2008/2009 Electronique 1

Répartition horaire : cours : TD : TP : Auteurs du document : André Bétemps 1H 14H 20H

Responsables du document : André Bétemps

Intervenants André Bétemps Myriam Chesneau Sylvain Boyer Claudine Guérini Jorge Ortiz

Dernière mise à jour : 01/01/2009

ELECTRONIQUE module 1 Fiches de COURS
Cours n°1: FONCTION DE TRANSFERT Cours n°2: DIAGRAMME DE BODE Cours n°3: AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL Cours n°4: Intégré au TD n°4 Cours n°5: LA DIODE DE REDRESSEMENT Cours n°6: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE PREMIERE PARTIE Cours n°7: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE DEUXIEME PARTIE Compléments sur la diode et les transistors page n°7 page n°8 page n°10 page n°1 page n°2 page n°5

TD
TD n°1: FONCTION DE TRANSFERT TD n°2: DIAGRAMME DE BODE TD n°3: AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL TD n°4: MONTAGES à AMPLI OP TD n°5: LA DIODE DE REDRESSEMENT TD n°6: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE PREMIERE PARTIE TD n°7: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE DEUXIEME PARTIE page n°1 page n°3 page n°5 page n°7 page n°9 page n°11 page n°12

TP
TP 1 : Diagramme de BODE TP 2 : AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL TP 3 : REDRESSEMENT TP 4 : UTILISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE TP 5 : FILTRES ACTIFS page n°1 page n° 4 page n° 6 page n° 10 page n° 14

En fin de poly :
• Test 2006/07 sans la solution pour vous forcer à le faire à plusieurs et vérifier vos résultats entre vous. • Test 2007/08 avec correction IUT d'Annecy Département Mesures Physiques Bétemps André MPh1 2008/09

2008-2009

Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

Cours N°1

FONCTION DE TRANSFERT

1. PREREQUIS : à lire AVANT le TD 1.1. NOTATION COMPLEXE

en régime permanent sinusoïdal :

v(t) = VM cos(ωt) = V 2 cos(ωt) i(t) = IM cos(ωt + ϕ) = I 2 cos(ωt + ϕ)

à chaque grandeur instantanée on associe une grandeur complexe telle que : v(t)=ℜe(V) i(t)=ℜe(I) avec V=VM e jwt =V 2 e jwt (si v(t) sinus alors v(t)=ℑm((V)) avec I=IM e j(wt +ϕ) =I 2 e j(wt +ϕ)

Remarque : En électrotechnique vu que la fréquence est fixe et que les appareils de mesure fournissent une valeur efficace, on utilise des expressions simplifiées (amplitudes complexes associées) et ainsi on associe V à v(t) et I e jϕ à i(t).

1.2.

IMPEDANCE COMPLEXE V on définit : Z= pour une pulsation ω donnée, ω = 2πf. I

ZR = R
Faire le 1. de la fiche d'exercices AVANT d'arriver en TD.

ZC = 1 jCω

Z L = jLω

2. FONCTION DE TRANSFERT

quadripôle linéaire

ve(t), et vs(t), sinusoïdales de même pulsation ω = 2πf régime linéaire, ni saturation, ni distorsion Vs H(jω) = Ve Physiquement : si f →0 schéma équivalent si f →

Exemple : Filtre passe-haut

Calcul littéral de H(jω):

schéma équivalent

passe les " ………" coupe les "………." Vérification cohérence du résultat : si f →0 H ~ … si f →

H ~…

IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°1

en gain et en phase.2008-2009 Fiche de cours d'ELECTRONIQUE MPh 1 Cours N°2 DIAGRAMME DE BODE 1. Faire les exercices 2 et 3 2. puis on somme les diagrammes de Bode de chaque partie. log(f/1) -1 0 1 2 3 0. DIAGRAMMES DE BODE DES FONCTIONS DU PREMIER ORDRE HdB H0 f (log) f0 Arg H f (log) Conclusion : Différence entre H et HdB (>ou <0 ?) H1 HdB Arg H f (log) f (log) IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°2 .1 1 10 100 1 (Hz) intérêt de la représentation : HdB = 20 log H = H dB = 20 log H1 × H 2 = 20 log H1 + 20 log H 2 = H1dB + H 2dB H = H1 × H 2 Φ = Arg(H) = Arg(H1 × H 2) = Arg H1 + Arg H 2 ⇒ Les fonctions de transfert sont décomposées en produit de fonctions de transfert bien connues (forme canonique). REPRESENTATION GRAPHIQUE Gain → Fonction de transfert HdB = 20 log H en décibels Φ = Arg[H ] en deg rés ou radians Phase → en fonction de log (f) échelle logarithmique : on représente log (f) mais on note en abscisse la fréquence et non son logarithme.

2008-2009 Fiche de cours d'ELECTRONIQUE MPh 1 H2 HdB Arg H f (log) f (log) H3 HdB Arg H f (log) f (log) Compléments : Tracé réel de H3 Calculer H3dB pour f=f0/2 puis f0 puis 2f0 puis faire de même pour arg(H3) B Justifier le nom de tracé asymptotique H4 HdB Arg H f (log) f (log) IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°3 .

2008-2009 Fiche de cours d'ELECTRONIQUE MPh 1 3.90 ° . COMPOSITION DE DIAGRAMMES 1 1 H(f) = H'×H" = × f 1+ j 1+ j f 10 100 H dB = H'dB +H"dB Φ = Φ'+Φ" 0 dB 1 10 100 1k f (log) Hz . Φ = f = 1 kHz. Φ = f = 100 Hz.180 ° calcul de quelques points du diagramme de phase réel f = 1 Hz.20 dB .60 dB calcul de quelques points du diagramme du gain réel: f = 10 Hz HdB = f = 100 Hz HdB = 0° 1 10 100 1k .40 dB . Φ = f = 10 Hz. Φ= IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°4 .

si ε <0 vs = .ε Rs avec Rd= ∞ .sur la sortie. 2.e-) = Ad ε. MODELE Si on veut être capable de prévoir théoriquement l'évolution de la sortie pour un signal d'entrée connu. mais Ad est si grand que : o si on connecte directement les signaux sur les entrées.9 Vcc. les caractéristiques essentielles sont : Ad≈3. • Le seul courant que le circuit absorbe est fourni par les alimentations symétriques et on a i+ = i . Pour l'ampli op d'usage courant. o si on réalise un rebouclage de l'entrée + sur la sortie.= 0 iOn en déduit le modèle électrique suivant : • ε Rd Ad.ε VS 3. on obtient une relation linéaire (amplification) entre le signal qu'on injecte en entrée et celui qu'on recueille en sortie. Ad= ∞ d'où ε Ad.ε = 0 Ad → ∞ montages non-linéaires en boucle ouverte saturation : si ε > 0 vs = Vsat. ROLE DE L'AMPLI OP EN ELECTRONIQUE e+ ε + e-Vcc Vs Un amplificateur opérationnel est un composant électronique qui : • s'alimente par deux sources de tension symétriques Réf/-Vcc et Réf/+Vcc avec la plupart du temps Réf=0V et Vcc=12V.Vsat ≈ .0. Pour le modèle on considère que Ad→ ∞ ∀ fréquence i+ • Si on alimente le circuit en -12/0/+12V + la tension en sortie ne peut pas dépasser +/-≈11 V On définit alors Vs max = Vsat ≈ 0. • Il réalise l'opération Vs = Ad (e+ . il se comporte comme un comparateur de tension o si on réalise un rebouclage de l'entrée . il se comporte comme un comparateur de tension à deux seuils.2008-2009 Fiche de cours d'ELECTRONIQUE MPh 1 Cours N°3 AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL +Vcc 1. Rs=0.9 Vcc et ε Vsmin = .Vsat IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°5 . il faut à partir des caractéristiques essentielles du composant lui associer un modèle qui est l'association de dipôles électriques simples. CARACTERISTIQUE ENTREE / SORTIE caractéristique statique entrée / sortie montages linéaires en contre réaction : e+ = e .105 à 10Hz puis diminue quand la fréquence augmente (Ad≈1 à 3MHz).

Remarque importante : A partir du schéma électrique équivalent à vous d'utiliser la méthode qui vous convient le mieux : • soit les lois des noeuds et des mailles qui est la méthode de base mais qui ne réserve pas de surprise • soit Millmann qui est une méthode plus systématique donc plus rapide mais où des oublis sont fréquents (impédance cachée ou reliée au 0V) Méthode Lois des noeuds et mailles Méthode Millmann J'en déduis alors que Vs= - R 2 Ve d'où le nom amplificateur inverseur. Vu que i+ = i. R1 5. L'AUTRE MONTAGE DE BASE Amplificateur non inverseur + ve R1 R2 vs d'où Vs= Montage suiveur + R1= vs Utilité ? et R2= d'où Vs= ve IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°6 . je peux déduire que : • le courant qui traverse R1 est le même que celui qui traverse R2 vs Je peux maintenant réaliser ci-dessous un schéma équivalent électrique du montage en enlevant l'ampli op mais en gardant évidemment toutes les contraintes qu'il a imposées notamment ε=0 donc e-=0V.= 0.2008-2009 Fiche de cours d'ELECTRONIQUE MPh 1 4. par l'intermédiaire d'un dipôle donc je pose : • ε=0 en fléchant directement cette tension sur le schéma. METHODE D'ETUDE SUR LE MONTAGE AMPLIFACTEUR INVERSEUR R2 R1 ve + Je constate que la sortie est bouclée sur l'entrée inverseuse.

FONCTIONNEMENT : ANALOGIE HYDRAULIQUE La diode est comparable à un tronçon de canalisation qui ne laisse passer le liquide que dans un seul sens.2008-2009 Fiche de cours d'ELECTRONIQUE MPh 1 Cours N°5 LA DIODE DE REDRESSEMENT 1. 4. que ce tronçon de canalisation n'entraîne aucune chute de pression (seuil nul) • Au paragraphe 4. Faire les 3.6V La démarche est la même que précédemment sauf que dans le schéma équivalent électrique la diode n'est plus remplacée par un fil mais par une fcem de 0.6V) Diode bloquée (interrupteur ouvert) I>0 U=0. PREREQUIS⇒⇒faire le 1 de la fiche d'exercices AVANT d'arriver en TD 2.6V. Hypothèse exacte Hypothèse fausse Diode bloquée I >0 ? oui Diode passante Et elle conduira tant que I>0 Faire le 2. mais conduit souvent à des montages moins intuitifs.6V Démarche à suivre : I=0 U ou I=0 U<0. de la fiche d'exercices IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°7 . DIODE = INTERRUPTEUR UNIDIRECTIONNEL I La diode est un composant électronique qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens La diode ne peut donc prendre que deux états distincts : Diode conductrice ou passante (fil ou interrupteur fermé) Diode bloquée (interrupteur ouvert) U Symbole électrique I>0 U=0 Démarche à suivre : Hypothèse : Diode passante Calcul de I en remplaçant dans le montage la diode par son schéma équivalent I=0 U ou I=0 U<0 On pourrait supposer au départ la diode bloquée puis vérifier U<0.6V. de la fiche d'exercices 4. La diode ne peut donc prendre que deux états distincts : Diode conductrice ou passante (fcem de 0.6V) 3. On dit qu’il est équivalent non plus à un fil mais à une fcem de 0. On considère alors que lorsque l’interrupteur est fermé il a un seuil de 0.6V. Nous considérerons : • Au paragraphe 3. que ce tronçon de canalisation introduit une perte de charge (seuil de 0. et 5. DIODE = INTERRUPTEUR UNIDIRECTIONNEL AVEC UN SEUIL DE CONDUCTION Quelquefois un modèle plus complet est nécessaire pour expliquer ou prévoir les formes d’ondes obtenues.

• vanne ouverte à fond. FONCTIONNEMENT : ANALOGIE HYDRAULIQUE Le transistor est comparable à : • Soit on ouvre plus ou moins la vanne pour contrôler le débit C'est le transistor en régime linéaire • Soit on utilise cette vanne en tout ou rien c'est à dire : • vanne fermée. la différence se situant au niveau du sens des courants : B C C Le petit courant qui circule de E vers B contrôle le fort courant entre E et C La flèche entre E et B est importante car par rapport au précédent la diode entre B et E est dans l'autre sens. pour le PNP. PREREQUIS⇒⇒faire le 1 de la fiche d'exercices AVANT d'arriver en TD 2. C'est le transistor en Tout Ou Rien (TOR) 3. LE TRANSISTOR et ses 3 schémas électriques équivalents A la différence de la diode : • Le transistor possède une broche de plus qui permet de contrôler l'intensité du courant qui le traverse. E • Le transistor PNP E B C'est le petit frère du précédent. Pour le NPN. B VEC C Transistor saturé (fil ou interrupteur fermé) Transistor bloqué (interrupteur ouvert) on aura aussi les 3 schémas équivalents avec VEC au lieu de VCE IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°8 . C C B E VCE IB E Ic B Les 3 schémas équivalents pour le transistor NPN sont : IB ≠ 0 Ic=β IB VCE>0 IB = 0 Ic≠βIB (et Ic<βIB) VCE=0 Ic=0 VCE OU Transistor passant (régime linéaire) E Pour le transistor PNP.2008-2009 Fiche de cours d'ELECTRONIQUE MPh 1 Cours N°6 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE PREMIERE PARTIE 1. le courant entre par la base. le courant sort de la base. Comme la diode : • Le transistor est un composant électronique qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens et qui peut être équivalent à un interrupteur ouvert ou fermé (modèle TOR) Le symbole électrique du transistor est : C B Le petit courant qui circule de B vers E contrôle le fort courant entre C et E C • Le transistor NPN B E Ib E Ic La flèche entre B et E est importante car physiquement il y a une diode entre B et E et le sens de la flèche rappelle le sens de la diode donc du courant (>0).

VBE = 0.β=150.6 V Calcul de IB par la maille d’entrée (celle qui passe par VBE) Hypothèse 2 : IC = βIB Calcul de IC Calcul de VCE ou VEC pour PNP oui IB > 0 ? oui VCE >0 ? Hypothèse 1 exacte Hypothèse 2 fausse Transistor saturé VCE = 0 et IC ≠ βIB Calcul de Ic par la maille de sortie (celle qui passe par VCE) Hypothèse 1 et 2 exacte Transistor passant Hypothèse 1 fausse Transistor bloqué alors IB = 0 Montage de base et analogie hydraulique : réservoir ≈Vcc RC RB Vcc Ve Vs ∅ ≈ Rc On a Vcc=12V.2008-2009 Fiche de cours d'ELECTRONIQUE MPh 1 Démarche à suivre : Hypothèse 1 : transistor passant. Compléter le tableau suivant : B Ve 0 0.4 1 1 5 RC inconnue inconnue 1kΩ 10kΩ 1kΩ IB B IC VCE État du transistor De quel élément dépend cet état IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°9 . RB=10kΩ.

PREREQUIS⇒⇒faire le 1 de la fiche d'exercices AVANT d'arriver en TD Quand on utilise le transistor en régime linéaire. On suppose que le transistor est saturé. 5V Positionner les points calculés précédemment sur le graphe cidessous Vs=f(Ve). 0. Faire le 2. B RC RB Vcc Vs Ve Calculer la valeur de Vs pour Ve=0V.7V. calculer la valeur de Is et préciser si l'ampoule peut s'allumer. 0.2008-2009 Fiche de cours d'ELECTRONIQUE MPh 1 Cours N°7 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE (DEUXIEME PARTIE) 1. la relation de proportionnalité entre IB et Ic permet de réaliser : • une amplification de tension • une amplification de courant 2. Pour les calculs l'ampoule est simulée par une résistance R. Calculer la valeur de R. Relier les points précédents en supposant que la caractéristique Vs=f(Ve) est constituée de 3 segments de droite. Si β=150. de la fiche d'exercices A noter que tout ce qui a été réalisé ici pour le NPN peut être appliqué au PNP par exemple lorsque Ve est inférieur à 0. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°10 .4V. CAS OU ON UTILISE UN TRANSISTOR POUR AMPLIFIER UNE TENSION (SORTIE SUR LE COLLECTEUR) Ce montage doit vous rappeler le montage étudié dans la fiche de cours du TD précédent. RB=10kΩ. On a Vcc=12V. Les caractéristiques de l'ampoule sont 12V / 4W.3V. CAS OU ON UTILISE UN TRANSISTOR POUR DEBITER PLUS DE COURANT (SORTIE SUR L'EMETTEUR) Position du problème : Soit le montage suivant Ie Is Ve Vs Ve est un générateur de tension qui peut débiter au maximum un courant de 100mA. 1V. Peut-on allumer l'ampoule ? Ie 1kΩ Is Ve Vs Vcc Ve est le même générateur que précédemment L'alimentation Vcc vaut 12V et peut débiter jusqu'à 2A. 1. RC=1kΩ et β=150. 3.3 sin wt et justifier le terme amplification en tension . Tracer l'allure du signal Vs si Ve=1+0. calculer la valeur minimum à donner à Ve pour saturer le transistor.

calculer Vs2. Pour vous entraîner chez vous.. CARACTERISTIQUE DU TRANSISTOR Dans la pratique on trace la caractéristique Ic=f(Vce) du transistor ce qui permet sur un seul graphe de représenter ses trois modes de fonctionnement.5 kΩ IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°11 . 4.2008-2009 Fiche de cours d'ELECTRONIQUE MPh 1 Calcul littéral de l'amplification : On suppose que le transistor fonctionne en linéaire On pose Ve=Ve1. On pose Ve=Ve2>Ve1.. Ic Ic1=β Ib1 Ib1 Ic2=β Ib2 Ib2 Ib=0 Vce 5. Vcc 1000 kΩ 4 kΩ 100 kΩ Vcc 100 kΩ 4 kΩ Vcc 1 kΩ 10 kΩ 0. calculer Vs1 en fonction de Ve1 et des éléments du montage. Déduire l'expression de (Vs2-Vs1)/(Ve2-Ve1). déterminer l’état de fonctionnement du transistor. On donne Vcc = 12 V et β = 200. Pour chaque montage.

ELECTRONIQUE Compléments sur la diode et les transistors 1 .

De l’atome au matériau • Le tableau de Mendeleïev : – Sur une même colonne. graphite. ciment. • Liaison hydrogène (comme dans l’eau. la glace. même structure électronique externe – Les colonnes de gauche à droite traduisent le remplissage progressif des couches électroniques d’où une augmentation de l’électronégativité • Les atomes s’associent en fonction de leur position dans ce tableau : – Liaison covalente : mise en commun d’un doublet d’électrons entre deux atomes d’électronégativité comparable (« partage équitable d’électrons») – Liaison ionique : attraction électrostatique entre deux ions d’électronégativité très différentes (« l’atome le moins électronégatif cède un électron ») – Liaison métallique : mise en commun d’un nuage d’électrons délocalisé – Et aussi mais ne nous concerne pas ici...) • Liaison de Van der Waals (argile. polymères organiques…) 2 .

Conducteur / Semi-conducteur / Isolant Bande de Conduction Bande Interdite (Eg au minimum pour la franchir) Bande de Valence •a: Conducteur •b: Isolant •c: Semi-conducteur •Ef: Energie maximale (Fermi) des états occupés par les électrons au zéro absolu 3 .

3 eV 4 .Exemple de conducteur et d’isolant • Le cuivre – 1e.libre de se déplacer par atome • D’où un nuage d’électrons libres de se déplacer – Le niveau de Fermi se situe dans la bande de conduction • Le diamant – Carbone cristallisé dans le système cubique.sur sa couche périphérique – Cristallise dans le système cubique. réseau faces centrées – bande de valence complète quand les atomes s’associent donc bande de conduction vide – Eg=5. réseau faces centrées • 1e.

sur la couche périphérique.1 eV • Probabilité pour qu’un électron passe dans la bande de conduction =e-Eg/kT =Ne-BC/Ne. • 5. il laisse un trou qui n’attend que de capturer à nouveau un e– Deux types de porteurs se « déplacent ». bande de valence complète quand les atomes s’associent.et les trous.avec kT=26meV à 300K • Quand un e. – Origine thermique.devient libre. les e. liaison covalente entre atomes. cristallise en cubique à faces centrées.Le Silicium • • • • 4 e./cm3 Eg=1.1022at. T – Origine électrostatique Eext=qU – Origine photoélectrique Ec=hc/λ 5 .

/cm3.Le dopage Dopage N • • On insère des atomes pentavalents (5e.sur la couche périphérique) – Atomes donneurs d’électrons Dopage P • • On insère des atomes trivalents (3e.sur la couche périphérique) – Atomes accepteurs d’électrons Dopage N=1016at. N+=1018at/cm3. N++>1018at/cm3 Idem pour P 6 .

Semi-conducteur dopé N Dopage N – 1 e.par atome inséré est libre de circuler – L’atome inséré devient un ion + donc le siège d’une charge + fixe 7 .

qui lui manque sur sa couche périphérique sur l’atome de silicium voisin – Apparition d’un trou par atome inséré – L’atome inséré devient un ion .donc le siège d’une charge – fixe 8 .Semi-conducteur dopé P Dopage P – Pour s’insérer dans le réseau d’atomes de Si. l’atome récupère l’e.

coté P •D’où l’apparition d’un champ Einterne de N vers P qui va tendre à stopper cette migration 9 .libres du coté N. •D’où création d’une zone dépeuplées en porteurs où il ne reste que les charges fixes + coté N et charges fixes .Jonction PN à l’état initial • Si on on prend un barreau de Si et que : – On dope en P d’un coté – On dope en N de l’autre coté • On obtient : P N Jonction où les trous coté P capturent les e.

qui réussit se libérer est accéléré par Eint et rejoint le coté N (raisonnement inverse pour les trous).+ Eint N Uext • Uext crée un champ électrique de P vers N donc de sens opposé au champ Einterne – Si Uext <0 on limite encore plus la migration (diode bloquée) Mais dans la zone de transition tout e. On ainsi l’apparition d’un courant inverse (pA) – Si Uext>0 on favorise de plus en plus la migration donc le passage d’un courant direct où les e.Conduction de la jonction PN Zone de transition • Si on applique Uext P .rejoignent le coté P et inversement pour les trous limiter l ’échange de porteurs entre P et N 10 .

La jonction PN en inverse
• Non traité cette année • Très utilisé en optronique
– L’énergie nécessaire pour libérer les e- (et aussi les trous) est apportée sous forme lumineuse. – Ex : la photodiode – Pour exploiter davantage ce phénomène :
• on élargit la zone de transition avec un isolant (jonction PIN). • On la dimensionne de façon à imposer un Eg donné donc une longueur d’onde donnée
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La jonction PN en directe
• C’est la diode de redressement (et aussi la LED)
• La probabilité pour les porteurs de franchir la zone de transition est eqUext/ηkT et l’expression du courant est I=I0(eqUext/ηkT-1)
Pour le Si, I0≈10pA, η=1à2 et ηkT/q≈50mV à 300K ou 27°C
I

Uext
0 0,2 0,4 0,6 0,8

Il existe plusieurs approximations : • soit ignore totalement le seuil de conduction • soit on considère seulement un seuil (fcem de 0,6V) • soit on considère le seuil + l’inclinaison de la caractéristique (fcem de 0,6V en série avec une résistance)

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La jonction PN+
• Au lieu de doper de la même façon les deux bouts du barreau de Si, on insère β fois plus d’atomes donneurs que d’atomes accepteurs d’e-. • On a ainsi une « jonction PN spéciale » qui quand elle conduit a un courant d’e- β fois plus important que le courant de trous • Le raisonnement est le même pour une jonction P+N où cette fois ce sont les trous qui sont β fois plus nombreux
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Le transistor bipolaire • Le transistor NPN vu en TD : C B E B Ib E Ic C • Structure interne Si seule la jonction BE conduit. on a Ib=courant de (trous+e-) avec e-=β*trous Si la jonction BC est en inverse (Vce>>0). Le champ E va attirer les e.si fort qu’ils vont être aspirés vers C sans pouvoir atteindre B Il reste donc Ib faible et apparaît Ic= βIb N P U< 0 donc E>0 N P N+ etrous e- N+ trous 14 .

• Quand BC en direct des e.6Valors la jonction BC est de moins en moins en inverse. puisque Vbe=0.et devient une zone N • Équivalent d’un barreau dopé N entre E et C • D’où entre C et E une résistance équivalente faible • D’où Vce≈0 V le PNP fonctionne avec le même principe sauf que c’est le type de porteur en jeu qui change (P+N) 15 .sont injectés de C vers B • B est noyée dans les e.Saturation du transistor • Quand Vce .

Est si on inverse E et C quand on câble ? N+ P N+ puis eP N etrous N trous Conclusion : On ne grille rien du tout mais tout se passe comme si on avait un β de l’ordre de 1. 16 .

Caractéristiques du transistor Ic Ic1=β Ib1 Ib1 Ic2=β Ib2 Ib2 Ib=0 Vce 17 .

Ids=0. T bloqué et Ids=0 canal pincé – Vgs>Vp. résistance variable commandée en tension – Vgs>0. T conducteur et comme pour le transistor bipolaire il est saturé ou pas en fonction des éléments branchés entre D et S T conducteur mais Vds faible. • Très utilisé en électronique (étage d’entrée des ampli-op) car courant d’entrée Igs=0 donc impédance d’entrée infinie (1012Ω) 18 . canal coupé.6V.Le transistor FET • But : commander le passage d’un courant à l’aide d’une tension D G G S Vgs S Id D • 4 modes possibles : – Vgs<Vp (Vp<0).

Structure interne D G N P Entre D et S. la jonction GS tend à conduire et plus elle conduit plus elle tend à couper le canal P 19 . Et. faire varier la section du canal revient à créer une résistance variable commandée par la tension Vgs Si Vgs devient trop négative (Vpincement) le canal est si réduit qu’il est dit « pincé ». on a une zone dopée N que l’on nomme canal Quand Vgs devient de plus en plus négative S la zone de transition de la jonction GS N augmente et réduit ainsi le canal. Si Vgs devient supérieur à 0.

Montage de base • Commande en tension avec Ve<0 RC Polarisation automatique Vgs=-RsId donc <0 avec Id=Idss(1-Vgs/Vp)² Idss=qq10mA et Vp=-5à-4V selon transistor Vcc RC Ve RS Vs Vcc Vs RS Il existe évidemment de nombreux montages qui dépassent le cadre de ce cours. 20 .

PREREQUIS ⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD 1. e−jπ. Même question pour les très hautes fréquences. Ra. est la mieux adaptée.3. retrouver l'expression et le schéma équivalent électrique de ces dipôles pour les très basses fréquences.. 2. 3. 1. IMPEDANCE COMPLEXE Physiquement. est la mieux adaptée. 2-2j. Quand on veut additionner ou soustraire deux nombres complexes la forme . partant de l'expression générale de son impédance complexe. e jπ. Fonction de transfert Utiliser la même démarche que dans le cours pour établir la fonction de transfert du filtre passe bas dont le schéma électrique est le suivant : IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°1 .. e jπ/ 4. 5j. COMPLEXES Exprimer sous la forme cartésienne et placer sur le cercle trigo e j0. A FORMULE DU DIVISEUR DE TENSION Ra U Ri URi Rb B Rappeler l'expression de URi en fonction de U. retrouver la valeur et le schéma équivalent électrique du condensateur pour les très basses fréquences.2. e jπ/ 2. e−jπ/ 2. Même question pour les très hautes fréquences. Exprimer sous la forme polaire -3.. quel est le schéma équivalent électrique de ces dipôles pour les très basses fréquences ? Partant de l'expression littérale de l'impédance complexe de ces dipôles. quel est le schéma équivalent électrique du condensateur pour les très basses fréquences ? Analytiquement. Imaginons que l'on court-circuite Ri avec un fil. 1.. Rb et Ri. Quand on veut multiplier ou diviser deux nombres complexes la forme .1. Impédances complexes d'associations de base Donner l'expression littérale de l’impédance des dipôles ci-dessous : Physiquement. en déduire la valeur de l'impédance équivalente entre A et B pour déduire la valeur de URi...2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 TD N°1 FONCTION DE TRANSFERT 1...

quelles sont les valeurs numériques de ces grandeurs ? ATTENTION : Pour vous obliger à faire la question PREREQUIS au début tu texte de TD. Vérifier la cohérence des résultats obtenus avec ceux de la question précédente.2 kΩ Vs Ve • Etablir la fonction de transfert du quadripôle ci-dessus et la mettre sous forme canonique en précisant les fréquences remarquables f1 < f2. on peut représenter la quasi totalité des fonctions de transfert des circuits électriques : f f ⎛ f f 2⎞ A . IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°2 .2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 4. puis en hautes fréquences du circuit ci-contre R1 = 82 kΩ • Calculer Vs/Ve en basses et hautes fréquences.fr/ AVANT la séance. application numérique. pour les prochains TD. R2 R1 A faire chez soi : reprendre le calcul avec des résistances différentes 5. un test est à réaliser à l’adresse https://pen. Calculer la fonction de transfert du filtre ci-dessous pour R1 = R2 = R et la mettre sous forme canonique. C = 100 nF R2 = 8.iut-acy. ⎜1+ 2jm +(j ) ⎟ fo fo ⎜ fo fo ⎟ ⎠ ⎝ Mettre sous forme canonique le filtre passe bas et le filtre passe haut en rappelant ce que représente f0. On utilise 4 formes canoniques et à partir de leur association (multiplication ou division). • La deuxième étape consiste à remettre en forme l'expression de la fonction transfert obtenue afin de la présenter comme l'association de formes simples connues dites formes canoniques. Il ne sera évidemment pas possible de faire le test après le TD et un bonus de 0 à 2 sera ajouté à votre note de test théorique.univ-savoie. Fonction de transfert puis forme canonique puis module et phase Filtre passe haut atténuateur • Donner le schéma équivalent en basses fréquences. j . Mise sous forme canonique Nous verrons au TD suivant comment tracer le diagramme de Bode d'une fonction de transfert. • La première étape est l'obtention de l'expression littérale de la fonction transfert. • Exprimer le module et la phase de cette fonction de transfert. (1+ j ) . • Pour la fréquence caractéristique f1.

Pour quelle fréquence le gain H1dB est-il nul ? Compléter alors la ligne H1 du tableau de la fiche de cours.2 kΩ 2. • Si H2 = 1 / H1 Comment déduire de H1dB le graphe de H2dB ? Comment déduire de Arg H1 le graphe de Arg H2 ? Compléter alors la ligne H2 du tableau de la fiche de cours. placer les fréquences 100 Hz. 20*log( 1 ).2. Soit la fonction de transfert H0 = .1). ECHELLE LOGARITHMIQUE Sur l’échelle logarithmique ci-dessous.6. Tracer son diagramme de Bode sur la fiche de cours. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°3 . 20 Hz. log( 25x ). 10 Hz 1 kHz 3.162 kHz. Tracer son diagramme de Bode sur la fiche de cours. DIAGRAMMES DE BODE ELEMENTAIRES • Soit la fonction de transfert H0 = 2. Tracer son diagramme de Bode sur la fiche de cours. log(10).2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 TD N°2 diagramme de BODE 1. PREREQUIS⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD Simplifier les expression suivantes : log(25x) log(0. On commencera par calculer et placer log (f). Soit la fonction de transfert H0 = 0. 4 log(4) 2 • Donner l'expression du module de la fonction de transfert du circuit suivant : R1 = 82 kΩ Ve Vs • C = 100 nF R2 = 8. log(100). 3. montrer que H1dB = a X + b Déterminer la pente de cette droite. log(2x²)-log(x). log(1). 5 kHz. . 10 kHz. • H1 = j f/fo En posant X = log (f). 40 Hz.

1+ j f f0 4. CONSTRUCTION : Déterminer le diagramme de Bode asymptotique (gain) de la fonction de transfert : ⎛1+ j f ⎞ ⎛1+ j f ⎞ ⎜ 1000 ⎟ ⎜ 10 ⎟ ⎠⎝ ⎠ H =⎝ ⎛1+ j f ⎞ ⎛1+ j f ⎞ ⎜ 100 ⎟ ⎜ 1⎟ ⎝ ⎠⎝ ⎠ 5. Compléter alors la ligne H3 du tableau de la fiche de cours. S'inspirer du tracé de H3 pour compléter la ligne H4 du tableau de la fiche de cours. Pour f = fo. déterminer Arg H. déterminer l’asymptote oblique de HdB.2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 • Soit H3 = (1 + j f/fo) Lorsque la fréquence tend vers 0. Lorsque la fréquence tend vers l’infini. Lorsque la fréquence tend vers l’infini. ANALYSE : Déterminer une fonction de transfert associée au diagramme de Bode asymptotique suivant : 100 -6 dB 1k 10 k 100 k f (log) -26 dB IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°4 . calculer HdB et Arg H. • Soit H4 = 1 . déterminer HdB et Arg H.

S'en inspirer pour déduire les expressions de I2 et I3. I2. 3 volt t 0 10ms 20ms IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°5 . v1 2. I3.1. Représenter la caractéristique vs = f(ve) Quelle est l'amplitude maximum de la tension alternative d'entrée pour un fonctionnement sans distorsion ni saturation Représenter l’allure de la tension de sortie si la tension d'entrée est celle représentée ci-contre.2 kΩ Millmann : Flécher sur le schéma ci-contre 3 courants I1. Exprimer I1 en fonction de V. Montages de base à Ampli Op (à faire après la fiche de cours) Les amplificateurs sont supposés idéaux et les alimentations sont symétriques (±12V) d'où des tensions de saturations d'environ ±11V. quelle relation bien connue retrouve-t-on ? • Si R2= ∞ et V=0V. qui arrivent au nœud A.5 et une résistance d'entrée minimum de 10 kΩ.2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 TD N°3 AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL 1. Amplificateur inverseur. v2 R2 A R1 V v3 R3 v v1 v + 2 + 3 R R 2 R3 Appliquer la loi des nœuds au point A et en déduire que v = 1 1 + 1 + 1 R1 R 2 R 3 Applications : • Si R2= ∞ et V3=0V. Donner le schéma d'un amplificateur inverseur.V1 et R1. exprimer V3 en fonction de V1. PREREQUIS⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD Tracer le diagramme de Bode module seulement de : (suite Prérequis du TD précédent) R1 = 82 kΩ Ve Vs C = 100 nF R2 = 8. 2. Déterminer les résistances pour obtenir une amplification de .

Donner la raison de ce phénomène et le remède éventuel si je veux que la tension de sortie du montage n°1 reste inchangée. il faut qu’il évolue dans la gamme [ 0 . • Je constate que quand je branche le montage n°2 en sortie du montage n°1. R v1 v2 R Rb Ra + vs Donner l'expression simplifiée de Vs lorsque : • Ra=Rb • Ra=Rb=R. Utilisation d'amplificateurs. Ra et Rb. Proposer une solution. Montages en cascade Montage soustracteur Exprimer Vs en fonction de V1. la tension de sortie du montage n°1 chute. Utiliser tous les résultats précédents pour déduire Vs en fonction de Ve. V2. Proposer une solution. 10 V]. Que faire si en plus je veux imposer une impédance d'entrée de 10kΩ ? 2.2V. Les résistances normalisées sont à choisir parmi les valeurs suivantes et leurs multiples ( ×10 et ×100 ×1000 ) 100 – 180 – 220 – 330 – 470 – 560 – 820 Voici 3 problèmes indépendants à résoudre : • Un capteur délivre un signal compris entre 0 et 0. Pour en faire l’acquisition avec un ordinateur. 100 kΩ 20 kΩ + + ve - 20 kΩ 11 kΩ 1 kΩ 10 kΩ vs IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°6 .2.2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 2. • Mon montage possède une entrée Ve et deux sorties VS1 et VS2 telles que VS1=2*Ve et VS2=-4*Ve. En déduire une méthode d'analyse quand on a une succession de montages à ampli op et notamment l'intérêt d'avoir une impédance de sortie nulle. R.3.

3. VS n'a pas la même référence de potentiel que V1 et V2. ajouter le montage à ampli op adéquat pour résoudre ce problème. L'inconvénient de ce montage est que. PREREQUIS⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD v1 v2 v3 R1 R2 R3 R’ + On a vs = − vs R' R' R' v1 − v2 − v3 R1 R2 R3 R' A quelle condition a-t-on vs =− v1 +v2 +v3 ? R ( ) Application : On veut transformer un signal carré variant entre -1V et 1V en un signal carré variant entre 5V et 0V. quelle que soit la méthode utilisée. exprimer VS en fonction de VD et VC. Tout d'abord. soient VA le potentiel en A et VB le potentiel en B. Appliquer la formule du diviseur de tension et déduire VS..2.2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 Cours / TD N°4 MONTAGES A AMPLI OP 1. 2.. Mais 2 montages presque identiques se suivent. le courant qui traverse la résistance de 6. v1 A 6.8 kΩ B - C 10 kΩ 10 kΩ vs + D v2 • Lois des nœuds et des mailles: o Soit I. En déduire un schéma équivalent électrique où seules les 3 résistances et les 2 tensions (V1-V2) et VS apparaissent.. exprimer le courant qui traverse les résistances de 10kΩ en fonction de I. 2. Voici l'étage d'entrée d'un amplificateur d'instrumentation + Nous allons utiliser deux méthodes différentes pour exprimer VS en fonction de V1-V2.1. Amplificateur dédié à l'instrumentation (ampli d'instrumentation) 2. • Millmann: o Soient VC le potentiel en C et VD le potentiel en D.. Proposer une solution sachant qu'on impose V2=-Vcc=-12V et V3 inutilisée. Appliquer Millmann en A puis en B et déduire VS. 2. exprimer V1 en fonction de VA et V2 en fonction de VB. Quels sont les avantages du premier montage sur le deuxième ? IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°7 .8kΩ.

que . il faut revenir aux équations différentielles et . Cas particulier du signal sinusoïdal Lorsque le signal est sinusoïdal. on peut utiliser l'expression des impédances complexes et donc aussi Millmann. Montage intégrateur 3.2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 3. que carré. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°8 . Exprimer I en fonction de VC.1.. Exprimer VC en fonction de VS... I - Vc vs ve + En déduire Vs en fonction de Ve et le nom de ce montage.3.2. Etude quand le signal d'entrée est quelconque Quand le signal d'entrée est quelconque c'est à dire aussi bien sinus.. 3. : dv • pour obtenir vs =−RC e dt • puis déduire la fonction de transfert • puis expliquer comment on peut réaliser un filtre passe haut sachant que la résistance à ajouter n'est plus en parallèle mais en .. 4. En déduire la fonction de transfert et le type de filtre ainsi réalisé.. oublier les impédances et donc Millmann ! Exprimer I en fonction de Ve.. Que se passe-t-il si Ve est un signal continu ? Donner l'allure du signal de sortie si Ve est un signal carré avec une composante continue nulle.. que triangle. Premiers pas vers le filtrage actif On place en parallèle sur le condensateur une résistance de valeur 10 fois supérieure à la résistance déjà présente. Exprimer Vs en fonction de Ve.. Exprimer le courant qui traverse le condensateur en fonction de I. 3. Montage dérivateur - ve + vs Suivre le même raisonnement que pour la partie 3.

(SEUIL DE 0. Déduire l'allure de Us et Ud. Ue= . Application : Ue= 220 2 sin(2π 50 t) (Redressement sur le secteur simple alternance) Déterminer quelle condition sur Ue permet de conserver Is>0 (D passante). calculer Is. 3.10V. DIODE = INTERRUPTEUR UNIDIRECTIONNEL Ud Is Ue R Us Ue= 100V. compléter le tableau ci-dessous : Z circuit ouvert fil court-circuit valeur de Z schéma équivalent électrique de Z ∞ 0 Donner la valeur de V si on enlève le dipôle Z dans le circuit puis si on court-circuite Z avec un fil. 4. calculer Is.2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 TD N°5 LA DIODE DE REDRESSEMENT 1Ω 1V Z valeur de V I V Valeur de I 1. Le montage est le même que précédemment. PREREQUIS⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD Dans le circuit électrique ci-contre.6V) 1 kΩ 20V 50 Ω Ir 2A 1 kΩ 50 Ω Ir 20V R Ir 2A Pour quelles valeurs de R la diode est-elle bloquée ? IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°9 . on modifie la valeur de l'impédance de Z. DIODE = INTERRUPTEUR UNIDIRECTIONNEL AVEC UN SEUIL DE CONDUCTION Application : Redressement dans le cas où l'amplitude de Ue n'est pas très supérieure au seuil de la diode. Application : fil circuit ouvert 10Ω 6Ω interrupteur ouvert A B Réquivalente entre A et B=? interrupteur fermé 2. Suivre le même raisonnement que précédemment pour déduire l'allure de Ud et Us dans le cas où Ue=2 sin wt. DONNER LA VALEUR DE IR DANS LES MONTAGES SUIVANTS EN CONSIDERANT LE MODELE DE LA DIODE DU 4.

(SEUIL NUL) Théorème : Quand N diodes ont leur cathode reliée. Et inversement lorsque N diodes ont leur anode reliée. • L'expression de Us en fonction de Ue • La condition sur Ue qui assure I>0 dans les diodes qui conduisent.E4=20V. Pour vous entraîner chez vous I 20V 20 Ω 10V Calcul de I. 5. la diode qui conduit est celle qui a son anode au potentiel le plus élevé. 5. Déduire l’allure de Us • • si Ue= sin(wt). laquelle des deux diodes a le potentiel d'anode le plus élevé ? Entre D2 et D'1.1. Appliquer le théorème pour déduire sans calcul sur quelle diode on doit poser l'hypothèse de conduction pour calculer le courant Ir. D1 Ue D2 D'1 D'2 R Us Si Ue >0 : Entre D1 et D'2. E2=10V. lorsque 20V remplacé par 20 sin(wt) et 10V remplacé par 10 cos(wt).3.2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 5. E3=8V.2. laquelle des deux diodes a le potentiel de cathode le plus faible ? Déduire : • Les deux diodes qu'il faut garder pour la suite pour poser l'hypothèse de conduction. la diode qui conduit est celle qui a sa cathode au potentiel le plus faible. 5. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°10 . CAS OU ON A PLUSIEURS DIODES DANS LE MEME MONTAGE EN CONSIDERANT LE MODELE DE LA DIODE DU 3. Allure de I. Quelles diodes conduisent quand Ue<0 ? Déduire Us en fonction de Ue dans ce cas. • le schéma équivalent du montage avec cette hypothèse. si Ue= 1+2sin(wt). D1 D2 D3 E1 E2 E3 E4 D4 Ir 20 Ω On a E1=5V.

.2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 TD N°6 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE (PREMIERE PARTIE) 1. On a R=100kΩ.2 du TD précédent avec D'1 remplacée par un fil ce qui correspond à l'allure obtenue en TP en Us quand on essaye d'observer simultanément Ue et Us (donc masse de l'oscilloscope et masse du GBF reliées). β=150. 2.4V Vcc = 12 V • VB= 1V • VB= 5V Calculer la valeur de VB au delà de laquelle le transistor est saturé. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°11 .2 du TD précédent avec D'1 remplacée par un circuit ouvert ce qui correspond au cas où une diode grille. Partie 5. Donner l'état du transistor dans les cas suivants : • Source de tension VB déconnectée • VB=0 • VB=12V Vcc = 12 V • VB=11V RB = 10 kΩ VB Rc =1kΩ 4. Rc =1kΩ RB = 100 kΩ VB 3. PREREQUIS⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD Partie 5. Vcc=12V R RB RC Vs Ve Donner l'état du transistor dans les cas suivants : • Source de tension Ve déconnectée • Ve = 0V • Ve =5V Pour vous entraîner chez vous Calculer les limites de blocage et saturation du transistor en fonction de Ve. NPN On a β=150. Partie 5. PNP On a β=150. RB=10kΩ et RC=1kΩ. Donner l'état du transistor dans les cas suivants : • Source de tension VB déconnectée • VB= 0.. POUR S'ENTRAINER.3 du TD précédent.

(Attention. R On a alors le montage suivant : Ve 9R + Donner l'expression de Vs/Ve en détaillant bien les calculs.2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 TD N°7 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE (DEUXIEME PARTIE) 1. Diagramme de Bode 0. On nomme ce schéma S1. déduire à quelle condition la diode conduit. le schéma équivalent du montage lorsque R1 vaut 0 Ω puis l'infini. Ve C C R Vs Donner l'expression complète de Vs/Ve et utiliser les résultats ci-dessus pour contrôler l'exactitude de votre réponse. Déduire de S1. R Vs d. vu que pour vous aider. Montage équivalent pour les hautes fréquences et expression de Vs/Ve. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°12 . Fonction de transfert 9R Montage équivalent pour les très basses fréquences et expression de Vs/Ve. b. PREREQUIS⇒⇒ conseillé pour bien vous préparer au test Voici quelques exercices typiques donnés en test les années précédentes a. le résultat est donné. Donner le schéma équivalent de ce montage quand la diode est passante. Montages à ampli OP ( ) ( ) R Donner l'expression de Vs/Ve en détaillant bien les calculs. Y-a-t-il un intérêt à utiliser ici un ampli-op ? Ve 9R R Vs En réalité. c'est à dire que la résistance de 9R devait être connectée sur l'entrée -. seul le détail des calculs compte).1* 1+ jf a Tracer les diagrammes de Bode (module et phase) de H= f 1+ j 5a c. Déduire la valeur de Id dans chaque cas. + Donner la valeur de l'impédance d'entrée et de sortie de ce montage. R I R R1 Ve Reprendre le schéma S1 pour démontrer que Id=Ve/(R+2R1). Montage à diode idéale (Ud=0 lorsque passante) Flécher le courant Id qui traverse la diode lorsqu'elle est passante. Vu que lorsqu'on fait l'hypothèse que la diode est passante Id=Ve/(R+2R1). on a effectué une erreur de câblage.

2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 e.6V. Donner l'expression de Is lorsque Rpot vaut 0 Ω puis l'infini La valeur du potentiomètre vaut Rpot. 1000Ω 100Ω Vcc=12V 100Ω Vcc=12V 100Ω Vcc=12V Vs Vs 100Ω Vs Vs =_________ g. Montage à transistor Potentiomètre Vs =_________ Vs =_________ Flécher VBE.. puis mener tout le raisonnement (Hyp1 puis Hyp2.0. Rpot et R1.6V lorsque passante) Pour bien s'entraîner reprendre toute la partie précédente avec Ud=0. Vcc=(Rpot β Is) . IC.6V ce qui nous permet de considérer que Is=IC pour la suite. Montage à diode (Ud=0. On obtient alors Id=(Ve-1.6V lorsque Transistor passant) B Flécher IB. VCE. o la valeur de R1 a-t-elle une importance ? IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°13 . Montages à transistor (β=100 et VBE=0.. f. B R Vcc=12V R1 Is On a β=1000 et VBE=0. Corriger les deux erreurs qui se sont glissées dans l'équation ci-dessous puis déduire Is en fonction de Vcc.2)/(R+2R1). Pour R1 fixe : o préciser quelles grandeurs augmentent quand on diminue la valeur du potentiomètre. IB et IC lorsque le transistor est passant.) pour aboutir à Vs.6 + (R1 Is) La résistance R est en réalité une ampoule.

Calculer P dans le montage précédent lorsque Vcc vaut 12V. expliquer ce qui se passe. Que se passe-t-il si on remplace la résistance de 100Ω par une résistance de 10Ω ? Expliquer l'intérêt d'avoir modifié le montage précédent de cette façon : Ie Vcc Ve 3. dans le montage ci-contre aura-t-on Vs=Ve ? Ve=10V On propose comme première idée : Ie Is Ve 100Ω La résistance connectée sur la base est-elle indispensable ? Quelle valeur faut-il donner à Ve pour avoir Vs=10V ? Vs Vcc 100Ω Vs Montage final : Ie Is Ve 100Ω Vs Vcc Quelle valeur faut-il donner à Ve pour avoir Vs=10V ? La puissance dissipée par un transistor lorsqu'il fonctionne en régime linéaire vaut Vce*Ic. Déduire à qui on vient de sauver la vie.8W. la puissance maximale qu'il peut dissiper vaut 0.3Ω Is 100Ω Vs On diminue lentement la valeur la résistance de 100Ω jusqu'à arriver à une valeur de 10Ω. On suppose que pour ce transistor. CAS OU ON UTILISE UN TRANSISTOR POUR DEBITER PLUS DE COURANT On sait qu'un amplificateur opérationnel est protégé en sortie contre les court-circuits en limitant le courant débité à une vingtaine de milliampère. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°14 .2008-2009 Fiche d'exercices d'ELECTRONIQUE MPh 1 2.

le montage théorique sur feuille doit comporter le numéro des pattes.MP1 TP N°1 d’ELECTRONIQUE Diagramme de BODE Matériel : R = 1 kΩ. Je veux prendre un point de mesure entre ces deux points. • Les deux bornes BNC sont réservées à l’oscilloscope et la borne noire est le 0 de l’oscilloscope donc souvent le zéro du montage 3. il faut être rigoureux que ce soit pour une simple addition ou une intégrale compliquée. • Pour les montages avec des circuits intégrés.1. Oublier une petite retenue lors d’une addition. un fil de 20cm ne fera pas l’affaire d’autant plus qu’étant toujours sur la même table de TP. Pour chaque valeur de fréquence choisie. dans quelle plage de fréquence est-il IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°1 Ve C = 100 nF Vs . Indiquer sur les signaux ci-contre quel signal est en avance sur l’autre. C = 100 nF et Papier semi-log 4 décades 2008-09 1. Relevé complet d'un diagramme de Bode Se préparer aux mesures R = 1 kΩ D'après la préparation. De la rigueur aussi en TP En mathématiques vous savez que pour arriver à un résultat correct.fr/ AVANT la séance. Mais quel est le signe de la phase ? Pour le connaître. vous ne câblerez jamais correctement.univ-savoie. la valeur la plus judicieuse est-elle 500Hz ? Le signal observé est très bruité : Vu que j'effectue un rapport d'amplitude Vs/Ve. Mesures • • Pourquoi les mesures doivent-elles être effectuées en régime sinusoïdal permanent exclusivement ? Prévoir le diagramme asymptotique de Bode module et phase des montages des parties 3. il n’y a que de mauvais câbleurs. si vous vous dites que vous câblerez bien le jour où vous aurez un montage compliqué. 10 k Ω. pourquoi ai-je intérêt à faire une mesure d'amplitude en valeur efficace ? Des choix judicieux : • • • 1. En TP c’est la même chose. 2.2. Le module Méthode pratique : • • On se fixe une amplitude pour Ve et on y touche plus jusqu'à la fin des mesures. Il n’y a pas (à court terme) de faux contacts. 1.3. c’est comme oublié un petit fil en câblage et dans les deux cas à on aboutit une erreur. on mesure l'amplitude des signaux d’entrée et de sortie. Préparation sur https://pen. et on calcule Vs 20 × log Ve Faut-il choisir l'amplitude de Ve grande ou petite ? Je viens de réaliser deux mesures de module dont une pour f1=100Hz et une pour f2=1kHz. ne pas prendre la peine une fois préparer des fils c’est ne jamais avoir de fils à la bonne longueur • Un fil dénudé trop court risque de s’enlever tout seul. il faut déterminer quel signal est en avance sur l’autre.iut-acy. 1. La phase • • Avec un oscilloscope numérique tel celui utilisé en TP la mesure du déphasage est automatique. • Un fil dénudé trop long va générer un court-circuit quand l’extrémité dénudée va toucher les pattes des composants • Le montage doit « ressembler » au montage théorique sinon il faut à chaque fois qu’on intervient sur le montage repenser aux petites astuces trouvées pour gagner un fil ou de la place. et 4. Les règles de base sont : • Si j’ai besoin d’un fil de 2cm de long.

le tracé exact du diagramme de Bode n'est pas nécessaire et les informations type de filtre et fréquence de coupure sont suffisantes pour le caractériser. Observer aussi Ve et calculer le gain à cette fréquence (pour ce TP c'est 0 dB mais ce n'est pas toujours le cas).707 VSM. Détermination du type de filtre et de sa (ses) fréquence (s) de coupure Très souvent. Détail de la méthode • N'observer que Vs sur l'écran de l'oscilloscope et chercher pour quelle(s) fréquence(s) Vs crête à crête ou efficace est maximum. l'amplitude de Vs diminue jusqu'à la valeur VSC. Faire vérifier à l'enseignant que vous êtes capables de mesurer rapidement la bande passante du filtre. amplitude et phase. N'observer ensuite que Vs sur l'écran de l'oscilloscope et laisser la mesure de l'amplitude de VS affichée à l'écran. Les points seront relevés dans un tableau de mesures et reportés sur le graphe (papier semi-log) au fur et à mesure. Ceci permet de refaire rapidement un point qui est erroné. • Manipulation Revenir au montage précédent puis vous entraîner à mesurer la bande passante. on obtient les deux valeurs de fréquence qui encadrent la plage de fréquence où le signal est le plus élevé. Pour cette fréquence particulière. Faire ensuite varier seulement la fréquence du GBF de façon à trouver pour quelle valeur de la fréquence. Vs est alors atténuée de 3 dB ( 20log(0. Faire le câblage Même si la plaque est différente. o pour un filtre passe bas ce sont des basses fréquences o pour un filtre passe haut ce sont des hautes fréquences o pour un filtre passe bande c'est dans la plage de fréquence où le signal est le plus élevé Soit VSM cette valeur. Calculer VSC = 0. Prévoir pour commencer 5 points de mesure au total puis multiplier les mesures aux endroits intéressants. Pour un filtre passe bande. Relevé express d'un Bode en amplitude IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°2 . 4.MP1 TP N°1 d’ELECTRONIQUE Diagramme de BODE 2008-09 astucieux de réaliser des mesures d'amplification et de déphasage. Tracer les asymptotes et déterminer la fréquence de coupure : • • • grâce à l'intersection des asymptotes (attention à ne pas en tirer une règle générale car ce n'est pas toujours vrai) grâce au -3dB du diagramme de Bode en amplitude (toujours vrai) puis grâce au -45° du diagramme de Bode en phase (attention à ne pas en tirer une règle générale car ce n'est pas toujours vrai) Justifier pour chaque cas les écarts avec la théorie ? 3.707)=-3) et on appelle cette fréquence. la fréquence de coupure à -3 dB ou bande passante. la différence entre ces deux fréquence se nomme la Bande passante. votre montage devrait ressembler à : Effectuer un relevé complet du diagramme de Bode.

Filtre en régime non sinusoïdal (clin d'œil au module d'électricité) Rappel théorique Pour le montage du paragraphe 1. Manipulation Relever vs(t) lorsque ve(t) est un signal carré d’amplitude 5 V.316 VSM. Manipulation Pour le filtre ci-contre effectuer un relevé rapide du diagramme de Bode en amplitude. peut-on alors tracer un diagramme de Bode ? IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°3 .MP1 Détail de la méthode TP N°1 d’ELECTRONIQUE Diagramme de BODE 2008-09 La méthode consiste non pas à se fixer une valeur de fréquence puis à déterminer la valeur du gain correspondant mais à se fixer une valeur de gain puis à chercher la fréquence correspondante. Placer ces 4 points sur le diagramme de Bode. alors. • Le premier point intéressant est celui qui correspond à la fréquence de coupure donc le début de la méthode reprend la méthode du paragraphe précédent. • On dispose à ce stade de 3 points de mesure et il reste à prévoir 1 ou 2 points de mesure supplémentaires pour rechercher les asymptotes donc l'ordre du filtre. Si Ve est un signal triangulaire. de fréquence 10 fois plus petite. puis égale.1 VSM. rappeler l'allure du signal obtenu pour une réponse à un signal carré et préciser à quoi correspondent τ. C’est à dire. C = 100 nF R = 1 kΩ 5. Expliquer pourquoi pour la deuxième cellule le couple de valeur 1nF-100kΩ est plus judicieux que le couple de valeur 100nF1kΩ. En déduire la règle du si T>>10τ. à l’aide de la mesure effectuée par l’oscilloscope. Filtre passe bande Prévoir théoriquement les fréquences de coupure et la bande passante du filtre suivant : R1 = 1 kΩ C = 1 nF Ve C = 1 nF R2 = 100 kΩ Vs Mesurer les fréquences de coupure et la bande passante de ce filtre. 3τ. C’est à dire. o une atténuation de 20 dB. rechercher les asymptotes. 6. puis 10 fois plus grande que la fréquence de coupure du filtre. Vs ressemble un peu à un signal sinusoïdal.. compléter au besoin par d’autres points.. Comparer l'expression de la fréquence de coupure à la valeur 1 et déduire l'allure qu'on doit obtenir en sortie si le signal 6τ d'entrée est carré de fréquence égale à la fréquence de coupure de ce filtre. déterminer la fréquence pour laquelle Vs = 0. à l’aide de la mesure effectuée par l’oscilloscope. 5τ. déterminer la fréquence pour laquelle Vs = 0. • Les deux points suivants sont ceux qui correspondent à : o une atténuation de 10 dB.

Expliquer vos observations. ce montage peut être étudié à l'aide des impédances complexes.fr/ AVANT la séance.univ-savoie. Noter sur le schéma ci-dessous le numéro des pattes pour le câblage. Si ce n’est pas le cas c’est soit la résistance R2 qui est mal câblée soit le circuit qui est grillé. Rappeler la relation qui lie entrée et sortie pour tous les montages de ce TP. Attention. 10 kΩ . déterminer la fonction de transfert du montage et retrouver l'expression de vs(t) calculée cidessus. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°4 . Matériel Amplificateur opérationnel TL 081 ou TL 082 R = 1 kΩ . Prévoir des « lignes d’alimentation » de façon à n’utiliser ensuite que de petits fils R2 Et bien sûr les règles énoncées au TP précédent R1 Appliquer un signal sinusoïdal de fréquence 1 kHz et d’amplitude 0. noir 0V. Quel est le déphasage entre la sortie et l’entrée ? ve + En déduire l’amplification du montage. • En régime sinusoïdal. Préparation sur https://pen.iut-acy. 100 kΩ C = 100 nF Papier semi-log 4 décades 1 8 +Vcc Vs 7 6 5 TL 081 2 e3 4 e+ .Vcc 2. l’enseignant vous demandera de tout recâbler : • • • • • L’oscilloscope doit être connecté sur les 2 BNC de la plaque Le 0V est forcément la borne noire de la plaque Les 3 fils d’alimentation (-12V. vs Aide au câblage et au dépannage • Respecter les règles données au TP précédent • 3 cordons à fiches 4mm de couleurs différentes doivent partir de l’alimentation pour arriver à droite du montage car ceci permet de vérifier en un seul coup d’œil si le +12/-12 et 0V sont bien connectés • Respecter le câblage de l’alimentation sur les lignes car ceci permet d’utiliser de plus petits fils • Ne jamais tout redécâbler et éviter de vérifier si les fils arrivent au bon endroit car souvent on ne voit pas le décalage d’une colonne même si on regarde 10 fois de suite • Ensuite se poser les questions suivantes dans cet ordre : o Le circuit est-il bien alimenté ? Vérifier DIRECTEMENT au niveau du circuit s’il est bien alimenté (+12 et -12V) par contre pour le 0V suivre le fil car on ne voit pas la différence à l’oscilloscope entre 0V et rien du tout o Le signal d’entrée arrive-t-il ? Vérifier son allure directement au niveau de la patte de la résistance o Le circuit a-t-il d’autres entrées fondamentales (ici non) o Le circuit fonctionne-t-il ? Ici c’est un ampli op câblé en amplificateur donc on doit avoir ε=0 c'est-à-dire Vpin2 TLO81=0.6 V. Calculer la pente du signal triangulaire d’entrée. Quelle est l’amplitude du signal de sortie. Déterminer vs(t) analytiquement. Augmenter l’amplitude de ve jusqu'à ce que le signal de sortie soit déformé.0V. o Logiquement à ce stade le problème a été trouvé.MP1 TP N°2 d’ELECTRONIQUE AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL 2008-09 1. En notant la similitude avec l'amplificateur inverseur. d’amplitude 2 V. Amplificateur inverseur Déterminer R1 et R2 pour obtenir une amplification de -10 avec R1>500Ω. • On applique maintenant en entrée ve(t) = 2 cos (2π f0t) avec f0 = 200 Hz. si les règles de câblage suivantes ne sont pas respectées. Pour le montage dérivateur avec R = 1 kΩ et C = 100 nF : • Déterminer graphiquement vs(t) pour un signal d'entrée triangulaire. alternatif de fréquence 2 kHz. En déduire les valeurs numériques des tensions du signal de sortie vs.+12V) doivent être de couleur différente de préférence rouge +12V.

• Pour quelle fréquence obtient-on en entrée et en sortie des signaux de même amplitude ( en sinus). IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°5 . Bien que ce soit "un peu sportif".MP1 TP N°2 d’ELECTRONIQUE AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL 2008-09 3. 4. Intégrateur C = 100 nF R = 1 kΩ ve est un signal carré alternatif d'amplitude 4 volts de fréquence 1 kHz. observer et relever le signal de sortie. même fréquence) Expliquer vos observations. relever le diagramme de Bode de l’intégrateur en amplitude (avec la résistance en parallèle sur C) pour des fréquences variant de 10 Hz à 10 kHz. Diagramme de Bode de l'intégrateur Évidemment avec Ve sinusoïdal. 6. Justifier ceci. + ve R2 Appliquer un signal sinusoïdal de fréquence 1 kHz et d’amplitude 0. Justifier ceci. Expliquer d'où vient ce bruit. pourtant sans changer l'amplitude de Ve. petit clin d'œil à la deuxième année : • En théorie la valeur de R2 a peu d'importance. vs Utilisation en suiveur Modifier le montage pour réaliser un amplificateur suiveur et vérifier son fonctionnement. • Observer alors la réponse à une entrée triangulaire puis sinusoïdale ( f = 2 kHz.9 V. amplitude 2 volts). - ve + Même question pour un signal sinusoïdal (même amplitude. Justifier théoriquement les zones intéressantes du diagramme en expliquant la partie qui est modifiée quand on ajoute ou on enlève la résistance en parallèle sur C. vs 5. Pour qu’elle amplitude de la tension d’entrée observe-t-on une saturation en sortie ? Justifier cette valeur.. replacer la résistance R2 et observer les changements sur VS. R1 Quelle est l’amplitude du signal de sortie. Pour quelle fréquence obtient-on en entrée et en sortie des signaux de même amplitude ( en sinus). essayer de jouer sur l'offset du générateur pour éviter que Vs ne possède une composante continue trop importante. Essayer d'observer simultanément vs et ve en DC. Dérivateur C = 100 nF R = 1 kΩ Pour un signal triangulaire alternatif d'amplitude 2 V de fréquence 2 kHz. Noter sur le schéma ci-contre le numéro des pattes pour le câblage. En déduire l’amplification du montage. Pour ceux qui sont en avance. Amplificateur non-inverseur Déterminer R1 et R2 pour obtenir une amplification de 11. - ve + vs Placer une résistance de valeur comprise entre 10R et 100R en parallèle sur C en justifiant l'intérêt de celle-ci.

dt devient π ∫ .MP1 TP N°3 d’ELECTRONIQUE REDRESSEMENT 2008-09 Composants utilisés : 4 diodes. ID'2. D1 D'2 R Us Montage : Ue D2 D'1 1. donc t=T/2 équivaut à θ=π et T / 2 ∫ . Attention : Aujourd'hui masse GBF et masse oscilloscope doivent être la plupart du temps indépendantes. UD'1.. 2. Déduire l'allure de Ue. w • 1 1 ∫ sin(2πf t)dt avec f = T T/ 2 0UM π 2U 1 ∫ UMsin(θ)dθ= πM et l'intégrale devient : π 0 . 2x 10Ω. ID1. ID1.iut-acy.. ID2. Si Ue est un signal sinusoïdal. 2. Même question pour Ue <0. implique que t=θ/w et w dt 1 dt=dθ/w.. 1kΩ. 1kΩ. • A quoi correspond le résultat du calcul suivant ? T/ 2 Le changement de variable θ=wt avec w=2πf ou Tw=2π. UD1..univ-savoie. UD'2. ID2 et les zones où D1 est passante et D2 bloquée et inversement. ID'1. UD2. Donner le schéma équivalent du montage quand Ue>0 et en déduire l'expression de Us. Rappel : Les 2 prises BNC de la plaque sont réservées à l'oscilloscope pour CH1 et CH2 et la masse de l'oscilloscope est alors la borne noire de droite. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°6 . Us. On supposera dans toute la préparation que la diode est idéale (seuil de conduction nul). UD1.fr/ AVANT la séance. Débit sur R=1kΩ Votre montage doit ressembler à : Attention : le zéro de l’oscilloscope est forcément la borne noire donc il faut placer le 0 du GBF sur la borne d’à coté. UD2.2µF. Préparation sur https://pen. 1 pont de diode.

Représentation des tensions et courants sur l'ANNEXE 3. En partiel de TP. Vd’1(t). Diviser par 10 la fréquence du signal d’entrée et observer comment est modifiée Us. • Comparer la valeur de Usmax et de Uemax et justifier l’écart entre les deux. CH2 et masse) pour observer (Ue et Vd'1). Mesurer Usmoy à l'aide de l'oscilloscope. Observer ci-contre la position de la résistance Par rapport à la diode afin de pouvoir observer Simultanément l'image du courant et Us. des arches de sinusoïde non identiques.2 Modification de Us avec R//C en sortie Placer en parallèle avec R=1kΩ.2µF. Revenir à la fréquence de 1kKz. il faut pour cela placer en série avec la diode D'1 une résistance de 10Ω (la tension aux bornes de la résistance est l'image du courant Id'1).MP1 TP N°3 d’ELECTRONIQUE REDRESSEMENT 2008-09 • • • Régler le générateur à vide à Uemax=6V (Uepp=12V). Peut-on visualiser Ue et Us simultanément? Donner le schéma de branchement de l'oscilloscope (CH1. Insérer une autre résistance de 10Ω en série avec D2 de façon à pouvoir observer simultanément Id'1 et Id2. il faudra être capable de choisir du quel coté de la diode. En utilisant les fonctions mathématiques de l'oscilloscope réaliser Id'1+Id2 et expliquer pourquoi la courbe résultante ressemble de si près à Vs. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°7 . (Ue et Vd'2)et (Vd'1 et Us) Les observer et représenter sur la partie de gauche de l'ANNEXE l'allure de Ue(t).1 Observation des courants avec R=1kΩ seule en sortie On désire observer simultanément à l'oscilloscope le courant Id'1 et la tension Us. Vd’2(t) et Us(t) en indiquant l'état des diodes pour chaque alternance. comparer à la valeur connue 2Uemax/π et préciser si on a tendance à surévaluer ou sous-évaluer Usmoy quand on considère tous les éléments idéaux. Ajouter alors l'allure de Id2 sur l'ANNEXE sur le même graphe que Vd'2. f=100Hz. elle doit être placé pour l’observation demandée. 3. un condensateur C=2. 3. Reporter alors sur la partie de gauche de l'ANNEXE l'allure de Id'1 sur le même graphe que Vd'1. s'assurer que Ue n'a pas de composante continue. Observer l'allure de Us et donner le montage typique qui permet dans la pratique d’obtenir une tension continue d’une dizaine de volts à partir du secteur 220V. choisir un condensateur de 220nF et observer comment est modifiée Us. On remarquera qu'une composante continue entraîne pour Us. Faire vérifier à l’enseignant.

5. mais si l'utilisateur se trompe la carte reste en veille et rien ne se passe.2µF et compléter l’observation précédente pour repérer les phases de charge et de décharge de C et phase de conduction des diodes. Mais il a bien sûr 1 chance sur 2 pour griller votre carte car inverser la tension d'alimentation sur un circuit est fatale. Montrer il aurait été plus astucieux d'utiliser un pont de diodes car avec cette solution dans tous les cas ca marche ! IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°8 . Utilisation du composant "pont de diodes" débitant sur R=10kOhms Réaliser un montage remplaçant les 4 diodes par le composant "pont de diodes" et vérifier que le fonctionnement est identique. Id2 et Vs en prenant soin de faire le lien entre croissance de Vs (donc charge de C) et pics de courant sur Id’1 et Id2. 4. Déduire ce que signifient les bornes et + .3 Observation des courants avec R//C en sortie S’inspirer de la question 3. L'utilisateur n'a donc plus qu'à connecter sur votre carte les 2 fils d'alimentation. Utilisation des diodes de redressement et pont de diodes pour protéger d'un système Imaginez que vous venez de réaliser une carte électronique qui a besoin pour fonctionner d'être alimentée entre 0V et +12V.1 pour représenter la partie de droite de l'ANNEXE les courants Id'1. 3.et une méthode pour tester si un pont de diodes est défectueux.MP1 TP N°3 d’ELECTRONIQUE REDRESSEMENT 2008-09 Déduire comment choisir (>>T ou <<T) le produit RC par rapport à la période du signal d’entrée si on veut obtenir une allure presque continue pour Us. Pour ceux qui sont en avance : Placer une résistance de 10Ω en série avec C=2. On peut évidemment imposer un connecteur avec "détrompeur" mais expliquer comment en ajoutant une diode de redressement la carte devient indestructible ! Vous venez de réaliser la modification.

Id'1. Id'2 et Us Ue Ue Vd’1 Id’1 Id’1 Vd’2 Id’2 Id’2 Us Us IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°9 . Id'1.Id2 et Us 2008-09 avec R//C Allure de Ve. Vd'1.Vd'2 .MP1 avec R seule D1/D'1 conductrices D2/D'2 bloquées TP N°3 d’ELECTRONIQUE REDRESSEMENT Allure de Ue.

soit un circuit ouvert. Rd sera soit un fil. maquette halogène 1. Quel est l'état du transistor si Rd= 0Ω puis si Rd=1MΩ ? Pour le TP. (seuil de 0. Et. E • Le transistor PNP son schéma équivalent électrique pour le test est B C page n°10 On procède comme le transistor NPN pour le tester. maquette ampoule. Comment tester un transistor ? Tous les trous sont libres. Comment câbler un transistor ? La mortalité des transistors est fortement liée à leur positionnement sur la plaque : Ce qu'il ne faut pas faire Ce qu'il faut faire C B E On perd tous les trous sous le transistor et on tortille les pattes.iut-acy. Rd sera soit votre doigt. elles cassent ! 3. Quel est l'état du transistor si Rd=1MΩ? Pour le TP. soit un circuit ouvert. à quoi correspond Rd dans chaque cas ? Pour le montage ci-contre on suppose que β=150.6V dans le sens direct et non conduction dans l'autre sens). on ne doit donc pas avoir continuité entre C et E. 2N2905. Préparation sur https://pen. +12V Pour le montage ci-contre on suppose que β=150. Alors. la base est forcément au milieu et l'émetteur coté ergot C • Le transistor NPN son schéma équivalent électrique pour le test est B E Pour tester s'il est "grillé". IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps .MP1 TP N°4 d’ELECTRONIQUE UTILISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE 2008-09 Composants utilisés : 2N1711. On utilisera la fonction test diode ( ) du multimètre.univ-savoie.fr/ AVANT la séance Rappeler le montage de l'amplificateur suiveur et la relation qui lie Ve et Vs. il suffit de tester si les jonctions BE et BC se comportent comme des diodes. à quoi correspond Rd dans chaque cas ? Rd 10kΩ 280Ω 0V +12V 10kΩ 100kΩ Rd 280Ω 0 2. soit votre doigt.

ôter ensuite l'ampoule de façon à pouvoir ouvrir la boite. • Pourquoi la tension nécessaire pour fermer les contacts est supérieure à la tension minimale pour les maintenir fermés ? Aide : Calcul de la force portante : ligne de champ moyenne mais vu qu'on a un entrefer la longueur de fer est négligeable devant la longueur e dans l'air I e (entrefer) leTh d'ampère donne : (Hyp: H constant sur le contour) H*e=NI Le flux vaut Φ=BS=μ0HS (Hyp: B constant sur la section) d'où Φ==μ0 NI S e Un ressort non représenté ici maintient en permanence la plaque écartée et il faut fournir un travail pour l'attirer et ansi fermer les contacts. 4. mais avant nous allons observer le contenu de la boite noire ci dessous : Prise à brancher sur le secteur 220V Bornes de commande du relais Débrancher le fil qui relie la boite noire au 220V.MP1 • TP N°4 d’ELECTRONIQUE UTILISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE Pour le 2N1711et le 2N2905 le brochage est : Vue de DESSOUS. Tracer la caractéristique état du relais en fonction de VGBF en faisant apparaître le phénomène d'hystérésis. ce travail vaut dW=IdΦ=F. On pourra vérifier que les contacts sont bien fermés avec l'ohmmètre.I μ0 NI S = k I² e² e² e² • Déconnecter le GBF et mesurer la résistance de la bobine du relais à l'ohmmètre. (en face de l'ergot) E 2008-09 B (dans l'angle droit) C (relié au boitier) Tester les transistors 2N1711et 2N2905 et déduire leur type. Sur un petit déplacement de. • Remplacer ensuite le 12V par le GBF en DC réglé au maximum.de avec dΦ= . Déduire la valeur du courant qui traverse la bobine du relais lorsqu'on applique 12V à ses bornes.μ0 NI S de d'où F= . Mesurer la tension délivrée par le GBF et observer la position des contacts. Utilisation d'un relais Nous allons câbler par la suite un interrupteur sensitif qui commandera l'allumage d'une ampoule via un relais. Attention : • Ne pas ouvrir la boite si la prise secteur est branchée • Ne pas tirer sur les fils à l’intérieur de la boite pour ne pas les dessouder • Dessiner son contenu. Diminuer ensuite la valeur débitée par le GBF et mesurer à partir de quelle valeur les contacts s'ouvrent. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°11 . • Connecter alors 12V sur les deux bornes et observer le déplacement des contacts.

Expliquer alors pourquoi le montage ne fonctionne plus. La maquette doit être insérée sans forcer sur la plaque de câblage de cette façon : La maquette doit être alimentée en -12V/+12V par les deux lignes horizontales et 0V directement au niveau de l'halogène Ne pas toucher l'ampoule halogène directement avec les doigts Amplificateur opérationnel où il reste à câbler les entrées + / . • Donner le schéma du suiveur. 6. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°12 . a/ Les limites de l'amplificateur opérationnel : Ne pas oublier d’alimenter la maquette en -12V/+12V et 0V.MP1 TP N°4 d’ELECTRONIQUE UTILISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE 2008-09 5. b/ Montage amélioré S'inspirer du montage donné en préparation sachant que cette fois-ci votre doigt reliera ou pas la résistance au 0V. le câbler sur la maquette ( entrée une tension délivrée par le GBF utilisé en continu. ) et vérifier son fonctionnement en appliquant en • Régler ensuite le GBF de façon à avoir à la sortie du suiveur Vs≈5V puis préciser comment évolue Vs à l'instant où vous relier Vs à l'ampoule halogène. Le récepteur de puissance sera simulé ici par une ampoule halogène et l’électronique par un amplificateur opérationnel monté en suiveur. Réalisation d'un interrupteur sensitif a/ Réaliser le montage suivant : +12V 10kΩ 0 Vers boite noire pour commander le relais et allumer la lampe Faire le contact avec un fil puis essayer avec votre doigt. Expliquer pourquoi l’ampoule ne s'allume pas.et la sortie 2N1711 associé au TIP31 pour amplifier les courants positifs 2N2905 associé au TIP32 pour amplifier les courants négatifs Faire le lien entre les éléments de la maquette et le câblage final du 6c. Prévoir le schéma de câblage afin d'être capable de commander à nouveau l'allumage de l'ampoule. Réalisation d'un amplificateur de courant A chaque fois que l’on veut commander un récepteur de forte puissance avec un montage électronique on doit réaliser l’interface entre l’électronique et le récepteur.

Observer Ve et Vs en expliquant ce qui se passe pour chaque alternance. Étude du montage en sinusoïdal Supprimer l’offset du GBF et régler un signal sinusoïdal d’amplitude 5V et de fréquence 100Hz. Vs commence à devenir différente de 0V. 2N1711 +12V TIP31 Ve Vs TIP32 2N2905 -12V 7. Augmenter ensuite lentement Ve et noter à partir de quelle valeur pour Ve. S'il vous reste du temps. • Modifier ensuite votre montage pour obtenir le montage suivant : 2N1711 +12V Ve TIP31 Vs Reproduire l’essai précédent et noter l’intérêt de ce montage par rapport au précédent en comparant Ve et Vs. • Augmenter ensuite franchement Ve pour voir l’intérêt de ce montage. puis brancher le multimètre en Vs. c/ Et qu'en est-il du courant négatif ? : Que se passe-t-il si Ve est négatif et expliquer pourquoi. déterminer la puissance dissipée par l'ampoule et par les transistors.MP1 TP N°4 d’ELECTRONIQUE UTILISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE 2N1711 2008-09 b/ Ce que permet le transistor : • Sur la maquette le montage ci-contre +12V est réalisé à l'aide de cela B TIP31 E • modifier le câblage pour arriver à ce montage : 2N1711 +12V Ve TIP31 Vs • Régler Ve≈0V. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°13 . Justifier alors l'intérêt de ce montage et modifier le câblage pour vérifier son intérêt.

Donner le diagramme de Bode typique du quadripôle dont la sortie fournit seulement A alors qu'on lui envoie en entrée Vs. Le rôle du condensateur de 47pF sera vu en deuxième année. quelle est l'expression de Vs ? * Si Ve(t)=1+sin (2π 1000 t)+sin (2π 110 000 t) quelle est l'expression de Vs ? • Réalisation d'un filtre On propose 3 montages : R = 100 kΩ C = 150 pF C = 15 nF R1 = 100 kΩ C = 470 nF R = 10 kΩ R2 = 10 kΩ C = 1.b et c. quelle est l'expression de Vs ? * Si Ve(t)=sin (2π 100 000 t). Préparation sur https://pen. Et.MP1 TP N°5 d’ELECTRONIQUE FILTRES ACTIFS 2008-09 Matériel utilisé : Maquette filtre de Butterworth et Maquette génération de signal Résistances et Condensateurs au choix 1. on peut a alors écrire Vs=A+B sin (2π 1000 t)+C sin (2π 110 000 t). donner les valeurs de f1 et f2. • Utilisation du diagramme de Bode 0dB -6dB 100 f1 10 000 f2 f en Hz Voici un diagramme de Bode en amplitude Si les pentes des droites sont de -20dB/décade ou -6dB/octave. quelle est l'expression de Vs ? * Si Ve(t)=sin (2π 1000 t).univ-savoie.iut-acy. quelle est l'expression de Vs ? * Si Ve(t)=1. Définir le type de filtre dont il s'agit et proposer un des trois montages. Même question avec un quadripôle dont la sortie fournirait seulement C sin (2π 110 000 t). Donner les valeurs de a.fr/ AVANT la séance • La maquette génération de signal contient le circuit suivant : S3=Signal sinusoïdal de fréquence environ 110kHz 56kΩ 47pF 82kΩ + XR-2206 S2=GBF 100kΩ 560kΩ -12V=S1 vs On a vu au TD4 que ce circuit réalise une somme c'est à dire que Vs=a S1 + b S2 + c S3 sans tenir compte du condensateur. Même question avec un quadripôle dont la sortie fournirait seulement B sin (2π 1000 t). -12dB On suppose que ce diagramme de Bode correspond physiquement à un quadripôle dont l'entrée se nomme Ve et la sortie se nomme Vs : * Si Ve(t)=sin (2π 10 t).5 nF Le signal est le signal de sortie de la maquette c'est à dire qu'il vaut Vs=a S1 + b S2 + c S3. si le signal délivré par le GBF vaut sin (2π 1000 t). IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°14 .

3 Filtre d’ordre 2 On utilise la structure de Sallen-Key ci-contre avec R1 = R2 = R et C1 = 2C2. On veut remplacer ce montage C = 15 nF R1 = 100 kΩ par celui-ci R2 = 10 kΩ C = 1.5 nF R1 C1 R2 C2 + Sachant que la fonction de transfert du deuxième montage vaut − R 2 x j w 1 x R1C1 . 3.1. C1 La fonction de transfert générale vaut 1 1+ j(R1+R 2)C2 w −R1R 2C1C2w² R1 R2 et se simplifie ici pour arriver à 2 avec = 1 f0 2πRC1 f −( f )² 1+ j 2 + C2 f0 f0 De quel filtre s’agit-il (passe bas.déduire la valeur des composants mais Ne pas réaliser le câblage. Donner l'avantage du deuxième montage sur le premier (en ignorant le signe -). Montages à filtres actifs C 3. Filtre passe-bande de faible sélectivité.MP1 TP N°5 d’ELECTRONIQUE FILTRES ACTIFS 2008-09 2.2. 3. Donner l'avantage du deuxième montage sur le premier. Filtre passe-bas d’ordre 1 R = 100 kΩ On veut remplacer ce montage C = 470 nF par celui-ci R1 R2 Supprimé : 0 kΩ + Sachant que la fonction de transfert du deuxième montage vaut − R 2 x R1 1+ jR 2Cw 1 .déduire la valeur des composants R1 1+ jR 2C2 w 1+ jR1C1w et réaliser le câblage afin d'extraire le signal issu du GBF avec ce montage. 3. Mise en pratique de la préparation Câbler la maquette génération de signal en réglant un signal d'amplitude suffisamment grande sur le GBF pour obtenir un signal qui ressemble à ceci : Câbler successivement les 3 types de filtres de façon à extraire : • la composante continue • le signal issu de l'XR-2206 • le signal du GBF. passe haut ou passe bande) ? IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°15 .

relever son diagramme de Bode et déterminer précisément la valeur de la pente des asymptotes (en dB/octave). En déduire une relation pente de l'asymptote et ordre du filtre. Oter la première maquette. quel signal doit-on obtenir en sortie ? Réaliser le câblage pour vérifier vos prévisions.MP1 TP N°5 d’ELECTRONIQUE FILTRES ACTIFS 2008-09 Observer la maquette et retrouver les valeurs de C1 et R pour déduire f0.4 Etude plus précise du filtre précédent Vu la fonction de transfert de ce filtre quel déphasage a-t-on entre l’entrée et la sortie pour f=f0 ? Justifier alors le déphasage entre le signal de sortie du GBF et le signal précédent (en sortie de filtre). IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°16 . Si on envoie à l’entrée de ce filtre le signal de sortie de la première maquette. 3.

C Montage équivalent pour les hautes fréquences et expression de Vs/Ve. –2 Pts si oubli du NOM. En déduire l'expression de Vs lorsque la diode est passante puis l'expression de Vs quand la diode est bloquée . Vs Ve 10kΩ En déduire l'expression du courant I qui traverse la diode et déduire à quelle condition sur Ve l'hypothèse diode conductrice est vraie. Diagramme de Bode 10* 1+ jf a Tracer les diagrammes de Bode (module et phase) de H = f jf 1+ j 5a a 4 pts ( ) ( )( ) 4 pts 3.6V lorsque passante) 100Ω I Donner le schéma équivalent du montage lorsque la diode est supposée conductrice.2006-2007 TEST d’ELECTRONIQUE (1H30) MPh 1 NOM : Groupe de TD N° Feuille de notes et calculatrice interdites Tout résultat non justifié sera considéré NUL et attention. Attention au piège : Même si toutes les méthodes sont acceptées. Fonction de transfert 9R C R Ve Vs 4 pts Montage équivalent pour les très basses fréquences et expression de Vs/Ve. Donner l'expression complète de Vs/Ve et utiliser le résultat obtenu pour les hautes fréquences pour contrôler l'exactitude de votre réponse. Montage à diode (Ud=0. 1. appliquer bêtement Millman conduit à garder une résistance de trop dans les calculs… Ve R Vs 4 pts 4. Montages à ampli OP 10R R + Donner l'expression de Vs/Ve en détaillant bien les calculs. 2.

Vcc=12V On a β=100 et VBE=0. Montage à transistor R1 R 4 pts Flécher VBE. j'inverse la position de l'émetteur et du collecteur.2006-2007 TEST d’ELECTRONIQUE (1H30) MPh 1 Application : Déduire l'allure de Vs lorsque Ve = 60 sin (2πt) et en considérant que 10kΩ+100≈10kΩ 5.2kΩ. On a R=1.6V. En déduire l'expression de VCE. Donner l'expression de IB lorsque le transistor est supposé passant. conclure sur le choix de R1 pour que le transistor soit : • • • bloqué conducteur en linéaire saturé Un clin d'œil au cours en amphi : Par mégarde en câblant. IB et IC lorsque le transistor est passant. que se passe-t-il ? .

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