Claudius - Comparatoare

Claudius DAN

in colectia /nginerie e/ectranica au aparut:

COMPARATOARE
cu functtonare continua in timp
GRAFICA

in realitatea vlrtuala
, Autor: Felicia JONESCU

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE ,,~utori: Paul R. GRAY Robert G, MEYER

CIRCUITE ~I SISTEME DIGITALE Autor: Gheorghe $TEFAN

CRISTlAH

UlPU

INTERCONECTAREA ............ ~
_....
,

.. ......................
tQ!!!!I

· · · .· ' '· .

PRINCIPIILE CALCULULUI PARALLEL

SPICE
Autor: Andrei VLADIMIRESCU

INTERCONECTAREA
~O(:.;Ilit.te slmetria Tn relel. ortogonala de calculatoare

,i

Autor: Felicia IONESCU

Autor: Cristian LUPU

Bucure~ti, 2005

Copyright © 2005 S.C. Editura TEHNICA SA Toate drepturile asupra acestei ediiii sunt rezervate editurii.

r
f

Adresa: S,C. Editura TEHNICA S.A. SIr. Olari, nr. 23, sector 2 cod 024056 Bucure§ti, Romania
'fNPN.tehnica.ro

coordonatorul
facultatea de etectroruca,

colectlel

prof. univ. dr. ing. mireeabodea
informaliei - urtlversltatea "politehnica" bucvrestl

Car/eo de jara cxplorea: . pentru unul din blocurile [unction: comparatorul. Mai mult ca sigur cii ac<!,

!qiile de circuit dezvoltate in ultimele trei decent, .~ire este des intalni: in sistemele microelectronlce;

teleccrnuntcatn

~i ingineria

I

'e riisjoie$/Il cartea de falii soar putea lntrcba: "C,
bun co::, la peri/erie?" Ceea ce se poate raspunde

coperta colectiei andreirnanescu

avem noi de-a face

CII

un astfel t; ., 'I' iect atlit de specializat, din zona hi-tech, la care.
i

oricum, noi, romdnii sun/em, in ce.

.>.

este cil intrebarea porneste de 10pt·:
eoordonator tehnie floringealapu coordonare lucrare iulianapanciu layout&pre-press eatalinamagureanu

; .false.

Dezvoltarea sistemelor ,J' »stectronice. care a inceput to mijlocul secolului at XX-lea. odatii cu inventarea ,;/;'/orului a atins, incepdnd cu anii '90, faza de maturitate, caracterizatd de indivi. , :'1 .orea activitiuilor din campurile fundamentale d. inginerie: fabricatie, proiectare, te. i." co Accastii individualizare r: , ' us si produce in continuare efecie majore pe piau. forte! de muncd prin faptul eii acti .',. ': de proiectare de microsisteme, devin accesibile
111101'

:j

companii,

care sum
all

ill

gc, '.:, ' de miirime midi sou medie, de lip .fab-less''
),'G :

(companii care nu llustratle coperta: Vega-Wa-3, 1968 Vinyl, Par Gaston Diehl. Vasarely

faciliuiti

ii de fabricatie).

in

prezent

(2005), in Romani:

opereaza ca/eva zeci de astfel de cc:, 'J anii Ctllloscule sub numele generic de "celltre de proiectare" ale ciiror activitati 1111 se crcumscriu numai proiectelor de ,,::i cu zi", ci urci: palla la nivelul de competitivitate (;: ni« Ji globale! Radacinile addnci ale' -:c
dOll,.
'!

ei carli se aj1a in activitatea
f,'l care lucreazd

didactica

~i de

consultanui tehnica a autorului, care de sisteme nticroelectronice, Descrierea CIP a BibJiotecii Napionale a Romaniei DAN, CLAUDIUS , Comparatoare cu functionare continua Claudius Dan. -Bucuresti; Editura Tehnica, 2005 Bibliogr, ISBN 973-31-2262-9 004 in timpl Facultatea de Electronica, Telec "POLlTEHN1CA .. dill Bucuresti. (juniori, seniori si veterani) care domeniul proiectiirii circuitelor CI Parcurgerea literaturii dificil (II comparatoarelor.
('L:

'!e 0 autoritate recunoscutii a domeniului proiectiiri' de aproape douiizeci de ani /"
dill

'T
.:i", ;, S

icatii ~i Ingineria Inforrnatiei

Universitatea

Cartea are ca public tinti', "o unitatea proiectantitor de sisteme microelectronic", .zii, atd! in lara edt ifi in strdiniitate, in special il< .ale mixte. .cialitate pune in evidenta numarul surprinziuor <1_'
1:711, miicar,

inic al ciirtilor dedicate in totat. Marcc:

AI ';i

intr-o bunii parte subiectului

intrinse:
J

r. itate a informatiet de incredere se aflii in lucrdrii

publicate in revistele de speciali:.i e

' prezentate fa conferintele de maroa.
~'
'

J

VI

COl'vlPARATOARE

cu functionare

continua in timp
selecteze ideile si

Experienta didacticd ~i industria/a a autorului i-a perm is

sa

tehnicile de circuit relevante folosite in ultimele trei decenii pentru implementarea functiei de comparare, idei ifi tehnici care se regiisesc fie ca diverse circuite standard industrial, fie ca bloeuri componente ale Mar micrasisteme. Data [lind vastitatea subiectului, autorul s-a limitat la a trata numai eomparatoareJe . Comparatoarele curs de elaborare. Analiza solutiilor de circuit incepe /a nivelul conceptual al functiei de realizat si se opreste la nivelul circuitului comparatorului, lrueles ca bloc functional. obtinerea unui volum rezonabil at carlii, autorul a optat pentru prezentarea topologiilor circuitelor de comparatoare, Urmiirind ideilor si cu functionare de tensiune eu functionare continua In timp . discontinue in timp fae obiectul unui all volum, ajlat ill

cuprins
1 1 Introducere
'/

mentindnd la minimum dezvoltiirile ana/itice de de circuit de tip

detaliu. Cititorului ii raman in sarcina rafinarea si tntelegerea efectelor de ordin secundar, sarcina care este relativ simplu de rezolvat prin folosirea simulatoarelor Spice: Parcurgerea acestei carli presupune cunoasterea de ciitre cititor atdt a principiilorsi tehnicilor fundamentale lor electronice. Prin subiectul abordat, cartea de fala constituie
J

ale circuitelor analogice, cat $1 stiipdnirea simuliirii circuite0

2

Parametrii 2.1.

comparatoarelor

Amplificarea si rezolu~ia statica Tensiunea de supraecimanda Timpul de raspuns Compatibilitatea logica Curentul de alimentare Alti parametri comparatoarelor cu funcponare continua 'in timp

7

premiere

in literatura tehnicd

2.2.
2,3.

romdneascd.

'I

Merlta so. observam cd aceastd carte nu constituie un exemplu singular; ea se regiiseste alaturi de multe alte cdr]! de valoare publicate generic" tehnologia in limba romdna EI! ultimul deceniu, rdspunzand atat. cerirqelor sistemului de inva/amant superior in domeniul denumit informatiei" cat si celor ale unei piete a fortei de muncd care se dezvolia exponential atdt la nivel global cat si fa eel local, al tarii.

2.4. 2.5. 2:6. 3

10 10

It
1;3
lS

in fond, aceastd carte este un rezultat direct al vietii, sa spunem eel putin interesante, pe care 0 ducem toti eel care lucrdm in domeniul sistemelor microelectronice. in lncheiere, un cuvdnt special Editurii TEHNICE pentru interesul si dedicatia ariitate publicarii acestei ciirti.

Performante1e
3.1. 3.1.1. 3.1.2.

Rezolutia ~iviteza
Viteza eomparatoarelor cu un etaj de castig Viteza comparatoarelor cu mai multe etaje de castig

22 .,

3.2. Prof.univ.dr.ing. Mircea BODEA . Laboratorul de Sisteme Microelectronice Facultatea de Electronics, Telecomunicatii ~i Ingineria Informatiei
Universitatea

Tensiunea de ofset a eomparatoarelor diferentiale
3.2.1. 3.2.2. 3.2.3. 4 3.2 .. Ofsetul amplificatonilui

.

25
2)

diferentia1 bipolar eu sarcina reZ:I~t1vli

Ofsetul arnphficatorului diferential MOS eli sarcina rezistl.va Ofsetul amplificatorului diferential bipolare cu sarcina ~ctlVli Ofsetul amplificatorului diferential MOS cu sarcina activa

31 35

"POLITEHNICA" din Bucuresti 4 4.1. 4.2.

36 39 39

Comparatoare

eu tensiune

de prag

interns

Comparatorul Inversorul 4.2.1.

ell un tranzistor MOS eu sarcina activa de comparator

CMOS utilizat incalitate

• Vezi, de exemplu, Circuite integrate analog ice. Analiza si proiectare de P,R. Gray ~i RG. Meyer, Ed~tura TEHNICA, Bucuresti, 1999 ~i SPICE de A. Vladimirescu, Editura TEHNICA, Bucuresti, 1999.

Functionarea inversorului CMOS

VIII
4.2.2. 4.2.:h

COMPARATOARE cu funeticnare

continua

in timp

Cuprins 5.3.10. Comparator CMO~, ell 4 etajc de castig BiCMOS

Dependents parametrilor tranzistoarclor Redueerea dependentei variatiile de proces

inversorului parametrilor

CMOS de parametrii 46 inverscrului CMOS de 54 5.4.

Comparatoare 5.4.1. 5.4.2. 5.4.3. 5.4.4.

diferentiale

1f"11

",-J_

Comparator Comparator Comparator

HiCvlOS eu etaj de intrare PMOS Bi~\1"OS cu eta] de intrare bipolar BiCMOS eu etaj de iesire CMOS
-." i_".j)

4.3. 5

Comparator

bazat pe un lant de inversoare CMOS diferentiale diferentiale bipolare eu iesire asirnetrica
integrat rnonolitic

54

..

Comparatoare
5.1. 5.1.1. 5.1.2. 5.1.3. 5.1.4. 5.1.5. 5.1.6. 5.1.7. 5.1.8. 5.2.

61 62
62 64 65

comparator BiCMOS eu etaj de iesire CMOS si lirnitare a excursiei de rcnsiune

:o~

Comparatoare

Primul comparator Comparatorul Comparatorul Comparator Comparator ai intrarilor Comparator

6

Comparatoare
6.1. 6.1.1. 6.1.2. 6.2.

cu histerezis
eu b:::'"~re.zis extrinsee
,;"! :. isterezis

dual IlA 711 rapid ).IA 760 de arie redusa eli modiflcarea dinamica a curentilor de polarizarc

Comparatoare

Comparator Comparator

redus

'. ....
,~

Cornparatorul LM339

66
67 68 69 71

.:·. .isterezis dinarnic . intrinsec

Comparatoare 6.2.1. 6.2.2. 6.2.3.

cu histerezis
Cci

;! /

,~

bipolar alimental de Ia 1V

Cornparatoare interna Comparatoare Comparator
eli

'iisterezls intrinsce ~itcnsiune de rcferinta

diferentiale eu histerezis intrinsee
histerezis intrinsec dinarnic

Comparatoare bipolare rapide cu limitarea excursiei de tensiune In nodurilor interne diferentiale bipolare cu iesire sirnetrica
~i iesire

Comparatoare 5.2.1. 5.2.2. 5.2.3.

Comparator

bipolar ultrarapid

73
73 74 dubla ~i

7

Comparatoare
7.1. 7.2. Comparator Comparator

rail-to-rail
CMOS eu transconductanta CMOS eu transconductanta variabila constanta

Comparator bipolar sirnplu cu intrare diferentiala diferenriala Comparator bipolar simplu cu intrare diferentiala iesire diferentiall!. . diferentlale CMOS

5.3.

74

8

Comparatoare
8. I. 8.2. 8.3. Comparator

dlferentiale autopolarizate
CMOS autopolarizat simplu eu domeniu rapid larg de tensiune

Comparatoare 5.3.1. 5.3.2. 5.3.3. 5.3.4.

Comparator Comparator

CMOS simplu cu un singur etaj de c§.~tig CMOS sirnplu cu dQua eta]e de cli$tig

76
76

Comparator CMOS eu eta] de ca~tig eu excursie de tensiune de mod comun de intrare marita Comparator CMOS simplu ell etaj de castig cu excursie de tensiune de mod cornun marita si lirnitarea excursiei de CMOS c~ doua etaje diferentiale de c3$tig

80
87

Comparator CMOS autopolarizat de mod comun Comparator CMOS autopolarizat

Bibliografie ANEXA 1 Simbolurile ~i cl:ailile tranzistoarelor ANEXA 2 Modelelc Spice ale tranzistoareIor MOS

tensiune

5.3.5. 5.3.6. 5.3.7. 5.3.8. 5.3.9.

Comparator

90
91

Comparator CMOS ell doua etaje de c3$tig pseudodifcrentialc $) limitarea excursiei de tensiune Co~paratoare CMOS eu reactie pozitiva moderara pentru marirea transcond:.:ct· nte i etajului de intrare Co~p~rator CMOS eu etaj de e~tig cu reactie pozitiva $i oglinzi de curent cascoda Comparator CMOS cu etaj de c3$tig de tip cascoda pliata

MOS

92
93

96
97

-~-------

.....

"'_,

..---.~~,--.---------"

INTRODUCERE:: Comparatoarele si amplificatoarele sunt unele dintre cele mai utilizate blocuri functionale analogice. Din acest rnotiv comparatorul poate fi considerat drept un con- vertor analog-digital elementar. .V1n_ ) > 0 Va"' .Vin:J oricat de mici. Orice sistem electronic cu semnale mixte incorpoream unul sau mai mult comparatoare. in cazul unui comparator ideal. Un comparator are rolul de a detecta ~isernnala daca ur: sernnal analogic este mai mie sau mai mare decat un alt semnaL In functie de rezultatul comparatiei la iesirea comparatorului este furnizat un semnal logic avand valoarea 1 sau O.t .o daca (V "+ . De asemenea. Functia de transfer a unui comparator este: _ {I daca (V1n+ . semnalul digital de Ia iesire se modifies imediat ce se modifies conditia de tensiune de la intrare ..V _ ) < 0 ~ 1 1n ([.1) Un comparator ideal trebuie sa detecteze diferente de tensiune (Vln+ .

Este imposibil de obtinut aait un cii~tig infinit cat ~i un raspuns infinit In frecvenia.J. r. Posibilitatea de a detecta diferente de tensiune oricdt de mici presupune realizarea unui ctiJtig infinit. .de. I rf telor caracteristicc unui compa . • d i... in scopul oblinerii unui pol dOminant. ompensare I unuicc.parator CI. dinnpo t rt'va . In marea majoritate a aplicatiilor amplificatoarele operationale funqioneaza intr-o bucla de reactie neganvs. desi este posibila. ~j digital k acelasl bloc functional .lJ.. nice care constituie structura intema a unui amplificator operational conduc la obtinerea unui raspuns in frecvenfa CIJ poJi muJtipli. pentru cornparatoare se 0 oses caracteristica cu IS erezis ~ if ~ i amplificator operational nu are .ima de implementare a unui comparator trebU~.ire continua in timp si l cu functionsre discontinua in timp. c..::!uncfionare continua in timp realizeaza In. Deci un ampJificator operational compensat pentru a " Clasa comparatoarei or .tn frecvenlii caracterizat prin prezenta unui pol dominant. fi I ste 0 reactie pozmva (. Itre circuitele digitale.CODTISelod:r:: ~uereaza In ~terfata.~ digital conectat la iesirea cornparatorului determina solutio constructiva a compu ratorului. h. de obicei condensatoare. operationale cat ~i amplificare Intr-un sistem eu reaefie negativa.rte. Apar astfel Lnren:ale :. =r=: ) .. 'jnrautate~tc cornportamcn. compensarea in freeventii a raspunsului sau. COMPARATOARE ell fUllctionarc continua in timp Introducere lucra corect • mtr-un Out SI'stem cu •• _\ ~ nezativa are un rdspuns infrecvenui "inrau. mCI 0 utilitate m cazu . 1. t. mul digital va suferi influente din ambele partr.r 2 In+:[!>-a In· . comparatoarele sunt ele de doua tipuri: • comparatoare • comparatoare eu funcj.L sugereaza ca 0 solutie posibila de realizare a funqiei de comparatie 0 constituie utilizarea unui amplificator operational. Tot ceeace po ate face proiectantul unui comparator este sii incerce sa obtina 0 valoare cat mai mare atat pentru cii~tig cat ~i pentru viteza de riispuns.: . Simbolul unui comparator. _~ zate tntotdeaunafora . Deoareee eircuitele electro. mai .. necesar pentru a fi prelucrat de '.r. . solutia op. '" mnalului de fa intrare eu un semnal de referin: Comparatoarele ell funcu mare discontinue in limp rea.. In domeniul digital se I!)!l:nesc doua tipuri de circuite: • circuite digitale asincrone ~i • circuite digitale sincror.l Daca influenta subsistemului analogic este evidenta ea det~~I~an . at. _ .1.>i propun acelas] lucru: un ca.: ...erespec Pentru aalege :1 tr -. Implementarea practica a functiei de comparator nu poate decat sa tindii catre performantels unui comparator ideal.dintre subsistemul analogic si subsis. In irnul rand castigul necesaral comparatoru IUI. ~! Simbolul prezentar In fig.' ~ a reactie neeativd dominanta. minanta.: ctura Intrezului sistem in care se va incadra comparat~. lit" in scopul asiguriirii stabiliutii. . l. Dimpotriva..'~"fd .. care coboara frecventa unuia dintre poli ~i II transforma in pol dominant. fl Uenta subsisternului digital e. Simbolul unui comparator este prezentat in fig.c . De asernenea rdspunsui tnstontaneu la modificarea intrarii presupune un riispuns infinit in frecventd. . continuu functia de cornparar.. .izate pentru a permrte comparatoru lUI sa 1~1I".0hi t . '. Solutia de realizare a unui comparator 0 reprezinta un amplificator al carui semnat de iesire este limitat fa valoriJe eorespunzatoare semnalelor logice 0 ~i 1. daca se . reprezinta un compromis care nu este insii aplicabil In majoritatea cazurilor.. tul circuitului din punctul de vc-ie-e a pe orman tor.. rea reactlei negative presupune pentru amplificatorul operationai un raspuns . l~~r~:'~' Aceste intervale de timp pot f -..' Analog •• . 'lei cand sernnalul rezultat din com. De fapt natura si tipul subsistemului.. timp mao: pro fiun da . . Din punet de vedere al ca§tigului. atat ampliticatoarele comparatoarele r. r pn subtila si 'in acelasi . 'C a In frecventa speer rca unu .lizeaza com~an la anumite momente de timp.'izarea dintre semnalele . Motivul consta in particularitatea aplicatiei pentru care este optimizata structura unui amplijicator operaJional: realizarea functie] de Corespunzator acestcr ~..p~ra toar_ele sunt utiu-o dore . limp in care flU este necesara r.tig cat mai mare. com.gorii de circuite digitale..r. . luata mIV. rcc +~ ~ . Amplificatorul operational in calitate de comparator Spre deosebire de arnplificatoarele operational~. presupune introducerea unor dispozitive. Utiliza- Soltrtia. •.f Fig.para~le e . L. De altfel compromisul dintre amplificare si viteza este principalul factor asupra caruia se concentreaza procesul de proieetare a unui comparator.~ .

CMOS si BiCMOS.n model de prim ordin nu depinde velor de tensiunea de alimentare. Iimiteze influenta vecinatate unei eategorii dintre rezolutia si viteza comparatoarelor neliniar) sernnale asupra celeilalte-Prezenja tie rnari. ee ca 0 tensiune existenta CMOS si din acest motiv sunt prezentate capitol prezinta utilizarea solutii de implementare specifice acestor comparatoare a unor comparatoarecare analogice. (comparatoare de tensiune . nea proiectantul unui comparator sistemelor sa De aserne- accesibile ~i tensiunea unei analize manuale. si digitaeste un cir- obtine prin urmare. atat §i stapanirea a circuiteJor analogice dar sunt definiti si parametrii este dedicat comuni eu amplificatoarele.In ~imp . serie de ~igital. care includ intern: dispozitive la histerezis. atat compara~oare cu tensiune de prag interna cat si comparatoa- (1) Comparatoare cazul acestor la care semnalul In co~p~atoare semnalul de intrare este comparat de pararnetrii de observat eu un prag domeniu dispoziti- Capitolul chiar include de circuite solutii CMOS.la care . Ultimul 7 trateaza comparatoarele de alimentare diferentiale la intrare. larg al tensiunii sunt specifice de mod eomun circuitelor domeniu care se apropie ambele tensiuni Acest tip :nat mu te on. modelele Analiza manuala digitale. Deoarece ~i eel digital el este punctul deosebite. de intrare §i tenprin interme- acest tip. prin insusi modul de realizare prag c~re JOtr-u. ~f1ce modificare sl. Sunt discutate de reactie care condue atat cornparatoarele extern de modul In care se "genereaza" eomparatoarele a cat si eo~parati~a (tensiunea de referinta) se Impart In doua categorii mari: cu functionare comparatoare re diferentiale. $i de aceasta data sunt analizate de referinta este generat intern. tensiunea cu care se realizeaza continua In timp 6 sunt prezentate histerezisului de comparatoare obtinerea cu histerezis. care au un sau doar care este ~enerat intrmsec.unea d~ referinta dl~l. circuitelor la cele doua. majoritatea Sunt prede Capitolul4 zentate it folosite pentru realizarea aceasta carte se discuta numai cazul comparatoarelor intre tensiunea impune 0 cu functionare doar comparatoare solutiilor continua . Acest mod de functionare constrangeri tii care utilizeaza tehnologii In Capitolul constructia utilizeaza pentru bipolare. m~ran ale sale.rail-to-rail"). in imediata a unui comparator precizie care se acest capitol "descoperirea" (care este un circuit profund nu poate oferi nivelul analitice eu castig mare dar ~ieu timp de raspuns mie impune precautii comparatorul prezenta in acelasi circuit a ambelor tipuri de semnale. s~nt tensiuni. ~I COMPARATOARE eu functionare contlnua rn timp mai Introducere in Capitolul tensiune fici comparatoarelor Capitolul3 prim ordin. cat mai repede posibil. programul Spice. pe de 0 parte. '1 ' ~l tensiunea mtr-un nod al circuitului. Capitolul 5 este dedicat comparatoarelor diferentiale fiind prezentate a relatiei existente ilu- la iesire. eu functionare analitice privind continua cunoasterea functionale trebuie de catre proieetantuJ prezentarii Iii dezvoltarii rezonabil :ae inin de In la de comparator a caracteristicilor ale ambeJor tipuri de circuite. Ca diferentiale. este specifica cuit de interfata circuitelor dintre domeniul 'in un or solutiei prin prezentate indica proiectantului caile care due unui simulator de circuit. a celor digitale aceluiasi functional. care cele tipuri de circuite se afla Yn irnediata te nedorite are valoarea maxima. d~f~rentiale de prag nu se regaseste ca de c I . caraeteristiee analcgice De altfel unor semnale cu amplitudini ~i viteze de variaa unor circuite precurn de of set a comparatoarelor simulare. Pe orieare dintre intrari se poate aplica 0 tensiune de referinta generata extern. unui semnal este semnalizata atat eel de intrare cat ~i eel de referinta. Aceasta intr-un circuit vecinaIn mod independent intr-un (2) Comparato:r~ care cornpara doua tensiuni care sunt prezente nu necesita caracteristica circuit datorita eircuite permite speciale de polarizare. constituie un "ghid" optime care doar folosirea Ie. Aici probabilitate influen- exernplu.analogiee cu semnale analogic mixte. unor modele de cornplexa.4 bunatateasca performantele astfel de caracteristicile . terdependenta timp 5 2 sunt prezentati continua principalii parametri ai cornparatoarelor parametrii ~e speci- incat performantele lor sa se apropie cat mult cat unui de unui comparator In cadrul presupune ideal. boc cu functionare In timp. In imediata pot fi dificil de implementat negativ de prezenta t digital si. ~~ circuitele de polarizare care. Sunt discutati In special Preze~ta. digital meniul rara a mai f necesare redus de cornponente. cum este. principalele retele tehnici de circuit pozitiva utilizate in Gare privind modul de implementare In functie al acestei clase de comparatoare. este dedicat prezentarii comparatoarelor CMOS deoarece principalelor eu tensiune ele reprezinta metode ~i tehnici de circude prag interns. In doua apropiere.ambele semnale. Este important a comparatorului. pe de alta parte. pot fi influentate .

. t rpolare). ce in revista cei mai importanti parametri ai comparatoarelor de tensiune cu fu. 2..lce prezentaren a fast ordonata dupa criteriul tipului de proces foloSit (cu alre CUVInte dupa tipul de dispozitiv folosit): BIPOLAR ( .. bi- PARAMETRII COMPARATOARELOtR .1.. ) I bi 1 MOS)· si BiCMOS (tranzi ~ ranzrstoara • numai tranzistoare MOS 'f <I .¢.. Pentru a putea aprecia performantele unui comparator in scopul de a verifica dacii el este adaptat scopuiui pe care trebuie sa il indeplineasca se utilizeaza 0 serie de marimi caracteristice.. Si in acest caz sunt prezentate doar solutii de implementareCMOS . Avand~in vedere ca aceasta carte se adreseaza proiectantilor de ci ite i li . r .:"arator de tensiune cu functionare continua in timp se defineste ca fiind raportu dificarea tensiunii de intrare ntre modificarea tensiunii de iesire raportata la t 1'10- o produce: :'J""-!_"!" . CMOS (numai tranzistoare poare.. Amplificarea unui C(~'-. . .c: mare continua in timp. .. AMPLIFIC.6 COMPARATOARE eu functionare continua in timp tate a circuitelor digitalo. '~I ~I REZOLUTIA STATICA :~ Deoarece un compr .I.. Ifeu I e 10~grate mono It. parametrii unui comparator depind de tipul comparatorul« in continuare se vort.1arimilecaracteristice... ~ ~ -- _ .: I: este in esenta un amplificator un parametru foarte important este amplificarea :'.

.':>s va rece un timp infinit pana • d i .4) (2. rezoIutia statica este data Timpul de raspuns sau timpul de comparatie. In a resire nivelele logice doar in conditil] • corecte. t..OL sau VOH• Daca ampIifica' . .is. . onsl erand cazul eel rnai 1 . Diferenta dintre sernnalul aplicat la intrare ~i rezolutia statics a cornparatcrului poarta numele de tensiune de supracomanda.3. ' . modifiearea semnalului de intrare C 'd. cum este cazul circuiJelor r2L' e In care semnalul logic are 0 alta difi pentru care semnalul di . tl . I se rno 1 lea atat deflnitin ampJificlirii cat i cea a .. rezolutia statica.gs. eca . Acesta r . Din acest rnotiv timpul de raspuns se defineste pentru 0 intotdeauna anumita tensiune de supracornanda: (2. .OUT este mornentul In care se modifica starea logica de la iesire. Asa cum se va prezenta in Capitolul 3 lntre tensiunea de supracornanda si intervalul de timp in care modificarea tensiunii de intrare este sernnalizata I.s pentru e 2.zlere In a riispunde la . n cazunle special • eprezentare. Aplicarea unei supracomenzi de valoa re mare conduce ia saturarea tensiunilor din nodurile interne ale comparatorului * ln aces! caz s-a cons Iiderat ClI semnalul logic d I . Din aces! mon v amphficarea s. rea comparatorulUl de relatia: e iesire VOL . ' Ss.8 COMPARATOARE cu funclionare continua in timp Parametrll comparatoarelor Pentru ca iesirea 9 (2." . -' Este tre ul do ~osibil ca." cu un smgur pol in raspunsuI s. Aceasta afir1 lJ e in care se negIii circuit d ' . iesire exists 0 corelatie foarte stransa. modificare care atrage dupa sine modificarea starii iesirii ~imomentuI In care se modifies efectiv starea iesirii".· lin sernn~ u ml~lm de mtrare care produce Ia iesire tranzitia de la niv nivel lOgIC neambiguu 0 sau 1 ~ • eluJ Vn. este cazul pentru majoritatea circuitelor digl'!ale 1e a le~lrea comparatorului este 0 tensiune.]: definita ca fii d II " . .•. tensiunea de iesire trecand de la VOL la VOH sau invers. a~plificarea comparatorului sa nu fie constann pentru Ing ~entu al tensiunilor de iesire corespunzatoare starilor logice 0 ~J' 1 D' acest rnotrv se utili _ y. .ficative ale timpului de raspuns in functie de tensiunea de supracomanda anterioara modifi carii conditiei de ·Ia intrarea comparatoruiui. In izeaza un parametru. • dorneni ai simp u al unui circuit nal de valoare + s: .• igrta este un curent [Bodea. conditia de comparatie. este. Dad. suficient . Deoarece functionarea corecta a circuitelor digitale impune restrictii in ceea priveste durata tranzitiilor din 0 in 1 ~i din 1 in 0. . Orice unde ttJN este momentul modificarii conditiei de la intrare iar tf. {J. in practica.ogu:' sa com ute intr-un timp suficient de scurt este necesar ca la intrare sa.. . Un semnal pnnelplU. i • Trebuie mentionat ell nu orice modificare a tensiunii de intrare conduce automat Ja modificare starli logice a iesirll.. mape este valabila comparatiei.logiC la un . anterio modificarii conditiei de la intrare comparatorul a avut 0 tensiune de supracornand mare timpul de raspuns poate creste foarte multo Acest efect i~i are originea i comportamentul neliniar al comparatorului. . ~ punctulu] In care se definqte amplificare.2) Un semnal de intrare trebuie sa fie mai mare in modul d 't + a produce la iesire nivele logice neambigue. de la aplicarea unui sern.. Jeaza aspectul temporal al .unii de intrare ~i momentul cand tensiunea de iesire trece prin tensiunea de prr logic a circuitelor digitale de la iesirea comparatorului.' rag ogle a amiliei de circuite digitale conectate la VT:'L I . eCI ~I comparatorul ar • t" .3) 2.1) tant d Deoa.i.r~:e compa~alorul este un circuit profund neliniar este foarte irnporfi e a stabili In_ce pcrtiune a caracteristicii statice de transfer se defineste am Iiicarea sa. este constanta in dorneniu] tensiuniIor d '. TIMPUL DE RASPUNS iesirea compararorutu. . VOH. t au ~n ~memul frecventa. TENSIUNEA DE SUPRACOMANDA de intrare de valoare egala cu rezoluria statica + ~ pentru a produce I '.2. ' .ipul de raspuns se defineste ca fiind intervalul de timp scurs intre modificarea te.e defineste in jurul tensiunii de intrare care produce fa iesire sernnal egal cu tensmnea de pI' f '" y un . ' e 0 in ar. can iesirea eomparatorului va .logiC' Structura interna a cornparatoarelor conduce la modificari sem. . ("overdrive voltage"): (2. Aceasta alegere porneste tn principal de la scopul caruia Ii este destinat un :ompar~tor: conversia unui semnal analogic intr-un sernnal digital. Vn. se aplice un semnal mai mare decat eel corespunzator rezolutiei statice. ajunge In starea Iogica 0 sau 1. 1984]. este intervalul de limp care se scurge din momentul in care se modi fica tensiunea de intrare.

mai intai. "n mediu al celor dou. a de of set ( Input Offset Voltage ") .~. ejection . ... Domeniul de tensl~ne e fi a licata unui comparator rara a-: fi niul de tensiune de intrare care poate p '.aua . -. .arator cu tensiune de prag mtema. Pentru comparatoareie diferentiale . I unui comparator de intrare . pentru compa ratoarele la care semnalul de re1-. de tensiune al curende la Din Datorita caracterului lil sau de alimentare poate varia putemic de la . lVR - ornemu . tensiunu ._ . d e po 1artizare sa verifice 3'. respectiv. I diu al celor .var. icest motiv proieetantul Jreeza in specifica!iiIe trebuie curenti . t ") PSRR - Deoarece sernnalu] de laiesirea comparatoruJui este preluat ~iprelucrat de catre cireuite digitale este absolut necesar ea ie§irea sa Sa poata comanda corecr acesre circuite. ("Input .' de mtrai e a este posibil sa aparii tensiuni de intrare . Resistance ") . sa elimine efectele acestei saturari. ei vor f definiti interne ale unui comparator complete Ceilalti parametri . tensiunilor de supracomandii. CURENTUL DE ALIMENTARE profund neliniar al functionariiunui in funelle de nivelele de aJimentare Variatia curentului comparator. Trebuie remarcate doua aspecte: de 100 mV nu reprezinta de supracomanda in mod obligatoriu al unui comparator (2. d intr 1 care se produce curent continuu cu care se modifies tensiunea e In are a care se orouu rnodificarea starii Jogiee a iesirii. 2.j\"fEHU ai limn.10 COMPARATOARE cu functionare continua in timp Intervalul Parametrii comparatoareior.. de mtrare"'1 a •care se produce modificarea starii logice a iesrru. Rat1~:.5) generat me. de timp necesar pentru a elimina efectele saturarf de limp de reveni~ din supracomandii.comparator ..5. . ! de teneiune diferentiala de tensiune domeniul diferentiala Voltage R(L~e )~ te fi a: icata de mtrare care poa . afectate temporar de supracomanda atat • Rezistenta comparatorului. • Curentul D o . iesire. de intrare (" Input UI eu temper tu! i d polarizare Variatia cu temperatura a curen UI e de intrare: de alimentare ("Power Current Drift"). dintre . ALTI PAR.:\n~\ curentu me . R ") IVR _ dome..ntul il de 'ntrare si. d intrare ("Input Voltage ange . . Tensiunea poate produce satllrarea zat ell tranzistoare tensiunilor de ±lOO mY si ea corespunde bipolare. • Denva TCIIN- atura a curentu 1 . comuni eu cei ale unui ampr-u. fice situa~ia cea mai defavorabi)a pentru a putea garanta functionarea al curentului Reiectia • ~.. . aI intrarilor sau R' . .6. . • Nu In toate aplicatiile de mario Din aceste atentie conditiile motive de tensiune • de prag interna.os.1 V/N = ±(lOO mY + IVOVDj). ' IB ..din acest motlv a unui etaj diferential de cireuite realispeci- rara a se s unt. .v" os . doi _ " ca a propos un comparator care se i'nca- de consum in toate condifiile sale de Operare.:-I:!- ta este . tensiumi Supply .care a fi este eonsiderata integrate 2. diferenta diferential. fica timpul de raspuns ne la intrare de: dezechilibrarii interne poarta numele la intrare. t m se menuoneaza: > • Curentul de mtrar t" P intrari al unui comparator diferential rator cu tensiune In ut Current"). _. intrari ale unui comparat~r dlfe:enttal sau cure. . I msista asupra or.. se mentioneaza- urmatorii parametri T . 2. t' Raoortul dintre vanatla tensiunii de alimentare . vanatrei . intrarilor Offset C urren t") . t I de intrare al unui CCT( p_ sau curen u ! ilN- •0 tensiune de supracomanda cazul eel mai defavorabil MOS. RIN - rezrstenta proiectantul aplicatiei unui comparator trebuie sa analizeze eu specifice in care va functiona comparatoru) si sa identicorectii. . ("Input . sau permanent performantele specificate. modificarea intrari] trebuie.Cl • Curentul de polarizare al mtrar 1 or (I put Bias _.4.I cator ~I. u . unui comparator de of set ("Input )oate fi mult mai mare decat cea care se Inmlne§te In cazul unui amplificator.tensiunea de eroai e de ensiunea ce orset t. COMPATIBILITATEA LOGICA . ~1 .. intrare al unui coir l. ''''-'1 Current"). Nivelele de tensiune precum si parametrii dinamici ai semnalului eorespunzatoare de • la iesirea comparatoruJui trebuie sa se incadreze in specificatiile semnalelor de intrare ale familiei de circuite Iogice comandate. Din acest motiv cataloagele In conditiile al comparmoarelor aplicarii unui salt de tensiu- Dintre acesti parametn.

variatia la care are lac comutarea comparator parametrilor de starli Iogice a iesirii. TC1os-Variati'a cu • Rejecjia Rejection variatiei Ratio"). care are doar de intrare nu poate fi masurata ci ea se doua stari direct. 'in esenta.ensiunii de ofset. de intrare Resistance-Differential dife- RIN- rezistenta dintre cele doua intrari ale unui comparator ------------------PERFORMANTELE 3 \ \ \ rential. prin pra- Tensiunea renta dintre tensiunea comparatorului. de i V este definita de difee mtrare..1. de mare astfel ineat. a curentului de polarizare aI intrarilor sau aI curentului • Deriva cu temperatura de of set ("Offset de of set. .ade de eroare cu care se modifica starii Iogice a iesirii.. tensiunii tensiunii Raportul de toare care au un castig suficient ale circuitelor permanenta. de tntrare.Comp ~ difica tensiunea de intrare sernnalul de iesire al unui 0 si 1. . de intrare la care se pro- 'in mod continuu.1i . Tensiunea determinarea variatiei ~ului comparatorului. REZOLUTIA ~I VITEZA . • Domeniulde Voltage tensiune de mod comun domeniul la intrare de tensiune ("Common-Mode in Range"). a unui comparator diferential conditii- • Rezistenta - de intrare de mod comun ("Common-Mode rezistenta de intrare celor doua intrari. un sen:nal corespunziitoare amp... 'in conditiile scurtcircuitarii • Rezistenta Mode"). Current Drift"). • Deliva cu temperatura a tensiunii a curentului de of set ("Input Offset Voltage Drift").le in RINCM care comparatorul intrarea unui comparator diferential I~i pastreaza performantele specificate. de polarizare la intrarilor a curentului ("Input Bias • Deriva cu temperatura Current Drift"). tensiunii iesire.1) De fapt variatia parametrilor se poate asimila unci variatii a t· . de mod diferential ("Input Input Resistance"). pentru Semnalul tr :re in alimentare mvelelo~ Iog1~e PSRR - dintre variatia tensiunii tensiunea de alimentare pe care Ie comanda. /VCMR - in care poate varia ten- siunea de mod comun de la . COMPARAT. reflecta doar in modificarea VTh: (3. specials trebuie facuta in ceea ce priveste parametrii care moDeoarece 3. TCIB- Variatia cu temperatura de intrare. . IN. ("Power Supply Rejection si variatia CMRR - rnun la intrare si variatia tensiunii de intrare la care se produce modificarea • Rejectiavariatiei Ratio"). este un semnal logic. O~RELO~~ CU FUNCIIONARE CONTINUA IN TltJtP TCVos- Variatia cu temperatura a tensiunii de of set. duce modificarea o rnentiune oosibile. temperatura a curentului tensiunii de mod comun de la intrare ("Common-Mode Raportul dintre variatia tensiunii de mod cotensiunea Comparatoarele adecvat sa genereze digitale cu functionare Ia iesire nivelele continua de tensiune In timp sunt.12 unui comparator COMPARATOARE eu functionare continua in timp " rara a-i fi afectate temporar sau penn anent performantele Input specificate. . de intrare este arnplificat de eroare cu care se modifica stiirii logice a iesirii. V si tensiunea de prag a de mtrare a comparatoru U1 IN.

Tensiunea de supraeomenda. Pe langa valoarea rezolutiei statice aplicatia considerata impune insa ~i valoarea intcrvalului maxim de timp 'in care comparatorul trebuie sa sesizeze ~i sa semnaleze mcdificarea tensiunii de intrare. de intrare si valoarea rezoluriei .14 COl\fPARATOAREcu funcfionare continua Intimp Performantelecemparatoarelor SemnuJ tensiunii de intrare are 0 importanra redusa.a ~i timpuJ minim de raspuns (de comparatie).e....:)e$i aceasta aproximatie majoritate cazurilor.. . pentru IN < 0 esre suficient sii adiiugiim un mversor logic la iesirea comparatorului (vezi fig. ). u L .. ale tensiuni] de intrare In imervaluI (_. Puniind conditia rea VOH.. _ -_ __ ' ':>s. _ ne trebuie sa aiM in aceeasi _ x I' on mal micr. Pentru valor. Notand v: v: . '.. se va considera eli tensiunea de prag logic. va av . Pentru a descrie . aplinsiune la intrare se foloseste amplificarea di'lll!1ica :ea dinamicii.1!(i!!l!l'Oll!i .. respectiv (J functionare liniara a circuituJui comparatorului.3) Semnalul minim de intrare . ~ igu e mtrare.s ne'. este nulii §I cii tensiunea l . semnalut minim d . . _J""'. poarta numele de rezolupe staticii.-_ ...1). este definita de raportu: Iintre valoarea saltului treapta de tensiune aplicat la in. '..tatice poarta numele de tensiune de SlipraCOl!( n. Analiza compromise dintre rezoliqia dinamicii a comparatorului si iimpul sau minim de rdspuns [Va iez.. f Sii presupunem.. iJ!'l!.rezolutie· cesara a rezolutiei statice (3. Compromisul.rare: (3.Ei. In tenslune... .. ..:.nsiunea de la iesirea comparatorului sa atinga /nloa- clului logic I. ea 0 stare Iogica neambigua I -. aproximativ. " Out Out f f De asemenea."'="""" c:c t-it!. . t '\Ilui comparator.:. valorile tensiunf de iesire cores :unzat~are nIvelului logic 1. Av. Se observa ca pe masura ce rezo!utia staticii clorita are val .. ". II e In trate V s IN. cu functionare continua in timp Relatia (3.. lutia in timp a iesirii comparatorului In conditiil.s iesirea compaTensiunea de ie~ire a comparatorului numai daca valoarea tensl'un" d .. va or! tot mai mari.~. Adi!ug~rea unui inversor logic la ie§ire esre echlvalenta eu inversarea intr1irilor. OL nu este justificata pentru toate configuratiiie 0 de comparnoare oera ea reprezinta un punet de plecare util pentru analiza de prim ordin care a RezoJu!ia statica. respectiv niveluJui logic 0 §i tinand seama de ca ti . corespunzatoare ~. Rezolu~iadinan . e p aseaza In afara acestui interval.5' este impusa de aplicatia careia ii este dedicat comparatoru1. pentru simpt· ."'&-"".. ciirii unui salt treapta de [Vazquez. Amplif -: valoarea tensiunii de iesire . ca ave~ un comparator care realizeaza functia de '1 ~'. exemplu. c~tlgul III tensiu.~ . .timp de raspuns. Valoare. ~s • care produce la iesire nivele logice corecte este dat de relapa: • OH. ._'"."""'_ •.. ' . 2002J porneste de la premiza simplificatoarc ~a mtrarea ~i iesirea comparator. Dacii dorim rnsii sa.2002J. 0 valoare consranra a castigului.fJ~i. Avd(t). 3.' " .--". ("overdrive voltage"): (3. la momentul Tc care reprezint~impLll .4) (3.2) uncle 1 §i 0 reprezintii valorile logice.:i... pnem va oarea logica 0 pentru VIN > 0 ~I valoarea logicii 1 V . Compromisul dintre rezolutia statics §i timpul de raspuns este factorul principal care determine proiectarea unui comparator. Diferenta dintre valoarea tensii . ratorufui nu are semnificatie logica certa.3) a fest obrinuta considerand. s..J se aflii fa echilibru. 3. este egala cu tensiunea -VOH.!'II!4!!'1 '--"'..1. statica . 4411"·"'4iI!!!.'.obti ! .6) Fig. 'II masura. ceea ce presupune: =~~w=~~ G..

\ el seamanli cu un ClrcUlt ec nva . 3. . etal d e c~tjO" aJ .7) descrie compromisul dintre rezolutia dinamicd a comparatorului ~i timpul sdu minim de rdspuns. compone • Te.2. si rezolutia dinamica. AVd. se obtine: VOUT in continuare.1. pinde de arhitectura cornparatorului. C ircui .d .. .d. de Relatia (3. este tensiunea minima supracomanda care asigura atingerea tensiunii VOH la iesire la mornentul Tr. Similar. tree prin valoarea corespunzatoare tensiunii de prag logic.16 minim de comparatie paratorului COMPARATOARE cu functionare continua In timp I'crformante1e comparatoarelor cu functionare continua In timp 17 sau timpul minim de raspuns sau intdrzierea minima a com- se poate scrie: (3.10) Capacitatea de iesire va influenta comportarea in domeniul timp a acestui amplificator. itul echivalent general al unui. In cazul circuitelor digitale.1. pentru a obtine 0 reducere a timpului minim de raspuns trebuie sacrificata rezolutia dinamica. d"\". Fig. respectiv tensiunea de iesire. . creste odata eu timpul. timp de raspuns este influentat de particularitatile de realizare a circuitului comparatorului se vor considera doua topologii curente de comparator: • comparator cu • (t) = tl. Deoarece castigul dinamic.rezolulle al compara singur etaj de ca~tig: __f_ q. 3.7) Trebuie observat faptul cii aceasta definitie a timpului minim de cornparatie difera de definitia timpului de propagare utilizata pentru circuitele digitale.logic. sirea comlJtand de la 0 Ia cazul ln care se presupune c!i ~ < 0. In 1 V 1-_Qli__ Av .. . . di f 3 2 trebuie mentionat faptul ca. in aceste con I 11 ie I" ltativa Rezultate similare se obtin ~iin VOL· . •. • Viteza comparatoarelor cu un etaj de ca!jtig Circuituf echivafent general al unui etaj de ca$tig lmpunand conditia' VOUT(Tc)=VOH se obtine relatia care descrie compromisul viteza . = Av . Av . 0 valoare mai mare a timpului de raspuns corespunde unei rezolutii dinamice mai bune. t un circuit echivalent de . es e ..d.." 1· 'lent de semnal rruc. 3. .e·tjro ) (3. cesi Relativ la circuitul echlValent m ng. sa cu irnpedanta din nodul T r. tl. Prin definitie rezolutia dinamicd. VTh. (1. Relatia dintre timpul minim de raspuns. tl. . • Prcsupunerea ca iesirea corn.8) un etaj de ca~tig ~i comparator cu mai multe etaje de eastig. . de- _ ie entru comparatorul cu Rela~iaviteza .. d' odul In care s-au notat vaicn e l mare (dupa cum se poate observa ~l ~n ~ semna ntelor circuitului echivalent si ale tenslUnllor)..rezolu! Pand 0 func~ionare un etaj de ca~tig presupun ) liniara a circuitului (Av constant = " 2 eli circuitul functioneaza liniar si ca la t = 0 Considerand [Vazquez. 200 ) 1 ~ > 0 ~icondensatorul Co se aplica la intrare un salt treaptii de tensiune de va oare este descarcat. Circuitul echivalent general al unui astfel de etaj de ca~tig este prezentat in fig..2. I' -. uta de la 0 Ia VOH nu este trrn .9) . t 0 rulu •- u un Mecanismul general de amplificare in tensiune presupune transformare tenslunii de intrare lntr-un curent proportional cu aceasta urmata apoi de trans formarea acestui curent din nou In tensiune prin inmultirea de iesire. pentru ailustra modul in care compromisul rezolutie statiell. t.a (3. timpul d~ propagare se defineste ea fiind intervalul de timp dintre momentele in care tensiunea de intrare.

i de supracomanda det-.rezolupe al com.~ iii (3. Relatia vite. in tirura s-au notat VSH. este mult rnai d' ' . .VSl..: remind de la doua presupuneri simplificatoare: (1) Functionarea 10nqi VOH= IV.1d ::.' cuitului comparatorului corespunde starii de echilibru atilt la intrare ca .tV == 0.' .vatorului I' a:. 00 .!. pag. Fll..5~ ia h. tensiunii de la iesirea comparatorului valorile maxima ~i min' pentru excursia pozitiva.: va- . • Supracomanda este mult mai d' e ca~tlg In cazul In care mare ecat rezolutia statica II »j: _V / ' d narea neliniara a unui comparator este practic imposibil de analizat teoretic :x.!. .J functionare continua in timp In relatia (3. Tinand cont de relatia (3. (1 + \ . VOH - timpuJ de cornparatie".01 ·~s Tc = 92 J. De multe ori VSIi ~i -VSl..14) rezolutiei statice. ca 3.!:)!are Se observii ca la limita.7) se obtine ex . Neglijarea suplimentar de 'dlSiu- r. comparatoarcLr - C. . -: Timpul minim de raspuns Tc=lM-s Tc= 14M-s Relatia de calcul (3.1'.s lld = 1 mV = 2'. \. EXemplu • entru a lustra P.E. se 0 pne Tc __.. .11) ~ = 10 mV '" 2(._ = g m . Ro .. 3. ale ectiv ':>s - OH Av: in fig.LS In functie de valoa-ca . ~.1 " ==-. relatiile anterioare pentru timpul de raspuns '". enslune..erizat lori sernnifica. unui comparator au fost obtim I.13) .marimea: t Tabelul C 3.. . " se Obftne: " v eg IJan termenn de ordin supenor in cazul lld = 5 ). nea/tensiunile de alimentare . presta care descne compromisu/ oru ui cu un smgur etaj d ~. 0 Prin ins~i natura functiei de (t) == Ay ..ounzatoare momentului in care se aplica saltul c.?'dg presupunand 0 funetlenare neliniara a clrcultulul CAv constant) *' Caracteristica de transfer VOIIT(YIN)' circuit pe care . pentru II __.rezolutie a comparatorului cu un etaj de~ca:.'ii.i: Iii de comp.! in timp Performantele .. ..rve In special in cazul saturarii tranzistoarelor din compunen " cornparatorului. prop late de valoarea c).parat I' '. . • J 1 -==Av ·In- (3.SmV. Acest timp poate h. 0 abordare analitica devine posibila doar in conditiile acceprarii unor aproximatii destul de drastice: • Modelarea caracteristicii stat ice de transfer prin segmente de dres . mare ecat valoarea rezolu(iei statice » sau altf I II A ' »s .. Co Tu (3. (2) Starea initiala (c..12) Prin identificare cu relatia (3.' nst era un comparator Av=2x103... unde E «1 rclatia (3 • 10'\ d evrne: .6) se obtine: AVd i: .15) • la iesirea (vezi "Comutarea iesirii de la . ensiunii de supracornanda tirnpul minim de riLr1':"S variaza foarte in .18 COMPARATOARE cu functionare continu. vttezd . J! :: V OH fA _0 V- . T.i la cresterea timpului minim de raspuns". carac.ntru un caz general.3.s . Rezolupa statica a comparatorului s. r Pentru valori lld Ioarte a .. regula calitativa fiind "scaderea tensiun..rrr.:im "u c (3. re au valori apropiate . rezultatele obtinurs se Co 'd • de urmatorii parametri. unei supracome . este lin: r c\ circuitului comparatorului.eii . .1O). 21). J! b.e tensiune la intrare) . pului corespunzator timpului de iesire din saturatie a tens.::o '1 Trebuie reaminti ..~. . . In bugetul timpului de raspuns al comparatorului a tic. nzr putenuce (va(oarea saltului treapta de tei .15) esre constanra de timp a etajului de castig. notand • negativa._ 7:" realizeaza comparatorul este un circuit intrinsec neliniar. e spus a : y» VOH) dezvoltand III serie rela(ia (3 8) <I' n I'" d ..':~i~)- Ro . t :: . gm Tensiunea de supracornandi (3. d s.' j .10) (3.14) (3.: 1 iesire.

3. la t.' raspuns.:>s a "'d. a tn conditii de echilib d '.. Ll. In analiza de fata el este desi poate avea valori semnificativel pentru VOH• In consecinta de un comparam fu' • _. OH u area intr-un singur sens deoarece rezultatele sun! sirnilare. Comutarea ie§irii de fa Vo fa II. la V. se poate Tc -::.!:'mt_ Av ·Ll. . e altfel. e« 1.ea !!..16) Se observa ca timpul de raspuns (3. _.20 COMPARATOARE functionare cu continua In timp " Perfnrmantcle comparatoarelor cu functionare se am. an enor poarta nume] d ti .18) se poate rescrie . . Pentru . VOH I Av. 3. prezmta condifii optime care d c.d Av ·Ll. pentru cornu tare a in sens contrar. timpul de raspuns calcular teri prac rca. ..8) panii la (3.A "u v ·]n- 1 _ (3. u UI e a VOl.VSL iesirii de la.. tocmai datorita conditii[or opti dee Imp mtrum de raspuns . .d '" mutanr le~lrll de la 0 J V. are doua component~.d =~. an sup Imentare in ceea ce priUI rezo utie dmamlca .' e m conditiil " nu se G.d (3. me e operare a comparatorului ': Aphcarea saltului de tensiune [a intrare r . In timp aceste condip] re. de Ia Se observa ca la limita. in rezolutiei fel: Pentru valori ale tensiunii statice. 3. I foarte apropiate de val ." t " . s crests deoarece I e le$lre a crescut la V + IV OH OL . Ca urmare relatia (3.I".d. relatia (3..10) se modi fica 0 fata conduce la 0 estimare optimistd a timpului maxim de comparatie.n . . . pentru Lld·-)~. denumit ~i timp de revenire din supraco- mandd. Situatia cea rnai defavorabila di SL a OH t'mpuJ maxim de comparad " "J ' In punet de vedere al fl' es mta mta in realitate. : (1 + i). ~s::. se obtine. comutarea ie$irii comparator J id I L OH pnma. permite ignorat determinarea acestui timp. e tap nu se mtalnesc in ti . si de aceasta data. Fata de cazul eo ~. datorita unei supraeomenzi putemice anterioare: vlNt<o::>-VsL/Av La t = 0 tensiuneade (3. .3. de intrare. ' . " care mamte de mceperea V o procesului de Com- Se anaJizeazi! nurnai com Ja VOL. a 01( timpul de riispun acest caz excursia tensiuni' d . Modelul liniarizat din fig.zst- Com uta rea ie§irii de la V I V. comutarea • Timpul necesar . 3.:: 0..Av -In 1"" 1_ .VOH +IVoL/' Av ·Ll.'" raspuns calculat anterior in conditii optime de cornparatie. M A. t e in Care comparatorul 1 I ru con uce Ja Illlut. aproximativ. entru excursia t ..17) intrare devine C!d.. • Fig. in I continua In timp tensiunea 21 paratie iesirea comparatorului saturatie. r veste realizarea compromisuJ' I" . Tc -) ! .D sens.sltuatle este descrisa de . \ L r cu nCflOnare continua ~ . Aproximarea caracteristicii statke de transfer a pnn segmente de dreaptil. este mult mal mare tinzand catre rezolutiei VSH I Av. este aceea in rmpu UI de cornparatie. t '. comparatoruJ continua sa funetio I" enSlUnll de le$ire de laoVOL la VOH astfel: . ca urrnare." de mtrare variaza de la _J!] A P OH· maces! caz. neze irnar. tie. .timp de . tensiunea . in acest .20) 00 .t: ~ v ' n A -= VSL 1 +-I VOH (3. • 0 . Timpul maxim de comparatie.19) este de doua ori rnai mare decat tirnpul rninil~ de de supracomanda unde 1.." .13) Daca valoarea decat valoarea scrie eii: saltului treapta al tensiunii statice. VSL.. valoarea la valoarea Prin reserierea in aeeste conditii a relatiilor (3.14) se obtine: l+~ Tc ::.3 analiza nil unUl comparator .vezi fig. " Timpul de iesire din saturatie este timpul 'in care punctul de functiouar: se muta din A In B . de iesire a atins valoare~ "'f'" Caracteristica real~ sa minima. ..

prezisa de relatiile (3. Se considera e5 la Inceuutu. In fig. (3. rul de etaje de amplificare. pentru a pune in evidenta efectul neliniaritatii rior caracterizat Ay= 2xl03. C iar Ayeste . Viteza comparatoarelor cu mai multe etaje de ca~tig Dependenta viteza . 3.5 mV. VOH = 1 V ~iYSI. timpul maxim de comparatie a crescut de peste 3 ori! Trebuie rearnintit ca aceasta crestere.2:-\ = 1 mY = 2 .20). Presupuniind ca t. ceea ce conduce la: V OUT (' t):::--·_·t 'I'~ N! ~d 1 N (3.~ d unde z. . pe~trr. -5 Y. in detaliu acea parte din fig.l o anumita valoare a supracornenzii. e de valoare ~d.4 este prezen. Pnn analiza rele sunt descarcate ~ica se apnea un sa t e tensiun Laplace se demonstreaza [Vazquez. 'I'u castigului asupra tirnpului de raspuns. Numar optim de etaje In cazul in care. pentru VOH = 1 V.d Timpul maxim de raspuns Te= 2 J-ls Te= 40). .HT.2i) ~ In concluzie. de exernplu. supraeomanda depaseste a mia pat din VOH (~d > 10-3. 3. asigura un timp de raspuns mmim. solutia pentru imbuniitiiJirea timpului de revenire din supracomanda 0 constituie reducerea Laminimul strict necesar a excursiei de tensiune la iesirea comparatorului.23) (3.4 care corespunde timpilor de raspuns mici. 2002] ca: V (s·)_{ -~ ~ 1\ 1 + s I - = 10 ns. de raspuns fata de cazul unui singur etaj.. Tabclul 3.area rnai multor etaje de castig conduce tntcr'\. Revenind in domeniul timp rezulta: . . Compararea se realizeaza pornind din starea de echilibru.21) se pc 'He n-scrie astfel: (} Y VO:IT i"s f )_ . Pentru analiza functionarii eomparatorului cu mai multe etaje se face apel la urmatoarele presupuneri simplificatoare [Vazquez.rezolutie In functie de num.2.25: I . se considera cornparatorul din exernplul antede: Schema echivalenta a fiecaiui etaj de castig este data i~ fig.24).5 este prezen _nil. = g.rv8.n._ . relatia deanna la reducerea timpului . und e. 2002]: • • • Toate cele N etaje care compun comparatorul sunt identice.21) = R . ca exista un numar optim de et~j~ care..15 Te= 127»s Relatia de calcul (3.unui proces de comparatie toate con~ensat~a. = C ls 0·/11 este constanta de timp a unui etaj al comparatorului...Id .1.ata . OUT Y'. in fig.pendenta viteza . 22 JIIo COMPARATOARE cu functionare continua in timp Performantele comparatoarelor ell i'uflctionare continua in timp 23 Exemplu In acest exemplu. 3. To n o Valoarea timpului maxim de raspuns in functie de marimea tensiunii de supracomanda este. = s· N+I t. Se observa faptul ci ·ti!:i.19) (3. Se 0 j~'.1).18). VOH) este dat de: (3. Se observa ca. -r.18) (3.19) ~i (3. .: -.2 '7' »VOH 1· un tirnp minim de comparati: Tensiunea de supracomanda t.d 'I'u N (3. 3.jc1careunui etaj.rezolutte de numarul de etaje. .2.. = V OH / Ay = 0. Circuitul comparatorului functioneaza Iiniar. in comparatie cu situatia in care amplificarea comparatorului a fost considerate constants (vezi TabeluI 3. este mai mica decat cea reala datorita aproximarilor folosite. in special a ignorarii timpului de iesire din saturatie.20) i c «'I' si relatia (3. 3.d· ~\.~ '''0 ) rezu ta (3.

Concluzia eu earaeter general care rezulta. 101~rr----~-------------------------~ VOH= 1 V B Timpul maxim de r~spuns. .rezolutie In.:t[mVJ 100 Fig. realizarea comparatiei pornind din starea de echilibru si N etaje identice) ipoteze care Ie restrang aplicabilitatea In cazul situatiilor reale. 3.26) 4 3. 2001]: La momentul t = 0 tensiunea de la intrare trece de la aceasta valoare la va- m aceste conditii timpul de raspuns este dat de 6 (3.:t[mV] 100 Fig.• ~P=cr~'=or~m~a~n~t=el~e=co=m~pa=r~a~to~a~r=el=o~r=cu~fu~n=c~ti=on=a~r~e~c~on=t=in~u_l!_I~n_t=im~p~ 25_ ~ ~ Aeeeptarea (eu prudenta) a aeestor rezultate trebuie sa tina cont de ipotezeIe simplificatoare care au stat la baza analizei anterioare (function are liniara. = VOH / (N· A v).5.2.. Dependenta viteza . Exemplu 100 10 o 50 Fie un comparator caracterizat de: "" = 10 ns. In cazul comparatoarelor diferentiale in afara eompromisului dintre rezolutie ~i viteza de comparatie mai apare un factor care limiteaza functionarea. Vo~ = 1 V.LOR DIFERENTIALE o 50 t.. loarea lid'" I.2 porneste de la presupunerea eli la intrare se aplica 0 tensiune de supracornanda suficient de mare pentru a produce saturarea iesirii primului etaj. = t.24 1000 COMPARATOARE cu functtonare continua in timp 1rr------ -. 3.: [Vazquez.reeolutie in functie de nurnarul de etaje de ca~tig. . .4 pentru valori rruci ale tensiunii de supracomanda.Calculul timpului maxim de raspuns a/ unui comparator cu N etaje de cdstig sau a timpului de revenire din supracomanda . in conditiile aproxirnatiilor din Sectiunea 3. Cresterea numarului deetaje nu conduce neaparat la redueerea timpului: de exemplu pentru N 8 r~zulta Tc = 67 ns..4. 3.. aeeea ca un comparator eu mai multe etaje este mai rapid decatunul cu un singur etaj t~ipastreaza ins a valabilitatea .... ~ . ~ = 10 mV.. Dependenta vitezll. daca numarul de etaje creste la 5 (N = 5) timpul de raspuns seade la Tc'" 65 ns. TENSIUNEA DE OFSET A COMPARATOARE..2.. Pentru N = 2 se obtine Tc= 141 ns.fu~cpe de numarul de etaje de ca~tig_ detaliu din fig. Efectul tensiunii de of set asupra c:aracteristicii statlce.

--7f---. La fel ca si In cazul amplificatoarelor operationale.analiza concentrandu-se doar asupra componentei aleatoare a tensiunii de ofset. If: cornponente din dispositive elementare ident. De rnulte ori.~s + Vos '.catie la alt lot de fabricatie sau de la alta plachetd.jed de transfer a unu~ c~.-.. in principal. de la un lot de fabr.~s). pentru variatia maxima a valorii nomi- nale a unui parametru este de ± . In eontinuare.«.J.3)..i( pe aceeasi plachetd si intre componentele care se atHi pe acelasi cip Variatia parametrilor ...1/ i 0.? : tra nsfer fara ots t i \.27) In analizele anterioare tensiunea de ofset a fost considerate nula: s-a presupus ea tranzitia iesirii are i c pe masura ce tensiunea de intrare parcurge intervalul ____ Vs i --------~. Componenta sistematica a tensiunii de of set a unui comparator este determmata de schema sa. neimperecherile dispozitivelor care alcatuiesc etajui diferential de intrare vor determina necesitatea prezentei unei tensiuni diferentiale de intrare nenuIe pentru a asigura echilibrul curentilor si/sau tensiunilor acestui etaj.. 3.ctionare continua in timp 27 Este yorba de tensiunea de ofset' care modifica valoarea tensiunii la care se are 10c cornparatia: (3. in locul denumirii "tensiune de ofset" se foloseste denumirea mal simpla de "of set". Componenta aleatoare a tensiunii de ofset apare.5 + Vas)· In esenta. Neimperecherea oi'-.?parator diferential In abenra ~iin prezenta tensiunn de of set.est tip de tensiune de ofset poate fi controlat si redus printr-o proiectare adecvata. 1997J./ Vas translatarea pe abscise a caracteristicii statice de transfer a comparatorului (vezi fig. Dupa cum se indica in Sectiunea 5. un comparator dlferential are./ _. acce. Tensiunea de ofset a unui comparator are doua componente: una aleatoare ~i una sistematica. c./: !r // (.. VC'1 ".tia care sunt necesare valori diferite de unitiin te ale rapoartelor implementare isolutiei urmareste realizarea unui raport de nun re intregi ~iconstructia celor. deoarece ofsetul celui de al doilea etaj va fi reflectat la intrare demultiplicat prin castigul primului etaj [Gray. 426-443J: . o estimare acoperitoare.ozitivelor de 1a lot la lot poate fi destul de marc.s ~ ~ .. .u.~s. vezi relatia (3. nu va fi discutata componenta sistematica a ofsetu1Ul. j ~. 0 structura de amplificator diferential de tensiune.i nu de valoarea lor nominala. dispozitivele imperecheate sa fie de acelasi lip ~:: sa aiba aceleasi dimensiuni. D:n ace~t motiv.. eel putin la nivelul etajului de intrare.. astfel incat functiile de circuit sa depinda de raportul valorilor components )r. Fiind verba despre un parametru sistematic al circuitului ac. CaracterlsticA de Vc. tensiunea de ofset determine .. Considerand eli atM primul cat ~i eel de al doilea etaj au tensiuni de of set eomparabile ~i ca amplificarea primului etaj este suficient de mare contributia ofsetului celui de al doilea etaj la tensiunea de ofset de int~are este neglijabila in raport eu contributia tensiunii proprii de ofset a primului etaj.:ozitivelor.=:---=: ~. .. din c: CPI' 0 plachetii la aceluiasi lot ~i In cazul comparatoarelor care au mai multe etaje diferentlale componenta aleatoare a tensiunii de ofset va fi determinata practic doar de primul etaj de castig.0 ' : -:r-. datorita neimperecherilor dintre dispozitivele care compun etajele de intrare ale comparatorului. Pentru a putea consrru ci -cuile de precizie bazandu-ne pe dispozitive ale carer valori norninale ale parar :e:rllor variaza atat de mult singura solutie posibilc o constituie proieetarea circur ._t<l. Cauza aparitiei netmperecherik : dintre cornponentele unui circuit monolitic 0 constituie variatia aleatoare a panmetrilor de dispozitiv ca rezultat al fluctuatiilor conditiilor tehnologice ale proceselor de fabricatie a cipurilor. Ca aceasta strategie sa fie eficienta este necesa.Yr. :a general..""--. . conectate convenabil. pag.. de ofset. intre diversele cipuri .Ic. . Prezenta tensiunii de ofset modifica acest interval de Caracterist~ca d·.. Componenta aleatoare ~i componenta sistematica a tensiunii Fig. 2001.26 COMPARATOARE co Iunctionare continua in timp Performllll!cle comparatoareJor cu :". tensiune care devine (.!c I -VOL -VSL ___.1 ~ : transfer cu of set -. In ~l . Caracteristica .6. in practica se intalnesc doua tipuri de variatie [Hastings. 3.6).

neimperecherile diferitilor parametri au valori mici in comparatie cu valorile lor nominale.28 COMPARATOARE cu functionare continua in timp aflate pe acelasi cip benefise reduce odata Perfurmanjele comparatoarelor si valoarea sa nominala: '.' -[--T C2 Cl lei _ RC2 (3.X 2 ~i (3. indiferent de tipul de proces .£!. pe de alta parte. in mod ideal ele fiind egale.31) Pentru a anula tensiunea de iesire :~e.:.emitor. Pomind de la aceasta observatie se poate scrie: (3.7 unde este prezentat §i modul in care se defineste tensiunea sa de ofset.-\fl·ln-=Vr IS I I.15/2 In cazul efectelor produse de variatia aceluiasi parametru ~i patratic in cazul efectelor datorate unor parametri necorelati statistic.30) Datorita dependentei e~fponentiale a curentului de colector.. RC1. I S2 I Cl -In ( _.28) . Imperecherea dispozitivelor se poate 1mbunatatii daca componentele imperecheate au aceeasi veciniitate. al unui tranzistor bipolar de tensiunea sa b'f1" . Trebuie remarcat ea toate aceste masuri privesc atiit proiectarea electricii a circuitelor cat ~iproiectarea lor fizicd. (3. Diferentele de temperatura dintre dispozitivele imperecheate se pot reduce prin amplasarea simetricii a etajelor diferetuiale fopi de sursele de caldura din circuit. Datorita caracterului aleator al neimperecherilor sumarea se va face normal RCI Cu notatiile din (3.-. BiCMOS . Rolullor este de a asigtira acelasi tip de vecinatate pentru eomponentele care trebuie imperecheate. [a tensiunea de ofset ale Deoarece circuituJ analizat este liniar contributiile o imperechere perfects este descris~ de XI = X2 = X si ~=O. pe de 0 parte de tipul dispozitivelor care formeaza etajui de intrare si. doua marimi se definesc /21 (3. VBE. de schema propriu-zisa a acestuia nu este posibila 0 analiza cu caracter general a acestui parametru. MOS.29) rezulta: Vos :.15 .29) Dispozitivele care trebuie imperecheate trebuie sa alba nu numai acelasi dimensiuni dar ~iaceeasi orientare si aceeasi directie de curgere a curentului. 1997] pe schema din fig. Tensiunea de ofset~ Tensiunea de ofset este acea tensiune care trebuie aplicata la intrare pentru ca'tensiune~diferentiala de la iesire sa se anuleze.2.X :. 3. Pentru a descrie neimperecherea dintre . Imperecherea este influentata in mod semnificativ ~i de distributia de temperatura pe cip. Xl . .buieindeplinita conditia: Ici' RCI = 1. 3. in general de temperatura dispozitivelor.28) si (3. Aceasta observatie permite analizarea circuitului ea fiind un circuit liniar. in sectiunile urmatoare sunt prezentate ~i analizate din punct de vedere al tensiunii de ofset cateva dintre solutiile constructive eel mal des folosite pentru realizarea etajelor diferentiale. . ·Clayout-u[). Este important de observat eli in circuitele monolitice.0.Vr -ln Rc -!:illc/2 Is -6. Vos =Vr· .34) neimperecherea: D.:. neimperecherea respective.1.33) diverselor neimperecheri se determina separat iar in final se sumeaza rezultatele. fe. (Rcz 1S2 ) ISl (3.In. In exemplele numerice din sectiunile urmatoare se vor folosi valori tipice obtinute in conditiile in care sunt respectate toate cerintele de mai sus. In plus.32) Astfel tensiunea de of set devine: .bipolar. [ C2 I S2 I Sl ) (3. relatia de mai sus devine: 1 ' I C2 Vas =Vr . Pentru a asigura indeplinirea acestei conditii se adauga componente sau pdrti=de componente nefunctionale electric ("dummy devices"). Deoarece tensiunea de ofset depinde. ell function are continua in timp 29 Reducerea variatiei pararnetrilor ciaza ~i ea de-tehnicile cu distanta dintrecomponentele dispozitivelor descrise mai sus. In --'_ . ( Rc +M?c/2 Is +6. Ofsetul amplificatorului diferential bipolar cu sarcina rezistiva Analiza tensiunii de ofset a amplificetorului diferential cu tranzistoare bi" polare ~i sarcina rezistiva se bazeaza [Gray.

Schema electrica a W1. adica: llRe « Re ~i s « Is M 0 expresia de mai sus se sirnplifica astfel: tensiune de of set de deriva a t.nsiunii de of set).. uu comparator care are 2 mV va avea la 300 K 0 Tin.II. +4 mV ~::::u'vos)' Variatia cu distributie gaussiana. npn ~isarcina (driftlll sau deriva ell temperatura ~.'.. aM. . 99 % ·VE.01 ~i c -.. _Se~eJe din expresia de mai sus nu sunt relevante' deoarece semnul variatIel fiecarui ~arametru i. neirnperecherea pararnetrilor este rnult rnai mica decat valoarea nominata..(..'J' /1\/.30 -vcc COMPARATOARE cu fuuctionare Performantelc continua in timp cornparatoarclor ell !'..36) valoare ce . .. . efineste tensiunea sa de of set sunt indicate in ._...0.2.. (3. 3.. In eazul circuitului analizi.· J'G~.n ?arte nu estecunoscut. Exemplu Pentru un etaj diferential oipo ar cu sarcina rezistiva caracterizat Ie tipice de valori- IN.. OUT..l~ iunii de of set eu temperatura de 6. •.I. 1. ~T"""_""_· ..(_ Me _ Ms) Re Is (3.2. in practica trebuie tinut cant de ca_zulc~1 ~al defavorabil l ui tensiunii de ofset. ......7.05 rezulta .vrc.:Vr ..... ~ p. ~e ~.. rrin derivarea in raport eu temperatura a relatiei (3..8..'onarc continua in'timp 31 (3.an~ cont ~e faptul ca. in mod obisnuit.35) Dezvoltand in serie Taylor aceasta relarie ~i neglijiind termenii superiori se obtine: o 'alta concluzie foarte interasanta este aceea ca prin anularea tensiunii de ofsetse anuleaza ~i deriva sa...fl\ • ai eelor doua j •.. • . ". reducerea derivei ofsetului folosind aceasta tehnica est~ Ii~itata la 0 Vos:..:iinui a 1 p. Aceasts concluzie este. Ca unnare.__ •..33 mV la IOUL Presupunand tervalul r-s mV . Ofsetul amplifi :e :rului dlferentlal sat:cinarezistiv?-.37) av OUT.. _ _------_ .~ ~ .__ . fig.. ofset s~ obtine prin sumarea patranca adispersiilor neImperecherii valo~lor rezistoarelo. .----------: -VEE I! : din numarul total de circu. +a~. .. In afara valorii pro- priu-zise a ofsetului trebuie cunos+-u si variatia tensiunii de of set cu temperatura Fig.semen~a v~iatia valorii rezistoarelor de sarcina nu este corelata statistic cu vanatla curentului de saturatie a tranzistoarelor bipolare De acee d' ..""'" . de exernplu. .36) se obtine: (3. =0. IN· ~ lEE I ! lEE ! a6~/~ :. numai aproximativ valabiladeoarece circuitul de anuJare a rensiunii de' ofset este si el afectat de 0 deriva cu temperatura. temperat s a tensiunii de of set....~iamplificator diferential cu tranzistoare rezistiva ~l definitia tensiunii sale de ofset...' . 'c.r . "lntial realizat eu tranzistoare MOS ~i sarcina rezistiva precum si modul in carr ' ~.» vor avea tensiunea de of set cuprinsa in in- -< • Circuit fara neimperecheri . 'I.6 p.-_-. insa.-.Vf'c. 3.'. " a lspersla ensl~nll de.38) Caurmare. 0 0 dispersie a tensiunii de ofset avos:::. OUT+ t--~-j---+OOUT· IN.c.... aMelke ' ~iale curentilor de sanrratie.. tranzistoars: Schema amplificatorului d. In 3. IN· (IS =V7. MOScu care toti parametrij variaza in sensu 1cresterii modulu.E ! ! .' .. .... In practica. t ..

: OS1 .: _.sursa.36) se observa ca in cazul tranzistoarelor MOS rolul tensiunii termice este preh (3.MI • COX•M1 . la redueerea vitezei de cornparatie.::1D2 . Dispersia tensiunii de prag a unui tranzistor MOS depinde de dimensiunile ISS .. Reducand dimensiunile tranzistoarelor la W::.ln.VGS2 V (3.39) Datorita dependentei patratice a curentului de drena. RDl ' _QL::. Cornparand eu relatia (3. In practica trebuie tinut cant de cazul eel mai defavorabil in care toti parametrii variaza in sensul oresterii modulului tensiunii de of set.: VTO.33) este acela ea dispersia zistoarelor de sarcina este mu ltiplicata cu at de tensiunea (Vos-VT~J/2.43) In practica. al unui tranzistor MOS de tensiunea sa poarta .tlm. ID2 ROI pentru cresterea transconductantei tranzistorului este de dorit 0 valoare cat mai mica pentru tensiunea de supracomandii a portii. VGS -Vro.M2 ·C OX• M2 • (WIL)M2 Pentru a anula tensiunea de iesire trebuie i'ndeplinitii conditia: 101 . Pornind de la aceasta observatie se poate serie: 0...8..Ml Un alt aspect pus in evidenta de expresia (3. ID. Din pacate cresterea dimensiunilor tranzistoarelor are ca efeet cresterea capacitatilor ceea ce conduce.30) tensiunea de ofset devine: .8 mY. 150 mY.M2 2·ID2 f. aceasta nu poate fi coborata la valori mai mici de aproximativ 100 .: 100 . valori care sunt de 4 ..6 urn valoarea acestui coeficient este cuprinsa intre 3 mvum si 20 mv-um. RDI . majoritatea fabricantilor de circuite integrate ("foundries") Fig. rezulta 0 dispersie a tensiunii de prag de 50 llV pan a Ia 0. L'::. 3.5 mY.40) Tensiunea de supracomanda.tlm. sale [Vazquez.: 2 !lm. Tensiunea de of set este acea tensiune eare trebuie aplicata la intrare pentru ea tensiunea diferentiala de la iesire sa se anuleze. relatia de mai sus devine: VOS::.: 6 um. 5 ori mai mari deciit tensiunea termica. va i'j -VTO.: 10 . Pentru un tranzistor MOS eu dimensiuni "generoase". 'in final. sarcina rezlstlvli ~I definitia tensiunil sale de ofset. Vos.. 4. In plus majoritatea sirnulatoarelor de circuit precum ~i majoritatea (3.. (WI L)MI (vGS - Vro ... Intr-adevar. W::.. desi I R (3. re + - 2'/DI f. Schema elec~cli a u~u~ am~lificat?: diferential eu tranzistoare MOS ~i . 2001] astfel: (3.n. Vos ::. specifica doar valoarea caeficientului A VTO • Pentru procese CMOS de Tenslunea de of set.ln.: 26 mY. dispersia tensiunii de prag rezulta de 0. Analizand expresia (3:42) se constata ca 'in expresia tensiunii de ofset apace explicit diferenta dintre tensiunile de prag ale celor doua tranzistoare.Ql.7 mY .29) ~i(3.41) Cu notatijle din (3.• )/2. Imposibilitatea reducerii tensiunii de supracomanda a portii provine din treeerea functionarii tranzistorului din regimul de inversie purernica catre regimul de inversie rnoderata in care relatiile uzuale de calcul j~i pierd . L::. 32 COMPARATOARE ell funcfionare continua in timp -Performantele comparatoarelor cu functionare continua in timp 33 $i 'In acest cazsemnele din expresia de mai sus nu sunt sernnificative deoarece semnul variatiei fiecarui parametru in parte nu este cunoscut. erori mari (a simularea functionarii intotdeauna mult mai mare decat tensiunea terrnica. valabilitatea.42) modelelor utilizate de acestea produc tranzistoarelor in inversie mode rata. VT::. 0.5 .

3.ooia valori tipi- ce.03 urn ~i0. 4 9 mV .oo.VT ! ! ~--_4_:~OUT+ : .rlui diferen~ial bipolare cu cu sarcina act iva este indicata c i.Vro = 4.::.3.1 _I1. din parametrului {3..:e:. pe de alta parte. 0.m. :----------: : r ). 1 ' ! • tranzistoare Tensiunea maxima de of set va -<I diferentiale MOS nu are proprietatea Variatia tensiunii de ofset cu temperatura.i exp /cc ..5 mV. (W/L). lor bipolare.. a tranzistoarelor !: ·1 i I. ~.6 ~(m. dispersia Vas .44) ~i de data aceasta. De asemenea bipolare. In cazul =V . -'-. MOS sunt operate la tensiuni de supracornanda a portii cat mai redu- ic1=lc3=ls3e.: ale tensiunii etajelor de supracomanda destinate = 0.!p 3_5 u. respectiv 4 V.3. Vr .:.m pentru valori a portii Vas . (3.7 mV. nsiunea de prag a tranzistorului MOS nu in spccificatiile de proces este indicat de tensiunea de ceea ce face \3 inti"': cele doua neimperecheri sa nu existe nici o corelatie.. se remarca ca valoarea tensiunii de ofset este de peste 3 ori /nai mare dedit In cazu! etajului care utilizeaza fi de 14. Cox .ti.:. doar parametrul in majoritatea A.. In cazul lui /3 variatia eu temperatura este produsa (3.oo depinde puternic supracornanda indice direct supracomanda: a portii.p In == I C4 . 200 mY.VTO•n a fi Vas:.015 f1.9.5 . neimperecherea MOS tensiunea de of set provine.:.In(!_g_.l. este ~i ea de forma [Vazquez.47) se. ..:c::o:. ~)3 si 04 cei doi curenti de colector sunt: urmarindu-se tranzistoarele obtinerea unor valori cat mai mari pentru transconductante.u~~.ti~m_.. 3.2..VTO• Din acest motiv unii producatori de prefers tensiuni sa de curentului drena pentru diferite .6Rf) / R{) = 0 01 I ~I' "/ .46) diferentiale utilizate In constructia comparatoarelor. Variatiatensiunii de of set cu te~peratura In cazul etajelor tensiunii de a se Fig.VBia. depinde de mobilitate i~. A...::in::.1 _I1...~ial bipolar (3.45) in fig. .VTO•n = 150 mV. pentru un proces de 0. CJ 6. din nelmperecherea tensiunilo..:.9.. Valoarea cazurilor. anula odata cu anularea de of set asa cum se Intamplii In cazul tranzistoare- ) ..)/Vr:.:ii=ar:.:. Schema electrica a um ' " ')lificator diferential cu tranzistoare npn ~i sarcina activa n. : Circuit~~_~~~her~ Se o~ser:a ca ~ispersia tensiunii de prag Mos reprezinta ~i faptul lEE ! I : lEE! I ·VEE : c~ntTlbutla majora de of set. notat ln eontinuare ell {3o.!n.n:. h '..:: /54 :cC-VBia.!. In aceste conditii parametrul A. Expresia tensiunii de of set ~' Valoarea parametrului AID poate varia de Ia 0. Din acest rnotiv anularea ofsetuiui nu determina anularea variatiei ofsetului cu temperatura. MOS cu sarcina rezistiva ale carui tranzistoare au Considerand valorile tipice: 0". lui II ' in special de variatia mobilitatii...2 V . Datorita neimperechcrii tranzistoarc-o.42) re- zulta 0 dispersie a tensiunii de of set de la tensiunea vos -. de ordinu1 a 150 mV . cuprinse Intre 0.34 Dispersia parametrului 2001]: COMPARATOARE cu functionarc continua in timp Pcrformante1e eomparatoarelor cu f~''''.i definitia tensiunii sale de ofset. Exemplu Fie un etaj diferential Vas . lSI I ) (3.In~lSI VT . Ofsetul amptlfice ~ sarcina actlva Schema amplificatorului . T I C2. pe de 0 de prag si. in cazul etajelor diferentiale parte.n:.! 'N prin surnarea patratica a termenilor (J - din relatia (3.mpana la 0.

4.M3.10.J.01 ~i O'Ms/ls = 0.2. Procedand Ia fel ea in eazurile anterioare rezulta: . 3.4 ::.M3. .48) iar expresia tensiunii de ofset devine: Cl Vos =Vr ·In---Vr lSI I ·In-· C2 r· -=V 152 I 1n (I-. intr-o prima aproximatie. la anularea variatiei sale eu temperatura.pnp IS.n. t(VDD - VBia.35) rezulta: Vos ==Vr.6 mV (±30'vos)' ell distributie gaussiana.85mV la 300 K. 3.50) F 3 10 Schema electrica a unuiampllficator diferential ~~ tranzistoare NMOS ~isarcina Ig.4 . mare decat cea a etajului diferential Cei doi curenti de drena sunt dati de relatia: I DI. 99 % din nurnarul total de eircuite vor avea tensiunea de ofset cuprinsa in inAceasta valoare este cu 40 % mai sarcina rezistiva.npn Is.Ms. Ofsetul amplificatorului diferen~ial MOS cu sarcina activa Schemaamplificatorului diferential NMOS cu sarcina active. Presupunand tervalul-5..!u=.Vro.pnp .ls.M3.C"". COMPARATOARE cu functlonare continua in timp Performante1e comparatoarelor cu functionare continua in timp 37 Ca urmare raportul eelor doi curenti de colector este: .(iIs.M! ' \ ('WIL) MI (3. .NrN +0'2 t.54) ~_ -Tr°-- . Schema corespunde atat cazului utilizarii ca sarcina activa a unei oglinzi de curent cat ~icazului sarcinilor active ell bucla de mod comun.mr (3.6 mV . +5.4\J (3.4 .Cox.) - \VTO.152) S3 IS4 IS[ (3. Notand (3.p.49) Procedand similar ca In cazul relatiilor (3.MI + 2· J.05 rezulta 0 dispersie a tensiunii de ofset 0 .34) ~i (3.53) Si In acest eaz anularea tensiunii de ofset conduce.52) = 0.MI ID! .!'PN/Is.a I C2 154 (3...2 _/ D3.!.pn 1 (3.l.l.51) Expresia tensiuriii de ofset aaeestui etaj este: Vos :.. Deoareee variatia curentilor de saturatie nu este corelata statistic se poate scrie: a Vos II> Exemplu Fie un etaj diferential bipolar eu sarcina activa caraeterizat de valorile tipice aMe/Re =V T' 2 0'tJs. PMOS este indicata in fig.PNr/ls.. VTO. ' activa PMOS ~idefinitia tensiunll sale de ofset.M2 2· 1m - de avos == 1.4 2 .36.(W / L)M3.

::.1 mV . COMPARAT':f~ dl CU UN TRANZISTOR MOS CU SARCIN :5.n care la randul sau reduce efectul 2... Reducere raportului (WIL)p pentru reducerea lui {3p care are ca efect suplimentar reducerea dispersiei sale lui f31' prin crcsterca tensiunii de supracomanda a portii tranzistoarelor PMOS.n = 150 mV si AI".ensiunea baza-emit or) ele sunt rareori folosite in I ~.. i .ll!= Rezulta 0 450rnV ~i AJD. CU TIE >·'iIUNE DE PRAG INTERNA .cl~' 'Jla activa. Si in acest caz valoarea tensiunii de ofset este mult mai mare decat in cazul versiunii bipolare a aceluiasi etaj (de aproape 3 ori). l rentului de baza in functie d.':TIVA eel mai simplu COL. comuna.. dispersie a tensiunii de of set avos:.. • J .lm. 4.. de cazul etajului cu sarcina rezistiva se constata 0 crestere relativ mica a tensiunii de ofset.VTO. f3" (WIL)n care conduce pe de 0 ofsetului presupune: parte cresterea lui f3n tranzistoarelor NMOS 4 COMPARATOARE care are ca efect atat cresterea transconductantei ambelor neimperecheri de {3 ~i cat si reducerea tensiunii VGS .'." ~'. g '~ntaexponentials a curentului de col ector ~i a cu- te.55) Se observa di dispersia tensiunii de prag a tranzistoarelor care forrneaza sarcina activa este dernultiplicata si f3p. t· 'f ._ ~ icate din exteriorul sau. Datorita caracteristicilor specifice rle tranzistoarelor bipolare (de. Toate tranzistoarele au aceeasi arie.. de doar aproximativ 5 %. respectiv s. . ~ 1n majoritatea cazuril .1.P =O.3 mY. Cresterea rapcnului eu radicalul raportului dintre cei doi factori f3. .38 relatia de mai sus devine: COMPARATOARE ell functionare continua In tirnp (3. .ior este constituit dintr-un etaj de amplificare ft<:Iizat eu un tranzistor bipolar . WxL si sunt caracterizate de: VGS - Vro. un comparator este un circuit care realizeaza ceil' paratia dintre doua tensiuni circuite care realizeaza cornp rinta generatd intern.n Sf.'~: ~§. !VGS -Vro. -.05J. ~. Fap. .:.~~:. i. ..n = 0. polarizat printr-o :.. .. Exemplu Fie un etaj diferential NMOS cu sarcina activa PMOS. Minimizarea 1. . Exista tnsa si 0 serie d~ (ia dintre tensiunea de intrare ~i 0 tensiune de refe- r. Tensiunea maxima de ofset devine 15.. 5.. MOS conectat cu emitorul comun.' I.1 11m. .

40

COMPARATOARE CU runcfionare

continua in timp

Comparatoare cu tensiune de prag interns amplificator, De asemenea 'in deducerea

41 relatiei de mai sus nu s-a tinut cant de sale de tensiunea de prag a tran-

impedanta de iesire a tranzistoarelor. zistorului amplificator.

Aceasta neglijare este justificata de valoarea

irnprecisa a tensiunii de prag datorita dependentei

Pentru acest comparator, castigul in tensiune, Av. este: (4.4) Fig. 4.1. Schema electrica a unui comparator sirnplu CMOS. iar transconductanta implementarea acest~i tip de comparatoare. Din acest motiv se va analiza in continuare doar cazul unui tranzistor MOS polarizat de 0 sarcina activit fig. 4.1. Schema de principi~ a unui astfel de comparator simplu este prezentata in Capacitatea de capacitatea de iesire este data de capacitatea sarcinii conectate M1 ~iM2. Ia iesire ~\i totala de drena a celor doua tranzistoare, sa, gm, este:
(4.5)

Tranzistorul Ml este amplificatorul in' _ . . conexrunea cu sursa comuna iar ~anz~storuI MM2 este sa~cina activit Polarizarea tranzistorului M2 este asigurata de ranzlstoru] 3. Tranzlstoarele M2 ~i M3 f ._ . li ormeaza 0 oglmda de curent Pentru SI~P rtate s~ ~resupune ca aceasra oglinda de curent are factorul de transfe; egal unrtatea, adica tranzistoarele M2 ~i M3 sunt identice. cu Penrru a detennina tensiunea de ra . tensiunea de fa 10' . . P g.~ .comparatorulU1 se presupune eli p g gic, VTh,logiC, al ClrCulteJor digitals care preiau info .d1 acest comparatorare valoarea VDd2 adica 'um'. rrna~la e a aceste conditii . J atate din tenslUnea de alimep.tare . in Itll se poate sene:
(4,1)

Impedanta de iesire este:
VAI,VA2
VAl

1

+ VA2 Is

(4Ji)

In limita aproximatiilor folosite valoarea ca~tigului este constants pentru valori ale tensiunii de iesire cuprinse lntre VTh
-

V

T•n

~i VDD

-IV

GS,M21.

In ac-.st

domeniu de tensiuni ambele tranzistoare opereaza in saturatie. Datorita valorii modeste a ca~igului ~i a valorii imprecise a tensiunn de prag acest comparator este rareori folosit In cali tate de comparator de sine stat!:. )r, fiind utilizat de cele multe ori ca un etaj de castig intr-un comparator cu mai multe etaje.

ceea ce se traduce In:

(4.2) unde
VGS•n

este chiar tensiunea de prag a comparato

ru

I 'V
UI.

4.2.
Th •

INVERSORUL CMOS UTILIZAT IN CALITATE DE COMPARATOR

. Rezolvand ecuatia de mai sus rezulta:

4.2.1.
(4.3) Aceasta relatie pune in evidenta 0 rim- 1" ."_ tensiunea de prag trebuie sa fi . p" a 1m,ltare majora a acestui circuit: re mal mare decat tenSlUnea de prag a tranzistorului

Func~ionareatnversorulul CMOS

Folosirea unui inversor logic in calitate de comparator constituie 0 solutie naturale sugerata de asemanarea caracteristicii sale de transfer Vour(V/N) cu aceea a unui comparator. Trebuie rernarcat faptul ca acest criteriu nu este insa suficient, Nu orice inversor, independent de familia lcgica de care apartine, poate fi utilizat in

4~'·

42

COl\:l.PARATOARE

cu functionare continuli in

tlmp

Comparatoarc eu tcnsiune de E:.':2- '\ .::e:.;rn~a~

---------

InO--~-.v
_l
~:V~h
GND

\l~out

.J~

Fig. 4.3. Modelul electric echivalent al unui inversor logic utilizat ir. calitate de comparator.

din exteriorul comparatoruluill' chiar tensiunea de prag logic,

c tzul unui inversor, tensiunea de referin\:A es;t
V',·h.1~ic,

care este stabilita de schema sa interne, ce

caracteristicile dispozitivelor ' " :.' 'J aldltuiesc preeum si de valoarea tensiunii Ct alimentare. Inversorul utilizat tn c..litaie de comparator, implementeaza atat functia ce
Fig. 4.2. Caracteristica statica de transfer a unui inversor logic.

calitate de comparator; posibilitatea utilizarii depinde de caracterul particular al :ealizarii de circuit pentru familia logica respectiva, Un exemplu tipie il constituie inversorul TTL !iiiportile logice simple TTL·.

comparator cat si pe aceea de ~en~rare a tensiunii de referint! interne, cu care se face comparat . Modelul elect ic echivalent al unui inversor logic utilizat In caliu, ia te de comparator este prezentata in tig. 4.3. Deoarece tcnsiunea de rtferint! are valori relativ imprecise utiJizarea unci porti logice 'in rol de comparator de tensiune se 'lntllne~te numai 'in aplicatiile" care cerintele impuse operatiei de comparare sunt destul de relaxate. Analiza func~ionarii (.;Jmparatorului realizat cu un Inverse circuitelor VLSI de astazi sunt realizate ' tehnologij CMOS 'in aceasta 5cqiune se prezinta 0 analiza detaliata numai pent'!

._

in fig.

4.2 este prezentata

0

caracteristica de transfer de curent continuu ti-

pica. ~e~tr~ un inversor logic. Pe grafie este figurata si dreapta corespunzatoare eg~hta~lI d.mtre tensiunea de intrare si tensiunea de iesire deoarece punctul de intersectle. dm~re earacteristica de transfer si aceasta dreapta reprezinta tensiunea de prag logic a mversorului , VTh. lo : ogle' . Se observa ca aceasta caracteristica este similara eu aceea a unui comparator de.tens[une care a:e conectata la intrarea inversoare tensiunea de intrare ~i la intrarea nemvers~are tensiunea de referinta (vezi fig. 4.3). Diferenta majora fata de un inversor car: implernenteaza functia de transfer definitii in relatiile (3.1) si (3.2) consta 'in modul m ~ar~ se sta~ile~te tensiunea de prag, V1h• Daca in cazul tipului de comparator descris tn Sectiunea 3 tensiunea cu care se face comparatia este aplicata .

CMOS. Deoarece marea majorital:

a

functionarea inversorului CMOS ln calitate de comparator. Inversorul CMOS est', clllai unui inversor CMOS (vezi fig. 4

'_

simpla poarta logica din familia sa. Scheme contine numai doua tranzistoare, unul cu can a;

~-----van " • .
• Datorita particularitatilor

n (mosn) ~i unul cu canal I iosp). Valorile numerice pentru dimensiunile tranzistoarelor indicate in fig., c :at si cele corespunzatoare caracteristicii statice de transfer (vezi fig. 4.5) all . r,tui inversor, alimentat Ia 5 V, corespund unci proces CMOS tipic, de 0,6 !-lIT'. Inversorul a fost proi: c :. .stfel incat valoarea tensiunii de prag

,. ,g L, pentru tensiunea de rntrare se ' ,. , a,le In timp. Daca tensiunea de intrare variaza re It' . apantiei unor oscilatii ale semnalului de iesire a porpi 1TL l~t f 1983 P a en exista riscul Pentru a rezolva aceasta problema familia 1TL' 1 d . ~ an,. . pag. 37]. ;ip trigger Scnmi tt T' IS' . me u e ~I porn logice eu caracteristica de transfer de impune
0

ratll minima de

de realizare a circuitului portilor 10 ice TT

sa fie

ega-

Hi cu jurnatate din valoarea te',,;,' .ii de alimentare, VTh.iogic:; 2,5 V, corespunzator conditiilor optime de functior-.r ie unei porti logice, fapt care se observe si din
fig. 4.5. Determinarea tensiun (' prag a comparatorului porneste de la observatia r .e atinge valoarea tensiunii de prag amandoct

. nggeru chmitt (vezi Capit I I 4) folosirea reactiei pozitive asi ra 0 c .0 u es~e ~~ co~parator cu histerezis care prin variatie a tensiunii de intrare. gu ornutare rapida a tensnmn de iesire, independent de viteza de

Irebuie observat ell existenta unor porti logice care au caract . . .. .ste comuna tuturor farniliilor logice nefiind 0 chestiune spee~~~~I~:i~i:::~e:ed;';~ trigger Schmitt

ca atunci cand tensiunea de

,

..

~--- __

-------

44

COMPARATOARE funcfionare continua in timp cu

Comparatoare

eu tensiune de prag mterna

45

tranzistoarele lucreaza in regiunea de saturatie, in regim static curentii care circula
prin cele doua tranzistoare sunt egali:
YDD~5Y

lomosp = I Dmosn

(4.7)

Inlocuind expresiile celor doi curenti corespunzatoare functionarii in regiunea de
saturatie rezulta:

mosn l=O.6u W~O.8u

GND

Observand ca suma module lor tensiunilor poarta-sursa tranzistoare este egala eu tensiunea de alimentare rezulta ecuatia

a eelor doua

Fig. 4.4. Schema eleetrica a unui comparator CMOS.

~'J.l.p ,Coxp .(WjL)p . (VDD -VTh -IVTPI)' =

:;;.!.. J.I. 2

n

• COXn . (WjL)

n

. (VTIl - VTn )2

(4.9)

prin rezolvare careia se obtine expresia tensiunii de prag a comparatorului:

(4.10)

Tinand cont de parametrii tipici de proces:

IVTPI ~ VTn = Vr ~i COXp
pentru a se obtine de alimentare,
Pi]
iii

~

Cox" din tensiun,
j

0

tensiune de prag a inversorului egala eu jurnatate

a
Iii II

iii'

i I. Iii

i jill

2

3

""'1""

4

""'Ii~
5

(4.12)

este necesara indeplinlrea relatiei:

Fig. 4.5 :Caracteristica

statica de transfer au'
• A

reahzat mtr-un proces de O,6I-Lm.

. .. nui inverso- minrm

'.
(4.13)

46

COMPARATOARE

eu functionare

continua in timp

. Comparatoare cu tensiune de prag •internli s: 5

in cazul inversoarelor logice se impune utilizarea unor tranzistoare de dimensiuni cat mai mici ~icare, simultan, sa alba ~i 0 capabilitate de curent cat mai mare. Solutia este data de utilizarea unor tranzistoare eu lungimi minime _alecanaIului, In rnajoritatea proceselor tehnologice Iungimea minima a eanalului tranzistoarelor PMOS ~j NMOS este aceeasi, fiind egala cu valoarea detaliului minim, ("minimum feature size") marime care caracterizeaza proeesul. Ca urmare: Lp

----v-/-VOU/-

..' ~\
\
\
I

4

=L

r,

:; detaliul minim.

(4.14)

VOIJT M

3

Pentru inversorul CMOS din fig. 4.4 Lp == Ln == 0,6 urn, In aceste conditii logice: (4.15) se a~tinge la relatia tipica de proiectare a inversoarelor

"j "

'1\,;;=, ';=;1::;:':;::' I'i'l :;=1
i'i,

/

/"

=rr,--r-r'
1

---n

iii

iii

ill

11111

1 1 1 11111' 3

1

o
4.2.2~ nependenta parametrilor inversorului CMOS de parametrii tranzistoarelor
de prag a lnversorulul, Deoarece comparatorul imca un inversor CMOS realizeaza comparatia tensiunii de intrare eu propria sa tensiune de prag este necesara analiza variatiei tensiunii sale de prag In functie de modificarile parametrilor tranzistoarelor MOS. Tensiunea . 46 F Ig- ..

2

4

I

,III'

,,,,

5

I=r.~

Caracterh;iciiC statice de transfer ale unui inverso~. m.i~im _ , d 06 "m pentru parametru UPICI reahzat mtr-un proces e , :MOS ~iextremi ai tranzistoarelor .

plementat

g m, n

Vi

cD ctJ

gm.p'

V,

ro.a.

ro,p

Aceasta analiza pleaca de [a modul ~i domeniul de variatie a parametrilor tranzistoarelor MOS, specifice unui proces de fabricatie particular. Pentru inversorul din fig. 4.4 caracteristicile statice de transfer pentru variatiile extreme ale pro.esului de fabricatie sunt prezentate in fig. 4_6'.
.. I . al unui inversor CMOS. Fig. 4_7. Circuitul e':-l~\dent de semna rruc

Se observa eil tensiunea de prag a inversorului se modifies intre 2,06 V ~i :,90 V ceea ce reprezinta
0

variatie de la -18% la + 12%. Acest iriterval de variatie

e poate reduce prin cresterea dimensiunilor tranzistoarelor (vezi Tabelu14.1).

. tc C;;"tigul de semnal mic al unui inversor Ca!jtigul de serr ..~ mt. ""'i . • . .... poate determina folosind circuitul sau CMOS, 'in jurul tenslUml S :..'! .e prag se echivalent de sernnal mic in!:;'.> In fig. 4.7 . .nic cele doua tranzistoare sunt coneetate in paralel Deoarece in regim. dir expresia castigului este:

In mod tipic fabricantii de circuite integrate foloscsc pentru descrierea performantelor de viteza ale nul dispozitiv trei modele specificate prin S, T it F. Aceste litere corespund initialelor cuvintelor din mba engleza slow (lent), typical (tipic) ~ifaSI (rapid).

.-. I -..•. oj} b iesirea este conectatA la un alt inversor identic. ~ ... vaJoare maxima de aproximativ Raspunsul in frecven~a la semnal mic.16) ~i tinand cont de conditiile (4. 4. 5 ori mai mare: Trebuie tacuta observatia ea valoarea castigului variaza puternic In funotie de valoarea de curentcontinuu a tensiunii de intrare.. i.. 4.n+VA. Raspunsul in frecventa aI inversorului din • lntr-o aproximatie de prim ordin.-.__ . .4....-~------. Fig. Raspunsul 'in frecventa la semnal mic al unui inversor care functioneaza in jurul tensiunii de prag logic este caracterizat de prezenta unui singur pol.11) ~i (4.. ..16) Tinand cant de faptul ca in juruJ tensiunii de prag a inversoruJui tranzistoare functioneaza In regiunea de saturatie avem relatiile: ambele 15 Av 10 (4...... uzual de 2 . -_.--:...17) 5 fulocuind (4. \ l:::::: \ Av : ------:-----------r---------I : j . --.lI i "'iiI( Ii "lIIj \ 10k 1M I [Hz] 10M "I ""I 100M " I JlIII 1G .... v 1__ VDD-2. 4.4 (:±:33%).--~-I 18 pentru 0 valoare de curent continuu a tensiunii de intrare egala eu tensiunea de prag a inversorului. 4. • Singura modalitate de crestere a c~tigului este data de rnarirea tensiunii Early a tranzistoarelor MOS prin alegerea unei valori a Iungimii canalului mai mare decat detaliul minim.. ~--.8. • Castigul scade 0 data 0 cresterea tensiunii de alimentare._.. tensiunea Early este proportionala eu lungimea canalului tranzistorului MOS. p VA. fig. le~lrea. . ---:...12) rezulta: A =_2.17)10 (4.----. ~T .. 1k l ! ~.!. .:_-_------ 1 \ 1 \ P t'"'111 i ijHiJ..1ll g .2 la eea rnaxima de 24.9. -.18) importante ale ca~tigului Aceasta relatie pune in evidenta trei caracteristici unui inversor logic CMOS: • Ca~tigul nu depinde de valoarea curentului de alimentare.--~----..--_ . ~ . Variatia castigului de semnal mic in functie de valoarea de curent continuu a tensiunii de intrare a inversorului din fig.48 COMPARATOARE cu functionare continua in timp Comparatoare cu tensiune de prag interna 49 (4. Daca se tine cont ~ide variatiile de proees valoarea castigului variaza de la valoarea minima de 12. Depend~n~ .~-. Se observa ca valoarea castigului atinge 0 10 .Vr .. (4.-----..-.4 este prezentata 'in fig. de frecven a a ca~tigului de semnal mie al inversorul~i din. -- 1: \'" \:... a...

:. 0 "\ _--._.. -. _.-.9 ..50 COMPARATOARE eu functionare continua in timp Comparatoare 4 3...5 .-~.:::_. iii ... 4. ~ . r 1 CMOS.--:-. iii o Sn limp [s} 10n Fig. R~punsul invers.-.. acest inversor are o banda de frecventa care depaseste 100 MHz.4 1a un salt treapta asimetric de tensiune. .~. . _--' .::.. Intr-un prim exemplu (vezi fig.-_... 4.--. __1.-.. Raspufisul In frecventa este influentat sernnificativ de sarcina conectata la iesirea sa...::._.-."-. De asemenea se poate remarca faptul ca excursia de tensiune la iesire este mai mica dedit ± 2.---. . 2.~_~ ~~~..--..~.::. 'L +: -- i l! Se remarca intarzierile foarte diferite ale intarzierilor care rezulta.iiiii'i'i.__....__.caracteristica b)._. Un alt aspect important priveste variatia intdrzierii inversorului in functie de tensiunea de supracomanda. ----..._. i i v: :: .L.---... rezulta ca pentru a asigura 0 excursie de tensiune la iesire de ± 2.. \ \ ---··-·--·-· .~::.4.4 caruia i se aplica la intrare 0 tensiune de ± 140 mV in jurul tensiunii sale de prag sunt prezentate In fig..13) supracomanda initiala este de -140 mV urmata de 0 supracornanda pozitiva de 2 V cu revenire la supracornanda initiala.::. pornind supracornanda puternica catre una rnoderata..-~..• "\'iiiiiiiiii""'i".j... ----------:-.10...--\..... ilustrat prin doua exemple. --T----: : r-: \ VrN 1 . ...rag intern!! 51 - . ---. I . Acest aspect este deosebit de important la proiectarea tor cu functionare continua 10 timp..-=-. -. ----.IT.[ \ -..--------------\ V'N: .._L_ .--.\.i..-.12) se pleaca de la 0 supracomanda de -2 V. 4.v_T!:--.11. de la 0 I..-.-. urmata de 0 supracomanda pozitiva de 140 mV cu revenire la supracomanda initiala de -2 V._.. verificarea unui compara- : din fig. \ -:-::--:-----:-----T----------. ~.. _....::..-=.:.~ -'~- : v [V] 2 . iii ..~.-:.::.. fata de tensiunea de prag. +212 %)... Rezultatele simularii inversorului CMOS din fig.. • .r::. \ 3 :_---~_..:~---. Datorita variatiei parametrilor de proces Intarzierea se modifica intre 210 ps 1i 870 ps (-57 %.._. 1 :--1..J:~_.. J. ---~----~--~-------. In conditiile 'in care la iesirea invcrsorului din fig. :::._.5 cu tensiune de ~.4 cste conectat la un alt inversor identic. L ·_··_+ f I i vo-. .. . -.C•-2 an 10n tiv 650 ps 10 timp ce la tranzitia inversa intarzierea se reduce la vaiori sub 100 ps....\.5 V deoarece arnplificarea de sernnal mare variaza mult 111 functie de tensiunea de intrare. banda de frecventa fa semnal mic reducandu-se la aproximativ 68 MHz.=.. -._.......i -. Pornind de la valoarea maxima a castigului de aproxirnativ 18..:_. 4.._. intarzierea creste la aproxima~j r II Ii j• i -.-) --... .-~---~----..IJT -:.~:r~~:~::.. _ ..5 V este necesara 0 excursie de tensiune Ia intrare de aproxirnativ ± 140 mV in jurul tensiunii de prag a inversorului.--...~..::.-.=-. 4..--.. Se observa cil.. 1 I • . . ... V urmata de 0 supracomanda de + 140 mV.-:. Variatiile de proces rnodifica la randul lor banda de frecventa Intre re minima de 25 MHz si una maxima de 212 MHz (-63%._-_ . raspunsul in frecventa se modifies (vezi fig.-----~~-~~ ----.. 4..._. 4. .» o supracomalll'i .----\-.... :.. In eel de al doilea exemplu (vezi fig.----------------~~~~:=~~.9. . +78 %). : v [V] 2 -t~:-:-~--r:.. versorul logic utilizat In calltate de comparator este un circuit care functioneaza neliniar este necesara analiza functionarii sale la sernnal mare... Functionarea la semnal mare a inversorului valoa- . ..:-------: .• -. 4.. . 4..::.------3 t~:-)----~:::r--:---.'i'ii'ii':' 2n 4n timp [s) 6n o Fig.-. __ L..~ >i- rr: ... .=.10.--.--- fig... RAspunsu! la un salt treapt~ simetric ~e tensiune de ± 140 mV al inversorului CM?S din fig.~.\.. ___.:.. Se constata ca Intarzierea inversorului este de aproximativ 470 ps. : I : l~ . Deoarece in- ..4 este prezentat In fig.. -r -~::-..caracteristica a... 4. Deoarece un inversor care lucrcaza "in gol" nu arc utilitate 'in continuare sc va considera doar cazul in care la iesirea inversorului cstc conectat un alt invcrsor similar inversorului studiat. 4.J .

-----~ . Modificarea tensiunii de alimentare conduce direct la modificarea tensiunii de prag.---1 _ i ~ i V.lApana la 160 J.. Portile logiee CMOS sunt cunoscute ea avand consumuri statice de curent extrem de mici..:llia (4...~-------.. Este posibiJ.. IYD. _ : iii i j ~ : o fT'IIIi'lililil'lili"lii'li"'Ii.-: ._. ea valorile tensiunii de intrare s. +100 %).:" .. chiar este de asteptat.10).n. paull. 4n trmp[s] 6n 8n 10n Fig. Trebuie remarcat ca tensiunea minima de prag a inversorului nu peat.~----~~--f--------i i ------. Stabilirea tensiunii de prag a inversorului se face pomind de Ia re .-------------~--.. -y.-----:.. . 0 supracomandli de -140 ~ y' x Sd treapta aslmetric de tensiune..------- :------. Curentul consumat de la sursa de alimentare.Trebuie rernarcat ca acesta este un inversor minim realizabil in procesul respectiv! Datorita variatiilor de proces gama de valori a curentului de alimentare aI aeestui inversor se intinde de la 43 J.. 0 valoare tipiea pentru circuitele lo~ice fiind de 50 %. 4 ~--~. Aceasta afirmatie este valabila in cazu operiirii acestor blocuri functionaleprin aplicarea de semnale logice. curentul de alimentare nu este nici pe departe . __ portant priveste curentul consumat de la sursa de alimentare de catre cornparatorul realizat cu un inversor CMOS..------- vM 2 -------t--------.D [A] 201' o "I I' I I I I"" 1"""'" I'" II.-ate l i ! --l--.52 COMPARATOARE funetionare connnua in timp cu Comparatoare eu tensiune de prag internli urmatoare se vor prezenta rnetode specifice 53 fiecarei ~.l aiba in majoritatea timpului valori apropiate de tensiunea de ~ag.r..-. a . Vr.---~-------------1--. 4. Rejectia variatiilor tensiunii de alirnentare are valori foarte modeste._ ------------r---. In fig..----.-..12.neglijabil".-..{D- VDD -IVr.---. ---. ~i niei nu p.' . .----I ! .. a intarzierilor unui comparator in functie de valoarea sernnalului de intrare.:i ----- .i'll'IJIi o 2n I:::~·:J···-r=···r·:::::r·~:~:l::::-.19) .13 este prezentata variatia curentului de alimentare a inversorului CMOS din fig... Influenta tensiunii de alimentare asupra tensiunii de prag a inversorului CMOS. 4. ---- __ y".. : ..- r .---.p\: (4. In aceastc situatie portile logice CMOS consuma curent doar atunei cand are loc comutarea semnalelor de iesire. In cazul utilizarii unui inversor in ealitate de comparator situatia este complet diferita: tensiunea de intrare nu mai are doar nivelele logice de tensiune 0 ~i 1. fi mai mica dedit tensiunea de prag a tranzistoruIui NMOS. i . Un alt aspect im- 3 ---1 ------------.- -------!------------+-. la un punct.4.. 4.----------~-----...lA(-46 %. I depasi diferenta dintre tensiunea de alimentare ~i modulul tensiunii de prag a zistorului PMOS..N • in sectiunile configuratii de comparator care permit egallzarea.::t iii ~ jili/'Ili i'ii-liiii-I- In aceste conditii .---. Se observa ea acest inversor de dimensiuni foarte mici are un consum de curent important care ajunge la aproximativ 80 !lA. Rlispunsu! inversorului din fig 44 la un It . . urmata e 0 supracomandll de +2 y.-:. Din relatia (4_10) se constata ca tensiunea de prag reprezinta un procent dintensiunea de aJimentare.--------.

0 cale de reducere a gamei de variatie a parametrilor mversorutu. 0 constituie creo$Ierea dimensizmilor tranris: toarelor.nversorului Lp ~ 0.1 sunt indicate modificarite pe care Ie sufera parametrii inversorului din fig. L" '" 0.a se regasesc In fig. = 6 urn. creste de 10 ori ampIificarea maxima a inversorului.5 193 20 0.4 daca dimensiunile tranzistoarelor cresc.r::d~!_! S5 _ Tabelul 4. 2. al parator sub 120!lA. Diferenfa .. 4.8 ). Intarzierea inversorului creste de aproximativ ]00 de ori. = 8 urn.ost construite cornparatoare baza. respectiv In TabeluI4.a.intregului comt.= 123 dB)..3.9 % MHz % -51 36.42 0 160 Max. Lp = 6 um Min..' .400. Reducerea dependentei parametrilor CMOS de varia. Desi all . mstituie fie reducerea latlmn fie cresterea lungimii tranzistoarelor.9 -20 90 46 Intarziere 0.90 18 Inversor "mare W.•. c ive a ca$tigului tine de tema de protect ~ comx paratoru IUl: s-a unn arit mentiner-a .6 J. 1979]. conform relatie] (4.06 -18 12.ii. In Tabelul 4. Analizand parametrii in. Influenta temperaturii.14.21 -8.3.t~ pe acest o .~.87 +78 160 +100 -33 25 -63 0. de 10 ori. unui lant de inversoare. Analiza se efectueaza similar cu exemplele prezentate anterior. .000.-'. Motivul obtinerii acestei valori . - '". 2. Tensiune de prag Min. dimensiunile tranzistoarelor si principalii pararnetru at I~ve~sorului folosit in comparatorul di.'). " In eele doua tabele se constata ca ampJificaa rea maxima a comparatorului ese -norma (141x114x1l4 == 1.6 urn..2. Schema.• 4. olutia reduceru s curentului maxim de alimentare o . Parametrii intregului «o.. 2. L. Ii 1.~ . COMPARATOR BAZAT PE UN LANT DE INVERSOARE CMOS . lantul de inversoare este folosit de ~ele m~1 rnulte on pentm impJementarea etajelor de iesire 1.~--- .nparator se regasesc in TabeluI4.4.354 +102 51.2 Tipic Tipic 2.081 .175 0 45. 4. La proiectarea unui comparator bazat pe utilizarea inversorului CMOS trebuie analizata ~i influenta temperaturii asupra parametrilor circuitului. 4. UM Din cele prezentate anterior a rezultat 0 variabilitate foarte mare a parametrilor inversorului in functie de variatiile induse de procesul de fabricatic.lA un comparator o.-'.: 0.8 +13 175 100 =: ~:J v % Cre§terea dimensiunii tranzistoarelor.m.calitate de comparator . Se rernarca 0 reducere semnifieativa a domeniului de variatie a parametrilor inversorului.14. Trebuie avut in vedere eli la ie~irea invcrsorului am considerat conecrar un aIt inversor identic cu acesta. -nsumului maxim de eurent _.54 COMPARATOARE cu functionare continua in timp Comparatoare ell tcnsiune de prag.iplementa so Iutie supenoara pentru a .'-1 Castig Banda de frecventa 24.2..~ta In fig. 'Pentru valori moderate ale tensiuni de Supracomanda Incarcarea ~i deseiircarea capacitatii de iesire se face cu un curent constant egal eu diferenta dintre curentul de drena aI tranzistorului PMOS ~i . .~ -.5 135 -20 0.3. in functie de dimcnsiunile tranzistoarelor Inversor minim Wn :. UtiIizarea unui singur inverso!" CMOS in ealitate de comparator reprezinta ) solutie care ofera parametrii mode$ti in special In ceea ce prjve~te ampJifiearea . Dupa cum N ratat in secnunea prece~d~nt. 2.d ~lP e solutie. • . 4. .b. Deoareee lungimea inversoruln] a crescut de 10 ori a crescut In aceeasi rnasura tensiunea Early a celor doua tranzistoare si.14.--.. Wp = 18 urn.'C unor comparatoare diferentiale.!".: C~. CUrentu]de drena al tranzistorului NMOS. '" ' . Banda de frecventa scade de aproape 1000 de ori! Explicatia consta In 0 cresterea de 1 ori a impedantei de iesire a inversorului ~iere~terea de 100 de ori a capacitiitii de sarcina.4 +33 212 +212 0.intre modificarea benzii de frecventa $i eea a intarzierii demonstreaza 0 data in plus caracterul neliniar al funqionarii inversorului In cali tate de c~mparator. uiui astfel de comparator este pr~~en. Wp = 1. Variatia pararnetrilor unui invcso.. In acest exemplu.1.21 57 43 -46 J 68 :) 0 0.ii!e de proces . reprezinta utilizarea ..47 0 ns % a 125 0 SO 'J J.r u~ilizat in.- Schema de principiu l:.62 +8..16). Explicatia acestei compor1iiri se gaseste in reducerea efectelor date de dimensiunile mid ale tranzistoarelor.lm Max. [Kessler.. in aceeas] masurii in care creste ~i capacitatea din nodul de iesire.8 urn.

-1 V ~ iesire 5 V ~ 0 V V.56 Inv1 In COMPARATOARE Inv2 Inv3 cu Iunctionare continua in timp Comparatoare cu tensiune de prag interna 57 (a) VDD = 5 V Tabelul 4. in cazul comparatiei unui sernnal de amplitudine mare urrnata de comparatia unui semnal mie de semn contrar timpul de comparatie mult. aceasta corespunzatoare nu au utilitate practica: crovoltilor va fi acoperit de zgomot.000 :1.14. Reducerea prin limitate a excursiei de tensiune trebuie aplicata in prirnul intrare V. +250 uv 475 ns 117f.Vin jurul tensiunii de prag. are ca efect cresterea amplificarii inversoamplificare si...77 MHz (b) Banda de frecventa la semnal mie intrare V.l.46 V 1. 0.5 V ~ 1.14 Parametru Out mosn L=4u W=2u Conditii Yaloare 2.lor MOS rului din care fae parte.h +250 IN iesire 5 V ~ 0 V 208 ns Reducerea timpului de revenire din supracomanda se poate realiza prin limitarea excursie de tensiune..· (a) Comparator realizat prin conectarea In serie a trei inversoare logic CMOS (b) Schema unui inversor. Valoarea de 250 MV a saltului de tensiune este mult mai mare dedit rezolutia statics. este cesul respectiv) singura solupe posibila Cresterea lungimii tranzistoare.h +10 mY iesire 3.5 ori latimea minima posibila In proramane cresterea lungimii tranzistoarelor.2.5V I Amplificare maxima intrare V. rezolutia statics un semnal de amplitudine de ordinul mi- 230 ns 252 ns Curentul maxim de alimentare Tabelul 4. de peste doua ori. Deoarece Iatimea tranzistoarelor tranzistorului NMOS din fig. Parametrii inversoarclor CMOS din comparatorul din fig.14.h -250 1.400.3. Din acest motiv timpuI de raspuns este mult mai mic decat eel estimat din banda de frecventa de semnal mic.5 V Fig. Parametru Tensiune de prag Amplificare maxima Rezolutie statica aproximativa Banda de frecventa la sernnal mie lutarziere Tirnpul de revenire din supracomanda Conditii Valoare 2. 4.h 10 mY ~ V.46 V Tcnsiune de prag Amplificare maxima de semnal mic Rezolutie statica aproxirnativa 2. 4.24 MHz creste foarte uv ~ V. Din acest rnotiv caracterizarea comparatorului s-a realizat pentru salturi de tensiune de ±250 MV.!'- Curentul maxim de alimentare . Parametrii eomparatorului format dintr-un Ian] de trei inversoare identice eu dimensiuni millime Prin tema de proiect se cere ca acest comparator sa asigure 0 functionare corecta pentru 0 tensiune de supracomanda [a de intrare de ±250 !J. Evident. Reducerea timpului de revenire din supracomanda. respectiv.8j. 4. nu-poate fi micsorata foarte mult (latirnea de 2.!V Un rezultat foarte interesant este furnizat de timpul de revenire din supracomanda.5 Y I Amplificare maxima 114 22 mY 1.

In [Redman. din fig.M2 Tensiunile ~i !VC. 4.. 4. tie de comparator de curent. sa ~i ca solutie de limitate a excursiei de tensiune.MJ !Vcs. d. 1992] si a fost reluata si dezvoltata in [Vazquez.S8 COMPARATOARE cu functionare continua in timp Comparatoare cu tensiune de prag ''It. 0 tensiune mica la icsirea inversorului sa decat tensiunea de prag va produce de aproximativ 4. a doua aplica- M1 ~i M2 dupa cum se indica In fig. Valoarea cul trebuie sa descarce sa coboare tensiunea de la iesirea inversorului - de 4.95 V panii la Av' (VIN capacitatea VTh) = 114 ·250 IlV = 1. . conduce tensiune un curent mare care. (1) ceea ce se Intampla in cazul revenirii din supracornanda se pot de la iesirea Inv1. In cazul comparatorului nodul de laiesirea primului inversor. Comparand reducerea intarzierii Un fenomen ai c » . 2002J ea a fost propude rnari tensiunii V O. P~n nod de ca~tig pomind de la intrare. sens contrar.ir'l2' + VGS. sernnal cu curent de alimen- tare In permanenta. Inv1..'nl este rcprezentat de reducerea inferioare drastica a timla valori celor coreseste data aplicata pului de revenire din supracomanc. 4.S.14 .. care coboara punzatoare unor supracornenzi mo-i -rate. limitarea superioara a excursiei de tensiune se la iesirea lui Inv1 este ieierminata de deschiderea lui M2.iune de la iesirea prirnul inversor se va limita datorita neliniaritati] torului NMOS din In\!1 ./nv1 E [VOD 2 1 + AV. ~derate de intrare de la 208 ns Ia 163 ns.. 1997J ~i [Vazquez.i. Aceasta sclutie a fost propu1995] pentru Excursia -de tensiunc de la iesirea Inv1 este lirnitata la: -_\~~~ Voo 2 sa in [Traff. Tranzistorului prin dimensionare curentul de drena al tranzistorului de valoare mare eaeu 1 V mai inversor 0 NMOS din Inv1.. la randul sau. din Principalii luI 4.M1 1 + AV.nversorul tensiuni de supracornanda de 250 IlV (ad i ca.5 mV. VGS.M21 depind. a 1 :1. Tranzistoarele 0 M2 impreuna cu inversorul parametri lnvztoreaza bucla de reactie negativa neJiniarii.Ml cea la care incepe Din aces! motiv timpul de intarziere Solutia tranzistoare de reducere a excursiei -IV GS.15 sunt indicati in Tabe- parametrii dn '. doar 250 IlV mai mare dedit tensiunea de prag) aceasta va produce un curent foarte mic care trebuie de la valoare anterioara 28. 4.95 V.]-:uc curentul din supracomanda pe care celui de al .15. foarte intere:.iJdatorului fig. tranzistosau PMOS In intervalu] 'in care la intrare este aplicata 0 supracomanda tensiunea racteristieii sale de transfer. (2) Cand la intrare se aplica 0 la iesirea primului tensiune 'in care tranzistorul a unei va consuma este blocat supracomanda ca urmare datorita .. if :. elul 4. Prin supracomanda -' la intrare Tranzistorul determina tranzistoarele tensiune lnvt S? maxim II pot produce. Limita inferioara a excursiei de convenabila lui Inv2. aderea in continuare lui M1 se limiteaza adica a tensiunii a tensiunii de intrare a mM1 furnizeaza a tranzis- Analizand intalni doua situatii.lnv2 1 (4. pentru excursia Considerand M2 este VDO 12 cli tensiunea M1 este 1. relativ mare. iesire al inversorului de tensiune constituie adaugarea 0 Inv1 de tensiunca de la intrarea eomparatorului.'. GND Explicatia reducerii accentuate din de valoarea lntarzierii Fig.14 acesta estc de la iesirea inversorului dcschiderea versorului Inv2 Inv2 ceea ce provoaca deschiderea s. ) .lar eu cel din fig..4 cu cei din Tabelul 4.15.M1 iar VC. a lui M1 preci rn si a castigului rul NMOS din Inv1 va conduce chiar ii 'in conditiile lnvt In cazul de fata.prag a inversorului )lDi. Similar. M1 (sau tranzistorul 0 .S. creste cu peste 250 ns. I'· tensiune de la iesirea lui Inv1 se stabitesre Prill limitarea excursiei de tcu. 4.20) Daca semnalul tensiunea de la intrars comparatorului are valor] suficient cresterea Daca semnalul blocate ~i circuitul de intrarc are valori miei tranzistoarele M1 ~i M2 raman M1 ~i de la iesirea lui Inv1 tinde sa scada ceea ce determina functioneaza sirn."'Jlui de revenire .M21 de valoare ---~--. Inv2.. 0 Inv2 este VDD / 2 tensiusa conduce de prin curentul nea la care se deschide i 2 + VGS. ilea inversor. acestui curent este doar de 22 nA! Acest curent minusde intrare a celui de al doilea inversor. Comparator eu limitarea excursiei de tensiune.Q.3 se observa b j pentru semr. .)rf ::!l 59 _ tranzistorului M1.4. un puternice.>"h::iirii la intrarea Ca urma : .

000 1 V I Amplificare maxima 0. Acest tip de comparatoare realizeaza comparatia a doua tensiuni aplicate din exterior.1. Atunei cand are loc tranzitia intrarii comparatorului de la valori mari de supracornanda catre valori moderate de sernn opus.lV 0V 23. datorat intarzierii inversorului Inv2 are reprezinta 0 reactie pozitivd. Reducerea acestui efeet se poate realiza prin reducerea timpului de comutare a inversorului Inv2. +250 J.1. 5. Schema generala a unui comparator diferential este indicata In fig.24 MHz intrare Vrli -250 J. Acest efect. si de unul sau mai multe inversoare care au rolul de a asigura compatibilitatea cu circuitele logice comandate. diferentiale sau asimetrice. mai raspandite Comparatoarele diferentiale cu fimctionare continua in timp reprezinta cele tipuri cornparatoare. .h +250 J.lV --7 V".6 ns Ca urmare tensiunea de Ia iesirea Inv2 atinge valoarea sa maxima. In cazul In care circuitele digitale sunt ele lnsele de tip diferential. pana in momentul in care are lac tranzitia iesirii Inv2.46 V Amplificare maxima Rezolutie statica aproximativa Banda de frecventa la semnal mie lntarziere VIN = VTh 1.4. asa cum este. Reactia pozitiva introdusa de intarzierea inversorului lnv2 ~i tranzistoarele M1 !?i. Bucla de reactie are doar doi poli astfel Ineat defazajul nu atinge niciodata 180°. Schema de principiu generala a unui comparator de tensiune cu iesire asimetrica. Din acest motiv. 5. . ele au etajul de intrare diferential.60 COi\-IPARATOARE eu functionare continua in timp Tabelul 4. Paranietrii comparatoruJui format dintr-un lant de trei inversoare identice ale carer dimensiuni sunt de 10 ori lila! mari dedit cele minime Pararnetru Tensiune de prag Conditii Valoare 2. Efectul net 11 constituie accelerare procesului de comutare. 'in marea majoritate a cazurilor. de IN+ IN- Fig.M2 nu conduce la pericolul oscilatiilor deoarece in bucla de reactie sunt prezente doar doua noduri.lV 5 ·COMPARA~TOARE DIFERENTIALE iesire 5 V iesire 5 V -4 0V -4 163 ns Timpul de revenire din supracomanda Curentul maxim de alimentare intrare Vrh -1 V --t V.400. tranzistorul M1 (sau tranzistorul M2) va "ajuta" cornutarea ie~irii inversorului Inv1chiar ¥i dupa ce aceasta a depasit tensiunea de prag a Inv2. Etajul diferential de intrare este urmat de mai multe etaje.

it. prin inversarea fazei tensiunii la nivelul . Tranzistorul 07 are rol de repetor de tensiune. Primul comparator integrat monolitic Primul comparator integrat."!-" Comparatoare diferentiale 63 62 IN+~. conectat ca dioda. A1imentarea circui.. .. Curen- =-f. limiteaza excursia pozitiva de rensiune a iesirii pentru a preintarnpina supracomanda circuitelor logice cupiate la iesirea comparatorului.3. Schema acestui comparator este prezentata in fig. -~__t..= -6 V.nesirnetric cu conservarea integrala a castigului diferential $1. Prirnele comparatoare integrate au fost realizate utilizand pol are care au devenit disponibile la mijlocul anilor 1960. 5. Dioda D2 translateaza nivelul de tensiune din emitoru! lui .:rimului comparator integrat. COMPARATOARE cu functionare continua in tlmp f OUT..J2l J . Schema cuprinde doua etaje diferentiale de amplificare urmate de un repetor de tensiune. a aparut In 1965 fiind proiectat de Robert Widlar care a fost ~i autorul primului amplificator operational monolitic.slu Luide polarizare al primului etaj IQ9 f'. - \ Out IN+O----+-GndO----+--~ ---- 5.1. comparatorul diferential tor sunt prezentate In fig. 05 si R1.2 V fiind de fapt 0 jonctiune baza-ernitor a unui tranzistor bipolar standard. Primul etaj de ampJificare este format de tranzistoarele 01 ~i 02 avand sarcina rezistiva si fiind polarizat la un curent de 1. Schema electrica .~: se face cu V+ = 12 V ~i v. curentul de intrare si curentuI de polarizare a intrarilor [Manolescu.1) j .....8 rnA. IN· .3 [Widlar...l. Dioda D2 este realizata In mod similar.structura difeIN· rentiala pentru toate etajele. va avea 0 .. 5. 5. 1965]. 5.. Simbolul ~istructura interna a unui astfel de compara- ~ t"---I--__' . OUT+ ¢=> IN+ IN· Fig. j. foloseste circuitul format din 03.2. exemplu. J:i -1-2. de asemenea cu sarcina rezistiva. Acest prim comparator a fost proiectat pentru a realiza 0 viteza mare de raspuns sacrificand rezolutia statica. Tranzistorul 06. (5. emitorului lui 05.cstui comparator sunt dependenti de tensiunile de alimentare.2. eel de al doiJea etaj. cazul circuitelor ECL. aparitia intregii rensiuni diferentiale tn baza lui 04.IRE ASIMETRICA tehnologiile biFig. Curentii de polarizare ai . Tensiunea de strapungere a acestei diode are valoarea tipica de 6. Repetorul de tensiune este polarizat in curent constant de catre tranzistorul 08.VSE R6 + R.Q_. Simbolul ~ischema de principiu generala a unui comparatorde tensiune eu iesire sirnetrica. I-tA 710.Q7 cu 6.. In sectiunile urmatoare sunt prezentate cateva solutii constructive analizandu-se structura schemei electrice si performantele obtinute. Pentru realizarea convcrsia diferential .2 V mai jos asigurand compatibilitatea tensiunii de iesire cu nivelele Iogice ale familiei de circuite digitale TIL. ".1. 1983].. 5. COMPARATOARE DIFERENTIALE BIPOLARE CU IE!. este format din tranzistoarele 03 si Q4 fiind p~larizat prin intermediul diodei Zener D1. Aceste componente formeaza un amplificator inversor care fixeaza potentialul colectorului lui 01 si deterrruna.1..A 710.

~i in acest caz avem de a face eu La scurt timp dupa jJ.4). 5. astfel timpul sau de comutare.1.4.2. STROBEa STROBE se dezactiveaza depinzand doar de starea puns de aproximativ STROBEb.2) de In aceste conditii rezolutia garantata este 2 mY.R12. curentii de polarizare depind direct de tensiunea de alimentare. 760 a fost realizat si cornparatosolutia derivarii curentului de calea deschisa de aceste comparatoare comparator s-a adoptat Circuitul ~i 016 ru1 ). netice. R5. iesirea celuilalt comparator. R11 ~i R15 care mentine valoarea . Tranare rolul de a preveni intrarea 10 saturatie a tranzistorului 04 reducand citirea memoriilor mag.IA 760 (vezi fig. un amplificator De asemenea zistorul 06 la care a fast preferata viteza in dauna rezolutiei si a consumului. a condus la constructia sa duala ~i a detenninat STROBE a STROBEb adaugarea celor doua intrari de validare. cale. 5.A 711 ~i realizat compara1966] (vezi fig. comparatorut rapid Urrnand !J.: Fig. D2 ~i R4 06. ~ia rezistoarelor. Si in cazul acestui polarizare tranzistoarele 03.5. Prin conectare la rnasa a unei intrari iesirii de catre comparatorul respectiv. Comparatorul integrat ua 711.A 711 [Widlar.1. Aplicatia careia i-a fost destinat acest comparator. 5. 07. 80 ns pentru 0 tensiune 5. de polarizare este format din R3. Intre cele doua etaje de amplificare un etaj de deplasare a nivelului de curent continuu format pentru una dintre cai ~i din 04. 05. Q14. Comparatorul integrat irA 760.64 Curentul de polarizare COMPARATOARE cu functionare al celui de al doilea etaj este dat de: continua in timp Comparatoare diferentiale 65 fQ3 = 2· V +-VZ. 015.VB£ . 011-Q12.. Comparatorul are un timp de ras~i comanda de supracomanda de 2 mY. 5. R7.A 710 aceeasi echipa a proiectat torn! dual u. R3 +R4 statica (5.A. de D1.R1aR14~iR22 Comparatorul fost introdus Tranzistoarele curent continuu utilizeaza doua etaje de amplificare: primul cu tranzistoarele <l' Q1 ~i 02 ~i eel de al doilea eli Q9 ~i 010.l.DI -R)'!Q9/2-2. 03. D4 \ii R6 de repetor pentru cealalta nivelalui sunt conectate in conexiune iar deplasarea se face prin intermediul Polarizarea Fig.3. Comparatorul dual f. 013 si rezistoarele R8. celui de al doilea etaj dispune de 0 bucla de regia} a modului diodelor caderii de comun fermata din as. 5.5). direct din tensiunea de alimentare.

1. 5. in care raportul curentilor vizide bile de la emitorul AI doilea etaj. Comparatorul integrat LM 339. 011. sarcina de tip "oglindii de tensiune 5 mV in conditiile in care.5. Acest circuit a avut un succes exceptional de polarizare fiind prezent care este cornun ~i astazi.000 3 V .1. Timpu. nu doar in ceea ce priveste viteza. alimentat de la tensiuni de ±5 V. in cataloagele de circuite integrate. 07 017 sunt co- nectate ca diode In paralel cu jonctiunile si 016 ~i asigura identice accelerarea de curent de fapt . 30 V.3·VBE• Tensiunea Amplificarea tipica de alirnentare poate lua valori In domeniul este de 200.. consuma 20 rnA de la sursa de alimentare pozitiva ~i lOrnA de la cea negativa. Cornparatoarele bipolare po: . Primul etaj de amplificare structura clasica de amplificator de curent".c sunt alirnentate de I 00 ~A. Primul etaj de amplificare reprezentate eu curenti este cuplat la de tranzistoarele 5. 012b ~i 012c. Ambele zistoarele etaje de amplifica. >!A. aproximativ cu sarcina activa si iesire asimetrica. tranzistoarele 010. dintre inversoarele de Se rernarca prezenta de iesire. construind diferentiale 0 schema 67 de comparator care nu foloseste nici un rezistor: Singu- de mod cornun pe rezistoarele Circuitele de sarcina valoare care permite cornanda corecta a circuitelor teza de tip "totem·pole". Comparatoruf LM339 intrare prin intermediul un or repeto-r.4. de intrare 09 ~i 015 pentru de function are. 019. Iesirea este de tip "open collector" Etajul de intrare in configuratie (tranzistorul Q20). optimizate ~i din alte puncte de vedere. Trandife~i 08 ~i rentiala 08 maxima 016 sunt egala cu pnp de substrat care asigura 0 tensiune Ge..'.de cornparatie ne de supracornanda de 5 mV. conrnr :l ~irezolutia statics. un tranzistor pnp lateral este dat de perimetrele colectoarelor de generatorul multicolector. .intrare. este de tip emitor comun polarizat curent 018. atinge 1. 08 si 016 polarizate eu curenti de) tranzistoare tensiunea .rj(~ redusa Fig. fiecare rul rezistor din acest circuit face parte din circuitul eelor patru comparatoare. de inversoare 0 de iesire sunt de fapt structuri standard corespunzatoare fiind cornandat de TTL de vi. Tranzistoarele Q12a. 013 ~i 014. dupa mai de iesire cu codiferential format din a doua iesiri complementare jurnatare din tensiunea diferentiala Ja iesirea celui de al do ilea etaj de arnplificare. un singur dispozitiv.asigura conditii tranzistoarele Q12b si baza-emitor ale tranzistoarelor Tranzistoarele emitor-colector.6.3 IlS pentru tensiu- 5. aceeasi tensiune generatoare Q12c formeaza cornun. 0 rezistenta 0 a acestui comp-rator sarcina mai mare decat 15 kR. 012a. 0 mult de 30 lectorul de ani. Tensiunea maxima de mod cornun pentru egala Vee . diferential eu repetoare este de cu de de amplificator de intrare tensiune pnp asigura un dorneniu de tensiuni de mod comun ce include alimentarea negativa.66 tensiune COMPARATOARE cu functionare continua in timp ale celui de al do ilea etaj la 0 Comparatoare data. ~i un tranzistor Comparatorul Comparatorul ~A 760 are intarziere de 30 ns pentru 0 are doua etaje de amplificare ae 0 supracornanda de in gol ("open--colleetor"). cornutarii Tranzistoarele aeestora. Comparator de !t. VEE.

1992] se regaseste In fig.[.r 68 COMPARATOARE cu functionare continua in timp .7. 5. Comparator care ocupa dear 3 vane epitaxiale izolate.. Comparatoare diferentiale 69 IN- OUT r -. Aceste tranzistoare sunt tranzistoare npn multicolector specifice tehnologiile logice fL [Bodea..9. 5. Schema unui comparator bipolar care este capabil sa functioneze in aceste conditii [Grootveld. 100 (tranzistoarele de intrare 010 §i 011 sunt tranzistoare pnp de substrat). Yn. 1984. Comparator bipolar alimentat de la 1V 5.6 V. Vanele epitaxiale izolate sunt marcate pria linii Intrerupte. Valoarea tipica a curentului de ofset este de 0. Tranzistoarele 01 ~i 02 formeaza etajul diferential de intrare cascodat de . reali~area unui comparator alimentat de la 0 tensiune de alimentare de doar 1 V constituie 0 performanta..1% din lB.. este necesara pentru a preveni aparitia ofsetului sistematico In conditiile .Monticello. Modificarea durpntafuiare a celui de al doilea etaj de amplificare format din tranzistorul 013. __ ~---------.i respectiv 04a ~i 04b formeaza cate un singur tranzistor pnp multicolector.. Tranzistoarele 03b $i 04b preiau a zecea parte din curentul de polarizare al primului etaj de amplificare $i genereaza curentul de polarizare necesar etajului de intrare.--I ! I ---. Comparator cu modificarea dinamidi a eurentllor de polarizare ai lntrarllor Un alt exemplu de optimizare a caracteristicilorunui comparator este descris.. in configuratie de repetor pe emitor.1. colectorul operand In calitate de emitor jar emitorul functionand in calitate de colector.1. Fig. 1978].7.--. prezentata In fig. apeleaza la 0 polarizare variabila pentru a modifica In mod dinamic ourentii de polarizare ai intriirilor. Prin modificarea curentului de polarizare aI intregului comparator se modifies proportional curentul de polarizare al intrarilor comparatorului. tranzistoarele 03a si Q4a..-. 5..8. In [Jarrett.. . Schema.. pa~.. 5.7) un comparator bipolar care ocupa dear trei vane epitaxiale izolate. - !'----. Tranzistoarele 03b si 04b formeaza cir~uitul de polarizare impreuna cu rezistorul R. Primul etaj are 0 structura clasica de ampJificator diferential cu sarcina activa in configuratie de oglinda de curent... 1978] este prezentat (vezi fig. ~ . la Curentul de polarizare. 5. 5.6. Comparator cu polarizare variabila. ---------. Sunt necesare 3 iesiri pentru.a asigura compatibilitatea cu circuitele digitale I2L.-----------. intrare de mod comun. Curentul de polarizare depinde de tensiunea de . Este vorba de fapt de tranzistoare planare npn operate in regiunea aet~va mversa.8. Este posibila astfel ad~ptarea curentilor de polarizare ai intrarilor caracteristicile circuitului conectat la intrarea cornparatorului.----~----.. curentii de polarizare ai intrarilor reprezinta 1% din lB. implernentarii acestui comparator lntr-un proces bipolar 'care asigura 0 arnplificare in curent a tranzistoarelor pnp de substrat Bpnp . Sarcina activa de tip oglinda de curent este reprezentata de tranzistoarele 05a ~i OSb... 10 -IB este distribuit prin intermediul tranzistorului multicolector 012 primelor doua etaje de amplificare. :~1-127~. . ------.J Fig.. format din tranzistoarele 01 si 02. In conditiile in care tensiunea baza-ernitor are valoarea de aproximativ 0. Tranzistorul 06 este tot un tranzistor npn multicolector cu 3 colectoare fiecare dintre ele constituind 0 iesire a comparatorului. Tranzistoarele 03a si 03b .

Comparatoarc ~/ olare rapide cu limitarea excursiei de tens: une in nodurilor In sectiunile cornparatie 0 interne Etajele de comanda a tranzistoarelor de ie i fi . Schema driveruiui etajului de iesire in clasa AB. 028.e~'ire~I a : ftU.r.~ t. timp de raspuns nai mic decat 600 ns. dlfere~tiale de intrare mai mici decet C S Ul eta] are expresia: ""'?" anterioare . a a o U Ul comun.~::.i. Tranzistoarele 013 si 023 repeta.iste mai mic decftt 130 ns.. curentul de .te de 120 dB pentru RL Fig. tensiune de 68 dB.S. Tranzistoarc!e Q19 ~i 029 In ' a tensiune la iesirea primului etaj de castig impiedicand-o sa 5. 018. a putea genera curent la iesire 'ir:tre e! I?i tranzistorul de iesire a fost inserata oglinda de curent compusa din tranzisto?rde Q281 ~i0282. Tranzistoarele 017 ~i G... performante Jr.11) utilizeaza doua tran- zistoare coneetate ca diode in 2 .. ircuitul de control al modului comun form t di . I' intrarea circuitului de control al dI . excursiei de tensiune a nodurilor interne ~ . . £ U1 dJQ£ t $# U_UJ1Z&A. 02·5 *i Q26 formeaza driverul tranzistorului de Deoareee acest tip de driver poate doar sa absoarba curent de la iesire tara ''''o-t--t-I-+--+-I-. Amplificarea in tensiur e . 1981] ~iun comparator standard..tensrunea de la iesirea primului etaj .' ~I pe de a Ie parte. C'MPO...:J iesire npn.70 COMPARATOARE CU Iunctionare continua in timp Comparatoare diferentia1e 71 Prin utilizarea a doua astfel ce etaje driver interconectate corespunzator care comanda tranzistoarele de ie~!re este creat un driver neliniar In clasa AB. 019 ~i 029. schema sa din fig.9.rea IOUT = IQ2 -/ - So". [PMI. de 0 parte. d c~ ig ~I 0 a ~e~.::::.-a ':atat Gii 0 cale esentiala de crestere a vitezei d. coneetate ca diode.038 si rezistoarele R31.( [ .1990) Primul comparato.lA. 5. previa saturarea adanca a tranzistoarelor de iesire care poate )foduce Intarzieri mari la revenirea din supracoFig. CI:~:. I. " de od ti .i.0 tranzistoarele 59 ~i rezistoarele R59 ~i R1929.?"~.N-!>-f--H-+--+-I-. . (vezl schema din fig 5 10) Pentru tensi " I? re olosese un driver original e 100 mY.-' inici s-au ales un comparator integrat intr-u: convertor digital-analog de 14 ~.. tr Circuitul de polariz"re i compus din tranzistoarele 031 . "Proportional to Absolute 'c acestui comparator sunt: amplificare Temperature") capabiJ sa opereze la ) tensiune de alimentare de nurnai 1 V. 5.~~I:~~ r 't' _' .i' .-formeaza 0 structura de cascoda"{ impreuna " pliata ( folded case • e).1. _) 0 rezistenta de sarcina = 50 Q iar timpul de compar .. Tranzistoarele 014. curent de alimentare de 160 f. i reprezinta limite..aio. .3) prevenirea saturarii tranzistoare O~ Pentru ilustrarea acesu .iolare. R32 ~i R38 propor~ionaHi cu temperature Principalele ste un generator de curent a carui valoarea este l:'.10.:lJ. tiv 600 mV la intrarea celui de al :0 lea etaj.. Tranzistoarele 024..oluta (PTAT.. 1a intrarea eelor doua etaje care cornanda iesire manzistoarele de C. pe.f . 5.· V exp---2 -VI k·T!q (5.4-_M-iP- _ipaPA~. Comparator bipolar care functioneaza ali~entat rnanda. ~tajul de intrare care este campus din tranzistoarele 01 0 si 020 ~ cu tranzistoarele. de la 0 sursa de tensiune de I V. 01 3 ~i016 fonneaza driverul tranzistorului de iesire pnp.~I 012 022 058 .»aralel la iesirea primului etaj de amplificare Aceste diode previn aplicarea ur i diferente de tensiune mai man decat aproxima . .

Comparator bipolar ultrarapid unui comparator de intrare bipolar ultrarapid [Saul.. 5.2A. curent de alimentare din sursa po ziti va de 5. sunt considerand de in fig. 'I .. '. 10 frecventa Fig. ~i 026) cu limitar: cu diodele SD3 ~i SD4. .06 si rezistoarele relativ mic de R1 . • . '. IlTIJtarea intrare 01 si On SlUnea no . a Ie e repetor pe emrtor. R 1B ~I R28).. siunii d J .4 pastrand La conservarea derivata din schema unei celule Gilbert [Gray.6 rnA. 0i3. amplificator diferential cu cup. Compara!orul CMPOl. Tranzistoarele tor-baza venta a amplificatorului. 5.72 COMPARATOARE CU functionare vcc~--r-~---r--r----t __~ __~ ~ " .000.·) ~isarcina de tip oglinda de curent (OS.2. Schema comparato J' C . es e t rea jIzat III configur t' d . 028 i 029 Pnmul etaj de ampIificar' fi .2. R4 are 0 configuratie Tranzistoarele toare de intrare.3 rnA. aces 1 etaJ este reabzata prin intermediul diode lor 0 supracomanda de 10m V. In emito .' .. Limitarea tene ~ resirea . continua in ti~ Comparatoare diferentiale 73 AI doilea etaj de castig are 'in emitoare Out 0 structura d~. fiecarui §i efectul rezistoarelor prin intrcdu- Out R3 §i R4 care compenseaza eerea unui zero [Shinn. Schottky 801 ~i802. Comparator. COMPARATOARE DIFERENTIALE BIPOLARE CU IE$IRE SIMETRICA 5. Q25. timp de raspuns de 150 ns pentru un salt de tensiune de intrare de 100 m V cu Fig. prin efect Miller. curent de alimentare din sursa negativa de 1.11. 5. Amplificarea Principala limitare etajului de iesire a fast determinata de sarcina de 50 Q corespunzatoare a raspunsului cu circuite digitate ECL. excurSlel de te .acestu! etaj este asigurata de diodele 807. Etajul de 2.. 1982] este prezentata In Etajul campus ~i din tranzistoarele Schema 01 . {> • tial cu ~upJa. duri .Care utilizeazii Jimitarea excursiei interne de tensiune.1..5 mA care asigura un curent de polarizare cascoda redus lara a apela la repeefectul capacitatilor colecde 05 ~i 06 ale tranzistoarelor de intrare care.l3. 5.Ill c~n 19urat~ standard de ampJificator diferen" are ~! sarcina rezrsnva (03 04 R1A R . 01 02 opereaza la un curent de colector al intrarilor micsoreaza 0. Limitarea tensiunii de ie~ire a tui en .13. 8. ~'. 808. fig. deplasare a tensiunii realizat eu diodele Zener 01 ~i D2. ru UI MPOl este prezentatii in fig 5 12 Pentru Ii . determinate interfatarii prin simulare Spice. . 1997]. unJ~or interne sunt utiJizate diode Schottky.12. de tensiune C1 are rolul de a accelera transferul ce 1 de al doilea etaj de castig si etajul de iesire. 5. provine de la etaju. Amplificarile precizate rezistente polul introdus de capacitatea baza-ernitor etaj de castig. contribuie reduc banda de freela valoarea 03 9i 04 cresc amplifiearea banda de frecventa acestei benzi de frecventa 1977]. sirnilara Cateva dintre performantele acestui circuit sunt: amplificare de 500. Etajul de iesire are 0 structura celei a unei porti "TTL Low Powe-r Schottky". Cuplajul Condensatorul dintre eel de al doilea etaj de amplificare si etajul dintre de iesire se face prin repetorul pe emitor 018 si rezistorul IN+ R1B. Tranzistoarele la -3 dB la peste 400 MHz.

:q. .5 GHz. '. . .." clU-germalllu (SiGe) acest con'rh. de al doilea etaj de castig care Rezultatele experimentale.2.2. Comparator: .15.. timp de raspuns de 1. " 2.. dubIe' te neces dintre doua tensiuni diferentia1e.8 0. -lui etaj e cas ig. banda de frecventa la -3 dB de MHz. . 1 alizate intr-c tehnologie sili. P OB _. Comparator bipolar simplu cu intrare diferen!iala dubla !ji leslre diferentiala Schema de principiu a unui comparator bipolar simplu cu intrare diferentibla si iesire diferentiala [Ellerrneyer. d d anta-ee "lSpoz!tlve or re •_ Beneficlln e av t _'. timpi de crestere !?ide cadere de 500 ps. Comparatoru! bipolar ultrarapid.5 ns pentru nsiune de supracomanda de 10 mY. 5.. care au confirmat simularile Spice.i iesire diferentiala descris in [Sugawara. 5.~ simplu cu intrare diferentiala dubla. este..15.. ' A (VIP.6 7. si etaj de i~~i .' -VIN Amplifica(e )-(VREF+ -VRt:pJ 8. .. 'in acelasi timp.'" este cap la 12.rt« (5.3. Amplificarea este de 40 dB jar banda de frecventa este de 100 MHz.\1 paratoru! bipolar simplu.94 VCMP ==8·R·IO·tanh-Tensiunea VeMP este repetaHi ~l v. . ara pentru a putea realiza comparatia lntrarea diferentiaHi..14. 5. 1983] iar schema sa este reprodusa in fig.~ abil sa opereze la frecvente de pan a .75 COMPARATOARE cu funetionare continua in timp Comparatoare diferentia1e RS Toate cmltoarele au 3l'mxB)lm cu excep\ia celor la care se specifiC<! <llIfel Fig. 2000) este indicate In fig.4 0. amplificaUi. 5.2 12.: . vcco---~--'-~~-1--IN+ . 5. au indicat latoarele performante: amplificare de 55 dB. ~..13. Compa- 'JI are doua etaje diferentiale de ca~tig cuplate prin intennediul unor repetoare 1siune.~.' d ti V este: Tensiunea de la ie~irea pri: . Fig. CMP. Comparator bipolar srmplu cu intrare diferentiala ~i lesire diferen~iala Un comparator bipolar simplu cu intrare diferentiala . .4) Fig.

. format din Daca tensiunea de iesire se reduce sub aceasta valoare tranzistorul M2 intra in r~~: unea liniara jar rezistenta sa de iesire scade ceea ce conduce la reducerea dramat. Voun. M5 M6 i R precum ~i e~tigul celor trei mversoare I . . La iesirea acestui etaj este cuplata direct intrarea unui inversor CMOS. tranzls~oarele. a prImu lui e tai d e c astig UI aJ ~ Limitarea inferioara a excurste! tenslUntt e iesire . ..or Daca 'in ceea ce pnve~te tensiunea .i [Yukawa. d . Comparator CMOS simplu eu un singur etaj de castig NMOS.. . za e compar lif totala a comparatorului contribuie ~ica~tjgul inversorului La amp I icarea . 5. data de adaugarea rezistorului R in serie cu sursa tranzi~t~)fu!ui ~MOS (:"CZl fig. f. I intrare eta- COXa' W) 1 '--' ( L n lbiru VAn ·VAp VAn + VAp ..16.. 1978) ~i [Post. . 5. consumul redus de putere ~i densitatea mare de integrare. care a debutat la inceputul anilor functiilor analogiee. M I ~I M2 conduciind acelasi curent.r 76 COMPARATOARE cu functionare continua in timp 77 Comparatoare difcrentiale 5. este: Ay = 2 . a condus. M4.~. [ul de amplificare a fost considerat ca fiind perfect echilibrat. . Tensiunea de prag a acestui inversor creste datonta eadem de tensrune pe rezistorul R.3.excursia de tensiune Ja iesirea etajului. V Tn' ((V \ \_.f nn celor prezenAmplifiearea suplirnentara a acestor inversoare se determtna con 0 tate In Sectiunea 4. o solutie pentru modificarea tensiunii de prag a inversorului CMOS (5. . .ca a amplificarii. in tehnologii CMOS. Avantajele tehnologiilor CMOS in realizarea de circuite integrate digitale..tig cu iesire asimetrica. NV1 INV3 .. . tensiunile drena-sursa ~le . 1980]. Schema unui astfel de comparator [Callahan. de ofset cresterea dimensiunil.. .ln· ~ de cfu. .1978] iar de comparatoare NMOS sunt descris In [Ohgishi. . In continuare sunt prezentate 0 serie de comparatoare CMOS urmarindu-se 0 prezentare sistematica a solutiilor constructive.~ . ~. Beneficiind de experienta acurnulata 'in constructia comparatoarelor bipolare comparatoarele CMOS utilizeaza scheme similare. impune restrictii fie asupra tensiunii de prag a inversorului. COMPARATOARE DIFERENTIALE CMOS Evolutia rapida a tehnolcgiilor CMOS.. Trebuie observat ca pentru calculul tensiumt de mod eomu~ a mtrare ~ . .2. Comparatoarele utilizand tehnologii MOS unipolare (PMOS si NMOS) au avut 0 utilizare limitata. 1974] :. Limita infeExcursla A' fi 5 16) est.celor d~ua tr~nztstoare NMOS sunt egale la fel cum sunt egale intre ele ~itensiunile drena-sursa ale celor doua tranzistoare PMOS. • In satura leo (5.~ rtoara a . Fig. 1979] este prezentata In fig...3. la dezvoltarea de circuite inte1970. a marcat ~i implementarea In grate cu sernnale mixte.0 r.5) = Uzual valorile tipice ale arnplificarii acestui tip de etaj sunt de ordinul a 40 dB. Cresterea valorii arnplificarii se poate realiza prin cresterea tensiunii Early a . Comparator CMOSsimplu cu un singur etaj de ca.!jtig eel mai simplu comparator diferential CMOS utilizeaza un singur etaj de castig cu tranzistoare arnplificatoare In conexiunea cu sursa comuna si sarcina activa de tip oglinda de curent.16. 5. format din . mod natural.o. Amplificarea etajului diferential tranzistoarele M1 . tranzistoarelor ceea ce presupune cresterea dimensiunilor tranzistoarelor. de tensiune la ie!jirea etajului de ca!jtig. . S' mnea 3 2 ") in schirnb ea reduce vitetranzistoarelor are un efect benefic (vezi ect .'-J [0 .. I 5..1. Integrarea functiilor analogiceimpreuna eu circuitele logice CMOS a impus inca de la inceput construirea de comparatoare. blocuri de interfata dintre domeniul analog si cel digital. Exemple de comparatoare PMOS pot fi gasite In [Suarez.min' (nodul 10 ig. determinata de conditia ca tranzistorul M2 sa functioneze VOUTI•min = V CM IN - . .16). conectat la iestrea etajului fie asupra valorii maxi my a tensiunii de mod comun la J~trare. . . d atie prin cresterea capacitatilor... . .

e mo poate con d uee 1· me I u derea . 'Comparator C. curentilor = V uzuale in care VoyM3. lor tehnologice VDO 5. s~n t egale ele pot forma un smgi .8 V. 1 me " gama de vanatte .' . c:. a tensiunu .1. .erinta rnentinerii poate fi limitata si de iesirea din regiunca la intrare de saturatie a In aceasta a Dac: figura este s. de mod comun fa intrare a acestui comparator ..gNMOS eu extinderr 1 . .2 V iar tensiunea maxima ::: ~TDD .4:.4 V :::: 1. din simbolurile de tranztstor kOS substratelor datorita folosite..16 §l 5. 1) P' conectarcvezr Anexa .4 V..0.8 V + 0. Comparator Out sorului conducand tranzitiile 1 si 1 ~ O.2 OSM1 2 mai rnult schema devine cea din fig. Gama de variatie a tel"lsiunii de mod comun la intra rea comparatorului.. corespunzatoare Ia iesirea oglinzii .. §i a tranzistoarelor NMOS cu tranzistoare PMOS. tensiuni de eomun.. :i Vss in gama tensrunu a _I V reo tn cazul unui cazul etaj diferential lui Voo In comparatoare. ..17. V. simpJu cu un singur etaj de cfujti. Tensiunea In regiunea maxima de saturatis de mod cornun a tranzistorului determinata de M1 este: (5. . .l .todei de modificare..4 .iei de tensiune de mod comun la mtrare .78 COMPARATOARE en fnnctionare ·continua in timp Compatatoare diferentiale o a doua Utilizand solutie de modificare a tensiunii de prag a unui inversor CUOS a celor doua tranzistoare din care este este data de dimensionarea corespunzatoare cornpus inversoruI (vezi Sectiunea 4. corespunzatoare corespunzatoare V • operarii tensiunii opti . Valoarea DD pentru includerea In gar.fmperecherea a tranzistoarelor M3 si M4 este 7il = IV Extinderea gamei fk varlatle a tensiunii t i~: [ :::: Tp compromisului oglinzii.te determinata de surna dintre tensiunea de supracomanda a portii tranzistorului Ib2 si tensiunea griJa-sursa a tranzistoarelor M1 ~i M2. conectare •.'. a tranzistoarelor M1 ~i M2 este = 1 V rezults 0 tensiune de mod cornun minim1i de mod comun la intrare de aprola intrare poate sil.la in figunle mtrare.41 0. '.18. iv16a §I• M6b.rgerata sr.7) ii de prag a prirnului comparator nrin cresterea lungimii tranzistorului .. se apropie = VTn + VovMl.. ".:: V . De asernenea.2 V + 0.\('.17 substrate: uzuaJe In care: V. VovM1. In eazul etajului de tranzistoare de mtrare NMO~ tranzistoarelor amplificatoare precum ~j minimizarii poartii·sursil. . doar In cazul procese- care permit re.a . 5..2 V.9). 0 solutie pentru includerea tensiunii uneia dintre sursele de alimentare t alizat cu tranzistoare P JS atunci substratul lor se leaga [a VOD ceea c e re es e re A. I M1 si M2 sunt-1~ctate tranzrstoare or '( . 1' < NMOS cu substrat flotant. . ensiunii poarta-sursa 'eM IN. de Ia VDD sau la Vss' .. prezentate sUbstra:ele se conecteaza a" i. M6 tensiu. tranzistor avand lungimea egal.wMtl2 de curent. 5..10S simplu eu un singur etaj de castig PMOS.. 0. suma lungimilor lor. M1. Valoarea maxima a tensiunii de mod comun la intrarea comparatoruJui ~ranzistorului .. de nod comun la mtrare 0 ..2). 5. OD Limita inferioara a tensiunii de mod cornun la intrate I VTp I + I V"vM3. tens .. ! • substratelor tranzistoarelor de intr-re la alimentare. solutii de modificare a tensiunii de prag a inversorului cupfat Ia iesirea mai mare de castig au efeete adverse asupra tirnpului la viteze de cornu tare diferite pentru de raspuns 0~ al inverFig.4 I este modulul '" .::i -elatia (5.4 V.casta solutie este .. d d comun la intr. n latimile eelor doua tranzistoar. tensiunii Out V decat de Vss. dupa cum se prezinta In ) . utiT izarea me. la sursele tranzistoarelor (asa cum rezuhfi . C~. maximizarii efectului de substrat.2).MAX I VCSM3.'iea de pragAa tranzisto~el~r posibila M~ ~I M2 ere~':.17.. solutia 0 constituie )mplementarea schemei" prin inlocuirea tranzistoarelor PMOS DD cu tranzistoare Fig.2:::: 0. orieare creste ambele etajului la 0 valoare diferential dintre solutii tensiunea de prag a inversorului nu poate decat VDn -[ Vrp I (vezi Sectiunea 4.2 V nativ 1. v·..8 V + 0.4 V. = 0. 108 . cons• titui .. 1n eonditiile ea unei oglinzi ll1sconductantei set.S:. Daca etajul dlf:rentlal de intra- rare. tensiunea 0. . in conditiile xcursie de tensiune valorile te!Jsilmilor de prag egale in modul. in la intrare sa se poata apropia mai muIt de Vss decat de V . . de mod co~un la Considerand ). .8 V. . 5. nn..' .. intrare NMOS :).1.. Daca este necesar un comparator it carui tensiune de mod co.

Tensiunea de of set.gNMOS eu extinderea garnei de tensiune de mod comun 1aintrare. tensiunea de prag creste de la V70n = 0. .19.8 V..8 YP = 0.5). intr-o prima aproximatie.. ¢Fp = 0.10) relatie in care s-a considerat ca toate tranzistoarele din oglinda de curent de polari- zare au aceeasi lungime. Pomind de la structura similara de amplificator operational este mai simplu ca al doilea eta] sa fie privit un ·etaj de castig. Se presupune ea intrarile comparatorului sunt coneetate la Voo. M4 este necesar ca tensiunile din drenele tranzistoarelor M3 si M4 sa fie cat mai apropiate ca valoare. tura de tip oglinda de curent. M4 .19. )'.MAX = Voo -1.2.. in aceste conditii tensiunea sursa-substrat a celor doua tranzistoare de intrare este: (5. circula. pentru a tensiune de alimentare de Voo .4 V.. (~2. Trebuie facu- Conectarea substratelor tranzistoarelor de intrare la alimentare are rnsa efecte negative asupra tensiunii de ofset in special prin cresterea variatiei tensiunii de ofset 'cu tensiunea de mod comun la intrare prin introducerea unor neirnperecheri suplimentare. Deoarece amplificarea primelor doua etaje de castig este suficient de mare (uzual se obtine 0 valoare de aproximativ 80 dB) este suficient un singur inversor CMOS la iesire care asigura compatibilitatea cu circuitele digitale conectate la iesirea comparatorului.2.3.3 V. iar expresia amplificarii celui de al doilea etaj de castig cu aceea din relatia (3.1). Acest al doilea etaj poate fi privit atat ca un comparator cat ~i ca un al doilea etaj de castig.54). In principal cea a factorului de substrat. ¢Pn + VS8Ml. y. Curentii prin primul ~i eel de al doilea etaj de amplificare sunt produsi de tranzistoarele Mb2 ~iMb3. (5. 5.4.8 V la VT" = 1. Tensiunea de of set a acestui tip de comparator corespunde se determina urrnand procedura descrisa In Sectiunea 3.2).6 V. Cresterea eu 1 V a tensiunii de prag relaxeaza conditia din relatia (5. In concluzie comparatorul poate opera rara probleme pentru 0 valoare a tensiunii de mod comun la intrare mai mare decat tensiunea de alimentare. ideal egale. imperecherea optima se obtine In conditiile In care toate tranzistoarele NMOS au aceeasi lungime.. Din acest motiv se poate scrie: 10M3 '" 5.!/Jp" ). Comparator CMOS simplu cu doua etaje de ca!1tig de imbunatatire a comparatorului prezentat in Sectiunea 5.8) unde (vezi Anexa 2): VT" == VTOn + y" . prin tranzistoarele M1 ~i M2 si. Schema acestui tip de comparator [Musa. o solutie 0 struc- I OM4 = I VM5 •. Expresia arnplificarii primului etaj de ca~tig este similara eu aeeea din relatia (5. ta precizarea ca tranzistoarele aeestui tip de comparator trebuie sa indeplineasca o serie de conditii pentru a nu ave a of set sistematico in absenta ofsetului aleator.::::: 0. Tinand cant de valorile tipice ale factorului de substrat.. Comparator CMOS simplu eu un singur etaj de ca~tj.2 - ~2 .8 V = Voo + 0. 1976] este prezentata in fig. WMb2 2·WMb3 .3.Vss = 5 V. (5. Fig.9) Vli2. respectiv M3 ~i M4.acelasi curent.1 V + 1.1 0 reprezinta inlocuirea inversorului conectat la iesirea primului etaj de castig cu un comparator cu un tranzistor MOS cu sarcina activa (vezi Sectiunea 4. care formeaza.7) conducand 1a 0 valoare maxima a tensiunii de mod comun la intrare de VeMEN.3 V!I2. neglijind impedantele de iesire cit: tranzistoarelor M1 . cane! tensiunea diferentiala de intrare este nula. 5. LM3 = LM4 = LM5 (vezi Sectiunea 3. si ale nivelelor Fermi. impreuna cu tranzistorul Mb1. ¢Fn = 0.80 . Pentru ca aceasta prima aproximatie sa poata fi extinsa si atunci cand tinem cont de impedantele de iesire ale tranzistoarelor M1 . Exemplu COl'\'1PARATOARE cu functionare continua in timp Comparatoare diferentiale 81 Fie un comparator cu etaj de intrare diferential NMOS. Raspunsul in frecventa la semnal mic pre cum si intarzierea comparatorului sunt tipice pentru un circuit de amplificare cu doua noduri de impedanta mare: eel de la iesirea primului etaj de castig si eel de la iesirea celui de al doilea etaj.

.ii tranzistoarele M1 si M2 lucreaza la sernnalmic..J nparator a fost simulat.la de J . In acest c~ compar~torul i~i pastreaza performantele anzrstoarele M5 ~I Mb3 functloneaza In saturate adica: .20..82 COMPARUOARE cu funcfionarc continua in timp Comparatoare diferentiale 83 dintre curentii prin . M ss eoarece .. mai Inmi ridicarea potentialului din portile '1~tl~. Variatia intarzierii S . iilea eta d 't'. Exemplu Igur eta d 'f D' "" " j un .. I~pare insa posibila Iirnirare introdusa de compatibiJitatea eu mul mversor CMOS descrisa de ecuatia (5.emn contrar. Dupa cum s-a precizat In Sectiunea 3. ~l 4 conduc putemic. e variatre a tensiuni] de supracomanda cat si d tensi d d comun..j h . nta In arziern de tensiunea de supracomanda. ~ e cas rg.2. Acest curent trebuie 'sa produca. . a tranzistorului 1. indeplinirea cat mai exacta a conitie: (~. 5.: din fig. ~iM2..lIP e comparator in functie de t nsiunea de supracomanda depi d I atat de sensul d '. I" (me. .\4 iar apoi diferenta dintre curentii prin tranzistoarele M1 ~i M2 treb lie sa reduca tensiunea de la iesirea prirnului etaj sub tensiunea de prag ai celui de al doilea etaj. 2.6).' ... din Tabelul 5.de tensiune . Tensiunea de la iesirea prim... ma ocarea tranzlstoruJui M2 tensl~nea de la resirea primuiui etaj scade pana Ia V d ~ tram:Istoarele M1 M3 .. In e purer. J e cas Ig pentru care amphficarea JD-O. Rezultatele pentru 0 1.. sensu vanatie ~:::unll e mtrare este_produsa de asimetria etajuJui de sarcina a prirnului e~i -a. Datorita variatiei mai mad de tensiune care rrebuie prod usa de un curent mic timpul de Intarziere creste considerabil.21 iar V la -1 mV ~i invers in fig. Extinderea game" t "" I enslunli de mod cornun fa lntrarc se poate acest caz prin conectar 1 li ' a a a imentare a substratelor tranzistoareJor nplu cu.. • • A • pracomanda. atata tirnp cat Vss + VovM5 :5 VDM5 :5 VDD - Iv QvMb3/. .onditia: In aceste conditii. 5.I de polarizare al primului etaj..11) de tensiune este tntotdea-ma aproximativ aceeasi. (5 12 ) . 4¥4 . care are structura de oglinda de curent.r1~istoruluiM1 avand 0 valoarea foarte apropiata de jumatate din cure. .depinde intarzierea de valoarea tensiunii de supracornanda ~i de cea » i siunii de mod comun se considera cornparatorul realizat conform sch 'n. tranzistoarelor M3 ~i 1. determi t bl .. Cu totul altfel functioneaza . Excursia . d.Tensiunea de iesire a primului etaj creste pana la intrarea in regin: de 1 unctionare liniara a tranzistorului M2. ~ Q' •• tui ti Intarzierea d la revenirea din su _ .. "{ e ensnrnea e Depende t<. . 5.22. a tranzistorului M3 si. diferenta tranzistoarele M1 ~i M2 trebuie sa ridice tensiunea de la iesirea primului etaj pana la tensiunea de praf al celui de al doilea etaj.19 ~j dimensionat conform datelor .condjti~Je din exernplele anterioare excursia de tensiune la iesirea celui de I a rarnane constants este [V + 0 4 SS " de mod comun la intrare a cornparatorului . . Valoarea cxcursiei (5.:·:. "' . " . respectiv. Aceasta limitare a tensiunii de la iesirea primului etaj de ca~tig la 0 valoare dependents de tensiunea de intrare de mod comun introduce 0 dependenta a tirnpului de revenire din supracornanda de tensiunea de mod comun. . tensiunea de intrare de mod comun fiind de 2 1y ~~e:::ultatuleste prezentat in fig.1. Daca tensiunea de supraeomanda ...11) p:esupune utilizarea unor tranzistoare elementare identice iar curentii e stabilescprin numarul de tranzistoare elementare conectate in paralel..lui etaj de c~tig "insituatia descrisa mai sus Ia punctul 2 depinde de tensiunea c'~ mod cornun asa cum s-a demonstrat In cazul comparatorului eu un singur etaj de castig. mai inHii pentru 0 variatia tensiunii de intrare de ia -1 L1V Ia +1 mY ~iinvers. . L?! 'c.. ~l In . pentru a elimina ofsetul sistematic trebuie lndeplinita supracomenzi moderate de . 5.§ 19. Acest curent trebuie sa descarce capacitatile din nodul de iesire al prirnului etaj. Acest C'.. Excursia de tensiune la ie§irea celui de al do ilea etaj de ca~tig ~ ~al ~ste supusa Ja restricriile irnpuse comparatorului simplu cu un singur etaj de acest comparator daca tensiunea de supracomanda a determinat brocarea tranzistorului M1.. La aplicarea unei variatie a tensiu 0 I:~ intrare de la -1 de '<"rL1 ! VIa +1 mV ~j invers tensiu- nea de intrare de mod c cele pentru fiind de 2 V sunt prezentate in fig.14.4 YJ. Pentru a ilustra modul ir. curentul de drena F . La revenirea din regimul de supracomanda a intrarii prin aplicarea unei tensiuni de intrare de valoare mr d:~al. 1 . doua etaje de castig este sirnilara eu cea a comparatorului simplu c. variatie de - 'IL 4 is . At".

.6 urn PMOS W = 1.20. Tn fig.Vo~vn_-1II iii' i. nu sunt egale nici chiar pentru tensiuni de intrare o -11---+-: -_) Iii i llill iii i ji Ii. L IV = 16 = 6 um M1inv M2inv Ibias 0 NMOS W = 0. . L= 6).I Iii Iii Ii 1- • o ~ . reducerea tensiunii de mod 'comun la intrare produce 0 scadere modesta a intarzierii de doar aproximativ 3%. Tip Parametri W = 60 um. Raspunsul inversorului CMOS simplu cu doua etaje pentru un salt de tensiune la intrare de la 0 valoare pozitiva moderata Ia 0 valoare negativa moderata (tensiunea de mod comun este de 2 V). L = 0.21. reducerea tensiunii de mod comun la intrare produce 0 v [V] 2- I I llu ___. intrare de la 0 valoare negativa mare la 0 valoare pozitiva rnoderata (tensiunea de mod cornun este de 2 V) .".lA urn. L = 0. L = 6 urn 2 w= 30 urn.lm Acelasi sirnulari au fost reluate pentru tensiune de mod eomun de 1 V.M4 NMOS M5 Mb1 W". Fig.: .23 sunt prezentate rezultatele pentru 0 variatie a tensiunii de intrare de +1 VIa -1 mV ~i invers pentru tensiunea de mod com un de 1 V. 5. Comparatoare diferentiale 5 -11---+-- 85 VO'JT Dimensiunile disp~zitivelor comparatorului CMOS eu doua etaje de castig din exemplu 4 Dispozitiv M1..1. L 6 urn Mb2.' 22u iii J J iii i i II iii II ill iii ill)' r iii j. Se observa ca intarzierile moderate. 5. de ±1 mY. Pentru tranzitii de la tensiuni de intrare pozitive mari catre tensiuni de intrare negative nfoderate. 8 urn. Mb3 PMOS = 6 urn V[Vj 3 M3.6 urn 10 ).2. M2 Tip PMOS NMOS PMOS W =.8 urn. Raspunsul inversorului CMOS simplu cu doua etaje pentru un salt de tensiune to.84 COMPARATOARE eu funcponare continua in timp Tabelul 5. . Parametri 100 Dispozitiv =. • 4- 3- Influenta tensiunii de mod comun asupra intarzierii este diferita pentru comutari diferite ale tensiunii de intrare: • Pentru tranzitia intre tensiuni de intrare moderate 0 scadere a tensiunii de mod comun de 1 V produce 0 reducere eu aproximativ 0 treime a fntarzierii. 5._. Rezultatele simularilor sunt rezumate in Tabelul 5. Pentru tranzitia de la tensiuni de intrare pozitive mari catre tensiuni de intrare negative moderate lntarzierea creste cu aproximativ 80% fata de cazul variatiei moderat-moderat! Fig.8 urn.j iii 20u 24U timp[s] 26u 28U Apar diferente mari si in functie de sensul tranzitiei • Pentru tranzitia de la tensiuni de intrare negative mari catre tensiuni de intrare pozitive moderate intarzierea creste cu aproximativ 30% fata de cazul variatiei moderat-moderat.:t . L urn. Pentru tranzitii de la tensiuni de intrare negative mari catre tensiuni de intrare pozitive moderate._ -l~----+---iii ~ i L j iii ii" iii i III f iii Iii' Ii 28u iii I' ii 'I 22u • 24Jl timp[s] 26jl scadere dramatics a intarzierii: aproximativ 50%.

66 2- 'J"" . 261.1 .15r'~. o drena este preluat. ° valoare -DOZ.1 221. Comparator CMOf cu etaj de ca. Ii a J f• i i J . .2. 0 solutie simpla bune nina folosit in eontinuare pentru proiecte perfor- 4- 3to 2- VOIJT' 1-1-o e 1 Ilij'fjjijli"jIIJij--r~-. Cei doi curenti sunt cornparati In nodul de iesire al primului etaj de ca~tig Ia care este coneetat primul inversor din lantul de trei inversoare can nsigura 0 arnplificare suplimentara precum §i compatibilitatea eu circuitele logice. .. {ara ell aeeea a eomparatorului CMOS sim- · __ .33 1. 2001] a carui schema este prezentata in fig. 2 ~ :: ~ om 2.._ .23. RaspunsuJ inversorului intrare de la .M5 si M7 .MS. respectiv.1 24)( timp[s] 26)( 5? -rg. . Gv[OS simplu cu doua etaje de castig pentru diferit« teusuni de supracomanda 3VOliTl Tranzitie la intrare -1 mV ~ +1 mV -7 -1 mV -1 V ~ +1 mV -7 -1 V -1 mV ~ +1 V -7 -1 mV -1 mV~+1 mV--t-1 V~-1 mV V mV Tensiune de mod romur. .acest tip de comparator ramane dar care ofera performante mante [Lin.. ° ° Cunoasterea prealabila a rnodului de variatie a tensiunii de intrare.71 0. I' f . fii 111. __ '---28)1 -1 V-7+1 mV~-1 -1 mV~+1 r' . a 0 va oare negatlva moderata (tensiunea de mod cornun este de 1 V).n salt de tensiune la p .":'" ..M6 pentru curentul de drena al trsnzistorului M2..44 201. atat a componentei diferentiale cat .64 [1lS1 1.] de intrare marita [Vazquez. I" " " 281. '" CMOS simnlu cu d j":i ' loua ctal~e entru u.. · ~. ~.- V_o~~2 ii' I f II i j .86 COMPARATOARE co functionare continua in timp Comparatoare diferentiale 87 Tabelu) 5.~ M4 .24.i . [V} Inwziere 0 ~ 1 Intarziere 1 --t 0 (lAS] 1. '. J i Printr-o proieetare ingrijit1i..'llllljlllllllll!~ om 1.L r'~' f .:.1 24)( limp [s] '1 '" 1 I -:i: ' 5. pentru curentul de drena al tranzisrorului M1 §i.tig cu excursie de tensiune de mod comun de intrare mariti! a doua solutie de imbunatatire a eomparatorului CMOS simplu cu un singur etaj de castig 0 constituie comparatorul CMOS cu un singur etaj de castig eu excursie de tensiune de mod COUU.01 1. · . ii' . '~ . Rlispunsul inversorulu] CMOS sirnplu cu doua etaje pentru un salt de tensiune fa mtrare de la valoare pozitiva mare Ia valoare negativa moderan (tenslunea de mod cornun este de 2 V).91 1.-jil]iiji'iil:'i'iijjii "1 Vour.i. pe de Etajul de intrare este format din tranzistoarele M1 ~i M2 al carer curent de 0 parte. ~i .08 1. r. .3..20 0. Arnplificarea etajelor este plu eu un singur etaj de castig. 5. ice oglinzile de curent M3 . Vovr Raspunsul comparatorulu.3.03 o _1~__. 5.5i a celei de mod eomun permite proieetantului optimizarea comparatorului. 2003].1 1T"r1 20 )( 221._2. de oglinda de curent .

Al doilea etaj de tranzistoarele la castlg este de tip diferential . ~iale de ca~tlg Alta solutie de realizarc .: chiar ~i in conditiile . la iesirea prirnului etaj are izistoarelor 0 • valo~. format curent constant de catre tranzis: unui pro._ _ iJq. de cii~tig se considerii 5. 2001J.5.-. Comparand aceste rezultate cu cele din Tabelul5..cplu cu doua etaje de casng.T. Acest comparator a fast conditii similare cu cele utilizate pentru de mod comparatorul CMOS cu un etaj de ca~tig ~i excursie de tensiuno 5. rezultatele obtinute fiind prezentate in Tabelui 5.\lOS cu poarta de aluminiu ~iPWELL.Z&$A!Utft.. egal~ eu Tensiunea modulul tensiunii Fig.armat din tranzistoarele MN1 ~i MN2 1avand a In ig.ntermediul buclei de reactie de mod comun MP " 4. nibil datorita utilizarii npn de substrat Q1 este polarizat \ttN8.. 5. .iratie atinge chiar si un factor .6 urn.25. 0. tipuri de variatn ei solutie.25..3..comun de a resi- Out rea acestui care cuprinde etaj este contro[am'.'10 tensiunii de intrare .6 um . Tranzistoarele M9 §i M10 limiteaza excursia rea etajului de tensiune tensiune descrisa in de la iesi- inv1. Schema de acestui tip de Se rernarca utilizaren solutiei de limitare a excursiei Seetiunea 4. MN4. _ . conform datelor din Tabelul 5. tJ . ~ ie castig diferentiale ([Landsburg-l. " doua etaje dife_ .8J.!.lm §i L == 0.CO.~ . 1977].T· ~..26 . Comparator CMOS cu un singur etaj de ca~tig cu excursie de tensiune de mod comun de intrare mmtA ~ilimitarea excursiei de tensiune de la ieslrea etajului de e~tig..4 se remarca 0 reducere a Intlrzierii comparatoruJui de eel putin 4 ori. Comparator cr·' 'lS cu 'cornun de intrare miirj~a. CMOS timpului de 7 pentru . 1'IMV. M~3 si ~P~..8J. 198" S 'lema acestui tip de comparator este prezentat~ ~ fi 5 .-. ~ .3.90 5.--.25 ~i dimensionat un comparator realizat fig. .lm si Q.4. ~C~o~ln~p~a~ra~t~o=a~rc~d=i~fu~r~c_n~ti_al_e______ ~ I-~~l: 91 Solutia reducerii reducerea substantiata a intiirzierii comparator este prezentata in fig. Tensiunea de mOd. [Dan. MN5 !?i MN6. 1977]. MP8. [Landsburg-Z.3.i se poate aplica ~~celorlal~ ~i~plu cu un smgur eta] te tipuri de comparatoare de ca!?tig si cornparatorul cum Sl :. eVAi_. ca sarcina act iva tranzistoarele : I:: si MP2. COMPARATOARE cu funcfionare continua in timp - Comparator CMOS simplu cu etaj de ca~tig. Etajul de iesire. tranzistoarele : . cu excursie de tensiune de mod comun rnarita ~i limitarea excursiei de tensiune excursiei de tensiune dela iesirea etajului de ca~tig con.~ oglinda de curent ~icuprinde 'r ranzistorul MP7.rul CMOS si.">: cursie de tensiune. a reduce.. ". de mod con: poarta-sursa Cl1 MP3 ~i MP4. '. 5.5.e _. duce la [Vazquez. : 1mpaiato. Etaiul de intrare . de ca~ig la valori foarte rnici in jurul tensiunii de prag a inversoruJui Limitarea excursiei de tensiune de la iesirea etajului de ca§tig conduce revenirf la reducer] foarte importante ale timpului de comparatie dintr-o supracomandii puternica la intrare.li comparator CMOS eu doua etaje de ca~tig consta 'in utilizarea a doua e . Exemplu Pentru a ilustra redueerea la iesirea schemei etajului din fntarzierii prin lil11itarea exeursiei de tensiune de conform Reducerea anumite Aceasta de . Tranzistorul npn de substrat este dispo- .. simulat in ca-: L = 0.3 la re se adauga tranzistoarele M10 de tip NMOS Cl!W:::: M9 de tip PMOS cu W = 1.

M6 NMOS M7.L = 2. pentru semnale de intrare comparabile apar diferente de panii la 30%.8 urn.24 $i dimensionat conform datelor din TabeluI5.:.M6 $1 VDD .m.3.tm W= 1. L=2. L= 6 ~~m M1inv1. Raspunsul in frecventa al acestui comparator este determinat de prezenta polului dominant de la iesirea primului etaj de castig dar si de polii secundari ai celor trei oglinzi de curent.2 W = 8 J. Curentul de drena al tranzistorului M1 este oglindit de 2 ori pana sa ajungii la nodul de iesire al primului etaj de ca§tig in limp ce curentul de drena al tranzistorului M2 este oglindit 0 singura data.:.i~tig cu cxcursie de tensiune de intrare marita din exemplu Dispozitiv M1. . intre cele doua comutari.tm.M4 Tip PMOS NMOS Paramctri Dispozitiv Tip NMOS PMOS NMOS PMOS Parametri W = 0. Comparator CMOS eu un singur etaj de ca~tlg cu excursie de tensiune de mod comun de intrare rnarita. 6 urn W = 30j.24. L. Raspunsul comparatorului CMOS eu un singur etaj de ca~tig eu excursie de tensiune mi:lrita pentru diferite tensiuni de supracomanda Tranzitie la intrare ·1 mV ~ +1 mV ~ -1 mV -1 V ~ +1 mV ~ -1 V ·1 mV~+1 -1 mV~+1 ·1 V~+1 -1 mV~+1 V~-1 mV~-1 mV~-1 V~-1 mV mV V mV Tensiune de mod comun [V] 2 2 2 Intllrziere 0 ~ 1 Ens) intarziere 1 ~ 0 [ns] 552 21 434 813 9 449 817 9 877 538 21 887 Acest comparator a fest sirnulat in conditii similare eu cele utilizate pentru comparatorul CMOS eu doua etaje de castig rezultatele obtinute fiind prezentate In Tabelul 5. Analizand rezultatele sirnularilor se observa ca influenta variatiei tensiunii ale intarzie- de mod comun 1a intrare este foarte mica producand modificari rii de eel mnlt 3%. = 6 urn Tabelul 5.tm. acesta fiind pretul platit pentru extinderea gamei de mod comun de intrare.4. fata de cazuJ cornparatorului CMOS simpJu eu un singur etaj de castig..4 . Tensiunea de la iesirea primului etaj poate varia intre Vss + Vov. L".6 j. L W= 100 urn. L = 0.4 um W = 0.8 j. conduce la cresterea lntarzierli.:. din starea 0 in starea 1 si din stare a 1 In starea 0.Msl lara a se produce 0 reducere a amplificarii. Se observa. In aceste conditii nu rnai apar restrictii suplimentare nici asupra garnei tensiunii de mod cornun a intrarii si nici asupra tensiunii de prag a primului inversor. M5.. M8 Mb1 Mb2 PMOS PMOS PMOS w= 1. eil. L .8 urn.lnl. prin conectarea la sursa pozitiva (sau sursa negative pentru cazu! NMOS) a substratelor tranzistoarelor deintrare. Din acest rnotiv apare 0 diferenta de intiirziere in functie de sensul de variatie al tensiunii de intrare. . L = 0. L = 6 J.M2 M3.6 urn 10 )lA Avantajul acestui tip de comparator consta In excursia de tensiune maritii [a iesirea primului etaj de castig.entru a i_Iustra variatia intarzierii in functie de tensiunea de supracornanda $1 de tensiunea de mod comun se considera un comparator realizat conform schemer din fig. Exemplu P. 5.lm W = 60 JJ./Vov. Prezenta a doi poli secundari suplimentari. -< . de asernenea. Extinderea suplimentara a gamei tensiunii de mod comun a intrarii pentru a include sursa negativa (sau sursa pozitiva de alimentare in cazu! utilizari] tranzistoarelor de intrare NMOS) se poate realiza.8 urn. 6 11m W = 16 um. ca ~i in cazurile anterioare.88 COMPARATOARE eu functlonare continua in limp Comparatoare diferentiale 89 J Oul Dimensiunile dispozitivclor compararorului CMOS cu un singur craj de c.2 Mtinv3 M2inv3 Ibias Fig.4 11m M2inv1. 30 urn. 6 urn W. 5.

uU'''~''''''''[U. Etajul din tranzistoarele M1. Comparator CMOS cu doua etaje de castig diferentiale.27 [Haque. . Variatia curentilor de drena ai tranzistorului M1 si ai tranzistorului M6 este preluata de tranzistorul M3 ~i transmisa. 0 variatie de curent prin tranzistorul M3 va produce 0 . EtajuI de iesire cornpus din tranzistoarele amplificator In elasa AB care asigura atiit Fig. M3 ~iM4 conduc un curent dublu fata de :. tensiunea sa de iesire este citita diferential prin intermediul repetoarelor de tensiune M5 ~i M6 si aplicata la iesirea celui de a1 doilea etaj de castig care are aceeasi configuratie cu primul cu exceptia limitatorului eu diode. la echilibru.LV. 1979] se etaje de ca~tig eu intrare diferentiala ~i iesire asimetrica. . compus limitare a excursiei limitare Irnpiedica 5. Castigul de curent continuu al acestui amplificator pentru 0 da de freoventa de semnal mie atinge 25 MHz iar timpul de comparatie tensiune de supracomanda a intrarii de 300 j. In acest mod. cu tensiunea de alimentare. M2 . 5. Componenta de mod comun va fi rejectata de eel de al doilea etaj de castig fiind arnplificata doar componenta diferentiala. 1979] are un singur etaj de castig care utilizeaza reactia pozitiva pentru cresterea amplificarii. In nodul de iesire al comparatorului curentul de drena al tranzistorului M9 este comparat cu curentul de drena al tranzistorului Mb5. 0 MI I.. ban" este de 2 j. Comparator CMOS cu doua etaje de ca~tig pseudediferentlale ~i limitarea excursiei de tensiune compune din doua de intrare. prin oglindire prin tranzistoarele M7. De asernenea. 5.27. M5 egala eu jumatate din variatie de curent prin M4 ~i M6 functio- tranzistorul M3.92 COMPARATOAREeu functionare continua in timp Comparatoare diferentiale 93 tcnsiunea de iesire sa depaseasca valoarea de ±0. 5. Alimentat 1a tensiuni ±5 V ~iconsurnand aproximativ 300 J. 5. la limita. ~~~ .. 5. Circuitul de M4.6 V. Oglinda de curent fermata din tranzistoareJe similar. 1a iesire este transferata doar variatia curentului de -drena al tranzistorului M1: Prin intermediul tranzistorului M6 0 parte din variatia .:~5 ~i M6.. ' Comparatorul prezentat In fig.~·I~!#f:_ -'~~ . M8 §i M9. asemenea.3.. Comparatoare CMOS cu reactle pozitlva moderata pentru martrea transconductantei etajuJui de intrare Comparatorul din fig.U tranzistorul . M3 si M4 dispune de un circuit de tensiunii de iesire format din diodele D1 ~i D2.variatie de curent prin tranzistorul Fig. M5 pentru variatia curentului de drena al tranzistorului: M3 si M4 au aceleasi dimensiuni iar M5 ~i M6 au aceeasi lungime dar au doar jumatate din latimea tranzistoarelor M3 si M4.3.LS Utilizareaunei bucle de mod cornun imbunatateste rejectia tensiunii de mod comun ~i. In conditiile in care toate tranzistoarele t- .curentului de drena al tranzistorului M1 este transferata tranzistorului M3. La fel . daca lipsese tranzistoarele M5 ~i M6.tA acest com" parator are un castig de curent continuu de aproximativ sie de tensiune egala. Comparator CMOS cu doua etaje de castig pseudodiferentiale ~i limitarea excursiei de tensiune. la nodul de iesire. Tensiunea de iesire a prirnului etaj va produce la intrarea celui de al doilea atat 0 cornponenta diferentiala cat ~i una de mod comun. 70 dB.7.28 [Ohri.6. asigura operarea tranzistoarelor din etajul de intrare in de saturatie conducand la cresterea castigului.MI4 are 0 structure de arnplificare suplimentara depaseste eiit ~i0 excur120 dB. Desi acest etaj de· iesire este un etaj tipic cu iesire asirnetrica.26. Diferenta de tensiuni dintre cele doua intrari este transforrnata intr-o diferenta Intre curentii de drena ai tranzistoarelor M1 ~i M2.

/). t : acestui etaj de castig este: (5.na ar tranzistoarel~8 In aceste conditii arnplificarea atinge 0 valoare de aproximativ 52 dB. va produce curentului 0 variatie de aceeasi valoare dar de sens contrar prin tranzistorul M3 ~i M6. Tranzistoarele care dubleaza transconductanta M1.. acest caz o solutie variatia me. 1. M6 de 0 0 conditiile variatie relatiilor dirnensionale descrise anterior pentru tranzistoarele M DM3 =M t.a '1 -. M3 . Comparator CMOS cu un etaj de cii~tig cu reactie pozitiva cu exploatare incompleta a variatiei de eurent. Comparator C . Diferenta dintre variatia curentngr de curent Mb6 are raIul de a creste impe\.1n M DMS M DM10 _ (MoM1 -M OM2)V 1... in nodul de iesire sunt transferate de curent prin tranzistorul atat variatia de curent prin tranzistorul M2. 11!DM4 - :: K . MDM1-MoM2) l-a etajului M3/M7 de intrare.' . 5. M6 formeaza tranzistorului ~i M8/M9. 5. ('fYlt . (610M3 -May. Raportul mai buna este prezenrata in fig.ltJ/v1lo·· -K'~'V' l.17) .. Variatia M3 este transrnisa prin oglindire in tranzistorul { 61 DM4 Scazand cea de a doua ( AT = Ul AT 61 DM1 .15) na al tranzistorului reactie pozitiva plificata M7 §i oglinda de curent M8. respectiv.j se poate scrie: (5. Ul DM3 _AI u DM4 )=(61 D"i -6r'DM2)+a. MS au aceeasi M4 ~i M8 este M4 ~iM6 este Ja~imiIor tranzistoarelor K iar eel aI iatimilor tranzistoarelor Diferenta deterrninata M3 ~i M5 si.. 5.a . M1 cit ~i Iungi- Daca comparatorul A1 Ll1 funct: A'.. M DM3 K .._.. la semnal mic~ntrare ~ I' M3 . -__.. MS ~i M10. (5.95 94 COMPARATOARE eu functionare continua in timp Comparatoare diferentiale K Qu! ~ Out ~ Fig.L. curentilor a.13) unde ro este impedanta din nodui.. di 1 <.16) ~i M10 devine: (5. \ '\ Fig.18) dintre variatia de drena ai tranzistoarelor este: = de sernnal .29 [AlIstot.. I l '!fC:"~.a \__.ompletli a variatiei e curen . (5.1 1i¥'_ U! DM2-a·MDMS '" L.1 DM4 - = 111DM7 - K . 6J DM4 = K· (61DM3 6J DM4 r (5. Tranzistoarele M7 ~iM3 si.lf)(1JE MD a curentului de drena al tranzistorului M1. .~ <ire.l~~~ etaj de castig eu reactie pozitiva.d t .1 DM4 . dublata generator prin factorii de oglindire tului de drena al tranzistorului suplirnentar 6 ill din sursa tranzistorului danta din nodul de iesire. De asemenea se pot scrie . 1982J. /'.29.._ _- .(MDMs-MDM4)' _ .'. relatiile: DM1 DM2 - in M3 . '1. respectiv.: ': . . . Amplificarea DMS - L1.14) o variatie de curent dubla prin tranzistcarele de drebucla de curenamde relatie din or:': -: relatie se obtine: (5.~ . eu explo.28. M9 la nodul de iesire. care estetnsotita M2... - M OM8 t1! DM1D = !1l OM9 K . Variatia la nivelului Ma este Rezistorul deundere~ (D..19) doar de rapoartele - dintre latimile tranzistoarelor. iii't O'f".

intarzierea lntarzierii comparatorului de castig. Au fost adaugate tranzistoarele M11 .3. . M1 ~i M2 si de capacitatea . definita de relatia (3.. Tranzistoarele rent conduce tra~zistoarelor curent ccntinuu M5 prin reducerea excursiei din nodunte de tensiune de Castigul ~i M4 ~itransferat etajului de intrare este determinat direct ~i prin intermediul oglinzii drena- lor M1 si M2... YAMS + VAM10 l+a K· Ibias/2 (5. din fig.20) Tinfind cont de (5. implicit. conform relatiei (3. In practica. Comparator CMOS cu etaj de dJ. Curentul jesire. M6 au rolul. 5.. Comparator CMOSieu un etaj de castig cu reactie pozitiva cu exploararea completa a variatiei de curent. M6. excursiei 2002] utilizeaza 5.~tig cu _____. In schema din figura sunt incluse ~i toate tranzistoarele de tranconductanta din fig. EfectuJ major aJ uti- ne.20) expresia castigului devine: Oul (5. ro este: VAMS·VAM10. Tranzistoarele iesire a etajului capacitate de drena relativ produs de etajul de intrare este preluat de tranzistoarele M3 a drenei tranzistoru- M11 ~i M12 capacitatilor au acelasi efectasupra tranzistoarelor M10 de curent M7-M8 in nodul de ~i. Totusi.. datorita cresterii ca- utilizand valori ale factorului a mai mici de 0. 2002J ~ia carui schema este prezentata rafinare a comparatorului eu tranzistoarele al capacitatii in Amplifier"). M7 si M8. de cascoda este cresterea arnplificarii de tirnp a etajului 'C'u = Col 8m ' cresterea transconductantei 5. pe de 0 parte de a creste impedanta de de castig si. de a separa nodul de iesire. In plus. pliata. doar asupra transconduc- de semnal mic. prin utilizarea de iesire si. Comparatnare diferentiale 97 Mb1 ~i Mb2 sunt egale. pacitatilor din nod uri Ie de drena ale tranzistoarelor liziirii tranzistoarelor de intrare. solutie pentru implementarea ComparatoruJ cu limitarea etajului de ca~tig 0 reprezinta etajul de aceasta de . precum ~i cresterea depinde.. creste impedanta ceea ce 1mbuniitiite~te rezolutia statica a comparatorului. dintre tranzistoarele Fig.3). 5.30 reprezinta 0 tehnica de circuit cornbinata amplificatoare de de tensiune de la iesirea etajului Transconductance din circuitele tranzistoare- Etajul de castig de tip cascoda pliata este foarte popular in realizarea ("OTA . M13 In eonexiune de cascoda impreuna polarizare Mb3 .drena a tranzistoarelor din oglinda de curent. pe de alta parte. o alta tip cascoda de c~tig.Operational transconductanta descris in [Stoppa.3.96 Daca tranzistoarele COMPARATOARE eu func\ionare continua in limp . amplificarea M11 si M12.8. Reducerea de poarta ale oglinzilor de cude M9 §i M10 limiteaza excursia de tensiune din nodul de iesire. respectiv. 5.21) Se observa ca factorul de transfer K are influenta tantei etajului de castig fara a influenta amplificarea Daca factorul de oglindire ductanta tind catre infinit. de capacitatea de mare a tranzistoarelor influenteaza la 0 usoara imbunatatire a vitezei de riispuns. M3 . Din acest motiv. amplificarii In tensiu- reactiei pozitive are ca efect atat cresterea statics.3). a carui direct raspunsul dinamic de intrare al comparatorului. Tranzistoarele cascoda. MbS. care reduce rezolutia ~s. 5. M6. de polarizare.. etajului de. ca~ti_Q:.29..reactle pozitiva ~i oglinzi de curent cascoda Comparatorul fig. cat ~itransconva avea: se proiecteaza a tinde daca catre 1 atilt amplificarea valoarea circuitul a depaseste 1 circuitului histerezis (vezi Capitolul datorita efectului Utilizarea transconductantei Deoarece constanta determina reducerea 6). Tranzistorul M11 reduce efectul Miller poarta a tranzistorului lui M5. Comparator CMOScu etaj de ca!}tig de tip cascoda pliata ~i cresterea vitezei de comparatie.9.31 [Vazquez.30.8 pentru a preveni depasirea valorii I neimperecherii M3 . fmbunata~irea performantelor' dinamice este rnoderata statice.

Dirnensiunile dispozitivelor comparr : _OJ] ~i CMOS cu etaj de castig de tip cascoda pliata dimensiona: rr ru optimizarea vitezei Dispozitiv M1. fun". .. Dispozitiv Tip . .L.. Mb7 NMOS M3. facuta precizarea -'. Acelasi simu: 'ri au fost reluate pentru tensiune de mod co- 5.e polarizare al etajului de intrare. Tabelul 5. cei doi cuai etajului cascoda de la iesire trebuie polarizati la un curent mai al etajului cascoda de iesire cu amt excursiile de tensi. diIII fig .'.31. atunci tranzistorul fenomene ceea ce conduce M2 si fiind de 1 V. casccda care_a~est etaJ} In realizarii unui compare'» amplificncr 10 Indeplinirea et nu este necesara intre ale carui mtran. la echilibru.onat conform datelor din Tabelul 5. 0 rperational mine blocarea unuia dintre tranzistca-ve de intrare. . f" .8 urn. "Pi .• 5 31 y dimens .2 mare dec~t intregul curent de po arizare al etajului de intrare.' sc h emel . Mb3/5 .tm. efectiv la formarea tranzistoarelor intr-un •• -" . curentul furnizat de generatoaredin curentul de liniar etajului ~ de curcnt si tranzistoarelor cascoda (Mb:. mai intai pentru 0 vanatia tensrunu de intrare de la -1 m V la + 1 i[tV ~invers. Parametri W = 8 urn...6.8 urn.M2 Tip PMOS NMOS PMOS PMOS PMOS NMOS Parametri W=lOOJ..8!lm.I.1 : urn. de exemplu. Cu cat este mai de polarizare une vor fi mai mici si viteza de raspuns va fi mai mare.>tigde tip cascoda pliata..7. L=. .' . L"'l' 0. M1inv3 M2inv3 Mb1. Diferenta M3 . M5 . do~r in cazul polarizare 10 . L=.... L= 6 um Mb1Q M1inv1.ari~re de polarizare 0 99 a~ etaju- Un compromis I· ascoda c cu 50% mai mari decat curentul care generatoare Excluzand curentii re tranzistoareJor Ul circula prin tranzistoarele al etajului de mtrare.. W= 8 J..98 I' COMPARATOARE cu functionare continua in timp Comparatoare dlferentiale rezonabil este de a stabili doi curenti de pol. o.1 variatie mare de tensiune In nodul dill drena M2 ~iMb9. Exemplu Pentru a ilustra variatia In. 'at . I .. de curent va circula prin in cazul unui comparator 0 Daca din punct de vedere static aceasta conditie este suficienta.' .6 )lID W == 1. La revenirea dintr-o stare de supracomanda puternica a intrarii va trece un timp considerabil pana la restabilirea circulatiei curentilor prin M4.' deoarece ace~ta ~ste un_ circui . _t ile necesacare formeaza ensturu .. Din plicate acesti curenti nu contribuie la stabilirea valorii transconductan!ei.4)lm W == 0. L~' ( W = 30 urn. rii in functie de curentul l'. L = 2. W = 0. L == 0.2 PMOS NMOS PMOS NMOS PMOS w= 15 )lm. M4 M5. Mb4 Mb2 PMOS '1 lbias . furnizat de Mb2.. M8. M8 M9 M10 '!-1? .1 Mba. Mb7/10) care participa Trebuie a evita blocarea este destinat utilizarii Fig.' ca dimensionarea este valabila 0 cur entilor de '. W= 30 )lm. L= . Mba ~i Mb9 trebuie sa fie mai mare decat jumatate .8 11m. L ::: 6 !-lID W= 24 Mb5.8 urn..!i se analizeaza rezultatele obtir. L ~ W = 60 !lm. respectiv prin M3. MS.tm. nodul din sursa acest caz se blocheaza In plus ~i toate tranzistoarele din oglinda de curent.un curen t d. PMOS Mb3.'1 . Trebuie Ie de curent facuta observatia ca.4 11m W= 1.nu apar tensium care sa detera... L i ·n M2inv1.e 3 ori mai mare decat acest etaj consu.. Mb9 NMOS ].lilre norma 1.L= 12)lm cu un curent foarte mic produs de diferenta de curent prin M1 si M2. renti de polarizare mare curentul in cazul unui etaj de c3!..citafile implicate In lui M4.8 urn.. eli se blocheaza . w= 60 ). A cest compara tor a fost . '.2.6 urn W = 1. cu totul a1tfel se prezinta lucrurile atunei cand [a intrare se aplica 0 tensiune de supracomanda suficient de mare care dezechilibreaza complet etajul de intrare blocand unul dintre tranzistoarele M1 sau M2. 5. Considerand.tm. L = 0. tensiunea i mun de 2 V. M6 M7..6. t'.:i -. Capo. ircuit Mb4/6. In concJuzie. M6 si oglinda de curent M7 ~i MS. Acelea~i se petree ~iin cazul blocarii tranzistoarelor M3. L =0. ~ pnn e~aJul cascoda realizat conform • 0 . Daca curentul generat de Mb9 nu este mai mare decat curentul generat generat de Mb2 ci rnai mare doar dedit jumatate cascoda M4 se blocheaza din curentul la 0 de Mb2. respectiv. Comparator CMOS eu etaj de ea~tig de tip cascoda pliata. W = 0. MB datorita ale tranzistoarelor sau descarcate excursiei mad de curent careapare din nodurile In nodurile trebuie de drena incarcate de intrare.na transconductantel.mai departe catre Vss. rezultatele fiir " prezentate in Tabelul de intrare de mod comun 0 tranzistorul M1 tot curentul de poiarizare al etajului de intrare va circula prin M2 ~i. 1 curentu pentru . prin Mb9.

M7/8 ~iMb8/9. -1 V ~ +1 mV ~ -1 V -1 mV ~ +1 V -4 -1 mV -1 mV~+1 mV-4-1 mV mV 2 2 2 -1 V ~ +1 mV ~ -1 V -1 mV-4+1 V~-1 Tensiune de mod comun [V] Intarziere 0-41 Ens) 40.0 40.4 .000. Ens] -1 mV~+1 mV~-1 mV V mV mV 2 2 2 36. In Tabelul 5.5 V cu Comparatorul Tabelul 5.0 41.8 3. impreuna. I Comparatorul cu etaj de castig de tip cascoda pliata este 0 solutie perfor- mensionari incorecte timpii de raspuns ai comparatorului valorile rnaxime putand cresc foarte mult.10.0 51.100 COMPARATOARE cu functionare continua in timp Comparatoare diferentia1e 101 Pentru a ilustra efectul dimensionarii eronate a acestui tip de comparator. Timpul de raspuns al acestui comparator pentru un salt de tensiune diferen- tia1a la intrare de 1. Comparator CMOS cu 4 etaje de ca~ti9 Schema unui comparator care exploateaza castigul de viteza care se poate 1999] este NMOS cu obtine prin utilizarea prezentata In fig.8 sunt prezentate rezultatele obtinute prin injumatatirea latimilor tranzistoarelor M3/4.. Prime le doua etaje de castig au 0 amplificare de aproximativ 14 iar eel de 60. manta atat in ceea ce priveste viteza de raspuns cat si in ceea ce prive~te rezolutia fi cu pana la 60% ori rnai mario static a dar necesita mare de alimentare..8 3.0 Fig. M1 _.---- -----~ --~ -~ .8. M6 si rezistorul RB. rezultand al treilea ~i eel de al patrulea au.0 205.9 242. Cornparand rezultatele din cele doua tabele se observa ca In urma unei di- Utilizarea un or etaje de tip cascoda impune restrictii si asupra valorii mi- nime a tensiunii de alimentare care trebuie sa fie suficient de mare pentru a perrnite polarizarea corecta a acestora.7 sarcina rezistiva urmate de un etaj de castig NMOS cu sarcina activa PMOS de tip oglinda de curent iar etajul de iesire are 0 srructura de amplificator sursa comuna PMOS cu sarcina activa NMOS. MS/6.~ --~----.0 4..6 36.4 3.3. un castlg de aproximativ un castig total de aproximativ 12.1 236.32. consuma 1 rnA incluzand circuitul de polarizare compus din tranzistoarele Q1. Tranzitie la intrare O~l 1~0 [ns) 51.6 -1 V-4+1 mV~-1 1 mV-4+1 mV-4-1 -1V~+1mV-7-1V -1 mV-4+1 V~-1 1 mV -4 +1 V -4 -1 mV . 4.1 127.32. 0 tensiune de alimentare mai mare precum ~i un curent mai Tabelul 5...0 3. 5. .7 40. Raspunsul comparatorului CMOS cu etajul de tip cascoda pliata 5.7. este cornpus din doua etaje de castig diferentiale Comparatorul 98.4 54. 5. dimensionat pentru optimizarea vitezei Tranzitie la intrare -1 mV ~ +1 mV ~ -1 mV .9 4.13 unui numar mare de etsje de castig [Gregorian. Raspunsul c?mparatorului CMOS cu etajul de tip cascoda pliata dimensionat incorect pentru functionarea in regim de comparator Tensiune de mod comun [V) intarziere Intarziere 0 tensiune de supracomanda de 250 I-lV este de 105 ns.7 209.5 Intarziere 1-40 [ns) 53. Comparator CMOS eu 4 etaje de castig (toate dirnensiunile sunt in microni).3 4. .

107 Rezistorul R3 are rolul de a reduce c~tigul celui de a} cascodat de tranzistoru .o----_ . Tranzistoarele MOS au la randul lor 0 serie de avantaje fata de tranzistoarele bipolare: • Impedanta de intrare de curent continuu extrern de mare.ta."" ~ Comparatorul BiCM(~' [Linder.' . Cel de al doilea etaj de castig are 0 structura de amplificator diferential cas coda cu sarcina oglinda de eurent PMOS. 5. a proceselor tehnologice BiCMOS. 1989] ntilizeaza un etaj de intrare PMOS pentru a beneficia de impedanta de intrare de curent continuu foarte mare a tranzistoarele MOS. In configuratie de repetoare pe ernitor. . ' 11 .ten~ siunea de of set cat si transcon.cf/'Ji etaj este: 'I' {~. 1996] a carui schema este pr~zentatii In fig. COMPARATOARE DIFERENTIALE BICMOS R4 Aparitia~\a sfarsitul anilor 1980.'. doilea etaj pentru a asigura Stabilitatea comparatorului in timpul ClC u Ul at autozero. Principalele • • avantaje ilk: tranzistoarelor bipolare.34 exploateaza avantajel . t .4.24. iesire prin intrarea tranzistorul: : Q9in saturatie.4. . . Tranzistorul amplificator 05 este tens~une de val~are convenabila III generate de un circuit de polarizarc care nu este figurat schema din fig. Comparator E. ...are conectat In co ector rezls 0 '--' . 5. l~ tranzis oru ."Electrostatic Discharge"). Comparator BiCMOS cu etaj de intrare PMOS avantaje- == (\. Compamtv BiCMOS cu etaj de intrare PMOS. Astfel este posibilii utilizarea fiecarui tip de dispozitiv aeolo unde calitatile sale I~i gasesc cea mai buna exploatare..102 COMPARATOARE cu Iunctionare continua in limp Comparatoare difcrcntialc 103 5.'C't<10S cu etaj de intrare bipolar ~1' ~ +~ .t I Q9 c i Etajul de iesire de tip 'epetor pe emitor este f~rm~t . d' . '.4.': • 1 . • • . 5.. Curentul de iestre se Iimiteaza la: lour. Schema prirnului etaj de castig este similara ell cea din fig. asigura cuplajul dintre etajul de intrare ~ial doilea etaj de castig.. .22j cat ~i tranzisto~r~ Generatoarele de curem tclosesc atat tranzistoare PMOS fiecare tip de tranzistor ~:ljn0 poiarizat cu 0 Comparatorul din fig. PMOS. .. practic infinita. 5. - lOlll -VcufirOO)jR4 Ilpn (5. \". a pus la dispozitia proiectantilor de circuite integrate eu semnale mixte atat tranzistoarele bipolare cat si cele NMOS OJ. 5.{4 Acest rezistor asigura limitarea curentului d. fata de cele MOS sunt: Out Tensiune de ofset de cateva ori mai mica pentru tranzistoare de dimensiuni ~icapacitati parazite comparabile si Transconductanta de eel putin 60ri mai mare pentru acelasi consum de Q12 curent.. . Castigul "'-.. Excursie de tensiune mai mare pentru conexiunea sursa comuna fata de cea a conexiunii emitor comun ~i Curent de alimentare extrern de mic pentru circuitele digitale.33.1. vss. Tranzistoarele pnp de substrat 03 si Q4. 5. _..lim Exemplele de comparatoare prezentate in continuare exploateaza Ie fiecarui dintre aceste tip uri de tranzistoare. Fig. Etajul de intrare.33. format din tranzistoarele M1 ~i M2 are 0 sarcina mixt~ fermata din diodele 01 ~i 02 ~i rezistoarele R1 ~i R2. tra-zistoarele bipolare atat in ceea ~e prtve~te .2. Acest comparator face parte dintr-un convertor analog-digital de±5 'l1 digiti cu integrare cu dubla rampa. "C'. curentul de intrare fiind deterrninat de fapt de circuitele de protectie la descarcari electrostatice (ESD ..33 [Rodgers. 5.

. Etajul de intrare. ca • A A proiectantilor ~i acest tip de tranzistor. de ieslre CMOS !ji ne limitare a excursiei de tenslu Schema g. In unctre e ens alimentare.:1 ffid taar:~~J: e ca~tig are 0 structurii de am. Comparator BiCMOS cu etaj de je~ire CMOS 5.36. d' 06 i 07 sunt polarizate prin intoarele 03. ceea ce conduce la curenn de polarizare ai intrarilo. relativ rnari. Polarizarea acestui etaj este asiguratii atM de generatorul de curent din In fig. 06 si Q7. format din tranzistoarele M7 ~i M8 cu 0 strucrura de inversor alimental in curent constant prin intermedin] tranzistorului M10. . De asemenea viteza de variatie a tensiunii de iesire depinde de sensul de variatie: • Tranzitia 0 ~ 1 are loc sub curent constant. Desi el nu are performante prea bune in ceea ce prive§te factorul {3.3.2000J este prezentat un comparator disponibil comercial sub forma discretii. 02. Comparator BiCMOS eu etaj de intrare bipolar. EI asigura ~ideplasarea de myel catre . . 5.plificator diferential eu sarcina de no ~nl d o linda de curent. avand ca diferential cu iesire diferentiala fiind format din tranzistoarele 08 ~l Q9 (. respectiv al timpului de raspuns. tipul celui prezentat in Sectiunea 4.prezentatii . . I MOS M1 M4 fiind un amEtaiul de iesire este format din tranzistoare e . . 2002].. _. . d. y . Etajul de iesire.. '.m y .0 .re a excurstiei de tensiune de. . 5. . . Acest compara or p. Acest eta] este alimentat de la "V+Dig". Pentru 0 tensiune de supracoman a. Structura de inversor alimentat in curent constant permus controlu] riguros al consumului de curent cu pretul cresterii intarzierii. 5. 5. respectiv 9 ns. LMV7219.dt iunea de 5 mV intarzierea sa tipica este de 12 ns. viteza de crestere depinzand decurentul injectat de tranzistorul M10.35 ~+Ana" ~i tensiunea negativa analogica de alimentare. 04 ~i Tranzistoarele casco a ~ as..1 aul Out Fig. mare.4.34. transconductanta sa ramane totusi superioara celei a tranzistoarelor MOS. • Tranzitia 1 ~ 0 se face prin conducria tranzistorului M8 al carui curent de drena nu este limitat de un generator de curent.' . Comparator BiCMOS cu etaj. structurii de amplificator Al doilea etaj de castig are de asemenea . Comparator BJ 'CMOS eu etaj de iesire CMOS. Majoritatea proceselor CMOS destinate circuitelor analogice pun la racteristicii amplificatoarelor CMOS. .104 VDDO-~ COMPARATOARE cu functionare ~ ~~ __ ~ continua in timp Cornparatoare diterentiale 105 VbO--+----~---- __ ~ __ __. plifieator diferential cu iesire asimetnca.4. 02 cat ~ide oglinda de curent fermata din tranzisemitoarele tranzistoarelor 01 ~I.3.de d 0 9 A si 1 1 rnA.35. este de asemenea bazata pe un etaj de intrare de tIP ~~s~oda pha:a: ".~ g La iesirea celui de al doilea etaj de castig este cuplat un inversor cu lI~lt. . 01 e y • _ V D' " . f . .4. _ III 5. realiza un tranzistor pnp lateral pornind dispozitia in procesele de la 0 CMOS de acest tip se poare structurii de tranzistor PMOS [Vittoz. A ces t etaj asigurii 0 excursie de tensrune ~ .7 V ~. fi 5..• po Desi comparatorul din fig. sarcina rezistoarele R3 ~i R4.: t oate f alimentat de la 0 tensiune cuprmsa intre 2. cu intrare $i iesire diferentialii.. are 0 structura de tip cascodii pliata fiind format din tranzistoarele 01.".. "V~A_na . 5 V can suman mire .34 a fost realizat intr-un proces BiCMOS de l urn trebuie facuta observatia 'ca aceasta structurii de comparator poate fi imp lementatii ~i in procese CMOS cu N-Well. Fig. comparatoare I ~ or CMP401!402 [Analog. termediul tranzistorului 010. 1983J.._ Etaiul de intrare este alimentat intre tensiunea pozrtiva analogies d~ au [National. .

. _"". din ~'. 'f lor 1n sensul reducerll a rnmn: io d fmizare nu conduce la perfonnar -: .lcntru cre~ erea . sensi 11 ..1 SI uat ' '.est tIP e op I ' " . pe de alta parte.~-~~-----Fig.. • ral produs de alte blocuri functIOn> nedorit care se suprapune peste serf.ntru "V+Dig") avand 0 intarziere de 33 ns pentru un salt al tensiunii de intrare de . daca semnalul lor e In rare. ont ~1 este.. ' ta cresterea aiT.·! .. id • d azul r.~!': m a In rare a . _. Perturbatia este un semnal elecl:~( ~ semnalelor produs de caraclerol .. Consi eran c . Rezistorul cuplat intre emitoarele :.UIl ~.. ... _~. de la iesirea comparatorului. . mn ~I a p • U d. are '~ d 't r"-' rrv tensiunea ~ .'. vcest etaj asigura 0 comutare rapids a semnalului de la intrarea inversorului de !~ire. -I t i <'n':-1 avaprouceo . . . torului vor function a defectur: di 'I eta: ~ . In sec~lUmle anteno~".5 rnA pentru "V+Ana". r e iesire.. sc ':. iti tii in " . ." iesire 0 reprezm. :': v." <. Zgomotul estc 0 variatie alcaloan. . ...!'.Vs-Dig") dar ate 0 intaraiere de ns pentru acelasi semnal aplicat fa intrare. . .. prczente in circuit. . t vitezei de variatie a tensiunit l':! . vrteza redusa e vanaue. . ' tele dorite."". t 1 i Din pacate aceasta soluti: .0 mV eu 0 tensiune de supracornanda de 5 mV.. In gene ." . de mtrare".<_ '. de intrare care vanaza en In l"~..on~~~tieielectrice.'TOARE CU HISTEREZIS \ Semnalul este preluat de un inversor driver..: _ ._ -d .: . ...' ratie._" I . :. d variatie lenta a tenSlUn1l de le~.. . 2 rnA . COMPfh::....\3.. x . Exista ins. Intre acest inversor ~i inverseul de iesire este introdus un etaj repetor de tensiune bipolar functionand In clasa B. \ > . :::afllcompara oru u . Comparator BiCMOS ell etaj de iesire CMOS ~ilimitare a excursiei de tensiune. Comparatorul CMP402 consuma ii putin (1. ... -rmarit 0 timizarea parametrilor comparatoan .106 COMPARATOARE cu functlonare continuli in timp 6 -----~.: _"" " erturbatiilor suprapuse peste tensiunca conduce si la amphficarea Zt. 'b'1~t"t'11' d'inamice si a timpului de compi "I '". ..36.4 rnA pentru "V+Ana". 2 rnA pentru .r • Trcbuic remarcatti difercr. pe de 0 parte Ia irenti diferiti de alimentare si.esuea compara reo Circuitele tglta e cone .ibazele tranzistoarelor bipolare ale etajuri repetor In clasa B asigura crestereo/scaderea tensiunii de intrare a etajului de iere \ pana la tensiunea de alimentare reducdnd astfel consumul static al inversorului \ " ' r.:. 5.'. omparatorul CMP401 are un consum mai ridicat (6.• . ".. t a unui comparator a unei tensiu: . Ia performante dinamice diferite..." perturbatie". Cornparatoarele CMP40 I ~i Grv1P402 desi au aceeasi schema electrica inrna difera intre ele prin parametrii dispozitivelor ceea ce conduce. .i.. t' 0 n[.

6. ~ia alta tensiune de prag.. ~l de histerezis este relativ mare. asa cum se Indica In fig. histerezisului ill functionarea unui comparator are ca efect si limitarea superioarii a timpului de comutare a iesirii comparatorului.. 0 Pentru a obtine un circuit care sa prezinte histerezis solutia comparator tara histerezis sau poate fi construita in interiorul reprezintii uti- dintre tensiunea de prag pentru tranzitia pozitiva. Acest comportament a de 0 ca includerea in simbol a histerezisului poate conduce Ia eronata a sistemului deoarece fiecare modificare ca fiind deterrninata in functionarea variatie stiirii. 6. 6.2.~. Fig. 'comportamentuI diferit al unui sistem In functie de starea sa anterioera poarta denumirea de . VThD• este mai mare decat am- p~itudinea perturbatiiIor care afecteazii. Efectul perturbatiiI. comparatorului a Daca tensiunea cornparatorul doua tensiuni de prag: una pentru tranzitia in sens crescator a tensiun ii de intrare VThU. in cazul circuitelor analogies. corespunzatoare tranzitiei I~ sens descrescator al tensiunii de intrare.1 (a).D .. Se rernarprezent in caracteristica statica a acestui tip Dupa cum se prezinta in fig.1 (b). b * Aceasta relatie este valabila In cazul unui comparator eu histerezis neinversor. cornparabila eu tensiunile de pr. . Daca reactia pozitiva este incorporata intern in comparator se obtine un comparator cu histerezls intrinsec. BucIa de reactie pozitiva poate fi adaugata unui cornparatorului.2.Vn. Reactia pozitiva deterrnina 0 eomutare rapids a iesirii comparatorului chiar ~i in conditiile aplicarii la intrarea comparatoruIui a unei tensiuni lent sau foarte lent variabila. Ja tensiunea de referinta se adauga si valoarea tensiunii de histerezis. ComparatoareIe eu bucla de reactie pozitiva se mai numesc si comparatoare cu histerezls extrinsec. atata timp cat tensiunea sernnalului de intrare are vaIorLapropiate de tensiunea de referinta prezenta perturbatiilor conduce Ia comutari multiple 0 Simbolul unui comparator de comparator.or asu~ra. in acest caz. Introducerea tensiunea de prag pentru tranzitia negativa. lizarea reactiei pozitive dominante. Solutia acestei probleme consta in introducerea dintre cele doua tensiuni de prag.1. iesirea va avea 0 singura ~o~u_t~re fa trecerea tensiunii de intrare prin cele doua tensiuni de prag.comuUjrii unui comparator: a) tara hisrerezis . Simbolul unui comparator cu histerezis. Daca diferenta VTl1U. 6. respectiv este denumit si trigger Schmitt. VThU si VThD. In cazul unui compa- rator eu histerczis inversor trnsiunca de histerezis devine VHis = Vn. Diferenta ale iesirii comparatorului functionare ("chatter").histe~ezis. 6.108 COi'l'fPARATOARE cu functionare continua In timp Comparatoare eu histerezis 109 cu histerezis este prezentat in fig.~I ) eu histerezis.u . semnalul de intrare. Dad la intrarea comparatorului Ise'apJicii un salt rapid de tensiune de arnplitudine mare care depaseste viteza bucIei de reactie pozitiva atunci viteza de cornutare a iesirii comparatorului va f deterrninata de viteza de comutare a tensiunii de intrare. VThD. ie~ir~i comparatorului va fi interpretata semnificativa a tensiunii de intrare. Histerezisul are 'ins a ca efect 0 reducere a preciziei cu care se face cornearatia pentru ca. mai mica decat prima. poarta numele de tensiune de histerezis" : (6. In+ Out In- (b) Fig.

L s.3. din 1 in O.. este: ~V -V His ThD - V'Ii. Daca iesirea comparatorului este 'in starea 1 tensiunea de la intrarea ieinversoare a comparatorului de bw. pentru comutarea iesirii din 01'n 1. " i" ... tensiunea de referinta ele potti comparatoare neinversoare eu iisterezis (fig. datorita reactiei pozitive ie. 6. torsat procesul de crestere a tenslUllll d.ensiunilor pot fi diferite in functie de aplicat fig.o-VOL In cazul comparatoarelor de tensiune histerezisul extrinsec se introduce In- chizand 0 bucla de reactie pozitiva se realizeaza prin intennediul unui divizor de tensiune care transfera 0 parte din tensiunea de la iesirea comparatorului la intrarea neinversoare a comparatorului.( iesire... Iesirea comparatorului ajunge cu 0 viteza limitata practic doar ~e caract~r. de iesire precum si cele ale tensiunilor de Comparatorul neinversor cuhisterezis din fig.. ..(vOH i -V 01. . 't acestui tip de comparator este prezentata Caracteristiea de tran.a cste: (6. .1 estc . In functie de boma pe care se aplica tensiunea de intrare si. 6.: .j careia Ii este destinat comparatr t4Wb Q!iL . De indata ce tensiunea de intrare creste peste V1n+. 6. ) (6.. Tensiunea VI..~.. .~. unui comparator inversor cu histeeezis este pre- zentata In fig.-~- .3 a) si comparatcarc inversoare eu histerezis (fig.4. In acest caz tensiuun d e v:OL' • " Ilea de intrare trebuie sa coboare L 0 valoare sub "/11+.'rea comparatorului va eomut~ din 0 m 1 practic eu viteza maxima a comparatoru'....l este tensrunea. Arata timp cat tensiunea de intrare aplicata la intrarea neinversoare a comaratorului de baza ramane mai mica decat aceasta tensiune iesirea comparatorului Imane in starea 1. Cand iesirea comparatorclui este In starea 0 la intrarea neinversoare " 6. ThD. Tensiunea de histerezis.. F:/ + RF V 01. a am 'f .R R/ R P + . 6.~ tul cresteru tenstuntt e le~lre. Din . t (a) iar tensiunea de histerezis este (6. 6. COMPARATOA~r: CU HISTEREZIS EXTRINSEC comparatorului de baza se regaseste tensiunea: _ V/n+." d .1.i.'. s .. estui comparator este egala cu R/ + RF• e:._ eomparatorului in starea O.er.3 b). Schemele unor comparatoare eu histerezis bazate pe acest principiu de realizare sunt prezentate In fig.+V Rf+"f .3 a are tensiunile de prag: VThU .stica de comutare a comparatorului de baza la tensiunea VOL corespunzatoare staru 0. .no COMPARATOARE cu Iunctionare contlnua in timp Comparatoare eu histerezis 111 In sectiunile urmatoare se vor prezenta ~i analiza mai intai comparatoare cu histerezis extrinsec ~iapoi solutiile de realizare a comparatoarelor cu histerezis intrinsec.h tensiunea e la iesirea comparatoruJui lncepe sa coboare ceea ce reduce tensiunea de la intrasa 'neinversoare a comparatorului de baza accelerand procesul de comutare.3. . .61 (b) Fig.!!.. In deducerea acesei expresii s-a considerat ca impedanta de intrare a comparatorului de baza este rfinita. 6. 6.3\ este tensiunea de la ir:' .4 ) Caracteristica de transer prag pot avea semne diferite..I.~lunea e pr .' .rare.a. "ThU.3 b. Cornparatoare eu histerezis: (a) neinversor si (b) inversor. 'J'. d ag V pentru cornutarea iestn: acest motiv tensiunea V1n+.4. ..2) mde VOH este tensiunea de la iesirea comparatorului in starea 1.0 pentru a deterrmna . 6. Tensiunilor ue m. Viie! . Pentru a fixa ideile in eontinuare se va descrie functionarea eomparatorului lin fig. respectiv. R<f R/+Rp RF VThU (6.me~pu . $i In acest caz semr Impedanta de intrare a .

Tensiunea de la iesirea comparatorului a comparatoruiui. Solutia pentru aceasta problema 0 reprezinta utilizarea unor referinte de tensiune la care se conecteaza reteaua de reactie pozitivii In functie de stare a logica de la iesirea eomparatorului [Pallas. 6.. Atunci cand tensiunea de intrare depaseste tensiunea de referinta. Poarta tranzistorului N1. Gregorian.6 iar forrnele de unda care apar In functionarea sa In fig. iesirea comparatorului Incepe sa comute din Lin O.6. 0 ~i 1. Tensiunea de referinta este prod usa de divizorul rezistiv R8. 6.J.1. Polarizarea este asigurata de rezistorul R3 si dioda MOS N4. Comparator eu histerezisextrinsee ~ivaloare redusa a tensiunii de histerezis. respectiv. VOH.5. . Un raport mare intre valorile rezistoarelor este insa dificil de obtinut intr-un circuit integrat. l. 6. Acest comparator este destinat transformarf unui semnal de intrare de amplitudine ~i frecventa variabile intr-un sernnal dreptunghiular care sa pastreze doar informatia de frecventa datil... VOL si. Comparator cu histerezis dinamic 6. Comparator cu histerezis redus Obtinerea unei valori red use a tensiunii de histerezis In eazul unui comparator eu reactie pozitiva externa impune realizarea unui raport mare intre valoare rezistorului RF ~i cea a rezistorului R.. 6. Schema unui comparator inversor cu histerezis extrinsee dinamic este prezentata In fig. R9 si este conectata la intrarea neinversoare tranzistorului N2..1. (a) (b) neinversoare prin intermedin] retelei rezistive R4 .. Comparator inversor eu histerezis extrinsec dinarnic. ~e~~ . 1999]. R? care reduce variatia tensiu- Fig. 0 solutie la aceasta problema [Callahan.2. poarta este aplicata la intrarea o alta solutie pentru cresterea vitezei de comutare si prevenirea comutarilor multiple in eazul unci variatii lente a semnalului de intrare 0 reprezinta util izarea histerezisul dinamic [Axenenko.112 VOu! CO!lIPARATOARE cu functionarc continua in timp Comparatoare eu histerezis Out VOlll VOLI----. 1979] este prezentata In fig. Tensiunea de histerezis obtinuta astfel este de aproxirnativ 100 mY. de cornutarile semnalului digital de la iesirea comparatorului. nii de referinta fata de cazul ~tilizarii unui singur rezistor de reactie.5. Caracteristica de transfer a unui comparator eu histerezis: (a) neinversor ~j (b) inversor. este polarizata prin intermediul unui divizor rezistiv. 6.7. Datorita acestui euplaj tensiunea de h Fig._ __ V" VThU '------------VThD V" Fig. R1 ~i R2. Variatiile valorilor tensiunilor VOL si VOH• condue la variatii ale tensiunilor deprag. Intrarea neinversoare a cornparatorului de baza este cuplata capacitiv cu iesirea... 6.1. care reprezinta intrarea inversoare a comparatorului. 1999]. 6. Aceasta aplicatie perrnite derivarea tensiunii de referinta a comparatorului direct din tensiunea de alimentare. ceea ce perrnire euplarea capacitiva a sernnalului de intrare cu ajutorul unui condensator extern. Se observa ca atilt tensiunile de prag cat si tensiunea de histerezis depind de valorile tensiunilor de la iesirea comparatorului corespunzatoare celor doua stari logice.4."fF . 1999.

~.tema. sau 1 [Baker. nu modifica performanrele statice ale .. .r 114 COMPARATOARE eu functionare continua in limp Comparatoare eu histerezls llS CU HISTEREZIS in functionarea 6. integrate circuite digita' : se analizeaza doar triggerele Schmitt a sernnalelor unii de intrare a comparatorului comutarc.n (.~Jmp ~n afara de accelerarea In III Trigger Schr'iitt 'nverser cu reactlepoztttva interna acestui tip .1. 'in doua comutari] histerezisul dinamic creeaza un interval tensi- Schema functionarea care tcnsiunea de prag a comparatorului se modi fica. In aceasta stare tranzistoarele M4 si MS sun: .: dinamie /i:» ca iesirea se afla in starea 1.zisntrinsec i aceasta ~itensiune de referinta interns d: pozitiva.7 se analizeaza tensiunile care apar la borr. Pentru a anal in trigger !en. Formele de unda corespunzatoare functionarii comparatorului inversor cu : . Deoarece CMOS . fiind egala eu VDD iar tensic .ete tranzistoarelor PMOS M4 si . 6. Daca iesirea se afla in starea 1 tranzistorul \/2 este in starea 0 tranzistorul M . COMPARATOHRE INTRINSEC . Constanta de timp R~ _dete~ma lungimea mtervalului de timp in care semnalele de intrare de valo mica sunt HrtlOrate D x _.7..::. _..compa.: t. Daca iesirea f' ': . are.' i0rtiunea .gger este prezentata In fig. tensiunea inferioara a triggerului de . adesea utilizeaza Se prezinta In majorita denumit logice prin ~(h. Astfel sensibilitatea comparatorului se modifies tern nind comut. -. pag. ::rinta lnterna Comparatoarele cu va din portile cazurilor tensiunea r s~c."" Tranzistoarele NMOS M1 si M2 conduc deter-nimind ca starea iesirii sa fie .:i ''.9 este prezent: sa fiind egala cu care este utilizsta ..ra~orul~i de baza un salt negativ de tensiune care se adauga tenslUnea dlferen!rala de mtrare conduciind la accelcrarca comutarii.. . in fig. Pentru inceput se cO-:.::':uitelor digitale actuale CMOS.'a sa va fi impartita .2. de reactie pozitiva dominanta interna. ~je intrare in starea 0.te blocat iar analiza se va concentra asu»a tranzistoarelor NMOS M1 ~ \1.~ din 0 in 1. In se»cu bucle cu hister :'~. 355-361]. de baza determinand doua tipuri :. gul de comparatle se modlficc: dear pentru intervalul de timp "Ill C " • are se.. Modificarea acestui unu de pra~ s: ~ace in sensul cresrerii temporare a tensiunii de intrare care a produs comutarea iesirn..ar~Je m~ltlple..lf'"ar~a unei bucle de reactie de histere-i.paratoruIUl car~ are acel~i ~rag independent de starea iesiri: comparatorului. datorate zgomotului sau perturbatiilor. La comutarea vers~are inversa. . intrarea neinversoare incepe acest motiv un comparator rnajoritatec de prag.2.: o V.l1i ie. Se vor analiza mai intii solutii de compareinterna ~i apoi comparatoare 6. 6..:.... o . tiunile urmatoare se prezinta cateva solutii constructive toare cu histerezis zis intern ~itensiune cu tensiune de referintc de referinta e. onduce iar tranzistorul M3 este blocat si. comparatoe tensiune de ~J histerezis intrinsec ~i .!?ip:in i:'.i:.~rczis extrinsec dinarnic. conduce ~i tranzistorul conectand conductie iesirea . este relativ mare fata de tensiunea categorie este Fig. '. L: trigge: I sa scada ceea ce conduce fa cresterca accelerarea in rnodul a tensiprocesului de Schmitt.. pentru a determina tensiunea de pi .. tensiunea 6.8. 1997. neinla conditionare de intrare din circuitele a . mcarca sau se descarca condensatorul C.. aca aceasta constanta de tirnp are valori prea mari ea va limita frecventa maxima Utilj~rea Ia care poate funqiona histerezisului comparatorul. Histerezisul cIuderea poate fi introdus unui comparator de comparatoare unei bucJe de reactie pozitiva in schema interna a comparatorului. porar preve- parti in functie ce starea in care se afla iesirea. de . condensatorul C aplica la trigger foarte des utilizate in circuitele intrarea cu semnale mixte sau ca circuite d·: digitale.

. Fenomenul continua pana la blocarea completa a tranzistorului M3. ~ M1 ThO" v7.9. tranzistoarele M1 ~i M2 sunt blocate iar tranzistorul M3 0 este deschis.. o pag.j ('W/L)M3 =(~ 3-0. Sursa tranzistorului M3 se afla la tensiune Vx = VDD - VTp' Atat timp cat . Vrho.7) si (6.11 ) = 0 V.116 COMPARATOARE eu functionare continua 'in timp Comparatoarc ell histcrczis 117 in mornentul in care incepe sa conduce tranzistorul M2 prin indeplinirea conditiei din relatia (6.M2 - Tn.91) \2 :::0. )2 = J. Trigger Schmitt inversor cu reactie pozitiva interna. (W / L)M3 .l" . Deoarece tranzistoru(tvt2 are rol de comutator este necesar ca dimens.7) curentii prin tranzistoarele M1 ~i M3 sunt egali: J.\'TIl.". 6.9) tranzistoarele NMOS: _\W/Lh.96 . Cox a. Daca Vin (6.8) Sf v:Tn.. se obtine conditia dimensionala pentru De indata ce tranzistorul M2 incepe sa conduca tensiunea de la iesirea comparatorului 'incepe sa scada conducand la blocarea treptata a tranzistorului M3. Fig. Exemplu Sa se proiecteze un trigger Schmitt inversor cu reactie pozitiva interna alimentat de la 0 tensiune de 5 V cu tensiunile de prag VThU = 3 V ~i VThD = 2 V intr-un proces CMOS de 0.VTpDupa ce tensiunea Vln creste peste VTn tranzistorul M1 in cepe sa conduca iar tensiunea Vx incepe sa scada. (6. .358].6 urn pentru care tensiunile de prag sunt Vrn =0. Tensiunea de prag VthD se atinge atunci cand incepe sa conduce tranzistorul M2: (6:7) -0.91 V ~i VTp Rezolvand ecuatia =:0 tensiunea de intrare rarndne mai mica decat VTn tensiunea Vx ramane la VDD .{W /L)M3) In determinarea expresiei tensiunii de prag. regula ernpirica de di~ensionare a tranzistorului M3 cste [Baker. (V _ 2 .8. i .v: Rezolvand sistemtil de ecuatii format din relatiile (6.S) Deoarece sursele iranzistoarelor ~2 si M3 sunt conectate impreuna efe~tul de substrat afecteaza In mod egal tensiunile de prag ale celor doua tranzistoare. pentru comutarea iesirii din 1 in O. n» Procedand similar pentru cazul comutarii tensiunii de iesire din 0 in 1 se obtine relatia: (6.M3· obtine: Fig.unea sa sa fie mai mare decal ceaa tranzistoarelot M1 ~iM3. Coxn (W/l) . 6.l" .. 19/.9) Se observa faptul ca-tensiunea de prag nu depinde de dimensiunile ~ranzistorului M2. (6.(W/L)M2 ~ 5· MAX((W / Lh. .M3 r (6. Blocarea tranzistorului M3 conduce la reducerea tensiunii Vx care deschide $i mai mult tranzistorul M2 reducand si mai mult tensiunea de iesire si determinand aclansarea reactiei pozitive.94 V. Schema subcircuitului utilizat pentru determinarea tensiunii de prag pentru comutarea iesirii din 1 In O. (VDD 2 - Vx .

Dupa ce tensiunea care : '((. Cll carac- inv. Alt aspect deosebit re poatc atingc unea de intrare. 6.a1eg~ pentru lungimea 3 on mai mare decat este reprezentat Trcbuic de consumul de curent cade icside tcnsi.11.: 12!-lm ~i LM6 Respectand WM2 '" RezultateJe fig.:OS utilizat in calitate de comparator. .10. Tranzistorul M6 va teristicile pc de 0 Ca ~iln cazul inversorui. Inversor eu reacns pozitivl! inrerna.itt [Baker. latime de 4 urn iar M5 de 12!-lm.. putin mai mari sau putin rnai m. tranzistorul M2 inc rpe sa se bJocheze M1 incepe sa Deoarece in stare a 0 tranzistorul M6 se afla in conductie atat de M2 cat si de de iesire incepe comutarea sa iar M5 este blocat.. triggerului Schmitt parte de parametrii tip de trigger diferential Ct. Histerezisul 4- intrarea comparatorului demultiplicat cu castigul etajelor care 11 preced. Caracteristica de transfer static a triggeruJul" Schmin .moale" valoare de 2 urn (de Tranzistoru] corect tensiunea tensiuni 5-2-0. 1997. in a I i ) • i . . ~ ea ImenSlUni e: 20 urn.1 I j ii' 2 iI lilll'jli'" 'iJlllj""iili~ Acest trigger functioneaza 3 astfel: presupunand ca iesirea este in 0 iar tenside iniar tranzistorul unea deintrare 5 incepe sa creasc. de important 1a J5P j.I. 5- cure: .ie de la 0 V. Curentul Fig..r. avand ~tin lantul de castig va asigura de viteza de variatie a semnalului fel valori foarte mici. 'I .tut de alimcntare WM3 ==4!-lm = 1..ula prin M1 este furnizat tensiunea de intn. simularii Spice a triggerului proiectat cooditia . de 3 ori mai mari pentru a compensa mobllltatll golunlor fata de cea a electroniJor. TranzistoareIe PMOS se dimensivaloare mai mica a puna rcmarcat Gil. de tensiunea zarea acestui iutr-un comparator d'.10.95 urn.ge "ajutand" 'mzistorul creasca. 2- !II T.t pornind iesirea rams.cu. 119 0 analiza la care comude prag si din ecuatia PMOS: (6. LM2 = 2 um. dqi al triggerului tcnsiunca depindc one~~ . Una dintre principalele tui trigger este acela de a inlocui ::r. Tranzistorul M3 va avea avea WM6. fig..curele care sunt afectati redusa de procesul si.~ alimentare.. pe masurli ce tensiunea V'nM 4 trare creste conduca. Aceasta dependents astfel sunt prezentate in la aplica11( de precizie performant. Ciind tensiunea ta incepe tensiunea de prag a tranzistorului M1 ~i producand M5 acesrapida a sa conduca . si LM3 == 1.97 triggeruM1 va 0 mai atenta indica faptul cil.i\ 1Ulse .. rso reactie pozitiva interna depind putemic..ci decat cele dorite... de fabricatie utililimiteaza :r:mzistoarele M2 ~I' M4 vor av di .90 urn.361-362] din circuiielc integrate logice des IntaInit in realizaeste prezentata in care foloseste trei in- Schema 1 - ' rea etajelor de intrare CMOS a1" I· iii I .' tranzis. 6. M6. e atat schema de principiu t verso are CMOS cilt ~ischema la nrvel de tranzistoare.rigger Schmitt reatlzat din inversoare CMOS unui trigger Sch. Iatimi. ': :: crescut suficient de iesir ~"ir.11) se obtine conditia dimensionalii Se observe (W/L~6 P~ntru a reduce influenta aproximanv avea 0 (WjL1s _( 2 )2 ==0. Prezenta triggerului za 3Vou<[V] de comutare suficient de mare independent intrare.118 COMPARATOARE cu functionllre continua in timp pentru tranzistoarele Comparatoarc ell histerezis ca tensiunile de prato difera putin de valorile a detenninat dorite. pe de alta parte. ".'. i II figura sunt prezentz . proiectarea in cepe sa se modifice tarea . sau ca bloc functional utilizari ale acesva apare la insa 0 vitede din lantul de inversoare triggerului . WM4:: 60 urn ~iLM4'" 2 urn.94 tensiunea de iesire dar nu a Iuat 'in considerare M3 ~i M6 care deterrnina a tranzistoarelor variatiilor de proces asupra parametrilor canaluluitranzistoarelor lungimea minima). . re ram ant: constanta.u! dintre inversoareJe de iesire al unui comparator difcrentisl CMOS. 6.

CMO'S in functie de tensiunea de alimentare- . Utilizarea in schema simbolica a inversoarelor poate fi derutantli.1.. ... L== 211m F 6 13 Dependenta curentu IUI ..~~-. Daca tensiunea de intrare ia valori cup rinse in in- -jVrA triggerul va consuma un curent important. mversoare -"".120 COMPARATOARE eu functionare continua in timp Comparatoare eu histerezis 5- .. 6. 6. IVDD [~AI Tabelul 6. Curentul de alimentare al acestui trigger variaza 'in functie de tensiunea de intrare (vezi fig.' . . L=2 V'nM urn M2.L=2I1ffi W:-.. Li 1. Fig._.. ..i iii Iii 2 Iii' .' gerului Schmitt realizat Pi . Acest comparator va avea un consum nul doardaca tensiunea de intrare este mai mica decat este mai mare dec at VDD tervalul Vrn.13). in practica tranzistoarele M5 §i o~ I "1"""·.. .. VDO . - _ .M3 11\ o iii' I iii' 1.12 prezinta caracteristica sa de transfer obtinuta prin simulare Spice. 3 II I I . L == 2 urn Dispozitiv M5 M6 Tip NMOS PMOS Parametri W= 1 urn. . Acelasi motiv sm si la baza unei sensibilitati mal ridicate a tensiunilor de prag la variatiile parametrilor tranzistoarelor. I..1.·ITI - I I.. 6. --~--...t ' . Se observa ca acest trigger consume panli la 400 !LA! <III ... .12. M4 W= 311m. 6.: 12 um. Calculul analitic al tensiunilor de prag al acestui inversor este relativ complicat deoarece aceste tensiuni sunt influentate de parametrii tuturor celor 6 tranzistoare. Dimensiunile dispozitivelor triggerului Schmitt realizat eu inversoare CMOS Dispozitiv M1.. Caraeteristica de transfer static a mg g cu inversoare CMOS.'1' 1 iii i I III 2 3 4 5 Tip NMOS PMOS Parametri W==4I1m. .~. de alimentare a triggerului Schmitt realizat cu t "" t:" ... Comutarea din 1 in 0 are lac atunci cand scaderea tensiunii de iesire 1- determine inceputul intrari'i 'in conductie a tranzistorul M6.-~.~--------~====~ \ 121 Out 4- 3- VOUI [VI 2- Fig. . Trigger Schmitt realizat din inversoare CMOS. . . Exemplu Se considera triggerul Schmitt ale carui tranzistoare au dimensiunile din Tabelul 6. . iesirii in 1... 400 Vrn sau 300 -jVrpl. 19. I 4 5 I' '1 V'n[V] M6 au rapoarte dimensionale relativ mici fata de celelalte tranzistoare formand un inversor "slab" ("weak inverter") o observatie foarte importanta priveste consumul acestui tip de trigger.0 i i .11.

122 COMPARATOARE eu functionare continua in timp 123 Comparatoare ell histerez. Comparatorul functioneaza astfel: atunci cand tensiunea Vln este mai mica decat VHf! tranzistorul 0108 conduce tot curentul fumizat de generatorul de curent 11. e intrare utilizeaza 0 pere h dif . Cn urmare tranzistorul 0110 este saturat blodnd ferm tranzistorul 0103 iar cu~enlu! 13 satureaza etajul de iesire cu coleetorul vcc~------------r---------------------------11 1 .. .~ '~ t '1 zentate in sectiunile anterioare au anbeie tensiuni de prag diferite de tensiunea de referinta aplicaHi la intrare. de ti .u~ ~~:~::i:i::~~~i~:i~i:~~ementare ~e~tecurentul prin 046 vor in cepe sa conduce tranzistoarele Q49 ~i045 reducand curentul prin 060 si 046 ceca ce conduce la aclansarea reactiei pozitive care detenninii eomutarea rapida a starii (')l11iXratorului. torita caracterului dominant al ti .I i . 1984.15 [Bodea.:onduce la cresterea curentului prin tranzistorut 027 nu va avea efeet pana cand curentul de colector al tranzistorului 027 nu 6. c n e tip oghnda de curent eu diodele 049 .reacti~ p~zidin care face parte comparatorul. Bucla de reactie pozitiva e forrneaza stru tu . 060 f) ~l . Cand CJrentLilde colector al tranzistorului 027 depa- . blocata. 0 solutie de implernenI.~ In sectiunile urmatoare se vor reze . 1973] Etajul d' . Prin bloc area tranzistorului 0103. histerezisului intrinsec grupatc i~ funct~e de ~. Comparator bipolar cu histerezis simetri IC. ~I. Tensiunea de histerezis a a'~'estuicomparator depinde de factorul de transfer al celor doua oglinzi de curent !"er':r l ~ide transconductanta tranzistoarelor de mtrare. la randul sau._ ste ormata dill tranzistoarele 045 ~i 046 care .. Un conpara~or care are una dintre tensiunile de prag egala cu tensiunea de referinta iar cealalta este rnodificata prin introducerea histerezisului este prezentata in fig. \. Comparuror 'iipolar eu histerezis asimetric.. I In gol format din 01 02 ~i 0101. Comparatoarele pre- . 6. 060.2. Dareac rei pozitrve doar una di tId curent va conduce Ia un moment d. 6. Comparator bipolar eli Il(sterezis asimetric.<lZU UOUI compar t bi I fig. La eomutarea invel's:l eil'euitul functioneaza sirn i\ar. a or IpO ar este prezentata In . . III re ce e oua oglinzi de v' ".' . ' tare a reactie pozitive inteme ~I'" ca I' etrtc. In care este realizat circuitul inl:~c:~:ln:are bipolare depaseste curentul prin 046. tranzistorul 0107 fiind blocat. .. » OUT+ OUT- Fig. 6. respectrv. 371-375). Modul de .'.2.is Presupunand ca nanzistoarel e Q('O ~i 046 sunt 'in conduetie.15. a • Com_paratoare diferentiale cu nlsterezls intrinsec Comparator bipolar ell histerezis slmetrt . Fig. pag. tranzistoare pnp si are ca sarci _ d _. coneetate ca diode. oglinda de curent 01 04-0105 este. modificarea tensiunii diferentiale de intrare eare .14 [Holt.6.tiva depinde de dispozitivele disponibite at buclei de . e e iferentiala de na oua tranztstoare npn 049 .14.t. t . Com!>aratoare diferentlale cu histerezis intrinsec r d Co~para~~arete diferentiale eu histerezis intrinsec apeleaza ~i ele la 0 bu e a e reactie pozitiva dorninanta.

ca oglinda a (6. Schema acestui comparator se similara cu cea a comparatorului factor a. 2004].-( l+a ) -A-: . h 15. de intrare este puternic Curentii II ~i[3 sunt: V1N+ < VIN_. Atunci cand curentii prin blocarea tranzistoare Out 10 mV in seriecu tensiunea de intrare. Comparator CMOS cu histerezis sirnetric.7.. GeneratoruI la scaderea . in starea 1. supraunitar Pentru a analiza Daca tensiunea din Sectjunea functionarea diferentiala 5. Diferenta acestui comparator consta 'in utilizarea unui se rescrie: care conduce la aparitia histerezisului.16) M5 il poate furniza . Atat timp cat iesirea se afla.51.13) (6.16..15) M1 §i M3.3..A extras de 0105 provoaca 0 cadere de tensiune de aproximativ 10 mV pe rezistorul R13.16 [Gregorian. Daca de intrare incepe sa creasca si VIN. La comutarea inversa circuitul functioneaza similar. folosind simetric. Curentii de drena ai tranzistoarelar in drena tranzistorului M4 si M6 sunt nuli. se presupune negativa. 1999. Cresterea in continuare a tensiunii de intrare nu mai rnodifica stare a cornparatorului. 6. 6. In momentul Q108. pentru a se produce nea de intrare sa caboare tranzistorul nu mai extrage curent comutarea starii comparatarului cu 10m V sub tensiunea se blocheze se blocheaza tranzistorului de prag. . prin iar curentul Iz este: tranzistorul tranzistoarele Tranzistorul eu ' M2 este blocat iar curentul de polarizare M5 "incearca" tensiunea sa injecteze [bias 1=1 I 3 =_. Din trebuie ca tensiuin care care de de acest motiv. 0 schema des notatia: (W /L).tranpreluand 0 zistorul M2 in cepe sa se deschida care tranzistorul fractiune tot mai mare din curentul pe I..14) de curent MbI-Mb2 are factor de transfer unitar. se apropie de VfN. Ibias=I[+I2=I3+Is= cornperateare dlfererrtlale cu histerezis intrinsec care. M2 un curent ega} ... la randul sau extrage un curent din nodu! de la emitorul tranzistorului 0108 conducand la accelerarea blocarii tranzistorului 0108. [bias._- [bias circula In totalitate (l+a) (6.124 Prin cresterea tor al in care tensiunea chiderea tensiunii COMPARATOARE cu functionare continua in timp de coleemomentul des- Comparatoare cuhisterezis 125 de intrare Vln catre tensiunea tranzistorului 0108 tranzistorului seade iar eel al tranzistorului VRe! curentul 01 07 creste. Deschiderea tranzistorului 0103 are ca efect injectarea unui curent in oglinda 0104-0105 care. conductia tranzistorului 0103 deterrnina blocarea etajului de iesire. din emitorul ~iM6. comparatorul generator de tensiune de aproximativ va avea aparent un Fig. starea opusa 1 M3 si M5 si intrarea in conductie a tranzistoarelor M4 or 'f Y Q 103 incepe sa ~i oglinda 0104-0105 aparent tensiunii starii comparatorului. . In de intrare ajunge egala cu tensiunea de referinta se produce 0103.I (W/L)M3) (6.3) (W/L'1s (W/L'13 3 =(1+ (W /L)Msl.[ [ l+(W/L)..12) Comparator CMOS cu histerezis intrinsec utilizata de comparator CMOS cu histerezis intrinsec simetric este prezentata 'in fig. II :~i li sunt egali etajul comuta In. Simultan. Csipkes. a (6.~= 16 = lbws.1. 0 -7 1 se scrie conditia: 1 tensiune dispare ceea ce accelereaza in concluzie se modifica din nou comutarea daar pragul de camutare Pentru a determina tensiunea :de prag la comutarea intrare tara a afecta pragu! cornparatorului • in cazul cresterii tensiunii CMOS de intrare. Curentul de aproximativ IO).

mod similar: (6.·.:!p:. ' a carer raport dimensional a fest • a~ ~l tranzlstoarele M4 si M6 1 ~ O._:_h_is_te_r_ez_is·.~!e':. una compusa din tranzistoarele M9 .. 6. M12 ~icealalta din tranzistoarele M13 . Daca raport..1 vn. 6.:a::_r=at:.14) ~i(6.Cox .17.[i. I-va ~ r-) (6.. Aceasta conexiune este specificii unui circuit basculant bistabil ~i conduce la obtinerea unui histerezis relativ mare...:' .u =: VGS1 - VGS.. u amtre dlmenslunlle M3 .fCi) interesanra rV .u - .(l+a)· 2·lbias {.2 ~. M20 asigura separarea bistabilului de circuitul de sarcina. . se 0 tIU tensiuni de prag asimetriee. pentru eomutare 0 1" ~I .17.!. in timp ce comutarea inversa are loc atunci cand Vln. fin Cox -~W/L~1... 2003]. M16.2 j~ (6.19) Din relatiile (6.. Etajul diferential de intrare are ca sarcina pere- - P-n . l! 1 .'·· Expresia tensiunii de prag la cornutarea 0 ~ 1 este: Vn... (W/L11 2'/2 . M5 ) _ ca In ~e e doua cornunotat eu a. 4 (6. I a e nu este insa obligato. Qui P-n . u.erezis asimetric (di~ensiunile sunt indicate in microni). 1 Comparator CMOS cu ntstereals intrinsec asimetric.~.• ·. Histerezisul este introdus prin deschiderea tranzistorului M31 care activeazii generatorul de curent M30.17) relatii din care rezulta tensiunile poarta-sursa ale tranzistoarelor de intrare: _" or. M5 dif dmtre dlmensiunile M4 si M6 b.. Cox . M19.l" .. Cele doua inversoare de iesire M17.) . (W/L)Ml. M6 ~i.1-. Fig.20) iar expresia tensiunea de prag este: 1 1 ~ ~.. 1986] este prezentat in fig.. tranzistoarelor (6. .·.:o::.: VR. 1_2_7 Expresiile curentilor de drenii ai tranzistoarelor M1 ~i M2... Tensiunea de Ia iesirea etajul de castig este amplificata suplimentar de inversoarele formate din tranzistoarele MS.:°-=a::_re::_c::_u:. 'I: i '.22) zis relativ mare [Piessens.1\' (. • (ji.1 '''' '.2 . o observatie . (WjL11 2· Ibias ..18 este prezentata rchema unui comparator diferential eu histere0 Expresia tensiunii de prag pentru tranzitia I ~ Os bti ~ e 0 tme V ThD .. sunt: . Iesirea acestor inversoare actioneaza asupra intriirilor SETb ~iRESEfb ale unui circuit basculant bistabil format din doua porti Iogice NAND.. ~. 6. respectiv. MIS si. Tranzistorul M31 este in conductie atunci cand tensiunea de la iesirea comparatorului -ste In 1. Intreaga structura a aeestui comparator este simetrica. de 1 constatarea -.respectiv. Cox . Un compa- rator CMOS eu histerezis intrinsec asimetrie [Wilcox. In relatia (622) S id 1 pentru eomutarea . . Comparator CMOS cu. -a cons) erat pentru simplitate cI'" tranzistoarelor M4 "i M6 1 a raportu dlmenslUndor 'f are tot va oarea a Aceasta egan t riu a fi respectata. '. che de tranzistoare PMOS conect=e incrucisat.-------- 126 C~O~~~~A~RA~TO~A~RE~·~c~u!fu~n~c~t~io~n~a~re~c~o~n~t~in~u~A~i~n~h~'m~p . .18) :·'IJ·····..15) se obtine: (6.m. ~ "~rl'Q'te ' a I tan sunt Implicate tranzistoare diferite: M3 . M7. care se presupune cii functicneaza in regiunea de saturatie. -.I. in concluzie se medica doar tensiunea de prag corespunzatoare comutarii 1 ~ O.2 ·(I+a) . . ~I 1 era de raportul . ~' r ·-.21) In Comparator diferen~§al CMOS cu histerezis mare Tn fig. M8.

Curentul veni saturarea VDO pentru a permite etaj are 0 largirea gamei de tensiune valoare redusa pentru a prede polarizare de polarizare <>. Curentul si rezis- 0-'-''''''''---''''''' (JutP Dot ~R. Comparator CMO:S eu histe~ez~s asimetric (dimensiunile tranzistoarelor sunt indicate tn microni). 6. Condensatola iesirea primului etaj de ca~tig este Iimit!~ d: :oOI~udt~rde. Fig.. BiCMOS cu histe e' HUiti dinamice de 4 mY. ua 10 e conectate antiparalel isterezisul este produs de bucla de reactie . Comparator BiCMOS cu histerezis sirnetric de ±SOO )AV. Primul etaj nu este eascodat de mod comun. 6.. 1k castig au configuratie cascoda. .' ~l '.a fost ze foarte mari.l . pozitiva formata din tranzistoaVOD m clrcultul de sarcina al etajului de intrare. numai de numai eu durata de 4 ns ~i ell de intarziere 2 mV peste tensiunea de prag. . timpi de comutare 2002]. in fig. Timpul este de 0.2 11m ~ieste alimentat de la doua tensiuni de alimentare de -2 V si de +3.128 COMPARATOARECu functionare continua in timp Comparatoare Cll histerezis de histerezis multiple in la intrare este de nurnai 3 mY. Comparator BiCMOS eu hiisterezis simetric de ±3 mV. de castig urmate de repetoare doua etaje de de tenare Comparatoare valoare mica. rul CB este utilizat pentru a simetriza tim . cu iste. prima so utte de realizare a unui comparator BiCMOS hi reZIS simetric de v a l oare mica• este prezentata in fig. cat si a unei sensibi[Brigati. . 0 . Aceasta 129 valoare re- Tensiunea dusa a tensiunii preveni 01. til.20. Acest comparator_. . Circuitul de curent constant variaza lent.' r ZIS simetrtc de . . .1 primului tranzistoarelor din etajul de intrare. Comparatorul complet . . este prezentaproiectat in scopul obtinerii atat a unei vitede aproximativ 300 ps. realizate cu ajutorul tranzisde a fost fabricat Intr-un proces BiCMOS 1.!2 Vln Ii ~ 1 Vln VBl vss VRell vss Fig. M12 . Comparatorul este capabil sa raspunda la impulsuri tensiunea Fig. propusa de acelasi colectiv fiind • C?mpar~toare diterenliale hlsterezls intrinsec diferentiale BiCMOScu . rele QH1 si QH2 di . d . cu nivelele logice EeL.~ .11+ de histerezis este suficientii pentru a accelera comutarea ~ipentru a comutarile cazul semnalelor de intrare care au fost Toate generatoarele toarelor PMOS.20. o a doua solUfie. 6. . -' .• I .. 6. xcursia de tensiune de E H' . Intregul comparator 0 paratoru se compune din doua etaie difi . are 3 etaje diferentiale Ultirnele siune care asigura compatibilitatea o structura diferentiala.18.19 [Bigongiari 1996] Co .19. J erentia e de ca~tlg In conexiune cascoda e iesrre este constituit dintr-un inversor CMOS M11 .3 V. mEtajul d I .8 ns. 6.

1988] este prezentat un comparator intr. 08..onibile In procesul tehnologic in care se realizeaza circuitul integrat in fig. Condensatorul CF are rolul de a micsora banda de frecventa a prirnului' etaj In scopul filtrarii tensiunii de zgomot din sernnalul de intrare. SiGe - siliciu-germanru. Q4. ~iM2 sunt tranzis oare .dinamica de 4 mY..:> . R4) iar eel de al doilea este un amplificator de tipul celui prezentat in Sectiunea 5. 0 tensiune diferentiala maxima de 2. Comparatorul are la intrare doua repetoare de tensiune formate din 'ranzistoarele 01 ~i02. cu efect de camp cu poarta jonctiune de tip Schottky (tranzistoare MESFET). .MS sunt tranzist. Acest comparator are doua etaje de castig: primu! etaj are 0 structura de amplificator diferential bipolar cu ~a.130 COMPARATOARE eu functionare continua in timp 0 Comparatoare cu histerezis 131 toarele de sarcina din ultimul etaj de castig sunt dimensionate pentru a obtine excursie de tensiune de iesire compatibila ECL (300 mY diferential).6 21 prin. ne asemenea. M3.. C ompara t'or S'CMOS I _ •.tY~i timpii de comutare de 300 ps. _··. Q4. R1 .8). diferen~ial BiCMOS cu histerezis simetric de va- Comparator loare mid §i bucfa de reac:tie pozitivi:l MOS.::1tsu. . 0 prevenirea oscilatiilor de cornutare in iurul tensiunii de prag. de la 0 tensiune de 3. 35 GHz reprezinta Irecventa de tranzitie a tranzistoarelor bipolare . 6:.3 V pentru circuitele de interfata PECL.t NM'OS eu tensiune de prag redusa ("tranzlstoare natura e . introduce un histerezis de aproximativ 500 !lY.. 6. Tranzistoarele Ml • 1 ") . are 0 sensibilitate .03.o tehnoiogie care foloseste C8 . 35 GHz* Fig. B 0 stare bine definita a iesirii In conditiile In care utilizeaza doua tranzistoare MOS in bucla de reactie pozitiva [Philpott. . R4. .' lutia dinamica necesara si are ca rol..2 V.21. t rele M1 si M2 avand ca sarcina rezistoarele R3 tranzis oa "f de amplificatoru) difer~ntiaI MOS. format din ~l R4. rezistoarele de sarcina ale primului etaj au fost impartite in doua parti egale iar colectoarele tranzistoarelor din bucla de reactie pozitiva au fost conectate In m ij Iocu! celor doua divizoare de tensiune care au rezultat prin aceasta impartire.Un comparator BiCMOS care a terminalului Enable care asigura comparatoruI este dezactivat. ..4. Comparator dlfererr. OUI Bucla de reactie pozitiva din circuitul de sarcina al primului etaj..• . M8). comparatoruiui poate fi tntrerupta pentru a re~uce consu~ul de curent de alimentare prin dezactivarea generatoarelor de curent ~I comanda m 0 Functionarea tensiune de histerezis de ±500 ). cresterea Histerezisul este introdus vitezei de comutare ~I Comparatorul accepta 0 tcnsiune de mod comun de intrare cuprinsa intre 1 V si 2.. CircuituI a fost fabricat intr-un proces BiCMOS SiGe de 0. Cuplajul dintro prirnul ~ieel de al doilea etaj de castig este asigurat de repetoarele de tensiune 05 ~iQ6.2 (07.. Tranzistoarele Ml.c:na rezistiva (03.• Acest comparator are la iesirc un lant de 3 inversoare CMOS care aSI~ura o capacitate de cornanda relativ marl': necesara in aplicatia careia 'ii este destinat comparatorul. Tensiunea de histerezis este mal mica decat rezo. R1 . . Pentru a obtine un histerezis de valoare redusa ~i pentru a preveni saturarea tranzistoarelor 03 si 04.tm ~i "i este alimentat de la 0 tensiune de 5 V pentru circuitele interne si. $i in acest caz histerezisui asigura comutarea rapids si evita cornutarile multiple pentru semnale de intrare lent variabile. histerezis simetric de valoare mica. litera L . lcae m mdi t' ~ fig .. . derial semiconductor compusul GaAs. Acest condensator a fost dimensionat pornind de la compromisul dintre tensiunea de zgomot ~i viteza de comutare.': . 6. 1994] este prezentat in fig. respectiv.. .lat cu histerezis intrinsec in tehnologie GaAs Pentru a ilustra utilizarea tei nicilor de circuit descrise in sectiunile anterioare independent de dispozitivele ii.5 V..21. Din acest motiv este necesara introducerea celui de al doilea etaj de ca~tig pentru a obtine 0 excursie de tensiune EeL la iesire pentru 0 tensiune de intrare de ±4 mY.

Etajul de tranzistoarele M1 ~i M2 si este un arnpliflcator diferential M5. Durata 1. ' ~. 6.2.)999] terezis intrinsec dinamic.132 COMPARATOARE eu functionare continua in timp Comparatoare eu histerezis " 133 Fig. Is rential eu sarcina rezistiva. in timp. daca tensi .. M7 polarizate in curent constant de tranzistoarele Cand tensiunea 02 §i 05 si rezistorul Curentul de intrare se modifies astfel Incat'sa bloeheze tranzistorul sarcina LanM8... Q1 *i sa aduca ln conductio tranzistorul R2. Comparatorcu histerezis intrinsec dinamic este prezentata aeestui comparator schema unui comparator se face presupunand cu hisca. nea din emitorul lui 07 In functie de variatia tensiunii de iesire. 03. VR si presupunand ca 01 > Cb<7.t". Q2.~ "I. 6. cii~tig estc eu are si inti-area si iesirea diferentiala. baza-emitor au rolul de a deplasa convenabil nivelul de curent continuu.. 6.22.l. prin condensate- Me.ll :::: h:::: h :::: In plus 1. Comparator ell histerezis intrinsec dinamic.3. C1 "" C2 C ~i. de la iesirea Out1 creste ~i.. respectiv pozitiva J.2 V. Insensibilitatea circuitului Ia variatiile tensiunii de intrare continuo.spentru un curent 1= 50 j. Deoarece R . respeetiv Tranzistoarele efect introducere Se remarca doua repetoare de tensiune..18/2. din emitoruI M7.. va circula prin condensatorul Capacitatea C1 conducand. Vx din ernitorul regasesc in scheme uzuale care folosesc tranzistoare 6. din nou. la reducerea ten- rezistiva. determina prin tranzistoarele 01 si 04 §i rezistorul R1 ceea. = 2 rnA.ce fie in starea 0 ~i iesirea Out2 In starea 1. similare Fenomene tranzistorului 06. unea de intrare se mcdifica din nou astfel Incat sa intre In conductie 01 curentut sau de colector va circula prin 03 si R2 astfel Incar tensiunile de iesire raman nemodificate. MS. a tranzistorului 07 (Cb•7) ~i M3 ~i M4 constituie faptul ca acest comparator care are ca condensatorul tor pe emitor tranzistorului C1 forrneaza un divizor capacitiv care determina 08 transmite saltul de tensiune cat variazii tensiului 07 catre baza histerezisului In function area comparatorului. La iesirea etajului de ca~tig sunt coneetate turile de diode dintre sursele lui M5. atunei cand la intrare exists la intrare se aplica 0 tensiune iar tranzistoruI 02 0 tensiune 03 si Q6 sunt blocate. va ridica ~i tensiunea siunii din emitorul lui 07. Comparator eu histerezis intrinsec In tehnologie GaAs. pana cand raportul tensiunilor Vb<3 si Vbe4 va determina ca. . Tranzistorul repe- utilizeaza tehnici de circuit care se bipolare ~i tranzistoare MOS. curentul de 01 sa circule din nou prin 03. Viteza de scadere a poten- In fig.23. ~" :~ ~~J·~~f . circuitul functionand 01 conduce ca un amplificator difepozitiva Curentul au loc la comutarea inversa prin intrare 'in conductie R:::: 400 Q. Analiza In conditii tranzistoarele functionarii "" colector al tranzistorului tialului din baza tranzistorului curentull.Ase obtine un timp de insensibilitate de 20 ns. suficient de comparatorului poate fi controlata prin rnodificaa de repaus. Is < 2. insensibilitatii rea curentului Q3 depinde de capacitatea condensatorului 01 ~ide RI "" Rz ""R. Tensiunea rul C1.23 [Panov. constants. C = 3 pF ~i dVln I dt:::: 20 V / ). 18 circula ea iesirea Out1 sa In urrnatoarele conditii: VR = 0.1.Daca mare tranzistorul este blocat. curentulls tranzistorului circula prin tranzistoarele 07 care se blocheaza.. CornparatoruI format din tranzistoarele Fig. se impune conditia VR < R . ~idrenele buela de reactie lui M6.

_ a a leWIl comparatorului independent de vitcza d . '>. tensiunca de la iesirea comparatorului fi d . P ag poate fi evitara prm utiJizarea histemamic.. Comparetoarele care includ In domeniu l'" . ~In ..cl . . re e parametnt dlspozltlvelor comparatoruAceasta modificare a tensiunii de r '.1" tat de la 0 singura sursa de tensiune. deoarece includerca alimentate diferenti. . "rail-to-rail input". .. intrare. .134 COMPARATOARE cu functionare continua in limp Utilizarea histerezisuJui asigura: • Comutare rapid. In cazul comparatoarelr-r .. r: ~]L -rail Ia iesire ~irail-to-rail atat la intrare cat ~i !:~ iesire..t\(LATOARE RAIL-TO-RAll rcgim statrc. rezisului di . Cazul particular ~. : ~a fie eompatibil eu familia de circuite logice • Cornparatorul comparatoarelor este considcrat anal ! . acest caz tensiunsa de pra dificats nind dupa un timp la valoarea J' _.uni de alimentare. iiul tensiunii de mod comun de intrare nu prezinta dificul- .~)menju de variatie al tensiunii de mod comun I: intrare care sa includa am belt: tens..ensiune de mod comun ambele tensiuni de aL· mentare au la baza solutii ur. i~dt< ~j in realizarea amplificatoarelor operationale care au aceeasi proprietate. '" . Cornparatoarele prezcncste n sectiunile anterioare au un domeniu al tens) unii de mod comun care poate ii.~&in cazul amplificatoarelor operationale exisu circuite rail-to-rail la intrare. a tensiunf de intrare.rezinta interes pentru discutia de 'Jr fata bomei de alimentare intermediare i:: (!IIi de realizare.. g este rna ificata temporar ea reveIn 7 COMP.de numai una dintre tensiunile de alimentare Exista aplicatii care necesita un l.il nr .rea comutarilor multiple in cazul un or semnale de intrare de valoare .. -nurnirea de rail-to-rail se refera nurnai la domeniul de tensiune de mod CO!TIl'C1 i!. HisterezfsuJ static modifica lnsa tensiunea de prag care va d . c vanaue • !~~:. epinde fie de lui. Comparatoarele furnizeaza la iesire un semnal de tip digital care treu .

Aceasta variatie a amplificarii creeaza dificultati in asigurarea compensarii in frecventa a amplificatorului operational. nefiind necesara compensarea raspunsului in frecventa functie efectul variatiei transconductantei este doar variatia vitezei de comutare a com paratorului in functie de tensiunea de mod comun la intrare. indecomun a mtrare..'. _ . ec I I. M2 ' ormat intr-o pereche de Oglinda comple .3.31.}i M4 I . iesire poate sa includa sau nu tensiunile de ali xcursra de tensione de la dif . Fig.NMOS. Pen.3. M2 ~i M3. tlon~aza dear etaJu~ surnate si tra~s~ormate in variati~ tensiunii de ie~ire~erechl de tranzrstoare sunt apor Ou Se dlstmg doua tipuri de astfel de abiIa 10 functie de tensiunea de d co~paratoare: cu transconductanta vari. Comparator cu domeniu larg al tensiunii de mod comun la intrare si transconductanta variabila.. M10 ranseon uctantelor celor d . . oua perechi de tranzistoare de . de tip cascoda pliata Etaiul d . 2002].. unul construit eu tranzistoare NMOS' nIl e ~taJe r erentiale de tru 0 tensiune de .. P cater drferentlal transconductanta . transconductanta intregului etaj de castig variaza de la simplu la dublu In de tensiunea de intrare de mod cornua.' na U UI herenfralintr-u I" fu rruzat la iesire.1 intrare Comparatorul are 0 structura de am Jifi '. uc an a constanra. relativ usor obtinerea unui domeniu de tensiuni d . Diferenra de curenti produsa de cele doua . e ahmentare este prezentara in fig. Din acest motive' . mo comun §I cu transcond t tpendenta fata de tensiunea de mod I. COMPARATOR CMOS CU TRANSCONDUCTANTA VARIABILA Schema unui comparator simplu eu do' . In aeest mod transconductantele celor doua perechi diferentiale de tranzistoare se aduna. ele eontribuie impreuna prin dezechilibrele curentilor lor de drena 1a modifieare curentului prin cele doua ram uri ale oglinzii de eurent de iesire.~ ~r ~~ 0 pereche de tranzistoare NMOS. intrare cat ~i transfonnarea sem I 1 . . ~I ce a a t cu tranzlstoare PMOS. . e mtrare este dublu fiind fi d' tranzlstoare PMOS M1 . . Daca transconductantele eelor doua perechi diferentiale de intrare sunt egale. apropiata de tensiunea d ' negatrva funqioneaza doar etajul diferential PMOS' "d ' e alrmentare . Solutiils prezentate in continuare utilizeaza tehnologii CMOS . 'f oc eaza. menru de tensiune de mod comun la [Xu. ru curentilor de drena ai este pre uat de oglinda de curent conducand la variatia torului prezentat in Sectiunea 5'. ~ . care include ambele tensiuni d . toareIe NMOS M3 si M4 . e . dif . Variatia transccnductantei acestui tip de etaj de castig are efecte foarte neplacute atunei cand el este utilizat In constructia unui amplificator operational deoarece conduce la variatia puternica a omplificarii. are ca rol atat sumarea t d· ormata llltranzistoarele M5 . t PMOS M1 ~i M2 sunt cele care bl h 1~ rare se apropie de VDD tranzistoarele se oc eaza Dez h Tb I tranzistoarelor M3 .9 trebuie indeplinite ~i n acest caz pentru a evita I blocarea tranzistoarelor 'in conditiile aplicarii unei tensiuni diferentiale de intrare de valoare mare. In cazul unui comparator. decat tenSlUnea de prag si se bl h _. M4. 7. M3 si M4 xa e curent de tIP cascoda fi . 1.1. 7. e poarta-sursa mal mare _ • . In aceste conditii za similar cu eel din fig.. De asemenea conditiile dintre curentii de polarizare prezentati in Sectiunea 5.136 COMPARATOARE cu functionare continuii in timp Comparatoare rail-to-rail 137 conectate la iesirea comparatorului.di .1.9. . n semna asimetne care este Atunci cand tensiunea de mod cornun .11 comparatorul functionea- tiler de drena ai tranzistoarelor M1 ~i M2. care functioneaza in bucla deschisa. tensiunii de iesire 'in aceeasi rnasura In care ar fi putut sa a faca dezechi1ibrul curen- 7. e alimen tare rara ca prin acest fapt sa s mo I Ice semnificanv caracteristicile comparatorului. nu mal au aSlgurata 0 tensiun _ _ . N_- . Cand tensiunea de mod comun la intrare ia valori care permit functionarea ambelor perechi de tranzistoare M1. t Jar can tensiunea de mod co mun se a~ropre de tensiuneapozitiva de alimentare func . intrare. mod comun de valoare mica. Performantele acestui tip de comparator sunt similare cu cele ale cornpara- Cand t~msiunea de mod cornun la . care pennlt includs tensiunile de alimentare pri tili ~ mod comun la rntrare care sa III u I izarea unei perechi d ie di f . 5. la mtrare se apropie de Vss tranzis'.

rele de curent furnizeaza ac-lesi eurent. M6 si. mult pentru perechii M7-M8. mun a tntrare ~i : '. . structura similara cu cel urezentat in Secti e a imentare ~i utili lU .to:-l- minin-. ele per~chl de tranzistoare de intrare sunt bloeate ~I ~c~a~u~rm=are. Difein are care asigura 0 tra d pendent de tensiunea diferentiala de intrare.:1:1" tr-o supracomanda :nsconductantei. respectiv.:U Out 2.nslunea de mod eomun la intrare crqte tranzisLu..::R"-------:r-------'I~' . re Ute remarcat faptul ranzistoarele M3 si M4 . transconductan~e suficient .:..I anzistoare M1 si M2 co· • ue.' . 1997J. Toate tranzistoarele siuni ceea ce permite tranz. M7 . e M9-M10 este extras/injectat in/din sursele ' tranzistoarele M3 si M4 . a randul Ior un curent egal eu /. ~ I din sursele tranzistoare~or Ml1-M12 ~i acestea sunt coneetate 'in pan.(Ez::aza de Iirr. o I' transconducranta constanta." ca suma curentilor prin . cu dublul transeonductantei de mod comun eoboara uneia dintre perec! de rnult pentfl - de mod eomun la produce curentul tranzistoaro:\or M3-M4 nu mai ext . Cele sa aiba perechi d -l. respecnv M9 si M10 t d.:nDe asemenea toate gener. proiectate Tran~...+:. respectiv.d I' 7 2 [R a transcoduetantelor tranzistoare sunt trarisconductant tranzistoarelor M1-M2 ~i M7-M8. M6 tranzistoarele a bloca M7 . "{ ~J. cand functicneaza .3 ceea ce acce[ereaza putemica la intrare. respecuv..izarea ncimperecherilor.nrelor operationale In . S:~ . Astfel ... Perechile de tr .2.rintr-un regim de operare 'in inversie re transconductanta Variatia IT.. respecnv..istoarelor ramfme in limitele a maximum 10% in condi'iiNMOS este egala cu transconducr3'lta. nscon uctanta constanta inde_ A tzeaza un etaj transcondueig. Daca aceasta solutie este pe dcplin ea este mai putin justificati :. d iunea iferentiala de la intratranzistoarelor M11-M12" ~I..138 COMPARATOARE cu functionare continua in timp Comparatoare transconductant rail-ta-rail etajului..2. ·dUl se mentine doar aproximativ percellii diferentia1e constanta deoarcce: CG:\ _ Atu~ci ~and tensiunea de mod comun de in . d .. de tensnme a Atunci cand tensiunca blocarea totala este egalii. .1. 7. .io' In ca- care iese din ·funmoderata e ctiune trece mai 'intal :. M12 au acelea!?i dil¥:. atunei cand t::.uitul se complica foarte mult in cazul in care do- reste mentineree constants in cazul amplit.« c etajului de intrare.a ocare~ acestora. contribuie la nu transconducta:1tei Ie In care transconductanta tranzistoarelor PMOS. M7 si M8 conm 1 erent de tens' dif reo urentul I fumizat de M3-M4 .conductanta astfc1 incat etajului va fi data doua de egale sum" 7.ransconductant-a etajului dimfme eg eu duU..trAa Acest comparator' a exeursiei de tensiune viteza de comutare la iesir. eta. Se poate observa justificata Fig.. dif "I. edman. M12 intra In functiune tranzistoa':·~t: M5-M6 iar transeonduetan~a Transconduetanta etajului se mentine constanta. 'II... COMPARATOR CMOS CU TRA!'lSCONDUCTANTA CONSTANTA simplu eu domeni ..11.. Deci atunci .t in Seqiunea .Hele suficien~ (t" M1 .'.itare considerabil pre -entt. Schema unui comparator mtrare care include ambele ten' tanta constanta este prezentata A in fi sium .. . . matatea tensiunii de alirnentare fii d 'b'ltrare are valori apropiate de ju• ' n POSI J a functiona bI atat eel PMOS cat si eel NMOS' rea am e or etaje de intrare con uc un curent egal cu I T b . e.ll e transeonduetantei Similar. • La comutarea dintre funetionarea narea unui singur tip L::: tranzistoare ambelor tipuri de tranzistoare perechea diferentiala si func. M9 ~I M10 de . Comparato r eu d omemu lars al tensiu nil d e mod co .-I1zistoarelor cre~te.' \ aHi cu tranzistoarel M7-M8. eelalalt cu tranzistoare NMOS' . ' to Transconduetanta PMOS nu este perfeet egaUi. unu cu tranzrstoare PMOS ~i care sunt cuplate la ogli d d ra insa struetura etajelor de . la iesirea etajului de castig circuitul 4. pin e numai de tensiunea de d . n a e curent de iesire.es~ comparator are 0 fiind constrturt din doua eta' diferenti u eel prezentat m Sectiunea 7 1 • ~e I erentiale de intrare I' . i·.. M5-M6 ducand I bl amb tranzistoarele M5-M6 si M11-M12 u-----. tr .. . cu a perechii NMOS. Trebuie observat Lpwl din consumul ca total de 6·/ doar un curent ega) . mod de [a mtrare./ contribuie la transcond:. Nr cazul unui comparator.:1 mare de noduri precum ~i dispozitivele supl>:en- .

regirnul de . d etajului cat §l a co '. I nsumului de curent.4) precum ~i un layout ingrijit care sii reduca la minimum tensiunea de ofset a fiecareia dintre cele doua perechi de tranzistoare de intrare. in plus." . Referintele de c~ent In ~pe~ edne omire dureaza un timp In care . t d tip rezistor-dioda. . d . _1 mparatoarelor nu pot fi garantate. . 0 8 DIFERENTIALE COMPARATOARtE AUTOPOLARIZATE variatie a tensiunii de Trebuie remarcat faptul cit tensiunile de ofset ale tranzistoarelor de tip uri diferite. NMOS si PMOS.u specificatiile. asigure curentul de polarizare c~re ::~ur! arie si curent de alimentare .In miilocu) garnei de tensiuni de mod eomu~ la intrare. Referinta de curent va .' t i r de curent pe annan e. . .d . fa tensiunea torala de ofset a comparatorului vor contribui ofseturi Ie ambelor tipuri de dispozitive. o problema cornuna etajelor de intrare eu domeniu larg de tensiuni de mod ~j cornun de intrare care utilizeaza perechi de tranzistoare NMOS zinta variatia tensiunit de ofset. Polarizarea etajelor e cas 19 prm zeaza unu sau ite un control bun atilt al perforrnantelor intermediul generatoarelor d~ curent pernu ita 0 referinta de curent care sa . o solutie Ia aceasta problema 0 constituie dimensionarea "generoasa" a tra~zistoarelor de intrare (vezi _Sectiunea 3. unde funetioneaza ambele tipuri de tranzistoare. . Majoritatea aplicatiilor care utilizeaza comparatoare impun un timp maxim de raspuns care poate fi obtinut cu un con sum mai mic de resurse utiHziind circuitul din Sectiunea 7. I se intampla in cazu re ennte 0 . ar neceSI .i.1. doar dupa ce referinta comparatorul va functiona III c functi Daca in cazul referintelor de . sunt necorelate intre eIe. PMOS 0 repre- Tensiunea de of set va fi diferita In functie de tipul dispozitivelor care opereaza la un anurnit moment.cons~ma:~f:~itate . I normal de nctionare. de ca ti . ~ 1 mai multe generatoare de curent.140 COMPARATOARE cu functionare continua in timp tare din schema vor adauga lntarzieri suplimentare.or realm tranzitoriu e p circuite eu reactie a car o. functionare este a InS ra 1 rf t independente de tensiunea If. Cand functioneazadoar tranzistoarele PMOS tensiunea de ofset va fi generata doar de neimperecherea acestora .I te de exemplu.2. toarele diferentiale prezentate In sectiunile anterioare utiliToate compara t . d t de tensiunea de alirnentar.. t' pid dupa punerea In t . • functiune a circuitului nu acelasi Iucru .sunt de alimentare.. de curent ajunge III regimu c. performantele circuitelor analogice. rerermta e curent simp e. cum es . " . I . Modificarea dinarnicg a structurii etajului de intrare In functie de tensiunea de mod comun Ja intrare induce ofset In funqie de tensiunea de mod comun la intrare. Ciind funqioneaza doar tranzistoareJe NMOS ele sunt cele care produc tensiunea de ofset. eel ~l a e co . a oi distribuit diferitelor etaje de castig.

Auropolarizarea etajului de castig creeaza 0 bucla d. circuitele digitale CMOS. Arnplificarea e. Amplifier"). . .ere[B~~es. ntla complemenfar autopolarizat" Pentru a i'ntelege mod I d fi .""- .. Out Deoarece etajul CSDA are 0 structura complernentara castigul sau este ce doua ori mai mare decat eel a1 unui etaj de castig unipolar cum sunt cele d'l: fig..de curent. ernorie cache Intel 82385 [Bazes. excursia de tensiune de la iesire poate fi foarte apropiata de tensiunea de 3 mentare. pentru sectiunea NMOS ~i de tranzistoarele M1a $i M3 pent-_. . "Complementary Self-biased Difti. reactie negativa care stabilestc tensiunea de polarizare. za in regiunea In etajul de cii~tig CSDA din fig.Ipoglinda . respectiv.:_e 1_4_3 f. M2a-b). 8. In circuitul din fig.. erent1a. Pentru a asigura ( 8.1 b nu poate fi polarizat intr-un mod stabil. I ' . respectiv.:..ictionarea In regiunea liniara a tranzistoarelor M3 s M4 permite etajului de castig CSDA sa genereze curenti de iesire mult mai mar: decat curentii din punctul static de functionare ceea ce nu este posibil in cazul E.a-b iar este impedanta din nc ful de iesire.1 a).1 b rezuJtand un eta' de . in fJ'. In etajele de cii~t..1..sliniara.ndade curent ~i cele doua et~~nd In ~tu.J c este utilizata 0 singura tensiune de polarizare preluata din nodul intern VBias.stii doar doua tranzistoare amplificatoare (M1i'J_-b si. 8. 1991]_ ~!C . .madetlp ogJinda de curenr. 8. COMPARATOR CMOS AUTOPOLARIZAT .1 . Excursia mare de tensiune de la iesire pennite interfatarea usoara . -----"_ Acest comparator a fest utilizat pentru a realiza conversia de nivel' TLL-CMOS in controlerui (: . 8. in Gta.. . . Pentru a asigura 0 polarizare stabila este necesar ca cei doi curenti de polarizare sa fie rigur~s egaii.ta~ele ~arcurse in conceperea sa omi a acestui comparator se vor unua~rc. Acest amplificator a A. Ima etapa t ' 111 e e ye e ~tJP o.tern de catre tranzistoarele M3 M4 y ca~tJg dlferential complementar poJa ' VDD ' • nzat polarizare stabila circuitul se rnodifica din nou si se ajunge ia schema din fig.d CSDA amplifies toate cele patru tranzistoa. 1991J.~.e M1a-b ~iM2a-b. .1 c. u e unqlO nare I j e. SIMPLU Schema unui comparator CMOS a :nn care ea se obtine pomind de la doua a uto~olanzat simplu. .. Posibilitatea de a genera curenti mari de iesire recornanda utilizarea etajului CSD/I. 3. sectiunea PMOS.1 e tranzistoarele M3 ~i M4 functione. eznei dm fig. M~. De aceca tensiunile VH ~iVL poate avea valori foarte aproj ate de tensiunile de alimentare ~i..ajului este: (a) (b) e·l) (c) Fig. unde gmt ~igm2 sunt transcc iductantele tranzistoarelor M1a-b si.1. aUtopolarizat simplu.rate cele doua circuite de sarcina . Pentru a se obtine 0 arnplificare mare este necesar ea tranzistoarele I\li" a-b si M2a-b sa fie operate In saturatie.deoarece tensiunea de iesire variaza intre VH VL. pentru a fi utiiizat In comparatoare de viteza mare.l_:t. '0 "".. este prezenfata In fi .. Orice diferenta dintre cei doi curenti de polarizare conduce Iz.142 COMPARA TOARE cu unctlOnare continua in tim Comparatoare diferenliale autopc larm. Bucla de reactie negative este formats de tranzistoarele M2a si M4.~lJficatoare diferentiale cu sarcina de ~~~enumlt de autorul sau "Amplificatorg~i. P8 1 and de 1a structura de etaj de ca§tig cu l~tlg cOmplementare 1'0 pro g. Variatiile de proces sau variatiiIe de tcnsiune de la intrarea In-r conduc la 0 modificare a tensiunii din nodul VBiu:i care ajusteaza curentii prin intermediul reactiei negative.gJi. precum §i etapele .2jelor clasice de castig care contin doar tranzistoare care f~nctioneaza In satura-ir.f ~x. Etajui de castig din fig. modificarea profunda a conditiilor de operare ale tranzistoareior.". rara a utiliza a bucla de reactie care sa controleze unul dintre cei doi curenti de polarizare. ~~tl~ sunt cUpIate lmpreuna conform . 8. Comparator d' .eTY"l'l. sunt prezentate doua astfe] d tai d . Fu. 8.

~ . Tranzistoarele de lari M ~ es e conecrata Ia iesirea fi· Impartite In doua J'um"Ct' po anzare. a. Comparator difer~ntjal autopolarizat eu doua etaje de ea~tig.3.are comandii inversoru] de iesire M15 M16 . ie tensiune dintre intrari lnt _ d'C.4. pag. 8.ura compat! Ih. h' " P CSDA este utilizat ca etaj de . 8. e tntrare format din . Fiecare dintre cele doua arnplificatoare poate opera la 0 tensiune de mod comun apropiata de una dintre sursele de alimentare. Schema din fig. consi erate suficiente etaj de decizie (toate dimensiunile tranzistoarelor. re circuituj de sarClnii cu .144 COMPARATOARE VRef cu funelionare continua in timp Comparatoare diferentiale autopolarizate i45 F rg. 'departe pana la M8b care-t polari . UU In re iesrrea etajului d . . aces comparator au fost id pentru aplicatia respectiva.Pd ' do~r tra~zlstorul M1 a ~i asa mai dintre cele douaJ'umatatJ' ale t . Acest tip de etaj de ca~tig este denumit VCDA ("Very-wide Common-mode-range Amplifier"). La eehilibru curentul generat de M3a olarizeaza In c~re sunt dlmensionate. enslUnea dlferentialii obtinutii ~ aJU UI e ecrzie de tip CSDA . . 8. sunt exprimate in microni)." tcare suplimentara si transfiorm... ~r 2 transfonna d!ferenta . Tranzistoarele ML1 ~i ML2 au rolul de a limita excursia de tensiune d(: ia nivelul etajului de intrare. ia a mtr-o tensiune asimetrica . 8. Pentru a putea opera la 0 tensiune de mod comun care ia orice valoare In intreaga gama de tensiuni de alimentare trebuiesc utilizate ambele tipuri de etaje de amplificare asa cum s-a aratat in Sectiunea 7 . r 0 Herenta de curenp d d ann ~ele doua oglinzi de curent M3'1-M3 i M41-M e_ ren~ ca." . ieclzle in comparatorul a c' .2. CSD ~. WIL. eel eu tranzistoare de intrare NMOS in jurul tensiunii VDV ~ieel cu tranzistoare PMOS in jurul tensiunii Vss.. ranzistoarele M1 . 1991] este propus ~i un comparator diferential autopolarizat cu domeniu larg de tensiune de mod comun la intrare..3 este utilizatii ~i in circuitul descris In [Piessens. .. TranzlstoruI M9 asig ibi . COMPARATOR CMOS AUTOPOLARIZAT CU DOMENIU LARG DE TENSIUNE DE MOD COMUN " In [Baker. 8. .re este tra~sferat 'eacne pozitiva format din tranzi t I M~ 4 ca. .J.. . v a atI pentru a sugera modul • . M ' Performanrele oferite de 't " §I B nu circuli! curent. M t _. e cas Ig e tip Intranle mversoare ale celor doua etaie C de referinlA iar intrare neinversoa 1 .' _ .2. arui sc emaesre prezentatii in fig 8 3 Etaju] d . Differential In obtinerea acestui tip. e sarcma Cli reactie pozi- to [Hazes. rstfel este aplicatii la intrarea et . 3' M4 M7 si MB sunt reprezentate ca iind . Comparator diferential utilizand comparatorul autopolarizat simplu ea Circuitul deseris in [Riins 1994J utili -d _ .une In curent contin •t . 8._. atea d e tens. .200:. t IS oare e 5 M8 T' .• . d ~ ~DA sunt conectate la tensiunea re ace UI e al doilea eta' t primului etaj. d d ..tensi care aSlgura 0 ampli't a ensiunea dlferenf 1. ~ Fig. Schema acestui comparator precum ~ietapele parcurse In obtinerea sa sunt prezentate in fig.. :ea~ loar pe 6b rar pnn eonexiunile orizontale t ranZlstoare or M3 M4 M7 . 1 rzeaza oua etaje d • ti d A cone:t~te !n cascada conform schemei din fig 8. 685-696] etajul de ti . .2. Iva si intrarea etajului CSDA..4. in acest caz amplificarea primului etaj de castig este crescuta prin utilizarea unui factor de transfer supraunitar pentru oglinzile de curent M31-M3 ~i M41-M4.. a. 1997. de etaj de castig s-a plecat de la doua etaje clasice de tip cas coda pliatii asa cum se arata In fig. I .

. OUI croprocesorul Intel-ltanium™ in calitate de buffer de intrare pentru semnalele dir.. Aeest comparator i~ir' Ajl~ka puternie ca§tigul In functie de nivelul scmI V6J"as Vb" nalelor de intrare.5. . asigura 0 vss (a) (b) produse :1(. ra or Iferen(ial autopolarizat .5..:~ pr~n conectarea tuturor inA ~e functionare al etajului printr-o b '1. ..1) In care g .". COMPARATOR CMOS AUTOPOLARIZAT RAPID [Ilkbahar..146 COM:PARATOARE C '~. 8. I ' . care permite dezactix <I'. In functionarea interpretare corecta a semnalelor Iogice.. VTh. . 8.:Dresi'J este Impedanta din nodul de" an. Cornparatorul a fost proiectat pomind de la semnalele de validare care functioneaza in mod diferential In timpul transferurilor norrnale de date dar poate functiona si In mod asirnetric atunci . • mJ ~l 8m2 sum traDseonduet tI . Comparatorul dispune si de un terminal. comutarea altor semnale si. 8. 8.. 8. .. Vln '-. Se cbnne astfel un amplitic:~o~n~:~cone:tarea ~i rn~cazul etajului de ca~tig de ti.65 V comparatorul se comporta ca un inversor logic cu tensiunea de prag ll( 0. Acest comportament permite utilizare comparatorului autopolarizat rapic atiit pentru semnale diferentiale cat si pentru semnale asimetriee. 2001] este descris un comparator autopolarizat utilizat In rni- In ..Ie :''''' azire In circuitele digitale P 1C lVl e U 25 . In fig. ' Comparatoarc dlferentialeautopolarizate 147 InIn.4 e se obf ' ctul st:tic° enzare .. V.3. Tensiunea de prag. ea eelor doua oglinzi de curent o~s~ructle a etajului VCDA consUl In inlatu- I~:~' ~. Enableb Prima etapa a procesului de c .Jzlen1or eu 0 0-----.l blocarea tranzistorului MP1 intrerupand alimentarea comparatorului.easta ~onectare stabi/izeazii ) ~ mpllficarea etajului de ea ti V uc a de reaqle negativii. 8. Enableb. VDD'O--------. atunei cand tensiunea de referinta ia valor: cuprinse In gama 0...Ia tensiunea interna -VBias . Ollmyanath 1999] " za un comparator utilizat ' _ ' utJiJzeazii ctajul VCDA urn ~ia Z"'O _ In masurarea fntarzierilor . azat pc structura veDA' e a Imentare este de pe mal buna de 15 ps permlte cstimarea fnt~'· .65 V .'ilrator diferential autopolarizat rapid.65 V. magistrala externa..~. Co'n. Acest compoi ament.' 5 motuluJ produs prin cun .. in (c) Fig..e egala cu tensiunea de referinta.'a:ld se schimba circuitul master care controleaz.6 este prezenta+t C aracteristica de cornutare statica a cornparatorului diferential autopolarizat rapid.4_ b nu Eta_rul de ca~tig VeDA d' f ilor d I' In Ig. a comparatorului es.e a tensiunii de mod comun care asigura protectia la semnalele perturbatoare mod asimetric. D. permiie obtinerea unci rejectii suficien. -1-0 - Out Fig.' rea comparatorului prin aplicarea unui potential egal eu VDD ceea ce conduce !.. eomun la Intrarc.-- . 8. a Intrare Circuitul descris in [S ..'' .s.4 Compa t di . O.r -~ " .e e tranZJstoarelor conectate 1 " le~lre. VRef.~~J~ p ~nzat Intr-o man/era stabifa. in functionarea pe mod diferential. u unctwnarc f continua in timp l :. rocesuj . ~ g eDA se poate cal.'. omparatorul b ' urn tar tensiunea d l' ut'... l. b." . tensiune de mod ~u domellJU larg de .. etajelor rezultate ca In eo~plementar cu polarizare A ClrcUltul din fig._ _ • datorate tntcrconexiunilor -tcnzat este un proces C"''''OS d '.i magistrala.. Pentru tensiuni de referinta mai mici decs0. pentru a .eu a cu aJutorul e... &. Schema acestui este prezentata in fig.

1080·1087. ISSCC'96. V. SC·17. Editura Tehnica. Boyce. Decernbrie 1982. 1984] M. G. Rapeanu.W. -- 7~ . 1. N. [Bigongiari. pag. Februarie 1991 r: . Solid-State Circuits.i :+" . Solid .. [Analog. "An 8-Channel250MHz BiCMOS Discriminator for Medical Imaging". Brigati.4 'l 1.1996] A.. . 1997] [Bazes. Baker. SC-2r:· pag. Reinhart anf Winston. Caiulo.0 [V] . F. BIBLIOGRAFIE .I. I 0. 1984. CMOS Analog Circuit Design. Li. 165-168.I...' ~. vol. vol.E. H. IEEE International Solid-State Circuits Conference.. I' S. Holt..8 I . 1. Fig. G.467. Octombrie 1999.. New York. 1991] ') M.6 [Allen.2 .. R. Bucuresti. 1982] D. EDN. \. [Allsto!. Axenenko.J. Holberg. Bi~ongiari.~ . 1. Allen. Gheorghiu.E. and Simulation.6 11-- COMPARATOARE . 326·327. pag. Bazes.6. [Axenenko. ·t. . Maloberti. VAel I 0. "Two Novel Fully Complementary Self-Biased CMC'~ Differential Amplifiers". A. Marinescu.JOnare continuli In timp t' . . 2002] * * *. S.. 2002. Analog Devices Inc. l. ~. 1987] P..R. I 0.Manual ce utilizare.148 1. vol. D.I . unc. Caracteri~ti~a de comutare staticii a Com . Segal. Circuite integrate liniare .State Circuits. New York.~ " . Puchianu. 'f' I' f . A Vii~escu. 1997 [Baker. cu f . 1999] V. [Bodea. 1987. IEEE J. (caracteTlstlca de comutare unui parat?rulUJ dlferentiaI autopolarizat id I comparator Ideal este trasata 1" rapi a CU ime punctatii). "A Precision Variable-Supply CMOS Comparator"... Bodes. CMOS Circuit Design. Layou. ---.6 .. IEEE Press. "Comparator exhibits temporary hysteresis". 4.4 . Analog Integrated Circuits Data Book. Allstot. D.. I I . Franchi. 8.. IEEE J. i t : ~ ( . R. Februarie 1996..

RA Mao. Editura John Wiley & Sons. :SSCC'78. 46-47. H. Landsburg. SC-14. Pohlmann.. D. Circuite integrate iiniure. IEEE Internalional Symposium on Circuits and Systems. F.EE International Solid-State Circuits Conference. 1979J Y. bahar. Blasco.2000J T.rootveld. . D' Ascoli. ust 2000. t» S. Decembrie 1977. Meyer. pag.C. ve A. r·at A4-145. Nicholson Jr. 16-17. :Csipkes. Musa. SC-B. "A Versatile Monolithic IC Building-Block for Light-SenSing Applications". f . 1976J '" * *. 3.M. T.2000) ]ray. "A 1 volt simplified comparator with nonlinear class-AB driver and rail-to-rail output stage".R. Csipkes. Cluj-Napoca. Brigati. 1988J ElIermeyer.. . "A Charge-Balancing Monolithic AfD Converter". 961 -969.l'" complexe.265. H. [Katsu. SolidState CirCUits.. Langmann. M. "A SiGe BiCMOS Burst-Mode I55-Mbls Receiver for PON". G. I1kbahar. 1997J P. pag. ISSCC'76..n.J.A Charge-Balancing Monolithic AID Con.A. National Semiconductor Corporatio . SC. vol. SC-31.r ':. Iwasak. 1979) H. Muljono. Februarie 1979. ISCAS '92.-S.MJ\fC130 convertor AID monolitic de 3 cifre". Kessler. 1977J G. vol. HOlt. Bodea. 85-90. C.2001J A. Technology for Digital Voltmeter Applications". IEEE J.. Ianuarie 1996. "A Two Chip PCM Voice CODEC with Filters". pag. Huntington.~iOS Technology". . SolidState Circuits. Solid-State Circuits. 2001. Solid-State Circuits.. . Gatti. . pag.. pag. ISSCC' 88.2003J J I " j . 1.1t 1 Conference. 1992. pag. Linder. Editura Casa Cirtii de $tiin~a.. Manolescu. Gregorian. " .Integrated DTMF Receiver". 1973J J.F. Huijsing. vol. Malcovati. Decernbrie 1981. IEEE J. Solid-State Circuits. 1983J A. Colombara. vol. Katsu. Botta. Decembrie 2000. 1979) J f 1 M. W. Solid-State Circuits.r 150 COMPARATOARE cu functionare ccnnnus In timp -T . 1983. Yokozawa. Csipkes.. P. ' Decembrie 1973. (Maio. Elemente constructive ulilizate In proiectarea circuitelol' alit/!n. Gray.. Monticello. 1988. pag. 61-69.A CMOS Monolithic 3~-Digit AiD Converter". Bucure~ti: Editura Tehnica. E. Jregorian. IEEE International Solid-State Circuits Conference. Pace. . Kazumura. 2004 C. Liu. pag. L. Februarie 1977. U. B. iEEE 1. ) Icda. Kerekes. 1999. B.G.. 1565-1573. Nagata. Fonderie. J.u . T.A Monolithic Speed-Control Micro-System for Autornoti . 2002) Btbliografle [Jarrett. 556-561. T. N. Kana. Iunie 1979_ [Landsburg-l . pag.B. "Itaniumn• Processor System Bus DeSign". Sinaia-Romania. 1996] Low-Cost CMOS AID Converter". 1997. 1992] R. pag.. c. pag_ 616-621. vol. ird: J. [Landsburg-Z. Gregorian. 5C-13. IEEE J. Februarie 1988. T. Jlt. pag.pp I'rca tions" . "A New Successive Approximation Architecture for Low-Power [Linder. SC-16. G. pag. The Art of Analog Layout. SC-12. Callahan Jr. Dan. T. ISSCC 77. Seger. Landsb.. pag. VI.-C. [National. SC-38. Bucuresti. "A lO-Gbls Eye-Opening Monitor IC for Decision-Guided Adaptation of the Frequency Response of an Optical Receiver" . M. I j 1 j $ 1 [Lin. Ellermeyer. Solid-State Circuits. 662-672. IEEE International Solid-State Circu. vol. L Mihut. Jiru. Maio. Grootvcld. Zojer. rC-14. IEEE 1. vol. Llicrarile Con!erin/ei Anuale de Semiconduc/oare (CAS). vol.Fully Analogue LMS Adaptive Note!Filter in BiCf. 1977J G."/< . vol. ::>ecembrie 1978. B.verter".J. Iulie 2002. SC-36. Muresan. vol. "An Untrimmed DfA Converter with 14-Bit Resolution". IEEE J. vol. New Jersey. Circuite integrate allaiogice _ Analiza 9 i proiectare. 2001 J [Monticello. 434-439. Ianuarie 2003. [Brigan. It. 873-881. Prcntice-Hall Inc. . P. 1981] K. pag. 'J. A Manolescu. fEEE 1. vol.B. Solid-State Circuits. 1958-1963. Jarrett. D.280.. aque.' [Callahan. IEEE lntemational pag. Februarie 1976. Kaneko. New York. S. R. G. 1978J [Mus a. Octombrie 2001 sstings. Lin. Februarie 1978. "grated Circuits Data Book. 1380-1383. M. [Manolescu. SC-35. 98-99. L. A Hastings. 271-274. P. IEEE J. "A Single-Chip AID Converter in PMOS. M.H. U. 54-62.2004J Dan.Jri1 dan. IEEE J_ Solid-State Circuits. 887-894. pag. Solid-State Circuits.. 1988J S. Venkat. Solid-State Circuits Conference. Wedding. SC-37. Analo» lr. "A GaAs Programmable Timer with USps Delay-Time Resolution". Haque. R. 1978) R. lmorductiofl to CMOS Op-Amps and comparators. vel. Editura Didactica ~iPedagogica. R. [Kessler. 1999] . Turic. W. K.F. Decembrie 1979. "A TWO-Quadrant Analog Multiplier Integrated Circuit" IEEE 1.D. W. Solid-State Circuits. IEEE J. Solid-State Circuits.

-I. "Analog CMOS Teletext Data Slicer". IEEE J. Kertis. .M Frederiksen. Rodriguez.. ISSCC'77. S._SC-14.Novel CMOS Image Sensor Witha 132-dB Dynamic Range". Delgado-Restitute.Automotive and Industrial pag. Barbu. [Suarez. P. Sugawara.G. 70-71. Decernbrie 1983. R. "A Monolithic ± 5~-Digit BiMOS AID Co~verter". [Soumyanath. Solid-State Circuits. D.. * *. Suarez. K. Yamada. 1983. Stefan. pag. vol. M. IEEE J. 1994J [Piessens. SC-34. vol. SolidState Circuits.High Resolution CMOS Current Comparators: Design and Applications to Current-Mode Function Generation". New York.M Frederiksen.IEEE J. vel. Precision Monolithics Inc. vOI. pag. . "A High-Speed Comparator Design Technique". Steyaert. [Redman. Iunie 1980. 116-117. Analog integrated Circuits Data Book. L. [Sugawara. T. 1972] R. pag. 1989J [Traff.M. vel. 177-184. Post. Decembrie 2002.-U. Muresan.A. ric . W.A High-Speed NMOS AID Converter with a Curren~ Source Array". 1982] [Panov. A. . (Russell-2. pag. A. ISSCC'72. F. pag. R. Majima. Ianuarie 2003. T.. Februarie 1979. Editura Didactics ~i Pedagogica. 22-29. vol. G. pag. Februarie 1994 Rodgers. 295-301. 35. pag. Soumyanath. 310-312.Highly Efficient xDSL Line Drivers in 0. Iunie 198 . Martie 1995.. Gray. lume 1989.. pag. pag. N. W. 313. 1983) Gh.. Wideband DC-Coupled Amp/Schmidt". "An All-MOS ChargeRedistribtition AID Conversion Technique". Ianuarie 1992. R. Dalla Betta.248.llHernational Solid-State Circuits Conference.J. IEEE J. Ohri. Richetta.. 1997] Rijns. SC'I. 1972] [Ohri. Traff. M. IEEE 1. pag. "A 7 MbyteJs (65 MHz). Waldschmidt.. Mixed-Signal. Schulte. . "Automotive and Industrial . Electronic Letters. Webster. Panov. _ Electronic Building Blocks". SC-18. Solid-State Circuits. B. Rijns. 701~712. pag. and Slew-Rate Rail-to-Rail CMOS Input Circuit and its Application to Analog Cells for Low VoItage VLSI Systems". Solid-State Circuits.Novel approach to high speed CMOS current comparators".1. 1995) H. C. SC-38. vol. vol. vol. vol. Stoppa. Decembrie 1972. Shinn II.R. Manova. [Russell-l . pag.r. 1497-1498. . E. 1980] H. M. D. "Integrated PCM Co dec". s. 1999J P:H. pag. Zhou. 1999. Bloechel. IEEE J. Editura John Wiley & Sons.mCMOS Using a Self-Oscillating Power Amplifier". Ohgishi.. Analog Integrated Circuits and Signal Processing. IEEE International Solid-State Circuits Conference. Mal 1999 [Stoppa. W. Martie 1994.446-454. Redman-White. T. SC-37. IEEE J. n [Shinn.B. H. Februarie 1972.E. Solid-State Circuits. SC-17. vol. vol. Solid-State Circuits. 1983J T. . J. IEEE International Solid-State Circuits Conference..A. Solid-State Circuits. pag. a: I I IEEE. Solid-State Circuits. T. [Post. 10. 1974) R.A. 616-621. Electronics Letters. S. "Accurate On-Chip . S.A Monolithic 14 Bitl20 us Dual Channel ND Converter" . 2003] T. 1999] [Saul.ISSCC'94.. 1990. pag. . Borkar.6-8. Philpott.13. vol. [PMI. R. . 7.]. pag. M. Hodges.A High Bandwidth Constant s.152 COMPARATOARE cu funclionare continua lil timp Bibliografie [Ohgishi. IEEE J. 623-631.Comparator with dynamic hysteresis".J. Electronic Building Blocks". Solid-State Circuits. R.. Analog Signal Processing. 8.A. DOi. D. SC-29. vol. 28. IEEE J. Bucuresti. Solid-State Circuits. 2 IEEE J. 723-729. Enomoto. Thurber. pag. Domfnguez-Castro.Vazquez. . Schmerbeck. 1999) K. Komatsu. Februarie 1977. 1977) . Kluwer Academic Publishers.E. A.Molybdenum Gate _ MOS Applied to an AMIFM Digital Frequency Synthesizer". "IEEE J.. T. 28-29. 1994J H. SC-13. 617-626. Solid-State Circuits. . Ishibe. Circuite integrate digitale. M. pag. T. 232. 149-165. SC-1S. Mai 1997 Februarie 1974. pag. Solid-State Circuits. G. Medeiro. Septembrie 1999. 1978) 153 R. . Pallas-Areny.A. SC-24. Callahan r-. [Pallas.R.1979J K. T. 194-195. . Rus~eH.l. 555-560. pag. Gonzo. Simoni. [Stefan. 37. SC-32.35-!. A. C. vol. Magnetic Recording Channel DSP Using Partial Response Signaling with Maximum Likelihood Detection". 1992) [Vazquez. Popov. vol. Gottardi. 2002] D.i~terconnect Evaluation: A Time-Domain Techni~ue". Saul. Piessens. 1846-1852. IEEE Intemational Solid-State Circuits Conference. IEEE J. Rodgers. L Draghici. Tanji. Russell. [Philpott. Akiyama.ISSCC74. C. 38-46.1990] .-F. Octombrie 1978:.

152 [Ohgishi. 2002. 8. Hodges . C. pag.Accurate ". . ISSCC'94. Shinn Il.! ~. 1978J COMPARATOARE cu functionare continuli iii timp •.I ..'. Tb"... Gener vol.P g [Stoppa. I Solid-State Cireul .. G y. . T. .I. SC . N.c " Mooolithk • 5~'Dig. . Sourny. T. Editura Didactica ~i Pedagogica. pag. SC-14.Februarie 1977. . . . Draghici. [Shinn. IEEE f. VO I• 28 • pag • 310-312. •.0. vol..AID Conversion Tec hninue" .M.I. pag. IEEE J.. M Gottardi. R W Russell. Dalla Betta. Webster. Russell.. On-Chip Interconnect v.t • Electronic Building Blocks.1990J Integrated Circuits Data Book. IEEE International mque Redistrib. . R. [PMI.. F.R..)S Image Sensor It a 1846-1852. • •• B.. SC-18. Dominguez-Castro.. Mai 1997 T S ga«: ra M. 295-301.B. g I cks".Molybdenum Gate T. Conference. 1999.. "A 7 Mbyte/s (65 MHz). n . ~.A. 555-560.. ISSCC'77. pag.vel approach to high spee d CMOS current cornpar~..A Philpott.. . Schmerbeck. 617-626. 1990.Bo a 116-117.: digitate H. Februarie [Pallas. vel. -Restituto. De. D. . IEEE J. pag. Manova. . vel.. . f1 1 ~2:rCJf.-F.. T.. PreciSion Monolithics Inc. hni . 19 99) K. 70-71.. 701-712. W." Fu~ctl"'" . T. G.'c »tters.. . SC-13. u . pag.35-g CMOS Using a Self-Oscillating POwer Amplifier". vol. '. Februar.. Bucuresti. "Wlde . Decemcric .~ . I . " k C Zhau B. . CMOS Input Circuit and its Application for Low Voltage VLSI Systems".EEE J. Ianuarie 2003. L . . T.·. Vol. 1974] '> fa D.E. D. vol.A. . a" 723-7~9. D.. . SC.j ' Compva '. ~ .. 1983] 9--"4. SC-37.. 1989J R.. .. Rail-to-Rail "A High BandWidth Constant gm and Slew-Rate to Analog Cells [Stefan. ". H. Roog.l. 2002] ' Simoni.. M. SC-15.tl20 IJ. Februarie 1972.p g. Popov... Solid-State Circuits... Martie 1994. Mai 1999 IEEE J. B.A1talog Integrated Circuits and Signal Pro~eSstng. . '.c [Sugawara. Ishibe. 1?~9. Solid-Sta C'rcuits Conference. (Piessens. Solid-State Circuits.R.J. S(. .IEEE vol.~~~~""'-""""'!l.S Dual Channel AID S Kern: vu.High Resolution CMOS Current to Current-Mode s: Design and Applications . Stoppa."<.-I. . 1980] NMos AID Converter with a CUfTent Source Array". [Russell-2. 1977) s .. 1497. .313. vol. 177-184.. Ohgish]. Solid-State Circuits. Suarc-. Iunie 1982.M Freder~~sen~~ i Solid-State Circuits. . SC.. 1992) Gh. vol. Saul. R. Enomoto. . pag. Kluwer Academic• P u blishers .. . E.. SC-29.. -.l.. Solia'~State Circuits. SC-24. Automotive and Industria _ R.. [Saul. Convert.1999J Electronics Letters. Piessens. Solid-State Circuits..."-Q. Analog Signal Processing. . BOT ar.6-8. Bar~u. Com arator Design Tee ruque • P:H. S. IEEE 1.u. lEEE Intemationa Electronic i3Ulldm . 1995J Converter". vol. SC-38. Martie 199 . Iunie 1980. -34 a. 35. IEEE Inte=ationa I 0lid -State CIrCUIts I v' ~" ~32 pag 28 -"')/. 1983] f... .1 R.Integrated PCM Codec". Mixed-Signal. 1982) [Panov. Akiyama. . Callahan Jr.A D. A. IE .A. en Automotive and Industrial . IEEE J.: -" .e 1)83. Septembrie with dynamic 446-454.j. . J. P "'. Medeiro. "Comparator hysteresis". 22-29. Novel O.'EE t Decemt . [Suarez. Februarie 1994 Roo.1498. Richetta. I-State Circuits..G. 1972) .Solid-State Circliits.p g..248. S. Solid-State Circuits. 194-195. Waldschmidt. Steyaert. . 1997] W.J. '. .1994J R. Rod iM. Solid-State Circuits.-U. """..·. '.Jh. G." . Post. pag. Redman-White. pag.E. SH. Ianuarie 1992..• .Highly Efficient xDSL Line Drivers in m O. vo!.R.. pag. M.Domain Technique". pag. CMOS To/"". Conference.".."0./ [Traff. vol. h 132-dB Dynamic Range. Kertis.~:" ~.A.' '49-165. ~f:::. SolidState Circutis. Decembrie 1972. Circuite i~tegl. 38-46. J. ISSCC 72. (Redman. 1972] R.''">7 )".z-Vazquez. Tra Electrc Solid-State Circuits Conference. Tanji. Doi. (Philpott.. . Majima... I'.....MOS AID [Vazquez. An All-MOS ChargeR. Panov. . Solid-State Circuits. Iunie 1989.. [Ohri. 1999] 1979. '. Pallas-Areny.:.. MOS AppJied to an AMIFM Digital Frequency Synthesizer".13.41k.a.) . ISSCC'74. [EEE f. A... pag. C. . vol. K. Iti . Ohri. Bloechel. . "A High-Speed [Sournyanath. Schulte. Magnetic Recording Channel DSP Using Partial Response Signaling with Maximum LikcLhoCd Detection". IEEE f.. Gonzo.:. 1.'~ _ ... * * *. vel.. E aluation: A' T' ime... 1979J K. pag. .2003J T. band DC-Coupled Amp/Schmidt . W. Yamada. Bibliografie [Russell-I. A.. SC-32. H.. 1994J R Rij".A Monolithic 14 1. . "A High-Speed p 17 a 616-621. Analog [Post. 'lM Frederiks .. IEEE 1".. New York. . 623-631.. i'. 19v. Muresan. Editura John Wiley & Sons..A. 10. Octombrie 1978. L.

Delgado-Restituto. caIn cazu a f conectat implicit. dard ale tranzrstoare or. 19661 R. New York. SC-21. Decembrie 1986. Comparators".es. M. Wilcox.. 1853-1859. "Core memory sense amplifier designs using an integrated dual comparator" Fairchild Semiconductor. Widlar. F. uat. "A 1.2002J A. 2001. ~Vazquez.. R. pag. . 934-940.. Tranzistorul MOS este un dispozitiv cu patru tenruinale . sagea" I simbolurilor din fig. vol. Palo Alto. pag. fig.154 COMPARATOARE cu functionare continuii in timp Parameters. pag. vol. Ki.J o '0-4~B S Go---1--oe o (b) J 6 s (a) Fig. Solid-State Circuits. Dominguez-Castro. vol.. 2002. Virtoz. Wilcox. ce. _j . pag. . . IEEE J.de Ia Rosa. Medeiro .E. 1.25-llm CMOS Process".An Ail-MaS Integrated Delta ModUlation Codec". Architectures and Circuits". Zhang.A. Simbolurile stan. n " c tr ta indicand terminah. . SC-37. .A high speed differential comparator" Fairchild ANEXA :1L Widlar. t . A1. George Moschytz ~i Barrie Gilbert." . tru . pag. if d 1 schemelor care utilizeaza tranzis oare a simpli lca esenu .12. . M.·H. . Xu.Trade-offs In Chris Toumazou. Chan. California. .A 2-V Amplitude-Linear IEEE J. 1. Widlar. W. SC-13. Yukawa.cllm.t MOS in aceasta carte .. A1.M. R. Al. IEEE J.MOStransistors operated on the lateral bipolar mode and their application in CMOS technology". ) I de subsn r B "I cazu I' SlID bolurilor. . Iunie 1983. in the Design of CMOS :Vazquez.. Rodriguez-Vazquez. 1978] A. Medeiro.la sursa corespunzatoare . Martie 1965. http://www..d . California.. Repk APP-123. Palo AIIO. Solid-Sta~e qrcuits. RodrIguez-Vazquez. 230-234.. A1. MaS care sunt prezentate in s-au folosit doua alte de simboluri e tranzis or vol. din fig . 1965) Semiconductor Application Note-I 16. F. 1986) M.2. Februarie 1966. 11 .. 273-279. Solid-State Circuits. Solid-State Circuits. Vss re este considerat e pentru tranzistoarele NMOS si VDD pentru cele PMOS. Phase-Locked ~""'MiBOLURILE $1 ECUATIIlE ~~~ TRANZISTOARELOR MOS Loop".2 b ~i d Iipseste terminalul d~ subsn a. Vittoz. ~ d alimentare. Trade-Offs in Analog Circuit Design _ The Desigller's Companion. W. 2001) A. (a) NMOS ~i(b) PMOS or .I Simbolurile stamard ale tranzistoare I MOS' . . I NMOS si PMOS sunt prezentate in fig.I de sursa la care este conectat 51 ter~11Inalul de sub. .2 a '( c lipseste termma u si '. . Decembrie 2002 (ukawa. SC-l8. Aprilie 1978. . Widlar..zooz] C.0-Y YDD CMOS Active-Pixel Sensor With Complementary Pixel Architecture and Pulse width Modulati?n Fabricated With a O. IEEE J. 1983] E. ALL Totusi. Kluwer Academic Publishers. Comparators. editori... pen. Specifications. 1.

.

6e + k3b=-1.model mosn runos ver.2 Simbolurile simpli~cate ~i emniflcatia lor pentru tranzistoarele: s (a) ~l (b) NMOS. B G~~ S = c' G o-1J .1--..8 kt1=-O.ge-18 uc=-2.9 nch=1.2 pdiblcl=3.2e-2 k3=5.7e-8 dwc=2.. . Modelele Spice pentru tranzistoarele MOS corespunzatoare unui proces CMOS de 0. ~~ ".7e2 dsub=O.6e-4 cdscd=O prwb=-5.6 11mutilizate In exemple (~2.q'ESj .Bel nlev=O af=1. GD---1~VDO 0 J S ANEXA 2. VrOn + r.91 voff=-O.. .2 at=3... . 1987.7e-18 ucl=1.8e-7 bl=9.6e-4 drout=O.8e-10 cgso=3.6um ~TMOS • ********************'**************************************!~ Y n :.6 pvag=O + vsat=1.1e19 xl=O + xw=O alphaO=5.. 127]: Vrn :..3e5 ags=O.2 level=49 + mobmod=2 capmod=3 noirnod=l kl=O.: ~2·q.6e-2 pscbel=3..97 dvt2=-O.13 dvtO=9.3e-8 nlx=le-lO ngate=4. A1.7e + dvtl=O.2e-2 + ktll=O ual=O ubl=-2. pag. .t/JFn *** Model generic pentru un tranzistor *** tipic intr-un proces de O. t/JPn).17 bO=4.3e-10 cgdl=O cgsl=O + ckappa=O. Ecuatiile care descriu functionarea unui transtor NMOS m conductie puternica sunt [Allen.8e-2 + pdiblc2=5. MODELELE SPICE ALE TRANZISTOARELOR MOS (b) (d) Fig.8e-10 uO=4. (c) ~i(d) PMOS Pe parc~rs~1 ace~tei Iucrari s-a considerat ca toate tranzistoarele In conduce sunt opera:e In lOver~le puternica.4e-10 prt=9.7e-7 dwb=le-8 + dwg=-1.6e-7 alphaJ.em=4.8e-3 + pdiblcb=O. G~~ 0 ~ (e) 0 (a) 0 G~~ S = Go--j~vss S J 0 s G~~ 0 .8e-10 cgbo=1.~2.38 aO=O. +~2.6 rdsw=2e-3 + wr=l cdsc=-2e-4 cdscb=1.=O betaO=2..1e7 pclm=1.25 etaO=O + etab=-1. 96 ..42 kt2=-4.l .92 k2=-3. ".15 keta=-2.4e-2 nfacior=l.~ S G~~ S+B s..156 0 0 COMPARATOARE cu functionare continua in timp S.4e6 dvt2w=O ua=le-ll + ub=3.77 al=O a2=O.t/JPn + VSB .6e-2 + prwg=-4e-2 cit=O tox=1.2e-7 delta=3.3 ""t-"'. NSUB ·2·¢Pn Cox **********************************************************k··* VTOn ==VFB +2.2e2 + cgdo=3. In ecuatiile de mai sus .22 wO=8.2e-8 dlc=9.8e8 + pscbe2=8.7e-5 dvtOw=O dvtlw=1.7e17 vthO=O.3e4 ute=-1.s-au utilizat notatiile uzuale ale parametrilor unui izistor MOS.7e-8 11=0 ~w=O 1wl=0 lln=l 1wn=1 wI =0 ww=-5e-15 + wwl=O wIn=l wwn=1.eSi·NsUB Cox pentru VDS < (VGS - VT• ) .sion~3.6 cf=O elm=5 xpart=l clc=le-15 cIe=O.

~'.1e-9 ub=le-22 + uc=-5.3e-8 nl::<=2.leZ rdc=O + rsc=O lint=-4.le2 prds.6 cf=O + elm=5 xpart=l clc=le-15 cle=0.6um ***********************~~~*****************~***************** .6e16 vthO~-O.3e-2 + pdiblc2=1. ':::::.158 + Ccil'vtPARATOARE cu fllnctionare continua in timp + kf=2.8e-2 ua=4.86 fc=O binunir.=1 lk3=0 wk3=O pk3=0 Ivoff=O ~~off=O + pvoff=O Idvt2=O wdt:f.7e-7 + Idif=O hdif=8e-7 xj=3e-7 js=2e-5 jsw=1e-lO is=O n=1 nds=le3 + vnds= -1 cj=3.. 38 kt2=-2.36 etaO=5.·)=O "lrdsw=-6.'.O=O paO=O lvsat=O ItNsat=O + pvsat=O 1o.6 dvt1=0.29 bO=1.1e2 prdsw=O + mobmod=L I 1 1 .4e-12 acm=2 rd=O rs=O rsh=l.)"~aO=O wo.6e-7 1di£=0 hdif=8e-7 xj=3e-7 + js=Ze-5 jsw=le-lO is=O n=1 nds=le3 vnds=-l cj=S.O=D ".2=0.1e-6 bl=2.5 pb=O.1e7 pclm=3.8eS dvt:2w=7.2 ax.2e-3 pscbel~le9 psebe2=1.3e-4 + mj=4e-l pb=O..54 aO=O.2e-06 delta=1.3e-9 + alphal=O betaO=24 nlev=O af=1.6 rdsw=2e3 wr=l cdsc=1.0e-1B ucl=O prt=8.6 kf=1.3e5 ags=O.=4.86 cjsv.21 pbp=O.76 em=4.5el rdc=O rsc=O lint=9.1e-2 etab=O + nfactor=0.75 ejsw=3e-l0 mjsw=O. ge-11 uO=2. I \ ~~+~***************~*******~********* *** Hodel generic pentru un tranzistor PMOS *** tipic intr-un proces de 0.83 a1=0 0.1 .3e-26 ef=1.:"0.4e-7ngate=le20 xl=O :<wOoO alpbaO=1.8e-4 + dvtOw=1.3..madel mosp pmos version=3.1 noia=1e20 + noib=5e4 noic=-1. 4e-8 dwc=2.9.4e-12 acm=2 rci=O rs=O rsh=5.1.!=O *******~**********.3e-2 keta:-9.33 k2=le-3 k3=12e k3b=-1.g5=0 ''''ags=O pags=O lrcs'. 6e-2 pdvt2=0 lketa=O wket.3e-10 cgdl=O cgsl=O ckappa=0.etaO=O petaO=O + letab=O wetab=O petab='.94 voff=-0.lpscbel=Oppscbel=O lua=O vlUa=:O /1 pua e G + lub=O wub=O pub=!) Luc= O wuc s O puc=O leto. 6e-7 dlllb=le-08 + dwg=--1.11 prwg=7.75 Ec=O + binunit=l lk3=0 wk3=O pk3=O IvoEf=O "lVoff=O pvoff=O Idvt2=0 + wdvt2=O pdvt2=O Lke t ae O wketa=O pketa=O lpscbel=O \"!pscbel=O + ppsebel=O 1ua=0 "llla=O pua=O lub=O vlub=O pub=O Luc e O wuc =0 + puc=O letaO=O wetaO=O petaO=O letab=O 'wetab=O petab=O 1aO=0 + waO=O paO=O lvsat=O "Nsat=O pvsat=O lags=O wags=O pags=O + 1rdsw=O wrdsw=-1.6 pvag=4.S pdiblcl=1. 8e..5 + neh=1.6e2 egdo=3e-10 + egso=3e-lO egbo= 1.6e-4 drout=O.98 noia=le20 noib=5e4 noic=-1.4 ktl=-O.2 level=49 capmod=3 noimod=l kl=O.4e-8 wint=Z.1e-4 mj=0.51 + dvt2=-3.5e-4 + tox=1.2e-3 + cdscb=5.29 + ?np=O.5 dvtlw=7.1 + vsat=1.7e-3 eit=2.4e-08 11=0 lw=O lwl=O 11n=1 lwn=1 wl=O ww=-5e-15 + \'JWl=O wln=l wwn=1.3e-27 ef=0.5e-4 cdscd=4e-4 prwb=0.5e-10 mjsw=O. 3e4 ute=-1. 4e-2 + ktll=O ual=O ubl=-4.14 dvtO=1.a=O + pketa=O Ipscbel=4. '.7e-8 winc=2.1e-03 + pdibleb=O wO='O d1c=-4.~~~.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful