Ejemplo TRAN1 Un transistor BJT de tipo npn y β= 100 se conecta de la siguiente manera: la base se conecta al terminal positivo de una

pila de 5 V a través de una resistencia de 100 kohmios; el colector se conecta al terminal positivo de otra pila de 10 V a través de una resistencia de 100 ohmios el emisor se conecta a los terminales negativos de ambas pilas. En estas condiciones calcule la corriente de colector.

Ejemplo TRAN2 Un transistor BJT del tipo NPN con β =100, se conecta a una pila de 30 V de la siguiente manera: el colector se conecta al terminal positivo de la pila a través de una resistencia de 330 ohmios . La base tambiénn se conecta al mismo terminal positivo de la pila a través de una resistencia de 560 kohmios. El emisor de conecta directamente al terminal negativo de la pila. Calcule la tensión entre colector y emisor.

Basándonos en los datos que conocemos calculamos: 2V–Ib*10KΩ-0.13ma Ic=13ma. Utilizando la formula Ic=β*Ib. Lo único que resta por calcular es la corriente del emisor que ya dijimos que es la suma de las corrientes que circulan por las dos mayas.3V/20KΩ Ib=0.13ma. donde Vce es la tensión que cae en nuestro componente equivalente.Reemplazamos nuestro circuito por un modelo equivalente manteniendo. plantearemos una tabla que nos permite visualizar las diferentes zonas de trabajo de un transistor y las respuestas del mismo en las distintas regiones.115ma . No debemos perder de vista todos los conceptos utilizados en el ejercicio explicado anteriormente. a diferencia del anterior es del tipo pnp.3V/10KΩ Ib=0. Una vez más plantearemos las ecuaciones del circuito. claro esta.13ma.5V. Reemplazamos los valores en la ecuación de la segunda maya: 12V–13ma*0. Basados en el circuito anterior. Vbb–Ib*Rb–Vd=0 y Vcc–Ic*Rc–Vce.3V=Ib*10KΩ Ib=1. la unión de las dos mayas.5KΩ-Vce=0 Vce=12V–6. Podemos plantear la ecuación de cada uno de los subcircuitos. podemos decir que Ic=100*0.13ma+13ma Ie=13. con un β=100. Habiendo averiguado la corriente de base y utilizando la formula Ic=β*Ib.7V=0 1.115ma. Vbb–Ib*Rb– Vd=0 y Vcc–Ic*Rc–Vce. En la primera fila el transistor se encuentra en corte.7V=0 Ib=2. entonces podemos decir que Ie=Ic+Ib Ie=0. Basándonos en la primera ecuación podemos calcular: 3V–Ib*20KΩ-0. con un β=100. en la segunda y tercera en zona activa y en las dos últimas se encuentra saturado Este transistor. podemos decir que Ic=100*0.5V Vce=5.

104ma*1KΩ=0. ahí reside la complicación.274ma. si vemos en el primero de los casos podremos observar que la corriente en esa porción de la maya es Ic.7V–Ie*4.615ma.7KΩ Ie=0.3V/4.995*0.276ma Ic=0.5ma Ie=11. Reemplazando la segunda ecuación: Vce=8V–0. En este caso la complicación mayor esta dada por la presencia de una resistencia conectada al emisor.Ic=11.7V=0 Ib=2. Las ecuaciones serian: Vbb–Ib*Rb–Vbe=0 y Vcc–Ic*Rc–Vce–Ic*Rc2.426V En este circuito debemos averiguar el valor de la resistencia Rc. Con la formula Ic=α*Ie calculamos Ic=0.3V/22KΩ Ib=0. La otra cuestión en particular es la corriente que circula por la resistencia de 1KΩ. 3V–Ib*22KΩ-0. Con la primera formula podemos plantear: Ie=(2V–0.115ma+11.274ma*1KΩ-0. Como el circuito polariza al transistor con la conexión mediante emisor común. De la misma forma que en el caso anterior solo resta calcular Ie=Ic+Ib Ie=0.104ma*Rc–Vce-0. podemos inferir que el transistor se encuentra saturado por lo cual Vce deberá tener un valor de 0.7KΩ Vce=8V–0. .5V.7KΩ-Vce=0.276ma.276ma*4.3V Vce=6.7KΩ Ie=1. Utilizando la segunda formula planteamos: 6V-0.7V)/4.5ma.5ma*1KΩ-Vce=0 Vce=182V–11. si observamos el valor de β que es muy bajo en relación a los caso anteriores.5V Vce=6. Intentemos plantear las ecuaciones: 2V–0. ahora bien.7KΩ=0 y 8V–Ic*1KΩ-Ie*4. Reemplazamos los valores en la ecuación de la segunda maya: 18V–11. esta resistencia es común a las dos mayas y la encontraremos en el planteo de las dos ecuaciones.104ma. contamos con una formula que nos será de ayuda en este caso Ic=α*Ie con lo cual solo resta calcular y luego reemplazar.274V–1.

769KΩ.104V=0 Rc=4. .104ma Rc=4.104ma*Rc–0.104ma*1KΩ=0 6V-0.1045ma*Rc–0-0.6V-0.96V/0.