FACULDADE DE TECNOLOGIA DE BAURU

Curso de Sistemas Biomédicos

Disciplina de Sistemas Digitais

Memorias Semicondutoras

Professor: Tadeu Pellison Aluno: Gustavo Martins Tristão

Bauru 2012

sob orientação do professor eng. Tadeu Pelissom.Memorias Semicondutoras Gustavo Martins Tristão Este trabalho foi solicitado como parte integrante da matéria de Sistemas Digitais. Bauru 2012 .

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fitas perfuradas de papel. Barramento de Controle . através de circuitos biestáveis (flip-flop tipo D). através da modificação de índices ópticos de superfícies e sólidos. mídias ópticas e as famosas memórias em estado sólido. uma via por onde os dados possam entrar e/ou sair (barramento de dados) e uma via através da qual se possa controlar outros aspectos da memória (barramento de controle). através de cargas elétricas sobre capacitores. existem várias maneiras de se armazenar dados como. através de modificação do estado quântico de uma molécula ou átomo. basicamente em 2 tipos: RAM (Random Access Memory) e ROM (Read Only Memory). etc. discos magnéticos.Introdução Com o passar do tempo o Homem desenvolveu novas maneiras de armazenamento de dados que o auxiliou a usá-los de maneira mais eficiente. Este tipo de memória divide-se. por exemplo. memória de tambor. Talvez o mais notável. e com certeza o mais evolutivo meio de armazenamento de dados inventado até hoje tenha sido o livro impresso. A memória semicondutora produzida com componentes de estado sólido é um dos tipos de memórias mais utilizados em circuitos digitais atualmente. Na linha evolutiva das memórias utilizadas em computadores pode-se citar as fitas K-7. As memórias em estado sólido (ou semicondutoras) são conhecidas por este nome pelo fato de não terem partes móveis. através de fita magnética (memória do tipo sequencial). matrizes de mini-toróides magnéticos. Uma memória qualquer tem que ter no mínimo uma via através da qual possa se se faça um acesso a um dado específico (barramento de endereçamento). Hoje em dia. cartões perfurados.

Para que o conteúdo de uma determinada posição seja lida. geralmente 1. cada uma das quais indicadas por um endereço (ENDEREÇO). a memória é habilitada.Existem vários tipos de memórias. 4 ou 8 bits. o que faz com que a informação seja armazenada na memória. aplica-se um pulso na linha de controle ESCRITA. Na operação de escrita. as quais possuem características e aplicações especificas. Em cada uma das posições é possível armazenar certo número de bits. conterá 2n posições. Em seguida. diminuindo pela metade o número de pinos necessários para a transferência de dados. a memória é habilitada através da ativação da linha HABILITA e o endereço desejado é colocado nas linhas de endereço. Em grande parte dos circuitos integrados de memórias uma mesma linha física é utilizada como entrada e como saída (nunca simultaneamente). o endereço desejado é colocado nas linhas de endereço e a informação que se quer armazenar é colocada nas linhas DATA IN. mas que podem ser representadas genericamente pelo diagrama funcional a seguir: FIGURA 1 A memória contém diversas posições. Após um determinado intervalo de tempo. . se a memória possui n linhas de endereço. o conteúdo da posição endereçada aparece nas linhas de saída DATA OUT. Barramento de dados (Habilita) permite a entrada (escrita) e/ou saída (leitura) dos dados.

.Barramento de endereçamento (Linhas de endereço) permite que uma posição de memória seja acessada através da combinação de zeros e uns neste barramento. habilitação do barramento de dados. habilitação da operação de escrita (Habilitar escrita). para o funcionamento (Habilita Chip). estado de saídas em alta impedância ou tri-state (Habilita Saída) etc.I. A figura 2 apresenta uma memória com 3 bits de linhas de endereço. Figura 2 Exemplo: .. WE=1 para leitura) e uma linha de habilitação do circuito denominada CS = seleciona C. possibilitando a discriminação ou acesso a 2³ = 8 posições de memória. Cada uma das oito posições de memória contém uma palavra de 4 bits. estado de stand by. Como exemplo de controles temos uma linha de controle de escrita/leitura denominada WE= Habilita Escrita (WE=0 para escrita.I – habilitada com nível lógico 1. habilitação da função de leitura (Habilita Leitura. estas duas geralmente num único pino do tipo Write/redá).Barramento de Controle (Controle de Comunicação) é um conjunto de linhas que permitem controles do tipo: habilitação do C.

os bits de dados D1 e D0 correspondentes ficam disponíveis para leitura ou escrita de dependendo dos níveis lógicos dos bits de controle. FIGURA 3 Para compreender melhor seu funcionamento. Neste exemplo. o decodificador de linha contém o endereço A1 A0 =11 (ativando a saída X3) e o decodificador de coluna de endereço A3 A2=10 (ativando a saída Y2) selecionando. assim. Neste caso. coloca-se um valor qualquer no barramento de endereços. como mostra o Estado da memória Habilita escrita Habilita leitura Memória desabilitada 0 0 1 0 1 X TABELA 1 .Uma memória de 16x2 tem 16 posições com 2 bits de dados em cada posição. por exemplo: A3 A2 A1 A0 = 1011. perfazendo um total de 32 células de memória. CE e R / W tabela de sinais de controle a seguir: CE R/W uma informação. A figura abaixo representa a arquitetura interna de uma memória 16x2 com escrita e leitura. a posição hachura da.

Memórias não voláteis: São memórias que retêm a informação mesmo quando não estão alimentadas (ROM’s). Além disso. possuem duas características básicas que devem ser analisadas para a sua utilização em um determinado sistema:   Capacidade: quantidade de bits que é capaz de armazenar. cada tipo de memória possui características próprias que determinam sua aplicabilidade. as operações de escrita e leitura não podem ser executadas. em geral. . enquanto o sinal CE está ativado (nível lógico 0). As memórias podem ser: Memórias voláteis: São memórias que perdem o conteúdo retido quando deixam de ser alimentadas (RAM’s). SETUP e DIAGNÓSTICO fabricadas pelos AWARD. as memórias podem ser classificadas em:   Memória volátil: as informações armazenadas são perdidas ao se desligar a alimentação. Memória não volátil: as informações armazenadas na memória permanecem inalteradas mesmo sem alimentação. caso contrário ( CE =1) a memória está desabilitada independente do nível lógico do sinal de R / W ( R / W =irrelevante) e. as memorias tipo RAM’S. a memória está habilitada para uma operação de escrita ( R / W =0) ou leitura ( R / W =1).Nota-se que. portanto. Neste aspecto. PHOENIX. As memórias. sobressai-se as memórias permanentes de computadores. Tempo de Acesso: tempo necessário para colocar os dados armazenados na saída (ciclo de leitura). Dentre as memórias não voláteis. que retêm programas de BIOS. Tipos de Memória Existem vários tipos de memorias que veremos a seguir. as duas principais são as memorias Tipo ROM’S. AMI etc.

Memórias RAM Estáticas e Dinâmicas As memórias do tipo RAM podem ser estáticas (SRAM) ou dinâmicas (DRAM). isto é. a escrita ou leitura de um dado não precisa ser feita de maneira sequencial. É aplicada em sistemas digitais como memória de trabalho (como é o caso da memória RAM utilizada em microcomputadores onde será carregado programas executáveis. As DRAMs podem ser integradas em grande escala e são muito mais baratas. com tempos de acesso típicos de 8 a 15 ns. isto é. as células são microcapacitores (intrínsecos) que armazenam a informação em forma de carga capacitiva. se estiver descarregado tem-se nível lógico 0. assume-se que a informação que estava armazenada era um "0". caso esteja abaixo de um nível menor que o anterior (limiar de nível 0) não é refeita a carga. ao ser desenergizada perde a informação armazenada (pode ser contornado utilizando-se de um uninterruptable power supply (UPS) junto à mesma). .1. Nas memórias do tipo dinâmica. caso esteja acima de um nível (limiar de nível 1) o capacitor é recarregado. isto é. dados a serem computados. se o capacitor estiver carregado tem-se nível lógico 1. 3. O processo de refresh consiste na verificação periódica da carga do capacitor (tipicamente umas 67000 vezes por segundo). etc). Nas memórias estáticas as células de armazenamento são flip-flop do tipo D ou elementos biestáveis e uma vez escrito um dado. As RAMs estáticas são usadas como CACHE porque são mais rápidas. Este tipo de memória exige um processo chamado refresh (recarga ou refrescamento de memória) em função do fato de que um capacitor dentro de um circuito integrado perder sua carga através de acoplamentos resistivos e capacitivos com os substratos ao seu redor.RAM -RAM (Random Access Memory) ® memória de acesso aleatório (acesso direto seria mais apropriado). enquanto nas DRAMs tem-se tempos de 50 a 60 ns. este permanece estável até que um outro dado seja escrito ou a alimentação seja retirada (por isso a denominação estática). ou seja. razões pelas quais são estas as usadas para a memória de trabalho do micro-computador. Memórias tipo RAM são utilizadas para escrita e leitura de dados e são voláteis.

A principal diferença e que a interna trabalha com o clock interno do microprocessador e a externa trabalha com o clock externo. DIMM Dual Inline Memory Module. FIGURA 4 .5 vezes mais lentamente que a interna. Por exemplo. Estrutura básica de uma memória RAM A figura 3 e 4 apresenta a estrutura básica de uma memória RAM com 16 células de armazenamento e com buffers para os dados de saída.5. neste caso. 64 bits 168 pinos 512MB máximos. Memórias Cache As memórias Cache são do tipo DRAM e podem ser internas (nível 1) ou externas (nivel 2). Memórias Tag São memórias (Chips de memória) cuja função é a de servirem de diretória para uma memória Cache ou para um pente de memória. com fator multiplicativo de 4. A Cache externa trabalha 4. 16bits 72 pinos 64MB máximos. Single Inline Memory Module 8bits 30 pinos 16MB máximo. um K6-II 450 MHz tem clock interno de 450 MHz e externo de 100 MHz.Padrões de encapsulamento SIMM.

EEPROM e FLASH -ROM (Read Only Memory) ® memória somente para leitura. Figura 6 – Diagrama em Blocos da ROM . como é o caso do programa BIOS (Basic Input Output System) de um computador. A evolução deste tipo de memória deu origem às memórias dos tipos PROM. EEPROM e FLASH. EPROM. Este tipo de memória não é volátil (pode-se desenergizá-la sem perder a informação armazenada). PROM. e é utilizada para o armazenamento de programas e dados que serão utilizados continuamente em um sistema sem a necessidade de alteração. EPROM.FIGURA 5 ROM. O programa armazenado não necessita ser carregado toda vez que se liga o sistema.

denominado máscara. Neste caso. é usado para especificar as conexões elétricas do chip. ROM Programada por Máscara (MASK-ROM) A ROM programada por máscara tem suas posições de memória escritas pelo fabricante de acordo com as especificações do cliente. A entrada CS’. A maior desvantagem destas ROMs é o fato de elas não poderem ser apagadas e reprogramadas. Um negativo fotográfico. seleção de chip (chip selection) é fundamentalmente uma entrada de habilitação/desabilitação das saídas da ROM. a ROM com os dados antigos não podem ser reaproveitada.As saídas de dados da maioria das ROMs são de três estados para permitir a conexão de vários chips de memória ROM ao mesmo barramento de dados. quando uma mudança qualquer no projeto do dispositivo exigir modificações nos dados armazenados. permitindo a construção de memórias de diversas capacidades. FIGURA 7 .

Igualmente à PROM. pode-se apagar uma EPROM em uns vinte minutos. A diferença é que ela pode ser “apagada” (ou recondicionada ao seu estado “virgem”) através de radiação ultravioleta (UV). É muito importante saber a tensão exata de gravação de uma memória.5 . é uma matriz virgem que pode ser gravada. Esta memória é por definição somente para leitura e sua gravação inicial é efetuada através de tensões bem acima de sua tensão nominal de funcionamento (5V). Exemplos Comerciais: 74186 (64x8) ® tempo de acesso » 50 ns. Num dia ensolarado de verão. conforme se queira o 1 ou o 0 numa determinada posição. com Sol do meio dia.ROM programável (PROM) A PROM é uma ROM programável uma única vez. Este tipo de memória é comprada virgem e o usuário efetua a gravação através de um gravador de PROMs. pelo usuário. para este fim. Existem vários e baratos dispositivos no mercado capazes de gravarem os mais variados tipos de EPROM. Figura 08 ROM programável Apagável (EPROM) A EPROM é o tipo de ROM mais utilizada. Tipicamente a tensão tem passos de 0. A memória é uma matriz de diodos e a gravação mantém ou queima um "diodofusível" desta matriz padrão. Normalmente são utilizadas lâmpadas fluorescentes sem a camada de cristais de fósforo para apagar EPROMS. Esta memória tem uma janela de quartzo.. transparente ao UV. O tempo típico de apagamento através de um dispositivo apagador de EPROMs é de 15 a 20 minutos. se esta for colocada sob os raios do Sol. TMS27C256 (32kx8) ® tempo de acesso » 120 a 250 ns.

ROM programável apagável eletricamente (EEPROM=E2PROM) É idêntica à EPROM. com a vantagem adicional poder ser apagada ou reprogramada eletricamente. Atualmente esta tensão tende a ficar num valor padronizado pela maioria dos fabricantes. mostrando a janela para receber a radiação ultravioleta. MODO ENTRADAS CE’ OE’/VPP VIL SAÍDAS LEITURA/VERIFICAÇÃO VIL DATAOUT . Muito utilizada em sistemas de BIOS juntamente com as RAMs-nãovoláteis. Figura 10 – Símbolo lógico para a EPROM 2732.volts e vai de 8 a 28 volts. mas ainda existem muitos problemas de diferenças de tensões de gravação. Figura 09 – Típico encapsulamento de um chip EPROM.

A segunda é o fato de a operação de apagamento remover o conteúdo da memória inteira. Pelo fato de a EEPROM poder ser apagada e reprogramada sem ser removida do circuito através da aplicação de tensões específicas. b) BootStrap. A primeira é o fato de elas precisarem ser retiradas de seu soquete para serem apagadas e reprogramadas. em vez da memória toda. uma EEPROM pode ser totalmente apaga em 10 ms. EPROM Apagável Eletricamente (EEPROM): As EPROM têm duas grandes desvantagens. obrigando que a mesma tenha de ser completamente reprogramada. Além disso. Ao contrário das outras ROM’s.0 volts. no próprio circuito. contra mais de 30 minutos para uma EPROM. Aplicações: a) FirmWare. c) Tabela de Dados. esta pode funcionar com tensão de gravação de 5. cuja função é a de guardar os programas principais das máquinas. f) Geradores de funções etc. d) Conversores de Dados.DESABILITA SAÍDA STANDBY PROGRAMAÇÃO VIL VIH VIL VIH X VPP HIZ HIZ DATAIN TABELA 2 HIZ  ALTA IMPEDÂNCIA VIL  TTL BAIXO (0 VOLTS) VIH  TTL ALTO (5 VOLTS) VPP  21 V (NOMINAIS) Memorias FLASH São memórias permanentes utilizadas geralmente em computadores e no interior de microcontroladores. A maior vantagem da EEPROM sobre a EPROM é a possibilidade de apagamento e reprogramação de palavras individuais. e) Geradores de caracteres. torna-se .

em alguns casos. . Figura 11 – Símbolo para a EEPROM 2864. MODO ENTRADAS CE’ OE’ VIL VIH X WE’ VIH VIL X SAÍDAS LEITURA ESCRITA STANDBY VIL VIL VIH DATAOUT DATAIN HIZ TABELA 3 APLICAÇÕES DAS ROMS FIRMWARE (Microprograma): Até agora. uma das mais importantes aplicações da memória ROM é no armazenamento dos microprogramas de um computador. até seus interpretadores de linguagem. Alguns microcomputadores também armazenam em ROM seu sistema operacional e. componentes estes que não existem no caso da EPROM.necessário o acréscimo de alguns componentes ao circuito da EEPROM.

TABELAS DE DADOS: São muitas vezes usadas para armazenar tabelas de dados que não mudam nunca. e produzem uma saída expressa em outro tipo de código. GERADORES DE CARACTERES: Se você já prestou atenção alguma vez aos caracteres alfanuméricos impressos na tela de display de cristal líquidos. Tais equipamentos utilizam memória de armazenamento em massa. dentes de serra. como senoidais. ao contrário daqueles armazenados em RAM (software).Os programas do computador que estão armazenados em ROM são denominados firmware pelo fato de não estarem sujeitos a mudança. GERADOR DE FUNÇÕES: O gerador de funções é um circuito que produz em suas saídas formas de onda das mais diversas. . CONVERSORES DE DADOS: Os circuitos de conversão de dados recebem um dado expresso em determinado tipo de código. para armazenarem o sistema operacional. que está armazenado em ROM. ondas triangulares e ondas quadradas. discos rígidos. Alguns exemplos de tais tabelas são aquelas utilizadas para implementar funções trigonométricas e as tabelas de conversão. deve ser executado tão logo a máquina tenha sido ligada. Um programa muito pequeno de partida fria ou “bootstrap”. MEMÓRIA DE PARTIDA FRIA (BOOTSTRAP): Alguns microcomputadores e a maioria dos computadores de maior parte não têm seu sistema operacional armazenado em ROM. deve ter notado que eles são formados por um grupo de pontos.

Suas diversas variações de tipos.Conclusão Com a evolução a memorias tornam-se cada vez mais necessárias para a vida moderna. são cada vez mais encontrados nos equipamentos atuais. Nos equipamentos médico elas são parte de um sistema decisivo para controle e processamento de todo os dados que os mesmo necessitam executarem seu trabalho e salvar vidas humana. tamanhos físicos e quantidade de processar dados são fundamentais para os equipamentos eletrônicos como microcomputadores entre outros. Por isso os diversos tipos de componentes apresentados aqui. para .

. REMY.Bibliografia ESKINAZI. Digital / Tec. APOSTILHA MEMÓRIAS SEMICONDUTORAS. Fábio Kurt Schneider. Prof.3. v.Colab. Schneider. Eletronica. Bertoldo Jr. CENTRO FEDERAL DE EDUCAÇÃO TECNOLÓGICA DE PERNAMBUCO CEFET-PE.Eletrônica CEFET-PR.0 / 2002. Valfredo Pila: MEMÓRIAS SEMICONDUTORAS.