Le transistor bipolaire

ING2
MADIGOU Fabrice
1

Historique
1907 de la triode Dcouverte (composant amplificateur) par lamricain Lee de Forest

1947-48 1er transistor PNP (Germanium) Dvelopp dans les laboratoires Bell par Bardeen, Brattain et Shockley (prix Nobel de physique en 1956) 1960 1971 Transistor en technologie sur silicium (jonction planar) 1er microprocesseur (Intel 4004 : P 4bits, 2300 transistors)
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Dfinition
Transistor : (Transfer resistor) rsistance de transfert. Composant lectronique utilis pour remplir la fonction damplificateur (de courant ou de tension) ou la fonction de commutateur lectronique.

Constitution & principe de fonctionnement

NPN PNP

IB, IC, IE > 0 VBE > 0 VCE > 0

IB, IC, IE > 0 VBE < 0 VCE < 0

Constitution & principe de fonctionnement

Il est constitu par la succession de trois couches de semi-conducteur (gnralement du silicium) de type NP-N (ou PNP). Des connexions mtalliques sont fixes sur la partie centrale appele Base et sur les deux extrmits appeles Collecteur et Emetteur.

Un faible courant courant de base : Ib peut commander un courant plus important courant de collecteur : Ic.
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Caractristiques du transistor
Les caractristiques de transfert sont dfinies partir du montage suivant :
Rc : rsistance de collecteur Rb : rsistance de base

Ic Ib Vce E1 Ie

E2

On effectue ce que lon appelle une polarisation du transistor. Celle-ci permet de dfinir les caractristiques : dentre ib=f(Vbe) paramtre en Vce de sortie ic=f(Vce) paramtre en ib.
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Caractristiques du transistor
Certaines de ces caractristiques se retrouvent dans les documents constructeur. Exemple BC546:

Caractristiques du transistor
On peut partir des mesures, effectuer un relev complet et tracer ces caractristiques sur un mme graphe :
Caractristique de sortie

Caractristique dentre

Caractristiques du transistor
Le transistor a deux modes de fonctionnement : Linaire : on a la relation de proportionnalit du courant Ic en fonction de Ib : Ic = .Ib Non linaire : o lorsque lon augmente le courant Ib le courant Ic nvolue plus. On dit que le transistor est satur. Lorsque le courant Ib devient nul le courant Ic lest aussi. On dit alors que le transistor est bloqu.

La polarisation du transistor
On effectue une polarisation en entre : on fixe le point de fonctionnement sur la caractristique Ib=f(Vbe) et une polarisation en sortie : on fixe un point de fonctionnement sur la caractristique Ic=f(Vce)

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La polarisation du transistor
polarisation en entre: On dfinie lquation de la droite dattaque :

Ic Ib Vce E1 Ie

E1 Vbe Ib = Rb
polarisation en sortie: On dfinie lquation de la droite de charge :

E2

E 2 Vce Ic = Rc

E1=3v E2=15v

Rb=1,5k Rc=30

11

Caractristiques du transistor
Caractristique de sortie

E1=3v E2=15v

Rb=1,5k Rc=30
E2/Rc

E 2 Vce Ic = Rc

droite de charge

E1 Vbe Ib = Rb

E1/Rb E2

Caractristique dentre

droite dattaque

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Caractristiques lectriques du transistor

les composants sont limits en : tension courant puissance. Cette dernire permet de tracer lhyperbole de dissipation max
Icmax

Pmax

13 Vcemax

Caractristiques lectriques du transistor

Exemple :BC546

14

Caractristiques lectriques du transistor

Exemple :BC546

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Les trois structures de base:

Le montage metteur commun
Ic
Ic

Ib Vce>0 Vbe>0
Vbe<0

Ib Vce<0

Le montage collecteur commun

Ie
Ie

Ib Vec<0 Vbc>0
Vbc<0

Ib Vec>0

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Les trois structures de base:

Le montage base commune
Ie Ic
Ie Ic

Veb<0

Vcb>0

Veb>0

Vcb<0

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Le transistor bipolaire en rgime dynamique :

paramtres hybrides de quadriple
I1 I2

V1

V2

v1 h11 h12 i1 = i h 2 21 h 22 v 2 v1 = h11i1 + h12 v 2 i 2 = h 21i1 + h 22 v 2

modle dynamique du transistor

Ib Ic

Ic
Vbe

transistor

Vce

Ib Vce Vbe

v be = h11i b + h12 v ce i c = h 21i b + h 22 v ce

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Le transistor bipolaire en rgime dynamique :

paramtres dynamiques du transistor
Rsistance de sortie 1 1 Vce = = rs = h 22 h OE ic ib =cste Amplification en courant ic = =h21=hfe ib Vce =cste Rsistance dentre Vbe = re =h11=hie ib Vce =cste
V ce

ic

ib

Vbe

Rapport de raction Vbe = K =h12 Vce ib =cste

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Le transistor bipolaire en rgime dynamique :

schma dynamique du transistor
Ib Ic

Schma simplifi: h12=0

Ib Ic

Vbe

h11 h21Ib h12Vce 1/h22

Vce

Vbe

h11

h21Ib

1/h22

Vce

Schma trs simplifi: h12=h22=0

v be = h11i b + h12 v ce i c = h 21i b + h 22 v ce

Vbe

Ib

Ic

h11

h21Ib

Vce

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Montage en metteur commun :

montage thorique:

Rc

Ic E2 Ib
Rb

E1 et E2 sont des sources de tension continues eg est une source de tension alternative eg=emsint avec em<<E1

Vce Vbe

eg E1

21

Montage en metteur commun :

point de fonctionnement

E2/Rc

ic

t E1/Rb E2

Vce

22
ib

Montage en metteur commun :

montage rel :
E : source de tension continue eg : source de tension alternative eg=emsint C : condensateurs de liaison
Rb Rc

Cls

E
Cle

Vce eg Vbe

Ru

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Montage en metteur commun :

modle dynamique du montage :
Rb Rc Cls

E
Cle

Vce eg Vbe

Ru

Rb

Rc

Ib

Ic

eg Vbe

h11

h21Ib

1/h22

Ru

Vce

les sources de tension continue = des court-circuits les sources de courant continu = des circuits ouverts E =0 eg=emsint C : court-circuit la pulsation

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Montage en metteur commun :

modle dynamique du montage :
Ib Ic

eg

Ve

Rb

h11

h21Ib

1/h22

Ru Rc

Vs

Ib

Is

eg

Ve

Rb

h11

h21Ib

Req

Ru

Vs

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Montage en metteur commun :

modle dynamique du montage :
Ib Is

eg

Ve

Rb

h11

h21Ib

Req

Ru

Vs

Calculer:
Lamplification en tension Lamplification en courant Lamplification en puissance Limpdance dentre Limpdance de sortie Vs/Ve Is/Ie Ps/Pe Ze=Ve/Ie Zs=-Vs/Is

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Montage en metteur commun :

montage avec une polarisation stable :

Rb1

Rc

Cls

E
Cle

Vce eg Vbe
Cde Ru

Rb2

Re

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Montage en collecteur commun :

montage avec une polarisation stable :

Cdc Rb1 Rc

E
Cle

Vce eg Vbe
Cls

Rb2

Re Ru
28

Montage en collecteur commun :

modle dynamique du montage :
Cle Cdc Rb1 Rc

Vce eg Vbe
Cls

Rb2

Re Ru

R1

Ib

Ic

eg Ve

h11

h21Ib

1/h22

les sources de tension continue = des court-circuits les sources de courant continu = des circuits ouverts E =0 eg=emsint C : court-circuit la pulsation
Ru

R2

Vs
Re

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Montage en collecteur commun :

modle dynamique du montage :
Ib h11 Is

eg

Ve

R1

R2

h21Ib

1/h22

Re

Ru

Vs

Ib

h11

Is

Amplification en tension : Amplification en courant : Amplification en puissance : Impdance dentre : Impdance de sortie :

eg

Ve

Rbeq

h21Ib

Req

Vs

Ru

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Montage en collecteur commun :

modle dynamique du montage :
Ib h11 Is

eg

Ve

Rbeq

h21Ib

Req

Ru

Vs

Amplification en tension : Amplification en courant :

Av =

Vs = Ve

( h 21 + 1). Re q.Ru Re q + Ru ( h 21 + 1). Re q.Ru h11 + Re q + Ru

Ai =

1 Is (h 21 + 1) Re q . = (Re q + Ru ) h (h + 1)Ru Ie ( 11 + 21 + 1)

Amplification en puissance : Ap = Impdance dentre : Impdance de sortie :

Ps Vs.Is = = Av.Ai Pe Ve.Ie

Ye =

Re q

(Re q + Ru )

Ze =

Ve Ie

R eq + R u 1 1 + = R beq (h 21 + 1)R eq .R u Ze

Vs Zs = Is

Ys =

1 (h + 1) 1 + 21 = h11 Zs R eq

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Montage en collecteur commun :

Pour un transistor 2N2222 :

Avec un point de polarisation Ic=1mA On a: h11= 2k h12= 8.10-3 ngligeable h21= 50 h22= 5.10-6 => 1/ h22=2.105

Sur le montage collecteur commun on a : une faible amplification mais une impdance de sortie faible ce qui permet dutiliser ce montage avec une charge Ru faible.

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Application du transistor dans la stabilisation de tension :

principe :
Vprim transformateur Vsec Redresseur + filtre Ve Rgulateur transistor Vs

Is=100mA
Ip

ic Vprim) Vsec ) 220v/18v Ve(t) C

Rp Dz Vz iz

Vs(t)

charge

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Application du transistor dans la stabilisation de tension :

structure du rgulateur de tension :
Vce
Ip

Is=100mA

tude en rgime statique :

Ve est constante =20,6v Diode zener Vz=5,6v Transistor h21=100 h11= 2k Vbe=0,6V Calculer: Vs en fonction de Vz et Vbe la valeur de Rp La puissance dissipe dans le transistor

Ve

Rp Dz Vz iz

Vs

charge

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Application du transistor dans la stabilisation de tension :

structure du rgulateur de tension :
Vce
Ip

Is=100mA

tude en rgime dynamique :

charge

Ve

Rp Dz Vz iz

Vs

Dterminer le modle quivalent pour en dduire londulation de la tension de sortie Vs en fonction de Ve

h21Ib

Is

Rp

h11
Iz Rz

Ib

Vs

Ru

Ve eg

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Montage en base commune :

montage avec une polarisation stable :

Rb1

Rc Cls

E
Ru

Vce Vbe
Cdb Rb2 Re Cle

eg

36

Montage en base commune :

modle dynamique du montage :
h21Ib Is

Ib eg Ve
Rc Re

h11

Vs

Ru

Amplification en tension : Impdance dentre : Impdance de sortie :

Av =

Vs = Ve

Ve Ze = Ie

( h + 1) 1 + 21 Ye = = Re h11 Ze

h 21Rc h11 1

Zs =

Vs = Rc Is

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Le transistor en commutation :
Le transistor a deux modes de fonctionnement : Linaire : on a la relation de proportionnalit du courant Ic en fonction de Ib : Ic = .Ib Non linaire : o lorsque lon augmente le courant Ib le courant Ic nvolue plus. On dit que le transistor est satur. Lorsque le courant Ib devient nul le courant Ic lest aussi. On dit alors que le transistor est bloqu.

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Le transistor en commutation :

OFF : IC 0A VCE VCC ON : IC=ICM VCC/RL

39

Le transistor en commutation :
Rgime dynamique de commutation

td : temps de retard tr : temps de monte ts : temps de dsaturation tf : temps de descente ton td+tr : temps de fermeture
toff ts+tf : temps douverture

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Le transistor en commutation :
Puissance consomme:
Pertes par conduction : Rgime bloqu : IC=0 P=0 Rgime satur : P=VCESAT.ICSAT Pertes par commutation : Commutation ON-OFF pas instantane Pcom : prop. frquence prop. tON+tOFF => transistor rapide
Vce i

nergie dissipe en conduction

nergie dissipe en commutation

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Le transistor en commutation :
le transistor de puissance
Suivant sa puissance, il se prsente sous diffrents boitiers

42

Le transistor de puissance en commutation

Caractristiques technologiques :
Vceo : tension de claquage, base ouverte VceR : tension de claquage, base relie lmetteur par une rsistance. Vcex : tension de claquage, jonction base-metteur polarise en inverse.
Ic

Vce Vceo VceR Vcex

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Le transistor de puissance en commutation

Caractristiques technologiques :

Puissance dissipe en fonction de la temprature

volution de lamplification en courant en fonction du courant collecteur

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Le transistor de puissance en commutation

Problme de la commutation suivant la charge :
Vcc 2 L1 10uH D1

Hypothses :
Vd=0,7v en conduction On nglige les temps de commutation du transistor (ton/toff)

1mH

ID

IL
R1 10

Dterminer:
Vce
1. la loi dvolution de iL, ic, iD et Vce en fonction du temps lors des phases de commutation 2. lvolution du point de fonctionnement dans le plan Ic/Vce du transistor lors de la commutation

Ic
R2 Q1

Ve

1k

Q2N3904 0

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Le transistor de puissance en commutation

Association de transistors : Mise en parallle :
Permet de commander des montages fort courants Rsistances dmetteur pour quilibrer les courants
Q2 Q3

R3

R4

Mise en srie:
Permet davoir une tenue en tension plus importante Technique trs rare car on a des problmes de synchronisation au blocage

Q4

D2

R5

R6 C1 1n

Q5

D3

R7

R8 C2 1n

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