o xido no protege a superficie do cristal.

Figura 1.5 Difuso selecionada: o xido de silcio protege as regies onde a impureza no deve penetrar

oportuno salientar neste ponto, que, se a pastilha fosse mantida temperatura ambiente durante a difuso, um tempo praticamente infinito seria necessrio para a penetrao da impureza. A fim de acelerar o processo, a pastilha colocada em um fomo (fomo de difuso), onde so mantidas temperaturas da ordem de 1100 a I 300 C com grande preciso. 1.2.4. Processo de abertura de janelas no xido de silcio A abertura de janelas no xido de silcio feita por um processo inteiramente anlogo ao utilizado para a fabricao de circuitos impressos pelo processo fotogrfico.
(*)Veja "Dispositivos Semicondutores - Hilton A. Mello e Edmond Intrator Livros Tcnicos e Cientficos Editora S.A. - Seco l.3.5a" -

Circuitos integrados

Suponhamos que a superficie do silcio est totalmente oxidada e queremos abrir as janelas, conforme indicado na Fig. 1.6.

[2 W 2222 2222 2:;~;:;~


2
(a) ~

222222 22"',UZ2
~

XIDO

DE

su.icro

JANELAS

/ ';:~;.~;:' 7.
(b)

ZZZZ2Z ]

Figura 1.6 (a) Pastilha de silicio com superfcie totalmente oxidada; (b) janelas a serem abertas no xido

que se faz proteger a superficie do xido com uma resina que, quando exposta luz ultravioleta, se polimeriza, adquirindo uma estrutura tal que no dissolvida quando mergulhada em um revelador determinado''?". A seguir, utiliza-se uma "mscara" adequada que colocada sobre a resina de tal forma que quando a luz ultravioleta incide sobre a mscara apenas em regies determinadas a luz atinge a resina. A seguir, a pastilha mergulhada em um revelador que dissolve a resina no exposta luz, isto , no polimerizada. Finalmente o conjunto exposto a uma substncia que ataca o xido no protegido, abrindo as janelas desejadas. A Fig. 1.7 resume as operaes que acabamos de descrever.
especial':"

[" 22 2::1:; zz

~~2 :?:2~ ~?:;:"??


(a )

2'

1222

XIDO

a) Cristal de silcio com a superficie oxidada


. .

[" ? ?222
Figura 1.7

:':I~;:~ :; 2:;~;:1:222ZZ2
. . . . . . (b)

RESINA ""'----XIDO

KPR

2Z21-

b) A resina KPR aplicada sobre a superficie oxidada


Processo de abertura de janelas no xido de silcio (continua)

<*)Kodak Photo Resistor (KPR) - Resina KPR (**)KPR Develloper - Revelador para a resina KPR

Noes bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados

__ [W' 7l'
. .

:';1:; :I~~:~:" 1-"'" :~:;' 7l


._.
~RESINA

._.

---

MSCARA

KPR

22 m

(c 1

c) A "mscara" colocada sobre a resina e o conjunto exposto luz ultravioleta


IZZ ~iz~?:i? ~?2:Z~:Z::;2~~I:Z?~~:Z?:z:2iD:Z2 EZ:;2ziZ:;Z:z~Z;;z::2I~:Z?::2Z?ZVZ;i/Z? Z

T"
__ RESINA /RESINA

POLIMERIZADA

(d 1

d) A seguir retira-se a mscara e coloca-se o cristal em um revelador adequado, que dissolve a resina KPR no atingida pela luz ultravioleta. A figura acima ilustra o cristal aps a revelao. Observe que onde a mscara barrou a luz ultravioleta a resina foi dissolvida pelo solvente

I~Z~/zt2ZZ;Z:ZZZi.I-C-R-IS-T-A..irLZZZi :~:ZizZ:;:~:L--CI-O_.if

z:t2Z2:ZZZ22

1-'"'

POllMERIZADA

( e 1

e) A pastilha est ento pronta para ser atacada por uma soluo adequada, para retirar o xido no protegido pela resina. Na figura acima ilustrado o cristal aps a corroso do xido no protegido pela KPR
,---r--...:JANEL/lS

I"

zz""

CRI~r~:I'LCI: um:: 1-'"' '::'


(I

f) Finalmente a resina Bolimerizada retirada pelo uso de um solvente (Thinner), estando a pastilha pronta para sofrer o processo de difuso selecionada
Figura 1.7 (continuao)

Circuitos integrados

1.3. FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLTlCOS 1.3.1. Formao de ilhas tipo N O primeiro passo para a fabricao monoltica a abertura de "ilhas" tipo N, o que feito protegendo-se a superfcie da estrutura epitaxial com xido de silcio, e retirando-se o mesmo apenas nas regies onde feita a difuso de uma substncia tipo P (boro) at que a impureza difundida encontre o substrato, formando assim as ilhas tipo N. Esse processo ilustrado na Fig. 1.8.

I
.... . flORO ....

:
60110 .: llORO

["""""''' "~W"""'"

"1-"""
-~ JANELA

rmci-ciI~I,;;mU~ .

SUBSTRATO

Figura 1.8 Abertura das ilhas tipo N; as janelas so abertas usando o processo explicado na Seco 1.2.3

O motivo para a abertura das ilhas tipo N pode ser facilmente compreendido; por exemplo, em uma das ilhas ser colocado um resistor, em outra um transistor, e assim sucessivamente':", Posteriormente, esses elementos sero interconectados, completando o circuito, mas no deve haver interao alguma entre os mesmos atravs do cristal, devendo toda a interao ser feita pelas interconexes. A idia bvia a ligao do substrato tenso mais negativa do circuito; assim procedendo as junes PN formadas entre as ilhas N e o substrato ficaro todas inversamente polarizadas como indica a Fig. 1.9. Isso significa que os componentes estaro isolados, por meio de junes inversamente polarizadas. Podemos agora analisar como cada componente pode ser fabricado em um cristal de silcio, nas ilhas inicialmente formadas. Inicialmente vamos fabricar cada componente isoladamente e depois dar
'*)Em muitos circuitos possvel fabricar mais de um elemento na mesma ilha

Noes bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados

.9

(TENSO MAIS NEGATIVA DO CIRCUITO)

Figura 1.9 polarizadas

Isolamento das ilhas tipo

N por meio de junes

PN

inversamente

um exemplo da fabricao simultnea dos componentes de um circuito integrado. 1.3.2. Fabricao de transistores A Fig. 1.10 ilustra como um transistor pode ser fabricado em uma ilha tipo N.

ILHA

N
p

SUBSTRATO (o)

a) Ilha tipo N no corpo do substrato tipo P


'.
.

~ "'.: .

:-BORO',

.
)

N
)
( b )

b) Pastilha com a janela aberta para a difuso e j exposta a uma atmosfera contendo boro (tipo P)

( c )

c) Pastilha aps a difuso tipo P, e j com uma nova camada de xido na sua superfcie
Figura 1.10 Etapas da fabricao de um transistor (continua)

10
. : . 1"777

Circuitos integrados

n .:r '7"77J

p N
)
(d )

d) Pastilha com a janela aberta para a difuso tipo N sobre a regio difundida anteriormente e j exposta a uma atmosfera contendo fsforo. Observe que foi tambm aberta uma pequena janela na regio N cuja finalidade ser explicada posteriormente
EM I S SOR BASE COLETOR )

-----.Jf---+---t--I'f+ - ~ li N
~

I ~

I--~N+

L_JI

\
( e)

e) Pastilha aps a difuso do emissor. A camada N da ilha constitui o coletor; a camada P difundida ser a base; a ltima camada N difundida ser o emissor. A regio N+ corresponde ao reforo feito na regio N e ser explicada posteriormen te
. ALUMINIO' VAPORIZADO. .

.~

..

(f)

Pastilha com janelas abertas para formao dos contatos e expostas ao alumnio vaporizado ____ Ai
f)

l1:!J

pl
N p

------

XIDO.

\
(g )

g) Pastilha com alumnio j depositado em toda a superfcie


Figura 1.10 (continuao)

Noes bsicas sobre c fabricao de circuitos integrados


E B C

11

p
( h )

h) Transistor completo. O alumnio foi retirado das regies indesejadas deixando as ligaes apenas nas regies que queremos: E = emissor, B = base e C = coletor
Figura 1.10 (continuao)

Antes de passarmos para a fabricao de outro componente, vamos fazer uma srie de comentrios importantes. Na Fig. 1.10(d) o leitor verifica que ao mesmo tempo em que se abriu a janela para difuso do emissor tambm se abriu uma janela em cima da regio do coletor (regio epitaxial); vimos que aps todos os componentes terem sido fabricados os mesmos so interligados por meio de alumnio depositado na superfcie da estrutura. Ora, o alumnio um elemento aceitador (tipo P) e, caso ele esteja em contato com um material tipo N, existe a possibilidade de formao de uma juno PN. Por exemplo, consideremos a Fig. 1.11, na qual queremos fazer contato com a base, o emissor e o coletor nos pontos C, B e E.

Figura 1.11 Contato entre o alumnio e o semicondutor


N SUBSTRATO

Caso simplesmente depositemos o AI como indicado na Fig. 1.11 h a possibilidade de formao de junes PN entre o AI (tipo P) e o cristal constituinte do emissor e do coletor do transistor (tipo N). Entretanto, verificou-se que o AI no forma tal juno com o material tipo N caso a dopagem desse ltimo seja bastante elevada. Uma vez que, ao se fazer a difuso do emissor do transistor, se usa uma elevada concentrao de impurezas tipo N, no h formao de juno entre o AI e o emissor. Por outro lado, sendo o coletor fracamente dopado, se originaria uma juno entre o AI e o coletor do transistor. A soluo para esse problema simples e bastante engenhosa: o que se faz antes de fazer a deposio do alumnio, utilizar a prpria difuso do emissor para produzir na regio do coletor onde o alumnio

12

Circuitos integrados

vai ser depositado uma elevada concentrao tipo N; a seguir, pode-se fazer a deposio do alumnio sem o perigo de formao de junes'?'. Esse fato ilustrado novamente na Fig. 1.12.
P77777;>] /'7; '7/1 ~XIDO

BASE
COLETOR

P
N

P
( a) ~ 71 /'7;'71 !'77;1 ~XIDO

lli.j

IEMISSOR

NI P N p

(b )

Figura 1.12 Preparao para a deposio do alumnio. (a) Janelas abertas no xido na regio do coletor e na regio da base; (b) Pastilha aps a difuso do emissor e j com as janelas abertas no xido, para a deposio do alumnio

Com relao Fig. 1.10(g) devemos mencionar que, aps as janelas terem sido abertas no xido, o alumnio depositado em toda a superficie da pastilha. A seguir, retira-se o alumnio indesejado deixando-se apenas as conexes necessrias.
1.3.3. Fabricao de resistores 1.3.3.1. Resistores difundidos

A fabricao de resistores na forma integrada baseia-se no fato do material semicondutor apresentar uma resistividade que funo das impurezas adicionadas ao silcio. Por exemplo, se num cristal puro, NA tomos de boro (impureza tipo P) so adicionados por em", a resistividade do material ser dada aproximadamente por 1 onde,
flp P=flpNAq

= mobilidade para buracos = 480 V. s '


nmero de tomos de impurezas adicionadas, por cm ' ;

cm2

NA =

= valor absoluto da carga do eltron = 1,6 x 10-19 coulombs.

A resistncia de um bloco de material dada, em funo da resistividade, pela frmula clssica indicada na Fig. 1.13.
<*JContatos em que no so formadas junes e, no caso oposto, contalOs retificadores so chamados contatos hmicos,

Noes bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados

; 13

R :: re ststec!e
R

em em

.n
fi m
m

_J_
p

p::

resistividade comprimento

J::
A

em

= rea em

m2

Figura 1.13

Resistncia de um bloco de material

Conseqentemente, variando a resistividade (funo do nmero de impurezas adicionadas) ou as dimenses do bloco de cristal podemos ajustar a resistncia do bloco para o valor desejado. A Fig, 1.14 ilustra como, usando a estrutura epitaxial estudada, podemos fabricar um resistor, sendo tambm indicado o percurso da corrente no corpo do material tipo P.
ALUMNIO ALUMINIO _XIDO

l~ J __
~_1
CAMADA EPITAXIAL

SU6STRATO

Figura 1.14 Constituio de um resistor difundido

1.3.3.2. Resistores

depositados

Quando so necessrios valores elevados de resistncia, o que exigiria uma rea grande do cristal, usando-se o processo de difuso, uma soluo fabricar o resistor depositando uma camada de material metlico conforme ilustrado na Fig. 1.15. Variando o material empregado e as dimenses do resistor, podemos obter o valor desejado de resistncia.
MATERIAL METLICO (NICROME TNTALO ... )

~ / ~ ~~~~~~~zzzzzzzzzzzzZ;~
CAMADA EPITAXIAL

_XIDO

N
Figura 1.15 Resistor de deposio

sueSTRATO

1.3.4. Fabricao de capacitores Fundamentalmente, so usados dois tipos de capacitores na forma integrada: capacitores de juno e capacitares de deposio.
1.3.4.1. Capacitares de juno

Esses capacitares se baseiam no fato de uma juno PN apresentar uma capacitncia cujo valor depende da tenso inversa aplicada

14

Circuitos integrados

juno. Portanto, o simples uso de uma juno PN inversamente polarizada pode proporcionar o valor de capacitncia desejado. Por exemplo, na Fig. 1.16 apresentamos as capacitncias tpicas de um transistor integrado no qual o coletor (camada epitaxial) tem uma resistividade de 0,1 Qcm; para esse transistor a juno base-coletor tem uma capacitncia de aproximadamente 350 pF por milmetro quadrado (350pF/mm2); portanto se quisermos saber o valor da capacitncia em picofarads basta multiplicar esse nmero pela rea da juno expressa em mm".
JUNO BASE

- EMISSOR

'"

1600pF/mm
V'

...

=l

'"

'"
EM1S SOR N BASE

~l
t

I 1 Ii
p
N fi-em

JUNCO

BASE-COLETOR:

350pF/mm2

COLETOR

P=O,I

____ JUNO

COLETOR-SUBSTR

ATO:

-350PF/mm2

SUBSTRATO

Figura 1.16 transistor

Capaci tncias de um
o

Chamamos a ateno do leitor para o fato de que esses valores foram mencionados como exemplo, apenas para ilustrar as diferentes possibilidades existentes. Essas capacitncias dependem da geometria (dimenses), dopagens, etc. Mas o grande inconveniente do seu uso o fato delas dependerem fortemente da tenso e da temperatura, e, alm disso, apenas podem ser obtidos valores limitados de capacitncia.
1.3.4.2. Capacitores depositados

Um processo de fabricao de. capacitares que compatvel com o processo de fabricao de circuitos integrados a deposio, como indicada na Fig. 1.17.

~b:;"'222W2222""""'222
l

~
Figura 1.17

~~~"'"
Capacitar de deposio

Inicialmente, no topo do xido de silcio que cobre o substrato deposita-se o alumnio que servir como uma das placas do capacitar; a seguir, deposita-se um material dieltrico (por exemplo, xido de tntalo) e, finalmente, uma nova deposio de alumnio produz a outra placa do capacitor. Por esse processo variando o dieltrico utilizado consegue-se obter valores de capacitncias muito mais elevados que as capacitncias de juno. Um valor tpico obtido, usando-se xido de tntalo, de 3000 pF/mm2, destacando-se a dependncia bem menor com a temperatura.

Nos bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados

15

1.3.5. Fabricao de indutncias Embora tenha sido empregado um grande esforo para se tentar obter indutncias na forma integrada, ainda no se chegou a uma soluo que permita obt-Ias com valores prticos. Algumas vezes usa-se o artificio de usar um circuito para simular uma indutncia, a qual geralmente fortemente dependente da temperatura. Portanto o que se faz atualmente adicionar as indutncias externamente ao circuito integrado, aguardando-se um progresso da tecnologia que permita a integrao eficiente das mesmas. 1.3.6. Fabricao de diodos Ora, sendo um diodo constitudo apenas por uma juno PN, possvel, conectando-se terminais de um transistor, obter-se um diodo ou ento, simplesmente, usando a juno base-emissor ou base-coletor. O que se faz ento usar o alumnio (durante a fase de interligao dos componentes) para ligar os terminais convenientes do transistor. Na Fig. 1.18 so ilustradas as configuraes utilizadas.

Figura 1.18

Configuraes de um transistor usadas como diodos

1.3.7. Fabricao simultnea de todos os componentes de um circuito O leitor verifica, com facilidade, que todos os processos usados para fabricao dos componentes de um circuito integrado partem da estrutura epitaxial j estudada. A idia, no caso, fabricar todos os componentes simultaneamente numa pastilha de silcio e, finalmente, interligar todos os componentes pela deposio de alumnio, completando o circuito. Para exemplificar a fabricao simultnea de diferentes componentes, mostramos, na Fig. 1.19, como um transistor e um resistor so fabricados e interligados a partir de uma estrutura epitaxial. [ , , , em m " , , , ': " , " , , " , , "

'y=::::~""

(a)

a) Estrutura epitaxial inicial


Figura 1.19 Fabricao simultnea de um transistor e um resistor (continua)

16

Circuitos integrados

(b

b) Pastilha das ilhas

pronta

para

sofrer a difuso

para

formao

ITRANSISTOR

NI

RESISTORNI

p ( c )

c) Pastilha novamente

j com as ilhas formadas oxidada

e com a superficie

Id

d) Pastilha pronta para sofrer a difuso da base do transistor e do corpo do resistor

( e )

e) Pastilha j com a base e o resistor difundidos ficie novamente oxidada

e a super-

If)

f) Pastilha pronta para sofrer a difuso emissor e preparar a regio de contato


Figura 1.19 (continuao)

que formar do coletor

Noes bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados

17

( g )

g) Pastilha j com o emissor coletar preparado

difundido

e o contato

do

( h )

h) Pastilha j com o alumnio depositado fazendo os contatos (emissor do transistor ligado ao resistor)
Figura

1.19

(continuao)

As seguintes

observaes

so vlidas, no presente

momento. de abertura de vezes durante a

1. Na Fig. 1.19 no foram abordadas as etapas janelas no xido, as quais so repetidas inmeras fabricao.

2. Conforme verificamos, o corpo do resistor integrado constitudo por um material-tipo P e, obviamente, o que se faz aproveitar a prpria difuso das bases dos transistores (tipo P) para formar o corpo dos resistores do circuito. Assim sendo, formam-se n uma s etapa as bases dos transistores e os corpos dos resistores do circuito. O inconveniente desse procedimento o fato dos valores de resistncias ficarem limitados pela concentrao de impurezas usadas para fabricar as bases dos transistores. Quando so necessrios valores elevados de resistncias usa-se o resistor depositado discutido na Seco 1.3.3b. 3. Neste exemplo fizemos apenas um transistor e um resistor mas usando a tcnica descrita, vrios transistores, diodos, capacitores, etc. podem ser fabricados e interligados constituindo um circuito completo . . 1.3.8. Consideraes sobre a produo em massa de circuitos integrados

Na Seco 1.2.1 vimos como obter uma barra cilndrica de silcio, com aproximadamente 2,5 em de dimetro e, digamos, 10 em de comprimento, a qual cortada em fatias de aproximadamente 250 J1.m (1 J1.m = 10-6 m) constituindo as chamadas pastilhas (wafers). Ora, graas s dimenses microscpicas utilizadas, um circuito completo pode ser fabricado em' um diminuto pedao de silcio, por

18

Circuitos integrados

exemplo, 2 mm x 2 mm. Obviamente, ento, em uma nica pastilha' (~ 2,5 em de dimetro) pode ser fabricado um grande nmero de circuitos. A tcnica para o processamento simultneo de todas as pastilhas bastante engenhosa. Em vez de se utilizar uma "mscara" simples para, por exemplo, fazer a difuso dos emissores dos transistores de um circuito, faz-se uma mscara mltipla repetitiva':" formando uma verdadeira matriz de mscaras iguais. Assim procedendo, so preparados vrios circuitos idnticos de uma s vez. A Fig. 1.20 ilustra como um circuito simples abrange apenas uma pequena poro da pastilha de silcio.

CONTATO O CIRCUITO

PARA

Figura 1.20 Numa mesma pastilha podem ser fabricados centenas e mesmo milhares (dependendo do tamanho de cada circuito) de circuitos integrados

Aps terem sido realizadas todas as difuses e interligados todos os componentes, pela deposio do alumnio, feito um teste na pastilha, procurando-se descobrir se houve alguma falha em alguma das fases do processamento, podendo a pastilha ser rejeitada nesse momento. A etapa seguinte o corte da pastilha, separando os circuitos individuais, o que feito utilizando-se uma ponta de diamante em um processo anlogo ao usado para cortar vidro; inicialmente a ponta de diamante "risca" a pastilha em um sentido e a seguir a pastilha girada de 90, sendo riscada perpendicularmente ao risco anterior. A seguir, uma pequena presso na pastilha faz com que todos os circuitos individuais se desliguem uns dos outros. 1.3.9. Encapsulao e testes finais Os minsculos pedaos de pastilha, cada um contendo um circuito completo, esto prontos para serem encapsulados de forma a poderem ser utilizados. Os tipos de invlucros utilizados so abordados exaustivamente no Capo 2.
1*)So utilizadas mquinas fotogrficas repetitivas

Noes bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados

19

1.4. TCNICAS RECENTEMENTE

DESENVOLVIDAS

A nossa idia neste captulo, foi abordar apenas o processo clssico utilizado pelas indstrias de circuitos integrados, devendo-se ter em mente que existem outras variantes no tratadas neste livro. Entretanto convm lembrar que o campo digital tem sido sacudido por uma tremenda revoluo, com a introduo dos circuitos integrados digitais do tipo MOS (metal-oxide semiconducton, tipo COSjMOS icomplementary symetryjmetal-oxide semiconductor) e tipo SOS isilicon-on-saphyre).

Conforme o leitor ver, so fundamentais, no campo digital, as caractersticas de potncia dissipada e tempo de propagao do sinal, e, com estes tipos de circuitos, principalmente o ltimo, consegue-se boas velocidades com potncias extremamente reduzidas. Por este motivo vamos abordar sucintamente a fabricao desses circuitos. 1.4.1. Circuitos integrados MOS Sugerimos ao leitor estudar os transistores de efeito de campo, principalmente os transistores de efeito de campo com o gatilho isolado iinsulated gate field effect transistor IGFET, tambm chamado metal-oxide semiconductor transistor - MOS)<*), antes de ler esta seo. A Fig. 1.21 ilustra algumas fases da fa'bricao de um transistor com gatilho isolado e o leitor, nota de imediato, que essas fases so perfeitamente compatveis com as fases anteriormente descritas para a fabricao de circuitos integrados. Apenas como lembrete chamamos a ateno para o fato de que a camada de xido de silcio entre o gatilho e o substrato d origem a uma elevadssima impedncia de entrada para o dispositivo. Alm
FZ::Z;ZZ:Z:Z;ZZ:ZZ:Z:Z:z:::t:zzz;z:ZZ<jSUBSTRATO

XIoo

SUBSTRATO

SUBSTRATD

Figura 1.21

Algumas fases de fabricao de um transistor MOS.

S = Source (fonte); D = Drain (dreno); G = Gate (gatilho). Trata-se no caso de um transistor com canal tipo N

<*)VejaDispositivos semicondutores Tcnicos e Cientficos Editora S.A.

Hilton A. Mello e Edmond Intrator. Livros

20

Circuitos integrados

disso a potncia dissipada por esse dispositivo menor que para os outros tipos de circuitos integrados anteriormente estudados, embora apresente apenas uma velocidade mdia. 1.4.2. Circuitos integrados COS/MOS No exemplo da Fig. 1.21 demos o exemplo de um transistor MOS com canal tipo N. Evidentemente poderamos ter trocado as regies P e N, criando um transistor MOS com canal tipo P. Ora, se os dois tipos de estrutura forem realmente simtricos teremos 2 circuitos complementares, de modo anlogo aos pares complementares de transistores bipolares PNP e NPN. Um fato notvel que, com a tecnologia integrada descrita pode-se, simultaneamente, em uma mesma pastilha fabricar transistores MOS com canal tipo N e com canal tipo P, constituindo circuitos complementares. Com isso, conseguem-se circuitos com uma potncia quiescente extremamente reduzida, velocidade de propagao mdia, excelente imunidade a rudo, uma alta impedncia de entrada, e podendo operar com uma nica fonte de alimentao, dentro de uma ampla faixa de tenses, possibilitando aplicaes extraordinrias no campo digital. 1.4.3. Circuitos integrados SOS Esse tipo de circuito integrado a grande esperana de muitas fbricas de circuitos integrados e com ele se pode obter velocidades bastante elevadas, com uma potncia dissipada extremamente reduzida. A idia , em vez de partir de uma estrutura epitaxial PN totalmente de silcio, utilizar uma estrutura onde a camada epitaxial de silcio tipo N crescida sobre um bloco de safira, derivando-se da o nome silicon-on-saphyre (silcio sobre safira), para designar os circuitos integrados derivados dessa estrutura. A Fig. 1.22 ilustra a estrutura epitaxial formada sobre a safira.
SILCIO EPITAXIAL TIPO N SAFIRA - TIPO SUBSTRATO

Figura 1.22 Estrutura bsica para a produo de um circuito integrado SOS

A partir dessa estrutura, a fabricao segue os mesmos passos j estudados, podendo ser fabricados, obviamente, COS/MOS usando essa estrutura. Como a safira tem uma resistividade muito maior que o silcio as ilhas podem ficar muito mais prximas, sem haver interao entre os componentes do circuito integrado, podendo-se obter um circuito

Noes bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados

21

integrado COS/MOS extremamente compacto, e com uma velocidade 2 a 3 vezes maior que os COS/MOS usando substrato de silcio. Alm disso a potncia dissipada a altas velocidades bastante reduzida, conduzindo a um binmio potncia dissipada x tempo de propagao inigualvel por qualquer outra tecnologia; provavelmente quando o leitor estiver lendo este livro j estaro sua disposio, no mercado, circuitos integrados do tipo SOS. 1.4.4. Integrao de sistemas e subsistemas (MSI, LSI, VLSI)<*) Evidentemente o leitor deve estar imaginando em que ponto se deve parar na confeco de um circuito integrado. Podemos fazer qates.flip-flops, etc., ao mesmo tempo e, portanto, teoricamente, qualquer circuito poderia ser fabricado em uma nica pastilha de silcio. Obviamente vrios aspectos so importantes: 1. Quanto mais complexo for um circuito, menos flexvel ele , isto , menos compradores podero estar interessados no mesmo, por ser de aplicao mais especial. 2. Quanto maior o tamanho da pastilha, maior a probabilidade de um defeito localizado na mesma inutilizar completamente o circuito integrado; ou seja, a probabilidade de rejeies aumenta com o tamanho da pastilha. 3. Quanto mais compactos os componentes podem ser fabricados sem interagirem, (por exemplo, circuitos integrados SOS), maior a densidade de componentes possvel por unidade de rea. Muitas outras consideraes podem ser feitas e, atualmente, fala-se em MSI, LSI e VLSI, caracterizando o nmero de componentes e funes fabricados por unidade de rea da pastilha. Devemos apenas lembrar que esses nomes se referem integrao de circuitos completos em ordem crescente de complexidade: MSI, LSI e VLSI. Como exemplo de integrao em alta escala (LSI), usando a tecnologia MOS, podemos citar o acumulador 3800 da Fairchild, que um circuito integrado contendo aproximadamente 200 gates. Trata-se de um acumulador que capaz de adicionar e subtrair em paralelo, e, deslocando a soma ou a diferena, para a direita ou para a esquerda, torna-se capaz de realizar algoritmos de multiplicao e diviso. Esse acumulador se apresenta na forma de um invlucro DU AL-IN-LI N E**) com 36 terminais.

(*)MSI - medium scale inteqration (integrao em escala mdia) LSI - large scale inteqration (integrao em escala alta) VLSI - very large scale inteqration (integrao em escala muito (n)Veja o Capo 2

alta)

INVLUCROS INTEGRADOS

DE CIRCUITOS

2.1. GENERALIDADES No Capo 1 verificamos os principais detalhes da fabricao de circuitos integrados monolticos, obtendo-se uma pastilha inteira, que cortada em minsculos pedaos, cada um contendo um circuito completo. Aps a obteno dos circuitos individuais, o proxrmo passo a encapsulao do minsculo bloco de cristal, para se obter um dispositivo pronto para ser utilizado. invlucro de um dado circuito integrado apresenta 4 finalidades importantes:

a. Proteo da pastilha de silcio contra a ao do meio ambiente, o qual, evidentemente, pode alterar as caractersticas do circuito. b. Proteo mecnica da pastilha. c. Prover um meio simples de interconexo do circuito em questo, com outros componentes. d. Servir como dissipador para o calor gerado dentro da pastilha de silcio. Os circuitos integrados so normalmente encapsulados de trs modos distintos, conforme resumido no quadro a seguir.
Invlucro
(package)

N.O de terminais
(leads)

Material utilizado no invlucro Metal Cermica

Observaes Invlucros hermeticamente selados, capazes de trabalhar em severas condies ambientais. Custo mais elevado

Tipo TO Tipo plano


(flat-pack)

8, 10, 12 14, 16,24

Dual-em-linha
(dual-in-line)

14, 16, 24, 28

Cermica Plstico Invlucros no selados projetados para trabalhar em condies menos severas. Ampla utilizao industrial

Na Fig. 2.1 so apresentados exemplos de circuitos integrados que ilustram alguns dos tipos de invlucros descritos no quadro anterior, devendo-se ressaltar que os invlucros tipo TO, e os tipos plano e

Invlucros de circuitos integrados

23

l,

..

-'I 9'
;lliij1flll!i li!

Ili S

1'3

1'4

1<

Figura 2.1

Alguns tipos de invlucros utilizados na tecnologia de circuitos integrados

dual-em-linha cermicos so todos hermeticamente selados, contendo uma atmosfera de nitrognio. 2.2. INVLUCRO TIPO TO

Esse tipo de encapsulao j bastante familiar para o leitor, pois uma extenso do tipo inicialmente desenvolvido para transistores, e que sempre apresentou uma excepcional confiabilidade. Na Fig. 2.1, os trs primeiros invlucros so exemplos do tipo TO. 2.3. INVLUCRO TIPO PLANO (FLAT-PACK)

O invlucro tipo plano (j7at-pack) foi especialmente desenvolvido para a encapsulao de circuitos integrados e consiste em uma estrutura, retangular ou quadrada, de cermica, que contm a pastilha de silcio, sendo as conexes para o meio exterior feitas por tiras finas metlicas, que so conectadas pastilha de silcio por fios de ouro. O quarto e o quinto invlucros da Fig. 2.1 so exemplos do tipo [lat-pack. 2.4. INVLUCRO TIPO DUAL-EM-LINHA
(DUAL-IN-LINE)

Esse invlucro, tambm especificamente desenvolvido para a encapsulao de circuitos integrados, pode ser constitudo por um material cermico ou plstico, tratando-se no primeiro caso de um invlucro hermeticamente selado com uma atmosfera de nitrognio. No caso do invlucro dual-em-linha tipo plstico, a cobertura plstica moldada em tomo dos terminais da estrutura na qual a pastilha

24

Circuitos integrados

montada. Os dois ltimos exemplos da Fig. 2.1 ilustram o aspecto externo do tipo dual-em-linha, Na Seco2.6 so estudadas as aplicaes de cada tipo de invlucro. 2.5. DIMENSES DOS INVLUCROS DOS TERMINAIS E IDENTIFICAO

Nas Figs. 2.2 e 2.3 so apresentadas as dimenses de dois tipos de invlucros, apenas para melhor orientao do leitor, com as dimenses indicadas em mm. Evidentemente os catlogos dos fabricantes de circuitos integrados apresentam todos os dados referentes a dimenses, numerao dos terminais, etc. para todos os tipos de invlucros utilizados. Com relao identificao dos terminais, esta feita de modo inteiramente anlogo ao usado para componentes discretos, onde uma determinada referncia permite a localizao de todos os terminais.

J
4,70 4,19

6,51 ....-----

VALOR MAX.

7,75________.VALORM1N.

L
1,02 1,27 0,39

12,70

5,33 6,51 4,82

t
Figura 2.2 Exemplo de um inv61ucro tipo

TO com 8 terminais

Invlucros de circuitos integrados

25

6::::: ~
,;'~i,~".o." ~~
0,51 I 2

~ ~ : : : C:':: : :
3 4 5 6 7 1,52 1,02

\.---2,79 2,29

,564 ~14-0,36 I

Figura 2.3

Exemplo de um invlucro tipo dual-em-linha plstico

Por exemplo, considerando a Fig. 2.2 o ressalto na base do dispositivo indica o pino 8 e olhando-se o dispositivo pela sua parte inferior pode-se determinar a posio de todos os terminais. A Fig. 2.4 ilustra esse processo de identificao.

Figura 2.4 Vista inferior do invlucro da Fig. 2.2 correspondente a um TO de 8 terminais

2.6. ESCOLHA DO TIPO DE INVLUCRO DADA APLICAO

PARA UMA

Em muitos casos, um mesmo circuito integrado fornecido pelos fabricantes em invlucros diferentes, possibilitando uma otimizao por parte do projetista. Por exemplo, o amplificador operacional

26

Circuitos integrados

MC 1 709 da Motorola'"! pode ser adquirido nos seguintes invlucros: invlucro [lat-pack cermico: MC 1709CF; invlucro metlico (TO): MC 1709CG; invlucro dual-em-linha cermico: MC 1709CL. Note que as letras F, G e L caracterizam, "para a Motorola", cada um dos invlucros disponveis. Vamos, agora, analisar o problema da seleo de um determinado tipo de invlucro para um projeto especfico. Conforme explicamos anteriormente, tanto o invlucro tipo TO (metlico) quanto os invlucros cermicos (do tipo flat-pack ou dual-in-line) so hermeticamente selados, e exigem um sistema complexo para o seu teste, durante a produo. Portanto os circuitos integrados utilizando esses invlucros so mais caros e, conseqentemente, eles so utilizados em aplicaes especficas, onde necessrio garantir um desempenho excepcional. Por exemplo, um invlucro cermico especificado para a faixa de temperaturas de -55C a -:-125C, o mesmo acontecendo com os tipos metlicos, o que evidentemente muito alm do exigido em muitas aplicaes industriais. Exatamente para essas aplicaes mais comuns que foi desenvolvido o invlucro tipo dual-em-linha plstico, o qual especificado, por exemplo, para a faixa de temperaturas de -40C a + 85C, e que no hermeticamente selado, o que o desaconselha tambm para uso em ambientes especiais. Evidentemente, caso se tenha disponvel um circuito integrado com um invlucro metlico, nada impede que o mesmo seja utilizado em condies menos severas; entretanto, caso se deva adquirir componentes para um dado projeto, deve-se faz-lo pensando na aplicao em vista, visando uma reduo no custo. Por outro lado, existem outros fatores que podem influenciar a escolha de um determinado tipo de encapsulao. Inicialmente comparemos os tipos TO e flat-pack cermico, que so tipos hermeticamente selados. O tipo TO, exaustivamente usado na fabricao de transistores convencionais, goza, evidentemente, da vantagem de ter uma produo maior que o tipo [lat-pack, apresentando portanto um custo menor. Esse tipo de encapsulao apresenta, ainda, a vantagem de ser totalmente compatvel com~os processos de fabricao anteriormente utilizados para componentes discretos, no exigindo alterao alguma para a de montagem de circuitos. Por outro lado, o tipo [lat-pack possibilita que, em um circuito impresso, as ligaes impressas passem por sob o corpo do circuito integrado, como ilustrado na Fig. 2.5.
<*)Esse amplificador MC 1 709C corresponde aos amplificadores pA 709C da Fairchild e TRA 521 da Philips (IBRAPE), e ser estudado com detalhes no Capo 4

Invlucros de circuitos integrados

27

Com isso, consegue-se obter uma concentrao maior com os circuitos [lat-pack, do que a obtida com os circuitos tipo TO. Alm disso os circuitos [lat-pack podem ser montados utilizando-se, simultaneamente, os dois lados da chapa impressa, o que no pode ser feito com o tipo TO. Isso significa dizer que para uma dada rea possvel obter-se uma densidade da ordem de 2,5 a 3 vezes maior, usando circuitos flat-pack, do que usando circuitos tipo metlico. Com relao aos invlucros plsticos, conforme j mencionamos, so mais baratos, apresentando entretanto algumas limitaes, tais como uma menor faixa de operao com relao temperatura e uma dissipao mxima permissvel menor que nos casos anteriores. Finalizando este captulo devemos comentar que a escolha do tipo de invlucro a ser utilizado (evidentemente quando existem vrias opes para um mesmo circuito) feita, baseada em vrios aspectos importantes como, a finalidade do equipamento, a produo prevista, o mtodo de montagem a ser utilizado, etc. Evidentemente esses so fatores complexos, geralmente da alada de engenheiros projetistas e de produo, de forma que uma anlise detalhada foge inteiramente ao escopo deste livro.

TIPOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS DISPONVEIS

Neste captulo procuraremos apresentar uma visao panorarmca dos tipos de circuitos integrados existentes, deixando as aplicaes tpicas de alguns desses circuitos para o prximo captulo . Evidentemente, tratando-se de um campo em plena evoluo, no nossa inteno apresentar um estudo completo, mas apenas dar uma simples idia das disponibilidades atuais do mercado. A fim de facilitar a explanao vamos abordar, separadamente, os campos digital e linear. 3.1. CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS

3.1.1. Generalidades O campo digital , sem sombra de dvidas, o que mais se desenvolveu com a tecnologia integrada, possibilitando aplicaes e extraordinrias, como as minicalculadoras, que efetuam clculos complexos, relgios eletrnicos digitais de pulso, minicomputadores, etc.; podemos dizer que no campo digital existem circuitos integrados para virtualmente qualquer aplicao. Com a evoluo da tecnologia integrada foram surgindo vrias famlias de circuitos integrados digitais, cada famlia caracterizada por vantagens e desvantagens, quando comparadas entre si. Apenas como exemplo, mencionamos, a seguir, algumas' dessas famlias que sero estudadas adiante. RTL DTL TIL ECL resistor transistor logic; diode transistor logic; transistor transistor logic; emitter coupled loqic;

Os grandes fabricantes de circuitos integrados, em geral, produzem vrias destas famlias, o que significa dizer que, por exemplo, um circuito integrado TIL pode ser fabricado pela Texas, Motorola, Fairchild, ete.. Alis, um dos segredos no projeto de um equipamento digital o uso de tipos de circuitos integrados que sejam fabricados por vrias indstrias ao mesmo tempo, evitando-se, com isto, a dependncia de um s fornecedor de circuitos integrados, o que pode ser catastrfico para um fabricante de equipamentos.

Tipos de circuitos integrados disponveis

29

Para ilustrar, apresentamos na Tab. 3.1 trs exemplos da famosa srie 7400 de circuitos integrados digitais TIL, com os nomes de algumas indstrias dentre as que os produzem.
Tabela 3.1 Alguns exemplos de circuitos digitais, ilustrando-se o fato de vrias indstrias produzirem o mesmo tipo de circuito integrado

Motorola National Signetics Sprague Texas Transitron Amperex Philips

MC7400P SN7400N N7400A USN7400A SN7400N TG7400E FJH 131 FJH 131 Descrio QUAD2INPUT NANDGATE (Circuito qudruplo com qates NAND de 2 entradas)

MC7420P SN7420N N7420A USN7420A SN7420N TG7420E FJH III FJH 111 Descrio DUAL4 INPUT NANDGATE (Circuito duplo com qates NAND de 4 entradas)

MC7410P SN7410N N7410A USN7410A SN7410N TG7410E FJH 121 FJH 121 Descrio TRIPLE 3 INPUT NANDGATE (Circuito triplo com gates NAND de 3 entradas)

3.1.2. Noes sobre circuitos digitais?" Consideremos um circuito digital em qye trs entradas, Xl' X2 e (por exemplo), esto presentes. A Fig. 3.1 ilustra este circuito.
XI
Figura 3.1 Circuito digital com 3 entradas; x" Xl e XJ e uma sarda y
X 3

X2 X3

---I ---j

I--_Y

As entradas xl' x2 e x3 so vanaveis digitais, isto , variveis que s podem assumir os valores Oe 1. O mesmo sucede com a sada y. A varivel de sada, y, uma funo dos valores que as variveis Xl' X2 e X3 apresentam. Quando o valor da varivel de sada (no caso y) em um dado instante apenas funo dos valores das variveis de entrada (no caso Xl' X2 e X3) neste mesmo instante, diz-se que o circuito digital um circuito combinacional. Quando o valor da varivel de sada em um dado instante depende tambm de valores anteriores das variveis de entrada o circuito digital dito seqencial. A Tab. 3.2. apresenta um resumo de alguns tipos de circuitos combinacionais bsicos.
(*)Caso o leitor no tenha conhecimento algum sobre tcnicas digitais, deve ler antes o Apndice A: "Noes sobre lgebra de Boole"

30
Tabela 3.2 Tabela de funcionamento

Circuitos integrados de alguns circuitos digitais bsicos Circuitos digitais bsicos E (AND)
O O O

Combinaes possveis

dext,x2,x3

OU (OR) NO E (NAND)
O 1 1 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1 1 1

NO OU (NOR)
1 O

~ ~ !
O

O
O

O 1 1 O
1 O 1

O
1 1 1 I

O
1 O I

O
1

O O O O O O
1

O O O O O O

,
!

Na coluna da esquerda aparecem todas as combinaes possveis das variveis de entrada. Nas demais colunas aparecem o que acontece com a varivel de sada y para cada um dos circuitos bsicos (a cada combinao Xl' X2 e X3 corresponde um valor de y). Por exemplo no circuito OU (OR), y = Xl + x2 + x3 e, portanto, basta xl' OU X2' OU X3 ser igual a 1 que a sada y ser tambm igual a 1. O leitor verifica que apenas para a combinao Xl = x2 = x3 = O a sada y do circuito OU igual a zero. Convm aqui introduzir um nome que o leitor encontrar a todo momento em catlogos estrangeiros. Seja um circuito OU (OR) com duas entradas Xl e x2 Na Fig. 3.2 apresentamos um esquema desse circuito digital e uma tabela que simboliza o seu funcionamento.
XI O O I I
(a) (b)

X2 O I O I

Y
O I I I

Figura 3.2

(a}Esquema do circuito; (b) Tabela de funcionamento

(truth table)

A tabela que exprime o funcionamento do circuito (b) chamada de truth table e importante o tcnico conhecer este nome pois muitos manuais, mesmo de manuteno, utilizam esse nome. Por exemplo, para se verificar se um circuito integrado digital funciona corretamente temos que verificar se a sua truth table est sendo observada; isto , medida que as variveis de entrada vo assumindo os valores da coluna da esquerda da tabela, a sada y deve ser a correspondente na coluna da direita.

Tipos de circuitos integrados disponveis

31

Podemos agora apresentar para os leitores a razo da existncia das diversas famlias de circuitos integrados. 3.1.3. Famlias de circuitos integrados digitais 3.1.3.1. Famlias de circuitos saturados Inicialmente, vamos considerar os circuitos integrados digitais cujos transistores so levados saturao. Na Fig. 3.3 apresentamos um circuito que corresponde funo NOR e nas Figs. 3.4 e 3.5 dois circuitos diferentes que correspondem funo NAND. No Capo 4 mostraremos que qualquer funo digital pode ser realizada usando-se apenas circuitos NOR ou apenas circuitos NAND. Em outras palavras, qualquer um dos circuitos das Figs. 3.3, 3.4 e 3.5 podem ser utilizados para realizar qualquer funo digital. Qual a razo ento de utilizarmos um circuito como o da Fig. 3.5, que bem

--~~--------------~~---------------.----y

Figura 3.3

sistor logic -

Circuito 16gico NOR usando resistores e transistores (resistor RTL)

tran-

XI

Figura 3.4

lgic -

Circuito 16gico NAND usando diodos e transistores (dode DTL)

transistor

32

Circuitos integrados

Figura 3.5 Circuito lgico NAND usando transistores em lugar dos diodos na entrada (transistor transistor logic - TIL; o transistor da esquerda um transistor que possui 3 emissores independentes)

mais complexo que o da Fig. 3.3? A resposta que cada um desses circuitos apresenta caractersticas bem diferentes do outro. De imediato poderamos falar em termos da potncia dissipada. Isto , circuitos idnticos sob o ponto de vista de truth table, com o mesmo nmero de entradas, apresentam uma dissipao diferente para cada uma das configuraes apresentadas. Outro fator importante a considerar a velocidade com que um pulso se propaga no circuito em questo. Na Fig. 3.6 apresentamos os pulsos de entrada e sada de um circuito integrado, no caso um circuito inversor. O tempo de retardo na propagao td tpropaqation delay) a mdia aritmtica dos tempos de retardo tdl e td2, isto ,
td! td =

+
2

td2

Pois bem, esse retardo na propagao varia substancialmente para os circuitos apresentados nas Figs. 3.3 e 3.5 e, conseqentemente,
PULSO DE ENTR:D: -

-1---.-L----50%

I : ov
PULSO DE SA(DA

I
I

--------jI
I
S

-\--t-j---I

50%

Vi-QV

~
Figura 3.6

~
Determinao do tempo de retardo

TIpos de circuitos integrados disponveis

33

quando se deseja um circuito rpido deve-se escolher um que introduz um menor retardo na propagao. Somente como referncia apresentamos na Tab. 3.3 a potncia dissipada e os tempos de retardo na propagao para um circuito tpico das famlias RTL, DTL e TTL.
Tabela 3.3 Alguns valores comparativos de potncia dissipada e retardo na propagao para um circuito tpico das famlias RTL, DTL e TIL

Famlia

Potncia dissipada 12mW 9mW 30mW

Tempo de retardo na propagao 12 ns 30ns 10 ns

RTL DTL TIL

Entre essas trs famlias o leitor v que a famlia TIL bsica a que apresenta menor retardo de propagao, mas ao mesmo tempo a famlia (dessas trsl) que apresenta a maior potncia dissipada. Em geral, quanto mais rpido um circuito integrado, maior a potncia por ele dissipada. Na realidade devemos chamar a ateno do leitor que a nossa comparao foi extremamente simplificada levando em conta apenas a potncia dissipada e o tempo de retardo na propagao. Mas as vantagens e desvantagens de uma famlia sobre a outra podem ser decorrentes de outras caractersticas dos circuitos integrados, tais como a suscetibilidade a rudo, nmero de circuitos que podem ser alimentados pelo circuito digital, mxima freqncia de operao dos pulsos de relgio (dock pulse), etc. Portanto o leitor que quiser entender, com profundidade, as vantagens e desvantagens de uma famlia sobre a outra, deve estudar todos esses parmetros, o que evidentemente foge ao escopo deste livro. Alm disso, mesmo dentro de cada famlia, ligeiras modificaes podem alterar o comportamento bsico, podendo, ento, categorizarem-se grupos, dentro de uma mesma famlia; por exemplo, a famlia TTL, atualmente, possui 5 grupos, chamados de TTL I, TTL 11, TTL I1I, TIL IV e TTL V; fato semelhante ocorre para outras famlias. Portanto, a escolha perfeita da famlia (e vlentro dessa, do grupo) de circuitos integrados a utilizar para o projeto de um dado sistema algo que exige um conhecimento grande, do projetista do circuito. Finalmente, vale a pena mencionar que uma famlia (ou grupo de uma famlia) composta de circuitos-porta tipo E, OU, NO OU, NO E, flip-j1ops, expansores, buffers, etc. Isto significa dizer que, em princpio, um circuito digital pode ser projetado utilizando os circuitos bsicos existentes em uma famlia (ou em um especfico grupo de uma famlia) de circuitos integrados digitais.

34
3.1.3.2. Famlias de circuitos no-saturados

Circuitos integrados

Em todos os exemplos anteriores os transistores so levados saturao, o que implica em um maior retardo devido ao armazenamento de portadores''". Quando h necessidade de altas velocidades necessrio recorrer a circuitos digitais cujos transistores no so levados saturao, geralmente conhecidos sob o nome global de circuitos lgicos no-saturados. Por exemplo, uma famlia no-saturada muito conhecida a chamada famlia de circuitos lgicos acoplados a emissor (ECL; emitter - coupled logic) que possibilita tempos de propagao da ordem de 3 ns. 3.1.4. Circuitos digitais MOS, COSjMOS e SOS Em todos os exemplos anteriores, estivemos tratando de circuitos integrados cujos transistores so do tipo bipolar. No momento atual, est sendo dada uma enorme nfase aos circuitos integrados utilizando transistores com o gatilho isolado (MOS) e combinaes, em um mesmo circuito integrado, de transistores MOS complementares, isto , com canais tipo P e tipo N. Como j mencionamos no Capo 1, esses circuitos complementares (COSjMOS) permitem obter potncias dissipadas extremamente reduzidas e velocidade mdia de propagao. Os mesmos tipos de funes digitais podem ser obtidas, com os circuitos integrados COSjMOS. Como exemplo, apresentamos, na Fig. 3.7, um inversor utilizando um par complementar de transistores de efeito de campo MOS.
MOSFET CANAL

\_;),VOO "
'\

\ G \
I

,----+--'--,
\

Vi

\/G'
/--

",---~

/
/

'\

i
vs s
e Edmond Intrator. Livros

MOSFET

CANAL

j- - --Hilton

'-

Figura 3.7 Inversor usando transistores complementares de efeito de campo com gatilho isolado (chamados COS/MOS) (*)Veja Dispositivos

Tcnicos e Cientficos Editora

semicondutores. S.A.

A. Mello

Tipos de circuitos integrados disponveis

35

No campo dos circuitos digitais usando COSjMOS so encontrados gates, flip-flops, registradores, contadores, decodificadores, multivibradores, unidades aritmticas, etc. Alm desses circuitos poderemos encontrar, em breve, os circuitos digitais utilizando a safira como substrato, conforme explicamos no Capo 1. Essa uma grande esperana dos fabricantes de circuitos integrados para o futuro. Esses circuitos so chamados pelos especialistas de circuitos SOS onde as iniciais se referem a silicon-on-saphvre (silcio sobre a safira). Entretanto podemos afirmar que, atualmente, a maioria esmagadora dos grandes projetos de eletrnica usa a famlia TTL por apresentar um excelente compromisso entre potncia dissipada e velocidade de propagao. Por exemplo, os minicomputadores, os computadores de grande porte, etc. utilizam basicamente as famlias TTL. Finalizando estes comentrios bsicos sobre os circuitos digitais, podemos, apenas como complemento, ressaltar que, no campo digital, alm de circuitos de uso geral, como circuitos porta, [lip-ftops, buJJers, dcadas, etc., existem circuitos complexos especiais podendo-se citar como exemplo memrias de acesso randmico (RAM), memrias apenas de leitura (ROM), unidades aritmticas, circuitos completos para minicalculadoras, etc., deslocando-se, ento, para o campo da integrao em mdia escala (MSI), integrao em grande escala (LSI) e integrao em escala muito grande (VLSI). 3.2. CIRCUITOS INTEGRADOS LINEARES O campo linear um campo bem mais complexo do que o campo digital, para integrao, pois ainda no so muitos os casos em que um mesmo circuito pode ser usado no projeto de diferentes equipamentos. Devemos lembrar que, no campo digital, possvel projetar qualquer funo digital apenas utilizando os mesmos blocos bsicos. Por exemplo, qualquer funo digital pode ser obtida apenas utilizando-se circuitos NO Ou. Portanto os fabricantes de circuitos integrados lineares tm que descobrir, e conseguir impor ao mercado, circuitos de uso geral, como o caso dos amplificadores operacionais e alguns circuitos tpicos para dadas aplicaes, como amplificadores de freqncia intermediria, amplificadores de vdeo, etc. Sem sombra de dvidas o tipo de circuito integrado linear, mais conhecido e utilizado existente no mercado, o amplificador operacional, que, fundamentalmente, um amplificador CC de altssimo ganho cujas caractersticas podem ser modeladas por meio de componentes externos colocados entre terminais adequados do circuito integrado. No captulo de aplicaes de circuitos integrados so apresentados inmeros exemplos de circuitos integrados lineares, sendo detalhadamente estudados os amplificadores operacionais integrados.

PROJETO DE CIRCUITOS CIRCUITOS INTEGRADOS

UTILIZANDO

Quando se fez o estudo de circuitos com componentes discretos o leitor deve lembrar que os assuntos foram apresentados partindo da polarizao de transistores e, da, caminhando para o estudo de amplificadores, osciladores, etc. Para tornar o assunto bastante prtico, e possibilitar o uso deste livro como texto para o estudo de circuitos nas escolas tcnicas de eletrnica, procuramos dar a este captulo uma estrutura similar utilizada no caso de circuitos com componentes discretos. 4.1. POLARIZAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Na elaborao do projeto de um circuito utilizando componentes discretos (componentes individuais) recordamos que se devia escolher os pontos de funcionamento dos transistores, adotar um processo adequado de polarizao - que desse a estabilidade necessria ao circuito - e da ento, calcular os valores de todos os componentes, para atender, simultaneamente, s necessidades CC e CA exigidas para o circuito. No caso de circuitos integrados temos um circuito completo, que pode apresentar um elevado nmero de transistores, resistores, etc., e no temos, em princpio, acesso a esses componentes. Entretanto a fbrica que produz um circuito integrado, prev, durante o seu projeto (geralmente feito com computadores), o funcionamento de cada componente do circuito dentro de suas caractersticas, indicando apenas as tenses de polarizao externa que devem ser utilizadas, e indicando tambm como a variao dessas tenses afeta o comportamento do circuito. Portanto bastante simples polarizar um circuito integrado; basta seguir as indicaes do fabricante, estudando as informaes existentes no catlogo, referentes influncia da tenso (ou tenses) de polarizao, no comportamento do circuito. A seguir, apresentamos um exemplo que ilustra o que acabamos de explicar. Consideremos um amplificador de udio, integrado, no caso o TCA 160 da Philips, que se apresenta em um invlucro dual-ern-linha plstico, com 16 terminais, ilustrado na Fig. 4.1.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados


DIMENSOES EM MM

37

lI -::~~---,

4--a.25 .Q,.,

-----.

1:-,0,2'
"

"

11-

Wl

4---

-'\ :50-----.. 9,
7,60

DISSIPADOR INTERNO, DE

DE

CALOR

COBRE

Figura 4.1 TCA 160

Invlucro do circuito

o TCA 160 um amplificador de udio, monoltico, que, dada a sua flexibilidade, pode ser aplicado em equipamentos utilizando baterias ou fontes alimentadas pela rede.
Os seguintes fabricante: dados so extrados diretamente do catlogo do

Valores absolutos

mximos (terminal n," 11) Vll-16 max = 16 V. sem carga (terminal n." 11, valor pico) max

Tenses Tenso de alimentao Tenso de alimentao

Vll-16 Correntes Corrente Corrente

= 18 V.

de sada (terminais n.OS 13, 11, 4) 10 max = 1 A. de sada de pico (no repetitiva) (terminais 13, 11, 4) loMS max

= 2 A.

Dissipao

de potncia

Temperatura ambiente = 25C. Dissipao sem dissipador de calor adicional:


Ptotal

max

= 0,9 W.

38
Caractersticas CC Vl1-16:

Circuitos integrados

Faixa da tenso de alimentao Corrente quiescente total

5 a 16 V.

111total: 5 a 15 mA (tpico

= 8,7 mA).
=

Tenso de saturao dos estgios de sada para 10


VCE sal < 0,9 V.

0,5 A

Tambm do catlogo so obtidos dois circuitos tpicos de aplicao, ilustrados na Fig. 4.2.
r------.---.-_vp
+

C7
220pF

(a)

( b )

Figura 4.2 Circuitos de aplicao do TCA 160: a) Para alimentao por baterias; b) Para alimentao com fonte de ripple elevado, alimentada pela rede

o catlogo fornece tambm os valores constantes da Tab. 4.1, que so as caractersticas bsicas do circuito para diversos valores da tenso de alimentao e para vrias resistncias de carga.
NOTAS RELACIONADAS TAB. 4.1

1. Medida antes do capacitor de sada (Cs) 2. Medida sobre RL 3: Para RI = 47 Q. O ganho pode ser aumentado diminuindo-se o valor de RI; entretanto, ao se decrescer o nvel do ganho o valor mximo tolerado para RI de 100 Q; para obter ganhos ainda menores prefervel usar um atenuador na entrada. 4. Para limitar a resposta de freqncia um capacitor deve ser concctado em paralelo com a entrada. Por exemplo, para R, = 2 kQ e Cx = 3,9 nF a freqncia de corte superior de 20 kHz (-3 dB). Cx tambm evita oscilaes com a entrada aberta. 5. O valor limite inferior pode ser dimin udo aumentando-se proporcionalmente C3 Por exemplo para 60 Hz, C3 = 47 JlF. O capacitor C2 de desacoplamento da fonte de alimentao deve tambm ser modificado para a freqncia mais baixa; no caso para F min = 60 Hz, C2 = 680 JlF. 6. s, = OQ. 7. R, = 2kQ.

Projeto de circuitos utilizando

circuitos integrados

39
para vrias tenses de alimena esta tabela so indicadas na

Tabela 4.1 Quadro comparativo do funcionamento tao e resistncia de carga. As notas relacionadas pgina anterior Tenso de alimentao Resistncia de carga-eV 7,5 4 0,9 0,8 1,2 1,1 1,4 7,3 para po225 8,1 710 47 5,1 1,6 125 22 330 1000 220 de entrada Zi 15 50 70
+-~-

1-16

->

9 4 1,2 1,1 1,6 1,5 1,4 8,0 330 8,7 1020 47 5,1 1,6 125 22 330 1000 220 15 50 70

9 8 1,0 0,9 1,3 1,2 2 10 190 8,7 510 47 5,1 1,6 125 22 150 470 220 15 50 70

12 8 1,4 2,2 2,0 1,8 13,0 250 8,6 910 47 5,1 1,6 125 22 150 470 220 15 50 70

n
W W W mV mV mA mA mW

Notas (1) (2) (1) (2)

Potncia de udio de sada no incio do corte Potncia de udio de sada para 10% de distoro total Sensibilidade para Po para

U W

d,., =

50mW Vi 10% Vi

~
--

Corrente de alimentao tncia mxima de sada Corrente Mxima Valor quiescente dissipao 1101

de potncia

de RI R2 Cl C2 C3 C4 C5 C6

n n
jJ.F jJ.F jJ.F nF jJ.F jJ.F

Impedncia Ganho Ganho Resposta Potncia Potncia

kn
dB dB (4), (5) nW nW (6) (7) (3)

de tenso malha fechada G v de tenso malha aberta de freqncia de sada de rudo de sada de rudo PN G,.

145 Hz para 110 kHz -----. 2,5 19 2,5 19 1,0 9,5 1,0 10,2

PN

Finalmente, nesse exemplo, ainda fornecido no catlogo a distoro total do circuito em funo da potncia de sada, tendo como parmetro a tenso de alimentao do circuito integrado. Na Fig. 4.:1 apresentada a curva de distoro para o caso em que RL = 8 n e o alto-falante est conectado ao terminal positivo da bateria, como sugere o circuito da Fig. 4.2(a). Esse exemplo simples deve ter ilustrado ao leitor o que dissemos acerca do comportamento externo de um circuito integrado. Simplesmente so apresentados dados externos ao circuito sem haver necessidade de indicar o que est acontecendo com cada componente interno ao circuito integrado. O circuito TCA 160 possui, internamente, 11 transistores, 5 diodos, 15 resistores e 1 capacito r e no temos que no' preocupar individualmente com o comportamento de cada um desses

40

Circuitos integrados

7,5

v
5

v~

12V

2,5

o
10-2 10
=

Figura 4.3 Distoro total para o caso em que R L ao terminal positivo da bateria (valores tpicos)

n e o alto-falante

est ligado

componentes. Temos, contudo, que entender bem o significado dos dados fornecidos pelo fabricante e no ultrapassar os valores mximos especificados, o que poderia provocar a destruio do circuito integrado.
4.2. APLICAO

DE CIRCUITOS INTEGRADOS PROJETOS DE CIRCUITOS LINEARES

EM

4.2.1. Amplificadores operacionais (uso geral)

No campo linear de aplicaes vamos iniciar pelo mais flexvel circuito existente, o amplificador operacional. A importncia desse circuito to grande que apresentamos, a seguir, um estudo detalhado sobre esse dispositivo.
t2.1.1. Generalidades

Um amplificador operacional um amplificador CC de alto ganho, previsto para uso em um circuito realimentado. Com o uso de estruturas de realimentao externas ligadas ao amplificador CC bsico, pode ser obtida uma gama enorme de funes de transferncias. Por exemplo, um mesmo amplificador operacional bsico pode ser utilizado para fornecer a ampla faixa de freqncias exigida por um amplificador de vdeo ou pode ser utilizado para, fornecer uma curva de resposta com pico em uma determinada freqncia, o que serve para vrios tipos de amplificadores modeladores.
4.2.1.2. Caractersticas bsicas de um amplificador operacional

As seguintes caractersticas so importantes em um amplificador operacional.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

41

a) Ganho malha aberta muito elevado, geralmente na faixa de 103 a 109. b) Ampla banda passante, geralmente de CC a uma freqncia na faixa de 1 a 100 MHz. c) Alta irnpedncia de entrada e baixa impedncia de sada. d) Ampla faixa dinmica. e) OjJset<*l da tenso de entrada bastante reduzido. f) Pouca variao de suas caractersticas com o tempo e com a temperatura (pouco drift). g) Baixo rudo.

4.2.1.3. Funcionamento

bsico de um amplificador

operacional

Suponhamos um amplificador operacional com um ganho A muito elevado e negativo; suponhamos agora. que sejam conectadas, a esse amplificador operacional, impedncias z, e Z!, como indicado na Fig. 4.4. z,

t
l_i

~I_P ----1
Figura 4.4 Amplificador operacional realimentado

Analisemos, agora, em termos tenso na entrada do amplificador tem um determinado

prticos o que ocorre com ep' a operacional. Suponhamos que ('..

valor. Ora, como

IAI

muito elevado.

leI"

l~i

ser praticamente nula e, portanto, o ponto P, embora no ligado fisicamente terra, ter potencial praticamente igual ao de terra. Da o ponto P ser chamado de terra virtual do amplificador operacional. Por outro lado se admitirmos que a impedncia de entrada do amplificador operacional infinita obteremos as condies ilustradas na Fig. 4.5. Observemos que ep e eo foram indicadas ambas positivas com relao terra T; portanto, se queremos usar o ganho A como um
(*/0 offse: da tenso de entrada (i'lput offset vollage) definido como a tenso que deve ser aplicada ao terminal de entrada para obter uma tenso nula no terminal de sada

42
Z P

Circuitos integrados

lin ei

z,

+t

1=0

:;::.---

--

... +

_ jp?O
1

Figura 4.5 Amplificador com impedncia de entrada infinita e ganho muito elevado e negativo

nmero positivo, devemos introduzir o sinal na equao:


eo
=-

Aep'

(Eq. 4.1)

isto , a tenso ep tem sinal oposto tenso eo Geralmente procede-se dessa forma, para se lidar com A sempre como nmero positivo, sendo o sinal introduzido nas equaes. Observando o n P podemos escrever: Jin = - I f' (Eq. 4.2) pois a corrente de entrada no amplificador operacional nula uma vez que consideramos a irnpedncia de entrada infinita. Por outro lado podemos escrever
J
!n

~j

Zj

e",

(Eq. 4.3)
(Eg. 4.4)

_ ea-ep I fZf

Substituindo as Eqs. 4.3 e 4.4 na Eq. 4.2 temos ei-ep _ eu-ep


Z, - Zf '

(Eg. 4.5)

Alm disso, ep = - ~. (Lembramos que A positivo nesta equao) Substituindo a Eq. 4.6 na Eq. 4.5 temos eo eo ei + A ea + A
Zj Zf

(Eq. 4.6)

ZJei

e; eo. + Z A - - Z ie" - Z i A' J

~ =_
ei Z
i

--;Z::::-,-(

_=-

Zj

+
A

Z(

z, + ZJ

AZj

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

43

e, finalmente, (Eq. 4.7)


A

'. z, + ZJ

Lembramos que essa frmula vlida para o caso em que a impedncia de entrada infinita, e o ganho A muito elevado (o sinal foi introduzido nas equaes). Conforme vemos, eo o sinal de sada, quando existe a realimentao produzida pela impedncia Z J' e A o ganho malha aberta. Da chamarmos a relao e fe, de ganho malha fechada (closed loop gain); simbolizando esse ganho malha fechada por ACL' temos
A ZJ ZJ+ Z,

1+Z

j+

Z 'ZA
J

(Eq. 4.8)

Um caso importante o caso limite quando o ganho malha aberta (A) tende para infinito. Vejamos o que ocorre nesse caso, reescrevendo a Eq. 4.8; (Eq. 4.9)
ZJ

-+
A

z,'+

Portanto se A

-> 00

teremos
_

ACL -

_ eo

e,

ZJ

Zj

+ Z, _ -

--,

ZJ

z,

(Eq. 4.10)

z, + ZJ
que conduz a uma concluso importante, pois significa que, se o ganho malha aberta for muito grande, o ganho malha fechada ACL depender exclusivamente de elementos externos ao amplificador operacional (no caso z, e Z J). Vamos agora estudar, um pouco mais detalhadarnente, a relao entre os ganhos malha aberta (A), o ganho malha fechada (ACL) e o que denominaremos de ganho da malha. Na Fig. 4.6 mostramos (colocando em curto a entrada) a frao do sinal de sada que retoma entrada. Podemos escrever

44

Circuitos integrados

,
e'p Figura 4.6 Definio do fator de realimentao
{J = ~

t
Z, + ZJ

onde

fi

z.
Z,

'z

chamado de fator de realimentao.

(Eq. 4.11)

Retornemos Eq. 4.8 - repetida a seguir por uma convenincia


A

ACL

=-

A __ Z.Lf_ Zf + Z

z,
j

I+Z

Z. 1 +-' Zf 1 + A/3

'ZA

Geralmente Z f ~ Z, e Af3 ~ 1; considerando essas duas condies, simultaneamente, podemos escrever (Eq. 4.12) ou

IA/31 ~ ~

IAcL1

= ganho de malha,

(Eq. 4.13)

onde Af3 chamado ganho da malha (lembre que A o ganho malha aberta e ACL o ganho malha fechada). Consideremos agora os ganhos em decibis?". (Eq. 4.14) Ou seja, o ganho de malha (em dB) a diferena entre o ganho malha aberta (em dB) e o ganho malha fechada (em dB). Essa Eq. 4.14 muito importante para a compreenso das curvas de variao dos ganhos de um amplificador operacional com a freqncia, como veremos a seguir.
(AfJ)em
dec ibel

(A)decibel - (ACL)decibel

(*)Se o ganho A = Al/Az, o ganho A em dB dado 20 loglo 20 log,o 21 = (A1)dB -(A2)dB

IAII-

IA

por (A)dB = 20 log,o

IAI =

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

45 operacional

4.2.1.4. Resposta

de freqncia

de um amplificador

Ora, como um amplificador operacional um amplificador CC de alto ganho, a resposta de freqncia como a apresentada na Fig. 4.7.
A( d B)

Figura 4.7 Variao do ganho malha aberta (em decibis) com a freqncia; to a freqncia de quebra e Ao o valor do ganho A para baixas freqncias

fog f

A freqncia fo a freqncia de quebra para o ganho malha aberta, iniciando-se nela a queda do ganho razo de 6 dB/oitava (diz-se seis decibis por oitava':"). Podemos agora, tendo em vista a equao (AfJ)dB = (A)dB - (ACL)dB' superpor em um s diagrama esses ganhos. Para ilustrar isso, consideremos um amplificador operacional de ganho malha aberta A, realimentado como indica a Fig. 4.8.

Figura 4.8

Amplificador

operacional

onde A. A CL

e Ap esto determinados

Lembramos que

I ganho

malha aberta

I=A

I ganho

malha fechada I

~ 1- ~~I IAII Zj

[ganho de malha I = IAf31 =

!i zJI

(*)Se /2 = 2 fi diz-se que f2 est lima oitllUa acima de fi' i\nalogamente se f2 = 10 fi diz-se que l : est uma dcada acima de fI' Existem amplificadores operacionais especiais nos quais O ganho cai na razo de 12 dBjoitava

46

Circuitos integrados

Fixando Zf e Zi' o ganho malha fechada ACL fica determinado, e, portanto, podemos calcular

e marcar esse valor superposto indica a Fig. 4.9.

curva de ganho malha aberta como

GANHO

EM

dB

Figura 4.9 Ganhos em dB ilustrados em um mesmo grfico; observe que A u o ganho malha aberta. para baixas freqncias. e que MN (em dB) = ganho da malha. NO (em dB) = ganho malha fechada e MO (em dB) = ganho malha aberta
M

tO

fi

LOG t

Verifique que a equao (Af3)dB = (A)dB - (ACL)dB satisfeita no traado da Fig. 4.9. A freqncia fi a freqncia de quebra para o ganho malha fechada, ACL (freqncia onde o ganho ACL comea a cair com a mesma), e pode-se provar que fi

= (1 + Aof3)fu,

(Eq. 4.15)

onde, Ao o valor do ganho malha aberta, para baixas freqncias, e f3 o fator de realimentao. Para altas freqncias, os ganhos malha aberta e malha fechada so iguais, isto , as curvas se juntam a partir do ponto S, na Fig. 4.9. De fato, por mais artificios externos que se use, no se pode nunca ultrapassar as caractersticas malha aberta para altas freqncias. Isto , medida que a freqncia vai subindo o ganho da malha comea a diminuir at que no ponto S se anula, passando os ganhos malha aberta e fechada a serem iguais.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

47
operacional

4.2.1.5. Estabilidade

de um amplificador

Vimos, at agora, o comportamento geral de um amplificador operacional, verificando os ganhos malha aberta, o ganho malha fechada e o ganho da malha. Sabemos que, associado ao ganho de um amplificador, devemos considerar a defasagem introduzida pelo mesmo. Na Fig. 4.10 apresentamos, para o amplificador Me 1 530 da Motorola, as respostas de freqncia do ganho e da diferena da fase introduzida pelo circuito.
GANHO (d B)

t o~ Figura 4.10 Ganho e fase, em funo da freqncia. para o amplificador Me 1 530 da Motorola. Observamos que a Motorola apresenta esse grfico tomando como O dB o valor do ganho malha aberta para baixas freqncias. Para obter o grfico convencional observe que a linha indicada ganho unitrio a linha correspondente a O dB

__ ,Ao(dB) ~~ ~ __

__ ~

FASE

, ,
- 2o 1--~--~-4I-----\-+--:

,
_

"40 60

- 3o 1-----1----l---~~-\---i:
_4 - 5

1-----1---+---+-\--.1-\----.,'_ 80

,
I--~-+--+---+-l-M~:
, o

o 1-----1----l----+-\--+--lr--<'_100
-120
o

- 60 -7

GANHO

UNITRIO'---_-.

o 1----+--+----1--t--l--~' .. I- _ -t - - I--l

+_

-;

140
o

- 80 I-----I---+---+-+-t----l

-160

'

_ 9 O 1-_--1__ +-_--1-_-\--..;..,_, 0 180 _

_I 00 L-_-l.. __ .01

~_--I-_.......L~--.J

- 200 50
(MHZ)

0,1

1,0

10

Entretanto antes de utilizarmos os dados existentes em um grfico como o da Fig. 4.10, para o estudo da estabilidade de um amplificador, achamos oportuno fazer uma recordao sobre amplificadores realimentados. Na Fig. 4.11 mostramos um amplificador com uma realimentao tal que uma frao f3 do sinal de sada retoma entrada e a essa se subtrai antes de entrar propriamente no amplificador. A frao do sinal de sada que retoma a entrada, eR, dada por
eR

= fieo'

(Eq. 4.16)

A tenso na entrada do amplificador, cujo ganho malha aberta AOL' dada por (Eq. 4.17) Por outro lado (Eq. 4.18)

48
+
ej +
ej eR+~

Circuitos integrados
+
A M PlI FI CADOR (AOL)

.----

eo

'--ESTRUTURA REAlIMEN TA

DE

O
e; = ei
-

(j3 ) Figura 4.11 Amplificador realimentado. Observe que

eR

e, portanto,
e
Q

= AOL(e

f3e

Q)

(Eq. 4.19) (Eq. 4.20)

e (1
Q

+ AOLf3)

= AOLei

Portanto teremos, para o ganho malha fechada,


e, ACL = - = ej AOL 1 + AOLP
.

(Eq. 4.21)

Vamos analisar cuidadosamente essa expresso. Se o denominador se aproximar do valor zero (1 + AOLf3 = O), o valor de ACL tender para infinito o que pode ser interpretado como a possibilidade de existir uma tenso de sada, sem sinal algum externo aplicado na entrada do amplificador. Em outras palavras, a condio que devemos evitar em um amplificador que AOLP = - 1 o que anularia o denominador da Eq. 4.21, e tornaria o amplificador instvel. Podemos considerar essa condio em termos de amplitude e fase, resultando mdulo de AoLf3 = IAoLoBI = 1, fase de AOLf3
jAOLf3 = 180
0

(Eq. 4.22) (Eq. 4.23)

Entendamos bem o significado dessa condio. A fase de AOLf3 exatamente a defasagem total que a malha apresenta; no caso, observamos que eR na Fig. 4.11 tem polaridade oposta a e e, portanto, se a malha introduzir uma defasagem de 180 eR ter sua polaridade invertida e ficar exatamente em fase com e.. Se, alm disso, jAOLf31 = 1 o valor de leRI ser exatamente igual a le;1 e, se ei for retirado do circuito (colocado em curto) o amplificador "no notar" e o circuito ficar "oscilando" mantendo uma amplitude constante. Esse fato usado no projeto de osciladores e ser visto posteriormente. Entretanto se queremos um amplificador estvel, devemos impedir que, quando IAoLf31 = 1, a defasagem atinja 1800.
j
0 ,

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

49

Voltemos agora ao estudo dos amplificadores operacionais. Na Fig. 4.10 foram apresentadas as curvas de variao dos ganhos e da defasagem introduzida pelo amplificador, em funo da freqncia. Suponhamos que estejamos usando uma estrutura de realimentao puramente resistiva, o que significa dizer que essa estrutura no introduzir defasagem adicional alguma. Fixada a realimentao, podemos traar a linha que define o ganho malha fechada e verificar, na curva de fase, a defasagem introduzida no sinal, para a freqncia em que o ganho da malha IAoLPI igual a 1 (OdB). Ilustramos esse procedimento na Fig. 4.12.

I I
(d 8) O

NESTE

PONTO

IIAPI'I(OdB)

)ACL),

--.::r---,...

i-- --:-o T { J
, '_40

(GRAUS)

_'~d.~L_~. .: 10 r----L----+-~~~ +-~-20 -='C-'-__

-20
-3

,
I I

o r----r----+---~~_T+-~'-60 ,
r----r----~--,,~~~_;:
r----t-----l----+-+--;-t-I-i'
_80

- 4 O

-50

_100

, ,

(6 (li ) I

-60 r----+-----l-----1--t+-+-+-lh' _12


I

-70 r----r----r----+--wh-~~, -60 r----r----!----t--'--H-+--.-;: _90 r----+-----t-----i--'-+l----l:


-100 0,01 0,1

: _140

_160
I I

~le o

Figura 4.12 Verificao da fase para um dado ganho amplificador Me 1 530 da Motorola

malha fechada para o

Por exemplo, para o ganho (ACL) > a defasagem de 90 para a freqncia fI onde IAPI = 1 e, conseqentemente, podemos aumentar a realimentao sem atingir 180 de defasagem. A variao que se pode introduzir na defasagem, sem atingir 180, chamada de margem de fase e tambm ilustrada na Fig. 4.12. (~~)1' No caso do Me 1530, quando se chega a um ganho da malha de aproximadamente 15 dB, a defasagem igual a 180, conforme pode ser visto na Fig. 4.12.

50

Circuitos integrados

Portanto, para o amplificador MC 1530 a mxima realimentao que pode ser aplicada sem compensao alguma de freqncia de 15 dB<*I. A compensao de freqncia visa, utilizando componentes externos ao circuito integrado, a modelar as caractersticas a lao aberto do amplificador operacional, permitindo que uma quantidade maior de realimentao seja aplicada e ainda se permanea com uma margem de fase adequada (por exemplo, 45). Essa compensao de freqncia indicada pelo fabricante do amplificador operacional e dependendo de sua natureza, recebe nomes especiais como compensao de avano (lead compensationt, compensao de avano e retardo (lead-lag compensatior, etc. Geralmente, o fabricante indica terminais especficos no circuito para a conexo das estruturas de compensao e tambm apresenta dados no catlogo que permitem determinar os valores dos compo-, nentes a serem usados. Neste ponto esse assunto j comea a ficar bastante complexo para ser apresentado a estudantes de nvel mdio. Como exemplo concreto, apresentamos, na Fig. 4.13, o efeito da compensao de freqncia, para o amplificador MC 1 530 da Motorola. Observe que as curvas A (CR = CL = O) correspondem ao caso anteriormente apresentado, sem compensao alguma, e os casos B
GANHO O' - I O - 2 O A -3 O < dB) FASE

o
o

- 20 o _ 40 o - 60 o _ 80 _ 1000
Q

-40 -50 -60 -7

_120

- 80 -90 -100 0,001 0,01 0,1 1,0


FREQNCIA

---=o
_160 o

_140

GANHO

UNITARIO

_ 200 10 50
(MHZ)

Figura 4.13 Compensao de freqncia para o amplificador MC 1 530 da Motorola

(*'Convm lembrar, embora a explicao detalhada fuja ao escopo deste livro, que sempre utilizamos uma margem de fase mnima para evitar picos na resposta de freqncia, exatamente na freqncia f, onde o ganho da malha O dB. Geralmente especifica-se uma margem de fase mnima de 45 e que corresponde a ter menos que 3 dB de pico na resposta

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

51

e C com as compensaes indicadas. Por exemplo, no caso B, CR = 0,01 flF e CL = 4 pF e o ganho malha aberto comea a cair, em torno de 0,002 MHz (2 KHz), ao passo que sem compensao alguma (caso A), o ganho s comea a cair em 1 MHz.
4.2.1.6. Definies complementares usando um exemplo especifico de um amplificador operacional

Ainda h necessidade de estudarmos outras definies relativas aos amplificadores operacionais, mas achamos mais interessante apresentar essas definies utilizando um exemplo especfico. Escolhemos o amplificadoroperacional flA 709C da Fairchild, fabricado tambm por outras indstrias como a Motorola (MC 1709C), Philips (TRA 521), etc. Vamos analisar os dados principais apresentados pela Fairchild, no seu catlogo. Na Fig. 4.14 apresentamos o diagrama do circuito eltrico do amplificador operacional flA 709C e na Fig. 4.15 a numerao dos terminais para os invlucros TO-99 e dual-em-linha.
ENTRADA FREONClA COMPENSAO

05

R? IKD

RI5

30K!l

SAlDA

ENTRADA

(-)

SAiDA

COMPENSAO

FR EQNCIA ENTRADA ( ..)

_---\:.01 012 13
L- __ -'-- __

013

--'-'75:....0"-'---''-eV{tA

Figura 4.14

Diagrama de circuito eltrico do amplificador

709C da Fairchild

Na Tab. 4.2 so identificadas as funes dos terminais do flA 709C para os dois invlucros disponveis. De incio o leitor deve observar que existem 2 entradas, uma chamada de entrada inversora iinoertinq input) e a outra chamada de entrada no-inversora tnon-inoertinq input). Quando aplicamos um

52
V 1ST A S DE C I MA

Circuitos integrados

e
14 Z 2 I~ 12 I1 10 9

:I
4

5
6 7

(O)

(b)

Figura 4.15 Numerao dos terminais correspondentes aos invlucros TO-99 (a) e dual-em-linha (b) para o amplificador operacional pA 709C. Tabela 4.2 Indicao das funes dos terminais para o Funo entrada inversora entrada no-inversora alimentaonegativa (V-) alimentao positiva (V+) sada entrada de compensao de freqncia sada de compensao de freqncia terminais no-ligadas substrato TO-99 2 3 4 7 6 1, 8 5 pA 709C Dual 4 5 6 11 10 3, 12 ,9 1. 2. 8, 13. 14 7 (Ligar ao 6)

sinal na entrada inversora, o ganho negativo, isto , o sinal amplificado e invertido. Quando aplicamos um sinal na entrada no-inversora o ganho positivo, isto , o sinal amplificado sem inverso. A entrada inversora indicada por um sinal (-) e a entrada no-inversora por um sinal (+). Da, normalmente, representarmos um amplificador operacional como indica a Fig. 4.16. Agora conveniente explorarmos um pouco mais, e apresentar vrias definies importantes. a) Offset da tenso de entrada (input offset voltage) - a tenso que deve ser aplicada aos terminais da entrada para obter tenso de sada nula. O offset da tenso de entrada pode ser tambm definido

: [>--.. --Figura 4.16 Simbolo utilizado para um amplificador operacional

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

53

para o caso em que duas resistncias iguais so inseridas em srie com os terminais de entrada .... b) Offse: da corrente de entrada (input oJJset current) - a diferena entre as correntes nos dois terminais de entrada para produzir uma tenso de sada nula. c) Corrente mdia de polarizao de entrada (average input bias current) - o valor mdio das duas correntes de entrada. d) Resistncia de entrada iinput resistance) - a resistncia observada em qualquer dos terminais de entrada com o outro curto-circuitado. e) Resistncia de sada (outpul resistance) - a resistncia observada no terminal de sada com tenso de sada nula. Esse parrnetro definido somente para sinais de pequena amplitude e para freqncias acima de algumas centenas de hertz, para eliminar a influncia do drift e da realimentao trmica. f) Ganho de tenso para sinais grandes (large signal voltage gain) - a relao entre a mxima excurso da tenso de sada com carga, e a variao na tenso de entrada necessria para variar a tenso de sada de zero at a excurso mxima. g) Potncia consumida ipower consumption) - a potncia de corrente contnua necessria para operar o amplificador com a tenso de sada nula e nenhuma corrente de carga. A seguir, resumimos na Tab. 4.3 os valores correspondentes a essas definies 'para o amplificador JlA 709C da Fairchild
Tabela 4.3 . Especificaes correspondentes ao amplificador liA 709C. A menos que indicado em contrrio, as especificaes so dadas para Vs = 15 V e Tamb = 25C
Parmetro a) b) c) d) e) f) g) l nput ofJset uoltaqe l nput offset current l nput bia.~ current lnput resistance Output resistance Larqe-siqnal vottaqe qain Power consumptioll Condies Min. I'" Tpico 2,0 100 0,3 250 150 45000 80 Max. Unidade mV nA JlA I!

Rs5: IOkQ,9Y:S:

5:

ISY

7,5
500 1,5

50

n
200 mW

RL

2 kQ, V, = 10 V

15000

Finalmente, apresentamos na Fig. 4.17, os dados referentes compensao de freqncia para o p.A 709C. Evidentemente, no estamos sendo completos nesta apresentao, existindo outros parmetros importantes que poderiam ser analisados, como a "razo de rejeio da entrada de modo comum", a"excurso mxima da tenso de sada", a "resposta transitria" (resposta a um degrau), etc. Mas achamos que o leitor j assimilou os conhecimentos bsicos sobre amplificadores operacionais, sendo oportuno passar para o estudo detalhado do funcionamento CC de um amplificador operacional.

54

Circuitos integrados

'"
"
<t <t :r u

u, <t <t

R 2

,.
'<t

r ...

';,1
w
uJ

z
o

I-

o
:r

<t

'"
101
(b)

Figura 4.17 Curvas ilustrando a compensao de freqncia para o amplificador operacional p.A 709C da Fairchild. Use R z = 50Q para cargas indutivas

4.2.1.7. Estudo detalhado operacional

do funcionamento

CC de um amplificador

Apresentaremos, na prxima seo, um projeto simples usando um amplificador operacional. Antes, porm, consideremos algumas equaes importantes para esse projeto. Inicialmente, faamos um estudo detalhado da polarizao CC de um amplificador .operacional, utilizando as definies anteriormente apresentadas. Vamos estudar cada parmetro isoladamente e a seguir "construir" um modelo geral, utilizando esses parmetrosv". a) Offset da tenso de entrada (input offset voltage) = Vos' A Fig. 4.18 ilustra que Vos a tenso necessria para anular a tenso V. de sada, isto , quando Vin = Vos temos Vo = O V.
~ V

VOLlS

Figura 4.18

Ilustrao do offset

da tenso de entrada

b) Offset da corrente de entrada iinpu: offset current) = Ios' Por definio, a diferena entre as correntes nas duas entradas (inversora e no-inversora), necessria para produzir uma tenso de
1*)As noes a seguir foram extradas de "AN-204-High Performance lnteqrated Operotional Amplifiers - Leo Wisseman and John 1. Robertson" da Motorola, com a sua permisso

Projeto de circuitos utilizando

circuitos integrados'

55
= 11 - 12),

sada nula, chamada de offset da corrente de entrada (Ios e ilustrada na Fig, 4.19.
-:;:>-

v
o

oV

Figura 4.19

Definio do offset da corrente de entrada

c) Corrente mdia de polarizao da entrada (average input bias


current) = Ia'

Na Fig. 4.20, ilustramos as correntes 11 e 12 que penetram nas entradas inversora e no-inversora; por definio, chamamos 1B = (lI + 12)/2 de corrente mdia de polarizao da entrada.

Figura 4.20

Definio da corrente mdia de polarizao da entrada

Com base nesses valores, apresentamos, na Fig. 4.21, um modelo completo, para anlise da polarizao CC de um amplificador operacional.
,-------,

---

--------

---- ----

------MALHA

--- ------,
2

.,

,
I

,
I

Eo

1
Figura 4.21 Modelo completo para estudo do funcionamento CC de um amplificador operacional. Ri a resistncia de entrada, Ei e Eo as tenses CC de entrada e sada, e A = EoIE2 o ganho de tenso malha aberta

56

Circuitos integrados

So importantes, os seguintes comentrios, sobre os parrnetros utilizados na Fig. 4.21:


- R. e R2 so resistores externos colocados na entrada e RI' a resis-

tncia de realimentao; Vos a tenso que deve ser aplicada entre a entrada inversora e a no-inversora para produzir lima tenso de sada nula; da Vos estar colocada entre os 2 terminais. no modelo: - Ri a resistncia de entrada e, evidentemente, s pode estar entre esses mesmos terminais.
-

Seguindo a malha 1, temos


EjVos = (I

+ IB +
=-

IF)R.

IRj

+ [I -(IB +
R1-IRj

Ios)] R2 IFRF'

(Eq. 4.24)
(Eq. 4.25)

Seguindo a malha 2, temos


-Eo

Vos

[I-(IB

+ Ias}]
Eo

+
E

Alm disso,

E A 1= ---.!. = - = Rj Rj

_o .

(Eq. 4.26)

ARj

(Eq. 4.27)

(Eq. 4.28)

Chamando R.
Eu [ AR
I

RF R= 1

+K +

R2
ARK
I

1 KA -R1

K,

(Eq. 4.30)
]
I

+A +
[IB K

R2
AR

= - E; + Vos +
IB

Vos +K +

lBR.

Ias +K +

Ias,

(Eq.4.31)

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados"

57

multiplicando

ambos

os lados por K K R 2J AR
z

R I K R2 1 K s, [ R. A + 1 + AR + A + A +
I I

=-

KEi

KVos

Vos

+ KIBRI-R2 Eo [ 1 K

[IB 1

+ 10s + KIB + K10s].


Rz)J
=-

(Eq.4.32)

+ A Ri + KR, + K + 1 + Ri
+ KIBRI -Rz [iB(K

(RI

s,

KEi

+ Vos(K + 1) +
(Eq. 4.33) Vos(K

+ 1) + Ios(K + 1)].

E" {I

+ :

[~i + (RI

:z

+ R:) + ~ + 1
KI BRI - (K (K:

J}

=-

KEi

1)

+
E"

1) (I B + Ios) Rz K: =-KEi

(Eq. 4.34)

{I + ~ [~i + s, {RI
-KEi

I)} + lJ}
2

+ Vos(K + 1) +
(Eq.4.35) (Eq. 4.36)

+KIBRl-(K+

1)(lB+Ios)RC"

Eu

+ Vos(K + 1) + KIBRI -(K + 1)(1B + los)R2

1 + ~ {~iRI + R (K; I)J + K; I}. [


final que estvamos procurando.
L\l

A Eq. 4.36 a expresso


Chamando Vos(K

1)

+ KIBR1-(K
2

1)(18

+ Ios)R2 =
~2

(Eq. 4.37) (Eq. 4.38)

~{~iRI + R (K : 1)J + K: I} = [
e tendo em vista K

R'
=
I

R F, podemos

escrever

(Eq. 4.39)

Vamos, agora, analisar cuidadosamente essa equao. que, no caso do ganho A infinito e Ri infinito, temos RI' e, = -REi'
I

Lembramos

(Eq. 4.40)

Portanto os termos ~l e ~2 representam "erros" que surgem em funo do amplificador no ser ideal, isto , apresentar Ri finito, ganho finito, correntes e tenses de offset e correntes de polarizao de entrada.

58

Circuitos integrados

Observe que, se lB = 10s = Vos = O, teramos d[ = O. Por outro lado, se A fosse infinito, teramos d2 = Se o ganho no fosse infinito, mas apenas Ri fosse infinita, teramos

o.

d
2

= K [K +
A K

1J = K A 1 +
bsica importan(Eq. 4.37)

Podemos, com esse estudo, tirar uma equao tssima. Analisemos novamente d[: d[

= Vos(K + 1) + Kl
os termos

BR1 -

(K

1) (1B

+ 10s) R2. +
1)JosR2.

Separando d1

que contm

1B' temos 1)RzJ-(K (Eq.4.41)

= Vos(K + 1) + lB[RF-(K

Como, RF K=-, temos, K

R[

+ 1=

RF

+ RI,
R1

(Eq. 4.42) impossvel. No podemos anular nem o coeficiente multiplica 10s. resistores de modo que a seja anulada, isto , de (Eq. 4.43)

que s se anularia para RF = - R[ o que pois, mexendo nos valores de R[, RI" e R2, que multiplica Vos nem o coeficiente que Geralmente, o que se faz escolher os influncia da corrente de polarizao 1B forma que o que implica que

(Eq. 4.44) (Eq. 4.45) (Eq. 4.46) e, finalmente, (Eq. 4.47) 4.2.1.8. Exemplo de um projeto simples usando um amplificador operacional Suponhamos que temos disponvel o amplificador MC 1530 da Motorola e queremos usar esse amplificador as tenses e [' e2 e e3. operacional para somar

Projeto de circuitos utilizando

circuitos integrados

59

COMPENSAO DE RETARDO ~ 10

ENTRAOAS

r--.v->/'-~--..SAIOA
2

TERRA

Figura 4.22 Motorola

Identificao dos terminais do amplificador operacional Me 1 530 da

Antes de mais nada apresentamos na Fig. 4.22 a identificao dos terminais, para o aludido circuito integrado. A idia bsica para somar as tenses e I' e2 e e3 utilizar o circuito indicado na Fig. 4.23. Se o amplificador fosse ideal, teramos

No caso em questo, para efeito de polarizao, as 3 resistncias R I ' em paralelo, fazem o papel da resistncia R I' da Fig. 4.21; podemos, pois, falar de uma resistncia equivalente R' = RI/3 (paralelo das 3 resistncias). Analogamente, a resistncia R2' da Fig. 4.23, faz o papel da resistncia R2, da Fig. 4.2l. Conseqentemente, utilizando a condio de anular o efeito produzido pela corrente de polarizao, teremos
RI

R
2

=--

3 RF RF

R,

(Eq. 4.48)

3+

60

Circuitos integrados

Figura 4.23 Motorola

Amplificado.

amador usando o circuito integrado

Me

1 530 da

Suponhamos que queremos um ganho unitrio, isto , RFR Escolhendo RI = 10kQ, teramos RF = RI = lOkQ e, finalmente, Rz = lOkQ
10kQ x 10kQ + 3 x 10kQ

1.

= 40 = 2,5kQ,

100

Vejamos agora a seleo do capacitor C de compensao, analisando novamente a Fig. 4.13 que apresenta a curva de variao do ganho com a freqncia. Vemos que, usando CR = 0,01 /lF, o amplificador pode ser usado para somar as tenses e(, e2 e e3 at a banda passante da malha fechada, no caso, da ordem de 10 MHz. Podemos agora verificar a mxima excurso possvel para a tenso de sada, usando CR = 0,01 /lF. Para isso utilizamos a curva dada no catlogo do fabricante e reproduzida na Fig. 4.24. Usando a curva correspondente a CR = 0,01 /lF verificamos que, at uma freqncia da orderri de 10 kHz, pode-se ter uma excurso da ordem de 10 V de pico a pico; para uma freqncia de 500 kHz essa excurso cai para a faixa de 1 V de pico a pico, como pode ser verificado no grfico.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

61

o
<t

u o..

o
o..

>2

,01

0,1

1,0

10

100

500 (KHZ)

Figura 4.24

Mxima excurso de sada, em funo da freqncia,

para o Me 1 530

4.2.2. Amplificadores de udio


4.2.2.1. Generalidades

Na Seco4.1 (Polarizao de circuitos integrados), apresentamos o amplificador de udio TCA 160 da Philips. Nesta seo vamos apresentar um outro amplificador, para dar uma viso mais ampla sobre o assunto. Escolhemos um caso bastante prtico, correspondente a um kit comercialmente disponvel, para que os nossos leitores possam mont-lo e se familiarizar com as aplicaes desse circuito. Trata-se do kit M-IOl da IBRAPEI*), um amplificador de udio capaz de proporcionar uma potncia de sada de 1 W sobre a carga de 8 n, utilizando o circuito integrado TAA 300 da Philips. Propositalmente, esse mesmo amplificador (kit M-101) apresentado no Apndice A, ilustrando a fabricao de circuitos impressos. Dessa forma, caso o leitor queira comprar (ou possua) os componentes, poder fabricar o seu circuito impresso e montar o amplificador correspondente ao kit M-l 01. No Apndice B, reproduzimos, integralmente, todas as informaes existentes no folheto explicativo que acompanha
(*lPublicados com autorizao Eletrnicos e Eltricos S.A. da lBRAPE Indstria Brasileira de Produtos

62

Circuitos integrados

o kit M-101 da IBRAPE. Neste captulo, apenas apresentamos os detalhes importantes propriamente relacionados ao funcionamento do amplificador em questo.

4.2.2.2. Especificaes

do amplificador

constitudo

pelo kit M-I01

As seguintes especificaes so apresentadas pela IBRAPE, para o amplificador constitudo pelo kit M-101: tenso de alimentao potncia mxima sobre 8Q distoro potncia mxima distoro no incio do corte potncia no incio do corte sensibilidade impedncia de entrada relao sinal/rudo mnima consumo s/sinal (9 V) consumo a potncia mxima faixa de passagem
9 V; 1 W;

9,2/6;
1,5%; O,77W;

10mV;
12 kQ;

60dB;
7,5mA; 150 mA;

100Hz-20 kHz.

4.2.2.3. Diagrama do circuito do amplificador apresentado

O diagrama do circuito do amplificador constitudo pelo kit M-I0l na Fig. 4.25.


R3

9V

ce

~3

150n C6 12,5; F

12~!vF~ IO)lF 16V

C7 12S,/F 6 10V

r[>TAA 300
2
7 10 C2 680 9

25V

C3

R2-

25Kn

;OO~ IO'C"1
C4 47.F

ENTRADA

R4 47Kft

PF

+C3 So)lF 6,4V RI 47n

M
~en
kit M-l0l

Figura 4.25 da IBRAPE

Diagrama do circuito do amplificador

constitudo

pelo

O circuito amplificador (formado por onze transistores, cinco diodos e quatorze resistores) est contido no TAA 300, cujo invlucro e circuito interno so apresentados no Apndice C.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados'

63
ao kit M-101

4.2.2.4. Discusses

importantes

relacionadas

A seguir, apresentamos vrias observaes que ilustram o uso do TAA 300 nesse circuito. 1. Inicialmente verifique que terminal 3 do invlucro no est ligado a ponto algum do circuito integrado, no sendo portanto utilizado, como pode ser verificado na Fig. 4.25. 2. Observe que todos os componentes ativos so internos ao circuito integrado T AA 300; apenas componentes passivos foram adicionados externamente. 3. Verifique que a polarizao dada pela tenso de + 9 V aplicada entre o terminal 4 e a terra (terminais 10 e 1 ligados terra). 4. O capacitar Cs' de 125 flF, foi colocado entre o pino 4 e a terra, ou seja, em paralelo com a fonte de alimentao. Essa uma indicao existente no catlogo do fabricante do circuito integrado, e visa a evitar instabilidades que poderiam surgir, por causa da alta resistncia interna das baterias, principalmente no final da vida das mesmas. 5. Por razes anlogas pense e responda: por que foi colocado o capacitar C7 entre o terminal 6 e a terra? 6. O capacitor C2 (680 pF) limita a freqncia de corte superior do amplificador. Realmente, observando-se o circuito de entrada, vemos um circuito como o da Fig. 4,26,

TAA 300

C 680 2

PF

R; = 15 K!l
!T'PICO)

Figura 4.26

Circuito para o clculo da freqncia de quebra superior do amplificador

Para todos os efeitos o capacitar C1 se comporta para altas freqncias como um curto e, portanto, o circuito se simplifica para o da Fig. 4.27. Conseqentemente a freqncia de quebra ser dada por . 1 1 lc = 2rrRC = 2rr x 11,4 x 104 x 680 x 10 12 = 20541 Hz, que est coerente com O especificado para o amplificador. 7. Tambm para evitar instabilidade de alta-freqncia o capacitor C:!' de 47 nF, foi colocado, como sugerido no manual do circuito

64

Circuitos integrados

47

KO

680 PF 15 KO

~ Tl680 ....." -LJ


PF

Figura 4.27 superior

Circuito simplificado

para a determinao de freqncia de quebra

integrado, entre o terminal :'l e a terra (previne in-tabilid.u!c ti,) transistor Darlington de sada do I AA 3()()) ~. Observe que o potencirnetro R2 ajusta a corrente total do circuito, que no deve ultrapassar 8 mA, conforme foi indicado anteriormente. 9. Observe, na Fig. 4.25 o resistor RI (47 Q) em srie com o capacitor C3 (50 flF). Esses elementos formam uma estrutura de realimentao estando conectdos entre os terminais 8 e 1 do TAA 300.
4.2.2.5. E\IJ('ri1~l1cia adicional suqerida com () T AA 300

Sugerimos antes de iniciar a montagem do amplificador correspondente ao kit M-101, uma srie de testes, utilizando o circuito da Fig. 4.28, que o circuito de teste existente no catlogo da Philips para o circuito integrado TAA 300.
+vB =
125J..lF ~+ 8n 5 ~+7 0,64J..lF 10
ENTRADA 9V

I tot

TAA 300

2 9 8
+

2511F

47 fi 47 nF

Figura 4.28

ajustado para

Circuito de teste (test set up) /'0' = 8 mA. com V B = 9 V

do

300. O potencimetro

PI

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

65

Aps montar o circuito indicado na Fig. 4.28, o leitor deve proceder da seguinte maneira: a) Ajuste o potencimetro
PI

at que o miliampermetro M 1 indique

1101 = 8 mA, com VB = + 9 V. No mexa mais nesse potencirnetro. b) Varie a tenso VB entre o O e 10 V, e mea, para cada valor de VB, o valor de 1101 ( claro que, conforme o item 2, quando VB = + 9 V, 1tol = 8 mA). Trace o grfico de variao de I,,,, (mA) em funo de VII (V).

Compare com a Fig. 4.29 fornecida pela Philips.


15 Ito t (mA )

10

Figura 4.29 Corrente total (I, .,) em funo da tenso de alimentao V8

o
O

VB(V)

10

c) Aplique um gerador na entrada, de modo que, a cada momento, possa ser lido o valor da tenso de entrada em volts eficazes (RMS). Varie o valor do resistor de [eedback usando os valores seguintes: 1 n 5 o, 10 n, 50 n, 100 n 500 n e I 000 n Para cada valor de ~,',.IllCI,:<I o valor de Vo sobre o alto-falante (de 8 n) e calcule a potncia de sada P o: r,
=

V -t
2

(Vo

em volts eficazes).

(Eq. 4.49)

Para uma potncia de sada de 1W devemos ter


P
o

=_0

V2
8

=lW

e portanto
V =
Q

J8-;t = 2,82 V (RMS).


Po=_o

Para uma potncia de sada de 0,5 W devemos ter

V2
8

=05W
'

66 e, portanto,
Vo

Circuitos integrados

= 8 x 0,5 = 2 V (RMS). Procedimen to para P o = 1 W:


- coloque Vi = 0,1 mV (RMS); varie RI at que Vo = 2,82 V (RMS), correspondente a uma potncia de sada de 1 W. Anote o valor de RI; - coloque Vi = 0,5 mV (RMS); varie novamente RI at que Vo = 2,82 V (RMS). Anote esse. valor de R I; - continue a proceder dessa forma usando V = 1 mV (RMS), 5 mV (RMS), 10 mV (RMS), 50 mV (RMS), 100 mV (RMS), 500 mV (RMS), 1 000 m V (RMS) anotando os valores correspondentes de R I para Vo = 2,82 V; - trace, em uma escala logartmica, a curva de variao de Vi em funo de RI para Vo = 2,82 V, isto , para Po = 1 W. Procedimento para P; = 0,5 W: - repita todo o procedimento anterior fazendo Vo = 2 V (RMS), isto , fixando Po = 0,5 W e trace um grfico anlogo ao anterior, utilizando os mesmos eixos de referncia. Compare com o grfico da Fig. 4,30 apresentado no ,catlogo do fabricante.
1000

VI(RMS )
(mV) 100

Po=IW .

10

~.5W

Figura 4.30 Variao da tenso de entrada com o resistor de realimentao para potncias de sada de 0,5We 1 W

O,I
I 10

4.2.3. Amplificadores de alta-freqncia Consultando um catlogo de circuitos integrados verificamos que j existem disponveis vrios tipos de circuitos idealizados para aplicaes em alta-freqncia, como amplificadores de freqncia inter-

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

67

mediria, amplificadores de rdio-freqncia, amplificadores de vdeo, etc. Evidentemente, no seria possvel abranger, neste livro, todas as aplicaes dos amplificadores de alta-freqncia existentes no mercado, de forma que vamos apresentar um exemplo tpico desse grupo de amplificadores de alta-freqncia, escolhendo para isso o amplificador MC 1 SSO da Motorola, que um amplificador para rdio-freqncia e para freqncia intermediria.

4.2.3.1. Dados gerais sobre um amplificador

de 'RF/IF

MC 1 SSO<*)

Na Fig. 4.31, observa-se dentro da linha tracejada, o diagrama do circuito eltrico interno do amplificador de RF/IF MC 1 S50, o qual apresentado em invlucros metlico e flat-pack, ambos com 10 terminais. O circuito MC 1550 um circuito integrado monoltico que utiliza trs transistores, Ql' Qz e Q3' O sinal de entrada aplicado entre os terminais 1 e 4, estando o terminal 4 acoplado terra, sob o ponto de vista de CA. A resistncia CC da fonte entre os terminais 1 e 4 deve ser pequena, menor que 100 Q. Os terminais 2 e 3 devem ser interligados e conectados terra. Os terminais 8 e 10 devem ser conectados terra por meio de capacitares. A tenso de alimentao positiva aplicada ao terminal 9 e, para freqncias mais altas, esse terminal deve ser tambm acoplado terra. O sinal de sada obtido entre os terminais 6 e 9, e o substrato, o qual conectado ao terminal 7, deve ser aterrado. A tenso de AGC(**) aplicada ao terminal 5. Uma excepcional atuao do controle automtico de ganho obtida derivando o sinal por meio do transistor Q3' mantendo fixo o ponto de operao do transistor Ql' o que faz com que a impedncia de entrada fique constante em toda a faixa de controle automtico de ganho. Na Tab. 4.4 so apresentadas as especificaes mximas para o MC 1550. Com relao a essas especificaes podemos acrescentar os seguintes comentrios: - na especificao da tenso diferencial de entrada, esta foi indicada entre os terminais 1 e 4, com uma resistncia da fonte (source) Rs = 500Q; - na especificao da dissipao de potncia, observamos que so dados os valores a 25C, e indicadas as "degradaes" acima de 25C. Por exemplo, para o invlucro metlico, a potncia mxima
<*)Dados extrados
(U)

do catlogo

da Motorola

Semiconductor de ganho

Products

Inc.

"The

Microeiectronics Data Book" - 2.a edio


Automatic qain control Controle automtico

68
Tabela 4.4

Circuitos integrados
Especificaes mximas para o circuito integrado

Me 1 550

Especificaes mximas a 25C Descrio Tenso de alimentao Tenso de alimentao de AGe Tenso diferencial de entrada (entre terminais e 4; Rs = 5(00) Dissipao de potncia Invlucro metlico Degradao acima de 25C Invlucro plano Degradao acima de 25C Faixa de temperatura de 'operao Faixa de temperatura de armazenamento (storage) Smbolo
Valor.

Unidade V(CC) V (CC) V (RMS)


mW mWj"C mW mWj"C

v+

v.wc
Vin

20 20 15 680 4,6 500


3,3

PD

TA T".

-55a + 125 C C -65a+150

que o dispositivo
P(a 40C

pode

dissipar

a 40C metlico)

dada
= 680-69

por
= 611 mW.

para o invlucro

= 680 - (40 - 25) x 4,6 =

4.2.3.2. Exemplo
A. Amplificadores

de aplicaes do amplificador
sintonizados usando o Me

RFjI F Me
1550<*)

1550

A nossa primeira aplicao a de um amplificador de faixa estreita, sintonizado em 60 MHz. A Fig. 4.31 mostra o diagrama do circuito do aludido amplificador, estando todos os componentes internos ao Me 1 550 dentro da linha tracejada, Observe que os pinos 8, 9 e 10 esto acoplados terra, por meio do capacitor e = 1 000 pF, e que o terminal 4 tambm est acoplado terra por meio de um capacitor de mesmo valor. Alm disso, os terminais 2, 3 e 7 esto ligados terra, e o terminal 7 est conectado ao substrato do circuito integrado. Antes de analisar o ganho do amplificador faamos uma reviso importante. Na Fig. 4.32 ilustramos um amplificador onde a fonte tem resistncia interna Rs, fornecendo ao amplificador a potncia P i e mantendo a tenso Vi na sua entrada. Por sua vez o amplificador fornece a potncia P 2 carga RL mantendo uma tenso V2 sobre a mesma. Sabemos que, se a fonte tem uma impedncia interna Rs' a mxima potncia que esta pode fornecer ocorre quando a impedncia de entrada do amplificador igual resistncia interna da fonte, como indicado na Fig. 4.33.
f*)F,trado de "An Integrated Circuit R r - 11- \mplifier - ~rcnt Wcllin-, l'uhljc-;II;;11l \lutorola SC-/lI'L"'1!Juct\lr .lucts, Inc, <I" I'"

A;\-c-lT-_

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

69

p
VAGC
5 ------,9
I I
I

R 10

3k R4

18k

'L2 I
I I
I

R3
8 3k

-,
I

ri

I
I

I
I I I

'--------<t-~--I _

_i~_,u, -

-':T~Oj
L 2

L,
CI

O,231'H 40 pF

=
e

0.26jJH 200pF 27pF 50/'1.

c"
C 1000pF 4 R : L

C =33pF" 2 C
[BY PASS):

Figura 4.31 Amplificador sintonizado em 60 MHz usando o MC 1 550 da Motorola. Dentro da linha tracejada est representado o circuito interno do MC 1 550

__

F_~_:_T_E

:~:. -~ __

:~; ~ __

CA_:_~_A

Figura 4.32 Amplificador recebendo a potncia potncia P 2 carga FONTE


RS

P I da fonte, e fornecendo a

Figura 4.33 Mxima potncia que pode ser fornecida pela fonte com resistncia interna Rs

.--'\JIV'---te-

==-P_

Quando isso ocorre, a potncia fornecida pela fonte dada por


PD

f2'R,

= ( R; ~

V.)2

( V. Rj . R,

Y 2R) . Rs

V.2
=

4Rs'

70

Circuitos integrados

que a mxima potncia que a fonte pode fornecer, e que chamada de potncia disponvel da fonte (P D)' Define-se como ganho de potncia de um transdutor (Transducer power qain - GT) a relao entre a potncia fornecida pelo amplificador carga (P L)' e a potncia disponvel da fonte, isto , GT =
L P D

(Eq. 4.51)

Na Fig. 4.34, so apresentadas as caractersticas de controle automtico de ganho (AGC) do amplificador, isto , a variao do ganho de potncia GT com a freqncia, para vrios valores da tenso de
AGe.
40 30

./
10

.. v AGC=O,ov

t-..

<,
Figura 4.34 Caractersticas de controle automtico de ganho, para o amplificador sintonizado da Fig. 4.31

=>
V

o
_10 -20 -30 59

<;
=40V AGC '

I-60

--t

=6,0 V GC

61
FREQNCIA (MHZ)

Notamos, na Fig. 4.34, que a freqncia central (fo = 60 MHz) e a banda passante so praticamente constantes, para uma atuao do A GC de mais de 40 dB. Na Fig. 4.35, o ganho de potncia (GT) apresentado em funo da temperatura, verificando-se que a "pior variao" de -2 dB, em toda a faixa de temperaturas. Observe que, para o traado dessa curva, manteve-se io = 60 MHz, e uma banda passante de 0,6 MHz.
40

_I
f-

30

11I,5dB

'"
20

Ir

11
fo = BW

60 MHZ

~b
Figura 4.35 Variao do ganho de potncia G T com a temperatura para to = 60 MHz e banda passante igual a 0,6 MHz

=OJ

MHZ

10

o
-60-40-20

20 40 60 80 100 120 140


(Oe)

TEMPERATURA

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

71

Deve-se notar que conseguimos, nesse exemplo, um ganho muito elevado, mas isso s foi possvel porque a banda passante foi bastante reduzida, isto , porque projetamos um amplificador de banda passante muito estreita. Quando se deseja um ganho elevado, com uma banda passante mais larga, necessrio usar vrios estgios com o circuito integrado MC 1 550. Por exemplo, a Fig. 4.36 mostra um amplificador com 2 estgios usando o MC 1 550, conduzindo a um ganho GT de 30 dB, uma freqncia 10 de 45 MHz e uma banda passante de 15 MHz, e a Fig. 4.37 mostra a atuao do AGe para esse amplificador.
~ ~~L~.r-e-__ ~~~~-----~--'~~~----<~C ~~!:.L....r-_--<VAGC
L

50

fi

C~3

50n. C4 C5 CARGA

FONTE

c =
CI::

2000 pF C2:: C4= C!5:= 9-35pF

c3::
LI :=

2-BpF 0,42 uH

L2:=

O,68.u.H

L :: I uH R :: 510-0

L3=O,5!5u.H

Figura 4.36 Amplificador sintonizado de faixa larga B = 15 MHz) usando o Me 1 550 da Motorola

(10 = 45 MHz. Gr = 30 dB,

40

I
I
30 VAGc=OV71

L.---

t'\...

." 20
<t

'"

r0
~
, !
,

VAGC=3,Oj 10

<lU

o z
l-

~I
;

a o.

lI; )v-.. N-.


VA~C= 3,5V

~
=4,OV

~
o
Z

:I: ~ 10

I I

1 vAGC
I

20
10

:
20
30 40 50 FREQNCIA ( MHZ

I
70
)

100

Figura ~.37 Atuao do AGe para o amplificador da Fig. 4.36

72 B. Amplificador de vdeo usando


O

Circuitos integrados

M C 1 550

Um outro exemplo de aplicao do MC 1550 no projeto de um amplificador de vdeo; na Fig. 4.38 apresentamos o diagrama do circuito eltrico de um amplificador de vdeo, utilizando o MC 1550 .

6V

RL
IO~_-----. 6

CLT-,8~
ENTRADA DE ViDEO

~~

__ ~~

Figura 4.38 Amplificador de vdeo usando o Me 1 550

~'
C

SUBSTRATO

Na Fig. 4.39, apresentamos a curva de variao do ganho de tenso (Av) com a freqncia, para um circuito como o da Fig. 4.38, projetado para as seguintes condies:
Vcc = 6 V; Av(O) = 28 dB; banda passante> 20 MHz; resistncia da fonte = 50 Q; RL = 625 Q; CL<5pF.

4.2.4. Amplificadores

lineares

complexos

para aplicaes

especiais

Atualmente, j existem no campo linear, muitos circuitos complexos para aplicaes industriais, realizando funes mltiplas, que em nenhuma das sees anteriores podemos enquadrar. Por esse motivo, abrimos esta seo, onde queremos exemplificar o uso de um amplificador complexo, escolhendo, para tal, a rea de televiso, por ser talvez de interesse mais imediato para muitos leitores. Como exemplo, apresentaremos o uso do TBA 750A da Philips, que um amplificador limitador, com detetor de FM, controle de volume em CC e pr-amplificador de audiofreqncia, previsto para operao em 4,5 MHz, 5,5 MHz ou 10,7 MHz. O amplificador limitador TBA 750A um amplificador diferencial com 4 estgios, que apresenta excelente supresso de rudo e inter-

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados'


30

73

25 20

"",
I

ai

,~ :z

15

'" '"

I I
I

I- 10

\
-~
-I-

z
<l

~ 5

'"

o
-5
0,1

,o
FREQ~NCIA

10 (MHZI

100

"-~

1000

Figura 4.39 Ganho de tenso em funo da freqncia para o amplificador de vdeo da Fig. 4.38

ferncia. O detetor do tipo balanceado operando como oscilador de quadratura e o controle de volume em CC tem excelentes caractersticas de controle, com uma faixa de controle de mais que 80 dB. O pr-amplificador de audiofreqncia pode alimentar um estgio de sada triodo-pentodo ou um estgio transistorizado de sada, classe A, tipo push-pull. O leitor deve atentar para a complexidade de tal circuito, que externamente, se apresenta em um simples invlucro dual-em-linha com 16 terminais. A seguir apresentamos, na Fig. 4.40, a aplicao do TBA 750A no canal de som do televisor TV SS-I projetado pela IBRA PE(*). O sinal de FI de som obtido diretamente no detetor de vdeo e levado ao TBA 750A por meio de um filtro de dupla sintonia. O TBA 750A desempenha as funes de amplificador de FI de som, limitador, demodulador de FM e pr-amplificador de udio. O detetor de quadratura (interno ao circuito integrado) dispensa a bobina discriminadora, empregando em seu lugar uma bobina mais simples. O controle de volume por CC, possvel com o TBA 750A, dispensa o uso de fio blindado, dando flexibilidade maior para a montagem. O estgio de sada de udio constitudo por um transistor de alta tenso (Tl)' operando em classe A, o qual, alimentado pelo + VB geral, (127 V) fornece 2 W de sada. A alimentao do circuito integrado retirada do emissor de T, (verifique que o pino 2 do TBA 750A est ligado ao + 12 V entre as resistncias R 118 e R 119' no circuito do emissor de Tl)'
"'Projeto da lBRAPE - Indstria Brasileira de Produtos Eletrnicos e Eltricos .S.A. Todas as informaes aqui apresentadas so reproduzidas com permisso da IBRAPE

74

Circuitos integrados

DETETOR

DE

VDEO

Figura 4.40 Canal de som do televisor TV 55-1 (lBRAPE). Todas as funes dessa etapa so desempenhadas por um circuito integrado e um transistor de potncia que opera com tenso elevada (+ \iB)

4.2.5. Osciladores
4.2.5.1. Generalidades sobre osciladores

Recordemos aqui que, para que um circuito oscile, determinadas condies devem ser satisfeitas. Antes de apresentarmos alguns exemplos de projetos de osciladores, usando circuitos integrados, faamos alguns comentrios a respeito dessas condies. Na Fig. 4.11 apresentamos um amplificador com uma realimentao tal que, uma frao 13 do sinal de sada retoma entrada, e a esta se adiciona, antes propriamente de entrar no amplificador, e verificamos que o ganho malha fechada ACL dado por
ACL

= -e

<
i

+ AOL 13

AOL

Verificamos tambm que AOLf3 = -1 a condio de oscilao do circuito, que corresponde a ter simultaneamente
oLf3l jAOLf3

IA

== 1

180

Sabemos que tanto AOL como 13 so funes da freqncia J e, portanto, se quisermos descobrir a freqncia de oscilao, devemos impor a condio (Eq. 4.52) Essa equao, que uma funo de J, permite determinar a freqncia de oscilao, io. Aps determinar a freqncia io' podemos calcular f3Uo) e determinar o valor limite para o ganho, abaixo do qual o circuito no oscilar:
I(AoL)limitel ~ 1 113(/0)1

(Eq. 4.53)

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

75

Dessa forma o que temos que fazer para obter um oscilador ter um amplificador bsico e introduzir uma realimentao adequada, de forma que o sinal realimentado esteja em fase com o sinal na entrada, permitindo que a oscilao seja mantida (se o ganho for acima do valor limite). Em outras palavras, se a tenso e; que retoma entrada igual, em valor absoluto, e est em fase com a tenso e., podemos retirar a tenso ej, que o circuito ficar oscilando na freqncia dada pela Eq. 4.52. Conseqentemente, se o amplificador bsico tem um ganho negativo (Ao L < O) a estrutura de realimentao deve introduzir uma outra inverso para que o sinal retome entrada em fase com a mesma. Caso o ganho AOL seja positivo, isto , o amplificador no introduza defasagem alguma, a estrutura de realimentao tambm no deve introduzir defasagem adicional alguma. . Baseado nas razes expostas conclumos que em princpio, os osciladores podem ser realizados na prtica utilizando amplificadores integrados existentes, associados a estruturas de realimentao adequadas, conforme passamos a exemplificar. 4.2.5.2. Exemplos de osciladores usando circuitos integrados

A. Oscilador usando o amplificador RFIIF Me 1550(*) Observando na Fig. 4.31 o circuito eltrico interno do circuito integrado MC 1 550, verificaremos que se um sinal for aplicado ao terminal 1 e a sada for o terminal 6 haver uma inverso de 180 no sinal, pois Ql far uma inverso (emissor comum) e Q3 no far inverso alguma (base comum). Portanto para utilizar o MC 1 550 necessrio usar uma estrutura de realimentao que produza uma defasagem de 1800 no sinal realimentado. A Fig. 4.41 ilustra o uso de um simples transformador como estrutura de realimentao, introduzindo a defasagem necessria. Observando a Fig. 4.41 podemos escrever eo = -/1e;. (Eq. 4.54) Por outro lado e e P = --'-= _,_o (Eq. 4.55)
0

eo

-/lei

A condio

de oscilao

IAoLPI = 1 IAoLPI = 1;

conduz

ento

IAoLII(IAoLI =

~)I

1;

(Eq. 4.56) (Eq. 4.57)

11.

t*lDados extrados de "An Integrated Circuit RF - IF Amplifier - Brent Welling AN-247", publicao da Motorola

76

Circuitos integrados

:-- ----

- - ---I

ti

RI

Figura 4.41 Amplificador MC 1 550 com um transformador na malha de realimentao. Verifique que o CI produz uma inverso no sinal, o qual novamente invertido pelo transformador

Isto , considerando o transformador realimentador como ideal, com uma relao de espiras igual a 11, o ganho malha aberta deve ter no mnimo um ganho igual relao de espiras do transformador. Como um exemplo especfico apresentamos, na Fig. 4.42, um oscilador cuja freqncia pode estar entre 5 MHz e 10 MHz.

t
10

I
Figura 4.42 Oscilador para a faixa de 5 a 10 MHz usando o MC 1 550 da Motorola

T {21 ESPIRAS - 7 ESPIRAS Fio n." 36 em ncleo T-12-2


Lp = 1,3 JlH Ls = 0,1 JlH C = O,lJlf
C;: =

170-790pF

Na Fig. 4.43 apresentamos variao da freqncia de oscilao em funo do capacitor C2 o qual um capacitor varivel. Na Fig. 4.44 apresentamos a tenso de sada (pico a pico) em funo da resistncia de carga para vrias tenses de alimentao. Finalmente, na Fig. 4.45, apresentada a curva de variao da freqncia com a temperatura de operao, para tenses de alimentao de 6 e 12 V.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

77

15

13

I :r
N

1\

::E

\
1\
i

s
U

'uJ

:;:,
W

o
o::

"- 5

r-,

Figura 4.43 Curva de variao de r. com C2

II r10 100 1000 10000

c2
o ,.
o 1i:

(PICOFARAOS)

Vee '2

:1

'2,OV

-c
<.J

: .... '"
..J

10

o
> c
..:6

.~
uJ C

'"

1~ /'
lI<

V ,r/vI--'

v V /' V~e ~ /

1----1-B,OV

.1

vee ;I,o,ov.

L-J- I--

I I 1 I
f cc ",
6,OV-

I,
I ,

o ..:

Figura 4.44 Tenso de saida em funo ~ da resistncia de carga para vrias tenses ~ de alimentao

o
21< 31< 41< 5K 6k 7K 81<

I
9K 101<

RESISTNCIA

DE CARGA

(R

-Dhms)

0,

r--.r-,
..:
o z <w o;:,
0,

~ ~~
V

o
~ 4, 9

...
Figura 4.45 Freqncia de operao em funo da temperatura para Vcc = + 6 V e Vcc = + 12 V

cc'

'2,~

;---

,8

I
2~ 50 (OC) 7' '00

TEMPERATURA

78
B. Oscilador usando amplificadores operacionais

Circuitos integrados

No exemplo anterior demos um exemplo detalhado do uso do MC 1550 no projeto de um oscilador de 5 a 10 MHz. claro que, usando as mesmas consideraes gerais sobre osciladores, estes podem ser projetados usando amplificadores operacionais. Para ilustrar esse fato apresentamos na Fig. 4.46 um oscilador em ponte de Wien, cuja freqncia pode variar de 0,01 HZ a 10 kHz usando o amplificador operacional MCH 2 870 da Motorola. :~~;JENC~:r--"-:A-:JU=$=TE:-:O-=E---+---------'
ANPLlTUDE 100

+----f"h

.L,
fo:O: 1,0 KHZ

C, 0,0016 F

R,
100K

GE49

Zo

c.
0,0016 ~f

.,
'o

IOOK

Figura 4.46 Oscilador em ponte de Wien usando o MCH 2870 da Motorola. Nesse circuito = 1/2rrR C e na figura ilustrado o caso para = 1,0 kHz

oo

'o

o MCH um amplificador operacional de potncia que pode fornecer uma corrente de carga de, no mximo, 300 mA ee (valor tpico), sendo ideal para a alimentao de cargas de baixa impedncia. Esse amplificador apresentado em duas verses: uma abrangendo a faixa de temperaturas de uso militar, de -55C a + 125C (MCH 2 870 MR) e a outra abrangendo a faixa de temperaturas de uso comercial, de O C a 75C (MCH 2870 CR). Observe que a freqncia de oscilao definida por R; e C;

(io 2n~oeJ' sendo indicados,


=

no desenho, os valores correspon-

dentes a

ia

= 1,0 kHz.

4.2.6. Fontes reguladas de alimentao


4.2.6.1. Generalidades

A necessidade de fontes reguladas to grande, para muitos projetos de eletrnica, que resolvemos abordar, com detalhes, esse assunto, dada a excepcional aplicao de circuitos integrados, no projeto de fontes reguladas.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados.

79

A Fig. 4.47 ilustra o que normalmente ocorre em uma fonte de alimentao, onde uma tenso no-regulada alimenta o regulador propriamente dito, fornecendo a tenso regulada de sada.
TENSO NAO-REGULADA REGULADOR DE TENSo SADA REGULADA

Figura 4.47

Diagrama em blocos de uma fonte de tenso regulada

Neste ponto, para evitar confuso, vamos definir exatamente o que chamamos de regulao. Dois tipos de regulao so definidos para uma fonte de alimentao, a regulao de linha e a regulao de carga. A regulao de linha, s vezes impropriamente chamada de estabilizao, traduz a capacidade da fonte de alimentao em manter a tenso de sada constante, independentemente das flutuaes da tenso de entrada. Nesse caso, a carga deve ser mantida constante e, quando nada mencionado, subentende-se a carga mxima. Geralmente traa-se a curva da variao percentual da tenso de sada (11 VoI Vo) %, em funo da variao da tenso de entrada. A regulao de carga traduz a capacidade da fonte de alimentao em manter a tenso de sada constante, quando a carga varia. Ao se especificar a regulao de carga, a tenso de alimentao deve ser constante, geralmente adotando-se o seu valor nominal. Em geral traa-se a curva de variao percentual da tenso de sada (11 VolVo) %, em funo da corrente de carga da fonte. 4.2.6.2. Exemplo especfico de um regulador de tenso integrado Podemos agora passar ao estudo dos reguladores de tenso integrados, e, para servir como exemplo, utilizaremos os dados referentes ao regulador de tenso (voltage regulator) TBA 281 da Philips, equivalente ao regulador 723C fabricado por outras indstrias':". Vamos aproveitar o exemplo, novamente, para familiarizar o leitor com os dados normalmente apresentados em um catlogo. Para isso, apresentamos, com permisso da IBRAPE, os dados principais que constam do catlogo da Philips, acerca do TBA 281, dividindo-o em sees, que sero analisadas posteriormente.
SEO I. Regulador de tenso TBA 2RI

O TBA 281 um regulador de tenso monoltico, que consiste de um amplificador de referncia, compensado quanto temperatura,
1*'Fairchild
J1

723C, Motorola MC 1723C, etc.

80

Circuitos integrados

um amplificador de erro, um transistor srie de passagem, e um circuito limitador de corrente. Transistores srie externos de passagem podem ser adicionados, se a corrente de carga exceder o limite mximo. O circuito pode ser usado com limitao ajustvel de corrente com desligamento remoto, apresentando baixa corrente quiescente de operao, baixa variao de suas caracteristicas em relao temperatura (baixo drift) e alta rejeio da ondulao. O TBA 281 pode ser usado com tenses de alimentao positivas ou negativas, como um regulador srie, paralelo ou flutuante, na faixa de temperaturas ambientes de a 70 -c O TBA 281 equivalente ao 723C.
lI.

SEO

Dados sucintos de referncia tpico tpico tpico 9,5 a 2,0 a 3,0 a


0,1 % Vo'

Regulao de linha Vi = 12 V a 40 V, Regulao de carga I L = 1 mA a 50 mA, Dreno de corrente quiescente Vi = 30 V, 10 = O. Faixa de variao da tenso de entrada Faixa de variao da tenso de sada Diferena entre as tenses de entrada e de sada
SEO Tenses I lI. Limitaes

0,03 % Vo' 2,3 mA.


40 V. 37 V. 38 V.

Tenso de entrada Tenso de alimentao Diferena entre as tenses de entrada e sada


Correntes

V7 max 4OV. V8 max 40 V. V7_6 max 40 V.

Corrente de sada Corrente de sada do amplificador de referncia


Dissipado de potencio:"

-16 max 150 mA. - 1. max 15 mA.


PIO tal max Tam O a
TSlg

sou mW.

Temperaturas

Temperatura ambiente de operao Temperatura de armazenamento (storage)


SEO

-65 a

+ 70C. + 150C.

1 V. Diagrama do circuito e invlucro (Figs. 4.48 e 4.49) 1. 2. 3. 4. 5. Sensor de corrente Entrada inversora Entrada no-inversora Tenso de referncia (VreC) Tenso de alimentao negativa (- VN)
deve ser diminuda linearmerue,

1ndicao dos terminais

<*lpara operao acima de 25 "C essa especificao na razo de 6,8 m w/oe

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

81

6. 7. 8. 9. 10.

Tenso de sada (Vo) Tenso de coletor (Vc) Tenso de alimentao positiva Cotnpensao de freqncia Limite de corrente

(Vp)

DI

Figura 4.48

Diagrama do circuito eltrico do TBA 281

DIMENSES Figura 4.49 Figura 4.50 Regulador bsico de baixa tenso (V. = 2 a 7 V). Performance tpica: tenso regulada de saida = 5 V; regulao de linha (liVi = 3 V) = 0,5 mV; regulao de carga (lil L = 50 mA) = 1,5 mV. Para drift mnimo de temperatura use R3 = R,Rz/(R, + Rz); R3 pode ser eliminado, para se ter um gasto menor com componentes (colocar um curto)

EM

MM

Invlucro do TBA 281


Vi

SAlDA RI REGULADA

82

Circuitos integrados

SEO V. Caractersticas para: Tamb = 25C; Vi = Vp = Vc = 12 V; -VN OV; Vo = 5V; IL = 5mA; Rsc = O; C1 = l00pF; Cref = O, a menos que seja especificado. (Para o circuito de teste veja as Figs. 4.50, 4.51 e 4.52)
::;=

Regulao

de linha

para Vi

12 a Vi

15 V

para Vi = 12 a Vi = 40 V para

V = 12 a

Vi

= 15 V e

Tamb

O a 70C

tpico 0,01 % Vo < 0,1% Vo itpico 0,1 % Vo < 0,5% Vo < 0,3% Vo tpico 0,03 % Vo < 0,2% Vo < 0,6% Vo upico 74 dB. 'tpico 86 dB.

Requlao

de carga

para I L = 1 a I L = 50 mA para 1L = 1 a I L = 50 mA e
Rejeio
Cref Cref Tamb

a 70C

da ondulao

(para f

50 HZ a 10 kHz)

= O

= 5 flF
mdio de temperatura
Tamb

Coeficiente

da tenso de sada

(para
Limite Rsc

= O a + 70C)

tpico 0,003 %rC < 0,015%rc. tpico 65 mA. tpico 7,15 V 6,8 a 7,5 V.

da corrente de curto-circuito

= 10 Q; Vo =

Tenso de referncia (V4) Tenso de rudo na sada (para B


Cref Cref

= 100 HZ a 10kHz)
Vn tpico 20 flV. Vn tpico 2,5 flV.

O a longo prazo

= 5 flF

Estabilidade

Acima de 1 000 h Dreno quiescente de corrente (I p) I L = O; Vi = 30 V


Faixa da tenso de entrada (VJ Faixa da tenso de sada (Vo) Diferena entre as tenses de entrada e sada
(ViVo)

0,1%. tpico < 9,5 a 2,0 a 2,3 mA 4,0 mA. 40 V. 37 V.

3,0 a 38 V.
VI. Frmulas para tenses intermedirias

SEO

de sada

Sada de

+ 2 V a 7 V (Fig. 4.50)

Vo

= Vref R
1

R2

R
2

Projeto de ctrcuitos utilizando circuitos integrados

83

Sada de + 7 V a + 37 V (Fig. 4.51) SE O V lI. Valores dos resistores para tenses de sada padronizadas (Em kQ).
Tenso de sada positiva N." da figura 4.50 4.50 4.50 4.50 4.51 4.51 4.51 4.51 Sada fixa ( 5%) Sada ajustvel ( 10%)

Rl

R2 3,01 3,65 4,99 6,04 7,15 7,15 7,15 7,15

Rl
1,8 1,5 0,75 0,5 0,75 2,0 3,3 5,6

Rv 0,5 0,5 0,5 0,5 1,0 1,0 1,0 1,0

R2 1,2 1,5 2,2 2,7 2,7 3,0 3,0 2,0

+ 3,0 + 3,6 + 5,0 + 6,0 + 9,0 + 12 + 15 + 28

4,12 3,57 2,15 1,15 1,87 4,87 7,87 21,0

Vamos agora analisar, cuidadosamente, todas as caractersticas apresentadas nas sees anteriores.
Seo 1. Nessa seo, o leitor verifica que apresentada uma breve descrio do TBA 281, focalizando fundamentalmente as possibilidades de aplicao desse circuito integrado. Seo lI. Nessa seo, o fabricante,apresenta alguns dados sucintos, e, sendo o TBA 281 um regulador de tenso, os dados referentes s caractersticas de regulao so resumidos nessa seo. Seo l l l, So apresentados, nessa seo, os valores limites mximos permissveis, para o TBA 281. Seo IV. Nas figuras existentes nessa seo so apresentados o diagrama do circuito interno e o invlucro do TBA 281, sendo indicada a finalidade de cada terminal. Seo V. Nessa seo, so apresentadas as diversas caractersticas importantes do TBA 281, devendo-se ressaltar o seguinte:

a) geralmente apresentado um valor tpico para cada parmetro e, logo abaixo deste valor, indicada a faixa onde normalmente esse valor se situa. Por exemplo, a regulao de linha, para Vi = 12 V a Vi = 15 V, tem um valor tpico de 0,01 % Vo e garante-se que esse valor sempre inferior a 0,1 % Vo' (OBS.: 0,01 % Vo significa 0,01 % de Vo); b) observe que Rsc uma resistncia colocada em srie com os terminais 6 e 10, que esto interligados; c) note que, no coeficiente de temperatura, se l o valor tpico 0,003 %rc. Isso significa que, para cada C de variao da temperatura, a tenso de sada varia 0,003 % do seu valor;

84
d) verifique que o termo termo regulao. estabilidade nada

Circuitos integrados

tem a ver com o

-Fig. 4.50. Sugesto para um regulador bsico de baixa-tenso (2 a 7 V), utilizando o TBA 28l. Fig. 4.51. Sugesto para um regulador bsico de alta-tenso (7 a 37 V), utilizando o TBA 281. -- Fig. 4.52. Nessa figura, apresentado um divisor resistivo, para ajustar a tenso de sada. Para isso os resistores RI/R2 existentes nas Figs. 4.50 e 4.51 devem ser substitudos por esse divisor.

7 ~L-rlhr-l~ SAlDA REGULADA RI Figura 4.51 Regulador bsico de alta-tenso (VO = 7 a 37 V). Performance tpica: tenso regulada de sada = 15 V; regulao de linha (l'. V; = 3 V) = 1.5 mV; regulao de carga (M" = 50 mA) = 4,5 mV. Para drift mnimo de temperatura use

R2

R3

= R.R,/(R. + R,): R3 pode ser eliminado, para se ter um gasto menor, com componentes

Figura 4.52 Ajustagem da tenso de salda. Para ter uma tenso de sada ajustvel. substitua R,/R,. nas Figs. 4.50 e 4.~)1. pelo divisar ilustrado ao lado

Seo V I. Para cada um dos circuitos das Figs. 4.50 e 4.51, so apresentadas, nessa seo, frmulas que permitem calcular valores intermedirios da tenso de sada, em funo da tenso de referncia Vref e dos resistores R, e R2 Seo VII. Nessa seo, apresentada uma tabela contendo os valores dos resistores para fornecer tenses padronizadas de sada. -Fig. 4.53. Trata-se, simplesmente, da curva de regulao de carga (~I,) V,,), em funo de 10 (mA), para diferentes temperaturas (OC, 25C e 75C), para Vj = 12 V, Vo = 5 VeRse = O. Em suma, para as condies especificadas, varia-se a corrente de carga 10 (variando RJ e verifica-se a variao percentual da tenso de sada em torno de Vo = 5 V.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados


0,1

85

REGULAO CARGA (%Vo)

DE

h-..

-...:::: f......:

i'...:::: t- r-......

-"-

r-=-:;~
<,

Tamb,Ooc_ 25OC-

Figura 4.53 Curva de' regulao de carga para Vi = 12 V, V. = 5 V, Rsc = O, para diferentes temperaturas, em funo de '.
-0,1

i'- :--.... r-..

I--...L

70OC ..

-0,20

50

Io (mA)

100

-- Fig. 4.54. Idem para Rsc = 10 Q. claro que a incluso de Rsc piora a regulao, ocasionando maiores variaes em Vo' Fig. 4.55. Regulao de carga (% Vo)' em funo de Vi - Vo' para Vo = 5 V, I L = 1 a 50 mA, T,,,nb = 25C e Rsc = O. Essa curva merece uma explicao mais cuidadosa. Vi a tenso entre o pino 8 (ou 7 pois esses esto interligados nos circuitos de aplicao) e a terra, e Vo a tenso de sada (pino 6 quando Rsc = O). claro ento que Vi - Vo a tenso existente entre o coletor e o emissor do transistor TR 16

REGULAO CARGA

DE

(% Vol

~
Figura 4.54 Curva de regulao de carga para Vi = 12 V, V. = 5 V, R se = 10 Q, para diferentes temperaturas, em funo de '.

~ ~

f\. ~

r-, r-, ~amb'OoC


1\.

i-,

I-- I--

<, \

-o, I

25C

70C

.;.0,2

o
25

Io(mAI.

50

86

Circuitos integrados

REGULAO
CARGA

OE
0,2

(% Vo)
0,1

Curva de regulao de carga para Tamb= 25 e e R se = O, em funo de Vi - V.

Figura 4.55

V. = 5 V,

'L = 1 a 50 mA,

-0,2

-0,3

'I~ ~Im;-Il.!~t
H
LL-'-'-'--'--L-'--'--'--'-L.L'--'--'-'--''-'--'-'
10
20

. -r .IF
.1

1__ -

- ~

(interno ao circuito integrado) e, portanto, natural que essa tenso seja especificada para o circuito integrado. De fato, nas especificaes limites, o leitor pode verificar que V7-6 foi limitado ao valor mximo de 40 V (Vi - Vo = V7 - V6 = max 40 V). Essa curva d uma idia da influncia, sobre a regulao de carga, da utilizao de valores diferentes para a tenso no regulada Vi' Quanto maior essa tenso no regulada Vi' pior a regulao de carga. Por exemplo, para Vi - Vo = 28 V, como Vo = 5 V (condio imposta no traado da curva), Vi = 28 + Vo = 28 + 5 = 33 V; portanto se usarmos Vi = 33 V para gerar a tenso regulada Vo = 5 V, com Rsc = O, Tamb = 25C, e I L entre 1 e 50 mA, podemos usar esse grfico e obter, para Vi - Vo = 28 V, a regulao de - 0,08 % Vo' Fig. 4.56. Temos nessa figura a curva da regulao de linha. Para o traado dessa curva, foi usado Vo = 5 V, I L = 1 mA, Tamb = 25C
0,4

LINHA

0,3

(% Vo)
0,2

Figura 4.56 Curvas de regulao de linha para Vi=3V, V.=5V, '1.=1 mA, Tamb=25C e Rse = O, em funo de Vi - V :

0,1

-0,1

-0,2 o~J....L.JWIO--'--L..L..L2::':O,.-'-L.L.L3:'-::O-'-'-L-'-:'40 '-tVo (V)

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

87

Rsc = O e A Vi = 3 V. Ou seja, L'1 Vi = 3 V a variao imposta sobre a tenso 11,; por exemplo, para V;- Vu = 20 V, como Vo = 5 V, V; = 25 V; faz-se Vi variar entre 25 V e 28 V (AVi = 3 V) e mede-se a variao de Vo (em torno de 5 V) mantendo I L' Tamb e Rsc como foram indicados. Procedendo assim, sobre toda a faixa de Vi' obtm-se o grfico da Fig. 4.56. -- Fig. 4.57. Nessa curva, apresentada a mxima corrente de carga permissvel, em funo de Vi - Vo' para Tamb = 25C e Tamb = 70C; observamos que a corrente limite de 150 mA est claramente indicada nessa figura.
150

100

\
\

Figura 4.57 Corrente mxima de carga permissvel, em funo de Vi - V.' para TJ = 150C. K J A = 150 C/W. sem dissipador de calor
50

i\ 1\ \ \
To~b:250(

1\ \

.... r-,
70C

........

r-

Fig. 4.58. I p a chamada corrente quiescente, e caracterizada pela condio da corrente de carga ser nula No caso, foi traada a curva de 1/" em funo de Vi - Vo' para IL = O e Vo = Vref, para 3 temperaturas diferentes T = O C, 25C e 70C.
3 Ip
(mA )
I

'/ 1/ J I

/v

/~

!. ...- ~

Tomb;OOC 2SOC 700

I--

Figura 4.58 Corrente quiescente de operao (stand-by current), para V. = V,c( e I L = O. em funo de Vi' para diferentes temperaturas

I
I

25

Vi (V)

50

88

Circuitos integrados

-- Fig. 4.59. Nessa figura, so apresentadas as caractersticas de limitao de corrente, tendo sido traado o grfico de variao de V com a corrente de carga, para V = 12 VeRse = 10 n. Considere por exemplo a temperatura de 25C; quando a corrente de carga atinge o valor de 65 mA a tenso de sada cai bruscamente a zero, protegendo a fonte regulada. Fig. 4.60. Nessa figura apresentada a variao da resistncia de sada (em ohm), em funo da freqncia, para Vi = 12 V, Vo = 5 V,
Q

,
5

1"\
Tomb' o=c

--f-Figura 4.59 Caracteristicas de limitao de corrente para Vi = 12 VeR se = 10 n para diferentes temperaturas

25C
70o~

100

Ro (fi )

I
1I

,,11
CL'"

cl

:lllF

'-..

,-

..

~T :
j ~ : ~

-:
10I

11

10-

II
Ia' 10
4

102

10

t(

Hll

10'

Figura 4.60 Resistncia de saida da fonte, em funo da freqncia, para C L = O e C I. = 1 !.F (capacitores de carga) mantendo-se Vi = 12 V, V. = 5 V, I L = 50 mA, Tamb = 25C e Rsc = O

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

89

I L = 50 mA, Tamb = 25C e Rsc = O, para dois valores de capacitncia de carga (CL = O e CL = 1,uF). OBSERVAO

No catlogo da Philips, trs outras curvas so fornecidas, a saber, a tenso sensora, que faz o controle da limitao de corrente, e as respostas transitrias para variaes bruscas na corrente de carga, e na tenso de entrada V.
4.2.6.3. Exemplos de [onies reguladas usando o TBA 281

Podemos agora estudar algumas fontes reguladas, construdas usando o TBA 281. Os circuitos das Figs. 4.50 e 4.51 so dois exemplos iniciais. O primeiro para Vo entre 2 e 7 V, e o segundo para uma tenso de sada entre 7 e 37 V. Observemos que, em ambos os exemplos, foi especificada a regulao de carga do seguinte modo: a) fonte de 2 a 7 V - regulao de carga (M L = 50 mA) = 1,5 mV (para v;, = 5 V); b) fonte de 7 a 37 V - regulao de carga (ML = 50 mA) = 4,5 mV (para Vo = 15 V), ou seja, a carga foi variada apenas at 50 mA garantindo, em ambos os casos, as regulaes especificadas. Agora observemos os limites mximos especificados na Seco Ill. Vemos que a corrente mxima especificada de 11Llmax = 150 mA (corrente no terminal 6). Portanto claro que sem destruir o circuito integrado, podemos passar dos 50 mA especificados para as duas partes. Apenas a regulao de carga poder ser diferente. Observando tambm a curva da Fig. 4.57 vemos que podemos chegar at ao valor mximo de 150 mA. (Somente medindo que podemos saber a regulao esperada). Finalmente, devemos pensar na possibilidade de utilizar o mesmo TBA 281 para fontes que ultrapassem a corrente limite de 150 mA. Para isso, entretanto, temos que usar transistores externos, como foi sugerido na Seco I, que deve ser lida novamente pelo leitor. As Figs. 4.61 e 4.62 ilustram como proceder com as fontes de baixa e alta-tenso, com as correntes maiores que 150 mA.
4.2.6.4. Projeto de fontes reguladas usando amplificadores operacionais

No captulo sobre amplificadores operacionais, estes foram utilizados para a realizao de amplificadores, mas esses mesmos amplificadores operacionais podem ser usados, vantajosamente, no projeto de reguladores de tenso de alta preciso. A alta impedncia de entrada,

90
ENTRADA -REGULADA ENTRADA -REGULADA NAONAO-

Circuitos integrados

R2 RI SADA REGULADA

SADA REGULADA

3
R3

IL=--II-L1i

R4 R5

TBA281

> 150mA Figura 4.61 Fonte de baixa tenso (2 V a 7 V), usando o TBA 281, para correntes maiores que 150 mA, usando um transistor externo

>150mA

Figura 4.62 Fonte de alta-tenso (7 a 37 V), usando o TBA 281, para correntes maiores que 150 mA. usando um transistor externo

baixas tenses de ojJset e baixo drift trmico do uma excelente performance aos reguladores de tenso usando amplificadores operacionais. Na Fig. 4.63, apresentamos um circuito tpico de aplicao de um amplificador operacional em um circuito regulador de tenso, usando o amplificador flA 709C da Fairchild j por ns estudado. Nesse circuito observamos o seguinte: a) o amplificador flA 709C serve como isolador entre o diodo de referncia e a sada do circuito; b) um seguidor de emissor (Q 1)' na sada, permite fornecer uma corrente maior que a possvel usando somente o .uA 709C; c) o transistor Qz limita a corrente que alimenta a base de Q l' quando a corrente de sada excede 100 mA, protegendo o circuito; o limite de corrente pode ser ajustado variando o resistor R4 (veja que a corrente de sada, ao passar em R4' produz uma queda de tenso entre a base e o emissor de Q2); d) a tenso de sada variada entre 10 e 25 V por meio do potencimetro R; e) se a fonte serve apenas para fornecer uma corrente de carga menor que 10 mA, podemos usar o flA 709C sozinho, sem necessidade de Ql' Q2' R3 e R4 Como complemento, apresentamos, na Fig. 4.64, uma fonte usando componentes existentes no mercado nacional, sugerindo ao leitor mont-Ia e determinar todas as caractersticas importantes. Os seguintes comentrios podem ser feitos a respeito do circuito da Fig. 4.64. a) O resistor R2 permite ajustar, para 5 mA, a corrente de polarizao do diodo Zener de referncia.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

91

RI 12KO 3KQ R2 IN4611 DI QI

-=

5nF CI
R5 2KQ 2,5K!l. RG I,GKORG

60 R4

SADA 10 - 25V 100mA

-=
.30V

(o)

RI G,GV

IOKO

R9 5,IKD R6 IOKO

F0300 02

3'

R7 6,2KO

IN4611 01

60
R4 -e-

-=-

R5 10KQ. SAIOA 2-5V IOOmA

lb)

Figura 4.63 Uso do amplificador lIA 709C em uma fonte regulada de tenso. (a) Tenso de sada maior que a tenso Zener de referncia; (b) Tenso de sada menor que a tenso Zener de referncia. Cortesia da Fairchild Semiconductor

92
+12V

Circuitos integrados

ucn
zx79 B (5,6V)

I'

TI- BCI09

R8 IKn

3,3Kn

4,5Kn

Figura 4,64 Fonte regulada de alta preciso usando o TAA 521 (10 V, 40 mA)

b) O resistor Rs permite ajustar a tenso de sada entre 9 e 11 V. c) O transistor TI permite usar a fonte at 40 mA de sada, o que muito alm dos 10 mA permissveis na sada do TAA 521. d) O resistor R4 usado para limitar a corrente do amplificador operacional em 10 mA. e) O resistor R6 e o transistor Tz agem na limitao da corrente total da fonte em 60 mA, protegendo o circuito.

4.3. APLICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS PROJETO DE CIRCUITOS DIGITAIS

NO

No Capo 3 apresentamos uma recordao sobre circuitos digitais, visando apresentao das diversas famlias de circuitos integrados digitais. Naquela oportunidade, apresentamos o funcionamento dos gates ANO, OR, NANO e NOR e chamamos a ateno que, em uma famlia, existem, alm desses qates, outros circuitos, como registradores de deslocamento (shift-registers), [lip-jlops, etc. Portanto quando de uma aplicao, devemos, imediatamente, estudar o problema em questo e verificar se existe um circuito integrado simples, que apresente o comportamento digital desejado; quando isso ocorre temos apenas que usar o circuito integrado escolhido, observando as indicaes dadas pelos fabricantes. Entretanto na grande maioria dos casos, verifica-se que vrios circuitos integrados digitais devem ser interligados para que o conjunto apresente um determinado comportamento digital. Essa sntese de

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

93

circuitos digitais faz parte dos currculos de engenharia, de modo que vamos apresentar apenas alguns exemplos simples de aplicao. 4.3.1. Uso de circuitos digitais bsicos isolados Esse o caso em que o comportamento digital que se deseja pode ser realizado por um circuito integrado simples. Ento, claro que basta utilizar o circuito integrado em questo, atentando para as especificaes existentes no catlogo. Portanto julgamos conveniente, neste momento, analisar as caractersticas dos circuitos digitais mais comuns, procurando analisar as especificaes apresentadas pelos fabricantes, em seus catlogos.
4.3.1.1. "Gates" em geral

Como exemplo, vamos considerar o caso do circuito FJH 111, o qual est indicado na Tab. 3.1, onde ilustrado o fato do mesmo ser fabricado por vrias indstrias. /iamos analisar cuidadosamente o catlogo da Philips, procurando, cada momento, introduzir as definies e explanaes necessrias. O circuito FJH 111 um circuito duplo, com 2 gates NAND de 4 entradas; trata-se de um circuito monoltico da famlia TTL, idealizado para o projeto de equipamentos digitais de velocidade mdia e apresentado em um invlucro dual-em-linha com 14 terminais. Nas Figs. 4.65 e 4.66 so apresentados o invlucro e o diagrama lgico do FJH 111.

FJ H "I

FJH III Figura 4.66 Diagrama lgico do circuito integrado FJH 111. Como se v trata-se de um circuito duplo com 2 gates NAND com 4 entradas

Figura 4.65 Invlucro do FJH 111 (dual-em-linha com 14 terminais)

Dados sucintos de referncia do FJ H 111

a) Tenso de alimentao b) Faixa de temperatura ambiente de operao c) Fan-out CC de sada (em toda a faixa de temperatura)

Vp = 5,0
Tamb

a+

5 % V.
70 "C,

94 d) Tempo mdio de retardo na propagao (fan-ollt = 10; T"mh = 25C) e) Margem de rudo CC (em toda a faixa de temperatura) f) Consumo mdio de potncia (por gate) (temperatura ambiente = 25C)

Circuitos integrados

{.pd

(tpico) 13 ns.
L

{>

tpico 1,0 V.

0,4 V

r.:

(tpico) lOmW.

Vamos, de imediato, analisar esses dados sucintos de referncia apresentados no catlogo. Os dados a, b e f so auto-explicativos, sendo apenas necessrio mencionar que o consumo mdio de potncia (f) indicado para apenas um dos gates que compem o FJH 111. Vamos agora analisar o que entendemos por [an-in e [an-out de um {Iate. O nmero de entradas de um gate chamado de fan-in e para o caso do FJH 111 cada um dos gates tem umfan-in igual a 4 (4 entradas). O [an-out precisa ser estudado com mais cuidado. Geralmente em um sistema digital vrios qates so interligados e geralmente a sada de um gate alimenta (comanda) vrios outros gates. Ora, evidente que, por exemplo, quando a sada de um gate est no estado alto (1) ele fornece corrente para todas as entradas dos gates que est comandando. A Fig. 4.67 ilustra esse fato.

Figura 4.67 O gate A quando est no estado 1 fornece corrente para as entradas de todos os gates conectados sua sada

claro ento que deve haver um nmero mximo de gates que podem ser alimentados pelo gate em questo, sem ultrapassar as suas limitaes de corrente. Ao nmero mximo de gates que podem ser alimentados por um dado gate da mesma famlia chamamos de [an-out do qate. Como as correntes de diferentes famlias so geralmente diferentes, quando as famlias so misturadas deve-se verificar a correspondncia entre as correntes para saber o [an-out do gate considerado.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

95

No caso do FJH I I I especificado um [an-out (de O a 70C) maior ou igual a 10. Para o tempo mdio de retardo na propagao (item d) especificado o valor tpico tpd = 13 ns. Observe que especificada a carga imposta ao qate (fan-out = 10) e a temperatura de operao. Finalmente, no item (e) especificada a margem de rudo do gate que explicaremos a seguir. Na Fig. 4.68 apresentamos a resposta de um gate inversor quando o mesmo comandado de modo a ir sua sada do estado 1 para o estado O.

A Vo

{v =
o
I I

I (DIGITAL)

\... I (DIGITAL)

Vi =0 (DIGITAL)

I
I

1...-

VMA----------;
I
I

: Vo

{Vo I N
-:-

'

o (DIGITAL)
I (DIGITAL)

(DIGITAL)

I I

\J

Vi'
-

Vo

J- -

- ~I -

Vi
(ESTADO I)

tv;
Figura 4.68

(ESTADO

O)

;"VBN-:\Vi

Margem de rudo de um

gate

Vemos que quando a entrada Vi est no estado digital O (e portanto Vo est no estado digital 1) o ponto de operao o ponto A. Se comeamos a aumentar Vi' ao ser atingido o ponto de transido M o qate ser comandado para o ponto B. Da chamarmos a diferena de potencial entre os pontos M e A (V MA) de margem de rudo para o nirei O na entrada. Da mesma forma se Vi est no estado digital 1 (e portanto V2 est no estado digital O) o ponto de operao o ponto B, e se a tenso Vi for diminuda a partir de B, ao ser atingido o ponto de transio N o gate mudar de estado. Da a diferena de tenso entre os pontos B e N (VBN) ser chamada de margem de rudo para O nvel 1 na entrada. No catlogo especificado, para a margem de rudo CC, na faixa de temperatura de O a + 70C, o valor tpico de 1,0 V, sendo indicado que essa margem sempre maior que 0,4 V (no especificado se

96

Circuitos integrados

para a entrada O ou e, portanto, supe-se que seja a condio mais desfavorvel). Tambm so fornecidos no catlogo da Philips os valores mximos limites para o FJH 111, conforme segue: Tenso de alimentao Tenso de sada Tenso de entrada Pico negativo da tenso de entrada Temperatura de armazenamento Temperatura ambiente de operao

V;,
VQ VG VGM
Tstg Tamb

max = 7,0 V. max = 5,5 V. O a 5,5 V. max = 2 V. 55 a + 150C. O a + 70C.

Um fato importante a observar que apresentamos, at agora, apenas um resumo das caractersticas do FJH 111. Na realidade, o catlogo da Philips ainda apresenta uma tabela com as caractersticas estticas e dinmicas de tenses, correntes e tempos de retardo na propagao, de modo que o leitor que necessitar maiores detalhes deve consult-lo. Finalizando apresentamos alguns comentrios que facilitaro ao leitor uma consulta ao catlogo da Philips. a) Observe a Fig. 4.66 e verifique que a Philips chama os terminais de entrada pela letra G e os termos de sada pela letra Q. Portanto VG significa tenso de um terminal de entrada e VQ tenso do terminal de sada. b) Muitas vezes um determinado valor de corrente indicado como negativo. Lembre da conveno adotada em quadripolos de que a corrente convencional que sai de um terminal negativa. A Fig. 4.69 ilustra esse fato.
Q=
I (DIGITAL)

a=

(DIGITAL)

..

~---Ia >0

Figura 4.69 Conveno de corrente. Quando VQ = 1 (digital), a corrente de carga estar saindo do gate e ser negativa I < O; quando V Q = O (digital), a corrente de carga estar entrando no gate e ser' positiva

c) As abreviaturas max e min significam valores mximo e mnimo das grandezas representadas. d) A abreviatura se significa short-cireuit (curto-circuito), portanto, I Qscmin significa corrente mnima de sada, com a sada em curto-circuito. e) O terminal P (terminal 14) onde a tenso de alimentao aplicada; portanto a tenso Vp a tenso de alimentao e I p a corrente que fornecida pela fonte de alimentao. O leitor deve, neste ponto, fazer uma pausa, obter um catlogo de circuitos integrados digitais e verificar todos os gates existentes em cada uma das famlias de circuitos integrados digitais, observando

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

97

a existncia de gates AND, OR, NAND, NO R, inversores, expansares, ete.


4.3.1.2. "Flip-flops" Osflip-flops so multivibradores biestveis com os quais os leitores j devem estar familiarizados sob o ponto de vista eletrnico. Na Fig. 4.70 apresentamos umflip-flop onde existem duas entradas S (set = aciona) e R ireset = rearma) e duas sadas, uma Q e outra Q', onde Q' o complemento de Q.
Figura 4.70 Flip-flop RS onde R (reser) comando para rearmar o flip-flop (fazer Q = O) e S (ser) o comando para armar o flip-flop (fazer Q = t ). Lembre que Q e Q' so variveis complementares, isto , se R = 0, R' = 1 e vice-versa

R5

J,----C
FLIPFLOP RS

QQ'

Vamos chamar Qt o estado da sada Q em um dado instante, e Q,+ 1 o estado dessa mesma sada aps a aplicao de valores determinados de S e R. Na Tab. 4.5 apresentamos o comportamento do flip-flop RS.
Tabela 4.5 Funcionamento do flip-flop RS; as colunas da esquerda indicam as combinaes possiveis de R e S. a, o valor de a antes da aplicao dos valores de R e S, colocados esquerda, e a,. I o valor de Q aps a aplicao desses valores Referncia 1 2 3 4 5 6 7 8

R O O O O
1 1

S O O
1 1

Q,

c..
O
1 1 1

O
1

O
1

O O
1 1

O
1

O O
No No permitida permitida

1
1

O
1

Observe, por exemplo, as linhas 1 e 2, que so ambas linhas para R = S = O. Na linha 1, Q, = O e Q, + 1 = O, isto , o valor de Q era O e continuou em O. Na linha 2, Q, = 1 e Qt+ 1 = 1, isto , o valor de Q era 1 e continuou 1. Portanto sempre que se aplica R = S = O, o flip110p RS no muda o seu estado. Nas linhas 3 e 4 temos o caso R = O e S = 1 e vemos que nos dois casos Q,+ 1 = 1, isto , sempre que R = O e S = 1 o flip-flop apresenta Q = 1.

98

Circuitos integrados

As linhas 5 e 6 correspondem a R = 1 e S = O, isto , a condio de rearme do flip-flop. Vemos que nos dois casos Qt+ 1 = O, isto , a sada Q assume sempre valor O quando R = 1 e S = O. Finalmente, as linhas 7 e 8 correspondem a duas situaes no permitidas para os flip-flops RS. Em outras palavras no se deve permitir que R e S sejam iguais a 1 simultaneamente em um flip-flop RS. claro que essa tabela pode ser simplificada tomando o aspecto da Tab. 4.6, a qual a usualmente apresentada para os flip-flops RS.
Tabela 4.6 Tabela de funcionamento do flip-flop RS

s
o o

Q No muda

No muda

o
o
No permitida

Conforme o leitor verifica, os flip-flops so elementos cujo comportamento depende no s dos estados atuais da entrada, como tambm de estados anteriores, servindo como elemento de memria. Existem outros tipos de [lip-flops alm do flip-flop RS. Um outro tipo extremamente utilizado o chamado flip-j1op J K cujo comportamento apresentado na Tab. 4.7.
Tabela 4.7 J O O O O 1 1 1 1 Tabela de funcionamento K O O 1 1 O O 1 I Q, O 1 O 1 O 1
(I

do flip-flop JK

c...
O 1 O O 1 1 1 O

o leitor verifica que para o flip-flop J K possvel entrar simultaneamente com J e K ambos iguais a 1, e nesse caso sempre Qt+ 1 = Q; (verifique esse fato nas duas ltimas linhas da tabela). Existem outros tipos de flip-flops mas no achamos necessrio estudar todos eles para a finalidade do nosso livro. conveniente apenas saber da existncia de flip-flops tipo D, tipo T, etc. Na realidade a tecnologia integrada to flexvel que os fabricantes apresentam flip-flops com um desempenho bastante completo. Por exemplo, um flip-flop J K pode apresentar terminais R e S para

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

99

"armar" e "rearrnar" o flip-flop, um terminal C para relgio (dock), etc, permitindo uma grande versatilidade no uso do dispositivo. Na Fig. 4.71 so apresentadas as duas partes que compem o Me 2023, um flip-flop J K duplo da Motorola, com indicao dos seus terminais.
SET
14

~
J 2 3 f--12

6 5 7

a f--13

C LOCK K

CLOCK K

1I

SET
Figura 4.71 Identificao dos terminais dos dois 2 023 da Motorola

flip-f1ops que constituem o

Me

Esses flip-flops realizam a funo J K e so comandados apenas durante a descida do pulso do relgio. So circuitos integrados encapsulados em invlucros dos tipos plano e dual-em-linha, cermico e plstico, projetados para uma freqncia de operao da ordem de 70 MHz (tpico). Muitas vezes no dispomos diretamente de um flip-flop, mas dispomos dos gates bsicos (NAND, NOR, etc.). possvel construir um circuito flip-flop utilizando esses gates. Na Fig. 4.72 apresentamos a interligao de dois gates tipo NAND, constituindo um flip-flop RS.
R'.------------1

1---,------

s'.---------+---------------~
Figura 4.72 Flip-flop RS formado por gates NAND

Observe que na entrada esto representados R' e S' (complementos de R e S). Deixamos a cargo do leitor atribuir valores especficos a R e S e verificar que o circuito funciona como um flip-flop RS. 4.3.2. Uso de circuitos digitais bsicos associados Na seo anterior, nosso principal objetivo foi apresentar alguns circuitos integrados bsicos para o projeto de sistemas digitais. Em geral, bem poucos casos correspondem utilizao de um circuito integrado simples. Vamos apresentar agora dois exemplos especficos,

100

Circuitos integrados

um de uma funo digital puramente combinacional, e outro de um circuito digital seqencial.


4.3.2.1. Exemplo de projeto de um circuito digital combinacional

Suponhamos que A, B e C so trs variveis digitais e que queremos uma funo 1de A, B e C tal que a Tab. 4.8 seja satisfeita.
Tabela 4.8 Exemplo de um projeto; queremos um circuito digital de forma que a funo f de A, B e C satisfaa a tabela acima Referncia O 1 2 A O O O O 1 1 1 1 B O O 1 1 O O 1 1 C O 1 O 1 O 1 O 1

f
O 1 O 1 O 1 1 O

3
4

5
6 7

Podemos facilmente verificar que essa funo no corresponde a nenhum dos qates simples anteriormente apresentados. Um modo simples para obtermos a funo desejada, observar cada uma das linhas em que a funo igual a 1 e escrever uma expresso que force isso a ocorrer. Por exemplo, para a linha 1, A = O, B = O e C = 1 e queremos 1 1. Portanto se 1tiver uma parcela = 11 = A' B' C para A = O, B = O e C = 1 teremos A' = 1, B' = 1 e C = 1 e, portanto,

11=
B = 1,

1 . 1 . 1 = 1.

Vejamos a prxima linha em que 1= 1. Isso ocorre para A = O, C = 1 (linha 3). Portanto se fizermos 13 = A' B C, 13 ser igual a 1, para A = O, B = 1, C = 1, pois nesse caso A' = 1, B = 1, C = 1. Analogamente, devemos ter 15 = A B' C para a linha cinco e 16 = A B C para a linha 6. claro ento que a funo 1desejada deve ser dada por

A primeira idia evidentemente compor logo a funo 1 usando circuitos integrados. Se assim procedssemos teramos o circuito esquematizado na Fig. 4.73. Nesse caso so precisos 3 inversores, 4 gates AND com 3 entradas e 1 qate OR com 4 entradas. Observe o uso dos inversores para a obteno de A', B' e C.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados


A S

101

H>
INV.

INV.

AI

A's'e

D D
LJ
l) LJ

A'SC

L=~
ir=~

WAS'C

--

WASC'

Figura 4.73

Obteno da funo f do exemplo, sem simplificao alguma

Vamos agora simplificar a funo Voltemos expresso anterior de f.

antes de realiz-Ia com gates. ABe' A

f =
De acordo

A'B'C

+ A'BC + AB'C +
x

com o teorema

3, da Tab. A.4, do Apndice

= x.

Portanto podemos repetir o 1.0 termo da soma, entre o 2. e 3. termos, o que no alterar a expresso.

f
mas B

=(A'B'C)+A'BC-+CDiQ+ 1 e A

AB'C

ABC,

f = A'C(B + B') + B'C(A + A') + ABC

+ B'=

+ A' = 1 (T4, Tab. A.4), f = A' C + B' C + ABC; f = (A' + B')C + ABC,

e portanto

102

Circuitos integrados

tendo em vista o teorema de De Morgan (Til, Tab. AA)


A'

+ B'

(AB)' ABc'.

e portanto

f
A

= (AR)' C

Na Fig. 4.74 apresentamos essa funo realizada com gates.


B

Figura 4.74 Obteno da funo Tab. 4.7, aps a simplificao

t, que satisfaz a

Observe que precisamos de 2 inversores, 3 gates AND com 2 entradas, e um gate OR com 2 entradas, o que conduz a um circuito mais confivel, por ter menos ligaes (menos entradas) e ser mais econmico. Aparentemente poderamos agora consultar um catlogo de circuitos integrados e escolher os que sero utilizados. Entretanto dificilmente encontramos nos catlogos gates AND e gates OR. De fato, a grande maioria dos gates existentes so gates tipo NAND e NOR. Acontece que possvel construir qualquer funo usando apenas gates NAND ou apenas gates NOR. Temos que verificar ento como transformar o circuito inicial para outro usando apenas um desses tipos de gates. Para tal recordemos antes alguns fatos importantes. A Fig. 4.75 ilustra novamente o comportamento das funes AND, OR, NAND e NOR, considerando Xl e X2 duas variveis digitais. Inicialmente vamos ver como /1l'erter usando apenas qates NAND. Ligando os terminais Xl e x2 de um circuito AND teremos Xl = x2 = x e, portanto, f = X'I + x~ = x' + x = x, o que significa que o qate estar funcionando como um inversor. Da mesma forma, um gate NOR pode ser usado como inversor pois, se Xl = x2 = X, f = X'IX~ = = x' . X' = x. Ambos os casos so ilustrados na Fig. 4.76 (a) e (b), respectivamente.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

103

x 2 __

[)f----~I__--f

----LJ

f = X'I + x~

(se Xl = X2 = 1, ento f = O; veja que a negativa da funo AND)

,2----i8~X2------[:)~----Figura 4,75

f = f =

Xl

+ x2

(se

Xl

= 1 ou x2 = 1, ento

1) x2 = 1, ento da funo OU)

f = X'IX~ (se XI = 1 ou f = O; veja que a negativa


Funes digitais bsicas

... -cB(A) (6)

"

Figura 4,76 (a) Gete NAND ligado como inversor; (b) gate NOR ligado como inversor

Vejamos agora como usar qates NAND em lugar de qates AND, Na Fig, 4.77(a), temos um gate AND e, na Fig. 4,77(b), dois inversores (que podem ser 2 circuitos NAND com as entradas ligadas) esto colocados em srie com o circuito AND o que no altera o comportamento global - h uma dupla inverso. Na Fig. 4.77(c) o circuito AND e um inversor so identificados como um circuito NAND e, finalmente, na Fig. 4,77(d) o inversor foi realizado usando tambm um circuito NAND, conforme foi explicado anteriormente, Portanto sempre que tivermos circuitos AND podemos usar somente circuitos NAND. De modo inteiramente anlogo se mostra que os circuitos OR podem ser substitudos completamente por circuitos NOR, Finalmente, vamos ilustrar um artifcio muito importante. Na Fig. 4.n(a) apresentamos um qate AND seguido de um inversor e na Fig. 4,R5(h) um qate OR onde os inversores foram colocados em cada entrada do qate.

104
XI XI~

Circuitos integrados
-----I

AND
(o)

f '2----1

'2

I
X

=8

(b)

INV NAND~--------~[::>o ( c)

'2

:: 8~--E8f----=
(d 1

Figura 4.77 x
I

'2
INV.

--B

Uso de circuitos

NAND
INV.

em lugar de circuitos

AND
,
x: +

x I x2

( xI

x21'

'2

INV.

Figura 4.78 Ilustrao do fato de que os inversores podem ser deslocados da sada para a entrada, se invertermos o tipo de gate

Verifique que nos dois casos .fI = X'I + x~, isto , um inversor que est na sada de um qate pode ser substitudo por inversores na entrada do qate desde que se mude o tipo de "qate" - era AND, e passou para OR. Na Fig. 4.79 apresentado outro exemplo em que os inversores so deslocados mildando-se o tipo de qate.
INV.

INV.

Figura 4.79 Outro exemplo de deslocamento dos inversores com a devida troca do tipo de gate

funo.f

Podemos agora de posse de da Fig. 4.74 e realiz-Ia Na Fig. 4.80 redesenhamos o pares de inversores em srie, o que

todas essas informaes, retomar usando apenas gates tipo NAND. circuito da Fig. 4.74, introduzindo obviamente no altera a funo .f.

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados


A B C

105

________J

19:
INV. (4) ;

'-

I I

INV. (2)

Figura 4.80 Primeira transformao do circuito da Fig. 4.81: introduo de pares de inversores em srie

Observando-se a Fig. 4.80 notamos o seguinte: a) os inversores 1 e 3 (INV. 1 e INV. 3) podem ser substitudos por um nico inversor; b) os inversores 6 e 8 (INV. 6 e INV. 8) podem ser transferidos para a sada do circuito OR, mudando-se esse gate de tipo OR para tipo ANO. Procedendo desse modo obtemos a Fig. 4.81.
A 8

Figura 4.81

Diagrama aps as transformaes sugeridas

A seguir os circuitos ANO seguidos por inversores podem ser simplesmente substitudos por circuitos NAND, conforme ilustrado na Fig. 4.82. ' Entretanto j verificamos que os inversores podem ser realizados utilizando apenas gates NAND. A Fig. 4.83 apresenta o diagrama lgico completo para a funo [, utilizando apenas gates NAND.

106
A B C

Circuitos integrados

Figura 4.82
A B C

Diagrama final contendo

gales NAND e inversores

(AB1'C

+ ABC'

Figura 4.83

Diagrama lgico final para a realizao da funo

(AB)'

C + ABC'

Suponhamos agora, para completar o exemplo, que disponhamos dos seguintes circuitos integrados. FJH FJH FJH FJH 101 111 121 131 gate gate qate gate

NAND NAND NAND NAND

simples com 8 entradas. duplo com 4 entradas. triplo com 3 entradas. qudruplo com 2 entradas.

A Fig. 4.84 apresenta os esquemas dos gates FJH 111 e FJH 131 e a Fig. 4.85 ilustra a realizao do circuito com apenas um FJH 111 e um FJH 131. importante notar que h outras possibilidades para realizar a funo I, quando se dispe dos circuitos FJH 101, FJH 111, FJH 121 e FJH 131, tendo sido apresentada apenas uma das possibilidades. Deixamos como exerccio para o leitor, verificar outras maneiras de

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

107

UI--+- __ 1---+----1 2---+----1 4 +-_-1 2---+----1

~-+-_6
4 __
-+_----1 6 5---+----1

5---+---1

9 __ 9 +-_--1 10----t--,
I?

+-_--1
8

10 __

-+_-----1

I-+--e

13

+-_--1

12----+--,
11

13----+--,
F JH 111

Figura 4.84

Esquema dos gates

NAND FJH 111 e FJH 131

1 2

4 5

~
10

r- - -- - -

v- L3
IJ
~ 8

Iro'
C '

f , (AB)'C

ASC'

- ~-

L
#= ~
6'"

~
(AS)' ,

--v

AS

9 I~ =====J \ I; ... -U

c'e

FJH

111

Figura 4.85 Realizao da funo um gate FJH 131

f do exemplo utilizando um gate FJH 111 e

108

Circuitos integrados

realizar a funo f, e comparar os resultados, para ver qual a realizao mais simples e mais econmica. Antes de passarmos para outro exemplo de projeto, vamos fazer vrios comentrios importantes. 1. Verificamos que, aps a funo f ter sido obtida, foi feita urna simplificao da mesma. Geralmente, no projeto de um sistema digital, estamos lidando com vrias variveis digitais e com vrias funes de sada, que devem ser otimizadas simultaneamente. Existem cursos especiais nos currculos de engenharia (teoria da comutao) que tratam dos mtodos de projeto de sistemas digitais, sendo estudada amplamente a simplificao das funes. Evidentemente tal estudo foge ao escopo deste livro. 2. Mesmo quando se chega s funes digitais j simplificadas, existe o problema da passagem para o circuito eltrico real, isto , a escolha dos circuitos integrados e interligaes entre os mesmos. Normalmente, existem vrios meios de compor, fisicamente, o sistema e deve-se procurar a soluo que alie dois importantes aspectos, isto , custo e confiabilidade. (Note que cada entrada representa urna solda a mais o que diminui a confiabilidade do sistema). 3. Observe que urna mesma funo digital pode ser constituda com qates de qualquer das famlias de circuitos integrados j estudadas. No exemplo anterior, usamos os circuitos FJH 101, FJH 111, FJH 121 e FJH 131, que so da famlia TIL de circuitos integrados da Philips. Lembremos que, ao se escolher a famlia, ficam definidos parmetros como o tempo de retardo na propagao, a potncia consumida, etc.
4.3.2.2. Projeto de um registro de deslocamento ("shift register")

Vamos, agora, projetar um registro de deslocamento com 4 bits utilizando flip-flops do tipo RS, comandado por um pulso de relgio
(dock).

Em outras palavras, queremos um conjunto de 4 flip~rlo(ls RS, no qual, quando o pulso de relgio chega (e = 1), o valor que est na entrada X transferido para o 1.0 flip-flop (Ql)' o que est em Q 1 transferido para o 2. flip-flop (Q2) e assim, sucessivamente, isto , o que est em cada entrada va sendo deslocado para a direita, a cada pulso do clock. A Fig. 4.86 ilustra o esquema do shift reqister desejado.

Figura 4.86 Shift register de 4 bits, formado por 4 flip-flops RS. O que est na entrada X deve ser deslocado para a direita, a cada pulso do clock

Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados

109

nosso problema, ento, descobrir que estrutura lgica de

gates deve interligar X, C, FFl, FF2, FF3 e FF4, para que o conjunto

funcione como um registro de deslocamento. Basta um pouco de ateno para vermos que, se em um flip-flop, S = CX e R = cx, o que est na entrada desse flip-flop (X) aparecer na sada (Q) sempre que C = 1. Verifiquemos se isso de fato ocorre, observando a Fig. 4.87, onde apresentamos um [lip-flop RS, com R = CX' e S = CX, e a respectiva tabela de funcionamento.

Figura 4.87 e R = CX'

Ffip-flop RS onde S = CX
C ::

---------------,
o
C :: I

I(

.-_4-----.----1_----~_.--._~i :x a SROI ,~_4----~----1_----~_4--~~'


o
(
,

o o
-

No

mu

do No mudo

(_1
-

r'\

"_~

o
..... _ -

(i"\

... ~ ) _
1

Vemos que, quando C = 1, o que estava na entrada X aparece, exatamente, na sada Q. Como o deslocamento (shift) deve ser contnuo a partir do jlip-flop 1 para a direita, o que temos a fazer simplesmente considerar para o flip-flop 1 a entrada como X, para o [iip-flop 2 a entrada como Q l' para o flip-flop 3 a entrada como Q2 e para o flip-flop 4 a entrada como Q3' A Fig. 4.88 ilustra o que se obtm.
x c

SI _coal
FFI
RI : CX'
Q
I

52-CQI
RZ =CC ' 1

'------'
Figura 4.88 A sada de cada ffip-flop para o flip-ffop seguinte multiplicada por C deve alimentar a entrada

Introduzindo, agora, gates AND, para gerar os produtos, e um inversor, para obter X', podemos desenhar o circuito completo, como na Fig. 4.89. Esse circuito representa o diagrama lgico do shift register desejado. Deixamos a cargo do leitor transformar o circuito para utilizar exclusivamente gates NAND, supondo que esto disponveis os mesmos qates anteriores (FJH 101/13I). e fazer um desenho completo, usando os qates necessrios e mostrando todas as ligaes.

110
x

Circuitos integrados

Figura 4.89

Circuito completo do

shift register de 4 bits usando flip-flops

RS

Lembramos que os flip-flops os qates mencionados.

RS podem tambm ser feitos usando

4.3.3. Uso de circuitos integrados digitais complexos (MSI, LSI, VLSI) No Capo 1 verificamos o extraordinrio avano da tecnologia de circuitos integrados, analisando a possibilidade da integrao de sistemas e subsistemas completos em uma nica pastilha, ou em vrias pastilhas interligadas. Naquela oportunidade, mencionamos o acumulador 3800 da Fairchild que um exemplo de um circuito com integrao em alta escala (LSI), contendo aproximadamente 200 gates. No campo digital, o projeto de sistemas complexos tem evoludo extraordinariamente com o uso do MSI, LSI e VLSI, possibilitando montagens extremamente compactas e confiveis. Evidentemente, no podemos, neste livro, nos aprofundar nesse assunto, mas o leitor deve ter em mente que quase todos os grandes projetos digitais utilizam esses blocos, salientando-se memrias de acesso randmicos (RAM), unidades aritmticas, registradores, memrias apenas de leitura (ROM), lgica completa de voltmetros digitais, multiplexadores de 4, 6 e 8 canais, conversores anlogo-digitais e vice-versa, acumuladores, etc.

PROBLEMAS PRTICOS ENCONTRADOS NO USO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

5.1. USO DE CIRCUITOS

IMPRESSOS

Suponhamos que o leitor possua o diagrama de um circuito e tenha obtido os componentes necessrios para a sua montagem. Em condies precrias evidentemente poderamos pensar em, por exemplo, apanhar uma chapa isolante, fazer os furos para todos os componentes, inclusive para os circuitos integrados, e pelo lado inferior da chapa isolante efetuar todas as conexes utilizando cabinhos. No precisamos explicar ao leitor as deficincias dessa montagem, quando comparada com um circuito impresso devidamente preparado. Portanto para um teste preliminar podemos proceder como mencionamos anteriormente, mas para uma montagem mais confivel, e mais apresentvel, imprescindvel alguma forma de ligao impressa. Muitas vezes podemos adquirir os componentes para um dado circuito, incluindo a chapa impressa para a sua montagem; mas se isso no for possvel teremos mesmo que ou encomendar em uma fbrica pequena o circuito impresso em questo (a preo e prazos de entrega exorbitantes) ou ento produzir o nosso prprio circuito impresso. Por esse motivo abordamos, no Apndice A, a produo de circuitos impressos para equipamentos de entretenimento, dando todos os detalhes prticos para uma fabricao simples. 5.2. USO DE SOQUETES PARA CIRCUITOS INTEGRADOS Um modo bastante prtico para a montagem de um circuito integrado a utilizao de soquetes, de modo anlogo ao utilizado para transistores. A diferena bsica que, tendo os circuitos integrados um maior nmero de terminais, e dependendo do caso, possuindo formas diferentes (por exemplo, dual-em-linha), os soquetes so mais sofisticados do que os utilizados para transistores. Na Fig. 5.1 ilustramos vrios tipos de soquetes utilizados para a montagem de circuitos integrados. Como ilustrao apresentamos na Fig. 5.2 um exemplo onde circuitos integrados dual-em-Iinha esto montados em soquetes A esta altura o leitor deve estar conjecturando sobre o que mr.is conveniente, usar soquetes ou montar diretamente os circuitos inte-

PROBLEMAS PRTICOS ENCONTRADOS NO USO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

5.1. USO DE CIRCUITOS

IMPRESSOS

Suponhamos que o leitor possua o diagrama de um circuito e tenha obtido os componentes necessrios para a sua montagem. Em condies precrias evidentemente poderamos pensar em, por exemplo, apanhar uma chapa isolante, fazer os furos para todos os componentes, inclusive para os circuitos integrados, e pelo lado inferior da chapa isolante efetuar todas as conexes utilizando cabinhos. No precisamos explicar ao leitor as deficincias dessa montagem, quando comparada com um circuito impresso devidamente preparado. Portanto para um teste preliminar podemos proceder como mencionamos anteriormente, mas para uma montagem mais confivel, e mais apresentvel, imprescindvel alguma forma de ligao impressa. Muitas vezes podemos adquirir os componentes para um dado circuito, incluindo a chapa impressa para a sua montagem; mas se isso no for possvel teremos mesmo que ou encomendar em uma fbrica pequena o circuito impresso em questo (a preo e prazos de entrega exorbitantes) ou ento produzir o nosso prprio circuito impresso. Por esse motivo abordamos, no Apndice A, a produo de circuitos impressos para equipamentos de entretenimento, dando todos os detalhes prticos para uma fabricao simples. 5.2. USO DE SOQUETES PARA CIRCUITOS INTEGRADOS Um modo bastante prtico para a montagem de um circuito integrado a utilizao de soquetes, de modo anlogo ao utilizado para transistores. A diferena bsica que, tendo os circuitos integrados um maior nmero de terminais, e dependendo do caso, possuindo formas diferentes (por exemplo, dual-em-linha], os soquetes so mais sofisticados do que os utilizados para transistores. Na Fig. 5.1 ilustramos vrios tipos de soquetes utilizados para a montagem de circuitos integrados. Como ilustrao apresentamos na Fig. 5.2 um exemplo onde circuitos integrados dual-em-linha esto montados em soquetes A esta altura o leitor deve estar conjecturando sobre o que mr.is conveniente, usar soquetes ou montar diretamente os circuitos inte-

Problemas prticos encontrados no uso de circuitos integrados

113

apresentam, a possibilidade de maus contatos em alguns dos terminais do circuito integrado; o leitor deve lembrar que podemos estar, por exemplo, usando um circuito integrado com 24 terminais e que todos esses devem ter um contato firme com o soquete. Por outro lado, soldar um circuito integrado de muitos pinos, exige alguma prtica para no destruir o circuito integrado por aquecimento excessivo. Industrialmente falando, veremos que os dois tipos de montagens so comercialmente utilizados, dependendo da filosofia adotada pela companhia e do tipo do circuito em questo. Evidentemente, a manuteno de um equipamento , geralmente, mais simples, quando so usados soquetes, pois um circuito integrado supostamente defeituoso pode ser facilmente substitudo por outro. fcil imaginar que, retirar um circuito integrado, por exemplo, de 16 terminais diretamente soldados uma placa impressa deve ser um problema razoavelmente complicado. Esse detalhe abordado na Seco 5.4 que trata da soldagem de circuitos integrados. 5.3. TCNICAS DE INSERO E RETIRADA DE CIRCUITOS INTEGRADOS EM SOQUETES E PLACAS IMPRESSAS 5.3.1. Uso de ferramentas especiais No momento de colocar um circuito integrado em um soquete ou, diretamente, em um circuito impresso, o leitor pode encontrar algumas dificuldades de ordem prtica como resultado do grande nmero de terminais do circuito integrado. Para facilitar a insero e a retirada de cir cuitos integrados, existem alguns dispositivos no mercado, como uma ferramenta que tem um aspecto semelhante a um "pregador", de forma que quando se pressiona a parte superior a parte inferior se abre (como em um pregador) e se encaixa no corpo do circuito integrado o qual ento extraido ou colocado na placa impressa ou no soquete. 5.3.2. Corte inclinado dos terminais de um circuito integrado Consideremos, por exemplo, um circuito dual-em-linha, que deva ser introduzido em um soquete ou, diretamente, em um circuito impresso, para a devida solda. Evidentemente, como todos os terminais do circuito integrado possuem o mesmo tamanho, todos esses terminais devero entrar ao mesmo tempo no soquete ou na chapa impressa; basta haver qualquer desalinhamento de um terminal para no se conseguir introduzir o circuito integrado facilmente. Para evitar isso, um artifcio utilizado o de cortar os terminais do circuito integrado desigualmente, na forma de uma rampa, de modo que o terminal mais comprido penetre primeiro no furo do soquete

114

Circuitos integrados

ou chapa impressa. A Fig. 5.3 ilustra o corte inclinado dos terminais de um circuito integrado dual-em-linha. claro que o corte sugerido deve ser bastante pequeno para evitar
lima diminuio muito grande do terminal o que poderia trazer problemas de contato (no caso do uso de soquetes) ou problemas de aquecimento

excessivo durante a operao de solda.


__ .J

Figura 5.3 Corte inlinado dos terminais de um circuito integrado. Nesse exempto os terminais 1 e 16 seriam os primeiros a serem introduzidos; a seguir o 2 e o 15, o 3 e o '4 e assim sucessivamente at penetrao total do circuito integrado

5.4. SOLDAGEM

DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Para a soldagem de circuitos integrados o leitor deve usar um ferro da ordem de 30 W com uma ponta fina e utilizar uma solda de boa qualidade. Caso essa solda contenha fluxo no devemos esquecer de limpar cuidadosamente o circuito impresso quando acabar a montagem pois os fluxos utilizados so muito ativos e podem alterar as propriedades da chapa impressa. A operao de solda deve ser rpida para no danificar o componente por efeito de temperatura e o leitor deve lembrar as mesmas regras que j aprendeu com relao a soldas, como no colocar a solda no ferro de soldar e depois encost-Io em duas "partes frias" a serem

soldadas. As superficies que so aquecidas com o ferro e a solda colocada nas superficies quentes, efetuando a conexo. Vamos agora abordar um problema que geralmente exige percia e pacincia. Suponhamos que um dado circuito integrado de um circuito est aparentemente defeituoso, mas no temos certeza absoluta e. conseqentemente, no queremos danificar O componente. Como

Problemas prticos encontrados no uso de circuitos integrados.

115

retirar um circuito dual-em-linha, cujos 16 pinos esto soldados diretamente na chapa impressa? Logo ao tentar, verificamos o que acontece. Inicialmente o ferro encostado em um terminal, fundindo a solda; em seguida passamos
para o 2. terminal, 3.0, etc. e a verificamos, com pesar, que o 1.0 ter-

minal j est de novo soldado! A retirada de um circuito integrado intacto realmente difcil a menos que o leitor disponha de uma ferramenta especial. Uma dessas ferramenlas constituda por um tubo acionado por uma mola como ilustra a Fig. 5.4; inicialmente "arma-se" o sistema, comprimindo a mola M at que o pino P encaixe na ranhura R. Quando esta liberada pressionando-se o boto B, o mbolo E se desloca fazendo o vcuo na regio V, sendo ento a solda fundida aspirada para essa regio.
RwlAO DE

vcuo (v)

SOLDA

'---1-.JjJ.J]L!]JIIJ:z:
MOLA

L:L::jjBj=/~=R;N"URA
PINO

(R)

{p)

o.)
de um "aspirador de solda" (tin-cleaner)

Figura 5.4

Diagrama esquemuco

A aplicao dessa ferramenla bastante simples e ilustrada na Fig. 5.5. O ferro de soldar toca na solda a ser desfeita e, logo que essa se funde, o operador aperta o boto B, aspirando a solda fundida para dentro do tubo. Essa operao repetida para cada terminal do circuito
integrado conseguindo- se retirar o circuito integrado intacto do circuito.

Figura 5.5 Aplicao do tin-cteener na aspirao da solda fundida pelo ferro de soldar

Evidentemente, quand., no se faz questo de retirar o circuito integrado intacto, o modo mais prtico cortar, de imediato) com um alicate, todos os terminais, retirando logo o corpo do circuito integrado. A seguir, aquece-se cada ponto de solda e puxa-se cada um dos pinos que ficaram presos na placa impressa.

116

Circuitos integrados

5.5. CONSIDERAES INTEGRADOS

TRMICAS SOBRE CIRCUITOS

Com relao aos problemas trmicos, os circuitos integrados apresentam algumas caractersticas marcantes, quando comparados com o caso de componentes discretos?". Inicialmente devemos lembrar que, em uma minscula pastilha de silcio, foram fabricados transistores, resistores, ete. Portanto no

se pode mais pensar na juno real entre

coletor e a base porque,


e, portanto,

numa mesma pastilha, podem existir vrios transistores vrias junes.

Por outro lado, o silcio um bom condutor de calor e, portanto, dadas as minsculas dimenses da pastilha de silcio, praticamente toda a pastilha pode ser considerada como estando a uma mesma temperatura, isto , como uma superfcie isotrmica.
Com base nestes argumentos, o que se faz considerar a "juno"

entre a pastilha (que se supe estar a uma temperatura "mdia") e a base de montagem, ou o invlucro do circuito integrado. A Fig, 5.6 ilustra para o caso de um circuito integrado com invlucro tipo TO referida juno.

JlWAO

Figura 5.6 Ilustrao da juno entre a pastilha de silcio (em preto) e a base de montagem

O calor gerado na pastilha atravessa a "juno" entre a pastilha


e a base de montagem e atinge o invlucro e os terminais do circuito integrado, sendo da irradiado para meio ambiente.

Chamando TA = temperatura ambiente, T, = temperatura mdia da pastilha, P = potncia total sendo dissipada na pastilha,
KJ[ =

resistncia trmica entre a juno e o invlucro,

KJA = resistncia trmica entre o invlucro e o meio ambiente,


('Veja Dispositivos semicanutores. Hilton A Mello e Edmond lntrator. Livros Tcnicos e Cientficos Editora S.A. - 2* edio - 1974

Problemas prticos encontrados no uso de circuitos integrados, temos


TJ = TA

117

P(KJI

K1A) = TA

+r

KJA

onde
K]A

= resistncia trmica total entre a pastilha e o meio ambiente =


=
KJI

KfA

Geralmente, as resistncias trmicas KJl e KIA so indicadas nos catlogos dos fabricantes, de modo que possivel, sendo conhecidos TA e P, calcular a mxima temperatura prevista para a pastilha (temperatura mdia de todas as junes existentes no circuito integrado) e ter, portanto, uma idia da confiabilidade do projeto, pois a vida de um dispositivo semicondutor est intimamente ligada temperatura de funcionamento da juno. Como exemplo, apresentamos na Tab. 5.1 os dados trmicos . referentes s sries Me 5 400L/7 400L da famlia de TIL da Motorola.

Tabela 5.1 Especificao (famlia TIL) Especificao Faixa de temperaturas

trmica para as sries Me 5400 e Me 7400 da Motorola

Valor

Unidade

de
de

operao
Faixa de temperaturas

Me 5 400 s~reMe 74000a


Srie invlucro invlucro

55"C a

+ 12SO

+ 70 + 150 + 125

C C C
"C/mW

cermico -65 a
plstico - 55 a

armazenamento
Temperatura juno mxima da

Srie MC 54()() Srie MC 7400 invlucro invlucro invlucro invlucro

+ 175

+ 150
0,09

Resistncia trmica entre a juno e o invlucro Resistncia trmica entre a juno e o meio amo bicnrc

cermica

plstico 0,15

cermco 0,26
plstico 0.30

"CjmW

A pergunta bvia que os nossos leitores devem estar fazendo se no h outro meio de ficar dentro das especificaes do circui to integrado sem ser necessrio recorrer a estes dados. Geralmente, o que o projetista faz ficar dentro das limitaes que so dadas no catlogo como "variao da fonte de alimentao", mxima excurso da entrada, mxima carga imposta ao circuito integrado, ete. Seguindo estas especificaes, o projetista estar dentro das especificaes trmicas sem necessidade de clculos complexos. Mas, algumas vezes, surge a necessidade de utilizao de dissipadores de calor para um circuito integrado e o projetista deve, nesses casos limites, ter total compreenso das caractersticas trmicas dos circuitos integrados.

Problemas prticos encontrados no uso de circuitos integrados,

117

temos
T]

=
=

TA

+ P(KJI + KIA) =

TA

p. KJA'

onde
K]A

resistncia trmica total entre a pastilha e o meio ambiente =


=KJI+KIAo

Geralmente, as resistncias trmicas KJI e K1A so indicadas nos catlogos dos fabricantes, de modo que possivel, sendo conhecidos TA e P, calcular a mxima temperatura prevista para a pastilha (temperatura mdia de todas as junes existentes no circuito integrado) e ter, portanto, uma idia da confiabilidade do projeto, pois a vida de um dispositivo semicondutor est intimamente ligada temperatura de funcionamento da juno. Como exemplo, apresentamos na Tab, 5.1 os dados trmicos .referentes s sries MC 5 4OOL/7400L da famlia de TIL da Motorola,
Tabela 5.1 Especificao trmica para as sries Me 5400 e Me 7400 da Motorola (famlia TIL) Bspecificao Faixa de temperaturas operao Faixa de temperaturas armazenamento Temperatura juno de Valor Srie Me 5 400 - 55C a Srie Me 74000 a de Unidade

+ 125

+ 70+ 1SO + 125

'e 'e

invlucro cermica -65 a invlucro plstico - 55 a Srie Me 5400 Srie Me 7400

mxima da

+ 175

+ 150
CjrnW

Resistncia trmica entre a juno e o invlucro Resistncia


a juno

. -------c-------'---------trmica entre e o meio am-

invlucro cermico 0,09 invlucro plstico 0,15

invlucro cermico 0.26 invlucro plstico 0.30

CjmW

biente

A pergunta bvia que os nossos leitores devem estar fazendo se no h outro meio de ficar dentro das especificaes do circuito integrado sem ser necessrio recorrer a estes dados. Geralmente, o que o projetista faz ficar dentro das limitaes que so dadas no catlogo como "variao da fonte de alimentao", mxima excurso da entrada, mxima carga imposta ao circuito integrado, etc. Seguindo estas especificaes, o projetista estar dentro das especificaes trmicas sem necessidade de clculos complexos. Mas, algumas vezes, surge a necessidade de utilizao de dissipadores de calor para um circuito integrado e o projetista deve, nesses casos limites, ter total compreenso das caractersticas trmicas dos circuitos integrados.

Problemas prticos encontrados no uso de circuitos integrados,

117

temos
T,

=
=

TA

P(KJI

K'A)

TA

p. KJA'

onde
K]A

resistncia trmica total entre a pastilha e o meio ambiente =


= KJJ

K1A-

Geralmente, as resistncias trmicas K JI e KIA so indicadas nos catlogos dos fabricantes, de modo que possvel, sendo conhecidos TA e P, calcular a mxima temperatura prevista para a pastilha (temperatura mdia de todas as junes existentes no circuito integrado) e ter, portanto, uma idia da confiabilidade do projeto, pois a vida de um dispositivo semicondutor est intimamente ligada temperatura de funcionamento da juno. Como exemplo, apresentamos na Tab. 5.1 os dados trmicos . referentes s sries MC 5 4OOL/7400L da famlia de TIL da Motorola,
Tabela 5.1 Especificao trmica para as sries Me 5400 e Me 7400 da Motorola (famlia TIL) Especificao Faixa de temperaturas operao Faixa de temperaturas de Valor Srie Me 5400 Srie Me 74000a de Unidade

55 De a
+ 70
a

+ 1250

C
C

invlucro cermico -65 a invlucro plstico-55 Srie

+ 150

armazenamento
Temperatura juno mxima da

+ J25

Me

5400

+ 175

Srie MC 7400

+ 150

C
CjrnW
CjmW

Resistncia trmica entre a juno e o invlucro

invlucro cermicc 0,09 invlucro plstico 0,J5

Resistncia trmica entre a juno e o meio ambiente

.~----------~------------------invlucro cermico 0.26 invlucro plstico 0.30

A pergunta bvia que os nossos leitores devem estar fazendo se no h outro meio de ficar dentro das especificaes do circuito integrado sem ser necessrio recorrer a estes dados. Geralmente, o que o projetista faz ficar dentro das limitaes que so dadas no catlogo como "variao da fonte de alimentao", mxima excurso da entrada, mxima carga imposta ao circuito integrado, etc, Seguindo estas especificaes, o projetista estar dentro das especificaes trmicas sem necessidade de clculos complexos, Mas, algumas vezes, surge a necessidade de utilizao de dissipadores de calor para um circuito integrado e o projetista deve, nesses casos limites, ter total compreenso das caractersticas trmicas dos circuitos integrados.

118

Circuitos integrados

Quanto aos dissipadores de calor propriamente ditos, claro que para os invlucros tipo TO os dissipadores so iguais aos usados para componentes discretosv" sendo encaixados sobre o circuito integrado. Para os circuitos integrados dual-em-linba evidentemente existem dissipadores novos projetados para tal fim, havendo algumas firmas se especializado nessa produo"?",

\\\\\\\\\i\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\

,<

.. ":,

Hilton A. MelJo e Edmoad

Figura 5.7 Ilustrao do uso do Logic Lab (laboratrio Lgico) da Hewlett Packard: no caso o tcnico deteta o sinal em um ponto do circuito usando a logic probe (ponta de prova lgica) e verifica simultaneamente o estado em vrios terminais usando O logic clip (garra lgica), estando o pulser (pulsador) sobre a bancada. (Esses acessrios sero estudados no Cap. 6). Cortesia da Hewlett Packard

A apreciao completa dos fenmenos trmicos em circuitos com-

plexos, usando circuitos integrados, foge ao escopo deste livro por se tratar de assunto intimamente ligado ao projeto de circuitos.
1)Dispositivos semicondutores. e Cientficos Editora S.A. l"'IPor exemplo: Intrator. Livros Tcnicos

International Electronic Research Corporation 135 West Magnolia Boulevard, Burbank, Califomia 91502 -

EUA

Problemas orticos encontrados no uso de circuitos integrados-

119

5.6. Uso de placas padronizadas para a montagem de circuitos experimentais A fim de facilitar a montagem de circuitos experimentais, e mesmo visando possibilitar um treinamento no uso de circuitos integrados, existem no mercado vrias placas impressas padronizadas (com e sem soquetes) que possibilitam, por meio de conexes simples, a realizao prtica de um circuito completo. Tendo em vista a necessidade de treinamento de tcnicos nesse novo campo, algumas indstrias lanaram no mercado sistemas especiais que do grande flexibilidade montagem e teste de circuitos.

,.

Figura 5.8 Ilustrao do uso do Logie Lab (laboratrio Lgico) da Hewtett Packard; no caso o tcnico utiliza simultaneamente os trs acessrios. Cortesia da Hew1eu Packard

120

Circuitos integrados

Nesse caso enquadra-se, o Laboratrio Lgico 5035T da Hewlett Packard, o qual ilustrado nas Figs. 5.7 e 5.8. Nessas ilustraes devemos ressaltar o seguinte: 1 - o painel central (branco) existente no Logic Lab removvel. Isso significa dizer que vrios estudantes podem usar a mesma estrutura bsica (MAINFRAME), isto , enquanto um tcnico est montando seu circuito, outro pode estar usando O arcabouo do Logic Lab;
2 - as conexes so feitas por meio de cabinhos, cujos terminais encaixam, por presso, em minsculos conectores existentes no painel

e no "MAINFRAME"; 3 - nas figuras observa-se o uso combinado do Logic Lab 5035T,


com os dispositivos apresentados na manuteno de equipamentos,

como o pulsador lgico, a ponta de prova lgica, a garra lgica, ete. (Veja o Cap. 6). Para organizaes integrados, um conjunto srios (pulsador, garra para o desenvolvimento que projetam instrumentos usando circuitos como o Lagic Lab HP 5035T e demais aceslgica, etc.) pode prestar inestimvel auxlio dos seus prottipos.

MANUTENO DE EQUIPAMENTOS ELETRNICOS INTEGRADOS

6.1. COMENTRIOS

GERAIS

Evidentemente no podemos, em um livro com a finalidade de apresentar o campo da eletrnica integrada, tratar, com detalhes, a manuteno de equipamentos eletrnicos. Alm disso deve-se ter em vista que a existncia de equipamentos complexos no mercado tem acarretado, cada vez mais, a formao de tcnicos especializados na manuteno desses equipamentos. Algumas companhias possuem equipamentos to complexos que so obrigadas a enviar seus tcnicos para treinamento nas prprias fbricas, ou ento a utilizar a assistncia tcnica fornecida pelos representantes ou pelas prprias indstrias montadas no Pas. De qualquer forma, partiremos do princpio de que um tcnico, que se prope a fazer a manuteno em um dado equipamento, possui o conhecimento global de seu funcionamento e de sua manuteno , sendo apresentadas neste livro apenas noes complementares, que podero ser teis para os tcnicos envolvidos em tal assunto. Assim, vamos procurar, neste livro, abordar aspectos tpicos da manuteno de equipamentos, usando circuitos integrados, apresentando tcnicas modernas para a localizao de falhas em equipamentos eletrnicos (troubleshooting techniques), mormente nos equipamentos digitais. 6.2. DIFERENAS FUNDAMENTAIS ENTRE EQUIPAMENTOS INTEGRADOS E COM COMPONENTES DISCRETOS No caso de componentes discretos, pode-se medir o sinal em qualquer componente individual do circuito. No caso de um equipamento integrado cada circuito integrado , em si, um circuito completo, que pode possuir inmeros transistores, diodos, resistores, etc. e no temos, em princpio, acesso a esses componentes. H, portanto, necessidade de analisar o circuito integrado como um todo, interessando apenas o seu comportamento externo. Em outras palavras, deve-se verificar se o circuito integrado est alimentado corretamente - tenso de alimentao dentro dos valores especificados - e verificar se o sinal de entrada est correto (nvel e forma de onda); se isso est correto ento, na sada do circuito integrado, deve existir o sinal previsto

122

Circuitos integrados

pelo fabricante do equipamento. Caso o sinal na sada esteja incorreto no significa, necessariamente, que seja devido ao circuito integrado, podendo o problema ser provocado por um dos componentes a ele associados. A Fig. 6.1 ilustra esse fato.

eo

Figura 6.
ao mesmo

Um amplificador operacional com componentes externos associados

No circuito da Fig. 6.1, se o sinal e est correto, e se Vcc est correto pode ser que o sinal eo esteja incorreto no por causa do circuito integrado em si, mas de algum componente da estrutura de realimentao.
j

6.3. DIFERENAS ESSENCIAIS ENTRE A MANUTENO EQUIPAMENTOS ANALGICOS E EQUIPAMENTOS DIGITAIS

DE

Recordemos aqui o tipo de procedimento e equipamentos utilizados na manuteno de equipamentos analgicos. Nesses equipamentos, estamos interessados que valores e formas de ondas corretos estejam presentes em cada ponto especfico do circuito. Por exemplo, tratando-se de um amplificador de udio sabemos que, para o seu teste, devemos injetar um sinal de udio, e verificar, na forma de onda de sada, a amplitude, a distoro, etc. Dai serem necessrios geradores, voltmetros, osciloscpios, distormetros, etc. Evidentemente, para alguns aparelhos simples, s vezes um simples multiteste permite, a um tcnico experimentado, a identificao da causa da falha e o seu devido reparo. Outras vezes, a manuteno de complexos equipamentos analgicos exige equipamentos mais refinados. Por exemplo, a manuteno, com respectiva calibrao, de alguns estgios de um receptor colorido de televiso exige, alm da experincia do tcnico, o uso de equipamentos especiais. Mas, fundamentalmente, se est medindo valores de tenses, correntes, verificando formas de onda, freqncias, ete.

Manuteno de equipamentos eletrnicos integrados

123

No caso da manuteno de equipamentos digitais, por exemplo, um minicomputador, o caso muda radicalmente de figura. Em V lugar no estamos interessados, em princpio, no valor exato de um pulso que vai comandar um determinado gate. No campo digital estamos lidando com valores de tenso acima de um determinado nvel chamado limite superior (high threshold) e abaixo de um outro nvel, chamado limite injerior (low threshold). Qualquer valor de tenso acima do limite superior dito estar no estado 1 (estado alto - high state) e qualquer valor de tenso abaixo do limite inferior dito estar no estado O (estado baixo - low state). A Fig. 6.2 ilustra essa explanao, para o caso da lgica TTV*).
ESTADO ALTO

LIMITE

SUPE laR

_____

2,4V

i
LIMITE INF RIOR

________

O,4V

Figura 6.2

Ilustrao dos limites superior

e inferior

Portanto mesmo que essa forma de onda seja observada em um osciloscpio no obtemos muitas informaes adicionais, pois basta apenas saber se o valor de tenso est acima do limite superior, abaixo do limite superior, ou entre.esses dois limites. Por exemplo, para o comportamento do gate alimentado por esse gate indiferente se o valor da tenso 0,2 V ou 0,3 V pois, em ambos os casos, o gate seguinte se comporta como tendo um estado baixo na sua entrada. Alm disso, geralmente estamos interessados na existncia "simultnea" de pulsos em determinadas entradas. Ou seja o momento da ocorrncia de um pulso, em relao a outros, importantssimo para o funcionamento de um circuito digital. Portanto temos que saber como os valores de tenso se comparam com os valores limites e tambm ter idia dos tempos de ocorrncia dos pulsos. Obviamente, o uso de equipamentos comuns como osciloscpios, voltmetros, etc. seria bastante neficiente para a pesquisa da falha
<*)Todas as noes bsicas relativas manuteno de equipamentos digitais foram extradas da excelente publicao "Techniques of Digital Troubleshooting-Application Note, AN 163-1" da Hew!ett Packard, com permisso da mesma

124

Circuitos integrados

de um equipamento contendo, s vezes, centenas de gates, flip-flops, memrias, etc. razovel ento que se desenvolvam equipamentos auxiliares para a manuteno de equipamentos digitais. Essas ferramentas so to importantes, e os mtodos de trabalho to diferentes dos mtodos normais de manuteno de equipamentos analgicos que resolvemos, com a devida autorizao da Hewlett Packard, apresentar um resumo de sua Nota de Aplicao AN 163-1 dando detalhes da manuteno de equipamentos digitais, usando as ferramentas especiais por ela desenvolvidas. 6.4. TCNICAS MODERNAS PARA A MANUTENO EQUIPAMENTOS DIGITAIS DE

Acabamos de verificar a necessidade de novos mtodos e novos equipamentos para a manuteno eficiente de equipamentos digitais. Vimos que no estamos interessados no valor exato de tenses e formas de onda, mas sim com o fato do valor dessa tenso ser acima, abaixo. ou entre nveis limites especificados. caracterizando os nveis digitais 1 e O. Com um pouco de raciocnio podemos ilustrar os tipos de equipamentos que seriam interessantes para a manuteno de equipamentos digitais. Inicialmente, claro que devemos ter um dispositivo que permita injetar um pulso em um dado terminal de um circuito integrado, e esse "pulsador" deve ler capacidade de corrente para alterar momentaneamente o estado de um terminal, isto , lev-Io do nvel "I" para o nvel "O" e vice-versa. Tambm evidente a necessidade de um dispositivo correspondente para verificar um terminal de um circuito integrado, e na realidade esse dispositivo no precisa medir a tenso mas apenas indicar se o seu valor inferior ao limite inferior, superior ao limite superior ou se est entre esses dois nveis. Consideremos um circuito integrado dual-em-linha com 16 terminais. Geralmente, quando entra um pulso em uma determinada entrada estamos interessados em saber o que ocorre com vrios terminais simultaneamente. Da ser tambm importante haver um outro dispositivo que permita saber simultaneamente o estado de cada terminal do circuito integrado. Finalmente, um quarto dispositivo pode ter valor inestimvel no teste de um circuito integrado especfico. Suponhamos, por exemplo, que estejamos em dvida sobre o comportamento de um determinado circuito integrado. A idia ter um dispositivo que permita fazer uma comparao entre o circuito integrado existente no circuito e um circuito integrado idntico ou equivalente; ou seja, o dispositivo

Manuteno de equipamentos eletrnicos integrados

125

deve permitir ligar um circuito integrado de referncia de modo que o pulso na entrada no circuito integrado suposto defeituoso seja tambm aplicado no circuito integrado de referncia. Alm disso o dispositivo deve permitir a comparao dos sinais nos terminais do circuito integrado suposto defeituoso, com o circuito integrado de referncia, estabelecendo-se qualquer discrepncia entre os valores, podendo-se ento constatar o funcionamento anormal do circuito integrado em questo. Com essas consideraes em vista, podemos entender o lanamento, no mercado, de dispositivos especiais para a manuteno de equipamentos digitais, dos quais so exemplos tpicos os seguintes dispositivos da Hewlett Packard. Pulsador lgico Ponta de prova lgica Garra lgica Comparador lgico 6.4.1. Pulsador

(logic pulser) (logic probei iloqic clip)


(logic comparator)

HP HP HP HP

10 526T 10 525T 10 528A 10529A

lgico HP 10 526T

o pulsador lgico HP 10526T consiste, essencialmente, num gerador de pulsos individuais isinqle-shot qenerators com grande capacidade de corrente (0,65 A) de forma a poder sobrepujar o estado O ou 1 de qualquer terminal; isto , mesmo que um terminal de um circuito integrado esteja no estado O possvel lev-Io, momentaneamente, para o estado 1 pela aplicao do pulso proveniente do pulsador lgico. O pulsador tem uma forma extremamente simples de usar, com a alimentao (5 V 10% a 25 mA) sendo fornecida por um conector tipo BNC. . Quando a ponta do pulsador lgico tocada no terminal de um circuito integrado e uma pequena chave existente no corpo do pulsador acionada, um pulso injetado no terminal do circuito integrado. Esse pulsador HP 10 526T , basicamente, destinado ao teste de circuitos integrados TIL e DTL.
6.4.2. Ponta de prova lgica HP 10 525T

A ponta de prova lgica se destina, conforme mencionamos, a indicar o estado de um terminal, tocado pela ponta. Da mesma forma que no pulsador, um conector BNC utilizado para alimentar o circuito da ponta de prova. A ponta ento encostada no terminal a ser verificado.

Manuteno de equipamentos eletrnicos integrados

125

deve permitir ligar um circuito integrado de referncia de modo que o pulso na entrada no circuito integrado suposto defeituoso seja tambm aplicado no circuito integrado de referncia. Alm disso o dispositivo deve permitir a comparao dos sinais nos terminais do circuito integrado suposto defeituoso, com o circuito integrado de referncia, estabelecendo-se qualquer discrepncia entre os valores, podendo-se ento constatar o funcionamento anormal do circuito integrado em questo. Com essas consideraes em vista, podemos entender o lanamento, no mercado, de dispositivos especiais para a manuteno de equipamentos digitais, dos quais so exemplos tpicos os seguintes dispositivos da Hewlett Packard. Pulsador lgico Ponta de prova lgica Garra lgica Comparador lgico 6.4.1. Pulsador

(logic iloqic (logic (logic

pulser) probe) clip) comparatori

HP 10 526T HP 10 525T HP 10 528A HP 10 529A

lgico HP 10 526T

o pulsador lgico HP 10526T consiste, essencialmente, num gerador de pulsos individuais isinqle-shot qeneratori com grande capacidade de corrente (0,65 A) de forma a poder sobrepujar o estado O ou 1 de qualquer terminal; isto , mesmo que um terminal de um circuito integrado esteja no estado O possvel lev-lo, momentaneamente, para o estado 1 pela aplicao do pulso proveniente do pulsador lgico. O pulsador tem uma forma extremamente simples de usar, com a alimentao (5 V 10% a 25 mA) sendo fornecida por um conector tipo BNC. . Quando a ponta do pulsador lgico tacada no terminal de um circuito integrado e uma pequena chave existente no corpo do pulsador acionada, um pulso injetado no terminal do circuito integrado. Esse pulsador HP 10 526T , basicamente, destinado ao teste de circuitos integrados TTL e DTL.
6.4.2. Ponta de prova lgica HP 10525T

A ponta de prova lgica se destina, conforme mencionamos, a indicar o estado de um terminal, tocado pela ponta. Da mesma forma que no pulsador, um conector BNC utilizado para alimentar o circuito da ponta de prova. A ponta ento encostada no terminal a ser verificado.

126

Circuitos integrados

Na ponta de prova, h uma regio translcida branca, junto da ponta, que iluminada de trs modos: a) ponta fortemente iluminada - indica que o terminal do circuito integrado no qual a ponta est tocando est no nvel alto (1); b) ponta fracamente iluminada - indica que o terminal do circuito integrado no qual a ponta est tocando est aberto, ou est com uma tenso no definida entre os nveis limites (nem no nvel 1 nem no nvel O); c) ponta apagada - indica que o terminal do circuito integrado, no qual a ponta est tocando, est no nvel baixo (O).
A ponta de prova HP 10 525T destinada ao teste de circuitos integrados das famlias TTL e DTL(*l.

6.4.3. Garra lgica HP 10 528A


A garra lgica HP 10528A, apresentada em tamanho maior na Fig. 6.3, se presta para indicar, simultaneamente, o estado de todos os terminais de um circuito integrado dual-em-linha de 14 ou 16 pinos. A garra lgica colocada sobre o circuito dual-em-linha, como um pregador, com suas garras fazendo presso nos terminais do circuito integrado. Os 16 diodos emissores de luz, existentes na parte superior da garra, indicam o estado do terminal do circuito integrado correspondente. A garra lgica HP 10 528A tem apenas um nvel limite; quando a tenso no terminal do circuito integrado excede esse nvel o diodo emissor de luz correspondente acende; quando a tenso no terminal do circuito integrado est abaixo desse limite, o diodo emissor de luz correspondente fica apagado. O nvel de disparo o correspondente s linhas TIL e DTL (1,4 0,6 V). Um exemplo da extraordinria aplicao da garra lgica o teste de uma dcada, a qual para ser devidamente testada, devem ser observados um sinal de entrada e quatro sinais de sada, simultaneamente. Com o logic clip e o logic pulser isso extremamente simples. Coloca-se o clip sobre o circuito integrado em questo e injeta-se os pulsos na entrada do circuito integrado observando-se no logic clip as mudanas simultneas de todos os 4 [lip-flops.

6.4.4. Comparador

lgico HP 10 529A

No cornparador lgico, o sinal de teste estimula, simultaneamente, o circuito integrado em teste e um circuito integrado de referncia.
1*Para a famlia ECL usar a ponta de prova HP 10 525E. (ECL logic probe). Para outras linhas inclusive circuitos com componentes discretos e circuitos lgicos com rels, usar a prova HP 10525H (high levei logic probe)

Manuteno de equipamentos eletrnicos integrados'

127

[@P.]I
'O&Z8A LOGIC CLIP
_\. ... T 011II. "0

Figura 6.3 Ilustrao da garra 16gica HP 10528A. Na parte superior esto os diodos emissores de luz e na parte inferior a garra que faz contato com o circuito integrado dual-em-linha. Cortesia da Hewlett-Packard

Todas as discrepncias, maiores que 200 ns, so indicadas. Um grupo de circuitos integrados de referncia, j montados nas placas adequadas para o comparador, pode ser obtido da HP ou ento, simplesmente, as placas impressas para que o usurio coloque os circuitos integrados de referncia, de seu interesse. Apresentamos, a seguir, uma srie de fotografias cedidas gentilmente pela Hewlett Packard, ilustrando o uso desses dispositivos na prtica. O uso eficiente desses dispositivos d auxlio manuteno exige alguma prtica e o tcnico tem que se familiarizar com os tipos de defeitos apresentados por circuitos integrados, o que muito bem tratado na Nota de Aplicao AN 163-1 "Troubleshooting Techniques" da Hewlett Packard'?". 6.5. PRODUTOS QUMICOS UTILIZADOS NA MANUTENO

Com o desenvolvimento da indstria qumica muitos produtos foram sendo lanados no mercado, que so extremamente importantes
<*>Sugerimos aos tcnicos interessados entrarem em contato com a Hewlett Packard do Brasil Ind. e Com. Ltda. Rua Siqueira Campos, 53 - 4. andar Copa cabana - ZC-07 - 20000 Rio de Janeiro - RI. Rua Coronel Oscar Porto, 691 - So Paulo, Capital

128

Circuitos integrados

Figura 6.4 Ilustrao do uso do pulsador lgi co HP 10526T no teste de um equipamento. Cortesia da Hewlen-Packard

para qualquer ncleo de manuteno. Esses produtos so destinados limpeza, refrigerao de contatos, melhoria de contatos trmicos, etc. Na Tab. 6.1, apresentamos alguns produtos usados na manuteno, e como os mesmos esto disponveis em lojas especializadas de eletrnica, recomendamos enfaticamente o seu uso.
Tabela 6.1 Alguns produtos qumicos usados na manuteno Exemplos de nomes comerciais

Nome Congeladores de contatos

- Congelador de contatos - Contact cooling eletrnicos - Limpador de contatos LC-150 - Freon TF eletrnicos

Limpadores

de contatos

- Contact cleaner coatinq lubricant Lubrificante de uso geral YD - 50

Silicone em spray Graxa de silicone

- Silicone L-40 - Graxa de silicone

Manuteno de equipamentos eletrnicos integrados

129

Figura 6.5 Ilustrao do uso simultneo do pulsador lgico HP 10526T (direita) e da prova lgica HP 10525T (esquerda). Cortesia da Hewlett-Packard

Os congeladores de contatos, conforme o nome indca, servem para o resfriamento brusco de um contato, transistor, solda, etc. e so geralmente base do Freon 12. Os limpadores de contatos eletrnicos so, normalmente, base de Freon TF mas devemos atentar que quando o Freon TF puro, o produto excepcional para a limpeza, praticamente inerte, e no ataca nenhum dos componentes eletrnicos. Alguns limpadores de contato possuem, entretanto, certos lubrificantes, no totalmente inertes como o Freon TF. necessrio bastante cuidado para no destruir um equipamento. nspcrgiudo. inadvertidamente, um produto que, por exemplo, ataca o verniz das bobinas. Em princpio sugerimos usar o Freon TF para a limpeza em geral. Quando se trata entretanto de uma limpeza simples de um contato, pode ser utilizado um limpador de contatos contendo lubri-

130

Circuitos integrados

Figura 6.6 Ilustrao do uso do comparador HP 10529A. Observe sobre a mesa duas placas contendo circuitos integrados de referncia. para serem comparados com os circuitos integrados do equipamento. Cortesia da Hewlett-Packard

ficante como o caso do contact cleanerlcoatinqjlubrificant da Philips. O YD-50 um lubrificante em spray de uso geral. O silicone em spray serve para a lubrificao de certas peas sensveis e a graxa de silicone bastante utilizada na montagem de transistores de potncia, para diminuir a resistncia de contato entre a base de montagem do transistor e o dissipador de calor. 6.6.. CALIBRAO E AFERIO DE EQUIPAMENTOS ELETRNICOS Deixamos para esta seo final essas noes sobre calibrao e aferio que, normalmente, no so apresentadas com clareza, nas escolas tcnicas, ocasionando muitas dvidas. Antes, porm, procuraremos esclarecer, com um exemplo especfico, um comportamento muitas vezes por ns presenciado. Suponhamos que, para um dado equipamento, seja necessria a utilizao de uma resistncia de 10 Q 1 %. Temos verificado que, muitas vezes,

Manuteno de equipamentos eletrnicos integrados

131

so apanhados vrios componentes iguais, que so "selecionados" utilizando-se um dado equipamento, por exemplo, uma ponte de resistncias. Neste ponto devemos observar que no ser possvel garantir o valor medido, a menos que a ponte utilizada possua uma preciso compatvel com a medida a ser feita. Lembremos, portanto, que cada equipamento de medida apresenta uma determinada preciso e, para termos certeza de que a preciso do equipamento est dentro dos valores especificados, h a necessidade de utilizar padres cujas precises estejam asseguradas intrinsecamente, ou que so comparados com outros padres mais precisos. Da falarmos em padres secundrios, primrios, etc. Suponhamos, por exemplo, que, em um ncleo de manuteno, seja necessrio calibrar a base de tempo de um osciloscpio. Na Fig. 6.7 apresentamos a cadeia de equipamentos que assegura que a calibrao feita estar dentro de uma preciso especificada,
PADRO ( PADRO DE FREQNCIA

DE

CESIO)

I
CONTADOR ALTA ELETRONICO DE PRECISAO

Figura 6.7 Calibrao da base de tempo de um oscilosc6pio


GERADOR DE

I
DE MARCAS TEMPO

,
OSCILOSCOPIO CALIBRADO

I
A ( BASE SER DE

TEMPO)

A base de tempo do osciloscpio calibrada utilizando-se um gerador de marca de tempos (time-mark generator) que nada mais que um gerador de pulsos estreitos, com perodo selecionvel no seu painel frontal. Esse time-mark qenerator geralmente calibrado usando um contador de alta preciso, que permite verificar o nmero de pulsos em certo intervalo de tempo, isto , a preciso das "marcas de tempo". Por sua vez, para saber se o contador utilizado apresenta uma preciso, por exemplo, adequada para a calibrao do time-mark generator, temos que recorrer a um padro de csio que consiste num ressonador atmico (utilizando uma transio hiperfina do csio 133) para esta-

132

Circuitos integrados

bilizar a freqncia de sada de um oscilador de quartzo de alta qualidade. O ponto importante que essa transio atmica altamente independente de fatores externos, possibilitando preciso da ordem de I parte em 1011, para o padro de freqncia. Esse equipamento que gera pulsos de extrema estabilidade e com excepcional preciso de freqncia (1/1011 partes) , ento, utilizado para verificar o estado do contador de alta preciso, anteriormente mencionado. Verificamos, nesse exemplo, apenas o caso de freqncia e, obviamente, o leitor deve imaginar que existem cadeias anlogas para assegurar a medio de tenses contnuas, alternadas, resistncias, etc. Evidentemente, os centros de manuteno no podem ter todos os equipamentos necessrios e, geralmente, so poucos os centros que possuem os padres primrios, que geralmente pertencem a organizaes governamentais que prestam o servio de calibrao e aferio dos padres secundrios a serem utilizados pelos ncleos de manuteno. Como exemplo de Laboratrio de aferio e calibrao podemos citar o existente no Parque de Eletrnica da Aeronutica do Rio de Janeiro':" que possui vrias cadeias de calibrao e aferio, possuindo padres que so levados periodicamente, USAF, para comparao com os da mesma, que por sua vez esto intimamente interligados com o National Bureau of Standards (NBS) dos EUA. A razo de introduzirmos este breve estudo alertar o leitor que, para lidar com equipamentos de alta preciso necessrio ter meios reais de calibrar ou aferir estes equipamentos. Por exemplo, a calibrao de um voltmetro digital com preciso de 0,0001 % exige equipamentos normalmente no disponveis em ncleos de manuteno precariamente estabelecidos. Portanto, lembremos sempre que, para que seja garantida a calibrao de um detere minado equipamento, necessrio estarmos seguros de que o equipamento utilizado na medida esteja devidamente calibrado ou aferido, e possua a sensibilidade adequada para garantir o teste.

(*)Rua General Gurjo, 4 - Caju - ZC-08 - 20000 Rio de Janeiro - RJ

APNDICE

NOES

SOBRE

LGEBRA

DE BOOLE

Neste apndice apresentamos uma breve introduo ao estudo da lgebra de Boole, de modo que os leitores, no familiarizados com a mesma, tenham acesso imediato s principais informaes que sero teis para a compreenso dos Caps. :I e 4. A I. SINAIS BINRIOS

Entendemos por sinais binrios aqueles que podem assumir apenas dois valores distintos. Par exemplo, consideremos os contatos de uma chave, conforme indicado na Fig. AI.
Nc c

x=o

..-_.,..------

= I

Figura A1 Contatos de uma chave; Quando x = O os contatos esto abertos e quando x = 1 os contatos esto fechados

Figura A2 O transistor estar cortado ou saturado. dependendo do nivel do sinal de entrada

Chamando de x a varivel que representa o "estado" dos contatos da chave, podemos atribuir a x o valor de "O", quando a chave est aberta, e o valor "I", quando a chave est fechada; dessa forma, a varivel x representa um sinal binrio podendo apenas assumir os valores "O" e "1". Um outro exemplo esclarecer melhor o conceito de sinal binrio; consideremos um transistor, como indicado na Fig. A2, o qual estar cartado ou saturado dependendo do nvel do sinal de entrada. Digamos que a mxima tenso de saturao do transistor seja 0,4 V e que a tenso entre o coletar e o emissor (VCE)' quando o transistor est cortado, seja sempre maior que 5,5 V. Portanto, a tenso

APNDICE

NOES

SOBRE

LGEBRA

DE BOO-t:E

Neste apndice apresentamos uma breve introduo ao estudo da lgebra de Boole, de modo que os leitores, no familiarizados com a mesma, tenham acesso imediato s principais informaes que sero teis para a compreenso dos Caps. 3 e 4. AI. SINAIS BINRIOS Entendemos por sinais binrios aqueles que podem assumir apenas dois valores distintos. Por exemplo, consideremos os contatos de uma chave, conforme indicado na Fig. AI.
Vcc

x=o

Figura A1 Contatos de uma chave; quando x = O os contatos esto abertos e quando x = 1 os contatos esto fechados

Figura A2 O transistor estar cortado ou saturado, dependendo do nvel do sinal de entrada

Chamando de x a varivel que representa o "estado" dos contatos da chave, podemos atribuir a x o valor de "O", quando a chave est aberta, e o valor "1", quando a chave est fechada; dessa forma, a varivel x representa um sinal binrio podendo apenas assumir os valores "O" e "1". Um outro exemplo esclarecer melhor o conceito de sinal binrio; consideremos um transistor, como indicado na Fig. A2, o qual estar cortado ou saturado dependendo do nvel do sinal de entrada. Digamos que a mxima tenso de saturao do transistor seja 0,4 V e que a tenso entre o coletor e o emissor (VCE)' quando o transistor est cortado, seja sempre maior que 5,5 V. Portanto, a tenso

134

Circuitos integrados

de sada eo' pode ser considerada apenas em funo dos limites 0,4 V e 5,5 V, conforme ilustrado na Fig. A3. Se chamarmos de x uma varivel que represente "digitalmente" o estado da tenso eo podemos arbitrariamente dizer que, para eo < 0,4 V, a varivel x est no estado "O" e que, para eo > 5,5 V, a varivel x est no estado "1". Note que o "O" e "1" digitais no tm, realmente, uma correspondncia direta com a tenso, isto , o "O" digital no representa zero volt mas apenas um dos estados da varivel digital x.

tleo>5,5V

0,4 V

'0

(0,4

Figura A3

Identificao da tenso e. com uma varivel digital x

A2. POSTULADOS

DA LGEBRA DE BOOLE

Conforme verificamos anteriormente, os dois smbolos normalmente utilizados para representar os dois estados de uma varivel binria
so o "O" e o "1".

Chamando de x uma varivel binria, podemos apresentar os seguintes postulados relativos a essa varivel. a) Se x #; 1, ento x = O; se x #; O ento x = 1. Esse um postulado bvio pois como x s pode assumir os valores O e 1 evidente que se x for diferente de 1 ter que ser igual a O, e
vice-versa,

b) Se x

0, ento x'

1; se x = 1 ento x' = O.

Para ns x' representa o "complemento", ou a negativa lgica da varivel x e, portanto, lgico que se x = 0, x' = 1e, vice-versa, se x = 1, x' = O. Para -apresentar os outros postulados necessrio definir duas operaes lgicas importantes. Consideremos a Fig, A4, onde os contatos x 1 e x2 de uma chave esto ligados em srie. claro que para existir continuidade no circuito, isto , para a varivel Xo (total) ser igual a 1 (digital) necessrio que ambos x 1 e x2 sejam iguais a 1, ou seja, que ambos os contatos estejam fechados.

Apndice A

135
Tabela A1 Comportamento de 2 contatos, ligados em srie

XI

~,-------~~------~~
Xo
Figura A4 Contatos de uma chave, ligados em srie

X2
O

Xo
O O

O I I

I O I

O I

evidente que a seguinte tabela pode ser construda observando-se a Fig. A4. Como essa tabela idntica tabela que representa a multiplicao de XI e x2 resolveu-se adotar o sinal (-) para representar a operao entre Xl e x2 que forneceu a varivel xo' isto ,
Xo

= xJ . x2

Em termos digitais diramos que Xo ser a varivel de sada de um circuito porta (gate), tipo E (ANO), cujas entradas so Xl e x2' conforme representado na Fig. A5.

..--,,/ ..-"'.......
Xo

XI

x2

~Xo=

xI

x2

Figura A5 Definio da multiplicao lgica = x, = 1, x. ser igual a 1

x.

xI.

X l'

Apenas quando x I =

Analogamente, para dois contatos em paralelo teramos a representao esquematizada na Fig. A6, onde definimos o circuito porta tipo OU (OR). Devemos observar que os sinais (-) e (+) no significam simples smbolos numricos como no caso algbrico comum mas smbolos que representam as funes E e OU respectivamente.
xI

Xo
Figura A6 Definio da soma lgica x. = x I + X ,; a 1, para que a sada x. seja tambm igual a 1 basta que x J ou
X 1

seja igual

136

Circuitos integrados

Podemos agora apresentar os outros postulados da lgebra de Boole.


c) e)

O' O 1 O

=
=

O, O' 1
=

d) 11 = 1,

O.
o

Para ilustrar que esses postulados so verdadeiros podemos pensar em termos de contatos de chaves. Por exemplo O O significa dois contatos abertos em srie, o que sem sombra de dvidas implica que no haver continuidade e, conseqentemente, O 0= O. A Fig. A7 ilustra os postulados c, d e e, em termos de contatos de chaves.
o

c)

--../

o -.-/

-Y.__

d)~

Figura A7

Visualizao por meio de chaves dos postulados c,

d e e

Note que na figura estamos usando o smbolo (==) para indicar equivalncia entre os membros situados esquerda e direita desse smbolo. Os postulados correspondentes, para o caso da soma lgica, seriam os seguintes:
c') 1 + 1 d) O + O

= 1,
=

O,

i) O + 1 = 1 + O = 1.
A Fig. A8 ilustra, em termos de chaves, que esses postulados so verdadeiros.
c' )

--oo

------I

d' )

-GY-

o ---../0_-

e')

-O- -~-

.--c.....-

Figura A8

Visualizao, por meio de chaves, dos postulados c', d' e e'

Apndice A

137

Um erro muito comum a identificao dos sinais + e O como se fossem sinais algbricos comuns; de imediato vemos que isso falso pois na lgebra de boole 1 + 1 = 1, enquanto que na lgebra convencional 1 + 1 = 2.

A3. TEOREMAS A3.!. Teoremas

DA LGEBRA envolvendo apenas

DE BOOLE uma varivel

Chamando de x a varivel digital em questo, os seguintes teoremas so verdadeiros: x1 = x a) x + O = x X'O = O x + 1= 1 x+x=x x'x = x
(x)' = x x

x'

x x'
i

Vamos deixar a cargo do leitor verificar, considerando contatos de chaves, que todos esses teoremas so verdadeiros, limitando-nos a apresentar apenas um caso como exemplo. Por exemplo, consideremos o teorema que diz que x : x = x. Ora, x s pode assumir os valores O e 1 e, em termos de chaves, x . x significa dois contatos 110 mesmo estado em srie, conforme ilustrado na Fig. A9.

Figura A9

~---I I

0./

---"'-

~-~
I

Visualizar;:o por meio de chaves, do teorema

x x

=x

Ou seja, dois contatos iguais abertos, em srie, equivalem a um nico contato aberto, e, reciprocamente, dois contatos iguais fechados, em srie, equivalem a um nico contato fechado (x x = x). A3.2. Teoremas Chamando verdadeiros: x x
xy

envolvendo

2 ou mais variveis digitais, os seguintes teoremas so

x, y e z variveis

+ Y = v + x, + xy = x, + xz = x (y + z). + y) (x' + z) = xz + x'y.

~+~+z=x+~+~=x+y+~
(x

138

Circuitos integrados

Para ilustrar um exemplo, consideremos x + xy; como tanto x como y podem assumir os valores O e 1 podemos construir uma tabela que mostra que x + xy = x.
Tabela A2 Verificao do teorema x + xy = x; observe Que a primeira e a ltima colunas so iguais

,- _.,
,O

xy

x+xy

:0:, ,
,I, :I:
L_

O O O
I

~~:
'O
: I'
:I I I

O
I

'-_J

Verificao semelhante pode ser feita para cada um dos casos indicados. A3.3. Teoremas envolvendo
11

variveis

Nesse caso vamos apresentar apenas o famoso teorema de De Morgan; sejam XI' x2, .. XII' 11 variveis digitais; esse teorema estabelece que \" . (XI + x2 + xJ = X'I X2 . --~---. Ir ~

(XI

x2

XII)' = X'I

x~

+ -------

+ x~'

Ou seja, o complemento de uma soma lgica igual ao produto lgico dos complementos e, reciprocamente, o complemento de um produto lgico igual soma lgica dos complementos. Exemplifiquemos esse teorema para o caso de duas variveis XI e x2 A Tab, A3 auto-explicativa e mostra que (XI + xJ = X'I . x~ e que (XI' xzl' = X'I + X~
Tabela A3 variveis Verificao do teorema de De Morgan para o caso de apenas duas

x,
O

x.
O

x;

x.,
I

XI . '1.

x' + x' r-o,

,
Xi "2
Xi' Jl2

(x a)'
I 2

(xi" x2)
I I I

O O
I

,I
[ I
I

, ,
I

O O O
[

,-- -. ri'i ;~l I


[ [

O
I

, ,
O
I

I I

[O
[

[ O

O O

i
I I

101
I [O

,
I I

I
I

101
I I
I

, I! ' ,
I I

I
[
[

10
I

: O :
L_ J

10:
[

L_J

I I L _ .J

,
J

L _

Apndice A

139 E TEOREMAS DA LGEBRA

A4. RESUMO DOS POSTULADOS DE BOOLE

Para facilitar a utilizao das noes contidas neste apndice, apresentamos a seguir um resumo dos postulados e teoremas relativos lgebra de Boole, numerados para facilitar a referncia feita no Capo 4.
Tabela A4 Postulados e teoremas da lgebra de Boole

POSTULADOS Pl
P2

P3
P4

P5
TI T2 T3

T4
T5

Se x # 1, ento x = O; se x # O, ento x = 1 Se x = O, ento x' = 1; se x = 1, ento x' = O 00 = O e, dualmente,l + 1 = 1 1 . 1 = I e, dualmente, O + O == O I . O = O I = O e, dualmente, O + 1 = 1 + O = 1 TEOREMAS x + O = x e, dualmente, x 1 = x x + 1 = I e, dualmente, X O = O x + x = x e, dualmente, x x = x x + x' = I e, dualmente, X x' = O (x')' = x
x+y=y+x x

T6 T7 T8 T9
TIO TIl

xy = x

(x + y) + z xy+xz=x(y+z) (x

+ (y + z) =
= xz

+y +z

+ y)(x' + z)

+ x'y
xn

TEOREMA DE De MORGAN (x, + x2 + + xJ = x~ . x'2 . e dualmente, (x. . x2 xJ = x~ + x~ +

+ x~

APNDICE

FABRICAO DE CIRCUITOS IMPRESSOS EQUIPAMENTOS DE ENTRETLNIMENTO

PARA linguagem bastante embora possa no fins industriais, se de circuitos como

Neste apndice procuramos explicar, em uma simples, a fabricao de um circuito impresso que, passar em um rigoroso teste de qualidade, para presta, excepcionalmente bem, para a montagem hobby. B1. FINALIDADE DE UM CIRCUITO

IMPRESSO

A finalidade de um circuito impresso a substituio das ligaes entre componentes, anteriormente feita por meio de fios, por conexes metlicas (cobre) suportadas em uma chapa isolante (fenolite ou fibra de vidro). Caso o leitor nunca tenha visto um circuito impresso, sugerimos retirar a tampa de seu rdio de pilha e ver como o mesmo se apresenta. B2. MATERIAIS UTILIZADOS

Basicamente, so utilizadas a fenolite e a fibra de vidro, na fabricao de circuitos impressos, e a qualidade superior da fibra de vidro, principalmente com relao sua baixa absoro de umidade justifica o seu emprego, quase que exclusivo, nos circuitos industriais. Mas o leitor poder encontrar ainda alguns equipamentos que, por uma questo de preo, ainda utilizam a fenolite. No processo de fabricao das placas para a produo de circuitos impressos, faz-se uma prensagem, a quente, do material base (resina fenlica ou fibra de vidro impregnada) com cobre laminado, obtendo-se uma placa de fenolite ou fibra recoberta com uma fina camada de cobre, chamada de Ia minado recoherto de cobre tcopper-clad lamiuates. Dois tipos de placas so normalmente fabricados, a simples e a dupla, referindo-se s chapas que tm cobre de um lado s e de dois lados. A Fig. Bl ilustra os dois tipos de placas utilizadas.

FIBRA

DE
(a )

VIDRO

1"--

COBRE

FIBRA

OE
( b )

VIDRO

j
(b) Chapa

Figura B1 (a) Chapa de fibra de vidro com cobertura simples de cobre; de fibra de vidro com cobertura dupla de cobre

Apndice B

141

B3. ETAPAS DA PRODUO

DE UM CIRCUITO

IMPRESSO

Dado O "esquema" de um circuito, as etapas abordadas a seguir so necessrias para a fabricao de um circuito impresso. B3.1. Estudo da "distribuio dos componentes" na chapa impressa
("layoll r")

Nessa etapa, de posse das dimenses de todos os componentes a serem utilizados e tendo em vista o esquema do circuito, procura-se a distribuio adequada dos componentes que permita, em princpio, a ligao completa dos mesmos por meio das linhas impressas. Geralmente, o layout a que se chega no reproduz, no circuito impresso, a forma do esquema do circuito, pois se assim procedssemos, o circuito impresso ficaria muito grande. Essa etapa de projeto do lavout pode ser bastante dificil, para circuitos complexos e, geralmente, existem, nas fbricas, elementos especializados no projeto do lavout. interessante observar que, exatamente para evitar essa tarefa, que a maior parte das revistas tcnicas que apresentam novos circuitos para serem montados, geralmente apresentam o lavout do circuito impresso. Para a produo domstica de circuitos impressos esse lavout feito diretamente com as dimenses reais da chapa impressa. Em uma fbrica de circuitos impressos esse desenho (chamado masteri , geralmente, feito em uma escala, com o dobro das dimenses reais do circuito final. Posteriormente, na produo industrial, esse desenho fotografado e automaticamente reduzido e, com o negativo (e o positivo, conforme o tipo de produo industrial), so atacadas as etapas seguintes. B3.2. Preparao do laminado Ao adquirirmos um pedao de laminado de fibra de vidro (ou fenolite) recoberta com cobre verificamos que a superficie est escura, pela formao de xido de cobre na superficie da placa. J de posse do layout do circuito deve-se cortar a chapa com o tamanho necessrio (deixando alguma folga), o que pode ser feito com uma pequena serra. Em seguida, deve-se providenciar a limpeza da chapa j cortada o que pode ser feito com o uso de "bornbril". Lembre que em uma produo sria de circuitos impressos isto no permitido, sendo a limpeza feita por meio de produtos qumicos, pois a esponja de ao deixa muitas irregularidades na superfcie do cohrc: mas. como hobby, no h nenhum inconveniente srio em us-!a. Neste ponto a chapa est pronta para as prximas etapas do processo.

142

Circuitos integrados

B3.3. Transferncia do lavout para a chapa impressa

Uma vez pronta a chapa pode-se passar o desenho projetado para a chapa de cobre. Sobre a face cobreada, coloca-se um carbono e, sobre este, o desenho previsto para as linhas impressas, fazendo-se a seguir a transferncia do desenho para o cobre.
B3.4. Proteo das ligaes de cobre

Como o cobre est sobre toda a superfcie da fibra, e queremos o mesmo apenas nas linhas que correspondem ao layout, o que temos a fazer retirar o cobre excedente. Para isso vamos utilizar um produto qumico que ataca o cobre nas regies indesejadas, e, portanto, necessrio proteger as ligaes que queremos que fiquem impressas. Para isso podemos usar uma fita isolante plstica, facilmente encontrada no mercado. necessrio cortar tiras finas dessa fita o que pode ser feito colando a fita sobre uma superfcie de vidro, por exemplo, e, com uma lmina de barbear e uma rgua cortar as aludidas tiras, que sero utilizadas posteriormente. Quando as linhas do circuito forem curvas o leitor pode colar a fita plstica sobre um papel impermevel transparente e com uma tesoura cortar as formas desejadas. Na hora de colocar sobre o cobre, evidentemente, o papel impermevel deve ser retirado. oportuno salientar que muitas vezes o tcnico experimentado no chega nem a fazer um desenho, isto , conhecendo as dimenses dos componentes, vai colando diretamente a fita plstica na chapa.
B3.5. Banho de ataque (decapagem)

Dois produtos so utilizados para a corroso do cobre: o persulfato de amnio e o percIoreto de ferro. A seguir apresentamos os principais dados para a preparao dessas solues.
B3.5.l. Preparao da soluo de persulfato de amnio -

(NH4)2S2g

240 gramas de persulfato por litro de gua e 27 gramas de elo reto mercrico por litro de gua (HgCI2)
cloreto mercrico serve como catalisador para a reao entre o persulfato de amnio e cobre, isto , para acelerar a reao. A dissoluo do persulfato de mercrio na gua pode ser facilmente feita em torno de 60C, agitando-se continuamente.

B3.5.2. Preparao

da soluo de percloreto

de ferro -

FeC13

Dissolve-se 450 g de percIoreto de ferro em um litro de gua, agitando continuamente em torno de 60C.

Apndice B

143

o leitor deve, de imediato, notar que essas solues so corrosivas e, por exemplo, o FeCl3 ataca o ferro, devendo-se portanto, ter cuidado com os materiais usados para utilizao e armazenamento dessas solues. Aconselhamos o leitor a usar, para essas solues, cubas de PVC ou ento um Pirex. O persulfato de amnio s usado quando se quer uma definio maior do circuito impresso e, por ser mais caro que o percloreto de ferro, esse ltimo o mais popular produto para decapagem, usado nas indstrias.
B4. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL De posse da soluo preparada de percloreto de ferro e da chapa j devidamente protegida pela fita, deve-se proceder da seguinte forma: a) Escolha um local adequado para o trabalho. Lembremos que, como resultado do ataque, so liberados gases nocivos sade. Deve-se trabalhar em uma rea ventilada, e evitar respirar diretamente da cuba utilizada. b) Coloque a soluo em uma cuba de PVC (ou Pirex) e aquea ligeiramente, para obter uma ao mais rpida. (Geralmente a faixa de 25C a 60 C razovel; recomendamos a temperatura em torno de 45C). c) Coloque a chapa de fibra, j devidamente protegida pela fita plstica, dentro da soluo de percloreto. d) Com uma pina de madeira ou de ao inoxidvel (no use ferro, cobre, etc.) mergulhe e retire a placa lentamente, mantendo uma certa inclinao para o lquido escorrer. Repita essa operao tantas vezes quantas forem necessrias para que todo o cobre seja retirado das regies -no protegidas pela fita. e) Quando todo o cobre for retirado, retire a placa da cuba e lave-a cuidadosamente. f) Retire as fitas plsticas. g) Lave novamente, com cuidado, para retirar qualquer vestgio da soluo corrosiva. A placa est, ento, pronta para ser furada. h) Para a furao da placa use uma broca de 0,8 mm, ou mais, conforme o terminal do componente a ser introduzido no furo. Depois de toda furada a placa est pronta para ser montada. BS. OBTENO DOS PRODUTOS MERCADO NECESSRIOS NO

I. Chapa cobreada, com base fenlica ou de fibra de vidro. Vrias lojas de eletrnica vendem pedaos dessas chapas que podero ser

144

Circuitos integrados

adquiridos pelos leitores. Os fabricantes, geralmente, s aceitam encomendas de vrias chapas inteiras, podendo se citar entre esses a Perstorp Indstria de Plsticos S.A. e a Companhia Qumica Industrial de Laminados. Il. Fita isolante plstica, disponvel em qualquer loja de produtos eltricos e eletrnicos. III. Percloreto de ferro, persulfato de amnio, so produtos encontrados em qualquer grande loja de produtos qumicos. IV. Cubas de PVC, disponveis em qualquer loja especializada em produtos fotogrficos. Na falta dessas, usar pirex comum. V. Mquina de furar. Evidentemente s se for necessrio produzir muitas peas se tornar conveniente a compra de uma mquina de furar. Mas, se for esse o caso, sugerimos uma mquina miniatura de alta rotao, por exemplo 1 900 rpm.

B6. EXEMPLO CONCRETO

DE UM CIRCUITO IMPRESSO

Como complemento, e para possibilitar ao leitor um treinamento prtico, apresentamos a seguir um exemplo concreto da fabricao de um circuito. Evidentemente a primeira coisa que temos a considerar o esquema eltrico do circuito em estudo. No nosso exemplo consideraremos um amplificador de udio correspondente ao kit M-IOl. A Fig. B2 apresenta esse circuito, cuja montagem ser estudada com detalhes no
Apndice

c.
R3

9V

150Sl.

TAA 300
6

C6
12.5)1 F 2 25V

[>

C3

;OO?
C4
47nF

IO,~r ~

10 C2 680

M
~8.n

PF

Figura 82 Esquema do circuito considerado. Trata-se de um amplificador de udio de 1 W usando o circuito integrado TAA 300 (kit M-101 da 18RAPE)

A prxima etapa , conforme mencionamos, o estudo do lavout, isto , da distribuio dos componentes na placa. A Fig. B3 ilustra o layout a que se chegou.

Apndice B

145

H ,G -

PARA

FIXAO

Figura B3 Layout dos componentes do kit M-101 da IBRAPE. A posio dos componentes est indicada com linhas tracejadas

Figura B4 montagem

Placa para montagem do amplificador da Fig. B2 j pronta para a

146

Circuitos integrados

A seguir, o desenho das linhas transferido para a placa de fibra de vidro (devidamente limpa e cortada conforme j foi explicado anteriormente) e colocada a fita plstica sobre as linhas desenhadas na placa. A placa est ento pronta para sofrer a decapagem com a soluo de percloreto de ferro ou persulfato de amnio de acordo com o processo anteriormente explicado. Aps a decapagem, retirada da fita, limpeza e. furao, a placa apresenta o aspecto da Fig. B4 estando pronta para a montagem.

APNDICE C

DESCRIO

DETALHADA

DA MONTAGEM

E TESTES

DO KIT

M-IOl DA IBRAPEl*) O diagrama do circuito eltrico do amplificador constitudo pelo


kit M-lOl, as especificaes tcnicas, e um estudo do circuito foram

apresentados no Capo 4. Leia com ateno antes de iniciar a montagem. Identifique cada um dos componentes mencionados. Verifique o valor de cada resistor (consulte o cdigo de cores). Confira os componentes do conjunto (consulte a lista de materiais). Cl. CUIDADOS ESPECIAIS QUANTO S SOLDAGENS

- ateno que a presena de tenses na ponta do soldador pode provocar a destruio do circuito integrado. Verifique se a ponta do ferro de soldar est completamente isolada da rede eltrica (utilize um pequeno provador neon em srie com a ponta do soldador). Em caso de dvida, desligue o soldador (retirando o plugue da tomada) no momento de efetuar qualquer soldagem nos terminais do circuito integrado; - utilize somente a solda fornecida com o kit M-I01; - mantenha perfeitamente limpas as partes a serem soldadas e a ponta do soldador; - execute as soldagens com rapidez, utilizando a quantidade de calor estritamente necessria. A dissipao do ferro de soldar no deve ultrapassar 50 W; - a ponta do soldador deve ser aplicada juno, do terminal do componente, com a fiao impressa. Mantenha a ponta nessa posio at que a solda aplicada junta - e no ponta do soldador derreta e envolva a conexo; utilize pouca solda - apenas o necessrio -; no abale a conexo antes que a solda esfrie. C2. OPERAES DE MONTAGEM

A posio de cada componente est indicada, mediante o smbolo correspondente, na face isolante da placa. Consulte a Fig. B3, que
<'Dados publicados com a permisso da mesma

148

Circuitos integrados

mostra a disposio correta de todas as peas. Todos os componentes devem ser colocados sobre a face isolante. Os terminais devem atravessar os respectivos orifcios, fazendo contato com a parte cobreada na face oposta. Limpe e dobre, no comprimento adequado, os terminais dos componentes, antes de inseri-Ios nos orifcios da placa de fiao impressa. Aps a soldagem, corte o excesso do terminal, rente solda. Efetue as operaes na seguinte ordem: - coloque e solde os 6 terminais destinados s ligaes externas: 2 para entrada do sinal, 2 para sada e 2 para alimentao. Esses terminais so introduzidos mediante presso. Cuidado para no rachar a placa impressa; - coloque e solde os resistores RI' R3 e R4; - coloque e solde os capacitores eletrolticos Cl' C3, Cs' C6, C7 e C8 Ateno nos valores e na polaridade. Os capacitores Cs' C7 e Cs devero ter a carcaa encostada chapa fenlica; - coloque, e solde no seu lugar, o capacitor cermico C 2 de 680 pF, bem como o de polister C 4 de 47 /lF; - coloque e solde o potencirnetro R2 (trimpot); - coloque R2 na posio de resistncia mxima (pino de plstico encostado no batente externo - veja a Fig. Cl), Essa precauo indispensvel para evitar que o aparelho se danifique ao ser ligado pela primeira vez;

Figura Cl Ilustrao do trimmer de 25 kn (R.)

- monte o circuito integrado maneira:

(TAA 300), procedendo

da seguinte

a) verifique a disposio dos terminais (veja a Fig. C2); b) corte o terminal n." 3 (no-utilizado); c) una os terminais 1 elO; d) disponha os terminais de acordo com a posio dos orifcios correspondentes na placa impressa; e) introduza os terminais nos orifcios correspondentes (a orientao da lingeta do T AA 300 deve coincidir com a da seta impressa na placa); f) mantenha o corpo do T AA 300 paralelo placa impressa. As pontas dos terminais no devero sobressair mais do que 2 mm da face cobreada;

Apndice C

149

g) solde os terminais aos pontos correspondentes da fiao, sem alterar a posio do componente. Lembre-se da recomendao inicial quanto ao isolamento da ponta do soldador; h) passe graxa de silicone (ou vaselina) na parte superior do TAA 300; i) introduza o dissipador trmico, que dever ficar firmemente adaptado ao corpo do TAA 300. Para facilitar o encaixe, force ligeiramente o dissipador, com uma chave de fenda (Fig. C3); j) verifique cuidadosamente toda a montagem. ~ co

{~~I~
l5.3m ~II_'
Figura C2
_---'1-=<2l'--..m_\n __

.1

Invlucro do circuito integrado TAA 300

C3. AJUSTE DA POLARIZAO


Material necessrio

Fonte de alimentao (9 V CC); miliamperimetro interruptora; resistor de 47 n (1 W). Oriente-se pela Fig. C4.

CC; chave

- ponha em "curto" os terminais A e B, interligando-os com um pedao de fio de cobre nu; ligue um alto-falante de 8 n aos terminais de sada (D e E); ligue o plo negativo da fonte de alimentao ao terminal F;
MILlAMPERMETRO CURTO CIRCUITO

OA OB

C o+--c::::::lf-t-o

+9V

D<>+----,
E

____ F~It--II------~~
101-101 CON~UNTO DE PILHAS OU FONTE

ee
figura C3 Artificio para colocao do dissipador de calor Figura C4 Esquema do circuito para ajuste da polarizao

150

Circuitos integrados

ligue o plo positivo da fonte ao terminal C, atravs do conjunto formado pelo interruptor, pelo miliampermetro e pelo resistor de 47 Q, ligados em srie (o interruptor deve estar aberto); - feche o interruptor; decorridos dez segundos, observe a indicao do miliampermetro; se a montagem estiver correta, a corrente deve ser inferior a 8 mA; - ajuste cuidadosamente RJ at obter uma leitura de 7,5 mA; - ponha em "curto" o resistor de 47 Q ligado ao terminal C. Se houver alterao de indicao do miliampermetro, retoque com cuidado o ajuste de Rz at restabelecer a corrente de 7,5 mA; ateno: mesmo durante os ajustes, o valor da corrente no pode ultrapassar 8 mA, sob pena de avaria doTAA 300; - retire o miliampermetro e o resistor de 47 Q, e desfaa a ligao entre os terminais A e B. O amplificador est pronto para funcionar. C4. INSTALAO E LIGAES EXTERNAS

- ligue uma cpsula de alta impedncia (cermica ou de cristal) aos terminais A e B. Conforme ilustrado na Fig. CS, a malha de blindagem do cabo ligada ao terminal A. O condutor interno ligado a um resistor de 330 kQ, em srie com um potencimetro logartmico de 500 kQ ou 1 MO. A extremidade livre do potencirnetro ligada ao terminal A, e o cursor ao terminal B. Se, em lugar da cpsula, for empregada uma fonte de sinal de baixa impedncia (4 a 16 Q), elimine o resisto r de 330 kil e altere para 10 kQ ou 20 kil o valor do poten-

cirnetro ;
- ligue um alto-falante de 8 Q aos terminais D e E; - ligue a fonte de alimentao conforme indicado na Fig. C5: plo positivo ao terminal C e plo negativo ao terminal F. A tenso de alimentao (9 V) pode ser fornecida por um conjunto de 6 pilhas comuns de lanterna, ligadas em srie, ou por um eliminador de pilhas (9 V, 150 mA). O valor da tenso de alimentao no pode ultrapassar 10 V, em circunstncia alguma, sob pena de imediata destruio do aparelho;

CPSULA DE CRIS]AL OU CERA_ loUCA

AM PL.IFICADOR ~~OkA A C
D

.-11---.,

U'--It--t-"B
OOOk n , L.OG. OU IM.o. - LOG.

E F

-9V

Figura C5

Instalao e ligaes externas do amplificador

Apndice C

151

- para fixar o amplificador utilize os orifcios G e H. Cuidado para que a fiao no faa contato com as partes metlicas. Coloque espaadores nos parafusos de fixao. CS. DIAGRAMA DO CIRCUITO ELTRICO INTERNO DO TAA
300
R8

,,

I-.---.--+--~ 5

~--+-+~9

L-------~------------------------_4~--.8
10

Figura C6

Diagrama do circuito eltrico interno do TAA 300

C6. OBSERVAO IMPORTANTE Tratando-se de um amplificador com circuito integrado, a aplicao de tenses indevidas a qualquer ponto do circuito pode provocar a destruio de todas as junes internas. A ocorrncia de ligaes erradas ou abertas, bem como de "curtos" entre os terminais de qualquer componente ou entre partes de fiao, pode acarretar tenses capazes de danificar, parcial ou totalmente, o aparelho.

APNDICE

Nomes e endereos dos principais fabricantes de circuitos integrados

AEG- Telefunken, D-71 Heilbronn, Postfach 1042, Alemanha Ocidental Analog Devices, Route 1, Industrial Park, P. O. Box 280, Norwood, Mass. 02062, EU A Ferranti Ltd., Electronics Dept., Gem Mill, Chadderton, Oldham, Lancashire, Inglaterra Fairchild Semiconductor, 464 Ellis St. MS: 20-1066, Mountain View, California 94040, EUA General Electric Company - Syracuse - NY 13201, EUA No Brasil: General Electric Aplicaes Eletrnicas ARTIMAR LTDA. Largo So Bento, 64 - Conj. 12516 - So Paulo Harris Semiconductor, P. O. Box 883, Melbourne, Florida 32902, EUA ITT Semiconductors, 3301 Electronics Way, West Piam Beach, Florida 33407, EUA Matsushita Electronics Corpo Semicon. Div., 1 Kotari-Yakemachi, Nagaokakyo, Kyoto 716, Japo Motorola Semiconductor Products, Inc., 5005 E. McDowell Rd., Phoenix, Arizona 85008 No Brasil: Motorola Semicondutores do Brasil S.A. Av. Onze de Junho, 1005 Vila Clementino - CEP - 04041 - So Paulo Telefone: 71-3185 Mullard Ltd., Mullard House, Torrington Place, Londres, WClE 7HD, Inglaterra (under PHIN, Seco 14) National Semiconductor, 2900 Semiconductor Drive, Santa Clara, California 95051, EUA N. V. Philips Gloeilampenfabrieken, Dept. Elcoma, T. C. Integrated Circuits, Eindhoven, Holanda N o Brasil: IBRAPE - Ind. Bras. de Produtos Eletrnicos e Eltricos S.A Fbrica componentes: Rua Manoel Ramos Paiva, 506 . So Paulo Escritrio: Av. Paulista, 2073 - 1.0 andar - Conjuntos 1/2 - So Paulo Plessey Semiconductor, Cheney Manor, Swindon, Witshire, Inglaterra RCA CqI:patation,Solid State Div., Route 202, Somerville, New Jersey 08876, EUA

Apndice

153

No Brasil: RCA Telesistores S.A. Av. Ipiranga, 1097 - So Paulo R. T. C. La Radiotechnique-Compelec, 130, Avenue Ledru-Rollin Raytheon Company, 350 Ellis Street, Mountain View, Califomia 94042, EUA Silicon General, Inc., 7382 Bolsa Avenue, Westminister, California 92683, EUA Signetics Corporation 811 East Arques' Ave., Sunnyvale, Califomia 94086, EUA Siemens Aktiengesellschaft, Serniconductor Div., Balanstrasse 73, 8000 Munique 8, Alemanha Siliconix, Inc., 2201 Laurelwood Rd., Santa Clara, California 95054,
EUA

Solitron Devices, Inc., 256 Oak Road, Tappan, New York 10983, EUA Sprague Electric Company, North Adams, Massachusetts 01247, EUA Thomson-CSF, Div. Semiconductors SESCOSEM, 101 Blvd. Murat, 75781-Paris Cedex 16, Frana Texas Instruments, Inc., MS5, P. O. Box 5012, Dallas, Texas 75222, EUA No Brasil: Texas Instrumentos Eletrnicos do Brasil Ltda. Escritrio: Rua Joo Annes, 153 - Lapa - So Paulo Tels: 260-8351. - 260-8331 Fbrica: Rua Abolio, 1657 - CP-86 - Campinas So Paulo Distribuidor no Rio de Janeiro: Magnaton Rdio S.A. Av. Marechal Floriano, 41/43, RJ Teledyne Semiconductor, 1300 Terra Bella Ave., Moutain View, California 94043, EUA

Este trabalho foi elaborado pelo processo de FOTOCOMPOSIo Monophoto - no Departamento de Composio da Editora Edgard Blcher Ltda. - So Paulo - Brasil

impresso

na grfica e editora 247 . s.p.

planimpress rua anhaia,

CIRCUITOS

INTEGRADOS

Livro-texto

para escolas tcnicas de Eletrnica

PARA USO EM Estudo sucinto Estudo dos circuitos integrados existentes no mercado Projeto de circuitos lineares Projeto de circuitos digitais Problemas prticos encontrados no uso de circuitos integrados Manuteno de equipamentos eletrnicos integrados Fabricao de circuitos impressos Montagem de circuitos

~~

EDITORA EDGARD BLCHER LTDA.

05435